KR20210002188A - 마이크로 엘이디 전사장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 마이크로 엘이디 칩(A)을 경화된 UV 점착층으로부터 용이하게 분리시킬 수 있는 마이크로 엘이디 전사장치에 관한 것이다.
본 발명의 마이크로 엘이디 전사장치는 마이크로 엘이디 칩(A)이 부착된 UV 점착층을 가진 제1유연기판(100)측으로 제2유연기판(200)을 밀착시켜 전사력을 발생시키는 스탬프(300)와, 전사 대상이 되는 제1유연기판의 마이크로 엘이디 칩(A)에 일대일로 대응되게 형성된 돌기부(410)를 통해 상기 제1유연기판(100)의 저면을 부분적으로 지지하는 베이스부재(400)를 포함한다.

Description

마이크로 엘이디 전사장치{Apparatus for transferring micro LED}
본 발명은 마이크로 엘이디 칩을 경화된 UV 점착층으로부터 용이하게 분리시킬 수 있는 마이크로 엘이디 전사장치에 관한 것이다.
일반적으로 약 100um 이하의 크기를 가진 초소형의 엘이디 칩을 기판에 집속시켜 실장하는 마이크로 엘이디 전사기술은 주로 사파이어 웨이퍼 상에 제작된 마이크로 엘이디 칩을 최종 타겟 기판에 실장하기 위하여 여러 단계에 걸쳐서 픽업과 플레이스를 반복적으로 수행하게 된다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 마이크로 엘이디 전사방법은 마이크로 엘이디 칩(A)을 사파이어 기판(1)에서 UV 점착층(2a)이 형성된 1차 백업기판(2)으로 1차 전사하고, UV 노광을 통해 점착력을 약화시킨 다음 스탬프(3)를 이용하여 UV 점착층(4a)이 형성된 2차 백업기판(4)으로 2차 전사한 후에, UV 노광을 통해 점착력을 약화시킨 상태에서 스탬프(3)를 이용하여 UV 점착층(5a)이 형성된 3차 백업기판(5)으로 3차 전사시키고, 3차 백업기판(5)에 전사된 마이크로 엘이디 칩(A)을 최종 타겟 기판(도시안함)으로 전사하면 모든 전사공정이 완료된다.
그러나, 이와 같은 종래의 마이크로 엘이디 전사방법은 이전 전사과정에서 마이크로 엘이디 칩(A)에 과도한 전사압력이 가해질 경우, 이후에 정상적인 전사가 이루어지지 않게 되는 문제가 발생된다.
즉, 도 1b의 2차 전사 과정에서 스탬프(3)로부터 2차 백업기판(4)에 과도한 전사압력이 가해지면 마이크로 엘이디 칩(A)이 2차 백업기판(4)에 형성된 소프트한 상태의 UV 점착층(4a)에 수 미크론에서 수십 미크론 정도 파묻혀 구속된 상태로 경화되므로, 도 1c의 2차 전사 이후에 도 1d에서와 같이 UV 노광을 통해 점착력을 떨어뜨린다 하더라도, 도 1e 및 1f에 도시된 바와 같이 3차 전사시 마이크로 엘이디 칩(A)이 경화된 UV 점착층(4a)으로부터 쉽게 분리되지 않으면서 일부 마이크로 엘이디 칩(A')이 3차 백업기판(5)으로 전사되지 못하는 문제가 발생되는 것이다.
도시하지는 않았으나, 이와 같은 문제는 1차 전사과정에서 1차 백업기판(2)에서도 동일하게 발생되면서 2차 백업기판(2)으로의 2차 전사가 정상적으로 이루어지지 않게 되거나, 3차 전사과정에서 3차 백업기판(5)에서도 동일하게 발생되면서 최종 타겟기판으로의 전사 또한 정상적으로 이루어지지 않게 된다.
