KR20200108230A - Source driver and display device including the same - Google Patents

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KR20200108230A
KR20200108230A KR1020190141192A KR20190141192A KR20200108230A KR 20200108230 A KR20200108230 A KR 20200108230A KR 1020190141192 A KR1020190141192 A KR 1020190141192A KR 20190141192 A KR20190141192 A KR 20190141192A KR 20200108230 A KR20200108230 A KR 20200108230A
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control signal
chopping
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buffer
amplifier
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채세병
김수빈
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a source driver capable of reducing noise generated in data lines, and a display device including the same. The source driver comprises: a gamma voltage generation part that generates gamma voltages having different voltage levels from each other; a digital-analog conversion part that generates data voltage corresponding to a gray level value by using the gamma voltages; an output buffer part that outputs the data voltage to the outside; and a chopping control part that generates a chopping control signal and provides the same to the output buffer part. The output buffer part comprises: an amplifier connected between the digital-analog conversion part and a data line; and a chopping circuit that periodically changes the polarity of the offset of the amplifier in response to the chopping control signal, wherein the chopping control part varies the slew rate of the chopping control signal.

Description

소스 드라이버 및 이를 포함하는 표시 장치{SOURCE DRIVER AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}Source driver and display device including the same {SOURCE DRIVER AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}

본 발명의 실시예는 소스 드라이버 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.An embodiment of the present invention relates to a source driver and a display device including the same.

표시 장치는 표시 패널 및 구동부를 포함한다. 표시 패널은 주사선들, 데이터선들 및 화소들을 포함한다. 구동부는 주사선들에 주사 신호를 순차적으로 제공하는 주사 구동부 및 데이터선들에 데이터 신호를 제공하는 소스 구동부를 포함한다. 화소들 각각은 해당 주사선을 통해 제공되는 주사 신호에 응답하여 해당 데이터선을 통해 제공되는 데이터 신호에 대응하는 휘도로 발광할 수 있다.The display device includes a display panel and a driver. The display panel includes scan lines, data lines, and pixels. The driver includes a scan driver that sequentially provides scan signals to the scan lines and a source driver that provides data signals to the data lines. Each of the pixels may emit light with a luminance corresponding to a data signal provided through a corresponding data line in response to a scanning signal provided through a corresponding scan line.

소스 구동부는 영상 데이터의 계조값에 대응하는 데이터 신호를 생성하고, 출력 버퍼를 통해 데이터 신호를 데이터선들에 제공한다. 출력 버퍼를 구성하는 증폭기는 오프셋(offset)을 가지므로, 오프셋에 의해 영상(즉, 데이터 신호에 대응하여 표시되는 영상)의 품질이 저하될 수 있다. 따라서, 소스 구동부는 증폭기의 오프셋(offset)의 극성을 주기적으로 변경해 주는 쵸핑 회로(chopping function)를 포함할 수 있다.The source driver generates a data signal corresponding to a gray level value of the image data, and provides the data signal to the data lines through an output buffer. Since the amplifier constituting the output buffer has an offset, the quality of an image (ie, an image displayed in response to a data signal) may be degraded by the offset. Accordingly, the source driver may include a chopping function that periodically changes the polarity of the offset of the amplifier.

쵸핑 회로의 동작에 의해 데이터선들에 노이즈가 발생하고, 노이즈는 데이터선들에 인접한 다른 구성들에 영향을 줄 수 있다.Noise is generated in the data lines due to the operation of the chopping circuit, and the noise may affect other components adjacent to the data lines.

본 발명의 일 목적은 데이터선들에 발생하는 노이즈를 감소시킬 수 있는 소스 드라이버 및 이를 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a source driver capable of reducing noise generated in data lines and a display device including the same.

본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 소스 드라이버는, 상호 다른 전압 레벨들을 갖는 감마 전압들을 생성하는 감마 전압 생성부; 상기 감마 전압들을 이용하여, 계조값에 대응하는 데이터 전압을 생성하는 디지털-아날로그 변환부; 상기 데이터 전압을 외부로 출력하는 출력 버퍼부; 및 쵸핑(chopping) 제어 신호를 생성하여 상기 출력 버퍼부에 제공하는 쵸핑 제어부를 포함한다. 여기서, 상기 출력 버퍼부는, 상기 디지털-아날로그 변환부의 출력단에 연결되는 증폭기; 및 상기 쵸핑 제어 신호에 응답하여 상기 증폭기의 오프셋의 극성을 주기적으로 변경하는 쵸핑 회로를 포함하며, 상기 쵸핑 제어부는 상기 쵸핑 제어 신호의 슬루율(slew)을 가변시킨다.In order to achieve an object of the present invention, a source driver according to embodiments of the present invention includes: a gamma voltage generator for generating gamma voltages having different voltage levels; A digital-analog converter that generates a data voltage corresponding to a gradation value by using the gamma voltages; An output buffer for outputting the data voltage to the outside; And a chopping control unit generating a chopping control signal and providing it to the output buffer unit. Here, the output buffer unit, an amplifier connected to the output terminal of the digital-analog conversion unit; And a chopping circuit for periodically changing a polarity of an offset of the amplifier in response to the chopping control signal, wherein the chopping control unit varies a slew of the chopping control signal.

일 실시예에 의하면, 상기 쵸핑 회로는, 입력 노드 및 상기 증폭기의 제1 입력 단자 사이에 연결되는 제1 스위치, 상기 입력 노드 및 상기 증폭기의 제2 입력 단자 사이에 연결되는 제2 스위치, 상기 증폭기의 상기 제1 입력 단자 및 상기 증폭기의 출력 단자 사이에 연결되는 제3 스위치, 및 상기 증폭기의 상기 제2 입력 단자 및 상기 증폭기의 상기 출력 단자 사이에 연결되는 제4 스위치를 포함하고, 상기 제1 내지 제4 스위치들은 상기 쵸핑 제어 신호에 응답하여 동작할 수 있다.According to an embodiment, the chopping circuit comprises: a first switch connected between an input node and a first input terminal of the amplifier, a second switch connected between the input node and a second input terminal of the amplifier, and the amplifier A third switch connected between the first input terminal of the amplifier and the output terminal of the amplifier, and a fourth switch connected between the second input terminal of the amplifier and the output terminal of the amplifier, and the first The fourth to fourth switches may operate in response to the chopping control signal.

일 실시예에 의하면, 상기 증폭기의 상기 출력 단자가 연결되는 출력 노드와 상기 제3 스위치에 상기 쵸핑 제어 신호를 전송하는 제어선 사이에 기생 커패시터가 형성될 수 있다.According to an embodiment, a parasitic capacitor may be formed between an output node to which the output terminal of the amplifier is connected and a control line that transmits the chopping control signal to the third switch.

일 실시예에 의하면, 상기 쵸핑 제어부는, 펄스를 포함하는 제1 제어 신호를 생성하는 로직 제어 회로, 상기 제1 제어 신호의 레벨을 시프트 업하여 제2 제어 신호를 생성하는 레벨 시프터, 및 상기 제2 제어 신호를 상기 쵸핑 제어 신호로서 출력하되 버퍼 사이즈(buffer size)를 가변하는 버퍼 회로를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the chopping control unit includes: a logic control circuit for generating a first control signal including a pulse, a level shifter for generating a second control signal by shifting up a level of the first control signal, and 2 A control signal may be output as the chopping control signal, but may include a buffer circuit for varying a buffer size.

일 실시예에 의하면, 상기 슬루율은 상기 쵸핑 제어 신호가 상기 제2 제어 신호를 따라가는 비율일 수 있다.According to an embodiment, the slew rate may be a rate at which the chopping control signal follows the second control signal.

일 실시예에 의하면, 상기 버퍼 회로는, 상기 쵸핑 회로에 병렬 연결되는 서브 버퍼들; 및 상기 서브 버퍼들을 상기 레벨 시프터의 출력단에 각각 연결하는 서브 스위치들을 포함하고, 서브 스위치들 중 적어도 하나는 기 설정된 선택 신호에 응답하여 턴-온될 수 있다.According to an embodiment, the buffer circuit may include sub buffers connected in parallel to the chopping circuit; And sub switches respectively connecting the sub buffers to an output terminal of the level shifter, and at least one of the sub switches may be turned on in response to a preset selection signal.

일 실시예에 의하면, 상기 서브 버퍼들은 상호 동일한 버퍼 사이즈를 가질 수 있다.According to an embodiment, the sub-buffers may have the same buffer size.

일 실시예에 의하면, 상기 서브 버퍼들은 상호 다른 버퍼 사이즈들을 가질 수 있다.According to an embodiment, the sub buffers may have different buffer sizes.

일 실시예에 의하면, 상기 버퍼 회로의 상기 버퍼 사이즈가 작아질수록 상기 쵸핑 제어 신호의 상기 슬루율이 감소할 수 있다.According to an embodiment, as the buffer size of the buffer circuit decreases, the slew rate of the chopping control signal may decrease.

일 실시예에 의하면, 상기 쵸핑 제어부는, 구형파 형태의 제1 제어 신호를 생성하는 로직 제어 회로, 상기 제1 제어 신호의 레벨을 시프트 업하여 제2 제어 신호를 생성하는 레벨 시프터, 상기 제2 제어 신호를 상기 쵸핑 제어 신호로서 출력하는 버퍼 회로, 및 상기 버퍼 회로의 출력단 및 상기 쵸핑 회로 사이에 연결되어 상기 쵸핑 제어 신호의 고주파 성분을 가변적으로 필터링하는 아날로그 필터를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the chopping control unit includes: a logic control circuit for generating a first control signal in the form of a square wave, a level shifter for generating a second control signal by shifting up the level of the first control signal, and the second control A buffer circuit for outputting a signal as the chopping control signal, and an analog filter connected between the output terminal of the buffer circuit and the chopping circuit to variably filter a high frequency component of the chopping control signal.

일 실시예에 의하면, 상기 아날로그 필터는, 상기 버퍼 회로 및 상기 쵸핑 회로 사이에 연결되는 가변 저항, 및 상기 쵸핑 회로 및 기준 전압선 사이에 연결되는 가변 커패시터를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the analog filter may include a variable resistor connected between the buffer circuit and the chopping circuit, and a variable capacitor connected between the chopping circuit and a reference voltage line.

일 실시예에 의하면, 상기 쵸핑 제어부는, 구형파 형태의 제1 제어 신호를 생성하는 로직 제어 회로, 상기 제1 제어 신호의 레벨을 시프트 업하여 제2 제어 신호를 생성하는 레벨 시프터, 상기 제2 제어 신호를 상기 쵸핑 제어 신호로서 출력하는 버퍼 회로, 및 상기 버퍼 회로의 출력단 및 상기 쵸핑 회로 사이에 연결되는 지연 소자를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the chopping control unit includes: a logic control circuit for generating a first control signal in the form of a square wave, a level shifter for generating a second control signal by shifting up the level of the first control signal, and the second control A buffer circuit that outputs a signal as the chopping control signal, and a delay element connected between the output terminal of the buffer circuit and the chopping circuit.

일 실시예에 의하면, 상기 지연 소자는, 상기 버퍼 회로 및 상기 쵸핑 회로 사이에 연결된 저항, 및 상기 저항에 병렬 연결되되 상호 직렬 연결된 스위치 및 다이오드를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the delay element may include a resistor connected between the buffer circuit and the chopping circuit, and a switch and a diode connected in parallel to the resistor but connected in series with each other.

본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는, 데이터선 및 상기 데이터선에 연결되는 화소를 포함하는 표시 패널; 및 상기 데이터선에 데이터 전압을 제공하는 소스 드라이버를 포함한다. 여기서, 상기 소스 드라이버는, 상기 데이터 전압을 생성하는 디지털-아날로그 변환부; 상기 데이터 전압을 상기 데이터선에 출력하는 출력 버퍼부; 및 쵸핑 제어 신호를 생성하여 상기 출력 버퍼부에 제공하는 쵸핑 제어부를 포함한다. 상기 출력 버퍼부는, 상기 디지털-아날로그 변환부 및 상기 데이터선 사이에 연결되는 증폭기; 및 쵸핑 제어 신호에 응답하여 상기 증폭기의 오프셋의 극성을 주기적으로 변경하는 쵸핑 회로를 포함한다. 상기 쵸핑 제어부는 상기 쵸핑 제어 신호의 슬루율(slew)을 가변시킨다.In order to achieve an object of the present invention, a display device according to example embodiments includes: a display panel including a data line and a pixel connected to the data line; And a source driver providing a data voltage to the data line. Here, the source driver includes: a digital-analog converter generating the data voltage; An output buffer unit outputting the data voltage to the data line; And a chopping control unit generating a chopping control signal and providing it to the output buffer unit. The output buffer unit may include an amplifier connected between the digital-analog converter and the data line; And a chopping circuit for periodically changing the polarity of the offset of the amplifier in response to a chopping control signal. The chopping control unit varies a slew of the chopping control signal.

일 실시예에 의하면, 상기 쵸핑 회로는, 입력 노드 및 상기 증폭기의 제1 입력 단자 사이에 연결되는 제1 스위치, 상기 입력 노드 및 상기 증폭기의 제2 입력 단자 사이에 연결되는 제2 스위치, 상기 증폭기의 상기 제1 입력 단자 및 상기 증폭기의 출력 단자 사이에 연결되는 제3 스위치, 및 상기 증폭기의 상기 제2 입력 단자 및 상기 증폭기의 상기 출력 단자 사이에 연결되는 제4 스위치를 포함하고, 상기 제1 내지 제4 스위치들은 상기 쵸핑 제어 신호에 응답하여 동작할 수 있다.According to an embodiment, the chopping circuit comprises: a first switch connected between an input node and a first input terminal of the amplifier, a second switch connected between the input node and a second input terminal of the amplifier, and the amplifier A third switch connected between the first input terminal of the amplifier and the output terminal of the amplifier, and a fourth switch connected between the second input terminal of the amplifier and the output terminal of the amplifier, and the first The fourth to fourth switches may operate in response to the chopping control signal.

일 실시예에 의하면, 상기 쵸핑 제어부는, 펄스를 포함하는 제1 제어 신호를 생성하는 로직 제어 회로, 상기 제1 제어 신호의 레벨을 시프트 업하여 제2 제어 신호를 생성하는 레벨 시프터, 및 상기 제2 제어 신호를 상기 쵸핑 제어 신호로서 출력하되 버퍼 사이즈(buffer size)를 가변하는 버퍼 회로를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the chopping control unit includes: a logic control circuit for generating a first control signal including a pulse, a level shifter for generating a second control signal by shifting up a level of the first control signal, and 2 A control signal may be output as the chopping control signal, but may include a buffer circuit for varying a buffer size.

일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는, 터치 전극들을 포함하는 터치 감지부를 더 포함하고, 상기 쵸핑 제어 신호에 기인한 상기 터치 전극들에 대한 노이즈에 기초하여 상기 버퍼 회로의 상기 버퍼 사이즈가 조절될 수 있다.According to an embodiment, the display device further includes a touch sensing unit including touch electrodes, and the buffer size of the buffer circuit is adjusted based on noise of the touch electrodes caused by the chopping control signal. I can.

일 실시예에 의하면, 상기 노이즈가 클수록 상기 버퍼 회로의 상기 버퍼 사이즈가 작아질 수 있다.According to an embodiment, as the noise increases, the buffer size of the buffer circuit may decrease.

일 실시예에 의하면, 상기 버퍼 회로의 상기 버퍼 사이즈는, 상기 노이즈가 발생하지 않는 범위 내에서 가장 크게 설정될 수 있다.According to an embodiment, the buffer size of the buffer circuit may be set to be the largest within a range in which the noise does not occur.

일 실시예에 의하면, 상기 버퍼 회로는, 상기 쵸핑 회로에 병렬 연결되는 서브 버퍼들; 및 상기 서브 버퍼들을 상기 레벨 시프터의 출력단에 각각 연결하는 서브 스위치들을 포함하고, 서브 스위치들 중 적어도 하나는 기 설정된 선택 신호에 응답하여 턴-온될 수 있다.According to an embodiment, the buffer circuit may include sub buffers connected in parallel to the chopping circuit; And sub switches respectively connecting the sub buffers to an output terminal of the level shifter, and at least one of the sub switches may be turned on in response to a preset selection signal.

