KR20200039577A - Substrate processing apparatus and inspection method - Google Patents

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KR20200039577A
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게이시 하마다
유이치로 구누기모토
다카후미 하야마
신이치 미즈시노
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

When processing is implemented by a substrate processing apparatus processing a processed substrate, a quality of a photographed image used in an inspection is improved. The substrate processing apparatus, which processes the processed substrate, comprises: a rotation retaining part retaining rotation of the processed substrate to rotate the same; a photographing part including a surface of the processed substrate retained in the rotation retaining part in a photographing area; a light source irradiating light to the photographing area of the photographing part; and a control part controlling a light emitting timing of the light source in the inspection based on a result photographed by the photographing part based on a direction of the processed substrate retained in the rotation retaining part to be rotated.

Description

기판 처리 장치 및 검사 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND INSPECTION METHOD}Substrate processing device and inspection method {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND INSPECTION METHOD}

본 개시는 기판 처리 장치 및 검사 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a substrate processing apparatus and inspection method.

특허문헌 1은 처리 대상물의 상방에 위치하는 노즐로부터 그 처리 대상물의 상면을 향하여 유하하는 액체의 유하 상태를 판정하는 유하 판정 방법을 개시하고 있다. 이 방법에서는, 노즐로부터 처리 대상물의 상면에 이르는 액체의 유하 경로를 촬상 시야에 포함시켜 촬상이 행해진다. 계속해서, 촬상된 화상 중 유하 경로에 대응하는 평가 대상 영역 내에서, 액체의 유하 방향을 따라 1열로 배열되는 화소로 이루어지는 화소열마다, 그 화소열에 속하는 화소의 화소값의 합계값이 산출된다. 그리고, 유하 방향과 직교하는 직교 방향을 따른 합계값의 변화 양태에 기초하여 액체의 유하의 유무가 판정된다.Patent document 1 discloses a flow determination method for determining a flow state of a liquid flowing from a nozzle located above an object to be treated toward an upper surface of the object to be treated. In this method, imaging is performed by including the flow path of the liquid from the nozzle to the upper surface of the object to be processed in the imaging field of view. Subsequently, the sum of the pixel values of the pixels belonging to the pixel column is calculated for each pixel column composed of pixels arranged in one column along the flow direction of the liquid in the evaluation target area corresponding to the flow path among the captured images. Then, the presence or absence of the flow of the liquid is determined based on the mode of change of the total value along the orthogonal direction orthogonal to the flow direction.

특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2017-29883호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Publication No. 2017-29883

본 개시에 따른 기술은, 피처리 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 의한 처리 시의 검사에 이용하는 촬상 화상의 품질을 향상시킨다.The technique according to the present disclosure improves the quality of a captured image used for inspection during processing by a substrate processing apparatus that processes a substrate to be processed.

본 개시의 일양태는, 피처리 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서, 피처리 기판을 유지하여 회전시키는 회전 유지부와, 상기 회전 유지부에 유지된 피처리 기판의 표면을 촬상 영역에 포함하는 촬상부와, 상기 촬상부의 상기 촬상 영역에 광을 조사하는 광원과, 상기 촬상부에 의한 촬상 결과에 기초한 검사에 있어서의 상기 광원의 발광 타이밍을, 상기 회전 유지부에 유지되어 회전 중인 피처리 기판의 방향에 기초하여 제어하는 제어부를 갖는다.An aspect of the present disclosure is a substrate processing apparatus for processing a substrate to be processed, and includes a rotation holding portion that holds and rotates the substrate to be processed, and an imaging area including a surface of the substrate to be processed held in the rotation holding portion in an imaging area A light source irradiating light to the imaging area of the imaging unit, and a light emitting timing of the light source in the inspection based on the imaging result by the imaging unit, of the substrate to be processed being rotated by the rotation holding unit It has a control unit that controls based on the direction.

본 개시에 따르면, 피처리 기판을 처리하는 기판 처리 장치의 검사에 의한 처리 시의 검사에 이용하는 촬상 화상의 품질을 향상시킬 수 있다.According to the present disclosure, it is possible to improve the quality of the captured image used for inspection at the time of processing by inspection of the substrate processing apparatus that processes the substrate to be processed.

도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치로서의 레지스트막 형성 장치를 구비한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치로서의 레지스트막 형성 장치를 구비한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 정면도이다.
도 3은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치로서의 레지스트막 형성 장치를 구비한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 배면도이다.
도 4는 레지스트막 형성 장치의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.
도 5는 레지스트막 형성 장치의 구성의 개략을 나타내는 횡단면도이다.
도 6은 레지스트막 형성 장치에 의한 처리 시의 검사에 이용되는 카메라의 촬상 결과의 검사 대상 부분의 설명도이다.
도 7은 피처리 기판의 방향에 따라 외란광이 촬상 결과에 영향을 끼치는 것을 설명하는 도면이다.
도 8은 카메라의 촬상 소자의 노광 타이밍 및 그 촬상 소자로부터의 촬상 결과의 출력 타이밍의 일례를 나타내는 타이밍 차트이다.
도 9는 피처리 기판의 방향이 정해진 각도씩 어긋난 촬상 결과 각각과 휘도값의 관계를 나타내는 도면이다.
도 10은 피처리 기판의 회전수 및 카메라의 프레임 레이트와, 검사 시의 광원의 발광 타이밍의 관계를 설명하는 도면이다.
도 11은 제2 실시형태에 따른 레지스트막 형성 장치의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.1 is a plan view schematically showing an outline of a configuration of a substrate processing system provided with a resist film forming apparatus as a substrate processing apparatus according to the first embodiment.
2 is a front view schematically showing the outline of the configuration of a substrate processing system equipped with a resist film forming apparatus as a substrate processing apparatus according to the first embodiment.
3 is a rear view schematically showing an outline of the configuration of a substrate processing system provided with a resist film forming apparatus as the substrate processing apparatus according to the first embodiment.
4 is a longitudinal sectional view schematically showing the configuration of a resist film forming apparatus.
5 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a resist film forming apparatus.
Fig. 6 is an explanatory view of a portion to be inspected for imaging results of a camera used for inspection during processing by a resist film forming apparatus.
7 is a view for explaining that the disturbance light influences the imaging result depending on the direction of the substrate to be processed.
8 is a timing chart showing an example of the exposure timing of the imaging element of the camera and the output timing of the imaging result from the imaging element.
Fig. 9 is a diagram showing the relationship between each of the imaging results in which the direction of the substrate to be processed is deviated by a predetermined angle and the luminance value.
10 is a view for explaining the relationship between the rotation speed of the substrate to be processed, the frame rate of the camera, and the light emission timing of the light source during inspection.
11 is a longitudinal sectional view schematically showing the configuration of a resist film forming apparatus according to a second embodiment.

반도체 디바이스 등의 제조 프로세스에 있어서의 포토리소그래피 공정에서는, 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함) 상에 레지스트액을 공급하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리 등을 포함하는 일련의 처리가 행해져, 웨이퍼 상에 정해진 레지스트 패턴이 형성된다. 상기 일련의 처리에는, 전술한 레지스트 도포 처리 외에, 정해진 패턴으로 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리 등이 포함된다. 이 일련의 처리는, 웨이퍼를 처리하는 각종 처리 장치나 웨이퍼를 반송하는 반송 장치 등을 탑재한 도포 현상 처리 시스템으로 행해지고 있다.In a photolithography process in a manufacturing process such as a semiconductor device, a series of processes including a resist coating process for forming a resist film by supplying a resist solution on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a "wafer") is performed, and the wafer The resist pattern defined on the image is formed. In addition to the above-described resist coating treatment, the series of treatment includes developing treatment for developing a resist film exposed in a predetermined pattern. This series of processing is performed by a coating and developing processing system equipped with various processing apparatuses for processing wafers, conveyance equipment for conveying wafers, and the like.

이 도포 현상 처리 시스템에 있어서, 상기 처리 장치 중, 레지스트액 등의 처리액을 이용하는 처리를 행하는 액처리 장치는, 웨이퍼를 유지하여 회전하는 스핀 척과, 이 스핀 척에 유지된 웨이퍼에 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐을 갖는다. 이 액처리 장치에서는, 예컨대, 스핀 척에 유지된 웨이퍼의 중앙에 처리액 공급 노즐로부터 처리액을 공급하면서 그 스핀 척을 회전시키는 회전 처리가 행해진다.In this coating and developing system, a liquid processing apparatus that performs processing using a processing liquid such as a resist liquid among the processing apparatuses supplies a spin chuck that rotates by holding a wafer and a processing liquid to a wafer held by the spin chuck. It has a processing liquid supply nozzle. In this liquid processing apparatus, for example, rotation processing is performed to rotate the spin chuck while supplying the processing liquid from the processing liquid supply nozzle to the center of the wafer held on the spin chuck.

회전 처리에서는, 처리액 공급 노즐의 토출구 부근을 촬상하고, 촬상된 결과를 해석하여 처리액 공급 노즐로부터의 토출 상태를 판정하는 것 등이 필요해지는 경우가 있다. 이 판정을 위한 기술로서는, 특허문헌 1에 기재된 것이 있다. 특허문헌 1에서는, 노즐로부터 처리 대상물의 상면에 이르는 액체의 유하 경로를 촬상 시야에 포함시켜 촬상하고, 그 촬상 결과에 기초하여 노즐로부터의 액체의 유하 상태를 판정한다.In the rotation process, it may be necessary to image the vicinity of the discharge port of the processing liquid supply nozzle, analyze the captured image, and determine the discharge state from the processing liquid supply nozzle. As a technique for this determination, there is one described in Patent Document 1. In Patent Document 1, the flow path of the liquid from the nozzle to the upper surface of the object to be processed is included in the imaging field of view, and the image is captured, and based on the imaging result, the flow state of the liquid from the nozzle is determined.

그런데, 처리액 공급 노즐로부터의 토출 상태를 판정하는 검사 등의, 기판 처리 장치의 검사에는, 고정밀도화가 요구되고 있다. 이 고정밀도화를 위해서는, 검사에 촬상 화상을 이용하는 경우, 고품질의 촬상 화상을 취득할 필요가 있다. 이 점에 관하여, 특허문헌 1에는 아무런 개시도 시사도 되어 있지 않다.Incidentally, high precision is required for inspection of the substrate processing apparatus, such as inspection for determining the discharge state from the processing liquid supply nozzle. In order to increase the accuracy, it is necessary to acquire a high-quality captured image when using the captured image for inspection. No disclosure or suggestion is made in Patent Document 1 in this regard.

그래서, 본 개시에 따른 기술은, 피처리 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 의한 처리 시의 검사에 이용하는 촬상 화상의 품질을 향상시킨다.Therefore, the technique according to the present disclosure improves the quality of a captured image used for inspection during processing by a substrate processing apparatus that processes a substrate to be processed.

이하, 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치 및 검사 방법을, 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 요소에 있어서는, 동일한 부호를 붙임으로써 중복 설명을 생략한다.Hereinafter, the substrate processing apparatus and inspection method according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. In addition, in this specification and drawings, in the elements having substantially the same functional configuration, the same reference numerals are assigned to duplicate descriptions.

(제1 실시형태)(First embodiment)

도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치로서의 레지스트막 형성 장치를 구비한 기판 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 설명도이다. 도 2 및 도 3은 각각 기판 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 모식적으로 나타내는, 정면도와 배면도이다. 또한, 본 실시형태에서는, 기판 처리 시스템(1)이 피처리 기판으로서의 웨이퍼(W)에 대하여 도포 처리 및 현상 처리를 행하는 도포 현상 처리 시스템인 경우를 예로 하여 설명한다.1 is an explanatory diagram schematically showing an outline of an internal configuration of a substrate processing system 1 equipped with a resist film forming apparatus as a substrate processing apparatus according to the first embodiment. 2 and 3 are a front view and a rear view, respectively, schematically showing the outline of the internal structure of the substrate processing system 1. In addition, in this embodiment, the case where the substrate processing system 1 is a coating and developing processing system which performs coating processing and developing processing on the wafer W as a substrate to be processed is described as an example.

