KR20200048677A - Substrate treatment apparatus - Google Patents

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KR20200048677A
KR20200048677A KR1020180131014A KR20180131014A KR20200048677A KR 20200048677 A KR20200048677 A KR 20200048677A KR 1020180131014 A KR1020180131014 A KR 1020180131014A KR 20180131014 A KR20180131014 A KR 20180131014A KR 20200048677 A KR20200048677 A KR 20200048677A
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이복규
박소영
이현진
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세메스 주식회사
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Abstract

A substrate processing apparatus of the present invention includes: a rotating member supporting a substrate and being rotated; a liquid chemical supply unit supplying liquid chemical to the rotating member; and a liquid chemical collecting unit positioned on the circumference of the rotating member and collecting the liquid chemical scattered from the rotating member, wherein the rotating member includes: a base part on which the substrate is mounted; and a guide part guiding movement of the liquid chemical moved along a surface of the base part.

Description

기판 처리 장치{Substrate treatment apparatus}Substrate treatment apparatus

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체를 제조하는데 사용될 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that can be used to manufacture a semiconductor.

반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이에 따라 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 세정 공정이 실시되고 있다.As semiconductor devices become highly dense, highly integrated, and high-performance, the miniaturization of circuit patterns rapidly progresses, and contaminants such as particles, organic contaminants, and metal contaminants remaining on the substrate surface have a great influence on device characteristics and production yield. do. Accordingly, a cleaning process for removing various contaminants attached to the surface of the substrate is very important in the semiconductor manufacturing process, and a cleaning process for cleaning the substrate at a stage before and after each unit process for manufacturing the semiconductor is performed.

반도체 제조 공정에서 사용되는 세정 방법은 건식 세정(Dry Cleaning)과 습식 세정(Wet Cleaning)으로 분류될 수 있다. 습식 세정은 약액 중에 기판을 침적시켜 화학적 용해 등에 의해서 오염 물질을 제거하는 배스(Bath) 타입의 방식과, 스핀 척 위에 기판을 놓고 기판을 회전시키는 동안 기판의 표면에 약액을 공급하여 오염물질을 제거하는 스핀(Spin) 타입의 방식으로 분류될 수 있다.The cleaning method used in the semiconductor manufacturing process may be classified into dry cleaning and wet cleaning. Wet cleaning removes contaminants by bathing the substrate in a chemical solution to remove contaminants by chemical dissolution, etc., and supplying the chemical to the surface of the substrate while placing the substrate on a spin chuck and rotating the substrate. Can be classified in a spin type manner.

한편, 스핀 타입의 방식은, 한 장의 기판을 처리할 수 있는 척 부재에 기판을 고정한 후, 기판을 회전시키면서 분사 노즐을 통해 기판에 약액 또는 탈이온수를 공급하여, 원심력에 의해 약액 또는 탈이온수를 기판의 전면으로 퍼지게 함으로써 기판을 세정 처리하며, 기판의 세정 처리 후에는 건조 가스로 기판을 건조한다.On the other hand, in the spin type method, after fixing the substrate to a chuck member capable of processing a single substrate, the chemical or deionized water is supplied by centrifugal force by supplying the chemical or deionized water to the substrate through a spray nozzle while rotating the substrate. The substrate is cleaned by spreading it over the entire surface of the substrate, and after the substrate is cleaned, the substrate is dried with a dry gas.

이처럼 기판에 대해 약액 처리를 하는 기판 처리 장치에서 약액은 회수 장치로 회수하여 재사용하는 것이 일반적이다. 회수 장치는 약액의 종류마다 각각 유입되는 다양한 공간을 포함한다. 이러한 회수 장치도 장시간 사용시 특정 부분에 이물질이 잔류하게 되어 세정이 필요할 수 있다.In such a substrate processing apparatus for processing a chemical liquid on a substrate, the chemical liquid is generally recovered and reused by a recovery apparatus. The recovery device includes a variety of spaces for each type of chemical solution. In such a recovery device, foreign matter remains in a specific part when used for a long time, and cleaning may be necessary.

구체적으로는, 기판 전면에 공급된 약액은 기판 회전에 의한 원심력에 의해 비산되어 회수 장치의 내벽면에 잔류한다. 회수 장치의 내벽면에 잔류되는 약액은 후속 공정에서 기판을 오염시킬 수 있으므로 주기적으로 세정을 실시하여 제거하는 것이 필요하다.Specifically, the chemical liquid supplied to the front surface of the substrate is scattered by the centrifugal force caused by the rotation of the substrate and remains on the inner wall surface of the recovery device. Since the chemical liquid remaining on the inner wall surface of the recovery device may contaminate the substrate in a subsequent process, it is necessary to periodically remove it by cleaning.

한편, 회수 장치의 특정 위치의 세정을 실시하는 과정은 통상 스핀 헤드 상에 기판을 지지하지 않은 상태에서 실시된다. 즉 회수 장치를 세정하기 위한 세정액을 스핀 헤드 상면에 공급하고, 스핀 헤드 회전에 의한 원심력에 의해 회수 장치 쪽으로 비산되어 회수 장치에 잔류하는 잔류물을 제거할 수 있도록 실시된다. 그런데, 기판을 처리하는 경우와 비교하여 기판이 위치하는 높이만큼의 차이가 발생되므로, 이러한 높이차를 보정하기 위하여 별도의 세정용 치구를 기판 처리 장치에 설치하여 회수 장치를 세정해야 한다. 따라서, 회수 장치의 세정을 위하여 세정용 치구를 설치했다가 제거하는 시간만큼 기판 처리 시간을 단축하기 어려울 수 있다.On the other hand, the process of cleaning a specific position of the recovery device is usually performed without supporting the substrate on the spin head. That is, the cleaning liquid for cleaning the recovery device is supplied to the upper surface of the spin head, and the residue remaining in the recovery device is scattered toward the recovery device by centrifugal force caused by the rotation of the spin head. However, since a difference is generated as much as the height at which the substrate is located compared to the case where the substrate is processed, a separate cleaning fixture must be installed in the substrate processing apparatus to clean the height difference, and the recovery apparatus must be cleaned. Therefore, it may be difficult to shorten the substrate processing time by the time for installing and removing the cleaning fixture for cleaning the recovery device.

