KR20210003039A - Substrate supporting module and Substrate processing apparatus - Google Patents

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강동범
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Abstract

The present invention relates to a substrate support for storing a substrate and a substrate processing apparatus having the same to process a substrate. An objective of the present invention is to provide a substrate support and a substrate processing apparatus which can prevent a substrate from escaping from a pocket groove of a substrate support. The substrate support comprises: a disk formed in a disk shape to support at least one substrate; at least one pocket groove unit concavely formed from the upper surface of the disk in a shape corresponding to the substrate to place at least an edge portion of the substrate thereon; a spare space forming unit separated inwards from the edge of the pocket groove unit by a prescribed distance to be concavely formed from at least a portion of the bottom surface of the pocket groove unit to limit a stepped unit for supporting at least an edge portion of the substrate to form a spare space underneath the substrate if the substrate is placed on the stepped unit; and an exhaust passage which is formed to connect at least a portion of the spare space forming unit from the outer circumferential surface of the disk, and includes an inlet unit formed on at least a portion thereof coming in contact with the outer circumferential surface of the disk to be deeper than the bottom surface of the spare space forming unit.

Description

기판 지지대 및 기판 처리 장치{Substrate supporting module and Substrate processing apparatus}Substrate support and substrate processing apparatus TECHNICAL FIELD

본 발명은 기판 지지대 및 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 기판을 수납하는 기판 지지대 및 그를 구비하여 기판을 처리할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate support and a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate support for accommodating a substrate, and a substrate processing apparatus having the same and capable of processing a substrate.

일반적으로, 반도체 소자나 디스플레이 소자 혹은 태양전지를 제조하기 위해서는 진공 분위기의 공정 챔버를 포함하는 기판 처리 장치에서 각종 공정이 수행된다. 예컨대, 공정 챔버 내에 기판을 로딩하고 기판 상에 박막을 증착하거나 박막을 식각하는 등의 공정이 진행될 수 있다. 이때, 기판은 공정 챔버 내에 설치된 기판 지지대에 지지되며, 기판 지지대와 대향되도록 기판 지지대의 상부에 설치되는 샤워 헤드를 통해 공정 가스를 기판으로 분사할 수 있다.In general, in order to manufacture a semiconductor device, a display device, or a solar cell, various processes are performed in a substrate processing apparatus including a process chamber in a vacuum atmosphere. For example, a process such as loading a substrate into a process chamber and depositing a thin film on the substrate or etching the thin film may be performed. In this case, the substrate is supported on a substrate support installed in the process chamber, and a process gas may be injected to the substrate through a shower head installed on the substrate support so as to face the substrate support.

한편, 생산성을 향상시키기 위해 복수의 기판들을 공정 챔버 내에 한꺼번에 공급하여, 복수의 기판을 한번에 처리할 수 있는 기판 처리 장치가 제안되고 있다. 이러한, 기판 처리 장치는, 복수의 기판들을 기판 지지대의 상면에 기판 지지대의 회전축을 중심으로 방사상으로 등각 배치할 수 있도록 복수개의 포켓 홈들을 구비하고 있다. 이때, 포켓 홈에 안착되는 기판들은 자중에 의해 포켓 홈에 각각 놓이는 것이 일반적이다.On the other hand, in order to improve productivity, a substrate processing apparatus capable of processing a plurality of substrates at once by supplying a plurality of substrates into a process chamber has been proposed. Such a substrate processing apparatus is provided with a plurality of pocket grooves so that a plurality of substrates can be radially equiangularly disposed on the upper surface of the substrate support about a rotation axis of the substrate support. In this case, it is common for the substrates to be seated in the pocket grooves to be placed in the pocket grooves by their own weight.

