KR20200101197A

KR20200101197A - 신호 처리 회로 및 그 신호 처리 회로를 가지는 전자 장치

Info

Publication number: KR20200101197A
Application number: KR1020190019507A
Authority: KR
Inventors: 윤힘찬; 이경재; 황순호
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2019-02-19
Filing date: 2019-02-19
Publication date: 2020-08-27
Also published as: US20230136852A1; KR102637039B1; EP3913814A4; EP3913814B1; EP3913814A1; WO2020171528A1; US11888508B2

Abstract

신호를 전송하거나 수신하는 무선 통신 모듈과, 무선 통신 모듈과 방사체 사이에서 신호를 전달하는 급전선과, 접지부와 연결되는 가변 캐패시터를 구비하는 튜너와, 가변 캐패시터와 상기 급전선 사이에 연결된 리액턴스 소자를 포함하는 전자 장치가 개시된다. 이 외에도 명세서를 통해 파악되는 다양한 실시 예가 가능하다.

Description

신호 처리 회로 및 그 신호 처리 회로를 가지는 전자 장치{SIGNAL PROCESSING CIRCUIT AND AN ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SIGNAL PROCESSING CIRCUIT THEREOF}

본 문서에서 개시되는 실시 예들은, 회로를 이용하여 신호를 송신 또는 수신하는 기술과 관련된다.

방사체를 이용하여 신호를 송신 또는 수신하기 위한 신호 처리 회로는 전자 장치에 포함되고 있다. 예를 들어, 안테나를 이용하여 무선 통신을 수행하는 통신 모듈이 전자 장치에 적용되고 있다.

전자 장치에 포함되는 회로의 소형화, 다중 대역이나 다중 모드 서비스들의 지원, 또는 더 얇은 ID의 지원이 요구되고 있다.

또한, 여러 가지 환경에서, 예를 들면, 머리 또는 손과 같은 인체의 적어도 일부가 스마트폰 또는 태블릿과 같은 전자 장치에 접근하거나 접촉하는 경우, 방사체는 감소된 시스템 효율을 경험할 수 있다. 방사체의 감소된 시스템 효율은 전자 장치의 성능을 감소시킬 수 있다.

여러 가지 환경에서 발생되는 효율 손실을 보상하기 위하여 가변 캐패시터가 이용될 수 있다. 효율 손실을 보상하기 위해 가변 캐패시터를 이용할 때, 보다 큰 캐패시턴스가 요구되는 경우가 있다. 그러나, 회로에 사용되는 가변 캐패시터가 가질 수 있는 캐패시턴스의 범위는 한계가 있을 수 있다. 가변 캐패시터의 캐패시턴스의 최대값을 활용하더라도 저대역 공진주파수 대역을 얻을 수 없는 경우, 성능 확보에 어려움이 있을 수 있다.

본 문서에서 개시되는 실시 예들은 가변 캐패시터의 증폭을 통해 공진 주파수를 낮은 대역으로 편이시켜 핸드 팬텀(hand phantom)이 전자 장치를 파지하거나 사용자의 헤드가 전자 장치에 가까이 접근한 환경에의 방사체의 방사 성능을 유지 또는 개선할 수 있다.

본 문서에 개시되는 일 실시 예에 따른 전자 장치는, 신호를 전송하거나 수신하는 무선 통신 모듈과, 상기 무선 통신 모듈과 상기 방사체 사이에서 신호를 전달하는 급전선과, 접지부와 연결되는 가변 캐패시터를 구비하는 튜너와, 상기 가변 캐패시터와 상기 급전선 사이에 연결된 리액턴스 소자를 포함할 수 있다. 튜너는 상기 리액턴스 소자와 상기 가변 캐패시터가 선택적으로 직렬 연결될 수 있도록 하는 제1 스위치를 포함할 수 있다.

또한, 본 문서에 개시되는 일 실시 예에 따른 신호 처리 회로는, 무선 통신 모듈과 방사체 사이에서 신호를 전달하는 급전선과, 상기 급전선 및 접지부 사이에 연결되며, 서로 직렬 연결된 가변 캐패시터 및 리액턴스 소자 및 상기 리액턴스 소자의 양단에 연결된 제1 스위치를 포함할 수 있다.

본 문서에 개시되는 실시 예들에 따르면, 다양한 방사 환경에서 회로의 성능을 유지할 수 있다.

또한, 본 문서에서 개시되는 일 실시 예에 따르면, 튜너를 포함하는 회로 또는 전자 장치의 경우에, 튜너가 제공하는 가변 캐패시터의 최대 캐패시턴스 값보다 큰 값을 활용할 수 있다.

이 외에, 본 문서를 통해 직접적 또는 간접적으로 파악되는 다양한 효과들이 제공될 수 있다.

도 1은, 일 실시예에 따른 모바일 전자 장치의 전면의 사시도이다.
도 2는, 도 1의 전자 장치의 후면의 사시도이다.
도 3은, 도 1의 전자 장치의 전개 사시도이다.
도 4는 다양한 실시 예에 따른 네트워크 환경 내의 전자 장치를 나타낸다.
도 5는 일 실시 예에 따른 신호 처리 회로의 주요 구성을 설명하기 위한 회로도를 나타낸다.
도 6은 일 실시 예에 따른 커패시턴스의 증폭을 설명하기 위한 그래프를 나타낸다.
도 7은 일 실시 예에 따른 신호 처리 회로에서 주파수에 따라 증폭되는 커패시턴스를 설명하기 위한 그래프를 나타낸다.
도 8은 일 실시 예에 따른 신호 처리 회로에서 공진 주파수의 편이에 관한 실험 결과를 설명하기 위한 그래프를 나타낸다.
도 9는 일 실시 예에 따른 신호 처리 회로의 스위치의 상태에 따른 방사 효율에 대한 그래프 및 반사 계수에 대한 그래프를 나타낸다.
도 10은 다른 실시 예에 따라 복수의 방사체를 포함하는 신호 처리 회로의 주요 구성을 설명하기 위한 회로도이다.
도 11은 다른 실시 예에 따라 복수의 방사체를 포함하는 신호 처리 회로의 방사 효율에 대한 그래프 및 반사 계수에 대한 그래프를 나타낸다.
도 12는 튜너를 구비하는 전자 장치의 일부 구성을 나타낸다.
도 13은 일 실시 예에 따라 리액턴스 소자를 포함하는 전자 장치의 일부 구성을 나타낸다.
도 14는 일 실시 예에 따른 신호 처리 회로의 튜너와 다른 구성요소의 연결 관계를 나타낸다.
도 15는 다른 실시 예에 따른 신호 처리 회로의 튜너와 다른 구성요소의 연결 관계를 나타낸다.
도 16은 또 다른 실시 예에 따른 신호 처리 회로의 튜너와 다른 구성요소의 연결 관계를 나타낸다.
도 17은 일 실시 예에 따라 전자 장치가 구비하는 복수의 방사체의 예시를 나타낸다.
도면의 설명과 관련하여, 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일 또는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.

이하, 본 발명의 다양한 실시 예가 첨부된 도면을 참조하여 기재된다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 실시 예의 다양한 변경(modification), 균등물(equivalent), 및/또는 대체물(alternative)을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

도 1 및 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 전자 장치(100)는, 제 1 면(또는 전면)(110A), 제 2 면(또는 후면)(110B), 및 제 1 면(110A) 및 제 2 면(110B) 사이의 공간을 둘러싸는 측면(110C)을 포함하는 하우징(110)을 포함할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 하우징은, 도 1의 제 1 면(110A), 제 2 면(110B) 및 측면(110C)들 중 일부를 형성하는 구조를 지칭할 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 제 1 면(110A)은 적어도 일부분이 실질적으로 투명한 전면 플레이트(102)(예: 다양한 코팅 레이어들을 포함하는 글라스 플레이트, 또는 폴리머 플레이트)에 의하여 형성될 수 있다. 제 2 면(110B)은 실질적으로 불투명한 후면 플레이트(111)에 의하여 형성될 수 있다. 상기 후면 플레이트(111)는, 예를 들어, 코팅 또는 착색된 유리, 세라믹, 폴리머, 금속(예: 알루미늄, 스테인레스 스틸(STS), 또는 마그네슘), 또는 상기 물질들 중 적어도 둘의 조합에 의하여 형성될 수 있다. 상기 측면(110C)은, 전면 플레이트(102) 및 후면 플레이트(111)와 결합하며, 금속 및/또는 폴리머를 포함하는 측면 베젤 구조 (또는 “측면 부재”)(118)에 의하여 형성될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 후면 플레이트(111) 및 측면 베젤 구조(118)는 일체로 형성되고 동일한 물질(예: 알루미늄과 같은 금속 물질)을 포함할 수 있다.

