KR20200044500A - Trap device for semiconductor facilities - Google Patents

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Abstract

Disclosed are a trap apparatus and a facility for manufacturing a semiconductor comprising the same. According to the present invention, the trap apparatus comprises: a housing which includes an inner space separated from the outside, and an entrance and an exit each connecting a first flow line and a second flow line to the inner space; a capturing machine which is fixed on an inner side surface of the housing to extend in an inclined shape towards a floor unit, and captures solid by-products from discharged materials in a semiconductor manufacturing process transmitted from the first flow line, thereby forming powder in a lower portion thereof; and a plasma generator which is placed on an upper end portion of the housing and decomposes the powder into a gaseous status by a plasma process, thereby generating gaseous by-products. According to the present invention, the trap apparatus is able to gasify and change the phase of solid impurities into gaseous impurities and supply the gaseous impurities to the second flow line, thereby preventing a discharge line from being clogged and pump performance from decreasing.

Description

반도체 제조용 트랩장치 {Trap device for semiconductor facilities}Trap device for semiconductor facilities

본 발명은 반도체 제조용 트랩장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 반도체 제조공정 중에 발생한 고체성 부산물을 가스화시켜 용이하게 제거할 수 있는 트랩장치에 관한 것이다.The present invention relates to a trap device for semiconductor manufacturing, and more particularly, to a trap device that can be easily removed by gasifying solid by-products generated during the semiconductor manufacturing process.

일반적으로 반도체 제조공정에서 발생하는 배출물질은 외부에 설치된 스크러버(scrubber)로 전송되어 환경오염을 발행하지 않도록 분해하여 대기중으로 방출된다.In general, the emission material generated in the semiconductor manufacturing process is transmitted to a scrubber installed on the outside and decomposed so as not to cause environmental pollution, and is released into the atmosphere.

이에 따라, 반도체 제조공정이 진행되는 공정챔버와 스크러버 사이에는 배출물질을 전송하기 위한 배출라인과 공정챔버로부터 스크러버로 배출물질을 전송하기 위한 펌프 구조물이 배치된다.Accordingly, between the process chamber and the scrubber in which the semiconductor manufacturing process is performed, a discharge line for transmitting the discharge material and a pump structure for transferring the discharge material from the process chamber to the scrubber are disposed.

그러나, 반도체 제조공정에서는 일반적으로 다양한 고체형태의 공정 부산물이 배기가스와 함께 배출되는데, 배기가스와 달리 공정 부산물은 배출라인의 내측면에 퇴적되어 침착물을 형성하게 된다. 공정 부산물에 의한 배출라인의 침착물(이하, 공정 침착물)은 배출라인의 내경을 축소시켜 배출가스의 유동을 방해하게 된다.However, in the semiconductor manufacturing process, process by-products of various solid types are generally discharged together with exhaust gas. Unlike exhaust gas, process by-products are deposited on the inner surface of the discharge line to form deposits. Deposition of the discharge line by process by-products (hereinafter, process deposit) reduces the inner diameter of the discharge line, thereby preventing the flow of exhaust gas.

특히, 공정챔버로부터 진공 펌프까지 연결된 펌프전 배출라인에서 배출물질은 진공상태에서 전송되는 반면, 진공펌프로부터 스크러버까지 연결된 펌프 후 배출라인에서 배출물질은 대기상태에서 전송하게 된다. 이에 따라, 상기 공정 부산물이 진공펌프로 전송되는 경우와 비교하여 스크러버로 전송될 때 상기 공정 침착물은 상대적으로 더 빠른 속도로 증가하는 경향이 있다.In particular, the discharged material in the discharge line before the pump connected from the process chamber to the vacuum pump is transmitted in a vacuum state, while the discharged material in the discharge line after the pump connected from the vacuum pump to the scrubber is transmitted in the standby state. Accordingly, the process deposits tend to increase at a relatively faster rate when transferred to the scrubber compared to when the process by-products are transferred to a vacuum pump.

상기 공정 침착물은 배출라인의 전송 효율을 저하시킬 뿐 아니라 펌프후 배출라인의 클로깅과 침착물에 의해 펌프의 수명을 단축시키는 문제점이 있다.The process deposit not only lowers the transmission efficiency of the discharge line, but also shortens the life of the pump by clogging and deposition of the discharge line after the pump.

이에 따라, 공정 침전물을 효율적으로 제거할 수 있는 새로운 반도체 제조용 트랩장치가 요구된다.Accordingly, there is a need for a new semiconductor manufacturing trap device capable of efficiently removing process deposits.

본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 개선하기 위해 제안된 것으로서, 본 발명의 목적은 반도체 제조공정에서 발생하는 고상의 공정 부산물을 효율적으로 포획하고 플라즈마 처리에 의해 기화시켜 배출라인의 내측면에 퇴적하는 공정 침전물을 최소화 할 수 있는 반도체 제조용 트랩장치를 제공하는 것이다.The present invention has been proposed to improve the problems as described above, and the object of the present invention is to efficiently capture solid by-products generated in the semiconductor manufacturing process and vaporize by plasma treatment to deposit on the inner surface of the discharge line. It is to provide a trap device for semiconductor manufacturing that can minimize process deposits.

본 발명의 또 다른 목적은 상술한 바와 같은 반도체 제조용 트랩장치를 구비하는 반도체 제조 설비를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing facility having a trap device for semiconductor manufacturing as described above.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 제조용 트랩장치는 외부로부터 분리되는 내부공간을 구비하고 제1 및 제2 유동라인을 상기 내부공간에 각각 연결하는 입구 및 출구를 구비하는 하우징, 상기 하우징의 내측면에 고정되어 바닥부로 경사지게 연장하고 상기 제1 유동라인으로부터 전송된 반도체 제조공정의 배출물질로부터 고체상태의 공정 부산물인 고상 부산물을 포획하여 하부에 파우더를 형성하는 포획기 및 상기 하우징의 상단부에 배치되어 플라즈마 공정에 의해 상기 파우더를 기체 상태로 분해하여 기체 상태의 공정 부산물인 기상 부산물을 생성하는 플라즈마 생성기를 포함한다.A trap device for manufacturing a semiconductor according to an embodiment of the present invention for achieving the above object has an inner space separated from the outside, and an inlet and an outlet for connecting the first and second flow lines to the inner space, respectively. A housing, a trapping device fixed to the inner surface of the housing, extending obliquely to the bottom, and capturing solid by-products, which are process by-products in the solid state, from the exhaust material of the semiconductor manufacturing process transmitted from the first flow line to form a powder at the bottom, and It is disposed on the upper end of the housing and includes a plasma generator that decomposes the powder into a gaseous state by a plasma process to generate a gaseous byproduct, which is a gaseous process byproduct.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 제조설비는 반도체 제조공정이 수행되고 고상의 공정 부산물인 고상 부산물과 기상의 배출가스의 혼합물인 배출물질을 생성하는 공정챔버, 진공상태에서 상기 배출물질을 상기 공정챔버로부터 배출하는 펌프 구조물, 상기 배출물질로부터 상기 고상 부산물을 포획하여 기체상태의 공정 부산물인 기상 부산물로 변환하여 상기 배출가스와 함께 배출하는 트랩장치 및 대기압 상태에서 상기 트랩장치로부터 전송된 상기 기상 부산물 및 배출가스를 분해하여 유해물질을 제거하는 스크러버를 포함한다.In order to achieve the above object, a semiconductor manufacturing facility according to another embodiment of the present invention is a process chamber in which a semiconductor manufacturing process is performed and a discharge material that is a mixture of a solid by-product, which is a by-product of the solid phase, and a gaseous emission gas, is vacuum A pump structure for discharging the discharged material from the process chamber, a trap device for trapping the solid by-product from the discharged material and converting it into a gaseous by-product, which is a gaseous process by-product, and trapping at atmospheric pressure. And a scrubber that removes harmful substances by decomposing the gaseous by-products and exhaust gas transmitted from the device.