한국공개특허 제2014-0067892호Korean Patent Publication No. 2014-0067892

본 발명의 목적은 세정용 치구를 설치하지 않아도 세정이 필요한 부분으로 약액이 비산될 수 있는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of scattering a chemical liquid to a portion requiring cleaning even without installing a cleaning fixture.

본 발명의 일 측면에 따른 기판 처리 장치는 기판을 지지하고, 회전되는 회전 부재; 상기 회전 부재로 약액을 공급하는 약액 공급 유닛; 및 상기 회전 부재의 둘레에 위치되고, 상기 회전 부재에서 비산되는 약액을 회수하는 약액 회수 유닛;를 포함하고, 상기 회전 부재는, 상기 기판이 안착되는 베이스부; 및 상기 베이스부의 표면을 따라 이동하는 약액의 이동을 가이드하는 가이드부;를 포함한다.A substrate processing apparatus according to an aspect of the present invention includes a rotating member that supports and rotates a substrate; A chemical liquid supply unit that supplies a chemical liquid to the rotating member; And a chemical liquid recovery unit located around the rotating member and recovering the chemical liquid scattered from the rotating member, wherein the rotating member includes: a base portion on which the substrate is seated; And a guide portion for guiding the movement of the chemical liquid moving along the surface of the base portion.

한편, 상기 가이드부는, 상기 베이스부의 상측에 위치되고, 상기 베이스부의 중심에서 멀어질수록 상향 경사지게 형성될 수 있다.On the other hand, the guide portion is located on the upper side of the base portion, and may be formed to be inclined upward as it moves away from the center of the base portion.

한편, 상기 가이드부는 상기 베이스부에 회전가능하게 결합될 수 있다.Meanwhile, the guide portion may be rotatably coupled to the base portion.

한편, 상기 가이드부는, 상기 기판이 상기 베이스부 상에 위치된 상태에서 상기 기판과 간섭되지 않도록 상기 베이스부의 가장자리에 인접하게 위치될 수 있다.Meanwhile, the guide portion may be positioned adjacent to the edge of the base portion so as not to interfere with the substrate while the substrate is located on the base portion.

한편, 상기 가이드부는, 상기 베이스부의 상측에 위치되고, 상기 베이스부의 중심에서 멀어질수록 상기 베이스부의 하방으로 점차 인입될 수 있다.On the other hand, the guide portion is located above the base portion, the farther away from the center of the base portion, the lower the base portion may be gradually drawn.

한편, 상기 회전 부재는, 상기 가이드부의 상측에 결합되어 상기 기판을 지지하는 지지핀; 및 상기 지지핀 상에 지지되는 기판을 정렬하는 정렬핀;을 포함하고, 상기 가이드부는 상기 지지핀과 상기 정렬핀 사이의 공간에 위치될 수 있다.On the other hand, the rotating member, a support pin coupled to the upper side of the guide portion to support the substrate; And an alignment pin to align the substrate supported on the support pin. The guide portion may be located in a space between the support pin and the alignment pin.

한편, 상기 가이드부는, 상기 베이스부의 가장자리를 따라 형성되고, 상기 베이스부로부터 멀어질수록 상향 경사지게 형성될 수 있다.Meanwhile, the guide portion may be formed along an edge of the base portion, and may be formed to be inclined upward as it moves away from the base portion.

한편, 상기 가이드부는, 상기 베이스부의 가장자리를 따라 형성되고, 상기 베이스부로부터 멀어질수록 하향 경사지게 형성될 수 있다.Meanwhile, the guide portion may be formed along an edge of the base portion, and may be formed to be inclined downward as it moves away from the base portion.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 가이드부를 포함하는 회전 부재를 포함한다. 가이드부는 회전 부재로부터 비산되는 약액의 높이를 베이스부보다 높은 위치가 되게 하거나 낮은 위치가 되도록 할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a rotating member including a guide portion. The guide portion may make the height of the chemical liquid scattered from the rotating member be higher or lower than the base portion.

이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 가이드부를 포함하지 않은 종래의 기판 처리 장치와 비교하여 약액을 약액 회수 유닛에서 세정이 필요한 특정 위치로 비산시킬 수 있다.Accordingly, the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention may scatter chemical liquids in a specific location where cleaning is required in the chemical liquid recovery unit compared to a conventional substrate processing apparatus that does not include a guide portion.

즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판이 회전 부재 상에 안착되어 있지 않거나 별도의 세정용 치구가 설치되어 있지 않더라도, 회전 부재로부터 이탈된 약액이 약액 회수 유닛에서 세정이 필요한 위치에 정확하게 비산될 수 있다. 그러므로, 약액 회수 유닛의 세정 신뢰성은 유지되면서, 별도의 세정용 치구를 설치했다가 제거하는 시간만큼 반도체 소자 제조 시간을 단축할 수 있으므로, 생산성을 향상시킬 수 있다.That is, in the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, even if the substrate is not seated on the rotating member or a separate cleaning jig is installed, the chemical liquid separated from the rotating member needs cleaning in the chemical recovery unit Can be scattered accurately. Therefore, since the cleaning reliability of the chemical recovery unit is maintained, the manufacturing time of the semiconductor device can be shortened by the time for installing and removing a separate cleaning jig, thereby improving productivity.

뿐만 아니라, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 포함된 가이드부는 비산된 약액이 가해지는 충격에 의하여 약액 회수 유닛에서 튕겨져서 나오는 오염물질이 회전 부재로 유입되는 것을 방지할 수도 있다.In addition, the guide portion included in the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention may prevent the contaminants that are thrown out from the chemical recovery unit due to the impact of the scattered chemical liquid into the rotating member.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 사시도이다.
도 2는, 도 1의 기판 처리 장치에서 Ⅱ-Ⅱ'라인을 따라 취한 단면도이다.
도 3은 기판 처리 장치에 포함된 회전 부재를 발췌하여 도시한 사시도이다.
도 4는 가이드부의 제1 변형예를 도시한 평면도이다.
도 5는 가이드부의 제2 변형예를 도시한 평면도이다.
도 6은 가이드부의 제3 변형예를 도시한 사시도이다.
도 7은 가이드부의 제4 변형예를 도시한 단면도이다.
도 8은, 도 7의 가이드부를 도시한 평면도이다.
도 9는 가이드부의 제5 변형예를 도시한 단면도이다.1 is a perspective view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II 'in the substrate processing apparatus of FIG. 1.
3 is a perspective view showing an excerpt of a rotating member included in the substrate processing apparatus.
4 is a plan view showing a first modification of the guide portion.
5 is a plan view showing a second modification of the guide portion.
6 is a perspective view showing a third modification of the guide portion.
7 is a cross-sectional view showing a fourth modification of the guide portion.
8 is a plan view showing the guide portion of FIG. 7.
9 is a cross-sectional view showing a fifth modification of the guide portion.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art to which the present invention pertains can easily practice. The present invention can be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly describe the present invention, parts irrelevant to the description are omitted, and the same reference numerals are assigned to the same or similar elements throughout the specification.

