KR20200029628A - Method for manufacturing anisotropically conductive film, anisotropically conductive film, and connective structure - Google Patents

Method for manufacturing anisotropically conductive film, anisotropically conductive film, and connective structure Download PDF

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KR20200029628A
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    • H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
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    • H01L2224/29344—Gold [Au] as principal constituent
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    • H01L2224/29347—Copper [Cu] as principal constituent
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    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29357—Cobalt [Co] as principal constituent
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    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/2936—Iron [Fe] as principal constituent
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    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29371—Chromium [Cr] as principal constituent
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    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
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    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29399—Coating material
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Abstract

이방성 도전 필름에 있어서, 도전성 입자의 분산성, 입자 포착성이 우수하고, 협 피치화된 단자끼리에 있어서도 도통 신뢰성을 유지하는 것을 목적으로 한다. 도전성 입자(3)를 함유하는 이방성 도전 필름(1)의 제조 방법에 있어서, 동일 방향으로 연속된 복수의 홈(10)이 형성된 시트(2)의 홈(10)에, 도전성 입자(3)를 매립하고, 도전성 입자(3)를 배열하고, 홈(10)이 형성된 측의 시트(2) 표면에, 연신 가능한 베이스 필름(6) 상에 열경화성 수지층(5)이 형성된 제1 수지 필름(4)을 라미네이트하여 도전성 입자(3)를 전착시키고, 제1 수지 필름(4)을, 도전성 입자(3)의 배열 방향과 직교하는 방향을 제외한 방향으로 1축 연신하고, 제2 수지 필름(7)을 라미네이트한다.In the anisotropic conductive film, the dispersibility and particle trapping property of the conductive particles are excellent, and it is an object to maintain conduction reliability even between narrow pitched terminals. In the manufacturing method of the anisotropic conductive film 1 containing the conductive particles 3, the conductive particles 3 are placed in the grooves 10 of the sheet 2 in which a plurality of grooves 10 continuous in the same direction are formed. A first resin film (4) in which a thermosetting resin layer (5) is formed on a stretchable base film (6) on the surface of the sheet (2) on the side where the conductive particles (3) are embedded and grooves (10) are formed. ) Is laminated to electrodeposit the conductive particles 3, and the first resin film 4 is uniaxially stretched in a direction other than the direction perpendicular to the array direction of the conductive particles 3, and the second resin film 7 Laminate.

Figure P1020207007098
Figure P1020207007098

Description

이방성 도전 필름의 제조 방법, 이방성 도전 필름, 및 접속 구조체{METHOD FOR MANUFACTURING ANISOTROPICALLY CONDUCTIVE FILM, ANISOTROPICALLY CONDUCTIVE FILM, AND CONNECTIVE STRUCTURE}METHOD FOR MANUFACTURING ANISOTROPICALLY CONDUCTIVE FILM, ANISOTROPICALLY CONDUCTIVE FILM, AND CONNECTIVE STRUCTURE}

본 발명은 이방성 도전 필름의 제조 방법, 이방성 도전 필름, 및 접속 구조체에 관한 것으로, 특히 도전성 입자의 분산성, 입자 포착성이 우수하고, 협 피치화된 단자끼리에 있어서도 도통 신뢰성을 유지할 수 있는 이방성 도전 필름의 제조 방법, 이방성 도전 필름, 및 접속 구조체에 관한 것이다. 본 출원은, 일본에 있어서 2012년 8월 1일에 출원된 일본 특허 출원 번호 특원2012-171331, 및 일본에 있어서 2013년 8월 1일에 출원된 일본 특허 출원 번호 특원2013-160116, 특원2013-160117, 특원2013-160118을 기초로 하여 우선권을 주장하는 것이며, 이들 출원을 참조함으로써, 본 출원에 원용된다.The present invention relates to a method for manufacturing an anisotropic conductive film, an anisotropic conductive film, and a connection structure, and is particularly excellent in dispersibility and particle trapping property of conductive particles, and anisotropy capable of maintaining conduction reliability even between narrow pitched terminals. It relates to a method for producing a conductive film, an anisotropic conductive film, and a connecting structure. This application is filed in Japanese Patent Application No. 2012-171331 filed on August 1, 2012 in Japan, and Japanese Patent Application No. Patent Application 2013-160116, filed on August 1, 2013 in Japan. Priority is claimed on the basis of 160117, Japanese Patent Application No. 2013-160118, and is incorporated into this application by referring to these applications.

이방성 도전 필름(ACF: anisotropic conductive film)은, 접착제로서 기능하는 절연성 바인더 수지 중에 도전성 입자를 분산하여 이루어지는 것이다. 통상적인 이방성 도전 필름은, 도전성 입자가 분산된 바인더 수지 조성물이 베이스 필름 상에 도포됨으로써 시트 형상으로 형성되어 있다. 이방성 도전 필름의 사용 시에는, 예를 들어 전자 부품의 범프와 배선판의 전극 단자 사이에 이것을 끼워 넣고, 가열 가압 헤드에 의해 가열 및 가압함으로써 도전성 입자가 범프와 전극 단자에 압궤되고, 이 상태에서 바인더 수지가 경화됨으로써 전기적, 기계적인 접속이 도모된다. 범프가 없는 부분에서는, 도전성 입자는, 바인더 수지 중에 분산된 상태가 유지되고, 전기적으로 절연된 상태가 유지되므로, 범프가 있는 부분에서만 전기적 도통이 도모되게 된다. 또한, 이방성 도전 필름의 두께는, 전자 부품의 범프나 배선판의 전극 높이 이상으로 설정되어 있고, 가열 가압 헤드의 가압에 의해 잉여의 접착제 성분이 전극 주변에 유연된다.An anisotropic conductive film (ACF) is obtained by dispersing conductive particles in an insulating binder resin that functions as an adhesive. A typical anisotropic conductive film is formed in a sheet shape by applying a binder resin composition in which conductive particles are dispersed on a base film. When using an anisotropic conductive film, for example, this is sandwiched between the bumps of the electronic component and the electrode terminals of the wiring board, and the conductive particles are crushed by the bumps and the electrode terminals by heating and pressing with a heating press head, and in this state, the binder By curing the resin, electrical and mechanical connections are achieved. In the bump-free portion, the conductive particles are dispersed in the binder resin, and the electrically insulated state is maintained, so that electrical conduction is achieved only in the bumped portion. In addition, the thickness of the anisotropic conductive film is set to be higher than the bump height of the electronic component or the electrode height of the wiring board, and the excess adhesive component is softened around the electrode by pressurization of the heating pressure head.

이방성 도전 필름에 있어서, 도전성 입자의 배합량은, 접착제 성분의 체적에 대하여 5 내지 15체적％로 포함되는 경우가 많다. 이것은, 도전성 입자의 배합량이 5체적％ 미만이면, 범프-전극 단자간에 존재하는 도전성 입자의 양(이것을 일반적으로 「입자 포착률」이라고 함)이 적어져 도통 신뢰성이 저하될 가능성이 있고, 반대로 배합량이 15체적％를 초과하면, 인접하는 전극 단자간에 있어서 도전성 입자가 연결된 상태로 존재하여, 쇼트의 원인이 될 가능성이 있기 때문이다.In the anisotropic conductive film, the compounding amount of the conductive particles is often included in an amount of 5 to 15% by volume based on the volume of the adhesive component. When the compounding amount of the conductive particles is less than 5% by volume, the amount of the conductive particles present between the bump-electrode terminals (this is generally referred to as "particle trapping rate") may decrease, leading to a decrease in conduction reliability. This is because when it exceeds 15% by volume, the conductive particles exist between adjacent electrode terminals, and there is a possibility of causing a short circuit.

그러나, 도전성 입자를 분산시킨 이방성 도전 필름에 있어서, 도전성 입자의 배합량을 최적화한 것만으로는, 압착 시에 대부분의 도전성 입자가 유실되고, 도통에 기여하지 않는 도전성 입자가 다량으로 존재한다. 또한, 유실된 도전성 입자가 인접하는 전극 단자간에 도전성 입자의 입자 고임을 형성함으로써, 쇼트의 위험이 있다. 이것은, 전극 단자간의 피치가 협소화될수록 위험성이 높아져, 고밀도 실장화 등에 충분히 대응할 수 없다는 문제가 발생해버린다.However, in the anisotropic conductive film in which the conductive particles are dispersed, most of the conductive particles are lost during compression by optimizing the compounding amount of the conductive particles, and a large amount of conductive particles that do not contribute to conduction are present. In addition, there is a risk of short circuit by forming a particle collection of conductive particles between adjacent electrode terminals where the lost conductive particles are adjacent. This increases the risk that the pitch between the electrode terminals is narrowed, resulting in a problem that it cannot sufficiently cope with high-density mounting.

이러한 상황으로부터, 이방성 도전 필름 중의 도전성 입자를 랜덤하게 분산하는 것이 아니고, 결합제 수지층 중에 균일하게 분산시키는 시도가 이루어져 있다(예를 들어 특허문헌 1, 특허문헌 2를 참조).From such a situation, attempts have been made not to randomly disperse the conductive particles in the anisotropic conductive film, but to uniformly disperse them in the binder resin layer (for example, see Patent Documents 1 and 2).

WO2005/054388WO2005 / 054388 일본 특허 공개 제2010-251337호 공보Japanese Patent Publication No. 2010-251337

특허문헌 1에는, 2축 연신 가능한 필름 상에 점착층을 형성하여 적층체를 형성하고, 도전성 입자를 밀집 충전시킨 후, 상기 도전성 입자 부착 필름을, 도전성 입자의 간격이 평균 입자 직경의 1 내지 5배 또한 20㎛ 이하로 되도록 2축 연신시켜서 보유 지지하고, 절연성 접착 시트에 전착(轉着)하는 이방성 도전막의 제조 방법이 기재되어 있다.In Patent Document 1, after forming an adhesive layer on a biaxially stretchable film to form a laminate, and densely filling the conductive particles, the thickness of the conductive particles in the film with the conductive particles is 1 to 5 of the average particle diameter. Also described is a method of manufacturing an anisotropic conductive film which is biaxially stretched and held so as to be 20 µm or less, and is electrodeposited onto an insulating adhesive sheet.

또한, 특허문헌 2에는, 접속 대상물의 패턴에 따라서 도전성 입자가 편재된 이방성 도전막이 기재되어 있다.In addition, Patent Document 2 describes an anisotropic conductive film in which conductive particles are unevenly distributed in accordance with a pattern of a connection object.

그러나, 특허문헌 1에 기재된 발명에 있어서는, 2축 연신 전의 공정에서 도전성 입자를 밀집 충전시키는 것이 어렵고, 입자가 충전되지 않는 성긴 부분이 생기기 쉽다는 결점이 있다. 그 상태에서 2축 연신을 행하면 도전성 입자가 존재하지 않는 큰 공간이 생겨버려, 전자 부품의 범프와 배선판의 전극 단자 사이의 입자 포착성이 저하되어, 도통 불량을 일으킬 우려가 있다. 또한, 2축으로 정밀도 좋게 균일하게 연신시키는 것이 곤란하였다.However, in the invention described in Patent Document 1, it is difficult to densely fill the conductive particles in the step before biaxial stretching, and there is a drawback that a coarse portion in which particles are not filled is likely to occur. When biaxial stretching is performed in such a state, a large space in which no conductive particles are present is generated, and the particle trapping property between the bumps of the electronic components and the electrode terminals of the wiring board is deteriorated, which may cause poor conduction. Moreover, it was difficult to stretch uniformly and accurately in two axes.

특허문헌 2에 기재된 발명에 있어서는, 미리 전극 패턴에 따라서 도전성 입자가 편재되어 있기 때문에, 이방성 도전 필름을 접속 대상물에 부착할 때 얼라인먼트 작업이 필요해지고, 협 피치화된 전극 단자와의 접속에 있어서는 공정이 번잡해질 우려가 있다. 또한, 접속 대상물의 전극 패턴에 따라서 도전성 입자의 편재 패턴을 바꾸지 않으면 안되어 양산화에 부적합하였다.In the invention described in Patent Document 2, since the conductive particles are unevenly distributed in accordance with the electrode pattern in advance, an alignment operation is required when attaching the anisotropic conductive film to the connection object, and it is a process in connection with the narrow-pitched electrode terminal. There is a fear that this will become complicated. Moreover, the uneven pattern of conductive particles had to be changed in accordance with the electrode pattern of the object to be connected, which was unsuitable for mass production.

따라서, 본 발명은, 도전성 입자의 분산성, 입자 포착성이 우수하고, 협 피치화된 단자끼리에 있어서도 도통 신뢰성을 유지할 수 있는 이방성 도전 필름의 제조 방법, 이방성 도전 필름, 및 접속 구조체를 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, the present invention provides a method for manufacturing an anisotropic conductive film, an anisotropic conductive film, and a connection structure that is excellent in dispersibility and particle trapping property of conductive particles and can maintain conduction reliability even between narrow pitched terminals. It is aimed at.

상술한 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 일 양태는, 도전성 입자를 함유하는 이방성 도전 필름의 제조 방법에 있어서, 동일 방향으로 연속된 복수의 홈이 형성된 시트의 상기 홈에, 도전성 입자를 매립하고, 상기 도전성 입자를 배열하고, 상기 홈이 형성된 측의 상기 시트 표면에, 연신 가능한 베이스 필름 상에 광 또는 열경화성 수지층이 형성된 제1 수지 필름의 상기 수지층을 라미네이트하고, 상기 제1 수지 필름의 상기 수지층에 상기 도전성 입자를 전착시키고, 상기 도전성 입자가 상기 수지층에 전착된 상기 제1 수지 필름을, 상기 도전성 입자의 배열 방향과 직교하는 방향을 제외한 방향으로 1축 연신하고, 또한 상기 도전성 입자가 배치된 상기 제1 수지 필름의 상기 수지층에, 베이스 필름 상에 광 또는 열경화성 수지층이 형성된 제2 수지 필름을 라미네이트한다.In order to solve the above-described problem, an aspect of the present invention is to form an anisotropic conductive film containing conductive particles, in the groove of a sheet having a plurality of grooves continuous in the same direction, the conductive particles are embedded , Laminating the resin layer of the first resin film in which a light or thermosetting resin layer is formed on a stretchable base film on the sheet surface on the side where the groove is formed, the conductive particles are arranged, and the first resin film The conductive particles are electrodeposited to the resin layer, and the first resin film in which the conductive particles are electrodeposited to the resin layer is uniaxially stretched in a direction other than a direction perpendicular to the arrangement direction of the conductive particles, and the conductive A second resin film in which a light or thermosetting resin layer is formed on the base film in the resin layer of the first resin film in which the particles are disposed. The laminate.

또한, 본 발명의 다른 양태는, 적어도 2층 구성으로 이루어지는 이방성 도전 필름이며, 하나의 층을 구성하는 제1 수지층과, 상기 제1 수지층에 라미네이트된 제2 수지층과, 상기 제1 수지층과 상기 제2 수지층 중, 적어도 상기 제1 수지층에 접한 복수의 도전성 입자를 구비하고, 상기 도전성 입자는, 상기 제1 수지층에 있어서 제1 방향으로 규칙적으로 배열하여 형성된 입자열이 상기 제1 방향과 상이한 제2 방향으로 규칙적으로 복수 병렬하여 설치되고, 상기 제1 수지층은, 상기 제1 방향에 있어서의 상기 도전성 입자 사이의 부위가 상기 제2 방향에 있어서의 상기 도전성 입자 사이의 부위보다도 얇게 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.In addition, another aspect of the present invention is an anisotropic conductive film having at least two-layer configuration, a first resin layer constituting one layer, a second resin layer laminated to the first resin layer, and the first number Of the base layer and the second resin layer, at least a plurality of conductive particles in contact with the first resin layer are provided, and the conductive particles are formed of particles formed by regularly arranging in the first direction in the first resin layer. It is provided regularly in parallel in the 2nd direction different from a 1st direction, and the said 1st resin layer has the part between the said electroconductive particle in the said 1st direction between the said electroconductive particle in the said 2nd direction. It is characterized by being formed thinner than the site.

또한, 본 발명의 또 다른 양태는, 전자 부품의 접속에 상기 이방성 도전 필름을 사용한 접속 구조체이다.In addition, another aspect of the present invention is a connection structure using the anisotropic conductive film for connection of electronic components.

본 발명의 일 양태에 의하면, 미리 시트의 홈 패턴에 따라서 도전성 입자가 배열되어 있기 때문에, 이것을 전착한 제1 수지 필름을 1축 연신시킴으로써, 도전성 입자를 균일하게 분산시킬 수 있다. 따라서, 이방성 도전 필름에 함유시키는 도전성 입자를, 필름 전체면에 균일하게 분산시키는데 필요 최소한의 양으로 충분하고, 과잉으로 함유시킬 필요가 없다. 또한, 이방성 도전 필름은, 잉여의 도전성 입자에 의한 단자간 쇼트를 일으킬 우려도 없다. 또한, 이방성 도전 필름은, 도전성 입자가 균일하게 분산되어 있기 때문에, 협 피치화된 전극 단자에 있어서도 확실하게 도통을 도모할 수 있다.According to one aspect of the present invention, since the conductive particles are previously arranged in accordance with the groove pattern of the sheet, the conductive particles can be uniformly dispersed by uniaxially stretching the electrodeposited first resin film. Therefore, the minimum amount required to uniformly disperse the conductive particles contained in the anisotropic conductive film over the entire surface of the film is sufficient, and it is not necessary to contain the excess. In addition, there is no fear that the anisotropic conductive film may cause shorts between terminals due to excess conductive particles. In addition, since the conductive particles are uniformly dispersed in the anisotropic conductive film, conduction can be reliably achieved even in the narrow-pitched electrode terminal.

또한, 본 발명의 다른 양태에 의하면, 협 피치화 대응의 이방성 도전 필름에 있어서, 균일하게 분산시킨 도전성 입자의 위치 제어를 확실하게 행할 수 있으므로, 협 피치화된 단자끼리에 있어서의 도통을 확실하게 도모할 수 있다.In addition, according to another aspect of the present invention, in the anisotropic conductive film for narrow pitching, since the position of the conductive particles uniformly dispersed can be reliably controlled, conduction between the narrow pitched terminals is ensured. I can plan it.

또한, 본 발명의 또 다른 양태에 의하면, 접속 구조체의 기판과 전자 부품과의 양호한 접속성을 확보하여, 장기간에 걸친 접속 신뢰성을 높일 수 있다.Further, according to another aspect of the present invention, good connectivity between the substrate of the connection structure and the electronic component can be ensured, and connection reliability over a long period of time can be improved.

도 1A 및 B는 시트의 홈에 도전성 입자를 충전, 배열시키는 일례를 도시하는 측면도.
도 2A 내지 D는 본 발명이 적용된 이방성 도전 필름의 제조 공정을 도시하는 단면도.
도 3A 내지 D는 시트의 각종 홈 패턴을 도시하는 사시도.
도 4A 내지 J는 시트의 각종 홈 형상을 도시하는 단면도.
도 5는 제1 수지 필름의 연신 공정을 도시하는 평면도.
도 6은 제1 수지 필름의 연신 공정을 도시하는 평면도.
도 7은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름의 부분 사시도.
도 8A는 도 7의 P-P 단면도이며, 도 8B는 도 7의 Q-Q 단면도.
도 9는, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름의 도전성 입자의 배열 상태를 도시하는 평면도.
도 10은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름을 적용한 접속 구조체의 구성을 도시하는 개략 단면도.
도 11A 및 B는, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름의 제조 방법에서 사용되는 가이드체의 개략적인 구성도.
도 12는, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름의 제조 방법에서 사용되는 시트의 개략적인 구성을 도시하는 단면도.
도 13은, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름의 제조 방법에 있어서의 시트의 홈에 도전성 입자를 매립하여 배열하는 동작을 설명하는 단면도.
도 14는, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름의 제조 방법으로 제조된 이방성 도전 필름의 도전성 입자의 배열 상태를 도시하는 평면도.
도 15A 내지 C는, 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름의 제조 방법에서 적용되는 도전성 입자의 충전 공정을 도시하는 단면도.
도 16은, 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름의 제조 방법에 있어서의 충전 공정의 종료 후 시트에의 도전성 입자의 배열 상태를 도시하는 평면도.
도 17은, 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름의 제조 방법으로 제조된 이방성 도전 필름의 도전성 입자의 배열 상태를 도시하는 평면도.1A and B are side views showing an example of filling and arranging conductive particles in a groove of a sheet.
2A to D are cross-sectional views showing the manufacturing process of the anisotropic conductive film to which the present invention is applied.
3A to D are perspective views showing various groove patterns of the sheet.
4A to J are cross-sectional views showing various groove shapes of the seat.
5 is a plan view showing a stretching process of the first resin film.
6 is a plan view showing a stretching step of the first resin film.
7 is a partial perspective view of an anisotropic conductive film according to a first embodiment of the present invention.
8A is a PP sectional view of FIG. 7, and FIG. 8B is a QQ sectional view of FIG. 7.
9 is a plan view showing an array of conductive particles in the anisotropic conductive film according to the first embodiment of the present invention.
10 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a connection structure to which an anisotropic conductive film according to a first embodiment of the present invention is applied.
11A and B are schematic configuration diagrams of a guide body used in a method for manufacturing an anisotropic conductive film according to a second embodiment of the present invention.
12 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a sheet used in a method for manufacturing an anisotropic conductive film according to a second embodiment of the present invention.
13 is a cross-sectional view illustrating an operation of embedding and arranging conductive particles in a groove of a sheet in the method for manufacturing an anisotropic conductive film according to the second embodiment of the present invention.
14 is a plan view showing an arrangement state of conductive particles of an anisotropic conductive film produced by a method for manufacturing an anisotropic conductive film according to a second embodiment of the present invention.
15A to C are cross-sectional views showing a step of filling conductive particles applied in the method for manufacturing an anisotropic conductive film according to the third embodiment of the present invention.
Fig. 16 is a plan view showing an arrangement state of conductive particles on a sheet after completion of the filling step in the method for producing an anisotropic conductive film according to the third embodiment of the present invention.
17 is a plan view showing an arrangement state of conductive particles of an anisotropic conductive film produced by a method for manufacturing an anisotropic conductive film according to a third embodiment of the present invention.

이하, 본 발명이 적용된 이방성 도전 필름의 제조 방법의 적합한 실시 형태에 대해서, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 또한, 본 발명은 이하의 실시 형태에만 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위 내에 있어서 다양한 변경이 가능한 것은 물론이다. 또한, 도면은 모식적인 것이며, 각 치수의 비율 등은 현실의 것과는 상이한 것이 있다. 구체적인 치수 등은 이하의 설명을 참작하여 판단해야 할 것이다. 또한, 도면 상호간에 있어서도 서로의 치수 관계나 비율이 상이한 부분이 포함되어 있는 것은 물론이다.Hereinafter, preferred embodiments of the method for manufacturing an anisotropic conductive film to which the present invention is applied will be described in detail with reference to the drawings. In addition, it is needless to say that the present invention is not limited to the following embodiments, and various changes can be made within a range not departing from the gist of the present invention. Also, the drawings are schematic, and the ratio of each dimension may be different from the actual one. Specific dimensions and the like should be judged in consideration of the following description. It goes without saying that portions having different dimensional relationships and ratios are also included between drawings.

