KR20210003038A - Substrate supporting module and Substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate supporting module and Substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20210003038A
KR20210003038A KR1020200012678A KR20200012678A KR20210003038A KR 20210003038 A KR20210003038 A KR 20210003038A KR 1020200012678 A KR1020200012678 A KR 1020200012678A KR 20200012678 A KR20200012678 A KR 20200012678A KR 20210003038 A KR20210003038 A KR 20210003038A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
disk
substrate support
free space
space forming
Prior art date
Application number
KR1020200012678A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
난이 짜오
강동범
Original Assignee
주식회사 원익아이피에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 원익아이피에스 filed Critical 주식회사 원익아이피에스
Priority to CN202010190193.7A priority Critical patent/CN112185844A/en
Priority to US16/871,567 priority patent/US20210005501A1/en
Publication of KR20210003038A publication Critical patent/KR20210003038A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Abstract

The present invention relates to a substrate support for storing a substrate and a substrate processing apparatus having the same to process the substrate. An objective of the present invention is to provide a substrate support and a substrate processing apparatus which can prevent a substrate from escaping from a pocket groove of the substrate support. The substrate support comprises: a disk formed in a disk shape to support at least one substrate; at least one pocket groove unit concavely formed from the upper surface of the disk in a shape corresponding to the substrate to place at least an edge portion of the substrate thereon; a spare space forming unit separated inwards from the edge of the pocket groove unit by a prescribed distance to be concavely formed from at least a portion of the bottom surface of the pocket groove unit to limit a stepped unit for supporting at least an edge portion of the substrate so as to form a spare space underneath the substrate when the substrate is placed on the stepped unit; and an exhaust passage to connect at least a portion of the spare space forming unit from the outer circumferential surface of the disk.

Description

기판 지지대 및 기판 처리 장치{Substrate supporting module and Substrate processing apparatus}Substrate support and substrate processing apparatus TECHNICAL FIELD

본 발명은 기판 지지대 및 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 기판을 수납하는 기판 지지대 및 그를 구비하여 기판을 처리할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate support and a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate support for accommodating a substrate, and a substrate processing apparatus having the same and capable of processing a substrate.

일반적으로, 반도체 소자나 디스플레이 소자 혹은 태양전지를 제조하기 위해서는 진공 분위기의 공정 챔버를 포함하는 기판 처리 장치에서 각종 공정이 수행된다. 예컨대, 공정 챔버 내에 기판을 로딩하고 기판 상에 박막을 증착하거나 박막을 식각하는 등의 공정이 진행될 수 있다. 이때, 기판은 공정 챔버 내에 설치된 기판 지지대에 지지되며, 기판 지지대와 대향되도록 기판 지지대의 상부에 설치되는 샤워 헤드를 통해 공정 가스를 기판으로 분사할 수 있다.In general, in order to manufacture a semiconductor device, a display device, or a solar cell, various processes are performed in a substrate processing apparatus including a process chamber in a vacuum atmosphere. For example, a process such as loading a substrate into a process chamber and depositing a thin film on the substrate or etching the thin film may be performed. In this case, the substrate is supported on a substrate support installed in the process chamber, and a process gas may be injected to the substrate through a shower head installed on the substrate support so as to face the substrate support.

한편, 생산성을 향상시키기 위해 복수의 기판들을 공정 챔버 내에 한꺼번에 공급하여, 복수의 기판을 한번에 처리할 수 있는 기판 처리 장치가 제안되고 있다. 이러한, 기판 처리 장치는, 복수의 기판들을 기판 지지대의 상면에 기판 지지대의 회전축을 중심으로 방사상으로 등각 배치할 수 있도록 복수개의 포켓 홈들을 구비하고 있다. 이때, 포켓 홈에 안착되는 기판들은 자중에 의해 포켓 홈에 각각 놓이는 것이 일반적이다.On the other hand, in order to improve productivity, a substrate processing apparatus capable of processing a plurality of substrates at once by supplying a plurality of substrates into a process chamber has been proposed. Such a substrate processing apparatus is provided with a plurality of pocket grooves so that a plurality of substrates can be radially equiangularly disposed on the upper surface of the substrate support about a rotation axis of the substrate support. In this case, it is common for the substrates to be seated in the pocket grooves to be placed in the pocket grooves by their own weight.

