KR20200101866A - Display device and method of manufacturing display device - Google Patents

Display device and method of manufacturing display device Download PDF

Info

Publication number
KR20200101866A
KR20200101866A KR1020200020080A KR20200020080A KR20200101866A KR 20200101866 A KR20200101866 A KR 20200101866A KR 1020200020080 A KR1020200020080 A KR 1020200020080A KR 20200020080 A KR20200020080 A KR 20200020080A KR 20200101866 A KR20200101866 A KR 20200101866A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
electrode
wiring
display device
resin member
Prior art date
Application number
KR1020200020080A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
킨야 이치카와
카츠요시 카단
마사히코 사노
료헤이 히로세
히로시 요네다
Original Assignee
니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 filed Critical 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20200101866A publication Critical patent/KR20200101866A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips

Abstract

Provided are a display device in which a micro LED is used as a pixel and which can be manufactured at low costs and a manufacturing method thereof. The manufacturing method of the display device (1) comprises the steps of: setting a sub pixel (11) and preparing a substrate (20) with a first wiring (21) on each sub pixel (11) and a light emitting element (30) in which a first electrode (35) is formed on a lower surface and second electrodes (33) are formed on at least two side surfaces crossing each other; mounting the light emitting element (30) on the substrate (20) and electrically connecting the first electrode (35) with the first wiring (21); forming, on the substrate (20), a resin member (23) covering the light emitting element (30); removing an upper portion of the resin member (23) so that a part of the second electrode (33) is exposed from an upper surface (23a) of the resin member (23); and forming, on the resin member (22), a mesh-shaped second wiring (24) so that a part of the second wiring (24) is arranged on the light emitting element (30) and electrically connecting the second electrode (33) with the second wiring (24).

Description

표시 장치 및 그 제조방법 {DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICE}Display device and its manufacturing method {DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICE}

실시형태는, 표시 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The embodiment relates to a display device and a manufacturing method thereof.

특허문헌 1에 나와 있는 바와 같이, 최근, 마이크로LED(Light Emitting Diode: 발광 다이오드)를 화소로서 이용한 표시 장치가 제안되어 있다. 이러한 표시장치는, 화소가 자발광 소자에 의해 구성되기 때문에, 액정 패널을 이용한 표시장치에 비해, 해상도, 콘트라스트 및 색 재현성이 높다. 또한, 마이크로 LED는 주로 무기 반도체 재료에 의해 형성되기 때문에, 유기 재료를 이용하는 유기 EL(Organic Electro-Luminescence) 소자에 비해, 수명이 길고, 번인(burn-in)이 생기기 어렵다.As shown in Patent Document 1, recently, a display device using a micro LED (Light Emitting Diode) as a pixel has been proposed. Such a display device has higher resolution, contrast, and color reproducibility than a display device using a liquid crystal panel because pixels are constituted by self-luminous elements. In addition, since the micro LED is mainly formed of an inorganic semiconductor material, compared to an organic EL (Organic Electro-Luminescence) device using an organic material, the lifespan is longer and burn-in is difficult to occur.

그러나, 마이크로LED를 이용한 표시장치에서는, 발광소자의 상면으로부터 광을 취출함과 함께, 발광소자의 하면 및 상면을 배선과 접속할 필요가 있다. 이 때문에, 발광소자의 상면에서는, 높은 도통성과 높은 광투과성을 양립시키는 것이 요구된다. 그 결과, 마이크로 LED를 이용한 표시장치의 제조 공정에서 기판에 발광소자를 실장하는 공정의 난이도가 높아져, 제조 비용이 높아지는 문제가 있다.However, in a display device using a microLED, it is necessary to extract light from the upper surface of the light emitting element and to connect the lower surface and the upper surface of the light emitting element with wiring. For this reason, on the upper surface of the light-emitting element, it is required to achieve both high conductivity and high light transmission. As a result, in the manufacturing process of the display device using the micro LED, the difficulty of mounting the light emitting device on the substrate increases, and there is a problem that the manufacturing cost increases.

일본특허공개 제2006-140247호 공보Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2006-140247

본 발명의 일 실시형태는, 상술한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 화소로서 마이크로 LED를 이용하고, 제조 비용이 낮은 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An embodiment of the present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to provide a display device using a micro LED as a pixel and a low manufacturing cost, and a manufacturing method thereof.

본 발명의 일 실시형태에 관련되는 표시장치의 제조방법은, 서브 픽셀이 설정되고, 상기 서브 픽셀마다 제1 배선이 형성된 기판 및 하면에 제1 전극이 형성되고 서로 교차하는 적어도 2개의 측면에 제2 전극이 형성된 발광소자를 준비하는 공정과, 상기 기판 상에 상기 발광소자를 탑재하고, 상기 제1 전극을 상기 제1배선에 전기적으로 접속하는 공정과, 상기 기판 상에 상기 발광소자를 덮는 수지 부재를 형성하는 공정과, 상기 수지 부재의 상부를 제거함으로써, 상기 제2 전극의 일부를 상기 수지 부재의 상면으로부터 노출시키는 공정과, 상기 수지 부재 상에 일부가 상기 발광소자 상에 배치되도록 그물눈 형상의 제2 배선을 형성하고, 상기 제2 배선을 상기 제2 전극에 전기적으로 접속하는 공정을 구비한다. In a method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention, a substrate having a sub-pixel set, a first wiring formed for each of the sub-pixels, and a first electrode formed on a lower surface thereof, and at least two side surfaces intersecting each other. 2 A step of preparing a light emitting device with an electrode, mounting the light emitting device on the substrate, and electrically connecting the first electrode to the first wiring, and a resin covering the light emitting device on the substrate A process of forming a member, a process of exposing a part of the second electrode from the upper surface of the resin member by removing an upper portion of the resin member, and a mesh shape such that a part of the resin member is disposed on the light emitting device And a step of forming a second wiring of and electrically connecting the second wiring to the second electrode.

본 발명의 일 실시형태에 관련되는 표시장치는, 서브 픽셀이 설정된 기판과, 상기 기판 상에 상기 서브 픽셀마다 형성된 제1 배선과, 상기 기판에 상기 서브 픽셀마다 탑재된 발광소자와, 상기 발광소자의 하부 및 상기 제1 배선을 덮는 수지 부재와, 상기 수지 부재 상에 형성되어, 일부가 상기 발광소자 상에 배치된 그물눈 형상의 제2 배선을 구비한다. 상기 발광소자는, 반도체 부재와 상기 반도체 부재의 하면에 형성되고, 상기 제1 배선에 전기적으로 접속된 제1 전극과, 상기 반도체 부재의 서로 교차하는 적어도 2개의 측면에 형성되어, 일부가 상기 수지 부재의 상면으로부터 노출된 제2 전극을 가진다. 상기 제2 배선은, 상기 제2 전극에서 상기 수지 부재 상에 노출된 부분이 전기적으로 접속되어 있다.A display device according to an embodiment of the present invention includes a substrate on which subpixels are set, a first wiring formed on the substrate for each subpixel, a light emitting element mounted on the substrate for each subpixel, and the light emitting element And a resin member covering the lower portion of and the first wiring, and a mesh-shaped second wiring formed on the resin member and partially disposed on the light emitting device. The light emitting device is formed on a semiconductor member and a lower surface of the semiconductor member, a first electrode electrically connected to the first wiring, and formed on at least two side surfaces of the semiconductor member intersecting each other, and part of the resin It has a second electrode exposed from the upper surface of the member. In the second wiring, a portion of the second electrode exposed on the resin member is electrically connected.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 화소로서 마이크로 LED를 이용하여, 제조 비용이 낮은 표시장치 및 그 제조방법을 실현할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a display device having a low manufacturing cost and a manufacturing method thereof can be realized by using a micro LED as a pixel.

[도 1] 제1 실시형태에 관련되는 표시장치를 나타내는 상면도이다.
[도 2a] 도 1에 나타내는 A-A'선에 의한 단면도다.
[도 2b] 도 1에 나타내는 B-B'선에 의한 단면도다.
[도 3a] 제1 실시형태에 관련되는 표시장치의 발광소자를 나타내는 상면도이다.
[도 3b] 제1 실시형태에 관련되는 표시장치의 발광소자를 나타내는 단면도이다.
[도 4a] 제1 실시형태에 관련되는 표시장치의 발광소자를 나타내는 평면도이다.
[도 4b] 도 4a에 나타내는 C-C'선에 의한 단면도이다.
[도 5a] 제1 실시형태에 관련되는 표시장치의 발광소자의 제2 전극을 나타내는 평면도이다.
[도 5b] 제1 실시형태에 관련되는 표시장치의 발광소자의 제1 전극을 나타내는 평면도이다.
[도 6a] 제1 실시형태에 관련되는 표시장치의 제조방법을 나타내는 단면도이다.
[도 6b] 제1 실시형태에 관련되는 표시장치의 제조방법을 나타내는 단면도이다.
[도 7a] 제1 실시형태에 관련되는 표시장치의 제조방법을 나타내는 단면도이다.
[도 7b] 제1 실시형태에 관련되는 표시장치의 제조방법을 나타내는 단면도이다.
[도 7c] 제1 실시형태에 관련되는 표시장치의 제조방법을 나타내는 단면도이다.
[도 8] 제2 실시형태에 관련되는 표시장치의 발광소자를 나타내는 단면도이다.
[도 9] 제3 실시형태에 관련되는 표시장치의 발광소자를 나타내는 단면도이다.
[도 10] 제4 실시형태에 관련되는 표시장치의 발광소자를 나타내는 상면도이다.
[도 11] 제5 실시형태에 관련되는 표시장치의 발광소자를 나타내는 상면도이다.1 is a top view showing a display device according to a first embodiment.
[Fig. 2A] A cross-sectional view taken along line A-A' shown in Fig. 1.
[Fig. 2B] A cross-sectional view taken along line B-B' shown in Fig. 1.
[Fig. 3A] A top view showing a light emitting element of the display device according to the first embodiment.
3B is a cross-sectional view showing a light emitting element of the display device according to the first embodiment.
Fig. 4A is a plan view showing a light emitting element of the display device according to the first embodiment.
Fig. 4B is a cross-sectional view taken along line C-C' shown in Fig. 4A.
Fig. 5A is a plan view showing a second electrode of a light emitting element of the display device according to the first embodiment.
Fig. 5B is a plan view showing a first electrode of a light emitting element of the display device according to the first embodiment.
6A is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a display device according to the first embodiment.
6B is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a display device according to the first embodiment.
Fig. 7A is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a display device according to the first embodiment.
7B is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a display device according to the first embodiment.
7C is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a display device according to the first embodiment.
8 is a cross-sectional view showing a light emitting element of a display device according to a second embodiment.
9 is a cross-sectional view showing a light emitting element of a display device according to a third embodiment.
10 is a top view showing a light emitting element of a display device according to a fourth embodiment.
Fig. 11 is a top view showing a light emitting element of a display device according to a fifth embodiment.

