KR20200119971A - Semiconductor bonding device and the method therefor - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 68
- 239000011295 pitch Substances 0.000 claims description 50
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 53
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 30
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 10
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000013215 result calculation Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 101100268108 Mus musculus Zfp60 gene Proteins 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
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Abstract
Description
본 발명은는 반도체 본딩 장치에 관한 것이며, 복수의 픽업 헤드를 갖는 반도체 본딩 장치에 적용 가능하다.The present invention relates to a semiconductor bonding device, and is applicable to a semiconductor bonding device having a plurality of pickup heads.
일본 특허 공개 제2013-65711호 공보(특허문헌 1)에는, 2개의 픽업 헤드와 2개의 본딩 헤드를 갖는 반도체 본딩 장치가 개시되어 있다.Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2013-65711 (Patent Document 1) discloses a semiconductor bonding device having two pickup heads and two bonding heads.
선행기술 문헌에서는 다이 밀어올리기 유닛을 1개(픽업이 1개소)로 한되어 있어 복수의 픽업 헤드의 효율을 올릴 수 없다.In the prior art literature, the die pushing unit is limited to one (one pickup), and the efficiency of a plurality of pickup heads cannot be increased.
본 발명은, 복수의 픽업 헤드의 효율을 높이는 것이 가능한 다이 본딩 기술을 제공하는 것이며, 그 밖의 과제와 신규 특징은, 본 명세서의 기술 및 첨부 도면으로부터 명백하게 될 것이다.The present invention provides a die bonding technology capable of increasing the efficiency of a plurality of pickup heads, and other problems and novel features will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.
본 발명은, 웨이퍼 지지대와, 단일의 밀어올리기 유닛과, 웨이퍼 인식 카메라와, 복수의 픽업 헤드와, 복수의 중간 스테이지와, 복수의 본딩 스테이지와, 복수의 본딩 헤드를 구비하고, 웨이퍼 인식 카메라는 복수회의 다이의 픽업에 1회의 비율로 웨이퍼 중의 다이를 촬상하는 반도체 본딩 장치 및 그 방법을 과제의 해결 수단으로 제공한다.The present invention is provided with a wafer support, a single pushing unit, a wafer recognition camera, a plurality of pickup heads, a plurality of intermediate stages, a plurality of bonding stages, a plurality of bonding heads, the wafer recognition camera A semiconductor bonding apparatus and a method for imaging a die in a wafer at a rate of once for a plurality of die pickups are provided as a means of solving the problem.
본 발명의 반도체 본딩 장치 및 그 방법에 의하면, 복수의 픽업 헤드의 효율을 높일 수 있다.According to the semiconductor bonding apparatus and method of the present invention, the efficiency of a plurality of pickup heads can be improved.
도 1은 실시예에 따른 반도체 본딩 장치의 구성을 도시하는 개략 상면도.
도 2는 도 1의 다이 공급부의 구성을 도시하는 외관 사시도.
도 3은 도 2의 다이 공급부의 주요부를 도시하는 개략 단면도.
도 4는 도 1의 반도체 본딩 장치의 개략 구성과 그 동작을 설명하는 도면.
도 5는 도 1의 반도체 본딩 장치의 픽업 동작을 설명하는 플로우도.
도 6은 도 5의 웨이퍼 인식을 설명하기 위한 평면도.
도 7은 도 1의 반도체 본딩 장치의 픽업 동작의 변형예를 설명하는 플로우도.
도 8은 도 7의 웨이퍼 인식을 설명하기 위한 평면도.
도 9는 도 1의 반도체 본딩 장치의 픽업 동작의 비교예를 설명하는 플로우도.
도 10은 도 1의 반도체 본딩 장치의 픽업 동작을 설명하는 도면.
도 11은 도 1의 반도체 본딩 장치의 픽업 동작의 비교예를 설명하는 도면.
도 12는 도 1의 반도체 본딩 장치의 동작을 설명하는 흐름도.1 is a schematic top view showing the configuration of a semiconductor bonding device according to an embodiment.
Fig. 2 is an external perspective view showing the configuration of the die supply unit of Fig. 1;
Fig. 3 is a schematic cross-sectional view showing an essential part of the die supply section of Fig. 2;
Fig. 4 is a diagram explaining a schematic configuration and operation of the semiconductor bonding device of Fig. 1;
Fig. 5 is a flow diagram explaining a pickup operation of the semiconductor bonding device of Fig. 1;
6 is a plan view for explaining wafer recognition of FIG. 5.
Fig. 7 is a flow diagram illustrating a modified example of the pickup operation of the semiconductor bonding device of Fig. 1;
8 is a plan view for explaining wafer recognition of FIG. 7.
9 is a flow diagram illustrating a comparative example of a pickup operation of the semiconductor bonding device of FIG. 1.
Fig. 10 is a diagram explaining a pickup operation of the semiconductor bonding device of Fig. 1;
11 is a diagram for explaining a comparative example of the pickup operation of the semiconductor bonding device of FIG. 1.
12 is a flowchart illustrating the operation of the semiconductor bonding device of FIG. 1.
반도체 장치의 제조 공정의 일부에 반도체 칩(이하, 간단히 다이라 함)을 배선 기판이나 리드 프레임 등(이하, 기판이라 함)에 탑재하여 패키지를 조립하는 공정이 있고, 패키지를 조립하는 공정의 일부에, 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 웨이퍼라 함)로부터 다이를 분할하는 공정과, 분할한 다이를 기판 상에 탑재하는 본딩 공정이 있다. 본딩 공정에 사용되는 제조 장치가 반도체 본딩 장치이다.Part of the semiconductor device manufacturing process includes a process of assembling a package by mounting a semiconductor chip (hereinafter, simply referred to as a die) on a wiring board or lead frame (hereinafter referred to as a substrate), and a part of the process of assembling the package For example, there are a step of dividing a die from a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) and a bonding step of mounting the divided die on a substrate. A manufacturing device used in the bonding process is a semiconductor bonding device.
반도체 본딩 장치는, 땜납, 금 도금, 수지를 접합 재료로 하여, 다이를 기판 또는 이미 본딩된 다이 상에 본딩(탑재하여 접착)하는 장치이다. 다이를, 예를 들어 기판의 표면에 본딩하는 반도체 본딩 장치에 있어서는, 콜릿이라고 불리는 흡착 노즐을 사용하여 다이를 웨이퍼로부터 흡착하여 픽업하고, 기판 상에 반송하고, 압박력을 부여함과 함께, 접합재를 가열함으로써 본딩을 행한다고 하는 동작(작업)이 반복하여 행해진다. 콜릿은, 흡착 구멍을 갖고, 에어를 흡인하여, 다이를 흡착 보유 지지하는 유지구이며, 다이와 동일 정도의 크기를 갖는다.A semiconductor bonding device is a device that bonds (mounts and bonds) a die onto a substrate or an already bonded die using solder, gold plating, or resin as a bonding material. In a semiconductor bonding apparatus that bonds a die to, for example, the surface of a substrate, a die is sucked and picked up from a wafer using a suction nozzle called a collet, and conveyed on the substrate, and a pressing force is applied, while An operation (operation) of performing bonding by heating is repeatedly performed. The collet has an adsorption hole, suctions air, and is a holding tool for adsorbing and holding a die, and has a size of the same degree as that of the die.
실시 형태에 따른 반도체 본딩 장치는, 웨이퍼 지지대와, 단일의 밀어올리기 유닛과, 웨이퍼 인식 카메라와, 복수의 픽업 헤드와, 복수의 중간 스테이지와, 복수의 본딩 스테이지와, 복수의 본딩 헤드를 구비한다. 웨이퍼 인식 카메라는 복수회의 다이 픽업 또는 복수회의 웨이퍼 피치에 1회의 비율로 웨이퍼 중의 다이를 촬상한다. 이에 의해, 다이의 픽업 또는 웨이퍼 피치마다 웨이퍼 인식 카메라로 웨이퍼를 촬상하지 않으므로, 웨이퍼 피치 후의 픽업 헤드의 이동 개시를 빠르게 할 수 있고, 픽업 시간을 짧게 할 수 있어, 본딩 공정의 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또한, 실시 형태에 따른 반도체 본딩 장치에서는, 다이 본드 정밀도의 유지ㆍ향상도 행하기 위해, 중간 스테이지에 있어서 다이의 얼라인먼트를 행하는 것이 바람직하다.The semiconductor bonding apparatus according to the embodiment includes a wafer support, a single pushing unit, a wafer recognition camera, a plurality of pickup heads, a plurality of intermediate stages, a plurality of bonding stages, and a plurality of bonding heads. . The wafer recognition camera captures a die in a wafer at a rate of once to a plurality of die pickups or a plurality of wafer pitches. Thereby, since the wafer is not imaged by the wafer recognition camera for each die pickup or wafer pitch, the start of movement of the pickup head after the wafer pitch can be accelerated, the pickup time can be shortened, and the throughput of the bonding process can be improved. have. In addition, in the semiconductor bonding apparatus according to the embodiment, it is preferable to perform die alignment in an intermediate stage in order to also maintain and improve the die bonding accuracy.
이하, 실시예, 변형예 및 비교예에 대하여, 도면을 사용하여 설명한다. 단, 이하의 설명에 있어서, 동일 구성 요소에는 동일 부호를 부여하고 반복 설명을 생략하는 경우가 있다. 또한, 도면은 설명을 보다 명확하게 하기 위해, 실제의 형태에 비해, 각 부의 폭, 두께, 형상 등에 대하여 모식적으로 도시되는 경우가 있지만, 어디까지나 일례로서, 본 발명의 해석을 한정하는 것은 아니다.Hereinafter, examples, modifications and comparative examples will be described with reference to the drawings. However, in the following description, the same reference numerals are assigned to the same constituent elements, and repeated explanation may be omitted. In addition, in order to make the explanation more clear, the drawings are schematically illustrated with respect to the width, thickness, shape, etc. of each part compared to the actual form, but are only examples and are not intended to limit the interpretation of the present invention. .
