KR20200094548A - Organic Light emitting device and method for the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유기 발광 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting device, and more particularly, to an organic light emitting device capable of improving light extraction efficiency and a method for manufacturing the same.
디스플레이 장치 중 하나인 유기 발광 장치(Organic Light Emitting Device; OLED)는 적어도 한쪽이 투명 또는 반투명한 한 쌍의 전극 사이에 유기 발광 재료로 이루어지는 발광층을 포함하는 유기물층이 형성된 구조를 갖는다. 즉, 유기 발광 소자는 광 투광성의 기판, 기판 상에 형성되며 양극과, 양극 상에 형성되며 광을 생성하는 유기물층과, 유기물층 상에 형성된 음극을 포함한다. 여기서, 양극 및 음극 중 적어도 하나는 광이 방출될 수 있도록 투광성을 갖도록 마련된다.An organic light emitting device (OLED), which is one of the display devices, has a structure in which an organic material layer including a light emitting layer made of an organic light emitting material is formed between at least one pair of transparent or semitransparent electrodes. That is, the organic light emitting device includes a light-transmitting substrate, an anode formed on the substrate, an organic material layer formed on the anode and generating light, and a cathode formed on the organic material layer. Here, at least one of the positive electrode and the negative electrode is provided to have light transmission so that light can be emitted.
이러한 유기 발광 장치는 한 쌍의 전극(양극과 음극) 사이에 전압을 인가하면, 유기물층에는 음극으로부터 전자가 주입되고, 양극으로부터 정공이 주입되어 이들이 유기물층에서 재결합하게 된다. 그리고, 이때 발생되는 에너지에 의해 유기 발광 재료가 여기되어 광이 생성된다. 유기물층에서 생성된 광은 양극이 위치된 하측 및 음극이 위치된 상측 중 적어도 하나의 방향으로 추출된다.In such an organic light emitting device, when a voltage is applied between a pair of electrodes (anode and cathode), electrons are injected from the cathode to the organic material layer, and holes are injected from the anode to recombine them in the organic material layer. Then, the organic light-emitting material is excited by the energy generated at this time to generate light. The light generated in the organic layer is extracted in at least one of the lower side where the anode is located and the upper side where the cathode is located.
한편, 상부 발광 타입의 유기 발광 장치에 있어서, 유기물층에서 생성된 광 중 일부가 표면 플라즈몬 효과로 인하여 음극으로 흡수되어 외부로 방출되지 못하는 광 손실 문제와 유기 발광 장치의 외부에서 내부로 산소 및 수분이 침투하는 것을 방지하는 봉지층이 설치되지만 외부로 광을 방출하지 못하게 되는 문제가 있다.On the other hand, in the organic light emitting device of the upper emission type, a part of the light generated in the organic material layer is absorbed by the cathode due to the surface plasmon effect and cannot be emitted to the outside, and oxygen and moisture are emitted from the outside of the organic light emitting device to the inside. Although an encapsulation layer is provided to prevent penetration, there is a problem that light cannot be emitted to the outside.
본 발명은 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법을 제공한다.The present invention provides an organic light emitting device capable of improving light extraction efficiency and a method for manufacturing the same.
본 발명은 수분 및 산소 투입을 방지할 수 있는 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법을 제공한다.The present invention provides an organic light emitting device capable of preventing moisture and oxygen input and a method for manufacturing the same.
본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 장치는 광 투과성을 가지는 기판 상에 순차적으로 형성된 제 1 전극, 유기 발광층 및 제 2 전극을 포함하는 광학부; 및 상기 제 2 전극 상에 형성된 봉지막;을 포함하고, 상기 봉지막은, 상기 제 2 전극 상에 형성된 제 1 무기막; 및 상기 제 1 무기막 상에 형성되며, 상기 제 1 무기막의 굴절율과 동일하거나, 큰 나노 렌즈;를 포함한다.An organic light emitting device according to an embodiment of the present invention includes an optical unit including a first electrode, an organic light emitting layer and a second electrode sequentially formed on a substrate having light transmissivity; And a sealing film formed on the second electrode, wherein the sealing film comprises: a first inorganic film formed on the second electrode; And a nano lens formed on the first inorganic layer and having a refractive index equal to or greater than that of the first inorganic layer.
상기 나노 렌즈의 굴절율은 1.6 내지 2.2인 것이 바람직하다.The refractive index of the nano-lens is preferably 1.6 to 2.2.
상기 제 1 무기막의 굴절율은 1.6 내지 2.0인 것이 바람직하다.The refractive index of the first inorganic film is preferably 1.6 to 2.0.
상기 제 1 무기막은 상기 제 1 무기막 전체에 대한 상기 저굴절 무기물 및 고굴절 무기물의 함량 비율(at%)을 조절하여 형성된다.The first inorganic film is formed by adjusting the content ratio (at%) of the low-refractive inorganic and high-refractive inorganic materials to the entire first inorganic film.
상기 나노 렌즈는 상기 제 1 무기막과 반대 방향으로 볼록한 형상이고, 상기 나노 렌즈는 복수개로 마련되어, 상기 제 1 무기막 상에서 나열 형성된다.The nano-lens has a convex shape in the opposite direction to the first inorganic film, and the nano-lens is provided in plural and is formed on the first inorganic film.
상기 나노 렌즈는 반구 형상인 것이 바람직하다.It is preferable that the nano-lens has a hemispherical shape.
상기 나노 렌즈의 폭은 100nm 내지 1000nm 인 것이 바람직하다.The width of the nano-lens is preferably 100nm to 1000nm.
상기 봉지막은 상기 나노 렌즈 상에 형성되며, 1.3 내지 1.5의 굴절율을 가지는 유기막을 포함한다.The encapsulation film is formed on the nano-lens, and includes an organic film having a refractive index of 1.3 to 1.5.
상기 봉지막은 상기 유기막 상에 형성되며, 1.4 내지 2.2의 굴절율을 가지는 제 2 무기막을 포함한다.The encapsulation film is formed on the organic film, and includes a second inorganic film having a refractive index of 1.4 to 2.2.
상기 제 2 전극이 광 투과성을 가지도록 형성되어, 상기 유기 발광층에서 생성된 광이 상기 제 2 전극 방향으로 방출되는 상부 발광 타입이거나,The second electrode is formed to have light transmittance, and the light generated by the organic emission layer is an upper emission type that is emitted in the direction of the second electrode,
상기 제 1 전극 및 제 2 전극 각각이 광 투과성을 가지도록 형성되어, 상기 유기 발광층에서 생성된 광이 상기 제 1 및 제 2 전극 방향으로 방출되는 양면 발광 타입이다.Each of the first electrode and the second electrode is formed to have light transmittance, so that light generated in the organic light emitting layer is a double-sided light emission type emitted in the direction of the first and second electrodes.
본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 장치의 제조 방법은 기판 상에 제 1 전극, 유기 발광층, 제 2 전극을 순차적으로 적층 형성하는 과정; 및 상기 제 2 전극 상에 봉지막을 형성하는 과정;을 포함하고, 상기 봉지막을 형성하는 과정은, 상기 제 2 전극 상에 제 1 무기막을 형성하는 과정; 및 상기 제 1 무기막 상에 상기 제 1 무기막의 굴절율과 동일하거나, 큰 나노 렌즈를 형성하는 과정;을 포함한다.A method of manufacturing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention includes the steps of sequentially forming a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode on a substrate; And forming an encapsulation film on the second electrode, wherein the forming of the encapsulation film includes: forming a first inorganic film on the second electrode; And forming a nano-lens on the first inorganic film that is equal to or larger than the refractive index of the first inorganic film.
상기 나노 렌즈를 형성하는데 있어서, 굴절율이 1.6 내지 2.2가 되도록 형성하고, 상기 제 1 무기막을 형성하는데 있어서, 상기 제 1 무기막의 굴절율이 1.6 내지 2.0이 되도록, 상기 제 1 무기막 전체에 대한 상기 저굴절 무기물 및 고굴절 무기물의 함량 비율(at%)을 조절하여 형성한다.In forming the nano-lens, the refractive index is formed to be 1.6 to 2.2, and in forming the first inorganic film, the refractive index of the first inorganic film is 1.6 to 2.0, so that the low with respect to the entire first inorganic film It is formed by adjusting the content ratio (at%) of the refractive mineral and the high-refractive mineral.
상기 나노 렌즈를 형성하는데 있어서, 상기 제 1 무기막과 반대 방향으로 볼록한 형상으로 형성하고, 상기 나노 렌즈는 상기 제 1 무기막 상에 나열 형성되도록 복수개로 마련된다.In forming the nano-lens, it is formed in a convex shape in the opposite direction to the first inorganic film, and the nano-lens is provided in plural to be formed on the first inorganic film.
상기 제 1 무기막의 표면 에너지가 상기 나노 렌즈의 표면 에너지에 비해 낮도록 조절하는 과정을 포함한다.And adjusting the surface energy of the first inorganic film to be lower than that of the nano-lens.
상기 나노 렌즈 상에 1.3 내지 1.5의 굴절율을 가지는 유기막을 형성하는 과정을 포함한다.And forming an organic layer having a refractive index of 1.3 to 1.5 on the nano lens.
본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 장치에 의하면, 광학부 상에 봉지막을 형성하고, 봉지막을 고굴절율의 제 1 무기막으로 형성함으로써, 광학부 내 광이 제 1 무기막 방향으로 추출되도록 유도할 수 있다. 이에, 유기 발광 장치의 광 추출 효율이 향상된다.According to the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention, by forming an encapsulation film on the optical section, and forming the encapsulation film as a first inorganic film having a high refractive index, induce light to be extracted in the direction of the first inorganic film in the optical section Can. Accordingly, the light extraction efficiency of the organic light emitting device is improved.