이때, 상기 트랩장치는 외부로부터 분리되는 내부공간을 구비하고, 상기 펌프 구조물과 연결된 제1 유동라인을 통하여 상기 배출물질이 유입되는 입구 및 제2 유동라인을 통하여 상기 기상 부산물 및 상기 배출가스를 배출하는 하우징, 상기 하우징의 내측면에 고정되어 바닥부로 경사지게 연장하고 상기 제1 유동라인으로부터 전송된 반도체 제조공정의 배출물질로부터 고체상태의 공정 부산물인 고상 부산물을 포획하여 하부에 파우더를 형성하는 포획기 및 상기 하우징의 상단부에 배치되어 플라즈마 공정에 의해 상기 파우더를 기체 상태로 변환하여 상기 기상 부산물을 생성하는 플라즈마 생성기를 구비한다.At this time, the trap device has an internal space separated from the outside, and discharges the gaseous by-products and the exhaust gas through the inlet and the second flow line through which the exhaust material flows through the first flow line connected to the pump structure. The housing is fixed to the inner surface of the housing and extends obliquely to the bottom and captures solid by-products, which are process by-products in the solid state, from the exhaust material of the semiconductor manufacturing process transmitted from the first flow line to form a powder at the bottom. And a plasma generator disposed at the upper end of the housing to convert the powder into a gaseous state by a plasma process to generate the gaseous byproduct.

본 발명에 의한 트랩장치 및 이를 구비하는 반도체 제조설비는 반도체 제조공정에서 발생하는 고상 불순물과 배출가스의 혼합물인 배출가스가 대기압 상태의 전송라인인 대기라인을 따라 스크러버로 이동하는 경우 고상 불순물이 대기라인의 내측면에 침착되어 대기라인이 막히는 클로깅 불량이 발생한다.In the trap apparatus according to the present invention and the semiconductor manufacturing facility having the same, when the exhaust gas, which is a mixture of solid impurities and exhaust gases generated in the semiconductor manufacturing process, moves to the scrubber along the atmospheric line, the transmission line in the atmospheric pressure state, the solid impurities are atmospheric A clogging defect that is deposited on the inner surface of the line and clogging the standby line occurs.

그러나, 상기 트랩장치에 의해 고상 불순물을 포집하여 파우더로 형성한 후 플라즈마 처리에 의해 기상 불순물로 변환한 후 대기라인으로 공급함으로서 고상 불순물에 의한 대기라인의 클로깅 불량은 원천적으로 차단할 수 있다. 이에 따라, 반도체 제조설비의 가동효율을 현저하게 높일 수 있다.However, by trapping solid impurities by the trap device, forming them into powder, and converting them into gaseous impurities by plasma treatment, and then supplying them to the atmospheric line, the clogging failure of the atmospheric line due to the solid impurities can be fundamentally blocked. Accordingly, it is possible to significantly increase the operation efficiency of the semiconductor manufacturing facility.

도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 반도체 제조용 트랩장치를 나타내는 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 포획기를 상세하게 나타내는 사시도이다.
도 3은 본 발명이 일실시예에 따라 도 1에 도시된 트랩장치를 구비하는 반도체 제조설비를 나타내는 구성도이다.1 is a block diagram showing a semiconductor manufacturing trap device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view showing in detail the trap shown in FIG. 1.
3 is a block diagram showing a semiconductor manufacturing facility having the trap apparatus shown in FIG. 1 according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 반도체 제조용 트랩장치를 나타내는 구성도이다.1 is a block diagram showing a semiconductor manufacturing trap device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 의한 트랩장치(1000)는 하우징(100), 포획기(200), 플라즈마 생성기(300), 하중센서(400) 및 제어부(500)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the trap apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention includes a housing 100, a trapper 200, a plasma generator 300, a load sensor 400, and a control unit 500. .

예를 들면, 상기 하우징(100)은 내부공간(S)을 구비하고 상기 플라즈마 공정을 수행하기에 충분한 강성을 갖는 입체형상으로 제공된다. 반도체 제조용 공정챔버(도 2의 1100)도시)에서 발생한 고체상태의 공정 부산물(이하, 고상 부산물)과 다양한 배출가스로 구성된 배출물질은 스크러버(도 2의 1300)로 전송되기 전에 트랩장치(1000)의 하우징(100)으로 공급되어 고상 부산물이 포획된다.For example, the housing 100 is provided in a three-dimensional shape having an internal space S and having sufficient rigidity to perform the plasma process. The solid state process by-product (hereinafter referred to as solid by-product) generated in the semiconductor manufacturing process chamber (shown in 1100 in FIG. 2) and various exhaust gases are trapped before being sent to a scrubber (1300 in FIG. 2). It is supplied to the housing 100 of the solid by-products are captured.

따라서, 상기 하우징(100)의 내부공간에는 고상 부산물을 포획하고 기체상태의 공정(이하, 기상 부산물)로 변환하기 위한 다양한 설비들이 배치된다. 따라서, 상기 하우징(100)은 있고 플라즈마 공정을 수행할 수 있고 내부에 고상 부산물을 기상 부산물로 변환할 수 있는 다양한 구동설비들을 배치할 수 있다면 다양한 형상과 재질로 구성될 수 있다.Accordingly, various facilities are arranged in the interior space of the housing 100 to capture solid by-products and convert them into a gaseous process (hereinafter referred to as gaseous by-products). Therefore, the housing 100 may be composed of various shapes and materials as long as it can perform plasma processing and can arrange various driving facilities capable of converting solid by-products into gaseous by-products.

