KR20200126146A - Touch screen panel and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a touch screen panel and a manufacturing method thereof. The touch screen panel comprises: a touch sensor having an electrode for touch sensing; and a cover glass disposed in an upper part of the touch sensor and provided with a half mirror layer on one side thereof. The present invention has an advantage of reducing a rainbow phenomenon by forming a half mirror layer (210) having desired transmittance and reflectance on one surface of the cover glass (200).

Description

터치 스크린 패널 및 이의 제조방법{TOUCH SCREEN PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}Touch screen panel and manufacturing method thereof {TOUCH SCREEN PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 터치 스크린 패널 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 레인보우 현상을 개선하는 터치 스크린 패널 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a touch screen panel and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a touch screen panel for improving the rainbow phenomenon and a method for manufacturing the same.

스마트폰, 패드, 네비게이션 등 전자기기의 종류가 다양해지면서 전자기기의 크기는 소형화하되 표시화면은 대면적화 할 수 있는 다양한 기술들이 제안되고 있다. 그리고 최근에는 별도의 입력 도구 없이도 손쉽게 입력할 수 있는 터치스크린을 장착한 멀티미디어 기기들이 각광받고 있다. As the types of electronic devices such as smartphones, pads, and navigation are diversified, various technologies have been proposed that can reduce the size of electronic devices while increasing the display screen area. And recently, multimedia devices equipped with a touch screen that can be easily input without a separate input tool are in the spotlight.

터치스크린은 동작방식에 따라 저항막 방식, 정전용량 방식, 초음파 방식, 적외선 센서 방식, 전자유도 방식 등으로 구별될 수 있다. 이러한 터치스크린은 디스플레이에 터치 스크린 패널(TSP, Touch screen panel)을 부착하여 제작한다. 그리고 터치 스크린 패널은 커버 글라스에 얇은 필름 형태의 터치 센서를 부착하여 제작한다.The touch screen can be classified into a resistive type, a capacitive type, an ultrasonic type, an infrared sensor type, an electromagnetic induction type, and the like according to an operation method. Such a touch screen is manufactured by attaching a touch screen panel (TSP) to the display. And the touch screen panel is manufactured by attaching a thin film type touch sensor to the cover glass.

터치스크린은 터치하면 커버 글라스를 통해 터치 센서에 신호가 전달된다. 터치 센서는 터치 신호를 받아 PC(소프트웨어)로 보내고 PC는 이 신호를 디지털로 전환하여 디스플레이에 전달하며, 디스플레이는 신호를 받아 해당 화면을 표시하게 된다.When the touch screen is touched, a signal is transmitted to the touch sensor through the cover glass. The touch sensor receives the touch signal and sends it to the PC (software), and the PC converts the signal to digital and transmits it to the display, and the display receives the signal and displays the screen.

그런데, 터치스크린은 태양광 아래에서 입사되는 태양광의 헤이즈로 인하여 레인보우 현상이 발생하는 문제점이 있다. 레인보우 현상은 빛을 비추면 기름 띠 같은 무지개 형상이 보이는 것을 의미한다. 레인보우 현상은 시인성을 저하시키고 전자기기의 사용자에게 피로감을 준다.However, the touch screen has a problem in that a rainbow phenomenon occurs due to haze of sunlight incident under sunlight. The rainbow phenomenon means that when light is illuminated, a rainbow shape like a strip of oil appears. The rainbow phenomenon lowers visibility and gives users of electronic devices a feeling of fatigue.

본 발명의 목적은 레인보우 현상을 개선하고 우수한 시인성을 확보할 수 있도록 커버 글라스에 하프 미러(half mirror)를 적용하는 터치 스크린 패널 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다. An object of the present invention is to provide a touch screen panel in which a half mirror is applied to a cover glass and a method of manufacturing the same so as to improve the rainbow phenomenon and secure excellent visibility.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 본 발명은 터치 감지용 전극을 구비하는 터치 센서와 터치 센서의 상부에 배치되며 일면에 하프미러층이 구비된 커버 글라스를 포함한다.According to a feature of the present invention for achieving the object as described above, the present invention includes a touch sensor having an electrode for touch sensing, and a cover glass disposed on the touch sensor and having a half mirror layer on one surface thereof.

터치 감지용 전극은 메탈 메쉬로 구현하며, 메탈 메쉬는 금속 소재를 격자무늬 또는 교차무늬로 배열한 것일 수 있다.The electrode for touch sensing is implemented as a metal mesh, and the metal mesh may be a metal material arranged in a grid pattern or a cross pattern.

하프미러층은 금속 박막을 1층 또는 다층으로 적층한 것일 수 있다.The half mirror layer may be formed by laminating a single metal thin film or in multiple layers.

금속 박막은 Al, Ni 중 선택된 1종 이상일 수 있다.The metal thin film may be at least one selected from Al and Ni.

하프미러층의 반사율은 가시광선 영역에서 12~25% 범위일 수 있다.The reflectivity of the half mirror layer may range from 12 to 25% in the visible light region.

하프미러층의 투과율은 가시광선 영역에서 60~90% 범위일 수 있다.The transmittance of the half mirror layer may range from 60 to 90% in the visible light region.

하프미러층의 두께는 100~200 옹스트롱(Å)일 수 있다.The thickness of the half mirror layer may be 100 to 200 angstroms (Å).

