KR20200064701A - Method for fabricating a dye-sensitized solar cell - Google Patents

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KR20200064701A
KR20200064701A KR1020180151115A KR20180151115A KR20200064701A KR 20200064701 A KR20200064701 A KR 20200064701A KR 1020180151115 A KR1020180151115 A KR 1020180151115A KR 20180151115 A KR20180151115 A KR 20180151115A KR 20200064701 A KR20200064701 A KR 20200064701A
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forming
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김수우
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주식회사 오리온
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Abstract

The present invention relates to a method for fabricating a dye-sensitive solar cell, which includes the steps of: forming an upper partition wall or a lower partition wall having a grid electrode formation region defined on an upper plate or a lower plate having an upper electrode or a lower electrode; forming a grid electrode injection hole in a portion of the upper plate or the lower plate corresponding to the grid electrode formation region; incorporating the upper and lower plates into a sandwich type so that the upper and lower partitions adhere to each other to form a completed partition; filling the grid electrode formation region with the grid electrode paste by injecting a thermosetting type grid electrode paste into the grid electrode injection hole; and thermally curing the grid electrode paste to form a completed grid electrode inside the partition wall. Therefore, various problems caused by height variations between the partition walls or grid electrodes are effectively avoided.

Description

염료감응형 태양전지의 제조방법{Method for fabricating a dye-sensitized solar cell}Method for fabricating a dye-sensitized solar cell

본 발명은 염료감응형 태양전지의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 태양전지 측에서, <상/하부 격벽이 별도의 틈새 없이 완벽하게 맞붙어, 완성된 형태의 격벽을 먼저 형성한 후에, 그리드 전극 패이스트가 격벽 사이의 공간(즉, 그리드 전극 형성영역)으로 후속 주입/경화되어, 별도의 틈새를 갖지 아니하는 완성된 형태의 그리드 전극을 형성시키게 되는 새로운 패턴>을 통해 제조될 수 있도록 유도함으로써, 결국, 생산주체 측에서, 상/하부 격벽 및 상/하부 그리드 전극 사이에 존재하는 높이 편차에 기인한 각종 문제점(또는, 상/하부 격벽 사이의 틈새, 상/하부 그리드 전극 사이의 틈새에 기인한 각종 문제점)을 효과적으로 회피하면서, 자사 제품의 경쟁력을 최적의 상태로 극대화시킬 수 있도록 가이드 할 수 있는 연료감응형 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a dye-sensitized solar cell, and more specifically, from the solar cell side, the <top/bottom partition wall perfectly fits without a separate gap, and then forms a completed partition wall first, then a grid The electrode paste is subsequently injected/cured into the space between the barrier ribs (that is, the grid electrode formation region), so that it can be manufactured through a new pattern> which forms a completed form of a grid electrode without a separate gap. By doing so, in the end, at the production side, various problems (or, gaps between the upper/lower partition walls and the gaps between the upper/lower grid electrodes) due to height deviations existing between the upper/lower partition walls and the upper/lower grid electrodes It relates to a method of manufacturing a fuel-sensitized solar cell that can guide to maximize the competitiveness of its products in an optimal state while effectively avoiding various problems caused by).

도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 기술에 따른 염료감응형 태양전지(10)는 상/하부 전극(51,52)이 구비된 글래스 재질의 상/하부 판(21,22)과, 상기 상/하부 판(21,22) 사이에 개재된 상태에서, 격벽(40)에 의해 상호 분리되며, 상/하부 판(21,22)을 따라 배열되면서, 전해질 및 염료고분자를 수용하는 다수의 전해질/염료 수용 셀(30)과, 상기 격벽(40) 내에 삽입되어, 전해질로부터 분리되면서, 상/하부 판(21,22)의 갭을 유지시켜주는 역할, 상/하부 판(21,22)을 전기적으로 연결시켜주는 역할 등을 수행하는 그리드 전극(53)(Grid electrode) 등이 체계적으로 조합된 구성을 취하게 된다. 이 경우, 상/하부 판(21,22)에는 예컨대, FTO 등의 전도성 물질(도시 안됨)이 코팅되며, 상/하부 판(21,22)의 측 부에는 전해질 및 염료고분자를 주입하기 위한 전해질 주입구(60)가 추가 형성된다.As shown in FIG. 1, the dye-sensitized solar cell 10 according to the prior art includes glass upper/lower plates 21 and 22 equipped with upper and lower electrodes 51 and 52, and the upper and lower electrodes. / In the state interposed between the lower plate (21,22), separated from each other by the partition wall (40), arranged along the upper / lower plate (21,22), a plurality of electrolytes to accommodate the electrolyte and dye polymer / Dye-receiving cell 30, and inserted into the partition wall 40, while separating from the electrolyte, the role of maintaining the gap of the upper / lower plates (21,22), the upper / lower plates (21,22) electrically The grid electrode 53, which performs a role of connecting to the grid electrode, etc., is systematically combined. In this case, conductive materials (not shown), such as FTO, are coated on the upper/lower plates 21 and 22, and electrolytes for injecting electrolyte and dye polymers on the sides of the upper/lower plates 21 and 22 Inlet 60 is further formed.

이러한 염료감응형 태양전지(10)의 보다 상세한 구조는 예를 들어, 국내공개특허 제10-2012-114888호(명칭: 염료감응 태양전지용 봉지재 및 이를 이용한 염료감응 태양전지의 봉지방법)(2012.10.17.자 공개), 국내등록특허 제10-1223736호(명칭: 염료감응 태양전지용 전해질 및 이를 이용한 염료감응 태양전지)(2013.1.21.자 공고), 국내공개특허 제10-2010-116797호(명칭: 태양전지용 실링장치 및 그 제어방법)(2010.11.2.자 공개), 국내공개특허 제10-2013-23929호(명칭: 염료감응 태양전지의 전해질 실링 구조)(2013.3.8.자 공개) 등에 개시되어 있다.For a more detailed structure of the dye-sensitized solar cell 10, for example, Korean Patent Publication No. 10-2012-114888 (name: Dye-sensitized solar cell sealing material and dye-sensitized solar cell sealing method using the same) (2012.10 .17.published), domestic registered patent No. 10-1223736 (name: dye-sensitized solar cell electrolyte and dye-sensitized solar cell using the same) (published on January 1, 2013), Korean published patent No. 10-2010-116797 (Name: Sealing device for solar cell and control method thereof) (published on Jan. 1, 2010), Korean Patent Publication No. 10-2013-23929 (Name: Electrolyte sealing structure of dye-sensitized solar cell) ) And the like.