그러나, 이러한 종래의 기판 지지대 및 기판 처리 장치는, 기판의 처리 공정 시, 공정 챔버 내의 순간적인 가스 흐름 변화나 급격한 압력 변화 등과 같은 다양한 공정 조건에 의해 기판이 포켓 홈으로부터 이탈되는 문제점이 있었다. 특히, 작업 처리량 향상을 위해 기판 지지대의 회전 및 승강 속도 증가가 불가피할 경우, 기판이 포켓 홈으로부터 이탈될 가능성이 더욱 높아질 수 있다. 이와 같이, 기판의 처리 공정 중 기판이 포켓 홈으로부터 이탈되는 문제로 인해 기판의 공정 불량이 발생하는 문제점이 있었다.However, such a conventional substrate support and a substrate processing apparatus have a problem in that the substrate is separated from the pocket groove due to various process conditions such as an instantaneous gas flow change or a rapid pressure change in a process chamber during a substrate processing process. Particularly, when it is inevitable to increase the rotational and elevating speed of the substrate support in order to improve the throughput, the possibility that the substrate may be separated from the pocket groove may be further increased. As described above, there is a problem in that a process defect of the substrate occurs due to the problem that the substrate is separated from the pocket groove during the processing process of the substrate.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 복수개의 기판들에 대한 처리 공정 수행 중 기판이 기판 지지대의 포켓 홈으로부터 이탈되는 것을 방지할 수 있는 기판 지지대 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나, 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The present invention is to solve various problems including the above problems, and provides a substrate support and a substrate processing apparatus capable of preventing a substrate from being separated from a pocket groove of a substrate support during a processing process for a plurality of substrates. It aims to provide. However, these problems are exemplary, and the scope of the present invention is not limited thereby.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판 지지대가 제공된다 상기 기판 지지대는, 적어도 하나의 기판을 지지할 수 있도록 원판 형상으로 형성되는 디스크; 상기 기판의 적어도 테두리 부분이 안착될 수 있도록 상기 기판과 대응되는 형상으로 상기 디스크의 상면으로부터 오목하게 형성되는 적어도 하나의 포켓홈부; 상기 기판의 적어도 상기 테두리 부분을 지지하는 단턱부를 한정하도록 상기 포켓홈부의 가장자리로부터 내측으로 소정 간격 이격되어 상기 포켓홈부의 바닥면의 적어도 일부로부터 오목하게 형성되어, 상기 기판이 상기 단턱부 상에 안착된 경우 상기 기판의 하부에 여유 공간을 형성하는 여유 공간 형성부; 및 상기 디스크의 외주면으로부터 상기 여유 공간 형성부의 적어도 일부분을 연결하도록 형성되고, 상기 디스크 외주면에 접하는 적어도 일부분에 상기 여유 공간 형성부의 바닥면보다 더 깊게 형성된 입구부를 포함하는 배기 통로;를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a substrate support is provided. The substrate support includes: a disk formed in a disk shape to support at least one substrate; At least one pocket groove portion concavely formed from an upper surface of the disk in a shape corresponding to the substrate so that at least an edge portion of the substrate can be seated; A predetermined interval is spaced inward from the edge of the pocket groove to define a stepped portion supporting at least the edge portion of the substrate, and is formed concave from at least a portion of the bottom surface of the pocket groove, so that the substrate is seated on the stepped portion. A free space forming part that forms a free space under the substrate; And an exhaust passage formed to connect at least a portion of the spare space forming portion from an outer peripheral surface of the disk, and including an inlet portion formed deeper than a bottom surface of the spare space forming portion in at least a portion in contact with the outer peripheral surface of the disk.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 여유 공간 형성부는, 상기 기판이 상기 단턱부 상에 안착될 시 상기 디스크로부터 상기 기판으로 열전달을 돕도록 그 중심부에 그 바닥면으로부터 상기 단턱부와 동일한 높이로 돌출되게 형성되는 제 1 열전달부;를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the free space forming part is located at the center of the disk to the same height as the stepped part to help heat transfer from the disk to the stepped part when the substrate is mounted on the stepped part. It may include; a first heat transfer portion formed to protrude.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 여유 공간 형성부는, 상기 기판이 상기 단턱부 상에 안착될 시 상기 디스크로부터 상기 기판으로 열전달을 돕도록 그 바닥면으로부터 상기 단턱부와 동일한 높이로 돌출되게 형성되고 상기 제 1 열전달부로부터 상기 배기 통로 방향으로 이격되게 형성되는 제 2 열전달부;를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the free space forming part is formed to protrude from the bottom surface to the same height as the stepped part to help heat transfer from the disk to the substrate when the substrate is seated on the stepped part. And a second heat transfer unit formed to be spaced apart from the first heat transfer unit in a direction of the exhaust passage.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제 2 열전달부는, 상기 제 1 열전달부로부터 상기 배기 통로 방향으로 이격되게 복수개로 배치될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a plurality of the second heat transfer units may be disposed to be spaced apart from the first heat transfer unit in the direction of the exhaust passage.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제 2 열전달부의 일부는 상기 배기 통로를 양분하도록 상기 디스크의 외주면까지 신장되고, 상기 배기 통로의 상기 입구부는, 상기 제 2 열전달부에 의해서 2개로 분리될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a part of the second heat transfer part extends to the outer circumferential surface of the disk so as to divide the exhaust passage, and the inlet part of the exhaust passage may be divided into two by the second heat transfer part. have.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 여유 공간 형성부는, 상기 기판이 상기 단턱부 상에 안착될 시 상기 디스크로부터 상기 기판으로 열전달을 돕도록 상기 단턱부 및 상기 제 1 열전달부 사이에 상기 단턱부와 동일한 높이로 상기 배기 통로 방향이 개방된 링 형상으로 돌출되게 형성되는 제 3 열전달부;를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the free space forming part may include the stepped part between the stepped part and the first heat transfer part to help heat transfer from the disk to the substrate when the substrate is seated on the stepped part. And a third heat transfer part protruding in a ring shape in which the direction of the exhaust passage is opened at the same height as.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제 3 열전달부는, 내부에 복수개의 기판 리프트핀을 수용할 수 있도록, 상기 제 3 열전달부의 표면으로부터 상기 기판 리프트핀과 대응되는 형상으로 오목하게 형성되는 복수의 리프트핀 수용홈부;를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the third heat transfer unit includes a plurality of concave formed in a shape corresponding to the substrate lift pin from the surface of the third heat transfer unit so as to accommodate a plurality of substrate lift pins therein. It may include a; lift pin receiving groove.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 입구부가 터널 형태가 되도록 상기 배기 통로의 적어도 상기 입구부를 커버하는 커버부;를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it may include a cover portion covering at least the inlet portion of the exhaust passage so that the inlet portion has a tunnel shape.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 배기 통로는, 상기 여유 공간 형성부 및 상기 입구부 사이에 상기 여유 공간 형성부로부터 상기 입구부로 깊이가 선형적으로 깊어지는 경사부;를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the exhaust passage may include an inclined portion in which a depth linearly deepens from the spare space forming portion to the inlet portion between the spare space forming portion and the inlet portion.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 기판을 처리할 수 있는 처리 공간이 형성되는 공정 챔버; 상기 기판을 지지할 수 있도록 상기 공정 챔버의 상기 처리 공간에 구비되는 기판 지지대; 및 상기 기판 지지대와 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부에 구비되어, 상기 기판 지지대를 향해 처리 가스를 분사하는 샤워 헤드;를 포함할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, a process chamber in which a processing space capable of processing a substrate is formed; A substrate support provided in the processing space of the process chamber to support the substrate; And a shower head provided above the process chamber to face the substrate support and spraying a processing gas toward the substrate support.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지대 및 기판 처리 장치에 따르면, 복수개의 기판들에 대한 처리 공정 수행 중 기판이 기판 지지대의 포켓 홈으로부터 이탈되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 기판의 처리 공정 중 기판이 포켓 홈으로부터 이탈되는 문제로 인해 기판의 공정 불량이 발생하는 것을 방지하는 효과를 가지는 기판 지지대 및 기판 처리 장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to the substrate support and the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention made as described above, it is possible to prevent the substrate from being separated from the pocket groove of the substrate support during a processing process for a plurality of substrates. Accordingly, it is possible to implement a substrate support and a substrate processing apparatus having an effect of preventing a process defect of the substrate from occurring due to a problem in which the substrate is separated from the pocket groove during the processing of the substrate. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 기판 지지대를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선을 따라 취한 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 2의 Ⅳ-Ⅳ선을 따라 취한 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 도 2의 Ⅳ-Ⅳ선을 따라 취한 단면의 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 지지대를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지대의 포켓 홈에 안착된 기판의 상면과 하면에 발생하는 압력을 해석한 결과를 나타내는 이미지이다.1 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view schematically showing a substrate support of the substrate processing apparatus of FIG. 1.
3 is a cross-sectional view schematically showing a cross section taken along line III-III of FIG. 2.
4 is a cross-sectional view schematically showing a cross section taken along line IV-IV of FIG. 2.
5 is a cross-sectional view schematically showing another embodiment of the cross-section taken along line IV-IV of FIG. 2.
6 is a perspective view schematically showing a substrate support according to another embodiment of the present invention.
7 is an image showing an analysis result of pressure generated on the upper and lower surfaces of a substrate seated in a pocket groove of a substrate support according to an exemplary embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, various exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are provided to more completely describe the present invention to those of ordinary skill in the art, and the following examples may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is as follows. It is not limited to the examples. Rather, these embodiments are provided to make the present disclosure more faithful and complete, and to completely convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. In addition, in the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated for convenience and clarity of description.

