KR20210010694A - 발광 소자, 이의 제조 방법 및 표시 장치 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 76
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 356
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 48
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 42
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 41
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 633
- 239000000463 material Substances 0.000 description 60
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 description 23
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 17
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 235000019592 roughness Nutrition 0.000 description 8
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 7
- 101100231646 Arabidopsis thaliana HOL2 gene Proteins 0.000 description 6
- 101100231647 Arabidopsis thaliana HOL3 gene Proteins 0.000 description 6
- 102100022052 Cyclin N-terminal domain-containing protein 1 Human genes 0.000 description 6
- 101150028875 HOL1 gene Proteins 0.000 description 6
- 101000900815 Homo sapiens Cyclin N-terminal domain-containing protein 1 Proteins 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 Polyphenylene Polymers 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical group [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004322 Butylated hydroxytoluene Substances 0.000 description 2
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229940095259 butylated hydroxytoluene Drugs 0.000 description 2
- 235000010354 butylated hydroxytoluene Nutrition 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000004720 dielectrophoresis Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N (1-hydroxycyclohexyl)-phenylmethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1(O)CCCCC1 QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 101100309451 Arabidopsis thaliana SAD2 gene Proteins 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMMKYCILXUEWSS-UHFFFAOYSA-N [Sn]=O.[Zn].[In].[In] Chemical compound [Sn]=O.[Zn].[In].[In] IMMKYCILXUEWSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- LCDOENXNMQXGFS-UHFFFAOYSA-N phenoxybenzene;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 LCDOENXNMQXGFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- FSDNTQSJGHSJBG-UHFFFAOYSA-N piperidine-4-carbonitrile Chemical compound N#CC1CCNCC1 FSDNTQSJGHSJBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- DQWPFSLDHJDLRL-UHFFFAOYSA-N triethyl phosphate Chemical compound CCOP(=O)(OCC)OCC DQWPFSLDHJDLRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
발광 소자, 이의 제조 방법 및 표시 장치가 제공된다. 발광 소자는 제1 반도체층 및 제2 반도체층, 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치된 활성층 및 상기 제2 반도체층 상에 배치되고, 제1 면 및 상기 제1 면과 대향하고 상기 제2 반도체층과 접촉하는 제2 면을 포함하는 전극층을 포함하고, 상기 전극층은 상기 제1 면의 적어도 일부 영역이 돌출된 제1 돌출 패턴을 포함한다.
Description
본 발명은 발광 소자, 이의 제조 방법 및 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 유기발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display, OLED), 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD) 등과 같은 여러 종류의 표시 장치가 사용되고 있다.
표시 장치의 화상을 표시하는 장치로서 유기 발광 표시 패널이나 액정 표시 패널과 같은 표시 패널을 포함한다. 그 중, 발광 표시 패널로써, 발광 소자를 포함할 수 있는데, 예를 들어 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)의 경우, 유기물을 형광 물질로 이용하는 유기 발광 다이오드(OLED), 무기물을 형광물질로 이용하는 무기 발광 다이오드 등이 있다.
형광물질로 무기물 반도체를 이용하는 무기 발광 다이오드는 고온의 환경에서도 내구성을 가지며, 유기 발광 다이오드에 비해 청색 광의 효율이 높은 장점이 있다. 또한, 기존의 무기 발광 다이오드 소자의 한계로 지적되었던 제조 공정에 있어서도, 유전영동(Dielectrophoresis, DEP)법을 이용한 전사방법이 개발되었다. 이에 유기 발광 다이오드에 비해 내구성 및 효율이 우수한 무기 발광 다이오드에 대한 연구가 지속되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 양 단부면이 서로 다른 거칠기를 갖고, 일 단부면 상에 패턴이 형성된 발광 소자 및 이의 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 일 단부면 상에 형성된 패턴이 서로 다른 복수의 발광 소자를 포함하는 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 발광 소자는 제1 반도체층 및 제2 반도체층, 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치된 활성층 및 상기 제2 반도체층 상에 배치되고, 제1 면 및 상기 제1 면과 대향하고 상기 제2 반도체층과 접촉하는 제2 면을 포함하는 전극층을 포함하고, 상기 전극층은 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 적어도 어느 하나는 일부 영역이 돌출된 돌출 패턴을 포함한다.
상기 돌출 패턴은 제1 돌출부, 상기 제1 돌출부와 이격된 제2 돌출부 및 상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부 사이의 함몰부를 포함할 수 있다.
상기 제2 돌출부는 상기 제1 돌출부를 둘러싸도록 형성될 수 있다.
상기 돌출 패턴은 상기 제1 돌출부 및 제2 돌출부와 이격된 제3 돌출부를 더 포함할 수 있다.
상기 제3 돌출부는 상기 제2 돌출부의 외면을 둘러싸도록 형성되고, 상기 제2 돌출부와 상기 제3 돌출부 사이에는 상기 함몰부가 형성될 수 있다.
상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부의 폭은 동일할 수 있다.
상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부 사이의 간격은 상기 제1 돌출부의 폭과 동일할 수 있다.
상기 돌출 패턴은 상기 제1 면 상에 형성된 제1 돌출 패턴을 포함하고, 상기 발광 소자는 일 방향으로 연장된 형상을 갖고, 상기 제1 돌출 패턴이 형성된 제1 단부면 및 상기 제1 반도체층의 일 면이 형성된 제2 단부면을 포함할 수 있다.
상기 제1 단부면과 상기 제2 단부면은 서로 다른 거칠기를 가질 수 있다.
적어도 상기 활성층의 측면을 포함하여, 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층의 측면 중 적어도 일부를 둘러싸는 절연막을 더 포함할 수 있다.
상기 전극층은 상기 제2 면 상에 형성되어 상기 제2 반도체층과 접촉하는 제2 돌출 패턴을 포함할 수 있다.
상기 제2 반도체층은 상기 전극층의 제2 면과 접촉하는 면 중 적어도 일부 영역이 함몰되어 상기 제2 돌출 패턴의 돌출부와 접촉할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법은 기판 상에 형성되는 반도체 구조물을 제공하는 단계, 상기 반도체 구조물에서 방출되는 광을 측정하여 상기 반도체 구조물 상에 서로 다른 광이 방출되는 복수의 영역을 정의하는 단계 및 상기 반도체 구조물을 식각하여 상면의 적어도 일부가 돌출된 돌출 패턴을 포함하되, 상기 복수의 영역에 따라 서로 다른 상기 돌출 패턴이 형성된 복수의 소자 로드를 형성하는 단계를 포함한다.
상기 소자 로드를 형성하는 단계는 상기 반도체 구조물 상에 서로 이격된 제1 마스크 패턴을 포함하는 제1 패턴층을 형성하는 단계, 상기 제1 마스크 패턴이 이격된 영역을 따라 상기 반도체 구조물을 식각하여 반도체 결정을 형성하는 단계, 상기 반도체 결정 상에 서로 이격된 제2 마스크 패턴을 포함하는 제2 패턴층을 형성하는 단계 및 상기 제2 마스크 패턴이 이격된 영역을 따라 상기 반도체 결정의 상면을 부분적으로 식각하여 돌출 패턴을 포함하는 소자 로드를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제2 패턴층을 형성하는 단계는 상기 반도체 결정의 외주면을 둘러싸는 절연막을 형성하는 단계 이후에 수행될 수 있다.
상기 반도체 구조물은 제1 영역 및 상기 제1 영역과 다른 발광량을 갖는 제2 영역이 정의되고, 상기 소자 로드는 상기 제1 영역과 중첩되는 영역에 형성되는 제1 소자 로드 및 상기 제2 영역과 중첩되는 영역에 형성되는 제2 소자 로드를 포함할 수 있다.
상기 제1 패턴층은 상기 제1 영역에 배치된 제1 마스크 패턴과 상기 제2 영역에 배치된 제2 마스크 패턴이 동일한 형상을 가질 수 있다.
상기 제1 소자 로드와 상기 제2 소자 로드의 직경은 서로 동일할 수 있다.
상기 제2 패턴층은 상기 제1 영역에 배치된 제2 마스크 패턴과 상기 제2 영역에 배치된 제2 마스크 패턴이 서로 다른 형상을 가질 수 있다.
상기 제1 소자 로드의 상면에 형성된 제1 돌출 패턴은 상기 제2 소자 로드의 상면에 형성된 제2 돌출 패턴과 서로 다른 형상을 가질 수 있다.
상기 소자 로드를 형성하는 단계는 상기 반도체 구조물 상에 서로 이격된 제3 마스크 패턴을 포함하는 제3 마스크층을 형성하는 단계, 상기 제3 마스크 패턴이 이격된 영역을 따라 상기 반도체 구조물의 상면을 부분적으로 식각하여 돌출 패턴을 형성하는 단계, 상기 반도체 구조물 상에 서로 이격된 제4 마스크 패턴을 포함하는 제4 마스크층을 형성하는 단계 및 상기 제4 마스크 패턴이 이격된 영역을 따라 상기 반도체 구조물을 식각하여 소자 로드를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 전극 및 상기 제1 전극과 이격된 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고, 일 단부면 상에 형성된 패턴부를 포함하는 적어도 하나의 발광 소자를 포함하고, 상기 발광 소자는, 제1 반도체층 및 제2 반도체층, 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치된 활성층 및 상기 제2 반도체층 상에 배치되고, 일 면의 적어도 일부 영역이 돌출된 돌출 패턴을 포함하는 전극층을 포함한다.
상기 돌출 패턴은 제1 돌출부, 상기 제1 돌출부와 이격된 제2 돌출부 및 상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부 사이의 함몰부를 포함할 수 있다.
상기 제2 돌출부는 상기 제1 돌출부를 둘러싸도록 형성될 수 있다.
상기 발광 소자는 제1 돌출 패턴을 포함하는 제1 발광 소자 및 상기 제1 돌출 패턴과 다른 제2 돌출 패턴을 포함하는 제2 발광 소자를 포함할 수 있다.
상기 제1 돌출 패턴에 포함된 돌출부의 수는 상기 제2 돌출 패턴에 포함된 돌출부의 수와 다를 수 있다.
상기 제1 돌출 패턴에 포함된 돌출부의 폭은 상기 제2 돌출 패턴에 포함된 돌출부의 폭과 다를 수 있다.
상기 발광 소자는 일 단부는 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되고, 타 단부는 상기 제2 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 발광 소자는 상기 전극층이 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되고 상기 제1 반도체층이 상기 제2 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 발광 소자의 일 단부 및 상기 제1 전극과 접촉하는 제1 접촉 전극 및 상기 발광 소자의 타 단부 및 상기 제2 전극과 접촉하는 제2 접촉 전극을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 접촉 전극은 상기 발광 소자의 전극층과 접촉하고, 상기 제2 접촉 전극은 상기 제1 반도체층과 접촉할 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
일 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법은 반도체 구조물을 식각하는 2회의 식각공정을 통해 돌출 패턴이 형성된 발광 소자를 제조할 수 있다. 발광 소자들은 서로 다른 돌출 패턴을 포함하고, 돌출 패턴을 통해 발광 소자들이 형성된 반도체 구조물 상의 위치를 확인할 수 있다. 이에 따라, 제조된 발광 소자들의 발광 특성이 편차를 갖는 경우, 돌출 패턴을 통해 이들이 형성된 반도체 구조물 상의 위치를 확인할 수 있고, 상기 위치에서의 발광 특성을 제어하는 것이 가능하다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 서로 다른 돌출 패턴을 포함하여, 발광 특성의 편차가 감소한 발광 소자들을 포함할 수 있고, 각 화소마다 균일한 발광 특성을 가질 수 있다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소의 개략적인 평면도이다.
도 3은 도 2의 일 서브 화소를 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 3의 Xa-Xa’선, Xb-Xb’선 및 Xc-Xc’선을 따라 자른 단면도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 발광 소자의 개략도이다.
도 7은 도 6의 Ⅵ-Ⅵ’선을 따라 자른 단면도이다.
도 8은 도 3의 Ⅶ-Ⅶ’선을 따라 자른 단면도이다.
도 9는 일 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 10 내지 도 25는 일 실시예에 따른 발광 소자의 제조 공정을 나타내는 개략도들이다.
도 26 내지 도 28은 일 실시예에 따른 제2 패턴층의 형상을 나타내는 평면도들이다.
도 29 및 30은 일 실시예에 따른 발광 소자의 제조 공정 중 일부를 나타내는 단면도들이다.
도 31a 및 도 31b는 일 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다.
도 32는 일 실시예에 따른 발광 소자의 개략도이다.
도 33은 도 32의 Ⅵ-Ⅵ’선을 따라 자른 단면도이다.
도 34는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 서브 화소를 나타내는 평면도이다.
도 35는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소를 나타내는 평면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소의 개략적인 평면도이다.
도 3은 도 2의 일 서브 화소를 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 3의 Xa-Xa’선, Xb-Xb’선 및 Xc-Xc’선을 따라 자른 단면도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 발광 소자의 개략도이다.
도 7은 도 6의 Ⅵ-Ⅵ’선을 따라 자른 단면도이다.
도 8은 도 3의 Ⅶ-Ⅶ’선을 따라 자른 단면도이다.
도 9는 일 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 10 내지 도 25는 일 실시예에 따른 발광 소자의 제조 공정을 나타내는 개략도들이다.
도 26 내지 도 28은 일 실시예에 따른 제2 패턴층의 형상을 나타내는 평면도들이다.
도 29 및 30은 일 실시예에 따른 발광 소자의 제조 공정 중 일부를 나타내는 단면도들이다.
도 31a 및 도 31b는 일 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다.
도 32는 일 실시예에 따른 발광 소자의 개략도이다.
도 33은 도 32의 Ⅵ-Ⅵ’선을 따라 자른 단면도이다.
도 34는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 서브 화소를 나타내는 평면도이다.
도 35는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소를 나타내는 평면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(Elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(10)는 동영상이나 정지영상을 표시한다. 표시 장치(10)는 표시 화면을 제공하는 모든 전자 장치를 지칭할 수 있다. 예를 들어, 표시 화면을 제공하는 텔레비전, 노트북, 모니터, 광고판, 사물 인터넷, 모바일 폰, 스마트 폰, 태블릿 PC(Personal Computer), 전자 시계, 스마트 워치, 워치 폰, 헤드 마운트 디스플레이, 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(Portable Multimedia Player), 내비게이션, 게임기, 디지털 카메라, 캠코더 등이 표시 장치(10)에 포함될 수 있다.
표시 장치(10)는 표시 화면을 제공하는 표시 패널을 포함한다. 표시 패널의 예로는 LED 표시 패널, 유기발광 표시 패널, 양자점 발광 표시 패널, 플라즈마 표시 패널, 전계방출 표시 패널 등을 들 수 있다. 이하에서는 표시 패널의 일 예로서, LED 표시 패널이 적용된 경우를 예시하지만, 그에 제한되는 것은 아니며, 동일한 기술적 사상이 적용 가능하다면 다른 표시 패널에도 적용될 수 있다.
표시 장치(10)의 형상은 다양하게 변형될 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(10)는 가로가 긴 직사각형, 세로가 긴 직사각형, 정사각형, 코너부(꼭지점)가 둥근 사각형, 기타 다각형, 원형 등의 형상을 가질 수 있다. 표시 장치(10)의 표시 영역(DA)의 형상 또한 표시 장치(10)의 전반적인 형상과 유사할 수 있다. 도 1에서는 가로가 긴 직사각형 형상의 표시 장치(10) 및 표시 영역(DA)이 예시되어 있다.
표시 장치(10)는 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 화면이 표시될 수 있는 영역이고, 비표시 영역(NDA)은 화면이 표시되지 않는 영역이다. 표시 영역(DA)은 활성 영역으로, 비표시 영역(NDA)은 비활성 영역으로도 지칭될 수 있다.
표시 영역(DA)은 대체로 표시 장치(10)의 중앙을 차지할 수 있다. 표시 영역(DA)은 복수의 화소(PX)를 포함할 수 있다. 복수의 화소(PX)는 행렬 방향으로 배열될 수 있다. 각 화소(PX)의 형상은 평면상 직사각형 또는 정사각형일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니고 각 변이 일 방향에 대해 기울어진 마름모 형상일 수도 있다. 화소(PX)들 각각은 특정 파장대의 광을 방출하는 발광 소자(300)를 하나 이상 포함하여 특정 색을 표시할 수 있다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소의 개략적인 평면도이다. 도 3은 도 2의 일 서브 화소를 나타내는 평면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 복수의 화소(PX)들 각각은 제1 서브 화소(PX1), 제2 서브 화소(PX2) 및 제3 서브 화소(PX3)를 포함할 수 있다. 제1 서브 화소(PX1)는 제1 색의 광을 발광하고, 제2 서브 화소(PX2)는 제2 색의 광을 발광하며, 제3 서브 화소(PX3)는 제3 색의 광을 발광할 수 있다. 제1 색은 청색, 제2 색은 녹색, 제3 색은 적색일 수 있으나, 이에 제한되지 않고, 각 서브 화소(PXn)들이 동일한 색의 광을 발광할 수도 있다. 또한, 도 2에서는 화소(PX)가 3개의 서브 화소(PXn)들을 포함하는 것을 예시하였으나, 이에 제한되지 않고, 화소(PX)는 더 많은 수의 서브 화소(PXn)들을 포함할 수 있다.
표시 장치(10)의 각 서브 화소(PXn)들은 발광 영역(EMA)으로 정의되는 영역을 포함할 수 있다. 제1 서브 화소(PX1)는 제1 발광 영역(EMA1)을, 제2 서브 화소(PX2)는 제2 발광 영역(EMA2)을, 제3 서브 화소(PX3)는 제3 발광 영역(EMA2)을 포함할 수 있다. 발광 영역(EMA)은 표시 장치(10)에 포함되는 발광 소자(300)가 배치되어 특정 파장대의 광이 출사되는 영역으로 정의될 수 있다. 발광 소자(300)는 활성층(330)을 포함하고, 활성층(330)은 특정 파장대의 광을 방향성 없이 방출할 수 있다. 즉, 발광 소자(300)의 활성층(330)에서 방출된 광들은 발광 소자(300)의 양 단부 방향을 포함하여, 발광 소자(300)의 측면 방향으로도 방출될 수 있다. 각 서브 화소(PXn)의 발광 영역(EMA)은 발광 소자(300)가 배치된 영역을 포함하여, 발광 소자(300)와 인접한 영역으로 발광 소자(300)에서 방출된 광들이 출사되는 영역을 포함할 수 있다. 또한, 이에 제한되지 않고, 발광 영역(EMA)은 발광 소자(300)에서 방출된 광이 다른 부재에 의해 반사되거나 굴절되어 출사되는 영역도 포함할 수 있다. 복수의 발광 소자(300)들은 각 서브 화소(PXn)에 배치되고, 이들이 배치된 영역과 이에 인접한 영역을 포함하여 발광 영역(EMA)을 형성할 수 있다.
도면에 도시되지 않았으나, 표시 장치(10)의 각 서브 화소(PXn)들은 발광 영역(EMA) 이외의 영역으로 정의된 비발광 영역을 포함할 수 있다. 비발광 영역은 발광 소자(300)가 배치되지 않고, 발광 소자(300)에서 방출된 광들이 도달하지 않아 광이 출사되지 않는 영역일 수 있다.
표시 장치(10)의 각 서브 화소(PXn)는 복수의 전극(210, 220), 발광 소자(300), 복수의 접촉 전극(260), 복수의 내부 뱅크(410, 420, 도 4에 도시)와 외부 뱅크(430) 및 적어도 하나의 절연층(200, 510, 520, 550, 도 4에 도시)을 포함할 수 있다.
복수의 전극(210, 220)은 발광 소자(300)들과 전기적으로 연결되고, 발광 소자(300)가 특정 파장대의 광을 방출하도록 소정의 전압을 인가 받을 수 있다. 또한, 각 전극(210, 220)의 적어도 일부는 발광 소자(300)를 정렬하기 위해 서브 화소(PXn) 내에 전기장을 형성하는 데에 활용될 수 있다.
복수의 전극(210, 220)은 제1 전극(210) 및 제2 전극(220)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 전극(210)은 각 서브 화소(PXn) 마다 분리된 화소 전극이고, 제2 전극(220)은 각 서브 화소(PXn)를 따라 공통으로 연결된 공통 전극일 수 있다. 제1 전극(210)과 제2 전극(220) 중 어느 하나는 발광 소자(300)의 애노드(Anode) 전극이고, 다른 하나는 발광 소자(300)의 캐소드(Cathode) 전극일 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며 그 반대의 경우일 수도 있다.
제1 전극(210)과 제2 전극(220)은 각각 제1 방향(DR1)으로 연장되어 배치되는 전극 줄기부(210S, 220S)와 전극 줄기부(210S, 220S)에서 제1 방향(DR1)과 교차하는 방향인 제2 방향(DR2)으로 연장되어 분지되는 적어도 하나의 전극 가지부(210B, 220B)를 포함할 수 있다.
