KR20210010279A - Manufacturing method using fine metal mask - Google Patents

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Abstract

According to one embodiment, provided is a method for manufacturing a fine metal mask, which comprises the steps of: manufacturing a mold having a masking pattern; applying a curable resin to a base substrate or the mold; imprinting on the applied resin using the masking pattern of the mold; depositing a seed metal for a mask on the imprinted resin; plating a mask metal on the mask seed metal; and separating the fine metal mask formed by plating the mask metal.

Description

미세 금속 마스크를 제작하는 방법{MANUFACTURING METHOD USING FINE METAL MASK}How to make a fine metal mask {MANUFACTURING METHOD USING FINE METAL MASK}

이하의 설명은 미세 금속 마스크를 제작하는 방법에 관한 것이다.The following description relates to a method of manufacturing a fine metal mask.

OLED 증착을 위한 공정에 미세 금속 마스크를 사용하는 공정이 개발되었다. 이러한 금속 마스크를 제작하는 기존 방식으로는 레이저 가공방식 및 금속 식각 방식 등이 있다. 레이저 가공방식의 경우 패턴의 최소 크기에 한계가 있고 벽면 조도가 좋지 않다는 단점이 있으며, 금속 식각 방식의 경우 화학적 식각 방식을 이용하기 때문에 패턴의 정밀도와 균일도를 제어하기 힘들다는 단점이 있다.A process using a fine metal mask has been developed in the process for OLED deposition. Conventional methods of manufacturing such a metal mask include a laser processing method and a metal etching method. In the case of the laser processing method, there is a disadvantage in that the minimum size of the pattern is limited and the wall surface roughness is not good, and in the case of the metal etching method, since the chemical etching method is used, it is difficult to control the precision and uniformity of the pattern.

이러한 문제를 해결하기 위해서 마스킹 패턴 공정이 가능한 리소그래피 공정과 전주 도금을 이용하여 몰드를 제작하고, UV 임프린팅을 이용한 금속 마스크를 제작할 수 있다. 일반적인 실리콘 혹은 글래스 등의 반도체 혹은 부도체 기판에 전주 도금을 위한 금속층을 증착하거나, 전도성을 가지는 도체로 이루어진 금속 기판을 준비한다. 금속층 위에 포토레지스트를 도포한 후, UV 노광 및 현상을 거쳐 패터닝한다. 패터닝한 구조에 금속층을 이용하여 전주 도금을 하고 포토레지스트를 제거하여 전주 도금층 패턴을 제작한다.In order to solve this problem, a mold may be manufactured using a lithography process capable of a masking pattern process and electroplating, and a metal mask using UV imprinting may be manufactured. A metal layer for electroplating is deposited on a general semiconductor or non-conductor substrate such as silicon or glass, or a metal substrate made of a conductive conductor is prepared. After the photoresist is applied on the metal layer, it is patterned through UV exposure and development. Electroplating is performed on the patterned structure using a metal layer, and photoresist is removed to form an electroplating layer pattern.

이렇게 제작된 전주 도금층 패턴은 포토레지스트의 패턴을 복제하는 것이기 때문에 일반적인 포토레지스트의 패턴 특성상 수직면 혹은 큰 경사각을 가지는 경우가 많다. 하지만 금속 마스크의 패턴면이 수직하거나 큰 경사각을 가질 경우 OLED의 유기물을 증착할 때 쉐도우 현상 때문에 증착 형상이 매끄럽지 않을 가능성이 높아진다. 이러한 문제를 해결하기 위한 방법으로 금속층 에칭, 레이저 트리밍 등의 공정이 제안되었다. 금속층 에칭 방식은 등방식 에칭 혹은 비등방식 에칭을 이용하여 에칭 영역과 비에칭 영역의 겹치는 부분의 형상을 조절하여 패턴을 만들 수 있으며, 레이저 트리밍 방식은 레이저 스캔 영역의 중첩 횟수를 조절하여 계단식으로 경사면을 제작할 수 있다.Since the electroplated layer pattern thus produced replicates the pattern of a photoresist, it is often a vertical plane or a large inclination angle due to the pattern characteristics of a general photoresist. However, when the pattern surface of the metal mask is vertical or has a large inclination angle, the possibility that the deposition shape is not smooth due to the shadow phenomenon increases when the organic material of the OLED is deposited. As a method to solve this problem, processes such as metal layer etching and laser trimming have been proposed. In the metal layer etching method, a pattern can be created by adjusting the shape of the overlapping part of the etched and non-etched areas by using isometric etching or boiling etching, and the laser trimming method adjusts the number of overlaps of the laser scan area to create a stepwise slope. Can be produced.

하지만 이와 같은 방식을 이용해 리소그래피 공정에 사용된 노광용 마스크가 계속해서 데미지를 입어 손상된다. 그렇기 때문에 양산을 함에 있어서 지속적인 고정비용이 발생하는 원인이 될 수 있다. 또한 UV intensity의 균일도 등의 문제로 제작된 제품들 간의 패턴 정밀도에도 불리함이 있을 수 있다.However, using this method, the exposure mask used in the lithography process is continuously damaged and damaged. Therefore, it may be the cause of continuous fixed costs in mass production. In addition, there may be disadvantages in pattern precision between products manufactured due to problems such as UV intensity uniformity.

전술한 배경기술은 발명자가 본 발명의 도출과정에서 보유하거나 습득한 것으로서, 반드시 본 발명의 출원 전에 일반 공중에 공개된 공지기술이라고 할 수는 없다.The above-described background technology is possessed or acquired by the inventor in the process of deriving the present invention, and is not necessarily a known technology disclosed to the general public prior to filing the present invention.

일 실시 예의 목적은 미세 금속 마스크를 제작하는 방법을 제공하는 것이다.An object of an embodiment is to provide a method of manufacturing a fine metal mask.

일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법은, 마스킹 패턴을 갖는 몰드를 제작하는 단계; 베이스 기판 또는 상기 몰드에 경화성 수지를 도포하는 단계; 도포된 수지에 상기 몰드의 마스킹 패턴을 사용하여 임프린팅하는 단계; 임프린팅된 수지에 마스크용 시드 금속을 증착하는 단계; 상기 마스크용 시드 금속 상에 마스크 금속을 도금하는 단계; 및 상기 마스크 금속이 도금되어 형성된 미세 금속 마스크를 분리하는 단계를 포함할 수 있다.A method of manufacturing a fine metal mask according to an exemplary embodiment may include manufacturing a mold having a masking pattern; Applying a curable resin to the base substrate or the mold; Imprinting the applied resin using the masking pattern of the mold; Depositing a seed metal for a mask on the imprinted resin; Plating a mask metal on the seed metal for a mask; And separating the fine metal mask formed by plating the mask metal.

상기 몰드를 제작하는 단계는, 몰드 기판 상에 포토 레지스트를 사용하여 상기 마스킹 패턴에 따라 패터닝하는 단계; 패터닝된 상기 몰드 기판 상에 몰드용 시드 금속을 증착하는 단계; 상기 몰드 기판 상에 전주 도금을 수행하는 단계; 및 도금된 몰드를 분리하는 단계를 포함할 수 있다.The manufacturing of the mold may include patterning according to the masking pattern using a photoresist on a mold substrate; Depositing a seed metal for a mold on the patterned mold substrate; Performing electroplating on the mold substrate; And separating the plated mold.

상기 몰드를 제작하는 단계는, 상기 패터닝하는 단계 이전에 수행되고, 상기 몰드 기판 상에 전도성 금속을 증착하는 단계를 더 포함할 수 있다.The manufacturing of the mold is performed before the patterning, and may further include depositing a conductive metal on the mold substrate.

상기 몰드 기판은 전도성을 갖는 재질로 형성되고, 상기 전주 도금을 수행하는 단계에서, 상기 몰드 기판에 전류가 통전될 수 있다.The mold substrate is formed of a material having a conductivity, and in the step of performing the electroplating, a current may be applied to the mold substrate.

상기 마스크 금속은 철과 니켈의 합금을 포함하는 금속으로 도금될 수 있다.The mask metal may be plated with a metal including an alloy of iron and nickel.

상기 패터닝하는 단계에서, 상기 몰드 기판 상에 상기 포토 레지스트는 경사면을 갖도록 패터닝되고, 상기 전주 도금을 수행하는 단계에서 형성된 상기 몰드는, 마스킹 패턴의 양각 부분의 가장자리 부분이 경사지게 형성되는 경사면을 포함할 수 있다.In the patterning step, the photoresist is patterned to have an inclined surface on the mold substrate, and the mold formed in the electroplating step includes an inclined surface in which the edge portions of the embossed portions of the masking pattern are formed to be inclined. I can.

상기 임프린팅하는 단계에서 임프린팅된 수지는, 상기 마스킹 패턴의 음각 부분의 가장자리 부분으로부터 경사지게 형성되는 경사면을 포함할 수 있고, 상기 마스크용 시드 금속을 증착하는 단계에서 상기 마스크용 시드 금속은, 상기 수지의 마스킹 패턴의 음각 부분과, 상기 음각 부분으로부터 연결되는 경사면의 일부에 증착될 수 있다.The resin imprinted in the imprinting step may include an inclined surface formed to be inclined from an edge portion of the intaglio portion of the masking pattern, and in the step of depositing the mask seed metal, the seed metal for the mask, the It may be deposited on an intaglio portion of a masking pattern of resin and a portion of an inclined surface connected from the intaglio portion.

상기 임프린팅하는 단계에서 사용되는 몰드는, 상기 몰드를 제작하는 단계에서 제작된 몰드를 복제한 소프트 몰드일 수 있다.The mold used in the imprinting step may be a soft mold that duplicates the mold produced in the step of manufacturing the mold.