또한, 봉지막의 제 1 무기막 상에 나노 렌즈를 형성함으로써, 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 즉, 봉지막의 제 1 무기막으로 입사된 광을 나노 렌즈를 통해 산란시킴으로써, 측 방향으로 빠져 나가는 광량을 줄이고, 상측으로 추출되는 광량을 증가시킴으로써, 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.Further, by forming a nano lens on the first inorganic film of the encapsulation film, light extraction efficiency can be improved. That is, by scattering light incident on the first inorganic film of the encapsulation film through the nano-lens, it is possible to improve the light extraction efficiency by reducing the amount of light exiting in the lateral direction and increasing the amount of light extracted upward.
그리고, 봉지막의 무기막과 유기막이 교대로 적층되도록 봉지막을 형성함에 따라, 수분 및 산소 침투를 억제 또는 방지할 수 있다. 이에, 유기 발광 장치의 수명이 향상된다.In addition, as the encapsulation film is formed so that the inorganic film and the organic film of the encapsulation film are alternately stacked, moisture and oxygen penetration can be suppressed or prevented. Thus, the life of the organic light emitting device is improved.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 장치를 개념적으로 도시한 블록도
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 나노 렌즈를 설명하기 위한 개념도
도 3 내지 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 장치의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 블록도1 is a block diagram conceptually showing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.
2 is a conceptual diagram for explaining a nano lens according to an embodiment of the present invention
3 to 6 are block diagrams sequentially showing a method of manufacturing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and the scope of the invention to those skilled in the art. It is provided to inform you completely.
본 발명은 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 유기 발광 장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 광이 추출되는 방향에 위치된 봉지막을 개선하여, 외부로 방출 또는 추출되는 광 추출량을 증가시킬 수 있는 유기 발광 장치에 관한 것이다. 또한, 수분 및 산소 침투를 억제 또는 방지할 수 있는 유기 발광 장치를 제공한다.The present invention relates to an organic light emitting device capable of improving light extraction efficiency. More specifically, the present invention relates to an organic light emitting device capable of increasing an amount of light extracted or emitted to the outside by improving an encapsulation film positioned in a direction in which light is extracted. In addition, an organic light emitting device capable of suppressing or preventing moisture and oxygen penetration is provided.
이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 장치에 대해 설명한다.Hereinafter, an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 장치를 개념적으로 도시한 블록도이다. 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 나노 렌즈를 설명하기 위한 개념도이다.1 is a block diagram conceptually showing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention. 2 is a conceptual diagram for explaining a nano lens according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 장치는 기판(100), 기판(100) 상에 형성되며 광을 생성 또는 발생시키는 광학부(200), 광학부(200) 상에 형성된 캡핑층(300) 및 캡핑층(300) 상에 형성되며, 무기막(410) 및 나노 렌즈(420)를 포함하는 봉지막(400)을 포함한다.Referring to FIG. 1, an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention is formed on a
기판(100)은 광 투과성의 특성을 가지며, 플랙서블한 필름(film) 또는 유리(glass)일 수 있다. 이 중, 플랙서블한 필름은 폴리에틸렌테레프탈레이드(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌(PE), 폴리에테르설폰(PES), 폴리카보네이트(PC), 폴리아릴레이트(PAR) 및 폴리이미드(PI) 중 어느 하나일 수 있다.The
광학부(200)는 기판(100) 상에 형성된 제 1 전극(210), 제 1 전극(210) 상에 형성된 형성된 유기 발광층(220) 및 유기 발광층(220) 상에 형성된 제 2 전극(230)을 포함한다.The
실시예에 따른 광학부(200)는 음극인 제 2 전극(230) 방향으로 광을 추출하는 상부 발광(Top emission) 타입일 수 있다.The
제 1 전극(210)은 유기 발광층(220)으로 정공(hole)을 제공하는 양극(anode)의 역할을 하는 전극이다. 이러한 제 1 전극(210)은 유기 발광층(220)에서 생성된 광이 반사되어 제 2 전극(230)이 위치된 방향으로 향할 수 있도록 반사 특성을 가지도록 마련될 수 있다. 이를 위해, 제 1 전극(210)은 소정의 반사율을 가지도록 금속으로 마련될 수 있다. 보다 구체적으로, 제 1 전극(210)은 일함수가 작은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, LiF, Ba, Ca 및 이들의 화합물을 이용하여, 단층 또는 복합층을 이루도록 형성할 수 있다. 그리고, 제 1 전극(210)의 두께는 10㎚ 내지 300㎚일 수 있다.The
또한, 제 1 전극(210)은 상술한 예에 한정되지 않고, 투명 전도성 산화물(transparent conductive oxide; TCO)과 상술한 금속 중 어느 하나를 적층하여, 투명 전도성 산화물층과 금속층이 적층된 복층 구조로 마련될 수도 있다. 이때, 제 1 전극(210) 재료로 사용되는 투명 전도성 산화물(TCO)은 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(ZnO:Al), GZO(ZnO:Ga), BZO(ZnO:B) 및 SnO2(SnO2:F) 중 어느 하나를 사용할 수 있다.In addition, the
유기 발광층(220)에서는 정공(hole)과 전자(electron)가 결합되어 광을 생성하며, 높은 발광 휘도나 효율을 얻기 위하여 다층으로 형성될 수 있다. 이러한 유기 발광층(220)은 예컨대, 제 1 전극(210) 상에서 순차적으로 적층된 정공 주입층(hole injection layer; HIL)(221), 정공 수송층(hole transport layer; HTL)(222), 발광층(emission layer: EML)(223), 전자 수송층(electron transport layer ; ETL)(224), 전자 주입층(electron injection layer ; EIL)(225)을 포함할 수 있다.In the
정공 주입층(221)은 정공 수송층(222)으로 정공의 주입을 돕는 층으로서, 제 1 전극(210) 상에 형성된다. 이러한 정공 주입층(221)은 예컨대 CuPc(copper phthalocynine) 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine) 중 어느 하나의 물질을 사용하여 형성할 수 있다. 그리고, 정공 주입층(221)의 두께는 예컨대 20㎚ 내지 200㎚일 수 있다.The
물론, 정공 주입층(221)의 재료는 상술한 예에 한정되지 않고, 정공 수송층(222)으로의 정공 주입을 돕는 유기물 또는 동 기술분야에서 정공 주입층(221)으로 사용되는 다양한 유기물 재료가 사용될 수 있다.Of course, the material of the
정공 수송층(222)은 정공 주입층(221) 상부에 형성되어, 발광층(223)으로 정공 수송을 용이하게 한다. 이러한 정공 수송층(222)은 N-페닐카르바졸, 폴리비닐카르바졸 등의 카르바졸 유도체, NPB(N,N′-Di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′'-diamine), TPD(N,N'-Bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine) 및 NPD(N,N'-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine) 중 어느 하나의 물질을 사용하여 형성할 수 있다. 그리고, 정공 수송층(222)의 두께는 예컨대 10 내지 100㎚일 수 있다.The
물론, 정공 수송층(222)의 재료는 상술한 예에 한정되지 않고, 발광층(223)으로의 정공 수송을 돕는 유기물 또는 동 기술분야에서 정공 수송층(222)으로 사용되는 다양한 유기물 재료가 사용될 수 있다.Of course, the material of the
발광층(223)은 정공 수송층(222) 상부에 형성되며, 그 두께가 예컨대 10㎚ 내지 100㎚일 수 있다. 발광층(223)은 인광 물질 또는 형광 물질을 사용할 수 있다. The
발광층(223)이 형광 발광층인 경우, 상기 발광층(223)은 Alq3(Tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum), 디스티릴아릴렌(distyrylarylene; DSA), 디스티릴아릴렌 유도체, 디스티릴벤젠(distyrylbenzene; DSB), 디스티릴벤젠 유도체, DPVBi(4,4'-bis(2,2'-diphenyl vinyl) -1,1'-biphenyl), DPVBi 유도체, 스파이로-DPVBi 및 스파이로-6P(spiro-sexyphenyl)로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질을 포함할 수 있다. 더 나아가서, 상기 발광층(223)은 스티릴아민(styrylamine)계, 페릴렌(pherylene)계 및 DSBP(distyrylbiphenyl)계로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 도펀트 물질을 더욱 포함할 수 있다.When the
또한, 발광층(223)이 인광 발광층인 경우, 상기 발광층(223)은 호스트 물질로서 아릴아민계, 카바졸계 및 스피로계로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질을 포함할 수 있다. 바람직하게는 상기 호스트 물질은 CBP(4,4′-Bis(N-carbazolyl)-1,1′-biphenyl), CBP 유도체, mCP(N,N -dicarbazolyl-3,5-benzene) mCP 유도체 및 스피로계 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질이다. 이에 더하여, 상기 발광층(223)은 도판트 물질로서 Ir, Pt, Tb, 및 Eu로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 중심 금속을 가지는 인광유기금속착체를 포함할 수 있다. 더욱, 상기 인광유기금속착제는 PQIr, PQIr(acac), PQ2Ir(acac), PIQIr(acac) 및 PtOEP로 이루어진 군에서 선택되는 하나일 수 있다.In addition, when the light-emitting
