KR20200107834A - 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 - Google Patents

반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 Download PDF

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KR20200107834A
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Abstract

본 기술은, 복수의 기판을 연속해서 가열 처리하는 기판 처리 장치에 있어서, 원하는 품질의 막을 형성하는 것을 목적으로 한다. m매째(m<n)의 기판을 처리실에 반입하고, 처리실에서 상기 m매째의 기판을 가열해서 막을 형성하고, m매째의 기판을 상기 처리실로부터 반출하고, 그 후, 처리실에 기판이 없는 상태에서, 처리실에서의 처리를 소정 시간 대기하고, 대기한 후, 처리실에 다음에 처리할 기판을 반입하여, 처리실에서 기판을 가열해서 막을 형성하는 기술을 제공한다.

Description

반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체{METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE PROCESSSING APPARATUS, AND RECORDING MEDIUM}
반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램에 관한 것이다.
반도체 디바이스를 제조하는 장치로서는, 기판을 1매마다 처리하는 매엽 장치가 존재한다(예를 들어 특허문헌 1). 매엽 장치에서는, 예를 들어 기판을 가열함과 함께, 기판 상에 가스를 공급함으로써, 반도체 디바이스의 일부로서 구성되는 막을 형성한다.
복수의 기판에 대하여 동일한 종류의 막을 형성하는 경우, 기판 간의 처리 조건의 변동을 억제하는 것이 바람직하다. 처리 조건이란, 예를 들어 기판의 가열 온도이다.
일본 특허 공개 제2012-54399호 공보
매엽 장치에서 복수의 기판을 연속해서 가열 처리하는 경우, 연속 처리한 매수에 따라서 처리실의 온도가 높아지는 경우가 있다. 일부의 막에서는, 소정 온도가 높아지면 막질이 변화하기 때문에, 기판 상에 원하는 품질의 막을 형성할 수 없을 우려가 있다.
본 기술은, 복수의 기판을 연속해서 가열 처리하는 기판 처리 장치에 있어서, 원하는 품질의 막을 형성하는 것을 목적으로 한다.
m매째(m<n)의 기판을 처리실에 반입하고, 처리실에서 상기 m매째의 기판을 가열해서 막을 형성하고, m매째의 기판을 상기 처리실로부터 반출하고, 그 후, 처리실에 기판이 없는 상태에서, 처리실에서의 처리를 소정 시간 대기하고, 대기한 후, 처리실에 다음에 처리할 기판을 반입하여, 처리실에서 기판을 가열해서 막을 형성하는 기술을 제공한다.
복수의 기판을 연속해서 가열 처리하는 기판 처리 장치에 있어서, 원하는 품질의 막을 형성할 수 있다.
도 1은 기판 처리 장치를 설명하는 설명도이다.
도 2는 기판 처리 장치를 설명하는 설명도이다.
도 3은 모듈을 설명하는 설명도이다.
도 4는 가스 공급부를 설명하는 설명도이다.
도 5는 가스 공급부를 설명하는 설명도이다.
도 6은 가스 공급부를 설명하는 설명도이다.
도 7은 기판 처리 장치의 컨트롤러를 설명하는 설명도이다.
도 8은 기판 처리 공정을 설명하는 흐름도이다.
도 9는 기판의 온도와 처리 매수의 관련을 설명하는 설명도이다.
도 10은 기판 상에서 형성되는 막의 그레인 사이즈를 설명하는 설명도이다.
이하에, 실시 형태에 대해서, 도면을 참조하면서 설명한다.
(1) 기판 처리 장치의 구성
도 1 내지 도 7을 사용하여, 기판 처리 장치의 구성을 설명한다.
도 1, 도 2는 기판 처리 장치의 개략을 설명하는 설명도이며, 도 3 내지 도 6은 기판 처리 장치가 갖는 프로세스 모듈을 설명하는 설명도이다. 도 7은 기판 처리 장치의 컨트롤러를 설명하는 설명도이다. 이하에, 각 구성을 구체적으로 설명한다.
기판 처리 장치의 개요 구성을, 도 1, 도 2를 사용해서 설명한다. 도 1은 기판 처리 장치의 구성예를 도시하는 횡단면도이다. 도 2는, 도 1의 α-α'에서의 종단면도이다.
기판 처리 장치(200)는 기판(100)을 처리하는 것으로, IO 스테이지(110), 대기 반송실(120), 로드 로크실(130), 진공 반송실(140), 모듈(PM)로 주로 구성된다. 이어서 각 구성에 대해 구체적으로 설명한다. 도 1의 설명에서는, 전후 좌우는, X1 방향이 우, X2 방향이 좌, Y1 방향이 전, Y2 방향이 후로 한다.
(대기 반송실·IO 스테이지)
기판 처리 장치(200)의 앞쪽에는, IO 스테이지(로드 포트)(110)가 설치되어 있다. IO 스테이지(110) 상에는 복수의 포드(111)가 탑재되어 있다. 포드(111)는 실리콘(Si) 기판 등의 기판(100)을 반송하는 캐리어로서 사용된다.
포드(111) 내에는, 로트 관리되는 복수의 기판(100)이 저장된다. 예를 들어, n매의 기판(100)이 저장된다.
포드(111)에는 캡(112)이 마련되고, 포드 오프너(121)에 의해 개폐된다. 포드 오프너(121)는, IO 스테이지(110)에 적재된 포드(111)의 캡(112)을 개폐하여, 기판 출납구를 개방·폐쇄함으로써, 포드(111)에 대한 기판(100)의 출납을 가능하게 한다. 포드(111)는 도시하지 않은 AMHS(Automated Material Handling Systems, 자동 웨이퍼 반송 시스템)에 의해, IO 스테이지(110)에 대하여 공급 및 배출된다.
IO 스테이지(110)는 대기 반송실(120)에 인접한다. 대기 반송실(120)은, IO 스테이지(110)와 상이한 면에, 후술하는 로드 로크실(130)이 연결된다. 대기 반송실(120) 내에는 기판(100)을 이동 탑재하는 대기 반송 로봇(122)이 설치되어 있다.
대기 반송실(120)의 하우징(127)의 전방측에는, 기판(100)을 대기 반송실(120)에 대하여 반입 반출하기 위한 기판 반입 반출구(128)와, 포드 오프너(121)가 설치되어 있다. 대기 반송실(120)의 하우징(127)의 후방측에는, 기판(100)을 로드 로크실(130)에 반입 반출하기 위한 기판 반입 출구(129)가 마련된다. 기판 반입 출구(129)는, 게이트 밸브(133)에 의해 개방·폐쇄함으로써, 기판(100)의 출납을 가능하게 한다.