한편, 이러한 종래의 체제 하에서, 생산주체 측에서는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상부 전극(51), 상부 격벽(40a), 상부 그리드 전극(53a) 등이 기 형성되어 있던 상부 판(21)과, 하부 전극(52), 하부 격벽(40b), 하부 그리드 전극(53b) 등이 기 형성되어 있던 하부 판(22)을 샌드위치 타입으로 결합/합체시켜, 격벽(40), 그리드 전극(53), 상/하부 전극(51,52) 등을 구비하는 염료감응형 태양전지(10)를 최종 제조하게 된다.On the other hand, under this conventional system, as shown in FIGS. 2 and 3 on the production subject side, the upper plate 51, the upper electrode 51, the upper partition wall 40a, the upper grid electrode 53a, etc. ), the lower electrode 52, the lower partition wall 40b, the lower grid electrode 53b, and the like, the lower plate 22, which is previously formed, is combined/merged into a sandwich type, and the partition wall 40, the grid electrode 53 ), the dye-sensitized solar cell 10 including the upper/lower electrodes 51 and 52 is finally manufactured.

이 경우, 상/하부 판(21,22) 측 상/하부 격벽(40a,40b) 및 상/하부 그리드 전극(53a,53b)은 상/하부 판(21,22)의 결합/합체에 의해 완성된 형태의 격벽(40) 및 그리드 전극(53)을 형성하게 되는 바, 이때, 만약, 상/하부 격벽(40a,40b) 및 상/하부 그리드 전극(53a,53b) 사이에 일련의 높이 편차가 존재하게 될 경우, 후술하는 바와 같이, 염료감응형 태양전지(10) 측에서는 그에 상응하는 심각한 문제점을 고스란히 겪을 수밖에 없게 된다.In this case, the upper/lower partition walls 40a, 40b and the upper/lower grid electrodes 53a, 53b on the upper/lower plates 21, 22 side are completed by combining/integrating the upper/lower plates 21, 22. Formed partition walls 40 and grid electrodes 53 are formed. At this time, a series of height deviations between upper/lower partition walls 40a, 40b and upper/lower grid electrodes 53a, 53b are formed. When present, as described later, the dye-sensitized solar cell 10 will have no choice but to suffer serious problems corresponding thereto.

예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 상/하부 판(21,22)의 결합/합체 국면에서, 상/하부 격벽(40a,40b)의 높이가 상/하부 그리드 전극(53a,53b)의 높이 보다 더 높아, 두 구성요소 사이에 일련의 높이 편차가 존재하게 될 경우, 상/하부 그리드 전극(53a,53b)은 서로 안정적으로 붙지 못하고, 틈새(T1)에 의해 분리되는 불합리한 상황에 직면할 수밖에 없게 되며, 결국, 염료감응형 태양전지(10) 측에서는 상/하부 판(21,22)의 갭이 정상적으로 유지되지 못하는 심각한 문제점, 상/하부 판(21,22)의 전기적인 연결이 정상적으로 이루어지지 못하는 심각한 문제점 등을 고스란히 겪을 수밖에 없게 된다.For example, as shown in FIG. 3, in the engagement/merging phase of the upper/lower plates 21, 22, the heights of the upper/lower partition walls 40a, 40b are the upper/lower grid electrodes 53a, 53b. Higher than the height of, if there is a series of height deviations between the two components, the upper and lower grid electrodes 53a and 53b do not stably adhere to each other, and face an unreasonable situation separated by the gap T1. In the end, in the dye-sensitized solar cell 10 side, a serious problem that the gap between the upper and lower plates 21 and 22 is not maintained normally, and the electrical connection of the upper and lower plates 21 and 22 is normally performed. You will have no choice but to suffer serious problems that cannot be achieved.

다른 예로, 도 3에 도시된 바와 같이, 상/하부 판(21,22)의 결합/합체 국면에서, 상/하부 그리드 전극(53a,53b)의 높이가 상/하부 격벽(40a,40b)의 높이 보다 더 높아, 두 구성요소 사이에 일련의 높이 편차가 존재하게 될 경우, 상/하부 격벽(40a,40b)은 서로 안정적으로 붙지 못하고, 틈새(T2)에 의해 분리되는 불합리한 상황에 직면할 수밖에 없게 되며, 결국, 이 경우에도, 염료감응형 태양전지(10) 측에서는 전해질/염료 수용 셀(30)에 수용되어 있던 전해질 및 염료고분자가 이웃하는 주변 셀들로 범람하는 심각한 문제점, 그리드 전극(53)이 전해질과 접촉하게 되는 심각한 문제점 등을 고스란히 겪을 수밖에 없게 된다.As another example, as shown in FIG. 3, in the joining/merging phase of the upper/lower plates 21 and 22, the heights of the upper/lower grid electrodes 53a and 53b are of the upper/lower partition walls 40a and 40b. If it is higher than the height, and there is a series of height deviations between the two components, the upper/lower partition walls 40a, 40b cannot stably adhere to each other, and must face an unreasonable situation separated by the gap T2. After all, even in this case, even in this case, on the dye-sensitized solar cell 10 side, the electrolyte/dye polymer contained in the electrolyte/dye-receiving cell 30 overflows to neighboring surrounding cells, a serious problem, the grid electrode 53 It is inevitable to suffer serious problems such as contact with the electrolyte.

물론, 이러한 심각한 문제점의 발생 상황 하에서, 염료감응형 태양전지(10) 측에서는 자신에게 주어진 일련의 전력생산 기능을 정상적으로 수행할 수 없게 되며, 결국, 별도의 조치가 취해지지 않는 한, 생산주체 측에서는 자가 생산제품의 경쟁력이 대폭 축소되는 심각한 피해를 고스란히 감수할 수밖에 없게 된다.Of course, under the situation of such a serious problem, the dye-sensitized solar cell 10 side cannot perform the series of power generation functions given to it normally, and eventually, unless a separate action is taken, the production subject self It is inevitable to take seriously the serious damage that the product's competitiveness is greatly reduced.

국내공개특허 제10-2012-114888호(명칭: 염료감응 태양전지용 봉지재 및 이를 이용한 염료감응 태양전지의 봉지방법)(2012.10.17.자 공개)Korean Patent Publication No. 10-2012-114888 (Name: Dye-sensitized solar cell encapsulant and dye-sensitized solar cell encapsulation method) (published on Oct. 17, 2012) 국내등록특허 제10-1223736호(명칭: 염료감응 태양전지용 전해질 및 이를 이용한 염료감응 태양전지)(2013.1.21.자 공고)Domestic registered patent No. 10-1223736 (Name: Dye-sensitized solar cell electrolyte and dye-sensitized solar cell using the same) (announced on January 1, 2013) 국내공개특허 제10-2010-116797호(명칭: 태양전지용 실링장치 및 그 제어방법)(2010.11.2.자 공개)Korean Patent Publication No. 10-2010-116797 (Name: Sealing device for solar cells and control method thereof) (published Jan. 1, 2010) 국내공개특허 제10-2013-23929호(명칭: 염료감응 태양전지의 전해질 실링 구조)(2013.3.8.자 공개)Korean Patent Publication No. 10-2013-23929 (Name: Electrolyte sealing structure of dye-sensitized solar cell) (published on March 3, 2013)

