KR20200103408A - Method for regenerating waste of photoresist stripper - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 재생 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for regenerating waste photoresist stripper.
반도체 집적 회로의 제조 공정은 기판 상에 도전성 금속막 및 하부막을 형성하고, 상기 하부막 상에 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 패턴을 마스크로 상기 하부막을 패터닝하는 공정을 포함한다. 이러한 패터닝 공정 후 상기 하부막 상에 잔류하는 포토레지스트를 제거하는 공정을 거치게 되는데, 이를 위해 사용되는 것이 포토레지스트 스트리퍼이다.The manufacturing process of a semiconductor integrated circuit includes forming a conductive metal film and a lower film on a substrate, forming a photoresist pattern on the lower film, and then patterning the lower film using the pattern as a mask. After the patterning process, a photoresist remaining on the lower layer is removed, and a photoresist stripper is used for this.
한편, 반도체의 제조 공정에서 발생되는 상기 스트리퍼 폐액에는 각종 용제, 포토레지스트에 포함되어 있던 수지, 수분, 중금속 등의 불순물이 함유되어 있다. 상기 스트리퍼 폐액은 대부분 공정 연료로 소각되거나 낮은 수준으로 재활용되고 있다. 그 과정에서 2차 오염원의 제공과 환경 오염이 유발된다. 더욱이 IT 산업의 발달과 더불어 상기 스트리퍼 폐액의 배출량이 대폭 증가하고 있다.On the other hand, the stripper waste liquid generated in the semiconductor manufacturing process contains impurities such as various solvents, resins contained in the photoresist, moisture, and heavy metals. The stripper waste liquid is mostly incinerated as process fuel or recycled to a low level. In the process, secondary pollution sources are provided and environmental pollution is caused. Moreover, with the development of the IT industry, the discharge amount of the stripper waste liquid is increasing significantly.
이러한 상황과 맞물려, 상기 스트리퍼 폐액에 대한 낮은 수준의 재활용을 넘는 고도의 재생 기술에 대한 연구가 이루어지고 있다.In conjunction with this situation, research on advanced regeneration technology beyond the low level of recycling of the stripper waste liquid is being conducted.
예를 들어, 상기 스트리퍼 폐액을 정제하여 각각의 원재료를 회수한 후, 상기 원재료를 분석하고 용매에 희석시킨 첨가제를 추가하여 상기 스트리퍼 폐액을 재생하는 방법이 제안되었다.For example, after purifying the stripper waste liquid to recover each raw material, a method of regenerating the stripper waste liquid by analyzing the raw material and adding an additive diluted in a solvent has been proposed.
하지만, 각각의 원재료를 회수하여 재료를 분석하고, 첨가제를 용매에 희석하는데 많은 시간과 비용이 소모되어 효율성이 떨어지고, 재생 과정에서 함량에 오차가 발생하여 각종 첨가제의 정량 투입이 어려운 한계가 있다.However, a lot of time and cost are consumed to recover each raw material to analyze the material, and to dilute the additive in a solvent, resulting in a decrease in efficiency, and there is a limitation in that it is difficult to quantitatively input various additives due to an error in content during the regeneration process.
본 발명은 포토레지스트 스트리퍼 폐액에 포함된 주요 성분들을 재사용하여 친환경적이고 비용 절감에 유리하면서도, 포토레지스트 스트리퍼 신품과 동등한 품질의 재생품을 신뢰성있게 제공할 수 있는 재생 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a regeneration method capable of reliably providing a regenerated product of the same quality as a new photoresist stripper while being eco-friendly and advantageous in cost reduction by reusing major components contained in a photoresist stripper waste liquid.
본 발명에 따르면,According to the present invention,
*20 중량% 내지 55 중량%의 알킬렌 글리콜 화합물 및 45 중량% 내지 80 중량%의 비양자성 유기용매를 포함하는 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액을 준비하는 단계;* Preparing a purification solution of a photoresist stripper waste liquid containing 20% to 55% by weight of an alkylene glycol compound and 45% to 80% by weight of an aprotic organic solvent;
15 중량% 내지 55 중량%의 아민 화합물, 40 중량% 내지 80 중량%의 비양자성 유기용매, 및 0.5 중량% 내지 10 중량%의 부식 방지제를 포함하는 재생용 조성물을 준비하는 단계; 및Preparing a regeneration composition comprising 15% to 55% by weight of an amine compound, 40% to 80% by weight of an aprotic organic solvent, and 0.5% to 10% by weight of a corrosion inhibitor; And
상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액을 상기 재생용 조성물과 접촉시키는 단계Contacting the purification liquid of the photoresist stripper waste liquid with the regeneration composition
를 포함하는, 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 재생 방법이 제공된다.Containing, there is provided a method for regenerating waste photoresist stripper.
이하, 발명의 구현 예에 따른 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 재생 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a method of regenerating a photoresist stripper waste liquid according to an embodiment of the present invention will be described.
본 명세서 명시적인 언급이 없는 한, 전문용어는 단지 특정 구현예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다.Unless expressly stated in the specification, terminology is only intended to refer to specific embodiments and is not intended to limit the invention.
본 명세서에서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. The singular forms used in the present specification also include plural forms unless the phrases clearly indicate the opposite.
본 명세서에서 사용되는 '포함'의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 또는 성분의 부가를 제외시키는 것은 아니다.The meaning of'comprising' as used herein specifies a specific characteristic, region, integer, step, action, element or component, and excludes the addition of another specific characteristic, region, integer, step, action, element, or component. It is not.
발명의 일 구현 예에 따르면,According to one embodiment of the invention,
20 중량% 내지 55 중량%의 알킬렌 글리콜 화합물 및 45 중량% 내지 80 중량%의 비양자성 유기용매를 포함하는 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액을 준비하는 단계;Preparing a purification solution of a photoresist stripper waste solution comprising 20% to 55% by weight of an alkylene glycol compound and 45% to 80% by weight of an aprotic organic solvent;
15 중량% 내지 55 중량%의 아민 화합물, 40 중량% 내지 80 중량%의 비양자성 유기용매, 및 0.5 중량% 내지 10 중량%의 부식 방지제를 포함하는 재생용 조성물을 준비하는 단계; 및Preparing a regeneration composition comprising 15% to 55% by weight of an amine compound, 40% to 80% by weight of an aprotic organic solvent, and 0.5% to 10% by weight of a corrosion inhibitor; And
상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액을 상기 재생용 조성물과 접촉시키는 단계Contacting the purification liquid of the photoresist stripper waste liquid with the regeneration composition
를 포함하는, 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 재생 방법이 제공된다.Containing, there is provided a method for regenerating waste photoresist stripper.
본 발명자들의 계속적인 연구 결과, 상기 재생 방법을 이용할 경우 포토레지스트 스트리퍼를 제조하는데 필요한 원재료를 일정 함량으로 포함하고 있는 재생용 조성물을 사용함에 따라 분석 시간의 단축과 원재료 비용의 절감이 가능하고, 사용 전의 포토레지스트 스트리퍼와 동등한 품질의 재생된 스트리퍼를 신뢰성있게 제공할 수 있음이 확인되었다.As a result of continuous research by the present inventors, when the above regeneration method is used, it is possible to shorten the analysis time and reduce the cost of raw materials by using a regeneration composition containing a certain amount of raw materials necessary for manufacturing a photoresist stripper. It has been found that it is possible to reliably provide a recycled stripper of equivalent quality to the previous photoresist stripper.
