KR20200091887A - 반도체 발광 나노입자를 포함하는 조성물 - Google Patents

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도모히사 고토
다다시 기시모토
마사요시 스즈키
데루아키 스즈키
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Abstract

본 발명은 반도체 발광 나노입자를 포함하는 조성물에 관한 것이다.

Description

반도체 발광 나노입자를 포함하는 조성물
본 발명은 반도체 발광 나노입자를 포함하는 조성물, 제형, 조성물의 용도, 제형의 용도, 광학 매체, 및 광학 디바이스에 관한 것이다.
WO 2014/129067 A1 은 표 1 및 표 2 에 있는 수지 A 내지 K 로부터 선택된 수지, 표 1 및 표 2에 있는 A 내지 D로부터 선택된 반도체 양자점, 및 표 1 및 표 2의 용매 1 내지 6 으로부터 선택된 용매로 이루어진 제형을 개시한다.
WO 2012/059931A1 에는 나노로드, 폴리비닐부티랄 및 톨루엔의 단량체 용액의 혼합물이 기재되어 있다.
EP 01403355 A 는 형광체 혼합물 및 폴리머 매트릭스의 조성물을 개시한다.
EP 02056158 A 에는 형광체 입자와 결합제 (에틸 셀룰로오스 또는 실리콘 수지) 의 혼합물이 기재되어 있다.
WO 2010/143461 A1 는 형광체와 아크릴 수지와 같은 수지의 혼합물을 개시한다.
특허문헌
1. WO 2014/129067 A1
2. WO 2012/059931 A1
3. EP 01403355 A
4. EP 02056158 A
5. WO 2010/143461 A1
그러나, 본 발명자들은 아래에 열거된 바처럼 개선이 요망되는 하나 이상의 상당한 문제점들이 여전히 있다는 것을 새롭게 알아냈다.
1. 하나 이상의 반도체 발광 나노입자 및 실리콘 수지를 포함하는 신규한 조성물로서, 상기 실리콘 수지에서 상기 반도체 발광 나노입자의 향상된 분산성을 나타내는, 신규한 조성물이 요망된다.
2. 하나 이상의 반도체 발광 나노입자 및 실리콘 수지를 포함하는 신규한 조성물로서, 저장 시 실리콘 수지의 중합을 감소시키거나 또는 방지하는, 신규한 조성물이 요망된다.
3. 하나 이상의 반도체 발광 나노입자 및 실리콘 수지를 포함하는 신규한 조성물로서, 그 조성물 또는 제형에서 상기 반도체 발광 나노입자의 장기 안정성 및 안정된 양자 수율을 나타내는, 신규한 조성물이 요망된다.
4. 하나 이상의 반도체 발광 나노입자를 포함하는 신규한 조성물로서, 보다 높은 농도에서 반도체 발광 나노입자의 더 우수한 분산성을 나타내는, 신규한 조성물이 요망된다.
본 발명자들은 위에 언급된 문제점들 1 내지 4 중 하나 이상을 해결하는 것을 목적으로 하였다.
다음으로, 적어도 하나의 코어, 선택적으로 하나 이상의 쉘 층을 포함하는 적어도 하나의 반도체 발광 나노입자,
폴리머로서, 포스핀 기, 포스핀 옥사이드 기, 포스페이트 기, 포스포네이트 기, 티올 기, 카르복실 기, 헤테로 시클릭 기, 실란 기, 설폰 산, 히드록실 기, 및 포스폰 산, 바람직하게는 포스포네이트 기, 포스페이트 기, 카르복실 기, 및 티올 기, 보다 바람직하게는 하기 화학식 (I) 로 표시되는 포스페이트 기로 이루어진 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택된 적어도 하나의 부착기
Figure pct00001
및
하기 화학식 (II); (III), (IV), (V), (VI), (VII) 또는 (VIII) 로 표시되는 제 1 반복 단위
Figure pct00002
Figure pct00003
Figure pct00004
Figure pct00005
Figure pct00006
Figure pct00007
Figure pct00008
를 포함하거나, 본질적으로 이로 이루어지거나 또는 이로 이루어진 상기 폴리머
을 포함하거나, 본질적으로 이로 이루어지거나, 또는 이로 이루어지고,
식 중,
R1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고,
Ra 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, D, 또는 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 5 내지 60 개의 탄소 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 방향족 고리 시스템이고, 여기서 H 원자는 D, F, Cl, Br, I 로 대체될 수도 있고; 여기서 2개 이상의 인접한 치환기 Ra 는 또한, 서로 단환 또는 다환, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있고;
R2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고;
R3 는 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고;
R4 은 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고;
R5 는 수소 원자, 또는 메틸렌이고;
R6 는 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고;
"*" 는 연결점을 나타내고; "n"은 정수, 바람직하게는 n 은 1 내지 1000, 바람직하게는 5 내지 500, 보다 바람직하게는 10 내지 100 이며,
그리고
폴리실록산, 바람직하게는 상기 폴리실록산은 오르가노 폴리실록산이고, 더욱 바람직하게는 폴리실록산은 하기 화학식 (IX) 로 표시되는 적어도 하나의 실세스퀴옥산 단위를 포함한다:
(R7SiO1.5)x - (IX)
식 중, R7 는 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고,
Ra 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, D, 또는 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 5 내지 60 개의 탄소 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 방향족 고리 시스템이고, 여기서 H 원자는 D, F, Cl, Br, I 로 대체될 수도 있고; 여기서 2개 이상의 인접한 치환기 Ra 는 또한, 서로 단환 또는 다환, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있고,
기호 x는 정수, 바람직하게는 x는 1 내지 1000, 보다 바람직하게는 5 내지 500, 더욱 더 바람직하게는 5 내지 100의 범위인, 신규한 조성물을 알아냈다.
다른 양태에서, 본 발명은 적어도 조성물,
및
용매를 포함하고, 바람직하게 상기 용매는 에틸렌 글리콜 모노알킬 에테르, 이를테면, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르, 및 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르; 디에틸렌 글리콜 디알킬 에테르, 이를테면, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디프로필 에테르, 및 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르; 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르, 이를테면, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 (PGME), 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 및 프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르; 에틸렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 이를테면, 메틸 셀로솔브 아세테이트 및 에틸 셀로솔브 아세테이트; 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 이를테면, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 (PGMEA), 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 및 프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르 아세테이트; 케톤, 이를테면, 메틸 에틸 케톤, 아세톤, 메틸 아밀 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 및 시클로헥사논; 알코올, 이를테면, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 헥산올, 시클로 헥산올, 에틸렌 글리콜, 및 글리세린; 에스테르, 이를테면, 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 메틸 3-메톡시프로피오네이트 및 에틸 락테이트; 및 시클릭 애스터 (cyclic aster), 이를테면, 감마-부티로-락톤; 염소화 탄화수소, 이를테면 클로로포름, 디클로로메탄, 클로로벤젠, 및 디클로로벤젠으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버들로부터 선택되고, 바람직하게 상기 용매는 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 알킬 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노알킬 에테르, 프로필렌 글리콜, 및 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르이고; 보다 바람직하게 용매는 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 이를테면, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 (PGMEA), 알킬 아세테이트 이를테면 부틸 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노알킬 에테르 이를테면 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌 글리콜 또는 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르 이를테면 메톡시프로판올로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버들로부터 선택되고, 보다 바람직하게 용매는 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트로부터 선택되는, 제형에 관한 것이다.