전자 수송층(224)은 발광층(223) 상부에 형성되어, 발광층(223)으로 전자 수송을 용이하게 하는 역할을 한다. 이러한 전자 수송층(224)을 형성하는 물질은 특별히 한정되지 않으며, PBD(2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), TAZ(3-phenyl-4-(1-naphthyl)-5-phenyl-1,2,4-triazole) 등과 같은 재료를 이용할 수 있다. 그리고, 전자 수송층(224)의 두께는 10 내지 40㎚일 수 있다.The
전자 수송층(224)의 재료는 상술한 예에 한정되지 않고, 발광층(223)으로의 전자 수송을 돕는 유기물 또는 동 기술분야에서 전자 수송층(224)으로 사용되는 다양한 유기물 재료가 사용될 수 있다.The material of the
전자 주입층(225)은 전자 수송층(224) 상부에 형성되어, 제 2 전극(230)으로부터 제공된 전자가 전자 수송층(224)으로 용이하게 주입될 수 있도록 한다. 이러한 전자 주입층(225)은 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO, Liq 등의 물질을 이용할 수 있다. 그리고, 전자 주입층(225)의 두께는 0.1 내지 30㎚일 수 있다The
상기에서는 유기 발광층(220)이 정공 주입층(221), 정공 수송층(222), 발광층(223), 전자 수송층(224), 전자 주입층(224)을 포함하는 것으로 설명하였다. In the above, it has been described that the
하지만, 이에 한정되지 않고, 유기 발광층(220)은 상술한 구성에 한정되지 않고, 상기 층들 중 적어도 하나가 생략될 수 있다. However, the organic
또한, 유기 발광층(220)은 발광층(223)과 전자 수송층(224) 사이에 형성되는 정공 억제층(hole blocking layer) 및 정공 수송층(222)과 발광층(223) 사이에 형성되는 전자 억제층(electron blocking layer) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.In addition, the
제 2 전극(230)은 전자 주입층(225)으로 전자(electron)를 제공하는 음극(cathode)의 역할을 하는 전극이다. 제 2 전극(230)은 유기 발광층(220)에서 생성된 광이 외부로 추출 또는 방출되도록 투광성을 가지도록 마련된다. 이러한 제 2 전극(230)은 예컨대, Mg와 Ag를 이용하여 제조할 수 있으며, 광 투광성을 갖기 위하여 1nm 내지 30nm의 두께로 형성될 수 있다.The
한편, 광학부(200)에서 발생된 광의 적어도 일부가 표면 플라즈몬 효과로 인해 제 2 전극(230)에 흡수되어, 외부 즉 제 2 전극(230) 밖으로 방출 또는 추출되지 못하는 광손실이 일어날 수 있으며, 이를 표면 플라즈몬 폴라리톤 손실이라고 한다.On the other hand, at least a part of the light generated by the
표면 플라즈몬 폴라리톤 손실을 줄이기 위해, 제 2 전극(230) 상에 고굴절이며 광 투과성을 가지는 또는 투명한 캡핑층(capping layer)을 형성한다.To reduce surface plasmon polaritone loss, a high-refractive, light-transmitting or transparent capping layer is formed on the
캡핑층(300)은 공기에 비해 높은 굴절율을 가지는 층으로서, 그 굴절율이 공기에 비해 높은 1.6 내지 2.0이며, 그 두께가 10nm 내지 500nm이고, 광 투과성을 가지도록 형성한다.The
실시예에 따른 캡핑층(300)은 유기물로 형성된 캡핑층(이하, 유기 캡핑층) 또는 무기물로 형성된 캡핑층(이하, 무기 캡핑층) 중 어느 하나로 이루어진 단층이거나, 유기 캡핑층과 무기 캡핑층이 적층된 복층일 수 있다.The
캡핑층(300)을 복층으로 형성하는 경우, 제 2 전극(230) 상에 유기 캡핑층/무기 캡핑층 순으로 적층하거나, 무기 캡핑층/유기 캡핑층 순으로 적층하여 형성할 수 있다. 또한, 복층으로 캡핑층을 형성할 때, 상술한 바와 같이 2층으로 한정되지 않고, 3층 이상의 복층을 형성할 수도 있다.When the
유기물로 캡핑층을 형성하는데 있어서, 그 굴절율이 1.6 내지 2.0이며, 플라즈마 공정 없이, 낮은 온도에서 열 증착(thermal evaporation) 방법으로 증착할 수 있는 재료를 사용한다.In forming the capping layer with an organic material, the refractive index is 1.6 to 2.0, and a material that can be deposited by a thermal evaporation method at a low temperature without a plasma process is used.
이렇게 캡핑층(300) 형성 시, 플라즈마 공정 없이, 낮은 온도에서 열 증착(thermal evaporation)할 수 있는 유기물 재료를 이용하는 것은, 그 하부층인 제 2 전극(230)이 플라즈마에 의해 손상되는 것을 방지하기 위함이다.When the
실시예에서는 유기 캡핑층을 형성하는데 있어서, NPB(N,N′-Di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′'-diamine), TCTA(Tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amine), TAPC(1,1-Bis[4-[N,N'-Di(ptolyl)Amino]Phenyl]Cyclohexane), CBP(4,4′-Bis(N-carbazolyl)-1,1′-biphenyl), Alq3(Tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum) 중 적어도 하나를 열 증착(thermal evaporation) 방법으로 증착하여 형성한다.In an embodiment, in forming the organic capping layer, NPB(N , N ′ -Di(1-naphthyl)-N , N ′ -diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′'-diamine), TCTA(Tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amine), TAPC(1,1-Bis[4-[N,N'-Di(ptolyl)Amino]Phenyl]Cyclohexane), CBP(4,4′-Bis It is formed by depositing at least one of ( N- carbazolyl)-1,1′-biphenyl) and Alq3 (Tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum) by thermal evaporation.
그리고, 무기 캡핑층을 형성하는데 있어서, IZO(Indium Zinc Oxide), ITO(Indium Tin Oxide), AZO(ZnO:Al), ATO(Antimony Tin Oxide), FTO(Fluorine doped Tin Oxide) 중 적어도 하나를 스퍼터링(sputtering), 원자층 증착(Atomic layer deposition; ALD), 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 방법 중 어느 하나의 방법으로 증착하여 형성한다.In addition, in forming the inorganic capping layer, at least one of IZO (Indium Zinc Oxide), ITO (Indium Tin Oxide), AZO (ZnO:Al), ATO (Antimony Tin Oxide), and FTO (Fluorine doped Tin Oxide) is sputtered. It is formed by depositing by any one of (sputtering), atomic layer deposition (ALD), and chemical vapor deposition (CVD).
이러한 캡핑층(300)은 유기 발광층(220)에서 생성된 광이 제 2 전극(230)으로 흡수되어 외부로 추출되지 못하는 광 손실(즉, 표면 플라즈몬 폴라리톤 손실)을 억제 또는 방지하여, 제 2 전극(230) 밖으로 추출되는 광량을 증가시킨다. 또한, 캡핑층(300)은 제 2 전극(230)과 그 아래의 유기 발광층(220)을 보호하고 막의 평탄화 특성 개선의 효과도 있다.The
한편, 상술한 바와 같이 광이 제 2 전극(230) 밖으로 추출되도록 하기 위하여, 제 2 전극(230) 상에 캡핑층(300)을 형성한다. 그런데, 캡핑층(300)과 그 외측 공기 간의 굴절율 차이가 커, 제 2 전극(230) 밖으로 추출되어 캡핑층(300)으로 입사된 광이 상기 캡핑층(300) 내에서 전반사 즉, 도파되어, 외부로 추출되지 못하는 문제가 있다. 이는 유기 발광 장치의 광 추출 효율을 저감시키는 요인이 된다.Meanwhile, as described above, in order to allow light to be extracted out of the
또한, 광학부(200), 보다 구체적으로 유기 발광층(220)은 수분 및 산소에 취약하기 때문에, 이들의 침투를 방지할 필요가 있다. 그런데, 캡핑층(300)만으로는 수분 및 산소의 침투를 방지하는데 한계가 있다.In addition, since the
이에, 실시예에서는 캡핑층(300) 상에 광을 상측으로 추출시키면서, 수분 및 산소의 침투를 방지할 수 있는 봉지막(400)을 형성한다. 보다 구체적으로, 캡핑층(300) 상에 복수의 나노 렌즈(420)를 포함하고, 고굴절율을 가지는 제 1 무기막(410)을 포함하는 봉지막(400)을 형성함으로써, 광 추출 효율을 향상시키고, 무기막과 유기막이 교대로 적층된 구조로 봉지막(400)을 형성함으로써 수분 및 산소 침투를 억제 또는 방지한다.Thus, in the embodiment, while encapsulating the light on the
실시예에 따른 봉지막(400)은 도 1에 도시된 바와 같이, 캡핑층(300) 상에 형성된 제 1 무기막(410), 제 1 무기막(410) 상에 형성되며, 상기 제 1 무기막(410)의 연장 방향으로 나열된 복수의 나노 렌즈(420)를 포함한다. 또한, 봉지막(400)은 복수의 나노 렌즈(420) 상에 형성된 유기막(430) 및 유기막(430) 상에 형성된 제 2 무기막(440)을 포함한다.The
제 1 무기막(410)은 캡핑층(300) 상에 형성되며, 광 투과성을 가지고, 하부에 형성된 캡핑층(300)과 유사한 굴절율 보다 구체적으로, 1.6 내지 2.0의 굴절율 가지고, 20nm 내지 60nm의 두께로 형성된다. 그리고, 제 1 무기막(410)의 수분 투과도는 1*10-4 g/m2/day이하이다.The first
이러한 제 1 무기막(410)을 형성하는데 있어서, 실시예에서는 상대적으로 굴절율이 낮으며, 1.6 이하의 굴절율을 가지는 물질(이하, 저굴절 무기물)과 저굴절 무기물에 비해 상대적으로 굴절율이 높으며, 1.6 초과, 2.0 이하의 굴절율을 가지는 물질(이하, 고굴절 무기물)을 포함하도록 형성한다. 다른 말로 하면, 제 1 무기막(410)은 저굴절 무기물과 고굴절 무기물이 혼합되도록 형성될 수 있다.In forming the first
여기서, 저굴절 무기물은 Al2O3, SiO2 중 어느 하나일 수 있고, 고굴절 무기물은 ZnO, TiO2, ZrO2, ln2O3 및 SiNx 중 어느 하나일 수 있다. 상술한 저굴절 무기물 및 고굴절 무기물에 의하면, 제 1 무기막은 Al2O3 및 ZnO를 포함하거나, Al2O3 및 TiO2를 포함하거나, Al2O3 및 TiN를 포함하거나, Al2O3 및 ZrO2를 포함하거나, Al2O3 및 In2O3를 포함하거나, SiO2 및 SiNx를 포함하거나, SiO2 및 TiO2를 포함하거나, SiO2 및 TiN를 포함하거나, SiO2 및 ZrO2를 포함하거나, SiO2 및 In2O3 포함하도록 형성될 수 있다.Here, the low refractive inorganic material may be any one of Al 2 O 3 and SiO 2 , and the high refractive inorganic material may be any one of ZnO, TiO 2 , ZrO 2 , ln 2 O 3 and SiN x . According to the low-refractive inorganic material and the high-refractive inorganic material, the first inorganic film includes Al 2 O 3 and ZnO, Al 2 O 3 and TiO 2 , Al 2 O 3 and TiN, or Al 2 O 3 And ZrO 2 , Al 2 O 3 and In 2 O 3 , SiO 2 and SiNx, SiO 2 and TiO 2 , SiO 2 and TiN, SiO 2 and ZrO 2 It may include, or it may be formed to include SiO 2 and In 2 O 3 .