터치 감지용 전극을 구비하는 터치 센서를 제조하는 단계와 커버 글라스를 준비하고, 커버 글라스의 일면에 하프미러층을 형성하는 단계와 하프미러층이 형성된 커버 글라스를 터치 센서의 상부에 부착하는 단계를 포함한다.The steps of manufacturing a touch sensor having an electrode for touch sensing, preparing a cover glass, forming a half mirror layer on one surface of the cover glass, and attaching a cover glass having a half mirror layer formed thereon to the upper portion of the touch sensor. Include.

터치 감지용 전극을 구비하는 터치 센서를 제조하는 단계에서, 터치 감지용 전극은 메탈 메쉬로 구현한다. In the step of manufacturing a touch sensor including an electrode for touch sensing, the electrode for touch sensing is implemented as a metal mesh.

커버 글라스의 일면에 하프미러층을 형성하는 단계는 스퍼터링 방법을 적용하고, 커버 글라스의 일면에 금속 소재를 100~200 옹스트롱(Å)으로 타게팅하여 형성한다.The step of forming the half mirror layer on one side of the cover glass is formed by applying a sputtering method and targeting a metal material to 100 to 200 angstroms (Å) on one side of the cover glass.

상기 금속 소재는 Al, Ni 중 선택된 1종 이상일 수 있다.The metal material may be at least one selected from Al and Ni.

본 발명은 커버 글라스에 하프미러층을 형성하여 커버 글라스의 반사율을 줄임으로써 태양광에 대한 레인보우 현상을 저감할 수 있고 그에 따라 시인성이 개선되는 효과가 있다.The present invention has an effect of reducing the reflectance of the cover glass by forming a half-mirror layer on the cover glass, thereby reducing a rainbow phenomenon against sunlight and thus improving visibility.

또한, 본 발명은 전극이 메탈 메쉬로 구현되고 Cu와 CuOx의 2층 구조로 형성되므로 전도성이 좋고 금속 반사 강도를 낮출 수 있으며, 선폭이 얇은 미세패턴 형성이 가능하다. 따라서 본 발명은 투과율이 높아지고 시인성이 우수한 효과가 있다. In addition, in the present invention, since the electrode is implemented as a metal mesh and is formed in a two-layer structure of Cu and CuOx, the conductivity is good, the metal reflection intensity can be reduced, and a fine pattern with a thin line width can be formed. Therefore, the present invention has an effect of increasing the transmittance and excellent visibility.

도 1은 본 발명의 실시예에 의한 터치 스크린 패널을 보인 분해 사시도.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 터치 스크린 패널을 보인 구성도.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 의한 터치 스크린 패널을 보인 구성도.
도 4는 본 발명의 실시예에 의한 터치 스크린 패널에서 터치 센서의 전극을 형성하는 과정을 보인 도면.
1 is an exploded perspective view showing a touch screen panel according to an embodiment of the present invention.
2 is a block diagram showing a touch screen panel according to an embodiment of the present invention.
3 is a block diagram showing a touch screen panel according to another embodiment of the present invention.
4 is a view showing a process of forming an electrode of a touch sensor in a touch screen panel according to an embodiment of the present invention.

이하 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1에 도시된 바와 같이, 터치 스크린 패널은 디스플레이(10)의 상부에 배치되고 터치 감지용 전극을 구비하는 터치 센서(100)와 터치 센서(100)의 상부에 배치되며 일면에 하프미러층(210)이 구비된 커버 글라스(200)를 포함한다. As shown in FIG. 1, the touch screen panel is disposed on the display 10 and disposed on the touch sensor 100 and the touch sensor 100 having electrodes for touch sensing, and a half mirror layer ( 210) includes a cover glass 200 is provided.

터치 감지용 전극(120)은 메탈 메쉬(120a)로 구현할 수 있다. 메탈 메쉬(120a)는 금속 소재를 격자무늬 또는 교차무늬로 배열한 것일 수 있다. 메탈 메쉬(120a)를 적용한 전극(120)은 금속을 사용하기 때문에 전도성이 좋고, 투과율이 좋고, 구부릴 수 있기 때문에 플렉서블 디스플레이에 유용하다. 또한 메탈 메쉬(120a)를 적용한 전극(120)은 ITO 보다 가격이 낮아 가격 경쟁력이 있고 터치 민감도가 뛰어나다. 전극(120)을 구현하는 메탈 메쉬(120a)는 선폭이 얇아 많은 양의 빛이 통과하므로 투과율이 높아지고 그 만큼 소비전력도 낮아진다.The electrode for touch sensing 120 may be implemented with a metal mesh 120a. The metal mesh 120a may be a metal material arranged in a grid pattern or a cross pattern. The electrode 120 to which the metal mesh 120a is applied is useful for flexible displays because it has good conductivity, good transmittance, and bendable because it uses metal. In addition, the electrode 120 to which the metal mesh 120a is applied is lower in price than ITO, so it is competitive in price and has excellent touch sensitivity. Since the metal mesh 120a implementing the electrode 120 has a thin line width, a large amount of light passes through it, so that the transmittance is increased and power consumption is reduced accordingly.

터치 센서(100)는 투명기재(110)에 ITO 전극을 구현한 것을 적용할 수도 있다. 그러나 터치 센서(100)는 투명기재(110)에 메탈 메쉬(120a)를 형성하여 전극(120)을 구현하는 것이 터치 민감도 및 투과율 측면에서 보다 우수하다. The touch sensor 100 may be implemented with an ITO electrode on the transparent substrate 110. However, in the touch sensor 100, it is more excellent in terms of touch sensitivity and transmittance to implement the electrode 120 by forming the metal mesh 120a on the transparent substrate 110.

