KR20210018888A - An organic light emtting device and a method for preparing the same - Google Patents

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KR20210018888A
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Abstract

One embodiment of the present invention discloses an organic light emitting device including: a substrate; an organic light emitting device provided on the substrate and including a first electrode, a second electrode, and an intermediate layer provided between the first electrode and the second electrode; an encapsulation layer covering the organic light emitting device; and a protective layer covering the organic light emitting element between the organic light emitting element and the encapsulation layer, wherein the encapsulation layer includes a first organic layer and a first inorganic layer formed on the first organic layer and including carbon, and wherein, in a total thickness of the first inorganic layer, the carbon content of the first inorganic layer gradually decreases from the interface between the first organic layer and the first inorganic layer in the direction from the first organic layer to the first inorganic layer, the density of the first inorganic layer gradually increases from the interface toward the first inorganic layer in the first organic layer, and the protective layer includes an inorganic material.

Description

유기 발광 장치 및 이의 제조 방법{An organic light emtting device and a method for preparing the same}An organic light emtting device and a method for preparing the same}

본 발명의 실시예들은 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to an organic light emitting device and a method of manufacturing the same.

본 발명은 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 유기층 및 무기층을 포함하며, 상기 유기층과 상기 무기층의 계면에 상기 유기층을 이루는 유기물과 상기 상기 무기층을 이루는 무기물의 혼합 (intermixing) 영역이 존재하는 봉지층을 구비한 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 유기 발광 장치의 봉지층은 우수한 방투산소 및 방투수분 성능을 가지며, 초박막으로 형성될 수 있는 바, 상기 유기 발광 장치는 장수명 및 고휘도를 가질 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 장치의 제조 방법은 그 공정이 단순하여, 제조 단가를 절감할 수 있다.The present invention relates to an organic light emitting device and a method of manufacturing the same, and more particularly, comprising an organic layer and an inorganic layer, and an organic material constituting the organic layer and an inorganic material constituting the inorganic layer at the interface between the organic layer and the inorganic layer. The present invention relates to an organic light emitting device including an encapsulation layer in which an intermixing region is present, and a method of manufacturing the same. The encapsulation layer of the organic light-emitting device has excellent anti-oxygen and moisture-permeable properties, and may be formed as an ultra-thin film, and the organic light-emitting device may have a long life and high brightness. In addition, the manufacturing method of the organic light emitting device is simple, and thus manufacturing cost can be reduced.

유기 발광 소자(Organic Light Emitting Diode)는 형광성 유기 화합물을 전기적으로 여기시켜서 발광시키는 자발광형 디스플레이로 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 박형화가 용이하며, 광시야각, 빠른 응답 속도 등 액정 디스플레이에 있어서 문제점으로 지적되는 것을 해결할 수 있는 차세대 디스플레이로 주목받고 있다. 유기 발광 소자는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 유기물로 이루어진 중간층을 구비하고 있다. 유기 전계 발광 소자는 이들 전극들에 양극 및 음극 전압이 각각 인가됨에 따라 애노드 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 정공 수송층을 경유하여 중간층으로 이동되고, 전자는 캐소드 전극으로부터 전자 수송층을 경유하여 중간층으로 이동되어서, 중간층에서 전자와 정공이 재결합하여 여기자(exiton)를 생성하게 된다. Organic light emitting diode (Organic Light Emitting Diode) is a self-luminous display that emits light by electrically excited a fluorescent organic compound. It can be driven at a low voltage, is easily thinned, and has problems in liquid crystal displays such as a wide viewing angle and fast response speed. It is attracting attention as a next-generation display that can solve what is pointed out. The organic light-emitting device includes an intermediate layer made of an organic material between an anode electrode and a cathode electrode. In the organic electroluminescent device, as anode and cathode voltages are respectively applied to these electrodes, holes injected from the anode electrode are transferred to the intermediate layer via the hole transport layer, and electrons are transferred from the cathode electrode to the intermediate layer via the electron transport layer. As it moves, electrons and holes recombine in the intermediate layer to generate excitons.

이 여기자가 여기 상태에서 기저 상태로 변화됨에 따라, 중간층의 형광성 분자가 발광함으로써 화상을 형성하게 된다. 풀 컬러(full color)형 유기 전계 발광 소자의 경우에는 적(R),녹(G),청(B)의 삼색을 발광하는 화소(pixel)를 구비토록 함으로써 풀 컬러를 구현한다.As the excitons change from the excited state to the ground state, the fluorescent molecules in the intermediate layer emit light to form an image. In the case of a full color type organic electroluminescent device, a full color is realized by providing pixels that emit three colors of red (R), green (G), and blue (B).

전술한 바와 같이 유기 발광 소자는 유기층과 접촉된 캐소드 전극을 갖는다. 유기 발광 장치의 신뢰성을 향상시키기 위하여, 유기 발광 소자는 투습 및 투산소로부터 보호되어야 한다.As described above, the organic light emitting device has a cathode electrode in contact with the organic layer. In order to improve the reliability of the organic light-emitting device, the organic light-emitting device must be protected from moisture permeation and transmission oxygen.

본 발명의 실시예들은 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법을 제공한다.Embodiments of the present invention provide an organic light emitting device and a method of manufacturing the same.

본 발명의 일 실시예는, 기판, 상기 기판 상에 구비되며, 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비된 중간층을 포함한 유기 발광 소자, 상기 유기 발광 소자를 덮는 봉지층 및 상기 유기 발광 소자와 상기 봉지층 사이에서 상기 유기 발광 소자를 덮는 보호층을 포함하고, 상기 봉지층은 제1 유기층 및 상기 제1 유기층 상에 형성되며 탄소를 포함하는 제1 무기층을 포함하고, 상기 제1 무기층의 전체 두께에서, 상기 제1 무기층의 탄소 함량이 상기 제1 유기층과 상기 제1 무기층의 계면으로부터 상기 제1 유기층에서 상기 제1 무기층 방향으로 점점 감소하고, 상기 제1 무기층의 밀도는 상기 계면으로부터 상기 제1 유기층에서 상기 제1 무기층 방향으로 점점 증가하며, 상기 보호층은 무기물을 포함하는 유기 발광 장치를 개시한다.An embodiment of the present invention is a substrate, an organic light emitting device provided on the substrate, and including a first electrode, a second electrode, and an intermediate layer provided between the first electrode and the second electrode, covering the organic light emitting device. An encapsulation layer and a protective layer covering the organic light-emitting device between the organic light-emitting device and the encapsulation layer, wherein the encapsulation layer is formed on the first organic layer and the first organic layer and includes a first inorganic layer containing carbon. And, in the total thickness of the first inorganic layer, the carbon content of the first inorganic layer gradually decreases from the interface between the first organic layer and the first inorganic layer in the direction from the first organic layer to the first inorganic layer, , The density of the first inorganic layer gradually increases from the interface toward the first inorganic layer from the first organic layer, and the protective layer discloses an organic light emitting device including an inorganic material.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 무기층의 탄소 함량이 0.1% 내지 12% 범위에서 변할 수 있다.In this embodiment, the carbon content of the first inorganic layer may vary in the range of 0.1% to 12%.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 무기층의 영률이 상기 제1 유기층과 상기 제1 무기층의 계면으로부터 점점 증가할 수 있다.In this embodiment, the Young's modulus of the first inorganic layer may gradually increase from the interface between the first organic layer and the first inorganic layer.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 무기층의 영률이 110Gpa 내지 1000Gpa일 수 있다.In this embodiment, the Young's modulus of the first inorganic layer may be 110 Gpa to 1000 Gpa.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 무기층의 두께는 50nm 이하로 형성될 수 있다.In this embodiment, the thickness of the first inorganic layer may be 50 nm or less.