따라서, 본 발명의 목적은 태양전지의 제조 프로세스를, <상부 전극 또는 하부 전극을 구비한 상부 판 또는 하부 판에, 그리드 전극 형성영역이 정의된 상부 격벽 또는 하부 격벽을 형성하는 단계>, <그리드 전극 형성영역에 상응하는 상기 상부 판 또는 하부 판의 일부에 그리드 전극 주입 홀을 형성하는 단계>, <상부 격벽 및 하부 격벽이 서로 맞붙어, 완성된 형태의 격벽을 형성하도록 상기 상부 판 및 하부 판을 샌드위치 타입으로 합체시키는 단계>, <상기 그리드 전극 주입 홀에 열 경화 타입 그리드 전극 패이스트를 주입시켜, 상기 그리드 전극 형성영역을 상기 그리드 전극 패이스트로 채우는 단계>, <그리드 전극 패이스트를 열 경화시켜, 상기 격벽의 내부에 완성된 형태의 그리드 전극을 형성시키는 단계> 등으로 새롭게 개선하고, 이를 통해, 태양전지 측에서, <상/하부 격벽이 별도의 틈새 없이 완벽하게 맞붙어, 완성된 형태의 격벽을 먼저 형성한 후에, 그리드 전극 패이스트가 격벽 사이의 공간(즉, 그리드 전극 형성영역)으로 후속 주입/경화되어, 별도의 틈새를 갖지 아니하는 완성된 형태의 그리드 전극을 형성시키게 되는 새로운 패턴>을 통해 제조될 수 있도록 유도함으로써, 결국, 생산주체 측에서, 상/하부 격벽 및 상/하부 그리드 전극 사이에 존재하는 높이 편차에 기인한 각종 문제점(또는, 상/하부 격벽 사이의 틈새, 상/하부 그리드 전극 사이의 틈새에 기인한 각종 문제점)을 효과적으로 회피하면서, 자사 제품의 경쟁력을 최적의 상태로 극대화시킬 수 있도록 가이드 하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a process for manufacturing a solar cell, <Step of forming an upper partition wall or a lower partition wall in which a grid electrode formation region is defined on an upper plate or a lower plate provided with an upper electrode or a lower electrode> Forming a grid electrode injection hole in a portion of the upper plate or the lower plate corresponding to the electrode forming region>, <the upper plate and the lower plate so that the upper and lower bulkheads adhere to each other to form a completed type of partition wall Incorporating into a sandwich type>, <Injecting a heat-curing type grid electrode paste into the grid electrode injection hole, filling the grid electrode forming region with the grid electrode paste>, <Treating the grid electrode paste by heat curing , Forming a grid electrode in a completed form inside the partition wall, etc., and newly improving it. Through this, on the solar cell side, the <upper/lower partition wall perfectly fits without a separate gap, and the completed partition wall After forming the first, the grid electrode paste is subsequently injected/cured into the space between the partition walls (that is, the grid electrode formation region), thereby forming a completed pattern of grid electrodes having no separate gap> By inducing them to be manufactured through, in the end, at the production side, various problems caused by height deviations existing between the upper/lower partition walls and the upper/lower grid electrodes (or the gap between the upper/lower partition walls, the upper/lower This is to guide the company to maximize the competitiveness of its products in an optimal state while effectively avoiding various problems caused by the gap between the lower grid electrodes).

본 발명의 다른 목적들은 다음의 상세한 설명과 첨부된 도면으로부터 보다 명확해질 것이다.Other objects of the present invention will become more apparent from the following detailed description and accompanying drawings.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 상부 전극 또는 하부 전극을 구비한 상부 판 또는 하부 판에, 그리드 전극 형성영역이 정의된 상부 격벽 또는 하부 격벽을 형성하는 단계와; 상기 그리드 전극 형성영역에 상응하는 상기 상부 판 또는 하부 판의 일부에 그리드 전극 주입 홀을 형성하는 단계와; 상기 상부 격벽 및 하부 격벽이 서로 맞붙어, 격벽을 형성하도록 상기 상부 판 및 하부 판을 샌드위치 타입으로 합체시키는 단계와; 상기 그리드 전극 주입 홀에 열 경화 타입 그리드 전극 패이스트를 주입시켜, 상기 그리드 전극 형성영역을 상기 그리드 전극 패이스트로 채우는 단계와; 상기 그리드 전극 패이스트를 열 경화시켜, 상기 격벽의 내부에 그리드 전극을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지의 제조방법을 개시한다.In order to achieve the above object, in the present invention, forming an upper partition wall or a lower partition wall in which a grid electrode formation region is defined, on an upper plate or a lower plate provided with an upper electrode or a lower electrode; Forming a grid electrode injection hole in a portion of the upper plate or the lower plate corresponding to the grid electrode forming region; Combining the upper plate and the lower plate into a sandwich type so that the upper and lower bulkheads adhere to each other to form a partition wall; Filling the grid electrode forming region with the grid electrode paste by injecting a heat-curing type grid electrode paste into the grid electrode injection hole; Disclosed is a method of manufacturing a dye-sensitized solar cell comprising thermally curing the grid electrode paste to form a grid electrode inside the partition wall.

본 발명에서는 태양전지의 제조 프로세스를, <상부 전극 또는 하부 전극을 구비한 상부 판 또는 하부 판에, 그리드 전극 형성영역이 정의된 상부 격벽 또는 하부 격벽을 형성하는 단계>, <그리드 전극 형성영역에 상응하는 상기 상부 판 또는 하부 판의 일부에 그리드 전극 주입 홀을 형성하는 단계>, <상부 격벽 및 하부 격벽이 서로 맞붙어, 완성된 형태의 격벽을 형성하도록 상기 상부 판 및 하부 판을 샌드위치 타입으로 합체시키는 단계>, <상기 그리드 전극 주입 홀에 열 경화 타입 그리드 전극 패이스트를 주입시켜, 상기 그리드 전극 형성영역을 상기 그리드 전극 패이스트로 채우는 단계>, <그리드 전극 패이스트를 열 경화시켜, 상기 격벽의 내부에 완성된 형태의 그리드 전극을 형성시키는 단계> 등으로 새롭게 개선하기 때문에, 본 발명의 구현환경 하에서, 태양전지 측에서는, <상/하부 격벽이 별도의 틈새 없이 완벽하게 맞붙어, 완성된 형태의 격벽을 먼저 형성한 후에, 그리드 전극 패이스트가 격벽 사이의 공간(즉, 그리드 전극 형성영역)으로 후속 주입/경화되어, 별도의 틈새를 갖지 아니하는 완성된 형태의 그리드 전극을 형성시키게 되는 새로운 패턴>을 통해 제조될 수 있게 되며, 결국, 생산주체 측에서는, 상/하부 격벽 및 상/하부 그리드 전극 사이에 존재하는 높이 편차에 기인한 각종 문제점(또는, 상/하부 격벽 사이의 틈새, 상/하부 그리드 전극 사이의 틈새에 기인한 각종 문제점)을 효과적으로 회피하면서, 자사 제품의 경쟁력을 최적의 상태로 극대화시킬 수 있게 된다.In the present invention, the manufacturing process of the solar cell, <Step of forming an upper partition wall or a lower partition wall in which a grid electrode formation region is defined on an upper plate or a lower plate having an upper electrode or a lower electrode>, <In a grid electrode formation region Forming a grid electrode injection hole in the corresponding upper plate or a portion of the lower plate>, <upper and lower plates are joined to each other, and the upper plate and the lower plate are combined into a sandwich type so as to form a completed type of partition. Step>, <injecting a heat-curing type grid electrode paste into the grid electrode injection hole, filling the grid electrode forming region with the grid electrode paste>, <heat-curing the grid electrode paste, and Since it is newly improved with the step of forming the completed form of the grid electrode> and the like, under the implementation environment of the present invention, in the solar cell side, the <upper/lower partition walls perfectly fit without separate gaps, and the completed partition walls After forming the first, the grid electrode paste is subsequently injected/cured into the space between the partition walls (that is, the grid electrode formation region), thereby forming a completed pattern of grid electrodes having no separate gap> It can be manufactured through, in the end, on the production side, various problems due to the height deviation existing between the upper/lower partition walls and the upper/lower grid electrodes (or the gap between the upper/lower partition walls, the upper/lower grid While effectively avoiding various problems due to the gap between the electrodes), it is possible to maximize the competitiveness of our products in an optimal state.

