KR20200129726A - 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치 - Google Patents

세라믹 임플란트 레이저 가공 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치는, 세라믹 임플란트의 표면을 가공하기 위한 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치에 있어서, 상기 세라믹 임플란트의 중심축과 나란한 제1 방향을 중심으로 상기 세라믹 임플란트를 회전 가능하게 지지하는 지지대; 제1 빔 폭을 가지는 제1 펨토초 레이저 빔을 펨토초 주기로 발생하는 펨토초 레이저 발생기; 상기 펨토초 레이저 발생기로부터 발생된 상기 제1 펨토초 레이저 빔의 빔 폭을 변화시켜 제2 빔 폭을 가지는 제2 펨토초 레이저 빔을 출력하는 빔 확장기; 상기 지지대의 상부에 배치되고, 상기 제2 펨토초 레이저 빔을 상기 세라믹 임플란트의 표면으로 출력하는 스캐너 헤드; 상기 빔 확장기와 상기 스캐너 헤드 사이에 연결되고, 상기 제2 펨토초 레이저 빔을 상기 빔 확장기로부터 상기 스캐너 헤드로 전달하는 광섬유; 상기 스캐너 헤드에 설치되고, 상기 제2 펨토초 레이저 빔의 조사 위치를 상기 제1 방향으로 조절하는 스캔부; 및 상기 세라믹 임플란트에 가공될 홈부의 주기 및 폭에 따라 상기 빔 확장기 및 상기 스캔부를 제어하는 제어부를 포함한다.

Description

세라믹 임플란트 레이저 가공 장치{LASER PROCESSING APPARATUS FOR CERAMIC IMPLANT}
본 발명은 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 펨토초 레이저(Femtosecond Laser)를 이용하여 세라믹 임플란트의 표면 조도를 개선하는 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치에 관한 것이다.
디지털 치과 의료기술의 발전에 따라 대다수의 치과 병원 및 의원에서 첨단 진료 시스템을 구축하고 있으며, 치과치료를 원하는 환자들 또한 CAD(computer-aided design)/CAM(computer-aided manufacturing) 시스템의 중요성을 인식하고 있다. 심미적인 욕구의 증가, 소재의 개발과 발전 등과 함께 CAD/CAM 시스템을 이용한 치과용 보철물은 날로 발전하고 있다. 현재 치과 보철물을 제작하는 CAD/CAM 시스템은 공구(Tool)를 이용한 밀링 방식을 이용하고 있으며, 이는 기존 주조 형태의 가내 수공업으로 제작된 방식보다 생산 효율이 높은 공정 기술이다. 최근 공구를 사용하는 밀링 기술보다 절삭 도구를 레이저로 대체한 밀링 가공기술이 정밀도 향상 및 공정 개선을 통한 제조 혁신을 기대할 수 있는 차세대 가공 기술로써 주목받고 있다. 이러한 레이저를 이용한 밀링 가공 기술과 관련된 다양한 분야별 관심도 및 시장의 요구가 매년 높아지고 있다. 레이저 밀링의 장점으로는 공구 밀링 보다 스핀들 모터의 과부하로 인한 진동 등 툴의 흔들림이 없기에 보다 정밀한 치과 보철물을 제작하는 것이 가능하다. 또한, 회전 등에 필요한 컴프레셔 에어가 필요 없으며 레이저 빔사이즈 조절을 통한 가공으로 종류별로 다양한 툴의 구비 및 툴 소모로 인한 교체 비용이 발생치 않는 경제적인 장점을 가지고 있다. 최근 치과 보철물 제작에 있어 기존 공구(tool)를 이용한 밀링의 단점을 보완한 레이저 밀링 기술 개발을 통한 치과보철물 정밀도 향상 및 다양한 소재 가공에 대한 관심이 높아지고 있다. 세라믹 임플란트의 경우, 세라믹의 소재 특성으로 인해 깨짐 및 불량 발생률이 높고, 후공정 진행으로 인해 표면 처리에 오랜 시간이 소요되는 문제가 있다.
