KR20200140632A - Deposition apparatus - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a deposition apparatus, which includes: a support part mounting a treatment object; a laser part installed to irradiate laser beams to one surface of the treatment object; a nozzle part formed to discharge a vaporized source, arranged on an upper side of the support part, and extended to be inclined; and a suction part installed to face the nozzle part. Therefore, the deposition apparatus can reduce the amount of source used.

Description

증착 장치{DEPOSITION APPARATUS}Evaporation apparatus {DEPOSITION APPARATUS}

본 발명은 증착 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 소스 사용량을 줄일 수 있는 증착 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a deposition apparatus, and more particularly, to a deposition apparatus capable of reducing the amount of source used.

표시장치의 제조 중에, 표시장치의 기판 상에 형성된 소자의 도전 라인이 단선되어 오픈 결함이 발생할 수 있다. 따라서, 표시장치를 제조하는 중에 오픈 결함을 리페어하는 공정이 실시된다.During manufacture of the display device, an open defect may occur due to disconnection of conductive lines of elements formed on a substrate of the display device. Therefore, a process of repairing an open defect is performed during manufacturing of the display device.

리페어 공정은 화학기상증착 방식의 리페어 장치에 의해 대기 중에서 실시되는데, 기판의 오픈 결함 위치에 메탈 소스를 공급하고, 레이저를 조사하여 오픈 결함 위치에 금속 막을 증착함으로써, 도전 라인의 단선된 부위를 이어주는 방식으로 실시된다.The repair process is carried out in the atmosphere by a chemical vapor deposition type repair device.By supplying a metal source to the open defect location of the substrate and depositing a metal film at the open defect location by irradiating a laser, it connects the disconnected parts of the conductive line. Carried out in a way.

리페어 장치는 챔버를 구비한다. 챔버를 통하여 기판의 오픈 결함 위치에 메탈 소스를 공급한다. 이때, 기판의 오픈 결함 위치에서, 메탈 소스의 기화 상태를 유지하기 위해 챔버를 소정의 온도로 가열한다.The repair device has a chamber. A metal source is supplied to the open defect location of the substrate through the chamber. At this time, the chamber is heated to a predetermined temperature in order to maintain the vaporized state of the metal source at the open defect position of the substrate.

리페어 공정 중에, 챔버를 기판에 가깝게 배치하면, 챔버의 온도에 의해 기판이 열적으로 손상될 수 있다. 이때, 챔버의 면적이 기판의 오픈 결함의 면적보다 상당히 크기 때문에, 기판이 열적으로 손상되는 면적도 상당히 클 수 있다.During the repair process, if the chamber is placed close to the substrate, the substrate may be thermally damaged by the temperature of the chamber. In this case, since the area of the chamber is considerably larger than the area of the open defect of the substrate, the area in which the substrate is thermally damaged may be considerably large.

따라서, 리페어 공정 중에, 챔버를 기판에서 소정높이 이격시킨다. 이때, 챔버를 기판에서 이격시키는 만큼 챔버와 기판 사이의 공간이 커지므로, 메탈 소스를 많이 공급해야 한다.Therefore, during the repair process, the chamber is spaced apart from the substrate by a predetermined height. In this case, since the space between the chamber and the substrate increases as the chamber is separated from the substrate, a large amount of metal sources must be supplied.

한편, 메탈 소스 공급량이 많으면, 배관 막힘 빈도가 높아지므로, 공정 효율이 저하될 수 있다. 또한, 메탈 소스 공급량이 많아지는 것에 비례하여, 산화물 발생량이 많아지고, 산화물이 후공정에 유입되어 기판을 손상시키는 문제점이 있다.On the other hand, when the supply amount of the metal source is large, the frequency of clogging of the pipe increases, and thus the process efficiency may decrease. In addition, in proportion to the increase in the amount of metal source supplied, the amount of oxide generated increases, and there is a problem in that the oxide is introduced into the post process and damages the substrate.

본 발명의 배경이 되는 기술은 하기의 특허문헌에 게재되어 있다.The technology that serves as the background of the present invention is published in the following patent documents.

KRKR 10-163977710-1639777 B1B1 KRKR 10-2017-007094710-2017-0070947 AA

본 발명은 소스 사용량을 줄일 수 있는 증착 장치를 제공한다.The present invention provides a deposition apparatus capable of reducing the amount of source used.

본 발명은 기판에 전달되는 전체 열에너지를 최소화하는 증착 장치를 제공한다.The present invention provides a deposition apparatus that minimizes the total heat energy transferred to a substrate.

본 발명의 실시 형태에 따른 증착 장치는, 처리물을 안착시킬 수 있는 지지부; 상기 처리물의 일면에 레이저를 조사할 수 있도록 설치되는 레이저부; 기화된 소스를 토출할 수 있도록 형성되고, 상기 지지부의 상측에 배치되고, 경사지게 연장되는 노즐부; 및 상기 노즐부를 마주볼 수 있도록 설치되는 흡입부;를 포함한다.A vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a support for mounting a processed object; A laser unit installed to irradiate a laser on one surface of the processed object; A nozzle part formed to discharge the vaporized source, disposed above the support part, and extending obliquely; And a suction unit installed to face the nozzle unit.

상기 노즐부는 적어도 하나 이상 배치될 수 있다.At least one nozzle part may be disposed.

상기 노즐부 및 상기 흡입부는 상기 레이저부에서 방출되는 레이저 광의 경로의 양측에 각각 위치할 수 있다.The nozzle unit and the suction unit may be positioned on both sides of a path of laser light emitted from the laser unit.

상기 노즐부는, 상기 지지부의 상측에 이동 가능하게 설치되는 구동기; 상기 구동기에 경사지게 지지되는 노즐;을 포함할 수 있다.The nozzle unit may include a driver installed to be movable above the support unit; It may include; a nozzle supported inclined to the driver.

상기 노즐은, 상기 지지부를 향하여 경사지게 연장되고, 내부에 소스 통로가 형성되는 노즐 몸체; 상기 노즐 몸체의 하단부를 경사지게 관통하고, 상기 소스 통로와 연통하는 소스 분사구;를 포함할 수 있다.The nozzle may include a nozzle body extending obliquely toward the support and having a source passage therein; It may include; a source injection hole which obliquely penetrates the lower end of the nozzle body and communicates with the source passage.

상기 노즐은 메탈 재질을 포함할 수 있다.The nozzle may include a metal material.

상기 노즐의 하단부와 상기 처리물 사이의 거리는 0 초과 500 ㎛ 이하일 수 있다.The distance between the lower end of the nozzle and the treated object may be greater than 0 and less than or equal to 500 μm.

상기 노즐의 직경은 0.2 내지 3 ㎜ 일 수 있다.The diameter of the nozzle may be 0.2 to 3 mm.

상기 흡입부는, 상기 레이저부에서 방출되는 레이저 광의 경로를 사이에 두고 상기 노즐부와 마주보는 흡입기; 상기 흡입기에 형성되고, 상기 레이저 광의 경로를 향하여 개방되는 흡입구;를 포함할 수 있다.The suction unit may include an inhaler facing the nozzle unit with a path of laser light emitted from the laser unit therebetween; It may include; a suction port formed in the inhaler and opened toward the path of the laser light.