본 발명의 실시예들에 따른 소스 드라이버 및 표시 장치는, 소스 앰프(즉, 데이터 신호를 출력하는 소스 앰프)의 오프셋의 극성을 주기적으로 변경하는 쵸핑 회로를 제어하는 쵸핑 제어 신호의 슬루율(slew)을 가변시킴으로써, 데이터선들 및 이에 인접한 다른 구성들에 발생하는 노이즈를 감소시킬 수 있다.A source driver and a display device according to embodiments of the present invention include a slew rate of a chopping control signal that controls a chopping circuit that periodically changes the polarity of an offset of a source amplifier (ie, a source amplifier that outputs a data signal). ), it is possible to reduce noise generated in the data lines and other components adjacent thereto.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치에 포함된 화소의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 3은 도 1의 표시 장치에 포함된 소스 구동부의 일 예를 나타내는 블록도이다.
도 4는 도 3의 소스 구동부에 포함된 출력 버퍼의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 5는 도 4의 출력 버퍼의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 6은 도 5의 출력 버퍼에서 측정된 신호들의 일 예를 나타내는 파형도이다.
도 7은 도 3의 소스 구동부에 포함된 쵸핑 제어기의 일 예를 나타내는 블록도이다.
도 8은 도 7의 쵸핑 제어기에 포함된 버퍼 회로의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 9는 도 8의 버퍼에서 출력되는 쵸핑 제어 신호의 일 예를 나타내는 파형도이다.
도 10은 도 3의 소스 구동부에 포함된 쵸핑 제어기의 다른 예를 나타내는 블록도이다.
도 11은 도 3의 소스 구동부에 포함된 쵸핑 제어기의 또 다른 예를 나타내는 블록도이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 13은 도 12의 표시 장치의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 14는 도 13의 표시 장치에 포함된 터치 감지층의 일 예를 나타내는 평면도이다.
도 15는 도 13의 표시 장치의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 16은 도 14의 터치 감지층에서 측정된 센싱 신호의 일 예를 나타내는 도면이다.
1 is a block diagram illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 is a circuit diagram illustrating an example of a pixel included in the display device of FIG. 1.
3 is a block diagram illustrating an example of a source driver included in the display device of FIG. 1.
4 is a circuit diagram illustrating an example of an output buffer included in the source driver of FIG. 3.
5 is a circuit diagram illustrating an example of the output buffer of FIG. 4.
6 is a waveform diagram illustrating an example of signals measured in the output buffer of FIG. 5.
7 is a block diagram illustrating an example of a chopping controller included in the source driver of FIG. 3.
8 is a circuit diagram illustrating an example of a buffer circuit included in the chopping controller of FIG. 7.
9 is a waveform diagram illustrating an example of a chopping control signal output from the buffer of FIG. 8.
10 is a block diagram illustrating another example of a chopping controller included in the source driver of FIG. 3.
11 is a block diagram illustrating another example of a chopping controller included in the source driver of FIG. 3.
12 is a diagram illustrating a display device according to another exemplary embodiment of the present invention.
13 is a cross-sectional view illustrating an example of the display device of FIG. 12.
14 is a plan view illustrating an example of a touch sensing layer included in the display device of FIG. 13.
15 is a cross-sectional view illustrating an example of the display device of FIG. 13.
16 is a diagram illustrating an example of a sensing signal measured by the touch sensing layer of FIG. 14.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예를 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 다만, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되지는 않으며, 다양한 형태로 변경되어 실시될 수 있을 것이다.In the present invention, various modifications can be made and various forms can be applied, and specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, and may be changed in various forms and implemented.

한편, 도면에서 본 발명의 특징과 직접적으로 관계되지 않은 일부 구성 요소는 본 발명을 명확하게 나타내기 위하여 생략되었을 수 있다. 또한, 도면 상의 일부 구성 요소는 그 크기나 비율 등이 다소 과장되어 도시되었을 수 있다. 도면 전반에서 동일 또는 유사한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면 상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 참조 번호 및 부호를 부여하고, 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Meanwhile, in the drawings, some constituent elements not directly related to the features of the present invention may be omitted in order to clearly illustrate the present invention. In addition, some of the components in the drawings may have their size or ratio somewhat exaggerated. Throughout the drawings, the same or similar components are assigned the same reference numerals and reference numerals as much as possible even though they are displayed on different drawings, and redundant descriptions will be omitted.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다.1 is a block diagram illustrating a display device according to example embodiments.

도 1을 참조하면, 표시 장치(100)는 표시부(110)(또는, 표시 패널), 주사 구동부(120)(또는, scan driver, gate driver), 소스 구동부(130)(또는, source driver, data driver), 및 타이밍 제어부(140)(또는, timing controller)를 포함할 수 있다. 또한, 표시 장치(100)는 발광 구동부(150)(또는, emission driver)를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the display device 100 includes a display unit 110 (or a display panel), a scan driver 120 (or a scan driver, a gate driver), and a source driver 130 (or a source driver, data driver), and a timing controller 140 (or, a timing controller). Also, the display device 100 may further include a light emission driver 150 (or an emission driver).

표시부(110)는 주사선들(SL1 내지 SLn, 단, n은 양의 정수)(또는, 게이트선들), 데이터선들(DL1 내지 DLm, 단, m은 양의 정수), 발광 제어선들(EL1 내지 ELn), 및 화소(PXL)를 포함할 수 있다. 화소(PXL)는 주사선들(SL1 내지 SLn), 데이터선들(DL1 내지 DLm), 및 발광 제어선들(EL1 내지 ELn)에 의해 구획된 영역(예를 들어, 화소 영역)에 배치될 수 있다.The display unit 110 includes scan lines SL1 to SLn, where n is a positive integer (or gate lines), data lines DL1 to DLm, where m is a positive integer, and emission control lines EL1 to ELn. ), and a pixel PXL. The pixel PXL may be disposed in a region (eg, a pixel region) partitioned by the scan lines SL1 to SLn, the data lines DL1 to DLm, and the emission control lines EL1 to ELn.

화소(PXL)는 주사선들(SL1 내지 SLn) 중 적어도 하나, 데이터선들(DL1 내지 DLm) 중 하나, 및 발광 제어선들(EL1 내지 ELn) 중 적어도 하나에 연결될 수 있다. 예를 들어, 화소(PXL)는 주사선(SLi), 주사선(SLi)에 인접한 이전 주사선(SLi-1), 데이터선(DLj), 및 발광 제어선(ELi)에 연결될 수 있다(단, i 및 j 각각은 양의 정수).The pixel PXL may be connected to at least one of the scan lines SL1 to SLn, one of the data lines DL1 to DLm, and at least one of the emission control lines EL1 to ELn. For example, the pixel PXL may be connected to the scan line SLi, the previous scan line SLi-1 adjacent to the scan line SLi, the data line DLj, and the emission control line ELi (however, i and j each is a positive integer).

화소(PXL)는 이전 주사선(SLi-1)을 통해 제공되는 주사 신호(또는, 이전 시점에 제공된 주사 신호, 이전 게이트 신호)에 응답하여 초기화되고, 주사선(SLi)을 통해 제공되는 주사 신호(또는, 현재 시점에 제공된 주사 신호, 게이트 신호)에 응답하여 데이터선(DLj)을 통해 제공되는 데이터 신호를 저장하거나 기록하며, 발광 제어선(ELi)을 통해 제공되는 발광 제어 신호에 응답하여 저장된 데이터 신호에 대응하는 휘도로 발광할 수 있다.The pixel PXL is initialized in response to a scan signal (or a scan signal provided at a previous time point, a previous gate signal) provided through the previous scan line SLi-1, and a scan signal provided through the scan line SLi (or , In response to a scanning signal and a gate signal provided at the present time), a data signal provided through the data line DLj is stored or recorded, and a data signal stored in response to a light emission control signal provided through the emission control line ELi It can emit light with a luminance corresponding to.

표시부(110)에는 제1 및 제2 전원전압들(VDD, VSS)이 제공될 수 있다. 제1 및 제2 전원전압들(VDD, VSS)은 화소(PXL)의 동작에 필요한 전압들이며, 제1 전원전압(VDD)은 제2 전원전압(VSS)의 전압 레벨보다 높은 전압 레벨을 가질 수 있다. 또한, 표시부(110)에는 초기화 전원전압(Vint)이 제공될 수도 있다. 제1 및 제2 전원전압들(VDD, VSS), 및 초기화 전원전압(Vint)은 별도의 전원 공급부로부터 표시부(110)에 제공될 수 있다.First and second power voltages VDD and VSS may be provided to the display unit 110. The first and second power voltages VDD and VSS are voltages required for the operation of the pixel PXL, and the first power voltage VDD may have a voltage level higher than the voltage level of the second power voltage VSS. have. Also, an initialization power voltage Vint may be provided to the display unit 110. The first and second power voltages VDD and VSS, and the initialization power voltage Vint may be provided to the display unit 110 from a separate power supply.

주사 구동부(120)는 주사 제어 신호(SCS)에 기초하여 주사 신호를 생성하고, 주사 신호를 주사선들(SL1 내지 SLn)에 순차적으로 제공할 수 있다. 여기서, 주사 제어 신호(SCS)는 개시 신호, 클럭 신호들 등을 포함하고, 타이밍 제어부(140)로부터 제공될 수 있다. 예를 들어, 주사 구동부(120)는 클럭 신호들을 이용하여 펄스 형태의 개시 신호에 대응하는 펄스 형태의 주사 신호를 순차적으로 생성 및 출력하는 시프트 레지스터(shift register)(또는, 스테이지)를 포함할 수 있다.The scan driver 120 may generate a scan signal based on the scan control signal SCS and sequentially provide the scan signal to the scan lines SL1 to SLn. Here, the scan control signal SCS includes a start signal, clock signals, and the like, and may be provided from the timing controller 140. For example, the scan driver 120 may include a shift register (or stage) that sequentially generates and outputs a pulse type scan signal corresponding to a pulse type start signal using clock signals. have.

발광 구동부(150)는 발광 구동 제어 신호(ECS)에 기초하여 발광 제어 신호를 생성하고, 발광 제어 신호를 발광 제어선들(EL1 내지 ELn)에 순차적으로 또는 동시에 제공할 수 있다. 여기서, 발광 구동 제어 신호(ECS)는 발광 개시 신호, 발광 클럭 신호들 등을 포함하고, 타이밍 제어부(140)로부터 제공될 수 있다. 예를 들어, 발광 구동부(150)는 발광 클럭 신호들을 이용하여 펄스 형태의 발광 개시 신호에 대응하는 펄스 형태의 발광 제어 신호를 순차적으로 생성 및 출력하는 시프트 레지스터를 포함할 수 있다.The light emission driver 150 may generate a light emission control signal based on the light emission drive control signal ECS, and may sequentially or simultaneously provide the light emission control signal to the light emission control lines EL1 to ELn. Here, the emission driving control signal ECS includes an emission start signal, emission clock signals, and the like, and may be provided from the timing controller 140. For example, the light emission driver 150 may include a shift register that sequentially generates and outputs a pulse type light emission control signal corresponding to a pulse type light emission start signal using light emission clock signals.

소스 구동부(130)는 타이밍 제어부(140)로부터 제공되는 영상 데이터(DATA2) 및 데이터 제어 신호(DCS)에 기초하여 데이터 신호들을 생성하고, 데이터 신호들을 표시부(110)(또는, 화소(PXL))에 제공할 수 있다. 여기서, 데이터 제어 신호(DCS)는 소스 구동부(130)의 동작을 제어하는 신호이며, 유효 데이터 신호의 출력을 지시하는 로드 신호(또는, 데이터 인에이블 신호) 등을 포함할 수 있다.The source driver 130 generates data signals based on the image data DATA2 and the data control signal DCS provided from the timing controller 140, and converts the data signals to the display unit 110 (or the pixel PXL). Can be provided. Here, the data control signal DCS is a signal that controls the operation of the source driver 130 and may include a load signal (or a data enable signal) instructing the output of a valid data signal.

실시예들에서, 소스 구동부(130)는 소스 앰프들(또는, 소스 증폭기들)을 통해 데이터 신호(또는, 데이터 전압)를 데이터선들(DL1 내지 DLm)에 각각 출력하되, 쵸핑 제어 신호에 응답하여 소스 앰프들의 극성을 주기적으로 변경하는 쵸핑 회로와, 구형파의 쵸핑 제어 신호를 생성하되 쵸핑 제어 신호의 슬루율(slew rate) 또는 천이 속도를 가변시키는 쵸핑 제어기를 포함할 수 있다. 여기서, 슬루율은 출력 신호(즉, 쵸핑 제어 신호)가 입력 신호를 따라가는 비율, 또는 쵸핑 제어 신호의 시간에 따른 변화율을 나타낼 수 있다. 쵸핑 제어 신호에 의해 데이터선들(DL1 내지 DLm) 발생되는 노이즈를 고려하여, 쵸핑 제어 신호의 슬루율은 표시 장치(100)의 제조 과정에서 설정되거나 조절될 수 있다.In embodiments, the source driver 130 outputs a data signal (or data voltage) to the data lines DL1 to DLm through source amplifiers (or source amplifiers), respectively, in response to a chopping control signal. A chopping circuit for periodically changing the polarities of the source amplifiers, and a chopping controller for generating a square wave chopping control signal but varying a slew rate or a transition speed of the chopping control signal may be included. Here, the slew rate may represent a rate at which an output signal (ie, a chopping control signal) follows an input signal or a rate of change of the chopping control signal over time. In consideration of noise generated by the data lines DL1 to DLm by the chopping control signal, the slew rate of the chopping control signal may be set or adjusted during the manufacturing process of the display device 100.

소스 구동부(130)의 구체적인 구성(및 쵸핑 회로 및 쵸핑 제어기의 구체적인 구성)에 대해서는 도 3 내지 도 11을 참조하여 후술하기로 한다.A specific configuration of the source driver 130 (and a specific configuration of a chopping circuit and a chopping controller) will be described later with reference to FIGS. 3 to 11.

타이밍 제어부(140)는 외부(예를 들어, 그래픽 프로세서)로부터 입력 영상 데이터(DATA1) 및 제어 신호(CS)를 수신하고, 제어 신호(CS)에 기초하여 주사 제어 신호(SCS) 및 데이터 제어 신호(DCS)를 생성하며, 입력 영상 데이터(DATA1)를 변환하여 영상 데이터(DATA2)를 생성할 수 있다. 여기서, 제어 신호(CS)는 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 클럭(CLK) 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 타이밍 제어부(140)는 RGB 포맷의 입력 영상 데이터(DATA1)를 표시부(110) 내 화소 배열에 부합하는 RGBG 포맷의 영상 데이터(DATA2)로 변환할 수 있다. The timing controller 140 receives input image data DATA1 and a control signal CS from an external (for example, a graphic processor), and based on the control signal CS, a scan control signal SCS and a data control signal (DCS) is generated, and the image data DATA2 may be generated by converting the input image data DATA1. Here, the control signal CS may include a vertical synchronization signal Vsync, a horizontal synchronization signal Hsync, and a clock CLK. For example, the timing controller 140 may convert the input image data DATA1 in the RGB format into the image data DATA2 in the RGBG format corresponding to the pixel arrangement in the display unit 110.

한편, 주사 구동부(120), 소스 구동부(130), 타이밍 제어부(140), 및 발광 구동부(150) 중 적어도 하나는 표시부(110)에 형성되거나, IC로 구현되어 테이프 캐리어 패키지 형태로 표시부(110)에 연결될 수 있다. 또한, 주사 구동부(120), 소스 구동부(130), 타이밍 제어부(140), 및 발광 구동부(150) 중 적어도 2개는 하나의 IC로 구현될 수도 있다.Meanwhile, at least one of the scan driver 120, the source driver 130, the timing controller 140, and the light emitting driver 150 is formed on the display unit 110 or implemented as an IC to form a tape carrier package. ) Can be connected. In addition, at least two of the scan driver 120, the source driver 130, the timing controller 140, and the light emission driver 150 may be implemented with one IC.

도 2는 도 1의 표시 장치에 포함된 화소의 일 예를 나타내는 회로도이다.2 is a circuit diagram illustrating an example of a pixel included in the display device of FIG. 1.

도 2를 참조하면, 화소(PXL)는 제1 내지 제7 트랜지스터들(T1 내지 T7), 스토리지 커패시터(Cst) 및 발광 소자(LD)를 구비할 수 있다.Referring to FIG. 2, the pixel PXL may include first to seventh transistors T1 to T7, a storage capacitor Cst, and a light emitting device LD.

제1 내지 제7 트랜지스터들(T1 내지 T7) 각각은 P형 트랜지스터로 구현될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 내지 제7 트랜지스터들(T1 내지 T7) 중 적어도 일부는 N형 트랜지스터로 구현될 수도 있다.Each of the first to seventh transistors T1 to T7 may be implemented as a P-type transistor, but is not limited thereto. For example, at least some of the first to seventh transistors T1 to T7 may be implemented as an N-type transistor.

제1 트랜지스터(T1; 구동 트랜지스터)의 제1 전극은 제2 노드(N2)에 연결되거나, 제5 트랜지스터(T5)를 경유하여 제1 전원선(즉, 제1 전원전압(VDD)이 인가된 전원선)에 접속될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극은 제1 노드(N1)에 연결되거나, 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 발광 소자(LD)의 애노드에 접속될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제3 노드(N3)에 접속될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 제3 노드(N3)의 전압에 대응하여 제1 전원선으로부터 발광 소자(LD)를 경유하여 제2 전원선(즉, 제2 전원전압(VSS)을 전달하는 전원선)으로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다.The first electrode of the first transistor T1 (driving transistor) is connected to the second node N2, or via the fifth transistor T5, to which the first power line (ie, the first power voltage VDD) is applied. Power line). The second electrode of the first transistor T1 may be connected to the first node N1 or may be connected to the anode of the light emitting element LD via the sixth transistor T6. The gate electrode of the first transistor T1 may be connected to the third node N3. The first transistor T1 is a power line that transmits a second power line (that is, a second power voltage VSS) from the first power line through the light emitting element LD in response to the voltage of the third node N3. The amount of current flowing through) can be controlled.

제2 트랜지스터(T2; 스위칭 트랜지스터)는 데이터선(DLj)과 제2 노드(N2) 사이에 접속될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 주사선(SLi)에 접속될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 주사선(SLi)으로 주사 신호가 공급될 때 턴-온되어 데이터선(DLj)과 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극을 전기적으로 접속시킬 수 있다.The second transistor T2 (switching transistor) may be connected between the data line DLj and the second node N2. The gate electrode of the second transistor T2 may be connected to the scan line SLi. The second transistor T2 is turned on when a scan signal is supplied to the scan line SLi to electrically connect the data line DLj to the first electrode of the first transistor T1.