제1 전극(210)은 제1 방향(DR1)으로 연장되어 배치되는 제1 전극 줄기부(210S)와 제1 전극 줄기부(210S)에서 분지되어 제2 방향(DR2)으로 연장된 적어도 하나의 제1 전극 가지부(210B)를 포함할 수 있다.
임의의 일 화소의 제1 전극 줄기부(210S)는 양 단이 각 서브 화소(PXn) 사이에서 이격되어 종지하되, 동일 행(예컨대, 제1 방향(DR1)으로 인접한)에서 이웃하는 서브 화소의 제1 전극 줄기부(210S)와 실질적으로 동일 직선 상에 놓일 수 있다. 각 서브 화소(PXn)에 배치되는 제1 전극 줄기부(210S)들은 양 단이 상호 이격됨으로써 각 제1 전극 가지부(210B)에 서로 다른 전기 신호를 인가할 수 있고, 제1 전극 가지부(210B)는 각각 별개로 구동될 수 있다.
제1 전극 가지부(210B)는 제1 전극 줄기부(210S)의 적어도 일부에서 분지되고 제2 방향(DR2)으로 연장되어 배치되되, 제1 전극 줄기부(210S)와 대향하여 배치된 제2 전극 줄기부(220S)와 이격된 상태에서 종지할 수 있다.
제2 전극(220)은 제1 방향(DR1)으로 연장되어 제1 전극 줄기부(210S)와 제2 방향(DR2)으로 이격되어 대향하는 제2 전극 줄기부(220S)와 제2 전극 줄기부(220S)에서 분지되고 제2 방향(DR2)으로 연장된 제2 전극 가지부(220B)를 포함할 수 있다. 제2 전극 줄기부(220S)는 타 단부가 제1 방향(DR1)으로 인접한 다른 서브 화소(PXn)의 제2 전극 줄기부(220S)와 연결될 수 있다. 즉, 제2 전극 줄기부(220S)는 제1 전극 줄기부(210S)와 달리 제1 방향(DR1)으로 연장되어 각 서브 화소(PXn)들을 가로지르도록 배치될 수 있다. 각 서브 화소(PXn)를 가로지르는 제2 전극 줄기부(220S)는 각 화소(PX) 또는 서브 화소(PXn)들이 배치된 표시 영역(DA)의 외곽부, 또는 비표시 영역(NDA)에서 일 방향으로 연장된 부분과 연결될 수 있다.
제2 전극 가지부(220B)는 제1 전극 가지부(210B)와 이격되어 대향하고, 제1 전극 줄기부(210S)와 이격된 상태에서 종지될 수 있다. 제2 전극 가지부(220B)는 제2 전극 줄기부(220S)와 연결되고, 연장된 방향의 단부는 제1 전극 줄기부(210S)와 이격된 상태로 서브 화소(PXn) 내에 배치될 수 있다.
제1 전극(210)과 제2 전극(220)은 각각 컨택홀, 예컨대 제1 전극 컨택홀(CNTD) 및 제2 전극 컨택홀(CNTS)을 통해 표시 장치(10)의 회로소자층(PAL, 도 4에 도시)과 전기적으로 연결될 수 있다. 도면에는 제1 전극 컨택홀(CNTD)은 각 서브 화소(PXn)의 제1 전극 줄기부(210S)마다 형성되고, 제2 전극 컨택홀(CNTS)은 각 서브 화소(PXn)들을 가로지르는 하나의 제2 전극 줄기부(220S)에 하나만이 형성된 것을 도시하고 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 경우에 따라서는 제2 전극 컨택홀(CNTS)의 경우에도 각 서브 화소(PXn) 마다 형성될 수 있다.
도면에서는 각 서브 화소(PXn)에 두 개의 제1 전극 가지부(210B)가 배치되고, 그 사이에 하나의 제2 전극 가지부(220B)가 배치된 것을 도시하고 있으나, 이에 제한되지 않는다. 또한, 제1 전극(210)과 제2 전극(220)은 반드시 일 방향으로 연장된 형상만을 갖지 않고, 다양한 구조로 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(210)과 제2 전극(220)은 부분적으로 곡률지거나, 절곡된 형상을 가질 수 있고, 어느 한 전극이 다른 전극을 둘러싸도록 배치될 수도 있다. 제1 전극(210)과 제2 전극(220)은 적어도 일부 영역이 서로 이격되어 대향함으로써, 그 사이에 발광 소자(300)가 배치될 공간이 형성된다면 이들이 배치되는 구조나 형상은 특별히 제한되지 않을 수 있다.
또한, 몇몇 실시예에서 제1 전극(210)과 제2 전극(220)은 각각 전극 줄기부(210S, 220S)가 생략될 수도 있다. 제1 전극(210)과 제2 전극(220)은 일 방향으로 연장된 형상만을 갖고, 각 서브 화소(PXn) 내에서 상호 이격되어 배치될 수도 있다. 이에 대한 설명은 다른 실시예가 참조된다.
복수의 뱅크(410, 420, 430)는 각 서브 화소(PXn)간의 경계에 배치되는 외부 뱅크(430), 각 서브 화소(PXn)의 중심부와 인접하여 각 전극(210, 220) 하부에 배치되는 복수의 내부 뱅크(410, 420)를 포함할 수 있다. 도면에서는 복수의 내부 뱅크(410, 420)가 도시되지 않았으나, 제1 전극 가지부(210B)와 제2 전극 가지부(220B) 하부에는 각각 제1 내부 뱅크(410)와 제2 내부 뱅크(420)가 배치될 수 있다. 이들에 대한 설명은 다른 도면을 참조하여 후술하기로 한다.
외부 뱅크(430)는 각 서브 화소(PXn)간의 경계에 배치될 수 있다. 복수의 제1 전극 줄기부(210S)는 각 단부가 외부 뱅크(430)를 기준으로 서로 이격되어 종지할 수 있다. 외부 뱅크(430)는 제2 방향(DR2)으로 연장되어 제1 방향(DR1)으로 배열된 서브 화소(PXn)들의 경계에 배치될 수 있다. 다만 이에 제한되지 않으며, 외부 뱅크(430)는 제1 방향(DR1)으로 연장되어 제2 방향(DR2)으로 배열된 서브 화소(PXn)들의 경계에도 배치될 수 있다. 외부 뱅크(430)는 내부 뱅크(410, 420)들과 동일한 재료를 포함하여 하나의 공정에서 동시에 형성될 수 있다.
발광 소자(300)는 제1 전극(210)과 제2 전극(220) 사이에 배치될 수 있다. 발광 소자(300)는 일 단부가 제1 전극(210)과 전기적으로 연결되고, 타 단부가 제2 전극(220)과 전기적으로 연결될 수 있다. 발광 소자(300)는 후술하는 접촉 전극(260)을 통해 각각 제1 전극(210)과 제2 전극(220)에 전기적으로 연결될 수 있다.
복수의 발광 소자(300)들은 서로 이격되어 배치되며 실질적으로 상호 평행하게 정렬될 수 있다. 발광 소자(300)들이 이격되는 간격은 특별히 제한되지 않는다. 경우에 따라서 복수의 발광 소자(300)들이 인접하게 배치되어 무리를 이루고, 다른 복수의 발광 소자(300)들은 일정 간격 이격된 상태로 무리를 이룰 수도 있으며, 불균일한 밀집도를 가지되 일 방향으로 배향되어 정렬될 수도 있다. 또한, 예시적인 실시예에서 발광 소자(300)는 일 방향으로 연장된 형상을 가지며, 각 전극, 예컨대 제1 전극 가지부(210B)와 제2 전극 가지부(220B)가 연장된 방향과 발광 소자(300)가 연장된 방향은 실질적으로 수직을 이룰 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 발광 소자(300)는 제1 전극 가지부(210B)와 제2 전극 가지부(220B)가 연장된 방향에 수직하지 않고 비스듬히 배치될 수도 있다.
일 실시예에 따른 발광 소자(300)는 서로 다른 물질을 포함하는 활성층(330)을 포함하여 서로 다른 파장대의 광을 외부로 방출할 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 서로 다른 파장대의 광을 방출하는 발광 소자(300)들을 포함할 수 있다. 표시 장치(10)는 각 서브 화소(PXn)에 배치된 발광 소자(300)들이 같은 구조를 갖되, 각각 서로 다른 광을 방출하는 활성층(330)을 포함할 수 있다. 제1 서브 화소(PX1)의 발광 소자(300)는 중심 파장대역이 제1 파장인 제1 광(L1)을 방출하는 활성층(330)을 포함하고, 제2 서브 화소(PX2)의 발광 소자(300)는 중심 파장대역이 제2 파장인 제2 광(L2)을 방출하는 활성층(330)을 포함하고, 제3 서브 화소(PX3)의 발광 소자(300)는 는 중심 파장대역이 제3 파장인 제3 광(L3)을 방출하는 활성층(330)을 포함할 수 있다.
이에 따라 제1 서브 화소(PX1)에서는 제1 광(L1)이 출사되고, 제2 서브 화소(PX2)에서는 제2 광(L2)이 출사되고, 제3 서브 화소(PX3)에서는 제3 광(L3)이 출사될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 광(L1)은 중심 파장대역이 450nm 내지 495nm의 범위를 갖는 청색광이고, 제2 광(L2)은 중심 파장대역이 495nm 내지 570nm의 범위를 갖는 녹색광이고, 제3 광(L3)은 중심 파장대역이 620nm 내지 752nm의 범위를 갖는 적색광 일 수 있다.
다만, 이에 제한되지 않는다. 제1 광(L1), 제2 광(L2) 및 제3 광(L3)은 서로 다른 색의 광일 수도 있고, 동일한 색의 광이되, 중심 파장대역이 상기의 범위와 다를 수도 있다. 또한, 경우에 따라서는 제1 서브 화소(PX1), 제2 서브 화소(PX2) 및 제3 서브 화소(PX3) 각각은 동일한 종류의 발광 소자(300)를 포함하여 실질적으로 동일한 색의 광을 방출할 수도 있다.
한편, 도면에 도시된 바와 같이 각 서브 화소(PXn)에 배치된 발광 소자(300)는 제1 전극 가지부(210B)와 제2 전극 가지부(220B) 사이에 배치된 제1 발광 소자(301), 제2 발광 소자(302) 및 제3 발광 소자(303)를 포함할 수 있다. 발광 소자(300)의 제조 공정은 하부 기판(1000, 도 10에 도시) 상에 형성된 반도체 구조물(3000, 도 11에 도시)을 일 방향으로 식각하는 단계를 포함할 수 있다. 반도체 구조물(3000)은 위치에 따라 서로 다른 조성을 갖는 활성층(3300)을 포함하고, 활성층(3300)에서 방출되는 광의 파장대는 편차가 생길 수 있다. 발광 소자(300)에서 방출되는 광의 편차를 최소화하기 위해, 반도체 구조물(3000)의 위치에 따른 활성층(3300) 조성 비율을 제어하는 것이 필요할 수 있다.
일 실시예에 따른 발광 소자(300)의 제조 방법은 활성층(3300)의 위치에 따라 서로 다른 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 이에 따라, 제조된 발광 소자(300)들은 일 단부면 상에 서로 다른 패턴을 포함하고, 상기 패턴을 통해 반도체 구조물(3000) 상에서 발광 소자(300)가 형성된 위치를 확인할 수 있다. 몇몇 발광 소자(300)에서 방출된 광의 발광 특성을 조절하기 위해, 발광 소자(300)의 패턴을 통해 반도체 구조물(3000) 상에서 특정 위치의 조성 비율을 조절할 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 서로 다른 패턴을 갖는 발광 소자(300)들, 예컨대 제1 발광 소자(301), 제2 발광 소자(302) 및 제3 발광 소자(303)를 포함할 수 있다. 발광 소자(300)의 패턴에 대한 설명은 후술하기로 한다.
도 2 및 도 3에서는 도시하지 않았으나, 표시 장치(10)는 제1 전극(210) 및 제2 전극(220)의 적어도 일부를 덮는 제2 절연층(510)을 포함할 수 있다.
제2 절연층(510)은 표시 장치(10)의 각 서브 화소(PXn)에 배치될 수 있다. 제2 절연층(510)은 실질적으로 각 서브 화소(PXn)를 전면적으로 덮도록 배치될 수 있으며, 이웃한 다른 서브 화소(PXn)에도 연장되어 배치될 수 있다. 제2 절연층(510)은 제1 전극(210)과 제2 전극(220)의 적어도 일부를 덮도록 배치될 수 있다. 도 2 및 도 3에 도시되지 않았으나, 제2 절연층(510)은 제1 전극(210) 및 제2 전극(220)의 일부, 구체적으로 제1 전극 가지부(210B)와 제2 전극 가지부(220B)의 일부 영역을 노출하도록 배치될 수 있다.
복수의 접촉 전극(260)들은 적어도 일부 영역이 일 방향으로 연장된 형상을 가질 수 있다. 복수의 접촉 전극(260)들은 각각 발광 소자(300) 및 전극(210, 220)들과 접촉할 수 있고, 발광 소자(300)들은 접촉 전극(260)을 통해 제1 전극(210)과 제2 전극(220)으로부터 전기 신호를 전달 받을 수 있다.
접촉 전극(260)은 제1 접촉 전극(261) 및 제2 접촉 전극(262)을 포함할 수 있다. 제1 접촉 전극(261)과 제2 접촉 전극(262)은 각각 제1 전극 가지부(210B)와 제2 전극 가지부(220B) 상에 배치될 수 있다.
제1 접촉 전극(261)은 제1 전극(210), 또는 제1 전극 가지부(210B) 상에 배치되어 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제1 접촉 전극(261)은 발광 소자(300)의 일 단부와 접촉할 수 있다. 또한, 제1 접촉 전극(261)은 제2 절연층(510)이 배치되지 않고 노출된 제1 전극(210)과 접촉할 수 있다. 이에 따라, 발광 소자(300)는 제1 접촉 전극(261)을 통해 제1 전극(210)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 접촉 전극(262)은 제2 전극(220), 또는 제2 전극 가지부(220B) 상에 배치되어 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제2 접촉 전극(262)은 제1 접촉 전극(261)과 제1 방향(DR1)으로 이격될 수 있다. 제2 접촉 전극(262)은 발광 소자(300)의 타 단부와 접촉할 수 있다. 또한, 제2 접촉 전극(262)은 제2 절연층(510)이 배치되지 않고 노출된 제2 전극(220)과 접촉할 수 있다. 이에 따라, 발광 소자(300)는 제2 접촉 전극(262)을 통해 제2 전극(220)과 전기적으로 연결될 수 있다. 도면에서는 하나의 서브 화소(PXn)에 2개의 제1 접촉 전극(261)과 하나의 제2 접촉 전극(262)이 배치된 것이 도시되어 있으나, 이에 제한되지 않는다. 제1 접촉 전극(261)과 제2 접촉 전극(262)의 개수는 각 서브 화소(PXn)에 배치된 제1 전극(210)과 제2 전극(220), 또는 제1 전극 가지부(210B)와 제2 전극 가지부(220B)의 수에 따라 달라질 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 접촉 전극(261)과 제2 접촉 전극(262)은 일 방향으로 측정된 폭이 각각 제1 전극(210)과 제2 전극(220), 또는 제1 전극 가지부(210B)와 제2 전극 가지부(220B)의 상기 일 방향으로 측정된 폭보다 클 수 있다. 제1 접촉 전극(261)과 제2 접촉 전극(262)은 제1 전극(210)과 제2 전극(220), 또는 제1 전극 가지부(210B)와 제2 전극 가지부(220B)의 측부들을 덮도록 배치될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 경우에 따라서 제1 접촉 전극(261) 및 제2 접촉 전극(262)은 제1 전극 가지부(210B)와 제2 전극 가지부(220B)의 일 측부만을 덮도록 배치될 수도 있다.
한편, 표시 장치(10)는 제2 절연층(510) 이외에도 각 전극(210, 220)의 하부에 위치하는 회로소자층(PAL)과, 각 전극(210, 220) 및 발광 소자(300)의 적어도 일부를 덮도록 배치되는 제3 절연층(520, 도 4에 도시) 및 패시베이션층(550, 도 4에 도시)을 포함할 수 있다. 이하에서는 도 4를 참조하여 표시 장치(10)의 구조에 대하여 자세히 설명하도록 한다.
도 4는 도 3의 Xa-Xa'선, Xb-Xb'선 및 Xc-Xc'선을 따라 자른 단면도이다.
도 4는 제1 서브 화소(PX1)의 단면만을 도시하고 있으나, 다른 화소(PX) 또는 서브 화소(PXn)의 경우에도 동일하게 적용될 수 있다. 도 4는 제1 서브 화소(PX1)에 배치된 발광 소자(300)의 일 단부와 타 단부를 가로지르는 단면을 도시하고 있다.
도 2 및 도 3을 결부하여 도 4를 참조하면, 표시 장치(10)는 회로소자층(PAL)과 발광층(EML)을 포함할 수 있다. 회로소자층(PAL)은 기판(110), 버퍼층(115), 차광층(BML), 제1 및 제2 트랜지스터(120, 140) 등을 포함하고, 발광층(EML)은 제1 및 제2 트랜지스터(120, 140)의 상부에 배치된 복수의 전극(210, 220), 발광 소자(300), 복수의 절연층(200, 510, 520, 550) 등을 포함할 수 있다.
기판(110)은 절연 기판일 수 있다. 기판(110)은 유리, 석영, 또는 고분자 수지 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 기판(110)은 리지드 기판일 수 있지만, 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling) 등이 가능한 플렉시블(flexible) 기판일 수도 있다.
차광층(BML)은 기판(110) 상에 배치될 수 있다. 차광층(BML)은 제1 차광층(BML1) 및 제2 차광층(BML2)을 포함할 수 있다. 제1 차광층(BML1)은 후술하는 제1 트랜지스터(120)의 제1 드레인 전극(123)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 차광층(BML2)은 제2 트랜지스터(140)의 제2 드레인 전극(143)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 차광층(BML1)과 제2 차광층(BML2)은 각각 제1 트랜지스터(120)의 제1 활성물질층(126) 및 제2 트랜지스터(140)의 제2 활성물질층(146)과 중첩하도록 배치된다. 제1 및 제2 차광층(BML1, BML2)은 광을 차단하는 재료를 포함하여, 제1 및 제2 활성물질층(126, 146)에 광이 입사되는 것을 방지할 수 있다. 일 예로, 제1 및 제2 차광층(BML1, BML2)은 광의 투과를 차단하는 불투명한 금속 물질로 형성될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며 경우에 따라서 차광층(BML)은 생략될 수 있다.
버퍼층(115)은 차광층(BML)과 기판(110) 상에 배치된다. 버퍼층(115)은 차광층(BML)을 포함하여 기판(110)을 전면적으로 덮도록 배치될 수 있다. 버퍼층(115)은 불순물 이온이 확산되는 것을 방지하고 수분이나 외기의 침투를 방지하며, 표면 평탄화 기능을 수행할 수 있다. 또한, 버퍼층(115)은 차광층(BML)과 제1 및 제2 활성물질층(126, 146)을 상호 절연시킬 수 있다.
버퍼층(115) 상에는 반도체층이 배치된다. 반도체층은 제1 트랜지스터(120)의 제1 활성물질층(126), 제2 트랜지스터(140)의 제2 활성물질층(146) 및 보조층(163)을 포함할 수 있다. 반도체층은 다결정 실리콘, 단결정 실리콘, 산화물 반도체 등을 포함할 수 있다.
제1 활성물질층(126)은 제1 도핑 영역(126a), 제2 도핑 영역(126b) 및 제1 채널 영역(126c)을 포함할 수 있다. 제1 채널 영역(126c)은 제1 도핑 영역(126a)과 제2 도핑 영역(126b) 사이에 배치될 수 있다. 제2 활성물질층(146)은 제3 도핑 영역(146a), 제4 도핑 영역(146b) 및 제2 채널 영역(146c)을 포함할 수 있다. 제2 채널 영역(146c)은 제3 도핑 영역(146a)과 제4 도핑 영역(146b) 사이에 배치될 수 있다. 제1 활성물질층(126) 및 제2 활성물질층(146)은 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 다결정 실리콘은 비정질 실리콘을 결정화하여 형성될 수 있다. 상기 결정화 방법의 예로는 RTA(Rapid thermal annealing)법, SPC(Solid phase crystallization)법, ELA(Excimer laser annealing)법, MILC(Metal induced crystallization)법, SLS(Sequential lateral solidification)법 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 예로, 제1 활성물질층(126) 및 제2 활성물질층(146)은 단결정 실리콘, 저온 다결정 실리콘, 비정질 실리콘 등을 포함할 수도 있다. 제1 도핑 영역(126a), 제2 도핑 영역(126b), 제3 도핑 영역(146a) 및 제4 도핑 영역(146b)은 제1 활성물질층(126) 및 제2 활성물질층(146)의 일부 영역이 불순물로 도핑된 영역일 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다.