상기 흡입부는, 상기 레이저부에서 방출되는 레이저 광의 경로를 둘러싸고, 상기 노즐부가 통과될 수 있도록 일측이 개방되는 흡입기; 상기 흡입기에 형성되고, 상기 흡입기가 연장된 방향으로 나열되며, 상기 레이저 광의 경로를 향하여 개방되는 흡입구;를 포함할 수 있다.The suction unit may surround a path of laser light emitted from the laser unit, and one side is opened so that the nozzle unit can pass through; It may include; a suction port formed in the inhaler, arranged in the direction in which the inhaler extends, and opened toward the path of the laser light.

상기 레이저부에서 방출되는 레이저 광의 경로를 둘러싸도록 형성되고, 에어커튼을 하방으로 분사할 수 있는 차단부;를 포함할 수 있다.It may include; a blocking unit formed to surround the path of the laser light emitted from the laser unit, and capable of spraying the air curtain downward.

본 발명의 실시 형태에 따르면, 공정을 수행할 때, 챔버부를 사용하지 않고, 노즐부를 사용하여 기판에 박막 증착용 소스를 공급할 수 있다. 이에, 노즐부를 기판에 상당히 근접시킬 수 있고, 노즐부와 기판의 거리가 줄은 만큼 소스의 공급량을 줄일 수 있다. 따라서, 공정 중에, 소스 공급용 배관의 막힘 현상을 줄일 수 있고, 산화물 생성을 줄일 수 있다. 이에, 공정 효율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 후공정으로 산화물이 유입되는 것을 억제 혹은 방지하여, 후공정의 공정 효율 및 신뢰성도 향상시킬 수 있다. 더하여, 소스 공급부와 노즐부로부터 기판에 전달되는 열에너지를 최소화하여, 열에 의한 기판의 휨, 부정확한 패턴 형성을 방지할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, when performing a process, a source for thin film deposition can be supplied to a substrate by using a nozzle unit without using a chamber unit. Accordingly, the nozzle unit can be brought close to the substrate, and the supply amount of the source can be reduced as the distance between the nozzle unit and the substrate is reduced. Therefore, it is possible to reduce clogging of the source supply pipe during the process and reduce oxide generation. Accordingly, process efficiency and reliability can be improved. In addition, it is possible to suppress or prevent the introduction of oxides into the post process, thereby improving process efficiency and reliability of the post process. In addition, by minimizing thermal energy transferred from the source supply unit and the nozzle unit to the substrate, it is possible to prevent bending of the substrate due to heat and formation of inaccurate patterns.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 증착 장치의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 증착 장치의 부분 확대도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 노즐부의 개략도이다.
도 4는 본 발명의 제1 변형 예에 따른 흡입부의 평면도이다.
도 5는 본 발명의 제2 변형 예에 따른 증착 장치의 개략도이다.
도 6은 본 발명의 비교 예 및 실시 예에 따른 증착 장치의 모식도이다.
1 is a schematic diagram of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a partially enlarged view of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic diagram of a nozzle unit according to an embodiment of the present invention.
4 is a plan view of a suction unit according to a first modified example of the present invention.
5 is a schematic diagram of a deposition apparatus according to a second modified example of the present invention.
6 is a schematic diagram of a deposition apparatus according to a comparative example and an example of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니고, 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이다. 단지 본 발명의 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 본 발명의 실시 예를 설명하기 위하여 도면은 과장될 수 있고, 도면상의 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, and will be implemented in various different forms. Only the embodiments of the present invention are provided to complete the disclosure of the present invention and to completely inform the scope of the invention to those of ordinary skill in the relevant field. In order to describe the embodiments of the present invention, the drawings may be exaggerated, and the same reference numerals in the drawings refer to the same elements.

본 발명의 실시 예에 따른 증착 장치는 대기압 레이저 화학기상증착(CVD) 장치일 수 있다. 혹은, 본 발명의 실시 예에 따른 증착 장치는 대기압 레이저 리페어 장치일 수 있다.The deposition apparatus according to an embodiment of the present invention may be an atmospheric pressure laser chemical vapor deposition (CVD) apparatus. Alternatively, the deposition apparatus according to an embodiment of the present invention may be an atmospheric pressure laser repair apparatus.

즉, 본 발명의 실시 예에 따른 증착 장치는 대기 중에 마련된 기판에 레이저광을 조사하여 화학기상증착 방식으로 기판의 일면에 금속 박막을 증착할 수 있다.That is, the deposition apparatus according to an embodiment of the present invention may deposit a metal thin film on one surface of the substrate by using a chemical vapor deposition method by irradiating laser light onto a substrate prepared in the air.

물론, 본 발명의 실시 예에 따른 증착 장치는 다양한 처리물에 각종 막을 증착하는 증착 장치로 사용될 수 있다.Of course, the deposition apparatus according to an embodiment of the present invention may be used as a deposition apparatus for depositing various films on various processed materials.

이하, 대기압 레이저 리페어 장치 및 대기압 레이저 리페어 공정을 기준으로 하여, 본 발명의 실시 예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail based on an atmospheric pressure laser repair apparatus and an atmospheric pressure laser repair process.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 증착 장치의 개략도이다. 또한, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 증착 장치의 부분 확대도이다. 또한, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 노즐부의 개략도이다.1 is a schematic diagram of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention. Also, FIG. 2 is a partially enlarged view of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention. In addition, Figure 3 is a schematic view of a nozzle unit according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 3을 참조하여, 본 발명의 실시 예에 따른 증착 장치를 상세하게 설명한다.A deposition apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 3.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 증착 장치는, 처리물(S)을 안착시킬 수 있는 지지부(100), 처리물(S)의 일면에 레이저를 조사할 수 있도록 설치되는 레이저부(400), 기화된 소스를 토출할 수 있도록 형성되고, 지지부(100)의 상측에 배치되고, 경사지게 연장되는 노즐부(200), 및 노즐부(200)를 마주볼 수 있도록 설치되는 흡입부(600)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the deposition apparatus according to an embodiment of the present invention includes a support part 100 capable of seating a processed material S, and a laser part installed to irradiate a laser on one surface of the processed material S. 400, a suction part formed to discharge the vaporized source, disposed above the support part 100, a nozzle part 200 extending obliquely, and a suction part installed to face the nozzle part 200 ( 600).

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 증착 장치는 공급부(300), 광학부(500), 및 배기부(700)를 포함할 수 있다.In addition, the deposition apparatus according to an embodiment of the present invention may include a supply unit 300, an optical unit 500, and an exhaust unit 700.

처리물(S)은 그 일면에 각종 전자 소자가 제조되는 공정이 진행 중이거나 또는 종료된 기판일 수 있다. 처리물(S)은 지지부(100)의 상면에 안착될 수 있고, 대기 중에 마련될 수 있다.The processed material S may be a substrate in which a process of manufacturing various electronic devices on one surface thereof is in progress or has been finished. The processed material S may be seated on the upper surface of the support part 100 and may be provided in the atmosphere.