(로드 로크실)
로드 로크실(130)은 대기 반송실(120)에 인접한다. 로드 로크실(130)을 구성하는 하우징(131)이 갖는 면 중, 대기 반송실(120)과 상이한 면에는, 후술하는 진공 반송실(140)이 배치된다.
로드 로크실(130) 내에는 기판(100)을 적재하는 적재면(135)을, 적어도 2개 갖는 기판 적재대(136)가 설치되어 있다. 기판 적재면(135)간의 거리는, 후술하는 로봇(170)의 암이 갖는 엔드 이펙터간의 거리에 따라 설정된다.
(진공 반송실)
기판 처리 장치(200)는, 부압 하에서 기판(100)이 반송되는 반송 공간이 되는 반송실로서의 진공 반송실(트랜스퍼 모듈)(140)을 구비하고 있다. 진공 반송실(140)을 구성하는 하우징(141)은 평면으로 보아 오각형으로 형성되고, 오각형의 각 변에는, 로드 로크실(130) 및 기판(100)을 처리하는 모듈(이하, PM이라고 칭함) 인 PM1 내지 PM4가 연결되어 있다. 진공 반송실(140)의 대략 중앙부에는, 부압 하에서 기판(100)을 이동 탑재(반송)하는 반송부로서의 반송 로봇(170)이 플랜지(144)를 기초부로 해서 설치되어 있다.
진공 반송실(140) 내에 설치되는 진공 반송 로봇(170)은, 엘리베이터(145) 및 플랜지(144)에 의해 진공 반송실(140)의 기밀성을 유지하면서 승강할 수 있도록 구성되어 있다. 로봇(170)이 갖는 2개의 암(180)은 승강 가능하게 구성되어 있다. 또한, 도 2에서는, 설명의 편의상, 암(180)의 엔드 이펙터를 표시하고, 엔드 이펙터와 플랜지(144)의 사이의 링크 구조 등은 생략하고 있다.
PM1, PM2, PM3, PM4 각각에는, 리액터(이하, RC라고 칭함)가 마련되어 있다. 구체적으로는, PM1에는 RC1, RC2가 마련된다. PM2에는 RC3, RC4가 마련된다. PM3에는 RC5, RC6이 마련된다. PM4에는 RC7, RC8이 마련된다.
PM에 마련되는 2개의 RC는, 후술하는 처리 공간(205)의 분위기가 혼재하지 않도록, RC의 사이에 격벽을 마련하여, 각 처리 공간(205)이 독립된 분위기가 되도록 구성되어 있다.
하우징(141)의 측벽 중, 각 RC와 마주 보는 벽에는 기판 반입출구(148)가 마련된다. 예를 들어, 도 2에 기재된 바와 같이, RC5와 마주 보는 벽에는, 기판 반입 반출구(148)(5)가 마련된다. 나아가, 게이트 밸브(149)가 RC마다 마련된다. 예를 들어, RC5에는 게이트 밸브(149)(5)가 마련된다. 또한, RC1 내지 RC4, RC6 내지 RC8도 RC5와 마찬가지의 구성이기 때문에, 여기서는 설명을 생략한다.
엘리베이터(145) 내에는, 암(180)의 승강이나 회전을 제어하는 암 제어부(171)가 내장된다. 암 제어부(171)는, 암(180)의 축을 지지하는 지지 축(171a)과, 지지 축(171a)을 승강시키거나 회전시키거나 하는 작동부(171b)를 주로 갖는다. 플랜지(144) 중, 암(180)의 축과 지지 축(171a)의 사이에는 구멍이 형성되어 있고, 지지 축(171a)은 암(180)의 축을 직접 지지하도록 구성된다.
작동부(171b)는, 예를 들어 승강을 실현하기 위한 모터를 포함하는 승강 기구(171c)와, 지지 축(171a)을 회전시키기 위한 기어 등의 회전 기구(171d)를 갖는다. 또한, 엘리베이터(145) 내에는, 암 제어부(171)의 일부로서, 작동부(171b)에 승강·회전 지시하기 위한 지시부(171e)를 마련해도 된다. 지시부(171e)는 컨트롤러(400)에 전기적으로 접속된다. 지시부(171e)는 컨트롤러(400)의 지시에 기초하여, 작동부(171b)를 제어한다.
암(180)은, 축을 중심으로 한 회전이나 연신이 가능하다. 회전이나 연신을 행함으로써, RC 내에 기판(100)을 반송하거나, RC 내로부터 기판(100)을 반출하거나 한다. 나아가, 컨트롤러(400)의 지시에 따라, 웨이퍼 번호에 따른 RC에 웨이퍼를 반송 가능하게 한다.
(모듈)
이어서, 모듈(PM)에 대해서 리액터(RC)를 중심으로 설명한다. 또한, PM1 내지 PM4는 각각 마찬가지의 구성이기 때문에, 여기서는 PM으로서 설명한다. 또한, RC1 내지 RC8도 각각 마찬가지의 구성이기 때문에, 여기서는 RC로서 설명한다.
도 1에 기재된 바와 같이, PM은 2개의 RC를 갖는다. 각 RC에는, 후술하는 바와 같이, 가스 공급부, 가스 배기부가 접속된다. 본 실시 형태에서는, RC와 가스 공급부와 가스 배기부를 통합해서 PM이라고 칭한다.
도 3을 사용해서 RC의 상세를 설명한다. 또한, 인접하는 RC도 마찬가지의 구성이기 때문에, 여기서는 하나의 RC를 설명한다. 도 3에 기재된 바와 같이, RC는 용기(202)를 구비하고 있다. 용기(202)는, 예를 들어 횡단면이 원형이며 편평한 밀폐 용기로서 구성되어 있다. 또한, 용기(202)는, 예를 들어 알루미늄(Al)이나 스테인리스(SUS) 등의 금속 재료에 의해 구성되어 있다. 용기(202) 내에는, 실리콘 웨이퍼 등의 기판(100)을 처리하는 처리 공간(205)을 구성하는 처리실(201)과, 기판(100)을 처리 공간(205)에 반송할 때 기판(100)이 통과하는 반송 공간을 갖는 반송실(206)이 형성되어 있다. 용기(202)는, 상부 용기(202a)와 하부 용기(202b)로 구성된다. 상부 용기(202a)와 하부 용기(202b)의 사이에는 칸막이 판(208)이 마련된다.