제3 트랜지스터(T3)는 제1 노드(N1) 및 제3 노드(N3) 사이에 접속될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 주사선(SLi)에 접속될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 주사선(SLi)으로 주사 신호가 공급될 때 턴-온되어 제1 노드(N1) 및 제3 노드(N3)를 전기적으로 접속시킬 수 있다. 따라서, 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온 될 때 제1 트랜지스터(T1)는 다이오드 형태로 접속될 수 있다.The third transistor T3 may be connected between the first node N1 and the third node N3. The gate electrode of the third transistor T3 may be connected to the scan line SLi. The third transistor T3 is turned on when a scan signal is supplied to the scan line SLi to electrically connect the first node N1 and the third node N3. Accordingly, when the third transistor T3 is turned on, the first transistor T1 may be connected in the form of a diode.

스토리지 커패시터(Cst)는 제1 전원선과 제3 노드(N3) 사이에 접속될 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 데이터 신호 및 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압에 대응하는 전압을 저장할 수 있다.The storage capacitor Cst may be connected between the first power line and the third node N3. The storage capacitor Cst may store a data signal and a voltage corresponding to the threshold voltage of the first transistor T1.

제4 트랜지스터(T4)는 제3 노드(N3)와 초기화 전원선(즉, 초기화 전원전압(Vint)을 전달하는 전원선) 사이에 접속될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극은 이전 주사선(SLi-1)에 접속될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)는 이전 주사선(SLi-1)으로 주사 신호가 공급될 때 턴-온되어 제1 노드(N1)로 초기화 전원전압(Vint)을 공급할 수 있다. 여기서, 초기화 전원전압(Vint)은 데이터 신호보다 낮은 전압 레벨을 갖도록 설정될 수 있다.The fourth transistor T4 may be connected between the third node N3 and an initialization power line (ie, a power line that transfers the initialization power voltage Vint). The gate electrode of the fourth transistor T4 may be connected to the previous scan line SLi-1. The fourth transistor T4 is turned on when a scan signal is supplied to the previous scan line SLi-1 to supply the initialization power voltage Vint to the first node N1. Here, the initialization power voltage Vint may be set to have a voltage level lower than that of the data signal.

제5 트랜지스터(T5)는 제1 전원선과 제2 노드(N2) 사이에 접속될 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)의 게이트 전극은 발광 제어선(ELi)에 접속될 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)는 발광 제어선(ELi)으로 발광 제어 신호가 공급될 때 턴-오프되고, 그 외의 경우에 턴-온될 수 있다.The fifth transistor T5 may be connected between the first power line and the second node N2. The gate electrode of the fifth transistor T5 may be connected to the emission control line ELi. The fifth transistor T5 may be turned off when a light emission control signal is supplied to the light emission control line ELi, and may be turned on in other cases.

제6 트랜지스터(T6)는 제1 노드(N1)와 발광 소자(LD) 사이에 접속될 수 있다. 제6 트랜지스터(T6) 게이트 전극은 발광 제어선(ELi)에 접속될 수 있다. 제6 트랜지스터(T6)는 발광 제어선(ELi)으로 발광 제어 신호가 공급될 때 턴-오프되고, 그 외의 경우에 턴-온될 수 있다.The sixth transistor T6 may be connected between the first node N1 and the light emitting element LD. The gate electrode of the sixth transistor T6 may be connected to the emission control line ELi. The sixth transistor T6 may be turned off when the emission control signal is supplied to the emission control line ELi, and may be turned on in other cases.

제7 트랜지스터(T7)는 초기화 전원선과 발광 소자(LD)의 애노드 사이에 접속될 수 있다. 제7 트랜지스터(T7)의 게이트 전극은 주사선(SLi)에 접속될 수 있다. 제7 트랜지스터(T7)는 주사선(SLi)으로 주사 신호가 공급될 때 턴-온되어 초기화 전원전압(Vint)을 발광 소자(LD)의 애노드로 공급할 수 있다.The seventh transistor T7 may be connected between the initialization power line and the anode of the light emitting device LD. The gate electrode of the seventh transistor T7 may be connected to the scan line SLi. The seventh transistor T7 is turned on when a scan signal is supplied to the scan line SLi to supply the initialization power voltage Vint to the anode of the light emitting element LD.

발광 소자(LD)의 애노드는 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 제1 트랜지스터(T1)에 접속되고, 캐소드는 제2 전원선에 접속될 수 있다. 발광 소자(LD)는 제1 트랜지스터(T1)로부터 공급되는 전류에 대응하여 소정 휘도의 빛을 생성할 수 있다. 발광 소자(LD)로 전류가 흐르도록, 제1 전원전압(VDD)은 제2 전원전압(VSS)보다 높은 전압 레벨을 갖도록 설정될 수 있다.The anode of the light emitting element LD may be connected to the first transistor T1 via the sixth transistor T6, and the cathode may be connected to the second power line. The light-emitting device LD may generate light of a predetermined luminance in response to the current supplied from the first transistor T1. The first power voltage VDD may be set to have a higher voltage level than the second power voltage VSS so that current flows through the light emitting device LD.

도 3은 도 1의 표시 장치에 포함된 소스 구동부의 일 예를 나타내는 블록도이다.3 is a block diagram illustrating an example of a source driver included in the display device of FIG. 1.

도 1 및 도 3을 참조하면, 소스 구동부(130)(또는, 소스 드라이버)는 제어기(310)(또는, 제어부), 쵸핑 제어기(320)(또는, 쵸핑 제어부), 감마 전압 생성기(330)(또는, 감마 전압 생성부), 시프트 레지스터(340), 래치(350), 디코더(360)(또는, 디지털-아날로그 컨버터, 디지털-아날로그 변환부), 및 출력 버퍼(370)(또는, 출력 버퍼부)를 포함할 수 있다.1 and 3, the source driver 130 (or source driver) includes a controller 310 (or a controller), a chopping controller 320 (or a chopping controller), and a gamma voltage generator 330 ( Alternatively, a gamma voltage generator), a shift register 340, a latch 350, a decoder 360 (or a digital-analog converter, a digital-analog converter), and an output buffer 370 (or an output buffer unit) ) Can be included.

제어기(310)는 타이밍 제어부(140)로부터 데이터 제어 신호(DCS)를 수신할 수 있다.The controller 310 may receive a data control signal DCS from the timing controller 140.

제어기(310)는 데이터 제어 신호(DCS)에 기초하여 제1 제어 신호(CCCS)를 생성할 수 있다. 제1 제어 신호(CCCS)는 펄스를 포함하고, 출력 버퍼(370)를 구성하는 소스 증폭기들(또는, 소스 증폭기들(source amplifiers))의 오프셋(offset)의 극성을 주기적으로 변경하는데 이용될 수 있다.The controller 310 may generate the first control signal CCCS based on the data control signal DCS. The first control signal CCCS includes a pulse and may be used to periodically change the polarity of an offset of source amplifiers (or source amplifiers) constituting the output buffer 370. have.

또한, 제어기(310)는 데이터 제어 신호(DCS)에 기초하여 바이어스 제어 신호를 생성할 수 있다. 바이어스 제어 신호는 출력 버퍼(370)(또는, 소스 증폭기들)로 인가되는 바이어스 전압(Vbias)을 조절하는데 이용될 수 있다.Also, the controller 310 may generate a bias control signal based on the data control signal DCS. The bias control signal may be used to adjust the bias voltage Vbias applied to the output buffer 370 (or source amplifiers).

제어기(310)는 감마 인에이블 신호(G_EN)를 생성할 수 있다. 감마 인에이블 신호(G_EN)는, 감마 전압 생성기(330)로 하여금 감마 전압들(VG0 내지 VG2047)을 생성하도록, 감마 전압 생성기(330)를 제어할 수 있다. 여기서, 감마 전압들(VG0 내지 VG2047)은 데이터(DATA)(즉, 도 1을 참조하여 설명한 영상 데이터(DATA2))를 데이터 전압(즉, 계조 전압(gray scale voltage))으로 변환시키는데 사용될 수 있다. 한편, 감마 전압들(VG0 내지 V2047)은 11비트 데이터에 대응하는 2048개의 감마 전압들을 포함할 수 있으나, 이는 예시적인 것으로, 이에 한정되는 것은 아니다.The controller 310 may generate a gamma enable signal G_EN. The gamma enable signal G_EN may control the gamma voltage generator 330 so that the gamma voltage generator 330 generates the gamma voltages VG0 to VG2047. Here, the gamma voltages VG0 to VG2047 may be used to convert the data DATA (ie, the image data DATA2 described with reference to FIG. 1) into a data voltage (ie, a gray scale voltage). . Meanwhile, the gamma voltages VG0 to V2047 may include 2048 gamma voltages corresponding to 11-bit data, but this is exemplary and is not limited thereto.

제어기(310)는 타이밍 제어부(140)로부터 수신된 직렬화된 데이터를 병렬화된 데이터(DATA)로 변경시킬 수 있다. 제어기(310)는 병렬화된 데이터(DATA)를 시프트 레지스터(340)(또는, 래치(350))에 제공할 수 있다.The controller 310 may change the serialized data received from the timing controller 140 into parallelized data DATA. The controller 310 may provide parallelized data DATA to the shift register 340 (or the latch 350).

쵸핑 제어기(320)는 제1 제어 신호(CCCS)에 기초하여 쵸핑 제어 신호(CCS)를 생성하고, 쵸핑 제어 신호(CCS)를 출력 버퍼(370)에 제공할 수 있다.The chopping controller 320 may generate a chopping control signal CCS based on the first control signal CCCS and provide the chopping control signal CCS to the output buffer 370.

또한, 쵸핑 제어기(320)는 바이어스 제어 신호에 응답하여 다양한 전압 레벨을 갖는 바이어스 전압을 생성할 수 있다. 바이어스 전압을 생성하는 구성은, 쵸핑 제어기(320)에 독립하여, 별도의 바이어스 전압 생성부로 구현될 수도 있다.Further, the chopping controller 320 may generate bias voltages having various voltage levels in response to the bias control signal. The configuration for generating the bias voltage may be implemented as a separate bias voltage generator independently of the chopping controller 320.

실시예들에서, 쵸핑 제어기(320)는 쵸핑 제어 신호(CCS)의 슬루율을 조절하거나 천이 속도를 가변시킬 수 있다. 예를 들어, 쵸핑 제어 신호(CCS)가 구형파이거나 펄스들을 포함하는 경우, 쵸핑 제어기(320)는 쵸핑 제어 신호(CCS)의 전압 레벨이 변화하는 속도를 가변시킬 수 있다. In embodiments, the chopping controller 320 may adjust the slew rate of the chopping control signal CCS or change the transition speed. For example, when the chopping control signal CCS is a square wave or includes pulses, the chopping controller 320 may vary the speed at which the voltage level of the chopping control signal CCS changes.

후술하여 설명하겠지만, 표시 장치(100)에 구비되거나 표시 장치(100)와 함께 제품에 구비되는 구성 요소들(예를 들어, 터치 패널) 및 이들의 배치는 다양하게 변경될 수 있으며, 이에 따라, 표시 장치(100)(또는, 데이터선들(DL1 내지 DLm, 도 1 참조))에 영향을 받는 구성 요소들도 다양할 수 있다. 따라서, 쵸핑 제어 신호(CCS)의 슬루율 또는 천이 속도는, 표시 장치(100)(또는, 표시 장치(100)를 포함하는 제품)의 제조 과정에서, 구성 요소들간의 배치(예를 들어, 데이터선들(DL1 내지 DLm) 및 터치 패널 내 전극 간의 배치, 거리) 등을 고려하여 설정되거나, 구성 요소들에 발생하는 영향(예를 들어, 데이터선들(DL1 내지 DLm)에 의해 터치 패널에서 발생하는 노이즈)에 대한 측정 결과를 고려하여 설정될 수 있다.As will be described later, components (eg, a touch panel) provided in the display device 100 or included in a product together with the display device 100 and their arrangement may be variously changed, and accordingly, Components affected by the display device 100 (or the data lines DL1 to DLm, see FIG. 1) may also be various. Therefore, the slew rate or transition speed of the chopping control signal CCS is determined by the arrangement (for example, data) of the components in the manufacturing process of the display device 100 (or a product including the display device 100). It is set in consideration of the lines (DL1 to DLm) and the arrangement and distance between electrodes in the touch panel, etc. ) Can be set in consideration of the measurement result.

감마 전압 생성기(330)는 감마 인에이블 신호(G_EN)를 수신하여 다양한 전압 레벨을 갖는 감마 전압들(VG0 내지 VG2047)을 생성할 수 있다.The gamma voltage generator 330 may receive the gamma enable signal G_EN and generate gamma voltages VG0 to VG2047 having various voltage levels.

시프트 레지스터(340)는 병렬화된 데이터(DATA)를 래치(350)에 제공할 수 있다. 시프트 레지스터(340)는 래치 클럭 신호를 생성하여 래치(350)에 제공할 수 있으며, 래치 클럭 신호는 병렬화된 데이터(DATA)가 출력되는 타이밍을 제어하는데 이용될 수 있다.The shift register 340 may provide parallelized data DATA to the latch 350. The shift register 340 may generate a latch clock signal and provide it to the latch 350, and the latch clock signal may be used to control timing at which parallelized data DATA is output.

래치(350)는 시프트 레지스터(340)로부터 순차적으로 수신한 데이터를 래치하거나 임시적으로 저장하여, 디코더(360)에 전달할 수 있다.The latch 350 may latch or temporarily store data sequentially received from the shift register 340 and transmit it to the decoder 360.

디코더(360)는 감마 전압들(VG0 내지 VG2047)을 이용하여 디지털 형태의 데이터(즉, 병렬화된 데이터(DATA)의 계조값)를 아날로그 형태의 데이터 신호(또는, 데이터 전압)로 변환할 수 있다.The decoder 360 may convert digital data (ie, a gray scale value of parallelized data DATA) into an analog data signal (or data voltage) using gamma voltages VG0 to VG2047. .

출력 버퍼(370)는 데이터 신호를 수신하여 데이터선들(DLs)(즉, 도 1을 참조하여 설명한 표시부(110)의 데이터선들(DL1 내지 DLm))에 출력할 수 있다. 출력 버퍼(370)는 데이터선들(DLs)에 연결되는 소스 증폭기들을 포함할 수 있다.The output buffer 370 may receive the data signal and output it to the data lines DLs (that is, the data lines DL1 to DLm of the display unit 110 described with reference to FIG. 1 ). The output buffer 370 may include source amplifiers connected to the data lines DLs.

한편, 도 3에서 쵸핑 제어기(320)는 제어기(310) 및 출력 버퍼(370)에 독립하는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 쵸핑 제어기(320)는 제어기(310) 또는 출력 버퍼(370)(또는, 출력 버퍼부)에 포함될 수도 있다.Meanwhile, in FIG. 3, the chopping controller 320 is illustrated as being independent of the controller 310 and the output buffer 370, but is not limited thereto. For example, the chopping controller 320 may be included in the controller 310 or the output buffer 370 (or the output buffer unit).

도 4는 도 3의 소스 구동부에 포함된 출력 버퍼의 일 예를 나타내는 회로도이다. 도 4에는 도 1에 도시된 데이터선(DLj)에 대응되는 회로(또는, 소스 앰프)를 중심으로, 출력 버퍼(370)가 간략하게 도시되어 있다.4 is a circuit diagram illustrating an example of an output buffer included in the source driver of FIG. 3. In FIG. 4, the output buffer 370 is schematically illustrated with the center of the circuit (or source amplifier) corresponding to the data line DLj shown in FIG. 1.

도 3 및 도 4를 참조하면, 출력 버퍼(370)는 증폭기(AMP)(또는, 소스 앰프) 및 쵸핑 회로(SW)를 포함할 수 있다.3 and 4, the output buffer 370 may include an amplifier (AMP) (or a source amplifier) and a chopping circuit (SW).

증폭기(AMP)는 디코더(360)의 출력단에, 또는 디코더(360) 및 데이터선(DLj) 사이에 연결될 수 있다.The amplifier AMP may be connected to an output terminal of the decoder 360 or between the decoder 360 and the data line DLj.

쵸핑 회로(SW)는 쵸핑 제어 신호(CCS)에 응답하여 증폭기(AMP)의 오프셋의 극성을 주기적으로 변경할 수 있다. 여기서, 쵸핑 제어 신호(CCS)는 쵸핑 제어기(320)(또는, 쵸핑 제어부)로부터 제공되며, 턴-온 전압 레벨을 가지는 펄스를 포함할 수 있다.The chopping circuit SW may periodically change the polarity of the offset of the amplifier AMP in response to the chopping control signal CCS. Here, the chopping control signal CCS is provided from the chopping controller 320 (or the chopping controller), and may include a pulse having a turn-on voltage level.

쵸핑 회로(SW)는 제1 내지 제4 스위치들(SW1 내지 SW4)을 포함할 수 있다.The chopping circuit SW may include first to fourth switches SW1 to SW4.

제1 스위치(SW1)는 입력 노드(N_IN) 및 증폭기(AMP)의 제1 입력 단자(또는, 제1 입력 노드(N_P)) 사이에 연결될 수 있다. 제2 스위치(SW2)는 입력 노드(N_IN) 및 증폭기(AMP)의 제2 입력 단자(또는, 제2 입력 노드(N_N)) 사이에 연결될 수 있다. 제3 스위치(SW3)는 증폭기(AMP)의 제1 입력 단자(또는, 제1 입력 노드(N_P)) 및 증폭기(AMP)의 출력 단자(또는, 출력 노드(N_OUT)) 사이에 연결될 수 있다. 제4 스위치(SW4)는 증폭기(AMP)의 제2 입력 단자(또는, 제2 입력 노드(N_N)) 및 증폭기(AMP)의 출력 단자 사이에 연결될 수 있다. The first switch SW1 may be connected between the input node N_IN and the first input terminal (or the first input node N_P) of the amplifier AMP. The second switch SW2 may be connected between the input node N_IN and the second input terminal (or the second input node N_N) of the amplifier AMP. The third switch SW3 may be connected between the first input terminal (or the first input node N_P) of the amplifier AMP and the output terminal (or the output node N_OUT) of the amplifier AMP. The fourth switch SW4 may be connected between the second input terminal (or the second input node N_N) of the amplifier AMP and the output terminal of the amplifier AMP.