<제1 실시형태> <First embodiment>

먼저, 제1 실시형태에 대해 설명한다.First, the first embodiment will be described.

본 실시형태에 관련되는 표시장치(1)는, 기판(20)과, 기판(20) 상에 서브 픽셀(11)마다 형성된 제1 배선(21)과, 기판(20)에 서브 픽셀(11)마다 탑재된 발광소자(30)와, 발광소자(30)의 하부 및 제1 배선(21)을 덮는 수지 부재(23)와, 수지 부재(23) 상에 형성되어, 일부가 발광소자(30) 상에 배치된 그물눈 형상의 제2 배선(24)을 구비한다. 발광소자(30)는, 반도체 부재(31)와, 반도체 부재(31)의 하면(31a)에 형성되어, 제1 배선(21)에 전기적으로 접속된 제1 전극(35)과, 반도체 부재(31)의 서로 교차하는 적어도 2개의 측면(3lb)에 형성되어, 일부가 수지 부재(23)의 상면(23a)으로부터 노출된 제2 전극(33)을 가진다. 제2 배선(24)은, 제2 전극(33)에서의 수지 부재(23) 상에 노출된 부분에 전기적으로 접속되어 있다. The display device 1 according to the present embodiment includes a substrate 20, a first wiring 21 formed on the substrate 20 for each subpixel 11, and a subpixel 11 on the substrate 20. Each light emitting device 30 is mounted, a resin member 23 covering the lower portion of the light emitting device 30 and the first wiring 21, and formed on the resin member 23, and a part of the light emitting device 30 A mesh-shaped second wiring 24 disposed thereon is provided. The light-emitting element 30 is formed on the semiconductor member 31 and the lower surface 31a of the semiconductor member 31, the first electrode 35 electrically connected to the first wiring 21, and the semiconductor member ( It is formed on at least two side surfaces (3lb) intersecting each other of 31), and has the second electrode 33 partially exposed from the upper surface 23a of the resin member 23. The second wiring 24 is electrically connected to a portion of the second electrode 33 exposed on the resin member 23.

이하, 표시장치(1)의 구성을 상세히 설명한다. Hereinafter, the configuration of the display device 1 will be described in detail.

도 1, 도 2a 및 도 2b에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 관련되는 표시장치(1)에서는, 기판(20)이 형성되어 있다. 기판(20)에서는, 절연성의 모재 중에 배선이 형성되어 있다. 또한, 기판(20) 상에는, 액티브 매트릭스 트랜지스터가 형성되어 있다. 액티브 매트릭스 트랜지스터는, 서브 픽셀(11)마다, 발광소자(30)에 전력의 공급 여부를 전환하는 스위칭 소자이다. 1, 2A, and 2B, in the display device 1 according to the present embodiment, a substrate 20 is formed. In the substrate 20, wiring is formed in an insulating base material. Further, on the substrate 20, an active matrix transistor is formed. The active matrix transistor is a switching element that switches whether or not power is supplied to the light emitting element 30 for each sub-pixel 11.

기판(20)에는 복수의 픽셀(10)이 설정되어 있다. 픽셀(10)은 서로 직교하는 제1 방향 및 제2 방향을 따라 매트릭스 형상으로 배열되어 있다. 각 픽셀(10)에는, 하나 이상, 예를 들면 3개의 서브 픽셀(11)이 설정되어 있다. 일례로, 각 픽셀(10)에 포함되는 3개의 서브 픽셀(11)은, 적색광을 출력하는 서브 픽셀(11R), 녹색광을 출력하는 서브 픽셀(11G) 및 청색광을 출력하는 서브 픽셀(11B)이다. 또한, 각 픽셀(10)에 포함되는 서브 픽셀(11)의 수는 3에 한정되지 않는다. 도 1에서는, 1개의 픽셀(10)의 외연을 이점 쇄선으로 나타내고, 1개의 서브 픽셀(11R)의 외연을 파선으로 나타내고 있다. A plurality of pixels 10 are set on the substrate 20. The pixels 10 are arranged in a matrix shape along a first direction and a second direction orthogonal to each other. In each pixel 10, one or more, for example, three sub-pixels 11 are set. For example, the three sub-pixels 11 included in each pixel 10 are a sub-pixel 11R that outputs red light, a sub-pixel 11G that outputs green light, and a sub-pixel 11B that outputs blue light. . Further, the number of sub-pixels 11 included in each pixel 10 is not limited to three. In Fig. 1, the outer edge of one pixel 10 is indicated by a double-dashed line, and the outer edge of one sub-pixel 11R is indicated by a broken line.

기판(20) 상에는, 제1 배선(21)이 형성되어 있다. 상방에서 보아, 제1 배선(21)의 형상은 서브 픽셀(11)마다 구획된 섬 형상이며, 기판(20)의 배선에 전기적으로 접속되어 있다. 제1 배선(21)의 표면은, 광반사율이 높은 것이 바람직하다. 이에 의해, 발광소자(30)로부터 출사된 광의 일부를 상방을 향해 반사하여, 서브 픽셀(11)의 밝기를 향상시킬 수 있다. 또한, 기판(20) 상에는, 서브 픽셀(11) 사이에, 전극(22)이 형성되어 있다. 상방에서 보아, 전극(22)의 형상은, 예를 들면 격자 형상이다. 제1 배선(21) 및 전극(22)은 금속을 포함하고, 예를 들면, 같은 도전성을 갖는 금속 재료로 이루어지고, 예를 들면, 은(Ag) 또는 구리(Cu)로 이루어진다. 예를 들면, 제1 배선(21)의 두께는 전극(22)의 두께와 대략 동일하다. 전극(22)의 표면에서의 광반사율은, 제1 배선(21)의 표면에서의 광반사율보다도 낮은 것이 바람직하다. 이에 의해, 서브 픽셀(11) 사이의 영역의 밝기를 저감하여, 화면의 콘트라스트를 향상시킬 수 있다. 전극(22)의 표면에는, 광반사율을 저감하기 위해, 예를 들면, 조화(粗化) 처리가 되어 있어도 되고, 흑색 피막이 형성되어 있어도 된다.On the substrate 20, a first wiring 21 is formed. As viewed from above, the shape of the first wiring 21 is an island shape divided for each sub-pixel 11, and is electrically connected to the wiring of the substrate 20. It is preferable that the surface of the first wiring 21 has a high light reflectance. Accordingly, a part of the light emitted from the light emitting device 30 is reflected upward, so that the brightness of the sub-pixel 11 can be improved. Further, on the substrate 20, an electrode 22 is formed between the sub-pixels 11. When viewed from above, the shape of the electrode 22 is, for example, a lattice shape. The first wiring 21 and the electrode 22 contain a metal, and are made of, for example, a metal material having the same conductivity, and are made of, for example, silver (Ag) or copper (Cu). For example, the thickness of the first wiring 21 is substantially the same as the thickness of the electrode 22. It is preferable that the light reflectance at the surface of the electrode 22 is lower than the light reflectance at the surface of the first wiring 21. Accordingly, the brightness of the region between the sub-pixels 11 can be reduced, and the contrast of the screen can be improved. On the surface of the electrode 22, in order to reduce the light reflectance, for example, a roughening treatment may be performed, or a black film may be formed.

제1 배선(21) 상에는, 발광소자(30)가 형성되어 있다. 발광소자(30)는 제1 배선(21)을 통해 기판(20)에 탑재되어 있다. 발광소자(30)는 마이크로 LED이다. 상면에서 보면, 마이크로 LED의 형상은, 예를 들면, 한 변의 길이가 5μm~100μm정도이며, 바람직하게는 10μm~50μm정도의 사각형이다. 각 서브 픽셀(11)에는 1이상, 바람직하게는 2이상, 예를 들면 2개의 발광소자(30)가 배치되어 있다. 일례로, 서브 픽셀(11R)에는 적색광을 출력하는 발광소자(30)가 배치되고, 서브 픽셀(11G)에는 녹색광을 출력하는 발광소자(30)가 배치되고, 서브 픽셀(11B)에는 청색광을 출력하는 발광소자(30)가 배치되어 있다. 발광소자(30)는, 각 서브 픽셀(11)에 1이상 배치되어 있으면 되고, 반드시 일 방향을 따라 정렬되어 있지 않아도 된다.On the first wiring 21, a light-emitting element 30 is formed. The light emitting device 30 is mounted on the substrate 20 through the first wiring 21. The light emitting device 30 is a micro LED. When viewed from the top, the shape of the micro LED is, for example, a square having a side length of about 5 μm to 100 μm, and preferably about 10 μm to 50 μm. One or more, preferably two or more, for example, two light-emitting elements 30 are disposed in each sub-pixel 11. For example, a light-emitting device 30 that outputs red light is disposed in the sub-pixel 11R, a light-emitting device 30 that outputs green light is disposed in the sub-pixel 11G, and blue light is output to the sub-pixel 11B. The light emitting device 30 is disposed. One or more light-emitting elements 30 may be disposed in each sub-pixel 11, and they do not necessarily need to be aligned along one direction.

