KR20200113139A - 표시 장치 및 그 표시 장치의 제조 방법. - Google Patents

표시 장치 및 그 표시 장치의 제조 방법. Download PDF

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김선호
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Abstract

표시 장치가 제공된다. 표시 장치는 표시 영역 내에 관통홀을 포함하는 기판, 기판 상에 배치되는 애노드 전극, 애노드 전극 상에 배치되는 발광층과 발광층 상에 배치되는 캐소드 전극을 포함하는 소자층 및 소자층 상에 배치되는 제1무기층, 제1 무기층 상에 배치되는 유기층과 유기층 상에 배치되는 제2 무기층을 포함하는 박막봉지층을 포함한다. 제1무기층은 제1 경사각을 갖는 제1 굴절체들을 포함한다.

Description

표시 장치 및 그 표시 장치의 제조 방법. {DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 표시 장치 및 그 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display, OLED) 등과 같은 여러 종류의 표시 장치가 사용되고 있다. 그 중 유기발광 표시 장치는 자발광 소자로서 우수한 시야각을 가져 차세대 표시 장치로 주목받고 있다.
표시장치가 다양한 전자기기에 활용됨에 따라 표시장치의 형태를 설계하는데 있어서, 이미지를 제공하는 표시영역의 비율을 증가시키고 상대적으로 이미지가 제공되지 않는 주변영역을 감소시키는 기술의 요구가 증대되고 있다. 표시장치는 표시 영역 내에 카메라, 광감지 소자 및 열감지 소자 등의 전자소자가 배치되는 홀을 포함할 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 표시영역의 비율을 증가시키고 표시품질이 향상된 표시장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 내에 관통홀을 포함하는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 애노드 전극, 상기 애노드 전극 상에 배치되는 발광층과 상기 발광층 상에 배치되는 캐소드 전극을 포함하는 소자층 및 상기 소자층 상에 배치되는 제1무기층, 상기 제1 무기층 상에 배치되는 유기층과 상기 유기층 상에 배치되는 제2 무기층을 포함하는 박막봉지층을 포함한다. 상기 제1무기층은 제1 경사각을 갖는 제1 굴절체들을 포함한다.
상기 제1 굴절체들은 상기 캐소드 전극 상에 배치될 수 있다.
상기 제1 경사각은 상기 캐소드 전극의 상면에 수직한 가상의 선을 기준으로 기울어지는 정도를 나타낼 수 있다.
상기 제1 경사각이 클수록 상기 발광층으로부터 방출된 광의 경로가 크게 굴절될 수 있다.
상기 제1 무기층은 상기 제1 굴절체들 사이에 형성되는 제1 공동을 포함할 수 있다.
상기 제1 공동의 적어도 일부는 상기 유기층으로 채워질 수 있다.
상기 관통홀의 테두리를 따라 비표시 영역인 홀주변영역을 포함할 수 있다.
상기 발광층은 상기 표시 영역 내에 배치되는 제1 발광영역과 제2 발광영역 및 비표시 영역인 주변 영역에 배치되는 제3 발광영역을 포함할 수 있다.
상기 제1 발광영역으로부터 방출된 광은 상기 제1 굴절체들을 통과하여 상기 관통홀과 중첩되는 가상의 제1 발광영역으로 진행할 수 있다.
상기 제2 발광영역으로부터 방출된 광은 상기 제1 굴절체들을 통과하여 상기 홀주변영역과 중첩되는 가상의 제2 발광영역으로 진행할 수 있다.
상기 제3 발광영역으로부터 방출된 광은 상기 제1 굴절체들을 통과하여 상기 표시 영역과 중첩되는 가상의 제3 발광영역으로 진행할 수 있다.
상기 제2 무기층은 제2 경사각을 갖는 제2 굴절체들을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 경사각은 상기 제1 경사각과 동일할 수 있다.
상기 제2 경사각은 상기 제1 경사각과 상이하되, 상기 제2 경사각은 상기 제1 경사각보다 클 수 있다.
상기 제2 무기층 상에 배치되는 제3 무기층을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 무기층은 상기 제2 굴절체들 사이에 형성되는 제2 공동을 포함할 수 있다.
상기 제2 공동의 적어도 일부는 상기 제3 무기층으로 채워질 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 표시 영역 내에 관통홀을 포함하는 기판 상에 배치되는 애노드 전극, 상기 애노드 전극 상에 배치되는 발광층과 상기 발광층 상에 배치되는 캐소드 전극을 포함하는 소자층을 형성하는 단계 및 상기 소자층 상에 배치되는 박막봉지층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 박막봉지층을 형성하는 단계는, 제1 경사각을 갖는 제1 굴절체들을 포함하는 제1 무기층을 형성하는 단계, 상기 제1 무기층 상에 배치되는 유기층을 형성하는 단계 및 상기 유기층 상에 배치되는 제2 무기층을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 제1 무기층을 형성하는 단계는, 소스(S)가 방출되는 면에 수직한 가상의 선과 기판(SUB)의 상면이 이루는 각도를 일정하게 유지한 채 성막할 수 있다.
상기 제1 무기층을 형성하는 단계는, 방착판을 이용하여, 제1 방향성을 갖는 제1 굴절체들을 형성한 후, 상기 기판을 회전하여, 상기 제1 방향성과 다른 제2 방향성을 갖는 제1 굴절체들을 형성할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 표시영역의 비율이 증가되고 표시품질이 향상된 표시장치를 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 Y1-Y1'을 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 1의 Y3-Y3'를 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 4는 도 2 및 도 3에 도시된 터치센서의 확대된 단면도이다.
도 5는 도 2 및 도 3에 도시된 상부절연층의 확대된 단면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 표시장치가 포함하는 표시패널의 개략적인 평면도이다.
도 7은 도 6에 도시된 화소의 예시적인 등가회로도이다.
도 8은 도 7에 도시된 화소의 개략적인 단면도이다.
도 9는 다른 실시예에 따른 표시장치가 포함하는 터치센서의 개략적인 평면도이다.
도 10은 도 9의 R1부분을 확대한 평면도이다.
도 11은 일 실시예에 따른 도 3에 도시된 소자층 및 박막 봉지층(TFE)의 확대된 단면도이다.
도 12는 일 실시예에 따른 도 11의 A 영역을 확대하여 나타낸 도면이다.
도 13은 다른 실시예에 따른 도 3에 도시된 소자층 및 박막 봉지층(TFE)의 확대된 단면도이다.
도 14는 다른 실시예에 따른 도 13의 A 영역을 확대하여 나타낸 도면이다.
도 15는 다른 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 평면도이다.
도 16은 다른 실시예에 따른 도 3에 도시된 소자층 및 박막 봉지층의 확대된 단면도이다.
도 17은 다른 실시예에 따른 도 16의 A 영역을 확대하여 나타낸 도면이다.
도 18은 다른 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 평면도이다.
도 19는 도 18의 Y9-Y9'을 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 20 및 도 21은 빗각 증착법(oblique angle deposition) 또는 글랜싱 앵글 증착법(glancing angle deposition)에 따른 굴절체 형성방법에 관한 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않는 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", 하부(lower)", "위(above)", "위(on)", "상(on)", "상부(upper)"등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소 들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위"에 놓여 질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있으며, 이 경우 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
명세서 전체를 통하여 동일하거나 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 평면도이다. 도 2는 도 1의 Y1-Y1'을 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 단면도이다. 도 3은 도 1의 Y3-Y3'를 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 단면도이다. 도 4는 도 2 및 도 3에 도시된 터치센서의 확대된 단면도이다. 도 5는 도 2 및 도 3에 도시된 상부절연층의 확대된 단면도이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시장치(1)는 제1방향(x)으로 연장된 양 단변, 제1방향(x)과 교차하는 제2방향(y)으로 연장된 양 장변을 포함할 수 있다. 표시장치(1)의 장변과 단변이 만나는 모서리는 곡면을 이룰 수 있다. 이외에도 표시장치(1)의 평면 형상은 예시된 것에 제한되지 않고, 원형이나 기타 다른 형상일 수도 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시장치(1)가 적용된 예로써 휴대용 단말기를 도시하였다. 휴대용 단말기는 태블릿 PC, 스마트폰, PDA(Personal Digital Assistant), PMP(Portable Multimedia Player), 게임기, 손목 시계형 전자 기기 등을 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명은 표시장치(1)의 구체적인 종류에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 본 발명의 다른 실시 예에서는 표시장치(1)가 텔레비전 또는 외부 광고판과 같은 대형 전자 장비를 비롯하여, 퍼스널 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 자동차 네비게이션 장치, 스마트 와치, 카메라와 같은 중소형 전자 장비 등에 사용될 수 있다.
다른 정의가 없는 한, 본 명세서에서 "상", "상측", "상부", "탑", "상면"은 도면을 기준으로 제1방향(x) 및 제2방향(y)과 교차하는 제3방향(z)의 화살표가 향하는 측을 의미하고, "하", "하측", "하부", "바텀", "하면"은 도면을 기준으로 제3방향(z)의 화살표가 향하는 방향의 반대 방향측을 의미하는 것으로 한다.
