KR20200036595A - Silicon layer deposition equipment of solar cell - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to equipment for depositing a silicon layer for a solar cell. According to one embodiment of the present invention, the equipment for depositing a silicon layer for a solar cell includes: a chamber body including an internal space having a length in a horizontal direction to enable a plurality of silicon wafers to be placed therein, a door installed on a front side in a horizontal direction to enable the plurality of silicon wafers to be inserted therein, and a vent installed on a rear side in a horizontal direction to exhaust gas; a first shower nozzle including a plurality of first holes provided to spray silicon deposition gas for depositing a silicon layer on the surface of the plurality of silicon wafers; and a second shower nozzle including a plurality of second holes provided to spray impurity gas for injecting impurities into the silicon layer, and a plate-shaped diffuser spaced from the front side of each of the second holes. Each of the first and second shower nozzles is extended from the plurality of the silicon wafers in a direction going across a horizontal direction along a wall surface of the chamber body.

Description

태양 전지용 실리콘층 증착 장비{Silicon layer deposition equipment of solar cell}Silicon layer deposition equipment for solar cells

본 발명은 태양 전지용 실리콘층 증착 장비에 관한 것이다.The present invention relates to a silicon layer deposition equipment for solar cells.

최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양 전지는 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생산하는 전지로서, 에너지 자원이 풍부하고 환경오염에 대한 문제점이 없어 주목 받고 있다. Recently, as the depletion of existing energy resources such as oil and coal is predicted, interest in alternative energy to replace them is increasing. Among them, a solar cell is attracting attention because it is a cell that produces electrical energy from solar energy, and has abundant energy resources and no environmental pollution problems.

일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)의 반도체로 이루어진 기판(substrate) 및 에미터부(emitter layer), 그리고 기판과 에미터부에 각각 연결된 전극을 구비한다. 이때, 기판과 에미터부의 계면에는 p-n 접합이 형성되어 있다.A typical solar cell includes a substrate and an emitter layer made of semiconductors of different conductivity types, such as p-type and n-type, and electrodes connected to the substrate and the emitter, respectively. At this time, a p-n junction is formed at the interface between the substrate and the emitter.

이러한 태양 전지에 빛이 입사되면 반도체에서 복수의 전자-정공쌍이 생성되고, 생성된 전자-정공쌍은 전자와 정공으로 각각 분리되어 전자와 정공은 n형의 반도체와 p형 반도체쪽으로, 예를 들어 에미터부와 기판쪽으로 이동하고, 기판과 에미터부와 전기적으로 연결된 전극에 의해 수집되며, 이 전극들을 전선으로 연결하여 전력을 얻는다.When light enters the solar cell, a plurality of electron-hole pairs are generated in the semiconductor, and the generated electron-hole pairs are separated into electrons and holes, respectively, so that electrons and holes are directed toward n-type semiconductors and p-type semiconductors, for example. It moves to the emitter portion and the substrate, and is collected by electrodes electrically connected to the substrate and the emitter portion, and the electrodes are connected by electric wires to obtain electric power.

최근에는 태양 전지의 개방 전압(Voc)를 향상시키기 위하여, 태양 전지의 실리콘 반도체 기판의 표면에 불순물을 함유한 실리콘 증착한 구조의 태양 전지가 개발 중에 있다.Recently, in order to improve the open voltage (Voc) of the solar cell, a solar cell having a silicon-deposited structure containing impurities on the surface of the silicon semiconductor substrate of the solar cell is under development.

그러나, 이와 같은 구조의 태양 전지에서, 태양 전지의 원하는 효율과 개방 전압을 얻기 위해서는 태양 전지의 표면에 증착되는 실리콘층의 두께가 균일해야 한다.However, in the solar cell having such a structure, in order to obtain the desired efficiency and open voltage of the solar cell, the thickness of the silicon layer deposited on the surface of the solar cell must be uniform.

그러나, 태양 전지의 반도체 기판 표면에 불순물을 함유한 실리콘층을 증착함에 있어, 불순물 가스의 산포가 균일하지 못한 경우, 반도체 기판의 부분에서의 실리콘층 증착 속도에 차이가 생기게 되어, 반도체 기판에 증착되는 실리콘층의 두께가 균일하지 못하여, 태양 전지의 효율이 저하되거나 원하는 만큼의 효율과 개방 전압을 확보하지 못하는 문제점이 있다.However, in depositing a silicon layer containing impurities on the surface of a semiconductor substrate of a solar cell, when the dispersion of the impurity gas is not uniform, a difference in the deposition rate of the silicon layer in a portion of the semiconductor substrate occurs, and deposition on the semiconductor substrate The thickness of the silicon layer is not uniform, there is a problem that the efficiency of the solar cell is lowered or the desired efficiency and open voltage are not secured.

본 발명은 태양 전지용 반도체 기판 표면에 분사되는 불순물의 산포를 개선할 수 있는 태양 전지용 실리콘층 증착 장비를 제공하는데 그 목적이 있다. An object of the present invention is to provide a silicon layer deposition equipment for solar cells capable of improving the dispersion of impurities sprayed on the surface of a semiconductor substrate for solar cells.

본 발명의 일례에 따른 태양 전지용 실리콘층 증착 장비는 복수의 실리콘 웨이퍼가 내부에 배치되도록 하기 위하여, 수평 방향으로 길이를 갖는 내부 공간이 구비되고, 수평 방향의 전면 쪽에 복수의 실리콘 웨이퍼가 출입하는 도어가 구비되고, 수평 방향의 후면 쪽에 가스가 배기되는 밴트(vent)를 구비하는 챔버 몸체; 복수의 실리콘 웨이퍼의 표면에 실리콘층을 증착하기 위한 실리콘 증착 가스를 분사하기 위해 실리콘 증착 가스를 분사하는 복수의 제1 홀이 구비되는 제1 샤워 노즐; 실리콘층 내에 불순물을 주입하기 위한 불순물 가스를 분사하기 위해 불순물 가스를 분사하는 복수의 제2 홀이 구비되고, 복수의 제2 홀 각각의 전면에 이격되는 판상 형태의 디퓨저(Diffuser)를 구비하는 제2 샤워 노즐;을 포함하고, 제1, 2 샤워 노즐 각각은 복수의 실리콘 웨이퍼를 중심으로 챔버 몸체의 벽면을 따라 수평 방향과 교차하는 방향으로 길게 연장된다.The silicon layer deposition equipment for solar cells according to an example of the present invention is provided with an interior space having a length in a horizontal direction, and a plurality of silicon wafers entering and exiting the front side in the horizontal direction so that a plurality of silicon wafers are disposed therein. Is provided, the chamber body having a vent (vent) for the gas is exhausted to the rear side in the horizontal direction; A first shower nozzle having a plurality of first holes for injecting silicon deposition gas to inject silicon deposition gas for depositing a silicon layer on the surfaces of the plurality of silicon wafers; A plurality of second holes for injecting impurity gas to inject impurity gas for injecting impurities into the silicon layer is provided, and a plate-shaped diffuser spaced apart from the front surface of each of the plurality of second holes 2 shower nozzles; and, each of the first and second shower nozzles extends in a direction intersecting the horizontal direction along the wall surface of the chamber body around the plurality of silicon wafers.

여기서, 제1 샤워 노즐은 챔버 몸체의 외부에서 내부로 수평 방향으로 길게 연장되고, 실리콘 증착 가스를 공급하는 제1 배관에 연결되고, 제2 샤워 노즐은 챔버 몸체의 외부에서 내부로 수평 방향으로 길게 연장되고, 불순물 가스를 공급하는 제2 배관에 연결되고, 제1, 2 배관 각각에는 제1 홀 또는 제2홀이 구비되지 않을 수 있다.Here, the first shower nozzle is extended in a horizontal direction from the outside of the chamber body to the inside, and is connected to a first pipe supplying silicon deposition gas, and the second shower nozzle is extended in a horizontal direction from the outside of the chamber body to the inside. It is extended, connected to the second pipe for supplying the impurity gas, and each of the first and second pipes may not be provided with a first hole or a second hole.

