KR20200029109A - 박막 증착용 스퍼터링 타겟 조성물 및 이의 제조방법 - Google Patents

박막 증착용 스퍼터링 타겟 조성물 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 의한 스퍼터링 타겟 조성물은 산화니오븀, 산화티타늄, 산화탄탈륨, 산화주석 및 산화인듐으로 이루어진 제 1그룹에서 선택된 하나의 제 1산화물; 산화몰리브덴, 산화구리, 산화아연 및 산화텅스텐으로 이루어진 제 2그룹에서 선택된 하나의 제 2산화물; 및 니켈, 철, 아연, 주석, 알루미늄 및 은으로 이루어진 제 3그룹에서 선택된 하나의 제 3물질을 포함한다. 또한, 상기 제 1그룹에서 산화니오븀은 Nb2O5, 산화티타늄은 TiO2, 산화탄탈륨은 Ta2O5, 산화주석은 SnO2, 산화인듐은 In2O3 또는 In2O5이고, 상기 제 2그룹에서 산화몰리브덴은 MoO3, 산화구리는 CuO, 산화아연은 ZnO, 산화텅스텐은 WO3이고, 상기 증착용 스퍼터링 타겟 조성물은, 제 1산화물 46 내지 68 중량%, 제 2산화물 12 내지 19 중량% 및 제 3물질 14 내지 41 중량%로 이루어진다.

Description

박막 증착용 스퍼터링 타겟 조성물 및 이의 제조방법 {Composition for Sputtering Target for Thin Film and Method for Making Sputtering Target}
본 발명은 박막 증착용 스퍼터링 타겟 조성물 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 빛의 투과, 흡수, 굴절 특성을 고려한 산화물 분말에 내식성 및 스퍼터링 효율 증가를 위한 금속 분말을 혼합하여 반투명의 스퍼터링 박막 구현이 가능한 스퍼터링 증착용 스퍼터링 타겟 조성물 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
기존의 반도체 박막으로 사용되는 물질은 실리콘(Si)를 비롯하여 게르마늄(Ge)과 같은 4족 원소, GaAs와 같은 3-5족 화합물, CdS와 같은 2-6족 화합물이 있다. 이와 같은 종래의 반도체 물질은 대부분 밴드 갭이 작아 가시광선을 투과하지 못하거나 특정 색깔을 강하게 띠는 것이 일반적이다. 그러나 산화물 반도체는 가시광선 영역에서 투명하여 새로운 전자 제품에의 응용이 기대되고 있다. 대표적인 산화물 반도체는 2-6족 화합물에 해당하는 산화아연(ZnO)이 있다. 산화아연은 오랫동안 연구되어 왔으며 중요한 반도체 물성 중 하나인 전계 효과 이동도가 비정질 실리콘 보다 높고 우수한 특성을 나타내어 상용화에 상당히 가깝게 접근하였다. 그러나 제조 공정에 따른 물성의 변화가 심하고 내구성이나 환경변화에 대한 저항성이 약하여 단점으로 지적되고 있다.
산화물 반도체 박막을 채널 활성층으로 이용한 박막 트랜지스터의 대표적인 응용분야로는 능동형 유기발광다이오드 디스플레이, 액정 디스플레이를 비롯한 각종 능동형 디스플레이 패널의 백 플레인 소자를 들 수 있다. 또한 최근에는 각종 디스플레이 및 이미지 센서의 드라이버 소자로도 사용될 수 있는 것으로 연구발표가 이루어지고 있다. 상기 박막 트랜지스터를 이용하여 유리 기판이나 플라스틱 기판 위에 전자태그를 비롯한 각종 전자회로를 구성할 수 있으며 이런 전자회로들이 실질적인 상업화에 가깝게 와 있는 것으로 보고되었다.
위와 같은 산화물 반도체 박막을 제조하기 위하여 널리 사용되는 방법이 스퍼터링이다. 스퍼터링은 플라즈마 입자를 타겟이라고 불리는 소결체에 빠른 속도로 충돌시켜 튀어 나오는 그 소결체의 입자를 타겟 맞은편에 있는 기판 위에 증착시키는 방법으로 ITO(Indium-Tin-Oxide) 등의 박막 제조에 일반적으로 사용되고 있다. 스퍼터링 방법으로 산화물 반도체 박막을 제조하기 위해서는 그 산화물 반도체 재료로 구성된 스퍼터링 타겟이 필요하다. 다성분계 산화물 스퍼터링 타겟은 일반적으로 산화물 재료를 가는 입자로 만든 후 각 성분의 산화물 입자를 혼합하여 분쇄하고 1차 하소한 후 다시 분쇄하고 판상과 같은 일정한 모양으로 성형하여 소결하는 방법으로 제조된다.