그러나, 이러한 종래의 기판 지지대 및 기판 처리 장치는, 기판의 처리 공정 시, 공정 챔버 내의 순간적인 가스 흐름 변화나 급격한 압력 변화 등과 같은 다양한 공정 조건에 의해 기판이 포켓 홈으로부터 이탈되는 문제점이 있었다. 특히, 작업 처리량 향상을 위해 기판 지지대의 회전 및 승강 속도 증가가 불가피할 경우, 기판이 포켓 홈으로부터 이탈될 가능성이 더욱 높아질 수 있다. 이와 같이, 기판의 처리 공정 중 기판이 포켓 홈으로부터 이탈되는 문제로 인해 기판의 공정 불량이 발생하는 문제점이 있었다.However, such a conventional substrate support and a substrate processing apparatus have a problem in that the substrate is separated from the pocket groove due to various process conditions such as an instantaneous gas flow change or a rapid pressure change in a process chamber during a substrate processing process. Particularly, when it is inevitable to increase the rotational and elevating speed of the substrate support in order to improve the throughput, the possibility that the substrate may be separated from the pocket groove may be further increased. As described above, there is a problem in that a process defect of the substrate occurs due to the problem that the substrate is separated from the pocket groove during the processing process of the substrate.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 복수개의 기판들에 대한 처리 공정 수행 중 기판이 기판 지지대의 포켓 홈으로부터 이탈되는 것을 방지할 수 있는 기판 지지대 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나, 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The present invention is to solve various problems including the above problems, and provides a substrate support and a substrate processing apparatus capable of preventing a substrate from being separated from a pocket groove of a substrate support during a processing process for a plurality of substrates. It aims to provide. However, these problems are exemplary, and the scope of the present invention is not limited thereby.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판 지지대가 제공된다. 상기 기판 지지대는, 적어도 하나의 기판을 지지할 수 있도록 원판 형상으로 형성되는 디스크; 상기 기판의 적어도 테두리 부분이 안착될 수 있도록, 상기 기판과 대응되는 형상으로 상기 디스크의 상면으로부터 오목하게 형성되는 적어도 하나의 포켓홈부; 상기 기판의 적어도 테두리 부분을 지지하는 단턱부를 한정하도록 상기 포켓홈부의 가장자리로부터 내측으로 소정 간격 이격되어 상기 포켓 홈부의 바닥면의 적어도 일부로부터 오목하게 형성되어, 상기 기판이 상기 단턱부 상에 안착된 경우 상기 기판의 하부에 여유 공간을 형성하는 여유 공간 형성부; 및 상기 디스크의 외주면으로부터 상기 여유 공간 형성부의 적어도 일부분을 연결하는 배기 통로;를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a substrate support is provided. The substrate support includes: a disk formed in a disk shape to support at least one substrate; At least one pocket groove portion concavely formed from an upper surface of the disk in a shape corresponding to the substrate so that at least an edge portion of the substrate can be seated; A predetermined distance is spaced inward from the edge of the pocket groove to define a stepped portion supporting at least an edge portion of the substrate, and is formed concave from at least a portion of the bottom surface of the pocket groove, so that the substrate is seated on the stepped portion. In case, a free space forming part for forming a free space under the substrate; And an exhaust passage connecting at least a portion of the spare space forming portion from an outer peripheral surface of the disk.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 여유 공간 형성부는, 상기 기판이 상기 단턱부 상에 안착될 시 상기 디스크로부터 상기 기판으로 열전달을 돕도록 그 중심부에 그 바닥면으로부터 상기 단턱부와 동일한 높이로 돌출되게 형성되는 제 1 열전달부;를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the free space forming part is located at the center of the disk to the same height as the stepped part to help heat transfer from the disk to the stepped part when the substrate is mounted on the stepped part. It may include; a first heat transfer portion formed to protrude.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 여유 공간 형성부는, 상기 기판이 상기 단턱부 상에 안착될 시 상기 디스크로부터 상기 기판으로 열전달을 돕도록 그 바닥면으로부터 상기 단턱부와 동일한 높이로 돌출되게 형성되고, 상기 제 1 열전달부의 일측으로부터 상기 배기 통로 방향으로 연장되게 형성되는 제 2 열전달부;를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the free space forming part is formed to protrude from the bottom surface to the same height as the stepped part to help heat transfer from the disk to the substrate when the substrate is seated on the stepped part. And a second heat transfer part extending from one side of the first heat transfer part in the direction of the exhaust passage.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 여유 공간 형성부는, 상기 기판이 상기 단턱부 상에 안착될 시 상기 디스크로부터 상기 기판으로 열전달을 돕도록 상기 배기 통로에서 그 바닥면으로부터 상기 단턱부와 동일한 높이로 돌출되게 형성되는 제 3 열전달부;를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the free space forming part is the same height as the stepped part from the bottom surface of the exhaust passage to help heat transfer from the disk to the substrate when the substrate is seated on the stepped part. It may include; a third heat transfer unit formed to protrude to.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제 3 열전달부는, 상기 배기 통로에 상기 디스크의 원주 방향을 따라서 복수개로 배치될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a plurality of the third heat transfer units may be disposed in the exhaust passage along the circumferential direction of the disk.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 여유 공간 형성부는, 그 바닥면으로부터 상기 단턱부와 동일한 높이로 돌출되게 형성되며, 내부에 기판 리프트핀을 수용하도록 관통 홀이 형성된 복수의 리프트핀 수용 홈부;를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the free space forming part may include a plurality of lift pin receiving grooves formed to protrude from the bottom surface to the same height as the stepped part, and having through holes formed therein to accommodate the substrate lift pins; It may include.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 기판의 적어도 일부분이 안착될 수 있도록 상기 포켓 홈부 내에 배치되고, 상기 여유 공간 형성부와 연통된 복수의 연통홀부를 포함하는 커버 플레이트;를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it may include a cover plate disposed in the pocket groove portion so that at least a portion of the substrate may be seated, and including a plurality of communication holes in communication with the spare space forming portion.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 커버 플레이트는, 원형의 판 형상으로 형성되는 플레이트 몸체; 및 상기 플레이트 몸체의 하면의 중심부로부터 상기 여유 공간 형성부의 바닥면까지 돌출되게 형성되어 상기 디스크로부터 상기 기판으로 열전달을 돕는 제 1 돌출부;를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the cover plate includes: a plate body formed in a circular plate shape; And a first protrusion formed to protrude from the center of the lower surface of the plate body to the bottom surface of the free space forming part to help heat transfer from the disk to the substrate.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 커버 플레이트는, 상기 플레이트 몸체의 하면으로부터 돌출되게 형성되고, 내부에 기판 리프트핀을 수용하도록 관통 홀이 형성된 제 2 돌출부;를 포함하고, 상기 여유 공간 형성부는, 상기 제 2 돌출부에 대응되는 위치에 그 바닥면으로부터 오목하게 형성되고, 상기 제 2 돌출부를 수용하는 오목홈부;를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the cover plate includes a second protrusion formed to protrude from a lower surface of the plate body and having a through hole formed therein to receive a substrate lift pin, wherein the free space forming part And a concave groove formed concave from the bottom surface at a position corresponding to the second protrusion and accommodates the second protrusion.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 플레이트 몸체는, 그 상부에 상기 기판이 전체적으로 안착되도록 상기 단턱부 상에 배치될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the plate body may be disposed on the stepped portion so that the substrate is entirely seated thereon.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 기판의 상기 테두리 부분은 상기 단턱부에 의해서 지지되고, 상기 기판의 중심 부분은 상기 플레이트 몸체 상에 안착되도록 상기 플레이트 몸체는, 상기 단턱부와 동일한 높이로 상기 단턱부 내측의 상기 여유 공간 형성부에 배치될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the plate body has the same height as the stepped portion so that the edge portion of the substrate is supported by the stepped portion, and the central portion of the substrate is seated on the plate body. It may be disposed in the free space forming part inside the stepped part.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 커버 플레이트는, 상기 플레이트 몸체의 일측으로부터 상기 배기 통로의 형상과 대응되는 형상으로 연장되게 형성되어, 상기 배기 통로의 상방을 커버하는 연장부;를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the cover plate may include an extension part formed to extend from one side of the plate body in a shape corresponding to the shape of the exhaust passage, and cover the upper side of the exhaust passage. have.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 기판 처리 장치가 제공된다. 상기 기판 처리 장치는, 기판을 처리할 수 있는 처리 공간이 형성되는 공정 챔버; 상기 기판을 지지할 수 있도록 상기 공정 챔버의 상기 처리 공간에 구비되는 기판 지지대; 및 상기 기판 지지대와 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부에 구비되어, 상기 기판 지지대를 향해 처리 가스를 분사하는 샤워 헤드;를 포함할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus is provided. The substrate processing apparatus includes: a process chamber in which a processing space capable of processing a substrate is formed; A substrate support provided in the processing space of the process chamber to support the substrate; And a shower head provided above the process chamber to face the substrate support and spraying a processing gas toward the substrate support.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지대 및 기판 처리 장치에 따르면, 복수개의 기판들에 대한 처리 공정 수행 중 기판이 기판 지지대의 포켓 홈으로부터 이탈되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 기판의 처리 공정 중 기판이 포켓 홈으로부터 이탈되는 문제로 인해 기판의 공정 불량이 발생하는 것을 방지하는 효과를 가지는 기판 지지대 및 기판 처리 장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to the substrate support and the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention made as described above, it is possible to prevent the substrate from being separated from the pocket groove of the substrate support during a processing process for a plurality of substrates. Accordingly, it is possible to implement a substrate support and a substrate processing apparatus having an effect of preventing a process defect of the substrate from occurring due to a problem in which the substrate is separated from the pocket groove during the processing of the substrate. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 기판 지지대를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선을 따라 취한 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 2의 Ⅳ-Ⅳ선을 따라 취한 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 지지대를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 지지대를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 7 및 도 8은 도 6의 기판 지지대의 커버 플레이트를 개략적으로 나타내는 전면 사시도 및 후면 사시도이다.
도 9는 도 6의 Ⅸ-Ⅸ선을 따라 취한 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 10은 도 6의 Ⅹ-Ⅹ선을 따라 취한 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 11은 도 6의 Ⅸ-Ⅸ선을 따라 취한 단면의 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 지지대를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 13은 도 12의 ⅩⅢ-ⅩⅢ선을 따라 취한 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지대의 포켓 홈에 안착된 기판의 상면과 하면에 발생하는 압력을 해석한 결과를 나타내는 이미지이다.1 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view schematically showing a substrate support of the substrate processing apparatus of FIG. 1.
3 is a cross-sectional view schematically showing a cross section taken along line III-III of FIG. 2.
4 is a cross-sectional view schematically showing a cross section taken along line IV-IV of FIG. 2.
5 is a perspective view schematically showing a substrate support according to another embodiment of the present invention.
6 is a perspective view schematically showing a substrate support according to another embodiment of the present invention.
7 and 8 are a front perspective view and a rear perspective view schematically showing the cover plate of the substrate support of FIG. 6.
9 is a cross-sectional view schematically illustrating a cross section taken along lines IX-IX of FIG. 6.
10 is a cross-sectional view schematically showing a cross-section taken along line X-X in FIG. 6.
11 is a cross-sectional view schematically showing another embodiment of the cross-section taken along line IX-IX of FIG. 6.
12 is a perspective view schematically showing a substrate support according to another embodiment of the present invention.
13 is a cross-sectional view schematically showing a cross section taken along the line XIII-XIII of FIG. 12.
14 is an image showing an analysis result of pressure generated on the upper and lower surfaces of a substrate seated in a pocket groove of a substrate support according to an exemplary embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, various exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are provided to more completely describe the present invention to those of ordinary skill in the art, and the following examples may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is as follows. It is not limited to the examples. Rather, these embodiments are provided to make the present disclosure more faithful and complete, and to completely convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. In addition, in the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated for convenience and clarity of description.