여기서, 제1 샤워 노즐은 제1 배관의 끝단에서 챔버 몸체의 벽면을 따라 수직 방향으로 둥근 형태를 가지며, 제1 샤워 노즐의 길이 방향을 따라 복수의 제1 홀이 이격되어 구비될 수 있다.Here, the first shower nozzle has a round shape in the vertical direction along the wall surface of the chamber body at the end of the first pipe, and may be provided with a plurality of first holes spaced apart along the longitudinal direction of the first shower nozzle.

여기서, 복수의 제1 홀의 개구 방향은 제1 샤워 노즐의 표면 중에서 챔버 몸체의 내부 공간의 중심부를 향하여 구비될 수 있다.Here, the opening direction of the plurality of first holes may be provided toward the center of the inner space of the chamber body among the surfaces of the first shower nozzle.

또한, 제1 샤워 노즐의 끝단은 챔버 몸체의 벽면을 따라 돌아 제1 배관의 끝단에 인접하여 위치할 수 있다.In addition, the end of the first shower nozzle may be located along the wall surface of the chamber body and adjacent to the end of the first pipe.

아울러, 제2 샤워 노즐은 제2 배관의 끝단에서 챔버 몸체의 벽면을 따라 수직 방향으로 둥근 형태를 가지며, 제2 샤워 노즐의 길이 방향을 따라 복수의 제2 홀이 이격되어 구비될 수 있다.In addition, the second shower nozzle has a round shape in the vertical direction along the wall surface of the chamber body at the end of the second pipe, and may be provided with a plurality of second holes spaced apart along the longitudinal direction of the second shower nozzle.

여기서, 복수의 제2 홀의 개구 방향은 제2 샤워 노즐의 표면 중에서 챔버 몸체의 내부 공간의 중심부를 향하여 구비될 수 있다.Here, the opening direction of the plurality of second holes may be provided toward the center of the inner space of the chamber body among the surfaces of the second shower nozzle.

또한, 제2 샤워 노즐의 끝단은 챔버 몸체의 벽면을 따라 돌아 제2 배관의 끝단에 인접하여 위치할 수 있다.In addition, the end of the second shower nozzle may be located along the wall surface of the chamber body and adjacent to the end of the second pipe.

아울러, 복수의 제2 홀 각각의 전면에는 디퓨저가 구비되고, 복수의 제2 홀 사이에는 디퓨저를 제2 샤워 노즐에 고정시키는 디퓨저 고정부가 위치할 수 있다.In addition, a diffuser is provided on the front surface of each of the plurality of second holes, and a diffuser fixing unit fixing the diffuser to the second shower nozzle may be positioned between the plurality of second holes.

또한, 제1, 2 샤워 노즐은 각각이 복수 개이고, 하나의 제1 샤워 노즐과 하나의 제2 샤워 노즐은 한 쌍으로 챔버 내부 공간에 구비되고,한 쌍의 제1, 2 샤워 노즐과 다른 한 쌍의 제1, 2 샤워 노즐 사이의 간격은 한 쌍을 구성하는 하나의 제1 샤워 노즐과 하나의 제2 샤워 노즐 사이의 간격보다 클 수 있다.In addition, each of the first and second shower nozzles is plural, and one first shower nozzle and one second shower nozzle are provided in the space inside the chamber in a pair, and one pair is different from the first and second shower nozzles. The distance between the pair of first and second shower nozzles may be greater than the distance between one first shower nozzle and one second shower nozzle constituting a pair.

또한, 복수의 실리콘 웨이퍼는 수평 방향으로 길이를 갖는 보트에 수평 방향으로 이격되어 수직 방향으로 세워진 상태로 위치하여 챔버 몸체의 내부 공간에 배치될 수 있다.In addition, the plurality of silicon wafers are horizontally spaced apart from the boat having a length in the horizontal direction and positioned in a vertical direction to be disposed in the interior space of the chamber body.

또한, 이와 다르게, 복수의 실리콘 웨이퍼는 수직 방향으로 길이를 갖는 보트에 수직 방향으로 이격되어 수평 방향으로 눕혀진 상태로 위치하여 챔버 몸체의 내부 공간에 배치되는 것도 가능하다.In addition, alternatively, the plurality of silicon wafers may be disposed in the interior space of the chamber body by being vertically spaced apart from the boat having a length in the vertical direction and lying in a horizontal direction.

본 발명에 따른 태양 전지용 실리콘층 증착 장비는 제1, 2 샤워 노즐 각각은 복수의 실리콘 웨이퍼를 중심으로 챔버 몸체의 벽면을 따라 수평 방향과 교차하는 방향으로 길게 연장되어, 태양 전지의 표면에 실리콘층을 보다 균일하게 증착할 수 있다.The silicon layer deposition equipment for solar cells according to the present invention, each of the first and second shower nozzles extends in a direction intersecting the horizontal direction along the wall surface of the chamber body around the plurality of silicon wafers, and the silicon layer on the surface of the solar cell Can be deposited more uniformly.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양 전지용 실리콘층 증착 장비를 간략하게 도시한 것이다.
도 2는 도 1에 도시된 제1 샤워 노즐(50)을 챔버 몸체(10)의 중심에서 바라본 형상이다.
도 3은 도 1에 도시된 제2 샤워 노즐(40)을 설명하기 위한 도이다.
도 4는 본 발명에서 디퓨저(43)와 제2 샤워 노즐(40)의 홀(41) 사이의 간격을 설명하기 위한 도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양 전지용 실리콘층 증착 장비를 설명하기 위한 도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 태양 전지용 실리콘층 증착 장비를 간략하게 도시한 것이다.1 schematically shows a silicon layer deposition equipment for a solar cell according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a shape of the first shower nozzle 50 shown in FIG. 1 as viewed from the center of the chamber body 10.
3 is a view for explaining the second shower nozzle 40 shown in FIG. 1.
4 is a view for explaining the distance between the diffuser 43 and the hole 41 of the second shower nozzle 40 in the present invention.
5 is a view for explaining a silicon layer deposition equipment for a solar cell according to a second embodiment of the present invention.
6 is a simplified illustration of a silicon layer deposition equipment for a solar cell according to a third embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art to which the present invention pertains may easily practice. However, the present invention can be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein. In addition, in order to clearly describe the present invention in the drawings, parts irrelevant to the description are omitted, and like reference numerals are assigned to similar parts throughout the specification.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한 어떤 부분이 다른 부분 위에 “전체적”으로 형성되어 있다고 할 때에는 다른 부분의 전체 면(또는 전면)에 형성되어 있는 것뿐만 아니라 가장 자리 일부에는 형성되지 않은 것을 뜻한다.In the drawings, thicknesses are enlarged to clearly represent various layers and regions. When a portion of a layer, film, region, plate, or the like is said to be “above” another portion, this includes not only the case “directly above” the other portion, but also the case where there is another portion in between. Conversely, when one part is "just above" another part, it means that there is no other part in the middle. Also, when a part is formed “overall” on another part, it means that not only is formed on the entire surface (or the entire surface) of the other part, but also not formed on a part of the edge.

아울러, 이하에서 어떤 구성 요소의 두께나 폭 또는 길이가 동일하다는 의미는 공정 상의 오차를 고려하여, 어떤 제1 구성 요소의 두께나 폭 또는 길이가 다른 제2 구성 요소의 두께나 폭 또는 길이와 비교하여, 10% 의 오차 범위에 있는 경우를 의미한다.In addition, in the following, the meaning that the thickness or width or length of a component is the same is compared with the thickness, width, or length of a second component whose thickness, width, or length of another component is different in consideration of process errors Therefore, it means that it is in the error range of 10%.

그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명에 대하여 설명한다.Then, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양 전지용 실리콘층 증착 장비를 간략하게 도시한 것으로, 도 1의 (a)는 태양 전지용 실리콘층 증착 장비를 측면에서 바라본 투시도이고, 도 1의 (b)는 도 1의 (a)에서 V1-V1 라인에 따른 단면을 도시한 것이고, 도 1의 (c)는 도 1의 (a)에서 V2-V2 라인에 따른 단면을 도시한 것이다.1 is a schematic view showing a silicon layer deposition equipment for a solar cell according to a first embodiment of the present invention, Figure 1 (a) is a perspective view of the silicon layer deposition equipment for solar cells viewed from the side, Figure 1 (b ) Shows a cross section along line V1-V1 in FIG. 1 (a), and FIG. 1 (c) shows a cross section along line V2-V2 in FIG. 1 (a).

