KR20200115196A - 배치대의 코팅 방법 및 배치대 - Google Patents

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KR20200115196A
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다이스케 사타케
쥰 히로세
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

배치대의 접착 부분의 소모를 억제한다. 배치대의 코팅 방법은, 삽입 공정과, 팽창 공정과, 도포 공정을 포함한다. 삽입 공정에 있어서, 제 1 단에 벌룬이 장착된 튜브를 배치대의 배치면에서 개구하여 당해 배치대를 관통하는 관통홀에 삽입한다. 팽창 공정에 있어서, 튜브의 제 1 단이 정해진 위치에 도달했을 때, 튜브의 제 2 단으로부터 당해 튜브 내로 기체를 공급함으로써 벌룬을 팽창시킨다. 도포 공정에 있어서, 팽창시킨 벌룬의 표면을 관통홀의 내주면에 눌러, 관통홀의 내주면에 코팅제를 도포한다.

Description

배치대의 코팅 방법 및 배치대 {COATING METHOD OF PLACING TABLE AND PLACING TABLE}
이하의 개시는 배치대의 코팅 방법 및 배치대에 관한 것이다.
정전 척 장치에 형성된 관통홀에 플라즈마가 침입했을 시에, 정전 척 장치의 정전 척부와 베이스부를 고정하는 접착층을 플라즈마가 침식하는 것이 알려져 있다. 접착층의 침식은 내전압의 저하 및 정전 척 장치의 수명의 단축, 관통홀 주변의 경시적인 온도 변화의 원인이 된다. 따라서, 정전 척부의 제 1 관통홀과 연통하는, 베이스부의 제 2 관통홀 내에 통 형상의 절연체를 고정한 구조가 제안되고 있다(특허 문헌 1). 이 구조에서는, 정전 척부와 절연체 선단면과의 사이에 환상의 씰 부재를 개재하여, 씰 부재의 직경 방향 내측에 통 형상의 절연벽 부재를 배치하고 있다.
국제공개 제 2017/126534호
본 개시는 배치대의 접착 부분의 소모를 억제할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일태양에 따른 배치대의 코팅 방법은, 삽입 공정과, 팽창 공정과, 도포 공정을 포함한다. 삽입 공정에 있어서, 제 1 단에 벌룬이 장착된 튜브를, 배치대의 배치면에서 개구되어 상기 배치대를 관통하는 관통홀에 삽입한다. 팽창 공정에 있어서, 튜브의 제 1 단이 정해진 위치에 도달했을 때, 튜브의 제 2 단으로부터 상기 튜브 내로 기체를 공급함으로써 벌룬을 팽창시킨다. 도포 공정에 있어서, 팽창시킨 벌룬의 표면을 관통홀의 내주면에 눌러, 관통홀의 내주면에 코팅제를 도포한다.
본 개시에 따르면, 배치대의 접착 부분의 소모를 억제할 수 있다.
도 1은 일실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 개략 구성도이다.
도 2는 일실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치가 구비하는 배치대의 일부의 구성예를 나타내는 개략 단면도이다.
도 3은 일실시 형태에 따른 코팅 방법에 이용하는 코팅 장치의 일례의 개략도이다.
도 4는 일실시 형태에 따른 코팅 방법의 흐름의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 5는 일실시 형태의 코팅 방법의 삽입 공정을 설명하기 위한 도이다.
도 6은 일실시 형태의 코팅 방법의 판정 공정을 설명하기 위한 도이다.
도 7a는 일실시 형태의 코팅 방법의 팽창 공정에 있어서 팽창한 벌룬의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 7b는 일실시 형태의 코팅 방법의 팽창 공정에 있어서 팽창한 벌룬의 다른 예를 설명하기 위한 도이다.
도 8은 관통홀에 대한 코팅 장치의 크기의 기준을 나타내는 도이다.
이하에, 개시하는 실시 형태에 대하여, 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 또한, 본 실시 형태는 한정적인 것은 아니다. 또한, 각 실시 형태는 처리 내용을 모순시키지 않는 범위에서 적절히 조합하는 것이 가능하다.
(실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치(10)의 구성)
도 1은 일실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치(10)의 개략 구성도이다. 플라즈마 처리 장치(10)는 기밀하게 구성되고, 전기적으로 접지 전위가 된 처리 용기(30)를 가지고 있다. 이 처리 용기(30)는 원통 형상이 되고, 예를 들면 표면에 양극 산화 피막이 형성된 알루미늄 등으로 구성되어 있다. 처리 용기(30)는 플라즈마가 생성되는 처리 공간을 구획 형성한다. 처리 용기(30) 내에는 웨이퍼(W)를 수평으로 지지하는 배치대(31)가 수용되어 있다.
배치대(31)는 상하 방향으로 저면을 향한 대략 원주 형상을 나타내고 있고, 상측의 저면이 배치면(36d)이 되어 있다. 배치대(31)의 배치면(36d)은 웨이퍼(W)보다 큰 사이즈로 되어 있다. 배치대(31)는 기대(33)와, 정전 척(36)을 포함하고 있다.