터치 센서(100)는 교차하는 두 전극(121,122)을 중첩하여 형성한다. 교차하는 두 전극은 복수의 제1 전극(121)과 복수의 제2 전극(122)을 포함한다. 터치 센서(100)는 제1 전극(121)과 제2 전극(122)이 교차하는 부분의 x,y좌표로 터치 위치를 감지한다.The touch sensor 100 is formed by overlapping two electrodes 121 and 122 intersecting. The two electrodes that intersect include a plurality of first electrodes 121 and a plurality of second electrodes 122. The touch sensor 100 senses the touch position using x,y coordinates of a portion where the first electrode 121 and the second electrode 122 intersect.

도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 전극(121)은 제1 투명기재(110) 상에서 1방향으로 배열된다. 제2 전극(122)은 제2 투명기재(112) 상에서 1방향과 교차하는 2방향으로 배열된다. 제1 전극(121)이 형성된 제1 투명기재(111)를 제2 전극(122)이 형성된 제2 투명기재(112)와 중첩하면 제1 전극(121)과 제2 전극(122)이 교차하는 격자 구조를 갖는 터치 센서(100)가 된다. 1방향과 2방향은 x축과 y축 방향을 의미할 수 있다. 1 and 2, the first electrodes 121 are arranged in one direction on the first transparent substrate 110. The second electrodes 122 are arranged in two directions crossing one direction on the second transparent substrate 112. When the first transparent substrate 111 on which the first electrode 121 is formed is overlapped with the second transparent substrate 112 on which the second electrode 122 is formed, the first electrode 121 and the second electrode 122 cross each other. It becomes a touch sensor 100 having a lattice structure. The first and second directions may mean the x-axis and y-axis directions.

제1 전극(121)은 Rx 전극(수신 전극)으로 기능하고, 제2 전극(122)은 Tx 전극(송신 전극)으로 기능할 수 있다. 제1 전극(121)과 제2 전극(122)은 메탈 메쉬로 구현될 수 있다. 메탈 메쉬는 선폭이 3㎛ 이하로 형성될 수 있으며, 바람직하게는 선폭이 2.6㎛ 이하로 형성될 수 있다.The first electrode 121 may function as an Rx electrode (reception electrode), and the second electrode 122 may function as a Tx electrode (transmission electrode). The first electrode 121 and the second electrode 122 may be implemented as a metal mesh. The metal mesh may have a line width of 3 μm or less, and preferably a line width of 2.6 μm or less.

터치 스크린 패널(20)은 터치 센서(100)를 커버 글라스(200)와 접착 필름(140)으로 합지하여 제작하며, 디스플레이(10)의 상부에 부착한다. 접착 필름(130,140)은 광학용투명접착 필름(OCA)(140)을 사용할 수 있다.The touch screen panel 20 is manufactured by laminating the touch sensor 100 with a cover glass 200 and an adhesive film 140 and is attached to the upper portion of the display 10. The adhesive films 130 and 140 may use an optically transparent adhesive film (OCA) 140.

커버 글라스(200)는 터치 센서(100)의 상부에 접착 필름(140)을 매개로 부착될 수 있다. 커버 글라스(200)는 강화 유리 재질로 형성될 수 있다. 강화 유리는 충격이나 긁힘에 강하고 빛 투과율이 높아 한층 밝고 깨끗한 화면을 볼 수 있다.The cover glass 200 may be attached to the upper portion of the touch sensor 100 via an adhesive film 140. The cover glass 200 may be formed of a tempered glass material. Tempered glass is resistant to impacts and scratches and has high light transmittance, so you can see a brighter and cleaner screen.

레인보우 현상을 감소시키기 위해, 커버 글라스(200)는 일면에 하프미러층(210)을 형성한다. 레인보우 현상은 터치 스크린 패널을 태양광에 노출시 전극을 형성하는 금속에 의한 반사, 커버 글라스의 표면 굴절에 따른 빛의 산란, 커버 글라스의 반사율 등에 의해 발생한다. In order to reduce the rainbow phenomenon, the cover glass 200 forms a half mirror layer 210 on one surface. When the touch screen panel is exposed to sunlight, the rainbow phenomenon occurs due to reflection by metal forming electrodes, scattering of light due to refraction of the surface of the cover glass, and reflectance of the cover glass.

상기한 이유로 태양광에 대한 레인보우 현상을 저감하도록 커버 글라스(200)의 일면에 하프미러층(210)을 형성한다. For the above reasons, a half mirror layer 210 is formed on one surface of the cover glass 200 to reduce a rainbow phenomenon due to sunlight.

하프미러층(210)의 반사율은 가시광선 영역에서 12~25% 범위이고, 투과율은 가시광선 영역에서 60~90% 범위로 설정하는 것이 효과적이다. It is effective to set the reflectance of the half mirror layer 210 in the range of 12 to 25% in the visible light region and the transmittance in the range of 60 to 90% in the visible light region.

상기 투과율 및 반사율 범위는 태양광에서 커버 글라스의 반사율을 감소시켜 레인보우 현상을 방지한다. 가시광선 영역에서 투과율이 60% 이상이어야 시인성을 확보할 수 있으며, 반사율을 낮추면 레인보우 현상이 방지된다.The transmittance and reflectance range reduce the reflectance of the cover glass in sunlight to prevent a rainbow phenomenon. Visibility can be secured when the transmittance is 60% or more in the visible light region, and the rainbow phenomenon is prevented by lowering the reflectance.