본 발명은 탄화 및 균열 현상 없이 정밀한 가공이 가능하고, 패턴 간격 및 깊이 조절을 통해 세라믹 임플란트의 표면 조도 개선이 가능하며, 후 공정이 필요 없어 가공 시간 단축이 가능한 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급된 과제로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 다른 기술적 과제들은 이하의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치는 세라믹 임플란트의 표면을 가공하기 위한 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치에 있어서, 상기 세라믹 임플란트의 중심축과 나란한 제1 방향을 중심으로 상기 세라믹 임플란트를 회전 가능하게 지지하는 지지대; 제1 빔 폭을 가지는 제1 펨토초 레이저 빔을 펨토초 주기로 발생하는 펨토초 레이저 발생기; 상기 펨토초 레이저 발생기로부터 발생된 상기 제1 펨토초 레이저 빔의 빔 폭을 변화시켜 제2 빔 폭을 가지는 제2 펨토초 레이저 빔을 출력하는 빔 확장기; 상기 지지대의 상부에 배치되고, 상기 제2 펨토초 레이저 빔을 상기 세라믹 임플란트의 표면으로 출력하는 스캐너 헤드; 상기 빔 확장기와 상기 스캐너 헤드 사이에 연결되고, 상기 제2 펨토초 레이저 빔을 상기 빔 확장기로부터 상기 스캐너 헤드로 전달하는 광섬유; 상기 스캐너 헤드에 설치되고, 상기 제2 펨토초 레이저 빔의 조사 위치를 상기 제1 방향으로 조절하는 스캔부; 및 상기 세라믹 임플란트에 가공될 홈부의 주기 및 폭에 따라 상기 빔 확장기 및 상기 스캔부를 제어하는 제어부를 포함한다.
상기 스캔부는, 상기 광섬유를 통해 전달된 상기 제2 펨토초 레이저 빔을 반사시키는 제1 미러와, 상기 제1 미러의 반사면 각도를 조절하는 제1 미러 구동부를 포함하는 제1 스캔 미러; 상기 제1 스캔 미러로부터 입사되는 제2 펨토초 레이저 빔을 반사시키는 제2 미러와, 상기 제2 미러의 반사면 각도를 조절하는 제2 미러 구동부를 포함하는 제2 스캔 미러; 및 상기 제2 스캔 미러로부터 입사되는 제2 펨토초 레이저 빔을 상기 세라믹 임플란트로 집광하는 평면 필드 렌즈를 포함할 수 있다.
상기 스캔부는, 상기 평면 필드 렌즈를 상기 제1 방향을 따라 이동시키는 구동부를 더 포함할 수 있다. 상기 제어부는, 상기 세라믹 임플란트의 표면에 가공되는 상기 홈부의 폭에 대한 깊이의 비율이 0.2 내지 1.5가 되도록, 상기 빔 확장기 및 상기 스캔부를 제어할 수 있다. 상기 제어부는, 상기 세라믹 임플란트의 표면에 가공될 상기 홈부의 위치 및 형상에 따라 상기 제2 빔 폭이 조절되도록 상기 빔 확장기를 제어할 수 있다. 상기 제어부는, 상기 홈부의 형상에 따라 상기 제1 펨토초 레이저의 파장 및 출력이 조절되도록 상기 펨토초 레이저 발생기를 제어할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 탄화 및 균열 현상 없이 정밀한 가공이 가능하고, 패턴 간격 및 깊이 조절을 통해 세라믹 임플란트의 표면 조도 개선이 가능하며, 후 공정이 필요 없어 가공 시간 단축이 가능한 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치가 제공된다.
본 발명의 효과는 상술한 효과들로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치를 보여주는 측면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치를 구성하는 스캔부의 구성도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치에 의해 세라믹 임플란트의 표면에 가공된 도트 패턴을 보여주는 개념도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치에 의해 세라믹 임플란트의 표면에 가공된 도트 패턴의 예시도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치에 의해 세라믹 임플란트의 표면에 가공된 라인 패턴을 보여주는 개념도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치에 의해 세라믹 임플란트의 표면에 가공된 라인 패턴의 예시도이다.
본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술하는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 공지된 구성에 대한 일반적인 설명은 본 발명의 요지를 흐리지 않기 위해 생략될 수 있다. 본 발명의 도면에서 동일하거나 상응하는 구성에 대하여는 가급적 동일한 도면부호가 사용된다. 본 발명의 이해를 돕기 위하여, 도면에서 일부 구성은 다소 과장되거나 축소되어 도시될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다", "가지다" 또는 "구비하다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치를 보여주는 측면도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치(100)는 세라믹 임플란트(10)의 표면을 가공하기 위한 것으로, 지지대(110), 펨토초 레이저 발생기(120), 빔 확장기(130), 광섬유(140), 스캐너 헤드(150), 스캔부(160) 및 제어부(170)를 포함할 수 있다.