다른 양태에서, 본 발명은 또한, 전자 디바이스, 광학 디바이스, 생의학 디바이스에서의 또는 전자 디바이스, 광학 디바이스 또는 생의학 디바이스를 제조하기 위한, 조성물, 또는 제형의 용도에 관한 것이다.
다른 양태에서, 본 발명은 또한 상기 조성물 또는 제형을 포함하는 광학 매체에 관한 것이다.
다른 양태에서, 본 발명은 또한 상기 광학 매체를 포함하는 광학 디바이스에 관한 것이다.
발명의 상세한 설명
본 발명에 따르면, 상기 조성물은
적어도 하나의 코어, 선택적으로 하나 이상의 쉘 층을 포함하는 적어도 하나의 반도체 발광 나노입자,
폴리머로서, 포스핀 기, 포스핀 옥사이드 기, 포스페이트 기, 포스포네이트 기, 티올 기, 카르복실 기, 헤테로 시클릭 기, 실란 기, 설폰 산, 히드록실 기, 및 포스폰 산, 바람직하게는 포스포네이트 기, 포스페이트 기, 카르복실 기, 및 티올 기, 보다 바람직하게는 하기 화학식 (I) 로 표시되는 포스페이트 기로 이루어진 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택된 적어도 하나의 부착기
Figure pct00009
및
하기 화학식 (II); (III), (IV), (V), (VI), (VII) 또는 (VIII) 로 표시되는 제 1 반복 단위,
Figure pct00010
Figure pct00011
Figure pct00012
Figure pct00013
Figure pct00014
Figure pct00015
Figure pct00016
를 포함하거나, 본질적으로 이로 이루어지거나 또는 이로 이루어진 상기 폴리머
을 포함하거나, 이로 본질적으로 이루어지거나, 또는 이루어지고,
식 중,
R1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고,
Ra 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, D, 또는 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 5 내지 60 개의 탄소 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 방향족 고리 시스템이고, 여기서 H 원자는 D, F, Cl, Br, I 로 대체될 수도 있고; 여기서 2개 이상의 인접한 치환기 Ra 는 또한, 서로 단환 또는 다환, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있고;
R2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고;
R3 는 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고;
R4 은 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고;
R5 는 수소 원자, 또는 메틸렌이고;
R6 는 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고;
"*"는 연결점을 나타내고; "n"은 정수, 바람직하게는 n은 1 내지 1000, 바람직하게는 5 내지 500, 보다 바람직하게는 10 내지 100 이고,
그리고
폴리실록산, 바람직하게는 상기 폴리실록산은 오르가노 폴리실록산이고, 더욱 바람직하게는 폴리실록산은 하기 화학식 (IX) 로 표시되는 적어도 하나의 실세스퀴옥산 단위를 포함한다:
(R7SiO1.5)x - (IX)
식 중, R7 는 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고,
Ra 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, D, 또는 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 5 내지 60 개의 탄소 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 방향족 고리 시스템이고, 여기서 H 원자는 D, F, Cl, Br, I 로 대체될 수도 있고; 여기서 2개 이상의 인접한 치환기 Ra 는 또한, 서로 단환 또는 다환, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있고,
기호 x는 정수, 바람직하게는 x는 1 내지 1000, 보다 바람직하게는 5 내지 500, 더욱 더 바람직하게는 5 내지 100의 범위이다.
- 폴리머
본 발명에 따르면, 아래 기재된 적어도 하나의 부착기 및 제 1 반복 단위를 포함하는 광범위하게 다양한 공지된 폴리머가 바람직하게 사용될 수 있다.
따라서, 본 발명의 일부 실시형태에서, 조성물의 폴리머는 포스핀 기, 포스핀 옥사이드 기, 포스페이트 기, 포스포네이트 기, 티올 기, 카르복실 기, 헤테로 시클릭 기, 실란 기, 설폰 산, 히드록실 기, 및 포스폰 산, 바람직하게는 포스포네이트 기, 포스페이트 기, 카르복실 기, 및 티올 기, 보다 바람직하게는 하기 화학식 (I) 로 표시되는 포스페이트 기로 이루어진 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택된 적어도 하나의 부착기
Figure pct00017
및
하기 화학식 (II); (III), (IV), (V), (VI), (VII) 또는 (VIII) 로 표시되는 제 1 반복 단위,
Figure pct00018
Figure pct00019
Figure pct00020
Figure pct00021
Figure pct00022
Figure pct00023
Figure pct00024
를 포함하고,
식 중,
R1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고,
Ra 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, D, 또는 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 5 내지 60 개의 탄소 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 방향족 고리 시스템이고, 여기서 H 원자는 D, F, Cl, Br, I 로 대체될 수도 있고; 여기서 2개 이상의 인접한 치환기 Ra 는 또한, 서로 단환 또는 다환, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있고;
R2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고;
R3 는 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고;
R4 은 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고;
R5 는 수소 원자, 또는 메틸렌이고;
R6 는 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고;
"*"는 연결점을 나타내고; "n"은 정수, 바람직하게는 n은 1 내지 1000, 바람직하게는 5 내지 500, 보다 바람직하게는 10 내지 100 이다.
본 발명의 일부 실시형태에서, 조성물은 복수의 반도체 발광 나노입자를 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 폴리머는 하기 화학식(II); (III), (IV), (V), (VI), (VII) 또는 (VIII) 로 표시되는 제 2 반복 단위를 더 포함하고,
Figure pct00025
Figure pct00026
Figure pct00027
Figure pct00028
Figure pct00029
Figure pct00030
Figure pct00031
식 중,
R1 는 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고;
Ra 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, D, 또는 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 5 내지 60 개의 탄소 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 방향족 고리 시스템이고, 여기서 H 원자는 D, F, Cl, Br, I 로 대체될 수도 있고; 여기서 2개 이상의 인접한 치환기 Ra 는 또한, 서로 단환 또는 다환, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있고;
R2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고;
R3 는 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고;
R4 은 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고;
R5 는 수소 원자, 또는 메틸렌이고;
R6 는 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고;
"*"는 연결점을 나타내고; "n" 은 정수, 바람직하게는 n은 1 내지 1000, 바람직하게는 5 내지 500, 보다 바람직하게는 10 내지 100 이며,
