KR20200106827A - 정전척 및 처리 장치 - Google Patents

정전척 및 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20200106827A
KR20200106827A KR1020200019349A KR20200019349A KR20200106827A KR 20200106827 A KR20200106827 A KR 20200106827A KR 1020200019349 A KR1020200019349 A KR 1020200019349A KR 20200019349 A KR20200019349 A KR 20200019349A KR 20200106827 A KR20200106827 A KR 20200106827A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
porous
dense
sparse
hole
dielectric substrate
Prior art date
Application number
KR1020200019349A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102340517B1 (ko
Inventor
준 시라이시
슈이치로 사이간
타츠야 모리
유키 사사키
마사히로 와타나베
Original Assignee
토토 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 토토 가부시키가이샤 filed Critical 토토 가부시키가이샤
Publication of KR20200106827A publication Critical patent/KR20200106827A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102340517B1 publication Critical patent/KR102340517B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

[과제] 아크 방전의 저감을 도모할 수 있는 정전척 및 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
[해결수단] 흡착의 대상물을 적재하는 제 1 주면과, 상기 제 1 주면과는 반대측의 제 2 주면을 갖는 세라믹 유전체 기판과, 상기 세라믹 유전체 기판을 지지하고, 가스 도입로를 갖는 베이스 플레이트와, 상기 세라믹 유전체 기판에 설치되고, 상기 가스 도입로와 대향하는 제 1 다공질부를 구비하고, 상기 제 1 다공질부는 제 1 다공 영역과, 상기 제 1 다공 영역보다 치밀한 제 1 치밀 영역을 포함하고, 상기 제 1 다공 영역은 복수의 구멍을 갖는 복수의 제 1 성긴 부분과, 상기 제 1 성긴 부분의 밀도보다 높은 밀도를 갖고, 상기 제 2 방향에 있어서의 치수가 상기 제 2 방향에 있어서의 상기 제 1 치밀 영역의 치수보다 작은 제 1 조밀한 부분을 갖고, 상기 복수의 제 1 성긴 부분의 각각은 상기 베이스 플레이트로부터 상기 세라믹 유전체 기판을 향하는 제 1 방향으로 연장되고, 상기 제 1 조밀한 부분은 상기 복수의 제 1 성긴 부분끼리 사이에 위치하고, 상기 제 1 성긴 부분은 상기 복수의 구멍끼리 사이에 형성된 제 1 벽부를 갖고, 상기 제 1 방향에 대략 직교하는 제 2 방향에 있어서 상기 제 1 벽부의 치수의 최소값은 상기 제 1 조밀한 부분의 치수의 최소값보다 작고, 상기 가스 도입로의 상기 세라믹 유전체 기판측의 개구의 가장자리의 적어도 일부는 곡선으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 정전척이 제공된다.

