KR20200074860A - Conductive film - Google Patents

Conductive film Download PDF

Info

Publication number
KR20200074860A
KR20200074860A KR1020190154612A KR20190154612A KR20200074860A KR 20200074860 A KR20200074860 A KR 20200074860A KR 1020190154612 A KR1020190154612 A KR 1020190154612A KR 20190154612 A KR20190154612 A KR 20190154612A KR 20200074860 A KR20200074860 A KR 20200074860A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal layer
resin film
film
conductive film
surface roughness
Prior art date
Application number
KR1020190154612A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
나오키 고이시
마사요시 가타기리
나오키 하시모토
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20200074860A publication Critical patent/KR20200074860A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

The present invention provides a conductive film which can suppress an occurrence of disconnection in patterning a metal layer even though a relatively thin metal layer is formed. The conductive film has a first metal layer and a resin film provided in this order. The thickness of the first metal layer is 10 nm or greater and 200 nm or less and the surface roughness Rz of a surface opposite to the resin film of the first metal layer is 100 nm or less. It is preferable that the surface roughness Ra of the surface of the resin film opposite to the first metal layer is 30 nm or less.

Description

도전성 필름{CONDUCTIVE FILM}Conductive film {CONDUCTIVE FILM}

본 발명은 도전성 필름에 관한 것이다.The present invention relates to a conductive film.

종래, 수지 필름의 표면에 금속층을 형성한 도전성 필름이, 플렉시블 회로 기판, 전자파 실드 필름, 플랫 패널 디스플레이, 터치 센서, 비접촉식 IC 카드, 태양 전지 등에 사용되고 있다 (예를 들어, 특허문헌 1). 도전성 필름의 주된 기능은 전기 전도이며, 고분자 필름의 표면에 형성되는 금속층의 조성이나 두께는 용도 목적에 있던 전기 전도성이 얻어지도록 적절히 선택된다.Conventionally, a conductive film having a metal layer formed on the surface of a resin film is used for a flexible circuit board, an electromagnetic shielding film, a flat panel display, a touch sensor, a non-contact type IC card, a solar cell, and the like (for example, Patent Document 1). The main function of the conductive film is electrical conduction, and the composition or thickness of the metal layer formed on the surface of the polymer film is appropriately selected so that electrical conductivity intended for the purpose of use is obtained.

일본 공개특허공보 2011-82848호Japanese Patent Publication No. 2011-82848

최근 디바이스 요소의 박형화나 소형화의 요구의 높아짐에 따라, 금속층의 두께도 수백 ㎚ 에서 수십 ㎚ 까지 박형화가 진행되고 있다. 또, 디바이스의 고기능화나 용도 확대를 도모하기 위해서, 금속층을 에칭 등에 의해 패턴화하여 사용되는 경우도 있다. 그런데, 얇은 금속층의 패턴화시, 회로 패턴에 단선이 발생하는 경우가 있고, 이것이 생산성이나 신뢰성을 저하시키는 원인의 하나가 되고 있다.In recent years, as the demand for thinning and miniaturization of device elements has increased, the thickness of the metal layer has also been reduced from several hundred nm to several tens of nm. In addition, in order to increase the functionality of the device and expand the use of the device, a metal layer may be used by patterning by etching or the like. However, when patterning a thin metal layer, a disconnection may occur in a circuit pattern, and this is one of the reasons for lowering productivity and reliability.

본 발명의 목적은, 비교적 얇은 금속층이 형성되어 있어도 금속층의 패턴화시의 단선의 발생을 억제 가능한 도전성 필름을 제공하는 것에 있다.An object of the present invention is to provide a conductive film capable of suppressing the occurrence of disconnection during patterning of a metal layer even when a relatively thin metal layer is formed.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 검토한 결과, 금속층의 단선이 발생하고 있는 지점에서는 핀홀이 발생하고 있고, 이 핀홀이 단선의 원인으로 되어 있는 것은 아닌가 하는 지견을 얻었다. 더욱 검토를 진행한 결과, 하기 구성을 채용함으로써 상기 목적을 달성할 수 있는 것을 알아내어 본 발명을 완성하기에 이르렀다.As a result of careful examination to solve the above problems, the present inventors have found that pinholes are generated at the point where disconnection of the metal layer occurs, and this pinhole is the cause of disconnection. As a result of further examination, it was found that the above object can be achieved by adopting the following configuration, and the present invention has been completed.

본 발명은, 일 실시형태에 있어서,The present invention, in one embodiment,

제 1 금속층과,A first metal layer,

수지 필름Resin film

을 이 순서로 구비하고,And in this order,

상기 제 1 금속층의 두께가 10 ㎚ 이상 200 ㎚ 이하이고, The thickness of the first metal layer is 10 nm or more and 200 nm or less,

상기 제 1 금속층의 상기 수지 필름과는 반대측의 표면의 표면 조도 Rz 가 100 ㎚ 이하인 도전성 필름에 관한 것이다.It is related with the conductive film whose surface roughness Rz of the surface opposite to the said resin film of the said 1st metal layer is 100 nm or less.

당해 도전성 필름에서는, 제 1 금속층의 표면 조도 Rz 를 소정 범위로 하고 있으므로, 10 ㎚ 이상 200 ㎚ 이하라는 비교적 얇은 금속층의 패턴화시에도 단선의 발생을 억제할 수 있다. 이 이유는 확실하지 않기는 하지만, 이하와 같이 추찰된다. 본 발명자들은, 핀홀의 발생 원인을 검토한 바, 금속층의 성막시부터 성막 후에 도전성 필름을 롤상으로 감아돌리는 전후에서 핀홀의 발생수가 증가하는 것을 밝혀냈다. 이로부터, 본 발명자들은, 도전성 필름의 감아돌리기시에 금속층에 있어서의 급준한 돌기가 롤의 감아죄는 압력 내지 감아죌 때의 마찰에 의해 붕괴하고, 돌기 부분이 함몰함으로써 핀홀이 발생하는 것으로 추측하였다. 이러한 돌기의 붕괴에 의한 핀홀의 발생은, 금속층이 비교적 얇고 (10 ㎚ 이상 200 ㎚ 이하), 금속층의 기계적 강도가 낮은 경우에 보다 현저해진다. 이상의 지견으로부터, 금속층 표면의 표면 조도 Rz 를 저감하고, 금속층에 있어서의 급준한 돌기 내지 단차를 없앰으로써 핀홀의 발생을 억제하고, 그 결과, 패턴화한 금속층의 단선도 억제 가능해지는 것으로 추찰된다.In the conductive film, since the surface roughness Rz of the first metal layer is within a predetermined range, occurrence of disconnection can be suppressed even when patterning a relatively thin metal layer of 10 nm or more and 200 nm or less. Although this reason is not certain, it is estimated as follows. The present inventors investigated the cause of the occurrence of pinholes, and found that the number of occurrences of the pinholes increases before and after the conductive film is rolled up into a roll shape after the metal layer is formed. From this, the present inventors speculated that when the conductive film is rolled up, a sharp protrusion in the metal layer collapses due to pressure or winding friction when the roll is rolled up, and a pinhole is generated due to the depression of the protrusion. . The occurrence of pinholes due to collapse of these projections becomes more pronounced when the metal layer is relatively thin (10 nm or more and 200 nm or less), and the mechanical strength of the metal layer is low. From the above findings, it is estimated that the occurrence of pinholes is suppressed by reducing the surface roughness Rz of the surface of the metal layer and eliminating steep protrusions and steps in the metal layer, and as a result, it is also possible to suppress disconnection of the patterned metal layer.

상기 수지 필름의 상기 제 1 금속층과는 반대측의 표면의 표면 조도 Ra 가 30 ㎚ 이하인 것이 바람직하다. 수지 필름의 제 1 금속층과는 반대측의 표면은, 도전성 필름을 롤상으로 감아돌렸을 때에 제 1 금속층과 접촉하게 되기 때문에, 제 1 금속층과 수지 필름이 압착해 버리고, 그 후 롤로부터의 송출시에 금속층이 박리될 우려가 있다. 수지 필름의 제 1 금속층과의 접촉면의 표면 조도 Ra 를 상기 범위 내로 제어함으로써, 제 1 금속층과 수지 필름의 압착을 억제할 수 있다.It is preferable that the surface roughness Ra of the surface opposite to the first metal layer of the resin film is 30 nm or less. Since the surface on the opposite side to the first metal layer of the resin film comes into contact with the first metal layer when the conductive film is rolled up in a roll shape, the first metal layer and the resin film are squeezed, and thereafter the metal layer at the time of delivery from the roll There is a possibility of peeling. By controlling the surface roughness Ra of the contact surface of the resin film with the first metal layer within the above range, compression of the first metal layer with the resin film can be suppressed.

상기 수지 필름의 상기 제 1 금속층측의 표면의 표면 조도 Ra 가 0.5 ㎚ 이상 10 ㎚ 이하인 것이 바람직하다. 금속층의 표면 상태는, 수지 필름의 표면 상태를 그대로 이어받는 경향이 있기 때문에, 수지 필름의 표면 조도 Ra 를 상기 범위로 함으로써, 금속층 표면에 표면 조도 Rz 를 소정 범위로 효율적으로 제어할 수 있다.It is preferable that the surface roughness Ra of the surface of the resin film on the first metal layer side is 0.5 nm or more and 10 nm or less. Since the surface state of the metal layer tends to inherit the surface state of the resin film as it is, by setting the surface roughness Ra of the resin film to the above range, it is possible to efficiently control the surface roughness Rz on the surface of the metal layer in a predetermined range.

당해 도전성 필름은, 상기 수지 필름과 상기 제 1 금속층의 사이에 배치된 하지층 (下地層) 을 추가로 구비하고 있어도 된다. 제 1 금속층의 수지 필름에 대한 밀착성이나 도전성 필름에 대한 강도 부여, 전기적 특성의 제어 등, 목적에 따른 하지층을 형성함으로써 도전성 필름의 고기능화를 도모할 수 있다.The conductive film may further include a base layer disposed between the resin film and the first metal layer. By forming the underlying layer according to the purpose, such as adhesion of the first metal layer to the resin film, imparting strength to the conductive film, and controlling electrical properties, it is possible to increase the functionality of the conductive film.

추가적인 실시형태에 있어서, 당해 도전성 필름은, 상기 수지 필름의 상기 제 1 금속층과는 반대측에 배치된 제 2 금속층을 추가로 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 상기 제 2 금속층의 두께가 10 ㎚ 이상 200 ㎚ 이하이고, 상기 제 2 금속층의 상기 수지 필름과는 반대측의 표면의 표면 조도 Rz 가 100 ㎚ 이하인 것이 바람직하다.In a further embodiment, the conductive film may further include a second metal layer disposed on the opposite side to the first metal layer of the resin film. In this case, it is preferable that the thickness of the second metal layer is 10 nm or more and 200 nm or less, and the surface roughness Rz of the surface opposite to the resin film of the second metal layer is 100 nm or less.

금속층을 수지 필름의 양면에 형성함으로써, 도전성 필름의 고기능화나 용도 확대를 도모할 수 있다. 또, 제 1 금속층 뿐만 아니라 제 2 금속층의 표면의 표면 조도 Rz 를 상기 범위 내로 함으로써, 양면의 금속층에 있어서의 급준한 돌기 내지 단차를 없애 핀홀의 발생을 억제할 수 있고, 그 결과, 패턴화한 금속층의 단선을 양면에 있어서 억제할 수 있다.By forming the metal layer on both sides of the resin film, it is possible to achieve high functionality of the conductive film and expansion of use. Further, by setting the surface roughness Rz of the surface of the first metal layer as well as the second metal layer within the above range, it is possible to suppress the occurrence of pinholes by eliminating steep protrusions and steps in the metal layers on both sides, and as a result, patterning The disconnection of the metal layer can be suppressed on both sides.

상기 수지 필름의 상기 제 2 금속층측의 표면의 표면 조도 Ra 가 0.5 ㎚ 이상 10 ㎚ 이하인 것이 바람직하다. 제 1 금속층의 경우와 같이, 수지 필름의 표면 조도 Ra 를 상기 범위로 함으로써, 제 2 금속층 표면의 표면 조도 Rz 를 소정 범위로 효율적으로 제어할 수 있다.It is preferable that the surface roughness Ra of the surface of the resin film on the second metal layer side is 0.5 nm or more and 10 nm or less. As in the case of the first metal layer, by setting the surface roughness Ra of the resin film to the above range, the surface roughness Rz of the surface of the second metal layer can be efficiently controlled in a predetermined range.