한국 공개 특허 제2007-0080576호에서는 인듐-주석-산화물 재료를 포함하는 스퍼터링 타겟 및 제조방법에 대해 개시하고 있으며, 또한 한국 공개 특허 제2008-0031873호에서는 인듐-아연 산화물의 스퍼터링 타겟 제조 방법에 대하여 기술하고 있다. 한국 공개 특허 제2008-0058346호에서는 인듐, 주석 및 아연 산화물 재료 및 그 산화물 재료로 이루어진 스퍼터링 타겟에 대하여 개시하고 있다.
상기 문헌들은 모두 개선된 투명 전도막을 얻기 위한 산화물 재료 및 이를 포함하는 스퍼터링 타겟을 제시하여 박막의 물성을 개선하고자 하는 것이다.
그러나, 상기 선행 문헌들을 포함한 종래의 기술은 일정한 빛 흡수율을 갖는 반투명의 박막을 구현하기에는 한계가 있었다.
본 발명의 목적은 빛의 투과, 흡수, 굴절 특성을 고려한 산화물 분말에 내식성 및 스퍼터링 효율 증가를 위한 금속 분말을 혼합하여 반투명의 스퍼터링 박막 구현이 가능한 박막 증착용 스퍼터링 타겟 조성물 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 스퍼터링 타겟 조성물은 산화니오븀, 산화티타늄, 산화탄탈륨, 산화주석 및 산화인듐으로 이루어진 제 1그룹에서 선택된 하나의 제 1산화물; 산화몰리브덴, 산화구리, 산화아연 및 산화텅스텐으로 이루어진 제 2그룹에서 선택된 하나의 제 2산화물; 및 니켈, 철, 아연, 주석, 알루미늄 및 은으로 이루어진 제 3그룹에서 선택된 하나의 제 3물질을 포함한다.
또한, 상기 제 1그룹에서 산화니오븀은 Nb2O5, 산화티타늄은 TiO2, 산화탄탈륨은 Ta2O5, 산화주석은 SnO2, 산화인듐은 In2O3 또는 In2O5이고, 상기 제 2그룹에서 산화몰리브덴은 MoO3, 산화구리는 CuO, 산화아연은 ZnO, 산화텅스텐은 WO3이다.
또한, 상기 증착용 스퍼터링 타겟 조성물은, 제 1산화물 46 내지 68 중량%, 제 2산화물 12 내지 19 중량% 및 제 3물질 14 내지 41 중량%로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 스퍼터링 타겟 조성물 제조방법은 산화니오븀, 산화티타늄, 산화탄탈륨, 산화주석 및 산화인듐으로 이루어진 제 1그룹에서 선택된 하나의 제 1산화물; 산화몰리브덴, 산화구리, 산화아연 및 산화텅스텐으로 이루어진 제 2그룹에서 선택된 하나의 제 2산화물; 및 니켈, 철, 아연, 주석, 알루미늄 및 은으로 이루어진 제 3그룹에서 선택된 하나의 제 3물질의 원료 분말을 혼합 분쇄하는 단계; 상기 분말을 소정 형태의 성형체로 성형하는 단계; 및 상기 성형체를 소결하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 원료 분말의 조성비는 제 1산화물 46 내지 68 중량%, 제 2산화물 12 내지 19 중량% 및 제 3물질 14 내지 41 중량%로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 성형 단계 후 소결 단계 이전에, 성형체를 400 내지 1100℃의 온도에서 1차 하소하는 단계; 상기 1차 하소된 성형체를 2차 분쇄 혼합하는 단계; 및 상기 혼합 분말을 2차 성형하는 단계;를 포함할 수 있다.
