KR20200135279A - 다이 본딩 필름, 다이싱 다이 본딩 시트, 및 반도체 칩의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

제1 층과, 이 제1 층 상에 구비된 제2 층을 포함하고, 이 제1 층은 용융 점도의 초기 검출 온도가 75℃ 이하인 특성을 가지며; 이 제2 층은 점착성 및 에너지선 경화성을 갖고; 두께가 10㎛이며, 또한 폭이 25㎜보다 넓은 이 제2 층을 시험편으로 하고, 이 시험편을 실리콘 미러 웨이퍼에 첩부하여, 폭 25㎜가 되도록 이 시험편을 절단하고, 절단 후의 이 시험편을 이 실리콘 미러 웨이퍼째 순수 중에 2시간 침지하고, 침지 후의 이 시험편을 에너지선 경화시켜 경화물로 함으로써, 이 실리콘 미러 웨이퍼에 이 경화물이 첩부되어 있는 시험용 적층체를 제작했을 때의, 폭이 25㎜인 이 경화물과, 이 실리콘 미러 웨이퍼 사이의 점착력이 6N/25㎜ 이상이 되는 특성을 갖는 다이 본딩 필름.

Description

다이 본딩 필름, 다이싱 다이 본딩 시트, 및 반도체 칩의 제조 방법
본 발명은 다이 본딩 필름, 다이싱 다이 본딩 시트, 및 반도체 칩의 제조 방법에 관한 것이다.
본원은 2018년 3월 23일에 일본에 출원된 특허출원 2018-057007호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
반도체 칩은 통상, 그 이면에 첩부되어 있는 다이 본딩 필름에 의해, 기판의 회로 형성면에 다이 본딩된다. 그 후, 필요에 따라 이 반도체 칩에 추가로 반도체 칩을 1개 이상 적층하고, 와이어 본딩을 행한 후, 얻어진 것 전체를 수지에 의해 봉지함으로써, 반도체 패키지가 제작된다. 그리고, 이 반도체 패키지를 사용하여, 목적으로 하는 반도체 장치가 제작된다.
이면에 다이 본딩 필름을 구비한 반도체 칩은 예를 들면, 이면에 다이 본딩 필름을 구비한 반도체 웨이퍼를 다이 본딩 필름과 함께 분할(절단)함으로써 제작된다. 이와 같이 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 분할하는 방법으로는, 예를 들면, 다이싱 블레이드를 이용하여, 반도체 웨이퍼를 다이 본딩 필름째 다이싱하는 방법이 널리 이용되고 있다. 이 경우, 분할(절단) 전의 다이 본딩 필름은 다이싱시 반도체 웨이퍼를 고정하기 위해 사용되는 다이싱 시트에 적층되어 일체화된 다이싱 다이 본딩 시트로서 사용된다.
다이싱 종료 후, 이면에 다이 본딩 필름을 구비한 반도체 칩(다이 본딩 필름이 형성된 반도체 칩)은 다이싱 시트로부터 분리되어 픽업된다.
한편, 다이 본딩 필름으로는, 지금까지, 예를 들면, 120℃에 있어서의 탄성률 G가 30000Pa 이하인 것이 개시되어 있다(특허문헌 1 참조). 특허문헌 1에 의하면, 이 다이 본딩 필름을 사용함으로써, 다이 본딩 필름의 반도체 칩측 계면 또는 기판측 계면에 있어서, 보이드(공극부)의 발생을 억제할 수 있다고 되어 있다.
또한, 와이어 매입층과, 그 위에 적층된 절연층의 2층 구성의 다이 본딩 필름이 개시되어 있다(특허문헌 2 참조). 특허문헌 2에 의하면, 이 다이 본딩 필름은 칩이 3차원적으로 적층된 반도체 패키지의 제조에 바람직하다고 되어 있다.
일본 공개특허공보 2013-77855호 일본 공개특허공보 2007-53240호
다이싱 후의 반도체 칩은 상술한 바와 같이, 이면에 다이 본딩 필름을 구비한 상태인 채, 다이싱 시트로부터 분리되어 픽업되고, 다이 본딩 필름에 의해, 기판의 회로 형성면에 다이 본딩된다. 그러나, 다이 본딩 필름과 반도체 칩 사이의 점착력(접착력)이 불충분하면, 픽업시에 있어서, 다이 본딩 필름의 일부 또는 전부가 반도체 칩으로부터 박리되어 다이싱 시트 상에 남아, 다이 본딩 필름의 다이싱 시트로부터 반도체 칩에 대한 전사에 이상이 발생한다. 본 명세서에 있어서는, 이러한 이상을 「전사 불량」으로 칭한다.
이러한 다이 본딩 필름의 전사 불량은 다이싱 블레이드를 이용한 다이싱에 의해, 반도체 웨이퍼를 사이즈가 작은 반도체 칩으로 분할할 때, 특히 발생하기 쉽다. 이는 다이싱 블레이드의 반도체 웨이퍼에 대한 접촉 개소에, 물(「절삭수」로 칭하기도 한다)을 흘리면서, 다이싱을 행하기 때문이다. 다이싱에 의해 얻어진 반도체 칩의 사이즈가 작을수록, 1개의 반도체 칩의 표면적에 대한 물의 접촉량은 증대하기 때문에, 물의 영향을 현격히 받기 쉬워진다. 그리고, 다이 본딩 필름과 반도체 칩 사이의 점착력(접착력)이 불충분한 경우에는, 다이 본딩 필름과 반도체 칩의 계면에 물이 침입하기 쉬워진다. 물이 침입하면, 다이 본딩 필름은 반도체 칩으로부터 박리되기 쉬워져, 상기와 같이 전사 불량이 발생하기 쉬워진다.
이에 대해, 특허문헌 1에 개시되어 있는 다이 본딩 필름은 그 반도체 칩측 계면에 있어서, 보이드(공극부)의 발생을 억제할 수 있다고 해도, 반도체 칩의 사이즈가 작은 경우, 픽업시에 있어서의 다이 본딩 필름의 전사 불량을 억제할 수 있는지는 확실하지 않다.
통상, 다이 본딩 필름의 전사 불량을 억제하기 위해서는, 다이 본딩 필름의 점착력을 증대시키는 등, 물성을 개선하면 된다. 그러나, 다이 본딩 필름은 반도체 칩을 기판의 회로 형성면에 다이 본딩 하는데 이용된다. 다이 본딩 필름의 물성을 전사 불량의 억제에 유리해지도록 개선하면, 예를 들면, 다이 본딩시의 기판 표면과 다이 본딩 필름 사이에서, 간극의 발생을 억제하고, 다이 본딩 필름이 기판 표면을 피복하는, 이른바 기판의 매입성이 저하될 수 있다.
이에 대해, 특허문헌 2에 개시되어 있는 다이 본딩 필름은 와이어 매입층 및 절연층의 2층 구성을 가져, 기판의 매입성이 양호함을 암시하고 있다. 그러나, 이 다이 본딩 필름의 절연층은 반도체 칩의 사이즈가 작은 경우, 픽업시에 있어서의 다이 본딩 필름의 전사 불량을 억제할 수 있는지는 확실하지 않다.
본 발명은 사이즈가 작은 반도체 칩의 픽업시에 있어서, 반도체 칩에 대한 전사 불량을 억제 가능하고, 또한, 다이 본딩시에 있어서, 기판을 양호하게 매입 가능한 다이 본딩 필름과, 이 다이 본딩 필름을 구비한 다이싱 다이 본딩 시트와, 이 다이싱 다이 본딩 시트를 사용한 반도체 칩의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 제1 층을 구비하고, 상기 제1 층 상에 제2 층을 구비하고 있으며, 상기 제1 층의, 용융 점도의 초기 검출 온도가 75℃ 이하이며, 상기 제2 층은 점착성 및 에너지선 경화성을 갖고, 두께가 10㎛이며, 또한 폭이 25㎜보다 넓은 상기 제2 층을 시험편으로서 사용하고, 상기 시험편을 실리콘 미러 웨이퍼에 첩부하여 폭이 25㎜가 되도록 절단하고, 절단 후의 상기 시험편을 상기 실리콘 미러 웨이퍼째 순수 중에 2시간 침지하고, 침지 후의 상기 시험편을 에너지선 경화시켜 경화물로 함으로써, 실리콘 미러 웨이퍼에 상기 경화물이 첩부되어 있는 시험용 적층체를 제작했을 때의, 폭이 25㎜인 상기 경화물과, 상기 실리콘 미러 웨이퍼 사이의 점착력이 6N/25㎜ 이상이 되는 다이 본딩 필름을 제공한다.
또한, 본 발명은 지지 시트를 구비하고, 상기 지지 시트 상에 상기 다이 본딩 필름을 구비하고 있으며, 상기 다이 본딩 필름 중의 제1 층이 상기 지지 시트측에 배치되어 있는 다이싱 다이 본딩 시트를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 다이 본딩 필름 중, 제2 층에 반도체 웨이퍼가 첩부되고, 제1 층에 다이싱 시트가 첩부되어 있는 적층체(1-1), 또는 상기 다이싱 다이 본딩 시트 중, 다이 본딩 필름 중의 제2 층에 반도체 웨이퍼가 첩부되어 있는 적층체(1-2)를 제작하는 공정과, 다이싱 블레이드를 이용하여, 상기 적층체(1-1) 또는 적층체(1-2) 중의 상기 반도체 웨이퍼를 상기 다이 본딩 필름과 함께 절단함으로써, 절단된 상기 제1 층, 절단된 상기 제2 층, 및 상기 반도체 칩을 구비한 적층체(2)를 제작하는 공정과, 상기 적층체(2) 중의 절단된 상기 제2 층을 에너지선 경화시켜 경화물로 함으로써, 절단된 상기 제1 층, 상기 경화물, 및 상기 반도체 칩을 구비한 적층체(3)를 제작하는 공정과, 상기 적층체(3)에 있어서, 절단된 상기 제1 층 및 상기 경화물을 구비한 상기 반도체 칩을 상기 다이싱 시트 또는 지지 시트로부터 분리하여 픽업하는 공정을 갖는 반도체 칩의 제조 방법을 제공한다.
즉, 본 발명은 이하의 양태를 포함한다.
[1] 제1 층과, 상기 제1 층 상에 구비된 제2 층을 포함하고,
상기 제1 층은 용융 점도의 초기 검출 온도가 75℃ 이하인 특성을 가지며,
상기 제2 층은 점착성 및 에너지선 경화성을 갖고, 또한
두께가 10㎛이며, 또한 폭이 25㎜보다 넓은 상기 제2 층을 시험편으로 하고, 상기 시험편을 실리콘 미러 웨이퍼에 첩부하여, 폭 25㎜가 되도록 상기 시험편을 절단하고, 절단 후의 상기 시험편을 상기 실리콘 미러 웨이퍼째 순수 중에 2시간 침지하고, 침지 후의 상기 시험편을 에너지선 경화시켜 경화물로 함으로써, 상기 실리콘 미러 웨이퍼에 상기 경화물이 첩부되어 있는 시험용 적층체를 제작했을 때, 폭이 25㎜인 상기 경화물과, 상기 실리콘 미러 웨이퍼 사이의 점착력이 6N/25㎜ 이상이 되는 특성을 갖는 다이 본딩 필름.
[2] 지지 시트와, 상기 지지 시트 상에 구비된, [1]에 기재된 다이 본딩 필름을 포함하고,
상기 다이 본딩 필름 중의 상기 제1 층이 상기 지지 시트측에 배치되어 있는 다이싱 다이 본딩 시트.
[3] [1]에 기재된 다이 본딩 필름 중, 상기 제2 층에 반도체 웨이퍼가 첩부되고, 상기 제1 층에 다이싱 시트가 첩부되어 있는 적층체(1-1), 또는 [2]에 기재된 다이싱 다이 본딩 시트 중, 상기 다이 본딩 필름 중의 제2 층에 반도체 웨이퍼가 첩부되어 있는 적층체(1-2)를 제작하는 공정과,
다이싱 블레이드에 의해, 상기 적층체(1-1) 또는 상기 적층체(1-2) 중의 상기 반도체 웨이퍼를 상기 다이 본딩 필름과 함께 절단함으로써, 절단된 상기 제1 층, 절단된 상기 제2 층, 및 상기 절단된 반도체 웨이퍼인 반도체 칩을 구비한 적층체(2)를 제작하는 공정과,
상기 적층체(2) 중의 절단된 상기 제2 층을 에너지선 경화시켜 경화물로 함으로써, 절단된 상기 제1 층, 상기 경화물, 및 상기 반도체 칩을 구비한 적층체(3)를 제작하는 공정과,
상기 적층체(3)에 있어서, 절단된 상기 제1 층 및 상기 경화물을 구비한 상기 반도체 칩을 상기 지지 시트 또는 상기 다이싱 시트로부터 분리하여 픽업하는 공정을 포함하는 반도체 칩의 제조 방법.
본 발명에 의하면, 사이즈가 작은 반도체 칩의 픽업시에 있어서, 반도체 칩에 대한 전사 불량을 억제 가능하고, 또한, 다이 본딩시에 있어서, 기판을 양호하게 매입 가능한 다이 본딩 필름과, 이 다이 본딩 필름을 구비한 다이싱 다이 본딩 시트와, 이 다이싱 다이 본딩 시트를 사용한 반도체 칩의 제조 방법이 제공된다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 다이 본딩 필름을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 다이싱 다이 본딩 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 다이싱 다이 본딩 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 다이싱 다이 본딩 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 다이싱 다이 본딩 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 칩의 제조 방법을 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 7은 본 발명에 의해 얻어진 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 반도체 칩이 기판의 회로 형성면에 다이 본딩되어 있는 상태의 일 예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
◇다이 본딩 필름
본 발명의 일 실시형태에 따른 다이 본딩 필름은, 제1 층과, 상기 제1 층 상에 구비된 제2 층을 포함하고, 상기 제1 층은 용융 점도의 초기 검출 온도(본 명세서에 있어서는, 「T0」으로 약기하는 경우가 있다)가 75℃ 이하인 특성을 가지며, 상기 제2 층은 점착성 및 에너지선 경화성을 갖고, 또한 두께가 10㎛이며 또한 폭이 25㎜보다 넓은 상기 제2 층을 시험편으로 하고, 상기 시험편을 실리콘 미러 웨이퍼에 첩부하여, 폭 25㎜가 되도록 상기 시험편을 절단하고, 절단 후의 상기 시험편을 상기 실리콘 미러 웨이퍼째 순수 중에 2시간 침지하고, 침지 후의 상기 시험편을 에너지선 경화시켜 경화물로 함으로써, 상기 실리콘 미러 웨이퍼에 상기 경화물이 첩부되어 있는 시험용 적층체를 제작했을 때, 폭이 25㎜인 상기 경화물과, 상기 실리콘 미러 웨이퍼 사이의 점착력(본 명세서에 있어서는, 「침지 후 점착력」으로 약기하는 경우가 있다)이 6N/25㎜ 이상이 되는 특성을 갖는다.
한편, 상기 특성을 갖는 제2 층의 형성 재료와 동일한 재료로 형성된 층을 제2 층으로서 갖는 다이 본딩 필름은 본 발명에 포함된다.
상기 다이 본딩 필름에 있어서, 제1 층은 기판에 대한 다이 본딩에 이용된다.
한편, 제2 층은 반도체 웨이퍼에 첩부되고, 에너지선의 조사에 의해 경화된 후, 반도체 칩과 함께 픽업된다. 반도체 웨이퍼의 제2 층의 첩부면은 반도체 웨이퍼의 회로가 형성되어 있는 측과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「이면」으로 칭하는 경우가 있다)이다.
본 명세서에 있어서, 「에너지선」이란, 전자파 또는 하전 입자선 중에서 에너지 양자를 갖는 것을 의미하며, 그 예로서 자외선, 방사선, 전자선 등을 들 수 있다.
자외선은 예를 들면, 자외선원으로서 고압 수은 램프, 퓨전 램프, 크세논 램프, 블랙 라이트, 또는 LED 램프 등을 이용함으로써 조사할 수 있다. 전자선은 전자선 가속기 등에 의해 발생시킨 것을 조사할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 「에너지선 경화성」이란, 에너지선을 조사함으로써 경화하는 성질을 의미하며, 「비에너지선 경화성」이란, 에너지선을 조사해도 경화하지 않는 성질을 의미한다.
상기 다이 본딩 필름에 있어서, 제1 층은 점착성을 갖는다. 그리고, 제1 층의 용융 점도의 초기 검출 온도(T0)가 75℃ 이하임으로써, 다이 본딩시에 있어서, 기판 표면과 제1 층 사이에서는, 간극의 발생이 억제되어, 제1 층이 기판 표면을 양호하게 피복하고, 제1 층은 기판을 양호하게 매입 가능하다.
한편, 상기 다이 본딩 필름에 있어서, 제2 층은 점착성 및 에너지선 경화성을 갖는다. 그리고, 제2 층의 시험편을 사용하여 측정된 상기 점착력(침지 후 점착력)이 6N/25㎜ 이상임으로써, 사이즈가 작은 반도체 칩의 픽업시에 있어서, 제2 층의 경화물의 일부 또는 전부가 반도체 칩으로부터 박리되지 않으며, 제2 층의 경화물은 반도체 칩에 대한 전사 불량을 억제 가능하고, 양호한 전사성을 갖는다.
그리고, 제1 층 및 제2 층은 제2 층의 에너지선 경화의 전후에 상관없이, 안정적으로 이들의 적층 구조를 유지 가능하다.
따라서, 상기 다이 본딩 필름은 사이즈가 작은 반도체 칩에 대한 양호한 전사성과, 양호한 기판의 매입성을 함께 갖고 있다.
본 명세서에 있어서는, 제1 층이 이 이외의 층과의 적층 상태가 아닌, 단독으로 존재하고 있는 경우에는, 이러한 제1 층을 「제1 필름」으로 칭하는 경우가 있다.
동일하게, 제2 층이 이 이외의 층과의 적층 상태가 아닌, 단독으로 존재하고 있는 경우에는, 이러한 제2 층을 「제2 필름」으로 칭하는 경우가 있다.
◎제1 층(제1 필름)
상기 제1 층(제1 필름)은 상술한 바와 같이, 점착성을 갖는다.
제1 층은 추가로 경화성을 갖고 있어도(경화성이어도) 되고, 경화성을 갖지 않아도(비경화성이어도) 되며, 경화성을 갖는 경우, 예를 들면, 열경화성 및 에너지선 경화성 중 어느 것을 갖고 있어도 되고, 열경화성 및 에너지선 경화성을 함께 갖고 있어도 된다.
경화성을 갖지 않는 제1 층과, 경화성을 갖는 미경화인 제1 층은 모두, 각종 피착체에 가볍게 가압함으로써 첩부할 수 있다.
또한, 제1 층은 경화의 유무에 상관없이, 가열하여 연화시킴으로써, 각종 피착체에 첩부할 수 있는 것이어도 된다.
경화성을 갖지 않는 제1 층과, 경화성을 갖는 제1 층의 경화물은 모두, 혹독한 고온·고습도 조건하에 있어서도 충분한 접착 특성을 유지할 수 있다.
제1 층의 T0은 75℃ 이하이며, 73℃ 이하인 것이 바람직하고, 71℃ 이하인 것이 보다 바람직하며, 69℃ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 예를 들면, 66℃ 이하 및 62℃ 이하 중 어느 하나여도 된다. 또 다른 측면으로서, 제1 층의 T0은 68℃ 이하여도 되고, 59℃ 이하여도 된다.
T0이 상기 상한값 이하임으로써, 제1 층의 기판의 매입성이 보다 높아진다.
제1 층의 T0의 하한값은 특별히 한정되지 않는다.
제1 층의 T0은 제1 층을 포함하는 다이 본딩 필름의 취급성이 보다 높아지는 점에서는, 50℃ 이상인 것이 바람직하다.
제1 층의 T0은 상술한 바람직한 하한값 및 상한값을 임의로 조합하여 설정되는 범위 내로 적절히 조절할 수 있다. 예를 들면, T0은 바람직하게는 50∼75℃, 보다 바람직하게는 50∼73℃, 더욱 바람직하게는 50∼71℃, 특히 바람직하게는 50∼69℃이며, 예를 들면, 50∼66℃ 및 50∼62℃ 중 어느 하나여도 된다. 또 다른 측면으로서, T0은 50∼68℃여도 되고, 50∼59℃ 이하여도 된다.
단, 이들은 제1 층의 T0의 일 예이다.
본 실시형태에 있어서, 제1 층의 T0은 예를 들면, 이하의 방법으로 측정할 수 있다.
즉, 캐필러리 레오미터를 이용하여, 그 실린더(캐필러리) 내에 측정 대상의 제1 필름(단독으로 존재하고 있는 제1 층)을, 예를 들면 직경 10㎜, 높이 20㎜의 원주 형상 시험편으로 하여 세트하고, 실린더의 내벽에 접촉하면서 이 내벽을 따라, 실린더의 길이 방향(다시말하면, 중심축 방향)으로 이동 가능한 피스톤에 의해, 이 실린더 내의 제1 필름(상기 시험편)에 대해 일정한 크기의 힘(예를 들면, 5.10N(50kgf)을 가한 상태(하중을 가한 상태)를 유지하면서, 제1 필름(상기 시험편)을 승온(예를 들면, 승온 속도 10℃/min으로 50℃에서 120℃까지 승온)시킨다. 그리고, 실린더의 선단부(제1 필름(상기 시험편)에 대해 힘을 가하고 있는 방향의 선단부)에 형성된 홀(예를 들면, 직경 0.5㎜, 높이 1.0㎜의 홀)로부터, 실린더의 외부에 제1 필름(상기 시험편)의 압출이 개시되었을 때, 즉, 제1 필름(상기 시험편)의 용융 점도의 검출이 개시되었을 때의, 제1 필름(상기 시험편)의 온도를 제1 필름(다시말하면, 제1 층)의 초기 검출 온도 T0(℃)으로 채용한다. 측정에 제공하는 제1 필름의 크기 및 형상은 실린더의 크기 등을 고려하여 적절히 조절할 수 있다.
한편, 본 명세서에 있어서, 「용융 점도」란, 특별히 언급이 없는 한, 상술한 방법으로 측정된 용융 점도를 의미한다.
제1 층은 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 되며, 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.
한편, 본 명세서에 있어서는, 제1 층의 경우에 한정하지 않고, 「복수층이 서로 동일해도 상이해도 된다」란, 「모든 층이 동일해도 되고, 모든 층이 상이해도 되며, 일부의 층만이 동일해도 된다」는 것을 의미하며, 또한 「복수층이 서로 상이하다」란, 「각 층의 구성 재료 및 두께의 적어도 한쪽이 서로 상이하다」는 것을 의미한다.
제1 층의 두께는 특별히 한정되지 않으나, 1∼40㎛인 것이 바람직하고, 3∼30㎛인 것이 보다 바람직하며, 5∼20㎛인 것이 특히 바람직하다. 제1 층의 두께가 상기 하한값 이상임으로써, 제1 층의 기판의 매입성이 보다 높아진다. 제1 층의 두께가 상기 상한값 이하임으로써, 후술하는 반도체 칩의 제조 공정에 있어서, 제1 층(다이 본딩 필름)을 보다 용이하게 절단할 수 있고, 또한, 제1 층에서 유래하는 절단편의 발생량을 보다 저감할 수 있다.
여기서, 「제1 층의 두께」란, 제1 층 전체의 두께를 의미하며, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 제1 층의 두께란, 제1 층을 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다.
제1 층(제1 필름)은 그 구성 재료를 함유하는 제1 접착제 조성물로부터 형성할 수 있다. 예를 들면, 제1 층의 형성 대상면에 제1 접착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 제1 층을 형성할 수 있다.
제1 접착제 조성물 중의, 상온에서 기화하지 않는 성분끼리의 함유량의 비율은 통상, 제1 층의 상기 성분끼리의 함유량의 비율과 동일해진다. 한편, 본 명세서에 있어서, 「상온」이란, 특별히 냉각하거나 가열하지 않은 온도, 즉 평상의 온도를 의미하며, 예를 들면, 15∼25℃의 온도 등을 들 수 있다.
