JP5936535B2 - Liquid processing apparatus and liquid processing method - Google Patents
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Description
本発明は、角型の基板に処理液を供給して、該基板に対し液処理を行う液処理装置及び液処理方法に関する。 The present invention relates to a liquid processing apparatus and a liquid processing method for supplying a processing liquid to a square substrate and performing liquid processing on the substrate.
従来、フォトマスクを製造するための角型の基板(以下、単に基板とも記載する)に対してレジスト除去などの液処理を行う場合、前記基板を水平に保持すると共に基板の中心軸を回転軸として鉛直軸回りに回転させる基板保持部と、基板に処理液を吐出するノズルとを備えた液処理装置が用いられる。 Conventionally, when liquid processing such as resist removal is performed on a rectangular substrate for manufacturing a photomask (hereinafter also simply referred to as a substrate), the substrate is held horizontally and the central axis of the substrate is a rotation axis. As a liquid processing apparatus, a substrate holding unit that rotates about a vertical axis and a nozzle that discharges a processing liquid onto the substrate are used.
このような液処理装置においては、角型基板の四隅をそれぞれ下側が拡径した支持ピン上などで保持している。また、この基板保持部上に角型基板を載置する際には、基板の裏面に当接し、昇降可能に構成された複数のリフトピンで基板を受け取った後下降することにより、基板保持部に受け渡すようになっている(例えば、特許文献1)。 In such a liquid processing apparatus, the four corners of the square substrate are held on support pins whose lower diameters are enlarged. In addition, when placing the square substrate on the substrate holding part, the substrate is brought into contact with the back surface of the substrate and lowered after receiving the substrate with a plurality of lift pins configured to be movable up and down. (For example, patent document 1).
また、例えば、EUV(Extreme Ultraviolet)などの近年の露光装置に微細化に伴い、マスクの裏面の清浄度に対する要求度もこれまで以上に高まってきている。 Further, for example, with the recent miniaturization of exposure apparatuses such as EUV (Extreme Ultraviolet), the degree of demand for the cleanliness of the back surface of the mask has increased more than ever.
しかしながら、特許文献1に記載の技術においては、基板の受け渡し時にはリフトピンによって基板の裏面を保持するために、リフトピンに付着していた異物がマスク基板の裏面に付着する虞がある。そして、微細化に伴いマスク基板そのものについてもマスク基板に帯電した電荷が液処理時等に放電してしまいマスクパターンを破壊してしまうリスクが高くなってきている。 However, in the technique described in Patent Document 1, since the back surface of the substrate is held by the lift pins when the substrate is delivered, there is a possibility that foreign matters adhering to the lift pins may adhere to the back surface of the mask substrate. With the miniaturization of the mask substrate itself, there is an increased risk that the charges charged on the mask substrate are discharged during liquid processing and the mask pattern is destroyed.
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、液処理装置において、角型基板の裏面に接触することなく、基板の液処理および基板の受け渡しを行うことができる液処理装置を提供することである。そして、本発明のもう一つの目的は、マスク基板に帯電した電荷を液処理時に速やかに除去することができる液処理装置を提供することである。 The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to provide a liquid treatment apparatus that can perform liquid treatment of a substrate and delivery of the substrate without contacting the back surface of the square substrate. It is to provide a processing device. Another object of the present invention is to provide a liquid processing apparatus capable of quickly removing charges charged on a mask substrate during liquid processing.