그리고 상기 제 1 반복 단위 및 상기 제 2 반복 단위는 서로 상이하며; 바람직하게는 x 는 1 내지 1000, 더 바람직하게는 5 내지 500, 더욱 더 바람직하게는 5 내지 100 이다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시형태에서, 폴리머는 하기 식 (X) 로 표시되고,
A(B)xC(D)yEF (X)
식 중 기호 A 는 부착기이며; 기호 B는 제 1 링커이며, 바람직하게는 제 1 링커는 1 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌기, 또는 1 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알케닐렌 기이고; 기호 C는 제 1 반복 단위이고; 기호 D는 제 2 링커이며, 바람직하게는 제 2 링커는 1 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기, 또는 1 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알케닐렌기 이고; 기호 E는 제 2 반복 단위이고; 기호 F는, 수소 원자, 1 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬기, 1 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알콕시 기 및 1 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알케닐 기, 바람직하게는 수소 원자 또는 1 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬기로 이루어진 군으로부터 바람직하게 선택되는, 폴리머의 테일 (tail) 이고; x 는 0 또는 1이며, y는 0 또는 1이다.
더욱 바람직하게는, 상기 제 1 반복 단위는 식 (III) 에 의해 표시되고, 제 2 반복 단위는 화학식(II) 에 의해 표시된다.
바람직하게는, 기호 B 는 하기 표 1의 군으로부터 선택된다.
Figure pct00032
여기서 "*" 는 기 A 및 C 에 대한 연결점을 나타낸다.
바람직하게는, 기호 D 는 하기 표 2 의 군으로부터 선택된다.
Figure pct00033
여기서 "*" 는 기 C 및 D 에 대한 연결점을 나타낸다.
더욱 바람직하게는, 상기 제 1 반복 단위는 식 (III) 에 의해 표시되고, 제 2 반복 단위는 화학식(II) 에 의해 표시된다.
예를 들어, DISPERBYK®-180, 118, 111, 110,106, 103, 102, 보다 바람직하게 110, 180, 118, 및 103 가 바람직하게 폴리머로서 사용될 수 있다.
- 반도체 발광 나노입자
본 발명에 따르면, "반도체"라는 용어는 실온에서 도체 (예컨대 구리) 와 절연체 (예컨대 유리) 사이의 정도로 전기 전도성을 갖는 재료를 의미한다. 바람직하게, 반도체는 온도에 따라 전기 전도성이 증가하는 재료이다.
용어 "나노 크기의" 는 0.1 nm 내지 999 nm, 바람직하게는 1 nm 내지 150 nm, 보다 바람직하게는 3 nm 내지 50 nm 의 크기를 의미한다.
따라서, 본 발명에 따르면, "반도체 발광 나노입자"는 크기가 0.1 nm 내지 999 nm, 바람직하게는 1 nm 내지 150 nm, 보다 바람직하게는 3 nm 내지 50 nm 이고, 실온에서 도체 (이를 테면 구리) 의 전기 전도성과 절연체 (이를 테면 유리) 의 전기 전도성 사이의 정도로 전기 전도도를 갖고, 바람직하게는 반도체는 온도에 따라 그 전기 전도성이 증가하는 재료이며, 그 크기가 0.1 nm 내지 999 nm, 바람직하게는 0.5 nm 내지 150 nm, 보다 바람직하게는 1 nm 내지 50 nm 인 발광 재료를 의미하도록 받아들여진다.
본 발명에 따르면, 용어 "크기"는 반도체 나노 크기의 발광 입자의 가장 긴 축의 평균 직경을 의미한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 본 발명의 반도체 발광 나노입자는 양자 크기의 재료이다.
본 발명에 따르면, 용어 "양자 크기의" 는, 예를 들어 ISBN:978-3-662-44822-9에 기재된 바와 같이, 양자 구속 효과 (quantum confinement effect) 를 나타낼 수 있는, 리간드 또는 다른 표면 개질이 없는 반도체 재료 자체의 크기를 의미한다.
일반적으로, 양자 크기 재료들은 "양자 구속" 효과로 인해 조정가능하고, 선명하고 생생한 색상의 광을 방출할 수 있다고 한다.
본 발명의 일부 실시형태에서, 양자 크기의 재료의 전체 구조의 크기는 1 nm 내지 50 nm 이고, 더 바람직하게는 1 nm 내지 30 nm 이고, 더욱 더 바람직하게는 5 nm 내지 15 nm 이다.
본 발명에 따르면, 반도체 발광 나노입자의 상기 코어는 변경될 수 있다.
예를 들어, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnSeS, ZnTe, ZnO, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgSe, HgTe, InAs, InP, InPS, InPZnS, InPZn, InPZnSe, InCdP, InPCdS, InPCdSe, InGaP, InGaPZn, InSb, AlAs, AlP, AlSb, Cu2S, Cu2Se, CuInS2, CuInSe2, Cu2(ZnSn)S4, Cu2(InGa)S4, TiO2 합금 및 이들의 임의의 조합이 사용될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 코어는 주기율표의 13 족의 하나의 원소 및 주기율표 15 족의 하나의 원소를 포함하고, 바람직하게 13 족의 원소는 In 이고, 15 족의 원소는 P 이며, 더 바람직하게 코어는 하기 식 (XII), 또는 식 (XII´) 으로 표시된다.
In1-xGaxZnzP (XII)
식중 0≤x≤1, 0≤z≤1, 더욱 더 바람직하게는 코어는 InP, InxZnzP, 또는 In1-xGaxP 이다.
당해 기술 분야의 통상의 기술자는 코어 내에 또는 그 주위에 상대 이온이 있음을 쉽게 이해할 수 있고, 따라서 화학식 (I) 은 전기적으로 중성이다.
In1-x-2/3zGaxZnzP (XII´)
식중 0≤x≤1, 0≤z≤1, 더욱 더 바람직하게는 코어는 InP, In1-2/3zZnzP, 또는 In1-xGaxP 이다.
In1-2/3zZnzP 의 경우 x 는 0 이고 0<z≤1 이다. 그리고 Zn 원자는 직접 코어 표면 상에 있거나 InP 와 합금될 수 있다. Zn 과 In 사이의 비는 0.05 내지 5 의 범위에 있다. 바람직하게는 0.07 내지 1 이다.
본 발명에 따르면, 반도체 발광 나노입자의 코어의 형상의 유형 및 합성되는 반도체 발광 나노입자의 형상은 특별히 제한되지 않는다.
본 발명의 일부 실시형태에서, 코어는 InP, InP: Zn, InPZnS, 및 InGaP 로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 발명에 따르면, 반도체 발광 나노입자의 코어의 형상의 유형 및 합성되는 반도체 발광 나노입자의 형상은 특별히 제한되지 않는다.
예를 들어, 구형 형상, 세장형 형상, 별형 형상, 다면체형 형상, 피라미드형 형상, 테트라포드형 형상, 사면체형 형상, 소판형 형상, 원추형 형상 및 불규칙한 형상의 코어 및-또는 반도체 발광 나노입자가 합성될 수 있다.
본 발명의 일부 실시형태에서, 코어의 평균 직경은 1.5 nm 내지 3.5 nm 범위이다.
코어의 평균 직경은 Tecnai G2 Spirit Twin T-12 투과 전자 현미경으로 만든 TEM 이미지에서 100 개 반도체 발광 나노입자를 기준으로 계산된다.
본 발명의 일부 실시형태에서, 쉘 층은 주기율표의 12 족의 제 1 원소 및 주기율표의 16 족의 제 2 원소를 포함하거나 이로 구성되며, 바람직하게 제 1 원소는 Zn 이고, 제 2 원소는 S, Se 또는 Te이다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 쉘 층은 하기 식 (XI) 로 표시되고,
ZnSxSeyTez, - (XI)
식 중 , 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1, 및 x+y+z=1 이고, 바람직하게는, 쉘 층은 ZnSe, ZnSxSey, ZnSeyTez 또는 ZnSxTez 이다.
본 발명의 일부 실시형태에서, 상기 쉘 층은 합금형 (alloyed) 쉘 층 또는 그레이드형 (graded) 쉘 층이고, 바람직하게는 상기 그레이드형 쉘 층은 ZnSxSey, ZnSeyTez, 또는 ZnSxTez 이고, 보다 바람직하게 그것은 ZnSxSey이다.
y/x 의 비는 바람직하게는 0.5 초과이며, 더 바람직하게는 1 초과이며, 더욱 더 바람직하게는 2 초과이다.
y/z 의 비는 바람직하게는 1 초과이며, 더 바람직하게는 2 초과이며, 더욱 더 바람직하게는 4 초과이다.
본 발명의 일부 실시형태에서, 반도체 발광 나노입자는 상기 쉘 층 상에 제 2 쉘 층을 더 포함하고, 바람직하게는 제 2 쉘 층은 주기율표의 12 족의 제 3 원소 및 주기율표의 16 족의 제 4 원소를 포함하거나 또는 이들로 이루어지며, 보다 바람직하게는 제 3 원소는 Zn 이고, 제 4 원소는 S, Se 또는 Te 이며, 단, 제 4 원소 및 제 2 원소는 동일하지 않다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 2nd 쉘 층은 하기 화학식 (XI´) 로 표시되고,
ZnSxSeyTez, - (XI´)
식 중, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1 그리고 x+y+z=1이며, 바람직하게, 쉘 층은 ZnSe, ZnSxSey, ZnSeyTez, 또는 ZnSxTez이며, 단, 쉘 층 및 제 2 쉘 층은 동일하지 않다.
본 발명의 일부 실시형태에서, 상기 제 2 쉘 층은 합금된 쉘 층일 수 있다.