제1 접착제 조성물의 도공은 공지의 방법으로 행하면 되고, 예를 들면, 에어 나이프 코터, 블레이드 코터, 바 코터, 그라비아 코터, 롤 코터, 롤 나이프 코터, 커텐 코터, 다이 코터, 나이프 코터, 스크린 코터, 메이어 바 코터, 키스 코터 등의 각종 코터를 이용하는 방법을 들 수 있다.
제1 접착제 조성물의 건조 조건은 특별히 한정되지 않으나, 제1 접착제 조성물은 후술하는 용매를 함유하고 있는 경우, 가열 건조시키는 것이 바람직하다. 용매를 함유하는 제1 접착제 조성물은 예를 들면, 70∼130℃에서 10초간∼5분간의 조건으로 건조시키는 것이 바람직하다.
이어서, 제1 접착제 조성물에 대해, 상세하게 설명한다.
＜＜제1 접착제 조성물＞＞
제1 접착제 조성물의 종류는 제1 층의 경화성 유무와, 제1 층이 경화성인 경우에는, 열경화성 및 에너지선 경화성 중 어느 것인지 등, 제1 층의 특성에 따라 선택할 수 있다.
바람직한 제1 접착제 조성물로는, 열경화성 제1 접착제 조성물을 들 수 있다.
열경화성 제1 접착제 조성물로는, 예를 들면, 중합체 성분(a) 및 에폭시계 열경화성 수지(b)를 함유하는 것을 들 수 있다. 이하, 각 성분에 대해 설명한다.
(중합체 성분(a))
중합체 성분(a)은 중합성 화합물이 중합 반응하여 형성되었다고 간주할 수 있는 성분이며, 제1 층에 조막성이나 가요성 등을 부여함과 함께, 반도체 칩 등의 접착 대상에 대한 접착성(첩부성)을 향상시키기 위한 중합체 화합물이다. 또한, 중합체 성분(a)은 후술하는 에폭시 수지(b1) 및 열경화제(b2)에 해당하지 않는 성분이기도 하다. 즉, 중합체 성분(a)은 후술하는 에폭시 수지(b1) 및 열경화제(b2)에 해당하는 성분을 제외한다.
제1 접착제 조성물 및 제1 층이 함유하는 중합체 성분(a)은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
중합체 성분(a)으로는, 예를 들면, 아크릴계 수지, 폴리에스테르, 우레탄계 수지, 아크릴 우레탄 수지, 실리콘계 수지, 고무계 수지, 페녹시 수지, 열경화성 폴리이미드 등을 들 수 있고, 아크릴계 수지가 바람직하다.
중합체 성분(a)에 있어서의 상기 아크릴계 수지로는, 공지의 아크릴 중합체를 들 수 있다.
아크릴계 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은 10000∼2000000인 것이 바람직하고, 100000∼1500000인 것이 보다 바람직하다. 아크릴계 수지의 중량 평균 분자량이 이러한 범위 내임으로써, 제1 층과 피착체 사이의 접착력을 바람직한 범위로 조절하는 것이 용이해진다.
한편, 아크릴계 수지의 중량 평균 분자량이 상기 하한값 이상임으로써, 제1 층의 형상 안정성(보관시의 경시 안정성)이 향상된다. 또한, 아크릴계 수지의 중량 평균 분자량이 상기 상한값 이하임으로써, 제1 층의 기판의 매입성이 보다 높아진다.
한편, 본 명세서에 있어서, 「중량 평균 분자량」이란, 특별히 언급이 없는 한, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산값이다.
아크릴계 수지의 유리 전이 온도(Tg)는 -60∼70℃인 것이 바람직하고, -30∼50℃인 것이 보다 바람직하다. 아크릴계 수지의 Tg가 상기 하한값 이상임으로써, 제1 층과, 후술하는 지지 시트 또는 다이싱 시트 사이의 접착력이 억제되어, 픽업시에 있어서, 제1 층을 구비한 반도체 칩의, 후술하는 지지 시트 또는 다이싱 시트로부터의 분리가 보다 용이해진다. 아크릴계 수지의 Tg가 상기 상한값 이하임으로써, 제1 층과 제2 층 사이의 접착력이 향상된다.
아크릴계 수지를 구성하는 상기 (메타)아크릴산에스테르로는, 예를 들면, (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산에틸, (메타)아크릴산n-프로필, (메타)아크릴산이소프로필, (메타)아크릴산n-부틸, (메타)아크릴산이소부틸, (메타)아크릴산sec-부틸, (메타)아크릴산tert-부틸, (메타)아크릴산펜틸, (메타)아크릴산헥실, (메타)아크릴산헵틸, (메타)아크릴산2-에틸헥실, (메타)아크릴산이소옥틸, (메타)아크릴산n-옥틸, (메타)아크릴산n-노닐, (메타)아크릴산이소노닐, (메타)아크릴산데실, (메타)아크릴산운데실, (메타)아크릴산도데실((메타)아크릴산라우릴이라고도 한다), (메타)아크릴산트리데실, (메타)아크릴산테트라데실((메타)아크릴산미리스틸이라고도 한다), (메타)아크릴산펜타데실, (메타)아크릴산헥사데실((메타)아크릴산팔미틸이라고도 한다), (메타)아크릴산헵타데실, (메타)아크릴산옥타데실((메타)아크릴산스테아릴이라고도 한다) 등의, 알킬에스테르를 구성하는 알킬기가, 탄소수가 1∼18의 사슬 상태 구조인 (메타)아크릴산알킬에스테르;
(메타)아크릴산이소보르닐, (메타)아크릴산디시클로펜타닐 등의 (메타)아크릴산시클로알킬에스테르;
(메타)아크릴산벤질 등의 (메타)아크릴산아랄킬에스테르;
(메타)아크릴산디시클로펜테닐에스테르 등의 (메타)아크릴산시클로알케닐에스테르;
(메타)아크릴산디시클로펜테닐옥시에틸에스테르 등의 (메타)아크릴산시클로알케닐옥시알킬에스테르;
(메타)아크릴산이미드;
(메타)아크릴산글리시딜 등의 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산에스테르;
(메타)아크릴산히드록시메틸, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산3-히드록시프로필, (메타)아크릴산2-히드록시부틸, (메타)아크릴산3-히드록시부틸, (메타)아크릴산4-히드록시부틸 등의 수산기 함유 (메타)아크릴산에스테르;
(메타)아크릴산N-메틸아미노에틸 등의 치환 아미노기 함유 (메타)아크릴산에스테르 등을 들 수 있다. 여기서, 「치환 아미노기」란, 아미노기의 1개 또는 2개의 수소 원자가 수소 원자 이외의 기로 치환되어 이루어지는 기를 의미한다.
한편, 본 명세서에 있어서, 「(메타)아크릴산」이란, 「아크릴산」 및 「메타크릴산」의 양쪽을 포함하는 개념으로 한다. (메타)아크릴산과 유사한 용어에 대해서도 동일하다.
아크릴계 수지는 예를 들면, 상기 (메타)아크릴산에스테르 이외에, (메타)아크릴산, 이타콘산, 초산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌, 및 N-메틸올아크릴아미드 등으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 모노머가 공중합하여 이루어지는 것이어도 된다.
아크릴계 수지를 구성하는 모노머는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
하나의 측면으로서, 상기 아크릴계 수지로는, 아크릴산n-부틸, 아크릴산메틸, 메타크릴산글리시딜, 및 아크릴산2-히드록시에틸을 공중합하여 이루어지는 아크릴계 수지, 또는 아크릴산n-부틸, 아크릴산에틸, 아크릴로니트릴, 및 메타크릴산글리시딜을 공중합하여 이루어지는 아크릴계 수지가 바람직하다.
아크릴계 수지는 상술한 수산기 이외에, 비닐기, (메타)아크릴로일기, 아미노기, 카르복시기, 이소시아네이트기 등의 다른 화합물과 결합 가능한 관능기를 갖고 있어도 된다. 아크릴계 수지의 수산기를 시작으로 하는 이들 관능기는 후술하는 가교제(f)를 개재하여 다른 화합물과 결합해도 되고, 가교제(f)를 개재하지 않고 다른 화합물과 직접 결합하고 있어도 된다. 아크릴계 수지가 상기 관능기에 의해 다른 화합물과 결합함으로써, 제1 층을 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 향상되는 경향이 있다.
본 발명에 있어서는, 중합체 성분(a)으로서, 아크릴계 수지 이외의 열가소성 수지(이하, 단순히 「열가소성 수지」로 약기하는 경우가 있다)를, 아크릴계 수지를 사용하지 않고 단독으로 사용해도 되고, 아크릴계 수지와 병용해도 된다. 상기 열가소성 수지를 사용함으로써, 픽업시에 있어서, 제1 층을 구비한 반도체 칩의, 후술하는 지지 시트 또는 다이싱 시트로부터의 분리가 보다 용이해지거나, 제1 층의 기판의 매입성이 보다 높아지는 경우가 있다.
상기 열가소성 수지의 중량 평균 분자량은 1000∼100000인 것이 바람직하고, 3000∼80000인 것이 보다 바람직하다.
상기 열가소성 수지의 유리 전이 온도(Tg)는 -30∼150℃인 것이 바람직하고, -20∼120℃인 것이 보다 바람직하다.
상기 열가소성 수지로는, 예를 들면, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 페녹시 수지, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리스티렌 등을 들 수 있다.
제1 접착제 조성물 및 제1 층이 함유하는 상기 열가소성 수지는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
제1 접착제 조성물에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량(총 질량)에 대한 중합체 성분(a)의 함유량의 비율(즉, 제1 층의 중합체 성분(a)의 함유량)은 중합체 성분(a)의 종류에 상관없이, 5∼20질량％인 것이 바람직하고, 6∼16질량％인 것이 보다 바람직하며, 7∼12질량％ 등이어도 된다.
제1 접착제 조성물 및 제1 층에 있어서, 중합체 성분(a)의 총 함유량(총 질량)에 대한 아크릴계 수지의 함유량의 비율은 80∼100질량％인 것이 바람직하고, 85∼100질량％인 것이 보다 바람직하며, 90∼100질량％인 것이 더욱 바람직하고, 예를 들면, 95∼100질량％여도 된다.
(에폭시계 열경화성 수지(b))
에폭시계 열경화성 수지(b)는 에폭시 수지(b1) 및 열경화제(b2)로 이루어진다.
제1 접착제 조성물 및 제1 층이 함유하는 에폭시계 열경화성 수지(b)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
·에폭시 수지(b1)
에폭시 수지(b1)로는, 공지의 것을 들 수 있고, 예를 들면, 다관능계 에폭시 수지, 비페닐 화합물, 비스페놀A 디글리시딜에테르 및 그 수첨물, 오쏘크레졸 노볼락 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페닐렌 골격형 에폭시 수지 등, 2관능 이상의 에폭시 화합물을 들 수 있다.
에폭시 수지(b1)로는, 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지를 사용해도 된다. 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지는 불포화 탄화수소기를 갖지 않는 에폭시 수지보다 아크릴계 수지와의 상용성이 높다. 이 때문에, 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지를 사용함으로써, 제1 층을 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 향상된다.
불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지로는, 예를 들면, 다관능계 에폭시 수지의 에폭시기의 일부가 불포화 탄화수소기를 갖는 기로 변환되어 이루어지는 화합물을 들 수 있다. 이러한 화합물은 예를 들면, 에폭시기에 (메타)아크릴산 또는 그 유도체를 부가 반응시킴으로써 얻어진다. 한편, 본 명세서에 있어서 「유도체」란, 특별히 언급이 없는 한, 원래의 화합물의 적어도 1개의 기가 그 이외의 기(치환기)로 치환되어 이루어지는 것을 의미한다. 여기서, 「기」란, 복수개의 원자가 결합하여 이루어지는 원자단뿐만 아니라, 1개의 원자도 포함하는 것으로 한다.
또한, 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지로는, 예를 들면, 에폭시 수지를 구성하는 방향 고리 등에 불포화 탄화수소기를 갖는 기가 직접 결합한 화합물 등을 들 수 있다.
불포화 탄화수소기는 중합성을 갖는 불포화기이며, 그 구체적인 예로는, 에테닐기(비닐기라고도 한다), 2-프로페닐기(알릴기라고도 한다), (메타)아크릴로일기, (메타)아크릴아미드기 등을 들 수 있고, 아크릴로일기가 바람직하다.
에폭시 수지(b1)의 수평균 분자량은 특별히 한정되지 않으나, 제1 층의 경화성, 그리고 제1 층의 경화물의 강도 및 내열성의 점에서, 300∼30000인 것이 바람직하고, 400∼10000인 것이 보다 바람직하며, 500∼3000인 것이 특히 바람직하다.
본 명세서에 있어서, 수평균 분자량이란, 특별히 언급이 없는 한, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산값이다.
에폭시 수지(b1)의 에폭시 당량은 100∼1000g/eq인 것이 바람직하고, 150∼800g/eq인 것이 보다 바람직하다.
본 명세서에 있어서, 「에폭시 당량」이란 1당량의 에폭시기를 포함하는 에폭시 화합물의 그램수(g/eq)를 의미하며, JIS K 7236:2001의 방법에 따라 측정할 수 있다.
제1 접착제 조성물 및 제1 층이 함유하는 에폭시 수지(b1)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
하나의 측면으로서, 상기 에폭시 수지(b1)는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 다관능 방향족형(트리페닐렌형) 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 및 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개가 바람직하다.
·열경화제(b2)
열경화제(b2)는 에폭시 수지(b1)에 대한 경화제로서 기능한다.
열경화제(b2)로는, 예를 들면, 1분자 중에 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기를 2개 이상 갖는 화합물을 들 수 있다. 상기 관능기로는, 예를 들면, 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 아미노기, 카르복시기, 산기가 무수물화된 기 등을 들 수 있고, 페놀성 수산기, 아미노기, 또는 산기가 무수물화된 기인 것이 바람직하며, 페놀성 수산기 또는 아미노기인 것이 보다 바람직하다.
열경화제(b2) 중, 페놀성 수산기를 갖는 페놀계 경화제로는, 예를 들면, 다관능 페놀 수지, 비페놀, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지, 아랄킬형 페놀 수지 등을 들 수 있다.
열경화제(b2) 중, 아미노기를 갖는 아민계 경화제로는, 예를 들면, 디시안디아미드(DICY로 약기하는 경우가 있다) 등을 들 수 있다.
열경화제(b2)는 불포화 탄화수소기를 갖는 것이어도 된다.
불포화 탄화수소기를 갖는 열경화제(b2)로는, 예를 들면, 페놀 수지의 수산기의 일부가 불포화 탄화수소기를 갖는 기로 치환되어 이루어지는 화합물, 페놀 수지의 방향 고리에 불포화 탄화수소기를 갖는 기가 직접 결합하여 이루어지는 화합물 등을 들 수 있다.
열경화제(b2)에 있어서의 상기 불포화 탄화수소기는 상술한 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지에 있어서의 불포화 탄화수소기와 동일하다.
열경화제(b2)로서 페놀계 경화제를 사용하는 경우에는, 다이 본딩 필름의 접착력을 조절하는 것이 용이해지는 점에서, 열경화제(b2)는 연화점 또는 유리 전이 온도가 높은 것이 바람직하다.
열경화제(b2) 중, 예를 들면, 다관능 페놀 수지, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지, 아랄킬형 페놀 수지 등의 수지 성분의 수평균 분자량은 300∼30000인 것이 바람직하고, 400∼10000인 것이 보다 바람직하며, 500∼3000인 것이 특히 바람직하다.
열경화제(b2) 중, 예를 들면, 비페놀, 디시안디아미드 등의 비수지 성분의 분자량은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 60∼500인 것이 바람직하다.
제1 접착제 조성물 및 제1 층이 함유하는 열경화제(b2)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
열경화제(b2) 중, 페놀 수지로는, 예를 들면, 페놀성 수산기가 결합하고 있는 탄소 원자와 서로 이웃한 탄소 원자(벤젠 고리 골격을 구성하고 있는 탄소 원자)에 대해, 알킬기 등의 치환기가 결합하고, 상기 페놀성 수산기 근방에 입체 장애를 갖는 것(본 명세서에 있어서는, 「입체 장애형 페놀 수지」로 약기하는 경우가 있다)을 사용해도 된다. 이러한 입체 장애형 페놀 수지로는, 예를 들면, o-크레졸형 노볼락 수지 등을 들 수 있다.
제1 접착제 조성물 및 제1 층에 있어서, 열경화제(b2)의 함유량은 에폭시 수지(b1)의 함유량 100질량부에 대해, 10∼200질량부인 것이 바람직하고, 15∼160질량부인 것이 보다 바람직하며, 20∼120질량부인 것이 더욱 바람직하고, 25∼80질량부인 것이 특히 바람직하다. 열경화제(b2)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 제1 층의 경화가 보다 진행되기 쉬워진다. 열경화제(b2)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 제1 층의 흡습율이 저감되어, 제1 층을 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 보다 향상된다.
제1 접착제 조성물 및 제1 층에 있어서, 에폭시계 열경화성 수지(b)의 함유량(에폭시 수지(b1) 및 열경화제(b2)의 총 함유량)은 중합체 성분(a)의 함유량 100질량부에 대해, 400∼1200질량부인 것이 바람직하고, 500∼1100질량부인 것이 보다 바람직하며, 600∼1000질량부인 것이 더욱 바람직하고, 예를 들면, 600∼900질량부 및 800∼1000질량부 중 어느 하나여도 된다. 에폭시계 열경화성 수지(b)의 상기 함유량이 이러한 범위임으로써, 제1 층과, 후술하는 지지 시트 또는 다이싱 시트 사이의 접착력을 조절하는 것이 보다 용이해진다.
상기 입체 장애형 페놀 수지를 사용하는 경우, 제1 접착제 조성물 및 제1 층에 있어서, 열경화제(b2)의 총 함유량(총 질량)에 대한, 상기 입체 장애형 페놀 수지의 함유량의 비율은 예를 들면, 80∼100질량％, 85∼100질량％, 90∼100질량％, 및 95∼100질량％ 중 어느 하나여도 된다.
그리고, 제1 접착제 조성물 및 제1 층에 있어서, 열경화제(b2)의 총 함유량(총 질량)에 대한, o-크레졸형 노볼락 수지의 함유량의 비율은 80∼100질량％, 85∼100질량％, 90∼100질량％, 및 95∼100질량％ 중 어느 하나여도 된다.
제1 층은 그 각종 물성을 개량하기 위해, 중합체 성분(a) 및 에폭시계 열경화성 수지(b) 이외에, 추가로 필요에 따라, 이들에 해당하지 않는 다른 성분을 함유하고 있어도 된다.
제1 층이 함유하는 다른 성분으로는, 예를 들면, 경화 촉진제(c), 충전재(d), 커플링제(e), 가교제(f), 에너지선 경화성 수지(g), 광중합 개시제(h), 범용 첨가제(i) 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 바람직한 상기 다른 성분으로는, 경화 촉진제(c), 충전재(d), 커플링제(e), 범용 첨가제(i)를 들 수 있다.
(경화 촉진제(c))
경화 촉진제(c)는 제1 접착제 조성물의 경화 속도를 조절하기 위한 성분이다.
바람직한 경화 촉진제(c)로는, 예를 들면, 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3차 아민; 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸류(적어도 1개의 수소 원자가 수소 원자 이외의 기로 치환된 이미다졸); 트리부틸포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀 등의 유기 포스핀류(적어도 1개의 수소 원자가 유기 기로 치환된 포스핀); 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀테트라페닐보레이트 등의 테트라페닐보론염; 상기 이미다졸류를 게스트 화합물로 하는 포접 화합물 등을 들 수 있다.
제1 접착제 조성물 및 제1 층이 함유하는 경화 촉진제(c)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
경화 촉진제(c)를 사용하는 경우, 제1 접착제 조성물 및 제1 층에 있어서, 경화 촉진제(c)의 함유량은 에폭시계 열경화성 수지(b)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼5질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼2질량부인 것이 보다 바람직하다. 경화 촉진제(c)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 경화 촉진제(c)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 경화 촉진제(c)의 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 예를 들면, 고극성 경화 촉진제(c)가 고온·고습도 조건하에서 제1 층 중에 있어서 피착체와의 접착 계면측으로 이동하여 편석하는 것을 억제하는 효과가 높아져, 제1 층을 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 보다 향상된다.
상기 중에서도, 상기 이미다졸류를 게스트 화합물로 하는 포접 화합물에 있어서는, 활성 성분인 이미다졸류가 호스트 화합물에 의해 포접되어 있다. 이 때문에, 반응시 이외에는, 이미다졸류의 반응 부위가 노출되어 있지 않거나, 또는, 노출의 정도가 억제되어 있다고 추측된다. 그 결과, 경화 촉진제(c)로서 상기 포접 화합물을 사용한 경우, 제1 층의 보존 중에 경화 촉진제(c)의 목적 외 반응의 진행이 억제됨으로써, 제1 층의 보존 안정성이 보다 높아진다고 추측된다.
상기 포접 화합물로는, 예를 들면, 이미다졸류를 게스트 화합물로 하고, 카르복실산을 호스트 화합물로 하는 것을 들 수 있다.
호스트 화합물인 상기 카르복실산은 방향족 카르복실산인 것이 바람직하다.
상기 방향족 카르복실산은 단환 방향족 카르복실산 및 다환 방향족 카르복실산 중 어느 것이어도 된다.
상기 방향족 카르복실산은 고리 골격으로서 방향족 탄화수소 고리만을 갖는 카르복실산, 고리 골격으로서 방향족 복소 고리만을 갖는 카르복실산, 그리고, 고리 골격으로서 방향족 탄화수소 고리 및 방향족 복소 고리를 함께 갖는 카르복실산 중 어느 것이어도 된다.
상기 방향족 카르복실산은 방향족 히드록시카르복실산인 것이 바람직하다.
상기 방향족 히드록시카르복실산은 1분자 중에 수산기 및 카르복시기를 함께 갖는 방향족 카르복실산이면, 특별히 한정되지 않으나, 방향족 고리 골격에 수산기 및 카르복시기가 함께 결합한 구조를 갖는 카르복실산인 것이 바람직하다.
상기 포접 화합물로 바람직한 것으로는, 예를 들면, 상기 이미다졸류가 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸(본 명세서에 있어서는, 「2P4MHZ」로 약기하는 경우가 있다)이며, 상기 카르복실산이 5-히드록시이소프탈산(본 명세서에 있어서는, 「HIPA」로 약기하는 경우가 있다)인 포접 화합물을 들 수 있고, 2분자의 2P4MHZ와, 1분자의 HIPA로 1분자가 구성되어 있는 포접 화합물인 것이 보다 바람직하다.
상기 포접 화합물을 사용하는 경우, 제1 접착제 조성물 및 제1 층에 있어서, 경화 촉진제(c)의 총 함유량(총 질량)에 대한, 상기 포접 화합물의 함유량의 비율은 80∼100질량％, 85∼100질량％, 90∼100질량％, 및 95∼100질량％ 중 어느 것이어도 된다.
그리고, 제1 접착제 조성물 및 제1 층에 있어서, 경화 촉진제(c)의 총 함유량(총 질량)에 대한, 상술한 2P4MHZ 및 HIPA로 구성되어 있는 포접 화합물의 함유량의 비율은 80∼100질량％, 85∼100질량％, 90∼100질량％, 및 95∼100질량％ 중 어느 것이어도 된다.
(충전재(d))
제1 층은 충전재(d)를 함유함으로써, 그 열팽창 계수의 조정이 용이해지고, 이 열팽창 계수를 제1 층의 첩부 대상물에 대해 최적화함으로써, 제1 층을 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 보다 향상된다. 또한, 제1 층이 충전재(d)를 함유함으로써, 경화 후의 제1 층의 흡습율을 저감하거나, 방열성을 향상시킬 수도 있다.
충전재(d)는 유기 충전재 및 무기 충전재 중 어느 것이어도 되나, 무기 충전재인 것이 바람직하다.
바람직한 무기 충전재로는, 예를 들면, 실리카, 알루미나, 탤크, 탄산칼슘, 티탄 화이트, 벵갈라, 탄화규소, 질화붕소 등의 분말; 이들 무기 충전재를 구형화한 비즈; 이들 무기 충전재의 표면 개질품; 이들 무기 충전재의 단결정 섬유; 유리 섬유 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 무기 충전재는 실리카 또는 알루미나인 것이 바람직하다.