本発明の液処理装置は、角型の基板に処理液を供給して所定の液処理を行う液処理装置であって、基板の角部近傍の下側角部を保持する第1の基板保持部と、該第1の基板保持部によって保持された基板を鉛直軸周りに回転させる回転駆動機構と、基板に処理液を供給する処理液供給機構と、基板の辺部の下側角部を保持する第2の基板保持部と、該第2の基板保持部を昇降する昇降機構と、を備え、前記第1の基板保持部は、第1の基板保持プレートと、該第1の基板保持プレート上に基板の角部位置に対応して設けられた一対の基板保持ピンと、を備え、前記第2の基板保持部は、第2の基板保持プレートと、該第2の基板保持プレート外周部に設けられた複数の保持片と、を備え、前記保持片は、外周方向に向けて高くなる第1の傾斜面と、該第1の傾斜面と連続し第1の傾斜面の角度より大きい角度であって、前記基板の下端部の角度に対応した角度を有する第2の傾斜面と、を備えることを特徴とする(請求項1)。 The liquid processing apparatus of the present invention is a liquid processing apparatus that supplies a processing liquid to a square substrate and performs a predetermined liquid processing, and holds a lower corner near the corner of the substrate. A rotation driving mechanism that rotates the substrate held by the first substrate holding unit around a vertical axis, a processing liquid supply mechanism that supplies a processing liquid to the substrate, and a lower corner portion of a side portion of the substrate. A second substrate holding unit for holding; and an elevating mechanism for raising and lowering the second substrate holding unit. The first substrate holding unit includes a first substrate holding plate and the first substrate holding unit. A pair of substrate holding pins provided on the plate corresponding to the corner position of the substrate, wherein the second substrate holding portion is a second substrate holding plate and an outer peripheral portion of the second substrate holding plate A plurality of holding pieces provided on the first holding slope, the holding pieces increasing in the outer circumferential direction. When, a greater angle than the angle of the first inclined surface contiguous with said first inclined surface, characterized in that it comprises a second inclined surface having an angle corresponding to the angle of the lower end portion of the substrate (Claim 1).
本発明において、前記基板保持ピンは、円柱形状の基板側端当接部と、該基板側端当接部の下端部から下降する拡径傾斜部と、を備えるのが好ましい(請求項2)。 Te present invention smell, the substrate holding pin, and the substrate-side end abutment cylindrical, and enlarged diameter inclined portion descending from the lower end portion of the substrate-side end abutment portion, preferably provided with (Claim 2 ).
また本発明において、前記第2の基板保持プレートは、前記第1の基板保持プレートより上方に設けられているのが好ましい(請求項3)。 In the present invention, the second substrate holding plate, preferably provided above the first substrate holding plate (claim 3).
また本発明において、前記第2の基板保持プレートが下降している際、前記第1の基板保持プレートと前記第2の基板保持プレートが回転可能に係合されているのが好ましい(請求項4)。 In the present invention, the second when the substrate holding plate is lowered, the preferably the first substrate holding plate and the second substrate holding plate is engaged rotatably (claim 4 ).
また本発明の液処理装置は、前記基板保持ピンは少なくとも表面が導電性部材で形成され、前記第1の基板保持プレートの下面に接地された導電性プレートが設けられ、前記導電性プレートと前記基板保持ピンが電気的に接続されていることを特徴とする(請求項5)。 In the liquid processing apparatus of the present invention, at least a surface of the substrate holding pin is formed of a conductive member, and a grounded conductive plate is provided on a lower surface of the first substrate holding plate. The substrate holding pins are electrically connected (Claim 5 ).
本発明において、前記導電性部材は導電性樹脂であるのが好ましい(請求項6)。 In the present invention, the conductive member is preferably electrically conductive resin (claim 6).
また本発明において、前記導電性プレートは導電性樹脂で形成されているのが好まし(請求項7)。 The Te present invention smell, the conductive plate is preferably what is formed of conductive resin (claim 7).
さらに本発明において、前記処理液は、硫酸と過酸化水素水の混合液、有機溶剤、オゾン水、アルカリ水溶液、純水のいずれかであることが好ましい(請求項8)。 Furthermore, in the present invention, the processing liquid is a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide, an organic solvent, ozone water, an alkaline aqueous solution is preferably either pure water (claim 8).