이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically showing ideal embodiments of the present invention. In the drawings, for example, depending on manufacturing techniques and/or tolerances, variations of the illustrated shape can be expected. Accordingly, the embodiments of the inventive concept should not be construed as being limited to the specific shape of the region shown in the present specification, but should include, for example, a change in shape caused by manufacturing.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치(1000)의 기판 지지대(100)를 개략적으로 나타내는 사시도이다. 그리고, 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선을 따라 취한 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 4는 도 2의 Ⅳ-Ⅳ선을 따라 취한 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다. 또한, 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 지지대(200)를 개략적으로 나타내는 사시도이다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a substrate processing apparatus 1000 according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view schematically illustrating a substrate support 100 of the substrate processing apparatus 1000 of FIG. 1. In addition, FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a cross-section taken along line III-III of FIG. 2, and FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a cross-section taken along line IV-IV of FIG. 2. 5 is a perspective view schematically showing a substrate support 200 according to another embodiment of the present invention.

먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)는, 크게, 공정 챔버(600)와, 기판 지지대(100) 및 샤워 헤드(700)를 포함할 수 있다.First, as shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention may largely include a process chamber 600, a substrate support 100, and a shower head 700. have.

도 1에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(600)는, 기판(S)을 처리할 수 있는 처리 공간이 형성되는 챔버 몸체(610)를 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로, 챔버 몸체(610)는, 내부에 원형 또는 사각 형상으로 형성되는 처리 공간이 형성되어, 처리 공간에 설치된 기판 지지대(100)에 지지되는 기판(S) 상에 박막을 증착하거나 박막을 식각하는 등의 공정이 진행될 수 있다.1, the process chamber 600 may include a chamber body 610 in which a processing space capable of processing a substrate S is formed. More specifically, the chamber body 610 has a processing space formed in a circular or square shape therein, and deposits a thin film or deposits a thin film on the substrate S supported by the substrate support 100 installed in the processing space. A process such as etching may be performed.

또한, 챔버 몸체(610)의 하측에는 기판 지지대(100)를 둘러싸는 형상으로 복수개의 배기 포트(E)가 설치될 수 있다. 배기 포트(E)는, 배관을 통하여 공정 챔버(600) 외부에 설치된 진공 펌프(800)와 연결되어, 공정 챔버(600)의 처리 공간 내부의 공기를 흡입함으로써, 처리 공간 내부의 각종 처리 가스를 배기시키거나 처리 공간 내부에 진공 분위기를 형성할 수 있다.In addition, a plurality of exhaust ports E may be installed on the lower side of the chamber body 610 in a shape surrounding the substrate support 100. The exhaust port E is connected to the vacuum pump 800 installed outside the process chamber 600 through a pipe, and sucks air inside the process space of the process chamber 600, thereby absorbing various process gases inside the process space. It can be evacuated or a vacuum atmosphere can be formed inside the processing space.

또한, 도시되진 않았지만, 챔버 몸체(610)의 측면에는 기판(S)을 처리 공간으로 로딩 또는 언로딩할 수 있는 통로인 게이트가 형성될 수 있다. 아울러, 상방이 개방된 챔버 몸체(610)의 처리 공간을 탑 리드(620)에 의해 폐쇄할 수 있다.Further, although not shown, a gate, which is a path through which the substrate S can be loaded or unloaded into the processing space, may be formed on the side of the chamber body 610. In addition, the processing space of the chamber body 610 whose upper side is open may be closed by the top lid 620.

도 1에 도시된 바와 같이, 기판 지지대(100)는, 복수의 기판(S)을 지지할 수 있도록 공정 챔버(600)의 처리 공간에 구비되어 공정 챔버(600)의 중심축을 기준으로 회전 가능하게 설치될 수 있다. 예컨대, 기판 지지대(100)는, 기판(S)을 지지할 수 있는 서셉터나 테이블 등의 기판 지지 구조체일 수 있다. 이때, 샤워 헤드(700)는, 기판 지지대(100)와 대향되도록 공정 챔버(600)의 상부에 구비되어 기판 지지대(100)를 향해 공정 가스 및 세정 가스 등 각종 처리 가스를 분사할 수 있다.As shown in FIG. 1, the substrate support 100 is provided in the processing space of the process chamber 600 so as to support a plurality of substrates S so as to be rotatable about the central axis of the process chamber 600. Can be installed. For example, the substrate support 100 may be a substrate support structure such as a susceptor or a table capable of supporting the substrate S. In this case, the shower head 700 is provided on the upper portion of the process chamber 600 so as to face the substrate support 100 and may inject various processing gases such as a process gas and a cleaning gas toward the substrate support 100.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지대(100)의 디스크(10)는, 적어도 하나의 기판(S)을 지지하고 공정 챔버(600)의 처리 공간에 회전 가능하게 설치될 수 있도록 원판 형상으로 형성될 수 있다. 예컨대, 디스크(10)는, 디스크(10)의 외부에 별도로 설치된 히터에 의해 공정 온도로 가열되어, 포켓홈부(30)에 안착되는 기판(S)을 박막을 증착하는 공정 또는 박막을 식각하는 공정이 가능한 상기 공정 온도로 가열시킬 수 있다.As shown in FIG. 2, the disk 10 of the substrate support 100 according to an embodiment of the present invention supports at least one substrate S and is rotatable in the processing space of the process chamber 600. It may be formed in a disk shape so that it can be installed. For example, the disk 10 is heated to a process temperature by a heater separately installed on the outside of the disk 10, and a process of depositing a thin film on the substrate S seated in the pocket groove 30 or a process of etching the thin film It can be heated to this possible process temperature.