다만, 제1 활성물질층(126) 및 제2 활성물질층(146)이 반드시 상술한 바에 제한되는 것은 아니다. 예시적인 실시예에서, 제1 활성물질층(126) 및 제2 활성물질층(146)은 산화물 반도체를 포함할 수도 있다. 이 경우, 제1 도핑 영역(126a)과 제3 도핑 영역(146a)은 제1 도체화 영역일 수 있고, 제2 도핑 영역(126b)과 제4 도핑 영역(146b)은 제2 도체화 영역일 수 있다. 제1 활성물질층(126) 및 제2 활성물질층(146)이 산화물 반도체를 포함하는 경우, 상기 산화물 반도체는 인듐(In)을 함유하는 산화물 반도체일 수 있다. 몇몇 실시예에서, 상기 산화물 반도체는 인듐-주석 산화물(Indium-Tin Oxide, ITO), 인듐-아연 산화물(Indium-Zinc Oxide, IZO), 인듐-갈륨 산화물(Indium-Gallium Oxide, IGO), 인듐-아연-주석 산화물(Indium-Zinc-Tin Oxide, IZTO), 인듐-갈륨-주석 산화물(Indium-Gallium-Tin Oxide, IGTO), 인듐-갈륨-아연-주석 산화물(Indium-Gallium-Zinc-Tin Oxide, IGZTO) 등일 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다.
반도체층 상에는 제1 게이트 절연막(150)이 배치된다. 제1 게이트 절연막(150)은 반도체층을 포함하여 버퍼층(115)을 전면적으로 덮도록 배치될 수 있다. 제1 게이트 절연막(150)은 제1 및 제2 트랜지스터(120, 140)의 게이트 절연막으로 기능할 수 있다.
제1 게이트 절연막(150) 상에는 제1 도전층이 배치된다. 제1 도전층은 제1 게이트 절연막(150) 상에서 제1 트랜지스터(120)의 제1 활성물질층(126) 상에 배치된 제1 게이트 전극(121), 제2 트랜지스터(140)의 제2 활성물질층(146) 상에 배치된 제2 게이트 전극(141) 및 보조층(163) 상에 배치된 전원 배선(161)을 포함할 수 있다. 제1 게이트 전극(121)은 제1 활성물질층(126)의 제1 채널 영역(126c)과 중첩하고, 제2 게이트 전극(141)은 제2 활성물질층(146)의 제2 채널 영역(146c)과 중첩할 수 있다.
제1 도전층 상에는 층간절연막(170)이 배치된다. 층간절연막(170)은 제1 도전층과 그 위에 배치되는 다른 층들 사이에서 절연막의 기능을 수행할 수 있다. 또한, 층간절연막(170)은 유기 절연 물질을 포함하고 표면 평탄화 기능을 수행할 수도 있다.
층간절연막(170) 상에는 제2 도전층이 배치된다. 제2 도전층은 제1 트랜지스터(120)의 제1 드레인 전극(123)과 제1 소스 전극(124), 제2 트랜지스터(140)의 제2 드레인 전극(143)과 제2 소스 전극(144), 및 전원 배선(161) 상부에 배치된 전원 전극(162)을 포함한다.
제1 드레인 전극(123)과 제1 소스 전극(124)은 층간절연막(170)과 제1 게이트 절연막(150)을 관통하는 컨택홀을 통해 제1 활성물질층(126)의 제1 도핑 영역(126a) 및 제2 도핑 영역(126b)과 각각 접촉될 수 있다. 제2 드레인 전극(143)과 제2 소스 전극(144)은 층간절연막(170)과 제1 게이트 절연막(150)을 관통하는 컨택홀을 통해 제2 활성물질층(146)의 제3 도핑 영역(146a) 및 제4 도핑 영역(146b)과 각각 접촉될 수 있다. 또한, 제1 드레인 전극(123)과 제2 드레인 전극(143)은 또 다른 컨택홀을 통해 각각 제1 차광층(BML1) 및 제2 차광층(BML2)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 도전층 상에는 비아층(200)이 배치된다. 제1 절연층(200)은 유기 절연 물질을 포함하여, 표면 평탄화 기능을 수행할 수 있다.
제1 절연층(200) 상에는 복수의 내부 뱅크(410, 420) 및 외부 뱅크(430)와 복수의 전극(210, 220) 및 발광 소자(300)가 배치될 수 있다.
복수의 뱅크(410, 420, 430)는 각 서브 화소(PXn) 내에서 이격되어 배치되는 내부 뱅크(410, 420) 및 이웃한 서브 화소(PXn)의 경계에 배치되는 외부 뱅크(430)를 포함할 수 있다.
외부 뱅크(430)는 제2 방향(DR2)으로 연장되어 제1 방향(DR1)으로 배열된 서브 화소(PXn)들의 경계에 배치될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 외부 뱅크(430)는 제1 방향(DR1)으로 연장되어 제2 방향(DR2)으로 배열된 서브 화소(PXn)들의 경계에도 배치될 수 있다. 즉, 외부 뱅크(430)는 각 서브 화소(PXn)의 경계를 구분할 수 있다.
외부 뱅크(430)는 표시 장치(10)의 제조 시, 잉크젯 프린팅 장치를 이용하여 발광 소자(300)가 분산된 잉크를 분사할 때 잉크가 서브 화소(PXn)의 경계를 넘는 것을 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 외부 뱅크(430)는 서로 다른 서브 화소(PXn)마다 다른 발광 소자(300)들이 분산된 잉크가 서로 혼합되지 않도록 이들을 분리시킬 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
복수의 내부 뱅크(410, 420)는 각 서브 화소(PXn)의 중심부에 인접하여 배치된 제1 내부 뱅크(410) 및 제2 내부 뱅크(420)를 포함할 수 있다.
제1 내부 뱅크(410) 및 제2 내부 뱅크(420)는 서로 이격되어 대향하도록 배치된다. 제1 내부 뱅크(410) 상에는 제1 전극(210)이, 제2 내부 뱅크(420) 상에는 제2 전극(220)이 배치될 수 있다. 도 3 및 도 4를 참조하면 제1 내부 뱅크(410) 상에는 제1 전극 가지부(210B)가, 제2 내부 뱅크(420) 상에는 제2 전극 가지부(220B)가 배치된 것으로 이해될 수 있다.
제1 내부 뱅크(410)와 제2 내부 뱅크(420)는 각 서브 화소(PXn) 내에서 제2 방향(DR2)으로 연장되어 배치될 수 있다. 도면으로 도시하지 않았으나, 제1 내부 뱅크(410) 및 제2 내부 뱅크(420)는 제2 방향(DR2)으로 연장됨에 따라 제2 방향(DR2)으로 이웃하는 서브 화소(PXn)를 향해 연장될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 제1 내부 뱅크(410)와 제2 내부 뱅크(420)는 각 서브 화소(PXn) 마다 배치되어 표시 장치(10) 전면에 있어서 패턴을 이룰 수 있다. 복수의 뱅크(410, 420, 430)들은 폴리이미드(Polyimide, PI)를 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
제1 내부 뱅크(410) 및 제2 내부 뱅크(420)는 제1 절연층(200)을 기준으로 적어도 일부가 돌출된 구조를 가질 수 있다. 제1 내부 뱅크(410) 및 제2 내부 뱅크(420)는 발광 소자(300)가 배치된 평면을 기준으로 상부로 돌출될 수 있고, 상기 돌출된 부분은 적어도 일부가 경사를 가질 수 있다. 제1 내부 뱅크(410) 및 제2 내부 뱅크(420)의 돌출된 형상은 특별히 제한되지 않는다. 내부 뱅크(410, 420)는 제1 절연층(200)을 기준으로 돌출되어 경사진 측면을 갖기 때문에, 발광 소자(300)에서 방출된 광이 내부 뱅크(410, 420)의 경사진 측면에서 반사될 수 있다. 후술할 바와 같이, 내부 뱅크(410, 420) 상에 배치되는 전극(210, 220)들이 반사율이 높은 재료를 포함하는 경우, 발광 소자(300)에서 방출된 광은 내부 뱅크(410, 420)의 경사진 측면 상에 위치하는 전극(210, 220)에서 반사되어 제1 절연층(200)의 상부 방향으로 진행할 수 있다.
상술한 바와 같이, 복수의 뱅크(410, 420, 430)들은 동일한 재료를 포함하여 동일한 공정에서 형성될 수 있다. 다만, 외부 뱅크(430)는 각 서브 화소(PXn)의 경계에 배치되어 격자형 패턴을 이루도록 형성되나, 내부 뱅크(410, 420)들은 각 서브 화소(PXn) 내에 배치되어 일 방향으로 연장된 형상을 갖는다. 또한, 외부 뱅크(430)는 이웃하는 서브 화소(PXn)들을 구분함과 동시에 잉크젯 공정에서 잉크가 인접한 서브 화소(PXn)로 넘치는 것을 방지하는 기능을 수행하나, 내부 뱅크(410, 420)들은 각 서브 화소(PXn) 내에서 돌출된 구조를 가짐으로써 발광 소자(300)에서 방출된 광을 제1 절연층(200)의 상부 방향으로 반사시키는 반사격벽의 기능을 수행할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
복수의 전극(210, 220)은 제1 절연층(200) 및 내부 뱅크(410, 420) 상에 배치될 수 있다. 상술한 바와 같이, 각 전극(210, 220)은 전극 줄기부(210S, 220S)와 전극 가지부(210B, 220B)를 포함한다. 도 3의 Xa-Xa'선은 제1 전극 줄기부(210S)를, 도 3의 Xb-Xb'선은 제1 전극 가지부(210B)와 제2 전극 가지부(220B)를, 도 3의 Xc-Xc'선은 제2 전극 줄기부(220S)를 가로지르는 선이다. 즉, 도 4의 Xa-Xa' 영역에 배치된 제1 전극(210)은 제1 전극 줄기부(210S)이고, 도 4의 Xb-Xb' 영역에 배치된 제1 전극(210) 및 제2 전극(220)은 각각 제1 전극 가지부(210B) 및 제2 전극 가지부(220B)이고, 도 4의 Xc-Xc' 영역에 배치된 제2 전극(220)은 제2 전극 줄기부(220S)인 것으로 이해될 수 있다. 각 전극 줄기부(210S, 220S)와 각 전극 가지부(210B, 220B)는 제1 전극(210) 및 제2 전극(220)을 이룰 수 있다.
제1 전극(210)과 제2 전극(220)은 일부 영역은 제1 절연층(200) 상에 배치되고, 일부 영역은 제1 내부 뱅크(410) 및 제2 내부 뱅크(420) 상에 배치될 수 있다. 상술한 바와 같이, 제1 전극(210)의 제1 전극 줄기부(210S)와 제2 전극(220)의 제2 전극 줄기부(220S)는 제1 방향(DR1)으로 연장되고, 제1 내부 뱅크(410)와 제2 내부 뱅크(420)는 제2 방향(DR2)으로 연장되어 제2 방향(DR2)으로 이웃하는 서브 화소(PXn)에도 배치될 수 있다. 도면으로 도시하지 않았으나, 제1 전극(210) 및 제2 전극(220)의 제1 방향(DR1)으로 연장된 제1 전극 줄기부(210S)와 제2 전극 줄기부(220S)는 제1 내부 뱅크(410) 및 제2 내부 뱅크(420)와 부분적으로 중첩할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 제1 전극 줄기부(210S)와 제2 전극 줄기부(220S)는 제1 내부 뱅크(410) 및 제2 내부 뱅크(420)와 중첩하지 않을 수도 있다.
제1 전극(210)의 제1 전극 줄기부(210S)에는 제1 절연층(200)을 관통하여 제1 트랜지스터(120)의 제1 드레인 전극(123)을 일부 노출하는 제1 전극 컨택홀(CNDT)이 형성될 수 있다. 제1 전극(210)은 제1 전극 컨택홀(CNTD)을 통해 제1 드레인 전극(123)과 접촉할 수 있다. 제1 전극(210)은 제1 트랜지스터(120)의 제1 드레인 전극(123)과 전기적으로 연결되어 소정의 전기 신호를 전달 받을 수 있다.
제2 전극(220)의 제2 전극 줄기부(220S)는 일 방향으로 연장되어 발광 소자(300)들이 배치되지 않는 비발광 영역에도 배치될 수 있다. 제2 전극 줄기부(220S)에는 제1 절연층(200)을 관통하여 전원 전극(162)의 일부를 노출하는 제2 전극 컨택홀(CNTS)이 형성될 수 있다. 제2 전극(220)은 제2 전극 컨택홀(CNTS)을 통해 전원 전극(162)과 접촉할 수 있다. 제2 전극(220)은 전원 전극(162)과 전기적으로 연결되어 전원 전극(162)으로부터 소정의 전기 신호를 전달 받을 수 있다.
제1 전극(210)과 제2 전극(220)의 일부 영역, 예컨대 제1 전극 가지부(210B)와 제2 전극 가지부(220B)는 각각 제1 내부 뱅크(410) 및 제2 내부 뱅크(420) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(210)의 제1 전극 가지부(210B)는 제1 내부 뱅크(410)를 덮도록 배치되고, 제2 전극(220)의 제2 전극 가지부(220B)는 제2 내부 뱅크(420)를 덮도록 배치될 수 있다. 제1 내부 뱅크(410)와 제2 내부 뱅크(420)가 각 서브 화소(PXn)의 중심부에서 서로 이격되어 배치되므로, 제1 전극 가지부(210B)와 제2 전극 가지부(220B)도 서로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 전극(210)과 제2 전극(220) 사이의 영역, 즉, 제1 전극 가지부(210B)와 제2 전극 가지부(220B)가 이격되어 대향하는 공간에는 복수의 발광 소자(300)들이 배치될 수 있다.
각 전극(210, 220)은 투명성 전도성 물질을 포함할 수 있다. 일 예로, 각 전극(210, 220)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin-Zinc Oxide) 등과 같은 물질을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 몇몇 실시예에서, 각 전극(210, 220)은 반사율이 높은 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 각 전극(210, 220)은 반사율이 높은 물질로 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 등과 같은 금속을 포함할 수 있다. 이 경우, 각 전극(210, 220)으로 입사되는 광을 반사시켜 각 서브 화소(PXn)의 상부 방향으로 출사시킬 수도 있다.
또한, 전극(210, 220)은 투명성 전도성 물질과 반사율이 높은 금속층이 각각 한층 이상 적층된 구조를 이루거나, 이들을 포함하여 하나의 층으로 형성될 수도 있다. 예시적인 실시예에서, 각 전극(210, 220)은 ITO/은(Ag)/ITO/IZO의 적층구조를 갖거나, 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 란타늄(La) 등을 포함하는 합금일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 절연층(510)은 제1 절연층(200), 제1 전극(210) 및 제2 전극(220) 상에 배치된다. 제2 절연층(510)은 제1 전극(210) 및 제2 전극(220)을 부분적으로 덮도록 배치된다. 제2 절연층(510)은 제1 전극(210)과 제2 전극(220)의 상면을 대부분 덮도록 배치되되, 제1 전극(210)과 제2 전극(220)의 일부를 노출시킬 수 있다. 제2 절연층(510)은 제1 전극(210)과 제2 전극(220)의 상면 중 일부, 예컨대 제1 내부 뱅크(410) 상에 배치된 제1 전극 가지부(210B)의 상면과 제2 내부 뱅크(420) 상에 배치된 제2 전극 가지부(220B)의 상면 중 일부가 노출되도록 배치될 수 있다. 즉, 제2 절연층(510)은 실질적으로 제1 절연층(200) 상에 전면적으로 형성되되, 제1 전극(210)과 제2 전극(220)을 부분적으로 노출하는 개구부를 포함할 수 있다. 제2 절연층(510)의 개구부는 제1 전극(210)과 제2 전극(220)의 비교적 평탄한 상면이 노출되도록 위치할 수 있다.
예시적인 실시예에서, 제2 절연층(510)은 제1 전극(210)과 제2 전극(220) 사이에서 상면의 일부가 함몰되도록 단차가 형성될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제2 절연층(510)은 무기물 절연성 물질을 포함하고, 제1 전극(210)과 제2 전극(220)을 덮도록 배치된 제2 절연층(510)은 하부에 배치되는 부재의 단차에 의해 상면의 일부가 함몰될 수 있다. 제1 전극(210)과 제2 전극(220) 사이에서 제2 절연층(510) 상에 배치되는 발광 소자(300)는 제2 절연층(510)의 함몰된 상면 사이에서 빈 공간을 형성할 수 있다. 발광 소자(300)는 제2 절연층(510)의 상면과 부분적으로 이격된 상태로 배치될 수 있고, 후술하는 제3 절연층(520)을 이루는 재료가 상기 공간에 채워질 수도 있다.
다만, 이에 제한되지 않는다. 제2 절연층(510)은 발광 소자(300)가 배치되도록 평탄한 상면을 형성할 수 있다. 상기 상면은 제1 전극(210)과 제2 전극(220)을 향해 일 방향으로 연장되어 제1 전극(210)과 제2 전극(220)의 경사진 측면에서 종지할 수 있다. 즉, 제2 절연층(510)은 각 전극(210, 220)이 제1 내부 뱅크(410)와 제2 내부 뱅크(420)의 경사진 측면과 중첩하는 영역에 배치될 수 있다. 후술하는 접촉 전극(260)은 제1 전극(210) 및 제2 전극(220)의 노출된 영역과 접촉하고, 제2 절연층(510)의 평탄한 상면에서 발광 소자(300)의 단부와 원활하게 접촉할 수 있다.
제2 절연층(510)은 제1 전극(210)과 제2 전극(220)을 보호함과 동시에 이들을 상호 절연시킬 수 있다. 또한, 제2 절연층(510) 상에 배치되는 발광 소자(300)가 다른 부재들과 직접 접촉하여 손상되는 것을 방지할 수도 있다. 다만, 제2 절연층(510)의 형상 및 구조는 이에 제한되지 않는다.
발광 소자(300)는 각 전극(210, 220) 사이에서 제2 절연층(510) 상에 배치될 수 있다. 예시적으로, 발광 소자(300)는 각 전극 가지부(210B, 220B) 사이에 배치된 제2 절연층(510) 상에 적어도 하나 배치될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 도면에 도시되지 않았으나 각 서브 화소(PXn) 내에 배치된 발광 소자(300)들 중 적어도 일부는 각 전극 가지부(210B, 220B) 사이 이외의 영역에 배치될 수도 있다. 또한 발광 소자(300)는 일부 영역이 전극(210, 220)과 중첩하는 위치에 배치될 수 있다. 발광 소자(300)는 제1 전극 가지부(210B)와 제2 전극 가지부(220B)가 서로 대향하는 각 단부 상에 배치되며 접촉 전극(260)을 통해 각 전극(210, 220)과 전기적으로 연결될 수 있다.
발광 소자(300)는 제1 절연층(200)에 수평한 방향으로 복수의 층들이 배치될 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치(10)의 발광 소자(300)는 일 방향으로 연장된 형상을 갖고, 복수의 반도체층들이 일 방향으로 순차적으로 배치된 구조를 가질 수 있다. 후술할 바와 같이, 발광 소자(300)는 제1 반도체층(310), 활성층(330), 제2 반도체층(320) 및 전극층(370)이 일 방향을 따라 순차적으로 배치되고, 이들의 외면을 절연막(380)이 둘러쌀 수 있다. 표시 장치(10)에 배치된 발광 소자(300)는 연장된 일 방향이 제1 절연층(200)과 평행하도록 배치되고, 발광 소자(300)에 포함된 복수의 반도체층들은 제1 절연층(200)의 상면과 평행한 방향을 따라 순차적으로 배치될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다. 경우에 따라서는 발광 소자(300)가 다른 구조를 갖는 경우, 복수의 층들은 제1 절연층(200)에 수직한 방향으로 배치될 수도 있다.
또한, 발광 소자(300)의 일 단부는 제1 접촉 전극(261)과 접촉하고, 타 단부는 제2 접촉 전극(262)과 접촉할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 발광 소자(300)는 연장된 일 방향측 단부면에는 절연막(380)이 형성되지 않고 노출되기 때문에, 상기 노출된 영역에서 후술하는 제1 접촉 전극(261) 및 제2 접촉 전극(262)과 접촉할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다. 경우에 따라서 발광 소자(300)는 절연막(380) 중 적어도 일부 영역이 제거되고, 절연막(380)이 제거되어 발광 소자(300)의 양 단부 측면이 부분적으로 노출될 수 있다. 표시 장치(10)의 제조 공정 중, 발광 소자(300)의 외면을 덮는 제3 절연층(520)을 형성하는 단계에서 절연막(380)은 부분적으로 제거될 수 있다. 발광 소자(300)의 노출된 측면은 제1 접촉 전극(261) 및 제2 접촉 전극(262)과 접촉할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다.