본 실시예에 있어서, 상기 봉지층은, 상기 제1 무기층 상에 형성되는 제2 유기층 및 상기 제2 유기층 상에 형성되며 탄소를 포함하는 제2 무기층을 더 포함하고, 상기 제2 무기층의 탄소 함량이 상기 제2 유기층과 상기 제2 무기층의 계면으로부터 상기 제2 유기층에서 상기 제2 무기층 방향으로 점점 감소할 수 있다.In this embodiment, the encapsulation layer further includes a second organic layer formed on the first inorganic layer and a second inorganic layer formed on the second organic layer and including carbon, and the second inorganic layer The carbon content of may gradually decrease from the interface between the second organic layer and the second inorganic layer toward the second inorganic layer from the second organic layer.

본 실시예에 있어서, 상기 제2 무기층의 두께는 50nm 이하로 형성될 수 있다.In this embodiment, the thickness of the second inorganic layer may be 50 nm or less.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 무기층은 AlOx, SiNx, SiOx, SiCx, SiOxNy 또는 Polysilazanes를 포함할 수 있다.In this embodiment, the first inorganic layer may include AlOx, SiNx, SiOx, SiCx, SiOxNy, or Polysilazanes.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 무기층은 ALD(atomic layer deposition) 공법에 의해 형성될 수 있다.In this embodiment, the first inorganic layer may be formed by an atomic layer deposition (ALD) method.

본 발명의 다른 실시예는 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비된 중간층을 포함한 유기 발광 소자를 구비한 기판을 준비하는 단계; 상기 유기 발광 소자를 덮는 보호층을 형성하는 단계; 및 상기 보호층 상에 상기 유기 발광 소자를 덮는 봉지층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 봉지층 형성 단계는, 상기 유기 발광 소자를 덮는 제1 유기층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 유기층 상에 탄소를 포함하는 제1 무기층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 제1 무기층은, 상기 제1 무기층의 전체 두께에서, 상기 탄소의 함량이 상기 제1 유기층과 상기 제1 무기층의 계면으로부터 상기 제1 유기층에서 상기 제1 무기층을 향하는 방향으로 점점 감소하고, 상기 제1 무기층의 밀도는 상기 계면에서부터 상기 제1 유기층에서 상기 제1 무기층을 향하는 방향으로 점점 증가하도록 형성되고, 상기 보호층은 무기물로 형성되는 유기 발광 장치의 제조 방법을 개시한다.Another embodiment of the present invention includes preparing a substrate having an organic light emitting device including a first electrode, a second electrode, and an intermediate layer provided between the first electrode and the second electrode; Forming a protective layer covering the organic light-emitting device; And forming an encapsulation layer on the protective layer to cover the organic light-emitting device, wherein the forming of the encapsulation layer includes: forming a first organic layer to cover the organic light-emitting device; And forming a first inorganic layer containing carbon on the first organic layer, wherein the first inorganic layer includes, in the total thickness of the first inorganic layer, the content of carbon is the first organic layer And the first inorganic layer gradually decreases from the interface of the first organic layer toward the first inorganic layer, and the density of the first inorganic layer is increased from the interface to the first organic layer toward the first inorganic layer. Disclosed is a method of manufacturing an organic light-emitting device, which is formed to increase gradually in a direction, and wherein the protective layer is formed of an inorganic material.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 무기층의 탄소 함량이 0.1% 내지 12% 범위에서 변할 수 있다.In this embodiment, the carbon content of the first inorganic layer may vary in the range of 0.1% to 12%.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 무기층의 영률이 상기 제1 유기층과 상기 제1 무기층의 계면으로부터 점점 증가할 수 있다.In this embodiment, the Young's modulus of the first inorganic layer may gradually increase from the interface between the first organic layer and the first inorganic layer.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 무기층의 두께는 50nm 이하로 형성될 수 있다.In this embodiment, the thickness of the first inorganic layer may be 50 nm or less.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 무기층을 형성하는 단계는 ALD(atomic layer depositon) 공법을 이용할 수 있다.In this embodiment, the step of forming the first inorganic layer may use an atomic layer depositon (ALD) method.

본 실시예에 있어서, 상기 ALD 공법은 흡착단계, 제1 배기단계, 반응단계 및 제2 배기단계가 사이클링 공정(cycling process)으로 진행될 수 있다.In this embodiment, in the ALD method, an adsorption step, a first exhaust step, a reaction step, and a second exhaust step may be performed as a cycling process.

본 실시예에 있어서, 상기 반응단계에서 상기 제1 무기층의 탄소 함량을 조절할 수 있다.In this embodiment, the carbon content of the first inorganic layer may be adjusted in the reaction step.

본 실시예에 있어서, 상기 반응단계에서 반응시간이 점점 증가할 수 있다.In this embodiment, the reaction time may gradually increase in the reaction step.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 무기층을 형성하는 단계는 PECVD(plasma-enhanced chemical vapor deposition) 공법을 이용할 수 있다.In this embodiment, the step of forming the first inorganic layer may use a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.Other aspects, features, and advantages other than those described above will become apparent from the following drawings, claims, and detailed description of the invention.

본 발명의 실시예들에 관한 유기 발광 장치는 봉지층의 내구성이 향상된다.In the organic light emitting device according to the embodiments of the present invention, durability of the encapsulation layer is improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예를 따르는 유기 발광 장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예를 따르는 유기 발광 장치의 단면도이다.
도 3 내지 도 11은 도 1의 유기 발광 장치의 제조 방법을 개략적으로 도시한 단면도들이다.1 is a cross-sectional view of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of an organic light-emitting device according to another embodiment of the present invention.
3 to 11 are cross-sectional views schematically illustrating a method of manufacturing the organic light emitting device of FIG. 1.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. Since the present invention can apply various transformations and have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and will be described in detail in the detailed description. Effects and features of the present invention, and a method of achieving them will be apparent with reference to the embodiments described later in detail together with the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various forms.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and when describing with reference to the drawings, the same or corresponding constituent elements are assigned the same reference numerals, and redundant descriptions thereof will be omitted. .