(i) 스트리퍼 폐액의 정제액을 준비하는 단계(i) preparing a purified liquid of the stripper waste liquid
발명의 구현 예에 따르면, 20 중량% 내지 55 중량%의 알킬렌 글리콜 화합물 및 45 중량% 내지 80 중량%의 비양자성 유기용매를 포함하는 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액을 준비하는 단계가 수행된다.According to an embodiment of the present invention, a step of preparing a purification solution of a photoresist stripper waste liquid containing 20% to 55% by weight of an alkylene glycol compound and 45% to 80% by weight of an aprotic organic solvent is performed.
상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액은, 포토레지스트 스트리퍼를 반도체의 제조 공정에 사용한 후 수집된 포토레지스트 스트리퍼 폐액을 정제하여 얻어질 수 있다.The purification liquid of the photoresist stripper waste liquid may be obtained by purifying the collected photoresist stripper waste liquid after using the photoresist stripper in a semiconductor manufacturing process.
상기 정제에 의해 포토레지스트 스트리퍼 폐액에 포함되어 있던 고형분, 불순물 및 수분 등이 제거되고, 알킬렌 글리콜 화합물 및 비양자성 유기용매를 포함한 상기 정제액이 얻어진다.By the purification, solids, impurities, moisture, etc. contained in the photoresist stripper waste solution are removed, and the purification solution containing an alkylene glycol compound and an aprotic organic solvent is obtained.
바람직하게는, Preferably,
상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액을 준비하는 단계는,Preparing a purification solution of the photoresist stripper waste solution,
알킬렌 글리콜 화합물, 비양자성 유기용매, 수분, 저비점 불순물, 고형분, 및 고비점 불순물을 포함한 포토레지스트 스트리퍼 폐액을 준비하는 단계;Preparing a photoresist stripper waste liquid including an alkylene glycol compound, an aprotic organic solvent, moisture, a low boiling point impurity, a solid content, and a high boiling point impurity;
제1 증류 컬럼에서 상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액을 증류하여, 수분과 저비점 불순물을 포함한 상부 배출물 및 상기 폐액의 잔부를 포함한 하부 배출물을 얻는 제1 증류 공정; 및A first distillation step of distilling the photoresist stripper waste liquid in a first distillation column to obtain an upper discharge including moisture and low boiling point impurities and a lower discharge including the remainder of the waste liquid; And
제2 증류 컬럼에서 상기 제1 증류 공정의 하부 배출물을 증류하여, 고형분과 고비점 불순물을 포함한 하부 배출물 및 상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액인 상부 배출물을 얻는 제2 증류 공정A second distillation process of distilling the lower discharge of the first distillation process in a second distillation column to obtain a lower discharge including solids and high boiling point impurities and an upper discharge which is a purified liquid of the photoresist stripper waste liquid
을 포함하여 수행될 수 있다.It can be performed including.
상기 제1 및 제2 증류 공정은 통상적인 정제 수단을 포함하는 증류 컬럼 하에 수행될 수 있다. 일 예로, 상기 제1 및 제2 증류 공정에는 다단 컬럼, 충전제가 포함된 팩 컬럼, 시브 트레이 컬럼(sieve tray column), 듀얼플로우 트레이 컬럼(dual flow tray column), 스크러빙 컬럼(scrubbing column) 등의 증류 컬럼이 이용될 수 있다.The first and second distillation processes may be performed under a distillation column including a conventional purification means. For example, the first and second distillation processes include a multistage column, a pack column including a filler, a sieve tray column, a dual flow tray column, a scrubbing column, etc. A distillation column can be used.
효율적인 정제가 이루어질 수 있도록 하기 위하여, 상기 제1 및 제2 증류 컬럼에 피드가 공급되는 피드 포인트는 각 증류 컬럼의 중단부인 것이 유리하며, 바람직하게는 증류 컬럼의 최상단으로부터 전체 단의 40% 내지 60%에 해당하는 어느 한 지점일 수 있다.In order to enable efficient purification, the feed point at which the feed is supplied to the first and second distillation columns is advantageously at the end of each distillation column, preferably 40% to 60% of the total stage from the top of the distillation column. It can be any point corresponding to %.
특히, 상기 조성을 충족하는 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액을 얻기 위하여, 상기 제1 증류 컬럼은 100 torr 내지 200 torr의 컬럼 내부 압력 하에서, 100 내지 120 ℃의 컬럼 하부 온도 및 25 내지 50 ℃의 컬럼 상부 온도를 유지시키는 것이 바람직하다. 이러한 운전 조건 하에서, 상기 폐액 중 수분 및 저비점 불순물이 상기 제1 증류 컬럼의 상부로 배출되고, 그 나머지는 상기 제1 증류 컬럼의 하부로 배출될 수 있다.In particular, in order to obtain a purified solution of the photoresist stripper waste solution that satisfies the above composition, the first distillation column has a temperature under the column of 100 to 120 °C and an upper column of 25 to 50 °C under an internal pressure of 100 torr to 200 torr. It is desirable to maintain the temperature. Under such operating conditions, moisture and low-boiling impurities in the waste liquid may be discharged to the upper portion of the first distillation column, and the rest may be discharged to the lower portion of the first distillation column.
그리고, 상기 조성을 충족하는 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액을 얻기 위하여, 상기 제2 증류 컬럼은 30 torr 내지 100 torr의 컬럼 내부 압력 하에서, 100 내지 120 ℃의 컬럼 하부 온도 및 60 내지 100 ℃의 컬럼 상부 온도를 유지시키는 것이 바람직하다. 이러한 운전 조건 하에서, 상기 제1 증류 공정의 하부 배출물 중 고형분 및 고비점 불순물이 상기 제2 증류 컬럼의 하부로 배출되고, 그 나머지는 상기 제2 증류 컬럼의 상부로 배출될 수 있다.In addition, in order to obtain a purified solution of the photoresist stripper waste solution satisfying the above composition, the second distillation column has a temperature under the column of 100 to 120 °C and an upper column of 60 to 100 °C under an internal pressure of 30 torr to 100 torr. It is desirable to maintain the temperature. Under these operating conditions, solids and high boiling point impurities among the lower discharged products of the first distillation process may be discharged to the lower portion of the second distillation column, and the remainder may be discharged to the upper part of the second distillation column.
상기 예에서, 상기 제2 증류 컬럼의 상부 배출물은 상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액이다.In the above example, the upper discharge of the second distillation column is a purified liquid of the photoresist stripper waste liquid.
발명의 구현 예에 따르면, 상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액은 20 중량% 내지 55 중량%의 알킬렌 글리콜 화합물 및 45 중량% 내지 80 중량%의 비양자성 유기용매를 포함하는 것이 바람직하다.According to an embodiment of the present invention, it is preferable that the purification solution of the photoresist stripper waste solution contains 20% to 55% by weight of an alkylene glycol compound and 45% to 80% by weight of an aprotic organic solvent.
즉, 상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액에 대한 상기 정제를 통해 상기 폐액 중 재사용 가능한 주요 성분인 상기 알킬렌 글리콜 화합물 및 상기 비양자성 유기용매를 가급적 많이 회수하는 것이 바람직하다. 다만, 최종적으로 재생된 스트리퍼가 갖는 타겟 조성을 고려하여 상기 알킬렌 글리콜 화합물 및 상기 비양자성 유기용매의 최소 또는 최대 함량이 결정될 수 있다.That is, it is preferable to recover as much as possible the alkylene glycol compound and the aprotic organic solvent, which are reusable main components in the waste solution, through the purification of the photoresist stripper waste solution. However, the minimum or maximum content of the alkylene glycol compound and the aprotic organic solvent may be determined in consideration of the target composition of the finally recycled stripper.