기판(20) 상에는, 서브 픽셀(11)마다, 수지 부재(23)가 형성되어 있다. 수지 부재(23)는, 절연성의 수지 재료로 이루어진다. 수지 부재(23)의 형상은, 예를 들면, 대략 직방체 또는 사각뿔대형이다. 제1 배선(21)은 전체가 수지 부재(23)에 의해 덮어 있다. 발광소자(30)의 하부는 수지 부재(23)에 의해 덮여 있으며, 상부는 수지 부재(23)의 상면(23a)으로부터 노출되어 있다. 전극(22)의 폭 방향 양단부는 수지 부재(23)에 의해 덮여 있으며, 전극(22)의 폭 방향 중앙부는 수지 부재(23) 사이에서 노출되어 있다. On the substrate 20, a resin member 23 is formed for each sub-pixel 11. The resin member 23 is made of an insulating resin material. The shape of the resin member 23 is, for example, a substantially rectangular parallelepiped or a square truncated cone. The first wiring 21 is entirely covered with a resin member 23. The lower portion of the light emitting device 30 is covered by the resin member 23, and the upper portion is exposed from the upper surface 23a of the resin member 23. Both ends of the electrode 22 in the width direction are covered by the resin member 23, and the central portion of the electrode 22 in the width direction is exposed between the resin members 23.

수지 부재(23)의 상면(23a) 위 및 측면(23b) 위에는, 그물눈 형상의 제2 배선(24)이 형성되어 있다. 제2 배선(24)은, 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 직선부분(24a)과, 제2 방향으로 연장되는 복수의 제2 직선부분(24b)을 가진다. 제2 직선부분(24b)은 제1 직선부분(24a)에 연결되어 있다. 제2 배선(24)의 일부는, 발광소자(30) 상에 배치되어 있고, 발광소자(30)의 상면을 통과하고 있다. 이 때문에, 각 발광소자(30)의 상면의 일부 또는 측면의 일부는, 제2 배선(24)에 접촉되어 있다. 제2 배선(24)의 제1 직선부분(24a)의 양단부 및 제2 직선부분(24b)의 양단부는, 전극(22)에 접속되어 있다. 이에 의해, 모든 제2 배선(24)이 전극(22)을 통해 서로 접속되어 있다. On the upper surface 23a and on the side surface 23b of the resin member 23, a mesh-shaped second wiring 24 is formed. The second wiring 24 has a plurality of first linear portions 24a extending in a first direction and a plurality of second linear portions 24b extending in a second direction. The second straight portion 24b is connected to the first straight portion 24a. A part of the second wiring 24 is disposed on the light-emitting element 30 and passes through the upper surface of the light-emitting element 30. For this reason, a part of the upper surface or a part of the side surface of each light-emitting element 30 is in contact with the second wiring 24. Both ends of the first linear portion 24a of the second wiring 24 and both ends of the second linear portion 24b are connected to the electrode 22. Thereby, all the second wirings 24 are connected to each other via the electrodes 22.

다음으로, 발광소자(30)의 구성을 상세히 설명한다. Next, the configuration of the light emitting device 30 will be described in detail.

도 3a 및 도 3b, 도 4a 및 도 4b, 도 5a 및 도 5b에 나타낸 바와 같이, 발광소자(30)에서는, 반도체 부재(31), 광반사층(32), 제2 전극(33), 절연층(34), 제1 전극(35), 보호층(36), 제1 도전층(37) 및 제2 도전층(38)이 형성되어 있다. 상방에서 보아, 발광소자(30)의 형상은, 예를 들면 사각형이다. 또한, 도 3a 및 도 3b는 개략도이며, 반도체 부재(31), 제1 전극(35), 제2 전극(33) 및 광반사층(32) 만을 단순화해서 나타내고, 다른 구성요소는 생략하고 있다. 후술하는 도 10 및 도 11에서도 마찬가지이다. 도 4a∼도 5b는 발광소자(30)의 구성을 상세하게 나타내는 도면이다. 도면을 보기 쉽게 하기 위해, 도 5a에서는, 제2 전극(33)에 해칭을 붙이고 있으며, 도 5b에서는, 제1 전극(35)에 해칭을 붙이고 있다. 또한, 도 4a, 도 5a, 도 5b에서는, 반도체 부재(31)를 생략하고 있다. 3A and 3B, 4A and 4B, and 5A and 5B, in the light emitting device 30, a semiconductor member 31, a light reflection layer 32, a second electrode 33, and an insulating layer 34, a first electrode 35, a protective layer 36, a first conductive layer 37, and a second conductive layer 38 are formed. When viewed from above, the shape of the light-emitting element 30 is, for example, a square. 3A and 3B are schematic diagrams, and only the semiconductor member 31, the first electrode 35, the second electrode 33, and the light reflection layer 32 are shown in a simplified manner, and other components are omitted. The same applies to FIGS. 10 and 11 described later. 4A to 5B are diagrams showing the configuration of the light emitting device 30 in detail. In order to make the drawing easier to see, in FIG. 5A, the second electrode 33 is hatched, and in FIG. 5B, the first electrode 35 is hatched. In addition, in FIGS. 4A, 5A, and 5B, the semiconductor member 31 is omitted.

반도체 부재(31)의 형상은, 예를 들면, 도 4b에 나타낸 바와 같이, 대체로 역사각뿔대형이며, 하면(31a), 4개의 측면(3lb), 상면(31c)을 가지고 있다. 예를 들면, 상면(31c)은 조면화(粗面化)되어 있다. 반도체 부재(31)에서는, 제1 반도체층(31p), 발광층(31t) 및 제2 반도체층(31n)이 적층되어 있다. 제1 반도체층(31p)의 하면에는 제1 도전층(37)이 형성되어 있으며, 제2 반도체층(31n)의 하면의 예를 들면 중앙부에는 제2 도전층(38)이 형성되어 있다. The shape of the semiconductor member 31 is generally inverse pyramidal shape, as shown in Fig. 4B, and has a lower surface 31a, four side surfaces 3lb, and an upper surface 31c. For example, the upper surface 31c is roughened. In the semiconductor member 31, a first semiconductor layer 31p, a light emitting layer 31t, and a second semiconductor layer 31n are stacked. A first conductive layer 37 is formed on the lower surface of the first semiconductor layer 31p, and a second conductive layer 38 is formed at, for example, a central portion of the lower surface of the second semiconductor layer 31n.

반도체 부재(31)의 하면(31a) 및 측면(3lb)에는, 절연성의 광반사층(32)이 형성되어 있다. 광반사층(32)은, 예를 들면, DBR(Distributed Bragg Reflector: 분포 브래그 반사층)이며, 예를 들면, 산화니오브층(NbO)과 산화알루미늄층(AlO)이 교대로 적층된 다층막이다. 광반사층(32)에서 반도체 부재(31)의 하방에 배치된 부분에는, 개구부(32a 및 32b)가 형성되어 있다. 개구부(32a)는, 예를 들면, 하면(31a)의 중심을 포함하는 영역에 한 군데 형성되어 있으며, 그 형상은 예를 들면 원형이다. 평면에서 보면, 개구부(32a)의 내부에는 제2 도전층(38)이 배치되어 있다. 개구부(32b)는, 예를 들면, 하면(31a)의 대각 주변에 두 군데 형성되어 있으며, 그 형상은 예를 들면 사변이 오목 형상의 원호로 된 대략 직각이등변삼각형이다. 평면에서 보면, 반도체 부재(31)의 제1 반도체층(31p) 및 발광층(31t) 및 제1 도전층(37)은, 개구부(32b)의 내부에만 배치되어 있다. 이에 대해, 평면에서 보면, 반도체 부재(31)의 제2 반도체층(31n)은, 광반사층(32)에 의해 둘러싸여 있는 영역 전체에 배치되어 있다. On the lower surface 31a and the side surface 3lb of the semiconductor member 31, an insulating light reflection layer 32 is formed. The light reflection layer 32 is, for example, a DBR (Distributed Bragg Reflector), and is a multilayer film in which a niobium oxide layer (NbO) and an aluminum oxide layer (AlO) are alternately stacked. Openings 32a and 32b are formed in a portion of the light reflection layer 32 disposed below the semiconductor member 31. The openings 32a are formed at one place in a region including the center of the lower surface 31a, for example, and the shape thereof is, for example, circular. In plan view, the second conductive layer 38 is disposed inside the opening 32a. The openings 32b are formed in two places around the diagonal of the lower surface 31a, for example, and the shape thereof is, for example, a substantially right-angled isosceles triangle in which a quadrilateral is a concave arc. When viewed in plan view, the first semiconductor layer 31p, the light emitting layer 31t, and the first conductive layer 37 of the semiconductor member 31 are disposed only inside the opening 32b. On the other hand, in plan view, the second semiconductor layer 31n of the semiconductor member 31 is disposed over the entire region surrounded by the light reflection layer 32.