소스는 박막 증착용 메탈 소스를 포함할 수 있다. 메탈 소스는 코발트 소스를 포함할 수 있다. 물론, 메탈 소스는 텅스텐 소스를 포함할 수도 있다. 또한, 메탈 소스의 종류는 코발트 소스 및 텅스텐 소스 외에도 다양할 수 있다.The source may include a metal source for thin film deposition. The metal source may include a cobalt source. Of course, the metal source may include a tungsten source. In addition, the type of metal source may be various in addition to the cobalt source and the tungsten source.

노즐부(200)는 지지부(100)의 상측에 적어도 하나 이상 배치될 수 있다. 즉, 노즐부(200)의 개수는 하나 이상일 수 있다. 노즐부(200)의 개수가 하나이면, 노즐부(200) 및 흡입부(600)는 레이저부(400)에서 처리물(S)을 향하여 방출되는 레이저 광(L)의 경로의 양측에 각각 위치할 수 있다. 그리고 노즐부(200)의 개수가 복수개이면, 노즐부(200) 및 흡입부(600)는 레이저 광(L)의 경로를 중심으로 하여 방사상으로 배치될 수 있다.At least one nozzle part 200 may be disposed above the support part 100. That is, the number of nozzle units 200 may be one or more. If the number of nozzle units 200 is one, the nozzle unit 200 and the suction unit 600 are respectively located on both sides of the path of the laser light L emitted from the laser unit 400 toward the processed object S can do. In addition, if the number of the nozzle units 200 is plural, the nozzle unit 200 and the suction unit 600 may be radially disposed around the path of the laser light L.

도 1 및 도 3을 참조하면, 노즐부(200)는, 지지부(100)의 상측에 이동 가능하게 설치되는 구동기(210), 구동기(210)에 경사지게 지지되는 노즐(230), 및 구동기(210)에 장착되고, 노즐(230)이 지지되는 홀더(220)를 포함할 수 있다.1 and 3, the nozzle unit 200 includes a driver 210 that is movably installed on the upper side of the support unit 100, a nozzle 230 that is obliquely supported by the driver 210, and a driver 210. ) And may include a holder 220 on which the nozzle 230 is supported.

구동기(210)의 구성은 다양할 수 있다. 구동기(210)는 제1구동기(211) 및 제2구동기(212)를 포함할 수 있다. 제1구동기(211)는 XY 갠트리(미도시)에 설치될 수 있다. 제1구동기(211)는 XY 갠트리에 의해 수평 방향으로 이동할 수 있다. 여기서, 수평 방향은 전후 방향 및 좌우 방향을 포함할 수 있다. 제2구동기(212)는 제1구동기(211)에 설치될 수 있고, 상하 방향으로 이동할 수 있다. 제1구동기(211) 및 제2구동기(212)의 이동 방향은 상술한 방향 외에도 다양할 수 있다.The configuration of the driver 210 may be various. The driver 210 may include a first driver 211 and a second driver 212. The first actuator 211 may be installed on the XY gantry (not shown). The first actuator 211 may move in a horizontal direction by an XY gantry. Here, the horizontal direction may include a front-rear direction and a left-right direction. The second actuator 212 may be installed on the first actuator 211 and may move in the vertical direction. Movement directions of the first driver 211 and the second driver 212 may be various in addition to the above-described directions.

또한, 구동기(210)는 지지 수단(213)을 더 포함할 수 있다. 지지 수단(213)은 제2구동기(212)의 하부에 장착될 수 있고, 광학부(500)를 향하여 수평 방향으로 연장될 수 있다. 지지 수단(213)의 일측 가장자리는 광학부(500)에 구비된 대물 렌즈(510)에 접촉될 수 있다. 여기서, 대물 렌즈(510)는 레이저 광(L)의 경로에 배치되고, 레이저부(400)에서 방출되는 레이저 광을 처리물(S)의 일면으로 안내하는 역할을 한다. 지지 수단(213)은 제2구동기(212)와 대물 렌즈(510)의 거리를 유지시킬 수 있다. 한편, 노즐(230)은 지지 수단(213)의 일측을 경사지게 관통하도록 배치될 수 있다.In addition, the driver 210 may further include a supporting means 213. The support means 213 may be mounted under the second actuator 212 and may extend in a horizontal direction toward the optical unit 500. One edge of the support means 213 may contact the objective lens 510 provided in the optical unit 500. Here, the objective lens 510 is disposed in the path of the laser light L, and serves to guide the laser light emitted from the laser unit 400 to one surface of the processed object S. The support means 213 may maintain a distance between the second driver 212 and the objective lens 510. Meanwhile, the nozzle 230 may be disposed to obliquely penetrate through one side of the support means 213.

홀더(220)의 구성은 다양할 수 있다. 홀더(220)는 제2구동기(212)에 장착되는 블록 지그(221), 블록 지그(221)를 경사지게 관통하도록 장착되고, 하단부에 노즐(230)이 탈착 가능하게 설치되는 커넥터(222)를 포함할 수 있다.The configuration of the holder 220 may be various. The holder 220 includes a block jig 221 mounted on the second actuator 212, a connector 222 mounted to obliquely penetrate the block jig 221, and detachably installed at the lower end of the nozzle 230 can do.

노즐(230)은 공급부(300)에 연결될 수 있다, 노즐(230)은 공급부(300)로부터 기화된 소스를 공급받을 수 있다. 노즐(230)은 처리물(S)의 일면의 박막 증착 위치에 기화된 소스를 분사할 수 있다.The nozzle 230 may be connected to the supply unit 300, and the nozzle 230 may receive a vaporized source from the supply unit 300. The nozzle 230 may spray a vaporized source to a thin film deposition location on one surface of the processed material S.

노즐(230)은, 지지부(100)를 향하여 경사지게 연장되고, 내부에 소스 통로가 형성되는 노즐 몸체, 및 노즐 몸체의 하단부를 경사지게 관통하고, 소스 통로와 연통하는 소스 분사구를 포함할 수 있다. 소스 통로는 공급부(300)와 연결되며, 기화된 소스를 공급받을 수 있다. 기화된 소스는 소스 분사구를 통하여 처리물(S)의 일면에 경사지게 분사될 수 있고, 따라서, 처리물(S)의 일면의 박막 증착 위치를 감싸도록 증착 분위기가 형성될 수 있다. 노즐 몸체는 예컨대 바늘 또는 모세관 형태로 형성될 수 있다. 노즐 몸체는 일측이 지지 수단(213)에 지지될 수 있고, 이에, 진동 및 휘어짐 등이 방지될 수 있다.The nozzle 230 may include a nozzle body extending obliquely toward the support portion 100 and having a source passage formed therein, and a source injection hole obliquely penetrating the lower end of the nozzle body and communicating with the source passage. The source passage is connected to the supply unit 300 and may receive a vaporized source. The vaporized source may be sprayed obliquely on one surface of the processed material S through the source injection hole, and thus, a deposition atmosphere may be formed to surround the thin film deposition position on one surface of the processed material S. The nozzle body may for example be formed in the form of a needle or capillary tube. One side of the nozzle body may be supported by the support means 213, and thus, vibration and bending may be prevented.