(제1 실시 형태)(First embodiment)

본 발명이 적용된 이방성 도전 필름(1)의 제조 방법의 제1 실시 형태에서는, 도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, (1) 동일 방향으로 연속된 복수의 홈이 형성된 시트(2)의 상기 홈에, 도전성 입자(3)를 매립하고, 도전성 입자(3)를 배열하고(도 1A, 도 1B), (2) 상기 홈이 형성된 측의 시트(2) 표면에, 연신 가능한 베이스 필름(6) 상에 광 또는 열경화성 수지층(5)이 형성된 제1 수지 필름(4)의 수지층(5)을 라미네이트하고(도 2A), (3) 제1 수지 필름(4)의 수지층(5)에 도전성 입자(3)를 전착시키고(도 2B), (4) 도전성 입자(3)가 수지층(5)에 전착된 제1 수지 필름(4)을, 도전성 입자(3)의 배열 방향과 직교하는 방향을 제외한 도 2C 중 화살표A 방향으로 1축 연신하고(도 2C), (5) 또한 도전성 입자(3)가 배치된 제1 수지 필름(4)의 수지층(5)에, 베이스 필름(9) 상에 광 또는 열경화성 수지층(8)이 형성된 제2 수지 필름(7)을 라미네이트하는 공정을 갖는다(도 2D).In the first embodiment of the manufacturing method of the anisotropic conductive film 1 to which the present invention is applied, as shown in Figs. 1 and 2, (1) the above of the sheet 2 formed with a plurality of grooves continuous in the same direction. Conductive particles 3 are embedded in grooves, conductive particles 3 are arranged (FIGS. 1A and 1B), and (2) a base film 6 that can be stretched on the surface of the sheet 2 on the side where the grooves are formed. ) Laminate the resin layer 5 of the first resin film 4 on which the light or thermosetting resin layer 5 is formed (FIG. 2A), and (3) the resin layer 5 of the first resin film 4 Electroconductive particles 3 are electrodeposited on (Fig. 2B), and (4) the first resin film 4 on which the conductive particles 3 are electrodeposited on the resin layer 5 is orthogonal to the arrangement direction of the conductive particles 3 In the direction of the arrow A in FIG. 2C except for the direction shown in FIG. 2 (FIG. 2C), (5) and the base film (in the resin layer 5) of the first resin film 4 on which the conductive particles 3 are disposed, 9) Phase light or thermosetting resin (8) a step of laminating a second resin film 7 is formed (Fig. 2D).

[시트][Sheet]

동일 방향으로 연속된 복수의 홈이 형성된 시트(2)는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 예를 들어 소정의 홈(10)이 형성된 수지 시트이며, 예를 들어 펠릿을 용융시킨 상태에서 홈 패턴이 형성된 금형에 유입하고, 차게 하여 굳힘으로써 소정의 홈(10)을 전사시키는 방법에 의해 형성할 수 있다. 또는, 시트(2)는, 홈 패턴이 형성된 금형을 수지 시트의 연화점 이상의 온도로 가열하고, 상기 금형에 수지 시트를 가압함으로써 전사하는 방법에 의해 형성할 수 있다.The sheet 2 with a plurality of grooves continuous in the same direction is, for example, a resin sheet with a predetermined groove 10, as shown in FIG. 3, for example, a groove pattern in a state where pellets are melted. It can be formed by a method of transferring a predetermined groove 10 by flowing into the formed mold and cooling and hardening. Alternatively, the sheet 2 can be formed by a method in which the mold having a groove pattern is heated to a temperature equal to or higher than the softening point of the resin sheet, and the resin sheet is pressed against the mold to transfer it.

시트(2)를 구성하는 재료로서는, 열 용융하고, 홈(10)의 패턴이 형성된 금형의 형상을 전사할 수 있는 어떠한 재료도 사용할 수 있다. 또한, 시트(2)의 재료는, 내용제성, 내열성, 이형성을 갖는 것이 바람직하다. 이러한 수지 시트로서는, 예를 들어, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리에스테르, PET, 나일론, 아이오노머, 폴리비닐알코올, 폴리카르보네이트, 폴리스티렌, 폴리아크릴로니트릴, 에틸렌아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌비닐알코올 공중합체, 에틸렌 메타크릴산 공중합체 등의 열가소성 수지 필름을 예시할 수 있다. 또는, 소위 미세한 요철 패턴이 형성된 프리즘 시트를 예시할 수 있다.As the material constituting the sheet 2, any material capable of heat-melting and transferring the shape of the mold on which the pattern of the groove 10 is formed can be used. Moreover, it is preferable that the material of the sheet 2 has solvent resistance, heat resistance, and mold release property. As such a resin sheet, for example, polypropylene, polyethylene, polyester, PET, nylon, ionomer, polyvinyl alcohol, polycarbonate, polystyrene, polyacrylonitrile, vinyl ethylene acetate copolymer, ethylene vinyl alcohol copolymer And thermoplastic resin films such as copolymers and ethylene methacrylic acid copolymers. Alternatively, a prism sheet on which a so-called fine uneven pattern is formed can be exemplified.

시트(2)에 형성되는 홈(10)의 패턴은, 도 3에 도시하는 바와 같이, 동일 방향으로 연속되는 복수의 홈이, 상기 홈의 길이 방향과 직교하는 방향으로 인접하여 형성된다. 홈(10)은 도 3A에 도시하는 바와 같이, 시트(2)의 길이 방향을 따라서 연속시켜도 되고, 도 3B에 도시하는 바와 같이, 시트(2)의 길이 방향에 대하여 사행하는 방향을 따라서 연속시켜도 된다. 또한, 홈(10)은 도 3C에 도시하는 바와 같이, 시트(2)의 길이 방향을 따라서 사행시켜도 되고, 도 3D에 도시하는 바와 같이, 시트(2)의 길이 방향을 따라서 직사각형 파형으로 연속시켜도 된다. 기타, 홈(10)은 지그재그 형상, 격자 형상 등, 모든 패턴으로 형성할 수 있다.As shown in FIG. 3, the pattern of the grooves 10 formed in the sheet 2 is formed adjacent to each other in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the grooves. The groove 10 may be continuous along the longitudinal direction of the sheet 2, as shown in FIG. 3A, or may be continuous along the meandering direction with respect to the longitudinal direction of the sheet 2, as shown in FIG. 3B. do. Further, the groove 10 may be meandered along the longitudinal direction of the sheet 2, as shown in FIG. 3C, or may be continuous in a rectangular waveform along the longitudinal direction of the sheet 2, as shown in FIG. 3D. do. In addition, the groove 10 can be formed in any pattern, such as a zigzag shape or a lattice shape.

또한, 홈(10)의 형상은, 도 4A 내지 J에 예시하는 바와 같이, 다양한 형상을 채용할 수 있다. 이때, 홈(10)은, 도전성 입자(3)의 충전의 용이함, 및 충전된 도전성 입자(3)의 제1 수지 필름(4)에의 전착의 용이함을 고려하여 각 치수가 결정된다. 홈(10)이 도전성 입자(3)의 입자 직경에 비하여 너무 크면, 홈(10)의 도전성 입자의 보유 지지가 곤란해져서 충전이 부족해지고, 홈(10)이 도전성 입자(3)의 입자 직경에 비하여 너무 작으면 도전성 입자(3)가 들어가지 못해, 충전 부족으로 되는 것 외에, 홈(10) 내에 감입되어, 제1 수지 필름(4)에 전사 불가능하게 된다. 따라서, 예를 들어, 홈(10)은 폭 W가 도전성 입자(3)의 입자 직경의 1배 내지 2.5배 미만, 또한 깊이 D가 도전성 입자(3)의 입자 직경의 0.5 내지 2배로 형성된다. 또한, 홈(10)은 폭 W가 도전성 입자(3)의 입자 직경의 1배 내지 2배 미만, 또한 깊이 D가 도전성 입자(3)의 입자 직경의 0.5 내지 1.5배로 하는 것이 바람직하다.In addition, as illustrated in FIGS. 4A to J, various shapes of the groove 10 can be adopted. At this time, each dimension of the groove 10 is determined in consideration of the ease of filling the conductive particles 3 and the ease of electrodeposition of the filled conductive particles 3 to the first resin film 4. If the groove 10 is too large compared to the particle diameter of the conductive particles 3, the holding of the conductive particles in the groove 10 becomes difficult, and thus the filling becomes insufficient, and the groove 10 becomes the particle diameter of the conductive particles 3 When it is too small compared with the above, the conductive particles 3 cannot enter, and besides being insufficient in filling, they are immersed in the grooves 10 and cannot be transferred to the first resin film 4. Thus, for example, the groove 10 is formed with a width W of 1 to 2.5 times the particle diameter of the conductive particles 3 and a depth D of 0.5 to 2 times the particle diameter of the conductive particles 3. In addition, it is preferable that the groove 10 has a width W of 1 to 2 times the particle diameter of the conductive particles 3 and a depth D of 0.5 to 1.5 times the particle diameter of the conductive particles 3.

[도전성 입자][Conductive particle]

도전성 입자(3)로서는, 이방성 도전 필름에 있어서 사용되고 있는 공지된 어떠한 도전성 입자를 들 수 있다. 도전성 입자(3)로서는, 예를 들어, 니켈, 철, 구리, 알루미늄, 주석, 납, 크롬, 코발트, 은, 금 등의 각종 금속이나 금속 합금의 입자, 금속 산화물, 카본, 그래파이트, 유리, 세라믹, 플라스틱 등의 입자의 표면에 금속을 코팅한 것, 또는, 이들 입자의 표면에 절연 박막을 더 코팅한 것 등을 들 수 있다. 수지 입자의 표면에 금속을 코팅한 것인 경우, 수지 입자로서는, 예를 들어, 에폭시 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, 아크릴로니트릴·스티렌(AS) 수지, 벤조구아나민 수지, 디비닐벤젠계 수지, 스티렌계 수지 등의 입자를 들 수 있다.As the electroconductive particle 3, any well-known electroconductive particle used in an anisotropic conductive film is mentioned. As the conductive particles 3, for example, particles of various metals or metal alloys such as nickel, iron, copper, aluminum, tin, lead, chromium, cobalt, silver, and gold, metal oxides, carbon, graphite, glass, ceramics , A coating of metal on the surface of particles such as plastic, or a coating of an insulating thin film on the surface of these particles. When the metal is coated on the surface of the resin particles, as the resin particles, for example, epoxy resin, phenol resin, acrylic resin, acrylonitrile-styrene (AS) resin, benzoguanamine resin, divinylbenzene-based resin And particles such as styrene resin.

이러한 도전성 입자(3)는, 시트(2)의 홈(10)에 충전됨으로써, 홈(10)을 따라 배열된다. 예를 들어, 도전성 입자(3)는 도 1A에 도시하는 바와 같이, 시트(2)의 표면에 밀접한 스퀴지(12)에 의해 홈(10) 내에 충전된다. 시트(2)는, 경사면(13)에 배치됨과 함께, 도 1A 중 화살표D로 나타내는 하방으로 반송된다. 도전성 입자(3)는, 스퀴지(12)로부터 시트(2)의 반송 방향 상류 측으로 공급되고, 시트(2)의 반송에 따라 홈(10) 내에 충전, 배열되어 간다.These conductive particles 3 are arranged along the grooves 10 by being filled in the grooves 10 of the sheet 2. For example, the conductive particles 3 are filled in the groove 10 by a squeegee 12 close to the surface of the sheet 2, as shown in Fig. 1A. The sheet 2 is disposed on the inclined surface 13 and is conveyed downward indicated by arrow D in Fig. 1A. The conductive particles 3 are supplied from the squeegee 12 to the upstream side of the sheet 2 in the conveying direction, and are filled and arranged in the groove 10 in accordance with the conveyance of the sheet 2.

또한, 도전성 입자(3)는 도 1B에 도시하는 바와 같이, 화살표U로 나타내는 경사면(13)의 상방으로 반송되는 시트(2)의 스퀴지(12)로부터 반송 방향 상류 측으로 공급되고, 시트(2)의 반송에 따라 홈(10) 내에 충전, 배열되도록 해도 된다. 또한, 도전성 입자(3)는, 스퀴지(12)를 사용하는 방법 외에도, 시트(2)의 홈(10)이 형성된 면에 도전성 입자(3)를 뿌린 후, 초음파 진동, 풍력, 정전기, 시트(2)의 배면측으로부터 자력 등의 하나 또는 복수의 외력을 작용시켜서 홈(10)에 충전, 배열하도록 해도 된다. 또한, 도전성 입자(3)는, 홈(10)에의 충전, 배열을 웨트 상태에서 처리를 행해도 되고(습식), 또는 드라이 상태에서 처리해도 된다(건식).In addition, as shown in Fig. 1B, the conductive particles 3 are supplied to the upstream side in the conveying direction from the squeegee 12 of the sheet 2 conveyed above the inclined surface 13 indicated by the arrow U, and the sheet 2 The grooves 10 may be filled and arranged in accordance with the conveyance of. In addition, the conductive particles 3, in addition to the method using the squeegee 12, after spraying the conductive particles 3 on the surface of the groove 10 of the sheet 2, ultrasonic vibration, wind power, static electricity, sheet ( The groove 10 may be charged and arranged by applying one or a plurality of external forces, such as magnetic force, from the rear side of 2). In addition, the conductive particles 3 may be filled with grooves 10 or arranged in a wet state (wet) or may be treated in a dry state (dry).

[제1 수지 필름/수지층/연신성 베이스 필름][First resin film / Resin layer / Extensible base film]

홈(10)에 도전성 입자(3)가 충전, 배열된 시트(2)에 라미네이트되는 제1 수지 필름(4)은, 연신 가능한 베이스 필름(6) 상에 광 또는 열경화성 수지층(5)이 형성된 열경화형 또는 자외선 경화형의 접착 필름이다. 제1 수지 필름(4)은, 시트(2)에 라미네이트됨으로써, 홈(10)의 패턴에 배열된 도전성 입자(3)가 전착되고, 이방성 도전 필름(1)을 구성한다.The first resin film 4 laminated on the sheet 2 in which the conductive particles 3 are filled and arranged in the groove 10 has a light or thermosetting resin layer 5 formed on the stretchable base film 6 It is a thermosetting or ultraviolet curing adhesive film. The first resin film 4 is laminated to the sheet 2, whereby the conductive particles 3 arranged in the pattern of the groove 10 are electrodeposited, and constitute the anisotropic conductive film 1.

제1 수지 필름(4)은, 예를 들어 막 형성 수지, 열경화성 수지, 잠재성 경화제, 실란 커플링제 등을 함유하는 통상의 바인더 수지(접착제)가 베이스 필름(6) 상에 도포됨으로써 수지층(5)이 형성됨과 함께, 필름 형상으로 성형된 것이다.The first resin film 4 is formed by applying a conventional binder resin (adhesive) containing a film-forming resin, a thermosetting resin, a latent curing agent, a silane coupling agent, or the like on the base film 6, for example. 5) is formed and molded into a film shape.

연신 가능한 베이스 필름(6)은, 예를 들어, PET(Poly Ethylene Terephthalate; 폴리에틸렌 테레프탈레이트), OPP(Oriented Polypropylene; 배향 폴리프로필렌), PMP(Poly-4-methlpentene-1; 폴리-4-메틸펜텐-1), PTFE(Polytetrafluoroethylene; 폴리테트라플루오로에틸렌) 등에 실리콘 등의 박리제를 도포해서 이루어진다.The stretchable base film 6 is, for example, PET (Poly Ethylene Terephthalate; Polyethylene terephthalate), OPP (Oriented Polypropylene), PMP (Poly-4-methlpentene-1; Poly-4-methylpentene) -1), PTFE (Polytetrafluoroethylene; polytetrafluoroethylene) is made by applying a release agent such as silicone.

수지층(5)을 구성하는 막 형성 수지로서는, 평균 분자량이 10000 내지 80000 정도인 수지가 바람직하다. 막 형성 수지로서는, 에폭시 수지, 변형 에폭시 수지, 우레탄 수지, 페녹시 수지 등의 각종 수지를 들 수 있다. 그 중에서도, 막 형성 상태, 접속 신뢰성 등의 관점에서 페녹시 수지가 특히 바람직하다.As the film forming resin constituting the resin layer 5, a resin having an average molecular weight of about 10000 to 80000 is preferable. Examples of the film forming resin include various resins such as epoxy resins, modified epoxy resins, urethane resins, and phenoxy resins. Among them, a phenoxy resin is particularly preferred from the viewpoint of film formation state, connection reliability, and the like.

열경화성 수지로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 시판되고 있는 에폭시 수지, 아크릴 수지 등을 들 수 있다.It does not specifically limit as a thermosetting resin, For example, commercially available epoxy resin, acrylic resin, etc. are mentioned.

에폭시 수지로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 나프탈렌형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀형 에폭시 수지, 스틸벤형 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 페놀아르알킬형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리페닐메탄형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독이어도, 2종 이상의 조합이어도 된다.Although it does not specifically limit as an epoxy resin, For example, naphthalene type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, bisphenol type epoxy resin, stilbene type epoxy resin, triphenolmethane type epoxy resin, phenol are And alkyl-type epoxy resins, naphthol-type epoxy resins, dicyclopentadiene-type epoxy resins, and triphenylmethane-type epoxy resins. These may be single or a combination of two or more.

아크릴 수지로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 아크릴 화합물, 액상 아크릴레이트 등을 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 디메틸올트리시클로데칸디아크릴레이트, 테트라메틸렌글리콜테트라아크릴레이트, 2-히드록시-1,3-디아크릴옥시프로판, 2,2-비스[4-(아크릴옥시메톡시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(아크릴옥시에톡시)페닐]프로판, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 트리시클로데카닐아크릴레이트, 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 우레탄아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴레이트를 메타크릴레이트로 한 것을 사용할 수도 있다. 이들은, 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.The acrylic resin is not particularly limited, and an acrylic compound, liquid acrylate, or the like can be appropriately selected depending on the purpose. For example, methyl acrylate, ethyl acrylate, isopropyl acrylate, isobutyl acrylate, epoxy acrylate, ethylene glycol diacrylate, diethylene glycol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, dimethylol tricyclo Decandiacrylate, tetramethylene glycol tetraacrylate, 2-hydroxy-1,3-diacryloxypropane, 2,2-bis [4- (acryloxymethoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [ 4- (acryloxyethoxy) phenyl] propane, dicyclopentenyl acrylate, tricyclodecanyl acrylate, tris (acryloxyethyl) isocyanurate, urethane acrylate, and the like. Moreover, what made acrylate into methacrylate can also be used. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.

잠재성 경화제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 가열 경화형, UV 경화형 등의 각종 경화제를 들 수 있다. 잠재성 경화제는, 통상에서는 반응하지 않고, 열, 광, 가압 등의 용도에 따라서 선택되는 각종 트리거에 의해 활성화되어, 반응을 개시한다. 열 활성형 잠재성 경화제의 활성화 방법에는, 가열에 의한 해리 반응 등으로 활성종(양이온이나 음이온, 라디칼)을 생성하는 방법, 실온 부근에서는 에폭시 수지 중에 안정적으로 분산되어 있고 고온에서 에폭시 수지와 상용·용해하여 경화 반응을 개시하는 방법, 몰레큘러시브 봉입 타입의 경화제를 고온에서 용출하여 경화 반응을 개시하는 방법, 마이크로 캡슐에 의한 용출·경화 방법 등이 존재한다. 열 활성형 잠재성 경화제로서는, 이미다졸계, 히드라지드계, 3불화 붕소-아민 착체, 술포늄염, 아민이미드, 폴리아민염, 디시안디아미드 등이나, 이들의 변성물이 있고, 이들은 단독이어도, 2종 이상의 혼합체이어도 된다. 그 중에서도, 마이크로 캡슐형 이미다졸계 잠재성 경화제가 적합하다.Although it does not specifically limit as a latent curing agent, For example, various curing agents, such as a heat curing type and a UV curing type, are mentioned. The latent curing agent does not react normally, but is activated by various triggers selected according to applications such as heat, light, and pressure to initiate the reaction. In the method of activating the thermally active latent curing agent, a method of generating active species (cations, anions, and radicals) by dissociation reaction by heating, etc., is stably dispersed in an epoxy resin at room temperature, and is compatible with an epoxy resin at high temperatures. There are a method of dissolving to initiate a curing reaction, a method of initiating a curing reaction by eluting a molecular encapsulating type curing agent at a high temperature, and a method of dissolving / curing using a microcapsule. Examples of the thermally active latent curing agent include imidazole-based, hydrazide-based, boron trifluoride-amine complexes, sulfonium salts, amineimides, polyamine salts, dicyandiamides, and the like, and modified products thereof. A mixture of two or more types may be used. Among them, a microcapsule type imidazole-based latent curing agent is suitable.

실란 커플링제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 에폭시계, 아미노계, 머캅토·술피드계, 우레이도계 등을 들 수 있다. 실란 커플링제를 첨가함으로써, 유기 재료와 무기 재료와의 계면에 있어서의 접착성이 향상된다.Although it does not specifically limit as a silane coupling agent, For example, epoxy type, amino type, mercapto sulfide type, ureido type etc. are mentioned. By adding a silane coupling agent, adhesiveness at the interface between the organic material and the inorganic material is improved.

또한, 제1 수지 필름(4)은, 취급의 용이함, 보존 안정성 등의 견지로부터, 수지층(5)의 베이스 필름(6)이 적층된 면과는 반대인 면측에 커버 필름을 설치하는 구성으로 해도 된다. 또한, 제1 수지 필름(4)의 형상은, 특별히 한정되지 않지만, 권취 릴에 권회 가능한 긴 시트 형상으로 함으로써, 소정의 길이만큼 커트하여 사용할 수 있다.In addition, the first resin film 4 has a structure in which a cover film is provided on the side opposite to the surface on which the base film 6 of the resin layer 5 is laminated, from the viewpoint of ease of handling, storage stability, and the like. You may do it. Moreover, although the shape of the 1st resin film 4 is not specifically limited, By setting it as the elongate sheet shape which can be wound on a winding reel, it can cut and use by a predetermined length.

[제2 수지 필름][Second Resin Film]

또한, 도전성 입자(3)가 전착된 제1 수지 필름(4)에 라미네이트되는 제2 수지 필름(7)도, 제1 수지 필름(4)과 마찬가지로, 베이스 필름(9) 상에 광 또는 열경화성 수지층(8)이 형성된 열경화형 또는 자외선 경화형의 접착 필름이다. 제2 수지 필름(7)의 수지층(8)은 제1 수지 필름(4)의 수지층(5)과 동일한 것을 사용할 수 있고, 베이스 필름(9)은 제1 수지 필름(4)의 베이스 필름(6)과 동일한 것을 사용할 수 있다. 제2 수지 필름(7)은 도전성 입자(3)가 전착된 제1 수지 필름(4)에 라미네이트됨으로써, 제1 수지 필름(4)과 함께 이방성 도전 필름(1)을 구성한다.In addition, the second resin film 7 laminated on the first resin film 4 to which the conductive particles 3 are electrodeposited can also be light or thermosetting on the base film 9, like the first resin film 4 is. It is a heat-curable or ultraviolet curable adhesive film on which the base layer 8 is formed. The resin layer 8 of the 2nd resin film 7 can use the same thing as the resin layer 5 of the 1st resin film 4, and the base film 9 is the base film of the 1st resin film 4 The same thing as (6) can be used. The second resin film 7 is laminated to the first resin film 4 to which the conductive particles 3 are electrodeposited, thereby constituting the anisotropic conductive film 1 together with the first resin film 4.

이러한 이방성 도전 필름(1)은 베이스 필름(6, 9)이 박리된 후, 예를 들어 전자 부품의 범프와 배선판의 전극 단자 사이에 이것을 끼워 넣고, 가열 가압 헤드(도시하지 않음)에 의해 가열 및 가압함으로써 유동화하여 도전성 입자(3)가 범프와 전극 단자 사이에서 압궤되고, 가열 또는 자외선 조사에 의해, 도전성 입자(3)가 압궤된 상태에서 경화된다. 이에 의해, 이방성 도전 필름(1)은 전자 부품과 배선판을 전기적, 기계적으로 접속한다.After the base films 6 and 9 are peeled off, the anisotropic conductive film 1 is sandwiched between, for example, a bump of an electronic component and an electrode terminal of a wiring board, and heated and heated by a heating press head (not shown). Fluidized by pressurization, the conductive particles 3 are crushed between the bump and the electrode terminal, and cured in the state where the conductive particles 3 are crushed by heating or ultraviolet irradiation. Thereby, the anisotropic conductive film 1 electrically and mechanically connects the electronic component and the wiring board.

[이방성 도전 필름의 제조 방법][Method for manufacturing anisotropic conductive film]

계속해서, 이방성 도전 필름(1)의 제조 공정에 대하여 설명한다.Next, the manufacturing process of the anisotropic conductive film 1 will be described.