광반사층(32)의 외측에는, 제2 전극(33)이 형성되어 있다. 즉, 제2 전극(33)은, 광반사층(32)을 통하여, 반도체 부재(31)의 하면(31a) 위 및 측면(3lb) 위에 배치되어 있다. 바꾸어 말하면, 광반사층(32)은, 반도체 부재(31)의 하면(31a) 및 측면(3lb)과 제2 전극(33)과의 사이에 형성되어 있다. 제2 전극(33)은, 반도체 부재(31)의 측면(3lb)의 상단까지 도달하고 있으며, 제2 전극(33)의 일부는 수지 부재(23)의 상면(23a)으로부터 노출되어 있다. 제2 전극(33)은 금속 재료로 이루어지며, 예를 들면, 은 또는 알루미늄으로 이루어진다. A second electrode 33 is formed outside the light reflection layer 32. That is, the second electrode 33 is disposed on the lower surface 31a of the semiconductor member 31 and on the side surface 3lb through the light reflection layer 32. In other words, the light reflection layer 32 is formed between the lower surface 31a and the side surface 3lb of the semiconductor member 31 and the second electrode 33. The second electrode 33 reaches the upper end of the side surface 3lb of the semiconductor member 31, and a part of the second electrode 33 is exposed from the upper surface 23a of the resin member 23. The second electrode 33 is made of a metal material, for example, made of silver or aluminum.

제2 전극(33)에서 광반사층(32)의 개구부(32a)에 상당하는 부분은, 개구부(32a) 내로 진입하도록 상방을 향해 돌출되어 있다. 제2 전극(33)은, 광반사층(32)의 개구부(32a)를 통하여, 제2 도전층(38)에 전기적으로 접속되어 있다. 제2 도전층(38)은, 반도체 부재(31)의 하면(31a)에서, 반도체 부재(31)의 제2 반도체층(31n)에 전기적으로 접속되어 있다. 한편, 제2 전극(33)에서 광반사층(32)의 개구부(32b)에 상당하는 부분에는, 개구부(33a)가 형성되어 있다. 즉, 개구부(32b)의 직하 영역에는, 제2 전극(33)이 형성되어 있지 않다. A portion of the second electrode 33 corresponding to the opening 32a of the light reflection layer 32 protrudes upward so as to enter into the opening 32a. The second electrode 33 is electrically connected to the second conductive layer 38 through an opening 32a of the light reflecting layer 32. The second conductive layer 38 is electrically connected to the second semiconductor layer 31n of the semiconductor member 31 on the lower surface 31a of the semiconductor member 31. On the other hand, in a portion of the second electrode 33 corresponding to the opening 32b of the light reflection layer 32, an opening 33a is formed. That is, the second electrode 33 is not formed in the region directly under the opening 32b.

본 실시형태에서는, 제2 전극(33)의 형상은 반도체 부재(31)의 상면(31c) 이외의 표면을 감싸는 컵 형상이며, 상방에서 보아, 제2 전극(33)은 반도체 부재(31)의 주위에 형성되어 있다. 즉, 반도체 부재(31)의 4개의 측면(3lb) 전부에 제2 전극(33)이 형성되어 있다. 단, 후술하는 바와 같이, 제2 전극(33)은, 반도체 부재(31)의 서로 교차하는 적어도 2개의 측면(3lb)에 형성되어 있으면 된다. 또한, 제2 전극(33)은, 반도체 부재(31)의 하면(31a)에서, 광반사층(32)의 개구부(32a)에 상당하는 영역에 배치되어 있으며, 제2 전극(33)에서 측면(3lb)에 형성된 부분에 접속되어 있다. In this embodiment, the shape of the second electrode 33 is a cup shape covering a surface other than the upper surface 31c of the semiconductor member 31, and as viewed from above, the second electrode 33 is It is formed around. That is, the second electrode 33 is formed on all four side surfaces 3lb of the semiconductor member 31. However, as will be described later, the second electrode 33 should just be formed on at least two side surfaces 3lb intersecting each other of the semiconductor member 31. In addition, the second electrode 33 is disposed in a region corresponding to the opening 32a of the light reflecting layer 32 on the lower surface 31a of the semiconductor member 31, and at the second electrode 33 3lb) is connected to the formed part.

제2 전극(33)의 하부를 덮도록, 절연층(34)이 형성되어 있다. 절연층(34)에서 광반사층(32)의 개구부(32a)에 상당하는 부분은, 개구부(32a) 내로 진입하도록 상방을 향해 돌출되어 있다. 한편, 절연층(34)에서 광반사층(32)의 개구부(32b)에 상당하는 부분에는, 개구부(34a)가 형성되어 있다. 즉, 개구부(32b)의 직하 영역에는, 절연층(34)이 형성되어 있지 않다. 절연층(34)의 상단은, 제2 전극(33)의 상단보다 낮은 위치에 있다. 이 때문에, 절연층(34)은, 제2 전극(33)의 상부는 덮고 있지 않다. 절연층(34)이 제2 전극(33)의 상부를 덮고 있지 않음으로써, 후술하는 바와 같이, 제2 전극(33)은 제2 배선(24)과 전기적으로 접속 가능해진다. The insulating layer 34 is formed to cover the lower portion of the second electrode 33. A portion of the insulating layer 34 corresponding to the opening 32a of the light reflection layer 32 protrudes upward so as to enter into the opening 32a. On the other hand, in a portion of the insulating layer 34 corresponding to the opening 32b of the light reflecting layer 32, an opening 34a is formed. That is, the insulating layer 34 is not formed in the region directly under the opening 32b. The upper end of the insulating layer 34 is positioned lower than the upper end of the second electrode 33. For this reason, the insulating layer 34 does not cover the upper part of the second electrode 33. Since the insulating layer 34 does not cover the upper portion of the second electrode 33, the second electrode 33 can be electrically connected to the second wiring 24 as described later.

절연층(34)의 하방에는, 제1 전극(35)이 형성되어 있다. 제1 전극(35)은 금속 재료로 이루어지며, 예를 들면, 은 또는 구리를 포함하는 금속이며, 은 또는 구리여도 된다. 제1 전극(35)은, 광반사층(32), 제2 전극(33) 및 절연층(34)을 통하여 반도체 부재(31)의 하면(31a) 위의 대략 전체에 형성되어 있다. 제1 전극(35)에서 광반사층(42)의 개구부(32a) 및 개구부(32b)에 상당하는 부분은, 각각, 개구부(32a) 내 및 개구부(32b) 내로 진입하도록 상방을 향해 돌출되어 있다. 제1 전극(35)은, 절연층(34)의 개구부(34a), 제2 전극(33)의 개구부(33a) 및 광반사층(32)의 개구부(32b)를 통하여, 제1 도전층(37)에 전기적으로 접속되어 있다. 제1 도전층(37)은, 반도체 부재(31)의 하면(31a)에서, 반도체 부재(31)의 제1 반도체층(31p)에 전기적으로 접속되어 있다. 반도체 부재(31)의 상면(31c)에는, 보호층(36)이 형성되어 있다. The first electrode 35 is formed under the insulating layer 34. The first electrode 35 is made of a metal material, for example, a metal containing silver or copper, and may be silver or copper. The first electrode 35 is formed substantially all over the lower surface 31a of the semiconductor member 31 via the light reflection layer 32, the second electrode 33 and the insulating layer 34. The portions of the first electrode 35 corresponding to the openings 32a and the openings 32b of the light reflection layer 42 protrude upward so as to enter into the openings 32a and 32b, respectively. The first electrode 35 passes through the opening 34a of the insulating layer 34, the opening 33a of the second electrode 33, and the opening 32b of the light reflecting layer 32, and the first conductive layer 37. ) Is electrically connected. The first conductive layer 37 is electrically connected to the first semiconductor layer 31p of the semiconductor member 31 on the lower surface 31a of the semiconductor member 31. A protective layer 36 is formed on the upper surface 31c of the semiconductor member 31.

그리고, 발광소자(30)의 하면에서, 제1 전극(35)이 제1 배선(21)에 전기적으로 접속되어 있다. 발광소자(30)의 반도체 부재(31)의 제1 반도체층(31p)은, 제1 도전층(37), 제1 전극(35), 제1 배선(21), 기판(20) 내에 배선을 거쳐, 액티브 매트릭스 트랜지스터에 접속된다. 한편, 제2 반도체층(31n)은, 제2 도전층(38)을 통하여 제2 전극(33)에 접속되어 있다. 발광소자(30)의 상부에서, 제2 전극(33)에 있어서의 수지 부재(23)의 상면(23a)으로부터 노출된 부분의 일부는, 제2 배선(24)에 전기적으로 접속되어 있다. 이에 의해, 반도체 부재(31)의 제1 반도체층(31p)와 제2 반도체층(31n)의 사이에 전력이 공급된다. 또한, 도 4b에서는, 제2 배선(24)을 이점 쇄선으로 나타내고 있다. Then, on the lower surface of the light emitting element 30, the first electrode 35 is electrically connected to the first wiring 21. The first semiconductor layer 31p of the semiconductor member 31 of the light emitting device 30 includes a wiring in the first conductive layer 37, the first electrode 35, the first wiring 21, and the substrate 20. Then, it is connected to the active matrix transistor. On the other hand, the second semiconductor layer 31n is connected to the second electrode 33 via the second conductive layer 38. On the upper part of the light emitting element 30, a part of the portion of the second electrode 33 exposed from the upper surface 23a of the resin member 23 is electrically connected to the second wiring 24. Thereby, power is supplied between the first semiconductor layer 31p and the second semiconductor layer 31n of the semiconductor member 31. In addition, in Fig. 4B, the second wiring 24 is indicated by a double-dashed line.