제1 내지 제4 스위치들(SW1 내지 SW4)는 쵸핑 제어 신호(CCS)에 응답하여 동작하거나, 턴-온 될 수 있다. 예를 들어, 제1 스위치(SW1)는 턴-온 전압 레벨을 가지는 제1 쵸핑 제어 신호(CCS1)에 응답하여 턴-온되고, 제2 스위치(SW2)는 턴-온 전압 레벨을 가지는 제2 쵸핑 제어 신호(CCS2)에 응답하여 턴-온되며, 제3 스위치(SW3)는 턴-온 전압 레벨을 가지는 제3 쵸핑 제어 신호(CCS3)에 응답하여 턴-온되고, 제4 스위치(SW4)는 턴-온 전압 레벨을 가지는 제4 쵸핑 제어 신호(CCS4)에 응답하여 턴-온될 수 있다.The first to fourth switches SW1 to SW4 may operate in response to the chopping control signal CCS or may be turned on. For example, the first switch SW1 is turned on in response to the first chopping control signal CCS1 having a turn-on voltage level, and the second switch SW2 is a second switch SW2 having a turn-on voltage level. The third switch SW3 is turned on in response to the chopping control signal CCS2, and the third switch SW3 is turned on in response to the third chopping control signal CCS3 having a turn-on voltage level, and the fourth switch SW4 May be turned on in response to the fourth chopping control signal CCS4 having a turn-on voltage level.

제1 시간(또는, 제1 구간)에서 턴-온 전압 레벨의 제1 및 제4 쵸핑 제어 신호들(CCS1, CCS4)에 응답하여 제1 스위치(SW1) 및 제4 스위치(SW4)가 턴-온될 수 있다. 제1 시간과 다른 제2 시간(또는, 제2 구간)에서 턴-온 전압 레벨의 제2 및 제3 쵸핑 제어 신호들(CCS2, CCS3)에 응답하여 제2 스위치(SW2) 및 제3 스위치(SW3)가 턴-온될 수 있다. 여기서, 제1 시간 및 제2 시간은, 하나의 프레임 구간마다(즉, 표시 장치(100, 도 1 참조)가 하나의 프레임 영상을 표시하는 하나의 프레임 구간마다) 교번될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In response to the first and fourth chopping control signals CCS1 and CCS4 of the turn-on voltage level in the first time (or the first period), the first switch SW1 and the fourth switch SW4 are turned- Can be turned on. In response to the second and third chopping control signals CCS2 and CCS3 of the turn-on voltage level at a second time (or a second period) different from the first time, the second switch SW2 and the third switch ( SW3) can be turned on. Here, the first time and the second time may be alternated for each frame period (ie, for each frame period in which the display device 100 (see FIG. 1) displays one frame image), but is limited thereto. It is not.

예를 들어, 제1 시간에서 데이터 신호는 증폭기(AMP)의 제1 입력 단자를 통해 제1 극성의 오프셋을 가지고 출력되며, 제2 시간에서 데이터 신호는 증폭기(AMP)의 제2 입력 단자를 통해 제2 극성의 오프셋(즉, 제1 극성의 오프셋과 동일한 크기를 가지되, 다른 극성을 가지는 오프셋)을 가지고 출력될 수 있다.For example, at a first time, a data signal is output with an offset of a first polarity through a first input terminal of the amplifier AMP, and at a second time, the data signal is output through a second input terminal of the amplifier It may be output with an offset of the second polarity (ie, an offset having the same size as the offset of the first polarity, but having a different polarity).

도 5는 도 4의 출력 버퍼의 일 예를 나타내는 회로도이다. 도 5에는 도 4에 도시된 제3 스위치(SW3)를 중심으로 출력 버퍼(370)가 간략하게 도시되어 있다.5 is a circuit diagram illustrating an example of the output buffer of FIG. 4. In FIG. 5, the output buffer 370 is schematically illustrated with the center of the third switch SW3 shown in FIG. 4.

도 4 및 도 5를 참조하면, 제3 스위치(SW3)는 N형 트랜지스터(또는, NMOS 트랜지스터, 산화물 반도체 트랜지스터)일 수 있으나, 이는 예시적인 것으로 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제3 스위치(SW3)는 P형 트랜지스터일 수도 있다.4 and 5, the third switch SW3 may be an N-type transistor (or, an NMOS transistor or an oxide semiconductor transistor), but this is exemplary and is not limited thereto. For example, the third switch SW3 may be a P-type transistor.

증폭기(AMP)의 출력 단자가 연결되는 출력 노드(N_OUT)와 제3 스위치(SW3)에 제3 쵸핑 제어 신호(CCS3)를 전송하는 제어선(CL) 사이에 제1 기생 커패시터(Cpar1)가 형성될 수 있다. 예를 들어, 출력 노드(N_OUT)에 연결된 배선과 제어선(CL)이 중첩하거나 인접하면서, 이들 사이에 제1 기생 커패시터(Cpar1)가 형성될 수 있다.A first parasitic capacitor Cpar1 is formed between the output node N_OUT to which the output terminal of the amplifier AMP is connected and the control line CL that transmits the third chopping control signal CCS3 to the third switch SW3. Can be. For example, while the wiring connected to the output node N_OUT and the control line CL overlap or are adjacent, a first parasitic capacitor Cpar1 may be formed therebetween.

제3 쵸핑 제어 신호(CCS3)의 고주파 성분은 제1 기생 커패시터(Cpar1)를 통해 출력 노드(N_OUT)로 전달되며, 데이터선(DLj)을 통해 전송되는 데이터 신호에 대한 노이즈로 나타날 수 있다.The high frequency component of the third chopping control signal CCS3 is transmitted to the output node N_OUT through the first parasitic capacitor Cpar1 and may appear as noise for the data signal transmitted through the data line DLj.

한편, 도 5에서 제3 스위치(SW3)에 제1 기생 커패시터(Cpar1)가 형성되는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 도 4에 도시된 제4 스위치(SW4)에도 기생 커패시터가 형성될 수 있으며, 제1 스위치(SW1) 및 제2 스위치(SW2)에도 기생 커패시터들이 각각 형성될 수도 있고, 이에 따라, 제1, 제2 및 제4 쵸핑 제어 신호들(CCS1, CCS2, CCS4, 도 4 참조) 각각의 고주파 성분이, 데이터 신호에 대한 노이즈로 나타날 수 있다.Meanwhile, in FIG. 5, it has been described that the first parasitic capacitor Cpar1 is formed in the third switch SW3, but the present invention is not limited thereto. For example, parasitic capacitors may be formed in the fourth switch SW4 shown in FIG. 4, and parasitic capacitors may be formed in the first switch SW1 and the second switch SW2, respectively, and accordingly, A high frequency component of each of the first, second, and fourth chopping control signals (CCS1, CCS2, CCS4, see FIG. 4) may appear as noise for the data signal.

도 6은 도 5의 출력 버퍼에서 측정된 신호들의 일 예를 나타내는 파형도이다.6 is a waveform diagram illustrating an example of signals measured in the output buffer of FIG. 5.

도 5 및 도 6을 참조하면, 제3 쵸핑 제어 신호(CCS3)는 제1 시점(t1)에서 턴-오프 전압 레벨(또는, 논리 로우 레벨, 게이트 오프 전압 레벨)에서 턴-온 전압 레벨(또는, 논리 하이 레벨, 게이트 온 전압 레벨)로 천이되며, 제2 시점(t2)에서 턴-오프 전압 레벨로 천이될 수 있다. 여기서, 턴-오프 전압 레벨은 도 5에 도시된 트랜지스터를 턴-오프 시키는 전압 레벨이고, 턴-온 전압 레벨은 트랜지스터를 턴-온 시키는 전압 레벨일 수 있다.5 and 6, the third chopping control signal CCS3 is a turn-on voltage level (or a logic low level, a gate-off voltage level) at a turn-off voltage level at a first time point t1. , A logic high level, a gate-on voltage level), and a turn-off voltage level at a second time point t2. Here, the turn-off voltage level may be a voltage level for turning off the transistor shown in FIG. 5, and the turn-on voltage level may be a voltage level for turning on the transistor.

제1 시점(t1)에서 제3 쵸핑 제어 신호(CCS3)의 변화(즉, 턴-오프 전압 레벨로부터 턴-온 전압 레벨로의 천이)에 대응하여, 데이터선(DLj)을 통해 전송되는 데이터 신호(DATAj)에 임펄스 형태의 노이즈가 발생할 수 있다.A data signal transmitted through the data line DLj in response to a change in the third chopping control signal CCS3 (ie, a transition from the turn-off voltage level to the turn-on voltage level) at the first time point t1 Impulse-type noise may occur in (DATAj).

유사하게, 제2 시점(t2)에서 제3 쵸핑 제어 신호(CCS3)의 변화(즉, 턴-온 전압 레벨로부터 턴-오프 전압 레벨로의 천이)에 대응하여, 데이터선(DLj)을 통해 전송되는 데이터 신호(DATAj)에 임펄스 형태의 노이즈가 발생할 수 있다.Similarly, in response to a change in the third chopping control signal CCS3 (i.e., transition from the turn-on voltage level to the turn-off voltage level) at the second time point t2, transmission through the data line DLj Noise in the form of an impulse may be generated in the data signal DATAj.

이러한 노이즈가 화소에 저장되는 데이터 신호에 미치는 영향은 미미할 수 있다. 도 2를 참조하여 설명한 바와 같이, 데이터 신호(DATAj)는 주사선(SLi)을 통해 전달되는 주사 신호에 응답하여 특정 시간 동안 화소(PXL)의 스토리지 커패시터(Cst)에 저장되거나 스토리지 커패시터(Cst)가 충전되므로, 데이터 신호(DATAj)의 천이 시점(즉, 제1 시점(t1) 및 제2 시점(t2))을 턴-온 전압 레벨의 주사 신호와 비중첩시킴으로써, 노이즈의 화소(PXL)에 대한 영향이 배제될 수도 있다.The effect of such noise on the data signal stored in the pixel may be insignificant. As described with reference to FIG. 2, the data signal DATAj is stored in the storage capacitor Cst of the pixel PXL for a specific time in response to the scan signal transmitted through the scan line SLi, or the storage capacitor Cst is Since it is charged, the transition point of the data signal DATAj (that is, the first point of time t1 and the second point of time t2) is non-overlapping with the scan signal of the turn-on voltage level, thereby Effects may be ruled out.

다만, 표시 장치(100)에 구비되거나, 표시 장치(100)와 함께 제품에 구비되는 다른 구성 요소(예를 들어, 소스 구동부(130)와 동기화되지 않은 터치 패널)는 데이터선(DLj)에 발생하는 노이즈에 영향을 받으며, 오작동할 수 있다. 이에 대해서는 도 12 내지 도 15를 참조하여 후술하기로 한다.However, other components (for example, a touch panel that is not synchronized with the source driver 130) provided in the display device 100 or provided in a product together with the display device 100 are generated in the data line DLj. It is affected by noise and may malfunction. This will be described later with reference to FIGS. 12 to 15.

따라서, 본 발명의 실시예들에 따른 쵸핑 제어기(320, 도 4 참조)는 쵸핑 제어 신호(CCS)(또는, 제3 쵸핑 제어 신호(CCS3))의 슬루율 또는 천이 속도를 가변시킬 수 있다. 예를 들어, 쵸핑 제어 신호(CCS)의 슬루율 또는 천이 속도가 낮아지는 경우, 쵸핑 제어 신호(CCS)의 고주파 성분이 감소되고, 데이터 신호(DATAj)의 노이즈가 감소될 수 있다. 다만, 쵸핑 제어 신호(CCS)의 슬루율 또는 천이 속도가 낮아질수록, 출력 버퍼(370)의 안정화를 위한 시간이 추가로 소요되거나 증가될 수 있다. 따라서, 쵸핑 제어 신호(CCS)의 슬루율 또는 천이 속도는, 다른 구성 요소(예를 들어, 터치 패널)에서 노이즈가 발생하지 않는 범위 내에서, 가장 높거나 빠르게 설정될 수 있다.Accordingly, the chopping controller 320 (refer to FIG. 4) according to embodiments of the present invention may vary the slew rate or transition speed of the chopping control signal CCS (or the third chopping control signal CCS3). For example, when the slew rate or transition speed of the chopping control signal CCS is lowered, a high frequency component of the chopping control signal CCS may be reduced, and noise of the data signal DATAj may be reduced. However, as the slew rate or transition speed of the chopping control signal CCS decreases, time for stabilization of the output buffer 370 may be additionally required or increased. Accordingly, the slew rate or transition speed of the chopping control signal CCS may be set to the highest or the fastest within a range in which noise is not generated by other components (eg, a touch panel).

도 7은 도 3의 소스 구동부에 포함된 쵸핑 제어기의 일 예를 나타내는 블록도이다.7 is a block diagram illustrating an example of a chopping controller included in the source driver of FIG. 3.

도 3, 도 4 및 도 7을 참조하면, 쵸핑 제어기(320)는 로직 제어 회로(710)(또는, 로직 제어 블록), 레벨 시프터(720), 및 버퍼 회로(730)(또는, 버퍼 블록)를 포함할 수 있다.3, 4 and 7, the chopping controller 320 includes a logic control circuit 710 (or a logic control block), a level shifter 720, and a buffer circuit 730 (or a buffer block). It may include.

로직 제어 회로(710)는 펄스를 포함하는 제1 제어 신호를 생성할 수 있다. 여기서, 제1 제어 신호는 도 3을 참조하여 설명한 제1 제어 신호(CCCS)와 실질적으로 동일할 수 있으며, 로직 제어 회로(710)는 제어기(310)에 포함될 수도 있다.The logic control circuit 710 may generate a first control signal including a pulse. Here, the first control signal may be substantially the same as the first control signal CCCS described with reference to FIG. 3, and the logic control circuit 710 may be included in the controller 310.

레벨 시프터(720)는 제1 제어 신호의 레벨을 시프트 업하여 제2 제어 신호를 생성할 수 있다.The level shifter 720 may generate a second control signal by shifting up the level of the first control signal.

버퍼 회로(730)는 제2 제어 신호를 쵸핑 제어 신호(CCS)로서 출력하되 쵸핑 제어 신호의 슬루율을 가변시킬 수 있다. 여기서, 슬루율은 쵸핑 제어 신호(CCS)가 제2 제어 신호를 따라가는 비율, 또는 쵸핑 제어 신호(CCS)의 시간에 따른 변화율을 나타낼 수 있다. 버퍼 회로(730)에서 출력되는 쵸핑 제어 신호(CCS)는 쵸핑 회로(SW)에 제공될 수 있다.The buffer circuit 730 outputs the second control signal as a chopping control signal CCS, but may change the slew rate of the chopping control signal. Here, the slew rate may represent a rate at which the chopping control signal CCS follows the second control signal, or a change rate of the chopping control signal CCS over time. The chopping control signal CCS output from the buffer circuit 730 may be provided to the chopping circuit SW.

실시예들에서, 버퍼 회로(730)는 쵸핑 회로(SW)에 병렬 연결되는 서브 버퍼들 및 서브 버퍼들을 레벨 시프터(720)에 각각 직렬 연결하는 서브 스위치들을 포함할 수 있다.In embodiments, the buffer circuit 730 may include sub-buffers connected in parallel to the chopping circuit SW and sub-switches for serially connecting the sub-buffers to the level shifter 720, respectively.

도 8은 도 7의 쵸핑 제어기에 포함된 버퍼 회로의 일 예를 나타내는 회로도이다.8 is a circuit diagram illustrating an example of a buffer circuit included in the chopping controller of FIG. 7.

도 8을 참조하면, 버퍼 회로(730)는 제1 내지 제4 서브 버퍼들(BUF_S1 내지 BUF_S4) 및 제1 내지 제4 서브 스위치들(SW_S1 내지 SW_S4)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 8, the buffer circuit 730 may include first to fourth sub buffers BUF_S1 to BUF_S4 and first to fourth sub switches SW_S1 to SW_S4.

제1 서브 버퍼(BUF_S1) 및 제1 서브 스위치(SW_S1)는 레벨 시프터(720) 및 쵸핑 회로(SW) 사이에 직렬 연결될 수 있다. 유사하게, 제2 서브 버퍼(BUF_S2) 및 제2 서브 스위치(SW_S2)는 레벨 시프터(720) 및 쵸핑 회로(SW) 사이에 직렬 연결되고, 제3 서브 버퍼(BUF_S3) 및 제3 서브 스위치(SW_S3)는 레벨 시프터(720) 및 쵸핑 회로(SW) 사이에 직렬 연결되며, 제4 서브 버퍼(BUF_S4) 및 제4 서브 스위치(SW_S4)는 레벨 시프터(720) 및 쵸핑 회로(SW) 사이에 직렬 연결될 수 있다.The first sub buffer BUF_S1 and the first sub switch SW_S1 may be connected in series between the level shifter 720 and the chopping circuit SW. Similarly, the second sub buffer BUF_S2 and the second sub switch SW_S2 are connected in series between the level shifter 720 and the chopping circuit SW, and the third sub buffer BUF_S3 and the third sub switch SW_S3 ) Is connected in series between the level shifter 720 and the chopping circuit SW, and the fourth sub buffer BUF_S4 and the fourth sub switch SW_S4 are connected in series between the level shifter 720 and the chopping circuit SW. I can.