여기서, 상기 알킬렌 글리콜 화합물로는, 비스(2-히드록시에틸) 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노에틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 및 트리프로필렌글리콜 모노부틸로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물이 바람직하게 포함될 수 있다.Here, as the alkylene glycol compound, bis(2-hydroxyethyl) ether, diethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether , Propylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, di Propylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, triethylene glycol monopropyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether, tripropylene glycol monoethyl ether, tripropylene At least one compound selected from the group consisting of glycol monopropyl ether and tripropylene glycol monobutyl may be preferably included.
그리고, 상기 비양자성 유기용매로는, N-메틸-2-피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 디메틸설폭사이드, N-메틸포름아마이드, N,N-디메틸아세트아마이드, N,N-디메틸포름아마이드, N,N-디메틸이미다졸, 및 N,N-디메틸프로피온아마이드로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물이 바람직하게 포함될 수 있다.And, as the aprotic organic solvent, N-methyl-2-pyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, dimethyl sulfoxide, N-methylformamide, N,N-dimethylacetamide , N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylimidazole, and at least one compound selected from the group consisting of N,N-dimethylpropionamide may be preferably included.
발명의 구현 예에 따르면, 상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액은 2 종 이상의 상기 비양자성 유기용매를 포함하는 것이, 포토레지스트에 대한 박리 효율의 확보에 유리할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, it may be advantageous to secure peeling efficiency for the photoresist when the purification solution of the photoresist stripper waste solution contains two or more types of the aprotic organic solvent.
비제한적인 예로, 상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액에 2 종의 상기 비양자성 유기용매가 포함될 경우, 제1 비양자성 유기용매 대 제2 비양자성 유기용매는 1: 2 내지 1: 5의 중량비로 포함될 수 있다.As a non-limiting example, when two kinds of aprotic organic solvents are included in the purification solution of the photoresist stripper waste solution, the first aprotic organic solvent to the second aprotic organic solvent is 1: 2 to 1: 5 Can be included.
바람직하게는, 상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액은 20 중량% 내지 55 중량%의 알킬렌 글리콜 화합물, 10 중량% 내지 25 중량%의 제1 비양자성 유기용매, 및 45 중량% 내지 55 중량%의 제2 비양자성 유기용매를 포함할 수 있다.Preferably, the purification solution of the photoresist stripper waste solution is 20% to 55% by weight of an alkylene glycol compound, 10% to 25% by weight of the first aprotic organic solvent, and 45% to 55% by weight of It may contain a second aprotic organic solvent.
(ii) 재생용 조성물을 준비하는 단계(ii) preparing a composition for regeneration
발명의 구현 예에 따르면, 15 중량% 내지 55 중량%의 아민 화합물, 40 중량% 내지 80 중량%의 비양자성 유기용매, 및 0.5 중량% 내지 10 중량%의 부식 방지제를 포함하는 재생용 조성물을 준비하는 단계가 수행된다.According to an embodiment of the invention, a composition for regeneration comprising 15% to 55% by weight of an amine compound, 40% to 80% by weight of an aprotic organic solvent, and 0.5% to 10% by weight of a corrosion inhibitor is prepared. The step is performed.
상기 재생용 조성물은 상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액이 포토레지스트 스트리퍼 신품과 동등한 품질을 가질 수 있도록 재생하는데 사용되는 조성물이다.The regeneration composition is a composition used for regeneration so that the purification liquid of the photoresist stripper waste liquid has the same quality as a new photoresist stripper.
상기 재생용 조성물은 최종적으로 재생된 스트리퍼가 갖는 타겟 조성을 고려하여 아민 화합물, 비양자성 유기용매 및 부식 방지제를 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the regeneration composition contains an amine compound, an aprotic organic solvent, and a corrosion inhibitor in consideration of the target composition of the finally regenerated stripper.
여기서, 상기 재생용 조성물에 포함되는 상기 비양자성 유기용매는 상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액에 포함된 것과 같거나 다른 화합물일 수 있다.Here, the aprotic organic solvent included in the regeneration composition may be a compound that is the same as or different from that included in the purification solution of the photoresist stripper waste solution.
상기 아민 화합물은 포토레지스트에 대한 박리성을 나타내는 성분으로서, 그 종류는 특별히 한정되지 않는다.The amine compound is a component exhibiting releasability to a photoresist, and its kind is not particularly limited.
바람직하게는, 상기 아민 화합물로는, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올, 모노메탄올 아민, 모노에탄올 아민, N-메틸에틸아민, 1-아미노이소프로판올, 메틸 디메틸아민, 디에틸렌 트리아민, 2-메틸아미노에탄올, 3-아미노프로판올, 다이에탄올아민, 디에틸아미노에탄올, 트리에탄올아민, 트리에틸렌 테트라아민, 이미다졸릴-4-에탄올, 아미노 에틸 피페라진, 및 히드록시 에틸피페라진으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물이 포함될 수 있다.Preferably, as the amine compound, 2-(2-aminoethoxy)ethanol, 2-(2-aminoethylamino)ethanol, monomethanol amine, monoethanol amine, N-methylethylamine, 1-aminoisopropanol , Methyl dimethylamine, diethylene triamine, 2-methylaminoethanol, 3-aminopropanol, diethanolamine, diethylaminoethanol, triethanolamine, triethylene tetraamine, imidazolyl-4-ethanol, amino ethyl piperazine , And one or more compounds selected from the group consisting of hydroxy ethyl piperazine may be included.
상기 아민 화합물은 상기 재생용 조성물에 15 중량% 내지 55 중량%, 혹은 20 중량% 내지 55 중량%, 혹은 20 중량% 내지 50 중량%, 혹은 25 중량% 내지 50 중량%, 혹은 25 중량% 내지 49 중량%로 포함되는 것이 바람직하다.The amine compound is 15% to 55% by weight, or 20% to 55% by weight, or 20% to 50% by weight, or 25% to 50% by weight, or 25% to 49% by weight in the regeneration composition. It is preferably included in weight percent.
즉, 재생된 스트리퍼가 갖는 박리성이 확보될 수 있도록 하기 위하여, 상기 아민 화합물은 상기 재생용 조성물의 전체 중량을 기준으로 15 중량% 이상, 혹은 20 중량% 이상, 혹은 25 중량% 이상으로 포함되는 것이 바람직하다.That is, in order to ensure the releasability of the regenerated stripper, the amine compound is included in 15% by weight or more, or 20% by weight or more, or 25% by weight or more based on the total weight of the regeneration composition. It is desirable.