기판 처리 시스템(1)은, 도 1에 나타내는 바와 같이, 복수매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가 반입출되는 카세트 스테이션(10)과, 웨이퍼(W)에 정해진 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(11)을 갖는다. 그리고, 기판 처리 시스템(1)은, 카세트 스테이션(10)과, 처리 스테이션(11)과, 처리 스테이션(11)에 인접하는 노광 장치(12) 사이에서 웨이퍼(W)의 교환을 행하는 인터페이스 스테이션(13)을 일체로 접속한 구성을 가지고 있다.As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 carries out a predetermined process for the cassette station 10 in which the cassette C containing the plurality of wafers W is carried in and out, and the wafer W. It has a processing station 11 with a plurality of various processing devices. Then, the substrate processing system 1 is an interface station for exchanging wafers W between the cassette station 10, the processing station 11, and the exposure apparatus 12 adjacent to the processing station 11 ( It has a structure in which 13) are integrally connected.

카세트 스테이션(10)에는, 카세트 배치대(20)가 마련되어 있다. 카세트 배치대(20)에는, 기판 처리 시스템(1)의 외부에 대하여 카세트(C)를 반입출할 때에, 카세트(C)를 배치하는 카세트 배치판(21)이 복수 마련되어 있다.The cassette station 10 is provided with a cassette placing table 20. The cassette placement table 20 is provided with a plurality of cassette placement plates 21 for placing the cassette C when carrying in and out the cassette C from the outside of the substrate processing system 1.

카세트 스테이션(10)에는, 도면의 X 방향으로 연장되는 반송로(22) 상을 이동 가능한 웨이퍼 반송 장치(23)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(23)는, 상하 방향 및 연직축 둘레(θ 방향)로도 이동 가능하며, 각 카세트 배치판(21) 상의 카세트(C)와, 후술하는 처리 스테이션(11)의 제3 블록(G3)의 전달 장치 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The cassette station 10 is provided with a wafer transport device 23 that can move on a transport path 22 extending in the X direction in the drawing. The wafer transfer device 23 is also movable in the vertical direction and in the circumferential axis (theta direction), the cassette C on each cassette placement plate 21, and the third block G3 of the processing station 11 to be described later. The wafer W can be transferred between the transfer devices.

처리 스테이션(11)에는, 각종 장치를 구비한 복수 예컨대 4개의 블록(G1, G2, G3, G4)이 마련되어 있다. 예컨대 처리 스테이션(11)의 정면측(도 1의 X 방향 부방향측)에는, 제1 블록(G1)이 마련되고, 처리 스테이션(11)의 배면측(도 1의 X 방향 정방향측)에는, 제2 블록(G2)이 마련되어 있다. 또한, 처리 스테이션(11)의 카세트 스테이션(10)측(도 1의 Y 방향 부방향측)에는, 제3 블록(G3)이 마련되고, 처리 스테이션(11)의 인터페이스 스테이션(13)측(도 1의 Y 방향 정방향측)에는, 제4 블록(G4)이 마련되어 있다.The processing station 11 is provided with a plurality of, for example, four blocks G1, G2, G3, and G4 equipped with various devices. For example, the first block G1 is provided on the front side of the processing station 11 (the negative direction in the X direction in FIG. 1), and on the back side of the processing station 11 (the positive side in the X direction in FIG. 1), The second block G2 is provided. In addition, a third block G3 is provided on the cassette station 10 side (the Y-direction negative side in FIG. 1) of the processing station 11, and the interface station 13 side of the processing station 11 (FIG. A fourth block G4 is provided on the positive side in the Y direction (1).

제1 블록(G1)에는, 도 2에 나타내는 바와 같이 복수의 액처리 장치, 예컨대 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트막 형성 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)가 밑에서부터 이 순서로 배치되어 있다.In the first block G1, as shown in Fig. 2, a plurality of liquid processing devices, such as a developing processing device 30, a lower antireflection film forming device 31, a resist film forming device 32, and an upper antireflection film forming device 33 are arranged in this order from the bottom.

현상 처리 장치(30)는, 웨이퍼(W)를 현상 처리한다.The developing processing apparatus 30 develops the wafer W.

하부 반사 방지막 형성 장치(31)는, 웨이퍼(W)의 레지스트막의 하층에 반사 방지막(이하 「하부 반사 방지막」이라고 함)을 형성한다.The lower antireflection film forming apparatus 31 forms an antireflection film (hereinafter referred to as "lower antireflection film") on the lower layer of the resist film on the wafer W.

레지스트막 형성 장치(32)는, 웨이퍼(W)에 레지스트액을 공급하여 레지스트막을 형성한다.The resist film forming apparatus 32 supplies a resist liquid to the wafer W to form a resist film.

상부 반사 방지막 형성 장치(33)는, 웨이퍼(W)의 레지스트막의 상층에 반사 방지막(이하 「상부 반사 방지막」이라고 함)을 형성한다.The upper anti-reflection film forming apparatus 33 forms an anti-reflection film (hereinafter referred to as an "top anti-reflection film") on the upper layer of the resist film on the wafer W.

예컨대 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트막 형성 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)는, 각각 수평 방향에 3개 배열되어 배치되어 있다. 또한, 이들 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트막 형성 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)의 수나 배치는, 임의로 선택할 수 있다.For example, three developing processing devices 30, a lower antireflection film forming device 31, a resist film forming device 32, and an upper antireflection film forming device 33 are arranged in a horizontal direction. The number and arrangement of these developing processing devices 30, lower antireflection film forming devices 31, resist film forming devices 32, and upper antireflection film forming devices 33 can be arbitrarily selected.

이들 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트막 형성 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)에서는, 예컨대 웨이퍼(W) 상에 정해진 처리액을 이용한 스핀 코팅이 행해진다. 스핀 코팅에서는, 예컨대 처리액 공급 노즐로부터 웨이퍼(W) 상에 처리액을 토출하며, 웨이퍼(W)를 회전시켜, 처리액을 웨이퍼(W)의 표면에 확산시킨다.In these developing processing devices 30, the lower anti-reflection film forming device 31, the resist film forming device 32, and the upper anti-reflection film forming device 33, for example, spin coating using a predetermined processing liquid on the wafer W is performed. Is done. In spin coating, for example, the processing liquid is discharged from the processing liquid supply nozzle onto the wafer W, the wafer W is rotated, and the processing liquid is diffused on the surface of the wafer W.

제2 블록(G2)에는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 열처리 장치(40), 애드히젼 장치(41), 주변 노광 장치(42)가 상하 방향과 수평 방향으로 배열되어 마련되어 있다.As shown in FIG. 3, the 2nd block G2 is provided with the heat processing apparatus 40, the ad-hission apparatus 41, and the peripheral exposure apparatus 42 arranged in the vertical direction and the horizontal direction.

열처리 장치(40)는, 웨이퍼(W)의 가열이나 냉각이라고 하는 열처리를 행한다.The heat treatment apparatus 40 performs heat treatment such as heating and cooling of the wafer W.

애드히젼 장치(41)는, 레지스트액과 웨이퍼(W)의 정착성을 높이기 위한 것이다.The ad-hission apparatus 41 is for improving the fixability of the resist liquid and the wafer W.

주변 노광 장치(42)는, 웨이퍼(W)의 외주부를 노광한다.The peripheral exposure apparatus 42 exposes the outer peripheral portion of the wafer W.

이들 열처리 장치(40), 애드히젼 장치(41), 주변 노광 장치(42)의 수나 배치는, 임의로 선택할 수 있다.The number and arrangement of the heat treatment devices 40, the adfusion device 41, and the peripheral exposure devices 42 can be arbitrarily selected.

예컨대 제3 블록(G3)에는, 복수의 전달 장치(50, 51, 52, 53, 54, 55, 56)가 밑에서부터 순서대로 마련되어 있다. 또한, 제4 블록(G4)에는, 복수의 전달 장치(60, 61, 62)가 밑에서부터 순서대로 마련되어 있다.For example, in the third block G3, a plurality of delivery devices 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56 are provided in order from the bottom. Further, in the fourth block G4, a plurality of delivery devices 60, 61, and 62 are provided in order from the bottom.

도 3에 나타내는 바와 같이 제1 블록(G1)∼제4 블록(G4)에 둘러싸인 영역에는, 웨이퍼 반송 영역(D)이 형성되어 있다. 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 웨이퍼 반송 장치(70)가 배치되어 있다.As shown in FIG. 3, the wafer transfer area D is formed in the area surrounded by the first block G1 to the fourth block G4. The wafer transfer device 70 is disposed in the wafer transfer area D.

웨이퍼 반송 장치(70)는 각각, 예컨대 Y 방향, X 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암(70a)을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(70)는, 상하에 복수대 배치되어 있고, 각 웨이퍼 반송 장치(70)는, 웨이퍼 반송 영역(D) 내를 이동하여, 예컨대 각 블록(G1∼G4)의 같은 정도의 높이의 정해진 장치에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The wafer transport apparatus 70 has transport arms 70a that are movable in, for example, the Y direction, the X direction, the θ direction, and the up and down direction. A plurality of wafer transport devices 70 are arranged at the top and bottom, and each wafer transport device 70 moves within the wafer transport area D, for example, having the same height of each block G1 to G4. The wafer W can be conveyed to a given device.

또한, 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 제3 블록(G3)과 제4 블록(G4) 사이에서 직선적으로 웨이퍼(W)를 반송하는 셔틀 반송 장치(80)가 마련되어 있다.Further, in the wafer transport area D, a shuttle transport device 80 for transporting the wafer W linearly between the third block G3 and the fourth block G4 is provided.

셔틀 반송 장치(80)는, 예컨대 도 3의 Y 방향으로 직선적으로 이동 가능하게 되어 있다. 셔틀 반송 장치(80)는, 웨이퍼(W)를 지지한 상태로 Y 방향으로 이동하여, 제3 블록(G3)의 전달 장치(52)와 제4 블록(G4)의 전달 장치(62) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The shuttle conveyance device 80 can be moved linearly, for example, in the Y direction in FIG. 3. The shuttle conveying device 80 moves in the Y direction with the wafer W supported, and between the delivery device 52 of the third block G3 and the delivery device 62 of the fourth block G4. The wafer W can be transported.

도 1에 나타내는 바와 같이 제3 블록(G3)의 X 방향 정방향측의 옆에는, 웨이퍼 반송 장치(90)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(90)는, 예컨대 X방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암(90a)을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(90)는, 웨이퍼(W)를 지지한 상태로 상하로 이동하여, 제3 블록(G3) 내의 각 전달 장치에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.As shown in FIG. 1, the wafer transfer device 90 is provided on the side of the third block G3 on the positive side in the X direction. The wafer transfer device 90 has, for example, a transfer arm 90a that can move in the X direction, the θ direction, and the vertical direction. The wafer transport device 90 can move the wafer W up and down in a supported state to transport the wafer W to each transfer device in the third block G3.

인터페이스 스테이션(13)에는, 웨이퍼 반송 장치(100)와 전달 장치(101)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예컨대 Y 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암(100a)을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예컨대 반송 아암(100a)에 웨이퍼(W)를 지지하여, 제4 블록(G4) 내의 각 전달 장치, 전달 장치(101) 및 노광 장치(12)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The interface station 13 is provided with a wafer transfer device 100 and a transfer device 101. The wafer transport apparatus 100 has a transport arm 100a that is movable in, for example, the Y direction, the θ direction, and the vertical direction. The wafer transport apparatus 100 supports, for example, a wafer W on the transport arm 100a, and the wafer () is transferred between each transfer apparatus, transfer apparatus 101 and exposure apparatus 12 in the fourth block G4. W).