제1 내지 제4 서브 버프들(BUF_S1 내지 BUF_S4) 각각은 제1 구동 전압(V_TOP) 및 제2 구동 전압(GND) 사이에 직렬 연결되고 게이트 전극이 입력 단자(IN)에 연결되는 N형 트랜지스터(M1) 및 P형 트랜지스터(M2)로 구성되고, 입력 단자(IN)는 해당 서브 스위치에 연결되며, 출력 단자(OUT)는 쵸핑 회로(SW)에 연결될 수 있다. 제1 내지 제4 서브 버퍼들(BUF_S1 내지 BUF_S4)은 상호 동일한 버퍼 사이즈(buffer size)를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 내지 제4 서브 버퍼들(BUF_S1 내지 BUF_S4)은 상호 다른 버퍼 사이즈들을 가질 수도 있다.Each of the first to fourth sub-buffs BUF_S1 to BUF_S4 is connected in series between the first driving voltage V_TOP and the second driving voltage GND, and the gate electrode is connected to the input terminal IN. M1) and a P-type transistor M2, the input terminal IN may be connected to a corresponding sub-switch, and the output terminal OUT may be connected to the chopping circuit SW. The first to fourth sub-buffers BUF_S1 to BUF_S4 may have the same buffer size, but are not limited thereto. For example, the first to fourth sub-buffers BUF_S1 to BUF_S4 may have different buffer sizes.

제1 내지 제4 서브 스위치들(SW_S1 내지 SW_S4) 각각은 N형 트랜지스터로 구현될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 내지 제4 서브 스위치들(SW_S1 내지 SW_S4) 중 적어도 하나는 선택 신호(CHOP_SLOPE_CON[1:0])에 기초하여 턴-온될 수 있다. 여기서, 선택 신호(CHOP_SLOPE_CON[1:0])는 기 설정되고, 제어기(310) 등으로부터 제공될 수 있다.Each of the first to fourth sub switches SW_S1 to SW_S4 may be implemented as an N-type transistor, but is not limited thereto. At least one of the first to fourth sub switches SW_S1 to SW_S4 may be turned on based on the selection signal CHOP_SLOPE_CON[1:0]. Here, the selection signal CHOP_SLOPE_CON[1:0] is preset and may be provided from the controller 310 or the like.

한편, 도 8에서 버퍼 회로(730)는 4 쌍의 서브 버퍼들 및 서브 스위치들을 포함하는 것으로 도시되어 있으나, 이는 예시적인 것으로 버퍼 회로(730)가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 버퍼 회로(730)는 2쌍, 3쌍, 또는 5쌍 이상의 서브 버퍼들 및 서브 스위치들을 포함할 수도 있다.Meanwhile, in FIG. 8, the buffer circuit 730 is shown to include four pairs of sub buffers and sub switches, but this is exemplary and the buffer circuit 730 is not limited thereto. For example, the buffer circuit 730 may include 2 pairs, 3 pairs, or 5 or more pairs of sub buffers and sub switches.

도 9는 도 8의 버퍼에서 출력되는 쵸핑 제어 신호의 일 예를 나타내는 파형도이다.9 is a waveform diagram illustrating an example of a chopping control signal output from the buffer of FIG. 8.

도 8 및 도 9를 참조하면, 선택 신호(CHOP_SLOPE_CON[1:0])가 제1 값(예를 들어, 00)을 가지는 경우, 제1 내지 제4 서브 스위치들(SW_S1 내지 SW_S4)은 모두 턴-온 될 수 있다.8 and 9, when the selection signal CHOP_SLOPE_CON[1:0] has a first value (for example, 00), all of the first to fourth sub switches SW_S1 to SW_S4 are turned. -Can be on.

이 경우, 쵸핑 제어 신호(CCS)는, 도 6을 참조하여 설명한 바와 같이, 제1 시점(t1)에서 턴-오프 전압 레벨에서 턴-온 전압 레벨로 빠르게 천이되고, 또한, 제2 시점(t2)에서 턴-온 전압 레벨에서 턴-오프 전압 레벨로 빠르게 천이될 수 있다.In this case, the chopping control signal CCS rapidly transitions from the turn-off voltage level to the turn-on voltage level at the first time point t1, as described with reference to FIG. 6, and further, the second time point t2 ) Can quickly transition from the turn-on voltage level to the turn-off voltage level.

선택 신호(CHOP_SLOPE_CON[1:0])가 제2 값(예를 들어, 01)을 가지는 경우, 제1 내지 제4 서브 스위치들(SW_S1 내지 SW_S4) 중 3개(예를 들어, 제1 내지 제3 서브 스위치들(SW_S1 내지 SW_S3))가 턴-온될 수 있다.When the selection signal CHOP_SLOPE_CON[1:0] has a second value (for example, 01), three of the first to fourth sub-switches SW_S1 to SW_S4 (for example, the first to the first The three sub switches SW_S1 to SW_S3 may be turned on.

이 경우, 쵸핑 제어 신호(CCS)는, 제1 시점(t1) 및 제3 시점(t3) 사이의 구간에서 턴-오프 전압 레벨에서 턴-온 전압 레벨로 천이되고, 또한, 제2 시점(t2) 및 제6 시점(t6) 사이의 구간에서 턴-온 전압 레벨에서 턴-오프 전압 레벨로 천이될 수 있다.In this case, the chopping control signal CCS transitions from the turn-off voltage level to the turn-on voltage level in the section between the first time point t1 and the third time point t3, and further, the second time point t2 ) And the sixth time point t6 may transition from the turn-on voltage level to the turn-off voltage level.

선택 신호(CHOP_SLOPE_CON[1:0])가 제2 값을 가지는 경우의 쵸핑 제어 신호(CCS)의 기울기(slope)(또는, 펄스의 상승 에지(raising edge) 및/또는 하강 에지(falling edge)의 기울기)는 선택 신호(CHOP_SLOPE_CON[1:0])가 제1 값을 가지는 경우의 쵸핑 제어 신호(CCS)의 기울기보다 완만해 질 수 있다.When the selection signal (CHOP_SLOPE_CON[1:0]) has a second value, the slope of the chopping control signal CCS (or, the rising edge and/or the falling edge of the pulse). The slope) may be smoother than the slope of the chopping control signal CCS when the selection signal CHOP_SLOPE_CON[1:0] has a first value.

유사하게, 선택 신호(CHOP_SLOPE_CON[1:0])가 제3 값(예를 들어, 10)을 가지는 경우, 제1 내지 제4 서브 스위치들(SW_S1 내지 SW_S4) 중 2개(예를 들어, 제1 및 제2 서브 스위치들(SW_S1, SW_S2))가 턴-온될 수 있다. 이 경우, 쵸핑 제어 신호(CCS)는, 제1 시점(t1) 및 제4 시점(t4) 사이의 구간에서 턴-오프 전압 레벨에서 턴-온 전압 레벨로 천이되고, 또한, 제2 시점(t2) 및 제7 시점(t7) 사이의 구간에서 턴-온 전압 레벨에서 턴-오프 전압 레벨로 천이될 수 있다. 선택 신호(CHOP_SLOPE_CON[1:0])가 제3 값을 가지는 경우의 쵸핑 제어 신호(CCS)의 기울기는 선택 신호(CHOP_SLOPE_CON[1:0])가 제2 값을 가지는 경우의 쵸핑 제어 신호(CCS)의 기울기보다 완만해 질 수 있다.Similarly, when the selection signal CHOP_SLOPE_CON[1:0] has a third value (for example, 10), two of the first to fourth sub-switches SW_S1 to SW_S4 (for example, the first The first and second sub switches SW_S1 and SW_S2 may be turned on. In this case, the chopping control signal CCS transitions from the turn-off voltage level to the turn-on voltage level in the section between the first time point t1 and the fourth time point t4, and further, the second time point t2 ) And the seventh time point t7 may transition from the turn-on voltage level to the turn-off voltage level. The slope of the chopping control signal CCS when the selection signal CHOP_SLOPE_CON[1:0] has a third value is the chopping control signal CCS when the selection signal CHOP_SLOPE_CON[1:0] has a second value. It can be smoother than the slope of ).

선택 신호(CHOP_SLOPE_CON[1:0])가 제4 값(예를 들어, 11)을 가지는 경우, 제1 내지 제4 서브 스위치들(SW_S1 내지 SW_S4) 중 하나(예를 들어, 제1 서브 스위치(SW_S1))가 턴-온될 수 있다. 이 경우, 쵸핑 제어 신호(CCS)는, 제1 시점(t1) 및 제5 시점(t5) 사이의 구간에서 턴-오프 전압 레벨에서 턴-온 전압 레벨로 천이되고, 또한, 제2 시점(t2) 및 제8 시점(t8) 사이의 구간에서 턴-온 전압 레벨에서 턴-오프 전압 레벨로 천이될 수 있다. 선택 신호(CHOP_SLOPE_CON[1:0])가 제4 값을 가지는 경우의 쵸핑 제어 신호(CCS)의 기울기는 선택 신호(CHOP_SLOPE_CON[1:0])가 제3 값을 가지는 경우의 쵸핑 제어 신호(CCS)의 기울기보다 완만해 질 수 있다.When the selection signal CHOP_SLOPE_CON[1:0] has a fourth value (eg, 11), one of the first to fourth sub switches SW_S1 to SW_S4 (eg, the first sub switch ( SW_S1)) may be turned on. In this case, the chopping control signal CCS transitions from the turn-off voltage level to the turn-on voltage level in the period between the first time point t1 and the fifth time point t5, and further, the second time point t2 ) And the eighth time point t8 may transition from the turn-on voltage level to the turn-off voltage level. The slope of the chopping control signal CCS when the selection signal CHOP_SLOPE_CON[1:0] has a fourth value is the chopping control signal CCS when the selection signal CHOP_SLOPE_CON[1:0] has a third value. It can be smoother than the slope of ).

즉, 선택 신호(CHOP_SLOPE_CON[1:0])에 따라 버퍼 회로(730)의 버퍼 사이즈가 가변되며, 버퍼 회로(730)를 통해 출력되는 쵸핑 제어 신호(CCS)의 슬루율(또는, 천이 속도, 기울기)이 조절될 수 있다. 예를 들어, 버퍼 회로(730)의 버퍼 사이즈가 작아질수록, 쵸핑 제어 신호(CSS)의 슬루율이 감소할 수 있다.That is, the buffer size of the buffer circuit 730 is varied according to the selection signal CHOP_SLOPE_CON[1:0], and the slew rate (or transition speed, or the transition speed) of the chopping control signal CCS output through the buffer circuit 730 Tilt) can be adjusted. For example, as the buffer size of the buffer circuit 730 decreases, the slew rate of the chopping control signal CSS may decrease.

표시 장치(100, 도 1)의 제조 과정에서, 선택 신호(CHOP_SLOPE_CON[1:0])의 값을 변경하면서, 다른 구성 요소에서 발생하는 노이즈가 측정될 수 있다. 노이즈의 측정 결과에 따라 최적의 값(예를 들어, 노이즈가 발생하지 않으면서, 쵸핑 제어 신호(CCS)의 기울기가 가장 크게 되도록 하는 값)이 선택 또는 설정될 수 있다. 즉, 노이즈가 발생하지 않는 범위 내에서, 버퍼 회로(730)의 버퍼 사이즈는 가장 크게 설정될 수 있다.During the manufacturing process of the display device 100 (FIG. 1 ), noise generated from other components may be measured while changing a value of the selection signal CHOP_SLOPE_CON[1:0]. An optimum value (eg, a value that causes the chopping control signal CCS to have the largest slope without generating noise) may be selected or set according to the measurement result of noise. That is, within a range in which noise is not generated, the buffer size of the buffer circuit 730 may be set to be the largest.

한편, 도 9에서 제1 내지 제4 서브 버퍼들(BUF_S1 내지 BUF_S4)이 상호 동일한 크기(또는, 버퍼 사이즈)를 가지는 것을 전제하여 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제2 서브 버퍼(BUF_S2)는 제1 서브 버퍼(BUF_S1)의 크기의 2배인 크기를 가지고, 제3 서브 버퍼(BUF_S3)는 제2 서브 버퍼(BUF_S2)의 크기의 2배인 크기를 가질 수 있다. 이 경우, 제4 값(예를 들어, 11)에 대응하여 제1 서브 버퍼(BUF_S1)에 대응하는 제1 서브 스위치(SW_S1)만이 턴-온되고, 제3 값(예를 들어, 10)에 대응하여 제2 서브 버퍼(BUF_S2)에 대응하는 제2 서브 스위치(SW_S2)만이 턴-온되며, 제2 값(예를 들어, 01)에 대응하여 제1 및 제2 서브 버퍼들(BUF_S1, BUF_S2)만이 턴-온되고, 제1 값(예를 들어, 00)에 대응하여 제3 서브 버퍼(BUF_S3)만이 턴-온될 수 도 있다.Meanwhile, in FIG. 9, the description is made on the assumption that the first to fourth sub-buffers BUF_S1 to BUF_S4 have the same size (or buffer size), but the present disclosure is not limited thereto. For example, the second sub-buffer BUF_S2 has a size that is twice the size of the first sub-buffer BUF_S1, and the third sub-buffer BUF_S3 has a size that is twice the size of the second sub-buffer BUF_S2. Can have. In this case, only the first sub-switch SW_S1 corresponding to the first sub-buffer BUF_S1 is turned on corresponding to the fourth value (eg, 11), and the third value (eg, 10) is Correspondingly, only the second sub switch SW_S2 corresponding to the second sub buffer BUF_S2 is turned on, and the first and second sub buffers BUF_S1 and BUF_S2 corresponding to the second value (eg, 01) ) May be turned on, and only the third sub-buffer BUF_S3 may be turned on corresponding to the first value (eg, 00).

도 10은 도 3의 소스 구동부에 포함된 쵸핑 제어기의 다른 예를 나타내는 블록도이다.10 is a block diagram illustrating another example of a chopping controller included in the source driver of FIG. 3.

도 7 및 도 10을 참조하면, 도 10의 쵸핑 제어기(320)는 아날로그 필터(740)(또는, 저역 통과 필터)를 더 포함한다는 점에서, 도 7의 쵸핑 제어기(320)와 상이하다.7 and 10, the chopping controller 320 of FIG. 10 is different from the chopping controller 320 of FIG. 7 in that it further includes an analog filter 740 (or a low-pass filter).

버퍼 회로(730)는 레벨 시프터(720)로부터 제공되는 제2 제어 신호를 쵸핑 제어 신호(CCS)로서 출력할 수 있다. 도 7을 참조하여 설명한 버퍼 회로(730)와 달리, 도 10에 도시된 버퍼 회로(730)는 쵸핑 제어 신호(CCS)의 슬루율을 가변시키지 않을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The buffer circuit 730 may output a second control signal provided from the level shifter 720 as a chopping control signal CCS. Unlike the buffer circuit 730 described with reference to FIG. 7, the buffer circuit 730 illustrated in FIG. 10 may not change the slew rate of the chopping control signal CCS, but is not limited thereto.

아날로그 필터(740)는 버퍼 회로(730)의 출력단 및 쵸핑 회로(SW) 사이에 연결되고, 쵸핑 제어 신호(CCS)의 고주파 성분을 가변적으로 필터링할 수 있다. 즉, 아날로그 필터(740)는 컷오프(cut-off) 주파수를 조절할 수 있고, 이에 따라 쵸핑 제어 신호(CCS)의 기울기가 가변될 수 있다.The analog filter 740 is connected between the output terminal of the buffer circuit 730 and the chopping circuit SW, and may variably filter the high frequency component of the chopping control signal CCS. That is, the analog filter 740 may adjust a cut-off frequency, and accordingly, the slope of the chopping control signal CCS may be varied.

아날로그 필터(740)는 가변 저항(R1) 및 가변 커패시터(C1)를 포함할 수 있다. 가변 저항(R1)은 버퍼 회로(730) 및 쵸핑 회로(SW) 사이에 연결되고, 가변 커패시터(C1)는 쵸핑 회로(SW) 및 기준 전압선(VREF)(예를 들어, 접지) 사이에 연결될 수 있다. 가변 저항(R1)은 복수의 저항들과 스위칭 소자들로 구현되고, 유사하게, 가변 커패시터(C1)는 복수의 커패시터들과 스위칭 소자들로 구현될 수도 있다.The analog filter 740 may include a variable resistor R1 and a variable capacitor C1. The variable resistor R1 may be connected between the buffer circuit 730 and the chopping circuit SW, and the variable capacitor C1 may be connected between the chopping circuit SW and the reference voltage line VREF (eg, ground). have. The variable resistor R1 is implemented with a plurality of resistors and switching elements, and similarly, the variable capacitor C1 may be implemented with a plurality of capacitors and switching elements.

가변 저항(R1)의 레지스턴스 및 가변 커패시터(C1)의 커패시턴스 중 적어도 하나는 선택 신호(CHOP_SLOPE_CON[1:0])에 기초하여 가변될 수 있다. 도 9를 참조하여 예를 들면, 선택 신호(CHOP_SLOPE_CON[1:0])가 제1 값(예를 들어, 00)을 가지는 경우 가변 저항(R1)의 레지스턴스 및 가변 커패시터(C1)의 커패시턴스 각각은 가장 작을 수 있다. 다른 예로, 선택 신호(CHOP_SLOPE_CON[1:0])가 제4 값(예를 들어, 11)을 가지는 경우 가변 저항(R1)의 레지스턴스 및 가변 커패시터(C1)의 커패시턴스 각각은 가장 클 수 있다.At least one of the resistance of the variable resistor R1 and the capacitance of the variable capacitor C1 may be varied based on the selection signal CHOP_SLOPE_CON[1:0]. Referring to FIG. 9, for example, when the selection signal CHOP_SLOPE_CON[1:0] has a first value (for example, 00), the resistance of the variable resistor R1 and the capacitance of the variable capacitor C1 are respectively It can be the smallest. As another example, when the selection signal CHOP_SLOPE_CON[1:0] has a fourth value (eg, 11), each of the resistance of the variable resistor R1 and the capacitance of the variable capacitor C1 may be the largest.