본 발명의 일부 실시형태에서, 반도체 발광 나노입자는 멀티쉘로서 제 2 쉘 층 상에 하나 이상의 추가 쉘 층들을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 용어 "멀티쉘"은 3 개 이상의 쉘 층들로 구성된 적층된 쉘 층을 나타낸다.
예를 들어, CdSe/CdS, CdSeS/CdZnS, CdSeS/CdS/ZnS, ZnSe/CdS, CdSe/ZnS, InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/ZnSe/ZnS, InZnP /ZnS, InZnP /ZnSe, InZnP /ZnSe/ZnS, InGaP/ZnS, InGaP/ZnSe, InGaP/ZnSe/ZnS, InZnPS/ ZnS, InZnPS ZnSe, InZnPS /ZnSe/ZnS, ZnSe/CdS, ZnSe/ZnS 또는 이들의 임의의 조합이 사용될 수 있다. 바람직하게는, InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/ZnSexS1-x, InP/ZnSexS1-x/ZnS, InP/ZnSe/ZnS, InZnP /ZnS, InP/ZnSexTe1-x/ZnS, InP/ZnSexTe1-x, InZnP /ZnSe, InZnP /ZnSe/ZnS, InGaP/ZnS, InGaP/ZnSe, InGaP/ZnSe/ZnS.
본 발명의 일부 실시형태에서, 조성물은 둘 이상의 반도체 발광 나노입자를 포함한다.
본 발명의 일부 실시형태에서, 조성물은 복수의 반도체 발광 나노입자를 포함한다.
본 발명의 일부 실시 형태에서, 반도체 발광 나노입자의 총량은 조성물의 총량을 기준으로 0.1 중량 % 내지 90 중량 %, 바람직하게는 5 중량 % 내지 70 중량 %, 더 바람직하게는 10 중량 % 내지 50 중량 % 범위이다.
코어 및 적어도 하나의 쉘층을 포함하는 그러한 반도체 발광 나노입자는 선행 기술 문헌에 알려져 있다.
예를 들어, Hens 등의, Chem. Materials, 2015, 27, 4893-4898, Jeong 등의, Applied Physics Letters, 2012, 101, 7, 073107, Char 등의, ACS Nano,2016,10(4), pp 4754-4762, US 9109163 B2, ACS Nano, 2013, 7(10), pp 9019-9026, Chem. Mater.,2011,23(20), pp 4459-4463, 및 WO 2016/146719 A1 에 기재되어 있다.
본 발명의 일부 실시형태에서, 폴리머의 총량은 조성물의 총량을 기준으로 0.1 중량 % 내지 90 중량 %, 바람직하게는 5 중량 % 내지 70 중량 %, 더 바람직하게는 10 중량 % 내지 50 중량 % 범위이다.
- 폴리실록산
본 발명에 따르면, 폴리실록산으로서, 광범위하게 다양한 공지된 폴리실록산, 바람직하게는 오르가노 폴리실록산이 사용될 수있다.
더욱 바람직하게는 폴리실록산은 하기 화학식 (IX) 로 표시되는 적어도 하나의 실세스퀴옥산 단위를 포함한다
(R7SiO1.5)x - (IX)
식 중, R7 는 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고,
Ra 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, D, 또는 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 5 내지 60 개의 탄소 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 방향족 고리 시스템이고, 여기서 H 원자는 D, F, Cl, Br, I 로 대체될 수도 있고; 여기서 2개 이상의 인접한 치환기 Ra 는 또한, 서로 단환 또는 다환, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있고;
기호 x는 정수, 바람직하게는 x는 1 내지 1000, 보다 바람직하게는 5 내지 500, 더욱 더 바람직하게는 5 내지 100의 범위이다.
이는 개선된 습기, 필름의 UV 저항성 및/또는 가시광의 높은 투명성의 관점에서 적합하다.
알킬기는, 달리 정의되지 않는 한, 1 내지 15개의 C 원자를 갖는 알킬기가 바람직하다. 아르알킬기는 -알킬-아릴을 나타내고, 바람직하게는 벤질 기이다. 아릴은 바람직하게는 벤젠 또는 나프탈렌으로부터 선택되고, 가장 바람직하게는 벤젠 고리이며, 여기서 이들 기는 선택적으로 Cl, F, 1-7 C 알킬, 1-7 C 알콕시, CN, -(CO)알킬, -(CO)O-알킬에 의해 치환된다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에서, R7 은 메틸, 에틸, n-프로필, 이소-프로필, t-부틸, n-헥실, n-데실, n-부틸, 트리플루오로메틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 3,3,3-트리플루오로프로필, 시클로헥실, 페닐, 톨릴, 및 나프틸 기로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
이론에 구애되기를 원함이 없이, R7 이 페닐기인 경우, 그것은 용매내 폴리실록산의 보다 양호한 용해도에 이를 수도 있고, 제작된 필름 내의 크랙을 감소시킬 수도 있고, R7 이 메틸기인 경우, 원료 재료는 보다 용이하게 시장으로부터 얻어질 수도 있고 제작된 필름의 보다 높은 경도 및 보다 양호한 화학적 안정성에 이를 수도 있다고 생각된다.
예를 들어 JP 2014-114176, WO 2012/157696 A1, WO 2013/151166 A 에 기재된 바와 같은 그러한 폴리실록산 및 SR-7010, OE-4705, OE-6630, OE-6635, OE-6665 수지 (Dow Corning®) 가 본 발명의 폴리실록산으로서 바람직하게 사용될 수 있다. 보다 바람직하게는, OE-6630, OE-6635, 또는 OE-6665 수지 (Dow Corning®) 이 사용된다.
- 추가 리간드
본 발명의 일부 실시형태에서, 선택적으로, 반도체 발광 나노입자는 리간드를 포함할 수 있다.
따라서, 본 발명의 일부 실시형태에서, 반도체 발광 나노입자의 코어 또는 쉘 층의 최외곽 표면은, 원한다면, 적어도 하나의 부착기 및 제 1 반복 단위를 포함하는 폴리머와 함께 하나 이상의 리간드로 오버 코팅될 수 있다.
폴리머와 함께 반도체 발광 나노입자의 쉘 층(들)의 코어 또는 최외곽 표면에 상기 리간드 중 하나 이상이 부착된 경우, 폴리머의 양은 쉘 층(들)의 최외곽 표면에 부착된 총 리간드의 30 중량% 내지 99.9 중량%의 범위이고, 바람직하게는 50 중량% 내지 95 중량%의 범위이고, 보다 바람직하게는 60 중량% 내지 90 중량%의 범위이다.
이론에 구애되기를 원함이 없이, 그러한 표면 리간드는 용매에 나노 크기의 형광 재료를 더 용이하게 분산시키는 것에 이를 수 있다고 생각된다.
일반적으로 사용되는 표면 리간드는 포스핀 및 포스핀 옥사이드, 이를 테면, 트리옥틸포스핀 옥사이드 (TOPO), 트리옥틸포스핀 (TOP), 및 트리부틸포스핀 (TBP); 인산, 이를 테면, 도데실포스폰산 (DDPA), 트리데실포스폰산 (TDPA), 아민들, 이를 테면, 올레일아민, 디데실 아민 (DDA), 테트라데실 아민 (TDA), 헥사데실 아민 (HDA), 및 옥타데실 아민 (ODA), 올레일아민 (OLA), 1-옥타데신 (ODE), 티올들, 이를 테면, 헥사데칸 티올 및 헥산 티올; 메르캅토 카르복실산, 이를 테면, 메르캅토 프로피온산, 및 메르캅토운데칸산; 카르복실산, 이를 테면, 올레산, 스테아르산, 미리스트산; 아세트산 및 이들의 임의의 조합을 포함한다. 또한, 리간드는 Zn-올레에이트, Zn-아세테이트, Zn-미리스테이트, Zn-스테아레이트, Zn-라우레이트 및 다른 Zn-카르복실레이트를 포함할 수 있다. 그리고 폴리에틸렌이민 (PEI) 도 바람직하게 사용될 수 있다.
표면 리간드의 예는, 예를 들어, 국제 특허 출원 공개 No. WO 2012/059931A 에 기재되어 있다.
본 발명의 일부 실시형태에서, 조성물은 하나 이상의 추가 재료를 더 포함할 수 있다.
바람직하게는, 추가 재료는 유기 발광 재료, 무기 발광 재료, 전하 수송 재료, 산란 입자, 매트릭스 재료, 바람직하게는 광학적으로 투명한 폴리머, 산화 방지제, 라디칼 켄처 (radical quencher), 광개시제 및 계면 활성제, 및 추가 리간드로 이루어진 군으로부터 선택된다.
예를 들어, 상기 활성화제는 Sc3+,Y3+, La3+, Ce3+, Pr3+, Nd3+, Pm3+, Sm3+, Eu3+, Gd3+, Tb3+, Dy3+, Ho3+, Er3+, Tm3+, Yb3+, Lu3+, Bi3+, Pb2+, Mn2+, Yb2+, Sm2+, Eu2+, Dy2+, Ho2+ 및 이들의 임의의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있고, 무기 형광체 (phosphor) 와 같은 상기 무기 발광 재료는 황화물, 티오갈레이트, 질화물, 산질화물, 규산염, 알루미네이트, 인회석, 붕산염, 산화물, 포스페이트, 할로포스페이트, 설페이트, 텅스테네이트, 탄탈레이트, 바나데이트, 몰리브데이트, 니오베이트, 티타네이트, 게르미네이트, 할라이드계 형광체, 및 이들의 임의의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다.