충전재(d)의 평균 입자 직경은 특별히 한정되지 않으나, 1∼1000㎚인 것이 바람직하고, 5∼800㎚인 것이 보다 바람직하며, 10∼600㎚인 것이 더욱 바람직하고, 예를 들면, 10∼400㎚ 및 10∼200㎚ 중 어느 하나여도 된다. 또 다른 측면으로서, 충전재(d)의 평균 입자 직경은 50∼500㎚여도 된다. 충전재(d)의 평균 입자 직경이 이러한 범위임으로써, 상기 열팽창 계수, 흡습율, 및 방열성의 조정이 보다 용이해진다.
한편, 본 명세서에 있어서 「평균 입자 직경」이란, 특별히 언급이 없는 한, 레이저 회절 산란법에 따라 구해진 입도 분포 곡선에 있어서의, 적산치 50％에서의 입자 직경(D50)의 값을 의미한다.
제1 접착제 조성물 및 제1 층이 함유하는 충전재(d)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
충전재(d)를 사용하는 경우, 제1 접착제 조성물에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량(총 질량)에 대한 충전재(d)의 함유량의 비율(즉, 제1 층의 충전재(d)의 함유량)은 5∼40질량％인 것이 바람직하고, 10∼35질량％인 것이 보다 바람직하며, 15∼30질량％인 것이 특히 바람직하다. 충전재(d)의 함유량이 이러한 범위임으로써, 상기 열팽창 계수, 흡습율, 및 방열성의 조정이 보다 용이해진다.
평균 입자 직경이 1∼1000㎚인 충전재(d)를 사용하는 경우, 제1 접착제 조성물 및 제1 층에 있어서, 충전재(d)의 총 함유량(총 질량)에 대한, 평균 입자 직경이 1∼1000㎚인 충전재(d)의 함유량의 비율은 80∼100질량％인 것이 바람직하고, 85∼100질량％인 것이 보다 바람직하며, 90∼100질량％인 것이 더욱 바람직하고, 예를 들면, 95∼100질량％여도 된다.
(커플링제(e))
제1 층은 커플링제(e)를 함유함으로써, 피착체에 대한 접착성 및 밀착성이 향상된다. 또한, 제1 층이 커플링제(e)를 함유함으로써, 그 경화물은 내열성을 저해하지 않고, 내수성이 향상된다. 커플링제(e)는 무기 화합물 또는 유기 화합물과 반응 가능한 관능기를 갖는다.
커플링제(e)는 중합체 성분(a), 에폭시계 열경화성 수지(b) 등이 갖는 관능기와 반응 가능한 관능기를 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 실란 커플링제인 것이 보다 바람직하다.
바람직한 상기 실란 커플링제로는, 예를 들면, 3-글리시딜옥시프로필트리메톡시실란, 3-글리시딜옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시딜옥시프로필트리에톡시실란, 3-글리시딜옥시메틸디에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-메타크릴로일옥시프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸아미노)프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸아미노)프로필메틸디에톡시실란, 3-(페닐아미노)프로필트리메톡시실란, 3-아닐리노프로필트리메톡시실란, 3-우레이도프로필트리에톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필메틸디메톡시실란, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)테트라술판, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 이미다졸실란, 올리고머형 또는 폴리머형 오르가노실록산 등을 들 수 있다.
상기 올리고머형 또는 폴리머형 오르가노실록산은 중합성 화합물이 중합 반응하여 형성되었다고 간주할 수 있는, 올리고머 구조 또는 폴리머 구조를 갖는 오르가노실록산이다.
제1 접착제 조성물 및 제1 층이 함유하는 커플링제(e)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
하나의 측면으로서, 상기 커플링제(e)로는, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 그리고 에폭시기, 메틸기, 및 메톡시기를 갖는 올리고머형 실란 커플링제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개가 바람직하다.
커플링제(e)를 사용하는 경우, 제1 접착제 조성물 및 제1 층에 있어서, 커플링제(e)의 함유량은 중합체 성분(a) 및 에폭시계 열경화성 수지(b)의 합계 함유량 100질량부에 대해, 0.03∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.05∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.1∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. 커플링제(e)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 충전재(d)의 수지에 대한 분산성의 향상이나, 제1 층의 피착체와의 접착성의 향상 등, 커플링제(e)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 커플링제(e)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 아웃 가스의 발생이 보다 억제된다.
상기 올리고머형 또는 폴리머형 오르가노실록산을 사용하는 경우, 제1 접착제 조성물 및 제1 층에 있어서, 커플링제(e)의 총 함유량(총 질량)에 대한, 상기 올리고머형 또는 폴리머형 오르가노실록산의 함유량의 비율은 25∼100질량％ 및 40∼100질량％ 중 어느 하나여도 된다.
(가교제(f))
중합체 성분(a)으로서, 상술한 아크릴계 수지 등의, 다른 화합물과 결합 가능한 비닐기, (메타)아크릴로일기, 아미노기, 수산기, 카르복시기, 이소시아네이트기 등의 관능기를 갖는 것을 사용하는 경우, 제1 접착제 조성물 및 제1 층은 상기 관능기를 다른 화합물과 결합시켜 가교하기 위한 가교제(f)를 함유하고 있어도 된다. 가교제(f)를 사용하여 가교함으로써, 제1 층의 초기 접착력 및 응집력을 조절할 수 있다.
가교제(f) 로는, 예를 들면, 유기 다가 이소시아네이트 화합물, 유기 다가 이민 화합물, 금속 킬레이트계 가교제(즉, 금속 킬레이트 구조를 갖는 가교제), 아지리딘계 가교제(즉, 아지리디닐기를 갖는 가교제) 등을 들 수 있다.
상기 유기 다가 이소시아네이트 화합물로는, 예를 들면, 방향족 다가 이소시아네이트 화합물, 지방족 다가 이소시아네이트 화합물, 및 지환족 다가 이소시아네이트 화합물(이하, 이들 화합물을 포괄하여 「방향족 다가 이소시아네이트 화합물 등」으로 약기하는 경우가 있다); 상기 방향족 다가 이소시아네이트 화합물 등의 삼량체, 이소시아누레이트체 및 어덕트체; 상기 방향족 다가 이소시아네이트 화합물 등과 폴리올 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트 우레탄 프리폴리머 등을 들 수 있다. 상기 「어덕트체」는 상기 방향족 다가 이소시아네이트 화합물, 지방족 다가 이소시아네이트 화합물, 또는 지환족 다가 이소시아네이트 화합물과, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 네오펜틸글리콜, 트리메틸올프로판, 또는 피마자유 등의 저분자 활성 수소 함유 화합물의 반응물을 의미한다. 상기 어덕트체의 예로는, 후술하는 트리메틸올프로판의 자일릴렌디이소시아네이트 부가물 등을 들 수 있다. 또한, 「말단 이소시아네이트 우레탄 프리폴리머」란, 우레탄 결합을 가짐과 함께, 분자의 말단부에 이소시아네이트기를 갖는 프리폴리머를 의미한다.
상기 유기 다가 이소시아네이트 화합물로서, 보다 구체적으로는, 예를 들면, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트; 2,6-톨릴렌디이소시아네이트; 1,3-자일릴렌디이소시아네이트; 1,4-자일렌디이소시아네이트; 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트; 디페닐메탄-2,4'-디이소시아네이트; 3-메틸디페닐메탄디이소시아네이트; 헥사메틸렌디이소시아네이트; 이소포론디이소시아네이트; 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트; 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트; 트리메틸올프로판 등의 폴리올의 전부 또는 일부의 수산기에 톨릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 및 자일릴렌디이소시아네이트 중 어느 1종 또는 2종 이상이 부가된 화합물; 리신디이소시아네이트 등을 들 수 있다.
상기 유기 다가 이민 화합물로는, 예를 들면, N,N'-디페닐메탄-4,4'-비스(1-아지리딘카르복시아미드), 트리메틸올프로판-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 테트라메틸올메탄-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, N,N'-톨루엔-2,4-비스(1-아지리딘카르복시아미드)트리에틸렌멜라민 등을 들 수 있다.
가교제(f)로서 유기 다가 이소시아네이트 화합물을 사용하는 경우, 중합체 성분(a)으로는, 수산기 함유 중합체를 사용하는 것이 바람직하다. 가교제(f)가 이소시아네이트기를 갖고, 중합체 성분(a)이 수산기를 갖는 경우, 가교제(f)와 중합체 성분(a)의 반응에 의해, 제1 층에 가교 구조를 간편하게 도입할 수 있다.
제1 접착제 조성물 및 제1 층이 함유하는 가교제(f)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
제1 접착제 조성물 및 제1 층에 있어서, 가교제(f)의 함유량은 중합체 성분(a)의 함유량 100질량부에 대해, 0∼5질량부인 것이 바람직하고, 0∼3질량부인 것이 보다 바람직하며, 0∼1질량부인 것이 더욱 바람직하고, 0질량부인 것, 즉, 제1 접착제 조성물 및 제1 층이 가교제(f)를 함유하지 않는 것이 특히 바람직하다. 가교제(f)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 제1 층의 기판의 매입성이 보다 높아진다.
(에너지선 경화성 수지(g))
제1 층은 에너지선 경화성 수지(g)를 함유하고 있음으로써, 에너지선의 조사에 의해 특성을 변화시킬 수 있다.
에너지선 경화성 수지(g)는 에너지선 경화성 화합물을 중합(경화)하여 얻어진 것이다.
상기 에너지선 경화성 화합물로는, 예를 들면, 분자 중에 적어도 1개의 중합성 이중 결합을 갖는 화합물을 들 수 있고, (메타)아크릴로일기를 갖는 아크릴레이트계 화합물이 바람직하다.
상기 아크릴레이트계 화합물로는, 예를 들면, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트 등의 사슬형 지방족 골격 함유 (메타)아크릴레이트; 디시클로펜타닐디(메타)아크릴레이트 등의 고리형 지방족 골격 함유 (메타)아크릴레이트; 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트 등의 폴리알킬렌글리콜(메타)아크릴레이트; 올리고에스테르(메타)아크릴레이트; 우레탄(메타)아크릴레이트 올리고머; 에폭시 변성 (메타)아크릴레이트; 상기 폴리알킬렌글리콜(메타)아크릴레이트 이외의 폴리에테르(메타)아크릴레이트; 이타콘산 올리고머 등을 들 수 있다.
에너지선 경화성 수지(g)의 중량 평균 분자량은 100∼30000인 것이 바람직하고, 300∼10000인 것이 보다 바람직하다.
제1 접착제 조성물이 함유하는 에너지선 경화성 수지(g)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
하나의 측면으로서, 상기 에너지선 경화성 수지(g)로는 트리시클로데칸디메틸올디아크릴레이트 및 ε-카프로락톤 변성 트리스-(2-아크릴옥시에틸)이소시아누레이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개가 바람직하다.
에너지선 경화성 수지(g)를 사용하는 경우, 제1 접착제 조성물에 있어서, 에너지선 경화성 수지(g)의 함유량은 제1 접착제 조성물의 총 질량에 대해, 1∼95질량％인 것이 바람직하고, 5∼90질량％인 것이 보다 바람직하며, 10∼85질량％인 것이 특히 바람직하다.
(광중합 개시제(h))
제1 접착제 조성물은 에너지선 경화성 수지(g)를 함유하는 경우, 에너지선 경화성 수지(g)의 중합 반응을 효율적으로 진행하기 위해, 광중합 개시제(h)를 함유하고 있어도 된다.
제1 접착제 조성물에 있어서의 광중합 개시제(h)로는, 예를 들면, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸, 벤조인디메틸케탈 등의 벤조인 화합물; 아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 등의 아세토페논 화합물; 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드 화합물; 벤질페닐술피드, 테트라메틸티우람모노술피드 등의 술피드 화합물; 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨 화합물; 아조비스이소부티로니트릴 등의 아조 화합물; 티타노센 등의 티타노센 화합물; 티옥산톤 등의 티옥산톤 화합물; 퍼옥사이드 화합물; 디아세틸 등의 디케톤 화합물; 벤질; 디벤질; 벤조페논; 2,4-디에틸티옥산톤; 1,2-디페닐메탄; 2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로파논; 1-클로로안트라퀴논, 2-클로로안트라퀴논 등의 퀴논 화합물 등을 들 수 있다.
또한, 광중합 개시제(h)로는, 예를 들면, 아민 등의 광증감제 등도 들 수 있다.
제1 접착제 조성물이 함유하는 광중합 개시제(h)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
하나의 측면으로서, 상기 광중합 개시제(h)로는, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1이 바람직하다.
광중합 개시제(h)를 사용하는 경우, 제1 접착제 조성물 및 제1 층에 있어서, 광중합 개시제(h)의 함유량은 에너지선 경화성 수지(g)의 함유량 100질량부에 대해, 0.1∼20질량부인 것이 바람직하고, 1∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 2∼5질량부인 것이 특히 바람직하다.
(범용 첨가제(i))
범용 첨가제(I)는 공지의 것이면 되며, 목적에 따라 임의로 선택할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 바람직한 범용 첨가제(I)로는, 예를 들면, 가소제, 대전 방지제, 산화 방지제, 착색제(염료, 안료), 게터링제 등을 들 수 있다.
제1 접착제 조성물 및 제1 층이 함유하는 범용 첨가제(i)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
제1 접착제 조성물 및 제1 층의 범용 첨가제(i)의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 목적에 따라 적절히 선택하면 된다.
(용매)
제1 접착제 조성물은 추가로 용매를 함유하는 것이 바람직하다. 용매를 함유하는 제1 접착제 조성물은 취급성이 양호해진다.
상기 용매는 특별히 한정되지 않으나, 바람직한 것으로는, 예를 들면, 톨루엔, 자일렌 등의 탄화수소; 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, 이소부틸알코올(2-메틸프로판-1-올이라고도 한다), 1-부탄올 등의 알코올; 초산에틸 등의 에스테르; 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤; 테트라히드로푸란 등의 에테르; 디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드(즉, 아미드 결합을 갖는 화합물) 등을 들 수 있다.
제1 접착제 조성물이 함유하는 용매는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
제1 접착제 조성물이 함유하는 용매는 제1 접착제 조성물 중의 함유 성분을 보다 균일하게 혼합할 수 있는 점에서, 메틸에틸케톤 등인 것이 바람직하다.
바람직한 제1 접착제 조성물의 일 예로는, 중합체 성분(a), 에폭시계 열경화성 수지(b), 경화 촉진제(c), 및 커플링제(e)를 함유하는 것을 들 수 있고, 이들 이외에, 추가로 충전재(d) 및 범용 첨가제(i) 중 어느 한쪽 또는 양쪽을 함유하는 것도 들 수 있다.
＜＜제1 접착제 조성물의 제조 방법＞＞
제1 접착제 조성물은 이를 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다.
각 성분의 배합시에 있어서의 첨가 순서는 특별히 한정되지 않고, 2종 이상의 성분을 동시에 첨가해도 된다.
용매를 사용하는 경우에는, 용매를 용매 이외의 어느 배합 성분과 혼합하여 이 배합 성분을 미리 희석해 둠으로써 사용해도 되고, 용매 이외의 어느 배합 성분을 미리 희석해 두지 않고, 용매를 이들 배합 성분과 혼합함으로써 사용해도 된다.
배합시에 각 성분을 혼합하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 교반자 또는 교반 날개 등을 회전시켜 혼합하는 방법; 믹서를 이용하여 혼합하는 방법; 초음파를 가하여 혼합하는 방법 등, 공지의 방법으로부터 적절히 선택하면 된다.
각 성분의 첨가 및 혼합시의 온도 그리고 시간은 각 배합 성분이 열화하지 않는 한 특별히 한정되지 않고, 적절히 조절하면 되나, 온도는 15∼30℃인 것이 바람직하다.
◎제2 층(제2 필름)
상기 제2 층(제2 필름)은 상술한 바와 같이, 점착성 및 에너지선 경화성을 갖는다.
제2 층은 추가로 열경화성을 갖고 있어도(열경화성이어도) 되고, 열경화성을 갖지 않아도(비열경화성이어도) 된다.
그 중에서도 제2 층은 열경화성을 갖지 않고, 에너지선 경화성을 갖는 것이 바람직하다.
경화성을 갖지 않는 제2 층과, 경화성을 갖는 미경화인 제2 층은 모두, 각종 피착체에 가볍게 가압함으로써 첩부할 수 있다.
또한, 제2 층은 경화의 유무에 상관없이, 가열하여 연화시킴으로써, 각종 피착체에 첩부할 수 있는 것이어도 된다.
경화성을 갖지 않는 제2 층과, 경화성을 갖는 제2 층의 경화물은 모두, 혹독한 고온·고습도 조건하에 있어서도 충분한 접착 특성을 유지할 수 있다.
침지 후 점착력을 6N/25㎜ 이상으로 규정하는 상기 시험용 적층체는 이하와 같이 제작한다.
즉, 시험편으로서, 두께가 10㎛이며, 또한 폭이 25㎜보다 넓은 제2 층을 준비한다.
제2 층은 예를 들면, 박리 필름과의 적층물로 하여 준비하고, 이 적층물을 사용함으로써, 보다 용이하게 시험용 적층체를 제작할 수 있다. 이 경우, 상기 박리 필름은 적절한 타이밍에 제거하면 된다.
시험편의 길이는 후술하는 박리 시험을 안정적으로 행할 수 있는 한, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 15㎝ 이상 30㎝ 이하인 것이 바람직하다.
이어서, 이 시험편을 실리콘 미러 웨이퍼에 첩부한다.
상기 시험편은 35∼45℃로 가열한 상태로 실리콘 미러 웨이퍼에 첩부하는 것이 바람직하다.
또한, 시험편을 실리콘 미러 웨이퍼에 첩부할 때의 첩부 속도 및 첩부 압력은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 첩부 속도는 5∼20㎜/s인 것이 바람직하고, 첩부 압력은 0.1∼1.0MPa인 것이 바람직하다.
이어서, 이 첩부 후의 시험편(즉, 실리콘 미러 웨이퍼 첩부 후의 제2 층)의 노출면(실리콘 미러 웨이퍼측과는 반대측 면)에 폭이 25㎜인 띠 형상 강점착 테이프를 첩부한다.
이어서, 이 강점착 테이프를 첩부 후의 시험편(제2 층)에 대해, 강점착 테이프의 외주를 따라, 폭이 25㎜인 띠 형상 절입을 형성한다. 이 절입은 시험편의 두께 방향의 전역에 형성한다. 즉, 시험편을 폭이 25㎜가 되도록 띠 형상으로 절단한다.
이어서, 이 절단 후의 시험편을 실리콘 미러 웨이퍼째(다시말하면, 절단 후의 시험편을 구비한 실리콘 미러 웨이퍼를) 23℃의 순수 중에 2시간 침지한다. 이 때, 절단 후의 시험편을 구비한 실리콘 미러 웨이퍼는 그 전체가 순수 중에 수몰되도록(다시말하면, 절단 후의 시험편 전체와 실리콘 미러 웨이퍼 전체가 함께 순수 중에 수몰되도록), 순수 중에 배치한다.
절단 후의 시험편을 구비한 실리콘 미러 웨이퍼는 그 제작 직후 즉시, 순수 중에 침지하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 시험용 적층체의 상기 점착력을 보다 고정밀도로 측정할 수 있다.
절단 후의 시험편을 구비한 실리콘 미러 웨이퍼는 어두운 곳에 있어서, 순수 중에 침지하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 시험용 적층체의 상기 점착력을 보다 고정밀도로 측정할 수 있다.
절단 후의 시험편을 구비한 실리콘 미러 웨이퍼는 순수 중에 2시간 침지한 후, 순수 중으로부터 인상하고, 표면에 여분의 물방울이 부착되어 있는 경우에는, 이 물방울을 제거한다.
이어서, 절단 후의 시험편(제2 층)에 에너지선을 조사함으로써, 이 띠 형상 시험편을 에너지선 경화시킨다.
에너지선의 조사 조건은 시험편이 충분히 에너지선 경화하는 한, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 에너지선 경화시에 있어서의, 에너지선의 조도는 4∼280㎽/㎠인 것이 바람직하다. 에너지선 경화시에 있어서의, 에너지선의 광량은 3∼1000mJ/㎠인 것이 바람직하다.
이상에 의해, 실리콘 미러 웨이퍼에 상기 시험편(제2 층)의 경화물이 첩부되어 있는, 순수 중에 대한 침지를 거친 시험용 적층체가 얻어진다.
지금까지는 제2 층을 박리 필름과의 적층물로서 사용하는 경우에 대해 설명했으나, 제2 층을 제1 층과의 적층물, 즉, 다이 본딩 필름의 형태로 사용해도 된다. 이와 같이, 다이 본딩 필름을 상기 점착력의 측정에 제공하는 경우에는, 상기 강점착 테이프를 제2 층의 노출면이 아닌, 제1 층의 노출면(제2 층측과는 반대측 면)에 첩부한다. 또한, 시험편(제2 층)을 띠 형상으로 절단할 때에는, 다이 본딩 필름의 두께 방향의 전역(제1 층 및 제2 층의, 이들의 두께 방향의 전역)에 절입을 형성하고, 다이 본딩 필름 전체를 띠 형상으로 절단하면 된다. 또한, 제2 층 단독의 경우와 동일하게, 다이 본딩 필름을 박리 필름과의 적층물로서 사용해도 되고, 이 경우에도, 적절한 타이밍에 박리 필름을 제거하면 된다.
상기 시험용 적층체의 침지 후 점착력은 이하와 같이 측정한다.
즉, 상온하(예를 들면, 23℃의 조건하)에서, 이 시험용 적층체에 있어서, 박리(인장) 속도 300㎜/min로, 강점착 테이프를 인장하여, 시험용 적층체에 있어서, 박리면을 생성시킨다. 이 때, 새로 생긴 상기 박리면 사이가 180°의 각도를 이루도록, 강점착 테이프를 인장하는, 이른바 180°박리를 행한다. 다시말하면, 강점착 테이프는 한쪽 끝을 다른 한쪽 끝으로 인장한다. 그리고, 제2 층의 경화물과, 실리콘 미러 웨이퍼 사이에 계면 박리가 발생했을 때 측정된 박리력(하중, N/25㎜)을 상기 침지 후 점착력(순수 중에 대한 침지를 거친 시험용 적층체에 있어서의, 폭이 25㎜인 제2 층의 경화물과, 실리콘 미러 웨이퍼 사이의 점착력)으로서 채용한다.
강점착 테이프는 예를 들면, 공지의 인장 시험기를 이용함으로써, 인장할 수 있다.
지금까지는 순수 중에 대한 침지를 거친 시험용 적층체의, 제2 층의 경화물과, 실리콘 미러 웨이퍼 사이의 점착력(침지 후 점착력)의 측정 방법에 대해 설명했으나, 순수 중에 대한 침지를 거치지 않은 시험용 적층체(본 명세서에 있어서는, 「비침지 시험용 적층체」로 약기하는 경우가 있다)에 대해서도, 동일 방법으로, 폭이 25㎜인 제2 층의 경화물과, 실리콘 미러 웨이퍼 사이의 점착력(본 명세서에 있어서는, 「비침지 점착력」으로 약기하는 경우가 있다)(N/25㎜)을 측정할 수 있다. 비침지 점착력은 순수 중에 대한 침지를 거치지 않은 시험용 적층체를 사용하는 점 이외에는, 상술한 침지 후 점착력의 경우와 동일 방법으로 측정할 수 있다.
비침지 시험용 적층체는 예를 들면, 절단 후의 시험편을 구비한 실리콘 미러 웨이퍼에 대해, 23℃의 순수 중에 2시간 침지하는 공정을 행하는 대신에, 공기 분위기하의 어두운 곳에 있어서, 온도 23℃, 상대 습도 50％의 조건하에서 30분간 정치 보존하는 공정을 행하는 점 이외에는, 상기 시험용 적층체의 경우와 동일 방법으로 제작할 수 있다.