기대(33)는 도전성의 금속, 예를 들면 알루미늄 등으로 구성되어 있다. 기대(33)는 하부 전극으로서 기능한다. 기대(33)는 절연체의 지지대(34)에 지지되어 있고, 지지대(34)가 처리 용기(30)의 저부에 설치되어 있다.
정전 척(36)은 상면이 평탄한 원반 형상이 되고, 당해 상면이 웨이퍼(W)가 배치되는 배치면(36d)이 되어 있다. 정전 척(36)은 평면에서 봤을 때 배치대(31)의 중앙에 마련되어 있다. 정전 척(36)은 전극(36a) 및 절연체(36b)를 가지고 있다. 전극(36a)은 절연체(36b)의 내부에 마련되어 있고, 전극(36a)에는 직류 전원(42)이 접속되어 있다. 정전 척(36)은 전극(36a)에 직류 전원(42)으로부터 직류 전압이 인가됨으로써, 쿨롱력에 의해 웨이퍼(W)를 흡착하도록 구성되어 있다. 또한, 정전 척(36)은 절연체(36b)의 내부에 히터(36c)가 마련되어 있다. 히터(36c)는 후술하는 급전 기구를 개재하여 전력이 공급되고, 웨이퍼(W)의 온도를 제어한다. 정전 척(36)과 기대(33)는 접착층(38)에 의해 접착되어 있다. 접착층(38)의 재료는 특별히 한정되지 않지만, 내플라즈마성, 내열성을 가지는 재료가 바람직하다. 예를 들면, 아크릴계 수지, 실리콘(실리콘 수지), 에폭시계 수지 등을 이용할 수 있다. 접착층(38)을 개재하여, 정전 척(36)의 이면으로부터 기대(33)로 방열된다.
또한 배치대(31)의 상방의 외주에는, 예를 들면 단결정 실리콘으로 형성된 포커스 링(35)이 마련되어 있다. 또한, 배치대(31) 및 지지대(34)의 주위를 둘러싸도록, 예를 들면 석영 등으로 이루어지는 원통 형상의 내벽 부재(37)가 마련되어 있다.
기대(33)에는 급전봉(50)이 접속되어 있다. 급전봉(50)에는 제 1 정합기(41a)를 개재하여 제 1 RF 전원(40a)이 접속되고, 또한 제 2 정합기(41b)를 개재하여 제 2 RF 전원(40b)이 접속되어 있다. 제 1 RF 전원(40a)은 플라즈마 발생용의 전원이며, 이 제 1 RF 전원(40a)으로부터는 정해진 주파수의 고주파 전력이 배치대(31)의 기대(33)에 공급되도록 구성되어 있다. 또한, 제 2 RF 전원(40b)은 이온 인입용(바이어스용)의 전원이며, 이 제 2 RF 전원(40b)으로부터는 제 1 RF 전원(40a)보다 낮은 정해진 주파수의 고주파 전력이 배치대(31)의 기대(33)에 공급되도록 구성되어 있다.
기대(33)의 내부에는 냉매 유로(33d)가 형성되어 있다. 냉매 유로(33d)는 일방의 단부에 냉매 입구 배관(33b)이 접속되고, 타방의 단부에 냉매 출구 배관(33c)이 접속되어 있다. 플라즈마 처리 장치(10)는 냉매 유로(33d) 내에 냉매, 예를 들면 냉각수 등을 각각 순환시킴으로써, 배치대(31)의 온도를 제어 가능한 구성으로 되어 있다. 또한 플라즈마 처리 장치(10)는, 웨이퍼(W) 및 포커스 링(35)의 이면측에 냉열 전달용 가스를 공급하여 온도를 개별로 제어 가능한 구성이다. 이 때문에, 배치대(31) 등을 관통하도록, 웨이퍼(W)의 이면에 헬륨 가스 등의 냉열 전달용 가스(백 사이드 가스)를 공급하기 위한 가스 공급홀(60)이 마련되어 있다. 가스 공급홀(60)은 가스 공급원(61)에 접속되어 있다. 이러한 구성에 의해, 배치대(31)의 상면에 정전 척(36)에 의해 흡착 유지된 웨이퍼(W)를 정해진 온도로 제어한다. 또한, 배치대(31)를 관통하도록, 웨이퍼(W)의 이면에 도달하는 관통홀(70)이 형성되어 있다. 관통홀(70) 내에는 리프터 핀(71)이 배치된다. 리프터 핀(71)은 관통홀(70)을 거쳐 상하 방향으로 이동 가능한 동시에 웨이퍼(W)의 이면에 접촉 가능하게 배치된다. 리프터 핀(71)은 배치대(31) 하부에 배치된 구동 기구(72)에 의해 구동되어 상하 방향으로 움직여, 배치면(36d) 상에 배치된 웨이퍼(W)를 배치대(31)로부터 들어올린다. 또한, 도 1에는 1 개의 리프터 핀(71)을 나타내지만, 복수의 리프터 핀(71)을 배치해도 된다.