본 발명의 조성물에서 변환체로서 사용될 수도 있는 형광체는 예를 들어 다음과 같다: Ba2SiO4:Eu2+, Ba3SiO5:Eu2+, (Ba,Ca)3SiO5:Eu2+, BaSi2N2O2:Eu,BaSi2O5:Pb2+, Ba3Si6O12N2:Eu, BaxSr1-xF2:Eu2+ (0 ≤ x ≤ 1), BaSrMgSi2O7:Eu2+, BaTiP2O7, (Ba,Ti)2P2O7:Ti, BaY2F8:Er3+,Yb+, Be2SiO4:Mn2+, Bi4Ge3O12, CaAl2O4:Ce3+, CaLa4O7:Ce3+, CaAl2O4:Eu2+, CaAl2O4:Mn2+, CaAl4O7:Pb2+,Mn2+, CaAl2O4:Tb3+, Ca3Al2Si3O12:Ce3+, Ca3Al2Si3O12:Ce3+, Ca3Al2Si3O12:Eu2+, Ca2B5O9Br:Eu2+, Ca2B5O9Cl:Eu2+, Ca2B5O9Cl:Pb2+, CaB2O4:Mn2+, Ca2B2O5:Mn2+, CaB2O4:Pb2+, CaB2P2O9:Eu2+, Ca5B2SiO10:Eu3+, Ca0.5Ba0.5Al12O19:Ce3+,Mn2+, Ca2Ba3(PO4)3Cl:Eu2+, CaBr2:Eu2+ in SiO2, CaCl2:Eu2+ in SiO2, CaCl2:Eu2+,Mn2+ in SiO2, CaF2:Ce3+, CaF2:Ce3+,Mn2+, CaF2:Ce3+,Tb3+, CaF2:Eu2+, CaF2:Mn2+, CaGa2O4:Mn2+, CaGa4O7:Mn2+, CaGa2S4:Ce3+, CaGa2S4:Eu2+, CaGa2S4:Mn2+, CaGa2S4:Pb2+, CaGeO3:Mn2+, CaI2:Eu2+ in SiO2, CaI2:Eu2+,Mn2+ in SiO2, CaLaBO4:Eu3+, CaLaB3O7:Ce3+,Mn2+, Ca2La2BO6.5:Pb2+, Ca2MgSi2O7, Ca2MgSi2O7:Ce3+, CaMgSi2O6:Eu2+, Ca3MgSi2O8:Eu2+, Ca2MgSi2O7:Eu2+, CaMgSi2O6:Eu2+,Mn2+, Ca2MgSi2O7:Eu2+,Mn2+, CaMoO4, CaMoO4:Eu3+, CaO:Bi3+, CaO:Cd2+, CaO:Cu+, CaO:Eu3+, CaO:Eu3+, Na+, CaO:Mn2+, CaO:Pb2+, CaO:Sb3+, CaO:Sm3+, CaO:Tb3+, CaO:Tl, CaO:Zn2+, Ca2P2O7:Ce3+, α-Ca3(PO4)2:Ce3+, β-Ca3(PO4)2:Ce3+, Ca5(PO4)3Cl:Eu2+, Ca5(PO4)3Cl:Mn2+, Ca5(PO4)3Cl:Sb3+, Ca5(PO4)3Cl:Sn2+, β-Ca3(PO4)2:Eu2+,Mn2+, Ca5(PO4)3F:Mn2+, Ca5(PO4)3F:Sb3+, Ca5(PO4)3F:Sn2+, α-Ca3(PO4)2:Eu2+, β-Ca3(PO4)2:Eu2+, Ca2P2O7:Eu2+, Ca2P2O7:Eu2+,Mn2+, CaP2O6:Mn2+, α-Ca3(PO4)2:Pb2+, α-Ca3(PO4)2:Sn2+, β-Ca3(PO4)2:Sn2+, β-Ca2P2O7:Sn,Mn, α-Ca3(PO4)2:Tr, CaS:Bi3+, CaS:Bi3+,Na, CaS:Ce3+, CaS:Eu2+, CaS:Cu+,Na+, CaS:La3+, CaS:Mn2+, CaSO4:Bi, CaSO4:Ce3+, CaSO4:Ce3+,Mn2+, CaSO4:Eu2+, CaSO4:Eu2+,Mn2+, CaSO4:Pb2+, CaS:Pb2+, CaS:Pb2+,Cl, CaS:Pb2+,Mn2+, CaS:Pr3+,Pb2+,Cl, CaS:Sb3+, CaS:Sb3+,Na, CaS:Sm3+, CaS:Sn2+, CaS:Sn2+,F, CaS:Tb3+, CaS:Tb3+,Cl, CaS:Y3+, CaS:Yb2+, CaS:Yb2+,Cl, CaSc2O4:Ce,Ca3(Sc,Mg)2Si3O12:Ce,CaSiO3:Ce3+, Ca3SiO4Cl2:Eu2+, Ca3SiO4Cl2:Pb2+, CaSiO3:Eu2+, Ca3SiO5:Eu2+, (Ca,Sr)3SiO5:Eu2+, (Ca,Sr)3MgSi2O8:Eu2+, (Ca,Sr)3MgSi2O8:Eu2+,Mn2+, CaSiO3:Mn2+,Pb, CaSiO3:Pb2+, CaSiO3:Pb2+,Mn2+, CaSiO3:Ti4+, CaSr2(PO4)2:Bi3+, β-(Ca,Sr)3(PO4)2:Sn2+Mn2+, CaTi0.9Al0.1O3:Bi3+, CaTiO3:Eu3+, CaTiO3:Pr3+, Ca5(VO4)3Cl, CaWO4, CaWO4:Pb2+, CaWO4:W, Ca3WO6:U, CaYAlO4:Eu3+, CaYBO4:Bi3+, CaYBO4:Eu3+, CaYB0.8O3.7:Eu3+, CaY2ZrO6:Eu3+, (Ca,Zn,Mg)3(PO4)2:Sn, (Ce,Mg)BaAl11O18:Ce, (Ce,Mg)SrAl11O18:Ce, CeMgAl11O19:Ce:Tb, Cd2B6O11:Mn2+, CdS:Ag+,Cr, CdS:In, CdS:In, CdS:In,Te, CdS:Te, CdWO4, CsF, Csl, CsI:Na+, CsI:Tl, (ErCl3)0.25(BaCl2)0.75, GaN:Zn, Gd3Ga5O12:Cr3+, Gd3Ga5O12:Cr,Ce, GdNbO4:Bi3+, Gd2O2S:Eu3+, Gd2O2Pr3+, Gd2O2S:Pr,Ce,F, Gd2O2S:Tb3+, Gd2SiO5:Ce3+, KAI11O17:Tl+, KGa11O17:Mn2+, K2La2Ti3O10:Eu, KMgF3:Eu2+, KMgF3:Mn2+, K2SiF6:Mn4+, LaAl3B4O12:Eu3+, LaAlB2O6:Eu3+, LaAlO3:Eu3+, LaAlO3:Sm3+, LaAsO4:Eu3+, LaBr3:Ce3+, LaBO3:Eu3+, LaCl3:Ce3+, La2O3:Bi3+, LaOBr:Tb3+, LaOBr:Tm3+, LaOCl:Bi3+, LaOCl:Eu3+, LaOF:Eu3+, La2O3:Eu3+, La2O3:Pr3+, La2O2S:Tb3+, LaPO4:Ce3+, LaPO4:Eu3+, LaSiO3Cl:Ce3+, LaSiO3Cl:Ce3+,Tb3+, LaVO4:Eu3+, La2W3O12:Eu3+, LiAlF4:Mn2+, LiAl5O8:Fe3+, LiAlO2:Fe3+, LiAlO2:Mn2+, LiAl5O8:Mn2+, Li2CaP2O7:Ce3+,Mn2+, LiCeBa4Si4O14:Mn2+, LiCeSrBa3Si4O14:Mn2+, LiInO2:Eu3+, LiInO2:Sm3+, LiLaO2:Eu3+, LuAlO3:Ce3+, (Lu,Gd)2SiO5:Ce3+, Lu2SiO5:Ce3+, Lu2Si2O7:Ce3+, LuTaO4:Nb5+, Lu1-xYxAlO3:Ce3+ (0 ≤ x ≤ 1), (Lu,Y)3(Al,Ga,Sc)5O12:Ce,MgAl2O4:Mn2+, MgSrAl10O17:Ce, MgB2O4:Mn2+, MgBa2(PO4)2:Sn2+, MgBa2(PO4)2:U, MgBaP2O7:Eu2+, MgBaP2O7:Eu2+,Mn2+, MgBa3Si2O8:Eu2+, MgBa(SO4)2:Eu2+, Mg3Ca3(PO4)4:Eu2+, MgCaP2O7:Mn2+, Mg2Ca(SO4)3:Eu2+, Mg2Ca(SO4)3:Eu2+,Mn2, MgCeAlnO19:Tb3+, Mg4(F)GeO6:Mn2+, Mg4(F)(Ge,Sn)O6:Mn2+, MgF2:Mn2+, MgGa2O4:Mn2+, Mg8Ge2O11F2:Mn4+, MgS:Eu2+, MgSiO3:Mn2+, Mg2SiO4:Mn2+, Mg3SiO3F4:Ti4+, MgSO4:Eu2+, MgSO4:Pb2+, MgSrBa2Si2O7:Eu2+, MgSrP2O7:Eu2+, MgSr5(PO4)4:Sn2+, MgSr3Si2O8:Eu2+,Mn2+, Mg2Sr(SO4)3:Eu2+, Mg2TiO4:Mn4+, MgWO4, MgYBO4:Eu3+, M2MgSi2O7:Eu2+ (M = Ca, Sr, 및/또는 Ba), M2MgSi2O7:Eu2+,Mn2+ (M = Ca, Sr, 및/또는 Ba), M2MgSi2O7:Eu2+,Zr4+ (M = Ca, Sr, 및/또는 Ba), M2MgSi2O7:Eu2+,Mn2+,Zr4+ (M = Ca, Sr, 및/또는 Ba), Na3Ce(PO4)2:Tb3+, Na1.23KO.42Eu0.12TiSi4O11:Eu3+, Na1.23K0.42Eu0.12TiSi5O13*xH2O:Eu3+, Na1.29K0.46Er0.08TiSi4O11:Eu3+, Na2Mg3Al2Si2O10:Tb, Na(Mg2-xMnx)LiSi4O10F2:Mn (0 ≤ x ≤ 2), NaYF4:Er3+, Yb3+, NaYO2:Eu3+, P46(70%) + P47 (30%), β-SiAlON:Eu, SrAl12O19:Ce3+, Mn2+, SrAl2O4:Eu2+, SrAl4O7:Eu3+, SrAl12O19:Eu2+, SrAl2S4:Eu2+, Sr2B5O9Cl:Eu2+, SrB4O7:Eu2+(F,Cl,Br), SrB4O7:Pb2+, SrB4O7:Pb2+, Mn2+, SrB8O13:Sm2+, SrxBayClzAl2O4-z/2: Mn2+, Ce3+, SrBaSiO4:Eu2+, (Sr,Ba)3SiO5:Eu, (Sr,Ca)Si2N2O2:Eu, Sr(Cl,Br,I)2:Eu2+ in SiO2, SrCl2:Eu2+ in SiO2, Sr5Cl(PO4)3:Eu, SrwFxB4O6.5:Eu2+, SrwFxByOz:Eu2+,Sm2+, SrF2:Eu2+, SrGa12O19:Mn2+, SrGa2S4:Ce3+, SrGa2S4:Eu2+, Sr2-yBaySiO4:Eu (0 ≤ y ≤ 2), SrSi2O2N2:Eu, SrGa2S4:Pb2+, SrIn2O4:Pr3+, Al3+, (Sr,Mg)3(PO4)2:Sn, SrMgSi2O6:Eu2+, Sr2MgSi2O7:Eu2+, Sr3MgSi2O8:Eu2+, SrMoO4:U, SrO*3B2O3:Eu2+,Cl, β-SrO*3B2O3:Pb2+, β-SrO*3B2O3 :Pb2+,Mn2+, α-SrO*3B2O3:Sm2+, Sr6P5BO20:Eu,Sr5(PO4)3Cl:Eu2+, Sr5(PO4)3Cl:Eu2+,Pr3+, Sr5(PO4)3Cl:Mn2+, Sr5(PO4)3Cl:Sb3+,Sr2P2O7:Eu2+, β-Sr3(PO4)2:Eu2+, Sr5(PO4)3F:Mn2+,Sr5(PO4)3F:Sb3+, Sr5(PO4)3F:Sb3+,Mn2+, Sr5(PO4)3F:Sn2+, Sr2P2O7:Sn2+, β-Sr3(PO4)2:Sn2+, β-Sr3(PO4)2:Sn2+,Mn2+(Al), SrS:Ce3+, SrS:Eu2+, SrS:Mn2+, SrS:Cu+,Na, SrSO4:Bi, SrSO4:Ce3+, SrSO4:Eu2+, SrSO4:Eu2+,Mn2+, Sr5Si4O10Cl6:Eu2+, Sr2SiO4:Eu2+, Sr3SiO5:Eu2+, (Sr,Ba)3SiO5:Eu2+, SrTiO3:Pr3+, SrTiO3:Pr3+,Al3+,SrY2O3:Eu3+, ThO2:Eu3+, ThO2:Pr3+, ThO2:Tb3+, YAl3B4O12:Bi3+, YAl3B4O12:Ce3+, YAl3B4O12:Ce3+,Mn, YAl3B4O12:Ce3+,Tb3+, YAl3B4O12:Eu3+, YAl3B4O12:Eu3+,Cr3+, YAl3B4O12:Th4+,Ce3+,Mn2+, YAlO3:Ce3+, Y3Al5O12:Ce3+, Y3Al5O12:Cr3+, YAlO3:Eu3+, Y3Al5O12:Eu3r, Y4Al2O9:Eu3+, Y3Al5O12:Mn4+, YAlO3:Sm3+, YAlO3:Tb3+, Y3Al5O12:Tb3+, YAsO4:Eu3+, YBO3:Ce3+, YBO3:Eu3+, YF3:Er3+,Yb3+, YF3:Mn2+, YF3:Mn2+,Th4+, YF3:Tm3+,Yb3+, (Y,Gd)BO3:Eu, (Y,Gd)BO3:Tb, (Y,Gd)2O3:Eu3+, Y1.34Gd0.60O3:(Eu,Pr), Y2O3:Bi3+, YOBr:Eu3+, Y2O3:Ce, Y2O3:Er3+, Y2O3:Eu3+, Y2O3:Ce3+,Tb3+, YOCl:Ce3+, YOCl:Eu3+, YOF:Eu3+, YOF:Tb3+, Y2O3:Ho3+, Y2O2S:Eu3+, Y2O2S:Pr3+, Y2O2S:Tb3+, Y2O3:Tb3+, YPO4:Ce3+, YPO4:Ce3+,Tb3+, YPO4:Eu3+, YPO4:Mn2+,Th4+, YPO4:V5+, Y(P,V)O4:Eu, Y2SiO5:Ce3+, YTaO4, YTaO4:Nb5+, YVO4:Dy3+, YVO4:Eu3+, ZnAl2O4:Mn2+, ZnB2O4:Mn2+, ZnBa2S3:Mn2+, (Zn,Be)2SiO4:Mn2+, Zn0.4Cd0.6S:Ag, Zn0.6Cd0.4S:Ag, (Zn,Cd)S:Ag,Cl, (Zn,Cd)S:Cu, ZnF2:Mn2+, ZnGa2O4, ZnGa2O4:Mn2+, ZnGa2S4:Mn2+, Zn2GeO4:Mn2+, (Zn,Mg)F2:Mn2+, ZnMg2(PO4)2:Mn2+, (Zn,Mg)3(PO4)2:Mn2+, ZnO:Al3+,Ga3+, ZnO:Bi3+, ZnO:Ga3+, ZnO:Ga, ZnO-CdO:Ga, ZnO:S, ZnO:Se, ZnO:Zn, ZnS:Ag+,Cl-, ZnS:Ag,Cu,Cl, ZnS:Ag,Ni, ZnS:Au,In, ZnS-CdS (25-75), ZnS-CdS (50-50), ZnS-CdS (75-25), ZnS-CdS:Ag,Br,Ni, ZnS-CdS:Ag+,Cl, ZnS-CdS:Cu,Br, ZnS-CdS:Cu,I, ZnS:Cl-, ZnS:Eu2+, ZnS:Cu, ZnS:Cu+,Al3+, ZnS:Cu+,Cl-, ZnS:Cu,Sn, ZnS:Eu2+, ZnS:Mn2+, ZnS:Mn,Cu, ZnS:Mn2+,Te2+, ZnS:P, ZnS:P3-,Cl-, ZnS:Pb2+, ZnS:Pb2+,Cl-, ZnS:Pb,Cu, Zn3(PO4)2:Mn2+, Zn2SiO4:Mn2+, Zn2SiO4:Mn2+,As5+, Zn2SiO4:Mn,Sb2O2, Zn2SiO4:Mn2+,P, Zn2SiO4:Ti4+, ZnS:Sn2+, ZnS:Sn,Ag, ZnS:Sn2+,Li+, ZnS:Te,Mn, ZnS-ZnTe:Mn2+, ZnSe:Cu+,Cl 및 ZnWO4, 보다 바람직하게는 Y3Al5O12:Ce3+.
이러한 전술된 적합한 무기 형광 재료는 형광체 핸드북, 제 2 판 (CRC Press, 2006), pp. 155 - pp. 338 (W.M.Yen, S.Shionoya 및 H.Yamamoto), WO2011/147517A, WO2012/034625A, 및 WO2010/095140A 에 언급된 바와 같은 나노 크기의 형광체, 양자 크기의 재료를 포함하는 주지된 형광체일 수 있다.
본 발명에 따르면, 상기 유기 발광 재료, 전하 수송 재료로서는, 임의의 유형의 공지된 재료가 바람직하게 사용될 수 있다. 예를 들면, 주지된 유기 형광 재료, 유기 호스트 재료, 유기 염료, 유기 전자 수송 재료, 유기 금속 착체 및 유기 정공 수송 재료가 있다.
산란 입자의 예로, SiO2, SnO2, CuO, CoO, Al2O3 TiO2, Fe2O3, Y2O3, ZnO, MgO 와 같은 무기 산화물의 작은 입자; 중합된 폴리스티렌, 중합된 PMMA와 같은 유기 입자; 중공 실리카와 같은 무기 중공 산화물 또는 이들의 임의의 조합이 바람직하게 사용될 수 있다.
본 발명의 일부 실시형태에서, 상기 산란 입자 및 상기 형광체가 본 발명의 조성물에 첨가될 수 있다.
- 투명한 폴리머
본 발명에 따르면, 광학 디바이스에 적합한 광범위하게 다양한 공지된 투명 폴리머가 바람직하게 사용될 수 있다.
본 발명에 따르면, "투명" 이라는 용어는 광학 매체에서 사용되는 두께에서 그리고 광학 매체의 동작 동안 사용되는 파장 또는 파장 범위에서 적어도 약 60 %의 입사광이 투과되는 것을 의미한다. 바람직하게는 이는 70 % 를 넘고, 더욱 바람직하게는 75 % 를 넘고, 가장 바람직하게는 이는 80 % 를 넘는다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 예를 들어 WO 2016/134820A 에 기재된 임의의 유형의 공지된 투명 폴리머가 사용될 수 있다.
본 발명에 따르면, 용어 "폴리머"는 반복 단위를 갖고 중량 평균 분자량 (Mw) 이 1000 g/mol 이상인 재료를 의미한다.
분자량 Mw 는 내부 폴리스티렌 표준에 대한 GPC (= 겔 투과 크로마토그래피) 에 의해 결정된다.
본 발명의 일부 실시형태에서, 투명 폴리머의 유리 전이 온도 (Tg) 는 70 ℃ 이상 그리고 250 ℃ 이하이다.
Tg는 http://pslc.ws/macrog/dsc.htm; Rickey J Seyler, Assignment of the Glass Transition, ASTM publication code number (PCN) 04- 012490- 50 에 기술된 바와 같이 시차 주사 색도계에서 관찰된 열 용량의 변화에 기초하여 측정된다.
예를 들어, 투명 매트릭스 재료용 투명 폴리머로서, 폴리(메트)아크릴레이트, 에폭시, 폴리우레탄, 폴리실록산이 바람직하게 사용될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 투명 매트릭스 재료로서 폴리머의 중량 평균 분자량 (Mw) 은 1,000 내지 300,000 g/mol 범위, 보다 바람직하게 그것은 10,000 내지 250,000 g/mol 범위이다.
- 제형
다른 양태에서, 본 발명은 조성물 및 적어도 하나의 용매를 포함하거나, 본질적으로 이들로 이루어지거나, 또는 이들로 이루어지는 제형에 관한 것이고,
및
적어도 하나의 용매, 바람직하게 이것은 에틸렌 글리콜 모노알킬 에테르, 이를테면, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르, 및 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르; 디에틸렌 글리콜 디알킬 에테르, 이를테면, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디프로필 에테르, 및 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르; 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르, 이를테면, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 (PGME), 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 및 프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르; 에틸렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 이를테면, 메틸 셀로솔브 아세테이트 및 에틸 셀로솔브 아세테이트; 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 이를테면, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 (PGMEA), 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 및 프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르 아세테이트; 케톤, 이를테면, 메틸 에틸 케톤, 아세톤, 메틸 아밀 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 및 시클로헥사논; 알코올, 이를테면, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 헥산올, 시클로 헥산올, 에틸렌 글리콜, 및 글리세린; 에스테르, 이를테면, 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 메틸 3-메톡시프로피오네이트 및 에틸 락테이트; 및 시클릭 애스터 (cyclic aster), 이를테면, 감마-부티로-락톤; 염소화 탄화수소, 이를테면 클로로포름, 디클로로메탄, 클로로벤젠, 및 디클로로벤젠으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버들로부터 선택되고, 바람직하게 상기 용매는 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 알킬 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노알킬 에테르, 프로필렌 글리콜, 및 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르이고; 바람직하게 용매는 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 이를테면, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 (PGMEA), 알킬 아세테이트 이를테면 부틸 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노알킬 에테르 이를테면 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌 글리콜 또는 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르 이를테면 메톡시프로판올로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버들로부터 선택되고, 보다 바람직하게 용매는 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트로부터 선택된다.