도시된 실시예에서는, 상기 전면 플레이트(102)는, 상기 제 1 면(110A)으로부터 상기 후면 플레이트(111) 쪽으로 휘어져 심리스하게(seamless) 연장된 2개의 제 1 영역(110D)들을, 상기 전면 플레이트(102)의 긴 엣지(long edge) 양단에 포함할 수 있다. 도시된 실시예(도 2 참조)에서, 상기 후면 플레이트(111)는, 상기 제 2 면(110B)으로부터 상기 전면 플레이트(102) 쪽으로 휘어져 심리스하게 연장된 2개의 제 2 영역(110E)들을 긴 엣지 양단에 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 상기 전면 플레이트(102)(또는 상기 후면 플레이트(111))가 상기 제 1 영역(110D)들(또는 상기 제 2 영역(110E)들) 중 하나 만을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서는, 상기 제 1 영역(110D)들 또는 제 2 영역(110E)들 중 일부가 포함되지 않을 수 있다. 상기 실시예들에서, 상기 전자 장치(100)의 측면에서 볼 때, 측면 베젤 구조(118)는, 상기와 같은 제 1 영역(110D)들 또는 제 2 영역(110E)들이 포함되지 않는 측면 쪽에서는 제 1 두께(또는 폭)을 가지고, 상기 제 1 영역(110D)들 또는 제 2 영역(110E)들을 포함한 측면 쪽에서는 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께를 가질 수 있다.

일 실시예에 따르면, 전자 장치(100)는, 디스플레이(101), 오디오 모듈(103, 107, 114), 센서 모듈(104, 116, 119), 카메라 모듈(105, 112, 113), 키 입력 장치(117), 발광 소자(106), 및 커넥터 홀(108, 109) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(100)는, 구성요소들 중 적어도 하나(예: 키 입력 장치(117), 또는 발광 소자(106))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다.

디스플레이(101)는, 예를 들어, 전면 플레이트(102)의 상당 부분을 통하여 노출될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 상기 제 1 면(110A), 및 상기 측면(110C)의 제 1 영역(110D)들을 형성하는 전면 플레이트(102)를 통하여 상기 디스플레이(101)의 적어도 일부가 노출될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 디스플레이(101)의 모서리를 상기 전면 플레이트(102)의 인접한 외곽 형상과 대체로 동일하게 형성할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(101)가 노출되는 면적을 확장하기 위하여, 디스플레이(101)의 외곽과 전면 플레이트(102)의 외곽간의 간격이 대체로 동일하게 형성될 수 있다.

다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(101)의 화면 표시 영역의 일부에 리세스 또는 개구부(opening)을 형성하고, 상기 리세스 또는 상기 개구부(opening)와 정렬되는 오디오 모듈(114), 센서 모듈(104), 카메라 모듈(105), 및 발광 소자(106) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(101)의 화면 표시 영역의 배면에, 오디오 모듈(114), 센서 모듈(104), 카메라 모듈(105), 지문 센서(116), 및 발광 소자(106) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(101)는, 터치 감지 회로, 터치의 세기(압력)를 측정할 수 있는 압력 센서, 및/또는 자기장 방식의 스타일러스 펜을 검출하는 디지타이저와 결합되거나 인접하여 배치될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 상기 센서 모듈(104, 119)의 적어도 일부, 및/또는 키 입력 장치(117)의 적어도 일부가, 상기 제 1 영역(110D)들, 및/또는 상기 제 2 영역(110E)들에 배치될 수 있다.

오디오 모듈(103, 107, 114)은, 마이크 홀(103) 및 스피커 홀(107, 114)을 포함할 수 있다. 마이크 홀(103)은 외부의 소리를 획득하기 위한 마이크가 내부에 배치될 수 있고, 어떤 실시예에서는 소리의 방향을 감지할 수 있도록 복수개의 마이크가 배치될 수 있다. 스피커 홀(107, 114)은, 외부 스피커 홀(107) 및 통화용 리시버 홀(114)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는 스피커 홀(107, 114)과 마이크 홀(103)이 하나의 홀로 구현 되거나, 스피커 홀(107, 114) 없이 스피커가 포함될 수 있다(예: 피에조 스피커).

센서 모듈(104, 116, 119)은, 전자 장치(100)의 내부의 작동 상태, 또는 외부의 환경 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 센서 모듈(104, 116, 119)은, 예를 들어, 하우징(110)의 제 1 면(110A)에 배치된 제 1 센서 모듈(104)(예: 근접 센서) 및/또는 제 2 센서 모듈(미도시)(예: 지문 센서), 및/또는 상기 하우징(110)의 제 2 면(110B)에 배치된 제 3 센서 모듈(119)(예: HRM 센서) 및/또는 제 4 센서 모듈(116) (예: 지문 센서)을 포함할 수 있다. 상기 지문 센서는 하우징(110)의 제 1면(110A)(예: 디스플레이(101)뿐만 아니라 제 2면(110B)에 배치될 수 있다. 전자 장치(100)는, 도시되지 않은 센서 모듈, 예를 들어, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서(104) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.

카메라 모듈(105, 112, 113)은, 전자 장치(100)의 제 1 면(110A)에 배치된 제 1 카메라 장치(105), 및 제 2 면(110B)에 배치된 제 2 카메라 장치(112), 및/또는 플래시(113)를 포함할 수 있다. 상기 카메라 장치들(105, 112)은, 하나 또는 복수의 렌즈들, 이미지 센서, 및/또는 이미지 시그널 프로세서를 포함할 수 있다. 플래시(113)는, 예를 들어, 발광 다이오드 또는 제논 램프(xenon lamp)를 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 2개 이상의 렌즈들(적외선 카메라, 광각 및 망원 렌즈) 및 이미지 센서들이 전자 장치(100)의 한 면에 배치될 수 있다.

키 입력 장치(117)는, 하우징(110)의 측면(110C)에 배치될 수 있다. 다른 실시예에서는, 전자 장치(100)는 상기 언급된 키 입력 장치(117) 중 일부 또는 전부를 포함하지 않을 수 있고 포함되지 않은 키 입력 장치(117)는 디스플레이(101) 상에 소프트 키 등 다른 형태로 구현될 수 있다. 어떤 실시예에서, 키 입력 장치는 하우징(110)의 제 2면(110B)에 배치된 센서 모듈(116)을 포함할 수 있다.

발광 소자(106)는, 예를 들어, 하우징(110)의 제 1 면(110A)에 배치될 수 있다. 발광 소자(106)는, 예를 들어, 전자 장치(100)의 상태 정보를 광 형태로 제공할 수 있다. 다른 실시예에서는, 발광 소자(106)는, 예를 들어, 카메라 모듈(105)의 동작과 연동되는 광원을 제공할 수 있다. 발광 소자(106)는, 예를 들어, LED, IR LED 및 제논 램프를 포함할 수 있다.

커넥터 홀(108, 109)은, 외부 전자 장치와 전력 및/또는 데이터를 송수신하기 위한 커넥터(예를 들어, USB 커넥터)를 수용할 수 있는 제 1 커넥터 홀(108), 및/또는 외부 전자 장치와 오디오 신호를 송수신하기 위한 커넥터를 수용할 수 있는 제 2 커넥터 홀(예를 들어, 이어폰 잭)(109)을 포함할 수 있다.