표시장치(1)는 평면 구조로 볼 때, 이미지가 표시되는 표시영역(D-DA) 및 표시영역(D-DA)에 인접한 주변영역(D-NDA)을 포함한다. 표시영역(D-DA)은 이미지가 표시되는 영역이며, 주변영역(D-NDA)은 대부분 이미지가 표시되지 않는 영역일 수 있다. 몇몇 실시예에서 주변영역(D-NDA) 중 표시영역(D-DA)에 인접한 영역에서는 이미지가 표시될 수 있다.
몇몇 실시예에서 표시영역(D-DA)은 대체로 사각 형상일 수 있다. 몇몇 실시예에서 표시영역(D-DA)의 모서리는 도 1에 도시된 바와 같이 평면 상에서 곡선 형상 또는 라운드진 형상으로 이루어질 수 있다.
주변영역(D-NDA)은 표시영역(D-DA)을 둘러쌀 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 표시영역(D-DA)의 형상과 주변영역(D-NDA)의 형상은 상대적으로 디자인될 수 있다.
표시장치(1)는 표시 영역(D-DA)내에 관통홀(TH)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 관통홀(TH)은 표시장치(1)의 장변과 단변이 만나는 일 모서리의 근처에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 관통홀(TH)은 표시장치(1)를 제3방향(z)을 따라 관통할 수 있으며, 관통홀(TH)에는 전자소자(EMD)가 배치될 수 있다. 몇몇 실시예에서 전자소자(EMD)는 카메라 소자, 스피커 소자, 광감지 소자, 열감지 소자, 마이크 소자 등일 수 있다.
몇몇 실시예에서 관통홀(TH)의 평면 형상은 도면에 도시된 바와 같이 원형일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 관통홀(TH)의 평면 형상은 다각형, 직선과 곡선의 조합형상, 타원형 등 다양하게 변형될 수 있다. 표시장치(1)는 평면 구조로 볼 때, 이미지가 표시되는 표시영역(D-DA) 및 표시영역(D-DA)의 외측에 인접한 주변영역(D-NDA1)을 포함한다. 또한 표시장치(1)는 관통홀(TH)을 감싸는 홀주변영역(D-NDA2)을 더 포함한다.
표시영역(D-DA)은 이미지가 표시되는 영역이고, 주변영역(D-NDA1) 및 홀주변영역(D-NDA2)은 대부분 이미지가 표시되지 않는 영역일 수 있다. 몇몇 실시예에서 주변영역(D-NDA) 및 홀주변영역(D-NDA2) 중 표시영역(D-DA1)에 인접한 영역에서는 이미지가 표시될 수 있다.
주변영역(D-NDA1)은 표시영역(D-DA)을 둘러쌀 수 있으며, 표시영역(D-DA)은 홀주변영역(D-NDA2)을 둘러쌀 수 있다.
적층 구조로 살펴보면, 표시장치(1)는 표시패널(DP), 표시패널(DP) 상에 위치하는 터치센서(TSL) 및 터치센서(TSL) 상에 위치하는 커버 윈도우(CW)를 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 표시패널(DP)은 자발광소자를 포함하는 표시 패널일 수 있다. 예시적인 실시예에서 상기 자발광소자는 유기발광소자(Organic Light Emitting Diode), 양자점 발광소자(Quantum dot Light Emitting Diode), 무기물 기반의 마이크로 발광 다이오드(예컨대 Micro Light Emitting Diode), 무기물 기반의 나노 발광 다이오드(예컨대 Nano Light Emitting Diode) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 상기 자발광소자가 유기발광소자인 경우를 예로서 설명한다.
표시패널(DP)은 적층구조로 볼 때, 제1기판(110), 제1기판(110) 상에 위치하는 소자층(DSL) 및 소자층(DSL) 상에 위치하는 상부 절연층(TFL)을 포함할 수 있다.
제1기판(110)은 소자층(DSL)을 지지하는 기판이다. 몇몇 실시예에서 제1기판(110)은 유리, 석영, 세라믹, 또는 플라스틱 등으로 이루어진 절연기판일 수 있다.
소자층(DSL)은 제1기판(110) 상에 위치한다. 몇몇 실시예에서 소자층(DSL)은 제1기판(110) 상에 위치하는 복수의 화소 및 복수의 표시 신호선을 포함할 수 있다. 각 화소는 후술하는 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT), 축전기(capacitor), 발광 소자를 포함할 수 있다. 상기 복수의 표시 신호선은 상기 각 화소에 주사 신호를 전달하는 주사라인 및 데이터 신호를 전달하는 데이터라인을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 소자층(DSL)이 포함하는 화소들은 표시영역(D-DA) 내에 위치할 수 있으며, 화소 중 일부는 주변영역(D-NDA)에 더 위치할 수 있다.
소자층(DSL)은 제1기판(110) 상에 위치하되 주변영역(D-NDA) 내에 위치하는 소자들 및 배선들을 더 포함할 수 있다. 그리고 상기 소자들 및 배선들은 화소들에 인가되는 각종 신호들을 생성하거나 해당 신호들을 상기 화소들에 전달할 수 있다.
소자층(DSL) 상에는 상부 절연층(TFL)이 위치할 수 있다. 상부 절연층(TFL)은 소자층(DSL)을 보호할 수 있다.
상부 절연층(TFL)은 박막 봉지층(TFE)을 포함하며, 캡핑층(CPL)을 더 포함할 수 있다.
상부 절연층(TFL)은 복수 개의 박막들을 포함할 수 있다. 본 실시예와 같이 상부 절연층(TFL)은 캡핑층(CPL)과 박막 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다. 박막 봉지층(TFE)은 제1 무기층(IOL1), 유기층(OL), 및 제2 무기층(IOL2)을 포함할 수 있다.
캡핑층(CPL)은 소자층(DSL) 상에 위치할 수 있으며, 몇몇 실시예에서 소자층(DSL)의 캐소드 전극 상에 배치될 수 있다. 몇몇 실시예에서 캡핑층(CPL)은 상기 캐소드 전극과 접촉할 수 있다. 캡핑층(CPL)은 유기물질을 포함할 수 있다.
박막 봉지층(TFE)은 제1 무기층(IOL1), 유기층(OL), 및 제2 무기층(IOL2)을 포함할 수 있다.
제1 무기층(IOL1)은 캡핑층(CPL) 상에 배치되고 캡핑층(CPL)에 접촉한다. 유기층(OL)은 제1 무기층(IOL1) 상에 배치되고 제1 무기층(IOL1)에 접촉한다. 제2 무기층(IOL2)은 유기층(OL) 상에 배치되고 유기층(OL)에 접촉한다.
캡핑층(CPL)은 후속의 공정 예컨대 스퍼터링 공정으로부터 상기 캐소드 전극을 보호하고, 발광 소자의 출광효율을 향상시킨다.
제1 무기층(IOL1) 및 제2 무기층(IOL2)은 수분/산소로부터 소자층(DSL)을 보호하고, 유기층(OL)은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 소자층(DSL)을 보호한다. 제1 무기층(IOL1) 및/또는 제2 무기층(IOL2)은 일정한 경사각을 갖는 굴절체를 포함할 수 있다. 일정한 경사각을 갖는 굴절체로 인해 제1 무기층(IOL1) 및/또는 제2 무기층(IOL2)을 통과하는 빛의 경로가 변경될 수 있다. 이에 대해서는 후술한다.
표시패널(DP) 상에는 터치센서(TSL)가 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 터치센서(TSL)는 정전용량 방식으로 터치입력지점의 좌표를 획득할 수 있다. 상기 정전용량 방식은 자기 정전용량(self capacitance) 방식 또는 상호 정전용량(mutual capacitance) 방식으로 터치된 지점의 좌표정보를 획득할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위해 터치센서(TSL)가 상호 정전용량 방식의 구조로 이루어진 경우를 예시로 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
몇몇 실시예에서 터치센서(TSL) 중 표시영역(D-DA) 내에 위치하는 부분은 터치 전극(도시되지 않음)을 포함할 수 있으며, 터치센서(TSL) 중 주변영역(D-NDA) 내에 위치하는 부분은 상기 터치 전극에 신호를 송신 및/또는 수신하는 터치 신호선(도시되지 않음), 상기 터치 신호선과 연결된 터치패드부(도시되지 않음) 를 포함할 수 있다. 터치센서(TSL)는 상부 절연층(TFL) 상에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 터치센서(TSL)는 박막 봉지층(TFE) 상에 위치할 수 있으며, 박막 봉지층(TFE)과 터치센서(TSL) 사이에는 별도의 결합층(예컨대 접착층 등)이 위치하지 않을 수 있다. 예시적으로, 터치센서(TSL)의 상기 터치 전극, 상기 터치 신호선, 상기 터치패드부 중 적어도 어느 하나는 박막 봉지층(TFE)의 바로 위에 위치할 수 있다. 또는 터치센서(TSL)와 박막 봉지층(TFE) 사이에 별도의 절연막이 위치하는 경우, 터치센서(TSL)의 상기 터치 전극, 상기 터치 신호선, 상기 터치패드부 중 적어도 어느 하나는 박막 봉지층(TFE) 상의 상기 절연막 바로 위에 위치할 수도 있다.