Description

정전척 및 처리 장치{ELECTROSTATIC CHUCK AND PROCESSING APPARATUS}
본 발명의 양태는 정전척 및 처리 장치에 관한 것이다.
알루미나 등의 세라믹 유전체 기판 사이에 전극을 끼워넣고, 소성함으로써 제작되는 세라믹제의 정전척은 내장하는 전극에 정전 흡착용 전력을 인가하고, 규소 웨이퍼 등의 기판을 정전력에 의해 흡착하는 것이다. 이러한 정전척에 있어서는 세라믹 유전체 기판의 표면과, 흡착 대상물인 기판의 이면 사이에 헬륨(He) 등의 불활성 가스를 흘려서 흡착 대상물인 기판의 온도를 컨트롤하고 있다.
예를 들면, CVD(Chemical Vapor Deposition) 장치, 스퍼터링 장치, 이온 주입 장치, 에칭 장치 등, 기판에 대한 처리를 행하는 장치에 있어서, 처리 중에 기판의 온도 상승을 수반하는 것이 있다. 이러한 장치에 사용되는 정전척에서는 세라믹 유전체 기판과 흡착 대상물인 기판 사이에 He 등의 불활성 가스를 흘려서 기판에 불활성 가스를 접촉시킴으로써 기판의 온도 상승을 억제하고 있다.
He 등의 불활성 가스에 의한 기판 온도의 제어를 행하는 정전척에 있어서는 세라믹 유전체 기판 및 세라믹 유전체 기판을 지지하는 베이스 플레이트에 He 등의 불활성 가스를 도입하기 위한 구멍(가스 도입로)이 형성된다. 또한, 세라믹 유전체 기판에는 베이스 플레이트의 가스 도입로와 연통하는 관통 구멍이 형성된다. 이것에 의해, 베이스 플레이트의 가스 도입로로부터 도입된 불활성 가스는 세라믹 유전체 기판의 관통 구멍을 통해 기판의 이면으로 인도된다.
여기서, 장치 내에서 기판을 처리할 때, 장치 내의 플라즈마로부터 금속제의 베이스 플레이트를 향하는 방전(아크 방전)이 발생하는 경우가 있다. 베이스 플레이트의 가스 도입로나 세라믹 유전체 기판의 관통 구멍은 방전의 경로가 되기 쉬운 경우가 있다. 그래서, 베이스 플레이트의 가스 도입로나 세라믹 유전체 기판의 관통 구멍에 다공질부를 설치함으로써 아크 방전에 대한 내성(절연 내압 등)을 향상시키는 기술이 있다. 예를 들면, 특허문헌 1에는 가스 도입로 내에 세라믹 소결 다공체를 설치하고, 세라믹 소결 다공체의 구조 및 막구멍을 가스 유로로 함으로써 가스 도입로 내에서의 절연성을 향상시킨 정전척이 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 2에는 가스 확산용 공극 내에 세라믹스 다공체로 이루어지며 방전을 방지하기 위한 처리 가스 유로용의 방전 방지 부재를 설치한 정전척이 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 3에는 알루미나와 같은 다공질 유전체로서 유전체 인서트를 설치하여 아크 방전을 저감하는 정전척이 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 4에는 질화알루미늄 등으로 이루어지는 정전척에 레이저 가공법에 의해 가스 공급 구멍과 연통하는 복수의 세공을 형성하는 기술이 개시되어 있다.
이러한 정전척에 있어서, 아크 방전의 가일층의 저감이 요망되고 있다.
일본 특허 공개 2010-123712호 공보 일본 특허 공개 2003-338492호 공보 일본 특허 공개 평10-50813호 공보 일본 특허 공개 2009-218592호 공보
본 발명은 이러한 과제의 인식에 의거해서 이루어진 것이며, 아크 방전의 저감을 도모할 수 있는 정전척 및 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
제 1 발명은 흡착의 대상물을 적재하는 제 1 주면과, 상기 제 1 주면과는 반대측의 제 2 주면을 갖는 세라믹 유전체 기판과, 상기 세라믹 유전체 기판을 지지하고, 가스 도입로를 갖는 베이스 플레이트와, 상기 세라믹 유전체 기판에 설치되고, 상기 가스 도입로와 대향하는 제 1 다공질부를 구비하고, 상기 제 1 다공질부는 제 1 다공 영역과, 상기 제 1 다공 영역보다 치밀한 제 1 치밀 영역을 포함하고, 상기 제 1 다공 영역은 복수의 구멍을 갖는 복수의 제 1 성긴 부분과, 상기 제 1 성긴 부분의 밀도보다 높은 밀도를 갖고, 상기 제 2 방향에 있어서의 치수가 상기 제 2 방향에 있어서의 상기 제 1 치밀 영역의 치수보다 작은 제 1 조밀한 부분을 갖고, 상기 복수의 제 1 성긴 부분의 각각은 상기 베이스 플레이트로부터 상기 세라믹 유전체 기판을 향하는 제 1 방향으로 연장되고, 상기 제 1 조밀한 부분은 상기 복수의 제 1 성긴 부분끼리 사이에 위치하고, 상기 제 1 성긴 부분은 상기 복수의 구멍끼리 사이에 형성된 제 1 벽부를 갖고, 상기 제 1 방향에 대략 직교하는 제 2 방향에 있어서 상기 제 1 벽부의 치수의 최소값은 상기 제 1 조밀한 부분의 치수의 최소값보다 작고, 상기 가스 도입로의 상기 세라믹 유전체 기판측의 개구의 가장자리의 적어도 일부는 곡선으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 정전척이다.
이 정전척에 의하면, 제 1 다공질부에 제 1 방향으로 연장되는 제 1 성긴 부분과 제 1 조밀한 부분이 형성되어 있으므로 아크 방전에 대한 내성과 가스 유량을 확보하면서 제 1 다공질부의 기계적인 강도(강성)를 향상시킬 수 있다. 또한, 가스 도입로의 개구의 가장자리의 적어도 일부가 곡선으로 구성되어 있으므로 전계 집중을 억제할 수 있고, 나아가서는 아크 방전의 저감을 도모할 수 있다.
제 2 발명은 흡착의 대상물을 적재하는 제 1 주면과, 상기 제 1 주면과는 반대측의 제 2 주면을 갖는 세라믹 유전체 기판과, 상기 세라믹 유전체 기판을 지지하고, 가스 도입로를 갖는 베이스 플레이트와, 상기 베이스 플레이트에 설치되고, 상기 가스 도입로와 대향하는 제 2 다공질부를 구비하고, 상기 제 2 다공질부는 제 2 다공 영역과, 상기 제 2 다공 영역보다 치밀한 제 2 치밀 영역을 포함하고, 상기 제 2 다공 영역은 복수의 구멍을 갖는 복수의 제 2 성긴 부분과, 상기 제 2 성긴 부분의 밀도보다 높은 밀도를 갖고, 상기 제 2 방향에 있어서의 치수가 상기 제 2 방향에 있어서의 상기 제 2 치밀 영역의 치수보다 작은 제 2 조밀한 부분을 갖고, 상기 복수의 제 2 성긴 부분의 각각은 상기 베이스 플레이트로부터 상기 세라믹 유전체 기판을 향하는 제 1 방향으로 연장되고, 상기 제 2 조밀한 부분은 상기 복수의 제 2 성긴 부분끼리 사이에 위치하고, 상기 제 2 성긴 부분은 상기 복수의 구멍끼리 사이에 형성된 제 2 벽부를 갖고, 상기 제 1 방향에 대략 직교하는 제 2 방향에 있어서 상기 제 2 벽부의 치수의 최소값은 상기 제 2 조밀한 부분의 치수의 최소값보다 작고, 상기 가스 도입로의 상기 세라믹 유전체 기판측의 개구의 가장자리의 적어도 일부는 곡선으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 정전척이다.
이 정전척에 의하면, 제 2 다공질부에 제 1 방향으로 연장되는 제 2 성긴 부분과 제 2 조밀한 부분이 형성되므로 아크 방전에 대한 내성과 가스 유량을 확보하면서 제 2 다공질부의 기계적인 강도(강성)를 향상시킬 수 있다. 또한, 가스 도입로의 개구의 가장자리의 적어도 일부가 곡선으로 구성되어 있으므로 전계 집중을 억제할 수 있고, 나아가서는 아크 방전의 저감을 도모할 수 있다.
제 3 발명은 제 1 발명 또는 제 2 발명에 있어서, 상기 제 2 방향에 있어서 상기 복수의 제 1 성긴 부분의 각각에 형성된 상기 복수의 구멍의 치수는 상기 제 1 조밀한 부분의 치수보다 작고, 및/또는 상기 제 2 방향에 있어서 상기 복수의 제 2 성긴 부분의 각각에 형성된 상기 복수의 구멍의 치수는 상기 제 2 조밀한 부분의 치수보다 작은 것을 특징으로 하는 정전척이다.
이 정전척에 의하면, 아크 방전의 저감을 도모할 수 있다.
제 4 발명은 제 1 발명 내지 제 3 발명 중 어느 하나의 발명에 있어서, 상기 복수의 제 1 성긴 부분의 각각에 형성된 상기 복수의 구멍의 종횡비 및/또는 상기 복수의 제 2 성긴 부분의 각각에 형성된 상기 복수의 구멍의 종횡비는 30 이상인 것을 특징으로 하는 정전척이다.
이 정전척에 의하면, 아크 방전에 대한 내성을 더욱 향상시킬 수 있다.
제 5 발명은 제 1 발명 내지 제 4 발명 중 어느 하나의 발명에 있어서, 상기 제 2 방향에 있어서 상기 복수의 제 1 성긴 부분의 각각에 형성된 상기 복수의 구멍의 치수, 및/또는 상기 복수의 제 2 성긴 부분의 각각에 형성된 상기 복수의 구멍의 치수는 1마이크로미터 이상 20마이크로미터 이하인 것을 특징으로 하는 정전척이다.
이 정전척에 의하면, 구멍의 치수가 1∼20마이크로미터인 일방향으로 연장되는 구멍을 배열시킬 수 있으므로 아크 방전에 대한 높은 내성을 실현할 수 있다.
제 6 발명은 제 1 발명 내지 제 5 발명 중 어느 하나의 발명에 있어서, 상기 제 1 방향을 따라 보았을 때에 상기 제 1 성긴 부분에 형성된 복수의 구멍은 상기 제 1 성긴 부분의 중심부에 위치하는 제 1 구멍을 포함하고, 상기 복수의 구멍 중 상기 제 1 구멍과 인접하여 상기 제 1 구멍을 둘러싸는 구멍의 수는 6개이고, 및/또는 상기 제 1 방향을 따라 보았을 때에 상기 제 2 성긴 부분에 형성된 복수의 구멍은 상기 제 2 성긴 부분의 중심부에 위치하는 제 2 구멍을 포함하고, 상기 복수의 구멍 중 상기 제 2 구멍과 인접하여 상기 제 2 구멍을 둘러싸는 구멍의 수는 6개인 것을 특징으로 하는 정전척이다.
이 정전척에 의하면, 평면으로부터 볼 때에 있어서 높은 등방성이고 또한 높은 밀도로 복수의 구멍을 배치하는 것이 가능해진다. 이것에 의해, 아크 방전에 대한 내성과 흐르는 가스의 유량을 확보하면서 제 1 다공질부의 강성을 향상시킬 수 있다.
제 7 발명은 제 1 발명 내지 제 6 발명 중 어느 하나의 발명에 있어서, 상기 세라믹 유전체 기판은 상기 제 1 주면과 상기 제 1 다공질부 사이에 위치하는 제 1 구멍부를 갖고, 상기 세라믹 유전체 기판 및 상기 제 1 다공질부 중 적어도 어느 하나는 상기 제 1 구멍부와 상기 제 1 다공질부 사이에 위치하는 제 2 구멍부를 갖고, 상기 제 1 방향과 대략 직교하는 제 2 방향에 있어서 상기 제 2 구멍부의 치수는 상기 제 1 다공질부의 치수보다 작고, 상기 제 1 구멍부의 치수보다 큰 것을 특징으로 하는 정전척이다.
이 정전척에 의하면, 가스 도입로와 대향하는 위치에 설치된 제 1 다공질부에 의해 제 1 구멍부에 흐르는 가스의 유량을 확보하면서 아크 방전에 대한 내성을 향상시킬 수 있다. 또한, 소정의 치수를 갖는 제 2 구멍부가 형성되어 있으므로 치수가 큰 제 1 다공질부에 도입된 가스의 대부분을 제 2 구멍부를 통해 치수가 작은 제 1 구멍부에 도입할 수 있다. 즉, 아크 방전의 저감과 가스의 흐름의 원활화를 도모할 수 있다.
제 8 발명은 제 1 발명 내지 제 7 발명 중 어느 하나의 발명에 있어서, 상기 제 1 다공 영역은 상기 제 1 성긴 부분의 밀도보다 높은 밀도를 갖고, 상기 제 2 방향에 있어서의 치수가 상기 제 2 방향에 있어서의 상기 조밀한 부분의 치수보다 큰 제 1 치밀부를 더 갖고, 상기 제 1 방향에 대하여 수직인 평면에 투영했을 때에 상기 제 1 치밀부와 상기 제 1 구멍부는 겹치는 것을 특징으로 하는 정전척이다.
이 정전척에 의하면, 치밀부와 제 1 구멍부가 겹치도록 구성되어 있으므로 발생한 전류가 치밀부를 우회하여 흐르려고 한다. 그 때문에, 전류가 흐르는 거리(도전 패스)를 길게 할 수 있으므로 전자가 가속되기 어려워지고, 나아가서는 아크 방전의 발생을 억제할 수 있다.
제 9 발명은 제 8 발명에 있어서, 상기 제 1 방향에 대하여 수직인 평면에 투영했을 때에 상기 제 1 치밀부의 주위에 상기 복수의 제 1 성긴 부분이 형성되는 것을 특징으로 하는 정전척이다.
이 정전척에 의하면, 가스류를 확보하면서 아크 방전의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.
제 10 발명은 제 8 발명 또는 제 9 발명에 있어서, 상기 제 1 치밀부의 상기 제 1 방향을 따르는 길이는 상기 제 1 다공질부의 상기 제 1 방향을 따르는 길이보다 작은 것을 특징으로 하는 정전척이다.
이 정전척에 의하면, 가스류를 확보하면서 아크 방전의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.
제 11 발명은 제 8 발명 내지 제 10 발명 중 어느 하나의 발명에 있어서, 상기 제 1 방향에 있어서 상기 제 1 치밀부와 상기 베이스 플레이트 사이에 상기 제 1 성긴 부분이 형성되는 것을 특징으로 하는 정전척이다.
이 정전척에 의하면, 아크 방전의 발생을 억제하면서 가스 흐름의 원활화를 도모할 수 있다.
제 12 발명은 제 8 발명 또는 제 9 발명에 있어서, 상기 제 1 치밀부의 상기 제 1 방향을 따르는 길이는 상기 제 1 다공질부의 상기 제 1 방향을 따르는 길이와 대략 같은 것을 특징으로 하는 정전척이다.
이 정전척에 의하면, 치밀부의 제 1 방향을 따르는 길이를 제 1 다공질부의 제 1 방향을 따르는 길이와 대략 같은 정도로 길게 하고 있기 때문에 아크 방전의 발생을 보다 효과적으로 억제할 수 있다.
제 13 발명은 제 1 발명 내지 제 12 발명 중 어느 하나의 발명에 있어서, 상기 복수의 제 1 성긴 부분의 각각은 상기 제 1 방향에 대하여 소정의 각도 기울어진 방향으로 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 정전척이다.
이 정전척에 의하면, 복수의 제 1 성긴 부분의 각각이 제 1 방향에 대하여 소정의 각도 기울어진 방향으로 연장되어 있으므로 제 1 성긴 부분에 형성된 구멍의 내부를 전류가 흐를 때에 전자가 가속되기 어려워지는 것으로 생각된다. 그 때문에, 아크 방전의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.
제 14 발명은 제 13 발명에 있어서, 상기 복수의 제 1 성긴 부분의 각각에 형성된 상기 복수의 구멍은 상기 가스 도입로로부터 도입된 가스가 유통 가능하게 되어 있는 것을 특징으로 하는 정전척이다.
이 정전척에 의하면, 가스 도입로로부터 도입된 가스를 세라믹 유전체 기판의 제 1 주면측으로 인도할 수 있다.
제 15 발명은 제 13 발명 또는 제 14 발명에 있어서, 상기 제 1 방향과, 상기 제 1 성긴 부분이 연장되는 방향 사이의 각도는 5° 이상 30° 이하인 것을 특징으로 하는 정전척이다.
이 정전척에 의하면, 아크 방전의 발생을 억제하는 것이 용이해진다.
제 16 발명은 상기 어느 하나의 정전척과, 상기 정전척에 형성된 가스 도입로에 가스를 공급 가능한 공급부를 구비한 것을 특징으로 하는 처리 장치이다. 이 처리 장치에 의하면, 아크 방전의 저감을 도모할 수 있다.
본 발명의 양태에 의하면, 아크 방전의 저감을 도모할 수 있는 정전척 및 처리 장치가 제공된다.
도 1은 본 실시형태에 의한 정전척을 예시하는 모식 단면도이다.
도 2(a)∼(d)는 실시형태에 의한 정전척을 예시하는 모식도이다.
도 3(a), (b)은 실시형태에 의한 정전척의 다공질부를 예시하는 모식도이다.
도 4는 실시형태에 의한 정전척의 다공질부를 예시하는 모식 평면도이다.
도 5는 실시형태에 의한 정전척의 다공질부를 예시하는 모식 평면도이다.
도 6(a), (b)은 실시형태에 의한 정전척의 다공질부를 예시하는 모식 평면도이다.
도 7(a), (b)은 다른 실시형태에 의한 제 1 다공질부(90)를 예시하는 모식도이다.
도 8은 실시형태에 의한 정전척을 예시하는 모식 단면도이다.
도 9(a), (b)는 실시형태에 의한 정전척을 예시하는 모식 단면도이다.
도 10은 실시형태에 의한 정전척의 다공질부를 예시하는 모식 단면도이다.
도 11은 다른 실시형태에 의한 다공질부를 예시하는 모식 단면도이다.
도 12(a), (b)는 다른 실시형태에 의한 다공질부를 예시하는 모식 단면도이다.
도 13(a)∼(d)은 다른 실시형태에 의한 다공질부를 예시하는 모식 단면도이다.
도 14(a)∼(c)는 다른 실시형태에 의한 다공질부를 예시하는 모식 단면도이다.
도 15(a), (b)는 다른 실시형태에 의한 다공질부를 예시하는 모식 단면도이다.
도 16은 다른 실시형태에 의한 정전척을 예시하는 모식 단면도이다.
도 17(a), (b)은 도 16에 나타내는 영역 C의 확대도이다.
도 18은 다른 실시형태에 의한 복수의 구멍을 예시하는 모식 단면도이다.
도 19(a), (b)는 구멍의 개구 부분의 형상을 예시하는 모식 단면도이다.
도 20은 다른 실시형태에 의한 정전척을 예시하는 모식 단면도이다.
도 21은 다른 실시형태에 의한 정전척을 예시하는 모식 단면도이다.
도 22는 다른 실시형태에 의한 정전척을 예시하는 모식 단면도이다.
도 23은 도 22에 나타내는 영역 E의 확대도이다.
도 24는 도 22에 나타내는 영역 E의 다른 실시형태를 나타내는 확대도이다.
도 25는 본 실시형태에 의한 처리 장치를 예시하는 모식도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 각 도면 중, 마찬가지의 구성요소에는 동일한 부호를 붙이고 상세한 설명은 적절히 생략한다.
또한, 각 도면 중에 있어서 베이스 플레이트(50)로부터 세라믹 유전체 기판(11)으로 향하는 방향을 Z 방향(제 1 방향의 일례에 상당함), Z 방향과 대략 직교하는 방향 중 하나를 Y 방향(제 2 방향의 일례에 상당함), Z 방향 및 Y 방향으로 대략 직교하는 방향을 X 방향(제 2 방향의 일례에 상당함)으로 하고 있다.
(정전척)
도 1은 본 실시형태에 의한 정전척을 예시하는 모식 단면도이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 의한 정전척(110)은 세라믹 유전체 기판(11)과, 베이스 플레이트(50)와, 다공질부(90)를 구비한다. 이 예에서는, 정전척(110)은 다공질부(70)를 더 구비하고 있다.
세라믹 유전체 기판(11)은, 예를 들면 소결 세라믹에 의한 평판형상의 기재이다. 예를 들면, 세라믹 유전체 기판(11)은 산화알루미늄(Al2O3)을 포함한다. 예를 들면, 세라믹 유전체 기판(11)은 고순도의 산화알루미늄으로 형성된다. 세라믹 유전체 기판(11)에 있어서의 산화알루미늄의 농도는, 예를 들면 99원자퍼센트(atomic%) 이상 100atomic% 이하이다. 고순도의 산화알루미늄을 이용함으로써 세라믹 유전체 기판(11)의 내플라즈마성을 향상시킬 수 있다. 세라믹 유전체 기판(11)은 대상물(W)(흡착 대상물)이 적재되는 제 1 주면(11a)과, 제 1 주면(11a)과는 반대측의 제 2 주면(11b)을 갖는다. 대상물(W)은, 예를 들면 규소 웨이퍼 등의 반도체 기판이다.
세라믹 유전체 기판(11)에는 전극(12)이 형성된다. 전극(12)은 세라믹 유전체 기판(11)의 제 1 주면(11a)과 제 2 주면(11b) 사이에 형성된다. 전극(12)은 세라믹 유전체 기판(11) 중에 삽입되도록 형성되어 있다. 전극(12)에는 접속부(20) 및 배선(211)을 통해 전원(210)이 전기적으로 접속된다. 전원(210)에 의해, 전극(12)에 흡착 유지용 전압을 인가함으로써 전극(12)의 제 1 주면(11a)측에 전하를 발생시키고, 정전력에 의해 대상물(W)을 흡착 유지할 수 있다.
전극(12)의 형상은 세라믹 유전체 기판(11)의 제 1 주면(11a) 및 제 2 주면(11b)을 따른 박막형상이다. 전극(12)은 대상물(W)을 흡착 유지하기 위한 흡착 전극이다. 전극(12)은 단극형이어도 좋고 쌍극형이어도 좋다. 도 1에 예시를 한 전극(12)은 쌍극형이고, 동일면 상에 2극의 전극(12)이 형성되어 있다.
전극(12)에는 세라믹 유전체 기판(11)의 제 2 주면(11b)측으로 연장되는 접속부(20)가 형성되어 있다. 접속부(20)는, 예를 들면 전극(12)과 도통하는 비아(중실형)나 비아 홀(중공형)이다. 접속부(20)는 브레이징 등의 적절한 방법에 의해 접속된 금속 단자여도 좋다.
베이스 플레이트(50)는 세라믹 유전체 기판(11)을 지지하는 부재이다. 세라믹 유전체 기판(11)은 도 2(a)에 예시를 한 접합부(60)에 의해 베이스 플레이트(50) 상에 고정된다. 접합부(60)는, 예를 들면 실리콘 접착제가 경화한 것으로 할 수 있다.
베이스 플레이트(50)는, 예를 들면 금속제이다. 베이스 플레이트(50)는, 예를 들면 알루미늄제의 상부(50a)와 하부(50b)로 나뉘어져 있고, 상부(50a)와 하부(50b) 사이에 연통로(55)가 형성되어 있다. 연통로(55)의 일단측은 입력로(51)에 접속되고, 연통로(55)의 타단측은 출력로(52)에 접속된다. 베이스 플레이트(50)는 제 2 주면(11b)측의 단부에 용사부(도시하지 않음)를 갖고 있어도 좋다. 용사부는, 예를 들면 용사에 의해 형성된다. 용사부는 베이스 플레이트(50)의 제 2 주면(11b)측의 끝면(상면(50U))을 구성해도 좋다. 용사부는 필요에 따라 형성되고, 생략 가능하다.
베이스 플레이트(50)는 정전척(110)의 온도 조정을 행하는 역할도 한다. 예를 들면, 정전척(110)을 냉각하는 경우에는 입력로(51)로부터 냉각 매체를 유입하여 연통로(55)를 통과시키고, 출력로(52)로부터 유출시킨다. 이것에 의해, 냉각 매체에 의해 베이스 플레이트(50)의 열을 흡수하고, 그 위에 장착된 세라믹 유전체 기판(11)을 냉각할 수 있다. 한편, 정전척(110)을 보온하는 경우에는 연통로(55) 내에 보온 매체를 넣는 것도 가능하다. 세라믹 유전체 기판(11)이나 베이스 플레이트(50)에 발열체를 내장시키는 것도 가능하다. 베이스 플레이트(50)나 세라믹 유전체 기판(11)의 온도를 조정함으로써 정전척(110)에 의해 흡착 유지된 대상물(W)의 온도를 조정할 수 있다.