また本発明の液処理方法は、請求項1ないし8のいずれかに記載の液処理装置を用いて、基板に処理液を供給して所定の液処理を行う液処理方法であって、基板を保持する搬送機構が前記液処理装置の上方位置に移動する工程と、前記昇降機構が前記第2の基板保持部を上昇させて、前記搬送機構から前記第2の保持部の保持片に設けられた第2の傾斜面が基板の辺部の下側角部を保持して基板を受け取る工程と、前記昇降機構が基板を保持する前記第2の基板保持部を下降させて、前記第1の基板保持部に基板を受け渡す工程と、前記回転駆動機構が基板を保持する前記第1の基板保持部を回転させながら、前記処理液供給機構から基板に処理液を供給して所定の液処理を行なう工程と、前記回転駆動機構が回転を停止し、前記処理液供給機構が処理液を停止した後、前記昇降機構が前記第2の基板保持部を上昇させて、前記第1の基板保持部から前記第2の保持部の保持片に設けられた第2の傾斜面が基板の辺部の下側角部を保持して基板を受け取る工程と、前記昇降機構が前記第2の基板保持部を更に上昇させて、前記搬送機構に基板を受け渡す工程と、を備えたことを特徴とする(請求項9)。 A liquid processing method of the present invention is a liquid processing method for performing a predetermined liquid processing by supplying a processing liquid to a substrate using the liquid processing apparatus according to any one of claims 1 to 8 , A step of moving the holding transport mechanism to an upper position of the liquid processing apparatus; and the lifting mechanism lifts the second substrate holding portion and is provided from the transport mechanism to the holding piece of the second holding portion. The second inclined surface holds the lower corner portion of the side portion of the substrate and receives the substrate, and the lifting mechanism lowers the second substrate holding portion that holds the substrate, so that the first A step of delivering the substrate to the substrate holding unit; and a predetermined liquid process by supplying the processing liquid from the processing liquid supply mechanism to the substrate while rotating the first substrate holding unit holding the substrate by the rotation driving mechanism. And the rotation drive mechanism stops rotating, and the treatment liquid supply After configuration has stopped the processing liquid, the lifting mechanism by rises the second substrate holding portion, the second gradient from the first substrate holding portion provided on the holding piece of the second holding portion A surface holding the lower corner of the side of the substrate and receiving the substrate; and a step of raising and lowering the second substrate holding portion by the lifting mechanism to deliver the substrate to the transport mechanism. ( 9 ).
(1)請求項1〜4,8に記載の発明によれば、基板の角部近傍の下側角部を保持する第1の基板保持部と、第1の基板保持部によって保持された基板を鉛直軸周りに回転させる回転駆動機構と、基板に処理液を供給する処理液供給機構と、基板の辺部の下側角部を保持する第2の基板保持部と、第2の基板保持部を昇降する昇降機構とを備えることにより、基板の液処理時には第1の基板保持部により基板の角部の下方角端部を保持し、基板の受け渡し時には第2の基板保持部により基板の辺部の下側角端部を保持するようにしているので、処理時にも基板受け渡し時にも角型基板の裏面に接触することがないので、角型基板の裏面を汚染させることがなく、清浄度を高めることができる。 (1) According to the first to fourth aspects of the present invention, the first substrate holding portion that holds the lower corner portion in the vicinity of the corner portion of the substrate, and the substrate held by the first substrate holding portion. A rotation drive mechanism for rotating the substrate around the vertical axis, a processing liquid supply mechanism for supplying a processing liquid to the substrate, a second substrate holding part for holding the lower corner of the side of the substrate, and a second substrate holding And a lowering / lowering mechanism for moving the substrate up and down, so that the lower corner end of the corner of the substrate is held by the first substrate holding unit during the liquid processing of the substrate, and the second substrate holding unit is used for transferring the substrate. Since the lower corner end of the side is held, it does not come into contact with the back surface of the square substrate during processing and when the substrate is delivered. The degree can be increased.
(2)請求項5〜7に記載の発明によれば、基板保持ピンは少なくとも表面が導電性部材で形成されることで、(1)に加えて更に基板に帯電した電荷を液処理時に速やかに除去することができる。
(2) According to the invention described in
(3)請求項9に記載の発明によれば、基板の処理時にも基板受け渡し時にも角型基板の裏面に接触することなく液処理を行うことができるので、角型基板の裏面を汚染させることがなく、清浄度を高めることができる。
(3) According to the invention described in claim 9 , since the liquid processing can be performed without contacting the back surface of the square substrate during the processing of the substrate and the delivery of the substrate, the back surface of the square substrate is contaminated. The cleanliness can be increased.