하부 용기(202b)의 측면에는, 게이트 밸브(149)에 인접한 기판 반입출구(148)가 마련되어 있고, 기판(100)은 기판 반입출구(148)를 통해서 진공 반송실(140)과의 사이를 이동한다. 하부 용기(202b)의 저부에는, 리프트 핀(207)이 복수 마련되어 있다. 또한, 하부 용기(202b)는 접지되어 있다.
처리 공간(205)에는, 기판(100)을 지지하는 기판 지지부(210)가 배치된다. 기판 지지부(210)는, 기판(100)을 적재하는 기판 적재면(211)과, 기판 적재면(211)을 표면에 갖는 기판 적재대(212), 기판 적재대(212) 내에 마련된 가열부로서의 히터(213)를 주로 갖는다. 기판 적재대(212)에는, 리프트 핀(207)이 관통하는 관통 구멍(214)이, 리프트 핀(207)과 대응하는 위치에 각각 마련되어 있다.
또한, 기판 적재대(212) 내에는, 히터(213)의 온도를 측정하는 제1 온도 측정기인 온도 측정기(216)를 갖는다. 온도 측정기(216)는, 배선(220)을 통해서 제1 온도 측정부인 온도 측정부(221)에 접속된다.
히터(213)에는, 전력을 공급하기 위한 배선(222)이 접속된다. 배선(222)은 히터 제어부(223)에 접속된다.
온도 측정부(221), 히터 제어부(223)는 후술하는 컨트롤러(400)에 전기적으로 접속되어 있다. 컨트롤러(400)는, 온도 측정부(221)에서 측정한 온도 정보를 바탕으로 히터 제어부(223)에 제어 정보를 송신한다. 히터 제어부(223)는 수신한 제어 정보를 참조하여, 히터(213)를 제어한다.
기판 적재대(212)는, 샤프트(217)에 의해 지지된다. 샤프트(217)는, 용기(202)의 저부를 관통하고 있고, 또한 용기(202)의 외부에서 승강부(218)에 접속되어 있다.
승강부(218)는 샤프트(217)를 지지하는 지지 축(218a)과, 지지 축(218a)을 승강시키거나 회전시키거나 하는 작동부(218b)를 주로 갖는다. 작동부(218b)는, 예를 들어 승강을 실현하기 위한 모터를 포함하는 승강 기구(218c)와, 지지 축(218a)을 회전시키기 위한 기어 등의 회전 기구(218d)를 갖는다.
승강부(218)에는, 승강부(218)의 일부로서, 작동부(218b)에 승강·회전 지시하기 위한 지시부(218e)를 마련해도 된다. 지시부(218e)는 컨트롤러(400)에 전기적으로 접속된다. 지시부(218e)는 컨트롤러(400)의 지시에 기초하여, 작동부(218b)를 제어한다.
승강부(218)를 작동시켜 샤프트(217) 및 기판 적재대(212)를 승강시킴으로써, 기판 적재대(212)는, 적재면(211) 상에 적재되는 기판(100)을 승강시키는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 샤프트(217) 하단부의 주위는 벨로우즈(219)에 의해 덮여 있어, 이에 의해 처리 공간(205) 내는 기밀하게 보유 지지되어 있다.
처리실(201)은, 예를 들어 후술하는 버퍼 구조(230)와 기판 적재대(212)로 구성된다. 또한, 처리실(201)은 기판(100)을 처리하는 처리 공간(205)을 확보할 수 있으면 되며, 다른 구조에 의해 구성되어도 된다.
기판 적재대(212)는, 기판(100)의 반송 시에는, 기판 적재면(211)이 기판 반입출구(148)에 대향하는 반송 포지션(P0)까지 하강하고, 기판(100)의 처리 시에는, 도 3에서 도시되는 바와 같이, 기판(100)이 처리 공간(205) 내의 처리 포지션으로 될 때까지 상승한다.
처리 공간(205)의 상부(상류측)에는, 가스를 확산시키는 버퍼 구조(230)가 마련되어 있다. 버퍼 구조(230)는, 주로 덮개(231)로 구성된다.
덮개(231)에는, 온도 측정기(235)가 마련된다. 온도 측정기(235)는, 배선(236)을 통해서 제2 온도 측정부인 온도 측정부(237)에 접속된다. 온도 측정기(235)는, 처리실(201)의 온도를 검출한다.
덮개(231)에 마련된 가스 도입 구멍(231a)과 연통하도록, 덮개(231)에는, 후술하는 제1 가스 공급부(240), 제2 가스 공급부(250), 제3 가스 공급부(260)와 연통한다. 도 3에서는 가스 도입 구멍(231a)이 1개밖에 도시되어 있지 않지만, 가스 공급부마다 가스 도입 구멍을 마련해도 된다.
덮개(231)에는, 처리실(201)을 냉각하는 냉각부(238)를 마련해도 된다. 냉각부(238)에는, 예를 들어 냉매가 공급된다. 후술하는 성막 공정 S106에서는 버퍼 구조(230)의 과잉 승온을 억제하고, 대기 공정 S120에서는 처리실(201)을 냉각하는 역할을 갖는다.
(제1 가스 공급부)
이어서, 도 4를 사용해서 제1 가스 공급부(240)를 설명한다. 제1 가스 공급부(240)는 제1 가스 공급관(241)을 갖는다. 제1 가스 공급관(241)은, 도 3의 A에 대응하는 것이며, 처리실(201)에 가스를 공급하는 구성이다.
제1 가스 공급관(241)에는, 상류 방향으로부터 순서대로, 제1 가스원(242), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(243) 및 개폐 밸브인 밸브(244)가 마련되어 있다.
제1 가스원(242)은 제1 원소를 함유하는 제1 가스(「제1 원소 함유 가스」라고도 칭함)원이다. 제1 원소 함유 가스는, 원료 가스, 즉, 처리 가스의 하나이다. 여기서, 제1 원소는, 예를 들어 티타늄(Ti)이다. 즉, 제1 원소 함유 가스는, 예를 들어 티타늄 함유 가스이다. 구체적으로는, 티타늄 함유 가스로서, 4염화티타늄(TiCl4) 가스가 사용된다.