도 2는 도 1에 도시된 제1 샤워 노즐(50)을 챔버 몸체(10)의 중심에서 바라본 형상이며, 도 3은 도 1에 도시된 제2 샤워 노즐(40)을 설명하기 위한 도로서, 도 3의 (a)는 도 1에 도시된 제2 샤워 노즐(40)을 챔버 몸체(10)의 중심에서 바라본 형상이고, 도 3의 (b)는 도 3의 (a)는 도 1에 도시된 제2 샤워 노즐(40)을 챔버 몸체(10)의 정면 쪽에서 바라본 보다 구체적인 단면이다. FIG. 2 is a view of the first shower nozzle 50 shown in FIG. 1 viewed from the center of the chamber body 10, and FIG. 3 is a view for explaining the second shower nozzle 40 shown in FIG. 1, FIG. 3 (a) shows the second shower nozzle 40 shown in FIG. 1 as viewed from the center of the chamber body 10, and FIG. 3 (b) shows FIG. 3 (a) in FIG. 1. The second shower nozzle 40 is a more specific cross-section viewed from the front side of the chamber body 10.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일례에 따른 태양 전지용 실리콘층 증착 장비는 챔버 몸체(10), 제1 샤워 노즐(50), 제2 샤워 노즐(40)을 포함한다.1 to 3, the silicon layer deposition equipment for a solar cell according to an example of the present invention includes a chamber body 10, a first shower nozzle 50, a second shower nozzle 40.

여기서, 챔버 몸체(10)는 실리콘 웨이퍼(110)가 내부에 배치되는 공간을 마련하기 위하여, 패쇄된 공간을 형성하는 벽을 포함할 수 있다.Here, the chamber body 10 may include a wall forming a closed space in order to provide a space in which the silicon wafer 110 is disposed.

이와 같은 챔버 몸체(10)의 내부 공간은 제1 수평 방향(x)으로 길이를 가지며, 제1 수평 방향(x)을 따라 챔버 몸체(10)의 앞쪽에는 도어(20)(door)가 위치하고, 챔버 몸체(10)의 뒤쪽에는 밴트(30)(vent)가 구비될 수 있다.The interior space of the chamber body 10 has a length in the first horizontal direction (x), and a door 20 is located in front of the chamber body 10 along the first horizontal direction (x), A vent 30 may be provided at the rear of the chamber body 10.

도어(20)는 챔버 몸체(10)의 앞쪽에 위치하여, 실리콘 웨이퍼(110)를 챔버 몸체(10)의 내부 공간으로 이동하거나, 내부 공간에서 외부로 이동할 수 있는 통로를 제공할 수 있다. 따라서, 이와 같은 도어(20)를 통하여, 태양 전지용 실리콘 웨이퍼(110)는 보트(100)에 안착된 상태로, 챔버 몸체(10) 내부로 로딩(loading)되거나 언로딩(unloading)될 수 있다.The door 20 may be located at the front of the chamber body 10 to move the silicon wafer 110 to the interior space of the chamber body 10 or to provide a passage through which the interior space can move outward. Accordingly, through the door 20, the silicon wafer 110 for solar cells may be loaded or unloaded into the chamber body 10 while seated on the boat 100.

밴트(30)는 챔버 몸체(10)의 뒤쪽에 위치하여, 제1, 2 샤워 노즐(50, 40)(50, 40)에서 분사된 공정 가스를 배출 할 수 있으며, 공정 가스의 배출을 위하여, 밴트(30)에는 진공 펌프(31)가 연결될 수 있다.Vent 30 is located at the back of the chamber body 10, it is possible to discharge the process gas injected from the first and second shower nozzles (50, 40) (50, 40), for the discharge of the process gas, A vacuum pump 31 may be connected to the vent 30.

이에 따라, 제1 샤워 노즐(50)과 제2 샤워 노즐(40)에서 분사되는 증착 가스와 불순물 가스(G2) 중에서 일부는 실리콘 웨이퍼(110)의 표면에 실리콘층으로 증착되고, 나머지 일부는 진공 펌프(31)에 의해 흡입되어 벤트(30)를 통하여 외부로 배출될 수 있다.Accordingly, some of the deposition gas and impurity gas (G2) injected from the first shower nozzle 50 and the second shower nozzle 40 are deposited as a silicon layer on the surface of the silicon wafer 110, and the other part is vacuum. It may be sucked by the pump 31 and discharged through the vent 30 to the outside.

여기서, 복수의 실리콘 웨이퍼(110)는 제1 수평 방향(x)으로 길이를 갖는 보트 내에 배치될 수 있다. 이때, 복수의 실리콘 웨이퍼(110)는 보트 내에서 제1 수평 방향(x)으로 이격되어 수직 방향(z)으로 세워진 상태로 위치한 상태로, 도어(20)를 통하여 챔버 몸체(10)의 내부 공간으로 로딩되어 배치될 수 있다.Here, the plurality of silicon wafers 110 may be disposed in a boat having a length in the first horizontal direction (x). At this time, the plurality of silicon wafers 110 are spaced apart in the first horizontal direction (x) in the boat and positioned in a vertical direction (z), and the inner space of the chamber body 10 through the door 20 It can be loaded and placed.

이와 같은 보트(100) 내에서 복수의 실리콘 웨이퍼(110)의 배치 구조는 한번에 실리콘층을 증착할 수 있는 실리콘 웨이퍼(110)의 개수를 획기적으로 증가시킬 수 있다.The arrangement structure of the plurality of silicon wafers 110 in the boat 100 may significantly increase the number of silicon wafers 110 capable of depositing a silicon layer at a time.

일례로, 태양 전지용 반도체 공정이 아닌 일반적인 반도체 제조 공정에서는 한번에 웨이퍼의 표면에 어떤 층을 증착할 수 있는 웨이퍼의 개수는 많아야 100장에서 200장 사이지만, 도 1과 같이 보트(100) 내에 실리콘 웨이퍼(110)를 세워서 배치하는 경우, 한번에 실리콘층을 증착할 수 있는 실리콘 웨이퍼(110)의 개수는 800장 ~ 1000장까지 가능할 수 있다.For example, in a general semiconductor manufacturing process other than a semiconductor process for a solar cell, the number of wafers capable of depositing a layer on the surface of the wafer at a time is between 100 and 200 sheets at most, but a silicon wafer in the boat 100 as shown in FIG. 1. When the 110 is placed vertically, the number of silicon wafers 110 capable of depositing a silicon layer at a time may be 800 to 1000 sheets.

아울러, 도 1에서는 챔버 몸체(10) 내부에 로딩되는 보트(100)의 개수가 하나인 경우를 일례로 도시하였지만, 이와 다르게 보트(100)의 개수는 복수 개 일 수도 있다.In addition, although the number of boats 100 loaded inside the chamber body 10 is shown as an example in FIG. 1, the number of boats 100 may be different.

제1 샤워 노즐(50)은 복수의 실리콘 웨이퍼(110)의 표면에 실리콘층을 증착하기 위한 실리콘 증착 가스(G1)를 분사하기 위해 실리콘 증착 가스(G1)를 분사하는 복수의 제1 홀(51)을 구비할 수 있다.The first shower nozzle 50 has a plurality of first holes 51 for spraying the silicon deposition gas (G1) to inject the silicon deposition gas (G1) for depositing a silicon layer on the surface of the plurality of silicon wafer 110 ).

이와 같은 제1 샤워 노즐(50)은 수직 방향(z)으로 세워진 복수의 실리콘 웨이퍼(110)의 측면에 실리콘 증착 가스(G1)를 분사할 수 있다.The first shower nozzle 50 may spray silicon deposition gas G1 on the side surfaces of the plurality of silicon wafers 110 standing in the vertical direction z.