이러한 제 1 무기막(410)을 다른 말로 설명하면, 저굴절 무기물인 Al2O3 및 SiO2 중 어느 하나와, 고굴절 무기물인 ZnO, TiO2, ZrO2, ln2O3 및 SiNx 중 어느 하나를 포함하도록 형성된다.If the first
이러한, 제 1 무기막(410)은 화학기상증착(CVD) 방법 및 원자층 증착(ALD) 중 어느 하나의 방법으로 증착하여 형성할 수 있다.The first
상술한 화학기상증착(CVD) 방법 및 원자층 증착(ALD)으로 제 1 무기막(410)을 형성하는데 있어서, 저굴절 무기물을 형성하는 원료인 전구체(이하, 저굴절 전구체), 고굴절 무기물을 형성하는 원료인 전구체(이하, 고굴절 전구체), 저굴절 전구체 및 고굴절 전구체와 반응하는 원료인 전구체(이하, 반응 전구체)를 이용하여 형성할 수 있다In forming the first
이때, Al2O3를 형성하기 위한 저굴절 전구체 즉, Al 전구체는 TMA(trimethyl aluminum)를 사용할 수 있고, SiO2, SiNx를 형성하기 위한 저굴절 전구체 즉, Si 전구체는 SiCl4, SiHCl3, Si2Cl6, SiH2Cl2, Si3Cl8 및 Si3H8 중 어느 하나를 사용할 수 있다.At this time, a low-refractive precursor for forming Al 2 O 3 , that is, an Al precursor may use trimethyl aluminum (TMA), a low-refractive precursor for forming SiO 2 , SiN x , that is, the Si precursor is SiCl 4 , SiHCl 3 , Si 2 Cl 6 , SiH 2 Cl 2 , Si 3 Cl 8 or Si 3 H 8 .
그리고, TiO2를 형성하기 위한 고굴절 전구체 즉, Ti 전구체는 TDMAT(tetrakis dimethylamido titanium) 및 TDEAT(tetrakis diethylamido titanium) 중 어느 하나를 사용할 수 있고, ZnO를 형성하기 위한 고굴절 전구체 즉, Zn 전구체는 DEZ(diethyl zinc)를 사용할 수 있으며, ZrO2를 형성하기 위한 고굴절 전구체 즉, Zr 전구체는 Cp-Zr(Cyclopentadienyl Tris(dimethylamino) Zirconium) 및 ZM40 중 어느 하나를 사용할 수 있다. 또한, In2O3를 형성하기 위한 고굴절 전구체 즉, In 전구체는 TMIn(trimethylindium), TEI(triethylindium) 등을 사용할 수 있다.And, a high-refractive precursor for forming TiO 2, that is, the Ti precursor may use any one of tetrakis dimethylamido titanium (TDMAT) and tetrakis diethylamido titanium (TDEAT), and the high-refractive precursor for forming ZnO, that is, the Zn precursor is DEZ ( diethyl zinc), and a high-refractive precursor for forming ZrO 2 , that is, a Zr precursor, may be any one of Cp-Zr (Cyclopentadienyl Tris(dimethylamino) Zirconium) and ZM 4 0. In addition, a high-refractive precursor for forming In 2 O 3, that is, In precursor, TMIn (trimethylindium), TEI (triethylindium), or the like may be used.
또한, Al2O3, SiO2, ZnO, TiO2, ZrO2, In2O3를 형성하기 위한 반응 전구체 즉, 산소 전구체는 H2O, O3, O2 중 적어도 어느 하나를 이용하고, SiNx를 형성하기 위한 질소 전구체는 NH3, N2H4, N2 및 이들의 임의의 혼합물들로 구성되는 물질을 사용할 수 있다.In addition, a reaction precursor for forming Al 2 O 3 , SiO 2 , ZnO, TiO 2 , ZrO 2 , In 2 O 3 , that is, an oxygen precursor uses at least one of H 2 O, O 3 , and O 2 , The nitrogen precursor for forming SiN x may be a material composed of NH 3 , N 2 H 4 , N 2 and any mixtures thereof.
실시예에서는 상술한 바와 같이, 1.6 내지 2.0의 굴절율을 가지도록 제 1 무기막(410)을 형성하는데, 이는 제 1 무기막(410) 전체에 있어서 저굴절 무기물 및 고굴절 무기물의 함량 비율(at %(atom %)))을 조절함으로써 조절할 수 있다.In the embodiment, as described above, the first
보다 구체적으로, Al2O3와 ZnO를 포함하도록 제 1 무기막을 형성하는 경우, 제 1 무기막 전체에 대해 고굴절 무기물인 ZnO가 20 at% 내지 80 at%(atom%)이고, 나머지 잔부가 저굴절 무기물인 Al2O3가 되도록(즉, Al2O3가 20 at% 내지 80 at%) 형성한다.More specifically, when the first inorganic film is formed to include Al 2 O 3 and ZnO, the high-refractive inorganic ZnO is 20 at% to 80 at% (atom%) with respect to the entire first inorganic film, and the remaining balance is low. It is formed so that the refractive inorganic material is Al 2 O 3 (that is, Al 2 O 3 is 20 at% to 80 at%).
다른 예로, Al2O3와 TiO2를 포함하도록 제 1 무기막(410)을 형성하는 경우, 제 1 무기막(410) 전체에 대해 고굴절 무기물인 TiO2가 20 at% 내지 90 at%이고, 나머지 잔부가 Al2O3(저굴절 무기물)가 되도록(즉, Al2O3가 10 at% 내지 80 at%) 형성한다.And the other examples, Al 2 O In the case of forming the first
그리고, Al2O3와 ZrO2를 포함하도록 제 1 무기막을 형성하는 경우, 제 1 무기막 전체에 대해 고굴절 무기물인 ZrO2가 30 at% 내지 90 at%(atom%)이고, 나머지 잔부가 저굴절 무기물인 Al2O3가 되도록(즉, Al2O3가 10 at% 내지 70 at%) 형성한다.And, in the case of forming the first inorganic film to contain Al 2 O 3 and ZrO 2, a first inorganic film entirely on the high refractive index inorganic material is ZrO 2 is 30 at% to 90 at% (atom%) to, the remaining balance of the low It is formed so that the refractive inorganic material is Al 2 O 3 (that is, Al 2 O 3 is 10 at% to 70 at%).
또 다른 예로, Al2O3와 ln2O3를 포함하도록 제 1 무기막을 형성하는 경우, 제 1 무기막 전체에 대해 고굴절 무기물인 ln2O3가 20 at% 내지 80 at%(atom%)이고, 나머지 잔부가 저굴절 무기물인 Al2O3가 되도록(즉, Al2O3가 20 at% 내지 80 at%) 형성한다.As another example, the first arms in the case of forming a film, the high refractive index inorganic material ln 2 O 3 is 20 at% to 80 at% (atom%) for the entire first inorganic film to contain Al 2 O 3, and ln 2 O 3 , And the remainder is formed to be Al 2 O 3 which is a low-refractive inorganic substance (that is, Al 2 O 3 is 20 at% to 80 at%).