주로, 제1 가스 공급관(241), 매스 플로우 컨트롤러(243), 밸브(244)에 의해, 제1 가스 공급부(240)(티타늄 함유 가스 공급계라고도 함)가 구성된다.
(제2 가스 공급부)
이어서, 도 5를 사용해서 제2 가스 공급부(250)를 설명한다. 제2 가스 공급부(250)는 제2 가스 공급관(251)을 갖는다. 제2 가스 공급관(251)은, 도 3의 B에 대응하는 것이며, 처리실(201)에 가스를 공급하는 구성이다.
제2 가스 공급관(251)에는, 상류 방향으로부터 순서대로, 제2 가스원(252), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(253) 및 개폐 밸브인 밸브(254)가 마련되어 있다.
제2 가스원(252)은 제2 원소를 함유하는 제2 가스(이하, 「제2 원소 함유 가스」라고도 칭함)원이다. 제2 원소 함유 가스는, 처리 가스의 하나이다. 또한, 제2 원소 함유 가스는, 반응 가스 또는 개질 가스로서 생각해도 된다.
여기서, 제2 원소 함유 가스는, 제1 원소와 상이한 제2 원소를 함유한다. 제2 원소로서는, 예를 들어 산소(O), 질소(N), 탄소(C) 중 어느 하나이다. 여기에서는, 제2 원소 함유 가스는, 예를 들어 질소 함유 가스로서 설명한다. 구체적으로는, 질소 함유 가스로서, 암모니아 가스(NH3)가 사용된다.
주로, 제2 가스 공급관(251), 매스 플로우 컨트롤러(253), 밸브(254)에 의해, 제2 가스 공급부(250)(반응 가스 공급계라고도 함)가 구성된다.
또한, 제1 가스 단체로 기판(100) 상에 막을 형성하는 경우는, 제2 가스 공급부(250)를 마련하지 않아도 된다.
(제3 가스 공급부)
이어서, 도 6을 사용해서 제3 가스 공급부(260)를 설명한다. 제3 가스 공급부(260)는 제3 가스 공급관(261)을 갖는다. 제3 가스 공급관(261)은, 도 3의 C에 대응하는 것이며, 처리실(201)에 가스를 공급하는 구성이다.
제3 가스 공급관(261)에는, 상류 방향으로부터 순서대로, 제3 가스원(262), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(263) 및 개폐 밸브인 밸브(264)가 마련되어 있다.
제3 가스원(262)은 냉각 가스원이다. 냉각 가스는, 용기(202)를 냉각하는 열전도 가스이며, 예를 들어 질소(N2) 가스나 아르곤(Ar) 가스이다.
주로, 제3 가스 공급관(261), 매스 플로우 컨트롤러(263), 밸브(264)에 의해, 제3 가스 공급부(260)가 구성된다.
이상 설명한 제1 가스 공급부(240), 제2 가스 공급부(250), 제3 가스 공급부(260)를 통합해서 가스 공급부라고 칭한다.
(배기부)
계속해서, 도 3으로 배기부(271)를 설명한다.
처리 공간(205)에는, 배기관(272)이 연통된다. 배기관(272)은, 처리 공간(205)에 연통하도록, 상부 용기(202a)에 접속된다. 배기관(272)에는, 처리 공간(205) 내를 소정의 압력으로 제어하는 압력 제어기인 APC(Auto Pressure Controller)(273)가 마련된다. APC(273)는 개방도 조정 가능한 밸브체(도시하지 않음)를 갖고, 컨트롤러(400)로부터의 지시에 따라서 배기관(272)의 컨덕턴스를 조정한다. 또한, 배기관(272)에 있어서 APC(273)의 상류측에는 밸브(274)가 마련된다. 배기관(272)과 밸브(274), APC(273)를 통합해서 배기부라고 칭한다.
또한, 배기관(272)의 하류에는, DP(Dry Pump. 드라이 펌프)(275)가 마련된다. DP(275)는, 배기관(272)을 통해서, 처리 공간(205)의 분위기를 배기한다.
(컨트롤러)
이어서 도 7을 사용해서 컨트롤러(400)를 설명한다.
기판 처리 장치(200)는, 각 부의 동작을 제어하는 컨트롤러(400)를 갖고 있다.
제어부(제어 수단)인 컨트롤러(400)는, CPU(Central Processing Unit)(401), RAM(Random Access Memory)(402), 기억 장치로서의 기억부(403), I/O 포트(404)를 구비한 컴퓨터로서 구성되어 있다. RAM(402), 기억부(403), I/O 포트(404)는, 내부 버스(405)를 통해서, CPU(401)와 데이터 교환 가능하게 구성되어 있다. 기판 처리 장치(200) 내의 데이터의 송수신은, CPU(401)의 하나의 기능이기도 한 송수신 지시부(406)의 지시에 의해 행하여진다.
CPU(401)는, 또한 판단부(407)를 갖는다. 판단부(407)는, 기억부(403)에 기억된 테이블과, 제2 온도 측정부(237)에서 측정한 온도 정보의 관계를 분석하는 역할을 갖는다.
상위 장치(270)에 네트워크를 통해서 접속되는 네트워크 송수신부(283)가 마련된다. 네트워크 송수신부(283)는, 로트 중의 기판(100)의 처리 이력이나 처리 예정에 관한 정보 등을 수신하는 것이 가능하다.
기억부(403)는, 예를 들어 플래시 메모리, HDD(Hard Disk Drive) 등으로 구성되어 있다. 기억부(403) 내에는, 기판 처리의 수순이나 조건 등이 기재된 프로세스 레시피(409)나, 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 프로그램(410)이 판독 가능하게 저장되어 있다. 또한, 온도 측정부(221, 237)가 계측한 온도 데이터의 기록이나, 그 온도 데이터의 판독이 가능한 기억부(411)를 갖는다.
또한, 프로세스 레시피는, 후술하는 기판 처리 공정에서의 각 수순을 컨트롤러(400)에 실행시켜, 소정의 결과를 얻을 수 있도록 조합된 것이며, 프로그램으로서 기능한다. 이하, 이 프로세스 레시피나 제어 프로그램 등을 총칭하여, 간단히 프로그램이라고도 한다. 또한, 본 명세서에서 프로그램이라는 말을 사용한 경우는, 프로세스 레시피 단체만을 포함하는 경우, 제어 프로그램 단체만을 포함하는 경우, 또는 그 양쪽을 포함하는 경우가 있다. 또한, RAM(402)은, CPU(401)에 의해 판독된 프로그램이나 데이터 등이 일시적으로 보유되는 메모리 영역(워크 에어리어)으로서 구성되어 있다.