이를 위하여, 제1 샤워 노즐(50)은 복수의 실리콘 웨이퍼(110)를 중심으로 챔버 몸체(10)의 벽면을 따라 제1 수평 방향(x)과 교차하는 수직 방향(z) 또는 제2 수형 방향으로 길게 연장될 수 있다. 즉, 제1 샤워 노즐(50)은 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 챔버 내부 공간의 중심을 기준으로 챔버 몸체(10)의 벽면을 따라 둥근 튜브 형태가 되도록 길게 연장될 수 있다.To this end, the first shower nozzle 50 is a vertical direction (z) or a second male direction that intersects the first horizontal direction (x) along the wall surface of the chamber body (10) around the plurality of silicon wafers (110). Can be extended long. That is, as illustrated in FIG. 1B, the first shower nozzle 50 may be elongated to have a round tube shape along the wall surface of the chamber body 10 based on the center of the chamber interior space.

이와 같은 제1 샤워 노즐(50)은 실리콘 증착 가스(G1)를 공급하기 위하여 챔버 몸체(10)의 외부에서 내부로 제1 수평 방향(x)으로 길게 연장되는 제1 배관(P50)의 끝단에 연결될 수 있다. 여기서, 제1 배관(P50)에는 제1 홀(51)이 구비되지 않을 수 있다.The first shower nozzle 50 is at the end of the first pipe (P50) extending in the first horizontal direction (x) from the outside of the chamber body 10 to the inside in order to supply the silicon deposition gas (G1) Can be connected. Here, the first hole 51 may not be provided in the first pipe P50.

제1 샤워 노즐(50)은 제1 배관(P50)의 끝단에서 챔버 몸체(10)의 벽면을 따라 수직 방향(z) 또는 제2 수형 방향(y)으로 길게 연장되어 둥근 튜브 형태를 가지도록 연장되며, 제1 샤워 노즐(50)의 길이 방향을 따라 복수의 제1 홀(51)이 이격되어 구비될 수 있다. The first shower nozzle 50 is elongated in the vertical direction (z) or the second male direction (y) along the wall surface of the chamber body 10 at the end of the first pipe (P50) to extend to have a round tube shape In some embodiments, a plurality of first holes 51 may be spaced apart along the longitudinal direction of the first shower nozzle 50.

여기서, 복수의 제1 홀(51)의 개구 방향은 제1 샤워 노즐(50)의 표면 중에서 챔버 몸체(10)의 내부 공간의 중심부를 향할 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 제1 홀(51)의 개구 방향이 챔버 몸체(10)의 전면 쪽이나 후면 쪽으로 조금 치우쳐 구비되는 것도 가능하다.Here, the opening direction of the plurality of first holes 51 may face the center of the interior space of the chamber body 10 among the surfaces of the first shower nozzle 50. However, the present invention is not limited thereto, and the opening direction of the first hole 51 may be provided slightly biased toward the front side or the rear side of the chamber body 10.

아울러, 제1 샤워 노즐(50)의 끝단은 챔버 몸체(10)의 벽면을 따라 돌아 제1 배관(P50)의 끝단에 인접하여 위치할 수 있고, 막혀 있을 수 있다.In addition, the end of the first shower nozzle 50 may be located along the wall surface of the chamber body 10 and adjacent to the end of the first pipe P50, and may be blocked.

이와 같이, 제1 샤워 노즐(50)이 챔버 몸체(10)의 벽면을 따라 둥글게 구비되어, 반도체 웨이퍼의 측면 방향으로 실리콘 증착 가스(G1)를 분사하므로, 반도체 웨이퍼의 전면 또는 후면에 보다 균일하게 실리콘 증착 가스(G1)가 증착되도록 할 수 있다.As described above, since the first shower nozzle 50 is provided roundly along the wall surface of the chamber body 10 and sprays silicon deposition gas G1 in the lateral direction of the semiconductor wafer, it is more uniform on the front or rear surface of the semiconductor wafer. The silicon deposition gas G1 may be deposited.

여기서, 제1 샤워 노즐(50)의 선폭(W50)은 4mm ~ 6mm 사이로 형성될 수 있다.Here, the line width (W50) of the first shower nozzle 50 may be formed between 4mm ~ 6mm.

또한, 제1 샤워 노즐(50)에 구비된 홀(51)들 사이의 간격(D51)은 실리콘 증착 가스(G1)의 산포를 고려하여, 40mm~ 85mm 사이의 범위 내에서 형성될 수 있으며, 제1 샤워 노즐(50)에 구비된 홀(51)들 각각의 직경(R51)은 1mm ~ 1.5mm 사이로 형성될 수 있다.In addition, the gap D51 between the holes 51 provided in the first shower nozzle 50 may be formed within a range between 40 mm and 85 mm in consideration of the dispersion of the silicon deposition gas G1. 1 The diameter R51 of each of the holes 51 provided in the shower nozzle 50 may be formed between 1 mm and 1.5 mm.

이와 같은 제1 샤워 노즐(50)에서 실리콘 증착 가스(G1)가 분사되어 태양 전지용 실리콘 웨이퍼(110)의 표면에 실리콘층이 증착될 수 있다.The silicon deposition gas G1 is injected from the first shower nozzle 50 to deposit a silicon layer on the surface of the silicon wafer 110 for solar cells.

일례로, 제1 샤워 노즐(50)을 통하여 분사되는 실리콘 증착 가스(G1)는 실란(SiH4) 가스일수 있다. For example, the silicon deposition gas G1 injected through the first shower nozzle 50 may be a silane (SiH4) gas.

제2 샤워 노즐(40)은 실리콘층 내에 불순물을 주입하기 위한 불순물 가스(G2)를 분사하기 위해 불순물 가스(G2)를 분사하는 복수의 제2 홀(52)이 구비되고, 복수의 제2 홀(52) 각각의 전면에 이격되는 판상 형태의 디퓨저(43)(Diffuser)를 구비할 수 있다.The second shower nozzle 40 is provided with a plurality of second holes 52 for injecting the impurity gas G2 to inject the impurity gas G2 for injecting impurities into the silicon layer, and the plurality of second holes (52) A plate-shaped diffuser (43) (Diffuser) spaced apart from each front may be provided.

이와 같은 제2 샤워 노즐(40) 역시 복수의 실리콘 웨이퍼(110)를 중심으로 챔버 몸체(10)의 벽면을 따라 제1 수평 방향(x)과 교차하는 수직 방향(z) 또는 제2 수형 방향으로 길게 연장될 수 있다. 즉, 제2 샤워 노즐(40)은 도 1의 (c)에 도시된 바와 같이, 챔버 내부 공간의 중심을 기준으로 챔버 몸체(10)의 벽면을 따라 둥근 튜브 형태가 되도록 길게 연장될 수 있다.The second shower nozzle 40 is also in the vertical direction (z) or the second male direction crossing the first horizontal direction (x) along the wall surface of the chamber body 10 around the plurality of silicon wafers (110). It can be extended long. That is, the second shower nozzle 40 may be extended to be a round tube shape along the wall surface of the chamber body 10 based on the center of the chamber interior space, as shown in FIG.

이와 같은 제2 샤워 노즐(40)은 불순물 가스(G2)를 공급하기 위하여 챔버 몸체(10)의 외부에서 내부로 제1 수평 방향(x)으로 길게 연장되는 제2 배관(P40)에 연결될 수 있고, 제2 배관(P40)에는 제2 홀(52)이 구비되지 않을 수 있다.The second shower nozzle 40 may be connected to a second pipe P40 extending long in the first horizontal direction x from the outside of the chamber body 10 to the impurity gas G2. , The second hole 52 may not be provided in the second pipe P40.

이와 같은 제2 샤워 노즐(40)은 제2 배관(P40)의 끝단에서 챔버 몸체(10)의 벽면을 따라 수직 방향(z)으로 둥근 형태를 가지며, 제2 샤워 노즐(40)의 길이 방향을 따라 복수의 제2 홀(52)이 이격되어 구비될 수 있다.The second shower nozzle 40 has a round shape in the vertical direction (z) along the wall surface of the chamber body 10 at the end of the second pipe (P40), the longitudinal direction of the second shower nozzle 40 Accordingly, a plurality of second holes 52 may be provided spaced apart.

여기서, 복수의 제2 홀(52)의 개구 방향은 제2 샤워 노즐(40)의 표면 중에서 챔버 몸체(10)의 내부 공간의 중심부를 향하여 구비될 수 있다. Here, the opening direction of the plurality of second holes 52 may be provided toward the center of the inner space of the chamber body 10 among the surfaces of the second shower nozzle 40.