터치센서(TSL)의 적층구조를 살펴보면 몇몇 실시예에서 터치센서(TSL)는, 도 4에 도시된 바와 같이 제1도전층(ML1), 절연층(IL) 및 제2도전층(ML2)을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1도전층(ML1) 및 제2도전층(ML2)은 광투과성을 갖는 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예시적으로 광투과성을 갖는 도전성 물질로는 은나노와이어(AgNW), ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Antimony Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), 및 SnO2(Tin Oxide), 카본나노튜브(Carbon Nano Tube), 그래핀(graphene), 전도성 고분자(예시적으로 PEDOT) 등을 들 수 있다. 또는 제2도전층(ML2)은 광투과성이 확보된다면 금속이나 이들의 합금과 같은 도전성 물질을 포함할 수도 있다. 상기 금속으로는 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 구리(Cu), 백금(Pt) 등을 들 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2도전층(ML2)이 금속 또는 이들의 합급으로 이루어지는 경우, 제2도전층(ML2)은 사용자에게 시인되는 것을 방지하기 위해 메쉬(mesh) 구조로 이루어질 수도 있다.
제1도전층(ML1)과 제2도전층(ML2) 사이에는 절연층(IL)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 절연층(IL)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 상기 절연물질은 무기 절연물질 또는 유기 절연물질일 수 있다. 상기 무기 절연물질은 알루미늄 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄 옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 유기 절연물질은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
커버 윈도우(CW)는 표시패널(DP) 상에 배치되며, 표시패널(DP)을 외부의 충격 등으로부터 보호한다. 커버 윈도우(CW)는 투명한 재질, 예를 들어 강화 유리 또는 플라스틱 소재의 필름으로 구현될 수 있다.
도 6은 일 실시예에 따른 표시장치가 포함하는 표시패널의 개략적인 평면도이다. 도 7은 도 6에 도시된 화소의 예시적인 등가회로도이다. 도 8은 도 7에 도시된 화소의 개략적인 단면도이다.
도 6 내지 도 8을 참조하면, 표시패널(DP) 또는 제1기판(110)에는 도 1에 도시된 표시장치(1)의 표시영역(D-DA), 주변영역(D-NDA1) 및 홀주변영역(D-NDA2)에 대응하는 표시영역(DA), 주변영역(NDA1) 및 홀주변영역(NDA2)이 정의될 수 있다. 본 실시예에서 영역과 영역이 대응한다는 것은 서로 중첩한다는 것을 의미하고 동일한 면적을 갖는 것으로 제한되지 않는다.
제1기판(110)의 가장자리(es1)는 모서리측에 라운드진 부분(esr1)을 포함할 수 있다. 또한 제1기판(110)은 관통홀(TH) 주변에 관통홀(TH)을 정의하는 홀 가장자리(et1)를 더 포함할 수 있다.
표시패널(DP)의 표시영역(DA)과 주변영역(NDA1) 간의 경계(eb1)는 모서리측에 라운드진 부분(eb1a)을 포함할 수 있다. 또한 표시패널(DP1)의 표시영역(DA)과 홀주변영역(NDA2) 간의 경계(eb1c)는 라운드진 부분을 포함할 수 있으며, 전체적인 형상은 관통홀(TH)의 평면형상과 실질적으로 동일한 형상, 예시적으로 원형일 수 있다.
표시영역(DA)에서 제1기판(110) 상에는 복수개의 신호라인들(SGL), 복수개의 화소들(PX)이 위치할 수 있다. 주변영역(NDA1)에서 제1기판(110) 상에는 신호패드들(DPD)이 위치할 수 있다. 화소들(PX)의 대부분은 표시영역(DA) 내에 위치할 수 있다. 화소들(PX) 중 일부는 주변영역(NDA1) 내에 위치할 수 있으며, 화소들(PX) 중 다른 일부는 홀주변영역(NDA2) 내에 위치할 수 있다.
신호라인들(SGL), 화소들(PX) 및 신호패드들(DPD)은 소자층(DSL)에 포함될 수 있다.
복수 개의 신호라인들(SGL)은 주사 라인들(GL), 데이터 라인들(DL) 및 전원 라인(PL)을 포함할 수 있다.
주사 라인들(GL)은 복수 개의 화소들(PX) 중 대응하는 화소(PX)에 각각 연결되어 화소(PX)에 주사 신호를 전달한다.
데이터 라인들(DL)은 복수 개의 화소들(PX) 중 대응하는 화소(PX)에 각각 연결되어 화소(PX)에 데이터 신호를 전달한다.
전원 라인(PL)은 복수 개의 화소들(PX)에 연결되어 화소(PX)에 구동전압을 전달한다.
신호패드들(DPD)은 주변영역(NDA)에 배치되고, 신호라인들(SGL), 예시적으로 데이터 라인들(DL) 각각과 연결될 수 있다. 신호패드들(DPD)은 외부로부터 데이터 신호를 수신할 수 있다.
몇몇 실시예에서 각 주사라인(GL)은 제1방향(x)을 따라 연장되고, 데이터라인(DL)은 제2방향(y)을 따라 연장될 수 있다. 몇몇 실시예에서 전원라인(PL)은 데이터라인(DL)과 동일한 제2방향(y)을 따라 연장될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 7에는 어느 하나의 주사라인(GL), 어느 하나의 데이터라인(DL), 전원라인(PL), 및 이들에 연결된 화소(PX)를 도시하였다. 화소(PX)의 구성은 도 7에 제한되지 않고 변형되어 실시될 수 있다.
발광소자(ELD)는 전면 발광형 다이오드이거나, 배면 발광형 다이오드일 수 있다. 화소(PX)는 발광소자(ELD)를 구동하기 위한 화소 구동회로로써 제1 트랜지스터(T1, 또는 스위칭 트랜지스터), 제2 트랜지스터(T2, 또는 구동 트랜지스터), 및 커패시터(Cst)를 포함한다. 제1 전원 전압(ELVDD)은 제2 트랜지스터(T2)에 제공되고, 제2 전원 전압(ELVSS)은 발광소자(ELD)에 제공된다. 제2 전원 전압(ELVSS)은 제1 전원 전압(ELVDD) 보다 낮은 전압일 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 주사라인(GL)에 인가된 주사 신호에 응답하여 데이터라인(DL)에 인가된 데이터 신호를 출력한다. 커패시터(Cst)는 제1 트랜지스터(T1)로부터 수신한 데이터 신호에 대응하는 전압을 충전한다. 제2 트랜지스터(T2)는 유기 발광 소자(OLED)에 연결된다. 제2 트랜지스터(T2)는 커패시터(Cst)에 저장된 전하량에 대응하여 발광소자(ELD)에 흐르는 구동전류를 제어한다.
등가회로는 하나의 일 실시예에 불과하며 이에 제한되지 않는다. 화소(PX)는 복수 개의 트랜지스터들을 더 포함할 수 있고, 더 많은 갯수의 커패시터들을 포함할 수 있다. 발광소자(ELD)는 전원라인(PL)과 제2 트랜지스터(T2) 사이에 접속될 수도 있다.
몇몇 실시예에서 발광소자(ELD)는 상술한 바와 같이 유기발광소자일 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 발광소자(ELD)는 양자점 발광소자, 무기물 기반의 마이크로 발광다이오드, 무기물 기반의 나노 발광 다이오드 중 어느 하나일 수도 있다.
도 8은 도 7에 도시된 등가회로에 대응하는 표시패널(DP)의 부분 단면을 도시하였으며, 박막 봉지층(TFE) 및 터치센서(TSL)도 함께 도시하였다.
제1기판(110) 상에는 버퍼막(BFL)이 배치될 수 있다.
버퍼막(BFL) 상에는 제1 트랜지스터(T1)의 반도체 패턴(OSP1: 이하 제1 반도체 패턴), 제2 트랜지스터(T2)의 반도체 패턴(OSP2: 이하 제2 반도체 패턴)이 배치될 수 있다. 제1 반도체 패턴(OSP1) 및 제2 반도체 패턴(OSP2)은 아몰포스 실리콘, 폴리 실리콘, 금속 산화물 반도체에서 선택될 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 반도체 패턴(OSP1)과 제2 반도체 패턴(OSP2) 중 어느 하나는 폴리 실리콘으로 이루어지고, 제1 반도체 패턴(OSP1)과 제2 반도체 패턴(OSP2) 중 다른 하나는 금속 산화물 반도체로 이루어질 수도 있다.