한편, 배치대(31)의 상방에는, 배치대(31)에 평행하게 대면하도록, 상부 전극으로서의 기능을 가지는 샤워 헤드(46)가 마련되어 있다. 샤워 헤드(46)와 배치대(31)는 한 쌍의 전극(상부 전극과 하부 전극)으로서 기능한다.
샤워 헤드(46)는 처리 용기(30)의 천벽 부분에 마련되어 있다. 샤워 헤드(46)는 본체부(46a)와, 전극판을 이루는 상부 천판(46b)을 구비하고 있고, 절연성 부재(47)를 개재하여 처리 용기(30)의 상부에 지지된다. 본체부(46a)는 도전성 재료, 예를 들면 표면에 양극 산화 피막이 형성된 알루미늄 등으로 이루어지고, 그 하부에 상부 천판(46b)을 착탈 가능하게 지지할 수 있도록 구성되어 있다.
본체부(46a)의 내부에는 가스 확산실(46c)이 마련되고, 이 가스 확산실(46c)의 하부에 위치하도록, 본체부(46a)의 저부에는 다수의 가스 통류홀(46d)이 형성되어 있다. 또한, 상부 천판(46b)에는 당해 상부 천판(46b)을 두께 방향으로 관통하도록 가스 도입홀(46e)이 상기한 가스 통류홀(46d)과 중첩되도록 마련되어 있다. 이러한 구성에 의해, 가스 확산실(46c)로 공급된 처리 가스는 가스 통류홀(46d) 및 가스 도입홀(46e)을 거쳐 처리 용기(30) 내에 샤워 형상으로 분산되어 공급된다.
본체부(46a)에는, 가스 확산실(46c)로 처리 가스를 도입하기 위한 가스 도입구(46g)가 형성되어 있다. 이 가스 도입구(46g)에는, 가스 공급 배관(45a)의 일단이 접속되어 있다. 이 가스 공급 배관(45a)의 타단에는 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급원(45)이 접속된다. 가스 공급 배관(45a)에는, 상류측으로부터 차례로 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(45b) 및 개폐 밸브(V2)가 마련되어 있다. 그리고, 처리 가스 공급원(45)으로부터 처리 가스가 가스 공급 배관(45a)을 거쳐 가스 확산실(46c)로 공급되고, 이 가스 확산실(46c)로부터 가스 통류홀(46d) 및 가스 도입홀(46e)을 거쳐 처리 용기(30) 내에 샤워 형상으로 분산되어 공급된다.
상기한 상부 전극으로서의 샤워 헤드(46)에는, 로우패스 필터(LPF)(48a)를 개재하여 가변 직류 전원(48b)이 전기적으로 접속되어 있다. 이 가변 직류 전원(48b)은 온·오프 스위치(48c)에 의해 급전의 온·오프가 가능하게 구성되어 있다. 가변 직류 전원(48b)의 전류·전압 그리고 온·오프 스위치(48c)의 온·오프는, 후술하는 제어부(90)에 의해 제어된다. 또한 후술하는 바와 같이, 제 1 RF 전원(40a), 제 2 RF 전원(40b)으로부터 고주파가 배치대(31)에 인가되어 처리 공간에 플라즈마가 발생할 시에는, 필요에 따라 제어부(90)에 의해 온·오프 스위치(48c)가 온이 되어, 상부 전극으로서의 샤워 헤드(46)에 정해진 직류 전압이 인가된다.
또한, 처리 용기(30)의 측벽으로부터 샤워 헤드(46)의 높이 위치보다 상방으로 연장되도록 원통 형상의 접지 도체(30a)가 마련되어 있다. 이 원통 형상의 접지 도체(30a)는 그 상부에 천벽을 가지고 있다.
처리 용기(30)의 저부에는 배기구(81)가 형성되어 있고, 이 배기구(81)에는 배기관(82)을 개재하여 배기 장치(83)가 접속되어 있다. 배기 장치(83)는 진공 펌프를 가지고 있고, 이 진공 펌프를 작동시킴으로써 처리 용기(30) 내를 정해진 진공도까지 감압할 수 있도록 구성되어 있다.
한편, 처리 용기(30) 내의 측벽에는, 웨이퍼(W)의 반입반출에 사용되는 제 1 게이트(84)가 마련되어 있다. 이 제 1 게이트(84)에는 당해 제 1 게이트(84)를 개폐하는 게이트 밸브(G)가 마련되어 있다. 제 1 게이트(84)는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 게이트 밸브(G)를 개재하여 진공 반송실에 기밀성을 유지하면서 접속되어 있고, 진공 분위기 상태인 채로 진공 반송실로부터 웨이퍼(W)의 반입반출이 가능하게 되어 있다.