이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. In the following embodiments, terms such as first and second are not used in a limiting meaning, but for the purpose of distinguishing one component from another component.

이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.In the following examples, the singular expression includes the plural expression unless the context clearly indicates otherwise.

이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. In the following embodiments, terms such as include or have means that the features or elements described in the specification are present, and do not preclude the possibility of adding one or more other features or elements in advance.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다. In the following embodiments, when a part such as a film, a region, or a component is on or on another part, not only the case directly above the other part, but also another film, region, component, etc. are interposed therebetween. This includes cases where there is.

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In the drawings, components may be exaggerated or reduced in size for convenience of description. For example, the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of description, and the present invention is not necessarily limited to what is shown.

이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명을 따르는 유기 발광 장치의 일 실시예를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 1에 도시된 유기 발광 장치(10)는 기판(110) 상부에, 제1 전극(121), 중간층(122) 및 제2 전극(123)을 포함한 유기 발광 소자(120)를 구비하여, 상기 유기 발광 소자(120)를 덮는 봉지층(130)을 구비한다. 상기 봉지층(130)은 적어도 제1 유기층(131) 및 제1 무기층(132)이 순차적으로 적층된 구조이다.1 is a diagram schematically showing an embodiment of an organic light emitting device according to the present invention. The organic light emitting device 10 illustrated in FIG. 1 includes an organic light emitting device 120 including a first electrode 121, an intermediate layer 122, and a second electrode 123 on a substrate 110, and the An encapsulation layer 130 covering the organic light-emitting device 120 is provided. The encapsulation layer 130 has a structure in which at least a first organic layer 131 and a first inorganic layer 132 are sequentially stacked.

상기 기판(110)은 통상적인 유기 발광 장치에서 사용되는 기판을 사용하는데 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 플라스틱 기판을 이용할 수 있다. 도 1에는 도시되어 있지 않으나, 상기 기판(110) 상부에는 평탄화막, 절연층 등이 더 구비될 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.The substrate 110 is a substrate used in a typical organic light emitting device, and a glass substrate or a plastic substrate having excellent mechanical strength, thermal stability, transparency, surface smoothness, ease of handling, and water resistance may be used. Although not shown in FIG. 1, various modifications are possible, such as a planarization film, an insulating layer, etc. may be further provided on the substrate 110.

상기 기판(110) 상부에는 유기 발광 소자(120)가 구비되어 있다. 상기 유기 발광 소자(120)는 제1 전극(121), 중간층(122) 및 제2 전극(123)을 포함한다.An organic light-emitting device 120 is provided on the substrate 110. The organic light-emitting device 120 includes a first electrode 121, an intermediate layer 122 and a second electrode 123.

상기 제1 전극(121)은 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 캐소드 또는 애노드일 수 있다. 상기 제1 전극(21)은 투명 전극, 반투명 전극 또는 반사 전극일 수 있으며, 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), Al, Ag, Mg 등을 이용하여 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 서로 다른 2 이상의 물질을 이용하여 2 층 이상의 구조를 가질 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.The first electrode 121 may be formed using a method such as a vacuum deposition method or a sputtering method, and may be a cathode or an anode. The first electrode 21 may be a transparent electrode, a translucent electrode, or a reflective electrode, and may be indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), tin oxide (SnO2), zinc oxide (ZnO), Al, Ag, It may be formed using Mg or the like, but is not limited thereto. In addition, various modifications are possible, such as having a structure of two or more layers by using two or more different materials.

상기 제2 전극(123) 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 캐소드 또는 애노드일 수 있다. 상기 제2 전극 형성용 금속으로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등을 들 수 있다. 또한, 상기 제2 전극(25)은 서로 다른 2 이상의 물질을 이용하여 2층 이상의 구조를 가질 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.The second electrode 123 may be formed using a method such as a vacuum deposition method or a sputtering method, and may be a cathode or an anode. As the metal for forming the second electrode, a metal having a low work function, an alloy, an electroconductive compound, and a mixture thereof may be used. Specific examples include lithium (Li), magnesium (Mg), aluminum (Al), aluminum-lithium (Al-Li), calcium (Ca), magnesium-indium (Mg-In), and magnesium-silver (Mg-Ag). Can be lifted. In addition, the second electrode 25 can be modified in various ways, such as having a structure of two or more layers by using two or more different materials.

상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(123) 사이에는 중간층(122)이 구비되어 있다. 중간층(122)은 유기 발광층을 구비한다. 선택적인 다른 예로서, 중간층은 유기 발광층(emission layer)을 구비하고, 그 외에 정공 주입층(HIL:hole injection layer), 정공 수송층(hole transport layer), 전자 수송층(electron transport layer) 및 전자 주입층(electron injection layer) 중 적어도 하나를 더 구비할 수 있다. 본 실시예는 이에 한정되지 아니하고, 중간층(122)이 유기 발광층을 구비하고, 기타 다양한 기능층을 더 구비할 수 있다.An intermediate layer 122 is provided between the first electrode 121 and the second electrode 123. The intermediate layer 122 includes an organic emission layer. As another optional example, the intermediate layer includes an organic emission layer, and in addition, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. At least one of (electron injection layer) may be further provided. The present embodiment is not limited thereto, and the intermediate layer 122 may include an organic emission layer and may further include various other functional layers.

유기 발광 소자(120) 상부로는 보호층(140)이 더 구비될 수 있다. 상기 보호층(140)은 유기 발광 소자(120)의 제2 전극(123)이 수분 및 산소에 의하여 산화되는 것을 방지할 수 있는 유기물 또는 무기물로 이루어질 수 있다. 또는, 상기 보호층은 유/무기 복합층으로 이루어질 수도 있는 등, 다양한 변화가 가능하다.A protective layer 140 may be further provided on the organic light-emitting device 120. The protective layer 140 may be formed of an organic material or an inorganic material capable of preventing the second electrode 123 of the organic light emitting device 120 from being oxidized by moisture and oxygen. Alternatively, the protective layer may be made of an organic/inorganic composite layer, and various changes are possible.

도 1 중, 봉지층(130)은 상기 유기 발광 소자(120)를 덮도록 구비되어 있는데, 제1 유기층(131) 및 제1 무기층(132)을 구비한다. In FIG. 1, the encapsulation layer 130 is provided to cover the organic light-emitting device 120 and includes a first organic layer 131 and a first inorganic layer 132.

제1 유기층(131)은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.The first organic layer 131 may include one or more materials selected from the group consisting of acrylic resins, methacrylic resins, polyisoprene, vinyl resins, epoxy resins, urethane resins, cellulose resins, and perylene resins.

제1 무기층(132)이 제1 유기층(131) 상에 형성된다. 이에 따라 제1 유기층(131)과 제1 무기층(132)간에 계면(B1)이 형성된다. 제1 무기층(132)은 AlOx, SiNx, SiOx, SiCx, SiOxNy 또는 Polysilazanes를 포함할 수 있다. 제1 무기층(132)은 탄소(1321)를 포함할 수 있다. 제1 무기층(132)의 탄소(1321) 함량은 0.1% 내지 12% 범위에서 변할 수 있다. 제1 무기층(132)의 탄소(1321) 함량은 상기 계면(B1)으로부터 제1 유기층에서 제1 무기층 방향(D1)으로 점점 감소할 수 있다. 제1 무기층(132)의 탄소(1321) 함량이 계면(B1)으로부터 점점 감소함에 따라, 제1 무기층(132)의 영률이 계면(B1)으로부터 점점 증가할 수 있다. 제1 무기층(132)의 영률은 110Gpa 내지 1000Gpa일 수 있다. 제1 무기층(132)의 탄소(1321) 함량이 계면(B1)으로부터 점점 감소함에 따라, 제1 무기층(132)의 밀도가 계면(B1)으로부터 점점 증가할 수 있다. 제1 무기층(132)이 AlOx로 50nm의 두께로 형성되는 경우, 제1 무기층의 탄소 함량이 약 5%인 경우에는 제1 무기층의 밀도가 약 2.8g/cm3이었고, 제1 무기층의 탄소 함량이 약 1%인 경우에는 제1 무기층의 밀도는 약 3.2g/cm3이었다. 제1 무기층(132)의 탄소(1321) 함량은 상기 계면(B1)으로부터 제1 유기층(131)에서 제1 무기층(132) 방향(D1)으로 점점 감소함에 따라, 제1 무기층(132)의 영률 및 밀도는 계면(B1)으로부터 점점 증가할 수 있다.The first inorganic layer 132 is formed on the first organic layer 131. Accordingly, an interface B1 is formed between the first organic layer 131 and the first inorganic layer 132. The first inorganic layer 132 may include AlOx, SiNx, SiOx, SiCx, SiOxNy, or Polysilazanes. The first inorganic layer 132 may include carbon 1321. The carbon 1321 content of the first inorganic layer 132 may vary in the range of 0.1% to 12%. The carbon 1321 content of the first inorganic layer 132 may gradually decrease from the interface B1 in the direction D1 from the first organic layer to the first inorganic layer. As the carbon 1321 content of the first inorganic layer 132 gradually decreases from the interface B1, the Young's modulus of the first inorganic layer 132 may gradually increase from the interface B1. The Young's modulus of the first inorganic layer 132 may be 110 Gpa to 1000 Gpa. As the carbon 1321 content of the first inorganic layer 132 gradually decreases from the interface B1, the density of the first inorganic layer 132 may gradually increase from the interface B1. When the first inorganic layer 132 is formed of AlOx to a thickness of 50 nm, when the carbon content of the first inorganic layer is about 5%, the density of the first inorganic layer was about 2.8 g/cm 3, and the first inorganic layer When the carbon content of the layer was about 1%, the density of the first inorganic layer was about 3.2 g/cm 3 . As the carbon 1321 content of the first inorganic layer 132 gradually decreases from the first organic layer 131 to the first inorganic layer 132 direction D1 from the interface B1, the first inorganic layer 132 The Young's modulus and density of) can gradually increase from the interface B1.

통상적으로 유기막과 무기막의 계면에서는 급격한 조성 변화가 일어난다. 유기막은 대체로 강도가 낮은 물질로 형성되며, 무기막은 대체로 강도가 높은 물질로 형성된다. 이에 따라 유기막과 유기막의 밴딩(bending)시에 계면에서 응력 집중이 발생되어 크랙(crack) 또는 박리(delamination)가 발생할 수 있다.Typically, a rapid composition change occurs at the interface between the organic layer and the inorganic layer. The organic layer is generally formed of a material having low strength, and the inorganic layer is generally formed of a material having high strength. Accordingly, when the organic layer and the organic layer are bent, stress concentration is generated at the interface, so that crack or delamination may occur.

본 실시예에 따르면, 제1 무기층(132)의 탄소(1321) 함량이 계면(B1)으로부터 점점 감소함에 따라, 제1 유기층(131)과 제1 무기층(132)의 계면(B1)에서 급격한 조성 변화를 방지할 수 있다. 이에 따라 봉지층(130)의 밴딩(bending)시에 계면에서 응력 집중을 방지하여 크랙(crack) 또는 박리(delamination)를 줄일 수 있다.According to the present embodiment, as the carbon 1321 content of the first inorganic layer 132 gradually decreases from the interface B1, at the interface B1 between the first organic layer 131 and the first inorganic layer 132 It can prevent rapid composition change. Accordingly, when the encapsulation layer 130 is bending, stress concentration at the interface is prevented, thereby reducing cracks or delamination.

무기층의 박리를 방지하기 위해서는 층간 밀착력이 중요한 요소가 될 수 있다. 봉지층(30) 내부의 층과 층 사이에는 임계 밀착력(critical adhesion)이 존재한다. 임계 밀착력은 층간 밀착력의 임계값(critical value)이다. 층간의 밀착력이 임계 밀착력보다 작아지는 경우에 층간 박리가 나타날 수 있다. 따라서 층간의 임계 밀착력을 최대한 작게 함으로써, 무기층과 유기층의 박리를 방지할 수 있다.In order to prevent peeling of the inorganic layer, interlayer adhesion may be an important factor. Critical adhesion exists between the layer inside the encapsulation layer 30 and between the layers. The critical adhesion force is a critical value of the interlayer adhesion force. When the adhesion between the layers becomes smaller than the critical adhesion, delamination may occur. Therefore, by making the critical adhesion between the layers as small as possible, peeling of the inorganic layer and the organic layer can be prevented.

통상적인 유기층과 무기층 사이의 임계 밀착력은 약 0.7N/m 내지 0.95N/m일 수 있다. 제1 무기층(132)의 두께(H1)은 50nm 이하로 형성될 수 있다. 본 실시예에 따르면, 제1 유기층(131)과 제1 무기층(132) 사이의 임계 밀착력을 0.3N/m까지 낮출 수 있다. 또한, 제1 무기층(132)의 두께가 2.5nm 이하인 경우에는 제1 유기층(131)과 제1 무기층(132) 사이의 임계 밀착력을 0.05N/m 이하로 낮출 수 있다. 따라서 제1 유기층(131)과 제1 무기층(132) 간의 임계 밀착력이 작아짐으로써, 제1 유기층(131)과 제1 무기층(132)의 박리를 방지할 수 있다.A typical critical adhesion force between the organic layer and the inorganic layer may be about 0.7 N/m to 0.95 N/m. The thickness H1 of the first inorganic layer 132 may be 50 nm or less. According to this embodiment, the critical adhesion force between the first organic layer 131 and the first inorganic layer 132 may be reduced to 0.3 N/m. In addition, when the thickness of the first inorganic layer 132 is 2.5 nm or less, the critical adhesion force between the first organic layer 131 and the first inorganic layer 132 may be reduced to 0.05 N/m or less. Accordingly, since the critical adhesion between the first organic layer 131 and the first inorganic layer 132 is reduced, peeling of the first organic layer 131 and the first inorganic layer 132 can be prevented.