제1 반도체 패턴(OSP1) 및 제2 반도체 패턴(OSP2) 상에는 제1 중간 무기막(111)이 배치된다. 제1 중간 무기막(111) 상에는 제1 트랜지스터(T1)의 제어전극(GE1: 이하, 제1 제어전극) 및 제2 트랜지스터(T2)의 제어전극(GE2: 이하, 제2 제어전극)이 배치된다. 제1 제어전극(GE1)과 제2 제어전극(GE2)이 동일한 층에 위치하는 경우, 제1 제어전극(GE1) 및 제2 제어전극(GE2)은 주사라인들(GL, 도 4 참조)과 동일한 포토리소그래피 공정에 따라 제조될 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 제어전극(GE1)과 제2 제어전극(GE2)은 서로 다른 층에 위치할 수도 있다. 이러한 경우 제1 제어전극(GE1)과 제2 제어전극(GE2) 중 어느 하나만이 주사라인들(GL, 도 4 참조)과 동일한 포토리소그래피 공정에 따라 제조될 수도 있다.
제1 중간 무기막(111) 상에는 제1 제어전극(GE1) 및 제2 제어전극(GE2)을 커버하는 제2 중간 무기막(112)이 배치된다. 제2 중간 무기막(112) 상에 제1 트랜지스터(T1)의 입력전극(DE1: 이하, 제1 입력전극) 및 출력전극(SE1: 제1 출력전극), 제2 트랜지스터(T2)의 입력전극(DE2: 이하, 제2 입력전극) 및 출력전극(SE2: 제2 출력전극)이 배치된다.
제1 입력전극(DE1)과 제1 출력전극(SE1)은 제1 중간 무기막(111) 및 제2 중간 무기막(112)을 관통하는 제1 관통홀(CH1)과 제2 관통홀(CH2)을 통해 제1 반도체 패턴(OSP1)에 각각 연결된다. 제2 입력전극(DE2)과 제2 출력전극(SE2)은 제1 중간 무기막(111) 및 제2 중간 무기막(112)을 관통하는 제3 관통홀(CH3)과 제4 관통홀(CH4)을 통해 제2 반도체 패턴(OSP2)에 각각 연결된다. 한편, 본 발명의 다른 실시예에서 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2) 중 일부는 바텀 게이트 구조로 변형되어 실시될 수 있다.
제2 중간 무기막(112) 상에 제1 입력전극(DE1), 제2 입력전극(DE2), 제1 출력전극(SE1), 및 제2 출력전극(SE2)을 커버하는 중간 유기막(113)이 배치된다. 중간 유기막은 평탄면을 제공할 수 있다.
중간 유기막(113) 상에는 화소 정의막(PDL) 및 발광소자(ELD)가 위치할 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 유기물질을 포함할 수 있다. 중간 유기막(113) 상에 애노드 전극(AE)이 배치된다. 애노드 전극(AE)은 중간 유기막(30)을 관통하는 제5 관통홀(CH5)을 통해 제2 출력전극(SE2)에 연결된다. 화소 정의막(PDL)에는 개구부(OPN)가 정의된다. 화소 정의막(PDL)의 개구부(OPN)는 애노드 전극(AE)의 적어도 일부분을 노출시킨다. 본 발명의 일 실시예에서 화소 정의막(PDL)은 생략될 수도 있다.
화소(PX)는 표시영역(DA)에 배치될 수 있다. 표시영역(DA)은 발광영역(PXA)과 발광영역(PXA)에 인접한 비발광영역(NPXA)을 포함할 수 있다. 비발광영역(NPXA)은 발광영역(PXA)을 둘러 쌀 수 있다. 본 실시예에서 발광영역(PXA)은 개구부(OPN)에 의해 노출된 애노드 전극(AE)의 일부영역에 대응하게 정의되었다.
본 발명의 일 실시예에서 발광영역(PXA)은 제1 및 제2 트랜지스터들(T1, T2) 중 적어도 하나에 중첩할 수 있다. 개구부(OPN)가 더 넓어지고, 애노드 전극(AE), 및 후술하는 발광층(EML)도 더 넓어질 수 있다.
정공 제어층(HCL)은 발광영역(PXA)과 비발광영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 별도로 도시되지 않았으나, 정공 제어층(HCL)과 같은 공통층은 화소들(PX, 도 3 참조)에 공통으로 형성될 수 있다.
정공 제어층(HCL) 상에 발광층(EML)이 배치된다. 발광층(EML)은 소정의 유색 컬러광을 생성할 수 있다. 발광층(EML)은 개구부(OPN)에 대응하는 영역에 배치될 수 있다. 즉, 발광층(EML)은 화소들(PX) 각각에 분리되어 형성될 수 있다.
발광소자(ELD)가 유기발광소자인 경우, 발광층(EML)은 유기물질을 포함할 수 있다. 즉, 몇몇 실시예에서 발광층(EML)은 유기발광층일 수 있다.
발광소자(ELD)가 양자점 발광소자인 경우, 발광층(EML)은 양자점 물질을 포함할 수 있다. 즉, 발광층(EML)은 양자점 발광층일 수 있다.
양자점의 코어는 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다. 양자점은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다.
또한, 양자점의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.
양자점은 입자 크기에 따라 방출하는 광의 색상을 조절할 수 있으며, 이에 따라 양자점은 청색, 적색, 녹색 등 다양한 발광 색상을 가질 수 있다.
본 실시예에서 패터닝된 발광층(EML)을 예시적으로 도시하였으나, 발광층(EML)은 화소들(PX)에 공통적으로 배치될 수도 있다. 이때, 발광층(EML)은 백색 광을 생성할 수도 있다. 또한, 발광층(EML)은 텐덤(tandem)이라 지칭되는 다층구조를 가질 수도 있다.
발광층(EML) 상에 전자 제어층(ECL)이 배치된다. 별도로 도시되지 않았으나, 전자 제어층(ECL)은 화소들(PX)에 공통으로 형성될 수 있다.
전자 제어층(ECL) 상에 캐소드 전극(CE)이 배치된다. 캐소드 전극(CE)은 화소들(PX)에 공통적으로 배치된다.
캐소드 전극(CE) 상에는 박막 봉지층(TFE)이 위치할 수 있다. 박막 봉지층(TFE)은 제1 무기층(IOL1), 유기층(OL), 및 제2 무기층(IOL2)을 포함할 수 있다. 박막 봉지층(TFE) 상에는 상술한 터치센서(TSL)가 위치할 수 있다.
발광영역(PXA) 내에 위치하는 애노드 전극(AE), 정공 제어층(HCL), 발광층(EML), 전자 제어층(ECL) 및 캐소드 전극(CE)은 발광소자(ELD)를 이룰 수 있다.
즉, 발광소자(ELD)는 애노드 전극(AE), 정공 제어층(HCL), 발광층(EML), 전자 제어층(ECL) 및 캐소드 전극(CE)이 모두 발광영역(PXA) 내에 위치하는 부분으로 정의될 수 있다.
도 9는 다른 실시예에 따른 표시장치가 포함하는 터치센서의 개략적인 평면도이다. 도 10은 도 9의 R1부분을 확대한 평면도이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 터치센서(TSL)는 박막 봉지층(TFE) 상에 위치한다. 즉, 박막 봉지층(TFE)은 터치센서(TSL)의 베이스층으로 기능할 수 있다.
제1기판(110)과 유사하게 박막 봉지층(TFE)의 가장자리(es2)는 모서리측에 라운드진 부분(esr2)을 포함할 수 있다. 또한 박막 봉지층(TFE)은 관통홀(TH) 주변에 관통홀(TH)을 정의하는 홀 가장자리(et2)를 더 포함할 수 있다.
박막 봉지층(TFE)의 가장자리(es2)와 제1기판(110)의 가장자리(es1)는 제3방향(z)을 따라 실질적으로 정렬될 수 있으며, 박막 봉지층(TFE)의 홀 가장자리(et2)와 제1기판(110)의 홀 가장자리(st1)는 제3방향(z)을 따라 실질적으로 정렬될 수 있다.
터치센서(TSL)에는 감지 영역(SA), 비감지 영역(NSA1) 및 홀 비감지 영역(NSA2)이 정의된다. 감지 영역(SA)은 터치센서(TSL) 중 터치 입력을 감지하는 영역이고, 비감지 영역(NSA1) 및 홀 비감지 영역(NSA2)은 터치 입력을 감지하지 못하는 영역일 수 있다.
감지 영역(SA)은 도 1에 도시된 표시장치(1)의 표시영역(D-DA) 또는 도 6에 도시된 표시패널(DP)의 표시영역(DA)에 대응할 수 있다. 비감지 영역(NSA1)은 도 1에 도시된 표시장치(1)의 주변영역(D-NDA1) 또는 도 6에 도시된 표시패널(DP)의 주변영역(NDA1)에 대응할 수 있다. 또한 홀 비감지 영역(NSA2)은 도 1에 도시된 표시장치(1)의 홀주변영역(D-NDA2) 또는 도 6에 도시된 표시패널(DP)의 홀주변영역(NDA2)에 대응할 수 있다.