더욱 구체적으로, 상기 히터는, 디스크(10)와 이격되어 디스크(10)의 하방에 별도로 설치될 수 있다. 그러나, 상기 히터의 설치 위치는 반드시 이에 국한되지 않고, 디스크(10)와 접촉되게 디스크(10)의 하단에 설치되거나, 디스크(10)의 내부에 설치될 수 있다. 이외에도, 디스크(10)를 상기 공정 온도로 용이하게 가열할 수 있는 매우 다양한 위치에 설치될 수 있다.More specifically, the heater may be separately installed under the disk 10 by being spaced apart from the disk 10. However, the installation position of the heater is not necessarily limited thereto, and may be installed at the lower end of the disk 10 to be in contact with the disk 10 or installed inside the disk 10. In addition, the disk 10 can be installed in a wide variety of positions that can be easily heated to the process temperature.

또한, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 기판 지지대(100)의 포켓홈부(30)는, 기판(S)의 적어도 테두리 부분(A3)이 안착될 수 있도록, 기판(S)과 대응되는 형상으로 디스크(10)의 상면(10a)으로부터 오목하게 적어도 하나 이상이 형성될 수 있다. 더욱 구체적으로, 포켓홈부(30)는, 기판 지지대(100)에 복수의 기판(S)이 안착될 수 있도록, 디스크(10)의 회전축을 중심으로 복수개가 디스크(10)의 외주면(11) 방향을 따라서 배치될 수 있다.In addition, as shown in FIGS. 2 to 4, the pocket groove portion 30 of the substrate support 100 corresponds to the substrate S so that at least the edge portion A3 of the substrate S can be seated. In a shape, at least one or more may be concavely formed from the upper surface 10a of the disk 10. More specifically, the pocket groove part 30 is in the direction of the outer peripheral surface 11 of the disk 10 around the rotation axis of the disk 10 so that a plurality of substrates S can be seated on the substrate support 100 It can be placed along.

또한, 기판 지지대(100)의 여유 공간 형성부(20)는, 기판(S)의 적어도 테두리 부분(A3)을 지지하는 단턱부(31)를 한정하도록 포켓홈부(30)의 가장자리로부터 내측으로 소정 간격 이격되어 포켓홈부(30)의 바닥면의 적어도 일부로부터 오목하게 형성되어, 기판(S)이 단턱부(31) 상에 안착된 경우 기판(S)의 하부에 여유 공간(V)을 형성할 수 있다.In addition, the free space forming portion 20 of the substrate support 100 is determined inward from the edge of the pocket groove portion 30 so as to define the stepped portion 31 supporting at least the edge portion A3 of the substrate S. It is spaced apart and formed concave from at least a part of the bottom surface of the pocket groove part 30, so that when the substrate S is seated on the stepped part 31, a free space V is formed under the substrate S. I can.

예컨대, 기판(S)의 처리 공정 시, 공정 챔버(600)의 하측에 설치된 배기 포트(E)로 공정 챔버(600) 내부의 공기를 흡입하여 진공 분위기가 형성되면, 여유 공간 형성부(20)에 의해 형성된 포켓홈부(30)의 여유 공간(V)에 진공압이 형성됨으로써, 기판(S)을 포켓홈부(30)에 고정하는 흡착력을 발생시킬 수 있다.For example, during the processing of the substrate S, when a vacuum atmosphere is formed by sucking air inside the process chamber 600 through an exhaust port E installed at the lower side of the process chamber 600, the free space forming unit 20 The vacuum pressure is formed in the free space V of the pocket groove portion 30 formed by the vacuum pressure, so that an adsorption force for fixing the substrate S to the pocket groove portion 30 may be generated.

이때, 여유 공간 형성부(20)의 적어도 일부분이 디스크(10)의 외부와 연통될 수 있도록, 디스크(10)의 외주면(11)으로부터 여유 공간 형성부(20)의 적어도 일부분을 연결하는 배기 통로(40)가 형성되어, 배기 통로(40)를 통해 여유 공간(V) 내부의 공기가 원활하게 배기되어 진공압이 형성될 수 있다.At this time, an exhaust passage connecting at least a portion of the free space forming part 20 from the outer peripheral surface 11 of the disk 10 so that at least a part of the free space forming part 20 can communicate with the outside of the disk 10 Since 40 is formed, the air inside the free space V is smoothly exhausted through the exhaust passage 40, so that a vacuum pressure can be formed.

따라서, 기판 지지대(100)의 포켓홈부(30)에 기판(S)이 안착되면, 여유 공간 형성부(20)에 의해 기판(S)의 하부에 여유 공간(V)이 형성될 수 있다. 이때, 공정 챔버(600)의 하측에 형성된 배기 포트(E)를 통해 공정 챔버(600) 내부의 공기를 흡입하면, 여유 공간(V) 내부의 공기가 배기 통로(40)를 통해 배기 포트(E)로 배기되면서 여유 공간(V)에 진공압이 발생할 수 있다. 이에 따라, 상기 진공압이 포켓홈부(30)에 안착된 기판(S)의 하면을 잡아당기는 힘을 발생시켜, 기판(S)의 처리 공정 중 기판(S)이 포켓홈부(30)로부터 이탈되는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, when the substrate S is seated in the pocket groove 30 of the substrate support 100, a free space V may be formed under the substrate S by the free space forming part 20. At this time, when the air inside the process chamber 600 is sucked through the exhaust port E formed at the lower side of the process chamber 600, the air inside the free space V passes through the exhaust passage 40 and the exhaust port E ), vacuum pressure may be generated in the free space (V). Accordingly, the vacuum pressure generates a force that pulls the lower surface of the substrate S seated in the pocket groove 30, so that the substrate S is separated from the pocket groove 30 during the processing of the substrate S. Can be prevented.

이러한, 여유 공간 형성부(20)에는, 포켓홈부(30)에 안착된 기판(S)의 하부에 여유 공간(V)을 형성하면서, 상기 히터에 의해 상기 공정 온도로 가열된 디스크(10)의 열을 기판(S)으로 효과적으로 전달할 수 있도록, 열전달 구조가 매우 다양한 형태로 형성될 수 있다.In the free space forming part 20, the free space V is formed under the substrate S seated in the pocket groove part 30, and the disk 10 heated to the process temperature by the heater In order to effectively transfer heat to the substrate S, a heat transfer structure may be formed in a wide variety of forms.

예컨대, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 여유 공간 형성부(20)는, 기판(S)이 단턱부(31) 상에 안착될 시 디스크(10)로부터 기판(S)으로 열전달을 돕도록 그 중심부에 그 바닥면(21)으로부터 기둥 형상으로 단턱부(31)와 동일한 높이로 돌출되게 형성되어 기판(S)의 중심 부분(A1)을 지지하는 제 1 열전달부(32) 및 그 바닥면(21)으로부터 단턱부(31)와 동일한 높이로 돌출되게 형성되어 기판(S)의 중간 부분(A2)의 적어도 일부분을 지지하고, 내부에 기판 리프트핀(L)을 수용하도록 관통 홀이 형성된 복수의 리프트핀 수용 홈부(33)를 포함할 수 있다.For example, as shown in FIGS. 2 to 4, the free space forming part 20 according to an embodiment of the present invention is provided from the disk 10 when the substrate S is seated on the stepped part 31. In order to help heat transfer to the substrate (S), it is formed to protrude from the bottom surface 21 to the same height as the stepped portion 31 in a column shape at the center thereof to support the central portion A1 of the substrate S. It is formed to protrude from the heat transfer part 32 and its bottom surface 21 to the same height as the stepped part 31 to support at least a part of the middle part A2 of the substrate S, and the substrate lift pin L ) May include a plurality of lift pin receiving grooves 33 formed with through holes to accommodate them.