도 1은 종래의 기술에 따른 염료감응형 태양전지를 도시한 예시도.
도 2 및 도 3은 종래의 기술에 따른 염료감응형 태양전지의 제조방법을 순차적으로 도시한 공정순서도.
도 4는 본 발명을 채용한 염료감응형 태양전지를 도시한 예시도.
도 5 내지 도 11은 본 발명에 따른 염료감응형 태양전지의 제조방법을 순차적으로 도시한 공정순서도.Figure 1 is an exemplary view showing a dye-sensitized solar cell according to the prior art.
2 and 3 is a process flow chart sequentially showing a method of manufacturing a dye-sensitized solar cell according to the prior art.
Figure 4 is an exemplary view showing a dye-sensitized solar cell employing the present invention.
5 to 11 is a process flow diagram sequentially showing a method of manufacturing a dye-sensitized solar cell according to the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명에 따른 염료감응형 태양전지의 제조방법을 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a method of manufacturing a dye-sensitized solar cell according to the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명을 채용한 염료감응형 태양전지(100)는 상/하부 전극(151,152)이 구비된 글래스 재질의 상/하부 판(121,122)과, 상기 상/하부 판(121,122) 사이에 개재된 상태에서, 격벽(140)에 의해 상호 분리되며, 상/하부 판(121,122)을 따라 배열되면서, 전해질 및 염료고분자를 수용하는 다수의 전해질/염료 수용 셀(130)과, 상기 격벽(140) 내에 삽입되어, 전해질로부터 분리되면서, 상/하부 판(121,122)을 전기적으로 연결시켜주는 역할을 수행하는 그리드 전극(153)(Grid electrode) 등이 체계적으로 조합된 구성을 취하게 된다. 이 경우, 상/하부 판(121,122)에는 예컨대, FTO 등의 전도성 물질(도시 안됨)이 코팅되며, 상/하부 판(121,122)의 측 부에는 전해질 및 염료고분자를 주입하기 위한 전해질 주입구(160)가 추가 형성된다.As shown in FIG. 4, the dye-sensitized solar cell 100 employing the present invention includes glass upper/lower plates 121 and 122 equipped with upper/lower electrodes 151 and 152, and the upper/lower plates ( 121, 122, and separated from each other by the partition wall 140, arranged along the upper / lower plates (121, 122), a plurality of electrolyte / dye receiving cell 130 for receiving the electrolyte and dye polymer, Inserted into the partition 140, separated from the electrolyte, the upper/lower plates 121 and 122 electrically connect the upper and lower grid electrodes 153 (Grid electrode) and the like to take a systemically combined configuration. do. In this case, a conductive material (not shown) such as FTO is coated on the upper/lower plates 121 and 122, and an electrolyte inlet 160 for injecting electrolyte and dye polymers on the side of the upper/lower plates 121 and 122 Is further formed.

물론, 이러한 본 발명의 체제 하에서도, 격벽(140) 또는 그리드 전극(153)에 틈새가 존재하게 될 경우, 염료감응형 태양전지(100) 측에서는 예를 들어, 상/하부 판(121,122)의 갭이 정상적으로 유지되지 못하는 심각한 문제점, 상/하부 판(121,122)의 전기적인 연결이 정상적으로 이루어지지 못하는 심각한 문제점, 전해질/염료 수용 셀(130)에 수용되어 있던 전해질 및 염료고분자가 이웃하는 주변 셀들로 범람하는 심각한 문제점, 그리드 전극(153)이 전해질과 접촉하게 되는 심각한 문제점 등을 고스란히 겪을 수밖에 없게 된다.Of course, even under the system of the present invention, when a gap exists in the partition wall 140 or the grid electrode 153, the dye-sensitized solar cell 100 side, for example, the gap of the upper/lower plates 121 and 122 This is a serious problem that cannot be maintained normally, a serious problem that the electrical connection of the upper/lower plates 121 and 122 is not normally made, and the electrolyte and dye polymer contained in the electrolyte/dye receiving cell 130 are overflowed to neighboring cells. Serious problems, such as a serious problem in which the grid electrode 153 comes into contact with the electrolyte, is inevitable.

이러한 민감한 상황 하에서, 본 발명에서는 염료감응형 태양전지(100)가, <상/하부 격벽(140a,140b)이 별도의 틈새 없이 완벽하게 맞붙어, 완성된 형태의 격벽(140)을 먼저 형성한 후에, 그리드 전극 패이스트(153a)가 격벽(140) 사이의 공간(Y)(즉, 그리드 전극 형성영역)으로 후속 주입/경화되어, 별도의 틈새를 갖지 아니하는 완성된 형태의 그리드 전극(153)을 형성시키게 되는 새로운 패턴>을 통해 제조될 수 있도록 가이드 하게 된다(도 5 내지 도 11 참조).Under such a sensitive situation, in the present invention, after the dye-sensitized solar cell 100, the <top/bottom partitions 140a, 140b fit perfectly without separate gaps, first forming the completed partitions 140 , The grid electrode paste 153a is subsequently injected/cured into the space Y between the partition walls 140 (that is, the grid electrode formation region), and thus the completed form of the grid electrode 153 does not have a separate gap. It is guided so that it can be manufactured through a new pattern to form a> (see FIGS. 5 to 11).

이하, 본 발명에 따른 염료감응형 태양전지(100)의 제조방법을 구체적으로 살펴보기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing the dye-sensitized solar cell 100 according to the present invention will be described in detail.