또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적인 실시예에서만 설명하고, 그 외의 다른 실시예에서는 대표적인 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.In addition, in various embodiments, components having the same configuration will be described only in the exemplary embodiment using the same reference numerals, and in other embodiments, only the configuration different from the exemplary embodiment will be described.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐만 아니라, 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"된 것도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is said to be “connected” to another part, this includes not only the case of being “directly connected”, but also “indirectly connected” with other members interposed therebetween. Also, when a part is said to "include" a certain component, this means that other components may be further included rather than excluding other components, unless otherwise stated.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by a person skilled in the art to which the present invention pertains. Terms, such as those defined in a commonly used dictionary, should be interpreted as having meanings consistent with meanings in the context of related technologies, and should not be interpreted as ideal or excessively formal meanings unless explicitly defined in the present application. Does not.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 회전 부재(130), 약액 공급 유닛(110) 및 약액 회수 유닛(120)을 포함한다.1 to 3, the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a rotating member 130, a chemical supply unit 110, and a chemical recovery unit 120.

회전 부재(130)는 기판(W)을 지지하고, 회전될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 구동 유닛(140)을 포함할 수 있다. 구동 유닛(140)은 회전 부재(130)와 결합될 수 있다. 구동 유닛(140)은 회전 부재(130)를 회전시킬 수도 있고, 회전 부재(130)를 승강시킬 수도 있다. 회전 부재(130)는 위에서 바라볼 때 원형으로 이루어진 상부면을 포함할 수 있다. 기판(W)이 상부면에 안착될 수 있다.The rotating member 130 supports the substrate W and can be rotated. The substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may include a driving unit 140. The driving unit 140 may be combined with the rotating member 130. The driving unit 140 may rotate the rotating member 130 or may elevate the rotating member 130. The rotating member 130 may include a circular upper surface when viewed from above. The substrate W may be seated on the upper surface.

한편, 회전 부재(130)는 지지핀(133)과 정렬핀(134)을 포함할 수 있다. 지지핀(133)은 상기 후술할 회전 부재(130)의 상측에 결합되어 상기 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지핀(133)은 복수개일 수 있다.Meanwhile, the rotating member 130 may include a support pin 133 and an alignment pin 134. The support pin 133 is coupled to the upper side of the rotating member 130 to be described later to support the substrate W. A plurality of support pins 133 may be provided.

복수의 지지핀(133)은 회전 부재(130)의 상부면의 가장자리에 인접하게 소정 간격으로 이격되게 배치되고 회전 부재(130)에서 상부로 돌출될 수 있다. 지지핀(133)들은 서로 간의 조합에 의하여 전체적으로 환형의 링(ring) 형상을 이루도록 위치될 수 있다. 지지핀(133)은 회전 부재(130)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W) 후면 가장자리를 지지할 수 있다.The plurality of support pins 133 may be disposed to be spaced apart at predetermined intervals adjacent to the edge of the upper surface of the rotating member 130 and may protrude upward from the rotating member 130. The support pins 133 may be positioned to form an annular ring shape as a whole by a combination of each other. The support pin 133 may support the rear edge of the substrate W such that the substrate W is spaced a predetermined distance from the upper surface of the rotating member 130.

정렬핀(134)은 상기 지지핀(133) 상에 지지되는 기판(W)을 정렬할 수 있다. 정렬핀(134)은 회전 부재(130)에서 상부로 돌출될 수 있다. 정렬핀(134)은 복수개일 수 있으며, 복수개의 정렬핀(134)은 상기 지지핀(133) 보다 회전 부재(130)의 중심에서 멀게 위치되어 기판(W)의 측면에 접촉될 수 있다. 정렬핀(134)은 기판(W)이 목표 위치에 위치되도록 기판(W)을 정렬할 수 있다.The alignment pin 134 may align the substrate W supported on the support pin 133. The alignment pin 134 may protrude upward from the rotating member 130. The alignment pins 134 may be plural, and the plurality of alignment pins 134 may be positioned farther from the center of the rotating member 130 than the support pin 133 to contact the side surface of the substrate W. The alignment pin 134 may align the substrate W such that the substrate W is positioned at the target position.

더욱 상세하게 설명하면, 정렬핀(134)은 회전 부재(130)가 회전될 때 기판(W)이 정위치에서 측방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지할 수 있다. 정렬핀(134)은 회전 부재(130)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 왕복 이동이 가능할 수 있다.In more detail, the alignment pin 134 may support the side of the substrate W so that the substrate W does not deviate laterally from the fixed position when the rotating member 130 is rotated. The alignment pin 134 may be capable of linear reciprocating movement between the standby position and the support position along the radial direction of the rotating member 130.

여기서, 대기 위치는 지지 위치에 비해 회전 부재(130)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 회전 부재(130)에 로딩 또는 언로딩시 정렬핀(134)은 대기 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시 정렬핀(134)은 지지 위치에 위치될 수 있다. 지지위치에서 정렬핀(134)은 기판(W)의 측부와 접촉될 수 있다.Here, the standby position is a position far from the center of the rotating member 130 compared to the support position. When the substrate W is loaded or unloaded on the rotating member 130, the alignment pin 134 may be positioned in the standby position, and when the process is performed on the substrate W, the alignment pin 134 may be positioned in the support position. . In the support position, the alignment pin 134 may contact the side of the substrate W.

이와 같은 정렬핀(134)과 지지핀(133)은 일례로 4개일 수 있고, 6개인 것도 가능할 수 있다. 지지핀(133)과 정렬핀(134)의 개수는 기판 처리 장치(100)의 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있으므로, 특정 개수로 한정하지는 않는다.The alignment pins 134 and the support pins 133 may be, for example, four, or six. The number of the support pins 133 and the alignment pins 134 may be variously changed according to the design of the substrate processing apparatus 100, and is not limited to a specific number.