하프미러층(210)은 재료 및 두께를 적절하게 선택하여 반사율과 투과율을 자유롭게 설계할 수 있다. The half mirror layer 210 can freely design reflectance and transmittance by appropriately selecting a material and thickness.

하프미러층(210)은 금속 박막을 1층 또는 다층으로 적층한 금속미러층일 수 있다. 금속 박막은 Al, Ni 중 선택된 1종 이상으로 이루어질 수 있다. 금속 박막은 Al, Ni 외에도 Au, Ag, Cu, Pt, Pd, Se, Te, Rh, Ir, Ge, Os, Ru, Cr 및 W 중 선택된 1종 이상으로 이루어질 수 있다. 바람직하게는, 금속 박막은 Al, Ni 중 선택된 1종 이상으로 이루어진다. Al, Ni로 금속 박막을 형성시 금속 본연의 성질이 나오지 않으면서 반투명한 하프미러층(210)을 형성할 수 있다. 반투명한 하프미러층(210)은 태양광에서 커버 글라스(200)의 반사율을 낮춘다.The half mirror layer 210 may be a metal mirror layer in which one or multiple metal thin films are stacked. The metal thin film may be made of at least one selected from among Al and Ni. In addition to Al and Ni, the metal thin film may be made of at least one selected from Au, Ag, Cu, Pt, Pd, Se, Te, Rh, Ir, Ge, Os, Ru, Cr, and W. Preferably, the metal thin film is made of at least one selected from Al and Ni. When forming a metal thin film of Al and Ni, a semi-transparent half mirror layer 210 can be formed without exhibiting the inherent properties of the metal. The translucent half mirror layer 210 lowers the reflectance of the cover glass 200 in sunlight.

또한, 하프미러층(210)은 금속 본연의 성질이 나오지 않고 반투명해야 하므로 두께를 100~200 옹스트롱(Å)으로 형성한다. In addition, the half mirror layer 210 is formed to have a thickness of 100 to 200 angstroms (Å), since the metal does not exhibit its natural properties and must be translucent.

도시하지는 않았지만, 커버 글라스(200)의 일면에 하드코팅층을 형성한 후, Al, Ni 등의 금속 박막을 코팅하여 하프미러층(210)을 형성할 수 있다. 하드코팅층은 커버 글라스의 일면에 아크릴 폴리 우레탄을 도포 또는 증착하여 형성할 수 있다. 하드코팅층()은 커버 글라스(200)에 하프미러층(210)의 부착력을 높인다.Although not shown, after forming a hard coating layer on one surface of the cover glass 200, the half mirror layer 210 may be formed by coating a metal thin film such as Al or Ni. The hard coating layer may be formed by applying or depositing acrylic polyurethane on one surface of the cover glass. The hard coating layer () increases the adhesion of the half mirror layer 210 to the cover glass 200.

하프미러층(210)은 Ai 금속 박막과 Ni 금속 박막이 교대로 적층된 것일 수 있다.The half mirror layer 210 may be formed by alternately stacking an Ai metal thin film and an Ni metal thin film.

도 3에 도시된 바와 같이, 하프미러층(210)의 상부에 굴절율층(220)이 더 형성할 수 있다. 굴절율층(220)은 고굴절율층과 저굴절율층을 차례로 다층으로 적층하고 각 층의 굴절율이나 층의 두께를 설계함으로써 가시광선이 하프미러층에 유입되기 전 태양광의 일부를 반사시켜 소멸할 수 있다. 굴절율층(220)은 SiO2를 주성분으로 하는 저굴절율층과 TiO2를 주성분으로 하는 저굴절율층이 교대로 적층된 것일 수 있다. As shown in FIG. 3, a refractive index layer 220 may be further formed on the half mirror layer 210. The refractive index layer 220 can be destroyed by reflecting a part of sunlight before the visible light enters the half mirror layer by stacking a high refractive index layer and a low refractive index layer in order in multiple layers and designing the refractive index or thickness of each layer. . The refractive index layer 220 may be formed by alternately stacking a low refractive index layer containing SiO 2 as a main component and a low refractive index layer containing TiO 2 as a main component.

한편, 터치 스크린 패널의 제조방법은 터치 감지용 전극을 구비하는 터치 센서를 제조하는 단계와 커버 글라스를 준비하고, 상기 커버 글라스의 일면에 하프미러층을 형성하는 단계와 하프미러층이 형성된 커버 글라스를 터치 센서의 상부에 부착하는 단계를 포함한다.On the other hand, the manufacturing method of the touch screen panel includes manufacturing a touch sensor having an electrode for touch sensing, preparing a cover glass, forming a half mirror layer on one surface of the cover glass, and a cover glass having a half mirror layer formed thereon. And attaching to the upper portion of the touch sensor.

터치 감지용 전극을 구비하는 터치 센서를 제조하는 단계에서, 터치 감지용 전극은 메탈 메쉬로 구현할 수 있다.In the step of manufacturing a touch sensor including an electrode for touch sensing, the electrode for touch sensing may be implemented as a metal mesh.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 터치 센서를 제조하는 단계는, 제1 투명기재(110) 상에서 메탈 메쉬로 구현되는 제1 전극(121)을 형성하고, 제2 투명기재(110) 상에서 메탈 메쉬로 구현되며 제1 전극(121)과 교차하는 제2 전극(122)을 형성한다.1 to 3, in the manufacturing of the touch sensor, a first electrode 121 implemented as a metal mesh is formed on the first transparent substrate 110, and a metal mesh is formed on the second transparent substrate 110. The second electrode 122 is implemented as and intersecting the first electrode 121 is formed.