또한, 세라믹 유전체 기판(11)의 제 1 주면(11a)측에는 필요에 따라 도트(13)가 형성되어 있고, 도트(13) 사이에 홈(14)이 형성되어 있다. 즉, 제 1 주면(11a)은 요철면이고, 오목부와 볼록부를 갖는다. 제 1 주면(11a)의 볼록부가 도트(13)에 상당하고, 제 1 주면(11a)의 오목부가 홈(14)에 상당한다. 홈(14)은, 예를 들면 XY 평면 내에 있어서 연속해서 연장되는 것으로 할 수 있다. 그것에 의해, He 등의 가스를 제 1 주면(11a) 전체에 분배할 수 있다. 정전척(110)에 적재된 대상물(W)의 이면과 홈(14)을 포함하는 제 1 주면(11a) 사이에 공간이 형성된다.
세라믹 유전체 기판(11)은 홈(14)과 접속된 관통 구멍(15)을 갖는다. 관통 구멍(15)은 제 2 주면(11b)으로부터 제 1 주면(11a)에 걸쳐서 형성된다. 즉, 관통 구멍(15)은 제 2 주면(11b)으로부터 제 1 주면(11a)까지 Z 방향으로 연장되어 세라믹 유전체 기판(11)을 관통한다. 관통 구멍(15)은, 예를 들면 구멍부(15a), 구멍부(15b), 구멍부(15c), 구멍부(15d)를 포함한다(상세는 후술함).
도트(13)의 높이, 홈(14)의 깊이, 도트(13) 및 홈(14)의 면적비율, 형상 등을 적절히 선택함으로써 대상물(W)의 온도나 대상물(W)에 부착하는 파티클을 바람직한 상태로 컨트롤할 수 있다.
베이스 플레이트(50)에는 가스 도입로(53)가 형성된다. 가스 도입로(53)는 베이스 플레이트(50)를, 예를 들면 관통하도록 형성된다. 가스 도입로(53)는 베이스 플레이트(50)를 관통하지 않고, 다른 가스 도입로(53)의 도중으로부터 분기하여 세라믹 유전체 기판(11)측까지 형성되어 있어도 좋다. 또한, 가스 도입로(53)는 베이스 플레이트(50)의 복수 개소에 형성되어도 좋다.
가스 도입로(53)는 관통 구멍(15)과 연통한다. 즉, 가스 도입로(53)로 유입한 가스(헬륨(He) 등)는 가스 도입로(53)를 통과한 후에 관통 구멍(15)으로 유입한다.
관통 구멍(15)으로 유입한 가스는 관통 구멍(15)을 통과한 후에 대상물(W)과 홈(14)을 포함하는 제 1 주면(11a) 사이에 형성된 공간으로 유입한다. 이것에 의해, 대상물(W)을 가스에 의해 직접 냉각할 수 있다.
다공질부(90)는, 예를 들면 Z 방향에 있어서 베이스 플레이트(50)와, 세라믹 유전체 기판(11)의 제 1 주면(11a) 사이에 설치할 수 있다. 다공질부(90)는, 예를 들면 가스 도입로(53)와 대향하는 위치에 설치할 수 있다. 예를 들면, 다공질부(90)는 세라믹 유전체 기판(11)의 관통 구멍(15)에 설치된다. 예를 들면, 다공질부(90)는 관통 구멍(15)에 삽입되어 있다.
도 2(a), (b)는 실시형태에 의한 정전척을 예시하는 모식도이다. 도 2(a)는 다공질부(90) 및 다공질부(70)의 주변을 예시한다. 도 2(a)는 도 1에 나타내는 영역(A)의 확대도에 상당한다. 도 2(b)는 다공질부(90)를 예시하는 평면도이다.
또한, 도 2(c), (d)는 다른 실시형태에 의한 구멍부(15c) 및 구멍부(15d)를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
또한, 번잡해지는 것을 회피하기 위해서 도 2(a), (c), (d)에 있어서는 도트(13)(예를 들면, 도 1을 참조)를 생략하여 그려져 있다.
이 예에서는, 관통 구멍(15)은 구멍부(15a)와 구멍부(15b)(제 1 구멍부)를 갖는다. 구멍부(15a)의 일단은 세라믹 유전체 기판(11)의 제 2 주면(11b)에 위치한다.
또한, 세라믹 유전체 기판(11)은 Z 방향에 있어서 제 1 주면(11a)과 다공질부(90) 사이에 위치하는 구멍부(15b)를 가질 수 있다. 구멍부(15b)는 구멍부(15a)와 연통하고, 세라믹 유전체 기판(11)의 제 1 주면(11a)까지 연장된다. 즉, 구멍부(15b)의 일단은 제 1 주면(11a)(홈(14)의 바닥면(14a))에 위치한다. 구멍부(15b)는 세라믹 유전체 기판(11)의 제 1 주면(11a)과 제 1 다공질부(90) 사이에 위치한다. 구멍부(15b)는 다공질부(90)와 홈(14)을 연결하는 연결 구멍이다. 구멍부(15b)의 지름(X 방향을 따른 길이)은 구멍부(15a)의 지름(X 방향을 따른 길이)보다 작다. 지름이 작은 구멍부(15b)를 형성함으로써 세라믹 유전체 기판(11)과 대상물(W) 사이에 형성되는 공간(예를 들면, 홈(14)을 포함하는 제 1 주면(11a))의 디자인의 자유도를 높일 수 있다. 예를 들면, 도 2(a)와 같이 홈(14)의 폭(X 방향을 따른 길이)을 다공질부(90)의 폭(X 방향을 따른 길이)보다 짧게 할 수 있다. 이것에 의해, 예를 들면 세라믹 유전체 기판(11)과 대상물(W) 사이에 형성되는 공간에 있어서의 방전을 억제할 수 있다.
구멍부(15b)의 지름은, 예를 들면 0.05밀리미터(㎜) 이상 0.5㎜ 이하이다. 구멍부(15a)의 지름은, 예를 들면 1㎜ 이상 5㎜ 이하이다. 또한, 구멍부(15b)는 구멍부(15a)와 간접적으로 연통하고 있어도 좋다. 즉, 구멍부(15a)와 구멍부(15b)를 접속하는 구멍부(15c)(제 2 구멍부)가 형성되어 있어도 좋다. 도 2(a)에 예시를 한 바와 같이, 구멍부(15c)는 세라믹 유전체 기판(11)에 형성할 수 있다. 도 2(c)에 예시를 한 바와 같이, 구멍부(15c)는 다공질부(90)에 형성할 수도 있다. 도 2(d)에 예시를 한 바와 같이, 구멍부(15c)는 세라믹 유전체 기판(11) 및 다공질부(90)에 형성할 수도 있다. 즉, 세라믹 유전체 기판(11) 및 다공질부(90) 중 적어도 어느 하나는 구멍부(15b)와 다공질부(90) 사이에 위치하는 구멍부(15c)를 가질 수 있다. 이 경우, 구멍부(15c)가 세라믹 유전체 기판(11)에 형성되어 있으면, 구멍부(15c)의 주위에 있어서의 강도를 높게 할 수 있고, 구멍부(15c)의 주변에 있어서의 치핑등의 발생을 억제할 수 있다. 그 때문에, 아크 방전의 발생을 보다 효과적으로 억제할 수 있다. 구멍부(15c)가 다공질부(90)에 형성되어 있으면, 구멍부(15c)와 다공질부(90)의 위치 맞춤이 용이해진다. 그 때문에, 아크 방전의 저감과 가스의 흐름의 원활화의 양립이 보다 용이해진다. 구멍부(15a), 구멍부(15b), 및 구멍부(15c) 각각은, 예를 들면 Z 방향으로 연장되는 원통형상이다.
이 경우, X 방향 또는 Y 방향에 있어서, 구멍부(15c)의 치수는 다공질부(90)의 치수보다 작고, 구멍부(15b)의 치수보다 크게 할 수 있다. 본 실시형태에 의한 정전척(110)에 의하면, 가스 도입로(53)와 대향하는 위치에 설치된 다공질부(90)에 의해 구멍부(15b)에 흐르는 가스의 유량을 확보하면서 아크 방전에 대한 내성을 향상시킬 수 있다. 또한, 구멍부(15c)의 X 방향 또는 Y 방향에 있어서의 치수를 구멍부(15b)의 상기 치수보다 크게 하고 있으므로 치수가 큰 다공질부(90)에 도입된 가스의 대부분을 구멍부(15c)를 통해 치수가 작은 구멍부(15b)에 도입할 수 있다. 즉, 아크 방전의 저감과 가스의 흐름의 원활화를 도모할 수 있다.
상술한 바와 같이, 세라믹 유전체 기판(11)은 제 1 주면(11a)에 개구하고, 관통 구멍(15)과 연통하는 적어도 하나의 홈(14)을 갖고 있다. 또한, 구멍부(15c)의 Z 방향에 있어서의 치수를 홈(14)의 Z 방향에 있어서의 치수보다 작게 할 수 있다. 그것에 의해, 가스가 구멍부(15c)를 통과하는 시간을 짧게 할 수 있다. 즉, 가스의 흐름의 원활화를 도모하면서 아크 방전의 발생을 보다 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, X 방향 또는 Y 방향에 있어서, 구멍부(15c)의 치수는 홈(14)의 치수보다 크게 할 수 있다. 이와 같이 하면, 홈(14)에 가스를 도입시키는 것이 용이해진다. 그 때문에, 대상물(W)을 가스에 의해 효과적으로 냉각하는 것이 가능해진다.
또한, 구멍부(15c)의 제 1 주면(11a)측의 면(15c1)(천장면)의 산술 평균 표면 조도(Ra)는 홈(14)의 바닥면(14a)(제 2 주면(11b)측의 면)의 산술 평균 표면 조도(Ra)보다 작게 하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 구멍부(15c)의 면(15c1)에 큰 요철이 없으므로 아크 방전의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.
또한, 홈(14)의 제 2 주면(11b)측의 면(14a)의 산술 평균 표면 조도(Ra)는 제 2 주면(11b)의 산술 평균 표면 조도(Ra)보다 작게 하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 홈(14)의 면(14a)에 큰 요철이 없으므로 아크 방전의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.
또한, 구멍부(15b)와 구멍부(15c) 사이에 형성된 구멍부(15d)(제 3 구멍부)를 더 구비할 수 있다. X 방향 또는 Y 방향에 있어서, 구멍부(15d)의 치수는 구멍부(15b)보다 크고, 구멍부(15c)보다 작게 할 수 있다. 구멍부(15d)를 형성하면, 가스의 흐름의 원활화를 도모할 수 있다.
상술한 바와 같이, 세라믹 유전체 기판(11)과 베이스 플레이트(50) 사이에는 접합부(60)를 설치할 수 있다. Z 방향에 있어서, 구멍부(15c)의 치수는 접합부(60)의 치수보다 작게 할 수 있다. 이와 같이 하면, 세라믹 유전체 기판(11)과 베이스 플레이트(50)의 접합 강도를 향상시킬 수 있다. 또한, Z 방향에 있어서의 구멍부(15c)의 치수를 접합부(60)의 치수보다 작게 하고 있으므로 가스의 흐름의 원활화를 도모하면서 아크 방전의 발생을 보다 효과적으로 억제할 수 있다.
이 예에서는, 다공질부(90)는 구멍부(15a)에 설치되어 있다. 이 때문에, 다공질부(90)의 상면(90U)은 제 1 주면(11a)에 노출하고 있지 있다. 즉, 다공질부(90)의 상면(90U)은 제 1 주면(11a)과 제 2 주면(11b) 사이에 위치한다. 한편, 다공질부(90)의 하면(90L)은 제 2 주면(11b)에 노출하고 있다.
이어서, 다공질부(90)에 대해서 설명한다. 다공질부(90)는 후술하는 복수의 성긴 부분(94)과 복수의 조밀한 부분(95)을 갖는다. 또한, 도 2에 있어서는 다공질부(90)를 세라믹 기판(11)에 설치하는 경우를 예시하고 있지만, 후술하는 바와 같이 다공질부(90)를 베이스 플레이트(50)에 설치해도 좋다(예를 들면, 도 12(b) 등).
다공질부(90)는 복수의 구멍(96)을 갖는 다공 영역(91)(제 1 다공 영역, 제 2 다공 영역의 일례)과, 다공 영역(91)보다 치밀한 치밀 영역(93)(제 1 치밀 영역, 제 2 치밀 영역의 일례)을 갖는다. 다공 영역(91)은 가스가 유통 가능하게 구성된다. 복수의 구멍(96) 각각은 내부를 가스가 유통한다. 치밀 영역(93)은 다공 영역(91)과 비교해서 구멍(96)이 적은 영역, 또는 실질적으로 구멍(96)을 갖지 않는 영역이다. 치밀 영역(93)의 기공률(퍼센트: %)은 다공 영역(91)의 기공률(%)보다 낮다. 치밀 영역(93)의 밀도(그램/입방센티미터: g/㎤)는 다공 영역(91)의 밀도(g/㎤)보다 높다. 치밀 영역(93)이 다공 영역(91)과 비교해서 치밀함으로써, 예를 들면 치밀 영역(93)의 강성(기계적인 강도)은 다공 영역(91)의 강성보다 높다.
치밀 영역(93)의 기공률은, 예를 들면 치밀 영역(93)의 전체 체적에 차지하는 치밀 영역(93)에 포함되는 공간(구멍(96))의 체적의 비율이다. 다공 영역(91)의 기공률은, 예를 들면 다공 영역(91)의 전체 체적에 차지하는 다공 영역(91)에 포함되는 공간(구멍(96))의 체적의 비율이다. 예를 들면, 다공 영역(91)의 기공률은 5% 이상 40% 이하, 바람직하게는 10% 이상 30% 이하이고, 치밀 영역(93)의 기공률은 0% 이상 5% 이하이다.
다공질부(90)는 기둥형상(예를 들면, 원기둥형상)이다. 또한, 다공 영역(91)은 기둥형상(예를 들면, 원기둥형상)이다. 치밀 영역(93)은 다공 영역(91)과 접하고 있거나, 또는 다공 영역(91)과 연속하고 있다. 도 2(b)에 나타내는 바와 같이, Z 방향에 대하여 수직인 평면(XY 평면)에 투영했을 때에 치밀 영역(93)은 다공 영역(91)의 외주를 둘러싼다. 치밀 영역(93)은 다공 영역(91)의 측면(91s)을 둘러싸는 통형상(예를 들면, 원통형상)이다. 환언하면, 다공 영역(91)은 치밀 영역(93)을 Z 방향으로 관통하도록 형성되어 있다. 가스 도입로(53)로부터 관통 구멍(15)으로 유입한 가스는 다공 영역(91)에 형성된 복수의 구멍(96)을 통해 홈(14)에 공급된다.
이러한 다공 영역(91)을 갖는 다공질부(90)를 설치함으로써 관통 구멍(15)에 흐르는 가스의 유량을 확보하면서 아크 방전에 대한 내성을 향상시킬 수 있다. 또한, 다공질부(90)가 치밀 영역(93)을 가짐으로써 다공질부(90)의 강성(기계적인 강도)을 향상시킬 수 있다.
다공질부(90)가 세라믹 유전체 기판(11)에 설치된 경우에 있어서는 다공질부는, 예를 들면 세라믹 유전체 기판(11)과 일체화해도 좋다. 2개의 부재가 일체화하고 있는 상태란 2개의 부재가 화학적으로 결합하고 있는 상태이다. 2개의 부재 사이에는 일방의 부재를 타방의 부재에 대하여 고정하기 위한 재료(예를 들면, 접착제)가 설치되지 않는다. 즉, 이 예에서는 다공질부(90)와 세라믹 유전체 기판(11) 사이에는 접착제 등의 다른 부재가 설치되어 있지 않고, 다공질부(90)와 세라믹 유전체 기판(11)이 일체화하고 있다.
이와 같이, 다공질부(90)는 세라믹 유전체 기판(11)과 일체화함으로써 세라믹 유전체 기판(11)에 대하여 고정한 경우에는 다공질부(90)를 접착제 등에 의해 세라믹 유전체 기판(11)에 고정하는 경우와 비교해서 정전척(110)의 강도를 향상시킬 수 있다. 예를 들면, 접착제의 부식이나 이로젼 등에 의한 정전척의 열화가 발생하지 않는다.
다공질부(90)와 세라믹 유전체 기판(11)을 일체화시키는 경우, 다공질부(90)의 외주의 측면에는 세라믹 유전체 기판(11)으로부터 힘이 가해지는 경우가 있다. 한편, 가스의 유량을 확보하기 위해 다공질부(90)에 복수의 구멍을 형성한 경우, 다공질부(90)의 기계적 강도가 저하한다. 이 때문에, 다공질부(90)를 세라믹 유전체 기판(11)과 일체화할 때에 세라믹 유전체 기판(11)으로부터 다공질부(90)에 가해지는 힘에 의해 다공질부(90)가 파손할 우려가 있다.
이것에 대하여, 다공질부(90)가 치밀 영역(93)을 가짐으로써 다공질부(90)의 강성(기계적인 강도)을 향상시킬 수 있고, 또한 다공질부(90)를 세라믹 유전체 기판(11)과 일체화시킬 수 있다.
또한, 실시형태에 있어서 다공질부(90)는 세라믹 유전체 기판(11)과 반드시 일체화하고 있지 않아도 좋다. 예를 들면, 도 11에 나타내는 바와 같이 접착제를 이용하여 다공질부(90)를 세라믹 유전체 기판에 장착해도 좋다.
또한, 치밀 영역(93)은 관통 구멍(15)을 형성하는 세라믹 유전체 기판(11)의 내벽(15w)과 다공 영역(91) 사이에 위치한다. 즉, 다공질부(90)의 내측에 다공 영역(91)이 형성되고, 외측에 치밀 영역(93)이 형성되어 있다. 다공질부(90)의 외측에 치밀 영역(93)이 형성됨으로써 세라믹 유전체 기판(11)으로부터 다공질부(90)에 가해지는 힘에 대한 강성을 향상시킬 수 있다. 이것에 의해, 다공질부(90)와 세라믹 유전체 기판(11)을 일체화시키기 쉽게 할 수 있다. 또한, 예를 들면 다공질부(90)와 세라믹 유전체 기판(11) 사이에 접착 부재(61)(도 11 참조)가 설치되는 경우, 다공질부(90) 내를 통과하는 가스가 접착 부재(61)에 닿는 것을 치밀 영역(93)에 의해 억제할 수 있다. 이것에 의해, 접착 부재(61)의 열화를 억제할 수 있다. 또한, 다공질부(90)의 내측에 다공 영역(91)이 형성됨으로써 세라믹 유전체 기판(11)의 관통 구멍(15)이 치밀 영역(93)에 의해 막히는 것을 억제하여 가스의 유량을 확보할 수 있다.
치밀 영역(93)의 두께(다공 영역(91)의 측면(91s)과 치밀 영역(93)의 측면(93s) 사이의 길이 L0)는, 예를 들면 100㎛ 이상 1000㎛ 이하이다.
다공질부(90)의 재료에는 절연성을 갖는 세라믹이 사용된다. 다공질부(90)(다공 영역(91) 및 치밀 영역(93)의 각각)는 산화알루미늄(Al2O3), 산화티탄(TiO2), 및 산화이트륨(Y2O3) 중 적어도 어느 하나를 포함한다. 이것에 의해, 다공질부(90)의 높은 절연 내압과 높은 강성을 얻을 수 있다.
예를 들면, 다공질부(90)는 산화알루미늄, 산화티탄, 및 산화이트륨 중 어느하나를 주성분으로 한다.
이 경우, 세라믹 유전체 기판(11)의 산화알루미늄의 순도는 다공질부(90)의 산화알루미늄의 순도보다 높게 할 수 있다. 이와 같이 하면, 정전척(110)의 내플라즈마성 등의 성능을 확보하고, 또한 다공질부(90)의 기계적 강도를 확보할 수 있다. 일례로서는, 다공질부(90)에 미량의 첨가물을 함유시킴으로써 다공질부(90)의 소결이 촉진되고, 기공의 제어나 기계적 강도의 확보가 가능해진다.
본 명세서에 있어서, 세라믹 유전체 기판(11)의 산화알루미늄 등의 세라믹스 순도는 형광 X선 분석, ICP-AES법(Inductively Coupled Plasma-Atomic Emission Spectrometry: 고주파 유도 결합 플라스마 발광 분광 분석법) 등에 의해 측정할 수 있다.
예를 들면, 다공 영역(91)의 재료와 치밀 영역(93)의 재료는 같다. 단, 다공 영역(91)의 재료는 치밀 영역(93)의 재료와 달라도 좋다. 다공 영역(91)의 재료의 조성은 치밀 영역(93)의 재료의 조성과 달라도 좋다.
도 3(a), (b)은 실시형태에 의한 정전척의 다공질부(90)를 예시하는 모식도이다.
도 3(a)은 Z 방향을 따라 본 다공질부(90)의 평면도이고, 도 3(b)은 다공질부(90)의 ZY 평면에 있어서의 단면도이다.
도 3(a) 및 도 3(b)에 나타내는 바와 같이, 다공질부(90)에 있어서 다공 영역(91)은 복수의 성긴 부분(94)(제 1 성긴 부분, 제 2 성긴 부분의 일례)과 조밀한 부분(95)(제 1 조밀한 부분, 제 2 조밀한 부분의 일례)을 갖는다. 조밀한 부분(95)을 복수 갖고 있어도 좋다. 복수의 성긴 부분(94) 각각은 복수의 구멍(96)을 갖는다. 조밀한 부분(95)은 성긴 부분(94)보다 치밀하다. 즉, 조밀한 부분(95)은 성긴 부분(94)과 비교해서 구멍이 적은 부분, 또는 실질적으로 구멍을 갖지 않는 부분이다. X 방향 또는 Y 방향에 있어서의 조밀한 부분(95)의 치수는 X 방향 또는 Y 방향에 있어서의 치밀 영역(93)의 치수보다 작다. 조밀한 부분(95)의 기공률은 성긴 부분(94)의 기공률보다 낮다. 그 때문에, 조밀한 부분(95)의 밀도는 성긴 부분(94)의 밀도보다 높다. 조밀한 부분(95)의 기공률은 치밀 영역(93)의 기공률과 같아도 좋다. 조밀한 부분(95)이 성긴 부분(94)과 비교해서 치밀함으로써 조밀한 부분(95)의 강성은 성긴 부분(94)의 강성보다 높다.
1개의 성긴 부분(94)의 기공률은, 예를 들면 그 성긴 부분(94)의 전체 체적에 차지하는 그 성긴 부분(94)에 포함되는 공간(구멍(96))의 체적의 비율이다. 조밀한 부분(95)의 기공률은, 예를 들면 조밀한 부분(95)의 전체 체적에 차지하는 조밀한 부분(95)에 포함되는 공간(구멍(96))의 체적의 비율이다. 예를 들면, 성긴 부분(94)의 기공률은 20% 이상 60% 이하, 바람직하게는 30% 이상 50% 이하이고, 조밀한 부분(95)의 기공률은 0% 이상 5% 이하이다.
복수의 성긴 부분(94) 각각은 Z 방향으로 연장된다. 예를 들면, 복수의 성긴 부분(94) 각각은 기둥형상(원기둥형상 또는 다각기둥형상)이고, 다공 영역(91)을 Z 방향으로 관통하도록 형성되어 있다. 조밀한 부분(95)은 복수의 성긴 부분(94)끼리 사이에 위치한다. 조밀한 부분(95)은 서로 인접하는 성긴 부분(94)을 칸막이하는 벽형상이다. 도 3(a)에 나타내는 바와 같이 Z 방향에 대하여 수직인 평면(XY 평면)에 투영했을 때에 조밀한 부분(95)은 복수의 성긴 부분(94)의 각각의 외주를 둘러싸도록 형성되어 있다. 조밀한 부분(95)은 다공 영역(91)의 외주에 있어서 치밀 영역(93)과 연속하고 있다.
다공 영역(91) 내에 형성되는 성긴 부분(94)의 수는, 예를 들면 50개 이상 1000개 이하이다. 도 3(a)에 나타내는 바와 같이, Z 방향에 대하여 수직인 평면(XY 평면)에 투영했을 때에 복수의 성긴 부분(94)끼리는 서로 대략 같은 크기이다. 예를 들면, Z 방향에 대하여 수직인 평면(XY 평면)에 투영했을 때에 복수의 성긴 부분(94)은 다공 영역(91) 내에 있어서 등방적으로 균일하게 분산되어 있다. 예를 들면, 인접하는 성긴 부분(94)끼리의 거리(즉, 조밀한 부분(95)의 두께)는 대략 일정하다.
예를 들면, Z 방향에 대하여 수직인 평면(XY 평면)에 투영했을 때에 치밀 영역(93)의 측면(93s)과, 복수의 성긴 부분(94) 중 가장 측면(93s)에 가까운 성긴 부분(94) 사이의 거리(L11)는 100㎛ 이상 1000㎛ 이하이다.
이와 같이, 다공 영역(91)에 복수의 성긴 부분(94)과, 성긴 부분(94)보다 치밀한 조밀한 부분(95)을 형성함으로써, 다공 영역 내에 있어서 3차원적으로 랜덤하게 복수의 구멍이 분산된 경우와 비교해서 아크 방전에 대한 내성과 관통 구멍(15)에 흐르는 가스의 유량을 확보하면서 다공질부(90)의 강성을 향상시킬 수 있다.
예를 들면, 다공 영역(91)의 기공률이 커지면 가스의 유량이 커지는 한편, 아크 방전에 대한 내성 및 강성이 저하한다. 이것에 대하여, 다공 영역(91)에 X 방향 또는 Y 방향의 치수가 치밀 영역(93)의 X 방향 또는 Y 방향의 치수보다 작은 조밀한 부분(95)을 형성함으로써 기공률을 크게 한 경우에도 아크 방전에 대한 내성 및 강성의 저하를 억제할 수 있다.
예를 들면, Z 방향에 대하여 수직인 평면(XY 평면)에 투영했을 때에 복수의 성긴 부분(94) 모두를 포함하는 최소의 원, 타원, 또는 다각형을 상정한다. 그 원, 타원, 또는 다각형의 내측을 다공 영역(91)으로 하고, 그 원, 타원, 또는 다각형의 외측을 치밀 영역(93)으로 생각할 수 있다.