제2 샤워 노즐(40)의 끝단은 챔버 몸체(10)의 벽면을 따라 돌아 제2 배관(P40)의 끝단에 인접하여 위치할 수 있다. The end of the second shower nozzle 40 may be located along the wall surface of the chamber body 10 and adjacent to the end of the second pipe P40.

이와 같이 제2 샤워 노즐(40)에 구비된 복수의 제2 홀(52) 각각의 전면에는 디퓨저(43)가 구비되고, 복수의 제2 홀(52) 사이에는 디퓨저(43)를 제2 샤워 노즐(40)에 고정시키는 디퓨저 고정부(45)가 위치할 수 있다.As described above, a diffuser 43 is provided at the front of each of the plurality of second holes 52 provided in the second shower nozzle 40, and the diffuser 43 is showered between the plurality of second holes 52. A diffuser fixing portion 45 for fixing to the nozzle 40 may be located.

여기서, 제2 샤워 노즐(40)의 선폭(W40)은 4mm ~ 6mm 사이일 수 있으며, 제1 샤워 노즐(50)의 선폭(W50)과 동일할 수 있다.Here, the line width W40 of the second shower nozzle 40 may be between 4 mm and 6 mm, and may be the same as the line width W50 of the first shower nozzle 50.

아울러, 제2 샤워 노즐(40)에 구비된 홀(41)들 사이의 간격(D41)은 40mm~ 85mm 사이로 형성되되, 제1 샤워 노즐(50)에 구비된 홀(51)들 사이의 간격(D51)과 동일할 수 있다.In addition, the gap D41 between the holes 41 provided in the second shower nozzle 40 is formed between 40 mm and 85 mm, the gap between the holes 51 provided in the first shower nozzle 50 ( D51).

또한, 제2 샤워 노즐(40)에 구비된 홀(41)들 각각의 직경(R41)은 1mm ~ 1.5mm 사이로 형성되되, 제2 샤워 노즐(40)에 구비된 홀(51)들 각각의 직경(R51)과 동일할 수 있다.In addition, the diameter (R41) of each of the holes 41 provided in the second shower nozzle 40 is formed between 1mm to 1.5mm, the diameter of each of the holes 51 provided in the second shower nozzle 40 (R51).

이와 같은 제2 샤워 노즐(40)에서 불순물 가스(G2)가 분사되어 태양 전지용 실리콘 웨이퍼(110)의 표면에 실리콘층이 증착될 때, 실리콘층 내에 불순물이 함유될 수 있다.When the impurity gas G2 is injected from the second shower nozzle 40 as described above to deposit a silicon layer on the surface of the silicon wafer 110 for solar cells, impurities may be contained in the silicon layer.

일례로, 제2 샤워 노즐(40)을 통하여 분사되는 불순물 가스(G2)는 일례로, PH3 가스일 수 있으나, 이에 반드시 한정되는 것은 아니고, BBr3와 같은 보론 가스도 가능하다.For example, the impurity gas G2 injected through the second shower nozzle 40 may be, for example, a PH3 gas, but is not limited thereto, and a boron gas such as BBr3 is also possible.

이와 같은 불순물 가스(G2)에서 인(P)은 실리콘층 내에 불순물로 작용하지만, 불순물 가스(G2)의 산포에 따라, 태양 전지용 실리콘 웨이퍼(110)의 표면에 증착되는 실리콘층의 증착 속도가 빨라지거나 느려질 수 있다.Phosphorus (P) in the impurity gas (G2) acts as an impurity in the silicon layer, but according to the dispersion of the impurity gas (G2), the deposition rate of the silicon layer deposited on the surface of the silicon wafer for solar cells 110 is increased. It can be slow.

이에 따라, 불순물 가스(G2)의 산포가 균일하지 못한 경우, 반도체 기판(110)에 증착되는 실리콘층의 두께가 균일하지 못하여, 태양 전지의 효율이 저하될 수 있다.Accordingly, when the dispersion of the impurity gas G2 is not uniform, the thickness of the silicon layer deposited on the semiconductor substrate 110 is not uniform, so that the efficiency of the solar cell may be reduced.

따라서, 본 발명에서는 불순물 가스(G2)의 산포를 개선하기 위하여, 도 1의 (c) 및 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 제2 샤워 노즐(40)에서 복수의 제2 홀(52) 각각의 전면에는 불순물 가스(G2)의 산포를 향상시키는 디퓨저(43)가 더 구비될 수 있다.Therefore, in the present invention, in order to improve the dispersion of the impurity gas (G2), as shown in Figure 1 (c) and Figure 3 (b), a plurality of second holes in the second shower nozzle 40 ( 52) A diffuser 43 for improving dispersion of the impurity gas G2 may be further provided on each front surface.

이와 같은 디퓨저(43)는 복수의 제2 홀(52)을 통과하여 분사되는 불순물 가스(G2)를 전면에서 간섭하여, 실리콘 웨이퍼(110)의 표면에 증착되는 불순물 가스(G2)의 산포를 보다 향상시킬 수 있다. The diffuser 43 interferes with the impurity gas G2 sprayed through the plurality of second holes 52 from the front side, and sees the dispersion of the impurity gas G2 deposited on the surface of the silicon wafer 110. Can be improved.

이와 같은 디퓨저(43)는 도 3의 (b)에 도시된 바와 제2 샤워 노즐(40)에 구비된 홀(41)들 각각의 전면에 이격되어 구비될 수 있으며, 제2 샤워 노즐(40)의 길이 방향과 동일한 제1 방향(x)으로 길게 위치하여, 상대적으로 얇은 두께와 넓은 폭을 갖는 판상 형태로 구비될 수 있다.Such a diffuser 43 may be provided spaced apart from the front of each of the holes 41 provided in the second shower nozzle 40 as shown in Figure 3 (b), the second shower nozzle 40 Located in the first direction (x), which is the same as the longitudinal direction, may be provided in a plate shape having a relatively thin thickness and a wide width.

이와 같은 디퓨저(43)의 재질은 스테인레스 강(SUS, steel use stainless) 재질이 이용될 수 있다.The material of the diffuser 43 may be a stainless steel (SUS, steel use stainless) material.

아울러, 디퓨저(43)는 복수의 디퓨저 고정부(45)에 의해 제2 샤워 노즐(40)에 고정될 수 있다.In addition, the diffuser 43 may be fixed to the second shower nozzle 40 by a plurality of diffuser fixing parts 45.

여기서, 디퓨저(43)의 길이(D43)는 디퓨저 고정부(45)에 의해 구획되어, 서로 인접한 두 개의 디퓨저 고정부(45)에 의해 각 디퓨저(43)의 길이가 결정될 수 있다.Here, the length (D43) of the diffuser (43) is divided by the diffuser fixing unit (45), the length of each diffuser (43) can be determined by two adjacent diffuser fixing units (45).

따라서, 각 디퓨저(43)의 양끝단에는 디퓨저 고정부(45)가 위치하고, 각 디퓨저(43)의 길이(D43)는 각 디퓨저 고정부(45) 사이의 간격(D43)과 동일할 수 있다.Accordingly, the diffuser fixing parts 45 are located at both ends of each diffuser 43, and the length D43 of each diffuser 43 may be equal to the distance D43 between the respective diffuser fixing parts 45.

여기서, 각 디퓨저 고정부(45)는 제2 샤워 노즐(40)에 구비된 홀(41)들 사이의 중심에 위치하여, 제2 샤워 노즐(40)에 구비된 홀(41)들 각각은 디퓨저(43)의 중심 부분에 위치할 수 있다.Here, each diffuser fixing part 45 is located in the center between the holes 41 provided in the second shower nozzle 40, so that each of the holes 41 provided in the second shower nozzle 40 is a diffuser It can be located in the central portion of (43).

이에 따라, 제2 샤워 노즐(40)의 각 홀(41)들을 통해 분사되는 불순물 가스(G2)는 디퓨저(43)에 의해 균일하게 분산시킬 수 있다.Accordingly, the impurity gas G2 injected through each hole 41 of the second shower nozzle 40 may be uniformly dispersed by the diffuser 43.