도 3을 참조하면, 전자 장치(300)는, 측면 베젤 구조(310), 제 1 지지부재(311)(예 : 브라켓), 전면 플레이트(320), 디스플레이(330), 인쇄 회로 기판(340), 배터리(350), 제 2 지지부재(360)(예 : 리어 케이스), 안테나(370), 및 후면 플레이트(380)를 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(300)는, 구성요소들 중 적어도 하나(예: 제 1 지지부재(311), 또는 제 2 지지부재(360))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다. 전자 장치(300)의 구성요소들 중 적어도 하나는, 도 1, 또는 도 2의 전자 장치(100)의 구성요소들 중 적어도 하나와 동일, 또는 유사할 수 있으며, 중복되는 설명은 이하 생략한다.

제 1 지지부재(311)는, 전자 장치(300) 내부에 배치되어 측면 베젤 구조(310)와 연결될 수 있거나, 측면 베젤 구조(310)와 일체로 형성될 수 있다. 제 1 지지부재(311)는, 예를 들어, 금속 재질 및/또는 비금속 (예: 폴리머) 재질로 형성될 수 있다. 제 1 지지부재(311)는, 일면에 디스플레이(330)가 결합되고 타면에 인쇄 회로 기판(340)이 결합될 수 있다. 인쇄 회로 기판(340)에는, 프로세서, 메모리, 및/또는 인터페이스가 장착될 수 있다. 프로세서는, 예를 들어, 중앙처리장치, 어플리케이션 프로세서, 그래픽 처리 장치, 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서 중 하나 또는 그 이상을 포함할 수 있다.

메모리는, 예를 들어, 휘발성 메모리 또는 비휘발성 메모리를 포함할 수 있다.

인터페이스는, 예를 들어, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 및/또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다. 인터페이스는, 예를 들어, 전자 장치(300)를 외부 전자 장치와 전기적 또는 물리적으로 연결시킬 수 있으며, USB 커넥터, SD 카드/MMC 커넥터, 또는 오디오 커넥터를 포함할 수 있다.

배터리(350)는 전자 장치(300)의 적어도 하나의 구성 요소에 전력을 공급하기 위한 장치로서, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 또는 재충전 가능한 2차 전지, 또는 연료 전지를 포함할 수 있다. 배터리(350)의 적어도 일부는, 예를 들어, 인쇄 회로 기판(340)과 실질적으로 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 배터리(350)는 전자 장치(300) 내부에 일체로 배치될 수 있고, 전자 장치(300)와 탈부착 가능하게 배치될 수도 있다.

안테나(370)는, 후면 플레이트(380)와 배터리(350) 사이에 배치될 수 있다. 안테나(370)는, 예를 들어, NFC(near field communication) 안테나, 무선 충전 안테나, 및/또는 MST(magnetic secure transmission) 안테나를 포함할 수 있다. 안테나(370)는, 예를 들어, 외부 장치와 근거리 통신을 하거나, 충전에 필요한 전력을 무선으로 송수신 할 수 있다. 다른 실시예에서는, 측면 베젤 구조(310) 및/또는 상기 제 1 지지부재(311)의 일부 또는 그 조합에 의하여 안테나 구조가 형성될 수 있다.

도 4는, 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경(400) 내의 전자 장치(401)의 블럭도이다. 도 4를 참조하면, 네트워크 환경(400)에서 전자 장치(401)는 제 1 네트워크(498)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(402)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(499)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(404) 또는 서버(408)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(401)는 서버(408)를 통하여 전자 장치(404)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(401)는 프로세서(420), 메모리(430), 입력 장치(450), 음향 출력 장치(455), 표시 장치(460), 오디오 모듈(470), 센서 모듈(476), 인터페이스(477), 햅틱 모듈(479), 카메라 모듈(480), 전력 관리 모듈(488), 배터리(489), 통신 모듈(490), 가입자 식별 모듈(496), 또는 안테나 모듈(497)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(401)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 표시 장치(460) 또는 카메라 모듈(480))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성 요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들은 하나의 통합된 회로로 구현될 수 있다. 예를 들면, 센서 모듈(476)(예: 지문 센서, 홍채 센서, 또는 조도 센서)은 표시 장치(460)(예: 디스플레이)에 임베디드된 채 구현될 수 있다

프로세서(420)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(440))를 실행하여 프로세서(420)에 연결된 전자 장치(401)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)을 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(420)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(476) 또는 통신 모듈(490))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(432)에 로드하고, 휘발성 메모리(432)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(434)에 저장할 수 있다. 일실시예에 따르면, 프로세서(420)는 메인 프로세서(421)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서), 및 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(423)(예: 그래픽 처리 장치, 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 추가적으로 또는 대체적으로, 보조 프로세서(423)은 메인 프로세서(421)보다 저전력을 사용하거나, 또는 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(423)는 메인 프로세서(421)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.

보조 프로세서(423)는, 예를 들면, 메인 프로세서(421)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(421)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(421)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(421)와 함께, 전자 장치(401)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 표시 장치(460), 센서 모듈(476), 또는 통신 모듈(490))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(423)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성 요소(예: 카메라 모듈(480) 또는 통신 모듈(490))의 일부로서 구현될 수 있다.

메모리(430)는, 전자 장치(401)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(420) 또는 센서모듈(476))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(440)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(430)는, 휘발성 메모리(432) 또는 비휘발성 메모리(434)를 포함할 수 있다.

프로그램(440)은 메모리(430)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(442), 미들 웨어(444) 또는 어플리케이션(446)을 포함할 수 있다.

입력 장치(450)는, 전자 장치(401)의 구성요소(예: 프로세서(420))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(401)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 장치(450)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 또는 디지털 펜(예:스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.

음향 출력 장치(455)는 음향 신호를 전자 장치(401)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 장치(455)는, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있고, 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.

표시 장치(460)는 전자 장치(401)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 표시 장치(460)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 표시 장치(460)는 터치를 감지하도록 설정된 터치 회로(touch circuitry), 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 센서 회로(예: 압력 센서)를 포함할 수 있다.

오디오 모듈(470)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일실시예에 따르면, 오디오 모듈(470)은, 입력 장치(450)를 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 장치(455), 또는 전자 장치(401)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(402)) (예: 스피커 또는 헤드폰))를 통해 소리를 출력할 수 있다.

센서 모듈(476)은 전자 장치(401)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일실시예에 따르면, 센서 모듈(476)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.

인터페이스(477)는 전자 장치(401)이 외부 전자 장치(예: 전자 장치(402))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 인터페이스(477)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.

연결 단자(478)는, 그를 통해서 전자 장치(401)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(402))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 연결 단자(478)은, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.

햅틱 모듈(479)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일실시예에 따르면, 햅틱 모듈(479)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.

카메라 모듈(480)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일실시예에 따르면, 카메라 모듈(480)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.

전력 관리 모듈(488)은 전자 장치(401)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(388)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.

배터리(489)는 전자 장치(401)의 적어도 하나의 구성 요소에 전력을 공급할 수 있다. 일실시예에 따르면, 배터리(489)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.

통신 모듈(490)은 전자 장치(401)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(402), 전자 장치(404), 또는 서버(408))간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(490)은 프로세서(420)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 통신 모듈(490)은 무선 통신 모듈(492)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(494)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(498)(예: 블루투스, WiFi direct 또는 IrDA(infrared data association) 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(499)(예: 셀룰러 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부 전자 장치와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성 요소(예: 단일 칩)으로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성 요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(492)은 가입자 식별 모듈(496)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(498) 또는 제 2 네트워크(499)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(401)를 확인 및 인증할 수 있다.

안테나 모듈(497)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 하나의 안테나를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(497)은 복수의 안테나들을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(498) 또는 제 2 네트워크(499)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(490)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(490)과 외부 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC)이 추가로 안테나 모듈(497)의 일부로 형성될 수 있다.

상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))를 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.