약액 공급 유닛(110)은 상기 회전 부재(130)로 약액을 공급할 수 있다. 약액 공급 유닛(110)은 저장 탱크(미도시)에 저장된 약액을 펌핑할 수 있다.The chemical liquid supply unit 110 may supply the chemical liquid to the rotating member 130. The chemical liquid supply unit 110 may pump the chemical liquid stored in a storage tank (not shown).

다양한 목적으로 사용되는 약액은 일례로 불산(HF), 황산(H3SO4), 질산(HNO3), 인산(H3PO4), 그리고 SC-1 용액(수산화암모늄(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 및 물(H2O)의 혼합액) 등으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다. 세정에 사용되는 약액으로는 탈이온수(DIW)가 사용될 수 있고, 건조에 사용되는 가스로는 질소(N2), 이소프로필 알코올(IPA: IsoPropyl Aalcohol) 등이 사용될 수 있다.Chemicals used for various purposes include, for example, hydrofluoric acid (HF), sulfuric acid (H 3 SO 4 ), nitric acid (HNO 3 ), phosphoric acid (H 3 PO 4 ), and SC-1 solutions (ammonium hydroxide (NH 4 OH), Hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) And water (H 2 O) mixture, and the like may be at least one selected from the group consisting of. Deionized water (DIW) may be used as a chemical used for cleaning, and nitrogen (N 2 ), isopropyl alcohol (IPA: IsoPropyl Aalcohol) may be used as a gas used for drying.

약액 회수 유닛(120)은 상기 회전 부재(130)의 둘레에 위치되고, 상기 회전 부재(130)에서 비산되는 약액을 회수할 수 있다. 약액 회수 유닛(120)의 외부 형상은 일례로 상부의 일부분이 개구된 블럭 형상일 수 있다. 약액 회수 유닛(120)에서 개구된 상부는 기판(W)을 로딩 및 언로딩하기 위한 출입구로 이용될 수 있다.The chemical recovery unit 120 may be located around the rotating member 130 and recover chemicals scattered from the rotating member 130. The external shape of the chemical recovery unit 120 may be, for example, a block shape in which a portion of the upper portion is opened. The upper portion opened in the chemical recovery unit 120 may be used as a doorway for loading and unloading the substrate W.

약액 회수 유닛(120)은 공정에 사용된 약액들 중 서로 상이한 약액을 분리하여 회수한다. 이를 위한 약액 회수 유닛(120)은 다양한 종류의 약액이 각각 유입되는 복수의 공간을 포함할 수 있다.The chemical liquid recovery unit 120 separates and recovers different chemical liquids from among the chemical liquids used in the process. The chemical recovery unit 120 for this purpose may include a plurality of spaces into which various types of chemicals are respectively introduced.

약액 회수 유닛(120)에서 각각의 공간으로 약액이 유입되는 유입구(121)는 상하방향으로 나란하게 위치될 수 있다. 즉, 각각의 유입구(121)는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 공간에 유입된 약액은 미도시된 회수 라인을 통하여 외부의 약액 재생부(미도시)로 제공되어 재사용될 수 있다. 약액 재생부는 사용된 약액의 농도 조절과 온도 조절, 그리고 오염 물질의 필터링 등을 수행하여 재사용이 가능하도록 약액을 재생시키는 장치이다.The inlets 121 through which the chemicals are introduced into each space from the chemicals recovery unit 120 may be positioned side by side in the vertical direction. That is, each inlet 121 may be located at a different height from each other. The chemical liquid introduced into each space may be provided to an external chemical liquid regeneration unit (not shown) through a recovery line (not shown) and reused. The chemical regeneration unit is a device for regulating the concentration of the used chemical, temperature control, and filtering of pollutants to regenerate the chemical so that it can be reused.

기판(W) 또는 기판 처리 장치(100)를 세정하는 과정에서 약액의 종류에 따라, 회전 부재(130)의 높이가 가변될 수 있으며, 약액들 각각은 약액 회수 유닛(120)의 특정 공간에 유입되어 저장될 수 있다. 이러한 약액 회수 유닛(120)과 회전 부재(130)에는 기판(W)을 처리하는 과정에서 발생된 파티클 등에 의해 오염 물질이 생성되거나, 잔류하는 약액으로부터 퓸(Fume)과 같은 오염 물질이 생성될 수 있다. 이와 같은 오염 물질은 약액에 의해 세정되어, 이후, 공정에서 기판(W)이 오염되는 것이 방지될 수 있다.In the course of cleaning the substrate W or the substrate processing apparatus 100, the height of the rotating member 130 may vary depending on the type of the chemical, and each of the chemicals flows into a specific space of the chemical recovery unit 120 Can be saved. Contaminants such as fumes may be generated in the chemical recovery unit 120 and the rotating member 130 by particles generated in the process of processing the substrate W, or fumes from residual chemicals. have. Such contaminants are cleaned with a chemical solution, and then, the substrate W can be prevented from being contaminated in the process.

전술한 약액 회수 유닛(120)과 약액 공급 유닛(110)은 일반적인 기판 처리 장치에 포함된 것일 수 있으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.Since the aforementioned chemical liquid recovery unit 120 and the chemical liquid supply unit 110 may be included in a general substrate processing apparatus, detailed description thereof will be omitted.

이하에서는 상기와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)의 동작 과정을 설명한다.Hereinafter, an operation process of the substrate processing apparatus 100 according to the exemplary embodiment of the present invention will be described.

회전 부재(130) 또는 약액 회수 유닛(120)에 대한 세정 과정은 기판(W)이 회전 부재(130) 상에 안착되지 않은 상태에서 실시될 수 있다. 세정이 개시되면 회전 부재(130)로 약액이 공급된다. 그리고, 약액이 회전 부재(130)로 공급됨과 동시에 회전 부재(130)도 기설정된 시간 동안 회전될 수 있다. 이와 다르게 회전 부재(130)는 약액이 공급된 이후에 회전되는 것도 가능할 수 있다.The cleaning process for the rotating member 130 or the chemical recovery unit 120 may be performed while the substrate W is not seated on the rotating member 130. When cleaning is started, the chemical liquid is supplied to the rotating member 130. And, at the same time that the chemical solution is supplied to the rotating member 130, the rotating member 130 can also be rotated for a predetermined time. Alternatively, the rotating member 130 may be rotated after the chemical solution is supplied.