제3 절연층(520)은 제1 전극(210)과 제2 전극(220) 사이에 배치된 발광 소자(300) 상에 부분적으로 배치될 수 있다. 제3 절연층(520)은 발광 소자(300)의 외면을 부분적으로 감싸도록 배치될 수 있다. 제3 절연층(520)은 발광 소자(300)를 보호함과 동시에 표시 장치(10)의 제조 공정에서 발광 소자(300)를 고정시키는 기능을 수행할 수도 있다. 또한, 예시적인 실시예에서, 제3 절연층(520)의 재료 중 일부는 발광 소자(300)의 하면과 제2 절연층(510) 사이에 배치될 수도 있다. 상술한 바와 같이 제3 절연층(520)은 표시 장치(10)의 제조 공정 중에 형성된 제2 절연층(510)과 발광 소자(300) 사이의 공간을 채우도록 형성될 수도 있다. 이에 따라 제3 절연층(520)은 발광 소자(300)의 외면을 감싸도록 형성될 수도 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다.
제3 절연층(520)은 평면상 제1 전극 가지부(210B)와 제2 전극 가지부(220B) 사이에서 제2 방향(DR2)으로 연장되어 배치될 수 있다. 일 예로, 제3 절연층(520)은 제1 절연층(200) 상에서 평면상 섬형 또는 선형의 형상을 가질 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제3 절연층(520)은 발광 소자(300)의 상부에 배치될 수 있다.
제1 접촉 전극(261)과 제2 접촉 전극(262)은 각각 전극(210, 220) 및 제3 절연층(520) 상에 배치된다. 제1 접촉 전극(261)과 제2 접촉 전극(262)은 제3 절연층(520) 상에서 서로 이격되어 배치될 수 있다. 제3 절연층(520)은 제1 접촉 전극(261)과 제2 접촉 전극(262)이 직접 접촉하지 않도록 상호 절연시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 제1 접촉 전극(261)과 제2 접촉 전극(262)은 평면상 제2 방향(DR2)으로 연장되어 배치되되, 제1 방향(DR1)으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 접촉 전극(261)과 제2 접촉 전극(262)은 발광 소자(300)의 적어도 일 단부와 접촉할 수 있으며, 제1 접촉 전극(261)과 제2 접촉 전극(262)은 제1 전극(210) 또는 제2 전극(220)과 전기적으로 연결되어 전기 신호를 인가 받을 수 있다.
제1 접촉 전극(261)은 제1 내부 뱅크(410) 상에서 제1 전극(210)의 노출된 일부 영역과 접촉할 수 있고, 제2 접촉 전극(262)은 제2 내부 뱅크(420) 상에서 제2 전극(220)의 노출된 일부 영역과 접촉할 수 있다. 제1 접촉 전극(261)과 제2 접촉 전극(262)은 각 전극(210, 220)으로부터 전달되는 전기 신호를 발광 소자(300)에 전달할 수 있다.
접촉 전극(260)은 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, ITO, IZO, ITZO, 알루미늄(Al) 등을 포함할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
패시베이션층(550)은 접촉 전극(260) 및 제3 절연층(520) 상에 배치될 수 있다. 패시베이션층(550)은 제1 절연층(200) 상에 배치되는 부재들을 외부 환경에 대하여 보호하는 기능을 할 수 있다.
상술한 제2 절연층(510), 제3 절연층(520) 및 패시베이션층(550) 각각은 무기물 절연성 물질 또는 유기물 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 절연층(510), 제3 절연층(520) 및 패시베이션층(550)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 산화 알루미늄(Al2O3), 질화 알루미늄(AlN)등과 같은 무기물 절연성 물질을 포함할 수 있다. 또한, 제2 절연층(510), 제3 절연층(520) 및 패시베이션층(550)은 유기물 절연성 물질로써, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리아마이드 수지, 폴리이미드 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리페닐렌 수지, 폴리페닐렌설파이드 수지, 벤조사이클로부텐, 카도 수지, 실록산 수지, 실세스퀴옥산 수지, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리카보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트-폴리카보네이트 합성수지 등을 포함할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
한편, 표시 장치(10)는 더 많은 수의 절연층을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 표시 장치(10)는 제1 접촉 전극(261)을 보호하도록 배치되는 제4 절연층(530)을 더 포함할 수 있다.
도 5는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 5를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 제1 접촉 전극(261) 상에 배치된 제4 절연층(530)을 더 포함할 수 있다. 본 실시예에 따른 표시 장치(10)는 제4 절연층(530)을 더 포함하여 제2 접촉 전극(262)의 적어도 일부가 제4 절연층(530) 상에 배치된 점에서 도 4의 표시 장치(10)와 차이점이 있다. 이하에서는 중복되는 설명은 생략하고, 차이점을 중심으로 서술하기로 한다.
도 5의 표시 장치(10)는 제1 접촉 전극(261) 상에 배치되고, 제1 접촉 전극(261)과 제2 접촉 전극(262)을 전기적으로 상호 절연시키는 제4 절연층(530)을 포함할 수 있다. 제4 절연층(530)은 제1 접촉 전극(261)을 덮도록 배치되되, 발광 소자(300)가 제2 접촉 전극(262)과 연결될 수 있도록 발광 소자(300)의 일부 영역에는 중첩되지 않도록 배치될 수 있다. 제4 절연층(530)은 제3 절연층(520)의 상면에서 제1 접촉 전극(261) 및 제3 절연층(520)과 부분적으로 접촉할 수 있다. 제4 절연층(530)은 제3 절연층(520)의 상에서 제1 접촉 전극(261)의 일 단부를 커버하도록 배치될 수 있다. 이에 따라 제4 절연층(530)은 제1 접촉 전극(261)을 보호함과 동시에, 이를 제2 접촉 전극(262)과 전기적으로 절연시킬 수 있다.
제4 절연층(530)의 제2 접촉 전극(262)이 배치된 방향의 측면은 제3 절연층(520)의 일 측면과 정렬될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다. 몇몇 실시예에서, 제4 절연층(530)은 제2 절연층(510)과 같이 무기물 절연성 물질을 포함할 수 있다.
제1 접촉 전극(261)은 제1 전극(210)과 제4 절연층(530) 사이에 배치되고, 제2 접촉 전극(262)은 제4 절연층(530) 상에 배치될 수 있다. 제2 접촉 전극(262)은 부분적으로 제2 절연층(510), 제3 절연층(520), 제4 절연층(530), 제2 전극(220) 및 발광 소자(300)와 접촉할 수 있다. 제2 접촉 전극(262)의 제1 전극(210)이 배치된 방향의 일 단부는 제4 절연층(530) 상에 배치될 수 있다.
패시베이션층(550)은 제4 절연층(530) 및 제2 접촉 전극(262) 상에 배치되어, 이들을 보호하도록 배치될 수 있다. 이하, 중복되는 설명은 생략한다.
상술한 바와 같이, 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 일 단부면 상에 패턴이 형성된 발광 소자(300)를 포함할 수 있다. 표시 장치(10)는 서로 다른 패턴이 형성된 복수의 발광 소자(300)들, 예컨대 제1 발광 소자(301), 제2 발광 소자(302) 및 제3 발광 소자(303)를 포함할 수 있다. 제1 발광 소자(301), 제2 발광 소자(302) 및 제3 발광 소자(303)는 각각 일 단부면 상에 형성된 패턴부(370P)를 포함한다. 각 발광 소자(300)들에 형성된 패턴부(370P)를 통해 반도체 구조물(3000)의 어느 위치에서 제조된 발광 소자(300)인지 확인할 수 있다. 이하에서는 다른 도면을 참조하여 일 실시예에 따른 발광 소자(300)에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.
도 6은 일 실시예에 따른 발광 소자의 개략도이다. 도 7은 도 6의 Ⅵ-Ⅵ'선을 따라 자른 단면도이다.
발광 소자(300)는 발광 다이오드(Light Emitting diode)일 수 있으며, 구체적으로 발광 소자(300)는 마이크로 미터(micro-meter) 또는 나노미터(nano-meter) 단위의 크기를 가지고, 무기물로 이루어진 무기 발광 다이오드일 수 있다. 무기 발광 다이오드는 서로 대향하는 두 전극들 사이에 특정 방향으로 전계를 형성하면 극성이 형성되는 상기 두 전극 사이에 정렬될 수 있다. 발광 소자(300)는 두 전극 상에 형성된 전계에 의해 전극 사이에 정렬될 수 있다.
일 실시예에 따른 발광 소자(300)는 일 방향으로 연장된 형상을 가질 수 있다. 발광 소자(300)는 로드, 와이어, 튜브 등의 형상을 가질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 발광 소자(300)는 원통형 또는 로드형(rod)일 수 있다. 다만, 발광 소자(300)의 형태가 이에 제한되는 것은 아니며, 정육면체, 직육면체, 육각기둥형 등 다각기둥의 형상을 갖거나, 일 방향으로 연장되되 외면이 부분적으로 경사진 형상을 갖는 등 발광 소자(300)는 다양한 형태를 가질 수 있다. 후술하는 발광 소자(300)에 포함되는 복수의 반도체들은 상기 일 방향을 따라 순차적으로 배치되거나 적층된 구조를 가질 수 있다.
발광 소자(300)는 임의의 도전형(예컨대, p형 또는 n형) 불순물로 도핑된 반도체층을 포함할 수 있다. 반도체층은 외부의 전원으로부터 인가되는 전기 신호를 전달 받고, 이를 특정 파장대의 광으로 방출할 수 있다.
일 실시예에 따른 발광 소자(300)는 특정 파장대의 광을 방출할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 활성층(330)은 중심 파장대역이 450nm 내지 495nm의 범위를 갖는 청색(Blue)광을 방출할 수 있다. 다만, 청색(Blue) 광의 중심 파장대역이 상술한 범위에 제한되는 것은 아니며, 본 기술분야에서 청색으로 인식될 수 있는 파장 범위를 모두 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 발광 소자(300)의 활성층(330)에서 방출되는 광은 이에 제한되지 않고, 중심 파장대역이 495nm 내지 570nm의 범위를 갖는 녹색(Green)광 또는 중심 파장대역이 620nm 내지 750nm의 범위를 갖는 적색(Red)광일 수도 있다. 이하에서는 청색(blue)광을 방출하는 발광 소자(300)를 예시하여 설명하기로 한다.
도 6 및 도 7을 참조하면 참조하면, 발광 소자(300)는 제1 반도체층(310), 제2 반도체층(320), 활성층(330), 전극층(370) 및 절연막(380)을 포함할 수 있다.
제1 반도체층(310)은 n형 반도체일 수 있다. 일 예로, 발광 소자(300)가 청색 파장대의 광을 방출하는 경우, 제1 반도체층(310)은 AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 화학식을 갖는 반도체 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, n형으로 도핑된 AlGaInN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN 및 InN 중에서 어느 하나 이상일 수 있다. 제1 반도체층(310)은 n형 도펀트가 도핑될 수 있으며, 일 예로 n형 도펀트는 Si, Ge, Sn 등일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 반도체층(310)은 n형 Si로 도핑된 n-GaN일 수 있다. 제1 반도체층(310)의 길이는 1.5㎛ 내지 5㎛의 범위를 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 반도체층(320)은 후술하는 활성층(330) 상에 배치된다. 제2 반도체층(320)은 p형 반도체일 수 있으며 일 예로, 발광 소자(300)가 청색 또는 녹색 파장대의 광을 방출하는 경우, 제2 반도체층(320)은 AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 화학식을 갖는 반도체 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, p형으로 도핑된 AlGaInN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN 및 InN 중에서 어느 하나 이상일 수 있다. 제2 반도체층(320)은 p형 도펀트가 도핑될 수 있으며, 일 예로 p형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Se, Ba 등일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 반도체층(320)은 p형 Mg로 도핑된 p-GaN일 수 있다. 제2 반도체층(320)의 길이는 0.05㎛ 내지 0.10㎛의 범위를 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
한편, 도면에서는 제1 반도체층(310)과 제2 반도체층(320)이 하나의 층으로 구성된 것을 도시하고 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 몇몇 실시예에 따르면 활성층(330)의 물질에 따라 제1 반도체층(310)과 제2 반도체층(320)은 더 많은 수의 층, 예컨대 클래드층(clad layer) 또는 TSBR(Tensile strain barrier reducing)층을 더 포함할 수도 있다. 이에 대한 설명은 다른 도면을 참조하여 후술하기로 한다.
활성층(330)은 제1 반도체층(310)과 제2 반도체층(320) 사이에 배치된다. 활성층(330)은 단일 또는 다중 양자 우물 구조의 물질을 포함할 수 있다. 활성층(330)이 다중 양자 우물 구조의 물질을 포함하는 경우, 양자층(Quantum layer)과 우물층(Well layer)이 서로 교번적으로 복수개 적층된 구조일 수도 있다. 활성층(330)은 제1 반도체층(310) 및 제2 반도체층(320)을 통해 인가되는 전기 신호에 따라 전자-정공 쌍의 결합에 의해 광을 발광할 수 있다. 일 예로, 활성층(330)이 청색 파장대의 광을 방출하는 경우, AlGaN, AlGaInN 등의 물질을 포함할 수 있다. 특히, 활성층(330)이 다중 양자 우물 구조로 양자층과 우물층이 교번적으로 적층된 구조인 경우, 양자층은 AlGaN 또는 AlGaInN, 우물층은 GaN 또는 AlInN 등과 같은 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 활성층(330)은 양자층으로 AlGaInN를, 우물층으로 AlInN를 포함하여 상술한 바와 같이, 활성층(330)은 중심 파장대역이 450nm 내지 495nm의 범위를 갖는 청색(Blue)광을 방출할 수 있다.
다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 활성층(330)은 밴드갭(Band gap) 에너지가 큰 종류의 반도체 물질과 밴드갭 에너지가 작은 반도체 물질들이 서로 교번적으로 적층된 구조일 수도 있고, 발광하는 광의 파장대에 따라 다른 3족 내지 5족 반도체 물질들을 포함할 수도 있다. 활성층(330)이 방출하는 광은 청색 파장대의 광으로 제한되지 않고, 경우에 따라 적색, 녹색 파장대의 광을 방출할 수도 있다. 활성층(330)의 길이는 0.05㎛ 내지 0.10㎛의 범위를 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
한편, 활성층(330)에서 방출되는 광은 발광 소자(300)의 길이방향 외부면뿐만 아니라, 양 측면으로 방출될 수 있다. 활성층(330)에서 방출되는 광은 하나의 방향으로 방향성이 제한되지 않는다.
전극층(370)은 오믹(Ohmic) 접촉 전극일 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 쇼트키(Schottky) 접촉 전극일 수도 있다. 발광 소자(300)는 적어도 하나의 전극층(370)을 포함할 수 있다. 도 6에서는 발광 소자(300)가 하나의 전극층(370)을 포함하는 것을 도시하고 있으나, 이에 제한되지 않는다. 경우에 따라서 발광 소자(300)는 더 많은 수의 전극층(370)을 포함하거나, 생략될 수도 있다. 후술하는 발광 소자(300)에 대한 설명은 전극층(370)의 수가 달라지거나 다른 구조를 더 포함하더라도 동일하게 적용될 수 있다.
전극층(370)은 일 실시예에 따른 표시 장치(10)에서 발광 소자(300)가 전극 또는 접촉 전극과 전기적으로 연결될 때, 발광 소자(300)와 전극 또는 접촉 전극 사이의 저항을 감소시킬 수 있다. 전극층(370)은 전도성이 있는 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전극층(370)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 인듐(In), 금(Au), 은(Ag), ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 및 ITZO(Indium Tin-Zinc Oxide) 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한 전극층(370)은 n형 또는 p형으로 도핑된 반도체 물질을 포함할 수도 있다. 전극층(370)은 동일한 물질을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질을 포함할 수도 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
절연막(380)은 상술한 복수의 반도체층 및 전극층들의 외면을 둘러싸도록 배치된다. 예시적인 실시예에서, 절연막(380)은 적어도 활성층(330)의 외면을 둘러싸도록 배치되고, 발광 소자(300)가 연장된 일 방향으로 연장될 수 있다. 절연막(380)은 상기 부재들을 보호하는 기능을 수행할 수 있다. 일 예로, 절연막(380)은 상기 부재들의 측면부를 둘러싸도록 형성되되, 발광 소자(300)의 길이방향의 양 단부는 노출되도록 형성될 수 있다.
도면에서는 절연막(380)이 발광 소자(300)의 길이방향으로 연장되어 제1 반도체층(310)으로부터 전극층(370)의 측면까지 커버하도록 형성된 것을 도시하고 있으나, 이에 제한되지 않는다. 절연막(380)은 활성층(330)을 포함하여 일부의 반도체층의 외면만을 커버하거나, 전극층(370) 외면의 일부만 커버하여 각 전극층(370)의 외면이 부분적으로 노출될 수도 있다. 또한, 절연막(380)은 발광 소자(300)의 적어도 일 단부와 인접한 영역에서 단면상 상면이 라운드지게 형성될 수도 있다.
절연막(380)의 두께는 10nm 내지 1.0㎛의 범위를 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 바람직하게는 절연막(380)의 두께는 40nm 내외일 수 있다.
절연막(380)은 절연특성을 가진 물질들, 예를 들어, 실리콘 산화물(Silicon oxide, SiOx), 실리콘 질화물(Silicon nitride, SiNx), 산질화 실리콘(SiOxNy), 질화알루미늄(Aluminum nitride, AlN), 산화알루미늄(Aluminum oxide, Al2O3) 등을 포함할 수 있다. 이에 따라 활성층(330)이 발광 소자(300)에 전기 신호가 전달되는 전극과 직접 접촉하는 경우 발생할 수 있는 전기적 단락을 방지할 수 있다. 또한, 절연막(380)은 활성층(330)을 포함하여 발광 소자(300)의 외면을 보호하기 때문에, 발광 효율의 저하를 방지할 수 있다.
또한, 몇몇 실시예에서, 절연막(380)은 외면이 표면처리될 수 있다. 발광 소자(300)는 표시 장치(10)의 제조 시, 소정의 잉크 내에서 분산된 상태로 전극 상에 분사되어 정렬될 수 있다. 여기서, 발광 소자(300)가 잉크 내에서 인접한 다른 발광 소자(300)와 응집되지 않고 분산된 상태를 유지하기 위해, 절연막(380)은 표면이 소수성 또는 친수성 처리될 수 있다.
발광 소자(300)는 길이(h)가 1㎛ 내지 10㎛ 또는 2㎛ 내지 6㎛의 범위를 가질 수 있으며, 바람직하게는 3㎛ 내지 5㎛의 길이를 가질 수 있다. 또한, 발광 소자(300)의 직경은 300nm 내지 700nm의 범위를 갖고, 발광 소자(300)의 종횡비(Aspect ratio)는 1.2 내지 100일 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 표시 장치(10)에 포함되는 복수의 발광 소자(300)들은 활성층(330)의 조성 차이에 따라 서로 다른 직경을 가질 수도 있다. 바람직하게는 발광 소자(300)의 직경은 500nm 내외의 범위를 가질 수 있다.
일 실시예에 따른 발광 소자(300)는 전극층(370)의 일 면 상에 형성된 돌출 패턴(370P)을 포함할 수 있다. 돌출 패턴(370P)은 발광 소자(300)의 제조 공정 중 전극층(370)의 상면을 부분적으로 식각하는 공정을 수행하여 형성될 수 있다. 도 6 및 도 7에서는 전극층(370)의 노출된 상면에 돌출 패턴(370P)이 형성된 것이 도시되어 있으나, 이에 제한되지 않는다. 경우에 따라서 제2 반도체층(320)의 상면이 부분적으로 식각되어 돌출 패턴(370P)이 형성되고, 전극층(370)의 노출된 상면은 평탄한 면을 형성할 수도 있다. 이하에서는 전극층(370)의 상면에 돌출 패턴(370P)이 형성된 경우를 예시하여 설명하기로 한다.
돌출 패턴(370P)은 전극층(370)의 상면 중 일부 영역이 돌출된 복수의 돌출부와 돌출부 이외의 영역인 함몰부를 포함할 수 있다. 함몰부는 복수의 돌출부들 사이의 영역으로, 돌출부를 기준으로 함몰된 영역일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 돌출 패턴(370P)은 임의의 제1 돌출부, 제1 돌출부와 이격된 제2 돌출부 및 이들 사이에 형성된 함몰부를 포함할 수 있다. 돌출 패턴(370P)은 적어도 하나의 돌출부를 포함할 수 있으며, 복수의 돌출부들은 서로 이격되어 형성될 수 있다. 도면에 도시된 바와 같이, 돌출 패턴(370P)은 어느 한 돌출부와 이를 둘러싸도록 형성된 다른 돌출부들을 포함하고, 이들 사이에 함몰부가 형성될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며 돌출 패턴(370P)의 돌출부는 복수의 패턴들이 서로 이격되어 형성될 수도 있다. 즉, 어느 한 돌출부가 다른 돌출부를 둘러싸지 않고 이격되어 대향하도록 배치될 수도 있다.