本発明の液処理装置の実施形態であるマスク洗浄装置1について、図1の縦断面図、図2の平面図を夫々参照しながら説明する。このマスク洗浄装置1は、表面にレジスト膜が形成された角型の基板Gに図示しない洗浄液供給機構と接続されるノズル2から洗浄液(処理液)としてのSPM(Sulfuric acid Hydrogen Peroxide Mixture(硫酸と過酸化水素水の混合液)を供給し、当該レジスト膜を剥離して基板Gを洗浄する。基板Gは、半導体ウエハに形成されたレジストに回路パターンを転写するために用いられるパターンマスクを製造するためのマスク基板である。
A mask cleaning apparatus 1 which is an embodiment of a liquid processing apparatus of the present invention will be described with reference to a longitudinal sectional view of FIG. 1 and a plan view of FIG. This mask cleaning apparatus 1 is a SPM (Sulfuric acid Hydrogen Peroxide Mixture) (Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture) as a cleaning liquid (processing liquid) from a
マスク洗浄装置1は、基板Gの角部近傍の下側角部を保持する第1の基板保持部30と、第1の基板保持部30によって保持された基板Gを鉛直軸周りに回転させる回転駆動機構24と、基板Gに洗浄液を供給する処理液供給機構であるノズル2と、基板Gの辺部の下側角部を保持する第2の基板保持部40と、第2の基板保持部40を昇降する昇降機構47と、を備えている。
The mask cleaning apparatus 1 includes a first
この場合、マスク洗浄装置1はチャンバ11を備えており、チャンバ11内には、チャンバ11の内側から外側へ鉛直下方に伸長した第1の回転筒21と、基板Gを支持するための第1の基板保持プレートとしてのチャックベース31と、チャックベースの上方に設けられ、チャックベースに対して相対的に上下移動する第2の基板保持プレートとしてのリフタープレート41と、支持プレート31に支持される基板Gの側周を囲む複合カップ体51と、を備えている。
In this case, the mask cleaning apparatus 1 includes a chamber 11, in which a first rotating
第1の回転筒21内には、ノズルシャフト12が設けられている。ノズルシャフト12の先端にはN2供給ノズル3aと、バックリンスノズル3bとを有する裏面ノズル3が形成され、N2供給ノズル3aはN2の供給機構14と接続され、バックリンスノズル3bはDIW(Deionized Water)供給機構15と接続されている。裏面ノズル3は 基板Gの裏面中央部にN2ガスを供給して基板G表面に供給されたSPMが基板Gの裏面へ回り込むことを防ぐと共に、基板裏面にDIWを供給することで基板Gの裏面を洗浄する。
A
続いて、第1の基板保持プレートとしてのチャックベース31について説明する。チャックベース31は水平な円形のリング板状に形成されており、このチャックベース31の下面と第1の回転筒21の上端部とが接続されており、回転駆動機構24によって第1の回転筒21と共にチャックベース31が鉛直軸回りに回転するようになっている。この場合、回転駆動機構24は、第1の回転筒21の下端部に装着される従動スプロケット25と、駆動モータ27の駆動軸に装着される駆動スプロケット27aと、従動スプロケット25と駆動スプロケット27aに掛け渡されるタイミングベルト26とで構成されている。なお、チャックベース31としては、ステンレス、アルミニウムなどの金属を用いる形成することができるが、本実施形態においては、洗浄液としてSPMを用いるため、石英やテフロン系の樹脂など耐薬品性の高い材料を用いることが好ましい。
Next, the
チャックベース31の表面には基板Gの角部近傍に8つの基板保持ピン16が設けられている。基板保持ピンは角型基板の角部のそれぞれの隣接する辺に対して一つずつ配置されている。この基板保持ピン16は、図3に示すように、小径円柱状の基板側端当接部16aと、基板側端当接部16aの下端部から下降する拡径傾斜部16bと、拡径傾斜部16bの下端部から下降する下部円柱部16cとを具備しており、この基板保持ピン16の基板側端当接部16aにより基板Gが側方に移動することを規制するようになっている。また、拡径傾斜部16b上に基板Gの下側角を載置することにより基板Gを保持するようになっている。このような構成により、基板保持ピン16は基板Gの裏面に接触することなく、基板Gを保持可能となっている。基板保持ピン16は金属等の導電性材料を用いることができるが、洗浄液としてSPMを用いる場合を考慮して導電性テフロンで形成したり、金属製のピン本体を導電性テフロンで被覆したものなどを用いることができる。
Eight substrate holding pins 16 are provided near the corners of the substrate G on the surface of the