우선, 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에서는 상부 전극(151)을 구비한 상부 판(121)을 타겟으로, 예를 들어, 글래스 플릿을 코팅하는 공정, 코팅된 글래스 플릿을 패터닝 하는 공정 등을 진행시켜, 상부 전극(151)을 구비한 상부 판(121)에, 그리드 전극 형성영역(Y)이 정의된 상부 격벽(140a)을 형성하는 절차를 진행하게 된다.First, as shown in FIG. 5, in the present invention, the upper plate 121 provided with the upper electrode 151 is targeted, for example, a process of coating a glass frit, a process of patterning the coated glass frit, etc. By proceeding, the procedure for forming the upper partition wall 140a in which the grid electrode formation region Y is defined is performed on the upper plate 121 provided with the upper electrode 151.

이때, 본 발명에서는 상부 격벽(140a)의 구성물질로써, 주재료 물질(140c)(예를 들어, 글래스 플릿) 이외에도, 상부 격벽(140a)의 지지강도를 강화시키기 위한 스페이서(140d)를 추가 포함시키는 조치를 강구하게 된다(물론, 상기 주재료 물질은 상황에 따라 다양한 변형을 이룰 수 있다).At this time, in the present invention, in addition to the main material material 140c (for example, glass fleet) as a constituent material of the upper partition wall 140a, a spacer 140d for strengthening the supporting strength of the upper partition wall 140a is additionally included. Measures are to be taken (of course, the main material material can make various modifications depending on the situation).

물론, 이처럼, 상부 격벽(140a)의 구성물질에, 주재료 물질(140c)(예를 들어, 글래스 플릿) 이외에도, 해당 상부 격벽(140a)의 지지강도를 강화시키기 위한 스페이서(140d)가 추가 포함된 상황 하에서, 후술하는 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 상/하부 판(121,122)이 결합되어, 완성된 형태의 격벽(140)이 형성되는 경우, 해당 격벽(140)은 그리드 전극 형성영역(Y)이 빈 공간으로 존재하고 있음에도 불구하고, 스페이서(140d)를 기반으로 하여, 일련의 지지체 역할(또는, 갭 형성 역할)을 정상적으로 수행할 수 있게 되며, 결국, 상/하부 판(121,122) 측에서는 별다른 어려움 없이 격벽(140)을 지지체로 하여, 서로 간의 갭을 정상적으로 유지할 수 있게 된다.Of course, as described above, in addition to the main material material 140c (for example, glass frit), a spacer 140d for enhancing the support strength of the upper partition wall 140a is additionally included in the constituent material of the upper partition wall 140a. Under the circumstances, as illustrated in FIGS. 8 and 9 to be described later, when the upper/lower plates 121 and 122 are combined to form a partition wall 140 of a completed shape, the partition wall 140 is a grid electrode forming region Even though (Y) exists as an empty space, based on the spacer 140d, it is possible to normally perform a series of support roles (or gap forming roles), and eventually, the upper/lower plates 121 and 122 On the side, it is possible to maintain the gaps between each other by using the partition 140 as a support without any difficulty.

이때, 상기 스페이서(140d)는 상부 격벽(140a)의 주재료 물질(140c), 예를 들어, 글래스 플릿(Glass frit)의 융점 보다 더 높은 융점을 가지는 특징을 가지게 된다. 이 경우, 상기 스페이서(140d)로는 ZrO2 비드, (+HfO2) 비드, Y2O3 비드, Al2O3 비드, Fe2O3 비드, SiO2 비드, TiO2 비드, Na2O 비드, MgO 비드 중의 어느 하나가 융통성 있게 선택될 수 있으며, 이 상황 하에서, 상기 스페이서(140d)는 30㎛~500㎛의 사이즈를 가지게 된다.At this time, the spacer 140d has a characteristic that has a higher melting point than the melting point of the main material material 140c of the upper partition wall 140a, for example, glass frit. In this case, the spacer 140d includes ZrO 2 beads, (+HfO 2 ) beads, Y 2 O 3 beads, Al 2 O 3 beads, Fe 2 O 3 beads, SiO 2 beads, TiO 2 beads, Na 2 O beads , Any one of MgO beads can be flexibly selected, and in this situation, the spacer 140d has a size of 30 μm to 500 μm.

한편, 본 발명에서는 도 6에 도시된 바와 같이, 하부 전극(152)을 구비한 하부 판(122)을 타겟으로, 예를 들어, 글래스 플릿을 코팅하는 공정, 코팅된 글래스 플릿을 패터닝 하는 공정 등을 진행시켜, 하부 전극(152)을 구비한 하부 판(122)에, 그리드 전극 형성영역(Y)이 정의된 하부 격벽(140b)을 형성하는 절차를 진행하게 된다. 참고로, 이러한 하부 격벽(140b)의 형성절차는 상기 상부 격벽(140a)의 형성절차 보다 먼저 진행될 수도 있고, 나중에 진행될 수도 있으며, 상황에 따라, 동시에 진행될 수도 있다.On the other hand, in the present invention, as shown in Figure 6, targeting the lower plate 122 with the lower electrode 152, for example, a process for coating a glass fleet, a process for patterning a coated glass fleet, etc. By proceeding, the procedure for forming the lower partition wall 140b in which the grid electrode formation region Y is defined is performed on the lower plate 122 provided with the lower electrode 152. For reference, the forming procedure of the lower partition wall 140b may be performed before the forming procedure of the upper partition wall 140a, may be performed later, or may be performed simultaneously depending on the situation.

이때에도, 본 발명에서는 하부 격벽(140b)의 구성물질로써, 주재료 물질(140c)(예를 들어, 글래스 플릿) 이외에도, 하부 격벽(140b)의 지지강도를 강화시키기 위한 스페이서(140d)를 추가 포함시키는 조치를 강구하게 된다(물론, 이 경우에도, 상기 주재료 물질은 상황에 따라 다양한 변형을 이룰 수 있다).At this time, in the present invention, in addition to the main material material 140c (for example, glass frit) as a constituent material of the lower partition wall 140b, a spacer 140d for strengthening the support strength of the lower partition wall 140b is additionally included. (In this case, of course, the main material material can also make various modifications depending on the situation).