상기 제 1 금속층의 상기 수지 필름과는 반대측의 표면의 표면 조도 Ra 및 상기 제 2 금속층의 상기 수지 필름과는 반대측의 표면의 표면 조도 Ra 중 적어도 일방이, 0.5 ㎚ 이상 10 ㎚ 이하인 것이 바람직하다. 수지 필름의 양면에 금속층을 형성한 도전성 필름을 롤상으로 감아돌리면, 롤의 반경 방향에서의 중심측의 금속층도 외측의 금속층도 함께 금속층에 접촉하게 되어, 금속층끼리의 블로킹이 발생하는 경우가 있다. 금속층의 스퍼터 성막시에 도전성 필름의 롤을 진공하에 둔 경우에는, 특히 블로킹이 현저해진다. 양면의 금속층의 표면 조도 Ra 의 일방 또는 양방을 소정 범위로 제어함으로써, 금속층 표면에 적당한 요철을 부여할 수 있고, 핀홀의 발생의 억제와 블로킹의 방지를 양립시킬 수 있다.It is preferable that at least one of the surface roughness Ra of the surface opposite to the resin film of the first metal layer and the surface roughness Ra of the surface opposite to the resin film of the second metal layer is 0.5 nm or more and 10 nm or less. When a conductive film having a metal layer formed on both sides of a resin film is wound in a roll shape, the metal layer on the center side and the metal layer on the outside in the radial direction of the roll also come into contact with the metal layer, and blocking between the metal layers may occur. When the roll of the conductive film is placed under vacuum during sputter film formation of the metal layer, blocking becomes particularly remarkable. By controlling one or both of the surface roughness Ra of the double-sided metal layer to a predetermined range, it is possible to provide an unevenness to the surface of the metal layer, and to suppress the occurrence of pinholes and to prevent blocking.

당해 도전성 필름은, 상기 수지 필름과 상기 제 2 금속층의 사이에 배치된 하지층을 추가로 구비하고 있어도 된다. 제 2 금속층의 수지 필름에 대한 밀착성이나 도전성 필름에 대한 강도 부여, 전기적 특성의 제어 등, 목적에 따른 하지층을 형성함으로써 도전성 필름의 고기능화를 도모할 수 있다.The conductive film may further include a base layer disposed between the resin film and the second metal layer. By forming the underlying layer according to the purpose, such as adhesion of the second metal layer to the resin film, imparting strength to the conductive film, and controlling electrical properties, it is possible to increase the functionality of the conductive film.

상기 제 1 금속층의 두께와 상기 제 2 금속층의 두께의 차의 절대값이 5 ㎚ 이하인 것이 바람직하다. 양면의 금속층의 두께를 서로 가깝게 함으로써 금속층에 발생하는 응력이 상쇄되고, 도전성 필름의 컬이나 금속층의 박리 등을 방지할 수 있다.It is preferable that the absolute value of the difference between the thickness of the first metal layer and the thickness of the second metal layer is 5 nm or less. By making the thickness of the metal layers on both sides close to each other, the stress generated in the metal layer is canceled out, and curling of the conductive film or peeling of the metal layer can be prevented.

당해 도전성 필름은, 반송성이나 취급의 관점에서 롤상으로 감아돌려져 있어도 된다.The conductive film may be wound in a roll form from the viewpoint of conveyability and handling.

도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 도전성 필름의 모식적 단면도이다.
도 2 는, 본 발명의 추가적인 실시형태에 관련된 도전성 필름의 모식적 단면도이다.
1 is a schematic cross-sectional view of a conductive film according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view of a conductive film according to a further embodiment of the present invention.

본 발명의 도전성 필름의 실시형태에 대해서, 도면을 참조하면서 이하에 설명한다. 단, 도면의 일부 또는 전부에 있어서, 설명에 불필요한 부분은 생략하고, 또 설명을 용이하게 하기 위해서 확대 또는 축소 등 하여 도시한 부분이 있다. 상하 등의 위치 관계를 나타내는 용어는, 간단히 설명을 용이하게 하기 위해서 사용되고 있으며, 본 발명의 구성을 한정하는 의도는 일절 없다.EMBODIMENT OF THE INVENTION The embodiment of the conductive film of this invention is demonstrated below, referring drawings. However, in some or all of the drawings, parts unnecessary for explanation are omitted, and there are parts shown by enlargement or reduction to facilitate explanation. Terms indicating the positional relationship such as up and down are used for easy explanation, and there is no intention to limit the configuration of the present invention.

《제 1 실시형태》<<first embodiment>>

<도전성 필름><Conductive film>

도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 도전성 필름의 모식적 단면도이다. 도 1 에 나타내는 도전성 필름 (100) 은, 제 1 금속층 (21) 과 수지 필름 (1) 을 이 순서로 구비하고 있다. 본 실시형태에서는, 수지 필름 (1) 과 제 1 금속층 (21) 의 사이에 하지층 (31) 이 형성되어 있다. 또한, 제 1 금속층 (21) 및 하지층 (31) 은, 각각 1 층으로 이루어지는 구성을 도시하고 있지만, 각각이 2 층 이상의 다층 구성이어도 된다.1 is a schematic cross-sectional view of a conductive film according to an embodiment of the present invention. The conductive film 100 shown in FIG. 1 includes the first metal layer 21 and the resin film 1 in this order. In this embodiment, the base layer 31 is formed between the resin film 1 and the first metal layer 21. Moreover, although the 1st metal layer 21 and the base layer 31 show the structure which consists of one layer, respectively, each may have a multilayer structure of two or more layers.

(수지 필름) (Resin film)

수지 필름 (1) 으로는, 절연성을 확보할 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않고, 각종 플라스틱 필름이 사용된다. 수지 필름의 재료로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트 (PBT), 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN) 등의 폴리에스테르계 수지, 폴리이미드 (PI) 등의 폴리이미드계 수지, 폴리에틸렌 (PE), 폴리프로필렌 (PP) 등의 폴리올레핀계 수지, 아세테이트계 수지, 폴리에테르술폰계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리아미드계 수지, 시클로올레핀계 수지, (메트)아크릴계 수지, 폴리염화비닐계 수지, 폴리염화비닐리덴계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리비닐알코올계 수지, 폴리아릴레이트계 수지, 폴리페닐렌술파이드계 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 내열성, 내구성, 유연성, 생산 효율, 비용 등의 관점에서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN) 등의 폴리에스테르계 수지, 폴리이미드 (PI) 등의 폴리이미드계 수지가 바람직하다. 특히, 비용 퍼포먼스의 관점에서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 가 바람직하다.The resin film 1 is not particularly limited as long as it can secure insulating properties, and various plastic films are used. As the material of the resin film, polyester-based resins such as polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT), polyethylene naphthalate (PEN), polyimide-based resins such as polyimide (PI), polyethylene ( PE), polypropylene resin such as polypropylene (PP), acetate resin, polyether sulfone resin, polycarbonate resin, polyamide resin, cycloolefin resin, (meth)acrylic resin, polyvinyl chloride resin , Polyvinylidene chloride-based resin, polystyrene-based resin, polyvinyl alcohol-based resin, polyarylate-based resin, polyphenylene sulfide-based resin, and the like. Among these, polyester-based resins such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), and polyimide-based resins such as polyimide (PI), from the viewpoints of heat resistance, durability, flexibility, production efficiency, cost, etc. desirable. In particular, from the viewpoint of cost performance, polyethylene terephthalate (PET) is preferred.

수지 필름에는, 표면에 미리 스퍼터링, 코로나 방전, 화염, 자외선 조사, 전자선 조사, 화성 (化成), 산화 등의 에칭 처리나 하도 (下塗) 처리를 실시하여, 수지 필름 상에 형성되는 금속층과의 밀착성을 담보시키도록 해도 된다. 또, 금속층을 형성하기 전에, 필요에 따라 용제 세정이나 초음파 세정 등에 의해, 수지 필름 표면을 제진 (除塵), 청정화해도 된다.The surface of the resin film is previously subjected to etching treatment such as sputtering, corona discharge, flame, ultraviolet irradiation, electron beam irradiation, chemical conversion, oxidation, or primer treatment, and adhesion to a metal layer formed on the resin film. You can also make collateral. Moreover, before forming a metal layer, if necessary, the surface of a resin film may be damped and cleaned by solvent cleaning, ultrasonic cleaning, or the like.

수지 필름 (1) 의 제 1 금속층 (21) 과는 반대측의 표면 (12a) 의 표면 조도 Ra 는, 30 ㎚ 이하인 것이 바람직하고, 8 ㎚ 이하인 것이 보다 바람직하다. 수지 필름 (1) 의 표면 (12a) 의 표면 조도 Ra 는 1.5 ㎚ 이상이 바람직하고, 3 ㎚ 이상이 보다 바람직하다. 수지 필름 (1) 의 제 1 금속층 (21) 과는 반대측의 표면 (12a) 은, 도전성 필름 (100) 을 롤상으로 감아돌렸을 때에 제 1 금속층 (21) 과 접촉하고, 서로 압착하는 경우가 있다. 수지 필름 (1) 의 제 1 금속층 (21) 과의 접촉면 (즉, 표면 (12a)) 의 표면 조도 Ra 를 상기 범위 내로 제어함으로써, 수지 필름 (1) 과 제 1 금속층 (21) 의 압착을 억제할 수 있다.The surface roughness Ra of the surface 12a on the opposite side to the first metal layer 21 of the resin film 1 is preferably 30 nm or less, and more preferably 8 nm or less. The surface roughness Ra of the surface 12a of the resin film 1 is preferably 1.5 nm or more, and more preferably 3 nm or more. The surface 12a on the side opposite to the first metal layer 21 of the resin film 1 may be in contact with the first metal layer 21 when the conductive film 100 is wound in a roll shape, and may be compressed to each other. By controlling the surface roughness Ra of the contact surface (that is, the surface 12a) of the resin film 1 with the first metal layer 21 within the above range, compression of the resin film 1 and the first metal layer 21 is suppressed. can do.

수지 필름 (1) 의 제 1 금속층 (21) 측의 표면 (11a) 의 표면 조도 Ra 는, 0.5 ㎚ 이상 10 ㎚ 이하인 것이 바람직하다. 수지 필름 (1) 의 표면 (11a) 의 표면 조도 Ra 의 하한값은, 1.5 ㎚ 가 바람직하고, 3 ㎚ 가 보다 바람직하다. 한편, 수지 필름 (1) 의 표면 (11a) 의 표면 조도 Ra 의 상한값은, 8 ㎚ 가 바람직하고, 6 ㎚ 가 보다 바람직하다. 금속층의 표면 상태는, 수지 필름 (1) 의 표면 상태를 그대로 이어받는 경향이 있기 때문에, 수지 필름 (1) 의 표면 조도 Ra 를 상기 범위로 함으로써, 제 1 금속층 (21) 의 표면 (21a) 의 표면 조도 Rz 를 소정 범위로 효율적으로 제어할 수 있다.The surface roughness Ra of the surface 11a on the first metal layer 21 side of the resin film 1 is preferably 0.5 nm or more and 10 nm or less. The lower limit of the surface roughness Ra of the surface 11a of the resin film 1 is preferably 1.5 nm, and more preferably 3 nm. On the other hand, the upper limit of the surface roughness Ra of the surface 11a of the resin film 1 is preferably 8 nm, and more preferably 6 nm. Since the surface state of the metal layer tends to inherit the surface state of the resin film 1 as it is, by setting the surface roughness Ra of the resin film 1 to the above range, the surface state of the surface 21a of the first metal layer 21 Surface roughness Rz can be efficiently controlled in a predetermined range.

수지 필름의 두께는, 2 ∼ 200 ㎛ 의 범위 내인 것이 바람직하고, 10 ∼ 100 ㎛ 의 범위 내인 것이 보다 바람직하고, 20 ∼ 60 ㎛ 의 범위 내인 것이 더욱 바람직하다. 일반적으로는, 수지 필름의 두께가 두꺼운 편이, 가열시의 열 수축 등의 영향을 잘 받지 않게 되기 때문에 바람직하다. 그러나, 전자 부품 등의 컴팩트화에 의해, 수지 필름의 두께도 어느 정도 얇게 하는 것이 바람직하다. 한편, 수지 필름의 두께가 지나치게 얇으면, 수지 필름의 투습성이나 투과성이 상승하여, 수분이나 가스 등을 투과시켜 버려, 금속층이 산화되기 쉬워진다. 따라서, 본 실시형태에서는, 수지 필름의 두께를 어느 정도의 두께를 갖게 하면서 얇게 함으로써, 도전성 필름 자체도 얇게 할 수 있고, 전자파 실드 시트나 센서 등에 사용한 경우의 두께를 억제하는 것이 가능해진다. 그 때문에, 전자파 실드 시트나 센서 등의 박형화에 대응할 수 있다. 또한, 수지 필름의 두께가 상기의 범위 내이면, 수지 필름의 유연성을 확보할 수 있으면서 기계적 강도가 충분하고, 필름을 롤상으로 하여 하지층이나 금속층을 연속적으로 형성하는 조작이 가능하다.The thickness of the resin film is preferably in the range of 2 to 200 μm, more preferably in the range of 10 to 100 μm, and more preferably in the range of 20 to 60 μm. In general, a thicker resin film is preferable because it is less susceptible to heat shrinkage during heating. However, it is preferable to make the thickness of the resin film thin to some extent by the compactness of electronic components and the like. On the other hand, if the thickness of the resin film is too thin, the moisture permeability and permeability of the resin film increase, and water and gas are permeated, and the metal layer is easily oxidized. Therefore, in this embodiment, by making the thickness of the resin film thin while having a certain thickness, the conductive film itself can also be made thin, and it becomes possible to suppress the thickness when used in an electromagnetic shield sheet, sensor, or the like. Therefore, it can cope with thinning of an electromagnetic shield sheet or a sensor. In addition, if the thickness of the resin film is within the above range, the flexibility of the resin film can be ensured while the mechanical strength is sufficient, and the operation of continuously forming the base layer or the metal layer by making the film into a roll is possible.