침지 후 점착력 및 비침지 점착력의 어느 측정시에 있어서도, 상술한 박리 시험시에는, 제2 층의 경화물과, 실리콘 미러 웨이퍼 사이에서의 계면 박리(본 명세서에 있어서는, 「실리콘 미러 웨이퍼에서의 박리」로 칭하는 경우가 있다) 이외에, 강점착 테이프와, 그 인접층(예를 들면, 제2 층의 경화물, 제1 층 등) 사이에서의 계면 박리(본 명세서에 있어서는, 「강점착 테이프에서의 박리」로 칭하는 경우가 있다)나, 제2 층의 경화물에서의 응집 파괴 등이 발생할 수 있다.
제2 층의 경화물과, 실리콘 미러 웨이퍼 사이의 점착력이 충분히 큰 경우에는, 박리 시험시에는, 예를 들면, 실리콘 미러 웨이퍼에서의 박리(제2 층의 경화물과, 실리콘 미러 웨이퍼 사이에서의 계면 박리) 이외에, 제2 층의 경화물에서의 응집 파괴가 발생하기 전, 강점착 테이프에서의 박리(강점착 테이프와 그 인접층 사이에서의 계면 박리)가 발생하기 쉽다.
이 경우에는, 강점착 테이프에서의 박리가 발생했을 때의 박리력이 6N/25㎜ 이상이면, 폭이 25㎜인 제2 층의 경화물과, 실리콘 미러 웨이퍼 사이의 점착력이 6N/25㎜ 이상이라고 판단할 수 있다.
한편, 제2 층의 경화물과, 실리콘 미러 웨이퍼 사이의 점착력이 작은 경우에는, 박리 시험시에는, 예를 들면, 강점착 테이프에서의 박리가 발생하기 전, 실리콘 미러 웨이퍼에서의 박리가 발생하기 쉽다.
상기 침지 후 점착력은 6N/25㎜ 이상이며, 7N/25㎜ 이상인 것이 바람직하고, 8N/25㎜ 이상인 것이 보다 바람직하며, 9N/25㎜ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 침지 후 점착력이 상기 하한값 이상임으로써, 사이즈가 작은 반도체 칩의 픽업시에 있어서, 제2 층의 경화물의 반도체 칩에 대한 전사성이 보다 높아진다.
상기 침지 후 점착력의 상한값은 특별히 한정되지 않는다.
예를 들면, 상기 침지 후 점착력이 20N/25㎜ 이하인 제2 층의 경화물의 경우, 그 구성 원료의 입수가 보다 용이하다.
상기 침지 후 점착력은 상술한 바람직한 하한값 및 상한값을 임의로 조합하여 설정되는 범위 내로 적절히 조절할 수 있다. 예를 들면, 상기 침지 후 점착력은 바람직하게는 6∼20N/25㎜, 보다 바람직하게는 7∼20N/25㎜, 더욱 바람직하게는 8∼20N/25㎜, 특히 바람직하게는 9∼20N/25㎜이다. 또한, 다른 측면으로서, 10∼20N/25㎜여도 된다. 단, 이들은 상기 침지 후 점착력의 일 예이다.
상기 비침지 점착력은 특별히 한정되지 않으나, 상기 침지 후 점착력에 대해 동등 이상인 것이 바람직하다.
예를 들면, 상기 비침지 점착력은 6N/25㎜ 이상, 7N/25㎜ 이상, 8N/25㎜ 이상, 및 9N/25㎜ 이상 중 어느 하나이며, 또한, 상기 침지 후 점착력에 대해 동등 이상이어도 된다.
또한, 상기 비침지 점착력은 20N/25㎜ 이하이며, 또한, 상기 침지 후 점착력에 대해 동등 이상이어도 된다.
그리고, 상기 비침지 점착력은 6∼20N/25㎜, 7∼20N/25㎜, 8∼20N/25㎜, 및 9∼20N/25㎜ 중 어느 하나이며, 또한, 상기 침지 후 점착력에 대해 동등 이상이어도 된다. 또한, 다른 측면으로서, 10∼20N/25㎜여도 된다.
하나의 측면으로서, 본 발명의 일 실시형태인 다이 본딩 필름은
제2 층이 상기 침지 후 점착력이 6∼20N/25㎜이며, 또한 상기 비침지 점착력이 6∼20N/25㎜인 특성을 갖고 있어도 된다.
제2 층은 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 되며, 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.
제2 층의 두께는 특별히 한정되지 않으나, 1∼40㎛인 것이 바람직하고, 3∼30㎛인 것이 보다 바람직하며, 5∼20㎛인 것이 특히 바람직하다. 제2 층의 두께가 상기 하한값 이상임으로써, 제2 층의 피착체(반도체 웨이퍼, 반도체 칩)에 대한 점착력이 보다 높아지고, 그 결과, 사이즈가 작은 반도체 칩의 픽업시에 있어서, 제2 층의 경화물의 반도체 칩에 대한 전사성이 보다 높아진다. 제2 층의 두께가 상기 상한값 이하임으로써, 후술하는 반도체 칩의 제조 공정에 있어서, 제2 층(다이 본딩 필름)을 보다 용이하게 절단할 수 있고, 또한, 제2 층에서 유래하는 절단편의 발생량을 보다 저감할 수 있다.
여기서, 「제2 층의 두께」란, 제2 층 전체의 두께를 의미하며, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 제2 층의 두께란, 제2 층을 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다.
제2 층(제2 필름)은 그 구성 재료를 함유하는 제2 접착제 조성물로부터 형성할 수 있다. 예를 들면, 제2 층의 형성 대상면에 제2 접착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 제2 층을 형성할 수 있다.
제2 접착제 조성물 중의, 상온에서 기화하지 않는 성분끼리의 함유량의 비율은 통상, 제2 층의 상기 성분끼리의 함유량의 비율과 동일해진다.
제2 접착제 조성물은 제1 접착제 조성물의 경우와 동일 방법으로 도공할 수 있고, 제2 접착제 조성물의 건조 조건은 제1 접착제 조성물의 건조 조건과 동일하게 할 수 있다.
이어서, 제2 접착제 조성물에 대해, 상세하게 설명한다.
＜＜제2 접착제 조성물＞＞
제2 접착제 조성물의 종류는 제2 층의 열경화성 유무 등, 제2 층의 특성에 따라 선택할 수 있다.
제2 접착제 조성물은 에너지선 경화성을 갖고, 에너지선 경화성 및 열경화성을 함께 갖고 있어도 된다.
제2 접착제 조성물 및 제2 층의 함유 성분으로는, 상술한 제1 접착제 조성물 및 제1 층의 함유 성분과 동일한 것을 들 수 있다. 그리고, 그 함유 성분이 나타내는 효과도, 제1 접착제 조성물 및 제1 층의 경우와 동일하다.
제2 접착제 조성물로는, 예를 들면, 중합체 성분(a), 충전재(d), 에너지선 경화성 수지(g), 및 광중합 개시제(h)를 함유하는 것을 들 수 있다.
(중합체 성분(a))
제2 접착제 조성물 및 제2 층에 있어서의 중합체 성분(a)은 제1 접착제 조성물 및 제1 층에 있어서의 중합체 성분(a)과 동일하다.
제2 접착제 조성물 및 제2 층이 함유하는 중합체 성분(a)은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
제2 접착제 조성물에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량(총 질량)에 대한 중합체 성분(a)의 함유량의 비율(즉, 제2 층의 중합체 성분(a)의 함유량)은 중합체 성분(a)의 종류에 상관없이, 10∼45질량％인 것이 바람직하고, 15∼40질량％인 것이 보다 바람직하며, 20∼35질량％인 것이 특히 바람직하다.
제2 접착제 조성물 및 제2 층에 있어서, 중합체 성분(a)의 총 함유량(총 질량)에 대한, 아크릴계 수지의 함유량의 비율은 80∼100질량％인 것이 바람직하고, 85∼100질량％인 것이 보다 바람직하며, 90∼100질량％인 것이 더욱 바람직하고, 예를 들면, 95∼100질량％여도 된다.
(충전재(d))
제2 접착제 조성물 및 제2 층에 있어서의 충전재(d)는 제1 접착제 조성물 및 제1 층에 있어서의 충전재(d)와 동일하다.
제2 접착제 조성물 및 제2 층이 함유하는 충전재(d)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
제2 접착제 조성물에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량(총 질량)에 대한 충전재(d)의 함유량의 비율(즉, 제2 층의 충전재(d)의 함유량)은 25∼70질량％인 것이 바람직하고, 35∼67질량％인 것이 보다 바람직하며, 45∼64질량％인 것이 특히 바람직하다. 충전재(d)의 함유량이 이러한 범위임으로써, 제2 층의 열팽창 계수, 흡습율, 및 방열성의 조정이 보다 용이해진다.
평균 입자 직경이 1∼1000㎚인 충전재(d)를 사용하는 경우, 제2 접착제 조성물 및 제2 층에 있어서, 충전재(d)의 총 함유량(총 질량)에 대한, 평균 입자 직경이 1∼1000㎚인 충전재(d)의 함유량의 비율은 80∼100질량％인 것이 바람직하고, 85∼100질량％인 것이 보다 바람직하며, 90∼100질량％인 것이 더욱 바람직하고, 예를 들면, 95∼100질량％여도 된다.
(에너지선 경화성 수지(g))
제2 접착제 조성물 및 제2 층에 있어서의 에너지선 경화성 수지(g)는 제1 접착제 조성물 및 제1 층에 있어서의 에너지선 경화성 수지(g)와 동일하다.
제2 접착제 조성물 및 제2 층이 함유하는 에너지선 경화성 수지(g)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
하나의 측면으로서, 제2 접착제 조성물 및 제2 층이 함유하는 에너지선 경화성 수지(g)는 트리시클로데칸디메틸올디아크릴레이트 및 ε-카프로락톤 변성 트리스-(2-아크릴옥시에틸)이소시아누레이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개가 바람직하다.
제2 접착제 조성물에 있어서, 에너지선 경화성 수지(g)의 함유량은 제2 접착제 조성물의 총 질량에 대해, 1∼95질량％인 것이 바람직하고, 3∼90질량％인 것이 보다 바람직하며, 5∼85질량％인 것이 특히 바람직하다.
(광중합 개시제(h))
제2 접착제 조성물 및 제2 층에 있어서의 광중합 개시제(h)는 제1 접착제 조성물 및 제1 층에 있어서의 광중합 개시제(h)와 동일하다.
제2 접착제 조성물 및 제2 층이 함유하는 광중합 개시제(h)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
하나의 측면으로서, 제2 접착제 조성물 및 제2 층에 있어서의 광중합 개시제(h)는 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1이 바람직하다.
제2 접착제 조성물 및 제2 층에 있어서, 광중합 개시제(h)의 함유량은 에너지선 경화성 수지(g)의 함유량 100질량부에 대해, 0.1∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.5∼15질량부인 것이 보다 바람직하며, 1∼10질량부인 것이 특히 바람직하다.
제2 층은 그 각종 물성을 개량하기 위해, 중합체 성분(a), 충전재(d), 에너지선 경화성 수지(g), 및 광중합 개시제(h) 이외에, 추가로 목적에 따라, 이들에 해당하지 않는 다른 성분을 함유하고 있어도 된다.
제2 층이 함유하는 다른 성분으로는, 예를 들면, 커플링제(e), 에폭시계 열경화성 수지(b), 경화 촉진제(c), 가교제(f), 범용 첨가제(i) 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 바람직한 상기 다른 성분으로는, 커플링제(e), 범용 첨가제(i)를 들 수 있다.
(커플링제(e))
제2 접착제 조성물 및 제2 층에 있어서의 커플링제(e)는 제1 접착제 조성물 및 제1 층에 있어서의 커플링제(e)와 동일하다.
그 중에서도, 커플링제(e)는 올리고머형 또는 폴리머형 오르가노실록산인 것이 바람직하다.
제2 접착제 조성물 및 제2 층이 함유하는 커플링제(e)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
커플링제(e)를 사용하는 경우, 제2 접착제 조성물 및 제2 층에 있어서, 커플링제(e)의 함유량은 중합체 성분(a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.1∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.5∼15질량부인 것이 보다 바람직하며, 1∼10질량부인 것이 특히 바람직하다. 커플링제(e)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 충전재(d)의 수지에 대한 분산성의 향상이나, 제2 층의 피착체와의 접착성의 향상 등, 커플링제(e)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 커플링제(e)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 아웃 가스의 발생이 보다 억제된다.
커플링제(e)로서 상기 올리고머형 또는 폴리머형 오르가노실록산을 사용하는 경우, 제2 접착제 조성물 및 제2 층에 있어서, 커플링제(e)의 총 함유량(총 질량)에 대한, 상기 올리고머형 또는 폴리머형 오르가노실록산의 함유량의 비율은 25∼100질량％ 및 40∼100질량％ 중 어느 하나여도 된다.
(에폭시계 열경화성 수지(b)(에폭시 수지(b1) 및 열경화제(b2)))
에폭시계 열경화성 수지(b)는 에폭시 수지(b1) 및 열경화제(b2)로 이루어진다.
제2 접착제 조성물 및 제2 층에 있어서의 에폭시계 열경화성 수지(b)(에폭시 수지(b1), 열경화제(b2))는 제1 접착제 조성물 및 제1 층에 있어서의 에폭시계 열경화성 수지(b)(에폭시 수지(b1), 열경화제(b2))와 동일하다.
제2 접착제 조성물 및 제2 층이 함유하는, 에폭시 수지(b1) 및 열경화제(b2)는 각각 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
에폭시 수지(b1) 및 열경화제(b2)를 사용하는 경우, 제2 접착제 조성물 및 제2 층에 있어서, 열경화제(b2)의 함유량은 에폭시 수지(b1)의 함유량 100질량부에 대해, 10∼200질량부인 것이 바람직하다. 열경화제(b2)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 제2 층의 경화가 보다 진행되기 쉬워진다. 열경화제(b2)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 제2 층의 흡습율이 저감되어, 제2 층을 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 보다 향상된다.
에폭시 수지(b1) 및 열경화제(b2)를 사용하는 경우, 제2 접착제 조성물 및 제2 층에 있어서, 에폭시계 열경화성 수지(b)의 함유량(에폭시 수지(b1) 및 열경화제(b2)의 총 함유량)은 중합체 성분(a)의 함유량 100질량부에 대해, 400∼1200질량부인 것이 바람직하다. 에폭시계 열경화성 수지(b)의 상기 함유량이 이러한 범위임으로써, 제2 층의 접착력을 조절하는 것이 보다 용이해진다.
(경화 촉진제(c))
제2 접착제 조성물 및 제2 층은 에폭시계 열경화성 수지(b)를 함유하는 경우, 경화 촉진제(c)를 함유하는 것이 바람직하다.
제2 접착제 조성물 및 제2 층에 있어서의 경화 촉진제(c)는 제1 접착제 조성물 및 제1 층에 있어서의 경화 촉진제(c)와 동일하다.
제2 접착제 조성물 및 제2 층이 함유하는 경화 촉진제(c)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
경화 촉진제(c)를 사용하는 경우, 제2 접착제 조성물 및 제2 층에 있어서, 경화 촉진제(c)의 함유량은 에폭시계 열경화성 수지(b)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼5질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼2질량부인 것이 보다 바람직하다. 경화 촉진제(c)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 경화 촉진제(c)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 경화 촉진제(c)의 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 예를 들면, 고극성 경화 촉진제(c)가 고온·고습도 조건하에서 제2 층 중에 있어서 피착체와의 접착 계면측으로 이동하여 편석하는 것을 억제하는 효과가 높아져, 제2 층을 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 보다 향상된다.
(가교제(f))
제2 접착제 조성물 및 제2 층에 있어서의 가교제(f)는 제1 접착제 조성물 및 제1 층에 있어서의 가교제(f)와 동일하다.
제2 접착제 조성물 및 제2 층이 함유하는 가교제(f)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
제2 접착제 조성물 및 제2 층에 있어서, 가교제(f)의 함유량은 중합체 성분(a)의 함유량 100질량부에 대해, 0∼5질량부인 것이 바람직하다.
(범용 첨가제(i))
제2 접착제 조성물 및 제2 층에 있어서의 범용 첨가제(i)는 제1 접착제 조성물 및 제1 층에 있어서의 범용 첨가제(i)와 동일하다.
제2 접착제 조성물 및 제2 층이 함유하는 범용 첨가제(i)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
제2 접착제 조성물 및 제2 층의 범용 첨가제(i)의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 목적에 따라 적절히 선택하면 된다.
(용매)
제2 접착제 조성물은 추가로 용매를 함유하는 것이 바람직하다. 용매를 함유하는 제2 접착제 조성물은 취급성이 양호해진다.
제2 접착제 조성물에 있어서의 용매는 제1 접착제 조성물에 있어서의 용매와 동일하다.
제2 접착제 조성물이 함유하는 용매는 제2 접착제 조성물 중의 함유 성분을 보다 균일하게 혼합할 수 있는 점에서, 메틸에틸케톤 등인 것이 바람직하다.
바람직한 제2 접착제 조성물의 일 예로는, 중합체 성분(a), 충전재(d), 에너지선 경화성 수지(g), 광중합 개시제(h), 및 커플링제(e)를 함유하는 것을 들 수 있고, 이들 이외에, 추가로 범용 첨가제(i)를 함유하는 것도 들 수 있다.
＜＜제2 접착제 조성물의 제조 방법＞＞
제2 접착제 조성물은 상술한 제1 접착제 조성물의 경우와 동일 방법으로 제조할 수 있다.
다이 본딩 필름의 두께(제1 층 및 제2 층의 합계 두께)는 2∼80㎛인 것이 바람직하고, 6∼60㎛인 것이 보다 바람직하며, 10∼40㎛인 것이 특히 바람직하다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 다이 본딩 필름을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 한편, 이하의 설명에서 이용하는 도면은 본 발명의 특징을 알기 쉽게 하기 위해, 편의상, 주요부가 되는 부분을 확대하여 나타내고 있는 경우가 있고, 각 구성요소의 치수 비율 등이 실제와 동일하다고는 한정되지 않는다.
여기에 나타내는 다이 본딩 필름(13)은 제1 층(131)을 구비하고, 제1 층(131) 상에 제2 층(132)을 구비하여 구성되어 있다.
다이 본딩 필름(13)은 그 한쪽 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(13a) 상에 제1 박리 필름(151)을 구비하고, 상기 제1 면(13a)과는 반대측 다른 한쪽 면(본 명세서에 있어서는, 「제2 면」으로 칭하는 경우가 있다)(13b) 상에 제2 박리 필름(152)을 구비하고 있다.
이러한 다이 본딩 필름(13)은 예를 들면, 롤 형상으로 보관하는데 바람직하다.
다이 본딩 필름(13) 중, 제2 층(132)의 제1 층(131)측과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(132a)에는, 제1 박리 필름(151)이 적층되고, 제1 층(131)의 제2 층(132)측과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제2 면」으로 칭하는 경우가 있다)(131b)에는, 제2 박리 필름(152)이 적층되어 있다.
제1 층(131)의 제2 면(131b)은 다이 본딩 필름(13)의 제2 면(13b)과 동일하고, 제2 층(132)의 제1 면(132a)은 다이 본딩 필름(13)의 제1 면(13a)과 동일하다.
다이 본딩 필름(13) 중, 제1 층의 초기 검출 온도(T0)는 75℃ 이하이다.
다이 본딩 필름(13) 중, 제2 층은 점착성 및 에너지선 경화성을 갖고, 제2 층의 시험편을 사용하여 제작된 상기 시험용 적층체의 상기 침지 후 점착력은 6N/25㎜ 이상이다.
제1 박리 필름(151) 및 제2 박리 필름(152)은 모두 공지의 것이면 된다.
제1 박리 필름(151) 및 제2 박리 필름(152)은 서로 동일한 것이어도 되고, 예를 들면, 다이 본딩 필름(13)으로부터 박리시킬 때 필요한 박리력이 서로 상이한 등, 서로 상이한 것이어도 된다.
도 1에 나타내는 다이 본딩 필름(13)은 제1 박리 필름(151)이 제거되어 생긴 노출면, 다시말하면, 제2 층(132)의 제1 면(132a)에 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면이 첩부된다. 그리고, 제2 박리 필름(152)이 제거되어 생긴 노출면, 다시말하면, 제1 층(131)의 제2 면(131b)이 후술하는 지지 시트의 첩부면이 된다.
◇다이 본딩 필름의 제조 방법
다이 본딩 필름은 예를 들면, 제1 층(제1 필름) 및 제2 층(제2 필름)을 각각 별도로 형성해 두고 첩합함으로써 제조할 수 있다. 제1 층 및 제2 층의 형성 방법은 앞서 설명한 바와 같다.
예를 들면, 박리 필름 상에 제1 접착제 조성물을 사용하여, 미리 제1 층을 형성하고, 동일하게, 별도로 박리 필름 상에 제2 접착제 조성물을 사용하여, 미리 제2 층을 형성해 둔다. 이 때, 이들 조성물은 박리 필름의 박리 처리면에 도공하는 것이 바람직하다. 그리고, 이 형성된 제1 층의 상기 박리 필름과 접촉하고 있는 측과는 반대측 노출면과, 이 형성된 제2 층의 상기 박리 필름과 접촉하고 있는 측과는 반대측 노출면을 첩합함으로써, 제1 층 및 제2 층이 적층된 다이 본딩 필름이 얻어진다.
제1 층에 접촉하고 있는 박리 필름과, 제2 층에 접촉하고 있는 박리 필름은 모두, 다이 본딩 필름의 사용시, 적절한 타이밍에 제거하면 된다.
◇다이싱 다이 본딩 시트
본 발명의 일 실시형태에 따른 다이싱 다이 본딩 시트는 지지 시트를 구비하고, 상기 지지 시트 상에 상기 다이 본딩 필름을 구비하고 있으며, 상기 다이 본딩 필름 중의 제1 층이 상기 지지 시트측에 배치되어 있다.
상기 다이싱 다이 본딩 시트는 반도체 웨이퍼의 다이싱시 이용 가능하다.
이하, 상기 다이싱 다이 본딩 시트를 구성하는 각 층에 대해, 상세하게 설명한다.
◎지지 시트
상기 지지 시트는 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 된다. 지지 시트가 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층의 구성 재료 및 두께는 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 한, 특별히 한정되지 않는다.
바람직한 지지 시트로는, 예를 들면, 기재만으로 이루어지는 것; 기재를 구비하고, 상기 기재 상에 중간층을 구비한 것 등을 들 수 있다.
기재만으로 이루어지는 상기 지지 시트는 캐리어 시트 또는 다이싱 시트로서 바람직하다. 이러한 기재만으로 이루어지는 지지 시트를 구비한 다이싱 다이 본딩 시트는 다이 본딩 필름의 지지 시트(즉, 기재)를 구비하고 있는 측과는 반대측 면(즉, 제1 면)이 반도체 웨이퍼의 이면에 첩부되어 사용된다.
한편, 기재를 구비하고, 상기 기재 상에 중간층을 구비한 상기 지지 시트는 다이싱 시트로서 바람직하다. 이러한 지지 시트를 구비한 다이싱 다이 본딩 시트도, 다이 본딩 필름의 지지 시트를 구비하고 있는 측과는 반대측 면(제1 면)이 반도체 웨이퍼의 이면에 첩부되어 사용된다.
다이싱 다이 본딩 시트의 사용 방법은 추후 상세하게 설명한다.
이하, 지지 시트를 구성하는 각 층에 대해 설명한다.
○기재
상기 기재는 시트형 또는 필름형이며, 그 구성 재료로는, 예를 들면, 각종 수지를 들 수 있다.