일실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(499)에 연결된 서버(408)를 통해서 전자 장치(401)와 외부의 전자 장치(404)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 전자 장치(402, 404) 각각은 전자 장치(401)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(401)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부 전자 장치들(402, 404, or 408) 중 하나 이상의 외부 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(401)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(401)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(401)로 전달할 수 있다. 전자 장치(401)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다.

도 5는 일 실시 예에 따른 신호 처리 회로의 주요 구성을 설명하기 위한 회로도(500)를 나타낸다.

일 실시 예에 따르면, 신호 처리 회로는 직렬 연결된 가변 캐패시터(501) 및 리액턴스 소자(502)를 포함할 수 있다. 도 5를 참조하면, 가변 캐패시터(501) 및 리액턴스 소자(502)는 무선 통신 모듈(510)(예: 도 4의 무선 통신 모듈(492))으로부터 방사체(520) 사이에 신호를 송수신하는 급전선(504)과 접지부(505) 사이에 연결될 수 있다. 급전선을 통해 전달되는 신호는 전기적인 신호 또는 RF(Radio Frequency) 신호를 의미할 수 있다. 도 5에서 가변 캐패시터(501)가 접지부(505)에 연결된 것으로 도시되었으나, 가변 캐패시터(501)와 리액턴스 소자(502)의 연결 위치는 서로 치환될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 신호 처리 회로는 리액턴스 소자(502)의 양단에 연결된 제1 스위치(503)를 더 포함할 수 있다. 제1 스위치(503)가 닫힌(closed) 상태인 경우, 제1 스위치(503)의 양단이 실질적으로 저항 없이 연결된다. 본 명세서에서, 스위치의 양단이 실질적으로 저항 없이 연결된 상태를 스위치가 온(on) 상태라고 언급할 수 있다. 제1 스위치(503)가 온 상태인 경우, 제1 스위치(503)와 병렬 연결된 리액턴스 소자(502)의 양단이 실질적으로 저항 없이 연결되므로, 급전선(504) 측에서 바라본 임피던스 Zin에 리액턴스 소자(502)가 영향을 미치지 않을 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 제1 스위치(503)가 개방(open) 상태인 경우, 제1 스위치(503) 양단의 연결이 끊어진다. 본 명세서에서, 스위치가 개방된 상태를 스위치가 오프(off) 상태라고 언급할 수 있다. 제1 스위치(503)가 오프 상태인 경우, 급전선(504) 측에서 바라본 임피던스 Zin에 리액턴스 소자(502)가 영향을 미칠 수 있다. 예를 들어, 제1 스위치(503)의 동작에 따라서, 신호 처리 회로는 다른 동작 모드로 동작할 수 있다.

도 6은 일 실시 예에 따른 커패시턴스의 증폭을 설명하기 위한 그래프(600)를 나타낸다. 도 6은 주파수 ω에 따른 임피던스 Zin을 나타낸다.

도 5의 제1 스위치(503)가 온 상태인 경우를 나타내는 곡선(610)을 참조하면, 임피던스 Zin은 커패시턴스 성분으로만 이루어져 있으므로, 주파수 ω가 증가함에 따라서 0에 수렴한다. 따라서, 실질적으로 임피던스 Zin이 0이 될 수 없다.

이에 비해서, 도 5의 제1 스위치(503)가 오프 상태인 경우를 나타내는 곡선(620)을 참조하면, 아래 수학식 1에서 제시된 바와 같이 공진 주파수

에서 임피던스 Zin이 0이 된다

상기 수학식 1에서 L은 리액턴스 소자의 리액턴스 값, Cvar는 가변 캐패시터의 캐패시턴스 값, ω는 주파수를 의미한다.

따라서, 도 5의 제1 스위치(503)가 오프된 상태로 도 5의 신호 처리 회로가 동작하는 경우, 주파수

에서 곡선(610)과 곡선(620)의 차이(630)만큼 임피던스 Zin이 증폭되는 효과를 얻을 수 있다.

도 7은 일 실시 예에 따른 신호 처리 회로에서 주파수에 따라 증폭되는 커패시턴스를 설명하기 위한 그래프(700)를 나타낸다.

예를 들어, 도 7은 리액턴스 값이 4.7 nH인 리액턴스 소자를 사용하고, 가변 캐패시터의 캐패시턴스 값이 4 pF인 경우에, 도 5의 제1 스위치(503)가 온 상태인 경우의 캐패시턴스 값(710) 및 도 5의 제1 스위치(503)가 오프 상태인 경우의 캐패시턴스 값(720)을 나타낸다.

도 7을 참조하면, 도 5의 제1 스위치(503)가 온 상태인 경우, 리액턴스 소자의 리액턴스가 회로에 영향을 미치지 않으므로, 캐패시턴스가 4 pF으로 유지된다. 이에 반해서, 도 5의 제1 스위치(503)가 오프 상태인 경우, 주파수가 증가할 수록 커패시턴스 값(720)이 증가한다.

도 8은 일 실시 예에 따른 신호 처리 회로에서 공진 주파수의 편이에 관한 실험 결과를 설명하기 위한 그래프(800)를 나타낸다.

도 8을 참조하면, 가변 캐패시터의 캐패시턴스가 4 pF이고, 리액턴스 소자가 연결되지 않은 경우(810)에 비하여 리액턴스 소자가 연결된 경우 (820)에 공진 주파수가 낮은 대역으로 편이(shift)된 것을 확인할 수 있다. 따라서, 일 실시 예에 따른 신호 처리 회로를 이용하여 용이하게 저대역 안테나를 구현할 수 있다. 또한, 캐패시턴스가 3.04 pF인 경우(830)와 3.52 pF인 경우(840)의 반사 계수를 참조하면, 캐패시턴스가 낮아질수록 공진 주파수가 고대역으로 편이되는 것이 확인된다.

도 9는 일 실시 예에 따른 신호 처리 회로의 스위치의 상태에 따른 방사 효율에 대한 그래프(901) 및 반사 계수에 대한 그래프(902)를 나타낸다.

방사 효율에 대한 그래프(901)를 참조하면, 도 5의 제1 스위치(503)를 온 상태로 신호 처리 회로가 동작하는 경우에 비해서, 도 5의 제1 스위치(503)를 오프 상태로 신호 처리 회로가 동작하는 경우에 일부 영역(910) 내에서 방사 효율이 더 높은 것이 확인된다.

반사 계수에 대한 그래프(902)를 참조하면, 도 5의 제1 스위치(503)를 온 상태에서 오프 상태로 변경할 경우, 공진 주파수의 낮은 대역으로의 편이(920)가 발생한다.

도 10은 다른 실시 예에 따라 복수의 방사체를 포함하는 신호 처리 회로의 주요 구성을 설명하기 위한 회로도(1000)이다.

일 실시 예에 따르면, 신호 처리 회로는 서로 직렬 연결된 가변 캐패시터(1001) 및 리액턴스 소자(1002), 또는 리액턴스 소자(1002)의 양단에 연결된 스위치(1003)를 포함할 수 있다. 캐패시터(1001) 및 리액턴스 소자(1002)는 무선 통신 모듈(1010)으로부터 제1 방사체(1020)에 신호를 전달하는 급전선(1004)과 접지부(1005) 사이에 연결될 수 있다. 일 실시 예에서, 신호 처리 회로는 다른 주파수 대역의 신호를 송출하거나 수신하기 위한 다른 방사체인 제2 방사체(1022)를 더 포함할 수 있다. 도 5의 회로 구성에 대비하여, 제2 방사체(1022)가 더 연결되는 경우, 무선 통신 모듈(1010)이 서로 다른 대역의 신호를 처리할 수 있다.

도 11은 다른 실시 예에 따라 복수의 방사체를 포함하는 신호 처리 회로의 방사 효율에 대한 그래프(1101) 및 반사 계수에 대한 그래프(1102)를 나타낸다.

