JP2013207272A - Substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2013207272A
JP2013207272A JP2012078236A JP2012078236A JP2013207272A JP 2013207272 A JP2013207272 A JP 2013207272A JP 2012078236 A JP2012078236 A JP 2012078236A JP 2012078236 A JP2012078236 A JP 2012078236A JP 2013207272 A JP2013207272 A JP 2013207272A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nozzle
substrate
wafer
liquid
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012078236A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takahiro Yamaguchi
貴大 山口
Tomonori Fujiwara
友則 藤原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2012078236A priority Critical patent/JP2013207272A/en
Publication of JP2013207272A publication Critical patent/JP2013207272A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus which enables a process liquid to spread into a wide range of a substrate while realizing the reduction of the consumption of the process liquid, and to provide a substrate processing apparatus which enables the process liquid to spread into the wide range of the substrate while improving the cleanliness of the substrate.SOLUTION: A substrate processing apparatus 1 includes an upper facing plate 9 that is disposed facing an upper surface of a wafer W held by a spin chuck 4. The upper facing plate 9 includes: a lower surface 35 facing the upper surface of the wafer W so as to be spaced a small distance away from the upper surface of the wafer W; and a nozzle insertion hole 36 formed at a center part of the lower surface. A chemical solution nozzle 5, a rinse liquid nozzle 6, an organic solution nozzle 7, and an inactive gas nozzle 8 are provided so as to be selectively inserted into the nozzle insertion hole 36. A process liquid supplied from the nozzle 5, 6, 7 inserted into the nozzle insertion hole 36 makes a first space 47 formed between the upper surface of the wafer W and the lower surface 35 of the upper facing plate 9 into the airtight state.

Description

この発明は、処理液を用いて基板を処理するための基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板が含まれる。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate using a processing liquid. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, glass substrates for liquid crystal display devices, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, photo Substrates such as a mask substrate, a ceramic substrate, and a solar cell substrate are included.

半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板に対して処理液を用いた処理が行われる。基板を1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置は、たとえば、基板を水平に保持して当該基板の中心を通る鉛直軸線まわりに当該基板を回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板の主面の中央部に向けて処理液を吐出するノズルと、スピンチャックおよびノズルを収容する処理室とを備えている。スピンチャックによって基板を回転させながら、ノズルから処理液を吐出させることにより、基板の主面に処理液が供給され、基板の主面が処理液によって処理される。   In a manufacturing process of a semiconductor device, a liquid crystal display device, or the like, a process using a processing liquid is performed on a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device. A single-wafer type substrate processing apparatus that processes substrates one by one is, for example, a spin chuck that holds a substrate horizontally and rotates the substrate about a vertical axis passing through the center of the substrate, and is held by the spin chuck. A nozzle for discharging the processing liquid toward the central portion of the main surface of the substrate, and a processing chamber for storing the spin chuck and the nozzle. By discharging the processing liquid from the nozzle while rotating the substrate by the spin chuck, the processing liquid is supplied to the main surface of the substrate, and the main surface of the substrate is processed by the processing liquid.

特開2008−27931号公報JP 2008-27931 A

前記基板処理装置において、スピンチャックによって基板を回転させながら、ノズルから処理液を吐出させると、ノズルから吐出された処理液は、基板の主面中央部に供給される。これにより、ほぼ円形の処理液の液膜が基板の主面中央部に形成される。そして、この処理液の液膜は、基板の回転による遠心力を受けて外方に広がっていく。さらに、この処理液の液膜は、後続の処理液が基板の主面に供給されることにより外方に広がっていく。そのため、処理液の液膜は、ほぼ円形のまま基板の主面に沿って広がっていく。   In the substrate processing apparatus, when the processing liquid is discharged from the nozzle while rotating the substrate by the spin chuck, the processing liquid discharged from the nozzle is supplied to the central portion of the main surface of the substrate. As a result, a substantially circular liquid film of the processing liquid is formed at the center of the main surface of the substrate. The liquid film of the processing liquid spreads outward by receiving a centrifugal force due to the rotation of the substrate. Further, the liquid film of the processing liquid spreads outward as a subsequent processing liquid is supplied to the main surface of the substrate. Therefore, the liquid film of the processing liquid spreads along the main surface of the substrate while maintaining a substantially circular shape.

しかしながら、基板の表面状態等(疎水性である等)によっては、ほぼ円形の処理液の液膜の外縁から径方向に延びる複数の処理液の筋が形成される場合がある。この場合、基板の主面全域に処理液が供給されないので、基板の主面をむらなく処理することができない。さらに、処理室内に浮遊する処理液のミストやパーティクルが、基板の主面における処理液によって覆われていない領域に付着して、基板が汚染されるおそれがある。   However, depending on the surface state of the substrate (hydrophobic, etc.), a plurality of processing liquid streaks extending in the radial direction from the outer edge of the liquid film of the substantially circular processing liquid may be formed. In this case, since the processing liquid is not supplied to the entire main surface of the substrate, the main surface of the substrate cannot be processed uniformly. Furthermore, the mist or particles of the processing liquid floating in the processing chamber may adhere to the region of the main surface of the substrate that is not covered with the processing liquid, thereby contaminating the substrate.

たとえば、高流量でノズルから処理液を吐出させるとともに、基板を高速で回転させれば、基板の主面の一部が露出することを抑制または防止することができる。しかしながら、高流量でノズルから処理液を吐出させると、1枚の処理に要する処理液の消費量が増加するので、ランニングコストが増加してしまう。
また、基板を高速で回転させると、基板から処理液が勢いよく飛散し、スピンチャックを収容するカップの内壁や処理室の隔壁で跳ね返った処理液が基板に再付着することがある。この場合、カップの内壁に付着したパーティクルが、処理液と共に基板に付着するおそれもある。
For example, if the processing liquid is discharged from the nozzle at a high flow rate and the substrate is rotated at a high speed, it is possible to suppress or prevent a part of the main surface of the substrate from being exposed. However, if the processing liquid is ejected from the nozzle at a high flow rate, the consumption of the processing liquid required for one process increases, so that the running cost increases.
Further, when the substrate is rotated at a high speed, the processing liquid may be scattered from the substrate vigorously, and the processing liquid bounced off the inner wall of the cup containing the spin chuck or the partition wall of the processing chamber may reattach to the substrate. In this case, particles adhering to the inner wall of the cup may adhere to the substrate together with the processing liquid.

そこで、この発明の目的は、処理液消費量の低減を実現できるとともに、基板の広範囲に処理液を行き渡らせることができる基板処理装置を提供することである。
また、この発明の他の目的は、基板の清浄度を高めることができるとともに、基板の広範囲に処理液を行き渡らせることができる基板処理装置を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can reduce the consumption of processing liquid and can spread the processing liquid over a wide area of the substrate.
Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of increasing the cleanliness of the substrate and spreading the processing liquid over a wide range of the substrate.

前記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、処理室(3)と、前記処理室に収容されて、基板(W)を把持しつつ回転させる把持回転手段(4;102)と、処理液をそれぞれ吐出する複数の第1ノズル(5,6,7;300)と、前記把持回転手段により把持される基板の一方主面と当該一方主面から間隔を隔てて対向する第1対向面(35)と、前記第1対向面における基板の中央部に対向する部分に開口する供給孔(36;36A)とを有する第1対向部材(9)と、前記第1ノズルを、前記把持回転手段および前記第1対向部材に対して移動させるノズル移動手段(23,26,38)とを含み、前記供給孔は、前記ノズル移動手段によって所定の処理位置に配置される各第1ノズルからの処理液が供給可能な位置に形成されており、前記第1対向部材は、前記処理位置に選択的に配置される前記第1ノズルから、基板の一方主面と前記第1対向面との間の第1空間(47)に前記供給孔を通して供給される処理液によって、当該第1空間を液密状態にする、基板処理装置(1;101;201)である。   In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 includes a processing chamber (3), and a gripping rotation means (4; 102) housed in the processing chamber and rotating while gripping the substrate (W). A plurality of first nozzles (5, 6, 7; 300) for discharging the processing liquid, and a first main surface of the substrate held by the holding rotation means, and a first main surface facing the first main surface with a space therebetween. A first facing member (9) having a facing surface (35) and a supply hole (36; 36A) opening in a portion facing the central portion of the substrate on the first facing surface; and the first nozzle, Each of the first nozzles arranged at a predetermined processing position by the nozzle moving means, and a nozzle moving means (23, 26, 38) that moves relative to the first rotating member. Formed at a position where processing liquid from can be supplied. The first counter member is supplied to the first space (47) between the one main surface of the substrate and the first counter surface from the first nozzle selectively disposed at the processing position. A substrate processing apparatus (1; 101; 201) that makes the first space liquid-tight by a processing liquid supplied through a hole.

なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素の参照符合を表すものであるが、これらの参照符号により特許請求の範囲を実施形態に限定する趣旨ではない。
この構成によれば、複数の第1ノズルが処理位置に選択的に配置される。処理位置に配置された第1ノズルからの処理液が供給孔を通して第1空間に供給され、この処理液によって第1空間が液密状態にされる。この場合、基板の一方主面と第1対向面との間隔を微小間隔に設定すれば、第1空間を液密状態にするために必要な処理液は少流量で足りる。これにより、小流量で処理液を供給しつつ、基板の一方主面の広範囲に処理液を行き渡らせることができる。
In this section, the alphanumeric characters in parentheses represent reference signs of corresponding components in the embodiments described later, but the scope of the claims is not limited to the embodiments by these reference numerals.
According to this configuration, the plurality of first nozzles are selectively arranged at the processing position. The processing liquid from the first nozzle arranged at the processing position is supplied to the first space through the supply hole, and the first space is made liquid-tight by this processing liquid. In this case, if the distance between the one main surface of the substrate and the first facing surface is set to a minute distance, a small amount of processing liquid is required to make the first space liquid-tight. Thereby, the processing liquid can be spread over a wide area on the one main surface of the substrate while supplying the processing liquid at a small flow rate.

また、基板の一方主面における第1対向面と対向する部分の全域が処理液に接液するので、処理液による処理の面内均一性が高められる。
さらに、基板の広範囲に処理液を行き渡らせるために、基板を高速で回転させる必要がない。そのため、基板を低速で回転させることも可能である。この場合、基板から飛散する処理液の勢いは弱いので、周辺部材(80)からパーティクルを含む処理液が跳ね返るのを抑制することができる。これにより、基板の清浄度が高められる。
In addition, since the entire area of the one main surface of the substrate that faces the first facing surface is in contact with the processing liquid, the in-plane uniformity of processing with the processing liquid is improved.
Furthermore, it is not necessary to rotate the substrate at high speed in order to spread the processing liquid over a wide area of the substrate. Therefore, it is possible to rotate the substrate at a low speed. In this case, since the momentum of the processing liquid scattered from the substrate is weak, it is possible to suppress the processing liquid containing particles from splashing back from the peripheral member (80). Thereby, the cleanliness of the substrate is increased.

ところで、対向部材(第1対向部材)を基板の主面に対向配置させる場合、対向部材と基板の主面との間への処理液の供給方法に課題がある。たとえば対向部材にノズル(中心軸ノズル)を一体的に埋設し、このノズルの吐出口を対向面の中心に形成することも考えられる。複数種の処理液を対向部材と基板の主面との間に選択的に供給させる場合には、1つのノズル(配管)を各処理液の供給時で共用することになるから、互いに種類の異なる処理液が混触するおそれがある。互いに種類の異なる処理液の混触が生じると、これらの処理液の化学反応によって悪影響(発熱やガスの発生等)が生じるおそれがある。   By the way, when the opposing member (first opposing member) is disposed opposite to the main surface of the substrate, there is a problem in the method of supplying the processing liquid between the opposing member and the main surface of the substrate. For example, it is conceivable that a nozzle (center axis nozzle) is integrally embedded in the facing member, and the discharge port of this nozzle is formed at the center of the facing surface. When a plurality of types of processing liquids are selectively supplied between the opposing member and the main surface of the substrate, one nozzle (piping) is shared during the supply of each processing liquid. There is a risk that different processing solutions may come into contact. When the different types of processing liquids come into contact with each other, the chemical reaction of these processing liquids may cause adverse effects (such as heat generation and gas generation).

これに対し、請求項1では、第1対向部材に開口する供給孔を通して、複数のノズルからの処理液が第1空間に選択的に供給される。そのため、吐出する処理液の種類ごとにノズルを設けるようにすれば、処理液の混触は生じない。これにより、互いに種類の異なる処理液の混触を防止しつつ、複数種の処理液のそれぞれを、基板の一方主面の広範囲に行き渡らせることができる。   In contrast, according to the first aspect, the processing liquid from the plurality of nozzles is selectively supplied to the first space through the supply hole opened in the first facing member. For this reason, if a nozzle is provided for each type of processing liquid to be ejected, the processing liquid will not be mixed. Thereby, it is possible to spread each of a plurality of types of processing liquids over a wide area on the one main surface of the substrate while preventing contact between different types of processing liquids.

また、前記のような対向部材が備えられる場合には、把持回転手段に対する基板の搬出入等のために対向部材を昇降させる必要があるが、前記のノズルと対向部材とを一体的に昇降させる必要があり、そのために昇降機構が大型化しているという問題がある。したがって、処理室の内部空間の容積を効果的に減少させることができない。
これに対し、請求項1では、ノズル移動手段による第1ノズルの移動により、複数のノズルが処理位置に選択的に配置される。そのため、第1ノズルと第1対向部材とを一体的に昇降させる必要がない。したがって、第1対向部材を移動させるための機構を小型化することも可能であり、これにより、処理室の内部空間の容積を効果的に減少させることができる。
Further, in the case where the facing member as described above is provided, it is necessary to raise and lower the facing member in order to carry the substrate in and out of the holding and rotating means. However, the nozzle and the facing member are raised and lowered integrally. Therefore, there is a problem that the lifting mechanism is enlarged. Therefore, the volume of the internal space of the processing chamber cannot be effectively reduced.
On the other hand, according to the first aspect, the plurality of nozzles are selectively arranged at the processing position by the movement of the first nozzle by the nozzle moving means. Therefore, it is not necessary to raise and lower the first nozzle and the first opposing member integrally. Therefore, it is possible to reduce the size of the mechanism for moving the first facing member, and thus the volume of the internal space of the processing chamber can be effectively reduced.

前記第1対向面は平坦面であってもよい。
前記供給孔は、前記把持回転手段による基板の回転軸線上(基板の回転中心に対向する部分)に形成されるものであってもよい。この場合、第1対向部材を回転させることも可能である。
請求項2に記載のように、前記供給孔は、前記複数の第1ノズルを選択的に挿入するためのノズル挿入孔(36)を含み、前記処理位置は、前記ノズル挿入孔に挿入された状態の前記第1ノズルの位置であってもよい。
The first facing surface may be a flat surface.
The supply hole may be formed on a rotation axis of the substrate by the gripping rotation means (a portion facing the rotation center of the substrate). In this case, the first facing member can be rotated.
The supply hole includes a nozzle insertion hole (36) for selectively inserting the plurality of first nozzles, and the processing position is inserted into the nozzle insertion hole. It may be the position of the first nozzle in a state.

また、ノズル挿入孔は、前記第1ノズルと整合する形状に形成されていてもよい。
請求項3記載の発明は、前記第1対向部材は、前記把持回転手段に把持される基板よりも大径の円板部材(9)である、請求項1または2に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第1対向部材が基板よりも大径であるので、基板の一方主面の全域に処理液を接液させることができる。これにより、処理液消費量を低減しつつ、基板の一方主面の全域に処理液を行き渡らせることができる。
The nozzle insertion hole may be formed in a shape that matches the first nozzle.
A third aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the first or second aspect, wherein the first opposing member is a disk member (9) having a diameter larger than that of the substrate held by the holding rotation means. is there.
According to this configuration, since the first facing member has a larger diameter than the substrate, the processing liquid can be in contact with the entire area of the one main surface of the substrate. Thereby, the processing liquid can be spread over the entire area of the one main surface of the substrate while reducing the processing liquid consumption.

本発明の一実施形態に係る基板処理装置は、請求項4に記載のように、前記把持回転手段(4)は、前記第1対向部材を基板とともに一体回転可能に把持していてもよい。
この構成によれば、基板を把持するための把持回転手段により第1対向部材が把持される。把持回転手段は、基板と第1対向部材とを一体回転させる。把持回転手段により第1対向部材が把持および回転されるので、対向部材を支持(保持)するための構成や、第1対向部材を回転させるための構成が別途必要にならない。そのため、処理室の内部空間の容積を効果的に減少させることができる。
In the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, as described in claim 4, the gripping rotation means (4) may grip the first opposing member so as to be integrally rotatable with the substrate.
According to this configuration, the first opposing member is gripped by the gripping rotation means for gripping the substrate. The gripping and rotating means integrally rotates the substrate and the first opposing member. Since the first counter member is gripped and rotated by the gripping rotation means, a configuration for supporting (holding) the counter member and a configuration for rotating the first counter member are not required. Therefore, the volume of the internal space of the processing chamber can be effectively reduced.

請求項5に記載のように、前記把持回転手段は、所定の回転軸線(C)を中心に回転可能なベース(12)と、前記ベースに立設され、基板および第1対向部材を協動して保持/解放する複数の挟持部材(13)とを備えていてもよい。
請求項6記載の発明は、前記第1対向部材の周縁部と係合/係合解除可能に設けられた係合部材(50)と、前記第1対向部材と係合状態にある前記係合部材を、前記第1対向部材を前記把持回転手段に受け渡し可能な受渡位置と、前記把持回転手段から離反する離反位置との間で変位させる係合部材移動手段(53)とをさらに含む、請求項5に記載の基板処理装置である。
According to a fifth aspect of the present invention, the gripping and rotating means includes a base (12) that is rotatable about a predetermined rotation axis (C), and is erected on the base to cooperate with the substrate and the first opposing member. And a plurality of clamping members (13) to be held / released.
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided an engaging member (50) provided so as to be engaged / disengageable with a peripheral edge portion of the first opposing member, and the engagement in an engaged state with the first opposing member. An engagement member moving means (53) for displacing the member between a delivery position where the first opposing member can be delivered to the gripping rotation means and a separation position where the member is separated from the gripping rotation means. Item 6. The substrate processing apparatus according to Item 5.

この構成によれば、係合部材は、第1対向部材に対して係合/係合解除可能に設けられている。また、係合部材を受渡位置と離反位置との間で変位させることができる。また、これにより、係合部材が受渡位置にあるときに、第1対向部材を把持回転手段に受け渡すことができる。また、係合部材が第1対向部材を保持しないときには、係合部材を離反位置に配置しておくことにより、係合部材が処理の邪魔になるのを防止することができる。   According to this configuration, the engaging member is provided so as to be engaged / disengaged with respect to the first opposing member. Further, the engaging member can be displaced between the delivery position and the separation position. In addition, this makes it possible to deliver the first opposing member to the gripping rotation means when the engaging member is in the delivery position. Further, when the engaging member does not hold the first opposing member, the engaging member can be prevented from interfering with the processing by disposing the engaging member at the separation position.

係合部材は複数配設されていることが望ましい。この場合、複数の係合部材が第1対向部材の周縁部に係合して第1対向部材を保持するので、第1対向部材を安定して移動させることができる。また、この場合、第1対向部材を複数の係合部材で保持する結果、各係合部材に作用する荷重が分散して小さくなるので、小型化された構成の係合部材移動手段を実現することもできる。この場合、第1対向部材の中央部を支持して第1対向部材を移動させる場合と比較して、係合部材移動手段の小型化を図ることができるから、処理室の内部空間の容積をより一層効果的に減少させることができる。   It is desirable that a plurality of engaging members are provided. In this case, since the plurality of engaging members engage with the peripheral edge portion of the first opposing member to hold the first opposing member, the first opposing member can be stably moved. Further, in this case, as a result of holding the first opposing member by the plurality of engaging members, the load acting on each engaging member is dispersed and reduced, so that the engaging member moving means having a downsized configuration is realized. You can also In this case, since the engaging member moving means can be reduced in size compared to the case where the first opposing member is moved while supporting the central portion of the first opposing member, the volume of the internal space of the processing chamber can be reduced. It can be reduced even more effectively.

また、複数の係合部材は、前記第1対向部材の周方向に等間隔に配設されていてもよい。より具体的には、複数の係合部材は、前記第1対向部材の中心を挟んだ2箇所に配設されていてもよい。
請求項7記載の発明は、前記係合部材は、前記第1対向部材の周縁部に係合可能な係合姿勢と、この係合姿勢から退避して前記第1対向部材に係合しない退避姿勢との間で姿勢変更可能な係合爪(52)とを有する、請求項6に記載の基板処理装置である。
The plurality of engaging members may be arranged at equal intervals in the circumferential direction of the first opposing member. More specifically, the plurality of engaging members may be disposed at two locations across the center of the first opposing member.
According to a seventh aspect of the present invention, the engagement member is engageable with a peripheral edge of the first opposing member, and retracted from the engagement posture so as not to engage with the first opposing member. It is a substrate processing apparatus of Claim 6 which has an engaging claw (52) which can change an attitude | position between attitude | positions.

この構成によれば、係合部材を第1対向部材の周縁部に対向配置させつつ、係合爪を退避姿勢から係合姿勢に変位させることにより、係合部材を第1対向部材の周縁部に係合させることができる。また、係合爪を係合姿勢から退避姿勢に変位させることにより、係合部材と第1対向部材との係合を解除させることができる。これにより、第1対向部材に対する係合部材の係合/係合解除を、比較的簡単な構造で実現することができる。   According to this configuration, by disposing the engaging claw from the retracted posture to the engaging posture while disposing the engaging member opposite to the peripheral portion of the first opposing member, the engaging member is displaced from the peripheral portion of the first opposing member. Can be engaged. Further, the engagement between the engagement member and the first opposing member can be released by displacing the engagement claw from the engagement posture to the retracted posture. Thereby, engagement / disengagement of the engagement member with respect to the first opposing member can be realized with a relatively simple structure.

本発明の他の実施形態に係る基板処理装置は、請求項8に記載のように、前記第1対向部材の周縁部を支持する支持部材(150)と、前記第1対向部材が、前記把持回転手段に把持されている基板と近接する近接位置と、前記把持回転手段から離反する離反位置との間で変位するように、前記支持部材を移動させる支持部材移動手段(153)とをさらに含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置である。   The substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention includes a support member (150) that supports a peripheral portion of the first opposing member, and the first opposing member includes the gripping member. And a support member moving means (153) for moving the support member so as to be displaced between a proximity position close to the substrate held by the rotation means and a separation position separating from the holding rotation means. The substrate processing apparatus according to claim 1.

この構成によれば、支持部材の移動により、第1対向部材を近接位置と離反位置との間で変位させることができる。
支持部材は複数配設されていることが望ましい。この場合、複数の係合部材が支持部材の周縁部を支持するので、第1対向部材を安定して移動させることができる。また、この場合、第1対向部材を複数の支持部材で保持する結果、各支持部材に作用する荷重が分散して小さくなるので、小型化された構成の支持部材移動手段を実現することもできる。この場合、第1対向部材の中央部を支持して第1対向部材を移動させる場合と比較して、支持部材移動手段の小型化を図ることができるから、処理室の内部空間の容積をより一層効果的に減少させることができる。
According to this configuration, the first opposing member can be displaced between the proximity position and the separation position by the movement of the support member.
It is desirable that a plurality of support members are provided. In this case, since the plurality of engaging members support the peripheral edge portion of the support member, the first facing member can be stably moved. Further, in this case, as a result of holding the first opposing member by a plurality of support members, the load acting on each support member is dispersed and reduced, so that it is possible to realize a support member moving means having a downsized configuration. . In this case, the support member moving means can be reduced in size compared with the case where the first opposing member is moved while supporting the central portion of the first opposing member, so that the volume of the internal space of the processing chamber can be further increased. It can be reduced more effectively.