また、チャックベース31の下方には、例えば、導電性の樹脂などの導電性材料からなる接地されたアースプレート(導電性プレート)18が設けられている。このアースプレート18は、基板Gの裏面側から金属製のボルト19によって、チャックベース31を介して基板保持ピン16と接続されている。基板保持ピン16も導電性材料で形成されているため、基板保持ピン16とボルト19は、チャックベース31を挟む形で固定されてことにより、基板保持ピン16はアースプレート18と電気的に接続されている。そのため、基板Gに帯電した電荷を基板保持ピン16からボルト19、アースプレート18を介して除電することができるようになっている。なお、アースプレート18の材料としては、金属などの導電性の材料を使うことができるが、この場合にも洗浄液による腐食を考慮して導電性ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)などを用いることが好ましい。
A grounded earth plate (conductive plate) 18 made of a conductive material such as a conductive resin is provided below the
続いて、図1および図2、図4、図5を用いて第2の基板保持機構としてのリフタープレート41について説明する。図4はリフタープレート41の斜視図、図5はリフタープレートの基板保持片の要部拡大側面図である。リフタープレート41は、耐薬品性の高いポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)などのフッ素系樹脂を用いて円形のリング形状に形成され、チャックベース31の上方に設けられている。このリフタープレート41は、角型の基板Gの一辺の長さと同等の大きい直径を有しており、基板保持ピン16とは干渉しないようになっている。
Subsequently, the
また、リフタープレート41には、上面の最外周部に基板Gを保持するための保持片42が90度間隔に4個設けられている。この保持片42は、図5に示すように、リフタープレート41の外側に行くに従い高くなる第1の傾斜面42aと第1の傾斜面42aと連続して形成され、第1の傾斜面42aの角度θ1よりも大きい角度のθ2の角度を有する第2の傾斜面42bを有する。一般的にマスク基板の端部は45度の角度で面取り加工してあるため、第2の傾斜面θ2はこの角型基板Gの端部角度に合わせて45度として基板Gが傾斜面上で安定となるようにするとともに、第1の傾斜面θ1は第2の傾斜面θ2の角度より小さい角度として基板Gの下側端部が第2の傾斜面42bから第1の傾斜面42aにすべり落ちにくくなっている(図5中点線参照)。なお、この保持片42は本実施形態では、2つの傾斜面を有していたが、この傾斜面は2つに限らず、1つまたは3つ以上などで形成してもよい。
The
そして、このリフタープレート41は図1に示すように、リフタープレート41の下端部で第2の回転筒43と接続されている。この第2の回転筒43は第1の回転筒21とノズルシャフト12の間に第1の回転筒21とノズルシャフト12と同心円状に形成されている。これらの第1の回転筒21と第2の回転筒43は回転摺動機構44を介して接続されており、第1の回転筒21の回転する力を第2の回転筒43に伝達すると共に、第1の回転筒21と第2の回転筒43が相対的に軸方向に移動するようになっている。この場合、回転摺動機構44は、第2の回転筒43と共に回転する回転筒44aと、回転筒44aの外周に設けられた軸方向に沿う凹溝44bと第1の回転筒21の内周との間に摺動可能に介在されるキー44cとで構成されている。このような構成により、リフタープレート41が下降位置にある際にはチャックベース31とリフタープレート41は鉛直軸周りの回転方向に対して係合され、チャックベース31が鉛直軸周りに回転する場合にはリフタープレート41と連動して回転するようになっている。
The
さらに、第2の回転筒43はシャフトケース45と接続されて、このシャフトケース45は例えば、シリンダーなどの昇降機構47と接続されている。そのため、昇降機構47を駆動させることでリフタープレート41は、チャックベース31に対して昇降可能となっている。なお、第2の回転筒43とシャフトケース45はベアリング46を介して接続されているため、チャックベース31及びリフタープレート41が回転している際も回転することはない。
Further, the second rotating cylinder 43 is connected to a
続いて、図6を用いて、液処理装置1内に基板Gを搬送し、リフタープレート41との間で基板Gの受け渡しを行う搬送機構61について説明する。搬送機構61はその先端が角型基板Gの対角長より若干長い直径の略円形にくり貫かれ、基板Gの角部に対応する位置に4つの保持爪62を有し、保持爪62上に基板Gの角部を載置することで基板Gを保持するようになっている。リフタープレート41は基板Gの一辺の長さと略同一の直径となっているため、リフタープレート41が下側から昇降してきても搬送機構61に干渉することはないようになっている。なお、本実施形態においては、搬送機構61の先端は略円形にくり貫かれているが、このような形状に限らず、リフタープレート41及び第2の回転筒43と干渉しない形状であればよい。
Next, a
続いて、複合カップ体51について説明する。複合カップ体51は、回転カップ57と、外側カップ58とにより構成されている。回転カップ57は、図1に示すように、基板Gの周縁の上方から外方へ下り傾斜状に延在する下カップ体57aと、下カップ体57aの中間部の上方から下カップ体57aの外方へ延在し、その先端が垂下する上カップ体57bとで構成され、下カップ体57aと上カップ体57bとがチャックベース31に突設される固定部材57cによって固定されている。このようにしてチャックベース31に固定される回転カップ57は、チャックベース31の回転に連動して回転するようになっている。このような構成によって、基板G上に供給された洗浄液および排気は回転カップ57と外側カップ58により捕集され、排気口55から排液される。回転カップ57、外側カップは、基板Gの処理時に回転カップ57、外側カップ58に付着するミスト化した処理液を弾いて効率良く除去するために、疎水性の高い材質、例えばPCTFEにより構成されている。