도 2는 본 발명의 다른 실시예를 따르는 유기 발광 장치(20)의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of an organic light emitting device 20 according to another embodiment of the present invention.

이하, 전술한 도 1의 실시예와의 차이점을 중심으로 본 실시예를 설명한다. 여기서, 앞서 도시된 도면에서와 동일한 참조부호는 동일한 기능을 하는 동일한 부재를 가리킨다. Hereinafter, the present embodiment will be described focusing on differences from the embodiment of FIG. 1 described above. Here, the same reference numerals as in the drawings shown above indicate the same members performing the same function.

도 2에 도시된 유기 발광 장치(20)는 기판(110) 상부에, 제1 전극(121), 중간층(122) 및 제2 전극(123)을 포함한 유기 발광 소자(120)를 구비하여, 상기 유기 발광 소자(120)를 덮는 봉지층(230)을 구비한다. 상기 봉지층(230)은 적어도 제1 유기층(131), 제1 무기층(132), 제2 유기층(231) 및 제2 무기층(232)이 순차적으로 적층된 구조이다. 제1 무기층(132)은 탄소를 포함한다. 제1 무기층(132)의 탄소 함량이 제1 유기층(131)과 제1 무기층(132)의 계면으로부터 제1 유기층(131)에서 제1 무기층(132) 방향으로 점점 감소한다. 제2 무기층(232)은 탄소(2321)를 포함한다. 제2 무기층(232)의 탄소(2321) 함량이 제2 유기층(231)과 제2 무기층(232)의 계면(B2)으로부터 제2 유기층(231)에서 제2 무기층(232) 방향으로 점점 감소한다.The organic light emitting device 20 shown in FIG. 2 includes an organic light emitting device 120 including a first electrode 121, an intermediate layer 122, and a second electrode 123 on a substrate 110, and the An encapsulation layer 230 covering the organic light emitting device 120 is provided. The encapsulation layer 230 has a structure in which at least a first organic layer 131, a first inorganic layer 132, a second organic layer 231, and a second inorganic layer 232 are sequentially stacked. The first inorganic layer 132 contains carbon. The carbon content of the first inorganic layer 132 gradually decreases from the interface between the first organic layer 131 and the first inorganic layer 132 in the direction from the first organic layer 131 to the first inorganic layer 132. The second inorganic layer 232 includes carbon 2321. The carbon 2321 content of the second inorganic layer 232 is from the interface B2 of the second organic layer 231 and the second inorganic layer 232 to the second organic layer 231 to the second inorganic layer 232 Gradually decreases.

상기 제1 유기층(131) 및 제1 무기층(132)에 대한 상세한 설명은 상기 도 1에 대한 설명을 참조한다.For detailed descriptions of the first organic layer 131 and the first inorganic layer 132, refer to the description of FIG. 1.

제2 무기층(232)이 제2 유기층(231) 상에 형성된다. 이에 따라 제2 유기층(231)과 제2 무기층(232)간에 계면(B2)이 형성된다. 제2 무기층(232)은 AlOx, SiNx, SiOx, SiCx, SiOxNy 또는 Polysilazanes를 포함할 수 있다. 제2 무기층(232)은 탄소(2321)를 포함할 수 있다. 제2 무기층(232)의 탄소(2321) 함량은 0.1% 내지 12% 범위에서 변할 수 있다. 제2 무기층(232)의 탄소(2321) 함량은 상기 계면(B2)으로부터 제2 유기층에서 제2 무기층 방향(D2)으로 점점 감소할 수 있다. 제2 무기층(232)의 탄소(2321) 함량이 상기 계면(B2)으로부터 제2 유기층(231)에서 제2 무기층(232) 방향(D2)으로 점점 감소함에 따라, 제2 무기층(232)의 영률 및 밀도는 계면(B2)으로부터 점점 증가할 수 있다.The second inorganic layer 232 is formed on the second organic layer 231. Accordingly, an interface B2 is formed between the second organic layer 231 and the second inorganic layer 232. The second inorganic layer 232 may include AlOx, SiNx, SiOx, SiCx, SiOxNy, or Polysilazanes. The second inorganic layer 232 may include carbon 2321. The carbon 2321 content of the second inorganic layer 232 may vary from 0.1% to 12%. The carbon 2321 content of the second inorganic layer 232 may gradually decrease from the interface B2 in the direction D2 from the second organic layer to the second inorganic layer. As the carbon 2321 content of the second inorganic layer 232 gradually decreases from the interface B2 in the direction D2 from the second organic layer 231 to the second inorganic layer 232, the second inorganic layer 232 The Young's modulus and density of) may increase gradually from the interface B2.

본 실시예에 따르면, 제2 무기층(232)의 탄소(2321) 함량이 계면(B2)으로부터 점점 감소함에 따라, 제2 유기층(231)과 제2 무기층(232)의 계면(B2)에서 급격한 조성 변화를 방지할 수 있다. 이에 따라 봉지층(230)의 밴딩(bending)시에 계면에서 응력 집중을 방지하여 크랙(crack) 또는 박리(delamination)를 줄일 수 있다.According to this embodiment, as the content of carbon 2321 in the second inorganic layer 232 gradually decreases from the interface B2, at the interface B2 between the second organic layer 231 and the second inorganic layer 232 It can prevent rapid composition change. Accordingly, when the encapsulation layer 230 is bent, stress concentration at the interface is prevented, thereby reducing cracks or delamination.

제2 무기층(232)의 두께(H2)는 50nm 이하로 형성될 수 있다. 이에 따라 제2 유기층(231)과 제2 무기층(232) 간의 임계 밀착력이 작아짐으로써, 제2 유기층(231)과 제2 무기층(232)의 박리를 방지할 수 있다.The thickness H2 of the second inorganic layer 232 may be 50 nm or less. Accordingly, the critical adhesion force between the second organic layer 231 and the second inorganic layer 232 is reduced, so that peeling of the second organic layer 231 and the second inorganic layer 232 can be prevented.

이와 같은 봉지층(230)은 교대로 배치된 복수 개의 추가적인 유기층 및 무기층을 더 포함할 수 있고, 유기층 및 무기층의 적층 횟수는 제한되지 않는다.The encapsulation layer 230 may further include a plurality of additional organic and inorganic layers alternately disposed, and the number of stacking of the organic and inorganic layers is not limited.

도 3 내지 도 11은 도 1의 유기 발광 장치(10)의 제조 방법을 개략적으로 도시한 단면도들이다.3 to 11 are cross-sectional views schematically illustrating a method of manufacturing the organic light emitting device 10 of FIG. 1.

도 3을 참조하면, 기판(110) 상에 유기 발광 소자(120) 및 제1 유기층(131)을 형성한다. Referring to FIG. 3, an organic light-emitting device 120 and a first organic layer 131 are formed on a substrate 110.