また、複数の支持部材は、前記第1対向部材の周方向に等間隔に配設されていてもよい。より具体的には、複数の支持部材は、前記第1対向部材の中心を挟んだ2箇所に配設されていてもよい。
請求項9記載の発明は、処理液を吐出する吐出口(74)を有する第2ノズル(65)と、前記把持回転手段により把持される基板の他方主面と当該他方主面から間隔を隔てて対向し、前記吐出口が形成される第2対向面(76)を有し、前記吐出口から吐出される処理液によって、基板の他方主面と前記第2対向面との間の第2空間(77)を液密状態にする第2対向部材(10)とをさらに含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
The plurality of support members may be arranged at equal intervals in the circumferential direction of the first facing member. More specifically, the plurality of support members may be disposed at two locations across the center of the first opposing member.
According to the ninth aspect of the present invention, the second nozzle (65) having the discharge port (74) for discharging the processing liquid, the other main surface of the substrate held by the holding rotation means, and a distance from the other main surface. And a second opposing surface (76) on which the ejection port is formed, and a second liquid between the other main surface of the substrate and the second opposing surface by the processing liquid ejected from the ejection port. It is a substrate processing apparatus as described in any one of Claims 1-8 which further contains the 2nd opposing member (10) which makes a space (77) a liquid-tight state.

この構成によれば、基板の他方主面と第2対向部材の第2対向面との間の第2空間には、吐出口を通して第2ノズルから処理液が供給される。
第2空間に供給される処理液によって第2空間が液密状態にされる。この場合、基板の他方主面と第2対向面との間隔を微小間隔に設定すれば、第2空間を液密状態にするために必要な処理液は少流量で足りる。これにより、小流量で処理液を供給しつつ、基板の他方主面の広範囲に処理液を行き渡らせることができる。
According to this configuration, the processing liquid is supplied from the second nozzle to the second space between the other main surface of the substrate and the second opposing surface of the second opposing member through the ejection port.
The second space is brought into a liquid-tight state by the processing liquid supplied to the second space. In this case, if the distance between the other main surface of the substrate and the second facing surface is set to a minute distance, a small amount of processing liquid is required to make the second space liquid-tight. Thereby, the processing liquid can be spread over a wide area on the other main surface of the substrate while supplying the processing liquid at a small flow rate.

これにより、処理液の消費量を低減しつつ、基板の一方主面および他方主面を処理できる。また、基板の一方主面および他方主面に対して同時に処理液による処理を施すことができるので、処理時間を短縮できる。
請求項10に記載のように、前記第2対向部材は、前記把持回転手段に把持される基板よりも小径の円板部材(10)であり、前記吐出口は、前記第2対向面における基板の回転中心に対向する部分に形成されていてもよい。
Thereby, one main surface and the other main surface of the substrate can be processed while reducing the consumption of the processing liquid. In addition, since the one main surface and the other main surface of the substrate can be simultaneously processed with the processing liquid, the processing time can be shortened.
The second opposing member is a disk member (10) having a smaller diameter than the substrate gripped by the gripping rotation means, and the discharge port is a substrate on the second opposing surface. It may be formed in a portion facing the rotation center.

請求項11に記載のように、前記第2対向面は、前記吐出口から径方向に離れるほど前記把持回転手段に把持される基板に近接するテーパ面をなしていてもよい。
請求項12記載の発明は、前記把持回転手段に把持される基板の一方主面の周縁部に対向する周縁部対向面(203)を有する環状部材(202)をさらに含む、請求項1〜11のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
According to an eleventh aspect of the present invention, the second facing surface may form a tapered surface that is closer to the substrate gripped by the gripping rotation means as the distance from the ejection port is increased in the radial direction.
The invention according to claim 12 further includes an annular member (202) having a peripheral edge facing surface (203) facing the peripheral edge of the one main surface of the substrate held by the holding rotation means. It is a substrate processing apparatus as described in any one of these.

この構成によれば、環状部材によって、第1空間に供給された処理液が第1空間内から流出するのを堰きとめることができる。これにより、第1空間内における処理液の液密状態をより安定的にかつ良好に保つことができる。
この構成によれば、基板の一方主面の周縁部に対向して環状部材が配置されているので、基板の一方主面の周縁部と、環状部材の周縁部対向面との間の間隔が、第1空間の他の部分の間隔よりも狭くされている。そのため、処理液が第1空間から流出するのを環状部材によって堰き止めることができ、これにより、第1空間内における処理液の液密状態をより安定的に保つことができる。
According to this configuration, it is possible to stop the processing liquid supplied to the first space from flowing out of the first space by the annular member. Thereby, the liquid-tight state of the processing liquid in the first space can be more stably and satisfactorily maintained.
According to this configuration, since the annular member is disposed to face the peripheral portion of the one main surface of the substrate, the distance between the peripheral portion of the one main surface of the substrate and the peripheral portion facing surface of the annular member is The interval between the other parts of the first space is narrower. Therefore, it is possible to stop the processing liquid from flowing out from the first space by the annular member, and thereby it is possible to more stably maintain the liquid-tight state of the processing liquid in the first space.

請求項13記載の発明は、前記第1対向部材に対し、前記把持回転手段に把持された基板と反対側に配設されて、前記第1空間に供給された処理液を加熱するための赤外線ランプ(97)をさらに含む、請求項1〜12のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、対向部材を介して、第1空間に供給された処理液が加熱される。これにより、処理液温度を高めることができ、処理液を用いた基板処理を良好に行うことができる。
According to a thirteenth aspect of the present invention, an infrared ray that is disposed on the opposite side of the first counter member from the substrate gripped by the gripping rotation means and heats the processing liquid supplied to the first space. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 12, further comprising a lamp (97).
According to this configuration, the processing liquid supplied to the first space is heated via the facing member. Thereby, the temperature of the processing liquid can be increased, and the substrate processing using the processing liquid can be performed satisfactorily.

赤外線ランプの照射面(98)は円形(円板状)をなしていてもよいし、円環状をなしていてもよい。
赤外線ランプの照射面は円形をなす場合には、赤外線ランプの中心が基板の回転軸線上にあり、かつ前記照射面の外径は基板径と同等であることが好ましい。この場合、第1空間内の処理液の温度均一性を高めることができ、これにより、処理の面内均一性を保つことができる。
The irradiation surface (98) of the infrared lamp may have a circular shape (disc shape) or an annular shape.
When the irradiation surface of the infrared lamp is circular, the center of the infrared lamp is preferably on the rotation axis of the substrate, and the outer diameter of the irradiation surface is preferably equal to the substrate diameter. In this case, the temperature uniformity of the treatment liquid in the first space can be increased, and thereby the in-plane uniformity of the treatment can be maintained.

本発明の第1実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structure of the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る基板処理装置の要部構成を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the principal part structure of the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention. 図1に示す上対向板の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the upper opposing board shown in FIG. 図1に示す係合ユニットの係合爪の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the engaging claw of the engaging unit shown in FIG. 図1に示す挟持部材の側面図である(その1)。It is a side view of the clamping member shown in FIG. 1 (the 1). 図1に示す挟持部材の側面図である(その2)。It is a side view of the clamping member shown in FIG. 1 (the 2). 図1に示す挟持部材の平面図である。It is a top view of the clamping member shown in FIG. 図1に示す各ノズルの概略的な側面図である。It is a schematic side view of each nozzle shown in FIG. 図1に示す各ノズルが、処理位置にある状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in which each nozzle shown in FIG. 1 exists in a process position. 薬液ノズルおよびリンス液ノズルの移動経路を示す平面図である。It is a top view which shows the movement path | route of a chemical | medical solution nozzle and a rinse liquid nozzle. 薬液ノズルが、処理位置にある状態を示す図である。It is a figure which shows the state which has a chemical | medical solution nozzle in a process position. リンス液ノズルが、処理位置にある状態を示す図である。It is a figure which shows the state which has a rinse liquid nozzle in a process position. 有機溶剤ノズルが、処理位置にある状態を示す図である。It is a figure which shows the state which has an organic solvent nozzle in a process position. 不活性ガスノズルが、処理位置にある状態を示す図である。It is a figure which shows the state which has an inert gas nozzle in a process position. 図1に示す基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。It is a block diagram for demonstrating the electrical structure of the substrate processing apparatus shown in FIG. 図1に示す基板処理装置で行われる処理例を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating the example of a process performed with the substrate processing apparatus shown in FIG. 図1に示す基板処理装置で行われる処理例を説明するための模式的な図である(その1)。FIG. 2 is a schematic diagram for explaining a processing example performed by the substrate processing apparatus shown in FIG. 1 (No. 1). 図1に示す基板処理装置で行われる処理例を説明するための模式的な図である(その2)。FIG. 6 is a schematic diagram for explaining a processing example performed by the substrate processing apparatus illustrated in FIG. 1 (part 2); 図1に示す基板処理装置で行われる処理例を説明するための模式的な図である(その3)。FIG. 8 is a schematic diagram for explaining a processing example performed by the substrate processing apparatus illustrated in FIG. 1 (part 3); 本発明の第2実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structure of the substrate processing apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structure of the substrate processing apparatus which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 本発明の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of this invention. 本発明の他の変形例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the other modification of this invention. 本発明のさらに他の変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the further another modification of this invention.

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置1の構成を模式的に示す断面図である。図2は、基板処理装置1の要部構成を模式的に示す平面図である。なお、図2では、主たる構成以外の図示を省略している。
基板処理装置1は、処理液(薬液およびDIW(脱イオン水:deionized water))を用いて基板の一例としての円形の半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という)Wを1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置である。薬液としては、ウエハWの表面に対する処理の内容に応じたものが用いられる。たとえば、ウエハWの表面からパーティクルを除去するための洗浄処理であれば、SC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture:アンモニア過酸化水素水)などの薬液が用いられる。また、ウエハWの表面から酸化膜等をエッチングするための洗浄処理であれば、フッ酸やBHF(Bufferd HF)などの薬液が用いられ、レジスト剥離後のウエハWの表面にポリマーとなって残留しているレジスト残渣を除去するためのポリマー除去処理であれば、SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:硫酸過酸化水素水)やSC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture:アンモニア過酸化水素水)などのポリマー除去液が薬液として用いられ、金属汚染物を除去する洗浄処理には、フッ酸やSC2(hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture:塩酸過酸化水素水)やSPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:硫酸過酸化水素水)などの薬液が用いられる。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view schematically showing the main configuration of the substrate processing apparatus 1. In FIG. 2, illustrations other than the main configuration are omitted.
The substrate processing apparatus 1 uses a processing liquid (chemical solution and DIW (deionized water)) to process a circular semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “wafer”) W as an example of the substrate one by one. This is a leaf type substrate processing apparatus. As the chemical liquid, a liquid according to the content of the processing on the surface of the wafer W is used. For example, in the case of a cleaning process for removing particles from the surface of the wafer W, a chemical solution such as SC1 (ammonia-hydrogen peroxide mixture) is used. Further, in the case of a cleaning process for etching an oxide film or the like from the surface of the wafer W, a chemical solution such as hydrofluoric acid or BHF (Buffered HF) is used and remains as a polymer on the surface of the wafer W after the resist is removed. If it is a polymer removal treatment to remove the resist residue, polymers such as SPM (sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture) and SC1 (ammonia-hydrogen peroxide mixture) The removal solution is used as a chemical solution. For cleaning treatment to remove metal contaminants, hydrofluoric acid, SC2 (hydrochloric acid / hydrogen peroxide mixture) or SPM (sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture: sulfuric acid peroxide) A chemical solution such as hydrogen water is used.

基板処理装置1は、隔壁2によって区画された処理室3内に、ウエハWを水平に把持(保持)しつつ回転させるスピンチャック(把持回転手段)4と、薬液を吐出するための薬液ノズル(第1ノズル)5と、DIWを吐出するためのリンス液ノズル6(第1ノズル)と、有機溶剤(たとえばIPA(イソプロパノール)またはHFE(ハイドロフルオロエーテル)など)を吐出するための有機溶剤ノズル(第1ノズル)7と、窒素ガス等の不活性ガスを吐出するための不活性ガスノズル8と、スピンチャック4に保持されたウエハWの上面に対向して配置される円板状の上対向板(第1対向部材)9と、スピンチャック4に保持されたウエハWの下面に対向して配置される円板状の下対向板10(第2対向部材)とを備えている。   The substrate processing apparatus 1 includes a spin chuck (gripping rotating means) 4 that rotates a wafer W while holding (holding) the wafer W horizontally in a processing chamber 3 partitioned by a partition wall 2, and a chemical liquid nozzle ( (First nozzle) 5, rinsing liquid nozzle 6 (first nozzle) for discharging DIW, and organic solvent nozzle (for example, IPA (isopropanol) or HFE (hydrofluoroether)) A first nozzle 7, an inert gas nozzle 8 for discharging an inert gas such as nitrogen gas, and a disk-shaped upper counter plate disposed to face the upper surface of the wafer W held by the spin chuck 4. (First counter member) 9 and a disk-shaped lower counter plate 10 (second counter member) disposed to face the lower surface of the wafer W held by the spin chuck 4.

スピンチャック4は、鉛直に延びる筒状の回転軸11と、回転軸11の上端に水平姿勢に取り付けられた円板状のスピンベース(ベース)12と、このスピンベース12に配置された複数個(3個以上。たとえば6個)の挟持部材13と、回転軸11に連結されたモータ14とを含む。複数個の挟持部材13は、スピンベース12の上面周縁部においてウエハWの外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けて配置されている。   The spin chuck 4 includes a cylindrical rotary shaft 11 extending vertically, a disk-shaped spin base (base) 12 attached to the upper end of the rotary shaft 11 in a horizontal posture, and a plurality of spin chucks 12 disposed on the spin base 12. (3 or more, for example, 6) holding members 13 and a motor 14 connected to the rotating shaft 11 are included. The plurality of clamping members 13 are arranged at appropriate intervals on the circumference corresponding to the outer peripheral shape of the wafer W at the peripheral edge of the upper surface of the spin base 12.

この実施形態では、スピンチャック4により、ウエハWだけでなく上対向板9も保持される。スピンチャック4は、各挟持部材13をウエハWの周端面および上対向板9の周端面に一括して当接させることにより、ウエハWおよび上対向板9をそれぞれ水平方向に挟むことができる。これにより、ウエハWおよび上対向板9は、スピンチャック4により一体回転可能に保持される。したがって、ウエハWおよび上対向板9が複数個の挟持部材13に保持された状態で、モータ14の回転駆動力が回転軸11に入力されることにより、ウエハWの中心を通る鉛直な回転軸線CまわりにウエハWおよび上対向板9が回転する。   In this embodiment, not only the wafer W but also the upper counter plate 9 is held by the spin chuck 4. The spin chuck 4 can sandwich the wafer W and the upper opposing plate 9 in the horizontal direction by bringing the clamping members 13 into contact with the peripheral end surface of the wafer W and the peripheral end surface of the upper opposing plate 9 together. Thereby, the wafer W and the upper counter plate 9 are held by the spin chuck 4 so as to be integrally rotatable. Accordingly, when the wafer W and the upper opposing plate 9 are held by the plurality of clamping members 13, the rotational driving force of the motor 14 is input to the rotating shaft 11, whereby a vertical rotating axis passing through the center of the wafer W is obtained. The wafer W and the upper counter plate 9 rotate around C.

薬液ノズル5は、たとえば、連続流の状態で薬液を下方に向けて吐出するストレートノズルである。薬液ノズル5は、その吐出口(上吐出口15。図8および図9参照)を下方に向けた状態で、ほぼ水平に延びる第1アーム16の先端に取り付けられている。薬液ノズル5は、第1アーム16に対して昇降可能に設けられている。薬液ノズル5には、薬液ノズル5を、第1アーム16に対して昇降させるノズル昇降機構38が結合されている。   The chemical liquid nozzle 5 is, for example, a straight nozzle that discharges the chemical liquid downward in a continuous flow state. The chemical liquid nozzle 5 is attached to the tip of the first arm 16 that extends substantially horizontally with its discharge port (upper discharge port 15, see FIGS. 8 and 9) facing downward. The chemical nozzle 5 is provided so as to be movable up and down with respect to the first arm 16. The chemical liquid nozzle 5 is coupled to a nozzle lifting mechanism 38 that moves the chemical nozzle 5 up and down relative to the first arm 16.

薬液ノズル5には、薬液供給源からの薬液が供給される薬液供給管17が接続されている。薬液供給管17には、この薬液供給管17を開閉するための薬液上バルブ18が介装されている。薬液上バルブ18が開かれると、薬液供給管17から薬液ノズル5に薬液が供給され、薬液ノズル5から下方に向けて薬液が吐出される。
リンス液ノズル6は、たとえば、連続流の状態でDIWを下方に向けて吐出するストレートノズルである。リンス液ノズル6は、その吐出口(上吐出口15。図8および図9参照)を下方に向けた状態で、第1アーム16の先端に取り付けられている。リンス液ノズル6は、第1アーム16に対して昇降可能に設けられている。リンス液ノズル6には、リンス液ノズル6を第1アーム16に対して昇降させるノズル昇降機構38が結合されている。なお、ノズル昇降機構38は、薬液ノズル5とリンス液ノズル6とを互いに独立して昇降させる。
A chemical liquid supply pipe 17 to which a chemical liquid from a chemical liquid supply source is supplied is connected to the chemical liquid nozzle 5. A chemical liquid upper valve 18 for opening and closing the chemical liquid supply pipe 17 is interposed in the chemical liquid supply pipe 17. When the chemical solution upper valve 18 is opened, the chemical solution is supplied from the chemical solution supply pipe 17 to the chemical solution nozzle 5, and the chemical solution is discharged downward from the chemical solution nozzle 5.
The rinse liquid nozzle 6 is, for example, a straight nozzle that discharges DIW downward in a continuous flow state. The rinse liquid nozzle 6 is attached to the tip of the first arm 16 with its discharge port (upper discharge port 15; see FIGS. 8 and 9) facing downward. The rinse liquid nozzle 6 is provided so as to be movable up and down with respect to the first arm 16. The rinsing liquid nozzle 6 is coupled to a nozzle lifting mechanism 38 that lifts and lowers the rinsing liquid nozzle 6 with respect to the first arm 16. In addition, the nozzle raising / lowering mechanism 38 raises / lowers the chemical | medical solution nozzle 5 and the rinse liquid nozzle 6 mutually independently.

リンス液ノズル6には、リンス液供給源からのDIWが供給されるリンス液供給管21が接続されている。リンス液供給管21には、このリンス液供給管21を開閉するためのリンス液上バルブ22が介装されている。リンス液上バルブ22が開かれると、リンス液供給管21からリンス液ノズル6にDIWが供給され、リンス液ノズル6から下方に向けてDIWが吐出される。   A rinse liquid supply pipe 21 to which DIW from a rinse liquid supply source is supplied is connected to the rinse liquid nozzle 6. A rinse liquid upper valve 22 for opening and closing the rinse liquid supply pipe 21 is interposed in the rinse liquid supply pipe 21. When the rinse liquid upper valve 22 is opened, DIW is supplied from the rinse liquid supply pipe 21 to the rinse liquid nozzle 6, and DIW is discharged downward from the rinse liquid nozzle 6.

第1アーム16の基端部は、第1アーム支持軸24(図2参照)の上端に固定されている。第1アーム支持軸24は、スピンチャック4の側方でほぼ鉛直に延びている。第1アーム支持軸24は、上下方向に伸縮可能に、かつ第1アーム支持軸24まわりに回動可能に設けられている。そのため、第1アーム16は、第1アーム支持軸24まわりに揺動可能に設けられているとともに、上下動(昇降)可能に設けられている。第1アーム支持軸24には、第1アーム16を移動(揺動または上下動)させるための第1アーム移動機構23(ノズル移動手段。図2参照)が結合されている。   The base end portion of the first arm 16 is fixed to the upper end of the first arm support shaft 24 (see FIG. 2). The first arm support shaft 24 extends substantially vertically on the side of the spin chuck 4. The first arm support shaft 24 is provided so as to be extendable in the vertical direction and to be rotatable around the first arm support shaft 24. Therefore, the first arm 16 is provided so as to be swingable around the first arm support shaft 24 and is provided so as to be movable up and down (up and down). A first arm moving mechanism 23 (nozzle moving means; see FIG. 2) for moving (swinging or vertically moving) the first arm 16 is coupled to the first arm support shaft 24.

有機溶剤ノズル7は、たとえば、連続流の状態で有機溶剤を下方に向けて吐出するストレートノズルである。有機溶剤ノズル7は、その吐出口(上吐出口15。図8および図9参照)を下方に向けた状態で、ほぼ水平に延びる第2アーム25の先端に取り付けられている。
第2アーム25の基端部は、第2アーム支持軸29(図2参照)の上端に固定されている。第2アーム支持軸29は、スピンチャック4の側方でほぼ鉛直に延びている。第2アーム支持軸29は、上下方向に伸縮可能に、かつ第2アーム支持軸29まわりに回動可能に設けられている。そのため、第2アーム25は、第2アーム支持軸29まわりに揺動可能に設けられているとともに、上下動(昇降)可能に設けられている。第2アーム支持軸29には、第2アーム25を移動(揺動または上下動)させるための第2アーム移動機構26(ノズル移動手段。図2参照)が結合されている。
The organic solvent nozzle 7 is, for example, a straight nozzle that discharges the organic solvent downward in a continuous flow state. The organic solvent nozzle 7 is attached to the tip of the second arm 25 extending substantially horizontally with its discharge port (upper discharge port 15; see FIGS. 8 and 9) facing downward.
The base end portion of the second arm 25 is fixed to the upper end of the second arm support shaft 29 (see FIG. 2). The second arm support shaft 29 extends substantially vertically on the side of the spin chuck 4. The second arm support shaft 29 is provided so as to be extendable in the vertical direction and to be rotatable around the second arm support shaft 29. Therefore, the second arm 25 is provided so as to be swingable around the second arm support shaft 29, and is provided so as to be movable up and down (lifted and lowered). A second arm moving mechanism 26 (nozzle moving means, see FIG. 2) for moving (swinging or vertically moving) the second arm 25 is coupled to the second arm support shaft 29.

有機溶剤ノズル7には、有機溶剤供給源からの有機溶剤が供給される有機溶剤供給管27が接続されている。有機溶剤供給管27には、この有機溶剤供給管27を開閉するための有機溶剤上バルブ28が介装されている。有機溶剤上バルブ28が開かれると、有機溶剤供給管27から有機溶剤ノズル7に有機溶剤が供給され、有機溶剤ノズル7から下方に向けて有機溶剤が吐出される。   An organic solvent supply pipe 27 to which an organic solvent from an organic solvent supply source is supplied is connected to the organic solvent nozzle 7. An organic solvent upper valve 28 for opening and closing the organic solvent supply pipe 27 is interposed in the organic solvent supply pipe 27. When the organic solvent upper valve 28 is opened, the organic solvent is supplied from the organic solvent supply pipe 27 to the organic solvent nozzle 7, and the organic solvent is discharged downward from the organic solvent nozzle 7.