이상에 설명한 바와 같이, 다공질부(90)는 제 1 구멍(96) 및 제 2 구멍(96)을 포함하는 복수의 구멍(96)을 갖는 복수의 성긴 부분(94)과, 성긴 부분(94)의 밀도보다 높은 밀도를 갖는 조밀한 부분(95)을 가질 수 있다. 복수의 성긴 부분(94) 각각은 Z 방향으로 연장되어 있다. 조밀한 부분(95)은 복수의 성긴 부분(94)끼리 사이에 위치하고 있다. 성긴 부분(94)은 복수의 구멍(96)끼리 사이(제 1 구멍(96)과 제 2 구멍(96) 사이)에 형성된 벽부(97)(제 1 벽부, 제 2 벽부의 예)를 갖고 있다. X 방향 또는 Y 방향에 있어서, 벽부(97)의 치수의 최소값은 조밀한 부분(95)의 치수의 최소값보다 작게 할 수 있다. 이와 같이 하면, 다공질부(90)에 Z 방향으로 연장되는 성긴 부분(94)과 조밀한 부분(95)이 형성되어 있으므로 아크 방전에 대한 내성과 가스 유량을 확보하면서 다공질부(90)의 기계적인 강도(강성)를 향상시킬 수 있다.
또한, 후술하는 도 5에 예시를 한 바와 같이, X 방향 또는 Y 방향에 있어서 복수의 성긴 부분(94)의 각각에 형성된 복수의 구멍(96)의 치수는 조밀한 부분(95)의 치수보다 작게 할 수 있다. 이와 같이 하면, 복수의 구멍(96)의 치수를 충분히 작게 할 수 있기 때문에 아크 방전에 대한 내성을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 복수의 성긴 부분(94)의 각각에 형성된 복수의 구멍(96)의 종횡비(애스펙트비)는 30 이상 10000 이하로 할 수 있다. 이와 같이 하면, 아크 방전에 대한 내성을 더욱 향상시킬 수 있다. 보다 바람직하게는, 복수의 구멍(96)의 종횡비(애스펙트비)의 하한은 100 이상이고, 상한은 1600 이하이다.
또한, X 방향 또는 Y 방향에 있어서, 복수의 성긴 부분(94)의 각각에 형성된 복수의 구멍(96)의 치수는 1마이크로미터 이상 20마이크로미터 이하로 할 수 있다. 이와 같이 하면, 구멍(96)의 치수가 1∼20마이크로미터인 일방향으로 연장되는 구멍(96)을 배열시킬 수 있으므로 아크 방전에 대한 높은 내성을 실현할 수 있다.
또한, 후술하는 도 6(a), (b)에 예시를 한 바와 같이, Z 방향에 대하여 수직인 평면(XY 평면)에 투영했을 때에 구멍(96a)은 성긴 부분(94)의 중심부에 위치하고, 복수의 구멍(96) 중 구멍(96a)과 인접하여 구멍(96a)을 둘러싸는 구멍(96b∼96g)의 수는 6개로 할 수 있다. 이와 같이 하면, 평면으로부터 볼 때에 있어서 높은 등방성이고 또한 높은 밀도로 복수의 구멍을 배치하는 것이 가능해진다. 이것에 의해, 아크 방전에 대한 내성과 흐르는 가스의 유량을 확보하면서 다공질부(90)의 강성을 향상시킬 수 있다.
도 4는 실시형태에 의한 정전척의 다공질부(90)를 예시하는 모식 평면도이다.
도 4은 Z 방향을 따라 본 다공질부(90)의 일부를 나타내고, 도 3(a)의 확대도에 상당한다.
Z 방향에 대하여 수직인 평면(XY 평면)에 투영했을 때에 복수의 성긴 부분(94) 각각은 대략 육각형(대략 정육각형)이다. Z 방향에 대하여 수직인 평면(XY 평면)에 투영했을 때에 복수의 성긴 부분(94)은 다공 영역(91)의 중심부에 위치하는 성긴 부분(94a)과, 성긴 부분(94a)을 둘러싸는 6개의 성긴 부분(94)(성긴 부분(94b∼94g))을 갖는다.
성긴 부분(94b∼94g)은 성긴 부분(94a)과 인접하고 있다. 성긴 부분(94b∼94g)은 복수의 성긴 부분(94) 중, 성긴 부분(94a)에 가장 근접해서 형성된다.
성긴 부분(94b) 및 성긴 부분(94c)은 성긴 부분(94a)과 X 방향에 있어서 배열된다. 즉, 성긴 부분(94a)은 성긴 부분(94b)과 성긴 부분(94c) 사이에 위치한다.
성긴 부분(94a)의 X 방향을 따른 길이 L1(성긴 부분(94a)의 지름)은 성긴 부분(94a)와 성긴 부분(94b)과의 간의 X 방향을 따른 길이 L2보다 길고, 성긴 부분(94a)과 성긴 부분(94c) 사이의 X 방향을 따른 길이 L3보다 길다.
또한, 길이 L2 및 길이 L3 각각은 조밀한 부분(95)의 두께에 상당한다. 즉, 길이 L2는 성긴 부분(94a)과 성긴 부분(94b) 사이의 조밀한 부분(95)의 X 방향을 따른 길이이다. 길이 L3은 성긴 부분(94a)과 성긴 부분(94c) 사이의 조밀한 부분(95)의 X 방향을 따른 길이이다. 길이 L2와 길이 L3은 대략 같은 것으로 할 수 있다. 예를 들면, 길이 L2는 길이 L3의 0.5배 이상 2.0배 이하로 할 수 있다.
또한, 길이 L1은 성긴 부분(94b)의 X 방향을 따른 길이 L4(성긴 부분(94b)의 지름)와 대략 같은 것으로 할 수 있다. 길이 L1은 성긴 부분(94c)의 X 방향을 따른 길이 L5(성긴 부분(95c)의 지름)와 대략 같은 것으로 할 수 있다. 예를 들면, 길이 L4 및 길이 L5 각각은 길이 L1의 0.5배 이상 2.0배 이하로 할 수 있다.
이와 같이, 성긴 부분(94a)은 복수의 성긴 부분(94) 중 6개의 성긴 부분(94)에 인접하여 둘러싸여 있다. 즉, Z 방향에 대하여 수직인 평면(XY 평면)에 투영했을 때에 다공 영역(91)의 중심부에 있어서 1개의 성긴 부분(94)과 인접하는 성긴 부분(94)의 수는 6개이다. 이것에 의해, 평면으로부터 볼 때에 있어서 높은 등방성이고 또한 높은 밀도로 복수의 성긴 부분(94)을 배치하는 것이 가능하다. 이것에 의해, 아크 방전에 대한 내성과 관통 구멍(15)에 흐르는 가스의 유량을 확보하면서 다공질부(90)의 강성을 향상시킬 수 있다. 또한, 아크 방전에 대한 내성의 편차, 관통 구멍(15)에 흐르는 가스의 유량의 편차, 및 다공질부(90)의 강성의 편차를 억제할 수 있다.
성긴 부분(94)의 지름(길이 L1, L4 또는 L5 등)은, 예를 들면 50㎛ 이상 500㎛ 이하이다. 조밀한 부분(95)의 두께(길이 L2 또는 L3 등)은, 예를 들면 10㎛ 이상 100㎛ 이하이다. 성긴 부분(94)의 지름은 조밀한 부분(95)의 두께보다 크다. 또한, 상술한 바와 같이 조밀한 부분(95)의 두께는 치밀 영역(93)의 두께보다 작다.
도 5는 실시형태에 의한 정전척의 다공질부(90)를 예시하는 모식 평면도이다.
도 5는 Z 방향을 따라 본 다공질부(90)의 일부를 나타낸다. 도 5는 1개의 성긴 부분(94)의 주변의 확대도이다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 이 예에서는 성긴 부분(94)은 복수의 구멍(96)과 복수의 구멍(96)끼리 사이에 형성된 벽부(97)를 갖는다.
복수의 구멍(96) 각각은 Z 방향으로 연장된다. 복수의 구멍(96) 각각은 일방향으로 연장되는 캐필러리형상(1차원 캐필러리 구조)이고, 성긴 부분(94)을 Z 방향으로 관통하고 있다. 벽부(97)는 서로 인접하는 구멍(96)을 칸막이하는 벽형상이다. 도 5에 나타내는 바와 같이, Z 방향에 대하여 수직인 평면(XY 평면)에 투영했을 때에 벽부(97)는 복수의 구멍(96)의 각각의 외주를 둘러싸도록 형성된다. 벽부(97)는 성긴 부분(94)의 외주에 있어서 조밀한 부분(95)과 연속하고 있다.
하나의 성긴 부분(94) 내에 형성되는 구멍(96)의 수는, 예를 들면 50개 이상 1000개 이하이다. 도 5에 나타내는 바와 같이, Z 방향에 대하여 수직인 평면(XY 평면)에 투영했을 때에 복수의 구멍(96)끼리는 서로 대략 같은 크기이다. 예를 들면, Z 방향에 대하여 수직인 평면(XY 평면)에 투영했을 때에 복수의 구멍(96)은 성긴 부분(94) 내에 있어서 등방적으로 균일하게 분산되어 있다. 예를 들면, 인접하는 구멍(96)끼리의 거리(즉, 벽부(97)의 두께)는 대략 일정하다.
이와 같이, 일방향으로 연장되는 구멍(96)이 성긴 부분(94) 내에 배열됨으로써 성긴 부분 내에 있어서 3차원적으로 랜덤하게 복수의 구멍이 분산된 경우와 비교해서 아크 방전에 대한 높은 내성을 적은 편차로 실현할 수 있다.
여기서, 복수의 구멍(96)의 「캐필러리형상 구조」에 대해서 더 설명한다.
최근, 반도체 장치의 고집적화를 목적으로 한 회로 선폭의 세선화, 회로 피치의 미세화가 더욱 진행되고 있다. 정전척에는 가일층의 하이 파워가 인가되어 보다 높은 레벨에서의 대상물(W)의 온도 컨트롤이 요구되고 있다. 이러한 배경으로부터, 하이 파워 환경 하에 있어서도 아크 방전을 확실하게 억제하면서 가스 유량을 충분히 확보함과 아울러, 그 유량을 고정밀도로 제어하는 것이 요구되고 있다. 본 실시형태에 의한 정전척(110)에서는 헬륨 공급 구멍(가스 도입로(53))에서의 아크 방전 방지를 위해 종래부터 설치되어 있는 세라믹 플러그(다공질부(90))에 있어서, 그 구멍 지름(구멍(96)의 지름)을, 예를 들면 수∼십수㎛의 레벨까지 작게 하고 있다(구멍(96)의 지름의 상세에 대해서는 후술한다). 지름이 이 레벨까지 작아지면 가스의 유량 제어가 곤란하게 될 우려가 있다. 그래서, 본 발명에 있어서는, 예를 들면 구멍(96)을 Z 방향을 따르도록 그 형상을 더욱 고안하고 있다. 구체적으로는, 종래에는 비교적 큰 구멍에서 유량을 확보하고, 또한 그 형상을 3차원적으로 복잡하게 함으로써 아크 방전 방지를 달성하고 있었다. 한편, 본 발명에서는 구멍(96)을, 예를 들면 그 지름이 수∼수십㎛의 레벨까지 미세하게 함으로써 아크 방전 방지를 달성하고, 반대로 그 형상을 단순화함으로써 유량을 확보하고 있다. 즉, 종래와는 전혀 다른 사상에 의거해 본 발명에 상도한 것이다.
또한, 성긴 부분(94)의 형상은 육각형에 한정하지 않고, 원(또는 타원)이나 그 밖의 다각형이어도 좋다. 예를 들면, Z 방향에 대하여 수직인 평면(XY 평면)에 투영했을 때에 10㎛ 이하의 간격으로 배열되는 복수의 구멍(96) 모두를 포함하는 최소의 원, 타원, 또는 다각형을 상정한다. 그 원, 타원, 또는 다각형의 내측을 성긴 부분(94)으로 하고, 그 원, 타원, 또는 다각형의 외측을 조밀한 부분(95)으로 생각할 수 있다.
도 6(a), (b)은 실시형태에 의한 정전척의 다공질부(90)를 예시하는 모식 평면도이다.
도 6(a) 및 도 6(b)은 Z 방향을 따라 본 다공질부(90)의 일부를 나타내고, 1개의 성긴 부분(94) 내의 구멍(96)을 나타내는 확대도이다.
도 6(a)에 나타내는 바와 같이, Z 방향에 대하여 수직인 평면(XY 평면)에 투영했을 때에 복수의 구멍(96)은 성긴 부분(94)의 중심부에 위치하는 구멍(96a)과, 구멍(96a)을 둘러싸는 6개의 구멍(96)(구멍(96b∼96g))을 갖는다. 구멍(96b∼96g)은 구멍(96a)과 인접하여 있다. 구멍(96b∼96g)은 복수의 구멍(96) 중, 구멍(96a)에 최근접하는 구멍(96)이다.
구멍(96b) 및 구멍(96c)은 구멍(96a)과 X 방향에 있어서 배열된다. 즉, 구멍(96a)은 구멍(96b)과 구멍(96c) 사이에 위치한다.
예를 들면, 구멍(96a)의 X 방향을 따른 길이 L6(구멍(96a)의 지름)은 구멍(96a)과 구멍(96b) 사이의 X 방향을 따른 길이 L7보다 길고, 구멍(96a)과 구멍(96c) 사이의 X 방향을 따른 길이 L8보다 길다.
또한, 길이 L7 및 길이 L8 각각은 벽부(97)의 두께에 상당한다. 즉, 길이 L7은 구멍(96a)과 구멍(96b) 사이의 벽부(97)의 X 방향을 따른 길이이다. 길이 L8은 구멍(96a)과 구멍(96c) 사이의 벽부(97)의 X 방향을 따른 길이이다. 길이 L7과 길이 L8은 대략 같은 것으로 할 수 있다. 예를 들면, 길이 L7은 길이 L8의 0.5배 이상 2.0배 이하로 할 수 있다.
또한, 길이 L6은 구멍(96b)의 X 방향을 따른 길이 L9(구멍(96b)의 지름)와 대략 같은 것으로 할 수 있다. 길이 L6은 구멍(96c)의 X 방향을 따른 길이 L10(구멍(96c)의 지름)과 대략 같은 것으로 할 수 있다. 예를 들면, 길이 L9 및 길이 L10 각각은 길이 L6의 0.5배 이상 2.0배 이하로 할 수 있다.
예를 들면, 구멍의 지름이 작으면 아크 방전에 대한 내성이나 강성이 향상된다. 한편, 구멍의 지름이 크면 가스의 유량을 크게 할 수 있다. 구멍(96)의 지름(길이 L6, L9, 또는 L10 등)은, 예를 들면 1마이크로미터(㎛) 이상 20㎛ 이하이다. 지름이 1∼20㎛인 일방향으로 연장되는 구멍이 배열됨으로써 아크 방전에 대한 높은 내성을 적은 편차로 실현할 수 있다. 보다 바람직하게는, 구멍(96)의 지름은 3㎛ 이상 10㎛ 이하이다.
여기서, 구멍(96)의 지름의 측정 방법에 대해서 설명한다. 주사형 전자 현미경(예를 들면, Hitachi High-Technologies Corporation, S-3000)을 사용하여 1000배 이상의 배율에서 화상을 취득한다. 시판의 화상 해석 소프트웨어를 사용하여 구멍(96)에 대해서 100개분의 원 상당 지름을 산출하고, 그 평균값을 구멍(96)의 지름으로 한다.
복수의 구멍(96)의 지름의 편차를 억제하는 것이 더욱 바람직하다. 지름의 편차를 작게 함으로써 흐르는 가스의 유량 및 절연 내압을 보다 정밀하게 제어하는 것이 가능해진다. 복수의 구멍(96)의 지름의 편차로서, 상기 구멍(96)의 지름의 산출에 있어서 취득한 100개분의 원 상당 지름의 누적 분포를 이용할 수 있다. 구체적으로는 입도 분포 측정에 일반적으로 사용되는 누적 분포 50vol%일 때의 입자 지름 D50(메디안 지름) 및 누적 분포 90vol%일 때의 입자 지름 D90의 개념을 적용하고, 가로축을 구멍 지름(㎛), 세로축을 상대 구멍량(%)으로 한 구멍(96)의 누적 분포 그래프를 사용하여, 그 구멍 지름의 누적 분포 50vol%일 때의 구멍 지름(D50지름에 상당함) 및 누적 분포 90vol%일 때의 구멍 지름(D90 지름에 상당함)을 구한다. 복수의 구멍(96)의 지름의 편차가 D50:D90≤1:2의 관계를 충족시키는 정도로 억제되는 것이 바람직하다.
벽부(97)의 두께(길이 L7, L8 등)는, 예를 들면 1㎛ 이상 10㎛ 이하이다. 벽부(97)의 두께는 조밀한 부분(95)의 두께보다 얇다.
이와 같이, 구멍(96a)은 복수의 구멍(96) 중 6개의 구멍(96)에 인접하여 둘러싸여 있다. 즉, Z 방향에 대하여 수직인 평면(XY 평면)에 투영했을 때에 성긴 부분(94)의 중심부에 있어서, 1개의 구멍(96)과 인접하는 구멍(96)의 수는 6개이다. 이것에 의해, 평면으로부터 볼 때에 있어서 높은 등방성이고 또한 높은 밀도로 복수의 구멍(96)을 배치하는 것이 가능하다. 이것에 의해, 아크 방전에 대한 내성과 관통 구멍(15)에 흐르는 가스의 유량을 확보하면서 다공질부(90)의 강성을 향상시킬 수 있다. 또한, 아크 방전에 대한 내성의 편차, 관통 구멍(15)에 흐르는 가스의 유량의 편차, 및 다공질부(90)의 강성의 편차를 억제할 수 있다.
도 6(b)은 성긴 부분(94) 내에 있어서의 복수의 구멍(96)의 배치의 다른 예를 나타낸다. 도 6(b)에 나타내는 바와 같이, 이 예에서는 복수의 구멍(96)은 구멍(96a)을 중심으로 동심원형상으로 배치된다. 이것에 의해, Z 방향에 대하여 수직인 평면(XY 평면)에 투영했을 때에 높은 등방성이고 또한 높은 밀도로 복수의 구멍을 배치하는 것이 가능해진다.
또한, 길이 L0∼L10 각각은 주사형 전자 현미경 등의 현미경을 사용한 관찰에 의해 측정할 수 있다.
본 명세서에 있어서의 기공률의 평가에 대해서 설명한다. 여기서는, 다공질부(90)에 있어서의 기공률의 평가를 예로 들어서 설명한다.
도 3(a)의 평면도와 같은 화상을 취득하고, 화상 해석에 의해 다공 영역(91)에 차지하는 복수의 성긴 부분(94)의 비율 R1을 산출한다. 화상의 취득에는 주사형 전자 현미경(예를 들면, Hitachi High-Technologies Corporation, S-3000)을 사용한다. 가속 전압을 15kV, 배율을 30배로 하여 BSE 이미지를 취득한다. 예를 들면, 화상 사이즈는 1280×960화소이고, 화상 계조는 256계조이다.
다공 영역(91)에 차지하는 복수의 성긴 부분(94)의 비율 R1의 산출에는 화상 해석 소프트웨어(예를 들면, Win-ROOF Ver6.5(MITANI CORPORATION))를 사용한다.
Win-ROOF Ver6.5를 사용한 비율 R1의 산출은 이하와 같이 할 수 있다.
평가 범위(ROI1)(도 3(a)을 참조)를 모든 성긴 부분(94)을 포함하는 최소의 원(또는 타원)으로 한다.
단일 임계값(예를 들면, 0)에 의한 2치화 처리를 행하고, 평가 범위(ROI1)의 면적 S1을 산출한다.
2개의 임계값(예를 들면, 0 및 136)에 의한 2치화 처리를 행하고, 평가 범위(ROI1) 내의 복수의 성긴 부분(94)의 합계의 면적 S2을 산출한다. 이 때, 성긴 부분(94) 내의 구멍메움 처리 및 노이즈라고 생각되는 작은 면적의 영역의 삭제(임계값: 0.002 이하)를 행한다. 또한, 2개의 임계값은 화상의 밝기나 콘트라스트에 의해 적절히 조정한다.
면적 S1에 대한 면적 S2의 비율로서, 비율 R1을 산출한다. 즉, 비율 R1(%)=(면적 S2)/(면적 S1)×100이다.
실시형태에 있어서, 다공 영역(91)에 차지하는 복수의 성긴 부분(94)의 비율 R1은, 예를 들면 40% 이상 70% 이하, 바람직하게는 50% 이상 70% 이하이다. 비율 R1은, 예를 들면 60% 정도이다.
도 5의 평면도와 같은 화상을 취득하고, 화상 해석에 의해 성긴 부분(94)에 차지하는 복수의 구멍(96)의 비율 R2를 산출한다. 비율 R2는, 예를 들면 성긴 부분(94)의 기공률에 상당한다. 화상의 취득에는 주사형 전자 현미경(예를 들면, Hitachi High-Technologies Corporation, S-3000)을 사용한다. 가속 전압을 15kV, 배율을 600배로 하여 BSE 이미지를 취득한다. 예를 들면, 화상 사이즈는 1280×960화소이고, 화상 계조는 256계조이다.
성긴 부분(94)에 차지하는 복수의 구멍(96)의 비율 R2의 산출에는 화상 해석 소프트웨어(예를 들면, Win-ROOF Ver6.5(MITANI CORPORATION))를 사용한다.
Win-ROOF Ver6.5를 사용한 비율 R1의 산출은 이하와 같이 할 수 있다.
평가 범위(ROI2)(도 5를 참조)를 성긴 부분(94)의 형상을 근사하는 육각형으로 한다. 평가 범위(ROI2) 내에 1개의 성긴 부분(94)에 형성된 모든 구멍(96)이 포함된다.
단일 임계값(예를 들면, 0)에 의한 2치화 처리를 행하고, 평가 범위(ROI2)의 면적 S3을 산출한다.
2개의 임계값(예를 들면, 0 및 96)에 의한 2치화 처리를 행하고, 평가 범위(ROI2) 내의 복수의 구멍(96)의 합계의 면적 S4를 산출한다. 이 때, 구멍(96) 내의 구멍메움 처리 및 노이즈라고 생각되는 작은 면적의 영역의 삭제(임계값: 1 이하)를 행한다. 또한, 2개의 임계값은 화상의 밝기나 콘트라스트에 의해 적절히 조정한다.
면적 S3에 대한 면적 S4의 비율로서, 비율 R2를 산출한다. 즉, 비율 R2(%)=(면적 S4)/(면적 S3)×100이다.
실시형태에 있어서, 성긴 부분(94)에 차지하는 복수의 구멍(96)의 비율 R2(성긴 부분(94)의 기공률)는, 예를 들면 20% 이상 60% 이하, 바람직하게는 30% 이상 50% 이하이다. 비율 R2는, 예를 들면 40% 정도이다.
다공 영역(91)의 기공률은, 예를 들면 다공 영역(91)에 차지하는 복수의 성긴 부분(94)의 비율 R1과, 성긴 부분(94)에 차지하는 복수의 구멍(96)의 비율 R2의 곱에 상당한다. 예를 들면, 비율 R1이 60%이고, 비율 R2가 40%인 경우, 다공 영역(91)의 기공률은 24% 정도로 산출할 수 있다.
이러한 기공률의 다공 영역(91)을 갖는 다공질부(90)를 사용함으로써 관통 구멍(15)에 흐르는 가스의 유량을 확보하면서 절연 내압을 향상시킬 수 있다.
마찬가지로 해서, 세라믹 유전체 기판(11), 다공질부(70)의 기공률을 산출할 수 있다. 또한, 주사형 전자 현미경의 배율은 관찰 대상에 따라, 예를 들면 수십배∼수천배의 범위에 있어서 적절히 선택하는 것이 바람직하다.
도 7(a), (b)은 다른 실시형태에 의한 다공질부(90)를 예시하는 모식도이다.
도 7(a)은 Z 방향을 따라 본 다공질부(90)의 평면도이고, 도 7(b)은 도 7(a)의 일부의 확대도에 상당한다.
도 7(a) 및 도 7(b)에 나타내는 바와 같이, 이 예에서는 성긴 부분(94)의 평면형상은 원형이다. 이와 같이, 성긴 부분(94)의 평면형상은 육각형이 아니어도 좋다.
도 8은 실시형태에 의한 정전척을 예시하는 모식 단면도이다.
도 8은 도 2에 나타내는 영역(B)의 확대도에 상당한다. 즉, 도 8은 다공질부(90)(치밀 영역(93))와 세라믹 유전체 기판(11)의 계면(F1)의 근방을 나타낸다. 또한, 이 예에서는 다공질부(90) 및 세라믹 유전체 기판(11)의 재료에는 산화알루미늄이 사용되고 있다.
도 8에 나타내는 바와 같이, 다공질부(90)는 X 방향 또는 Y 방향에 있어서 세라믹 유전체 기판(11)측에 위치하는 제 1 영역(90p)과, 제 1 영역(90p)과 X 방향 또는 Y 방향에 있어서 연속한 제 2 영역(90q)을 갖는다. 제 1 영역(90p) 및 제 2 영역(90q)은 다공질부(90)의 치밀 영역(93)의 일부이다.
제 1 영역(90p)은 X 방향 또는 Y 방향에 있어서 제 2 영역(90q)과 세라믹 유전체 기판(11) 사이에 위치한다. 제 1 영역(90p)은 계면(F1)으로부터 X 방향 또는 Y 방향으로 40∼60㎛ 정도의 영역이다. 즉, 제 1 영역(90p)의 X 방향 또는 Y 방향을 따르는 폭 W1(계면(F1)에 대하여 수직인 방향에 있어서의 제 1 영역(90p)의 길이)은, 예를 들면 40㎛ 이상 60㎛ 이하이다.