I/O 포트(404)는, 게이트 밸브(149), 승강부(218), 각 압력 조정기, 각 펌프, 히터 제어부(223) 등, PM의 각 구성에 접속되어 있다.
CPU(401)는, 기억부(403)로부터의 제어 프로그램을 판독해서 실행함과 함께, 입출력 장치(281)로부터의 조작 커맨드의 입력 등에 따라서 기억부(403)로부터 프로세스 레시피를 판독하도록 구성되어 있다. 그리고, CPU(401)는, 판독된 프로세스 레시피의 내용을 따르도록, 게이트 밸브(149)의 개폐 동작, 승강부(218)의 승강 동작, 온도 측정부(221, 237), 히터 제어부(223), 각 펌프의 온/오프 제어, 매스 플로우 컨트롤러의 유량 조정 동작, 밸브 등을 제어 가능하게 구성되어 있다.
또한, 컨트롤러(400)는, 상술한 프로그램을 저장한 외부 기억 장치(예를 들어, 하드 디스크 등의 자기 디스크, DVD 등의 광 디스크, MO 등의 광자기 디스크, USB 메모리 등의 반도체 메모리)(282)를 사용해서 컴퓨터에 프로그램을 인스톨하는 것 등에 의해, 본 기술에 관한 컨트롤러(400)를 구성할 수 있다. 또한, 컴퓨터에 프로그램을 공급하기 위한 수단은, 외부 기억 장치(282)를 통해서 공급하는 경우에 제한되지 않는다. 예를 들어, 인터넷이나 전용 회선 등의 통신 수단을 사용하여, 외부 기억 장치(282)를 통하지 않고 프로그램을 공급하도록 해도 된다. 또한, 기억부(403)나 외부 기억 장치(282)는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성된다. 이하, 이들을 총칭하여, 간단히 기록 매체라고도 한다. 또한, 본 명세서에서, 기록 매체라는 말을 사용한 경우는, 기억부(403) 단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치(282) 단체만을 포함하는 경우, 또는 그 양쪽을 포함하는 경우가 있다.
(2) 기판 처리 공정
이어서 도 8을 사용하여, 반도체 제조 공정의 일 공정으로서, 상술한 구성의 기판 처리 장치(200)를 사용해서 기판(100) 상에 막을 형성하는 공정에 대해서 설명한다. 또한, 이하의 설명에서, 기판 처리 장치를 구성하는 각 부의 동작은 컨트롤러(400)에 의해 제어된다.
이하의 설명 중에서는, n은 1로트로 처리하는 기판(100)의 매수를 나타내고, m은 1로트 내에서 처리하는 기판(100)의 번호를 나타낸다. 예를 들어, m=1이라면 1매째의 기판 처리이며, 10이라면 10매째의 기판이다. m은 1로트 내의 기판의 번호이므로, m=1, 2 …, n이다.
여기에서는, 하나의 RC에서의 기판 처리 방법을 예로 해서 설명한다.
(기판 반송 공정)
기판 반송 공정을 설명한다. 또한, 도 8에서는 본 공정을 생략하고 있다.
기판 반송 공정에서는, 포드(111)로부터 기판(100)을 반출한다. 여기에서는, 예를 들어 임의의 m매째의 기판(100)을 포드(111)로부터 반출한다. 기판(100)은 대기 반송실(120)을 통해서 로드 로크실(130)의 적재면(135) 상에 적재된다.
그 후 제m 기판(100)은 로봇(170)에 의해 픽업되어, 진공 반송실(140) 내에서 대기된다.
(RC 반입 공정 S102)
RC 기판 반입 공정 S102를 설명한다. 여기에서는, 진공 반송실(140)에 대기한 기판(100)을 RC에 반입한다.
구체적으로는, 기판 적재대(212)를 기판(100)의 반송 위치(반송 포지션(P0))까지 하강시켜, 기판 적재대(212)의 관통 구멍(214)에 리프트 핀(207)을 관통시킨다. 그 결과, 리프트 핀(207)이, 기판 적재대(212) 표면보다도 소정의 높이만큼 돌출된 상태가 된다. 이들 동작과 병행하여, 반송실(206)의 분위기를 배기하여, 인접하는 진공 반송실(140)과 동일한 압력, 혹은 인접하는 진공 반송실(140)의 압력보다도 낮은 압력으로 한다.
계속해서, 게이트 밸브(149)를 개방하여, 반송실(206)을 인접하는 진공 반송실(140)과 연통시킨다. 그리고, 진공 반송 로봇(170)이, 기판(100)을 진공 반송실(140)로부터 반송실(206)에 반입하여, 리프트 핀(207) 상에 적재한다.
(기판 처리 포지션 이동 공정 S104)
기판 처리 포지션 이동 공정 S104를 설명한다.
리프트 핀(207) 상에 기판(100)이 적재되면, 기판 적재대(212)를 상승시켜, 기판 적재면(211) 상에 기판(100)을 적재하고, 또한 도 3과 같이, 기판 처리 포지션까지 상승시킨다.
(성막 공정 S106)
계속해서, 성막 공정 S106을 설명한다.
기판 적재대(212)가 기판 처리 포지션으로 이동하면, 배기관(272)을 통해서 처리실(201)로부터 분위기를 배기하여, 처리실(201) 내의 압력을 조정한다.
여기에서는, 기판(100)은 기판 적재면(211)에 적재된 상태에서, 히터(213)에 의해 가열된다. 소정의 압력으로 조정하면서, 기판(100)의 온도가 소정의 온도, 예를 들어 400℃ 내지 600℃에 도달하면, 가스 공급부로부터 처리 가스, 예를 들어 TiCl4 가스와 암모니아 가스를 처리실에 공급한다. 공급된 TiCl4 가스와 암모니아 가스에 의해 기판(100) 상에 티타늄 함유막을 형성한다. 티타늄 함유막이 원하는 막 두께로 될 때까지 기판(100)을 처리한다.
(반송 포지션 이동 공정 S108)
계속해서, 반송 포지션 이동 공정 S108을 설명한다.