일부 실시형태에서, 제형은 추가 재료를 더 포함할 수 있다. 추가 재료의 세부 사항은 "추가 재료"의 섹션에 기재되어 있다.
- 용도
다른 양태에서, 본 발명은 전자 디바이스, 광학 디바이스, 생의학 디바이스에서의 또는 전자 디바이스, 광학 디바이스 또는 생의학 디바이스를 제조하기 위한, 조성물, 또는 제형의 용도에 관한 것이다.
- 광학 매체
다른 양태에서, 본 발명은 또한 조성물 또는 제형을 포함하는 광학 매체에 관한 것으로, 바람직하게는 광학 매체는 조성물을 포함한다.
본 발명의 일부 실시형태에서, 광학 매체는 광학 시트, 예를 들어 컬러 필터, 색 변환 필름, 원격 형광체 테이프, 또는 다른 필름 또는 필터일 수 있다.
본 발명에 따르면, 용어 "시트"는 필름 및/또는 층상 구조 매체를 포함한다.
반도체 발광 나노입자를 포함하는 광학 매체, 예를 들어, 양자 크기의 재료를 포함하는 광학 필름으로부터의 아웃 커플링 효율을 향상시키기 위해, 필름 및/또는 인접 필름에 산란 입자를 혼입시키는 것, 중공 실리카 입자를 혼입하여 필름의 굴절률을 감소시키는 것, 및 적합한 형상 구조를 배치하는 것과 같은 몇 가지 방법이 제안된다 (Proceedings of SPIE, P.184, 5519- 33, 2004 참조). 그 중에서도, 양자 재료를 함유하는 필름 상에 구조화된 필름을 배치하는 것은 로컬 디밍 기술이 적용되어 높은 다이내믹 레인지를 달성하는 대형 TV 응용에 가장 적합하다. 산란 입자는 디밍 기술에 해로운데, 왜냐하면 산란된 광은 컬러 블러 (color blur) 를 유발하고 중공 실리카 입자의 제한된 부피로 인해 실용 수준에 충분한 필름의 굴절률을 감소시키는 것이 어렵기 때문이다. 굴절률을 감소시키고 구조화된 필름을 배치하는 것의 조합이 또한 적용될 수 있다.
- 광학 디바이스
다른 양태에서, 본 발명은 또한 광학 매체를 포함하는 광학 디바이스에 관한 것이다.
본 발명의 일부 실시형태에서, 광학 디바이스는 액정 디스플레이 디바이스(LCD), 유기 발광 다이오드 (OLED), 광학 디스플레이용 백라이트 유닛, 발광 다이오드 디바이스 (LED), 마이크로 전기 기계 시스템 (이하 "MEMS"라 함), 전기 습윤 디스플레이, 또는 전기 영동 디스플레이, 조명 디바이스, 및/또는 태양 전지일 수 있다.
용어 "방출 (emission)" 은 원자 및 분자에서의 전자 천이에 의한 전자기파의 방출을 의미한다.
본 발명의 기술적 효과
1. 본 발명은 하나 이상의 반도체 발광 나노입자 및 실리콘 수지를 포함하는 신규한 조성물로서, 상기 실리콘 수지에서 상기 반도체 발광 나노입자의 향상된 분산성을 나타내는, 신규한 조성물을 제공한다.
2. 본 발명은 하나 이상의 반도체 발광 나노 입자 및 실리콘 수지를 포함하는 신규한 조성물로서, 저장 시 실리콘 수지의 중합을 감소시키거나 또는 방지하는, 신규한 조성물을 제공한다.
3. 본 발명은 하나 이상의 반도체 발광 나노입자 및 실리콘 수지를 포함하는 신규한 조성물로서, 그 조성물 또는 제형에서 상기 반도체 발광 나노입자의 장기 안정성 및 안정된 양자 수율을 나타내는, 신규한 조성물을 제공한다.
4. 본 발명은 보다 높은 농도에서 반도체 발광 나노입자의 더 우수한 분산성을 나타내는 하나 이상의 반도체 발광 나노입자를 포함하는 신규한 조성물을 제공한다.
하기 작업예 1 내지 7 는 본 발명의 설명 및 이들의 제작에 대한 - 상세한 설명을 제공한다.
작업예
작업예 1: 반도체 발광 나노입자를 포함하는 조성물의 제조
1-1. OE-6630 파트 B 중 적색 QM 분산액의 제조
5 ml의 CHCl3 중 0.221 g의 Cd 계 적색 양자 재료 (이하 "QM") (Najing 제) 의 용액이 10 ml 의 CHCl3 중 0.22 g의 분산제 (DISPERBYK-118) 의 용액에 적가된다. 이 혼합물을 질소 분위기 하에서 18 시간 동안 60 ℃에서 자기 교반기로 교반하였다. 그 후, 이 혼합물에 0.733 g의 OE-6630 파트 B를 첨가하고 CHCl3 를 회전 증발기로 증발시켜, OE-6630 파트 B에 적색 QM의 1.13 g의 맑은 분산액을 수득하였다.
1-2. 적색 양자 재료 내장 실리콘 필름의 제조
1-1 에서 얻어진 OE-6630 파트 B 중 적색 QM 분산액 0.5 g 에 0.08 g 의 OE-6630 파트 A 가 첨가되고 실온에서 자석 교반기로 교반된다. 얻어진 복합 재료 분산액은 바 코터를 사용하여 유리 기판 상에 코팅된다. 그 후, 코팅된 분산액의 습윤 필름 상에 또 다른 유리 기판을 놓고 경화를 위해 핫 플레이트 상에서 1 시간 동안 대기 중 150 ℃ 에서 가열한다.
작업예 2: 반도체 발광 나노입자를 포함하는 조성물의 제조
2-1. OE-6630 파트 B 중 녹색 QM 분산액의 제조
5 ml의 CHCl3 중 0.25 g 의 녹색 QM 의 용액이 10 ml 의 CHCl3 중 0.245 g 의 분산제 (DISPERBYK-118) 의 용액에 적가된다. 이 혼합물을 질소 분위기 하에서 18 시간 동안 60 ℃에서 자기 교반기로 교반하였다. 그 후, 이 혼합물에 0.818 g의 OE-6630 파트 B를 첨가하고 CHCl3 를 회전 증발기로 증발시켜, OE-6630 파트 B 중 녹색 QM 의 1.261 g 의 맑은 분산액을 수득하였다.
1-2. 녹색 QM 내장 실리콘 필름의 제조
2-1 에서 얻어진 OE-6630 파트 B 중 녹색 QM 분산액 0.5 g 에 0.08 g 의 OE-6630 파트 A 가 첨가되고 실온에서 자석 교반기로 교반된다. 얻어진 복합 재료 분산액은 바 코터를 사용하여 유리 기판 상에 코팅된다. 그 후, 코팅된 분산액의 습윤 필름 상에 또 다른 유리 기판을 놓고 경화를 위해 핫 플레이트 상에서 1 시간 동안 대기 중 150 ℃ 에서 가열한다.
작업예 3: 양자 수율 계산
작업예 1, 2에서 얻어진 샘플의 절대 양자 수율이 실온에서 절대 PL 양자 수율 측정 시스템 C9920-02 (Hamamatsu) 로 평가되고, 하기 식이 사용된다.
양자 수율 (QY) = 샘플로부터 방출된 광자 수 / 샘플의 흡수된 광자 수.
표 3 는 QY 측정 결과를 나타낸다.
Figure pct00034
비교예 1: 반도체 발광 나노입자를 포함하는 조성물의 제조
3-1. OE-6630 파트 B 중 적색 양자 재료 분산액의 제조
5 ml의 CHCl3 중 0.203 g의 Cd 계 적색 양자 재료 (이하 "QM") (Najing) 의 용액이 10 ml 의 CHCl3 중 0.358 g의 분산제 (DISPERBYK-163) 의 용액에 적가된다. 이 혼합물을 질소 분위기 하에서 18 시간 동안 60 ℃에서 자기 교반기로 교반하였다. 그 후, 이 혼합물에 0.843 g 의 OE-6630 파트 B를 첨가하고 CHCl3 를 회전 증발기로 증발시켜, 1.209 g 의 생성물을 수득하였다. 이 생성물은 불균질하며 두 상으로 분리되며, 그 중 하나는 적색의 불용성 폴리머이고 다른 하나는 무색의 액체 재료이다.
3-2. OE-6630 파트 B 중 녹색 QM 분산액의 제조
21 ml 의 CHCl3 중 0.839 g 의 적색 QM 의 용액이 42 ml 의 CHCl3 중 1.454 g 의 분산제 (DISPERBYK-163) 의 용액에 적가된다. 이 혼합물을 질소 분위기 하에서 19 시간 동안 60 ℃에서 자기 교반기로 교반하였다. 그 후, 이 혼합물에 3.456 g 의 OE-6630 파트 B를 첨가하고 CHCl3 를 회전 증발기로 증발시켜, 5.56 g 의 생성물을 수득하였다. 이 생성물은 불균질하며 두 상으로 분리되며, 그 중 하나는 적색의 불용성 폴리머이고 다른 하나는 무색의 액체 재료이다.
작업예 4: 분산성 관찰
표 4 는 실리콘 수지 중 QM 의 분산성을 나타낸다.
Figure pct00035
표 5는 각각 작업예 1 및 2에서 얻어진 열 경화 처리 후 실리콘 필름의 현미경 이미지 관찰을 나타낸다. 필름에서 QM의 농도는 17 중량% 이다. 그들은 QM 이 실리콘 필름에 균질하게 분산되어 있음을 분명히 보여준다.
표 5
Figure pct00036
작업예 5: 조성물의 제조
OE-6630 파트 B에서의 적색 QM 분산액은 조성물의 총량을 기준으로 5 중량 %의 적색 양자 재료가 첨가된 것을 제외하고 작업예 1-1에 기술된 것과 동일한 방식으로 수득된다.
다음으로, 그것은 OE-6630 파트 A 및 YAG 형광체 Y3Al5O12:Ce3+ 와 혼합된다.
수득된 조성물에서 사용된 재료의 양은 표 6에 개시되어 있다.
표 6
Figure pct00037
작업예 6: 조성물의 제조
OE-6630 파트 B에서의 적색 QM 분산액은 조성물의 총량을 기준으로 12 중량 %의 적색 양자 재료가 첨가된 것을 제외하고 작업예 1-1에 기술된 것과 동일한 방식으로 수득된다.
그리고 다음으로, 그것은 OE-6630 파트 A 및 YAG 형광체 Y3Al5O12:Ce3+ 와 혼합된다.
수득된 조성물에서 사용된 재료의 양은 표 7에 개시되어 있다.
표 7
Figure pct00038
작업예 7: 조성물의 제조
OE-6630 파트 B에서의 적색 QM 분산액은 조성물의 총량을 기준으로 19 중량 %의 적색 양자 재료가 첨가된 것을 제외하고 작업예 1-1에 기술된 것과 동일한 방식으로 수득된다.
그리고 다음으로, 그것은 OE-6630 파트 A 및 YAG 형광체 Y3Al5O12:Ce3+ 와 혼합된다.
수득된 조성물에서 사용된 재료의 양은 표 8에 개시되어 있다.
표 8
Figure pct00039