몇몇 실시예에서, 돌출 패턴(370P)의 돌출부는 외면이 곡률진 형상을 갖고 돌출된 형상을 가질 수 있다. 도 6과 같이 돌출 패턴(370P)은 전극층(370)의 상면 중 중심부에 위치한 원형의 제1 돌출부와, 제1 돌출부와 이격되어 이를 둘러싸는 원형의 제2 돌출부 및 제3 돌출부를 포함할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며 돌출 패턴(370P)의 돌출부의 형상은 일 방향으로 연장된 형상 또는 메쉬형 구조를 가질 수도 있다. 또한, 발광 소자(300)의 돌출 패턴(370P)에 포함된 돌출부의 수는 다양할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 복수의 돌출부들은 서로 동일한 폭을 갖고 일정한 간격으로 이격될 수 있다. 제1 돌출부의 폭은 제2 돌출부 및 제3 돌출부의 폭과 동일하고, 제1 돌출부와 제2 돌출부 사이의 간격, 및 제2 돌출부와 제3 돌출부 사이의 간격은 서로 동일할 수 있다. 돌출 패턴(370P)의 돌출부의 폭, 및 이격된 간격은 후술할 바와 같이 발광 소자(300)의 제조 공정 중 전극층(370)의 상면을 식각하기 위해 형성되는 제2 패턴층(1800, 도 21에 도시)의 형상에 따라 달라질 수 있다. 즉, 제2 패턴층(1800)의 형상에 따라 돌출 패턴(370P)에 포함된 돌출부의 개수, 폭 및 이격된 간격이 달라질 수 있다. 다만, 각 돌출부들의 폭, 및 간격이 반드시 서로 동일한 것으로 제한되지 않는다. 각 돌출부들은 폭이 다른 돌출부의 폭 또는 다른 돌출부들 간의 간격과 동일한 영역을 일부 포함하는 경우라면 이에 포함되는 것으로 이해될 수 있다.
또한, 일 실시예에 따르면, 발광 소자(300)의 돌출 패턴(370P)은 전극층(370)의 상면에 형성되고, 발광 소자(300)의 양 단부면은 서로 다른 거칠기를 가질 수 있다. 후술할 바와 같이 돌출 패턴(370P)은 반도체 구조물(3000)의 일 면을 부분적으로 식각하여 형성될 수 있다. 이에 따라 반도체 구조물(3000)은 돌출 패턴(370P)이 형성된 일 면은 평탄하지 않은 면을 형성하되, 타 면은 평탄한 면을 가질 수 있다. 반도체 구조물(3000)을 식각하여 형성되는 발광 소자(300)는 일 단부면 상에는 돌출 패턴(370P)이 형성되고, 타 단부면은 평탄한 면을 가질 수 있다. 다시 말해 발광 소자(300)는 양 단부면이 서로 다른 거칠기를 가질 수 있다. 본 명세서에서 '거칠기(roughness)'의 의미는 임의의 일 면이 다른 타 면과 대비하여 상대적으로 평탄한 정도가 다른 것을 의미할 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에 따른 발광 소자(300)는 돌출 패턴(370P)이 형성된 일 단부면과, 돌출 패턴(370P)이 형성된 타 단부면을 포함할 수 있고, 상기 일 단부면은 타 단부면 대비 평탄한 정도가 낮으므로, 이들은 서로 다른 거칠기를 갖는 것으로 이해될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, '거칠기'라는 용어가 갖는 의미로 해석될 수 있는 범위 내이면 상술한 바와 다른 경우라도 동일한 것일 수 있다.
발광 소자(300)는 서로 다른 거칠기를 갖는 양 단부면을 포함하고, 각각 서로 다른 전극(210, 220)과 전기적으로 연결될 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 따르면, 발광 소자(300)의 돌출 패턴(370P)이 형성된 일 단부면은 제1 전극(210)과 전기적으로 연결되고, 타 단부면은 제2 전극(220)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 접촉 전극(261)은 제1 전극(210) 및 발광 소자(300)의 돌출 패턴(370P)과 접촉할 수 있고, 제2 접촉 전극(262)은 제2 전극(220) 및 발광 소자(300)의 제1 반도체층(310)과 접촉할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다. 이에 대한 설명은 상술한 바와 동일한 바, 자세한 설명은 생략하기로 한다.
발광 소자(300)의 돌출 패턴(370P)은 발광 소자(300)의 제조 공정 중에 수행되는 식각 공정에 의해 형성된 것일 수 있다. 발광 소자(300)의 제조 공정은 반도체 구조물(3000, 도 11에 도시)을 일 방향으로 식각하는 공정을 포함하는데, 반도체 구조물(3000)의 위치에 따라 제조된 발광 소자(300)의 발광 특성이 다를 수 있다. 반도체 물질을 성장시켜 제조되는 반도체 구조물(3000)은 위치에 따라 서로 다른 조성을 갖게 되고, 이에 따라 제조된 발광 소자(300)들에서 방출되는 광은 발광량 또는 중심 파장대역이 서로 다를 수 있다. 균일한 발광 특성을 갖는 발광 소자(300)를 제조하기 위해, 특정한 발광 특성을 갖는 발광 소자(300)가 제조된 반도체 구조물(3000)의 위치를 확인하기 위한 소정의 표시가 필요할 수 있다.
일 실시예에 따른 발광 소자(300)는 전극층(370)의 일 면 상에 형성된 돌출 패턴(370P)을 포함하므로, 발광 소자(300)의 제조 공정 중 반도체 구조물(3000) 내에서 특정 발광 특성을 갖는 발광 소자(300)가 형성된 위치를 확인할 수 있다. 이에 따라 반도체 구조물(3000)의 위치에 따른 반도체 물질의 조성 비율을 제어할 수 있고, 균일한 발광 특성을 갖는 발광 소자(300)를 제조할 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 균일한 발광 특성을 갖되 서로 다른 돌출 패턴(370P)을 갖는 복수의 발광 소자(300)들을 포함할 수 있다.
도 8은 도 3의 Ⅶ-Ⅶ'선을 따라 자른 단면도이다.
도 8을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 서로 다른 돌출 패턴(370P)을 갖는 제1 발광 소자(301), 제2 발광 소자(302) 및 제3 발광 소자(303)를 포함할 수 있다. 제1 발광 소자(301), 제2 발광 소자(302) 및 제3 발광 소자(303)는 각각 돌출부와 함몰부를 포함하는 돌출 패턴(370P)이 형성되되, 서로 다른 수의 돌출부를 포함할 수 있다. 제1 발광 소자(301)는 3개의 돌출부와 이들 사이에 형성된 2개의 함몰부를 갖는 제1 돌출 패턴(371P)을 포함하고, 제2 발광 소자(302)는 2개의 돌출부와 하나의 함몰부를 갖는 제2 돌출 패턴(372P)을, 제3 발광 소자(303)는 하나의 돌출부와 하나의 함몰부를 갖는 제3 돌출 패턴(373P)을 포함할 수 있다. 도 8에서는 제1 발광 소자(301), 제2 발광 소자(302) 및 제3 발광 소자(303)가 각각 원형의 돌출부를 포함하여 어느 한 돌출부가 다른 돌출부를 둘러싸도록 형성된 것을 도시하고 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 후술할 바와 같이 돌출 패턴(370P)의 돌출부는 다양한 형상을 가질 수 있다.
서로 다른 돌출 패턴(370P)을 갖는 발광 소자(300)들은 제조 공정 중 서로 다른 위치의 반도체 구조물(3000)에서 형성된 것일 수 있다. 발광 소자(300)에 형성된 돌출 패턴(370P)의 형상, 돌출부의 개수 등에 따라 반도체 구조물(3000) 상에서 이들이 형성된 위치를 확인할 수 있다. 예를 들어, 제1 돌출 패턴(371P)을 포함하는 제1 발광 소자(301)의 발광 특성이 기준일 경우, 제2 발광 소자(302) 및 제3 발광 소자(303)는 제1 발광 소자(301)와 다른 발광 특성을 가질 수 있다. 이들이 갖는 발광 특성을 제어하기 위해, 반도체 구조물(3000) 상에서 제2 발광 소자(302)와 제3 발광 소자(303)의 제2 돌출 패턴(372P) 및 제3 돌출 패턴(373P)이 형성된 위치의 반도체 조성을 조절할 수 있다. 반도체 구조물(3000)의 제1 돌출 패턴(371P)이 위치한 영역을 기준으로, 제2 돌출 패턴(372P) 및 제3 돌출 패턴(373P)이 위치한 영역의 조성비율을 조절함으로써 제1 발광 소자(301), 제2 발광 소자(302) 및 제3 발광 소자(303)는 균일한 발광 특성을 가질 수 있다. 이에 따라, 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 서로 다른 돌출 패턴(370P)을 포함하되 균일한 발광 특성을 갖는 발광 소자(300)들을 포함할 수 있고, 각 서브 화소(PXn)는 다양한 발광 소자(300)들을 포함하여 균일한 발광 특성을 가질 수 있다.
이하에서는 일 실시예에 따른 발광 소자(300)의 제조 공정에 대하여 설명하기로 한다.
도 9는 일 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 9를 참조하면, 일 실시예에 따른 발광 소자(300)의 제조 방법은 기판 상에 형성되는 반도체 구조물(3000)을 제공하는 단계(S100), 반도체 구조물(3000)에서 방출되는 광을 측정하여 반도체 구조물(3000) 상에 서로 다른 광이 방출되는 복수의 영역(WA)을 정의하는 단계(S200) 및 반도체 구조물(3000)을 식각하여 상면의 적어도 일부가 돌출된 돌출 패턴(370P)을 포함하되, 복수의 영역(WA)에 따라 서로 다른 돌출 패턴(370P)이 형성된 복수의 소자 로드(ROD)를 형성하는 단계(S300)를 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 발광 소자(300)는 반도체 구조물(3000)을 식각하는 공정을 통해 제조될 수 있다. 일 실시예에 따른 발광 소자(300)의 제조 방법은 반도체 구조물(3000) 상에서 발광 소자(300)가 형성된 위치를 표시하기 위해 돌출 패턴(370P)을 형성하는 공정을 포함할 수 있다. 제조된 발광 소자(300)는 상술한 돌출 패턴(370P)을 포함하고, 이를 통해 반도체 구조물(3000) 상에서 다른 발광 특성을 갖는 위치를 확인할 수 있다. 이하에서는 다른 도면을 더 참조하여 발광 소자(300)의 제조 방법에 대하여 자세히 설명하기로 한다.
도 10 내지 도 25는 일 실시예에 따른 발광 소자의 제조 공정을 나타내는 개략도들이다.
먼저, 도 10을 참조하면, 베이스 기판(1100) 및 베이스 기판(1100) 상에 형성된 버퍼 물질층(1200)을 포함하는 하부기판(1000)을 준비한다. 베이스 기판(1100)은 사파이어 기판(Al2O3) 및 유리와 같은 투명성 기판을 포함할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, GaN, SiC, ZnO, Si, GaP 및 GaAs 등과 같은 도전성 기판으로 이루어질 수도 있다. 이하에서는, 베이스 기판(1100)이 사파이어 기판(Al2O3)인 경우를 예시하여 설명한다. 베이스 기판(1100)의 두께는 특별히 제한되지 않으나, 일 예로 베이스 기판(1100)은 두께가 400㎛ 내지 1500㎛의 범위를 가질 수 있다.
베이스 기판(1100) 상에는 복수의 반도체층들이 형성된다. 에피택셜법에 의해 성장되는 복수의 반도체층들은 시드 결정을 성장시켜 형성될 수 있다. 여기서, 반도체층을 형성하는 방법은 전자빔 증착법, 물리적 기상 증착법(Physical vapor deposition, PVD), 화학적 기상 증착법(Chemical vapor deposition, CVD), 플라즈마 레이저 증착법(Plasma laser deposition, PLD), 이중형 열증착법(Dual-type thermal evaporation), 스퍼터링(Sputtering), 금속-유기물 화학기상 증착법(Metal organic chemical vapor deposition, MOCVD) 등일 수 있으며, 바람직하게는, 금속-유기물 화학기상 증착법(MOCVD)에 의해 형성될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다.
복수의 반도체층을 형성하기 위한 전구체 물질은 대상 물질을 형성하기 위해 통상적으로 선택될 수 있는 범위 내에서 특별히 제한되지 않는다. 일 예로, 전구체 물질은 메틸기 또는 에틸기와 같은 알킬기를 포함하는 금속 전구체일 수 있다. 예를 들어, 트리메틸 갈륨(Ga(CH3)3), 트리메틸 알루미늄(Al(CH3)3), 트리에틸 인산염((C2H5)3PO4)과 같은 화합물일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 이하에서는, 복수의 반도체층을 형성하는 방법이나 공정 조건 등에 대하여는 생략하여 설명하며, 발광 소자(300)의 제조방법의 순서나 적층 구조에 대하여 상세히 설명하기로 한다.
베이스 기판(1100) 상에는 버퍼 물질층(1200)이 형성된다. 도면에서는 버퍼 물질층(1200)이 한층 적층된 것을 도시하고 있으나, 이에 제한되지 않으며, 복수의 층을 형성할 수도 있다. 버퍼 물질층(1200)은 제1 반도체(3100)와 베이스 기판(1100)의 격자 상수 차이를 줄이기 위해 배치될 수 있다.
일 예로, 버퍼 물질층(1200)은 언도프드(Undoped) 반도체를 포함할 수 있으며, 실질적으로 제1 반도체(3100)와 동일한 물질을 포함하되, n형 또는 p형으로 도핑되지 않은 물질일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 버퍼 물질층(1200)은 도핑되지 않은 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN 및 InN 중 적어도 어느 하나일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 또한, 버퍼 물질층(1200)은 베이스 기판(1100)에 따라 생략될 수도 있다. 이하에서는, 베이스 기판(1100) 상에 언도프드 반도체를 포함하는 버퍼 물질층(1200)이 형성된 경우를 예시하여 설명하기로 한다.
다음으로, 도 11을 참조하면, 하부 기판(1000) 상에 반도체 구조물(3000)을 형성한다. 반도체 구조물(3000)은 제1 반도체(3100), 활성층(3300), 제2 반도체(3200) 및 전극물질층(3700)을 포함할 수 있다. 반도체 구조물(3000)에 포함되는 복수의 물질층들은 상술한 바와 같이 통상적인 공정을 수행하여 형성될 수 있고, 반도체 구조물(3000)에 포함된 복수의 층들은 일 실시예에 따른 발광 소자(300)에 포함된 각 층들에 대응될 수 있다. 즉, 이들은 각각 발광 소자(300)의 제1 반도체층(310), 활성층(330), 제2 반도체층(320) 및 전극층(370)과 동일한 물질들을 포함할 수 있다.
도 11에 도시된 바와 같이, 반도체 구조물(3000)의 활성층(3300)은 위치에 따라 서로 다른 발광 특성을 갖는 영역(WA)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 발광 소자(300)의 제조 방법은 반도체 구조물(3000)에서 방출되는 광을 측정하여 서로 다른 광이 방출되는 복수의 영역(WA)을 정의하는 단계를 포함할 수 있다.
제조 장치의 성능이나 품질에 따라 하부 기판(1000) 상에 형성되는 반도체 구조물(3000)은 공간적 위치에 따라 부분적으로 조성이 불균일한 영역을 가질 수 있다. 일 예로, 반도체 구조물(3000)을 금속-유기물 화학적 기상 증착법(MOCVD)을 통해 형성하는 경우, 하부 기판(1000) 상에 제공되는 전구체 물질은 기상(gas phase)의 형태일 수 있다. 기상의 전구체 물질은 하부 기판(1000) 상에서 균일하지 않은 분포도로 제공될 수 있고, 이에 따라 전구체 물질들이 증착되어 형성된 반도체 구조물(3000)은 공간적 위치에 따라 불균일한 조성을 가질 수 있다.
여기서, 반도체 구조물(3000)의 활성층(3300)이 공간적 위치에 따라 조성의 차이가 형성되는 경우, 제조된 복수의 발광 소자(300)들은 각 활성층(330)들이 서로 다른 조성을 가질 수 있다. 반도체 구조물(3000)에서 서로 다른 위치에서 제조된 복수의 발광 소자(300)들은 발광 특성, 예컨대 발광량 및 방출하는 광의 중심 파장대 등이 서로 다를 수 있다. 반도체 구조물(3000)은 서로 다른 발광 특성을 갖는 제1 영역(WA1), 제2 영역(WA2) 및 제3 영역(WA3)을 포함할 수 있다. 제1 영역(WA1), 제2 영역(WA2) 및 제3 영역(WA3)은 반도체 구조물(3000)의 활성층(3300)의 발광 특성에 따라 구분되는 영역일 수 있다. 제1 영역(WA1)을 기준으로 제2 영역(WA2) 및 제3 영역(WA3)은 서로 다른 발광량을 갖거나 광의 중심 파장대가 다를 수 있다.
발광 소자(300)의 제조 방법은 각 영역(WA)의 상면에 서로 다른 돌출 패턴(370P)을 형성하는 단계를 포함하여, 반도체 구조물(3000) 상에서 발광 소자(300)가 형성된 위치를 확인할 수 있다. 특정 돌출 패턴(370P)이 형성된 발광 소자(300)의 발광 특성이 다른 발광 소자(300)들과 다를 경우, 반도체 구조물(3000) 상에서 상기 돌출 패턴(370P)이 형성된 영역(WA)의 활성층(3300) 조성을 조절할 수 있다.
일 실시예에 따른 발광 소자(300)의 제조 방법은 소자 로드(ROD)를 형성하기 위한 제1 패턴층(1700)을 형성하는 단계와 돌출 패턴(370P)을 형성하기 위한 제2 패턴층(1800)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 제1 패턴층(1700)의 마스크 패턴을 따라 식각된 반도체 구조물(3000)은 제1 반도체층(310), 활성층(330), 제2 반도체층(320) 등을 포함하는 반도체 결정(3000')이 형성되고, 제2 패턴층(1800)의 마스크 패턴을 따라 식각된 반도체 구조물(3000)은 돌출 패턴(370P)이 형성될 수 있다.
반도체 결정(3000')을 형성하는 방법은 반도체 구조물(3000) 상에 식각 마스크층(1600) 및 제1 패턴층(1700)을 형성하고, 반도체 구조물(3000)을 하부 기판(1000)에 수직한 방향으로 식각하여 반도체 결정(3000')을 형성하는 단계를 포함한다.
먼저, 도 12 내지 도 15에 도시된 바와 같이 반도체 구조물(3000) 상에 식각 마스크층(1600) 및 제1 패턴층(1700)을 형성한다. 식각 마스크층(1600)은 전극물질층(3700) 상에 형성되고, 제1 패턴층(1700)은 식각 마스크층(1600) 상에 형성된다. 식각 마스크층(1600)은 반도체 구조물(3000)의 복수의 층들을 연속적으로 에칭하기 위한 마스크의 역할을 수행할 수 있다. 식각 마스크층(1600)은 절연성 물질을 포함하는 제1 식각 마스크층(1610)과 금속을 포함하는 제2 식각 마스크층(1620)을 포함할 수도 있다.
제1 식각 마스크층(1610)은 절연성 물질로 산화물 또는 질화물을 포함할 수 있다. 절연성 물질은 일 예로 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy) 등일 수 있다. 제1 식각 마스크층(1610)의 두께는 0.5㎛ 내지 1.5㎛의 범위를 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 식각 마스크층(1620)은 제1 식각 마스크층(1620) 상에 배치된다. 일 예로 제2 식각 마스크층(1620)은 하드 마스크층일 수 있다. 제2 식각 마스크층(1620)은 반도체 구조물(3000)의 연속적인 식각을 위해 마스크의 역할을 수행할 수 있는 재료를 포함할 수 있으며, 일 예로 크롬(Cr) 등과 같은 금속을 포함할 수도 있다. 제2 식각 마스크층(1620)의 두께는 30nm 내지 150nm의 범위를 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 패턴층(1700)은 식각 마스크층(1600) 상에 배치될 수 있다. 제1 패턴층(1700)은 서로 이격된 제1 내지 제3 마스크 패턴(1710, 1720, 1730)을 포함하여 반도체 구조물(3000)의 연속적인 식각을 위해 마스크의 역할을 수행할 수 있다. 제1 패턴층(1700)은 폴리머, 폴리스티렌 스피어, 실리카 스피어 등을 포함할 수 있으나, 패턴을 형성할 수 있는 재료이면 특별히 제한되지 않는다.