지지대(110)는 세라믹 임플란트(10)를 지지하는 것으로, 세라믹 임플란트(10)의 중심축과 나란한 제1 방향(X)을 중심으로 세라믹 임플란트(10)를 회전 가능하게 지지할 수 있다. 지지대(110)는 세라믹 임플란트(10)를 제1 방향(X)을 중심으로 회전시키는 회전 구동부(112)를 구비할 수 있다. 지지대(110)는 예를 들어, 모터, 실린더 등의 구동수단에 의해 3축 방향으로 세라믹 임플란트(10)의 위치 조절이 가능한 3축 스테이지로 제공되는 것도 가능하다.
펨토초 레이저 발생기(120)는 제1 빔 폭을 가지는 제1 펨토초 레이저 빔을 펨토초 주기로 발생할 수 있다. 펨토초 레이저 발생기(120)는 10-15초 이상의 펄스를 가지는 제1 펨토초 레이저 빔을 발생할 수 있다. 펨토초 레이저 발생기(120)의 빔 출력, 출력시간(펄스폭), 빔 출력주기는 제어부(170)에 의해 제어될 수 있다.
빔 확장기(beam expander)(130)는 펨토초 레이저 발생기(120)로부터 발생된 제1 펨토초 레이저 빔의 빔 폭(빔 직경 또는 빔 크기)을 변화시켜 제2 빔 폭을 가지는 제2 펨토초 레이저 빔을 출력할 수 있다. 실시예에서, 빔 확장기(130)는 제1 펨토초 레이저 빔을 확장시키는 확장렌즈와, 확장렌즈에 의해 확장된 펨토초 레이저 빔을 집광하여 제2 빔 폭을 가지는 제2 펨토초 레이저 빔을 출력하는 집광렌즈를 포함할 수 있다.
빔 확장기(130)는 제어부(170)에 의해 제어될 수 있다. 예를 들어, 빔 확장기(130)는 확장렌즈와 집광렌즈 간의 거리를 조절하거나, 상이한 초점거리를 가지는 복수의 확장렌즈 또는 복수의 집광렌즈 중 어느 하나를 제1 펨토초 레이저 빔의 경로 상에 변경시킴으로써 제2 빔 폭을 조절할 수 있다. 빔 확장기(130)는 확장렌즈와 집광렌즈 간의 거리를 조절하거나 확장렌즈 및/또는 집광렌즈를 변경시키기 위한 모터 등의 구동수단을 포함할 수 있다.
광섬유(140)는 빔 확장기(130)와 스캐너 헤드(150) 사이에 연결된다. 광섬유(140)는 빔 확장기(130)로부터 입사되는 제2 펨토초 레이저 빔을 스캐너 헤드(150)로 전달한다. 광섬유(140)는 세라믹 임플란트의 표면에 가공될 홈부의 형상, 폭, 깊이 등에 대응되는 직경을 가지도록 설계될 수 있다. 광섬유(140)는 빔 확장기(130)와 스캐너 헤드(150) 사이에 고정식으로 연결될 수도 있고, 분리/교체될 수 있도록 착탈식으로 제공될 수 있다.
스캐너 헤드(150)는 지지대(110)의 상부에 배치될 수 있다. 스캐너 헤드(150)는 광섬유(140)를 통해 전달된 제2 펨토초 레이저 빔을 지지대(110) 상에 지지된 세라믹 임플란트(10)의 표면으로 출력한다. 스캔부(160)는 스캐너 헤드(150)에 설치될 수 있다. 스캔부(160)는 제2 펨토초 레이저 빔의 조사 위치를 제1 방향(X)으로 조절하도록 제공될 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치를 구성하는 스캔부의 구성도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 스캔부(160)는 제1 미러(161) 및 제1 미러 구동부(162)를 포함하는 제1 스캔 미러와, 제2 미러(163) 및 제2 미러 구동부(164)를 포함하는 제2 스캔 미러와, 평면 필드 렌즈(165) 및 평면 필드 렌즈(165)를 제1 방향(X)으로 구동하는 구동부(166)를 포함할 수 있다. 구동부(166)는 모터 등의 구동수단으로 제공될 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
제1 미러(161)는 광섬유(140)를 통해 전달된 제2 펨토초 레이저 빔(LB)을 반사시킬 수 있다. 제1 미러 구동부(162)는 제1 미러(161)의 반사면 각도를 조절할 수 있다. 제2 미러(163)는 제1 스캔 미러로부터 입사되는 제2 펨토초 레이저 빔(LB)을 반사시킬 수 있다. 제2 미러 구동부(164)는 제2 미러(163)의 반사면 각도를 조절할 수 있다. 평면 필드 렌즈(165)는 제2 스캔 미러로부터 입사되는 제2 펨토초 레이저 빔(LB)을 세라믹 임플란트(10)로 집광할 수 있다. 구동부(166)는 평면 필드 렌즈(165)를 제1 방향(X)을 따라 이동시킬 수 있다.