다음으로 도 4와 같이, ALD(atomic layer deposion) 공정의 흡착단계가 진행될 수 있다. ALD 공정은 1 monolayer 수준으로 물리흡착에 의해 막을 형성시키는 공정이다. 도 4를 참조하면, 소스(source)물질(150)을 제1 유기층(131) 상에 흡착시킬 수 있다. 소스물질(150)은 TMA(trimethylaluminum)일 수 있다. 소스물질(150)은 한 층 이상의 층으로 쌓일 수 있다.Next, as shown in FIG. 4, an adsorption step of an atomic layer deposion (ALD) process may be performed. The ALD process is a process of forming a film by physical adsorption at the level of 1 monolayer. Referring to FIG. 4, a source material 150 may be adsorbed on the first organic layer 131. The source material 150 may be trimethylaluminum (TMA). The source material 150 may be stacked in one or more layers.

다음으로 도 5와 같이, ALD 공정의 제1 배기단계가 진행될 수 있다. 제1 배기단계에서, 배기가스(160)가 공급되어 제1 유기층(131)에 흡착되지 않은 소스물질(150)을 배출시킬 수 있다. 이에 따라 소스물질(150)이 제1 유기층(131) 상에 한 층으로 형성될 수 있다. 배기가스(160)로 아르곤(Ar)이 사용될 수 있다.Next, as shown in FIG. 5, the first exhaust step of the ALD process may proceed. In the first exhaust step, the exhaust gas 160 may be supplied to discharge the source material 150 that is not adsorbed on the first organic layer 131. Accordingly, the source material 150 may be formed in one layer on the first organic layer 131. Argon (Ar) may be used as the exhaust gas 160.

다음으로 도 6과 같이, ALD 공정의 반응단계가 진행될 수 있다. 도 6을 참조하면, 반응물질(170)이 공급될 수 있다. 소스물질(150)이 반응물질(170)과 반응함에 따라 도 7과 같이 하부 무기층(32)이 형성될 수 있다. 반응물질(170)을 공급할 때 에너지 소스로서, 플라즈마, 열 또는 자외선을 가해줄 수 있다. 소스물질(150)을 반응물질(170)과 소정의 반응시간(T1)동안 반응시킬 수 있다. 반응물질(170)은 활성산소일 수 있다. 소스물질(150)이 TMA이고 반응물질(170)이 활성산소인 경우 TMA와 활성산소가 반응함에 따라 하부 무기층(32)인 AlOx층이 형성될 수 있다. 이때 TMA에 포함되있던 탄소가 AlOx에 불안정하게 결합됨에 따라 하부 무기층(32)이 탄소(321)를 포함할 수 있다. Next, as shown in FIG. 6, the reaction step of the ALD process may proceed. Referring to FIG. 6, a reactant 170 may be supplied. As the source material 150 reacts with the reactant 170, the lower inorganic layer 32 may be formed as shown in FIG. 7. When supplying the reactant 170, as an energy source, plasma, heat, or ultraviolet rays may be applied. The source material 150 may be reacted with the reactant 170 for a predetermined reaction time (T1). The reactant 170 may be active oxygen. When the source material 150 is TMA and the reactant 170 is active oxygen, the AlOx layer as the lower inorganic layer 32 may be formed as the TMA and active oxygen react. At this time, as carbon contained in the TMA is unstablely bonded to AlOx, the lower inorganic layer 32 may include carbon 321.

다음으로 도 7과 같이, ALD 공정의 제2 배기단계가 진행될 수 있다. 제2 배기단계에서, 배기가스(180)가 공급되어 하부 무기층(32)외의 물질을 배출시킬 수 있다. 배기가스(180)로 아르곤(Ar)이 사용될 수 있다.Next, as shown in FIG. 7, the second exhaust step of the ALD process may proceed. In the second exhaust step, the exhaust gas 180 may be supplied to discharge substances other than the lower inorganic layer 32. Argon (Ar) may be used as the exhaust gas 180.

ALD 공정은 흡착단계, 제1 배기단계, 반응단계 및 제2 배기단계에 의한 사이클링 공정(cycling process)로 진행될 수 있다.The ALD process may be performed as a cycling process by an adsorption step, a first exhaust step, a reaction step, and a second exhaust step.

다음으로 도 8과 같이, ALD 공정의 흡착단계 및 제1 배기단계가 진행될 수 있다. 이에 따라 소스물질(150)이 하부 무기층(32) 상에 한 층으로 형성될 수 있다.Next, as shown in FIG. 8, the adsorption step and the first exhaust step of the ALD process may be performed. Accordingly, the source material 150 may be formed in one layer on the lower inorganic layer 32.

다음으로 도 9와 같이, ALD 공정의 반응단계가 진행될 수 있다. 도 9를 참조하면, 반응물질(170)이 공급될 수 있다. 소스물질(150)이 반응물질(170)과 반응함에 따라 도 10과 같이 상부 무기층(42)이 형성될 수 있다. 반응물질(170)을 공급할 때 에너지 소스로서, 플라즈마, 열 또는 자외선을 가해줄 수 있다. 소스물질(150)을 반응물질(170)과 소정의 반응시간(T2)동안 반응시킬 수 있다. 반응물질(170)은 활성산소일 수 있다. 소스물질(150)이 TMA이고 반응물질(170)이 활성산소인 경우 TMA와 활성산소가 반응함에 따라 상부 무기층(42)인 AlOx층이 형성될 수 있다. 이때 TMA에 포함되있던 탄소가 AlOx에 불안정하게 결합됨에 따라 상부 무기층(42)이 탄소(421)를 포함할 수 있다. 탄소가 AlOx에 불안정하게 결합되어 있으므로 반응시간이 커질수록 불안정하게 결합되어 있는 탄소가 활성산소와 반응하여 AlOx에서 떨어져 나갈 수 있다. 이에 따라 상부 무기층(42)의 탄소(421) 함량이 줄어들 수 있다. 따라서 상부 무기층(42)을 형성할 때의 반응시간(T2)을 하부 무기층(32)을 형성할 때의 반응시간(T1)보다 길게 함으로써 상부 무기층(42)의 탄소(421) 함량을 하부 무기층(32)의 탄소(321) 함량보다 작게 할 수 있다. 이러한 방식으로 무기층을 형성하여 도 11에 도시된 바와 같이, 제1 유기층(131)과 제1 무기층(132)의 계면(B1)으로부터 제1 유기층(131)에서 제1 무기층(132) 방향(D1)으로 탄소(1321) 함량이 점점 감소하도록 제1 무기층(132)을 형성할 수 있다. 이에 따라 제1 유기층(131)과 제1 무기층(132)의 계면(B1)에서 급격한 조성 변화를 방지하여 봉지층(130)의 밴딩(bending)시에 계면에서 응력 집중을 방지하여 크랙(crack) 또는 박리(delamination)를 줄일 수 있다.Next, as shown in FIG. 9, the reaction step of the ALD process may proceed. Referring to FIG. 9, a reactant 170 may be supplied. As the source material 150 reacts with the reactant 170, the upper inorganic layer 42 may be formed as shown in FIG. 10. When supplying the reactant 170, as an energy source, plasma, heat, or ultraviolet rays may be applied. The source material 150 may be reacted with the reactant 170 for a predetermined reaction time (T2). The reactant 170 may be active oxygen. When the source material 150 is TMA and the reactant 170 is active oxygen, the AlOx layer, which is the upper inorganic layer 42, may be formed as the TMA reacts with the active oxygen. At this time, as carbon included in the TMA is unstablely bonded to AlOx, the upper inorganic layer 42 may include carbon 421. Since carbon is unstablely bonded to AlOx, as the reaction time increases, the unstablely bonded carbon may react with active oxygen and fall away from AlOx. Accordingly, the content of carbon 421 in the upper inorganic layer 42 may be reduced. Therefore, by making the reaction time (T2) when forming the upper inorganic layer 42 longer than the reaction time (T1) when forming the lower inorganic layer 32, the carbon 421 content of the upper inorganic layer 42 is reduced. It can be made smaller than the carbon 321 content of the lower inorganic layer 32. By forming the inorganic layer in this way, as shown in FIG. 11, the first inorganic layer 132 from the first organic layer 131 from the interface B1 between the first organic layer 131 and the first inorganic layer 132 The first inorganic layer 132 may be formed so that the carbon 1321 content gradually decreases in the direction D1. Accordingly, a sudden change in composition at the interface B1 between the first organic layer 131 and the first inorganic layer 132 is prevented to prevent stress concentration at the interface when the encapsulation layer 130 is bending, thereby cracking ) Or delamination can be reduced.