Next, the
図中52は、チャックベース31の下方空間を内側領域53と外側領域54に区画する壁部であり、壁部52はチャックベース31の下面とわずかに離間している。外側領域54には排気口55が開口しており、排気口55は真空ポンプなどにより構成される排気機構56に接続されている。排気口55には排気と排液とが共に流入し、排気機構56に至るまでの流路中に設けられた不図示の分離機構により排液が分離されるようになっている。
In the figure,
次に、このマスク洗浄装置1による基板Gの処理工程について説明する。図6に示す搬送機構61により、基板Gがチャンバ11の開口8を介してチャンバ11内に搬送される。その後リフタープレート41が上昇して、リフタープレートの各保持片42が基板Gの各辺の下側端部を保持する。搬送機構61はチャンバ11の外側に向けて移動した後に、リフタープレート41が下降し、チャックベース31の基板保持ピン16に基板Gを受け渡す。
Next, the process of processing the substrate G by the mask cleaning apparatus 1 will be described. The substrate G is transferred into the chamber 11 through the opening 8 of the chamber 11 by the
その後、ノズル2が複合カップ体51の外側から基板Gの回転中心上に移動すると共に、予め設定された排気量で排気口55から排気が行われる。続いてチャックベース31、回転カップ57が回転し、ノズル2から前記回転中心に洗浄液としてのSPMが吐出され、基板Gの回転中心から遠心力により基板Gの周縁部へと広げられる。また、ノズルシャフト12からは基板Gの裏面に向けてN2ガスが吐出される。
Thereafter, the
処理液の供給開始から予め設定された時間が経過した後にSPMの供給が停止し、ノズル2からDIWを供給して基板G上のレジスト残渣並びにSPM液を除去する。その後、リフタープレート41が上昇して基板Gがチャックベース31から押し上げられ、チャンバ11内に進入した搬送機構61に受け渡されると、搬送機構61が基板Gをマスク洗浄装置1の外部へと搬送する。
The SPM supply is stopped after a preset time has elapsed from the start of the supply of the processing liquid, and DIW is supplied from the
このマスク洗浄装置1によれば、基板Gを液処理する際には、チャックベース31に設けられた基板保持ピン16により基板Gの角部近傍の下側端部を保持し、基板Gを搬送機構61との間で受け渡す際には、リフタープレート41に設けられた保持片42により基板Gの辺部の下側端部を保持するために基板Gの裏面に接触することがないので、基板Gの清浄度をこれまで以上に高めることができる。
According to the mask cleaning apparatus 1, when the substrate G is subjected to liquid processing, the lower end near the corner of the substrate G is held by the substrate holding pins 16 provided on the
また、このマスク洗浄装置1では、基板保持ピン16が導電性材料で形成され、チャックベース31の裏面に設けられた導電性のアースプレート18と電気的に接続されているため、基板Gに帯電した電荷を、基板G保持時に速やかに除去することができる。
Further, in this mask cleaning apparatus 1, the substrate holding pins 16 are formed of a conductive material and are electrically connected to the
なお、本実施形態において基板に供給する処理液は、SPMに限られない。例えば、上記の実施形態のようにレジストを除去する目的でマスク洗浄装置1を使用する場合、有機溶剤、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、アセトン、アルコールを用いてもよいし、アンモニアと過酸化水素との混合液体(SC1)などアルカリ水溶液を用いてもよいし、オゾン水などの酸化力を有する薬液あるいは純水(DIW)など種々の薬液が利用可能である。 In the present embodiment, the processing liquid supplied to the substrate is not limited to SPM. For example, when the mask cleaning apparatus 1 is used for the purpose of removing the resist as in the above embodiment, an organic solvent such as propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), acetone, alcohol may be used, or ammonia and excess An alkaline aqueous solution such as a liquid mixture with hydrogen oxide (SC1) may be used, and various chemical solutions such as chemical solution having oxidizing power such as ozone water or pure water (DIW) can be used.