또한, 세라믹 유전체 기판(11)은 X 방향 또는 Y 방향에 있어서 다공질부(90)(제 1 영역(90p))측에 위치하는 제 1 기판 영역(11p)과, 제 1 기판 영역(11p)과 X 방향 또는 Y 방향에 있어서 연속한 제 2 기판 영역(11q)을 갖는다. 제 1 영역(90p)과 제 1 기판 영역(11p)은 접하여 형성된다. 제 1 기판 영역(11p)은 X 방향 또는 Y 방향에 있어서 제 2 기판 영역(11q)과 다공질부(90) 사이에 위치한다.제 1 기판 영역(11p)은 계면(F1)으로부터 X 방향 또는 Y 방향으로 40∼60㎛ 정도의 영역이다. 즉, 제 1 기판 영역(11p)의 X 방향 또는 Y 방향을 따르는 폭 W2(계면(F1)에 대하여 수직인 방향에 있어서의 제 1 기판 영역(11p)의 길이)은, 예를 들면 40㎛ 이상 60㎛ 이하이다.
도 9(a), (b)는 실시형태에 의한 정전척을 예시하는 모식 단면도이다.
도 9(a)는 도 8에 나타낸 제 1 영역(90p)의 일부의 확대도이다. 도 9(b)는 도 8에 나타낸 제 1 기판 영역(11p)의 일부의 확대도이다.
도 9(a)에 나타내는 바와 같이, 제 1 영역(90p)은 복수의 입자(g1)(결정립)를 포함한다. 또한, 도 9(b)에 나타내는 바와 같이 제 1 기판 영역(11p)은 복수의 입자(g2)(결정립)를 포함한다.
제 1 영역(90p)에 있어서의 평균 입자 지름(복수의 입자(g1)의 지름의 평균값)은 제 1 기판 영역(11p)에 있어서의 평균 입자 지름(복수의 입자(g2)의 지름의 평균값)과 다르다.
제 1 영역(90p)에 있어서의 평균 입자 지름과 제 1 기판 영역(11p)에 있어서의 평균 입자 지름이 다름으로써, 계면(F1)에 있어서 다공질부(90)의 결정립과, 세라믹 유전체 기판(11)의 결정립의 결합 강도(계면 강도)를 향상시킬 수 있다. 예를 들면, 다공질부(90)의 세라믹 유전체 기판(11)으로부터의 박리나, 결정립의 탈립을 억제할 수 있다.
또한, 평균 입자 지름에는 도 9(a) 및 도 9(b)와 같은 단면의 화상에 있어서의 결정립의 원 상당 직경의 평균값을 이용할 수 있다. 원 상당 직경이란 대상으로 하는 평면형상의 면적과 같은 면적을 갖는 원의 직경이다.
세라믹 유전체 기판(11)과 다공질부(90)는 일체화되어 있는 것도 바람직하다. 다공질부(90)는 세라믹 유전체 기판(11)과 일체화하고 있음으로써 세라믹 유전체 기판(11)에 고정되어 있다. 이것에 의해, 다공질부(90)를 접착제 등에 의해 세라믹 유전체 기판(11)에 고정하는 경우와 비교해서 정전척의 강도를 향상시킬 수 있다. 예를 들면, 접착제의 부식이나 이로젼 등에 의한 정전척의 열화를 억제할 수 있다.
이 예에서는 제 1 기판 영역(11p)에 있어서의 평균 입자 지름은 제 1 영역(90p)에 있어서의 평균 입자 지름보다 작다. 제 1 기판 영역(11p)에 있어서의 입자 지름이 작음으로써 다공질부(90)와 세라믹 유전체 기판의 계면에 있어서 다공질부(90)와 세라믹 유전체 기판의 결합 강도를 향상시킬 수 있다. 또한, 제 1 기판영역에 있어서의 입자 지름이 작음으로써 세라믹 유전체 기판(11)의 강도를 높여 제작시나 프로세스시에 발생하는 응력에 의한 크랙 등의 리스크를 억제할 수 있다. 예를 들면, 제 1 영역(90p)에 있어서의 평균 입자 지름은 3㎛ 이상 5㎛ 이하이다. 예를 들면, 제 1 기판 영역(11p)에 있어서의 평균 입자 지름은 0.5㎛ 이상 2㎛ 이하이다. 제 1 기판 영역(11p)에 있어서의 평균 입자 지름은 제 1 영역(90p)에 있어서의 평균 입자 지름의 1.1배 이상 5배 이하이다.
또한, 예를 들면 제 1 기판 영역(11p)에 있어서의 평균 입자 지름은 제 2 기판 영역(11q)에 있어서의 평균 입자 지름보다 작다. 제 1 영역(90p)과 접하여 형성되는 제 1 기판 영역(11p)에서는 제 1 영역(90p)과의 사이에 있어서의 확산 등의 상호 작용에 의해 제 1 영역(90p)과의 사이의 계면 강도를 높게 하는 것이 바람직하다. 한편, 제 2 기판 영역(11q)에서는 세라믹 유전체 기판(11)의 재료 본래의 특성이 발현되는 것이 바람직하다. 제 1 기판 영역(11p)에 있어서의 평균 입자 지름을 제 2 기판 영역(11q)에 있어서의 평균 입자 지름보다 작게 함으로써 제 1 기판 영역(11p)에 있어서의 계면 강도의 담보와, 제 2 기판 영역(11q)에 있어서의 세라믹 유전체 기판(11)의 특성을 양립시킬 수 있다.
제 1 영역(90p)에 있어서의 평균 입자 지름은 제 1 기판 영역(11p)에 있어서의 평균 입자 지름보다 작아도 좋다. 이것에 의해, 다공질부(90)와 세라믹 유전체 기판의 계면에 있어서, 다공질부(90)와 세라믹 유전체 기판의 결합 강도를 향상시킬 수 있다. 또한, 제 1 영역(90p)에 있어서의 평균 입자 지름이 작음으로써 다공질부(90)의 강도가 높아지기 때문에 프로세스시의 입자의 탈락을 억제할 수 있어 파티클을 저감할 수 있다.
또한, 상술한 것과 마찬가지로 해서, 제 1 영역(90p)에 있어서의 평균 입자 지름이 제 2 기판 영역(11q)에 있어서의 평균 입자 지름보다 작아지도록 할 수도 있다. 이와 같이 하면, 제 1 영역(90p)에 있어서의 기계적인 강도를 향상시킬 수 있다.
도 2(a)를 다시 참조하여, 정전척(110)의 구조에 대해서 설명을 계속한다. 정전척(110)은 상술한 바와 같이 다공질부(70)(제 1 다공질부, 제 2 다공질부)를 더 갖고 있어도 좋다. 다공질부(70)는 도 3∼7에 있어서 설명한 복수의 성긴 부분(94)과 복수의 조밀한 부분(95)을 갖지 않는다. 이 예에서는, 다공질부(70)는 베이스 플레이트에 설치되고, 가스 도입로(53)와 대향하여 배치된다. 다공질부(70)는, 예를 들면 Z 방향에 있어서 다공질부(90)와 가스 도입로(53) 사이에 설치할 수 있다. 예를 들면, 다공질부(70)는 베이스 플레이트(50)의 세라믹 유전체 기판(11)측에 끼워넣어진다. 도 2(a)에 예시를 한 바와 같이, 예를 들면 베이스 플레이트(50)의 세라믹 유전체 기판(11)측에는 스폿페이싱부(53a)가 형성된다. 스폿페이싱부(53a)는 통형상으로 형성된다. 스폿페이싱부(53a)의 내경을 적절히 설계함으로써 다공질부(70)는 스폿페이싱부(53a)에 끼워맞춰진다. 또한, 후술하는 바와 같이 다공질부(70)를 세라믹 기판(11)에 설치해도 좋다.
이 예에서는 다공질부(70)의 상면(70U)은 베이스 플레이트(50)의 상면(50U)에 노출하고 있다. 다공질부(70)의 상면(70U)은 다공질부(90)의 하면(90L)과 대향하고 있다. 이 예에서는 다공질부(70)의 상면(70U)과 다공질부(90)의 하면(90L) 사이는 공간(SP)으로 되어 있다. 제 1 다공질부는 다공질부(90), 다공질부(70) 중 어느 하나로 할 수 있다. 제 2 다공질부는 다공질부(90), 다공질부(70) 중 어느 하나로 할 수 있다.
다공질부(70)는 복수의 구멍을 갖는 다공 영역(71)(제 1 다공 영역, 제 2 다공 영역의 예)과, 다공 영역(71)보다 치밀한 치밀 영역(72)(제 1 치밀 영역, 제 2 치밀 영역의 예)을 갖는다. 다공 영역(71)은 통형상(예를 들면, 원통형)으로 형성되고, 스폿페이싱부(53a)에 끼워맞춰진다. 다공질부(70)의 형상은 원통형이 바람직하지만, 원통형에 한정되는 것은 아니다. 다공질부(70)에는 절연성을 갖는 재료가 사용된다. 다공질부(70)의 재료는, 예를 들면 Al2O3이나 Y2O3, ZrO2, MgO, SiC, AlN, Si3N4이다. 다공질부(70)의 재료는 SiO2 등의 유리여도 좋다. 다공질부(70)의 재료는 Al2O3-TiO2나 Al2O3-MgO, Al2O3-SiO2, Al6O13Si2, YAG, ZrSiO4 등이어도 좋다.
다공 영역(71)의 기공률은, 예를 들면 20% 이상 60% 이하이다. 다공 영역(71)의 밀도는, 예를 들면 1.5g/㎤ 이상 3.0g/㎤ 이하이다. 가스 도입로(53)를 흘러 온 He 등의 가스는 다공 영역(71)의 복수의 구멍(71p)을 통과하고, 세라믹 유전체 기판(11)에 형성된 관통 구멍(15)으로부터 홈(14)으로 보내진다.
치밀 영역(72)은, 예를 들면 세라믹 절연막으로 이루어지는 부분을 갖는다. 세라믹 절연막은 다공 영역(71)과 가스 도입로(53) 사이에 형성된다. 세라믹 절연막은 다공 영역(71)보다 치밀하다. 세라믹 절연막의 기공률은, 예를 들면 10% 이하이다. 세라믹 절연막의 밀도는, 예를 들면 3.0g/㎤ 이상 4.0g/㎤ 이하이다. 세라믹 절연막은 다공질부(70)의 측면에 형성된다.
세라믹 절연막의 재료에는, 예를 들면 Al2O3, Y2O3, ZrO2, MgO 등이 사용된다.세라믹 절연막의 재료에는 Al2O3-TiO2, Al2O3-MgO, Al2O3-SiO2, Al6O13Si2, YAG, ZrSiO4 등이 사용되어도 좋다.
세라믹 절연막은, 예를 들면 다공질부(70)의 측면에 용사, PVD(Physical Vapor Deposition)나 CVD, 졸겔법, 에어로졸 디포지션법 등에 의해 형성할 수 있다. 세라믹 절연막의 막두께는, 예를 들면 0.05㎜ 이상 0.5㎜ 이하이다.
세라믹 유전체 기판(11)의 기공률은, 예를 들면 1% 이하이다. 세라믹 유전체 기판(11)의 밀도는, 예를 들면 4.2g/㎤이다.
세라믹 유전체 기판(11) 및 다공질부(70)에 있어서의 기공률은 상술한 바와 같이 주사형 전자 현미경에 의해 측정된다. 밀도는 JIS C 2141 5.4.3에 의거해서 측정된다.
다공질부(70)가 가스 도입로(53)의 스폿페이싱부(53a)에 끼워맞춰지면, 세라믹 절연막(72)과 베이스 플레이트(50)가 접하는 상태로 된다. 즉, He 등의 가스를 홈(14)으로 인도하는 관통 구멍(15)과, 금속제의 베이스 플레이트(50) 사이에 절연성이 높은 다공 영역(71) 및 치밀 영역(73)을 갖는 다공질부(70)가 개재하게 된다. 이러한 다공질부(70)를 사용함으로써 다공 영역(71)만을 가스 도입로(53)에 형성하는 경우와 비교해서 높은 절연성을 발휘할 수 있게 된다.
또한, 다공질부(70)에 형성된 복수(71p)의 구멍은 다공질부(90)에 형성된 복수의 구멍(96)보다 3차원적으로 분산되고, Z 방향으로 관통하는 구멍의 비율은 다공질부(70)보다 다공질부(90)의 쪽이 많아지게 할 수 있다. 3차원적으로 분산된 복수의 구멍(71p)을 갖는 다공질부(70)를 설치함으로써 보다 높은 절연 내압을 얻을 수 있으므로, 가스의 흐름의 원활화를 도모하면서 아크 방전의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 도 2(a)에 나타내는 바와 같이, Z 방향으로 관통하는 구멍의 비율이 많은 다공질부(90)를 세라믹 유전체 기판(11)에 설치함으로써, 예를 들면 플라즈마 밀도가 높은 경우에 있어서도 아크 방전의 발생을 보다 효과적으로 억제할 수 있다.
베이스 플레이트(50)에 설치되는 다공질부(제 2 다공질부, 도 2(a)에서는 다공질부(70))에 형성되는 복수의 구멍의 평균값을, 세라믹 유전체 기판(11)에 설치되는 다공질부(제 1 다공질부, 도 2(a)에서는 다공질부(90))에 형성되는 복수의 구멍의 평균값보다 크게 할 수 있다. 이와 같이 하면, 구멍의 지름이 큰 다공질부가 가스 도입로(53)측에 설치되어 있으므로 가스의 흐름의 원활화를 도모할 수 있다. 또한, 구멍의 지름이 작은 다공질부가 흡착의 대상물측에 설치되어 있으므로 아크 방전의 발생을 보다 효과적으로 억제할 수 있다.
또한, 다공질부(70)가 베이스 플레이트(50)에 설치되고, 다공질부(90)가 세라믹 유전체 기판(11)에 설치되는 예에 있어서는 다공질부(70)에 형성된 복수의 구멍(71p)의 지름의 평균값은 다공질부(90)에 형성된 복수의 구멍(96)의 지름의 평균값보다 크게 할 수 있다. 이와 같이 하면, 구멍의 지름이 큰 다공질부(70)가 설치되어 있으므로 가스의 흐름의 원활화를 도모할 수 있다. 또한, 구멍의 지름이 작은 다공질부(90)가 흡착의 대상물측에 설치되어 있으므로 아크 방전의 발생을 보다 효과적으로 억제할 수 있다.
또한, 복수의 구멍의 지름의 편차를 작게 할 수 있으므로 아크 방전의 보다 효과적인 억제를 도모할 수 있다.
도 10은 실시형태에 의한 정전척의 다공질부(70)를 예시하는 모식 단면도이다.
도 10은 다공 영역(71)의 단면의 일부의 확대도이다.
다공 영역(71)에 형성된 복수의 구멍(71p)은 다공 영역(71)의 내부에 있어서 X 방향, Y 방향, 및 Z 방향으로 3차원적으로 분산되어 있다. 환언하면, 다공 영역(71)은 X 방향, Y 방향, 및 Z 방향으로 구멍(71p)이 넓어지는 3차원적인 망형상구조이다. 다공질부(70)에 있어서, 복수의 구멍(71p)은 다공 영역(71)에, 예를 들면 랜덤 또는 균일하게 분산되어 있다.
복수의 구멍(71p)은 3차원적으로 분산되어 있기 때문에 복수의 구멍(71p)의 일부는 다공 영역(71)의 표면에도 노출하고 있다. 그 때문에, 다공 영역(71)의 표면에는 미세한 요철이 형성되어 있다. 즉, 다공 영역(71)의 표면을 거칠게 할 수 있다. 다공 영역(71)의 표면 조도에 의해 다공 영역(71)의 표면에, 예를 들면 세라믹 절연막(치밀 영역(72))을 형성하기 쉽게 할 수 있다. 예를 들면, 세라믹 절연막(치밀 영역(72))과 다공 영역(71)의 접촉이 향상된다. 또한, 세라믹 절연막(치밀 영역(72))의 박리를 억제할 수 있다.
다공 영역(71)에 형성된 복수의 구멍(71p)의 지름의 평균값은, 예를 들면 다공 영역(91)에 형성된 복수의 구멍(96)의 지름의 평균값보다 크다. 구멍(71p)의 지름은, 예를 들면 10㎛ 이상 50㎛ 이하이다. 구멍(96)의 지름이 작은 다공 영역(91)에 의해 관통 구멍(15)에 흐르는 가스의 유량을 제어(제한)할 수 있다. 이것에 의해, 세라믹 다공체(71)에 기인한 가스 유량의 편차를 억제할 수 있다. 구멍(71p)의 지름 및 구멍(96)의 지름의 측정은 상술한 바와 같이 주사형 전자 현미경에 의해 행할 수 있다.
도 11은 다른 실시형태에 의한 다공질부(90)를 예시하는 모식 단면도이다.
도 11은 도 2(a)와 마찬가지로 다공질부(90)의 주변을 예시한다.
이 예에서는 다공질부(90)는 세라믹 유전체 기판(11)에 설치되어 있다. 다공질부(70)는 베이스 플레이트(50)에 설치되어 있다. 즉, 제 1 다공질부에 다공질부(90)가 사용되고 있다. 제 2 다공질부에 다공질부(70)가 사용되고 있다. 또한, 다공질부(90)는 세라믹 유전체 기판(11) 및 베이스 플레이트(50)의 쌍방에 설치되어 있어도 좋다.
이 예에서는 다공질부(90)와 세라믹 유전체 기판(11) 사이에는 접착 부재(61)(접착제)가 설치되어 있다. 다공질부(90)는 세라믹 유전체 기판(11)에 접착 부재(61)에 의해 접착되어 있다. 예를 들면, 접착 부재(61)는 다공질부(90)의 측면(치밀 영역(93)의 측면(93s))과 관통 구멍(15)의 내벽(15w) 사이에 설치된다. 다공질부(90)와 세라믹 유전체 기판(11)은 접하고 있지 않아도 좋다.
접착 부재(61)에는, 예를 들면 실리콘 접착제가 사용된다. 접착 부재(61)는, 예를 들면 탄성을 갖는 탄성 부재이다. 접착 부재(61)의 탄성률은, 예를 들면 다공질부(90)의 치밀 영역(93)의 탄성률보다 낮고, 세라믹 유전체 기판(11)의 탄성률보다 낮다.
접착 부재(61)에 의해 다공질부(90)와 세라믹 유전체 기판(11)이 접착되는 구조에 있어서는 접착 부재(61)를 다공질부(90)의 열수축과 세라믹 유전체 기판(11)의 열수축의 차에 대한 완충재로 할 수 있다.
도 12(a), (b)는 다른 실시형태에 의한 다공질부(90)를 예시하는 모식 단면도이다.
상술한 실시형태(도 2 참조)에 있어서는 다공질부(90)가 세라믹 유전체 기판(11)에 설치되고, 다공질부(70)가 베이스 플레이트(50)에 설치되어 있었다.
그러나, 다공질부(90)를 사용하는 경우에 있어서는 베이스 플레이트(50)에 설치되는 다공질부, 세라믹 유전체 기판(11)에 설치되는 다공질부 중 어느 한쪽을 생략할 수도 있다.
예를 들면, 도 12(a)에 나타낸 예에 있어서는 다공질부(90)를 세라믹 유전체 기판(11)에 설치하고, 베이스 플레이트(50)에는 가스 도입로(53)를 설치하도록 하고 있다. 이와 같이 하면, 다공질부(90)에 공급되는 He 등의 가스의 유로 저항을 저감시킬 수 있다.
또한, 도 12(b)에 나타낸 예에 있어서는 세라믹 유전체 기판(11)에는 구멍부(15b)를 형성하고, 다공질부(90)를 베이스 플레이트(50)에 설치하도록 하고 있다. 이와 같이 하면, 다공질부(90)에 공급되는 He 등의 가스의 유로 저항을 저감시킬 수 있다.
또한, 도 12(a)에 나타내는 바와 같이 가스 도입로(53)의 세라믹 유전체 기판(11)측의 개구의 가장자리(53b)의 적어도 일부는 곡선으로 구성할 수 있다. 예를 들면, 가스 도입로(53)의 개구의 가장자리(53b)에, 소위 「R 모따기」를 실시할 수 있다. 이 경우, 가스 도입로(53)의 개구의 가장자리(53b)가 반경 0.2밀리미터(㎜) 정도의 곡선으로 구성되도록 할 수 있다.
상술한 바와 같이, 베이스 플레이트(50)는 알루미늄 등의 금속으로 형성되어 있다. 그 때문에, 가스 도입로(53)의 개구의 가장자리가 각지면 전계 집중이 발생하기 쉬워져 아크 방전이 생기기 쉬워질 우려가 있다.
본 실시형태에 있어서는 가스 도입로(53)의 개구의 가장자리(53b)의 적어도 일부가 곡선으로 구성되어 있으므로 전계 집중을 억제할 수 있고, 나아가서는 아크 방전의 저감을 도모할 수 있다.
도 13(a)∼(d)은 다른 실시형태에 의한 다공질부(90a, 70a)를 예시하는 모식 단면도이다.
도 14(a)∼(c)는 다른 실시형태에 의한 다공질부(90a, 90b)를 예시하는 모식 단면도이다.
도 13(a)은 세라믹 유전체 기판(11)에 다공질부(90)의 치밀 영역(93)이 변경된 다공질부(90a)를 설치하고, 베이스 플레이트(50)에 다공질부(70)의 치밀 영역(72)이 변경된 다공질부(70a)를 설치한 경우의 예이다. 도 14(a)는 세라믹 유전체 기판(11) 및 베이스 플레이트(50)에, 다공질부(90)의 치밀 영역(93)이 변경된 다공질부(90a) 및 다공질부(70)의 치밀 영역(72)이 변경된 다공질부(70b)를 각각 설치한 경우의 예이다.
도 13(a), 도 13(b), 및 도 14(a)에 나타내는 바와 같이, 세라믹 유전체 기판(11)에 설치된 다공질부(90a)에 있어서 다공 영역(91)은 치밀부(92a)를 더 갖는다. 즉, 다공질부(90a)는 상술한 다공질부(90)에 치밀부(92a)를 더 추가한 것이다.
도 13(a) 및 도 13(b)에 나타내는 바와 같이, 치밀부(92a)는 판형상(예를 들면, 원판형상)을 보이는 것으로 할 수 있다. 도 14(a)에 나타내는 바와 같이, 치밀부(92a)는 기둥형상(예를 들면, 원기둥형상)을 보이는 것으로 할 수도 있다. 치밀부(92a)의 재료는, 예를 들면 상술한 치밀 영역(93)의 재료와 마찬가지로 할 수 있다. 치밀부(92a)는 다공 영역(91)보다 치밀하다. 치밀부(92a)와 치밀 영역(93)의 치밀도가 같은 정도여도 좋다. Z 방향에 대하여 수직인 평면(XY 평면)에 투영했을 때에 치밀부(92a)와 구멍부(15b)는 겹친다. 다공 영역(91)과 구멍부(15b)는 겹치지 않도록 구성되어 있는 것이 보다 바람직하다. 이러한 구성에 의하면, 발생한 전류가 치밀부(92a)를 우회하여 흐르려고 한다. 그 때문에, 전류가 흐르는 거리(도전 패스)를 길게 할 수 있으므로 전자가 가속되기 어려워지고, 나아가서는 아크 방전의 발생을 억제할 수 있다.
또한, Z 방향에 대하여 수직인 평면(XY 평면)에 투영했을 때에 치밀부(92a)의 치수는 구멍부(15b)의 치수와 같거나, 또는 치밀부(92a)의 치수는 구멍부(15b)의 치수보다 크게 하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 구멍부(15b)의 내부를 흐른 전류를 치밀부(92a)로 인도할 수 있다. 그 때문에, 전류가 흐르는 거리(도전 패스)를 효과적으로 길게 할 수 있다.
이 예에서는, Z 방향에 대하여 수직인 평면에 투영했을 때에 치밀부(92a)의 주위에 다공 영역(91)이 형성되어 있다. 구멍부(15b)와 대향하는 위치에는 치밀부(92a)를 배치하여 아크 방전에 대한 내성을 높이면서, 그 주위를 다공 영역(91)으로 하고 있으므로 충분한 가스 흐름을 확보할 수 있다. 즉, 아크 방전의 저감과 가스의 흐름의 원활화를 양립시킬 수 있다.
도 13(a)에 나타내는 바와 같이, 치밀부(92a)의 Z 방향을 따르는 길이는 다공질부(90a)의 Z 방향을 따르는 길이보다 작게 해도 좋고, 도 14(a)에 나타내는 바와 같이 다공질부(90a)의 Z 방향을 따르는 길이와 대략 같은 것으로 해도 좋다. 치밀부(92a)의 Z 방향을 따르는 길이를 길게 하면, 아크 방전의 발생을 보다 효과적으로 억제할 수 있다. 치밀부(92a)의 Z 방향을 따르는 길이를 다공질부(90a)의 Z 방향을 따르는 길이보다 작게 하면 가스의 흐름의 원활화를 도모할 수 있다.
치밀부(92a)는 실질적으로 구멍을 갖지 않는 치밀체로 구성해도 좋고, 다공 영역(91)보다 치밀하면 복수의 구멍을 갖도록 구성해도 좋다. 치밀부(92a)가 복수의 구멍을 갖는 경우에는 그 구멍의 지름을 다공 영역(91)이 갖는 구멍의 지름보다 작게 하는 것이 바람직하다. 치밀부(92a)의 기공률(퍼센트: %)은 다공 영역(91)의 기공률(%)보다 낮게 할 수 있다. 그 때문에, 치밀부(92a)의 밀도(그램/입방센티미터: g/㎤)는 다공 영역(91)의 밀도(g/㎤)보다 높게 할 수 있다. 치밀부(92a)의 기공률은, 예를 들면 상술한 치밀 영역(93)의 기공률과 마찬가지로 할 수 있다.
여기서, 아크 방전은 구멍부(15b)의 내부를 세라믹 유전체 기판(11)측으로부터 베이스 플레이트(50)측을 향해 전류가 흐름으로써 발생하는 경우가 많다. 그 때문에, 낮은 기공률을 갖는 치밀부(92a)가 구멍부(15b)의 근방에 형성되어 있으면, 도 13(a) 및 도 14(a)에 나타내는 바와 같이 전류(200)는 치밀부(92a)를 우회하여 흐르려고 한다. 그 때문에, 전류(200)가 흐르는 거리(도전 패스)를 길게 할 수 있으므로 전자가 가속되기 어려워지고, 나아가서는 아크 방전의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 도 13(a)에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 베이스 플레이트(50)에 설치된 다공질부(70)에 있어서 다공 영역(71)이 치밀부(92b)를 더 구비한 다공질부(70a)를 사용할 수도 있다.