不活性ガスノズル8は、たとえば、連続流の状態で窒素ガスを下方に向けて吐出するストレートノズルである。不活性ガスノズル8は、その吐出口(上吐出口15。図8および図9参照)を下方に向けた状態で、ほぼ水平に延びる第3アーム30の先端に取り付けられている。
第3アーム30の基端部は、第3アーム支持軸34(図2参照)の上端に固定されている。第3アーム支持軸34は、スピンチャック4の側方でほぼ鉛直に延びている。第3アーム支持軸34は、上下方向に伸縮可能に、かつ第3アーム支持軸34まわりに回動可能に設けられている。そのため、第3アーム30は、第3アーム支持軸34まわりに揺動可能に設けられているとともに、上下動(昇降)可能に設けられている。第3アーム支持軸34には、第3アーム30を移動(揺動または上下動)させるための第3アーム移動機構31(図2参照)が結合されている。なお、第3アーム支持軸34の上端は、第2アーム支持軸29の上端よりも低い位置に設定されている。そのため、第3アーム30は第2アーム25よりも低い水平面内を揺動する。
The inert gas nozzle 8 is, for example, a straight nozzle that discharges nitrogen gas downward in a continuous flow state. The inert gas nozzle 8 is attached to the tip of the third arm 30 that extends substantially horizontally with its discharge port (upper discharge port 15; see FIGS. 8 and 9) facing downward.
The base end portion of the third arm 30 is fixed to the upper end of the third arm support shaft 34 (see FIG. 2). The third arm support shaft 34 extends substantially vertically on the side of the spin chuck 4. The third arm support shaft 34 is provided so as to be able to expand and contract in the vertical direction and to be rotatable around the third arm support shaft 34. Therefore, the third arm 30 is provided so as to be swingable around the third arm support shaft 34 and is provided so as to be movable up and down (up and down). A third arm moving mechanism 31 (see FIG. 2) for moving (swinging or vertically moving) the third arm 30 is coupled to the third arm support shaft 34. The upper end of the third arm support shaft 34 is set at a position lower than the upper end of the second arm support shaft 29. Therefore, the third arm 30 swings in a lower horizontal plane than the second arm 25.

不活性ガスノズル8には、不活性ガス供給源からの窒素ガスが供給される不活性ガス供給管32が接続されている。不活性ガス供給管32には、この不活性ガス供給管32を開閉するための不活性ガス上バルブ33が介装されている。不活性ガス上バルブ33が開かれると、不活性ガス供給管32から不活性ガスノズル8に窒素ガスが供給され、不活性ガスノズル8から下方に向けて窒素ガスが吐出される。なお、図2では、処理室3、スピンチャック4、上対向板9、アーム16,25,30、アーム支持軸24,29,34等の構成のみを図示している。   An inert gas supply pipe 32 to which nitrogen gas from an inert gas supply source is supplied is connected to the inert gas nozzle 8. The inert gas supply pipe 32 is provided with an inert gas upper valve 33 for opening and closing the inert gas supply pipe 32. When the inert gas upper valve 33 is opened, nitrogen gas is supplied from the inert gas supply pipe 32 to the inert gas nozzle 8, and nitrogen gas is discharged downward from the inert gas nozzle 8. In FIG. 2, only the configuration of the processing chamber 3, the spin chuck 4, the upper facing plate 9, the arms 16, 25, 30, the arm support shafts 24, 29, and 34 is illustrated.

図3は、上対向板9の構成を示す斜視図である。
図1および図3を参照して、上対向板9の構成について説明する。
上対向板9は円板状の部材である。上対向板9の中心は、スピンチャック4の回転軸線C上に配置されている。上対向板9は、円形で平坦な下面(第1対向面)35を有している。下面35はウエハWよりも少し大きい直径を有している。
FIG. 3 is a perspective view showing the configuration of the upper opposing plate 9.
With reference to FIG. 1 and FIG. 3, the structure of the upper opposing board 9 is demonstrated.
The upper counter plate 9 is a disk-shaped member. The center of the upper facing plate 9 is disposed on the rotation axis C of the spin chuck 4. The upper facing plate 9 has a circular and flat lower surface (first facing surface) 35. The lower surface 35 has a slightly larger diameter than the wafer W.

スピンチャック4に保持された状態で、上対向板9は、その下面35が水平姿勢をなす。スピンチャック4にウエハWおよび上対向板9が保持された状態では、上対向板9の下面35がウエハWの上面に近接して(微小間隔を隔てて)対向している。換言すると、ウエハWの上面の全域が上対向板9の下面35に対向している。
上対向板9の下面35の中心には、ノズル5,6,7,8を挿入するためのノズル挿入孔36が形成されている。ノズル挿入孔36は上対向板9を厚み方向(上下方向)に貫通する挿入孔であり、ノズル挿入孔36は上対向板9の上面39および下面35にそれぞれ開口している。このノズル挿入孔36は、薬液ノズル5、リンス液ノズル6、有機溶剤ノズル7および不活性ガスノズル8を選択的に挿入して収容するための挿入孔である。ノズル挿入孔36の側壁は、各ノズル5,6,7,8(の下部)と整合する形状に形成されている。この実施形態では、ノズル挿入孔36の側壁は、回転軸線Cを中心として、上方に向かうに従って拡径する円錐状をなしている。
While being held by the spin chuck 4, the lower surface 35 of the upper facing plate 9 is in a horizontal posture. In a state in which the wafer W and the upper counter plate 9 are held on the spin chuck 4, the lower surface 35 of the upper counter plate 9 is close to the upper surface of the wafer W (opposite a minute interval). In other words, the entire upper surface of the wafer W faces the lower surface 35 of the upper facing plate 9.
A nozzle insertion hole 36 for inserting the nozzles 5, 6, 7, 8 is formed at the center of the lower surface 35 of the upper facing plate 9. The nozzle insertion hole 36 is an insertion hole that penetrates the upper facing plate 9 in the thickness direction (vertical direction), and the nozzle insertion hole 36 opens on the upper surface 39 and the lower surface 35 of the upper facing plate 9, respectively. The nozzle insertion hole 36 is an insertion hole for selectively inserting and storing the chemical liquid nozzle 5, the rinse liquid nozzle 6, the organic solvent nozzle 7, and the inert gas nozzle 8. The side wall of the nozzle insertion hole 36 is formed in a shape that aligns with the nozzles 5, 6, 7, and 8 (lower portions). In this embodiment, the side wall of the nozzle insertion hole 36 has a conical shape whose diameter increases as it goes upward with the rotation axis C as the center.

上対向板9はほぼ平板状をなしているが、ノズル挿入孔36の周囲部分だけその他の部分よりも肉厚にされており、図3に示すように上対向板9の上面39には、ノズル挿入孔36の周囲を取り囲む環状突部37が形成されている。
また、上対向板9の周端面には2つの引掛け孔対40が形成されている。各引掛け孔対40は、互いに隣接して形成された2つの引掛け孔である第1引掛け孔41および第2引掛け孔41によって構成されている。第1引掛け孔41および第2引掛け孔42は互いに同形状を有している。第1引掛け孔41は、後述する係合爪52(図4参照)の第1爪44(図4参照)を差し込むための引掛け孔である。第2引掛け孔42は、係合爪52の第2爪45(図4参照)を差し込むための引掛け孔である。第1引掛け孔41および第2引掛け孔42は、それぞれ後述する第1爪44および第2爪45と整合する形状を有している。すなわち、各引掛け孔41,42は、断面矩形の扁平状をなして、略法線方向(回転中心に向かう方向)に沿う水平方向に延びている。2つの引掛け孔対40は、上対向板9の中心を基準として互いに180°位相がずれている(上対向板9の中心を対称中心として、反対側の対称位置に配置されている)。また、引掛け孔対40は、上対向板9の周端面において挟持部材13により挟持される部分と周方向にずれた位置に形成されている。なお、引掛け孔対40は、上対向板9の周端面に形成される構成に限られず、上対向板9の上面周縁部に突起が設けられ、その突起に引掛け孔対40が形成された構成であっても良い。
The upper facing plate 9 has a substantially flat plate shape, but only the peripheral portion of the nozzle insertion hole 36 is thicker than the other portions, and as shown in FIG. An annular protrusion 37 surrounding the periphery of the nozzle insertion hole 36 is formed.
Further, two hooking hole pairs 40 are formed on the peripheral end surface of the upper facing plate 9. Each hooking hole pair 40 includes a first hooking hole 41 and a second hooking hole 41 that are two hooking holes formed adjacent to each other. The first hook hole 41 and the second hook hole 42 have the same shape. The first hooking hole 41 is a hooking hole for inserting a first claw 44 (see FIG. 4) of an engaging claw 52 (see FIG. 4) described later. The second hooking hole 42 is a hooking hole for inserting the second hook 45 (see FIG. 4) of the engaging hook 52. The first hooking hole 41 and the second hooking hole 42 have shapes aligned with first claws 44 and second claws 45, which will be described later, respectively. That is, each of the hooking holes 41 and 42 has a flat cross-sectional shape and extends in a horizontal direction along a substantially normal direction (a direction toward the rotation center). The two hooking hole pairs 40 are 180 degrees out of phase with each other with respect to the center of the upper opposing plate 9 (disposed at opposite symmetrical positions with the center of the upper opposing plate 9 as the center of symmetry). Further, the hooking hole pair 40 is formed at a position shifted in the circumferential direction from the portion sandwiched by the sandwiching member 13 on the circumferential end surface of the upper facing plate 9. Note that the hooking hole pair 40 is not limited to the configuration formed on the peripheral end surface of the upper facing plate 9, and a protrusion is provided on the peripheral edge of the upper surface of the upper facing plate 9, and the hooking hole pair 40 is formed on the protrusion. The structure may be different.

上対向板9の材料として、PCTFE(ポリクロロトリフルエチレン)などの耐薬液性を有するフッ素系樹脂材料や、石英を例示することができる。上対向板9として、材料が異なるが他の諸元は同一の対向板を複数種作成しておき、後述する赤外線ランプ97による加熱を伴う処理を行う処理ユニットの処理室3には、耐熱性に優れた石英製の対向板を上対向板9として採用し、赤外線ランプ97による加熱を伴わない処理を行う処理ユニットの処理室3には、耐薬性に優れたフッ素系樹脂材料製の対向板を上対向板9として採用するようにしてもよい。   Examples of the material of the upper counter plate 9 include a fluorine resin material having chemical resistance such as PCTFE (polychlorotrifluorethylene) and quartz. The upper counter plate 9 is made of a plurality of types of counter plates that are made of the same material but have different specifications, and the processing chamber 3 of the processing unit that performs processing with heating by an infrared lamp 97 described later has heat resistance. A counter plate made of a fluororesin material having excellent chemical resistance is used in the processing chamber 3 of the processing unit that employs a quartz counter plate excellent in heat treatment as the upper counter plate 9 and performs processing without heating by the infrared lamp 97. May be adopted as the upper counter plate 9.

また、上対向板9として、ウエハWと対向する部分(上対向板9の周縁部を除く部分)の全体的にまたは部分的に厚みが互いに異なる対向板を複数種作成しておき、上対向板9としてこれらの対向板を選択的に採用することによって、後述する第1空間47の厚みを異ならせるようにしてもよい。
なお、引掛け孔対40は、後述する第1爪44および第2爪45を同時に差し込むことができる程度の周方向幅を有していれば、1つの引掛け孔で構成されていてもよい。
In addition, as the upper counter plate 9, a plurality of types of counter plates having different thicknesses from the whole or part of the portion facing the wafer W (the portion excluding the peripheral portion of the upper counter plate 9) are prepared. By selectively adopting these opposing plates as the plate 9, the thickness of the first space 47 to be described later may be varied.
Note that the hooking hole pair 40 may be composed of one hooking hole as long as it has a circumferential width that allows a first pawl 44 and a second pawl 45 to be described later to be inserted simultaneously. .

図1に示すように、基板処理装置1は、上対向板9の周縁部と係合して上対向板9を保持する2つの係合ユニット(係合部材)50を備えている。一方の係合ユニット50は、上対向板9の一方の引掛け孔対40の上方に配置されている。他方の係合ユニット50は、一方の係合ユニット50と回転軸線Cを中心として反対側の対称位置に配置されている。   As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes two engagement units (engagement members) 50 that engage with the peripheral portion of the upper counter plate 9 and hold the upper counter plate 9. One engaging unit 50 is disposed above one hooking hole pair 40 of the upper facing plate 9. The other engagement unit 50 is disposed at a symmetrical position on the opposite side with respect to the rotation axis C with respect to the one engagement unit 50.

各係合ユニット50は、処理室3の天井壁(下面)に支持されて、上下動可能に移動可能なユニット本体51と、ユニット本体51に、姿勢変更可能に支持された係合爪52とを備えている。係合ユニット50は、赤外線ランプ97およびランプ支持ユニット99の外側を取り囲む位置に配置されている。なお、この実施形態では、処理室3の天井壁にFFU(ファンフィルタユニット)は設けられていない。   Each engagement unit 50 is supported on the ceiling wall (lower surface) of the processing chamber 3 and is movable in a vertically movable manner. The engagement claw 52 is supported on the unit body 51 so that the posture can be changed. It has. The engagement unit 50 is disposed at a position surrounding the infrared lamp 97 and the lamp support unit 99. In this embodiment, no FFU (fan filter unit) is provided on the ceiling wall of the processing chamber 3.

各ユニット本体51には、係合ユニット50を、スピンチャック4(挟持部材13)に上対向板9を受け渡すことができる受渡位置(図5および図17(b)参照)と、挟持部材13(受渡位置)から上方に大きく離反する離反位置(図1参照)との間で昇降させる係合ユニット昇降機構(係合部材移動手段)53が結合されている。離反位置は、処理室3の天井壁の近傍に設定されている。   In each unit main body 51, the engaging unit 50 can be delivered to the spin chuck 4 (clamping member 13) so that the upper counter plate 9 can be delivered (see FIGS. 5 and 17B), and the clamping member 13. An engagement unit raising / lowering mechanism (engagement member moving means) 53 that moves up and down between a separation position (see FIG. 1) that is largely separated upward from the (delivery position) is coupled. The separation position is set in the vicinity of the ceiling wall of the processing chamber 3.

図4は、係合ユニット50の係合爪52の構成を示す斜視図である。以下、図1および図4を参照しつつ説明する。
係合爪52は、矩形をなし、上端がユニット本体51に支持される支持板46と、支持板46の下端辺から、その支持板46と垂直に延びる第1爪44および第2爪45とを有している。第1および第2爪44,45は、それぞれ断面矩形の扁平状をなし、所定間隔を隔てて互いに平行に延びている。
FIG. 4 is a perspective view showing a configuration of the engaging claw 52 of the engaging unit 50. Hereinafter, a description will be given with reference to FIGS. 1 and 4.
The engaging claw 52 has a rectangular shape, a support plate 46 whose upper end is supported by the unit main body 51, and a first claw 44 and a second claw 45 that extend perpendicularly to the support plate 46 from the lower end side of the support plate 46. have. The first and second claws 44 and 45 each have a flat shape with a rectangular cross section, and extend in parallel with each other at a predetermined interval.

係合爪52には、ユニット本体51に内蔵された係合爪回動機構54が結合されている。係合爪回動機構54の駆動により、たとえば支持板46の上端辺まわりに係合爪52が回動されて、係合爪52が、係合姿勢(図1に二点鎖線で図示)と、退避姿勢(図1に実線で図示)との間で姿勢変更する。係合爪52が係合姿勢にあるときは、第1および第2爪44,45が、上対向板9の略法線方向(回転中心に向かう方向)に沿う水平方向に延びる。   An engagement claw rotation mechanism 54 built in the unit main body 51 is coupled to the engagement claw 52. By driving the engagement claw rotation mechanism 54, for example, the engagement claw 52 is rotated around the upper end side of the support plate 46, and the engagement claw 52 is moved to the engagement posture (shown by a two-dot chain line in FIG. 1). The posture is changed between the retracted posture (shown by a solid line in FIG. 1). When the engagement claw 52 is in the engagement posture, the first and second claws 44 and 45 extend in the horizontal direction along the substantially normal direction (direction toward the rotation center) of the upper facing plate 9.

スピンチャック4にウエハWが載置されている状態で、各係合ユニット50を離反位置から受渡位置まで下降させる。受渡位置では、各係合ユニット50が上対向板9の周端面に対向している。この状態で、係合爪52を退避姿勢から係合姿勢に姿勢変更させることにより、各係合ユニット50を上対向板9の周縁部に係合する。これにより、2つの係合ユニット50に上対向板9を保持させることができる。   Each engagement unit 50 is lowered from the separation position to the delivery position while the wafer W is placed on the spin chuck 4. At the delivery position, each engagement unit 50 faces the peripheral end surface of the upper facing plate 9. In this state, the engaging claw 52 is changed from the retracted position to the engaged position, whereby each engaging unit 50 is engaged with the peripheral edge of the upper opposing plate 9. Accordingly, the upper opposing plate 9 can be held by the two engaging units 50.

また、2つの係合ユニット50に上対向板9が保持された状態で、各係合ユニット50の係合爪52が係合姿勢から退避姿勢に姿勢変更されることにより、係合ユニット50と上対向板9との係合が解除され、2つの係合ユニット50から上対向板9が離脱させられる。
そして、係合ユニット50は上対向板9の昇降時を除いては、係合ユニット50は離反位置に配置される。これにより、係合ユニット50が、アーム16,25,30等の移動の邪魔になるのを防止することができる。
Further, when the engagement claws 52 of each engagement unit 50 are changed from the engagement posture to the retracted posture in a state where the upper opposing plate 9 is held by the two engagement units 50, The engagement with the upper opposing plate 9 is released, and the upper opposing plate 9 is released from the two engagement units 50.
And the engagement unit 50 is arrange | positioned in the separation | separation position except the time of raising / lowering of the upper opposing board 9. As shown in FIG. Thereby, it is possible to prevent the engagement unit 50 from interfering with the movement of the arms 16, 25, 30 and the like.

このように、2つの係合ユニット50で上対向板9を保持するので、上対向板9を安定して昇降させることができる。さらに、2つの係合ユニット50で上対向板9を保持するために、各係合ユニット50に作用する荷重が分散して小さくなるので、上対向板9の中央部を支持して上対向板9を昇降させる場合と比較して、比較的簡易な小型の係合ユニットを係合ユニット50として採用している。   Thus, since the upper opposing board 9 is hold | maintained with the two engagement units 50, the upper opposing board 9 can be raised / lowered stably. Furthermore, since the upper opposing plate 9 is held by the two engaging units 50, the load acting on each engaging unit 50 is dispersed and reduced, so that the central portion of the upper opposing plate 9 is supported and the upper opposing plate 9 is supported. Compared with the case where 9 is moved up and down, a relatively simple small engagement unit is employed as the engagement unit 50.

図5および図6は挟持部材13の側面図である。図7は挟持部材13の平面図である。
スピンチャック4は、複数個の挟持部材13に、第1支持位置と、第1支持位置よりも上方の第2支持位置との2つの位置でウエハWを水平に保持させることができる。また、スピンチャック4は、複数個の挟持部材13に、第2支持位置よりも上方の第3支持位置(係合ユニット50が受渡位置にあるときの上対向板9高さとほぼ同一)で上対向板9を水平に保持することができる。すなわち、挟持部材13は、第1支持位置でウエハWを水平に支持するウエハ支持部56と、第2支持位置でウエハWを水平に挟持するとともに、第3支持位置で上対向板9を水平に挟持する挟持部57と、ウエハ支持部56および挟持部57を支持する台座59とを含む。台座59は、スピンベース12上に配置されている。換言すると、複数個の挟持部材13は、ウエハWおよび上対向板9を協動して保持/解放する複数の挟持部材である。
5 and 6 are side views of the clamping member 13. FIG. 7 is a plan view of the clamping member 13.
The spin chuck 4 can hold the wafer W horizontally at two positions, ie, a first support position and a second support position above the first support position, by the plurality of clamping members 13. Further, the spin chuck 4 is placed on the plurality of holding members 13 at a third support position above the second support position (approximately the same as the height of the upper opposing plate 9 when the engagement unit 50 is at the delivery position). The counter plate 9 can be held horizontally. That is, the clamping member 13 horizontally clamps the wafer W at the first support position and horizontally supports the wafer W at the second support position, and horizontally holds the upper opposing plate 9 at the third support position. And a wafer support portion 56 and a pedestal 59 for supporting the sandwiching portion 57. The pedestal 59 is disposed on the spin base 12. In other words, the plurality of clamping members 13 are a plurality of clamping members that cooperatively hold / release the wafer W and the upper opposing plate 9.

ウエハ支持部56は、所定の鉛直軸線L1より内方に配置されている。
挟持部57は、水平方向に開いたV字状の下挟持溝60と、下挟持溝60の上方に形成されて、水平方向に開いたV字状の上挟持溝61を有している。下挟持溝60および上挟持溝61は、それぞれ内方(ウエハWの回転軸線C側)に向けられている。上挟持溝61の底部は下挟持溝60の底部よりも外側(ウエハWの回転軸線Cと離反する側)に配置されている。挟持部57は、台座59に対して鉛直軸線L1まわりに回動可能に設けられている。
The wafer support 56 is disposed inward from the predetermined vertical axis L1.
The clamping part 57 has a V-shaped lower clamping groove 60 opened in the horizontal direction and a V-shaped upper clamping groove 61 formed above the lower clamping groove 60 and opened in the horizontal direction. The lower clamping groove 60 and the upper clamping groove 61 are each directed inward (on the rotation axis C side of the wafer W). The bottom portion of the upper clamping groove 61 is disposed outside the bottom portion of the lower clamping groove 60 (on the side away from the rotation axis C of the wafer W). The clamping part 57 is provided so as to be rotatable around the vertical axis L <b> 1 with respect to the pedestal 59.

スピンチャック4は、台座59に対して挟持部57を鉛直軸線L1まわりに回動させる挟持部回動機構62を含む。挟持部回動機構62は、たとえば、スピンベース12内に収容されている。挟持部回動機構62は、挟持部57の下挟持溝60の内壁がウエハWの周端面に接触するとともに、挟持部57の上挟持溝61の内壁が上対向板9の周端面に接触する接触位置(図6に示す位置)と、挟持部57の下挟持溝60の内壁がウエハWの周端面から離れるとともに上挟持溝61の内壁が上対向板9の周端面から離れる退避位置(図5に示す位置)との間で挟持部57を鉛直軸線L1まわりに回動させる。さらに、挟持部回動機構62は、複数の挟持部材13の各挟持部57を同期させて鉛直軸線L1まわりに回動させる。   The spin chuck 4 includes a clamping unit rotating mechanism 62 that rotates the clamping unit 57 around the vertical axis L <b> 1 with respect to the pedestal 59. The clamping part rotation mechanism 62 is accommodated in the spin base 12, for example. In the clamping unit rotating mechanism 62, the inner wall of the lower clamping groove 60 of the clamping unit 57 contacts the peripheral end surface of the wafer W, and the inner wall of the upper clamping groove 61 of the clamping unit 57 contacts the peripheral end surface of the upper opposing plate 9. A contact position (position shown in FIG. 6) and a retracted position (in FIG. 6) where the inner wall of the lower holding groove 60 of the holding portion 57 is separated from the peripheral end surface of the wafer W and the inner wall of the upper holding groove 61 is separated from the peripheral end surface of the upper opposing plate The position of the holding portion 57 is rotated around the vertical axis L1. Furthermore, the clamping part rotation mechanism 62 synchronizes each clamping part 57 of the plurality of clamping members 13 and rotates it around the vertical axis L1.