여기서, 전술한 레지스트막 형성 장치(32)의 구성에 대해서 도 4 및 도 5를 이용하여 설명한다. 도 4는 레지스트막 형성 장치(32)의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이고, 도 5는 레지스트막 형성 장치(32)의 구성의 개략을 나타내는 횡단면도이다.Here, the configuration of the above-described resist film forming apparatus 32 will be described with reference to FIGS. 4 and 5. 4 is a longitudinal sectional view showing the outline of the configuration of the resist film forming apparatus 32, and FIG. 5 is a cross-sectional view showing the outline of the configuration of the resist film forming apparatus 32.

레지스트막 형성 장치(32)는, 도 4에 나타내는 바와 같이 내부를 밀폐 가능한 처리 용기(110)를 가지고 있다. 처리 용기(110)의 측면에는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 반입출구(111)가 형성되고, 반입출구(111)에는 개폐 셔터(112)가 마련되어 있다.The resist film forming apparatus 32 has a processing container 110 that can be sealed inside as shown in FIG. 4. As shown in FIG. 5, on the side surface of the processing container 110, the carrying in / out 111 of the wafer W is formed, and the opening / closing shutter 112 is provided in the carrying in / out 111.

처리 용기(110) 내의 중앙부에는, 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 회전 유지부로서의 스핀 척(120)이 마련되어 있다. 이 스핀 척(120)은, 수평인 상면을 가지고, 그 상면에는, 예컨대 웨이퍼(W)를 흡인하는 흡인구(도시하지 않음)가 마련되어 있다. 이 흡인구로부터의 흡인에 의해 웨이퍼(W)를 스핀 척(120) 상에 흡착 유지할 수 있다.A spin chuck 120 as a rotation holding portion for holding and rotating the wafer W is provided at a central portion in the processing container 110. The spin chuck 120 has a horizontal upper surface, and a suction port (not shown) for sucking the wafer W is provided on the upper surface. The wafer W can be adsorbed and held on the spin chuck 120 by suction from this suction port.

스핀 척(120)은, 예컨대 모터 등을 구비한 척 구동부(121)에 의해 정해진 속도로 회전할 수 있다. 또한, 척 구동부(121)에는, 예컨대 실린더 등의 승강 구동 기구(도시하지 않음)가 마련되어 있어, 스핀 척(120)은 승강 가능하게 되어 있다. 또한, 스핀 척(120)의 하방에는, 웨이퍼(W)를 하방으로부터 지지하여 승강시키기 위한 승강 핀(도시하지 않음)이 마련되어 있다.The spin chuck 120 may rotate at a predetermined speed by, for example, a chuck driving unit 121 equipped with a motor or the like. In addition, the chuck drive unit 121 is provided with a lift driving mechanism (not shown) such as a cylinder, for example, and the spin chuck 120 can be lifted. In addition, an elevating pin (not shown) is provided below the spin chuck 120 to support and elevate the wafer W from below.

또한, 처리 용기(110) 내에는, 스핀 척(120)에 유지되는 웨이퍼(W)를 둘러쌀 수 있도록 스핀 척(120)에 대하여 컵(122)이 마련되어 있다. 컵(122)은, 웨이퍼(W)로부터 비산 또는 낙하하는 액체를 받아내어, 회수한다.Further, in the processing container 110, a cup 122 is provided with respect to the spin chuck 120 so as to surround the wafer W held by the spin chuck 120. The cup 122 collects and collects liquid scattering or falling from the wafer W.

도 5에 나타내는 바와 같이 컵(122)의 X 방향 부방향(도 5의 하방향)측에는, Y 방향(도 5의 좌우 방향)을 따라 연신하는 레일(130)이 형성되어 있다. 레일(130)은, 예컨대 컵(122)의 Y 방향 부방향(도 5의 좌방향)측의 외방으로부터 Y 방향 정방향(도 5의 우방향)측의 외방까지 형성되어 있다. 레일(130)에는, 아암(131)이 마련되어 있다.As shown in Fig. 5, a rail 130 extending along the Y direction (left and right directions in Fig. 5) is formed on the side of the cup 122 in the negative direction (downward direction in Fig. 5). The rail 130 is formed, for example, from the outer side of the cup 122 in the negative Y direction (left direction in FIG. 5) to the outer side in the positive Y direction (right direction in FIG. 5) side. An arm 131 is provided on the rail 130.

아암(131)에는, 레지스트액을 웨이퍼(W)에 공급하는, 처리액 공급부로서의 레지스트액 공급 노즐(132)이 지지되어 있다. 아암(131)은, 노즐 구동부(133)에 의해, 레일(130) 상을 이동 가능하다. 이에 의해, 레지스트액 공급 노즐(132)은, 컵(122)의 Y 방향 정방향측의 외방에 설치된 대기부(134)로부터 컵(122) 내의 웨이퍼(W)의 중심부 상방까지 이동할 수 있고, 또한 그 웨이퍼(W)의 표면의 상방을 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 노즐 구동부(133)에 의해, 아암(131)은 승강 가능하여, 레지스트액 공급 노즐(132)의 높이를 조절할 수 있다. 레지스트액 공급 노즐(132)은, 레지스트액을 공급하는 레지스트액 공급 장치(M)에 접속되어 있다.The arm 131 is supported with a resist liquid supply nozzle 132 serving as a processing liquid supply portion that supplies the resist liquid to the wafer W. The arm 131 is movable on the rail 130 by the nozzle driving unit 133. Thereby, the resist liquid supply nozzle 132 can move from the atmospheric part 134 provided outside the positive direction of the Y direction of the cup 122 to the upper center of the wafer W in the cup 122, and also The upper surface of the wafer W can be moved in the radial direction of the wafer W. In addition, the arm 131 can be moved up and down by the nozzle driving unit 133, so that the height of the resist liquid supply nozzle 132 can be adjusted. The resist liquid supply nozzle 132 is connected to a resist liquid supply device M for supplying a resist liquid.

또한, 처리 용기(110) 내에는, 스핀 척(120)에 유지된 웨이퍼(W)의 표면을 촬상 영역에 포함하는, 촬상부로서의 카메라(140)가 마련되어 있다. 카메라(140)의 촬상 영역은, 검사에 필요한 촬상 범위가 포함되어 있으면, 웨이퍼(W)의 표면 전체가 아니라 웨이퍼(W)의 표면의 일부만이 포함되도록 설정되어 있어도 좋다. 이 카메라(140)는, 웨이퍼(W)의 반입출 및 레지스트액 공급 노즐(132)의 이동을 저해하지 않는 위치에 배치되도록, 예컨대, 처리 용기(110)의 천장벽(113)에 고정 부재(도시하지 않음)를 통해 고정되어 있다. 카메라(140)에는, 예컨대 CCD 카메라를 이용할 수 있다.Further, in the processing container 110, a camera 140 is provided as an imaging unit that includes the surface of the wafer W held by the spin chuck 120 in the imaging area. The imaging area of the camera 140 may be set to include only a part of the surface of the wafer W, not the entire surface of the wafer W, as long as the imaging range required for inspection is included. The camera 140 is fixed to the ceiling wall 113 of the processing container 110, for example, so as to be disposed at a position that does not impede the transfer of the wafer W and the movement of the resist liquid supply nozzle 132. (Not shown). For the camera 140, for example, a CCD camera can be used.

카메라(140)는, 검사 시, 정해진 프레임 레이트로 촬상을 행한다. 또한, 검사 시와, 검사에 앞서 행해지는 후술하는 사전 검사 시에, 촬상 간격이나 그 카메라(140)가 갖는 촬상 소자의 노광 시간은 상이하다.At the time of inspection, the camera 140 performs imaging at a predetermined frame rate. In addition, at the time of inspection and at the time of pre-testing, which will be described later prior to the inspection, the imaging interval and the exposure time of the imaging element of the camera 140 are different.

또한, 처리 용기(110) 내에는, 카메라(140)의 촬상 영역에 광을 조사하는 광원(150)이 마련되어 있다. 광원(150)은, 평면에서 보아 스핀 척(120)에 유지된 웨이퍼(W)를 카메라(140)와의 사이에 끼우는 위치로서, 웨이퍼(W)의 반입출 및 레지스트액 공급 노즐(132)의 이동을 저해하지 않는 위치에 배치되어 있다. 이 광원(150)은, 예컨대, 컵(122)의 내벽 상방에 고정되어 있다. 광원(150)은, 섬광(순간적으로 발생되는 광)을 발하는 것이 가능하도록 구성되어 있다.In addition, a light source 150 for irradiating light to the imaging area of the camera 140 is provided in the processing container 110. The light source 150 is a position where the wafer W held on the spin chuck 120 is interposed between the camera 140 as viewed from a plane, and the wafer W is brought in and out and the resist liquid supply nozzle 132 is moved. It is placed in a position that does not impede. The light source 150 is fixed above the inner wall of the cup 122, for example. The light source 150 is configured to emit flash (light generated instantaneously).

카메라(140)에 의한 촬상의 타이밍이나 광원(150)의 발광 타이밍은 후술하는 제어부(200)에 의해 제어되고, 또한, 카메라(140)에서의 촬상 결과는 그 제어부(200)에 출력되어, 검사 등에 이용된다.The timing of imaging by the camera 140 and the light emission timing of the light source 150 are controlled by the control unit 200 described later, and the imaging result from the camera 140 is output to the control unit 200 for inspection. Used for etc.

이상과 같이 구성되는 기판 처리 시스템(1)에는, 제어부(200)가 마련되어 있다.The control unit 200 is provided in the substrate processing system 1 configured as described above.

제어부(200)는, 예컨대 CPU나 메모리 등을 구비한 컴퓨터에 의해 구성되고, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 가지고 있다. 프로그램 저장부에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어부(200)에 인스톨된 것이어도 좋다.The control unit 200 is configured by, for example, a computer equipped with a CPU or a memory, and has a program storage unit (not shown). In the program storage unit, programs for controlling various processes in the substrate processing system 1 are stored. In addition, the program is recorded on a computer-readable storage medium, and may be installed on the control unit 200 from the storage medium.

다음에, 레지스트막 형성 장치(32)의 검사 시에 있어서의 제어부(200)의 동작에 대해서 설명한다. 도 6은 레지스트막 형성 장치(32)에 의한 처리 중의 검사에 이용되는 카메라(140)의 촬상 결과에 있어서의 검사 대상 부분의 설명도이며, 카메라(140)의 촬상 화상의 일례를 나타내고 있다. 도 7은 웨이퍼(W)의 방향을 따라 외란광이 촬상 결과에 영향을 끼치는 것을 설명하는 도면이며, 웨이퍼(W)의 촬상 화상을 모식적으로 나타낸 것이고, 도 7의 (a)와 도 7의 (b)에서는 웨이퍼(W)의 방향이 상이하다. 또한, 도 7에 있어서, 부호 N은 웨이퍼(W)의 방향의 기준이 되는 노치를 나타내고 있다.Next, the operation of the control unit 200 at the time of inspection of the resist film forming apparatus 32 will be described. 6 is an explanatory diagram of a portion to be inspected in the imaging result of the camera 140 used for inspection during processing by the resist film forming apparatus 32, and shows an example of the captured image of the camera 140. 7 is a view for explaining that the disturbance light along the direction of the wafer W affects the imaging result, and schematically shows the captured image of the wafer W, and is shown in FIGS. 7 (a) and 7. In (b), the direction of the wafer W is different. In Fig. 7, reference numeral N denotes a notch serving as a reference for the direction of the wafer W.