또한, 상기 혼합 분쇄 단계에서, 습식 볼밀을 이용하여 분말의 입경은 50㎛ 이하로 조절하고, 상기 소결 단계에서, 소결 온도는 600℃ 이상일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 의한 스퍼터링 타겟 조성물은 산화니오븀(Nb2O5), 산화몰리브덴(MoO3) 및 니켈(Ni)을 포함하고, 그 조성비는 산화니오븀(Nb2O5) 46 내지 68 중량%, 산화몰리브덴(MoO3) 12 내지 19 중량% 및 니켈(Ni) 14 내지 41 중량%로 이루어진다.
본 발명에 따르면, 빛의 투과, 흡수, 굴절 특성을 고려한 산화물 분말에 내식성 및 스퍼터링 효율 증가를 위한 금속 분말을 혼합하여 반투명의 스퍼터링 박막 구현이 가능한 스퍼터링 증착용 스퍼터링 타겟 조성물 및 이의 제조방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명에 의한 스퍼터링 타겟 조성물로 박막을 증착한 후 가시광선 투과율과 적외선 투과율을 나타낸 표이다.
도 2는 본 발명에 의한 스퍼터링 타겟 조성물로 박막을 증착할 때, 아르곤(Ar)과 산소의 조건별 분위기에서 증착되는 박막의 두께를 나타낸 표이다.
도 3은 도 2에서 증착된 박막을 나타낸 사진이다.
도 4는 본 발명에 의한 스퍼터링 타겟 조성물로 형성된 박막의 두께별 굴절률과 흡수계수를 나타낸 표이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면들은 개략적이고 축적에 맞게 도시되지 않았다는 것을 일러둔다. 도면에 있는 부분들의 상대적인 치수 및 비율은 도면에서의 명확성 및 편의를 위해 그 크기에 있어 과장되거나 감소되어 도시되었으며 임의의 치수는 단지 예시적인 것이지 한정적인 것은 아니다. 그리고 둘 이상의 도면에 나타나는 동일한 구조물, 요소 또는 부품에는 동일한 참조 부호가 유사한 특징을 나타내기 위해 사용된다.
본 발명의 실시예는 본 발명의 이상적인 실시예를 구체적으로 나타낸다. 그 결과, 도해의 다양한 변형이 예상된다. 따라서 실시예는 도시한 영역의 특정 형태에 국한되지 않으며, 예를 들면 제조에 의한 형태의 변형도 포함한다.
도 1은 본 발명에 의한 스퍼터링 타겟 조성물로 박막을 증착한 후 가시광선 투과율과 적외선 투과율을 나타낸 표이다.
도 2는 본 발명에 의한 스퍼터링 타겟 조성물로 박막을 증착할 때, 아르곤(Ar)과 산소의 조건별 분위기에서 증착되는 박막의 두께를 나타낸 표이다.
도 3은 도 2에서 증착된 박막을 나타낸 사진이다.
도 4는 본 발명에 의한 스퍼터링 타겟 조성물로 형성된 박막의 두께별 굴절률과 흡수계수를 나타낸 표이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 스퍼터링 타겟 조성물은 산화니오븀, 산화티타늄, 산화탄탈륨, 산화주석 및 산화인듐으로 이루어진 제 1그룹에서 선택된 하나의 제 1산화물; 산화몰리브덴, 산화구리, 산화아연 및 산화텅스텐으로 이루어진 제 2그룹에서 선택된 하나의 제 2산화물; 및 니켈, 철, 아연, 주석, 알루미늄 및 은으로 이루어진 제 3그룹에서 선택된 하나의 제 3물질을 포함한다.
본 발명은 기판에 박막으로 증착하는데 사용되는 재료인 스퍼터링 타겟 조성물에 관한 것으로, 증착이란, 화학반응 및 이온 등을 이용해서 기판상에 박막 형태로 코팅하는 과정이다.
증착에는 크게 CVD(chemical vapor deposition), ALD(atomic layer deposition) 및 PVD(physical vapor deposition)의 세가지 분류가 있다.
CVD(chemical vapor deposition) gas반응 및 이온등을 이용하여, wafer나 기판에 증착하는 방법이고, ALD(atomic layer deposition)는 반응원료를 각가 분리, 공급하여 반응가스 간 화학반응으로 형성된 입자를 wafer표면에 증착, 박막을 형성하는 방법이다.
PVD(physical vapor deposition)는 고체원료(target)을 기판위에 박막으로 변환시키는 방법이며, target을 기화시키는 방법에 따라 다시 열 증발법, 전자빔 증발법 및 스퍼터링 법의 3가지로 나눌 수 있다.