Claims (15)

  1. 적어도 하나의 반도체 발광 나노입자, 폴리머 및 폴리실록산을 포함하는 조성물로서,
    상기 나노입자는 적어도 하나의 코어, 선택적으로 하나 이상의 쉘 층을 포함하고,
    상기 폴리머는 포스핀 기, 포스핀 옥사이드 기, 포스페이트 기, 포스포네이트 기, 티올 기, 카르복실 기, 헤테로 시클릭 기, 실란 기, 설폰 산, 히드록실 기, 및 포스폰 산, 바람직하게는 포스포네이트 기, 포스페이트 기, 카르복실 기, 및 티올 기, 보다 바람직하게는 하기 화학식 (I) 로 표시되는 포스페이트 기로 이루어진 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택된 적어도 하나의 부착기
    Figure pct00040

    및
    하기 화학식 (II); (III), (IV), (V), (VI), (VII) 또는 (VIII) 로 표시되는 제 1 반복 단위,
    Figure pct00041

    Figure pct00042

    Figure pct00043

    Figure pct00044

    Figure pct00045

    Figure pct00046

    Figure pct00047

    를 포함하고,
    식 중,
    R1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고,
    Ra 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, D, 또는 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 5 내지 60 개의 탄소 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 방향족 고리 시스템이고, 여기서 H 원자는 D, F, Cl, Br, I 로 대체될 수도 있고; 여기서 2개 이상의 인접한 치환기 Ra 는 또한, 서로 단환 또는 다환, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있고;
    R2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고;
    R3 는 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고;
    R4 은 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고;
    R5 는 수소 원자, 또는 메틸렌이고;
    R6 는 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고;
    "*" 는 연결점을 나타내고; "n"은 정수, 바람직하게는 n 은 1 내지 1000, 바람직하게는 5 내지 500, 보다 바람직하게는 10 내지 100 이고,
    그리고
    상기 폴리실록산은 바람직하게 오르가노 폴리실록산이고, 더욱 바람직하게는 상기 폴리실록산은 하기 화학식 (IX) 로 표시되는 적어도 하나의 실세스퀴옥산 단위를 포함한다:
    (R7SiO1.5)x - (IX)
    식 중, R7 는 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고,
    Ra 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, D, 또는 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 5 내지 60 개의 탄소 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 방향족 고리 시스템이고, 여기서 H 원자는 D, F, Cl, Br, I 로 대체될 수도 있고; 여기서 2개 이상의 인접한 치환기 Ra 는 또한, 서로 단환 또는 다환, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있고,
    기호 x는 정수, 바람직하게는 x는 1 내지 1000, 보다 바람직하게는 5 내지 500, 더욱 더 바람직하게는 5 내지 100의 범위인, 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 폴리머는 하기 화학식(II); (III), (IV), (V), (VI), (VII) 또는 (VIII) 로 표시되는 제 2 반복 단위를 더 포함하고,
    Figure pct00048

    Figure pct00049

    Figure pct00050

    Figure pct00051

    Figure pct00052

    Figure pct00053

    Figure pct00054

    식 중,
    R1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고,
    Ra 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, D, 또는 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 5 내지 60 개의 탄소 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 방향족 고리 시스템이고, 여기서 H 원자는 D, F, Cl, Br, I 로 대체될 수도 있고; 여기서 2개 이상의 인접한 치환기 Ra 는 또한, 서로 단환 또는 다환, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있고;
    R2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고;
    R3 는 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고;
    R4 은 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고;
    R5 는 수소 원자, 또는 메틸렌이고;
    R6 는 각각의 경우 동일하거나 상이하게, 1 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기 또는 알콕실렌기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬렌 기 또는 알콕실렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 기, 2 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 기, 3 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로 아릴렌 기, 및 4 내지 40 개의 탄소 원자, 바람직하게는 4 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기 (이들은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비 인접 CH2 기들은 RaC=CRa, C≡C, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, Sn(Ra)2, C=O, C=S, C=Se, C=NRa, P(=O)(Ra), SO, SO2, NRa, OS, 또는 CONRa 에 의해 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있다), 또는 하나 이상의 라디칼 Ra 에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버로부터 선택되고;
    "*"는 연결점을 나타내고; "n" 은 정수, 바람직하게는 n은 1 내지 1000, 바람직하게는 5 내지 500, 보다 바람직하게는 10 내지 100 이고,
    그리고 상기 제 1 반복 단위 및 상기 제 2 반복 단위는 서로 상이하며; 바람직하게는 x 는 1 내지 1000, 더 바람직하게는 5 내지 500, 더욱 더 바람직하게는 5 내지 100 인, 조성물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 폴리머는 하기 식 (X) 로 표시되고,
    A(B)xC(D)yEF (X)
    식 중 기호 A 는 부착기이며; 기호 B는 제 1 링커이며, 바람직하게는 상기 제 1 링커는 1 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌기, 또는 1 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알케닐렌 기이고; 기호 C는 상기 제 1 반복 단위이고; 기호 D는 제 2 링커이며, 바람직하게는 상기 제 2 링커는 1 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬렌 기, 또는 1 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알케닐렌기 이고; 기호 E는 상기 제 2 반복 단위이고; 기호 F는, 수소 원자, 1 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬기, 1 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알콕시 기 및 1 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알케닐 기, 바람직하게는 수소 원자 또는 1 내지 25 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬기로 이루어진 군으로부터 바람직하게 선택되는, 상기 폴리머의 테일이고; x 는 0 또는 1이며, y는 0 또는 1인, 조성물.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 반복 단위는 식 (III) 에 의해 표시되고, 상기 제 2 반복 단위는 화학식(II) 에 의해 표시되는, 조성물.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 쉘 층 중 적어도 하나는 주기율표의 12 족의 제 1 원소를 포함하고, 바람직하게는 상기 제 1 원소는 Zn 또는 Cd 이고,
    주기율표의 16 족의 제 2 원소를 포함하고, 바람직하게는 상기 제 2 원소는 S, Se 또는 Te 인, 조성물.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    적어도 하나의 쉘 층은 하기 식 (XI) 로 표시되고,
    ZnSxSeyTez, - (XI)
    식 중 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1, 및 x+y+z=1 이고, 바람직하게는 0≤x≤1, 0≤y≤1, z=0, 및 x+y=1 인, 조성물.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 발광 나노입자의 상기 쉘 층은 이중 쉘 층인, 조성물.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 조성물은 적어도 하나의 추가 재료를 더 포함하고, 바람직하게는 상기 추가 재료는 유기 발광 재료, 무기 발광 재료, 전하 수송 재료, 산란 입자, 광학적으로 투명한 폴리머, 산화 방지제, 라디칼 켄처, 중합 개시제 및 추가 리간드로 이루어지는 군으로부터 선택되는, 조성물.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 조성물은 복수의 반도체 발광 나노입자를 포함하는, 조성물.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 발광 나노입자의 총량이 상기 조성물의 총량을 기준으로 0.1 중량 % 내지 90 중량 % 범위, 바람직하게는 5 중량 % 내지 70 중량 %, 보다 바람직하게는 10 중량 % 내지 50 중량 % 범위인, 조성물.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 폴리머의 총량은 상기 조성물의 총량을 기준으로 0.1 중량 % 내지 90 중량 %, 바람직하게는 5 중량 % 내지 80 중량 %, 더 바람직하게는 10 중량 % 내지 50 중량 % 범위인, 조성물.
  12. 제형으로서,
    적어도 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 조성물,
    및
    용매를 포함하고, 바람직하게 상기 용매는 에틸렌 글리콜 모노알킬 에테르, 이를테면, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르, 및 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르; 디에틸렌 글리콜 디알킬 에테르, 이를테면, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디프로필 에테르, 및 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르; 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르, 이를테면, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 (PGME), 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 및 프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르; 에틸렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 이를테면, 메틸 셀로솔브 아세테이트 및 에틸 셀로솔브 아세테이트; 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 이를테면, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 (PGMEA), 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 및 프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르 아세테이트; 케톤, 이를테면, 메틸 에틸 케톤, 아세톤, 메틸 아밀 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 및 시클로헥사논; 알코올, 이를테면, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 헥산올, 시클로 헥산올, 에틸렌 글리콜, 및 글리세린; 에스테르, 이를테면, 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 메틸 3-메톡시프로피오네이트 및 에틸 락테이트; 및 시클릭 애스터 (cyclic aster), 이를테면, 감마-부티로-락톤; 염소화 탄화수소, 이를테면 클로로포름, 디클로로메탄, 클로로벤젠, 및 디클로로벤젠으로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버들로부터 선택되고, 바람직하게 상기 용매는 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 알킬 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노알킬 에테르, 프로필렌 글리콜, 및 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르이고; 보다 바람직하게 상기 용매는 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 이를테면, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 (PGMEA), 알킬 아세테이트 이를테면 부틸 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노알킬 에테르 이를테면 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌 글리콜 또는 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르 이를테면 메톡시프로판올로 이루어지는 군의 하나 이상의 멤버들로부터 선택되고, 보다 바람직하게 상기 용매는 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트로부터 선택되는, 제형.
  13. 전자 디바이스, 광학 디바이스, 생의학 디바이스에서의 또는 전자 디바이스, 광학 디바이스 또는 생의학 디바이스를 제조하기 위한, 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 조성물, 또는 제 12 항에 기재된 제형의 용도.
  14. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 상기 조성물, 또는 제 12 항에 기재된 상기 제형을 포함하는, 광학 매체.
  15. 제 14 항에 기재된 상기 광학 매체를 포함하는 광학 디바이스.
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