회전 부재(130)에 공급된 약액은 약액 회수 유닛(120)으로 비산될 수 있다. 비산된 약액은 오염 물질을 식각 또는 박리시키고 약액 회수 유닛(120)의 특정 공간에 저장될 수 있다.The chemical liquid supplied to the rotating member 130 may be scattered to the chemical liquid recovery unit 120. The scattered chemical liquid may be etched or peeled off the contaminants and stored in a specific space of the chemical liquid recovery unit 120.

액에 의한 세정이 실시된 후, 건조 과정이 실시될 수 있다. 건조 과정은 회전 부재(130)가 회전되면서 잔류하는 약액이 제거되는 방식으로 이루어질 수 있다. 이때, 건조 효율 향상을 위해 불활성 가스가 추가적으로 공급될 수 있다. 불활성 가스는 질소일 수 있다.After washing with the liquid is performed, a drying process may be performed. The drying process may be performed in such a way that the remaining chemical solution is removed while the rotating member 130 is rotated. At this time, an inert gas may be additionally supplied to improve drying efficiency. The inert gas can be nitrogen.

한편, 전술한 회전 부재(130)는 일례로, 베이스부(131) 및 가이드부(132)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the rotation member 130 described above may include, for example, a base portion 131 and a guide portion 132.

베이스부(131)에는 상기 기판(W)이 안착될 수 있다. 베이스부(131)는 일례로 판(plate) 형상이면서 원형일 수 있다. 베이스부(131)의 상측에 전술한 지지핀(133)과 정렬핀(134)이 위치될 수 있다.The substrate W may be seated on the base portion 131. The base portion 131 may be, for example, a plate shape and a circular shape. The support pin 133 and the alignment pin 134 described above may be positioned above the base 131.

가이드부(132)는 상기 베이스부(131)의 표면을 따라 이동하는 약액의 이동을 가이드할 수 있다. 베이스부(131)에 토출된 약액이 가이드부(132)의 표면을 따라 이동하다가 외부로 비산되어 약액 회수 유닛(120)의 특정 공간으로 유입될 수 있다.The guide portion 132 may guide the movement of the chemical liquid moving along the surface of the base portion 131. The chemical liquid discharged to the base portion 131 may be moved along the surface of the guide portion 132 and scattered outside to be introduced into a specific space of the chemical liquid recovery unit 120.

이와 같은 가이드부(132)는 회전 부재(130)로부터 비산되는 약액의 높이가 특정 높이가 되도록 할 수 있다. 예를 들어, 가이드부(132)는 회전 부재(130)로부터 이탈되는 약액의 높이를 가이드부(132)가 구비되지 않은 경우와 비교하여 더욱 높아지거나 낮아지도록 할 수 있다. 이를 위한 가이드부(132)의 다양한 변형예에 대해서는 후술하기로 한다.The guide portion 132 may allow the height of the chemical liquid scattered from the rotating member 130 to be a specific height. For example, the guide portion 132 may make the height of the chemical liquid deviating from the rotating member 130 higher or lower than that of the case where the guide portion 132 is not provided. Various modifications of the guide portion 132 for this will be described later.

이하에서는 도면을 참조하여 전술한 가이드부(132)의 다양한 변형예에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, various modifications of the guide unit 132 described above will be described with reference to the drawings.

제1 변형예에 따른 가이드부(132)는 상기 베이스부(131)의 상측에 위치될 수 있다. 그리고, 가이드부(132)는 상기 베이스부(131)의 중심에서 멀어질수록 상향 경사지게 형성될 수 있다. 즉, 가이드부(132)는 경사면을 포함하는 구조체일 수 있다. 이러한 가이드부(132)는 약액이 회전 부재(130)로부터 배출되는 높이를 증가시킴으로써, 기판(W)의 두께만큼 보정할 수 있다.The guide portion 132 according to the first modified example may be located above the base portion 131. In addition, the guide portion 132 may be formed to be inclined upward as it moves away from the center of the base portion 131. That is, the guide portion 132 may be a structure including an inclined surface. The guide portion 132 may correct the thickness of the substrate W by increasing the height at which the chemical liquid is discharged from the rotating member 130.

한편, 가이드부(132)와 베이스부(131)가 연결되는 부분(A)은 라운드처리될 수 있다. 이에 따라, 베이스부(131)의 표면을 따라 이동되는 약액이 간섭없이 부드럽게 가이드부(132)로 이동될 수 있다.Meanwhile, the portion A where the guide portion 132 and the base portion 131 are connected may be rounded. Accordingly, the chemical liquid moved along the surface of the base portion 131 can be smoothly moved to the guide portion 132 without interference.

이와 같은 제1 변형예에 따른 가이드부(132)를 포함하는 기판 처리 장치(100)는 기판(W)이 회전 부재(130) 상에 안착되어 있지 않거나 별도의 세정용 치구가 설치되어 있지 않더라도, 회전 부재(130)로부터 비산된 약액이 약액 회수 유닛(120)에서 세정이 필요한 위치에 정확하게 비산되도록 할 수 있다. 그러므로, 약액 회수 유닛(120)의 세정 신뢰성은 유지되면서, 별도의 세정용 치구를 설치했다가 제거하는 시간만큼 반도체 소자 제조 시간을 단축할 수 있으므로, 생산성을 향상시킬 수 있다.In the substrate processing apparatus 100 including the guide portion 132 according to the first modification, even if the substrate W is not seated on the rotating member 130 or a separate cleaning fixture is not installed, The chemical liquid scattered from the rotating member 130 may be accurately scattered at a position where cleaning is required in the chemical liquid recovery unit 120. Therefore, the cleaning reliability of the chemical recovery unit 120 is maintained, and the manufacturing time of the semiconductor device can be shortened by a time for installing and removing a separate cleaning jig, thereby improving productivity.

뿐만 아니라, 가이드부(132)는 비산된 약액이 가해지는 충격에 의하여 약액 회수 유닛(120)에서 튕겨져서 나오는 오염물질이 회전 부재(130)로 유입되는 것을 방지할 수도 있다.In addition, the guide unit 132 may also prevent the contaminants that are thrown out of the chemical recovery unit 120 due to the impact of the scattered chemical liquid into the rotating member 130.