이와 같은, 제 1 열전달부(32)와 및 리프트핀 수용 홈부(33)는, 포켓홈부(30)의 내부에서 기판(S)의 하부에 여유 공간(V)이 형성되도록 기판(S)의 하면을 지지하면서 상기 공정 온도로 가열된 디스크(10)로부터 발생하는 열을 기판(S)으로 균일하게 전달하는 역할을 할 수 있다.As such, the first heat transfer part 32 and the lift pin accommodating groove 33 are formed on the lower surface of the substrate S so that a free space V is formed under the substrate S in the pocket groove 30. While supporting, it may play a role of uniformly transferring heat generated from the disk 10 heated to the process temperature to the substrate S.

이때, 배기 통로(40)에 의해 개방된 여유 공간(V)의 개방 영역에서는 기판(S)에 디스크(10)의 열이 효과적으로 전달되지 않아 기판(S)이 전체적으로 불균일한 온도분포를 가지는 문제가 발생할 수 있다. 이에 따라, 여유 공간 형성부(20)는, 기판(S)이 단턱부(31) 상에 안착될 시 디스크(10)로부터 기판(S)으로 열전달을 돕도록 그 바닥면(21)으로부터 기둥 형상으로 단턱부(31)와 동일한 높이로 돌출되게 형성되고, 제 1 열전달부(32)의 일측으로부터 배기 통로(40) 방향으로 연장되게 형성되는 제 2 열전달부(35)를 포함할 수 있다.At this time, in the open area of the free space V opened by the exhaust passage 40, the heat of the disk 10 is not effectively transferred to the substrate S, so that the substrate S has an uneven temperature distribution as a whole. Can occur. Accordingly, the free space forming part 20 has a column shape from its bottom surface 21 to help heat transfer from the disk 10 to the substrate S when the substrate S is seated on the stepped part 31. As a result, it may include a second heat transfer part 35 that is formed to protrude to the same height as the stepped part 31 and extends from one side of the first heat transfer part 32 in the direction of the exhaust passage 40.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지대(100)는, 여유 공간 형성부(20)에 의해 포켓홈부(30) 내부에 전체적으로 도넛 형상으로 형성되는 여유 공간(V)이 형성되고, 공정 챔버(600)의 내부에 진공 분위기를 형성 시 여유 공간(V)에 진공압이 발생됨으로써, 기판(S)의 처리 공정 중에 공정 챔버(600) 내의 순간적인 가스 흐름 변화나 급격한 압력 변화 등과 같은 다양한 공정 조건 변화에 의해 기판(S)이 포켓홈부(30)로부터 이탈되는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, in the substrate support 100 according to an embodiment of the present invention, a free space V formed in a donut shape as a whole is formed inside the pocket groove 30 by the free space forming part 20, and the process chamber Various processes such as instantaneous gas flow change or rapid pressure change in the process chamber 600 during the processing of the substrate S by generating vacuum pressure in the free space V when a vacuum atmosphere is formed inside the 600 It is possible to prevent the substrate S from being separated from the pocket groove 30 due to a change in conditions.

이때, 여유 공간(V)의 중심부에는 전체적으로 열쇠 형상으로 형성되는 제 1 열전달부(32) 및 제 2 열전달부(35)가 형성되어, 포켓홈부(30) 내부에서 여유 공간(V)이 형성되도록 기판(S)을 지지하면서 상기 공정 온도로 가열된 디스크(10)의 열을 기판(S)의 전영역으로 균일하게 전달할 수 있다.At this time, the first heat transfer part 32 and the second heat transfer part 35 formed in a key shape as a whole are formed in the center of the free space V, so that the free space V is formed inside the pocket groove part 30. While supporting the substrate S, the heat of the disk 10 heated to the process temperature may be uniformly transferred to the entire area of the substrate S.

또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 지지대(200)의 여유 공간 형성부(20)는, 제 2 열전달부(35) 대신에, 기판(S)이 단턱부(31) 상에 안착될 시 디스크(10)로부터 기판(S)으로 열전달을 돕도록 배기 통로(40)에서 그 바닥면(21)으로부터 기둥 형상으로 적어도 한 개가 단턱부(31)와 동일한 높이로 돌출되게 형성되는 제 3 열전달부(34)를 포함할 수 있다. 예컨대, 제 3 열전달부(34)는, 배기 통로(40)에 디스크(10)의 원주 방향을 따라서 복수개로 배치될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 5, in the free space forming part 20 of the substrate support 200 according to another embodiment of the present invention, instead of the second heat transfer part 35, the substrate S is a stepped part (31) In the exhaust passage 40 to help heat transfer from the disk 10 to the substrate S when seated on the surface, at least one in the shape of a column from the bottom surface 21 is at the same height as the stepped portion 31. It may include a third heat transfer portion 34 formed to protrude. For example, a plurality of third heat transfer units 34 may be disposed in the exhaust passage 40 along the circumferential direction of the disk 10.

이에 따라, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 지지대(200)의 여유 공간 형성부(20)는, 여유 공간(V)의 면적이 더욱 넓게 형성되도록 하여 여유 공간(V)에서 발생하는 진공압을 더욱 크게 함으로써, 포켓홈부(30) 내부의 여유 공간(V)에서 발생하는 기판(S)의 흡착력을 더욱 증가시킬 수 있다.Accordingly, the free space forming part 20 of the substrate support 200 according to another embodiment of the present invention prevents the vacuum pressure generated in the free space V by making the area of the free space V wider. By making it larger, the adsorption force of the substrate S generated in the free space V inside the pocket groove 30 may be further increased.

그러므로, 본 발명의 여러 실시예들에 따른 기판 지지대(100, 200) 및 이를 포함하는 기판 처리 장치(1000)는, 도 14의 (A)에 도시된 바와 같이, 기판(S)의 하부에 발생하는 압력이 기판(S)의 상부에 발생하는 압력 보다 작게 발생하도록 유도하여, 복수개의 기판(S)들에 대한 처리 공정 수행 중 기판(S)이 기판 지지대(100, 200)의 포켓홈부(30)로부터 이탈되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 이에 따라, 기판(S)의 처리 공정 중 기판(S)이 포켓홈부(30)로부터 이탈되는 문제로 인해 기판(S)의 공정 불량이 발생하는 것을 방지하고 수율을 증가시키는 효과를 가질 수 있다.Therefore, the substrate supports 100 and 200 and the substrate processing apparatus 1000 including the same according to various embodiments of the present invention are generated under the substrate S, as shown in FIG. 14A. Induces the pressure generated to be smaller than the pressure generated on the upper portion of the substrate S, so that the substrate S during the processing process for the plurality of substrates S is removed from the pocket grooves 30 of the substrate supports 100 and 200 ) Can be effectively prevented. Accordingly, it is possible to prevent the occurrence of a process defect of the substrate S due to a problem that the substrate S is separated from the pocket groove 30 during the processing process of the substrate S, and increase a yield.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 지지대(300)를 개략적으로 나타내는 사시도이고, 도 7 및 도 8은 도 6의 기판 지지대(300)의 커버 플레이트(50)를 개략적으로 나타내는 전면 사시도 및 후면 사시도이다. 그리고, 도 9는 도 6의 Ⅸ-Ⅸ선을 따라 취한 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 10은 도 6의 Ⅹ-Ⅹ선을 따라 취한 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이며, 도 11은 도 6의 Ⅸ-Ⅸ선을 따라 취한 단면의 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 또한, 도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 지지대(500)를 개략적으로 나타내는 사시도이고, 도 13은 도 12의 ⅩⅢ-ⅩⅢ선을 따라 취한 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.6 is a perspective view schematically showing a substrate support 300 according to another embodiment of the present invention, and FIGS. 7 and 8 are a front perspective view schematically showing a cover plate 50 of the substrate support 300 of FIG. 6 And a rear perspective view. And, FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a cross-section taken along line IX-IX of FIG. 6, FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a cross-section taken along line X-X of FIG. 6, and FIG. It is a cross-sectional view schematically showing another embodiment of the cross-section taken along lines IX-IX. In addition, FIG. 12 is a perspective view schematically showing a substrate support 500 according to another embodiment of the present invention, and FIG. 13 is a cross-sectional view schematically showing a cross section taken along line XIII-XIII of FIG. 12.