また、本実施形態において角型基板Gは一辺の長さが正方形のものの場合において説明したがこれに限定されない。例えば、長方形の場合、リフタープレート41の直径を角型基板Gの長辺と略同一として、基板Gの短辺を保持する保持片42はリフタープレート41の最外周部に配置して、長辺を保持するする保持片42はリフタープレート41の最外周部から内側に配置すればよい。
In the present embodiment, the square substrate G is described as having a square side, but the present invention is not limited to this. For example, in the case of a rectangle, the diameter of the
G 基板
1 液処理装置
2 ノズル(処理液供給機構)
16 基板保持ピン
16a 基板側端当接部
16b 拡径傾斜部
18 アースプレート(導電性プレート)
19 ボルト
24 回転駆動機構
30 第1の基板保持部
31 チャックベース(第1の基板保持プレート)
40 第2の基板保持部
41 リフタープレート(第2の基板保持プレート)
42 保持片
42a 第1の傾斜面
42b 第2の傾斜面
44 回転摺動機構
47 昇降機構
G Substrate 1
16
19
40 Second
42
Claims (9)
基板の角部近傍の下側角部を保持する第1の基板保持部と、
前記第1の基板保持部によって保持された基板を鉛直軸周りに回転させる回転駆動機構と、
基板に処理液を供給する処理液供給機構と、
基板の辺部の下側角部を保持する第2の基板保持部と、
前記第2の基板保持部を昇降する昇降機構と、を備え、
前記第1の基板保持部は、第1の基板保持プレートと、該第1の基板保持プレート上に基板の角部位置に対応して設けられた一対の基板保持ピンと、を備え、
前記第2の基板保持部は、第2の基板保持プレートと、該第2の基板保持プレート外周部に設けられた複数の保持片と、を備え、
前記保持片は、外周方向に向けて高くなる第1の傾斜面と、該第1の傾斜面と連続し第1の傾斜面の角度より大きい角度であって、前記基板の下端部の角度に対応した角度を有する第2の傾斜面と、を備えることを特徴とする液処理装置。 A liquid processing apparatus for supplying a processing liquid to a square substrate and performing a predetermined liquid processing,
A first substrate holding portion for holding a lower corner portion in the vicinity of the corner portion of the substrate;
A rotation drive mechanism for rotating the substrate held by the first substrate holding unit around a vertical axis;
A processing liquid supply mechanism for supplying the processing liquid to the substrate;
A second substrate holding portion for holding the lower corner portion of the side portion of the substrate;
An elevating mechanism for elevating and lowering the second substrate holding part ,
The first substrate holding part includes a first substrate holding plate and a pair of substrate holding pins provided on the first substrate holding plate corresponding to the corner positions of the substrate,
The second substrate holding unit includes a second substrate holding plate and a plurality of holding pieces provided on the outer periphery of the second substrate holding plate,
The holding piece has a first inclined surface that increases in the outer peripheral direction, and an angle that is continuous with the first inclined surface and is larger than an angle of the first inclined surface, and is at an angle of a lower end portion of the substrate. And a second inclined surface having a corresponding angle .