도 11은 도 3의 소스 구동부에 포함된 쵸핑 제어기의 또 다른 예를 나타내는 블록도이다.11 is a block diagram illustrating another example of a chopping controller included in the source driver of FIG. 3.

도 7 및 도 11을 참조하면, 도 11의 쵸핑 제어기(320)는 아날로그 필터(740) 대신, 지연 소자(delay element, 750)를 더 포함한다는 점에서, 도 7의 쵸핑 제어기(320)와 상이하다.7 and 11, the chopping controller 320 of FIG. 11 is different from the chopping controller 320 of FIG. 7 in that it further includes a delay element 750 instead of the analog filter 740. Do.

지연 소자(750)는 버퍼 회로(730)와 쵸핑 회로(SW) 사이에 연결될 수 있다.The delay element 750 may be connected between the buffer circuit 730 and the chopping circuit SW.

지연 소자(750)는 저항(R), 다이오드들(D1, D2) 및 지연 스위칭 소자들(SW_D1, SW_D2)를 포함할 수 있다. 저항(R)은 버퍼 회로(730) 및 쵸핑 회로(SW) 사이에 연결되고, 상호 직렬 연결된 제1 다이오드(D1) 및 제1 지연 스위칭 소자(SW_D1)가 저항(R)에 병렬 연결되며, 유사하게, 상호 직렬 연결된 제2 다이오드(D2) 및 제2 지연 스위칭 소자(SW_D2)가 저항(R)에 병렬 연결될 수 있다. 제1 및 제2 지연 스위칭 소자들(SW_D1, SW_D2)은 기 설정된 선택 신호에 응답하여 턴-온되거나 턴-오프될 수 있다.The delay element 750 may include a resistor R, diodes D1 and D2, and delay switching elements SW_D1 and SW_D2. The resistor R is connected between the buffer circuit 730 and the chopping circuit SW, and a first diode D1 and a first delay switching element SW_D1 connected in series are connected in parallel to the resistor R. Thus, the second diode D2 and the second delay switching element SW_D2 connected in series with each other may be connected in parallel to the resistor R. The first and second delay switching elements SW_D1 and SW_D2 may be turned on or turned off in response to a preset selection signal.

저항(R)은 가변 저항으로 구성될 수 있으며, 저항(R)에 의해 버퍼 회로(730)로부터 제공되는 쵸핑 제어 신호(또는, 쵸핑 제어 신호의 상승 에지 및 하강 에지)가 지연되어 전송될 수 있다. 저항(R) 대신 도 10을 참조하여 설명한 아날로그 필터(740)가 적용될 수도 있다. The resistor R may be composed of a variable resistor, and a chopping control signal (or a rising edge and a falling edge of the chopping control signal) provided from the buffer circuit 730 may be delayed and transmitted by the resistor R. . Instead of the resistor R, the analog filter 740 described with reference to FIG. 10 may be applied.

제1 다이오드(D1) 및 제2 다이오드(D2)는 상호 다른 방향(또는, 상호 다른 극성)으로 연결될 수 있다. 제1 다이오드(D1)는 버퍼 회로(730)로부터 제공되는 쵸핑 제어 신호의 상승 에지를 지연 없이 전송할 수 있고, 유사하게, 제2 다이오드(D2)는 쵸핑 제어 신호의 하강 에지를 지연 없이 전송할 수 있다.The first diode D1 and the second diode D2 may be connected in different directions (or different polarities). The first diode D1 may transmit the rising edge of the chopping control signal provided from the buffer circuit 730 without delay, and similarly, the second diode D2 may transmit the falling edge of the chopping control signal without delay. .

즉, 지연 소자(750)는 저항(R)을 이용하여 쵸핑 제어 신호를 지연시키거나 쵸핑 제어 신호의 슬루율을 조절하되, 제1 다이오드(D1) 및 제2 다이오드(D2)를 이용하여 쵸핑 제어 신호의 상승 에지 및 하강 에지 중 적어도 하나에 대한 슬루율을 조절할 수도 있다.That is, the delay element 750 delays the chopping control signal using the resistor R or adjusts the slew rate of the chopping control signal, but controls the chopping using the first diode D1 and the second diode D2. It is also possible to adjust the slew rate for at least one of the rising edge and the falling edge of the signal.

도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 도면이다. 도 13은 도 12의 표시 장치의 일 예를 나타내는 단면도이다.12 is a diagram illustrating a display device according to another exemplary embodiment of the present invention. 13 is a cross-sectional view illustrating an example of the display device of FIG. 12.

도 12 및 도 13을 참조하면, 표시 장치(1)는 영상을 표시할 수 있다. 표시 장치(1)는 태블릿 PC, 스마트폰, PDA(Personal Digital Assistant), PMP(Portable Multimedia Player), 게임기, 손목 시계형 전자 기기 등과 같은 휴대용 단말기일 수 있다. 다만, 표시 장치(1)가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 표시 장치(1)는 텔레비전 또는 외부 광고판과 같은 대형 전자 장비이거나, 퍼스널 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 자동차 네이게이션 장치, 카메라와 같은 중소형 전자 장비 등일 수 있다.12 and 13, the display device 1 may display an image. The display device 1 may be a portable terminal such as a tablet PC, a smart phone, a personal digital assistant (PDA), a portable multimedia player (PMP), a game machine, and a wrist watch type electronic device. However, the display device 1 is not limited thereto. For example, the display device 1 may be a large electronic device such as a television or an external billboard, or may be a personal computer, a notebook computer, a car navigation device, and a small and medium-sized electronic device such as a camera.

표시 장치(1)는 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 영상을 표시하는 부분이고, 비표시 영역(NDA)은 영상을 표시하지 않는 부분으로 정의될 수 있다.The display device 1 may include a display area DA and a non-display area NDA. The display area DA is a part that displays an image, and the non-display area NDA may be defined as a part that does not display an image.

표시 영역(DA)은 표시 장치(1)의 중앙부에 위치하며, 비표시 영역(NDA)에 비해 상대적으로 큰 면적을 가질 수 있다. 표시 영역(DA)에는 도 1을 참조하여 설명한 표시부(110)가 제공되거나, 표시 영역(DA)은 표시부(110)에 대응할 수 있다.The display area DA is located in the center of the display device 1 and may have a relatively larger area than the non-display area NDA. The display unit 110 described with reference to FIG. 1 may be provided in the display area DA, or the display area DA may correspond to the display unit 110.

표시 영역(DA)의 적어도 일측에는 또는 주변에는 비표시 영역(NDA)이 위치할 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 외측 경계로부터 표시 장치(1)의 가장자리(또는, 에지)까지의 영역일 수 있다. 비표시 영역(NDA)에는 도 1을 참조하여 설명한 주사 구동부(120), 소스 구동부(130), 타이밍 제어부(140), 및 발광 구동부(150) 등이 제공될 수 있다.The non-display area NDA may be located on or around at least one side of the display area DA. The non-display area NDA may be an area from the outer boundary of the display area DA to the edge (or edge) of the display device 1. In the non-display area NDA, the scan driver 120, the source driver 130, the timing controller 140, and the light emission driver 150 described with reference to FIG. 1 may be provided.

표시 장치(1)는 베이스층(SUB)(또는, 기판), 표시층(DISP)(또는, 표시 패널), 및 터치 감지층(TSP)(또는, 터치 패널)을 포함할 수 있다.The display device 1 may include a base layer SUB (or a substrate), a display layer DISP (or a display panel), and a touch sensing layer TSP (or a touch panel).

베이스층(SUB)은 유리, 수지(resin) 등과 같은 절연성 재료로 이루어질 수 있다. 베이스층(SUB)은 휘거나 접힘이 가능하도록 가요성(flexibility)을 갖는 재료로 이루어질 수 있고, 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. The base layer SUB may be made of an insulating material such as glass or resin. The base layer SUB may be formed of a material having flexibility so as to be bent or folded, and may have a single layer structure or a multilayer structure.

베이스층(SUB) 상에(즉, 베이스층(SUB)을 기준으로 제3 방향(DR3)에) 표시층(DISP)이 형성될 수 있다. 표시층(DISP)은 도 1을 참조하여 설명한 표시 장치(100)와 실질적으로 동일할 수 있으므로, 중복되는 설명은 반복하지 않기로 한다.The display layer DISP may be formed on the base layer SUB (that is, in the third direction DR3 based on the base layer SUB). Since the display layer DISP may be substantially the same as the display device 100 described with reference to FIG. 1, overlapping descriptions will not be repeated.

터치 감지층(TSP)은 표시층(DISP) 상에 배치되고, 표시 영역(DA)(또는, 센싱 영역)에 제공되는 터치 전극 및 비표시 영역(NDA)(또는, 비센싱 영역)에 제공되되 터치 전극과 연결되는 센싱 배선을 포함할 수 있다.The touch sensing layer TSP is disposed on the display layer DISP, and is provided in the touch electrode and non-display area NDA (or non-sensing area) provided in the display area DA (or sensing area). A sensing wire connected to the touch electrode may be included.

터치 감지층(TSP)은 표시층(DISP)과 일체로 또는 직접적으로 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 터치 감지층(TSP)은 표시층(DISP)(또는, 표시 패널)에 독립적인 별도의 터치 패널로서 제조되고, 점착층(예를 들어, OCR, OCA 등)을 통해 표시층(DISP)에 결합될 수도 있다.The touch sensing layer TSP may be formed integrally or directly with the display layer DISP. However, the present invention is not limited thereto, and the touch sensing layer TSP is manufactured as a separate touch panel independent of the display layer DISP (or display panel), and includes an adhesive layer (eg, OCR, OCA, etc.). It may be coupled to the display layer DISP.

도 14는 도 13의 표시 장치에 포함된 터치 감지층의 일 예를 나타내는 평면도이다.14 is a plan view illustrating an example of a touch sensing layer included in the display device of FIG. 13.

도 13 및 도 14를 참조하면, 터치 감지층(TSP)은 감지 영역(SA) 및 비감지 영역(NSA)을 포함할 수 있다. 감지 영역(SA)은 표시 장치(1)의 표시 영역(DA)에 대응될 수 있고, 비감지 영역(NSA)은 표시 장치(1)의 비표시 영역(NDA)에 대응될 수 있다.13 and 14, the touch sensing layer TSP may include a sensing area SA and a non-sensing area NSA. The sensing area SA may correspond to the display area DA of the display device 1, and the non-sensing area NSA may correspond to the non-display area NDA of the display device 1.

감지 영역(SA)에는 터치 전극(TE)이 제공되고, 비감지 영역(NSA)에는 센싱선(SSL), 및 패드부(PD)가 제공될 수 있다.The touch electrode TE may be provided in the sensing area SA, and the sensing line SSL and the pad part PD may be provided in the non-sensing area NSA.

터치 전극(TE)은 제1 터치 전극(TE1) 및 제2 터치 전극(TE2)을 포함할 수 있다. 제1 터치 전극(TE1) 및 제2 터치 전극(TE2)은 서로 교번하여(또는, 교대로) 배치되며, 상호 다른 방향을 따라 연결될 수 있다.The touch electrode TE may include a first touch electrode TE1 and a second touch electrode TE2. The first and second touch electrodes TE1 and TE2 are alternately disposed (or alternately), and may be connected along different directions.

제1 터치 전극(TE1)은 매트릭스 형태로 배열되고, 제2 진행 방향(DR2)을 따라 상호 전기적으로 연결되며, 서로 평행한 터치 전극 행들을 구성할 수 있다. 하나의 터치 전극 행에서, 제1 터치 전극(TE1)은 제1 연결 패턴(CNP1)(또는, 브릿지 패턴)을 통해 인접한 터치 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.The first touch electrodes TE1 are arranged in a matrix form, are electrically connected to each other along the second traveling direction DR2, and may constitute touch electrode rows parallel to each other. In one row of touch electrodes, the first touch electrode TE1 may be electrically connected to an adjacent touch electrode through a first connection pattern CNP1 (or a bridge pattern).

제2 터치 전극(TE2)은 매트릭스 형태로 배열되고, 제1 방향(DR1)을 따라 상호 전기적으로 연결되며, 서로 평행한 터치 전극 열들을 구성할 수 있다. 하나의 터치 전극 열에서, 제2 터치 전극(TE2)은 제2 연결 패턴(CNP2)을 통해 인접한 터치 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.The second touch electrodes TE2 are arranged in a matrix form, are electrically connected to each other along the first direction DR1, and may form touch electrode rows parallel to each other. In one row of touch electrodes, the second touch electrode TE2 may be electrically connected to an adjacent touch electrode through the second connection pattern CNP2.

제1 터치 전극(TE1)(또는, 터치 전극 행들) 및 제2 터치 전극(TE2)(또는, 터치 전극 열들) 각각은 센싱선(SSL)을 통해 패드부(PD)에 포함된 센싱 패드에 전기적으로 연결될 수 있다.Each of the first touch electrode TE1 (or touch electrode rows) and the second touch electrode TE2 (or touch electrode columns) is electrically connected to a sensing pad included in the pad unit PD through a sensing line SSL. Can be connected to.

일 실시예에서, 터치 전극(TE) 및 연결 패턴들(CNP1, CNP2) 각각은 복수의 도전성 세선들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 터치 영역(EA)에 확대 도시된 바와 같이, 터치 전극(TE) 및 연결 패턴들(CNP1, CNP2) 각각은 일 방향으로 연장되고 서로 평행한 복수의 제1 도전성 세선들, 및 제1 도전성 세선들과 교차하는 방향으로 연장되고 서로 평행한 복수의 제2 도전성 세선들을 포함할 수 있다. 즉, 터치 전극(TE) 및 연결 패턴들(CNP1, CNP2) 각각은 메쉬(mesh) 구조를 가질 수 있다.In an embodiment, each of the touch electrode TE and the connection patterns CNP1 and CNP2 may include a plurality of thin conductive wires. For example, as shown enlarged in the touch area EA, each of the touch electrode TE and the connection patterns CNP1 and CNP2 extends in one direction and includes a plurality of first conductive thin lines parallel to each other, and A plurality of second conductive thin wires extending in a direction crossing the first conductive thin wires and parallel to each other may be included. That is, each of the touch electrode TE and the connection patterns CNP1 and CNP2 may have a mesh structure.

다만, 터치 전극(TE) 및 연결 패턴들(CNP1, CNP2)이 이에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 터치 전극(TE) 및 연결 패턴들(CNP1, CNP2)은 ITO, IZO 등과 같은 투명 도전 물질을 포함할 수도 있다.However, the touch electrode TE and the connection patterns CNP1 and CNP2 are not limited thereto. For example, the touch electrode TE and the connection patterns CNP1 and CNP2 are transparent conductive materials such as ITO and IZO. It may also include.

센싱선(SSL)은 터치 전극(TE)과 구동회로(미도시)를 전기적으로 연결할 수 있다. 센싱선(SSL)은 구동회로로부터의 감지 입력 신호를 터치 전극(TE)에 전달하거나, 터치 전극(TE)으로부터 감지 출력 신호를 구동회로에 전달할 수 있다.The sensing line SSL may electrically connect the touch electrode TE and a driving circuit (not shown). The sensing line SSL may transmit a sensing input signal from the driving circuit to the touch electrode TE, or may transmit a sensing output signal from the touch electrode TE to the driving circuit.

도 15는 도 13의 표시 장치의 일 예를 나타내는 단면도이다. 도 15에는 표시 장치(1)의 표시 영역(DA) 내 일부(예를 들어, 화소)가 확대되어 도시되어 있다.15 is a cross-sectional view illustrating an example of the display device of FIG. 13. In FIG. 15, a portion (eg, a pixel) in the display area DA of the display device 1 is enlarged and illustrated.

도 13 내지 도 15를 참조하면, 표시층(DISP)은 베이스층(SUB) 상에 배치되고, 화소 회로층(PCL) 및 발광 소자층(LDL)(또는, 표시 소자층)을 포함할 수 있다.13 to 15, the display layer DISP is disposed on the base layer SUB, and may include a pixel circuit layer PCL and a light emitting device layer LDL (or a display device layer). .

화소 회로층(PCL)은 베이스층(SUB) 상에 배치되고, 베이스층(SUB)의 표시 영역(DA) 상에 제공되는 적어도 하나의 트랜지스터(TR) 및 배선들(예를 들어, 도 1을 참조하여 설명한 데이터선들(DL1 내지 DLm) 중 하나에 대응하는 데이터선(DL))을 포함할 수 있다.The pixel circuit layer PCL is disposed on the base layer SUB, and is provided on the display area DA of the base layer SUB. A data line DL corresponding to one of the data lines DL1 to DLm described with reference may be included.

화소 회로층(PCL)은 버퍼층(BUF), 반도체층, 제1 절연층(INS1), 제1 도전층(GAT), 제2 절연층(INS2), 제2 도전층(SD), 제3 절연층(INS3)을 포함할 수 있다.The pixel circuit layer PCL includes a buffer layer BUF, a semiconductor layer, a first insulating layer INS1, a first conductive layer GAT, a second insulating layer INS2, a second conductive layer SD, and a third insulating layer. A layer INS3 may be included.