도 1에 나타낸 바와 같이, 표시장치(1)에서는, 제2 배선(24)에 단선부(24c)를 형성할 수 있다. 이에 의해, 결함을 갖는 발광소자(30x)를 제2 배선(24)으로부터 분리할 수 있다. 발광소자(30x)의 결함이란, 예를 들면, 단락, 단선 및 불안정한 도통 등이다. As shown in FIG. 1, in the display device 1, a disconnection portion 24c can be formed in the second wiring 24. Accordingly, the defective light emitting device 30x can be separated from the second wiring 24. Defects of the light-emitting element 30x are, for example, short circuits, disconnections, and unstable conduction.

다음으로, 본 실시형태에 관련되는 표시장치의 제조방법에 대해서 설명한다. Next, a method of manufacturing the display device according to the present embodiment will be described.

도 6a∼도 7c는, 본 실시형태에 관련되는 표시장치의 제조방법을 나타내는 단면도이다. 6A to 7C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the display device according to the present embodiment.

(기판(20) 및 발광소자(30)을 준비하는 공정) (Process of preparing the substrate 20 and the light emitting device 30)

먼저, 도 6a에 나타낸 바와 같이, 기판(20) 및 발광소자(30)를 준비한다. 기판(20)에는, 픽셀(10)이 매트릭스 형상으로 배열되어 있으며, 각 픽셀(10)에는 1이상의 서브 픽셀(11)이 포함되어 있다. 기판(20)의 상면(20a)에는, 서브 픽셀(11)마다 제1 배선(21)이 형성되어 있으며, 서브 픽셀(11) 사이에 전극(22)이 형성되어 있다. 제1 배선(21) 상에는 도전성 페이스트층(102)이 형성되어 있다. First, as shown in FIG. 6A, a substrate 20 and a light emitting device 30 are prepared. On the substrate 20, pixels 10 are arranged in a matrix shape, and each pixel 10 includes one or more sub-pixels 11. On the upper surface 20a of the substrate 20, a first wiring 21 is formed for each sub-pixel 11, and an electrode 22 is formed between the sub-pixels 11. A conductive paste layer 102 is formed on the first wiring 21.

발광소자(30)는, 예를 들면, 지지 기판(100)의 하면(100a)에 접착 시트(101)에 의해 접착되어 있다. 지지 기판(100)에서 각 서브 픽셀(11)에 상당하는 영역에, 1개 이상, 바람직하게는 2개 이상, 예를 들면 2개의 발광소자(30)가 접착되어 있다. 발광소자(30)의 구성은 상술한 바와 같다. 즉, 발광소자(30)의 하면에는 제1 전극(35)이 형성되어 있으며, 서로 교차하는 적어도 2개의 측면, 예를 들면 4개의 측면에는, 제2 전극(33)이 형성되어 있다.The light-emitting element 30 is bonded to the lower surface 100a of the support substrate 100 with an adhesive sheet 101, for example. One or more, preferably two or more, for example, two light-emitting elements 30 are adhered to a region corresponding to each sub-pixel 11 of the support substrate 100. The configuration of the light emitting device 30 is as described above. That is, the first electrode 35 is formed on the lower surface of the light-emitting device 30, and the second electrode 33 is formed on at least two side surfaces that cross each other, for example, four side surfaces.

(기판(20)에 발광소자(30)를 탑재하고, 제1 전극(35)을 제1 배선(21)에 접속하는 공정) (Step of mounting the light emitting device 30 on the substrate 20 and connecting the first electrode 35 to the first wiring 21)

다음으로, 도 6b에 나타낸 바와 같이, 발광소자(30)가 접착된 지지 기판(100)의 하면(100a)을 기판(20)의 상면(20a)에 대향시켜, 발광소자(30)의 제1 전극(35)을 도전성 페이스트층(102)에 접촉시킨다. 다음으로, 도전성 페이스트층(102)을 소결시킨다. 이에 의해, 발광소자(30)의 제1 전극(35)이 제1 배선(21)에 전기적으로 접속됨과 함께, 발광소자(30)가 기판(20)에 탑재된다. 이후, 도전성 페이스트층(102)은 제1 배선(21)의 일부로서 나타낸다. Next, as shown in FIG. 6B, the lower surface 100a of the support substrate 100 to which the light emitting element 30 is adhered is opposed to the upper surface 20a of the substrate 20, so that the first The electrode 35 is brought into contact with the conductive paste layer 102. Next, the conductive paste layer 102 is sintered. As a result, the first electrode 35 of the light emitting device 30 is electrically connected to the first wiring 21 and the light emitting device 30 is mounted on the substrate 20. Hereinafter, the conductive paste layer 102 is shown as a part of the first wiring 21.

다음으로, 접착 시트(101)를 예를 들면 용해시킴으로써 제거한다. 이에 의해, 지지 기판(100)을 발광소자(30)로부터 박리한다. 이렇게 하여, 발광소자(30)가 지지 기판(100)으로부터 기판(20)에 전사된다. 이 때, 예를 들면, 각 서브 픽셀(11)에는 2개의 발광소자(30)가 탑재된다. 또한, 상방에서 보아, 발광소자(30)의 형상은 예를 들면 사각형이다. Next, the adhesive sheet 101 is removed by dissolving, for example. Thereby, the support substrate 100 is peeled off from the light emitting element 30. In this way, the light emitting device 30 is transferred from the support substrate 100 to the substrate 20. At this time, for example, two light-emitting elements 30 are mounted on each sub-pixel 11. Further, as viewed from above, the shape of the light emitting element 30 is, for example, a square.

(수지 부재(23)를 형성하는 공정) (Process of forming the resin member 23)

다음으로, 도 7a에 나타낸 바와 같이, 기판(20) 상에 발광소자(30)를 덮는 수지 부재(23)를 형성한다. 예를 들면, 기판(20)의 상면(20a)에 감광성 수지를 도포하고, 현상하여 경화시킨다. 또는, 감광성 수지로 이루어지는 드라이 필름을 기판(20)의 상면(20a)에 붙인다. 이렇게 하여, 수지 부재(23)가 형성된다. 이 시점에서는, 수지 부재(23)는 복수의 서브 픽셀(11)에 탑재된 복수의 발광소자(30)를 모두 덮는다. Next, as shown in FIG. 7A, a resin member 23 covering the light emitting device 30 is formed on the substrate 20. For example, a photosensitive resin is applied to the upper surface 20a of the substrate 20, developed and cured. Alternatively, a dry film made of a photosensitive resin is attached to the upper surface 20a of the substrate 20. In this way, the resin member 23 is formed. At this point, the resin member 23 covers all of the plurality of light emitting elements 30 mounted on the plurality of sub-pixels 11.

(제2 전극(33)을 수지 부재(23)로부터 노출시키는 공정) (Step of exposing the second electrode 33 from the resin member 23)

다음으로, 도 7b에 나타낸 바와 같이, 수지 부재(23)의 상면(23a)에 대해 에칭, 예를 들면, 산소 가스(O2)를 이용한 RIE(Reactive Ion Etching: 반응성 이온 에칭)를 실시함으로써, 수지 부재(23)의 상부를 제거한다. 이에 의해, 제2 전극(33)의 상부를 포함하는 발광소자(30)의 상부가, 수지 부재(23)의 상면(23a)으로부터 노출된다. 또한, 이 때, 수지 부재(23)를 서브 픽셀(11)마다 구획하고, 전극(22)을 노출시킨다. 이에 의해, 수지 부재(23)의 형상은, 예를 들면, 대략 직방체 또는 사각뿔대형이 된다. Next, as shown in Fig. 7B, by performing etching on the upper surface 23a of the resin member 23, for example, RIE (Reactive Ion Etching: Reactive Ion Etching) using oxygen gas (O 2 ), The upper part of the resin member 23 is removed. Accordingly, the upper portion of the light emitting element 30 including the upper portion of the second electrode 33 is exposed from the upper surface 23a of the resin member 23. Further, at this time, the resin member 23 is divided for each sub-pixel 11, and the electrode 22 is exposed. Thereby, the shape of the resin member 23 becomes, for example, a substantially rectangular parallelepiped or a square truncated cone.

(수지 부재(23) 상에 제2 배선(24)을 형성하는 공정) (Process of forming the second wiring 24 on the resin member 23)

다음으로, 도 1 및 도 7c에 나타낸 바와 같이, 수지 부재(23) 상에 그물눈 형상의 제2 배선(24)을 형성한다. 예를 들면, 스핀 코트법에 의해 도전성 페이스트를 전면에 도포하고, 소결시킨 후, 포토리소그래피법에 의해, 그물눈 형상으로 가공한다. 이에 의해, 수지 부재(23)의 상면(23a) 및 측면(23b)에, 제1 방향으로 연장되는 제1 직선부분(24a) 및 제2 방향으로 연장되는 제2 직선부분(24b)을 포함하는 제2 배선(24)이 형성된다. Next, as shown in Figs. 1 and 7C, a mesh-shaped second wiring 24 is formed on the resin member 23. For example, a conductive paste is applied on the entire surface by a spin coating method, sintered, and then processed into a mesh shape by a photolithography method. Thereby, the upper surface 23a and the side surface 23b of the resin member 23 include a first linear portion 24a extending in the first direction and a second linear portion 24b extending in the second direction. The second wiring 24 is formed.