물론, 이처럼, 하부 격벽(140b)의 구성물질에, 주재료 물질(140c)(예를 들어, 글래스 플릿) 이외에도, 해당 하부 격벽(140b)의 지지강도를 강화시키기 위한 스페이서(140d)가 추가 포함된 상황 하에서도, 후술하는 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 상/하부 판(121,122)이 결합되어, 완성된 형태의 격벽(140)이 형성되는 경우, 해당 격벽(140)은 그리드 전극 형성영역(Y)이 빈 공간으로 존재하고 있음에도 불구하고, 스페이서(140d)를 기반으로 하여, 일련의 지지체 역할(또는, 갭 형성 역할)을 정상적으로 수행할 수 있게 되며, 결국, 상/하부 판(121,122) 측에서는 별다른 어려움 없이 격벽(140)을 지지체로 하여, 서로 간의 갭을 정상적으로 유지할 수 있게 된다.Of course, as described above, in addition to the main material material 140c (for example, glass fleet), a spacer 140d for enhancing the support strength of the lower partition wall 140b is additionally included in the constituent material of the lower partition wall 140b. Even under the circumstances, as shown in FIGS. 8 and 9 to be described later, when the upper/lower plates 121 and 122 are combined to form a partition wall 140 of a completed shape, the partition wall 140 forms a grid electrode Although the region Y exists as an empty space, based on the spacer 140d, it is possible to normally perform a series of support roles (or gap forming roles), and eventually, the upper/lower plates 121 and 122 In the) side, the barrier rib 140 is used as a support without any difficulty, so that the gaps between each other are normally maintained.

이때에도, 상기 스페이서(140d)는 하부 격벽(140b)의 주재료 물질(140c), 예를 들어, 글래스 플릿(Glass frit)의 융점 보다 더 높은 융점을 가지는 특징을 가지게 된다. At this time, the spacer 140d has a characteristic that has a higher melting point than the melting point of the main material material 140c of the lower partition wall 140b, for example, glass frit.

또한, 이 경우에도, 상기 스페이서(140d)로는 ZrO2 비드, (+HfO2) 비드, Y2O3 비드, Al2O3 비드, Fe2O3 비드, SiO2 비드, TiO2 비드, Na2O 비드, MgO 비드 중의 어느 하나가 융통성 있게 선택될 수 있으며, 이 상황 하에서도, 상기 스페이서(140d)는 30㎛~500㎛의 사이즈를 가지게 된다.Also, in this case, the spacer 140d includes ZrO 2 beads, (+HfO 2 ) beads, Y 2 O 3 beads, Al 2 O 3 beads, Fe 2 O 3 beads, SiO 2 beads, TiO 2 beads, Na Any one of 2 O beads and MgO beads can be flexibly selected, and even in this situation, the spacer 140d has a size of 30 μm to 500 μm.

한편, 상술한 절차를 통해, 상부 전극(151) 또는 하부 전극(152)을 구비한 상부 판(121) 또는 하부 판(122)에, 그리드 전극 형성영역(Y)이 정의된 상부 격벽(140a) 또는 하부 격벽(140b)이 형성 완료되면, 본 발명에서는 도 7에 도시된 바와 같이, 일련의 홀 형성공정을 진행시켜, 상기 그리드 전극 형성영역(Y)에 상응하는 상기 상부 판(121) 또는 하부 판(122)의 일부에 그리드 전극 주입 홀(H)을 형성하는 절차를 진행하게 된다(참고로, 도 7에는 예를 들어, 상부 판(121)의 일부에 그리드 전극 주입 홀(H)을 형성하는 케이스가 도시되어 있다).Meanwhile, through the above-described procedure, the upper partition wall 140a in which the grid electrode formation region Y is defined in the upper plate 121 or the lower plate 122 having the upper electrode 151 or the lower electrode 152 is defined. Alternatively, when the lower partition wall 140b is formed, in the present invention, as shown in FIG. 7, a series of hole forming processes are performed, so that the upper plate 121 or the lower portion corresponding to the grid electrode forming region Y is formed. The procedure of forming the grid electrode injection hole H in a part of the plate 122 is performed (for reference, in FIG. 7, for example, the grid electrode injection hole H is formed in a part of the upper plate 121 ). Case is shown).

이렇게 하여, 그리드 전극 형성영역(Y)에 상응하는 상기 상부 판(121) 또는 하부 판(122)의 일부에, 그리드 전극 주입 홀(H)이 형성 완료되면, 본 발명에서는 도 8에 도시된 바와 같이, 일련의 합체공정을 진행시켜, 상부 판(121)의 상부 격벽(140a)과 하부 판(122)의 하부 격벽(140b)이 서로 맞붙을 수 있도록, 상부 판(121) 및 하부 판(122)을 샌드위치 타입으로 합체시키는 절차를 진행시키게 된다.In this way, when the grid electrode injection hole H is formed in a part of the upper plate 121 or the lower plate 122 corresponding to the grid electrode forming region Y, as shown in FIG. 8 in the present invention, Likewise, a series of coalescing processes are performed so that the upper partition wall 140a of the upper plate 121 and the lower partition wall 140b of the lower plate 122 can adhere to each other, so that the upper plate 121 and the lower plate 122 The process of incorporating the sandwich into a sandwich type.

결국, 이러한 샌드위치 타입의 합체절차가 완료되면, 도 9에 도시된 바와 같이, 상부 판(121)의 상부 격벽(140a)과 하부 판(122)의 하부 격벽(140b)이 서로 맞붙어, 완성된 형태의 격벽(140)을 자연스럽게 형성하게 된다. After all, when this sandwich type coalescence process is completed, as shown in FIG. 9, the upper partition wall 140a of the upper plate 121 and the lower partition wall 140b of the lower plate 122 are bonded to each other, thereby completing the completed form. The partition wall 140 is naturally formed.

물론, 이러한 격벽(140)은 그리드 전극(153)과 무관하게, 상부 판(121) 측 상부 격벽(140a) 및 하부 판(122) 측 하부 격벽(140b)만의 신뢰성 있는 접합으로 최종 구성되기 때문에, 본 발명의 구현환경 하에서, 격벽(140) 내에는 예를 들어, 그리드 전극(153)과의 높이 편차 등에 기인한 틈새 등이 전혀 생성되지 않게 되며, 결국, 격벽(140) 측에서는 예컨대, 전해질/염료 수용 셀(130)에 수용되어 있던 전해질 및 염료고분자가 이웃하는 주변 셀들로 범람하는 심각한 문제점, 그리드 전극(153)이 전해질과 접촉하게 되는 심각한 문제점 등을 전혀 일으키지 않게 된다.Of course, since the partition wall 140 is finally constructed with reliable bonding of only the upper partition wall 140a on the upper plate 121 side and the lower partition wall 140b on the lower plate 122 side, regardless of the grid electrode 153, Under the implementation environment of the present invention, in the partition wall 140, for example, a gap or the like due to a height deviation from the grid electrode 153 is not generated at all, and eventually, on the partition wall 140 side, for example, electrolyte/dye The electrolyte and the dye polymer accommodated in the receiving cell 130 overflow to neighboring neighboring cells, and the grid electrode 153 does not cause any serious problems such as contact with the electrolyte.