다만, 상기 아민 화합물이 과량으로 포함될 경우 반도체 소자를 구성하는 하부막의 부식을 초래할 수 있다. 이를 방지하기 위해 부식 방지제의 첨가량을 늘릴 경우 과량의 부식 방지제가 상기 하부막에 잔류하여 반도체 소자의 전기적 특성이 저하될 수 있다. 그러므로, 상기 아민 화합물은 상기 재생용 조성물의 전체 중량을 기준으로 55 중량% 이하, 혹은 50 중량% 이하, 혹은 49 중량% 이하로 포함되는 것이 바람직하다.However, when the amine compound is included in an excessive amount, corrosion of the lower layer constituting the semiconductor device may be caused. In order to prevent this, when the amount of the corrosion inhibitor is increased, an excessive amount of the corrosion inhibitor may remain on the lower layer, thereby deteriorating the electrical characteristics of the semiconductor device. Therefore, the amine compound is preferably contained in an amount of 55% by weight or less, or 50% by weight or less, or 49% by weight or less based on the total weight of the regeneration composition.
상기 비양자성 유기용매는 상기 아민 화합물을 양호하게 용해시키고, 재생된 스트리퍼가 포토레지스트 패턴상에 적절히 스며들 수 있게 하는 성분이다.The aprotic organic solvent is a component that satisfactorily dissolves the amine compound and allows the regenerated stripper to properly permeate the photoresist pattern.
상기 비양자성 유기용매로는, N-메틸-2-피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 디메틸설폭사이드, N-메틸포름아마이드, N,N-디메틸아세트아마이드, N,N-디메틸포름아마이드, N,N-디메틸이미다졸, 및 N,N-디메틸프로피온아마이드로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물이 바람직하게 포함될 수 있다.As the aprotic organic solvent, N-methyl-2-pyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, dimethyl sulfoxide, N-methylformamide, N,N-dimethylacetamide, N ,N-dimethylformamide, N,N-dimethylimidazole, and at least one compound selected from the group consisting of N,N-dimethylpropionamide may be preferably included.
바람직하게는, 상기 재생용 조성물은 상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액에 포함된 것과 동일한 상기 비양자성 유기용매를 포함하는 것이 신뢰성있는 품질을 제공하는데 유리할 수 있다.Preferably, the regeneration composition may be advantageous in providing reliable quality to include the same aprotic organic solvent as contained in the purification solution of the photoresist stripper waste solution.
상기 비양자성 유기용매는 상기 재생용 조성물에 40 중량% 내지 80 중량%, 혹은 45 중량% 내지 80 중량%, 혹은 45 중량% 내지 75 중량%, 혹은 48 중량% 내지 75 중량%, 혹은 48 중량% 내지 72 중량%로 포함되는 것이 바람직하다.The aprotic organic solvent is 40% to 80% by weight, or 45% to 80% by weight, or 45% to 75% by weight, or 48% to 75% by weight, or 48% by weight in the regeneration composition It is preferably contained in to 72% by weight.
즉, 재생된 스트리퍼가 갖는 린스력이 확보될 수 있도록 하기 위하여, 상기 비양자성 유기용매는 상기 재생용 조성물의 전체 중량을 기준으로 40 중량% 이상, 혹은 45 중량% 이상, 혹은 48 중량% 이상으로 포함되는 것이 바람직하다.That is, in order to ensure the rinsing power of the regenerated stripper, the aprotic organic solvent is 40% by weight or more, or 45% by weight or more, or 48% by weight or more based on the total weight of the regeneration composition. It is preferably included.
다만, 상기 비양자성 유기용매가 과량으로 포함될 경우 상기 아민 화합물의 농도 저하로 인한 박리성의 저하를 야기할 수 있다. 그러므로, 상기 비양자성 유기용매는 상기 재생용 조성물의 전체 중량을 기준으로 80 중량% 이하, 혹은 75 중량% 이하, 혹은 72 중량% 이하로 포함되는 것이 바람직하다.However, when the aprotic organic solvent is included in an excessive amount, it may cause a decrease in peelability due to a decrease in the concentration of the amine compound. Therefore, the aprotic organic solvent is preferably included in an amount of 80% by weight or less, or 75% by weight or less, or 72% by weight or less based on the total weight of the regeneration composition.
그리고, 상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액에 대한 일 예와 같이, 상기 재생용 조성물은 2 종 이상의 상기 비양자성 유기용매를 포함할 수 있다. 비제한적인 예로, 상기 재생용 조성물에 2 종의 상기 비양자성 유기용매가 포함될 경우, 제1 비양자성 유기용매 대 제2 비양자성 유기용매는 1: 2 내지 1: 25의 중량비로 포함될 수 있다. 상기 중량비는 최종적으로 재생된 스트리퍼가 갖는 타겟 조성을 고려하려 조정될 수 있다.And, as an example of the photoresist stripper waste liquid, the regeneration composition may include two or more types of the aprotic organic solvent. As a non-limiting example, when the two kinds of aprotic organic solvents are included in the regeneration composition, the first aprotic organic solvent to the second aprotic organic solvent may be included in a weight ratio of 1: 2 to 1: 25. The weight ratio can be adjusted to take into account the target composition of the finally recycled stripper.
상기 부식 방지제는 포토레지스트 스트리퍼에 의한 반도체 소자의 부식을 억제하기 위한 성분으로서, 그 종류는 특별히 한정되지 않는다.The corrosion inhibitor is a component for suppressing corrosion of a semiconductor device by a photoresist stripper, and its kind is not particularly limited.
바람직하게는, 상기 부식 방지제로는, 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 갖는 알킬 갈레이트 화합물, 벤즈이미다졸계 화합물, 트리아졸계 화합물, 및 테트라졸계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물이 포함될 수 있다.Preferably, the corrosion inhibitor may include at least one compound selected from the group consisting of an alkyl gallate compound having an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a benzimidazole compound, a triazole compound, and a tetrazole compound. .
예를 들어, 상기 알킬 갈레이트 화합물은 메틸 갈레이트, 에틸 갈레이트, 프로필 갈레이트, 부틸 갈레이트 등일 수 있다.For example, the alkyl gallate compound may be methyl gallate, ethyl gallate, propyl gallate, butyl gallate, or the like.
예를 들어, 상기 벤즈이미다졸계 화합물은 벤즈이미다졸, 2-히드록시벤즈이미다졸, 2-메틸벤즈이미다졸, 2-(히드록시메틸)벤즈이미다졸, 2-머캡토벤즈이미다졸 등일 수 있다.For example, the benzimidazole-based compound may be benzimidazole, 2-hydroxybenzimidazole, 2-methylbenzimidazole, 2-(hydroxymethyl)benzimidazole, 2-mercaptobenzimidazole, etc. have.
예를 들어, 상기 테트라졸계 화합물은 5-아미노테트라졸 또는 이의 수화물일 수 있다.For example, the tetrazole-based compound may be 5-aminotetrazole or a hydrate thereof.
예를 들어, 상기 트리아졸계 화합물은 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물일 수 있다:For example, the triazole-based compound may be a compound represented by Formula 1 or Formula 2:
[화학식 1][Formula 1]
[화학식 2][Formula 2]
상기 화학식 1 또는 2에서,In Formula 1 or 2,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고,R 1 and R 2 are each independently hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms,
a 및 b는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고,a and b are each independently an integer of 1 to 4,
R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 히드록시알킬기이다.R 3 and R 4 are each independently a hydroxyalkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
상기 부식 방지제는 상기 재생용 조성물에 0.5 중량% 내지 10 중량%, 혹은 1.0 중량% 내지 10 중량%, 혹은 1.0 중량% 내지 7.5 중량%, 혹은 1.5 중량% 내지 7.5 중량%, 혹은 1.5 중량% 내지 5.0 중량%, 혹은 1.5 중량% 내지 3.5 중량%로 포함되는 것이 바람직하다.The corrosion inhibitor is 0.5 wt% to 10 wt%, or 1.0 wt% to 10 wt%, or 1.0 wt% to 7.5 wt%, or 1.5 wt% to 7.5 wt%, or 1.5 wt% to 5.0 wt% in the regeneration composition It is preferably contained in weight%, or 1.5% to 3.5% by weight.