본 실시예의 경우, 상기 하우징(100)은 실린더 형상으로 제공되며, 깔때기 형상을 갖는 포획기(200)에 의해 구분되는 유동공간(S1)과 설비공간(S2) 및 유전창(310)에 의해 유동공간(S1)과 분리되는 코일공간(S3)으로 구성되는 내부공간(S)을 가질 수 있다. 상기 코일공간(S3)은 플라즈마 생성기(300)가 상기 하우징(100)과 일체로 배치되는 경우에 제공된다. 이와 달리, 상기 플라즈마 생성기(300)가 하우징(100)의 외부에 배치되는 경우 상기 코일공간(S3)은 하우징(100)의 내부공간(S)과는 별개로 제공될 수 있다.In the case of the present embodiment, the housing 100 is provided in a cylinder shape, and flows through the flow space S1 and the facility space S2 and the dielectric window 310 divided by the trap 200 having a funnel shape. It may have an inner space (S) consisting of a coil space (S3) separated from the space (S1). The coil space S3 is provided when the plasma generator 300 is disposed integrally with the housing 100. Alternatively, when the plasma generator 300 is disposed outside the housing 100, the coil space S3 may be provided separately from the interior space S of the housing 100.

상기 유동공간(S1)은 포획기(200)와 플라즈마 생성기(300)에 의해 한정되고 상기 설비공간(S2)은 포획기(200)와 하우징(100)의 바닥면 및 측벽에 의해 한정된다. 반도체 제조용 공정챔버로부터 배출된 배출물질은 유동공간(S1)을 유동하는 동안 포획기(200)에 의해 고상 부산물은 포획된다. 상기 포획기(200)를 구동하는 구동설비들은 하우징(100) 하부의 설비공간(S2)에 배치되고 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성기(300)는 하우징(100)의 상부에서 유동공간(S1)의 덮도록 배치된다.The flow space S1 is defined by the trap 200 and the plasma generator 300, and the facility space S2 is defined by the bottom and side walls of the trap 200 and the housing 100. While the discharged material discharged from the process chamber for semiconductor manufacturing flows through the flow space S1, solid by-products are captured by the trap 200. The driving facilities for driving the trap 200 are disposed in the facility space S2 under the housing 100 and the plasma generator 300 for generating plasma covers the flow space S1 at the top of the housing 100. Is placed.

상기 유동공간(S1)의 일측에는 제1 유동라인(L1)과 연결되는 입구(110)가 배치되고 타측에는 제2 유동라인(L2)과 연결되는 출구가 배치된다. An inlet 110 connected to the first flow line L1 is disposed on one side of the flow space S1, and an outlet connected to the second flow line L2 is disposed on the other side.

상기 제1 유동라인(L1)은 공정챔버로부터 상기 배출물질을 배출하는 펌프 구조물(도 2의 1200)과 연결되어 고상 부산물과 기체상태인 배출가스 혼합물로 구성된 배출물질을 입구(110)를 통하여 유동공간(S1)으로 공급한다.The first flow line (L1) is connected to a pump structure (1200 in FIG. 2) for discharging the discharged material from the process chamber to flow discharged material composed of a mixture of solid by-products and gaseous exhaust gas through the inlet 110. It is supplied to the space S1.

상기 제2 유동라인(L2)은 출구(120)에 연결되어 하우징(100)의 내부에서 기체상태로 분해된 기상 부산물과 상기 배출가스를 스크러버(도 2의 1400)로 전송한다. 이에 따라, 공정챔버로부터 배출된 배출물질은 모두 기체상태로 스크러버로 전송되어 제2 유동라인(L2)의 내부에 고상 불순물이 침착되는 것을 근본적으로 방지할 수 있다.The second flow line (L2) is connected to the outlet 120 and transmits gaseous by-products decomposed into a gas state inside the housing 100 and the exhaust gas to a scrubber (1400 in FIG. 2). Accordingly, all of the discharged material discharged from the process chamber is transferred to the scrubber in a gaseous state, thereby fundamentally preventing solid impurities from being deposited inside the second flow line L2.

상기 포획기(200)는 상기 하우징(100)의 내부에 배치되어 유동공간(S1)과 설비공간(S2)을 서로 분리한다. 이에 따라, 하우징(100)으로 유입된 배출물질은 유동공간(S1)에서만 유동하고 설비공간(S2)으로 누설되는 것을 방지할 수 있다.The capture device 200 is disposed inside the housing 100 to separate the flow space S1 and the facility space S2 from each other. Accordingly, the discharged material flowing into the housing 100 can be prevented from flowing only in the flow space S1 and leaking into the facility space S2.

본 실시예의 경우, 상기 포획기(200)는 하우징(100)의 내부에서 V자 형상의 단면을 갖는 깔때기 형상으로 제공된다.In the present embodiment, the trap 200 is provided in a funnel shape having a V-shaped cross section inside the housing 100.

도 2는 도 1에 도시된 포획기를 상세하게 나타내는 사시도이다.FIG. 2 is a perspective view showing in detail the trap shown in FIG. 1.

도 2를 참조하면, 상기 포획기(200)는 깔때기 형상을 갖는 포획 몸체(210), 상기 포획 몸체(210)의 상부 외측면을 둘러싸고 상대적으로 높은 온도로 유지되는 발열판(heat panel, 220) 및 상기 포획 몸체(210)의 하부 외측면을 둘러싸고 상대적으로 낮은 온도로 유지되는 냉각판(cooling panel, 230)을 포함한다.Referring to FIG. 2, the trapper 200 includes a trapping body 210 having a funnel shape, a heating panel 220 surrounding the upper outer surface of the trapping body 210 and maintained at a relatively high temperature. It includes a cooling panel (230) surrounding the lower outer surface of the capture body 210 and maintained at a relatively low temperature.

이때, 상기 포획기(200)도 유동공간(S1)에서의 플라즈마 처리공정을 수행하기에 적절한 정도의 강도와 강성을 갖도록 구성한다.At this time, the capture device 200 is also configured to have an appropriate degree of strength and stiffness to perform the plasma treatment process in the flow space (S1).

상기 포획몸체(210)는 하우징(100)의 상부 내측면으로부터 하방으로 경사지게 연장하여 아래로 오목한 깔때기 형상을 갖고 하우징(100)의 내측면과 접촉하는 상단부(212) 및 아래로 오목한 포획공간(CS)을 한정하고 고상 불순물이 퇴적하여 파우더(P)로 형성되는 하단부(214)를 구비한다. 상기 하단부(214)는 고상 불순물이 퇴적이 용이하도록 평판형상으로 제공되며 상기 포획공간(CS)은 하단부(212)에 닫힌다.The capture body 210 extends inclined downward from the upper inner surface of the housing 100 and has a concave funnel shape downward and contacts the inner surface of the housing 100 with the upper end 212 and the recessed capture space CS. ), And a lower portion 214 formed of powder P by depositing solid impurities. The lower portion 214 is provided in a flat plate shape so that solid impurities can be easily deposited, and the capture space CS is closed to the lower portion 212.