도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 지지대(300)는, 기판(S)의 적어도 일부분이 안착될 수 있도록 포켓홈부(30) 내에 배치되고, 여유 공간 형성부(20)와 연통된 복수의 연통홀부(52)를 포함하는 커버 플레이트(50)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 6, the substrate support 300 according to another embodiment of the present invention is disposed in the pocket groove 30 so that at least a portion of the substrate S can be seated, and a free space forming part ( It may include a cover plate 50 including a plurality of communication holes 52 in communication with 20).

예컨대, 도 6 내지 도 10에 도시된 바와 같이, 커버 플레이트(50)는 원형의 판(Plate) 형상으로 형성되는 플레이트 몸체(51)와, 플레이트 몸체(51)의 중심을 기준으로 복수개가 방사상으로 복수열로 배치되고, 플레이트 몸체(51)를 관통하게 형성되는 복수의 연통홀부(52) 및 플레이트 몸체(51)의 하면의 중심부로부터 여유 공간 형성부(20)의 바닥면(21)까지 돌출되게 형성되어 디스크(10)로부터 기판(S)으로 열전달을 돕는 제 1 돌출부(53)를 포함할 수 있다.For example, as shown in FIGS. 6 to 10, the cover plate 50 has a plate body 51 formed in a circular plate shape, and a plurality of the cover plates are radially formed based on the center of the plate body 51. Arranged in a plurality of rows, a plurality of communication holes 52 formed to penetrate through the plate body 51 and to protrude from the center of the lower surface of the plate body 51 to the bottom surface 21 of the free space forming part 20 It may include a first protrusion 53 that is formed to help heat transfer from the disk 10 to the substrate S.

또한, 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 커버 플레이트(50)는, 플레이트 몸체(51)의 하면으로부터 돌출되게 형성되고, 내부에 기판 리프트핀(L)을 수용하도록 관통 홀이 형성된 제 2 돌출부(54)를 포함하고, 여유 공간 형성부(20)는, 제 2 돌출부(54)에 대응되는 위치에 그 바닥면(21)으로부터 오목하게 형성되고, 제 2 돌출부(54)를 수용하는 오목홈부(22)를 포함할 수 있다.In addition, as shown in FIGS. 9 and 10, the cover plate 50 is formed to protrude from the lower surface of the plate body 51, and a second through hole formed therein to accommodate the substrate lift pin (L). Including a protrusion 54, the clearance space forming part 20 is formed concave from the bottom surface 21 at a position corresponding to the second protrusion 54, and is a concave for accommodating the second protrusion 54 It may include a groove 22.

이에 따라, 포켓홈부(30)에 안착된 커버 플레이트(50)의 제 2 돌출부(54)의 적어도 일부분이 오목홈부(22)에 삽입되어 커버 플레이트(50)가 포켓홈부(30) 내부에서 회전하는 것을 방지하고, 커버 플레이트(50) 하부에 여유 공간(V)이 형성될 수 있도록 제 1 돌출부(53)와 함께 플레이트 몸체(51)를 일정 높이로 지지할 수 있다.Accordingly, at least a part of the second protrusion 54 of the cover plate 50 seated in the pocket groove 30 is inserted into the concave groove 22 so that the cover plate 50 rotates inside the pocket groove 30. In addition, the plate body 51 may be supported at a predetermined height together with the first protrusion 53 so that a free space V may be formed under the cover plate 50.

이때, 기판(S)의 테두리 부분(A3)은 단턱부(31)에 의해서 지지되고, 기판(S)의 중심 부분(A1)과 중간 부분(A2)은 플레이트 몸체(51) 상에 안착되도록, 플레이트 몸체(51)는, 단턱부(31)와 동일한 높이로 단턱부(31) 내측의 여유 공간 형성부(20)에 배치될 수 있다.At this time, the edge portion (A3) of the substrate (S) is supported by the stepped portion (31), so that the central portion (A1) and the middle portion (A2) of the substrate (S) are seated on the plate body (51), The plate body 51 may be disposed on the free space forming portion 20 inside the stepped portion 31 at the same height as the stepped portion 31.

예컨대, 플레이트 몸체(51)는, 단턱부(31)의 내주면과 대응되는 크기의 판 형상으로 형성되고, 제 1 돌출부(53)는, 플레이트 몸체(51)의 상면이 단턱부(31)와 동일한 높이로 형성될 수 있도록, 플레이트 몸체(51)의 하면으로부터 제 1 높이(H1)로 돌출되게 형성될 수 있다.For example, the plate body 51 is formed in a plate shape having a size corresponding to the inner circumferential surface of the stepped part 31, and the first protrusion 53 has the same upper surface of the plate body 51 as the stepped part 31. To be formed at a height, it may be formed to protrude from the lower surface of the plate body 51 to a first height H1.

그러나, 커버 플레이트(50)의 형상은 반드시 이에 국한되지 않고, 도 11의 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 지지대(400)와 같이, 플레이트 몸체(51)는, 그 상부에 기판(S)이 전체적으로 안착되도록 단턱부(31) 상에 배치될 수 있다.However, the shape of the cover plate 50 is not necessarily limited thereto, and like the substrate support 400 according to another embodiment of the present invention of FIG. 11, the plate body 51 has a substrate S on its upper portion. It may be disposed on the stepped portion 31 so as to be seated as a whole.

예컨대, 플레이트 몸체(51)는, 포켓홈부(30)의 내주면과 대응되는 크기의 원형의 판 형상으로 형성되고, 제 1 돌출부(53)는, 플레이트 몸체(51)의 하면이 단턱부(31)에 안착될 수 있도록, 플레이트 몸체(51)의 하면으로부터 제 2 높이(H2)로 돌출되게 형성될 수도 있다.For example, the plate body 51 is formed in a circular plate shape having a size corresponding to the inner circumferential surface of the pocket groove portion 30, and the first protrusion 53 has a lower surface of the plate body 51 having a stepped portion 31 It may be formed to protrude from the lower surface of the plate body 51 to a second height H2 so that it can be seated on.

따라서, 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 기판 지지대(300, 400)는, 커버 플레이트(50)가 단턱부(31)에 의해 지지된 기판(S) 하면의 영역을 제외한 전영역 또는 기판(S) 하면의 전영역을 지지하면서, 여유 공간(V)에 형성되는 진공압에 의해 발생하는 흡착력을 연통홀부(52)를 통하여 전달함으로써, 기판(S)의 처리 공정 중, 공정 챔버(600) 내의 순간적인 가스 흐름 변화나 급격한 압력 변화 등과 같은 다양한 공정 조건 변화에 의해 기판(S)이 포켓홈부(30)로부터 이탈되는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, in the substrate supports 300 and 400 according to still other embodiments of the present invention, the cover plate 50 is the entire area except for the area under the substrate S supported by the stepped portion 31 or the substrate ( S) While supporting the entire area of the lower surface, by transferring the adsorption force generated by the vacuum pressure formed in the free space V through the communication hole 52, during the processing of the substrate S, the process chamber 600 It is possible to prevent the substrate S from being separated from the pocket groove 30 due to changes in various process conditions such as an instantaneous gas flow change or a rapid pressure change.