한편, 상술한 바와 같이, 상/하부 격벽(140a,140b)이 별도의 틈새 없이 완벽하게 맞붙어, 완성된 형태의 격벽(140)을 형성하고 나면, 도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명에서는 일련의 주입공정을 진행시켜, 상기 그리드 전극 주입 홀(H)에 열 경화 타입 그리드 전극 패이스트(153a)(예컨대, Ag 페이스트 등)를 주입시키고, 이를 통해, 그리드 전극 형성영역(Y)을 상기 그리드 전극 패이스트(153a)로 채우는 절차를 진행시키게 된다.On the other hand, as described above, the upper / lower partitions (140a, 140b) is perfectly bonded without a separate gap, after forming the completed partition wall 140, as shown in Figure 9, in the present invention, a series By injecting the process of injecting, the grid electrode injection hole H is injected with a heat-curing type grid electrode paste 153a (eg, Ag paste, etc.), through which the grid electrode formation region Y is the grid The filling process with the electrode paste 153a is performed.

이렇게 하여, 그리드 전극 주입 홀(H)에 열 경화 타입 그리드 전극 패이스트(153a)가 주입되고, 이를 통해, 그리드 전극 형성영역(Y)이 그리드 전극 패이스트(153a)로 채워지면, 본 발명에서는 도 10에 도시된 바와 같이, 일련의 열 경화 공정을 진행시켜, 그리드 전극 형성영역(Y)을 채우고 있던 그리드 전극 패이스트(153a)를 열 경화시키고, 이를 통해, 상기 격벽(140)의 내부에, 완성된 형태의 그리드 전극(153)을 형성시키는 절차를 진행시키게 된다. 이 경우, 본 발명에서는 상기 그리드 전극 페이스트(153a)의 열 경화 절차를 130℃~150℃의 온도 하에서, 20분~30분 동안 진행시키게 된다.In this way, the grid electrode injection hole (H) is a thermal curing type grid electrode paste (153a) is injected, through which, when the grid electrode forming region (Y) is filled with the grid electrode paste (153a), in the present invention As illustrated in FIG. 10, a series of thermal curing processes are performed to heat-cure the grid electrode paste 153a filling the grid electrode formation region Y, and through this, to the interior of the partition wall 140. , The procedure for forming the completed form of the grid electrode 153 is performed. In this case, in the present invention, the thermal curing procedure of the grid electrode paste 153a is performed at a temperature of 130°C to 150°C for 20 minutes to 30 minutes.

이때, 상기 그리드 전극(153)은 격벽(140)이 완성된 형태를 미리 갖춘 상태에서, 격벽(140) 내부의 사이공간(즉, 그리드 전극 형성영역(Y))으로 후속 주입/경화되어, 완성된 형태를 신뢰성 있게 이루기 때문에, 본 발명의 구현환경 하에서, 그리드 전극(153) 내에는 예를 들어, 격벽(140)과의 높이 편차 등에 기인한 틈새 등이 전혀 생성되지 않게 되며, 결국, 그리드 전극(153) 측에서는 예를 들어, 상/하부 판(121,122)의 전기적인 연결이 정상적으로 이루어지지 못하는 심각한 문제점 등을 전혀 일으키지 않게 된다.In this case, the grid electrode 153 is subsequently injected/cured into the interspace (ie, the grid electrode formation region Y) inside the partition wall 140 in a state in which the partition wall 140 is pre-equipped. Since the formed form is reliably formed, under the implementation environment of the present invention, in the grid electrode 153, for example, a gap due to a height deviation from the partition wall 140 or the like is not generated at all, and eventually, the grid electrode On the (153) side, for example, the upper/lower plates 121 and 122 do not cause any serious problems such as electrical connection that is not normally performed.

차후, 본 발명에서는 도 11에 도시된 바와 같이, 일련의 실링공정을 진행시켜, 소정의 실링체(S)로, 상기 그리드 전극 주입 홀(H)을 실링하는 절차를 진행시키고, 이를 통해, 본 발명을 채용한 염료감응형 태양전지(100)의 제조를 완료하게 된다(참고로, 상기의 설명에서는 전해질 및 염료고분자의 주입절차에 대한 내용을 편의 상 생략하였다).Subsequently, in the present invention, as shown in FIG. 11, a series of sealing processes are performed, and a procedure of sealing the grid electrode injection hole H with a predetermined sealing body S is performed, and through this, the present invention is performed. The manufacture of the dye-sensitized solar cell 100 employing the invention is completed (for reference, in the above description, the content of the injection procedure of the electrolyte and the dye polymer is omitted for convenience).

이와 같이, 본 발명에서는 태양전지(100)의 제조 프로세스를, <상부 전극(151) 또는 하부 전극(152)을 구비한 상부 판(121) 또는 하부 판(122)에, 그리드 전극 형성영역(Y)이 정의된 상부 격벽(140a) 또는 하부 격벽(140b)을 형성하는 단계>, <그리드 전극 형성영역(Y)에 상응하는 상기 상부 판(121) 또는 하부 판(122)의 일부에 그리드 전극 주입 홀(H)을 형성하는 단계>, <상부 격벽(140a) 및 하부 격벽(140b)이 서로 맞붙어, 완성된 형태의 격벽(140)을 형성하도록 상기 상부 판(121) 및 하부 판(122)을 샌드위치 타입으로 합체시키는 단계>, <상기 그리드 전극 주입 홀(H)에 열 경화 타입 그리드 전극 패이스트(153a)를 주입시켜, 상기 그리드 전극 형성영역(Y)을 상기 그리드 전극 패이스트(153a)로 채우는 단계>, <그리드 전극 패이스트(153a)를 열 경화시켜, 상기 격벽(140)의 내부에 완성된 형태의 그리드 전극(153)을 형성시키는 단계> 등으로 새롭게 개선하기 때문에, 본 발명의 구현환경 하에서, 태양전지(100) 측에서는, <상/하부 격벽(140a,140b)이 별도의 틈새 없이 완벽하게 맞붙어, 완성된 형태의 격벽(140)을 먼저 형성한 후에, 그리드 전극 패이스트(153)가 격벽 사이의 공간(즉, 그리드 전극 형성영역(Y))으로 후속 주입/경화되어, 별도의 틈새를 갖지 아니하는 완성된 형태의 그리드 전극(153)을 형성시키게 되는 새로운 패턴>을 통해 제조될 수 있게 되며, 결국, 생산주체 측에서는, 상/하부 격벽 및 상/하부 그리드 전극 사이에 존재하는 높이 편차에 기인한 각종 문제점(또는, 상/하부 격벽 사이의 틈새, 상/하부 그리드 전극 사이의 틈새에 기인한 각종 문제점)을 효과적으로 회피하면서, 자사 제품의 경쟁력을 최적의 상태로 극대화시킬 수 있게 된다.In this way, in the present invention, the manufacturing process of the solar cell 100, <top electrode 121 or the lower plate 122 with the upper electrode 151 or the lower electrode 152, grid electrode formation region (Y ) Forming a defined upper partition wall 140a or lower partition wall 140b>, <injecting a grid electrode into a portion of the upper plate 121 or the lower plate 122 corresponding to the grid electrode formation region Y> Forming the hole (H)>, <the upper partition wall (140a) and the lower partition wall (140b) is bonded to each other, the upper plate 121 and the lower plate 122 to form a partition wall 140 of the completed form Incorporating into a sandwich type>, <Injecting a thermal curing type grid electrode paste 153a into the grid electrode injection hole H to convert the grid electrode forming region Y into the grid electrode paste 153a. Filling step>, <Creating a grid electrode paste 153a by thermal curing to form a completed form of grid electrode 153 inside the partition wall 140> Under the environment, on the solar cell 100 side, the <top/bottom partitions 140a, 140b fit perfectly without separate gaps, first forming the completed partitions 140, and then grid electrode paste 153 A new pattern that is subsequently injected/cured into the space between the partition walls (that is, the grid electrode formation region Y) to form a completed form of the grid electrode 153 without a separate gap> After all, various problems (or, clearance between upper/lower partition walls, clearance between upper/lower grid electrodes) due to height variations existing between upper/lower partition walls and upper/lower grid electrodes on the production side It is possible to maximize the competitiveness of its products in an optimal state while effectively avoiding various problems caused by).