또한, 제 1 무기막(410)이 SiO2 및 SiNx을 포함하는 경우, 제 1 무기막(410) 전체에 있어서, 고굴절 무기물인 SiNx가 30 at% 내지 90 at%, SiO2(저굴절 무기물)가 10 at% 내지 70 at%가 되도록 형성하며, 제 1 무기막(410)이 SiO2 및 TiO2를 포함하는 경우, 제 1 무기막(410) 전체에 있어서, 고굴절 무기물인 TiO2가 30 at% 내지 90 at%, SiO2(저굴절 무기물)가 10 at% 내지 70 at%가 되도록 형성하고, 제 1 무기막(410)이 SiO2 및 ZrO2를 포함하는 경우, 제 1 무기막(410) 전체에 있어서, 고굴절 무기물인 ZrO2가 30 at% 내지 90 at%, SiO2(저굴절 무기물)가 10 at% 내지 70 at%가 되도록 형성한다.In addition, when the first
그리고, 제 1 무기막(410)이 SiO2 및 ln2O3를 포함하는 경우, 제 1 무기막(410) 전체에 있어서, 고굴절 무기물인 ln2O3가 30 at% 내지 90 at%, SiO2(저굴절 무기물)가 10 at% 내지 70 at%가 되도록 형성한다.In addition, when the first
이렇게, 제 1 무기막(410) 내 고굴절 무기물의 함량과 저굴절 무기물의 함량 비율(at%(atom%))을 상술한 예와 같이 조절함으로써, 제 1 무기막(410)의 굴절율을 1.6 내지 2.0으로 조절할 수 있다.Thus, by adjusting the ratio of the content of the high-refractive inorganic material and the content of the low-refractive inorganic material (at% (atom%)) in the first
한편, 제 1 무기막(410)을 형성하는데 있어서, 고굴절 무기물 각각이 상술한 최 하한치 값 미만인 경우, 제 1 무기막(410)의 굴절율이 1.6 미만으로 낮아 광추출 효율이 저하되는 문제가 있다. 또한, 제 1 무기막(410)을 형성하는데 있어서, 고굴절 무기물 각각이 상술한 최 상한치 값을 초과하는 경우, 내산성이 낮아, 제 1 무기막(410)의 수분 및 산소 침투 억제 효과가 저하되는 문제가 있다. 보다 구체적으로, 제 1 무기막(410)의 수분 투과도가 1*10-4 g/m2/day를 초과할 수 있다.On the other hand, in forming the first
따라서, 실시예에서는 저굴절 무기물과 고굴절 무기물을 포함하도록 제 1 무기막(410)을 형성하는데 있어서, 저굴절 무기물 및 고굴절 무기물의 조합에 따라, 각각의 함량 비율을 상술한 예시와 같이 조절함으로써, 굴절율을 1.6 내지 2.0으로 조절한다.Accordingly, in the embodiment, in forming the first
제 1 무기막(410) 내 고굴절 무기물 및 저굴절 무기물 함량 비율은 제 1 무기막 형성을 위한 공정 조건을 조절함으로써 제어 가능하다.The ratio of the content of the high-refractive inorganic material and the low-refractive inorganic material in the first
예컨대, 원자층 증착(ALD) 방법으로 제 1 무기막(410)을 형성할 때, 원자층 증착 장치의 챔버 내로 저굴절 전구체, 고굴절 전구체, 반응 전구체 및 퍼지 가스를 주입하여 형성한다.For example, when the first
이때, 원자층 증착(ALD) 장치 내로의 저굴절 전구체 및 고굴절 전구체 각각의 주입량, 주입 시간, 주입 횟수(또는 반복 횟수), 전구체 주입 압력, 챔버 내 분위기 등을 조절함으로써, 고굴절 무기물 및 저굴절 무기물 함량 비율이 조절된 제 1 무기막(410)을 형성할 수 있다. 그리고 이를 통해 제 1 무기막(410)이 1.6 내지 2.0의 굴절율을 가지도록 형성할 수 있다.At this time, by adjusting the injection amount, injection time, injection frequency (or repetition number), precursor injection pressure, and atmosphere in the chamber of the low-refractive precursor and high-refractive precursor into the atomic layer deposition (ALD) device, high-refractive inorganic and low-refractive inorganic materials A first
한편, 제 1 무기막(410)의 굴절율이 1.6 미만인 경우, 하부층인 캡핑층(300)에 비해 굴절율이 낮아, 광이 캡핑층(300)과 제 1 무기막(410) 간의 경계면에서 반사되어 광 추출 효율이 저하되는 문제가 있다. 즉, 캡핑층(300)으로 입사된 광이 제 1 무기막(410)과의 경계면에서 반사되어, 제 1 무기막(410) 방향으로 추출되지 못하고, 캡핑층(300) 내에 갇히거나, 캡핑층(300)의 측 방향으로 나가는 문제가 있으며, 이에 상측 방향으로의 광 추출 효율이 저하된다.On the other hand, when the refractive index of the first
제 1 무기막(410)의 굴절율을 2.0 이하로 한정한 것은, 무기물을 이용하여 굴절율이 2.0을 초과하도록 형성하기 어렵기 때문이다.The refractive index of the first
이러한, 제 1 무기막(410)은 20nm 내지 60nm의 두께로 형성한다. 한편, 제 1 무기막(410)의 두께가 20nm 미만으로 낮으면, 제 1 무기막의 수분 투과도가 1*10-4 g/m2/day를 초과할 수 있고, 수분 침투에 의해 유기 발광 장치의 수명이 저하될 수 있다.The first
그리고, 제 1 무기막(410)의 수분 투과도가 1*10-4 g/m2/day 이하면 족하기 때문에, 제 1 무기막(410)의 두께를 60nm를 초과할 필요가 없어, 제 1 무기막(410)의 두께를 60nm 이하로 하는 것이 바람직하다.In addition, since the moisture permeability of the first
제 1 무기막(410) 상에는 후술되는 나노 렌즈(420)가 형성되는데, 제 1 무기막(410)의 표면 에너지는 상기 나노 렌즈(420) 또는 나노 렌즈(420)를 형성하기 위한 재료에 비해 표면 에너지가 낮도록 조절되는 것이 바람직하다. 이는 제 1 무기막(410) 상부면에 상기 제 1 무기막(410)의 폭 방향으로 그 높이가 다르며, 상측 방향으로 볼록한 형상의 나노 렌즈(420)가 형성되고, 상기 나노 렌즈(420)를 복수개로 형성하기 위함이다.A
다른 말로 설명하면, 광 산란을 위해서 나노 렌즈(420)는 상측 방향 즉, 유기막(430)이 위치되는 방향으로 볼록한 형상 예컨대 반구 형태인 것이 바람직하며, 이를 위해서는 제 1 무기막(410)의 표면 에너지가 상기 나노 렌즈(420)의 표면 에너지에 비해 낮을 필요가 있다.In other words, for light scattering, the
한편, 나노 렌즈(420)는 유기물을 이용하여 형성하는데, 무기물의 표면 에너지는 유기물에 비해 높다. Meanwhile, the nano-
그런데, 제 1 무기막(410)의 표면 에너지가 나노 렌즈(420)를 형성할 유기물에 비해 높은 경우, 제 1 무기막(410) 상에 유기물이 증착 또는 코팅될 때, 상측 방향으로 볼록한 또는 제 1 무기막(410)의 폭 방향으로 그 높이가 다른 형상으로 유기물이 증착 또는 형성되지 않을 수 있다. 즉, 제 1 무기막(410) 상부 표면 전체에 걸쳐서 연속적으로 유기물이 증착 또는 형성되어, 나노 렌즈(420)가 형성되지 않을 수 있다.However, when the surface energy of the first
따라서, 제 1 무기막(410)을 형성한 후, 상기 제 1 무기막(410)의 표면 에너지가 후속 형성되는 나노 렌즈(420) 형성을 위한 유기물 재료에 비해 높은 경우, 나노 렌즈(420) 형성 전에 제 1 무기막(410)의 표면 에너지를 낮추는 전처리를 실시한다.Therefore, after forming the first
예컨대, 제 1 무기막(410) 상부면에 자가 조립 단층막(SAM: self-assembled monolayer)을 형성하여, 나노 렌즈(420)가 형성될 제 1 무기막(410)의 상부 표면 에너지가 나노 렌즈(420)에 비해 낮도록 조절한다.For example, by forming a self-assembled monolayer (SAM) on the upper surface of the first
제 1 무기막(410)은 그 표면 에너지가 유기물로 형성되는 렌즈(420)의 표면 에너지 보다 작게 하기 위해 10mJ/m2 내지 200mJ/m2 로 조절되는 것이 바람직하다.The first
이와 같이, 캡핑층(300) 상부에 상기 캡핑층(300)과 유사한 고굴절율을 가지는 제 1 무기막(410)을 형성함으로써, 캡핑층(300)으로 입사된 광을 상기 캡핑층(300) 상측으로 방출되는 량을 증가시킬 수 있다. 즉, 캡핑층(300) 상부에 1.6 내지 2.0의 굴절율을 가지는 제 1 무기막(410)을 형성함으로써, 캡핑층(300)으로 입사된 광이 제 1 무기막(410)과의 경계면에서 반사되는 것을 억제 또는 방지하여, 캡핑층(300)의 상측 즉, 제 1 무기막(410) 방향으로 추출시킬 수 있어, 광 추출 효율이 향상된다.As described above, by forming the first
복수의 나노 렌즈(420)는 제 1 무기막(410) 상에 형성되며, 광 투과성을 가지고, 상기 제 1 무기막(410)의 연장 방향으로 나열된 형성된다. 복수의 나노 렌즈(420) 각각은 제 1 무기막(410)과 접하는 하부면이 평면이고, 상측 즉, 제 1 무기막(410)과 반대 방향으로 볼록한 형상일 수 있다. 보다 구체적인 예로, 복수의 나노 렌즈(420) 각각은 반구 형태일 수 있다.The plurality of
나노 렌즈(420)는 유기물을 이용하여 형성하며, 그 굴절율은 제 1 무기막(410)의 굴절율과 동일하거나, 그 보다 클 수 있으며, 나노 렌즈(420)의 굴절율은 1.6 내지 2.2인 것이 바람직하다.The nano-
유기물을 이용하여 나노 렌즈(420)를 형성하는 것은, 제 1 무기막(410)의 상부면에 상기 제 1 무기막(410)과 반대 방향(즉, 상측 방향)으로 볼록한 형상으로 복수의 나노 렌즈(420)를 형성하기 위함이다.To form the
즉, 제 1 무기막(410)과 같이 무기물로 형성하는 경우, 그 물성이 유사하여, 상기 제 1 무기막(410) 상에 상측 방향으로 볼록한 형상의 나노 렌즈(420)를 형성할 수 없거나, 제 1 무기막(410) 상부면 전체에 무기물이 균일한 두께로 형성되어, 상측 방향으로 볼록한 형상의 나노 렌즈를 형성할 수 없다.That is, when formed of an inorganic material, such as the first
실시예에서는 NPB(N,N′-Di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′'-diamine), Alq3(Tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum) 및 TCTA(Tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amine), CBP(4,4′-Bis(N-carbazolyl)-1,1′-biphenyl) 중 어느 하나의 유기물을 이용하여 나노 렌즈(420)를 형성하며, 그 굴절율은 1.6 내지 2.2이다. 그리고, 재료들을 물리적 증착(PVD: physical vapor deposition) 방법, 열 증착(thermal evaporation) 방법 중 어느 하나의 방법으로 형성할 수 있다.In an embodiment, NPB(N , N ′ -Di(1-naphthyl)-N , N ′ -diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′'-diamine), Alq3(Tris-(8-hydroxyquinoline )aluminum) and TCTA(Tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amine), CBP(4,4′-Bis( N -carbazolyl)-1,1′-biphenyl). 420, and the refractive index is 1.6 to 2.2. Further, the materials may be formed by any one of a physical vapor deposition (PVD) method and a thermal evaporation method.