처리 용기(30)의 측부 내측에는, 내벽면을 따라 퇴적물 실드(86)가 마련되어 있다. 퇴적물 실드(86)는 처리 용기(30)에 부생성물(퇴적물)이 부착하는 것을 방지한다. 퇴적물 실드(86)는 착탈 가능하게 구성되어 있다.
상기 구성의 플라즈마 처리 장치(10)는, 제어부(90)에 의해, 동작이 통괄적으로 제어된다. 제어부(90)는 예를 들면 컴퓨터이며, 플라즈마 처리 장치(10)의 각 부를 제어한다. 플라즈마 처리 장치(10)는 제어부(90)에 의해 동작이 통괄적으로 제어된다. 제어부(90)는 플라즈마 처리 장치(10)의 각 부를 제어하는 정보 처리 장치이다. 제어부(90)의 구체적인 구성 및 기능은 특별히 한정되지 않는다. 제어부(90)는 예를 들면 기억부, 처리부, 입출력 인터페이스(IO I/F) 및 표시부를 구비한다. 기억부는 예를 들면 하드 디스크, 광디스크, 반도체 메모리 소자 등의 임의의 기억 장치이다. 제어부는 예를 들면 CPU(Central Processing Unit), MPU(Micro Processing Unit) 등의 프로세서이다. 표시부는 예를 들면 액정 화면 및 터치 패널 등 정보를 표시하는 기능부이다. 처리부는 기억부에 저장된 프로그램 또는 레시피를 읽어내 실행함으로써, 입출력 인터페이스를 개재하여 플라즈마 처리 장치(10)의 각 부를 제어한다.
(배치대의 구성예)
도 2는 일실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치가 구비하는 배치대(31)의 일부의 구성예를 나타내는 개략 단면도이다. 도 2에 있어서는, 도 1의 배치대(31) 중 기대(33), 접착층(38), 정전 척(36)을, 가스 공급홀(60) 및 관통홀(70)이 관통하고 있는 부분을 확대하여 나타내고 있다. 또한, 도 2는 리프터 핀(71)에 의해 웨이퍼(W)가 들어올려진 상태를 나타내고 있다.
가스 공급홀(60)은 지지대(34)를 관통하는 제 1 관통홀(60a)과, 기대(33)를 관통하는 제 2 관통홀(60b)과, 정전 척(36)을 관통하는 제 3 관통홀(60c)을 포함한다. 제 1 관통홀(60a) 및 제 2 관통홀(60b)은 대략 동일 직경으로 배치면(36d)에 대하여 대략 수직 방향으로 형성되어 있다. 제 3 관통홀(60c)은 제 2 관통홀(60b)보다 소경이며, 제 2 관통홀(60b)에 접속하는 위치에 단차가 형성되어 있다. 제 2 관통홀(60b)과 제 3 관통홀(60c)의 사이에서 노출되는 접착층(38)의 단면(38a) 상에 코팅제가 도포되어 있다. 접착층(38)의 단면(38a)은 제 3 관통홀(60c)의 내주면보다 제 2 관통홀(60b)의 내주면 방향으로 오목한 상태가 되어, 제 3 관통홀(60c)과의 사이에 단차를 형성하고 있다. 또한, 접착층(38)의 단면(38a)은 제 2 관통홀(60b)의 내주면보다 대경이며, 단면(38a)과 제 2 관통홀(60b)과의 사이에도 단차가 형성되어 있다. 기대(33) 중, 가스 공급홀(60)의 주위에는 슬리브(202)가 배치되어 있다.
관통홀(70)은 지지대(34)를 관통하는 제 1 관통홀(70a)과, 기대(33)를 관통하는 제 2 관통홀(70b)과, 정전 척(36)을 관통하는 제 3 관통홀(70c)을 포함한다. 제 1 관통홀(70a), 제 2 관통홀(70b), 제 3 관통홀(70c)은 대략 동일 직경이다. 제 2 관통홀(70b)과 제 3 관통홀(70c)과의 사이에서 노출되는 접착층(38)의 단면(38b) 상에 코팅제가 도포되어 있다. 단면(38b)은 제 2 관통홀(70b) 및 제 3 관통홀(70c)의 내주면보다 오목하게 들어가 있어, 제 2 관통홀(70b) 및 제 3 관통홀(70c)과의 사이에 단차를 형성하고 있다. 기대(33) 중, 관통홀(70)의 주위에는 슬리브(201)가 배치되어 있다.
(코팅 장치(1)의 일례)
도 3은 일실시 형태에 따른 코팅 방법에 이용하는 코팅 장치(1)의 일례의 개략도이다. 코팅 장치(1)는 튜브(2)와, 벌룬(3)과, 가이드(4)와, 가스 공급부(5)를 구비한다.
튜브(2)는 가요성(可撓性)의 관 형상 부재이다. 튜브(2)의 재료는 특별히 한정되지 않으며, 정해진 강성 및 가요성을 가지면 된다. 튜브(2)는 내부로 기체를 공급 가능한 구성이며, 일단에 있어서 벌룬(3)에 접속되고, 타단에 있어서 가스 공급부(5)에 접속된다.