제1 미러 구동부(162)와 제2 미러 구동부(164)는 제2 펨토초 레이저 빔(LB)의 입사 방향에 수직한 동시에 제1 방향(X)에 수직한 방향(제2 방향)의 축을 중심으로 제1 미러(161)와 제2 미러(163)을 회전시킬 수 있다. 제1 미러 구동부(162)와 제2 미러 구동부(164)는 모터 등의 구동수단으로 제공될 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 제1 미러 구동부(162)와 제2 미러 구동부(164)에 의해 제2 펨토초 레이저 빔(LB)의 조사 위치 및 조사 방향은 제1 방향(X)을 따라 소정 간격으로 이동될 수 있다.
제어부(170)는 세라믹 임플란트(10)에 가공될 홈부의 주기 및 폭에 따라 빔 확장기(130) 및 스캔부(160)를 제어할 수 있다. 세라믹 임플란트(10)에 가공될 홈부 패턴(패턴 주기, 홈 폭, 홈 깊이 등)은 사용자 인터페이스부(도시 생략)를 통해 사용자에 의해 입력되거나, 3차원 설계도면 등으로 입력될 수 있다. 실시예에서, 제어부(170)는 세라믹 임플란트(10)의 표면에 가공되는 홈부의 폭에 대한 깊이의 비율이 0.2 내지 1.5가 되도록, 빔 확장기(130) 및 스캔부(160)를 제어할 수 있다. 세라믹 임플란트(10)의 표면에 가공되는 홈부는 도트(원형) 패턴, 라인(선형) 패턴 등의 형상으로 형성될 수 있다.
실시예에서, 회전 구동부(112)에 의해 세라믹 임플란트(10)를 제1 방향(X)을 중심으로 회전시키면서 펨토초 레이저 빔에 의해 세라믹 임플란트(10)의 측면 둘레를 따라 원형, 선형 등의 패턴을 가공하여 표면 조도를 개선할 수 있다. 이때 스캔부(160)에 의해 펨토초 레이저의 조사 위치를 조절함과 동시에, 지지대(110) 상에서 세라믹 임플란트(10)를 3축 방향으로 이동시키면서 펨토초 레이저 가공을 하는 것도 가능하다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치에 의해 세라믹 임플란트의 표면에 가공된 도트 패턴을 보여주는 개념도이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치에 의해 세라믹 임플란트의 표면에 가공된 도트 패턴의 예시도이다. 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치에 의해 세라믹 임플란트의 표면에 가공된 라인 패턴을 보여주는 개념도이고, 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치에 의해 세라믹 임플란트의 표면에 가공된 라인 패턴의 예시도이다.
제어부(170)는 세라믹 임플란트(10)의 표면에 가공될 홈부의 형상에 따라 제1 펨토초 레이저의 파장 및 출력이 조절되도록 펨토초 레이저 발생기(120)를 제어할 수 있다. 제어부(170)는 세라믹 임플란트(10)의 표면에 가공될 홈부의 위치 및 형상에 따라 제2 빔 폭이 조절되도록 빔 확장기(130)를 제어할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 펨토초 레이저의 가공속도는 0.1mm/s 내지 3mm/s 범위에서 조절될 수 있으며, 파장은 355nm 내지 1064nm 범위에서 조절될 수 있다. 펨토초 레이저의 강도는 0.1W 내지 10W 범위에서 조절될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 레이저 가공 장치에 의해 가공된 세라믹 임플란트는 1 ~ 35 ㎛ 패턴 간격을 가질 수 있으며, 도트 패턴의 경우 0.6 ~ 2.0 ㎛, 선형 패턴의 경우 1.0 ~ 3.0 ㎛의 표면 조도를 가지도록 표면 가공될 수 있다.