前記第1の基板保持プレートの下面に接地された導電性プレートが設けられ、前記導電性プレートと前記基板保持ピンが電気的に接続されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の液処理装置。 The substrate holding pin has at least a surface formed of a conductive member ,
The first substrate holding plate lower surface grounded conductive plate is provided, any one of claims 1 to 4 wherein said conductive plate substrate holding pins, characterized in that it is electrically connected The liquid processing apparatus as described in.
基板を保持する搬送機構が前記液処理装置の上方位置に移動する工程と、
前記昇降機構が前記第2の基板保持部を上昇させて、前記搬送機構から前記第2の保持部の保持片に設けられた第2の傾斜面が基板の辺部の下側角部を保持して受け取る工程と、
前記昇降機構が基板を保持する前記第2の基板保持部を下降させて、前記第1の基板保持部に基板を受け渡す工程と、
前記回転駆動機構が基板を保持する前記第1の基板保持部を回転させながら、前記処理液供給機構から基板に処理液を供給して所定の液処理を行なう工程と、
前記回転駆動機構が回転を停止し、前記処理液供給機構が処理液を停止した後、前記昇降機構が前記第2の基板保持部を上昇させて、前記第1の基板保持部から前記第2の保持部の保持片に設けられた第2の傾斜面が基板の辺部の下側角部を保持して基板を受け取る工程と、
前記昇降機構が前記第2の基板保持部を更に上昇させて、前記搬送機構に基板を受け渡す工程と、を備えたことを特徴とする液処理方法。 By using the liquid processing apparatus according to any one of claims 1 to 8, by supplying a processing liquid to a substrate a liquid processing method for performing a predetermined liquid process,
A step of moving a transport mechanism for holding a substrate to a position above the liquid processing apparatus;
The lifting mechanism raises the second substrate holding portion, and the second inclined surface provided on the holding piece of the second holding portion from the transport mechanism holds the lower corner portion of the side portion of the substrate. a step of receiving and,
A step of lowering the second substrate holding unit holding the substrate by the elevating mechanism and delivering the substrate to the first substrate holding unit;
Supplying a processing liquid to the substrate from the processing liquid supply mechanism and rotating the first substrate holding unit holding the substrate by the rotation driving mechanism to perform a predetermined liquid processing;
The rotary drive mechanism stops rotating, after the treatment liquid supply mechanism stops the processing solution, the lifting mechanism by rises the second substrate holding portion, the second from the first substrate holding portion A second inclined surface provided on the holding piece of the holding portion holds the lower corner of the side portion of the substrate and receives the substrate;
A step of raising and lowering the second substrate holding portion and delivering the substrate to the transport mechanism.
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