상기 수지로는, 예를 들면, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE로 약기하는 경우가 있다), 선형 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE로 약기하는 경우가 있다), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE로 약기하는 경우가 있다) 등의 폴리에틸렌; 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐, 노르보르넨 수지 등의 폴리에틸렌 이외의 폴리올레핀; 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산에스테르 공중합체, 에틸렌-노르보르넨 공중합체 등의 에틸렌계 공중합체(모노머로서 에틸렌을 사용하여 얻어진 공중합체); 폴리염화비닐, 염화비닐 공중합체 등의 염화비닐계 수지(모노머로서 염화비닐을 사용하여 얻어진 수지); 폴리스티렌; 폴리시클로올레핀; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌이소프탈레이트, 폴리에틸렌-2,6-나프탈렌디카르복시레이트, 모든 구성 단위가 방향족 고리기를 갖는 전방향족 폴리에스테르 등의 폴리에스테르; 2종 이상의 상기 폴리에스테르의 공중합체; 폴리(메타)아크릴산에스테르; 폴리우레탄; 폴리우레탄아크릴레이트; 폴리이미드; 폴리아미드; 폴리카보네이트; 불소 수지; 폴리아세탈; 변성 폴리페닐렌옥시드; 폴리페닐렌술피드; 폴리술폰; 폴리에테르케톤 등을 들 수 있다.
또한, 상기 수지로는, 예를 들면, 상기 폴리에스테르와 그 이외의 수지의 혼합물 등의 폴리머 알로이도 들 수 있다. 상기 폴리에스테르와 그 이외의 수지의 폴리머 알로이는 폴리에스테르 이외의 수지의 양이 비교적 소량인 것이 바람직하다.
또한, 상기 수지로는, 예를 들면, 지금까지 예시한 상기 수지의 1종 또는 2종 이상이 가교된 가교 수지; 지금까지 예시한 상기 수지의 1종 또는 2종 이상을 사용한 아이오노머 등의 변성 수지도 들 수 있다.
기재를 구성하는 수지는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
기재는 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 되며, 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.
기재의 두께는 50∼300㎛인 것이 바람직하고, 60∼150㎛인 것이 보다 바람직하다. 기재의 두께가 이러한 범위임으로써, 다이싱 다이 본딩 시트의 가요성과, 다이싱 다이 본딩 시트의 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩에 대한 첩부성과, 후술하는 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 반도체 칩의 픽업성이 보다 향상된다.
여기서, 「기재의 두께」란, 기재 전체의 두께를 의미하며, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 기재의 두께란, 기재를 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다.
기재는 두께의 정밀도가 높은 것, 즉, 부위에 상관없이 두께의 편차가 억제된 것이 바람직하다. 상술한 구성 재료 중, 이러한 두께의 정밀도가 높은 기재를 구성하는데 사용 가능한 재료로는, 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌 이외의 폴리올레핀, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리우레탄아크릴레이트, 에틸렌-초산비닐 공중합체 등을 들 수 있다.
기재는 상기 수지 등의 주된 구성 재료 이외에, 충전재, 착색제, 대전 방지제, 산화 방지제, 유기 윤활제, 촉매, 연화제(가소제) 등의 공지의 각종 첨가제를 함유하고 있어도 된다.
기재는 투명해도 되고, 불투명해도 되며, 목적에 따라 착색되어 있어도 되고, 다른 층이 증착되어 있어도 된다. 단, 기재는 에너지선을 투과시키는 것이 바람직하며, 에너지선의 투과성이 높은 것이 보다 바람직하다.
기재는 그 위에 형성되는 중간층 등의 다른 층과의 밀착성을 향상시키기 위해, 샌드 블라스트 처리, 용제 처리 등에 의한 요철화 처리나, 코로나 방전 처리, 전자선 조사 처리, 플라즈마 처리, 오존·자외선 조사 처리, 화염 처리, 크롬산 처리, 열풍 처리 등의 산화 처리 등이 표면에 실시된 것이어도 된다.
또한, 기재는 표면에 프라이머 처리가 실시된 것이어도 된다.
또한, 기재는 대전 방지 코트층; 다이싱 다이 본딩 시트를 중첩하여 보존할 때, 기재가 다른 시트에 접착되는 것이나, 기재가 흡착 테이블에 접착되는 것을 방지하는 층 등을 갖는 것이어도 된다.
기재는 공지의 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들면, 수지를 함유하는 기재는 상기 수지를 함유하는 수지 조성물을 성형함으로써 제조할 수 있다.
○중간층
상기 중간층은 기재와 다이 본딩 필름 사이에 배치되어, 그 기능을 발휘하는 것이면, 특별히 한정되지 않는다.
중간층으로서, 보다 구체적으로는, 예를 들면, 적어도 한쪽 면이 박리 처리되어 있는 박리성 개선층, 점착제층 등을 들 수 있다.
상기 박리성 개선층은 후술하는 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 반도체 칩의 픽업시에 있어서, 경화된 다이 본딩 필름의 지지 시트로부터의 박리를 용이하게 한다.
상기 점착제층은 다이싱시에 있어서, 지지 시트 상에서의 반도체 웨이퍼의 고정을 안정화하거나, 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 반도체 칩의 픽업시에 있어서, 경화된 다이 본딩 필름의 지지 시트로부터의 박리를 용이하게 한다.
·박리성 개선층
상기 박리성 개선층은 시트형 또는 필름형이다.
박리성 개선층으로는, 예를 들면, 수지층과, 상기 수지층 상에 형성된 박리 처리층을 구비하여 구성된, 복수층으로 이루어지는 것; 박리제를 함유하는 단층으로 이루어지는 것 등을 들 수 있다. 다이싱 다이 본딩 시트에 있어서, 박리성 개선층은 그 박리 처리되어 있는 면이 다이 본딩 필름 측을 향해 배치되어 있다.
복수층으로 이루어지는 박리성 개선층 중, 상기 수지층은 수지를 함유하는 수지 조성물을 성형 또는 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써 제작할 수 있다.
그리고, 복수층으로 이루어지는 박리성 개선층은 상기 수지층의 한쪽 면을 박리 처리함으로써 제조할 수 있다.
상기 수지층의 박리 처리는 예를 들면, 알키드계, 실리콘계, 불소계, 불포화 폴리에스테르계, 폴리올레핀계, 또는 왁스계 등의, 공지의 각종 박리제에 의해 행할 수 있다.
상기 박리제는 내열성을 갖는 점에서는, 알키드계, 실리콘계, 또는 불소계 박리제인 것이 바람직하다.
상기 수지층의 구성 재료인 수지는 목적에 따라 적절히 선택하면 되고, 특별히 한정되지 않는다.
상기 수지로 바람직한 것으로는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET로 약기하는 경우가 있다), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN으로 약기하는 경우가 있다), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT로 약기하는 경우가 있다), 폴리에틸렌(PE로 약기하는 경우가 있다), 폴리프로필렌(PP로 약기하는 경우가 있다) 등을 들 수 있다.
상기 수지층은 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 되며, 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.
단층으로 이루어지는 박리성 개선층은 박리제를 함유하는 박리성 조성물을 성형 또는 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써 제작할 수 있다.
상기 박리성 조성물이 함유하는 박리제로는, 상기 수지층의 박리 처리시 사용하는 상술한 각종 박리제와 동일한 것을 들 수 있다.
상기 박리성 조성물은 상기 수지층의 구성 재료인 수지와 동일한 수지를 함유하고 있어도 된다. 즉, 단층으로 이루어지는 박리성 개선층은 박리제 이외에, 수지를 함유하고 있어도 된다.
박리성 개선층의 두께는 10∼200㎛인 것이 바람직하고, 15∼150㎛인 것이 보다 바람직하며, 25∼120㎛인 것이 특히 바람직하다. 박리성 개선층의 두께가 상기 하한값 이상임으로써, 박리성 개선층의 작용이 보다 현저해지고, 또한, 박리성 개선층의 절단 등의 파손을 억제하는 효과가 보다 높아진다. 박리성 개선층의 두께가 상기 상한값 이하임으로써, 후술하는 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 반도체 칩의 픽업시, 밀어올리는 힘이 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 반도체 칩에 전달되기 쉬워져, 픽업을 보다 용이하게 행할 수 있다.
여기서, 「박리성 개선층의 두께」란, 박리성 개선층이 상기 수지층 및 박리 처리층을 구비한 복수층으로 이루어지는 것인 경우에는, 수지층 및 박리 처리층의 합계 두께를 의미한다. 또한, 박리성 개선층이 박리제를 함유하는 단층으로 이루어지는 것인 경우에는, 이 단층의 두께를 의미한다.
·점착제층
상기 점착제층은 시트형 또는 필름형이며, 점착제를 함유한다.
상기 점착제로는, 예를 들면, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 고무계 수지, 실리콘계 수지, 에폭시계 수지, 폴리비닐에테르, 폴리카보네이트, 에스테르계 수지 등의 점착성 수지를 들 수 있고, 아크릴계 수지가 바람직하다.
한편, 본 명세서에 있어서, 「점착성 수지」란, 점착성을 갖는 수지와, 접착성을 갖는 수지의 양쪽을 포함하는 개념이며, 예를 들면, 수지 자체가 점착성을 갖는 것뿐만 아니라, 첨가제 등의 다른 성분과의 병용에 의해 점착성을 나타내는 수지나, 열 또는 물 등의 트리거의 존재에 의해 접착성을 나타내는 수지 등도 포함한다.
점착제층은 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 되며, 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.
점착제층의 두께는 특별히 한정되지 않으나, 1∼100㎛인 것이 바람직하다.
여기서, 「점착제층의 두께」란, 점착제층 전체의 두께를 의미하며, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 점착제층의 두께란, 점착제층을 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다.
점착제층은 투명해도 되고, 불투명해도 되며, 목적에 따라 착색되어 있어도 된다. 단, 점착제층은 에너지선을 투과시키는 것이 바람직하고, 에너지선의 투과성이 높은 것이 보다 바람직하다.
점착제층은 에너지선 경화성 점착제를 사용하여 형성된 것이어도 되고, 비에너지선 경화성 점착제를 사용하여 형성된 것이어도 된다. 에너지선 경화성 점착제를 사용하여 형성된 점착제층은 경화 전 및 경화 후에서의 물성을 용이하게 조절할 수 있다.
점착제층은 점착제를 함유하는 점착제 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 점착제층의 형성 대상면에 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 점착제층을 형성할 수 있다.
지금까지, 박리성 개선층 및 점착제층의 형성 방법에 대해 설명했으나, 이들에 한정하지 않고, 중간층은 그 구성 재료를 함유하는 중간층용 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 중간층의 형성 대상면에 중간층용 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 중간층을 형성할 수 있다. 또한, 중간층용 조성물의 종류에 따라, 이를 성형함으로써도 중간층을 형성할 수 있다.
이어서, 본 발명의 다이싱 다이 본딩 시트의 예를, 지지 시트의 종류별로, 이하, 도면을 참조하면서 설명한다.
도 2는 본 발명의 다이싱 다이 본딩 시트의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
한편, 도 2 이후의 도면에 있어서, 이미 설명된 도면에 나타내는 것과 동일한 구성요소에는, 그 설명된 도면의 경우와 동일한 부호를 부여하고, 그 상세한 설명은 생략한다.
여기에 나타내는 다이싱 다이 본딩 시트(1A)는 지지 시트(10)를 구비하고, 지지 시트(10) 상에 다이 본딩 필름(13)을 구비하고 있다. 지지 시트(10)는 기재(11)만으로 이루어지고, 다이싱 다이 본딩 시트(1A)는 다시말하면, 기재(11)의 한쪽 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(11a) 상에 다이 본딩 필름(13)이 적층된 구성을 갖는다. 또한, 다이싱 다이 본딩 시트(1A)는 추가로 다이 본딩 필름(13) 상에 박리 필름(15)을 구비하고 있다.
다이싱 다이 본딩 시트(1A)에 있어서는, 기재(11)의 제1 면(11a)에 제1 층(131)이 적층되어 있다. 또한, 제1 층(131)의 기재(11)측과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(131a)에 제2 층(132)이 적층되어 있다. 또한, 제2 층(132)의 제1 면(132a)(다시말하면, 다이 본딩 필름(13)의 제1 면(13a))의 일부, 즉, 주연부 근방의 영역에 지그용 접착제층(16)이 적층되어 있다. 또한, 제2 층(132)의 제1 면(132a) 중, 지그용 접착제층(16)이 적층되어 있지 않은 면과, 지그용 접착제층(16) 중, 다이 본딩 필름(13)과 접촉하고 있지 않은 면(16a)(상면 및 측면)에 박리 필름(15)이 적층되어 있다.
여기서, 기재(11)의 제1 면(11a)은 지지 시트(10)의 제1 면(10a)으로도 칭한다.
박리 필름(15)은 도 1에 나타내는 제1 박리 필름(151) 또는 제2 박리 필름(152)과 동일한 것이다.
지그용 접착제층(16)은 예를 들면, 접착제 성분을 함유하는 단층 구조의 것이어도 되고, 심재가 되는 시트의 양면에 접착제 성분을 함유하는 층이 적층된 복수층 구조의 것이어도 된다.
다이싱 다이 본딩 시트(1A)는 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 제2 층(132)의 제1 면(132a)(다이 본딩 필름(13)의 제1 면(13a)) 중, 지그용 접착제층(16)이 적층되어 있지 않은 영역에 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면이 첩부되고, 또한 지그용 접착제층(16)의 면(16a) 중 상면이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다.
도 3은 본 발명의 다이싱 다이 본딩 시트의 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
여기에 나타내는 다이싱 다이 본딩 시트(1B)는 지그용 접착제층(16)을 구비하지 않은 점 이외에는, 도 2에 나타내는 다이싱 다이 본딩 시트(1A)와 동일하다. 즉, 다이싱 다이 본딩 시트(1B)에 있어서는, 기재(11)의 제1 면(11a)(지지 시트(10)의 제1 면(10a))에 제1 층(131)이 적층되고, 제1 층(131)의 제1 면(131a)에 제2 층(132)이 적층되며, 제2 층(132)의 제1 면(132a)의 전체면에 박리 필름(15)이 적층되어 있다.
다시말하면, 다이싱 다이 본딩 시트(1B)는 기재(11), 제1 층(131), 제2 층(132), 및 박리 필름(15)이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되어 있다.
도 3에 나타내는 다이싱 다이 본딩 시트(1B)는 도 2에 나타내는 다이싱 다이 본딩 시트(1A)의 경우와 동일하게, 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 다이 본딩 필름(13)의 제1 면(13a) 중, 중앙측 일부의 영역에 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면이 첩부되고, 또한, 다이 본딩 필름(13)의 주연부 근방의 영역이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다.
도 4는 본 발명의 다이싱 다이 본딩 시트의 또 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
여기에 나타내는 다이싱 다이 본딩 시트(1C)는 기재(11)와, 다이 본딩 필름(13)(제1 층(131)) 사이에 추가로 중간층(12)을 구비하고 있는 점 이외에는, 도 2에 나타내는 다이싱 다이 본딩 시트(1A)와 동일하다. 지지 시트(10)는 기재(11) 및 중간층(12)의 적층체이며, 다이싱 다이 본딩 시트(1C)나, 지지 시트(10)의 제1 면(10a) 상에 다이 본딩 필름(13)이 적층된 구성을 갖는다.
다이싱 다이 본딩 시트(1C)에 있어서는, 기재(11)의 제1 면(11a)에 중간층(12)이 적층되어 있다. 또한, 중간층(12)의 기재(11)측과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(12a)에 제1 층(131)이 적층되어 있다. 또한, 제1 층(131)의 제1 면(131a)에 제2 층(132)이 적층되어 있다. 또한, 제2 층(132)의 제1 면(132a)(다시말하면, 다이 본딩 필름(13)의 제1 면(13a))의 일부, 즉, 주연부 근방의 영역에 지그용 접착제층(16)이 적층되어 있다. 또한, 제2 층(132)의 제1 면(132a) 중, 지그용 접착제층(16)이 적층되어 있지 않은 면과 지그용 접착제층(16) 중, 다이 본딩 필름(13)과 접촉하고 있지 않은 면(16a)(상면 및 측면)에 박리 필름(15)이 적층되어 있다.
다이싱 다이 본딩 시트(1C)에 있어서는, 중간층(12)이 복수층으로 이루어지는 상기 박리성 개선층인 경우에는, 예를 들면, 중간층(12)의 기재(11)측의 층이 상기 수지층(도시 생략)이 되고, 중간층(12)의 다이 본딩 필름(13)(제1 층(131)) 측의 층이 상기 박리 처리층(도시 생략)이 된다. 따라서, 이 경우, 중간층(12)의 제1 면(12a)은 박리 처리면이 된다. 한편, 중간층(12)이 단층으로 이루어지는 상기 박리성 개선층인 경우에는, 중간층(12)의 제1 면(12a)이 박리 처리면이 되는 것은 상기와 동일하나, 중간층(12) 전체가 박리제를 함유한다. 이와 같이 중간층(12)이 박리성 개선층인 경우에는, 후술하는 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 반도체 칩의 픽업시에 있어서, 경화된 다이 본딩 필름(도 4 중의 다이 본딩 필름(13)이 절단되고, 또한, 다이 본딩 필름(13) 중의 제2 층(132)이 에너지선 경화된 것)의 박리가 용이하다.
도 4에 나타내는 다이싱 다이 본딩 시트(1C)는 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 제2 층(132)의 제1 면(132a)(다이 본딩 필름(13)의 제1 면(13a)) 중, 지그용 접착제층(16)이 적층되어 있지 않은 영역에 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면이 첩부되고, 또한, 지그용 접착제층(16)의 면(16a) 중 상면이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다.
도 5는 본 발명의 다이싱 다이 본딩 시트의 또 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
여기에 나타내는 다이싱 다이 본딩 시트(1D)는 지그용 접착제층(16)을 구비하지 않고, 또한 다이 본딩 필름의 형상이 상이한 점 이외에는, 도 4에 나타내는 다이싱 다이 본딩 시트(1C)와 동일하다. 즉, 다이싱 다이 본딩 시트(1D)는 기재(11)를 구비하고, 기재(11) 상에 중간층(12)을 구비하며, 중간층(12) 상에 다이 본딩 필름(23)을 구비하고 있다. 지지 시트(10)는 기재(11) 및 중간층(12)의 적층체이다. 다이 본딩 필름(23)은 제1 층(231) 및 제2 층(232)의 적층체이다. 다이싱 다이 본딩 시트(1D)도, 지지 시트(10)의 제1 면(10a) 상에 다이 본딩 필름(23)이 적층된 구성을 갖는다.
다이싱 다이 본딩 시트(1D)에 있어서는, 기재(11)의 제1 면(11a)에 중간층(12)이 적층되어 있다. 또한, 중간층(12)의 제1 면(12a)의 일부, 즉, 중앙측 영역에 제1 층(231)이 적층되어 있다. 또한, 제1 층(231)의 제1 면(231a)에 제2 층(232)이 적층되어 있다. 그리고, 중간층(12)의 제1 면(12a) 중, 다이 본딩 필름(23)이 적층되어 있지 않은 영역과, 다이 본딩 필름(23) 중, 중간층(12)과 접촉하고 있지 않은 면(제1 면(23a) 및 측면) 상에 박리 필름(15)이 적층되어 있다.
다이싱 다이 본딩 시트(1D)를 상방으로부터 내려다보아 평면에서 볼 때, 다이 본딩 필름(23)은 중간층(12)보다 표면적이 작고, 예를 들면, 원 형상 등의 형상을 갖는다.
도 5에 나타내는 다이싱 다이 본딩 시트(1D)는 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 제2 층(232)의 제1 면(232a)(다이 본딩 필름(23)의 제1 면(23a))에 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면이 첩부되고, 또한, 중간층(12)의 제1 면(12a) 중, 다이 본딩 필름(23)이 적층되어 있지 않은 영역이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다.
한편, 도 5에 나타내는 다이싱 다이 본딩 시트(1D)에 있어서는, 중간층(12)의 제1 면(12a) 중, 다이 본딩 필름(23)이 적층되어 있지 않은 영역에 도 2 및 도 4에 나타내는 것과 동일하게 지그용 접착제층이 적층되고 있어도 된다(도시 생략). 이러한 지그용 접착제층을 구비한 다이싱 다이 본딩 시트(1D)는 도 2 및 도 4에 나타내는 다이싱 다이 본딩 시트의 경우와 동일하게, 지그용 접착제층의 면 중 상면이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다.
이와 같이, 다이싱 다이 본딩 시트는 지지 시트 및 다이 본딩 필름이 어떠한 형태여도, 지그용 접착제층을 구비한 것이어도 된다. 단, 통상은 도 2 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 지그용 접착제층을 구비한 다이싱 다이 본딩 시트로는, 다이 본딩 필름 상에 지그용 접착제층을 구비한 것이 바람직하다.
본 발명의 다이싱 다이 본딩 시트는 도 2∼도 5에 나타내는 것으로 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 도 2∼도 5에 나타내는 것의 일부 구성이 변경 또는 삭제된 것이나, 지금까지 설명한 것에 추가로 다른 구성이 추가된 것이어도 된다.
예를 들면, 도 2∼도 5에 나타내는 다이싱 다이 본딩 시트는 기재, 중간층, 다이 본딩 필름, 및 박리 필름 이외의 층이 임의의 개소에 형성되어 있어도 된다.
또한, 다이싱 다이 본딩 시트에 있어서는, 박리 필름과, 이 박리 필름과 직접 접촉하고 있는 층 사이에 일부 간극이 생성되어 있어도 된다.
또한, 다이싱 다이 본딩 시트에 있어서는, 각 층의 크기나 형상은 목적에 따라 임의로 조절할 수 있다.
◇다이싱 다이 본딩 시트의 제조 방법
다이싱 다이 본딩 시트는 예를 들면, 상기 다이 본딩 필름과, 지지 시트를 첩합함으로써 제조할 수 있다.
기재 및 중간층을 구비한 지지 시트는 기재 상에 상술한 중간층용 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써 제조할 수 있다. 예를 들면, 중간층이 박리성 개선층인 경우에는, 기재 상에 상기 수지층을 형성하기 위한 중간층용 조성물을 도공하고, 상기 수지층을 형성한 후, 그 노출면을 박리 처리하면 된다.
기재 및 중간층을 구비한 지지 시트는 이하의 방법으로도 제조할 수 있다.
즉, 기재 대신에 박리 필름을 사용한 점 이외에는, 상술한 중간층의 형성 방법의 경우와 동일 방법으로, 박리 필름 상에 중간층을 형성해 둔다. 이 때, 중간층용 조성물은 박리 필름의 박리 처리면에 도공하는 것이 바람직하다.
그리고, 중간층의 노출면(박리 필름측과는 반대측 면)과, 기재의 한쪽 면(제1 면)을 첩합함으로써, 상기 지지 시트를 제조할 수 있다.
또한, 다이싱 다이 본딩 시트는 예를 들면, 상기 다이 본딩 필름 및 지지 시트를 미리 형성해 두지 않아도 제조할 수 있다.
예를 들면, 상술한 방법으로, 박리 필름 상에 중간층을 형성해 둔다. 또한, 박리 필름 상에 형성된 제1 층(제1 필름)과, 박리 필름 상에 형성된 제2 층(제2 필름)과, 기재를 사용하여, 기재, 형성된 중간층, 형성된 제1 층, 및 형성된 제2 층을 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층한다. 이 때, 필요에 따라 적절한 타이밍에 각 층에 형성되어 있는 상기 박리 필름을 제거한다. 이상에 의해, 중간층을 구비한 다이싱 다이 본딩 시트가 얻어진다.
◇반도체 칩의 제조 방법
본 발명의 다이 본딩 필름 및 다이싱 다이 본딩 시트는 반도체 칩, 보다 구체적으로는, 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 반도체 칩의 제조에 이용 가능하다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 칩의 제조 방법은 상기 다이 본딩 필름 중, 제2 층에 반도체 웨이퍼가 첩부되고, 제1 층에 다이싱 시트가 첩부되어 있는 적층체(1-1), 또는 상기 다이싱 다이 본딩 시트 중, 다이 본딩 필름 중의 제2 층에 반도체 웨이퍼가 첩부되어 있는 적층체(1-2)를 제작하는 공정(본 명세서에 있어서는, 「적층체(1) 제작 공정」으로 칭하는 경우가 있다)과, 다이싱 블레이드에 의해, 상기 적층체(1-1) 또는 적층체(1-2) 중의 상기 반도체 웨이퍼를 상기 다이 본딩 필름과 함께 절단함으로써, 절단된 상기 제1 층, 절단된 상기 제2 층, 및 상기 반도체 칩(절단된 반도체 웨이퍼)을 구비한 적층체(2)를 제작하는 공정(본 명세서에 있어서는, 「적층체(2) 제작 공정」으로 칭하는 경우가 있다)과, 상기 적층체(2) 중의 절단된 상기 제2 층을 에너지선 경화시켜 경화물로 함으로써, 절단된 상기 제1 층, 상기 경화물, 및 상기 반도체 칩을 구비한 적층체(3)를 제작하는 공정(본 명세서에 있어서는, 「적층체(3) 제작 공정」으로 칭하는 경우가 있다)과, 상기 적층체(3)에 있어서, 절단된 상기 제1 층 및 상기 경화물을 구비한 상기 반도체 칩을 상기 다이싱 시트 또는 지지 시트로부터 분리하여 픽업하는 공정(본 명세서에 있어서는, 「픽업 공정」으로 칭하는 경우가 있다)을 포함한다.