일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법은, 마스킹 패턴을 갖는 몰드를 제작하는 단계; 베이스 기판 또는 상기 몰드에 경화성 수지를 도포하는 단계; 도포된 수지에 상기 몰드의 마스킹 패턴을 사용하여 임프린팅하는 단계; 임프린팅된 수지의 표면 중 돌출 형성된 마스킹 패턴의 부분을 제외한 잔류막을 식각하는 단계; 상기 베이스 기판 상에 마스크 금속을 도금하는 단계; 및 상기 마스크 금속이 도금되어 형성된 미세 금속 마스크를 분리하는 단계를 포함할 수 있다.A method of manufacturing a fine metal mask according to an exemplary embodiment may include manufacturing a mold having a masking pattern; Applying a curable resin to the base substrate or the mold; Imprinting the applied resin using the masking pattern of the mold; Etching the residual film excluding portions of the protruding masking pattern from the surface of the imprinted resin; Plating a mask metal on the base substrate; And separating the fine metal mask formed by plating the mask metal.

상기 베이스 기판은 전도성을 갖는 재질로 형성되고, 상기 잔류막을 식각하는 단계에서, 상기 수지가 식각된 부분으로부터 상기 베이스 기판의 표면이 노출되고, 상기 마스크 금속을 도금하는 단계에서, 상기 베이스 기판에 전류가 통전될 수 있다.The base substrate is formed of a conductive material, and in the step of etching the residual layer, the surface of the base substrate is exposed from the portion where the resin is etched, and in the step of plating the mask metal, a current is applied to the base substrate. Can be energized.

일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법은, 상기 경화성 수지를 도포하는 단계 이전에, 상기 베이스 기판에 전도성 금속을 증착하는 단계를 더 포함할 수 있고, 상기 잔류막을 식각하는 단계에서, 상기 수지가 식각된 부분으로부터 상기 전도성 금속의 표면이 노출될 수 있고, 상기 마스크 금속을 도금하는 단계에서, 상기 전도성 금속에 전류가 통전될 수 있다.The method of manufacturing a fine metal mask according to an embodiment may further include depositing a conductive metal on the base substrate before the step of applying the curable resin. In the step of etching the residual layer, the The surface of the conductive metal may be exposed from the portion where the resin is etched, and in the step of plating the mask metal, current may be applied to the conductive metal.

상기 몰드를 제작하는 단계는, 몰드 기판 상에 포토 레지스트를 사용하여 상기 마스킹 패턴에 따라 패터닝하는 단계; 패터닝된 상기 몰드 기판 상에 몰드용 시드 금속을 증착하는 단계; 상기 몰드 기판 상에 전주 도금을 수행하는 단계; 및 도금된 몰드를 분리하는 단계를 포함할 수 있다.The manufacturing of the mold may include patterning according to the masking pattern using a photoresist on a mold substrate; Depositing a seed metal for a mold on the patterned mold substrate; Performing electroplating on the mold substrate; And separating the plated mold.

상기 패터닝하는 단계는, 상기 몰드 기판 상에서 상기 포토 레지스트가 경사면을 갖도록 패터닝할 수 있다.In the patterning, the photoresist may be patterned on the mold substrate to have an inclined surface.

상기 임프린팅하는 단계에서 임프린팅된 수지는, 상기 마스킹 패턴의 음각 부분의 가장자리 부분으로부터 경사지게 형성되는 경사면을 포함할 수 있다.The resin imprinted in the imprinting step may include an inclined surface formed to be inclined from an edge portion of the intaglio portion of the masking pattern.

상기 마스크 금속을 도금하는 단계에서, 상기 마스크 금속은 철과 니켈의 합금을 포함하는 금속으로 도금될 수 있다.In the step of plating the mask metal, the mask metal may be plated with a metal including an alloy of iron and nickel.

일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법은, 경사면이 형성된 마스킹 패턴을 구비하는 몰드를 제작하는 단계; 제 1 기판에 도포된 제 1 수지에 상기 몰드를 사용하여 임프린팅하여 상기 제 1 수지에 마스킹 패턴을 형성하는 1차 패턴 복제 단계; 제 2 기판에 도포된 제 2 수지에 마스킹 패턴이 형성된 상기 제 1 수지를 사용하여 임프린팅하여, 상기 제 2 수지에 마스킹 패턴을 형성하는 2차 패턴 복제 단계; 상기 제 2 수지의 부분 중, 돌출 형성된 마스킹 패턴의 부분을 제외한 잔류막을 제거하는 단계; 상기 제 2 수지의 마스킹 패턴 부분 중 음각 부분에 제 3 수지를 도포하여 경화시키는 3차 패턴 복제 단계; 상기 제 2 기판 상에 형성된 상기 제 2 수지 및 제 3 수지 중 상기 제 2 수지를 제거하는 단계; 상기 제 2 기판상에 형성된 상기 제 3 수지 상에 금속으로 전주 도금을 수행하는 단계; 및 상기 제 2 기판으로부터 도금된 미세 금속 마스크를 분리하는 단계를 포함할 수 있다.A method of manufacturing a fine metal mask according to an embodiment may include: manufacturing a mold having a masking pattern having an inclined surface formed thereon; A first pattern duplication step of forming a masking pattern on the first resin by imprinting the first resin coated on the first substrate using the mold; A second pattern duplicating step of forming a masking pattern on the second resin by imprinting using the first resin having a masking pattern formed on the second resin applied to the second substrate; Removing a residual film excluding a portion of the masking pattern formed protruding from among the portions of the second resin; A third pattern duplication step of coating and curing a third resin on an intaglio portion of the masking pattern portion of the second resin; Removing the second resin among the second and third resins formed on the second substrate; Performing electroplating with metal on the third resin formed on the second substrate; And separating the plated fine metal mask from the second substrate.

상기 제 2 기판은 전도성을 갖는 재질이거나 전도성을 갖는 시드 금속을 증착하고, 상기 잔류막을 제거하는 단계에서, 상기 제 2 수지가 제거된 부분으로부터 상기 제 2 기판의 표면이 노출되고, 상기 전주 도금을 수행하는 단계에서, 상기 제 2 기판에 전류가 통전될 수 있다.In the step of depositing a conductive material or a conductive seed metal and removing the residual film, the second substrate is exposed to the surface of the second substrate from which the second resin has been removed, and the electroplating is performed. In the performing step, current may be applied to the second substrate.

상기 2차 패턴 복제 단계는, 상기 제 2 기판에 상기 제 2 수지를 도포하기 전에 상기 제 2 기판에 전도성 금속을 증착하는 단계를 포함할 수 있고, 상기 잔류막을 제거하는 단계에서, 상기 제 2 수지가 제거된 부분으로부터 상기 전도성 금속의 표면이 노출될 수 있고, 상기 전주 도금을 수행하는 단계에서, 상기 전도성 금속에 전류가 통전될 수 있다.The step of replicating the second pattern may include depositing a conductive metal on the second substrate before applying the second resin to the second substrate. In the step of removing the residual film, the second resin The surface of the conductive metal may be exposed from the portion from which is removed, and in the step of performing the electroplating, current may be applied to the conductive metal.

상기 전주 도금을 수행하는 단계에서, 도금되는 금속은 철과 니켈의 합금을 포함하는 금속을 포함할 수 있다.In the step of performing electroplating, the metal to be plated may include a metal including an alloy of iron and nickel.

일 실시 예의 미세 금속 마스크를 제작하는 방법에 의하면, 임프린트 몰드의 장점을 확보할 수 있어서, UV 노광 및 현상 등 리소그래피에 드는 비용과 시간을 줄일 수가 있을 뿐만 아니라 제작된 제품들 간의 정밀도와 균일도 또한 확보가 가능하기 때문에 양산 공정에 있어 유리하다.According to the method of manufacturing a fine metal mask according to an embodiment, the advantages of the imprint mold can be secured, thereby reducing the cost and time required for lithography such as UV exposure and development, as well as securing precision and uniformity between manufactured products. It is advantageous in the mass production process because it is possible.

일 실시 예의 미세 금속 마스크를 제작하는 방법에 의하면, 수용성 UV 레진을 사용함으로써 약품에 의한 제품의 오염을 방지할 수 있다.According to the method of manufacturing a fine metal mask according to an embodiment, contamination of a product by a chemical may be prevented by using a water-soluble UV resin.

일 실시 예의 미세 금속 마스크를 제작하는 방법에 의하면, 별도의 추가 공정 없이 경사면을 제작할 수 있기 때문에 공정에 드는 비용과 시간을 절감할 수 있는 장점이 있다.According to the method of manufacturing a fine metal mask according to an exemplary embodiment, since an inclined surface can be manufactured without a separate additional process, there is an advantage in that cost and time required for the process can be reduced.

도 1은 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법의 순서도이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 몰드를 제작하는 단계의 순서도이다.
도 3은 일 실시 예에 따른 몰드를 제작하는 단계에 따라 몰드를 형성하는 과정을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 4 및 도 5는 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법에 따라 미세 금속 마스크를 제작하는 과정을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 6 및 도 7은 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법에 따라 미세 금속 마스크를 제작하는 과정을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 8은 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법의 순서도이다.
도 9 및 도 10은 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법에 따라 미세 금속 마스크를 제작하는 과정을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 11은 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법의 순서도이다.
도 12는 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법에 따라 미세 금속 마스크를 제작하는 과정을 개략적으로 나타내는 도면이다.1 is a flowchart of a method of manufacturing a fine metal mask according to an exemplary embodiment.
2 is a flowchart of a step of manufacturing a mold according to an exemplary embodiment.
3 is a diagram schematically illustrating a process of forming a mold according to a step of manufacturing a mold according to an exemplary embodiment.
4 and 5 are diagrams schematically illustrating a process of manufacturing a fine metal mask according to a method of manufacturing a fine metal mask according to an exemplary embodiment.
6 and 7 are diagrams schematically illustrating a process of manufacturing a fine metal mask according to a method of manufacturing a fine metal mask according to an exemplary embodiment.
8 is a flowchart of a method of manufacturing a fine metal mask according to an exemplary embodiment.
9 and 10 are diagrams schematically illustrating a process of manufacturing a fine metal mask according to a method of manufacturing a fine metal mask according to an exemplary embodiment.
11 is a flowchart of a method of manufacturing a fine metal mask according to an exemplary embodiment.
12 is a diagram schematically illustrating a process of manufacturing a fine metal mask according to a method of manufacturing a fine metal mask according to an exemplary embodiment.