제어부(200)는, 레지스트막 형성 장치(32)에 의한 처리 시의 검사를, 카메라(140)에서의 촬상 결과에 기초하여 행한다. 예컨대, 제어부(200)는, 카메라(140)에서의 촬상 결과를 검사 대상 부분으로 잘라내고, 그 잘라낸 촬상 결과에 기초하여, 레지스트막 형성 장치(32)의 검사를 행한다. 예컨대, 도 6에 나타내는 바와 같이, 검사 대상 부분(P)은, 웨이퍼(W)의 표면의 중앙 부근에 대응하는 부분이다. 이와 같이 검사 대상 부분(P)이 설정된 경우, 제어부(200)는, 예컨대, 검사 대상 부분(P)의 촬상 결과에 기초하여, 웨이퍼(W) 중앙의 액막이 원하는 외주 형상을 갖는지의 여부의 판정(검사)을 행한다. 액막의 외주 형상은, 촬상 화상에 있어서의 휘도의 차(명암)에 기초하여 취득할 수 있고, 또한, 전술한 판정은, 예컨대 기준 화상과의 패턴 매칭에 의해 행해진다. 기준 화상은 미리 취득되어 기억부(도시하지 않음)에 기억되어 있다. 또한, 검사 대상 부분이나 검사의 내용은 전술한 것에 한정되지 않는다.The control unit 200 performs inspection at the time of processing by the resist film forming apparatus 32 based on the imaging result from the camera 140. For example, the control unit 200 cuts the imaging result from the camera 140 into a portion to be inspected, and performs inspection of the resist film forming apparatus 32 based on the captured imaging result. For example, as shown in FIG. 6, the inspection target portion P is a portion corresponding to the vicinity of the center of the surface of the wafer W. When the inspection target portion P is set as described above, the control unit 200 determines whether or not the liquid film in the center of the wafer W has a desired outer circumferential shape, for example, based on the imaging result of the inspection target portion P ( Inspection). The outer circumferential shape of the liquid film can be obtained based on a difference (contrast) of luminance in the picked-up image, and the above-described determination is made, for example, by pattern matching with a reference image. The reference image is acquired in advance and stored in a storage unit (not shown). In addition, the inspection subject part and the content of the inspection are not limited to the above.

또한, 제어부(200)는, 검사를 위해 카메라(140)로 촬상할 때의 광원(150)의 발광 타이밍을 제어한다. 구체적으로는, 제어부(200)는, 스핀 척(120)에 유지되어 회전 중인, 레지스트막 형성 장치(32) 내에서의 웨이퍼(W)의 방향(이하, 「웨이퍼(W)의 방향」이라고 생략하는 경우가 있음)에 기초하여, 상기 발광 타이밍을 제어한다. 이와 같이 발광 타이밍을 제어하는 이유는, 이하와 같다.In addition, the control unit 200 controls the light emission timing of the light source 150 when imaging with the camera 140 for inspection. Specifically, the control unit 200 is held on the spin chuck 120 and is rotating, omitting the direction of the wafer W in the resist film forming apparatus 32 (hereinafter referred to as "the direction of the wafer W"). On the other hand, the light emission timing is controlled. The reason for controlling the light emission timing in this way is as follows.

카메라(140)의 촬상 영역에는, 전술한 바와 같이, 스핀 척(120)에 유지된 웨이퍼(W)의 표면이 포함된다. 웨이퍼(W)의 표면에 IC(Integrated Circuit) 패턴이 형성되어 있는 경우, 광원(150)으로부터 출사되어 IC 패턴으로 반사된 광 즉 외란광이 촬상 결과에 부여하는 영향이, 웨이퍼(W)의 방향에 따라 변한다. 예컨대, 웨이퍼(W)의 방향이 도 7의 (a)일 때에, 촬상 화상에 있어서 외란광에 의해 웨이퍼(W)의 중앙 부근의 휘도가 높아졌다고 한다. 이 경우에, 웨이퍼(W)의 방향이 도 7의 (a)의 상태로부터 90도 회전한 도 7의 (b)일 때에, 웨이퍼(W)의 외주 부근에 있어서 촬상 화상의 휘도가 높아지는 경우가 있다. 그리고, 촬상 결과에 있어서, 외란광에 의해 휘도가 높아지는 부분이, 검사 대상 부분과 중첩되는 경우, 촬상 결과에 기초한 검사를 정확하게 행할 수 없다.As described above, the imaging area of the camera 140 includes the surface of the wafer W held by the spin chuck 120. When an IC (Integrated Circuit) pattern is formed on the surface of the wafer W, the influence of the light emitted from the light source 150 and reflected by the IC pattern, that is, the disturbance light, on the imaging result is the direction of the wafer W According to. For example, when the direction of the wafer W is shown in Fig. 7 (a), it is said that the luminance near the center of the wafer W is increased by the disturbance light in the captured image. In this case, when the direction of the wafer W is rotated 90 degrees from the state of Fig. 7 (a), Fig. 7 (b), the luminance of the picked-up image increases in the vicinity of the outer periphery of the wafer W. have. And in the imaging result, when the part whose luminance becomes high by the disturbance light overlaps with the inspection target part, inspection based on the imaging result cannot be performed accurately.

그 때문에, 제어부(200)는, 전술한 바와 같이, 검사를 위해 카메라(140)로 촬상할 때의 광원(150)의 발광 타이밍을, 스핀 척(120)에 유지되어 회전중인 웨이퍼(W)의 방향에 기초하여 제어한다. 구체적으로는, 제어부(200)는, 광원(150)을 발광시킨 경우에 촬상 결과의 검사 대상 부분의 휘도가 높아지는 타이밍에는 발광하지 않도록, 상기 발광 타이밍을 결정하고, 그 결정한 발광 타이밍에 광원(150)을 제어한다. 보다 구체적으로는, 제어부(200)는, 광원(150)을 발광시킨 경우에 촬상 결과의 검사 대상 부분의 휘도가 높아지는 웨이퍼(W)의 방향, 즉, 광원(150)의 발광 시에 부적절한 웨이퍼(W)의 방향을, 검사에 앞서 판정한다. 그 판정 결과에 기초하여, 제어부(200)는, 검사에 있어서의 발광 타이밍을 결정하고, 웨이퍼(W)의 방향이 광원(150)의 발광 시에 있어서의 웨이퍼(W)의 방향으로서 적절한 경우에만 광원(150)이 발광하도록 한다. 그리고, 제어부(200)는, 발광 타이밍의 결정 결과에 따라 광원(150)을 제어하면서 카메라(140)에 의해 촬상시켜, 촬상 결과에 기초하여 검사를 행한다. 상기 광원(150)의 발광 시에 부적절한 웨이퍼(W)의 방향의 판정 방법에 대해서는 후술한다. 또한, 이하에서는, 「광원(150)의 발광 시에 있어서의 웨이퍼(W)의 방향으로서 부적절」한 것을, 「부적절」한 등으로 생략하는 경우가 있다.Therefore, as described above, the control unit 200 maintains the timing of the light emission of the light source 150 when imaging with the camera 140 for inspection, by the spin chuck 120 and rotating the wafer W. Control based on direction. Specifically, when the light source 150 emits light, the control unit 200 determines the light emission timing so as not to emit light at a timing at which the luminance of the inspection target portion of the imaging result increases, and the light source 150 at the determined light emission timing ) Control. More specifically, when the light source 150 emits light, the control unit 200 is directed to a wafer W in which the luminance of the inspection target portion of the imaging result increases, that is, an inappropriate wafer (when the light source 150 emits light). The direction of W) is determined prior to inspection. Based on the result of the determination, the control unit 200 determines the light emission timing during inspection, and only when the direction of the wafer W is appropriate as the direction of the wafer W at the time of light emission of the light source 150 Let the light source 150 emit light. Then, the control unit 200 captures images by the camera 140 while controlling the light source 150 according to the determination result of the light emission timing, and performs inspection based on the imaging results. A method for determining the direction of the wafer W which is inappropriate when the light source 150 emits light will be described later. In addition, hereinafter, "inappropriate as the direction of the wafer W at the time of light emission of the light source 150" may be omitted by "inappropriate" or the like.

다음에, 이상과 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)을 이용하여 행해지는 웨이퍼 처리에 대해서 설명한다. 먼저, 복수의 웨이퍼(W)를 수납한 카세트(C)가, 기판 처리 시스템(1)의 카세트 스테이션(10)에 반입되고, 웨이퍼 반송 장치(23)에 의해 카세트(C) 내의 각 웨이퍼(W)가 순차 처리 스테이션(11)의 전달 장치(53)에 반송된다.Next, wafer processing performed using the substrate processing system 1 configured as described above will be described. First, a cassette C containing a plurality of wafers W is carried into the cassette station 10 of the substrate processing system 1, and each wafer W in the cassette C is transferred by the wafer transfer device 23. ) Is conveyed to the delivery device 53 of the sequential processing station 11.

다음에 웨이퍼(W)는, 제2 블록(G2)의 열처리 장치(40)에 반송되어 온도 조절 처리된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 예컨대 제1 블록(G1)의 하부 반사 방지막 형성 장치(31)에 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 하부 반사 방지막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 제2 블록(G2)의 열처리 장치(40)에 반송되어, 가열 처리되어, 온도 조절된다.Next, the wafer W is conveyed to the heat treatment device 40 of the second block G2 and subjected to temperature control processing. Thereafter, the wafer W is conveyed to the lower antireflection film forming apparatus 31 of the first block G1, for example, by the wafer transfer device 70, so that the lower antireflection film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment device 40 of the second block G2, heat-treated, and temperature adjusted.

다음에 웨이퍼(W)는 애드히젼 장치(41)에 반송되어, 애드히젼 처리된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 제1 블록(G1)의 레지스트막 형성 장치(32)에 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 열처리 장치(40)에 반송되어, 프리베이크 처리된다. 또한, 프리베이크 처리에 있어서도 하부 반사 방지막 형성 후의 열처리와 동일한 처리가 행해지고, 또한, 후술하는 상부 반사 방지막 형성 후의 열처리, 노광 후 베이크 처리, 포스트 베이크 처리에 있어서도 동일한 처리가 행해진다. 단, 각 열처리에 제공되는 열처리 장치(40)는 서로 상이하다.Next, the wafer W is conveyed to the ad-his apparatus 41, and is subjected to an ad-hission process. Thereafter, the wafer W is transferred to the resist film forming apparatus 32 of the first block G1, so that a resist film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is conveyed to the heat treatment apparatus 40 and pre-baked. Further, in the prebaking treatment, the same treatment as the heat treatment after forming the lower antireflection film is performed, and also in the heat treatment after the formation of the upper antireflection film described later, the bake treatment after exposure, and the post bake treatment. However, the heat treatment devices 40 provided for each heat treatment are different from each other.

다음에 웨이퍼(W)는, 상부 반사 방지막 형성 장치(33)에 반송되고, 웨이퍼(W) 상에 상부 반사 방지막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 열처리 장치(40)에 반송되고, 가열되어, 온도 조절된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 주변 노광 장치(42)에 반송되어, 주변 노광 처리된다.Next, the wafer W is conveyed to the upper antireflection film forming apparatus 33, and an upper antireflection film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is conveyed to the heat treatment apparatus 40, heated, and temperature adjusted. Thereafter, the wafer W is conveyed to the peripheral exposure apparatus 42 and subjected to peripheral exposure processing.

다음에 웨이퍼(W)는, 노광 장치(12)에 반송되어, 정해진 패턴으로 노광 처리된다.Next, the wafer W is conveyed to the exposure apparatus 12, and is exposed to a predetermined pattern.

계속해서, 웨이퍼(W)는, 열처리 장치(40)에 반송되어, 노광 후 베이크 처리된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 예컨대 현상 처리 장치(30)에 반송되어 현상 처리된다. 현상 처리 종료 후, 웨이퍼(W)는, 열처리 장치(40)에 반송되어, 포스트 베이크 처리된다. 그리고, 웨이퍼(W)는, 카세트 배치판(21)의 카세트(C)에 반송되고, 일련의 포토리소그래피 공정이 완료한다.Subsequently, the wafer W is conveyed to the heat treatment apparatus 40 and baked after exposure. Thereafter, the wafer W is conveyed to the developing processing apparatus 30, for example, and developed. After the development process is finished, the wafer W is conveyed to the heat treatment apparatus 40 and post-baked. Then, the wafer W is transferred to the cassette C of the cassette placement plate 21, and a series of photolithography processes are completed.