예를 들면, 제1 방향 및 제2 방향은, 픽셀(10)이 배열된 2방향이지만, 이에 한정되지 않는다. 2개의 제1 직선부분(24a) 및 2개의 제2 직선부분(24b)에 의해 둘러싸인 도형은 장방형에 한정되지 않고, 평행사변형이어도 된다. 또한, 제2 배선(24)은 제3 방향으로 연장되는 제3 직선부분을 가져도 되고, 예를 들면, 상방으로부터 본 제2 배선(24)의 형상은, 삼각형을 배열시킨 형상이어도 되고, 육각형을 배열시킨 벌집 형상이어도 된다. 본 명세서에서는, 이들 형상도 "그물눈 형상"에 포함하는 것으로 한다. For example, the first direction and the second direction are two directions in which the pixels 10 are arranged, but are not limited thereto. The figure surrounded by the two first straight portions 24a and the two second straight portions 24b is not limited to a rectangle, and may be a parallelogram. Further, the second wiring 24 may have a third straight portion extending in the third direction, for example, the shape of the second wiring 24 viewed from above may be a shape in which a triangle is arranged, or a hexagonal shape. It may be a honeycomb shape in which is arranged. In this specification, these shapes are also included in the "net shape".

상방에서 보아, 제1 직선부분(24a)의 간격 및 제2 직선부분(24b)의 간격을, 발광소자(30)의 일 변의 길이 이하로 함으로써, 제2 배선(24)의 일부는 확실하게 발광소자(30) 상에 배치된다. 상방에서 보아, 발광소자(30)의 반도체 부재(31)의 주위에는 제2 전극(33)이 형성되어 있기 때문에, 제2 배선(24)은 각 발광소자(30)의 제2 전극(33)에 접촉하여, 전기적으로 접속된다. 또한, 제2 배선(24)은 전극(22)에도 접촉하여, 전기적으로 접속된다. 그 결과, 모든 발광소자(30)의 제2 전극(33)은, 제2 배선(24)에 공통 접속된다. 이렇게 하여, 발광소자(30)는, 제1 배선(21) 및 제2 배선(24)에 접속된다. When viewed from above, the distance between the first linear portion 24a and the distance between the second linear portion 24b is less than or equal to the length of one side of the light emitting element 30, so that a part of the second wiring 24 reliably emits light. It is disposed on the element 30. As viewed from above, since the second electrode 33 is formed around the semiconductor member 31 of the light emitting element 30, the second wiring 24 is the second electrode 33 of each light emitting element 30. In contact with and electrically connected. Further, the second wiring 24 also contacts the electrode 22 and is electrically connected. As a result, the second electrodes 33 of all the light emitting elements 30 are commonly connected to the second wiring 24. In this way, the light emitting element 30 is connected to the first wiring 21 and the second wiring 24.

(결함을 가지는 발광소자(30x)를 제2 배선(24)으로부터 분리하는 공정) (Step of separating the defective light emitting device 30x from the second wiring 24)

다음으로, 도 1에 나타낸 바와 같이, 각 발광소자(30)을 검사하고, 결함을 가지는 발광소자(30x)를 검출하면, 이 발광소자(30x)에 접속된 제2 배선(24)의 제1 직선부분(24a) 및 제2 직선부분(24b)을 예를 들면 레이저 가공에 의해 절단하여, 발광소자(30x)를 제2 배선(24)으로부터 분리한다. 그 후, 전극(22) 및 제2 배선(24)의 표면에 대해 조면화 처리를 하여, 표면을 매트 형상으로 하거나, 흑화 처리 등을 하여 흑색 피막을 형성함으로써, 전극(22) 및 제2 배선(24)에서의 광반사율을 저하시킨다. 이에 의해, 화면의 콘트라스트가 향상된다. 이렇게 하여, 본 실시형태에 관련되는 표시장치(1)가 제조된다. Next, as shown in Fig. 1, when each light-emitting element 30 is inspected and a light-emitting element 30x having a defect is detected, the first line of the second wiring 24 connected to the light-emitting element 30x is The straight portion 24a and the second straight portion 24b are cut by, for example, laser processing to separate the light-emitting element 30x from the second wiring 24. Thereafter, the surface of the electrode 22 and the second wiring 24 is roughened to form a mat shape, or a black film is formed by performing a blackening treatment or the like to form the electrode 22 and the second wiring. The light reflectance at (24) is reduced. As a result, the contrast of the screen is improved. In this way, the display device 1 according to the present embodiment is manufactured.

다음으로, 본 실시형태의 효과에 대해서 설명한다. Next, the effect of this embodiment is demonstrated.

본 실시형태에 관련되는 표시장치(1)에서는, 각 발광소자(30)에서, 반도체 부재(31)의 서로 교차하는 적어도 2개의 측면(3lb)에 제2 전극(33)이 형성되어 있다. 또한, 제2 배선(24)의 형상은 상면에서 보면 그물눈 형상이다. 이 때문에, 발광소자(30)의 위치 및 각도가 설계로부터 다소 어긋나더라도, 각 발광소자(30)의 제2 전극(33)은, 어딘가의 부분에서 제2 배선(24)에 접촉된다. 따라서, 발광소자(30)를 기판(20)에 탑재할 때의 위치 정밀도를 과도하게 정밀하게 하지 않아도, 발광소자(30)의 제1 전극(35)이 제1 배선(21)에 접촉하는 정도로 정밀하면, 발광소자(30)를 제1 배선(21)과 제2 배선(24)에 전기적으로 접속할 수 있다. 이 때문에, 발광소자(30)를 기판(20)에 탑재할 때의 위치 및 각도의 마진이 크다. 그 결과, 표시장치(1)는 제조가 용이하여, 제조 비용이 낮다. In the display device 1 according to the present embodiment, in each of the light emitting elements 30, the second electrodes 33 are formed on at least two side surfaces 3lb intersecting each other of the semiconductor member 31. In addition, the shape of the second wiring 24 is a mesh shape when viewed from the top. For this reason, even if the position and angle of the light-emitting element 30 is slightly deviated from the design, the second electrode 33 of each light-emitting element 30 is in contact with the second wiring 24 at some part. Therefore, even if the positional accuracy when mounting the light emitting device 30 on the substrate 20 is not excessively precise, the degree of contact of the first electrode 35 of the light emitting device 30 with the first wiring 21 If precise, it is possible to electrically connect the light emitting device 30 to the first wiring 21 and the second wiring 24. For this reason, the margin of the position and angle when mounting the light emitting element 30 on the substrate 20 is large. As a result, the display device 1 is easy to manufacture, and the manufacturing cost is low.

또한, 본 실시형태에 있어서는, 제2 전극(33)을 발광소자(30)의 측면에 배치하고 있기 때문에, 제2 전극(33)은 반도체 부재(31)의 상면을 덮을 필요가 없다. 이 때문에, 반도체 부재(31)로부터 상방으로 출사하는 광을, 효율적으로 이용할 수 있다. 또한, 제2 배선(24)의 형상을 그물눈 형상으로 함으로써, 발광소자(30)로부터 측방으로 출사한 광의 일부를, 제2 배선(24)에 의해 상방을 향해 반사할 수 있다. 이에 의해서도, 광의 이용 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, in this embodiment, since the second electrode 33 is disposed on the side surface of the light emitting element 30, the second electrode 33 does not need to cover the upper surface of the semiconductor member 31. For this reason, the light emitted upward from the semiconductor member 31 can be used efficiently. Further, by making the shape of the second wiring 24 into a mesh shape, a part of the light emitted laterally from the light emitting element 30 can be reflected upwards by the second wiring 24. This can also improve light utilization efficiency.

나아가, 제2 배선(24)을 금속으로 형성하고 있기 때문에, ITO(Indium-Tin-Oxide: 산화 인듐 주석)등의 도전성 투명재료로 형성하는 경우에 비해, 배선의 전기저항이 낮다. 이 때문에, 표시장치(1)는 전력의 이용 효율이 높다. Further, since the second wiring 24 is formed of metal, the electrical resistance of the wiring is lower than that of the case where the second wiring 24 is formed of a conductive transparent material such as Indium-Tin-Oxide (ITO). For this reason, the display device 1 has high power utilization efficiency.

더 나아가, 표시장치(1)에서는, 각 서브 픽셀(11)에 2개의 발광소자(30)가 형성되어 있다. 이 2개의 발광소자(30)는 제1 배선(21)과 제2 배선(24)의 사이에 병렬로 접속된다. 어떤 서브 픽셀(11)에 배치된 2개의 발광소자(30)가 모두 정상이면, 이 2개의 발광소자(30)에는 병렬로 전류가 흐른다. 이에 대해, 2개의 발광소자(30) 중 일방이 결함을 가질 경우는, 제2 배선(24)에 단선부(24c)를 형성함으로써, 결함을 갖는 발광소자(30x)가 제2 배선(24)으로부터 분리된다. 이에 의해, 발광소자(30)의 결함이, 바로 서브 픽셀(11)의 결함, 예를 들면, 휘점 또는 암점이 되는 것을 방지할 수 있다. 이 경우는, 결함을 가지는 발광소자(30x)가 전류회로에서 분리되기 때문에, 정상인 1개의 발광소자(30)에 통상의 2배의 전류가 흐르고, 약 2배의 광이 출력된다. 이 때문에, 서브 픽셀(11)에 결함을 갖는 발광소자(30)가 존재하지 않는 경우라도, 결함을 갖는 발광소자(30)가 1개 존재하는 경우라도, 서브 픽셀(11) 전체의 휘도는 대략 동일하다. Further, in the display device 1, two light-emitting elements 30 are formed in each sub-pixel 11. The two light-emitting elements 30 are connected in parallel between the first wiring 21 and the second wiring 24. If the two light-emitting elements 30 arranged in a certain sub-pixel 11 are all normal, current flows through the two light-emitting elements 30 in parallel. On the other hand, when one of the two light-emitting devices 30 has a defect, by forming a disconnection portion 24c in the second wiring 24, the light-emitting device 30x having the defect is transferred to the second wiring 24 Is separated from Accordingly, it is possible to prevent the defect of the light emitting device 30 from becoming a defect of the sub-pixel 11, for example, a bright spot or a dark spot. In this case, since the defective light emitting element 30x is separated from the current circuit, twice the normal current flows through one normal light emitting element 30, and about twice as much light is output. For this reason, even if there is no light emitting device 30 having a defect in the sub-pixel 11, even if there is one light emitting device 30 having a defect, the luminance of the entire sub-pixel 11 is approximately same.