이하, 실시 예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 실시 예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 실시 예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail through exemplary drawings. In adding reference numerals to elements of each drawing, it should be noted that the same elements are assigned the same numerals as possible even if they are indicated on different drawings. In addition, in describing the embodiment, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function interferes with the understanding of the embodiment, a detailed description thereof will be omitted.

또한, 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In addition, in describing the constituent elements of the embodiment, terms such as first, second, A, B, (a) and (b) may be used. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the nature, order, or order of the component is not limited by the term. When a component is described as being "connected", "coupled" or "connected" to another component, that component may be directly connected or connected to that other component, but another component between each component It should be understood that may be “connected”, “coupled” or “connected”.

어느 하나의 실시 예에 포함된 구성요소와, 공통적인 기능을 포함하는 구성요소는, 다른 실시 예에서 동일한 명칭을 사용하여 설명하기로 한다. 반대되는 기재가 없는 이상, 어느 하나의 실시 예에 기재한 설명은 다른 실시 예에도 적용될 수 있으며, 중복되는 범위에서 구체적인 설명은 생략하기로 한다.Components included in one embodiment and components including common functions will be described using the same name in other embodiments. Unless otherwise stated, descriptions in one embodiment may be applied to other embodiments, and detailed descriptions in the overlapping range will be omitted.

도 1은 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법의 순서도이고, 도 2는 일 실시 예에 따른 몰드를 제작하는 단계의 순서도이고, 도 3은 일 실시 예에 따른 몰드를 제작하는 단계에 따라 몰드를 형성하는 과정을 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 4 및 도 5는 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법에 따라 미세 금속 마스크를 제작하는 과정을 개략적으로 나타내는 도면이다.1 is a flowchart of a method of manufacturing a fine metal mask according to an exemplary embodiment, FIG. 2 is a flow chart of a process of manufacturing a mold according to an exemplary embodiment, and FIG. 3 is a flowchart illustrating a process of manufacturing a mold according to an exemplary embodiment. 4 and 5 are views schematically illustrating a process of manufacturing a fine metal mask according to a method of manufacturing a fine metal mask according to an exemplary embodiment.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크(2)를 제작하는 방법은, 마스킹 패턴(P)을 갖도록 제조된 몰드(M1)를 이용하여 임프린팅 공정을 수행하는 단계와, 이후 금속 도금을 통해 미세 금속 마스크(2)를 제작하는 단계를 포함할 수 있다.1 to 5, a method of manufacturing a fine metal mask 2 according to an embodiment includes performing an imprinting process using a mold M1 manufactured to have a masking pattern P, and Then, it may include the step of fabricating the fine metal mask 2 through metal plating.

미세 금속 마스크(2)를 제작하는 방법은, 몰드를 제작하는 단계(81)와, 경화성 수지(12)를 도포하는 단계(82)와, 임프린팅하는 단계(83)와, 마스크용 시드 금속(13)을 증착하는 단계(84)와, 마스크 금속(2)을 도금하는 단계(85)와, 미세 금속 마스크(2)를 분리하는 단계(86)를 포함할 수 있다.The method of manufacturing the fine metal mask 2 includes the step 81 of manufacturing a mold, the step 82 of applying the curable resin 12, the step of imprinting 83, and the seed metal for the mask ( 13) may include depositing 84, plating 85 of the mask metal 2, and separating 86 of the fine metal mask 2.

몰드를 제작하는 단계(81)는, 미세한 마스킹 패턴(P) 간격을 갖는 미세 금속 마스크(2)를 임프린팅 방식으로 제조하기 위한 몰드(M1)를 제작하는 공정일 수 있다.The step 81 of manufacturing the mold may be a process of manufacturing a mold M1 for manufacturing a fine metal mask 2 having a spacing of the fine masking pattern P by an imprinting method.

예를 들어, 몰드를 제작하는 단계(81)는, 몰드 기판(51)을 준비하는 단계(811)와, 몰드 기판(51)에 전도성 금속(52)을 증착하는 단계(812)와, 몰드 기판(51) 상에 포토 레지스트(53)를 통해 마스킹 패턴(P)을 따라 패터닝하는 단계(813)와, 패터닝된 몰드 기판(51) 상에 몰드용 시드 금속(54)을 증착하는 단계(814)와, 몰드 기판(51) 상에 전주 도금을 수행하는 단계(815)와, 도금된 몰드(M1)를 분리하는 단계(816)를 포함할 수 있다.For example, the step 81 of manufacturing a mold includes the step 811 of preparing the mold substrate 51, the step 812 of depositing the conductive metal 52 on the mold substrate 51, and the mold substrate The step of patterning along the masking pattern P through the photoresist 53 on the 51 and the step of depositing a seed metal 54 for the mold on the patterned mold substrate 51 (814) And, it may include a step 815 of performing electroplating on the mold substrate 51 and a step 816 of separating the plated mold M1.

몰드 기판(51)을 준비하는 단계(811)는 마스킹 패턴(P)을 갖는 몰드(M1)를 형성하기 위한 몰드 기판(51)을 마련하는 단계일 수 있다.The step 811 of preparing the mold substrate 51 may be a step of preparing the mold substrate 51 for forming the mold M1 having the masking pattern P.

전도성 금속(52)을 증착하는 단계(812)는, 전도성 금속(52)을 몰드 기판(51)에 증착하는 단계일 수 있다.The step 812 of depositing the conductive metal 52 may be a step of depositing the conductive metal 52 on the mold substrate 51.

예를 들어, 몰드 기판(51)이 전도성을 가질 경우, 전도성 금속(52)을 증착하는 단계(812)는 생략될 수 있다. 다시 말하면, 도 3과 달리, 전도성 금속(52)의 층이 생략된 상태로 나머지 층들이 적층될 수 있다는 점을 밝혀 둔다. 반면, 몰드 기판(51)이 반도체 또는 부도체일 경우에는 전도성 금속(52)을 증착하는 단계(812)가 패터닝하는 단계(813) 이전에 수행되어 몰드 기판(51) 상에 전도성 금속(52)이 증착될 수 있다. 물론, 단계 812는 몰드 기판(51)이 전도성을 가지는 경우에도 수행될 수 있다는 점을 밝혀 둔다. 다시 말하면, 단계 812는 몰드 기판(51)이 전도성을 가지지 않을 경우에는 필수적으로 수행되며, 몰드 기판(51)이 전도성을 가질 경우에는 선택적으로 수행될 수 있다.For example, when the mold substrate 51 has conductivity, the step 812 of depositing the conductive metal 52 may be omitted. In other words, unlike FIG. 3, it should be noted that the remaining layers may be stacked while the layer of the conductive metal 52 is omitted. On the other hand, when the mold substrate 51 is a semiconductor or a non-conductor, the step 812 of depositing the conductive metal 52 is performed before the step 813 of patterning, so that the conductive metal 52 is formed on the mold substrate 51. Can be deposited. Of course, it should be noted that step 812 can be performed even when the mold substrate 51 has conductivity. In other words, step 812 is essentially performed when the mold substrate 51 does not have conductivity, and may be selectively performed when the mold substrate 51 has conductivity.

패터닝하는 단계(813)는, 몰드 기판(51) 상에 포토 레지스트(53)를 도포한 상태에서, UV 노광 및 현상 과정을 통해 포토 레지스트(53)를 마스킹 패턴(P)을 갖도록 패터닝하는 단계일 수 있다.The patterning step 813 is a step of patterning the photoresist 53 to have a masking pattern P through UV exposure and development processes while the photoresist 53 is applied on the mold substrate 51. I can.

패터닝하는 단계(813)에서 패터닝되는 포토 레지스트(53)의 마스킹 패턴(P)의 형상에 따라 미세 금속 마스크(2)의 패턴(P)의 형상이 결정될 수 있다.The shape of the pattern P of the fine metal mask 2 may be determined according to the shape of the masking pattern P of the photoresist 53 patterned in the patterning step 813.

한편, 패턴의 형상이 경사진 미세 금속 마스크를 제작하기 위해, 패터닝하는 단계(813)에서 포토 레지스트(53)는 경사면을 갖도록 형성될 수 있다. 이 경우, 포토 레지스트(53)는 하측으로 몰드 기판(51) 또는 전도성 금속(52)에 연결되는 부분이 테이퍼진 형상을 갖도록 노광 및 현상될 수 있다. 경사진 미세 금속 마스크를 제작하는 방법은 도 6 내지 도 10을 참조하여 후술하기로 한다.Meanwhile, in order to manufacture a fine metal mask having an inclined pattern, the photoresist 53 may be formed to have an inclined surface in the patterning step 813. In this case, the photoresist 53 may be exposed and developed so that a portion connected to the mold substrate 51 or the conductive metal 52 downwardly has a tapered shape. A method of manufacturing an inclined fine metal mask will be described later with reference to FIGS. 6 to 10.