이때, 제 1 무기막(410)의 표면 에너지와 나노 렌즈(420)를 형성하는 유기물 간의 표면 에너지 차이에 의해, 유기물이 제 1 무기막(410) 상에서 자발적으로 응집되어 섬(island) 형태로 형성된다. 또한, 전체 표면 에너지를 최소화하기 위해, 나노 렌즈(420)는 반구 형태로 형성될 수 있다.At this time, due to the difference in surface energy between the surface energy of the first
즉, 나노 렌즈(420)를 형성하기 위한 유기물이 제 1 무기막(410)의 상부면 전체에 걸쳐 균일한 두께를 가지도록 증착되지 않고, 섬(island) 형태로 증착되며, 증착된 형태가 예컨대, 반구 형상의 복수의 나노 렌즈(420)가 나열된 형태일 수 있다. 다른 말로 하면, 상측 방향으로 볼록한 복수의 나노 렌즈(420)가 제 1 무기막(410)의 상부면 상에서 나열된 형태가 되도록 형성된다.That is, the organic material for forming the nano-
복수의 나노 렌즈(420)는 광을 산란시켜 외부로 추출되는 광 추출 효율을 향상시킨다. 즉, 캡핑층(300)을 거쳐 제 1 무기막(410)으로 입사된 광은 상기 제 1 무기막(410) 상부에 형성된 복수의 나노 렌즈(420)에 의해 산란된다. 이에 따라 광이 캡핑층(300) 또는 제 1 무기막(410)에 갇히거나 전반사는 광량을 줄일 수 있고, 외부로 추출되는 광량을 향상시킬 수 있다.The plurality of
나노 렌즈(420)에 있어서, 제 1 무기막(410) 상부면의 연장 방향을 폭 방향이라고 할 때, 복수의 나노 렌즈(420) 각각의 폭(W)은 100nm 내지 1000nm인 것이 바람직하다(도 2 참조). 여기서 나노 렌즈(420)의 폭(W)은 보다 구체적으로 제 1 무기막(410)의 상부면과 접하는 나노 렌즈(420) 하부면의 일 방향의 길이일 수 있다. 그리고, 나노 렌즈(420)의 폭(W)은 제 1 무기막(410) 상부면의 연장 방향으로의 길이 중, 가장 긴 길이일 수 있다. 또한, 나노 렌즈(420)가 반구 형상일 때, 나노 렌즈(420)의 폭은 직경으로 명명될 수 있다.In the
나노 렌즈의 폭(W)이 100nm 미만인 경우 광 추출 향상 효과가 미비하며, 반대로 나노 렌즈의 폭(W)이 1000nm를 초과하는 경우 수십 마이크로 크기의 유기 발광 장치 픽셀에 적용하기 어렵고, 적색(Red), 녹색(Green), 청색(Blue) 픽셀의 균일한 광 추출 개선이 어렵다.When the width (W) of the nano-lens is less than 100 nm, the effect of enhancing light extraction is insufficient, whereas when the width (W) of the nano-lens exceeds 1000 nm, it is difficult to apply to dozens of micro-sized organic light emitting device pixels, and red (Red) , It is difficult to improve uniform light extraction of green and blue pixels.
그리고, 복수의 나노 렌즈(420) 각각은 폭(W)에 대한 높이(H)의 비율(이하, 종횡비(H/W))가 1/4 내지 2/3이 되도록 한다.In addition, each of the plurality of
여기서, 나노 렌즈(420)의 높이(H)는 상하 방향의 길이 중 가장 긴 길이일 수 있고, 이는 예컨대, 도 2에 도시된 바와 같이, 나노 렌즈(420)의 폭 방향 중심에서의 상하 방향의 길이일 수 있다.Here, the height (H) of the nano-
한편, 나노 렌즈(420)의 종횡비(H/W)가 1/4 미만인 경우, 광 추출 개선 효과가 미비하다. 반대로, 종횡비(H/W)가 2/3를 초과하는 경우, 나노 렌즈(420) 하부면과 제 1 무기막(410)과의 접촉 면적이 좁아 나노 렌즈(420)가 제 1 무기막(410) 상에 붙어있기가 어렵고, 나노 렌즈(420)의 높이(H)에 비해 폭(W)이 너무 좁아 광 추출에 방해가 되어, 광 추출 개선 효과가 떨어질 수 있다. On the other hand, when the aspect ratio (H/W) of the
복수의 나노 렌즈(420)는 제 1 무기막(410) 상면 전체에 걸쳐 분포하도록 형성될 수 있다. 이때, 복수의 나노 렌즈(420) 각각은 상호 이격되도록 형성될 수 있으며, 등 간격 또는 불규칙한 간격으로 이격되도록 형성될 수 있다. 물론 이에 한정되지 않고, 2개 이상의 복수의 나노 렌즈(420)가 연속하여 또는 상호 연결되도록 형성될 수 있다.The plurality of
또한, 나노 렌즈(420)는 제 1 무기막(410)과 굴절율이 동일하거나, 클 수 있다. 예컨대 나노 렌즈(420)의 굴절율이 제 1 무기막(410)에 비해 큰 경우, 제 1 무기막(410)과의 굴절율 차이가 0.1 이하인 것이 효과적이다. 이는 나노 렌즈(420)를 형성하는 유기물 재료에 따라 제 1 무기막(410) 형성시에 저굴절 전구체 및 고굴절 전구체 각각의 재료와, 저굴절 무기물 및 고굴절 무기물의 비율을 조절함으로써, 조절 가능하다. 또한, 이에 한정되지 않고, 캡핑층(300) 상에 형성된 제 1 무기막(410)의 굴절율에 따라, 나노 렌즈(420)를 형성하기 위한 유기물 재료에 따라 제 1 무기막(410)과 나노 렌즈(420)와의 굴절율 차이가 0.1 이하가 되도록 형성할 수도 있다.In addition, the nano-
상기에서는 제 1 무기막(410)이 나노 렌즈(420)에 비해 표면 에너지가 낮도록 하기 위하여, 나노 렌즈(420) 형성 전에 제 1 무기막(410) 표면을 전처리하는 것을 설명하였다.In the above, it has been described that the first
하지만, 이에 한정되지 않고, 나노 렌즈(420) 형성을 위한 유기물을 결정화시켜 표면 에너지를 높여 나노 렌즈(420)를 형성함으로써, 제 1 무기막(410)이 나노 렌즈(420)에 비해 표면 에너지가 낮도록 할 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the surface energy is increased by crystallizing an organic material for forming the nano-
유기막(430)은 복수의 나노 렌즈(420) 상부에 형성되며, 광 투과성을 가진다. 이때, 복수의 나노 렌즈(420)가 제 1 무기막(410) 상에서 상호 이격 형성되는 경우, 유기막(430)은 상호 이격된 나노 렌즈 사이 영역인 제 1 무기막(410) 상부면과 나노 렌즈(420) 상부에 형성된다.The
유기막(430)은 나노 렌즈(420)에 비해 굴절율이 낮은 유기물, 보다 구체적으로는 굴절율이 1.3 내지 1.5인 유기물 이용하여 형성한다. 나노 렌즈(420)에 비해 굴절율이 낮도록 유기막(430)을 형성하는 것은, 나노 렌즈(420)의 광 산란에 의한 광 추출 향상을 위함이다.The
유기막(430)은 예컨대, 불화 유기물을 이용하여 형성할 수 있고, 물리적 증착(PVD) 방법, 열 증착(thermal evaporation) 방법 중 어느 하나의 방법으로 형성할 수 있다.The
상술한 바와 같이, 나노 렌즈(420)의 폭(W)은 100nm 내지 1000nm이고, 종횡비는 1/4 내지 2/3 이므로, 나노 렌즈(420)의 최대 높이(H)는 약 667nm가 된다. 이때, 유기막(430)이 나노 렌즈(420)를 충분히 커버할 수 있어야 하므로, 유기막(430)의 두께는 1㎛ 이상인 것이 바람직하다.As described above, the width W of the
한편, 유기막(430)의 두께가 두꺼울 수록 수분 및 산소 침투 경로가 길어져 수분 및 산소 투과도를 낮추는데 유리하다. 그러나, 유기막(430)의 두께가 10㎛를 초과하도록 두꺼우면, 유기막(430)으로의 광 흡수율이 증가한다. 이에, 1㎛ 내지 10㎛ 두께로 유기막(430)을 형성하는 것이 바람직하다.On the other hand, the thicker the thickness of the
제 2 무기막(440)은 유기막(430) 상에 형성되며, 광 투과성을 가진다. 그리고, 제 2 무기막(440)은 1.4 내지 2.0 굴절율을 갖는 것이 바람직하다.The second
제 2 무기막(440)은 제 1 무기막(410)을 형성하는 저굴절 전구체 및 고굴절 전구체 중 적어도 하나를 이용하여 형성할 수 있고, 제 1 무기막(410)과 동일한 방법으로 형성할 수 있다. 즉, 제 2 무기막은 저굴절 무기물인 Al2O3 및 SiO2, 고굴절 무기물인 ZnO, TiO2, ZrO2, ln2O3 및 SiNx 중 적어도 하나를 포함하도록 형성할 수 있다.The second
또한, 제 2 무기막(440)은 무기막과 유기막이 교대로 적층되도록 복층으로 형성하는 것이 바람직하며, '무기막/유기막/무기막' 과 같이 3층 이상으로 적층되는 것이 보다 바람직하다. 이때, 유기막은 나노 렌즈를 형성하는 유기물 또는 나노 렌즈 상에 형성된 유기막과 동일한 재료로 형성할 수 있다. 그리고, 제 2 무기막(440)은 20nm 내지 60nm의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.In addition, the second
그리고 무기막과 유기막을 교대로 적층하여 복층으로 제 2 무기막(440)을 형성하는 경우, 최 외각층이 무기막이 되도록 형성한다.In addition, when the inorganic film and the organic film are alternately stacked to form the second
상기에서는 봉지막(400)이 '제 1 무기막(410)/나노 렌즈(420)/유기막(430)/제 2 무기막(440)' 4층으로 형성되는 것을 설명하였다.In the above, it has been described that the
하지만, 이에 한정되지 않고, 캡핑층(300) 상에 '제 1 무기막(410)/나노 렌즈(420)/유기막(430)/제 2 무기막(440)'을 형성하고, 이후 유기막과 무기막을 교대로 형성하여 5층 이상의 봉지막(400)을 형성할 수 있다. 이때, 5층 이상의 봉지막(400)에 있어서도 최 외각층 즉, 최상부층이 무기막이 되도록 형성한다.However, the present invention is not limited thereto, and the first
상기에서는 제 1 전극(210)이 반사 특성을 가지고 제 2 전극(230)이 광 투과성을 가지도록 형성되어, 상측 방향으로 광을 방출하는 상부 발광 타입의 유기 발광 장치를 설명하였다.In the above, the organic light emitting device of the upper emission type in which the
하지만, 이에 한정되지 않고, 실시예에 따른 봉지막(400)은 제 1 전극(210) 및 제 2 전극(230) 각각이 광 투과성을 가지도록 형성되어, 양 방향으로 광을 방출하는 봉지막(400)에 적용될 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the