도 4에 도시된 바에 의하면, 제1 전극(121)과 제2 전극(122)은 각각 Cu, CuOx, Cu-CuOx 중 선택된 1종 이상으로 형성된다. 예를 들어, 전극(120)은 Cu층(b), CuO층(c)의 2층 구조로 형성될 수 있다. 2층 구조는 전극(120)과 투명기재(110)의 부착성을 높이고 선폭을 미세하고 균일하게 형성하기 위한 것이다. Cu층은 반사율이 약 50%이고 CuO층은 반사율이 약 15%이므로 Cu층의 상부에 CuO층을 형성하면 전도성을 확보하면서 반사율은 낮출 수 있다. 금속 반사율을 낮추면 레인보우 현상을 감소시킬 수 있다.As shown in FIG. 4, the first electrode 121 and the second electrode 122 are each formed of at least one selected from Cu, CuOx, and Cu-CuOx. For example, the electrode 120 may be formed in a two-layer structure of a Cu layer (b) and a CuO layer (c). The two-layer structure is to increase the adhesion between the electrode 120 and the transparent substrate 110 and to form a fine and uniform line width. Since the Cu layer has a reflectance of about 50% and the CuO layer has a reflectance of about 15%, forming a CuO layer on top of the Cu layer can ensure conductivity while lowering the reflectance. Lowering the metal reflectance can reduce the rainbow phenomenon.

투명기재(110)와 전극(120)의 사이에 하드코팅층(a)이 형성될 수 있다. 하드코팅층(a)은 투명기재(110) 상에 하드코팅액을 코팅하여 형성할 수 있다. A hard coating layer (a) may be formed between the transparent substrate 110 and the electrode 120. The hard coating layer (a) may be formed by coating a hard coating solution on the transparent substrate 110.

하드코팅층(a)은 투명기재(110)의 오염을 방지하고 스크래치 발생이 어렵도록 투명기재(110)를 고경도로 만든다. 또한 하드코팅층(a)은 투명기재(110)의 표면상에 전극(120)이 잘 부착되게 하고 빛 간섭무늬 발생이 적으며 시인성을 향상시킨다. 하드코팅층(a)은 아크릴 폴리 우레탄으로 형성될 수 있다. 이 외에도 하드코팅층은 폴리에스테르계 수지, 폴리우레탄계 수지 등으로 형성될 수도 있다. 하드코팅층(a)은 투명기재(110)의 표면을 거칠게 하지 않아도 높은 밀착성을 발현한다.The hard coating layer (a) prevents contamination of the transparent substrate 110 and makes the transparent substrate 110 with high hardness so that scratches are difficult to occur. In addition, the hard coating layer (a) allows the electrode 120 to be well adhered to the surface of the transparent substrate 110, has less light interference pattern, and improves visibility. The hard coating layer (a) may be formed of acrylic polyurethane. In addition to this, the hard coating layer may be formed of a polyester-based resin, a polyurethane-based resin, or the like. The hard coating layer (a) exhibits high adhesion even without roughening the surface of the transparent substrate 110.

도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 각 투명기재(110)에 전극(120)을 형성하는 과정은 투명기재(110) 상에 하드코팅층(a)을 형성하고, 하드코팅층(a) 상에 전극층(b,c)을 형성하고, 전극층(b,c) 상에 포토레지스트층(d)을 적층한다.As shown in (a) of Figure 4, the process of forming the electrode 120 on each transparent substrate 110 is to form a hard coating layer (a) on the transparent substrate 110, and the hard coating layer (a) The electrode layers (b,c) are formed on the electrode layers (b,c) and a photoresist layer (d) is stacked on the electrode layers (b,c).

다음으로, 포토레지스트층(d) 상에 패턴구멍(p)이 형성된 마스크(e)를 형성하고, 노광, 현상 및 식각하여 패턴구멍(p)에 해당하는 부분을 남기고 나머지 부분은 제거한다. 다음으로 전극층(b,c)의 상부에 남은 포토레지스트층(d)을 에칭한다. Next, a mask e in which a pattern hole p is formed on the photoresist layer d is formed, and exposed, developed, and etched to leave a portion corresponding to the pattern hole p, and the remaining portions are removed. Next, the photoresist layer (d) remaining on the electrode layers (b,c) is etched.

투명기재(110) 상에 하드코팅층(a)을 형성하는 과정에서, 투명기재(110)는 PET 필름을 사용할 수 있다. 하드코팅층(a)은 투명기재(110) 상에 아크릴 폴리 우레탄을 도포 또는 증착하여 형성할 수 있다. 하드코팅층(a)은 5㎛~15㎛ 두께 범위로 형성할 수 있다. In the process of forming the hard coating layer (a) on the transparent substrate 110, the transparent substrate 110 may use a PET film. The hard coating layer (a) may be formed by applying or depositing acrylic polyurethane on the transparent substrate 110. The hard coating layer (a) may be formed in a thickness range of 5 μm to 15 μm.