또한, 도 14(a)에 나타내는 바와 같이, 다공질부(90a)를 세라믹 유전체 기판(11)에 설치하고, 다공질부(70b)를 베이스 플레이트(50)에 설치할 수도 있다. 다공질부(70b)는 다공 영역(71)이 치밀부(92b)를 더 갖는다. 즉, 다공질부(70b)는 상술한 다공질부(70)에 치밀부(92b)를 더 추가한 것이다.
즉, 베이스 플레이트(50)에 설치되는 다공질부(70) 또는 다공질부(90)에 치밀부(92b)를 더 추가할 수도 있다.
치밀부(92b)는 적어도 하나 형성할 수 있다. 도 13(c) 및 도 14(b)에 나타내는 바와 같이, 판형상(예를 들면, 원판형상) 또는 기둥형상(예를 들면, 원기둥형상)을 보이는 치밀부(92b)를 복수 형성할 수도 있다. 도 13(d) 및 도 14(c)에 나타내는 바와 같이, 환상(예를 들면, 원환상) 또는 통형상(예를 들면, 원통형상)을 보이는 치밀부(92b)를 형성할 수도 있다. 치밀부(92b)의 재료, 밀도, 기공률 등은 치밀부(92a)와 마찬가지로 할 수 있다.
Z 방향에 대하여 수직인 평면(XY 평면)에 투영했을 때에 베이스 플레이트(50)에 설치된 다공질부가 갖는 치밀부(예를 들면, 치밀부(92b))의 적어도 일부가 세라믹 유전체 기판(11)에 설치된 다공질부가 갖는 치밀부(예를 들면, 치밀부(92a))와 겹치도록 하는 것이 바람직하다. 이러한 구성에 의하면, 예를 들면 다공질부(90a)(세라믹 유전체 기판(11)측 다공질부)에 있어서 치밀부(92a)를 우회하여 흐른 전류가 치밀부(92b)가 형성된 다공질부(70, 90b)(베이스 플레이트(50)측 다공질부)를 흐를 때에 베이스 플레이트(50)측에 설치된 다공질부의 다공 영역(예를 들면, 다공 영역(71, 91))을 흐르는 일 없이 치밀부(92b)를 더 우회하여 흐르려고 한다. 그 때문에, 전류가 흐르는 거리(도전 패스)를 더 길게 할 수 있으므로 전자가 더욱 가속되기 어려워지고, 나아가서는 아크 방전의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.
도 15(a), (b)는 다른 실시형태에 의한 다공질부를 예시하는 모식 단면도이다.
도 15(a), (b)에 나타내는 바와 같이, Z 방향에 대하여 수직인 평면(XY 평면)에 투영했을 때에 치밀부(92a)와 치밀부(92b)가 겹치도록 할 수 있다. 또한, Z 방향에 대하여 수직인 평면(XY 평면)에 투영했을 때에 치밀부(92a)와 치밀부(92b)가 접하도록 해도 좋다. 또한, Z 방향에 대하여 수직인 평면(XY 평면)에 투영했을 때에 치밀부(92a)와 치밀부(92b) 사이의 간극이 약간 있으면 치밀부(92a)와 치밀부(92b) 사이를 전류가 흐르는 것을 억제할 수 있다. 그 때문에, 치밀부(92a)와 치밀부(92b) 사이를 전류가 흐르는 것을 억제할 수 있는 정도이면 치밀부(92a)와 치밀부(92b) 사이에 간극을 형성할 수도 있다.
이와 같이 하면, 다공질부(90a)를 흐른 전류가 치밀부(92b)를 통하지 않고 다공질부(70a)를 흐르는 것을 억제할 수 있다. 그 때문에, 전류가 흐르는 거리(도전 패스)를 효과적으로 길게 할 수 있다.
또한, 도 15(a), (b)에 나타내는 바와 같이 Z 방향에 대하여 수직인 평면(XY 평면)에 투영했을 때에 치밀부(92b)와 치밀 영역(93)이 겹치도록 하는 것이 바람직하다. 또한, Z 방향에 대하여 수직인 평면(XY 평면)에 투영했을 때에 치밀부(92b)와 치밀 영역(93)이 접하도록 해도 좋다. 이와 같이 하면, 전류가 흐르는 거리(도전 패스)를 더 길게 할 수 있으므로, 전자가 더욱 가속되기 어려워지고, 나아가서는 아크 방전의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.
도 16은 다른 실시형태에 의한 정전척을 예시하는 모식 단면도이다.
도 17(a), (b)은 도 16에 나타내는 영역 C의 확대도에 상당한다.
도 16 및 도 17(a), (b)에 나타내는 바와 같이, 정전척(110a)은 세라믹 유전체 기판(11c)과 베이스 플레이트(50)를 구비한다. 즉, 세라믹 유전체 기판(11c)에는 다공질부(다공질부(70) 또는 다공질부(90))가 설치되어 있지 않다.
세라믹 유전체 기판(11c)에는 복수의 구멍(16)이 직접 형성되어 있다. 복수의 구멍(16)은 세라믹 유전체 기판(11c)에, 예를 들면 레이저를 조사하거나, 또는 초음파가공 등에 의해 형성할 수 있다. 이 예에서는, 복수의 구멍(16)의 일단은 홈(14)의 면(14a)에 위치한다. 복수의 구멍(16)의 타단은 세라믹 유전체 기판(11c)의 제 2 주면(11b)에 위치한다. 즉, 복수의 구멍(16)은 세라믹 유전체 기판(11c)을 Z 방향으로 관통하고 있다.
도 17(a), (b)에 나타내는 바와 같이, 베이스 플레이트(50)에는 다공질부(예를 들면, 다공질부(70a))를 설치할 수 있다. 또한, 베이스 플레이트(50)에는 다공질부(90b)가 설치되도록 해도 좋다. 또한, 도 12(a)에 예시를 한 바와 같이, 베이스 플레이트(50)에 다공질부(70) 또는 다공질부(90)가 설치되지 않고, 가스 도입로(53)가 형성되도록 해도 좋다.
또한, 도 17(a), (b)에 나타내는 바와 같이 베이스 플레이트(50)에 설치된 다공질부(70)의 상면(70U)(또는 다공질부(90)의 상면(90U))과 세라믹 유전체 기판(11c)의 제 2 주면(11b)은 접촉하고 있지 않아도 좋다. 또한, 상술한 것과 마찬가지로, 가스 도입로(53)의 세라믹 유전체 기판(11c)측의 개구의 가장자리(53b)의 적어도 일부를 곡선으로 구성할 수 있다.
복수의 구멍(16)을 세라믹 유전체 기판(11c)에 형성하면, 정전척(110a)에 적재된 대상물(W)의 이면과 홈(14)을 포함하는 제 1 주면(11a) 사이에 공급하는 가스의 유량을 확보하면서 아크 방전에 대한 내성을 향상시킬 수 있다.
치밀부(92b)의 Z 방향을 따르는 길이는 다공질부(70a, 90b)의 Z 방향을 따르는 길이보다 작게 할 수 있다. 또한, 치밀부(92b)의 Z 방향을 따르는 길이는 다공질부(70a, 90b)의 Z 방향을 따르는 길이와 대략 같은 것으로 할 수도 있다. 치밀부(92b)의 Z 방향을 따르는 길이를 짧게 하면 가스류의 원활화를 도모할 수 있다. 치밀부(92b)의 Z 방향을 따르는 길이를 길게 하면, 아크 방전의 발생을 보다 효과적으로 억제할 수 있다.
Z 방향에 대하여 수직인 평면(XY 평면)에 투영했을 때에 복수의 구멍(16) 중 적어도 하나는 치밀부(92b)와 겹치도록 할 수 있다. 복수의 치밀부(92b)의 재료, 밀도, 기공률 등은, 예를 들면 상술한 바와 같다.
도 17(a)에 나타내는 바와 같이, 복수의 치밀부(92b)를 갖는 다공질부(70a)가 베이스 플레이트(50)에 설치되어 있어도 좋다. 도 17(b)에 나타내는 바와 같이, 복수의 치밀부(92b)를 갖는 다공질부(90b)가 베이스 플레이트(50)에 설치되어 있어도 좋다.
도 18은 다른 실시형태에 의한 복수의 구멍(16h)을 예시하는 모식 단면도이다.
복수의 구멍(16h)은 세라믹 유전체 기판(11)에 레이저를 조사하거나 또는 초음파 가공 등에 의해 형성할 수 있다.
도 18에 나타내는 바와 같이, 세라믹 유전체 기판(11)에 형성된 복수의 구멍(16h) 중 적어도 하나는 홈부(14)에 개구하는 제 1 부분(16h1)과, 제 2 주면(11b)에 개구하는 제 2 부분(16h2)을 가질 수 있다. X 방향 또는 Y 방향에 있어서, 제 1 부분(16h1)의 치수는 제 2 부분(16h2)의 치수보다 작게 할 수 있다. X 방향 또는 Y 방향에 있어서, 복수의 구멍(16h) 중 적어도 하나는 홈(14)의 면(14a)측의 개구 치수 D4가 베이스 플레이트(50)측의 개구 치수 D3보다 작아지도록 할 수 있다. 또한, 도 18에 있어서는 단차가 있는 구조를 갖는 구멍(16h)을 예시했지만, 테이퍼 구조를 갖는 구멍(16h)으로 할 수도 있다. 예를 들면, 개구 치수 D4는 직경이 0.01밀리미터(㎜)∼0.1밀리미터(㎜)로 할 수 있다. 예를 들면, 개구 치수 D3은 직경이 0.15밀리미터(㎜)∼0.2밀리미터(㎜) 정도로 할 수 있다. 개구 치수 D4가 개구 치수 D3보다 작아져 있으면 아크 방전의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.
또한, 구멍(16h)의 종횡비(애스펙트비)는, 예를 들면 3∼60으로 할 수 있다. 애스펙트비의 산출에 있어서, 「세로」는 예를 들면, 도 18에 있어서의 구멍(16h)의 Z 방향의 길이로 하고, 「가로」는 구멍(16h)의 상면(면(14a))에 있어서의 구멍(16h)의 X 방향의 길이와, 구멍(16h)의 하면(제 2 주면(11b))에 있어서의 구멍(16h)의 X 방향의 길이의 평균 길이로 한다. 또한, 구멍(16h)의 X 방향의 길이의 측정에는 레이저 현미경, 공장 현미경 등의 광학 현미경, 디지털 마이크로스코프 등을 사용할 수 있다.
또한, 개구 치수 D4는 도 4에 예시를 한 성긴 부분(94a)의 길이 L1(성긴 부분(94b)의 L4, 성긴 부분(94c)의 길이 L5)보다 작게 할 수 있다.
도 19(a), (b)는 구멍(16)의 개구 부분의 형상을 예시하는 모식 단면도이다.
도 19(b)는 도 19(a)에 나타내는 영역(D)의 확대도에 상당한다. 도 19(a)에서는 구멍(16)에 있어서 도 18의 개구 치수 D3의 부분이 없다. 즉, 구멍(16)의 개구 치수는 도 18에 있어서의 개구 치수 D4에 대응하고 있다.
도 19(a), (b)에 나타내는 바와 같이, 구멍(16)의 제 1 주면(11a)측(홈(14)의 면(14a)측)의 개구의 가장자리(16i)는 구멍(16)의 제 2 주면(11b)측의 개구의 가장자리(16j)보다 완만하게 경사시킬 수 있다. 이 예에서는, 복수의 구멍(16) 중 적어도 하나는 구멍(16)의 홈(14)측의 개구의 가장자리(16i)와, 홈(14)의 제 2 주면(11b)측의 면(14a)이 이루는 각도를 α, 구멍(16)의 제 2 주면(11b)측의 개구의 가장자리(16j)와 제 2 주면(11b)이 이루는 각도를 β로 한 경우에, 「α<β」로 되어 있다. 이와 같이 하면, 전계 집중을 억제할 수 있고, 나아가서는 아크 방전의 저감을 도모할 수 있다. 또한, 이 예에서는 가장자리(16i)는 직선으로 구성되어 있다. 단, 가장자리(16i)는 곡선으로 구성되어 있어도 좋고, 직선과 곡선으로 구성되어 있어도 좋다. 가장자리(16i)와 가장자리(16j)가 곡선으로 구성되어 있는 경우에는 가장자리(16i)의 곡률 반경이 가장자리(16j)의 곡률 반경보다 크게 할 수 있다. 가장자리(16i)와 가장자리(16j)가 직선과 곡선으로 구성되어 있는 경우에는 직선 부분끼리의 관계 및 곡선 부분끼리의 관계 중 적어도 어느 하나가 상술한 관계를 충족시키도록 하면 좋다.
가장자리(16i)가 가장자리(16j)보다 완만하게 경사져 있으면, 치핑 등의 발생이나 전계 집중을 억제할 수 있다. 그 때문에, 아크 방전의 발생을 보다 효과적으로 억제할 수 있다.
또한, 일례로서 구멍(16)의 개구 부분의 형상을 예시했지만, 단차가 있는 구조나 테이퍼 구조를 갖는 구멍(16h)의 경우도 마찬가지이다.
도 20은 다른 실시형태에 의한 정전척을 예시하는 모식 단면도이다.
도 20은 도 16에 나타내는 영역 C의 확대도에 상당한다.
도 17(a)에 예시를 한 복수의 구멍(16) 각각은 대략 Z 방향으로 연장되어 있다. 이것에 대하여, 도 20에 예시를 한 복수의 구멍(16) 중 적어도 하나는 Z 방향에 대하여 경사져 있는 것으로 할 수 있다. 복수의 구멍(16) 중 적어도 하나가 Z 방향에 대하여 기울어진 방향으로 연장되어 있으면 구멍(16)의 내부를 전류가 흐를 때에 전자가 가속되기 어려워지는 것으로 생각된다. 그 때문에, 아크 방전의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다. 본 발명자들이 얻은 지견에 의하면, Z 방향에 대하여 경사지는 각도 θ가 5° 이상 30° 이하, 바람직하게는 5° 이상 15° 이하로 되도록 하면 구멍(16)의 지름을 작게 하는 일 없이 아크 방전의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 일례로서 구멍(16)의 경우를 예시했지만, 단차가 있는 구조나 테이퍼구조를 갖는 구멍(16h)의 경우도 마찬가지이다.
Z 방향에 대하여 경사지는 구멍(16)은 세라믹 유전체 기판(11c)에 레이저를 조사 또는 초음파 가공 등에 의해 직접 형성할 수 있다. 그 때문에, Z 방향에 대하여 경사지는 적어도 하나의 구멍(16)이 형성된 영역은 세라믹 유전체 기판(11)과 같은 재료를 포함하고 있다.
도 21은 다른 실시형태에 의한 정전척을 예시하는 모식 단면도이다.
도 21은 도 16에 나타내는 영역(C)의 확대도에 상당한다.
도 21에 나타내는 바와 같이, 다공질부(90b)는 다공 영역(91)이 치밀부(92b)를 더 갖는다. 즉, 다공질부(90b)는 상술한 다공질부(90)에 치밀부(92b)를 더 추가한 것이다. 즉, 베이스 플레이트(50)에 설치되는 다공질부(70) 또는 다공질부(90)에 치밀부(92b)를 더 추가할 수도 있다.
Z 방향에 대하여 수직인 평면(XY 평면)에 투영했을 때에 복수의 구멍(16)의 치밀부(92b)측의 개구 중 적어도 하나는 치밀부(92b)와 겹치도록 할 수 있다. 복수의 치밀부(92b)의 재료, 밀도, 기공률 등은, 예를 들면 상술한 바와 같다.
도 22는 다른 실시형태에 의한 정전척을 예시하는 모식 단면도이다.
도 23은 도 22에 나타내는 영역(E)의 확대도에 상당한다.
도 24는 도 22에 나타내는 영역(E)의 다른 실시형태를 나타내는 확대도이다.
도 22, 도 23, 및 도 24에 나타내는 바와 같이, 정전척(110b)은 세라믹 유전체 기판(11d)과 베이스 플레이트(50)를 구비한다. 세라믹 유전체 기판(11d)에는 다공질부(90b) 또는 다공질부(90a)가 설치되어 있다.
세라믹 유전체 기판(11d)에는 복수의 구멍(16)이 형성되어 있다. 복수의 구멍(16)은 세라믹 유전체 기판(11d)에, 예를 들면 레이저를 조사하거나, 또는 초음파 가공 등에 의해 형성할 수 있다. 이 예에서는, 복수의 구멍(16)의 일단은 홈(14)의 면(14a)에 위치한다. 복수의 구멍(16)의 타단은 구멍부(15c)의 바닥면에 위치한다. 즉, 복수의 구멍(16)은 세라믹 유전체 기판(11d)을 Z 방향으로 관통하고 있다.
도 23에 나타내는 바와 같이, Z 방향에 대하여 수직인 평면(XY 평면)에 투영했을 때에 복수의 구멍(16) 중 적어도 하나는 치밀부(92b)와 겹치도록 할 수 있다. 치밀부(92b)의 재료, 밀도, 기공률 등은, 예를 들면 상술한 바와 같다.
도 24에 나타내는 바와 같이, Z 방향에 대하여 수직인 평면(XY 평면)에 투영했을 때에 복수의 구멍(16) 중 적어도 하나는 치밀부(92a)와 겹치도록 할 수 있다. 치밀부(92a)의 재료, 밀도, 기공률 등은, 예를 들면 상술한 바와 같다.
(처리 장치)
도 25는 본 실시형태에 의한 처리 장치(200)를 예시하는 모식도이다.
도 25에 나타내는 바와 같이, 처리 장치(200)에는 정전척(110), 전원(210), 매체 공급부(220), 및 공급부(230)를 설치할 수 있다.
전원(210)은 정전척(110)에 형성된 전극(12)과 전기적으로 접속되어 있다.
전원(210)은, 예를 들면 직류 전원으로 할 수 있다. 전원(210)은 전극(12)에 소정의 전압을 인가한다. 또한, 전원(210)에는 전압의 인가와, 전압의 인가의 정지를 스위칭하는 스위치를 설치할 수도 있다.
매체 공급부(220)는 입력로(51) 및 출력로(52)에 접속되어 있다. 매체 공급부(220)는, 예를 들면 냉각 매체 또는 보온 매체가 되는 액체의 공급을 행하는 것으로 할 수 있다.
매체 공급부(220)는, 예를 들면 수납부(221), 제어 밸브(222), 및 배출부(223)를 갖는다.
수납부(221)는, 예를 들면 액체를 수납하는 탱크나 공장 배관 등으로 할 수 있다. 또한, 수납부(221)에는 액체의 온도를 제어하는 냉각 장치나 가열 장치를 설치할 수 있다. 수납부(221)에는 액체를 송출하기 위한 펌프 등을 구비할 수도 있다.
제어 밸브(222)는 입력로(51)와 수납부(221) 사이에 접속되어 있다. 제어 밸브(222)는 액체의 유량 및 압력 중 적어도 어느 하나를 제어할 수 있다. 또한, 제어 밸브(222)는 액체의 공급과, 공급의 정지를 스위칭하는 것으로 할 수도 있다.
배출부(223)는 출력로(52)에 접속되어 있다. 배출부(223)는 출력로(52)로부터 배출된 액체를 회수하는 탱크나 드레인 배관 등으로 할 수 있다. 또한, 배출부(223)는 반드시 필요한 것은 아니고, 출력로(52)로부터 배출된 액체가 수납부(221)에 공급되도록 해도 좋다. 이와 같이 하면, 냉각 매체 또는 보온 매체를 순환시킬 수 있으므로 자원 절약화를 도모할 수 있다.
공급부(230)는 가스 공급부(231) 및 가스 제어부(232)를 갖는다.
가스 공급부(231)는 헬륨 등의 가스를 수납한 고압 봄베나 공장 배관 등으로 할 수 있다. 또한, 1개의 가스 공급부(231)가 설치되는 경우를 예시했지만, 복수의 가스 공급부(231)가 형성되도록 해도 좋다.
가스 제어부(232)는 복수의 가스 공급로(53)와 가스 공급부(231) 사이에 접속되어 있다. 가스 제어부(232)는 가스의 유량 및 압력 중 적어도 어느 하나를 제어할 수 있다. 또한, 가스 제어부(232)는 가스의 공급과, 공급의 정지를 스위칭하는 기능을 더 갖는 것으로 할 수도 있다. 가스 제어부(232)는, 예를 들면 매스플로우 컨트롤러나 매스플로우 미터 등으로 할 수 있다.
도 25에 나타내는 바와 같이, 가스 제어부(232)는 복수 설치할 수 있다. 예를 들면, 가스 제어부(232)는 제 1 주면(11a)의 복수의 영역마다 설치할 수 있다. 이와 같이 하면, 공급하는 가스의 제어를 복수의 영역마다 행할 수 있다. 이 경우, 복수의 가스 공급로(53)마다 가스 제어부(232)를 설치할 수도 있다. 이와 같이 하면, 복수의 영역에 있어서의 가스의 제어를 보다 정밀하게 행할 수 있다. 또한, 복수의 가스 제어부(232)가 설치되는 경우를 예시했지만, 가스 제어부(232)가 복수의 공급계에 있어서의 가스의 공급을 독립적으로 제어 가능하면 1대여도 좋다.
여기서, 대상물(W)을 유지하는 수단에는 베큠척이나 메커니컬척 등이 있다. 그러나, 베큠척은 대기압보다 감압된 환경에 있어서는 사용할 수 없다. 또한, 메커니컬척을 사용하면 대상물(W)이 손상되거나, 파티클이 발생하거나 할 우려가 있다. 그 때문에, 예를 들면 반도체 제조 프로세스 등에 사용되는 처리 장치에는 정전척이 사용되고 있다.
이러한 처리 장치에 있어서는 처리 공간을 외부의 환경으로부터 격리할 필요가 있다. 그 때문에, 처리 장치(200)는 챔버(240)를 더 구비할 수 있다. 챔버(240)는, 예를 들면 대기압보다 감암된 분위기를 유지 가능한 기밀 구조를 갖는 것으로 할 수 있다.
또한, 처리 장치(200)는 복수의 리프트 핀, 복수의 리프트 핀을 승강시키는 구동 장치를 구비할 수 있다. 대상물(W)을 반송 장치로부터 수취하거나, 대상물(W)을 반송 장치에 수수하거나 할 때에는 리프트 핀이 구동 장치에 의해 상승하여 제 1 주면(11a)으로부터 돌출한다. 반송 장치로부터 수취한 대상물(W)을 제 1 주면(11a)에 적재할 때에는 리프트 핀이 구동 장치에 의해 하강하여 세라믹 유전체 기판(11)의 내부에 수납된다.
또한, 처리 장치(200)에는 처리의 내용에 따라 각종 장치를 설치할 수 있다.예를 들면, 챔버(240)의 내부를 배기하는 진공 펌프 등을 설치할 수 있다. 챔버(240)의 내부에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 장치를 설치할 수 있다. 챔버(240)의 내부에 프로세스 가스를 공급하는 프로세스 가스 공급부를 설치할 수 있다. 챔버(240)의 내부에 있어서 대상물(W)이나 프로세스 가스를 가열하는 히터를 설치할 수도 있다. 또한, 처리 장치(200)에 설치되는 장치는 예시를 한 것에 한정되는 것은 아니다. 처리 장치(200)에 설치되는 장치에는 이미 알려진 기술을 적용할 수 있으므로 상세한 설명은 생략한다.
이상, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명했다. 그러나, 본 발명은 이들 기술에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 정전척(110)으로서, 쿨롱력을 이용하는 구성을 예시했지만, 존슨·라벡력을 이용하는 구성이어도 적용 가능하다. 또한, 상술의 실시형태에 관해서 당업자가 적절히 설계 변경을 추가한 것도, 본 발명의 특징을 구비하고 있는 한, 본 발명의 범위에 포함된다. 또한, 상술한 각 실시형태가 구비하는 각 요소는 기술적으로 가능한 한에 있어서 조합시킬 수 있고, 이것들을 조합시킨 것도 본 발명의 특징을 포함하는 한, 본 발명의 범위에 포함된다.
11 세라믹 유전체 기판 11a 제 1 주면
11b 제 2 주면 11c 세라믹 유전체 기판
12 전극 14 홈
14a 바닥면 15 관통 구멍
15a 구멍부 15b 구멍부
15c 구멍부 15c1 면
15d 구멍부 16 구멍
16h 구멍 16i 가장자리
16j 가장자리 50 베이스 플레이트
53 가스 도입로 53b 가장자리
60 접합부 70 다공질부
70a 다공질부 71 다공 영역
72 치밀 영역 90 다공질부
90a 다공질부 90b 다공질부
92a 치밀부 92b 치밀부
96 구멍 110 정전척
110a 정전척 200 처리 장치
210 전원 230 공급부
W 대상물