이와 같이, 본 실시형태에 따르면, 서브 픽셀(11)에 배치되는 발광소자(30)에 용장성을 갖게 할 수 있어, 하나의 발광소자(30)에 결함이 발생한 경우라도, 서브 픽셀(11)을 정상적으로 기능하게 할 수 있다. 이에 의해, 표시장치(1)의 수율이 향상되어, 제조 비용을 저감할 수 있다. 또한, 각 서브 픽셀(11)에는, 3개 이상의 발광소자(30)를 형성해도 된다. As described above, according to the present embodiment, it is possible to provide redundancy in the light emitting device 30 disposed in the sub-pixel 11, so that even when a defect occurs in one light emitting device 30, the sub-pixel 11 Can function normally. Thereby, the yield of the display device 1 is improved, and manufacturing cost can be reduced. In addition, three or more light-emitting elements 30 may be formed in each sub-pixel 11.

<제2 실시형태> <Second Embodiment>

다음으로, 제2 실시형태에 대해서 설명한다. Next, a second embodiment will be described.

도 8은, 본 실시형태에 관련되는 표시장치의 발광소자를 나타내는 단면도이다. 8 is a cross-sectional view showing a light emitting element of the display device according to the present embodiment.

도 8에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 관련되는 표시장치에서는, 발광소자(30a)가 형성되어 있다. 발광소자(30a)에서는, 제2 전극(33)이 반도체 부재(31)의 상면(31c)에서의 주변부까지 도달해 있다. 이에 의해, 제2 배선(24)을 제2 전극(33)에 확실하게 접속할 수 있다. 본 실시형태에서의 상기 이외의 구성, 제조방법 및 효과는, 제1 실시형태와 동일하다. As shown in Fig. 8, in the display device according to the present embodiment, a light emitting element 30a is formed. In the light emitting element 30a, the second electrode 33 reaches the peripheral portion of the upper surface 31c of the semiconductor member 31. Thereby, the second wiring 24 can be reliably connected to the second electrode 33. The configuration, manufacturing method, and effects other than the above in this embodiment are the same as in the first embodiment.

<제3 실시형태> <Third embodiment>

다음으로, 제3 실시형태에 대해서 설명한다. Next, a third embodiment will be described.

도 9은, 본 실시형태에 관련되는 표시장치의 발광소자를 나타내는 단면도이다. 9 is a cross-sectional view showing a light emitting element of the display device according to the present embodiment.

도 9에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 관련되는 표시장치에서는, 발광소자(30b)가 형성되어 있다. 발광소자(30b)에서는, 제2 전극(33)이 제1 부분(33b)과 제2 부분(33c)으로 나누어져 있다. 제1 부분(33b)은 반도체 부재(31)의 하면(31a) 및 측면(3lb)에 형성되어 있으며, 제2 부분(33c)는 반도체 부재(31)의 상면(31c)의 주변부에 형성되어 있다. 제2 부분(33c)는 제1 부분(33b)으로부터 이격되어 있다. 또한, 발광소자(30b)에서는, 금속 도금층(39)이 형성되어 있다. 금속 도금층(39)은, 제2 전극(33)의 제1 부분(33b)을 제2 부분(33c)에 전기적으로 접속하고 있다. 금속 도금층(39)은, 예를 들면, 전해 도금법에 의해 형성된 것이다. As shown in Fig. 9, in the display device according to the present embodiment, a light emitting element 30b is formed. In the light emitting device 30b, the second electrode 33 is divided into a first portion 33b and a second portion 33c. The first part 33b is formed on the lower surface 31a and the side surface 3lb of the semiconductor member 31, and the second part 33c is formed at the periphery of the upper surface 31c of the semiconductor member 31. . The second portion 33c is spaced apart from the first portion 33b. Further, in the light emitting device 30b, a metal plating layer 39 is formed. The metal plating layer 39 electrically connects the first portion 33b of the second electrode 33 to the second portion 33c. The metal plating layer 39 is formed by, for example, an electroplating method.

본 실시형태에 따르면, 제2 전극(33)을 형성할 때의 성막 상태에 의해, 제2 전극(33)이 제1 부분(33b)과 제2 부분(33c)으로 분리되어 버린 경우라 하더라도, 금속 도금층(39)을 형성함으로써, 제2 부분(33c)을 제2 전극(33)의 일부로서 기능하게 할 수 있다. 본 실시형태에서의 상기 이외의 구성, 제조방법 및 효과는, 제1 실시형태와 동일하다. According to the present embodiment, even if the second electrode 33 is separated into the first portion 33b and the second portion 33c due to the film-forming state at the time of forming the second electrode 33, By forming the metal plating layer 39, the second portion 33c can function as a part of the second electrode 33. The configuration, manufacturing method, and effects other than the above in this embodiment are the same as those in the first embodiment.

<제4 실시형태> <4th embodiment>

다음으로, 제4 실시형태에 대해서 설명한다. Next, a fourth embodiment will be described.

도 10은, 본 실시형태에 관련되는 표시장치의 발광소자를 나타내는 상면도이다. 10 is a top view showing a light emitting element of the display device according to the present embodiment.

도 10에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 관련되는 표시장치에서는, 발광소자(30c)가 형성되어 있다. 발광소자(30c)에서는, 제2 전극(33)이 반도체 부재(31)의 3개의 측면(3lb)에 형성되어 있다. 이 경우에도 제1 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. As shown in Fig. 10, in the display device according to the present embodiment, a light emitting element 30c is formed. In the light emitting device 30c, the second electrodes 33 are formed on the three side surfaces 3lb of the semiconductor member 31. Also in this case, the same effects as in the first embodiment can be obtained.

<제5 실시형태> <Fifth embodiment>

다음으로, 제5 실시형태에 대해서 설명한다. Next, a fifth embodiment will be described.

도 11은, 본 실시형태에 관련되는 표시장치의 발광소자를 나타내는 상면도이다. 11 is a top view showing a light emitting element of the display device according to the present embodiment.

도 11에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 관련되는 표시장치에서는, 발광소자(30d)가 형성되어 있다. 발광소자(30d)에서는, 제2 전극(33)이 반도체 부재(31)의 서로 교차하는 2개의 측면(3lb)에 형성되어 있다. 이 경우에도 제1 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. As shown in Fig. 11, in the display device according to the present embodiment, a light emitting element 30d is formed. In the light emitting element 30d, the second electrode 33 is formed on two side surfaces 3lb intersecting each other of the semiconductor member 31. Also in this case, the same effects as in the first embodiment can be obtained.

본 발명은, 예를 들면, 시각적으로 정보를 표시하는 장치에 이용할 수 있으며, 예를 들면, 휴대용 전자기기, 텔레비전 수상기, 다수를 위한 디스플레이 등에 이용할 수 있다. The present invention can be used, for example, in a device that visually displays information, and can be used, for example, in a portable electronic device, a television receiver, a display for a large number, and the like.

1: 표시장치
10: 픽셀
11, 11B, 11G, 11R: 서브 픽셀
20: 기판
20a: 상면
21: 제1 배선
22: 전극
23: 수지 부재
23a: 상면
23b: 측면
24: 제2 배선
24a: 제1 직선부분
24b: 제2 직선부분
24c: 단선부
30, 30a, 30b, 30c, 30d, 30x: 발광소자
31: 반도체 부재
31a: 하면
3lb: 측면
31c: 상면
31n: 제2 반도체층
31t: 발광층
31p: 제1 반도체층
32: 광반사층
32a, 32b: 개구부
33: 제2 전극
33a: 개구부
33b: 제1 부분
33c: 제2 부분
34: 절연층
34a: 개구부
35: 제1 전극
36: 보호층
37: 제1 도전층
38: 제2 도전층
39: 금속 도금층
100: 지지 기판
100a: 하면
101: 접착 시트
102: 도전성 페이스트층 1: display
10: pixel
11, 11B, 11G, 11R: sub-pixel
20: substrate
20a: top surface
21: first wiring
22: electrode
23: resin member
23a: top surface
23b: side
24: second wiring
24a: first straight portion
24b: second straight portion
24c: disconnection part
30, 30a, 30b, 30c, 30d, 30x: light emitting device
31: semiconductor member
31a: if
3lb: side
31c: top
31n: second semiconductor layer
31t: light emitting layer
31p: first semiconductor layer
32: light reflection layer
32a, 32b: opening
33: second electrode
33a: opening
33b: first part
33c: second part
34: insulating layer
34a: opening
35: first electrode
36: protective layer
37: first conductive layer
38: second conductive layer
39: metal plating layer
100: support substrate
100a: if
101: adhesive sheet
102: conductive paste layer

Claims (12)