방사 효율에 대한 그래프(1101)에 나타난 바와 같이, 도 9의 그래프(901)의 경우와 유사하게 일부 대역에서 스위치가 오프된 상태로 신호 처리 회로가 동작하는 경우에 방사 효율이 향상된다.

또한, 반사 계수에 대한 그래프(1102)를 참조하면, 두 대역에 대한 공진주파수가 낮은 대역으로 편이되는 것이 확인된다.

도 12는 튜너를 구비하는 전자 장치의 일부 구성(1240)을 나타낸다. 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(100))가 금속 재질로 형성된 하우징(예: 도 1의 하우징(110))을 구비하는 경우, 전자 장치는 금속 하우징을 방사체(예: 도 5의 520, 도 10의 제1 방사체(1020), 또는 도 10의 제2 방사체(1022))로 사용할 수 있다. 예를 들어, 하우징은 방사체로 사용될 수 있는, 제1 도전성 부분(1221), 또는 제2 도전성 부분(1222)을 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치는 신호의 주파수에 동조하여 그 주파수의 신호를 선택하기 위한 튜너(1200)를 포함할 수 있다. 튜너는 방사체로 사용되는 제1 도전성 부분(1221) 또는 제2 도전성 부분(1222) 중 적어도 하나에 연결될 수 있다. 또 다른 예로, 튜너는 제1 도전성 부분(1221) 또는 제2 도전성 부분(1222) 중 적어도 하나에 연결되는 가변 캐패시터를 포함할 수 있다.

일 실시 예에서, 전자 장치는 방사체로 사용되는 제1 도전성 부분(1221) 또는 제2 도전성 부분(1222) 중 적어도 하나와 신호를 송신 또는 수신하는 무선 통신 모듈(1210)을 더 포함할 수 있다. 무선 통신 모듈(1210)은 급전선을 통해서 제1 도전성 부분(1221) 또는 제2 도전성 부분(1222) 중 적어도 하나에 연결될 수 있다. 도 12에 도시된 구조에 따르면 튜너(1200)를 통해서 급전선(1205)이 형성될 수 있으나, 무선 통신 모듈(1210)은 튜너(1200)를 통하지 않는 급전선을 통해서 제1 도전성 부분(1221) 또는 제2 도전성 부분(1222)과 연결될 수도 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치는 접지부(예: 도 5의 접지부(505) 또는 도 10의 접지부(1005)와 연결되는 도전성 패턴(1230)을 더 포함할 수 있다. 도전성 패턴(1230)은 튜너(1200)를 통해서 접지부에 연결될 수 있다. 도전성 패턴(1230)은 제1 도전성 부분(1221) 또는 제2 도전성 부분(1222)에 인접한 전자 장치의 전기적 구성물(1208)(예: USB 커넥터, 3.5 파이 커넥터, 또는 c-type 커넥터)로 인해서 방사 특성의 저하가 발생하는 것을 방지하기 위해 구비될 수 있다. 도전성 패턴(1230)은, 예를 들면, 더미 레이저 직접 구조(Laser Direct Structuring; LDS) 안테나를 포함할 수 있다.

도 12에 도시된 바와 같이, 방사체(예: 제1 도전성 부분(1221) 또는 제2 도전성 부분(1222))에 연결되는 가변 캐패시터(예: 도 5의 가변 캐패시터(501))가 튜너(1200)에 포함된 구성요소로 구비되는 경우에, 그 튜너(1200)에서 제공되는 카변 캐패시터의 최대 캐패시턴스는 정해져 있으므로, 정해진 값을 초과하는 캐패시턴스 값을 얻기 어려울 수 있다.

그러나, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 도 13에 도시된 바와 같이 튜너(1200)의 외부에 리액턴스 소자(1300)를 추가하여 튜너(1200)에서 제공하는 가변 캐패시터의 캐패시턴스 값을 증폭할 수 있다.

도 13을 참조하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(100))는 프로세서(1310)(예: 도 4의 프로세서(420))를 포함할 수 있다. 프로세서(1310)는, 예를 들면, 전자 장치의 어플리케이션 프로세서(Application Processor; AP) 또는 통신 프로세서(Communication Processor; CP)를 포함할 수 있다. 프로세서(1310)는 일 실시 예에 따른 신호 처리 회로(1301)의 스위치(예: 도 5의 제1 스위치(503), 또는 튜너의 스위치)를 제어할 수 있다. 예컨대, 프로세서(1310)는 신호 처리 회로(1301)의 스위치에 전기적으로 연결되고, 스위치에 전기적인 제어 신호를 전달할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 프로세서(1310)는 지정된 이벤트가 발생하는 경우에 리액턴스 소자(1300)가 가변 캐패시터(예: 도 5의 가변 캐패시터(501) 또는 도 10의 가변 캐패시터(1001))와 직렬 연결되도록 스위치(예: 도 5의 제1 스위치(503) 또는 도 10의 제1 스위치(1003))를 제어할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(1310)는 지정된 이벤트가 발생하는 경우에 스위치가 개방되도록 스위치를 제어할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 지정된 이벤트는 신호 처리 회로를 포함하는 전자 장치에 물체가 근접하거나 접촉하는 것일 수 있다. 예를 들어, 사용자가 전자 장치를 파지하거나 사용자의 머리가 전자 장치에 가까이 위치하는 경우에 스위치를 개방시킬 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(1310)는 센서 모듈(예: 도4의 센서 모듈(476)의 센서(예: 근접 센서, 접촉 센서)을 이용하여 지정된 이벤트의 발생을 인식할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(1310)는 센서로부터 수신된 전기적 신호에 기초하여 상태 정보를 결정하고, 상태 정보에 따라 지정된 이벤트가 발생하였는지 여부를 결정할 수 있다.

도 14는 일 실시 예에 따른 신호 처리 회로(1400)의 튜너(1200)와 다른 구성요소의 연결 관계를 나타낸다. 도 14를 참조하면, 튜너(1200)는 제1 가변 캐패시터 C1, 제2 가변 캐패시터 C2, 제2 스위치 S1, 제3 스위치 S2, 제4 스위치 S3, 제1 스위치 S4, 및/또는 더미 스위치 S5를 포함할 수 있다. 다만, 도 14에 도시된 튜너(1200)의 구성은 일 실시 예에 대한 것이며, 튜너의 구성은 실시 예에 따라서 변경될 수도 있다.

또한, 일 실시 예에 따른 신호 처리 회로(1400) 또는 신호 처리 회로(1400)를 포함하는 전자 장치는 튜너(1200)에 연결된 무선 통신 모듈(1210), 제1 방사체(1221), 제2 방사체(1222) 및 도전성 패턴(1230)을 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 튜너(1200)는 제1 노드(1401), 제2 노드(1402), 제3 노드(1403), 및/또는 제4 노드(1404)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 튜너는 제1 노드(1401)와 접지부(1450) 사이를 연결하는 더미 스위치 S5를 포함할 수 있다. 제1 노드(1401)는 튜너(1200) 외부의 도전성 패턴(1230)에 연결될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 튜너(1200)는 제2 노드(1402)와 제3 노드(1403) 사이를 연결하는 제2 스위치 S1을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 튜너(1200) 외부의 무선 통신 모듈(1210)이 제2 노드(1402)에 연결되고, 방사체 1(1221)이 제 3 노드(1403)에 연결되므로, 무선 통신 모듈(1210)으로부터 제2 스위치 S1을 지나 방사체 1(1221)로 연결되는 급전 경로(1440)가 형성될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 튜너(1200)는 제4 노드(1404) 및 제5 노드(1405) 사이에 연결된 제1 스위치 S4를 포함할 수 있다. 또 다른 예로, 튜너(1200)는 제6 노드(1406)와 접지부(1450) 사이에 연결된 제2 가변 캐패시터 C2를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 리액턴스 소자(1300)는 방사체 1(1221)과 제6 노드(1406) 사이에 연결될 수 있다. 또 다른 예로, 리액턴스 소자(1300)의 양단은 각각 제4 노드(1404) 및 제5 노드(1405)에 더 연결될 수 있다. 제1 스위치 S4가 온 상태인 경우 리액턴스 소자(1300)의 양단이 연결되므로 리액턴스 소자(1300)의 영향이 없는 상태로 회로가 동작할 수 있다. 또 다른 예로, 제1 스위치 S4가 오프 상태인 경우, 리액턴스 소자(1300)와 제2 가변 캐패시터 C2가 급전 경로(1440) 및 접지부(1450) 사이에 직렬로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 스위치 S4는 도 5의 제1 스위치(503) 또는 도 10의 제1 스위치(1003)의 기능을 수행할 수 있다.