여기서, 각 디퓨저(43)의 길이(D43)는 제2 샤워 노즐(40)에 구비된 홀(41)들 사이의 간격(D41)과 동일하고, 일례로, 디퓨저(43)의 길이는 40mm~ 85mm 사이일 수 있다.Here, the length (D43) of each diffuser (43) is the same as the distance (D41) between the holes (41) provided in the second shower nozzle (40), for example, the length of the diffuser (43) is 40mm ~ It can be between 85mm.

아울러, 디퓨저(43)의 선폭(W43)은 제2 샤워 노즐(40)의 선폭(W40)과 동일하고, 일례로, 4mm ~ 6mm 사이일 수 있다.In addition, the line width W43 of the diffuser 43 is the same as the line width W40 of the second shower nozzle 40, and may be, for example, between 4 mm and 6 mm.

이와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지용 실리콘층 증착 장비는 제2 샤워 노즐(40)의 전면에 판상 형태의 디퓨저(43)를 더 구비하여, 제2 샤워 노즐(40)을 통해 분사되는 불순물 가스(G2)의 산포를 개선할 수 있고, 이에 따라, 각 태양 전지용 반도체 기판(110)의 표면에 증착되는 실리콘층의 면저항이 보다 균일하도록 하면서, 실리콘층의 증착 두께를 보다 균일하게 할 수 있다.As described above, the silicon layer deposition equipment for solar cells according to the present invention further includes a plate-shaped diffuser 43 on the front surface of the second shower nozzle 40, the impurity gas injected through the second shower nozzle 40 ( The dispersion of G2) can be improved, and accordingly, while the sheet resistance of the silicon layer deposited on the surface of each solar cell semiconductor substrate 110 is more uniform, the deposition thickness of the silicon layer can be more uniform.

도 4는 본 발명에서 디퓨저(43)와 제2 샤워 노즐(40)의 홀(41) 사이의 간격을 설명하기 위한 도로서, 도 4의 (a)는 디퓨저(43)와 제2 샤워 노즐(40)의 일부 사시도이고, 도 4의 (b)는 디퓨저(43)와 제2 샤워 노즐(40)을 챔버 몸체(10)의 정면 쪽에서 바라본 형상이고, 도 4의 (c)는 디퓨저(43)가 휘어지는 현상을 도시한 것이다.Figure 4 is a view for explaining the distance between the diffuser 43 and the hole 41 of the second shower nozzle 40 in the present invention, Figure 4 (a) is a diffuser 43 and the second shower nozzle ( 40) is a partial perspective view, FIG. 4 (b) is a shape seen from the front side of the chamber body 10 and the diffuser 43 and the second shower nozzle 40, Figure 4 (c) is a diffuser 43 Shows the phenomenon of bending.

제2 샤워 노즐(40)의 홀(41)을 통하여 분사되는 불순물 가스(G2)의 산포는 제2 샤워 노즐(40)의 홀(41)과 디퓨저(43)의 간격에 따라 조절될 수 있다.The dispersion of the impurity gas G2 injected through the hole 41 of the second shower nozzle 40 may be adjusted according to the distance between the hole 41 and the diffuser 43 of the second shower nozzle 40.

일례로, 제2 샤워 노즐(40)의 홀(41)과 디퓨저(43)의 간격이 과도하게 넓으면 제2 샤워 노즐(40)의 홀(41)을 통하여 분사되는 불순물 가스(G2)가 디퓨저(43)에 의해 분산되는 정도는 약해질 수 있어, 불순물 가스(G2)의 산포가 나빠지고, 상대적으로 나쁜 불순물 가스(G2)의 산포로 인하여, 실리콘층의 산포도 함께 나빠질 수 있다.For example, if the distance between the hole 41 of the second shower nozzle 40 and the diffuser 43 is excessively wide, the impurity gas G2 injected through the hole 41 of the second shower nozzle 40 is diffuser. The degree of dispersion by (43) may be weakened, and the dispersion of the impurity gas (G2) becomes worse, and the dispersion of the silicon layer may also worsen due to the dispersion of the relatively poor impurity gas (G2).

또한, 제2 샤워 노즐(40)의 홀(41)과 디퓨저(43)의 간격이 과도하게 좁으면 제2 샤워 노즐(40)의 홀(41)을 통하여 분사되는 불순물 가스(G2)가 디퓨저(43)에 의해 분산되는 정도는 강해져 산포가 향상될 수 있으나, 이와 같은 경우, 불순물 가스(G2)의 분사량이 과도히 감소하게 되어, 실리콘층의 증착 속도가 감소할 수 있다.In addition, if the distance between the hole 41 and the diffuser 43 of the second shower nozzle 40 is excessively narrow, the impurity gas G2 injected through the hole 41 of the second shower nozzle 40 is diffuser ( The degree of dispersion by 43) may be stronger and the dispersion may be improved, but in this case, the injection amount of the impurity gas G2 is excessively reduced, and the deposition rate of the silicon layer may be reduced.

따라서, 제2 샤워 노즐(40)의 홀(41)과 디퓨저(43)의 간격은 적절한 수준으로 결정될 필요가 있으며, 전술한 바와 같은 불순물 가스(G2)의 산포와 분사량 및 실리콘층의 증착 속도를 적절히 고려하여, 제2 샤워 노즐(40)과 디퓨저(43) 사이의 간격(D1)은 5mm ~ 10mm 사이로 할 수 있다.Therefore, the interval between the hole 41 of the second shower nozzle 40 and the diffuser 43 needs to be determined at an appropriate level, and the dispersion and injection amount of the impurity gas G2 and the deposition rate of the silicon layer are described above. With proper consideration, the distance D1 between the second shower nozzle 40 and the diffuser 43 may be between 5 mm and 10 mm.

아울러, 디퓨저(43)의 두께(T43)는 0.5mm ~ 1.5mm 사이로 할 수 있다. 이에 따라, 장시간 태양 전지용 실리콘층 증착 장비를 사용하더라도, 도 4의 (c)에 도시된 바와 같이, 디퓨저(43)가 휘어지는 현상을 최소화할 수 있다.In addition, the thickness T43 of the diffuser 43 may be between 0.5 mm and 1.5 mm. Accordingly, even when a silicon layer deposition equipment for a solar cell is used for a long time, as shown in FIG. 4C, the phenomenon in which the diffuser 43 is bent can be minimized.

아울러, 도 1에서는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지용 실리콘층 증착 장비가 제1, 2 샤워 노즐(50, 40)이 각각 하나씩만 구비한 경우를 일례로 설명하였으나, 제1, 2 샤워 노즐(50, 40)이 복수 개로 구비되는 경우도 가능하다.In addition, in FIG. 1, although the first and second shower nozzles 50 and 40 have only one silicon layer deposition equipment for solar cells according to an example of the present invention, the first and second shower nozzles 50 are described as an example. , 40) may be provided in plural.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양 전지용 실리콘층 증착 장비를 설명하기 위한 도로서, 도 5의 (a)는 태양 전지용 실리콘층 증착 장비를 정면 쪽에서 바라본 투시도이고, 도 5의 (b)는 태양 전지용 실리콘층 증착 장비를 측면에서 바라본 투시도이다.5 is a view for explaining a silicon layer deposition equipment for solar cells according to a second embodiment of the present invention, Figure 5 (a) is a perspective view of the silicon layer deposition equipment for solar cells viewed from the front, Figure 5 (b ) Is a perspective view of the silicon layer deposition equipment for solar cells viewed from the side.

도 5의 (b)에서는 제1, 2 배관(P50, P40) 각각의 수직 방향(z) 위치가 서로 다른 것으로 도시하고, 둥근 튜브 형태를 갖는 제1, 2 샤워 노즐(50, 40) 각각의 챔버 몸체(10)의 중심으로부터의 거리가 다른 것으로 도시하였으나, 이는 이해의 편의상 이와 같이 도시한 것이고, 제1, 2 배관(P50, P40) 각각의 수직 방향(z) 위치가 사실상 서로 거의 동일할 수 있고, 둥근 튜브 형태를 갖는 제1, 2 샤워 노즐(50, 40) 각각의 챔버 몸체(10)의 중심으로부터의 거리가 서로 동일할 수 있다. In (b) of FIG. 5, the vertical (z) positions of the first and second pipes P50 and P40 are different, and the first and second shower nozzles 50 and 40 each having a round tube shape are illustrated. Although the distance from the center of the chamber body 10 is shown to be different, this is illustrated for convenience of understanding, and the vertical direction (z) of each of the first and second pipes P50 and P40 is substantially the same as each other. The distance from the center of the chamber body 10 of each of the first and second shower nozzles 50 and 40 having a round tube shape may be the same.