열증발법은 진공 chamber속의 고상 target을 열에 의해 기상으로 증발 시켜 기판으로 응축시키는 과정을 말하며, 전자빔 증발법은 target을 전자빔을 이용해서 이온화 시켜 chamber에 전압차를 주어 증착시키는 과정을 말한다.
스퍼터링법은 높은 에너지의 입자를(주로 Ar 사용) target에 충돌시켜 방출하는 원자들이 기판에 증착되는 과정이고, 본 발명은 PVD(physical vapor deposition) 증착방법 중에서도 스퍼터링법에 의한 증착과정에 사용되는 스퍼터링 타겟 조성물에 대한 것이다.
조금 더 구체적으로 스퍼터링법에 의한 증착과정을 보면, 비교적 낮은 진공압력에서 이온화된 Ar Gas를 주입한 뒤, Plasma를 발생시켜 target에 충돌 시켜 target에서 떨어져 나온 증착 소재 입자가 기판에 달라붙게 되어 박막을 형성하는 것이다.
상기 제 1그룹에서 산화니오븀은 Nb2O5, 산화티타늄은 TiO2, 산화탄탈륨은 Ta2O5, 산화주석은 SnO2, 산화인듐은 In2O3 또는 In2O5이고, 상기 제 2그룹에서 산화몰리브덴은 MoO3, 산화구리는 CuO, 산화아연은 ZnO, 산화텅스텐은 WO3이다.
산소는 다른 원소와 친화력이 강하여, 비활성기체를 제외한 거의 모든 원소와 화합물을 만드는데, 일반적으로 원소 간의 직접반응 또는 산화제와의 작용에 의해서 생성된다. 정확하게는 산소와 플루오린을 제외한 원소와의 화합물을 말한다. 예를 들면, 탄소나 황 또는 금속마그네슘을 산소 속에서 연소시키면, 각각 이산화탄소 CO2, 아황산가스 SO2, 산화마그네슘 MgO 등의 산화물을 얻는다.
산화물 중에서 전형적인 비금속원소의 산화물은 대부분 공유결합성 분자로 이루어지며, 일반적으로 물에 녹아 산을 생성하므로 산성산화물이라고 한다. 이것들은 비금속원소의 전기음성도가 약해지면 산으로서의 성질이 약해져서 거대분자를 생성하여 물에 난용성이 되는 경향이 있다. 또 전형적인 금속원소의 산화물은 대부분 O2－을 함유하는 이온결정이며, 물에 녹아 알칼리성을 보이므로 염기성산화물이라 한다.
또한 산성산화물과 염기성산화물을 생성하는 중간 원소의 산화물은 산에 대해서는 염기, 염기에 대해서는 산으로 작용하므로 양쪽성산화물이라 한다. 한 금속원소가 몇 개의 산화수를 보이는 것에서는 산화수가 높은 산화물은 산성산화물, 산화수가 낮은 산화물은 염기성산화물, 중간의 것은 양쪽성산화물을 생성하는 일이 많다.
이중에서 본 발명에서 사용되는 산화물은 모든 산화물이 아닌 특정 산화물에 해당하며, 이를 그룹화하여 제 1그룹과 제 2그룹으로 분류하였다. 제 1그룹은 산화니오븀은 Nb2O5, 산화티타늄은 TiO2, 산화탄탈륨은 Ta2O5, 산화주석은 SnO2, 산화인듐은 In2O3 또는 In2O5이고, 제 2그룹은 산화몰리브덴은 MoO3, 산화구리는 CuO, 산화아연은 ZnO, 산화텅스텐은 WO3인데, 이와 같이 엄격하게 분류된 그룹에서 각각 선택된 하나의 산화물로 조성물이 이루어지는 경우 가장 좋은 효과를 얻을 수 있었다.
특히, 본 발명에 의한 스퍼터링 타겟 조성물은 그 조성비가 중요한데, 상기 증착용 스퍼터링 타겟 조성물은, 제 1산화물 46 내지 68 중량%, 제 2산화물 12 내지 19 중량% 및 제 3물질 14 내지 41 중량%로 이루어져야 한다. 이러한 중량%에 대한 조성비율은 다양한 물질을 조합할 수 있는 무한대에 가까운 경우의 수에서 각고의 노력과 수많은 실험을 거쳐 바람직한 결과 값을 얻을 수 있었다.
본 발명의 일 실시예에 의한 스퍼터링 타겟 조성물 제조방법은 산화니오븀, 산화티타늄, 산화탄탈륨, 산화주석 및 산화인듐으로 이루어진 제 1그룹에서 선택된 하나의 제 1산화물; 산화몰리브덴, 산화구리, 산화아연 및 산화텅스텐으로 이루어진 제 2그룹에서 선택된 하나의 제 2산화물; 및 니켈, 철, 아연, 주석, 알루미늄 및 은으로 이루어진 제 3그룹에서 선택된 하나의 제 3물질의 원료 분말을 혼합 분쇄하는 단계; 상기 분말을 소정 형태의 성형체로 성형하는 단계; 및 상기 성형체를 소결하는 단계를 포함한다.
상기 원료 분말의 조성비는 제 1산화물 46 내지 68 중량%, 제 2산화물 12 내지 19 중량% 및 제 3물질 14 내지 41 중량%로 이루어지고, 상기 성형 단계 후 소결 단계 이전에, 성형체를 400 내지 1100℃의 온도에서 1차 하소하는 단계; 상기 1차 하소된 성형체를 2차 분쇄 혼합하는 단계; 및 상기 혼합 분말을 2차 성형하는 단계;를 포함하며, 혼합 분쇄 단계에서, 습식 볼밀을 이용하여 분말의 입경은 50㎛ 이하로 조절하고, 상기 소결 단계에서, 소결 온도는 600℃ 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 실시예에 의한 스퍼터링 타겟 조성물은 산화니오븀(Nb2O5), 산화몰리브덴(MoO3) 및 니켈(Ni)을 포함하고, 그 조성비는 산화니오븀(Nb2O5) 46 내지 68 중량%, 산화몰리브덴(MoO3) 12 내지 19 중량% 및 니켈(Ni) 14 내지 41 중량%로 이루어 진다. 이는 상술한 제 1그룹에서는 산화니오븀(Nb2O5)을, 제 2그룹에서는 산화몰리브덴(MoO3)을, 마지막으로 제 3그룹에서는 니켈(Ni)을 선택하여 형성한 조성물로써 이러한 물질 및 중량%에 대한 조성비율은 다양한 물질을 조합할 수 있는 무한대에 가까운 경우의 수에서 각고의 노력과 수많은 실험을 거쳐 가장 바람직한 결과 값을 얻은 것이다.
도 1은 본 발명에 의한 스퍼터링 타겟 조성물로 박막을 증착한 후 가시광선 투과율과 적외선 투과율을 나타낸 표이며, VLT(VISIBLE LIGHT TRANSMITTANCE)는 가시광선 투과율을, IRT(INFRARED RAY TRANSMITTANCE)는 적외선 투과율을 의미한다. 본 발명에 의한 스퍼터링 타겟 조성물로 증착된 박막을 A층이라고 했을 때, 도 1에서 좌측 부분은 PET필름위에 A층의 두께가 7.2nm로 형성된 구조의 VLT와 IRT를 나타낸 것이며, 우측 부분은 PET필름위에 7.2nm 두께의 A층 - 8.8nm 두께의 Ag(은)층 - 7.2nm 두께의 A층이 차례대로 증착되어 있는 구조에 대한 VLT와 IRT를 나타낸 것이다. 실제 기판에서 특정 위치에만 증착되는 것이 아니라, 다양한 부위에 증착되어 형성될 수 있기 때문에 부위를 크게 5개로 분류하여 각각에 대한 VLT와 IRT를 나타내었다.
도 2는 본 발명에 의한 스퍼터링 타겟 조성물로 박막을 증착할 때, 아르곤(Ar)과 산소의 조건별 분위기에서 증착되는 박막의 두께를 나타낸 표이고, 도 3은 도 2에서 증착된 박막을 나타낸 사진이다. 도 2에서 sccm은 Standard Cubic Centimeter per Minute을 나타내는 것으로서 cm³/min을 나타내고, 도 2의 좌측에 표현된 (1)층 내지 (7)층(layer)은 도 3에서 보이는 바와 같이 (1)층에서 (7)층으로 갈수록 형성되는 두께가 얇아지는 것을 확인할 수 있다. (1)층 내지 (7층)은 아르곤(Ar)은 고정시키고, 산소(O₂)를 증가시켜 실험한 결과이며 산소가 증가함에 따라 증착율이 감소하는 것을 확인할 수 있었다. 본 발명에 의한 최적의 실험결과를 얻기 위해서는 (4)층의 조건과 같이 아르곤(Ar)은 200sccm, 산소(O₂)는 12sccm의 조건으로 증착하는 것이 가장 바람직하였다. 도 3에서 (1)층 내지 (7)층의 각각에는 각 층간 증착율 및 두께를 확인하기 위하여 금속막을 삽입하였다. 또한, 도 4는 본 발명에 의한 스퍼터링 타겟 조성물로 형성된 박막층의 두께별 굴절률(n)과 흡수계수(k)를 분석하여 그 결과 값을 나타낸 표이다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명은 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (8)

  1. 하기 정의된 제 1그룹에서 선택된 하나의 제 1산화물;
    하기 정의된 제 2그룹에서 선택된 하나의 제 2산화물; 및
    하기 정의된 제 3그룹에서 선택된 하나의 제 3물질을 포함하는 박막 증착용 스퍼터링 타겟 조성물:
    [제 1그룹]
    산화니오븀, 산화티타늄, 산화탄탈륨, 산화주석, 산화인듐.
    [제 2그룹]
    산화몰리브덴, 산화구리, 산화아연, 산화텅스텐.
    [제 3그룹]
    니켈, 철, 아연, 주석, 알루미늄, 은.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제 1그룹에서 산화니오븀은 Nb2O5, 산화티타늄은 TiO2, 산화탄탈륨은 Ta2O5, 산화주석은 SnO2, 산화인듐은 In2O3 또는 In2O5이고,
    상기 제 2그룹에서 산화몰리브덴은 MoO3, 산화구리는 CuO, 산화아연은 ZnO, 산화텅스텐은 WO3인 것을 특징으로 하는 박막 증착용 스퍼터링 타겟 조성물.

  3. 제2항에 있어서,
    상기 증착용 스퍼터링 타겟 조성물은,
    제 1산화물 46 내지 68 중량%, 제 2산화물 12 내지 19 중량% 및 제 3물질 14 내지 41 중량%로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 증착용 스퍼터링 타겟 조성물.
  4. 하기 정의된 제 1그룹에서 선택된 하나의 제 1산화물, 하기 정의된 제 2그룹에서 선택된 하나의 제 2산화물 및 하기 정의된 제 3그룹에서 선택된 하나의 제 3물질의 원료 분말을 혼합 분쇄하는 단계;
    상기 분말을 소정 형태의 성형체로 성형하는 단계; 및
    상기 성형체를 소결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 제조방법:
    [제 1그룹]
    산화니오븀, 산화티타늄, 산화탄탈륨, 산화주석, 산화인듐.
    [제 2그룹]
    산화몰리브덴, 산화구리, 산화아연, 산화텅스텐.
    [제 3그룹]
    니켈, 철, 아연, 주석, 알루미늄, 은.

  5. 제4항에 있어서,
    상기 원료 분말의 조성비는 제 1산화물 46 내지 68 중량%, 제 2산화물 12 내지 19 중량% 및 제 3물질 14 내지 41 중량%로 이루어진 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 성형 단계 후 소결 단계 이전에,
    성형체를 400 내지 1100℃의 온도에서 1차 하소하는 단계;
    상기 1차 하소된 성형체를 2차 분쇄 혼합하는 단계; 및
    상기 혼합 분말을 2차 성형하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 혼합 분쇄 단계에서, 습식 볼밀을 이용하여 분말의 입경은 50㎛ 이하로 조절하고,
    상기 소결 단계에서, 소결 온도는 600℃ 이상인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 제조방법.


  8. 산화니오븀(Nb2O5), 산화몰리브덴(MoO3) 및 니켈(Ni)을 포함하고,
    그 조성비는 산화니오븀(Nb2O5) 46 내지 68 중량%, 산화몰리브덴(MoO3) 12 내지 19 중량% 및 니켈(Ni) 14 내지 41 중량%로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 증착용 스퍼터링 타겟 조성물.
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