여기서, 레지스트막 형성 장치(32)에 있어서의 처리에 대해서 상세하게 서술한다.Here, the processing in the resist film forming apparatus 32 will be described in detail.

레지스트막 형성 장치(32)에서는, 카메라(140)에서의 촬상 결과에 기초하는 검사를 행하면서 레지스트막을 형성해 간다. 이 검사나 레지스트막의 형성에 앞서, 웨이퍼(W)마다 행해지는 사전 처리로서, 제어부(200)는, 광원(150)의 발광 시에 부적절한 웨이퍼(W)의 방향을 판정하는 처리를 행한다.In the resist film forming apparatus 32, a resist film is formed while performing inspection based on the imaging result from the camera 140. Prior to this inspection or formation of a resist film, as a pre-process performed for each wafer W, the control unit 200 performs a process for determining an inappropriate wafer W direction when the light source 150 emits light.

따라서, 스핀 척(120)의 상면에서 웨이퍼(W)가 흡착 유지되면, 전술한 부적절한 방향의 판정에 이용하는 촬상 결과를 취득하기 위해, 제어부(200)는, 레지스트액 공급 노즐(132)을 후퇴시킨 상태인 채로, 카메라(140) 등을 제어한다. 구체적으로는, 제어부(200)는, 스핀 척(120)에 유지된 웨이퍼(W)의 방향이 서로 상이한 복수의 상태 각각으로, 광원(150)으로부터 광을 조사하면서 카메라(140)에 의한 촬상이 행해지도록, 스핀 척(120), 카메라(140), 광원(150)을 제어한다. 보다 구체적으로는, 제어부(200)는, 스핀 척(120)에 유지된 웨이퍼(W)의 방향을 스핀 척(120)의 회전축 둘레로 정해진 각도(분할 각도)씩 어긋나게 한 복수의 상태 각각으로, 광원(150)으로부터 광을 조사하면서 촬상이 행해지도록, 제어를 행한다.Therefore, when the wafer W is adsorbed and held on the upper surface of the spin chuck 120, the control unit 200 retracts the resist liquid supply nozzle 132 in order to obtain the imaging result used for determination of the inappropriate direction described above. In the state, the camera 140 or the like is controlled. Specifically, the control unit 200 is imaged by the camera 140 while irradiating light from the light source 150 in each of a plurality of states in which the directions of the wafers W held on the spin chuck 120 are different from each other. The spin chuck 120, the camera 140, and the light source 150 are controlled to be performed. More specifically, the control unit 200 is each of a plurality of states in which the direction of the wafer W held by the spin chuck 120 is shifted by an angle (division angle) determined around the rotation axis of the spin chuck 120, Control is performed so that imaging is performed while irradiating light from the light source 150.

이 제어는, 예컨대, 스핀 척(120)에 의해 저회전수로 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 척 구동부(121) 내에 마련된 인코더(도시하지 않음)로부터의 출력 신호에 기초하여 행해진다. 여기서 이용되는 인코더로부터의 출력 신호란, 스핀 척(120)이 1회전할 때마다 출력되는 Z상 신호와, 스핀 척(120)이 1회전하는 동안에 정해진 횟수 출력되는 A상 신호(또는 B상 신호)이다. 예컨대, 웨이퍼(W)의 방향을, 스핀 척(120)의 기준 각도로부터의 어긋남으로 나타내는 것으로 하였을 때, 제어부(200)는, 상기 인코더로부터의 Z상 신호가 시작되었을 때를, 웨이퍼(W)의 방향을 0도로 한다. 또한, 제어부(200)는, 상기 분할 각도에 상당하는 수의 A상 신호(또는 B상 신호)가 인코더에 입력될 때마다, 카메라(140)의 촬상 소자를 정해진 시간 노광시키며 그 촬상 소자로부터 촬상 결과를 출력시킨다. 도 8은 카메라(140)의 촬상 소자의 노광 타이밍 및 그 촬상 소자로부터의 촬상 결과의 출력 타이밍의 일례를 나타내는 타이밍 차트이다. 도면의 타이밍 차트는, 스핀 척(120)이 1회전하는 동안에 A상 신호 및 B상 신호가 5400회 출력되고, 상기 분할 각도를 2도로 할 때의 것이다. 이 타이밍 차트에 기초한 제어에 따르면, A상이 30회 입력될 때마다, 상기 촬상 소자의 노광 및 그 촬상 소자로부터의 촬상 결과의 출력이 행해져, 웨이퍼(W)의 방향이 2°씩 어긋난 촬상 결과를, 웨이퍼(W)가 1회전하는 분, 계 180장 취득할 수 있다.This control is performed based on an output signal from an encoder (not shown) provided in the chuck drive unit 121 while rotating the wafer W at a low rotational speed by, for example, the spin chuck 120. The output signal from the encoder used here is a Z-phase signal output every time the spin chuck 120 rotates and an A-phase signal (or B-phase signal) output a predetermined number of times while the spin chuck 120 rotates one revolution. )to be. For example, when the direction of the wafer W is indicated by the deviation from the reference angle of the spin chuck 120, the control unit 200 determines when the Z-phase signal from the encoder is started, the wafer W The direction of is 0 degrees. In addition, whenever the number of A-phase signals (or B-phase signals) corresponding to the division angle is input to the encoder, the control unit 200 exposes the imaging elements of the camera 140 for a predetermined time and captures images from the imaging elements. Print the result. 8 is a timing chart showing an example of the exposure timing of the imaging element of the camera 140 and the output timing of the imaging result from the imaging element. The timing chart of the figure is when the A-phase signal and the B-phase signal are output 5400 times while the spin chuck 120 rotates once, and the division angle is set to 2 degrees. According to the control based on this timing chart, whenever the A phase is input 30 times, exposure of the imaging element and output of the imaging result from the imaging element are performed, and the imaging result in which the direction of the wafer W is shifted by 2 degrees. , 180 revolutions per wafer W can be obtained.

촬상 결과가 취득되면, 제어부(200)는, 촬상 결과마다, 그 촬상 결과에 있어서의 검사 대상 부분(예컨대 도 6의 부호 P 참조)의 휘도를 추출한다. 추출하는 휘도는, 예컨대, 검사 대상 부분에 포함되는 화소의 휘도값의 평균값이다.When the imaging result is obtained, the control unit 200 extracts the luminance of the inspection target portion (for example, reference numeral P in FIG. 6) in the imaging result for each imaging result. The extracted luminance is, for example, an average value of luminance values of pixels included in the inspection target portion.

그리고, 제어부(200)는, 촬상 결과마다, 추출한 휘도에 기초하여, 그 촬상 결과에 대응하는 웨이퍼(W)의 방향이 부적절한지의 여부를 판정한다. 예컨대, 촬상 결과로부터 추출한 휘도가 정해진 임계값보다 큰 경우, 제어부(200)는, 그 촬상 결과에 대응하는 웨이퍼(W)의 방향이 부적절하다고 판정한다.Then, the control unit 200 determines whether the direction of the wafer W corresponding to the imaging result is inappropriate, based on the extracted luminance for each imaging result. For example, when the luminance extracted from the imaging result is larger than a predetermined threshold, the control unit 200 determines that the direction of the wafer W corresponding to the imaging result is inappropriate.

도 9는 웨이퍼(W)의 방향이 2°씩 어긋난 촬상 결과 각각과 휘도값의 관계를 나타내는 도면이다. 제어부(200)는, 도 9의 촬상 결과 및 휘도값이 얻어진 경우, 휘도값이 임계값(도면의 예에서는 150)을 넘는 웨이퍼(W)의 방향이 136∼144° 또는 316∼324°인 촬상 결과에 대해서, 그 촬상 결과에 대응하는 웨이퍼(W)의 방향이 부적절하다고 판정한다.FIG. 9 is a diagram showing the relationship between each of the imaging results in which the direction of the wafer W is shifted by 2 degrees and the luminance value. When the imaging result and the luminance value of FIG. 9 are obtained, the control unit 200 captures the direction of the wafer W in which the luminance value exceeds a threshold value (150 in the example of the drawing) of 136 to 144 degrees or 316 to 324 degrees. With respect to the result, it is determined that the direction of the wafer W corresponding to the imaging result is inappropriate.

또한, 제어부(200)는, 촬상 결과마다의 웨이퍼(W)의 방향이 부적절한지의 여부의 판정 결과를, 웨이퍼(W)의 방향마다의, 상기 부적절한지의 여부의 판정 결과로서 기억한다.In addition, the control unit 200 stores the determination result of whether or not the direction of the wafer W for each imaging result is inappropriate as the determination result of whether or not the wafer W is inappropriate for each direction.

이에 따라 사전 처리가 종료한다.Accordingly, the pre-processing ends.

사전 처리 후, 레지스트막의 형성 및 검사가 행해진다. 검사는 레지스트막을 형성하기 위한 각 처리로 행해지기 때문에, 먼저, 레지스트막의 형성에 대해서 설명한다.After the pre-treatment, the resist film is formed and inspected. Since inspection is performed in each process for forming a resist film, first, formation of a resist film is described.

레지스트막의 형성 시, 제어부(200)는, 먼저, 웨이퍼(W)의 중심부 상방에 레지스트액 공급 노즐(132)을 이동시켜, 웨이퍼(W)를 저회전수(예컨대 300 rpm)로 회전시키면서, 웨이퍼(W) 상에 레지스트액을 공급하여 액막을 형성하는 액막 형성 처리를 행한다.When forming the resist film, the control unit 200 first moves the resist liquid supply nozzle 132 above the center portion of the wafer W, while rotating the wafer W at a low rotational speed (for example, 300 rpm), A liquid film forming process for forming a liquid film by supplying a resist liquid on (W) is performed.

그리고 레지스트액 공급 노즐(132)로부터의 레지스트액의 공급 시간이 정해진 길이에 달한 시점에서, 웨이퍼(W)의 회전수를 유지한 채로, 레지스트액의 공급을 정지한다. 계속해서 레지스트액 공급 노즐(132)을 후퇴시키며, 고회전수(예컨대 3000 rpm)로 웨이퍼(W)를 회전시켜, 웨이퍼(W)의 중심부에 공급된 레지스트액을 웨이퍼(W)의 전체면에 확산시켜 정해진 막 두께의 도포막을 형성하는 확산 처리를 행한다. 다음에, 정해진 회전수(예컨대 1500 rpm)로 웨이퍼(W)를 회전시켜, 웨이퍼(W) 상의 도포막을 건조시키는 건조 처리를 행한다. 그 후, 스핀 척(120)에 흡착 유지되어 있던 웨이퍼(W)가 레지스트막 형성 장치(32)로부터 반출되고, 다음 웨이퍼(W)가 반입된다.Then, when the supply time of the resist liquid from the resist liquid supply nozzle 132 reaches a predetermined length, the supply of the resist liquid is stopped while the number of rotations of the wafer W is maintained. Subsequently, the resist liquid supply nozzle 132 is retracted, and the wafer W is rotated at a high rotational speed (for example, 3000 rpm) to diffuse the resist liquid supplied to the center of the wafer W onto the entire surface of the wafer W. Diffusion treatment is performed to form a coating film having a predetermined film thickness. Next, a drying process is performed in which the wafer W is rotated at a predetermined rotational speed (for example, 1500 rpm) to dry the coating film on the wafer W. Thereafter, the wafer W adsorbed and held by the spin chuck 120 is taken out from the resist film forming apparatus 32, and the next wafer W is carried in.

전술한 액막 형성 처리, 확산 처리, 건조 처리 각각에 있어서, 카메라(140)에서의 촬상 결과에 기초하는 검사가 행해진다.In each of the above-described liquid film forming processing, diffusion processing, and drying processing, an inspection based on the imaging result from the camera 140 is performed.