노즐부(200)은 가열 수단(미도시)을 포함할 수 있다. 가열 수단은 노즐(230)과 열적으로 연결될 수 있다. 가열 수단의 구성은 다양할 수 있다. 예컨대 가열 수단은 열선을 포함할 수 있다. 가열 수단을 이용하여 노즐(230)의 온도를 소스의 기화 온도로 조절할 수 있다. 따라서, 기화된 소스가 노즐(230)을 통과하면서 온도가 낮아지는 것을 방지할 수 있다. 이때, 상술한 온도 조절이 용이하도록 노즐(230)은 메탈 재질을 포함할 수 있다. 메탈 재질의 종류는 다양할 수 있다.The nozzle part 200 may include a heating means (not shown). The heating means may be thermally connected to the nozzle 230. The configuration of the heating means can vary. For example, the heating means may include a heating wire. The temperature of the nozzle 230 may be adjusted to the vaporization temperature of the source by using a heating means. Accordingly, it is possible to prevent the temperature from being lowered while the vaporized source passes through the nozzle 230. In this case, the nozzle 230 may include a metal material to facilitate the above-described temperature control. The types of metal materials can vary.

도 2를 참조하면, 노즐(230)의 직경(R1)은 레이저 광(L)의 직경(R2)의 1/10 내지 2 배의 크기일 수 있다. 예컨대 노즐(230)의 직경(R1)은 0.2 내지 3㎜ 일 수 있다. 노즐(230)의 직경이 0.2㎜ 보다 작으면 기화된 소스의 유량이 원하는 값보다 작아질 수 있다. 또한, 노즐(230)의 직경이 3㎜ 보다 크면 기화된 소스의 유동 속도가 원하는 값보다 작아질 수 있다. 노즐(230)의 직경이 상술한 바와 같이 형성됨에 따라, 반응에 필요한 소스의 유량 최적화 및 유동 속도 제어가 가능하다.Referring to FIG. 2, the diameter R1 of the nozzle 230 may be 1/10 to 2 times the diameter R2 of the laser light L. For example, the diameter R1 of the nozzle 230 may be 0.2 to 3 mm. If the diameter of the nozzle 230 is less than 0.2 mm, the flow rate of the vaporized source may be smaller than a desired value. In addition, when the diameter of the nozzle 230 is larger than 3 mm, the flow velocity of the vaporized source may be smaller than a desired value. As the diameter of the nozzle 230 is formed as described above, it is possible to optimize the flow rate of the source required for the reaction and control the flow rate.

노즐(230)의 각도는 20° 내지 70°일 수 있다. 여기서, 노즐(230)의 각도는 노즐(230)의 중심부을 지나는 중심선(미도시)과 지지부(100)의 상면 사이의 각도를 의미한다. 노즐(230)의 각도가 20°보다 작으면 미세패턴 형성에 기여하는 소스 밀도가 감소하여 증착율이 감소할 수 있고, 노즐(230)의 각도가 70°보다 크면 광학부(500)와의 간섭이 발생할 수 있다. 노즐(230)의 각도를 20° 내지 70°로 하여, 적은 소스 사용량 및 높은 증착율을 보일 수 있다.The angle of the nozzle 230 may be 20° to 70°. Here, the angle of the nozzle 230 means an angle between the center line (not shown) passing through the center of the nozzle 230 and the upper surface of the support part 100. If the angle of the nozzle 230 is less than 20°, the source density contributing to the formation of the fine pattern decreases, so that the deposition rate can be reduced, and if the angle of the nozzle 230 is greater than 70°, interference with the optical unit 500 may occur. I can. By setting the angle of the nozzle 230 to 20° to 70°, it is possible to show a small amount of source and a high deposition rate.

노즐(230)의 하단부와 처리물(S) 사이의 거리는 0 초과 500 ㎛ 이하일 수 있다. 즉, 노즐(230)은 그 직경이 상술한 것처럼 0.2 내지 3㎜로 작기 때문에, 처리물(S)에 가깝게 위치시켜도 처리물(S)이 열적으로 손상되는 것이 억제 내지 방지될 수 있다. 노즐(230)의 하단부와 처리물(S) 사이의 거리가 500㎛ 를 넘으면, 기화된 소스의 사용량이 원하는 값보다 증가될 수 있다.The distance between the lower end of the nozzle 230 and the processed object S may be greater than 0 and less than or equal to 500 μm. That is, since the nozzle 230 has a diameter of 0.2 to 3 mm, as described above, even if the nozzle 230 is positioned close to the treated product S, thermal damage to the treated product S can be suppressed or prevented. When the distance between the lower end of the nozzle 230 and the treated object S exceeds 500 μm, the amount of the vaporized source may be increased than a desired value.

노즐(230)와 처리물(S) 사이의 거리는 0 초과 500 ㎛ 이하가 됨에 따라, 기화된 소스의 공급량을 종래 대비 1/10 정도로 줄일 수 있어서, 대기압 레이저 리페어 공정을 수행하는 중에 발생 가능한 소스 공급관의 막힘 현상을 줄일 수 있고, 산화물 생성을 줄일 수 있다. 이에, 대기압 레이저 리페어 공정의 효율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.As the distance between the nozzle 230 and the processed object S becomes more than 0 and 500 µm or less, the supply amount of the vaporized source can be reduced to about 1/10 compared to the conventional one, so that the source supply pipe that can occur during the atmospheric pressure laser repair process It is possible to reduce the clogging phenomenon and reduce the formation of oxides. Accordingly, it is possible to improve the efficiency and reliability of the atmospheric pressure laser repair process.

도 1을 참조하면, 공급부(300)는 내부에 소스가 충진되며, 노즐(230)에 기화된 소스를 공급할 수 있다. 공급부(300)는, 내부에 소스가 고체 파우더 상태로 수용될 수 있는 소스 용기(미도시), 소스가 기화될 수 있도록 소스 용기를 가열할 수 있는 가열기(미도시), 소스 용기와 노즐(230)의 소스 통로를 연결시키는 소스 공급관(미도시), 및 소스 용기에 캐리어 가스를 주입하여 기화된 소스를 소스 공급관으로 배출시키는 캐리어 가스 공급기(미도시)를 포함할 수 있다. 기화된 소스는 캐리어 가스에 의해 운반되어, 노즐(230)로 공급될 수 있다.Referring to FIG. 1, the supply unit 300 is filled with a source, and may supply a vaporized source to the nozzle 230. The supply unit 300 includes a source container (not shown) in which a source can be accommodated in a solid powder state, a heater (not shown) capable of heating the source container so that the source can be vaporized, a source container and a nozzle 230 ), and a carrier gas supplier (not shown) for discharging the vaporized source to the source supply pipe by injecting a carrier gas into the source container. The vaporized source may be conveyed by a carrier gas and supplied to the nozzle 230.

레이저부(400)는 레이저 광을 생성하고, 처리물(S)의 상면의 결함 위치 예컨대 박막 증착 위치에 레이저 광을 조사하여 열에너지를 공급함으로써, 박막을 증착할 수 있다. 레이저부(400)의 구성과 방식은 다양할 수 있다.The laser unit 400 generates laser light and irradiates the laser light to a defect location, such as a thin film deposition location, on the upper surface of the processed object S to supply thermal energy, thereby depositing a thin film. The configuration and method of the laser unit 400 may be various.