이러한 본 발명은 특정 분야에 국한되지 아니하며, 구성요소 간의 높이 편차 완화가 필요한 여러 분야에서, 전반적으로 유용한 효과를 발휘한다. The present invention is not limited to a specific field, and in a variety of fields requiring relaxation of height deviation between components, it exhibits an overall useful effect.

그리고, 앞에서, 본 발명의 특정한 실시 예가 설명되고 도시되었지만 본 발명이 당업자에 의해 다양하게 변형되어 실시될 가능성이 있는 것은 자명한 일이다. In addition, although specific embodiments of the present invention have been described and illustrated above, it is obvious that the present invention is likely to be implemented in various ways by those skilled in the art.

이와 같은 변형된 실시 예들은 본 발명의 기술적 사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어서는 안되며 이와 같은 변형된 실시 예들은 본 발명의 첨부된 특허청구의 범위 안에 속한다 해야 할 것이다.Such modified embodiments should not be individually understood from the technical spirit or viewpoint of the present invention, and such modified embodiments should be within the scope of the appended claims of the present invention.

10,100: 연료감응형 태양전지
21,121: 상부 판
22,122: 하부 판
30,130: 전해질/염료 수용 셀
40.140: 격벽
40a,140a: 상부 격벽
40b,140b: 하부 격벽
51,151: 상부전극
52,152: 하부전극
53,153: 그리드 전극
153a: 그리드 전극 페이스트
53a: 상부 그리드 전극
53b: 하부 그리드 전극
60,160: 전해질 주입구
140c: 격벽 주재료 물질
140d: 스페이서
Y: 그리드 전극 형성영역
H: 그리드 전극 주입 홀
S: 실링체10,100: fuel-sensitized solar cell
21,121: top plate
22,122: lower plate
30,130: electrolyte / dye receiving cell
40.140: Bulkhead
40a, 140a: upper bulkhead
40b,140b: lower bulkhead
51,151: upper electrode
52,152: lower electrode
53,153: grid electrodes
153a: grid electrode paste
53a: upper grid electrode
53b: lower grid electrode
60,160: electrolyte inlet
140c: bulkhead material
140d: spacer
Y: grid electrode formation area
H: grid electrode injection hole
S: sealing body

Claims (7)

상부 전극 또는 하부 전극을 구비한 상부 판 또는 하부 판에, 그리드 전극 형성영역이 정의된 상부 격벽 또는 하부 격벽을 형성하는 단계와;
상기 그리드 전극 형성영역에 상응하는 상기 상부 판 또는 하부 판의 일부에 그리드 전극 주입 홀을 형성하는 단계와;
상기 상부 격벽 및 하부 격벽이 서로 맞붙어, 격벽을 형성하도록 상기 상부 판 및 하부 판을 샌드위치 타입으로 합체시키는 단계와;
상기 그리드 전극 주입 홀에 열 경화 타입 그리드 전극 패이스트를 주입시켜, 상기 그리드 전극 형성영역을 상기 그리드 전극 패이스트로 채우는 단계와;
상기 그리드 전극 패이스트를 열 경화시켜, 상기 격벽의 내부에 그리드 전극을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지의 제조방법.Forming an upper partition wall or a lower partition wall in which a grid electrode formation region is defined, on an upper plate or a lower plate provided with an upper electrode or a lower electrode;
Forming a grid electrode injection hole in a portion of the upper plate or the lower plate corresponding to the grid electrode forming region;
Combining the upper plate and the lower plate into a sandwich type so that the upper and lower bulkheads adhere to each other to form a partition wall;
Filling the grid electrode forming region with the grid electrode paste by injecting a heat-curing type grid electrode paste into the grid electrode injection hole;
And heat-curing the grid electrode paste to form a grid electrode inside the partition wall. 제 1 항에 있어서, 상기 상부 격벽 또는 하부 격벽에는, 해당 상부 격벽 또는 하부 격벽의 지지강도를 강화시키기 위한 스페이서가 추가 포함되는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지의 제조방법.The method of claim 1, wherein the upper partition wall or the lower partition wall further includes a spacer for enhancing the support strength of the upper partition wall or the lower partition wall. 제 2 항에 있어서, 상기 스페이서는 상기 상부 격벽 또는 하부 격벽의 주재료 물질보다 융점이 더 높은 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지의 제조방법.The method of claim 2, wherein the spacer has a higher melting point than the main material material of the upper partition wall or the lower partition wall. 제 2 항에 있어서, 상기 스페이서는 ZrO2 비드, (+HfO2) 비드, Y2O3 비드, Al2O3 비드, Fe2O3 비드, SiO2 비드, TiO2 비드, Na2O 비드, MgO 비드 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지의 제조방법.According to claim 2, The spacer is ZrO 2 beads, (+HfO 2 ) beads, Y 2 O 3 beads, Al 2 O 3 beads, Fe 2 O 3 beads, SiO 2 beads, TiO 2 beads, Na 2 O beads , Dye-sensitized solar cell manufacturing method, characterized in that any one of MgO beads. 제 4 항에 있어서, 상기 스페이서는 30㎛~500㎛의 사이즈를 가지는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지의 제조방법.The method of claim 4, wherein the spacer has a size of 30 μm to 500 μm. 제 1 항에 있어서, 상기 그리드 전극 페이스트의 열 경화 절차는 130℃~150℃의 온도 하에서, 20분~30분 동안 진행되는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지의 제조방법.The method of claim 1, wherein the heat curing procedure of the grid electrode paste is performed at a temperature of 130°C to 150°C for 20 minutes to 30 minutes. 제 1 항에 있어서, 상기 격벽 사이에 그리드 전극을 형성시키는 단계 후에, 상기 그리드 전극 주입 홀을 실링하는 단계가 더 진행되는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지의 제조방법.The method of claim 1, wherein after the step of forming a grid electrode between the partition walls, the step of sealing the grid electrode injection hole further proceeds.
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