감지 영역(SA)과 비감지 영역(NSA1) 간의 경계(eb2)는 모서리측에 라운드진 부분(eb2a)을 포함할 수 있다. 또한 감지 영역(SA)과 홀 비감지 영역(NSA2) 간의 경계(eb2c)는 라운드진 부분을 포함할 수 있으며, 전체적인 형상은 관통홀(TH)의 평면형상과 실질적으로 동일한 형상, 예시적으로 원형일 수 있다.
몇몇 실시예에서 감지 영역(SA)과 비감지 영역(NSA1) 간의 경계(eb2)와 표시패널(DP)의 표시영역(DA)과 주변영역(NDA1) 간의 경계(eb1)는 제3방향(z)을 따라 실질적으로 정렬될 수 있다. 또한 감지 영역(SA)과 홀 비감지 영역(NSA2) 간의 경계(eb2c)는 제3방향(z)을 따라 표시패널(DP)의 표시영역(DA)과 홀주변영역(NDA2) 간의 경계(eb1c)와 실질적으로 정렬될 수 있다.
터치센서(TSL)는 제1전극부(310) 및 제2전극부(330)를 포함할 수 있다. 또한 터치센서(TSL)는 터치신호선들(901, 903) 및 터치 패드부(TPD1, TPD2)를 더 포함할 수 있다.
제1전극부(310), 제2전극부(330)는 감지 영역(SA) 내에 위치할 수 있으며, 터치패드부(TPD1, TPD2) 및 터치신호선들(901, 903)은 비감지 영역(NSA) 내에 위치할 수 있다. 관통홀(TH) 주변에서 제1연결부(313) 및 제2연결부(333)는 홀 비감지 영역(NSA2) 내에 위치할 수 있다.
홀 비감지 영역(NSA2)에서 관통홀(TH)을 사이에 두고 제1방향(x)을 따라 이격된 두개의 제2터치전극(331)은, 관통홀(TH)의 주변을 우회하는 제2연결부(333)를 매개로 서로 연결될 수 있다. 또한 홀 비감지 영역(NSA2)에서 관통홀(TH)을 사이에 두고 제2방향(y)을 따라 이격된 두개의 제1터치전극(311)은, 관통홀(TH)의 주변을 우회하는 제1연결부(313)를 매개로 서로 연결될 수 있다.
제1연결부(313)와 제1터치전극(311)은 서로 다른 층에 위치하는 바, 제1터치전극(311)은 절연층(IL)에 형성된 컨택홀(CNTH)을 통해 제1연결부(313)와 연결될 수 있다.
이하, 제1 무기층(IOL1) 및/또는 제2 무기층(IOL2)에 형성되는 굴절체(TC)에 대하여 설명한다.
도 11은 일 실시예에 따른 도 3에 도시된 소자층 및 박막 봉지층(TFE)의 확대된 단면도이다. 도 12는 일 실시예에 따른 도 11의 A 영역을 확대하여 나타낸 도면이다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 제1기판(110) 상에 배치된 소자층(DSL)은 애노드 전극(AE), 발광층(EML) 및 캐소드 전극(CE)을 포함할 수 있다. 캐소드 전극(CE) 상에는 박막 봉지층(TFE)이 배치될 수 있다. 박막 봉지층(TFE) 상에는 터치센서(TSL)가 배치될 수 있다. 제1기판(110), 소자층(DSL), 박막 봉지층(TFE) 및 터치센서(TSL)를 제3방향(z)으로 관통하는 관통홀(TH) 내에 전자소자(EMD)가 배치될 수 있다. 터치센서(TSL) 상에는 커버 윈도우(CW)가 배치될 수 있다. 커버 윈도우(TW)는 관통홀(TH) 상에도 배치되므로, 전자소자(EMD)가 외부로 노출되는 것을 방지할 수 있다.
관통홀(TH)을 제외한 표시영역(D-DA)은 이미지가 표시되는 영역이고, 주변영역(D-NDA1) 및 홀주변영역(D-NDA2)은 대부분 이미지가 표시되지 않는 영역일 수 있다. 관통홀(TH) 및 홀주변영역(D-NDA2)은 이미지가 표시되지 않는 비발광 영역으로서 전면 시인 시 암점 혹은 불량 발생부처럼 인식될 수 있다. 관통홀(TH) 및 홀주변영역(D-NDA2) 상에 인접한 발광영역(PXA)에서 발광되는 광의 경로를 변경하는 경우, 관통홀(TH) 및 홀주변영역(D-NDA2)에 가상의 발광영역(PXA')을 형성할 수 있다.
박막 봉지층(TFE)은 제1 무기층(IOL1), 유기층(OL) 및 제2 무기층(IOL2)을 포함할 수 있다. 제1무기층(IOL1)은 수분(H2O) 또는 산소(O2)와 같은 이물질의 투과를 방지할 수 있으며, 제1무기물을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1무기물은 AlOx, TiO2, ZrO, SiO2, AlON, SiON, ZnO, 및 Ta2O5 중 하나 이상의 무기물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 무기층(IOL1)은 일정한 각도로 기울어진 제1굴절체(TC1)들로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1굴절체(TC1)는 캐소드 전극(CE)에 수직한 가상의 선(NL)을 기준으로 제1경사각(θ1)만큼 기울어진 원통형 막대 구조를 가질 수 있다. 여기서, 캐소드 전극(CE)에 수직한 가상의 선(NL)은 제3방향(Z)과 일치할 수 있다. 제1굴절체(TC1)는 무기물일 수 있다. 제1 무기층(IOL1)은 3차원 막대 구조의 제1굴절체(TC1)로 이루어진 층으로, 공동(VD)을 포함할 수 있다
제1발광영역(PXA1)에서 방출되는 빛(L)은 대체적으로 제3방향(Z)으로 진행하지만, 제1발광영역(PXA1) 상에 복수의 제1굴절체(TC1)들이 형성된 경우, 제1굴절체(TC1)들을 통과한 빛(L')은 대체적으로 캐소드 전극(CE)에 수직한 가상의 선(NL)을 기준으로 제1경사각(θ1)만큼 기울어진 방향으로 진행할 수 있다.
예를 들어, 도 11에 도시된 바와 같이, 제1 발광영역(PX1)에서 방출되는 빛은 관통홀(TH)과 중첩하는 영역으로 진행하여 가상의 제1 발광영역(PX1')을 형성할 수 있고, 제2 발광영역(PX2)에서 방출되는 빛은 홀주변영역(D-NDA2)과 중첩하는 영역으로 진행하여 가상의 제2 발광영역(PX2')을 형성할 수 있다.
제3발광영역(PXA3) 및 제4발광영역(PXA4)에서 방출되는 빛은 제1굴절체(TC1)들을 통과한 경우, 제1방향(X)으로 소정 거리만큼 이동하여 가상의 제3발광영역(PXA3') 및 가상의 제4발광영역(PXA4')을 형성할 수 있다. 즉, 가상의 제3발광영역(PXA3') 및 가상의 제4발광영역(PXA4')은 표시영역(D-DA) 내에서 형성될 수 있다.
한편, 주변영역(D-NDA1)에 배치된 제5발광영역(PXA5)에서 방출되는 빛은 제1굴절체(TC1)들을 통과한 경우, 제1방향(X)으로 소정 거리만큼 이동하여 표시영역(D-DA) 내에 가상의 제5발광영역(PXA3')을 형성할 수 있다. 몇몇 실시예에서 주변영역(D-NDA1)에 배치된 제5발광영역(PXA5)은 발광영역이지만, 커버 윈도우(CW)에 프린트된 패턴에 의해 외부로 시인되지 않아 비발광영역으로 인식될 수 있다.
제1굴절체(TC1)의 제1경사각(θ1)은 후술하는 빗각 증착법(oblique angle deposition) 또는 글랜싱 앵글 증착법(glancing angle deposition)에 따른 공정에서, 소스의 주입 방향 속도, 증착 방향과 같은 사항을 제어함으로써 조절할 수 있다. 제1경사각(θ1)이 커질수록 제1굴절체(TC1)를 통과한 빛의 경로가 크게 변경될 수 있다. 예를 들어, 전자소자(EMD)가 배치되는 관통홀(TH) 및 홀주변영역(D-NDA2)의 크기가 커지는 경우, 제1경사각(θ1)을 크게 설계하여, 가상의 발광영역(PXA')을 넓게 형성할 수 있다.
유기층(OL)은 제1굴절체(TC1)들을 포함하는 제1 무기층(IOL1)의 바로 위에 배치될 수 있다. 유기층(OL)은 폴리머(polymer)계열의 유기물을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 물질로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 유기층(OL)은 제1 무기층(IOL1)의 두께 보다 두껍게 형성되어 제1굴절체(TC1)들을 전체적으로 커버할 수 있다. 유기층(OL)의 일부, 예컨대 유기층(OL)의 하부는 제1굴절체(TC1)들에 구비된 공동(VD)에 채워질 수 있다. 이로 인해, 제1 무기층(IOL1)과 유기층(OL)의 결합력이 증가할 수 있다.