이에 따라, 상기 포획몸체(210)는 하부에서는 닫히고 상부는 개방된 중공(shallow) 역사다리 형상을 갖고 상기 하단부(214)와 플라즈마 생성기(300)가 대면하는 구성을 갖게 된다.Accordingly, the capture body 210 has a configuration in which the lower end 214 and the plasma generator 300 face each other with a shape of a hollow inverted leg closed at the bottom and an open top.

상기 발열판(220)은 포획몸체(210)의 상부 외측면을 둘러싸는 링 플레이트로 제공되고, 상기 냉각판(230)은 포획몸체(210)의 외측면을 따라 발열판(220)과 일정거리만큼 이격되어 포획몸체(210)의 하부 외측면을 둘러싸는 링 플레이트로 제공된다.The heating plate 220 is provided as a ring plate surrounding the upper outer surface of the capture body 210, the cooling plate 230 is spaced apart by a predetermined distance from the heating plate 220 along the outer surface of the capture body 210 It is provided as a ring plate surrounding the lower outer surface of the capture body 210.

이에 따라, 상기 유동공간(S1)의 상부영역은 공정챔버로부터 배출되는 배출물질의 온도와 상기 발열판(220)의 온도에 의해 상대적으로 고온영역(HTA)으로 형성되고 상기 유동공간(S2)의 하부영역은 냉각판(230)을 통한 인위적인 냉각에 의해 상대적으로 저온영역(LTA)으로 형성된다.Accordingly, the upper region of the flow space S1 is formed as a relatively high temperature region HTA by the temperature of the exhaust material discharged from the process chamber and the temperature of the heating plate 220, and the lower region of the flow space S2. The region is formed as a relatively low temperature region (LTA) by artificial cooling through the cooling plate 230.

상기 유동공간(S1)에서 배출가스는 기체상태로서 고온영역(HTA)에 분포하고 고상 부산물은 고체상태이므로 포획몸체(210)의 하부로 하강하게 된다. 고상 부산물이 저온영역(LTA)으로 유입되면 주변온도의 하강에 따라 서로 응축되어 파우더(P)로 형성된다. 이에 따라, 상기 포획 몸체(210)의 하단부(214)에는 고상 부산물이 퇴적되어 파우더(P)로 형성된다.In the flow space (S1), the exhaust gas is distributed in a high temperature region (HTA) in a gaseous state, and the solid by-products are in a solid state, and thus descend to the lower portion of the capture body 210. When solid by-products enter the low temperature region (LTA), they condense with each other as the ambient temperature decreases to form powder (P). Accordingly, solid by-products are deposited on the lower end portion 214 of the capture body 210 to form a powder (P).

이때, 상기 포획몸체(210)의 상단부(212)는 상기 입구(110) 및 출구(120)보다 낮은 위치에서 하우징(100)에 고정된다. 이에 따라, 제1 유동라인(L1)을 따라 공급된 고상 부산물은 하중에 의해 유동공간(S1)의 하부로 하강하고 배출기체는 유동공간(S1)의 상부에 위치하여 고상 부산물과 배출기체를 자연스럽게 분리할 수 있다.At this time, the upper end portion 212 of the capture body 210 is fixed to the housing 100 at a lower position than the inlet 110 and outlet 120. Accordingly, the solid by-products supplied along the first flow line (L1) descend to the lower portion of the flow space (S1) by the load, and the exhaust gas is located at the top of the flow space (S1), so that the solid by-products and the exhaust gas naturally Can be separated.

본 실시예에서는 입구(110)와 출구(120)가 동일한 레벨에 위치하는 것을 개시하고 있지만, 고상 부산물과 배출기체의 종류와 반도체 설비의 특성에 따라 서로 다른 레벨에 위치할 수 있다. 이때, 상기 포획몸체(210)는 입구 위치와 출구 위치 중 더 낮은 위치보다 낮은 위치에 고정된다.Although the present embodiment discloses that the inlet 110 and the outlet 120 are located at the same level, they can be located at different levels depending on the type of solid by-products and the type of exhaust gas and the characteristics of the semiconductor equipment. At this time, the capture body 210 is fixed to a lower position than the lower of the inlet and outlet positions.

예를 들면, 상기 발열판(220)은 내부에 주울열을 생성할 수 있는 저항배선(미도시)이 배치될 수 있다. 상기 저항배선과 연결되는 파워라인(222)이 상기 설비공간(S2)을 통하여 하우징(100)의 바닥부(140)로 연장된다. 상기 파워라인(222)은 외부의 파워소스에 연결되어 상기 저항배선으로 전력을 공급한다.For example, the heating plate 220 may be provided with a resistance wiring (not shown) capable of generating Joule heat therein. The power line 222 connected to the resistance wiring extends to the bottom 140 of the housing 100 through the facility space S2. The power line 222 is connected to an external power source to supply power to the resistance wiring.

상기 냉각판(230)은 냉각소스가 유동할 수 있는 냉각라인(미도시)이 내부에 배치될 수 있다. 상기 설비공간(S2)을 한정하는 하우징(100)의 바닥면에는 상기 냉각소스가 저장된 냉각탱크(232)가 배치되고 냉각탱크(232)와 냉각라인은 소스공급 라인(234)에 의해 연결되어 냉각판(230)이 내부로 냉각소스가 공급된다.The cooling plate 230 may be provided with a cooling line (not shown) through which a cooling source can flow. A cooling tank 232 in which the cooling source is stored is disposed on a bottom surface of the housing 100 defining the facility space S2, and the cooling tank 232 and the cooling line are connected by a source supply line 234 to cool. The cooling source is supplied to the plate 230.

본 실시예에의 경우, 상기 냉각탱크(232)에 저장된 냉각소스를 주기적으로 교환함으로써 냉각탱크(232) 내부의 냉각소스 온도를 일정하게 유지할 수 있다. 예를 들면, 상기 냉각소스는 소정의 저온으로 유지되는 냉각수를 포함한다. 이때, 상기 냉각수는 냉각수 유동라인(236)을 통하여 냉각탱크(232) 에 저장된 냉각수의 온도를 일정하게 유지할 수 있다.In the present embodiment, the cooling source temperature in the cooling tank 232 can be kept constant by periodically exchanging the cooling source stored in the cooling tank 232. For example, the cooling source includes cooling water maintained at a predetermined low temperature. At this time, the cooling water may keep the temperature of the cooling water stored in the cooling tank 232 constant through the cooling water flow line 236.

상기 냉각수 유동라인(236)은 상대적으로 저온을 갖는 냉각수를 냉각탱크(232)로 공급하는 냉각수 유입라인(236a) 및 상대적으로 고온을 갖는 냉각수를 냉각탱크(232)로부터 배출하는 냉각수 유출라인(262b)을 포함한다. 이에 따라, 냉각탱크(232) 내부이 냉각수 온도를 항상 일정한 저온으로 유지할 수 있다.The cooling water flow line 236 includes a cooling water inflow line 236a for supplying cooling water having a relatively low temperature to the cooling tank 232 and a cooling water outlet line 262b for discharging cooling water having a relatively high temperature from the cooling tank 232 ). Accordingly, the inside of the cooling tank 232 can always maintain the cooling water temperature at a constant low temperature.

본 실시예에서는 상대적으로 낮은 온도를 갖는 공급수와 상대적으로 높은 온도를 갖는 배출수를 주기적으로 교환함으로써 냉각수의 온도를 유지하는 것을 개시하고 있지만, 냉방장치와 같은 흡열 수단을 통하여 냉각수의 온도를 일정한 저온으로 유지할 수 있음은 자명하다.Although the present embodiment discloses that the temperature of the cooling water is maintained by periodically exchanging the supply water having a relatively low temperature and the discharge water having a relatively high temperature, the temperature of the cooling water is maintained at a constant low temperature through an endothermic means such as a cooling device. It is obvious that it can be maintained.

상기 하우징(100)의 주변부에는 플라즈마 처리공정에 의해 상기 파우더(P)를 분해하여 기체상태를 갖는 공정 부산물인 기상 부산물로 분해하는 플라즈마 생성기(300)이 배치된다.A plasma generator 300 is disposed in the periphery of the housing 100 to decompose the powder P by a plasma treatment process to decompose it into a gaseous by-product, which is a process by-product having a gaseous state.

예를 들면, 상기 플라즈마 생성기(300)는 상기 유동공간(S1)을 덮도록 상기 하우징9100)의 내부에 배치되고 유전물질을 포함하는 유전창(310) 및 상기 유전창(310)의 상면에 배치되는 고주파 안테나(320)를 포함한다.For example, the plasma generator 300 is disposed inside the housing 9100 so as to cover the flow space S1 and is disposed on a dielectric window 310 and a top surface of the dielectric window 310 including dielectric material. It includes a high-frequency antenna 320.

유전창(310)의 충분한 유전상수를 갖는 유전물질로 형성된 평판으로 구성되며 상기 고주파 안테나(320)는 유전창(310)의 상면에 나선 혹은 동심원과 같은 코일 형상으로 배치된다. 이에 따라, 상기 유동공간(S1)의 내부에 유도 전기장을 생성하여 유동공간(S1)의 하부에 퇴적된 파우더(P)를 분해하여 기상 불순물로 형성한다. It is composed of a flat plate formed of a dielectric material having a sufficient dielectric constant of the dielectric window 310, and the high-frequency antenna 320 is disposed in a coil shape such as a spiral or concentric circles on the upper surface of the dielectric window 310. Accordingly, an induction electric field is generated inside the flow space S1 to decompose the powder P deposited under the flow space S1 to form gaseous impurities.

상기 포획몸체(210)의 하단부(214)와 접촉하는 하중센서(400)가 상기 설비공간(S2)에 배치된다.A load sensor 400 in contact with the lower end 214 of the capture body 210 is disposed in the facility space S2.

반도체 제조공정이 배출물질이 유동공간(S1)으로 공급되면 고상 불순물은 지속적으로 하단부(214) 상에 퇴적되어 파우더(P)를 형성하게 된다. 이때, 상기 파우더(P)의 중량을 자동으로 측정하여 상기 플라즈마 생성기(300)의 구동을 선택적으로 조절할 수 있다. 이에 따라, 플라즈마 생성기(300)를 필요한 경우에만 선택적으로 가동함으로써 트랩장치의 전체 가동비용을 줄일 수 있다.In the semiconductor manufacturing process, when the discharged material is supplied to the flow space S1, solid impurities are continuously deposited on the lower portion 214 to form a powder P. At this time, the weight of the powder (P) is automatically measured to selectively control the driving of the plasma generator (300). Accordingly, the entire operation cost of the trap device can be reduced by selectively operating the plasma generator 300 only when necessary.

상기 하중센서(400) 및 상기 플라즈마 생성기(300)와 연결되어 상기 하중센서(400)에 의해 검출된 상기 파우더(P)의 하중에 따라 선택적으로 상기 플라즈마 생성기(300)를 구동하는 제어부(500)가 배치된다.Control unit 500 connected to the load sensor 400 and the plasma generator 300 to selectively drive the plasma generator 300 according to the load of the powder P detected by the load sensor 400 Is placed.

상기 제어부(500)는 상기 하우징(100)의 외부에 배치되어 발열판(220)과 냉각판(230)의 온도를 제어하고 하중센서(400)에서 검출된 파우더(P)의 하중에 따라 플라즈마 생성기(300)를 선택적으로 가동한다.The control unit 500 is disposed outside the housing 100 to control the temperature of the heating plate 220 and the cooling plate 230, and the plasma generator according to the load of the powder P detected by the load sensor 400 ( 300) is selectively operated.

제어부(500)는 온도센서(미도시)에 의해 검출된 발열판(220)과 냉각판(230)의 온도를 실시간으로 수득하여 설정온도와 비교하고 필요한 경우 전원을 인가하거나 냉각탱크(232)의 냉각수를 순환시킨다.The control unit 500 obtains the temperature of the heating plate 220 and the cooling plate 230 detected by a temperature sensor (not shown) in real time and compares them with a set temperature and applies power or cools water in the cooling tank 232 if necessary. Cycles.

따라서, 상기 발열판(220)의 파워라인(222)으로 인가되는 전원을 제어하고 냉각수를 유동시키는 냉각수 유동라인(236)의 제어밸브(238)을 제어함으로써 발열판(220)과 냉각판(230)의 온도를 일정하게 유지할 수 있다.Accordingly, by controlling the power applied to the power line 222 of the heating plate 220 and controlling the control valve 238 of the cooling water flow line 236 through which cooling water flows, the heating plate 220 and the cooling plate 230 are controlled. The temperature can be kept constant.

또한, 검출된 파우더(P)의 하중이 설정하중 이상이 되면, 상기 플라즈마 생성기(300)을 가동하여 파우더(P)를 분해하기 위한 플라즈마를 생성한다.In addition, when the load of the detected powder (P) is greater than or equal to the set load, the plasma generator (300) is operated to generate plasma for decomposing the powder (P).

예를 들면, 상기 제어부(1400)는 고주파 안테나(320)로 고주파 전원을 공급하는 고주파 파워소스(미도시)를 구비할 수 있다. 상기 고주파 소스는 상기 고주파 안테나(1320)로 RF 파워를 인가하는 고주파 생성기(미도시) 및 상기 안테나(1320)와 같은 부하의 임피던스와 상기 고주파 생성기의 임피던스를 정합시키는 임피던스 정합기(impedance matcher,미도시)를 구비한다. 이에 따라, 상기 고주파 파워소스는 상기 유동공간(S1)에 플라즈마를 생성하기에 적합한 고주파 전력을 상기 고주파 안테나(320)로 인가할 수 있다.For example, the control unit 1400 may include a high frequency power source (not shown) that supplies high frequency power to the high frequency antenna 320. The high frequency source is a high frequency generator (not shown) that applies RF power to the high frequency antenna 1320 and an impedance matcher (not shown) that matches the impedance of the load such as the antenna 1320 and the impedance of the high frequency generator. City). Accordingly, the high frequency power source may apply high frequency power suitable for generating plasma in the flow space S1 to the high frequency antenna 320.

고상 불순물이 퇴적되어 파우더(P)의 하중이 설정하중을 넘는 경우, 상기 고주파 파워소스로부터 고주파 전력을 상기 고주파 안테나(320)로 인가한다. 상기 고주파 안테나(320)에 흐르는 전류에 의해서 자기장이 고주파 안테나(320) 주위에서 발생하고 자력선이 유전창(310)을 관통하여 유동공간(S1)을 통과한다. 자기장의 시간적 변화에 의해 유도 전기장이 발생하고, 유도 전기장에 의해 가속된 전자가 배출가스 및 파우더(P)의 분자나 원자와 충돌하여 플라즈마가 생성된다. 이에 따라, 상기 파우더(P)는 분자나 원자상태로 유리되어 기체상태로 변환된다.When solid impurities are deposited and the load of the powder P exceeds a set load, high-frequency power is applied to the high-frequency antenna 320 from the high-frequency power source. A magnetic field is generated around the high-frequency antenna 320 by the current flowing through the high-frequency antenna 320 and a magnetic field line passes through the dielectric window 310 and passes through the flow space S1. An induced electric field is generated by the temporal change of the magnetic field, and electrons accelerated by the induced electric field collide with molecules or atoms of the exhaust gas and powder P to generate plasma. Accordingly, the powder (P) is released in a molecular or atomic state and converted into a gaseous state.

기체상태로 변환된 파우더(P)는 기상 불순물로 형성되어 배출가스와 함께 출구(120)를 통하여 제2 유동라인(L2)으로 배출된다. 이에 따라, 제2 유동라인(L2)에는 고상 불순물들의 밀도가 현저하게 낮아져 제2 유동라인(L2)의 측벽을 따라 고상 불순물이 침착되는 것을 방지하고 배출공정의 효율을 높일 수 있다.The powder P converted into a gaseous state is formed of gaseous impurities and is discharged to the second flow line L2 through the outlet 120 together with the exhaust gas. Accordingly, the density of solid impurities is significantly lowered in the second flow line L2 to prevent the deposition of solid impurities along the sidewalls of the second flow line L2 and to increase the efficiency of the discharge process.

도 3은 본 발명이 일실시예에 따라 도 1에 도시된 트랩장치를 구비하는 반도체 제조설비를 나타내는 구성도이다.3 is a block diagram showing a semiconductor manufacturing facility having the trap apparatus shown in FIG. 1 according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 의한 반도체 제조설비(2000)는 반도체 제조공정이 수행되고 고상의 공정 부산물인 고상 부산물과 기상의 배출가스의 혼합물인 배출물질을 생성하는 공정챔버(1100), 진공상태에서 상기 배출물질을 상기 공정챔버로부터 배출하는 펌프 구조물(1200), 상기 배출물질로부터 상기 고상 부산물을 포획하여 기체상태의 공정 부산물인 기상 부산물로 변환하여 상기 배출가스와 함께 배출하는 트랩장치(1000) 및 대기압 상태에서 상기 트랩장치(1000)로부터 전송된 상기 기상 부산물 및 배출가스를 분해하여 유해물질을 제거하는 스크러버(1300)를 포함한다.Referring to FIG. 3, a semiconductor manufacturing facility 2000 according to an embodiment of the present invention includes a process chamber in which a semiconductor manufacturing process is performed and a discharge material that is a mixture of a solid by-product, which is a by-product of a solid phase, and a gaseous emission gas ( 1100), a pump structure 1200 for discharging the discharged material from the process chamber in a vacuum state, capturing the solid by-products from the discharged material, converting it into a gaseous process by-product, a gaseous by-product, and discharging it together with the exhaust gas It includes a trap device 1000 and a scrubber 1300 to remove harmful substances by decomposing the gaseous by-products and exhaust gas transmitted from the trap device 1000 under atmospheric pressure.

상기 공정챔버(1100)는 반도체 소자를 제조하기 위한 다양한 단위공정을 수행할 수 있는 챔버 구조물을 포함한다. 예를 들면, 증착공정, 식각공정, 세정공정, 건조공정과 같이 다양한 소스물질을 이용하여 반도체 소자를 제조하기 위한 단위공정을 수행하는 챔버 구조물일 수 있다. 상기 단위공정이 진행되는 동안 물리적, 화학적 및 광학적 반응에 의해 다양한 배출가스와 고체상태의 공정 부산물이 배출된다.The process chamber 1100 includes a chamber structure capable of performing various unit processes for manufacturing a semiconductor device. For example, it may be a chamber structure that performs a unit process for manufacturing a semiconductor device using various source materials such as a deposition process, an etching process, a cleaning process, and a drying process. During the unit process, various exhaust gases and solid process by-products are discharged by physical, chemical and optical reactions.

상기 배출물질은 펌프 구조물(1200)에 의해 진공라인(VL)에 인가되는 진공압에 의해 공정챔버로부터 배출된다. 본 실시예의 경우, 상기 공정챔버(1100)는 상층에 배치되고 상기 진공라인(VL)은 공정챔버(1100)보다 낮은 하층에 배치되어 수직하게 배치될 수 있다. 그러나, 설비구성에 따라 공정챔버(1100)와 동일한 층에서 수평하게 배치될 수도 있다.The discharged material is discharged from the process chamber by vacuum pressure applied to the vacuum line VL by the pump structure 1200. In the present embodiment, the process chamber 1100 is disposed on the upper layer and the vacuum line VL is disposed on the lower layer lower than the process chamber 1100 and vertically disposed. However, it may be horizontally disposed on the same layer as the process chamber 1100 according to the equipment configuration.

본 실시예의 경우, 상기 펌프 구조물(1200)은 진공펌프를 포함한다. 그러나, 공정챔버(1100)의 내부압력이 진공으로 유지되지 않는 경우에는 진공펌프뿐만 아니라 다양한 펌프가 이용될 수 있다.In the present embodiment, the pump structure 1200 includes a vacuum pump. However, when the internal pressure of the process chamber 1100 is not maintained in a vacuum, various pumps as well as a vacuum pump may be used.

상기 트랩장치(1000)는 도1 및 도 2를 참조하여 설명한 반도체 제조용 트랩장치와 실질적으로 동일한 구성을 갖는다. 따라서, 상기 트랩장치(1000)에 대한 더 이상의 상세한 설명은 생략한다.The trap device 1000 has substantially the same configuration as the semiconductor manufacturing trap device described with reference to FIGS. 1 and 2. Therefore, further detailed description of the trap device 1000 is omitted.

상기 펌프 구조물(1200)은 공정챔버(110)로부터 배출된 배출물질을 제1 유동라인(L1)을 따라 상기 하우징(100)의 입구(110)로 공급한다. 이에 따라, 고상 불순물과 배출가스가 혼합된 상기 배출물질은 트랩장치(1000)의 유동공간(S1)으로 공급된다.The pump structure 1200 supplies the discharged material discharged from the process chamber 110 along the first flow line L1 to the inlet 110 of the housing 100. Accordingly, the exhaust material in which solid impurities and exhaust gas are mixed is supplied to the flow space S1 of the trap device 1000.

유동공간(S1)에서 배출가스는 출구(120)를 통하여 하우징(100)으로부터 배출된다. 배출된 배출가스는 제2 유동라인(L2)을 따라 스크러버(1300)로 공급되어 분해된다.In the flow space S1, the exhaust gas is discharged from the housing 100 through the outlet 120. The discharged exhaust gas is supplied to the scrubber 1300 along the second flow line L2 and decomposed.

한편, 배출물질에 포함된 고상 불순물은 포획기(200)의 하부에 퇴적되어 파우더(P)를 형성하게 되고 퇴적된 파우더(P)의 하중이 설정하중을 초과하게 되면 플라즈마 처리공정에 의해 기상 불순물로 형성된다. 기상 불순물은 배찰가스와 마찬가지로 출구(120)를 통하여 외부로 배출된다. 배출된 기상 불순물도 제2 유동라인(L2)을 통하여 스크러버(1300)로 전송되어 분해된다. 이때, 상기 제1 유동라인(L1) 및 제2 유동라인(L2)은 대기압 상태에서 배출가스와 기상 불순물을 전송하게 된다. 즉, 펌프 구조물(1200)은 배출물질을 대기압 상태의 대기라인(AL)을 따라 서크러버(1300)로 전송하게 된다.On the other hand, the solid impurities contained in the discharged material are deposited on the lower portion of the trap 200 to form a powder (P) and when the load of the deposited powder (P) exceeds the set load gas phase impurities by the plasma treatment process It is formed of. The gaseous impurity is discharged to the outside through the outlet 120 like the gas for gas distribution. The discharged gaseous impurities are also transferred to the scrubber 1300 through the second flow line L2 and decomposed. At this time, the first flow line (L1) and the second flow line (L2) is to transmit the exhaust gas and gaseous impurities at atmospheric pressure. That is, the pump structure 1200 transmits the discharged material to the circular rubber 1300 along the atmospheric line AL in the atmospheric pressure state.

비록 대기라인이 대기압 상태에 있다 할지라도, 대기라인(AL)을 유동하는 배출물질에는 배출가스와 기상 불순물만 존재하고 고상 불순물의 농도는 낮으므로 고상 불순물이 대기라인(AL)의 측벽에 침착되는 클로깅 불량을 근본적으로 방지할 수 있다. 이에 따라, 상기 반도체 제조설비(2000)의 구동효율을 높일 수 있다.Even if the atmospheric line is in the atmospheric pressure state, only the exhaust gas and gaseous impurities exist in the exhaust material flowing through the atmospheric line AL, and since the concentration of solid impurities is low, solid impurities are deposited on the side walls of the atmospheric line AL. Bad clogging can be fundamentally prevented. Accordingly, driving efficiency of the semiconductor manufacturing facility 2000 may be increased.

상술한 바와 같은 트랩장치 및 이를 구비하는 반도체 제조설비에 의하면, 반도체 제조공정에서 발생하는 고상 불순물과 배출가스의 혼합물인 배출가스가 대기압 상태의 전송라인인 대기라인을 따라 스크러버로 이동하는 경우 고상 불순물이 대기라인의 내측면에 침착되어 대기라인이 막히는 클로깅 불량이 발생한다.According to the trap device as described above and the semiconductor manufacturing facility having the same, when the exhaust gas, which is a mixture of solid impurities and exhaust gas generated in the semiconductor manufacturing process, moves to the scrubber along the atmospheric line, which is a transmission line at atmospheric pressure, solid impurities A clogging defect that is deposited on the inner surface of the waiting line and clogging the waiting line occurs.

그러나, 상기 트랩장치에 의해 고상 불순물을 포집하여 파우더로 형성한 후 플라즈마 처리에 의해 기상 불순물로 변환한 후 대기라인으로 공급함으로서 고상 불순물에 의한 대기라인의 클로깅 불량은 원천적으로 차단할 수 있다. 이에 따라, 반도체 제조설비의 가동효율을 현저하게 높일 수 있다.However, by trapping solid impurities by the trap device, forming them into powder, and converting them into gaseous impurities by plasma treatment, and then supplying them to the atmospheric line, the clogging failure of the atmospheric line due to the solid impurities can be fundamentally blocked. Accordingly, it is possible to significantly increase the operation efficiency of the semiconductor manufacturing facility.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to the preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art may variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. You will understand that you can.

Claims (10)

외부로부터 분리되는 내부공간을 구비하고 제1 및 제2 유동라인을 상기 내부공간에 각각 연결하는 입구 및 출구를 구비하는 하우징;
상기 하우징의 내측면에 고정되어 바닥부로 경사지게 연장하고 상기 제1 유동라인으로부터 전송된 반도체 제조공정의 배출물질로부터 고체상태의 공정 부산물인 고상 부산물을 포획하여 하부에 파우더를 형성하는 포획기; 및
상기 하우징의 상단부에 배치되어 플라즈마 공정에 의해 상기 파우더를 기체 상태로 분해하여 기체 상태의 공정 부산물인 기상 부산물을 생성하는 플라즈마 생성기를 포함하는 반도체 제조용 트랩장치.A housing having an interior space separated from the outside and having an inlet and an outlet for connecting the first and second flow lines to the interior space, respectively;
A trapping machine fixed to the inner surface of the housing, extending obliquely to the bottom, and capturing solid by-products, which are process by-products in the solid state, from the exhaust material of the semiconductor manufacturing process transmitted from the first flow line; And
A trap device for semiconductor manufacturing including a plasma generator disposed on an upper end of the housing to decompose the powder into a gaseous state by a plasma process to generate a gaseous byproduct, which is a gaseous process byproduct. 제1항에 있어서, 상기 포획기는,
상기 내측면으로부터 하방으로 경사지게 연장하여 깔때기 형상을 갖고 상기 하우징의 내측면과 접촉하는 상단부 및 아래로 오목한 포집공간을 한정하고 상기 파우더가 퇴적하는 하단부를 구비하는 포획 몸체;
상기 포획 몸체의 상부 외측면을 둘러싸고 상대적으로 높은 온도로 유지되는 발열판(heat panel); 및
상기 포획 몸체의 하부 외측면을 둘러싸고 상대적으로 낮은 온도로 유지되는 냉각판(cooling panel)를 포함하는 반도체 제조용 트랩장치.According to claim 1, The capture group,
A trapping body extending obliquely downward from the inner surface and having a funnel shape to define an upper end contacting the inner surface of the housing and a concave trapping space downward and having a lower end where the powder is deposited;
A heat panel surrounding the upper outer surface of the capture body and maintained at a relatively high temperature; And
A trapping device for semiconductor manufacturing including a cooling panel surrounding a lower outer surface of the capture body and maintained at a relatively low temperature. 제2항에 있어서, 상기 입구 및 출구는 상기 플라즈마 생성기와 상기 포획몸체 사이에 위치하여 상기 포획몸체의 내측면과 상기 플라즈마 생성기 및 상기 하우징의 상부 측벽에 의해 한정되고 상기 배출물질이 유동하는 유동공간을 형성하는 반도체 제조용 트랩장치.The flow space of claim 2, wherein the inlet and outlet are located between the plasma generator and the capture body and are defined by an inner surface of the capture body and an upper sidewall of the plasma generator and the housing, and through which the exhaust material flows. Trap device for semiconductor manufacturing to form a. 제3항에 있어서, 상기 플라즈마 생성기는 상기 유동공간을 덮도록 상기 하우징의 내부에 배치되고 유전물질을 포함하는 유전창 및 상기 유전창의 상면에 배치되는 고주파 안테나를 포함하는 반도체 제조용 트랩장치.The trap device for manufacturing a semiconductor according to claim 3, wherein the plasma generator is disposed inside the housing to cover the flow space and includes a dielectric window containing dielectric material and a high frequency antenna disposed on the upper surface of the dielectric window. 제3항에 있어서, 상기 하우징의 바닥면과 상기 포획몸체의 외측면에 의해 한정되는 설비공간에서 상기 하단부와 접촉하도록 배치되어 상기 파우더의 중량을 검출하는 하중센서를 더 포함하는 반도체 제조용 트랩장치.The trap device for manufacturing a semiconductor according to claim 3, further comprising a load sensor configured to contact the lower end in a facility space defined by the bottom surface of the housing and the outer surface of the capture body to detect the weight of the powder. 제5항에 있어서, 상기 설비공간에 배치되고, 상기 하우징의 바닥부에 배치되어 냉각소스를 저장하는 냉각탱크, 상기 냉각탱크로부터 연장되어 상기 냉각판으로 냉각소스를 공급하는 냉각라인 및 상기 발열판과 연결되어 주울열을 생성하기 위한 전원을 공급하는 파워라인을 더 포함하는 반도체 제조용 트랩장치.According to claim 5, It is disposed in the installation space, the cooling tank is disposed at the bottom of the housing to store a cooling source, extending from the cooling tank and the cooling line and the heating plate for supplying a cooling source to the cooling plate and A trap device for manufacturing a semiconductor further comprising a power line connected to supply power for generating Joule heat. 제6항에 있어서, 상기 냉각소스는 일정한 온도로 유지되는 냉각수를 포함하는 반도체 제조용 트랩장치.The trap device for manufacturing a semiconductor according to claim 6, wherein the cooling source includes cooling water maintained at a constant temperature. 제5항에 있어서, 상기 하중센서 및 상기 플라즈마 생성기와 연결되어 상기 하중센서에 의해 검출된 상기 파우더의 하중에 따라 선택적으로 상기 플라즈마 생성기를 구동하는 제어부를 더 포함하는 반도체 제조용 트랩장치.The trap device for manufacturing a semiconductor according to claim 5, further comprising a controller connected to the load sensor and the plasma generator to selectively drive the plasma generator according to the load of the powder detected by the load sensor. 제1항에 있어서, 상기 제1 유동라인은 상기 고상 부산물과 배출가스의 혼합물인 상기 배출물질을 상기 입구를 통하여 상기 하우징으로 유입하고, 상기 제2 유동라인은 상기 기상 부산물과 상기 배출가스를 상기 하우징으로부터 외부로 배출하는 반도체 제조용 트랩장치.The method of claim 1, wherein the first flow line flows the discharge material, which is a mixture of the solid by-products and the exhaust gas, into the housing through the inlet, and the second flow line receives the gaseous by-products and the exhaust gas. A semiconductor manufacturing trap device that discharges from the housing to the outside. 반도체 제조공정이 수행되고 고상의 공정 부산물인 고상 부산물과 기상의 배출가스의 혼합물인 배출물질을 생성하는 공정챔버;
진공상태에서 상기 배출물질을 상기 공정챔버로부터 배출하는 펌프 구조물;
상기 배출물질로부터 상기 고상 부산물을 포획하여 기체상태의 공정 부산물인 기상 부산물로 변환하여 상기 배출가스와 함께 배출하는 트랩장치; 및
대기압 상태에서 상기 트랩장치로부터 전송된 상기 기상 부산물 및 배출가스를 분해하여 유해물질을 제거하는 스크러버를 포함하고,
상기 트랩장치는,
외부로부터 분리되는 내부공간을 구비하고, 상기 펌프 구조물과 연결된 제1 유동라인을 통하여 상기 배출물질이 유입되는 입구 및 제2 유동라인을 통하여 상기 기상 부산물 및 상기 배출가스를 배출하는 하우징;
상기 하우징의 내측면에 고정되어 바닥부로 경사지게 연장하고 상기 제1 유동라인으로부터 전송된 반도체 제조공정의 배출물질로부터 고체상태의 공정 부산물인 고상 부산물을 포획하여 하부에 파우더를 형성하는 포획기; 및
상기 하우징의 상단부에 배치되어 플라즈마 공정에 의해 상기 파우더를 기체 상태로 변환하여 상기 기상 부산물을 생성하는 플라즈마 생성기를 구비하는 반도체 제조설비.
A process chamber in which a semiconductor manufacturing process is performed and produces an exhaust material which is a mixture of a solid by-product, which is a by-product of the solid phase, and a gaseous emission gas;
A pump structure that discharges the discharged material from the process chamber in a vacuum state;
A trap device for capturing the solid by-product from the discharged material and converting it into a gaseous by-product, which is a gaseous process by-product; And
And a scrubber for removing harmful substances by decomposing the gaseous by-products and exhaust gas transmitted from the trap device under atmospheric pressure.
The trap device,
A housing having an internal space separated from the outside, and discharging the gaseous by-product and the exhaust gas through an inlet and a second flow line through which the exhaust material is introduced through a first flow line connected to the pump structure;
A trapping machine fixed to the inner surface of the housing, extending obliquely to the bottom, and capturing solid by-products, which are process by-products in the solid state, from the exhaust material of the semiconductor manufacturing process transmitted from the first flow line; And
A semiconductor manufacturing facility disposed on the upper end of the housing and comprising a plasma generator that converts the powder into a gaseous state by a plasma process to generate the gaseous byproduct.
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