또한, 도 12 및 도 13에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 지지대(500)의 커버 플레이트(50)는, 플레이트 몸체(51)의 일측으로부터 배기 통로(40)의 형상과 대응되는 형상으로 연장되게 형성되어, 배기 통로(40)의 상방을 커버하는 연장부(55)를 포함할 수 있다.In addition, as shown in Figures 12 and 13, the cover plate 50 of the substrate support 500 according to another embodiment of the present invention, the shape of the exhaust passage 40 from one side of the plate body 51 It is formed to extend in a shape corresponding to and may include an extension portion 55 covering an upper portion of the exhaust passage 40.

이에 따라, 배기 통로(40)의 상방이 폐쇄되어, 기판(S)의 처리 공정 중, 샤워 헤드(700)로부터 분사되는 처리 가스가 배기 통로(40)를 통하여 포켓홈부(30)에 안착된 기판(S) 하부에 형성된 여유 공간(V)으로 유입되는 것을 효과적으로 차단할 수 있다. 또한, 커버 플레이트(50)의 연장부(55)를 통해 상기 공정 온도로 가열된 디스크(10)의 열이 배기 통로(40) 부분에서 기판(S)으로 효율적으로 전달되도록 유도할 수 있다.Accordingly, the upper side of the exhaust passage 40 is closed, so that the processing gas injected from the shower head 700 during the processing process of the substrate S is seated in the pocket groove 30 through the exhaust passage 40 (S) It is possible to effectively block the inflow into the free space (V) formed below. In addition, it is possible to induce the heat of the disk 10 heated to the process temperature to be efficiently transferred from the exhaust passage 40 to the substrate S through the extended portion 55 of the cover plate 50.

그러므로, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 지지대(300, 400, 500) 및 이를 포함하는 기판 처리 장치(1000)는, 도 14의 (B) 및 (C)에 도시된 바와 같이, 기판(S)의 하부에 발생하는 압력이 기판(S)의 상부에 발생하는 압력 보다 작게 발생하도록 유도하여, 복수개의 기판(S)들에 대한 처리 공정 수행 중 기판(S)이 기판 지지대(300, 400, 500)의 포켓홈부(30)로부터 이탈되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 이에 따라, 기판(S)의 처리 공정 중 기판(S)이 포켓홈부(30)로부터 이탈되는 문제로 인해 기판(S)의 공정 불량이 발생하는 것을 방지하고 수율을 증가시키는 효과를 가질 수 있다.Therefore, the substrate support (300, 400, 500) and the substrate processing apparatus 1000 including the same according to another embodiment of the present invention, as shown in Figure 14 (B) and (C), the substrate ( The pressure generated in the lower portion of S) is induced to be generated less than the pressure generated in the upper portion of the substrate S, so that the substrate S is transferred to the substrate supports 300 and 400 during processing of the plurality of substrates S. , 500) can be effectively prevented from being separated from the pocket groove (30). Accordingly, it is possible to prevent the occurrence of a process defect of the substrate S due to a problem that the substrate S is separated from the pocket groove 30 during the processing process of the substrate S, and increase a yield.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.The present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, but these are merely exemplary, and those of ordinary skill in the art will appreciate that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

10: 디스크
20: 여유 공간 형성부
30: 포켓홈부
40: 배기 통로
S: 기판
V: 여유 공간
E: 배기 포트
100, 200, 300, 400, 500: 기판 지지대
600: 공정 챔버
700: 샤워 헤드
800: 진공 펌프
1000: 기판 처리 장치10: disk
20: free space forming part
30: pocket groove
40: exhaust passage
S: substrate
V: free space
E: exhaust port
100, 200, 300, 400, 500: substrate support
600: process chamber
700: shower head
800: vacuum pump
1000: substrate processing device

Claims (13)

적어도 하나의 기판을 지지할 수 있도록 원판 형상으로 형성되는 디스크;
상기 기판의 적어도 테두리 부분이 안착될 수 있도록, 상기 기판과 대응되는 형상으로 상기 디스크의 상면으로부터 오목하게 형성되는 적어도 하나의 포켓홈부;
상기 기판의 적어도 상기 테두리 부분을 지지하는 단턱부를 한정하도록 상기 포켓홈부의 가장자리로부터 내측으로 소정 간격 이격되어 상기 포켓 홈부의 바닥면의 적어도 일부로부터 오목하게 형성되어, 상기 기판이 상기 단턱부 상에 안착된 경우 상기 기판의 하부에 여유 공간을 형성하는 여유 공간 형성부; 및
상기 디스크의 외주면으로부터 상기 여유 공간 형성부의 적어도 일부분을 연결하는 배기 통로;
를 포함하는, 기판 지지대.A disk formed in a disk shape to support at least one substrate;
At least one pocket groove portion concavely formed from an upper surface of the disk in a shape corresponding to the substrate so that at least an edge portion of the substrate can be seated;
A predetermined distance is spaced inward from the edge of the pocket groove to define a stepped portion supporting at least the edge portion of the substrate, and is formed concave from at least a portion of the bottom surface of the pocket groove, so that the substrate is seated on the stepped portion. A free space forming unit that forms a free space under the substrate; And
An exhaust passage connecting at least a portion of the spare space forming portion from an outer peripheral surface of the disk;
Containing, a substrate support. 제 1 항에 있어서,
상기 여유 공간 형성부는,
상기 기판이 상기 단턱부 상에 안착될 시 상기 디스크부터 상기 기판으로 열전달을 돕도록 그 중심부에 그 바닥면으로부터 상기 단턱부와 동일한 높이로 돌출되게 형성되는 제 1 열전달부;
를 포함하는, 기판 지지대.The method of claim 1,
The free space forming part,
A first heat transfer part formed to protrude from the bottom surface to the same height as the stepped part at a center thereof to help heat transfer from the disk to the substrate when the substrate is mounted on the stepped part;
Containing, a substrate support. 제 2 항에 있어서,
상기 여유 공간 형성부는,
상기 기판이 상기 단턱부 상에 안착될 시 상기 디스크로부터 상기 기판으로 열전달을 돕도록 그 바닥면으로부터 상기 단턱부와 동일한 높이로 돌출되게 형성되고, 상기 제 1 열전달부의 일측으로부터 상기 배기 통로 방향으로 연장되게 형성되는 제 2 열전달부;
를 포함하는, 기판 지지대.The method of claim 2,
The free space forming part,
When the substrate is mounted on the stepped portion, it is formed to protrude from the bottom surface to the same height as the stepped portion to help heat transfer from the disk to the substrate, and extends from one side of the first heat transfer portion in the direction of the exhaust passage A second heat transfer unit formed to be formed;
Containing, a substrate support. 제 1 항에 있어서,
상기 여유 공간 형성부는,
상기 기판이 상기 단턱부 상에 안착될 시 상기 디스크로부터 상기 기판으로 열전달을 돕도록 상기 배기 통로에서 그 바닥면으로부터 상기 단턱부와 동일한 높이로 돌출되게 형성되는 제 3 열전달부;
를 포함하는, 기판 지지대.The method of claim 1,
The free space forming part,
A third heat transfer part protruding from the bottom surface of the exhaust passage to the same height as the stepped part in the exhaust passage so as to help heat transfer from the disk to the substrate when the substrate is mounted on the stepped part;
Containing, a substrate support. 제 4 항에 있어서,
상기 제 3 열전달부는,
상기 배기 통로에 상기 디스크의 원주 방향을 따라서 복수개로 배치되는, 기판 지지대.The method of claim 4,
The third heat transfer unit,
A substrate support that is disposed in a plurality of the exhaust passages along the circumferential direction of the disk. 제 1 항에 있어서,
상기 여유 공간 형성부는,
그 바닥면으로부터 상기 단턱부와 동일한 높이로 돌출되게 형성되며, 내부에 기판 리프트핀을 수용하도록 관통 홀이 형성된 복수의 리프트핀 수용 홈부;
를 포함하는, 기판 지지대.The method of claim 1,
The free space forming part,
A plurality of lift pin accommodating grooves formed to protrude from the bottom surface to the same height as the stepped portion and having through holes formed therein to accommodate the substrate lift pins;
Containing, a substrate support. 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 적어도 일부분이 안착될 수 있도록 상기 포켓 홈부 내에 배치되고, 상기 여유 공간 형성부와 연통된 복수의 연통홀부를 포함하는 커버 플레이트;
를 포함하는, 기판 지지대.The method of claim 1,
A cover plate disposed in the pocket groove portion so that at least a portion of the substrate may be seated and including a plurality of communication holes communicating with the spare space forming portion;
Containing, a substrate support. 제 7 항에 있어서,
상기 커버 플레이트는,
원형의 판 형상으로 형성되는 플레이트 몸체; 및
상기 플레이트 몸체의 하면의 중심부로부터 상기 여유 공간 형성부의 바닥면까지 돌출되게 형성되어 상기 디스크로부터 상기 기판으로 열전달을 돕는 제 1 돌출부;
를 포함하는, 기판 지지대.The method of claim 7,
The cover plate,
A plate body formed in a circular plate shape; And
A first protrusion formed to protrude from the center of the lower surface of the plate body to the bottom surface of the free space forming part to help heat transfer from the disk to the substrate;
Containing, a substrate support. 제 8 항에 있어서,
상기 커버 플레이트는,
상기 플레이트 몸체의 하면으로부터 돌출되게 형성되고, 내부에 기판 리프트핀을 수용하도록 관통 홀이 형성된 제 2 돌출부;를 포함하고,
상기 여유 공간 형성부는,
상기 제 2 돌출부에 대응되는 위치에 그 바닥면으로부터 오목하게 형성되고, 상기 제 2 돌출부를 수용하는 오목홈부;
를 포함하는, 기판 지지대.The method of claim 8,
The cover plate,
A second protrusion formed to protrude from the lower surface of the plate body and having a through hole formed therein to accommodate the substrate lift pin,
The free space forming part,
A concave groove formed to be concave from the bottom surface at a position corresponding to the second protrusion and to receive the second protrusion;
Containing, a substrate support. 제 8 항에 있어서,
상기 플레이트 몸체는, 그 상부에 상기 기판이 전체적으로 안착되도록 상기 단턱부 상에 배치되는, 기판 지지대.The method of claim 8,
The plate body is disposed on the stepped portion so that the substrate is entirely seated thereon. 제 8 항에 있어서,
상기 기판의 상기 테두리 부분은 상기 단턱부에 의해서 지지되고, 상기 기판의 중심 부분은 상기 플레이트 몸체 상에 안착되도록 상기 플레이트 몸체는, 상기 단턱부와 동일한 높이로 상기 단턱부 내측의 상기 여유 공간 형성부에 배치되는, 기판 지지대.The method of claim 8,
The plate body has the same height as the stepped portion and the free space forming portion inside the stepped portion so that the edge portion of the substrate is supported by the stepped portion, and the central portion of the substrate is seated on the plate body. Disposed on the substrate support. 제 8 항에 있어서,
상기 커버 플레이트는,
상기 플레이트 몸체의 일측으로부터 상기 배기 통로의 형상과 대응되는 형상으로 연장되게 형성되어, 상기 배기 통로의 상방을 커버하는 연장부;
를 포함하는, 기판 지지대.The method of claim 8,
The cover plate,
An extension part formed to extend from one side of the plate body in a shape corresponding to the shape of the exhaust passage, and covering an upper portion of the exhaust passage;
Containing, a substrate support. 기판을 처리할 수 있는 처리 공간이 형성되는 공정 챔버;
상기 기판을 지지할 수 있도록 상기 공정 챔버의 상기 처리 공간에 구비되는 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 따른 기판 지지대; 및
상기 기판 지지대와 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부에 구비되어, 상기 기판 지지대를 향해 처리 가스를 분사하는 샤워 헤드;
를 포함하는, 기판 처리 장치.A process chamber in which a processing space capable of processing a substrate is formed;
A substrate support according to any one of claims 1 to 12 provided in the processing space of the process chamber to support the substrate; And
A shower head disposed above the process chamber to face the substrate support and spraying a processing gas toward the substrate support;
Containing, a substrate processing apparatus.
KR1020200012678A 2019-07-01 2020-02-03 Substrate supporting module and Substrate processing apparatus KR20210003038A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010190193.7A CN112185844A (en) 2019-07-01 2020-03-18 Substrate processing apparatus
US16/871,567 US20210005501A1 (en) 2019-07-01 2020-05-11 Substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190078968 2019-07-01
KR20190078968 2019-07-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210003038A true KR20210003038A (en) 2021-01-11

Family

ID=74129280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200012678A KR20210003038A (en) 2019-07-01 2020-02-03 Substrate supporting module and Substrate processing apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20210003038A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0688888B1 (en) Apparatus and method for substrate processing
KR102329196B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method using the same
KR20170019975A (en) Deposition Apparatus and Deposition System having the same
KR101108576B1 (en) Susceptor and vertical substrates treatment equipment with the same
KR20150032494A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20090118676A (en) Apparatus for treating substrate
TW202038374A (en) Electrostatic chuck with improved thermal coupling for temperature sensitive processes
KR20210003038A (en) Substrate supporting module and Substrate processing apparatus
KR20200133493A (en) Thin film deposition apparatus and thin film deposition method
US20210005501A1 (en) Substrate processing apparatus
KR20110086286A (en) Chemical vapor deposition device
CN105580127A (en) Heater member and substrate processing apparatus having same
KR20210003039A (en) Substrate supporting module and Substrate processing apparatus
KR101907973B1 (en) Gas injecting device and Substrate processing apparatus having the same
TWI770258B (en) Substrate supporting device and substrate processing apparatus
KR20210047736A (en) Substrate processing apparatus
KR20100030081A (en) Susceptor
KR100853927B1 (en) Apparatus for forming coating film and spin chuck
KR20240031507A (en) Substrate supporting assembly and substrate processing apparatus
KR20190119386A (en) Substrate processing apparatus
TW202109733A (en) Low contact area substrate support for etching chamber
TW202245125A (en) Low mass substrate support
KR20220018762A (en) Assembly for supporting substrate and Apparatus for processing substrate
KR20210158171A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus used therein
KR20240038439A (en) Gas distribution clamp and substrate processing apparatus