(하지층) (Base layer)

본 실시형태의 도전성 필름은, 수지 필름 (1) 과 제 1 금속층 (21) 의 사이에 배치된 하지층 (31) 을 추가로 구비하고 있다. 제 1 금속층의 수지 필름에 대한 밀착성이나 도전성 필름에 대한 강도 부여, 전기적 특성의 제어 등, 목적에 따른 하지층을 형성함으로써 도전성 필름의 고기능화를 도모할 수 있다. 하지층으로는 특별히 한정되지 않고, 이(易)접착층, 하드 코트층 (안티 블로킹층 등으로서 기능하는 것을 포함한다.), 유전체층 등을 들 수 있다.The conductive film of the present embodiment further includes a base layer 31 disposed between the resin film 1 and the first metal layer 21. By forming the underlying layer according to the purpose, such as adhesion of the first metal layer to the resin film, imparting strength to the conductive film, and controlling electrical properties, it is possible to increase the functionality of the conductive film. It does not specifically limit as a base layer, The adhesive layer, a hard-coat layer (including what functions as an anti-blocking layer etc.), a dielectric layer, etc. are mentioned.

(이접착층) (Easy adhesive layer)

이접착층은, 접착성 수지 조성물의 경화막이다. 이(易)밀착층은, 금속층에 대하여 양호한 밀착성을 갖는다.This adhesive layer is a cured film of an adhesive resin composition. The adhesion layer has good adhesion to the metal layer.

접착성 수지 조성물로는, 이밀착층 형성 후의 경화막으로서 충분한 접착성과 강도를 가지는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 사용하는 수지로는 열 경화형 수지, 열 가소형 수지, 자외선 경화형 수지, 전자선 경화형 수지, 2 액 혼합형 수지, 및 이들의 혼합물 등을 들 수 있지만, 이들 중에서도 자외선 조사에 의한 경화 처리로, 간단한 가공 조작으로 효율적으로 이밀착층을 형성할 수 있는 자외선 경화형 수지가 적합하다. 자외선 경화형 수지를 포함함으로써, 자외선 경화성을 갖는 접착성 수지 조성물이 용이하게 얻어진다.As an adhesive resin composition, what has sufficient adhesiveness and strength as a cured film after formation of an intimate adhesive layer can be used without particular limitation. Examples of the resin to be used include thermosetting resins, thermoplastic resins, ultraviolet curing resins, electron beam curing resins, two-liquid mixed resins, and mixtures thereof. Among these, curing treatment by ultraviolet irradiation is a simple processing operation. UV-curable resins capable of efficiently forming a tight adhesion layer are suitable. By including the ultraviolet curable resin, an adhesive resin composition having ultraviolet curability is easily obtained.

접착성 수지 조성물로는, 경화시에 가교 구조를 형성하는 재료가 바람직하다. 이밀착층에서의 가교 구조가 촉진되면, 그때까지 완만했던 막 내부 구조가 강고해지고, 막강도가 향상된다. 이러한 막강도의 향상이 밀착성의 향상에 기여하고 있는 것으로 추찰되기 때문이다.As the adhesive resin composition, a material that forms a crosslinked structure upon curing is preferable. When the crosslinked structure in the cohesive layer is promoted, the internal structure of the film, which has been gentle until then, becomes strong, and the film strength is improved. This is because it is estimated that the improvement of the film strength contributes to the improvement of adhesion.

접착성 수지 조성물은, (메트)아크릴레이트 모노머 및 (메트)아크릴레이트 올리고머 중 적어도 1 종을 포함하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 아크릴로일기에 포함되는 C = C 이중 결합에서 기인하는 가교 구조의 형성이 용이해지고, 막강도의 향상을 효율적으로 도모할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, (메트)아크릴레이트란, 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트를 의미한다.It is preferable that an adhesive resin composition contains at least 1 sort(s) of a (meth)acrylate monomer and a (meth)acrylate oligomer. Accordingly, it is easy to form a crosslinked structure resulting from a C=C double bond included in the acryloyl group, and it is possible to efficiently improve the film strength. In addition, in this specification, (meth)acrylate means acrylate or methacrylate.

본 실시형태에서 사용하는, 주성분으로서의 (메트)아크릴로일기를 갖는 (메트)아크릴레이트 모노머 및/또는 아크릴레이트 올리고머는 도막을 형성시키는 역할을 갖고, 구체적으로는 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 변성 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 프로필렌옥사이드 변성 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판테트라(메트)아크릴레이트, 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 카프로락톤 변성 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 알킬 변성 디펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 알킬 변성 디펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 알킬 변성 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 및 이들 2 종 이상의 혼합물을 들 수 있다.The (meth)acrylate monomer and/or acrylate oligomer having a (meth)acryloyl group as a main component used in the present embodiment has a role of forming a coating film, and specifically, trimethylolpropane tri(meth)acrylate , Ethylene oxide-modified trimethylolpropane tri(meth)acrylate, propylene oxide-modified trimethylolpropane tri(meth)acrylate, trimethylolpropanetetra(meth)acrylate, tris(acryloxyethyl)isocyanurate, caprolactone Modified tris(acryloxyethyl)isocyanurate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol penta(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth) )Acrylate, alkyl modified dipentaerythritol tri(meth)acrylate, alkyl modified dipentaerythritol tetra(meth)acrylate, alkyl modified dipentaerythritol penta(meth)acrylate, caprolactone modified dipentaerythritol And hexa(meth)acrylate and mixtures of two or more of these.

상기의 (메트)아크릴레이트 중에서도, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 혹은 이들의 혼합물이, 내마모성, 경화성의 점에서 특히 바람직하다.Among the above (meth)acrylates, pentaerythritol tri(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, dipentaerythritol penta(meth)acrylate, or mixtures thereof, are wear-resistant and curable. It is particularly preferable in terms of.

또, 우레탄아크릴레이트 올리고머를 사용할 수도 있다. 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머는, 폴리올과, 폴리이소시아네이트를 반응시킨 후에, 수산기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 반응시키는 방법이나, 폴리이소시아네이트와, 수산기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 반응시킨 후에, 폴리올을 반응시키는 방법이나, 폴리이소시아네이트, 폴리올, 수산기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 반응시키는 방법 등을 들 수 있지만, 특별히 한정은 없다.Moreover, a urethane acrylate oligomer can also be used. The urethane (meth)acrylate oligomer is a method of reacting a polyol with a polyisocyanate and then reacting a (meth)acrylate having a hydroxyl group, or after reacting a polyisocyanate with a (meth)acrylate having a hydroxyl group, Although a method of reacting a polyol, a method of reacting a polyisocyanate, a polyol, and a (meth)acrylate having a hydroxyl group, etc. may be mentioned, there is no particular limitation.

폴리올로는, 예를 들어, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리테트라메틸렌에테르글리콜 및 이들의 공중합물, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,4-부탄디올, 2,2'-티오디에탄올 등을 들 수 있다.Examples of the polyol include polyethylene glycol, polypropylene glycol, polytetramethylene ether glycol and copolymers thereof, ethylene glycol, propylene glycol, 1,4-butanediol, 2,2'-thiodiethanol, and the like. have.

폴리이소시아네이트로는, 예를 들어, 이소포론디이소시아네이트, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, m-페닐렌디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 수소 첨가 디페닐메탄디이소시아네이트, 1,3-자일릴렌디이소시아네이트, 1,4-자일릴렌디이소시아네이트 등을 들 수 있다.As polyisocyanate, for example, isophorone diisocyanate, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, m-phenylenediisocyanate, p-phenylenediisocyanate, hexamethylene diisocyanate, trimethylhexamethylene Diisocyanate, 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, hydrogenated diphenylmethane diisocyanate, 1,3-xylylenediisocyanate, 1,4-xylylenediisocyanate, and the like.

가교 밀도가 지나치게 높으면, 프라이머로서의 성능이 떨어지고 금속 밀착성이 저하되기 쉬워지기 때문에, 수산기를 갖는 저관능 (메트)아크릴레이트 (이하, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트라고 한다) 를 사용해도 된다. 수산기 함유 (메트)아크릴레이트로는, 예를 들어, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 1,4-시클로헥산디메탄올모노(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-페녹시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-아크릴로일옥시프로필(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 상기 서술한 (메트)아크릴레이트 모노머 성분 및/또는 (메트)아크릴레이트 올리고머 성분은 단독으로 사용해도 되고 2 종 이상을 사용해도 된다.If the crosslinking density is too high, the performance as a primer decreases and the metal adhesion tends to decrease, so a low-functional (meth)acrylate having a hydroxyl group (hereinafter referred to as a hydroxyl-containing (meth)acrylate) may be used. Examples of the hydroxyl group-containing (meth)acrylate include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 1,4-cyclohexanedimethanol mono (meth)acrylate, and 2-hydroxypropyl (meth)acrylate. , 2-hydroxybutyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxy-3-acryloyloxy Propyl (meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, and the like. The above-mentioned (meth)acrylate monomer component and/or (meth)acrylate oligomer component may be used singly or two or more kinds may be used.

본 실시형태의 자외선 경화성을 갖는 접착성 수지 조성물은, (메트)아크릴기 함유 실란 커플링제를 배합함으로써 안티 블로킹성이 향상된다. (메트)아크릴기 함유 실란 커플링제로는, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있으며, 시판품으로는, KR-513, KBM-5103 (신에츠 화학 주식회사 제조, 상품명) 을 들 수 있다.The adhesive resin composition having ultraviolet curability of this embodiment improves anti-blocking property by blending a (meth)acrylic group-containing silane coupling agent. Examples of the (meth)acrylic group-containing silane coupling agent include 3-acryloxypropyl trimethoxysilane, 3-methacryloxypropyl methyl dimethoxysilane, 3-methacryloxypropyl trimethoxysilane, and 3-methacryloxypropyl. Methyl diethoxysilane, 3-methacryloxypropyl triethoxysilane, and the like, and commercially available products include KR-513 and KBM-5103 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).

실란 커플링제의 배합량은, 상기 (메트)아크릴레이트 모노머 및/또는 (메트)아크릴레이트 올리고머 100 중량부에 대하여, 0.1 중량부 ∼ 50 중량부, 보다 바람직하게는 1 ∼ 20 중량부로 한다. 이 범위이면, 금속층과의 밀착성이 향상되고, 도막 물성을 유지할 수 있다.The blending amount of the silane coupling agent is 0.1 to 50 parts by weight, more preferably 1 to 20 parts by weight, based on 100 parts by weight of the (meth)acrylate monomer and/or (meth)acrylate oligomer. If it is within this range, adhesion to the metal layer is improved, and the coating film properties can be maintained.

본 실시형태의 이밀착층은, 나노 실리카 미립자를 포함하고 있어도 된다. 나노 실리카 미립자로는, 알킬실란으로 합성된 오르가노 실리카 졸 혹은 플라즈마 아크에 의해 합성된 나노 실리카를 사용할 수 있다. 시판품으로는 전자이면 PL-7-PGME (후소 화학 제조, 상품명), 후자이면 SIRMIBK15WT%-M36 (CIK 나노텍 제조, 상품명) 등을 들 수 있다. 나노 실리카 미립자의 배합 비율은 상기 (메트)아크릴로일기를 갖는 (메트)아크릴레이트 모노머 및/또는 아크릴레이트 올리고머와 실란 커플링제의 총중량 100 중량부에 대하여, 5 ∼ 30 중량부가 바람직하고, 5 ∼ 10 중량부가 보다 바람직하다. 하한 이상으로 함으로써 표면 요철이 형성되어 안티 블로킹성을 부여 가능해지고, 롤·투·롤에 의한 생산이 가능해진다. 상한 이하로 함으로써 금속층과의 밀착성의 저하를 방지할 수 있다.The tight adhesion layer of this embodiment may contain nano-silica fine particles. As the nano-silica fine particles, an organo silica sol synthesized with an alkylsilane or a nano-silica synthesized by plasma arc can be used. As a commercial item, PL-7-PGME (Fuso Chemical Manufacturing, brand name) is the former, and SIRMIBK15WT%-M36 (made by CIK Nanotech, a brand name) etc. are mentioned. The blending ratio of the nano-silica fine particles is preferably 5 to 30 parts by weight, and preferably 5 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the (meth)acrylate monomer and/or acrylate oligomer and silane coupling agent having the (meth)acryloyl group. 10 parts by weight is more preferable. By setting it as a lower limit or more, surface irregularities are formed, and anti-blocking properties can be imparted, and roll-to-roll production is possible. Decreasing adhesiveness with a metal layer can be prevented by setting below an upper limit.

나노 실리카 미립자의 평균 입경은 100 ∼ 500 ㎚ 가 바람직하다. 평균 입경 100 ㎚ 미만에서는 표면에 요철을 형성하는 데에 필요한 첨가량이 많아지기 때문에 금속층과의 밀착성이 얻어지지 않는 데 반해, 500 ㎚ 를 넘으면 표면 요철이 커지고, 핀홀의 문제가 발생한다.The average particle diameter of the nano-silica fine particles is preferably 100 to 500 nm. When the average particle diameter is less than 100 nm, the amount of addition required for forming the unevenness on the surface increases, whereas the adhesion with the metal layer is not obtained, whereas when it exceeds 500 nm, the unevenness of the surface becomes large and pinhole problems occur.

접착성 수지 조성물은 자외선 경화성을 부여하기 위해서 광 중합 개시제를 포함하는 것이 바람직하다. 광 중합 개시제로는, 벤조인노르말부틸에테르, 벤조인이소부틸에테르 등의 벤조인에테르류, 벤질디메틸케탈, 벤질디에틸케탈 등의 벤질케탈류, 2,2-디메톡시아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논 등의 아세토페논류, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, [2-하이드록시-2-메틸-1-(4-에틸렌페닐)프로판-1-온], 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-[4-(2-하이드록시에톡시)페닐]-2-하이드록시-2-메틸-1-프로판-1-온, 2-하이드록시-2-메틸-1-(4-이소프로필페닐)프로판-1-온 등의 α-하이드록시알킬페논류, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-1-모르폴리노프로판, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-1-부타논 등의 α-아미노알킬페논류, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일페닐에톡시포스핀옥사이드 등의 모노아실포스핀옥사이드류, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드 등의 모노아실포스핀옥사이드류 등을 들 수 있다.It is preferable that the adhesive resin composition contains a photopolymerization initiator in order to impart ultraviolet curability. Examples of the photopolymerization initiator include benzoin ethers such as benzoin-normal butyl ether and benzoin isobutyl ether, benzyl dimethyl ketals, benzyl diethyl ketals and other benzyl ketals, and 2,2-dimethoxyacetophenone, 2,2 -Acetophenones such as diethoxy acetophenone, 1-hydroxycyclohexylphenylketone, [2-hydroxy-2-methyl-1-(4-ethylenephenyl)propan-1-one], 2-hydroxy- 2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 1-[4-(2-hydroxyethoxy)phenyl]-2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one, 2-hydroxy Α-hydroxyalkylphenones such as -2-methyl-1-(4-isopropylphenyl)propan-1-one, 2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl]-1-morpholino Α-aminoalkylphenones such as propane and 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-1-butanone, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, 2 Monoacylphosphine oxides such as ,4,6-trimethylbenzoylphenylethoxyphosphine oxide, bis(2,6-dimethoxybenzoyl)-2,4,4-trimethylpentylphosphine oxide, bis(2,4 And monoacylphosphine oxides such as ,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide.

수지의 경화성, 광 안정성, 수지와의 상용성, 저휘발, 저악취라는 점에서, 알킬페논계 광 중합 개시제가 바람직하고, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, (2-하이드록시-1-{4-[4-(2-하이드록시-2-메틸-프로피오닐)-벤질]페닐}-2-메틸-프로판-1-온, 1-[4-(2-하이드록시에톡시)-페닐]-2-하이드록시-2-메틸-1-프로판-1-온이 보다 바람직하다. 시판품으로는 Irgacure127, 184, 369, 651, 500, 891, 907, 2959, Darocure1173, TPO (BASF 재팬 주식회사 제조, 상품명) 등을 들 수 있다. 광 중합 개시제는 (메트)아크릴로일기를 갖는 (메트)아크릴레이트 모노머 및/또는 아크릴레이트 올리고머 100 중량부에 대하여, 고형분 3 ∼ 10 중량부 배합한다.From the viewpoint of curability of the resin, light stability, compatibility with the resin, low volatility, and low odor, an alkylphenone-based photopolymerization initiator is preferable, 1-hydroxycyclohexylphenylketone, 2-hydroxy-2-methyl- 1-phenyl-propan-1-one, (2-hydroxy-1-{4-[4-(2-hydroxy-2-methyl-propionyl)-benzyl]phenyl}-2-methyl-propane-1 -On, 1-[4-(2-hydroxyethoxy)-phenyl]-2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one is more preferable. As commercial products, Irgacure127, 184, 369, 651, 500, 891, 907, 2959, Darocure1173, TPO (manufactured by BASF Japan, trade name), etc. The photopolymerization initiator is a (meth)acrylate monomer having a (meth)acryloyl group and/or acrylate Based on 100 parts by weight of the oligomer, 3 to 10 parts by weight of solid content is blended.

이밀착층의 형성시에는, 분자 내에 (메트)아크릴로일기를 갖는 (메트)아크릴레이트 및/혹은 (메트)아크릴레이트 올리고머를 주성분으로 하는 접착성 수지 조성물을, 톨루엔, 아세트산부틸, 이소부탄올, 아세트산에틸, 시클로헥산, 시클로헥사논, 메틸시클로헥사논, 헥산, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸에테르, 에틸렌글리콜 등의 용제에 희석하고, 고형분이 30 ∼ 50 % 인 바니시로서 조제한다.When forming the adhesive layer, an adhesive resin composition containing (meth)acrylate and/or (meth)acrylate oligomer having a (meth)acryloyl group in the molecule as a main component, toluene, butyl acetate, isobutanol, Diluted in solvents such as ethyl acetate, cyclohexane, cyclohexanone, methylcyclohexanone, hexane, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, propylene glycol monomethyl ether, diethyl ether, ethylene glycol, and solid content is 30 It is prepared as a varnish of -50%.

이밀착층은, 시클로올레핀계 수지 필름 (1) 상에, 상기 바니시를 도포함으로써 형성된다. 바니시의 도포 방법은, 바니시 및 도장 공정의 상황에 따라 적시 선택할 수 있으며, 예를 들어 딥 코트법, 에어 나이프 코트법, 커튼 코트법, 롤러 코트법, 와이어 바 코트법, 그라비아 코트법, 다이 코트법이나 익스트루전 코트법 등에 의해 도포할 수 있다.The self-adhesive layer is formed by applying the varnish on the cycloolefin-based resin film (1). The varnish application method can be selected in a timely manner depending on the conditions of the varnish and the coating process, for example, dip coating, air knife coating, curtain coating, roller coating, wire bar coating, gravure coating, or die coating. It can be applied by a method, an extrusion coat method, or the like.

바니시를 도포 후, 도막을 경화시킴으로써, 이밀착층을 형성할 수 있다. 자외선 경화성을 갖는 접착성 수지 조성물의 경화 처리로는, 바니시가 용제를 포함하는 경우에는 건조 (예를 들어 80 ℃ 에서 1 분간) 에 의한 용매 제거 후, 자외선 조사기를 사용하여 500 mW/㎠ ∼ 3000 mW/㎠ 의 조사 강도로, 일량이 50 ∼ 400 mJ/㎠ 인 자외선 처리를 실시하여 경화시킨다는 순서를 들 수 있다. 자외선 발생원으로는 일반적으로 자외선 램프가 사용되고 있고, 구체적으로는, 저압 수은 램프, 고압 수은 램프, 초고압 수은 램프, 크세논 램프, 메탈 할라이드 램프 등을 들 수 있고, 조사하는 경우에는 공기 중이어도 되고, 질소, 아르곤 등의 불활성 가스 중이어도 된다.After coating the varnish, the coating film can be cured to form a self-adhesive layer. As the curing treatment of the adhesive resin composition having ultraviolet curability, when the varnish contains a solvent, after removing the solvent by drying (for example, at 80°C for 1 minute), 500 mW/cm 2 to 3000 using an ultraviolet irradiator As an irradiation intensity of mW/cm 2, a procedure of curing by applying ultraviolet light treatment having a work volume of 50 to 400 mJ/cm 2 is cured. Ultraviolet lamps are generally used as the ultraviolet generator, and specifically, low pressure mercury lamps, high pressure mercury lamps, ultra high pressure mercury lamps, xenon lamps, metal halide lamps, etc. may be used. , Inert gas such as argon.

자외선 경화 처리시에 가열을 실시하는 것이 바람직하다. 자외선 조사에 의해 접착성 수지 조성물의 경화 반응이 진행되고, 동시에 가교 구조가 형성된다. 이 때 가열을 실시함으로써, 저자외선량으로도 충분히 가교 구조의 형성을 촉진시킬 수 있다. 가열 온도는, 가교도에 따라 설정 가능하고, 바람직하게는 50 ℃ ∼ 80 ℃ 이다. 가열 수단은 특별히 한정되지 않고, 온풍 건조기, 복사열 건조기, 필름 반송 롤의 가열 등을 적절히 채용할 수 있다.It is preferable to perform heating at the time of ultraviolet curing treatment. The curing reaction of the adhesive resin composition proceeds by ultraviolet irradiation, and at the same time, a crosslinked structure is formed. By heating at this time, the formation of a crosslinked structure can be sufficiently promoted even with a low ultraviolet dose. The heating temperature can be set depending on the degree of crosslinking, and is preferably 50°C to 80°C. The heating means is not particularly limited, and a warm air dryer, a radiant heat dryer, heating of a film transfer roll, or the like can be suitably employed.

이밀착층의 두께로는 특별히 한정되지 않기는 하지만, 0.2 ㎛ ∼ 2 ㎛ 인 것이 바람직하고, 0.5 ㎛ ∼ 1.5 ㎛ 인 것이 보다 바람직하고, 0.8 ㎛ ∼ 1.2 ㎛ 인 것이 더욱 바람직하다. 이밀착층의 두께를 상기 범위로 함으로써, 금속층의 밀착성과 필름의 유연성을 향상시킬 수 있다.Although the thickness of the adhesive layer is not particularly limited, it is preferably 0.2 μm to 2 μm, more preferably 0.5 μm to 1.5 μm, and even more preferably 0.8 μm to 1.2 μm. By setting the thickness of the self-adhesive layer within the above range, the adhesion of the metal layer and the flexibility of the film can be improved.

(하드 코트층) (Hard coat layer)

하지층으로서, 하드 코트층을 형성해도 된다. 또한, 도전성 필름끼리의 블로킹을 방지하여 롤·투·롤법에 의한 제조를 가능하게 하기 위해서, 하드 코트층에 입자를 배합해도 된다.As the base layer, a hard coat layer may be formed. Further, in order to prevent blocking between conductive films and to enable production by a roll-to-roll method, particles may be blended in the hard coat layer.

하드 코트층의 형성에는, 이밀착층과 동일한 접착성 조성물을 적합하게 사용할 수 있다. 안티 블로킹성을 부여하려면, 상기 접착성 조성물에 입자를 배합하는 것이 바람직하다. 이에 따라 하드 코트층의 표면에 요철을 형성할 수 있고, 도전성 필름 (100) 에 안티 블로킹성을 적합하게 부여할 수 있다.For formation of the hard coat layer, an adhesive composition similar to that of the adhesion layer can be suitably used. To impart anti-blocking properties, it is preferable to blend particles in the adhesive composition. Thereby, unevenness|corrugation can be formed in the surface of a hard-coat layer, and anti-blocking property can be suitably provided to the electroconductive film 100.

상기 입자로는, 각종 금속 산화물, 유리, 플라스틱 등의 투명성을 갖는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 예를 들어 실리카, 알루미나, 티타니아, 지르코니아, 산화칼슘 등의 무기계 입자, 폴리메틸메타크릴이트, 폴리스티렌, 폴리우레탄, 아크릴계 수지, 아크릴-스티렌 공중합체, 벤조구아나민, 멜라민, 폴리카보네이트 등의 각종 폴리머로 이루어지는 가교 또는 미가교의 유기계 입자나 실리콘계 입자 등을 들 수 있다. 상기 입자는, 1 종 또는 2 종 이상을 적절히 선택하여 사용할 수 있다.As the particles, those having transparency such as various metal oxides, glass, and plastics can be used without particular limitation. For example, inorganic particles such as silica, alumina, titania, zirconia, calcium oxide, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyurethane, acrylic resin, acrylic-styrene copolymer, benzoguanamine, melamine, polycarbonate, etc. And crosslinked or uncrosslinked organic particles made of polymer, silicon particles, and the like. The said particle|grains can be used selecting 1 type or 2 or more types suitably.

상기 입자의 평균 입경이나 배합량은, 표면 요철의 정도를 고려하면서, 적절히 설정할 수 있다. 평균 입경으로는, 0.5 ㎛ ∼ 2.0 ㎛ 가 바람직하고, 배합량으로는, 조성물의 수지 고형분 100 중량부에 대하여 0.2 ∼ 5.0 중량부가 바람직하다.The average particle diameter and the blending amount of the particles can be appropriately set while considering the degree of surface irregularities. As an average particle diameter, 0.5 micrometer-2.0 micrometers are preferable, and as a compounding quantity, 0.2-5.0 weight part is preferable with respect to 100 weight part of resin solid content of a composition.

(유전체층) (Dielectric layer)

하지층으로서, 1 층 이상의 유전체층을 구비하고 있어도 된다. 유전체층은, 무기물, 유기물, 혹은 무기물과 유기물의 혼합물에 의해 형성된다. 유전체층을 형성하는 재료로는, NaF, Na3AlF6, LiF, MgF2, CaF2, SiO2, LaF3, CeF3, Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, ZnO, ZnS, SiOx (x 는 1.5 이상 2 미만) 등의 무기물이나, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 실록산계 폴리머 등의 유기물을 들 수 있다. 특히, 유기물로서, 멜라민 수지와 알키드 수지와 유기 실란 축합물의 혼합물로 이루어지는 열 경화형 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 유전체층은, 상기의 재료를 사용하여, 그라비아 코트법이나 바 코트법 등의 도공법, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법 등에 의해 형성할 수 있다.As the base layer, one or more dielectric layers may be provided. The dielectric layer is formed of an inorganic substance, an organic substance, or a mixture of an inorganic substance and an organic substance. A material for forming the dielectric layer, NaF, N a3 AlF 6, LiF, MgF 2, CaF 2, SiO 2, LaF 3, CeF 3, Al 2 O 3, TiO 2, Ta 2 O 5, ZrO 2, ZnO, And inorganic substances such as ZnS and SiO x (where x is 1.5 or more and less than 2), and organic substances such as acrylic resins, urethane resins, melamine resins, alkyd resins, and siloxane polymers. In particular, it is preferable to use a thermosetting resin composed of a mixture of a melamine resin, an alkyd resin, and an organic silane condensate as an organic material. The dielectric layer can be formed by a coating method such as a gravure coating method or a bar coating method, a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or the like, using the above-mentioned material.

유전체층의 두께는, 10 ㎚ ∼ 200 ㎚ 인 것이 바람직하고, 20 ㎚ ∼ 150 ㎚ 인 것이 보다 바람직하고, 20 ㎚ ∼ 130 ㎚ 인 것이 더욱 바람직하다. 유전체층의 두께가 과도하게 작으면, 연속 피막으로 되기 어렵다. 또, 유전체층의 두께가 과도하게 크면, 유전체층에 크랙이 발생하기 쉬워지거나 하는 경향이 있다.The thickness of the dielectric layer is preferably 10 nm to 200 nm, more preferably 20 nm to 150 nm, and even more preferably 20 nm to 130 nm. If the thickness of the dielectric layer is excessively small, it is difficult to form a continuous film. Moreover, when the thickness of the dielectric layer is excessively large, cracks are likely to occur in the dielectric layer.

유전체층은, 평균 입경이 1 ㎚ ∼ 500 ㎚ 인 나노 미립자를 가지고 있어도 된다. 유전체층 중의 나노 미립자의 함유량은 0.1 중량% ∼ 90 중량% 인 것이 바람직하다. 유전체층에 사용되는 나노 미립자의 평균 입경은, 상기 서술한 바와 같이 1 ㎚ ∼ 500 ㎚ 의 범위인 것이 바람직하고, 5 ㎚ ∼ 300 ㎚ 인 것이 보다 바람직하다. 또, 유전체층 중의 나노 미립자의 함유량은 10 중량% ∼ 80 중량% 인 것이 보다 바람직하고, 20 중량% ∼ 70 중량% 인 것이 더욱 바람직하다.The dielectric layer may have nano fine particles having an average particle diameter of 1 nm to 500 nm. The content of the nano fine particles in the dielectric layer is preferably 0.1% by weight to 90% by weight. As described above, the average particle diameter of the nanoparticles used in the dielectric layer is preferably in the range of 1 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 300 nm. Moreover, it is more preferable that content of the nanoparticles in a dielectric layer is 10 weight%-80 weight%, and it is still more preferable that it is 20 weight%-70 weight%.

나노 미립자를 형성하는 무기 산화물로는, 예를 들어, 산화규소 (실리카), 중공 나노 실리카, 산화티탄, 산화알루미늄, 산화아연, 산화주석, 산화지르코늄, 산화니오브 등의 미립자를 들 수 있다. 이들 중에서도, 산화규소 (실리카), 산화티탄, 산화알루미늄, 산화아연, 산화주석, 산화지르코늄, 산화니오브의 미립자가 바람직하다. 이들은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.Examples of the inorganic oxide forming the nanoparticles include microparticles such as silicon oxide (silica), hollow nano silica, titanium oxide, aluminum oxide, zinc oxide, tin oxide, zirconium oxide, and niobium oxide. Among these, fine particles of silicon oxide (silica), titanium oxide, aluminum oxide, zinc oxide, tin oxide, zirconium oxide, and niobium oxide are preferable. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.

(제 1 금속층) (First metal layer)

수지 필름 (1) 의 일방의 표면 (11a) 측에 형성되는 제 1 금속층 (21) 은, 전자파 실드 효과나 센서 기능 등을 충분히 얻기 위해서, 전기 저항률이 50 μΩ㎝ 이하인 것이 바람직하다. 금속층의 구성 재료로는, 이와 같은 전기 저항률을 만족하고 도전성을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, Cu, Al, Fe, Cr, Ti, Si, Nb, In, Zn, Sn, Au, Ag, Co, Cr, Ni, Pb, Pd, Pt, W, Zr, Ta, Hf, Mo, Mn, Mg, V 등의 금속이 적합하게 사용된다. 또, 이들 금속의 2 종 이상을 함유하는 것이나, 이들 금속을 주성분으로 하는 합금 등도 사용할 수 있다. 이들 금속 중에서도, 전자파 실드 특성이나 센서 기능에 기여하는 도전율이 높고, 비교적 저가격인 관점에서, Cu, Al 을 포함하는 것이 바람직하다. 특히, 비용 퍼포먼스와 생산 효율의 관점에서, Cu 를 포함하는 것이 바람직하지만, Cu 이외의 원소가 불순물 정도 포함되어 있어도 된다. 이에 따라, 전기 저항률이 충분히 작고 도전율이 높기 때문에, 전자파 실드 특성이나 센서 기능을 향상할 수 있다.The first metal layer 21 formed on one surface 11a side of the resin film 1 preferably has an electrical resistivity of 50 μΩcm or less in order to sufficiently obtain an electromagnetic wave shielding effect or a sensor function. The material of the metal layer is not particularly limited as long as it satisfies such electrical resistivity and has conductivity. For example, Cu, Al, Fe, Cr, Ti, Si, Nb, In, Zn, Sn, Au, Ag Metals such as, Co, Cr, Ni, Pb, Pd, Pt, W, Zr, Ta, Hf, Mo, Mn, Mg, V are suitably used. Moreover, what contains 2 or more types of these metals, the alloy etc. which have these metals as a main component can also be used. Among these metals, it is preferable to contain Cu and Al from the viewpoint of high conductivity and relatively low cost contributing to electromagnetic wave shielding characteristics and sensor functions. In particular, from the viewpoint of cost performance and production efficiency, it is preferable to include Cu, but elements other than Cu may contain impurities. Accordingly, since the electrical resistivity is sufficiently small and the conductivity is high, it is possible to improve electromagnetic wave shielding characteristics and sensor functions.

제 1 금속층 (21) 의 형성 방법은 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 방법을 채용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어, 막두께의 균일성이나 성막 효율의 관점에서, 스퍼터링법, 화학 기상 성장법 (CVD) 이나 물리 기상 성장법 (PVD) 등의 진공 성막법이나, 이온 플레이팅법, 도금법 (전해 도금, 무전해 도금), 핫 스탬프법, 코팅법 등에 의해 성막되는 것이 바람직하다. 또, 이들 제막 (製膜) 방법의 복수를 조합해도 되고, 필요로 하는 막두께에 따라 적절한 방법을 채용할 수도 있다. 그 중에서도, 스퍼터링법, 진공 성막법이 바람직하고, 스퍼터링법이 특히 바람직하다. 이에 따라, 롤·투·롤 제법에 의해 연속 생산할 수 있어 생산 효율을 높임과 함께, 성막시의 막두께를 제어할 수 있기 때문에, 도전성 필름의 표면 저항값의 상승을 억제할 수 있다. 또, 얇고 막두께가 균일하고, 치밀한 금속층을 형성할 수 있다.The formation method of the 1st metal layer 21 is not specifically limited, A conventionally well-known method can be employ|adopted. Specifically, for example, from the viewpoint of film thickness uniformity and film formation efficiency, vacuum film forming methods such as sputtering, chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD), ion plating, plating It is preferable to form a film by (electrolytic plating, electroless plating), hot stamping, coating or the like. Further, a plurality of these film forming methods may be combined, or an appropriate method may be employed depending on the required film thickness. Especially, the sputtering method and the vacuum film forming method are preferable, and the sputtering method is especially preferable. Thereby, since it can be continuously produced by the roll-to-roll manufacturing method, the production efficiency can be increased and the film thickness at the time of film formation can be controlled, so that the increase in the surface resistance value of the conductive film can be suppressed. Further, a thin, uniform film thickness and a dense metal layer can be formed.

제 1 금속층 (21) 의 두께는, 10 ㎚ 이상 200 ㎚ 이하이다. 제 1 금속층 (21) 의 두께의 하한값은, 20 ㎚ 가 바람직하고, 50 ㎚ 가 보다 바람직하다. 한편, 제 1 금속층 (21) 의 두께의 상한값은, 160 ㎚ 가 바람직하다. 제 1 금속층 (21) 의 두께가 상기 상한값을 초과하면, 가열 후의 도전성 필름의 컬이 발생하기 쉬워지거나, 디바이스의 박형화가 곤란해지거나 한다. 두께가 상기 하한값보다 작으면, 가습열 조건 아래에서 도전성 필름의 표면 저항값이 고저항화하기 쉬워져 목표로 하는 가습열 신뢰성이 얻어지지 않거나, 금속층의 강도의 저하에 의한 패턴 배선의 박리가 발생하거나 한다.The thickness of the first metal layer 21 is 10 nm or more and 200 nm or less. The lower limit of the thickness of the first metal layer 21 is preferably 20 nm, and more preferably 50 nm. On the other hand, the upper limit of the thickness of the first metal layer 21 is preferably 160 nm. When the thickness of the first metal layer 21 exceeds the above upper limit, curling of the conductive film after heating tends to occur, or the thickness of the device becomes difficult. If the thickness is smaller than the above lower limit, the surface resistance value of the conductive film is likely to be high resistance under humidification heat conditions, so that targeted humidification heat reliability is not obtained, or peeling of the pattern wiring occurs due to a decrease in the strength of the metal layer. Or

제 1 금속층 (21) 의 수지 필름 (1) 과는 반대측의 표면 (21a) 의 표면 조도 Rz 는, 100 ㎚ 이하이다. 제 1 금속층 (21) 의 표면 (21a) 의 표면 조도 Rz 는, 90 ㎚ 이하가 바람직하고, 70 ㎚ 이하가 보다 바람직하다. 한편, 제 1 금속층 (21) 의 표면 (21a) 의 표면 조도 Rz 는, 1 ㎚ 이상이 바람직하고, 10 ㎚ 이상이 보다 바람직하고, 30 ㎚ 이상이 더욱 바람직하다. 제 1 금속층 (21) 의 표면 (21a) 의 표면 조도 Rz 를 상기 범위로 함으로써, 제 1 금속층 (21) 에 있어서의 급준한 돌기 내지 단차를 없앨 수 있어, 핀홀의 발생을 억제하고, 그 결과, 패턴화한 금속층의 단선도 억제할 수 있다.The surface roughness Rz of the surface 21a on the opposite side to the resin film 1 of the first metal layer 21 is 100 nm or less. The surface roughness Rz of the surface 21a of the first metal layer 21 is preferably 90 nm or less, and more preferably 70 nm or less. On the other hand, the surface roughness Rz of the surface 21a of the first metal layer 21 is preferably 1 nm or more, more preferably 10 nm or more, and even more preferably 30 nm or more. By setting the surface roughness Rz of the surface 21a of the first metal layer 21 to the above range, steep protrusions or steps in the first metal layer 21 can be eliminated, and pinhole generation is suppressed. As a result, The disconnection of the patterned metal layer can also be suppressed.

(보호층) (Protective layer)

보호층은, 예를 들어 제 1 금속층 (21) 이 대기 중의 산소의 영향을 받아 자연스럽게 산화하는 것을 방지하기 위해서, 제 1 금속층 (21) 의 최표면 (21a) 측에 형성할 수 있다 (도시하지 않음). 보호층은, 제 1 금속층 (21) 의 녹 방지 효과를 나타내는 것인 한 특별히 한정되지 않지만, 스퍼터할 수 있는 금속이 바람직하고, Ni, Cu, Ti, Si, Zn, Sn, Cr, Fe, 인듐, 갈륨, 안티몬, 지르코늄, 마그네슘, 알루미늄, 금, 은, 팔라듐, 텅스텐으로 이루어지는 중에서 선택되는 어느 1 종류 이상의 금속 또는 이들의 산화물이 사용된다. Ni, Cu, Ti 는, 부동태층을 형성하기 때문에 잘 부식되지 않고, Si 는 내식성이 향상되기 때문에 잘 부식되지 않고, Zn, Cr 은 표면에 치밀한 산화 피막을 형성하기 때문에 잘 부식되지 않는 금속이기 때문에 바람직하다.The protective layer can be formed on the outermost surface 21a side of the first metal layer 21 to prevent the first metal layer 21 from being naturally oxidized under the influence of oxygen in the atmosphere (not shown). Not). The protective layer is not particularly limited as long as it exhibits a rust-preventing effect of the first metal layer 21, but a sputterable metal is preferable, and Ni, Cu, Ti, Si, Zn, Sn, Cr, Fe, and indium , Gallium, antimony, zirconium, magnesium, aluminum, gold, silver, palladium, tungsten, or any one or more metals or oxides thereof. Because Ni, Cu, and Ti do not corrode well because they form a passivation layer, Si does not corrode well because of improved corrosion resistance, and Zn and Cr are metals that do not corrode well because they form a dense oxide film on the surface. desirable.

보호층의 재료로는, 제 1 금속층 (21) 과의 밀착성을 담보시켜 확실하게 제 1 금속층 (21) 의 녹을 방지하는 관점에서, 2 종의 금속으로 이루어지는 합금을 사용할 수는 있지만, 3 종 이상의 금속으로 이루어지는 합금이 바람직하다. 합금 3 종 이상의 금속으로 이루어지는 합금으로는, Ni-Cu-Ti, Ni-Cu-Fe, Ni-Cu-Cr 등을 들 수 있으며, 방청 기능과 생산 효율의 관점에서, Ni-Cu-Ti 가 바람직하다. 또한, 제 1 금속층 (21) 과의 밀착성을 담보시키는 관점에서, 제 1 금속층 (21) 의 형성 재료를 포함하는 합금인 것이 바람직하다. 이에 따라, 제 1 금속층 (21) 의 산화를 확실하게 방지할 수 있다.As a material for the protective layer, an alloy made of two kinds of metals can be used, although three or more kinds of metals can be used from the viewpoint of ensuring the adhesion to the first metal layer 21 and reliably preventing rust of the first metal layer 21. An alloy made of metal is preferred. Examples of alloys composed of three or more types of metals include Ni-Cu-Ti, Ni-Cu-Fe, Ni-Cu-Cr, and the like, and Ni-Cu-Ti is preferred from the viewpoint of rust prevention function and production efficiency. Do. Moreover, it is preferable that it is an alloy containing the forming material of the 1st metal layer 21 from a viewpoint of ensuring the adhesiveness with the 1st metal layer 21. Thereby, oxidation of the 1st metal layer 21 can be prevented reliably.

또, 보호층의 재료로는, 예를 들어, 인듐 도프 산화주석 (ITO), 안티몬을 함유하는 산화주석 (ATO), 알루미늄 도프 산화아연 (AZO), 갈륨 도프 산화아연 (GZO), 인듐 도프 산화아연 (IZO) 이 포함되어 있어도 된다. 도전성 필름의 초기의 표면 저항값의 상승을 억제할 뿐만 아니라, 가습열 조건 아래의 표면 저항값의 상승을 억제할 수 있고, 표면 저항값의 안정화를 최적으로 할 수 있기 때문에, 바람직하다.Further, as the material of the protective layer, for example, indium-doped tin oxide (ITO), antimony-containing tin oxide (ATO), aluminum-doped zinc oxide (AZO), gallium-doped zinc oxide (GZO), indium-doped oxide Zinc (IZO) may be included. It is preferable not only to suppress an increase in the initial surface resistance value of the conductive film, but also to suppress an increase in the surface resistance value under humidifying and heating conditions, and to stabilize the surface resistance value optimally.

상기 금속의 산화물이란, SiOx (x = 1.0 ∼ 2.0), 산화동, 산화은, 산화티탄 등의 산화물이 바람직하다. 또한, 전술한 금속, 합금, 산화물 등 대신에, 제 1 금속층 (21) 상에 아크릴계 수지나 에폭시계 수지와 같은 수지층을 형성함으로써 방청 효과를 가져오는 것도 가능하다.As the oxide of the metal, oxides such as SiO x (x = 1.0 to 2.0), copper oxide, silver oxide, and titanium oxide are preferable. Further, instead of the above-described metal, alloy, oxide, etc., it is also possible to bring the anti-corrosive effect by forming a resin layer such as an acrylic resin or an epoxy resin on the first metal layer 21.

보호층의 막두께는, 1 ∼ 50 ㎚ 가 바람직하고, 2 ∼ 30 ㎚ 가 보다 바람직하고, 3 ∼ 20 ㎚ 가 바람직하다. 이에 따라, 내구성이 향상되고 표면층으로부터 산화를 방지할 수 있기 때문에, 가습열 조건 아래에서의 표면 저항값은 상승을 억제할 수 있다.The film thickness of the protective layer is preferably 1 to 50 nm, more preferably 2 to 30 nm, and preferably 3 to 20 nm. Thereby, since the durability is improved and oxidation can be prevented from the surface layer, the increase in the surface resistance value under humidifying heat conditions can be suppressed.

《제 2 실시형태》<<second embodiment>>

제 1 실시형태에서는, 수지 필름의 일방의 면에 금속층이 형성되어 있는 데 반해, 제 2 실시형태에서는, 수지 필름의 양면에 금속층이 형성되어 있다. 본 실시형태에 있어서의 수지 필름의 타방의 면에 형성되는 층 구조는, 제 1 실시형태와 동일하므로, 이하에서는 본 실시형태에 특징적인 점에 대해서 주로 설명한다.In the first embodiment, a metal layer is formed on one side of the resin film, whereas in the second embodiment, a metal layer is formed on both sides of the resin film. Since the layer structure formed on the other side of the resin film in this embodiment is the same as that in the first embodiment, features characteristic of this embodiment will be mainly described below.

도 2 는, 본 발명의 추가적인 실시형태에 관련된 도전성 필름의 모식적 단면도이다. 도 2 에 나타내는 도전성 필름 (200) 은, 제 1 금속층 (21) 과 수지 필름 (1) 을 구비하고, 또한, 수지 필름 (1) 의 제 1 금속층 (21) 과는 반대측에 배치된 제 2 금속층 (22) 을 구비하고 있다 (이하, 제 1 금속층과 제 2 금속층을 구별하지 않는 경우에는, 간단히 「금속층」 이라고 칭하는 경우가 있다.). 본 실시형태에서는, 수지 필름 (1) 과 제 1 금속층 (21) 의 사이에 형성된 하지층 (31) 더하여, 수지 필름 (1) 과 제 2 금속층 (22) 의 사이에도 하지층 (32) 이 형성되어 있다 (이하, 양면의 하지층을 구별하지 않는 경우에는, 간단히 「하지층」 이라고 칭하는 경우가 있다.). 단, 하지층은 수지 필름 (1) 의 양면에 형성되어 있을 필요는 없고, 어느 일방의 면측에 형성되어 있어도 된다.2 is a schematic cross-sectional view of a conductive film according to a further embodiment of the present invention. The conductive film 200 shown in FIG. 2 includes a first metal layer 21 and a resin film 1, and a second metal layer disposed on the opposite side to the first metal layer 21 of the resin film 1 (22) is provided (hereinafter, in the case where the first metal layer and the second metal layer are not distinguished, it may be simply referred to as a "metal layer"). In the present embodiment, the base layer 31 formed between the resin film 1 and the first metal layer 21, and in addition, the base layer 32 is also formed between the resin film 1 and the second metal layer 22. (Hereinafter, when not distinguishing the underlayers on both sides, it may be referred to simply as "underlayer"). However, the base layer need not be formed on both surfaces of the resin film 1, and may be formed on either side.

본 실시형태에 있어서의 제 2 금속층 (22) 및 하지층 (32) 의 형성 재료나 층 구조는, 기본적으로 제 1 실시형태에 있어서의 제 1 금속층 (21) 및 하지층 (31) 과 동일한 것을 적합하게 채용할 수 있다.The forming material and layer structure of the second metal layer 22 and the base layer 32 in this embodiment are basically the same as those of the first metal layer 21 and the base layer 31 in the first embodiment. It can be suitably employed.

수지 필름 (1) 의 제 2 금속층 (22) 측의 표면 (12a) 의 표면 조도 Ra 는, 0.5 ㎚ 이상 10 ㎚ 이하인 것이 바람직하다. 수지 필름 (1) 의 표면 (12a) 의 표면 조도 Ra 의 하한값은, 1.5 ㎚ 가 바람직하고, 3 ㎚ 가 보다 바람직하다. 한편, 수지 필름 (1) 의 표면 (12a) 의 표면 조도 Ra 의 상한값은, 8 ㎚ 가 바람직하고, 6 ㎚ 가 보다 바람직하다. 금속층의 표면 상태는, 수지 필름 (1) 의 표면 상태를 그대로 이어받는 경향이 있기 때문에, 수지 필름 (1) 의 표면 조도 Ra 를 상기 범위로 함으로써, 제 2 금속층 (22) 의 표면 (22a) 의 표면 조도 Rz 를 소정 범위로 효율적으로 제어할 수 있다. 또한, 수지 필름 (1) 의 양면의 표면 조도 Ra 는 서로 동일해도 되고, 상이해도 된다.The surface roughness Ra of the surface 12a on the second metal layer 22 side of the resin film 1 is preferably 0.5 nm or more and 10 nm or less. The lower limit of the surface roughness Ra of the surface 12a of the resin film 1 is preferably 1.5 nm, and more preferably 3 nm. On the other hand, the upper limit of the surface roughness Ra of the surface 12a of the resin film 1 is preferably 8 nm, and more preferably 6 nm. Since the surface state of the metal layer tends to inherit the surface state of the resin film 1 as it is, by setting the surface roughness Ra of the resin film 1 to the above range, the surface state of the surface 22a of the second metal layer 22 Surface roughness Rz can be efficiently controlled in a predetermined range. In addition, the surface roughness Ra of both surfaces of the resin film 1 may be the same or different from each other.

제 2 금속층 (22) 의 두께는, 10 ㎚ 이상 200 ㎚ 이하이다. 제 2 금속층 (22) 의 두께의 하한값은, 20 ㎚ 가 바람직하고, 50 ㎚ 가 보다 바람직하다. 한편, 제 2 금속층 (22) 의 두께의 상한값은, 160 ㎚ 가 바람직하다. 제 2 금속층 (22) 의 두께가 상기 상한값을 초과하면, 가열 후의 도전성 필름의 컬이 발생하기 쉬워지거나, 디바이스의 박형화가 곤란해지거나 한다. 두께가 상기 하한값보다 작으면, 가습열 조건 아래에서 도전성 필름의 표면 저항값이 고저항화하기 쉬워져 목표로 하는 가습열 신뢰성이 얻어지지 않거나, 금속층의 강도의 저하에 의한 패턴 배선의 박리가 발생하거나 한다. 또한, 양면의 금속층의 두께는 서로 동일해도 되고, 상이해도 된다.The thickness of the second metal layer 22 is 10 nm or more and 200 nm or less. The lower limit of the thickness of the second metal layer 22 is preferably 20 nm, and more preferably 50 nm. On the other hand, the upper limit of the thickness of the second metal layer 22 is preferably 160 nm. When the thickness of the second metal layer 22 exceeds the above upper limit, curling of the conductive film after heating tends to occur, or the thickness of the device becomes difficult. If the thickness is smaller than the above lower limit, the surface resistance value of the conductive film is likely to be high resistance under humidification heat conditions, so that targeted humidification heat reliability is not obtained, or peeling of the pattern wiring occurs due to a decrease in the strength of the metal layer. Or In addition, the thicknesses of the metal layers on both sides may be the same or different from each other.

제 2 금속층 (22) 의 수지 필름 (1) 과는 반대측의 표면 (22a) 의 표면 조도 Rz 는, 100 ㎚ 이하이다. 제 2 금속층 (22) 의 표면 (22a) 의 표면 조도 Rz 는, 90 ㎚ 이하가 바람직하고, 70 ㎚ 이하가 보다 바람직하다. 한편, 제 2 금속층 (22) 의 표면 (22a) 의 표면 조도 Rz 는, 1 ㎚ 이상이 바람직하고, 10 ㎚ 이상이 보다 바람직하고, 30 ㎚ 이상이 더욱 바람직하다. 제 2 금속층 (22) 의 표면 (22a) 의 표면 조도 Rz 를 상기 범위로 함으로써, 제 2 금속층 (22) 에 있어서의 급준한 돌기 내지 단차를 없앨 수 있어, 핀홀의 발생을 억제하고, 그 결과, 패턴화한 금속층의 단선도 억제할 수 있다. 또한, 양면의 금속층의 표면 조도 Rz 는 서로 동일해도 되고, 상이해도 된다.The surface roughness Rz of the surface 22a on the opposite side to the resin film 1 of the second metal layer 22 is 100 nm or less. The surface roughness Rz of the surface 22a of the second metal layer 22 is preferably 90 nm or less, and more preferably 70 nm or less. On the other hand, the surface roughness Rz of the surface 22a of the second metal layer 22 is preferably 1 nm or more, more preferably 10 nm or more, and even more preferably 30 nm or more. By making the surface roughness Rz of the surface 22a of the second metal layer 22 within the above range, steep protrusions or steps in the second metal layer 22 can be eliminated, and the occurrence of pinholes is suppressed. As a result, The disconnection of the patterned metal layer can also be suppressed. Moreover, the surface roughness Rz of the metal layer of both surfaces may mutually be same or different.