한편, 도 4에 도시된 바와 같이 상기 가이드부(132)는 상기 기판(W)이 상기 베이스부(131) 상에 위치된 상태에서 상기 기판(W)과 간섭되지 않도록 상기 베이스부(131)의 가장자리에 인접하게 위치될 수 있다. 또한, 상기 가이드부(132)는 상기 지지핀(133)과 상기 정렬핀(134) 사이의 공간에 위치될 수 있다. 이에 따라, 기판(W)이 회전 부재(130) 상에 안착된 상태에서 가이드부(132)와 기판(W)이 서로 간섭되는 것을 방지할 수 있다.On the other hand, as shown in Figure 4, the guide portion 132 of the base portion 131 so as not to interfere with the substrate (W) in the state where the substrate (W) is located on the base portion (131) It can be located adjacent to the edge. In addition, the guide part 132 may be located in a space between the support pin 133 and the alignment pin 134. Accordingly, the guide portion 132 and the substrate W may be prevented from interfering with each other while the substrate W is seated on the rotating member 130.

도 5를 참조하면, 제2 변형예에 따른 가이드부(232)는 상기 베이스부(131)에 회전가능하게 결합될 수 있다. 더욱 상세하게 설명하면, 제2 변형예에 따른 가이드부(232)는 베이스부(131)에 좌우방향으로 회전가능하게 결합될 수 있다.Referring to FIG. 5, the guide part 232 according to the second modified example may be rotatably coupled to the base part 131. In more detail, the guide part 232 according to the second modified example may be rotatably coupled to the base part 131 in the left-right direction.

약액이 회전 부재(130)에 토출되고, 베이스부(131)가 회전되면, 약액은 베이스부(131)의 표면에서 회오리 형상(F)으로 이동될 수 있다. 제2 변형예에 따른 가이드부(232)는 약액이 이동하는 방향과 경사면의 폭 방향과 직교하도록 제1 변형예에 따른 가이드부(132, 도 4 참조)와 비교하여 특정 각도만큼 회전된 상태일 수 있다. 여기서, 제2 변형예에 따른 가이드부(232)가 회전된 각도는 회전 부재(130)가 회전되는 속도에 따라 상이하게 설정될 수 있으므로, 특정 각도로 한정하지는 않는다.When the chemical liquid is discharged to the rotating member 130 and the base portion 131 is rotated, the chemical liquid may be moved in a whirlwind shape F on the surface of the base portion 131. The guide portion 232 according to the second modified example is in a state rotated by a specific angle compared to the guide portion 132 according to the first modified example (see FIG. 4) so as to be perpendicular to the width direction of the inclined surface and the direction in which the chemical solution moves. Can be. Here, since the angle at which the guide unit 232 according to the second modification is rotated may be set differently according to the speed at which the rotating member 130 is rotated, it is not limited to a specific angle.

가이드부(232)와 베이스부(131)를 서로 결합시키는 방법은 일례로, 가이드부(232)는 베이스부(131)에 별도의 볼트(미도시)에 의해 체결될 수 있다. 이때, 볼트는 베이스부(131)의 하방에서 베이스부(131)를 관통한 다음 가이드부(232)에 강하게 결합될 수 있다. 사용자는 볼트가 풀린 상태에서 가이드부(232)를 베이스부(131)에 대해 적절하게 회전시키고 볼트를 체결하여 가이드부(232)의 위치를 고정할 수 있다.A method of coupling the guide portion 232 and the base portion 131 to each other is, for example, the guide portion 232 may be fastened to the base portion 131 by a separate bolt (not shown). At this time, the bolt may penetrate the base portion 131 under the base portion 131 and then be strongly coupled to the guide portion 232. The user can properly fix the position of the guide portion 232 by rotating the guide portion 232 properly relative to the base portion 131 and fastening the bolt while the bolt is loosened.

이와 다르게, 가이드부(232)와 베이스부(131)를 서로 결합시키는 다른 방법은 가이드부(232)와 베이스부(131)를 고정핀으로 결합하고 마찰력을 생성하는 별도의 마찰 패드(미도시)를 가이드부(232)와 베이스부(131) 사이에 개재한 것일 수 있다. 이에 따라, 가이드부(232)가 베이스부(131)에 대해 일정 각도 회전된 이후, 특정 크기 이상의 외력이 가이드부(232)에 작용하지 않으면 가이드부(232)는 베이스부(131)에 대해 회전되지 않을 수 있다. 다만, 가이드부(232)와 베이스부(131)를 서로 결합시키는 방법이 반드시 이와 같은 구조인 것으로 한정하지는 않는다.Alternatively, another method of coupling the guide portion 232 and the base portion 131 to each other is a separate friction pad (not shown) that combines the guide portion 232 and the base portion 131 with a fixing pin and generates friction force. It may be interposed between the guide portion 232 and the base portion 131. Accordingly, after the guide portion 232 is rotated by a certain angle relative to the base portion 131, the guide portion 232 rotates with respect to the base portion 131 if an external force of a certain size or more does not act on the guide portion 232 It may not be. However, the method of coupling the guide portion 232 and the base portion 131 to each other is not necessarily limited to such a structure.

도 6을 참조하면, 제3 변형예에 따른 가이드부(332)는 상기 베이스부(131)의 상측에 위치되고, 상기 베이스부(131)의 중심에서 멀어질수록 상기 베이스부(131)의 하방으로 점차 인입될 수 있다. 즉, 제3 변형예에 따른 가이드부(332)는 베이스부(131)의 중심에서 멀어질수록 하향 경사질 수 있다.Referring to FIG. 6, the guide part 332 according to the third modified example is located above the base part 131, and further away from the center of the base part 131, the lower part of the base part 131 Can be gradually introduced. That is, the guide portion 332 according to the third modified example may be inclined downward as it moves away from the center of the base portion 131.

전술한 제1 변형예에 따른 가이드부(132, 도 4 참조)는 기판(W)이 위치하는 높이만큼의 약액이 비산되는 높이를 증가시킨다. 이와 다르게 제3 변형예에 따른 가이드부(332)는 약액이 비산되는 높이를 감소시킬 수 있다. 구동 유닛(140)이 회전 부재(130)를 승강시킨 높이에 따라서 제3 변형예에 따른 가이드부(332)를 적용하여 기판 처리 장치(100)를 제조할 수도 있고, 전술한 제1 변형예에 따른 가이드부(132, 도 4 참조)를 적용하여 기판 처리 장치(100)를 제조할 수도 있다.The guide portion 132 (see FIG. 4) according to the first modification example increases the height at which the chemical liquid is scattered as much as the height at which the substrate W is positioned. Alternatively, the guide portion 332 according to the third modified example may reduce the height at which the chemical liquid is scattered. The drive unit 140 may manufacture the substrate processing apparatus 100 by applying the guide part 332 according to the third modification according to the height at which the rotating member 130 is elevated. The guide processing unit 132 (see FIG. 4) may be applied to manufacture the substrate processing apparatus 100.