한편, 본 명세서에 있어서는, 적층체(1-1) 및 적층체(1-2)를 포괄하여, 「적층체(1)」로 칭하는 경우가 있다.
상기 제조 방법에 있어서는, 상기 다이 본딩 필름 또는 다이싱 다이 본딩 시트를 사용하고 있음으로써, 반도체 칩의 사이즈가 작아도, 상기 픽업 공정에 있어서, 절단된 제2 층의 경화물(절단 및 경화된 제2 층)의 일부 또는 전부가 반도체 칩으로부터 박리되는 것이 억제되어, 반도체 칩에 대한 제2 층의 경화물의 전사성이 높다.
이하, 도면을 참조하면서, 상기 제조 방법에 대해 상세하게 설명한다.
도 6은 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 칩의 제조 방법을 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다. 여기서는, 도 2에 나타내는 다이싱 다이 본딩 시트(1A)를 사용한 경우의 반도체 칩의 제조 방법에 대해 설명한다.
＜＜적층체(1) 제작 공정＞＞
상기 적층체(1) 제작 공정에 있어서는, 도 6(a)에 나타내는 바와 같은, 다이싱 다이 본딩 시트(1A) 중, 다이 본딩 필름(13) 중의 제2 층(132)에 반도체 웨이퍼(9)가 첩부되어 있는 적층체(1-2)(101)를 제작한다.
적층체(1-2)(101)는 기재(11), 제1 층(131), 제2 층(132), 및 반도체 웨이퍼(9)(다시말하면, 기재(11), 다이 본딩 필름(13), 및 반도체 웨이퍼(9))가 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되어 있다.
적층체(1-2)(101)에 있어서는, 제2 층(132)의 제1 면(132a)에 반도체 웨이퍼(9)의 이면(9b)이 첩부되어 있다.
다이싱 다이 본딩 시트(1A)는 박리 필름(15)을 제거하여 사용한다.
한편, 여기서는, 다이싱 다이 본딩 시트(1A)를 사용한 경우에 대해 설명하고 있으나, 본 공정에 있어서는, 다이싱 다이 본딩 시트(1A)가 아닌, 다이 본딩 필름(13)을 사용하여, 그 중, 제2 층(132)에는 반도체 웨이퍼(9)가 첩부되고, 제1 층(131)에는, 다이싱 시트로서 기재(11)(지지 시트(10))가 첩부되어 있는 적층체(1-1)를 제작해도 된다.
적층체(1-1)는 기재(11), 제1 층(131), 제2 층(132), 및 반도체 웨이퍼(9)(다시말하면, 기재(11), 다이 본딩 필름(13), 및 반도체 웨이퍼(9))가 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되어 있다.
이와 같이, 얻어지는 적층체(1-2) 및 적층체(1-1)는 외관상 동일하고, 모두 적층체(1)(101)로서 기재 가능하다.
제2 층(132)에 대한 반도체 웨이퍼(9)의 첩부는 제2 층(132)을 가열에 의해 연화시켜 행해도 된다. 그 경우의 제2 층(132)의 가열 온도는 35∼45℃인 것이 바람직하다.
또한, 제2 층(132)에 반도체 웨이퍼(9)를 첩부할 때의 첩부 속도 및 첩부 압력은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 첩부 속도는 5∼20㎜/s인 것이 바람직하고, 첩부 압력은 0.1∼1.0MPa인 것이 바람직하다.
다이싱 다이 본딩 시트(1A)가 아닌, 다이 본딩 필름(13)을 사용하는 경우에는, 그 제1 층(131)에 다이싱 시트(기재(11), 지지 시트(10))를 첩부하고 나서, 제2 층(132)에 반도체 웨이퍼(9)를 첩부하는 것이 바람직하다. 제1 층(131)에 대한 다이싱 시트의 첩부는 공지의 방법으로 행하면 되고, 예를 들면, 반도체 웨이퍼(9)를 첩부할 때와 동일 조건을 채용해도 된다.
＜＜적층체(2) 제작 공정＞＞
상기 적층체(2) 제작 공정에 있어서는, 다이싱 블레이드를 이용하여, 적층체(1)(101) 중의 반도체 웨이퍼(9)를 다이 본딩 필름(13)(즉, 제1 층(131) 및 제2 층(132))과 함께 절단함으로써, 도 6(b)에 나타내는 바와 같이, 절단된 제1 층(131'), 절단된 제2 층(132'), 및 반도체 칩(9')을 구비한 적층체(2)(102)를 제작한다.
적층체(2)(102)에 있어서는, 절단된 제1 층(131'), 절단된 제2 층(132'), 및 반도체 칩(9')(다시말하면, 절단된 다이 본딩 필름(13') 및 반도체 칩(9'))이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층된 복수개의 적층물이 상기 제1 층(131')에 의해, 기재(11) 상에서 정렬된 상태로 고정되어 있다.
도 6(b)에 있어서는, 다이 본딩 필름(13)이 절단된 다이싱 다이 본딩 시트(1A)를, 새로 부호 1A'를 부여하여 나타내고 있다.
본 공정에 있어서는, 통상, 다이싱 블레이드의 반도체 웨이퍼(9)에 대한 접촉 개소에 물(절삭수)을 흘리면서, 다이싱을 행한다. 이 때, 제2 층(132)의 제1 면(132a)과, 반도체 웨이퍼(9)의 이면(9b)의 점착력 및 밀착성이 높고, 절단된 제2 층(132')의 제1 면(132a')과, 반도체 칩(9')의 이면(9b')의 점착력 및 밀착성도 높기 때문에, 이들의 접촉면끼리의 사이에 대한 물의 침입이 억제된다.
본 공정에서 제작하는 반도체 칩(9')의 사이즈는 특별히 한정되지 않으나, 반도체 칩(9')의 1변의 길이는 0.1∼2.5㎜인 것이 바람직하다. 이러한 사이즈가 작은 반도체 칩(9')의 제작시, 본 발명의 효과가 보다 현저히 얻어진다.
다이싱의 조건은 목적에 따라 적절히 조절하면 되고, 특별히 한정되지 않는다.
통상, 다이싱 블레이드의 회전수는 15000∼50000rpm인 것이 바람직하고, 다이싱 블레이드의 이동 속도는 5∼75㎜/sec인 것이 바람직하다.
다이싱시에는, 기재(11)를 그 제1 면(11a)으로부터, 예를 들면, 30㎛ 이하 정도의 깊이까지 다이싱 블레이드로 절입해도 된다.
＜＜적층체(3) 제작 공정＞＞
상기 적층체(3) 제작 공정에 있어서는, 적층체(2)(102) 중의 절단된 제2 층(132')을 에너지선 경화시켜 경화물(1320')로 함으로써, 도 6(c)에 나타내는 바와 같이, 절단된 제1 층(131'), 상기 경화물(1320'), 및 반도체 칩(9')을 구비한 적층체(3)(103)를 제작한다.
적층체(3)(103)에 있어서는, 절단된 제1 층(131'), 절단 및 경화된 제2 층(1320'), 및 반도체 칩(9')이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층된 복수개의 적층물이 상기 제1 층(131')에 의해, 기재(11) 상에서 정렬된 상태로 고정되어 있다. 적층체(3)(103)는 절단된 제2 층(132')이 경화되어 있는 점 이외에는, 적층체(2)(102)와 동일하다.
여기서는, 절단된 제1 층(131')과, 절단 및 경화된 제2 층(1320')의 적층물에 부호 130'를 부여하고 있다. 본 명세서에 있어서는, 이러한 다이 본딩 필름(13) 유래의 적층물을 「경화된 다이 본딩 필름」으로 칭하는 경우가 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 절단된 제2 층(132')과, 반도체 칩(9')은 점착력 및 밀착성이 높으나, 절단된 제2 층(132')이 경화물(1320')이 됨으로써, 이 경화물(1320')과, 반도체 칩(9')은 점착력 및 밀착성이 더욱 높아진다.
절단된 제2 층(132')에 에너지선을 조사하여, 제2 층(132')을 에너지선 경화시킬 때의, 에너지선의 조사 조건은 제2 층(132')이 충분히 에너지선 경화하는 한, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 에너지선 경화시에 있어서의, 에너지선의 조도는 4∼280㎽/㎠인 것이 바람직하다. 에너지선 경화시에 있어서의, 에너지선의 광량은 3∼1000mJ/㎠인 것이 바람직하다.
에너지선은 기재(11)측으로부터, 기재(11)와, 절단된 제1 층(131')을 개재하여, 절단된 제2 층(132')에 조사하는 것이 바람직하다.
＜＜픽업 공정＞＞
상기 픽업 공정에 있어서는, 도 6(d)에 나타내는 바와 같이, 적층체(3)(103)에 있어서, 절단된 제1 층(131') 및 상기 경화물(1320')을 구비한 반도체 칩(9')을 지지 시트(10)(기재(11))로부터 분리하여 픽업한다. 본 명세서에 있어서는, 이러한 반도체 칩을 「경화된 다이 본딩 필름이 형성된 반도체 칩」으로 칭하는 경우가 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 반도체 칩(9')의 사이즈가 작아도, 절단된 제2 층(132')과, 반도체 칩(9')의 점착력 및 밀착성이 높기 때문에, 다이싱시에 있어서, 이들의 접촉면끼리의 사이에 대한 물의 침입이 억제되어 있다. 추가로, 상기 경화물(1320')과, 반도체 칩(9')의 점착력 및 밀착성이 더욱 높아져 있다. 따라서, 본 공정에 있어서는, 상기 경화물(1320')의 일부 또는 전부가 반도체 칩(9')으로부터 박리되는 것이 억제되어, 반도체 칩(9')에 대한 상기 경화물(1320')의 전사성이 높다.
여기서는, 픽업의 방향을 화살표 I로 나타내고 있다.
반도체 칩(9')을 절단된 제1 층(131') 및 상기 경화물(1320')과 함께, 지지 시트(10)로부터 분리하기 위한 분리 수단(8)으로는, 진공 콜릿 등을 들 수 있다. 한편, 도 6에 있어서는, 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 반도체 칩과는 상이한, 분리 수단(8)에 대해서는, 단면 표시하지 않았다.
지금까지는 다이싱 다이 본딩 시트(1A)를 사용한 경우의 반도체 칩의 제조 방법에 대해 설명했으나, 다이싱 다이 본딩 시트(1B), (1C), 또는 (1D) 등, 다이싱 다이 본딩 시트(1A) 이외의 본 발명 외의 다이싱 다이 본딩 시트를 사용한 경우나, 최초의 단계에서 다이싱 다이 본딩 시트가 아닌, 다이 본딩 필름을 사용한 경우에도, 상기와 동일 방법으로, 반도체 칩을 제조할 수 있다. 그리고, 그 경우가 나타내는 효과도, 다이싱 다이 본딩 시트(1A)를 사용한 경우와 동일하다. 다른 다이싱 다이 본딩 시트를 사용하는 경우에는, 그 구조에 따라, 적절히 임의의 공정을 추가하여, 반도체 칩을 제조할 수 있다.
＜＜반도체 장치 및 그 제조 방법＞＞
상기 제조 방법을 적용하여 얻어진, 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 반도체 칩(절단된 제1 층과, 절단 및 경화된 제2 층을 구비한 반도체 칩)은 반도체 장치의 제조에 사용하는데 특별히 적합하다.
예를 들면, 상기 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 반도체 칩은 그 절단된 제1 층에 의해, 기판의 회로 형성면에 다이 본딩된다.
도 7은 이와 같이 기판의 회로 형성면에 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 반도체 칩이 다이 본딩되어 있는 상태의 일 예를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 여기서는, 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 반도체 칩으로서, 도 6을 참조하여 설명한 제조 방법에서의 목적물인, 절단된 제1 층(131') 및 상기 경화물(1320')을 구비한 반도체 칩(9')을 사용한 경우에 대해 나타내고 있다.
도 7에 나타내는 바와 같이, 경화된 다이 본딩 필름(130')을 구비한 반도체 칩(9')은 상기 필름(130') 중, 절단된 제1 층(131')에 의해, 기판(7)의 회로 형성면(7a)에 다이 본딩되어 있다.
보다 구체적으로는, 절단된 제1 층(131')의, 상기 경화물(1320')측과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제2 면」으로 칭하는 경우가 있다)(131b')과, 기판(7)의 회로 형성면(7a)이 직접 접촉하고, 반도체 칩(9')이 기판(7) 상에서 고정되어 있다. 한편, 기판(7)에 있어서, 회로의 기재는 생략하고 있다.
앞서 설명한, 다이 본딩 필름(13)의 제1 층(131)은 기판의 매입성이 양호하다. 따라서, 여기에 나타내는 바와 같이, 기판(7)의 회로 형성면(7a)과, 절단된 제1 층(131') 사이에서는, 간극(보이드)의 발생이 억제되어 있어, 절단된 제1 층(131')이 기판(7)의 회로 형성면(7a)을 양호하게 매입하여 피복하고 있다.
여기서는, 다이싱 다이 본딩 시트(1A)를 사용한 경우의, 반도체 칩의 다이 본딩에 대해 설명했으나, 다이싱 다이 본딩 시트(1B), (1C), 또는 (1D) 등, 다이싱 다이 본딩 시트(1A) 이외의 본 발명 외의 다이싱 다이 본딩 시트를 사용한 경우나, 최초의 단계에서 다이싱 다이 본딩 시트가 아닌, 다이 본딩 필름을 사용한 경우에도, 상기와 동일하게, 제1 층에 의해, 기판을 양호하게 매입할 수 있다.
상기와 같이, 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 반도체 칩을 사용하여, 반도체 칩을 다이 본딩한 후에는, 종래법과 동일 방법으로, 반도체 패키지 및 반도체 장치가 제조된다. 예를 들면, 필요에 따라, 이 다이 본딩된 반도체 칩에 추가로 반도체 칩을 적어도 1개 적층하고, 와이어 본딩을 행한 후, 얻어진 것 전체를 수지에 의해 봉지함으로써, 반도체 패키지가 제작된다. 그리고, 이 반도체 패키지를 사용하여, 목적으로 하는 반도체 장치가 제작된다.
본 발명의 다이 본딩 필름 또는 다이싱 다이 본딩 시트를 사용하고 있음으로써, 제1 층에 의한 기판의 매입성이 양호하고, 그 결과, 얻어지는 반도체 패키지는 신뢰성이 높은 것이 된다.
하나의 측면으로서, 본 발명의 일 실시형태인 다이 본딩 필름은
제1 층과, 상기 제1 층 상에 구비된 제2 층을 포함하고,
상기 제1 층은 용융 점도의 초기 검출 온도가 50∼75℃(또는 50∼68℃ 혹은 50∼59℃이어도 된다)인 특성을 가지며;
상기 제2 층은 점착성 및 에너지선 경화성을 갖고;
두께가 10㎛이며, 또한 폭이 25㎜보다 넓은 상기 제1 층과 제2 층의 적층체를 시험편으로 하고, 상기 시험편을 실리콘 미러 웨이퍼에 첩부하여, 폭 25㎜가 되도록 상기 시험편을 절단하고, 절단 후의 상기 시험편을 상기 실리콘 미러 웨이퍼째 순수 중에 2시간 침지하고, 침지 후의 상기 시험편을 에너지선 경화시켜 경화물로 함으로써, 상기 실리콘 미러 웨이퍼에 상기 경화물이 첩부되어 있는 시험용 적층체를 제작했을 때, 폭이 25㎜인 상기 경화물과, 상기 실리콘 미러 웨이퍼 사이의 점착력이 6∼20N/25㎜, 또는 10∼20N/25㎜가 되는 특성을 갖고; 또한
두께가 10㎛이며, 또한 폭이 25㎜보다 넓은 상기 제1 층과 제2 층의 적층체를 시험편으로 하고, 상기 시험편을 실리콘 미러 웨이퍼에 첩부하여, 폭 25㎜가 되도록 상기 시험편을 절단하고, 절단 후의 상기 시험편을 상기 실리콘 미러 웨이퍼째 공기 분위기하의 어두운 곳에 있어서, 온도 23℃, 상대 습도 50％의 조건하에서 30분간 정치 보존하고, 정치 보존 후의 상기 시험편을 에너지선 경화시켜 경화물로 함으로써, 상기 실리콘 미러 웨이퍼에 상기 경화물이 첩부되어 있는 비침지 시험용 적층체를 제작했을 때, 폭이 25㎜인 상기 경화물과, 상기 실리콘 미러 웨이퍼 사이의 점착력이 6∼20N/25㎜, 또는 10∼20N/25㎜가 되는 특성을 갖는;
다이 본딩 필름.
또한, 상기 다이 본딩 필름은
상기 제1 층이 제1 접착제 조성물로 형성되어 있고,
상기 제2 층이 제2 접착제 조성물로 형성되어 있으며,
상기 제1 접착제 조성물은 중합체 성분(a), 에폭시 수지(b1)와 열경화제(b2)로 이루어지는 에폭시계 열경화성 수지(b), 효과 촉진제(c), 충전재(d), 및 커플링제(e)를 포함하고,
상기 중합체 성분(a)은 아크릴산n-부틸, 아크릴산메틸, 메타크릴산글리시딜, 및 아크릴산2-히드록시에틸을 공중합하여 이루어지는 아크릴계 수지, 또는 아크릴산n-부틸, 아크릴산에틸, 아크릴로니트릴, 및 메타크릴산글리시딜을 공중합하여 이루어지는 아크릴계 수지(상기 중합체 성분(a)의 함유량은 상기 제1 접착제 조성물의 총 질량(용매 이외)에 대해 5∼20질량％, 바람직하게는 7∼12％이다)이며;
상기 에폭시 수지(b1)는 비스페놀 A형 에폭시 수지와 다관능 방향족형(트리페닐렌형) 에폭시 수지, 또는 비스페놀 F형 에폭시 수지와 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지이고;
상기 열경화제(b2)는 o-크레졸형 노볼락 수지이며
(상기 에폭시계 열경화성 수지(b)의 함유량은 상기 중합체 성분(a)의 함유량 100질량부에 대해, 800∼1000질량부이고, 상기 열경화제(b2)의 함유량은 상기 에폭시 수지(b1)의 함유량 100질량부에 대해, 바람직하게는 25∼80질량부이다);
상기 경화 촉진제(c)는 5-히드록시이소프탈산(HIPA) 1분자와 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸(2P4MHZ) 2분자의 포접 화합물, 또는 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸이며(상기 경화 촉진제(c)의 함유량은 상기 에폭시계 열경화성 수지(b)의 함유량 100질량부에 대해, 바람직하게는 0.1∼2질량부이다);
상기 충전재(d)는 에폭시기로 수식된 구형 실리카이고(상기 충전재(d)의 함유량은 상기 제1 접착제 조성물의 총 질량(용매 이외)에 대해, 바람직하게는 15∼30질량％이다);
상기 커플링제(e)는 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 그리고 에폭시기, 메틸기, 및 메톡시기를 갖는 올리고머형 실란 커플링제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개이며(상기 커플링제(e)의 함유량은 상기 중합체 성분(a) 및 상기 에폭시계 열경화성 수지(b)의 합계 함유량 100질량부에 대해, 바람직하게는 0.1∼5질량부이다);
상기 제2 접착제 조성물은 중합체 성분(a), 충전재(d), 커플링제(e), 에너지선 경화성 수지(g), 및 광중합 개시제(h)를 포함하고,
상기 중합체 성분(a)은 아크릴산n-부틸, 아크릴산메틸, 메타크릴산글리시딜, 및 아크릴산2-히드록시에틸을 공중합하여 이루어지는 아크릴계 수지, 또는 아크릴산n-부틸, 아크릴산에틸, 아크릴로니트릴, 및 메타크릴산글리시딜을 공중합하여 이루어지는 아크릴계 수지이며(상기 중합체 성분(a)의 함유량은 상기 제2 접착제 조성물의 총 질량(용매 이외)에 대해, 바람직하게는 20∼35질량％이다);
상기 충전재(d)는 에폭시기로 수식된 구형 실리카 또는 실리카 필러이고(상기 충전재(d)의 함유량은 상기 제2 접착제 조성물의 총 질량(용매 이외)에 대해, 바람직하게는 45∼64질량％이다);
상기 커플링제(e)는 에폭시기, 메틸기, 및 메톡시기를 갖는 올리고머형 실란 커플링제이며(상기 중합체 성분(a)의 함유량 100질량부에 대해, 바람직하게는 0.1∼5질량부이다);
상기 에너지선 경화성 수지(g)는 트리시클로데칸디메틸올디아크릴레이트 또는 ε-카프로락톤 변성 트리스-(2-아크릴옥시에틸)이소시아누레이트이고(상기 에너지선 경화성 수지(g)의 함유량은 제2 접착제 조성물의 총 질량(용매 이외)에 대해, 바람직하게는 5∼85질량％이다);
상기 광중합 개시제(h)는 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1인(상기 광중합 개시제(h)는 상기 에너지선 경화성 수지(g)의 함유량 100질량부에 대해, 1∼10질량부이다) 다이 본딩 필름이어도 된다.
실시예
이하, 구체적 실시예에 의해, 본 발명에 대해 보다 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하에 나타내는 실시예에 한정되는 것은 전혀 아니다.
＜모노머＞
본 실시예 및 비교예에 있어서, 약기하고 있는 모노머의 정식 명칭을 이하에 나타낸다.
BA: 아크릴산n-부틸
MA: 아크릴산메틸
HEA: 아크릴산2-히드록시에틸
GMA: 메타크릴산글리시딜
EA: 아크릴산에틸
AN: 아크릴로니트릴
＜접착제 조성물의 제조 원료＞
본 실시예 및 비교예에 있어서, 접착제 조성물의 제조에 사용한 원료를 이하에 나타낸다.