각 처리에 있어서의 검사용의 촬상 시, 광원(150)의 발광 타이밍은, 사전 처리에서 얻어진, 웨이퍼(W)의 방향으로서 부적절한 방향의 판정 결과에 기초하여 결정된다. 구체적으로는, 각 처리에 있어서의 검사용의 촬상 시, 상기 발광 타이밍은, 사전 처리에서 기억된, 웨이퍼(W)의 방향마다의, 그 웨이퍼(W)의 방향이 부적절한지의 여부의 판정 결과에 기초하여 결정된다. 보다 구체적으로는, 상기 발광 타이밍은, 상기 판정 결과, 웨이퍼(W)의 회전수 및 카메라(140)의 프레임 레이트에 기초하여 결정된다.At the time of imaging for inspection in each process, the light emission timing of the light source 150 is determined based on the result of determination in an inappropriate direction as the direction of the wafer W obtained in the pre-processing. Specifically, at the time of imaging for inspection in each process, the light emission timing is determined by the result of the determination as to whether or not the direction of the wafer W is inappropriate for each direction of the wafer W stored in the pre-processing. It is decided on the basis of. More specifically, the light emission timing is determined based on the determination result, the number of rotations of the wafer W and the frame rate of the camera 140.

도 10은 웨이퍼(W)의 회전수 및 카메라의 프레임 레이트와, 상기 발광 타이밍의 관계를 설명하는 도면이다.10 is a view for explaining the relationship between the rotational speed of the wafer W and the frame rate of the camera and the light emission timing.

여기서, 예컨대, 사전 처리에서 도 9에 나타내는 것 같은 촬상 결과 및 휘도값이 얻어져 있는 것으로 하며, 웨이퍼(W)의 회전수가 900 rpm, 프레임 레이트가 60 fps인 것으로 한다. 이때, 도 10에 나타내는 바와 같이, n 프레임째와 n+2 프레임째는 웨이퍼(W)의 방향이 부적절해지는 시간이 존재하지 않고, n+1 프레임째와 n+3 프레임째는 중간의 시간대에 웨이퍼(W)의 방향이 부적절해지는 시간이 존재하는 경우가 있다.Here, it is assumed that an imaging result and a luminance value as shown in FIG. 9 are obtained in, for example, preprocessing, and the rotation speed of the wafer W is 900 rpm and the frame rate is 60 fps. At this time, as shown in FIG. 10, there is no time in which the direction of the wafer W is inappropriate for the nth frame and the n + 2th frame, and the n + 1th frame and the n + 3th frame are in the middle time zone. There may be a case where a time for the direction of the wafer W to be inappropriate is present.

이 경우, 제어부(200)는, n 프레임째, n+2 프레임째에서는 항시 발광하고, n+1 프레임, n+3 프레임째에서는 웨이퍼(W)의 방향이 부적절한 경우에 발광하지 않고 그 이외의 경우는 발광하도록 발광 타이밍을 결정한다.In this case, the control unit 200 always emits light in the nth frame and n + 2th frame, and does not emit light in the case where the orientation of the wafer W is improper in the n + 1 frame and n + 3 frame. In the case, the light emission timing is determined to emit light.

또한, 제어부(200)는, 프레임마다의 발광 타이밍을 공통으로 하며, 동일 프레임 내에 있어서의 일부의 시간에서만 발광시키고, 이에 의해, 웨이퍼(W)의 방향이 부적절한 경우에 발광시키지 않도록 하여도 좋다. 구체적으로는, 프레임과 촬상 결과와 휘도값의 관계가 도 10과 같은 경우, 예컨대, 각 프레임의 전반 1/3의 시간 및 후반 1/3의 시간 중 적어도 어느 한쪽에서만 발광하는 발광 타이밍으로 하여도 좋다.In addition, the control unit 200 may have a light emission timing for each frame in common, and may emit light only for a part of time within the same frame, thereby preventing light emission when the direction of the wafer W is inappropriate. Specifically, when the relationship between the frame, the imaging result, and the luminance value is the same as in Fig. 10, for example, even when the light emission timing emits light only at least one of the first 1/3 time and the second 1/3 time of each frame, good.

그리고, 검사 시, 제어부(200)는, 인코더로부터의 출력과, 결정한 상기 발광 타이밍에 기초하여, 광원(150)을 제어하면서 카메라(140)에 촬상시킨다. 이에 의해, 검사에 있어서, 웨이퍼(W)의 회전수 및 카메라(140)의 프레임 레이트에 의하지 않고, 웨이퍼(W)의 방향이 부적절하지 않은 타이밍에 광원(150)이 발광한 촬상 결과, 즉, 검사 대상 부분에 있어서 외란광의 영향이 적은 촬상 결과를 취득할 수 있다. 그 때문에, 상기 촬상 결과에 기초한 검사를 정확한 것으로 할 수 있다.Then, during the inspection, the control unit 200 captures images on the camera 140 while controlling the light source 150 based on the output from the encoder and the determined light emission timing. Thereby, in the inspection, the imaging result of the light source 150 emitting light at the timing when the direction of the wafer W is not appropriate, regardless of the number of rotations of the wafer W and the frame rate of the camera 140, that is, The imaging result with little influence of disturbance light in the inspection target portion can be obtained. Therefore, an inspection based on the imaging result can be made accurate.

또한, 검사의 결과, 불량인 경우, 그 검사에 대응하는 처리는 중지되며, 이후의 처리는 행해지지 않고, 웨이퍼(W)는 레지스트막 형성 장치(32)로부터 반출된다.In addition, if the result of the inspection is defective, processing corresponding to the inspection is stopped, and subsequent processing is not performed, and the wafer W is taken out from the resist film forming apparatus 32.

본 실시형태에 따르면, 레지스트막 형성 장치(32)에 의한 처리 시의 검사에 이용되는 카메라(140)에 의한 촬상 결과를 취득할 때에, 스핀 척(120)에 유지되어 회전 중인 웨이퍼(W)의 방향에 기초하여, 광원(150)의 발광 타이밍을 제어한다. 따라서, 상기 검사에 이용하는 촬상 결과로서, 검사 대상 부분에 있어서 외란광의 영향이 적은 것을 취득할 수 있다. 즉, 상기 검사에 이용하는 촬상 화상의 품질을 향상시킬 수 있다. 따라서, 촬상 결과에 기초한 상기 검사를 정확하게 행할 수 있다.According to this embodiment, when obtaining the imaging result by the camera 140 used for inspection at the time of processing by the resist film forming apparatus 32, the wafer W held by the spin chuck 120 and being rotated The light emission timing of the light source 150 is controlled based on the direction. Therefore, as an imaging result used for the inspection, it is possible to obtain one having a small influence of disturbance light in the inspection target portion. That is, the quality of the captured image used for the inspection can be improved. Therefore, the inspection based on the imaging result can be accurately performed.

또한, 본 실시형태에 따르면, 전술한 사전 처리로, 스핀 척(120)에 유지된 웨이퍼(W)의 방향이 서로 상이한 복수의 상태 각각으로, 실제로 광원(150)으로부터 광을 조사하면서 카메라(140)에 의한 촬상을 행한다. 그리고, 촬상 결과에 기초하여, 부적절한 웨이퍼(W)의 방향을 판정하고, 판정 결과에 기초하여, 검사에 있어서의 발광 타이밍을 결정한다. 따라서, 상기 검사에 이용하는 촬상 결과로서, 검사 대상 부분에 있어서 외란광의 영향이 적은 것을 정확하게 취득할 수 있다.Further, according to the present embodiment, the camera 140 while actually irradiating light from the light source 150 in each of a plurality of states in which the directions of the wafers W held on the spin chuck 120 are different from each other by the above-described preprocessing. ). Then, an inappropriate wafer W is determined based on the imaging result, and the light emission timing in the inspection is determined based on the determination result. Therefore, as an imaging result used for the inspection, it is possible to accurately acquire a small influence of disturbance light in the inspection target portion.

(제1 실시형태의 변형예)(Modified example of the first embodiment)

이상의 실시형태에서는, 웨이퍼(W)마다, 사전 처리를 행하여, 부적절한 웨이퍼(W)의 방향을 판정하는 것으로 하였다.In the above-described embodiment, pre-processing is performed for each wafer W to determine an inappropriate wafer W direction.

단, 동일 로트의 웨이퍼(W)에 있어서, 형성되어 있는 IC 패턴이 공통일 때에 있어서, 이하의 조건 (A), (B)를 만족하는 경우는, 로트의 1장째의 웨이퍼(W)에만, 사전 처리를 행하여 부적절한 웨이퍼(W)의 방향을 판정하도록 하여도 좋다. 그리고, 그 판정 결과에 기초하여 결정되는 발광 타이밍에 광원(150)을 제어하면서, 동일 로트의 다른 웨이퍼(W)에 대해서도 검사를 행하여도 좋다.However, when the formed IC patterns are common in the wafer W of the same lot, when the following conditions (A) and (B) are satisfied, only the first wafer W of the lot is Pre-processing may be performed to determine the inappropriate wafer W direction. Then, while controlling the light source 150 at the light emission timing determined based on the determination result, another wafer W of the same lot may be inspected.

(A) 레지스트막 형성 장치(32)에 반입되어 스핀 척(120)에 배치될 때의 웨이퍼(W)의 방향이 동일 로트 내에서 공통(A) The direction of the wafer W when carried into the resist film forming apparatus 32 and disposed on the spin chuck 120 is common within the same lot

(B) 레지스트막 형성 장치(32)에 반입되어 스핀 척(120)에 배치될 때의 스핀 척(120)의 방향이 항상 일정(B) The direction of the spin chuck 120 when it is brought into the resist film forming apparatus 32 and disposed on the spin chuck 120 is always constant.

또한, 상기 (A)를 만족하는 경우란, 예컨대 로트 내에서의 웨이퍼(W)의 방향 및 반송 경로가 공통인 경우이다. 또한, 로트 내에서 웨이퍼(W)의 방향을 공통으로 하는 것 대신에, 반송 경로의 도중에 있어서, 각 웨이퍼(W)의 노치 위치를 맞춤으로써 웨이퍼(W)의 방향을 일치시키는 기구를 마련하여도 좋다.In addition, the case where the above (A) is satisfied is, for example, a case where the direction and transport path of the wafer W in the lot are common. Moreover, instead of making the direction of the wafer W common in the lot, even if a mechanism is provided to match the direction of the wafer W by aligning the notch position of each wafer W in the middle of the transport path, good.

(제2 실시형태)(Second embodiment)

도 11은 제2 실시형태에 따른 레지스트막 형성 장치의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.11 is a longitudinal sectional view schematically showing the configuration of a resist film forming apparatus according to a second embodiment.

제1 실시형태에 있어서의, 카메라(140)의 촬상 결과에 기초한 검사에서는, 검사 대상 부분은 웨이퍼(W)의 표면에 설정되어 있었다. 그러나, 검사 대상 부분은 레지스트액 공급 노즐(132)에 설정되는 경우도 있다. 또한, 검사 대상 부분이 웨이퍼(W)의 표면과 레지스트액 공급 노즐(132)의 양방에 설정되는 경우도 있다.In the inspection based on the imaging result of the camera 140 in the first embodiment, the inspection target portion was set on the surface of the wafer W. However, the portion to be inspected may be set in the resist liquid supply nozzle 132. In addition, the portion to be inspected may be set on both the surface of the wafer W and the resist liquid supply nozzle 132.

이와 같이, 검사 대상 부분이 복수 있는 경우, 검사 대상 부분마다, 즉, 검사마다, 상이한 광원이 이용되어도 좋다.In this way, when there are a plurality of inspection target parts, different light sources may be used for each inspection target part, that is, for each inspection.