몰드용 시드 금속(54)을 증착하는 단계(814)는, 몰드 기판(51) 및 그 위에 마스킹 패턴(P)으로 이루어진 포토 레지스트(53) 상에 몰드용 시드 금속(54)을 증착하는 단계일 수 있다.The step of depositing the seed metal 54 for the mold 814 is a step of depositing the seed metal 54 for the mold on the photoresist 53 formed of the mold substrate 51 and the masking pattern P thereon. I can.

몰드용 시드 금속(54)을 증착하는 단계(814)에서, 몰드용 시드 금속(54)은 포토 레지스트(53)에 의해 마스킹되어, 마스킹 패턴(P)을 따라서 포토 레지스트(53)상에 증착되고 마스킹 패턴(P)을 제외한 부분에는 몰드 기판(51)(단계 812가 생략된 경우) 또는 전도성 금속(52)(단계 812가 수행된 경우) 상에 적층될 수 있다.In the step 814 of depositing the seed metal 54 for the mold, the seed metal 54 for the mold is masked by the photoresist 53 and deposited on the photoresist 53 along the masking pattern P. In portions other than the masking pattern P, the mold substrate 51 (when step 812 is omitted) or the conductive metal 52 (when step 812 is performed) may be laminated.

전주 도금을 수행하는 단계(815)는, 몰드 기판(51) 상에 증착된 몰드용 시드 금속(54)에 전주 도금을 수행하여 마스킹 패턴(P)을 갖는 몰드(M1)를 형성할 수 있다.In the electroplating step 815, electroplating may be performed on the seed metal 54 for the mold deposited on the mold substrate 51 to form the mold M1 having the masking pattern P.

도금된 몰드를 분리하는 단계(816)는, 도금된 몰드(M1)를 몰드 기판(51)으로부터 분리하여 마스킹 패턴(P)을 갖는 몰드(M1)를 사용 가능하게 분리하는 단계일 수 있다.The step 816 of separating the plated mold may be a step of separating the plated mold M1 from the mold substrate 51 so that the mold M1 having the masking pattern P is usable.

일 실시 예에 따른 몰드를 제작하는 단계(81)에 의하면 별도의 화학적 에칭(etching) 공정 없이 미세한 마스킹 패턴(P)이 형성된 몰드(M1)를 제작할 수 있기 때문에, 마스킹 패턴(P)의 정밀도와 품질 균일성을 향상시킬 수 있다.According to the step 81 of manufacturing a mold according to an embodiment, since the mold M1 in which the fine masking pattern P is formed can be manufactured without a separate chemical etching process, the precision of the masking pattern P and the Quality uniformity can be improved.

한편 도시되지는 않았지만, 일 실시 예에 따른 몰드를 제작하는 단계(81)는 몰드용 시드 금속(54)을 증착하는 단계(814) 및 전주 도금을 수행하는 단계(815) 사이에, 포토 레지스트(53)를 용제에 녹여 제거하는 리프트 오프(lift off) 공정이 추가로 수행될 수도 있다. 이 경우, 도 3의 네번째 공정 도면에 도시된 것처럼, 몰드용 시드 금속(54)의 높이는 포토 레지스트(53)의 높이보다 낮도록 증착됨으로써, 몰드용 시드 금속(54)이 증착된 상태에서 포토 레지스트(53)의 적어도 일부가 외부로 노출될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 용제 등을 이용하여 포토 레지스트(53) 및 포토 레지스트(53) 상에 증착된 몰드용 시드 금속(54)을 용이하게 제거할 수 있다.On the other hand, although not shown, the step 81 of manufacturing a mold according to an embodiment is between the step 814 of depositing the seed metal 54 for the mold and the step 815 of performing electroplating, a photoresist ( 53) may be additionally performed by dissolving it in a solvent and removing it. In this case, as shown in the fourth process drawing of FIG. 3, the height of the seed metal 54 for the mold is deposited to be lower than the height of the photoresist 53, so that the photoresist in the state in which the seed metal 54 for the mold is deposited. At least a portion of 53 may be exposed to the outside. According to such a structure, the photoresist 53 and the seed metal 54 for a mold deposited on the photoresist 53 can be easily removed using a solvent or the like.

예를 들어, 몰드를 제작하는 단계(81)에서 제작된 몰드(M1)는 금속 도금을 위한 하드 몰드일 수 있다. 다른 예로, 몰드(M1)는 단계 81에서 제작된 하드 몰드를 플라스틱 소재 등으로 다시 복제하여 소프트 몰드로 형성된 몰드(M1)일 수도 있다. 예를 들어, 몰드(M1)는 평판 형태를 가질 수 있지만, 이와 달리 롤러의 형태로 제작될 수도 있다는 점을 밝혀둔다.For example, the mold M1 manufactured in the step 81 of manufacturing a mold may be a hard mold for metal plating. As another example, the mold M1 may be a mold M1 formed of a soft mold by replicating the hard mold manufactured in step 81 with a plastic material or the like. For example, it should be noted that the mold M1 may have a flat plate shape, but otherwise it may be manufactured in the form of a roller.

경화성 수지를 도포하는 단계(82)는, 경화성 수지(12)를 베이스 기판(11)에 도포하는 단계일 수 있다. 예를 들어, 경화성 수지는 UV 경화성 수지 또는 열 경화성 수지일 수 있다. 예를 들어, 경화성 수지(12)는 수용성일수 있기 때문에 약품에 의한 제품의 오염을 방지할 수 있다.The step 82 of applying the curable resin may be a step of applying the curable resin 12 to the base substrate 11. For example, the curable resin may be a UV curable resin or a heat curable resin. For example, since the curable resin 12 may be water-soluble, contamination of the product by chemicals can be prevented.

다른 예로, 경화성 수지를 도포하는 단계(82)는 경화성 수지(12)를 몰드(M1)에 도포하는 단계일 수 있다. 이 경우, 베이스 기판(11)은 경화성 수지(12)가 몰드(M1)에 도포된 이후에 증착되어 형성될 수 있다는 점을 밝혀둔다.As another example, the step 82 of applying the curable resin may be a step of applying the curable resin 12 to the mold M1. In this case, it should be noted that the base substrate 11 may be formed by being deposited after the curable resin 12 is applied to the mold M1.

예를 들어, 경화성 수지를 도포하는 단계(82)에서 도포되는 수지(12)는 몰드(M1)의 마스킹 패턴(P)이 형성하는 두께보다 큰 두께를 갖도록 도포될 수 있다.For example, the resin 12 applied in the step 82 of applying the curable resin may be applied to have a thickness greater than the thickness formed by the masking pattern P of the mold M1.

임프린팅하는 단계(83)는, 몰드를 제작하는 단계(81)에서 제작된 몰드(M1)를 사용하여 경화성 수지(12) 상에 임프린팅하고 경화시킴으로써 마스킹 패턴(P)을 따라서 베이스 기판(11) 상에 수지(12)를 패터닝할 수 있다.The imprinting step 83 includes imprinting and curing on the curable resin 12 using the mold M1 produced in the step 81 of manufacturing the mold, thereby following the masking pattern P. ) On the resin 12 can be patterned.

예를 들어, 몰드(M1)는 전술한 몰드를 제작하는 단계(81)에서 만들어진 몰드(M1) 자체를 사용할 수 있지만, 상기 몰드(M1)를 복제하여 만든 몰드(M1)가 사용되어도 무방하다는 점을 밝혀둔다.For example, the mold (M1) can use the mold (M1) itself made in the step 81 of manufacturing the above-described mold, but the mold (M1) made by replicating the mold (M1) may be used. Reveal.

예를 들어, 경화성 수지(12)가 몰드(M1)에 도포되는 경우에도 몰드(M1)의 마스킹 패턴(P)을 사용하여 임프린팅을 수행하는 과정이 동일하게 수행될 수 있다는 점을 밝혀둔다.For example, it should be noted that even when the curable resin 12 is applied to the mold M1, the process of performing the imprinting using the masking pattern P of the mold M1 can be performed in the same manner.

마스크용 시드 금속을 증착하는 단계(84)는, 도 5와 같이 베이스 기판(11) 및 그 위에 마스킹 패턴(P)으로 이루어진 포토 레지스트(53) 상에 마스크용 시드 금속(13)을 증착하는 단계일 수 있다.The step 84 of depositing a seed metal for a mask is a step of depositing a seed metal 13 for a mask on the photoresist 53 made of a base substrate 11 and a masking pattern P thereon as shown in FIG. 5. Can be

마스크용 시드 금속을 증착하는 단계(84)에서, 마스크용 시드 금속(13)은 마스킹 패턴(P)을 따라서 임프린팅된 경화성 수지(12)상에 증착될 수 있다.In the step 84 of depositing a seed metal for a mask, the seed metal 13 for a mask may be deposited on the imprinted curable resin 12 along the masking pattern P.

마스크 금속을 도금하는 단계(85)는, 마스크용 시드 금속(13)에 전주 도금을 수행하여 마스크 금속(2)을 형성하고, 이와 같은 공정을 통해, 마스킹 패턴(P)의 형상에 따른 미세 금속 마스크(2)를 제작할 수 있다. 예를 들어, 마스크 금속을 도금하는 단계(85)에서 도금되는 마스크 금속(2)은 철과 니켈의 합금인 인바(Invar)를 포함할 수 있다.In the step 85 of plating the mask metal, electroplating is performed on the mask seed metal 13 to form the mask metal 2, and through this process, a fine metal according to the shape of the masking pattern P The mask 2 can be manufactured. For example, the mask metal 2 to be plated in the step 85 of plating the mask metal may include Invar, which is an alloy of iron and nickel.

인바 금속으로 형성되는 미세 금속 마스크(2)에 의하면 열팽창계수가 현저히 낮은 글래스 기판과 동일한 열적 성능을 가지게 되어 열에 의한 환경적인 변화에 대하여 높은 안정성을 달성할 수 있다.The fine metal mask 2 made of Invar metal has the same thermal performance as a glass substrate having a significantly low coefficient of thermal expansion, so that high stability against environmental changes due to heat can be achieved.

미세 금속 마스크를 분리하는 단계(86)는, 도금되어 형성된 미세 금속 마스크(2)를 베이스 기판(11)으로부터 분리하는 단계일 수 있다.The step 86 of separating the fine metal mask may be a step of separating the fine metal mask 2 formed by plating from the base substrate 11.

일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법에 의하면, 포토리소그래피 공정을 임프린팅 공정으로 대체함으로써 UV 노광 및 현상 등 리소그래피에 소모되는 비용을 줄일 수가 있을 뿐만 아니라 제작된 제품들 간의 정밀도 또한 확보가 가능하기 때문에 양산 공정에 있어 유리할 수 있으며, 환경친화성 역시 확보할 수 있다.According to the method of manufacturing a fine metal mask according to an embodiment, by replacing the photolithography process with an imprinting process, it is possible not only to reduce the cost of lithography such as UV exposure and development, but also to secure precision between manufactured products. Because it is possible, it can be advantageous in the mass production process, and environmental friendliness can also be secured.

더불어, 제작된 몰드(M1)를 반 영구적으로 사용할 수 있기 때문에, 기존의 리소그래피 공정을 수행함에 따라 고가의 포토마스크가 손상되는 위험성을 배제할 수 있다.In addition, since the manufactured mold M1 can be used semi-permanently, it is possible to exclude the risk of damage to an expensive photomask by performing an existing lithography process.

도 6 및 도 7은 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법에 따라 미세 금속 마스크를 제작하는 과정을 개략적으로 나타내는 도면이다.6 and 7 are diagrams schematically illustrating a process of manufacturing a fine metal mask according to a method of manufacturing a fine metal mask according to an exemplary embodiment.

도 6 및 도 7을 참조하면, 경사면(41)을 갖는 미세 금속 마스크(4)를 제작하는 방법을 살펴볼 수 있다. 예를 들어, 도 6 및 도 7에 도시된 미세 금속 마스크(4)를 제작하는 방법은, 도 1 내지 도 5에서 전술한 미세 금속 마스크(2)를 제작하는 방법과 동일 또는 유사한 방법을 통해 경사면을 갖는 몰드(M2)를 제작하고, 이를 통해 임프린팅 방식으로 경사면(41)을 갖는 미세 금속 마스크(4)를 제작하는 방법으로 이해되어도 무방하다.Referring to FIGS. 6 and 7, a method of manufacturing a fine metal mask 4 having an inclined surface 41 may be described. For example, the method of manufacturing the fine metal mask 4 shown in FIGS. 6 and 7 is the same or similar to the method of manufacturing the fine metal mask 2 described above in FIGS. It may be understood as a method of manufacturing a mold (M2) having an inclined surface (41) through this method of manufacturing a fine metal mask (4) having an inclined surface (41).

일 실시 예에 따른 몰드를 제작하는 단계(81)에서 패터닝되는 포토 레지스트(53)는 몰드 기판(51)으로부터 경사면을 갖도록 형성될 수 있다. The photoresist 53 patterned in the step 81 of manufacturing a mold according to an embodiment may be formed to have an inclined surface from the mold substrate 51.

예를 들어, 패터닝하는 단계(813)에서, 포토 레지스트(53)는 하측으로 몰드 기판(51) 또는 전도성 금속(52)에 연결되는 부분이 테이퍼진 형상을 갖도록 노광 및 현상될 수 있다.For example, in the patterning step 813, the photoresist 53 may be exposed and developed such that a portion connected to the mold substrate 51 or the conductive metal 52 downwardly has a tapered shape.

이에 따라, 몰드를 제작하는 단계(81)에서 몰드 기판(51)에 도금되어 형성되는 몰드(M2)는 마스킹 패턴(P)의 양각 부분의 가장자리 부분으로부터 경사지게 형성되는 경사면을 포함할 수 있다.Accordingly, the mold M2 formed by plating on the mold substrate 51 in the manufacturing step 81 of the mold may include an inclined surface formed to be inclined from the edge of the embossed portion of the masking pattern P.

경화성 수지를 도포하는 단계(82)는, 경화성 수지(32)를 베이스 기판(31) 또는 몰드(M2)에 도포하는 단계일 수 있다.The step 82 of applying the curable resin may be a step of applying the curable resin 32 to the base substrate 31 or the mold M2.

임프린팅하는 단계(83)에서, 임프린팅된 수지(32)는, 경사면을 갖는 몰드(M2)의 형상에 대응하여, 마스킹 패턴(P)의 음각 부분의 가장자리 부분으로부터 경사지게 형성되는 경사면(323)을 포함할 수 있다In the imprinting step 83, the imprinted resin 32 corresponds to the shape of the mold M2 having an inclined surface, and the inclined surface 323 formed obliquely from the edge portion of the intaglio portion of the masking pattern P Can include

마스크용 시드 금속을 증착하는 단계(84)에서, 마스크용 시드 금속(33)은 도 7과 같이 임프린팅된 수지(32)의 마스킹 패턴(P) 부분 중, 적층 방향과 수직한 패턴(P)의 면을 기준으로 양각 부분과 음각 부분으로 나뉘어 서로 다른 높이의 층에 적층되고, 동시에 음각 부분의 가장자리로부터 연결되는 경사면(323)의 일부에도 적층될 수 있다.In the step 84 of depositing a seed metal for a mask (84), the seed metal 33 for a mask is a pattern (P) perpendicular to the stacking direction of the masking pattern (P) portion of the resin 32 imprinted as shown in FIG. 7. It is divided into an embossed portion and an engraved portion based on the surface of and stacked on layers having different heights, and at the same time may be stacked on a portion of the inclined surface 323 connected from the edge of the engraved portion.

따라서, 마스크 금속을 도금하는 단계(85)에서 마스킹 패턴(P)의 음각 부분에 마스크 금속(4)이 도금되어 충진되는 미세 금속 마스크(4)는 서로 인접하게 배열되는 패턴의 양 측부가 적층 방향을 따라서 경사지게 형성되는 경사면(41)을 구비할 수 있다.Therefore, in the step 85 of plating the mask metal, the fine metal mask 4 filled with the mask metal 4 plated on the intaglio portion of the masking pattern P has both sides of the patterns arranged adjacent to each other in the stacking direction. It may have an inclined surface 41 formed to be inclined along the line.

도 8은 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법의 순서도이고, 도 9 및 도 10은 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법에 따라 미세 금속 마스크를 제작하는 과정을 개략적으로 나타내는 도면이다.8 is a flowchart of a method of manufacturing a fine metal mask according to an exemplary embodiment, and FIGS. 9 and 10 schematically illustrate a process of manufacturing a fine metal mask according to the method of manufacturing a fine metal mask according to an exemplary embodiment. It is a drawing.

도 8 내지 도 10을 참조하면, 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법은 도 1 내지 도 7에 도시된 미세 금속 마스크를 제작하는 방법과 상이한 방법을 통해 경사면(71)을 갖는 미세 금속 마스크(7)를 제작하는 방법을 살펴볼 수 있다.8 to 10, a method of manufacturing a fine metal mask according to an exemplary embodiment is a method of manufacturing a fine metal mask shown in FIGS. 1 to 7 through a method different from that of a fine metal having an inclined surface 71. A method of manufacturing the mask 7 can be seen.

일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법은 몰드를 제작하는 단계(91)와, 경화성 수지를 도포하는 단계(92)와, 임프린팅하는 단계(93)와, 잔류막을 식각하는 단계(94)와, 마스크 금속을 도금하는 단계(95)와, 미세 금속 마스크를 분리하는 단계(96)를 포함할 수 있다.A method of manufacturing a fine metal mask according to an embodiment includes the steps of manufacturing a mold (91), applying a curable resin (92), imprinting (93), and etching the residual film (94). ), plating a mask metal (95), and separating a fine metal mask (96).

몰드를 제작하는 단계(91)와, 경화성 수지를 도포하는 단계(92)와, 임프린팅하는 단계(93)는 각각, 도 1 내지 도 7의 실시 예에서 전술한 몰드를 제작하는 단계(81)와, 경화성 수지를 도포하는 단계(82)와, 임프린팅하는 단계(83)와 동일 또는 유사한 방법적 구성을 포함하는 것으로 이해되어도 무방하므로, 중복되는 설명은 전술한 실시 예의 구성을 참조하여 생략될 수 있다는 점을 밝혀둔다.The step 91 of manufacturing a mold, the step 92 of applying a curable resin, and the step of imprinting 93 are the steps of manufacturing the above-described mold 81 in the embodiments of FIGS. 1 to 7, respectively. And, since it may be understood to include the same or similar methodal configuration as the step 82 of applying the curable resin and the step of imprinting 83, the overlapping description will be omitted with reference to the configuration of the above-described embodiment. Make sure you can.

몰드를 제작하는 단계(91)에서 패터닝되는 포토 레지스트(53)는 몰드 기판(51)으로부터 연결되는 부분에 형성되는 경사면을 포함할 수 있다.The photoresist 53 patterned in the step 91 of manufacturing a mold may include an inclined surface formed at a portion connected from the mold substrate 51.

따라서, 전주 도금을 수행하는 단계(815)에서 형성되는 몰드(M3)는, 마스킹 패턴(P)의 양각 부분의 가장자리 부분으로부터 경사지게 형성되는 경사면을 포함할 수 있다.Accordingly, the mold M3 formed in the electroplating step 815 may include an inclined surface formed to be inclined from an edge portion of the embossed portion of the masking pattern P.