일 예로, 제1 패턴층(1700)이 폴리머를 포함하는 경우, 폴리머를 이용하여 패턴을 형성할 수 있는 통상적인 방법이 채용될 수 있다. 예를 들어, 포토리소그래피, e-빔 리소그래피, 나노 임프린트 리소그래피 등의 방법으로 폴리머를 포함하는 제1 패턴층(1700)을 형성할 수 있다.
예시적인 실시예에서, 제1 패턴층(1700)은 나노 임프린트 리소그래피로 형성될 수 있으며, 도면에 도시된 바와 같이, 제1 패턴층(1700)을 형성하는 단계는 식각 마스크층(1600) 상에 제1 헤드(head1)를 이용하여 제1 수지 잉크(Ink1)를 분사하는 단계 및 제1 수지(1700')를 경화시켜 제1 내지 제3 마스크 패턴(1710, 1720, 1730)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 제1 패턴층(1700)의 마스크 패턴은 나노 임프린트 수지를 포함할 수 있다. 상기 수지는 불화 단량체(Fluorinated monomer), 아크릴레이트 단량체(Acrylate monomer), 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트(Dipentaerythritol hexaacrylate), 디프로필렌글리콜 디아크릴레이트(Dipropylene glycol diacrylate), 폴리에틸렌글리콜 페닐에터아크릴레이트(poly(ethylene glycol) phenyletheracrylate), 뷰틸레이트하이드록시톨루엔(Butylated hydroxy toluene, BHT), 1-하이드록시-사이클로헥실페닐케톤(1-hydroxy-cyclohexylphenylketone, Irgacure 184) 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 패턴층(1700)은 제1 영역(WA1)에 형성된 제1 마스크 패턴(1710), 제2 영역(WA2)에 형성된 제2 마스크 패턴(1720) 및 제3 영역(WA3)에 형성된 제3 마스크 패턴(1730)을 포함할 수 있다. 제1 마스크 패턴(1710), 제2 마스크 패턴(1720) 및 제3 마스크 패턴(1730)은 서로 이격되어 형성될 수 있다.
도 15는 제1 패턴층(1700)이 형성된 반도체 구조물(3000)을 상부에서 바라본 평면도이다. 도 15에 도시된 바와 같이, 반도체 구조물(3000) 상에는 서로 다른 발광 특성을 갖는 활성층(3300)이 위치하는 제1 영역(WA1), 제2 영역(WA2) 및 제3 영역(WA3)을 포함할 수 있다. 도면에서는 제1 영역(WA1)이 제2 영역(WA2)을 둘러싸고, 제2 영역(WA2)은 제3 영역(WA3)을 둘러싸는 형상인 것이 도시되어 있으나, 이에 제한되지 않는다.
제1 패턴층(1700)의 제1 마스크 패턴(1710), 제2 마스크 패턴(1720) 및 제3 마스크 패턴(1730)은 서로 이격되어 각각 제1 영역(WA1), 제2 영역(WA2) 및 제3 영역(WA3)에 형성될 수 있다. 이들이 이격된 간격 및 이들의 형상은 제조되는 발광 소자(300)의 형상에 따라 달라질 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 마스크 패턴(1710), 제2 마스크 패턴(1720) 및 제3 마스크 패턴(1730)은 각각 동일한 직경 또는 폭을 가질 수 있다. 즉, 제1 마스크 패턴(1710)의 제1 폭(rn1)은 제2 마스크 패턴(1720)의 제2 폭(rn2) 및 제3 마스크 패턴(1730)의 제3 폭(rn3)과 동일할 수 있다. 후속 공정에서 반도체 구조물(3000)은 제1 패턴층(1700)의 제1 내지 제3 마스크 패턴(1710, 1720, 1730)들이 이격된 간격을 따라 식각되기 때문에, 제1 내지 제3 마스크 패턴(1710, 1720, 1730)의 형상은 실질적으로 발광 소자(300)의 단면 형상과 유사할 수 있다. 제1 내지 제3 마스크 패턴(1710, 1720, 1730)들이 동일한 직경 또는 폭을 가짐으로써, 발광 소자(300)들은 동일한 폭을 가질 수 있다.
다음으로, 도 16 및 도 17을 참조하면, 제1 패턴층(1700)을 따라 반도체 구조물(3000)을 식각하여 반도체 결정(3000')을 형성한다. 반도체 결정(3000')을 형성하는 단계는 제1 패턴층(1700)의 제1 내지 제3 마스크 패턴(1710, 1720, 1730)들이 이격된 영역을 하부 기판(1000)에 수직한 방향으로 식각 마스크층(1600) 및 전극물질층(3700)을 식각하여 제1 식각홀(h1)을 형성하는 제1 식각 단계, 제1 식각홀(h1)을 따라 제2 반도체(3200)부터 제1 반도체(3100)까지 식각하여 제2 식각홀(h2)을 형성하는 제2 식각 단계 및 제1 패턴층(1700) 및 식각 마스크층(1600)을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
반도체 구조물(3000)을 식각하는 공정은 통상적인 방법으로 수행될 수 있다. 예를 들어, 식각공정은 건식식각법, 습식식각법, 반응성 이온 에칭법(Reactive ion etching, RIE), 유도 결합 플라즈마 반응성 이온 에칭법(Inductively coupled plasma reactive ion etching, ICP-RIE) 등일 수 있다. 건식 식각법의 경우 이방성 식각이 가능하여 수직 식각에 적합할 수 있다. 상술한 방법의 식각법을 이용할 경우, 식각 에천트(Etchant)는 Cl2 또는 O2 등일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
몇몇 실시예에서, 반도체 구조물(3000)의 식각은 건식 식각법과 습식 식각법을 혼용하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 먼저 건식 식각법에 의해 깊이 방향의 식각을 한 후, 등방성 식각인 습식 식각법을 통해 식각된 측벽이 표면과 수직한 평면에 놓이도록 할 수 있다.
제1 패턴층(1700)의 제1 내지 제3 마스크 패턴(1710, 1720, 1730)들이 이격된 영역을 따라 식각 마스크층(1600)과 전극물질층(3700)을 식각하여 제1 식각홀(h1)을 형성하는 제1 식각 단계를 수행한다. 제1 식각홀(h1)은 제1 패턴층(1700), 식각 마스크층(1600) 및 전극물질층(3700)이 제거됨으로써 형성되고, 제2 반도체(3200)의 일부를 노출시킬 수 있다. 다음으로, 제1 식각홀(h1)을 따라 제2 반도체(3200)로부터 제1 반도체(3100)까지 식각하여 제2 식각홀(h2)을 형성하는 제2 식각 단계를 수행한다. 도면에서는 제1 식각 단계와 제2 식각 단계가 별개의 공정에서 수행된 것이 도시되어 있으나, 이에 제한되지 않는다. 제1 식각 단계와 제2 식각 단계는 하나의 공정에서 연속적으로 수행될 수도 있다. 반도체 구조물(3000)이 식각됨으로써 형성된 반도체 결정(3000')은 일 실시예에 따른 발광 소자(300)와 같이 제1 반도체층(310), 활성층(330), 제2 반도체층(320) 및 전극층(370)을 포함할 수 있다.
다음으로 식각 마스크층(1600)과 제1 패턴층(1700)을 제거하여 반도체 결정(3000')을 형성한다. 식각 마스크층(1600) 또는 제1 패턴층(1700)을 제거하는 단계는 통상적인 공정에 의해 수행될 수 있으며, 일 예로 상기 공정은 반응성 이온 에칭(Reactive ion etching, RIE), 유도 결합 플라즈마 반응성 이온 에칭법(Inductively coupled plasma reactive ion etching, ICP-RIE) 등일 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다.
다음으로, 반도체 결정(3000')의 외면을 부분적으로 둘러싸는 절연막(380)을 형성한다.
도 18 및 도 19를 참조하면, 절연막(380)은 반도체 결정(3000')의 외면을 둘러싸는 절연피막(3800)을 형성한 뒤 전극층(370)의 상면이 노출되도록 절연피막(3800)을 부분적으로 제거함으로써 형성될 수 있다. 절연피막(3800)은 전극층(370)을 포함하는 반도체 결정(3000')의 외면에 형성되므로, 발광 소자(300)의 절연막(380)은 전극층(370)의 외측면에도 형성될 수 있다.
절연피막(3800)은 반도체 결정(3000')의 외면에 형성되는 절연물질로서, 수직으로 식각된 반도체 결정(3000')의 외면에 절연물질을 도포하거나 침지시키는 방법 등을 이용하여 형성될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다. 일 예로, 절연피막(3800)은 원자층 증착법(Atomic layer deposition, ALD)으로 형성될 수 있다.
절연피막(3800)은 반도체 결정(3000')의 측면, 상면 및 반도체 결정(3000')이 이격된 영역에서 노출된 하부 기판(1000) 상에도 형성될 수 있다. 절연피막(3800)은 전극층(370)의 상면을 노출하도록 일부가 제거되어 절연막(380)을 형성할 수 있다. 절연피막(3800)을 부분적으로 제거하는 공정은 이방성 식각인 건식 식각이나 에치백 등의 공정이 수행될 수 있다. 도면에서는 절연피막(3800)의 상부면이 제거되어 전극층(370)이 노출되고, 절연막(380)의 상부면이 평탄한 것으로 도시되어 있으나, 이에 제한되지 않는다. 몇몇 실시예에서, 절연막(380)은 전극층(370)을 둘러싸는 영역에서 외면이 부분적으로 곡률지게 형성될 수 있다. 절연피막(3800)을 부분적으로 제거하는 공정에서, 절연피막(3800)의 상부면 뿐만 아니라 측면도 부분적으로 제거됨에 따라, 복수의 층들을 둘러싸는 절연막(380)은 단부면이 일부 식각된 상태로 형성될 수 있다. 특히, 절연피막(3800)의 상부면을 제거함에 따라 발광 소자(300)에서 전극층(370)과 인접한 절연막(380)의 외면이 부분적으로 제거된 상태로 형성될 수 있다.
다음으로, 절연막(380)이 형성된 반도체 결정(3000') 상에 제2 패턴층(1800)을 형성하고, 상면의 적어도 일부가 돌출된 돌출 패턴(370P)을 포함하는 소자 로드(ROD)를 형성한다. 일 실시예에 따르면, 소자 로드(ROD)를 형성하는 단계는 서로 이격된 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810, 1820, 1830)을 포함하는 제2 패턴층(1800)을 형성하는 단계 및 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810, 1820, 1830)들이 이격된 영역을 따라 반도체 결정(3000')의 상면을 부분적으로 식각하여 돌출 패턴(370P)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
도 20 및 도 21에 도시된 바와 같이, 절연막(380)이 형성된 반도체 결정(3000') 상에 제2 패턴층(1800)을 형성한다. 제2 패턴층(1800)은 서로 이격된 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810, 1820, 1830), 즉 제4 마스크 패턴(1810), 제5 마스크 패턴(1820) 및 제6 마스크 패턴(1830)을 포함할 수 있다. 제2 패턴층(1800)의 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810, 1820, 1830)들은 제1 패턴층(1700)의 제1 내지 제3 마스크 패턴(1710, 1720, 1730)과 실질적으로 동일한 재료를 포함하여 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다. 도면에 도시된 바와 같이, 제2 패턴층(1800)을 형성하는 단계는 반도체 결정(3000') 상에 제2 헤드(head2)를 이용하여 제2 수지 잉크(Ink2)를 분사하는 단계 및 제2 수지(1800')를 경화시켜 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810, 1820, 1830)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 이에 대한 설명은 상술한 바와 동일한 바, 자세한 설명은 생략하기로 한다.
제2 패턴층(1800)은 제1 영역(WA1)과 중첩하는 위치의 반도체 결정(3000') 상에 형성되는 제4 마스크 패턴(1810), 제2 영역(WA2)과 중첩하는 위치의 반도체 결정(3000') 상에 형성되는 제5 마스크 패턴(1820) 및 제3 영역(WA3)과 중첩하는 위치의 반도체 결정(3000') 상에 형성되는 제6 마스크 패턴(1830)을 포함할 수 있다. 제4 마스크 패턴(1810), 제5 마스크 패턴(1820) 및 제6 마스크 패턴(1830)은 서로 이격되어 형성될 수 있다.
도 22는 제2 패턴층(1800)이 형성된 반도체 결정(3000')을 상부에서 바라본 평면도이다. 도 21 및 도 22을 참조하면, 일 실시예에 따른 제2 패턴층(1800)은 서로 다른 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810, 1820, 1830)을 포함할 수 있다. 제4 마스크 패턴(1810), 제5 마스크 패턴(1820) 및 제6 마스크 패턴(1830)은 각각 복수의 패턴부를 포함하되, 이들은 각각 서로 다른 수의 패턴부를 포함할 수 있다. 복수의 패턴부들은 서로 이격되어 형성되어 각각 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810, 1820, 1830)을 형성할 수 있다. 도면에서는 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810, 1820, 1830)의 패턴부는 어느 한 패턴부가 다른 패턴부를 둘러싸는 형상을 갖는 것이 도시되어 있으나, 이에 제한되지 않는다. 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810, 1820, 1830)의 형상은 발광 소자(300)에 형성되는 돌출 패턴(370P)의 형상에 따라 달라질 수 있다.
제1 영역(WA1)과 중첩하는 위치의 반도체 결정(3000') 상에 형성된 제4 마스크 패턴(1810)은 3개의 패턴부를 포함하고, 제2 영역(WA2)과 중첩하는 위치의 반도체 결정(3000') 상에 형성된 제5 마스크 패턴(1820)은 2개의 패턴부를, 제3 영역(WA3)과 중첩하는 위치의 반도체 결정(3000') 상에 형성된 제6 마스크 패턴(1830)은 1개의 패턴부를 포함할 수 있다.
도 23 및 도 24를 참조하면, 제2 패턴층(1800)의 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810, 1820, 1830)을 따라 반도체 결정(3000')의 상면을 부분적으로 식각하여 돌출 패턴(370P)이 형성된 소자 로드(ROD)를 형성할 수 있다.
상술한 바와 같이, 일 실시예에 따른 발광 소자(300)의 제조 방법은 반도체 결정(3000') 상에 돌출 패턴(370P)을 형성하는 단계를 포함한다. 돌출 패턴(370P)을 형성하는 단계에서, 제2 패턴층(1800)의 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810, 1820, 1830)은 서로 다른 형상을 갖고, 제조된 발광 소자(300)들은 반도체 구조물(3000)의 영역(WA)에 따라 서로 다른 돌출 패턴(370P)을 포함할 수 있다.
일 예로, 제1 영역(WA1)에는 제4 마스크 패턴(1810)이 형성됨에 따라, 제1 영역(WA1)에서 형성된 발광 소자(300)는 도 8의 제1 돌출 패턴(371P)이 형성된 제1 발광 소자(301)일 수 있다. 제2 영역(WA2)에는 제5 마스크 패턴(1820)이 형성됨에 따라, 제2 영역(WA2)에서 형성된 발광 소자(300)는 도 8의 제2 돌출 패턴(372P)이 형성된 제2 발광 소자(302)일 수 있다. 제3 영역(WA3)에는 제6 마스크 패턴(1830)이 형성됨에 따라, 제3 영역(WA3)에서 형성된 발광 소자(300)는 도 8의 제3 돌출 패턴(373P)이 형성된 제3 발광 소자(303)일 수 있다.
반도체 구조물(3000)을 통해 제조된 발광 소자(300)들은 반도체 구조물(3000) 상에 정의된 영역(WA)에 따라 서로 다른 돌출 패턴(370P)을 포함할 수 있다. 제조된 발광 소자(300)들이 갖는 발광 특성이 편차가 있을 경우, 해당 발광 소자(300)의 돌출 패턴(370P)을 통해 반도체 구조물(3000)에서 형성된 영역(WA)을 추적하고 반도체 구조물(3000) 상에서 일부 영역(WA)의 발광 특성을 조절할 수 있다. 이를 통해 하나의 하부 기판(1000) 상에서 제조된 발광 소자(300)들은 균일한 발광 특성을 가질 수 있다.
마지막으로, 도 25에 도시된 바와 같이 소자 로드(ROD)를 하부 기판(1000)으로부터 분리하여 발광 소자(300)를 제조한다. 제조된 발광 소자(300)는 반도체 구조물(3000)의 영역(WA)에 따라 서로 다른 돌출 패턴(370P)을 포함할 수 있다. 발광 소자(300)는 돌출 패턴(370P)의 형상이 다른 제1 발광 소자(301), 제2 발광 소자(302) 및 제3 발광 소자(303)를 포함할 수 있다.
이상에서 설명한 공정을 통해 일 실시예에 따른 발광 소자(300)를 제조할 수 있다. 발광 소자(300)의 제조 방법은 반도체 구조물(3000) 상에 서로 다른 발광 특성을 갖는 영역(WA)을 정의하는 단계, 반도체 구조물(3000)을 제1 패턴층(1700)을 따라 식각하는 단계 및 제2 패턴층(1800)을 따라 돌출 패턴(370P)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 제1 패턴층(1700)의 제1 내지 제3 마스크 패턴(1710, 1720, 1730)은 반도체 구조물(3000)의 영역(WA)이 다르더라도 동일한 형상을 가지나, 제2 패턴층(1800)의 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810, 1820, 1830)은 영역(WA)에 따라 다른 형상을 가질 수 있다. 이에 따라 제조된 발광 소자(300)는 반도체 구조물(3000)의 영역(WA)에 따라 형상 또는 직경은 동일하되, 돌출 패턴(370P)의 형상이 다를 수 있다. 발광 소자(300)의 돌출 패턴(370P) 형상에 따라 반도체 구조물(3000)에서 형성된 위치를 확인할 수 있고, 반도체 구조물(3000)의 일부 영역(WA)에서 방출되는 광의 발광 특성을 조절할 수 있다. 이에 따라 수회의 제조 공정을 반복하여 균일한 발광 특성을 갖는 발광 소자(300)들을 제조할 수 있고, 표시 장치(10)는 서로 다른 돌출 패턴(370P)을 포함하는 복수의 발광 소자(300)들을 포함하여, 각 서브 화소(PXn)마다 균일한 발광 특성을 가질 수 있다.
이하에서는 다양한 실시예에 따른 발광 소자(300)의 제조 방법, 및 발광 소자(300)에 대하여 설명하기로 한다.
도 26 내지 도 28은 일 실시예에 따른 제2 패턴층의 형상을 나타내는 평면도들이다.
발광 소자(300)의 제조 공정 중, 제2 패턴층(1800)의 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810, 1820, 1830)의 형상은 도 22에 도시된 바와 제한되지 않는다.
먼저, 도 26을 참조하면, 일 실시예에 따른 제2 패턴층(1800_1)은 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810_1, 1820_1, 1830_1)이 서로 이격된 복수의 패턴부를 포함할 수 있다. 본 실시예는 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810_1, 1820_1, 1830_1)의 형상이 다른 점에서 도 22의 실시예와 차이가 있다. 이하에서는 중복되는 설명은 생략하고 차이점을 중심으로 설명하기로 한다.
도 26의 제2 패턴층(1800_1)은 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810_1, 1820_1, 1830_1)의 패턴부들이 어느 한 패턴부가 다른 패턴부를 둘러싸는 형상이 아닌, 복수의 패턴부들이 서로 이격된 형상을 가질 수 있다. 다만, 제2 패턴층(1800_1)이 형성된 영역(WA)에 따라 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810_1, 1820_1, 1830_1)은 서로 다른 수의 패턴부를 포함할 수 있다.
제1 영역(WA1)에 형성된 제4 마스크 패턴(1810_1)은 하나의 패턴부를 중심으로 상하, 좌우 방향으로 이격된 4개의 다른 패턴부를 포함할 수 있다. 제2 영역(WA2)에 형성된 제5 마스크 패턴(1820_1)은 제4 마스크 패턴(1810_1)의 중심부에 위치한 패턴부가 생략되어 4개의 패턴부를 포함하는 형상을 갖고, 제3 영역(WA3)에 형성된 제6 마스크 패턴(1830_1)은 제4 마스크 패턴(1810_1)의 중심부에 위치한 하나의 패턴부만을 포함하는 형상을 가질 수 있다.
제4 내지 제6 마스크 패턴(1810_1, 1820_1, 1830_1)의 형상에 따라, 제조된 발광 소자(300)의 돌출 패턴(370P)의 형상이 달라질 수 있다. 제4 마스크 패턴(1810_1)에 따라 제1 돌출 패턴(371P)이 형성된 제1 발광 소자(301)는 5개의 돌출부를 포함하고, 제5 마스크 패턴(1820_1)에 따라 제2 돌출 패턴(372P)이 형성된 제2 발광 소자(302)는 4개의 돌출부를, 제6 마스크 패턴(1830_1)에 따라 제3 돌출 패턴(373P)이 형성된 제3 발광 소자(303)는 1개의 돌출부를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제2 패턴층(1800_1)의 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810_1, 1820_1, 1830_1)은 그 형상 및 개수에 특별히 제한되지 않으며, 반도체 구조물(3000) 상에 정의된 영역(WA)에 따라 서로 다른 형상 및 개수를 갖는다면 다양하게 변형가능하다. 제2 패턴층(1800_1)의 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810_1, 1820_1, 1830_1)의 형상에 따라 제1 발광 소자(301), 제2 발광 소자(302) 및 제3 발광 소자(303)들은 서로 다른 돌출 패턴(370P)을 포함할 수 있고, 이에 따라 반도체 구조물(3000) 상에서 이들이 형성된 영역(WA)을 추적할 수 있다.