우선, 홈(10)이 소정의 패턴으로 형성된 시트(2)의 상기 홈(10)에 도전성 입자(3)를 충전, 배열한다(도 1A, 도 1B 참조). 홈(10)에의 도전성 입자(3)의 충전, 배열은, 스퀴지를 사용한 방법이나, 초음파 진동, 풍력, 정전기, 시트(2)의 배면측으로부터 자력 등의 하나 또는 복수의 외력을 작용시키는 방법 등을 사용할 수 있다.First, the conductive particles 3 are filled and arranged in the grooves 10 of the sheet 2 in which the grooves 10 are formed in a predetermined pattern (see FIGS. 1A and 1B). The method of filling and arranging the conductive particles 3 in the groove 10 is a method using a squeegee, a method of applying one or more external forces such as ultrasonic vibration, wind power, static electricity, magnetic force from the back side of the sheet 2, etc. Can be used.

계속해서, 도전성 입자(3)가 배열된 측의 시트(2) 표면에, 제1 수지 필름(4)의 수지층(5)을 라미네이트한다(도 2A 참조). 라미네이트는, 수지층(5)을 시트(2) 표면에 배치한 후, 가열 가압 헤드에 의해 저압으로 가압함과 함께, 적절히 바인더 수지가 점착성을 나타내지만 열경화를 개시하지 않는 온도에서 단시간, 열 가압함으로써 행한다.Subsequently, the resin layer 5 of the first resin film 4 is laminated on the surface of the sheet 2 on the side where the conductive particles 3 are arranged (see FIG. 2A). After the resin layer 5 is placed on the surface of the sheet 2, the laminate is pressed at a low pressure by a heating pressure head, and the binder resin exhibits tackiness, but is heated for a short period of time at a temperature that does not initiate thermal curing. It is performed by pressing.

제1 수지 필름(4)을 라미네이트하고, 냉각한 후, 시트(2)와 제1 수지 필름(4)을 박리함으로써, 도전성 입자(3)가 제1 수지 필름(4)에 전착된다(도 2B 참조). 제1 수지 필름(4)은, 수지층(5)의 표면에 도전성 입자(3)가 홈(10)의 패턴에 따른 패턴으로 배열되어 있다.After laminating and cooling the first resin film 4, the sheet 2 and the first resin film 4 are peeled off, so that the conductive particles 3 are electrodeposited to the first resin film 4 (FIG. 2B) Reference). In the first resin film 4, conductive particles 3 are arranged on the surface of the resin layer 5 in a pattern according to the pattern of the grooves 10.

계속해서, 제1 수지 필름(4)을, 도전성 입자(3)의 배열 방향과 직교하는 방향을 제외한 방향으로 1축 연신한다(도 2C 참조). 이에 의해 도 5, 도 6에 도시하는 바와 같이, 도전성 입자(3)가 분산된다. 여기서, 연신 방향으로부터 도전성 입자(3)의 배열 방향과 직교하는 방향을 제외한 것은, 상기 방향은 이미 홈(10)의 패턴에 따라서 배열됨으로써 도전성 입자(3)가 분리되어 있기 때문이다. 그리고, 제1 수지 필름(4)은, 상기 방향을 제외한 방향으로 1축 연신됨으로써, 배열 방향으로 밀착되어 있던 도전성 입자(3)를 분리시킬 수 있다.Subsequently, the first resin film 4 is uniaxially stretched in a direction other than the direction perpendicular to the array direction of the conductive particles 3 (see FIG. 2C). Thereby, as shown in FIGS. 5 and 6, the conductive particles 3 are dispersed. Here, the direction except for the direction perpendicular to the arrangement direction of the conductive particles 3 from the stretching direction is because the above-described direction is already arranged according to the pattern of the grooves 10, so that the conductive particles 3 are separated. Then, the first resin film 4 is uniaxially stretched in a direction other than the above-described direction, whereby the conductive particles 3 in close contact with the array direction can be separated.

따라서, 도 5에서는, 동일 도면 중 화살표A 방향으로 연신시키는 것이 바람직하고, 화살표Z 방향으로는 연신시키지 않는다. 또한, 도 6에서는, 동일 도면 중 화살표Z 방향을 제외한 임의의 일 방향, 예를 들어 제1 수지 필름(4)의 길이 방향인 동일 도면 중 화살표A 방향으로 연신시키는 것이 바람직하다.Therefore, in Fig. 5, it is preferable to stretch in the direction of arrow A in the same figure, and not in the direction of arrow Z. In Fig. 6, it is preferable to stretch in any one direction except the arrow Z direction in the same drawing, for example, in the arrow A direction in the same drawing which is the longitudinal direction of the first resin film 4.

제1 수지 필름(4)의 연신은, 예를 들어 팬타그래프 방식의 연신기를 사용하여, 130℃의 오븐 내에서 1축 방향으로 200％ 잡아 늘리는 것에 의해 행할 수 있다. 또한, 제1 수지 필름(4)의 길이 방향으로 1축 연신함으로써, 고정밀도로 또한 용이하게 연신시킬 수 있다.The extending | stretching of the 1st resin film 4 can be performed by extending | stretching and extending 200% in the uniaxial direction in 130 degreeC oven using the stretcher of a fantagraph system, for example. Further, by uniaxial stretching in the longitudinal direction of the first resin film 4, it can be easily stretched with high precision.

계속해서, 도전성 입자(3)가 배치된 제1 수지 필름(4)의 수지층(5)에, 제2 수지 필름(7)의 수지층(8)을 라미네이트한다(도 2D 참조). 제2 수지 필름(7)의 라미네이트는, 수지층(8)을 제1 수지 필름(4)의 수지층(5) 표면에 배치한 후, 가열 가압 헤드에 의해 저압으로 가압함과 함께, 적절히 바인더 수지가 점착성을 나타내지만 열경화를 개시하지 않는 온도에서, 단시간에 열 가압함으로써 행한다.Subsequently, the resin layer 8 of the second resin film 7 is laminated to the resin layer 5 of the first resin film 4 on which the conductive particles 3 are disposed (see FIG. 2D). The laminate of the second resin film 7 is placed on the surface of the resin layer 5 of the first resin film 4, the resin layer 8 is placed on the surface, and then pressurized at a low pressure by a heating pressure head, and a binder is appropriate. It is performed by heat-pressing in a short time at a temperature at which the resin exhibits tackiness but does not initiate thermal curing.

이상에 의해, 이방성 도전 필름(1)이 제조된다. 이러한 이방성 도전 필름(1)에 의하면, 미리 시트(2)의 홈(10)의 패턴에 따라서 도전성 입자(3)가 배열되어 있기 때문에, 이것을 전착한 제1 수지 필름(4)을 1축 연신시킴으로써, 도전성 입자(3)를 균일하게 분산시킬 수 있다. 따라서, 이방성 도전 필름(1)에 함유시키는 도전성 입자(3)를 필름 전체면에 균일하게 분산시키는데 필요 최소한의 양으로 충분하고, 과잉으로 함유시킬 필요가 없다. 또한, 이방성 도전 필름(1)은, 잉여의 도전성 입자(3)에 의한 단자간 쇼트를 일으킬 우려도 없다. 또한, 이방성 도전 필름(1)은, 도전성 입자(3)가 균일하게 분산되어 있기 때문에, 협 피치화된 전극 단자에 있어서도 확실하게 도통을 도모할 수 있다.The anisotropic conductive film 1 is manufactured by the above. According to this anisotropic conductive film 1, since the conductive particles 3 are arranged in advance according to the pattern of the grooves 10 of the sheet 2, the electrodeposited first resin film 4 is uniaxially stretched. , The conductive particles 3 can be uniformly dispersed. Therefore, the minimum amount necessary for uniformly dispersing the conductive particles 3 contained in the anisotropic conductive film 1 over the entire surface of the film is sufficient, and it is not necessary to contain the excess. In addition, there is no fear that the anisotropic conductive film 1 causes shorts between terminals due to the excess conductive particles 3. In addition, since the conductive particles 3 are uniformly dispersed in the anisotropic conductive film 1, conduction can be reliably achieved even in a narrow-pitched electrode terminal.

또한, 상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름의 제조 방법에서는, 1축 연신할 때 200％, 환언하면, 상기 제1 수지 필름(4)의 원래의 길이의 150％보다 길게 잡아 늘리고 있지만, 연신율은 특별히 한정되지 않는다. 즉, 도전성 입자(3)가 전착된 제1 수지층(5)을 포함하는 제1 수지 필름(4)을 도전성 입자(3)의 배열 방향과 직교하는 방향을 제외한 방향으로 1축 연신할 때, 150％보다 길게 1축 연신하여, 이방성 도전 필름(1)을 제조하는 것도 가능하다. 또한, 본 실시 형태에서는, 후술하는 실시예에 기재된 바와 같이, 제1 수지 필름(4)을 1축 연신할 때, 연신율이 700％까지는 적용 가능하다는 취지가 확인되어 있다. 또한, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름(1)의 제조 방법은, 700％ 이하로 한정되는 것은 아니다.In addition, as described above, in the method for producing an anisotropic conductive film according to an embodiment of the present invention, 200% when uniaxial stretching, in other words, 150% of the original length of the first resin film 4 Although it is elongated and stretched, the elongation is not particularly limited. That is, when the first resin film 4 including the first resin layer 5 to which the conductive particles 3 are electrodeposited is uniaxially stretched in a direction other than the direction perpendicular to the arrangement direction of the conductive particles 3, It is also possible to manufacture the anisotropic conductive film 1 by uniaxially stretching longer than 150%. In addition, in this embodiment, as described in the Examples described later, when the first resin film 4 is uniaxially stretched, it has been confirmed that the elongation is applicable up to 700%. In addition, the manufacturing method of the anisotropic conductive film 1 which concerns on 1st Embodiment of this invention is not limited to 700% or less.

이와 같이, 제1 수지 필름(4)의 원래의 길이의 150％보다 길게 1축 연신함으로써, 이방성 도전 필름(1)에 있어서의 쇼트 발생률의 저감을 도모할 수 있다. 또한, 전극 단자의 간격이 어느 정도 이상의 크기를 갖는 접속 구조체 등에 사용되는 이방성 도전 필름을 제조할 때에도, 본 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름의 제조 방법을 적용하여, 단자간의 도통을 확실하게 하는 이방성 도전 필름을 제조할 수 있게 된다. 즉, 본 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름의 제조 방법은, 파인 피치 대응 이외의 이방성 도전 필름의 제법에도 적용할 수 있다.In this way, by uniaxially stretching longer than 150% of the original length of the first resin film 4, the short-circuit incidence rate in the anisotropic conductive film 1 can be reduced. In addition, even when manufacturing an anisotropic conductive film used for a connection structure having a size of a certain degree or more between the electrode terminals, an anisotropic conductive material that ensures conduction between terminals by applying the manufacturing method of the anisotropic conductive film according to the present embodiment The film can be produced. That is, the manufacturing method of the anisotropic conductive film which concerns on this embodiment is applicable also to the manufacturing method of the anisotropic conductive film other than a fine pitch correspondence.

[이방성 도전 필름][Anisotropic conductive film]

이어서, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름의 구성에 대해서, 도면을 사용하면서 설명한다. 도 7은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름의 부분 사시도이며, 도 8A는, 도 7의 P-P 단면도이며, 도 8B는, 도 7의 Q-Q 단면도이며, 도 9는, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름의 도전성 입자의 배열 상태를 도시하는 평면도이다.Next, the configuration of the anisotropic conductive film according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 7 is a partial perspective view of the anisotropic conductive film according to the first embodiment of the present invention, FIG. 8A is the PP sectional view of FIG. 7, FIG. 8B is the QQ sectional view of FIG. 7, and FIG. 9 is the present invention It is a top view showing the arrangement state of conductive particles in the anisotropic conductive film according to the first embodiment.

본 실시 형태의 이방성 도전 필름(1)은 도 7에 도시하는 바와 같이, 제1 수지 필름(4)과 제2 수지 필름(7)을 포함하는 2층 이상의 필름층으로 구성되어 있다. 제1 수지 필름(4)은, 바인더 수지(접착제)가 베이스 필름(6) 상에 도포됨으로써 수지층(제1 수지층)(5)이 형성됨과 함께, 필름 형상으로 성형된 수지 필름이다. 제2 수지 필름(7)은, 베이스 필름(9) 상에 광 또는 열경화성 수지층(제2 수지층)(8)이 형성된 열경화형 또는 자외선 경화형의 접착 필름이며, 복수의 도전성 입자(3)가 전착된 제1 수지층(5)을 포함하는 제1 수지 필름(4)에 라미네이트된 수지 필름이다.As shown in FIG. 7, the anisotropic conductive film 1 of the present embodiment is composed of two or more film layers including the first resin film 4 and the second resin film 7. The first resin film 4 is a resin film molded in a film shape while a resin layer (first resin layer) 5 is formed by applying a binder resin (adhesive) on the base film 6. The second resin film 7 is a thermosetting or ultraviolet curable adhesive film on which a light or thermosetting resin layer (second resin layer) 8 is formed on the base film 9, and a plurality of conductive particles 3 It is a resin film laminated on the first resin film 4 including the electrodeposited first resin layer 5.

이와 같이, 본 실시 형태의 이방성 도전 필름(1)은, 제1 수지 필름(4)에 제2 수지 필름(7)을 라미네이트시켜서, 제1 수지층(5)과 제2 수지층(8) 사이에 복수의 도전성 입자(3)를 보유 지지한 구성으로 되어 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 이방성 도전 필름(1)은, 제1 수지층(5)과 베이스 필름(6)을 포함하는 제1 수지 필름(4)과, 제2 수지층(8)이 베이스 필름(9)을 포함하는 제2 수지 필름(7)의 2층으로 구성되어 있지만, 이방성 도전 필름(1)은, 적어도 2층 구성으로 이루어지는 것이면 되므로, 예를 들어, 제3 수지층 등의 다른 수지층을 라미네이트시킨 구성의 이방성 도전 필름에도, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름(1)을 적용할 수 있다.Thus, the anisotropic conductive film 1 of this embodiment laminates the 2nd resin film 7 on the 1st resin film 4, and is between the 1st resin layer 5 and the 2nd resin layer 8 In this configuration, a plurality of conductive particles 3 are held. In addition, in the present embodiment, the anisotropic conductive film 1 includes a first resin film 4 including a first resin layer 5 and a base film 6 and a second resin layer 8 as a base film. Although it consists of two layers of the 2nd resin film 7 containing (9), the anisotropic conductive film 1 should just be what consists of at least 2 layer structure, For example, other numbers, such as a 3rd resin layer, etc. An anisotropic conductive film 1 according to an embodiment of the present invention can also be applied to an anisotropic conductive film having a laminated structure.

도전성 입자(3)는 도 7에 도시하는 바와 같이, 제1 수지층(5)에 있어서, X 방향(제1 방향)으로 규칙적으로 배열하여 형성된다. 또한, 입자열(3a)이 X 방향과 상이한 Y 방향(제2 방향)으로 규칙적으로 복수 병렬함으로써, 이 도전성 입자(3)는 분산된 상태로 된다. 또한, 도전성 입자(3)는 소정의 간격 또는 등간격으로 배열되어도 된다. 본 실시 형태에서는, 제1 수지층(5)은, 도 7 및 도 8A에 도시하는 바와 같이, 입자열(3a)의 각 열간이 X 방향으로 연장되도록 능선 형상으로 형성된 볼록부(14)로 되어 있다. 즉, 제1 수지층(5)에서는, X 방향으로 연장된 볼록부(14)가 Y 방향으로 소정의 간격마다 형성되어 있다.The electroconductive particle 3 is formed in the 1st resin layer 5 in the X direction (first direction) regularly, as shown in FIG. In addition, when the particle string 3a is regularly paralleled in a plurality of Y directions (second direction) different from the X direction, the conductive particles 3 are in a dispersed state. Further, the conductive particles 3 may be arranged at predetermined or equal intervals. In the present embodiment, the first resin layer 5 is a convex portion 14 formed in a ridge shape so that each row of the particle train 3a extends in the X direction, as shown in FIGS. 7 and 8A. have. That is, in the first resin layer 5, convex portions 14 extending in the X direction are formed at predetermined intervals in the Y direction.

그리고, 도 7에 도시하는 바와 같이, 제1 수지층(5)에서는, 이들 볼록부(14) 사이에 X 방향으로 연장되는 홈 형상의 오목부(15)가 형성되고, 도전성 입자(3)는, 이들 오목부(15) 내에 규칙적으로 배치된다. 또한, 이 X 방향(제1 방향)과 Y 방향(제2 방향)의 방향성은, 광학적인 차이로서 나타나는 경우도 있다. 이것은, X 방향으로 제1 수지층(5)이 연신됨으로써, 도전성 입자(3) 사이에 홈 형상으로 되는 공극이 적지 않게 발생하는 것에 의한다. 이 공극이 후술하는 클리어런스(16)이다. 이러한 공극은, 도전성 입자(3)가 직선 형상으로 배열된 상태에서 연신된 것에 의해 발생한다. 즉, 연신시의 도전성 입자(3) 근방의 적어도 하나의 대략 직선 형상에는, 제1 수지층(5)이 구비되지 않거나, 그것에 가까운 상태가 발생하고, 이것이 도전성 입자(3)의 압착 시의 이동성에 영향을 미친다. 이것은, 후술하는 오목부(15) 및 볼록부(14)와도 관련된다.And, as shown in Fig. 7, in the first resin layer 5, between these convex portions 14, groove-shaped concave portions 15 extending in the X direction are formed, and the conductive particles 3 are , Are regularly arranged in these recesses 15. In addition, the directionality of the X direction (first direction) and the Y direction (second direction) may appear as an optical difference. This is because, by stretching the first resin layer 5 in the X direction, a small number of voids in the form of grooves are formed between the conductive particles 3. This void is a clearance 16 to be described later. Such voids are generated by stretching in a state in which the conductive particles 3 are arranged in a linear shape. That is, the first resin layer 5 is not provided in the at least one substantially straight shape near the conductive particles 3 at the time of stretching, or a state close to it occurs, and this is the mobility when the conductive particles 3 are pressed. Affects. This also relates to the concave portion 15 and the convex portion 14 described later.

또한, 상기 클리어런스(16)는, 제1 수지 필름(4)을 연신시켰을 때 발생한 공극이기 때문에, 도전성 입자(3) 근방의 연신 방향에 있어서의 제1 수지층(5)의 두께는, 급준한 낭떠러지(斷崖)와 같은 상태가 발생하게 된다. 전술한 바와 같이, 제1 수지 필름(4)의 연신 방향으로 상기 상태가 발생하기 때문에, 제1 방향에 있어서의 도전성 입자(3) 사이에는, 도 8B에 도시하는 바와 같이, 대략 직선 형상으로 2개소의 동일한 낭떠러지부(5c, 5d)가 도전성 입자(3)를 보유 지지한 상태로 된다. 이에 의해, 접합시에 도전성 입자(3)가 이동하는 경우의 방향이 의존되게 된다. 또한, 본 실시 형태에서는, X 방향(제1 방향)이란, 이방성 도전 필름(1)의 길이 방향을 나타내고, Y 방향(제2 방향)이란, 이방성 도전 필름(1)의 폭 방향을 나타내는 것으로 한다.In addition, since the clearance 16 is a void generated when the first resin film 4 is stretched, the thickness of the first resin layer 5 in the stretching direction near the conductive particles 3 is steep. A cliff-like condition occurs. As described above, since the above-described state occurs in the stretching direction of the first resin film 4, between the conductive particles 3 in the first direction, as shown in Fig. 8B, it is approximately 2 in a straight line shape. The same cliff portion 5c, 5d at the place is in a state where the conductive particles 3 are held. Thereby, the direction in the case where the electroconductive particle 3 moves at the time of bonding becomes dependent. In this embodiment, the X-direction (first direction) indicates the longitudinal direction of the anisotropic conductive film 1, and the Y-direction (second direction) indicates the width direction of the anisotropic conductive film 1. .

상술한 바와 같이, 제1 수지층(5)에는, X 방향으로 연장하도록, 복수의 볼록부(14)와 오목부(15)가 각각 병렬하도록 형성되어 있다. 그리고, 각 오목부(15)에는, 복수의 도전성 입자(3)가 규칙적으로 배열되어 있으므로, 상기 오목부(15)에 있어서, 입자열(3a)을 구성하는 도전성 입자(3) 사이는, 클리어런스(16)로 되고, 도 7 및 도 8B에 도시하는 바와 같이, 상기 클리어런스(16)에 제2 수지층(8)이 침입해 있다. 이와 같이 하여, 도전성 입자(3)가 제1 수지층(5)과 제2 수지층(8) 사이에 분산 보유 지지되게 된다. 또한, 본 실시 형태에서는, 도전성 입자(3)가 제1 수지층(5)과 제2 수지층(8) 사이에 분산 보유 지지된 구성으로 되어 있지만, 도전성 입자(3)는, 전사했을 때에 있어서의 외력 등에 의해 제1 수지층(5)에 매몰되고, 연신된 경우에는, 제1 수지층(5) 내에만 존재한다. 본 발명의 일 실시 형태에서는, 도전성 입자(3)가 제1 수지층(5)에 매몰되고 나서 연신된 구성도 포함하는 것으로 한다. 즉, 본 실시 형태의 이방성 도전 필름(1)은, 도전성 입자(3)가 제1 수지층(5)과 제2 수지층(8) 중, 적어도 제1 수지층(5)에만 접하고 있는 구성의 것도 포함한다. 이 경우에 있어서도, 도전성 입자(3) 근방의 제1 수지층(5)은, 대략 직선 형상으로 2개소의 동일한 낭떠러지부(5c, 5d)가 있는 상태로 된다. 이것은 상술한 이유에 의한다.As described above, in the first resin layer 5, a plurality of convex portions 14 and concave portions 15 are formed in parallel so as to extend in the X direction. In addition, since a plurality of conductive particles 3 are regularly arranged in each concave portion 15, in the concave portion 15, the clearance between the conductive particles 3 constituting the particle train 3a is cleared. (16), and as shown in Figs. 7 and 8B, the second resin layer 8 penetrates the clearance 16. In this way, the conductive particles 3 are dispersedly held between the first resin layer 5 and the second resin layer 8. Further, in the present embodiment, the conductive particles 3 are configured to be dispersed and held between the first resin layer 5 and the second resin layer 8, but the conductive particles 3 are transferred. When buried in the first resin layer 5 by an external force or the like, and stretched, it exists only in the first resin layer 5. In one embodiment of the present invention, it is assumed that the conductive particles 3 are also embedded in the first resin layer 5 and then stretched. That is, in the anisotropic conductive film 1 of the present embodiment, the conductive particles 3 are in contact with at least the first resin layer 5 among the first resin layer 5 and the second resin layer 8. Also includes. Even in this case, the first resin layer 5 in the vicinity of the conductive particles 3 is in a state of having two identical cliff portions 5c and 5d in a substantially linear shape. This is for the above-mentioned reason.

이와 같이, 본 실시 형태에서는, 협 피치화 대응의 이방성 도전 필름(1)에 있어서, 균일하게 분산시킨 도전성 입자(3)의 위치 제어를 확실하게 행할 수 있으므로, 협 피치화된 단자끼리에 있어서의 도통을 확실하게 도모할 수 있게 된다. 또한, 본 실시 형태에서는, 이방성 도전 필름(1)의 접속 신뢰성을 보유 지지하기 위해서, 이방성 도전 필름(1)은, X 방향에 있어서의 도전성 입자(3)의 간격이 Y 방향에 있어서의 도전성 입자(3)의 간격보다도 약간 큰 구성으로 되어 있고, 예를 들어, 도전성 입자(3)의 직경의 절반 정도 큰 구성으로 하는 것이 바람직하다.In this way, in the present embodiment, since the position control of the conductive particles 3 uniformly dispersed in the anisotropic conductive film 1 for narrow pitching can be reliably performed, in the narrow pitched terminals. Continuity can be ensured. In addition, in this embodiment, in order to hold the connection reliability of the anisotropic conductive film 1, the anisotropic conductive film 1 has a conductive particle in the Y direction with an interval of the conductive particles 3 in the X direction. It has a structure slightly larger than the interval of (3), and for example, it is preferable to have a structure that is about half the diameter of the conductive particles 3.