일 실시 예에 따라서, 방사체 2(1222)가 튜너(1200)에 더 연결될 수 있다.

도 15는 다른 실시 예에 따른 신호 처리 회로(1500)의 튜너(1201)와 다른 구성요소의 연결 관계를 나타낸다. 다양한 실시 예에 따르면, 도 15는 무선 통신 모듈(1210)으로부터 방사체(1220)로 연결되는 급전선(1504)이 튜너(1201)의 제7 노드(1407) 내지 제 10 노드(1410) 중 하나 이상이 위치하는 방향에 배치되는 경우에 대한 것이다.

일 실시 예에 따르면, 튜너(1201)는 제3 가변 캐패시터 C3, 제5 스위치 S6, 제6 스위치 S7, 제7 스위치 S8, 및/또는 제8 스위치 S9를 포함할 수 있다. 다만, 도 15에 도시된 튜너(1201)의 구성은 일 실시 예에 대한 것이며, 튜너의 구성은 실시 예에 따라서 변경될 수도 있다.

도 15를 참조하면, 제7 노드(1407)는 무선 통신 모듈(1210)으로부터 방사체(1220)로 신호를 전달하는 급전선(1504)에 연결될 수 있다. 또 다른 예로, 튜너(1201)는 제7 노드(1407)와 제8 노드(1408) 사이를 연결하는 제5 스위치 S6을 포함할 수 있다.

일 실시 예에서, 튜너(1201)의 제8 노드(1408) 및 제9 노드(1409)는 일측이 급전선에 연결된 리액턴스 소자(1300)의 타측에 연결될 수 있다. 또 다른 예로, 튜너(1201)는 제9 노드(1409)와 튜너(1201)의 제3 가변 캐패시터 C3 사이에 연결된 제6 스위치 S7을 더 포함할 수 있다. 제5 스위치 S6 및 제6 스위치 S7은 도 5의 제1 스위치(503) 또는 도 10의 제1 스위치(1003)와 같은 기능을 수행할 수 있다. 예를 들어, 제6 스위치 S6 및 제6 스위치 S7가 모두 온 상태인 경우, 신호 처리 회로(1500)는 리액턴스 소자(1300)의 영향 없이 제3 가변 캐패시터 C3의 캐패시턴스에 기초하여 동작할 수 있다. 또 다른 예로, 제5 스위치 S6가 오프 상태이고 제6 스위치S7이 온 상태인 경우, 리액턴스 소자(1300)에 의해 제3 가변 캐패시터 C3의 캐패시턴스가 증폭될 수 있다.

도 16은 또 다른 실시 예에 따른 신호 처리 회로(1600)의 튜너(1201)와 다른 구성요소의 연결 관계를 나타낸다. 특히, 도 16은 무선 통신 모듈(1210)으로부터 방사체(1220)으로 연결되는 급전선(1604)이 튜너(1201)의 제11 노드(1411) 내지 제14 노드(1414) 중 하나 이상이 위치하는 방향에 배치되는 경우에 대한 것이다.

일 실시 예에 따른 튜너(1201)는 제3 가변 캐패시터 C3, 제5 스위치 S6, 제6 스위치 S7, 제7 스위치 S8, 및 제8 스위치 S9를 포함할 수 있다. 다만, 도 16에 도시된 튜너(1201)의 구성은 일 실시 예에 대한 것이며, 튜너의 구성은 실시 예에 따라서 변경될 수도 있다.

도 16을 참조하면, 튜너(1201)는 제10 노드(1410)에 연결된 제3 가변 캐패시터 C3를 포함할 수 있다. 또 다른 예로, 제10 노드(1410)는 접지부(1605)에 연결될 수 있다. 또 다른 예로, 튜너(1201)의 제11 노드(1411)는 제3 가변 캐패시터 C3의 제10 노드(1410)가 연결되지 않은 일측에 연결될 수 있다. 또 다른 예로, 튜너(1201)의 제11 노드(1411)는 제12 노드(1412)와 연결될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 리액턴스 소자(1300)는 일측이 제11 노드(1411) 및 제12 노드(1412)에 연결되고, 리액턴스 소자(1300)의 타측은 무선 통신 모듈(1210)으로부터 방사체(1221)로 연결된 급전선(1604)에 연결될 수 있다. 또 다른 예로, 튜너(1201)는 제12 노드(1412)와 제13 노드(1413)를 연결하는 제7 스위치 S8을 포함할 수 있다. 제7 스위치 S8은 도 1의 제1 스위치(503)의 기능을 수행할 수 있다.

실시 예에 따라서, 튜너(1201)의 제14 노드(1414)에 방사체 2(1222)가 더 연결될 수 있다.

도 17은 일 실시 예에 따라 전자 장치(1700)가 구비하는 복수의 방사체의 예시를 나타낸다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치(1700)(예: 도 1의 전자 장치(100) 또는 도 4의 전자 장치(400))는 금속 하우징을 이용하여 형성된 제1 방사체(1721) 제2 방사체(1722), 별도의 제3 방사체(1723), 또는 제4 방사체(1724) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.

일 예에 따르면, 제1 방사체(1721)는 저대역(Low Band, LB), 중간 대역(Middle Band; MB) 및 고대역(High Band)에서 신호를 송수신하기 위해 사용될 수 있다. 또 다른 예로, 제2 방사체(1722)는 중간 대역 및 고대역에서 신호를 송수신하기 위해 사용될 수 있다.