제2무기층(IOL2)은 유기층(OL) 상에 형성될 수 있다. 제2무기층(OL)은 수분(H2O) 또는 산소(O2)와 같은 이물질의 투과를 방지할 수 있으며, 제2무기물을 포함할 수 있다. 예컨대, 제2무기물은 AlOx, TiO2, ZrO, SiO2, AlON, SiON, ZnO, 및 Ta2O5　중 하나 이상의 무기물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이하, 다른 실시예들에 대해 설명한다. 이하의 실시예에서, 이미 설명한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략하거나 간략화하고, 차이점을 위주로 설명하기로 한다.
도 13은 다른 실시예에 따른 도 3에 도시된 소자층 및 박막 봉지층(TFE)의 확대된 단면도이다. 도 14는 다른 실시예에 따른 도 13의 A 영역을 확대하여 나타낸 도면이다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 제2무기층(IOL2)에 제2굴절체(TC2)를 더 포함한다는 점 및 제2굴절체(TC2)를 덮도록 배치되는 제3무기층(IOL3)을 더 포함한다는 점에서 도 11 및 도 12에 도시된 실시예와 차이점이 있다.
더욱 구체적으로 설명하면, 제2무기층(IOL2)은 유기층(OL) 상에 형성될 수 있다. 제2무기층(IOL2)은 일정한 각도로 기울어진 제2굴절체(TC2)들로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2굴절체(TC2)는 유기층(OL)에 수직한 가상의 선(NL')을 기준으로 제2경사각(θ2)만큼 기울어진 원통형 막대 구조를 가질 수 있다. 여기서, 유기층(OL)에 수직한 가상의 선(NL')은 제3방향(Z)과 일치할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제2경사각(θ2)은 제1경사각(θ1)과 동일할 수 있다. 제2굴절체(TC2)는 제2무기물일 수 있다. 예컨대, 제2무기물은 AlOx, TiO2, ZrO, SiO2, AlON, SiON, ZnO, 및 Ta2O5　중 하나 이상의 무기물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 무기층(IOL2)은 3차원 막대 구조의 제2굴절체(TC2)로 이루어진 층으로, 공동(VD)을 포함할 수 있다
제3무기층(IOL3)은 제2굴절체(TC2)들을 포함하는 제2 무기층(IOL2)의 바로 위에 배치될 수 있다. 제3무기층(IOL3)은 수분(H2O) 또는 산소(O2)와 같은 이물질의 투과를 방지할 수 있으며, 제3무기물을 포함할 수 있다. 예컨대, 제3무기물은 AlOx, TiO2, ZrO, SiO2, AlON, SiON, ZnO, 및 Ta2O5　중 하나 이상의 무기물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제3무기층(IOL3)은 제2 무기층(IOL2)의 두께 보다 두껍게 형성되어 제2굴절체(TC2)들을 전체적으로 커버할 수 있다. 제3무기층(IOL3)의 일부, 예컨대 제3무기층(IOL3)의 하부는 제2굴절체(TC2)들에 구비된 공동(VD)에 채워질 수 있다. 이로 인해, 제2무기층(IOL2)에 형성된 요철을 평탄화할 수 있다. 제3무기층(IOL3) 상에는 상술한 터치센서(TSL)가 형성될 수 있다.
제1발광영역(PXA1) 상에 복수의 제1굴절체(TC1)들이 형성된 경우, 제1굴절체(TC1)들을 통과한 빛(L')은 대체적으로 캐소드 전극(CE)에 수직한 가상의 선(NL)을 기준으로 제1경사각(θ1)만큼 기울어진 방향으로 진행할 수 있다. 다만, 제1굴절체(TC1)들을 통과한 빛(L')의 일부는 유기층(OL)을 통과하는 동안 산란되거나, 유기층(OL)과 제3무기층(IOL3)의 경계를 통과하는 순간 굴절률 차이로 인해 진행경로가 변경될 수 있다.
제2무기층(IOL2)에 제2굴절체(TC2)가 형성된 경우, 제2무기층(IOL2)으로 입사된 빛(L')은 유기층(OL)에 수직한 가상의 선(NL')을 기준으로 제2경사각(θ2)만큼 기울어진 방향으로 진행할 수 있다. 즉, 제2무기층(IOL2)으로 입사된 빛(L')은 캐소드 전극(CE)에 수직한 가상의 선(NL)을 기준으로 제1경사각(θ1)만큼 기울어진 방향과 동일한 경로로 진행할 수 있다. 이로 인해, 관통홀(TH)과 중첩하는 영역 및 홀주변영역(D-NDA2)과 중첩하는 영역에 가상의 발광영역(PXA')을 더 선명하게 형성할 수 있다.
예를 들어, 도 13에 도시된 바와 같이, 제1발광영역(PXA1)에서 방출되는 빛은 제1굴절체(TC1)들 및 제2굴절체(TC2)을 통과한 경우, 관통홀(TH)과 중첩하는 영역으로 진행하여 가상의 제1발광영역(PXA1')을 형성할 수 있고, 제2발광영역(PXA2)에서 방출되는 빛은 홀주변영역(D-NDA2)과 중첩하는 영역으로 진행하여 가상의 제2 발광영역(PXA2')을 형성할 수 있다.
제3발광영역(PXA3) 및 제4발광영역(PXA4)에서 방출되는 빛은 제1굴절체(TC1)들 및 제2굴절체(TC2)을 통과한 경우, 제1방향(X)으로 소정 거리만큼 이동하여 가상의 제3발광영역(PXA3') 및 가상의 제4발광영역(PXA4')을 형성할 수 있다. 즉, 가상의 제3발광영역(PXA3') 및 가상의 제4발광영역(PXA4')은 표시영역(D-DA) 내에서 형성될 수 있다.
한편, 주변영역(D-NDA1)에 배치된 제5발광영역(PXA5)에서 방출되는 빛은 제1굴절체(TC1)들 및 제2굴절체(TC2)을 통과한 경우, 제1방향(X)으로 소정 거리만큼 이동하여 표시영역(D-DA) 내에 가상의 제5발광영역(PXA3')을 형성할 수 있다. 몇몇 실시예에서 주변영역(D-NDA1)에 배치된 제5발광영역(PXA5)은 발광영역이지만, 커버 윈도우(CW)에 프린트된 패턴에 의해 외부로 시인되지 않아 비발광영역으로 인식될 수 있다.
제1굴절체(TC1)의 제1경사각(θ1) 및 제2굴절체(TC1)의 제2경사각(θ2)은 후술하는 빗각 증착법(oblique angle deposition) 또는 글랜싱 앵글 증착법(glancing angle deposition)에 따른 공정에서, 소스의 주입 방향 속도, 증착 방향과 같은 사항을 제어함으로써 조절할 수 있다. 제1굴절체(TC1)의 제1경사각(θ1) 및 제2굴절체(TC1)의 제2경사각(θ2)이 커질수록 제1굴절체(TC1) 및 제2굴절체(TC2)를 통과한 빛의 경로가 크게 변경될 수 있다. 예를 들어, 전자소자(EMD)가 배치되는 관통홀(TH) 및 홀주변영역(D-NDA2)의 크기가 커지는 경우, 제1경사각(θ1) 및 제2경사각(θ2)을 크게 설계하여, 가상의 발광영역(PXA')을 넓게 형성할 수 있다.
도 15는 다른 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 평면도이다. 도 16은 다른 실시예에 따른 도 3에 도시된 소자층 및 박막 봉지층의 확대된 단면도이다. 도 17은 다른 실시예에 따른 도 16의 A 영역을 확대하여 나타낸 도면이다.
도 15 내지 도 17을 참조하면, 표시 영역(D_DA1)에 제1전자소자(EMD1) 및 제2전자소자(EMD2)를 포함하는 관통홀(TH_1)을 포함한다는 점, 제2무기층(IOL2_1)에 포함된 제3굴절체(TC3)가 제1경사각(θ1) 및 제2경사각(θ2)보다 큰 제3경사각(θ3)을 갖는다는 점에서 도 13 및 도 14에 도시된 실시예와 차이점이 있다.