다음으로 도 27을 참조하면, 일 실시예에 따른 제2 패턴층(1800_2)은 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810_2, 1820_2, 1830_2)이 서로 다른 형상을 갖는 패턴부들을 포함할 수 있다. 본 실시예는 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810_2, 1820_2, 1830_2)의 형상이 다른 점에서 도 26의 실시예와 차이가 있다. 이하에서는 중복되는 설명은 생략하고 차이점을 중심으로 설명하기로 한다. 도 27의 제2 패턴층(1800_2)은 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810_2, 1820_2, 1830_2)의 패턴부들 중 어느 한 패턴부가 원형이 아닌 다른 형상을 가질 수 있다. 도면에서는 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810_2, 1820_2, 1830_2)의 패턴부들 중 어느 한 패턴부만이 다른 형상을 갖는 것을 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 제2 패턴층(1800_2)이 형성된 영역(WA)에 따라 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810_2, 1820_2, 1830_2)은 서로 다른 형상의 패턴부를 포함할 수 있다. 본 실시예에 따른 제2 패턴층(1800_2)은 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810_2, 1820_2, 1830_2)들이 갖는 패턴부의 수가 아닌 형상에 따라 이들을 구분하는 점에서 도 26의 실시예와 차이가 있고, 그 이외의 내용은 실질적으로 동일하다. 이에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
한편, 이상의 실시예들에서는 반도체 구조물(3000) 상에 정의되는 영역(WA)이 반도체 구조물(3000)의 중심부로부터 외곽으로 갈수록 달라지는 것을 도시하고 있다. 이 경우, 제2 패턴층(1800)의 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810, 1820, 1830)은 반도체 구조물(3000)의 중심으로부터 외곽으로 갈수록 서로 다른 패턴부를 포함할 수 있다. 다만, 반도체 구조물(3000) 상에 정의되는 영역(WA)의 형상은 반드시 이에 제한되지 않는다.
도 28을 참조하면, 반도체 구조물(3000) 상에 정의되는 영역(WA)은 반도체 구조물(3000)의 일 측부로부터 타측부로 갈수록 달라질 수 있다. 본 실시예는 반도체 구조물(3000) 상에 정의되는 영역(WA)의 위치가 달라짐에 따라 제2 패턴층(1800_3)의 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810_3, 1820_3, 1830_3)의 위치가 다른 점에서 도 22의 실시예와 차이가 있다. 도 28에서는 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810_3, 1820_3, 1830_3)이 갖는 패턴부의 형상은 생략하여 도시하였으나, 이들이 갖는 형상은 도 22, 도 26 및 도 27의 실시예로부터 채용될 수 있음은 자명하다. 이하에서는 중복되는 설명은 생략하고 차이점을 중심으로 설명하기로 한다.
상술한 바와 같이, 하부 기판(1000) 상에서 전구체 물질을 증착하여 반도체 구조물(3000)을 형성할 때, 하부 기판(1000) 상에 제공되는 전구체 물질의 분포는 균일하지 않을 수 있다. 전구체 물질 분포의 균일도에 따라 반도체 구조물(3000) 상에 정의되는 영역(WA)의 배치가 달라질 수 있다.
도 28의 경우, 제1 영역(WA1)이 반도체 구조물(3000) 상에서 일 측부에 형성되고, 상기 일 측부의 반대편인 타 측부로 갈수록 제2 영역(WA2)과 제3 영역(WA3)이 순차적으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 제2 패턴층(1800_3)의 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810_3, 1820_3, 1830_3)의 배치도 달라질 수 있다.
제1 영역(WA1), 제2 영역(WA2) 및 제3 영역(WA3)에는 각각 제4 마스크 패턴(1810_3), 제5 마스크 패턴(1820_3) 및 제6 마스크 패턴(1830_3)이 형성되고, 반도체 구조물(3000) 상에서 중심부를 가로지르는 일 축방향을 기준으로, 상기 일 측에서 타측으로 갈수록 제2 패턴층(1800_3)의 형상이 달라질 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 그 반대의 경우일 수 있다. 반도체 구조물(3000) 상에서 정의되는 영역(WA)에 따라 제2 패턴층(1800_2)의 제4 내지 제6 마스크 패턴(1810_3, 1820_3, 1830_3)의 형상이나 배치구조, 직경 등은 다양할 수 있다.
도 29 및 30은 일 실시예에 따른 발광 소자의 제조 공정 중 일부를 나타내는 단면도들이다.
일 실시예에 따르면, 돌출 패턴(370P)의 형성하기 위한 제2 패턴층(1800)은 반드시 절연막(380)이 형성된 반도체 결정(3000') 상에 형성되지 않을 수도 있다. 경우에 따라서 반도체 구조물(3000) 상에 제2 패턴층(1800)이 형성되거나, 절연막(380)을 형성하기 전의 반도체 결정(3000') 상에 형성될 수도 있다.
도 29를 참조하면, 일 실시예에 따른 제2 패턴층(1800_4)은 제1 패턴층(1700)이 형성되기 전, 반도체 구조물(3000) 상에 형성될 수 있다. 본 실시예는 발광 소자(300)의 제조 공정 중, 제1 패턴층(1700)과 제2 패턴층(1800_4)이 형성되는 단계의 순서가 서로 바뀐 점에서 차이가 있다. 일 실시예에서, 발광 소자(300)의 제조 방법은 반도체 구조물(3000) 상에 제2 패턴층(1800_4)을 형성하는 단계, 제2 패턴층(1800_4)을 따라 돌출 패턴(370P)을 형성하는 단계, 반도체 구조물(3000) 상에 제1 패턴층(1700)을 형성하는 단계 및 제1 패턴층(1700)을 따라 반도체 구조물(3000)을 식각하여 소자 로드(ROD)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 즉, 제2 패턴층(1800_4)은 반도체 구조물(3000)이 하부 기판(1000)에 수직한 방향으로 식각되기 전에 형성되고, 도면으로 도시하지 않았으나 반도체 구조물(3000)은 돌출 패턴(370P)이 형성된 상태에서 식각되어 반도체 결정(3000')을 형성할 수 있다. 본 실시예는 제2 패턴층(1800_4)이 형성되는 공정의 순서가 다른 점을 제외하고는 상술한 바와 동일한 바, 자세한 설명은 생략하기로 한다.
다음으로, 도 30을 참조하면 일 실시예에 따르면, 제2 패턴층(1800)을 형성하는 단계는 반도체 결정(3000')의 외주면을 둘러싸는 절연막(380)을 형성하는 단계 이전에 수행될 수 있다. 본 실시예는 제2 패턴층(1800)을 형성하기 위한 제2 수지 잉크(ink2)를 절연막(380)이 형성되지 않은 반도체 결정(3000') 상에 분사하는 점에서 도 20의 실시예와 차이가 있다. 그 이외의 설명은 동일한 바, 자세한 설명은 생략한다.
한편, 일 실시예에 따르면, 돌출 패턴(370P)을 형성하기 위해 제2 패턴층(1800)을 형성하는 단계는 반도체 구조물(3000)의 전극물질층(3700)을 형성하기 전에 수행될 수도 있다. 즉, 발광 소자(300)의 돌출 패턴(370P)은 전극층(370)이 제2 반도체층(320)과 접촉하는 면에 형성될 수도 있다.
도 31a 및 도 31b는 일 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다.
도 31a 및 도 31b를 참조하면, 일 실시예에 따른 발광 소자(300_6)는 전극층(370_6)과 제2 반도체층(320_6)의 접촉하는 일 면에 형성된 제2 돌출 패턴(320P_6)을 포함하고, 제2 돌출 패턴(320P_6)은 제2 반도체층(320_6)과 접촉할 수 있다. 도 31a의 발광 소자(300_6)는 전극층(370_6)과 제2 반도체층(320_6) 사이에만 제2 돌출 패턴(320P_6)이 형성된 것이고, 도 31b의 발광 소자(300_6)는 제2 돌출 패턴(320P_6)에 더하여 제1 돌출 패턴(370P_6)이 형성된 것이다. 본 실시예는 돌출 패턴(320P_6)의 위치 및 제2 반도체층(320_6)과 전극층(370_6)의 형상이 다른 점에서 도 7의 실시예와 차이가 있다. 이하에서는 중복되는 설명은 생략하고 차이점을 중심으로 설명하기로 한다.
도 31a 및 도 31b의 발광 소자(300_6)는 제조 공정 중 반도체 구조물(3000)의 제2 반도체(3200) 상에 제2 패턴층(1800)을 형성하는 공정을 수행함으로써, 제2 반도체층(320_6)과 전극층(370_6) 사이에도 제2 돌출 패턴(320P_6)이 더 형성될 수 있다. 제2 돌출 패턴(320P_6)은 제2 반도체층(320_6)의 상면 중 적어도 일부 영역이 돌출된 돌출부를 포함하고, 전극층(370_6)의 일 면은 적어도 일부 영역이 함몰되어 제2 돌출 패턴(320P_6)의 돌출부와 접촉할 수 있다. 이에 따라 발광 소자(300_6)의 양 단부면은 실질적으로 평탄한 면을 형성할 수 있다.
도 31a와 같이, 발광 소자(300)의 일 단부면 상에 돌출 패턴(370P)이 형성되지 않더라도, 다른 발광 특성을 갖는 발광 소자(300)의 단면을 통해 돌출 패턴(370P)의 형상을 확인할 수 있다. 이를 통해 상기 발광 소자(300)가 형성된 반도체 구조물(3000)의 영역(WA)을 확인할 수 있고, 상기 영역(WA)의 발광 특성을 조절할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 발광 소자(300_6)는 복수의 돌출 패턴, 예를 들어 제1 돌출 패턴(370P_6)과 제2 돌출 패턴(320P_6)을 모두 포함할 수도 있다.
한편, 발광 소자(300)의 구조는 도 6에 도시된 바에 제한되지 않고, 다른 구조를 가질 수도 있다.
도 32는 일 실시예에 따른 발광 소자의 개략도이다. 도 33은 도 32의 Ⅵ-Ⅵ'선을 따라 자른 단면도이다.
도 32 및 도 33을 참조하면, 일 실시예에 따른 발광 소자(300'_7)는 제1 반도체층(310'_7)과 활성층(360'_7) 사이에 배치된 제3 반도체층(330'_7), 활성층(360'_7)과 제2 반도체층(320'_7) 사이에 배치된 제4 반도체층(340'_7) 및 제5 반도체층(350'_7)을 더 포함할 수 있다. 도 32 및 도 33의 발광 소자(300'_7)는 복수의 반도체층(330'_7, 340'_7, 350'_7) 및 전극층(372'_7)이 더 배치되고, 활성층(360'_7)이 다른 원소를 함유하는 점에서 도 6의 실시예와 차이가 있다. 그 외에 절연막(380'_7)의 배치 및 구조는 도 6과 실질적으로 동일하다. 도 32에서는 일부 부재들이 도 6과 동일한 부재이나 설명의 편의를 위해 새로운 도면 부호가 부여되었다. 이하에서는 중복되는 설명은 생략하고 차이점을 중심으로 서술하기로 한다.
상술한 바와 같이, 도 6의 발광 소자(300)는 활성층(330)이 질소(N)를 포함하여 청색(blue) 또는 녹색(green)의 광을 방출할 수 있다. 반면에, 도 32 및 도 33의 발광 소자(300'_7)는 활성층(360'_7) 및 다른 반도체층들이 각각 적어도 인(P)을 포함하는 반도체일 수 있다. 즉, 일 실시예에 따른 발광 소자(300'_7)는 중심 파장 대역이 620nm 내지 750nm의 범위를 갖는 적색(Red)의 광을 방출할 수 있다. 다만, 적색(red) 광의 중심 파장대역이 상술한 범위에 제한되는 것은 아니며, 본 기술분야에서 적색으로 인식될 수 있는 파장 범위를 모두 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
구체적으로, 제1 반도체층(310'_7)은 n형 반도체층으로, 발광 소자(300'_7)가 적색의 광을 방출하는 경우 제1 반도체층(310'_7)은 InxAlyGa1-x-yP(0≤x≤1,0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 화학식을 갖는 반도체 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 반도체층(310'_7)은 n형으로 도핑된 InAlGaP, GaP, AlGaP, InGaP, AlP 및 InP 중에서 어느 하나 이상일 수 있다. 제1 반도체층(310'_7)은 n형 도펀트가 도핑될 수 있으며, 일 예로 n형 도펀트는 Si, Ge, Sn 등일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 반도체층(310'_7)은 n형 Si로 도핑된 n-AlGaInP일 수 있다. 제1 반도체층(310'_7)의 길이는 1.5㎛ 내지 5㎛의 범위를 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 반도체층(320'_7)은 p형 반도체층으로, 발광 소자(300'_7)가 적색의 광을 방출하는 경우 제2 반도체층(320'_7)은 InxAlyGa1-x-yP(0≤x≤1,0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 화학식을 갖는 반도체 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 반도체층(320'_7)은 p형으로 도핑된 InAlGaP, GaP, AlGaNP, InGaP, AlP 및 InP 중에서 어느 하나 이상일 수 있다. 제2 반도체층(320'_7)은 p형 도펀트가 도핑될 수 있으며, 일 예로 p형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Se, Ba 등일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 반도체층(320'_7)은 p형 Mg로 도핑된 p-GaP일 수 있다. 제2 반도체층(320'_7)의 길이는 0.08㎛ 내지 0.25㎛의 범위를 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
활성층(360'_7)은 제1 반도체층(310'_7)과 제2 반도체층(320'_7) 사이에 배치될 수 있다. 도 6의 활성층(330)과 같이 도 32 및 도 33의 활성층(360'_7)도 단일 또는 다중 양자 우물 구조의 물질을 포함하여 특정 파장대의 광을 방출할 수 있다. 일 예로, 활성층(360'_7)이 적색 파장대의 광을 방출하는 경우, 활성층(360'_7)은 AlGaP, AlInGaP 등의 물질을 포함할 수 있다. 특히, 활성층(360'_7)이 다중 양자 우물 구조로 양자층과 우물층이 교번적으로 적층된 구조인 경우, 양자층은 AlGaP 또는 AlInGaP, 우물층은 GaP 또는 AlInP 등과 같은 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 활성층(360'_7)은 양자층으로 AlGaInP를, 우물층으로 AlInP를 포함하여 620nm 내지 750nm의 중심 파장대역을 갖는 적색(Red)광을 방출할 수 있다.
도 32 및 도 33의 발광 소자(300'_7)는 활성층(360'_7)과 인접하여 배치되는 클래드층(clad layer)을 포함할 수 있다. 도면에 도시된 바와 같이, 활성층(360'_7)의 상하에서 제1 반도체층(310'_7) 및 제2 반도체층(320'_7) 사이에 배치된 제3 반도체층(330'_7)과 제4 반도체층(340'_7)은 클래드층일 수 있다.
제3 반도체층(330'_7)은 제1 반도체층(310'_7)과 활성층(360'_7) 사이에 배치될 수 있다. 제3 반도체층(330'_7)은 제1 반도체층(310'_7)과 같이 n형 반도체일 수 있으며, 일 예로 제3 반도체층(330'_7)은 InxAlyGa1-x-yP(0≤x≤1,0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 화학식을 갖는 반도체 재료를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 반도체층(310'_7)은 n-AlGaInP이고, 제3 반도체층(330'_7)은 n-AlInP일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
제4 반도체층(340'_7)은 활성층(360'_7)과 제2 반도체층(320'_7) 사이에 배치될 수 있다. 제4 반도체층(340'_7)은 제2 반도체층(320'_7)과 같이 n형 반도체일 수 있으며, 일 예로 제4 반도체층(340'_7)은 InxAlyGa1-x-yP(0≤x≤1,0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 화학식을 갖는 반도체 재료를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 반도체층(320'_7)은 p-GaP이고, 제4 반도체층(340'_7)은 p-AlInP 일 수 있다.
제5 반도체층(350'_7)은 제4 반도체층(340'_7)과 제2 반도체층(320'_7) 사이에 배치될 수 있다. 제5 반도체층(350'_7)은 제2 반도체층(320'_7) 및 제4 반도체층(340'_7)과 같이 p형으로 도핑된 반도체일 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제5 반도체층(350'_7)은 제4 반도체층(340'_7)과 제2 반도체층(320'_7) 사이의 격자 상수(Lattice constant) 차이를 줄여주는 기능을 수행할 수 있다. 즉, 제5 반도체층(350'_7)은 TSBR(Tensile strain barrier reducing)층일 수 있다. 일 예로, 제5 반도체층(350'_7)은 p-GaInP, p-AlInP, p-AlGaInP 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
제1 전극층(371'_7)과 제2 전극층(372'_7)은 도 6의 발광 소자(300)와 달리 각각 제1 반도체층(310'_7) 및 제2 반도체층(320'_7) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극층(371'_7)은 제1 반도체층(310'_7)의 하면에 배치되고, 제2 전극층(372'_7)은 제2 반도체층(320'_7)의 상면에 배치될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 제1 전극층(371'_7) 및 제2 전극층(372'_7) 중 적어도 어느 하나는 생략될 수 있다. 예를 들어 발광 소자(300'_7)는 도 6의 발광 소자(300)와 같이 제1 반도체층(310'_7) 하면에 제1 전극층(371'_7)이 배치되지 않고, 제2 반도체층(320'_7) 상면에 하나의 제2 전극층 (372'_7)만이 배치될 수도 있다.
도 32 및 도 33의 발광 소자(300'_7)의 경우에도 도 6의 발광 소자(300)와 실질적으로 동일한 방법으로 제조될 수 있다. 즉, 도 32 및 도 33의 발광 소자(300'_7)는 복수의 반도체층과 활성층(360'_7)을 포함하는 반도체 구조물(3000)을 형성하고 제2 패턴층(1800)을 통해 돌출 패턴(370P'_7)을 형성할 수 있다. 다만, 본 실시예에 따른 발광 소자(300'_7)는 반도체 구조물(3000)이 더 많은 수의 전극물질층 및 반도체를 포함하는 점에서 차이가 있다. 이에 대한 자세한 설명은 실질적으로 상술한 바와 동일한 바, 생략하기로 한다.
한편, 몇몇 실시예에 따르면 제1 전극(210)과 제2 전극(220)은 제1 방향(DR1)으로 연장된 전극 줄기부(210S, 220S)가 생략될 수 있다.
도 34는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 서브 화소를 나타내는 평면도이다.
도 34를 참조하면, 표시 장치(10_8)는 제1 전극(210_8)과 제2 전극(220_8)이 일 방향, 즉 제2 방향(DR2)으로 연장되어 배치될 수 있다. 제1 전극(210_8)과 제2 전극(220_8)은 제1 방향(DR1)으로 연장된 전극 줄기부(210S, 220S)들이 생략될 수 있다. 도 34의 표시 장치(10_8)는 전극 줄기부(210S, 220S)가 생략되고 하나의 제2 전극(220_8)을 더 포함하는 점에서 도 3의 표시 장치(10)와 차이가 있다. 도 34의 Xa-Xa'선, Xb-Xb'선 및 Xc-Xc'선을 따라 자른 단면은 도 4와 실질적으로 동일할 수 있다. 이하에서는 중복되는 설명은 생략하고 차이점을 중심으로 설명하기로 한다.
도 34에 도시된 바와 같이, 복수의 제1 전극(210_8)과 제2 전극(220_8)은 각 서브 화소(PXn) 내에서 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 외부 뱅크(430)의 경우에도 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제2 전극(220_8)과 외부 뱅크(430)는 제2 방향(DR2)으로 이웃하는 다른 서브 화소(PXn)에도 연장될 수 있다. 이에 따라 제2 방향(DR2)으로 이웃하는 각 서브 화소(PXn)들은 제2 전극(220_8)으로부터 동일한 전기 신호를 전달 받을 수 있다.
도 3의 표시 장치(10)와 달리, 도 34의 표시 장치(10_8)는 제2 전극(220_8) 마다 제2 전극 컨택홀(CNTS)이 배치될 수 있다. 각 서브 화소(PXn) 마다 위치하는 제2 전극 컨택홀(CNTS)을 통해 제2 전극(220)은 회로소자층(PAL)의 전원 전극(162)과 전기적으로 연결될 수 있다. 도면에서는 2개의 제2 전극(220_8) 각각 제2 전극 컨택홀(CNTS)이 형성된 것이 도시되어 있으나, 이에 제한되지 않는다.