또 다른 예로, 전자 장치(1700)는 고대역 신호에 대해 사용되는 제3 방사체(1723) 및 중간 대역 신호에 대해 사용되는 제4 방사체(1724)를 더 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따른 신호 처리 회로(예: 도 5의 신호 처리 회로(500), 도 10의 신호 처리 회로(1000), 도 13의 신호 처리 회로(1301), 도 14의 신호 처리 회로(1400), 도 15의 신호 처리 회로(1500), 또는 도 16의 신호 처리 회로(1600))는 전자 장치(1700)에 구비된 방사체들 중 적어도 하나에 연결될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(100) 또는 도 4의 전자 장치(400))는 무선 통신 모듈(예: 도 4의 무선 통신 모듈(492), 도 5의 무선 통신 모듈(510), 도 10의 무선 통신 모듈(1010), 도 13의 무선 통신 모듈(1210), 도 14의 무선 통신 모듈(1210), 도 15의 무선 통신 모듈(1210) 또는 도 16의 무선 통신 모듈(1210)), 급전선(예: 도 5의 급전선(504), 도 10의 급전선(1004), 도 14의 급전 경로(1440), 도 15의 급전선(1504), 도 16의 급전선(1604)), 튜너(예: 도 13의 튜너(1200), 도 14의 튜너(1200), 도 15의 튜너(1201), 또는 도 16의 튜너(1201)), 리액턴스 소자(예: 도 5의 리액턴스 소자(502), 도 10의 리액턴스 소자(1002), 도 13의 리액턴스 소자(1300), 도 14의 리액턴스 소자(1300), 도 15의 리액턴스 소자(1300), 또는 도 16의 리액턴스 소자(1300)) 및 제1 스위치(예: 도 5의 제1 스위치(503), 도 10의 제1 스위치(1003), 도 14의 제1 스위치 S4, 도 15의 제5 스위치 S6, 또는 도 16의 제7 스위치 S8)를 포함할 수 있다. 무선 통신 모듈은 방사체로 신호를 전송하거나 방사체로부터 신호를 수신할 수 있다. 급전선은 무선 통신 모듈과 방사체 사이에서 신호를 전달할 수 있다. 튜너는 접지부(예: 도 5의 접지부(505), 도 10의 접지부(1005), 도 14의 접지부(1405), 도 15의 접지부(1505), 또는 도 16의 접지부(1605))와 연결되는 가변 캐패시터(예: 도 5의 가변 캐패시터(501), 도 10의 가변 캐패시터(1001), 도 14의 가변 캐패시터 C1, 도 15의 가변 캐패시터 C3, 도 16의 가변 캐패시터 C3)를 포함할 수 있다. 리액턴스 소자는 가변 캐패시터와 급전선 사이에 연결될 수 있다. 제1 스위치는 리액턴스 소자와 가변 캐패시터가 선택적으로 직렬 연결되도록 동작할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치는 튜너를 통해서 급전선에 연결되는 다른 방사체(예: 도 10의 제2 방사체(1022), 도 13의 제2 도전성 부분(1222), 또는 도 14의 제2 방사체(1221))를 더 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 튜너는 접지부에 연결되는 도전성 패턴(예: 도 13의 도전성 패턴(1230) 또는 도 14의 도전성 패턴(1230))을 더 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 튜너는 제1 스위치(예: 도 5의 제1 스위치(503), 도 10의 제1 스위치(1003), 도 14의 제1 스위치 S4, 도 15의 제5 스위치 S6, 또는 도 16의 제7 스위치 S8), 더미 스위치(예: 도 14의 더미 스위치 S5), 및 제2 스위치(예: 도 14의 제2 스위치 S1)를 포함할 수 있다. 제2 스위치는 무선 통신 모듈과 연결되는 제2 노드(예: 도 14의 노드(1402))와 방사체에 연결되는 제3 노드(예: 도 14의 제3 노드(1403) 사이를 연결할 수 있다. 제1 스위치는 튜너 내에서튜너의 제4 노드(1404) 및 제5 노드(1405) 사이에 연결될 수 있다. 튜너 외부에서, 리액턴스 소자의 일측은 가변 캐패시터에 연결된 제6 노드(예: 도 14의 제6노드(1406)) 및 제 5 노드(예: 도 14의 제5 노드(1405))에 연결되고, 타측은 제4 노드(예: 도 14의 제4 노드(1404)) 및 방사체에 연결될 수 있다.

튜너는 일측에 제7 노드(예: 도 15의 제7 노드(1407)), 제8 노드(예: 도 15의 제8 노드(1408)), 제9 노드(예: 도 15의 제9 노드(1409)) 및 제10 노드(예; 도 15의 제10 노드(1410))를 포함할 수 있다. 제1 스위치는 제7 노드 및 제8 노드 사이를 연결하는 제3 스위치(예: 도 15의 제5 스위치 S6) 및 제9 노드 및 가변 캐패시터 사이에 연결된 제4 스위치(예: 도 15의 제6 스위치 S7)을 포함할 수 있다.

튜너는 일측에 제10 노드(예: 도 16의 제10 노드(1410))를 포함하고, 타측에 제11 노드(예: 도 16의 제11 노드(1411)), 제12 노드(예: 도 16의 제12 노드(1412)), 및 제1312 노드(예: 도 16의 제 노드(1412))를 포함할 수 있다. 튜너는 제12 노드 및 제13 노드를 연결하는 제1 스위치를 포함할 수 있다. 제13 노드는 급전선에 연결될 수 있다. 튜너는 제12 노드 및 제 13 노드를 연결하는 제1 스위치를 포함할 수 있다. 리액턴스 소자의 일측은 제11 노드 및 제12 노드에 연결되고, 타측은 급전선에 연결될 수 있다.

전자 장치는 프로세서(예: 도 4의 프로세서(420), 또는 도 13의 프로세서(1310))를 포함할 수 있다. 프로세서는 지정된 이벤트가 발생하는 경우에 제1 스위치가 개방되도록 제1 스위치를 제어할 수 있다.

전자 장치는 전자 장치의 내부의 작동 상태 또는 외부의 환경 상태를 감지하는 센서(예: 도 1의 센서 모듈(476))를 더 포함할 수 있다. 프로세서는 센서를 이용하여 감지된 상태 정보에 기초해 이벤트의 발생을 인식할 수 있다. 지정된 이벤트는 전자 장치가 물체에 근접 또는 접촉하는 것일 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 신호 처리 회로(예: 도 5의 신호 처리 회로, 도 10의 신호 처리 회로, 도 13의 신호 처리 회로(1301), 도 14의 신호 처리 회로(1400), 도 15의 신호 처리 회로(1500), 또는 도 16의 신호 처리 회로(1600))는 급전선(예: 도 5의 급전선(504), 도 10의 급전선(1004), 도 14의 급전 경로(1440), 도 15의 급전선(1504), 도 16의 급전선(1604)), 카변 캐패시터(예: 도 5의 가변 캐패시터(501), 도 10의 가변 캐패시터(1001), 도 14의 가변 캐패시터 C1, 도 15의 가변 캐패시터 C3, 도 16의 가변 캐패시터 C3), 리액턴스 소자(예: 도 5의 리액턴스 소자(502), 도 10의 리액턴스 소자(1002), 도 13의 리액턴스 소자(1300), 도 14의 리액턴스 소자(1300), 도 15의 리액턴스 소자(1300), 또는 도 16의 리액턴스 소자(1300)), 및 제1 스위치(예: 도 5의 제1 스위치(503), 도 10의 제1 스위치(1003), 도 14의 제1 스위치 S4, 도 15의 제5 스위치 S6, 또는 도 16의 제7 스위치 S8)를 포함할 수 있다. 급전선은 무선 통신 모듈과 방사체 사이에서 신호를 전달할 수 있다. 카변 캐패시터 및 리액턴스 소자는 급전선 및 접지부 사이에 연결되며, 서로 직렬 연결될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 가변 캐패시터 및 제1 스위치는 방사체의 동작 주파수를 선택하기 위한 튜너(예: 도 13의 튜너(1200), 도 14의 튜너(1200), 도 15의 튜너(1201), 또는 도 16의 튜너(1201))에 포함되도록 구성될 수 있다. 또한, 리액턴스 소자는 튜너 외부에 위치할 수 있다.

제1 스위치는 상기 제1 스위치를 제어하는 프로세서(예: 도 4의 프로세서(420), 또는 도 13의 프로세서(1310))에 연결될 수 있다. 상기 프로세서는, 지정된 이벤트가 발생하는 경우에 상기 제1 스위치를 개방하도록 구성될 수 있다.

프로세서는 지정된 이벤트가 발생하는 경우에 제1 스위치가 개방되도록 제1 스위치를 제어할 수 있다. 프로세서는 센서를 이용하여 감지된 상태 정보에 기초해 이벤트의 발생을 인식할 수 있다. 지정된 이벤트는 전자 장치가 물체에 근접 또는 접촉하는 것일 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 방사체는 신호 처리 회로를 포함하는 전자 장치의 금속 하우징(예: 도 1의 하우징(110))의 적어도 일부를 포함할 수 있다.

본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치 (예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.

본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나",“A 또는 B 중 적어도 하나,”"A, B 또는 C," "A, B 및 C 중 적어도 하나,”및 “A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, “기능적으로” 또는 “통신적으로”라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, “커플드” 또는 “커넥티드”라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.

본 문서에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로 등의 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.

본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(401)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(436) 또는 외장 메모리(438))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(440))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(401))의 프로세서(예: 프로세서(420))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장매체 는, 비일시적(non-transitory) 저장매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, ‘비일시적’은 저장매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.

일실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory (CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두개의 사용자 장치들(예: 스마트폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.

다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.