제 1 금속층 (21) 의 수지 필름 (1) 과는 반대측의 표면 (21a) 의 표면 조도 Ra 및 제 2 금속층 (22) 의 수지 필름 (1) 과는 반대측의 표면 (22a) 의 표면 조도 Ra 중 적어도 일방은, 0.5 ㎚ 이상 10 ㎚ 이하인 것이 바람직하다. 상기 표면 조도 Ra 는, 1.5 ㎚ 이상이 보다 바람직하고, 3 ㎚ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 상기 표면 조도 Ra 는, 8 ㎚ 이하가 보다 바람직하고, 6 ㎚ 이상이 더욱 바람직하다. 양면의 금속층의 표면 조도 Ra 의 일방 또는 양방을 소정 범위로 제어함으로써, 금속층 표면에 적당한 요철을 부여할 수 있고, 핀홀의 발생의 억제와 블로킹의 방지를 양립시킬 수 있다. 또한, 양면의 금속층의 표면 조도 Ra 는 서로 동일해도 되고, 상이해도 된다.Among the surface roughness Ra of the surface 21a opposite to the resin film 1 of the first metal layer 21 and the surface roughness Ra of the surface 22a opposite the resin film 1 of the second metal layer 22 It is preferable that at least one is 0.5 nm or more and 10 nm or less. The surface roughness Ra is more preferably 1.5 nm or more, and even more preferably 3 nm or more. On the other hand, the surface roughness Ra is more preferably 8 nm or less, and even more preferably 6 nm or more. By controlling one or both of the surface roughness Ra of the double-sided metal layer to a predetermined range, it is possible to provide an unevenness to the surface of the metal layer, and to suppress the occurrence of pinholes and to prevent blocking. Further, the surface roughness Ra of the metal layers on both sides may be the same or different from each other.

제 1 금속층 (21) 의 두께와 제 2 금속층 (22) 의 두께의 차의 절대값은 5 ㎚ 이하인 것이 바람직하고, 3 ㎚ 이하인 것이 보다 바람직하다. 양면의 금속층의 두께를 서로 가깝게 함으로써 금속층에 발생하는 응력이 상쇄되고, 도전성 필름의 컬이나 금속층의 박리 등을 방지할 수 있다.The absolute value of the difference between the thickness of the first metal layer 21 and the thickness of the second metal layer 22 is preferably 5 nm or less, and more preferably 3 nm or less. By making the thickness of the metal layers on both sides close to each other, the stress generated in the metal layer is canceled out, and curling of the conductive film or peeling of the metal layer can be prevented.

(도전성 필름의 특성) (Characteristics of conductive film)

도전성 필름 (100, 200) 의 초기의 표면 저항값 R1 은, 0.001 Ω/□ ∼ 10.0 Ω/□ 인 것이 바람직하고, 0.01 Ω/□ ∼ 3.5 Ω/□ 인 것이 보다 바람직하고, 0.1 Ω/□ ∼ 1.0 Ω/□ 인 것이 더욱 바람직하다. 이에 따라 생산 효율이 우수한 실용적인 도전성 필름을 제공할 수 있다.The initial surface resistance value R 1 of the conductive films 100 and 200 is preferably 0.001 Ω/□ to 10.0 Ω/□, more preferably 0.01 Ω/□ to 3.5 Ω/□, and 0.1 Ω/□ It is more preferably from 1.0 to Ω/□. Accordingly, it is possible to provide a practical conductive film having excellent production efficiency.

도전성 필름 (100, 200) 의 두께는, 2 ∼ 200 ㎛ 의 범위 내인 것이 바람직하고, 10 ∼ 100 ㎛ 의 범위 내인 것이 보다 바람직하고, 20 ∼ 60 ㎛ 의 범위 내인 것이 더욱 바람직하다. 이에 따라, 도전성 필름 자체도 얇게 할 수 있고, 전자파 실드 시트나 센서 등에 사용한 경우의 두께를 억제하는 것이 가능해진다. 그 때문에, 전자파 실드 시트나 센서 등의 박형화에 대응할 수 있다. 또한, 도전성 필름의 두께가 상기의 범위 내이면, 유연성을 확보하면서 기계적 강도를 충분하게 할 수 있고, 필름을 롤상으로 하여 Si 함유층이나 금속층 등을 연속적으로 형성하는 조작이 용이해지고, 생산 효율이 향상된다.The thickness of the conductive films 100 and 200 is preferably in the range of 2 to 200 μm, more preferably in the range of 10 to 100 μm, and more preferably in the range of 20 to 60 μm. Thereby, the conductive film itself can also be made thin, and it becomes possible to suppress the thickness when used in an electromagnetic shield sheet, sensor, or the like. Therefore, it can cope with thinning of an electromagnetic shield sheet or a sensor. In addition, if the thickness of the conductive film is within the above range, mechanical strength can be sufficiently secured while ensuring flexibility, and the operation of continuously forming a Si-containing layer or a metal layer, etc. by making the film into a roll becomes easy, and production efficiency is improved. do.

도전성 필름 (100, 200) 은, 반송성이나 취급의 관점에서 롤상으로 감아돌려져 있어도 된다. 수지 필름에 하지층, 금속층을 롤·투·롤법으로 연속적으로 형성함으로써, 효율적으로 도전성 필름을 제조할 수 있다.The conductive films 100 and 200 may be wound in a roll form from the viewpoint of conveyability and handling. By continuously forming a base layer and a metal layer on a resin film by a roll-to-roll method, a conductive film can be efficiently produced.

(도전성 필름의 용도) (Use of conductive film)

도전성 필름 (100, 200) 은 다양한 용도에 적용 가능하고, 예를 들어, 전자파 실드 시트나 면상 센서 등에 응용될 수 있다. 전자파 실드 시트는, 도전성 필름을 사용한 것이며, 터치 패널 등의 형태로 적합하게 사용할 수 있다. 상기 전자파 실드 시트의 두께는, 20 ㎛ ∼ 300 ㎛ 인 것이 바람직하다.The conductive films 100 and 200 may be applied to various uses, and may be applied to, for example, an electromagnetic shield sheet or a planar sensor. The electromagnetic shielding sheet is a conductive film, and can be suitably used in the form of a touch panel or the like. It is preferable that the thickness of the electromagnetic wave shield sheet is 20 μm to 300 μm.

또 전자파 실드 시트의 형상은, 특별하게는 한정되지 않고, 설치하는 대상물의 형상 등에 따라, 적층 방향 (시트의 두께 방향과 동일한 방향) 에서 본 형상을 방형상, 원형상, 삼각형상, 다각형상 등, 적절한 형상으로 선택할 수 있다.In addition, the shape of the electromagnetic wave shield sheet is not particularly limited, and depending on the shape of the object to be installed, the shape seen in the lamination direction (the same direction as the thickness direction of the sheet) is square, circular, triangular, polygonal, etc. , It can be selected as an appropriate shape.

면상 센서는, 도전성 필름을 사용한 것이며, 모바일 기기의 터치 패널이나 컨트롤러 등의 유저 인터페이스 용도에 추가로, 다양한 물리량 등을 센싱하는 센서를 포함한다. 상기 면상 센서의 두께는, 20 ㎛ ∼ 300 ㎛ 인 것이 바람직하다.The planar sensor is a conductive film, and includes sensors for sensing various physical quantities in addition to user interface applications such as a touch panel or controller of a mobile device. The thickness of the planar sensor is preferably 20 μm to 300 μm.

실시예Example

이하, 본 발명에 관해서 실시예를 이용하여 상세하게 설명하는데, 본 발명은 그 요지를 넘지 않는 한, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail using examples, but the present invention is not limited to the following examples unless the gist is exceeded.

<실시예 1><Example 1>

먼저, 폭 1.100 m, 길이 2500 m, 두께 150 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (토레이 필름 가공 주식회사 제조, 품명 「150-TT00A」, 이하, PET 필름이라고 한다.) 으로 이루어지는 장척상 (長尺狀) 수지 필름을 송출 롤에 감아 스퍼터 장치 내에 설치하였다. 그 후, 스퍼터 장치 내를 3.0 × 10-3 Torr 의 고진공으로 하고, 그 상태에서, 장척상 수지 필름을 송출 롤로부터 권취 롤로 보내면서, 스퍼터 성막을 실시하였다. Ar 가스 100 체적% 로 이루어지는 3.0 × 10-3 Torr 의 분위기 중에서, Cu 타겟 재료를 사용하여, 소결체 DC 마그네트론 스퍼터법에 의해, 금속층을 150 ㎚ 의 두께로 양면에 스퍼터 성막을 하고, 송출 롤에 필름을 권취함으로써, 도전성 필름의 권회체를 제조하였다.First, a long-length resin composed of a polyethylene terephthalate film having a width of 1.100 m, a length of 2500 m, and a thickness of 150 µm (manufactured by Toray Film Processing Co., Ltd., product name "150-TT00A", hereinafter referred to as PET film.) The film was wound around a delivery roll and installed in a sputtering device. Thereafter, the inside of the sputtering apparatus was made into a high vacuum of 3.0 x 10 -3 Torr, and in this state, sputter film formation was performed while sending a long resin film from a feeding roll to a winding roll. In an atmosphere of 3.0 x 10 -3 Torr consisting of 100% by volume of Ar gas, a Cu target material was used to form a metal layer sputtered on both sides with a thickness of 150 nm by a sintered body DC magnetron sputtering method, and a film on a delivery roll. By winding up, the wound body of the electroconductive film was produced.

<실시예 2><Example 2>

금속층을 100 ㎚ 의 두께로 양면에 스퍼터 성막한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 도전성 필름의 권회체를 제조하였다.A wound body of a conductive film was produced in the same manner as in Example 1, except that the metal layer was sputter-deposited on both sides with a thickness of 100 nm.

<비교예 1><Comparative Example 1>

금속층을 300 ㎚ 의 두께로 양면에 스퍼터 성막한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 도전성 필름의 권회체를 제조하였다.A wound body of a conductive film was produced in the same manner as in Example 1, except that the metal layer was sputter-deposited on both sides with a thickness of 300 nm.

<비교예 2><Comparative Example 2>

두께 38 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (미츠비시 수지 주식회사 제조, 품명 「TA-38T613N」) 을 사용한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 도전성 필름의 권회체를 제조하였다.A wound body of a conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that a polyethylene terephthalate film having a thickness of 38 µm (Mitsubishi Resin Co., Ltd. product name "TA-38T613N") was used.

<평가><Evaluation>

제조한 도전성 필름에 대해서, 이하의 평가를 실시하였다. 각각의 결과를 표 1 에 나타낸다.The following evaluation was performed about the produced conductive film. Table 1 shows the results.

(1) 두께의 측정(1) Measurement of thickness

금속층의 두께는, 투과형 전자 현미경 (히타치 제작소 제조, 제품명 「H-7650」) 을 사용하여, 도전성 필름의 단면 (斷面) 을 관찰하여 측정하였다.The thickness of the metal layer was measured by observing the cross section of the conductive film using a transmission electron microscope (manufactured by Hitachi, product name "H-7650").

(2) 금속층의 표면 조도 Ra 및 표면 조도 Rz 의 측정(2) Measurement of surface roughness Ra and surface roughness Rz of the metal layer

AFM (원자간력 현미경, Bruker 제조, 「Dimemsion Edge+NanoDrive」) 을 사용하여, 양면의 금속층의 표면 조도 Ra 및 표면 조도 Rz 를 측정하였다. 측정 결과는 양면 모두 동일한 값이었다. 측정은, 롤상의 필름의 임의의 위치로부터 잘라낸 매엽상 (枚葉狀) 의 필름에 있어서 랜덤하게 5 점에서 실시하고, 그들의 평균값을 취함으로써 실시하였다.The surface roughness Ra and the surface roughness Rz of the metal layer on both surfaces were measured using AFM (atomic force microscope, Bruker, "Dimemsion Edge+NanoDrive"). The measurement results were the same on both sides. The measurement was performed at five points at random on the sheet-like film cut out from an arbitrary position of the roll-shaped film, and was carried out by taking their average value.