이하, 도 1, 도 3 및 도 6을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 장치의 제조 방법을 설명한다. 이때, 제 1 전극(210)이 반사 특성을 가지고 제 2 전극(230)이 광 투과성을 가지도록 형성되어, 상측 방향으로 광을 방출하는 상부 발광 타입의 유기 발광 장치를 예를 들어 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1, 3, and 6. In this case, an organic light emitting device of the upper emission type, in which the
그리고, 앞에서 상술한 내용과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.In addition, the content overlapping with the above-mentioned content will be omitted or briefly described.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 장치의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 블록도이다.3 to 6 are block diagrams sequentially showing a method of manufacturing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.
먼저, 기판(1)을 마련하고, 도 3과 같이 상기 기판(100) 상에 광학부(200)를 형성한다.First, a substrate 1 is provided, and an
기판(100)은 예컨대, 폴리에틸렌테레프탈레이드(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌(PE), 폴리에테르설폰(PES), 폴리카보네이트(PC), 폴리아릴레이트(PAR) 및 폴리이미드(PI) 중 어느 하나의 필름일 수 있다.The
기판(100)이 마련되면, 상기 기판(100) 상에 제 1 전극(210)을 형성한다. 제 1 전극(210)은 반사 특성을 갖도록 투명 전도성 산화물층과 금속층이 적층된 복층 구조로 형성할 수 있으며, 스퍼터(sputter)를 이용한 물리적 증착(PVD) 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 이때, 투명 전도성 산화물층은 예컨대 ITO(Indium-Tin-Oxide)일 수 있으며, 금속층은 예컨대 Ag 일 수 있다.When the
이후, 제 1 전극(210) 상에 유기 발광층(220)을 형성한다. 즉, 제 1 전극(210) 상에 정공 주입층(HIL)(221), 정공 수송층(HTL)(222), 발광층(EML)(223), 전자 수송층(ETL)(224) 및 전자 주입층(EIL)(225)을 순차적으로 적층하여 유기 발광층(220)을 형성한다. 이때, 정공 주입층(HIL)(221), 정공 수송층(HTL)(222), 발광층(EML)(223), 전자 수송층(ETL)(224) 및 전자 주입층(EIL)(225) 각각은 열 증착법(thermal evaporation)을 이용하여 형성할 수 있다.Thereafter, the
다음으로, 전자 주입층(EIL)(225) 상에 제 2 전극(230)을 형성한다. 이때, 유기 발광층(220)에서 생성된 광이 제 2 전극(230)을 통해 추출 또는 방출될 수 있도록, 광 투과성을 갖도록 마련된다. 이를 위해, 제 2 전극(230)은 Mg와 Ag를 이용하여 제조할 수 있으며, 1 내지 30nm의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.Next, the
이렇게, 광학부(200)가 형성되면, 제 2 전극(230) 상에 1.6 내지 2.0의 굴절율을 가지는 캡핑층(300)을 형성하고, 그 두께가 10nm 내지 500nm가 되도록 형성한다. In this way, when the
실시예에서는 캡핑층(300)을 유기 캡핑층 또는 무기 캡핑층 중 어느 하나의 단층으로 형성하거나, 유기 캡핑층과 무기 캡핑층이 적층된 복층으로 형성한다.In an embodiment, the
이후, 캡핑층(300) 상에 무기막과 유기막이 교대로 적층되며, 복수의 나노 렌즈(420)를 포함하는 봉지막(400)을 형성한다.Thereafter, an inorganic film and an organic film are alternately stacked on the
이를 위해, 먼저 도 4에 도시된 바와 같이, 캡핑층(300) 상에 1.6 내지 2.0의 굴절율을 가지는 제 1 무기막(410)을 형성하며, 20nm 내지 60nm의 두께로 형성한다.To this end, first, as shown in Figure 4, to form a first
실시예에서는 화학기상증착(CVD) 방법 및 원자층 증착(ALD) 중 어느 하나의 방법으로 저굴절 전구체, 고굴절 전구체 및 반응 전구체를 이용하여 저굴절 무기물과 고굴절 무기물을 포함하는 또는 저굴절 무기물과 고굴절 무기물이 혼합된 제 1 무기막(410)을 형성한다.In an embodiment, a low-refractive-inorganic material and a high-refractive-inorganic material containing a low-refractive-inorganic material and a high-refractive-inorganic material using a low-refractive precursor, a high-refractive precursor, and a reactive precursor by any one of chemical vapor deposition (CVD) and atomic layer deposition (ALD) The first
이때, 제 1 무기막(410) 전체에 있어서 저굴절 무기물 및 고굴절 무기물의 함량 비율(at %(atom %)))을 조절하여, 1.6 내지 2.0의 굴절율을 가지는 제 1 무기막(410)을 형성한다.At this time, by adjusting the content ratio (at% (atom %)) of the low-refractive inorganic material and the high-refractive inorganic material in the entire first
이때, 제 1 무기막(410)은 저굴절 무기물인 Al2O3 및 SiO2 중 어느 하나와, 고굴절 무기물인 ZnO, TiO2, ZrO2, ln2O3 및 SiNx 중 어느 하나의 조합으로 형성한다. 즉, Al2O3/ZnO, Al2O3/TiO2, Al2O3/TiN, Al2O3/ZrO2, Al2O3/In2O3, SiO2/SiNx, SiO2/TiO2, SiO2/TiN, SiO2/ZrO2, SiO2/In2O3 중 어느 하나의 조합으로 제 1 무기막(410)을 형성할 수 있다.In this case, the first
제 1 무기막(410)을 형성한 후에, 상기 제 1 무기막(410)의 표면 에너지를 낮추는 전처리를 실시할 수 있다. 예컨대, 제 1 무기막(410) 상부면에 자가 조립 단층막(SAM)을 형성하는 전처리를 실시할 수 있고, 표면 에너지가 10mJ/m2 내지 200mJ/m2 인 것이 바람직하다.After the first
다음으로, 도 5에 도시된 바와 같이 제 1 무기막(410) 상에 복수의 나노 렌즈(420)를 형성한다. 이를 위해, 1.6 내지 2.2 굴절율을 가지는 유기물 예컨대, NPB(N,N′-Di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′'-diamine), Alq3(Tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum) 및 TCTA(Tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amine), CBP(4,4′-Bis(N-carbazolyl)-1,1′-biphenyl) 중 어느 하나를 물리적 증착(PVD: physical vapor deposition) 방법, 열 증착(thermal evaporation) 방법 중 어느 하나의 방법으로 제 1 무기막(410) 상에 증착한다.Next, as illustrated in FIG. 5, a plurality of
이때, 제 1 무기막(410)의 표면 에너지와 나노 렌즈(420)를 형성하는 유기물 간의 표면 에너지 차이에 의해, 유기물이 제 1 무기막(410) 상에서 자발적으로 응집되며, 전체 표면 에너지를 최소화하기 위해, 반구 형태로 형성된다. 이로 인해, 제 1 무기막(410) 상에 상측 방향으로 볼록한 즉, 반구 형태의 복수의 나노 렌즈(420)가 형성되며, 복수의 나노 렌즈(420)는 제 1 무기막(410) 상부면 상에서 나열 배치된다.At this time, due to the difference in surface energy between the surface energy of the first
그리고, 나노 렌즈(420)의 폭(W)이 100nm 내지 1000nm이고, 종횡비(H/W))가 1/4 내지 2/3이 되도록 형성한다.Then, the width (W) of the
이후, 도 6에 도시된 바와 같이, 제 1 무기막(410) 및 나노 렌즈(420) 상에 1.3 내지 1.5의 굴절율을 가지며, 1㎛ 내지 10㎛ 두께의 유기막(430)을 형성한다. 유기막(430)은 불화 유기물을 물리적 증착(PVD) 방법, 열 증착(thermal evaporation) 방법 중 어느 하나의 방법으로 증착하여 형성할 수 있다.Thereafter, as illustrated in FIG. 6, an
다음으로, 도 1과 같이 유기막(430) 상에 1.4 내지 2.0 굴절율을 가지며, 20nm 내지 60nm 두께의 제 2 무기막(440)을 형성한다.Next, a second
이때, 제 2 무기막(440)은 무기막과 유기막이 교대로 적층되도록 복층으로 형성하는 것이 바람직하며, '무기막/유기막/무기막' 과 같이 3층 이상으로 적층되는 것이 보다 바람직하다.At this time, the second
이와 같이, 본 발명의 실시예에서는 캡핑층(300) 상에 1.6 내지 2.0의 굴절율을 가지는 제 1 무기막(410)을 형성함으로써, 캡핑층(300)으로 입사된 광이 상기 캡핑층(300)과 제 1 무기막(410) 간의 경계면에서 반사되어 상측 즉, 제 1 무기막(410) 방향으로 추출되지 못하고, 캡핑층(300)의 측 방향으로 손실되는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 즉, 고굴절율인 제 1 무기막(410)에 의해 캡핑층(300) 내 광이 상기 제 1 무기막(410) 방향으로 추출된다. 이로 인해, 유기 발광 장치의 상측 방향으로 추출되는 광량이 향상된다. 즉, 광 추출 효율이 향상된다.As described above, in the embodiment of the present invention, by forming the first
또한, 제 1 무기막(410) 상에 복수의 나노 렌즈(420)를 형성함으로써, 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 즉, 제 1 무기막(410)으로 입사된 광을 나노 렌즈(420)를 통해 산란시킴으로써, 측 방향으로 빠져 나가는 광량을 줄이고, 상측으로 추출되는 광량을 증가시킴으로써, 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, by forming a plurality of