실시예에서, 제어부(170)는 세라믹 임플란트(10)의 표면에 가공될 홈부의 폭에 비례하여 펨토초 레이저의 제2 빔 폭을 결정하고, 해당 제2 빔 폭을 가지는 제2 펨토초 레이저 빔이 생성되도록, 빔 확장기(130)를 제어할 수 있다. 또한, 제어부(170)는 세라믹 임플란트(10)의 표면에 가공될 홈부의 깊이에 따라 펨토초 레이저의 출력, 펄스 주기, 파장 등이 조절되도록 스캔부(160)를 제어하고 세라믹 임플란트(10)의 회전 속력이 조절되도록 지지부(110)를 제어할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 세라믹 임플란트의 표면에 가공될 패턴에 따라 펨토초 레이저(Femtosecond Laser)의 빔 폭, 레이저 출력, 레이저 파장, 펄스 시간, 주기 등을 제어하여, 탄화 및 균열 현상 없이 세라믹 임플란트의 표면을 정밀하게 가공하여 원하는 임플란트 표면 조도 특성을 얻을 수 있다. 또한, 펨토초 레이저에 의해 세라믹 임플란트 가공 후 별도의 후공정을 할 필요가 없어 가공 시간 단축이 가능하고, 스캔부(160)와 회전 구동부(112)에 의해 세라믹 임플란트를 대면적 가공할 수 있다.
이상의 실시예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시예들도 본 발명의 범위에 속하는 것임을 이해하여야 한다. 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.
10: 세라믹 임플란트
100: 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치
110: 지지대
120: 펨토초 레이저 발생기
130: 빔 확장기
140: 광섬유
150: 스캐너 헤드
160: 스캔부
170: 제어부

Claims (6)

  1. 세라믹 임플란트의 표면을 가공하기 위한 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치에 있어서,
    상기 세라믹 임플란트의 중심축과 나란한 제1 방향을 중심으로 상기 세라믹 임플란트를 회전 가능하게 지지하는 지지대;
    제1 빔 폭을 가지는 제1 펨토초 레이저 빔을 펨토초 주기로 발생하는 펨토초 레이저 발생기;
    상기 펨토초 레이저 발생기로부터 발생된 상기 제1 펨토초 레이저 빔의 빔 폭을 변화시켜 제2 빔 폭을 가지는 제2 펨토초 레이저 빔을 출력하는 빔 확장기;
    상기 지지대의 상부에 배치되고, 상기 제2 펨토초 레이저 빔을 상기 세라믹 임플란트의 표면으로 출력하는 스캐너 헤드;
    상기 빔 확장기와 상기 스캐너 헤드 사이에 연결되고, 상기 제2 펨토초 레이저 빔을 상기 빔 확장기로부터 상기 스캐너 헤드로 전달하는 광섬유;
    상기 스캐너 헤드에 설치되고, 상기 제2 펨토초 레이저 빔의 조사 위치를 상기 제1 방향으로 조절하는 스캔부; 및
    상기 세라믹 임플란트에 가공될 홈부의 주기 및 폭에 따라 상기 빔 확장기 및 상기 스캔부를 제어하는 제어부를 포함하는 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 스캔부는,
    상기 광섬유를 통해 전달된 상기 제2 펨토초 레이저 빔을 반사시키는 제1 미러와, 상기 제1 미러의 반사면 각도를 조절하는 제1 스캔 미러;
    상기 제1 스캔 미러로부터 입사되는 제2 펨토초 레이저 빔을 반사시키는 제2 미러와, 상기 제2 미러의 반사면 각도를 조절하는 제2 스캔 미러; 및
    상기 제2 스캔 미러로부터 입사되는 제2 펨토초 레이저 빔을 상기 세라믹 임플란트로 집광하는 평면 필드 렌즈를 포함하는 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 스캔부는, 상기 평면 필드 렌즈를 상기 제1 방향을 따라 이동시키는 구동부를 더 포함하는 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 세라믹 임플란트의 표면에 가공되는 상기 홈부의 폭에 대한 깊이의 비율이 0.2 내지 1.5가 되도록, 상기 빔 확장기 및 상기 스캔부를 제어하는 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 세라믹 임플란트의 표면에 가공될 상기 홈부의 위치 및 형상에 따라 상기 제2 빔 폭이 조절되도록 상기 빔 확장기를 제어하는 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 홈부의 형상에 따라 상기 제1 펨토초 레이저의 파장 및 출력이 조절되도록 상기 펨토초 레이저 발생기를 제어하는 세라믹 임플란트 레이저 가공 장치.
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