Claims

전자 장치에 있어서,
신호를 전송하거나 수신하는 무선 통신 모듈;
상기 무선 통신 모듈과 상기 방사체 사이에서 신호를 전달하는 급전선;
접지부와 연결되는 가변 캐패시터를 구비하는 튜너;
상기 가변 캐패시터와 상기 급전선 사이에 연결된 리액턴스 소자를 포함하고,
상기 튜너는 상기 리액턴스 소자와 상기 가변 캐패시터가 선택적으로 직렬 연결될 수 있도록 하는 제1 스위치를 포함하는, 전자 장치.
청구항 1에 있어서,
상기 전자 장치는,
상기 튜너를 통해서 상기 급전선에 연결되는 다른 방사체를 더 포함하는, 전자 장치.
청구항 1에 있어서,
상기 튜너를 통해서 상기 접지부에 연결되는 도전성 패턴을 더 포함하는, 전자 장치.
청구항 3에 있어서,
상기 튜너는,
상기 제1 스위치,
상기 도전성 패턴과 연결되는 제1 노드와 접지부 사이를 연결하는 더미 스위치, 및
상기 무선 통신 모듈과 연결되는 제2 노드와 상기 방사체에 연결되는 제3 노드 사이를 연결하는 제2 스위치를 포함하며,
상기 제1 스위치는, 상기 튜너 내에서 상기 튜너의 제4 노드 및 제5 노드 사이에 연결되고,
상기 튜너 외부에서, 상기 리액턴스 소자의 일측은 상기 가변 캐패시터에 연결된 제6 노드 및 상기 제5 노드에 연결되고, 타측은 상기 제4 노드 및 상기 방사체에 연결된, 전자 장치.
청구항 1에 있어서,
상기 튜너는,
일측에 제7 노드, 제8 노드, 제9 노드 및 제10 노드를 포함하며,
상기 제7 노드는 상기 급전선에 연결되고,
상기 제8 노드 및 제9 노드는 상기 리액턴스 소자의 일측에 연결되며,
상기 제10 노드는 외부로는 상기 접지부에 연결되고 내부로는 상기 가변 캐패시터에 연결되며,
상기 제1 스위치는,
상기 제7 노드 및 상기 제8 노드 사이를 연결하는 제3 스위치, 및
상기 제9 노드 및 상기 가변 캐패시터 사이에 연결된 제4 스위치를 포함하는, 전자 장치.
청구항 1에 있어서,
상기 튜너는,
일측에 제10 노드를 포함하며, 타측에 제11 노드, 제12 노드, 및 제13 노드를 포함하고,
상기 제10 노드는 외부로는 상기 접지부에 연결되고 내부로는 상기 가변 캐패시터의 일측에 연결되며,
상기 제11 노드는 외부로는 상기 제12 노드와 연결되고 내부로는 상기 가변 캐패시터의 타측에 연결되며,
상기 제13 노드는 상기 급전선에 연결되고,
상기 튜너는 상기 제12 노드 및 상기 제13 노드를 연결하는 상기 제1 스위치를 포함하며,
상기 리액턴스 소자의 일측은 상기 제11 노드 및 상기 제12 노드에 연결되고, 상기 리액턴스 소자의 타측은 상기 급전선에 연결되는, 전자 장치.
청구항 1에 있어서,
상기 전자 장치는 프로세서를 더 포함하고,
상기 프로세서는, 지정된 이벤트가 발생하는 경우에 상기 제1 스위치를 개방하도록 구성된, 전자 장치.
청구항 1에 있어서,
상기 전자 장치는,
상기 전자 장치의 내부의 작동 상태 또는 외부의 환경 상태를 감지하는 센서를 더 포함하고,
상기 프로세서는, 센서를 이용하여 감지된 상태 정보에 기초하여 상기 이벤트의 발생을 인식하는, 전자 장치.
청구항 1에 있어서,
상기 지정된 이벤트는 상기 전자 장치에 물체가 근접 또는 접촉하는 것인, 전자 장치.
무선 통신 모듈과 방사체 사이에서 신호를 전달하는 급전선;
상기 급전선 및 접지부 사이에 연결되며, 서로 직렬 연결된 가변 캐패시터 및 리액턴스 소자; 및
상기 리액턴스 소자의 양단에 연결된 제1 스위치;를 포함하는 신호 처리 회로.
청구항 10에 있어서,
상기 가변 캐패시터 및 상기 제1 스위치는 상기 방사체의 동작 주파수를 선택하기 위한 튜너에 포함되도록 구성되며,
상기 리액턴스 소자는 상기 튜너 외부에 위치한 것인, 신호 처리 회로.
청구항 11에 있어서,
상기 신호 처리 회로는,
상기 튜너를 통해서 상기 급전선에 연결되는 다른 방사체를 더 포함하는, 신호 처리 회로.
청구항 11에 있어서,
상기 신호 처리 회로는,
상기 튜너를 통해서 상기 접지부에 연결되는 도전성 패턴을 더 포함하는, 신호 처리 회로.
청구항 13에 있어서,
상기 튜너는,
상기 제1 스위치,
상기 도전성 패턴과 연결되는 제1 노드와 상기 접지부 사이를 연결하는 더미 스위치, 및
상기 무선 통신 모듈과 연결되는 제2 노드와 상기 방사체에 연결되는 제3 노드 사이를 연결하는 제2 스위치를 포함하며,
상기 제1 스위치는, 상기 튜너 내에서 상기 튜너의 제4 노드 및 제5 노드 사이에 연결되고,
상기 튜너 외부에서, 상기 리액턴스 소자의 일측은 상기 가변 캐패시터에 연결된 제6 노드 및 상기 제5 노드에 연결되고, 타측은 상기 제4 노드 및 상기 방사체에 연결된, 신호 처리 회로
청구항 11에 있어서,
상기 튜너는,
일측에 제7 노드, 제8 노드, 제9 노드 및 제10 노드를 포함하며,
상기 제7 노드는 상기 급전선에 연결되고,
상기 제8 노드 및 제9 노드는 상기 리액턴스 소자의 일측에 연결되며,
상기 제10 노드는 외부로는 상기 접지부에 연결되고 내부로는 상기 가변 캐패시터에 연결되며,
상기 제1 스위치는,
상기 제7 노드 및 상기 제8 노드 사이를 연결하는 제3 스위치, 및
상기 제9 노드 및 상기 가변 캐패시터 사이에 연결된 제4 스위치를 포함하는, 신호 처리 회로.
청구항 11에 있어서,
상기 튜너는,
일측에 제10 노드를 포함하며, 타측에 제11 노드, 제12 노드, 및 제13 노드를 포함하고,
상기 제10 노드는 외부로는 상기 접지부에 연결되고 내부로는 상기 가변 캐패시터의 일측에 연결되며,
상기 제11 노드는 외부로는 상기 제12 노드와 연결되고 내부로는 상기 가변 캐패시터의 타측에 연결되며,
상기 제13 노드는 상기 급전선에 연결되고,
상기 튜너는 상기 제12 노드 및 상기 제13 노드를 연결하는 상기 제5 스위치를 포함하며,
상기 제1 스위치는 상기 제5 스위치를 포함하고,
상기 리액턴스 소자의 일측은 상기 제11 노드 및 상기 제12 노드에 연결되고, 상기 리액턴스 소자의 타측은 상기 급전선에 연결되는, 신호 처리 회로.
청구항 10에 있어서,
상기 제1 스위치는 상기 제1 스위치를 제어하는 프로세서에 연결되고,
상기 프로세서는, 지정된 이벤트가 발생하는 경우에 상기 제1 스위치를 개방하도록 구성된, 신호 처리 회로.
청구항 17에 있어서,
상기 프로세서는, 센서를 이용하여 감지된 상태 정보에 기초하여 상기 이벤트의 발생을 인식하는, 신호 처리 회로.
청구항 17에 있어서,
상기 지정된 이벤트는 상기 신호 처리 회로를 포함하는 장치에 물체가 근접 또는 접촉하는 것인, 신호 처리 회로.
청구항 10에 있어서,
상기 방사체는,
상기 신호 처리 회로를 포함하는 전자 장치의 금속 하우징의 적어도 일부를 포함하는, 신호 처리 회로.