이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically showing ideal embodiments of the present invention. In the drawings, for example, depending on manufacturing techniques and/or tolerances, variations of the illustrated shape can be expected. Accordingly, the embodiments of the inventive concept should not be construed as being limited to the specific shape of the region shown in the present specification, but should include, for example, a change in shape caused by manufacturing.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치(1000)의 기판 지지대(100)를 개략적으로 나타내는 사시도이다. 그리고, 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선을 따라 취한 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 4는 도 2의 Ⅳ-Ⅳ선을 따라 취한 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이며, 도 5는 도 2의 Ⅳ-Ⅳ선을 따라 취한 단면의 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 또한, 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 지지대(300)를 개략적으로 나타내는 사시도이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지대(100)의 포켓 홈(20)에 안착된 기판(S)의 상면과 하면에 발생하는 압력을 해석한 결과를 나타내는 이미지이다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a substrate processing apparatus 1000 according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view schematically illustrating a substrate support 100 of the substrate processing apparatus 1000 of FIG. 1. And, FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a cross-section taken along line III-III of FIG. 2, FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a cross-section taken along line IV-IV of FIG. 2, and FIG. It is a cross-sectional view schematically showing another embodiment of the cross-section taken along the line IV-IV. In addition, Figure 6 is a perspective view schematically showing a substrate support 300 according to another embodiment of the present invention, Figure 7 is seated in the pocket groove 20 of the substrate support 100 according to an embodiment of the present invention. It is an image showing the result of analyzing the pressure generated on the upper and lower surfaces of the substrate S.

먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)는, 크게, 공정 챔버(600)와, 기판 지지대(100) 및 샤워 헤드(700)를 포함할 수 있다.First, as shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention may largely include a process chamber 600, a substrate support 100, and a shower head 700. have.

도 1에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(600)는, 기판(S)을 처리할 수 있는 처리 공간(A)이 형성되는 챔버 몸체(610)를 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로, 챔버 몸체(610)는, 내부에 원형 또는 사각 형상으로 형성되는 처리 공간(A)이 형성되어, 처리 공간(A)에 설치된 기판 지지대(100)에 지지되는 기판(S) 상에 박막을 증착하거나 박막을 식각하는 등의 공정이 진행될 수 있다.As shown in FIG. 1, the process chamber 600 may include a chamber body 610 in which a processing space A capable of processing a substrate S is formed. More specifically, the chamber body 610 has a processing space A formed therein in a circular or square shape, and is supported on the substrate S supported by the substrate support 100 installed in the processing space A. A process such as depositing a thin film or etching the thin film may be performed.

또한, 챔버 몸체(610)의 하측에는 기판 지지대(100)를 둘러싸는 형상으로 복수개의 배기 포트(E)가 설치될 수 있다. 배기 포트(E)는, 배관을 통하여 공정 챔버(600) 외부에 설치된 진공 펌프(800)와 연결되어, 공정 챔버(600)의 처리 공간(A) 내부의 공기를 흡입함으로써, 처리 공간(A) 내부의 각종 처리 가스를 배기 시키거나 처리 공간(A) 내부에 진공 분위기를 형성할 수 있다.In addition, a plurality of exhaust ports E may be installed on the lower side of the chamber body 610 in a shape surrounding the substrate support 100. The exhaust port E is connected to the vacuum pump 800 installed outside the process chamber 600 through a pipe, and sucks the air inside the process space A of the process chamber 600, so that the process space A Various processing gases inside may be exhausted or a vacuum atmosphere may be formed in the processing space A.

또한, 도시되진 않았지만, 챔버 몸체(610)의 측면에는 기판(S)을 처리 공간(A)으로 로딩 또는 언로딩할 수 있는 통로인 게이트가 형성될 수 있다. 아울러, 상방이 개방된 챔버 몸체(610)의 처리 공간(A)을 탑 리드(620)에 의해 폐쇄할 수 있다.Further, although not shown, a gate, which is a passage through which the substrate S can be loaded or unloaded into the processing space A, may be formed on the side of the chamber body 610. In addition, the processing space A of the chamber body 610 whose upper side is open may be closed by the top lid 620.

도 1에 도시된 바와 같이, 기판 지지대(100)는, 복수의 기판(S)을 지지할 수 있도록 공정 챔버(600)의 처리 공간(A)에 구비되어 공정 챔버(600)의 중심축을 기준으로 회전 가능하게 설치될 수 있다. 예컨대, 기판 지지대(100)는, 기판(S)을 지지할 수 있는 서셉터나 테이블 등의 기판 지지 구조체일 수 있다. 이때, 샤워 헤드(700)는, 기판 지지대(100)와 대향되도록 공정 챔버(600)의 상부에 구비되어 기판 지지대(100)를 향해 공정 가스 및 세정 가스 등 각종 처리 가스를 분사할 수 있다.As shown in FIG. 1, the substrate support 100 is provided in the processing space A of the process chamber 600 so as to support a plurality of substrates S based on the central axis of the process chamber 600. It can be installed rotatably. For example, the substrate support 100 may be a substrate support structure such as a susceptor or a table capable of supporting the substrate S. In this case, the shower head 700 is provided on the upper portion of the process chamber 600 so as to face the substrate support 100 and may inject various processing gases such as a process gas and a cleaning gas toward the substrate support 100.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지대(100)의 디스크(10)는, 적어도 하나의 기판(S)을 지지하고 공정 챔버(600)의 처리 공간에 회전 가능하게 설치될 수 있도록 원판 형상으로 형성될 수 있다. 예컨대, 디스크(10)는, 디스크(10)의 외부에 별도로 설치된 히터에 의해 공정 온도로 가열되어, 포켓홈부(30)에 안착되는 기판(S)을 박막을 증착하는 공정 또는 박막을 식각하는 공정이 가능한 상기 공정 온도로 가열시킬 수 있다.As shown in FIG. 2, the disk 10 of the substrate support 100 according to an embodiment of the present invention supports at least one substrate S and is rotatable in the processing space of the process chamber 600. It may be formed in a disk shape so that it can be installed. For example, the disk 10 is heated to a process temperature by a heater separately installed on the outside of the disk 10, and a process of depositing a thin film on the substrate S seated in the pocket groove 30 or a process of etching the thin film It can be heated to this possible process temperature.