더 구체적으로 설명하면, 제2무기층(IOL2_1)은 유기층(OL) 상에 형성될 수 있다. 제2무기층(IOL2_1)은 일정한 각도로 기울어진 제3굴절체(TC3)들로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제3굴절체(TC2)는 유기층(OL)에 수직한 가상의 선(NL')을 기준으로 제3경사각(θ3)만큼 기울어진 원통형 막대 구조를 가질 수 있다. 여기서, 유기층(OL)에 수직한 가상의 선(NL')은 제3방향(Z)과 일치할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제3경사각(θ3)은 제1경사각(θ1)과 상이할 수 있다. 제3굴절체(TC3)는 제3무기물일 수 있다. 예컨대, 제3무기물은 AlOx, TiO2, ZrO, SiO2, AlON, SiON, ZnO, 및 Ta2O5　중 하나 이상의 무기물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 무기층(IOL2_1)은 3차원 막대 구조의 제3굴절체(TC3)로 이루어진 층으로, 공동(VD)을 포함할 수 있다
제2무기층(IOL2_1)에 제3굴절체(TC3)가 형성된 경우, 제2무기층(IOL2_1)으로 입사된 빛(L')은 유기층(OL)에 수직한 가상의 선(NL')을 기준으로 제3경사각(θ3)만큼 기울어진 방향으로 진행할 수 있다. 즉, 제2무기층(IOL2_1)으로 입사된 빛(L')은 캐소드 전극(CE)에 수직한 가상의 선(NL)을 기준으로 제1경사각(θ1)만큼 기울어진 방향과 상이한 경로로 진행할 수 있다. 일 실시예에 따르면 제3경사각(θ3)은 제1경사각(θ1)보다 클 수 있다. 이와 같은 경우, 제2무기층(IOL2_1)으로 입사된 빛(L')은 제1무기층(IOL1)으로 입사된 빛(L)보다 더 많이 굴절될 수 있다. 이로 인해, 관통홀(TH_1)과 중첩하는 영역 및 홀주변영역(D-NDA21)과 중첩하는 영역에 가상의 발광영역(PXA')을 더 넓게 형성할 수 있다.
예를 들어, 도 16에 도시된 바와 같이, 제1발광영역(PXA1) 및 제2 발광영역(PXA2)에서 방출되는 빛은 제1굴절체(TC1)들 및 제3굴절체(TCX3)들을 통과한 경우, 관통홀(TH_1)과 중첩하는 영역으로 진행하여 가상의 제1발광영역(PXA1') 및 제2 발광영역(PXA2')을 형성할 수 있고, 제3 발광영역(PX3)에서 방출되는 빛은 홀주변영역(D-NDA21)과 중첩하는 영역으로 진행하여 가상의 제3 발광영역(PXA3')을 형성할 수 있다.
제4발광영역(PXA4)에서 방출되는 빛은 제1굴절체(TC1)들 및 제3굴절체(TCX3)들을 통과한 경우, 제1방향(X)으로 소정 거리만큼 이동하여 가상의 제4발광영역(PXA4')을 형성할 수 있다. 즉, 가상의 제4발광영역(PXA4')은 표시영역(D-DA1) 내에서 형성될 수 있다.
한편, 주변영역(D-NDA11)에 배치된 제5발광영역(PXA5)에서 방출되는 빛은 제1굴절체(TC1)들 및 제3굴절체(TCX3)들을 통과한 경우, 제1방향(X)으로 소정 거리만큼 이동하여 표시영역(D-DA1) 내에 가상의 제5발광영역(PXA3')을 형성할 수 있다. 몇몇 실시예에서 주변영역(D-NDA11)에 배치된 제5발광영역(PXA5)은 발광영역이지만, 커버 윈도우(CW)에 프린트된 패턴에 의해 외부로 시인되지 않아 비발광영역으로 인식될 수 있다.
제1굴절체(TC1)의 제1경사각(θ1) 및 제3굴절체(TC3)의 제3경사각(θ3)은 후술하는 빗각 증착법(oblique angle deposition) 또는 글랜싱 앵글 증착법(glancing angle deposition)에 따른 공정에서, 소스의 주입 방향 속도, 증착 방향과 같은 사항을 제어함으로써 조절할 수 있다. 제1굴절체(TC1)의 제1경사각(θ1) 및 제3굴절체(TC3)의 제3경사각(θ3)이 커질수록 제1굴절체(TC1) 및 제3굴절체(TC3)를 통과한 빛의 경로가 크게 변경될 수 있다. 예를 들어, 제1전자소자(EMD1) 및 제2전자소자(EMD2)가 배치되는 관통홀(TH_1) 및 홀주변영역(D-NDA21)의 크기가 커지는 경우, 제1경사각(θ1) 및 제3경사각(θ3)을 더 크게 설계하여, 가상의 발광영역(PXA')을 넓게 형성할 수 있다.
도 18은 다른 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 평면도이다. 도 19는 도 18의 Y9-Y9'을 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 18 및 도 19를 참조하면, 표시 장치(3)의 일 단변과 일 장변이 만나는 모서리 영역의 일부에만 주변영역(D-NDA12)이 형성된다는 점 및 관통홀이 존재하지 않는다는 점에서 도 1에 도시된 표시 장치(1)와 차이점이 있다.
더욱 구체적으로, 표시장치(3)는 제1방향(x)으로 연장된 양 단변, 제1방향(x)과 교차하는 제2방향(y)으로 연장된 양 장변을 포함할 수 있다. 표시장치(3)의 장변과 단변이 만나는 모서리는 곡면을 이룰 수 있다. 일 실시예에 따르면, 표시장치(3)는 전면에 배치되는 표시 영역(D-DA2)의 양 단변 및 양 장변으로부터 각각 연장되어 벤딩되는 4 개의 사이드 표시 영역(미도시)을 더 포함할 수 있다. 이로 인해, 장변과 단변이 만나는 모서리의 일부 영역에만 비발광영역인 주변영역(D-NDA12)가 배치될 수 있다.
제1기판(110) 상에 배치된 소자층(DSL)은 애노드 전극(AE), 발광층(EML) 및 캐소드 전극(CE)을 포함할 수 있다. 캐소드 전극(CE) 상에는 박막 봉지층(TFE)이 배치될 수 있다. 박막 봉지층(TFE) 상에는 터치센서(TSL)가 배치될 수 있다. 터치센서(TSL) 상에는 커버 윈도우(CW)가 배치될 수 있다. 커버 윈도우(CW)는 바텀샤시(BC)에 의해 지지되도록 배치될 수 있고, 이로 인해, 커버 윈도우(CW)는 주변영역(D-NDA12) 상에도 배치될 수 있다.
표시영역(D-DA2)은 이미지가 표시되는 영역이고, 주변영역(D-NDA12)은 대부분 이미지가 표시되지 않는 영역일 수 있다. 주변영역(D-NDA12) 상에 인접한 발광영역(PXA)에서 발광되는 광의 경로를 변경하는 경우, 주변영역(D-NDA12)에 가상의 발광영역(PXA')을 형성할 수 있다.
박막 봉지층(TFE)은 제1 무기층(IOL11), 유기층(OL) 및 제2 무기층(IOL2)을 포함할 수 있다. 제1무기층(IOL11)은 수분(H2O) 또는 산소(O2)와 같은 이물질의 투과를 방지할 수 있으며, 제1무기물을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1무기물은 AlOx, TiO2, ZrO, SiO2, AlON, SiON, ZnO, 및 Ta2O5 중 하나 이상의 무기물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 무기층(IOL1)은 일정한 각도로 기울어진 제4굴절체(TC1)들로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제4굴절체(TC1)는 캐소드 전극(CE)에 수직한 가상의 선(NL)을 기준으로 제4경사각(θ4)만큼 기울어진 원통형 막대 구조를 가질 수 있다. 여기서, 캐소드 전극(CE)에 수직한 가상의 선(NL)은 제3방향(Z)과 일치할 수 있다. 제4굴절체(TC4)는 무기물일 수 있다. 제1 무기층(IOL11)은 3차원 막대 구조의 제4굴절체(TC4)로 이루어진 층으로, 공동(VD)을 포함할 수 있다
제1발광영역(PXA1)에서 방출되는 빛(L)은 대체적으로 제3방향(Z)으로 진행하지만, 제1발광영역(PXA1) 상에 복수의 제4굴절체(TC4)들이 형성된 경우, 제4굴절체(TC4)들을 통과한 빛(L')은 대체적으로 캐소드 전극(CE)에 수직한 가상의 선(NL)을 기준으로 제4경사각(θ4)만큼 기울어진 방향으로 진행할 수 있다.
예를 들어, 도 19에 도시된 바와 같이, 제1발광영역(PXA1) 및 제2발광영역(PXA2)에서 방출되는 빛은 제4굴절체(TC4)들을 통과한 경우, 제1방향(X)과 제2방향(Y) 사이의 일 방향을 따라 소정 거리만큼 이동하여 가상의 제1발광영역(PXA1') 및 가상의 제2발광영역(PXA2')을 형성할 수 있다. 즉, 가상의 제1발광영역(PXA1') 및 가상의 제2발광영역(PXA2')은 표시영역(D-DA2) 내에서 형성될 수 있다.
제3 발광영역(PXA3) 및 제4발광영역(PXA4)에서 방출되는 빛은 제4굴절체(TC4)들을 통과하는 경우, 주변영역(D-NDA12)과 중첩하는 영역으로 진행하여 가상의 제3 발광영역(PXA3') 및 제4발광영역(PXA4')을 형성할 수 있다. 이로 인해, 비발광영역을 상대적으로 감소시키는 효과를 기대할 수 있다.