경화성 수지를 도포하는 단계(92)는, 경화성 수지(62)를 베이스 기판(61) 또는 몰드(M3)에 도포하는 단계일 수 있다.The step 92 of applying the curable resin may be a step of applying the curable resin 62 to the base substrate 61 or the mold M3.

경화성 수지를 도포하는 단계(92)에서, 경화성 수지(62)가 도포되는 베이스 기판(61)은 전도성을 갖는 기판일 수 있다.In the step 92 of applying the curable resin, the base substrate 61 to which the curable resin 62 is applied may be a substrate having conductivity.

다른 예로, 경화성 수지를 도포하는 단계(92) 이전에 베이스 기판(61)에 전도성 금속을 증착하는 단계가 수행될 수 있다.As another example, a step of depositing a conductive metal on the base substrate 61 may be performed prior to the step 92 of applying the curable resin.

임프린팅하는 단계(93)에서, 임프린팅된 수지(62)는, 경사면을 갖는 몰드(M3)의 형상에 대응하여, 마스킹 패턴(P)의 음각 부분의 가장자리 부분으로부터 경사지게 형성되는 경사면(621)을 포함할 수 있다.In the imprinting step 93, the imprinted resin 62 corresponds to the shape of the mold M3 having an inclined surface, and the inclined surface 621 formed to be inclined from the edge of the intaglio portion of the masking pattern P It may include.

잔류막을 식각하는 단계(94)는, 마스킹 패턴(P)이 형성된 수지(62)의 표면 중 돌출 형성된 마스킹 패턴(P)이 형성된 부분을 제외한 나머지 층을 식각하는 공정을 포함할 수 있다.The step 94 of etching the residual layer may include etching the remaining layers of the surface of the resin 62 on which the masking pattern P is formed except for a portion on which the protruding masking pattern P is formed.

잔류막을 식각하는 단계(94)에 의하면, 도 10과 같이 마스킹 패턴(P)의 음각 부분으로부터 전도성을 갖는 베이스 기판(61)의 표면이 직접 노출될 수 있다.According to the step 94 of etching the residual layer, the surface of the conductive base substrate 61 may be directly exposed from the intaglio portion of the masking pattern P as shown in FIG. 10.

다른 예로, 베이스 기판(61)에 전도성 금속이 증착된 경우, 마스킹 패턴(P)의 음각 부분으로부터 전도성 금속의 표면이 직접 노출될 수 있다는 점을 밝혀둔다.As another example, it should be noted that when a conductive metal is deposited on the base substrate 61, the surface of the conductive metal may be directly exposed from the intaglio portion of the masking pattern P.

예를 들어, 잔류막을 식각하는 단계(94)는, 임프린팅하는 단계(93)에서 높은 압력을 가함으로써 베이스 기판(61)과 접하는 부분의 수지(62)의 층을 가능한 얇은 박막 형태로 형성하는 단계와, 박막의 수지를 드라이 에칭(dry etching), 애싱(ashing) 등의 공정으로 제거하는 단계를 포함할 수 있다.For example, in the step of etching the residual film (94), by applying a high pressure in the step of imprinting (93), a layer of the resin 62 in contact with the base substrate 61 is formed as a thin film as possible. A step of removing the resin of the thin film through a process such as dry etching and ashing may be included.

마스크 금속을 도금하는 단계(95)에서는, 마스킹 패턴(P)을 따라 패터닝된 수지(62) 사이에 노출된 전도성을 갖는 베이스 기판(61) 또는 전도성 금속에 전주 도금을 수행하여, 마스크 금속(7)을 형성할 수 있다. 마스크 금속을 도금하는 단계(95)에서 베이스 기판(61)에는 도금을 위해 전류가 통전될 수 있다.In the step 95 of plating the mask metal, electroplating is performed on the conductive metal or the base substrate 61 having conductivity exposed between the resin 62 patterned along the masking pattern P, and the mask metal 7 ) Can be formed. In the step 95 of plating the mask metal, a current may be applied to the base substrate 61 for plating.

다른 예로, 베이스 기판(61)에 전도성 금속이 증착된 경우, 마스킹 패턴(P)의 음각 부분으로부터 노출된 전도성 금속에 전류가 통전될 수 있다는 점을 밝혀둔다.As another example, it should be noted that when a conductive metal is deposited on the base substrate 61, current may be energized to the conductive metal exposed from the intaglio portion of the masking pattern P.

이와 같은 방법에 의하면, 경사면(71)을 갖는 미세 금속 마스크(7)를 제작할 수 있다. According to such a method, the fine metal mask 7 having the inclined surface 71 can be manufactured.

미세 금속 마스크를 분리하는 단계(96)에서, 도금된 미세 금속 마스크(7)는 베이스 기판(61)으로부터 분리될 수 있다.In the step 96 of separating the fine metal mask, the plated fine metal mask 7 may be separated from the base substrate 61.

일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법에 의하면, 공정 상에서 성형, 식각, 또는 레이저 트리밍 공정 등과 같은 추가적인 공정 없이 몰드의 경사면을 제작할 수 있기 때문에, 미세 금속 마스크를 제작하는 공정에 소모되는 비용과 시간을 절감할 수 있는 장점이 존재한다.According to the method of manufacturing a fine metal mask according to an embodiment, since the inclined surface of the mold can be manufactured without additional processes such as forming, etching, or laser trimming in the process, the cost of manufacturing the fine metal mask There is an advantage that can save time and time.

도 11은 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법의 순서도이고, 도 12는 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법에 따라 미세 금속 마스크를 제작하는 과정을 개략적으로 나타내는 도면이다.11 is a flowchart of a method of manufacturing a fine metal mask according to an exemplary embodiment, and FIG. 12 is a diagram schematically illustrating a process of manufacturing a fine metal mask according to a method of manufacturing a fine metal mask according to an exemplary embodiment.

도 11 및 도 12를 참조하면, 도 1 내지 도 10에 도시된 실시 예의 구성과 다른 방법적 구성을 갖는 미세 금속 마스크를 제작하는 방법이 도시된다.Referring to FIGS. 11 and 12, a method of manufacturing a fine metal mask having a method configuration different from that of the exemplary embodiment illustrated in FIGS. 1 to 10 is illustrated.

일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법은, 몰드를 제작하는 단계(101), 1차 패턴 복제 단계(102), 2차 패턴 복제 단계(103), 잔류막을 제거하는 단계(104), 3차 패턴 복제 단계(105), 수지를 제거하는 단계(106), 전주 도금을 수행하는 단계(107) 및 미세 금속 마스크를 분리하는 단계(108)를 포함할 수 있다.A method of manufacturing a fine metal mask according to an exemplary embodiment may include manufacturing a mold 101, replicating a first pattern 102, replicating a second pattern 103, removing a residual layer 104, The third pattern duplication step 105, the step of removing the resin 106, the step of performing electroplating 107, and the step of separating the fine metal mask 108 may be included.

몰드를 제작하는 단계(101)는, 도 12와 같이 마스킹 패턴(P)의 연결 부분이 경사진 형태의 몰드(M4)를 제작하는 공정일 수 있다.The step 101 of manufacturing the mold may be a process of manufacturing a mold M4 in which the connection portion of the masking pattern P is inclined, as shown in FIG. 12.

1차 패턴 복제 단계(102)는, 제 1 기판(S1)에 제 1 수지(L1)를 도포하고, 몰드를 제작하는 단계(101)에서 제작된 몰드(M4)를 통해 제 1 수지(L1)의 표면상에 마스킹 패턴(P)을 임프린팅하는 공정일 수 있다. 예를 들어, 제 1 수지(L1)는 UV 또는 열을 통해 경화될 수 있어서, 임프린팅된 이후 경화되어 경사면을 갖는 마스킹 패턴(P)의 복제를 위한 몰드 역할을 수행할 수 있다.In the first pattern duplication step 102, the first resin L1 is applied to the first substrate S1, and the first resin L1 is applied through the mold M4 produced in the step 101 of manufacturing the mold. It may be a process of imprinting the masking pattern (P) on the surface of. For example, since the first resin L1 may be cured through UV or heat, it may be cured after being imprinted to serve as a mold for replicating the masking pattern P having an inclined surface.

2차 패턴 복제 단계(103)는, 제 2 기판(S2)에 제 2 수지(L2)를 도포하고, 1차 패턴 복제 단계(102)에서 패터닝되어 경화된 제 1 수지(L1)를 제 2 수지(L2)에 임프린팅하는 공정일 수 있다. 예를 들어, 제 2 수지(L2)는 UV 또는 열을 통해 경화될 수 있어서, 임프린팅 된 이후 경화될 수 있다.In the second pattern replicating step 103, a second resin (L2) is applied to the second substrate (S2), and the first resin (L1) patterned and cured in the first pattern replicating step 102 is used as a second resin. It may be a process of imprinting on (L2). For example, the second resin (L2) may be cured through UV or heat, and may be cured after imprinting.

예를 들어, 제 2 기판(S2)은 전도성을 갖는 기판일 수 있다.For example, the second substrate S2 may be a substrate having conductivity.

다른 예로, 2차 패턴 복제 단계(103)는, 제 2 기판(S2)에 상기 제 2 수지(L2)를 도포하기 전에 제 2 기판(S2)에 전도성 금속을 증착하는 단계를 포함할 수 있다.As another example, the second pattern duplication step 103 may include depositing a conductive metal on the second substrate S2 before applying the second resin L2 to the second substrate S2.