버퍼층(BUF)은 베이스층(SUB)의 전체 면 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(BUF)은 불순물 이온이 확산되는 것을 방지하고, 수분이나 외기의 침투를 방지하며, 표면 평탄화 기능을 수행할 수 있다. 버퍼층(BUF)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 실리콘 산질화물 등을 포함할 수 있다. 버퍼층(BUF)은 베이스층(SUB)의 종류나 공정 조건 등에 따라 생략될 수도 있다.The buffer layer BUF may be disposed on the entire surface of the base layer SUB. The buffer layer BUF may prevent diffusion of impurity ions, prevent penetration of moisture or outside air, and may perform a surface planarization function. The buffer layer BUF may include silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride. The buffer layer BUF may be omitted depending on the type of the base layer SUB or process conditions.

반도체층은 버퍼층(BUF)(또는, 베이스층(SUB)) 상에 배치될 수 있다. 반도체층은 트랜지스터(TR)의 채널을 이루는 액티브층일 수 있다. 반도체층은 후술할 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)에 접촉되는 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 소스 영역과 드레인 영역 사이의 영역은 채널 영역(ACT)일 수 있다.The semiconductor layer may be disposed on the buffer layer BUF (or the base layer SUB). The semiconductor layer may be an active layer forming a channel of the transistor TR. The semiconductor layer may include a source region and a drain region in contact with the source electrode SE and the drain electrode DE, which will be described later. A region between the source region and the drain region may be a channel region ACT.

반도체층은 폴리 실리콘, 아몰퍼스 실리콘, 산화물 반도체 등을 포함할 수 있다. 반도체 패턴의 채널 영역(ACT)은 불순물로 도핑되지 않는 반도체 패턴으로서, 진성 반도체일 수 있다. 소스 영역 및 드레인 영역은 불순물이 도핑된 반도체 패턴일 수 있다. 불순물로는 n형 불순물, p형 불순물, 기타 금속과 같은 불순물이 사용될 수 있다.The semiconductor layer may include polysilicon, amorphous silicon, oxide semiconductor, or the like. The channel region ACT of the semiconductor pattern is a semiconductor pattern that is not doped with impurities, and may be an intrinsic semiconductor. The source region and the drain region may be semiconductor patterns doped with impurities. Impurities such as n-type impurities, p-type impurities, and other metals may be used as impurities.

제1 절연층(INS1)(또는, 게이트 절연층)은 반도체층 및 버퍼층(BUF)(또는, 베이스층(SUB)) 상에 배치될 수 있다. 제1 절연층(INS1)은 대체로 베이스층(SUB)의 전체 면에 걸쳐 배치될 수 있다. 제1 절연층(INS1)은 게이트 절연 기능을 갖는 게이트 절연막일 수 있다.The first insulating layer INS1 (or the gate insulating layer) may be disposed on the semiconductor layer and the buffer layer BUF (or the base layer SUB). The first insulating layer INS1 may be disposed over the entire surface of the base layer SUB. The first insulating layer INS1 may be a gate insulating layer having a gate insulating function.

제1 절연층(INS1)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등의 무기 절연물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(INS1)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 제1 절연층(INS1)은 단일막 또는 서로 다른 물질의 적층막으로 이루어진 다층막일 수 있다.The first insulating layer INS1 may include an inorganic insulating material such as a silicon compound and a metal oxide. For example, the first insulating layer INS1 may include silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, aluminum oxide, tantalum oxide, hafnium oxide, zirconium oxide, titanium oxide, or a combination thereof. The first insulating layer INS1 may be a single layer or a multilayer layer formed of a stacked layer of different materials.

제1 도전층(GAT)은 제1 절연층(INS1) 상에 배치될 수 있다. 제1 도전층(GAT)은 게이트 전극(GE)을 포함할 수 있다. 게이트 전극(GE)은 반도체층(또는, 반도체층의 채널 영역(ACT))과 중첩하여 배치될 수 있다.The first conductive layer GAT may be disposed on the first insulating layer INS1. The first conductive layer GAT may include a gate electrode GE. The gate electrode GE may be disposed to overlap the semiconductor layer (or the channel region ACT of the semiconductor layer).

제1 도전층(GAT)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘 (Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다. 제1 도전층(GAT)은 단일막 또는 다층막 구조일 수 있다.The first conductive layer (GAT) is molybdenum (Mo), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), magnesium (Mg), gold (Au), nickel (Ni), neodymium ( Nd), iridium (Ir), chromium (Cr), titanium (Ti), tantalum (Ta), tungsten (W), may include at least one metal selected from copper (Cu). The first conductive layer GAT may have a single layer structure or a multilayer structure.

제2 절연층(INS2)(또는, 층간 절연층)은 제1 도전층(GAT) 상에 배치되고, 대체로 베이스층(SUB)의 전체 면에 걸쳐 배치될 수 있다. 제2 절연층(INS2)은 제1 도전층(GAT)과 제2 도전층(SD)을 절연시키는 역할을 하며, 층간 절연막일 수 있다.The second insulating layer INS2 (or interlayer insulating layer) may be disposed on the first conductive layer GAT and may be disposed over the entire surface of the base layer SUB. The second insulating layer INS2 serves to insulate the first conductive layer GAT and the second conductive layer SD, and may be an interlayer insulating film.

제2 절연층(INS2)은 무기 절연 물질이나 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제2 절연층(INS2)은 단일막 또는 서로 다른 물질의 적층막으로 이루어진 다층막일 수 있다.The second insulating layer INS2 may include an inorganic insulating material or an organic insulating material. The second insulating layer INS2 may be a single layer or a multilayer layer formed of a stacked layer of different materials.

제2 도전층(SD)은 제2 절연층(INS2) 상에 배치될 수 있다. 제2 도전층(SD)은 소스 전극(SE)(또는, 제1 트랜지스터 전극), 드레인 전극(DE)(또는, 제2 트랜지스터 전극) 및 데이터선(DL)을 포함할 수 있다.The second conductive layer SD may be disposed on the second insulating layer INS2. The second conductive layer SD may include a source electrode SE (or a first transistor electrode), a drain electrode DE (or a second transistor electrode), and a data line DL.

소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE) 각각은 제2 절연층(INS2) 및 제1 절연층(INS1)을 관통하는 콘택 홀을 통해 반도체 패턴의 소스 영역 및 드레인 영역에 접촉될 수 있다.Each of the source electrode SE and the drain electrode DE may contact the source region and the drain region of the semiconductor pattern through a contact hole penetrating through the second insulating layer INS2 and the first insulating layer INS1.

제2 도전층(SD)은, 제1 도전층(GAT)과 유사하게, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘 (Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다. 제2 도전층(SD)은 단일막 또는 다층막 구조일 수 있다.Similar to the first conductive layer GAT, the second conductive layer SD is molybdenum (Mo), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), magnesium (Mg), Gold (Au), nickel (Ni), neodymium (Nd), iridium (Ir), chromium (Cr), titanium (Ti), tantalum (Ta), tungsten (W), copper (Cu) Can include. The second conductive layer SD may have a single layer or a multilayer structure.

제3 절연층(INS3)(또는, 보호층)은 제2 도전층(SD) 상에 위치할 수 있다.The third insulating layer INS3 (or the protective layer) may be positioned on the second conductive layer SD.

발광 소자층(LDL)은 화소 회로층(PCL) 상에 배치될 수 있다. 발광 소자층(LDL)은 표시 영역(DA)에 제공되며 적어도 하나의 트랜지스터(TR)와 연결되는 적어도 하나의 발광 소자(EL) 및 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다. The light emitting device layer LDL may be disposed on the pixel circuit layer PCL. The light emitting device layer LDL is provided in the display area DA and may include at least one light emitting device EL and an encapsulation layer TFE connected to the at least one transistor TR.

발광 소자(EL)는 제3 절연층(INS3) 상에 배치될 수 있다.The light emitting device EL may be disposed on the third insulating layer INS3.

발광 소자(EL)(또는, 발광 소자층(LDL))는 제1 전극(LE)(또는, 하부 전극), 제2 전극(UE)(또는, 상부 전극), 및 발광층(IL)(또는, 중간층)을 포함할 수 있다. 또한, 발광 소자(EL)는 화소 정의막(PDL)을 더 포함할 수 있다. 제1 전극(LE) 및 제2 전극(UE) 중 어느 하나는 애노드(anode) 전극일 수 있으며, 다른 하나는 캐소드(cathode) 전극일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(LE)은 애노드 전극이고, 제2 전극(CE)은 캐소드 전극일 수 있다.The light emitting element EL (or, the light emitting element layer LDL) includes a first electrode LE (or a lower electrode), a second electrode UE (or an upper electrode), and a light emitting layer IL (or, An intermediate layer). In addition, the light emitting device EL may further include a pixel defining layer PDL. One of the first electrode LE and the second electrode UE may be an anode electrode, and the other may be a cathode electrode. For example, the first electrode LE may be an anode electrode, and the second electrode CE may be a cathode electrode.

제1 전극(LE)은 제3 절연층(INS3)을 관통하는 콘택 홀을 통해 트랜지스터(TR)의 드레인 전극(DE)에 전기적으로 연결될 수 있다.The first electrode LE may be electrically connected to the drain electrode DE of the transistor TR through a contact hole penetrating the third insulating layer INS3.

화소 정의막(PDL)은 제1 전극(LE)의 가장자리를 따라 배치되며, 화소 정의막(PDL)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.The pixel defining layer PDL is disposed along the edge of the first electrode LE, and the pixel defining layer PDL may include an organic insulating material.

화소 정의막(PDL)에 의해 노출된 제1 전극(LE)의 상부에 발광층(IL)이 배치될 수 있다. 발광층(IL)은 저분자 물질 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다.The emission layer IL may be disposed on the first electrode LE exposed by the pixel defining layer PDL. The light emitting layer IL may include a low molecular weight material or a high molecular weight material.

제2 전극(UE)은 발광층(IL) 상에 배치될 수 있다. 제2 전극(UE)은 발광층(IL) 및 화소 정의막(PDL) 상에 전면적으로 형성되는 공통 전극일 수 있다. 제2 전극(UE)은 투명 또는 반투명 전극일 수 있다.The second electrode UE may be disposed on the emission layer IL. The second electrode UE may be a common electrode formed entirely on the emission layer IL and the pixel definition layer PDL. The second electrode UE may be a transparent or translucent electrode.

봉지층(TFE)은 제2 전극(UE) 상에 배치될 수 있다. 봉지층(TFE)은 외부로부터 유입될 수 있는 수분 및 공기 등이 발광 소자(EL)에 침투하는 것을 방지할 수 있다. 봉지층(TFE)은 박막봉지(Thin Film Encapsulation)로 형성될 수 있으며, 하나 이상의 유기막과 하나 이상의 무기막을 포함할 수 있다.The encapsulation layer TFE may be disposed on the second electrode UE. The encapsulation layer TFE may prevent moisture and air that may be introduced from the outside from penetrating into the light emitting element EL. The encapsulation layer TFE may be formed as a thin film encapsulation, and may include one or more organic layers and one or more inorganic layers.

한편, 도 15에서 발광 소자층(LDL)은 유기 발광 소자를 포함하는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 발광 소자층(LDL)은 무기 발광 소자 등을 포함할 수도 있다.Meanwhile, in FIG. 15, the light-emitting device layer LDL is illustrated as including an organic light-emitting device, but is not limited thereto. For example, the light-emitting device layer LDL may include an inorganic light-emitting device or the like.

터치 감지층(TSP)은 발광 소자층(LDL) 상에 배치될 수 있다. 터치 감지층(TSP)은 표시 영역(DA)(또는, 감지 영역(SA))에 제공되는 터치 전극(TE)을 포함할 수 있다.The touch sensing layer TSP may be disposed on the light emitting device layer LDL. The touch sensing layer TSP may include a touch electrode TE provided in the display area DA (or the sensing area SA).

터치 감지층(TSP)은, 제3 도전층(YTML1), 제4 절연층(INS4), 제4 도전층(YTML2) 및 제5 절연층(INS5)을 포함할 수 있다.The touch sensing layer TSP may include a third conductive layer YTML1, a fourth insulating layer INS4, a fourth conductive layer YTML2, and a fifth insulating layer INS5.

제3 도전층(YTML1)은 봉지층(TFE) 상에 배치되고, 제1 연결 패턴(CNP1)을 포함할 수 있다.The third conductive layer YTML1 is disposed on the encapsulation layer TFE and may include a first connection pattern CNP1.

제4 절연층(INS4)은 제3 도전층(YTML1) 상에 배치될 수 있다. 또한, 제4 절연층(INS4)은 제3 도전층(YTML1) 및 제3 도전층(YTML1)에 의해 부분적으로 노출되는 봉지층(TFE) 상에 배치될 수 있다.The fourth insulating layer INS4 may be disposed on the third conductive layer YTML1. Further, the fourth insulating layer INS4 may be disposed on the encapsulation layer TFE partially exposed by the third conductive layer YTML1 and the third conductive layer YTML1.

제4 도전층(YTML2)은 제4 절연층(INS4) 상에 배치되고, 제1 터치 전극(TE1), 제2 연결 패턴(CNP2), 및 제2 터치 전극(TE2, 도 14 참조)을 포함할 수 있다. 제1 터치 전극(TE1)은 제4 절연층(INS4)을 관통하는 콘택 홀을 통해 제1 연결 패턴(CNP1)에 접촉되거나 연결될 수 있다.The fourth conductive layer YTML2 is disposed on the fourth insulating layer INS4 and includes a first touch electrode TE1, a second connection pattern CNP2, and a second touch electrode TE2 (see FIG. 14). can do. The first touch electrode TE1 may contact or be connected to the first connection pattern CNP1 through a contact hole penetrating the fourth insulating layer INS4.

제5 절연층(INS5)은 제4 도전층(YTML2) 상에 배치되고, 봉지층(TFE)의 전체 면에 걸쳐 배치될 수 있다.The fifth insulating layer INS5 may be disposed on the fourth conductive layer YTML2 and may be disposed over the entire surface of the encapsulation layer TFE.

한편, 데이터선(DL) 및 터치 전극(TE) 사이에는 제2 기생 커패시터(Cpar2)가 형성될 수 있다. 예를 들어, 데이터선(DL), 이에 중첩하는 터치 전극(TE), 및 이들 사이에 배치되는 적어도 하나의 절연층(예를 들어, 제3 절연층(INS3), 화소 정의막(PDL) 등)은, 제2 기생 커패시터(Cpar2)를 구성할 수 있다.Meanwhile, a second parasitic capacitor Cpar2 may be formed between the data line DL and the touch electrode TE. For example, the data line DL, the touch electrode TE overlapping therewith, and at least one insulating layer disposed therebetween (for example, the third insulating layer INS3, the pixel defining layer PDL, etc.) ) May constitute a second parasitic capacitor Cpar2.

도 5를 참조하여 설명한 바와 같이, 소스 구동부(130)의 쵸핑 제어기(320, 도 3 참조)의 동작에 의해, 출력 버퍼(370, 도 3 참조)를 통해 데이터선(DL)(또는, 데이터선(DL)을 통해 전송되는 데이터 신호)에 노이즈가 발생하는 경우, 노이즈는 제2 기생 커패시터(Cpar2)는 터치 전극(TE)(또는, 터치 전극(TE)에 흐르는 구동 신호, 센싱 신호)에 영향을 주거나, 터치 노이즈로 작용할 수 있다.As described with reference to FIG. 5, by the operation of the chopping controller 320 (refer to FIG. 3) of the source driver 130, the data line DL (or the data line) through the output buffer 370 (refer to FIG. 3). When noise occurs in the data signal transmitted through (DL)), the noise affects the second parasitic capacitor Cpar2 on the touch electrode TE (or a driving signal flowing through the touch electrode TE, a sensing signal) Or can act as touch noise.

터치 감지층(TSP)은 표시층(DISP)에 독립하여 구동하고, 예를 들어, 터치 감지층(TSP)을 스캔하는 주기(또는, 센싱 신호를 출력하는 시점들)는 표시층(DISP)의 구동 주기(또는, 쵸핑 제어 신호가 천이되는 시점들)와 동기화되지 않을 수 있다. 이 경우, 데이터선(DL)의 노이즈에 기인한 터치 노이즈를 배제하기 어려울 수 있다.The touch sensing layer TSP is driven independently of the display layer DISP, and, for example, a period of scanning the touch sensing layer TSP (or timing points at which sensing signals are output) of the display layer DISP It may not be synchronized with the driving period (or timing points at which the chopping control signal transitions). In this case, it may be difficult to exclude touch noise caused by noise of the data line DL.

한편, 표시층(DISP)의 구조, 표시층(DISP) 내 데이터선(DL)의 배치, 터치 감지층(TSP)의 구조, 터치 감지층(TSP)의 표시층(DISP)에 대한 결합 구조 등에 따라, 표시 장치별로 터치 노이즈의 크기는 달라질 수도 있으며, 터치 노이즈가 발생하지 않을 수도 있다.Meanwhile, the structure of the display layer DISP, the arrangement of the data lines DL in the display layer DISP, the structure of the touch sensing layer TSP, the combination structure of the touch sensing layer TSP with the display layer DISP, etc. Accordingly, the size of the touch noise may vary for each display device, and the touch noise may not occur.