또한, 본 실시 형태에서는, 이방성 도전 필름(1)의 제조 과정에 있어서, 제1 수지 필름(4)을 도전성 입자(3)의 배열 방향과 직교하는 방향을 제외한 방향으로 1축 연신했을 때, 도 7에 도시하는 바와 같이, 도전성 입자(3)를 전착한 제1 수지층(5)에 X 방향으로 연장한 홈 형상의 오목부(15)가 형성된다. 그리고, 상기 오목부(15)의 형성에 수반하여, 제1 수지층(5)에 있어서, X 방향으로 연장된 볼록부(14)가 형성된다.Moreover, in this embodiment, in the manufacturing process of the anisotropic conductive film 1, when the 1st resin film 4 is uniaxially stretched in the direction except the direction orthogonal to the arrangement direction of the electroconductive particle 3, it is also a figure. As shown in Fig. 7, a groove-shaped recess 15 extending in the X direction is formed in the first resin layer 5 to which the conductive particles 3 are electrodeposited. Then, with the formation of the concave portion 15, in the first resin layer 5, a convex portion 14 extending in the X direction is formed.

즉, 도 7에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름(1)의 제1 수지층(5)은, X 방향에 있어서의 도전성 입자(3) 사이의 부위(5a)가 Y 방향에 있어서의 도전성 입자(3) 사이의 부위(5b)보다도 얇은 구성으로 되어 있다. 이 부위(5a)의 위치에 클리어런스(16)가 있다. 그리고, 오목부(15)에 배열된 도전성 입자(3) 사이에 형성되는 클리어런스(16)에 제2 수지층(8)이 침입해 있다(도 8B 참조). 또한, 제1 수지 필름(4)을 1축 연신할 때, 도전성 입자(3)가 직렬 연결되어 있었던 경우에는, 제1 수지 필름(4)을 원래의 길이의 2배 연신, 즉 200％ 연신한 경우에는, 대부분의 도전성 입자(3)는, 대략 동일 직경으로 직선 형상으로 조밀하게 나열되어 있기 때문에, 도전성 입자(3)의 1개분의 스페이스가 비게 된다. 이 도전성 입자(3)의 1개분의 스페이스의 빈 부분이 제1 수지층(5)에 있어서의 공극이 되는 클리어런스(16)에 상당하게 된다.That is, as shown in FIG. 7, in the first resin layer 5 of the anisotropic conductive film 1 according to the present embodiment, portions 5a between the conductive particles 3 in the X direction have a Y direction. The structure is thinner than the portion 5b between the conductive particles 3 in. There is a clearance 16 at the position of this site 5a. Then, the second resin layer 8 penetrates into the clearance 16 formed between the conductive particles 3 arranged in the recess 15 (see Fig. 8B). Further, when the first resin film 4 was uniaxially stretched, when the conductive particles 3 were connected in series, the first resin film 4 was stretched twice the original length, that is, 200% stretched. In this case, since most of the conductive particles 3 are densely arranged in a linear shape with approximately the same diameter, a space for one of the conductive particles 3 is empty. The empty portion of the space for one of the conductive particles 3 corresponds to the clearance 16 serving as a void in the first resin layer 5.

이와 같이, 본 실시 형태에서는, 이방성 도전 필름(1)은, 도전성 입자(3)가 제1 수지층(5)에 전착된 제1 수지 필름(4)을 도전성 입자(3)의 배열 방향과 직교하는 방향을 제외한 방향으로, 적어도 원래의 길이의 150％보다 길게 1축 연신하고 나서, 제2 수지층(8)을 포함하는 제2 수지 필름(7)을 라미네이트시켜서 형성된다. 이로 인해, 도전성 입자(3)는, 도 9에 도시하는 바와 같이, 오목부(15) 내에서 제1 방향(X 방향)으로 연장되도록, 규칙적으로 대략 직선 형상으로 배치되어, 제1 수지층(5)과 제2 수지층(8) 사이에 보유 지지되게 된다. 이것은 소정의 간격으로 배치되어 있어도 된다. 따라서, 협 피치화 대응의 이방성 도전 필름(1)에 있어서, 균일하게 분산시킨 도전성 입자(3)의 위치 제어를 확실하게 행할 수 있고, 협 피치화된 단자끼리에 있어서의 도통을 확실하게 도모할 수 있다. 또한, 상술한 「대략 직선 형상으로 배치」란, 오목부(15)의 폭 방향(Y 방향)에 있어서의 각 도전성 입자(3)의 배열 어긋남이 입자 직경의 1/3 이하의 범위 내에 수용되는 상태로 배열되는 것을 말한다.In this way, in the present embodiment, the anisotropic conductive film 1 is orthogonal to the first resin film 4 in which the conductive particles 3 are electrodeposited to the first resin layer 5 in the arrangement direction of the conductive particles 3. It is formed by uniaxially stretching at least longer than 150% of the original length in a direction other than the direction described above, and then laminating the second resin film 7 including the second resin layer 8. For this reason, the conductive particles 3 are regularly arranged in a substantially linear shape so as to extend in the first direction (X direction) in the concave portion 15, as shown in FIG. 9, and the first resin layer ( It is held between the 5) and the second resin layer (8). These may be arranged at predetermined intervals. Therefore, in the anisotropic conductive film 1 for narrow pitching, the positional control of the uniformly dispersed conductive particles 3 can be reliably performed, and the conduction between the narrow pitched terminals can be reliably achieved. You can. In addition, the above-mentioned "arranged in a substantially linear shape" means that the displacement of each conductive particle 3 in the width direction (Y direction) of the concave portion 15 is accommodated within a range of 1/3 or less of the particle diameter. It is arranged in a state.

[접속 구조체][Connection structure]

이어서, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 접속 구조체의 구성에 대해서, 도면을 사용하면서 설명한다. 도 10은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름을 적용한 접속 구조체의 구성을 도시하는 개략 단면도이다. 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 접속 구조체(50)는, 예를 들어, 도 10에 도시하는 바와 같이, 전술한 이방성 도전 필름(1)을 개재하여, IC 칩 등의 전자 부품(52)을 플렉시블 배선 기판이나 액정 패널 등의 기판(54) 상에 전기적 및 기계적으로 접속 고정한 것이다. 전자 부품(52)에는, 접속 단자로서 범프(56)가 형성되어 있다. 한편, 기판(54)의 상면에는, 범프(56)와 대향하는 위치에 전극(58)이 형성되어 있다.Next, the structure of the connection structure according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 10 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a connection structure to which an anisotropic conductive film according to a first embodiment of the present invention is applied. The connection structure 50 according to the first embodiment of the present invention includes, for example, an electronic component 52 such as an IC chip via the anisotropic conductive film 1 described above, as shown in FIG. 10. It is electrically and mechanically connected and fixed to a substrate 54 such as a flexible wiring board or a liquid crystal panel. In the electronic component 52, a bump 56 is formed as a connection terminal. On the other hand, an electrode 58 is formed on the upper surface of the substrate 54 at a position facing the bump 56.

그리고, 전자 부품(52)의 범프(56)와 기판(54) 상에 형성된 전극(58) 사이, 및 전자 부품(52)과 배선 기판(54) 사이에는, 접착제로 되는 본 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름(1)이 개재되어 있다. 범프(56)와 전극(58)과의 대향하는 부분에서는, 이방성 도전 필름(1)에 포함되는 도전성 입자(3)가 압궤되어, 전기적인 도통이 도모되고 있다. 또한, 그것과 동시에, 이방성 도전 필름(1)을 구성하는 접착제 성분에 의해, 전자 부품(52)과 기판(54)과의 기계적인 접합도 도모되고 있다.Then, the anisotropy according to the present embodiment, which is an adhesive, between the bumps 56 of the electronic component 52 and the electrodes 58 formed on the substrate 54, and between the electronic components 52 and the wiring substrate 54. The conductive film 1 is interposed. The conductive particles 3 contained in the anisotropic conductive film 1 are crushed at portions facing the bumps 56 and the electrodes 58, and electrical conduction is achieved. At the same time, mechanical bonding between the electronic component 52 and the substrate 54 is also promoted by the adhesive component constituting the anisotropic conductive film 1.

이와 같이, 본 실시 형태에 따른 접속 구조체(50)는, 응력을 완화시킨 상태에서, 높은 접착 강도를 얻는 이방성 도전 필름(1)에 의해, 전극(58)이 형성된 기판(54)과, 범프(56)가 설치된 전자 부품(52)을 접속하여 구성되어 있다. 즉, 접속 구조체(50)의 전자 부품(52)과 기판(54)의 접속에, 본 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름(1)이 사용되고 있다.As described above, the connection structure 50 according to the present embodiment includes the substrate 54 on which the electrode 58 is formed and the bump () by the anisotropic conductive film 1 that obtains high adhesive strength in a state in which stress is relieved. 56) is formed by connecting the installed electronic components 52. That is, the anisotropic conductive film 1 according to the present embodiment is used to connect the electronic component 52 and the substrate 54 of the connection structure 50.

전술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름(1)은, 제1 수지층(5)에 볼록부(14)와 오목부(15)가 형성되고, 상기 오목부(15)에 도전성 입자(3)가 규칙적으로 배열된 것을 제2 수지층(8)으로 라미네이트하여, 양쪽의 수지층(5, 8)에 보유 지지되어 있다. 이 규칙성은 소정의 간격으로 배치되어 있어도 된다. 이로 인해, 각 도전성 입자(3)가 볼록부(14)에 의해 확실하게 도 10에 있어서의 수평 방향으로 이동하기 어려워져, 분산 보유 지지된다. 이로 인해, 접합 시에 있어서의 도전성 입자(3)의 이동은, 도전성 입자(3) 사이에 있어서의 공극 즉 클리어런스(16)에 의존하게 되어, 그 형상에 지배되는 요소가 크다.As described above, in the anisotropic conductive film 1 according to the embodiment of the present invention, the convex portion 14 and the concave portion 15 are formed on the first resin layer 5, and the concave portion 15 In this case, the conductive particles 3 are regularly arranged and laminated with the second resin layer 8, and are held by both resin layers 5 and 8. The regularity may be arranged at predetermined intervals. For this reason, each electroconductive particle 3 is reliably moved in the horizontal direction in FIG. 10 by the convex part 14, and it is supported by dispersion. For this reason, the movement of the electroconductive particle 3 at the time of joining depends on the clearance gap 16 between the electroconductive particle 3, and the element dominated by the shape is large.

따라서, 접속 구조체(50)에 있어서의 기판(54)과 전자 부품(52)과의 양호한 접속성을 확보할 수 있고, 장기간에 걸쳐 전기적 및 기계적으로 접속의 신뢰성을 높일 수 있다. 즉, 본 실시 형태의 이방성 도전 필름(1)을 사용함으로써 도통 신뢰성이 높은 접속 구조체(50)를 제조하는 것이 가능하게 된다. 또한, 본 실시 형태에 따른 접속 구조체(50)의 구체예로서, 반도체 장치, 액정 표시 장치, LED 조명 장치 등을 들 수 있다.Therefore, it is possible to ensure good connectivity between the substrate 54 and the electronic component 52 in the connection structure 50, and to increase the reliability of the connection electrically and mechanically over a long period of time. That is, by using the anisotropic conductive film 1 of this embodiment, it becomes possible to manufacture the connection structure 50 with high conduction reliability. Moreover, a semiconductor device, a liquid crystal display device, an LED lighting device, etc. are mentioned as a specific example of the connection structure 50 which concerns on this embodiment.

(제2 실시 형태)(Second embodiment)

본 발명의 제2 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름의 제조 방법에서는, 시트의 홈에 도전성 입자를 매립하여 배열할 때 도전성 입자를 손상시키지 않고, 수지층에의 도전성 입자의 전착 효율을 높이기 위해서, 홈의 깊이가 도전성 입자의 직경보다 작게 형성된 형태로 되는 시트와, 도전성 입자와의 접촉면에 있어서 상기 홈에 유도 가능한 복수의 돌기부가 소정 간격으로 설치된 가이드체를 사용한다.In the manufacturing method of the anisotropic conductive film according to the second embodiment of the present invention, in order to improve the electrodeposition efficiency of the conductive particles to the resin layer without damaging the conductive particles when the conductive particles are embedded in the grooves of the sheet and arranged. A guide body in which a plurality of protrusions that can be guided to the grooves at predetermined intervals is used at a contact surface between the sheet having a depth formed smaller than the diameter of the conductive particles and the conductive particles is used.

본 발명의 제2 실시 형태의 이방성 도전 필름의 제조 방법에 대해서, 도면을 사용하면서 설명한다. 도 11A, B는, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름의 제조 방법에서 사용되는 가이드체의 개략적인 구성도이며, 도 12는, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름의 제조 방법에서 사용되는 시트의 개략적인 구성을 도시하는 단면도이며, 도 13은, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름의 제조 방법에 있어서의 시트의 홈에 도전성 입자를 매립하여 배열하는 동작을 설명하기 위한 단면도이다. 또한, 도 11A는, 본 발명의 제2 실시 형태에서 사용하는 가이드체의 특징부인 도전성 입자와의 접촉면측을 모식적으로 도시한 것이며, 도 11B는, 본 발명의 제2 실시 형태에서 사용하는 가이드체의 단면을 모식적으로 도시한 것이며, 도 13은, 시트의 홈에 도전성 입자를 매립하여 배열하는 동작 상태를 단면도로 나타낸 것이다.The manufacturing method of the anisotropic conductive film of 2nd embodiment of this invention is demonstrated, using drawings. 11A and B are schematic structural diagrams of a guide body used in the method for manufacturing an anisotropic conductive film according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 12 is an anisotropic conductive film according to the second embodiment of the present invention. It is a sectional view showing a schematic configuration of a sheet used in a manufacturing method, and FIG. 13 is an operation of embedding and arranging conductive particles in a groove of a sheet in the manufacturing method of the anisotropic conductive film according to the second embodiment of the present invention. It is a sectional view for explaining. In addition, FIG. 11A schematically shows a contact surface side with conductive particles which is a feature of the guide body used in the second embodiment of the present invention, and FIG. 11B is a guide used in the second embodiment of the present invention. The cross section of the sieve is schematically illustrated, and FIG. 13 is a cross-sectional view showing an operation state in which conductive particles are embedded and arranged in the grooves of the sheet.

도 11A에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태에서 사용하는 가이드체(112)는, 도전성 입자(103)와의 접촉면(112a)에 시트(102)의 홈(110)(도 12 참조)에 유도 가능한 복수의 돌기부(112b)가 가이드체(112)의 폭 방향, 즉, 도 11A에 도시하는 E 방향으로 소정 간격으로 설치되어 있다. 또한, 이들 돌기부(112b)는, 도 11A에 도시하는 바와 같이, 가이드체(112)의 접촉면(112a)의 길이 방향, 즉, 도 11A에 도시하는 F 방향으로 연장되도록, 소정 간격으로 설치되어 있다. 또한, 가이드체(112)의 제법은, 시트(102)와 대략 동일해도 되고, 또한, 가이드체(112)의 재료도 시트(102)와 동일한 것을 사용할 수 있다.As shown in Fig. 11A, the guide body 112 used in the present embodiment is a plurality that can be guided to the groove 110 (see Fig. 12) of the sheet 102 on the contact surface 112a with the conductive particles 103. The protruding portions 112b of the guide body 112 are provided at predetermined intervals in the width direction, that is, in the E direction shown in Fig. 11A. In addition, these projections 112b are provided at predetermined intervals so as to extend in the longitudinal direction of the contact surface 112a of the guide body 112, that is, in the F direction shown in Fig. 11A, as shown in Fig. 11A. . In addition, the manufacturing method of the guide body 112 may be substantially the same as the sheet 102, and the material of the guide body 112 may be the same as that of the sheet 102.

도전성 입자(103)를 시트(102)의 홈(110)에 충전할 때, 유동하는 도전성 입자(103)를 할당이 용이하게 하기 위해서, 돌기부(112b)의 형상은, 도 11B에 도시하는 바와 같이, 설치된 접촉면측에 갖는 기단부(112b1)로부터 선단부(112b2)에 걸쳐서 앞이 가늘어지는 대략 삼각추 형상으로 되어 있다. 돌기부(112b)를 기단부(112b1)로부터 선단부(112b2)에 걸쳐서 앞이 가늘어지는 형상으로 함으로써, 도전성 입자(103)를 시트(102)의 홈(110)에 충전할 때 가이드체(112)를 길이 방향(F 방향)으로 이동시키면, 접촉면(112a)에 유동하는 도전성 입자(103)가 돌기부(112b)의 경사면(112b3)에서 할당된다. 이로 인해, 돌기부(112b)를 설치한 가이드체(112)를 사용함으로써, 도전성 입자(103)를 홈(110)에 유도하기 쉬워진다. 또한, 돌기부(112b)의 형상은, 기단부(112b1)로부터 선단부(112b2)에 걸쳐서 앞이 가늘어지는 형상이면, 대략 삼각추 형상에 한정되지 않고, 예를 들어, 원추 형상이나 원뿔대 형상 등의 다른 형상이어도 적용 가능하다. 또한, 돌기부(112b)의 형상은, 직선만으로 형성되는 형상에 한정되지 않고, 곡선을 일부 또는 모두에 포함시켜도 상관없다.When filling the grooves 110 of the sheet 102 with the conductive particles 103, in order to facilitate the assignment of the flowing conductive particles 103, the shape of the projection 112b is as shown in FIG. 11B. , It has a substantially triangular pyramid shape with a tapered front extending from the proximal end portion 112b1 on the installed contact surface side to the distal end portion 112b2. The guide body 112 is lengthened when the conductive particles 103 are filled into the grooves 110 of the sheet 102 by making the protrusion 112b to have a front tapered shape from the proximal end 112b1 to the distal end 112b2. When moving in the direction (F direction), the conductive particles 103 flowing on the contact surface 112a are allocated on the inclined surface 112b3 of the projection 112b. For this reason, by using the guide body 112 provided with the projection 112b, it is easy to guide the conductive particles 103 to the groove 110. In addition, the shape of the protrusion 112b is not limited to a substantially triangular pyramid shape as long as the shape is tapered from the proximal end portion 112b1 to the distal end portion 112b2, and may be, for example, another shape such as a cone shape or a truncated cone shape. It is applicable. In addition, the shape of the projection part 112b is not limited to the shape formed only by a straight line, and a curve may be included in part or all.

또한, 가이드체(112)의 접촉면(112a)의 테두리부 측에는, 도 11B에 도시하는 바와 같이, 돌기부(112b)와 높이가 대략 동일하거나 약간 낮은 측벽부(112c)가 설치되어 있다. 이와 같이, 가이드체(112)의 접촉면(112a)의 테두리부 측에 측벽부(112c)를 설치함으로써, 가이드체(112)를 사용하여 도전성 입자(103)를 충전할 때, 도전성 입자(103)가 가이드체(112)의 접촉면(112a)의 외측에 누설되는 것을 방지할 수 있으므로, 도전성 입자(103)의 충전 효율이 향상된다.In addition, as shown in Fig. 11B, on the side of the edge portion of the contact surface 112a of the guide body 112, a side wall portion 112c having a height approximately equal to or slightly lower than that of the projection portion 112b is provided. As described above, by providing the side wall portion 112c on the edge portion side of the contact surface 112a of the guide body 112, when the conductive particles 103 are filled using the guide body 112, the conductive particles 103 Since it is possible to prevent leakage of the guide body 112 outside the contact surface 112a, the filling efficiency of the conductive particles 103 is improved.

또한, 전술한 바와 같이, 돌기부(112b)는, 가이드체(112)의 폭 방향(E 방향)으로 소정 간격으로 설치되고, 상기 돌기부(112b) 사이가 클리어런스부(112d)로 되어 있다. 가이드체(112)의 폭 방향에 있어서의 돌기부(112b)의 간격은, 도 11B에 도시하는 바와 같이, 돌기부(112b)의 기단부(112b1)의 간격, 즉, 클리어런스부(112d)의 기단부(112d1)의 폭 W1이 시트(102)의 홈(110)의 폭 W(도 12 참조)와 대략 동일하다. 이것으로부터, 가이드체(112)는, 돌기부(112b)의 선단부(112b2)의 간격, 즉, 클리어런스부(112d)의 선단부(112d2)의 폭 W2가 시트(102)의 홈(110)의 폭 W보다도 큰 구성이 된다.Further, as described above, the projections 112b are provided at predetermined intervals in the width direction (E direction) of the guide body 112, and the clearances 112d are formed between the projections 112b. The spacing of the projections 112b in the width direction of the guide body 112 is, as shown in FIG. 11B, the spacing of the proximal end portions 112b1 of the projections 112b, that is, the proximal end portions 112d1 of the clearance portions 112d. The width W1 of) is approximately the same as the width W of the groove 110 of the seat 102 (see FIG. 12). From this, in the guide body 112, the spacing W of the tip portion 112b2 of the protruding portion 112b, that is, the width W2 of the tip portion 112d2 of the clearance portion 112d is the width W of the groove 110 of the seat 102. It has a larger configuration.

가이드체(112)를 상술한 바와 같은 구성으로 함으로써, 가이드체(112)를 사용하여 시트(102)의 홈(110)에 도전성 입자(103)를 충전시킬 때, 돌기부(112b) 사이에 도입된 도전성 입자(103)가 가이드체(112)의 돌기부(112b)의 경사면부(112b3)에서 할당된다. 그리고, 할당된 도전성 입자(103)가 돌기부(112b) 사이에 갖는 클리어런스부(112d)에 유도되고 나서, 가이드체(112)의 접촉면(112a)의 길이 방향(F 방향)으로 흘러서, 시트(102)의 홈(110)에 유도되게 된다. 이로 인해, 시트(102)의 홈(110)에 도전성 입자(103)를 매립하여 배열할 때 시트(102)의 홈(110)에 도전성 입자(103)를 유도하기 쉬워지므로, 시트(102)의 홈(110)에의 충전 효율이 향상된다.When the guide body 112 is configured as described above, when the conductive particles 103 are filled in the groove 110 of the sheet 102 using the guide body 112, the guide body 112 is introduced between the protrusions 112b. The conductive particles 103 are assigned to the inclined surface portion 112b3 of the projection portion 112b of the guide body 112. Then, after the assigned conductive particles 103 are guided to the clearance portion 112d between the protrusions 112b, they flow in the longitudinal direction (F direction) of the contact surface 112a of the guide body 112, and the sheet 102 ) Is guided to the groove 110. Therefore, when the conductive particles 103 are buried and arranged in the grooves 110 of the sheet 102, it is easy to induce the conductive particles 103 in the grooves 110 of the sheet 102. The charging efficiency to the groove 110 is improved.

또한, 본 실시 형태에서는, 도 12에 도시하는 바와 같이, 홈(110)의 깊이 D가 도전성 입자(103)의 직경보다 작게 형성되어 있는 시트(102)를 사용한다. 구체적으로는, 시트(102)에는, 도전성 입자 직경(103)의 1/3 내지 1/2 정도의 깊이 D의 홈(110)이 형성되어 있다. 또한, 홈(110)의 폭 W는, 도전성 입자(103)의 직경과 대략 동일하거나 약간 큰 폭을 갖는다. 이와 같이, 홈(110)의 깊이 D가 도전성 입자(103)의 직경보다 작게 형성되고, 홈(110)의 폭 W가 도전성 입자(103)의 직경과 대략 동일하거나 약간 큰 폭 W를 갖는 시트(102)를 사용함으로써, 도전성 입자(103)를 제1 수지 필름(104)에 포함되는 수지층(105)(도 14 참조)에 전착시킬 때, 수지층(105)에의 접촉 면적이 증가하므로, 전착 효율이 향상된다. 또한, 시트(102)의 홈(110)을 얕은 구성으로 함으로써, 도전성 입자(103)를 수지층(105)에 전착시킬 때, 도전성 입자(103)에 여분의 응력이 가해지지 않으므로, 도전성 입자(103)를 손상시키기 어려워진다.In addition, in this embodiment, as shown in FIG. 12, the sheet 102 in which the depth D of the groove 110 is formed smaller than the diameter of the conductive particles 103 is used. Specifically, a groove 110 having a depth D of about 1/3 to 1/2 of the diameter of the conductive particles 103 is formed in the sheet 102. In addition, the width W of the groove 110 has a width approximately equal to or slightly larger than the diameter of the conductive particles 103. As such, the sheet D having a depth D of the groove 110 smaller than the diameter of the conductive particles 103 and a width W of the groove 110 having a width W approximately equal to or slightly larger than the diameter of the conductive particles 103 ( By using 102), the electrodeposition of the conductive particles 103 to the resin layer 105 (see FIG. 14) included in the first resin film 104 increases, so that the contact area to the resin layer 105 increases, thereby causing electrodeposition. Efficiency is improved. In addition, by making the groove 110 of the sheet 102 a shallow structure, when the conductive particles 103 are electrodeposited to the resin layer 105, no extra stress is applied to the conductive particles 103, so that the conductive particles ( 103) It becomes difficult to damage.