벌룬(3)은 신축 가능한 재료로 형성되어, 정해진 크기로 팽창 가능하다. 벌룬(3)은 팽창했을 때에는 대략 구 형상이 되고, 수축했을 때에는 튜브(2)와 대략 동일 직경의 관 형상이 된다. 벌룬(3)은 튜브(2)의 일단을 외측으로부터 덮도록 장착되어 있다. 튜브(2)의 타단으로부터 기체가 공급되면, 튜브(2)의 일단에 장착된 벌룬(3)이 팽창한다. 또한, 튜브(2)의 타단으로부터 기체가 흡인되면, 튜브(2)의 일단에 장착된 벌룬(3)이 수축한다. 벌룬(3)의 일단은 튜브(2)가 접속되고, 벌룬의 타단에는 가이드(4)가 접속되어 있다.
가이드(4)는 벌룬(3)보다 강성의 부재이며, 벌룬(3)을 가스 공급홀(60) 및 관통홀(70)에 삽입할 때에, 벌룬(3)의 방향을 규정하여 벌룬(3)을 안내하는 역할을 가진다. 단, 벌룬(3)의 형상 및 재질에 따라 가이드(4)는 생략할 수도 있다. 또한, 가이드(4)는 도시하는 바와 같은 침 형상이어도 되고, 가스 공급홀(60) 및 관통홀(70)의 홀 직경에 적합한 직경 방향 돌출부를 가져도 된다.
가스 공급부(5)는 튜브(2)의 타단에 접속되어, 정해진 기체를 튜브(2)를 거쳐 벌룬(3) 내로 공급한다. 가스 공급부(5)는, 예를 들면 오퍼레이터가 조작하는 펌프와 기체 저류부를 포함한다.
(코팅 방법의 흐름의 일례)
도 4는 일실시 형태에 따른 코팅 방법의 흐름의 일례를 나타내는 순서도이다. 이하, 가스 공급홀(60) 및 관통홀(70)을 일괄하여 관통홀(60, 70)이라고 부른다. 또한, 가스 공급홀(60) 및 관통홀(70)에 대하여 적용하는 코팅 방법은 대개 공통이기 때문에, 도 4 ~ 6, 도 8에는 대표로서 관통홀(70)의 형상을 나타낸다.
먼저, 코팅 장치(1)의 벌룬(3) 표면에 코팅제를 도포한다. 그리고, 코팅 장치(1)의 가이드(4)측으로부터 벌룬(3)을 관통홀(60, 70)에 삽입하는 삽입 공정을 실행한다(단계(S1)).
도 5는 일실시 형태의 코팅 방법의 삽입 공정을 설명하기 위한 도이다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 코팅 장치(1)는 관통홀(60, 70)의 하방으로부터 삽입해도 되고, 상방으로부터 삽입해도 된다. 또한, 삽입 시는 벌룬(3) 표면의 코팅제가 관통홀(60, 70)의 내주면의 불필요한 부분에 부착하지 않도록, 코팅 장치(1)의 둘레 방향으로 돌출되는 가이드를 별도 마련해도 된다. 또한, 예를 들면 코팅 장치(1)의 벌룬(3)을 덮는 외피를 마련하여, 벌룬(3)이 정해진 위치에 도달한 시점에서 외피를 분리할 수 있도록 해도 된다. 예를 들면, 벌룬(3) 부분을 이중관 구조로 해도 된다.
이어서, 가이드(4)가 관통홀(60, 70)의 정해진 위치에 도달했는지 여부를 판정하는 판정 공정을 실행한다(단계(S2)). 도 6은 일실시 형태의 코팅 방법의 판정 공정을 설명하기 위한 도이다. 코팅 장치(1)의 튜브(2)는 미리 정해진 길이(L1)로 형성된다. 또한, 관통홀(60, 70)의 입구로부터 접착층(38)의 단면(38a, 38b)까지의 거리(L2)는 미리 취득해 둔다. 그리고, 관통홀(60, 70)에 미삽입의 튜브(2)의 길이(L3)가 L1 - L2가 되었을 때, 가이드(3)가 정해진 위치에 도달했다고 판정한다. 정해진 위치에 도달하지 않았다고 판정된 경우는, 추가로 코팅 장치(1)의 삽입(단계(S1))을 계속한다. 정해진 위치에 도달했다고 판정된 경우는, 다음의 팽창 공정(단계(S3))으로 진행된다.
팽창 공정에 있어서는, 가스 공급부(5)의 조작에 의해 벌룬(3)을 팽창시킨다. 벌룬(3)의 표면이 관통홀(60, 70)의 내주면에 접하는 크기까지 벌룬(3)이 팽창하면, 팽창 공정을 끝낸다.