잔류막을 제거하는 단계(104)는, 마스킹 패턴(P)이 형성된 제 2 수지(L2)의 표면 중 돌출 형성된 마스킹 패턴(P)이 형성된 부분을 제외한 나머지 층을 식각하는 공정일 수 있다. 잔류막을 제거하는 단계(104)에 의하면, 제 2 수지(L2)의 마스킹 패턴(P)의 음각 부분으로부터 전도성을 갖는 제 2 기판(S2)의 표면이 직접 노출될 수 있다.The step 104 of removing the residual layer may be a process of etching the remaining layers of the surface of the second resin L2 on which the masking pattern P is formed except for a portion on which the protruding masking pattern P is formed. In the step 104 of removing the residual film, the surface of the second substrate S2 having conductivity may be directly exposed from the intaglio portion of the masking pattern P of the second resin L2.

다른 예로, 제 2 기판(S2)에 전도성 금속이 증착된 경우, 마스킹 패턴(P)의 음각 부분으로부터 노출된 전도성 금속에 전류가 통전될 수 있다는 점을 밝혀둔다.As another example, it should be noted that when a conductive metal is deposited on the second substrate S2, current may be energized to the conductive metal exposed from the intaglio portion of the masking pattern P.

3차 패턴 복제 단계(105)는, 제 2 수지(L2)의 마스킹 패턴(P) 중 음각 부분에 제 3 수지(L3)를 충진한 이후, 경화시키는 공정일 수 있다. 예를 들어, 제 3 수지(L3)는 UV 또는 열을 통해 경화될 수 있어서, 제 2 수지(L2)의 음각의 마스킹 패턴(P)에 충진된 이후 경화될 수 있다.The third pattern duplication step 105 may be a process of curing after filling the intaglio portion of the masking pattern P of the second resin L2 with the third resin L3. For example, since the third resin (L3) may be cured through UV or heat, it may be cured after being filled in the intaglio masking pattern (P) of the second resin (L2).

수지를 제거하는 단계(106)는, 제 2 기판(S2)에 형성된 제 2 수지(L2) 및 제 3 수지(L3) 중 제 2 수지(L2)를 제거하는 공정일 수 있다.The step 106 of removing the resin may be a process of removing the second resin L2 among the second resin L2 and the third resin L3 formed on the second substrate S2.

예를 들어, 수지를 제거하는 단계(106)에서, 제 2 수지(L2)와 제 3 수지(L3) 중 제 2 수지(L2)를 액상의 화학 약품을 이용한 스트리핑(stripping)공정을 통해 선택적으로 제거할 수 있다.For example, in the step 106 of removing the resin, the second resin (L2) of the second resin (L2) and the third resin (L3) is selectively selected through a stripping process using a liquid chemical agent. Can be removed.

예를 들어, 제 2 수지(L2)와 제 3 수지(L3)는 서로 다른 용해성을 가질 수 있다. 따라서, 수지를 제거하는 단계(106)에서 제 2 수지(L2)는 특정 용제에 의해 용해 또는 부식되어 제거될 수 있되, 제 3 수지(L3)는 해당 용제에 용해되지 않을 수 있다. 수지를 제거하는 단계(106)에서 제거되지 않은 제 3 수지(L3)는 제 2 기판(S2) 상에서 새로운 마스킹 패턴(P)을 형성할 수 있다.For example, the second resin (L2) and the third resin (L3) may have different solubility. Accordingly, in the step 106 of removing the resin, the second resin L2 may be dissolved or corroded by a specific solvent to be removed, but the third resin L3 may not be dissolved in the solvent. The third resin L3 that is not removed in the resin removing step 106 may form a new masking pattern P on the second substrate S2.

전주 도금을 수행하는 단계(107)는, 전도성을 갖는 제 2 기판(S2)에 패터닝된 제 3 수지(L3) 상에 전주 도금을 수행하여 미세 금속 마스크(FMM)를 형성하는 공정일 수 있다. 예를 들어, 전주 도금을 수행하는 단계(107)에서 제 2 기판(S2)에는 도금을 위한 전류가 통전될 수 있다.The step 107 of performing electroplating may be a process of forming a fine metal mask FMM by performing electroplating on the third resin L3 patterned on the second substrate S2 having conductivity. For example, in the step 107 of electroplating, a current for plating may be applied to the second substrate S2.

다른 예로, 제 2 기판(S2)에 전도성 금속이 증착된 경우, 마스킹 패턴(P)의 음각 부분으로부터 노출된 전도성 금속에 전류가 통전될 수 있다는 점을 밝혀둔다.As another example, it should be noted that when a conductive metal is deposited on the second substrate S2, current may be energized to the conductive metal exposed from the intaglio portion of the masking pattern P.

예를 들어, 전주 도금되는 금속의 재질은 인바 금속을 포함할 수 있다.For example, the material of the metal to be electroplated may include Invar metal.

전주 도금을 수행하는 단계(107)에 의하면, 제 3 수지(L3) 상에서 경사면을 갖도록 패터닝된 마스킹 패턴(P)의 부분 중, 제 2 기판(S2) 또는 전도성 금속이 노출되는 음각 부분의 형상에 따라 금속이 충진되어, 결과적으로 경사면을 갖는 마스킹 패턴(P)을 갖는 미세 금속 마스크(FMM)가 형성될 수 있다.According to the electroplating step 107, among the portions of the masking pattern P patterned to have an inclined surface on the third resin L3, the shape of the second substrate S2 or the intaglio portion exposed to the conductive metal Accordingly, metal may be filled, and as a result, a fine metal mask FMM having a masking pattern P having an inclined surface may be formed.

미세 금속 마스크를 분리하는 단계(108)는, 도금된 미세 금속 마스크(FMM)를 제 2 기판(S2)으로부터 분리하는 공정일 수 있다.The step 108 of separating the fine metal mask may be a process of separating the plated fine metal mask FMM from the second substrate S2.

이상과 같이 비록 한정된 도면에 의해 실시 예들이 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 구조, 장치 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.As described above, although the embodiments have been described by the limited drawings, various modifications and variations are possible from the above description to those of ordinary skill in the art. For example, the described techniques are performed in a different order from the described method, and/or components such as the described structure, device, etc. are combined or combined in a form different from the described method, or in other components or equivalents. Even if substituted or substituted by, appropriate results can be achieved.

Claims (19)