하드코팅층(a) 상에 전극층(b,c)을 형성하는 과정에서, 전극층(b,c)은 Cu층(b)과 Cu층(b)의 상부에 적층되는 CuO층(c)을 포함할 수 있다. 하드코팅층(a) 상에 스퍼터링 방법에 의해 Cu층(b)을 형성하고, Cu층(b)의 상부에 스퍼터링 방법에 의해 CuO층(c)을 형성할 수 있다. Cu층(b)이 씨드(seed)층이 된다. Cu층(b)은 200~400㎛ 두께로 형성하고, CuO층은 5㎛ 두께로 형성할 수 있다. Cu층은 반사율이 약 50%이고 CuO층은 반사율이 약 15%이므로 Cu층의 상부에 CuO층을 형성하면 전도성을 확보하면서 반사율은 낮출 수 있다. 스퍼터링 방법에 의한 전극층을 형성하면 전극층(b,c)을 박막으로 형성하기 보다 용이하다.In the process of forming the electrode layers (b,c) on the hard coating layer (a), the electrode layers (b,c) include a Cu layer (b) and a CuO layer (c) stacked on top of the Cu layer (b). I can. A Cu layer (b) may be formed on the hard coating layer (a) by a sputtering method, and a CuO layer (c) may be formed on the Cu layer (b) by a sputtering method. The Cu layer (b) becomes a seed layer. The Cu layer (b) may be formed to a thickness of 200 to 400 μm, and the CuO layer may be formed to a thickness of 5 μm. Since the Cu layer has a reflectance of about 50% and the CuO layer has a reflectance of about 15%, forming a CuO layer on top of the Cu layer can ensure conductivity while lowering the reflectance. When the electrode layer is formed by the sputtering method, it is easier to form the electrode layers (b,c) into a thin film.

스퍼터링 방법은 롤 두 롤 스퍼터(roll to roll)에서 수행하며, 이온 빔 처리(Iin Beam treatment)를 적용하여 표면 개질 및 전극의 접착 강화 기능을 갖도록 한다. The sputtering method is performed in a roll to roll sputter (roll to roll), and by applying an ion beam treatment (Iin Beam treatment), it has a function to modify the surface and strengthen the adhesion of the electrode.

전극층(b,c) 상에 포토레지스트층(d)을 적층하는 과정에서 포토레지스트층(d)은 감광성 폴리머를 사용할 수 있다. 감광성 폴리머는 자외선에 경화반응이 일어난다. In the process of laminating the photoresist layer (d) on the electrode layers (b,c), the photoresist layer (d) may use a photosensitive polymer. The photosensitive polymer undergoes a curing reaction to ultraviolet rays.

전극층(b,c) 상에 포토레지스트층(d)을 적층하는 단계는 롤 투 롤(roll to roll) 시스템에서 코팅하는 방식을 이용할 수 있다. 예를 들어, 투명기재(110)의 전극층(b,c)에 액상의 포토 레지스트를 롤 투 롤 시스템에서 연속 공정으로 전기 방사하여 포토레지스트층(d)을 형성할 수 있다. 전기 방사는 균일한 포토레지스트층(d)을 형성한다. 롤 투 롤 연속 공정은 1~2㎛의 두께로 포토 레지스트를 연속 코팅 가능하다. 포토레지스트층(d)은 3.5㎛의 두께로 형성될 수 있다.The step of laminating the photoresist layer (d) on the electrode layers (b,c) may use a method of coating in a roll to roll system. For example, a photoresist layer (d) may be formed by electrospinning a liquid photoresist on the electrode layers (b,c) of the transparent substrate 110 in a continuous process in a roll-to-roll system. Electrospinning forms a uniform photoresist layer (d). In the roll-to-roll continuous process, photoresist can be continuously coated with a thickness of 1 to 2 μm. The photoresist layer (d) may be formed to a thickness of 3.5 μm.

포토레지스트층(d) 상에 패턴구멍(p)이 형성된 마스크(e)를 배치하는 단계에서, 패턴구멍(p)은 메탈 메쉬 형성을 위한 것이다. 패턴구멍(p)은 메탈 메쉬 형성을 위해 기설계된 구멍이다. 패턴구멍(p)이 메탈 메쉬에 대응된다. 패턴구멍(p)의 폭은 3㎛ 이하, 바람직하게는 2.6㎛ 이하이고 패턴구멍 간 간격은 11㎛ 이하일 수 있다. In the step of disposing the mask e in which the pattern hole p is formed on the photoresist layer d, the pattern hole p is for forming a metal mesh. The pattern hole (p) is a hole previously designed to form a metal mesh. The pattern hole p corresponds to the metal mesh. The width of the pattern holes p may be 3 μm or less, preferably 2.6 μm or less, and the spacing between the pattern holes may be 11 μm or less.

노광, 현상 및 식각하여 패턴구멍(p)에 해당하는 부분을 남기고 나머지 부분은 제거하는 단계에서, 메탈 메쉬로 형성되는 전극(120)의 이미지가 구현된다.In the step of exposing, developing, and etching to leave a portion corresponding to the pattern hole p and remove the remaining portion, an image of the electrode 120 formed of a metal mesh is realized.

도 4의 (b)와 같이, 포토레지스트층(d)의 상부에 전극(120)을 형성하기 위한 패턴구멍(p)들이 형성된 마스크(e)를 배치하고, 노광기를 이용하여 자외선(UV)을 조사하면 포토레지스트층(d)은 자외선을 받은 부분에 경화반응이 일어난다. As shown in (b) of FIG. 4, a mask (e) having pattern holes (p) for forming the electrode 120 is disposed on the photoresist layer (d), and ultraviolet rays (UV) are applied using an exposure machine. When irradiated, the photoresist layer (d) undergoes a curing reaction in the UV-rayed portion.