따라서, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(1)는, 도 7 내지 도 11을 참조하여 설명한 바와 같이, 쵸핑 제어 신호(CCS)의 슬루율 또는 천이 속도를 가변시킬 수 있는 쵸핑 제어기(320)를 포함하고, 쵸핑 제어 신호(CCS)의 슬루율(또는, 이를 결정하는 선택 신호(CHOP_SLOPE_CON[1:0], 도 9 참조)의 값)은 표시 장치(1)의 제조 과정에서 터치 노이즈의 발생 여부 및 크기 등을 고려하여 설정되며, 쵸핑 제어기(320)는 설정된 슬루율(또는, 설정된 선택 신호(CHOP_SLOPE_CON[1:0])의 값)에 기초하여 동작할 수 있다. 터치 노이즈가 클수록 슬루율은 낮아질 수 있다.Accordingly, the display device 1 according to the exemplary embodiment of the present invention, as described with reference to FIGS. 7 to 11, is a chopping controller 320 capable of varying the slew rate or transition speed of the chopping control signal CCS. ), and the slew rate of the chopping control signal CCS (or the value of the selection signal CHOP_SLOPE_CON[1:0], refer to FIG. 9) that determines the value of the touch noise in the manufacturing process of the display device 1 It is set in consideration of occurrence and size, and the chopping controller 320 may operate based on a set slew rate (or a value of a set selection signal CHOP_SLOPE_CON[1:0]). The larger the touch noise, the lower the slew rate.

도 16은 도 14의 터치 감지층에서 측정된 센싱 신호의 일 예를 나타내는 도면이다. 도 16에는 도 14를 참조하여 설명한 터치 전극(TE)(또는, 제2 터치 전극(TE2)으로 구성된 터치 전극 열들)을 통해 흐르는 센싱 신호가 도시되어 있다. 센싱 신호는 터치 전극 열들을 따라 순차적으로 전송될 수 있다.16 is a diagram illustrating an example of a sensing signal measured by the touch sensing layer of FIG. 14. FIG. 16 illustrates a sensing signal flowing through the touch electrode TE (or touch electrode rows composed of the second touch electrode TE2) described with reference to FIG. 14. The sensing signals may be sequentially transmitted along the touch electrode columns.

도 15 및 도 16을 참조하면, 쵸핑 제어기(320, 도 7)의 동작에 의해 데이터선(DL)에 노이즈가 발생하는 경우, 해당 시점에 데이터선(DL)과 중첩하는 터치 전극 열을 통해 출력 되는 센싱 신호에 터치 노이즈가 발생할 수 있다.15 and 16, when noise is generated in the data line DL by the operation of the chopping controller 320 (FIG. 7), output through the touch electrode column overlapping the data line DL at the time point Touch noise may occur in the sensed signal.

따라서, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(1)는 쵸핑 제어 신호(CCS, 도 7 참조)의 슬루율 또는 천이 속도를 가변시켜, 터치 노이즈를 감소시키거나 제거할 수 있다.Accordingly, the display device 1 according to embodiments of the present invention may reduce or remove touch noise by varying the slew rate or transition speed of the chopping control signal CCS (refer to FIG. 7 ).

본 발명의 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라, 특허 청구범위에 의해 정해져야만 할 것이다. 또한, 특허 청구범위의 의미 및 범위, 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The scope of the present invention is not limited to the content described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims. In addition, the meaning and scope of the claims, and all changes or modified forms derived from the concept of equivalents thereof should be construed as being included in the scope of the present invention.

1, 100: 표시 장치 110: 표시부
120: 주사 구동부 130: 소스 구동부
140: 타이밍 제어부 150: 발광 구동부
310: 제어기 320: 쵸핑 제어기
330: 감마 전압 생성기 340: 시프트 레지스터
350: 래치 360: 디코더
370: 출력 버퍼 710: 로직 제어 회로
720: 레벨 시프터 730: 버퍼 회로
740: 아날로그 필터 750: 지연 소자
AMP: 증폭기
BUF_S1, BUF_S2, BUF_S3, BUF_S4: 서브 버퍼들
Cpar1: 제1 기생 커패시터 Cpar2: 제2 기생 커패시터
SW: 쵸핑 회로
SW1, SW2, SW3, SW4: 제1 내지 제4 스위치들
SW_S1, SW_S2, SW_S3, SW_S4: 제1 내지 제4 서브 스위치들
TE: 터치 전극 TSP: 터치 감지층
1, 100: display device 110: display unit
120: scan driver 130: source driver
140: timing control unit 150: light emitting driver
310: controller 320: chopping controller
330: gamma voltage generator 340: shift register
350: latch 360: decoder
370: output buffer 710: logic control circuit
720: level shifter 730: buffer circuit
740: analog filter 750: delay element
AMP: amplifier
BUF_S1, BUF_S2, BUF_S3, BUF_S4: sub buffers
Cpar1: first parasitic capacitor Cpar2: second parasitic capacitor
SW: Chopping circuit
SW1, SW2, SW3, SW4: first to fourth switches
SW_S1, SW_S2, SW_S3, SW_S4: first to fourth sub switches
TE: touch electrode TSP: touch sensing layer

Claims (20)

상호 다른 전압 레벨들을 갖는 감마 전압들을 생성하는 감마 전압 생성부;
상기 감마 전압들을 이용하여, 계조값에 대응하는 데이터 전압을 생성하는 디지털-아날로그 변환부;
상기 데이터 전압을 외부로 출력하는 출력 버퍼부; 및
쵸핑(chopping) 제어 신호를 생성하여 상기 출력 버퍼부에 제공하는 쵸핑 제어부를 포함하고,
상기 출력 버퍼부는,
상기 디지털-아날로그 변환부의 출력단에 연결되는 증폭기; 및
상기 쵸핑 제어 신호에 응답하여 상기 증폭기의 오프셋의 극성을 주기적으로 변경하는 쵸핑 회로를 포함하며,
상기 쵸핑 제어부는 상기 쵸핑 제어 신호의 슬루율(slew)을 가변시키는, 소스 드라이버.
A gamma voltage generator for generating gamma voltages having different voltage levels;
A digital-analog converter that generates a data voltage corresponding to a gradation value by using the gamma voltages;
An output buffer for outputting the data voltage to the outside; And
And a chopping control unit that generates a chopping control signal and provides it to the output buffer unit,
The output buffer unit,
An amplifier connected to an output terminal of the digital-analog converter; And
And a chopping circuit for periodically changing the polarity of the offset of the amplifier in response to the chopping control signal,
The chopping control unit varies a slew rate of the chopping control signal.
제1 항에 있어서, 상기 쵸핑 회로는,
입력 노드 및 상기 증폭기의 제1 입력 단자 사이에 연결되는 제1 스위치,
상기 입력 노드 및 상기 증폭기의 제2 입력 단자 사이에 연결되는 제2 스위치,
상기 증폭기의 상기 제1 입력 단자 및 상기 증폭기의 출력 단자 사이에 연결되는 제3 스위치, 및
상기 증폭기의 상기 제2 입력 단자 및 상기 증폭기의 상기 출력 단자 사이에 연결되는 제4 스위치를 포함하고,
상기 제1 내지 제4 스위치들은 상기 쵸핑 제어 신호에 응답하여 동작하는, 소스 드라이버.
The method of claim 1, wherein the chopping circuit,
A first switch connected between the input node and the first input terminal of the amplifier,
A second switch connected between the input node and a second input terminal of the amplifier,
A third switch connected between the first input terminal of the amplifier and the output terminal of the amplifier, and
A fourth switch connected between the second input terminal of the amplifier and the output terminal of the amplifier,
The first to fourth switches operate in response to the chopping control signal.
제2 항에 있어서, 상기 증폭기의 상기 출력 단자가 연결되는 출력 노드와 상기 제3 스위치에 상기 쵸핑 제어 신호를 전송하는 제어선 사이에 기생 커패시터가 형성되는, 소스 드라이버.The source driver of claim 2, wherein a parasitic capacitor is formed between an output node to which the output terminal of the amplifier is connected and a control line for transmitting the chopping control signal to the third switch. 제1 항에 있어서, 상기 쵸핑 제어부는,
펄스를 포함하는 제1 제어 신호를 생성하는 로직 제어 회로,
상기 제1 제어 신호의 레벨을 시프트 업하여 제2 제어 신호를 생성하는 레벨 시프터, 및
상기 제2 제어 신호를 상기 쵸핑 제어 신호로서 출력하되 버퍼 사이즈(buffer size)를 가변하는 버퍼 회로를 포함하는, 소스 드라이버.
The method of claim 1, wherein the chopping control unit,
A logic control circuit for generating a first control signal including a pulse,
A level shifter for generating a second control signal by shifting up the level of the first control signal, and
And a buffer circuit that outputs the second control signal as the chopping control signal and varies a buffer size.
제4 항에 있어서, 상기 슬루율은 상기 쵸핑 제어 신호가 상기 제2 제어 신호를 따라가는 비율인, 소스 드라이버.The source driver of claim 4, wherein the slew rate is a rate at which the chopping control signal follows the second control signal. 제4 항에 있어서, 상기 버퍼 회로는,
상기 쵸핑 회로에 병렬 연결되는 서브 버퍼들; 및
상기 서브 버퍼들을 상기 레벨 시프터의 출력단에 각각 연결하는 서브 스위치들을 포함하고,
서브 스위치들 중 적어도 하나는 기 설정된 선택 신호에 응답하여 턴-온되는, 소스 드라이버.
The method of claim 4, wherein the buffer circuit,
Sub buffers connected in parallel to the chopping circuit; And
And sub switches respectively connecting the sub buffers to an output terminal of the level shifter,
At least one of the sub switches is turned on in response to a preset selection signal.
제6 항에 있어서, 상기 서브 버퍼들은 상호 동일한 버퍼 사이즈를 가지는, 소스 드라이버.The source driver of claim 6, wherein the sub-buffers have the same buffer size. 제6 항에 있어서, 상기 서브 버퍼들은 상호 다른 버퍼 사이즈들을 가지는, 소스 드라이버.The source driver of claim 6, wherein the sub-buffers have different buffer sizes. 제4 항에 있어서, 상기 버퍼 회로의 상기 버퍼 사이즈가 작아질수록 상기 쵸핑 제어 신호의 상기 슬루율이 감소하는, 소스 드라이버.The source driver of claim 4, wherein the slew rate of the chopping control signal decreases as the buffer size of the buffer circuit decreases. 제1 항에 있어서, 상기 쵸핑 제어부는,
구형파 형태의 제1 제어 신호를 생성하는 로직 제어 회로,
상기 제1 제어 신호의 레벨을 시프트 업하여 제2 제어 신호를 생성하는 레벨 시프터,
상기 제2 제어 신호를 상기 쵸핑 제어 신호로서 출력하는 버퍼 회로, 및
상기 버퍼 회로의 출력단 및 상기 쵸핑 회로 사이에 연결되어 상기 쵸핑 제어 신호의 고주파 성분을 가변적으로 필터링하는 아날로그 필터를 포함하는, 소스 드라이버.
The method of claim 1, wherein the chopping control unit,
A logic control circuit for generating a first control signal in the form of a square wave,
A level shifter for generating a second control signal by shifting up the level of the first control signal,
A buffer circuit for outputting the second control signal as the chopping control signal, and
And an analog filter connected between the output terminal of the buffer circuit and the chopping circuit to variably filter a high frequency component of the chopping control signal.
제10 항에 있어서, 상기 아날로그 필터는,
상기 버퍼 회로 및 상기 쵸핑 회로 사이에 연결되는 가변 저항, 및
상기 쵸핑 회로 및 기준 전압선 사이에 연결되는 가변 커패시터를 포함하는, 소스 드라이버.
The method of claim 10, wherein the analog filter,
A variable resistor connected between the buffer circuit and the chopping circuit, and
A source driver comprising a variable capacitor connected between the chopping circuit and a reference voltage line.
제1 항에 있어서, 상기 쵸핑 제어부는,
구형파 형태의 제1 제어 신호를 생성하는 로직 제어 회로,
상기 제1 제어 신호의 레벨을 시프트 업하여 제2 제어 신호를 생성하는 레벨 시프터,
상기 제2 제어 신호를 상기 쵸핑 제어 신호로서 출력하는 버퍼 회로, 및
상기 버퍼 회로의 출력단 및 상기 쵸핑 회로 사이에 연결되는 지연 소자를 포함하는, 소스 드라이버.
The method of claim 1, wherein the chopping control unit,
A logic control circuit for generating a first control signal in the form of a square wave,
A level shifter for generating a second control signal by shifting up the level of the first control signal,
A buffer circuit for outputting the second control signal as the chopping control signal, and
And a delay element connected between the output terminal of the buffer circuit and the chopping circuit.
제12 항에 있어서, 상기 지연 소자는,
상기 버퍼 회로 및 상기 쵸핑 회로 사이에 연결된 저항, 및
상기 저항에 병렬 연결되되 상호 직렬 연결된 스위치 및 다이오드를 포함하는, 소스 드라이버.
The method of claim 12, wherein the delay element,
A resistor connected between the buffer circuit and the chopping circuit, and
A source driver connected in parallel to the resistor and including a switch and a diode connected in series with each other.
데이터선 및 상기 데이터선에 연결되는 화소를 포함하는 표시 패널; 및
상기 데이터선에 데이터 전압을 제공하는 소스 드라이버를 포함하며,
상기 소스 드라이버는,
상기 데이터 전압을 생성하는 디지털-아날로그 변환부;
상기 데이터 전압을 상기 데이터선에 출력하는 출력 버퍼부; 및
쵸핑 제어 신호를 생성하여 상기 출력 버퍼부에 제공하는 쵸핑 제어부를 포함하고,
상기 출력 버퍼부는,
상기 디지털-아날로그 변환부 및 상기 데이터선 사이에 연결되는 증폭기; 및
쵸핑 제어 신호에 응답하여 상기 증폭기의 오프셋의 극성을 주기적으로 변경하는 쵸핑 회로를 포함하며,
상기 쵸핑 제어부는 상기 쵸핑 제어 신호의 슬루율(slew)을 가변시키는, 표시 장치.
A display panel including a data line and a pixel connected to the data line; And
Includes a source driver providing a data voltage to the data line,
The source driver,
A digital-analog converter for generating the data voltage;
An output buffer unit outputting the data voltage to the data line; And
And a chopping control unit generating a chopping control signal and providing it to the output buffer unit,
The output buffer unit,
An amplifier connected between the digital-analog converter and the data line; And
In response to a chopping control signal comprising a chopping circuit for periodically changing the polarity of the offset of the amplifier,
The chopping control unit varies a slew rate of the chopping control signal.
제14 항에 있어서, 상기 쵸핑 회로는,
입력 노드 및 상기 증폭기의 제1 입력 단자 사이에 연결되는 제1 스위치,
상기 입력 노드 및 상기 증폭기의 제2 입력 단자 사이에 연결되는 제2 스위치,
상기 증폭기의 상기 제1 입력 단자 및 상기 증폭기의 출력 단자 사이에 연결되는 제3 스위치, 및
상기 증폭기의 상기 제2 입력 단자 및 상기 증폭기의 상기 출력 단자 사이에 연결되는 제4 스위치를 포함하고,
상기 제1 내지 제4 스위치들은 상기 쵸핑 제어 신호에 응답하여 동작하는, 표시 장치.
The method of claim 14, wherein the chopping circuit,
A first switch connected between the input node and the first input terminal of the amplifier,
A second switch connected between the input node and a second input terminal of the amplifier,
A third switch connected between the first input terminal of the amplifier and the output terminal of the amplifier, and
A fourth switch connected between the second input terminal of the amplifier and the output terminal of the amplifier,
The first to fourth switches operate in response to the chopping control signal.
제14 항에 있어서, 상기 쵸핑 제어부는,
펄스를 포함하는 제1 제어 신호를 생성하는 로직 제어 회로,
상기 제1 제어 신호의 레벨을 시프트 업하여 제2 제어 신호를 생성하는 레벨 시프터, 및
상기 제2 제어 신호를 상기 쵸핑 제어 신호로서 출력하되 버퍼 사이즈(buffer size)를 가변하는 버퍼 회로를 포함하는, 표시 장치.
The method of claim 14, wherein the chopping control unit,
A logic control circuit for generating a first control signal including a pulse,
A level shifter for generating a second control signal by shifting up the level of the first control signal, and
And a buffer circuit that outputs the second control signal as the chopping control signal and varies a buffer size.
제16 항에 있어서,
터치 전극들을 포함하는 터치 감지부를 더 포함하고,
상기 쵸핑 제어 신호에 기인한 상기 터치 전극들에 대한 노이즈에 기초하여 상기 버퍼 회로의 상기 버퍼 사이즈가 조절되는, 표시 장치.
The method of claim 16,
Further comprising a touch sensing unit including touch electrodes,
The display device, wherein the buffer size of the buffer circuit is adjusted based on noise of the touch electrodes caused by the chopping control signal.
제17 항에 있어서, 상기 노이즈가 클수록 상기 버퍼 회로의 상기 버퍼 사이즈가 작아지는, 표시 장치.The display device according to claim 17, wherein the larger the noise, the smaller the buffer size of the buffer circuit. 제18 항에 있어서, 상기 버퍼 회로의 상기 버퍼 사이즈는, 상기 노이즈가 발생하지 않는 범위 내에서 가장 크게 설정되는, 표시 장치.The display device according to claim 18, wherein the buffer size of the buffer circuit is set to be the largest within a range in which the noise does not occur. 제16 항에 있어서, 상기 버퍼 회로는,
상기 쵸핑 회로에 병렬 연결되는 서브 버퍼들; 및
상기 서브 버퍼들을 상기 레벨 시프터의 출력단에 각각 연결하는 서브 스위치들을 포함하고,
서브 스위치들 중 적어도 하나는 기 설정된 선택 신호에 응답하여 턴-온되는, 표시 장치.
The method of claim 16, wherein the buffer circuit,
Sub buffers connected in parallel to the chopping circuit; And
And sub switches respectively connecting the sub buffers to an output terminal of the level shifter,
At least one of the sub switches is turned on in response to a preset selection signal.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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