[실시예][Example]
도 1은 실시예에 따른 반도체 본딩 장치의 개략 상면도이다. 반도체 본딩 장치(10)는, 크게 나누어, 웨이퍼 공급부(1)와, 픽업부(2A, 2B)와, 얼라인먼트부(3A, 3B)와, 본딩부(4A, 4B)와, 반송부(5)와, 제어 장치(8)를 구비한다. 웨이퍼 공급부(1)는 기판 P에 실장하는 다이 D가 탑재된 웨이퍼 링(14)(도 2, 도 3 참조)을 공급한다. 픽업부(2A, 2B)는 웨이퍼 공급부(1)로부터 다이 D를 픽업한다. 얼라인먼트부(3A, 3B)는 픽업된 다이 D를 중간적으로 한번 재치한다. 본딩부(4A, 4B)는 얼라인먼트부(3A, 3B)의 다이 D를 픽업하여 기판 P 또는 이미 본딩된 다이 D 상에 본딩한다. 반송부(5)는 기판 P를 실장 위치로 반송한다. 제어 장치(8)는 각 부의 동작을 감시하고 제어한다.1 is a schematic top view of a semiconductor bonding device according to an embodiment. The
웨이퍼 공급부(1)는 웨이퍼 카세트 리프터 WCL과 웨이퍼 수정 슈트 WRA와 웨이퍼 링 홀더(웨이퍼 지지대) WRH와 다이 밀어올리기 유닛 WDE와 웨이퍼 인식 카메라 VSW를 구비한다. 웨이퍼 카세트 리프터 WCL은 복수의 웨이퍼링(14)이 저장되는 웨이퍼 카세트를 웨이퍼 반송 높이까지 상하 이동시킨다. 웨이퍼 수정 슈트 WRA는 웨이퍼 카세트 리프터 WCL로부터 공급되는 웨이퍼 링(14)의 얼라인먼트를 행한다. 웨이퍼 엑스트랙터 WRE는 웨이퍼 링(14)을 웨이퍼 카세트로부터 취출하여, 수납한다. 웨이퍼 링 홀더 WRH는 도시하지 않은 구동 수단에 의해 X 방향 및 Y 방향으로 이동하여, 픽업하는 다이 D를 다이 밀어올리기 유닛 WDE의 위치로 이동시킨다. 도 1의 2 점퍼선 원은 웨이퍼 링 홀더 WRH의 이동 범위이다. 다이 밀어올리기 유닛 WDE 웨이퍼 테이프(다이싱 테이프)(16)에 마운트되는 웨이퍼(11)로부터 다이 단위로 밀어올려 박리한다. 웨이퍼 인식 카메라 VSW는 웨이퍼 링 홀더 WRH에 의해 지지된 웨이퍼(11)의 다이 D를 촬상하고, 픽업해야 할 다이 D의 위치를 인식한다.The
픽업부(2A, 2B)의 각각은, 픽업 헤드 BPH와 픽업 헤드 테이블 BPT를 구비한다. 픽업 헤드 BPH는, 다이 밀어올리기 유닛 WDE에 의해 밀어올려진 다이 D를 선단에 흡착 보유 지지하는 콜릿(22)(도 4 참조)을 갖고, 다이 D를 픽업하여, 중간 스테이지 BAS에 재치한다. 픽업 헤드 테이블 BPT는 픽업 헤드 BPH를 승강, X 방향 및 Y 방향으로 이동시킨다. 픽업 헤드 BPH에서는 다이 D의 각도에 맞추어 회전시키는 기능을 부가하는 것도 가능하다. 픽업은, 웨이퍼(11)가 갖는 복수의 전기적 특성이 상이한 다이의 그레이드를 나타내는 분류 맵에 기초하여 행한다. 분류 맵은 제어부(50)에 미리 기억되어 있다.Each of the
얼라인먼트부(3A, 3B)의 각각은, 다이 D를 일시적으로 재치하는 중간 스테이지 BAS와 중간 스테이지 BAS 상의 다이 D를 인식하는 위한 스테이지 인식 카메라 VSA(도 4 참조)를 구비한다. 다이 밀어올리기 유닛 WDE는, 평면에서 보아, 얼라인먼트부(3A)의 중간 스테이지 BAS와 얼라인먼트부(3B)의 중간 스테이지 BAS의 중간에 위치하고, 다이 밀어올리기 유닛 WDE, 얼라인먼트부(3A)의 중간 스테이지 BAS 및 얼라인먼트부(3B)의 중간 스테이지 BAS는 X 방향을 따라서 배치된다.Each of the
본딩부(4A, 4B)의 각각은, 본딩 헤드 BBH와 콜릿(42)(도 4 참조)과 본딩 헤드 테이블 BHT와 기판 인식 카메라 VSB(도 4 참조)를 구비한다. 본딩 헤드 BBH는 픽업 헤드 BPH와 동일한 구조를 갖고, 중간 스테이지 BAS로부터 다이 D를 픽업하고, 반송되어 온 기판 P에 본딩한다. 콜릿(42)은 본딩 헤드 BBH의 선단에 장착되어 다이 D를 흡착 보유 지지한다. 본딩 헤드 테이블 BHT는 본딩 헤드 BBH를 X 방향 및 Y 방향으로 이동시킨다. 기판 인식 카메라 VSB는 반송되어 온 기판 P의 위치 인식 마크(도시하지 않음)를 촬상하고, 본딩해야 할 다이 D의 본딩 위치를 인식한다.Each of the
이와 같은 구성에 의해, 본딩 헤드 BBH는, 스테이지 인식 카메라 VSA의 촬상 데이터에 기초하여 픽업 위치·자세를 보정하고, 중간 스테이지 BAS로부터 다이 D를 픽업하고, 기판 인식 카메라 VSB의 촬상 데이터에 기초하여 기판 P에 다이 D를 본딩한다.With this configuration, the bonding head BBH corrects the pickup position and posture based on the imaging data of the stage recognition camera VSA, picks up the die D from the intermediate stage BAS, and uses the imaging data of the substrate recognition camera VSB. Bond die D to P.
반송부(5)는, 다이 D가 본딩되는 기판 P(도 1에서는 18매)를 재치한 매거진(도 1에서는 5개)을 X 방향으로 반송하는 제1 반송 레인(51) 및 제2 반송 레인(52)을 구비한다. 제1 반송 레인(51)은 제1 클린 스테이지 CS1과 제1 본딩 스테이지 BS1과 제2 본딩 스테이지 BS2를 구비한다. 도 1에서는 제1 클린 스테이지 CS1에 매거진(91)이 배치되고, 제1 본딩 스테이지 BS1에 매거진(92)은 재치되고, 제2 본딩 스테이지 BS2에 매거진(93)이 재치되어 있다. 제2 반송 레인(52)은 제2 클린 스테이지 CS2와 제3 본딩 스테이지 BS3을 구비한다. 도 1에서는 제2 클린 스테이지 CS2에 매거진(94)이 재치되고, 제3 본딩 스테이지 BS3에 매거진(95)은 재치되어 있다. 제1 클린 스테이지 CS1 및 제2 클린 스테이지 CS2의 프리비젼 포인트 PVP에서는, 기판 P에 부착된 기판의 불량의 표시의 인식 및 기판 P 상의 이물을 흡인하는 클리닝이 행해진다. 제1 본딩 스테이지 BS1, 제2 본딩 스테이지 BS2 및 제3 본딩 스테이지 BS3의 본딩 포인트 BP에서는, 기판 P에 본딩이 행해진다. 얼라인먼트부(3A)의 중간 스테이지 BAS, 제1 본딩 스테이지 BS1의 본딩 포인트 BP 및 제3 본딩 스테이지 BS3의 본딩 포인트 BP를 연결하는 선은 Y 방향을 따라서 배치되고, 얼라인먼트부(3B)의 중간 스테이지 BA 및 제2 본딩 스테이지 BS2의 본딩 포인트 BP를 연결하는 선은 Y 방향을 따라서 배치된다. 제1 반송 레인(51) 및 제2 반송 레인(52)은 각각 매거진 로더 IMH와 피더 슈트 FMT와 로더 피더 FIG 메인 피더 FMG1과 메인 피더 FMG2와 메인 피더 MFG3과 언로더 피더 FOG와 매거진 언로더 OMH를 구비한다. 매거진 로더 IMH는 기판 P가 저장되는 매거진을 기판 반송 높이까지 상하 이동시키고, 푸셔에 의해 기판 P가 모두 공급되면 매거진을 불출하고, 새롭게 기판 P가 저장되는 매거진을 기판 반송 높이까지 상하 이동시킨다. 피더 슈트 FMT는 기판 반송부의 슈트를 기판 폭에 따라서 개폐한다. 로더 피더 FIG는 공급되는 기판 P를 프리비젼 포인트 PVP까지 그립 반송한다. 메인 피더 FMG1은 프리비젼 포인트 PVP까지 그립 반송되는 기판 P를 메인 피더 FMG2에 전달할 때까지 그립 반송한다. 메인 피더 FMG2는 메인 피더 FMG1로부터 기판 P를 수취하여 메인 피더 MFG3에 전달할 때까지 그립 반송한다. 메인 피더 FMG3은 메인 피더 FMG2로부터 기판 P를 수취하여 언로딩 위치까지 그립 반송한다. 언로더 피더 FOG는 언로딩 위치까지 그립 반송된 기판 P를 불출 위치까지 그립 반송한다. 매거진 언로더 OMH는 공급된 빈 매거진을 기판 반송 높이까지 상하 이동시키고, 불출된 기판으로 매거진이 가득 차면 매거진을 불출하고, 새롭게 빈 매거진을 기판 반송 높이까지 상하이동시킨다.The
다음에, 도 2 및 도 3을 사용하여 웨이퍼 공급부의 상세한 구성을 설명한다. 도 2는 웨이퍼 공급부의 주요부를 도시하는 외관 사시도이다. 도 3은 웨이퍼 공급부의 주요부를 도시하는 개략 단면도이다. 웨이퍼(11)의 이면에는, 다이 어태치 필름(DAF)(18)이 접착되고, 또한 그 이측에 다이싱 테이프(16)가 접착되어 있다. 또한, 다이싱 테이프(16)의 가장자리는, 웨이퍼 링(14)에 접착되고, 익스팬드 링(15)에 끼워 넣어져 고정되어 있다.Next, a detailed configuration of the wafer supply unit will be described using Figs. 2 and 3. 2 is an external perspective view showing a main part of the wafer supply unit. 3 is a schematic cross-sectional view showing a main part of a wafer supply unit. A die attach film (DAF) 18 is adhered to the back surface of the
즉, 웨이퍼 링 홀더 WRH는, 웨이퍼 링(14)을 보유 지지하는 익스팬드 링(15)과, 웨이퍼 링(14)에 보유 지지되며 복수의 다이 D(웨이퍼(11))가 접착된 다이싱 테이프(16)를 수평으로 위치 결정하는 지지 링(17)을 구비한다.That is, the wafer ring holder WRH is an expand
웨이퍼 공급부(1)는 지지 링(17)의 내측에 배치되며 다이 D를 상방으로 밀어올리기 위한 다이 밀어올리기 유닛 WDE를 갖는다. 다이 밀어올리기 유닛 WDE는, 도시하지 않은 구동 기구에 의해, 상하 방향으로 이동하도록 되어 있고, 수평 방향으로는 웨이퍼 링 홀더 WRH가 이동하도록 되어 있다. 이와 같이, 다이 D의 박형화에 수반하여, 다이 본딩용의 접착제는, 액상으로부터 필름 형상으로 바뀌고, 웨이퍼(11)와 다이싱 테이프(16) 사이에, 다이어 태치 필름(18)이라 불리는 필름 형상의 접착 재료를 접착한 구조로 하고 있다. 다이 어태치 필름(18)을 갖는 웨이퍼(11)에서는, 다이싱은 웨이퍼(11)와 다이 어태치 필름(18)에 대하여 행해진다. 또한, 다이싱 테이프(16)와 다이 어태치 필름(18)이 일체화된 테이프이어도 된다.The
웨이퍼 링 홀더 WRH는, 다이 D의 밀어올리기 시에, 웨이퍼 링(14)을 보유 지지하고 있는 익스팬드 링(15)을 하강시킨다. 이때 지지 링(17)은 하강하지 않기 때문에, 웨이퍼 링(14)에 보유 지지되어 있는 다이싱 테이프(16)가 연신되어 다이 D끼리의 간격이 확대되어, 각 다이 D끼리의 간섭ㆍ접촉을 방지하고, 개개의 다이가 이격되어 밀어올리기 쉬워지는 조건으로 된다. 다이 밀어올리기 유닛 WDE는, 다이 하방으로부터 다이 D를 밀어올림으로써 다이 D의 박리를 진행시켜, 콜릿에 의한 다이 D의 픽업성을 향상시키고 있다.The wafer ring holder WRH lowers the expand
도 4는 반도체 본딩 장치의 주요부의 개략 측면도이다. 반도체 본딩 장치(10)는 3개의 본딩 스테이지 BS1, BS2, BS3을 구비하지만, 도 4에서는 본딩 스테이지 BS로 기재하고 있다. 반도체 본딩 장치(10)는, 픽업 헤드 BPH로 픽업한 다이 D를 한번 중간 스테이지 BAS에 재치하고, 재치한 다이 D를 본딩 헤드 BBH로 다시 픽업하여, 실장 위치에 본딩하고, 기판 P에 실장한다.4 is a schematic side view of a main part of a semiconductor bonding device. The
반도체 본딩 장치(10)는, 웨이퍼(11) 상의 다이 D의 자세를 인식하는 웨이퍼 인식 카메라 VSW와, 중간 스테이지 BAS에 재치된 다이 D의 자세를 인식하는 스테이지 인식 카메라 VSA와, 본딩 스테이지 BS 상의 실장 위치를 인식하는 기판 인식 카메라 VSB를 갖는다. 본 실시예에서 인식 카메라 간의 자세 어긋남 보정해야만 하는 것은, 본딩 헤드 BBH에 의한 픽업에 관여하는 스테이지 인식 카메라 VSA와, 본딩 헤드 BBH에 의한 실장 위치에의 본딩에 관여하는 기판 인식 카메라 VSB이다.The
또한, 반도체 본딩 장치(10)는, 중간 스테이지 BAS에 설치된 선회 구동 장치(25)와, 중간 스테이지 BAS와 본딩 스테이지 BS 사이에 설치된 언더비젼 카메라 CUV와, 본딩 스테이지 BS에 설치된 가열 장치(34)와, 제어 장치(8)를 갖는다. 선회 구동 장치(25)는 실장 위치를 갖는 실장면에 평행한 면에서 중간 스테이지 BAS를 선회시켜, 스테이지 인식 카메라 VSA와 기판 인식 카메라 VSB 간의 회전각 어긋남 등을 보정한다. 언더비젼 카메라 CUV는 본딩 헤드 BBH가 이동 중에 흡착하고 있는 다이 D의 상태를 바로 아래로부터 관찰하고, 가열 장치(34)는 다이 D를 실장하기 위해 본딩 스테이지 BS를 가열한다.Further, the
제어 장치(8), 도시하지 않은 CPU(Central Processor Unit), 제어 프로그램을 저장하는 메모리나 데이터를 저장하는 메모리, 컨트롤 버스 등을 갖고, 반도체 본딩 장치(10)를 구성하는 각 요소를 제어하고, 이하에 설명하는 실장 제어를 행한다.It has a control device 8, a CPU (Central Processor Unit) (not shown), a memory for storing a control program or a memory for storing data, a control bus, etc., and controls each element constituting the
도 5는 도 1의 반도체 본딩 장치의 픽업 동작을 설명하기 위한 플로우도이다. 이하 도면의 픽업 동작을 설명한다.5 is a flow diagram illustrating a pickup operation of the semiconductor bonding device of FIG. 1. Hereinafter, the pickup operation in the drawings will be described.