Claims (16)

  1. 흡착의 대상물을 적재하는 제 1 주면과, 상기 제 1 주면과는 반대측의 제 2 주면을 갖는 세라믹 유전체 기판과,
    상기 세라믹 유전체 기판을 지지하고, 가스 도입로를 갖는 베이스 플레이트와,
    상기 세라믹 유전체 기판에 설치되고, 상기 가스 도입로와 대향하는 제 1 다공질부를 구비하고,
    상기 제 1 다공질부는 제 1 다공 영역과, 상기 제 1 다공 영역보다 치밀한 제 1 치밀 영역을 포함하고,
    상기 제 1 다공 영역은 복수의 구멍을 갖는 복수의 제 1 성긴 부분과, 상기 제 1 성긴 부분의 밀도보다 높은 밀도를 갖고, 상기 제 2 방향에 있어서의 치수가 상기 제 2 방향에 있어서의 상기 제 1 치밀 영역의 치수보다 작은 제 1 조밀한 부분을 갖고,
    상기 복수의 제 1 성긴 부분의 각각은 상기 베이스 플레이트로부터 상기 세라믹 유전체 기판을 향하는 제 1 방향으로 연장되고,
    상기 제 1 조밀한 부분은 상기 복수의 제 1 성긴 부분끼리 사이에 위치하고,
    상기 제 1 성긴 부분은 상기 복수의 구멍끼리 사이에 형성된 제 1 벽부를 갖고,
    상기 제 1 방향에 대략 직교하는 제 2 방향에 있어서 상기 제 1 벽부의 치수의 최소값은 상기 제 1 조밀한 부분의 치수의 최소값보다 작고,
    상기 가스 도입로의 상기 세라믹 유전체 기판측의 개구의 가장자리의 적어도 일부는 곡선으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 정전척.
  2. 흡착의 대상물을 적재하는 제 1 주면과, 상기 제 1 주면과는 반대측의 제 2 주면을 갖는 세라믹 유전체 기판과,
    상기 세라믹 유전체 기판을 지지하고, 가스 도입로를 갖는 베이스 플레이트와,
    상기 베이스 플레이트에 설치되고, 상기 가스 도입로와 대향하는 제 2 다공질부를 구비하고,
    상기 제 2 다공질부는 제 2 다공 영역과, 상기 제 2 다공 영역보다 치밀한 제 2 치밀 영역을 포함하고,
    상기 제 2 다공 영역은 복수의 구멍을 갖는 복수의 제 2 성긴 부분과, 상기 제 2 성긴 부분의 밀도보다 높은 밀도를 갖고, 상기 제 2 방향에 있어서의 치수가 상기 제 2 방향에 있어서의 상기 제 2 치밀 영역의 치수보다 작은 제 2 조밀한 부분을 갖고,
    상기 복수의 제 2 성긴 부분의 각각은 상기 베이스 플레이트로부터 상기 세라믹 유전체 기판을 향하는 제 1 방향으로 연장되고,
    상기 제 2 조밀한 부분은 상기 복수의 제 2 성긴 부분끼리 사이에 위치하고,
    상기 제 2 성긴 부분은 상기 복수의 구멍끼리 사이에 형성된 제 2 벽부를 갖고,
    상기 제 1 방향에 대략 직교하는 제 2 방향에 있어서 상기 제 2 벽부의 치수의 최소값은 상기 제 2 조밀한 부분의 치수의 최소값보다 작고,
    상기 가스 도입로의 상기 세라믹 유전체 기판측의 개구의 가장자리의 적어도 일부는 곡선으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 정전척.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 방향에 있어서 상기 복수의 제 1 성긴 부분의 각각에 형성된 상기 복수의 구멍의 치수는 상기 제 1 조밀한 부분의 치수보다 작고, 및/또는 상기 제 2 방향에 있어서 상기 복수의 제 2 성긴 부분의 각각에 형성된 상기 복수의 구멍의 치수는 상기 제 2 조밀한 부분의 치수보다 작은 것을 특징으로 하는 정전척.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 복수의 제 1 성긴 부분의 각각에 형성된 상기 복수의 구멍의 종횡비, 및/또는 상기 복수의 제 2 성긴 부분의 각각에 형성된 상기 복수의 구멍의 종횡비는 30 이상인 것을 특징으로 하는 정전척.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 방향에 있어서 상기 복수의 제 1 성긴 부분의 각각에 형성된 상기 복수의 구멍의 치수, 및/또는 상기 복수의 제 2 성긴 부분의 각각에 형성된 상기 복수의 구멍의 치수는 1마이크로미터 이상 20마이크로미터 이하인 것을 특징으로 하는 정전척.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 방향을 따라 보았을 때에 상기 제 1 성긴 부분에 형성된 복수의 구멍은 상기 제 1 성긴 부분의 중심부에 위치하는 제 1 구멍을 포함하고,
    상기 복수의 구멍 중 상기 제 1 구멍과 인접하여 상기 제 1 구멍을 둘러싸는 구멍의 수는 6개이고, 및/또는
    상기 제 1 방향을 따라 보았을 때에 상기 제 2 성긴 부분에 형성된 복수의 구멍은 상기 제 2 성긴 부분의 중심부에 위치하는 제 2 구멍을 포함하고,
    상기 복수의 구멍 중 상기 제 2 구멍과 인접하여 상기 제 2 구멍을 둘러싸는 구멍의 수는 6개인 것을 특징으로 하는 정전척.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 세라믹 유전체 기판은 상기 제 1 주면과 상기 제 1 다공질부 사이에 위치하는 제 1 구멍부를 갖고,
    상기 세라믹 유전체 기판 및 상기 제 1 다공질부 중 적어도 어느 하나는 상기 제 1 구멍부와 상기 제 1 다공질부 사이에 위치하는 제 2 구멍부를 갖고,
    상기 제 1 방향과 대략 직교하는 제 2 방향에 있어서 상기 제 2 구멍부의 치수는 상기 제 1 다공질부의 치수보다 작고, 상기 제 1 구멍부의 치수보다 큰 것을 특징으로 하는 정전척.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 다공 영역은 상기 제 1 성긴 부분의 밀도보다 높은 밀도를 갖고, 상기 제 2 방향에 있어서의 치수가 상기 제 2 방향에 있어서의 상기 조밀한 부분의 치수보다 큰 제 1 치밀부를 더 갖고,
    상기 제 1 방향에 대하여 수직인 평면에 투영했을 때에 상기 제 1 치밀부와 상기 제 1 구멍부는 겹치는 것을 특징으로 하는 정전척.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 방향에 대하여 수직인 평면에 투영했을 때에 상기 제 1 치밀부의 주위에 상기 복수의 제 1 성긴 부분이 형성되는 것을 특징으로 하는 정전척.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 치밀부의 상기 제 1 방향을 따르는 길이는 상기 제 1 다공질부의 상기 제 1 방향을 따르는 길이보다 작은 것을 특징으로 하는 정전척.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 방향에 있어서 상기 제 1 치밀부와 상기 베이스 플레이트 사이에 상기 제 1 성긴 부분이 형성되는 것을 특징으로 하는 정전척.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 치밀부의 상기 제 1 방향을 따르는 길이는 상기 제 1 다공질부의 상기 제 1 방향을 따르는 길이와 대략 같은 것을 특징으로 하는 정전척.
  13. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 복수의 제 1 성긴 부분의 각각은 상기 제 1 방향에 대하여 소정의 각도 기울어진 방향으로 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 정전척.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 복수의 제 1 성긴 부분의 각각에 형성된 상기 복수의 구멍은 상기 가스 도입로로부터 도입된 가스가 유통 가능하게 되어 있는 것을 특징으로 하는 정전척.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 방향과, 상기 제 1 성긴 부분이 연장되는 방향 사이의 각도는 5° 이상 30° 이하인 것을 특징으로 하는 정전척.
  16. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 정전척과,
    상기 정전척에 형성된 가스 도입로에 가스를 공급 가능한 공급부를 구비한 것을 특징으로 하는 처리 장치.
KR1020200019349A 2019-03-05 2020-02-18 정전척 및 처리 장치 KR102340517B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019039861 2019-03-05
JPJP-P-2019-039861 2019-03-05
JP2020013599A JP7441402B2 (ja) 2019-03-05 2020-01-30 静電チャック、および処理装置
JPJP-P-2020-013599 2020-01-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200106827A true KR20200106827A (ko) 2020-09-15
KR102340517B1 KR102340517B1 (ko) 2021-12-20