도 7a는 일실시 형태의 코팅 방법의 팽창 공정에 있어서 팽창한 벌룬의 일례를 설명하기 위한 도이다. 도 7a의 예는, 관통홀(70) 내에 벌룬(3)을 삽입하여 팽창시킨 상태를 나타내고 있다. 관통홀(70)은 내주면이 제 2 관통홀(70b)과 제 3 관통홀(70c)에서 대략 동일 직경이다. 이 때문에, 접착층(38)의 단면(38b)은, 홈 형상으로 오목한 오목부가 되어 있다. 벌룬(3)은 단면(38b)을 제 2 관통홀(70b)측 및 제 3 관통홀(70c)측의 쌍방으로부터 폐색하는 위치에 배치되어 팽창된다. 이 때문에, 벌룬(3)의 팽창에 의해 단면(38b)의 오목부에 코팅제를 집중시킬 수 있다.
도 7b는 일실시 형태의 코팅 방법의 팽창 공정에 있어서 팽창한 벌룬의 다른 예를 설명하기 위한 도이다. 도 7b의 예는, 가스 공급홀(60) 내에 벌룬(3)을 삽입하여 팽창시킨 상태를 나타내고 있다. 가스 공급홀(60)은 내주면이 제 3 관통홀(60c)측에서 제 2 관통홀(60b)측보다 소경이 되어 있다. 이 때문에, 벌룬(3)은, 가이드(4)측이 정전 척(36)의 하면에 접하는 위치까지 삽입된 시점에서 팽창된다. 이 위치에서 벌룬(3)을 팽창시킴으로써, 벌룬(3)의 가이드(4)측이, 정전 척(36)의 하면으로부터 제 2 관통홀(60b)의 내주면까지를 덮도록 팽창하여, 접착층(38)의 단면(38a)을 덮는 위치에 코팅제를 집중시킬 수 있다.
이어서, 도포 공정을 실행한다(단계(S4)). 도포 공정에서는, 벌룬(3)이 팽창한 상태에서, 관통홀(60, 70)의 내주면 상에 벌룬을 누르면서 세밀하게 슬라이드 이동시킨다. 이에 의해, 벌룬(3)의 표면 상의 코팅제가 관통홀(60, 70)의 내주면 상에 도포된다. 또한, 도포 공정 후에, 코팅제를 건조시키는 건조 공정을 마련해도 된다.
도포 공정이 종료되면, 코팅 장치(1)를 관통홀(60, 70)로부터 빼내는 발출(拔出) 공정을 실행한다(단계(S5)). 이로써 실시 형태의 코팅 방법은 종료된다.
또한 코팅제는, 상기와 같이 삽입 공정 전에 벌룬(3)의 표면에 도포해 둠으로써, 가스 공급홀(60) 또는 관통홀(70)의 내주면 상에 부착시켜도 된다. 또한, 미리 다른 수단에 의해 코팅제를 가스 공급홀(60) 또는 관통홀(70) 내에 도입해 두고, 삽입한 벌룬(3)에 의해 내주면 상에 도포해도 된다. 접착층(38)의 단면(38a, 38b)은 내주면 상에서 오목부 또는 단차를 형성하고 있다. 이 때문에, 어느 경우라도, 코팅제가 부착된 벌룬(3)의 표면이 가스 공급홀(60) 또는 관통홀(70) 내의 내주면에 접촉한 상태에서 벌룬(3)을 움직임으로써, 단면(38a, 38b) 상에 코팅제를 도포할 수 있다.
또한 상기 실시 형태의 코팅 방법은, 오퍼레이터가 수동으로 실행하는 것으로 해도 되고, 플라즈마 처리 장치(10)의 제어부(90)에 기억된 프로그램에 따라, 제어부(90)가 자동으로 실행하는 것으로 해도 된다.
또한 상기 실시 형태의 코팅 방법에 있어서, 코팅 장치는 배치대(31)의 상방으로부터 삽입해도 하방으로부터 삽입해도 된다.
또한, 팽창 공정에서 벌룬(3)에 공급하는 가스는 온조(溫調) 가스로 해도 된다. 예를 들면, 정해진 온도까지 가열한 기체를 공급함으로써 열경화성의 코팅제를 경화시키도록 해도 된다.
또한, 도포 공정은 벌룬(3)을 움직이지 않고, 일정 기간 벌룬이 팽창한 상태를 유지하면서 관통홀(60, 70)의 내주면에 누름으로써 실행해도 된다. 이 경우, 벌룬(3)의 표면을 코팅제가 박리되기 쉬운 재료로 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 벌룬(3)의 재질은 실리콘, 나일론 등이어도 된다.
또한 상기 실시 형태에 있어서 이용하는 코팅제는, 내라디칼성이 있는 재료를 선택한다. 예를 들면 불화물을 코팅제로 이용할 수 있다. 또한 예를 들면, 열가소성, 열경화성의 재료가 바람직하다. 단, 플라즈마 처리에 있어서 배치대가 고온이 됨으로써, 내열성이 있는 재료가 바람직하다. 또한, 관통홀(60, 70) 내에서 정해진 위치에 코팅제를 체류시키기 위하여, 코팅제는 유동성이 낮은 재료가 바람직하다.