KR10-2018-0103441A
본 발명은 상기한 문제점들을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 이전 전사과정에서 과도한 전사압력을 받은 마이크로 엘이디 칩을 경화된 UV 점착층으로부터 용이하게 분리시킬 수 있는 마이크로 엘이디 전사장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 마이크로 엘이디 전사장치는 마이크로 엘이디 칩이 부착된 UV 점착층을 가진 제1유연기판측으로 제2유연기판을 밀착시켜 전사력을 발생시키는 스탬프와, 전사 대상이 되는 제1유연기판의 마이크로 엘이디 칩에 일대일로 대응되게 형성된 돌기부를 통해 상기 제1유연기판의 저면을 부분적으로 지지하는 베이스부재를 포함한다.
또한, 상기 돌기부는 마이크로 엘이디 칩 보다 폭이 좁게 형성되는 것이 바람직하다.
아울러, 상기 베이스부재는 돌기부와 동일한 높이로 형성되어 상기 제1유연기판의 가장자리를 지지하는 지지돌기를 더 구비할 수도 있다.
또한, 상기 제1유연기판과 제2유연기판은 마이크로 엘이디 칩을 고정시키는 UV 점착층을 가질 수 있다.
한편, 상기 스탬프는 저면에 형성된 개방챔버와, 상기 제2유연기판이 저면에 부착된 상태로 상기 개방챔버를 밀폐시키도록 가장자리부가 상기 개방챔버의 저면에 밀착 고정되며 유연재질로 이루어져 상기 개방챔버의 내부압력이 증가할 때 제1유연기판의 표면을 향해 중앙이 부풀어 오르면서 상기 제2유연기판과 상기 제1유연기판의 마이크로 엘이디 칩과의 접촉이 중앙에서부터 가장자리로 순차적으로 이루어지도록 유도하는 다이아프램을 구비할 수 있다.
상기 스탬프는 저면에 형성된 개방챔버를 구비하고, 상기 제2유연기판은 상기 개방챔버의 내부압력이 낮아질 때 상기 개방챔버에 흡착되며, 상기 베이스부재는 가장자리를 따라 상부를 향하여 형성된 지지돌기를 구비하고, 상기 지지돌기의 상부에는 상기 제2유연기판의 가장자리를 밀착 지지하는 탄성지지부재가 구비될 수 있다.
상기와 같이 구성된 본 발명은 전사 대상이 되는 마이크로 엘이디 칩에 일대일로 대응되게 형성된 돌기부를 통해 상기 제1유연기판의 저면을 부분적으로 지지하는 베이스부재를 구비하므로, 전사과정에서 스탬프를 통해 전달되는 전사압력에 의하여 제1유연기판이 베이스부재측으로 탄성변형되면서 이전 전사과정에서 과도한 전사압력을 받은 제1유연기판의 마이크로 엘이디 칩을 감싸고 있던 경화된 UV 점착층이 마이크로 엘이디 칩로부터 매우 용이하게 분리되며, 이로 인하여 전사율이 크게 향상되는 효과가 있다.
도 1은 종래의 마이크로 엘이디 전사 과정을 순서대로 나타내는 도면.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 스탬프를 구비한 마이크로 엘이디 전사장치의 단면도.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 스탬프를 구비한 마이크로 엘이디 전사장치를 통해 마이크로 엘이디 칩이 최종기판에 전사되는 과정을 순서대로 나타내는 단면도.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 스탬프를 구비한 마이크로 엘이디 전사장치를 통해 마이크로 엘이디 칩이 최종기판에 전사되는 과정을 순서대로 나타내는 단면도.
본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 바람직한 실시예에 대한 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
이하, 본 발명의 일 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명함에 있어, 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 사용하며, 명료성을 위하여 가능한 중복되지 않게 상이한 부분만을 주로 설명한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명은 전사력을 발생시키는 스탬프(300)와, 전사 대상이 되는 제1유연기판(100)을 부분적으로 지지하는 베이스부재(400)로 크게 구성된다.