도 11의 레지스트막 형성 장치(32)는, 검사 대상 부분이 웨이퍼(W)의 표면인 검사를 위한 광원(150) 외에, 검사 대상 부분이 레지스트액 공급 노즐(132)인 검사를 위한 다른 광원(160)이 처리 용기(110) 내에 마련되어 있다. 광원(150) 및 광원(160)은 함께, 카메라(140)의 촬상 영역에 광을 조사하는 것이지만, 광원(150)은 주로 웨이퍼(W)에 광을 조사하고, 광원(160)은 주로 레지스트액 공급 노즐(132)에 광을 조사한다.The resist film forming apparatus 32 of FIG. 11 includes other light sources for inspection, in addition to the light source 150 for inspection where the inspection target part is the surface of the wafer W, and the inspection target part is the resist liquid supply nozzle 132. 160) is provided in the processing container 110. The light source 150 and the light source 160 are for irradiating light to the imaging area of the camera 140, but the light source 150 mainly irradiates light to the wafer W, and the light source 160 is mainly a resist solution. The supply nozzle 132 is irradiated with light.

광원(160)은, 광원(150)과 마찬가지로, 웨이퍼(W)의 반입출 및 레지스트액 공급 노즐(132)의 이동을 저해하지 않는 위치에 배치되어 있다. 이 광원(160)은, 예컨대, 처리 용기(110)의 천장벽(113)에 고정 부재(도시하지 않음)를 통해 고정되어 있다. 광원(160)도, 섬광을 발하는 것이 가능하도록 구성되어 있다.Like the light source 150, the light source 160 is disposed at a position that does not impede the transfer of the wafer W and the movement of the resist liquid supply nozzle 132. The light source 160 is fixed to the ceiling wall 113 of the processing container 110 through a fixing member (not shown), for example. The light source 160 is also configured to emit glare.

또한, 광원(160)을 이용한 촬상 결과에 기초한 검사 시도, 광원(150)을 이용한 촬상 결과에 기초한 검사 시와 마찬가지로, 광원(160)의 발광 타이밍을 스핀 척(120)에 유지되어 회전 중의 웨이퍼(W)의 방향에 기초하여 제어한다.In addition, as in the case of an inspection attempt based on the imaging result using the light source 160 and an inspection based on the imaging result using the light source 150, the light emitting timing of the light source 160 is maintained on the spin chuck 120 and the wafer in rotation ( It controls based on the direction of W).

단, 광원(160)을 이용한 촬상 결과에 기초한 검사와, 광원(150)을 이용한 촬상 결과에 기초한 검사를 행하는 경우, 제어부(200)는, 검사마다 따로따로 촬상이 행해지도록 카메라(140)를 제어한다.However, when performing an inspection based on the imaging result using the light source 160 and an inspection based on the imaging result using the light source 150, the control unit 200 controls the camera 140 so that imaging is separately performed for each inspection. do.

제어부(200)는, 전술한 바와 같이 2가지의 검사를 행하는 경우, 예컨대, 카메라(140)의 촬상 프레임마다, 검사의 종류를 전환, 즉, 검사 대상 부분 및 검사에 이용하는 광원을 전환한다. 구체적으로는, 예컨대, 홀수 프레임의 촬상 시는, 제1 실시형태와 마찬가지로, 광원(150)을 이용하여, 촬상 결과로부터 검사 대상 부분으로서의 웨이퍼(W)의 표면의 부분을 잘라내어 검사를 행한다. 그리고, 짝수 프레임의 촬상 시는 광원(160)을 이용하여, 촬상 결과로부터 검사 대상 부분으로서의 레지스트액 공급 노즐(132)의 부분을 잘라내어 검사를 행한다.When performing two types of inspection as described above, the control unit 200 switches, for example, the type of inspection, for each imaging frame of the camera 140, that is, switches between the inspection target portion and the light source used for inspection. Specifically, for example, in the case of imaging an odd frame, as in the first embodiment, the light source 150 is used to cut the portion of the surface of the wafer W as a portion to be inspected from the imaging result and perform inspection. In the case of even-frame imaging, the light source 160 is used to cut the portion of the resist liquid supply nozzle 132 as the inspection target portion from the imaging result and perform inspection.

또한, 제어부(200)는, 검사 시의 광원(160)의 발광 타이밍의 결정에 있어서, 검사 시의 광원(150)의 발광 타이밍의 결정 시와 마찬가지로, 검사에 앞선 사전 처리에 있어서, 광원(160)의 발광 시에 부적절한 웨이퍼(W)의 방향을 판정한다. 구체적으로는, 제어부(200)는, 스핀 척(120)에 유지된 웨이퍼(W)의 방향이 서로 상이한 복수의 상태 각각으로, 광원(160)으로부터 광을 조사하면서 카메라(140)에 의한 촬상이 행해지도록, 스핀 척(120), 카메라(140), 광원(160)을 제어한다. 그리고, 촬상 결과에 기초하여, 광원(160)의 발광 시에 부적절한 웨이퍼(W)의 방향을 판정한다.In addition, in determining the light emission timing of the light source 160 at the time of inspection, the control unit 200 is similar to when determining the light emission timing of the light source 150 at the time of inspection. ), The direction of the inappropriate wafer W is determined. Specifically, the control unit 200 has a plurality of states in which the directions of the wafers W held on the spin chuck 120 are different from each other, and imaging by the camera 140 is performed while irradiating light from the light source 160. The spin chuck 120, the camera 140, and the light source 160 are controlled to be performed. Then, based on the imaging result, the direction of the wafer W which is inappropriate at the time of light emission of the light source 160 is determined.

또한, 사전 처리 시에 있어서, 광원(150)의 발광 시에 부적절한 웨이퍼(W)의 방향의 판정과, 광원(160)의 발광 시에 부적절한 웨이퍼(W)의 방향의 판정을 행하기 위해, 광원(150)과 광원(160)에서는 광의 출사 타이밍이 상이하다.In addition, in the case of pre-processing, in order to determine the direction of the wafer W which is inappropriate when the light source 150 emits light, and to determine the direction of the wafer W which is inappropriate when the light source 160 emits light, In the 150 and the light source 160, the light emission timing is different.

단, 광원(150)과 광원(160)에서 출사하는 광의 파장이 서로 상이한 경우는, 광원(150)과 광원(160)에서 광의 출사 타이밍을 동시로 하여도 좋다. 그리고, 같은 촬상 결과에 기초하여, 광원(150)의 발광 시에 부적절한 웨이퍼(W)의 방향의 판정과, 광원(160)의 발광 시에 부적절한 웨이퍼(W)의 방향의 판정을 행하여도 좋다. 제어부(200)는, 이 판정 결과에 기초하여, 검사 대상 부분이 웨이퍼(W)의 표면인 검사 시의 광원(150)의 발광 타이밍과, 검사 대상 부분이 레지스트액 공급 노즐(132)인 검사 시의 광원(160)의 발광 타이밍을 결정한다. 이에 의해, 검사 대상 부분이 복수 있는 경우에 사전 처리에 요하는 시간을 단축할 수 있다.However, when the wavelengths of the light emitted from the light source 150 and the light source 160 are different from each other, the light emission timing from the light source 150 and the light source 160 may be simultaneously performed. And, based on the result of the same imaging, determination of the direction of the wafer W which is inappropriate at the time of light emission of the light source 150 and determination of the direction of the wafer W which is inappropriate at the time of light emission of the light source 160 may be performed. Based on this determination result, the control unit 200 determines the light emission timing of the light source 150 during the inspection where the inspection target portion is the surface of the wafer W, and the inspection when the inspection target portion is the resist liquid supply nozzle 132. The light emission timing of the light source 160 is determined. Thereby, the time required for pre-processing can be shortened when there are multiple inspection target parts.

상기 실시형태에서는, 검사 대상의 처리는, 웨이퍼(W) 상에 레지스트액을 공급하여 액막을 형성하는 처리 등인 것으로 하였지만, 검사 대상의 처리는, 이에 한정되는 일없이, 웨이퍼(W) 상의 불요물을 제거하기 위한 세정 처리 등, 다른 처리여도 좋다.In the above-described embodiment, the processing of the inspection object is assumed to be a process of forming a liquid film by supplying a resist liquid on the wafer W, but the processing of the inspection object is not limited to this, and is unnecessary on the wafer W Other treatments may be used, such as a washing treatment for removing them.

이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시로서 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 하는 것이다. 상기 실시형태는, 첨부된 청구범위 및 그 주지를 일탈하는 일없이, 여러 가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.It should be understood that the embodiments disclosed herein are illustrative and non-restrictive in every respect. The above-described embodiments may be omitted, substituted, or changed in various forms without departing from the scope of the appended claims.

또한, 이하와 같은 구성도 본 개시의 기술적 범위에 속한다.In addition, the following structures also fall within the technical scope of the present disclosure.

(1) 피처리 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,(1) A substrate processing apparatus for processing a substrate to be processed,

피처리 기판을 유지하여 회전시키는 회전 유지부와,A rotation holding unit for holding and rotating the substrate to be processed,

상기 회전 유지부에 유지된 피처리 기판의 표면을 촬상 영역에 포함하는 촬상부와,An imaging unit including a surface of the substrate to be processed held in the rotation holding unit in an imaging area,

상기 촬상부의 상기 촬상 영역에 광을 조사하는 광원과,A light source irradiating light to the imaging area of the imaging unit;

상기 촬상부에 의한 촬상 결과에 기초한 검사에 있어서의 상기 광원의 발광 타이밍을, 상기 회전 유지부에 유지되어 회전 중인 피처리 기판의 방향에 기초하여 제어하는 제어부를 갖는, 기판 처리 장치.And a control unit for controlling the light emission timing of the light source in the inspection based on the imaging result by the imaging unit based on the direction of the substrate to be processed held and rotated by the rotation holding unit.

상기 (1)에 따르면, 촬상부에서의 촬상 결과에 기초한 기판 처리 장치에 의한 처리 시의 검사 시에, 회전 유지부에 유지되어 회전 중인 피처리 기판의 방향에 기초하여, 광원의 발광 타이밍을 제어한다. 따라서, 상기 검사에 이용하는 촬상 결과의 품질을 향상시킬 수 있다. 따라서, 촬상 결과에 기초한 상기 검사를 정확하게 행할 수 있다.According to the above (1), upon inspection at the time of processing by the substrate processing apparatus based on the imaging result in the imaging unit, the light emission timing of the light source is controlled based on the direction of the substrate to be processed which is held and rotated in the rotation holding unit. do. Therefore, the quality of the imaging result used for the inspection can be improved. Therefore, the inspection based on the imaging result can be accurately performed.

(2) 상기 제어부는,(2) The control unit,

상기 검사에 앞서, 상기 회전 유지부에 유지된 피처리 기판의 방향이 서로 상이한 복수의 상태 각각으로, 상기 광원으로부터 광을 조사하면서 상기 촬상부에 의한 촬상이 행해지도록, 상기 회전 유지부, 상기 촬상부 및 상기 광원을 제어하며, 상기 복수의 상태의 촬상 결과에 기초하여, 상기 광원의 발광 시에 부적절한 피처리 기판의 방향을 판정하고,Prior to the inspection, the rotation holding unit and the imaging are performed such that imaging by the imaging unit is performed while irradiating light from the light source in each of a plurality of states in which directions of the substrates held in the rotation maintaining unit are different from each other. The negative and the light sources are controlled, and based on the imaging results of the plurality of states, the direction of the substrate to be treated is inappropriate when the light sources emit light,

상기 판정 결과에 기초하여, 상기 검사에 있어서의 발광 타이밍을 결정하는, 상기 (1)에 기재된 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to (1) above, wherein the light emission timing in the inspection is determined based on the determination result.

상기 (2)에 따르면, 상기 검사에 이용하는 촬상 결과로서, 품질이 높은 것을 보다 확실하게 취득할 수 있다.According to the above (2), it is possible to more reliably acquire a high quality as the imaging result used for the inspection.