또한, 벌룬의 형상 및 재질은 관통홀 내부의 형상 및 관통홀의 직경에 따라 선택할 수 있다. 이 때문에, 본 실시 형태의 코팅 장치(1)를 이용하여, 다양한 형상 및 크기의 관통홀 내부를 코팅할 수 있다. 또한, 코팅 장치(1)가 구비하는 튜브(2)의 길이 또는 가이드(4)의 형상을 조정함으로써, 배치대 심부의 구조체에도 코팅할 수 있다.
도 8은 관통홀(60, 70)에 대한 코팅 장치(1)의 크기의 기준을 나타내는 도이다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 관통홀(60, 70)의 직경을 X로 한 경우, 코팅 장치(1) 중 벌룬(3) 상에 코팅제가 도포된 상태에서의 벌룬(3) 부분의 직경은 X / 2 정도가 바람직하다. 이 크기로 함으로써, 관통홀(60, 70)에의 벌룬(3)의 삽입이 용이해지고, 또한 팽창 시의 벌룬(3)을 관통홀(60, 70)의 내주면에 확실히 누를 수 있다. 또한, 관통홀(70)의 직경은 예를 들면 3 ~ 3.5 밀리미터 정도이다. 또한, 가스 공급홀(60)의 직경은 예를 들면 0.8 ~ 1 밀리미터 정도이다.
또한, 상기 실시 형태의 코팅 장치를 이용함으로써, 사용 중에 데미지가 생긴 플라즈마 처리 장치의 메인터넌스 시에, 접착층 부분을 재코팅하는 것도 가능하다.
(실시 형태의 효과)
상기와 같이, 실시 형태에 있어서의 배치대의 코팅 방법은, 삽입 공정과, 팽창 공정과, 도포 공정을 포함한다. 삽입 공정에 있어서, 제 1 단에 벌룬이 장착된 튜브를, 배치대의 배치면에서 개구하여 배치대를 관통하는 관통홀에 삽입한다. 그리고 팽창 공정에 있어서, 튜브의 제 1 단이 정해진 위치에 도달했을 때, 튜브의 제 2 단으로부터 당해 튜브 내로 기체를 공급함으로써 벌룬을 팽창시킨다. 도포 공정에 있어서, 팽창시킨 벌룬의 표면을 관통홀의 내주면에 눌러, 관통홀의 내주면에 코팅제를 도포한다. 이 때문에, 미리 구조물을 배치대 내에 배치할 필요가 없어, 배치대의 임의의 위치에 코팅을 실시할 수 있다. 또한 벌룬을 이용함으로써, 미세한 직경의 관통홀, 및 다양한 내주면 형상의 관통홀 내에 코팅을 실시할 수 있다. 또한 상기 코팅 방법에 의하면, 배치대 내부의 정전 척과 기대와의 사이에서 노출되는 접착층의 단면을 코팅할 수 있다. 이 때문에, 실시 형태의 코팅 방법에 의하면, 배치대의 접착 부분의 소모를 억제할 수 있다.
또한 상기 실시 형태의 코팅 방법은, 팽창 공정에 있어서, 튜브 내로 온조 가스를 공급한다. 이 때문에, 상기 코팅 방법에 의하면, 단시간에 관통홀 내의 코팅을 완료할 수 있다.
또한 상기 실시 형태의 코팅 방법은, 튜브의 제 1 단이 정해진 위치에 도달했는지 여부를, 튜브의 삽입 길이에 따라 판정하는 판정 공정을 더 포함한다. 이 때문에, 간편한 수단에 의해 벌룬 위치를 판정하여 코팅을 실행할 수 있다. 또한 벌룬 및 튜브의 형상에 따라서는, 벌룬의 선단 또는 가이드의 선단이 정해진 위치에 도달했는지 여부에 따라, 튜브의 제 1 단이 정해진 위치에 도달했는지 여부를 판정해도 된다.
또한 상기 실시 형태의 코팅 방법은, 튜브의 제 1 단이, 배치대의 정전 척과 기대를 접착하는 접착층의 노출 단면에 도달했을 때에 튜브의 제 1 단이 정해진 위치에 도달했다고 판정한다. 이 때문에, 상기 코팅 방법에 의하면, 플라즈마에 노출되어 소모되는 접착층을 코팅제에 의해 피복하여 보호할 수 있다.
또한 상기 실시 형태의 코팅 방법은, 도포 공정에 있어서, 벌룬의 표면을 관통홀의 내주면 중, 접착층의 노출 단면에 눌러, 코팅제를 도포한다. 이 때문에, 상기 코팅 방법에 의하면, 플라즈마에 노출되어 소모되는 접착층을 코팅제에 의해 피복하여 보호할 수 있다.