제1 무기층(132)의 두께(H1)는 50nm 이하로 형성될 수 있다. 이에 따라 제1 유기층(131)과 제1 무기층(132) 간의 임계 밀착력이 작아짐으로써, 제1 유기층(131)과 제1 무기층(132)의 박리를 방지할 수 있다.The thickness H1 of the first inorganic layer 132 may be 50 nm or less. Accordingly, the critical adhesion force between the first organic layer 131 and the first inorganic layer 132 is reduced, so that peeling of the first organic layer 131 and the first inorganic layer 132 can be prevented.

제1 무기층(132)이 Polysilazanes로 형성되는 경우에는 PECVD(Plasma-enhanced chemical vapor deposition)를 적용하여 제1 무기층을 형성할 수 있다. 이때 산소 분압을 조절하여 제1 무기층 내에 그래디언트(gradient)한 탄소 함량을 가질 수 있다.When the first inorganic layer 132 is formed of polysilazanes, the first inorganic layer may be formed by applying plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). At this time, the oxygen partial pressure may be adjusted to have a gradient carbon content in the first inorganic layer.

이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.As described above, the present invention has been described with reference to an embodiment shown in the drawings, but this is only exemplary, and those of ordinary skill in the art will understand that various modifications and variations of the embodiment are possible therefrom. Therefore, the true technical scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

10, 20: 유기 발광 장치
110: 기판 120: 유기 발광 소자
130: 봉지층 140: 보호층
131: 제1 유기층 132: 제1 무기층
B1: 계면 1321: 탄소10, 20: organic light emitting device
110: substrate 120: organic light emitting device
130: encapsulation layer 140: protective layer
131: first organic layer 132: first inorganic layer
B1: interface 1321: carbon

Claims (18)