제4굴절체(TC4)의 제4경사각(θ4)은 후술하는 빗각 증착법(oblique angle deposition) 또는 글랜싱 앵글 증착법(glancing angle deposition)에 따른 공정에서, 소스의 주입 방향 속도, 증착 방향과 같은 사항을 제어함으로써 조절할 수 있다. 제4경사각(θ4)이 커질수록 제4굴절체(TC4)를 통과한 빛의 경로가 크게 변경될 수 있다.
유기층(OL)은 제1굴절체(TC1)들을 포함하는 제1 무기층(IOL1)의 바로 위에 배치될 수 있다. 유기층(OL)은 폴리머(polymer)계열의 유기물을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 물질로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 유기층(OL)은 제1 무기층(IOL11)의 두께 보다 두껍게 형성되어 제4굴절체(TC4)들을 전체적으로 커버할 수 있다. 유기층(OL)의 일부, 예컨대 유기층(OL)의 하부는 제4굴절체(TC4)들에 구비된 공동(VD)에 채워질 수 있다. 이로 인해, 제1 무기층(IOL11)과 유기층(OL)의 결합력이 증가할 수 있다.
제2무기층(IOL22)은 유기층(OL) 상에 형성될 수 있다. 제2무기층(OL)은 수분(H2O) 또는 산소(O2)와 같은 이물질의 투과를 방지할 수 있으며, 제2무기물을 포함할 수 있다. 예컨대, 제2무기물은 AlOx, TiO2, ZrO, SiO2, AlON, SiON, ZnO, 및 Ta2O5　중 하나 이상의 무기물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제2무기층(IOL22)에는 굴절체를 더 포함할 수 있고, 굴절체의 경사각을 조절하여, 제2무기층(IOL22)에 입사되는 빛의 경로를 조절할 수 있다.
이하, 캐소드 전극(CE) 상에 굴절체가 형성되는 방법에 관하여 설명한다.
도 20 및 도 21은 빗각 증착법(oblique angle deposition) 또는 글랜싱 앵글 증착법(glancing angle deposition)에 따른 굴절체 형성방법에 관한 도면이다.
도 13, 도14, 도 20 및 도 21을 참조하면, 기판(SUB)을 기판 홀더(SH)에 고정시킬 수 있다. 기판(SUB)은 제1기판(110) 상에 소자층(DSL)이 배치된 상태일 수 있다. 소자층(DSL)은 애노드 전극(AE), 발광층(EML) 및 캐소드 전극(CE)이 순차적으로 적층된 상태일 수 있다. 기판(SUB)은 소스(S)가 방출되는 면과 일정한 각도로 비스듬히 배치될 수 있다. 예를 들어, 소스(S)가 방출되는 면에 수직한 가상의 선과 기판(SUB)의 상면이 이루는 각도가 X도인 경우, 제1경사각(θ1)은 90-X도일 수 있다. 소스(S)는 AlOx, TiO2, ZrO, SiO2, AlON, SiON, ZnO, 및 Ta2O5　중 하나 이상의 무기물을 포함할 수 있다.
빗각 증착법(oblique angle deposition) 또는 글랜싱 앵글 증착법(glancing angle deposition)은 일반적으로 기판(SUB)을 회전 성막하는 것이 일반적이다. 회전 성막하는 경우, 제1굴절체(TC1)는 하나의 축을 중심으로 적어도 하나의 피치를 가지는 3차원 나노 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 무기물이 축을 중심으로 시계방향 또는 반시계방향을 따라 성장하면서 기둥형 나선 구조 또는 구형 나선 구조의 굴절체가 형성될 수 있다.
본 발명의 경우, 기판(SUB)을 회전 성막하지 않고, 일정한 각도를 유지하여 고정 성막할 수 있다. 고정 성막하는 경우, 제1굴절체(TC1)는 제1방향성을 갖는 3차원 나노 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 제1굴절체(TC1)는 캐소드 전극(CE)에 수직한 가상의 선(NL)을 기준으로 제1경사각(θ1)만큼 기울어진 원통형 막대 구조를 가질 수 있다.
한편, 기판(SUB)을 고정 성막하는 경우, 방착판(PL)의 일 단은 관통홀(TH)이 배치되는 영역과 정렬될 수 있다. 방착판(PL)과 중첩되는 영역의 기판(SUB) 상에는 제1굴절체(TC1)가 형성되지 않을 수 있다. 제1방향성을 갖는 제1굴절체(TC1)가 형성된 후, 기판 홀더(SH)를 180도 회전시킬 수 있다.
기판 홀더(SH)를 180도 회전 후, 고정 성막 과정을 반복하는 경우, 제2방향성을 갖는 제1 굴절체(TC1)가 형성될 수 있다. 여기서는 제1굴절체(TC1)가 두 개의 방향성을 갖는 경우를 예로 들었으나, 기판 홀더(SH)를 회전시키는 정도에 따라, 복수의 방향성을 갖는 제1 굴절체(TC1)를 형성할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
110: 제1 기판
DSL: 소자층
TFE: 박막 봉지층
TSL: 터치 센서
CW: 커버 윈도우
PXA: 발광 영역
PXA': 가상의 발광 영역
TC: 굴절체
TH: 관통홀

Claims (20)

  1. 표시 영역 내에 관통홀을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 애노드 전극, 상기 애노드 전극 상에 배치되는 발광층과 상기 발광층 상에 배치되는 캐소드 전극을 포함하는 소자층; 및
    상기 소자층 상에 배치되는 제1무기층, 상기 제1 무기층 상에 배치되는 유기층과 상기 유기층 상에 배치되는 제2 무기층을 포함하는 박막봉지층을 포함하되,
    상기 제1무기층은 제1 경사각을 갖는 제1 굴절체들을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 굴절체들은 상기 캐소드 전극 상에 배치되는 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 경사각은 상기 캐소드 전극의 상면에 수직한 가상의 선을 기준으로 기울어지는 정도를 나타내는 표시 장치.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 경사각이 클수록 상기 발광층으로부터 방출된 광의 경로가 크게 굴절되는 표시 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 무기층은 상기 제1 굴절체들 사이에 형성되는 제1 공동을 포함하는 표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 공동의 적어도 일부는 상기 유기층으로 채워지는 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 관통홀의 테두리를 따라 비표시 영역인 홀주변영역을 포함하는 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 발광층은 상기 표시 영역 내에 배치되는 제1 발광영역과 제2 발광영역 및 비표시 영역인 주변 영역에 배치되는 제3 발광영역을 포함하는 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 발광영역으로부터 방출된 광은 상기 제1 굴절체들을 통과하여 상기 관통홀과 중첩되는 가상의 제1 발광영역으로 진행하는 표시 장치.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 제2 발광영역으로부터 방출된 광은 상기 제1 굴절체들을 통과하여 상기 홀주변영역과 중첩되는 가상의 제2 발광영역으로 진행하는 표시 장치.
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 제3 발광영역으로부터 방출된 광은 상기 제1 굴절체들을 통과하여 상기 표시 영역과 중첩되는 가상의 제3 발광영역으로 진행하는 표시 장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 무기층은 제2 경사각을 갖는 제2 굴절체들을 더 포함하는 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제2 경사각은 상기 제1 경사각과 동일한 표시 장치.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 제2 경사각은 상기 제1 경사각과 상이하되, 상기 제2 경사각은 상기 제1 경사각보다 큰 표시 장치.
  15. 제12 항에 있어서,
    상기 제2 무기층 상에 배치되는 제3 무기층을 더 포함하는 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 제2 무기층은 상기 제2 굴절체들 사이에 형성되는 제2 공동을 포함하는 표시 장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제2 공동의 적어도 일부는 상기 제3 무기층으로 채워지는 표시 장치.
  18. 표시 영역 내에 관통홀을 포함하는 기판 상에 배치되는 애노드 전극, 상기 애노드 전극 상에 배치되는 발광층과 상기 발광층 상에 배치되는 캐소드 전극을 포함하는 소자층을 형성하는 단계; 및
    상기 소자층 상에 배치되는 박막봉지층을 형성하는 단계를 포함하되,
    상기 박막봉지층을 형성하는 단계는,
    제1 경사각을 갖는 제1 굴절체들을 포함하는 제1 무기층을 형성하는 단계;
    상기 제1 무기층 상에 배치되는 유기층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기층 상에 배치되는 제2 무기층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 제1 무기층을 형성하는 단계는, 소스(S)가 방출되는 면에 수직한 가상의 선과 기판(SUB)의 상면이 이루는 각도를 일정하게 유지한 채 성막하는 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 제1 무기층을 형성하는 단계는, 방착판을 이용하여, 제1 방향성을 갖는 제1 굴절체들을 형성한 후, 상기 기판을 회전하여, 상기 제1 방향성과 다른 제2 방향성을 갖는 제1 굴절체들을 형성하는 표시 장치의 제조 방법.
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