즉, 재생된 스트리퍼가 갖는 부식 방지 효과가 확보될 수 있도록 하기 위하여, 상기 부식 방지제는 상기 재생용 조성물의 전체 중량을 기준으로 0.5 중량% 이상, 혹은 1.0 중량% 이상, 혹은 1.5 중량% 이상으로 포함되는 것이 바람직하다.That is, in order to ensure the corrosion prevention effect of the regenerated stripper, the corrosion inhibitor is included in an amount of 0.5% by weight or more, or 1.0% by weight or more, or 1.5% by weight or more based on the total weight of the regeneration composition. It is desirable to be.
다만, 상기 부식 방지제가 과량으로 포함될 경우 반도체 소자의 하부막에 잔류하여 반도체 소자의 전기적 특성이 저하될 수 있다. 그러므로, 상기 부식 방지제는 상기 재생용 조성물의 전체 중량을 기준으로 10 중량% 이하, 혹은 7.5 중량% 이하, 혹은 5.0 중량% 이하, 혹은 3.5 중량% 이하로 포함되는 것이 바람직하다.However, when the corrosion inhibitor is included in an excessive amount, it may remain on the lower layer of the semiconductor device and the electrical characteristics of the semiconductor device may be deteriorated. Therefore, the corrosion inhibitor is preferably contained in an amount of 10% by weight or less, or 7.5% by weight or less, or 5.0% by weight or less, or 3.5% by weight or less based on the total weight of the regeneration composition.
그리고, 상기 재생용 조성물은 2 종 이상의 상기 부식 방지제를 포함하는 것이, 재생된 스트리퍼의 부식 방지 효과의 확보에 유리할 수 있다.In addition, when the composition for regeneration includes two or more types of the corrosion inhibitor, it may be advantageous in securing a corrosion-preventing effect of the regenerated stripper.
비제한적인 예로, 상기 재생용 조성물에 2 종의 상기 부식 방지제가 포함될 경우, 제1 부식 방지제 대 제2 부식 방지제는 1: 0.1 내지 1: 0.5의 중량비로 포함될 수 있다.As a non-limiting example, when two types of corrosion inhibitors are included in the regeneration composition, the first corrosion inhibitor to the second corrosion inhibitor may be included in a weight ratio of 1: 0.1 to 1: 0.5.
바람직하게는, 상기 재생용 조성물은, 15 중량% 내지 55 중량%의 아민 화합물, 2 중량% 내지 20 중량%의 제1 비양자성 유기용매, 40 중량% 내지 55 중량%의 제2 비양자성 유기용매, 1 중량% 내지 3 중량%의 제1 부식 방지제, 및 0.5 중량% 내지 1 중량%의 제2 부식 방지제를 포함할 수 있다.Preferably, the regeneration composition comprises 15% to 55% by weight of an amine compound, 2% to 20% by weight of a first aprotic organic solvent, and 40% to 55% by weight of a second aprotic organic solvent , 1 wt% to 3 wt% of the first corrosion inhibitor, and 0.5 wt% to 1 wt% of the second corrosion inhibitor.
(iii) 상기 정제액과 상기 재생용 조성물을 접촉시키는 단계(iii) contacting the purification liquid and the regeneration composition
발명의 구현 예에 따르면, 상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액을 상기 재생용 조성물과 접촉시키는 단계가 수행된다.According to an embodiment of the present invention, the step of contacting the purification liquid of the photoresist stripper waste liquid with the regeneration composition is performed.
바람직하게는, 상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액을 상기 재생용 조성물과 접촉시키는 단계는, 상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액 35 중량% 내지 80 중량%를 상기 재생용 조성물 20 중량% 내지 65 중량%와 혼합하는 방법으로 수행될 수 있다.Preferably, the step of contacting the purification solution of the photoresist stripper waste solution with the regeneration composition comprises 35% to 80% by weight of the purification solution of the photoresist stripper waste solution 20% to 65% by weight of the recycling composition It can be carried out by a method of mixing with.
상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액 및 상기 재생용 조성물의 혼합 비를 상기 범위로 조절함에 따라, 분석 시간의 단축과 원재료 비용의 절감이 가능하고, 사용 전의 포토레지스트 스트리퍼와 동등한 품질을 재생된 스트리퍼를 신뢰성있게 제공할 수 있다.By adjusting the mixing ratio of the purification solution of the photoresist stripper waste liquid and the regeneration composition within the above range, it is possible to shorten the analysis time and reduce the cost of raw materials, and to provide a regenerated stripper having the same quality as the photoresist stripper before use. It can be provided reliably.
구체적으로, 상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액을 상기 재생용 조성물과 접촉시키는 단계에서, 상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액은 혼합되는 전체 용액의 중량을 기준으로 35 중량% 내지 80 중량%, 혹은 40 중량% 내지 80 중량%, 혹은 40 중량% 내지 75 중량%, 혹은 44 중량% 내지 75 중량%, 혹은 44 중량% 내지 70 중량%로 사용될 수 있다.Specifically, in the step of contacting the purification liquid of the photoresist stripper waste liquid with the regeneration composition, the purification liquid of the photoresist stripper waste liquid is 35% to 80% by weight, or 40% by weight based on the weight of the total solution to be mixed. It may be used in an amount of weight% to 80% by weight, or 40% to 75% by weight, or 44% to 75% by weight, or 44% to 70% by weight.
그리고, 상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액을 상기 재생용 조성물과 접촉시키는 단계에서, 상기 재생용 조성물은 혼합되는 전체 용액의 중량을 기준으로 20 중량% 내지 65 중량%, 혹은 25 중량% 내지 65 중량%, 혹은 25 중량% 내지 60 중량%, 혹은 30 중량% 내지 60 중량%, 혹은 30 중량% 내지 56 중량%로 사용될 수 있다.And, in the step of contacting the purified liquid of the photoresist stripper waste liquid with the regeneration composition, the regeneration composition is 20% to 65% by weight, or 25% to 65% by weight based on the weight of the total solution to be mixed %, or 25% to 60% by weight, or 30% to 60% by weight, or 30% to 56% by weight.
바람직하게는, 상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액을 상기 재생용 조성물과 접촉시키는 단계에서, 상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액 및 상기 재생용 조성물의 중량 비는 1: 0.4 내지 1: 1.3 일 수 있다.Preferably, in the step of contacting the purification liquid of the photoresist stripper waste liquid with the regeneration composition, the weight ratio of the purification liquid of the photoresist stripper waste liquid and the regeneration composition may be 1: 0.4 to 1: 1.3. .
상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액을 상기 재생용 조성물과 접촉시키는 단계에서, 상기 두 용액 중 어느 한 용액에만 포함된 성분들(예를 들어, 상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액에 포함된 알킬린 글리콜 화합물; 상기 재생용 조성물에 포함된 아민 화합물 및 부식 방지제)의 함량이 재생된 스트리퍼가 갖는 타겟 조성을 충족할 수 있도록 조정될 필요가 있다.In the step of contacting the purification solution of the photoresist stripper waste solution with the regeneration composition, components included in only one of the two solutions (for example, alkylline glycol contained in the purification solution of the photoresist stripper waste solution The content of the compound; the amine compound and the corrosion inhibitor) contained in the regeneration composition needs to be adjusted so as to satisfy the target composition of the regenerated stripper.