기판;
상기 기판 상에 구비되며, 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비된 중간층을 포함한 유기 발광 소자;
상기 유기 발광 소자를 덮는 봉지층; 및
상기 유기 발광 소자와 상기 봉지층 사이에서 상기 유기 발광 소자를 덮는 보호층;을 포함하고,
상기 봉지층은 제1 유기층 및 상기 제1 유기층 상에 형성되며 탄소를 포함하는 제1 무기층을 포함하고,
상기 제1 무기층의 전체 두께에서, 상기 제1 무기층의 탄소 함량이 상기 제1 유기층과 상기 제1 무기층의 계면으로부터 상기 제1 유기층에서 상기 제1 무기층 방향으로 점점 감소하고,
상기 제1 무기층의 밀도는 상기 계면으로부터 상기 제1 유기층에서 상기 제1 무기층 방향으로 점점 증가하며,
상기 보호층은 무기물을 포함하는 유기 발광 장치.Board;
An organic light-emitting device provided on the substrate and including a first electrode, a second electrode, and an intermediate layer disposed between the first electrode and the second electrode;
An encapsulation layer covering the organic light emitting device; And
Including; a protective layer covering the organic light emitting device between the organic light emitting device and the encapsulation layer,
The encapsulation layer includes a first organic layer and a first inorganic layer formed on the first organic layer and including carbon,
In the total thickness of the first inorganic layer, the carbon content of the first inorganic layer gradually decreases from the interface between the first organic layer and the first inorganic layer toward the first inorganic layer in the first organic layer,
The density of the first inorganic layer gradually increases from the interface toward the first inorganic layer from the first organic layer,
The protective layer is an organic light emitting device comprising an inorganic material. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 무기층의 탄소 함량이 0.1% 내지 12% 범위에서 변하는 유기 발광 장치.The method of claim 1,
An organic light-emitting device in which the carbon content of the first inorganic layer varies in the range of 0.1% to 12%. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 무기층의 영률이 상기 제1 유기층과 상기 제1 무기층의 계면으로부터 점점 증가하는 유기 발광 장치.The method of claim 1,
An organic light-emitting device in which a Young's modulus of the first inorganic layer gradually increases from an interface between the first organic layer and the first inorganic layer. 제 3 항에 있어서,
상기 제1 무기층의 영률이 110Gpa 내지 1000Gpa인 유기 발광 장치.The method of claim 3,
An organic light-emitting device having a Young's modulus of 110 Gpa to 1000 Gpa of the first inorganic layer. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 무기층의 두께는 50nm 이하로 형성되는 유기 발광 장치.The method of claim 1,
The organic light-emitting device having a thickness of the first inorganic layer is 50 nm or less. 제 1 항에 있어서,
상기 봉지층은, 상기 제1 무기층 상에 형성되는 제2 유기층 및 상기 제2 유기층 상에 형성되며 탄소를 포함하는 제2 무기층을 더 포함하고,
상기 제2 무기층의 탄소 함량이 상기 제2 유기층과 상기 제2 무기층의 계면으로부터 상기 제2 유기층에서 상기 제2 무기층 방향으로 점점 감소하는 유기 발광 장치.The method of claim 1,
The encapsulation layer further includes a second organic layer formed on the first inorganic layer and a second inorganic layer formed on the second organic layer and including carbon,
An organic light-emitting device in which the carbon content of the second inorganic layer gradually decreases from the interface between the second organic layer and the second inorganic layer toward the second inorganic layer from the second organic layer. 제 6 항에 있어서,
상기 제2 무기층의 두께는 50nm 이하로 형성되는 유기 발광 장치.The method of claim 6,
The organic light-emitting device having a thickness of the second inorganic layer is 50 nm or less. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 무기층은 AlOx, SiNx, SiOx, SiCx, SiOxNy 또는 Polysilazanes를 포함하는 유기 발광 장치.The method of claim 1,
The first inorganic layer is an organic light emitting device comprising AlOx, SiNx, SiOx, SiCx, SiOxNy, or Polysilazanes. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 무기층은 ALD(atomic layer deposition) 공법에 의해 형성되는 유기 발광 장치.The method of claim 1,
The first inorganic layer is an organic light emitting device formed by an atomic layer deposition (ALD) method. 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비된 중간층을 포함한 유기 발광 소자를 구비한 기판을 준비하는 단계;
상기 유기 발광 소자를 덮는 보호층을 형성하는 단계; 및
상기 보호층 상에 상기 유기 발광 소자를 덮는 봉지층을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 봉지층 형성 단계는,
상기 유기 발광 소자를 덮는 제1 유기층을 형성하는 단계; 및
상기 제1 유기층 상에 탄소를 포함하는 제1 무기층을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 제1 무기층은, 상기 제1 무기층의 전체 두께에서, 상기 탄소의 함량이 상기 제1 유기층과 상기 제1 무기층의 계면으로부터 상기 제1 유기층에서 상기 제1 무기층을 향하는 방향으로 점점 감소하고, 상기 제1 무기층의 밀도는 상기 계면에서부터 상기 제1 유기층에서 상기 제1 무기층을 향하는 방향으로 점점 증가하도록 형성되고,
상기 보호층은 무기물로 형성되는 유기 발광 장치의 제조 방법.Preparing a substrate having an organic light emitting diode including a first electrode, a second electrode, and an intermediate layer provided between the first electrode and the second electrode;
Forming a protective layer covering the organic light-emitting device; And
Including; forming an encapsulation layer covering the organic light emitting device on the protective layer,
The step of forming the encapsulation layer,
Forming a first organic layer covering the organic light emitting device; And
Including; forming a first inorganic layer containing carbon on the first organic layer,
The first inorganic layer may gradually increase in a direction from the interface between the first organic layer and the first inorganic layer toward the first inorganic layer from the interface between the first organic layer and the first inorganic layer in the total thickness of the first inorganic layer. Decreases, and the density of the first inorganic layer is formed to increase gradually from the interface toward the first inorganic layer from the first organic layer,
The protective layer is a method of manufacturing an organic light emitting device formed of an inorganic material. 제 10 항에 있어서,
상기 제1 무기층의 탄소 함량이 0.1% 내지 12% 범위에서 변하는 유기 발광 장치의 제조 방법.The method of claim 10,
A method of manufacturing an organic light-emitting device in which the carbon content of the first inorganic layer varies in the range of 0.1% to 12%. 제 10 항에 있어서,
상기 제1 무기층의 영률이 상기 제1 유기층과 상기 제1 무기층의 계면으로부터 점점 증가하는 유기 발광 장치의 제조 방법.The method of claim 10,
A method of manufacturing an organic light-emitting device in which the Young's modulus of the first inorganic layer gradually increases from the interface between the first organic layer and the first inorganic layer. 제 10 항에 있어서,
상기 제1 무기층의 두께는 50nm 이하로 형성되는 유기 발광 장치의 제조 방법.The method of claim 10,
The method of manufacturing an organic light emitting device in which the thickness of the first inorganic layer is 50 nm or less. 제 10 항에 있어서,
상기 제1 무기층을 형성하는 단계는 ALD(atomic layer depositon) 공법을 이용하는 유기 발광 장치의 제조 방법.The method of claim 10,
The forming of the first inorganic layer is a method of manufacturing an organic light emitting device using an atomic layer depositon (ALD) method. 제 14 항에 있어서,
상기 ALD 공법은 흡착단계, 제1 배기단계, 반응단계 및 제2 배기단계가 사이클링 공정(cycling process)으로 진행되는 유기 발광 장치의 제조 방법.The method of claim 14,
The ALD method is a method of manufacturing an organic light emitting device in which an adsorption step, a first exhaust step, a reaction step, and a second exhaust step are performed as a cycling process. 제 15 항에 있어서,
상기 반응단계에서 상기 제1 무기층의 탄소 함량을 조절할 수 있는 유기 발광 장치의 제조 방법.The method of claim 15,
A method of manufacturing an organic light-emitting device capable of controlling the carbon content of the first inorganic layer in the reaction step. 제 16 항에 있어서,
상기 반응단계에서 반응시간이 점점 증가하는 유기 발광 장치의 제조 방법.The method of claim 16,
A method of manufacturing an organic light emitting device in which the reaction time gradually increases in the reaction step. 제 10 항에 있어서,
상기 제1 무기층을 형성하는 단계는 PECVD(plasma-enhanced chemical vapor deposition) 공법을 이용하는 유기 발광 장치의 제조 방법.The method of claim 10,
The step of forming the first inorganic layer is a method of manufacturing an organic light emitting device using a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022103204A (en) * 2018-05-24 2022-07-07 大日本印刷株式会社 Self-luminous display

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007073459A (en) * 2005-09-09 2007-03-22 Seiko Epson Corp Organic electroluminescence device, its manufacturing method and electronic equipment
JP2008059868A (en) * 2006-08-30 2008-03-13 Seiko Epson Corp Organic electroluminescent device, its manufacturing method, and electronic apparatus
JP2008270812A (en) * 2007-04-18 2008-11-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organic optoelectronic element
KR20090112387A (en) * 2008-04-24 2009-10-28 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting display apparatus
JP2009266922A (en) * 2008-04-23 2009-11-12 Canon Inc Organic light-emitting device
JP2011136570A (en) * 2004-09-21 2011-07-14 Konica Minolta Holdings Inc Transparent gas barrier film

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011136570A (en) * 2004-09-21 2011-07-14 Konica Minolta Holdings Inc Transparent gas barrier film
JP2007073459A (en) * 2005-09-09 2007-03-22 Seiko Epson Corp Organic electroluminescence device, its manufacturing method and electronic equipment
JP2008059868A (en) * 2006-08-30 2008-03-13 Seiko Epson Corp Organic electroluminescent device, its manufacturing method, and electronic apparatus
JP2008270812A (en) * 2007-04-18 2008-11-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organic optoelectronic element
JP2009266922A (en) * 2008-04-23 2009-11-12 Canon Inc Organic light-emitting device
KR20090112387A (en) * 2008-04-24 2009-10-28 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting display apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022103204A (en) * 2018-05-24 2022-07-07 大日本印刷株式会社 Self-luminous display

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