현상은 포토레지스트층(d)에서 경화되지 않은 부분을 현상액으로 용해, 제거시키고 포토레지스트층(d)에서 경과된 부분을 남게 하여 투명기재(110)에 전극(120) 이미지를 형성하는 것이다. The development is to dissolve and remove the uncured portion of the photoresist layer (d) with a developer and leave the elapsed portion of the photoresist layer (d) to form an image of the electrode 120 on the transparent substrate 110.

식각은 포토레지스트층(d)이 제거된 부분과 대응되는 부분의 전극층(b,c)을 제거하는 것이다. 식각액은 염화제이철(FeCl2), 염화구리(CuCl2) 등이 사용될 수 있다. 도 4의 (c)와 같이, 노광, 현상, 식각하면 패턴구멍(p)에 해당하는 부분은 남고 나머지 부분은 제거된다. Etching is to remove the electrode layers (b, c) in the portion corresponding to the portion from which the photoresist layer (d) has been removed. The etchant may be ferric chloride (FeCl 2 ), copper chloride (CuCl 2 ), or the like. As shown in (c) of FIG. 4, when exposure, development, and etching are performed, the portion corresponding to the pattern hole p remains and the remaining portions are removed.

다음으로, 전극층의 상부에 남은 포토레지스트층(d)을 에칭하여 투명기재(110)에 Cu층, CuO로 이루어진 2층 구조의 전극이 노출되게 한다.Next, the photoresist layer (d) remaining on the electrode layer is etched to expose a two-layer electrode made of a Cu layer and CuO to the transparent substrate 110.

상술한 방법으로 제1 투명기재(111) 상에 메탈 메쉬(120a)로 구현되고 1방향으로 배열되는 제1 전극(121)을 형성하고, 제2 투명기재(112) 상에 메탈 메쉬(120a)로 구현되고 1방향과 교차하는 2방향으로 배열되는 제2 전극(122)을 형성한 후, 제1 전극(121)과 제2 전극(122)이 교차되게 제1 투명기재(111)와 제2 투명기재(112)를 중첩하여 터치 센서(100)를 제작할 수 있다. In the above-described method, the first electrode 121 implemented as a metal mesh 120a and arranged in one direction is formed on the first transparent substrate 111, and the metal mesh 120a is formed on the second transparent substrate 112. After forming the second electrode 122 that is implemented in and is arranged in two directions crossing one direction, the first transparent material 111 and the second electrode 122 cross each other so that the first electrode 121 and the second electrode 122 cross each other. The touch sensor 100 may be manufactured by overlapping the transparent substrate 112.

커버 글라스의 일면에 하프미러층을 형성하는 단계는 스퍼터링 방법을 적용하고 커버 글라스(200)의 일면에 금속 소재를 100~200 옹스트롱으로 타게팅하여 형성한다. 금속 소재를 100~200 옹스트롱으로 타게팅하면 금속 본연의 성질이 나오지 않고 반투명한 하프미러층(210)이 형성된다.The step of forming the half mirror layer on one surface of the cover glass is formed by applying a sputtering method and targeting a metal material on one surface of the cover glass 200 at 100 to 200 angstroms. When a metal material is targeted at 100 to 200 angstroms, the metal's natural properties do not come out and a semi-transparent half mirror layer 210 is formed.

예를 들어, 진공챔버 내에 각각 금속 소재와 금속 소재가 코팅될 커버 글라스를 고정시키고, 아르곤 가스를 진공챔버 내에 주입한 다음 금속 소재를 100~200 옹스트롱으로 타게팅하면 금속 소재가 커버 글라스에 박막 형태로 균일하게 증착되고 반투명한 하프미러층이 형성된다. 금속 소재는 Al, Ni 중 선택된 1종 이상을 사용한다. 스퍼터링 방법을 적용하여 커버 글라스(200)와 밀착력이 높고 균일한 박막 형태의 하프미러층(210)을 형성할 수 있다. For example, if a metal material and a cover glass to be coated with a metal material are fixed in a vacuum chamber, argon gas is injected into the vacuum chamber, and then the metal material is targeted at 100 to 200 angstroms, the metal material is formed in a thin film on the cover glass. The semi-transparent half-mirror layer is formed uniformly and deposited. As the metal material, at least one selected from Al and Ni is used. By applying the sputtering method, the half mirror layer 210 having a high adhesion to the cover glass 200 and having a uniform thin film shape can be formed.

스프터링 처리시 치밀하고 균일한 박막 형성이 가능하고 광학 성능이 좋으며 커버 글라스와 밀착성이 높은 하프미러층(210)을 형성할 수 있다.During sputtering, a dense and uniform thin film can be formed, the optical performance is good, and the half mirror layer 210 having high adhesion to the cover glass can be formed.

하프미러층(210)은 커버 글라스(200)에 증착하여 형성하는 것도 가능하지만 필요에 따라 패터닝하여 형성하는 것도 가능하다. The half mirror layer 210 may be formed by depositing on the cover glass 200, but may be formed by patterning if necessary.

상술한 바와 같이, 커버 글라스(200)의 일면에 원하는 투과율과 반사율을 갖는 하프미러층(210)을 형성하여 레인보우 현상을 감소시킬 수 있다. 또한 하프미러층(210)의 상부에 굴절율층(220)을 더 형성하여 투과율을 높이고 반사율을 저감하여 시인성을 개선할 수 있다. As described above, by forming the half mirror layer 210 having a desired transmittance and reflectance on one surface of the cover glass 200, it is possible to reduce the rainbow phenomenon. In addition, by further forming a refractive index layer 220 on the half mirror layer 210, the transmittance may be increased and the reflectance may be reduced to improve visibility.