(3) 상기 검사에 있어서의 상기 발광 타이밍을, 상기 부적절한 피처리 기판의 방향의 판정 결과, 피처리 기판의 회전수 및 상기 촬상부의 프레임 레이트에 기초하여 결정하는, 상기 (2)에 기재된 기판 처리 장치.(3) The substrate processing according to (2), wherein the light emission timing in the inspection is determined based on the result of determination of the direction of the inappropriate substrate to be processed, the number of rotations of the substrate to be processed, and the frame rate of the imaging unit. Device.

상기 (3)에 따르면, 피처리 기판의 회전수 및 촬상부의 프레임 레이트에 따르지 않고, 상기 검사에 이용하는 촬상 결과로서, 품질이 높은 것을 보다 확실하게 취득할 수 있다.According to the above (3), it is possible to more reliably acquire a high quality as the imaging result used for the inspection without depending on the number of rotations of the substrate to be processed and the frame rate of the imaging unit.

(4) 상기 촬상부에 의한 촬상 결과에 기초한 다른 검사 시에 상기 촬상 영역에 광을 조사하는 다른 광원을 가지고,(4) has a different light source for irradiating light to the imaging area during another inspection based on the imaging result by the imaging unit,

상기 제어부는,The control unit,

상기 다른 검사에 있어서의 상기 다른 광원의 발광 타이밍을, 상기 회전 유지부에 유지되어 회전 중인 피처리 기판의 방향에 기초하여 제어하며, 상기 검사를 위한 촬상과 상기 다른 검사를 위한 촬상이 따로따로 행해지도록 상기 촬상부를 제어하는, 상기 (1)∼(3) 중 어느 하나에 기재된 기판 처리 장치.The light emission timing of the other light source in the other inspection is controlled based on the direction of the substrate to be processed which is held and rotated in the rotation holding unit, and imaging for the inspection and imaging for the other inspection are separately performed. The substrate processing apparatus according to any one of (1) to (3) above, wherein the imaging section is controlled.

(5) 상기 광원과 상기 다른 광원은 서로 상이한 파장의 광을 조사하고,(5) The light source and the other light source emit light of different wavelengths,

상기 제어부는,The control unit,

상기 검사 및 상기 다른 검사에 앞서, 상기 회전 유지부에 유지된 피처리 기판의 방향이 서로 상이한 복수의 상태 각각으로, 상기 광원 및 상기 다른 광원으로부터 광을 동시에 조사하면서 상기 촬상부에 의한 촬상이 행해지도록, 상기 유지부, 상기 광원, 상기 다른 광원 및 상기 촬상부를 제어하며, 상기 복수의 상태의 촬상 결과에 기초하여, 상기 광원의 발광 시에 부적절한 피처리 기판의 방향과, 상기 다른 광원의 발광 시에 부적절한 피처리 기판의 방향을 판정하고,Prior to the inspection and the other inspection, imaging is performed by the imaging unit while simultaneously irradiating light from the light source and the other light source in a plurality of states in which directions of the substrates held in the rotation holding unit are different from each other. Control of the holding unit, the light source, the other light source, and the imaging unit, and based on the imaging results of the plurality of states, the direction of the substrate to be treated is inappropriate when the light source emits light, and when the other light source emits light To determine the direction of the substrate to be treated,

상기 판정 결과에 기초하여, 상기 검사에 있어서의 상기 광원의 발광 타이밍과 상기 다른 검사에 있어서의 상기 다른 광원의 발광 타이밍을 결정하는, 상기 (4)에 기재된 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to (4), wherein the light emission timing of the light source in the inspection and the light emission timing of the other light source in the other inspection are determined based on the determination result.

상기 (5)에 따르면, 2개의 광원을 이용하여 광원마다의 검사를 행하는 경우에, 검사에 앞서 행해지는, 광원의 발광 타이밍을 결정하는 처리에 요하는 시간을 단축할 수 있다.According to the above (5), when inspection is performed for each light source using two light sources, the time required for the process of determining the light emission timing of the light source, which is performed prior to the inspection, can be shortened.

(6) 피처리 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 검사하는 검사 방법으로서,(6) As an inspection method for inspecting a substrate processing apparatus for processing a substrate to be processed,

상기 기판 처리 장치는,The substrate processing apparatus,

피처리 기판을 유지하여 회전시키는 회전 유지부와,A rotation holding unit for holding and rotating the substrate to be processed,

상기 회전 유지부에 유지된 피처리 기판의 표면을 촬상 영역에 포함하는 촬상부와,An imaging unit including a surface of the substrate to be processed held in the rotation holding unit in an imaging area,

상기 촬상부의 상기 촬상 영역에 광을 조사하는 광원을 가지고,A light source that irradiates light to the imaging area of the imaging unit,

상기 검사 방법은,The inspection method,

상기 회전 유지부에 유지된 피처리 기판을 회전시키면서, 그 피처리 기판의 방향에 기초한 발광 타이밍에 상기 광원을 발광시켜, 상기 촬상부에서 촬상하는 공정과,A step of rotating the substrate to be processed held in the rotation holding unit and emitting the light source at a light emission timing based on the direction of the substrate to be processed, thereby imaging the image in the imaging unit;

상기 촬상 공정에서의 촬상 결과에 기초하여 검사를 행하는 공정을 갖는, 검사 방법.An inspection method which has a process of performing inspection based on the imaging result in the imaging process.

Claims (6)

피처리 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,
피처리 기판을 유지하여 회전시키는 회전 유지부와,
상기 회전 유지부에 유지된 피처리 기판의 표면을 촬상 영역에 포함하는 촬상부와,
상기 촬상부의 상기 촬상 영역에 광을 조사하는 광원과,
상기 촬상부에 의한 촬상 결과에 기초한 검사에 있어서의 상기 광원의 발광 타이밍을, 상기 회전 유지부에 유지되어 회전 중인 피처리 기판의 방향에 기초하여 제어하는 제어부
를 포함하는, 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus for processing a substrate to be processed,
A rotation holding unit for holding and rotating the substrate to be processed,
An imaging unit including a surface of the substrate to be processed held in the rotation holding unit in an imaging area,
A light source irradiating light to the imaging area of the imaging unit;
A control unit for controlling the light emission timing of the light source in the inspection based on the imaging result by the imaging unit based on the direction of the substrate to be processed held and rotated by the rotation holding unit
A substrate processing apparatus comprising a. 제1항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 검사에 앞서, 상기 회전 유지부에 유지된 피처리 기판의 방향이 서로 상이한 복수의 상태 각각으로, 상기 광원으로부터 광을 조사하면서 상기 촬상부에 의한 촬상이 행해지도록, 상기 회전 유지부, 상기 촬상부, 및 상기 광원을 제어하며, 상기 복수의 상태의 촬상 결과에 기초하여, 상기 광원의 발광 시에 부적절한 피처리 기판의 방향을 판정하고,
상기 판정의 결과에 기초하여, 상기 검사에 있어서의 발광 타이밍을 결정하는
것인, 기판 처리 장치.According to claim 1,
The control unit,
Prior to the inspection, the rotation holding unit and the imaging so that imaging by the imaging unit is performed while irradiating light from the light source in a plurality of states in which directions of the substrates held in the rotation maintaining unit are different from each other. The negative and the light sources are controlled, and based on the imaging results of the plurality of states, an inappropriate direction of the substrate to be processed is determined when the light sources emit light,
Based on the result of the determination, the light emission timing in the inspection is determined.
The substrate processing apparatus. 제2항에 있어서,
상기 검사에 있어서의 상기 발광 타이밍을, 상기 부적절한 피처리 기판의 방향의 판정 결과, 피처리 기판의 회전수, 및 상기 촬상부의 프레임 레이트에 기초하여 결정하는, 기판 처리 장치.According to claim 2,
The substrate processing apparatus for determining the light emission timing in the inspection based on the result of the determination of the direction of the inappropriate substrate to be processed, the number of rotations of the substrate to be processed, and the frame rate of the imaging unit. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 촬상부에 의한 촬상 결과에 기초한 다른 검사 시에 상기 촬상 영역에 광을 조사하는 다른 광원을 포함하고,
상기 제어부는, 상기 다른 검사에 있어서의 상기 다른 광원의 발광 타이밍을, 상기 회전 유지부에 유지되어 회전 중인 피처리 기판의 방향에 기초하여 제어하며, 상기 검사를 위한 촬상과 상기 다른 검사를 위한 촬상이 따로따로 행해지도록 상기 촬상부를 제어하는 것인, 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 3,
And another light source that irradiates light to the imaging area during another inspection based on the imaging result by the imaging unit.
The control unit controls the light emission timing of the other light source in the other inspection based on the direction of the substrate to be processed which is held and rotated in the rotation holding unit, and imaging for the inspection and imaging for the other inspection The substrate processing apparatus which controls the said imaging part so that this may be performed separately. 제4항에 있어서,
상기 광원과 상기 다른 광원은 서로 상이한 파장의 광을 조사하고,
상기 제어부는,
상기 검사 및 상기 다른 검사에 앞서, 상기 회전 유지부에 유지된 피처리 기판의 방향이 서로 상이한 복수의 상태 각각으로, 상기 광원 및 상기 다른 광원으로부터 광을 동시에 조사하면서 상기 촬상부에 의한 촬상이 행해지도록, 상기 회전 유지부, 상기 광원, 상기 다른 광원, 및 상기 촬상부를 제어하며, 상기 복수의 상태의 촬상 결과에 기초하여, 상기 광원의 발광 시에 부적절한 피처리 기판의 방향과, 상기 다른 광원의 발광 시에 부적절한 피처리 기판의 방향을 판정하고,
상기 판정의 결과에 기초하여, 상기 검사에 있어서의 상기 광원의 발광 타이밍과 상기 다른 검사에 있어서의 상기 다른 광원의 발광 타이밍을 결정하는
것인, 기판 처리 장치.According to claim 4,
The light source and the other light source irradiate light of different wavelengths,
The control unit,
Prior to the inspection and the other inspection, imaging is performed by the imaging unit while simultaneously irradiating light from the light source and the other light source in a plurality of states in which the directions of the substrates held in the rotation holding unit are different from each other. Control of the rotation holding part, the light source, the other light source, and the imaging part, and based on the imaging results of the plurality of states, an inappropriate orientation of the substrate to be processed when the light source emits light and the other light source In case of light emission, an inappropriate direction of the substrate to be treated is determined,
Based on the result of the determination, the light emission timing of the light source in the inspection and the light emission timing of the other light source in the other inspection are determined.
The substrate processing apparatus. 피처리 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 검사하는 검사 방법으로서,
상기 기판 처리 장치는,
피처리 기판을 유지하여 회전시키는 회전 유지부와,
상기 회전 유지부에 유지된 피처리 기판의 표면을 촬상 영역에 포함하는 촬상부와,
상기 촬상부의 상기 촬상 영역에 광을 조사하는 광원
을 포함하고,
상기 검사 방법은,
상기 회전 유지부에 유지된 피처리 기판을 회전시키면서, 상기 피처리 기판의 방향에 기초한 발광 타이밍에 상기 광원을 발광시켜, 상기 촬상부에서 촬상하는 공정과,
상기 촬상하는 공정에서의 촬상 결과에 기초하여 검사를 행하는 공정
을 포함하는, 검사 방법.As an inspection method for inspecting a substrate processing apparatus for processing a substrate to be processed,
The substrate processing apparatus,
A rotation holding unit for holding and rotating the substrate to be processed,
An imaging unit including a surface of the substrate to be processed held in the rotation holding unit in an imaging area,
A light source that irradiates light to the imaging area of the imaging unit
Including,
The inspection method,
A step of rotating the substrate to be processed held in the rotation holding unit and emitting the light source at a light emission timing based on the direction of the substrate to be processed, thereby imaging the image in the imaging unit;
Process of performing inspection based on the imaging result in the said imaging process
Including, inspection method.
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