또한 상기 실시 형태의 코팅 방법은, 도포 공정에 있어서, 정해진 시간동안 벌룬의 표면을 관통홀의 내주면에 누른 상태로 유지한다. 이 때문에, 코팅제의 위치 및 표면의 상태를 벌룬 표면의 위치 및 형상에 맞추어 조정할 수 있다.
또한 상기 실시 형태의 코팅 방법에 있어서, 코팅제는 열가소성 또는 열경화성의 재료이다. 이 때문에, 접착층 부분에 있어서의 코팅제의 형상을 용이하게 조정할 수 있다.
또한 상기 실시 형태의 배치대는, 정전 척과, 기대와, 접착층과, 관통홀과, 피복부를 구비한다. 정전 척은 기판을 배치하는 배치면을 가진다. 기대는 정전 척을 지지한다. 접착층은 정전 척과 기대를 접착한다. 관통홀은 정전 척, 접착층 및 기대를 관통하고, 정전 척의 배치면에서 개구된다. 피복부는 관통홀 내에서 접착층을 덮는다. 이 때문에, 실시 형태의 배치대에 의하면, 관통홀 내에서 접착층이 플라즈마에 대하여 노출되는 것이 방지되어, 접착층의 소모를 억제할 수 있다.
또한 상기 실시 형태의 배치대에 있어서, 피복부는 코팅제이다. 이 때문에, 상기 실시 형태에 의하면, 용이하게 피복부를 형성하여 접착층의 소모를 억제할 수 있다.
또한 상기 실시 형태의 배치대에 있어서, 관통홀 내에 있어서, 접착층의 단면은 정전 척 및 기대 중 적어도 일방의 단면보다 오목한 오목부를 형성하고, 피복부는 접착층의 오목부를 매립하여 형성된다. 이와 같이, 피복부는 오목부를 매립하여 형성되기 때문에, 코팅제에 의해 피복부를 확실하게 형성할 수 있다.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기의 실시 형태는 첨부한 청구의 범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.

Claims (10)

  1. 제 1 단에 벌룬이 장착된 튜브를 배치대의 배치면에서 개구하여 상기 배치대를 관통하는 관통홀에 삽입하는 삽입 공정과,
    상기 튜브의 제 1 단이 정해진 위치에 도달했을 때, 상기 튜브의 제 2 단으로부터 상기 튜브 내로 기체를 공급함으로써 상기 벌룬을 팽창시키는 팽창 공정과,
    팽창시킨 상기 벌룬의 표면을 상기 관통홀의 내주면에 눌러, 상기 관통홀의 내주면에 코팅제를 도포하는 도포 공정
    을 포함하는, 배치대의 코팅 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 팽창 공정에 있어서, 상기 튜브 내로 온조 가스를 공급하는, 배치대의 코팅 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 튜브의 제 1 단이 정해진 위치에 도달했는지 여부를, 상기 튜브의 삽입 길이에 따라 판정하는 판정 공정을 더 포함하는, 배치대의 코팅 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 튜브의 제 1 단이 상기 배치대의 정전 척과 기대를 접착하는 접착층의 노출 단면에 도달했을 때에 상기 튜브의 제 1 단이 정해진 위치에 도달했다고 판정하는, 배치대의 코팅 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 도포 공정에 있어서, 상기 벌룬의 표면을 상기 관통홀의 내주면 중 상기 접착층의 노출 단면에 눌러, 상기 코팅제를 도포하는, 배치대의 코팅 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도포 공정에 있어서, 정해진 시간동안 상기 벌룬의 표면을 상기 관통홀의 내주면에 누른 상태로 유지하는, 배치대의 코팅 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 코팅제는 열가소성 또는 열경화성의 재료인, 배치대의 코팅 방법.
  8. 기판을 배치하는 배치면을 가지는 정전 척과,
    상기 정전 척을 지지하는 기대와,
    상기 정전 척과 상기 기대를 접착하는 접착층과,
    상기 정전 척, 상기 접착층 및 상기 기대를 관통하여, 상기 정전 척의 배치면에서 개구되는 관통홀과,
    상기 관통홀 내에 있어서 상기 접착층을 덮는 피복부
    를 구비하는, 배치대.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 피복부는 코팅제인, 배치대.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 관통홀 내에 있어서, 상기 접착층의 단면은 상기 정전 척 및 상기 기대 중 적어도 일방의 단면보다 오목한 오목부를 형성하고,
    상기 피복부는 상기 접착층의 오목부를 매립하여 형성되는,
    배치대.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58112067A (ja) * 1981-12-25 1983-07-04 Hakko Co Ltd 管のライニング装置
JP2013223540A (ja) * 2012-04-19 2013-10-31 Terumo Corp ステント被覆方法
WO2014149182A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for electrostatic chuck repair and refurbishment
JP6525793B2 (ja) * 2015-07-29 2019-06-05 京セラ株式会社 試料保持具

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017126534A1 (ja) 2016-01-19 2017-07-27 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置

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