본 발명은 도면과 명세서에 최적의 실시예들이 개시되었다. 여기서, 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 발명은 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면, 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 권리범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.The present invention has been disclosed in the drawings and the specification, the best embodiments. Here, specific terms have been used, but these are only used for the purpose of describing the present invention, and are not used to limit the meaning or the scope of the present invention described in the claims. Therefore, the present invention will be understood by those of ordinary skill in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

10: 디스플레이 20: 터치 스크린 패널
100: 터치 센서 110: 투명기재
111: 제1 투명기재 112: 제2 투명기재
120: 전극 120a: 메쉬 패턴
121: 제1 전극 122: 제2 전극
130, 140: 접착필름 200: 커버 글라스
210: 하프미러층 220: 굴절율층
a: 하드코팅층 b: Cu층
c: CuO 층 d: 포토레지스트층
e: 마스크 p: 패턴구멍
10: display 20: touch screen panel
100: touch sensor 110: transparent material
111: first transparent substrate 112: second transparent substrate
120: electrode 120a: mesh pattern
121: first electrode 122: second electrode
130, 140: adhesive film 200: cover glass
210: half mirror layer 220: refractive index layer
a: hard coating layer b: Cu layer
c: CuO layer d: photoresist layer
e: mask p: pattern hole

Claims (11)

터치 감지용 전극을 구비하는 터치 센서; 및
상기 터치 센서의 상부에 배치되며 일면에 하프미러층이 구비된 커버 글라스;를 포함하는
터치 스크린 패널.
A touch sensor having an electrode for touch sensing; And
Includes; a cover glass disposed on the touch sensor and provided with a half mirror layer on one side
Touch screen panel.
제1 항에 있어서,
상기 터치 감지용 전극은 메탈 메쉬로 구현하며,
상기 메탈 메쉬는 금속 소재를 격자무늬 또는 교차무늬로 배열한 것임을 특징으로 하는 터치 스크린 패널.
The method of claim 1,
The electrode for touch sensing is implemented with a metal mesh,
The metal mesh is a touch screen panel, characterized in that the metal material is arranged in a grid pattern or a cross pattern.
제1 항에 있어서,
상기 하프미러층은 금속 박막을 1층 또는 다층으로 적층한 금속미러층인 터치 스크린 패널.
The method of claim 1,
The half mirror layer is a metal mirror layer in which a metal thin film is stacked in one layer or in multiple layers.
제3 항에 있어서,
상기 금속 박막은 Al, Ni 중 선택된 1종 이상인 터치 스크린 패널.
The method of claim 3,
The metal thin film is a touch screen panel of at least one selected from Al and Ni.
제1 항에 있어서,
상기 하프미러층의 반사율은 가시광선 영역에서 12~25% 범위인 터치 스크린 패널.
The method of claim 1,
A touch screen panel having a reflectance of the half mirror layer in a range of 12 to 25% in a visible light region.
제1 항에 있어서,
상기 하프미러층의 투과율은 가시광선 영역에서 60~90% 범위인 터치 스크린 패널.
The method of claim 1,
A touch screen panel having a transmittance of the half mirror layer in a range of 60 to 90% in a visible light region.
제1 항에 있어서,
상기 하프미러층의 두께는 100~200 옹스트롱(Å)인 터치 스크린 패널.
The method of claim 1,
The half-mirror layer has a thickness of 100 to 200 angstroms (Å).
터치 감지용 전극을 구비하는 터치 센서를 제조하는 단계;
커버 글라스를 준비하고, 상기 커버 글라스의 일면에 하프미러층을 형성하는 단계; 및
상기 하프미러층이 형성된 커버 글라스를 상기 터치 센서의 상부에 부착하는 단계;
를 포함하는 터치 스크린 패널 제조방법.
Manufacturing a touch sensor having an electrode for touch sensing;
Preparing a cover glass, and forming a half mirror layer on one surface of the cover glass; And
Attaching a cover glass on which the half mirror layer is formed on the touch sensor;
Touch screen panel manufacturing method comprising a.
제8 항에 있어서,
상기 터치 감지용 전극을 구비하는 터치 센서를 제조하는 단계에서,
상기 터치 감지용 전극은 메탈 메쉬로 구현하는 터치 스크린 패널 제조방법.
The method of claim 8,
In the step of manufacturing a touch sensor having the electrode for touch sensing,
The touch sensing electrode is a method of manufacturing a touch screen panel implemented with a metal mesh.
제8 항에 있어서,
상기 커버 글라스의 일면에 하프미러층을 형성하는 단계는
스퍼터링 방법을 적용하고,
상기 커버 글라스의 일면에 금속 소재를 100~200 옹스트롱(Å)으로 타게팅하여 형성하는 터치 스크린 패널 제조방법.
The method of claim 8,
Forming a half mirror layer on one surface of the cover glass
Apply sputtering method,
A method of manufacturing a touch screen panel formed by targeting a metal material to 100 to 200 angstroms (Å) on one surface of the cover glass.
제10 항에 있어서,
상기 금속 소재는 Al, Ni 중 선택된 1종 이상인 터치 스크린 패널 제조방법.
The method of claim 10,
The metal material is a touch screen panel manufacturing method of at least one selected from Al and Ni.
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