스텝 S1 : 웨이퍼 인식 카메라 VSW는 웨이퍼(11) 상의 복수의 다이 D를 한데 모아(일괄하여) 촬상한다.Step S1: The wafer recognition camera VSW collects (collectively) a plurality of die D on the
스텝 S2 : 제어 장치(8)는 웨이퍼 인식 카메라 VSW로 촬상한 복수의 다이 D 중 최초로 픽업하는 화상으로부터 다이의 위치를 연산하여 인식한다(인식 결과 연산) 그 결과, 웨이퍼의 위치 보정이 필요한 경우에는 스텝 S3 으로 이행한다. 웨이퍼의 위치 보정이 필요하지 않은 경우에는 스텝 S5로 이행한다.Step S2: The control device 8 calculates and recognizes the position of the die from the first image picked up among the plurality of dies D imaged with the wafer recognition camera VSW (recognition result calculation). As a result, when the wafer position correction is required It proceeds to step S3. When the wafer position correction is not required, the process proceeds to step S5.
스텝 S3 : 제어 장치(8)는 웨이퍼 링 홀더 WRH를 수평 방향으로 이동하여 웨이퍼의 위치 보정을 행한다.Step S3: The control device 8 moves the wafer ring holder WRH in the horizontal direction to correct the position of the wafer.
스텝 S4 : 제어 장치(8)는 웨이퍼 인식 카메라 VSW로 촬상한 복수의 다이 D 중 2번째 이후부터 마지막으로 픽업하는 복수의 화상으로부터 복수의 다이의 각각의 위치를 연산하여 인식하고, 메모리에 기억한다. 스텝 S4는 스텝 S5 이후의 스텝과 병행하여 행할 수 있다.Step S4: The control device 8 calculates and recognizes the positions of each of the plurality of dies from the plurality of images picked up last from the second to the last among the plurality of dies D captured by the wafer recognition camera VSW, and stores them in the memory. . Step S4 can be performed in parallel with steps after step S5.
스텝 S5 : 픽업 헤드 BPH는 1번째의 다이 D를 픽업한다. 또한, 1번째의 다이 D가 불량품인 경우, 픽업 헤드 BPH는 다이 D의 픽업은 행하지 않는다. 웨이퍼(11)는 검사 장치에 의해, 다이마다 검사되고, 다이마다 양, 불량을 나타내는 맵 데이터가 생성되고, 제어 장치(8)의 메모리에 기억된다. 픽업 대상으로 되는 다이 D가 양품인지, 불량품인지의 판정은 맵 데이터에 의해 행해진다.Step S5: The pickup head BPH picks up the first die D. Further, when the first die D is a defective product, the pickup head BPH does not pick up the die D. The
스텝 S6 : 제어 장치(8)는 스텝 S4에서 메모리에 기억한 다이 D의 위치에 기초하여 웨이퍼 링 홀더 WRH를 수평 방향으로 이동하여, 2번째의 다이 D를 다이 밀어올리기 유닛 WDE 상에 위치시킨다(웨이퍼 피치) 또한, 2번째의 다이 D가 불량품인 경우, 다음의 양품(예를 들어 3번째)의 다이 D를 다이 밀어올리기 유닛 WDE 상에 위치시킨다. 즉, 불량품의 다이 D를 스킵하여 웨이퍼 피치를 행한다. 이하의 웨이퍼 피치에서도 마찬가지이다.Step S6: The control device 8 horizontally moves the wafer ring holder WRH based on the position of the die D stored in the memory in step S4, and positions the second die D on the die pushing unit WDE ( Wafer Pitch) Further, when the second die D is a defective product, the next die D of the next good product (for example, the third) is placed on the die pushing unit WDE. That is, the die D of the defective product is skipped and the wafer pitch is performed. The same is true for the following wafer pitches.
스텝 S7 : 픽업 헤드 BPH는 2번째의 다이 D를 픽업한다.Step S7: The pickup head BPH picks up the second die D.
스텝 S8 : 제어 장치(8)는 스텝 S4에서 메모리에 기억한 다이 D의 위치에 기초하여 웨이퍼 링 홀더 WRH를 수평 방향으로 이동한다(웨이퍼 피치)Step S8: The control device 8 moves the wafer ring holder WRH in the horizontal direction based on the position of the die D stored in the memory in step S4 (wafer pitch).
스텝 S9 : 픽업 헤드 BPH는 촬상 범위 내의 마지막 다이 D를 픽업한다.Step S9: The pickup head BPH picks up the last die D within the imaging range.
스텝 S10 : 제어 장치(8)는 스텝 S4에서 메모리에 기억한 다이 D의 위치에 기초하여 웨이퍼 링 홀더 WRH를 다음 촬상 위치까지 수평 방향으로 이동하여, 다음 촬상 범위 내의 1번째의 다이 D를 다이 밀어올리기 유닛 WDE 상에 위치시킨다(기억 최종 웨이퍼 피치) 스텝 S1로 이행한다.Step S10: The control device 8 horizontally moves the wafer ring holder WRH to the next imaging position based on the position of the die D stored in the memory in step S4, and dies pushing the first die D within the next imaging range. It is placed on the raising unit WDE (memory last wafer pitch).
도 6은 도 5의 웨이퍼 인식을 설명하기 위한 평면도이다. 도 6에서는 웨이퍼 인식 카메라 VSW가 9개의 다이 D를 일괄하여 촬상하는 예가 도시되어 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 인접하는 촬상 범위 IA1, IA2, IA3에는 겹침이 있다. 해칭을 실시한 다이 D는 최초로 픽업되는 것이며, 선단이 화살표인 S자 형상의 선은 픽업의 순서를 나타내고 있다. 도면에 있어서 우측의 촬상 범위 IA1이 최초로 촬상되고, 한가운데의 촬상 범위 IA2, 좌측의 촬상 범위 IA3의 순서로 촬상된다. 또한, 촬상 범위 내의 우측 상방의 다이가 최초로 픽업되고, 좌측 하방의 다이가 마지막으로 픽업된다.6 is a plan view for explaining wafer recognition of FIG. 5. In Fig. 6, an example in which the wafer recognition camera VSW captures images of nine dies D collectively is shown, but the present invention is not limited thereto. There is overlap in the adjacent imaging ranges IA1, IA2, and IA3. The hatched die D is picked up for the first time, and the S-shaped line with an arrow at the tip indicates the pick-up sequence. In the drawing, the right imaging range IA1 is first captured, and the image is captured in the order of the middle imaging range IA2 and the left imaging range IA3. Further, the upper right die within the imaging range is picked up first, and the lower left die is picked up last.
실시예에서는 복수개의 다이를 일괄 촬상하고, 처음에 1개의 다이를 인식하고, 그 후 나머지의 다이를 인식하므로, 최초의 1개의 다이의 인식의 지연은 없고, 위치 보정이나 최초의 다이 픽업의 지연은 없다.In the embodiment, since a plurality of dies are collectively imaged, one die is first recognized, and then the remaining dies are recognized, there is no delay in recognition of the first one, and there is no delay in the position correction or the first die pickup. There is no.
도 7은 도 1의 반도체 본딩 장치의 픽업 동작의 변형예를 설명하기 위한 플로우도이다. 변형예에서는 1회의 촬상으로 1개의 다이를 인식하지만, 잇따르는 복수의 다이는 인식을 행하지 않고 계산에 의해 피치 이동량을 구하여 복수회의 피치 이동을 행한다. 어긋남이 커지지 않도록 인식하는 피치를 설정한다.7 is a flow diagram for explaining a modified example of the pickup operation of the semiconductor bonding device of FIG. 1. In the modified example, one die is recognized by one imaging, but a plurality of successive dies are not recognized and the pitch shift amount is calculated by calculation, and the pitch shift is performed a plurality of times. Set the recognized pitch so that the deviation does not increase.
스텝 S1A : 웨이퍼 인식 카메라 VSW는 웨이퍼(11) 상의 1개의 다이 D를 촬상한다.Step S1A: The wafer recognition camera VSW captures an image of one die D on the
스텝 S2A : 제어 장치(8)는 웨이퍼 인식 카메라 VSW로 촬상한 1개의 다이 D의 화상으로부터 복수의 다이 D의 위치를 계산하여 구한다(인식 결과 연산) 그 결과, 웨이퍼의 위치 보정이 필요한 경우에는 스텝 S3으로 이행한다. 웨이퍼의 위치 보정이 필요하지 않은 경우에는 스텝 S5로 이행한다.Step S2A: The control device 8 calculates and obtains the positions of a plurality of die D from the image of one die D captured by the wafer recognition camera VSW (recognition result calculation). As a result, when the wafer position correction is required, step Go to S3. When the wafer position correction is not required, the process proceeds to step S5.
스텝 S3 : 제어 장치(8)는 웨이퍼 링 홀더 WRH를 수평 방향으로 이동하여 웨이퍼의 위치 보정을 행한다.Step S3: The control device 8 moves the wafer ring holder WRH in the horizontal direction to correct the position of the wafer.
스텝 S5 : 픽업 헤드 BPH는 1번째의 다이 D를 픽업한다. 또한, 1번째의 다이 D가 불량품인 경우, 픽업 헤드 BPH는 다이 D의 픽업은 행하지 않는다.Step S5: The pickup head BPH picks up the first die D. Further, when the first die D is a defective product, the pickup head BPH does not pick up the die D.
스텝 S6 : 제어 장치(8)는 스텝 S2A에서 구한 다이 D의 위치에 기초하여 웨이퍼 링 홀더 WRH를 수평 방향으로 이동한다(웨이퍼 피치) 또한, 다이 D가 불량품인 경우, 다음의 양품의 다이 D를 다이 밀어올리기 유닛 WDE 상에 위치시키는 것은 실시예와 마찬가지이다.Step S6: The control device 8 moves the wafer ring holder WRH in the horizontal direction based on the position of the die D determined in step S2A (wafer pitch). In addition, when the die D is a defective product, the next good die D is Positioning on the die pushing unit WDE is the same as in the embodiment.
스텝 S7 : 픽업 헤드 BPH는 2번째 다이 D를 픽업한다.Step S7: The pickup head BPH picks up the second die D.