원하는 막 두께의 막이 형성되면, 기판 적재대(212)를 하강시켜서, 도 3에 기재된 반송 포지션(P0)으로 이동한다. 따라서, 기판(100)은 반송실(206)에 대기된다.
(온도 측정 공정 S110)
계속해서 온도 측정 공정 S110을 설명한다.
온도 측정 공정 S110에서는, 온도 측정기(235)가 처리실(201)의 온도를 측정한다. 예를 들어, 처리실(201)의 온도로서 버퍼 구조(230)의 온도를 계측한다. 구체적으로는 온도 측정기(235)가 덮개(231)의 온도를 측정한다. 온도 측정부(237)는 온도 측정기(235)가 측정한 온도 데이터를, 온도 기억부(411)에 기록한다.
성막 공정 S106 후에 온도를 계측함으로써, 성막 공정 S106이 종료될 때까지 상승한 처리실(201)의 온도를 파악할 수 있다. 따라서, 성막 공정 S106 후에 온도를 계측하는 것이 바람직하다.
또한, 여기에서는 반송 포지션 이동 공정 S108 후에 온도를 계측했지만 그것에 한정되는 건은 아니며, 성막 공정 S106 후의 처리실(201)의 온도를 파악할 수 있으면 반송 포지션 이동 공정 S108 도중에 온도를 검출해도 된다.
(RC 반출 공정 S112)
계속해서 기판 반출 공정 S112를 설명한다.
기판(100)을 반송 포지션(P0)으로 이동하면, 게이트 밸브(149)를 개방으로 해서, 반송실(206)로부터 진공 반송실(140)에 기판(100)을 반출한다.
(판정 S114)
계속해서 판정 S114를 설명한다.
성막 공정 S106 및 온도 측정 공정 S110이 종료되면, 판정 S114로 이행한다. 여기에서는, 소정 매수의 기판(100)을 처리한 후에, 다음에 처리할 기판의 유무를 판단한다. 다른 RC에서 처리한 기판을 포함하여, 1로트 중의 모든 기판인 n매의 기판을 처리했다고 판단하면, 처리를 종료한다. 혹은, n매의 기판을 처리하지 않았어도, 다음에 처리할 기판(100)이 없으면 처리를 종료한다. 다음에 처리할 기판이 있으면 다음 기판 처리 설정 공정 S116으로 이행한다.
(다음 기판 처리 설정 공정 S116)
계속해서 다음 기판 처리 설정 공정 S116을 설명한다.
여기에서는, 다음에 처리할 기판(100)에 대응할 수 있도록 기판 처리 장치(200)를 설정한다. 예를 들어 제m 기판을 처리하고 있었을 경우, 다음에 처리할 기판(100)을 처리 가능하도록 설정한다. 설정의 일례로서는, 다음에 처리할 기판(100)에 대기 반송 로봇(122)이 액세스 가능하도록 전환한다.
또한, 본 공정은 제m 기판(100)을 PM으로부터 반출한 후이기 때문에, 기판 적재대(212)는 반송 포지션(P0)에 대기한 상태이다.
(판정 S118)
판정 S118을 설명한다. 여기에서는, 다음에 처리할 기판(100)을 기판 적재대(212)에 적재하기 전에, 처리실(201)에서의 처리를 소정 시간 대기할지 여부를 판단한다. 구체적으로는, 처리실(201)에 가스를 공급하지 않고, 기판 적재대(212)를 반송 포지션(P0)에서 소정 시간 대기시킬 것인지 여부를 판단한다. 판단 기준은 후술한다.
이어서, 소정 시간 대기시키는 이유를 설명한다.
성막 공정 S106 동안에, 히터(213)는 기판(100)뿐만 아니라 처리실(201)도 가열해버린다. 그 때문에, 성막 공정 S106 동안에, 처리실(201)에는 열이 축적되어, 처리실(201)의 온도는 성막 공정 S106의 개시 시에 비해서 높아진다.
일반적으로, 기판(100)의 온도는, 히터(213)에 의한 영향 외에, 그 밖의 주위의 구조(예를 들어 처리실(201))의 열영향을 받는 것으로 알려져 있다. 그 때문에, 다음의 기판 처리에서는, 앞의 기판 처리에서 승온된 처리실(201)의 영향을 받는다.
이에 관해서 도 9를 사용해서 설명한다. 도 9는 기판(100)을 연속 처리한 경우와 기판 온도의 관계를 설명한 것이며, 횡축은 처리된 기판(100)의 번호, 종축은 기판(100)의 온도를 나타낸다. 횡축에서의 번호 100(x)는, RC 내에서 x매째로 처리한 기판(100)을 나타낸다. 또한, x는 임의 번호이다.
선 T100(x)는, 공정 S106에서의 기판(100)(x)의 온도를 나타낸다. 선T100(x-2)는, x에서 보아 2매 전에 처리한 기판(100)(x-2)의 공정 S106에서의 온도를 나타낸다. 선 T100(x+2)는, x에서 보아 2매 후에 처리한 기판(100)(x+2)의 공정 S106에서의 온도를 나타낸다. 선 T100(x-1), 선 T100(x+1)도 마찬가지의 생각이다. 또한, 선(i)는 각 기판(100)의 처리 개시 온도를 연결한 선이다.
각 기판(100)은, 성막 공정 S106 개시 시부터 점점 온도가 상승하고, 그 후 소정 온도로 유지된다. 이 동안에, 기판(100) 상에 가스가 공급되어, 원하는 막이 형성된다.
상술한 바와 같이, 처리를 행할 때마다 처리실(201)의 온도가 높아지기 때문에, 다음에 처리될 기판은, 처리실(201)의 온도가 높은 상태에서 반입된다. 예를 들어, 앞에 처리한 기판(100)(x-2)의 처리 개시 온도보다도, 다음에 반입한 기판(100)(x-1)의 처리 개시 온도가 높아진다. 따라서, 기판(100)을 연속 처리한 경우, 선(i)와 같이, 기판(100)의 처리 개시 온도는 점점 높아진다.
이러한 상황 하에, 발명자는 예의 연구한 결과, 기판(100)의 처리 개시 온도에 따라 막질이 변해버리는 것을 알아냈다. 예를 들어, 저온에서 처리한 경우는, 도 10(a)에 기재된 바와 같이 기판(100) 상에 맨 먼저 부착된 막 성분의 결정(101)의 사이즈가 크고, 고온인 경우는 도 10(b)에 기재된 바와 같이 기판(100) 상에 맨 먼저 부착된 막 성분의 결정(102)의 사이즈가 작아진다.