Family

ID=72429905

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200019349A KR102340517B1 (ko) 2019-03-05 2020-02-18 정전척 및 처리 장치

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7441402B2 (ko)
KR (1) KR102340517B1 (ko)
TW (1) TWI771656B (ko)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003338492A (ja) 2002-05-21 2003-11-28 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US20050011456A1 (en) * 2001-11-30 2005-01-20 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and gas discharge suppressing member
JP2006344766A (ja) * 2005-06-09 2006-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置
KR20090097229A (ko) * 2008-03-11 2009-09-16 전영재 반도체 및 ｌｃｄ 제조용 정전척
JP2009218592A (ja) 2008-03-11 2009-09-24 Ngk Insulators Ltd 静電チャック
JP2010123712A (ja) 2008-11-19 2010-06-03 Nihon Ceratec Co Ltd 静電チャックおよびその製造方法
JP2017157726A (ja) * 2016-03-03 2017-09-07 日本特殊陶業株式会社 保持装置および保持装置の製造方法
JP2017158917A (ja) * 2016-03-11 2017-09-14 東芝メディカルシステムズ株式会社 医用診断装置、および医用解析プログラム

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4136365B2 (ja) * 2001-12-06 2008-08-20 日本碍子株式会社 セラミック多孔質体及びセラミックフィルタ
JP2007253144A (ja) 2005-07-21 2007-10-04 Ibiden Co Ltd ハニカム構造体及び排ガス浄化装置
US20090086401A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Intevac, Inc. Electrostatic chuck apparatus
JP6005579B2 (ja) 2012-04-27 2016-10-12 日本碍子株式会社 半導体製造装置用部材
JP5633766B2 (ja) * 2013-03-29 2014-12-03 Toto株式会社 静電チャック
JP6722518B2 (ja) * 2016-06-09 2020-07-15 新光電気工業株式会社 焼結体及びその製造方法と静電チャック

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050011456A1 (en) * 2001-11-30 2005-01-20 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and gas discharge suppressing member
JP2003338492A (ja) 2002-05-21 2003-11-28 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2006344766A (ja) * 2005-06-09 2006-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置
KR20090097229A (ko) * 2008-03-11 2009-09-16 전영재 반도체 및 ｌｃｄ 제조용 정전척
JP2009218592A (ja) 2008-03-11 2009-09-24 Ngk Insulators Ltd 静電チャック
JP2010123712A (ja) 2008-11-19 2010-06-03 Nihon Ceratec Co Ltd 静電チャックおよびその製造方法
JP2017157726A (ja) * 2016-03-03 2017-09-07 日本特殊陶業株式会社 保持装置および保持装置の製造方法
JP2017158917A (ja) * 2016-03-11 2017-09-14 東芝メディカルシステムズ株式会社 医用診断装置、および医用解析プログラム

Also Published As

Publication number Publication date
TW202034451A (zh) 2020-09-16
KR102340517B1 (ko) 2021-12-20
JP7441402B2 (ja) 2024-03-01
TWI771656B (zh) 2022-07-21
JP2020150255A (ja) 2020-09-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102204659B1 (ko) 정전 척
KR102000501B1 (ko) 정전 척
JP7424362B2 (ja) 静電チャック
KR102340523B1 (ko) 정전척 및 처리 장치
US11417556B2 (en) Electrostatic chuck and processing apparatus
US20200286767A1 (en) Electrostatic chuck and processing apparatus
JP7402411B2 (ja) 静電チャック
KR102340517B1 (ko) 정전척 및 처리 장치
KR102340524B1 (ko) 정전척 및 처리 장치
JP2019165195A (ja) 静電チャック
JP7412684B2 (ja) 静電チャック
CN111668150B (zh) 静电吸盘及处理装置
CN111668151B (zh) 静电吸盘及处理装置

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant