KR20200068006A - Asymmetrically shaped light-emitting device, backlight module using the same, and method for manufacturing the same - Google Patents

Asymmetrically shaped light-emitting device, backlight module using the same, and method for manufacturing the same Download PDF

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Abstract

The present invention relates to an asymmetrically shaped chip scale packaging (CSP) light emitting device (LED) which comprises an LED chip, a photoluminescent structure (or a light transmitting structure), and a reflective structure. The photoluminescent structure covers an upper surface and/or an edge surface of the LED chip. The reflective structure at least partially covers the edge surface of the photoluminescent structure. The reflective structure partially reflects primary light emitted from the edge surface of the LED chip and converted secondary light radiated from the edge surface of the photoluminescent structure, therefore asymmetrically shaping a radiation pattern.

Description

비대칭 형상화된 발광 디바이스, 이를 사용하는 백라이트 모듈 및 이를 제조하기 위한 방법{ASYMMETRICALLY SHAPED LIGHT-EMITTING DEVICE, BACKLIGHT MODULE USING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}Asymmetric shaped light emitting device, backlight module using the same and method for manufacturing the same{ASYMMETRICALLY SHAPED LIGHT-EMITTING DEVICE, BACKLIGHT MODULE USING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

본 출원은 2017년 7월 21일에 출원된 대만 특허 출원 제106124542호 및 2017년 7월 21일에 출원된 중국 특허 출원 제201710601827.1호에 대한 이익 및 우선권을 주장하며, 상기 출원들의 개시내용들은 그 전체가 참조로 본원에 통합된다.This application claims the benefit and priority of Taiwan Patent Application No. 106124542 filed on July 21, 2017 and Chinese Patent Application No. 201710601827.1 filed on July 21, 2017, the disclosures of which are The whole is incorporated herein by reference.

본 개시는 발광 디바이스 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이고; 더 상세하게는 액정 디스플레이(LCD) 백라이트 모듈에서 사용되는 비대칭 형상화된 칩-스케일 패키징(CSP) 발광 디바이스(LED), 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a light emitting device and a method of manufacturing the same; More particularly, it relates to an asymmetric shaped chip-scale packaging (CSP) light emitting device (LED) used in a liquid crystal display (LCD) backlight module, and a method of manufacturing the same.

LED 칩은 일반적으로 조명, 백라이트 또는 전자 제품들 내부의 표시등을 위한 광원으로 사용된다. 구체적으로, 1차 광을 생성하는 LED 칩은 통상적으로 패키지 구조 내부에 배치되어 LED 패키지를 형성하며, 1차 광의 일부가 포토루미네슨트 재료들에 의해 2차 광으로 변환되도록, 포토루미네슨트 재료들이 통상적으로 LED 칩의 방사 경로를 커버하도록 분배된다. 반사성 재료들은 또한 바람직한 발광 방향들이 달성될 수 있도록 패키지 구조의 일부로서 사용된다.LED chips are commonly used as light sources for lighting, backlights or indicators inside electronics. Specifically, the LED chip that generates the primary light is typically disposed inside the package structure to form an LED package, and a portion of the primary light is converted to secondary light by photoluminescent materials, so that the photoluminescent Materials are typically dispensed to cover the radiation path of the LED chip. Reflective materials are also used as part of the package structure so that desirable emission directions can be achieved.

이들 중, PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier) LED 패키지는 이들의 발광 방향에 따라 상단-뷰 LED 패키지 또는 측면-뷰 LED 패키지로 분류될 수 있다. 상단-뷰 LED 패키지는 일반 조명을 위한 광원 또는 직사광 LCD 디스플레이들을 위한 백라이트 소스로서 사용되는 한편, 측면-뷰 LED 패키지는 텔레비전들 또는 모바일 디바이스들을 위한 에지-광 LCD 디스플레이들을 위한 백라이트 소스로서 사용된다. 상단-뷰 LED 패키지 또는 측면-뷰 LED 패키지는 1차 발광 표면을 갖는다. LED 패키지의 광학 축은 일반적으로 1차 발광 표면(예를 들어, 직사각형)의 중심을 통과하고 1차 발광 표면에 수직인 축에 의해 특정된다. 단순화를 위해, 2개의 추가적인 축들은 1차 발광 표면의 길이 및 폭 방향들을 따르는 것으로 특정되고, 둘 모두는 광학 축에 수직이며, 길이 방향을 따른 축 및 폭 방향을 따른 축은 또한 서로 수직이다. 방사 패턴이 상단-뷰 LED 패키지(또는 측면-뷰 LED 패키지)의 길이 방향 및 폭 방향을 따라 측정되는 경우, 동일한(또는 유사한) 방사 패턴이 통상적으로 획득될 수 있다. 상단-뷰 LED 패키지 또는 측면-뷰 LED 패키지가 길이 및 폭 방향들을 따라 동일하거나 유사한 방사 패턴들을 갖기 때문에, PLCC-형 LED 패키지는 대칭 방사 패턴을 갖는다.Among them, a PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier) LED package may be classified into a top-view LED package or a side-view LED package according to their light emission direction. The top-view LED package is used as a light source for general illumination or as a backlight source for direct light LCD displays, while the side-view LED package is used as a backlight source for edge-light LCD displays for televisions or mobile devices. The top-view LED package or side-view LED package has a primary light emitting surface. The optical axis of the LED package is generally specified by an axis that passes through the center of the primary luminescent surface (eg, a rectangle) and is perpendicular to the primary luminescent surface. For simplicity, two additional axes are specified along the length and width directions of the primary light emitting surface, both are perpendicular to the optical axis, and the axis along the length direction and the axis along the width direction are also perpendicular to each other. If the radiation pattern is measured along the length and width directions of the top-view LED package (or side-view LED package), the same (or similar) radiation pattern can be typically obtained. Since the top-view LED package or side-view LED package has the same or similar emission patterns along the length and width directions, the PLCC-type LED package has a symmetrical emission pattern.

대칭 방사 패턴을 갖는 이러한 유형의 LED 패키지들은 가로등과 같은 비대칭 방사 패턴을 특정하는 일부 애플리케이션들을 충족시킬 수 없다. 다른 애플리케이션은 텔레비전들 또는 모바일 디바이스들에 대한 에지-광 타입 LCD가 비대칭 방사 패턴을 갖도록 백라이트 모듈의 광원을 특정하고, 여기서 LED 패키지들의 길이 방향(또는 백라이트 모듈의 길이 방향)을 따른 방사 패턴의 더 큰 각도가 바람직하다. 이러한 방식으로, 길이 방향을 따라 큰 시야각을 갖는 방사 패턴은 도광판에 더 균일한 입사광 분포를 제공할 수 있어서, 도광판을 따른 어두운 점들 또는 영역들을 감소시킨다. 큰 시야각을 갖는 광원이 사용되면, 도광판을 따라 광 막대에 사용되는 LED 패키지들의 수가 또한 감소될 수 있다. 에지-광 광원이 또한 LED 패키지의 폭 방향(또는 백라이트 모듈의 두께 방향)을 따라 방사 패턴의 더 작은 시야각을 제공하여, 입사광은 도광판으로부터 누설되는 대신 LED 광원으로부터 백라이트 모듈의 도광판으로 효과적으로 전송될 수 있어서 광 활용 효율을 증가시킬 수 있다.LED packages of this type with a symmetrical radiation pattern cannot meet some applications that specify an asymmetrical radiation pattern such as a street light. Another application specifies the light source of the backlight module so that the edge-light type LCD for televisions or mobile devices has an asymmetric emission pattern, where further of the radiation pattern along the longitudinal direction of the LED packages (or the longitudinal direction of the backlight module) Large angles are preferred. In this way, a radiation pattern with a large viewing angle along the longitudinal direction can provide a more uniform incident light distribution to the light guide plate, reducing dark spots or areas along the light guide plate. If a light source with a large viewing angle is used, the number of LED packages used for the light rod along the light guide plate can also be reduced. The edge-light source also provides a smaller viewing angle of the radiation pattern along the width direction (or the thickness direction of the backlight module) of the LED package, so that incident light can be effectively transmitted from the LED light source to the light guide plate of the backlight module instead of leaking from the light guide plate. Therefore, it is possible to increase the light utilization efficiency.

PLCC-타입 LED 패키지의 경우, 상단-뷰이든 또는 측면-뷰이든, 반사 컵을 갖는 리드 프레임을 주요 설계 구조로서 사용한다. 또한, 이는 통상적으로 포토루미네슨트 재료가 없는 LED 칩으로 패키징된다. 구체적으로, PLCC 반사 컵은 통상적으로 몰딩에 의해 제조된다. PLCC-타입 LED 패키지가 비대칭 방사 패턴을 특정하는 애플리케이션들에서 사용되면, 여분의 광학 렌즈 또는 2차 광학 렌즈가 통합되어 특정 방사 패턴을 달성하도록 광을 형상화하고, 이는 필연적으로 제조 비용을 증가시킬 것이다. 또한, 비대칭 방사 패턴을 달성하기 위해 사용되는 전체 공간이 크게 증가되고, 이는 오늘날 소비자 전자 제품의 최종 제품 설계에 유리하지 않다. 방사 패턴을 형상화하기 위해 광학 렌즈가 사용되지 않으면, 대안적인 접근법은 리드 프레임의 반사 컵 구조의 일부가 광-투과성으로 제조되는 것이다. 즉, 광은 광-투과 구조의 이러한 부분을 관통할 수 있어서, 방사 패턴이 변경될 수 있다. 그러나, 리드 프레임의 반사 컵 구조는 통상적으로 몰딩을 통해 제조된다. 따라서, 부분적 광-투과 구조 및 부분적 반사 구조를 갖는 반사 컵과 같은 비대칭 형상 기하구조를 갖는 LED 패키지는 대량 생산 프로세스를 사용하여 제조하기가 어렵다. 따라서, PLCC 타입 LED 패키지를 위한 비대칭 방사 패턴을 달성하는 능률적이고 비용 효과적인 방법이 여전히 바람직하다.For the PLCC-type LED package, a lead frame with a reflective cup, whether top-view or side-view, is used as the main design structure. In addition, it is typically packaged as an LED chip without photoluminescent material. Specifically, PLCC reflective cups are typically made by molding. When PLCC-type LED packages are used in applications that specify asymmetric emission patterns, extra optical lenses or secondary optical lenses are integrated to shape the light to achieve a specific emission pattern, which will inevitably increase manufacturing costs. . In addition, the total space used to achieve asymmetric radiation patterns is greatly increased, which is not advantageous for the final product design of consumer electronic products today. If no optical lens is used to shape the radiation pattern, an alternative approach is that part of the reflective cup structure of the lead frame is made light-transmissive. That is, light can penetrate this portion of the light-transmissive structure, so that the radiation pattern can be changed. However, the reflective cup structure of the lead frame is typically manufactured through molding. Therefore, LED packages with asymmetric shape geometry, such as reflective cups with partially light-transmissive and partially reflective structures, are difficult to manufacture using mass production processes. Therefore, an efficient and cost effective method of achieving an asymmetric emission pattern for a PLCC type LED package is still desirable.

텔레비전 및 모바일 디바이스들을 위한 LCD들의 크기가 계속해서 폼 팩터들에서 더 얇아지고 중량에서 더 경량화됨에 따라 백라이트 소스로서 사용되는 PLCC-타입 LED 패키지가 또한 계속해서 크기가 감소되어야 한다. 이러한 경향에서, 작은 폼 팩터를 갖는 CSP LED가 최근 개발되었다. CSP LED들은 LED 산업의 주요 개발 경향들 중 하나가 되었다. 예를 들어, CSP LED들은 직사광 백라이트 LCD TV들에서 사용되는 상단-뷰 PLCC LED들을 대체하기 위해 도입되었다. 백라이트에서 CSP LED들의 적용은 LED 백라이트 모듈의 크기를 추가로 감소시킬 수 있고, 동시에 더 높은 광 강도를 획득할 수 있다. CSP LED의 더 작은 크기는 2차 광학 렌즈의 설계 시에 유리하고, 더 높은 광 강도는 더 밝은 LCD의 설계 또는 달리 사용되는 LED들의 수의 감소에 유리하다.As the size of LCDs for televisions and mobile devices continues to be thinner in form factors and lighter in weight, the PLCC-type LED package used as a backlight source must also continue to be reduced in size. In this trend, CSP LEDs with a small form factor have been recently developed. CSP LEDs have become one of the major development trends in the LED industry. For example, CSP LEDs have been introduced to replace top-view PLCC LEDs used in direct backlight LCD TVs. The application of CSP LEDs in the backlight can further reduce the size of the LED backlight module, while at the same time obtaining a higher light intensity. The smaller size of the CSP LED is advantageous in the design of the secondary optical lens, and the higher light intensity is advantageous in the design of a brighter LCD or reduction in the number of LEDs otherwise used.

발광 표면들의 수에 따라, CSP LED들은 2가지 타입들, 즉, 상단 표면 발광 및 5-면 발광으로 카테고리화될 수 있다. 상단 표면 발광 CSP LED에 관하여, 플립-칩 LED 칩의 4개의 수직 에지 표면들은 반사 재료로 커버되어, 광은 단독으로 또는 주로 CSP LED의 상단 표면으로부터 방사된다. 따라서, 상단 표면 발광 CSP LED는 더 작은 시야각(약 120°)을 갖는다. 5면 발광 CSP LED의 광은 CSP LED의 상단 표면 뿐만 아니라 4개의 수직 에지 표면들로부터 외측으로 전송될 수 있고, 따라서 더 큰 시야각(약 140°내지 160°)을 갖는다. 그러나, PLCC-타입 LED 패키지들과 유사하게, 2가지 타입들의 CSP LED들 둘 모두는 대칭 방사 패턴을 갖는 발광 디바이스들의 카테고리에 속하고, 따라서 CSP LED들의 타입들 둘 모두는 비대칭 방사 패턴을 특정하는 애플리케이션을 충족시킬 수 없다. 또한, CSP LED의 경우, 비대칭 방사 패턴을 생성하기 위해 1차 광학 렌즈 또는 2차 광학 렌즈가 사용되면, 생산 비용이 크게 증가될 뿐만 아니라 렌즈와 함께 CSP LED의 공간이 크게 증가되고, 이는 CSP LED의 작은 폼 팩터의 이점을 없앨 것이다. 따라서, CSP LED를 사용하는 동안 비대칭 방사 패턴을 달성하기 위한 효과적인 설계가 여전히 부족하다.Depending on the number of light emitting surfaces, CSP LEDs can be categorized into two types: top surface light emission and five-side light emission. With respect to the top surface emitting CSP LED, the four vertical edge surfaces of the flip-chip LED chip are covered with a reflective material, so that light is emitted alone or mainly from the top surface of the CSP LED. Thus, the top surface emitting CSP LED has a smaller viewing angle (about 120°). The light of the five-sided emitting CSP LED can be transmitted outward from the four vertical edge surfaces as well as the top surface of the CSP LED, thus having a larger viewing angle (about 140° to 160°). However, similar to PLCC-type LED packages, both types of CSP LEDs belong to the category of light emitting devices with a symmetrical emission pattern, so both types of CSP LEDs specify an asymmetrical emission pattern. The application cannot be satisfied. In addition, in the case of a CSP LED, when a primary optical lens or a secondary optical lens is used to generate an asymmetric emission pattern, not only the production cost is greatly increased, but also the space of the CSP LED together with the lens is greatly increased, which is the CSP LED. Its small form factor will eliminate the benefits. Therefore, effective design to achieve an asymmetric emission pattern while using CSP LEDs is still lacking.

측면-뷰 PLCC 패키지 또는 다른 측면-뷰 표면 장착 LED 패키지들의 경우, 측면-뷰 패키지의 1차 발광 표면이 패키지의 본딩 패드 표면에 수직인 경우에도, 1차 발광 표면은 여전히 LED 칩의 전극 표면과 실질적으로 평행하다. CSP LED의 경우, 리드 프레임 또는 서브마운트 기판은 통상적으로 포함되지 않다. 즉, CSP LED의 전극 표면은 애플리케이션 장착 보드와 평행하고 그와 접촉한다. 따라서, 본 개시의 일부 실시예들에서, 상단-뷰 CSP는 1차 발광 표면 및 CSP LED의 전극 표면이 실질적으로 평행하다는 기술적 특징으로 특정될 것인 한편; 측면-뷰 CSP는 1차 발광 표면 및 CSP LED의 전극 표면이 실질적으로 수직이라는 기술적 특징으로 특정될 것이다.For side-view PLCC packages or other side-view surface mounted LED packages, even if the primary emitting surface of the side-view package is perpendicular to the bonding pad surface of the package, the primary emitting surface is still in contact with the electrode surface of the LED chip. Are substantially parallel. In the case of CSP LEDs, lead frames or submount substrates are typically not included. That is, the electrode surface of the CSP LED is parallel to and in contact with the application mounting board. Thus, in some embodiments of the present disclosure, the top-view CSP will be characterized by a technical feature that the primary light emitting surface and the electrode surface of the CSP LED are substantially parallel; The side-view CSP will be characterized by the technical feature that the primary light emitting surface and the electrode surface of the CSP LED are substantially vertical.

따라서, CSP LED는 크기에서 크게 감소될 수 있지만, 백라이트 애플리케이션들에서 사용되는 CSP LED들은 상단-뷰 CSP LED들이다. 즉, CSP LED의 1차 발광 표면 및 하부 전극 표면은 서로 실질적으로 평행하다. 상단-뷰 CSP LED가 에지-광 LCD에서 백라이트 소스로서 사용되는 경우, CSP LED의 1차 발광 표면이 도광판의 입사광 측면을 향하도록 특수한 L-형상 광 막대 설계가 포함된다. L-형상 광 막대는 생산 비용, 및 광 막대와 도광판 사이의 정렬의 어려움을 증가시킬 것이다. 또한, 발광 표면의 법선 방향에서 광 막대 모듈의 두께의 증가는 더 큰 디스플레이 프레임 베젤 크기를 초래한다. 1차 발광 표면 및 CSP LED의 하부 전극 표면이 서로 수직이면, 이는 측면-뷰 CSP LED로 특정된다. 측면-뷰 구조를 갖는 CSP LED가 채택되는 경우, L-형상 광 막대가 생략되어 상단 발광 표면을 도광판의 입사광 측면을 향하여 90도 회전시킬 수 있다. 따라서, 발광 표면 방향에 따른 광 막대 모듈의 두께가 효과적으로 감소될 수 있다. Thus, CSP LEDs can be greatly reduced in size, but CSP LEDs used in backlight applications are top-view CSP LEDs. That is, the primary light emitting surface and the lower electrode surface of the CSP LED are substantially parallel to each other. When a top-view CSP LED is used as a backlight source in an edge-light LCD, a special L-shaped light rod design is included such that the primary light emitting surface of the CSP LED is directed toward the incident light side of the light guide plate. L-shaped light rods will increase production cost and difficulty in alignment between the light rods and the light guide plate. In addition, an increase in the thickness of the light rod module in the normal direction of the light emitting surface results in a larger display frame bezel size. If the primary light emitting surface and the lower electrode surface of the CSP LED are perpendicular to each other, it is characterized as a side-view CSP LED. When a CSP LED having a side-view structure is employed, the L-shaped light rod can be omitted to rotate the top light emitting surface 90 degrees toward the incident light side of the light guide plate. Therefore, the thickness of the light rod module along the direction of the light emitting surface can be effectively reduced.

따라서, 비대칭 방사 패턴을 저비용 및 효율적인 방식으로 달성하기 위해 비대칭 기하학적 구조를 갖는 작은 폼 팩터 CSP LED를 제조하는 것, 및 서로 수직인 1차 발광 표면 및 하부 전극 표면을 갖는 작은 폼 팩터 측면-뷰 CSP LED를 실현하는 것이 여전히 바람직하며, 이는, 발광 표면의 방향을 따라 광 막대 모듈의 두께를 감소시켜 디스플레이 프레임 베젤 크기를 추가로 감소시키기 위해 에지-광 타입 백라이트 모듈에 적용될 수 있다.Thus, manufacturing small form factor CSP LEDs with asymmetric geometries to achieve asymmetric radiation patterns in a low cost and efficient manner, and small form factor side-view CSPs with primary light emitting surfaces and bottom electrode surfaces perpendicular to each other. It is still desirable to realize LEDs, which can be applied to edge-light type backlight modules to further reduce the display frame bezel size by reducing the thickness of the light bar module along the direction of the light emitting surface.

본 개시의 일부 실시예들의 목적은, 비대칭 방사 패턴을 생성하기 위해 LED의 방사 각도가 특정 발광 방향들로 효과적으로 제한되도록, 비대칭 형상의 반사 표면들을 갖는 상단-뷰 CSP LED, 상단-뷰 LED를 포함하는 백라이트 모듈 및 상단-뷰 LED를 제조하기 위한 방법을 제공하는 것이다.The purpose of some embodiments of the present disclosure includes a top-view CSP LED, top-view LED with asymmetrically shaped reflective surfaces, such that the emission angle of the LED is effectively limited to specific emission directions to create an asymmetric emission pattern. To provide a backlight module and a method for manufacturing a top-view LED.

본 개시의 일부 실시예들의 다른 목적은 서로 실질적으로 수직인 1차 발광 표면 및 하부 전극 표면을 갖는 측면-뷰 CSP LED, 측면-뷰 LED를 포함하는 백라이트 모듈, 및 측면-뷰 LED를 제조하는 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object of some embodiments of the present disclosure is to produce a side-view CSP LED having a primary light-emitting surface and a lower electrode surface that are substantially perpendicular to each other, a backlight module comprising the side-view LED, and manufacturing a side-view LED. Is to provide a way.

상기 목적들을 달성하기 위하여, 본 개시의 일부 실시예들에 따른 비대칭 형상의 반사 구조를 갖는 상단-뷰 LED는, LED 칩, 포토루미네슨트 구조 및 반사 구조를 포함한다. LED 칩은 상부 표면, 상부 표면에 대향하는 하부 표면, 에지 표면 및 전극들의 세트를 갖는다. 에지 표면은 상부 표면과 하부 표면 사이에서 형성되고 확장되며, 전극들의 세트는 하부 표면 상에 또는 그에 인접하게 배치되어 하부 전극 표면을 형성한다. 또한, 서로 수직인 제1 수평 방향 및 제2 수평 방향은 LED 칩의 상부 표면 상의 길이 방향 및 폭 방향을 따라 각각 특정된다. 포토루미네슨트 구조는 상단 표면, 상단 표면에 대향하는 바닥 표면 및 측면 표면을 갖는다. 측면 표면은 상단 표면과 바닥 표면 사이에서 형성되고 확장된다. 포토루미네슨트 구조는 LED 칩의 상부 표면 및/또는 에지 표면을 커버한다. 반사 구조는 포토루미네슨트 구조의 측면 표면을 부분적으로 커버한다. 포토루미네슨트 구조의 측면 표면은 4개의 수직 측면 표면들을 갖는다. 4개의 수직 측면 표면들 중 2개의 수직 측면 표면들은 제2 수평 방향에 수직으로 대향하여 배치되고, 이들 중 하나는 반사 구조에 의해 커버되어 측면 반사 표면을 형성하고, 다른 하나는 반사 구조에 의해 커버되지 않아서 측면 발광 표면을 형성하고, LED 칩의 측면 발광 표면 및 하부 전극 표면은 서로 실질적으로 수직이다. 다른 2개의 수직 측면 표면들은 제1 수평 방향에 수직으로 대향하여 배치되어 2개의 측면 발광 표면들을 형성한다.To achieve the above objects, a top-view LED having an asymmetric shape reflective structure according to some embodiments of the present disclosure includes an LED chip, a photoluminescent structure and a reflective structure. The LED chip has a top surface, a bottom surface opposite the top surface, an edge surface and a set of electrodes. The edge surface is formed and extended between the top surface and the bottom surface, and a set of electrodes is disposed on or adjacent to the bottom surface to form the bottom electrode surface. Further, the first horizontal direction and the second horizontal direction perpendicular to each other are respectively specified along the length direction and the width direction on the upper surface of the LED chip. The photoluminescent structure has a top surface, a bottom surface facing the top surface, and a side surface. The side surface is formed and extends between the top surface and the bottom surface. The photoluminescent structure covers the top surface and/or edge surface of the LED chip. The reflective structure partially covers the side surface of the photoluminescent structure. The side surface of the photoluminescent structure has four vertical side surfaces. Two of the four vertical side surfaces are disposed vertically opposite to the second horizontal direction, one of which is covered by a reflective structure to form a side reflective surface, and the other is covered by a reflective structure Not forming a side light emitting surface, and the side light emitting surface and the lower electrode surface of the LED chip are substantially perpendicular to each other. The other two vertical side surfaces are disposed perpendicularly to the first horizontal direction to form two side light emitting surfaces.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 개시에 따른 일부 실시예들은 LED 칩, 포토루미네슨트 구조 및 반사 구조를 포함하는 측면-뷰 CSP LED에 관한 것이다. LED 칩은 상부 표면, 상부 표면에 대향하는 하부 표면, 에지 표면 및 전극들의 세트를 갖는다. 에지 표면은 상부 표면과 하부 표면 사이에서 형성되고 확장되며, 전극들의 세트는 하부 표면 상에 또는 그에 인접하게 배치된다. 전극들의 세트 및 하부 표면은 집합적으로 LED 칩의 하부 전극 표면을 형성한다. 또한, 서로 수직인 제1 수평 방향 및 제2 수평 방향은 LED 칩의 상부 표면 상의 길이 방향 및 폭 방향을 따라 특정된다. 포토루미네슨트 구조는 LED 칩의 에지 표면 및/또는 상부 표면을 커버한다. 반사 구조는 포토루미네슨트 구조의 상단 표면을 실질적으로 완전히 커버하여 상부 반사 표면을 형성하고, 포토루미네슨트 구조의 측면 표면을 부분적으로 커버하여 적어도 하나의 측면 반사 표면을 형성한다.To achieve the above object, some embodiments according to the present disclosure relate to a side-view CSP LED comprising an LED chip, a photoluminescent structure and a reflective structure. The LED chip has a top surface, a bottom surface opposite the top surface, an edge surface and a set of electrodes. The edge surface is formed and extended between the top surface and the bottom surface, and a set of electrodes is disposed on or adjacent to the bottom surface. The set of electrodes and the bottom surface collectively form the bottom electrode surface of the LED chip. Further, the first horizontal direction and the second horizontal direction perpendicular to each other are specified along the length direction and the width direction on the upper surface of the LED chip. The photoluminescent structure covers the edge surface and/or the top surface of the LED chip. The reflective structure substantially covers the top surface of the photoluminescent structure to form an upper reflective surface, and partially covers the side surface of the photoluminescent structure to form at least one side reflective surface.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 개시의 다른 실시예들은 LED 칩, 광-투과 구조 및 반사 구조를 포함하는 비대칭 반사 구조를 갖는 상단-뷰 모노크로매틱 LED에 관한 것이고, LED 칩은 상부 표면, 상부 표면에 대향하는 하부 표면, 에지 표면 및 전극들의 세트를 갖는다. 에지 표면은 상부 표면과 하부 표면 사이에서 형성되고 확장되며, 전극들의 세트는 하부 표면 상에 또는 그에 인접하게 배치된다. 전극들의 세트 및 하부 표면은 집합적으로 하부 전극 표면을 형성한다. 또한, 서로 수직인 제1 수평 방향 및 제2 수평 방향은 LED 칩의 상부 표면 상의 길이 방향 및 폭 방향을 따라 각각 특정된다. 광-투과 구조는 상단 표면, 상단 표면에 대향하는 바닥 표면 및 측면 표면을 갖는다. 측면 표면은 상단 표면과 바닥 표면 사이에서 형성되고 확장된다. 광-투과 구조는 LED 칩의 상부 표면 및/또는 에지 표면을 커버한다. 반사 구조는 부분적으로 광-투과 구조의 측면 표면을 부분적으로 커버한다. 광-투과 구조의 측면 표면은 4개의 수직 측면 표면들을 갖는다. 4개의 수직 측면 표면들 중 2개의 수직 측면 표면들은 제2 수평 방향에 수직으로 대향하여 배치되고, 이들 중 하나는 반사 구조에 의해 커버되어 하나의 측면 반사 표면을 형성하고, 다른 하나는 반사 구조에 의해 커버되지 않아서 측면 발광 표면을 형성하고, LED 칩의 측면 발광 표면 및 하부 전극 표면은 서로 실질적으로 수직이다. 다른 2개의 수직 측면 표면들은 제1 수평 방향에 수직으로 대향하여 배치되고, 반사 구조에 의해 커버되지 않아서 2개의 측면 발광 표면들을 형성한다.To achieve the above object, other embodiments of the present disclosure relate to a top-view monochromatic LED having an asymmetric reflective structure including an LED chip, a light-transmissive structure and a reflective structure, wherein the LED chip has a top surface, a top surface It has a lower surface, an edge surface and a set of electrodes opposite to it. The edge surface is formed and extended between the top surface and the bottom surface, and a set of electrodes is disposed on or adjacent to the bottom surface. The set of electrodes and the bottom surface collectively form the bottom electrode surface. Further, the first horizontal direction and the second horizontal direction perpendicular to each other are respectively specified along the length direction and the width direction on the upper surface of the LED chip. The light-transmissive structure has a top surface, a bottom surface opposite the top surface, and a side surface. The side surface is formed and extends between the top surface and the bottom surface. The light-transmitting structure covers the top surface and/or edge surface of the LED chip. The reflective structure partially covers the side surface of the light-transmissive structure. The side surface of the light-transmitting structure has four vertical side surfaces. Two of the four vertical side surfaces are disposed vertically opposite to the second horizontal direction, one of which is covered by a reflective structure to form one side reflective surface, and the other to the reflective structure. Not covered by to form a side light emitting surface, and the side light emitting surface and the bottom electrode surface of the LED chip are substantially perpendicular to each other. The other two vertical side surfaces are arranged perpendicular to the first horizontal direction, and are not covered by the reflective structure to form two side light emitting surfaces.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 개시에 따른 다른 실시예들은 LED 칩, 광-투과 구조 및 반사 구조를 포함하는 모노크로매틱 측면-뷰 CSP LED에 관한 것이다. LED 칩은 상부 표면, 상부 표면에 대향하는 하부 표면, 에지 표면 및 전극들의 세트를 갖는다. 에지 표면은 상부 표면과 하부 표면 사이에서 형성되고 확장되며, 전극들의 세트는 하부 표면 상에 또는 그에 인접하게 배치되어 하부 전극 표면을 형성한다. 또한, 서로 수직인 제1 수평 방향 및 제2 수평 방향은 LED 칩의 상부 표면 상의 길이 방향 및 폭 방향을 따라 각각 특정된다. 광-투과 구조는 LED 칩의 상부 표면 및/또는 에지 표면을 커버한다. 반사 구조는 광-투과 구조의 상단 표면을 실질적으로 완전히 커버하여 상부 반사 표면을 형성하고, 광-투과 구조의 측면 표면을 부분적으로 커버하여 적어도 하나의 측면 반사 표면을 형성한다.To achieve the above object, other embodiments according to the present disclosure relate to a monochromatic side-view CSP LED comprising an LED chip, a light-transmissive structure and a reflective structure. The LED chip has a top surface, a bottom surface opposite the top surface, an edge surface and a set of electrodes. The edge surface is formed and extended between the top surface and the bottom surface, and a set of electrodes is disposed on or adjacent to the bottom surface to form the bottom electrode surface. Further, the first horizontal direction and the second horizontal direction perpendicular to each other are respectively specified along the length direction and the width direction on the upper surface of the LED chip. The light-transmitting structure covers the top surface and/or edge surface of the LED chip. The reflective structure substantially covers the top surface of the light-transmissive structure to form an upper reflective surface, and partially covers the side surface of the light-transmissive structure to form at least one side reflective surface.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 개시의 일부 실시예들에 따른 백라이트 모듈은 애플리케이션 장착 보드, 본 개시의 실시예들에 따른 복수의 상단-뷰 또는 측면-뷰 LED들, 반사 층 및 도광판을 포함한다. 애플리케이션 장착 보드는 수평 표면 및/또는 수직 표면을 포함한다. 복수의 LED들은 애플리케이션 장착 보드 상에 배치되어 광 막대를 형성한다. 반사 층은 애플리케이션 장착 보드의 수평 표면 위에 배치된다. 도광판은 반사 층 위에 배치되어, 입사광 측면 표면, 및 입사광 측면 표면에 연결되고 반사 층으로부터 멀리 향하는 출사광 표면을 포함한다.To achieve the above object, a backlight module according to some embodiments of the present disclosure includes an application mounting board, a plurality of top-view or side-view LEDs, a reflective layer, and a light guide plate according to embodiments of the present disclosure. . The application mounting board includes a horizontal surface and/or a vertical surface. A plurality of LEDs are disposed on the application mounting board to form a light rod. The reflective layer is placed over the horizontal surface of the application mounting board. The light guide plate is disposed on the reflective layer, and includes an incident light side surface and an exit light surface connected to the incident light side surface and facing away from the reflective layer.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 개시의 일부 실시예들에 따라 개시된 상단-뷰 또는 측면-뷰 LED를 제조하는 방법은, LED 칩의 상부 표면 및/또는 에지 표면을 커버하기 위해 포토루미네슨트 구조 또는 광-투과 구조를 배치하는 단계; 및 포토루미네슨트 구조 또는 광-투과 구조의 하나의 수직 측면 표면을 부분적으로 커버하기 위해 반사 구조를 형성하는 단계를 포함한다. 서로 수직인 제1 수평 방향 및 제2 수평 방향은 LED 칩의 상부 표면 상의 길이 방향 및 폭 방향을 따라 각각 특정된다. 포토루미네슨트 구조 또는 광-투과 구조의 측면 표면은 4개의 수직 측면 표면들을 갖는다. 4개의 수직 측면 표면들 중 2개의 수직 측면 표면들은 제2 수평 방향에 수직으로 서로 대향하여 배치되고, 이들 중 하나는 반사 구조에 의해 커버되어 측면 반사 표면을 형성하는 한편, 다른 하나는 반사 구조에 의해 커버되지 않아서 측면 발광 표면을 형성한다. 4개의 수직 측면 표면들 중 다른 2개의 수직 측면 표면들은 제1 수평 방향에 수직으로 대향하여 배치된다.To achieve the above object, a method of manufacturing a top-view or side-view LED disclosed in accordance with some embodiments of the present disclosure includes a photoluminescent structure to cover the top surface and/or edge surface of an LED chip. Or disposing a light-transmitting structure; And forming a reflective structure to partially cover one vertical side surface of the photoluminescent structure or light-transmissive structure. The first horizontal direction and the second horizontal direction perpendicular to each other are respectively specified along the length direction and the width direction on the upper surface of the LED chip. The side surface of the photoluminescent structure or the light-transmissive structure has four vertical side surfaces. Two of the four vertical side surfaces are disposed opposite to each other perpendicular to the second horizontal direction, one of which is covered by a reflective structure to form a side reflective surface, the other to the reflective structure Not covered by to form a side emitting surface. The other two of the four vertical side surfaces are arranged perpendicular to the first horizontal direction.

이러한 배열에서, 포토루미네슨트 구조는 LED 칩의 상부 표면 및/또는 에지 표면을 커버하고, 반사 구조는 포토루미네슨트 구조의 측면 표면을 부분적으로 커버하여, LED 칩의 에지 표면으로부터 방출되는 광 및/또는 포토루미네슨트 구조의 측면 구조로부터 방출되는 광을 부분적으로 반사한다. 따라서, 제1 수평 방향을 따라 및/또는 제2 수평 방향을 따라 발광 표면의 법선 방향에 대해 비대칭 방사 패턴이 형성될 수 있다. 또한, 반사 구조는 상부 표면을 실질적으로 완전히 커버하고, LED 칩의 에지 표면을 부분적으로 커버하여, 1차 발광 표면 및 하부 전극 표면이 실질적으로 서로 수직인 기술적 특징을 갖는 측면-뷰 CSP LED를 형성할 수 있다. 따라서, LED는 추가적인 광학 렌즈의 보조 없이 상이한 애플리케이션들에서 적절히 특정된 비대칭 방사 패턴들을 제공할 수 있어서, LED의 제조 비용을 효과적으로 감소시키는 한편, 최종 제품의 콤팩트한 설계를 용이하게 하기 위해 이의 작은 크기의 이점을 유지할 수 있다.In this arrangement, the photoluminescent structure covers the top surface and/or edge surface of the LED chip, and the reflective structure partially covers the side surface of the photoluminescent structure, so that light emitted from the edge surface of the LED chip And/or partially reflects light emitted from the side structure of the photoluminescent structure. Thus, an asymmetric radiation pattern can be formed with respect to the normal direction of the light emitting surface along the first horizontal direction and/or along the second horizontal direction. In addition, the reflective structure substantially covers the top surface and partially covers the edge surface of the LED chip, thereby forming a side-view CSP LED having technical features in which the primary light emitting surface and the bottom electrode surface are substantially perpendicular to each other. can do. Thus, the LED can provide asymmetric radiation patterns appropriately specified in different applications without the aid of an additional optical lens, effectively reducing the manufacturing cost of the LED, while its small size to facilitate the compact design of the final product. Can maintain the advantage of.

또한, 상단-뷰 또는 측면-뷰 LED는 도광판의 길이 방향을 따라 더 큰 시야각을 제공할 수 있어서, 어두운 영역들이 최소화될 수 있고, 2개의 인접한 LED들 사이의 거리가 증가될 수 있다(광 막대에서 사용되는 LED들의 수가 감소될 수 있다). 한편, LED는 도광판의 두께 방향을 따라 더 작은 시야각을 제공할 수 있어서, LED에 의해 방출된 광은 도광판에 더 효과적으로 전송되어, 광 에너지의 손실을 감소시킬 수 있다. 또한, LED의 1차 발광 표면은 LED의 하부 전극 표면에 실질적으로 수직으로 추가로 특정되어 측면-뷰 CSP LED를 형성할 수 있다. 측면-뷰 LED가 에지-광 백라이트 모듈에 적용되는 경우, 상단-뷰 LED를 사용하기 위해 설계된 광 막대의 L-형상 애플리케이션 장착 보드는 생략될 수 있다. 그 대신, 측면-뷰 LED를 사용하기 위한 광 막대의 수평 애플리케이션 장착 보드가 충분하다. L-형상 애플리케이션 장착 보드의 수직 부분의 제거는 광 막대의 전반적인 두께를 감소시키고 정렬 및 제조 어려움을 감소시킨다. 따라서, 측면-뷰 LED 백라이트 모듈을 사용하는 디스플레이는 더 좁은 프레임 베젤을 가질 수 있다.In addition, the top-view or side-view LED can provide a larger viewing angle along the longitudinal direction of the light guide plate, so that dark areas can be minimized and the distance between two adjacent LEDs can be increased (light bar The number of LEDs used in can be reduced). On the other hand, the LED can provide a smaller viewing angle along the thickness direction of the light guide plate, so that the light emitted by the LED is more effectively transmitted to the light guide plate, thereby reducing the loss of light energy. In addition, the primary light emitting surface of the LED can be further specified substantially perpendicular to the bottom electrode surface of the LED to form a side-view CSP LED. When the side-view LED is applied to an edge-light backlight module, the L-shaped application mounting board of the light bar designed for using the top-view LED can be omitted. Instead, a horizontal application mounting board of light bars for using side-view LEDs is sufficient. Removal of the vertical portion of the L-shaped application mounting board reduces the overall thickness of the light rod and reduces alignment and manufacturing difficulties. Thus, a display using a side-view LED backlight module can have a narrower frame bezel.

본 개시의 다른 양상들 및 실시예들이 또한 고려된다. 전술한 요약 및 다음의 상세한 설명은 본 개시를 임의의 특정 실시예로 제한하려 의도하는 것이 아니라 단지 본 개시의 일부 실시예들을 설명하도록 의도된다.Other aspects and embodiments of the present disclosure are also contemplated. The above summary and the following detailed description are not intended to limit the present disclosure to any particular embodiment, but are only intended to describe some embodiments of the present disclosure.

도 1a, 도 1b, 도 1c, 도 1d 및 도 1e는 본 개시의 일 실시예에 따른 상단-뷰 LED의 2개의 사시도들 및 3개의 단면도들이다.
도 2a, 도 2b, 도 2c 및 도 2d는 본 개시의 다른 실시예에 따른 상단-뷰 LED의 2개의 사시도들 및 2개의 단면도들이다.
도 3a, 도 3b, 도 3c 및 도 3d는 본 개시의 다른 실시예에 따른 측면-뷰 LED의 2개의 사시도들 및 2개의 단면도들이다.
도 3e 및 도 3f는 본 개시의 다른 실시예에 따른 측면-뷰 LED의 2개의 단면도들이다.
도 4a, 도 4b, 도 4c 및 도 4d는 본 개시의 다른 실시예에 따른 측면-뷰 LED의 2개의 사시도들 및 2개의 단면도들이다.
도 4e 및 도 4f는 본 개시의 다른 실시예에 따른 측면-뷰 LED의 단면도들이다.
도 5는 본 개시의 일 실시예에 따른 상단-뷰 LED를 포함하는 백라이트 모듈의 개략도이다.
도 6은 본 개시의 일 실시예에 따른 측면-뷰 LED를 포함하는 백라이트 모듈의 개략도이다.
도 7a 및 도 7b는 도 5 및 도 6에 각각 도시된 백라이트 모듈의 상단 뷰 개략도 및 측면 뷰 개략도를 예시한다.
도 8a, 도 8b, 도 9a, 도 9b, 도 9c, 도 10a, 도 10b, 도 11a, 도 11b, 도 12a 및 도 12b는 본 개시의 일 실시예에 따른 상단-뷰 LED를 제조하기 위한 제조 방법의 프로세스 단계들의 개략도들이다.
도 13a, 도 13b, 도 14a, 도 14b, 도 14c, 도 15a, 도 15b, 도 16a, 도 16b, 도 17a 및 도 17b는 본 개시의 다른 실시예에 따른 상단-뷰 LED를 제조하기 위한 제조 방법의 프로세스 단계들의 개략도들이다.
도 18a, 도 18b, 도 19a, 도 19b, 도 19c, 도 20a, 도 20b, 도 21a, 도 21b, 도 22a 및 도 22b는 본 개시의 다른 실시예에 따른 측면-뷰 LED를 제조하기 위한 제조 방법의 프로세스 단계들의 개략도들이다.
도 23a, 도 23b 및 도 23c는 본 개시의 다른 실시예에 따른 상단-뷰 또는 측면-뷰 LED를 제조하기 위한 부분적인 제조 방법의 프로세스 단계들의 개략도들이다.
1A, 1B, 1C, 1D, and 1E are two perspective views and three cross-sectional views of a top-view LED according to one embodiment of the present disclosure.
2A, 2B, 2C, and 2D are two perspective views and two cross-sectional views of a top-view LED according to another embodiment of the present disclosure.
3A, 3B, 3C and 3D are two perspective views and two cross-sectional views of a side-view LED according to another embodiment of the present disclosure.
3E and 3F are two cross-sectional views of a side-view LED according to another embodiment of the present disclosure.
4A, 4B, 4C, and 4D are two perspective views and two cross-sectional views of a side-view LED according to another embodiment of the present disclosure.
4E and 4F are cross-sectional views of a side-view LED according to another embodiment of the present disclosure.
5 is a schematic diagram of a backlight module including a top-view LED according to an embodiment of the present disclosure.
6 is a schematic diagram of a backlight module including a side-view LED according to an embodiment of the present disclosure.
7A and 7B illustrate a top view schematic view and a side view schematic view of the backlight module shown in FIGS. 5 and 6, respectively.
8A, 8B, 9A, 9B, 9C, 10A, 10B, 11A, 11B, 12A, and 12B are fabricated for manufacturing a top-view LED according to one embodiment of the present disclosure. These are schematics of the process steps of the method.
13A, 13B, 14A, 14B, 14C, 15A, 15B, 16A, 16B, 17A, and 17B are manufactured for manufacturing a top-view LED according to another embodiment of the present disclosure. These are schematics of the process steps of the method.
18A, 18B, 19A, 19B, 19C, 20A, 20B, 21A, 21B, 22A, and 22B are fabricated for manufacturing a side-view LED according to another embodiment of the present disclosure. These are schematics of the process steps of the method.
23A, 23B, and 23C are schematic diagrams of process steps of a partial manufacturing method for manufacturing a top-view or side-view LED according to another embodiment of the present disclosure.

정의들Definitions

다음의 정의들은 본 개시의 일부 실시예들에 대해 설명된 기술적 양상들의 일부에 적용된다. 마찬가지로 이러한 정의들은 본 명세서에서 확장될 수 있다.The following definitions apply to some of the technical aspects described for some embodiments of the present disclosure. Likewise, these definitions can be extended herein.

본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 단수형 표현들은, 문맥상 명시적으로 달리 지시하지 않는 한, 복수형 참조들을 포함할 수 있다. 따라서, 예를 들어, 층에 대한 참조는 문맥상 명시적으로 달리 지시하지 않는 한 다수의 층들을 포함할 수 있다.As used herein, singular expressions may include plural references unless the context clearly indicates otherwise. Thus, for example, a reference to a layer can include multiple layers unless the context clearly indicates otherwise.

본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 용어 "세트"는 하나 이상의 컴포넌트들의 집합을 지칭한다. 따라서, 예를 들어, 층들의 세트는 단일 층 또는 다수의 층들을 포함할 수 있다. 세트의 컴포넌트들은 또한 세트의 멤버들로 지칭될 수 있다. 세트의 컴포넌트들은 동일하거나 상이할 수 있다. 일부 경우들에서, 세트의 컴포넌트들은 하나 이상의 공통 특성들을 공유할 수 있다.As used herein, the term "set" refers to a set of one or more components. Thus, for example, a set of layers can include a single layer or multiple layers. Components of a set may also be referred to as members of the set. The components of the set may be the same or different. In some cases, components of a set may share one or more common characteristics.

본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 용어 "인접한"은 근처 또는 인근에 있는 것을 지칭한다. 인접한 컴포넌트들은 서로 이격될 수 있거나 또는 서로 실제로 또는 직접적으로 접촉할 수 있다. 일부 경우들에서, 인접한 컴포넌트들은 서로 연결될 수 있거나 또는 서로 일체형으로 형성될 수 있다. 일부 실시예들의 설명에서, 다른 컴포넌트 "상에" 또는 "최상부 상에" 제공된 컴포넌트는 그 컴포넌트가 다른 컴포넌트 상에 직접 존재(예를 들어, 그와 직접 물리적으로 접촉)하는 경우들 뿐만 아니라 하나 이상의 개재 컴포넌트들이 컴포넌트와 다른 컴포넌트 사이에 위치되는 경우들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들의 설명에서, 다른 컴포넌트 "아래에" 제공된 컴포넌트는 그 컴포넌트가 다른 컴포넌트 아래에 직접 존재(예를 들어, 그와 직접 물리적으로 접촉)하는 경우들 뿐만 아니라 하나 이상의 개재 컴포넌트들이 컴포넌트와 다른 컴포넌트 사이에 위치되는 경우들을 포함할 수 있다.As used herein, the term “adjacent” refers to being nearby or nearby. Adjacent components may be spaced apart from one another or may actually or directly contact each other. In some cases, adjacent components can be connected to each other or can be formed integrally with each other. In the description of some embodiments, a component provided “on” or “on top” of another component is one or more as well as cases in which the component is directly on (eg, in direct physical contact with) another component. Intervening components may be located between a component and another component. In the description of some embodiments, a component provided “below” another component is one or more intervening components that differ from the component, as well as cases in which the component directly exists (eg, in direct physical contact with the other component). It may include cases that are located between components.

본 명세서에 사용된 바와 같이, 용어들 "연결하다", "연결된" 및 "연결"은 동작가능한 커플링 또는 링크를 지칭한다. 연결된 컴포넌트들은 서로 직접 커플링될 수 있거나 예를 들어 컴포넌트들의 다른 세트를 통해 간접적으로 서로 커플링될 수 있다.As used herein, the terms "connect", "connected" and "connect" refer to an operable coupling or link. The connected components can be directly coupled to each other or can be coupled to each other indirectly, for example, through different sets of components.

본 명세서에 사용된 바와 같이, 용어들 "약", "실질적으로" 및 "실질적인"은 상당한 정도 또는 범위를 지칭한다. 이벤트 또는 상황과 함께 사용되는 경우, 용어들은 이벤트 또는 상황이 정확하게 발생하는 경우들 뿐만 아니라 이벤트 또는 상황이, 예를 들어, 본 명세서에서 설명된 제조 동작들의 일반적인 공차 레벨들을 설명하는 근사치로 발생하는 경우들을 지칭할 수 있다. 예를 들어, 수치 값과 함께 사용되는 경우, 용어들은 그 수치 값의 ±10 % 이하의 변동 범위, 예를 들어 ±5 % 이하, ±4 % 이하, ±3 % 이하, ±2 % 이하, ±1 % 이하, ±0.5 % 이하, ±0.1 % 이하 또는 ±0.05 % 이하를 포함할 수 있다. 예를 들어, "실질적으로" 투명한 것은 가시 스펙트럼의 적어도 부분적으로 또는 전체에 걸쳐 적어도 70 %, 예를 들어, 적어도 75 %, 적어도 80 %, 적어도 85 % 또는 적어도 90 %의 광 투과율을 지칭할 수 있다. 예를 들어, "실질적으로" 동일 높이(flush)는 동일 평면을 따라 놓인 20 마이크로미터 이내, 예를 들어 동일 평면을 따라 놓인 10 마이크로미터 이내 또는 동일한 평면을 따라 놓인 5 마이크로미터 이내의 2개의 표면들을 지칭할 수 있다. 예를 들어, "실질적으로" 평행한 것은, 0°에 대해 ±10° 이하인 각도 변동 범위, 예를 들어, ±5° 이하, ±4° 이하, ±3° 이하, ±2° 이하, ±1° 이하, ±0.5° 이하, ±0.1° 이하, 또는 ±0.05° 이하를 지칭할 수 있다. 예를 들어, "실질적으로" 수직인 것은, 90°에 대해 ±10° 이하인 각도 변동 범위, 예를 들어, ±5° 이하, ±4° 이하, ±3° 이하, ±2° 이하, ±1° 이하, ±0.5° 이하, ±0.1° 이하, 또는 ±0.05° 이하를 지칭할 수 있다.As used herein, the terms “about”, “substantially” and “substantial” refer to a substantial extent or range. When used in conjunction with an event or situation, the terms occur when the event or situation occurs accurately, as well as when the event or situation occurs, for example, to approximate general tolerance levels of manufacturing operations described herein. Can refer to. For example, when used in conjunction with a numerical value, the terms range from ±10% or less of the numerical value, such as ±5% or less, ±4% or less, ±3% or less, ±2% or less, ± 1% or less, ±0.5% or less, ±0.1% or less, or ±0.05% or less. For example, “substantially” transparent can refer to a light transmittance of at least 70%, eg, at least 75%, at least 80%, at least 85% or at least 90%, at least partially or across the visible spectrum. have. For example, “substantially” two flush surfaces within 20 micrometers lying along the same plane, for example within 10 micrometers lying along the same plane, or within 5 micrometers lying along the same plane Can refer to. For example, “substantially” parallel means an angle variation range of ±10° or less with respect to 0°, eg, ±5° or less, ±4° or less, ±3° or less, ±2° or less, ±1 ° or less, ±0.5° or less, ±0.1° or less, or ±0.05° or less. For example, “substantially” vertical is an angular variation range of ±10° or less with respect to 90°, eg, ±5° or less, ±4° or less, ±3° or less, ±2° or less, ±1 ° or less, ±0.5° or less, ±0.1° or less, or ±0.05° or less.

본 명세서에서 포토루미네슨스에 대해 사용되는 용어 "효율" 또는 "양자 효율"은 입력 광자들의 수에 대한 출력 광자들의 수의 비를 지칭한다. The term "efficiency" or "quantum efficiency" as used herein for photoluminescence refers to the ratio of the number of output photons to the number of input photons.

본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 용어 "크기"는 특성 치수를 지칭한다. 구형인 물체(예를 들어, 입자)의 경우, 물체의 크기는 물체의 직경을 지칭할 수 있다. 비-구형인 물체의 경우, 비-구형 물체의 크기는 대응하는 구형 물체의 직경을 지칭할 수 있으며, 여기서 대응하는 구형 물체는 비-구형 물체와 실질적으로 동일한 유도가능한 또는 측정가능한 특성들의 특정 세트를 나타내거나 갖는다. 특정 크기를 갖는 물체들의 세트를 지칭하는 경우, 물체들은 그 크기 근처의 크기 분포를 가질 수 있다고 간주된다. 따라서, 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 물체들의 세트의 크기는 평균 크기, 중간 크기 또는 피크 크기와 같은 크기 분포의 전형적인 크기를 지칭할 수 있다.As used herein, the term "size" refers to characteristic dimensions. For spherical objects (eg particles), the size of the object may refer to the diameter of the object. In the case of a non-spherical object, the size of the non-spherical object may refer to the diameter of the corresponding spherical object, where the corresponding spherical object is a specific set of inducible or measurable properties substantially the same as the non-spherical object. It has or has. When referring to a set of objects having a specific size, it is considered that the objects can have a size distribution near that size. Thus, as used herein, the size of a set of objects may refer to a typical size of a size distribution, such as average size, medium size, or peak size.

도 1a 및 도 1b는 본 개시의 일 실시예에 따른 상단-뷰 LED(1A)의 2개의 사시도들을 도시하고 도 1c 및 도 1d는 이의 2개의 단면도들을 도시한다. LED(1A)는 LED 칩(10), 광학 구조(20) 및 반사 구조(30)를 포함한다. 컴포넌트들의 기술적 세부사항들은 이하 순차적으로 설명될 것이다.1A and 1B show two perspective views of a top-view LED 1A according to one embodiment of the present disclosure and FIGS. 1C and 1D show two cross-sections thereof. The LED 1A includes an LED chip 10, an optical structure 20 and a reflective structure 30. The technical details of the components will be sequentially described below.

LED 칩(10)은 플립-칩 발광 반도체 칩이며, 도 1c 및 도 1d에 예시된 바와 같이 상부 표면(11), 하부 표면(12), 에지 표면(13) 및 전극들의 세트(14)를 갖는다. 상부 표면(11)은 하부 표면(12)에 대해 대향하여 배치되고, 상부 표면(11) 및 하부 표면(12)은 직사각형일 수 있고, 직사각형 상부 표면들(11)(및 대응하는 하부 표면(12))의 2개의 측면 에지들 또는 라인들은 실질적으로 제1 수평 방향 D1과 평행하고, 다른 2개의 측면 에지들 또는 라인들은 실질적으로 제2 수평 방향 D2에 평행하다. 즉, 제1 수평 방향 D1 및 제2 수평 방향 D2는 LED 칩(10)의 상부 표면(11) 상에서 각각 길이 방향 및 폭 방향을 따라 서로 수직으로 특정된다. 두께 방향(도시되지 않은 상부 표면(11)에 수직인 방향)은 제1 수평 방향 D1 및 제2 수평 방향 D2 둘 모두에 수직인 수직 방향을 따르도록 특정된다.The LED chip 10 is a flip-chip light emitting semiconductor chip and has an upper surface 11, a lower surface 12, an edge surface 13 and a set of electrodes 14 as illustrated in FIGS. 1C and 1D. . The upper surface 11 is disposed opposite the lower surface 12, the upper surface 11 and the lower surface 12 can be rectangular, and the rectangular upper surfaces 11 (and the corresponding lower surface 12 )) the two side edges or lines are substantially parallel to the first horizontal direction D1, and the other two side edges or lines are substantially parallel to the second horizontal direction D2. That is, the first horizontal direction D1 and the second horizontal direction D2 are respectively specified vertically on the upper surface 11 of the LED chip 10 along the length direction and the width direction. The thickness direction (direction perpendicular to the upper surface 11 not shown) is specified to follow a vertical direction perpendicular to both the first horizontal direction D1 and the second horizontal direction D2.

에지 표면(13)은 상부 표면(11)과 하부 표면(12) 사이에서 형성되고, 상부 표면(11)의 둘레 및 하부 표면(12)의 둘레를 확장하고 연결한다. 즉, 에지 표면(13)은 상부 표면(11)의 둘레 에지 및 하부 표면(12)의 둘레 에지를 따라 형성되어, 에지 표면(13)은 상부 표면(11) 및 하부 표면(12)에 대해 환형(예를 들어, 직사각형 링)이다. 에지 표면(13)은 4개의 수직 에지 표면들(131a 내지 131d)을 더 포함하고(에지 표면(13)은 4개의 수직 에지 표면들(131a 내지 131d)로 분할되고), 2개의 수직 에지 표면들(131a 및 131c)은 제1 수평 방향 D1에 대향하여 배치되고 그에 수직이며, 다른 2개의 수직 에지 표면들(131b 및 131d)은 제2 수평 방향 D2에 대향하여 배치되고 그에 수직이다.The edge surface 13 is formed between the upper surface 11 and the lower surface 12, and extends and connects the circumference of the upper surface 11 and the circumference of the lower surface 12. That is, the edge surface 13 is formed along the circumferential edge of the upper surface 11 and the circumferential edge of the lower surface 12, so that the edge surface 13 is annular with respect to the upper surface 11 and the lower surface 12 (For example, a rectangular ring). Edge surface 13 further comprises four vertical edge surfaces 131a to 131d (edge surface 13 is divided into four vertical edge surfaces 131a to 131d), and two vertical edge surfaces 131a and 131c are disposed opposite and perpendicular to the first horizontal direction D1, and the other two vertical edge surfaces 131b and 131d are disposed opposite and perpendicular to the second horizontal direction D2.

둘 이상의 전극들을 갖는 전극들의 세트(14)는 하부 표면(12) 상에 또는 그에 인접하게 배치된다. 전극들의 세트(14) 및 하부 표면(12)은 이하 집합적으로 하부 전극 표면으로 지칭된다. LED 칩(10)의 발광 활성 층은 LED 칩(10)의 하부 표면(12) 근처 및 전극들의 세트(14) 위에 위치된다(미도시). 활성 층, 상부 표면(11) 및 4개의 수직 에지 표면들(131a 내지 131d) 사이에 정의된 공간은 투명 기판 재료(예를 들어, 사파이어)로 형성된다. 전기 에너지(미도시)가 전극들의 세트(14)를 통해 LED 칩(10)에 공급되어, 활성 층의 일렉트로루미네슨스(전기 에너지를 광학 에너지로 변환함)를 통해 1차 광이 방사되도록 활성 층에 에너지를 가할 수 있다. LED 칩(10)이 플립-칩 타입이기 때문에, 어떠한 전극도 상부 표면(11) 상에 배치되지 않고, LED 칩(10)의 활성 층에 의해 방사된 광은 상부 표면(11) 뿐만 아니라 에지 표면(13)의 4개의 수직 에지 표면들(131a 내지 131d)로부터 LED 칩(10) 밖으로 전송될 수 있다.The set of electrodes 14 having two or more electrodes is disposed on or adjacent to the lower surface 12. The set of electrodes 14 and the lower surface 12 are hereinafter collectively referred to as the lower electrode surface. The light emitting active layer of the LED chip 10 is located near the lower surface 12 of the LED chip 10 and over the set of electrodes 14 (not shown). The defined space between the active layer, the top surface 11 and the four vertical edge surfaces 131a to 131d is formed of a transparent substrate material (eg sapphire). Electrical energy (not shown) is supplied to the LED chip 10 through a set of electrodes 14, so that primary light is emitted through the electroluminescence of the active layer (converting electrical energy into optical energy) Energy can be applied to the layer. Since the LED chip 10 is of the flip-chip type, no electrodes are disposed on the top surface 11, and light emitted by the active layer of the LED chip 10 is not only the top surface 11 but also the edge surface. It can be transferred out of the LED chip 10 from the four vertical edge surfaces 131a to 131d of (13).

광학 구조(20)의 예시적인 실시예는 백색 LED를 형성하는 포토루미네슨트(photoluminescent) 구조(20)이다. 광학 구조(20)의 다른 예시적인 실시예는 모노크로매틱 LED를 형성하는 실질적으로 투명한 광-투과 구조(20)이다. 이하, 포토루미네슨트 구조(20)는 먼저 LED(1A)의 기술적 특징들을 예시하기 위한 실시예로서 사용될 것이다. 광 빔 L을 형성하기 위해 LED 칩(10)에 의해 방출된 1차 광 부분들을 상이한 파장들을 갖는 2차 광으로 변환하기 위해 사용될 수 있는 포토루미네슨트 구조(20)는 광-투과 수지 재료 및 포토루미네슨트 재료를 포함하고, 포토루미네슨트 재료는 포토루미네슨트 구조(20)가 별개의 계층화된 구조를 갖지 않도록 광-투과 수지 재료에 균일하게 산재될 수 있다. 포토루미네슨트 구조(20)는 또한 서로 적층되는 포토루미네슨트 층 및 실질적으로 투명한 광-투과 층(또는 광-투과 구조)를 포함할 수 있다. 특정한 기술적 세부사항들의 경우, 포토루미네슨트 층 상에 적층된 광-투과 층을 갖는 포토루미네슨트 구조에 대한 미국 특허 출원 제15/416,921호(US 2017/0222107로서 공개됨)를 참조할 수 있다.An exemplary embodiment of the optical structure 20 is a photoluminescent structure 20 that forms a white LED. Another exemplary embodiment of the optical structure 20 is a substantially transparent light-transmissive structure 20 that forms a monochromatic LED. Hereinafter, the photoluminescent structure 20 will first be used as an embodiment for illustrating the technical features of the LED 1A. The photoluminescent structure 20, which can be used to convert the primary light portions emitted by the LED chip 10 to secondary light having different wavelengths to form the light beam L, comprises a light-transmissive resin material and Including a photoluminescent material, the photoluminescent material can be uniformly scattered in the light-transmissive resin material so that the photoluminescent structure 20 does not have a separate layered structure. The photoluminescent structure 20 may also include a photoluminescent layer that is laminated to each other and a substantially transparent light-transmissive layer (or light-transmissive structure). For specific technical details, reference may be made to U.S. Patent Application No. 15/416,921 (published as US 2017/0222107) for a photoluminescent structure having a light-transmissive layer laminated on the photoluminescent layer. .

도 1a 내지 도 1d에 예시된 바와 같이, 포토루미네슨트 구조(20)는 상단 표면(21), 바닥 표면(22) 및 측면 표면(23)을 갖고, 상단 표면(21) 및 바닥 표면(22)은 서로 대향하여 배치되고, 상단 표면(21) 및 바닥 표면(22)은 직사각형일 수 있다. 상단 표면(21)의 2개의 측면 에지들 또는 라인들은 실질적으로 제1 수평 방향 D1과 평행하고, 다른 2개의 측면 에지들 또는 라인들은 실질적으로 제2 수평 방향 D2에 평행하다. 포토루미네슨트 구조(20)의 바닥 표면(22) 및 LED 칩(10)의 하부 표면(12)은 함께 LED(1A)의 하부 표면을 형성한다. 상단 표면(21) 및 바닥 표면(22)은 수평 표면들이고 또한 서로 실질적으로 평행할 수 있다.As illustrated in FIGS. 1A-1D, the photoluminescent structure 20 has a top surface 21, a bottom surface 22 and a side surface 23, and a top surface 21 and a bottom surface 22 ) Are disposed opposite each other, and the top surface 21 and the bottom surface 22 may be rectangular. The two side edges or lines of the top surface 21 are substantially parallel to the first horizontal direction D1, and the other two side edges or lines are substantially parallel to the second horizontal direction D2. The bottom surface 22 of the photoluminescent structure 20 and the bottom surface 12 of the LED chip 10 together form the bottom surface of the LED 1A. The top surface 21 and the bottom surface 22 are horizontal surfaces and can also be substantially parallel to each other.

측면 표면(23)은 상단 표면(21)과 바닥 표면(22) 사이에서 형성되고, 상단 표면(21)의 둘레 및 바닥 표면(22)를 연결한다. 즉, 측면 표면(23)은 상단 표면(21) 및 바닥 표면(22)의 둘레 에지를 따라 형성되어, 측면 표면(23)은 상단 표면(21) 및 바닥 표면(22)을 따라 환형(예를 들어, 직사각형 링)이다. 측면 표면(23)은 4개의 수직 측면 표면들(231a 내지 231d)을 더 포함하고(측면 표면(23)은 4개의 수직 측면 표면들(231a 내지 231d)로 분할되고), 2개의 수직 측면 표면들(231a 및 231c)은 제1 수평 방향 D1에 대향하여 배치되고 그에 수직이며, 다른 2개의 수직 측면 표면들(231b 및 231d)은 제2 수평 방향 D2에 대향하여 배치되고 그에 수직이다. The side surface 23 is formed between the top surface 21 and the bottom surface 22 and connects the circumference and bottom surface 22 of the top surface 21. That is, the side surface 23 is formed along the circumferential edges of the top surface 21 and the bottom surface 22, so that the side surface 23 is annular (eg, along the top surface 21 and the bottom surface 22) (Rectangle ring). The side surface 23 further includes four vertical side surfaces 231a to 231d (the side surface 23 is divided into four vertical side surfaces 231a to 231d), and two vertical side surfaces (231a and 231c) are disposed opposite and perpendicular to the first horizontal direction D1, and the other two vertical side surfaces 231b and 231d are disposed opposite and perpendicular to the second horizontal direction D2.

상대적 위치의 관점에서, 포토루미네슨트 구조(20)는 LED 칩(10) 상에 배치되고, LED 칩(10)의 상부 표면(11) 및 에지 구조(13)를 실질적으로 완전히 커버하여(예를 들어, 전체 표면적 중 적어도 90%, 적어도 95%, 적어도 98% 또는 적어도 99% 이상을 커버하여), 포토루미네슨트 구조(20)의 상단 표면(21)은 LED 칩(10)의 상부 표면(11) 위에 위치된다.In terms of relative position, the photoluminescent structure 20 is disposed on the LED chip 10 and substantially completely covers the top surface 11 and edge structure 13 of the LED chip 10 (eg For example, by covering at least 90%, at least 95%, at least 98%, or at least 99% of the total surface area), the top surface 21 of the photoluminescent structure 20 is the top surface of the LED chip 10 (11) is located above.

도 1c에 도시된 바와 같이, 반사 구조(30)는 광 빔 L을 차단 및 반사하여, 광 빔 L의 방사 각도가 제한될 수 있다. 이러한 실시예에서, 반사 구조(30)는 측면 표면(23)을 부분적으로 커버하고, 포토루미네슨트 구조(20)의 측면 표면(23)의 오직 일 측면을 커버한다(또한, LED 칩(10)의 에지 표면(13)의 일 측면을 간접적으로 커버하고 차폐한다). 구체적으로, 측면 표면(23)의 4개의 수직 측면 표면들(231a 내지 231d) 중에서, 수직 측면 표면들(231a 내지 231d) 중 제2 수평 방향 D2에 수직인 것, 예를 들어, 수직 측면 표면(231b)은 반사 구조(30)에 의해 직접 차폐되어 측면 반사기를 형성한다. LED 칩(10)의 수직 에지 표면(131b)은 포토루미네슨트 구조(20)의 수직 측면 표면(231b)과 함께 반사 구조(30)에 의해 직접 또는 간접적으로 커버된다. 즉, 포토루미네슨트 구조(20)의 다른 수직 측면 표면(231d), 수직 측면 표면들(231a 및 231c)은 제1 수평 방향 D1에 수직으로 대향하여 배치되고, 상단 표면(21)은 반사 구조(30)에 의해 커버되지 않는다. 즉, 반사 구조(30)에 의해 커버되지 않는 수직 측면 표면들(231a, 231c 및 231d)은 3개의 측면 발광 표면들을 형성하고, 반사 구조(30)에 의해 차폐되지 않는 상단 표면(21)은 상단 발광 표면을 형성한다. 따라서, LED 칩(10)에 의해 부분적으로 방출되고 포토루미네슨트 구조(20)에 의해 부분적으로 변환되어 수직 측면 표면(231b)을 향해 이동하는 광은 반사 구조(30)에 의해 역으로 반사(또는 흡수)되고, 함께 혼합되어 광 빔 L을 형성하고, 이는 발광 표면들, 즉, 수직 측면 표면들(231a, 231c 및 231d) 및 상단 표면(21)으로부터 포토루미네슨트 구조(20) 밖으로 방사할 수 있다.As shown in FIG. 1C, the reflective structure 30 blocks and reflects the light beam L, so that the emission angle of the light beam L may be limited. In this embodiment, the reflective structure 30 partially covers the side surface 23 and only one side of the side surface 23 of the photoluminescent structure 20 (also, the LED chip 10 ) Indirectly covers and shields one side of the edge surface 13). Specifically, among the four vertical side surfaces 231a to 231d of the side surface 23, one of the vertical side surfaces 231a to 231d that is perpendicular to the second horizontal direction D2, for example, a vertical side surface ( 231b) is directly shielded by the reflective structure 30 to form a side reflector. The vertical edge surface 131b of the LED chip 10 is directly or indirectly covered by the reflective structure 30 together with the vertical side surface 231b of the photoluminescent structure 20. That is, the other vertical side surfaces 231d and vertical side surfaces 231a and 231c of the photoluminescent structure 20 are disposed perpendicularly to the first horizontal direction D1, and the top surface 21 is a reflective structure It is not covered by 30. That is, the vertical side surfaces 231a, 231c, and 231d not covered by the reflective structure 30 form three side light emitting surfaces, and the upper surface 21 not shielded by the reflective structure 30 is the top A light emitting surface is formed. Accordingly, light emitted partially by the LED chip 10 and partially converted by the photoluminescent structure 20 and moving toward the vertical side surface 231b is reflected back by the reflective structure 30 ( Or absorbed) and mixed together to form the light beam L, which radiates out of the photoluminescent structure 20 from the light emitting surfaces, ie the vertical side surfaces 231a, 231c and 231d and the top surface 21. can do.

바람직하게는, 측면 발광 표면들 및 하부 전극 표면은 서로 실질적으로 수직이다. 즉, 측면 발광 표면들 및 하부 전극 표면은 서로 수직으로 제조되도록 설계된다. 제조 프로세스의 허용오차들 또는 변동들 또는 다른 팩터들로 인해, 측면 발광 표면은 결과적으로 하부 전극 표면에 대해 약간 기울어질 수 있다. 약간 기울어진 각도 하에서, 측면 발광 표면 및 하부 전극 표면은 여전히 서로 실질적으로 수직인 것으로 고려된다. 바람직하게는, 상단 발광 표면 및 하부 전극 표면은 서로 실질적으로 평행하다. 즉, 상단 발광 표면 및 하부 전극 표면은 서로 평행하게 제조되도록 설계된다. 그러나, 하부 전극에 대해 상단 발광 표면은 제조 프로세스의 허용오차 및 변동들 때문에 약간 기울어질 수 있다. 약간의 기울기 하에서도, 상단 발광 표면 및 하부 전극 표면은 여전히 서로 실질적으로 평행한 것으로 고려된다.Preferably, the side light emitting surfaces and the bottom electrode surface are substantially perpendicular to each other. That is, the side emitting surfaces and the lower electrode surface are designed to be manufactured perpendicular to each other. Due to tolerances or variations in the manufacturing process or other factors, the side emitting surface may in turn be slightly inclined relative to the lower electrode surface. Under slightly tilted angles, the side emitting surface and the lower electrode surface are still considered to be substantially perpendicular to each other. Preferably, the top emission surface and the bottom electrode surface are substantially parallel to each other. That is, the top light emitting surface and the bottom electrode surface are designed to be manufactured parallel to each other. However, for the lower electrode, the top emitting surface may be slightly inclined due to manufacturing process tolerances and variations. Even under slight inclination, the top emitting surface and the bottom electrode surface are still considered to be substantially parallel to each other.

바람직하게는, 반사 구조(30)가 측면 표면(23)을 커버하는 경우, 반사 구조(30)는 측면 표면(23)과 인접하여, 반사 구조(30)와 측면 표면(23) 사이에 실질적으로 어떠한 갭도 없다. 따라서, 반사 구조(30)는 포토루미네슨트 구조(20)의 측면 표면(23)과 인접하고 접촉하는 내측 측면 표면(33)을 갖는다. 반사 구조(30)는 또한 내측 측면 표면(33)에 대향하는 외측 측면 표면(34)을 갖고, 이는 측면 반사 표면으로 기능하며, 외측 측면 표면(34)은 수직 표면일 수 있다. 또한, 반사 구조(30)의 상단 표면(31)은 포토루미네슨트 구조(20)의 상단 표면(21)과 실질적으로 동일 높이일 수 있고, 반사 구조(30)의 바닥 표면은 포토루미네슨트 구조(20)의 바닥 표면(22)과 실질적으로 동일 높이일 수 있다.Preferably, when the reflective structure 30 covers the side surface 23, the reflective structure 30 is adjacent to the side surface 23, substantially between the reflective structure 30 and the side surface 23 There is no gap. Accordingly, the reflective structure 30 has an inner side surface 33 adjacent and in contact with the side surface 23 of the photoluminescent structure 20. The reflective structure 30 also has an outer side surface 34 opposite the inner side surface 33, which functions as a side reflective surface, and the outer side surface 34 can be a vertical surface. Further, the top surface 31 of the reflective structure 30 may be substantially the same height as the top surface 21 of the photoluminescent structure 20, and the bottom surface of the reflective structure 30 may be photoluminescent. It may be substantially flush with the bottom surface 22 of the structure 20.

제조 재료에 관해, 반사 구조(30)는 광-투과 수지 재료를 포함하는 재료 및 광-투과 수지 재료 내에 산재되는 광학 산란 입자들로 형성될 수 있다. 광-투과 수지 재료는 예를 들어, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리시클로헥실렌-디메틸렌 테레프탈레이트(PCT), 에폭시 몰딩 화합물(EMC) 또는 실리콘일 수 있고; 광학 산란 입자들은 예를 들어 티타늄 디옥사이드 입자들, 붕소 나이트라이드 입자들, 실리콘 디옥사이드 입자들, 알루미늄 옥사이드 입자들 또는 다른 세라믹 입자들일 수 있다.Regarding the manufacturing material, the reflective structure 30 may be formed of a material comprising a light-transmissive resin material and optical scattering particles interspersed in the light-transmissive resin material. The light-transmissive resin material can be, for example, polyphthalamide (PPA), polycyclohexylene-dimethylene terephthalate (PCT), epoxy molding compound (EMC) or silicone; The optical scattering particles can be, for example, titanium dioxide particles, boron nitride particles, silicon dioxide particles, aluminum oxide particles or other ceramic particles.

또한, LED(1A)는 또한 서브마운트 기판(50)(도 1e 참조)을 포함할 수 있다. 서브마운트 기판(50)은 세라믹 기판, 유리 기판, 실리콘 기판, 인쇄 회로 보드(PCB), 금속-코어 PCB 등일 수 있다. 서브마운트 기판(50)은 전기 에너지를 전도할 수 있는 와이어들(미도시)을 갖는다. LED(1A)가 서브마운트 기판(50)에 전기적으로 연결되는 경우, 전력이 서브마운트 기판(50)을 통해 LED(1A)에 전송되어 광을 방출하게 할 수 있다. 서브마운트 기판(50)을 갖는 LED(1A)는 모듈-레벨 애플리케이션들에 대한 표면 장착 프로세스와 같은 부착 프로세스를 용이하게 할 수 있다. 서브마운트 기판(50)은 또한 본 개시에 개시된 다른 실시예들에 포함될 수 있다.Further, the LED 1A may also include a submount substrate 50 (see FIG. 1E ). The submount substrate 50 may be a ceramic substrate, a glass substrate, a silicon substrate, a printed circuit board (PCB), a metal-core PCB, or the like. The submount substrate 50 has wires (not shown) capable of conducting electrical energy. When the LED 1A is electrically connected to the submount substrate 50, power may be transmitted to the LED 1A through the submount substrate 50 to emit light. The LED 1A with the submount substrate 50 can facilitate the attachment process, such as the surface mounting process for module-level applications. Submount substrate 50 may also be included in other embodiments disclosed in the present disclosure.

상기 내용은 적어도 다음의 기술적 특징들을 갖는 LED(1A)의 각각의 컴포넌트의 기술적인 내용이다.The above is the technical content of each component of the LED 1A having at least the following technical features.

도 1c 및 도 1d에 도시된 바와 같이, LED 칩(10)으로부터 생성된 1차 광이 포토루미네슨트 구조(20)에 진입한 후, 수직 측면 표면(231b)을 향해 방사하는 광 빔 L은 반사 구조(30)에 의해 역으로 반사되고 광의 다른 부분과 함께 혼합된다. 결국, 광 빔 L은 포토루미네슨트 구조들(20)을 통과하고 측면 발광 표면들(수직 측면 표면들(231a, 231c 및 231d) 또는 상단 발광 표면(상단 표면(21))으로부터 탈출한다. 따라서, 제1 수평 방향 D1을 따라 이동하는 광 빔 L은 반사 구조(30)에 의해 상당히 영향받지 않고 제한되지 않으며, 따라서 더 큰 시야각을 갖는다. 한편, 제2 수평 방향 D2를 따라 수직 측면 표면(231b)을 향해 이동하는 광 빔 L은 반사 구조(30)에 의해 역으로 반사될 것이다. 광 빔 L은 제2 수평 방향 D2를 따라 반사 구조(30)에 의해 차폐되기 때문에, 시야각은 전자보다 작고, 소정의 특정 방향들을 향해(반사 구조(30)에 의해 차폐되지 않은 수직 측면 표면(231d)을 향해) 재지향된다. 따라서, LED 칩(10)의 상부 표면(11)의 법선 방향(예를 들어, 상부 표면(11)의 광학 축)을 따라 비대칭 방사 패턴이 형성된다. 일반적으로, 제1 수평 방향 D1을 따라 LED(1A)에 의해 방출되는 광 빔 L의 시야각은 더 크고, 제2 수평 방향 D2를 따른 시야각은 더 작고, 방사 패턴은 비대칭이다.1C and 1D, after the primary light generated from the LED chip 10 enters the photoluminescent structure 20, the light beam L radiating toward the vertical side surface 231b is It is reflected back by the reflective structure 30 and mixed with other parts of the light. Eventually, the light beam L passes through the photoluminescent structures 20 and escapes from the side light emitting surfaces (vertical side surfaces 231a, 231c and 231d) or the top light emitting surface (top surface 21). , The light beam L moving along the first horizontal direction D1 is not significantly affected and limited by the reflective structure 30, and thus has a larger viewing angle, while vertical side surface 231b along the second horizontal direction D2 The light beam L moving toward) will be reflected back by the reflective structure 30. Since the light beam L is shielded by the reflective structure 30 along the second horizontal direction D2, the viewing angle is smaller than the former, It is redirected towards certain specific directions (to the vertical side surface 231d that is not shielded by the reflective structure 30.) Thus, the normal direction of the upper surface 11 of the LED chip 10 (for example, An asymmetric emission pattern is formed along the optical axis of the upper surface 11. Generally, the viewing angle of the light beam L emitted by the LED 1A along the first horizontal direction D1 is larger, and the second horizontal direction D2 The viewing angle along is smaller, and the radiation pattern is asymmetric.

바람직하게는, 제1 수직 방향 D1을 따른 상단 표면(21)의 길이는 제2 수평 방향 D2을 따른 상단 표면(21)의 폭보다 클 수 있고, 이는, 제2 수평 방향 D2를 따른 시야각보다 큰 시야각을 갖는 제1 수평 방향 D1을 따르는 광 빔 L을 만드는데 유리하다.Preferably, the length of the top surface 21 along the first vertical direction D1 may be greater than the width of the top surface 21 along the second horizontal direction D2, which is greater than the viewing angle along the second horizontal direction D2. It is advantageous to make the light beam L along the first horizontal direction D1 having a viewing angle.

요약하면, LED(1A)는, 상이한 수평 방향들 D1 및 D2를 따라 상이한 시야각들을 제공할 수 있고, 대칭이 아닌 방사 패턴들을 제공하기 위해, 특정 수평 방향을 따라 발광 표면의 법선 방향에 대해 비대칭 방사 패턴을 형성할 수 있다. In summary, the LED 1A can provide different viewing angles along different horizontal directions D1 and D2, and asymmetric emission with respect to the normal direction of the light emitting surface along a particular horizontal direction to provide non-symmetrical radiation patterns. A pattern can be formed.

LED(1A)의 광학 구조(20)의 다른 실시예는 모노크로매틱 LED(1A)를 형성하는 실질적으로 투명한 광-투과 구조(20)이다. 즉, LED(1A)는 LED 칩(10), 발광 구조(20)(또는 발광 층) 및 반사 구조(30)를 포함할 것이다. 따라서, LED 칩(10)에 의해 방출된 광의 파장은 광-투과 구조(20)를 통과하는 경우 변환되지 않는다. 발광 구조(20)를 갖는 LED(1A)는 비대칭 방사 패턴을 갖는 적색 광, 녹색 광, 청색 광, 적외선 광 또는 자외선 광과 같은 모노크로매틱 광을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 모노크로매틱 광 CSP LED의 이러한 실시예의 기술적 특징은 또한 아래에 개시되는 다른 실시예들에 적용될 수 있다.Another embodiment of the optical structure 20 of the LED 1A is a substantially transparent light-transmissive structure 20 forming a monochromatic LED 1A. That is, the LED 1A will include an LED chip 10, a light emitting structure 20 (or light emitting layer) and a reflective structure 30. Thus, the wavelength of light emitted by the LED chip 10 is not converted when passing through the light-transmitting structure 20. The LED 1A with the light emitting structure 20 can be used to generate monochromatic light such as red light, green light, blue light, infrared light or ultraviolet light having an asymmetric emission pattern. The technical features of this embodiment of the monochromatic light CSP LED can also be applied to other embodiments disclosed below.

또한, LED(1A)는 마이크로-구조화된 렌즈 층(40)(도 1e 참조)을 더 포함할 수 있다. 바람직하게는, 마이크로-구조화된 렌즈 층(40)은 광학 구조(20) 및 마이크로-구조화된 렌즈 층(40)을 함께 일체형으로 형성하기 위해 몰딩 또는 다른 제조 방법들을 통해 광학 구조(20)의 제조 동안 동시에 형성될 수 있다. 마이크로-구조화된 렌즈 층(40)은 규칙적으로 배열되거나 랜덤으로 형성되는 복수의 마이크로구조들로 구성될 수 있고, 마이크로구조들은 반구형, 피라미드형, 원주형, 원뿔형 등일 수 있거나 거친 표면들일 수 있다. 따라서, 마이크로-구조화된 렌즈 층(40)은 LED(1A) 밖으로 전송되는 광이 전체 내부 반사로 인해 광학 구조(20)로 역으로 반사되는 것을 방지할 수 있어서, 광 추출 효율을 증가시키고 LED(1A)의 발광 효율을 개선할 수 있다. 마이크로-구조화된 렌즈 층을 갖는 광학 구조(20)의 이러한 기술적 특징은 또한 본 개시에 개시된 다른 실시예들에 적용될 수 있다.Further, the LED 1A may further include a micro-structured lens layer 40 (see FIG. 1E ). Preferably, the micro-structured lens layer 40 is manufactured of the optical structure 20 through molding or other manufacturing methods to integrally form the optical structure 20 and the micro-structured lens layer 40 together. Can be formed simultaneously. The micro-structured lens layer 40 may be composed of a plurality of microstructures arranged regularly or randomly, and the microstructures may be hemispherical, pyramidal, columnar, conical, or the like, or may be rough surfaces. Thus, the micro-structured lens layer 40 can prevent light transmitted out of the LED 1A from being reflected back to the optical structure 20 due to total internal reflection, thereby increasing light extraction efficiency and The luminous efficiency of 1A) can be improved. This technical feature of the optical structure 20 with a micro-structured lens layer can also be applied to other embodiments disclosed in the present disclosure.

상기 내용은 LED(1A)의 기술적 특징들의 설명이다. 다음으로, 본 개시의 다른 실시예들에 따른 LED들의 기술적 특징들이 설명될 것이고, LED들의 다른 실시예들의 기술적 특징들은 서로 상호-참조되어야 하며, 따라서 동일하거나 유사한 기술적 특징들은 간략화를 위해 생략되거나 단순화될 것이다.The above is a description of technical features of the LED 1A. Next, technical features of LEDs according to other embodiments of the present disclosure will be described, and technical features of other embodiments of LEDs should be cross-referenced to each other, so that the same or similar technical features are omitted or simplified for simplicity. Will be.

도 2a 및 도 2b는 LED(2A)의 2개의 사시도들을 도시하고, 도 2c 및 도 2d는 본 개시의 다른 실시예에 따른 LED(2A)의 2개의 단면도들을 도시하며, 예시의 목적으로, 포토루미네슨트 구조(20)가 광학 구조(20)의 예시적인 실시예로서 사용된다. LED(2A)는, 적어도 포토루미네슨트 구조(20)의 바닥 표면(22)의 영역이 LED 칩(10)의 상부 표면(11)의 영역보다 커서 LED 칩(10)의 상부 표면(11)이 포토루미네슨트 구조(20)에 의해 완전히 커버된다는 점에서 LED(1A)와 상이하다. 또한, LED 칩(10)의 에지 표면(13)은 반사 구조(30)에 의해 커버되고 둘러싸인다. 보다 구체적인 세부사항들은 다음과 같다.2A and 2B show two perspective views of the LED 2A, and FIGS. 2C and 2D show two cross-sectional views of the LED 2A according to another embodiment of the present disclosure, for illustrative purposes, a photo Luminescent structure 20 is used as an exemplary embodiment of optical structure 20. In the LED 2A, at least the area of the bottom surface 22 of the photoluminescent structure 20 is larger than the area of the top surface 11 of the LED chip 10, so that the top surface 11 of the LED chip 10 is It is different from the LED 1A in that it is completely covered by the photoluminescent structure 20. In addition, the edge surface 13 of the LED chip 10 is covered and surrounded by a reflective structure 30. More specific details are as follows.

LED 칩(10)의 상부 표면(11)의 영역은 포토루미네슨트 구조(20)의 바닥 표면(22)의 영역보다 작고, 포토루미네슨트 구조(20)에 의해 완전히 커버된다. 또한, LED 칩(10)의 에지 표면(13)의 4개의 수직 에지 표면들(131a 내지 131d)은 포토루미네슨트 구조(20)에 의해 커버되지 않고 반사 구조(30)에 의해 커버된다. LED 칩(10)으로부터 방사된 1차 광은 포토루미네슨트 구조(20)를 관통하도록 단독으로 또는 주로 상부 표면(11)으로부터 방출될 수 있다. 포토루미네슨트 구조(20)의 수직 측면 표면들(231b 또는 231d) 중 하나는 반사 구조(30)에 의해 커버되어 측면 반사 표면, 예를 들어, 본 실시예에서 도 2c에 예시된 바와 같은 수직 측면 표면(231b)을 형성한다. 수직 측면 표면들(231a 및 231c) 및 상단 표면(21)은 반사 구조(30)에 의해 커버되지 않는다. 즉, 이들은 반사 구조(30) 외부로 노출되고, 반사 구조(30)에 의해 커버되지 않는 수직 측면 표면들(231a, 231c 및 231d)은 3개의 측면 발광 표면들을 형성하고, 반사 구조(30)에 의해 커버되지 않는 상단 표면(21)은 상단 발광 표면을 형성한다.The area of the top surface 11 of the LED chip 10 is smaller than the area of the bottom surface 22 of the photoluminescent structure 20 and is completely covered by the photoluminescent structure 20. Further, the four vertical edge surfaces 131a to 131d of the edge surface 13 of the LED chip 10 are not covered by the photoluminescent structure 20 but are covered by the reflective structure 30. Primary light emitted from the LED chip 10 may be emitted alone or primarily from the top surface 11 to penetrate the photoluminescent structure 20. One of the vertical side surfaces 231b or 231d of the photoluminescent structure 20 is covered by the reflective structure 30 to form a side reflective surface, for example, vertical as illustrated in FIG. 2C in this embodiment. The side surface 231b is formed. The vertical side surfaces 231a and 231c and the top surface 21 are not covered by the reflective structure 30. That is, they are exposed outside the reflective structure 30, and the vertical side surfaces 231a, 231c and 231d not covered by the reflective structure 30 form three side light emitting surfaces, and the reflective structure 30 The top surface 21, which is not covered by, forms a top emitting surface.

따라서, 광 빔 L이 LED 칩(10)의 상부 표면(11)으로부터 방출되어 포토루미네슨트 구조(20)에 입사한 후, 수직 측면 표면(231b)을 향해 이동하는 부분적 광 빔 L은 반사 구조(30)에 의해 반사(또는 흡수)되어, 광 빔 L의 다른 부분과 혼합될 것이고, 이는 수직 측면 표면들(231a, 231c 및 231d) 및 상단 표면(21)으로부터 포토루미네슨트 구조(20) 밖으로 방출될 것이다. 따라서, 광 빔 L의 시야각은 제1 수평 방향 D1을 따라 반사 구조(30)에 의해 덜 영향받는다. 제2 수평 방향 D2을 따라, 수직 측면 표면(231b)이 반사 구조(30)에 의해 차폐되기 때문에, 시야각은 제한되고, 방사는 반사 구조(30)에 의해 커버되지 않은 수직 측면 표면(231d)을 향해 편향된다. 즉, LED 칩(10)의 상부 표면(11)의 법선 방향(예를 들어, 상부 표면(11)의 광학 축)에 대해 그리고 제2 수평 방향 D2를 따라, 방사 패턴은 비대칭이다.Therefore, after the light beam L is emitted from the upper surface 11 of the LED chip 10 and enters the photoluminescent structure 20, the partial light beam L moving toward the vertical side surface 231b is a reflective structure. Reflected (or absorbed) by 30, will be mixed with other parts of light beam L, which are photoluminescent structures 20 from vertical side surfaces 231a, 231c and 231d and top surface 21 Will be released out. Therefore, the viewing angle of the light beam L is less affected by the reflective structure 30 along the first horizontal direction D1. Along the second horizontal direction D2, since the vertical side surface 231b is shielded by the reflective structure 30, the viewing angle is limited, and radiation radiates the vertical side surface 231d which is not covered by the reflective structure 30. Bias towards That is, with respect to the normal direction of the upper surface 11 of the LED chip 10 (eg, the optical axis of the upper surface 11) and along the second horizontal direction D2, the radiation pattern is asymmetric.

따라서, LED(2A)는 또한 상이한 수평 방향들 D1 및 D2에서 상이한 시야각들을 제공하여, 비대칭 방사 패턴을 제공하는 목적을 달성할 수 있다. LED(2A)는 또한 제2 수평 방향 D2을 따라 LED 칩(10)의 상부 표면(11)의 광학 축에 대해 비대칭 방사 패턴을 갖는다.Thus, the LED 2A can also provide different viewing angles in different horizontal directions D1 and D2, thereby achieving the purpose of providing an asymmetric radiation pattern. The LED 2A also has an asymmetric emission pattern with respect to the optical axis of the upper surface 11 of the LED chip 10 along the second horizontal direction D2.

도 3a 내지 도 3d에 예시된 바와 같이, LED(3A)의 2개의 사시도들 및 2개의 단면도들이 본 개시의 다른 실시예에 따라 도시되고, 여기서 예시의 목적으로, 포토루미네슨트 구조(20)는 광학 구조(20)를 예시하기 위한 예로서 사용된다. LED(3A)는 적어도 LED(3A)의 LED 칩(10)의 상부 표면(11) 및 에지 표면(13)의 4개의 수직 에지 표면들(131a 내지 131d)이 포토루미네슨트 구조(20)에 의해 커버된다는 점에서 발광 디바이스(2A)와 상이하다. 포토루미네슨트 구조(20)의 상단 표면(21)은 반사 구조(30)에 의해 실질적으로 완전히 커버되어(예를 들어, 전체 표면적 중 적어도 90%, 적어도 95%, 적어도 98% 또는 적어도 99% 이상을 커버하여), 상부 반사 표면을 형성하고, 이의 측면 표면(23)은 반사 구조(30)에 의해 부분적으로 커버된다.3A to 3D, two perspective views and two cross-sectional views of LED 3A are shown in accordance with another embodiment of the present disclosure, where for purposes of illustration, photoluminescent structure 20 Is used as an example to illustrate the optical structure 20. The LED 3A has at least four vertical edge surfaces 131a to 131d of the top surface 11 and the edge surface 13 of the LED chip 10 of the LED 3A to the photoluminescent structure 20. It is different from the light emitting device 2A in that it is covered by. The top surface 21 of the photoluminescent structure 20 is substantially completely covered by the reflective structure 30 (eg, at least 90%, at least 95%, at least 98% or at least 99% of the total surface area) Covering the above), forming an upper reflective surface, the side surface 23 of which is partially covered by the reflective structure 30.

더 구체적으로, 포토루미네슨트 구조(20)의 수직 측면 표면들(231b 또는 231d) 중 하나(예를 들어, 도 3c에 예시된 수직 측면 표면(231d)) 및 상단 표면(21)은 반사 구조(30)에 의해 동시에 커버되어 각각 측면 반사 표면 및 상부 반사 표면을 형성한다. 수직 측면 표면들(231a 내지 231c)이 반사 구조(30)에 의해 커버되지 않고 따라서 반사 구조(30) 외부로 노출되기 때문에, LED(3A)는 3개의 측면 발광 표면들을 갖는다.More specifically, one of the vertical side surfaces 231b or 231d of the photoluminescent structure 20 (e.g., the vertical side surface 231d illustrated in FIG. 3C) and the top surface 21 are reflective structures Simultaneously covered by 30 to form a side reflective surface and an upper reflective surface, respectively. Since the vertical side surfaces 231a to 231c are not covered by the reflective structure 30 and are thus exposed outside the reflective structure 30, the LED 3A has three side emitting surfaces.

이러한 방식으로, 1차 광이 LED 칩(10)으로부터 방출되고 포토루미네슨트 구조(20)에 진입한 후, 수직 측면 표면(231d) 또는 상단 표면(21)을 향해 이동하는 광의 일부는 반사 구조(30)에 의해 반사(또는 흡수)될 것이고, 광의 다른 부분과 함께 혼합되어 광 빔 L을 형성할 것이고, 수직 측면 표면들(231a, 231b 또는 231c) 중 하나로부터 포토루미네슨트 구조(20)를 빠져 나갈 것이다. 따라서, 시야각은 LED(3A)의 제2 수평 방향 D2을 따라 제한된다. 광이 주로 상단 표면으로부터 방출되고 일부는 수직 측면 표면들로부터 방출되는 LED들(1A 및 2A)에 비해, 발광 디바이스(3A)로부터 방출되는 광 빔 L은 주로 수직 측면 표면(231b)로부터의 것이고 일부는 수직 측면 표면들(231a 및 231c)로부터의 것이어서, 측방향으로 전송되는 광 중 많은 양이 방출되어 측면-뷰 LED를 형성할 수 있다.In this way, after the primary light is emitted from the LED chip 10 and enters the photoluminescent structure 20, some of the light moving toward the vertical side surface 231d or the top surface 21 is a reflective structure. It will be reflected (or absorbed) by 30, mixed with other parts of the light to form the light beam L, and the photoluminescent structure 20 from one of the vertical side surfaces 231a, 231b or 231c. Will exit. Therefore, the viewing angle is limited along the second horizontal direction D2 of the LED 3A. The light beam L emitted from the light emitting device 3A is mainly from the vertical side surface 231b, compared to the LEDs 1A and 2A, from which light is mainly emitted from the top surface and some from the vertical side surfaces. Is from the vertical side surfaces 231a and 231c, so that a large amount of light transmitted laterally can be emitted to form a side-view LED.

광의 대부분이 포토루미네슨트 구조(20)의 수직 측면 표면(231b)으로부터 전송되기 때문에, 수직 측면 표면(231b)은 LED(3A)의 1차 발광 표면이다. LED 칩(10)의 1차 발광 표면 및 하부 전극 표면이 서로 실질적으로 수직이기 때문에, LED(3A)는 측면-뷰 CSP LED이다. 설명의 용이함을 위해, 수직 측면 표면(231b)(1차 발광 표면)을 따라 서로 수직인 길이 방향 S1 및 폭 방향 S2가 특정되고, 길이 방향 S1 및 폭 방향 S2 둘 모두는 제2 수평 방향 D2에 실질적으로 수직이다. 본 실시예에 따른 반사 구조(30)의 배열을 통해, 광 빔 L은 단독으로 또는 주로 수직 측면 표면들(231a, 231b 및 231c)(3개의 측면 발광 표면들)로부터 방출될 수 있다. 따라서, LED(3A)는 길이 방향 S1을 따라 더 큰 시야각을 가질 수 있다. 한편, 포토루미네슨트 구조(20)의 상단 표면(21)이 반사 구조(30)에 의해 커버된다는 사실로 인해, LED(3A)는 폭 방향 S2를 따라 더 작은 시야각을 갖는다. 따라서, LED(3A)는 길이 방향 S1을 따라 그리고 폭 방향 S2를 따라 상이한 시야각들을 제공할 수 있다. 또한, LED(3A)의 1차 발광 표면은 LED 칩(10)의 하부 전극 표면에 수직이고, 이는 LED들(1A 및 2A)의 1차 발광 표면의 배향과 상이하다. 따라서, 비대칭 조명 애플리케이션들을 제공하는 것 이외에, LED(3A)는 측면-뷰 LED이다.Since most of the light is transmitted from the vertical side surface 231b of the photoluminescent structure 20, the vertical side surface 231b is the primary light emitting surface of the LED 3A. The LED 3A is a side-view CSP LED because the primary light emitting surface and the lower electrode surface of the LED chip 10 are substantially perpendicular to each other. For ease of explanation, the longitudinal direction S1 and the width direction S2 are perpendicular to each other along the vertical side surface 231b (primary light emitting surface), and both the longitudinal direction S1 and the width direction S2 are in the second horizontal direction D2 It is substantially vertical. Through the arrangement of the reflective structure 30 according to this embodiment, the light beam L can be emitted alone or mainly from the vertical side surfaces 231a, 231b and 231c (three side light emitting surfaces). Therefore, the LED 3A may have a larger viewing angle along the longitudinal direction S1. On the other hand, due to the fact that the top surface 21 of the photoluminescent structure 20 is covered by the reflective structure 30, the LED 3A has a smaller viewing angle along the width direction S2. Thus, the LED 3A can provide different viewing angles along the longitudinal direction S1 and along the width direction S2. Further, the primary light emitting surface of the LED 3A is perpendicular to the surface of the lower electrode of the LED chip 10, which is different from the orientation of the primary light emitting surface of the LEDs 1A and 2A. Thus, in addition to providing asymmetric lighting applications, the LED 3A is a side-view LED.

도 3e 및 도 3f는 본 개시의 다른 실시예에 따른 LED(3B)의 2개의 개략적 단면도들이고, 예시의 목적으로, 포토루미네슨트 구조(20)가 광학 구조(20)의 예시적인 실시예로서 사용된다. LED(3B)는 적어도 발광 디바이스(3B)의 포토루미네슨트 구조(20)가 LED 칩(10)의 에지 표면(13)을 커버하고(상부 표면(11)을 커버하지 않음), 반사 구조(30)가 LED 칩(10)의 상부 표면(11) 및 포토루미네슨트 구조(20)의 상단 표면(21) 둘 모두를 커버한다는 점에서 LED(3A)와 상이하다.3E and 3F are two schematic cross-sectional views of an LED 3B according to another embodiment of the present disclosure, and for purposes of illustration, the photoluminescent structure 20 is an exemplary embodiment of the optical structure 20 Is used. In the LED 3B, at least the photoluminescent structure 20 of the light emitting device 3B covers the edge surface 13 of the LED chip 10 (not the upper surface 11), and the reflective structure ( 30) differs from the LED 3A in that it covers both the top surface 11 of the LED chip 10 and the top surface 21 of the photoluminescent structure 20.

구체적으로, LED(3B)의 포토루미네슨트 구조(20)는 LED 칩(10)의 에지 표면(13)을 커버하고, 바람직하게는 포토루미네슨트 구조(20)의 상단 표면(21)은 LED 칩(10)의 상부 표면(11)과 실질적으로 동일 높이이거나 동일 평면이다. 반사 구조(30)는 상부 표면(11) 및 상단 표면(21)을 동시에 커버하기 위해 상부 반사 표면을 형성하도록 배치된다. 또한, 포토루미네슨트 구조(20)의 수직 측면 표면들(231b 또는 231d) 중 하나(예를 들어, 도 3e에 예시된 바와 같은 수직 측면 표면(231d))는 측면 반사 표면을 형성하도록 반사 구조(30)에 의해 커버되어, 수직 측면 표면들(231a, 231b 및 231c)은 반사 구조(30)에 의해 커버되지 않는다. 따라서, 이러한 표면들은 반사 구조(30)로부터 노출되어 3개의 측면 발광 표면들을 형성한다.Specifically, the photoluminescent structure 20 of the LED 3B covers the edge surface 13 of the LED chip 10, preferably the top surface 21 of the photoluminescent structure 20 is The top surface 11 of the LED chip 10 is substantially the same height or coplanar. The reflective structure 30 is arranged to form an upper reflective surface to simultaneously cover the upper surface 11 and the upper surface 21. In addition, one of the vertical side surfaces 231b or 231d of the photoluminescent structure 20 (e.g., vertical side surface 231d as illustrated in FIG. 3E) is a reflective structure to form a side reflective surface. Covered by 30, the vertical side surfaces 231a, 231b and 231c are not covered by the reflective structure 30. Accordingly, these surfaces are exposed from the reflective structure 30 to form three side emitting surfaces.

따라서, 1차 광은 단독으로 또는 주로 LED 칩(10)의 에지 표면(13)으로부터 탈출하고 포토루미네슨트 구조(20)에 진입하며, 수직 측면 표면(231d)을 향해 이동하는 광의 일부는 반사 구조(30)에 의해 반사(또는 흡수)될 것이고, 광 빔 L의 다른 부분과 함께 혼합되어 수직 측면 표면들(231a, 231b 또는 231c) 중 임의의 것으로부터 포토루미네슨트 구조(20)를 빠져 나갈 것이다. LED(3A)에 비해, 광의 전달 동안, LED 칩(10)의 상부 표면(11)과 포토루미네슨트 구조(20)의 상단 표면(21) 사이에서 다수의 반사들이 발생하여 광 에너지의 손실을 초래할 수 있다. 따라서, 반사 구조(30)가 LED 칩(10)의 상부 표면(11)을 직접 커버하여 형성되는 경우, 다수의 반사들에 의해 초래되는 에너지 손실을 회피함으로써, LED(3B)의 광 추출 효율이 추가로 개선될 수 있다.Thus, the primary light alone or predominantly escapes from the edge surface 13 of the LED chip 10 and enters the photoluminescent structure 20, and a portion of the light traveling toward the vertical side surface 231d is reflected It will be reflected (or absorbed) by structure 30 and mixed with other parts of light beam L to exit photoluminescent structure 20 from any of vertical side surfaces 231a, 231b or 231c. Will go out. Compared to the LED 3A, during the transmission of light, a number of reflections occur between the top surface 11 of the LED chip 10 and the top surface 21 of the photoluminescent structure 20 to reduce the loss of light energy. Can cause. Thus, when the reflective structure 30 is formed by directly covering the top surface 11 of the LED chip 10, by avoiding the energy loss caused by the multiple reflections, the light extraction efficiency of the LED 3B is Further improvements can be made.

다수의 반사들로 인해 불필요한 광 에너지 소산을 방지하기 위해, 제2 수평 방향 D2를 따른 LED들(3A 및 3B)의 LED 칩(10)의 폭은 제1 수평 방향 D1을 따른 LED 칩(10)의 길이보다 작은 것이 바람직함을 주목해야 한다. 본 실시예에서, 이 치수가 제2 수평 방향 D2를 따라 더 작은 경우, 수직 측면 표면(231d)을 따라 이동하고 반사 구조(30)에 의해 역으로 반사되는 광은 더 짧은 광학 경로를 경험할 수 있다. 다른 방사된 광과 함께, 광 빔 L은 포토루미네슨트 구조(20)의 수직 측면 표면들(231a, 231b 및 231c) 중 임의의 것으로부터 방출된다.In order to prevent unnecessary light energy dissipation due to multiple reflections, the width of the LED chip 10 of the LEDs 3A and 3B along the second horizontal direction D2 is equal to the width of the LED chip 10 along the first horizontal direction D1. It should be noted that it is preferable to be smaller than the length of. In this embodiment, if this dimension is smaller along the second horizontal direction D2, light traveling along the vertical side surface 231d and reflected back by the reflective structure 30 may experience a shorter optical path. . The light beam L, along with other emitted light, is emitted from any of the vertical side surfaces 231a, 231b and 231c of the photoluminescent structure 20.

다음으로, 도 4a 내지 도 4d에 예시된 바와 같이, LED(4A)의 2개의 사시도들 및 2개의 단면도들이 본 개시의 다른 실시예에 따라 도시되고, 여기서 예시의 목적으로, 포토루미네슨트 구조(20)는 광학 구조(20)의 예시적인 실시예로서 사용된다. LED(4A)는 적어도 LED(4A)의 LED 칩(10)의 상부 표면(11) 및 에지 표면(13)의 4개의 수직 에지 표면들(131a 내지 131d)이 포토루미네슨트 구조(20)에 의해 커버되고, 상단 표면(21) 및 포토루미네슨트 구조(20)의 측면 표면(23)의 3개의 수직 측면 표면들 모두가 반사 구조(30)에 의해 커버된다는 점에서 LED(3A)와 상이하다.Next, as illustrated in FIGS. 4A-4D, two perspective views and two cross-sectional views of the LED 4A are shown according to another embodiment of the present disclosure, where for purposes of illustration, a photoluminescent structure 20 is used as an exemplary embodiment of the optical structure 20. The LED 4A has at least four vertical edge surfaces 131a to 131d of the top surface 11 and the edge surface 13 of the LED chip 10 of the LED 4A to the photoluminescent structure 20. Is different from the LED 3A in that all three vertical side surfaces of the top surface 21 and the side surface 23 of the photoluminescent structure 20 are covered by the reflective structure 30. Do.

구체적으로, 포토루미네슨트 구조(20)의 수직 측면 표면들(231b 또는 231d) 중 하나(예를 들어, 도 4c에 예시된 바와 같은 수직 측면 표면(231d)), 수직 측면 표면들(231a 및 231c) 및 상단 표면(21)은 반사 구조(30)에 의해 동시에 커버되어 각각 3개의 측면 반사 표면들 및 상부 반사 표면을 형성한다. 수직 측면 표면(231b)은 반사 구조(30)에 의해 커버되지 않고 따라서 반사 구조(30)로부터 노출되어, 측면 발광 표면을 형성한다.Specifically, one of the vertical side surfaces 231b or 231d of the photoluminescent structure 20 (eg, vertical side surface 231d as illustrated in FIG. 4C), vertical side surfaces 231a and 231c) and the top surface 21 are simultaneously covered by the reflective structure 30 to form three side reflective surfaces and an upper reflective surface, respectively. The vertical side surface 231b is not covered by the reflective structure 30 and is thus exposed from the reflective structure 30 to form a side light emitting surface.

구체적으로, 1차 광이 LED 칩(10)으로부터 방출되고 포토루미네슨트 구조(20)에 입사한 후, 수직 측면 표면들(231a, 231c, 231d) 및 상단 표면(21)을 향해 이동하는 광의 일부는 반사 구조(30)에 의해 반사(또는 흡수)될 것이고, 광은 다른 방사된 광과 함께 혼합될 것이고 수직 측면 표면(231b)으로부터 포토루미네슨트 구조(20) 밖으로 방출될 것이다. 따라서, LED(4A)의 1차 발광 표면의 배향은 실질적으로 LED 칩(10)의 하부 전극 표면에 수직이고, 이는 또한 LED들(1A 및 2A)의 1차 발광 표면의 배향과 상이하다. 따라서, 이는 또한 측면-뷰 LED로 사용될 수 있다.Specifically, after the primary light is emitted from the LED chip 10 and enters the photoluminescent structure 20, the light moving toward the vertical side surfaces 231a, 231c, 231d and the top surface 21 Some will be reflected (or absorbed) by the reflective structure 30, and light will be mixed with other emitted light and will be emitted out of the photoluminescent structure 20 from the vertical side surface 231b. Therefore, the orientation of the primary light emitting surface of the LED 4A is substantially perpendicular to the lower electrode surface of the LED chip 10, which is also different from the orientation of the primary light emitting surface of the LEDs 1A and 2A. Therefore, it can also be used as a side-view LED.

도 4e 및 도 4f에 예시된 바와 같이, 본 개시의 다른 실시예에 따른 LED(4B)의 2개의 개략적 단면도들이 도시되고, 예시의 목적으로, 포토루미네슨트 구조(20)가 광학 구조(20)의 예시적인 실시예로서 사용된다. LED(4B)는 적어도 LED(4B)의 포토루미네슨트 구조(20)가 LED 칩(10)의 에지 표면(13)을 커버하고(상부 표면(11)을 커버하지 않음), 반사 구조(30)가 LED 칩(10)의 상부 표면(11) 및 포토루미네슨트 구조(20)의 상단 표면(21) 뿐만 아니라 포토루미네슨트 구조(20)의 3개의 수직 측면 표면들(231a, 231c 및 231d)을 동시에 커버한다는 점에서 LED(4A)와 상이하다.4E and 4F, two schematic cross-sectional views of LED 4B according to another embodiment of the present disclosure are shown, and for purposes of illustration, photoluminescent structure 20 is an optical structure 20 ) As an exemplary embodiment. In the LED 4B, at least the photoluminescent structure 20 of the LED 4B covers the edge surface 13 of the LED chip 10 (not the upper surface 11), and the reflective structure 30 ) The top surface 11 of the LED chip 10 and the top surface 21 of the photoluminescent structure 20 as well as the three vertical side surfaces 231a, 231c of the photoluminescent structure 20 and It differs from the LED 4A in that it simultaneously covers 231d).

구체적으로, 포토루미네슨트 구조(20)는 LED 칩(10)의 에지 표면(13)을 커버한다. 바람직하게는, 포토루미네슨트 구조(20)의 상단 표면(21)은 LED 칩(10)의 상부 표면(11)과 실질적으로 동일 높이 또는 동일 평면이고, 상단 표면(21) 및 상부 표면(11) 둘 모두는 반사 구조(30)에 의해 동시에 커버되어 상부 반사 표면을 형성한다. 또한, 포토루미네슨트 구조(20)의 수직 측면 표면들(231b 또는 231d) 중 하나(예를 들어, 도 4e에 예시된 바와 같은 수직 측면 표면(231d)), 수직 측면 표면들(231a 및 231c) 및 상단 표면(21)은 반사 구조(30)에 의해 동시에 커버되고, 수직 측면 표면들(231a, 231c 및 231d)은 반사 구조(30)에 의해 커버되어 3개의 측면 반사 표면들을 형성하는 한편, 수직 측면 표면(231b)은 반사 구조(30)에 의해 커버되지 않고 따라서 반사 구조(30) 밖으로 노출되어, 측면 발광 표면을 형성한다.Specifically, the photoluminescent structure 20 covers the edge surface 13 of the LED chip 10. Preferably, the top surface 21 of the photoluminescent structure 20 is substantially the same height or coplanar with the top surface 11 of the LED chip 10, and the top surface 21 and the top surface 11 ) Both are simultaneously covered by the reflective structure 30 to form an upper reflective surface. In addition, one of the vertical side surfaces 231b or 231d of the photoluminescent structure 20 (eg, vertical side surface 231d as illustrated in FIG. 4E), vertical side surfaces 231a and 231c ) And the top surface 21 are simultaneously covered by the reflective structure 30, and the vertical side surfaces 231a, 231c and 231d are covered by the reflective structure 30 to form three side reflective surfaces, The vertical side surface 231b is not covered by the reflective structure 30 and is therefore exposed outside the reflective structure 30, thereby forming a side emitting surface.

따라서, 1차 광은 단독으로 또는 주로 LED 칩(10)의 에지 표면(13)으로부터 빠져 나가고 포토루미네슨트 구조(20)에 진입하며, 3개의 수직 측면 표면들(231a, 231c, 231d) 또는 상단 표면(21)을 향해 이동하는 광의 부분은 반사 구조(30)에 의해 반사(또는 흡수)될 것이고, 광 빔 L의 다른 부분과 함께 수직 측면 표면(231b)으로부터 포토루미네슨트 구조(20) 밖으로 탈출할 것이다. LED(3B)의 이점들과 유사하게, 반사 구조(30)는 LED 칩(10)의 상부 표면(11)을 직접 커버하여, 다수의 반사들에 의해 초래되는 에너지 손실을 회피함으로써 LED(4B)의 광 추출 효율이 추가로 개선될 수 있다.Thus, the primary light alone or mainly exits the edge surface 13 of the LED chip 10 and enters the photoluminescent structure 20, and three vertical side surfaces 231a, 231c, 231d or The portion of light traveling toward the top surface 21 will be reflected (or absorbed) by the reflective structure 30, and the photoluminescent structure 20 from the vertical side surface 231b along with the other parts of the light beam L Will escape. Similar to the advantages of the LED 3B, the reflective structure 30 directly covers the top surface 11 of the LED chip 10, thereby avoiding the energy loss caused by multiple reflections and thus the LED 4B. The light extraction efficiency of can be further improved.

다수의 반사들로 인해 불필요한 광 에너지 반사를 방지하기 위해, 제2 수평 방향 D2를 따른 LED들(4A 및 4B)의 LED 칩(10)의 폭은 바람직하게는 제1 수평 방향 D1을 따른 길이보다 작을 것이어서, 수직 측면 표면들(231a, 231c, 231d) 또는 상단 표면(21)을 향해 이동하고 반사 구조(30)에 의해 반사되는 광은 다른 광 빔 L과 함께 혼합되고 포토루미네슨트 구조(20)의 수직 측면 표면(231b)으로부터 방출되기 전에 더 짧은 광학 경로를 경험할 것임을 주목해야 한다.To prevent unnecessary light energy reflection due to multiple reflections, the width of the LED chip 10 of the LEDs 4A and 4B along the second horizontal direction D2 is preferably greater than the length along the first horizontal direction D1. Being small, the light traveling toward the vertical side surfaces 231a, 231c, 231d or the top surface 21 and reflected by the reflective structure 30 is mixed with other light beams L and photoluminescent structure 20 It should be noted that it will experience a shorter optical path before it exits from the vertical side surface 231b.

요약하면, LED들(1A, 2A, 3A, 3B, 4A 및 4B)은 하기 공통 이점들을 제공할 수 있다. 이들은 모두 CSP LED들이기 때문에, 이들 모두는 작은 크기의 폼 팩터를 갖는다. 바람직하게는, LED(1A, 2A, 3A, 3B, 4A 또는 4B)의 길이(또는 폭)는 LED 칩(10)의 길이(또는 폭)의 약 2.0배, 약 1.6배 또는 약 1.2배 이하이다. 따라서, 이는 다른 전자 디바이스들 내부에 조립 및 내장되는 것이 적합하다.In summary, the LEDs 1A, 2A, 3A, 3B, 4A and 4B can provide the following common advantages. Since they are all CSP LEDs, they all have a small form factor. Preferably, the length (or width) of the LEDs 1A, 2A, 3A, 3B, 4A or 4B is about 2.0 times, about 1.6 times or about 1.2 times or less the length (or width) of the LED chip 10. . Therefore, it is suitable to be assembled and embedded inside other electronic devices.

또한, 1차 광학 렌즈 또는 2차 광학 렌즈를 통합함이 없이 비대칭 방사 패턴이 생성될 수 있기 때문에, 전체 광학 시스템의 비용이 감소될 수 있고, 광학 렌즈를 위한 공간이 절감될 수 있다.Further, since an asymmetric emission pattern can be generated without integrating the primary optical lens or the secondary optical lens, the cost of the entire optical system can be reduced, and space for the optical lens can be reduced.

또한, 본 개시의 실시예들에 따른 LED의 비대칭 광학 방사 패턴은 최종 제품이 다른 설계 이점들을 갖게 할 수 있다. 예를 들어, 이는 LCD 텔레비전들 및 모바일 디바이스들을 위한 에지-광 타입 백라이트 모듈의 광원으로서 측면-뷰 PLCC-타입 LED를 대체할 수 있고, 비대칭 방사 패턴은 백라이트 모듈의 길이 방향을 따라 더 큰 시야각을 제공할 수 있어서, 어두운 영역 또는 스폿을 감소시킬 수 있거나 2개의 인접한 LED들 사이의 간격 거리가 증가되어 광 막대에서 사용되는 LED들의 수를 감소시킬 수 있다. 동시에, 백라이트 모듈의 두께 방향을 따라, 비대칭 형상의 LED는 더 작은 시야각을 제공하여, LED에 의해 방출된 광은 광 에너지의 손실을 감소시키기 위해 백라이트 모듈의 도광판에 효과적으로 전달될 수 있다.In addition, the asymmetric optical radiation pattern of the LEDs according to embodiments of the present disclosure may allow the final product to have other design advantages. For example, it can replace the side-view PLCC-type LED as a light source of an edge-light type backlight module for LCD televisions and mobile devices, and the asymmetric emission pattern provides a larger viewing angle along the length direction of the backlight module. By providing, it can reduce dark areas or spots or increase the distance between two adjacent LEDs to reduce the number of LEDs used in the light bar. At the same time, along the thickness direction of the backlight module, the asymmetrically shaped LED provides a smaller viewing angle, so that the light emitted by the LED can be effectively delivered to the light guide plate of the backlight module to reduce the loss of light energy.

또한, 본 개시의 일부 실시예들에 따른 LED의 1차 발광 표면 및 하부 전극 표면은 측면-뷰 CSP LED를 형성하도록 실질적으로 서로 수직일 수 있다. 에지-광 백라이트 모듈에 적용되는 경우, LED는 백라이트 모듈의 애플리케이션 장착 보드가 수직 표면을 생략하도록 허용하여(아래에서 설명될 도 6의 백라이트 모듈(600)의 기술적 내용 참조), 발광 표면의 법선 방향을 따른 백라이트 모듈의 전체 두께를 최소화하고 설계 및 제조에서의 어려움을 감소시킬 수 있다. 이러한 방식으로, 이러한 백라이트 모듈을 사용하는 디스플레이는 더 좁은 베젤 프레임을 달성할 수 있다.Further, the primary light emitting surface and the lower electrode surface of the LEDs in accordance with some embodiments of the present disclosure may be substantially perpendicular to each other to form a side-view CSP LED. When applied to an edge-light backlight module, the LED allows the application mounting board of the backlight module to omit the vertical surface (see the technical content of the backlight module 600 of FIG. 6 to be described below), so that the normal direction of the light emitting surface It is possible to minimize the overall thickness of the backlight module and reduce the difficulty in design and manufacturing. In this way, a display using such a backlight module can achieve a narrower bezel frame.

또한, LED들(1A, 2A, 3A, 3B, 4A 및 4B)에 의해 방출되는 광은 또한 더 비대칭 형상의 방사 패턴을 특정하는 일부 애플리케이션들에 대해 추가적인 2차 광학 렌즈들을 통합하는 것을 통해 더 비대칭적 형상으로 특정될 수 있다.In addition, the light emitted by the LEDs 1A, 2A, 3A, 3B, 4A and 4B is also more asymmetrical through the incorporation of additional secondary optical lenses for some applications that specify a more asymmetrically shaped radiation pattern. It can be specified as an enemy shape.

또한, 상기 LED(1A)에 개시된 기술적 특징들, 예를 들어, 광학 구조(20)의 실시예로서 실질적으로 투명한 광-투과 구조(20)는 또한 LED들(2A, 3A, 3B, 4A 및 4B)에 적용되어 비대칭 방사 패턴을 갖는 모노크로매틱 광 CSP LED를 형성할 수 있음을 인식할 것이다. 마이크로-구조화된 렌즈 층 또는 서브마운트 기판을 포함하는 것과 같은 LED(1A)에 따라 개시된 다른 기술적 특징들은 또한 LED들(2A, 3A, 3B, 4A 및 4B)에 적용될 수 있다.In addition, the technical features disclosed in the LED 1A, for example, a substantially transparent light-transmissive structure 20 as an embodiment of the optical structure 20, also include LEDs 2A, 3A, 3B, 4A and 4B. It will be appreciated that it can be applied to form monochromatic light CSP LEDs having asymmetric emission patterns. Other technical features disclosed in accordance with LED 1A, such as including a micro-structured lens layer or submount substrate, can also be applied to LEDs 2A, 3A, 3B, 4A and 4B.

다음으로, 앞서 설명된 LED들 중 임의의 하나를 포함하는 백라이트 모듈이 설명될 것이다. 도 5 및 도 6은 다양한 양상들의 구성을 갖는 백라이트 모듈을 각각 예시하며, 전자는, 상단 표면(21)으로부터 광을 방출할 수 있는 복수의 LED들(1A) 또는 복수의 LED들(2A)을 포함하고, 후자는 측면 발광 표면으로부터 광을 방출하는 복수의 LED들(3A, 3B, 4A 또는 4B)을 포함한다. 백라이트 모듈들은 애플리케이션 장착 보드, 전술한 LED들 중 임의의 하나(백색 광이 특정되면 포토루미네슨트 구조를, 또는 모노크로매틱 광(monochromatic light)이 특정되면 광-투과 구조를 포함할 수 있음), 반사 층 및 도광판을 더 포함한다. 컴포넌트들의 기술적 특징들은 다음과 같이 순차적으로 설명될 것이다.Next, a backlight module comprising any one of the LEDs described above will be described. 5 and 6 respectively illustrate a backlight module having a configuration of various aspects, and the former includes a plurality of LEDs 1A or a plurality of LEDs 2A capable of emitting light from the top surface 21. The latter includes a plurality of LEDs 3A, 3B, 4A or 4B that emit light from the side emitting surface. The backlight modules may include an application mounting board, any one of the LEDs described above (which may include a photoluminescent structure if white light is specified, or a light-transmissive structure when monochromatic light is specified), It further includes a reflective layer and a light guide plate. The technical features of the components will be described sequentially as follows.

도 5에 도시된 백라이트 모듈(500)은, 애플리케이션 장착 보드(510), 상단 표면(21)(예를 들어, LED(1A))으로부터 광을 방출할 수 있는 LED, 반사 층(520) 및 도광판(530)을 포함한다. 애플리케이션 장착 보드(510)는 수평 표면을 갖는 수평 부분(511), 수직 표면을 갖는 수직 부분(512) 및 반사 층(513)을 포함한다. 수평 부분(511) 및 수직 부분(512)은 서로 실질적으로 수직이고, 반사 층(513)은 적어도 수평 부분(511)의 수평 표면 또는 수직 부분(512)의 수직 표면 또는 둘 모두를 커버한다. 예를 들어, 도 5에 예시된 바와 같이, 수평 부분(511)의 수평 표면 및 수직 부분(512)의 수직 표면은 반사 층(513)에 의해 커버된다. 반사 층(513)은 예를 들어, 금속 박막, 금속 플레이트, 또는 고반사도 백색 페인트일 수 있다. 또한, 애플리케이션 장착 보드(510)는 또한 유연한 애플리케이션 장착 보드일 수 있다.The backlight module 500 illustrated in FIG. 5 includes an application mounting board 510, an LED capable of emitting light from the top surface 21 (eg, LED 1A), a reflective layer 520, and a light guide plate 530. The application mounting board 510 includes a horizontal portion 511 having a horizontal surface, a vertical portion 512 having a vertical surface, and a reflective layer 513. The horizontal portion 511 and the vertical portion 512 are substantially perpendicular to each other, and the reflective layer 513 covers at least the horizontal surface of the horizontal portion 511 or the vertical surface of the vertical portion 512 or both. For example, as illustrated in FIG. 5, the horizontal surface of horizontal portion 511 and the vertical surface of vertical portion 512 are covered by reflective layer 513. The reflective layer 513 may be, for example, a metal thin film, a metal plate, or a highly reflective white paint. Further, the application mounting board 510 may also be a flexible application mounting board.

도 5에 예시된 바와 같이, LED(1A)는 애플리케이션 장착 보드(510)의 수직 부분(512)의 수직 표면 상에 배치되어 있다. LED 칩(10)의 전극들의 세트(14)는 애플리케이션 장착 보드(510)와 전기적으로 연결된다. LED(1A)는, 제2 수평 방향 D2를 따라, 반사 구조(30)에 의해 커버되지 않은 수직 측면 표면(231d)이 애플리케이션 장착 보드(510)의 수평 부분(511)의 수평 표면을 향하고, 반사 구조(30)에 의해 커버된 수직 측면 표면(231b)이 수평 부분(511)으로부터 멀리 향하는 이러한 구조로 배치된다.As illustrated in FIG. 5, LED 1A is disposed on a vertical surface of vertical portion 512 of application mounting board 510. The set of electrodes 14 of the LED chip 10 is electrically connected to the application mounting board 510. In the LED 1A, along the second horizontal direction D2, a vertical side surface 231d not covered by the reflective structure 30 faces the horizontal surface of the horizontal portion 511 of the application mounting board 510, and reflects The vertical side surface 231b covered by the structure 30 is disposed with this structure facing away from the horizontal portion 511.

반사 층(520)은 애플리케이션 장착 보드(510)의 수평 부분(511) 위에 배치되고(그리고 반사 층(513) 위에 배치될 수 있음), 수직 부분(512)으로부터 멀리 그리고 LED(1A)로부터 멀리 확장된다. 반사 층(520)은 예를 들어, 금속 박막, 금속 플레이트, 또는 다른 구조들일 수 있다. 도광판(530)은 반사 층(520) 상에 배치되고, 서로 실질적으로 수직인 입사광 측면 표면(531) 및 출사광 표면(532)을 포함한다. 출사광 표면(532)은 입사광 측면 표면(531)에 연결되고, 출사광 표면(532)은 반사 층(520)에 평행하지만 그로부터 멀어지도록(반사 층(520)으로부터 멀리 향하도록) 구성된다.The reflective layer 520 is disposed over the horizontal portion 511 of the application mounting board 510 (and may be disposed over the reflective layer 513), extending away from the vertical portion 512 and away from the LED 1A. do. The reflective layer 520 may be, for example, a metal thin film, a metal plate, or other structures. The light guide plate 530 is disposed on the reflective layer 520 and includes incident light side surfaces 531 and exit light surfaces 532 that are substantially perpendicular to each other. The exit light surface 532 is connected to the incident light side surface 531, and the exit light surface 532 is parallel to the reflective layer 520 but is configured to be away from it (to face away from the reflection layer 520 ).

따라서, LED(1A)의 상단 표면(21)은 도광판(530)의 입사광 측면 표면(531)을 향한다. 바람직하게는, 제2 수평 방향 D2를 따른 LED(1A)의 길이는 출사광 표면(532)의 법선 방향을 따라 측정된 도광판(530)의 두께보다 크지 않다. 즉, LED(1A)의 발광 표면의 치수는 바람직하게는 입사광 측면 표면(531)의 치수보다 작다. 따라서, LED(1A)의 상단 표면(21)으로부터 방출된 광은 도광판(530)의 입사광 측면 표면(531)으로 효과적으로 전송될 수 있다. LED(1A)의 수직 측면 표면(231d)이 반사 구조(30)에 의해 커버되지 않기 때문에, 수직 측면 표면(231d)으로부터 탈출하는 광은 대개 반사 층(513)을 향해 방출된다. 반사 층(513)이 고반사도 재료를 사용하여 쉽게 제조되기 때문에, 반사 층(513)의 반사도는 반사 구조(30)의 반사도보다 크게 제조될 수 있다. 따라서, 반사 층(513)에 의해 반사된 후, 반사 층(513)을 향해 방출된 광(예를 들어, 도 5에 예시된 바와 같은 광 빔 L1)은 더 효과적으로 입사광 측면 표면(531)으로 안내될 수 있다. 이러한 방식으로, 광 에너지의 손실이 감소될 수 있어서, 백라이트 모듈(500)은 광 에너지 활용의 더 높은 효율을 가질 수 있다. 도광판(530) 아래에 배치된 반사 층(520)이 광을 반사하여, 대부분의 광은 출사광 표면(532)으로부터 밖으로 전송된다.Thus, the top surface 21 of the LED 1A faces the incident light side surface 531 of the light guide plate 530. Preferably, the length of the LED 1A along the second horizontal direction D2 is not greater than the thickness of the light guide plate 530 measured along the normal direction of the exit light surface 532. That is, the dimension of the light emitting surface of the LED 1A is preferably smaller than that of the incident light side surface 531. Accordingly, light emitted from the top surface 21 of the LED 1A can be effectively transmitted to the incident light side surface 531 of the light guide plate 530. Since the vertical side surface 231d of the LED 1A is not covered by the reflective structure 30, light escaping from the vertical side surface 231d is usually emitted toward the reflective layer 513. Since the reflective layer 513 is easily manufactured using a high-reflectivity material, the reflectivity of the reflective layer 513 can be made greater than that of the reflective structure 30. Thus, after being reflected by the reflective layer 513, the light emitted towards the reflective layer 513 (eg, light beam L1 as illustrated in FIG. 5) is more effectively directed to the incident light side surface 531 Can be. In this way, the loss of light energy can be reduced, so that the backlight module 500 can have a higher efficiency of utilizing light energy. The reflective layer 520 disposed under the light guide plate 530 reflects light, so that most of the light is transmitted out from the exit light surface 532.

도 6에 예시된 바와 같이, 백라이트 모듈(600)은 애플리케이션 장착 보드(610), 복수의 측면-방출 LED들(예를 들어, LED(3A)), 반사 층(620) 및 도광판(630)을 포함한다. 애플리케이션 장착 보드(610)는 수평 표면을 포함하는 수평 부분(611) 및 수평 부분(611)의 수평 표면 위에 배치되어 이를 커버하는 반사 층(613)을 포함한다.As illustrated in FIG. 6, the backlight module 600 includes an application mounting board 610, a plurality of side-emitting LEDs (eg, LED 3A), a reflective layer 620 and a light guide plate 630. Includes. The application mounting board 610 includes a horizontal portion 611 including a horizontal surface and a reflective layer 613 disposed on and covers the horizontal surface of the horizontal portion 611.

LED(3A)는 애플리케이션 장착 보드(610)의 수평 부분(611) 상에 배치되고, LED 칩(10)의 전극들의 세트(14)는 애플리케이션 장착 보드(610)와 전기적으로 연결된다. 반사 층(620)은 또한 애플리케이션 장착 보드(610)의 수평 부분(611) 위에 배치되고 LED(3A)로부터 멀리 확장된다. 도광판(630)은 반사 층(620) 위에 배치되고, 서로 실질적으로 수직인 입사광 측면 표면(631) 및 출사광 표면(632)을 포함한다. 출사광 표면(632)은 입사광 측면 표면(631)에 연결되고, 출사광 표면(632)은 반사 층(620)에 평행하지만 그로부터 멀리 향하도록 구성된다.The LED 3A is disposed on the horizontal portion 611 of the application mounting board 610, and the set of electrodes 14 of the LED chip 10 is electrically connected to the application mounting board 610. The reflective layer 620 is also disposed over the horizontal portion 611 of the application mounting board 610 and extends away from the LED 3A. The light guide plate 630 is disposed on the reflective layer 620 and includes incident light side surfaces 631 and emitted light surfaces 632 that are substantially perpendicular to each other. The exit light surface 632 is connected to the incident light side surface 631, and the exit light surface 632 is configured to be parallel to, but away from, the reflective layer 620.

도 6에 예시된 바와 같이, 제2 수평 방향 D2에 실질적으로 수직인 LED(3A)의 수직 측면 표면(231b)은 반사 구조(30)에 의해 커버되지 않고 도광판(630)의 입사광 측면 표면(631)을 향하고 있다. 한편, 수직 측면 표면(231d)은 반사 구조(30)에 의해 커버되고, 입사광 측면 표면(631)으로부터 멀리 향하고 있다. 또한, LED 칩(10)의 상부 표면(11)의 법선 방향을 따른 LED(3A)의 길이는 바람직하게는 출사광 표면(632)의 법선 방향을 따른 도광판(630)의 두께보다 크지 않다.As illustrated in FIG. 6, the vertical side surface 231b of the LED 3A substantially perpendicular to the second horizontal direction D2 is not covered by the reflective structure 30 and is incident light side surface 631 of the light guide plate 630. ). Meanwhile, the vertical side surface 231d is covered by the reflective structure 30 and is directed away from the incident light side surface 631. Further, the length of the LED 3A along the normal direction of the upper surface 11 of the LED chip 10 is preferably not greater than the thickness of the light guide plate 630 along the normal direction of the exit light surface 632.

이러한 방식으로, 반사 구조(30) 및 반사 층(613)의 안내 하에서, LED(3A)는 3개의 수직 측면 표면들(231a, 231b 및 231c)로부터 광을 방출할 수 있고, 도광판(630)의 입사광 측면 표면(631)에 효과적으로 전달될 수 있다. 도광판(630) 아래의 반사 층(620)이 광을 반사하여, 대부분의 광은 출사광 표면(632)으로부터 도광판(630) 밖으로 전송된다. 백라이트 모듈(500)에 비해, 백라이트 모듈(600)의 애플리케이션 장착 보드(610)는 수평 부분(611)을 포함하고, 다른 수직 부분을 포함하지 않는다. 따라서, 광 막대 모듈(애플리케이션 장착 보드(610) 및 LED들(3A)을 포함함)의 발광 표면(도 6에 도시된 D2 방향)의 방향을 따라, 애플리케이션 장착 보드(610)를 수용함이 없이 LED(3A)를 수용하기 위한 공간이 포함된다. 따라서, 광 막대 모듈은 D2 방향을 따라 더 작은 치수를 가질 수 있고, 이는 더 좁은 베젤 프레임을 갖는 LCD 패널의 설계 및 제조에 유리하다.In this way, under the guidance of the reflective structure 30 and the reflective layer 613, the LED 3A can emit light from three vertical side surfaces 231a, 231b and 231c, and the light guide plate 630 It can be effectively transmitted to the incident light side surface 631. The reflective layer 620 under the light guide plate 630 reflects light, so that most of the light is transmitted from the exit light surface 632 out of the light guide plate 630. Compared to the backlight module 500, the application mounting board 610 of the backlight module 600 includes a horizontal portion 611 and no other vertical portion. Thus, along the direction of the light emitting module (comprising the application mounting board 610 and the LEDs 3A) of the light emitting surface (direction D2 shown in FIG. 6), without accommodating the application mounting board 610 Space for accommodating the LED 3A is included. Thus, the light rod module can have smaller dimensions along the D2 direction, which is advantageous for the design and manufacture of LCD panels with narrower bezel frames.

도 7a 및 도 7b에 예시된 바와 같이, 복수의 LED들(3A 및 4A)을 포함하는 백라이트 모듈(600)의 측면 뷰 및 상단 뷰가 각각 도시되어 있다. LED(3A)는 3개의 수직 측면 표면들(231a, 231b 및 231c)로부터 광을 방출할 수 있기 때문에, 도 7a에 예시된 제1 수평 방향 D1을 따른 시야각은 도 7b에 예시된 제1 수평 방향 D1을 따른 LED(4A)의 시야각보다 커서, 인접 LED들(3A) 사이의 영역에서 초래될 수 있는 도광판(630)의 어두운 영역을 효과적으로 감소시킬 것이다. 또한, 인접한 LED들(3A) 사이의 거리는 또한 백라이트 모듈(600)에서 사용되는 LED들(3A)의 수를 감소시키도록 증가되어, 전체 모듈 비용을 감소시킬 수 있다. 반대로, LED(4A)는, 방사된 광이 제1 수평 방향 D1에 수직인 순방향을 향해 더 집중되는 기술적 특징을 가질 수 있다.7A and 7B, a side view and a top view of a backlight module 600 including a plurality of LEDs 3A and 4A are shown, respectively. Since the LED 3A can emit light from three vertical side surfaces 231a, 231b and 231c, the viewing angle along the first horizontal direction D1 illustrated in FIG. 7A is the first horizontal direction illustrated in FIG. 7B. Larger than the viewing angle of the LED 4A along D1, it will effectively reduce the dark area of the light guide plate 630 that may result in the area between adjacent LEDs 3A. In addition, the distance between adjacent LEDs 3A can also be increased to reduce the number of LEDs 3A used in the backlight module 600, thereby reducing the overall module cost. Conversely, the LED 4A may have a technical feature in which the emitted light is more concentrated toward the forward direction perpendicular to the first horizontal direction D1.

다음으로, 본 개시의 실시예에 따른 LED를 제조하기 위한 방법이 설명될 것이다. 방법은 적어도 2개의 프로세스 단계들, 즉, 먼저, LED 칩(10)의 상부 표면(11) 및/또는 에지 표면(13)을 커버하기 위해 포토루미네슨트 구조(20)(이는 또한 아래에서 상세히 설명되지 않을 광-투과 구조에 의해 대체될 수 있음)를 제공하는 단계; 및 둘째로, 포토루미네슨트 구조(20)(또는 광-투과 구조)의 측면 표면(23)을 부분적으로 커버하기 위해 반사 구조(30)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 이하, LED들(1A 내지 4B)은 제조 방법의 기술적 세부사항들을 추가로 설명하기 위한 예로서 순차적으로 설명될 것이고, 이는 LED들(1A 내지 4B)의 실시예들의 기술적 특징들로 지칭될 수 있다.Next, a method for manufacturing an LED according to an embodiment of the present disclosure will be described. The method comprises at least two process steps, i.e., a photoluminescent structure 20 (which is also described in detail below) to cover the top surface 11 and/or edge surface 13 of the LED chip 10. Providing a light-transmissive structure that will not be described); And second, forming a reflective structure 30 to partially cover the side surface 23 of the photoluminescent structure 20 (or light-transmissive structure). Hereinafter, the LEDs 1A to 4B will be sequentially described as an example for further describing the technical details of the manufacturing method, which may be referred to as technical features of the embodiments of the LEDs 1A to 4B. .

본 개시의 실시예에 따른 LED(1A)를 제조하는 방법의 프로세스 단계들의 개략도들이 도 8a 내지 도 12b에 예시된다.Schematic diagrams of process steps of a method for manufacturing an LED 1A according to an embodiment of the present disclosure are illustrated in FIGS. 8A-12B.

도 8a에 도시된 바와 같이, 복수의 LED 칩들(10)은 먼저 LED 칩들(10)의 어레이를 형성하기 위해 발산재(release material)(80) 상에서 특정 피치로 배열된다. 바람직하게는, LED 칩(10)은 발산재(80)에 대해 가압되어, 전극들의 세트(14)는 노출되지 않고 발산재(80)에 내장된다. 또한, 발산재(80)는 발산막, 자외선(UV) 발산 테이프, 열 발산 테이프 등일 수 있다. 도 8b에 도시된 바와 같이, 포토루미네슨트 구조(20)는 LED 칩들(10) 상에 배치되고, 각각의 LED 칩(10)의 상부 표면(11) 및 에지 표면(13)을 실질적으로 완전히 커버한다.8A, the plurality of LED chips 10 are first arranged at a specific pitch on a release material 80 to form an array of LED chips 10. Preferably, the LED chip 10 is pressed against the shedding material 80, so that the set of electrodes 14 is not exposed and is embedded in the shedding material 80. In addition, the diverging material 80 may be a diverging film, an ultraviolet (UV) emitting tape, a heat emitting tape, or the like. 8B, the photoluminescent structure 20 is disposed on the LED chips 10, and substantially completes the top surface 11 and edge surface 13 of each LED chip 10. Cover.

그 다음, 도 9a 내지 도 9c에 예시된 바와 같이, 포토루미네슨트 구조(20)의 일부는 절단되고 제1 수평 방향 D1을 따라 제거되어 제1 트렌치(90)를 형성하고, 제1 트렌치(90)는 LED 칩(10)의 에지 표면(13)(예를 들어, 수직 에지 표면(131b))의 하나의 수직 에지 표면을 따라 절단된다. 제1 트렌치(90)가 형성된 후, 수직 측면 표면(231b)은 노출되고 후속적으로 반사 구조(30)에 의해 커버될 것이다.Then, as illustrated in FIGS. 9A to 9C, a portion of the photoluminescent structure 20 is cut and removed along the first horizontal direction D1 to form the first trench 90, and the first trench ( 90) is cut along one vertical edge surface of the edge surface 13 of the LED chip 10 (eg, vertical edge surface 131b). After the first trench 90 is formed, the vertical side surface 231b will be exposed and subsequently covered by the reflective structure 30.

절단이 완료된 후, 도 10a 및 도 10b에 도시된 바와 같이, 몰딩 또는 분배에 의해 제1 트렌치(90)의 갭을 채우기 위해 내부에 반사 구조(30)가 형성되고, 반사 구조(30)는 포토루미네슨트 구조(20)의 수직 측면 표면(231b)을 실질적으로 완전히 커버하고, 반사 구조(30)의 상단 표면(31)은 포토루미네슨트 구조(20)의 상단 표면(21)과 실질적으로 동일 높이일 수 있어서, 포토루미네슨트 구조(20)의 상단 표면(21)은 반사 구조(30)로부터 노출된다.After the cutting is completed, as shown in FIGS. 10A and 10B, a reflective structure 30 is formed inside to fill the gap of the first trench 90 by molding or distribution, and the reflective structure 30 is a photo The vertical side surface 231b of the luminescent structure 20 is substantially completely covered, and the top surface 31 of the reflective structure 30 is substantially the same as the top surface 21 of the photoluminescent structure 20. Being the same height, the top surface 21 of the photoluminescent structure 20 is exposed from the reflective structure 30.

반사 구조(30)를 형성하기 위해 몰딩 방법이 사용되면, 포토루미네슨트 구조(20), LED 칩(10) 및 발산재(80)는 몰드(미도시)에 배치되고, 그 다음, 반사 구조(30)의 제조 재료가 몰드에 주입되어, 포토루미네슨트 구조(20)의 수직 측면 표면(231b)이 커버된다. 제조 재료가 경화되고 고체화되는 경우, 반사 구조(30)가 형성될 수 있다. 반사 구조(30)를 형성하기 위해 분배 방법이 사용되면, 전술한 몰드는 생략될 수 있다. 그 대신, 반사 구조(30)의 제조 재료가 발산재(80) 상에 직접 분배되고, 그 다음, 제조 재료는 발산재(80) 상에서 점진적으로 증가되어, 포토루미네슨트 구조(20)의 수직 측면 표면(231b)을 커버한다. 이러한 경우, 반사 구조(30)의 상단 표면(31)은 또한 포토루미네슨트 구조(20)의 상단 표면(21)보다 약간 낮도록 설계되어, 반사 구조(30)의 제조 재료가 포토루미네슨트 구조(20)의 상단 표면(21)으로 확산되는 것을 방지할 수 있다. When a molding method is used to form the reflective structure 30, the photoluminescent structure 20, the LED chip 10 and the diverging material 80 are placed in a mold (not shown), and then, the reflective structure The manufacturing material of 30 is injected into the mold, so that the vertical side surface 231b of the photoluminescent structure 20 is covered. When the manufacturing material is cured and solidified, a reflective structure 30 can be formed. If the dispensing method is used to form the reflective structure 30, the aforementioned mold can be omitted. Instead, the manufacturing material of the reflective structure 30 is distributed directly on the diverging material 80, and then, the manufacturing material is gradually increased on the diverging material 80, so that the photoluminescent structure 20 is vertically The side surface 231b is covered. In this case, the top surface 31 of the reflective structure 30 is also designed to be slightly lower than the top surface 21 of the photoluminescent structure 20, so that the manufacturing material of the reflective structure 30 is photoluminescent. It is possible to prevent diffusion to the top surface 21 of the structure 20.

반사 구조(30)가 형성된 후, 도 11a 및 도 11b에 도시된 바와 같이, 발산재(80)가 제거되어 연결된 LED들(1A)의 어레이가 획득될 수 있다. LED들(1A)의 반사 구조들(30)이 연결될 수 있어서, 제2 수평 방향 D2를 따라 연결된 포토루미네슨트 구조들(20) 및 반사 구조(30)를 절단하기 위해 (도 12a 및 도 12b에 도시된 바와 같은) 싱귤레이션(singulation) 프로세스 단계가 취해져서, 반사 구조(30)에 의해 커버되지 않은 수직 측면 표면들(231a 및 231c)을 형성할 수 있다. 유사하게, 제1 수평 방향 D1을 따라 연결된 포토루미네슨트 구조들(20) 및 반사 구조들(30)을 절단하기 위해 다른 싱귤레이션 절차가 수행되어, 수직 측면 표면들(231d) 및 수직 측면 표면(231b)이 형성되고, 이들은 반사 구조(30)에 의해 차폐된다. 이러한 방식으로, 서로 분리된 복수의 LED들(1A)이 획득될 수 있고, 하나의 수직 측면 표면(231b)은 반사 구조(30)에 의해 차폐된다.After the reflective structure 30 is formed, as shown in FIGS. 11A and 11B, the divergent material 80 is removed to obtain an array of connected LEDs 1A. The reflective structures 30 of the LEDs 1A can be connected to cut the photoluminescent structures 20 and the reflective structure 30 connected along the second horizontal direction D2 (FIGS. 12A and 12B) A singulation process step (as shown in) can be taken to form vertical side surfaces 231a and 231c that are not covered by the reflective structure 30. Similarly, another singulation procedure is performed to cut the photoluminescent structures 20 and reflective structures 30 connected along the first horizontal direction D1, such that vertical side surfaces 231d and vertical side surfaces 231b are formed, which are shielded by the reflective structure 30. In this way, a plurality of LEDs 1A separated from each other can be obtained, and one vertical side surface 231b is shielded by the reflective structure 30.

상기 내용은 LED(1A)를 제조하는 방법의 설명이다. 다음으로, LED(2A)를 제조하는 방법이 설명될 것이다. LED(2A)를 제조하는 방법은 LED(1A)를 제조하는 방법과 부분적으로 동일하거나 유사하기 때문에, 유사한 프로세스 단계들의 상세한 설명이 적절히 생략될 것이다.The above is the description of the method for manufacturing the LED 1A. Next, a method of manufacturing the LED 2A will be described. Since the method of manufacturing the LED 2A is partially the same or similar to the method of manufacturing the LED 1A, detailed descriptions of similar process steps will be appropriately omitted.

도 13a 내지 도 17b는 LED(2A)를 제조하기 위한 제조 방법의 프로세스 단계들의 개략도들이다.13A-17B are schematic diagrams of process steps of a manufacturing method for manufacturing the LED 2A.

도 13a에 도시된 바와 같이, 발산재(80)가 먼저 제공되고, 분사 코팅, 프린팅 또는 몰딩과 같은 제조 프로세스를 통해 발산재(80) 상에 포토루미네슨트 구조(20)가 형성된다. 대안적으로, 포토루미네슨트 구조(20)가 먼저 완료되고, 그 다음, 포토루미네슨트 구조(20)가 발산재(80) 상에 부착되고 배치되며, 포토루미네슨트 구조(20)의 상단 표면(21)이 발산재(80)를 향한다.As shown in FIG. 13A, a divergent material 80 is first provided, and a photoluminescent structure 20 is formed on the divergent material 80 through a manufacturing process such as spray coating, printing or molding. Alternatively, the photoluminescent structure 20 is first completed, and then, the photoluminescent structure 20 is attached and disposed on the diverging material 80, and the photoluminescent structure 20 is The top surface 21 faces the diverging material 80.

다음으로, 도 13b에 도시된 바와 같이, 복수의 LED 칩들(10)이 거꾸로 포토루미네슨트 구조(20) 상에 배치되어, LED 칩(10)의 상부 표면(11)이 아래를 향하고, 포토루미네슨트 구조(20) 상에 배치된다. 이 때, 각각의 칩(10)의 전극들의 세트(14)는 위를 향하고, 발산재(80)로부터 노출된다.Next, as shown in FIG. 13B, a plurality of LED chips 10 are disposed upside down on the photoluminescent structure 20, so that the upper surface 11 of the LED chip 10 faces down, and the photo It is disposed on the luminescent structure 20. At this time, the set of electrodes 14 of each chip 10 faces upward, and is exposed from the diverging material 80.

그 다음, 도 14a 내지 도 14c에 도시된 바와 같이, 포토루미네슨트 구조(20)가 제1 수평 방향 D1을 따라 절단되어 포토루미네슨트 구조(20)의 일부가 제거되어 제1 트렌치(90')를 형성하며, 이는 LED 칩(10)의 하나의 특정 에지 부분(예를 들어, 수직 에지 표면(131b))에 가깝게 형성될 것이다. 제1 트렌치의 제거 프로세스가 완료된 후, 도 14b에 도시된 바와 같이, 제1 수평 방향 D1을 따른 포토루미네슨트 구조들(20)이 여전히 연결된다. 제2 수평 방향 D2를 따라, 도 14c에 도시된 바와 같이, 포토루미네슨트 구조들(20)은 제1 트렌치들(90')에 의해 분리되어 수직 측면 표면(231b)을 노출시키고, 이는 반사 구조(30)에 의해 커버될 것이다.Then, as shown in FIGS. 14A to 14C, the photoluminescent structure 20 is cut along the first horizontal direction D1 to remove a portion of the photoluminescent structure 20 to remove the first trench 90 '), which will be formed close to one particular edge portion of the LED chip 10 (eg, vertical edge surface 131b). After the removal process of the first trench is completed, as shown in FIG. 14B, the photoluminescent structures 20 along the first horizontal direction D1 are still connected. Along the second horizontal direction D2, as shown in FIG. 14C, the photoluminescent structures 20 are separated by the first trenches 90' to expose the vertical side surface 231b, which is reflective It will be covered by structure 30.

다음으로, 도 15a 및 도 15b에 도시된 바와 같이, 반사 구조(30)는 제1 트렌치들(90')의 갭을 채우기 위해 제1 트렌치들(90')과 각각의 LED 칩(10)의 에지 표면(13) 사이에 형성되고, 후속적으로 LED 칩(10)의 에지 표면(13) 및 포토루미네슨트 구조(20)의 수직 측면 표면(231b)을 실질적으로 완전히 커버한다.Next, as shown in FIGS. 15A and 15B, the reflective structure 30 is provided with the first trenches 90 ′ and each LED chip 10 to fill the gap of the first trenches 90 ′. It is formed between the edge surfaces 13 and subsequently substantially completely covers the edge surfaces 13 of the LED chip 10 and the vertical side surfaces 231b of the photoluminescent structure 20.

반사 구조(30)가 형성된 후, (도 16a 및 도 16b에 도시된 바와 같이) 발산재(80)가 제거되어 복수의 LED들(2A)이 획득된다. LED들(2A)의 포토루미네슨트 구조들(20) 및 반사 구조들(30)이 연결될 수 있어서, (도 17a 및 도 17b에 도시된 바와 같은) 싱귤레이션 프로세스는 서로 분리된 LED들(2A)이 획득되도록, 연결된 포토루미네슨트 구조들(20) 및 반사 구조들(30)을 단절시키기 위해 수행될 수 있다. 구체적으로, 도 17a에 도시된 바와 같이, 연결된 포토루미네슨트 구조(20) 및 반사 구조(30)는 제2 수평 방향 D2을 따라 절단되어, 반사 구조(30)로부터 노출된 수직 측면 표면들(231a 및 231c)을 형성한다. 유사하게, 도 17b에 도시된 바와 같이, 연결된 포토루미네슨트 구조들(20) 및 반사 구조들(30)이 제1 수평 방향 D1을 따라 절단되어, 수직 측면 표면(231b)은 반사 구조(30)에 의해 여전히 차폐되는 한편, 수직 측면 표면(231d)은 반사 구조(30)로부터 노출된다.After the reflective structure 30 is formed, the diverging material 80 (as shown in FIGS. 16A and 16B) is removed to obtain a plurality of LEDs 2A. The photoluminescent structures 20 and reflective structures 30 of the LEDs 2A can be connected, so that the singulation process (as shown in FIGS. 17A and 17B) is separated from each other by the LEDs 2A ) Can be performed to disconnect the connected photoluminescent structures 20 and reflective structures 30 so as to be obtained. Specifically, as shown in FIG. 17A, the connected photoluminescent structure 20 and the reflective structure 30 are cut along the second horizontal direction D2, and vertical side surfaces exposed from the reflective structure 30 ( 231a and 231c). Similarly, as shown in FIG. 17B, the connected photoluminescent structures 20 and reflective structures 30 are cut along the first horizontal direction D1, so that the vertical side surface 231b has a reflective structure 30 ), while vertical side surface 231d is exposed from reflective structure 30.

상기 내용은 LED(2A)를 제조하기 위한 제조 방법의 설명이다. 다음으로, LED들(3A 및 3B)을 제조하는 방법이 설명될 것이다. LED들(1A 및 2A)을 제조하기 위한 제조 방법들의 단계들과 동일하거나 유사한 제조 단계들의 상세한 설명이 적절히 생략될 것이다.The above is the description of the manufacturing method for manufacturing the LED 2A. Next, a method of manufacturing the LEDs 3A and 3B will be described. Detailed descriptions of the same or similar manufacturing steps to those of the manufacturing methods for manufacturing the LEDs 1A and 2A will be appropriately omitted.

도 18a에 도시된 바와 같이, 복수의 LED 칩들(10)은 먼저 발산재(80) 상에서 특정 피치로 배열된다. 바람직하게는, 도 19a에 예시된 바와 같이, 제2 수평 방향 D2을 따른 LED 칩들(10)의 폭은 제1 수평 방향 D1을 따른 LED 칩들(10)의 길이보다 작다. 다음으로, 도 18b에 도시된 바와 같이, 포토루미네슨트 구조들(20)은 LED 칩들(10) 상에 형성되고, 각각의 LED 칩(10)의 상부 표면(11) 및 에지 표면(13)을 실질적으로 완전히 커버한다. 그러나, 이러한 특정 실시예에서, LED 칩들(10)의 상부 표면(11) 상에서 커버되는 포토루미네슨트 구조(20)의 두께는 LED(3A)에 대응하는 두께보다 작을 수 있다.18A, the plurality of LED chips 10 are first arranged at a specific pitch on the diverging material 80. Preferably, as illustrated in FIG. 19A, the width of the LED chips 10 along the second horizontal direction D2 is less than the length of the LED chips 10 along the first horizontal direction D1. Next, as shown in FIG. 18B, photoluminescent structures 20 are formed on the LED chips 10, and the top surface 11 and edge surface 13 of each LED chip 10 are formed. Covers substantially completely. However, in this particular embodiment, the thickness of the photoluminescent structure 20 covered on the top surface 11 of the LED chips 10 may be less than the thickness corresponding to the LED 3A.

그 다음, 도 19a 내지 도 19c를 참조하면, 포토루미네슨트 구조(20)는 제1 트렌치(90)를 형성하기 위해 제1 수평 방향 D1을 따라 절단된다. 절단되는 경우, 제1 트렌치(90)는 칩(10)의 하나의 특정 에지 표면(예를 들어, 도 19a 및 도 19c에 예시된 바와 같은 수직 에지 표면(131d))을 향해 균일하게 형성되어, 포토루미네슨트 구조(20)의 수직 측면 표면(231d)을 노출시킬 것이고, 이는 다음 제조 단계에서 반사 구조(30)에 의해 커버될 것이다.Next, referring to FIGS. 19A-19C, the photoluminescent structure 20 is cut along the first horizontal direction D1 to form the first trench 90. When cut, the first trench 90 is uniformly formed toward one particular edge surface of the chip 10 (eg, vertical edge surface 131d as illustrated in FIGS. 19A and 19C), The vertical side surface 231d of the photoluminescent structure 20 will be exposed, which will be covered by the reflective structure 30 in the next manufacturing step.

트렌치 제거가 완료된 후, 도 20a 및 도 20b에 도시된 바와 같이, 제1 트렌치(90)의 갭을 채우기 위해 반사 구조(30)가 형성된다. LED(1A)를 제조하는 것과 반대로, 반사 구조(30)는 포토루미네슨트 구조(20)의 상단 표면(21) 뿐만 아니라 수직 측면 표면(231d)을 실질적으로 완전히 커버한다.After the trench removal is completed, a reflective structure 30 is formed to fill the gap in the first trench 90, as shown in FIGS. 20A and 20B. Contrary to manufacturing the LED 1A, the reflective structure 30 substantially completely covers the vertical side surface 231d as well as the top surface 21 of the photoluminescent structure 20.

반사 구조(30)가 형성된 후, 도 21a 및 도 21b에 도시된 바와 같이, 발산재(80)가 제거되어 복수의 LED들(3A)이 획득될 수 있다. 그 다음, 도 22a 및 도 22b에 도시된 바와 같이, 제2 수평 방향 D2를 따라, 연결된 포토루미네슨트 구조(20) 및 반사 구조들(30)을 분리시키기 위해 싱귤레이션 프로세스가 수행되어, 반사 구조(30)에 의해 커버되지 않는 수직 측면 표면들(231a 및 231c)을 노출시킬 수 있다. 그 다음, 제1 수평 방향 D1을 따라 연결된 포토루미네슨트 구조들(20) 및 반사 구조들(30)을 분리시키기 위해 다른 다이싱(dicing) 프로세스가 수행되어 수직 측면 표면(231b)을 형성할 수 있다. 수직 측면 표면(231d)은 반사 구조(30)에 의해 여전히 차폐된다. 이러한 방식으로, 복수의 상호 분리된 LED들(3A)이 획득될 수 있다.After the reflective structure 30 is formed, as shown in FIGS. 21A and 21B, the divergent material 80 may be removed to obtain a plurality of LEDs 3A. Then, as shown in FIGS. 22A and 22B, a singulation process is performed to separate the connected photoluminescent structure 20 and reflective structures 30 along the second horizontal direction D2, to reflect Vertical side surfaces 231a and 231c that are not covered by structure 30 may be exposed. Then, another dicing process is performed to separate the photoluminescent structures 20 and reflective structures 30 connected along the first horizontal direction D1 to form a vertical side surface 231b. You can. The vertical side surface 231d is still shielded by the reflective structure 30. In this way, a plurality of mutually separated LEDs 3A can be obtained.

상기 제조 방법은 약간의 수정 이후 LED(3B)를 제조하기 위해 수행될 수 있다. 즉, 도 18b를 참조하면, 포토루미네슨트 구조(20)를 형성하기 위한 제조 단계에서, 포토루미네슨트 구조(20)는 LED 칩들(10)의 에지 표면들(13) 사이에서 선택적으로 형성되지만 LED 칩(10)의 상부 표면(11)을 커버하지 않는다. 대안적으로, 포토루미네슨트 구조(20)는 LED 칩(10)의 상부 표면(11)을 커버하도록 형성될 수 있고, 그 다음, 상부 표면(11)을 커버하는 부분이 제거될 수 있다.The manufacturing method can be performed to manufacture the LED 3B after a slight modification. That is, referring to FIG. 18B, in the manufacturing step for forming the photoluminescent structure 20, the photoluminescent structure 20 is selectively formed between the edge surfaces 13 of the LED chips 10. However, it does not cover the top surface 11 of the LED chip 10. Alternatively, the photoluminescent structure 20 can be formed to cover the top surface 11 of the LED chip 10, and then the portion covering the top surface 11 can be removed.

상기 내용은 LED들(3A 및 3B)을 제조하는 방법의 설명이다. 다음으로, LED들(4A 및 4B)을 제조하는 방법이 설명될 것이다. LED들(3A 및 3B)의 제조 프로세스들과 동일하거나 유사한 제조 프로세스들의 상세한 설명은 적절히 생략될 것이다.The above is a description of a method for manufacturing the LEDs 3A and 3B. Next, a method of manufacturing the LEDs 4A and 4B will be described. Detailed descriptions of manufacturing processes identical or similar to those of the LEDs 3A and 3B will be omitted as appropriate.

도 18a에 도시된 바와 같이, 먼저, 복수의 LED 칩들(10)이 발산재(80) 상에서 특정 피치로 배열되고, 그 다음, 도 18b에 도시된 바와 같이, 포토루미네슨트 구조들(20)이 LED 칩들(10) 상에 배치된다. 그 후, 도 19a 내지 도 19c에 도시된 바와 같이, 제1 트렌치(90)를 형성하기 위해 제1 수평 방향 D1을 따라 포토루미네슨트 구조(20)가 절단되어 반사 구조(30)에 의해 커버될 수직 측면 표면(231d)을 노출시킨다.18A, first, a plurality of LED chips 10 are arranged at a specific pitch on the diverging material 80, and then, as shown in FIG. 18B, photoluminescent structures 20 It is disposed on the LED chips (10). Thereafter, as shown in FIGS. 19A to 19C, the photoluminescent structure 20 is cut along the first horizontal direction D1 to form the first trench 90 and covered by the reflective structure 30 The vertical side surface 231d to be exposed is exposed.

도 23a 내지 도 23c에 예시된 바와 같이, 이 제조 프로세스는 LED(3A)를 제조하는 방법과 상이하다. 제1 트렌치(90)가 형성된 후, 다른 절단 프로세스 단계가 수행될 것이다. 즉, 포토루미네슨트 구조(20)가 제2 수평 방향 D2를 따라 절단되어, 제2 트렌치(91)를 형성하고, 제1 수직 방향 D1에 실질적으로 수직으로 서로 대향하여 배치되는 2개의 수직 측면 표면들(231a 및 231c)을 노출시킨다.23A to 23C, this manufacturing process is different from the method of manufacturing the LED 3A. After the first trench 90 is formed, other cutting process steps will be performed. That is, the photoluminescent structure 20 is cut along the second horizontal direction D2 to form the second trench 91, and the two vertical side faces arranged substantially opposite to each other in the first vertical direction D1 The surfaces 231a and 231c are exposed.

2개의 트렌치 제거 프로세스들이 완료된 후, 제1 및 제2 트렌치들(90 및 91) 내부에 반사 구조들(30)(미도시)이 형성되어 포토루미네슨트 구조(20)의 수직 측면 표면들(231a, 231c 및 231d)을 커버하고, 제1 및 제2 트렌치들(90 및 91)의 갭을 채운다. 또한, 반사 구조(30)는 포토루미네슨트 구조(20)의 상단 표면(21)을 실질적으로 완전히 커버한다. 반사 구조(30)가 형성된 후, 발산재(80)가 제거되어 복수의 LED들(4A 또는 4B)이 획득될 수 있다. 그 다음, 싱귤레이션 프로세스가 수행되어, 서로 분리된 복수의 LED들(4A 또는 4B)이 획득될 수 있다.After the two trench removal processes are completed, reflective structures 30 (not shown) are formed inside the first and second trenches 90 and 91 to form vertical side surfaces of the photoluminescent structure 20 ( 231a, 231c and 231d), and fill the gaps of the first and second trenches 90 and 91. In addition, the reflective structure 30 substantially completely covers the top surface 21 of the photoluminescent structure 20. After the reflective structure 30 is formed, the diverging material 80 is removed so that a plurality of LEDs 4A or 4B can be obtained. Then, a singulation process is performed, so that a plurality of LEDs 4A or 4B separated from each other can be obtained.

요약하면, 본 개시의 실시예들에 따른 LED를 제조하기 위한 방법은, 적어도 하나의 특정한 수평 방향을 따라 방사 패턴 및 시야각을 효과적으로 제어할 수 있는 다양한 LED들을 생성할 수 있거나, 측면-뷰 발광 구조를 갖는 CSP LED를 형성할 수 있다. 이러한 LED들은 배치(batch) 방식으로 제조될 수 있다.In summary, a method for manufacturing an LED according to embodiments of the present disclosure can generate various LEDs that can effectively control a radiation pattern and a viewing angle along at least one specific horizontal direction, or a side-view light emitting structure It is possible to form a CSP LED having. These LEDs can be manufactured in a batch manner.

본 개시는 본 개시의 특정 실시예들을 참조하여 설명되었지만, 첨부된 청구항들에 의해 정의된 바와 같은 본 개시의 진정한 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양한 변경들이 행해질 수 있고 등가물들이 대체될 수 있음을 당업자들은 이해해야 한다. 또한, 특정 상황, 재료, 재료의 조성, 방법 또는 공정을 본 개시의 목적, 사상 및 범위에 적응시키기 위해 많은 수정들이 행해질 수 있다. 이러한 모든 수정들은 첨부된 청구항들의 범위 내에 있는 것으로 의도된다. 특히, 본 명세서에 개시된 방법들은 특정 순서로 수행된 특정 동작을 참조하여 설명되었지만, 이러한 동작들은 결합, 세분화, 또는 재순서화되어 본 개시의 교시들을 벗어나지 않고 동등한 방법을 형성할 수 있음이 이해될 것이다. 따라서, 본 명세서에서 구체적으로 표시되지 않는 한, 동작들의 순서 및 그룹화는 본 개시의 제한들이 아니다.Although this disclosure has been described with reference to specific embodiments of the disclosure, those skilled in the art will appreciate that various changes may be made and equivalents may be substituted without departing from the true spirit and scope of the disclosure as defined by the appended claims. You have to understand. In addition, many modifications can be made to adapt a particular situation, material, composition of materials, method or process to the purpose, spirit and scope of the present disclosure. All such modifications are intended to be within the scope of the appended claims. In particular, although the methods disclosed herein have been described with reference to specific operations performed in a particular order, it will be understood that these operations can be combined, subdivided, or reordered to form equivalent methods without departing from the teachings of this disclosure. . Thus, unless specifically indicated herein, the order and grouping of operations are not limitations of the present disclosure.

Claims (30)