스텝 S8 : 제어 장치(8)는 스텝 S2A에서 구한 다이 D의 위치에 기초하여 웨이퍼 링 홀더 WRH를 수평 방향으로 이동한다(웨이퍼 피치)Step S8: The control device 8 moves the wafer ring holder WRH in the horizontal direction based on the position of the die D determined in step S2A (wafer pitch).
스텝 S9 : 픽업 헤드 BPH는 촬상 범위 내의 마지막 다이 D를 픽업한다.Step S9: The pickup head BPH picks up the last die D within the imaging range.
스텝 S10 : 제어 장치(8)는 스텝 S2A에서 구한 상기 다이 D의 위치에 기초하여 웨이퍼 링 홀더 WRH를 다음의 촬상 위치까지 수평 방향으로 이동한다(기억 최종 웨이퍼 피치) 스텝 S1A로 이행한다.Step S10: The control device 8 horizontally moves the wafer ring holder WRH to the next imaging position based on the position of the die D determined in step S2A (memory final wafer pitch) and proceeds to step S1A.
도 8은 도 7의 웨이퍼 인식을 설명하기 위한 평면도이다. 도 8에서는 웨이퍼 인식 카메라 VSW가 5개의 다이 D 마다 촬상하는 예가 도시되어 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 단, 모든 다이 D를 촬상하지 않으므로, 위치 정밀도가 열화되지 않도록 실시예에 있어서의 일괄 촬상하는 다이 D의 수보다도 적게 하는 것이 바람직하다. 촬상 범위 IA1, IA2, IA3, IA4는 각각 다이 D보다도 커서, 인접하는 다이의 일부가 촬상 범위에 포함되지만, 인접하는 복수의 다이 전체가 촬상 범위에 포함되지 않는다. 해칭을 실시한 다이 D는 실제로 촬상되며 최초로 픽업되는 것이며, 선단이 화살표인 선은 픽업의 순서를 나타내고 있다. 도면에 있어서 우측 상방의 촬상 범위 IA1이 최초로 촬상되고, 좌측 상방의 촬상 범위 IA2, 2단째의 좌측의 촬상 범위 IA3, 2단째의 우측의 촬상 범위 IA4의 순서로 촬상된다. 또한, 촬상 범위 IA2의 중심의 다이의 좌측 옆의 다이, 즉, 웨이퍼 주변에 위치하는 다이와 같이, 다이의 일부가 없는 다이는 미리 인식되어 있고, 그 다이는 스킵하여 웨이퍼 피치가 행해진다.8 is a plan view for explaining wafer recognition of FIG. 7. In FIG. 8, an example in which the wafer recognition camera VSW captures an image for every five die D is shown, but the present invention is not limited thereto. However, since not all of the dies D are imaged, it is preferable to reduce the number of dies D to be collectively imaged in the embodiment so as not to deteriorate the positional accuracy. The imaging ranges IA1, IA2, IA3, and IA4 are each larger than the die D, and a part of adjacent dies is included in the imaging range, but the entire plurality of adjacent dies are not included in the imaging range. The hatched die D is actually picked up and picked up first, and a line with an arrow at the tip indicates the pickup sequence. In the drawing, the upper-right imaging range IA1 is first captured, and the imaging range IA2 on the upper left, the left imaging range IA3 in the second stage, and the right-hand imaging range IA4 in the second stage. Further, a die without a part of the die is recognized in advance, such as a die on the left side of the die at the center of the imaging range IA2, that is, a die located around the wafer, and the die is skipped to perform a wafer pitch.
변형예에서는 실시예보다도 다이의 인식량이 적으므로, 연산량이 적어져 제어 장치의 부하를 경감할 수 있다.In the modified example, since the recognition amount of the die is smaller than that of the embodiment, the amount of calculation is small and the load on the control device can be reduced.
도 9는 도 1의 반도체 본딩 장치의 픽업 동작의 비교예를 설명하기 위한 플로우도이다. 비교예에서는 웨이퍼 피치마다 웨이퍼 인식을 행한다.9 is a flow diagram illustrating a comparative example of a pickup operation of the semiconductor bonding device of FIG. 1. In the comparative example, wafer recognition is performed for each wafer pitch.
스텝 S1B : 웨이퍼 인식 카메라 VSW는 웨이퍼(11) 상의 1개의 다이 D를 촬상한다.Step S1B: The wafer recognition camera VSW captures an image of one die D on the
스텝 S2B : 제어 장치(8)는 웨이퍼 인식 카메라 VSW로 촬상한 1개의 다이 D의 화상으로부터 다이 D의 위치를 계산하여 구한다(인식 결과 연산) 그 결과, 웨이퍼의 위치 보정이 필요한 경우(허용값을 초과한 경우)에는 스텝 S3으로 이행한다. 웨이퍼의 위치 보정이 필요하지 않은 경우에는 스텝 S5로 이행한다.Step S2B: The control device 8 calculates and obtains the position of the die D from the image of one die D imaged with the wafer recognition camera VSW (recognition result calculation). As a result, when the wafer position correction is required (the allowable value is determined) If it exceeds), the process proceeds to step S3. When the wafer position correction is not required, the process proceeds to step S5.
스텝 S3 : 제어 장치(8)는 웨이퍼 링 홀더 WRH를 수평 방향으로 이동하여 웨이퍼의 위치 보정을 행한다.Step S3: The control device 8 moves the wafer ring holder WRH in the horizontal direction to correct the position of the wafer.
스텝 S5 : 픽업 헤드 BPH는 다이 D를 픽업한다. 또한, 다이 D가 불량품인 경우, 픽업 헤드 BPH는 다이 D의 픽업은 행하지 않는다.Step S5: The pickup head BPH picks up the die D. Further, when the die D is a defective product, the pickup head BPH does not pick up the die D.
스텝 S6 : 제어 장치(8)는 스텝 S2B에서 구한 다이 D의 위치에 기초하여 웨이퍼 링 홀더 WRH를 다음의 촬상 위치까지 수평 방향으로 이동한다(웨이퍼 피치) 스텝 S1B로 이행한다. 또한, 다이 D의 위치 정밀도를 높게 유지하기 위해, 다이 D가 불량품인 경우라도, 실시예나 변형예와 달리, 불량품의 다이 D를 스킵하여 웨이퍼 피치를 행하지 않는다.Step S6: The control device 8 horizontally moves the wafer ring holder WRH to the next imaging position based on the position of the die D determined in step S2B (wafer pitch). The process proceeds to step S1B. In addition, in order to keep the positional accuracy of the die D high, even if the die D is a defective product, unlike the embodiment or modified example, the die D of the defective product is skipped and the wafer pitch is not performed.
도 10은 도 1의 반도체 본딩 장치의 픽업 동작을 설명하는 도면이며, 도 5 및 도 7의 플로우도에 대응하는 타이밍도이다.10 is a diagram for explaining a pickup operation of the semiconductor bonding device of FIG. 1, and is a timing diagram corresponding to the flow diagrams of FIGS. 5 and 7.
(a) 제어 장치(8)는 웨이퍼 링 홀더 WRH를 다음의 촬상 위치까지 수평 방향으로 이동하여 유지한다(웨이퍼 피치 (WP)) 이것에 병행하여, 제어 장치(8)는 픽업부(2A)의 픽업 헤드 BPH(좌측의 픽업 헤드 BPH)의 수평 위치 (PUPL(X))를 얼라인먼트부(3A)의 중간 스테이지 BAS(좌측의 중간 스테이지 BAS)의 플레이스 위치(PL_L)와 픽업 위치(PKUP)의 중간의 위치에 유지하고, 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPL(Z))를 최고 위치에 유지한다.(a) The control device 8 moves and holds the wafer ring holder WRH in the horizontal direction to the next imaging position (wafer pitch WP). In parallel to this, the control device 8 Set the horizontal position (PUPL(X)) of the pickup head BPH (left pickup head BPH) between the place position (PL_L) of the intermediate stage BAS (left intermediate stage BAS) and the pickup position (PKUP) of the
여기에 병행하여, 제어 장치(8)는 픽업부(2B)의 픽업 헤드 BPH(우측의 픽업 헤드 BPH)의 수평 위치(PUPR(X))를 얼라인먼트부(3B)의 중간 스테이지 BAS(우측의 중간 스테이지 BAS)의 플레이스 위치(PL_R)를 향하여 이동하고, 우측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPR(Z))를 우측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_R)와 최고 위치 사이의 위치로 이동하여 유지한다.In parallel to this, the control device 8 adjusts the horizontal position (PUPR(X)) of the pickup head BPH (right pickup head BPH) of the
(b) 웨이퍼 피치(WP)가 종료되면, 제어 장치(8)는 웨이퍼 인식 카메라 VSW에 의해 웨이퍼(11)를 촬상하여 다이 D를 인식한다(웨이퍼 인식(WR)) 웨이퍼 인식 카메라 VSW에서의 웨이퍼(11)의 촬상의 장해로 되지 않도록, 제어 장치(8)는 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPL(X))를 좌측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_L)와 픽업 위치(PKUP)의 중간의 위치에서 유지하고, 우측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPR(X))를 픽업 위치 (PKUP)로부터 우측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_R)를 향하여 이동한다. 이것에 병행하여, 제어 장치(8)는 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPL(Z))를 최고 위치에 유지하고, 우측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPR(Z))를 우측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_R)와 최고 위치 사이의 위치에 유지한다.(b) When the wafer pitch WP ends, the control device 8 captures the
(c) 웨이퍼 인식(WR)이 종료되면, 제어 장치(8)는 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPL(X))를 픽업 위치 (PKUP)로 이동하여 유지하고, 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPL(Z))를 픽업 위치(PKUP)를 향하여 이동한다(하강한다) 그 후, 제어 장치(8)는 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPL(X))를 픽업 위치(PKUP)에 유지하고, 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPL(Z))를 픽업 위치(PKUP)에 유지하여 다이 D를 흡착하고, 그 후 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPL(Z))를 좌측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_L)와 최고 위치의 중간의 위치를 향하여 이동하여 다이 D를 픽업한다.(c) When wafer recognition (WR) is finished, the control device 8 moves and maintains the horizontal position (PUPL(X)) of the pickup head BPH on the left to the pickup position (PKUP), and The vertical position (PUPL(Z)) is moved (lowered) toward the pickup position (PKUP). After that, the control device 8 moves the horizontal position (PUPL(X)) of the pickup head BPH on the left to the pickup position (PKUP). ), and hold the vertical position (PUPL(Z)) of the pickup head BPH on the left at the pickup position (PKUP) to adsorb the die D, and then the vertical position of the pickup head BPH on the left (PUPL(Z)) The die D is picked up by moving toward the place position (PL_L) of the left intermediate stage BAS and the intermediate position between the highest position.
(d) 상기 (c)와 병행하여, 제어 장치(8)는 우측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPR(X))를 우측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_R)에 유지하고, 우측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPR(Z))를 우측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_R)로 이동하여 다이 D를 우측의 중간 스테이지 BAS 상에 재치하고, 그 후 우측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPR(Z))를 최고 위치를 향하여 이동한다. 그 후, 제어 장치(8)는 우측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPR(X))를 우측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_R)와 픽업 위치(PKUP)의 중간의 위치로 이동하여 유지하고, 우측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPR(Z))를 최고 위치에 유지한다.(d) In parallel with (c) above, the control unit 8 maintains the horizontal position (PUPR(X)) of the pickup head BPH on the right at the place position (PL_R) of the middle stage BAS on the right, and picks up the right side. Move the vertical position of the head BPH (PUPR(Z)) to the place position (PL_R) of the intermediate stage BAS on the right, place the die D on the intermediate stage BAS on the right, and then place the vertical position of the pickup head BPH on the right ( Move PUPR(Z)) towards the highest position. After that, the control device 8 moves and maintains the horizontal position (PUPR(X)) of the pickup head BPH on the right to a position between the place position (PL_R) and the pickup position (PKUP) of the intermediate stage BAS on the right. , Maintain the vertical position (PUPR(Z)) of the pickup head BPH on the right at the highest position.