スピンチャック4に搬入されるウエハWは、複数の挟持部57が退避位置に位置する状態で複数のウエハ支持部56に載置される。ウエハWが複数のウエハ支持部56に載置されることにより、各ウエハ支持部56がウエハWの下面周縁部に点接触し、当該ウエハWが第1支持位置で水平に保持されている。
次いで、上対向板9を保持している2つの係合ユニット50が受渡位置まで下降させられて、上対向板9が第3支持位置に配置される。上対向板9は係合ユニット50によって第3支持位置で水平姿勢に保持される。
The wafer W carried into the spin chuck 4 is placed on the plurality of wafer support portions 56 in a state where the plurality of sandwiching portions 57 are located at the retracted positions. Since the wafer W is placed on the plurality of wafer support portions 56, each wafer support portion 56 makes point contact with the peripheral edge of the lower surface of the wafer W, and the wafer W is held horizontally at the first support position.
Next, the two engaging units 50 holding the upper opposing plate 9 are lowered to the delivery position, and the upper opposing plate 9 is disposed at the third support position. The upper opposing plate 9 is held in a horizontal posture at the third support position by the engagement unit 50.

上対向板9が第3支持位置に配置された状態で、挟持部回動機構62が複数の挟持部材13の各挟持部57を退避位置から接触位置に回動させる。これにより、ウエハWの周縁部が下挟持溝60内に入り込むとともに、下挟持溝60の傾斜によって当該ウエハWが上方に持ち上げられる。また、上対向板9の周縁部が上挟持溝61内に入り込む。これにより、ウエハWが第2支持位置で水平に保持されるとともに、上対向板9が第3支持位置で水平に保持される。第3支持位置では、上対向板9の下面35が、第2支持位置で保持されるウエハWの上面と微小間隔(たとえば0.5〜3mm程度の間隔)を隔てて対向している。   In a state where the upper opposing plate 9 is disposed at the third support position, the clamping unit rotating mechanism 62 rotates each clamping unit 57 of the plurality of clamping members 13 from the retracted position to the contact position. As a result, the peripheral edge of the wafer W enters the lower holding groove 60 and the wafer W is lifted upward by the inclination of the lower holding groove 60. Further, the peripheral edge portion of the upper opposing plate 9 enters the upper holding groove 61. As a result, the wafer W is held horizontally at the second support position, and the upper counter plate 9 is held horizontally at the third support position. At the third support position, the lower surface 35 of the upper opposing plate 9 faces the upper surface of the wafer W held at the second support position with a minute gap (for example, an interval of about 0.5 to 3 mm).

図8は、薬液ノズル5、リンス液ノズル6、有機溶剤ノズル7および不活性ガスノズル8の概略的な側面図である。図9は、各ノズル5,6,7,8が、ノズル挿入孔36に挿入された状態を示す断面図である。
薬液ノズル5は、上対向板9のノズル挿入孔36に挿入された状態で薬液を吐出するノズルである。リンス液ノズル6は、上対向板9のノズル挿入孔36に挿入された状態でDIWを吐出するノズルである。有機溶剤ノズル7は、上対向板9のノズル挿入孔36に挿入された状態で有機溶剤を吐出するノズルである。不活性ガスノズル8は、上対向板9のノズル挿入孔36に挿入された状態で窒素ガスを吐出するノズルである。これらのノズル5,6,7,8は、互いに同形状をなしかつ同寸法を有している。各ノズル5,6,7,8は、ノズル5,6,7,8のケーシングをなし、上下方向に延びる円筒20を有している。各円筒20の内部には、各ノズル5,6,7,8を上下方向に挿通する管状の処理流体流通路19が形成されている。各ノズル5,6,7,8の処理流体流通路19には、対応する供給管17,21,27,32が接続されている。
FIG. 8 is a schematic side view of the chemical liquid nozzle 5, the rinse liquid nozzle 6, the organic solvent nozzle 7, and the inert gas nozzle 8. FIG. 9 is a cross-sectional view showing a state where the nozzles 5, 6, 7, and 8 are inserted into the nozzle insertion holes 36.
The chemical liquid nozzle 5 is a nozzle that discharges the chemical liquid while being inserted into the nozzle insertion hole 36 of the upper facing plate 9. The rinse liquid nozzle 6 is a nozzle that discharges DIW while being inserted into the nozzle insertion hole 36 of the upper facing plate 9. The organic solvent nozzle 7 is a nozzle that discharges the organic solvent while being inserted into the nozzle insertion hole 36 of the upper facing plate 9. The inert gas nozzle 8 is a nozzle that discharges nitrogen gas while being inserted into the nozzle insertion hole 36 of the upper facing plate 9. These nozzles 5, 6, 7, and 8 have the same shape and the same dimensions. Each nozzle 5, 6, 7, 8 forms a casing of the nozzle 5, 6, 7, 8 and has a cylinder 20 that extends in the vertical direction. Formed inside each cylinder 20 is a tubular processing fluid flow passage 19 that passes through the nozzles 5, 6, 7, and 8 in the vertical direction. Corresponding supply pipes 17, 21, 27, 32 are connected to the processing fluid flow passages 19 of the nozzles 5, 6, 7, 8.

各円筒20の下部分は、外周面48と下端面49とを有している。外周面48は、上方に向かうに従って拡径する円錐状をなす円錐面に形成されている。外周面48はノズル挿通孔36の側壁と同じ傾斜角で、鉛直面に対し傾斜している。下端面49には、処理流体流通路19の下端が開口して上吐出口15を形成している。
ノズル挿入孔36に各ノズル5,6,7,8が挿入された状態のノズルの位置を、「処理位置」という。ノズル5,6,7,8がノズル挿入孔36に挿入された状態(処理位置に配置された状態)では、各ノズル5,6,7,8は、その上吐出口15が下面35の下方に臨む。換言すると、処理位置は、各ノズル5,6,7,8がノズル挿入孔36内に配置され、かつ各ノズル5,6,7,8の下端面49が上対向板9の下面35と略同一平面上に配置される位置である。
The lower part of each cylinder 20 has an outer peripheral surface 48 and a lower end surface 49. The outer peripheral surface 48 is formed in a conical surface having a conical shape whose diameter increases toward the upper side. The outer peripheral surface 48 is inclined with respect to the vertical surface at the same inclination angle as the side wall of the nozzle insertion hole 36. In the lower end surface 49, the lower end of the processing fluid flow passage 19 is opened to form the upper discharge port 15.
The position of the nozzle in a state where the nozzles 5, 6, 7, and 8 are inserted into the nozzle insertion hole 36 is referred to as a “processing position”. In a state where the nozzles 5, 6, 7, and 8 are inserted into the nozzle insertion holes 36 (states that are disposed at the processing positions), the upper discharge ports 15 of the nozzles 5, 6, 7, and 8 are below the lower surface 35 To face. In other words, the processing positions are such that each of the nozzles 5, 6, 7, 8 is disposed in the nozzle insertion hole 36, and the lower end surface 49 of each of the nozzles 5, 6, 7, 8 is substantially the same as the lower surface 35 of the upper facing plate 9. It is a position arranged on the same plane.

ノズル挿入孔36に挿入された状態で、各ノズル5,6,7,8(の下部)は、ノズル挿入孔36の側壁とは非接触状態に保たれる。たとえばノズル挿入孔36の側壁に処理液が付着している場合、異なるノズル5,6,7,8間でノズル挿入孔36を介して処理液が転写するおそれがある。ノズル5,6,7,8とノズル挿入孔36の側壁とを非接触状態に保つことにより、異なる種類の処理液の混蝕を未然に防止することができる。   The nozzles 5, 6, 7, and 8 (lower portions) are kept in a non-contact state with the side wall of the nozzle insertion hole 36 while being inserted into the nozzle insertion hole 36. For example, when the processing liquid adheres to the side wall of the nozzle insertion hole 36, the processing liquid may be transferred between the different nozzles 5, 6, 7, and 8 through the nozzle insertion hole 36. By keeping the nozzles 5, 6, 7, and 8 and the side wall of the nozzle insertion hole 36 in a non-contact state, it is possible to prevent intrusion of different types of processing liquids.

また、ノズル挿入孔36が上対向板9の中心に形成されており(回転軸線C上に位置しており)、しかも、ノズル挿入孔36に挿入された状態のノズル5,6,7,8とノズル挿入孔36の側壁とが非接触であるので、上対向板9の回転の有無に拘わりなく、ノズル5,6,7,8を処理位置に配置することができる。
図10は、薬液ノズル5およびリンス液ノズル6の移動経路を示す平面図である。
A nozzle insertion hole 36 is formed in the center of the upper opposing plate 9 (located on the rotation axis C), and the nozzles 5, 6, 7, 8 inserted into the nozzle insertion hole 36 are also present. Since the nozzle insertion hole 36 and the side wall of the nozzle insertion hole 36 are not in contact with each other, the nozzles 5, 6, 7, and 8 can be disposed at the processing positions regardless of whether the upper opposing plate 9 is rotated.
FIG. 10 is a plan view showing movement paths of the chemical liquid nozzle 5 and the rinsing liquid nozzle 6.

薬液ノズル5およびリンス液ノズル6は、第1アーム16の先端に、第1アーム16の移動方向に水平姿勢で取り付けられている。第1アーム16の揺動により、薬液ノズル5はウエハW(スピンチャック4)の回転軸線C上を通る軌道100Aに沿って移動する。軌道100Aは、第1アーム支持軸24上に中心を有する円弧形状をなしている。また、第1アーム16の揺動により、リンス液ノズル6も、同じ軌道100Aに沿って移動する。   The chemical liquid nozzle 5 and the rinse liquid nozzle 6 are attached to the tip of the first arm 16 in a horizontal posture in the moving direction of the first arm 16. As the first arm 16 swings, the chemical nozzle 5 moves along a trajectory 100A passing on the rotation axis C of the wafer W (spin chuck 4). The track 100 </ b> A has an arc shape having a center on the first arm support shaft 24. Further, the rinsing liquid nozzle 6 also moves along the same track 100 </ b> A by the swing of the first arm 16.

図11〜図14は、薬液ノズル5、リンス液ノズル6、有機溶剤ノズル7および不活性ガスノズル8が、それぞれ処理位置にある状態を示す図である。
図2および図10〜図14を参照して、各ノズル5,6,7,8の移動について説明する。
図2、図10、図11および図12に示すように、第1アーム移動機構23から第1アーム支持軸24に回転駆動力を入力して、第1アーム支持軸24を所定の角度範囲内で回動させることにより、スピンチャック4の上方で第1アーム16を揺動させることができる。第1アーム16の揺動により、薬液ノズル5およびリンス液ノズル6が軌道100Aに沿って移動する。これにより、薬液ノズル5およびリンス液ノズル6を、薬液ノズル5がウエハWの回転軸線C上の位置と、リンス液ノズル6がウエハWの回転軸線C上の位置と、薬液ノズル5およびリンス液ノズル6がスピンチャック4の側方に位置する第1ホームポジション(図2に示す位置)との間で移動させることができる。そして、薬液ノズル5から薬液を吐出させるときには、薬液ノズル5をウエハWの回転軸線C上に配置した状態から、ノズル昇降機構(ノズル移動手段)38(図1参照)が駆動されて薬液ノズル5が下降されることにより、薬液ノズル5が処理位置に配置される。また、リンス液ノズル6からリンス液を吐出させるときには、リンス液ノズル6をウエハWの回転軸線C上に配置した状態から、ノズル昇降機構38(図1参照)が駆動されてリンス液ノズル6が下降されることにより、リンス液ノズル6が処理位置に配置される。図11および図12に示すように、薬液ノズル5から薬液を吐出させるとき、またはリンス液ノズル6からDIWを吐出させるときには、有機溶剤ノズル7および不活性ガスノズル8は、それぞれ第2ホームポジションおよび第3ホームポジションにある。
FIGS. 11-14 is a figure which shows the state which has the chemical | medical solution nozzle 5, the rinse liquid nozzle 6, the organic solvent nozzle 7, and the inert gas nozzle 8 in a processing position, respectively.
With reference to FIG. 2 and FIGS. 10-14, the movement of each nozzle 5,6,7,8 is demonstrated.
As shown in FIGS. 2, 10, 11, and 12, a rotational driving force is input from the first arm moving mechanism 23 to the first arm support shaft 24 to keep the first arm support shaft 24 within a predetermined angle range. The first arm 16 can be swung above the spin chuck 4 by rotating the first chuck 16. As the first arm 16 swings, the chemical nozzle 5 and the rinse nozzle 6 move along the track 100A. Thus, the chemical nozzle 5 and the rinsing liquid nozzle 6 are arranged such that the chemical nozzle 5 is positioned on the rotation axis C of the wafer W, the rinsing liquid nozzle 6 is positioned on the rotation axis C of the wafer W, the chemical nozzle 5 and the rinsing liquid. The nozzle 6 can be moved between a first home position (position shown in FIG. 2) located on the side of the spin chuck 4. When the chemical solution is discharged from the chemical solution nozzle 5, the nozzle lifting mechanism (nozzle moving means) 38 (see FIG. 1) is driven from the state where the chemical solution nozzle 5 is arranged on the rotation axis C of the wafer W to drive the chemical solution nozzle 5. Is lowered, the chemical nozzle 5 is disposed at the processing position. When discharging the rinse liquid from the rinse liquid nozzle 6, the nozzle lifting mechanism 38 (see FIG. 1) is driven from the state where the rinse liquid nozzle 6 is disposed on the rotation axis C of the wafer W, so that the rinse liquid nozzle 6 is moved. By being lowered, the rinse liquid nozzle 6 is disposed at the processing position. As shown in FIGS. 11 and 12, when the chemical liquid is discharged from the chemical liquid nozzle 5 or when the DIW is discharged from the rinse liquid nozzle 6, the organic solvent nozzle 7 and the inert gas nozzle 8 are respectively in the second home position and the second home position. There are 3 home positions.

図2および図13に示すように、第2アーム移動機構26から第2アーム支持軸29に回転駆動力を入力して、第2アーム支持軸29を所定の角度範囲内で回動させることにより、スピンチャック4の上方で第2アーム25を揺動させることができる。第2アーム25の揺動により、有機溶剤ノズル7が、第2アーム支持軸29上に中心を有する円弧形状をなし、回転軸線C上を通る軌道(図示しない)に沿って移動する。これにより、有機溶剤ノズル7を、ウエハWの回転軸線C上の位置と、スピンチャック4の側方に位置する第2ホームポジションとの間で移動させることができる。そして、有機溶剤ノズル7から有機溶剤を吐出させるときには、有機溶剤ノズル7がウエハWの回転軸線C上に配置された状態で、第2アーム25が下降されることにより、有機溶剤ノズル7が処理位置に配置される。図13に示すように、有機溶剤ノズル7から有機溶剤を吐出させるときには、薬液ノズル5およびリンス液ノズル6はそれぞれ第1ホームポジションにあり、不活性ガスノズル8は第3ホームポジションにある。   As shown in FIGS. 2 and 13, a rotational driving force is input from the second arm moving mechanism 26 to the second arm support shaft 29, and the second arm support shaft 29 is rotated within a predetermined angle range. The second arm 25 can be swung above the spin chuck 4. As the second arm 25 swings, the organic solvent nozzle 7 forms an arc shape having a center on the second arm support shaft 29 and moves along a track (not shown) passing on the rotation axis C. Thereby, the organic solvent nozzle 7 can be moved between the position on the rotation axis C of the wafer W and the second home position located on the side of the spin chuck 4. When the organic solvent is discharged from the organic solvent nozzle 7, the second arm 25 is lowered in a state where the organic solvent nozzle 7 is disposed on the rotation axis C of the wafer W, so that the organic solvent nozzle 7 is processed. Placed in position. As shown in FIG. 13, when the organic solvent is discharged from the organic solvent nozzle 7, the chemical liquid nozzle 5 and the rinsing liquid nozzle 6 are each in the first home position, and the inert gas nozzle 8 is in the third home position.

図2および図14に示すように、第3アーム移動機構31から第3アーム支持軸34に回転駆動力を入力して、第3アーム支持軸34を所定の角度範囲内で回動させることにより、スピンチャック4の上方で第3アーム30を揺動させることができる。第3アーム30の揺動により、不活性ガスノズル8が、第3アーム支持軸34上に中心を有する円弧形状をなし、回転軸線C上を通る軌道(図示しない)に沿って移動する。これにより、不活性ガスノズル8を、ウエハWの回転軸線C上の位置と、スピンチャック4の側方に位置する第3ホームポジションとの間で移動させることができる。そして、不活性ガスノズル8がウエハWの回転軸線C上に配置された状態で、第3アーム30が下降されることにより、不活性ガスノズル8が処理位置に配置される。図14に示すように、不活性ガスノズル8から窒素ガスを吐出させるときには、薬液ノズル5およびリンス液ノズル6はそれぞれ第1ホームポジションにあり、有機溶剤ノズル7は第2ホームポジションにある。このとき、図14に示すように平面視では第2アーム25と第3アームとが交差するが、前述のように第3アーム30は、第2アーム25よりも低い水平面内を揺動するので、第2アーム25と第3アーム30とが干渉することがない。   As shown in FIGS. 2 and 14, a rotational driving force is input from the third arm moving mechanism 31 to the third arm support shaft 34 to rotate the third arm support shaft 34 within a predetermined angle range. The third arm 30 can be swung above the spin chuck 4. By swinging the third arm 30, the inert gas nozzle 8 forms an arc shape having a center on the third arm support shaft 34 and moves along a trajectory (not shown) passing on the rotation axis C. Thereby, the inert gas nozzle 8 can be moved between the position on the rotation axis C of the wafer W and the third home position located on the side of the spin chuck 4. Then, with the inert gas nozzle 8 disposed on the rotation axis C of the wafer W, the third arm 30 is lowered, so that the inert gas nozzle 8 is disposed at the processing position. As shown in FIG. 14, when nitrogen gas is discharged from the inert gas nozzle 8, the chemical liquid nozzle 5 and the rinsing liquid nozzle 6 are in the first home position, and the organic solvent nozzle 7 is in the second home position. At this time, as shown in FIG. 14, the second arm 25 and the third arm intersect each other in plan view. However, as described above, the third arm 30 swings in a horizontal plane lower than the second arm 25. The second arm 25 and the third arm 30 do not interfere with each other.

再び図1を参照して、回転軸11は中空に形成されている。回転軸11内には、下側処理流体供給管(第2ノズル)65が挿通している。
下側処理流体供給管65には、下側薬液供給管66、下側リンス液供給管67、下側有機溶剤供給管68および不活性ガス供給管69がそれぞれ接続されている。下側薬液供給管17には、薬液供給源からの薬液が供給されるようになっている。下側薬液供給管17の途中部には、下側薬液供給管17を開閉するための薬液下バルブ70が介装されている。下側リンス液供給管67の途中部には、リンス液供給源からのDIWが供給されるようになっている。下側リンス液供給管67の途中部には、下側リンス液供給管67を開閉するためのリンス液下バルブ71が介装されている。下側有機溶剤供給管68には、有機溶剤供給源からの有機溶剤が供給されるようになっている。下側有機溶剤供給管68の途中部には、下側有機溶剤供給管68を開閉するための有機溶剤下バルブ72が介装されている。下側不活性ガス供給管69には、窒素ガス供給源からの窒素ガスが供給されるようになっている。下側不活性ガス供給管69の途中部には、下側不活性ガス供給管69を開閉するための不活性ガス下バルブ73が介装されている。
Referring to FIG. 1 again, the rotating shaft 11 is formed hollow. A lower processing fluid supply pipe (second nozzle) 65 is inserted into the rotary shaft 11.
A lower chemical liquid supply pipe 66, a lower rinse liquid supply pipe 67, a lower organic solvent supply pipe 68, and an inert gas supply pipe 69 are connected to the lower processing fluid supply pipe 65, respectively. A chemical solution from a chemical solution supply source is supplied to the lower chemical solution supply pipe 17. A lower chemical solution valve 70 for opening and closing the lower chemical solution supply pipe 17 is interposed in the middle of the lower chemical solution supply pipe 17. DIW from the rinse liquid supply source is supplied to the middle portion of the lower rinse liquid supply pipe 67. A rinsing liquid lower valve 71 for opening and closing the lower rinsing liquid supply pipe 67 is interposed in the middle of the lower rinsing liquid supply pipe 67. The lower organic solvent supply pipe 68 is supplied with an organic solvent from an organic solvent supply source. An organic solvent lower valve 72 for opening and closing the lower organic solvent supply pipe 68 is interposed in the middle of the lower organic solvent supply pipe 68. The lower inert gas supply pipe 69 is supplied with nitrogen gas from a nitrogen gas supply source. An inert gas lower valve 73 for opening and closing the lower inert gas supply pipe 69 is interposed in the middle of the lower inert gas supply pipe 69.

薬液、DIW、有機溶剤および窒素ガスは、薬液下バルブ70、リンス液下バルブ71、有機溶剤下バルブ72および不活性ガス下バルブ73の開閉が制御されることにより選択的に下側処理流体供給管65に供給される。
下側処理流体供給管65の上端には、下対向板(第2対向部材)10が水平姿勢で固定されている。下対向板10は円板状の部材である。下対向板10の中心は、スピンチャック4の回転軸線C上に配置されている。下対向板10および下側処理流体供給管65は、PCTFE(ポリクロロトリフルエチレン)などの耐薬液性を有するフッ素系樹脂材料を用いて一体的に形成されている。下対向板10は、円形の上面(第2対向面)76を有している。上面76はウエハWよりも少し小さい直径を有している。スピンチャック4にウエハWが保持された状態では、下対向板10の上面76がウエハWの下面に対向している。下対向板10の上面76は、その中心部を底部とする円錐状のテーパ面に形成されている。すなわち、上面76は、その中心部が最も低く、その中心部から径方向に離れるほど、上方に向かって高くなっている。下対向板10は、スピンチャック4に保持されるウエハWの下面と微小間隔(の上面76のうちもっと狭い部分で、たとえば0.5〜3mm程度の間隔)を隔てて対向している。
The chemical solution, DIW, organic solvent and nitrogen gas are selectively supplied to the lower processing fluid by controlling the opening and closing of the chemical solution lower valve 70, the rinse solution lower valve 71, the organic solvent lower valve 72 and the inert gas lower valve 73. It is supplied to the pipe 65.
A lower facing plate (second facing member) 10 is fixed in a horizontal posture at the upper end of the lower processing fluid supply pipe 65. The lower facing plate 10 is a disk-shaped member. The center of the lower facing plate 10 is disposed on the rotation axis C of the spin chuck 4. The lower facing plate 10 and the lower processing fluid supply pipe 65 are integrally formed using a fluorine-based resin material having chemical resistance such as PCTFE (polychlorotrifluorethylene). The lower facing plate 10 has a circular upper surface (second facing surface) 76. The upper surface 76 has a slightly smaller diameter than the wafer W. In a state where the wafer W is held on the spin chuck 4, the upper surface 76 of the lower facing plate 10 faces the lower surface of the wafer W. The upper surface 76 of the lower facing plate 10 is formed in a conical taper surface with the central portion at the bottom. That is, the upper surface 76 has the lowest center portion and becomes higher upward as it is separated from the center portion in the radial direction. The lower facing plate 10 is opposed to the lower surface of the wafer W held by the spin chuck 4 with a minute interval (a narrower portion of the upper surface 76, for example, an interval of about 0.5 to 3 mm).