(3) 수지 필름의 표면 조도 Ra 의 측정(3) Measurement of surface roughness Ra of the resin film

AFM (원자간력 현미경, Bruker 제조, 「Dimemsion Edge+NanoDrive」) 을 사용하여, 금속층을 형성하기 전의 수지 필름의 표면 조도 Ra 를 측정하였다 (도전성 필름으로부터 금속층을 제거함으로써도 측정 가능하다.). 측정 결과는 양면 모두 동일한 값이었다. 측정은, 롤상의 필름의 임의의 위치로부터 잘라낸 매엽상의 필름에 있어서 랜덤하게 5 점에서 실시하고, 그들의 평균값을 취함으로써 실시하였다.The surface roughness Ra of the resin film before the formation of the metal layer was measured using AFM (atomic force microscope, manufactured by Bruker, "Dimemsion Edge+NanoDrive"). The measurement results were the same on both sides. The measurement was performed at five points at random on the sheet-like film cut out from an arbitrary position of the roll-shaped film, and was carried out by taking their average values.

(5) 핀홀의 유무의 평가(5) Evaluation of the presence or absence of pinholes

금속층의 편면에 마스크 테이프를 첩합 (貼合) 하고, 암모니아 수용액 (농도 8 중량%) 100 중량부에 대하여 염화암모늄 8 중량부를 혼합한 용액 (에천트) 을 사용하여, 소정 패턴으로 에칭하고, 물 세정하여 건조시켰다. 라이트 테이블 (하쿠바사 제조, 「KLV7000」) 로 패턴화 한 금속층에 있어서의 핀홀의 유무를 확인하였다. 핀홀의 유무는, 이하의 평가 기준으로 판단하였다.A mask tape was applied to one side of the metal layer, and a solution (etchant) in which 8 parts by weight of ammonium chloride was mixed with respect to 100 parts by weight of aqueous ammonia (concentration 8% by weight) was used to etch in a predetermined pattern and water Washed and dried. The presence or absence of pinholes in the metal layer patterned with a light table (manufactured by Hakuba Corporation, "KLV7000") was confirmed. The presence or absence of pinholes was judged by the following evaluation criteria.

《평가 기준》"Evaluation standard"

○:핀홀 발생 없음○: No pinhole

△:핀홀부에서 구리 배선의 일부가 단선 △: Part of the copper wiring is disconnected at the pinhole.

×:핀홀부에서 구리 배선이 완전히 단선×: The copper wiring is completely disconnected at the pinhole.

(6) 블로킹의 유무의 평가(6) Evaluation of the presence or absence of blocking

롤상의 도전성 필름을 스퍼터 장치 내에 설치하고, 스퍼터 장치 내를 3.0 × 10-3 Torr 의 고진공으로 하고, 그 상태에서, 장척상 (長尺狀) 의 도전성 필름을 송출하고, 롤 표면을 확인하였다. 블로킹의 유무 (반송성) 는, 이하의 평가 기준으로 판단하였다.A roll-shaped conductive film was installed in the sputtering apparatus, and the inside of the sputtering apparatus was set to a high vacuum of 3.0 x 10 -3 Torr, and in this state, a long conductive film was sent out, and the roll surface was confirmed. The presence or absence of blocking (transportability) was judged by the following evaluation criteria.

《평가 기준》"Evaluation standard"

○:롤 표면에 흠집이 확인되지 않았다.○: No scratches were observed on the roll surface.

×:롤 표면에 흠집이 확인되었다.×: Scratches were observed on the roll surface.

Figure pat00001
Figure pat00001

(결과 및 고찰) (Results and Discussion)

실시예의 도전성 필름에서는, 핀홀의 발생이 억제되고 있음과 함께, 블로킹 방지성이 양호하였다. 한편, 비교예 1 에서는, 블로킹 방지성은 양호하기는 했지만, 핀홀이 다수 발생하고 있었다. 이것은, 금속층의 표면 조도가 지나치게 커, 급준한 돌기가 존재한 것에 의해, 블로킹 방지성은 발휘되었기는 하지만, 롤상으로의 감아돌리기시에 돌기가 붕괴하여 함몰한 것에 의한 것으로 추측된다. 비교예 2 에서는, 핀홀의 발생은 억제되고 있기는 했지만, 블로킹 방지성이 떨어졌다. 이것은, 금속층의 표면 조도가 지나치게 작아, 평활한 금속층끼리가 첩합된 것에서 기인하는 것으로 추측된다.In the conductive film of the example, the occurrence of pinholes was suppressed, and the anti-blocking property was good. On the other hand, in Comparative Example 1, although anti-blocking property was good, many pinholes were generated. This is because the surface roughness of the metal layer is too large and there are steep protrusions, but the anti-blocking property is exhibited, but it is presumed that the protrusions collapsed and collapsed during roll-up. In Comparative Example 2, the occurrence of pinholes was suppressed, but the anti-blocking property was poor. This is presumed to be due to the fact that the surface roughness of the metal layer is too small and the smooth metal layers are bonded together.

1:수지 필름
100:도전성 필름
11a:도전성 필름의 제 1 금속층측의 표면
12a:도전성 필름의 제 1 금속층과는 반대측 (제 2 금속층측) 의 표면
21:제 1 금속층
21a:제 1 금속층의 수지 필름과는 반대측의 표면
22:제 2 금속층
22a:제 2 금속층의 수지 필름과는 반대측의 표면
31, 32:하지층
1: Resin film
100: conductive film
11a: Surface of the conductive film on the first metal layer side
12a: Surface of the conductive film opposite to the first metal layer (the second metal layer side)
21: 1st metal layer
21a: The surface opposite to the resin film of the first metal layer
22: second metal layer
22a: The surface opposite to the resin film of the second metal layer
31, 32: Underground

Claims (10)

제 1 금속층과,
수지 필름
을 이 순서로 구비하고,
상기 제 1 금속층의 두께가 10 ㎚ 이상 200 ㎚ 이하이고,
상기 제 1 금속층의 상기 수지 필름과는 반대측의 표면의 표면 조도 Rz 가 100 ㎚ 이하인 도전성 필름.
A first metal layer,
Resin film
And in this order,
The thickness of the first metal layer is 10 nm or more and 200 nm or less,
The conductive film whose surface roughness Rz of the surface opposite to the said resin film of the said 1st metal layer is 100 nm or less.
제 1 항에 있어서,
상기 수지 필름의 상기 제 1 금속층과는 반대측의 표면의 표면 조도 Ra 가 30 ㎚ 이하인 도전성 필름.
According to claim 1,
The conductive film whose surface roughness Ra of the surface opposite to the said 1st metal layer of the said resin film is 30 nm or less.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 수지 필름의 상기 제 1 금속층측의 표면의 표면 조도 Ra 가 0.5 ㎚ 이상 10 ㎚ 이하인 도전성 필름.
The method according to claim 1 or 2,
The conductive film whose surface roughness Ra of the surface of the said 1st metal layer side of the said resin film is 0.5 nm or more and 10 nm or less.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수지 필름과 상기 제 1 금속층의 사이에 배치된 하지층 (下地層) 을 추가로 구비하는 도전성 필름.
The method according to any one of claims 1 to 3,
A conductive film further comprising an underlayer disposed between the resin film and the first metal layer.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수지 필름의 상기 제 1 금속층과는 반대측에 배치된 제 2 금속층을 추가로 구비하고,
상기 제 2 금속층의 두께가 10 ㎚ 이상 200 ㎚ 이하이고,
상기 제 2 금속층의 상기 수지 필름과는 반대측의 표면의 표면 조도 Rz 가 100 ㎚ 이하인 도전성 필름.
The method according to any one of claims 1 to 4,
Further comprising a second metal layer disposed on the opposite side to the first metal layer of the resin film,
The thickness of the second metal layer is 10 nm or more and 200 nm or less,
The conductive film whose surface roughness Rz of the surface opposite to the said resin film of the said 2nd metal layer is 100 nm or less.
제 5 항에 있어서,
상기 수지 필름의 상기 제 2 금속층측의 표면의 표면 조도 Ra 가 0.5 ㎚ 이상 10 ㎚ 이하인 도전성 필름.
The method of claim 5,
The conductive film whose surface roughness Ra of the surface of the said 2nd metal layer side of the said resin film is 0.5 nm or more and 10 nm or less.
제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 금속층의 상기 수지 필름과는 반대측의 표면의 표면 조도 Ra 및 상기 제 2 금속층의 상기 수지 필름과는 반대측의 표면의 표면 조도 Ra 중 적어도 일방이, 0.5 ㎚ 이상 10 ㎚ 이하인 도전성 필름.
The method of claim 5 or 6,
At least one of the surface roughness Ra of the surface on the opposite side to the resin film of the first metal layer and the surface roughness Ra of the surface on the opposite side to the resin film of the second metal layer is a conductive film of 0.5 nm or more and 10 nm or less.
제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수지 필름과 상기 제 2 금속층의 사이에 배치된 하지층을 추가로 구비하는 도전성 필름.
The method according to any one of claims 5 to 7,
A conductive film further comprising a base layer disposed between the resin film and the second metal layer.
제 5 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 금속층의 두께와 상기 제 2 금속층의 두께의 차의 절대값이 5 ㎚ 이하인 도전성 필름.
The method according to any one of claims 5 to 8,
The conductive film in which the absolute value of the difference between the thickness of the first metal layer and the thickness of the second metal layer is 5 nm or less.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
롤상으로 감아돌려져 있는 도전성 필름.
The method according to any one of claims 1 to 9,
A conductive film wound in a roll shape.
KR1020190154612A 2018-12-17 2019-11-27 Conductive film KR20200074860A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2018-235817 2018-12-17
JP2018235817A JP7305342B2 (en) 2018-12-17 2018-12-17 conductive film

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200074860A true KR20200074860A (en) 2020-06-25

Family

ID=71105605

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190154612A KR20200074860A (en) 2018-12-17 2019-11-27 Conductive film

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7305342B2 (en)
KR (1) KR20200074860A (en)
CN (1) CN111326277B (en)
TW (1) TW202033358A (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7151758B2 (en) * 2020-12-24 2022-10-12 住友金属鉱山株式会社 COPPER CLAD LAMINATES AND METHOD FOR MANUFACTURING COPPER CLAD LAMINATES

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011082848A (en) 2009-10-08 2011-04-21 Toray Ind Inc Metal layered resin film for plane antenna

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002275287A (en) * 2001-03-16 2002-09-25 Toray Ind Inc Polyester film
JP5567871B2 (en) * 2010-03-19 2014-08-06 パナソニック株式会社 Substrate with transparent conductive film and method for producing the same
US8778408B2 (en) * 2011-02-18 2014-07-15 Mitsui Chemicals, Inc. Antimicrobial substance, method for producing same, and antimicrobial material
JP5844996B2 (en) * 2011-05-11 2016-01-20 日東電工株式会社 Transparent conductive laminate and touch panel
WO2013122181A1 (en) * 2012-02-16 2013-08-22 東洋紡株式会社 Translucent laminate for reflecting heat rays and transmitting radio waves
JP5498537B2 (en) * 2012-07-06 2014-05-21 日東電工株式会社 Transparent conductive film, method for producing the same, and touch panel provided with the same
KR20140082404A (en) * 2012-12-24 2014-07-02 도레이첨단소재 주식회사 Transparent conductive film
JP6144798B2 (en) * 2014-04-17 2017-06-07 日東電工株式会社 Transparent conductive film
JP5932098B2 (en) * 2014-04-17 2016-06-08 日東電工株式会社 Transparent conductive film
CN105659198B (en) * 2014-04-30 2019-06-18 日东电工株式会社 Transparent conducting film
CN106575172B (en) * 2014-07-31 2022-04-29 住友金属矿山股份有限公司 Conductive substrate for touch panel, and method for manufacturing conductive substrate for touch panel
JP6577708B2 (en) 2014-12-05 2019-09-18 日東電工株式会社 Transparent conductive film and touch sensor using the same
WO2016189762A1 (en) * 2015-05-27 2016-12-01 日東電工株式会社 Transparent conductive film

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011082848A (en) 2009-10-08 2011-04-21 Toray Ind Inc Metal layered resin film for plane antenna

Also Published As

Publication number Publication date
JP7305342B2 (en) 2023-07-10
CN111326277B (en) 2023-08-25
CN111326277A (en) 2020-06-23
JP2020097142A (en) 2020-06-25
TW202033358A (en) 2020-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI450282B (en) Transparent conductive film with adhesive layer and manufacturing method thereof
JP7262218B2 (en) Conductive film with protective film and method for producing conductive film
JP5806620B2 (en) Transparent conductive film and touch panel
JP6912279B2 (en) Conductive film
JP7430480B2 (en) Conductive film with protective film
KR20200074860A (en) Conductive film
CN110614833B (en) Resin film, conductive film, and method for producing laminated film
JP6554015B2 (en) Conductive film
JP7280035B2 (en) Conductive film and method for producing conductive film
JP6801952B2 (en) Conductive film
JP2023159680A (en) transparent conductive film
JP7280036B2 (en) METHOD FOR MANUFACTURING CONDUCTIVE FILM
JP6737933B2 (en) Conductive film
JP2008197410A (en) Method for manufacturing optical filter for display and optical filter roll for display

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination