KR20200041038A - 탄소 나노튜브 표면에서 해리될 수 있는 금속 함량의 분석방법 - Google Patents

탄소 나노튜브 표면에서 해리될 수 있는 금속 함량의 분석방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 탄소 나노튜브(carbon nanotube, CNT) 표면에서 해리되어 나오는 금속 불순물의 함량을 정량분석하는 방법에 관한 것으로, 제품 적용 시 실제로 영향을 미칠 수 있는 CNT 표면에서 해리되는 금속 불순물의 함량을 정량분석할 수 있다.

Description

탄소 나노튜브 표면에서 해리될 수 있는 금속 함량의 분석방법 {METHOD FOR ANALYZING CONTENTS OF METALS DISSOCIABLE FROM SURFACES OF CARBON NANOTUBES}
본 발명은 탄소 나노튜브(carbon nanotube, CNT) 표면에서 해리되어 나올 수 있는 금속 함량을 분석하는 방법, 구체적으로는 CNT 표면에서 해리되어 제품 적용 시 영향을 미칠 수 있는 금속 불순물의 함량을 정량분석하는 방법에 관한 것이다.
탄소 나노튜브(carbon nanotube, CNT)는 나노미터(nm) 직경의 튜브 형상 탄소 동소체로서 전기적, 열적, 기계적 특성과 전계방출 특성이 우수하고 고효율의 수소 저장 매체 특성을 지닌다.
그런데, CNT 내 불순물은 리튬이온전지 및 플라스틱 컴파운드 등의 제품으로 적용되었을 때 성능 저하의 원인이 될 수 있어 불순물 수준을 관리하는 것이 중요하다. 종래의 CNT 내 불순물 함량 분석은 일반적으로 전기로에서의 회화(탄화), 및 산처리(acid digestion) 방법을 통하여 이루어졌다. 그러나, 최근 CNT를 이용한 제품 생산에 있어서, CNT 내에 포함된 실제 불순물의 농도가 제품으로 적용되었을 때 제품 성능에 영향을 미칠 수 있는 금속 함량과 일치하는 지에 대한 의문이 제기되고 있다. 따라서, CNT를 실제로 제품에 적용하였을 때 CNT 표면에서 해리되어 나올 수 있는 금속 불순물의 함량을 분석하는 방법을 확립하여 제품에 영향을 미치는 정도를 확인하는 분석법이 필요하다.
이에, 본 발명에서는 CNT 표면에서 해리되어 제품 적용 시 실제로 영향을 미칠 수 있는 금속 불순물의 함량을 정량분석하는 방법을 제공하게 되었다.
본 발명의 목적은 CNT 표면에서 해리되어 제품 적용 시 실제로 영향을 미칠 수 있는 금속 불순물의 함량을 정량분석하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 CNT 내부의 모든 금속 함량이 아닌 CNT 표면 용출에 의해 해리되는 금속 함량의 정량분석방법을 제공한다.
구체적으로, 본 발명은
(A) CNT 시료에 초순수를 넣고 물중탕하는 단계;
(B) 상기 단계(A)로부터의 용액에 질산과 표준물질을 넣는 단계; 및
(C) 상기 단계(B)로부터의 용액을 필터로 여과하여 얻은 여과액을 유도 결합 플라즈마 분광법(inductively coupled plasma optical emission spectrometry, ICP-OES)으로 분석하여 금속 함량을 측정하는 단계를 포함하는, CNT 표면 용출 금속의 정량분석방법을 제공한다.
본 발명의 한 실시양태에 따르면, 전체 공정은 코니컬 튜브(conical tube) 내에서 실행되며, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(테플론) 소재의 용기가 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 한 실시양태에 따르면, 상기 단계(A)에서 CNT 시료에 대한 초순수의 사용량은 CNT 시료 100g을 기준으로 초순수 4 내지 6L이다.
본 발명의 한 실시양태에 따르면, 상기 단계(A)에서 물중탕 온도는 60 내지 80℃이다.
본 발명의 한 실시양태에 따르면, 상기 단계(A)에서 물중탕 시간은 3 내지 5시간이다.
본 발명의 한 실시양태에 따르면, 상기 단계(B)에서 질산의 사용량은 CNT 시료 100g을 기준으로 0.05 내지 0.2L이다.
본 발명의 한 실시양태에 따르면, 상기 단계(B)에서 표준물질로서 스칸듐(Sc), 이트륨(Y) 등을 사용할 수 있다.
본 발명의 분석법을 통해 CNT 표면 용출 처리로 CNT 내부의 모든 금속 함량이 아닌 CNT 표면에서 해리되어 제품 적용 시 실제로 영향을 미칠 수 있는 금속 불순물의 함량을 정량분석할 수 있다.
도 1은 완전 용해된 배터리(battery, BT)용 CNT와 컴파운드(compound, CP)용 CNT 내 금속 함량, 및 본 발명의 일 실시양태에 따라 표면 용출 처리된 CP용 CNT와 BT용 CNT 내 금속 함량의 비교 그래프를 나타낸 것이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
합성 상태의 CNT에는 탄소 불순물과 합성에 사용된 촉매로 인한 금속 불순물이 존재한다. 상기 금속 성분은 주로 Fe, Co, Ni 등의 전이금속 성분이며, CNT-금속 나노복합체 형태인 경우에는 Cu, Ag, Al 등의 금속도 존재한다. CNT의 금속 불순물은 재료의 열적 안정성을 감소시키고 고부가가치 응용(예: 리튬이온 배터리, 초고압케이블 등)에서 제품의 성능을 크게 저하시킬 수 있다. 따라서, CNT 내 금속 불순물 함량을 분석하는 방법들이 당업계에 잘 알려져 있다. 종래 이러한 방법들은 대개 회화(탄화) 과정과 산처리 과정을 거쳐 맑게 용해시켜 분석하는 방법들로서, CNT 내부의 모든 금속 불순물의 함량을 분석하게 된다.
그런데, CNT를 이용하여 실제 제품을 생산하는 경우, CNT에 포함된 모든 금속 불순물의 농도가 실제로 제품 성능에 영향을 미칠 수 있는 금속 불순물의 함량인지에 대한 의문이 제기되고 있다.
이에, 본 발명의 발명자들은 CNT를 실제로 제품에 적용하였을 때 CNT 표면에서 해리되어 나올 수 있는 금속 불순물의 함량을 분석하는 방법을 확립하여 제품에 영향을 미치는 정도를 확인하고자 본 발명을 완성하게 되었다.
이를 위해, 본 발명은,
(A) CNT 시료에 초순수를 넣고 물중탕하는 단계;
(B) 상기 단계(A)로부터의 용액에 질산과 표준물질을 넣는 단계; 및
(C) 상기 단계(B)로부터의 용액을 필터로 여과하여 얻은 여과액을 유도 결합 플라즈마 분광법(inductively coupled plasma optical emission spectrometry, ICP-OES)으로 분석하여 금속 함량을 측정하는 단계를 포함하는, CNT 표면 용출 금속의 정량분석방법을 제공한다.
ICP를 이용하여 무기물 분석을 하기 위해서는 산 분해 또는 용출 방법을 통해 시료를 투명 용액으로 분해시켜야 한다. 이 때, 분석할 원소의 손실 및 외부로부터의 오염 없이 산 분해 또는 용출을 하는데, 산 분해를 할 경우 CNT 내 유기물을 열처리하여 날려보낸 후 무기물을 산처리하여 전처리하는 방법을 사용한다. 하지만, CNT 내부에 있는 전체 불순물이 아닌 표면에서 해리되어 나오는 금속 이온 함량을 분석하기 위해서는 CNT를 증류수에서 물중탕하여 표면 금속을 용출시키고 질산을 첨가하여 용출된 금속을 가용성 염으로 만들어 정량분석하기 용이하도록 하는 것이 필요하다. 일반적으로 Na, K, Mg 및 NH4의 염은 가용성이고, 음이온의 염 중 질산염은 모두 가용성이다. 몇 가지 예외를 제외하고는 염화물, 황산염, 과염소산염 등은 모두 가용성이다. 물에 용해되면 특별한 경우가 아닌 한 다음의 처리를 필요로 하지 않으므로 약간의 산을 가한 후 분석하면 된다. 이 때, 질산 또는 염산을 사용할 수 있지만 CNT에는 유기물이 존재하고 있으므로 질산을 사용하는 것이 전처리에 적합하고 황산이나 인산 등의 경우 점도가 높아져 결과값에 오차가 커지는 단점이 있다.
본 발명의 한 실시양태에 따르면, 전체 공정은 코니컬 튜브(conical tube) 내에서 실행되며, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(테플론) 소재의 용기가 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 한 실시양태에 따르면, CNT 시료는 펠렛 형태일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 한 실시양태에 따르면, 상기 단계(A)에서 CNT 시료에 대한 초순수의 사용량은 CNT 시료 100g을 기준으로 초순수 4 내지 6L, 예컨대 4.5 내지 5.5L이다.
본 발명의 한 실시양태에 따르면, 상기 단계(A)에서 물중탕 온도는 60 내지 80℃, 예컨대 65 내지 75℃이다.
본 발명의 한 실시양태에 따르면, 상기 단계(A)에서 물중탕 시간은 3 내지 5시간, 예컨대 3.5 내지 4.5시간이다.
본 발명의 한 실시양태에 따르면, 상기 단계(B)에서 질산의 사용량은 CNT 시료 100g을 기준으로 0.05 내지 0.2L, 예컨대 0.08 내지 0.15L이다.
산을 이용한 전처리 용액은 CNT 시료 전체 표면을 대변하기 위하여 충분히 사용되어야 하는데, CNT 시료량이 너무 많을 경우 CNT가 응집되어 전처리 용액을 필터링하기 어려운 단점이 있으며, CNT 시료량이 너무 적은 경우 CNT 시료 전체 표면을 대변하기 어렵고 희석배수가 커져 검출한계(Detection limit)가 높아져 미량 분석이 어려워지는 단점이 있다. 본 발명에 따른 상기한 범위의 시료량에 대한 질산의 사용량은 위에 언급한 단점들을 회피할 수 있다.
본 발명의 한 실시양태에 따르면, 상기 단계(B)에서 표준물질로서 스칸듐(Sc), 이트륨(Y) 등을 사용할 수 있다.
본 발명의 한 실시양태에 따르면, 상기 단계(C)에서 ICP-OES 기기로는 퍼킨엘머(PerkinElmer)사의 옵티마(Optima™) 시리즈, 예컨대 옵티마 5300DV를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
실시예
1. CNT 표면 용출 분석을 위한 전처리 방법
(1) CNT 시료 약 0.5g을 정확히 측정하여 코닝 튜브(Corning™ tube)에 넣었다.
(2) 상기 (1)의 시료에 초순수 25mL를 넣고 튜브를 밀폐시킨 후 70℃에서 4시간 동안 물중탕하였다.
(3) 상기 (2)의 용액에 질산 0.5mL 및 표준물질 스칸듐(Sc)을 넣어 섞어 혼합액을 만들었다.
(4) 상기 (3)의 혼합액을 필터로 여과하여 녹지 않은 CNT 성분을 걸러내고 여과액을 ICP-OES(Optima™ 5300DV)로 분석하였다.
2. ICP-OES를 사용한 분석 데이터
배터리(battery, BT)용 CNT와 컴파운드(compound, CP)용 CNT 샘플에 대하여 열처리를 통하여 각각의 CNT 샘플 내 유기물을 날려 보내고 남은 무기물을 황산으로 처리하여 맑은 용액으로 완전히 용해시킨 후 CNT 내 금속 함량을 ICP-OES(Optima™ 5300DV)로 분석하였다.
한편, 위와 동일한 사양의 CNT 샘플에 대하여 각각 위의 "1. CNT 표면 용출 분석을 위한 전처리 방법"에 기재한 과정에 따라 전처리한 후 ICP-OES(Optima™ 5300DV)로 분석하였다. 이와 같이 표면 전처리된 CP용 CNT 및 BT용 CNT의 분석 결과로부터 얻은 알루미늄(Al) 및 코발트(Co)의 함량을 아래 표에 기재한다:
Figure pat00001
또한, 완전 용해된 BT용 CNT 및 CP용 CNT의 분석 결과를 표면 전처리된 CP CNT 및 BT CNT의 분석 결과와 함께 도 1에 나타냈다.
도 1을 참조하면, 완전 용해된 BT용 CNT(도 1의 "BT완전용해") 및 CP용 CNT(도 1의 "CP완전용해") 내의 알루미늄(Al) 및 코발트(Co)의 함량과 비교하여 표면 전처리된 CP용 CNT(도 1의 "CP표면") 및 BT용 CNT(도 1의 "BT표면") 내의 알루미늄(Al) 및 코발트(Co)의 함량은 3% 수준임을 확인할 수 있다.
또한, 반도체 등에 적용되어 보다 금속에 예민한 CP용 CNT의 표면에서 해리되어 나올 수 있는 금속 함량이 BT용 CNT의 표면에서 해리되어 나올 수 있는 금속 함량보다 적은 수준임을 확인할 수 있다.
따라서, 본 발명의 방법에 따르면, CNT를 이용하여 배터리나 플라스틱 컴파운드와 같은 제품을 생산하는 생산자에게 제품 성능에 영향을 미치는 CNT 내 금속 불순물의 함량 정보를 제공할 수 있으며, CNT 내 불순물 수준을 관리하는 데에도 적합하다.
이상으로 본 발명 내용의 특정한 부분을 상세히 기술하였는바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서, 이러한 구체적 기술은 단지 바람직한 실시 양태일 뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항들과 그것들의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.

Claims (7)

  1. (A) 탄소 나노튜브(carbon nanotube, CNT) 시료에 초순수를 넣고 물중탕하는 단계;
    (B) 상기 단계(A)로부터의 용액에 질산과 표준물질을 넣는 단계; 및
    (C) 상기 단계(B)로부터의 용액을 필터로 여과하여 얻은 여과액을 유도 결합 플라즈마 분광법(inductively coupled plasma optical emission spectrometry, ICP-OES)으로 분석하여 금속 함량을 측정하는 단계를 포함하는, CNT 표면 용출 금속의 정량분석방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전체 공정은 코니컬 튜브(conical tube) 내에서 실행되는 것인, CNT 표면 용출 금속의 정량분석방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 단계(A)에서 CNT 시료에 대한 초순수의 사용량이 CNT 시료 100g을 기준으로 초순수 4 내지 6L인 것인, CNT 표면 용출 금속의 정량분석방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 단계(A)에서 물중탕 온도가 60 내지 80℃인 것인, CNT 표면 용출 금속의 정량분석방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 물중탕 시간은 3 내지 5시간인 것인, CNT 표면 용출 금속의 정량분석방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 단계(B)에서 질산의 사용량이 CNT 시료 100g을 기준으로 0.05 내지 0.2L인 것인, CNT 표면 용출 금속의 정량분석방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 단계(B)에서 표준물질로서 스칸듐(Sc) 또는 이트륨(Y)을 사용하는 것인, CNT 표면 용출 금속의 정량분석방법.
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