제3 변형예에 따른 가이드부(332)는 약액을 회전 부재(130)보다 아래 방향으로 비산시킬 수 있다. 이때, 구동 유닛(140)은 제1 변형예에 따른 가이드부(132, 도 4 참조)에 의해 세정이 실시되는 경우와 비교하여 회전 부재(130)를 일정 높이 상승시킬 수 있다. 이에 따라, 제3 변형예에 따른 가이드부(332)에 의해 세정이 실시되더라도 제1 변형예에 따른 가이드부(132, 도 4 참조)에 의해 세정이 실시되는 경우와 약액이 비산되는 위치는 유사할 수 있다.The guide portion 332 according to the third modified example may scatter the chemical liquid in a downward direction than the rotating member 130. At this time, the driving unit 140 may raise the rotating member 130 to a certain height as compared with the case where cleaning is performed by the guide unit 132 (see FIG. 4) according to the first modification. Accordingly, even if the cleaning is performed by the guide unit 332 according to the third modification, the position where the chemical is scattered is similar to when the cleaning is performed by the guide unit 132 (see FIG. 4) according to the first modification. can do.

약액이 제3 변형예에 따른 가이드부(332)에 의하여 아래를 향하여 비산됨으로써, 약액이 약액 회수 유닛(120)에 맞고 튕겨져서 다시 회전 부재(130)로 잔류하는 것을 방지할 수 있다.Since the chemical liquid is scattered downward by the guide portion 332 according to the third modification, it is possible to prevent the chemical liquid from hitting the chemical recovery unit 120 and being bounced back to remain in the rotating member 130.

또한, 제3 변형예에 따른 가이드부(332)는 제1 변형예에 따른 가이드부(132, 도 4 참조)와 비교하여 상대적으로 아래 방향으로 약액을 비산시킴으로써, 약액 회수 유닛(120)의 내부의 깊숙한 부분까지 구석구석 세정할 수 있다.In addition, the guide portion 332 according to the third modified example is compared to the guide portion 132 according to the first modified example (see FIG. 4) by scattering the chemical liquid in a relatively downward direction, so that the inside of the chemical liquid recovery unit 120 You can clean every part of the deep.

도 7 및 도 8을 참조하면, 제4 변형예에 따른 가이드부(432)는 상기 베이스부(131)의 가장자리를 따라 형성되고, 상기 베이스부(131)로부터 멀어질수록 상향 경사지게 형성될 수 있다. 즉, 제4 변형예에 따른 가이드부(432)는 앞서 설명한 제1 변형예에 따른 가이드부(132, 도 4 참조)와 다르게 전체 형상이 링(ring)과 같은 폐곡선 형상일 수 있다.7 and 8, the guide portion 432 according to the fourth modification is formed along the edge of the base portion 131, and may be formed to be inclined upward as it moves away from the base portion 131. . That is, the guide portion 432 according to the fourth modification example may have a closed shape such as a ring, unlike the guide portion 132 (see FIG. 4) according to the first modification example described above.

전술한 제1 변형예에 따른 가이드부(132, 도 4 참조) 각각은 서로 일정한 간격을 이루도록 형성될 수 있다. 이와 다르게, 제4 변형예에 따른 가이드부(432)는 베이스부(131)의 가장자리 전체에 걸쳐서 형성되어 있으므로, 베이스부(131)의 표면을 따라 이동되는 대부분의 약액이 가이드부(432)에 의하여 약액 회수 유닛(120)에서 세정이 필요한 특정 위치로 배출될 수 있다. 그러므로, 제4 변형예에 따른 가이드부(432)는 제1 변형예에 따른 가이드부(132, 도 4 참조)보다 약액 회수율을 더욱 향상시킬 수 있다.Each of the guide portions 132 (see FIG. 4) according to the first modification described above may be formed to have a constant distance from each other. Alternatively, since the guide portion 432 according to the fourth modification is formed over the entire edge of the base portion 131, most of the chemical liquid moved along the surface of the base portion 131 is provided to the guide portion 432. By doing so, it can be discharged from the chemical recovery unit 120 to a specific location where cleaning is required. Therefore, the guide portion 432 according to the fourth modified example may further improve the recovery rate of the chemical solution than the guide portion 132 (see FIG. 4) according to the first modified example.

도 9를 참조하면, 제5 변형예에 따른 가이드부(532)는 상기 베이스부(131)의 가장자리를 따라 형성되고, 상기 베이스부(131)로부터 멀어질수록 하향 경사지게 형성될 수 있다. 제5 변형예에 따른 가이드부(532)는 제3 변형예에 따른 가이드부(332, 도 6 참조)와 비교하여 약액 회수율을 더욱 향상시킬 수 있다. 이러한 효과는, 제4 변형예에 따른 가이드부(432, 도 7 참조)를 설명하면서 상세하게 설명하였으므로, 이에 대한 설명은 생략한다.Referring to FIG. 9, the guide portion 532 according to the fifth modification is formed along the edge of the base portion 131 and may be formed to be inclined downward as it moves away from the base portion 131. The guide portion 532 according to the fifth modified example may further improve the recovery rate of the chemical solution compared to the guide portion 332 (see FIG. 6) according to the third modified example. These effects have been described in detail while explaining the guide portion 432 (see FIG. 7) according to the fourth modified example, and thus a description thereof will be omitted.

전술한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 가이드부(132)를 포함하는 회전 부재(130)를 포함한다. 가이드부(132)는 회전 부재(130)로부터 비산되는 약액의 높이를 베이스부(131)보다 높은 위치가 되게 하거나 낮은 위치가 되도록 할 수 있다.The substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention described above includes a rotating member 130 including a guide portion 132. The guide part 132 may make the height of the chemical liquid scattered from the rotating member 130 be a higher position or a lower position than the base part 131.