[중합체 성분(a)]
(a)-1: BA(10질량부), MA(70질량부), GMA(5질량부), 및 HEA(15질량부)를 공중합하여 이루어지는 아크릴계 수지(중량 평균 분자량 500000, 유리 전이 온도 -1℃)
(a)-2: BA(40질량부), EA(25질량부), AN(30질량부), 및 GMA(5질량부)를 공중합하여 이루어지는 아크릴계 수지(중량 평균 분자량 700000, 유리 전이 온도 10℃)
(a)-3: BA(55질량부), MA(10질량부), GMA(20질량부), 및 HEA(15질량부)를 공중합하여 이루어지는 아크릴계 수지(중량 평균 분자량 800000, 유리 전이 온도 -30℃)
(a)-4: 열가소성 수지, 폴리에스테르(도요보사 제조 「바일론 220」, 중량 평균 분자량 35000, 유리 전이 온도 53℃)
[에폭시 수지(b1)]
(b1)-1: 비스페놀 A형 에폭시 수지(미츠비시 화학사 제조 「JER828」, 에폭시 당량 184∼194g/eq)
(b1)-2: 다관능 방향족형(트리페닐렌형) 에폭시 수지(닛폰 화약사 제조 「EPPN-502H」, 에폭시 당량 167g/eq, 연화점 54℃, 중량 평균 분자량 1200)
(b1)-3: 비스페놀 F형 에폭시 수지(미츠비시 화학사 제조 「YL983U」, 에폭시 당량 170g/eq)
(b1)-4: 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(닛폰 화약사 제조 「XD-1000-L」, 에폭시 당량 248g/eq)
(b1)-5: 액상 비스페놀 A형 에폭시 수지 및 아크릴 고무 미립자의 혼합물(닛폰 화약사 제조 「BPA328」, 에폭시 당량 235g/eq)
(b1)-6: 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(DIC사 제조 「에피클론 HP-7200HH」, 에폭시 당량 255∼260g/eq)
[열경화제(b2)]
(b2)-1: o-크레졸형 노볼락 수지(DIC사 제조 「페놀라이트 KA-1160」)
(b2)-2: 노볼락형 페놀 수지(o-크레졸형 이외의 노볼락 수지, 쇼와 전공사 제조 「BRG-556」)
(b2)-3: 디시안디아미드(ADEKA사 제조 「아데카하드너 EH-3636AS」, 고체 분산형 잠재성 경화제, 활성 수소량 21g/eq)
[경화 촉진제(c)]
(c)-1: 5-히드록시이소프탈산(HIPA) 1분자와 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸(2P4MHZ) 2분자의 포접 화합물(닛폰 소다사 제조 「HIPA-2P4MHZ」)
(c)-2: 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸(시코쿠 화성 공업사 제조 「큐어졸 2PHZ-PW」)
[충전재(d)]
(d)-1: 에폭시기로 수식된 구형 실리카(아드마텍스사 제조 「아드마나노 YA050C-MKK」, 평균 입자 직경 50㎚)
(d)-2: 실리카 필러(아드마텍스사 제조 「SC2050MA」, 에폭시계 화합물로 표면 수식된 실리카 필러, 평균 입자 직경 500㎚)
[커플링제(e)]
(e)-1: 3-글리시독시프로필트리메톡시실란(신에츠 실리콘사 제조 「KBM-403」, 실란 커플링제, 메톡시 당량 12.7mmol/g, 분자량 236.3)
(e)-2: 3-글리시독시프로필트리에톡시실란(신에츠 실리콘사 제조 「KBE-403」, 실란 커플링제, 메톡시 당량 8.1mmol/g, 분자량 278.4)
(e)-3: 에폭시기, 메틸기, 및 메톡시기를 갖는 올리고머형 실란 커플링제(신에츠 실리콘사 제조 「X-41-1056」, 에폭시 당량 280g/eq)
(e)-4: 트리메톡시[3-(페닐아미노)프로필]실란(도레이 다우사 제조 「SZ6083」, 실란 커플링제)
(e)-5: 3-글리시독시프로필트리메톡시실란을 부가시킨 실리케이트 화합물(미츠비시 화학사 제조 「MKC 실리케이트 MSEP2」)
[가교제(f)]
(f)-1: 트리메틸올프로판의 톨릴렌디이소시아네이트 삼량체 부가물(도요켐사 제조 「BHS8515」)
[에너지선 경화성 수지(g)]
(g)-1: 트리시클로데칸디메틸올디아크릴레이트(닛폰 화약사 제조 「KAYARAD R-684」, 자외선 경화성 수지, 분자량 304)
(g)-2: ε-카프로락톤 변성 트리스-(2-아크릴옥시에틸)이소시아누레이트(신나카무라 화학공업사 제조 「A-9300-1CL」, 3관능 자외선 경화성 화합물)
[광중합 개시제(h)]
(h)-1: 1-히드록시시클로헥실페닐케톤(BASF사 제조 「IRGACURE(등록상표) 184」)
(h)-2: 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1(BASF사 제조 「IRGACURE(등록상표) 369」)
[실시예 1]
＜＜다이 본딩 필름의 제조＞＞
＜제1 접착제 조성물의 제조＞
중합체 성분((a)-1)(10질량부), 에폭시 수지((b1)-1)(20질량부), 에폭시 수지((b1)-2)(25질량부), 열경화제((b2)-1)(25질량부), 경화 촉진제((c)-1)(0.3질량부), 충전재((d)-1)(20질량부), 커플링제((e)-1)(0.3질량부), 커플링제((e)-2)(0.4질량부), 및 커플링제((e)-3)(0.5질량부)를 메틸에틸케톤에 용해 또는 분산시키고, 23℃에서 교반함으로써, 고형분 농도가 55질량％인 제1 접착제 조성물을 얻었다. 한편, 여기에 나타내는 메틸에틸케톤 이외의 성분의 배합량은 모두 고형분 환산값이다.
＜제2 접착제 조성물의 제조＞
중합체 성분((a)-1)(22질량부), 충전재((d)-2)(50질량부), 커플링제((e)-3)(0.5질량부), 에너지선 경화성 수지((g)-1)(20질량부), 및 광중합 개시제((h)-2)(0.3질량부)를 메틸에틸케톤에 용해 또는 분산시키고, 23℃에서 교반함으로써, 고형분 농도가 55질량％인 제2 접착제 조성물을 얻었다. 한편, 여기에 나타내는 메틸에틸케톤 이외의 성분의 배합량은 모두 고형분 환산값이다.
＜제1 층의 형성＞
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)제 필름의 한쪽 면이 실리콘 처리에 의해 박리 처리되어 있는 박리 필름(린텍사 제조 「SP-PET381031H」, 두께 38㎛)을 사용하여, 그 상기 박리 처리면에 상기에서 얻어진 제1 접착제 조성물을 도공하고, 100℃에서 2분간 가열 건조시킴으로써, 두께 10㎛의 제1 층을 형성했다.
＜제2 층의 형성＞
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)제 필름의 한쪽 면이 실리콘 처리에 의해 박리 처리되어 있는 박리 필름(린텍사 제조 「SP-PET381031H」, 두께 38㎛)을 사용하여, 그 상기 박리 처리면에 상기에서 얻어진 제2 접착제 조성물을 도공하고, 100℃에서 2분간 가열 건조시킴으로써, 두께 10㎛의 제2 층을 형성했다.
＜다이 본딩 필름의 제조＞
상기에서 얻어진 제1 층의 박리 필름측과는 반대측 노출면과, 상기에서 얻어진 제2 층의 박리 필름측과는 반대측 노출면을 이들 2층의 온도를 40℃로 하여 첩합함으로써, 박리 필름, 제1 층, 제2 층, 및 박리 필름이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된, 박리 필름이 형성된 다이 본딩 필름을 얻었다.
＜＜다이싱 다이 본딩 시트의 제조＞＞
상기에서 얻어진 다이 본딩 필름으로부터, 제1 층측의 박리 필름을 제거하고, 이에 의해 새로 생긴 제1 층의 노출면을 기재와 첩합함으로써, 기재, 제1 층, 제2 층, 및 박리 필름(다시말하면, 기재, 다이 본딩 필름, 및 박리 필름)이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된 다이싱 다이 본딩 시트를 얻었다. 여기서 사용한 기재는 폴리에틸렌제 필름(두께 100㎛)이다.
＜＜다이 본딩 필름의 평가＞＞
＜용융 점도의 초기 검출 온도 T0의 산출＞
상기에서 얻어진 다이 본딩 필름의 제1 층을 적층하고, 즉시, 직경 10㎜, 높이 20㎜의 원주 형상 시험편을 제작했다.
캐필러리 레오미터(시마즈 제작소사 제조 「CFT-100D」)의 측정 개소에 이 제작 직후의 시험편을 세트하고, 시험편에 5.10N(50kgf)의 힘을 가하면서, 시험편을 승온 속도 10℃/min으로 50℃에서 120℃까지 승온시켰다. 그리고, 다이에 설치된 직경 0.5㎜, 높이 1.0㎜의 홀로부터의, 시험편의 압출이 개시되었을 때, 즉, 시험편의 용융 점도의 검출이 개시된 온도(초기 검출 온도 T0)(℃)를 구했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
＜기판의 매입성의 평가＞
(경화된 다이 본딩 필름이 형성된 반도체 칩의 제조)
상기에서 얻어진 다이싱 다이 본딩 시트로부터 박리 필름을 제거하고, 이에 의해 새로 생긴 제2 층(다이 본딩 필름)의 노출면을 8인치 실리콘 미러 웨이퍼(두께 350㎛)의 미러면(이면)에 첩부했다. 이 때, 다이싱 다이 본딩 시트는 40℃로 가열하고, 첩부 속도 20㎜/s, 첩부 압력 0.5MPa의 조건으로 첩부했다.
이상에 의해, 기재, 제1 층, 제2 층, 및 실리콘 미러 웨이퍼(다시말하면, 기재, 다이 본딩 필름, 및 실리콘 미러 웨이퍼)가 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된 적층체(1)를 얻었다.
이어서, 다이싱 장치(Disco사 제조 「DFD6361」)를 이용하여 다이싱함으로써, 적층체(1) 중의 실리콘 미러 웨이퍼를 분할함과 함께, 제1 층 및 제2 층(다이 본딩 필름)도 절단하여, 크기가 2㎜×2㎜인 실리콘 칩을 얻었다. 이 때의 다이싱은 다이싱 블레이드의 이동 속도를 30㎜/sec, 다이싱 블레이드의 회전수를 40000rpm으로 하고, 기재에 대해, 그 제1 층의 첩부면으로부터 20㎛의 깊이까지 다이싱 블레이드로 절입함으로써 행했다. 또한, 다이싱 블레이드의 실리콘 미러 웨이퍼에 대한 접촉 개소에 물(절삭수)을 흘리면서, 다이싱을 행했다.
이상에 의해, 절단된 제1 층, 절단된 제2 층, 및 실리콘 칩(절단된 실리콘 미러 웨이퍼)(다시말하면, 절단된 다이 본딩 필름 및 실리콘 칩)이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층된 복수개의 적층물이 상기 제1 층에 의해 기재 상에서 정렬된 상태로 고정되어 있는 적층체(2)를 얻었다.
이어서, 자외선 조사 장치(린텍사 제조 「RAD-2000 m/12」)를 이용하여, 조도 220㎽/㎠, 광량 120mJ/㎠의 조건으로, 적층체(2)의 기재측의 외부로부터, 적층체(2) 중의 절단된 제2 층에 대해 자외선을 조사하여, 제2 층을 경화시켰다.
이상에 의해, 절단된 제1 층, 절단된 제2 층의 경화물, 및 실리콘 칩이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층된 복수개의 적층물이 상기 제1 층에 의해 기재 상에서 정렬된 상태로 고정되어 있는 적층체(3)를 얻었다. 적층체(3)는 절단된 제2 층이 경화되어 있는 점 이외에는, 적층체(2)와 동일하다.
이어서, 픽업·다이 본딩 장치(캐논 머시너리사 제조 「BESTEM D02」)를 이용하여, 상기에서 얻어진 적층체(3) 중의 기재로부터, 이면에 제1 층 및 경화된 제2 층(경화된 다이 본딩 필름)을 구비한 실리콘 칩(즉, 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 실리콘 칩)을 분리하여 픽업했다.
이상에 의해, 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 실리콘 칩을 얻었다.
지금까지의 다이싱(다이 본딩 필름의 절단), 다이 본딩 필름(제2 층)의 경화, 및 픽업의 공정 순서를 표 1에 나타낸다. 한편, 이들 3가지 공정을 행하는 순서는 본 항목(기판의 매입성)의 평가시에 한정하지 않고, 후술하는 다른 항목의 평가시에도 동일해진다.
표 1 중에 기재된 약기호는 이하의 의미이다.
DF: 다이 본딩 필름
DC: 다이싱
PU: 픽업
(다이 본딩 필름의 기판의 매입성의 평가)
원반의 투명 유리 기판(엔 에스 지 프리시전사 제조, 직경 8인치, 두께 100㎛)을 8㎜×8㎜의 크기로 분할하여 개편화했다.
이어서, 픽업·다이 본딩 장치(캐논 머시너리사 제조 「BESTEM D02」)를 이용하여, 상기에서 얻어진, 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 실리콘 칩을 상기에서 얻어진 개편화 후의 투명 유리 기판에 다이 본딩했다. 이 때, 20℃의 온도 조건하에서, 개편화 후의 투명 유리 기판에 경화된 다이 본딩 필름을 접촉시킴으로써, 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 실리콘 칩을 이 기판 위에 배치하고, 1개의 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 실리콘 칩에 대해, 5N의 힘을 0.5초간 가하여 가압함으로써, 다이 본딩을 행했다.
이어서, 광학 현미경(키엔스사 제조 「VHX-1000」)을 이용하여, 이 다이 본딩 후의 투명 유리 기판을 그 경화된 다이 본딩 필름측과는 반대측에서 관찰했다. 그리고, 경화된 다이 본딩 필름과 유리 기판 사이에 있어서의, 보이드(공극부)의 유무를 확인하고, 유리 기판의, 경화된 다이 본딩 필름측 면의 전체면 중, 경화된 다이 본딩 필름과 밀착하고 있는 면의 비율(밀착 비율, 면적％)을 구했다.
이상의 조작을 9개의 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 실리콘 칩에 대해 행하고, 하기 기준에 따라, 다이 본딩 필름의 기판의 매입성을 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
A: 9개의 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 실리콘 칩 전부에서 상기 밀착 비율이 90면적％ 이상이었다.
B: 상기 밀착 비율이 90면적％ 미만인 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 실리콘 칩이 적어도 1개 존재했다.
＜반도체 칩에 대한 전사성의 평가＞
(적층체(3)의 제조)
상술한, 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 반도체 칩의 제조시의 경우와 동일 방법으로, 적층체(3)를 제조했다.
(반도체 칩에 대한 전사성의 평가)
이어서, 상기에서 얻어진 적층체(3)를 23℃의 순수 중에 2시간 침지했다. 이 때, 적층체(3) 전체가 순수 중에 수몰되도록, 적층체(3)를 배치했다.
이어서, 적층체(3)를 순수 중으로부터 인상하고, 표면에 부착되어 있는 물방울을 제거했다.
그리고, 픽업·다이 본딩 장치(캐논 머시너리사 제조 「BESTEM D02」)를 이용하여, 이 침지 후의 적층체(3) 중의 기재로부터, 이면에 제1 층 및 경화된 제2 층을 구비한 실리콘 칩(다시말하면, 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 실리콘 칩)을 분리하여 픽업하는 것을 시도했다.
지금까지의, 다이싱, 다이 본딩 필름(제2 층)의 경화, 및 픽업의 공정 순서는 상술한 다이 본딩 필름의 기판의 매입성의 평가시와 동일하다.
이어서, 광학 현미경(키엔스사 제조 「VHX-1000」)을 이용하여, 기재의 제1 층(다이 본딩 필름)이 적층되어 있던 면(다시말하면, 제1 면)을 관찰하고, 하기 기준에 따라, 경화된 다이 본딩 필름의 반도체 칩에 대한 전사성을 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
A: 경화된 다이 본딩 필름이 기재에 잔존하지 않았다.
B: 경화된 다이 본딩 필름(적어도 제1 층)이 기재에 잔존하고 있다.
＜비침지 점착력 및 침지 후 점착력의 측정＞
(시험용 적층체의 제조)
상기에서 얻어진 다이 본딩 필름으로부터, 제2 층측의 박리 필름을 제거하고, 이에 의해 새로 생긴 제2 층의 노출면을 6인치 실리콘 미러 웨이퍼(두께 350㎛)의 미러면(이면)에 첩부했다. 이 때, 다이 본딩 필름은 40℃로 가열하고, 첩부 속도 20㎜/s, 첩부 압력 0.5MPa의 조건으로 첩부했다.
이어서, 이 첩부 후의 다이 본딩 필름으로부터, 제1 층측의 박리 필름을 제거하고, 이에 의해 새로 생긴 제1 층의 노출면에 폭이 25㎜인 강점착 테이프(린텍사 제조 「PET50PL 신」)를 첩부했다.
이어서, 상기 6인치 실리콘 미러 웨이퍼에 첩부된 다이 본딩 필름에 대해, 이 강점착 테이프의 외주를 따라, 상기 다이 본딩 필름의 두께 방향의 전역(제1 층 및 제2 층의, 이들의 두께 방향의 전역)에 절입을 형성하고, 상기 다이 본딩 필름을 폭이 25㎜인 띠 형상으로 절단했다.
이어서, 상기 절단 직후부터, 어두운 곳에 있어서, 이 절단 후의 다이 본딩 필름을 상기 실리콘 미러 웨이퍼째 23℃의 순수 중에 2시간 침지했다. 이 때, 절단 후의 다이 본딩 필름이 첩부된 실리콘 미러 웨이퍼는 그 전체가 순수 중에 수몰되도록, 순수 중에 배치했다.
이어서, 절단 후의 다이 본딩 필름이 첩부된 실리콘 미러 웨이퍼를 순수 중으로부터 인상하고, 그 표면에 부착되어 있는 물방울을 제거했다.
이어서, 자외선 조사 장치(린텍사 제조 「RAD-2000 m/12」)를 이용하여, 조도 220㎽/㎠, 광량 120mJ/㎠의 조건으로, 절단 후의 다이 본딩 필름에 대해 자외선을 조사하여, 제2 층을 경화시켰다.
이상에 의해, 강점착 테이프, 절입이 형성되어 있는 제1 층, 절입이 형성되어 있는 제2 층의 경화물, 및 실리콘 미러 웨이퍼가 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된 시험용 적층체를 얻었다.
(시험용 적층체의 침지 후 점착력의 측정)
23℃의 조건하에서, 만능 인장 시험기(시마즈 제작소제 「오토 그래프 AG-IS」)를 이용하여, 상기에서 얻어진 시험용 적층체에 있어서, 상기 강점착 테이프를 인장했다. 이 때, 강점착 테이프의 인장에 의해, 시험용 적층체에 있어서 생긴 박리면 사이가 180°의 각도를 이루도록, 박리(인장) 속도 300㎜/min로 강점착 테이프를 인장하는, 이른바 180°박리를 행했다. 그리고, 이 때의 박리력(하중, N/25㎜)을 측정함과 함께, 시험용 적층체에 있어서 생긴 박리 개소와, 박리 형태를 확인했다. 그리고, 상기 박리력을 시험용 적층체에 있어서의, 폭이 25㎜인 제2 층의 경화물과, 실리콘 미러 웨이퍼 사이의 점착력(N/25㎜)으로 했다. 결과를 표 1 중의 「침지 후 점착력」 칸에 나타낸다.
(비침지 시험용 적층체의 제조)
절단 후의 다이 본딩 필름이 첩부된 실리콘 미러 웨이퍼를 어두운 곳에 있어서, 23℃의 순수 중에 2시간 침지하는 대신에, 공기 분위기하의 어두운 곳에 있어서, 온도 23℃, 상대 습도 50％의 조건하에서 30분간 정치 보존한 점 이외에는, 상술한 시험용 적층체의 경우와 동일 방법으로, 비침지 시험용 적층체를 제조했다.
(비침지 시험용 적층체의 비침지 점착력의 측정)
상기에서 얻어진 비침지 시험용 적층체에 대해, 상기 시험용 적층체의 경우와 동일 방법으로, 박리력(하중, N/25㎜)을 측정함과 함께, 비침지 시험용 적층체에 있어서 생긴 박리 개소와, 박리 형태를 확인하고, 상기 박리력을 폭이 25㎜인 제2 층의 경화물과, 실리콘 미러 웨이퍼 사이의 점착력(N/25㎜)으로 했다. 결과를 표 1 중의 「비침지 점착력」 칸에 나타낸다.
＜＜다이 본딩 필름의 제조, 다이싱 다이 본딩 시트의 제조, 및 다이 본딩 필름의 평가＞＞
[실시예 2]
제1 접착제 조성물 및 제2 접착제 조성물에 대해, 이들의 함유 성분의 종류 및 함유량이 표 1에 나타내는 바와 같이 되도록, 이들 조성물의 제조시에 있어서의 배합 성분의 종류 및 배합량을 변경한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일 방법으로, 다이 본딩 필름 및 다이싱 다이 본딩 시트를 제조하고, 다이 본딩 필름을 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[비교예 1]
＜＜다이 본딩 필름의 제조, 다이싱 다이 본딩 시트의 제조＞＞
실시예 1의 경우와 동일 방법으로, 다이 본딩 필름 및 다이싱 다이 본딩 시트를 제조했다.
＜＜다이 본딩 필름의 평가＞＞
＜용융 점도의 초기 검출 온도 T0의 산출＞
실시예 1의 경우와 동일 방법으로, 초기 검출 온도 T0(℃)을 구했다. 결과를 표 2에 나타낸다.
＜기판의 매입성의 평가＞
(비교용의 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 반도체 칩의 제조)
실시예 1의 경우와 동일 방법으로, 적층체(1)를 제조했다.
이어서, 자외선 조사 장치(린텍사 제조 「RAD-2000 m/12」)를 이용하여, 조도 220㎽/㎠, 광량 120mJ/㎠의 조건으로, 적층체(1)의 기재측의 외부로부터, 적층체(1) 중의 제2 층에 대해 자외선을 조사하여, 제2 층을 경화시켰다.
이상에 의해, 제1 층, 제2 층의 경화물, 및 실리콘 미러 웨이퍼가 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된 적층체(4)를 얻었다. 적층체(4)는 제2 층이 경화되어 있는 점 이외에는, 적층체(1)와 동일하다.
이어서, 다이싱 장치(Disco사 제조 「DFD6361」)를 이용하여 다이싱함으로써, 적층체(4) 중의 실리콘 미러 웨이퍼를 분할함과 함께, 제1 층 및 경화된 제2 층(경화된 다이 본딩 필름)도 절단하여, 크기가 2㎜×2㎜인 실리콘 칩을 얻었다. 이 때의 다이싱은 다이싱 블레이드의 이동 속도를 30㎜/sec, 다이싱 블레이드의 회전수를 40000rpm으로 하고, 기재에 대해, 그 제1 층의 첩부면으로부터 20㎛의 깊이까지 다이싱 블레이드로 절입함으로써 행했다.
이상에 의해, 절단된 제1 층, 절단된 제2 층의 경화물, 및 실리콘 칩이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층된 복수개의 적층물이 상기 제1 층에 의해 기재 상에서 정렬된 상태로 고정되어 있는, 비교용의 적층체(3')를 얻었다. 비교용의 적층체(3')에 있어서, 각 층의 외관상의 종류와 적층 순서는 상술한 적층체(3)의 경우와 동일하나, 다이싱과, 제2 층의 경화의 순서가 상술한 적층체(3)의 경우와는 상이하다.
이어서, 픽업·다이 본딩 장치(캐논 머시너리사 제조 「BESTEM D02」)를 이용하여, 상기에서 얻어진 비교용의 적층체(3') 중의 기재로부터, 이면에 제1 층 및 경화된 제2 층(경화된 다이 본딩 필름)을 구비한 실리콘 칩(즉, 비교용의 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 실리콘 칩)을 분리하여 픽업했다.
이상에 의해, 비교용의 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 실리콘 칩을 얻었다.
(다이 본딩 필름의 기판의 매입성의 평가)
상기에서 얻어진, 비교용의 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 실리콘 칩을 사용한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일 방법으로, 경화된 다이 본딩 필름의 기판의 매입성을 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다.
＜반도체 칩에 대한 전사성의 평가＞
(비교용의 적층체(3')의 제조)
상술한, 비교용의 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 반도체 칩의 제조시의 경우와 동일 방법으로, 비교용의 적층체(3')를 제조했다.
(반도체 칩에 대한 전사성의 평가)
이어서, 상기에서 얻어진 비교용의 적층체(3')를 23℃의 순수 중에 2시간 침지했다.
이 때, 비교용의 적층체(3') 전체가 순수 중에 수몰되도록, 비교용의 적층체(3')를 배치했다.
이어서, 비교용의 적층체(3')를 순수 중으로부터 인상하고, 표면에 부착되어 있는 물방울을 제거했다. 그리고, 픽업·다이 본딩 장치(캐논 머시너리사 제조 「BESTEM D02」)를 이용하여, 이 침지 후의 비교용의 적층체(3') 중의 기재로부터, 이면에 제1 층 및 경화된 제2 층을 구비한 실리콘 칩(다시말하면, 비교용의 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 실리콘 칩)을 분리하여 픽업하는 것을 시도했다.
이어서, 상기에서 얻어진, 비교용의 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 실리콘 칩을 사용한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일 방법으로, 경화된 다이 본딩 필름의 반도체 칩에 대한 전사성을 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다.
＜비침지 점착력 및 침지 후 점착력의 측정＞
(시험용 적층체의 제조)
실시예 1의 경우와 동일 방법으로, 절단 후의 다이 본딩 필름이 첩부된 실리콘 미러 웨이퍼를 얻었다.
이어서, 자외선 조사 장치(린텍사 제조 「RAD-2000 m/12」)를 이용하여, 조도 220㎽/㎠, 광량 120mJ/㎠의 조건으로, 절단 후의 다이 본딩 필름에 대해 자외선을 조사하여, 제2 층을 경화시켰다.
이어서, 어두운 곳에 있어서, 이 제2 층을 경화 후의 다이 본딩 필름을, 제2 층의 경화 직후부터, 상기 실리콘 미러 웨이퍼째 23℃의 순수 중에 2시간 침지했다. 이 때, 경화 후의 다이 본딩 필름이 첩부된 실리콘 미러 웨이퍼는 그 전체가 순수 중에 수몰되도록, 순수 중에 배치했다.
이어서, 경화 후의 다이 본딩 필름이 첩부된 실리콘 미러 웨이퍼를 순수 중으로부터 인상하고, 그 표면에 부착되어 있는 물방울을 제거했다.
이상에 의해, 강점착 테이프, 절입이 형성되어 있는 제1 층, 절입이 형성되어 있는 제2 층의 경화물, 및 실리콘 미러 웨이퍼가 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된 비교용의 시험용 적층체를 얻었다.
(비침지 시험용 적층체의 제조)
제2 층을 경화 후의 다이 본딩 필름이 첩부된 실리콘 미러 웨이퍼를, 어두운 곳에 있어서, 23℃의 순수 중에 2시간 침지하는 대신에, 공기 분위기하의 어두운 곳에 있어서, 온도 23℃, 상대 습도 50％의 조건하에서 30분간 정치 보존한 점 이외에는, 상술한 비교용의 시험용 적층체의 경우와 동일 방법으로, 비교용의 비침지 시험용 적층체를 제조했다.
(시험용 적층체의 비침지 점착력 및 침지 후 점착력의 측정)
상기에서 얻어진 비교용의 시험용 적층체를 사용하여 실시예 1의 경우와 동일 방법으로, 그 침지 후 점착력을 측정했다. 또한, 상기에서 얻어진 비교용의 비침지 시험용 적층체를 사용하여 실시예 1의 경우와 동일 방법으로, 그 비침지 점착력을 측정했다. 결과를 표 2에 나타낸다.
＜＜다이 본딩 필름의 제조, 다이싱 다이 본딩 시트의 제조, 및 다이 본딩 필름의 평가＞＞
[비교예 2]
＜＜다이 본딩 필름의 제조, 다이싱 다이 본딩 시트의 제조, 다이 본딩 필름의 평가＞＞
실시예 1의 경우와 동일 방법으로 제조한 다이 본딩 필름 및 다이싱 다이 본딩 시트 대신에, 실시예 2의 경우와 동일 방법으로 제조한 다이 본딩 필름 및 다이싱 다이 본딩 시트를 사용한 점 이외에는, 비교예 1의 경우와 동일 방법으로, 다이 본딩 필름을 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다.
[비교예 3]
＜＜다이 본딩 필름의 제조＞＞
＜접착제 조성물의 제조＞
중합체 성분((a)-3)(10질량부), 중합체 성분((a)-4)(20질량부), 에폭시 수지((b1)-2)(20질량부), 에폭시 수지((b1)-5)(20질량부), 열경화제((b2)-2)(20질량부), 경화 촉진제((c)-2)(0.3질량부), 충전재((d)-2)(10질량부), 커플링제((e)-4)(0.3질량부), 커플링제((e)-5)(0.5질량부), 에너지선 경화성 수지((g)-1)(5질량부), 및 광중합 개시제((h)-1)(0.15질량부)를 메틸에틸케톤에 용해 또는 분산시키고, 23℃에서 교반함으로써, 고형분 농도가 55질량％인 접착제 조성물을 얻었다. 한편, 여기에 나타내는 메틸에틸케톤 이외의 성분의 배합량은 모두 고형분 환산값이다.
＜다이 본딩 필름의 제조＞
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)제 필름의 한쪽 면이 실리콘 처리에 의해 박리 처리되어 있는 박리 필름(린텍사 제조 「SP-PET381031H」, 두께 38㎛)을 사용하여, 그 상기 박리 처리면에 상기에서 얻어진 접착제 조성물을 도공하고, 100℃에서 2분간 가열 건조시킴으로써, 두께 20㎛의 다이 본딩 필름을 형성했다.
＜＜다이싱 다이 본딩 시트의 제조＞＞
상기에서 얻어진 다이 본딩 필름의 노출면을 기재와 첩합함으로써, 기재, 다이 본딩 필름, 및 박리 필름이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된 다이싱 다이 본딩 시트를 얻었다. 여기서 사용한 기재는 실시예 1에서 사용한 것과 동일하다.
＜＜다이 본딩 필름의 평가＞＞
＜용융 점도의 초기 검출 온도 T0의 산출＞
상기에서 얻어진 다이 본딩 필름에 대해, 실시예 1의 경우와 동일 방법으로, 초기 검출 온도 T0(℃)을 구했다. 결과를 표 2에 나타낸다.
＜기판의 매입성의 평가＞
(비교용의 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 반도체 칩의 제조)
상기에서 얻어진 다이싱 다이 본딩 시트로부터 박리 필름을 제거하고, 이에 의해 새로 생긴 다이 본딩 필름의 노출면을 8인치 실리콘 미러 웨이퍼(두께 350㎛)의 미러면(이면)에 첩부했다. 이 때, 다이싱 다이 본딩 시트는 40℃로 가열하고, 첩부 속도 20㎜/s, 첩부 압력 0.5MPa의 조건으로 첩부했다.
이상에 의해, 기재, 다이 본딩 필름, 및 실리콘 미러 웨이퍼가 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된 적층체(5)를 얻었다.
이어서, 다이싱 장치(Disco사 제조 「DFD6361」)를 이용하여 다이싱함으로써, 적층체(5) 중의 실리콘 미러 웨이퍼를 분할함과 함께, 다이 본딩 필름도 절단하여, 크기가 2㎜×2㎜인 실리콘 칩을 얻었다. 이 때의 다이싱은 다이싱 블레이드의 이동 속도를 30㎜/sec, 다이싱 블레이드의 회전수를 40000rpm으로 하고, 기재에 대해, 그 다이 본딩 필름의 첩부면으로부터 20㎛의 깊이까지 다이싱 블레이드로 절입함으로써 행했다.
이상에 의해, 절단된 다이 본딩 필름 및 실리콘 칩이 이들의 두께 방향에 있어서 적층된 복수개의 적층물이 상기 다이 본딩 필름에 의해 기재 상에서 정렬된 상태로 고정되어 있는 적층체(6)를 얻었다.
이어서, 자외선 조사 장치(린텍사 제조 「RAD-2000 m/12」)를 이용하여, 조도 220㎽/㎠, 광량 120mJ/㎠의 조건으로, 적층체(6)의 기재측의 외부로부터, 적층체(6) 중의 절단된 다이 본딩 필름에 대해 자외선을 조사하여, 다이 본딩 필름을 경화시켰다.
이상에 의해, 절단된 다이 본딩 필름의 경화물 및 실리콘 칩이 이들의 두께 방향에 있어서 적층된 복수개의 적층물이 상기 경화물에 의해 기재 상에서 정렬된 상태로 고정되어 있는 적층체(7)를 얻었다. 적층체(7)는 절단된 다이 본딩 필름이 경화되어 있는 점 이외에는, 적층체(6)와 동일하다.
이어서, 픽업·다이 본딩 장치(캐논 머시너리사 제조 「BESTEM D02」)를 이용하여, 상기에서 얻어진 적층체(7) 중의 기재로부터, 이면에 경화된 다이 본딩 필름을 구비한 실리콘 칩(즉, 비교용의 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 실리콘 칩)을 분리하여 픽업했다.
이상에 의해, 비교용의 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 실리콘 칩을 얻었다.
(다이 본딩 필름의 기판의 매입성의 평가)
상기에서 얻어진, 비교용의 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 실리콘 칩을 사용한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일 방법으로, 경화된 다이 본딩 필름의 기판의 매입성을 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다.
＜반도체 칩에 대한 전사성의 평가＞
(적층체(7)의 제조)
상술한, 비교용의 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 반도체 칩의 제조시의 경우와 동일 방법으로, 적층체(7)를 제조했다.
(반도체 칩에 대한 전사성의 평가)
이어서, 상기에서 얻어진 적층체(7)를 23℃의 순수 중에 2시간 침지했다. 이 때, 적층체(7) 전체가 순수 중에 수몰되도록, 적층체(7)를 배치했다.
이어서, 적층체(7)를 순수 중으로부터 인상하고, 표면에 부착되어 있는 물방울을 제거했다.
그리고, 픽업·다이 본딩 장치(캐논 머시너리사 제조 「BESTEM D02」)를 이용하여, 이 침지 후의 적층체(7) 중의 기재로부터, 이면에 경화된 다이 본딩 필름을 구비한 실리콘 칩(다시말하면, 비교용의 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 실리콘 칩)을 분리하여 픽업하는 것을 시도했다.
이어서, 상기에서 얻어진, 비교용의 경화된 다이 본딩 필름이 형성된 실리콘 칩을 사용한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일 방법으로, 경화된 다이 본딩 필름의 반도체 칩에 대한 전사성을 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다.
＜비침지 점착력 및 침지 후 점착력의 측정＞
(시험용 적층체의 제조)
상기에서 얻어진 다이 본딩 필름의 노출면을 6인치 실리콘 미러 웨이퍼(두께 350㎛)의 미러면(이면)에 첩부했다. 이 때, 다이 본딩 필름은 40℃로 가열하고, 첩부 속도 20㎜/s, 첩부 압력 0.5MPa의 조건으로 첩부했다.
이어서, 이 첩부 후의 다이 본딩 필름으로부터 박리 필름을 제거하고, 이에 의해 새로 생긴 다이 본딩 필름의 노출면에 폭이 25㎜인 강점착 테이프(린텍사 제조 「PET50PL 신」)를 첩부했다.
이어서, 상기 6인치 실리콘 미러 웨이퍼가 첩부된 다이 본딩 필름에 대해, 이 강점착 테이프의 외주를 따라, 상기 다이 본딩 필름의 두께 방향의 전역에 절입을 형성하고, 상기 다이 본딩 필름을 폭이 25㎜인 띠 형상으로 절단했다.
이어서, 어두운 곳에 있어서, 이 절단 후의 다이 본딩 필름을 그 절단 직후부터, 상기 실리콘 미러 웨이퍼째 23℃의 순수 중에 2시간 침지했다. 이 때, 절단 후의 다이 본딩 필름이 첩부된 실리콘 미러 웨이퍼는 그 전체가 순수 중에 수몰되도록, 순수 중에 배치했다.
이어서, 절단 후의 다이 본딩 필름이 첩부된 실리콘 미러 웨이퍼를 순수 중으로부터 인상하고, 그 표면에 부착되어 있는 물방울을 제거했다.
이어서, 자외선 조사 장치(린텍사 제조 「RAD-2000 m/12」)를 이용하여, 조도 220㎽/㎠, 광량 120mJ/㎠의 조건으로, 절단 후의 다이 본딩 필름에 대해 자외선을 조사하여, 다이 본딩 필름을 경화시켰다.
이상에 의해, 강점착 테이프, 절입이 형성되어 있는 다이 본딩 필름의 경화물, 및 실리콘 미러 웨이퍼가 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된 비교용의 시험용 적층체를 얻었다.
(시험용 적층체의 침지 후 점착력의 측정)
23℃의 조건하에서, 만능 인장 시험기(시마즈 제작소제 「오토 그래프 AG-IS」)를 이용하여, 상기 시험용 적층체에 있어서, 상기 강점착 테이프를 인장했다. 이 때, 강점착 테이프의 인장에 의해, 상기 시험용 적층체에 있어서 생긴 박리면 사이가 180°의 각도를 이루도록, 박리(인장) 속도 300㎜/min로, 점착 테이프를 인장하는, 이른바 180°박리를 행했다. 그리고, 이 때의 박리력(하중, N/25㎜)을 측정함과 함께, 상기 시험용 적층체에 있어서 생긴 박리 개소와 박리 형태를 확인했다. 그리고, 상기 박리력을 상기 시험용 적층체에 있어서의, 폭이 25㎜인 다이 본딩 필름의 경화물과, 실리콘 미러 웨이퍼 사이의 점착력(N/25㎜)으로 했다. 결과를 표 2 중의 「침지 후 점착력」 칸에 나타낸다.
(비침지 시험용 적층체의 제조)
절단 후의 다이 본딩 필름이 첩부된 실리콘 미러 웨이퍼를 어두운 곳에 있어서, 23℃의 순수 중에 2시간 침지하는 대신에, 공기 분위기하의 어두운 곳에 있어서, 온도 23℃, 상대 습도 50％의 조건하에서 30분간 정치 보존한 점 이외에는, 상술한 비교용의 시험용 적층체의 경우와 동일 방법으로, 비교용의 비침지 시험용 적층체를 제조했다.
(비침지 시험용 적층체의 비침지 점착력의 측정)
상기에서 얻어진 비침지 시험용 적층체에 대해, 상기 시험용 적층체의 경우와 동일 방법으로, 박리력(하중, N/25㎜)을 측정함과 함께, 비침지 시험용 적층체에 있어서 생긴 박리 개소와 박리 형태를 확인하고, 상기 박리력을 폭이 25㎜인 제2 층의 경화물과, 실리콘 미러 웨이퍼 사이의 점착력(N/25㎜)으로 했다. 결과를 표 2 중의 「비침지 점착력」 칸에 나타낸다.
[비교예 4]
＜＜다이 본딩 필름의 제조＞＞
＜접착제 조성물의 제조＞
중합체 성분((a)-3)(10질량부), 에폭시 수지((b1)-4)(10질량부), 에폭시 수지((b1)-5)(10질량부), 에폭시 수지((b1)-6)(20질량부), 열경화제((b2)-3)(1질량부), 경화 촉진제((c)-2)(1질량부), 충전재((d)-2)(50질량부), 커플링제((e)-5)(0.5질량부), 가교제((f)-1)(0.3질량부), 에너지선 경화성 수지((g)-1)(5질량부), 및 광중합 개시제((h)-1)(0.15질량부)를 메틸에틸케톤에 용해 또는 분산시키고, 23℃에서 교반함으로써, 고형분 농도가 (55)질량％인 접착제 조성물을 얻었다. 한편, 여기에 나타내는 메틸에틸케톤 이외의 성분의 배합량은 모두 고형분 환산값이다.
＜다이 본딩 필름의 제조＞
상기에서 얻어진 접착제 조성물을 사용한 점 이외에는, 비교예 3의 경우와 동일 방법으로, 다이 본딩 필름을 제조했다.
＜＜다이싱 다이 본딩 시트의 제조, 및 다이 본딩 필름의 평가＞＞
상기에서 얻어진 다이 본딩 필름을 사용한 점 이외에는, 비교예 3의 경우와 동일 방법으로, 다이싱 다이 본딩 시트를 제조하고, 다이 본딩 필름을 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다.
Figure pct00001
Figure pct00002
상기 결과로부터 명확한 바와 같이, 실시예 1∼2에 있어서는, 다이 본딩 필름 중, 제1 층의 초기 검출 온도 T0이 68℃ 이하(59∼68℃)이며, 제1 층은 기판의 매입성이 우수했다.
또한, 실시예 1∼2에 있어서는, 제2 층의 경화물과, 실리콘 미러 웨이퍼 사이의 침지 후 점착력은 10N/25㎜ 이상(10N/25mm≤)이었다. 이 침지 후 점착력의 측정시에는, 시험용 적층체에 있어서, 제1 층과 강점착 테이프 사이에 앞서 박리(계면 박리)가 발생되어 있고, 이 때의 박리력이 10N/25㎜이며, 제2 층의 경화물과, 실리콘 미러 웨이퍼 사이에 박리는 발생되지 않았다. 한편, 제2 층의 경화물과, 실리콘 미러 웨이퍼 사이의 비침지 점착력도, 침지 후 점착력과 동일하게, 10N/25㎜ 이상이며, 침지하지 않은 시험용 적층체(비침지 시험용 적층체)에 있어서도, 제2 층의 경화물과, 실리콘 미러 웨이퍼 사이에 박리는 발생되지 않았다.
그리고, 제2 층이 경화된 다이 본딩 필름은 반도체 칩에 대한 전사성이 우수했다.
이와 같이, 실시예 1∼2의 다이 본딩 필름은 2층 구조를 갖고 있음으로써, 사이즈가 작은 반도체 칩의 픽업시에 있어서, 반도체 칩에 대한 전사 불량을 억제 가능하고, 또한, 다이 본딩시에 있어서, 기판을 양호하게 매입 가능했다.
이에 대해, 비교예 1∼2에 있어서는, 제2 층의 경화물과, 실리콘 미러 웨이퍼 사이의 침지 후 점착력은 3.0N/25㎜ 이하(2.3∼3.0N/25㎜)로 작았다. 이 때, 비교용의 시험용 적층체에 있어서는, 제2 층의 경화물과, 실리콘 미러 웨이퍼 사이에 박리(계면 박리)가 발생되어 있었다. 한편, 제2 층의 경화물과, 실리콘 미러 웨이퍼 사이의 비침지 점착력은 실시예 1∼2의 경우와 동일하게, 10N/25㎜ 이상이었다.
그리고, 제2 층이 경화된 다이 본딩 필름은 반도체 칩에 대한 전사성이 열악했다.
비교예 1은 실시예 1과, 비교예 2는 실시예 2와, 각각, 다이 본딩 필름 및 다이싱 다이 본딩 시트가 동일하다. 이에 상관없이, 이러한 결과가 된 이유는 평가시에 있어서, 실리콘 미러 웨이퍼에 첩부되어 있는, 절단 후의 다이 본딩 필름의, 순수 중에 대한 침지와 경화(제2 층의 경화)의 순서가 실시예 1∼2와 비교예 1∼2에서는, 반대인 것이 원인이었다. 실시예 1∼2의 경우에는, 절단 후의 다이 본딩 필름을 순수 중에 대한 침지 후에 경화시키고 있다. 다이싱 블레이드를 이용한 다이싱은 물(절삭수)을 흘리면서 행하는 것을 고려하면, 실시예 1∼2에서의 평가는 다이싱 후 다이 본딩 필름을 경화시킨다는 공정 순서를 반영시키고 있다고 할 수 있다. 이에 대해, 비교예 1∼2의 경우에는, 절단 후의 다이 본딩 필름을 경화 후 순수 중에 침지시키고 있다. 즉, 비교예 1∼2의 평가로는, 다이 본딩 필름의 경화 후 다이싱을 행한다는 공정 순서를 반영시키고 있다고 할 수 있다. 따라서, 이들 실시예 및 비교예의 평가 결과는 본 발명의 다이 본딩 필름을 사용하여, 상술한 적층체(1) 제작 공정, 적층체(2) 제작 공정, 적층체(3) 제작 공정, 및 픽업 공정을 이 순서로 행함으로써, 사이즈가 작은 반도체 칩의 픽업시에 있어서, 다이 본딩 필름의 반도체 칩에 대한 전사 불량을 억제하면서, 반도체 칩이 제조 가능한 것을 나타내고 있다.
또한, 비교예 3에 있어서는, 다이 본딩 필름이 단층 구성이며, 다이 본딩 필름의 경화물과, 실리콘 미러 웨이퍼 사이의 침지 후 점착력은 3.1N/25㎜로 작았다. 이 때, 시험용 적층체에 있어서는, 다이 본딩 필름의 경화물과, 실리콘 미러 웨이퍼 사이에 박리(계면 박리)가 발생되어 있었다. 한편, 다이 본딩 필름의 경화물과, 실리콘 미러 웨이퍼 사이의 비침지 점착력은 실시예 1∼2의 경우와 동일하게, 10N/25㎜ 이상이었다.
그리고, 다이 본딩 필름의 경화물은 반도체 칩에 대한 전사성이 열악했다.
한편, 비교예 4에 있어서는, 단층 구성의 다이 본딩 필름의 초기 검출 온도 T0이 83℃로 높고, 다이 본딩 필름은 기판의 매입성이 열악했다. 그 한편, 다이 본딩 필름의 경화물과, 실리콘 미러 웨이퍼 사이의, 침지 후 점착력과 비침지 점착력은 모두 실시예 1∼2의 경우와 동일하게, 10N/25㎜ 이상이었다.
본 발명은 사이즈가 작은 반도체 칩의 픽업시에 있어서, 반도체 칩에 대한 전사 불량을 억제 가능하고, 또한, 다이 본딩시에 있어서, 기판을 양호하게 매입 가능한 다이 본딩 필름과, 이 다이 본딩 필름을 구비한 다이싱 다이 본딩 시트와, 이 다이싱 다이 본딩 시트를 사용한 반도체 칩의 제조 방법을 제공할 수 있으므로, 산업상 매우 유용하다.
1A, 1B, 1C, 1D … 다이싱 다이 본딩 시트,
10 … 지지 시트(다이싱 시트),
12 … 중간층,
13, 23 … 다이 본딩 필름,
131, 231 … 제1 층,
131' … 절단된 제1 층,
132, 232 … 제2 층,
132' … 절단된 제2 층,
1320' … 절단 및 경화된 제2 층,
9 … 반도체 웨이퍼,
9' … 반도체 칩,
101 … 적층체(1-2)(적층체(1), 적층체(1-1)),
102 … 적층체(2),
103 … 적층체(3)

Claims (3)

  1. 제1 층과, 상기 제1 층 상에 구비된 제2 층을 포함하고,
    상기 제1 층은 용융 점도의 초기 검출 온도가 75℃ 이하인 특성을 가지며,
    상기 제2 층은 점착성 및 에너지선 경화성을 갖고, 또한
    두께가 10㎛이며, 또한 폭이 25㎜보다 넓은 상기 제2 층을 시험편으로 하고, 상기 시험편을 실리콘 미러 웨이퍼에 첩부하여, 폭 25㎜가 되도록 상기 시험편을 절단하고, 절단 후의 상기 시험편을 상기 실리콘 미러 웨이퍼째 순수 중에 2시간 침지하고, 침지 후의 상기 시험편을 에너지선 경화시켜 경화물로 함으로써, 상기 실리콘 미러 웨이퍼에 상기 경화물이 첩부되어 있는 시험용 적층체를 제작했을 때의, 폭이 25㎜인 상기 경화물과, 상기 실리콘 미러 웨이퍼 사이의 점착력이 6N/25㎜ 이상이 되는 특성을 갖는, 다이 본딩 필름.
  2. 지지 시트와, 상기 지지 시트 상에 구비된, 제 1 항의 다이 본딩 필름을 포함하고,
    상기 다이 본딩 필름 중의 상기 제1 층이 상기 지지 시트측에 배치되어 있는 다이싱 다이 본딩 시트.
  3. 제 1 항의 다이 본딩 필름 중, 상기 제2 층에 반도체 웨이퍼가 첩부되고, 상기 제1 층에 다이싱 시트가 첩부되어 있는 적층체(1-1), 또는 제 2 항의 다이싱 다이 본딩 시트 중, 상기 다이 본딩 필름 중의 상기 제2 층에 반도체 웨이퍼가 첩부되어 있는 적층체(1-2)를 제작하는 공정과,
    다이싱 블레이드에 의해, 상기 적층체(1-1) 또는 적층체(1-2) 중의 상기 반도체 웨이퍼를 상기 다이 본딩 필름과 함께 절단함으로써, 절단된 상기 제1 층, 절단된 상기 제2 층, 및 상기 절단된 반도체 웨이퍼인 반도체 칩을 구비한 적층체(2)를 제작하는 공정과,
    상기 적층체(2) 중의 절단된 상기 제2 층을 에너지선 경화시켜 경화물로 함으로써, 절단된 상기 제1 층, 상기 경화물, 및 상기 반도체 칩을 구비한 적층체(3)를 제작하는 공정과,
    상기 적층체(3)에 있어서, 절단된 상기 제1 층 및 상기 경화물을 구비한 상기 반도체 칩을 상기 다이싱 시트 또는 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업하는 공정을 포함하는 반도체 칩의 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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