반면에, 제1 전극(210_8)은 제2 방향(DR2)으로 연장되되 각 서브 화소(PXn)의 경계에서 종지할 수 있다. 제2 방향(DR2)으로 이웃하는 각 서브 화소(PXn)들은 서로 이격된 제1 전극(210_8)을 각각 포함하고, 이들은 제1 전극 컨택홀(CNTD)을 통해 서로 다른 전기 신호를 전달 받을 수 있다. 이러한 제1 전극(210_8)의 형상은 제2 방향(DR2)으로 연장되어 배치되었다가 표시 장치(10)의 제조 공정 중 이웃하는 서브 화소(PXn)의 경계에서 단선됨으로써 형성된 것일 수 있다. 도 34의 실시예는 하나의 제1 전극(210_8)과 하나의 제2 전극(220_8) 사이의 발광 소자(300)들과, 다른 제1 전극(210_8)과 다른 제2 전극(220_8) 사이의 발광 소자(300)들이 병렬 연결을 이룰 수 있다.
한편, 도 34의 표시 장치(10_8)는 일부 전극(210_8, 220_8)이 전극 컨택홀(CNTD, CNTS)을 통해 회로소자층(PAL)과 전기적으로 연결되지 않고, 플로팅 전극(Floating electrode)으로 배치될 수도 있다. 예를 들어, 복수의 전극(210_8, 220_8)들 중 외곽부에 위치한 전극들만 전극 컨택홀(CNTD, CNTS)을 통해 전기 신호를 전달 받을 수 있고, 이들 사이에 배치된 전극(210_8, 220_8)들은 전기 신호를 직접 전달받지 않을 수도 있다. 이 경우, 제2 전극(220_8)들 중 일부, 예를 들어 서로 다른 제1 전극(210_8) 사이에 배치된 제2 전극(220_8)은 제2 방향(DR2)으로 연장되되, 다른 서브 화소(PXn)에 배치되지 않도록 제1 전극(210_8)과 같이 각 서브 화소(PXn)의 경계에서 종지할 수 있다. 복수의 전극(210_8, 220_8)들 중 일부가 플로팅 전극인 경우, 이들 사이에 배치된 발광 소자(300)들은 병렬 연결에 더하여 부분적으로 직렬 연결을 이룰 수도 있다. 외부 뱅크(430)는 제1 방향(DR1)으로 이웃한 서브 화소(PXn)들의 경계에 배치되어 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 도면에 도시하지 않았으나, 외부 뱅크(430)는 제2 방향(DR2)으로 이웃한 서브 화소(PXn)들의 경계에 배치되어 제1 방향(DR1)으로 연장될 수도 있다. 외부 뱅크(430)에 대한 설명은 도 3을 참조하여 상술한 바와 동일하다. 또한, 도 34의 표시 장치(10_8)에 포함된 제1 접촉 전극(261_8) 및 제2 접촉 전극(262_8)은 실질적으로 도 3의 표시 장치(10)와 동일하다.
도 34에서는 2개의 제1 전극(210_8)과 2개의 제2 전극(220_8)이 배치되고, 이들이 서로 교번적으로 이격된 것이 도시되어 있다. 다만, 이에 제한되지 않고 표시 장치(10_8)는 일부 전극들이 생략되거나 더 많은 수의 전극이 배치될 수 있다.
한편, 표시 장치(10)는 제1 전극(210) 및 제2 전극(220)이 반드시 일 방향으로 연장된 형상을 갖지 않을 수도 있다. 표시 장치(10)의 제1 전극(210) 및 제2 전극(220)은 발광 소자(300)들이 배치되는 공간을 제공하도록 서로 이격되어 배치된다면 그 형상은 특별히 제한되지 않는다.
도 35는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소를 나타내는 평면도이다.
도 35를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(10_9)의 제1 전극(210_9) 및 제2 전극(220_9)은 적어도 일부 영역이 곡률진 형상을 갖고, 제1 전극(210_9)의 곡률진 영역은 제2 전극(220_9)의 곡률진 영역과 서로 이격되어 대향할 수 있다. 도 35의 따른 표시 장치(10_9)는 제1 전극(210_9)과 제2 전극(220_9)의 형상이 다른 점에서 도 2의 표시 장치(10)와 차이점이 있다. 이하에서는 중복되는 설명은 생략하고 차이점을 중심으로 설명하기로 한다.
도 35의 표시 장치(10_9)의 제1 전극(210_9)은 복수의 홀(HOL)들을 포함할 수 있다. 일 예로, 도면에 도시된 바와 같이 제1 전극(210_9)은 제2 방향(DR2)을 따라 배열된 제1 홀(HOL1), 제2 홀(HOL2) 및 제3 홀(HOL3)을 포함할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며 제1 전극(210_9)은 더 많은 수의 홀(HOL)을 포함하거나 더 적은 수, 또는 하나의 홀(HOL)만을 포함할 수도 있다. 이하에서는 제1 전극(210_9)이 제1 홀(HOL1), 제2 홀(HOL2) 및 제3 홀(HOL3)을 포함하는 것을 예시하여 설명하기로 한다.
예시적인 실시예에서, 제1 홀(HOL1), 제2 홀(HOL2) 및 제3 홀(HOL3) 각각은 원형의 평면 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 제1 전극(210_9)은 각 홀(HOL)들에 의해 형성된 곡률진 영역을 포함할 수 있고, 상기 곡률진 영역에서 제2 전극(220_9)과 대향할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 홀(HOL1), 제2 홀(HOL2) 및 제3 홀(HOL3) 각각은 후술할 바와 같이 제2 전극(220_9)이 배치되는 공간을 제공할 수 있다면, 그 형상이 제한되는 것은 아니며, 예를 들어, 타원, 사각형 이상의 다각형 등의 평면 형상을 가질 수도 있다.
제2 전극(220_9)은 각 서브 화소(PXn) 내에 복수 개가 배치될 수 있다. 예를 들어, 각 서브 화소(PXn)에서는 제1 전극(210_9)의 제1 내지 제3 홀들(HOL1, HOL2, HOL3)에 대응하여 3개의 제2 전극(220_9)이 배치될 수 있다. 제2 전극(220_9)은 제1 내지 제3 홀들(HOL1, HOL2, HOL3) 내에 각각 위치하여 제1 전극(210_9)에 의해 둘러싸일 수 있다.
예시적인 실시예에서, 제1 전극(210_9)의 홀(HOL)들은 외면이 곡률진 형상을 갖고, 제1 전극(210_9)의 홀(HOL) 내에 대응하여 배치된 제2 전극(220_9)들은 외면이 곡률진 형상을 갖고 제1 전극(210_9)과 이격되어 대향할 수 있다. 도 35에 도시된 바와 같이, 제1 전극(210_9)은 평면상 원형의 형상을 갖는 홀(HOL)들을 포함하고, 제2 전극(220_9)은 평면상 원형의 형상을 가질 수 있다. 제1 전극(210_9)은 홀(HOL)이 형성된 영역의 곡률진 면이 제2 전극(220_9)의 곡률진 외면과 이격되어 대향할 수 있다. 일 예로, 제1 전극(210_9)은 제2 전극(220_9)의 외면을 둘러싸도록 배치될 수 있다.
상술한 바와 같이, 발광 소자(300)들은 제1 전극(210_9)과 제2 전극(220_9) 사이에 배치될 수 있다. 본 실시예에 따른 표시 장치(10_9)는 원형의 형상을 갖는 제2 전극(220_9)과, 이를 둘러싸도록 배치된 제1 전극(210_9)을 포함하고, 복수의 발광 소자(300)들은 제2 전극(220_9)의 곡률진 외면을 따라 배열될 수 있다. 상술한 바와 같이 발광 소자(300)들은 일 방향으로 연장된 형상을 가지므로, 각 서브 화소(PXn) 내에서 제2 전극(220_9)의 곡률진 외면을 따라 배열되는 발광 소자(300)들은 연장된 방향이 서로 다른 방향을 향하도록 배치될 수 있다. 각 서브 화소(PXn)들은 발광 소자(300)의 연장된 방향이 향하는 방향에 따라 다양한 출광 방향을 가질 수 있다. 본 실시예에 따른 표시 장치(10_9)는 제1 전극(210_9)과 제2 전극(220_9)이 곡률진 형상을 갖도록 배치됨으로써, 이들 사이에 배치된 발광 소자(300)들은 서로 다른 방향을 향하도록 배치되고, 표시 장치(10_9)의 측면 시인성을 향상시킬 수도 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 표시 장치
210: 제1 전극 220: 제2 전극
261: 제1 접촉 전극 262: 제2 접촉 전극
300: 발광 소자
301: 제1 발광 소자 302: 제2 발광 소자 303: 제3 발광 소자
310: 제1 반도체층 320: 제2 반도체층 330: 활성층
370: 전극층 370P: 패턴부
380: 절연막
410: 제1 내부 뱅크 420: 제2 내부 뱅크
430: 외부 뱅크
210: 제1 전극 220: 제2 전극
261: 제1 접촉 전극 262: 제2 접촉 전극
300: 발광 소자
301: 제1 발광 소자 302: 제2 발광 소자 303: 제3 발광 소자
310: 제1 반도체층 320: 제2 반도체층 330: 활성층
370: 전극층 370P: 패턴부
380: 절연막
410: 제1 내부 뱅크 420: 제2 내부 뱅크
430: 외부 뱅크
Claims (31)
- 제1 반도체층 및 제2 반도체층;
상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치된 활성층; 및
상기 제2 반도체층 상에 배치되고, 제1 면 및 상기 제1 면과 대향하고 상기 제2 반도체층과 접촉하는 제2 면을 포함하는 전극층을 포함하고,
상기 전극층은 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 적어도 어느 하나는일부 영역이 돌출된 돌출 패턴을 포함하는 발광 소자. - 제1 항에 있어서,
상기 돌출 패턴은 제1 돌출부;
상기 제1 돌출부와 이격된 제2 돌출부; 및
상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부 사이의 함몰부를 포함하는 발광 소자. - 제2 항에 있어서,
상기 제2 돌출부는 상기 제1 돌출부를 둘러싸도록 형성된 발광 소자. - 제2 항에 있어서,
상기 돌출 패턴은 상기 제1 돌출부 및 제2 돌출부와 이격된 제3 돌출부를 더 포함하는 발광 소자. - 제4 항에 있어서,
상기 제3 돌출부는 상기 제2 돌출부의 외면을 둘러싸도록 형성되고, 상기 제2 돌출부와 상기 제3 돌출부 사이에는 상기 함몰부가 형성된 발광 소자. - 제2 항에 있어서,
상기 제1 돌출부는 폭이 상기 제2 돌출부의 폭은 동일한 영역을 포함하는 발광 소자. - 제6 항에 있어서,
상기 제1 돌출부는 폭이 상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부 사이의 간격과 동일한 영역을 포함하는 발광 소자. - 제1 항에 있어서,
상기 돌출 패턴은 상기 제1 면 상에 형성된 제1 돌출 패턴을 포함하고,
상기 발광 소자는 일 방향으로 연장된 형상을 갖고, 상기 제1 돌출 패턴이 형성된 제1 단부면 및 상기 제1 반도체층의 일 면이 형성된 제2 단부면을 포함하는 발광 소자. - 제8 항에 있어서,
상기 제1 단부면과 상기 제2 단부면은 서로 다른 거칠기를 갖는 발광 소자. - 제8 항에 있어서,
적어도 상기 활성층의 측면을 포함하여, 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층의 측면 중 적어도 일부를 둘러싸는 절연막을 더 포함하는 발광 소자. - 제1 항에 있어서,
상기 전극층은 상기 제2 면 상에 형성되어 상기 제2 반도체층과 접촉하는 제2 돌출 패턴을 포함하고,
상기 제2 반도체층은 상기 전극층의 제2 면과 접촉하는 면 중 적어도 일부 영역이 함몰되어 상기 제2 돌출 패턴의 돌출부와 접촉하는 발광 소자. - 제11 항에 있어서,
상기 돌출 패턴은 상기 제1 면 상에도 형성된발광 소자. - 기판 상에 형성되는 반도체 구조물을 제공하는 단계;
상기 반도체 구조물에서 방출되는 광을 측정하여 상기 반도체 구조물 상에 서로 다른 광이 방출되는 복수의 영역을 정의하는 단계; 및
상기 반도체 구조물을 식각하여 상면의 적어도 일부가 돌출된 돌출 패턴을 포함하되, 상기 복수의 영역에 따라 서로 다른 상기 돌출 패턴이 형성된 복수의 소자 로드를 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법. - 제13 항에 있어서,
상기 소자 로드를 형성하는 단계는,
상기 반도체 구조물 상에 서로 이격된 제1 마스크 패턴을 포함하는 제1 패턴층을 형성하는 단계;
상기 제1 마스크 패턴이 이격된 영역을 따라 상기 반도체 구조물을 식각하여 반도체 결정을 형성하는 단계;
상기 반도체 결정 상에 서로 이격된 제2 마스크 패턴을 포함하는 제2 패턴층을 형성하는 단계; 및
상기 제2 마스크 패턴이 이격된 영역을 따라 상기 반도체 결정의 상면을 부분적으로 식각하여 돌출 패턴을 포함하는 소자 로드를 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법. - 제14 항에 있어서,
상기 제2 패턴층을 형성하는 단계는 상기 반도체 결정의 외주면을 둘러싸는 절연막을 형성하는 단계 이후에 수행되는 발광 소자의 제조 방법. - 제14 항에 있어서,
상기 반도체 구조물은 제1 영역 및 상기 제1 영역과 다른 발광량을 갖는 제2 영역이 정의되고,
상기 소자 로드는 상기 제1 영역과 중첩되는 영역에 형성되는 제1 소자 로드 및 상기 제2 영역과 중첩되는 영역에 형성되는 제2 소자 로드를 포함하는 발광 소자의 제조 방법. - 제16 항에 있어서,
상기 제1 패턴층은 상기 제1 영역에 배치된 제1 마스크 패턴과 상기 제2 영역에 배치된 제2 마스크 패턴이 동일한 형상을 갖는 발광 소자의 제조 방법. - 제17 항에 있어서,
상기 제1 소자 로드와 상기 제2 소자 로드의 직경은 서로 동일한 발광 소자의 제조 방법. - 제16 항에 있어서,
상기 제2 패턴층은 상기 제1 영역에 배치된 제2 마스크 패턴과 상기 제2 영역에 배치된 제2 마스크 패턴이 서로 다른 형상을 갖는 발광 소자의 제조 방법. - 제19 항에 있어서,
상기 제1 소자 로드의 상면에 형성된 제1 돌출 패턴은 상기 제2 소자 로드의 상면에 형성된 제2 돌출 패턴과 서로 다른 형상을 갖는 발광 소자의 제조 방법. - 제13 항에 있어서,
상기 소자 로드를 형성하는 단계는,
상기 반도체 구조물 상에 서로 이격된 제3 마스크 패턴을 포함하는 제3 마스크층을 형성하는 단계;
상기 제3 마스크 패턴이 이격된 영역을 따라 상기 반도체 구조물의 상면을 부분적으로 식각하여 돌출 패턴을 형성하는 단계;
상기 반도체 구조물 상에 서로 이격된 제4 마스크 패턴을 포함하는 제4 마스크층을 형성하는 단계; 및
상기 제4 마스크 패턴이 이격된 영역을 따라 상기 반도체 구조물을 식각하여 소자 로드를 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법. - 제1 전극 및 상기 제1 전극과 이격된 제2 전극; 및
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고, 일 단부면 상에 형성된 패턴부를 포함하는 적어도 하나의 발광 소자;를 포함하고,
상기 발광 소자는,
제1 반도체층 및 제2 반도체층;
상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치된 활성층; 및
상기 제2 반도체층 상에 배치되고, 일 면의 적어도 일부 영역이 돌출된 돌출 패턴을 포함하는 전극층을 포함하는 표시 장치. - 제22 항에 있어서,
상기 돌출 패턴은 제1 돌출부;
상기 제1 돌출부와 이격된 제2 돌출부; 및
상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부 사이의 함몰부를 포함하는 표시 장치. - 제23 항에 있어서,
상기 제2 돌출부는 상기 제1 돌출부를 둘러싸도록 형성된 표시 장치. - 제23 항에 있어서,
상기 발광 소자는 제1 돌출 패턴을 포함하는 제1 발광 소자 및 상기 제1 돌출 패턴과 다른 제2 돌출 패턴을 포함하는 제2 발광 소자를 포함하는 표시 장치. - 제25 항에 있어서,
상기 제1 돌출 패턴에 포함된 돌출부의 수는 상기 제2 돌출 패턴에 포함된 돌출부의 수와 다른 표시 장치. - 제25 항에 있어서,
상기 제1 돌출 패턴에 포함된 돌출부의 폭은 상기 제2 돌출 패턴에 포함된 돌출부의 폭과 다른 표시 장치. - 제22 항에 있어서,
상기 발광 소자는 일 단부는 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되고, 타 단부는 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되는 표시 장치. - 제28 항에 있어서,
상기 발광 소자는 상기 전극층이 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되고 상기 제1 반도체층이 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되는 표시 장치. - 제28 항에 있어서,
상기 발광 소자의 일 단부 및 상기 제1 전극과 접촉하는 제1 접촉 전극; 및 상기 발광 소자의 타 단부 및 상기 제2 전극과 접촉하는 제2 접촉 전극을 더 포함하는 표시 장치. - 제30 항에 있어서,
상기 제1 접촉 전극은 상기 발광 소자의 전극층과 접촉하고, 상기 제2 접촉 전극은 상기 제1 반도체층과 접촉하는 표시 장치.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190086383A KR20210010694A (ko) | 2019-07-17 | 2019-07-17 | 발광 소자, 이의 제조 방법 및 표시 장치 |
| CN202080050853.XA CN114127963A (zh) | 2019-07-17 | 2020-02-27 | 发光元件、用于制造发光元件的方法以及显示装置 |
| US17/575,453 US20230282777A1 (en) | 2019-07-17 | 2020-02-27 | Light-emitting element, method for manufacturing same, and display device |
| EP20841155.3A EP4002497A4 (en) | 2019-07-17 | 2020-02-27 | ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING IT AND DISPLAY DEVICE |
| PCT/KR2020/002801 WO2021010563A1 (ko) | 2019-07-17 | 2020-02-27 | 발광 소자, 이의 제조 방법 및 표시 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190086383A KR20210010694A (ko) | 2019-07-17 | 2019-07-17 | 발광 소자, 이의 제조 방법 및 표시 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210010694A true KR20210010694A (ko) | 2021-01-28 |
Family
ID=74210440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020190086383A KR20210010694A (ko) | 2019-07-17 | 2019-07-17 | 발광 소자, 이의 제조 방법 및 표시 장치 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230282777A1 (ko) |
| EP (1) | EP4002497A4 (ko) |
| KR (1) | KR20210010694A (ko) |
| CN (1) | CN114127963A (ko) |
| WO (1) | WO2021010563A1 (ko) |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10161615B2 (en) * | 2007-05-31 | 2018-12-25 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Apparatus with forward and reverse-biased light emitting diodes coupled in parallel |
| KR101064082B1 (ko) * | 2009-01-21 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| TW201118946A (en) * | 2009-11-24 | 2011-06-01 | Chun-Yen Chang | Method for manufacturing free-standing substrate and free-standing light-emitting device |
| KR20110115384A (ko) * | 2010-04-15 | 2011-10-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템 |
| KR101209446B1 (ko) * | 2011-04-28 | 2012-12-07 | 피에스아이 주식회사 | 초소형 ｌｅｄ 소자 번들 및 그 제조방법 |
| KR20130052825A (ko) * | 2011-11-14 | 2013-05-23 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
| KR20150035211A (ko) * | 2013-09-27 | 2015-04-06 | 서울바이오시스 주식회사 | 넓은 지향각 및 균일한 조도를 갖는 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| KR101783601B1 (ko) * | 2016-03-25 | 2017-10-10 | 한국과학기술연구원 | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 |
-
2019
- 2019-07-17 KR KR1020190086383A patent/KR20210010694A/ko not_active Application Discontinuation
-
2020
- 2020-02-27 WO PCT/KR2020/002801 patent/WO2021010563A1/ko unknown
- 2020-02-27 EP EP20841155.3A patent/EP4002497A4/en active Pending
- 2020-02-27 US US17/575,453 patent/US20230282777A1/en active Pending
- 2020-02-27 CN CN202080050853.XA patent/CN114127963A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20230282777A1 (en) | 2023-09-07 |
| WO2021010563A1 (ko) | 2021-01-21 |
| EP4002497A1 (en) | 2022-05-25 |
| EP4002497A4 (en) | 2023-08-16 |
| CN114127963A (zh) | 2022-03-01 |
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