그러므로, 상기 (i) 및 (ii)에서 서술한 상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액 및 상기 재생용 조성물이 갖는 각각의 조성 범위 하에서, 상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액 및 상기 재생용 조성물을 1: 0.4 내지 1: 1.3의 중량 비로 혼합함으로써, 신뢰성있는 품질을 갖는 재생된 스트리퍼가 제공될 수 있다.Therefore, under the respective composition ranges of the photoresist stripper waste liquid and the regeneration composition described in (i) and (ii), the purification liquid of the photoresist stripper waste liquid and the regeneration composition are 1: By mixing in a weight ratio of 0.4 to 1: 1.3, a recycled stripper having reliable quality can be provided.
상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액 및 상기 재생용 조성물을 혼합하는 방법은 특별히 제한되지 않는다.A method of mixing the purification liquid of the photoresist stripper waste liquid and the regeneration composition is not particularly limited.
바람직하게는, 상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액 및 상기 재생용 조성물을 상술한 중량 비로 교반기에 넣고, 0 ℃ 내지 50 ℃의 온도 및 10 내지 100 rpm의 교반 속도 하에서 30 내지 60 분 동안 교반하여, 재생된 스트리퍼가 얻어질 수 있다.Preferably, the purification solution of the photoresist stripper waste liquid and the regeneration composition are put into a stirrer at the above-described weight ratio, and stirred for 30 to 60 minutes under a temperature of 0°C to 50°C and a stirring speed of 10 to 100 rpm, Recycled strippers can be obtained.
상기 방법으로 재생된 스트리퍼는 사용되지 않은 포토레지스트 스트리퍼 신품과 동등한 조성을 가질 수 있다.The stripper regenerated by the above method may have a composition equivalent to that of a new unused photoresist stripper.
바람직하게는, 상기 재생된 스트리퍼는 5 중량% 내지 25 중량%의 아민 화합물, 10 중량% 내지 30 중량%의 알킬렌 글리콜 화합물, 50 중량% 내지 75 중량%의 비양자성 유기용매, 및 0.1 중량% 내지 5 중량%의 부식 방지제를 포함할 수 있다.Preferably, the regenerated stripper is 5% to 25% by weight of an amine compound, 10% to 30% by weight of an alkylene glycol compound, 50% to 75% by weight of an aprotic organic solvent, and 0.1% by weight To 5% by weight of a corrosion inhibitor.
상기 조성을 충족하는 재생된 스트리퍼는 포토레지스트에 대한 우수한 박리성과 부식 방지성을 제공할 수 있다.The recycled stripper satisfying the above composition can provide excellent peelability and corrosion protection for photoresist.
본 발명에 따른 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 재생 방법은 포토레지스트 스트리퍼 폐액에 포함된 주요 성분들을 재사용할 수 있어 친환경적이고 비용 절감에 유리할 뿐 아니라, 포토레지스트 스트리퍼 신품과 동등한 품질의 재생품을 신뢰성있게 제공할 수 있다.The regeneration method of the photoresist stripper waste liquid according to the present invention is environmentally friendly and advantageous in cost reduction because the main components contained in the photoresist stripper waste liquid can be reused, and it is possible to reliably provide a regenerated product of the same quality as a new photoresist stripper. have.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예들을 제시한다. 그러나 하기의 실시예들은 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명을 이들만으로 한정하는 것은 아니다. Hereinafter, preferred embodiments are presented to aid the understanding of the present invention. However, the following examples are only for illustrating the present invention, and the present invention is not limited thereto.
제조예 1 내지 7Preparation Examples 1 to 7
15 중량%의 2-(2-아미노에톡시)에탄올(2-(2-aminoethoxy)ethanol, AEE); 20 중량%의 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르(diethylene glycol monobutyl ether, BDG); 15 중량%의 N-메틸-2-피롤리돈(N-methyl-2-pyrrolidone, NMP); 49 중량%의 N,N-디메틸아세트아마이드(N,N-dimethylacetamide, DMAc); 0.7 중량%의 메틸 갈레이트(methyl gallate, MG); 및 0.3 중량%의 4,5,6,7-테트라하이드로-1H-벤조트리아졸(4,5,6,7-tetrahydro-1H-benzotriazole, THBT)로 이루어진 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 준비하였다.15% by weight of 2-(2-aminoethoxy)ethanol (AEE); 20% by weight of diethylene glycol monobutyl ether (BDG); 15% by weight of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP); 49% by weight of N,N-dimethylacetamide (DMAc); 0.7% by weight of methyl gallate (MG); And 0.3% by weight of 4,5,6,7-tetrahydro-1H-benzotriazole (4,5,6,7-tetrahydro-1H-benzotriazole, THBT) to prepare a photoresist stripper composition.
상기 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 반도체 소자의 제조 공정의 포토레지스트 박리 공정에 사용하였다. 상기 박리 공정에서 발생된 스트리퍼 폐액을 수거하였다.The photoresist stripper composition was used in a photoresist stripping process in a semiconductor device manufacturing process. The stripper waste liquid generated in the peeling process was collected.
다단식 제1 증류 컬럼 및 제2 증류 컬럼이 구비된 정제 시스템을 이용하여 상기 스트리퍼 폐액을 정제하였다. 총 7 회에 걸친 상기 정제를 통해 하기 표 1에 나타낸 조성(중량%)을 갖는 스트리퍼 폐액의 정제액(제조예 1~7; PW-1 내지 PW-7)을 회수하였다.The stripper waste liquid was purified using a purification system equipped with a multistage first distillation column and a second distillation column. Through the purification over a total of 7 times, a purification solution (Preparation Examples 1 to 7; PW-1 to PW-7) of the stripper waste liquid having the composition (wt%) shown in Table 1 below was recovered.
상기 스트리퍼 폐액에 대한 상기 정제 공정은,The purification process for the stripper waste liquid,
피드인 상기 스트리퍼 폐액을 상기 다단식 제1 증류 컬럼에서 증류하여 수분과 저비점 불순물을 포함한 상부 배출물, 및 상기 스트리퍼 폐액의 잔부를 포함한 하부 배출물을 얻는 제1 증류 공정; 그리고A first distillation step of distilling the feed-in stripper waste liquid in the multistage first distillation column to obtain an upper discharge including moisture and low boiling point impurities, and a lower discharge including the remainder of the stripper waste liquid; And
상기 제1 증류 공정의 하부 배출물을 상기 다단식 제2 증류 컬럼에서 증류하여 고형분과 고비점 불순물을 포함한 하부 배출물, 및 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르(BDG), N-메틸-2-피롤리돈(NMP), N,N-디메틸아세트아마이드(DMAc)를 포함한 상부 배출액(즉, 상기 스트리퍼 폐액의 정제액)을 얻는 제2 증류 공정으로 수행되었다.The lower discharge of the first distillation process is distilled in the multistage second distillation column, and the lower discharge including solids and high boiling point impurities, and diethylene glycol monobutyl ether (BDG), N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) ), N,N-dimethylacetamide (DMAc) was carried out in a second distillation process to obtain an upper discharge liquid (ie, a purified liquid of the stripper waste liquid).