나아가, 결정의 사이즈(이하, 그레인 사이즈)는 막의 저항값과 반비례하는 것도 알아냈다. 구체적으로는, 그레인 사이즈가 크면 저항값이 작고, 그레인 사이즈가 작으면 저항값이 높아진다. 이것은, 막 조성 밀도에 의존하기 때문이라고 생각된다.
이러한 기판 간의 저항값의 변동은, 반도체 제품의 품질의 변동으로 이어진다. 즉, 수율의 저하로 이어진다. 특히 최근의 고집적화된 반도체 제품에서는, 절연막이나 금속막 등의 저항값의 변동의 영향은 보다 현저하다. 그 때문에, 기판(100)별 품질을 일정하게 하는 것이 바람직하다. 여기에서는, 후술하는 대기 공정 S120을 행함으로써 기판의 처리 개시 온도를 제어하여, 기판 간에서 그레인 사이즈가 소정 사이즈 이상이 되도록 제어한다.
이어서, 판정 S118의 구체적인 동작을 설명한다. 여기에서는, 처리실(201)에 반입된 기판(100)이 소정 온도 이하에서 처리가 개시되면 「No」라고 판단하고, 다음 기판 처리 이행 공정 S122로 이행한다. 소정 온도보다 높은 온도에서 처리가 개시되면, 「Yes」라고 판단하고, 대기 공정 S120으로 이행한다. 또한, 소정 온도란, 예를 들어 그레인 사이즈가 소정 사이즈보다 커지는 온도를 나타낸다.
도 9에서는, 선(ii)로 나타내는 소정 온도가 소정 사이즈 이상의 그레인 사이즈를 형성하는 기준 온도이다. 구체적으로는, 처리 개시 온도가 기준 온도 이하인 기판(100)(x-2), 100(x-1), 100(x)는 그레인 사이즈를 소정 사이즈 이상으로 할 수 있다. 기판(100)(x+1), 100(x+2)는 기준 온도보다도 높은 온도이기 때문에, 그레인 사이즈가 소정 사이즈보다도 작아진다.
상술한 바와 같이, 기판(100)의 처리 개시 온도는, 앞의 기판을 처리했을 때의 처리실(201)의 온도에 영향을 받는다. 그 때문에, 본 공정에서는, 판단부(407)가 온도 기억부(411)에 기록된 처리실(201)의 온도와 소정 온도를 비교해서 판단한다. 온도 기억부(411)에 기록된 온도는, 온도 측정 공정 S110에서 측정한 온도이다.
또한, 여기에서는 온도 측정 공정 S110에서 측정한 온도와 비교하고 있지만, 그것에 한정하는 건은 아니며, 다음과 같이 판단해도 된다. 예를 들어, 본 장치를 제조하는 공장 등에서, 처리실(201)이 소정 온도보다 높아지는 처리 매수를 검증하고, 그 매수를 처리했는지 여부로 판단해도 된다. 이 경우, 소정 온도에 달하는 매수의 1매 전의 기판 매수를 역치로 해서, 그 역치를 충족했는지 여부를 판단하여, 역치에 달하면 대기 공정 S120으로 이행한다. 아직 역치에 달하지 않은 경우는, 다음 기판 처리 이행 공정 S122로 이행한다.
(대기 공정 S120)
계속해서 대기 공정 S120을 설명한다. 판정 S118에서 "Yes"라고 판단되면, 대기 공정 S120으로 이동한다. 대기 공정 S120에서는, 게이트 밸브(149)를 폐쇄로 한 상태에서, 성막 공정 S106에서 실시하고 있었던 가스의 공급이나 가열 등의 처리를 정지한 상태로 한다. 나아가, 기판(100)이 반출되고, 기판 적재대(212)가 반송 포지션(P0)에 유지된 상태이다. 즉, 히터(213)는 처리실(201)로부터 퇴피된 상태이다. 이와 같이 하여, 각 구성은 소정 시간 대기된다.
대기하고 있는 동안에, 히터(213)는 처리실(201)로부터 퇴피되어 있기 때문에, 처리실(201)은 히터(213)의 영향이 작아져, 처리실(201)의 온도는 저하된다. 여기에서는, 다음에 투입할 기판(100)의 처리 개시 온도가, 기준 온도 이하로 되도록, 소정 시간 대기한다.
대기를 개시하고, 소정 시간이 경과하면, 대기 공정 S120을 종료하고, 다음 기판 처리 이행 공정 S122로 이행한다.
더 바람직하게는, 대기 공정 S120에서는, 제3 가스 공급부로부터 냉각 가스를 공급해도 된다. 냉각 가스를 공급하면, 처리실(201)을 조기에 냉각할 수 있기 때문에, 대기 시간을 단축할 수 있어, 기판의 처리 효율을 높게 할 수 있다.
(다음 기판 처리 이행 공정 S122)
계속해서 다음 기판 처리 이행 공정 S122를 설명한다.
대기 공정 S120이 종료되면, 혹은 판정 S118에서 No라고 판단되면, 다음 기판 처리 이행 공정 S122로 이동한다.
여기에서는, 다음 기판 처리 설정 공정 S116의 설정에 기초하여 기판 처리 장치(200)를 제어한다. 예를 들어, 다음 기판(100)을 PM에 반입하도록, 진공 반송 로봇(170) 등을 제어한다.
이상의 설명에서는 하나의 RC를 예로 해서 설명했지만, 다른 RC에서도 마찬가지로 기판(100)을 처리한다. 이 경우, 각각의 RC에서 판정 S118을 포함한 도 8에 기재된 플로우를 실시하여, 처리실(201)의 온도를 제어한다. 다시 말해, 복수의 처리실이 복수의 RC에 각각 형성되고, 대기하는 공정으로의 이행은 복수의 처리실 각각에서 판단될 수 있다.
여기서, 각각의 RC에서 플로우를 실시하는 이유를 설명한다. 각각의 RC는 히터(213)를 갖지만, 처리실(201)의 가열 상태에 변동이 있을 경우가 있다. 예를 들어 히터(213)의 성능에 차가 있거나, 혹은 처리 포지션에 변동이 있거나 할 경우이다. 이러한 기기차가 있는 상태에서, 각 RC에서 기판(100)을 복수매 연속으로 처리하면, 처리실의 열의 축적량의 차가 발생해버린다. 이렇게 각각의 처리실(201)에서 기판(100)의 가열 상태가 상이하므로, 판정 S118을 RC마다 행할 필요가 있다.