이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 가이드부(132)를 포함하지 않은 종래의 기판 처리 장치(100)와 비교하여 약액을 약액 회수 유닛(120)에서 세정이 필요한 특정 위치로 비산시킬 수 있다.Accordingly, the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention requires cleaning of the chemical liquid in the chemical liquid recovery unit 120 compared to the conventional substrate processing apparatus 100 that does not include the guide portion 132 It can scatter to a specific location.

즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 기판(W)이 회전 부재(130) 상에 안착되어 있지 않거나 별도의 세정용 치구가 설치되어 있지 않더라도, 회전 부재(130)로부터 이탈된 약액이 약액 회수 유닛(120)에서 세정이 필요한 위치에 정확하게 비산될 수 있다. 그러므로, 약액 회수 유닛(120)의 세정 신뢰성은 유지되면서, 별도의 세정용 치구를 설치하는 시간만큼 반도체 소자 제조 시간을 단축할 수 있으므로, 생산성을 향상시킬 수 있다.That is, in the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention, even if the substrate W is not seated on the rotating member 130 or a separate cleaning jig is not installed, the substrate processing apparatus 100 is provided from the rotating member 130. The deviated chemical liquid can be scattered accurately in the chemical liquid recovery unit 120 where it needs cleaning. Therefore, since the cleaning reliability of the chemical recovery unit 120 is maintained, the semiconductor device manufacturing time can be shortened as much as the time for installing a separate cleaning fixture, thereby improving productivity.

뿐만 아니라, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)에 포함된 가이드부(132)는 비산된 약액이 가해지는 충격에 의하여 약액 회수 유닛(120)에서 튕겨져서 나오는 오염물질이 회전 부재(130)로 유입되는 것을 방지할 수도 있다.In addition, the guide portion 132 included in the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention is rotated member of the contaminants that are thrown out from the chemical recovery unit 120 by the impact of the scattered chemical liquid It may be prevented from entering the 130.

이상에서 본 발명의 여러 실시예에 대하여 설명하였으나, 지금까지 참조한 도면과 기재된 발명의 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.Although various embodiments of the present invention have been described above, the drawings referenced so far and the detailed description of the described invention are merely illustrative of the present invention, which are only used for the purpose of illustrating the present invention, and are not limited in meaning or claim. It is not intended to limit the scope of the invention described in the scope. Therefore, those skilled in the art will appreciate that various modifications and other equivalent embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

100: 기판 처리 장치 110: 약액 공급 유닛
120: 약액 회수 부재 130: 회전 부재
131: 베이스부 132, 232, 332, 432, 532: 가이드부
133: 지지핀 134: 정렬핀
140: 구동 유닛100: substrate processing apparatus 110: chemical liquid supply unit
120: chemical recovery member 130: rotating member
131: base portion 132, 232, 332, 432, 532: guide portion
133: support pin 134: alignment pin
140: drive unit

Claims (8)

기판을 지지하고, 회전되는 회전 부재;
상기 회전 부재로 약액을 공급하는 약액 공급 유닛; 및
상기 회전 부재의 둘레에 위치되고, 상기 회전 부재에서 비산되는 약액을 회수하는 약액 회수 유닛;를 포함하고,
상기 회전 부재는,
상기 기판이 안착되는 베이스부; 및
상기 베이스부의 표면을 따라 이동하는 약액의 이동을 가이드하는 가이드부;를 포함하는 기판 처리 장치.A rotating member supporting the substrate and being rotated;
A chemical liquid supply unit that supplies a chemical liquid to the rotating member; And
Included in the circumference of the rotating member, a chemical liquid recovery unit for recovering the chemical liquid scattered from the rotating member;
The rotating member,
A base portion on which the substrate is seated; And
And a guide portion for guiding the movement of the chemical liquid moving along the surface of the base portion. 제1항에 있어서,
상기 가이드부는,
상기 베이스부의 상측에 위치되고, 상기 베이스부의 중심에서 멀어질수록 상향 경사지게 형성된 기판 처리 장치.According to claim 1,
The guide portion,
The substrate processing apparatus is positioned above the base portion and is formed to be inclined upward as it moves away from the center of the base portion. 제2항에 있어서,
상기 가이드부는 상기 베이스부에 회전가능하게 결합된 기판 처리 장치.According to claim 2,
The guide portion is a substrate processing apparatus rotatably coupled to the base portion. 제2항에 있어서,
상기 가이드부는,
상기 기판이 상기 베이스부 상에 위치된 상태에서 상기 기판과 간섭되지 않도록 상기 베이스부의 가장자리에 인접하게 위치된 기판 처리 장치.According to claim 2,
The guide portion,
A substrate processing apparatus positioned adjacent to the edge of the base portion so as not to interfere with the substrate while the substrate is located on the base portion. 제1항에 있어서,
상기 가이드부는,
상기 베이스부의 상측에 위치되고, 상기 베이스부의 중심에서 멀어질수록 상기 베이스부의 하방으로 점차 인입되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The guide portion,
The substrate processing apparatus which is located above the base portion and gradually enters downward from the base portion as it moves away from the center of the base portion. 제2항 또는 제5항에 있어서,
상기 회전 부재는,
상기 가이드부의 상측에 결합되어 상기 기판을 지지하는 지지핀; 및
상기 지지핀 상에 지지되는 기판을 정렬하는 정렬핀;을 포함하고,
상기 가이드부는 상기 지지핀과 상기 정렬핀 사이의 공간에 위치되는 기판 처리 장치.The method according to claim 2 or 5,
The rotating member,
A support pin coupled to an upper side of the guide portion to support the substrate; And
Includes; alignment pins to align the substrate supported on the support pins,
The guide unit is a substrate processing apparatus located in the space between the support pin and the alignment pin. 제1항에 있어서,
상기 가이드부는,
상기 베이스부의 가장자리를 따라 형성되고, 상기 베이스부로부터 멀어질수록 상향 경사지게 형성된 기판 처리 장치.According to claim 1,
The guide portion,
A substrate processing apparatus formed along an edge of the base portion and inclined upward as it moves away from the base portion. 제1항에 있어서,
상기 가이드부는,
상기 베이스부의 가장자리를 따라 형성되고, 상기 베이스부로부터 멀어질수록 하향 경사지게 형성된 기판 처리 장치.According to claim 1,
The guide portion,
A substrate processing apparatus formed along an edge of the base portion and inclined downward as it moves away from the base portion.
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