이와 같이, 본 실시 형태에서는, 시트(102)의 홈(110)에 도전성 입자(103)를 매립하여 배열할 때, 홈(110)의 깊이 D가 도전성 입자의 직경보다 작게 형성된 시트(102)와, 도전성 입자(103)와의 접촉면(112a)에 시트(102)의 홈(110)에 유도 가능한 복수의 돌기부(112b)가 소정 간격으로 설치되는 가이드체(112)를 사용한다. 구체적으로는, 시트(102)의 홈(110)에 도전성 입자(103)를 매립하여 배열할 때, 도 13에 도시하는 바와 같이, 가이드체(112)의 돌기부(112b)의 선단부(112b2)를 시트(102)의 홈(110) 사이에 갖는 간극부(102a)에 접촉시킨다. 그리고, 가이드체(112)를 시트(102)의 길이 방향(도 2에 도시하는 A 방향)으로 이동시키면서, 홈(110)에 도전성 입자(103)를 충전시킨다.As described above, in the present embodiment, when the conductive particles 103 are buried and arranged in the grooves 110 of the sheet 102, the depth D of the grooves 110 is smaller than the diameter of the conductive particles and the sheet 102 formed. , A guide body 112 in which a plurality of protrusions 112b that can be guided to the grooves 110 of the sheet 102 are provided at predetermined intervals on the contact surface 112a with the conductive particles 103 is used. Specifically, when the conductive particles 103 are buried and arranged in the grooves 110 of the sheet 102, as shown in FIG. 13, the tip portion 112b2 of the projection 112b of the guide body 112 is disposed. The gap 102a between the grooves 110 of the sheet 102 is brought into contact. Then, the conductive particles 103 are filled in the groove 110 while moving the guide body 112 in the longitudinal direction of the sheet 102 (A direction shown in FIG. 2).

즉, 본 실시 형태에서는, 접촉면(112a)에 돌기부(112b)가 형성된 가이드체(112)를 사용하여, 홈(110)에 있어서의 도전성 입자(103)의 배열을 정돈하면서, 시트(102)의 홈(110)에 도전성 입자(103)를 충전시킨다. 그 때, 시트(102)의 홈(110)에 충전된 여분의 도전성 입자(103)는, 가이드체(112)의 돌기부(112b)에 의해 제거되므로, 홈(110)이 얕은 시트(102)를 사용해도, 필요한 분만큼의 도전성 입자(103)를 홈(110)에 배열할 수 있다.That is, in the present embodiment, the arrangement of the conductive particles 103 in the grooves 110 is adjusted while using the guide body 112 in which the protrusions 112b are formed on the contact surfaces 112a, while the sheet 102 is The conductive particles 103 are filled in the grooves 110. At that time, the extra conductive particles 103 filled in the grooves 110 of the sheet 102 are removed by the projections 112b of the guide body 112, so that the grooves 110 have a shallow sheet 102. Even if used, as many conductive particles 103 as necessary can be arranged in the groove 110.

또한, 본 실시 형태에서는, 도전성 입자(103)의 직경보다 깊이 D가 작은 홈(110)의 시트(102)와, 접촉면(112a)에 돌기부(112b)를 갖는 가이드체(112)를 사용함으로써, 도전성 입자(103)를 손상시키지 않고, 수지층(105)에의 도전성 입자(103)의 전착 효율을 높일 수 있다. 이로 인해, 이방성 도전 필름(101)의 생산 효율을 향상시키면서, 이방성 도전 필름(101)의 고품질화가 도모되게 된다.Further, in the present embodiment, by using the sheet 102 of the groove 110 having a depth D smaller than the diameter of the conductive particles 103 and the guide body 112 having a projection 112b on the contact surface 112a, The electrodeposition efficiency of the conductive particles 103 to the resin layer 105 can be increased without damaging the conductive particles 103. For this reason, while improving the production efficiency of the anisotropic conductive film 101, high quality of the anisotropic conductive film 101 is attained.

또한, 본 실시 형태에서는, 도전성 입자(103)를 제1 수지 필름(104)의 수지층(105)에 전착시킬 때, 얕은 홈(110)의 시트(102)를 사용하므로, 도전성 입자(103)가 홈(110) 내에서 확실히 고정되지 않는 상태에서 수지층(105)에 전착된다. 이로 인해, 도 14에 도시하는 바와 같이, 입자열(103a)은, 수지층(105)에 있어서, 이방성 도전 필름(101)의 길이 방향이 되는 제1 방향(도 14에 도시하는 A 방향)으로 연장되도록 도전성 입자(103)가 서로 수지층(105)에 형성된 오목부(115)의 폭 방향(B 방향)으로 어긋나서 배치된다. 구체적으로는, 도 14에 도시하는 바와 같이, 각 도전성 입자(103)의 배열의 어긋남이 입자 직경의 1.5배의 범위 내에 수용되도록, 상기 폭 방향에서 랜덤하게 배열되어 있다.In addition, in the present embodiment, when the conductive particles 103 are electrodeposited to the resin layer 105 of the first resin film 104, the sheet 102 of the shallow groove 110 is used, so that the conductive particles 103 Is electrodeposited on the resin layer 105 in a state that is not securely fixed in the groove 110. For this reason, as shown in FIG. 14, the particle train 103a is in the first direction (A direction shown in FIG. 14) which becomes the longitudinal direction of the anisotropic conductive film 101 in the resin layer 105. The conductive particles 103 are arranged to be shifted in the width direction (B direction) of the recesses 115 formed in the resin layer 105 so as to extend. Specifically, as shown in FIG. 14, the arrangement of each conductive particle 103 is randomly arranged in the width direction so as to be accommodated within a range of 1.5 times the particle diameter.

(제3 실시 형태)(Third embodiment)

본 발명의 제3 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름의 제조 방법에서는, 시트의 홈에 도전성 입자를 매립하여 배열할 때, 시트의 홈에의 충전 효율을 높이기 위해서, 홈을 전극간의 간극으로 하는 시트와, 도전성을 갖는 스퀴지를 사용한다.In the manufacturing method of the anisotropic conductive film according to the third embodiment of the present invention, when the conductive particles are buried and arranged in the grooves of the sheet, in order to improve the filling efficiency of the grooves in the sheet, the grooves are used as gaps between electrodes. , Use a conductive squeegee.

본 발명의 제3 실시 형태의 이방성 도전 필름의 제조 방법에 대해서, 도면을 사용하면서 설명한다. 도 15A 내지 C는, 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름의 제조 방법에서 적용되는 도전성 입자의 충전 공정을 도시하는 단면도이며, 도 16은, 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름의 제조 방법에 있어서의 충전 공정의 종료 후의 시트에의 도전성 입자의 배열 상태를 도시하는 평면도이다.The manufacturing method of the anisotropic conductive film of 3rd embodiment of this invention is demonstrated, using drawings. 15A to C are cross-sectional views showing a step of filling the conductive particles applied in the method for manufacturing an anisotropic conductive film according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 16 is an anisotropic conductive according to the third embodiment of the present invention. It is a top view which shows the arrangement state of the electroconductive particle in the sheet | seat after completion | finish of the filling process in a film manufacturing method.

본 실시 형태에서는, 시트(202)의 홈(210)에의 충전 효율을 높이기 위해서, 시트(202)의 길이 방향(도 16에 나타내는 A 방향)으로 연장되도록 소정 간격으로 시트(202) 상에 설치한 전극(220)의 간극을 도전성 입자(203)의 충전처의 홈(210)으로 하고, 또한, 각 전극(220)에 자력을 발생시키는 것을 특징으로 한다. 기판을 포함하는 시트(202)에는, 도 15에 도시하는 바와 같이, 시트(202)의 길이 방향(A 방향)으로 연장되는 전극(220)이 시트(202)의 폭 방향(도 16에 나타내는 B 방향)으로 소정의 간격으로 복수 설치되어 있다.In this embodiment, in order to increase the filling efficiency of the sheet 202 into the groove 210, the sheet 202 is provided on the sheet 202 at predetermined intervals so as to extend in the longitudinal direction (A direction shown in FIG. 16). It is characterized in that the gap of the electrode 220 is used as the groove 210 of the filling destination of the conductive particles 203, and a magnetic force is generated in each electrode 220. In the sheet 202 including the substrate, as shown in FIG. 15, the electrode 220 extending in the longitudinal direction (A direction) of the sheet 202 is the width direction (B shown in FIG. 16) of the sheet 202. Direction) at a predetermined interval.

그리고, 각 전극(220)에 통전 등에 의해 자력을 발생시킨다. 이에 의해, 도전성 입자(203)가 전극(220)에 가까이 끌어당겨져, 전극간에 갖는 홈(210)에 도전성 입자(203)를 대략 직선 형상으로 구비할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 전극(220)에 발생시키는 자력의 강도를 조정함으로써, 도전성 입자(203)의 전사를 적절히 제어할 수 있다. 또한, 전극(220)에 의해 자력을 적절히 조정하는 것 이외에, 예를 들어, 일정한 자력으로 전극(220)의 배열간에 도전성 입자(203)를 구비시키고 나서, 전사시에 전사체의 반대의 면에 보다 강한 자력을 부여함으로써, 도전성 입자(203)에 작용하는 자력을 적절히 조정하는 방책이어도 된다.Then, a magnetic force is generated in each electrode 220 by energization or the like. Thereby, the electroconductive particle 203 is pulled close to the electrode 220, and the electroconductive particle 203 can be provided in a substantially linear shape in the groove 210 between electrodes. In addition, in this embodiment, the transfer of the conductive particles 203 can be appropriately controlled by adjusting the intensity of the magnetic force generated in the electrode 220. In addition, in addition to appropriately adjusting the magnetic force by the electrode 220, for example, after providing the conductive particles 203 between the arrays of the electrodes 220 with a constant magnetic force, and then transferring to the opposite side of the transfer body By providing a stronger magnetic force, a method of appropriately adjusting the magnetic force acting on the conductive particles 203 may be used.

또한, 본 실시 형태에서는, 도전성 입자(203)의 홈(210)에 충전하기 위한 스퀴지(212)가 설치되어 있다. 스퀴지(212)는, 각 전극(220)에 접촉하면서, 전극(220)의 길이 방향(도 16에 나타내는 A 방향)으로 이동함으로써, 전극(220) 상에 부착된 여분의 도전성 입자(203)를 제거하면서, 각 홈(210) 내에 도전성 입자(203)를 충전한다. 또한, 본 실시 형태에서는, 각 전극(220)에 발생시킨 자력을 유지하기 위해서, 도전성을 갖는 금속 등의 재질로 형성되어 있는 스퀴지(212)를 사용하는 것을 특징으로 한다. 또한, 스퀴지(212)는, 대전성이 부여되는 금속 등의 재질이면, 그 재질은 특별히 한정되지 않는다.Moreover, in this embodiment, the squeegee 212 for filling the groove 210 of the electroconductive particle 203 is provided. The squeegee 212 moves the longitudinal direction of the electrode 220 (A direction shown in FIG. 16) while contacting each electrode 220, thereby removing the extra conductive particles 203 attached to the electrode 220. While removing, the conductive particles 203 are filled in each groove 210. In addition, in this embodiment, in order to maintain the magnetic force generated in each electrode 220, it is characterized by using a squeegee 212 formed of a material such as a metal having conductivity. In addition, the squeegee 212 is not particularly limited as long as it is a material such as a metal to which chargeability is imparted.

이와 같이, 본 실시 형태에서는, 시트(202) 상에 전극(220)을 설치함으로써, 도전성 입자(203)를 시트(202)의 홈(210)에 충전시킬 때, 먼저, 전극(220) 사이에 상기 전극(220)의 길이 방향(도 16에 나타내는 A 방향) 및 폭 방향(B 방향)에 대하여 연직 방향이 되는 C 방향(도 15A 참조)으로 자력을 발생시킨다.As described above, in the present embodiment, when the conductive particles 203 are filled in the grooves 210 of the sheet 202 by providing the electrode 220 on the sheet 202, first, between the electrodes 220 The magnetic force is generated in the C direction (refer to Fig. 15A) which becomes the vertical direction with respect to the longitudinal direction (A direction shown in Fig. 16) and the width direction (B direction) of the electrode 220.

본 실시 형태에서는, 각 전극(220)에 자력을 발생시키고 있으므로, 도전성 입자(203)에 여분의 응력을 가하지 않고, 확실하게 도전성 입자(203)를 전극(220)에 부착시킬 수 있다. 그리고, 이들 전극(220)에 부착된 도전성 입자(203)는, 도 15A에 도시하는 바와 같이, 전극(220) 사이에 갖는 홈(210)에 충전되게 된다. 또한, 본 실시 형태에서는, 전극(220)에 자력을 발생시킴으로써, 도전성 입자(203)를 전극(220)에 부착시키므로, 홈(210)에 충전된 도전성 입자(203)는, 도 15A에 도시하는 바와 같이, 홈(210)의 측벽을 구성하는 전극(220)의 측벽(220a, 220b) 중 어느 하나에 부착되게 된다. 이로 인해, 제1 수지 필름(204)을 연신한 후에 있어서도, 그 폭을 형성하는 어느 한쪽으로 치우치게 된다.In this embodiment, since a magnetic force is generated in each electrode 220, the conductive particles 203 can be reliably attached to the electrode 220 without applying extra stress to the conductive particles 203. Then, the conductive particles 203 attached to these electrodes 220 are filled in the grooves 210 between the electrodes 220, as shown in Fig. 15A. In addition, in the present embodiment, by generating a magnetic force on the electrode 220, the conductive particles 203 are attached to the electrode 220, so that the conductive particles 203 filled in the grooves 210 are shown in FIG. 15A. As described, it is attached to any one of the side walls 220a and 220b of the electrode 220 constituting the side wall of the groove 210. For this reason, even after extending | stretching the 1st resin film 204, it biases to either side which forms the width.

각 전극(220)에 도전성 입자(203)를 부착시키고 나서, 이어서, 도 15B에 도시하는 바와 같이, 전극(220) 상에 있는 여분의 도전성 입자(203)를 스퀴지(212)로 제거하게 된다. 본 실시 형태에서는, 스퀴지(212)로 여분의 도전성 입자(203)를 제거할 때, 도전성 입자(203)의 표면의 도금 등에 다소의 손상을 주는 경우가 있지만, 완성 후의 이방성 도전 필름(201)의 도통 신뢰성 등의 성능에 지장을 초래할 정도의 손상은 아니다. 스퀴지(212)로 여분의 도전성 입자(203)를 제거하여, 필요한 도전성 입자(203)의 배열을 정돈하면, 도 15C에 도시하는 바와 같이, 시트(202)의 홈(210)에의 도전성 입자(203)의 충전이 완료된다.After the conductive particles 203 are attached to each electrode 220, the excess conductive particles 203 on the electrode 220 are then removed with a squeegee 212, as shown in FIG. 15B. In this embodiment, when removing the extra conductive particles 203 with the squeegee 212, some damage may be caused to plating of the surface of the conductive particles 203, etc., but the anisotropic conductive film 201 after completion It is not a degree of damage that may impair performance such as conduction reliability. When the extra conductive particles 203 are removed with the squeegee 212 to arrange the required conductive particles 203, as shown in Fig. 15C, the conductive particles 203 of the sheet 202 to the groove 210 are formed. ) Is completed.

이와 같이, 본 실시 형태에서는, 전극(220) 사이의 간극을 홈(210)으로 하는 시트(202)를 사용함으로써, 전극(220)에 통전 등에 의해 자력을 발생시키고 나서, 여분의 응력을 가하지 않고 도전성 입자(203)가 발생한 자력에 의해 전극(220)에 끌어당겨진다. 그리고, 도전성을 갖는 스퀴지(212)로 여분의 도전성 입자(203)를 제거하면서, 도전성 입자(203)를 홈(210) 내에 충전한다. 그리고, 시트(202)의 홈(210)에 충전시킨 도전성 입자(203)를 제1 수지 필름(204)(도 17 참조)에 전착시킨다. 이로 인해, 도전성 입자(203)를 제1 수지 필름(204)에 전착하기 전에, 상기 도전성 입자(203)를 시트(202)의 홈(210)에 효율적으로 확실하게 충전할 수 있다. 즉, 원하는 시트(202)에 전극(220)을 설치하고 나서 자력을 발생시킴으로써, 도전성 입자(203)를 전착할 때 사용하는 시트(202)의 홈(210)에의 충전 효율을 높일 수 있다. 특히, 본 실시 형태에서는, 효율적으로 확실하게 시트(202)의 홈(210)에의 도전성 입자(203)의 충전이 행하여지므로, 제1 및 제2 실시 형태와 비교하여, 장척화한 이방성 도전 필름을 효율적으로 제조할 때에도 적용 가능하게 된다.As described above, in the present embodiment, by using the sheet 202 having the gap between the electrodes 220 as the grooves 210, after the magnetic force is generated by energization or the like to the electrode 220, no additional stress is applied. The conductive particles 203 are attracted to the electrode 220 by the generated magnetic force. Then, the conductive particles 203 are filled into the groove 210 while removing the excess conductive particles 203 with a squeegee 212 having conductivity. Then, the conductive particles 203 filled in the grooves 210 of the sheet 202 are electrodeposited to the first resin film 204 (see FIG. 17). For this reason, the electroconductive particle 203 can be efficiently and reliably filled into the groove 210 of the sheet 202 before the electroconductive particle 203 is electrodeposited to the first resin film 204. That is, by providing the magnetic force after the electrode 220 is installed on the desired sheet 202, the filling efficiency of the sheet 202 used for electrodeposition of the conductive particles 203 into the groove 210 can be increased. Particularly, in this embodiment, since the conductive particles 203 are filled into the groove 210 of the sheet 202 efficiently and reliably, the elongated anisotropic conductive film is compared with the first and second embodiments. It becomes applicable even when manufacturing efficiently.

또한, 본 실시 형태에서는, 시트(202)의 홈(210)에 충전된 도전성 입자(203)는, 도 16에 도시하는 바와 같이, 전극(220)의 측벽(220a, 220b) 중 어느 하나에 부착되고, 전극간에 보유 지지되게 된다. 이로 인해, 시트(202)의 홈(210)에 충전된 도전성 입자(203)를 제1 수지 필름(204)의 수지층(205)에 전착하고 나서, 길이 방향(A 방향)으로 1축 연신하면, 도 17에 도시하는 바와 같이, 도전성 입자(203)는, 각각이 수지층(205)에 형성된 오목부(215)의 측연부(215a, 215b) 중 어느 하나를 따라 배치되게 된다. 즉, 본 실시 형태에 있어서의 이방성 도전 필름(201)에서는, 각 입자열(203a)은, 도전성 입자(203) 각각이 수지층(205)에 형성된 오목부(215)의 측연부(215a, 215b) 중 어느 하나를 따라 배치되는 구성으로 된다. 또한, 각 입자열(203a)에 있어서의 이방성 도전 필름(201)의 폭 방향(B 방향)에 있어서의 도전성 입자(203)의 어긋남은, 홈(210)의 폭 W에 영향을 받으므로, 예를 들어, 도전성 입자(203)의 입자 직경을 3.0㎛, 홈 폭을 3.5 내지 4.0㎛ 정도로 한 경우에는, 그 어긋남이 입자 직경의 1/3 정도가 된다.In this embodiment, the conductive particles 203 filled in the grooves 210 of the sheet 202 are attached to any one of the side walls 220a and 220b of the electrode 220, as shown in FIG. 16. And is held between the electrodes. For this reason, if the electroconductive particle 203 filled in the groove 210 of the sheet 202 is electrodeposited to the resin layer 205 of the first resin film 204, uniaxially stretching in the longitudinal direction (A direction) , As shown in FIG. 17, the conductive particles 203 are disposed along any one of the side edges 215a and 215b of the concave portion 215 each formed in the resin layer 205. That is, in the anisotropic conductive film 201 in the present embodiment, each particle string 203a has side edges 215a and 215b of the concave portion 215 in which the conductive particles 203 are formed in the resin layer 205, respectively. ). In addition, since the displacement of the conductive particles 203 in the width direction (B direction) of the anisotropic conductive film 201 in each particle string 203a is affected by the width W of the groove 210, it is an example. For example, when the particle diameter of the conductive particles 203 is 3.0 µm and the groove width is about 3.5 to 4.0 µm, the deviation is about 1/3 of the particle diameter.

이상의 경우에 있어서, 도전성 입자(203)는, 전극(220) 및 스퀴지(212)와 강하게 마찰되어버리기 때문에, 미끄럼 접촉 자국이 발생하는 경우가 있다. 예를 들어, 도전성 입자(203)로서 도금 입자를 사용한 경우에는, 도전성 입자(203)의 표면의 일부가 박리되거나, 또는 벗겨진다. 또한, 도전성 입자(203)로서 금속 입자를 사용한 경우에는, 도전성 입자(203)의 일부에 변형이 발생하는 경우도 있다. 이러한 미끄럼 접촉 자국은, 도전성 입자(203)의 표면적의 5％ 이상에 발생함으로써, 바인더 수지의 전사시나 이방성 도전 필름(201)의 열 가압시 등에 있어서 도전성 입자(203)의 유동이 억제된다. 또한, 미끄럼 접촉 자국이 발생한 도전성 입자(203)가 전체의 50％ 이내이면, 이방성 도전 필름(201)의 도통 성능에 영향은 없지만, 상기 미끄럼 접촉 자국의 발생률은, 전체 도전성 입자수의 25％ 이내, 보다 바람직하게는 15％ 미만으로 하는 것이 바람직하다.In the above case, since the conductive particles 203 strongly rub against the electrode 220 and the squeegee 212, sliding contact marks may occur. For example, when plated particles are used as the conductive particles 203, a part of the surface of the conductive particles 203 is peeled off or peeled off. In addition, when metal particles are used as the conductive particles 203, deformation may occur in a part of the conductive particles 203. Such sliding contact marks are generated at 5% or more of the surface area of the conductive particles 203, so that the flow of the conductive particles 203 is suppressed at the time of transferring the binder resin, heat-pressing the anisotropic conductive film 201, or the like. In addition, if the conductive particles 203 with sliding contact marks are within 50% of the total, the conduction performance of the anisotropic conductive film 201 is not affected, but the incidence of the sliding contact marks is within 25% of the total number of conductive particles. , More preferably, it is preferably less than 15%.

<실시예><Example>

<본 발명의 제1 내지 제3 실시 형태에 공통인 실시예><Examples common to the first to third embodiments of the present invention>

계속해서, 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다. 본 실시예에서는, 홈(10)의 형상, 치수가 상이한 복수의 시트(2)를 준비하고, 각 샘플에 도전성 입자(3)를 충전, 배열시킨 후, 제1 수지 필름(4)에 도전성 입자(3)를 전사하고, 1축 연신 후에 제2 수지 필름(7)을 라미네이트하여 이방성 도전 필름(1)의 샘플을 제조하였다.Next, examples of the present invention will be described. In this embodiment, a plurality of sheets 2 having different shapes and dimensions of grooves 10 are prepared, and after filling and arranging the conductive particles 3 in each sample, the first resin film 4 is conductive particles. (3) was transferred, and after uniaxial stretching, the second resin film 7 was laminated to prepare a sample of the anisotropic conductive film 1.