마스킹 패턴을 갖는 몰드를 제작하는 단계;
베이스 기판 또는 상기 몰드에 경화성 수지를 도포하는 단계;
도포된 수지에 상기 몰드의 상기 마스킹 패턴을 사용하여 임프린팅하는 단계;
임프린팅된 수지에 마스크용 시드 금속을 증착하는 단계;
상기 마스크용 시드 금속 상에 마스크 금속을 도금하는 단계; 및
상기 마스크 금속이 도금되어 형성된 미세 금속 마스크를 분리하는 단계를 포함하는 미세 금속 마스크를 제작하는 방법.
Manufacturing a mold having a masking pattern;
Applying a curable resin to the base substrate or the mold;
Imprinting the applied resin using the masking pattern of the mold;
Depositing a seed metal for a mask on the imprinted resin;
Plating a mask metal on the seed metal for a mask; And
And separating the fine metal mask formed by plating the mask metal.
 제 1 항에 있어서,
상기 몰드를 제작하는 단계는,
몰드 기판 상에 포토 레지스트를 사용하여 상기 마스킹 패턴에 따라 패터닝하는 단계;
패터닝된 상기 몰드 기판 상에 몰드용 시드 금속을 증착하는 단계;
상기 몰드 기판 상에 전주 도금을 수행하는 단계; 및
도금된 몰드를 분리하는 단계를 포함하는 미세 금속 마스크를 제작하는 방법.
The method of claim 1,
The step of manufacturing the mold,
Patterning the mold substrate according to the masking pattern using a photoresist;
Depositing a seed metal for a mold on the patterned mold substrate;
Performing electroplating on the mold substrate; And
A method of manufacturing a fine metal mask comprising the step of separating the plated mold.
 제 2 항에 있어서,
상기 몰드를 제작하는 단계는,
상기 패터닝하는 단계 이전에 수행되고, 상기 몰드 기판 상에 전도성 금속을 증착하는 단계를 더 포함하는 미세 금속 마스크를 제작하는 방법.
The method of claim 2,
The step of manufacturing the mold,
A method of manufacturing a fine metal mask performed before the patterning step, further comprising depositing a conductive metal on the mold substrate.
 제 2 항에 있어서,
상기 몰드 기판은 전도성을 갖는 재질로 형성되고,
상기 전주 도금을 수행하는 단계에서, 상기 몰드 기판에 전류가 통전되는 것을 특징으로 하는 미세 금속 마스크를 제작하는 방법.
The method of claim 2,
The mold substrate is formed of a material having conductivity,
In the step of performing the electroplating, a method of manufacturing a fine metal mask, characterized in that an electric current is applied to the mold substrate.
 제 2 항에 있어서,
상기 마스크 금속을 도금하는 단계에서,
상기 마스크 금속은 철과 니켈의 합금을 포함하는 금속으로 도금되는 것을 특징으로 하는 미세 금속 마스크를 제작하는 방법.
The method of claim 2,
In the step of plating the mask metal,
The method of manufacturing a fine metal mask, wherein the mask metal is plated with a metal containing an alloy of iron and nickel.
 제 2 항에 있어서,
상기 패터닝하는 단계에서, 상기 몰드 기판 상에 상기 포토 레지스트는 경사면을 갖도록 패터닝되고,
상기 전주 도금을 수행하는 단계에서 형성된 상기 몰드는, 마스킹 패턴의 양각 부분의 가장자리 부분으로부터 경사지게 형성되는 경사면을 포함하는 미세 금속 마스크를 제작하는 방법.
The method of claim 2,
In the patterning step, the photoresist is patterned to have an inclined surface on the mold substrate,
The method of manufacturing a fine metal mask, wherein the mold formed in the step of performing electroplating includes an inclined surface formed to be inclined from an edge portion of the embossed portion of the masking pattern.
 제 6 항에 있어서,
상기 임프린팅하는 단계에서 임프린팅된 수지는, 상기 마스킹 패턴의 음각 부분의 가장자리 부분으로부터 경사지게 형성되는 경사면을 포함하고,
상기 마스크용 시드 금속을 증착하는 단계에서 상기 마스크용 시드 금속은, 상기 수지의 마스킹 패턴의 음각 부분과, 상기 음각 부분으로부터 연결되는 경사면의 일부에 증착되는 미세 금속 마스크를 제작하는 방법.
The method of claim 6,
The resin imprinted in the imprinting step includes an inclined surface formed obliquely from an edge portion of the intaglio portion of the masking pattern,
In the step of depositing the seed metal for the mask, the seed metal for the mask is deposited on an intaglio portion of the masking pattern of the resin and a portion of an inclined surface connected from the intaglio portion.
 제 2 항에 있어서,
상기 임프린팅하는 단계에서 사용되는 몰드는,
상기 몰드를 제작하는 단계에서 제작된 몰드를 복제한 소프트 몰드인 것을 특징으로 하는 미세 금속 마스크를 제작하는 방법.
The method of claim 2,
The mold used in the imprinting step,
A method of manufacturing a fine metal mask, characterized in that it is a soft mold that duplicates the mold produced in the step of manufacturing the mold.
 마스킹 패턴을 갖는 몰드를 제작하는 단계;
베이스 기판 또는 상기 몰드에 경화성 수지를 도포하는 단계;
도포된 수지에 상기 몰드의 상기 마스킹 패턴을 사용하여 임프린팅하는 단계;
임프린팅된 수지의 표면 중 돌출 형성된 마스킹 패턴의 부분을 제외한 잔류막을 식각하는 단계;
상기 베이스 기판 상에 마스크 금속을 도금하는 단계; 및
상기 마스크 금속이 도금되어 형성된 미세 금속 마스크를 분리하는 단계를 포함하는 미세 금속 마스크를 제작하는 방법.
Manufacturing a mold having a masking pattern;
Applying a curable resin to the base substrate or the mold;
Imprinting the applied resin using the masking pattern of the mold;
Etching the residual film excluding portions of the protruding masking pattern from the surface of the imprinted resin;
Plating a mask metal on the base substrate; And
And separating the fine metal mask formed by plating the mask metal.
 제 9 항에 있어서,
상기 베이스 기판은 전도성을 갖는 재질로 형성되고,
상기 잔류막을 식각하는 단계에서, 상기 수지가 식각된 부분으로부터 상기 베이스 기판의 표면이 노출되고,
상기 마스크 금속을 도금하는 단계에서, 상기 베이스 기판에 전류가 통전되는 미세 금속 마스크를 제작하는 방법.
The method of claim 9,
The base substrate is formed of a material having conductivity,
In the step of etching the residual layer, the surface of the base substrate is exposed from the portion where the resin is etched,
In the step of plating the mask metal, a method of manufacturing a fine metal mask through which current is passed through the base substrate.
 제 9 항에 있어서,
상기 경화성 수지를 도포하는 단계 이전에, 상기 베이스 기판에 전도성 금속을 증착하는 단계를 더 포함하고,
상기 잔류막을 식각하는 단계에서, 상기 수지가 식각된 부분으로부터 상기 전도성 금속의 표면이 노출되고,
상기 마스크 금속을 도금하는 단계에서, 상기 전도성 금속에 전류가 통전되는 미세 금속 마스크를 제작하는 방법.
The method of claim 9,
Prior to the step of applying the curable resin, further comprising the step of depositing a conductive metal on the base substrate,
In the step of etching the residual layer, the surface of the conductive metal is exposed from the portion where the resin is etched,
In the step of plating the mask metal, a method of manufacturing a fine metal mask through which current is passed through the conductive metal.
 제 9 항에 있어서,
상기 몰드를 제작하는 단계는,
몰드 기판 상에 포토 레지스트를 사용하여 상기 마스킹 패턴에 따라 패터닝하는 단계;
패터닝된 상기 몰드 기판 상에 몰드용 시드 금속을 증착하는 단계;
상기 몰드 기판 상에 전주 도금을 수행하는 단계; 및
도금된 몰드를 분리하는 단계를 포함하는 미세 금속 마스크를 제작하는 방법.
The method of claim 9,
The step of manufacturing the mold,
Patterning the mold substrate according to the masking pattern using a photoresist;
Depositing a seed metal for a mold on the patterned mold substrate;
Performing electroplating on the mold substrate; And
A method of manufacturing a fine metal mask comprising the step of separating the plated mold.
 제 12 항에 있어서,
상기 패터닝하는 단계는,
상기 몰드 기판 상에서 상기 포토 레지스트가 경사면을 갖도록 패터닝하는 것을 특징으로 하는 미세 금속 마스크를 제작하는 방법.
The method of claim 12,
The patterning step,
The method of manufacturing a fine metal mask, characterized in that the patterning so that the photoresist has an inclined surface on the mold substrate.
 제 13 항에 있어서,
상기 임프린팅하는 단계에서 임프린팅된 수지는, 상기 마스킹 패턴의 음각 부분의 가장자리 부분으로부터 경사지게 형성되는 경사면을 포함하는 미세 금속 마스크를 제작하는 방법.
The method of claim 13,
The method of manufacturing a fine metal mask, wherein the resin imprinted in the imprinting step includes an inclined surface formed to be inclined from an edge portion of the intaglio portion of the masking pattern.
 제 14 항에 있어서,
상기 마스크 금속을 도금하는 단계에서,
상기 마스크 금속은 철과 니켈의 합금을 포함하는 금속으로 도금되는 것을 특징으로 하는 미세 금속 마스크를 제작하는 방법.
The method of claim 14,
In the step of plating the mask metal,
The method of manufacturing a fine metal mask, wherein the mask metal is plated with a metal containing an alloy of iron and nickel.
 경사면이 형성된 마스킹 패턴을 구비하는 몰드를 제작하는 단계;
제 1 기판에 도포된 제 1 수지에 상기 몰드를 사용하여 임프린팅하여 상기 제 1 수지에 마스킹 패턴을 형성하는 1차 패턴 복제 단계;
제 2 기판에 도포된 제 2 수지에 마스킹 패턴이 형성된 상기 제 1 수지를 사용하여 임프린팅하여, 상기 제 2 수지에 마스킹 패턴을 형성하는 2차 패턴 복제 단계;
상기 제 2 수지의 부분 중, 돌출 형성된 마스킹 패턴의 부분을 제외한 잔류막을 제거하는 단계;
상기 제 2 수지의 마스킹 패턴 부분 중 음각 부분에만 제 3 수지를 채워넣고 경화시키는 3차 패턴 복제 단계;
상기 제 2 기판 상에 형성된 상기 제 2 수지 및 제 3 수지 중 상기 제 2 수지를 제거하는 단계;
상기 제 2 기판상에 형성된 상기 제 3 수지 상에 금속으로 전주 도금을 수행하는 단계; 및
상기 제 2 기판으로부터 도금된 미세 금속 마스크를 분리하는 단계를 포함하는 미세 금속 마스크를 제작하는 방법.
Manufacturing a mold having a masking pattern on which an inclined surface is formed;
A first pattern duplication step of forming a masking pattern on the first resin by imprinting the first resin coated on the first substrate using the mold;
A second pattern duplicating step of forming a masking pattern on the second resin by imprinting using the first resin having a masking pattern formed on the second resin applied to the second substrate;
Removing a residual film excluding a portion of the masking pattern formed protruding from among the portions of the second resin;
A third pattern duplication step of filling and curing the third resin only in the intaglio portion of the masking pattern portion of the second resin;
Removing the second resin among the second and third resins formed on the second substrate;
Performing electroplating with metal on the third resin formed on the second substrate; And
A method of manufacturing a fine metal mask comprising the step of separating the plated fine metal mask from the second substrate.
 제 16 항에 있어서,
상기 제 2 기판은 전도성을 갖는 재질로 형성되고,
상기 잔류막을 제거하는 단계에서, 상기 제 2 수지가 제거된 부분으로부터 상기 제 2 기판의 표면이 노출되고,
상기 전주 도금을 수행하는 단계에서, 상기 제 2 기판에 전류가 통전되는 미세 금속 마스크를 제작하는 방법.
The method of claim 16,
The second substrate is formed of a material having conductivity,
In the step of removing the residual film, the surface of the second substrate is exposed from the portion from which the second resin has been removed,
In the step of performing the electroplating, a method of manufacturing a fine metal mask through which current is applied to the second substrate.
 제 16 항에 있어서,
상기 2차 패턴 복제 단계는,
상기 제 2 기판에 상기 제 2 수지를 도포하기 전에 상기 제 2 기판에 전도성 금속을 증착하는 단계를 포함하고,
상기 잔류막을 제거하는 단계에서, 상기 제 2 수지가 제거된 부분으로부터 상기 전도성 금속의 표면이 노출되고,
상기 전주 도금을 수행하는 단계에서, 상기 전도성 금속에 전류가 통전되는 미세 금속 마스크를 제작하는 방법.
The method of claim 16,
The second pattern duplication step,
Depositing a conductive metal on the second substrate before applying the second resin to the second substrate,
In the step of removing the residual film, the surface of the conductive metal is exposed from the portion from which the second resin has been removed,
In the step of performing the electroplating, a method of manufacturing a fine metal mask through which current is passed through the conductive metal.
 제 16 항에 있어서,
상기 전주 도금을 수행하는 단계에서,
도금되는 금속은 철과 니켈의 합금을 포함하는 금속을 포함하는 미세 금속 마스크를 제작하는 방법.The method of claim 16,
In the step of performing the electroplating,
The metal to be plated is a method of manufacturing a fine metal mask including a metal including an alloy of iron and nickel.
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