도 5에 도시된 바와 같이, 제1, 2 샤워 노즐(50, 40)은 복수 개로 구비될 수 있다.As illustrated in FIG. 5, a plurality of first and second shower nozzles 50 and 40 may be provided.

일례로, 제1 샤워 노즐(50)은 세 개의 제1a, 제1b, 제1c 샤워 노즐(50a, 50b, 50c)을 구비할 수 있고, 제2 샤워 노즐(40)은 세 개의 제2a, 제2b, 제2c 샤워 노즐(40a, 40b, 40c)을 구비할 수 있다.In one example, the first shower nozzle 50 may include three 1a, 1b, and 1c shower nozzles 50a, 50b, and 50c, and the second shower nozzle 40 may include three seconda, first 2b, 2c shower nozzles 40a, 40b, and 40c may be provided.

이를 위해, 제1 샤워 노즐(50) 각각에 연결되는 제1 배관(P50) 역시 3개의 제1a, 제1b, 제1c 배관(P50a, P50b, P50c)을 구비할 수 있고, 제2 샤워 노즐(40) 각각에 연결되는 제2 배관(P40) 역시 3개의 제2a, 제2b, 제2c 배관(P40a, P40b, P40c)을 구비할 수 있다.To this end, the first pipe P50 connected to each of the first shower nozzles 50 may also include three first, first, and first pipes P50a, P50b, and P50c, and the second shower nozzle ( 40) The second pipes P40 connected to each of the two pipes P40a, P40b, and P40c may also be provided.

이와 같은 복수의 제1, 2 샤워 노즐(50, 40)은 하나의 제1 샤워 노즐(50)과 하나의 제2 샤워 노즐(40)은 한 쌍으로 묶여 챔버 내부 공간에 이격되어 구비될 수 있다.The plurality of first and second shower nozzles 50 and 40 may be provided with a first shower nozzle 50 and a second shower nozzle 40 being spaced apart from each other in a space in a pair. .

예를 들어, 제1a 샤워 노즐(50a)과 제2a 샤워 노즐(40a)이 한 쌍으로 구비되고, 제1b 샤워 노즐(50b)과 제2b 샤워 노즐(40b)과 제1c 샤워 노즐(50c)과 제2c 샤워 노즐(40c)이 각각의 쌍으로 구비될 수 있다.For example, the 1a shower nozzle 50a and the 2a shower nozzle 40a are provided as a pair, and the 1b shower nozzle 50b and the 2b shower nozzle 40b and the 1c shower nozzle 50c are provided. A second shower nozzle 40c may be provided in each pair.

여기서, 한 쌍의 제1, 2 샤워 노즐(50, 40)과 다른 한 쌍의 제1, 2 샤워 노즐(50, 40) 사이의 간격(DC1)은 한 쌍을 구성하는 하나의 제1 샤워 노즐(50)과 하나의 제2 샤워 노즐(40) 사이의 간격(DP1)보다 클 수 있다.Here, the interval (DC1) between the pair of first and second shower nozzles 50 and 40 and the other pair of first and second shower nozzles 50 and 40 is one first shower nozzle constituting a pair It may be larger than the gap DP1 between 50 and one second shower nozzle 40.

이에 따라, 제1, 2 샤워 노즐(50, 40)이 복수 개가 구비되더라도, 각각의 제1, 2 샤워 노즐(50, 40)에서 분사되는 실리콘 증착 가스(G1)와 불순물 가스(G2)가 보다 균일하게 증착될 수 있다.Accordingly, even if a plurality of first and second shower nozzles 50 and 40 are provided, silicon deposition gas G1 and impurity gas G2 injected from each of the first and second shower nozzles 50 and 40 are more visible. It can be deposited uniformly.

아울러, 도 1에서는 복수의 실리콘 웨이퍼(110)는 제1 수평 방향(x)으로 길이를 갖는 보트 내에 수평 방향으로 이격되어 수직 방향(z)으로 세워진 상태로 위치한 상태로 배치되는 경우를 일례로 설명하였지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 보트가 수직 방향(z)으로 길게 챔버 몸체(10)의 내부 공간에 배치되는 것도 가능하다. In addition, in FIG. 1, a plurality of silicon wafers 110 are spaced apart in a horizontal direction in a boat having a length in a first horizontal direction (x) and disposed in a state standing in a vertical direction (z) as an example. Although it is not necessarily limited to this, it is also possible that the boat is disposed in the interior space of the chamber body 10 long in the vertical direction (z).

도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 태양 전지용 실리콘층 증착 장비를 간략하게 도시한 것이다.6 is a simplified illustration of a silicon layer deposition equipment for a solar cell according to a third embodiment of the present invention.

이와 같은 제3 실시예에 따른 태양 전지용 실리콘층 증착 장비에서 제1 샤워 노즐(50) 및 제2 샤워 노즐(40)에 대한 구성은 앞선 제1 실시예에서 설명한 바와 동일할 수 있다.The configuration of the first shower nozzle 50 and the second shower nozzle 40 in the silicon layer deposition equipment for a solar cell according to the third embodiment may be the same as described in the first embodiment.

그러나, 제1 실시예와 다르게, 본 발명의 제3 실시예에 따른 태양 전지용 실리콘층 증착 장비에서 챔버 몸체(10)의 수직 방향(z)으로의 높이가 수평 방향(x)으로의 챔버 몸체(10)의 길이보다 훨씬 클 수 있다. 즉, 챔버 몸체(10)의 직경이 챔버 몸체(10)의 수평 방향(x)으로의 길이보다 훨씬 클 수 있다.However, unlike the first embodiment, in the silicon layer deposition equipment for a solar cell according to the third embodiment of the present invention, the height of the chamber body 10 in the vertical direction (z) in the horizontal direction (x) of the chamber body ( It can be much larger than the length of 10). That is, the diameter of the chamber body 10 may be much larger than the length of the chamber body 10 in the horizontal direction (x).

이와 같이, 챔버 몸체(10)의 직경이 챔버 몸체(10)의 수평 방향(x)으로의 길이보다 훨씬 큰 상태에서, 도 6에 도시된 바와 같이, 복수의 실리콘 웨이퍼(110)는 수직 방향(z)으로 길이를 갖는 보트에 수직 방향(z)으로 이격되어 제1 수평 방향(x)으로 눕혀진 상태로 위치하여 챔버 몸체(10)의 내부 공간에 배치되는 것도 가능하다.As described above, in a state in which the diameter of the chamber body 10 is much larger than the length of the chamber body 10 in the horizontal direction (x), as shown in FIG. 6, the plurality of silicon wafers 110 are vertical ( It is also possible to be disposed in the interior space of the chamber body 10 by being positioned in the first horizontal direction (x), which is spaced apart in the vertical direction (z) on the boat having the length in z).

즉, 복수의 실리콘 웨이퍼(110)가 배치된 보트가 수직 방향(z)으로 길게 챔버 몸체(10)의 내부 공간에 배치될 수도 있다.That is, the boat in which the plurality of silicon wafers 110 are disposed may be disposed in the interior space of the chamber body 10 long in the vertical direction (z).

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concept of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.