발광 디바이스로서,
상부 표면, 상기 상부 표면에 대향하는 하부 표면, 에지 표면 및 전극들의 세트를 포함하는 발광 칩, ― 상기 에지 표면은 상기 상부 표면과 상기 하부 표면 사이에서 확장되고, 상기 전극들의 세트는 상기 하부 표면 상에 배치되고, 상기 전극들의 세트 및 상기 하부 표면은 하부 전극 표면을 형성함 ―;
상단 표면, 상기 상단 표면에 대향하는 바닥 표면 및 측면 표면을 포함하는 광학 구조 ― 상기 측면 표면은 상기 상단 표면과 상기 바닥 표면 사이에서 확장되고, 상기 광학 구조는 상기 발광 칩의 상부 표면, 상기 발광 칩의 에지 표면 또는 둘 모두를 커버함 ―; 및
상기 광학 구조의 측면 표면을 부분적으로 커버하는 반사 구조를 포함하고,
서로 수직인 제1 수평 방향 및 제2 수평 방향은 상기 발광 칩의 상부 표면 상의 길이 방향 및 폭 방향을 따라 각각 특정되고,
상기 광학 구조의 측면 표면은 4개의 수직 측면 표면들을 포함하고;
상기 4개의 수직 측면 표면들 중 2개의 수직 측면 표면들은 상기 제1 수평 방향에 대해 실질적으로 수직으로 대향하여 배치되고,
상기 4개의 수직 측면 표면들 중 다른 2개의 수직 측면 표면들은 상기 제2 수평 방향에 실질적으로 수직으로 대향하여 배치되고;
상기 제2 수평 방향에 대해 실질적으로 수직인 상기 수직 측면 표면들 중 하나는 상기 반사 구조에 의해 커버되어 측면 반사 표면을 형성하고;
상기 제2 수평 방향에 대해 실질적으로 수직인 상기 수직 측면 표면들 중 다른 하나는 상기 반사 구조에 의해 커버되지 않아서 측면 발광 표면을 형성하고;
상기 발광 디바이스의 측면 발광 표면 및 상기 발광 칩의 하부 전극 표면은 서로 실질적으로 수직인,
발광 디바이스.
As a light emitting device,
A light emitting chip comprising a top surface, a bottom surface opposite the top surface, an edge surface and a set of electrodes, wherein the edge surface extends between the top surface and the bottom surface, and the set of electrodes is on the bottom surface. Disposed on, the set of electrodes and the lower surface form a lower electrode surface;
An optical structure comprising a top surface, a bottom surface and a side surface opposite the top surface, wherein the side surface extends between the top surface and the bottom surface, and the optical structure is an upper surface of the light emitting chip, the light emitting chip Covering the edge surface of or both; And
A reflective structure partially covering a side surface of the optical structure,
The first horizontal direction and the second horizontal direction perpendicular to each other are respectively specified along the length direction and the width direction on the upper surface of the light emitting chip,
The side surface of the optical structure comprises four vertical side surfaces;
Two of the four vertical side surfaces are disposed to face substantially perpendicular to the first horizontal direction,
The other two of the four vertical side surfaces are disposed substantially perpendicular to the second horizontal direction;
One of the vertical side surfaces substantially perpendicular to the second horizontal direction is covered by the reflective structure to form a side reflective surface;
The other of the vertical side surfaces substantially perpendicular to the second horizontal direction is not covered by the reflective structure to form a side light emitting surface;
The side light emitting surface of the light emitting device and the bottom electrode surface of the light emitting chip are substantially perpendicular to each other,
Light emitting device.
제1항에 있어서,
상기 광학 구조는
포토루미네슨트(photoluminescent) 구조 또는 광-투과 구조인,
발광 디바이스.
According to claim 1,
The optical structure
Which is a photoluminescent structure or a light-transmissive structure,
Light emitting device.
제2항에 있어서,
상기 발광 칩의 상부 표면 및 에지 표면 둘 모두는 상기 광학 구조에 의해 커버되고;
상기 광학 구조의 상단 표면, 및 서로 대향하여 그리고 상기 제1 수평 방향에 대해 실질적으로 수직으로 배치되는 상기 광학 구조의 2개의 수직 측면 표면들은 상기 반사 구조에 의해 커버되지 않아서 상단 발광 표면 및 2개의 측면 발광 표면들을 형성하고;
상기 발광 디바이스의 상단 발광 표면 및 상기 발광 칩의 하부 전극 표면은 서로 실질적으로 평행하고;
상기 발광 디바이스의 2개의 측면 발광 표면들 및 상기 발광 칩의 하부 전극 표면은 서로 실질적으로 수직인,
발광 디바이스.
According to claim 2,
Both the top surface and the edge surface of the light emitting chip are covered by the optical structure;
The top surface of the optical structure, and the two vertical side surfaces of the optical structure, which are disposed opposite to each other and substantially perpendicular to the first horizontal direction, are not covered by the reflective structure so that the top light emitting surface and the two sides Forming light emitting surfaces;
The top light emitting surface of the light emitting device and the bottom electrode surface of the light emitting chip are substantially parallel to each other;
The two side light emitting surfaces of the light emitting device and the bottom electrode surface of the light emitting chip are substantially perpendicular to each other,
Light emitting device.
제2항에 있어서,
상기 광학 구조의 바닥 표면의 영역은 상기 발광 칩의 상부 표면의 영역보다 크고;
상기 발광 칩의 상부 표면은 상기 광학 구조에 의해 커버되고;
상기 발광 칩의 에지 표면은 상기 반사 구조에 의해 커버되고;
상기 광학 구조의 상단 표면, 및 서로 대향하여 그리고 상기 제1 수평 방향에 대해 실질적으로 수직으로 배치되는 상기 광학 구조의 2개의 수직 측면 표면들은 상기 반사 구조에 의해 커버되지 않아서 상단 발광 표면 및 2개의 측면 발광 표면들을 형성하고;
상기 발광 디바이스의 상단 발광 표면 및 상기 발광 칩의 하부 전극 표면은 서로 실질적으로 평행하고;
상기 발광 디바이스의 2개의 측면 발광 표면들 및 상기 발광 칩의 하부 전극 표면은 서로 실질적으로 수직인,
발광 디바이스.
According to claim 2,
The area of the bottom surface of the optical structure is larger than that of the top surface of the light emitting chip;
The upper surface of the light emitting chip is covered by the optical structure;
The edge surface of the light emitting chip is covered by the reflective structure;
The top surface of the optical structure, and the two vertical side surfaces of the optical structure, which are disposed opposite each other and substantially perpendicular to the first horizontal direction, are not covered by the reflective structure so that the top light emitting surface and the two sides Forming light emitting surfaces;
The top light emitting surface of the light emitting device and the bottom electrode surface of the light emitting chip are substantially parallel to each other;
The two side light emitting surfaces of the light emitting device and the bottom electrode surface of the light emitting chip are substantially perpendicular to each other,
Light emitting device.
제2항에 있어서,
상기 발광 칩의 상부 표면 및 에지 표면 둘 모두는 상기 광학 구조에 의해 커버되고;
상기 광학 구조의 상단 표면은 상기 반사 구조에 의해 커버되어 상부 반사 표면을 형성하고;
서로 대향하여 그리고 상기 제1 수평 방향에 대해 실질적으로 수직으로 배치되는 상기 광학 구조의 2개의 수직 측면 표면들은 상기 반사 구조에 의해 커버되지 않아서 2개의 측면 발광 표면들을 형성하고;
상기 발광 디바이스의 2개의 측면 발광 표면들 및 상기 발광 칩의 하부 전극 표면은 서로 실질적으로 수직인,
발광 디바이스.
According to claim 2,
Both the top surface and the edge surface of the light emitting chip are covered by the optical structure;
The top surface of the optical structure is covered by the reflective structure to form an upper reflective surface;
The two vertical side surfaces of the optical structure facing each other and substantially perpendicular to the first horizontal direction are not covered by the reflective structure to form two side light emitting surfaces;
The two side light emitting surfaces of the light emitting device and the bottom electrode surface of the light emitting chip are substantially perpendicular to each other,
Light emitting device.
제2항에 있어서,
상기 발광 칩의 에지 표면은 상기 광학 구조에 의해 커버되고;
상기 발광 칩의 상부 표면 및 상기 광학 구조의 상단 표면 둘 모두는 상기 반사 구조에 의해 커버되어 상부 반사 표면을 형성하고;
서로 대향하여 그리고 상기 제1 수평 방향에 대해 실질적으로 수직으로 배치되는 상기 광학 구조의 2개의 수직 측면 표면들은 상기 반사 구조에 의해 커버되지 않아서 2개의 측면 발광 표면들을 형성하고;
상기 발광 디바이스의 2개의 측면 발광 표면들 및 상기 발광 칩의 하부 전극 표면은 서로 실질적으로 수직인,
발광 디바이스.
According to claim 2,
The edge surface of the light emitting chip is covered by the optical structure;
Both the upper surface of the light emitting chip and the upper surface of the optical structure are covered by the reflective structure to form an upper reflective surface;
The two vertical side surfaces of the optical structure facing each other and substantially perpendicular to the first horizontal direction are not covered by the reflective structure to form two side light emitting surfaces;
The two side light emitting surfaces of the light emitting device and the bottom electrode surface of the light emitting chip are substantially perpendicular to each other,
Light emitting device.
제2항에 있어서,
상기 발광 칩의 상부 표면 및 에지 표면 둘 모두는 상기 광학 구조에 의해 커버되고;
상기 광학 구조의 상단 표면은 상기 반사 구조에 의해 커버되어 상부 반사 표면을 형성하고;
서로 대향하여 그리고 상기 제1 수평 방향에 대해 실질적으로 수직으로 배치되는 상기 광학 구조의 2개의 수직 측면 표면들은 상기 반사 구조에 의해 커버되어 2개의 측면 반사 표면들을 형성하는,
발광 디바이스.
According to claim 2,
Both the top surface and the edge surface of the light emitting chip are covered by the optical structure;
The top surface of the optical structure is covered by the reflective structure to form an upper reflective surface;
The two vertical side surfaces of the optical structure disposed opposite each other and substantially perpendicular to the first horizontal direction are covered by the reflective structure to form two side reflective surfaces,
Light emitting device.
제2항에 있어서,
상기 발광 칩의 에지 표면은 상기 광학 구조에 의해 커버되고;
상기 발광 칩의 상부 표면 및 상기 광학 구조의 상단 표면 둘 모두는 상기 반사 구조에 의해 커버되어 상부 반사 표면을 형성하고;
서로 대향하여 그리고 상기 제1 수평 방향에 대해 실질적으로 수직으로 배치되는 상기 광학 구조의 2개의 수직 측면 표면들 둘 모두는 상기 반사 구조에 의해 커버되어 2개의 측면 반사 표면들을 형성하는,
발광 디바이스.
According to claim 2,
The edge surface of the light emitting chip is covered by the optical structure;
Both the upper surface of the light emitting chip and the upper surface of the optical structure are covered by the reflective structure to form an upper reflective surface;
Both of the two vertical side surfaces of the optical structure disposed opposite each other and substantially perpendicular to the first horizontal direction are covered by the reflective structure to form two side reflective surfaces,
Light emitting device.
제3항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광학 구조는 마이크로-구조화된 렌즈 층을 더 포함하는,
발광 디바이스.
The method according to any one of claims 3 to 8,
The optical structure further comprises a micro-structured lens layer,
Light emitting device.
제3항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
서브마운트 기판을 더 포함하고, 상기 발광 디바이스는 상기 서브마운트 기판과 전기적으로 연결되는,
발광 디바이스.
The method according to any one of claims 3 to 8,
Further comprising a submount substrate, the light emitting device is electrically connected to the submount substrate,
Light emitting device.
제3항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광학 구조는 적어도 하나의 광-투과 층을 더 포함하는,
발광 디바이스.
The method according to any one of claims 3 to 8,
The optical structure further comprises at least one light-transmissive layer,
Light emitting device.
제3항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 반사 구조는 광-투과 수지 재료, 및 상기 광-투과 수지 재료에 산재된 광학 산란 입자들을 포함하는,
발광 디바이스.
The method according to any one of claims 3 to 8,
The reflective structure includes a light-transmissive resin material and optical scattering particles interspersed with the light-transmissive resin material,
Light emitting device.
제12항에 있어서,
상기 광-투과 수지 재료는 폴리프탈아미드, 폴리시클로헥실렌-디메틸렌 테레프탈레이트, 에폭시 몰딩 화합물 또는 실리콘을 포함하고;
상기 광학 산란 입자들은 티타늄 디옥사이드, 붕소 나이트라이드, 실리콘 디옥사이드, 또는 알루미늄 옥사이드를 포함하는,
발광 디바이스.
The method of claim 12,
The light-transmissive resin material comprises polyphthalamide, polycyclohexylene-dimethylene terephthalate, epoxy molding compound or silicone;
The optical scattering particles include titanium dioxide, boron nitride, silicon dioxide, or aluminum oxide,
Light emitting device.
백라이트 모듈로서,
수평 표면을 포함하는 애플리케이션 장착 보드;
상기 애플리케이션 장착 보드 상에 배치되는 제1항의 발광 디바이스;
상기 애플리케이션 장착 보드의 수평 표면 위에 배치되는 반사 층; 및
상기 반사 층 위에 배치되는 도광판을 포함하고, 상기 도광판은, 입사광 측면 표면, 및 상기 입사광 측면 표면에 연결되고 상기 반사 층으로부터 멀리 향하는 출사광 표면을 포함하는,
백라이트 모듈.
As a backlight module,
An application mounting board comprising a horizontal surface;
The light emitting device of claim 1 disposed on the application mounting board;
A reflective layer disposed over a horizontal surface of the application mounting board; And
A light guide plate disposed over the reflective layer, the light guide plate comprising an incident light side surface and an exit light surface connected to the incident light side surface and facing away from the reflective layer,
Backlight module.
제14항에 있어서,
상기 애플리케이션 장착 보드는 수직 표면을 더 포함하고;
상기 발광 디바이스는 상기 애플리케이션 장착 보드의 수직 표면 상에 배치되고;
상기 발광 디바이스의 측면 발광 표면은 상기 애플리케이션 장착 보드의 수평 표면을 향하고;
상기 발광 디바이스의 상단 발광 표면은 상기 도광판의 입사광 측면 표면을 향하는,
백라이트 모듈.
The method of claim 14,
The application mounting board further comprises a vertical surface;
The light emitting device is disposed on a vertical surface of the application mounting board;
The side emitting surface of the light emitting device faces the horizontal surface of the application mounting board;
The top light emitting surface of the light emitting device faces the incident light side surface of the light guide plate,
Backlight module.
제15항에 있어서,
상기 발광 디바이스의 상단 발광 표면의 길이는 상기 제2 수평 방향을 따라 특정되고;
상기 도광판의 두께는 상기 출사광 표면의 법선 방향을 따라 특정되고;
상기 상단 발광 표면의 길이는 상기 도광판의 두께보다 크지 않은,
백라이트 모듈.
The method of claim 15,
The length of the top emitting surface of the light emitting device is specified along the second horizontal direction;
The thickness of the light guide plate is specified along the normal direction of the exit light surface;
The length of the top light emitting surface is not greater than the thickness of the light guide plate,
Backlight module.
제15항에 있어서,
상기 애플리케이션 장착 보드는 상기 수직 표면, 상기 수평 표면 또는 둘 모두를 커버하는 반사 층을 더 포함하는,
백라이트 모듈.
The method of claim 15,
The application mounting board further comprises a reflective layer covering the vertical surface, the horizontal surface, or both,
Backlight module.
제15항에 있어서,
상기 애플리케이션 장착 보드는 유연한 애플리케이션 장착 보드인,
백라이트 모듈.
The method of claim 15,
The application mounting board is a flexible application mounting board,
Backlight module.
제14항에 있어서,
상기 발광 디바이스는 상기 애플리케이션 장착 보드의 수평 표면 상에 배치되고;
상기 발광 디바이스의 측면 발광 표면은 상기 도광판의 입사광 측면 표면을 향하는,
백라이트 모듈.
The method of claim 14,
The light emitting device is disposed on a horizontal surface of the application mounting board;
The side light emitting surface of the light emitting device faces the incident light side surface of the light guide plate,
Backlight module.
제19항에 있어서,
상기 발광 디바이스의 측면 발광 표면의 길이는 상기 발광 칩의 상부 표면의 법선 방향을 따라 특정되고;
상기 도광판의 두께는 상기 출사광 표면의 법선 방향을 따라 특정되고;
상기 측면 발광 표면의 길이는 상기 도광판의 두께보다 크지 않은,
백라이트 모듈.
The method of claim 19,
The length of the side light emitting surface of the light emitting device is specified along the normal direction of the top surface of the light emitting chip;
The thickness of the light guide plate is specified along the normal direction of the exit light surface;
The length of the side light emitting surface is not greater than the thickness of the light guide plate,
Backlight module.
제19항에 있어서,
상기 애플리케이션 장착 보드는 상기 수평 표면을 커버하는 반사 층을 더 포함하는,
백라이트 모듈.
The method of claim 19,
The application mounting board further comprises a reflective layer covering the horizontal surface,
Backlight module.
발광 디바이스를 제조하는 방법으로서,
발광 칩의 상부 표면, 상기 발광 칩의 에지 표면 또는 둘 모두를 커버하는 광학 구조를 배치하는 단계; 및
상기 광학 구조의 측면 표면을 부분적으로 커버하는 반사 구조를 형성하는 단계를 포함하고,
제1 수평 방향 및 제2 수평 방향은 상기 발광 칩의 상부 표면 상의 길이 방향 및 폭 방향을 따라 각각 특정되고;
상기 광학 구조의 측면 표면은 4개의 수직 측면 표면들을 포함하고;
상기 4개의 수직 측면 표면들 중 2개의 수직 측면 표면들은 상기 제1 수평 방향에 대해 실질적으로 수직으로 대향하여 배치되고,
상기 4개의 수직 측면 표면들 중 다른 2개의 수직 측면 표면들은 상기 제2 수평 방향에 실질적으로 수직으로 대향하여 배치되고;
상기 제2 수평 방향에 대해 실질적으로 수직인 상기 수직 측면 표면들 중 하나는 상기 반사 구조에 의해 커버되어 측면 반사 표면을 형성하고;
상기 제2 수평 방향에 대해 실질적으로 수직인 상기 수직 측면 표면들 중 다른 하나는 상기 반사 구조에 의해 커버되지 않아서 측면 발광 표면을 형성하는,
발광 디바이스를 제조하는 방법.
A method for manufacturing a light emitting device,
Disposing an optical structure covering the top surface of the light emitting chip, the edge surface of the light emitting chip, or both; And
Forming a reflective structure partially covering a side surface of the optical structure,
The first horizontal direction and the second horizontal direction are respectively specified along the length direction and the width direction on the upper surface of the light emitting chip;
The side surface of the optical structure comprises four vertical side surfaces;
Two of the four vertical side surfaces are disposed to face substantially perpendicular to the first horizontal direction,
The other two of the four vertical side surfaces are disposed substantially perpendicular to the second horizontal direction;
One of the vertical side surfaces substantially perpendicular to the second horizontal direction is covered by the reflective structure to form a side reflective surface;
The other of the vertical side surfaces substantially perpendicular to the second horizontal direction is not covered by the reflective structure to form a side light emitting surface,
Method for manufacturing a light emitting device.
제22항에 있어서,
상기 광학 구조를 배치할 때, 상기 방법은,
상기 발광 칩의 상부 표면 및 에지 표면 상에 상기 광학 구조를 형성하는 단계; 및
제1 트렌치를 형성하기 위해 상기 제1 수평 방향을 따라 상기 광학 구조를 절단하고, 상기 반사 구조에 의해 커버될 상기 광학 구조의 측면 표면을 노출시키는 단계를 더 포함하고,
상기 반사 구조를 형성할 때, 상기 반사 구조는 상기 제1 트렌치를 채우도록 형성되는,
발광 디바이스를 제조하는 방법.
The method of claim 22,
When placing the optical structure, the method,
Forming the optical structure on an upper surface and an edge surface of the light emitting chip; And
Further comprising cutting the optical structure along the first horizontal direction to form a first trench and exposing a side surface of the optical structure to be covered by the reflective structure,
When forming the reflective structure, the reflective structure is formed to fill the first trench,
Method for manufacturing a light emitting device.
제23항에 있어서,
상기 반사 구조를 형성할 때, 상기 반사 구조는 상기 광학 구조의 상단 표면을 더 커버하는,
발광 디바이스를 제조하는 방법.
The method of claim 23,
When forming the reflective structure, the reflective structure further covers the top surface of the optical structure,
Method for manufacturing a light emitting device.
제24항에 있어서,
상기 방법은,
제2 트렌치를 형성하기 위해 상기 제2 수평 방향을 따라 상기 광학 구조를 절단하고, 상기 제1 수평 방향에 실질적으로 수직인 상기 2개의 수직 측면 표면들을 노출시키는 단계를 더 포함하고,
상기 반사 구조를 형성할 때, 상기 반사 구조는 상기 제2 트렌치를 채우도록 형성되는,
발광 디바이스를 제조하는 방법.
The method of claim 24,
The above method,
Cutting the optical structure along the second horizontal direction to form a second trench, and exposing the two vertical side surfaces substantially perpendicular to the first horizontal direction,
When forming the reflective structure, the reflective structure is formed to fill the second trench,
Method for manufacturing a light emitting device.
제22항에 있어서,
상기 광학 구조를 배치할 때, 상기 방법은,
상기 상부 표면이 아래를 향하도록 상기 발광 칩을 상기 광학 구조 상에 배열하는 단계; 및
제1 트렌치를 형성하기 위해 상기 제1 수평 방향을 따라 상기 광학 구조를 절단하고, 상기 반사 구조에 의해 커버될 상기 측면 표면을 노출시키는 단계를 더 포함하고,
상기 반사 구조를 형성할 때, 상기 반사 구조는 상기 제1 트렌치를 채우도록, 그리고 또한 상기 발광 칩의 에지 표면을 커버하도록 형성되는,
발광 디바이스를 제조하는 방법.
The method of claim 22,
When placing the optical structure, the method,
Arranging the light emitting chip on the optical structure such that the upper surface faces down; And
Cutting the optical structure along the first horizontal direction to form a first trench, and exposing the side surface to be covered by the reflective structure,
When forming the reflective structure, the reflective structure is formed to fill the first trench, and also to cover the edge surface of the light emitting chip,
Method for manufacturing a light emitting device.
제22항에 있어서,
상기 광학 구조를 배치할 때, 상기 방법은,
상기 발광 칩의 에지 표면을 커버하도록 상기 광학 구조를 형성하는 단계; 및
제1 트렌치를 형성하기 위해 상기 제1 수평 방향을 따라 상기 광학 구조를 절단하고, 상기 반사 구조에 의해 커버될 상기 측면 표면을 노출시키는 단계를 더 포함하고,
상기 반사 구조를 형성할 때, 상기 반사 구조는 상기 제1 트렌치를 채우도록, 그리고 또한 상기 광학 구조의 상단 표면 및 상기 발광 칩의 상부 표면을 커버하도록 형성되는,
발광 디바이스를 제조하는 방법.
The method of claim 22,
When placing the optical structure, the method,
Forming the optical structure to cover an edge surface of the light emitting chip; And
Cutting the optical structure along the first horizontal direction to form a first trench, and exposing the side surface to be covered by the reflective structure,
When forming the reflective structure, the reflective structure is formed to fill the first trench, and also to cover the top surface of the optical structure and the top surface of the light emitting chip,
Method for manufacturing a light emitting device.
제27항에 있어서,
상기 반사 구조를 형성하는 단계는,
제2 트렌치를 형성하기 위해 상기 제2 수평 방향을 따라 상기 광학 구조를 절단하고, 상기 제1 수평 방향에 실질적으로 수직인 상기 2개의 수직 측면 표면들을 노출시키는 단계를 더 포함하고,
상기 반사 구조는 상기 제2 트렌치를 채우도록 형성되는,
발광 디바이스를 제조하는 방법.
The method of claim 27,
The step of forming the reflective structure,
Cutting the optical structure along the second horizontal direction to form a second trench, and exposing the two vertical side surfaces substantially perpendicular to the first horizontal direction,
The reflective structure is formed to fill the second trench,
Method for manufacturing a light emitting device.
제22항에 있어서,
상기 제1 수평 방향을 따라 상기 광학 구조를 절단하는 단계, 및 그에 후속하여, 상기 제2 수평 방향을 따라 상기 광학 구조를 절단하는 단계를 더 포함하는,
발광 디바이스를 제조하는 방법.
The method of claim 22,
Cutting the optical structure along the first horizontal direction, and subsequently cutting the optical structure along the second horizontal direction,
Method for manufacturing a light emitting device.
제22항에 있어서,
상기 광학 구조를 절단하는 단계 및 상기 반사 구조를 절단하는 단계를 더 포함하고, 상기 반사 구조를 절단하는 단계는 상기 광학 구조를 절단하는 단계와 동시적인,
발광 디바이스를 제조하는 방법.
The method of claim 22,
The method further includes cutting the optical structure and cutting the reflective structure, wherein cutting the reflective structure is simultaneous with cutting the optical structure.
Method for manufacturing a light emitting device.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111276596B (en) 2018-12-05 2024-02-06 光宝光电(常州)有限公司 Light-emitting unit
TWI676768B (en) * 2018-12-05 2019-11-11 大陸商光寶光電(常州)有限公司 Light-emitting unit
KR102325808B1 (en) * 2019-07-17 2021-11-12 주식회사 에스엘바이오닉스 Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
JP7066964B2 (en) * 2020-01-31 2022-05-16 日亜化学工業株式会社 Planar light source
CN116598410A (en) * 2023-06-29 2023-08-15 惠州市弘正光电有限公司 LED light source, LED display screen and preparation process

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100077213A (en) * 2007-11-19 2010-07-07 파나소닉 주식회사 Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device
KR20130007036A (en) * 2011-06-28 2013-01-18 (주)세미머티리얼즈 Light emitting device package and method for fabricating thereof
KR20140133765A (en) * 2013-05-09 2014-11-20 서울반도체 주식회사 Light source module and backlight unit having the same
KR20150044307A (en) * 2013-10-16 2015-04-24 주식회사 루멘스 Side type light emitting device package, backlight unit and its manufacturing method
KR20150145828A (en) * 2014-06-19 2015-12-31 삼성디스플레이 주식회사 Light source module and backlight unit comprising the same
KR20170002783A (en) * 2015-06-29 2017-01-09 엘지디스플레이 주식회사 Light emitting diode package and method for manufacturing the same, backlight unit and liquid crystal display device using the same

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4640188B2 (en) * 2006-01-18 2011-03-02 三菱電機株式会社 Surface light source device
US20080049445A1 (en) * 2006-08-25 2008-02-28 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Backlight Using High-Powered Corner LED
KR101262520B1 (en) * 2011-07-18 2013-05-08 엘지이노텍 주식회사 Display device and mrthod of fabricating the same
JP2013072905A (en) * 2011-09-26 2013-04-22 Toshiba Corp Backlight for liquid crystal display
JP5860289B2 (en) * 2012-01-05 2016-02-16 シチズン電子株式会社 Manufacturing method of LED device
JP5995695B2 (en) * 2012-12-03 2016-09-21 シチズンホールディングス株式会社 Manufacturing method of LED device
JP6153327B2 (en) * 2013-01-22 2017-06-28 シチズン電子株式会社 LED module
JP6438648B2 (en) * 2013-11-15 2018-12-19 日亜化学工業株式会社 Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof
JP6865217B2 (en) * 2015-10-07 2021-04-28 ルミレッズ ホールディング ベーフェー Flip-chip SMT LEDs with a variable number of light emitting surfaces
KR102464320B1 (en) * 2015-10-26 2022-11-07 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 Light emitting device package
JP6567576B2 (en) * 2017-02-09 2019-08-28 サターン ライセンシング エルエルシーSaturn Licensing LLC Display device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100077213A (en) * 2007-11-19 2010-07-07 파나소닉 주식회사 Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device
KR20130007036A (en) * 2011-06-28 2013-01-18 (주)세미머티리얼즈 Light emitting device package and method for fabricating thereof
KR20140133765A (en) * 2013-05-09 2014-11-20 서울반도체 주식회사 Light source module and backlight unit having the same
KR20150044307A (en) * 2013-10-16 2015-04-24 주식회사 루멘스 Side type light emitting device package, backlight unit and its manufacturing method
KR20150145828A (en) * 2014-06-19 2015-12-31 삼성디스플레이 주식회사 Light source module and backlight unit comprising the same
KR20170002783A (en) * 2015-06-29 2017-01-09 엘지디스플레이 주식회사 Light emitting diode package and method for manufacturing the same, backlight unit and liquid crystal display device using the same

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