(e) 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPL(Z))가 소정의 높이로 되면, 제어 장치(8)는 웨이퍼 링 홀더 WRH를 다음 촬상 위치까지 수평 방향으로 이동하여 유지한다(웨이퍼 피치(WP)) 이것에 병행하여, 제어 장치(8)는 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPL(X))를 좌측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_L)를 향하여 이동하고, 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPL(Z))를 좌측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_L)와 최고 위치의 중간의 위치를 향하여 이동한다. 또한, 제어 장치(8)는 우측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPR(X))를 우측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_R)와 픽업 위치(PKUP)의 중간의 위치에 유지하고, 우측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPR(Z))를 최고 위치에 유지한다.(e) When the vertical position (PUPL(Z)) of the pickup head BPH on the left reaches a predetermined height, the control device 8 moves and holds the wafer ring holder WRH horizontally to the next imaging position (wafer pitch ( WP)) In parallel with this, the control device 8 moves the horizontal position (PUPL(X)) of the pickup head BPH on the left toward the place position (PL_L) of the intermediate stage BAS on the left, and moves the pickup head BPH on the left. The vertical position of (PUPL(Z)) is moved toward the middle of the place position (PL_L) of the middle stage BAS on the left and the highest position. In addition, the control device 8 maintains the horizontal position (PUPR(X)) of the pickup head BPH on the right at a position midway between the place position (PL_R) and the pickup position (PKUP) of the right intermediate stage BAS, and The vertical position (PUPR(Z)) of the pickup head BPH is maintained at the highest position.
(f) 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPL(X))가 픽업 위치(PKUP)와 좌측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_L)의 중간의 위치로 되면, 제어 장치(8)는 우측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPR(X))를 픽업 위치 (PKUP)로 이동하여 유지하고, 우측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPR(Z))를 픽업 위치(PKUP)를 향하여 이동한다(하강한다) 그 후, 제어 장치(8)는 우측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPR(X))를 픽업 위치(PKUP)에 유지하고, 우측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPR(Z))를 픽업 위치(PKUP)에 유지하여 다이 D를 흡착하고, 우측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPR(Z))를 우측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_R)와 최고 위치 사이의 위치를 향하여 이동하여 다이 D를 픽업한다.(f) When the horizontal position of the pickup head BPH on the left (PUPL(X)) is in the middle of the pickup position (PKUP) and the place position of the intermediate stage BAS on the left (PL_L), the control device 8 Move and maintain the horizontal position (PUPR(X)) of the pickup head BPH to the pickup position (PKUP), and move the vertical position (PUPR(Z)) of the pickup head BPH on the right toward the pickup position (PKUP) (down After that, the control device 8 maintains the horizontal position (PUPR(X)) of the pickup head BPH on the right at the pickup position (PKUP), and the vertical position (PUPR(Z)) of the pickup head BPH on the right. Holds it in the pickup position (PKUP) and adsorbs die D, moves the vertical position (PUPR(Z)) of the pickup head BPH on the right toward the position between the place position (PL_R) and the highest position of the middle stage BAS on the right. Pick up die D.
(g) 상기 (f)에 병행하여, 제어 장치(8)는 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPL(X))를 좌측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_L)를 향하여 이동하여 유지하고, 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPL(Z))를 최고 위치와 좌측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_L) 사이의 위치로부터 좌측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_L)로 이동하여 다이 D를 좌측의 중간 스테이지 BAS 상에 재치하고, 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPL(Z))를 최고 위치로 이동한다. 그 후, 제어 장치(8)는 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPL(X))를 좌측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_L)로부터 좌측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_L)와 픽업 위치(PKUP)의 중간의 위치로 이동하여 유지하고, 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPL(Z))를 최고 위치에 유지한다.(g) In parallel to the above (f), the control device 8 moves and maintains the horizontal position (PUPL(X)) of the pickup head BPH on the left toward the place position (PL_L) of the intermediate stage BAS on the left, Move the vertical position (PUPL(Z)) of the pickup head BPH on the left to the place position (PL_L) of the intermediate stage BAS on the left from the position between the highest position and the place position of the middle stage BAS on the left (PL_L), and move the die D. It is placed on the left middle stage BAS, and the vertical position (PUPL(Z)) of the pickup head BPH on the left is moved to the highest position. After that, the control device 8 moves the horizontal position (PUPL(X)) of the pickup head BPH on the left from the place position (PL_L) of the intermediate stage BAS on the left to the place position (PL_L) and the pickup position of the intermediate stage BAS on the left. It moves to the middle position of (PKUP) and maintains it, and the vertical position (PUPL(Z)) of the pickup head BPH on the left is maintained at the highest position.
(h) 우측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPR(Z))가 소정의 높이로 되면, 제어 장치(8)는 웨이퍼 링 홀더 WRH를 다음의 촬상 위치까지 수평 방향으로 이동하여 유지한다(웨이퍼 피치(WP)) 이것에 병행하여, 제어 장치(8)는 우측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPR(X))를 우측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_L)를 향하여 이동하고, 우측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPR(Z))를 우측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_R)와 최고 위치의 중간의 위치를 향하여 이동한다. 또한, 제어 장치(8)는 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPR(X))를 좌측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_L)와 픽업 위치(PKUP)의 중간의 위치에 유지하고, 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPL(Z))를 최고 위치에 유지한다.(h) When the vertical position (PUPR(Z)) of the pickup head BPH on the right reaches a predetermined height, the control device 8 moves and holds the wafer ring holder WRH in the horizontal direction to the next imaging position (wafer pitch (WP)) In parallel with this, the control device 8 moves the horizontal position (PUPR(X)) of the pickup head BPH on the right toward the place position (PL_L) of the middle stage BAS on the right, and the pickup head on the right The vertical position of the BPH (PUPR(Z)) is moved toward a position midway between the place position (PL_R) of the middle stage BAS on the right and the highest position. In addition, the control device 8 maintains the horizontal position (PUPR(X)) of the pickup head BPH on the left at a position midway between the place position (PL_L) and the pickup position (PKUP) of the intermediate stage BAS on the left, and The vertical position (PUPL(Z)) of the pickup head BPH is maintained at the highest position.
(i) 우측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPR(X))가 픽업 위치(PKUP)와 우측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_R)의 중간의 위치로 되면, 제어 장치(8)는 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPL(X))를 픽업 위치 (PKUP)로 이동하여 유지하고, 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPL(Z))를 픽업 위치(PKUP)를 향하여 이동한다(하강한다) 그 후, 제어 장치(8)는 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPL(X))를 픽업 위치(PKUP)에 유지하고, 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPL(Z))를 픽업 위치(PKUP)에 유지하여 다이 D를 흡착하고, 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPL(Z))를 좌측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_L)와 최고 위치 사이의 위치를 향하여 이동하여 다이 D를 픽업한다.(i) When the horizontal position of the pickup head BPH on the right (PUPR(X)) is at the middle of the pickup position (PKUP) and the place position of the intermediate stage BAS on the right (PL_R), the control device 8 Move and hold the horizontal position of the pickup head BPH (PUPL(X)) to the pickup position (PKUP), and move the vertical position (PUPL(Z)) of the pickup head BPH on the left toward the pickup position (PKUP) (falling After that, the control device 8 maintains the horizontal position (PUPL(X)) of the left pickup head BPH at the pickup position (PKUP), and the vertical position (PUPL(Z)) of the left pickup head BPH. The die D is adsorbed by holding it in the pickup position (PKUP), and the vertical position (PUPL(Z)) of the pickup head BPH on the left is moved toward the position between the place position (PL_L) of the middle stage BAS on the left and the highest position. Pick up die D.
(j) 상기 (i)에 병행하여, 제어 장치(8)는 우측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPR(X))를 우측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_R)를 향하여 이동하여 유지하고, 우측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPR(Z))를 최고 위치와 우측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_R) 사이의 위치로부터 우측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_R)로 이동하여 다이 D를 우측의 중간 스테이지 BAS 상에 재치하고, 우측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPR(Z))를 최고 위치로 이동한다. 그 후, 제어 장치(8)는 우측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPR(X))를 우측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_R)로부터 우측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_R)와 픽업 위치(PKUP)의 중간의 위치로 이동하여 유지하고, 우측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPR(Z))를 최고 위치에 유지한다.(j) In parallel to the above (i), the control device 8 moves and maintains the horizontal position (PUPR(X)) of the pickup head BPH on the right toward the place position (PL_R) of the middle stage BAS on the right, Move the vertical position (PUPR(Z)) of the pickup head BPH on the right from the position between the highest position and the place position of the middle stage BAS (PL_R) on the right to the place position (PL_R) of the intermediate stage BAS on the right, and move the die D. It is mounted on the right intermediate stage BAS, and the vertical position (PUPR(Z)) of the pickup head BPH on the right is moved to the highest position. After that, the control device 8 shifts the horizontal position (PUPR(X)) of the pickup head BPH on the right from the place position (PL_R) of the intermediate stage BAS on the right to the place position (PL_R) and the pickup position of the intermediate stage BAS on the right. It moves to the middle position of (PKUP) and holds it, and the vertical position (PUPR(Z)) of the pickup head BPH on the right side is maintained at the highest position.
상기 (a)의 웨이퍼 피치 후에 (b)의 웨이퍼 인식이 있지만, (e) 및 (f)의 웨이퍼 피치 후에 웨이퍼 인식이 없으므로, (g)의 다이의 픽업과 (f)의 다이의 플레이스의 병렬도를 (c)의 다이의 픽업과 (d)의 다이의 플레이스의 병렬도보다도 높일 수 있고, (e)의 웨이퍼 피치와 (h)의 웨이퍼 피치 사이의 시간(tp2)은 (a)의 웨이퍼 피치와 (e)의 웨이퍼 피치 사이의 시간(tp1)보다도 짧게 할 수 있다.Since there is wafer recognition in (b) after the wafer pitch in (a) above, but there is no wafer recognition after wafer pitch in (e) and (f), the pickup of the die in (g) and the place of the die in (f) are parallel. The degree of parallelism between the pick-up of the die of (c) and the place of the die of (d) can be higher, and the time (tp2) between the wafer pitch of (e) and the wafer pitch of (h) is the wafer of (a) It can be made shorter than the time tp1 between the pitch and the wafer pitch of (e).
도 11은 도 1의 반도체 본딩 장치의 픽업 동작의 비교예를 설명하는 도면이며, 도 9의 플로우도에 대응하는 타이밍도이다.11 is a diagram for explaining a comparative example of the pickup operation of the semiconductor bonding device of FIG. 1, and is a timing diagram corresponding to the flow diagram of FIG. 9.
도 11의 (a)∼(e)는 도 10의 (a)∼(e)와 마찬가지이다.11(a) to (e) are the same as those of FIG. 10(a) to (e).
(f) 웨이퍼 피치(WP)가 종료되면, 제어 장치(8)는 웨이퍼 인식 카메라 VSW에 의해 웨이퍼(11)를 촬상하여 다이 D를 인식한다(웨이퍼 인식(WR)) 웨이퍼 인식 카메라 VSW에서의 웨이퍼(11)의 촬상의 장해로 되지 않도록, 제어 장치(8)는 우측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPR(X))를 우측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_R)와 픽업 위치(PKUP)의 중간의 위치에서 유지하고, 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPL(X))를 픽업 위치 (PKUP)로부터 좌측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_L)를 향하여 이동한다. 또한, 제어 장치(8)는 우측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPR(Z))를 최고 위치에 유지하고, 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치 (PUPR(Z))를 좌측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_R)와 최고 위치 사이의 위치에 유지한다.(f) When the wafer pitch WP ends, the control device 8 captures the
(g) 웨이퍼 인식(WR)이 종료되면, 제어 장치(8)는 우측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPR(X))를 픽업 위치 (PKUP)로 이동하여 유지하고, 우측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPR(Z))를 픽업 위치(PKUP)를 향하여 이동한다(하강한다) 그 후, 제어 장치(8)는 우측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPR(X))를 픽업 위치(PKUP)에 유지하고, 우측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPR(Z))를 픽업 위치(PKUP)에 유지하여 다이 D를 흡착하고, 그 후 우측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPR(Z))를 우측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_L)와 최고 위치의 중간의 위치를 향하여 이동하여 다이 D를 픽업한다.(g) When wafer recognition (WR) ends, the control device 8 moves and maintains the horizontal position (PUPR(X)) of the pickup head BPH on the right to the pickup position (PKUP), and The vertical position (PUPR(Z)) is moved (lowered) toward the pickup position (PKUP). After that, the control device 8 moves the horizontal position (PUPR(X)) of the pickup head BPH on the right side to the pickup position (PKUP). ), and holding the vertical position (PUPR(Z)) of the pickup head BPH on the right side at the pickup position (PKUP) to adsorb the die D, and then the vertical position of the pickup head BPH on the right side (PUPR(Z)) The die D is picked up by moving toward the middle of the place position (PL_L) of the middle stage BAS on the right and the highest position.
(h) 상기 (g)와 병행하여, 제어 장치(8)는 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPL(X))를 좌측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_L)에 유지하고, 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPL(Z))를 좌측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_L)로 이동하여 다이 D를 좌측의 중간 스테이지 BAS 상에 재치하고, 그 후 좌측의 픽업헤드 BPH의 수직 위치(PUPL(Z))를 최고 위치를 향하여 이동한다. 그 후, 제어 장치(8)는 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPL(X))를 좌측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_L)와 픽업 위치(PKUP)의 중간의 위치로 이동하여 유지하고, 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPL(Z))를 최고 위치에 유지한다.(h) In parallel with the above (g), the control device 8 maintains the horizontal position (PUPL(X)) of the pickup head BPH on the left at the place position (PL_L) of the middle stage BAS on the left, and the pickup on the left Move the vertical position of the head BPH (PUPL(Z)) to the place position (PL_L) of the middle stage BAS on the left, place the die D on the middle stage BAS on the left, and then place the vertical position of the pickup head BPH on the left ( Move PUPL(Z)) towards the highest position. After that, the control device 8 moves and maintains the horizontal position (PUPL(X)) of the pickup head BPH on the left to a position between the place position (PL_L) and the pickup position (PKUP) of the intermediate stage BAS on the left. , Maintain the vertical position (PUPL(Z)) of the pickup head BPH on the left in the highest position.
(i) 제어 장치(8)는 웨이퍼 링 홀더 WRH를 다음의 촬상 위치까지 수평 방향으로 이동하여 유지한다(웨이퍼 피치 (WP)) 이것에 병행하여, 제어 장치(8)는 픽업부(2A)의 픽업 헤드 BPH(좌측의 픽업 헤드 BPH)의 수평 위치 (PUPL(X))를 얼라인먼트부(3A)의 중간 스테이지 BAS(좌측의 중간 스테이지 BAS)의 플레이스 위치(PL_L)와 픽업 위치(PKUP)의 중간의 위치에 유지하고, 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPL(Z))를 최고 위치에 유지한다.(i) The control device 8 moves and holds the wafer ring holder WRH in the horizontal direction to the next imaging position (wafer pitch WP). In parallel to this, the control device 8 Set the horizontal position (PUPL(X)) of the pickup head BPH (left pickup head BPH) between the place position (PL_L) of the intermediate stage BAS (left intermediate stage BAS) and the pickup position (PKUP) of the
이것에 병행하여, 제어 장치(8)는 픽업부(2B)의 픽업 헤드 BPH(우측의 픽업 헤드 BPH)의 수평 위치(PUPR(X))를 얼라인먼트부(3B)의 중간 스테이지 BAS(우측의 중간 스테이지 BAS)의 플레이스 위치(PL_R)를 향하여 이동하고, 우측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPR(Z))를 우측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_R)와 최고 위치 사이의 위치로 이동하여 유지한다.In parallel to this, the control device 8 adjusts the horizontal position (PUPR(X)) of the pickup head BPH (right pickup head BPH) of the
(j) 웨이퍼 피치(WP)가 종료되면, 제어 장치(8)는 웨이퍼 인식 카메라 VSW에 의해 웨이퍼(11)를 촬상하여 다이 D를 인식한다(웨이퍼 인식(WR)) 웨이퍼 인식 카메라 VSW에서의 웨이퍼(11)의 촬상의 장해로 되지 않도록, 제어 장치(8)는 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPL(X))를 좌측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_L)와 픽업 위치(PKUP)의 중간의 위치에서 유지하고, 우측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPR(X))를 픽업 위치 (PKUP)로부터 우측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_R)를 향하여 이동한다. 이것에 병행하여, 제어 장치(8)는 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPL(Z))를 최고 위치에 유지하고, 우측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPR(Z))를 우측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_R)와 최고 위치 사이의 위치에 유지한다.(j) When the wafer pitch WP ends, the control device 8 captures the
(k) 웨이퍼 인식(WR)이 종료되면, 제어 장치(8)는 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPL(X))를 픽업 위치 (PKUP)로 이동하여 유지하고, 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPL(Z))를 픽업 위치(PKUP)를 향하여 이동한다(하강한다) 그 후, 제어 장치(8)는 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPL(X))를 픽업 위치(PKUP)에 유지하고, 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPL(Z))를 픽업 위치(PKUP)에 유지하여 다이 D를 흡착하고, 그 후 좌측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPL(Z))를 좌측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_L)와 최고 위치의 중간의 위치를 향하여 이동하여 다이 D를 픽업한다.(k) When wafer recognition (WR) ends, the control device 8 moves and maintains the horizontal position (PUPL(X)) of the pickup head BPH on the left to the pickup position (PKUP), and The vertical position (PUPL(Z)) is moved (lowered) toward the pickup position (PKUP). After that, the control device 8 moves the horizontal position (PUPL(X)) of the pickup head BPH on the left to the pickup position (PKUP). ), and hold the vertical position (PUPL(Z)) of the pickup head BPH on the left at the pickup position (PKUP) to adsorb the die D, and then the vertical position of the pickup head BPH on the left (PUPL(Z)) The die D is picked up by moving toward the place position (PL_L) of the left intermediate stage BAS and the position intermediate the highest position.
(l) 상기 (c)와 병행하여, 제어 장치(8)는 우측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPR(X))를 우측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_R)에 유지하고, 우측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPR(Z))를 우측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_R)로 이동하여 다이 D를 우측의 중간 스테이지 BAS 상에 재치하고, 그 후 우측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPR(Z))를 최고 위치를 향하여 이동한다. 그 후, 제어 장치(8)는 우측의 픽업 헤드 BPH의 수평 위치(PUPR(X))를 우측의 중간 스테이지 BAS의 플레이스 위치(PL_R)와 픽업 위치(PKUP)의 중간의 위치로 이동하여 유지하고, 우측의 픽업 헤드 BPH의 수직 위치(PUPR(Z))를 최고 위치에 유지한다.(l) In parallel with (c) above, the control device 8 maintains the horizontal position (PUPR(X)) of the pickup head BPH on the right at the place position (PL_R) of the middle stage BAS on the right, and picks up the right side. Move the vertical position of the head BPH (PUPR(Z)) to the place position (PL_R) of the intermediate stage BAS on the right, place the die D on the intermediate stage BAS on the right, and then place the vertical position of the pickup head BPH on the right ( Move PUPR(Z)) towards the highest position. After that, the control device 8 moves and maintains the horizontal position (PUPR(X)) of the pickup head BPH on the right to a position between the place position (PL_R) and the pickup position (PKUP) of the intermediate stage BAS on the right. , Maintain the vertical position (PUPR(Z)) of the pickup head BPH on the right at the highest position.
상기 (a), (e)의 웨이퍼 피치 후에 (b), (f)의 웨이퍼 인식이 있으므로, (c)의 다이 픽업과 (d)의 다이 플레이스의 병렬도 및 (g)의 다이 픽업과 (h)의 다이 플레이스의 병렬도는 마찬가지이다. (e)의 웨이퍼 피치와 (i)의 웨이퍼 피치 사이의 시간(tp1)은 (a)의 웨이퍼 피치와 (e)의 웨이퍼 피치 사이의 시간(tp1)과 마찬가지이며, 도10의 (e)의 웨이퍼 피치와 (h)의 웨이퍼 피치 사이의 시간(tp2)보다도 크다.Since the wafer recognition of (b) and (f) is performed after the wafer pitch of (a) and (e) above, the parallelism of the die pickup of (c) and the die place of (d) and the die pickup of (g) and ( The parallelism of the die place in h) is the same. The time (tp1) between the wafer pitch in (e) and the wafer pitch in (i) is the same as the time (tp1) between the wafer pitch in (a) and the wafer pitch in (e). It is greater than the time tp2 between the wafer pitch and the wafer pitch of (h).
도 12는 도 1의 반도체 본딩 장치의 동작을 설명하는 플로우도이다.12 is a flow diagram illustrating an operation of the semiconductor bonding device of FIG. 1.
스텝 S11 : 스텝 S1, 1A에 상당하고, 웨이퍼 인식 카메라 VSW는 웨이퍼(11) 상의 복수의 다이 D를 한데 모아(일괄하여) 촬상한다.Step S11: Corresponding to steps S1 and 1A, the wafer recognition camera VSW collects (collectively) a plurality of dies D on the
스텝 S12 : 스텝 S2, 2A에 상당하고, 제어 장치(8)는 웨이퍼 인식 카메라 VSW로 촬상한 복수의 다이 D의 화상으로부터 복수의 다이 D의 위치를 인식하는 연산을 행하거나, 또는 웨이퍼 인식 카메라 VSW로 촬상한 1개의 다이D의 화상으로부터 다이 D의 위치를 계산하여 구한다(인식 결과 연산) 그 결과, 웨이퍼의 위치 보정이 필요한 경우에는 스텝 S13으로 이행한다. 웨이퍼의 위치 보정이 필요하지 않은 경우에는 스텝 S15로 이행한다.Step S12: Corresponding to steps S2 and 2A, and the control device 8 performs an operation for recognizing the positions of the plurality of die D from the images of the plurality of die D captured by the wafer recognition camera VSW, or the wafer recognition camera VSW The position of the die D is calculated and obtained from the image of one die D captured by using (recognition result calculation). As a result, when the position of the wafer needs to be corrected, the process proceeds to step S13. When the wafer position correction is not required, the process proceeds to step S15.
스텝 S13 : 제어 장치(8)는 웨이퍼 링 홀더 WRH를 수평 방향으로 이동하여 웨이퍼의 위치 보정을 행한다.Step S13: The control device 8 moves the wafer ring holder WRH in the horizontal direction to correct the position of the wafer.
스텝 S15 : 제어 장치(8)는 픽업 헤드 BPH로 다이 D를 픽업한다. 또한, 다이 D가 불량품인 경우, 픽업 헤드 BPH는 다이 D의 픽업은 행하지 않는다. 픽업이 행해지면 스텝 S21로 이행한다.Step S15: The control device 8 picks up the die D with the pickup head BPH. Further, when the die D is a defective product, the pickup head BPH does not pick up the die D. When pickup is performed, the flow proceeds to step S21.
스텝 S16 : 제어 장치(8)는 스텝 S1에서 인식한 다이 D의 위치에 기초하여 웨이퍼 링 홀더 WRH를 수평 방향으로 이동한다(웨이퍼 피치) 소정 횟수의 웨이퍼 피치가 행해질 때까지는 스텝 S15로 이행한다. 소정 횟수의 웨이퍼 피치가 행해지면 스텝 S11로 이행한다.Step S16: The control device 8 moves the wafer ring holder WRH in the horizontal direction based on the position of the die D recognized in step S1 (wafer pitch). The process proceeds to step S15 until a predetermined number of wafer pitches are performed. When the wafer pitch is performed a predetermined number of times, the process proceeds to step S11.
스텝 S21 : 제어 장치(8)는 픽업 헤드 BPH로 픽업한 다이 D를 중간 스테이지 BAS에 재치한다(플레이스)Step S21: The control device 8 places the die D picked up by the pickup head BPH on the intermediate stage BAS (place)
스텝 S22 : 제어 장치(8)는 스테이지 인식 카메라 VSA로 중간 스테이지 BAS에 재치된 다이 D의 자세를 촬상하여 인식한다.Step S22: The control device 8 captures and recognizes the posture of the die D placed on the intermediate stage BAS with the stage recognition camera VSA.
스텝 S23 : 제어 장치(8)는 촬상한 화상을 연산하여 회전각 어긋남을 인식한다. 스테이지 인식 카메라 VSA와 기판 인식 카메라 VSB 간의 회전각 어긋남이 없는 경우, 스텝 S33으로 이행한다. 스테이지 인식 카메라 VSA와 기판 인식 카메라 VSB 간의 회전각 어긋남이 있는 경우, 스텝 S24로 이행한다.Step S23: The control device 8 calculates the captured image and recognizes the rotation angle shift. When there is no deviation in the rotation angle between the stage recognition camera VSA and the substrate recognition camera VSB, the process proceeds to step S33. When there is a rotation angle deviation between the stage recognition camera VSA and the board recognition camera VSB, the process proceeds to step S24.
스텝 S24 : 제어 장치(8)는 선회 구동 장치(25)로 중간 스테이지 BAS를 선회시켜 보정한다.Step S24: The control device 8 rotates the intermediate stage BAS with the
스텝 S31 : 제어 장치(8)는 기판 인식 카메라 VSB로 기판 P의 위치 인식 마크를 촬상하여 인식한다.Step S31: The control device 8 captures and recognizes the position recognition mark of the substrate P with the substrate recognition camera VSB.
스텝 S32 : 제어 장치(8)는 촬상한 화상을 연산하여 본딩해야 할 다이 D의 본딩 위치를 인식한다.Step S32: The control device 8 calculates the captured image and recognizes the bonding position of the die D to be bonded.
스텝 S33 : 제어 장치(8)는 본딩 헤드 BBH로 중간 스테이지 BAS에 재치된 다이 D를 픽업한다.Step S33: The control device 8 picks up the die D placed on the intermediate stage BAS by the bonding head BBH.
스텝 S34 : 제어 장치(8)는 본딩 헤드 BBH로 픽업한 다이 D를 기판 P 또는 이미 본딩된 다이 상에 본딩한다.Step S34: The control device 8 bonds the die D picked up by the bonding head BBH onto the substrate P or the already bonded die.
이상, 본 발명자에 의해 이루어진 발명을 실시 형태, 실시예 및 변형예에 기초하여 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시 형태, 실시예 및 변형예에 한정되는 것은 아니고, 다양하게 변경 가능한 것은 물론이다.As described above, the invention made by the present inventors has been specifically described based on embodiments, examples, and modifications, but the present invention is not limited to the above embodiments, examples, and modifications, and it goes without saying that various modifications are possible. .
10 : 다이 본더
1 : 웨이퍼 공급부
11 : 웨이퍼
D : 다이
14 : 웨이퍼 링
16 : 다이싱 테이프
18 : 다이 어태치 필름
WRH : 웨이퍼 링 홀더(웨이퍼 지지대)
15 : 익스팬드 링
17 : 지지 링
WDE : 다이 밀어올리기 유닛
2A, 2B : 픽업부
BPH : 픽업 헤드
BPT : 픽업 헤드 테이블
22 : 콜릿
VSW : 웨이퍼 인식 카메라
3A, 3B : 얼라인먼트부
BAS : 중간 스테이지
VSA : 스테이지 인식 카메라
4A, 4B : 본딩부
BBH : 본딩 헤드
BHT : 본딩 헤드 테이블
42 : 콜릿
VSB : 기판 인식 카메라
5 : 반송부
51 : 제1 반송 레인
52 : 제2 반송 레인
BS : 본딩 스테이지
P : 기판
8 : 제어 장치10: die bonder 1: wafer supply unit
11: wafer D: die
14: wafer ring 16: dicing tape
18: die attach film
WRH: Wafer ring holder (wafer support)
15: expand ring 17: support ring
WDE: Die pushing
BPH: Pickup Head BPT: Pickup Head Table
22: collet VSW: wafer recognition camera
3A, 3B: Alignment part BAS: Intermediate stage
VSA:
BBH: Bonding Head BHT: Bonding Head Table
42: collet VSB: substrate recognition camera
5: transport unit 51: first transport lane
52: second transfer lane BS: bonding stage
P: board 8: control device
Claims (6)
웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지대와,
상기 웨이퍼로부터 다이를 밀어올리는 단일의 밀어올리기 유닛과,
상기 웨이퍼 중의 다이를 인식하는 웨이퍼 인식 카메라와,
상기 밀어올려진 다이를 픽업하는 제1 및 제2 픽업 헤드와,
상기 픽업된 다이가 재치되는 제1 및 제2 중간 스테이지와,
상기 제1 및 제2 중간 스테이지의 다이를 각각 인식하는 제1 및 제2 스테이지 인식 카메라와,
기판을 재치하는 제1 및 제2 본딩 스테이지와,
상기 제1 및 제2 중간 스테이지 상에 재치된 다이를 상기 기판 또는 상기 기판에 이미 본딩된 다이 상에 본딩하는 제1 및 제2 본딩 헤드와,
상기 제1 및 제2 본딩 스테이지의 기판을 각각 인식하는 제1 및 제2 기판 인식 카메라와,
상기 웨이퍼 지지대, 상기 밀어올리기 유닛, 상기 웨이퍼 인식 카메라, 상기 제1 및 제2 픽업 헤드, 상기 제1 및 제2 중간 스테이지, 상기 제1 및 제2 스테이지 인식 카메라, 상기 제1 및 제2 본딩 스테이지, 상기 제1 및 제2 본딩 헤드, 및 상기 제1 및 제2 기판 인식 카메라를 제어하는 제어장치를 구비하고,
상기 제어장치는,
복수회의 다이의 픽업마다 상기 웨이퍼 중의 다이를 상기 웨이퍼 인식 카메라로 촬상하고,
촬상한 다이 중, 처음에 1개의 다이를 인식하고, 그 후 나머지의 다이를 인식하고, 인식 결과로부터 복수의 웨이퍼 피치를 연산하여 기억하고, 기억한 복수의 웨이퍼 피치에 기초하여 상기 웨이퍼 지지대를 이동하고,
상기 웨이퍼 중의 다이를 상기 제1 픽업 헤드와 상기 제2 픽업 헤드로 교대로 픽업하여 각각 상기 제1 및 제2 중간 스테이지에 재치하고,
상기 제1 스테이지 인식 카메라로 촬상한 화상과 상기 제1 기판 인식 카메라로 촬상한 화상을 연산하여 상기 제 1 스테이지 상의 다이의 회전 어긋남을 인식하고, 상기 제2 스테이지 인식 카메라로 촬상한 화상과 상기 제2 기판 인식 카메라로 촬상한 화상을 연산하여 상기 제2 스테이지 상의 다이의 회전 어긋남을 인식하고, 어느 한쪽 또는 양쪽에 회전 어긋남이 있다고 인식하는 경우, 상기 제1 및 제2 중간 스테이지 중 회전 어긋남이 있는 다이가 재치되는 중간 스테이지를 선회시켜서 회전 어긋남을 보정하고,
상기 제1 및 제2 중간 스테이지에 재치된 다이를 상기 제1 및 제2 본딩 헤드로 픽업하여 각각 상기 제1 및 제2 본딩 스테이지에 재치된 기판 또는 이미 본딩 된 다이 상에 본딩하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 본딩 장치
In the semiconductor bonding device,
A wafer support for supporting the wafer,
A single pushing unit for pushing up the die from the wafer,
A wafer recognition camera for recognizing a die in the wafer,
First and second pick-up heads for picking up the pushed-up die,
First and second intermediate stages on which the picked up die is placed,
First and second stage recognition cameras that recognize dies of the first and second intermediate stages, respectively,
First and second bonding stages for placing the substrate,
First and second bonding heads for bonding dies placed on the first and second intermediate stages onto the substrate or a die already bonded to the substrate,
First and second substrate recognition cameras for recognizing substrates of the first and second bonding stages, respectively,
The wafer support, the pushing unit, the wafer recognition camera, the first and second pickup heads, the first and second intermediate stages, the first and second stage recognition cameras, the first and second bonding stages , A control device for controlling the first and second bonding heads, and the first and second substrate recognition cameras,
The control device,
The die in the wafer is imaged with the wafer recognition camera for each pickup of the dies a plurality of times,
Among the captured dies, one die is first recognized, then the remaining dies are recognized, a plurality of wafer pitches are calculated and stored from the recognition result, and the wafer support is moved based on the stored plurality of wafer pitches. and,
The dies in the wafer are alternately picked up by the first pick-up head and the second pick-up head, and are placed on the first and second intermediate stages, respectively,
The image captured by the first stage recognition camera and the image captured by the first substrate recognition camera are calculated to recognize rotational deviation of the die on the first stage, and the image captured by the second stage recognition camera and the second 2 When an image captured with a substrate recognition camera is calculated to recognize the rotational misalignment of the die on the second stage, and when it is recognized that there is a rotational misalignment in either or both, there is a rotational misalignment among the first and second intermediate stages. By turning the intermediate stage on which the die is placed, the rotational deviation is corrected,
Characterized in that the dies placed on the first and second intermediate stages are picked up by the first and second bonding heads and bonded on the substrates placed on the first and second bonding stages or on the dies already bonded, respectively. Semiconductor bonding device
(a) 상기 웨이퍼 중의 다이를 인식하는 스텝과,
(b) 상기 웨이퍼 중의 다이를 픽업하는 스텝과,
(c) 상기 스텝 (a)에서 인식한 결과에 기초하여 상기 웨이퍼를 이동하는 스텝과,
(d) 상기 웨이퍼 중의 다이를 상기 제1 픽업 헤드와 상기 제2 픽업 헤드로 교대로 픽업하여 각각 상기 제1 및 제2 중간 스테이지에 재치하는 스텝과,
(e) 상기 제1 및 제2 중간 스테이지에 재치된 다이를 상기 제1 및 제2 본딩 헤드로 픽업하여 각각 상기 제1 및 제2 본딩 스테이지에 재치된 기판 또는 이미 본딩된 다이 상에 본딩하는 스텝과,
(f) 상기 제1 또는 제2 중간 스테이지 상의 어느 한쪽 또는 양쪽의 다이의 위치 어긋남이 있다고 인식하는 경우는, 어긋나 있는 다이의 위치를 보정하는 스텝과,
(g) 상기 복수의 본딩 스테이지의 기판을 인식하는 스텝을 구비하고,
상기 스텝 (a)는, 복수회의 다이의 픽업마다 상기 웨이퍼 중의 다이를 상기 웨이퍼 인식 카메라로 촬상하고, 촬상한 다이 중, 처음에 1개의 다이를 인식하고, 그 후 나머지의 다이를 인식하고, 인식 결과로부터 복수의 웨이퍼 피치를 연산하여 기억하고,
상기 스텝 (c)는, 기억한 복수의 웨이퍼 피치에 기초하여 상기 웨이퍼 지지대를 이동하고,
상기 스텝 (b), (c)를 소정 횟수 실시한 후 상기 (a)의 스텝을 행하고,
상기 스텝 (f)는, 상기 제1 스테이지 인식 카메라로 촬상한 화상과 상기 제1 기판 인식 카메라로 촬상한 화상을 연산하여 상기 제1 스테이지 상의 다이의 회전 어긋남을 인식하고, 상기 제2 스테이지 인식 카메라로 촬상한 화상과 상기 제2 기판 인식 카메라로 촬상한 화상을 연산하여 상기 제2 스테이지 상의 다이의 회전 어긋남을 인식하고, 어느 한쪽 또는 양쪽에 회전 어긋남이 있다고 인식하는 경우, 상기 제1 및 제2 중간 스테이지 중 회전 어긋남이 있는 다이가 재치되는 중간 스테이지를 선회시켜서 회전 어긋남을 보정하는 것을 특징으로 하는 반도체 본딩 장치의 구동 방법
A wafer support for supporting a wafer, a single pushing unit for pushing up a die from the wafer, a wafer recognition camera for recognizing a die in the wafer, first and second pickup heads for picking up the pushed die, , First and second intermediate stages on which the previously picked up dies are placed, first and second stage recognition cameras for recognizing the dies of the first and second intermediate stages, respectively, and first and second stages for placing the substrate A semiconductor bonding apparatus including a bonding stage, first and second substrate recognition cameras for recognizing the substrates of the first and second bonding stages, respectively, and a plurality of bonding heads for bonding to the substrate or the already bonded die. As a driving method,
(a) recognizing a die in the wafer;
(b) picking up the die in the wafer,
(c) moving the wafer based on the result recognized in step (a);
(d) alternately picking up dies in the wafer with the first and second pickup heads and placing them on the first and second intermediate stages, respectively,
(e) picking up the dies placed on the first and second intermediate stages with the first and second bonding heads and bonding them on the substrates placed on the first and second bonding stages or on the already bonded dies, respectively. and,
(f) when it is recognized that there is a positional misalignment of either or both dies on the first or second intermediate stage, a step of correcting the position of the misaligned die;
(g) comprising a step of recognizing the substrates of the plurality of bonding stages,
In the step (a), a die in the wafer is imaged with the wafer recognition camera for each pickup of the dies a plurality of times, and among the imaged dies, one die is first recognized, and then the remaining dies are recognized, and recognition. From the result, a plurality of wafer pitches are calculated and stored,
In the step (c), the wafer support is moved based on the stored plurality of wafer pitches,
After performing the steps (b) and (c) a predetermined number of times, the step (a) is performed,
In the step (f), an image captured by the first stage recognition camera and an image captured by the first substrate recognition camera are calculated to recognize rotational deviation of the die on the first stage, and the second stage recognition camera When the rotational deviation of the die on the second stage is recognized by calculating the image captured with the image and the image captured by the second substrate recognition camera, and when it is recognized that there is a rotational deviation in either or both, the first and second A method of driving a semiconductor bonding apparatus, comprising correcting rotational displacement by rotating an intermediate stage on which a die having rotational displacement is placed among intermediate stages
(a) 다이싱 필름 상에 탑재하여 절단된 웨이퍼를 준비하는 공정과,
(b) 상기 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지대와, 상기 웨이퍼로부터 다이를 밀어올리는 단일의 밀어올리기 유닛과, 상기 웨이퍼 중의 다이를 인식하는 웨이퍼 인식 카메라와, 상기 밀어올려진 다이를 픽업하는 제1 및 제 2 픽업 헤드와, 상기 픽업된 다이가 재치되는 제1 및 제2 중간 스테이지와, 상기 제1 및 제2 중간 스테이지의 다이를 각각 인식하는 제1 및 제2 스테이지 인식 카메라와, 기판을 재치하는 제1 및 제2 본딩 스테이지와, 상기 제1 및 제2 본딩 스테이지의 기판을 각각 인식하는 제1 및 제2 기판 인식 카메라와, 상기 기판 또는 이미 본딩된 다이 상에 본딩하는 제1 및 제2 본딩 헤드를 구비하는 본더를 준비하는 공정과,
(c) 상기 웨이퍼 중의 다이를 상기 기판 또는 이미 본딩된 다이 상에 본딩하는 공정을 구비하고,
상기 공정 (c)는,
(c1) 상기 웨이퍼 중의 다이를 인식하는 스텝과,
(c2) 상기 웨이퍼 중의 다이를 픽업하는 스텝과,
(c3) 상기 스텝 (c1)에서 인식한 결과에 기초하여 상기 웨이퍼를 이동하는 공정과,
(c4) 상기 웨이퍼 중의 다이를 상기 제1 픽업 헤드와 상기 제2 픽업 헤드로 교대로 픽업하여 각각 상기 제1 및 제2 중간 스테이지에 재치하는 스텝과,
(c5) 상기 제1 및 제2 중간 스테이지에 재치된 다이를 상기 제1 및 제2 본딩 헤드로 픽업하여 각각 상기 제1 및 제2 본딩 스테이지에 재치된 기판 또는 이미 본딩된 다이 상에 본딩하는 스텝과,
(c6) 상기 제1 또는 제2 중간 스테이지 상의 어느 한쪽 또는 양쪽의 다이의 위치가 어긋나 있다고 인식하는 경우는, 상기 어긋나 있는 다이의 위치를 보정하는 스텝을 구비하고,
상기 스텝 (c1)은, 복수회의 다이의 픽업마다 상기 웨이퍼 중의 다이를 상기 웨이퍼 인식 카메라로 촬상하고,
촬상한 다이 중, 처음에 1개의 다이를 인식하고, 그 후 나머지의 다이를 인식하고, 인식 결과로부터 복수의 웨이퍼 피치를 연산하여 기억하고,
상기 스텝 (c3)은, 기억한 복수의 웨이퍼 피치에 기초하여 상기 웨이퍼 지지대를 이동하고,
상기 스텝 (c2), (c3)을 소정 횟수 실시한 후, 상기 스텝 (c1)을 행하고,
상기 스텝 (c6)은, 상기 제1 스테이지 인식 카메라로 촬상한 화상과 상기 제1 기판 인식 카메라로 촬상한 화상을 연산하여 상기 제1 스테이지 상의 다이의 회전 어긋남을 인식하고, 상기 제2 스테이지 인식 카메라로 촬상한 화상과 상기 제2 기판 인식 카메라로 촬상한 화상을 연산하여 상기 제2 스테이지 상의 다이의 회전 어긋남을 인식하고, 어느 한쪽 또는 양쪽에 회전 어긋남이 있다고 인식하는 경우, 상기 제1 및 제2 중간 스테이지 중 회전 어긋남이 있는 다이가 재치되는 중간 스테이지를 선회시켜서 회전 어긋남을 보정하는 것을 특징으로 하는 반도체 본딩 장치의 구동 방법
In the method of driving a semiconductor bonding device,
(a) a step of preparing a cut wafer by mounting on a dicing film, and
(b) a wafer support for supporting the wafer, a single pushing unit for pushing up a die from the wafer, a wafer recognition camera for recognizing a die in the wafer, and first and first for picking up the pushed die 2 A pickup head, first and second intermediate stages on which the picked up die is placed, and first and second stage recognition cameras for recognizing dies of the first and second intermediate stages, respectively, and a first and second stage recognition cameras for placing the substrate. First and second bonding stages, first and second substrate recognition cameras for recognizing the substrates of the first and second bonding stages, respectively, and first and second bonding heads for bonding on the substrate or on an already bonded die The step of preparing a bonder having, and
(c) bonding a die in the wafer onto the substrate or an already bonded die,
The step (c),
(c1) recognizing a die in the wafer,
(c2) picking up the die in the wafer,
(c3) a step of moving the wafer based on the result recognized in step (c1), and
(c4) alternately picking up dies in the wafer with the first and second pickup heads and placing them on the first and second intermediate stages, respectively,
(c5) picking up the dies placed on the first and second intermediate stages with the first and second bonding heads and bonding them on the substrates placed on the first and second bonding stages or on the already bonded dies, respectively. and,
(c6) when it is recognized that the position of either or both dies on the first or second intermediate stage is shifted, a step of correcting the position of the shifted die is provided,
In the step (c1), a die in the wafer is imaged with the wafer recognition camera for each pickup of the die a plurality of times,
Among the imaged dies, one die is first recognized, then the remaining dies are recognized, and a plurality of wafer pitches are calculated and stored from the recognition result,
In the step (c3), the wafer support is moved based on the stored plurality of wafer pitches,
After performing the steps (c2) and (c3) a predetermined number of times, the step (c1) is performed,
In the step (c6), an image captured by the first stage recognition camera and an image captured by the first substrate recognition camera are calculated to recognize rotational deviation of the die on the first stage, and the second stage recognition camera When the rotational shift of the die on the second stage is recognized by calculating the image captured with the image and the image captured by the second substrate recognition camera, and when it is recognized that there is a rotational shift in either or both, the first and second A method of driving a semiconductor bonding apparatus, comprising correcting rotational displacement by rotating an intermediate stage on which a die having rotational displacement is placed among intermediate stages
상기 공정 (c)는, 상기 스텝 (c6)과 (c5) 사이에,
(c7) 상기 제1 및 제2 본딩 스테이지의 기판을 인식하는 스텝을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 본딩 장치의 구동 방법
The method of claim 3,
The step (c) is between the steps (c6) and (c5),
(c7) a method of driving a semiconductor bonding apparatus, comprising the step of recognizing the substrates of the first and second bonding stages.
상기 스텝 (c1)은, 상기 웨이퍼 중의 복수의 다이를 한데 모아 상기 웨이퍼 인식 카메라로 촬상하고, 인식 결과로부터 복수의 웨이퍼 피치를 연산하여 기억하고,
상기 스텝 (c2)는, 기억한 복수의 웨이퍼 피치에 기초하여 상기 웨이퍼 지지대를 이동하는 하는 것을 특징으로 하는 반도체 본딩 장치의 구동 방법
The method of claim 4,
In the step (c1), a plurality of dies in the wafer are gathered and imaged with the wafer recognition camera, and a plurality of wafer pitches are calculated and stored from the recognition result,
In the step (c2), the wafer support is moved based on the stored plurality of wafer pitches.
상기 스텝 (c1)은, 상기 웨이퍼 중의 1개의 다이를 상기 웨이퍼 인식 카메라로 촬상하고, 인식 결과로부터 복수의 웨이퍼 피치를 연산하여 구하고,
상기 스텝 (c2)는, 복수의 웨이퍼 피치에 기초하여 상기 웨이퍼 지지대를 이동하는 것을 특징으로 하는 반도체 본딩 장치의 구동 방법
The method of claim 4,
In the step (c1), one die of the wafers is imaged with the wafer recognition camera, and a plurality of wafer pitches is calculated from the recognition result to obtain,
The step (c2) is a method of driving a semiconductor bonding apparatus, wherein the wafer support is moved based on a plurality of wafer pitches.
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| KR (1) | KR20200119971A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220111359A (en) * | 2021-02-02 | 2022-08-09 | 이만섭 | Bonding method of probe pin and bonding unit and bonding device thereof |
| CN116978846A (en) * | 2023-09-11 | 2023-10-31 | 上海广川科技有限公司 | Wafer corrector with buffer storage station |
| CN117612980A (en) * | 2024-01-23 | 2024-02-27 | 天津中科晶禾电子科技有限责任公司 | Wafer bonding device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180028057A (en) | 2016-03-11 | 2018-03-15 | 파스포드 테크놀로지 주식회사 | Die bonding device and method of manufacturing semiconductor device |
| KR20190028861A (en) | 2017-09-11 | 2019-03-20 | 세메스 주식회사 | Die pickup unit and die bonder including the same |
| KR20190029434A (en) | 2017-09-11 | 2019-03-20 | 파스포드 테크놀로지 주식회사 | Die bonding apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
-
2019
- 2019-04-11 KR KR1020190042249A patent/KR20200119971A/en unknown
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180028057A (en) | 2016-03-11 | 2018-03-15 | 파스포드 테크놀로지 주식회사 | Die bonding device and method of manufacturing semiconductor device |
| KR20190028861A (en) | 2017-09-11 | 2019-03-20 | 세메스 주식회사 | Die pickup unit and die bonder including the same |
| KR20190029434A (en) | 2017-09-11 | 2019-03-20 | 파스포드 테크놀로지 주식회사 | Die bonding apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220111359A (en) * | 2021-02-02 | 2022-08-09 | 이만섭 | Bonding method of probe pin and bonding unit and bonding device thereof |
| CN116978846A (en) * | 2023-09-11 | 2023-10-31 | 上海广川科技有限公司 | Wafer corrector with buffer storage station |
| CN117612980A (en) * | 2024-01-23 | 2024-02-27 | 天津中科晶禾电子科技有限责任公司 | Wafer bonding device |
| CN117612980B (en) * | 2024-01-23 | 2024-04-02 | 天津中科晶禾电子科技有限责任公司 | Wafer bonding device |
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