피드인 상기 스트리퍼 폐액은 상기 다단식 제1 증류 컬럼의 최상단으로부터 전체 단의 50 %에 해당하는 지점으로 공급되었다. 그리고, 상기 제1 증류 공정의 하부 배출물은 상기 다단식 제2 증류 컬럼의 최상단으로부터 전체 단의 50 %에 해당하는 지점으로 공급되었다.The stripper waste liquid, which is a feed, was supplied from the top of the multistage first distillation column to a point corresponding to 50% of the total stage. In addition, the lower discharge of the first distillation process was supplied from the top of the second multistage distillation column to a point corresponding to 50% of the total stage.
이때, 상기 다단식 제1 증류 컬럼에서는 100 torr 내지 200 torr의 컬럼 내부 압력 하에서, 100 내지 120 ℃의 컬럼 하부 온도 및 25 내지 50 ℃의 컬럼 상부 온도가 유지되도록 하였다. 그리고, 상기 다단식 제2 증류 컬럼에서는 30 torr 내지 100 torr의 컬럼 내부 압력 하에서, 100 내지 120 ℃의 컬럼 하부 온도 및 60 내지 100 ℃의 컬럼 상부 온도가 유지되도록 하였다.At this time, in the first multi-stage distillation column, the column lower temperature of 100 to 120 °C and the column upper temperature of 25 to 50 °C were maintained under an internal pressure of 100 torr to 200 torr. In addition, in the second multi-stage distillation column, the column lower temperature of 100 to 120 °C and the column upper temperature of 60 to 100 °C were maintained under an internal pressure of 30 torr to 100 torr.
BDG: 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르NMP: N-메틸-2-피롤리돈NMP: N-메틸-2-피롤리돈BDG: Diethylene glycol monobutyl ether NMP: N-methyl-2-pyrrolidone NMP: N-methyl-2-pyrrolidone
DMAc: N,N-디메틸아세트아마이드DMAc: N,N-dimethylacetamide
제조예 8 내지 14Preparation Examples 8 to 14
하기 표 2에 나타낸 조성(중량%)을 갖는 재생용 조성물(제조예 8~14; RC-1 내지 RC-7)을 준비하였다.Regeneration compositions (Preparation Examples 8 to 14; RC-1 to RC-7) having the composition (wt%) shown in Table 2 below were prepared.
AEE: 2-(2-아미노에톡시)에탄올NMP: N-메틸-2-피롤리돈NMP: N-메틸-2-피롤리돈AEE: 2-(2-aminoethoxy) ethanol NMP: N-methyl-2-pyrrolidone NMP: N-methyl-2-pyrrolidone
DMAc: N,N-디메틸아세트아마이드DMAc: N,N-dimethylacetamide
MG: 메틸 갈레이트MG: methyl gallate
THBT: 4,5,6,7-테트라하이드로-1H-벤조트리아졸THBT: 4,5,6,7-tetrahydro-1H-benzotriazole
실시예 1 내지 7Examples 1 to 7
상기 제조예 1 내지 7의 스트리퍼 폐액의 정제액과 상기 제조예 8 내지 14의 재생용 조성물을 하기 표 3에 나타낸 조성(중량%)으로 교반기에 넣고, 25 ℃ 및 50 rpm의 교반 속도 하에서 45 분 동안 교반하여, 하기 표 4의 조성을 갖는 재생된 스트리퍼를 얻었다.The purification solution of the stripper waste liquid of Preparation Examples 1 to 7 and the regeneration composition of Preparation Examples 8 to 14 were put in a stirrer with the composition (wt%) shown in Table 3 below, and 45 minutes under a stirring speed of 25° C. and 50 rpm. During stirring, a recycled stripper having the composition of Table 4 was obtained.
AEE: 2-(2-아미노에톡시)에탄올BDG: 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르BDG: 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르AEE: 2-(2-aminoethoxy) ethanol BDG: diethylene glycol monobutyl ether BDG: diethylene glycol monobutyl ether
NMP: N-메틸-2-피롤리돈NMP: N-methyl-2-pyrrolidone
DMAc: N,N-디메틸아세트아마이드DMAc: N,N-dimethylacetamide
MG: 메틸 갈레이트MG: methyl gallate
THBT: 4,5,6,7-테트라하이드로-1H-벤조트리아졸THBT: 4,5,6,7-tetrahydro-1H-benzotriazole
상기 표 4를 참고하면, 상기 실시예 1 내지 7에 따라 재생된 스트리퍼는, 15 중량%의 2-(2-아미노에톡시)에탄올(AEE); 20 중량%의 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르(BDG); 15 중량%의 N-메틸-2-피롤리돈(NMP); 49 중량%의 N,N-디메틸아세트아마이드(DMAc); 0.7 중량%의 메틸 갈레이트(MG); 및 0.3 중량%의 4,5,6,7-테트라하이드로-1H-벤조트리아졸(THBT)로 이루어져, 상기 제조예 1 내지 7에서 사용된 포토레지스트 스트리퍼 신품과 동등한 조성을 갖는 것으로 확인된다.Referring to Table 4, the stripper regenerated according to Examples 1 to 7 includes 15% by weight of 2-(2-aminoethoxy)ethanol (AEE); 20% by weight of diethylene glycol monobutyl ether (BDG); 15% by weight of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP); 49% by weight of N,N-dimethylacetamide (DMAc); 0.7% by weight of methyl gallate (MG); And 0.3% by weight of 4,5,6,7-tetrahydro-1H-benzotriazole (THBT), and it was confirmed to have a composition equivalent to the new photoresist strippers used in Preparation Examples 1 to 7.
이처럼 상술한 재생 방법에 따를 경우 포토레지스트 스트리퍼 폐액에 포함된 주요 성분들을 재사용할 수 있어 친환경적이고 비용 절감에 유리할 뿐 아니라, 포토레지스트 스트리퍼 신품과 동등한 품질의 재생품을 신뢰성있게 제공할 수 있음이 확인된다.It is confirmed that, when the above-described regeneration method is followed, the main components contained in the photoresist stripper waste solution can be reused, which is eco-friendly and advantageous in cost reduction, and it is possible to reliably provide regenerated products of the same quality as new photoresist strippers. .
Claims (10)
15 중량% 내지 55 중량%의 아민 화합물, 40 중량% 내지 80 중량%의 비양자성 유기용매, 및 0.5 중량% 내지 10 중량%의 부식 방지제를 포함하는 재생용 조성물을 준비하는 단계; 및
상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액을 상기 재생용 조성물과 접촉시키는 단계
를 포함하는, 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 재생 방법.
Preparing a purification solution of a photoresist stripper waste solution comprising 20% to 55% by weight of an alkylene glycol compound and 45% to 80% by weight of an aprotic organic solvent;
Preparing a regeneration composition comprising 15% to 55% by weight of an amine compound, 40% to 80% by weight of an aprotic organic solvent, and 0.5% to 10% by weight of a corrosion inhibitor; And
Contacting the purification liquid of the photoresist stripper waste liquid with the regeneration composition
Containing, photoresist stripper waste regeneration method.