상기 제1유연기판(100)은 종래의 UV 테이프에 대응되는 구성요소로서 사파이어 기판으로부터 픽업한 마이크로 엘이디 칩(A)이 부착되어 있다. 구체적으로 상기 제1유연기판(100)의 상면에는 마이크로 엘이디 칩(A)을 고정시키는 UV 점착층(110)이 형성되어 있으며, 폴리머 소재를 이용하여 제작이 가능하다.
상기 스탬프(300)는 제1유연기판(100)의 상부에 이격되게 설치되며, 저면에 는 개방챔버(311)가 형성되고, 상기 개방챔버(311)의 하부에는 상기 개방챔버(311)를 밀폐시키는 다이아프램(340)이 설치된다. 상기 스탬프(300)는 상하로 이동가능하게 설치될 수 있다.
상기 개방챔버(311)는 하부를 향해 오픈된 형태이며 일측에 설치된 액츄에이터(미도시)를 통해 내부압력이 변화하도록 구성된다. 상기 액츄에이터로는 개방챔버(311)의 내부에 에어를 출입시켜 개방챔버(311) 내부의 압력을 변화시키는 에어펌프가 적당하나 이에 국한될 필요는 없다. 상기 스탬프(300)에는 액츄에이터로부터 공급되는 에어가 출입될 수 있도록 개방챔버(311)와 연통되는 유로(312)가 형성된다.
상기 다이아프램(340)은 유연재질로 이루어져 있으며, 개방챔버(311)를 밀폐시킬 수 있도록 가장자리부가 상기 스탬프(300)의 저면에 밀착 고정된다.
이 경우, 상기 스탬프(300)는 개방챔버(311)가 형성된 중앙블럭(310)과 중앙블럭(310)의 주변을 감싸는 가장자리블럭(320)으로 분리 형성될 수 있다. 그리고 상기 가장자리블럭(320)은 상부블럭(321)과 하부블럭(322)으로 분할 형성되고, 상기 다이아프램(340)의 가장자리부는 상부블럭(321)과 하부블럭(322)의 사이에 위치되며, 상기 상부블럭(321)과 하부블럭(322)은 조임볼트(323)를 통해 긴밀하게 결합된다.
따라서, 하부블럭(322)의 상부에 다이아프램(340)의 가장자리를 위치시킨 다음 상부블럭(321)을 다이아프램(340)의 가장자리에 올려놓은 상태에서 조임볼트(323)를 이용하여 상부블럭(321)과 하부블럭(322)을 조여주면 상기 다이아프램(340)의 가장자리부가 긴밀히 밀착되는 상부블럭(321)과 하부블럭(322)의 사이에서 매우 견고하게 고정되면서 다이아프램(340)의 설치가 완료된다.
한편, 스탬프(300)의 중앙블럭(310)과 가장자리블럭(320) 사이에는 오링(330)이 설치될 수 있다. 상기 오링(330)은 개방챔버(311)와 다이아프램(340) 사이의 기밀을 유지시켜 개방챔버(311) 내부의 압력이 안정적으로 유지되도록 도와준다.
상기 다이아프램(340)의 저면에는 제2유연기판(200)을 안정적으로 고정시킬 수 있는 접착층이 형성된다.
상기 제2유연기판(200)은 제1유연기판(100)으로부터 전사되는 마이크로 엘이디 칩(A)이 부착되는 기판으로서, 저면에는 전사되는 마이크로 엘이디 칩(A)을 고정시키는 UV 점착층(210)이 형성되어 있다.
따라서, 상기 다이아프램(340)은 개방챔버(311)의 내부압력이 증가하게 되면 지지력이 가장 취약한 중앙부가 제1유연기판(100)의 상면을 향해 부풀어 오르게 되며, 이 과정에서 상기 제2유연기판(200)이 제1유연기판(100)측에 밀착된다. 이때, 상기 제1유연기판(100)의 마이크로 엘이디 칩(A)들은 상기 제2유연기판(200)에 중앙에서부터 가장자리를 향해 순차적으로 밀착된다.
이후, 상기 다이아프램(340)은 개방챔버(311)의 내부압력이 감소하면 원 상태로 복귀된다.
상기 베이스부재(400)는 제1유연기판(100)의 저면을 수평상태로 지지한다. 상기 베이스부재(400)는 전사 대상이 되는 마이크로 엘이디 칩(A)에 일대일로 대응되게 형성된 돌기부(410)를 가지며, 상기 돌기부(410)를 통해 상기 제1유연기판(100)의 저면을 부분적으로 지지하게 된다.
따라서, 상기 제1유연기판(100)은 개방챔버(311)의 내부압력이 증가하게 되면 부풀어 오르는 다이아프램(340)에 의하여 전사압력을 받게 되며, 상기 돌기부(410)에 의해 지지되는 마이크로 엘이디 칩(A)을 제외한 부분은 베이스부재(400)측으로 탄성 변형된다.
한편, 상기 돌기부(410)는 다이아프램(340)을 통해 전사압력을 마이크로 엘이디 칩(A)보다 폭이 좁게 형성되는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 제1유연기판(100)의 탄성 변형 부위가 마이크로 엘이디 칩(A)의 가장자리 안쪽까지 확장되면서 마이크로 엘이디 칩(A)과 경화된 UV 점착층(110) 사이가 확실하게 분리된다.
상기 돌기부(410)는 마이크로 엘이디 칩(A)의 크기를 감안할 때 그 크기가 미세하므로 일반적인 가공을 통해서는 형성시키기 어렵고, 정밀 에칭 가공이나 레이저 가공이나 방전가공 및 E-Beam 가공 등을 이용하여 형성시키는 것이 바람직하다.
아울러, 상기 베이스부재(400)의 가장자리를 따라 상기 돌기부(410)와 동일한 높이로 상기 유연기판(100)을 지지하는 지지돌기(420)가 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 유연기판(100)은 가장자리부가 아래로 처지지 않고 전구간에 걸쳐 수평 상태를 유지할 수 있게 되므로 가장자리부에 인접한 마이크로 엘이디 칩(A)에 대한 전사가 매우 안정적으로 이루어지게 된다.
이와 같이 구성된 본 발명의 마이크로 엘이디 전사장치는 다음과 같이 동작된다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 마이크로 엘이디 칩(A)이 부착된 제1유연기판(100)이 UV 노광처리를 완료한 상태에서 베이스부재(400)에 안착되면, 액츄에이터를 통해 개방챔버(311) 내부에 에어가 주입되면서 개방챔버(311) 내부의 압력이 상승한다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 다이아프램(340)은 개방챔버(311) 내부의 압력이 상승하게 됨에 따라서 지지력이 가장 취약한 중앙부를 시작으로 가장자리부를 향해 순차적으로 부풀어 오르기 시작하며, 그 결과 마이크로 엘이디 칩(A)들은 중앙부에 위치한 마이크로 엘이디 칩(A)부터 다이아프램(340)의 저면에 부착된 제2유연기판(200)에 순차적으로 접촉된다.
이때, 상기 다이아프램(340)이 유연재질이고 내부압력이 마이크로 엘이디 칩(A)에 대한 전사압력으로 작용하므로 상기 제2유연기판(200)에 접촉되는 제1유연기판(100) 상의 모든 마이크로 엘이디 칩(A)들에는 동일한 전사압력이 균일하게 작용하게 된다.
아울러, 상기 제2유연기판(200)은 중앙에서부터 가장자리를 향해 순차적으로 마이크로 엘이디 칩(A)과의 접촉이 이루어지므로 제2유연기판(200)과 제1유연기판(100) 사이의 에어가 원활하게 외부로 빠져나가게 된다.
따라서 제2유연기판(200)과 제1유연기판(100) 사이에 전사하고자 하는 모든 마이크로 엘이디 칩(A)들이 정상적으로 다이아프램(340)에 접촉된다.
도 3c에 도시된 바와 같이, 제1유연기판(100)은 마이크로 엘이디 칩(A)은 물론 마이크로 엘이디 칩(A)을 제외한 부분에 대해서도 동일한 압력이 작용하게 되며, 지지력을 제공받지 못하고 있는 부분이 베이스부재(400)측으로 탄성 변형된다.
그 결과, 탄성 변형력은 마이크로 엘이디 칩(A)과 마이크로 엘이디 칩(A)을 감싸고 있는 경화된 UV 점착층(110)이 분리되는 방향으로 작용하게 되며, 상기 돌기부(410)가 마이크로 엘이디 칩(A)보다 폭이 좁게 형성되는 경우에는 상기 제1유연기판(100)의 탄성 변형 부위가 마이크로 엘이디 칩(A)의 하단 가장자리 안쪽까지 확장되면서 마이크로 엘이디 칩(A)과 상기 마이크로 엘이디 칩(A)의 하단을 감싸고 있는 경화된 UV 점착층(110) 사이가 벌어지면서 분리가 이루어진다.
도 3d에 도시된 바와 같이, 제2유연기판(200)과 마이크로 엘이디 칩(A)과의 접촉이 완료되면, 액츄에이터가 개방챔버(311) 내부에 충만된 에어를 외부로 배출시킨다. 그 결과 개방챔버(311) 내부의 압력이 낮아지면서 다이아프램(340)은 원 상태로 복귀하게 된다.
다이아프램(340)이 원상태로 복귀하면 제2유연기판(200)과 제1유연기판(100)은 다시 이격되며 이 과정에서 마이크로 엘이디 칩(A)이 제1유연기판(100)으로부터 분리되면서 제2유연기판(200)측으로 전사되는데, 모든 마이크로 엘이디 칩(A)들에 대하여 동일한 전사압력이 균일하게 작용하였기 때문에 접촉압력이 약해 전사에서 제외되거나 접촉압력이 과다하여 손상되는 마이크로 엘이디 칩(A)이 발생되지 않게 된다.
뿐만 아니라, 마이크로 엘이디 칩(A)과 상기 마이크로 엘이디 칩(A)의 하단을 감싸고 있는 경화된 UV 점착층(110) 사이가 분리된 상태이므로 자칫 이전 전사과정에서 마이크로 엘이디 칩(A)에 과도한 전사압력이 작용하더라도 상기 마이크로 엘이디 칩(A)은 제1유연기판(100)으로부터 용이하게 분리되면서 정상적으로 전사가 이루어지게 된다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예로서, 상기 스탬프(500)는 저면에 형성된 개방챔버(511)와 상기 개방챔버(511)와 연통되는 유로(512)를 구비할 수 있다. 본 실시예에서의 스탬프(500)는 상술한 스탬프(300)와 비교할 때 다이어그램(340)를 구비하지 않는다. 따라서, 상술한 스탬프(300)와 같이 중앙블럭(310)과 가장자리블럭(320)으로 분리 형성되지 않을 뿐만 아니라 상부블럭(321)과 하부블럭(322) 및 조임볼트(323)도 요구되지 않는다.
이 경우, 상기 제2유연기판(200)은 상기 개방챔버(511)의 내부압력이 낮아질 때 상기 개방챔버(511)에 흡착을 통해 고정된다.
그리고, 상기 베이스부재(400)의 가장자리에는 상부를 향하여 지지돌기(430)가 형성된다.
또한, 상기 지지돌기(430)의 상부에는 제2유연기판(200)의 가장자리를 밀착 지지하는 탄성지지부재(600)가 구비된다. 상기 탄성지지부재(600)는 상기 제2유연기판(200)의 가장자리를 개방챔버(511)에 밀착시켜 흡착성을 향상시킴과 동시에 개방챔버(511)의 내부압력이 높아질 경우 개방챔버(511) 내부압력을 안정적으로 유지시켜 준다.
따라서, 개방챔버(511)에 제2유연기판(200)이 흡착된 상태에서 스탬프(500)가 하강하여 제2유연기판(200)의 가장자리가 탄성지지부재(600)에 밀착되면, 액츄에이터를 통해 개방챔버(511) 내부에 에어가 주입되면서 개방챔버(511) 내부의 압력이 상승하게 되며, 이 과정에서 제2유연기판(200)이 부풀어 오르면서 제1유연기판(100)의 중앙부에 위치한 마이크로 엘이디 칩(A)부터 제2유연기판(200)에 순차적으로 접촉된다.
그리고 지지력을 제공받지 못하고 있는 제1유연기판(100) 부분이 베이스부재(400)측으로 탄성 변형되면서 마이크로 엘이디 칩(A)과 상기 마이크로 엘이디 칩(A)의 하단을 감싸고 있는 경화된 UV 점착층(110) 사이가 벌어지면서 분리가 이루어진다.
이후, 액츄에이터가 개방챔버(511) 내부에 충만된 에어를 외부로 배출시키면, 개방챔버(511) 내부의 압력이 낮아지면서 제2유연기판(200)은 원 상태로 복귀하게 되며, 이 과정에서 마이크로 엘이디 칩(A)이 제1유연기판(100)으로부터 분리되면서 제2유연기판(200)측으로 전사가 이루어지게 된다.
본 실시예에 따르면 상술한 스탬프(500)는 다이어그램(340)이 요구되지 않으므로 구조가 단순항여 제조단가는 물론 제작과 유지관리 측면에서 상대적으로 매우 유리하다.
이와 같이, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상술하였으나 본 발명은 전술한 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자가 본 발명의 사상을 벗어나지 않고 변형 가능하며, 이러한 변형은 본 발명의 권리범위에 속할 것이다.
100...제1유연기판 110,210...UV 점착층
200...제2유연기판 300,500...스탬프
311,511...개방챔버 340...다이아프램
400...베이스부재 410...돌기부
420,430...지지돌기 600...탄성지지부재
A...마이크로 엘이디 칩

Claims (6)

  1. 마이크로 엘이디 칩이 부착된 제1유연기판측으로 제2유연기판을 밀착시켜 전사력을 발생시키는 스탬프; 및
    전사 대상이 되는 제1유연기판의 마이크로 엘이디 칩에 일대일로 대응되게 형성된 돌기부를 통해 상기 제1유연기판의 저면을 부분적으로 지지하는 베이스부재를 포함하는 마이크로 엘이디 전사장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 돌기부는 마이크로 엘이디 칩 보다 폭이 좁게 형성된 마이크로 엘이디 전사장치.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 베이스부재의 가장자리를 따라 상기 돌기부와 동일한 높이로 형성되어 상기 제1유연기판의 가장자리를 지지하는 지지돌기를 구비한 마이크로 엘이디 전사장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제1유연기판과 제2유연기판은 마이크로 엘이디 칩을 고정시키는 UV 점착층을 가진 마이크로 엘이디 전사장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 스탬프는
    저면에 형성된 개방챔버; 및
    상기 제2유연기판이 저면에 부착된 상태로 상기 개방챔버를 밀폐시키도록 가장자리부가 상기 개방챔버의 저면에 밀착 고정되며, 유연재질로 이루어져 상기 개방챔버의 내부압력이 증가할 때 제1유연기판의 표면을 향해 중앙이 부풀어 오르면서 상기 제2유연기판과 상기 제1유연기판의 마이크로 엘이디 칩과의 접촉이 중앙에서부터 가장자리로 순차적으로 이루어지도록 유도하는 다이아프램을 구비한 마이크로 엘이디 전사장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 스탬프는 저면에 형성된 개방챔버를 구비하고;
    상기 제2유연기판은 상기 개방챔버의 내부압력이 낮아질 때 상기 개방챔버에 흡착되며;
    상기 베이스부재는 가장자리를 따라 상부를 향하여 형성된 지지돌기를 구비하고;
    상기 지지돌기의 상부에는 상기 제2유연기판의 가장자리를 밀착 지지하는 탄성지지부재가 구비된 마이크로 엘이디 전사장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180103441A (ko) 2017-03-10 2018-09-19 주식회사 루멘스 선택적 전사 프린팅을 이용하는 엘이디 모듈 제조방법

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