각 실시예에 따른 시트(2)에는, 두께 50㎛의 폴리프로필렌 필름(도레이 가부시끼가이샤 제조: 도레이 팬 2500H)을 사용하였다. 이 시트(2)에, 소정의 홈 패턴이 형성된 금형에 180℃, 30분의 열 프레스를 행하여 홈(10)을 형성하였다. 시트(2)의 홈(10)에 충전, 배열되는 도전성 입자(3)는, 수지 코어 입자에 Au 도금을 실시한 것이다(세끼스이 가가꾸 가부시끼가이샤 제조: AUL703). 이 도전성 입자(3)를 시트(2)의 홈(10)의 형성면에 뿌리고, 테플론(등록 상표)제의 스퀴지로 홈(10)에 균일하게 충전, 배열시켰다.For the sheet 2 according to each example, a polypropylene film having a thickness of 50 µm (manufactured by Toray Corporation: Toray Pan 2500H) was used. In this sheet 2, a groove 10 was formed by performing a heat press at 180 ° C for 30 minutes on a mold having a predetermined groove pattern. The conductive particles 3 filled and arranged in the grooves 10 of the sheet 2 are obtained by subjecting the resin core particles to Au plating (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd .: AUL703). The conductive particles 3 were sprinkled on the formation surface of the groove 10 of the sheet 2, and uniformly filled and arranged in the groove 10 with a squeegee made of Teflon (registered trademark).

또한, 도전성 입자(3)가 배열된 시트(2)에 라미네이트되는 제1 수지 필름(4), 및 제1 수지 필름(4)에 라미네이트되는 제2 수지 필름(7)으로서, 마이크로 캡슐형 아민계 경화제(아사히 가세이 e 머티리얼즈 가부시끼가이샤 제조: 노바큐어 HX3941HP)를 50부, 액상 에폭시 수지(미쯔비시 가가꾸 가부시끼가이샤 제조: EP828)를 14부, 페녹시 수지(신닛데츠 가가꾸 가부시끼가이샤 제조: YP50)를 35부, 실란 커플링제(신에츠 가가꾸 가부시끼가이샤 제조: KBE403)를 1부를 혼합 분산시킨 바인더 수지 조성물을 형성하였다. 그리고, 제1 수지 필름(4)에서는, 상기 바인더 수지 조성물을 비연신 폴리프로필렌 필름(도레이 가부시끼가이샤 제조: 도레이 팬 NO3701J)에 두께 5㎛가 되도록 도포하고, 제2 수지 필름(7)에서는, 상기 바인더 수지 조성물을 비연신 폴리프로필렌 필름(도레이 가부시끼가이샤 제조: 도레이 팬 NO3701J)에 두께 15㎛가 되도록 도포하고, 이에 의해 한 면에 수지층(5 또는 8)이 형성된 시트 형상의 열경화성 수지 필름을 제작하였다. 또한, 연신 전의 전사까지의 제1 수지 필름(4)의 사이즈는, 20×30㎝와 A4사이즈 정도의 것을 사용하여, 이방성 도전 필름(1)의 샘플을 작성하였다.Moreover, as the 1st resin film 4 laminated to the sheet 2 in which the electroconductive particle 3 was arrange | positioned, and the 2nd resin film 7 laminated to the 1st resin film 4, it is a microcapsule type amine system. 50 parts of curing agent (manufactured by Asahi Kasei e Materials Co., Ltd .: Novacure HX3941HP), 14 parts of liquid epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd .: EP828), 14 parts of phenoxy resin (manufactured by Shinnydetsu Chemical Co., Ltd.) : YP50) and 35 parts of a silane coupling agent (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd .: KBE403) were mixed and dispersed to form a binder resin composition. Then, in the first resin film 4, the binder resin composition was applied to a non-stretched polypropylene film (manufactured by Toray Corporation: Toray Pan NO3701J) to have a thickness of 5 μm, and in the second resin film 7, The binder resin composition was applied to a non-stretched polypropylene film (manufactured by Toray Industries, Inc .: Toray Pan NO3701J) to have a thickness of 15 µm, whereby a sheet-like thermosetting resin film was formed with a resin layer (5 or 8) on one side. Was produced. In addition, samples of the anisotropic conductive film 1 were prepared by using the size of the first resin film 4 up to the transfer before stretching until about 20 x 30 cm and A4 size.

그리고, 홈(10)에 도전성 입자(3)가 충전, 배열된 시트(2)에, 제1 수지 필름(4)을 접합함으로써, 도전성 입자(3)를 제1 수지 필름(4)의 수지층(5)에 전착시켰다. 계속해서, 제1 수지 필름(4)을 팬타그래프 방식의 연신기를 사용해서 130℃의 오븐 내에서 1축 방향으로 200％ 잡아늘리는 것에 의해 연신시켰다. 연신 후, 제2 수지 필름(7)을 제1 수지 필름(4)의 도전성 입자(3)가 전착된 수지층(5) 측에 접합하여 이방성 도전 필름(1)의 샘플을 제작하였다. 또한, 각 실시예에서는, 입자 밀도는, 20000개/㎟를 하나의 목표로서 제작하고 있지만, 상기 입자 밀도는, 전사형이 되는 시트(2)의 형상이나 연신의 방향성 등의 영향을 비교하여, 본 발명의 효과 및 특징을 명확히 하기 위하여 설정된 것이다. 따라서, 이방성 도전 필름(1)을 사용하는 대상에 따라, 연신율의 최적값은 상이한 것이며, 마찬가지로 입자 밀도의 최적값도 상이하다.Then, by bonding the first resin film 4 to the sheet 2 in which the conductive particles 3 are filled and arranged in the grooves 10, the conductive particles 3 are bonded to the resin layer of the first resin film 4 (5) electrodeposition. Subsequently, the first resin film 4 was stretched by stretching 200% in a uniaxial direction in an oven at 130 ° C. using a pantograph stretching machine. After stretching, the second resin film 7 was bonded to the resin layer 5 side on which the conductive particles 3 of the first resin film 4 were electrodeposited to prepare a sample of the anisotropic conductive film 1. In addition, in each Example, although the particle density is produced as a target of 20,000 pieces / mm 2, the particle density compares the effects of the shape of the sheet 2 to become a transfer type, the direction of stretching, and the like, and see It is set to clarify the effects and features of the invention. Therefore, depending on the object using the anisotropic conductive film 1, the optimum value of elongation is different, and the optimum value of particle density is similarly different.

그리고, 각 이방성 도전 필름(1)의 샘플에 대해서, 입자 밀도, 2개 연결 입자율, 및 입자 밀도의 편차σ을 측정하였다. 또한, 각 이방성 도전 필름(1)의 샘플을 사용하여, IC 칩의 범프와 배선판의 전극 단자를 접속한 접속 구조체 샘플을 제조하고, 인접하는 전극 단자간에 있어서의 쇼트 발생률을 측정하였다.Then, for each sample of the anisotropic conductive film 1, the particle density, two connected particle ratios, and the deviation σ of the particle density were measured. In addition, a sample of each anisotropic conductive film 1 was used to prepare a sample of a connection structure in which the bumps of the IC chip and the electrode terminals of the wiring board were connected, and the occurrence rate of shorts between adjacent electrode terminals was measured.

실시예 1에서는, 입자 직경이 3㎛인 도전성 입자(3)를 사용하였다. 또한, 시트(2)에 형성되는 홈(10)은, 시트(2)의 길이 방향으로 연속되는 패턴을 갖고(도 3A 참조), 단면이 직사각 형상이며(도 4A 참조), 폭 W가 3.0㎛, 깊이 D가 3.0㎛, 홈의 간격 S가 5.0㎛이다.In Example 1, conductive particles 3 having a particle diameter of 3 µm were used. In addition, the grooves 10 formed in the sheet 2 have a pattern continuous in the longitudinal direction of the sheet 2 (see Fig. 3A), a cross section having a rectangular shape (see Fig. 4A), and a width W of 3.0 µm. , Depth D is 3.0 µm, and groove S is 5.0 µm.

실시예 2에서는, 홈(10)의 폭 W를 5.9㎛로 한 것 이외는 실시예 1과 동일한 조건으로 하였다.In Example 2, the same conditions as in Example 1 were set except that the width W of the groove 10 was 5.9 µm.

실시예 3에서는, 홈(10)의 폭 W를 3.5㎛, 깊이 D를 1.5㎛로 한 것 이외는 실시예 1과 동일한 조건으로 하였다.In Example 3, the same conditions as in Example 1 were set except that the width W of the groove 10 was 3.5 μm and the depth D was 1.5 μm.

실시예 4에서는, 홈(10)의 깊이 D를 4.5㎛로 한 것 이외는 실시예 3과 동일한 조건으로 하였다.In Example 4, the same conditions as in Example 3 were set except that the depth D of the groove 10 was 4.5 μm.

실시예 5에서는, 홈(10)의 폭 W를 6.5㎛로 한 것 이외는 실시예 1과 동일한 조건으로 하였다.In Example 5, the same conditions as in Example 1 were set except that the width W of the groove 10 was 6.5 μm.

실시예 6에서는, 홈(10)의 깊이를 6.0㎛로 한 것 이외는 실시예 3과 동일한 조건으로 하였다.In Example 6, the same conditions as in Example 3 were set except that the depth of the groove 10 was 6.0 μm.

실시예 7에서는, 입자 직경이 4.0㎛인 도전성 입자(3)(세끼스이 가가꾸 가부시끼가이샤 제조: AUL704)를 사용하였다. 또한, 시트(2)에 형성되는 홈(10)은 폭 W를 4.0㎛, 깊이 D를 4.0㎛로 한 것 이외는 실시예 1과 동일한 조건으로 하였다.In Example 7, conductive particles 3 having a particle diameter of 4.0 µm (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd .: AUL704) were used. In addition, the groove 10 formed in the sheet 2 was subjected to the same conditions as in Example 1 except that the width W was 4.0 µm and the depth D was 4.0 µm.

실시예 8에서는, 시트(2)에 형성되는 홈(10)은 단면이 삼각 형상이며(도 4J 참조), 폭 W가 3.0㎛, 깊이 D가 3.0㎛, 홈의 간격 S가 5.0㎛이다. 그밖에, 도전성 입자(3)나 홈(10)의 패턴 조건은 실시예 1과 동일한 조건으로 하였다.In Example 8, the groove 10 formed in the sheet 2 has a triangular cross section (see FIG. 4J), a width W of 3.0 µm, a depth D of 3.0 µm, and a groove S of 5.0 µm. In addition, the pattern conditions of the electroconductive particle 3 and the groove | channel 10 were made into the same conditions as Example 1.

비교예 1에서는, 종래의 제법에 의해 이방성 도전 필름을 제작하였다. 즉, 상기 실시예에 따른 바인더 수지 조성물에, 수지 코어 입자에 Au 도금을 실시한 입자 직경이 3㎛인 도전성 입자(3)(세끼스이 가가꾸 가부시끼가이샤 제조: AUL703)를 5질량부 분산시키고, 이것을 비연신 폴리프로필렌 필름(도레이 가부시끼가이샤 제조: 도레이 팬 NO3701J)에 두께 20㎛가 되도록 도포하여, 한 면에 수지층이 형성된 시트 형상의 열경화성 수지 필름을 제작하였다.In Comparative Example 1, an anisotropic conductive film was produced by a conventional manufacturing method. That is, in the binder resin composition according to the above embodiment, 5 parts by mass of conductive particles 3 (Aki703 manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd .: AUL703) having a particle diameter of 3 μm with Au plating on the resin core particles are dispersed, This was applied to a non-stretched polypropylene film (manufactured by Toray Industries, Inc .: Toray Pan NO3701J) to have a thickness of 20 µm to produce a sheet-shaped thermosetting resin film having a resin layer on one side.

실시예 및 비교예에 따른 이방성 도전 필름을 개재하여 접속되는 IC 칩은, 치수가 1.4㎜×20.0㎜, 두께가 0.2㎜, 금 범프 사이즈가 17㎛×100㎛, 범프 높이가 12㎛, 범프 스페이스가 11㎛이다.IC chips connected via an anisotropic conductive film according to Examples and Comparative Examples have dimensions of 1.4 mm × 20.0 mm, thickness of 0.2 mm, gold bump size of 17 μm × 100 μm, bump height of 12 μm, bump space Is 11 μm.

이 IC 칩이 실장되는 배선판은, IC 칩의 패턴에 대응한 알루미늄 배선 패턴이 형성된 유리 기판(코닝사제: 1737F)이며, 치수가 50㎜×30㎜, 두께가 0.5㎜이다.The wiring board on which the IC chip is mounted is a glass substrate on which an aluminum wiring pattern corresponding to the pattern of the IC chip is formed (Corning: 1737F), having dimensions of 50 mm × 30 mm and a thickness of 0.5 mm.

실시예 및 비교예에 따른 이방성 도전 필름을 개재한 IC 칩과 유리 기판의 접속 조건은, 170℃, 80MPa, 10초이다.The connection conditions between the IC chip and the glass substrate via the anisotropic conductive film according to Examples and Comparative Examples are 170 ° C, 80 MPa, and 10 seconds.

실시예 및 비교예에 따른 이방성 도전 필름의 입자 밀도는, 현미경을 사용하여, 1㎟ 중에 있어서의 도전성 입자(3)의 수를 측정하였다. 2개 연결 입자율은, 현미경을 사용하여, 200㎛×200㎛=40000㎛2의 면적 중에 2개 이상 연결되어 있는 도전성 입자(3)의 수를 카운트하고, 평균의 연결수를 산출하였다. 또한 50㎛×50㎛=2500㎛2의 면적 중의 입자 밀도의 편차σ를 산출하였다.The particle density of the anisotropic conductive film according to Examples and Comparative Examples was measured by using a microscope to measure the number of conductive particles 3 in 1 Pa. For the two-linked particle ratio, the number of conductive particles 3 connected to two or more in an area of 200 μm × 200 μm = 40000 μm 2 was counted using a microscope, and the average number of connections was calculated. In addition, the variation σ of particle density in the area of 50 µm × 50 µm = 2500 µm 2 was calculated.

또한, 접속 구조체 샘플에 있어서의 인접하는 전극 단자간에 있어서의 쇼트 발생률을 측정하였다.In addition, a short-circuit incidence rate between adjacent electrode terminals in the connection structure sample was measured.

전술한 실시예 1 내지 8, 및 비교예에 있어서의 이방성 도전 필름의 각 측정 결과를 정리한 것을 표 1에 나타낸다.Table 1 shows a summary of the measurement results of the anisotropic conductive films in Examples 1 to 8 and Comparative Examples described above.

Figure pat00001
Figure pat00001

표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예 1 내지 8에 의하면, 미리 시트(2)에 도전성 입자(3)가 소정 패턴으로 배열되어 있기 때문에, 이것을 전착한 제1 수지 필름(4)을 1축 연신시킴으로써, 도전성 입자(3)를 확실하게 분산시킬 수 있다. 따라서, 실시예 1 내지 8에 따른 이방성 도전 필름에서는, 2개 연결 입자율이 9％ 이하로 되었다. 또한, 실시예 1 내지 8에 따른 이방성 도전 필름에서는, 도전성 입자(3)의 밀도가 20000개/㎟ 미만이고, 입자 밀도의 편차(σ)도 2 이하로 작고, 이들을 사용하여 제조된 접속 구조체 샘플의 인접하는 전극 단자간에 있어서의 쇼트 발생률은 0％이었다.As shown in Table 1, according to Examples 1 to 8, since the conductive particles 3 are arranged in a predetermined pattern on the sheet 2 in advance, by uniaxially stretching the electrodeposited first resin film 4 , The conductive particles 3 can be reliably dispersed. Therefore, in the anisotropic conductive films according to Examples 1 to 8, the ratio of two connected particles was 9% or less. In addition, in the anisotropic conductive films according to Examples 1 to 8, the density of the conductive particles 3 is less than 20000 pieces / mm 2, and the variation (σ) of the particle density is also small to 2 or less, and a connection structure sample produced using them The short-circuit incidence rate between the adjacent electrode terminals was 0%.

그 중에서도 실시예 1 내지 4에서는, 시트(2)의 홈(10)의 폭 W가 도전성 입자(3)의 입자 직경의 1배 내지 2배 미만이고, 또한 홈(10)의 깊이 D가 도전성 입자(3)의 입자 직경의 0.5 내지 1.5배로 되어 있기 때문에, 입자 밀도도 낮고, 2개 연결 입자율도 5％ 이하로 되었다.Among them, in Examples 1 to 4, the width W of the groove 10 of the sheet 2 is 1 to 2 times less than the particle diameter of the conductive particles 3, and the depth D of the groove 10 is conductive particles Since the particle diameter of (3) is 0.5 to 1.5 times, the particle density is also low, and the ratio of the two connected particles is 5% or less.

한편, 종래의 이방성 도전 필름을 사용한 비교예 1에서는, 입자 밀도가 20000개/㎟이며, 2개 연결 입자율도 12％로 증가하였다. 또한, 비교예 1에 따른 이방성 도전 필름의 입자 밀도 편차(σ)는 10.2로 높고, 인접하는 전극 단자간에 있어서의 쇼트 발생률은 2％로 되었다.On the other hand, in Comparative Example 1 using a conventional anisotropic conductive film, the particle density was 20,000 particles / mm 2, and the two-linked particle ratio also increased to 12%. In addition, the particle density deviation (σ) of the anisotropic conductive film according to Comparative Example 1 was as high as 10.2, and the short-circuit incidence between adjacent electrode terminals was 2%.

또한, 시트(2)의 홈(10)의 폭 W의 영향을 보면, 실시예 1과 같이, 도전성 입자(3)의 입자 직경에 대한 시트(2)의 홈(10)의 폭 W가 등배이면, 2개 연결 입자가 보이지 않았지만, 실시예 2 및 실시예 5와 같이, 도전성 입자(3)의 입자 직경에 대한 시트(2)의 홈(10)의 폭 W가 2배약 내지 2배강이 됨에 따라, 2개 연결 입자율이 증가하였다. 상기 2개 연결 입자율의 증가는, 시트(2)의 홈(10)의 폭 W가 넓어지면, 도전성 입자(3)의 충전에 걸리는 응력이 분산되는 것에 기인한다고 생각된다. 이것으로부터, 도전성 입자(3)의 입자 직경에 대한 시트(2)의 홈(10)의 폭 W가 2배 미만인 것이 바람직하다는 것을 알 수 있다.In addition, when the influence of the width W of the groove 10 of the sheet 2 is observed, as in Example 1, if the width W of the groove 10 of the sheet 2 is equal to the particle diameter of the conductive particles 3 , Although the two connecting particles were not visible, as in Examples 2 and 5, as the width W of the groove 10 of the sheet 2 relative to the particle diameter of the conductive particles 3 becomes about 2 to 2 times stronger , The rate of two connected particles increased. It is considered that the increase in the rate of the two connected particles is due to the dispersion of the stress applied to the filling of the conductive particles 3 when the width W of the groove 10 of the sheet 2 is widened. From this, it can be seen that the width W of the groove 10 of the sheet 2 with respect to the particle diameter of the conductive particles 3 is preferably less than twice.

또한, 시트(2)의 홈(10)의 깊이 D의 영향을 보면, 실시예 3, 실시예 4, 및 실시예 6으로부터, 도전성 입자(3)의 입자 직경에 대한 시트(2)의 홈(10)의 깊이 D가 0.5배, 1.5배, 2배로 커짐에 따라, 입자 밀도 및 2개 연결 입자율도 증가하는 경향을 나타내는 것을 알 수 있다. 특히, 실시예 3, 실시예 4로부터, 도전성 입자(3)의 입자 직경에 대한 시트(2)의 홈(10)의 깊이 D가 0.5 내지 1.5배인 경우에 2개 연결 입자율이 5％ 이하로 된다는 점에서, 이방성 도전 필름의 도통 신뢰성을 유지하기 위하여 바람직하다는 것을 알 수 있다.In addition, looking at the influence of the depth D of the groove 10 of the sheet 2, from Examples 3, 4, and 6, the groove of the sheet 2 with respect to the particle diameter of the conductive particles 3 ( It can be seen that as the depth D of 10) increases to 0.5 times, 1.5 times, and 2 times, the particle density and the two-linked particle ratio also tend to increase. Particularly, from Example 3 and Example 4, when the depth D of the groove 10 of the sheet 2 relative to the particle diameter of the conductive particles 3 is 0.5 to 1.5 times, the ratio of the two connected particles is 5% or less. In view of this, it can be seen that it is preferable to maintain the conduction reliability of the anisotropic conductive film.

<본 발명의 제1 실시 형태에 따른 실시예><Example according to the first embodiment of the present invention>

이어서, 다음의 실시예 11 내지 19에 있어서의 제1 수지 필름(4)을 1축 연신할 때의 연신율을 150％, 200％, 300％, 450％, 700％로 변화시킨 경우의 입자 밀도, 2개 연결 입자율, 입자 밀도의 편차, 및 쇼트 발생률에 대해서, 전술한 실시예 1 내지 8과 마찬가지의 조건에서 측정하였다. 또한, 실시예 11 내지 13에서는, 시트(2)의 홈(10)의 폭 W의 영향에 대하여 검토하고, 실시예 14 내지 16에서는, 시트(2)의 홈(10)의 깊이 D의 영향에 대하여 검토하고, 실시예 17 내지 19에서는, 시트(2)의 홈(10)의 간격, 즉 입자열간 거리 S의 영향에 대하여 검토하였다.Subsequently, the particle density when the elongation at the time of uniaxial stretching of the first resin films 4 in Examples 11 to 19 below was changed to 150%, 200%, 300%, 450%, 700%, The two connected particle ratios, variation in particle density, and short incidence were measured under the same conditions as in Examples 1 to 8 described above. In addition, in Examples 11 to 13, the influence of the width W of the grooves 10 of the seat 2 was examined, and in Examples 14 to 16, the influence of the depth D of the grooves 10 of the seat 2 was influenced. In regard to Examples 17 to 19, the effect of the distance between the grooves 10 of the sheet 2, that is, the distance S between the rows of particles was examined.

실시예 11에서는, 전술한 실시예 1과 마찬가지로, 입자 직경이 3㎛인 도전성 입자(3)를 사용하였다. 또한, 시트(2)에 형성되는 홈(10)은, 시트(2)의 길이 방향으로 연속되는 패턴을 갖고(도 3A 참조), 단면이 직사각 형상이며(도 4A 참조), 폭 W가 3.0㎛, 깊이 D가 3.0㎛, 홈의 간격 S가 5.0㎛이다.In Example 11, as in Example 1 described above, conductive particles 3 having a particle diameter of 3 µm were used. In addition, the grooves 10 formed in the sheet 2 have a pattern continuous in the longitudinal direction of the sheet 2 (see Fig. 3A), a cross section having a rectangular shape (see Fig. 4A), and a width W of 3.0 µm. , Depth D is 3.0 µm, and groove S is 5.0 µm.

실시예 12에서는, 전술한 실시예 2와 마찬가지로, 홈(10)의 폭 W를5.9㎛로 한 것 이외는 실시예 1과 동일한 조건으로 하였다.In Example 12, as in Example 2 described above, the same conditions as in Example 1 were set except that the width W of the groove 10 was set to 5.9 µm.

실시예 13에서는, 전술한 실시예 5와 마찬가지로, 홈(10)의 폭 W를 6.5㎛로 한 것 이외는 실시예 1과 동일한 조건으로 하였다.In Example 13, as in Example 5 described above, the same conditions as in Example 1 were set except that the width W of the groove 10 was 6.5 μm.

실시예 14에서는, 전술한 실시예 3과 마찬가지로, 홈(10)의 폭 W를 3.5㎛, 깊이 D를 1.5㎛로 한 것 이외는 실시예 1과 동일한 조건으로 하였다.In Example 14, as in Example 3 described above, the same conditions as in Example 1 were set except that the width W of the groove 10 was 3.5 μm and the depth D was 1.5 μm.

실시예 15에서는, 전술한 실시예 4와 마찬가지로, 홈(10)의 깊이 D를 4.5㎛로 한 것 이외는 실시예 3과 동일한 조건으로 하였다.In Example 15, as in Example 4 described above, the conditions were the same as in Example 3 except that the depth D of the groove 10 was 4.5 μm.

실시예 16에서는, 전술한 실시예 6과 마찬가지로, 홈(10)의 깊이 D를 6.0㎛로 한 것 이외는 실시예 3과 동일한 조건으로 하였다.In Example 16, as in Example 6 described above, the conditions were the same as in Example 3 except that the depth D of the groove 10 was 6.0 μm.

실시예 17에서는, 입자열간 거리 S를 3.0㎛로 한 것 이외는 실시예 1과 동일한 조건으로 하였다.In Example 17, conditions were the same as in Example 1 except that the distance S between particles was set to 3.0 µm.

실시예 18에서는, 입자열간 거리 S를 6.0㎛로 한 것 이외는 실시예 1과 동일한 조건으로 하였다.In Example 18, the conditions were the same as in Example 1 except that the distance S between particles was set to 6.0 µm.

실시예 19에서는, 입자열간 거리 S를 10.5㎛로 한 것 이외는 실시예 1과 동일한 조건으로 하였다.In Example 19, the conditions were the same as in Example 1 except that the distance S between particles was set to 10.5 µm.

전술한 실시예 11 내지 19에 있어서의 제1 수지 필름(4)을 1축 연신할 때의 연신율을 150％, 200％, 300％, 450％, 700%로 변화시킨 경우의 입자 밀도, 2개 연결 입자율, 입자 밀도의 편차, 및 쇼트 발생률의 측정 결과에 대하여 정리한 것을 표 2에 나타낸다.The particle density when the elongation at the time of uniaxial stretching of the first resin film 4 in Examples 11 to 19 described above was changed to 150%, 200%, 300%, 450%, 700%, two Table 2 shows a summary of the measurement results of the connected particle ratio, variation in particle density, and shot occurrence rate.

Figure pat00002
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표 2에 나타내는 바와 같이, 실시예 11 내지 19에 의하면, 입자 밀도 및 2개 연결 입자율은, 연신의 정도(연신율)에 비례하여 낮아지는 것을 확인할 수 있었다. 이것은, 미리 시트(2)에 도전성 입자(3)가 소정 패턴으로 배열되어 있기 때문에, 상기 도전성 입자(3)를 전착한 제1 수지 필름(4)을 1축 연신시킴으로써, 도전성 입자(3)가 확실하게 분산되는 것에 기인하는 것이라고 생각된다. 한편, 실시예 11 내지 19에 의하면, 입자 밀도의 편차(σ)는 연신율에 의하지 않고 2 이하로 작은 값이 얻어지는 것을 확인할 수 있었다.As shown in Table 2, according to Examples 11 to 19, it was confirmed that the particle density and the two connected particle ratios decreased in proportion to the degree of elongation (elongation). Since the conductive particles 3 are arranged in a predetermined pattern on the sheet 2 in advance, the conductive particles 3 are formed by uniaxially stretching the first resin film 4 to which the conductive particles 3 are electrodeposited. It is thought that it is caused by being surely dispersed. On the other hand, according to Examples 11 to 19, it was confirmed that a variation (σ) of particle density was obtained regardless of the elongation and a value as small as 2 or less was obtained.

또한, 실시예 11 내지 19에 의하면, 쇼트 발생률은, 연신율이 150％에서는, 어떠한 실시예 모두 약간 발생하지만, 연신율이 200％ 이상인 경우에서는, 어떠한 실시예 모두 쇼트 발생률이 0％로 발생하지 않는 것을 확인할 수 있었다. 이것은, 150％ 연신에서는, 충분한 도전성 입자간의 거리를 확보할 수 없기 때문에, 도전성 입자(3)의 접촉 확률이 높아지는 것에 기인하는 것이라고 생각된다. 이것으로부터, 도전성 입자(3)를 전착한 제1 수지 필름(4)을 1축 연신시킬 때는, 적어도 150％보다 큰 연신율, 즉 원래의 길이의 150％보다 길게 연신하는 것이 바람직하다는 것을 알 수 있다.Further, according to Examples 11 to 19, in the case where the elongation rate is 150%, all the examples are slightly generated, but when the elongation rate is 200% or more, in any of the examples, the short generation rate does not occur at 0%. I could confirm. It is considered that this is attributable to an increase in the probability of contact between the conductive particles 3 because a sufficient distance between the conductive particles cannot be ensured at 150% stretching. From this, it can be seen that when the first resin film 4 in which the conductive particles 3 are electrodeposited is uniaxially stretched, it is preferable to extend at least an elongation greater than 150%, that is, longer than 150% of the original length. .

또한, 실시예 11 내지 19에 의하면, 입자 밀도는, 시트(2)의 홈(10)의 틀의 형상에 의하지 않고, 연신율에 비례하여 낮아지는 것을 알 수 있다. 이 결과로부터, 도전성 입자(3)의 입자간의 공극이 연신에 의해 발생하고, 일방향에 의존하고 있는 것도 알 수 있다.Further, according to Examples 11 to 19, it can be seen that the particle density decreases in proportion to the elongation, regardless of the shape of the frame of the groove 10 of the sheet 2. From this result, it can be also seen that voids between the particles of the conductive particles 3 are generated by stretching, and depend on one direction.

또한, 시트(2)의 홈(10)의 폭 W의 영향을 보면, 실시예 11과 같이, 도전성 입자(3)의 입자 직경에 대한 시트(2)의 홈(10)의 폭 W가 등배인 경우에 비하여, 실시예 12 및 실시예 13과 같이, 홈(10)의 폭 W가 넓어지면, 입자 밀도는 감소하고, 2개 연결 입자율은 증가한다. 또한, 홈(10)의 폭 W가 넓어지면, 도전성 입자(3)가 제1 수지층(5)에 전착하기 쉬워져, 도전성 입자(3)의 전사율 그 자체가 좋아지기 때문에, 입자 밀도에 대해서는, 실시예 12와 실시예 13의 상대적인 차는 줄어든다. 또한, 홈(10)의 폭 W가 넓어지면, 도전성 입자(3)의 배열의 흐트러짐이 커지기 때문에, 도전성 입자(3)의 연결 그 자체가 증가하므로, 2개 연결 입자율이 증가한다.In addition, when the influence of the width W of the groove 10 of the sheet 2 is observed, as in Example 11, the width W of the groove 10 of the sheet 2 is equal to the particle diameter of the conductive particles 3 Compared to the case, as in Examples 12 and 13, when the width W of the groove 10 is widened, the particle density decreases, and the rate of two connected particles increases. Further, when the width W of the groove 10 is widened, the conductive particles 3 are easily electrodeposited to the first resin layer 5, and the transfer rate of the conductive particles 3 itself is improved. Regarding, the relative difference between Example 12 and Example 13 is reduced. In addition, when the width W of the groove 10 is increased, since the disorder of the arrangement of the conductive particles 3 is increased, the connection of the conductive particles 3 itself increases, so that the rate of two connected particles increases.

또한, 시트(2)의 홈(10)의 깊이 D의 영향을 보면, 실시예 11과 같이, 도전성 입자(3)의 입자 직경에 대한 시트(2)의 홈(10)의 깊이 D가 등배인 경우에 비하여, 실시예 12 및 실시예 13과 같이, 홈(10)의 깊이 D가 커지면, 홈(10)의 안쪽까지 제1 수지층(5)의 수지가 인입됨으로써, 전사율이 좋아지기 때문에, 입자 밀도가 높아지는 것을 알 수 있다. 또한, 홈(10)의 깊이 D가 커지면, 입자 밀도에 비례하여 2개 연결 입자율이 증가하는 것을 알 수 있다. 또한, 연신율이 150％에 있어서의 쇼트 발생률을 보면, 실시예 14로부터 시트(2)의 홈(10)이 얕으면 입자의 연결이 강해지기 때문에, 쇼트 발생률이 커지는 것을 알 수 있다.In addition, when the influence of the depth D of the groove 10 of the sheet 2 is observed, as in Example 11, the depth D of the groove 10 of the sheet 2 is equal to the particle diameter of the conductive particles 3 Compared to the case, as in Example 12 and Example 13, when the depth D of the groove 10 is increased, the resin of the first resin layer 5 is drawn into the groove 10, so that the transfer rate is improved. , It can be seen that the particle density increases. In addition, it can be seen that as the depth D of the groove 10 increases, the proportion of the two connected particles increases in proportion to the particle density. In addition, looking at the shot generation rate at 150% elongation, it can be seen from Example 14 that when the groove 10 of the sheet 2 is shallow, the connection of particles becomes stronger, and thus the shot generation rate increases.

또한, 시트(2)의 입자열간 거리 S의 영향을 보면, 실시예 17과 같이, 도전성 입자(3)의 입자 직경에 대한 시트(2)의 입자열간 거리 S가 등배인 경우에 비하여, 실시예 18 및 실시예 19와 같이, 입자열간 거리 S가 커지면, 입자 밀도가 낮아지는 것을 알 수 있다. 또한, 실시예 17과 실시예 18로부터 시트(2)의 입자열간 거리 S가 커짐에 따라서, 2개 연결 입자율이 증가하지만, 실시예 19로부터 시트(2)의 입자열간 거리 S가 소정의 값 이상이 되면, 200％ 이상의 연신율에서는, 연결 입자가 보이지 않게 되는 것을 알 수 있다.In addition, when the effect of the distance S between the particles of the sheet 2 was observed, as in Example 17, compared with the case where the distance between particles between the particles S of the sheet 2 and the particle diameter S of the conductive particles 3 were equal As in 18 and Example 19, it can be seen that as the distance S between the particles increases, the particle density decreases. In addition, as the distance S between the particles 2 of the sheet 2 increases from Examples 17 and 18, the number of two connected particles increases, but the distance S between the particles 2 of the sheet 2 from Example 19 is a predetermined value. When it becomes abnormal, it turns out that a connection particle becomes invisible at an elongation of 200% or more.

<본 발명의 제2 실시 형태에 따른 실시예><Examples according to the second embodiment of the present invention>

이어서, 다음의 실시예 21 내지 26 및 비교예 21 내지 23에 있어서의 제1 수지 필름(104)을 1축 연신할 때의 연신율을 150％, 200％, 300％, 450％, 700％로 변화시킨 경우의 입자 밀도, 2개 연결 입자율, 입자 밀도의 편차, 및 쇼트 발생률에 대해서, 전술한 실시예 1 내지 8과 마찬가지의 조건에서 측정하였다. 이들 실시예 21 내지 26 및 비교예 21 내지 23에 있어서의 제1 수지 필름(104)은, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름(101)의 제조 방법에 의해 제조한 것이다. 또한, 이들 실시예 21 내지 26 및 비교예 21 내지 23에서는, 모두 입자 직경이 3㎛인 도전성 입자(103)를 사용하였다. 또한, 실시예 21 내지 23에서는, 시트(102)의 홈(110)의 깊이 D의 영향에 대하여 검토하고, 실시예 24 내지 26에서는, 가이드체(112)의 돌기부(112b)의 형상 등의 영향에 대하여 검토하였다. 또한, 비교예 21 내지 23에서는, 홈(110)의 깊이 D가 도전성 입자(103)의 입경과 동일한 시트(102)에 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 가이드체(112)를 사용해도, 도전성 입자(103)의 충전 효율이 개선되지 않는다는 취지를 검증하였다.Next, the elongation at the time of uniaxial stretching of the first resin films 104 in Examples 21 to 26 and Comparative Examples 21 to 23 was changed to 150%, 200%, 300%, 450%, and 700%. About the particle density in the case of making it, the particle | grain density | variety of two connection, the variation of particle density, and short generation rate, it measured under the conditions similar to Examples 1-8 mentioned above. The 1st resin film 104 in these Examples 21-26 and Comparative Examples 21-23 was manufactured by the manufacturing method of the anisotropic conductive film 101 which concerns on 2nd embodiment of this invention. In addition, in these Examples 21 to 26 and Comparative Examples 21 to 23, conductive particles 103 having a particle diameter of 3 µm were used. In addition, in Examples 21 to 23, the influence of the depth D of the groove 110 of the seat 102 is examined, and in Examples 24 to 26, effects such as the shape of the protrusion 112b of the guide body 112 are affected. Was examined. In Comparative Examples 21 to 23, even if the guide body 112 according to another embodiment of the present invention is used for the sheet 102 having the same depth D of the groove 110 as the particle diameter of the conductive particles 103, the conductive particles It was verified that the charging efficiency of (103) was not improved.

실시예 21에서는, 돌기부(112b)의 높이가 2㎛, 돌기 간격이 3.5㎛, 스퀴지측 클리어런스부(112d)의 기단부의 폭 W1이 3.5㎛, 선단부의 폭 W2가 4.5㎛인 가이드체(112)와, 홈(110)의 폭 W가 3.5㎛, 깊이 D가 1.0㎛, 홈의 간격 S가 3.0㎛인 시트(102)를 사용하였다.In Example 21, the guide body 112 having a height of the protrusion 112b of 2 µm, a spacing of 3.5 µm, a width W1 of the proximal end portion of the squeegee side clearance portion 112d, and a width W2 of the tip portion 4.5 µm. Wow, a sheet 102 having a width W of 3.5 µm, a depth D of 1.0 µm, and a spacing S of 3.0 µm was used.

실시예 22에서는, 홈(110)의 깊이 D를 1.5㎛로 한 것 이외는 실시예 21과 동일한 조건으로 하였다.In Example 22, the same conditions as in Example 21 were set except that the depth D of the groove 110 was 1.5 µm.

실시예 23에서는, 홈(110)의 깊이 D를 2.0㎛로 한 것 이외는 실시예 21과 동일한 조건으로 하였다.In Example 23, the same conditions as in Example 21 were set except that the depth D of the groove 110 was 2.0 μm.

실시예 24에서는, 돌기부(112b)의 높이가 1.5㎛, 돌기 간격이 3.5㎛, 가이드체(112)의 클리어런스부(112d)의 기단부(112d1)의 폭 W1이 3.5㎛, 선단부(112d2)의 폭 W2가 4.5㎛인 가이드체(112)와, 홈(110)의 폭 W가 3.5㎛, 깊이 D가 1.5㎛, 홈의 간격 S가 3.0㎛인 시트(102)를 사용하였다. 또한, 돌기부(112b)의 「높이」란, 돌기부(112b)의 기단부(112b1)로부터 선단부(112b2)까지의 거리를 말한다.In Example 24, the height of the projection 112b is 1.5 µm, the projection spacing is 3.5 µm, the width W1 of the base end 112d1 of the clearance 112d of the guide body 112 is 3.5 µm, and the width of the tip 112d2 A guide body 112 having a W2 of 4.5 µm, a sheet W having a width W of 3.5 µm, a depth D of 1.5 µm, and a spacing S of 3.0 µm of the groove 110 were used. In addition, "height" of the projection part 112b means the distance from the base end part 112b1 of the projection part 112b to the front-end | tip part 112b2.

실시예 25에서는, 돌기부(112b)의 높이를 2.0㎛로 한 것 이외는 실시예 24와 동일한 조건으로 하였다.In Example 25, the conditions were the same as in Example 24, except that the height of the protrusion 112b was 2.0 µm.

실시예 26에서는, 돌기부(112b)의 높이를 2.5㎛로 한 것 이외는 실시예 24와 동일한 조건으로 하였다.In Example 26, the same conditions as in Example 24 were set except that the height of the protrusion 112b was 2.5 µm.

비교예 21에서는, 돌기부(112b)의 높이가 2.0㎛, 돌기 간격이 3.0㎛, 클리어런스부(112d)의 기단부(112d1)의 폭 W1이 3.0㎛, 선단부(112d2)의 폭 W2가 4.0㎛인 가이드체(112)와, 홈(110)의 폭 W가 3.0㎛, 깊이 D가 3.0㎛, 홈(110)의 간격 S가 3.0㎛인 시트(102)를 사용하였다.In Comparative Example 21, a guide having a height of the protrusion 112b of 2.0 µm, a spacing of 3.0 µm, a width W1 of the proximal end portion 112d1 of the clearance portion 112d is 3.0 µm, and a width W2 of the tip portion 112d2 being 4.0 µm. A sheet 102 having a sieve 112, a width W of the groove 110 of 3.0 μm, a depth D of 3.0 μm, and a spacing S of the groove 110 of 3.0 μm was used.

비교예 22에서는, 돌기부(112b)의 높이가 2.0㎛, 돌기 간격이 3.5㎛, 클리어런스부(112d)의 기단부(112d1)의 폭 W1이 3.5㎛, 선단부(112d2)의 폭 W2가 4.5㎛인 가이드체(112)와, 홈(110)의 폭 W가 3.5㎛, 깊이 D가 3.0㎛, 홈(110)의 간격 S가 3.0㎛인 시트(102)를 사용하였다.In Comparative Example 22, a guide having a height of the protrusion 112b of 2.0 µm, a spacing of 3.5 µm, a width W1 of the proximal end portion 112d1 of the clearance portion 112d is 3.5 µm, and a width W2 of the tip portion 112d2 being 4.5 µm. A sheet 102 having a sieve 112, a width W of the groove 110 of 3.5 µm, a depth D of 3.0 µm, and a spacing S of the groove 110 of 3.0 µm was used.

비교예 23에서는, 돌기부(112b)의 높이가 2.0㎛, 돌기 간격이 4.5㎛, 클리어런스부(112d)의 기단부(112d1)의 폭 W1이 4.5㎛, 선단부(112d2)의 폭 W2가 5.5㎛인 가이드체(112)와, 홈(110)의 폭 W가 4.5㎛, 깊이 D가 3.0㎛, 홈(110)의 간격 S가 3.0㎛인 시트(102)를 사용하였다.In Comparative Example 23, a guide having a height of the protrusion 112b of 2.0 µm, a spacing of 4.5 µm, a width W1 of the proximal end portion 112d1 of the clearance portion 112d is 4.5 µm, and a width W2 of the tip portion 112d2 being 5.5 µm. A sheet 102 having a sieve 112, a width W of the groove 110 of 4.5 µm, a depth D of 3.0 µm, and a spacing S of the groove 110 of 3.0 µm was used.

전술한 실시예 21 내지 26 및 비교예 21 내지 23에 있어서의 제1 수지 필름(104)을 1축 연신할 때의 연신율을 150％, 200％, 300％, 450％, 700％로 변화시킨 경우의 입자 밀도, 2개 연결 입자율, 입자 밀도의 편차, 및 쇼트 발생률의 측정 결과에 대하여 정리한 것을 표 3에 나타낸다.When the elongation at the time of uniaxially stretching the first resin film 104 in Examples 21 to 26 and Comparative Examples 21 to 23 described above was changed to 150%, 200%, 300%, 450%, 700% Table 3 shows a summary of the measurement results of the particle density, the particle size of the two connected particles, the variation in the particle density, and the short incidence rate.

Figure pat00003
Figure pat00003

표 3에 나타내는 바와 같이, 실시예 21 내지 26에 의하면, 입자 밀도 및 2개 연결 입자율은, 연신의 정도(연신율)에 비례하여 낮아지는 것을 확인할 수 있었다. 이것은, 미리 시트(102)에 도전성 입자(103)가 소정 패턴으로 배열되어 있기 때문에, 상기 도전성 입자(103)를 전착한 제1 수지 필름(104)을 1축 연신시킴으로써, 도전성 입자(103)가 확실하게 분산되는 것에 기인하는 것이라고 생각된다. 한편, 실시예 21 내지 26에 의하면, 입자 밀도의 편차(σ)는 연신율에 의하지 않고 2 이하로 작은 값이 얻어지는 것을 확인할 수 있었다.As shown in Table 3, according to Examples 21 to 26, it was confirmed that the particle density and the two connected particle ratios decreased in proportion to the degree of elongation (elongation). Since the conductive particles 103 are arranged in a predetermined pattern on the sheet 102 in advance, the conductive particles 103 are formed by uniaxially stretching the first resin film 104 to which the conductive particles 103 are electrodeposited. It is thought that it is caused by being surely dispersed. On the other hand, according to Examples 21 to 26, it was confirmed that a small value of 2 or less was obtained regardless of the elongation of the particle density variation (σ).

또한, 실시예 21 내지 26에 의하면, 쇼트 발생률은, 연신율이 150％에서는, 어떠한 실시예 모두 약간 발생하지만, 연신율이 200％ 이상인 경우에서는, 어떠한 실시예 모두 쇼트 발생률이 0％로 발생하지 않는 것을 확인할 수 있었다. 이것은, 150％ 연신에서는, 충분한 도전성 입자간의 거리를 확보할 수 없기 때문에, 도전성 입자(103)의 접촉 확률이 높아지는 것에 기인하는 것이라고 생각된다. 이것으로부터, 도전성 입자(103)를 전착한 제1 수지 필름(104)을 1축 연신시킬 때는, 적어도 150％보다 큰 연신율, 즉 원래의 길이의 150％보다 길게 연신하는 것이 바람직하다는 것을 알 수 있다.In addition, according to Examples 21 to 26, in the case where the elongation rate is 150% and the elongation rate is 150%, all of the examples occur slightly, but when the elongation rate is 200% or more, the elongation rate does not occur at 0%. I could confirm. It is considered that this is attributable to an increase in the contact probability of the conductive particles 103 because, when stretching at 150%, sufficient distance between the conductive particles cannot be ensured. From this, it can be seen that when the first resin film 104 to which the conductive particles 103 are electrodeposited is uniaxially stretched, it is preferable to extend at least an elongation greater than 150%, that is, longer than 150% of the original length. .

또한, 실시예 21 내지 26에 의하면, 시트(102)의 홈(110)의 틀의 형상에 의하지 않고, 연신율에 비례하여 낮아지는 것을 알 수 있다. 이 결과로부터, 도전성 입자(103)의 입자간의 공극이 연신에 의해 발생하고, 일방향에 의존하고 있는 것도 알 수 있다.Moreover, according to Examples 21-26, it turns out that it does not depend on the shape of the frame of the groove | channel 110 of the sheet 102, and becomes proportional to elongation. From this result, it can be also seen that voids between the particles of the conductive particles 103 are generated by stretching, and depend on one direction.

또한, 시트(102)의 홈(110)의 깊이 D의 영향을 보면, 실시예 21과 같이, 도전성 입자(103)의 입자 직경에 대한 시트(102)의 홈(110)의 깊이 D가 1/3배인 경우에 비하여, 실시예 22 및 실시예 23과 같이, 홈(110)의 깊이 D가 커지면, 입자 밀도가 감소한다. 이것은, 홈(110)의 깊이 D가 커지면, 도전성 입자(103)의 충전으로 인해 전사 시에 있어서의 도전성 입자(103)의 이동하는 자유도가 작아지는 것이 하나의 요인이라고 생각된다. 또한, 실시예 21 내지 23은 모두 홈(110)의 깊이 D가 도전성 입자(103)의 입경보다도 작으므로, 홈(110)의 깊이 D가 커져도, 2개 연결 입자율이나 입자 밀도의 편차σ, 및 쇼트 발생률의 변동에 큰 영향을 미치지 않았다.In addition, looking at the influence of the depth D of the groove 110 of the sheet 102, as in Example 21, the depth D of the groove 110 of the sheet 102 to the particle diameter of the conductive particles 103 is 1 / Compared to the three-fold case, as in Examples 22 and 23, as the depth D of the groove 110 increases, the particle density decreases. This is considered to be one factor when the depth D of the groove 110 increases, due to the filling of the conductive particles 103, the degree of freedom of movement of the conductive particles 103 during transfer is reduced. Further, in Examples 21 to 23, since the depth D of the grooves 110 is smaller than the particle diameter of the conductive particles 103, even if the depth D of the grooves 110 is large, the variation of the two connected particle ratios or particle density σ, And short-circuit incidence was not significantly affected.

또한, 가이드체(112)의 돌기부(112b)의 형상 등의 영향을 보면, 실시예 24 내지 26으로부터, 돌기부(112b)의 높이가 커짐에 따라서, 입자 밀도가 증가하고, 2개 연결 입자율이 감소한다. 이것은, 가이드체(112)의 돌기부(112b)의 높이가 크면, 도전성 입자(103)에 여분의 응력이 가해지는 것이 그 이유로서 생각된다. 이로 인해, 가이드체(112)의 돌기부(112b)의 높이는, 실시예 25에 도시하는 바와 같이, 도전성 입자(103)의 직경의 2/3 정도로 하는 것이 바람직하다고 생각된다.In addition, looking at the influence of the shape of the projection 112b of the guide body 112, etc., from Examples 24 to 26, as the height of the projection 112b increases, the particle density increases, and the rate of two connected particles Decreases. This is considered as the reason that when the height of the protrusion 112b of the guide body 112 is large, an extra stress is applied to the conductive particles 103. For this reason, it is considered that the height of the protrusion 112b of the guide body 112 is preferably about 2/3 of the diameter of the conductive particles 103, as shown in Example 25.

한편, 홈(110)의 깊이 D가 도전성 입자(103)의 입자 직경과 동일한 시트를 사용하여 제조한 종래의 이방성 도전 필름을 사용한 비교예 21 내지 23에서는, 입자 밀도가 약간 감소하지만, 200％ 이상의 연신을 해도, 2개 연결 입자나 쇼트의 발생이 보였다. 이것은, 홈(110)의 깊이 D가 도전성 입자(103)의 입경과 동일한 시트(102)에 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 가이드체(112)를 사용해도, 홈(110)이 깊기 때문에, 가이드체(112)에 의해, 여분의 도전성 입자(103)를 제거할 수 없으므로, 시트(102)의 홈(110)에의 충전 효율의 개선으로 이어지지 않는 것이 그 이유로서 생각된다.On the other hand, in Comparative Examples 21 to 23 using a conventional anisotropic conductive film manufactured using a sheet having a depth D of the groove 110 equal to the particle diameter of the conductive particles 103, the particle density slightly decreases, but is 200% or more. Even after stretching, the occurrence of two connecting particles or shorts was observed. This is because even if the guide body 112 according to the second embodiment of the present invention is used for the sheet 102 in which the depth D of the groove 110 is the same as the particle diameter of the conductive particles 103, the groove 110 is deep. Since the guide body 112 cannot remove the extra conductive particles 103, it is considered as the reason that it does not lead to an improvement in the filling efficiency of the sheet 102 into the groove 110.

<본 발명의 제3 실시 형태에 따른 실시예><Examples according to the third embodiment of the present invention>

이어서, 다음의 실시예 31 내지 39에 있어서의 제1 수지 필름(204)을 1축 연신할 때의 연신율을 150％, 200％, 300％, 450％, 700％로 변화시킨 경우의 입자 밀도, 2개 연결 입자율, 입자 밀도의 편차, 및 쇼트 발생률에 대해서, 전술한 실시예 1 내지 8과 마찬가지의 조건에서 측정하였다. 이들 실시예 31 내지 39에 있어서의 제1 수지 필름(204)은, 전극(220)을 설치한 시트(202)에 도전성 입자(203)를 충전하고 나서 제조한 것이다. 또한, 이들 실시예 31 내지 39에서는, 모두 입자 직경이 3㎛인 도전성 입자(203)를 사용하였다. 또한, 실시예 31 내지 33에서는, 시트(202)의 홈(210)을 구성하는 전극(220)의 크기, 즉 홈(210)의 폭 W의 영향에 대하여 검토하고, 실시예 34 내지 36에서는, 전극(220)의 폭, 즉 입자열(203a)의 열간 거리 S의 영향에 대하여 검토하고, 실시예 37 내지 39에서는, 전극(220)의 두께, 즉 홈(210)의 깊이 D의 영향에 대하여 검토하였다.Subsequently, the particle density when the elongation at the time of uniaxial stretching of the first resin films 204 in Examples 31 to 39 is changed to 150%, 200%, 300%, 450%, 700%, The two connected particle ratios, variation in particle density, and short incidence were measured under the same conditions as in Examples 1 to 8 described above. The 1st resin film 204 in these Examples 31-39 was manufactured after filling the sheet 202 provided with the electrode 220 with the electroconductive particle 203. In addition, in these Examples 31-39, the electroconductive particle 203 whose particle diameter is all 3 micrometers was used. Further, in Examples 31 to 33, the size of the electrode 220 constituting the groove 210 of the sheet 202, that is, the influence of the width W of the groove 210 is examined, and in Examples 34 to 36, The influence of the width of the electrode 220, that is, the hot distance S of the particle string 203a is examined, and in Examples 37 to 39, the influence of the thickness of the electrode 220, that is, the depth D of the groove 210 Reviewed.

실시예 31에서는, 전극(220)의 단면이 한 변 3.0㎛인 정사각형으로 한 경우, 즉, 홈(210)의 폭 W 및 깊이 D가 3.0㎛, 홈(210)의 간격 S가 3.0㎛인 시트(202)를 사용하였다.In Example 31, when the cross-section of the electrode 220 is a square having a side of 3.0 μm, that is, a sheet having a width W and a depth D of the groove 210 of 3.0 μm and a spacing S of the groove 210 of 3.0 μm. (202) was used.

실시예 32에서는, 전극(220)의 단면이 한 변 3.5㎛인 정사각형으로 한 경우, 즉, 홈(210)의 폭 W 및 깊이 D가 3.5㎛, 홈(210)의 간격 S가 3.5㎛인 시트(202)를 사용하였다.In Example 32, when the cross section of the electrode 220 is a square with a side of 3.5 µm, that is, a sheet having a width W and a depth D of the groove 210 of 3.5 µm and a spacing S of the groove 210 of 3.5 µm. (202) was used.

실시예 33에서는, 전극(220)의 단면이 한 변 4.5㎛인 정사각형으로 한 경우, 즉, 홈(210)의 폭 W 및 깊이 D가 4.5㎛, 홈(210)의 간격 S가 4.5㎛인 시트(202)를 사용하였다.In Example 33, when the cross section of the electrode 220 is a square having a side of 4.5 µm, that is, a sheet having a width W and a depth D of the groove 210 of 4.5 µm and a spacing S of the groove 210 of 4.5 µm. (202) was used.

실시예 34에서는, 홈(210)의 단면이 한 변 3.5㎛인 정사각형으로서, 홈(210)의 간격 S가 3.0㎛인 시트(202)를 사용하였다.In Example 34, as the square having a cross section of the groove 210 of 3.5 µm on one side, a sheet 202 having a spacing S of 3.0 of the groove 210 was used.

실시예 35에서는, 홈(210)의 단면이 한 변 3.5㎛인 정사각형으로서, 홈(210)의 간격 S가 3.2㎛인 시트(202)를 사용하였다.In Example 35, as the square having a cross section of the groove 210 of 3.5 µm on one side, a sheet 202 having a spacing S of 3.2 of the groove 210 was used.

실시예 36에서는, 홈(210)의 단면이 한 변 3.5㎛인 정사각형으로서, 홈(210)의 간격 S가 4.5㎛인 시트(202)를 사용하였다.In Example 36, as the square having a cross section of the groove 210 on one side of 3.5 µm, a sheet 202 having a spacing S of 4.5 of the groove 210 was used.

실시예 37에서는, 홈(210)의 폭 W가 3.5㎛, 깊이 D가 3.0㎛, 홈(210)의 간격 S가 3.5㎛인 시트(202)를 사용하였다.In Example 37, a sheet 202 having a width W of 3.5 μm, a depth D of 3.0 μm, and a spacing S of the groove 210 of 3.5 μm was used.

실시예 38에서는, 홈(210)의 폭 W가 3.5㎛, 깊이 D가 3.2㎛, 홈(210)의 간격 S가 3.5㎛인 시트(202)를 사용하였다.In Example 38, the sheet 202 having a width W of the groove 210 of 3.5 µm, a depth D of 3.2 µm, and a spacing S of the groove 210 of 3.5 µm was used.

실시예 39에서는, 홈(210)의 폭 W가 3.5㎛, 깊이 D가 4.5㎛, 홈(210)의 간격 S가 3.5㎛인 시트(202)를 사용하였다.In Example 39, the sheet 202 having a width W of the groove 210 of 3.5 µm, a depth D of 4.5 µm, and a spacing S of the groove 210 of 3.5 µm was used.

전술한 실시예 31 내지 39에 있어서의 제1 수지 필름(204)을 1축 연신할 때의 연신율을 150％, 200％, 300％, 450％, 700％로 변화시킨 경우의 입자 밀도, 2개 연결 입자율, 입자 밀도의 편차, 및 쇼트 발생률의 측정 결과에 대하여 정리한 것을 표 4에 나타낸다.The particle density when the elongation at the time of uniaxial stretching of the first resin film 204 in Examples 31 to 39 described above is changed to 150%, 200%, 300%, 450%, 700%, two Table 4 shows a summary of the measurement results of the connected particle ratio, the variation in particle density, and the short incidence rate.

Figure pat00004
Figure pat00004

표 4에 나타내는 바와 같이, 실시예 31 내지 39에 의하면, 입자 밀도 및 2개 연결 입자율은, 연신의 정도(연신율)에 비례하여 낮아지는 것을 확인할 수 있었다. 이것은, 미리 시트(202)에 도전성 입자(203)가 소정 패턴으로 배열되어 있기 때문에, 상기 도전성 입자(203)를 전착한 제1 수지 필름(204)을 1축 연신시킴으로써, 도전성 입자(203)가 확실하게 분산되는 것에 기인하는 것이라고 생각된다. 또한, 실시예 31 내지 39에서는, 도전성 입자(203)의 시트(202)의 홈(210)에의 충전시에 자력에 의한 충전이 행해지는 것으로부터, 도전성 입자(203)에 여분의 응력이 가해지지 않는 것도, 2개 연결 입자의 발생 감소 이유로서 생각된다. 한편, 실시예 31 내지 39에 의하면, 입자 밀도의 편차(σ)는 연신율에 의하지 않고 2 이하로 작은 값이 얻어지는 것을 확인할 수 있었다.As shown in Table 4, according to Examples 31 to 39, it was confirmed that the particle density and the two connected particle ratios decreased in proportion to the degree of elongation (elongation). Since the conductive particles 203 are arranged in a predetermined pattern on the sheet 202 in advance, the conductive particles 203 are uniaxially stretched by stretching the first resin film 204 on which the conductive particles 203 are electrodeposited. It is thought that it is caused by being surely dispersed. Further, in Examples 31 to 39, since the charging by magnetic force is performed when the conductive particles 203 are filled into the grooves 210 of the sheet 202, extra stress is not applied to the conductive particles 203. It is also considered to be the reason for the reduction in generation of two connecting particles. On the other hand, according to Examples 31 to 39, it was confirmed that a small value of 2 or less was obtained regardless of the elongation of the variation (σ) in the particle density.

또한, 실시예 31 내지 39에 의하면, 쇼트 발생률은, 연신율이 150％에서는, 어떠한 실시예 모두 약간 발생하지만, 연신율이 200％ 이상에서는, 어떠한 실시예 모두 쇼트 발생률이 0％로 발생하지 않는 것을 확인할 수 있었다. 이것은, 150％ 연신에서는, 충분한 도전성 입자간의 거리를 확보할 수 없기 때문에, 도전성 입자(203)의 접촉 확률이 높아지는 것에 기인하는 것이라고 생각된다. 이것으로부터, 도전성 입자(203)를 전착한 제1 수지 필름(204)을 1축 연신시킬 때는, 적어도 150％보다 큰 연신율, 즉 원래의 길이의 150％보다 길게 연신하는 것이 바람직하다는 것을 알 수 있다.Further, according to Examples 31 to 39, it was confirmed that the short incidence rate does not occur at 0% when the elongation rate is 150%, although all the examples slightly occur, while the elongation rate is 200% or more. Could. It is considered that this is attributable to an increase in the contact probability of the conductive particles 203 because, when stretching at 150%, sufficient distance between the conductive particles cannot be ensured. From this, it can be seen that, when uniaxially stretching the first resin film 204 to which the conductive particles 203 are electrodeposited, it is preferable to extend at least an elongation greater than 150%, that is, longer than 150% of the original length. .

또한, 실시예 31 내지 39에 의하면, 입자 밀도는, 시트(202)의 홈(210)의 틀의 형상에 의하지 않고, 연신율에 비례하여 낮아지는 것을 알 수 있다. 이 결과로부터, 도전성 입자(203)의 입자간의 공극이 연신에 의해 발생하고, 일방향에 의존하고 있는 것도 알 수 있다.Further, according to Examples 31 to 39, it can be seen that the particle density is lowered in proportion to the elongation, regardless of the shape of the frame of the groove 210 of the sheet 202. From this result, it can be also seen that voids between the particles of the conductive particles 203 are generated by stretching, and depend on one direction.

이것으로부터, 도전성 입자(203)를 전착한 제1 수지 필름(204)을 1축 연신시킬 때는, 적어도 150％보다 큰 연신율, 즉 원래의 길이의 150％보다 길게 연신하는 것이 바람직하다는 것을 알 수 있다. 또한, 실시예 31과 실시예 34의 200％ 연신의 경우에서는, 입자 밀도는, 그 이외의 것과 비교하여 높아지지만, 이것은, 홈(210)의 간격 S가 도전성 입자(203)와 동일한 경우에서는, 도전성 입자(203)의 접촉 가능성이 여전히 남는 것이 그 이유로서 생각된다.From this, it can be seen that, when uniaxially stretching the first resin film 204 to which the conductive particles 203 are electrodeposited, it is preferable to extend at least an elongation greater than 150%, that is, longer than 150% of the original length. . In addition, in the case of 200% stretching in Examples 31 and 34, the particle density is higher compared to the other, but this is the case when the spacing S of the groove 210 is the same as the conductive particles 203, It is considered as the reason that the possibility of contact of the electroconductive particle 203 still remains.

또한, 전극(220)의 크기, 즉 홈(210)의 폭 W의 영향을 보면, 전극(220)의 단면이 커짐에 따라, 입자 밀도가 감소하는 것을 알 수 있다. 또한, 실시예 31로부터, 200％ 연신해도, 2개 연결 입자의 발생이 보여졌다. 이것은, 전극(220)의 단면이 도전성 입자(203)와 동일한 경우에서는, 전사에 영향을 미치고 있는 것이 생각된다. 이것으로부터, 홈(210)의 폭 W는, 적어도 도전성 입자(203)의 직경보다도 큰 것이 바람직하다는 것을 알 수 있다.In addition, looking at the effect of the size of the electrode 220, that is, the width W of the groove 210, it can be seen that as the cross section of the electrode 220 increases, the particle density decreases. Moreover, generation | occurrence | production of two connecting particle | grains was seen even if extending | stretching 200% from Example 31. It is considered that this affects the transfer when the cross section of the electrode 220 is the same as the conductive particles 203. From this, it can be seen that the width W of the groove 210 is preferably at least larger than the diameter of the conductive particles 203.

또한, 전극(220)의 폭, 즉 입자열(203a)의 열간 거리 S의 영향을 보면, 실시예 32, 및 실시예 34 내지 36으로부터, 입자열(203a)의 열간 거리 S가 커짐에 따라서, 입자 밀도, 2개 연결 입자율 모두 감소하는 것을 알 수 있다. 이것으로부터, 입자열(203a)의 열간 거리 S는, 적어도 도전성 입자(203)의 직경보다도 큰 것이 바람직하다는 것을 알 수 있다.In addition, looking at the influence of the width of the electrode 220, that is, the hot distance S of the particle string 203a, from Examples 32 and 34 to 36, as the hot distance S of the particle train 203a increases, It can be seen that both the particle density and the rate of the two connected particles decrease. From this, it can be seen that the distance S between the rows of particles 203a is preferably larger than the diameter of the conductive particles 203 at least.

또한, 전극(220)의 두께, 즉 홈(210)의 깊이 D의 영향을 보면, 실시예 32, 및 실시예 37 내지 39로부터, 전극(220)의 두께, 즉 홈(210)의 깊이 D가 커짐에 따라, 입자 밀도가 증가하는 것을 알 수 있다. 이것은, 홈(210)이 깊어지면, 홈(210)의 안쪽까지 제1 수지층(205)의 수지가 인입되므로, 전사율이 좋아지는 것이 그 이유로서 생각된다. 또한, 전술한 바와 같이, 홈(210)의 깊이 D가 도전성 입자(203)의 직경과 동등 정도인 경우에서는, 도전성 입자(203)를 홈(210)에 충전한 후에 스퀴지(212)로 제거할 때 도전성 입자(203)의 표면을 손상시키는 정도가 커지므로, 홈(210)의 깊이 D는, 적어도 도전성 입자(203)의 직경보다도 큰 것이 바람직하다는 것을 알 수 있다.In addition, looking at the influence of the thickness of the electrode 220, that is, the depth D of the groove 210, from Examples 32 and 37 to 39, the thickness of the electrode 220, that is, the depth D of the groove 210 It can be seen that as the size increases, the particle density increases. This is considered as the reason that the transfer rate is improved because the resin of the first resin layer 205 is drawn into the groove 210 as the groove 210 becomes deeper. In addition, as described above, when the depth D of the groove 210 is equal to the diameter of the conductive particles 203, the conductive particles 203 are filled in the grooves 210 and then removed with a squeegee 212. Since the degree of damage to the surface of the conductive particles 203 increases, it can be seen that the depth D of the grooves 210 is preferably at least larger than the diameter of the conductive particles 203.

1, 101, 201 이방성 도전 필름
2, 102, 202 시트
3, 103, 203 도전성 입자
3a, 103a, 203a 입자열
4, 104, 204 제1 수지 필름
5, 105, 205 제1 수지층
5a, 5b 부위
5c, 5d 낭떠러지부
6 베이스 필름
7 제2 수지 필름
8 제2 수지층
9 베이스 필름
10 홈
12, 212 스퀴지
13 경사면
14, 114, 214 볼록부
15, 115, 215 오목부
16 클리어런스
50 접속 구조체
52 전자 부품
54 기판
56 범프
58 전극
102a 간극부
112 가이드체
112a 접촉면
112b 돌기부
112b1 기단부
112b2 선단부
112b3 경사면부
112c 측벽부
112d 클리어런스부
112d1 기단부
112d2 선단부
220 전극1, 101, 201 anisotropic conductive film
2, 102, 202 sheets
3, 103, 203 conductive particles
3a, 103a, 203a particle train
4, 104, 204 1st resin film
5, 105, 205 1st resin layer
5a, 5b sites
5c, 5d cliff part
6 base film
7 Second resin film
8 Second resin layer
9 base film
10 home
12, 212 squeegee
13 Slope
14, 114, 214 convex
15, 115, 215 recess
16 clearance
50 connection structure
52 Electronic components
54 substrates
56 bump
58 electrodes
102a gap
112 Guide body
112a contact surface
112b protrusion
112b1 proximal end
112b2 tip
112b3 Slope
112c sidewall
112d clearance
112d1 proximal
112d2 tip
220 electrodes

Claims (15)

수지층과,
상기 수지층에 접한 복수의 도전성 입자를 구비하고,
상기 수지층에 있어서 상기 도전성 입자가 제1 방향으로 배열되어 형성된 입자열이 상기 제1 방향과 상이한 제2 방향으로 복수 병렬되고,
상기 제1 방향은 필름 길이 방향과 직교하는 방향을 제외한 방향이고,
상기 입자열은, 상기 도전성 입자의 입자 직경보다도 큰 폭을 갖고 형성되고,
상기 입자열은, 상기 도전성 입자가 상기 제1 방향으로 연장되는, 물결형상, 직사각형 파형, 지그재그형, 또는 격자형의 패턴으로 배열되어 있는 이방성 도전 필름. A resin layer,
It is provided with a plurality of conductive particles in contact with the resin layer,
In the resin layer, a plurality of particle rows formed by arranging the conductive particles in a first direction are parallel to each other in a second direction different from the first direction,
The first direction is a direction other than the direction perpendicular to the film length direction,
The particle string is formed to have a width larger than the particle diameter of the conductive particles,
The particle array is an anisotropic conductive film in which the conductive particles are arranged in a wavy, rectangular, zigzag, or lattice-like pattern extending in the first direction. 제1항에 있어서,
상기 도전성 입자는, 상기 수지층에 있어서 제1 방향으로 규칙적으로 배열되어 있는 이방성 도전 필름. According to claim 1,
The said electroconductive particle is an anisotropic conductive film arrange | positioned regularly in a 1st direction in the said resin layer. 제1항에 있어서,
상기 입자열은, 상기 제2 방향으로 규칙적으로 병렬되어 있는 이방성 도전 필름. According to claim 1,
The particle train is anisotropic conductive film regularly parallel in the second direction. 제1항에 있어서,
상기 입자열은, 상기 도전성 입자가 필름의 길이 방향에 대하여 사행하는 방향으로 배열되는 이방성 도전 필름. According to claim 1,
The particle array is an anisotropic conductive film in which the conductive particles are arranged in a meandering direction with respect to the longitudinal direction of the film. 제1항에 있어서,
상기 입자열은, 폭 방향 중 어느 한쪽 끝에 상기 도전성 입자의 한쪽 단부가 접하고 있는 이방성 도전 필름. According to claim 1,
The particle array has an anisotropic conductive film in which one end of the conductive particles contacts one end in the width direction. 제1항에 있어서,
상기 입자열은, 상기 도전성 입자의 입자 직경의 2.5배 미만의 폭을 갖는 이방성 도전 필름. According to claim 1,
The particle array has an anisotropic conductive film having a width of less than 2.5 times the particle diameter of the conductive particles. 제1항에 있어서,
상기 입자열은, 상기 제1 방향에 있어서의 상기 도전성 입자의 간격이 상기 제2 방향에 있어서의 상기 도전성 입자의 간격보다도 큰 이방성 도전 필름. According to claim 1,
The anisotropic conductive film in the particle train, wherein the interval of the conductive particles in the first direction is larger than the interval of the conductive particles in the second direction. 제1항에 있어서,
상기 입자열은, 상기 도전성 입자의 배열의 어긋남이 입자 직경의 1/3 이하인 이방성 도전 필름. According to claim 1,
The particle array is an anisotropic conductive film in which the alignment of the conductive particles is 1/3 or less of the particle diameter. 제1항에 있어서,
상기 복수의 도전성 입자는, 표면에 박리 또는 변형을 포함하는 미끄럼 접촉 자국을 갖는 것을 갖는 이방성 도전 필름. According to claim 1,
The said electroconductive particle has an anisotropic conductive film which has a slip contact mark containing peeling or deformation in a surface. 제1항에 있어서,
상기 수지층은 적어도 제1 수지층과 제2 수지층의 2층 구성으로 이루어지고, 상기 도전성 입자는, 적어도 상기 제1 수지층에 접하고 있는 이방성 도전 필름.According to claim 1,
The resin layer is composed of at least a two-layer structure of a first resin layer and a second resin layer, and the conductive particles are at least anisotropic conductive films in contact with the first resin layer. 제1항에 있어서,
상기 도전성 입자는, 금속이나 금속 합금의 입자, 및 카본, 그래파이트, 유리, 세라믹, 수지 입자의 표면에 금속을 코팅한 것 중 어느 것을 포함하는 이방성 도전 필름. According to claim 1,
The electroconductive particle is an anisotropic conductive film comprising any of metal or metal alloy particles and a metal coating on the surface of carbon, graphite, glass, ceramic, and resin particles. 복수의 전자 부품과,
상기 복수의 전자 부품끼리를 접속하는 이방성 도전 필름을 포함하고,
상기 이방성 도전 필름은 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 이방성 도전 필름인 접속 구조체.A plurality of electronic components,
It includes an anisotropic conductive film for connecting the plurality of electronic components,
The said anisotropic conductive film is a connection structure which is an anisotropic conductive film in any one of Claims 1-11. 제12항에 있어서,
상기 이방성 도전 필름은,
상기 수지층이 적어도 제1 수지층과 제2 수지층의 2층 구성으로 이루어지고,
상기 도전성 입자가 적어도 상기 제1 수지층에 접하고 있는 것인 접속 구조체.The method of claim 12,
The anisotropic conductive film,
The resin layer is composed of at least a two-layer structure of the first resin layer and the second resin layer,
The connection structure in which the said electroconductive particle contacts the said 1st resin layer at least. 이방성 도전 필름을 개재하여 전자 부품끼리가 접속된 접속 구조체의 제조 방법에 있어서,
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 이방성 도전 필름을 사용하여 상기 전자 부품끼리를 이방성 도전 접속하는 접속 구조체의 제조 방법.In the manufacturing method of the connection structure in which the electronic components were connected via the anisotropic conductive film,
The manufacturing method of the connection structure which connects the said electronic components anisotropically conductively using the anisotropically conductive film of any one of Claims 1-11. 제14항에 있어서,
상기 이방성 도전 필름은,
상기 수지층이 적어도 제1 수지층과 제2 수지층의 2층 구성으로 이루어지고,
상기 도전성 입자가 적어도 상기 제1 수지층에 접하고 있는 것인 접속 구조체의 제조 방법.

The method of claim 14,
The anisotropic conductive film,
The resin layer is composed of at least a two-layer structure of the first resin layer and the second resin layer,
The manufacturing method of the connection structure in which the said electroconductive particle contacts at least the said 1st resin layer.

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