Claims (12)

복수의 실리콘 웨이퍼가 내부에 배치되도록 하기 위하여, 수평 방향으로 길이를 갖는 내부 공간이 구비되고, 상기 수평 방향의 전면 쪽에 상기 복수의 실리콘 웨이퍼가 출입하는 도어가 구비되고, 상기 수평 방향의 후면 쪽에 가스가 배기되는 밴트(vent)를 구비하는 챔버 몸체;
상기 복수의 실리콘 웨이퍼의 표면에 실리콘층을 증착하기 위한 실리콘 증착 가스를 분사하기 위해 상기 실리콘 증착 가스를 분사하는 복수의 제1 홀이 구비되는 제1 샤워 노즐;
상기 실리콘층 내에 불순물을 주입하기 위한 불순물 가스를 분사하기 위해 상기 불순물 가스를 분사하는 복수의 제2 홀이 구비되고, 상기 복수의 제2 홀 각각의 전면에 이격되는 판상 형태의 디퓨저(Diffuser)를 구비하는 제2 샤워 노즐;을 포함하고,
상기 제1, 2 샤워 노즐 각각은 상기 복수의 실리콘 웨이퍼를 중심으로 상기 챔버 몸체의 벽면을 따라 상기 수평 방향과 교차하는 방향으로 길게 연장되는 태양 전지용 실리콘층 증착 장비.In order to have a plurality of silicon wafers disposed therein, an interior space having a length in the horizontal direction is provided, a door for entering and exiting the plurality of silicon wafers is provided on the front side in the horizontal direction, and gas is provided on the rear side in the horizontal direction. The chamber body having a vent (vent) is exhausted;
A first shower nozzle having a plurality of first holes for spraying the silicon deposition gas to spray a silicon deposition gas for depositing a silicon layer on the surfaces of the plurality of silicon wafers;
In order to inject the impurity gas for injecting impurities into the silicon layer, a plurality of second holes for ejecting the impurity gas are provided, and a plate-shaped diffuser spaced apart from the front surface of each of the plurality of second holes is provided. The second shower nozzle provided; includes,
Each of the first and second shower nozzles is a silicon layer deposition equipment for a solar cell extending in a direction crossing the horizontal direction along the wall surface of the chamber body with respect to the plurality of silicon wafers. 제1 항에 있어서,
상기 제1 샤워 노즐은 상기 챔버 몸체의 외부에서 내부로 상기 수평 방향으로 길게 연장되고, 상기 실리콘 증착 가스를 공급하는 제1 배관에 연결되고,
상기 제2 샤워 노즐은 상기 챔버 몸체의 외부에서 내부로 상기 수평 방향으로 길게 연장되고, 상기 불순물 가스를 공급하는 제2 배관에 연결되고,
상기 제1, 2 배관 각각에는 상기 제1 홀 또는 상기 제2홀이 구비되지 않는 태양 전지용 실리콘층 증착 장비.According to claim 1,
The first shower nozzle is extended from the outside of the chamber body to the inside in the horizontal direction, and is connected to a first pipe supplying the silicon deposition gas,
The second shower nozzle extends from the outside of the chamber body to the inside in the horizontal direction, and is connected to a second pipe that supplies the impurity gas,
Each of the first and second pipes is provided with the first hole or the second hole, a silicon layer deposition equipment for solar cells. 제2 항에 있어서,
상기 제1 샤워 노즐은 상기 제1 배관의 끝단에서 상기 챔버 몸체의 벽면을 따라 상기 수직 방향으로 둥근 형태를 가지며, 상기 제1 샤워 노즐의 길이 방향을 따라 상기 복수의 제1 홀이 이격되어 구비되는 태양 전지용 실리콘층 증착 장비.According to claim 2,
The first shower nozzle has a round shape in the vertical direction along the wall surface of the chamber body at an end of the first pipe, and the plurality of first holes are spaced apart along the longitudinal direction of the first shower nozzle. Silicon layer deposition equipment for solar cells. 제3 항에 있어서,
상기 복수의 제1 홀의 개구 방향은 상기 제1 샤워 노즐의 표면 중에서 상기 챔버 몸체의 내부 공간의 중심부를 향하여 구비되는 태양 전지용 실리콘층 증착 장비.According to claim 3,
The opening direction of the plurality of first holes is a silicon layer deposition equipment for solar cells provided toward the center of the inner space of the chamber body from the surface of the first shower nozzle. 제3 항에 있어서,
상기 제1 샤워 노즐의 끝단은 상기 챔버 몸체의 벽면을 따라 돌아 상기 제1 배관의 끝단에 인접하여 위치하는 태양 전지용 실리콘층 증착 장비.According to claim 3,
The end of the first shower nozzle is located along the wall surface of the chamber body, the silicon layer deposition equipment for solar cells located adjacent to the end of the first pipe. 제2 항에 있어서,
상기 제2 샤워 노즐은 상기 제2 배관의 끝단에서 상기 챔버 몸체의 벽면을 따라 상기 수직 방향으로 둥근 형태를 가지며, 상기 제2 샤워 노즐의 길이 방향을 따라 복수의 제2 홀이 이격되어 구비되는 태양 전지용 실리콘층 증착 장비.According to claim 2,
The second shower nozzle has a round shape in the vertical direction along the wall surface of the chamber body at an end of the second pipe, and a plurality of second holes spaced apart along the longitudinal direction of the second shower nozzle Silicon layer deposition equipment for batteries. 제6 항에 있어서,
상기 복수의 제2 홀의 개구 방향은 상기 제2 샤워 노즐의 표면 중에서 상기 챔버 몸체의 내부 공간의 중심부를 향하여 구비되는 태양 전지용 실리콘층 증착 장비.The method of claim 6,
The opening direction of the plurality of second holes is a silicon layer deposition equipment for solar cells provided toward the center of the inner space of the chamber body from the surface of the second shower nozzle. 제6 항에 있어서,
상기 제2 샤워 노즐의 끝단은 상기 챔버 몸체의 벽면을 따라 돌아 상기 제2 배관의 끝단에 인접하여 위치하는 태양 전지용 실리콘층 증착 장비.The method of claim 6,
The silicon shower layer deposition equipment for the solar cell is located at the end of the second shower nozzle along the wall surface of the chamber body adjacent to the end of the second pipe. 제1 항에 있어서,
상기 복수의 제2 홀 각각의 전면에는 상기 디퓨저가 구비되고, 상기 복수의 제2 홀 사이에는 상기 디퓨저를 상기 제2 샤워 노즐에 고정시키는 디퓨저 고정부가 위치하는 태양 전지용 실리콘층 증착 장비. According to claim 1,
The silicon layer deposition equipment for a solar cell, wherein the diffuser is provided on the front surface of each of the plurality of second holes, and a diffuser fixing part for fixing the diffuser to the second shower nozzle is located between the plurality of second holes. 제1 항에 있어서,
상기 제1, 2 샤워 노즐은 각각이 복수 개이고,
하나의 제1 샤워 노즐과 하나의 제2 샤워 노즐은 한 쌍으로 상기 챔버 내부 공간에 구비되고,
한 쌍의 제1, 2 샤워 노즐과 다른 한 쌍의 제1, 2 샤워 노즐 사이의 간격은 상기 한 쌍을 구성하는 상기 하나의 제1 샤워 노즐과 상기 하나의 제2 샤워 노즐 사이의 간격보다 큰 태양 전지용 실리콘층 증착 장비.According to claim 1,
Each of the first and second shower nozzles is plural,
One first shower nozzle and one second shower nozzle are provided in the chamber interior space in a pair,
The distance between the pair of first and second shower nozzles and the other pair of first and second shower nozzles is greater than the distance between the one and second shower nozzles constituting the pair. Silicon layer deposition equipment for solar cells. 제1 항에 있어서,
상기 복수의 실리콘 웨이퍼는 상기 수평 방향으로 길이를 갖는 보트에 상기 수평 방향으로 이격되어 상기 수직 방향으로 세워진 상태로 위치하여 상기 챔버 몸체의 내부 공간에 배치되는 태양 전지용 실리콘층 증착 장비. According to claim 1,
The plurality of silicon wafers are spaced apart in the horizontal direction on a boat having a length in the horizontal direction, the silicon layer deposition equipment for a solar cell is disposed in the vertical direction and placed in the interior space of the chamber body. 제1 항에 있어서,
상기 복수의 실리콘 웨이퍼는 상기 수직 방향으로 길이를 갖는 보트에 상기 수직 방향으로 이격되어 상기 수평 방향으로 눕혀진 상태로 위치하여 상기 챔버 몸체의 내부 공간에 배치되는 태양 전지용 실리콘층 증착 장비.According to claim 1,
The plurality of silicon wafers are spaced apart in the vertical direction on a boat having a length in the vertical direction, the silicon layer deposition equipment for a solar cell is disposed in the horizontal direction and placed in the interior space of the chamber body.
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