상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액을 준비하는 단계는,
알킬렌 글리콜 화합물, 비양자성 유기용매, 수분, 저비점 불순물, 고형분, 및 고비점 불순물을 포함한 포토레지스트 스트리퍼 폐액을 준비하는 단계;
100 torr 내지 200 torr의 컬럼 내부 압력 하에, 100 내지 120 ℃의 컬럼 하부 온도 및 25 내지 50 ℃의 컬럼 상부 온도로 유지되는 제1 증류 컬럼에서 상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액을 증류하여, 수분과 저비점 불순물을 포함한 상부 배출물 및 상기 폐액의 잔부를 포함한 하부 배출물을 얻는 제1 증류 공정; 및
30 torr 내지 100 torr의 컬럼 내부 압력 하에, 100 내지 120 ℃의 컬럼 하부 온도 및 60 내지 100 ℃의 컬럼 상부 온도로 유지되는 제2 증류 컬럼에서 상기 제1 증류 공정의 하부 배출물을 증류하여, 고형분과 고비점 불순물을 포함한 하부 배출물 및 상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액인 상부 배출물을 얻는 제2 증류 공정
을 포함하여 수행되는, 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 재생 방법.
The method of claim 1,
Preparing a purification solution of the photoresist stripper waste solution,
Preparing a photoresist stripper waste liquid including an alkylene glycol compound, an aprotic organic solvent, moisture, a low boiling point impurity, a solid content, and a high boiling point impurity;
The photoresist stripper waste liquid was distilled in a first distillation column maintained at a column bottom temperature of 100 to 120°C and a column top temperature of 25 to 50°C under an internal pressure of 100 torr to 200 torr to remove moisture and low boiling point impurities. A first distillation process for obtaining a lower discharge including the upper discharge including and the balance of the waste liquid; And
Under the column internal pressure of 30 torr to 100 torr, the lower effluent of the first distillation process is distilled in a second distillation column maintained at a column bottom temperature of 100 to 120° C. and a column top temperature of 60 to 100° C., Second distillation process to obtain a lower discharge containing high boiling point impurities and an upper discharge which is a purified liquid of the photoresist stripper waste liquid
Regeneration method of the photoresist stripper waste liquid performed, including.
상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액을 상기 재생용 조성물과 접촉시키는 단계는,
상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액 35 중량% 내지 80 중량%를 상기 재생용 조성물 20 중량% 내지 65 중량%와 혼합하는 방법으로 수행되는, 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 재생 방법.
The method of claim 1,
The step of contacting the purification liquid of the photoresist stripper waste liquid with the regeneration composition,
A method for regenerating photoresist stripper waste liquid, which is performed by mixing 35% to 80% by weight of the purification solution of the photoresist stripper waste liquid with 20 to 65% by weight of the regeneration composition.
상기 알킬렌 글리콜 화합물은, 각각 비스(2-히드록시에틸) 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노에틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 및 트리프로필렌글리콜 모노부틸로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물인, 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 재생 방법.
The method of claim 1,
The alkylene glycol compounds are bis(2-hydroxyethyl) ether, diethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, and propylene, respectively. Glycol monobutyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, dipropylene glycol Monobutyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, triethylene glycol monopropyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether, tripropylene glycol monoethyl ether, tripropylene glycol mono A method for regenerating waste photoresist stripper, which is at least one compound selected from the group consisting of propyl ether and tripropylene glycol monobutyl.
상기 비양자성 유기용매는, 각각 N-메틸-2-피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 디메틸설폭사이드, N-메틸포름아마이드, N,N-디메틸아세트아마이드, N,N-디메틸포름아마이드, N,N-디메틸이미다졸, 및 N,N-디메틸프로피온아마이드로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물인, 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 재생 방법.
The method of claim 1,
The aprotic organic solvent is N-methyl-2-pyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, dimethyl sulfoxide, N-methylformamide, N,N-dimethylacetamide, N, respectively ,N-dimethylformamide, N,N-dimethylimidazole, and at least one compound selected from the group consisting of N,N-dimethylpropionamide, a photoresist stripper waste regeneration method.
상기 아민 화합물은, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올, 모노메탄올 아민, 모노에탄올 아민, N-메틸에틸아민, 1-아미노이소프로판올, 메틸 디메틸아민, 디에틸렌 트리아민, 2-메틸아미노에탄올, 3-아미노프로판올, 다이에탄올아민, 디에틸아미노에탄올, 트리에탄올아민, 트리에틸렌 테트라아민, 이미다졸릴-4-에탄올, 아미노 에틸 피페라진, 및 히드록시 에틸피페라진으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물인, 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 재생 방법.
The method of claim 1,
The amine compound is 2-(2-aminoethoxy)ethanol, 2-(2-aminoethylamino)ethanol, monomethanol amine, monoethanol amine, N-methylethylamine, 1-aminoisopropanol, methyl dimethylamine, Diethylene triamine, 2-methylaminoethanol, 3-aminopropanol, diethanolamine, diethylaminoethanol, triethanolamine, triethylene tetraamine, imidazolyl-4-ethanol, amino ethyl piperazine, and hydroxy ethyl At least one compound selected from the group consisting of piperazine, a photoresist stripper waste regeneration method.
상기 부식 방지제는, 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 갖는 알킬 갈레이트 화합물, 벤즈이미다졸계 화합물, 트리아졸계 화합물, 및 테트라졸계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물인, 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 재생 방법.
The method of claim 1,
The corrosion inhibitor is at least one compound selected from the group consisting of an alkyl gallate compound having an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a benzimidazole compound, a triazole compound, and a tetrazole compound, a photoresist stripper waste liquid regeneration method .
상기 부식 방지제는, 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 갖는 상기 알킬 갈레이트 화합물 및 상기 벤즈이미다졸계 화합물을 1: 0.1 내지 1: 0.5의 중량비로 포함하는, 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 재생 방법.
The method of claim 7,
The corrosion inhibitor comprises the alkyl gallate compound and the benzimidazole-based compound having an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms in a weight ratio of 1: 0.1 to 1: 0.5, a photoresist stripper waste liquid regeneration method.
상기 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 정제액은, 20 중량% 내지 55 중량%의 알킬렌 글리콜 화합물, 10 중량% 내지 25 중량%의 제1 비양자성 유기용매, 및 45 중량% 내지 55 중량%의 제2 비양자성 유기용매를 포함하는, 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 재생 방법.
The method of claim 1,
The purification solution of the photoresist stripper waste liquid is 20% to 55% by weight of an alkylene glycol compound, 10% to 25% by weight of the first aprotic organic solvent, and 45% to 55% by weight of the second ratio A method for regenerating waste photoresist stripper containing a magnetic organic solvent.
상기 재생용 조성물은, 15 중량% 내지 55 중량%의 아민 화합물, 2 중량% 내지 20 중량%의 제1 비양자성 유기용매, 40 중량% 내지 55 중량%의 제2 비양자성 유기용매, 1 중량% 내지 3 중량%의 제1 부식 방지제, 및 0.5 중량% 내지 1 중량%의 제2 부식 방지제를 포함하는, 포토레지스트 스트리퍼 폐액의 재생 방법.The method of claim 1,
The regeneration composition includes 15% to 55% by weight of an amine compound, 2% to 20% by weight of a first aprotic organic solvent, 40% to 55% by weight of a second aprotic organic solvent, 1% by weight A method for regenerating waste photoresist stripper, comprising from 3% to 3% by weight of a first corrosion inhibitor, and from 0.5% to 1% by weight of a second corrosion inhibitor.
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| KR1020190021863A KR20200103408A (en) | 2019-02-25 | 2019-02-25 | Method for regenerating waste of photoresist stripper |
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