더욱 구체적으로, 상기 히터는, 디스크(10)와 이격되어 디스크(10)의 하방에 별도로 설치될 수 있다. 그러나, 상기 히터의 설치 위치는 반드시 이에 국한되지 않고, 디스크(10)와 접촉되게 디스크(10)의 하단에 설치되거나, 디스크(10)의 내부에 설치될 수 있다. 이외에도, 디스크(10)를 상기 공정 온도로 용이하게 가열할 수 있는 매우 다양한 위치에 설치될 수 있다.More specifically, the heater may be separately installed under the disk 10 by being spaced apart from the disk 10. However, the installation position of the heater is not necessarily limited thereto, and may be installed at the lower end of the disk 10 to be in contact with the disk 10 or installed inside the disk 10. In addition, the disk 10 can be installed in a wide variety of positions that can be easily heated to the process temperature.

또한, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 기판 지지대(100)의 포켓홈부(30)는, 기판(S)의 적어도 테두리 부분(A3)이 안착될 수 있도록 기판(S)과 대응되는 형상으로 디스크(10)의 상면(10a)으로부터 오목하게 적어도 하나 이상이 형성될 수 있다. 더욱 구체적으로, 포켓홈부(30)는, 기판 지지대(100)에 복수의 기판(S)이 안착될 수 있도록, 디스크(10)의 상면(10a)으로부터 제 2 깊이(D2)로 오목하게 복수개가 형성되어, 디스크(10)의 회전축을 중심으로 디스크(10)의 원주방향을 따라 배치될 수 있다.In addition, as shown in FIGS. 2 to 4, the pocket groove portion 30 of the substrate support 100 has a shape corresponding to the substrate S so that at least the edge portion A3 of the substrate S can be seated. As a result, at least one or more may be formed concave from the upper surface 10a of the disk 10. More specifically, a plurality of pocket grooves 30 are concave to a second depth D2 from the upper surface 10a of the disk 10 so that a plurality of substrates S can be mounted on the substrate support 100. It may be formed and disposed along the circumferential direction of the disk 10 around the rotational axis of the disk 10.

또한, 기판 지지대(100)의 여유 공간 형성부(20)는, 기판(S)의 적어도 테두리 부분(A3)을 지지하는 단턱부(31)를 한정하도록 포켓홈부(30)의 가장자리로부터 내측으로 소정 간격 이격되어 디스크(10)의 상면(10a)으로부터 제 2 깊이(D2) 보다 깊은 제 1 깊이(D1)를 가지도록, 포켓홈부(30)의 바닥면의 적어도 일부로부터 오목하게 형성되어, 기판(S)이 단턱부(31) 상에 안착된 경우 기판(S)의 하부에 여유 공간(V)을 형성할 수 있다.In addition, the free space forming portion 20 of the substrate support 100 is determined inward from the edge of the pocket groove portion 30 so as to define the stepped portion 31 supporting at least the edge portion A3 of the substrate S. It is formed concave from at least a part of the bottom surface of the pocket groove 30 so as to have a first depth D1 that is spaced apart from the top surface 10a of the disk 10 and is deeper than the second depth D2. When S) is mounted on the stepped portion 31, a free space V may be formed under the substrate S.

예컨대, 기판(S)의 처리 공정 시, 공정 챔버(600)의 하측에 설치된 배기 포트(E)로 공정 챔버(600) 내부의 공기를 흡입하여 진공 분위기가 형성되면, 여유 공간 형성부(20)에 의해 형성된 포켓홈부(30)의 여유 공간(V)에 진공압이 형성됨으로써, 기판(S)을 포켓홈부(30)에 고정하는 흡착력을 발생시킬 수 있다.For example, during the processing of the substrate S, when a vacuum atmosphere is formed by sucking air inside the process chamber 600 through an exhaust port E installed at the lower side of the process chamber 600, the free space forming unit 20 The vacuum pressure is formed in the free space V of the pocket groove portion 30 formed by the vacuum pressure, so that an adsorption force for fixing the substrate S to the pocket groove portion 30 may be generated.

이때, 디스크(10)의 외주면(11)으로부터 여유 공간 형성부(20)의 적어도 일부분을 연결하도록 형성되고, 디스크(10)의 외주면(11)에 접하는 적어도 일부분에 여유 공간 형성부(20)의 바닥면(21) 보다 더 깊게 형성된 입구부를 포함하는 배기 통로(40)가 형성되어, 배기 통로(40)를 통해 여유 공간(V) 내부의 공기가 원활하게 배기되어 진공압이 형성될 수 있다. 예컨대, 배기 통로(40)의 상기 입구부는, 그 바닥면이 디스크(10)의 상면(10a)으로부터 여유 공간 형성부(20) 바닥면(21)의 제 1 깊이(D1) 보다 깊은 제 3 깊이(D3)로 형성될 수 있다.At this time, it is formed to connect at least a portion of the free space forming portion 20 from the outer peripheral surface 11 of the disk 10, and at least a portion of the free space forming portion 20 in contact with the outer peripheral surface 11 of the disk 10 An exhaust passage 40 including an inlet portion formed deeper than the bottom surface 21 is formed, so that air in the free space V is smoothly exhausted through the exhaust passage 40 to form a vacuum pressure. For example, the inlet portion of the exhaust passage 40 has a third depth whose bottom surface is deeper than the first depth D1 of the bottom surface 21 of the free space forming portion 20 from the top surface 10a of the disk 10 (D3) can be formed.

따라서, 기판 지지대(100)의 포켓홈부(30)에 기판(S)이 안착되면, 여유 공간 형성부(20)에 의해 포켓홈부(30)에 안착된 기판(S)의 하부에 여유 공간(V)이 형성될 수 있다. 이때, 공정 챔버(600)의 하측에 형성된 배기 포트(E)를 통해 공정 챔버(600) 내의 공기를 흡입하면, 여유 공간(V) 내부의 공기가 배기 통로(40)를 통해 배기 포트(E)로 배기되면서 여유 공간(V)에 진공압이 발생할 수 있다. 이에 따라, 상기 진공압이 포켓홈부(30)에 안착된 기판(S)의 하면을 잡아당기는 힘을 발생시켜, 기판(S)의 처리 공정 중 기판(S)이 포켓홈부(30)로부터 이탈되는 것을 방지할 수 있다.Therefore, when the substrate (S) is seated in the pocket groove portion 30 of the substrate support 100, the clearance space (V) under the substrate (S) seated in the pocket groove portion 30 by the clearance space forming portion 20 ) Can be formed. At this time, when the air in the process chamber 600 is sucked through the exhaust port E formed at the lower side of the process chamber 600, the air in the free space V passes through the exhaust passage 40 and the exhaust port E Vacuum pressure may be generated in the free space (V) while being exhausted. Accordingly, the vacuum pressure generates a force that pulls the lower surface of the substrate S seated in the pocket groove 30, so that the substrate S is separated from the pocket groove 30 during the processing of the substrate S. Can be prevented.

이러한, 여유 공간 형성부(20)에는, 포켓홈부(30)에 안착된 기판(S)의 하부에 여유 공간(V)을 형성하면서, 상기 히터에 의해 상기 공정 온도로 가열된 디스크(10)의 열을 기판(S)으로 효과적으로 전달할 수 있도록, 열전달 구조가 매우 다양한 형태로 형성될 수 있다.In the free space forming part 20, the free space V is formed under the substrate S seated in the pocket groove part 30, and the disk 10 heated to the process temperature by the heater In order to effectively transfer heat to the substrate S, a heat transfer structure may be formed in a wide variety of forms.

예컨대, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 여유 공간 형성부(20)는, 기판(S)이 단턱부(31) 상에 안착될 시 디스크(10)로부터 기판(S)으로 열전달을 돕도록 그 중심부에 그 바닥면(21)으로부터 기둥 형상으로 단턱부(31)와 동일한 높이로 돌출되게 형성되는 제 1 열전달부(32) 및 단턱부(31)의 내주면(31a)과 제 1 열전달부(32)의 외주면(32a) 사이에 단턱부(31)와 동일한 높이로 배기 통로(40) 방향이 개방된 링 형상으로 돌출되게 형성되는 제 3 열전달부(33)를 포함할 수 있다.For example, as shown in FIGS. 2 to 4, the free space forming part 20 according to an embodiment of the present invention is provided from the disk 10 when the substrate S is seated on the stepped part 31. The inner circumferential surface of the first heat transfer part 32 and the stepped part 31 formed to protrude from the bottom surface 21 to the same height as the stepped part 31 in a column shape in the center to help heat transfer to the substrate S A third heat transfer part 33 formed to protrude in a ring shape in which the direction of the exhaust passage 40 is opened at the same height as the stepped part 31 between the 31a and the outer circumferential surface 32a of the first heat transfer part 32 It may include.

또한, 제 3 열전달부(33)는, 내부에 복수개의 기판 리프트핀(L)을 수용할 수 있도록, 제 3 열전달부(33)의 표면으로부터 기판 리프트핀(L)과 대응되는 형상으로 오목하게 형성되는 복수의 리프트핀 수용홈부(33a)가 형성될 수 있다. 예컨대, 리프트핀 수용홈부(33a)는, 복수개가 포켓홈부(30)의 중심을 기준으로 방사상으로 배치될 수 있으며, 리프트핀 수용홈부(33a)에 수용된 기판 리프트핀(L)의 상면은 제 3 열전달부(33)의 표면과 동일하거나 더 낮은 높이로 형성될 수 있다.In addition, the third heat transfer unit 33 is concave in a shape corresponding to the substrate lift pin L from the surface of the third heat transfer unit 33 so as to accommodate a plurality of substrate lift pins (L) therein. A plurality of lift pin receiving grooves 33a to be formed may be formed. For example, a plurality of the lift pin receiving grooves 33a may be disposed radially with respect to the center of the pocket groove 30, and the upper surface of the substrate lift pin L accommodated in the lift pin receiving groove 33a is a third It may be formed to have a height equal to or lower than the surface of the heat transfer part 33.

이와 같은, 제 1 열전달부(32) 및 제 3 열전달부(33)는, 포켓홈부(30)의 내부에서 기판(S)의 하부에 여유 공간(V)이 형성되도록 기판(S)의 하면을 지지하면서 상기 공정 온도로 가열된 디스크(10)의 열을 기판(S)으로 균일하게 전달하는 역할을 할 수 있다.As such, the first heat transfer unit 32 and the third heat transfer unit 33 have a lower surface of the substrate S so that a free space V is formed under the substrate S in the pocket groove 30. While supporting, it may serve to uniformly transfer the heat of the disk 10 heated to the process temperature to the substrate S.

아울러, 여유 공간(V)은, 단턱부(31)와 제 3 열전달부(33) 사이의 제 1 여유 공간(V1) 및 제 3 열전달부(33)와 제 1 열전달부(32) 사이의 제 2 여유 공간(V2)으로 구획될 수 있으며, 제 1 여유 공간(V1) 및 제 2 여유 공간(V2)이 배기 통로(40)와 연통될 수 있도록, 단턱부(31) 및 제 3 열전달부(33)는 배기 통로(40) 방향이 개방되게 형성될 수 있다.In addition, the free space (V) is the first free space (V1) between the stepped portion (31) and the third heat transfer portion (33) and the third between the third heat transfer portion (33) and the first heat transfer portion (32). 2 may be divided into a free space V2, and the stepped part 31 and the third heat transfer part (the first free space V1 and the second free space V2) can communicate with the exhaust passage 40 33) may be formed such that the direction of the exhaust passage 40 is open.

이때, 여유 공간(V)이 배기 통로(40)와 연통되도록 개방되는 단턱부(31) 및 제 3 열전달부(33)의 개방 영역에서는 기판(S)에 디스크(10)의 열이 효과적으로 전달되지 않아 기판(S)이 전체적으로 불균일한 온도분포를 가지는 문제가 발생할 수 있다.At this time, in the open area of the stepped portion 31 and the third heat transfer portion 33 opened so that the free space V communicates with the exhaust passage 40, the heat of the disk 10 is not effectively transferred to the substrate S. As a result, there may be a problem that the substrate S has a non-uniform temperature distribution as a whole.

이에 따라, 여유 공간 형성부(20)는, 기판(S)이 단턱부(31) 상에 안착될 시 디스크(10)로부터 기판(S)으로 열전달을 돕도록 그 바닥면(21)으로부터 기둥 형상으로 단턱부(31)와 동일한 높이로 돌출되게 형성되고 제 1 열전달부(32)로부터 배기 통로(40) 방향으로 이격되게 형성되는 제 2 열전달부(34)를 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로, 제 2 열전달부(34)는, 제 1 열전달부(32)로부터 배기 통로(40) 방향으로 이격되게 복수개로 배치되고, 복수의 제 2 열전달부(34) 중 일부는 배기 통로(40)를 양분하도록 디스크(10)의 외주면(11)까지 신장되어, 배기 통로(40)의 상기 입구부가 제 2 열전달부(34)에 의해 2개로 분리되게 형성될 수 있다.Accordingly, the free space forming part 20 has a column shape from its bottom surface 21 to help heat transfer from the disk 10 to the substrate S when the substrate S is seated on the stepped part 31. As a result, it may include a second heat transfer part 34 formed to protrude to the same height as the stepped part 31 and spaced apart from the first heat transfer part 32 in the direction of the exhaust passage 40. More specifically, the second heat transfer unit 34 is disposed in a plurality so as to be spaced apart from the first heat transfer unit 32 in the direction of the exhaust passage 40, and some of the plurality of second heat transfer units 34 are exhaust passages ( It extends to the outer peripheral surface 11 of the disk 10 so as to divide 40), and the inlet portion of the exhaust passage 40 may be formed to be separated into two by the second heat transfer portion 34.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지대(100)는, 여유 공간 형성부(20)에 의해 포켓홈부(30) 내부에 전체적으로 링 형상으로 형성되는 제 1 여유 공간(V1) 및 제 2 여유 공간(V2)을 포함하는 여유 공간(V)이 형성되고, 공정 챔버(600)의 내부에 진공 분위기를 형성 시 여유 공간(V)에 진공압이 발생됨으로써, 기판(S)의 처리 공정 중에 공정 챔버(600) 내의 순간적인 가스 흐름 변화나 급격한 압력 변화 등과 같은 다양한 공정 조건 변화에 의해 기판(S)이 포켓홈부(30)로부터 이탈되는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, the substrate support 100 according to an embodiment of the present invention includes a first free space V1 and a second margin formed in a ring shape as a whole inside the pocket groove 30 by the free space forming part 20. The free space V including the space V2 is formed, and vacuum pressure is generated in the free space V when a vacuum atmosphere is formed in the process chamber 600, so that the process is performed during the processing of the substrate S. It is possible to prevent the substrate S from being separated from the pocket groove portion 30 due to various process conditions changes such as an instantaneous gas flow change or a rapid pressure change in the chamber 600.

이때, 여유 공간(V)에는 제 1 열전달부(32)와 제 2 열전달부(34) 및 제 3 열전달부(33)가 형성되어, 포켓홈부(30) 내부에서 여유 공간(V)이 형성되도록 기판(S)을 지지하면서 상기 공정 온도로 가열된 디스크(10)의 열을 기판(S)의 전영역으로 균일하게 전달할 수 있다.At this time, in the free space (V), the first heat transfer part 32, the second heat transfer part 34, and the third heat transfer part 33 are formed, so that the free space V is formed inside the pocket groove part 30. While supporting the substrate S, the heat of the disk 10 heated to the process temperature may be uniformly transferred to the entire area of the substrate S.

또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 배기 통로(40)의 단면적을 증가시킬 수 있도록, 배기 통로(40)는, 그 입구부의 바닥면이 디스크(10)의 상면(10a)으로부터 여유 공간 형성부(20) 바닥면(21)의 제 1 깊이(D1) 보다 깊은 제 3 깊이(D3)로 형성될 수 있다.In addition, as shown in Figure 4, so as to increase the cross-sectional area of the exhaust passage 40, the exhaust passage 40, the bottom surface of the inlet portion is a free space forming portion from the upper surface 10a of the disk 10 (20) It may be formed to a third depth (D3) deeper than the first depth (D1) of the bottom surface 21.

따라서, 포켓홈부(30)의 내부에 여유 공간 형성부(20)에 의해 형성되는 여유 공간(V)의 바닥면(21) 보다 더 깊게 형성되는 배기 통로(40)에 의해 여유 공간(V) 내부의 공기가 배기되는 배기 통로(40)의 단면적을 더욱 넓게 형성하여, 포켓홈부(30) 내부에 형성되는 여유 공간(V)의 공기를 더욱 빠르고 강하게 배기시킴으로써, 여유 공간(V)에서 발생되는 진공압을 더욱 크게 증가시킬 수 있다.Therefore, the inside of the free space V by the exhaust passage 40 formed deeper than the bottom surface 21 of the free space V formed by the free space forming part 20 inside the pocket groove part 30 By forming a wider cross-sectional area of the exhaust passage 40 through which the air is exhausted, the air in the free space V formed inside the pocket groove 30 is exhausted more quickly and strongly, The pneumatic pressure can be further increased.

이에 따라, 도 7의 시뮬레이션 결과와 같이, 여유 공간(V)의 바닥면(21)과 배기 통로(40)가 동일한 깊이로 형성된 2단 포켓(Pocket)의 경우에 기판(S)의 상면과 하면의 압력 차이가 -1.02N으로 나타난 것 보다, 배기 통로(40)가 여유 공간(V) 바닥면(21)의 제 1 깊이(D1) 보다 더 깊은 제 3 깊이(D3)로 형성된 3단 포켓의 경우에 기판(S)의 상면과 하면의 압력 차이가 -1.3N으로 더욱 크게 나타난 것과 같이, 포켓홈부(30) 내부에 형성되는 여유 공간(V) 보다 더 깊게 형성되는 배기 통로(40)에 의해 포켓홈부(30)의 기판(S) 흡착력을 더욱 증가시키는 효과를 가질 수 있다.Accordingly, as shown in the simulation result of FIG. 7, in the case of a two-stage pocket in which the bottom surface 21 of the free space V and the exhaust passage 40 are formed to have the same depth, the upper and lower surfaces of the substrate S Than the pressure difference of -1.02N, the exhaust passage 40 of the three-stage pocket formed with a third depth (D3) deeper than the first depth (D1) of the free space (V) bottom surface (21) In this case, as the pressure difference between the upper and lower surfaces of the substrate S is -1.3N, which is larger, the exhaust passage 40 formed deeper than the free space V formed inside the pocket groove 30 It may have an effect of further increasing the adsorption force of the substrate S of the pocket groove portion 30.

또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 지지대(200)의 배기 통로(40)는, 여유 공간 형성부(20) 및 상기 입구부 사이에 여유 공간 형성부(20)로부터 상기 입구부로 깊이가 선형적으로 깊어지는 경사부(41)를 포함할 수 있다. 이에 따라, 깊이가 변하는 여유 공간(V)과 배기 통로(40)의 경계부에 단턱 형상이 형성되는 것을 방지하여, 포켓홈부(30) 내부의 여유 공간(V)에서 배기 통로(40)를 통해 배기되는 공기의 흐름을 더욱 원활하게 유도할 수 있다.In addition, as shown in Figure 5, the exhaust passage 40 of the substrate support 200 according to another embodiment of the present invention, a free space forming part 20 between the free space forming part 20 and the inlet part. ) To the inlet portion may include an inclined portion 41 that is linearly deepened. Accordingly, a stepped shape is prevented from being formed at the boundary between the free space V and the exhaust passage 40 of which the depth changes, and exhaust through the exhaust passage 40 in the free space V inside the pocket groove 30 It can induce a more smooth flow of air.

더불어, 본 발명의 여러 실시예 들에 따른 기판 지지대(100, 200)는, 배기 통로(40)의 상기 입구부가 터널 형태가 되도록, 배기 통로(40)의 적어도 상기 입구부를 커버하는 커버부(50)를 포함할 수 있다. 이에 따라, 배기 통로(40)의 상방이 커버되어, 기판(S)의 처리 공정 중, 샤워 헤드(700)로부터 분사되는 각종 처리 가스가 배기 통로(40)를 통하여 포켓홈부(30) 내부의 여유 공간(V)으로 유입되는 것을 차단할 수 있다.In addition, the substrate supports 100 and 200 according to various embodiments of the present invention include a cover portion 50 covering at least the inlet portion of the exhaust passage 40 so that the inlet portion of the exhaust passage 40 has a tunnel shape. ) Can be included. Accordingly, the upper side of the exhaust passage 40 is covered, so that during the processing process of the substrate S, various processing gases injected from the shower head 700 are provided through the exhaust passage 40 to allow clearance inside the pocket groove 30. Inflow into the space (V) can be blocked.

그러나, 반드시 이에 국한되지 않고, 도 6의 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 지지대(300)와 같이, 배기 통로(40)는, 상방이 개방된 형태로 형성될 수도 있다. 이와 같은, 커버부(50)는, 샤워 헤드(700)로부터 분사되는 각종 처리 가스의 분사 압력과 같은 여러 공정 조건에 따라 선택적으로 적용될 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the exhaust passage 40 may be formed in an open upper side like the substrate support 300 according to another embodiment of the present invention of FIG. 6. As described above, the cover part 50 may be selectively applied according to various process conditions such as injection pressure of various processing gases injected from the shower head 700.

그러므로, 본 발명의 여러 실시예에 따른 기판 지지대(100, 200, 300) 및 이를 포함하는 기판 처리 장치(1000)는, 기판(S)의 하부에 발생하는 압력이 기판(S)의 상부에 발생하는 압력 보다 작게 발생하도록 유도하여, 복수개의 기판(S)들에 대한 처리 공정 수행 중 기판(S)이 기판 지지대(100, 200, 300)의 포켓 홈(20)으로부터 이탈되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 이에 따라, 기판(S)의 처리 공정 중 기판(S)이 포켓 홈(20)으로부터 이탈되는 문제로 인해 기판(S)의 공정 불량이 발생하는 것을 방지하고 수율을 증가시키는 효과를 가질 수 있다.Therefore, in the substrate support 100, 200, 300 and the substrate processing apparatus 1000 including the same according to various embodiments of the present invention, pressure generated under the substrate S is generated on the upper portion of the substrate S. It is possible to effectively prevent the substrate (S) from being separated from the pocket grooves 20 of the substrate supports (100, 200, 300) while performing the processing process on the plurality of substrates (S) have. Accordingly, it is possible to prevent the occurrence of a process defect of the substrate S due to a problem in which the substrate S is separated from the pocket groove 20 during the processing process of the substrate S, and increase a yield.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.The present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, but these are merely exemplary, and those of ordinary skill in the art will appreciate that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

10: 디스크
20: 여유 공간 형성부
30: 포켓홈부
40: 배기 통로
50: 커버부
S: 기판
V: 여유 공간
E: 배기 포트
100, 200, 300: 기판 지지대
600: 공정 챔버
700: 샤워 헤드
800: 진공 펌프
1000: 기판 처리 장치10: disk
20: free space forming part
30: pocket groove
40: exhaust passage
50: cover
S: substrate
V: free space
E: exhaust port
100, 200, 300: substrate support
600: process chamber
700: shower head
800: vacuum pump
1000: substrate processing device

Claims (10)

적어도 하나의 기판을 지지할 수 있도록 원판 형상으로 형성되는 디스크;
상기 기판의 적어도 테두리 부분이 안착될 수 있도록 상기 기판과 대응되는 형상으로 상기 디스크의 상면으로부터 오목하게 형성되는 적어도 하나의 포켓홈부;
상기 기판의 적어도 상기 테두리 부분을 지지하는 단턱부를 한정하도록 상기 포켓홈부의 가장자리로부터 내측으로 소정 간격 이격되어 상기 포켓홈부의 바닥면의 적어도 일부로부터 오목하게 형성되어, 상기 기판이 상기 단턱부 상에 안착된 경우 상기 기판의 하부에 여유 공간을 형성하는 여유 공간 형성부; 및
상기 디스크의 외주면으로부터 상기 여유 공간 형성부의 적어도 일부분을 연결하도록 형성되고, 상기 디스크 외주면에 접하는 적어도 일부분에 상기 여유 공간 형성부의 바닥면보다 더 깊게 형성된 입구부를 포함하는 배기 통로;
를 포함하는, 기판 지지대.A disk formed in a disk shape to support at least one substrate;
At least one pocket groove portion concavely formed from an upper surface of the disk in a shape corresponding to the substrate so that at least an edge portion of the substrate can be seated;
A predetermined interval is spaced inward from the edge of the pocket groove to define a stepped portion supporting at least the edge portion of the substrate, and is formed concave from at least a portion of the bottom surface of the pocket groove, so that the substrate is seated on the stepped portion. A free space forming unit that forms a free space under the substrate; And
An exhaust passage formed to connect at least a portion of the spare space forming portion from an outer peripheral surface of the disk, and including an inlet portion formed deeper than a bottom surface of the spare space forming portion in at least a portion contacting the outer peripheral surface of the disk;
Containing, a substrate support. 제 1 항에 있어서,
상기 여유 공간 형성부는,
상기 기판이 상기 단턱부 상에 안착될 시 상기 디스크로부터 상기 기판으로 열전달을 돕도록 그 중심부에 그 바닥면으로부터 상기 단턱부와 동일한 높이로 돌출되게 형성되는 제 1 열전달부;
를 포함하는, 기판 지지대.The method of claim 1,
The free space forming part,
A first heat transfer part formed to protrude from a bottom surface of the substrate to the same height as the stepped part at the center thereof to help heat transfer from the disk to the substrate when the substrate is mounted on the stepped part;
Containing, a substrate support. 제 2 항에 있어서,
상기 여유 공간 형성부는,
상기 기판이 상기 단턱부 상에 안착될 시 상기 디스크로부터 상기 기판으로 열전달을 돕도록 그 바닥면으로부터 상기 단턱부와 동일한 높이로 돌출되게 형성되고, 상기 제 1 열전달부로부터 상기 배기 통로 방향으로 이격되게 형성되는 제 2 열전달부;
를 포함하는, 기판 지지대.The method of claim 2,
The free space forming part,
When the substrate is mounted on the stepped portion, it is formed to protrude from the bottom surface to the same height as the stepped portion to help heat transfer from the disk to the substrate, and spaced apart from the first heat transfer portion in the direction of the exhaust passage A second heat transfer part formed;
Containing, a substrate support. 제 3 항에 있어서,
상기 제 2 열전달부는,
상기 제 1 열전달부로부터 상기 배기 통로 방향으로 이격되게 복수개로 배치되는, 기판 지지대.The method of claim 3,
The second heat transfer unit,
A substrate support that is disposed in plural to be spaced apart from the first heat transfer unit in a direction of the exhaust passage. 제 4 항에 있어서,
상기 제 2 열전달부의 일부는 상기 배기 통로를 양분하도록 상기 디스크의 외주면까지 신장되고,
상기 배기 통로의 상기 입구부는, 상기 제 2 열전달부에 의해서 2개로 분리된, 기판 지지대.The method of claim 4,
A part of the second heat transfer part extends to the outer peripheral surface of the disk so as to bisect the exhaust passage,
The inlet portion of the exhaust passage is divided into two by the second heat transfer portion. 제 2 항에 있어서,
상기 여유 공간 형성부는,
상기 기판이 상기 단턱부 상에 안착될 시 상기 디스크로부터 상기 기판으로 열전달을 돕도록 상기 단턱부 및 상기 제 1 열전달부 사이에 상기 단턱부와 동일한 높이로 상기 배기 통로 방향이 개방된 링 형상으로 돌출되게 형성되는 제 3 열전달부;
를 포함하는, 기판 지지대.The method of claim 2,
The free space forming part,
When the substrate is seated on the stepped part, the exhaust passage is protruded in a ring shape with the same height as the stepped part between the stepped part and the first heat transfer part to help heat transfer from the disk to the substrate. A third heat transfer unit that is formed to
Containing, a substrate support. 제 6 항에 있어서,
상기 제 3 열전달부는,
내부에 복수개의 기판 리프트핀을 수용할 수 있도록, 상기 제 3 열전달부의 표면으로부터 상기 기판 리프트핀과 대응되는 형상으로 오목하게 형성되는 복수의 리프트핀 수용홈부;
를 포함하는, 기판 지지대.The method of claim 6,
The third heat transfer unit,
A plurality of lift pin accommodating grooves formed concavely in a shape corresponding to the substrate lift pin from a surface of the third heat transfer unit to accommodate a plurality of substrate lift pins therein;
Containing, a substrate support. 제 1 항에 있어서,
상기 입구부가 터널 형태가 되도록 상기 배기 통로의 적어도 상기 입구부를 커버하는 커버부;
를 포함하는, 기판 지지대.The method of claim 1,
A cover portion covering at least the inlet portion of the exhaust passage so that the inlet portion has a tunnel shape;
Containing, a substrate support. 제 1 항에 있어서,
상기 배기 통로는,
상기 여유 공간 형성부 및 상기 입구부 사이에 상기 여유 공간 형성부로부터 상기 입구부로 깊이가 선형적으로 깊어지는 경사부;
를 포함하는, 기판 지지대.The method of claim 1,
The exhaust passage,
An inclined portion linearly increasing in depth from the spare space forming portion to the entrance portion between the spare space forming portion and the inlet portion;
Containing, a substrate support. 기판을 처리할 수 있는 처리 공간이 형성되는 공정 챔버;
상기 기판을 지지할 수 있도록 상기 공정 챔버의 상기 처리 공간에 구비되는 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 기판 지지대; 및
상기 기판 지지대와 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부에 구비되어, 상기 기판 지지대를 향해 처리 가스를 분사하는 샤워 헤드;
를 포함하는, 기판 처리 장치.A process chamber in which a processing space capable of processing a substrate is formed;
A substrate support according to any one of claims 1 to 9 provided in the processing space of the process chamber to support the substrate; And
A shower head disposed above the process chamber to face the substrate support and spraying a processing gas toward the substrate support;
Containing, a substrate processing apparatus.
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