下側処理流体供給管65は、下対向板10の上面76における中心部(回転軸線C上)に開口して、下面吐出口(吐出口)74を形成している。下側処理流体供給管65の薬液、DIW、有機溶剤または窒素ガスが、下面吐出口74から吐出される。下面吐出口74が最も低い位置にあるので、下面吐出口74から吐出された薬液、DIW、有機溶剤または窒素ガスは、スムーズに上面76上をその周縁部に向けて流れる。   The lower processing fluid supply pipe 65 opens at the center (on the rotation axis C) of the upper surface 76 of the lower facing plate 10 to form a lower surface discharge port (discharge port) 74. The chemical solution, DIW, organic solvent, or nitrogen gas in the lower processing fluid supply pipe 65 is discharged from the lower surface discharge port 74. Since the lower surface discharge port 74 is at the lowest position, the chemical liquid, DIW, organic solvent, or nitrogen gas discharged from the lower surface discharge port 74 smoothly flows on the upper surface 76 toward the peripheral edge.

スピンチャック4にウエハWが保持された状態で、下面吐出口74から処理液(薬液、DIWおよび有機溶剤)が吐出されると、下面吐出口74からの処理液はウエハWの下面に当たり、ウエハWの下面と下対向板10の上面76との間の第2空間77が液密状態にされる。そして、ウエハWの下面における下対向板10の上面76と対向する部分の略全域に処理液が接液される。なお、回転軸11の外周面と、回転軸11を取り囲むスピンベース12の内周壁との間には、窒素ガス流通路(図示しない)が区画形成されている。この窒素ガス流通路は、窒素ガス吐出口(図示しない)を通して、下対向板10とスピンベース12との間の狭空間に吐出される。窒素ガス吐出口からの窒素ガスは、下対向板10とスピンベース12との間の狭空間を、下対向板10の周縁部に向けて放射状に流通する。   When the processing liquid (chemical solution, DIW and organic solvent) is discharged from the lower surface discharge port 74 while the wafer W is held on the spin chuck 4, the processing liquid from the lower surface discharge port 74 hits the lower surface of the wafer W, and the wafer The second space 77 between the lower surface of W and the upper surface 76 of the lower facing plate 10 is brought into a liquid-tight state. Then, the processing liquid is in contact with substantially the entire area of the lower surface of the wafer W facing the upper surface 76 of the lower facing plate 10. A nitrogen gas flow passage (not shown) is defined between the outer peripheral surface of the rotary shaft 11 and the inner peripheral wall of the spin base 12 surrounding the rotary shaft 11. The nitrogen gas flow passage is discharged into a narrow space between the lower facing plate 10 and the spin base 12 through a nitrogen gas discharge port (not shown). Nitrogen gas from the nitrogen gas discharge port circulates radially in a narrow space between the lower facing plate 10 and the spin base 12 toward the peripheral edge of the lower facing plate 10.

スピンチャック4は、カップ(周辺部材)80に収容されている。カップ80は、スピンチャック4をそれぞれ取り囲むように配置された円筒状の第1カップ81および第2カップ82と、第1カップ81に対して昇降可能に設けられた第1ガード83と、第2カップ82に対して昇降可能に設けられた第2ガード84と、第1ガード83および第2ガード84を互いに独立して昇降させるガード昇降機構85とを備えている。   The spin chuck 4 is accommodated in a cup (peripheral member) 80. The cup 80 includes a cylindrical first cup 81 and a second cup 82 disposed so as to surround the spin chuck 4, a first guard 83 provided so as to be movable up and down with respect to the first cup 81, and a second A second guard 84 provided so as to be movable up and down with respect to the cup 82, and a guard lifting mechanism 85 that lifts and lowers the first guard 83 and the second guard 84 independently of each other are provided.

第1カップ81の底部には、ウエハWに対する処理に用いられたDIW(あるいは、薬液を含むDIW)を廃液するための廃液溝86が、ウエハWの回転軸線Cを中心とする円環状に形成されている。また、第2カップ82の底部には、ウエハWの処理のために用いられた後の薬液を回収するための回収溝87が、ウエハWの回転軸線Cを中心とする円環状に形成されている。廃液溝86および回収溝87には、それぞれ廃液配管(図示しない)および回収配管(図示しない)が接続されている。廃液配管は、図外の廃液処理設備に接続されている。ウエハWに対する処理に用いられたDIW(あるいは、薬液を含むDIW)は、廃液配管を通して廃液処理設備(図示しない)へと導かれる。回収配管は、回収処理槽(図示しない)に接続されている。ウエハWに対する処理に用いられた薬液は、回収配管を通して回収処理槽へと導かれる。これにより、ウエハWの処理に用いられた処理液が回収または廃棄される。   At the bottom of the first cup 81, a waste liquid groove 86 for draining DIW used for processing on the wafer W (or DIW containing chemical liquid) is formed in an annular shape centering on the rotation axis C of the wafer W. Has been. In addition, a recovery groove 87 for recovering the chemical solution used for processing the wafer W is formed in an annular shape around the rotation axis C of the wafer W at the bottom of the second cup 82. Yes. A waste liquid pipe (not shown) and a recovery pipe (not shown) are connected to the waste liquid groove 86 and the recovery groove 87, respectively. The waste liquid piping is connected to a waste liquid treatment facility (not shown). The DIW (or DIW containing a chemical solution) used for processing on the wafer W is guided to a waste liquid treatment facility (not shown) through a waste liquid pipe. The recovery pipe is connected to a recovery processing tank (not shown). The chemical used for processing the wafer W is guided to the recovery processing tank through the recovery pipe. Thereby, the processing liquid used for processing the wafer W is recovered or discarded.

第1ガード83は、円筒状をなしており、スピンチャック4の周囲を取り囲んでいる。第1ガード83は、ウエハWの回転軸線Cに近づくように斜め上に延びる円筒状の第1傾斜部90と、第1傾斜部90の下端から下方に延びる円筒状の第1案内部91とを備えている。第1傾斜部90の上端部は第1ガード83の内周部を構成している。第1傾斜部90は、ウエハWおよびスピンベース12よりも大きな直径を有している。   The first guard 83 has a cylindrical shape and surrounds the periphery of the spin chuck 4. The first guard 83 includes a cylindrical first inclined portion 90 that extends obliquely upward so as to approach the rotation axis C of the wafer W, and a cylindrical first guide portion 91 that extends downward from the lower end of the first inclined portion 90. It has. The upper end portion of the first inclined portion 90 constitutes the inner peripheral portion of the first guard 83. The first inclined portion 90 has a larger diameter than the wafer W and the spin base 12.

第2ガード84は、円筒状をなしており、第1ガード83の外側において、スピンチャック4の周囲を取り囲んでいる。第2ガード84は、ウエハWの回転軸線Cに近づくように斜め上に延びる円筒状の第2傾斜部92と、第2傾斜部92の下端から下方に延びる円筒状の第2案内部93とを備えている。第2傾斜部92の上端部は第2ガード84の内周部を構成している。第2傾斜部92は、ウエハWおよびスピンベース12よりも大きな直径を有している。第2案内部93は、第1案内部91と同軸的に設けられている。   The second guard 84 has a cylindrical shape and surrounds the spin chuck 4 outside the first guard 83. The second guard 84 includes a cylindrical second inclined portion 92 that extends obliquely upward so as to approach the rotation axis C of the wafer W, and a cylindrical second guide portion 93 that extends downward from the lower end of the second inclined portion 92. It has. The upper end portion of the second inclined portion 92 constitutes the inner peripheral portion of the second guard 84. The second inclined portion 92 has a larger diameter than the wafer W and the spin base 12. The second guide part 93 is provided coaxially with the first guide part 91.

ガード昇降機構85は、ガード83,84の上端がウエハWよりも上方に位置する上位置と、ガード83,84の上端がウエハWより下方に位置する下位置との間で、各ガード83,84を昇降させる。ガード昇降機構85は、上位置と下位置との間の任意の位置で各ガード83,84を保持可能である。
ウエハWへのDIWの供給やウエハWの乾燥は、内側の第1ガード83がウエハWの周端面に対向している状態で行われる。内側の第1ガード83をウエハWの周端面に対向させる場合には、第1ガード83および第2ガード84が上位置に配置される。ウエハWへの薬液の供給は、外側の第2ガード84がウエハWの周端面に対向している状態で行われる。外側の第2ガード84をウエハWの周端面に対向させる場合には、第1ガード83が下位置に配置されるとともに、第2ガード84が上位置に配置される。
The guard elevating mechanism 85 is provided between the guards 83, 84 between an upper position where the upper ends of the guards 83, 84 are located above the wafer W and a lower position where the upper ends of the guards 83, 84 are located below the wafer W. 84 is raised and lowered. The guard lifting mechanism 85 can hold the guards 83 and 84 at an arbitrary position between the upper position and the lower position.
The supply of DIW to the wafer W and the drying of the wafer W are performed in a state where the inner first guard 83 faces the peripheral end surface of the wafer W. When the inner first guard 83 is opposed to the peripheral end surface of the wafer W, the first guard 83 and the second guard 84 are disposed at the upper position. The supply of the chemical solution to the wafer W is performed in a state where the outer second guard 84 faces the peripheral end surface of the wafer W. When the outer second guard 84 is opposed to the peripheral end surface of the wafer W, the first guard 83 is disposed at the lower position and the second guard 84 is disposed at the upper position.

スピンチャック4の上方には、円板状の赤外線ランプ97が水平姿勢で配置されている。赤外線ランプ97は、処理室3の天井壁に取り付けられた円板状のランプ支持ユニット99の下面に固定されている。赤外線ランプ97の下面98は、回転軸線C上を中心とする円形でかつ水平面からなり、下面98により照射面が形成されている。下面98はウエハWと同等程度の直径を有している。赤外線ランプ97として、ハロゲンランプやカーボンヒータに代表される短・中・長波長の赤外線ヒータを採用することができる。   A disc-shaped infrared lamp 97 is disposed in a horizontal position above the spin chuck 4. The infrared lamp 97 is fixed to the lower surface of a disk-shaped lamp support unit 99 attached to the ceiling wall of the processing chamber 3. The lower surface 98 of the infrared lamp 97 has a circular shape centered on the rotation axis C and a horizontal surface, and an irradiation surface is formed by the lower surface 98. The lower surface 98 has a diameter equivalent to that of the wafer W. As the infrared lamp 97, a short, medium or long wavelength infrared heater represented by a halogen lamp or a carbon heater can be adopted.

赤外線ランプ97は、上対向板9を介して、後述する第1空間47および後述する第2空間77に供給された薬液およびDIWを加熱するために用いられる。赤外線ランプ97の下面98が、ウエハWと同等程度の直径を有する円形をなしているので、第1空間47内の処理液および第2空間77内の処理液の温度均一性を高めることができる。これにより、ウエハWに対する処理の面内均一性を保つことができる。   The infrared lamp 97 is used to heat the chemical solution and DIW supplied to the first space 47 (described later) and the second space 77 (described later) via the upper counter plate 9. Since the lower surface 98 of the infrared lamp 97 has a circular shape having the same diameter as the wafer W, the temperature uniformity of the processing liquid in the first space 47 and the processing liquid in the second space 77 can be improved. . Thereby, the in-plane uniformity of processing on the wafer W can be maintained.

なお、赤外線ランプ97は、円形の照射面を有する構成に限られず、円環状の照射面を有する構成であってもよい。この場合、円環状の照射面を下方に向けつつ、その照射面の中心が回転軸線C上に配置されるように赤外線ランプを配置する必要がある。
図15は、基板処理装置1の電気的構成を説明するためのブロック図である。
基板処理装置1は、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置95を備えている。制御装置95は、モータ14、アーム移動機構23,26,31、係合ユニット昇降機構53、係合爪回動機構54、ノズル昇降機構38などの動作を制御する。また、制御装置95は、薬液上バルブ18、リンス液上バルブ22、有機溶剤上バルブ28、窒素ガス上バルブ33、薬液下バルブ70、リンス液下バルブ71、有機溶剤下バルブ72および不活性ガス下バルブ73の開閉動作を制御する。
The infrared lamp 97 is not limited to a configuration having a circular irradiation surface, and may have a configuration having an annular irradiation surface. In this case, it is necessary to arrange the infrared lamp so that the center of the irradiation surface is disposed on the rotation axis C while the annular irradiation surface is directed downward.
FIG. 15 is a block diagram for explaining the electrical configuration of the substrate processing apparatus 1.
The substrate processing apparatus 1 includes a control device 95 configured to include a microcomputer. The control device 95 controls the operation of the motor 14, arm moving mechanisms 23, 26, 31, the engagement unit lifting mechanism 53, the engagement claw rotating mechanism 54, the nozzle lifting mechanism 38, and the like. Further, the control device 95 includes a chemical liquid upper valve 18, a rinse liquid upper valve 22, an organic solvent upper valve 28, a nitrogen gas upper valve 33, a chemical liquid lower valve 70, a rinse liquid lower valve 71, an organic solvent lower valve 72, and an inert gas. The opening / closing operation of the lower valve 73 is controlled.

図16は、基板処理装置1で行われる処理例を説明するためのフローチャートである。図17〜図19は、基板処理装置1で行われる処理例を説明するための模式的な図である。この処理例について、図1、図2、図5、図6、図8、図9および図15〜図19等を参照しつつ説明する。
処理対象のウエハWは、搬送ロボット(図示しない)によって基板処理装置1内に搬入されて、その表面を上方に向けた状態で、スピンチャック4上に載置される(図16に示すステップS1)。具体的には、複数の挟持部57(図5および図6参照)が退避位置(図5参照)に位置する状態で、各挟持部材13のウエハ支持部56(図5および図6参照)に載置される。これにより、ウエハWが第1支持位置(図5参照)で水平に保持される。なお、ウエハWの搬入時においては、係合ユニット50は上対向板9を保持した状態で(係合爪52が係合姿勢にある)、離反位置に配置されている(図17(a)参照)。また、各挟持部材13の挟持部57は退避位置にある。
FIG. 16 is a flowchart for explaining a processing example performed in the substrate processing apparatus 1. 17 to 19 are schematic diagrams for explaining a processing example performed in the substrate processing apparatus 1. This processing example will be described with reference to FIGS. 1, 2, 5, 6, 8, 9, 15 to 19, and the like.
The wafer W to be processed is loaded into the substrate processing apparatus 1 by a transfer robot (not shown) and placed on the spin chuck 4 with its surface facing upward (step S1 shown in FIG. 16). ). Specifically, the wafer support portions 56 (see FIGS. 5 and 6) of each clamping member 13 in a state where the plurality of sandwiching portions 57 (see FIGS. 5 and 6) are located at the retracted position (see FIG. 5). Placed. As a result, the wafer W is held horizontally at the first support position (see FIG. 5). When the wafer W is loaded, the engagement unit 50 is disposed at the separation position while holding the upper counter plate 9 (the engagement claw 52 is in the engagement posture) (FIG. 17A). reference). Moreover, the clamping part 57 of each clamping member 13 exists in a retracted position.

スピンチャック4にウエハWが保持されると、次いで、制御装置95は係合ユニット昇降機構53を制御して各係合ユニット50を下降させる。各係合ユニット50の下降に同伴して、係合ユニット50に支持されている上対向板9も下降させられる(図16に示すステップS2。図17(b)参照)。上対向板9の下降は、各係合ユニット50が受渡位置まで下げられた後に停止され、上対向板9は第3支持位置(図5参照)に水平姿勢のまま配置される。   When the wafer W is held on the spin chuck 4, the control device 95 then controls the engagement unit elevating mechanism 53 to lower each engagement unit 50. Accompanying the lowering of each engagement unit 50, the upper opposing plate 9 supported by the engagement unit 50 is also lowered (step S2 shown in FIG. 16; see FIG. 17B). The lowering of the upper opposing plate 9 is stopped after each engaging unit 50 is lowered to the delivery position, and the upper opposing plate 9 is arranged in a horizontal posture at the third support position (see FIG. 5).

この状態で、制御装置95は挟持部回動機構62を制御して、各挟持部材13の挟持部57を退避位置から接触位置(図6参照)に回動させる。これにより、ウエハWおよび上対向板9が、スピンチャック4の複数個の挟持部材13によって一括して挟持される(図16に示すステップS3)。
その後、制御装置95は、各係合爪回動機構54を制御して、各係合ユニット50の係合爪52を係合姿勢から退避姿勢に姿勢変更させる(図17(c)参照)。これにより、各係合爪52と上対向板9の周縁部との係合が解除され、上対向板9が2つの係合ユニット50から離脱させられ、係合ユニット50からスピンチャック4への上対向板9の受渡しが完了する。その後、制御装置95は、各係合ユニット昇降機構53を制御して、各係合ユニット50を離反位置まで上昇させる。
In this state, the control device 95 controls the clamping unit rotating mechanism 62 to rotate the clamping unit 57 of each clamping member 13 from the retracted position to the contact position (see FIG. 6). As a result, the wafer W and the upper counter plate 9 are collectively held by the plurality of holding members 13 of the spin chuck 4 (step S3 shown in FIG. 16).
Thereafter, the control device 95 controls each engagement claw rotation mechanism 54 to change the position of the engagement claw 52 of each engagement unit 50 from the engagement posture to the retracted posture (see FIG. 17C). As a result, the engagement between each engaging claw 52 and the peripheral edge of the upper opposing plate 9 is released, the upper opposing plate 9 is released from the two engaging units 50, and the engagement unit 50 is connected to the spin chuck 4. The delivery of the upper facing plate 9 is completed. Thereafter, the control device 95 controls each engagement unit elevating mechanism 53 to raise each engagement unit 50 to the separation position.

次いで、薬液処理が実施される。
制御装置95は、第1アーム移動機構23を制御して、薬液ノズル5をスピンチャック4の上方に引き出して回転軸線C上に配置するとともに、その後、ノズル昇降機構38を制御して、薬液ノズル5を処理位置まで下降させる。これより、薬液ノズル5が上対向板9のノズル挿入孔36に挿入されて処理位置に配置されて、薬液ノズル5の上吐出口15が上対向板9の下面35の下方領域に臨む。
Next, chemical treatment is performed.
The control device 95 controls the first arm moving mechanism 23 to draw the chemical solution nozzle 5 above the spin chuck 4 and arrange it on the rotation axis C, and then controls the nozzle lifting mechanism 38 to control the chemical solution nozzle. 5 is lowered to the processing position. Accordingly, the chemical liquid nozzle 5 is inserted into the nozzle insertion hole 36 of the upper facing plate 9 and disposed at the processing position, and the upper discharge port 15 of the chemical liquid nozzle 5 faces the lower region of the lower surface 35 of the upper opposing plate 9.

また、ガード昇降機構85が制御されて、第1ガード83が下位置に配置されかつ第2ガード84が上位置に配置されることにより、第2ガード84がウエハWの周端面に対向される。
薬液ノズル5が処理位置に配置された後、制御装置95は、モータ14の制御を開始して、ウエハWおよび上対向板9の一体回転を開始させる(図16に示すステップS4)。このときのウエハWおよび上対向板9の回転速度は、予め定められる液処理速度(たとえば、30〜100rpm程度である。
Further, the guard lifting mechanism 85 is controlled so that the first guard 83 is disposed at the lower position and the second guard 84 is disposed at the upper position, so that the second guard 84 is opposed to the peripheral end surface of the wafer W. .
After the chemical solution nozzle 5 is disposed at the processing position, the control device 95 starts control of the motor 14 to start integral rotation of the wafer W and the upper counter plate 9 (step S4 shown in FIG. 16). At this time, the rotation speed of the wafer W and the upper opposing plate 9 is a predetermined liquid processing speed (for example, about 30 to 100 rpm).

また、制御装置95は、薬液上バルブ18および薬液下バルブ70を開いて、薬液ノズル5の上吐出口15および下面吐出口74から薬液を吐出する(図16に示すステップS5。図18(a)参照)。
薬液ノズル5の上吐出口15から吐出された薬液は、ウエハWの上面と上対向板9の下面35との間の第1空間47に供給されて、薬液によって第1空間47が液密状態にされる。上対向板9がウエハWよりも大径であるので、第1空間47が薬液の液密状態にあるとき、ウエハWの上面の全域に薬液が接液する。ウエハWの上面と上対向板9の下面35との間隔が微小間隔に設定されているので、少流量の薬液で第1空間47を液密状態にすることができる。これにより、小流量で薬液を供給しつつ、ウエハWの上面の広範囲に薬液を行き渡らせることができる。
Further, the control device 95 opens the chemical solution upper valve 18 and the chemical solution lower valve 70 and discharges the chemical solution from the upper discharge port 15 and the lower surface discharge port 74 of the chemical solution nozzle 5 (step S5 shown in FIG. 16; FIG. 18A). )reference).
The chemical liquid discharged from the upper discharge port 15 of the chemical liquid nozzle 5 is supplied to the first space 47 between the upper surface of the wafer W and the lower surface 35 of the upper facing plate 9, and the first space 47 is liquid-tight by the chemical liquid. To be. Since the upper counter plate 9 has a larger diameter than the wafer W, the chemical liquid contacts the entire upper surface of the wafer W when the first space 47 is in a liquid-tight state of the chemical liquid. Since the distance between the upper surface of the wafer W and the lower surface 35 of the upper opposing plate 9 is set to a very small distance, the first space 47 can be made liquid-tight with a small amount of chemical solution. Thereby, the chemical solution can be spread over a wide area on the upper surface of the wafer W while supplying the chemical solution with a small flow rate.

また、下面吐出口74から吐出された薬液は、ウエハWの下面と下対向板10の上面76との間の第2空間77に供給されて、薬液によって第2空間77が液密状態にされる。ウエハWの下面と下対向板10の上面76との間隔が微小間隔に設定されているので、少流量の薬液で第2空間77を液密状態にすることができ、これによりウエハWの下面を薬液に接液させることができる。これにより、小流量で薬液を供給しつつ、ウエハWの下面の広範囲に薬液を行き渡らせることができる。   Further, the chemical liquid discharged from the lower surface discharge port 74 is supplied to the second space 77 between the lower surface of the wafer W and the upper surface 76 of the lower facing plate 10, and the second space 77 is made liquid-tight by the chemical liquid. The Since the distance between the lower surface of the wafer W and the upper surface 76 of the lower opposing plate 10 is set to a very small distance, the second space 77 can be made liquid-tight with a small amount of chemical solution. Can be in contact with the chemical. Thereby, the chemical solution can be spread over a wide area on the lower surface of the wafer W while supplying the chemical solution with a small flow rate.

第1空間47および第2空間77から溢れた薬液は、ウエハWおよび上対向板9の回転により振り切られて、ウエハWおよび上対向板9の側方に向けて飛散する。ウエハWおよび上対向板9から飛散した薬液は、ウエハWの周端面に対向している第2ガード84に受け止められる。この処理では、ウエハWを比較的低速で回転させるので、ウエハWから飛散する薬液は、その勢いが弱く、第2ガード84に確実に受け止められる。すなわち、第2ガード84からウエハWへの薬液の跳ね返りはない。飛散した薬液は、第2ガード84の内面を伝って流下し、回収溝87に集められ、回収溝87から回収配管(図示しない)を通して回収される。   The chemical liquid overflowing from the first space 47 and the second space 77 is shaken off by the rotation of the wafer W and the upper opposing plate 9 and scattered toward the sides of the wafer W and the upper opposing plate 9. The chemical solution scattered from the wafer W and the upper counter plate 9 is received by the second guard 84 facing the peripheral end surface of the wafer W. In this process, since the wafer W is rotated at a relatively low speed, the chemical liquid scattered from the wafer W has a weak momentum and is reliably received by the second guard 84. That is, the chemical solution does not rebound from the second guard 84 to the wafer W. The scattered chemical liquid flows down along the inner surface of the second guard 84, is collected in the collection groove 87, and is collected from the collection groove 87 through a collection pipe (not shown).