판정 S118을 RC마다 행함으로써, RC의 가열 상태의 변동을 흡수하여, 모든 RC에서 그레인 사이즈를 소정 사이즈 이상으로 할 수 있다. 즉, 로트 중의 n매의 기판(100) 각각의 처리 상태의 변동이 억제된다.
(다른 실시 형태)
이상으로, 실시 형태를 구체적으로 설명했지만, 본 기술은 상술한 각 실시 형태에 한정되는 건은 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경 가능하다.
예를 들어, 상술한 각 실시 형태에서는, 기판 처리 장치가 행하는 성막 처리에 있어서, 제1 원소 함유 가스(제1 처리 가스)로서 TiCl4 가스를 사용하고, 제2 원소 함유 가스(제2 처리 가스)로서 NH3 가스를 사용하여, 막을 형성하는 예를 나타냈지만, 그것에 한정하는 건은 아니며, 다른 종류의 가스를 사용해서 다른 종류의 박막을 형성해도 된다.
또한, 여기서는 2종류의 가스를 공급하는 예를 사용했지만, 그것에 한정하는 건은 아니고, 1종류의 가스나 3종류 이상의 가스를 공급해서 막을 형성해도 된다.
100: 기판
200: 기판 처리 장치
201: 처리실
213: 히터
RC: 리액터
400: 컨트롤러

Claims (22)

  1. n매의 기판을 1로트로 해서 처리하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,
    m매째(m<n)의 기판을 처리실에 반입하는 공정과,
    상기 처리실에서 상기 m매째의 기판을 가열해서 막을 형성하는 공정과,
    상기 m매째의 기판을 상기 처리실로부터 반출하는 공정과,
    상기 반출하는 공정 후, 상기 처리실에 상기 기판이 없는 상태에서, 상기 처리실에서의 처리를 소정 시간 대기하는 공정과,
    상기 대기하는 공정 후, 상기 처리실에 다음에 처리할 상기 기판을 반입하는 공정과,
    상기 처리실에서 상기 다음의 기판을 가열해서 막을 형성하는 공정
    을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 막을 형성하는 공정에서는, 상기 기판은 기판 적재대가 포함하는 가열부에 의해 가열되고,
    상기 대기하는 공정에서는, 상기 기판 적재대는 상기 처리실로부터 퇴피되는, 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 소정 시간은, 상기 처리실의 온도가 기준 온도 이하로 되는 시간인, 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 막을 형성하는 공정을 소정 매수분 반복하면, 상기 대기하는 공정으로 이행하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 처리실의 온도가 기준 온도를 초과하면 상기 대기하는 공정으로 이행하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  6. 제2항에 있어서, 상기 대기하는 공정 동안에 상기 처리실을 냉각하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 제2항에 있어서, 상기 처리실은 복수 마련되고,
    상기 대기하는 공정으로의 이행은, 상기 처리실 각각에서 판단되는, 반도체 장치의 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 소정 시간은, 상기 처리실의 온도가 기준 온도 이하로 되는 시간인, 반도체 장치의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 막을 형성하는 공정을 소정 매수분 반복하면, 상기 대기하는 공정으로 이행하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 대기하는 공정 동안에 상기 처리실을 냉각하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 처리실은 복수 마련되고,
    상기 대기하는 공정으로의 이행은, 상기 처리실 각각에서 판단되는, 반도체 장치의 제조 방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 막을 형성하는 공정을 소정 매수분 반복하면, 상기 대기하는 공정으로 이행하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 대기하는 공정 동안에 상기 처리실을 냉각하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 처리실은 복수 마련되고,
    상기 대기하는 공정으로의 이행은, 상기 처리실 각각에서 판단되는, 반도체 장치의 제조 방법.
  15. 제1항에 있어서, 상기 처리실의 온도가 기준 온도를 초과하면 상기 대기하는 공정으로 이행하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 기준 온도는, 상기 다음의 기판에 형성되는 막의 그레인 사이즈가 소정 사이즈 이상으로 되는 온도인, 반도체 장치의 제조 방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 대기하는 공정 동안에 상기 처리실을 냉각하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  18. 제1항에 있어서, 상기 대기하는 공정 동안에 상기 처리실을 냉각하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 대기하는 공정 동안에 상기 처리실에 열전도 가스를 공급하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  20. 제1항에 있어서, 상기 처리실은 복수 마련되고,
    상기 대기하는 공정으로의 이행은, 상기 처리실 각각에서 판단되는, 반도체 장치의 제조 방법.
  21. n매의 기판을 1로트로 해서 처리하는 기판 처리 장치로서,
    m매째(m<n)의 상기 기판이 반입되는 처리실과,
    상기 기판을 가열하는 가열부와,
    상기 처리실에 가스를 공급하는 가스 공급부와,
    상기 처리실에서 상기 m매째의 기판을 가열해서 막을 형성한 후, 상기 m매째의 상기 기판을 상기 처리실로부터 반출하고,
    그 후 상기 처리실에 상기 기판이 없는 상태에서, 상기 처리실에서의 처리를 소정 시간 대기하고,
    상기 소정 시간 경과 후, 상기 처리실에 다음에 처리할 상기 기판을 반입하여, 상기 기판을 성막하도록 제어하는 제어부
    를 포함하는 기판 처리 장치.
  22. n매의 기판을 1로트로 해서, 컴퓨터에 의해 기판 처리 장치에 실행시키는 프로그램으로서,
    m매째(m<n)의 상기 기판을 처리실에 반입하는 수순과,
    상기 처리실에서 상기 m매째의 기판을 가열해서 막을 형성하는 수순과,
    상기 m매째의 기판을 상기 처리실로부터 반출하는 수순과,
    상기 반출하는 공정 후, 상기 처리실에 상기 기판이 없는 상태에서, 상기 처리실에서의 처리를 소정 시간 대기하는 수순과,
    상기 대기하는 공정 후, 상기 처리실에 다음에 처리할 상기 기판을 반입하는 수순과,
    상기 처리실에서 상기 다음의 기판을 가열해서 막을 형성하는 수순
    을 컴퓨터에 의해 기판 처리 장치에 실행시키는 프로그램을 기록하는 기록 매체.
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