그리고, 무기막과 유기막이 교대로 적층되도록 봉지막(400)을 형성함에 따라, 수분 및 산소 침투를 억제 또는 방지할 수 있다. 이에, 유기 발광 장치의 수명이 향상된다.In addition, as the
100: 기판
200: 광학부
220: 유기 발광층
400: 봉지막100: substrate 200: optical unit
220: organic light emitting layer 400: sealing film
Claims (15)
상기 제 2 전극 상에 형성된 봉지막;
을 포함하고,
상기 봉지막은,
상기 제 2 전극 상에 형성된 제 1 무기막; 및
상기 제 1 무기막 상에 형성되며, 상기 제 1 무기막의 굴절율과 동일하거나, 큰 나노 렌즈;
를 포함하는 유기 발광 장치.An optical unit including a first electrode, an organic emission layer, and a second electrode sequentially formed on a substrate having light transmittance; And
An encapsulation film formed on the second electrode;
Including,
The sealing film,
A first inorganic film formed on the second electrode; And
A nano lens formed on the first inorganic film and having a refractive index equal to or greater than that of the first inorganic film;
Organic light emitting device comprising a.
상기 나노 렌즈의 굴절율은 1.6 내지 2.2인 유기 발광 장치.The method according to claim 1,
The refractive index of the nano-lens is an organic light emitting device of 1.6 to 2.2.
상기 제 1 무기막의 굴절율은 1.6 내지 2.0인 유기 발광 장치.The method according to claim 2,
The organic light emitting device having a refractive index of the first inorganic film is 1.6 to 2.0.
상기 제 1 무기막은 상기 제 1 무기막 전체에 대한 상기 저굴절 무기물 및 고굴절 무기물의 함량 비율(at%)을 조절하여 형성된 유기 발광 장치. The method according to claim 3,
The first inorganic film is an organic light emitting device formed by adjusting the content ratio (at%) of the low-refractive inorganic material and the high-refractive inorganic material to the entire first inorganic film.
상기 나노 렌즈는 상기 제 1 무기막과 반대 방향으로 볼록한 형상이고,
상기 나노 렌즈는 복수개로 마련되어, 상기 제 1 무기막 상에서 나열 형성된 유기 발광 장치.The method according to claim 2,
The nano-lens is convex in the opposite direction to the first inorganic film,
The nano-lens is provided in plural, an organic light-emitting device formed on the first inorganic film.
상기 나노 렌즈는 반구 형상인 유기 발광 장치.The method according to claim 5,
The nano-lens is an organic light emitting device having a hemispherical shape.
상기 나노 렌즈의 폭은 100nm 내지 1000nm 유기 발광 장치.The method according to claim 1,
The width of the nano-lens is 100nm to 1000nm organic light emitting device.
상기 봉지막은 상기 나노 렌즈 상에 형성되며, 1.3 내지 1.5의 굴절율을 가지는 유기막을 포함하는 유기 발광 장치.The method according to claim 2,
The encapsulation film is formed on the nano-lens, an organic light emitting device including an organic film having a refractive index of 1.3 to 1.5.
상기 봉지막은 상기 유기막 상에 형성되며, 1.4 내지 2.2의 굴절율을 가지는 제 2 무기막을 포함하는 유기 발광 장치.The method according to claim 8,
The encapsulation film is formed on the organic film, the organic light emitting device including a second inorganic film having a refractive index of 1.4 to 2.2.
상기 제 2 전극이 광 투과성을 가지도록 형성되어, 상기 유기 발광층에서 생성된 광이 상기 제 2 전극 방향으로 방출되는 상부 발광 타입이거나,
상기 제 1 전극 및 제 2 전극 각각이 광 투과성을 가지도록 형성되어, 상기 유기 발광층에서 생성된 광이 상기 제 1 및 제 2 전극 방향으로 방출되는 양면 발광 타입인 유기 발광 장치.The method according to any one of claims 1 to 9,
The second electrode is formed to have light transmittance, and the light generated by the organic emission layer is an upper emission type that is emitted in the direction of the second electrode,
Each of the first electrode and the second electrode is formed to have light transmittance, so that the light generated in the organic light emitting layer is a double-sided light emitting type that is emitted in the direction of the first and second electrodes.
상기 제 2 전극 상에 봉지막을 형성하는 과정;
을 포함하고,
상기 봉지막을 형성하는 과정은,
상기 제 2 전극 상에 제 1 무기막을 형성하는 과정; 및
상기 제 1 무기막 상에 상기 제 1 무기막의 굴절율과 동일하거나, 큰 나노 렌즈를 형성하는 과정;
을 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법.Sequentially forming a first electrode, an organic emission layer, and a second electrode on the substrate; And
Forming an encapsulation film on the second electrode;
Including,
The process of forming the encapsulation film,
Forming a first inorganic film on the second electrode; And
Forming a nano-lens on the first inorganic film equal to or larger than the refractive index of the first inorganic film;
Method of manufacturing an organic light emitting device comprising a.
상기 나노 렌즈를 형성하는데 있어서, 굴절율이 1.6 내지 2.2가 되도록 형성하고,
상기 제 1 무기막을 형성하는데 있어서, 상기 제 1 무기막의 굴절율이 1.6 내지 2.0이 되도록, 상기 제 1 무기막 전체에 대한 상기 저굴절 무기물 및 고굴절 무기물의 함량 비율(at%)을 조절하여 형성하는 유기 발광 장치의 제조 방법.The method according to claim 11,
In forming the nano-lens, the refractive index is formed to be 1.6 to 2.2,
In forming the first inorganic film, the organic material formed by adjusting the content ratio (at%) of the low-refractive inorganic and high-refractive inorganic materials to the entire first inorganic film so that the refractive index of the first inorganic film is 1.6 to 2.0 Method for manufacturing a light emitting device.
상기 나노 렌즈를 형성하는데 있어서, 상기 제 1 무기막과 반대 방향으로 볼록한 형상으로 형성하고,
상기 나노 렌즈는 상기 제 1 무기막 상에 나열 형성되도록 복수개로 마련된 유기 발광 장치의 제조 방법.The method according to claim 12,
In forming the nano-lens, it is formed in a convex shape in the opposite direction to the first inorganic film,
A method of manufacturing an organic light emitting device in which a plurality of the nano lenses are provided to be arranged on the first inorganic layer.
상기 제 1 무기막의 표면 에너지가 상기 나노 렌즈의 표면 에너지에 비해 낮도록 조절하는 과정을 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법.The method according to claim 11,
And adjusting the surface energy of the first inorganic layer to be lower than the surface energy of the nano-lens.
상기 나노 렌즈 상에 1.3 내지 1.5의 굴절율을 가지는 유기막을 형성하는 과정을 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
The method according to claim 13,
Method of manufacturing an organic light emitting device comprising the step of forming an organic film having a refractive index of 1.3 to 1.5 on the nano-lens.
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