この薬液処理では、薬液の消費量を低減しつつ、ウエハWの上面および下面を処理できる。また、ウエハWの上面および下面に対して同時に薬液処理を施すことができるので、処理時間を短縮できる。
薬液の吐出開始から所定の薬液処理時間(たとえば30秒間)が経過すると、制御装置95は、薬液上バルブ18および薬液下バルブ70を閉じるとともに、モータ14を制御してスピンチャック4を回転停止させる。これにより、ウエハWおよび上対向板9の回転が停止される。また、制御装置95は、ノズル昇降機構38を制御して、薬液ノズル5を上昇させてノズル挿入孔36から抜く。その後、制御装置95は第1アーム移動機構23を制御して、第1アーム16を揺動させて、リンス液ノズル6をスピンチャック4の回転軸線C上に配置するとともに、その後、ノズル昇降機構38を制御して、リンス液ノズル6を処理位置まで下降させる。これより、リンス液ノズル6が上対向板9のノズル挿入孔36に挿入されて処理位置に配置されて、リンス液ノズル6の上吐出口15が上対向板9の下面35の下方領域に臨む。
In this chemical processing, the upper and lower surfaces of the wafer W can be processed while reducing the consumption of the chemical. Further, since the chemical treatment can be simultaneously performed on the upper surface and the lower surface of the wafer W, the processing time can be shortened.
When a predetermined chemical solution processing time (for example, 30 seconds) elapses from the start of the discharge of the chemical solution, the control device 95 closes the chemical solution upper valve 18 and the chemical solution lower valve 70 and controls the motor 14 to stop the spin chuck 4 from rotating. . Thereby, the rotation of the wafer W and the upper counter plate 9 is stopped. Further, the control device 95 controls the nozzle lifting mechanism 38 to raise the chemical solution nozzle 5 and remove it from the nozzle insertion hole 36. Thereafter, the control device 95 controls the first arm moving mechanism 23 to swing the first arm 16 to place the rinse liquid nozzle 6 on the rotation axis C of the spin chuck 4, and thereafter, the nozzle lifting mechanism. 38 is controlled to lower the rinse liquid nozzle 6 to the processing position. Thus, the rinsing liquid nozzle 6 is inserted into the nozzle insertion hole 36 of the upper facing plate 9 and disposed at the processing position, and the upper discharge port 15 of the rinsing liquid nozzle 6 faces the lower region of the lower surface 35 of the upper facing plate 9. .

また、ガード昇降機構85が制御されて、第1ガード83および第2ガード84がそれぞれ上位置に配置されることにより、第1ガード83がウエハWの周端面に対向させられる。
リンス液ノズル6が処理位置に配置された後、制御装置95は、モータ14の制御を開始して、ウエハWおよび上対向板9の一体回転を開始させる。このときのウエハWおよび上対向板9の回転速度は、予め定められる液処理速度(たとえば、30〜100rpm程度)である。
In addition, the guard elevating mechanism 85 is controlled so that the first guard 83 and the second guard 84 are respectively disposed at the upper positions, so that the first guard 83 is opposed to the peripheral end surface of the wafer W.
After the rinse liquid nozzle 6 is disposed at the processing position, the control device 95 starts control of the motor 14 to start integral rotation of the wafer W and the upper counter plate 9. At this time, the rotation speed of the wafer W and the upper counter plate 9 is a predetermined liquid processing speed (for example, about 30 to 100 rpm).

また、制御装置95は、リンス液上バルブ22およびリンス液下バルブ71を開いて、リンス液ノズル6の上吐出口15および下面吐出口74からDIWを吐出する(図16に示すステップS6。図18(b)参照)。
リンス液ノズル6の上吐出口15から吐出されたDIWは、ウエハWの上面と上対向板9の下面35との間の第1空間47に供給されて、DIWによって第1空間47が液密状態にされる。上対向板9がウエハWよりも大径であるので、第1空間47がDIWの液密状態にあるとき、ウエハWの上面の全域にDIWが接液する。ウエハWの上面と上対向板9の下面35との間隔が微小間隔に設定されているので、少流量のDIWで第1空間47を液密状態にすることができる。これにより、小流量でDIWを供給しつつ、ウエハWの上面の広範囲にDIWを行き渡らせることができる。
Further, the control device 95 opens the rinse liquid upper valve 22 and the rinse liquid lower valve 71 and discharges DIW from the upper discharge port 15 and the lower discharge port 74 of the rinse liquid nozzle 6 (step S6 shown in FIG. 16). 18 (b)).
The DIW discharged from the upper discharge port 15 of the rinsing liquid nozzle 6 is supplied to the first space 47 between the upper surface of the wafer W and the lower surface 35 of the upper opposing plate 9, and the first space 47 is liquid-tight by DIW. Put into a state. Since the upper counter plate 9 has a larger diameter than the wafer W, the DIW comes into contact with the entire upper surface of the wafer W when the first space 47 is in a DIW liquid-tight state. Since the distance between the upper surface of the wafer W and the lower surface 35 of the upper counter plate 9 is set to a very small distance, the first space 47 can be made liquid-tight with a small flow of DIW. Thereby, DIW can be spread over a wide range on the upper surface of the wafer W while supplying DIW at a small flow rate.

また、下面吐出口74から吐出されたDIWは、ウエハWの下面と下対向板10の上面76との間の第2空間77に供給されて、DIWによって第2空間77が液密状態にされる。ウエハWの下面と下対向板10の上面76との間隔が微小間隔に設定されているので、少流量のDIWで第2空間77を液密状態にすることができ、これによりウエハWの下面をDIWに接液させることができる。これにより、小流量でDIWを供給しつつ、ウエハWの下面の広範囲にDIWを行き渡らせることができる。   The DIW discharged from the lower surface discharge port 74 is supplied to the second space 77 between the lower surface of the wafer W and the upper surface 76 of the lower facing plate 10, and the second space 77 is made liquid-tight by DIW. The Since the distance between the lower surface of the wafer W and the upper surface 76 of the lower facing plate 10 is set to a very small distance, the second space 77 can be made liquid-tight with a small flow rate of DIW. Can be in contact with DIW. Thereby, DIW can be spread over a wide area on the lower surface of the wafer W while supplying DIW at a small flow rate.

第1空間47および第2空間77から溢れたDIWは、ウエハWおよび上対向板9の回転により振り切られて、ウエハWおよび上対向板9の側方に向けて飛散する。ウエハWおよび上対向板9から飛散したDIWは、ウエハWの周端面に対向している第1ガード83に受け止められる。この処理では、ウエハWを比較的低速で回転させるので、ウエハWから飛散するDIWは、その勢いが弱く、第1ガード83に確実に受け止められる。すなわち、第1ガード83からウエハWへのDIWの跳ね返りはない。DIWは、第1ガード83の内面を伝って流下し、廃液溝86に集められ、廃液溝86から廃液配管(図示しない)を通して廃液される。   The DIW overflowing from the first space 47 and the second space 77 is shaken off by the rotation of the wafer W and the upper counter plate 9 and scattered toward the sides of the wafer W and the upper counter plate 9. The DIW scattered from the wafer W and the upper opposing plate 9 is received by the first guard 83 facing the peripheral end surface of the wafer W. In this processing, since the wafer W is rotated at a relatively low speed, the DIW scattered from the wafer W has a weak momentum and is reliably received by the first guard 83. That is, there is no DIW rebound from the first guard 83 to the wafer W. The DIW flows down along the inner surface of the first guard 83, is collected in the waste liquid groove 86, and is drained from the waste liquid groove 86 through a waste liquid pipe (not shown).

リンス処理では、DIWの消費量を低減しつつ、ウエハWの上面および下面を処理できる。また、ウエハWの上面および下面に対して同時にリンス処理を施すことができるので、処理時間を短縮できる。
DIWの吐出開始から所定のリンス処理時間(たとえば30秒間)が経過すると、制御装置95は、リンス液上バルブ22およびリンス液下バルブ71を閉じて上吐出口15および下面吐出口74からのDIWの吐出を停止する。また、制御装置95は、モータ14を制御してスピンチャック4を回転停止させる。これにより、ウエハWおよび上対向板9の回転が停止される。さらに、制御装置95は、ノズル昇降機構38を制御して、リンス液ノズル6を上昇させてノズル挿入孔36から抜く。その後、制御装置95は第1アーム移動機構23を制御して、薬液ノズル5およびリンス液ノズル6を第1ホームポジションに戻す。
In the rinsing process, the upper and lower surfaces of the wafer W can be processed while reducing the consumption of DIW. In addition, since the rinsing process can be simultaneously performed on the upper surface and the lower surface of the wafer W, the processing time can be shortened.
When a predetermined rinsing process time (for example, 30 seconds) elapses from the start of DIW discharge, the control device 95 closes the rinse liquid upper valve 22 and the rinse liquid lower valve 71, and DIW from the upper discharge port 15 and the lower discharge port 74. Stop discharging. Further, the control device 95 controls the motor 14 to stop the spin chuck 4 from rotating. Thereby, the rotation of the wafer W and the upper counter plate 9 is stopped. Further, the control device 95 controls the nozzle lifting mechanism 38 to raise the rinse liquid nozzle 6 and remove it from the nozzle insertion hole 36. Thereafter, the control device 95 controls the first arm moving mechanism 23 to return the chemical liquid nozzle 5 and the rinse liquid nozzle 6 to the first home position.

次いで、制御装置95は、第2アーム移動機構26を制御して、有機溶剤ノズル7をスピンチャック4の上方に引き出して回転軸線C上に配置するとともに、その後、第2アーム移動機構26を制御して、有機溶剤ノズル7を処理位置まで下降させる。これより、有機溶剤ノズル7が上対向板9のノズル挿入孔36に挿入されて処理位置に配置されて、有機溶剤ノズル7の上吐出口15が上対向板9の下面35の下方領域に臨む。   Next, the control device 95 controls the second arm moving mechanism 26 so that the organic solvent nozzle 7 is pulled out above the spin chuck 4 and disposed on the rotation axis C, and thereafter the second arm moving mechanism 26 is controlled. Then, the organic solvent nozzle 7 is lowered to the processing position. Accordingly, the organic solvent nozzle 7 is inserted into the nozzle insertion hole 36 of the upper facing plate 9 and disposed at the processing position, and the upper discharge port 15 of the organic solvent nozzle 7 faces the lower region of the lower surface 35 of the upper facing plate 9. .

有機溶剤ノズル7が処理位置に配置された後、制御装置95は、有機溶剤上バルブ28および有機溶剤下バルブ72を開いて、上吐出口15および下面吐出口74から有機溶剤を吐出する(図16に示すステップS7)。これにより、第1空間47および第2空間77に有機溶剤が供給されることにより、ウエハWの上面および下面に付着しているDIWが有機溶剤に置換され、有機溶剤の揮発性によってウエハWの上面および下面が乾燥されていく。このため、乾燥の過程でウエハWの下面にDIWの跡などを残すことを防止することができる。   After the organic solvent nozzle 7 is disposed at the processing position, the control device 95 opens the organic solvent upper valve 28 and the organic solvent lower valve 72 and discharges the organic solvent from the upper discharge port 15 and the lower surface discharge port 74 (FIG. Step S7 shown in FIG. As a result, the organic solvent is supplied to the first space 47 and the second space 77, whereby DIW adhering to the upper and lower surfaces of the wafer W is replaced with the organic solvent, and the volatility of the organic solvent causes the The upper and lower surfaces are dried. For this reason, it is possible to prevent DIW marks and the like from being left on the lower surface of the wafer W during the drying process.

有機溶剤の吐出開始から所定の有機溶剤置換処理時間(たとえば30秒間)が経過すると、制御装置95は、有機溶剤上バルブ28および有機溶剤下バルブ72を閉じて上吐出口15および下面吐出口74からの有機溶剤の吐出を停止する。さらに、制御装置95は、第2アーム移動機構26を制御して、有機溶剤ノズル7を上昇させてノズル挿入孔36から抜く。その後、制御装置95は第2アーム移動機構26を制御して、有機溶剤ノズル7を第2ホームポジション(図2に示す位置)に戻す。   When a predetermined organic solvent replacement processing time (for example, 30 seconds) elapses from the start of the discharge of the organic solvent, the control device 95 closes the organic solvent upper valve 28 and the organic solvent lower valve 72 to close the upper discharge port 15 and the lower discharge port 74. Discharge of organic solvent from. Further, the control device 95 controls the second arm moving mechanism 26 to raise the organic solvent nozzle 7 and remove it from the nozzle insertion hole 36. Thereafter, the control device 95 controls the second arm moving mechanism 26 to return the organic solvent nozzle 7 to the second home position (position shown in FIG. 2).

次いで、制御装置95は、第3アーム移動機構31を制御して、不活性ガスノズル8をスピンチャック4の上方に引き出して回転軸線C上に配置するとともに、その後、第3アーム移動機構31を制御して、不活性ガスノズル8を処理位置まで下降させる。これより、不活性ガスノズル8が上対向板9のノズル挿入孔36に挿入されて処理位置に配置されて、不活性ガスノズル8の上吐出口15が上対向板9の下面35の下方領域に臨む。   Next, the control device 95 controls the third arm moving mechanism 31 to pull out the inert gas nozzle 8 above the spin chuck 4 and arrange it on the rotation axis C, and then controls the third arm moving mechanism 31. Then, the inert gas nozzle 8 is lowered to the processing position. Thus, the inert gas nozzle 8 is inserted into the nozzle insertion hole 36 of the upper opposing plate 9 and disposed at the processing position, and the upper discharge port 15 of the inert gas nozzle 8 faces the lower region of the lower surface 35 of the upper opposing plate 9. .

この状態では、第1ガード83および第2ガード84はそれぞれ上位置に配置されており、第1ガード83は引き続きウエハWの周端面に対向している。
不活性ガスノズル8が処理位置に配置された後、制御装置95は、モータ15を制御して、スピンベース12を予め定める乾燥速度(たとえば2500rpm程度)で高速回転させる(S8:スピンドライ)とともに、不活性ガス上バルブ33および不活性ガス下バルブ73を開いて、上吐出口15および下面吐出口74から窒素ガスを吐出する(図18(c)参照)。これにより、ウエハWおよび上対向板9が高速回転させられて、リンス処理後のウエハWの上面および下面に付着しているDIWが遠心力によって振り切られてウエハWが乾燥される。
In this state, the first guard 83 and the second guard 84 are respectively disposed at the upper positions, and the first guard 83 continues to face the peripheral end surface of the wafer W.
After the inert gas nozzle 8 is disposed at the processing position, the controller 95 controls the motor 15 to rotate the spin base 12 at a predetermined drying speed (for example, about 2500 rpm) (S8: spin drying) The inert gas upper valve 33 and the inert gas lower valve 73 are opened, and nitrogen gas is discharged from the upper discharge port 15 and the lower discharge port 74 (see FIG. 18C). As a result, the wafer W and the upper counter plate 9 are rotated at high speed, and DIW adhering to the upper and lower surfaces of the wafer W after the rinsing process is shaken off by centrifugal force, and the wafer W is dried.

スピンドライ処理では、上対向板9の下面35がウエハWの上面に微小間隔を隔てて対向しているために、ウエハWの上面が外部雰囲気から遮断されている。そして、ウエハWの上面と上対向板9との間の第1空間47に窒素ガスが供給されるとともに、ウエハWと上対向板9とが同方向に等速で回転することにより、その狭い第1空間47に内側から外側へと向かう窒素ガスの安定気流が形成される。また、スピンドライ処理では、下対向板10の上面76がウエハWの下面に微小間隔を隔てて対向しているために、ウエハWの上面が外部雰囲気から遮断されている。そして、ウエハWの下面と下対向板10との間の第2空間77に窒素ガスが供給されることにより、その狭い第2空間77に内側から外側へと向かう窒素ガスの気流が形成される。これにより、ウエハWの上面および下面が速やかに乾燥される。   In the spin dry process, since the lower surface 35 of the upper opposing plate 9 faces the upper surface of the wafer W with a minute gap, the upper surface of the wafer W is shielded from the external atmosphere. Nitrogen gas is supplied to the first space 47 between the upper surface of the wafer W and the upper counter plate 9, and the wafer W and the upper counter plate 9 rotate at the same speed in the same direction, so that the narrow space is reduced. A stable air flow of nitrogen gas is formed in the first space 47 from the inside to the outside. In the spin dry process, the upper surface 76 of the lower facing plate 10 is opposed to the lower surface of the wafer W with a minute gap, so that the upper surface of the wafer W is shielded from the external atmosphere. Nitrogen gas is supplied to the second space 77 between the lower surface of the wafer W and the lower facing plate 10, thereby forming an air flow of nitrogen gas from the inside toward the outside in the narrow second space 77. . Thereby, the upper surface and the lower surface of the wafer W are quickly dried.

ウエハWの高速回転開始から所定の乾燥時間(たとえば30秒間)が経過すると、制御装置95は、モータ14を制御してスピンチャック4を回転停止させる。これにより、ウエハWおよび上対向板9の回転が停止される。また、制御装置95は、不活性ガス上バルブ33および不活性ガス下バルブ73を閉じて、上吐出口15および下面吐出口74からの窒素ガスの供給を停止する。さらに、制御装置95は、第3アーム移動機構31を制御して、不活性ガスノズル8を上昇させてノズル挿入孔36から抜く。その後、制御装置95は第3アーム移動機構31を制御して、不活性ガスノズル8を第3ホームポジション(図2に示す位置)に戻す。   When a predetermined drying time (for example, 30 seconds) elapses from the start of high-speed rotation of the wafer W, the control device 95 controls the motor 14 to stop the rotation of the spin chuck 4. Thereby, the rotation of the wafer W and the upper counter plate 9 is stopped. Further, the control device 95 closes the inert gas upper valve 33 and the inert gas lower valve 73 and stops the supply of nitrogen gas from the upper discharge port 15 and the lower discharge port 74. Further, the control device 95 controls the third arm moving mechanism 31 to raise the inert gas nozzle 8 and remove it from the nozzle insertion hole 36. Thereafter, the control device 95 controls the third arm moving mechanism 31 to return the inert gas nozzle 8 to the third home position (position shown in FIG. 2).

また、制御装置95は、各係合ユニット昇降機構53を制御して、離反位置(図1参照)にある各係合ユニット50を受渡位置まで下降させる。受渡位置では、各係合ユニット50が、スピンチャック4に保持されている上対向板9の周端面に対向する。各係合ユニット50が受渡位置に達すると、制御装置95は、各係合爪回動機構54を制御して、各係合ユニット50の係合爪52を退避姿勢から係合姿勢に姿勢変更させる。これにより、各係合ユニット50が上対向板9の周縁部に係合する。   Moreover, the control apparatus 95 controls each engagement unit raising / lowering mechanism 53, and lowers each engagement unit 50 in a separation position (refer FIG. 1) to a delivery position. In the delivery position, each engagement unit 50 faces the peripheral end surface of the upper opposing plate 9 held by the spin chuck 4. When each engagement unit 50 reaches the delivery position, the control device 95 controls each engagement claw rotation mechanism 54 to change the position of the engagement claw 52 of each engagement unit 50 from the retracted position to the engaged position. Let As a result, each engagement unit 50 engages with the peripheral edge of the upper opposing plate 9.

次いで、制御装置95は、挟持部回動機構62を制御して、各挟持部材13の挟持部57を接触位置(図6参照)から退避位置(図5参照)に回動させる。これにより、ウエハWおよび上対向板9の挟持状態が解除されるとともに、上対向板9が2つの係合ユニット50に受け渡される(図16に示すステップS9)。
次いで、制御装置95は、係合ユニット昇降機構53を制御して、係合ユニット50および上対向板9を離反位置まで一体的に上昇させる(図16に示すステップS10)。
Next, the control device 95 controls the clamping unit rotating mechanism 62 to rotate the clamping unit 57 of each clamping member 13 from the contact position (see FIG. 6) to the retracted position (see FIG. 5). Thereby, the holding state of the wafer W and the upper opposing plate 9 is released, and the upper opposing plate 9 is transferred to the two engaging units 50 (step S9 shown in FIG. 16).
Next, the control device 95 controls the engagement unit elevating mechanism 53 to integrally raise the engagement unit 50 and the upper opposing plate 9 to the separation position (step S10 shown in FIG. 16).

その後、搬送ロボットによって、ウエハWが処理室3から搬出される(図16に示すステップS11)。
ウエハWの搬出後、処理室3内を洗浄液(この実施形態ではDIW)で洗浄する洗浄処理(チャンバ洗浄処理)が実行される(図16に示すステップS12)。洗浄処理は、基板処理装置1によるウエハWに対する処理の終了後、次のウエハWに対する処理が開始されるまでの間に実施される。この実施形態では、ウエハW一枚の処理が終了する毎に洗浄処理が実行される。
Thereafter, the wafer W is unloaded from the processing chamber 3 by the transfer robot (step S11 shown in FIG. 16).
After unloading the wafer W, a cleaning process (chamber cleaning process) is performed to clean the inside of the processing chamber 3 with a cleaning liquid (DIW in this embodiment) (step S12 shown in FIG. 16). The cleaning process is performed after the process for the wafer W is completed by the substrate processing apparatus 1 and before the process for the next wafer W is started. In this embodiment, the cleaning process is executed every time the process for one wafer W is completed.

洗浄処理時にはスピンチャック4にウエハWは保持されていない。また、洗浄処理時には、上対向板9はスピンチャック4に保持されている。洗浄処理では、上対向板9および下対向板10が主として洗浄されるとともに、洗浄後の上対向板9および下対向板10が乾燥される。
洗浄処理に先立って、上対向板9がスピンチャック4に保持される。
During the cleaning process, the wafer W is not held on the spin chuck 4. Further, the upper counter plate 9 is held by the spin chuck 4 during the cleaning process. In the cleaning process, the upper counter plate 9 and the lower counter plate 10 are mainly cleaned, and the upper counter plate 9 and the lower counter plate 10 after the cleaning are dried.
Prior to the cleaning process, the upper opposing plate 9 is held by the spin chuck 4.

また、ガード昇降機構85が制御されて、第1ガード83および第2ガード84がそれぞれ上位置に配置されることにより、第1ガード83がウエハWの周端面に対向させられる。
洗浄処理では、制御装置95は、第1アーム移動機構23を制御して、リンス液ノズル6をスピンチャック4の上方に引き出す。リンス液ノズル6がスピンチャック4の上方(すなわち上対向板9の上方)に達すると、制御装置95はリンス液上バルブ22を開く。これにより、リンス液ノズル6の上吐出口15からDIWが吐出され、上対向板9の上面39にDIWが振りかけられる(図19(a)参照)。また、制御装置95は、モータ14を制御して、上対向板9を上洗浄処理速度(たとえば30〜100rpm程度)で回転させる。さらに、制御装置95は、第1アーム移動機構23を制御して、リンス液ノズル6を、回転軸線C上とスピンチャック4に保持されている上対向板9の周縁部の上方との間を往復移動させる。これにより、上対向板9の上面39の略全域に、リンス液ノズル6からのDIWをむらなく行き渡らせることができ、上対向板9の上面39に付着している薬液および薬液を含むDIWを、DIWで洗い流すことができる。
In addition, the guard elevating mechanism 85 is controlled so that the first guard 83 and the second guard 84 are respectively disposed at the upper positions, so that the first guard 83 is opposed to the peripheral end surface of the wafer W.
In the cleaning process, the control device 95 controls the first arm moving mechanism 23 to draw out the rinse liquid nozzle 6 above the spin chuck 4. When the rinse liquid nozzle 6 reaches above the spin chuck 4 (that is, above the upper counter plate 9), the control device 95 opens the rinse liquid upper valve 22. Thereby, DIW is discharged from the upper discharge port 15 of the rinsing liquid nozzle 6, and DIW is sprinkled on the upper surface 39 of the upper opposing plate 9 (see FIG. 19A). Further, the control device 95 controls the motor 14 to rotate the upper counter plate 9 at the upper cleaning processing speed (for example, about 30 to 100 rpm). Further, the control device 95 controls the first arm moving mechanism 23 so that the rinse liquid nozzle 6 is moved between the rotation axis C and the upper edge of the upper opposing plate 9 held by the spin chuck 4. Move back and forth. Thereby, DIW from the rinsing liquid nozzle 6 can be distributed evenly over substantially the entire upper surface 39 of the upper counter plate 9, and the DIW containing the chemical liquid and the chemical liquid adhering to the upper surface 39 of the upper counter plate 9 can be obtained. Can be washed away with DIW.

こうして処理液を洗い流したDIW(薬液を含むDIW)は、ウエハWおよび上対向板9の回転により振り切られて、ウエハWおよび上対向板9の側方に向けて飛散する。ウエハWおよび上対向板9から飛散したDIWは、ウエハWの周端面に対向している第1ガード83に受け止められる。DIWは、第1ガード83の内面を伝って流下し、廃液溝86に集められ、廃液溝86から廃液配管(図示しない)を通して廃液される。   The DIW from which the processing solution has been washed away (DIW containing the chemical solution) is shaken off by the rotation of the wafer W and the upper counter plate 9 and scattered toward the sides of the wafer W and the upper counter plate 9. The DIW scattered from the wafer W and the upper opposing plate 9 is received by the first guard 83 facing the peripheral end surface of the wafer W. The DIW flows down along the inner surface of the first guard 83, is collected in the waste liquid groove 86, and is drained from the waste liquid groove 86 through a waste liquid pipe (not shown).

DIWの吐出開始から所定の上洗浄時間(たとえば30秒間)が経過すると、制御装置95は、モータ14を制御して、スピンチャック4に保持されている上対向板9を回転停止させる。
また、リンス液ノズル6からのDIWの吐出を続行したまま、制御装置95は、第1アーム移動機構23を制御して、リンス液ノズル6を回転軸線C上に配置し、その後、ノズル昇降機構38を制御して、リンス液ノズル6を処理位置まで下降させる。これにより、リンス液ノズル6が上対向板9のノズル挿入孔36に挿入されて処理位置に配置されて、リンス液ノズル6の上吐出口15が上対向板9の下面35の下方領域に臨む。
When a predetermined upper cleaning time (for example, 30 seconds) elapses from the start of DIW discharge, the control device 95 controls the motor 14 to stop the rotation of the upper counter plate 9 held by the spin chuck 4.
The control device 95 controls the first arm moving mechanism 23 while the DIW discharge from the rinsing liquid nozzle 6 continues, and arranges the rinsing liquid nozzle 6 on the rotation axis C, and then the nozzle lifting mechanism. 38 is controlled to lower the rinse liquid nozzle 6 to the processing position. As a result, the rinsing liquid nozzle 6 is inserted into the nozzle insertion hole 36 of the upper facing plate 9 and disposed at the processing position, and the upper discharge port 15 of the rinsing liquid nozzle 6 faces the lower region of the lower surface 35 of the upper facing plate 9. .

また、制御装置95は、モータ14を制御して、上対向板9を内洗浄処理速度(たとえば30〜100rpm程度)で回転させるとともに、リンス液下バルブ71を開く。これにより、上吐出口15および下面吐出口74からDIWが吐出されて、上対向板9の下面35と下対向板10の上面76との間にDIWが供給される(図19(b)参照)。これにより、上対向板9の下面35および下対向板10の上面76に付着している処理液(薬液や薬液を含むDIW)を洗い流すことができる。   Further, the control device 95 controls the motor 14 to rotate the upper facing plate 9 at the inner cleaning processing speed (for example, about 30 to 100 rpm) and opens the rinse liquid lower valve 71. Accordingly, DIW is discharged from the upper discharge port 15 and the lower discharge port 74, and DIW is supplied between the lower surface 35 of the upper facing plate 9 and the upper surface 76 of the lower facing plate 10 (see FIG. 19B). ). As a result, the processing liquid (chemical solution or DIW containing the chemical solution) adhering to the lower surface 35 of the upper counter plate 9 and the upper surface 76 of the lower counter plate 10 can be washed away.

リンス液ノズル6の下降開始から所定の内洗浄時間(たとえば30秒間)が経過すると、制御装置95は、モータ14を制御して、スピンチャック4に保持されている上対向板9を回転停止させるとともに、リンス液上バルブ22およびリンス液下バルブ71を閉じる。また、制御装置95は、ノズル昇降機構38を制御して、リンス液ノズル6を上昇させてノズル挿入孔36から抜く。その後、制御装置95は第1アーム移動機構23を制御して薬液ノズル5およびリンス液ノズル6を第1ホームポジション(図2に示す位置)に戻す。   When a predetermined internal cleaning time (for example, 30 seconds) elapses from the start of lowering of the rinsing liquid nozzle 6, the control device 95 controls the motor 14 to stop the rotation of the upper counter plate 9 held by the spin chuck 4. At the same time, the rinse liquid upper valve 22 and the rinse liquid lower valve 71 are closed. Further, the control device 95 controls the nozzle lifting mechanism 38 to raise the rinse liquid nozzle 6 and remove it from the nozzle insertion hole 36. Thereafter, the control device 95 controls the first arm moving mechanism 23 to return the chemical liquid nozzle 5 and the rinsing liquid nozzle 6 to the first home position (position shown in FIG. 2).

以上により、上対向板9の上面39および下面35、ならびに下対向板10の上面76を良好に洗浄することができる。
次いで、洗浄液(DIW)による洗浄後の上対向板9および下対向板10が乾燥される。
制御装置95は、第3アーム移動機構31を制御して、不活性ガスノズル8を、回転軸線C上に配置させるとともに、その後処理位置まで下降させる。これにより、不活性ガスノズル8が上対向板9のノズル挿入孔36に挿入されて処理位置に配置されて、不活性ガスノズル8の上吐出口15が上対向板9の下面35の下方領域に臨む。
As described above, the upper surface 39 and the lower surface 35 of the upper counter plate 9 and the upper surface 76 of the lower counter plate 10 can be cleaned well.
Next, the upper facing plate 9 and the lower facing plate 10 after being cleaned with the cleaning liquid (DIW) are dried.
The control device 95 controls the third arm moving mechanism 31 to place the inert gas nozzle 8 on the rotation axis C and then lowers it to the processing position. As a result, the inert gas nozzle 8 is inserted into the nozzle insertion hole 36 of the upper opposing plate 9 and disposed at the processing position, and the upper discharge port 15 of the inert gas nozzle 8 faces the lower region of the lower surface 35 of the upper opposing plate 9. .

また、制御装置95は、モータ14を制御して、上対向板9を内乾燥処理速度(たとえば2500rpm程度)で回転させるとともに、不活性ガス下バルブ73を開く。これにより、上吐出口15および下面吐出口74から窒素ガスが吐出されて、上対向板9の下面35と下対向板10の上面76とに窒素ガスが吹き付けられる。これにより、上対向板9の下面35および下対向板10の上面76に付着しているDIWの液滴が除去されて、上対向板9および下対向板10を乾燥することができる。   Further, the control device 95 controls the motor 14 to rotate the upper counter plate 9 at the inner drying processing speed (for example, about 2500 rpm) and opens the inert gas lower valve 73. As a result, nitrogen gas is discharged from the upper discharge port 15 and the lower discharge port 74, and the nitrogen gas is blown onto the lower surface 35 of the upper facing plate 9 and the upper surface 76 of the lower facing plate 10. Thus, the DIW droplets adhering to the lower surface 35 of the upper counter plate 9 and the upper surface 76 of the lower counter plate 10 are removed, and the upper counter plate 9 and the lower counter plate 10 can be dried.

不活性ガスノズル8の下降開始から所定の内乾燥時間(たとえば30秒間)が経過すると、制御装置95は、不活性ガスノズル8からの窒素ガスの吐出を続行したまま、第3アーム移動機構31を制御し、不活性ガスノズル8を上昇させてノズル挿入孔36から抜く。
また、ガード昇降機構85が制御されて、第1ガード83および第2ガード84がそれぞれ下位置に配置されることにより、第1ガード83および第2ガード84のいずれもウエハWの周端面に対向していない。
When a predetermined internal drying time (for example, 30 seconds) has elapsed since the descent start of the inert gas nozzle 8, the control device 95 controls the third arm moving mechanism 31 while continuing to discharge nitrogen gas from the inert gas nozzle 8. Then, the inert gas nozzle 8 is raised and removed from the nozzle insertion hole 36.
Further, the guard lifting mechanism 85 is controlled so that the first guard 83 and the second guard 84 are respectively disposed at the lower positions, so that both the first guard 83 and the second guard 84 face the peripheral end surface of the wafer W. Not done.

不活性ガスノズル8は、上対向板9の上方に配置される。これにより、不活性ガスノズル8からの窒素ガスが上対向板9の上面39に吹き付けられる。また、制御装置95は、モータ14を制御して、上対向板9を上乾燥処理速度(たとえば2500rpm程度)で回転させる。さらに、制御装置95は、第3アーム移動機構31を制御して、不活性ガスノズル8を、回転軸線C上とスピンチャック4に保持されている上対向板9の周縁部の上方との間を往復移動させる。これにより、上対向板9の上面39の略全域に不活性ガスノズル8からの窒素ガスをむらなく吹き付けることができ、上対向板9の上面39に付着しているDIWの液滴を吹き飛ばすことができる。   The inert gas nozzle 8 is disposed above the upper counter plate 9. As a result, nitrogen gas from the inert gas nozzle 8 is blown onto the upper surface 39 of the upper facing plate 9. Further, the control device 95 controls the motor 14 to rotate the upper counter plate 9 at the upper drying processing speed (for example, about 2500 rpm). Further, the control device 95 controls the third arm moving mechanism 31 to move the inert gas nozzle 8 between the rotation axis C and the upper edge of the upper opposing plate 9 held by the spin chuck 4. Move back and forth. As a result, nitrogen gas from the inert gas nozzle 8 can be uniformly sprayed over substantially the entire upper surface 39 of the upper opposing plate 9, and DIW droplets adhering to the upper surface 39 of the upper opposing plate 9 can be blown off. it can.

窒素ガスの吐出開始から所定の上乾燥時間(たとえば30秒間)が経過すると、制御装置95は、モータ14を制御して、スピンチャック4に保持されている上対向板9を回転停止させる。その後、制御装置95は第3アーム移動機構31を制御して不活性ガスノズル8を第3ホームポジション(図2に示す位置)に戻す。
以上により、上対向板9の上面39および下面35、ならびに下対向板10の上面76を良好に乾燥することができる。
When a predetermined upper drying time (for example, 30 seconds) elapses from the start of the discharge of nitrogen gas, the control device 95 controls the motor 14 to stop the rotation of the upper counter plate 9 held by the spin chuck 4. Thereafter, the control device 95 controls the third arm moving mechanism 31 to return the inert gas nozzle 8 to the third home position (position shown in FIG. 2).
As described above, the upper surface 39 and the lower surface 35 of the upper counter plate 9 and the upper surface 76 of the lower counter plate 10 can be satisfactorily dried.

なお、この実施形態では、ウエハWを搬出した後に洗浄処理が実行されるものとして説明したが、洗浄処理を、ウエハWの搬出前に実行することもできる。この場合、スピンチャック4に上対向板9およびウエハWの双方を保持した状態で、洗浄処理が実行される。
なお、上対向板9に対する洗浄液(DIW)の供給時におけるリンス液ノズル6の移動範囲に、第1ガード83および第2ガード84の上方位置を含めることにより、カップ80の外壁(第1ガード83および第2ガード84)を洗浄することもできる。また、上対向板9に対する窒素ガスの供給時における不活性ガスノズル8の移動範囲に、第1ガード83および第2ガード84の上方位置を含めることにより、カップ80の外壁(第1ガード83および第2ガード84)を乾燥させることもできる。これらの場合、第1ガード83および第2ガード84をそれぞれ下位置に配置されている。
In this embodiment, the cleaning process is described as being performed after the wafer W is unloaded. However, the cleaning process may be performed before the wafer W is unloaded. In this case, the cleaning process is performed in a state where both the upper opposing plate 9 and the wafer W are held on the spin chuck 4.
It should be noted that the upper position of the first guard 83 and the second guard 84 is included in the movement range of the rinse liquid nozzle 6 when the cleaning liquid (DIW) is supplied to the upper facing plate 9, so that the outer wall (first guard 83) of the cup 80 is included. The second guard 84) can also be cleaned. Further, by including the upper positions of the first guard 83 and the second guard 84 in the moving range of the inert gas nozzle 8 when supplying the nitrogen gas to the upper facing plate 9, the outer wall of the cup 80 (the first guard 83 and the first guard 83). The two guards 84) can also be dried. In these cases, the first guard 83 and the second guard 84 are respectively disposed at the lower positions.

なお、ウエハWに対して行う一連の処理毎に洗浄処理(チャンバ洗浄)を行うものとして説明したが、数枚のウエハWの処理の実行に対して1回行われていてもよい。
洗浄処理に用いる洗浄液としてDIWを用いる場合を例に挙げて説明した。しかしながら、洗浄液は、DIWに限らず、希フッ酸水溶液、炭酸水、電解イオン水、オゾン水などを洗浄液として採用することもできる。さらに洗浄液として、希フッ酸水溶液等の薬液を用いる場合には、洗浄液を洗い流すためのリンス処理が施されてもよい。
Note that although the cleaning process (chamber cleaning) is performed for each series of processes performed on the wafer W, the process may be performed once for the execution of several wafers W.
The case where DIW is used as the cleaning liquid used in the cleaning process has been described as an example. However, the cleaning liquid is not limited to DIW, and a dilute hydrofluoric acid aqueous solution, carbonated water, electrolytic ion water, ozone water, or the like may be employed as the cleaning liquid. Further, when a chemical solution such as a dilute hydrofluoric acid aqueous solution is used as the cleaning solution, a rinsing process for washing away the cleaning solution may be performed.

また、洗浄液ノズルを、リンス液ノズル6と別に設けることもできる。
また、薬液処理(図16で示すS5:薬液供給)において赤外線ランプ97から赤外線を照射(放射)させてもよい。赤外線ランプ97からの赤外線の照射により、ウエハWの全域において、ウエハWと薬液との境界部分を温めることができる。これにより、薬液の処理効率を高めることができる。また、赤外線ランプ97の下面98は円板状をなし、下面98の外径はウエハWの径と同等であるので、ウエハWの全域が均一に加熱されるので、処理液の温度均一性を高めることができ、これにより、処理の面内均一性を保つことができる。
Also, the cleaning liquid nozzle can be provided separately from the rinsing liquid nozzle 6.
In addition, infrared rays may be irradiated (radiated) from the infrared lamp 97 in the chemical treatment (S5 shown in FIG. 16: chemical supply). By irradiation with infrared rays from the infrared lamp 97, the boundary portion between the wafer W and the chemical solution can be heated in the entire area of the wafer W. Thereby, the process efficiency of a chemical | medical solution can be improved. Further, the lower surface 98 of the infrared lamp 97 has a disk shape, and the outer diameter of the lower surface 98 is equal to the diameter of the wafer W, so that the entire area of the wafer W is heated uniformly, so that the temperature uniformity of the processing liquid is improved. In this way, in-plane uniformity of processing can be maintained.

以上により、第1実施形態によれば、各ノズル5,6,7がノズル挿入孔36に選択的に挿入され(処理位置に配置され)、ノズル挿入孔36に挿入されたノズル5,6,7から処理液(薬液、DIWおよび有機溶剤)が吐出されることにより、第1空間47にノズル5,6,7から処理液が供給される。吐出する処理液の種類ごとにノズル5,6,7を個別に設けているので、処理液の混触は生じない。これにより、互いに種類の異なる処理液の混触を防止しつつ、複数種の処理液に関し、ウエハWの上面の全域に処理液を行き渡らせることができる。   As described above, according to the first embodiment, each of the nozzles 5, 6, 7 is selectively inserted into the nozzle insertion hole 36 (arranged at the processing position), and the nozzles 5, 6, inserted into the nozzle insertion hole 36. When the processing liquid (chemical liquid, DIW and organic solvent) is discharged from 7, the processing liquid is supplied to the first space 47 from the nozzles 5, 6, and 7. Since the nozzles 5, 6, and 7 are individually provided for each type of the processing liquid to be discharged, the processing liquid is not mixed. As a result, the processing liquid can be spread over the entire upper surface of the wafer W with respect to a plurality of types of processing liquids while preventing the different types of processing liquids from being mixed.

また、この実施形態では、比較的簡易な小型の係合ユニットを係合ユニット50として採用している。そのため、処理室3の内部空間の容積をより一層効果的に減少させることができる。
この場合、処理室3の内部空間の容積を効果的に減少させることができるから、雰囲気制御を行うためのFFU(ファンフィルタユニット)や排気機構(チャンバ内排気)を設けなくても、雰囲気を制御することができる。
In this embodiment, a relatively simple small engagement unit is employed as the engagement unit 50. Therefore, the volume of the internal space of the processing chamber 3 can be reduced more effectively.
In this case, since the volume of the internal space of the processing chamber 3 can be effectively reduced, the atmosphere can be reduced without providing an FFU (fan filter unit) or an exhaust mechanism (chamber exhaust) for controlling the atmosphere. Can be controlled.

図20は、本発明の第2実施形態に係る基板処理装置101の構成を模式的に示す断面図である。この第2実施形態の基板処理装置101のうち、前述の第1実施形態(図1〜図19の実施形態)の基板処理装置1の各部に対応する部分には、図1等と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。基板処理装置101が第1実施形態の基板処理装置1と相違する点は、スピンチャック(把持回転手段)102がウエハWのみを保持し上対向板9を保持しない点、および上対向板9を常時保持しておくための2つの係合ユニット(支持部材)150を、係合ユニット50に代えて設けた点である。   FIG. 20 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the substrate processing apparatus 101 according to the second embodiment of the present invention. Of the substrate processing apparatus 101 according to the second embodiment, the same reference numerals as those in FIG. 1 are used for the portions corresponding to the respective parts of the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment (the embodiment shown in FIGS. 1 to 19). Reference numerals are given and description is omitted. The substrate processing apparatus 101 is different from the substrate processing apparatus 1 of the first embodiment in that the spin chuck (gripping and rotating means) 102 holds only the wafer W and does not hold the upper counter plate 9, and the upper counter plate 9 The point is that two engagement units (support members) 150 to be held at all times are provided in place of the engagement unit 50.

スピンチャック102は、回転軸11、スピンベース12およびモータ14を備える点で、スピンチャック4と共通しているが、スピンベース12には複数個(3個以上。たとえば6個)の挟持部材103が配置されている点で、スピンチャック4と相違している。スピンチャック102は、各挟持部材103をウエハWの周端面に一括して当接させることにより、ウエハWをそれぞれ水平方向に挟むことができる。ウエハWが複数個の挟持部材103に保持された状態で、モータ14の回転駆動力が回転軸11に入力されることにより、回転軸線CまわりにウエハWが回転する。   The spin chuck 102 is common to the spin chuck 4 in that it includes a rotating shaft 11, a spin base 12, and a motor 14, but the spin base 12 has a plurality (three or more, for example, six) clamping members 103. Is different from the spin chuck 4 in that it is arranged. The spin chuck 102 can hold the wafer W in the horizontal direction by bringing the holding members 103 into contact with the peripheral end surface of the wafer W at once. In a state where the wafer W is held by the plurality of clamping members 103, the rotational driving force of the motor 14 is input to the rotation shaft 11, whereby the wafer W rotates about the rotation axis C.

各係合ユニット150は、第1実施形態の係合ユニット50と同様、処理室3の天井壁(下面)に支持されて、上下動可能に移動可能なユニット本体51と、ユニット本体51に、姿勢変更可能に支持された係合爪52とを備えている。
2つの係合ユニット150は、赤外線ランプ97およびランプ支持ユニット99の外側を取り囲む位置に配置されている。一方の係合ユニット150は、一方の引掛け孔対40が形成される上対向板9の周端面の上方位置に配設されている。他方の係合ユニット150は、一方の係合ユニット150と回転軸線Cを中心として反対側の対称位置に配置されている。
Each engagement unit 150 is supported by the ceiling wall (lower surface) of the processing chamber 3 and is movable in a vertically movable manner, like the engagement unit 50 of the first embodiment. And an engaging claw 52 that is supported so that the posture can be changed.
The two engagement units 150 are arranged at positions that surround the outside of the infrared lamp 97 and the lamp support unit 99. One engagement unit 150 is disposed at a position above the peripheral end surface of the upper opposing plate 9 in which one hook hole pair 40 is formed. The other engagement unit 150 is arranged at a symmetrical position on the opposite side with respect to the rotation axis C with respect to the one engagement unit 150.

係合爪52は、第1実施形態の係合爪52と同等の構成であり、そのため、同一の符号を付している。
各ユニット本体51には、係合ユニット150を、スピンチャック102に保持されているウエハWに上対向板9を近接配置させる近接位置(図20参照)と、スピンチャック102から上方に大きく離反する離反位置との間で昇降させる係合ユニット昇降機構(係合部材移動手段)153が結合されている。離反位置は、処理室3の天井壁の近傍に設定されている。近接位置では、上対向板9の下面35が、ウエハWの上面と微小間隔(たとえば0.5〜3mm程度の間隔)を隔てて対向している。
The engaging claw 52 has the same configuration as that of the engaging claw 52 of the first embodiment, and therefore, the same reference numerals are given.
In each unit main body 51, the engagement unit 150 is largely separated from the spin chuck 102 upward from a proximity position (see FIG. 20) where the upper opposing plate 9 is disposed close to the wafer W held by the spin chuck 102. An engagement unit raising / lowering mechanism (engagement member moving means) 153 that moves up and down between the separated positions is coupled. The separation position is set in the vicinity of the ceiling wall of the processing chamber 3. In the proximity position, the lower surface 35 of the upper facing plate 9 faces the upper surface of the wafer W with a minute gap (for example, an interval of about 0.5 to 3 mm).

このように、2つの係合ユニット150で上対向板9を保持するので、上対向板9を安定して昇降させることができる。さらに、2つの係合ユニット150で上対向板9を保持するために各係合ユニット150に作用する荷重が分散して小さくなるので、係合ユニット150として比較的簡易な小型の係合ユニットを採用する。これにより、上対向板9の中央部を支持して上対向板9を昇降させる場合と比較して、係合ユニット150の小型化を図ることができる。
この第2実施形態でも、第1実施形態と同様の処理を実行することができるが、第1実施形態の場合と比較して、スピンチャック102の回転時にスピンチャック102が保持する必要のある重量を低減させることができる。 なお、基板処理装置101に、係合爪回動機構54(図1等参照)と同等の構成を設けてもよいが、係合爪52は、少なくとも処理中は、回動されることはない。
Thus, since the upper opposing board 9 is hold | maintained with the two engagement units 150, the upper opposing board 9 can be raised / lowered stably. Furthermore, since the load acting on each engagement unit 150 is dispersed and reduced in order to hold the upper opposing plate 9 by the two engagement units 150, a relatively simple small engagement unit can be used as the engagement unit 150. adopt. Thereby, compared with the case where the center part of the upper opposing board 9 is supported and the upper opposing board 9 is raised / lowered, size reduction of the engagement unit 150 can be achieved.
In the second embodiment, the same processing as that of the first embodiment can be performed, but the weight that the spin chuck 102 needs to hold when the spin chuck 102 rotates as compared with the case of the first embodiment. Can be reduced. The substrate processing apparatus 101 may be provided with a configuration equivalent to the engagement claw rotation mechanism 54 (see FIG. 1 and the like), but the engagement claw 52 is not rotated at least during processing. .

以上により、第2実施形態においても、第1実施形態と同等の作用効果を奏することができる。
また、この実施形態では、比較的簡易な小型の係合ユニットを係合ユニット150として採用している。そのため、処理室3の内部空間の容積をより一層効果的に減少させることができる。
As described above, also in the second embodiment, the same operational effects as those in the first embodiment can be obtained.
In this embodiment, a relatively simple small engagement unit is adopted as the engagement unit 150. Therefore, the volume of the internal space of the processing chamber 3 can be reduced more effectively.

図21は、本発明の第3実施形態に係る基板処理装置201の構成を模式的に示す断面図である。
第3実施形態の基板処理装置201のうち、前述の第1実施形態(図1〜図19の実施形態)の基板処理装置1の各部に対応する部分には、図1等と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。基板処理装置201が第1実施形態の基板処理装置1と相違する点は、上対向板9の下面35の周縁部に、ウエハWの上面の周縁部に対向する下面(周縁部対向面)203を有する円環状の環状部材202を配置した点である。環状部材202はたとえば断面矩形状をなしている。環状部材202の下面203は、疎液性面であってもよいし、親液性面であってもよい。この実施形態では、環状部材202は、上対向板9の下面35に固定されている。下面35と、ウエハWの上面の周縁部との間には微小の隙間が形成されている。
FIG. 21 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the substrate processing apparatus 201 according to the third embodiment of the present invention.
Of the substrate processing apparatus 201 according to the third embodiment, portions corresponding to the respective parts of the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment (the embodiment shown in FIGS. 1 to 19) described above are denoted by the same reference numerals as those in FIG. The description is omitted. The substrate processing apparatus 201 is different from the substrate processing apparatus 1 of the first embodiment in that a lower surface (peripheral portion facing surface) 203 facing the peripheral portion of the upper surface of the wafer W at the peripheral portion of the lower surface 35 of the upper facing plate 9. It is the point which has arrange | positioned the annular | circular shaped annular member 202 which has. The annular member 202 has a rectangular cross section, for example. The lower surface 203 of the annular member 202 may be a lyophobic surface or a lyophilic surface. In this embodiment, the annular member 202 is fixed to the lower surface 35 of the upper facing plate 9. A minute gap is formed between the lower surface 35 and the peripheral edge of the upper surface of the wafer W.

この実施形態では、ウエハWの上面の周縁部に対向して環状部材202が配置されているので、ウエハWの上面の周縁部と下面203との間の間隔が、第1空間47の他の部分の間隔よりも狭くされている。そのため、処理液(薬液およびDIW)が第1空間47から流出するのを環状部材202によって堰き止めることができる。これにより、第1空間47内における処理液の液密状態をより安定的に保つことができる。   In this embodiment, since the annular member 202 is disposed so as to oppose the peripheral edge of the upper surface of the wafer W, the distance between the peripheral edge of the upper surface of the wafer W and the lower surface 203 is different from that of the first space 47. It is narrower than the interval between the parts. Therefore, the annular member 202 can block the treatment liquid (chemical solution and DIW) from flowing out from the first space 47. Thereby, the liquid-tight state of the processing liquid in the first space 47 can be maintained more stably.

なお、環状部材202は、周方向に分割された複数の分割体により構成されていてもよい。また、環状部材201は上対向板9と一体に形成されていてもよい。
以上、この発明の3つの実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。
たとえば、各実施形態では下対向板10を設けることとしたが、下対向板10を設けない構成とすることもできる。この場合であっても、スピンチャック4,102に保持されているウエハWの下面中心部には、下面吐出口74が形成されていることが望ましい。
The annular member 202 may be configured by a plurality of divided bodies that are divided in the circumferential direction. Further, the annular member 201 may be formed integrally with the upper facing plate 9.
Although three embodiments of the present invention have been described above, the present invention can be implemented in other forms.
For example, in each embodiment, the lower opposing plate 10 is provided, but a configuration in which the lower opposing plate 10 is not provided may be employed. Even in this case, it is desirable that the lower surface discharge port 74 is formed at the center of the lower surface of the wafer W held by the spin chucks 4, 102.

前述の各実施形態では、上対向板9にノズル挿入孔36を設け、ノズル挿入孔36にノズル5,6,7,8を選択的に挿入して、第1空間47への処理流体(薬液、DIW、有機溶剤および窒素ガス)の供給を行った。しかしながら、図22に示すように、ノズル挿入孔36に代えて、上対向板9の下面35の中心に、厚み方向(上下方向)に貫通する供給孔36Aが形成されていてもよい。供給孔36Aは上対向板9の上面39および下面35にそれぞれ開口している。   In each of the embodiments described above, the nozzle insertion hole 36 is provided in the upper facing plate 9, and the nozzles 5, 6, 7, and 8 are selectively inserted into the nozzle insertion hole 36, so that the processing fluid (chemical solution) into the first space 47 is obtained. , DIW, organic solvent and nitrogen gas). However, as shown in FIG. 22, instead of the nozzle insertion hole 36, a supply hole 36 </ b> A penetrating in the thickness direction (vertical direction) may be formed at the center of the lower surface 35 of the upper facing plate 9. The supply holes 36 </ b> A are opened on the upper surface 39 and the lower surface 35 of the upper facing plate 9.

そして、薬液ノズル5、リンス液ノズル6、有機溶剤ノズル7および不活性ガスノズル8の吐出口15を、それぞれ供給孔36Aの上方に対向して配置し、この状態で、各ノズル5〜8の吐出口15から、薬液、DIW、有機溶剤および窒素ガスを吐出することにより、これらの処理流体が、供給孔36Aを通して第1空間47内に供給される。この場合、ノズル5〜8が供給孔36Aに挿入されないから、供給孔36Aの側壁が、各ノズル5,6,7,8(の下部)と整合する形状に形成されている必要はない。   And the discharge port 15 of the chemical | medical solution nozzle 5, the rinse solution nozzle 6, the organic solvent nozzle 7, and the inert gas nozzle 8 is each arrange | positioned above 36 A of supply holes, and in this state, discharge of each nozzle 5-8 is carried out. By discharging the chemical liquid, DIW, organic solvent, and nitrogen gas from the outlet 15, these processing fluids are supplied into the first space 47 through the supply holes 36A. In this case, since the nozzles 5 to 8 are not inserted into the supply hole 36 </ b> A, the side wall of the supply hole 36 </ b> A does not need to be formed in a shape that matches the nozzles 5, 6, 7, and 8 (lower portions).

他の変形例として、図23に示すように、上対向板9にノズル挿入孔36(または供給孔36A)が複数(たとえば2つ)設けられていてもよい。この場合、2つの各ノズル挿入孔36(供給孔36A)は、上対向板9の中心を対称中心として対称に配置されている。
さらに他の変形例として、図24に示すように、1つの処理液ノズル300(第1ノズル)に、複数の処理液配管301,302が接続されていてもよい。処理液ノズル300の形状および寸法として、ノズル5〜8と同等の形状および寸法が採用されている。そのため、処理液ノズル300をノズル挿入孔36(図1等参照)に挿入可能である。各処理液配管301,302は、下方に開口に処理液吐出口303,304を、処理液ノズル300の下端面と略面一の位置に有している。各処理液配管301,302には互いに異なる種類の処理液(たとえば薬液とDIWであってもよいし、互いに異なる種類の薬液であってもよい)が供給されている。
As another modified example, as shown in FIG. 23, a plurality (for example, two) of nozzle insertion holes 36 (or supply holes 36 </ b> A) may be provided in the upper facing plate 9. In this case, the two nozzle insertion holes 36 (supply holes 36A) are arranged symmetrically with the center of the upper opposing plate 9 as the center of symmetry.
As yet another modification, as shown in FIG. 24, a plurality of processing liquid pipes 301 and 302 may be connected to one processing liquid nozzle 300 (first nozzle). As the shape and size of the treatment liquid nozzle 300, the same shape and size as those of the nozzles 5 to 8 are employed. Therefore, the treatment liquid nozzle 300 can be inserted into the nozzle insertion hole 36 (see FIG. 1 and the like). Each of the processing liquid pipes 301 and 302 has a processing liquid discharge port 303 and 304 at an opening on the lower side at a position substantially flush with the lower end surface of the processing liquid nozzle 300. Different types of processing liquids (for example, chemical liquid and DIW, or different types of chemical liquids) may be supplied to the processing liquid pipes 301 and 302.

さらにまた、引掛け孔対40が上対向板9の周方向に3つ以上、等間隔に配置されていてもよい。この場合、係合爪52も各引掛け孔対40に対応して3つ以上設けられる。
さらに、ノズル5〜8,300の形状は、前述のような形状に限られない。たとえば、内側が凸の円筒20段形状であってよい。
以上、本発明の2つの実施形態について説明したが、本発明は他の形態でも実施するこができる。
Furthermore, three or more hooking hole pairs 40 may be arranged at equal intervals in the circumferential direction of the upper opposing plate 9. In this case, three or more engaging claws 52 are also provided corresponding to each hooking hole pair 40.
Furthermore, the shapes of the nozzles 5 to 8 and 300 are not limited to the shapes described above. For example, a cylindrical 20-stage shape having a convex inside may be used.
As mentioned above, although two embodiment of this invention was described, this invention can be implemented also with another form.

また、リンス液としてDIWを用いる場合を例に挙げて説明した。しかしながら、リンス液は、DIWに限らず、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、希釈濃度(たとえば、10〜100ppm程度)の塩酸水、還元水(水素水)などをリンス液として採用することもできる。
さらに、不活性ガスの一例として窒素ガスを挙げたが、清浄空気やその他の不活性ガスを採用することができる。
Further, the case where DIW is used as the rinse liquid has been described as an example. However, the rinse liquid is not limited to DIW, and carbonated water, electrolytic ion water, ozone water, diluted hydrochloric acid water (for example, about 10 to 100 ppm), reduced water (hydrogen water), etc. may be used as the rinse liquid. it can.
Furthermore, although nitrogen gas was mentioned as an example of inert gas, clean air and other inert gas are employable.

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。   In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.

1;101;201 基板処理装置
3 処理室
4;102 スピンチャック(把持回転手段)
5 薬液ノズル(第1ノズル)
6 リンス液ノズル(第1ノズル)
7 有機溶剤ノズル(第1ノズル)
9 上対向板(第1対向部材)
10 下対向板(第2対向部材)
12 スピンベース(ベース)
13 挟持部材
23 第1アーム移動機構(ノズル移動手段)
26 第2アーム移動機構(ノズル移動手段)
35 下面(第1対向面)
36 ノズル挿入孔
36A 供給孔
38 ノズル昇降機構(ノズル移動手段)
47 第1空間
50 係合ユニット(係合部材)
52 係合爪
53 係合ユニット昇降機構(係合部材移動手段)
65 下側処理流体供給管(第2ノズル)
74 下面吐出口(吐出口)
76 上面(第2対向面)
77 第2空間
80 カップ(周辺部材)
97 赤外線ランプ
98 下面(照射面)
150 係合ユニット(支持部材)
153 係合ユニット昇降機構(係合部材移動手段)
202 環状部材
203 下面(周縁部対向面)
300 処理液ノズル(第1ノズル)
C 回転軸線
W ウエハ(基板)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1; 101; 201 Substrate processing apparatus 3 Processing chamber 4; 102 Spin chuck (gripping rotation means)
5 Chemical nozzle (first nozzle)
6 Rinsing liquid nozzle (first nozzle)
7 Organic solvent nozzle (first nozzle)
9 Upper counter plate (first counter member)
10 Lower counter plate (second counter member)
12 Spin base
13 Clamping member 23 First arm moving mechanism (nozzle moving means)
26 Second arm moving mechanism (nozzle moving means)
35 Lower surface (first facing surface)
36 Nozzle insertion hole 36A Supply hole 38 Nozzle lifting mechanism (nozzle moving means)
47 1st space 50 Engagement unit (engagement member)
52 engaging claw 53 engaging unit lifting mechanism (engaging member moving means)
65 Lower processing fluid supply pipe (second nozzle)
74 Bottom discharge port (discharge port)
76 Upper surface (second facing surface)
77 Second space 80 cups (peripheral members)
97 Infrared lamp 98 Lower surface (irradiated surface)
150 Engagement unit (support member)
153 Engagement unit lifting mechanism (engagement member moving means)
202 annular member 203 lower surface (peripheral edge facing surface)
300 Treatment liquid nozzle (first nozzle)
C Rotation axis W Wafer (substrate)

Claims (13)

処理室と、
前記処理室に収容されて、基板を把持しつつ回転させる把持回転手段と、
処理液をそれぞれ吐出する複数の第1ノズルと、
前記把持回転手段により把持される基板の一方主面と当該一方主面から間隔を隔てて対向する第1対向面と、前記第1対向面における基板の中央部に対向する部分に開口する供給孔とを有する第1対向部材と、
前記第1ノズルを、前記把持回転手段および前記第1対向部材に対して移動させるノズル移動手段とを含み、
前記供給孔は、前記ノズル移動手段によって所定の処理位置に配置される各第1ノズルからの処理液が供給可能な位置に形成されており、
前記第1対向部材は、前記処理位置に選択的に配置される前記第1ノズルから、基板の一方主面と前記第1対向面との間の第1空間に前記供給孔を通して供給される処理液によって、当該第1空間を液密状態にする、基板処理装置。
A processing chamber;
Gripping rotation means accommodated in the processing chamber and rotating while gripping the substrate;
A plurality of first nozzles each discharging a treatment liquid;
A supply hole that opens to one main surface of the substrate gripped by the gripping rotation means, a first facing surface that is spaced from the one main surface, and a portion of the first facing surface that faces the central portion of the substrate. A first opposing member having
Nozzle moving means for moving the first nozzle relative to the gripping rotation means and the first opposing member;
The supply hole is formed at a position where the processing liquid can be supplied from each first nozzle arranged at a predetermined processing position by the nozzle moving means,
The first counter member is supplied from the first nozzle selectively disposed at the processing position to the first space between the one main surface of the substrate and the first counter surface through the supply hole. A substrate processing apparatus that makes the first space liquid-tight with a liquid.
前記供給孔は、前記複数の第1ノズルを選択的に挿入するためのノズル挿入孔を含み、
前記処理位置は、前記ノズル挿入孔に挿入された状態の前記第1ノズルの位置である、請求項1に記載の基板処理装置。
The supply hole includes a nozzle insertion hole for selectively inserting the plurality of first nozzles,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing position is a position of the first nozzle that is inserted into the nozzle insertion hole.
前記第1対向部材は、前記把持回転手段に把持される基板よりも大径の円板部材である、請求項1または2に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the first facing member is a disk member having a diameter larger than that of the substrate held by the holding rotation unit. 前記把持回転手段は、前記第1対向部材を基板とともに一体回転可能に把持する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the gripping rotation unit grips the first facing member so as to be integrally rotatable with the substrate. 前記把持回転手段は、所定の回転軸線を中心に回転可能なベースと、前記ベースに立設され、基板および第1対向部材を協動して保持/解放する複数の挟持部材とを備える、請求項4に記載の基板処理装置。   The gripping rotation means includes a base that can rotate around a predetermined rotation axis, and a plurality of clamping members that stand on the base and that hold / release the substrate and the first opposing member in cooperation with each other. Item 5. The substrate processing apparatus according to Item 4. 前記第1対向部材の周縁部と係合/係合解除可能に設けられた係合部材と、
前記第1対向部材と係合状態にある前記係合部材を、前記第1対向部材を前記把持回転手段に受け渡し可能な受渡位置と、前記把持回転手段から離反する離反位置との間で変位させる係合部材移動手段とをさらに含む、請求項5に記載の基板処理装置。
An engaging member provided to be engaged / disengaged with the peripheral edge of the first opposing member;
The engaging member that is engaged with the first opposing member is displaced between a delivery position where the first opposing member can be delivered to the gripping rotation means and a separation position where the first opposing member is separated from the gripping rotation means. The substrate processing apparatus according to claim 5, further comprising engagement member moving means.
前記係合部材は、前記第1対向部材の周縁部に係合可能な係合姿勢と、この係合姿勢から退避して前記第1対向部材に係合しない退避姿勢との間で姿勢変更可能な係合爪とを有する、請求項6に記載の基板処理装置。   The engaging member can be changed in posture between an engaging posture that can be engaged with a peripheral edge of the first opposing member and a retracting posture that is retracted from the engaging posture and not engaged with the first opposing member. The substrate processing apparatus according to claim 6, further comprising an engaging claw. 前記第1対向部材の周縁部を支持する支持部材と、
前記第1対向部材が、前記把持回転手段に把持されている基板と近接する近接位置と、前記把持回転手段から離反する離反位置との間で変位するように、前記支持部材を移動させる支持部材移動手段とをさらに含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
A support member for supporting a peripheral edge of the first opposing member;
A support member that moves the support member so that the first facing member is displaced between a proximity position that is close to the substrate held by the gripping rotation means and a separation position that is separated from the gripping rotation means. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a moving unit.
処理液を吐出する吐出口を有する第2ノズルと、
前記把持回転手段により把持される基板の他方主面と当該他方主面から間隔を隔てて対向し、前記吐出口が形成される第2対向面を有し、前記吐出口から吐出される処理液によって、基板の他方主面と前記第2対向面との間の第2空間を液密状態にする第2対向部材とをさらに含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
A second nozzle having a discharge port for discharging the treatment liquid;
A treatment liquid that has a second opposing surface that is opposed to the other main surface of the substrate held by the holding rotation means at a distance from the other main surface and that has the discharge port, and is discharged from the discharge port. The substrate processing according to claim 1, further comprising: a second facing member that makes the second space between the other main surface of the substrate and the second facing surface liquid-tight. apparatus.
前記第2対向部材は、前記把持回転手段に把持される基板よりも小径の円板部材であり、
前記吐出口は、前記第2対向面における基板の回転中心に対向する部分に形成される、請求項9に記載の基板処理装置。
The second facing member is a disk member having a smaller diameter than the substrate gripped by the gripping rotation means,
The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein the discharge port is formed in a portion of the second facing surface that faces the rotation center of the substrate.
前記第2対向面は、前記吐出口から径方向に離れるほど前記把持回転手段に把持される基板に近接するテーパ面をなしている、請求項9または10に記載の基板処理装置。   11. The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein the second facing surface forms a tapered surface that is closer to the substrate that is gripped by the gripping rotation means as the distance from the ejection port increases in the radial direction. 前記把持回転手段に把持される基板の一方主面の周縁部に対向する周縁部対向面を有する環状部材をさらに含む、請求項1〜11のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising an annular member having a peripheral portion facing surface that faces a peripheral portion of the one main surface of the substrate held by the gripping rotation means. 前記第1対向部材に対し、前記把持回転手段に把持された基板と反対側に配設されて、前記第1空間に供給された処理液を加熱するための赤外線ランプをさらに含む、請求項1〜12のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The infrared lamp for heating the process liquid supplied to the said 1st space is arrange | positioned with respect to the said 1st opposing member on the opposite side to the board | substrate hold | gripped by the said holding | maintenance rotation means. The substrate processing apparatus as described in any one of -12.
JP2012078236A 2012-03-29 2012-03-29 Substrate processing apparatus Pending JP2013207272A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012078236A JP2013207272A (en) 2012-03-29 2012-03-29 Substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012078236A JP2013207272A (en) 2012-03-29 2012-03-29 Substrate processing apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013207272A true JP2013207272A (en) 2013-10-07

Family

ID=49526019

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012078236A Pending JP2013207272A (en) 2012-03-29 2012-03-29 Substrate processing apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2013207272A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015154063A (en) * 2014-02-19 2015-08-24 東京エレクトロン株式会社 Cleaning device, peeling system, cleaning method, program, and computer storage medium
JP2016149459A (en) * 2015-02-12 2016-08-18 株式会社Screenホールディングス Substrate processing apparatus ans substrate processing method
KR20160099499A (en) * 2015-02-12 2016-08-22 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus, substrate processing system and substrate processing method
JP2016157811A (en) * 2015-02-24 2016-09-01 株式会社Screenホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN106816359A (en) * 2015-12-02 2017-06-09 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 Wafer processing method
CN109727890A (en) * 2017-10-30 2019-05-07 台湾积体电路制造股份有限公司 Substrate processing apparatus, rotary fixed base and substrate processing method using same

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015154063A (en) * 2014-02-19 2015-08-24 東京エレクトロン株式会社 Cleaning device, peeling system, cleaning method, program, and computer storage medium
US10964556B2 (en) 2015-02-12 2021-03-30 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus, substrate processing system, and substrate processing method
JP2016149459A (en) * 2015-02-12 2016-08-18 株式会社Screenホールディングス Substrate processing apparatus ans substrate processing method
KR20160099499A (en) * 2015-02-12 2016-08-22 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus, substrate processing system and substrate processing method
KR102604997B1 (en) * 2015-02-12 2023-11-22 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus, substrate processing system and substrate processing method
KR102476174B1 (en) * 2015-02-12 2022-12-08 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus, substrate processing system and substrate processing method
KR20220150858A (en) * 2015-02-12 2022-11-11 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus, substrate processing system and substrate processing method
JP2016157811A (en) * 2015-02-24 2016-09-01 株式会社Screenホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN106816359B (en) * 2015-12-02 2020-06-19 北京北方华创微电子装备有限公司 Wafer processing method
CN106816359A (en) * 2015-12-02 2017-06-09 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 Wafer processing method
KR102184591B1 (en) * 2017-10-30 2020-12-02 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 Substrate vapor dryibg apparatus and method
KR20200086249A (en) * 2017-10-30 2020-07-16 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 Substrate vapor dryibg apparatus and method
CN109727890B (en) * 2017-10-30 2021-06-18 台湾积体电路制造股份有限公司 Substrate processing apparatus, rotary holder and substrate processing method
US11133200B2 (en) * 2017-10-30 2021-09-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Substrate vapor drying apparatus and method
CN109727890A (en) * 2017-10-30 2019-05-07 台湾积体电路制造股份有限公司 Substrate processing apparatus, rotary fixed base and substrate processing method using same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5975563B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5270251B2 (en) Substrate processing equipment
WO2013140955A1 (en) Substrate processing apparatus and heater cleaning method
US10192771B2 (en) Substrate holding/rotating device, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method
JP6718714B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
CN108630569B (en) Substrate processing apparatus
KR102262348B1 (en) Substrate processing device and substrate processing method
JP2013207272A (en) Substrate processing apparatus
KR101866640B1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
TWI775574B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2009218404A (en) Substrate processing device
TW201916219A (en) Method of processing substrate and substrate processing apparatus
JP5451037B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2017073467A (en) Substrate processing method
US11154913B2 (en) Substrate treatment method and substrate treatment device
JP2016042517A (en) Substrate processing device
US11201067B2 (en) Substrate treatment method and substrate treatment device
JP2009105145A (en) Substrate processing apparatus
WO2019230612A1 (en) Substrate processing method and substrate processing device
JP5963298B2 (en) Substrate processing apparatus and heater cleaning method
KR20120077516A (en) Substrate processing apparatus
JP5967948B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5641592B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2009049063A (en) Substrate processing device