레이저부(400)는 노즐(230)의 소스 분사구의 상측에 설치될 수 있다. 레이저부(400)는 처리물(S)의 일면의 박막 증착 위치에 레이저 광을 조사할 수 있다. 레이저 광은 광학부(500)를 통과하여 박막 증착 위치에 조사될 수 있다.The laser unit 400 may be installed above the source injection port of the nozzle 230. The laser unit 400 may irradiate laser light to a thin film deposition position on one surface of the processed material S. The laser light may pass through the optical unit 500 and be irradiated to the thin film deposition position.

레이저부(400)와 지지부(100) 사이에는 광학부(500)가 설치될 수 있다. 광학부(400)의 구성과 방식은 다양할 수 있다. 광학부(500)는 레이저부(400)에서 발진된 레이저 광을 박막 증착 위치로 안내할 수 있다.An optical unit 500 may be installed between the laser unit 400 and the support unit 100. The configuration and method of the optical unit 400 may be various. The optical unit 500 may guide the laser light oscillated by the laser unit 400 to a thin film deposition position.

흡입부(600)는 박막 증착 위치에서 기화된 소스의 잔류물, 캐리어 가스, 박막 증착 시 생성된 산화물을 흡입할 수 있다. 이때, 흡입부(600)가 레이저 광(L)의 경로를 사이에 두고 노즐부(200)를 마주보도록 배치되기 때문에, 박막 증착 위치에서 기화된 소스가 방향성을 가지고 일방향으로 흐를 수 있고, 이에, 기화된 소스의 잔류물, 캐리어 가스 및 박막 증착 시 생성된 산화물이 흡입부(600)에 원활하게 유입될 수 있다. The suction unit 600 may suck the residue of the source vaporized at the thin film deposition position, a carrier gas, and an oxide generated during thin film deposition. At this time, since the suction unit 600 is disposed to face the nozzle unit 200 with the path of the laser light L therebetween, the source vaporized at the thin film deposition position may flow in one direction with a directionality, and thus, Residues of the vaporized source, carrier gas, and oxides generated during thin film deposition may be smoothly introduced into the suction unit 600.

흡입부(600)는, 레이저부(400)에서 방출되는 레이저 광(L)의 경로를 사이에 두고 노즐부(200)와 마주보는 흡입기(610), 및 흡입기(610)에 형성되고, 레이저 광(L)의 경로를 향하여 개방되는 흡입구(620)를 포함할 수 있다.The suction unit 600 is formed on the inhaler 610 facing the nozzle unit 200 and the inhaler 610 with a path of the laser light L emitted from the laser unit 400 therebetween, and It may include a suction port 620 that is opened toward the path of (L).

흡입기(610)는 블록 형상으로 형성될 수 있고, 내부에 흡입실이 형성될 수 있다. 흡입기(610)는 배기부(700)와 연결될 수 있다. 흡입구(620)는 흡입기(610)의 전방 단부의 모서리에 형성될 수 있다. 이때, 전방 단부는 노즐부(200)를 향하는 단부를 의미한다.The inhaler 610 may be formed in a block shape, and a suction chamber may be formed therein. The inhaler 610 may be connected to the exhaust part 700. The inlet 620 may be formed at the edge of the front end of the inhaler 610. In this case, the front end means an end facing the nozzle part 200.

배기부(700)에 의하여 흡입기(610)의 내부에 대기압보다 낮은 압력이 형성될 수 있고, 이에 박막 증착 위치를 흐르는 기화된 소스의 잔류물, 캐리어 가스 및 박막 증착 시 생성된 산화물이 흡입구(620)를 통과하여 흡입기(610)의 내부로 흡입될 수 있다.A pressure lower than atmospheric pressure may be formed in the inhaler 610 by the exhaust unit 700, and thus, the residue of the vaporized source flowing through the thin film deposition location, the carrier gas, and the oxide generated during the thin film deposition are transferred to the inlet 620 ) And may be sucked into the inhaler 610.

흡입부(600)는 처리물(S)의 상측에 이동 가능하게 설치될 수 있고, 이를 위한 구조는 다양할 수 있다. 또한, 흡입부(600)의 구성은 상술한 구성 외에도 다양할 수 있다.The suction unit 600 may be movably installed on the upper side of the treated material S, and the structure for this may be various. In addition, the configuration of the suction unit 600 may be various in addition to the above-described configuration.

배기부(700)는, 흡입기(610)에 연결되는 배기관(미도시), 배기관에 연결되는 배기 펌프(미도시), 및 배기 펌프와 흡입실 사이에서 배기관에 장착되는 이물 제거기(미도시)를 포함할 수 있다. 배기 펌프가 작동하여 배기관에 음압을 형성하면, 배기관과 연결된 흡입실에도 음압이 형성될 수 있다. 따라서, 박막 증착 위치에서 흡입구(620)를 향하여 기류가 형성되고, 박막 증착 위치를 흐르는 기화된 소스의 잔류물, 캐리어 가스 및 박막 증착 시 생성된 산화물이 흡입구(620)를 통과하여 흡입기(610)의 내부로 흡입될 수 있다. 배기부(700)의 구성은 이 외에도 다양할 수 있다.The exhaust unit 700 includes an exhaust pipe (not shown) connected to the inhaler 610, an exhaust pump (not shown) connected to the exhaust pipe, and a foreign matter remover (not shown) mounted on the exhaust pipe between the exhaust pump and the suction chamber. Can include. When the exhaust pump operates to create a negative pressure in the exhaust pipe, a negative pressure may also be formed in the suction chamber connected to the exhaust pipe. Accordingly, an airflow is formed toward the suction port 620 at the thin film deposition position, and the residue of the vaporized source flowing through the thin film deposition position, the carrier gas, and the oxide generated during the thin film deposition pass through the suction port 620 and the suction port 610 It can be inhaled into the inside of. The configuration of the exhaust part 700 may be various in addition to this.

도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였으나 본 발명은 하기의 변형 예를 포함하여 다양한 형식으로 구성될 수 있다.Although an embodiment of the present invention has been described with reference to FIGS. 1 to 3, the present invention may be configured in various forms including the following modified examples.

도 4는 본 발명의 제1 변형 예에 따른 흡입부의 평면도이다.4 is a plan view of a suction unit according to a first modified example of the present invention.

이하, 도 4를 참조하여, 본 발명의 실시 예의 제1 변형 예에 따른 증착 장치를 설명한다.Hereinafter, a deposition apparatus according to a first modified example of an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4.

이때, 본 발명의 제1 변형 예에 따른 증착 장치는 상술한 본 발명의 실시 예에 따른 증착 장치와 구성이 유사하므로 중복되는 설명은 생략한다. 따라서, 본 발명의 실시 예와 구분되는 본 발명의 제1 변형 예에 따른 증착 장치의 특징을 하기에 자세히 설명한다.In this case, since the deposition apparatus according to the first modified example of the present invention is similar in configuration to the deposition apparatus according to the embodiment of the present invention described above, a duplicate description will be omitted. Accordingly, features of the deposition apparatus according to the first modified example of the present invention that are distinguished from the embodiments of the present invention will be described in detail below.

본 발명의 제1 변형 예에 따른 증착 장치의 흡입부(600')는, 레이저부(400)에서 방출되는 레이저 광(L)의 경로를 둘러싸고, 노즐부(200)가 통과될 수 있도록 일측이 개방되는 흡입기(610'), 및 흡입기(610')에 형성되고, 흡입기(610')가 연장된 방향으로 나열되며, 레이저 광(L)의 경로를 향하여 개방되는 복수의 흡입구(620)를 포함할 수 있다.The suction unit 600 ′ of the deposition apparatus according to the first modification of the present invention surrounds the path of the laser light L emitted from the laser unit 400, and has one side thereof so that the nozzle unit 200 can pass through. Includes a plurality of suction ports 620 that are formed in the open inhaler 610 ′, and in the inhaler 610 ′, are arranged in the direction in which the inhalers 610 ′ extend, and open toward the path of the laser light L can do.

즉, 흡입기(610')는 일측이 절단된 링 형상일 수 있고, 이에, 박막 증착 위치를 둘러쌀 수 있다. 흡입구(620)는 방사상으로 배치될 수 있다. 따라서, 박막 증착 위치에서 흡입구(620)를 향하여 하나 이상의 기류가 형성될 수 있고, 이에, 박막 증착 위치를 흐르는 기화된 소스의 잔류물, 캐리어 가스 및 박막 증착 시 생성된 산화물이 흡입구(620)를 통과하여 흡입실로 원환하게 흡입될 수 있다.That is, the inhaler 610 ′ may have a ring shape with one side cut off, and thus, may surround a thin film deposition position. The suction port 620 may be disposed radially. Accordingly, one or more airflows may be formed toward the suction port 620 at the thin film deposition position, and thus, the residue of the vaporized source flowing through the thin film deposition position, the carrier gas, and the oxide generated during the thin film deposition pass through the suction port 620. It can be inhaled circularly through the suction chamber.

이때, 각각의 흡입구(620)에 각각의 흡입실이 개별로 제공될 수 있고, 각각의 흡입실은 배기부(700)에 의해 음압이 독립적으로 제어될 수 있다. 이러한 경우, 박막 증착 위치에서 흡입구(620)를 향하여 생성되는 기류의 방향을 조절할 수 있고, 이에, 노즐부(200)와 처리물(S)의 상대적인 이동에 의해 그 사이에 대기 흐름이 생성되더라도 이에 맞춰서 기류의 방향을 조절할 수 있다. 이에, 기화된 소스의 잔류물, 캐리어 가스 및 박막 증착 시 생성된 산화물의 흐름이 대기 흐름에 의해 교란되지 않고, 원활하게 흡입구(620)로 흡입될 수 있다. 이러한 흡입실의 독립적인 음압 제어를 위한 배기부(700)의 작동은 제어부(미도시)에 의해 제어될 수 있다.In this case, each suction chamber may be individually provided to each suction port 620, and the sound pressure of each suction chamber may be independently controlled by the exhaust unit 700. In this case, it is possible to adjust the direction of the air flow generated toward the suction port 620 at the thin film deposition position, and thus, even if an air flow is generated between the nozzle unit 200 and the processed object S You can adjust the direction of the airflow accordingly. Accordingly, the flow of the residue of the vaporized source, the carrier gas, and the oxide generated during the deposition of the thin film may be smoothly sucked into the inlet 620 without being disturbed by the atmospheric flow. The operation of the exhaust unit 700 for independent sound pressure control of the suction chamber may be controlled by a control unit (not shown).

도 5는 본 발명의 제2 변형 예에 따른 증착 장치의 개략도이다.5 is a schematic diagram of a deposition apparatus according to a second modified example of the present invention.

이하, 도 5를 참조하여, 본 발명의 실시 예의 제2 변형 예에 따른 증착 장치를 설명한다.Hereinafter, a deposition apparatus according to a second modified example of the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 5.

이때, 본 발명의 제2 변형 예에 따른 증착 장치는 상술한 본 발명의 실시 예에 따른 증착 장치와 구성이 유사하므로 중복되는 설명은 생략한다. 따라서, 본 발명의 실시 예와 구분되는 본 발명의 제2 변형 예에 따른 증착 장치의 특징을 하기에 자세히 설명한다.In this case, since the deposition apparatus according to the second modified example of the present invention is similar in configuration to the deposition apparatus according to the embodiment of the present invention described above, a duplicate description will be omitted. Accordingly, features of the deposition apparatus according to the second modified example of the present invention, which are distinguished from the embodiments of the present invention, will be described in detail below.

본 발명의 제2 변형 예에 따른 증착 장치는, 레이저부(400)에서 방출되는 레이저 광(L)의 경로를 둘러싸도록 형성되고, 에어커튼을 하방으로 분사할 수 있는 차단부(800)를 포함할 수 있다.The deposition apparatus according to the second modified example of the present invention is formed to surround the path of the laser light L emitted from the laser unit 400, and includes a blocking unit 800 capable of injecting an air curtain downward. can do.

차단부(800)는 일종의 쉴드로서, 중심부가 수평 방향으로 연장되고, 가장자리부가 하방으로 연장되며, 내부가 하방으로 개방된 차단 몸체, 차단 몸체의 중심 위치에 장착되는 윈도우(W), 차단 몸체의 가장자리부의 하면에 형성되는 에어커튼 분사구(C), 에어커튼 분사구와 연결되는 에어커튼 가스 공급기(미도시)를 포함할 수 있다. 노즐부(200)는 차단 몸체의 중심부의 일측을 경사지게 관통하도록 배치될 수 있고, 흡입부(600)는 차단 몸체의 내부에 위치할 수 있다. 레이저 광(L)의 경로는 윈도우(W)와 중첩될 수 있다. 박막 증착 위치에서 박막이 증착되는 동안, 에어커튼 분사구(C)를 통하여 하방으로 에어커튼이 분사되고, 이에, 박막 증착 위치를 외기로부터 고립시킬 수 있다. 한편, 윈도우(W)의 하면에는 퍼지 가스가 공급될 수 있고, 이를 위한 퍼지 가스 공급 구조는 다양할 수 있다. 차단부(800)는 별도의 구동기(미도시)에 지지되거나, 노즐부(200)에 지지될 수 있다.The blocking part 800 is a type of shield, the central part extends in the horizontal direction, the edge part extends downward, the inside of the blocking body is open downward, the window (W) mounted at the center position of the blocking body, It may include an air curtain injection hole (C) formed on the lower surface of the edge portion, and an air curtain gas supply (not shown) connected to the air curtain injection hole. The nozzle unit 200 may be disposed to obliquely penetrate one side of the center of the blocking body, and the suction unit 600 may be located inside the blocking body. The path of the laser light L may overlap the window W. While the thin film is deposited at the thin film deposition position, the air curtain is sprayed downward through the air curtain injection hole C, and thus, the thin film deposition location can be isolated from the outside air. Meanwhile, a purge gas may be supplied to the lower surface of the window W, and a purge gas supply structure for this may be various. The blocking part 800 may be supported by a separate actuator (not shown) or may be supported by the nozzle part 200.

도 6의 (a) 및 (b)는 본 발명의 비교 예 및 실시 예에 따른 증착 장치의 모식도이다.6A and 6B are schematic diagrams of a deposition apparatus according to Comparative Examples and Examples of the present invention.

본 발명의 비교 예에서는 챔버부(1)를 사용하여 처리물(S)에 기화된 소스를 공급한다. 반면, 본 발명의 실시 예에서는 노즐부(200)를 사용하여 처리물(S)에 기화된 소스를 공급한다.In a comparative example of the present invention, a vaporized source is supplied to the processed material S by using the chamber unit 1. On the other hand, in the embodiment of the present invention, the vaporized source is supplied to the processed material S by using the nozzle unit 200.

도면을 보면, 챔버부(1)에 의한 처리물(S)의 열접촉 면적(W1)은 노즐부(200)에 의한 처리물(S)의 열접촉 면적(W2)에 비하여 상당히 크다. 이에, 본 발명의 실시 예에 따른 노즐부(200)를 사용하게 되면, 챔버부(1)를 사용하는 것에 비해 처리물(S)의 열 손상을 억제 혹은 방지할 수 있다. 따라서, 열 손상을 방지하기 위해, 챔버부(1)를 사용하게 되면 처리물(S)에서 챔버부(1)를 상대적으로 높게 이격시켜야 하나, 노즐부(200)를 사용하게 되면, 처리물(S)에 노즐부(200)를 상대적으로 가깝게 위치시킬 수 있다.Referring to the drawing, the thermal contact area W1 of the processed material S by the chamber unit 1 is considerably larger than the thermal contact area W2 of the processed material S by the nozzle unit 200. Accordingly, when the nozzle unit 200 according to the exemplary embodiment of the present invention is used, compared to the use of the chamber unit 1, thermal damage to the treated object S can be suppressed or prevented. Therefore, in order to prevent thermal damage, when the chamber unit 1 is used, the chamber unit 1 must be separated from the processed material S relatively high, but when the nozzle unit 200 is used, the processed material ( The nozzle part 200 may be located relatively close to S).

이에, 챔버부(1)와 처리물(S) 사이의 이격 거리(D1)보다 노즐부(200)와 처리물(S) 사이의 이격 거리(D2)를 짧게 할 수 있다. 즉, 챔버부(1)보다 노즐부(200)를 처리물(S)에 더 가깝게 위치시킬 수 있다. 구체적으로 챔버부(1)를 처리물(S)에 수 밀리미터의 거리로 접근할 수 있으며, 노즐부(200)는 그 보다 짧은 거리인 수 내지 수백 마이크로 미터의 거리로 처리물(S)에 접근할 수 있다.Accordingly, the separation distance D2 between the nozzle unit 200 and the processed material S may be shorter than the separation distance D1 between the chamber unit 1 and the processed material S. That is, the nozzle unit 200 may be positioned closer to the processed object S than the chamber unit 1. Specifically, the chamber unit 1 can be approached to the processed material S at a distance of several millimeters, and the nozzle unit 200 accesses the processed material S at a distance of several to several hundred micrometers, which is a shorter distance. can do.

따라서, 본 발명의 실시 예에서는 노즐부(200)가 처리물(S)에 가깝게 위치할 수 있으므로, 소스의 공급량을 줄일 수 있고, 이에, 박막 증착 위치에서 박막 증착 시 생성되는 산화물을 흡입부(600)의 내부로 원활하게 흡입할 수 있다.Accordingly, in an embodiment of the present invention, since the nozzle unit 200 may be located close to the processed material S, the amount of supply of the source can be reduced, and thus, the oxide generated during thin film deposition at the thin film deposition position is sucked into the suction unit ( 600) can be inhaled smoothly.

이로부터 처리물(S)에 산화물이 누적되는 것이 방지될 수 있고, 박막 증착이 원활할 수 있고, 따라서, 흑점 불량이 발생하지 않을 수 있고, 후공정으로 청정한 상태의 처리물(S)을 공급함으로써, 후공정에서 처리물(S)이 폐기되거나, 처리물(S)에 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 후공정의 공정 효율에도 좋은 영향을 줄 수 있다.From this, the accumulation of oxides in the processed material S can be prevented, thin film deposition can be smooth, and therefore, black spot defects may not occur, and the processed material S in a clean state can be supplied as a post process. By doing so, it is possible to prevent the treatment product S from being discarded or defects in the treatment product S in the subsequent process. That is, it can have a good effect on the process efficiency of the post process.

이하, 본 발명의 실시 예에 따른 증착 장치에 적용되는 증착 방법을 설명한다. 본 발명의 실시 예에 따른 증착 방법은, 처리물(S)을 지지부(100)에 마련하는 과정, 노즐부(200)와 흡입부(600)를 처리물(S)의 일면의 박막 증착 위치의 양측에 위치시키는 과정, 노즐부(200)를 통하여 박막 증착 위치에 기화된 소스를 공급하는 과정, 레이저를 조사하여 처리물(S)의 박막 증착 위치에 박막을 형성하는 과정, 흡입부(600)를 이용하여 박막 증착 위치에서 생성되는 이물 예컨대 산화물 및 기화된 소스의 잔류물을 흡입하는 과정을 포함한다. 이러한 과정을 통하여 처리물(S)의 일면에 형성된 결함을 리페어할 수 있다. 이때, 노즐부(200)를 처리물(S)에 가깝게 위치시킬 수 있고, 이에, 소스의 공급량을 줄일 수 있다. 따라서, 소스 공급용 배관의 막힘 현상을 줄일 수 있고, 산화물 생성을 줄일 수 있다.Hereinafter, a deposition method applied to a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention will be described. In the deposition method according to an embodiment of the present invention, the process of providing the treatment material S on the support part 100, and the nozzle part 200 and the suction part 600 are disposed at the deposition position of the thin film on one side of the treatment material S. The process of positioning both sides, the process of supplying a vaporized source to the deposition location of the thin film through the nozzle unit 200, the process of forming a thin film at the deposition location of the thin film of the processed material S by irradiating a laser, the suction unit 600 It includes a process of inhaling foreign substances, such as oxides and residues of vaporized sources, generated at the thin film deposition location. Through this process, a defect formed on one surface of the treated material S may be repaired. In this case, the nozzle unit 200 may be positioned close to the processed material S, and thus, the amount of source supplied may be reduced. Accordingly, it is possible to reduce clogging of the source supply pipe and reduce oxide generation.

이에, 공정 효율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 후공정으로 산화물이 유입되는 것을 억제 혹은 방지하여, 후공정의 공정 효율 및 신뢰성도 향상시킬 수 있다.Accordingly, process efficiency and reliability can be improved. In addition, it is possible to suppress or prevent the introduction of oxides into the post process, thereby improving process efficiency and reliability of the post process.

본 발명의 상기 실시 예는 본 발명의 설명을 위한 것이고, 본 발명의 제한을 위한 것이 아니다. 본 발명의 상기 실시 예 및 그 변형 예들에 개시된 구성과 방식은 서로 결합하거나 교차하여 다양한 형태로 조합 및 변형될 것이고, 이에 의한 또 다른 변형 예들도 본 발명의 범주로 볼 수 있음을 주지해야 한다. 즉, 본 발명은 청구범위 및 이와 균등한 기술적 사상의 범위 내에서 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 본 발명이 해당하는 기술 분야에서의 업자는 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.The above embodiments of the present invention are for the purpose of explanation of the present invention and are not intended to limit the present invention. It should be noted that the configurations and methods disclosed in the above embodiments and their modified examples of the present invention will be combined or modified in various forms by combining or intersecting with each other, and other modified examples thereby can be seen as the scope of the present invention. That is, the present invention will be implemented in a variety of different forms within the scope of the claims and the technical idea equivalent thereto, and a person in the technical field to which the present invention corresponds can various embodiments within the scope of the technical idea of the present invention. You will be able to understand.

100: 지지부
200: 노즐부
600: 흡입부
700: 배기부
800: 차단부
100: support
200: nozzle part
600: suction unit
700: exhaust
800: blocking portion

Claims (11)

처리물을 안착시킬 수 있는 지지부;
상기 처리물의 일면에 레이저를 조사할 수 있도록 설치되는 레이저부;
기화된 소스를 토출할 수 있도록 형성되고, 상기 지지부의 상측에 배치되고, 경사지게 연장되는 노즐부; 및
상기 노즐부를 마주볼 수 있도록 설치되는 흡입부;를 포함하는 증착 장치.
A support for mounting the treated material;
A laser unit installed to irradiate a laser on one surface of the processed object;
A nozzle part formed to discharge the vaporized source, disposed above the support part, and extending obliquely; And
A deposition apparatus comprising a; suction unit installed to face the nozzle unit.
청구항 1에 있어서,
상기 노즐부는 적어도 하나 이상 배치되는 증착 장치.
The method according to claim 1,
A deposition apparatus in which at least one nozzle unit is disposed.
청구항 1에 있어서,
상기 노즐부 및 상기 흡입부는 상기 레이저부에서 방출되는 레이저 광의 경로의 양측에 각각 위치하는 증착 장치.
The method according to claim 1,
The nozzle part and the suction part are respectively positioned on both sides of a path of the laser light emitted from the laser part.
청구항 1에 있어서,
상기 노즐부는,
상기 지지부의 상측에 이동 가능하게 설치되는 구동기;
상기 구동기에 경사지게 지지되는 노즐;을 포함하는 증착 장치.
The method according to claim 1,
The nozzle part,
A driver installed to be movable above the support;
A deposition apparatus comprising a; a nozzle supported inclined to the driver.
청구항 4에 있어서,
상기 노즐은,
상기 지지부를 향하여 경사지게 연장되고, 내부에 소스 통로가 형성되는 노즐 몸체;
상기 노즐 몸체의 하단부를 경사지게 관통하고, 상기 소스 통로와 연통하는 소스 분사구;를 포함하는 증착 장치.
The method of claim 4,
The nozzle,
A nozzle body extending obliquely toward the support and having a source passage formed therein;
Evaporation apparatus including a; source injection hole obliquely penetrating the lower end of the nozzle body and communicating with the source passage.
청구항 4에 있어서,
상기 노즐은 메탈 재질을 포함하는 증착 장치.
The method of claim 4,
The nozzle is a deposition apparatus comprising a metal material.
청구항 4에 있어서,
상기 노즐의 하단부와 상기 처리물 사이의 거리는 0 초과 500㎛ 이하인 증착 장치.
The method of claim 4,
A deposition apparatus in which the distance between the lower end of the nozzle and the treated object is greater than 0 and less than or equal to 500 μm.
청구항 4에 있어서,
상기 노즐의 직경은 0.2 내지 3㎜ 인 증착 장치.
The method of claim 4,
The diameter of the nozzle is 0.2 to 3 mm deposition apparatus.
청구항 1에 있어서,
상기 흡입부는,
상기 레이저부에서 방출되는 레이저 광의 경로를 사이에 두고 상기 노즐부와 마주보는 흡입기;
상기 흡입기에 형성되고, 상기 레이저 광의 경로를 향하여 개방되는 흡입구;를 포함하는 증착 장치.
The method according to claim 1,
The suction unit,
An inhaler facing the nozzle unit with a path of the laser light emitted from the laser unit therebetween;
And a suction port formed in the suction device and opened toward the path of the laser light.
청구항 1에 있어서,
상기 흡입부는,
상기 레이저부에서 방출되는 레이저 광의 경로를 둘러싸고, 상기 노즐부가 통과될 수 있도록 일측이 개방되는 흡입기;
상기 흡입기에 형성되고, 상기 흡입기가 연장된 방향으로 나열되며, 상기 레이저 광의 경로를 향하여 개방되는 흡입구;를 포함하는 증착 장치.
The method according to claim 1,
The suction unit,
An inhaler that surrounds a path of laser light emitted from the laser unit and has one side open so that the nozzle unit can pass;
And a suction port formed in the inhaler, arranged in a direction in which the inhaler extends, and opened toward the path of the laser light.
청구항 1에 있어서,
상기 레이저부에서 방출되는 레이저 광의 경로를 둘러싸도록 형성되고, 에어커튼을 하방으로 분사할 수 있는 차단부;를 포함하는 증착 장치.
The method according to claim 1,
A deposition apparatus comprising; a blocking unit formed to surround the path of the laser light emitted from the laser unit and capable of spraying the air curtain downward.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230029357A (en) * 2021-08-24 2023-03-03 참엔지니어링(주) Nozzle type deposition apparatus

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060019303A (en) * 2004-08-27 2006-03-03 엘지전자 주식회사 Apparatus for processing a thin film on substrate for flat panel display device
KR101639777B1 (en) 2015-01-16 2016-07-15 참엔지니어링(주) Repairing apparatus
KR20170070947A (en) 2015-12-14 2017-06-23 참엔지니어링(주) Deposition apparatus and method
KR101925579B1 (en) * 2017-06-23 2018-12-05 참엔지니어링(주) Deposition apparatus

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014019937A (en) * 2012-07-23 2014-02-03 Omron Corp Laser processing device
CN107012446B (en) * 2015-11-11 2019-09-17 灿美工程股份有限公司 Precipitation equipment and deposition method
KR101876963B1 (en) * 2017-03-14 2018-07-10 주식회사 에이치비테크놀러지 Thin film forming apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060019303A (en) * 2004-08-27 2006-03-03 엘지전자 주식회사 Apparatus for processing a thin film on substrate for flat panel display device
KR101639777B1 (en) 2015-01-16 2016-07-15 참엔지니어링(주) Repairing apparatus
KR20170070947A (en) 2015-12-14 2017-06-23 참엔지니어링(주) Deposition apparatus and method
KR101925579B1 (en) * 2017-06-23 2018-12-05 참엔지니어링(주) Deposition apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230029357A (en) * 2021-08-24 2023-03-03 참엔지니어링(주) Nozzle type deposition apparatus

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