서브 픽셀이 설정되고, 상기 서브 픽셀마다 제1 배선이 형성된 기판 및 하면에 제1 전극이 형성되고 서로 교차하는 적어도 2개의 측면에 제2 전극이 형성된 발광소자를 준비하는 공정과,
상기 기판 상에, 상기 발광소자를 탑재하고, 상기 제1 전극을 상기 제1 배선에 전기적으로 접속하는 공정과,
상기 기판 상에, 상기 발광소자를 덮는 수지 부재를 형성하는 공정과,
상기 수지 부재의 상부를 제거함으로써, 상기 제2 전극의 일부를 상기 수지 부재의 상면으로부터 노출시키는 공정과,
상기 수지 부재 상에, 일부가 상기 발광소자 상에 배치되도록 그물눈 형상의 제2 배선을 형성하고, 상기 제2 배선을 상기 제2 전극에 전기적으로 접속하는 공정을 구비한 표시장치의 제조방법.A step of preparing a light emitting device in which a sub-pixel is set, a first electrode is formed on a substrate on which a first wiring is formed for each of the sub-pixels, and a second electrode is formed on at least two side surfaces that cross each other;
Mounting the light emitting element on the substrate and electrically connecting the first electrode to the first wiring;
Forming a resin member covering the light emitting device on the substrate,
A step of exposing a part of the second electrode from the upper surface of the resin member by removing the upper portion of the resin member; and
A method of manufacturing a display device comprising a step of forming a mesh-shaped second wire on the resin member so that a part thereof is disposed on the light emitting device, and electrically connecting the second wire to the second electrode. 제1항에 있어서,
상기 발광소자는 반도체 부재를 포함하고, 상방에서 보아, 상기 제2 전극은 상기 반도체 부재의 주위에 형성되어 있는 표시장치 제조방법.The method of claim 1,
The method of manufacturing a display device, wherein the light emitting element includes a semiconductor member, and when viewed from above, the second electrode is formed around the semiconductor member. 제1항에 있어서,
상기 발광소자는 반도체 부재를 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 반도체 부재의 상면의 일부에도 형성되어 있는 표시장치 제조방법.The method of claim 1,
The light emitting device includes a semiconductor member, and the second electrode is also formed on a part of an upper surface of the semiconductor member. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상방에서 보았을 때, 상기 발광소자의 형상은 사각형인 표시장치의 제조방법. The method according to any one of claims 1 to 3,
When viewed from above, the shape of the light emitting device is a manufacturing method of a display device. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 배선은,
제1 방향으로 연장되는 제1 직선부분과,
상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되고, 상기 제1 직선부분과 연결된 제2 직선부분을 가지는 표시장치의 제조방법. The method according to any one of claims 1 to 4,
The second wiring,
A first straight portion extending in the first direction,
A method of manufacturing a display device having a second linear portion extending in a second direction crossing the first direction and connected to the first linear portion. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
적어도 1개의 상기 서브 픽셀에 2개 이상의 상기 발광소자를 탑재하는 표시장치의 제조방법. The method according to any one of claims 1 to 5,
A method of manufacturing a display device in which two or more light emitting elements are mounted on at least one sub-pixel. 제6항에 있어서,
결함을 갖는 1개의 상기 발광소자를 상기 제2 배선으로부터 분리하는 공정을 더 구비한 표시장치 제조방법. The method of claim 6,
A method of manufacturing a display device further comprising a step of separating one defective light emitting device from the second wiring. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수지 부재를 형성하는 공정에서, 상기 수지 부재는 복수의 상기 서브 픽셀에 탑재된 복수의 상기 발광소자를 덮고,
상기 노출시키는 공정에서, 상기 수지 부재를 상기 서브 픽셀마다 구획하는 표시장치의 제조방법. The method according to any one of claims 1 to 7,
In the process of forming the resin member, the resin member covers the plurality of light emitting devices mounted on the plurality of subpixels,
A method of manufacturing a display device in which the resin member is partitioned for each of the sub-pixels in the exposing step. 서브 픽셀이 설정된 기판과,
상기 기판 상에 상기 서브 픽셀마다 형성된 제1 배선과,
상기 기판에 상기 서브 픽셀마다 탑재된 발광소자와,
상기 발광소자의 하부 및 상기 제1 배선을 덮는 수지 부재와,
상기 수지 부재 상에 형성되어, 일부가 상기 발광소자 상에 배치된 그물눈 형상의 제2 배선을 구비하고,
상기 발광소자는,
반도체 부재와,
상기 반도체 부재의 하면에 형성되어, 상기 제1 배선에 전기적으로 접속된 제1 전극과,
상기 반도체 부재의 서로 교차하는 적어도 2개의 측면에 형성되어, 일부가 상기 수지 부재의 상면으로부터 노출된 제2 전극을 가지고,
상기 제2 배선은, 상기 제2 전극에서 상기 수지 부재 상으로 노출된 부분에 전기적으로 접속되어 있는 표시장치. A substrate on which sub-pixels are set,
A first wiring formed for each of the sub-pixels on the substrate,
A light emitting device mounted on the substrate for each sub-pixel,
A resin member covering the lower portion of the light emitting device and the first wiring,
It is formed on the resin member, and has a mesh-shaped second wiring partially disposed on the light emitting device,
The light emitting device,
A semiconductor member,
A first electrode formed on a lower surface of the semiconductor member and electrically connected to the first wiring;
It is formed on at least two side surfaces of the semiconductor member crossing each other, and has a second electrode partially exposed from the upper surface of the resin member,
The second wiring is electrically connected to a portion of the second electrode exposed onto the resin member. 제9항에 있어서,
상기 발광소자는, 상기 반도체 부재의 측면과 상기 제2 전극과의 사이에 형성된 절연성의 광반사층을 더 갖고,
상방에서 보아, 상기 제2 전극은 상기 반도체 부재의 주위에 형성되어 있으며,
상기 제2 전극은 상기 반도체 부재의 하면에 전기적으로 접속되어 있는 표시장치. The method of claim 9,
The light emitting device further has an insulating light reflection layer formed between the side surface of the semiconductor member and the second electrode,
As viewed from above, the second electrode is formed around the semiconductor member,
The second electrode is electrically connected to a lower surface of the semiconductor member. 제9항 또는 제10항에 있어서,
적어도 1개의 상기 서브 픽셀에 2개 이상의 상기 발광소자가 형성된 표시장치.The method of claim 9 or 10,
A display device in which two or more light emitting devices are formed in at least one sub-pixel. 제11항에 있어서,
결함을 가지는 1개의 상기 발광소자가 상기 제2 배선으로부터 분리되어 있는 표시장치.The method of claim 11,
A display device in which one light emitting element having a defect is separated from the second wiring.
KR1020200020080A 2019-02-20 2020-02-19 Display device and method of manufacturing display device KR20200101866A (en)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019028728 2019-02-20
JPJP-P-2019-028728 2019-02-20
JP2019184963A JP7029624B2 (en) 2019-02-20 2019-10-08 Display device and its manufacturing method
JPJP-P-2019-184963 2019-10-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200101866A true KR20200101866A (en) 2020-08-28

Family

ID=72263026

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200020080A KR20200101866A (en) 2019-02-20 2020-02-19 Display device and method of manufacturing display device

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7029624B2 (en)
KR (1) KR20200101866A (en)
TW (1) TW202044437A (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006140247A (en) 2004-11-11 2006-06-01 Sony Corp Wiring connection method and display apparatus and manufacturing method thereof

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013157496A (en) * 2012-01-31 2013-08-15 Sony Corp Light-emitting element, method of manufacturing the same, and light-emitting device
KR101820275B1 (en) * 2013-03-15 2018-01-19 애플 인크. Light emitting diode display with redundancy scheme and method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
US11024773B2 (en) * 2016-11-07 2021-06-01 Goertek. Inc Micro-LED with vertical structure, display device, electronics apparatus and manufacturing method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006140247A (en) 2004-11-11 2006-06-01 Sony Corp Wiring connection method and display apparatus and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
TW202044437A (en) 2020-12-01
JP7029624B2 (en) 2022-03-04
JP2020134921A (en) 2020-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107408606B (en) light emitting element, light emitting unit, light emitting panel device, and method of driving light emitting panel device
KR102455084B1 (en) Light emitting package and display device having thereof
JP5754173B2 (en) Light emitting unit and display device
KR102605973B1 (en) Pixel module and display apparatus having thereof
US9252396B2 (en) Organic electro-luminescence display device
US11164918B2 (en) Organic light emitting diode display panel having connection portion connecting organic light emitting diode to peripheral circuit and manufacturing method thereof
KR20180098451A (en) Display device
JP2019091032A (en) LED display device
US9024337B2 (en) Display panel and display unit
CN107403819B (en) Display device
CN111916480A (en) Display device and electronic apparatus
CN106133930B (en) Semiconductor unit, semiconductor device, light emitting apparatus, display apparatus, and semiconductor device manufacturing method
US11410975B2 (en) Display device and method of manufacturing display device
KR20190094665A (en) Micro led module
CN113555391A (en) Display device
JP7329740B2 (en) Display device and manufacturing method thereof
JP2020184477A (en) Display device and electronic device
US11362246B2 (en) Method of manufacturing display device with lateral wiring
KR20200101866A (en) Display device and method of manufacturing display device
KR100773936B1 (en) OLED display panel
KR20170050371A (en) Display device
KR102559945B1 (en) Light emitting module, light emitting cabinet and display device
WO2021138929A1 (en) Display panel and preparation method therefor
JP7322943B2 (en) Display devices and electronic devices
US20220069184A1 (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination