KR20200028294A - 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 화학식 1로 표시되는 화합물과, 제 1전극, 제 2전극 및 상기 제 1전극과 상기 제 2전극 사이의 유기물층을 포함하는 유기전기소자, 및 상기 유기전기소자를 포함하는 전자장치를 제공한다. 상기 유기물층에 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함함으로써, 유기전기소자의 구동전압을 낮출 수 있고 발광 효율 및 수명을 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛 에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기전기소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물 층은 유기전기소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다.
유기전기소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하수송 재료, 예컨대 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다. 그리고 상기 발광 재료는 분자량에 따라 고분자형과 저분자형으로 분류될 수 있고, 발광 메커니즘에 따라 전자의 일중항 여기상태로부터 유래되는 형광 재료와 전자의 삼중항 여기상태로부터 유래되는 인광 재료로 분류될 수 있다. 또한, 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료로 구분될 수 있다.
한편, 발광 재료로서 하나의 물질만 사용하는 경우 분자간 상호 작용에 의하여 최대 발광 파장이 장파장으로 이동하고 색순도가 떨어지거나 발광 감쇄 효과로 소자의 효율이 감소되는 문제가 발생하므로, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여 발광 재료로서 호스트/도판트계를 사용할 수 있다. 그 원리는 발광층을 형성하는 호스트보다 에너지 대역 간극이 작은 도판트를 발광층에 소량 혼합하면, 발광층에서 발생한 엑시톤이 도판트로 수송되어 효율이 높은 빛을 내는 것이다. 이때 호스트의 파장이 도판트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도판트의 종류에 따라 원하는 파장의 빛을 얻을 수 있다.
현재 휴대용 디스플레이 시장은 대면적 디스플레이로 그 크기가 증가하고 있는 추세이며, 이로 인해 기존 휴대용 디스플레이에서 요구되던 소비적력보다 더 큰 소비전력이 요구되고 있다. 따라서, 배터리라는 제한적인 전력 공급원을 가지고 있는 휴대용 디스플레이 입장에서는 소비전력이 매우 중요한 요소가 되었고, 효율과 수명 문제 또한 반드시 해결해야 하는 상황이다.
효율과 수명, 구동전압 등은 서로 연관이 있으며, 효율이 증가되면 상대적으로 구동전압이 떨어지고, 구동전압이 떨어지면서 구동 시 발생하는 주울열(Joule heating)에 의한 유기물질의 결정화가 적어져 결과적으로 수명이 높아지는 경향을 나타낸다. 하지만, 유기물층을 단순히 개선한다고 하여 효율을 극대화시킬 수는 없다. 왜냐하면, 각 유기물층 간의 에너지 준위(energy level) 및 T1 값, 물질의 고유특성(이동도, 계면특성 등) 등이 최적의 조합을 이루었을 때 긴 수명과 높은 효율을 동시에 달성할 수 있기 때문이다.
따라서 높은 열적 안정성을 가지며 발광층 내에서 효율적으로 전하 균형(charge balance)을 이룰 수 있는 발광 재료의 개발이 필요하며, 특히 발광층의 호스트 물질에 대한 개발이 필요하다.
본 발명은 소자의 구동전압을 낮출 수 있고, 소자의 발광효율 및 수명을 향상시킬 수 있는 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
일 측면에서, 본 발명은 하기 화학식으로 표시되는 화합물을 제공한다.
다른 측면에서, 본 발명은 상기 화학식으로 표시되는 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자장치를 제공한다.
본 발명의 실시예에 따른 화합물을 이용함으로써 소자의 구동전압을 낮출 수 있고, 소자의 발광효율 및 수명을 크게 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 유기전기발광소자의 예시도이다.
본 발명에 사용된 용어 "아릴기" 및 "아릴렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 6 내지 60의 탄소수를 가지며, 이에 제한되는 것은 아니다. 본 발명에서 아릴기 또는 아릴렌기는 단일고리형, 고리집합체, 접합된 여러 고리계, 스파이로 화합물 등을 포함한다.
본 발명에 사용된 용어 "헤테로고리기"는 "헤테로아릴기" 또는 "헤테로아릴렌기"와 같은 방향족 고리뿐만 아니라 비방향족 고리도 포함하며, 다른 설명이 없는 한 각각 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 탄소수 2 내지 60의 고리를 의미하나 여기에 제한되는 것은 아니다. 본 명세서에서 사용된 용어 "헤테로원자"는 다른 설명이 없는 한 N, O, S, P 또는 Si를 나타내며, 헤테로고리기는 헤테로원자를 포함하는 단일고리형, 고리집합체, 접합된 여러 고리계, 스파이로 화합물 등을 의미한다. 또한, 본 발명에 사용된 헤테로고리는 고리를 형성하는 탄소 대신 하기 화합물과 같이 SO2, P=O 등과 같은 헤테로원자단을 포함하는 화합물도 포함될 수 있다.
본 발명에 사용된 용어 "플루오렌일기" 또는 "플루오렌일렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 하기 구조에서 R, R' 및 R"이 모두 수소인 1가 또는 2가 작용기를 의미하며, "치환된 플루오렌일기" 또는 "치환된 플루오렌일렌기"는 치환기 R, R', R" 중 적어도 하나가 수소 이외의 치환기인 것을 의미하며, R과 R'이 서로 결합되어 이들이 결합된 탄소와 함께 스파이로 화합물을 형성한 경우를 포함한다.
본 발명에서 사용된 용어 "스파이로 화합물"은 '스파이로 연결(spiro union)'을 가지며, 스파이로 연결은 2개의 고리가 오로지 1개의 원자를 공유함으로써 이루어지는 연결을 의미한다. 이때, 두 고리에 공유된 원자를 '스파이로 원자'라 하며, 한 화합물에 들어 있는 스파이로 원자의 수에 따라 이들을 각각 '모노스파이로-', '다이스파이로-', '트라이스파이로-' 화합물이라 한다.
본 명세서에서 각 기호 및 그 치환기의 예로 예시되는 아릴기, 아릴렌기, 헤테로고리기 등에 해당하는 '기 이름'은 '가수를 반영한 기의 이름'을 기재할 수도 있지만, '모체화합물 명칭'으로 기재할 수도 있다. 예컨대, 아릴기의 일종인 '페난트렌'의 경우, 1가의 '기'는 '페난트릴'로 2가의 기는 '페난트릴렌' 등과 같이 가수를 구분하여 기의 이름을 기재할 수도 있지만, 가수와 상관없이 모체 화합물 명칭인 '페난트렌'으로 기재할 수도 있다. 유사하게, 피리미딘의 경우에도, 가수와 상관없이 '피리미딘'으로 기재하거나, 1가인 경우에는 피리미딘일기, 2가의 경우에는 피리미딘일렌 등과 같이 해당 가수의 '기의 이름'으로 기재할 수도 있다.
또한, 명시적인 설명이 없는 한, 본 발명에서 사용되는 화학식은 하기 화학식의 지수 정의에 의한 치환기 정의와 동일하게 적용된다.
여기서, a가 0의 정수인 경우 치환기 R1은 부존재하는 것을 의미하는데, 즉 a가 0인 경우는 벤젠고리를 형성하는 탄소에 모두 수소가 결합된 것을 의미하며, 이때 탄소에 결합된 수소의 표시를 생략하고 화학식이나 화합물을 기재할 수 있다. 또한, a가 1의 정수인 경우 하나의 치환기 R1은 벤젠 고리를 형성하는 탄소 중 어느 하나의 탄소에 결합하며, a가 2 또는 3의 정수인 경우 예컨대 아래와 같이 결합할 수 있고, a가 4 내지 6의 정수인 경우에도 이와 유사한 방식으로 벤젠 고리의 탄소에 결합하며, a가 2 이상의 정수인 경우 R1은 서로 같거나 상이할 수 있다.
또한, 본 명세서에서 다른 설명이 없는 한, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 형성한 고리는 C6~C60의 방향족고리기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
이하, 본 발명의 화합물이 포함된 유기전기소자의 적층구조에 대하여 도 1을 참조하여 설명한다.
본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 구성 요소가 다른 구성 요소 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 경우, 이는 다른 구성 요소 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 구성 요소가 있는 경우도 포함할 수 있다고 이해되어야 할 것이다. 반대로, 어떤 구성 요소가 다른 부분 "바로 위에" 있다고 하는 경우에는 중간에 또 다른 부분이 없는 것을 뜻한다고 이해되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자에 대한 예시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자(100)는 기판(110) 상에 형성된 제 1전극(120), 제 2전극(180), 및 제 1전극(120)과 제 2전극(180) 사이에 본 발명에 따른 화합물을 포함하는 유기물층을 포함한다. 이때, 제 1전극(120)은 애노드(양극)이고, 제 2전극(180)은 캐소드(음극)일 수 있으며, 인버트형의 경우에는 제 1전극이 캐소드이고 제 2전극이 애노드일 수 있다.
유기물층은 제 1전극(120) 상에 순차적으로 적층된 정공주입층(130), 정공수송층(140), 발광층(150), 전자수송층(160), 전자주입층(170) 등을 포함할 수 있다. 이때, 이들 층 중 적어도 하나가 생략되거나, 정공저지층, 전자저지층, 발광보조층(151), 전자수송보조층, 버퍼층(141) 등을 더 포함할 수도 있고, 전자수송층(160) 등이 정공저지층의 역할을 할 수도 있다.
또한, 미도시하였지만, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자는 보호층 또는 광효율 개선층을 더 포함할 수 있다. 이러한 광효율 개선층은 제 1전극의 양면 중 유기물층과 접하지 않는 면 또는 제 2전극의 양면 중 유기물층과 접하지 않는 면에 형성될 수 있다.
상기 유기물층에 적용되는 본 발명의 일 실시예에 따른 화합물은 정공주입층(130), 정공수송층(140), 발광보조층(151), 전자수송보조층, 전자수송층(160), 전자주입층(170), 발광층(150)의 호스트 또는 도펀트, 또는 광효율 개선층의 재료로 사용될 수 있을 것이다. 바람직하게는, 본 발명의 화학식 1에 따른 화합물은 발광층의 호스트로 사용될 수 있다.
한편, 동일유사한 코어일지라도 어느 위치에 어느 치환기를 결합시키냐에 따라 밴드갭(band gap), 전기적 특성, 계면 특성 등이 달라질 수 있으므로, 코어의 선택 및 이에 결합된 서브(sub)-치환체의 조합에 대한 연구가 필요하며, 특히 각 유기물층 간의 에너지 준위 및 T1 값, 물질의 고유특성(이동도, 계면특성 등) 등이 최적의 조합을 이루었을 때 긴 수명과 높은 효율을 동시에 달성할 수 있다.
따라서, 본 발명에서는 화학식 1로 표시되는 화합물을 발광층의 호스트로 사용함으로써, 각 유기물층 간의 에너지 레벨 및 T1 값, 물질의 고유특성(이동도, 계면특성 등) 등을 최적화하여 유기전기소자의 수명 및 효율을 동시에 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기발광소자는 다양한 증착법(deposition)을 이용하여 제조될 수 있을 것이다. PVD나 CVD 등의 증착 방법을 사용하여 제조될 수 있는데, 예컨대, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극(120)을 형성하고, 그 위에 정공주입층(130), 정공수송층(140), 발광층(150), 전자수송층(160) 및 전자주입층(170)을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극(180)으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 또한, 정공수송층(140)과 발광층(150) 사이에 발광보조층(151)을, 발광층(150)과 전자수송층(160) 사이에 전자수송보조층을 추가로 더 형성할 수 있다.
또한, 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용액 공정 또는 솔벤트 프로세스(solvent process), 예컨대 스핀코팅 공정, 노즐 프린팅 공정, 잉크젯 프린팅 공정, 슬롯코팅 공정, 딥코팅 공정, 롤투롤 공정, 닥터 블레이딩 공정, 스크린 프린팅 공정, 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다. 본 발명에 따른 유기물층은 다양한 방법으로 형성될 수 있으므로, 그 형성방법에 의해 본 발명의 권리범위가 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자는 유기전기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체, 유기트랜지스터, 단색 조명용 소자 및 퀀텀닷 디스플레이용 소자로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는 상술한 본 발명의 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치와, 이 디스플레이장치를 제어하는 제어부를 포함하는 전자장치를 포함할 수 있다. 이때, 전자장치는 현재 또는 장래의 유무선 통신단말일 수 있으며, 휴대폰 등의 이동 통신 단말기, PDA, 전자사전, PMP, 리모콘, 네비게이션, 게임기, 각종 TV, 각종 컴퓨터 등 모든 전자장치를 포함한다.
이하, 본 발명의 일 측면에 따른 화합물에 대하여 설명한다.
본 발명의 일 측면에 따른 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.
<화학식 1>
상기 화학식 1에서, 각 기호는 아래와 같이 정의될 수 있다.
Y1 내지 Y4는 서로 독립적으로 N 또는 C-L1-Ar1이고, Y1 내지 Y4 중에서 적어도 두개는 N이며, 복수의 L1은 각각 같거나 상이하고, 복수의 Ar1은 각각 같거나 상이하다. 따라서, Y1 내지 Y4를 포함하는 6각 링은 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진 등의 유도체일 수 있다.
X1은 N-L2-Ar2, O 또는 S이다.
X2 및 X3은 서로 독립적으로 단일결합, N-L3-Ar3, O 또는 S이고, X2와 X3가 모두 단일결합인 경우는 제외하며, 복수의 L3은 각각 같거나 상이하고, 복수의 Ar3은 각각 같거나 상이하다. n 및 m은 각각 0 또는 1의 정수이고, n+m은 1 이상의 정수이다. 즉, n과 m 중에서 적어도 하나는 1이다.
상기 L1 내지 L3은 서로 독립적으로 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C3~C60의 지방족고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
L1 내지 L3이 아릴렌기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴렌기, 더욱 바람직하게는 C6~C18의 아릴렌기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 터페닐 등이 될 수 있다.
상기 Ar1 내지 Ar3은 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; 및 -L'-N(Ra)(Rb)로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
Ar1 내지 Ar3이 아릴기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C6~C18의 아릴기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 터페닐, 나프틸, 페난트렌, 트리페닐렌 등이 될 수 있다.
Ar1이 헤테로고리기인 경우, 바람직하게는 C2~C30의 헤테로고리기, 더욱 바람직하게는 C2~C28의 헤테로고리기, 예컨대 피리딘, 피리미딘, 트리아진, 퀴나졸린, 퀴놀린, 카바졸, 페닐카바졸, 벤조카바졸, 다이벤조카바졸, 다이벤조싸이오펜, 벤조싸이에노피리딘, 다이벤조퓨란, 벤조나프토싸이오펜, 벤조나프토퓨란, 인돌로카바졸, 인데노카바졸, 벤조싸이에노 카바졸, 벤조퓨로카바졸, 인데노플루오렌, 플루오레노벤조퓨란, 플루오레노벤조싸이오펜, 다이벤조싸이에노벤조퓨란 등이 될 수 있다.
R1은 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 니트로기; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕시기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -L'-N(Ra)(Rb)로 이루어진 군에서 선택될 수 있고, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
a는 0~4의 정수이며, a가 2 이상의 정수인 경우, 복수의 R1은 서로 동일하거나 상이하다.
R1이 아릴기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C6~C18의 아릴기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 터페닐, 나프틸 등이 될 수 있다.
상기 L'은 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C3~C60의 지방족고리기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 Ra 및 Rb는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; C3~C60의 지방족고리기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 L1 내지 L3, Ar1 내지 Ar3, R1, L', Ra 및 Rb는 각각 중수소; 할로겐; C1-C20의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 실록산기; 시아노기; 니트로기; C1-C20의 알킬싸이오기; C1-C20의 알콕시기; C6-C20의 아릴알콕시기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C6-C20의 아릴기; 중수소로 치환된 C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기; C3-C20의 지방족고리기; C7-C20의 아릴알킬기; 및 C8-C20의 아릴알켄일기;로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더 치환될 수 있다.
바람직하게는, 상기 화학식 1은 하기 화학식 I-1 내지 화학식 I-6 중에서 하나로 표시될 수 있다.
<화학식 I-1>
<화학식 I-2>
<화학식 I-3>
<화학식 I-4>
<화학식 I-5> <화학식 I-6>
상기 화학식 I-1 내지 I-6에서, X1~X3, R1, a, Ar1, L1은 화학식 1에서 정의된 것과 같다.
바람직하게는, 상기 Ar1은 하기 화학식 A 또는 화학식 B로 표시될 수 있다.
<화학식 A> <화학식 B>
상기 화학식 A 및 화학식 B에서, 각 기호는 아래와 같이 정의될 수 있다.
X4는 N-L5-Ar5, O, S 또는 C(R2)(R3)이다.
A환 및 B환은 서로 독립적으로 C6~C30의 방향족탄화수소; 또는 O, N, S, Si, P중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C30의 헤테로고리기이다. 바람직하게는, A환 및 B환은 서로 독립적으로 C6~C24의 방향족탄화수소; 또는 O, N, S, Si, P중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기이다.
이때, A환 및 B환은 각각 하나 이상의 Ra로 더 치환될 수 있다. 여기서, Ra는 수소; 중수소; 할로겐; C1-C20의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 시아노기; 니트로기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기; 및 C3-C20의 지방족고리기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 L5는 단일결합; C6~C20의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C3~C20의 지방족고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 Ar5는 C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 지방족고리기; 및 -L'-N(Ra)(Rb)로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 R2 및 R3은 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C1-C20의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 시아노기; 니트로기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기; 및 C3-C20의 지방족고리기;로 이루어진 군에서 선택되고, R2와 R3은 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 L', Ra 및 Rb는 화학식 1에서 정의된 것과 같다.
바람직하게는, 상기 화학식 A 및 화학식 B에서, A환 및 B환은 하기 화학식 B-1 내지 화학식 B-16으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
(B-1) (B-2) (B-3) (B-4) (B-5) (B-6)
(B-7) (B-8) (B-9) (B-10) (B-11)
(B-12) (B-13) (B-14) (B-15) (B-16)
상기 화학식 B-1 내지 화학식 B-16에서, *는 축합위치를 나타낸다. 즉, *는 X4 포함 5원자고리 또는 N 포함 5원자고리와 축합되는 위치를 나타낸다.
V는 서로 독립적으로 C(Ra) 또는 N이며, X5는 N-L6-Ar6, O, S 또는 C(R4)(R5)이다.
상기 Ra는 상기 화학식 A 및 화학식 B에서 정의된 것과 같다.
상기 L6은 단일결합; C6~C20의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C3~C20의 지방족고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 Ar6은 C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 지방족고리기; 및 -L'-N(Ra)(Rb)로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 R4 및 R5는 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C1-C20의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 시아노기; 니트로기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기; 및 C3-C20의 지방족고리기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있고, R4와 R5는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 L', Ra 및 Rb는 화학식 1에서 정의된 것과 같다.
바람직하게는, 상기 Ar1은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-9로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
<화학식 1-1>
<화학식 1-2>
<화학식 1-3>
<화학식 1-4>
<화학식 1-5> <화학식 1-6>
<화학식 1-7>
<화학식 1-8> <화학식 1-9>
상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-9에서, 각 기호는 아래와 같이 정의될 수 있다. *는 L1과 결합하는 위치를 나타낸다.
X6은 N, N-(L7-Ar7), O 또는 S이며, 단 화학식 1-7 및 화학식 1-8에서 X6은 N-(L7-Ar7), O 또는 S이다.
X7 및 X8은 서로 독립적으로 단일결합, N, N-(L8-Ar8), O 또는 S이고, 단 화학식 1-6 및 화학식 1-9에서 X7 및 X8은 서로 독립적으로 단일결합, N-(L8-Ar8), O 또는 S이며, 복수의 L8은 각각 같거나 상이하고, 복수의 Ar8은 각각 같거나 상이하며, X7 및 X8이 모두 단일결합인 경우는 제외하며, o 및 p는 0 또는 1의 정수이고, o와 p 중에서 적어도 하나는 1의 정수이다.
R6 내지 R8은 수소; 중수소; 할로겐; C1-C20의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 실록산기; 시아노기; 니트로기; C1-C20의 알킬싸이오기; C1-C20의 알콕시기; C6-C20의 아릴알콕시기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기; 및 C3-C20의 지방족고리기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
b, c 및 f는 각각 0~4의 정수, d 및 e는 각각 0~6의 정수이며, 이들 각각이 2 이상의 정수인 경우 R6 각각, R7 각각, R8 각각은 서로 같거나 상이하다.
상기 L7 및 L8은 서로 독립적으로 단일결합; C6~C20의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C3~C20의 지방족고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 Ar7 및 Ar8은 서로 독립적으로 C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 지방족고리기; C3~C20의 지방족고리와 C6~C20의 방향족고리의 융합고리기; 및 -L'-N(Ra)(Rb)로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 여기서, L', Ra 및 Rb는 화학식 1에서 정의된 것과 같다.
구체적으로, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 하나일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명은 다른 측면에서, 제 1전극, 제 2 전극, 및 상기 제 1전극과 상기 제 2전극 사이에 형성된 유기물층을 포함하는 유기전기소자를 제공하며, 이때 상기 유기물층은 화학식 1로 표시되는 1종 단독 화합물 또는 2종 이상의 화합물을 포함한다.
상기 유기물층은 정공주입층, 정공 수송층, 발광보조층, 발광층, 전자수송보조층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나의 층을 포함하며, 바람직하게는 상기 화합물은 상기 발광층에 포함된다.
합성예
본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물(final products)은 하기 반응식 1과 같이 Sub 1과 Sub 2 또는 Sub 1과 Sub 3을 반응시켜 합성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 하기 반응식 1은 화학식 1에서 Y1~Y4 중에서 하나가 C-(L1-Ar1)이고, 이때 Ar1이 화학식 A 또는 화학식 B인 경우를 나타낸다.
<반응식 1>
상기 반응식 1에서, Y1~Y4 중 두 개는 N이고, 나머지 중 하나는 L1-Sub 2 또는 L1-Sub 3과 결합하는 C이며, 다른 하나는 N 또는 C-(L1-Ar1)이고, Y5~Y8 중 두 개는 N이고, 나머지 중 하나는 L1-Cl과 결합하는 C이며, 다른 하나는 N 또는 C-(L1-Ar1)이며, 나머지 기호는 화학식 1, 화학식 A 및 화학식 B에서 정의된 것과 같다.
I. Sub 1
합성예
반응식 1의 Sub 1은 하기 반응식 2 내지 반응식 4의 반응경로에 의해 합성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
1. Sub 1-A의 합성
<반응식 2>
Sub 1-A-3의 합성
Sub 1-A-1, Sub 1-A-2, K2CO3 (3당량) 및 Pd(PPh3)4 (0.05당량)를 무수 THF와 소량의 물에 녹인 후, 80℃에서 12시간 동안 환류시켰다. 반응이 종료되면 반응물의 온도를 상온으로 식히고, MC로 추출하고 물로 닦아주었다. 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 실리카겔칼럼으로 분리하여 Sub 1-A-3을 얻었다.
Sub 1-A-4의 합성
Sub 1-A-3과 triphenylphosphine (2.5 당량)을 o-dichlorobenzene에 녹이고, 24시간 동안 환류시켰다. 반응이 종결되면 감압 증류를 이용하여 용매를 제거한다. 이후, 농축물을 실리카겔칼럼 및 재결정에 의해 불순물을 제거하여 Sub 1-A-4를 얻었다.
Sub 1-A의 합성
Sub 1-A-4에 Sub 1-A-5, Pd2(dba)3 (0.05당량), P(t-Bu)3 (0.1당량), NaOt-Bu (3당량), toluene을 첨가한 뒤, 100℃에서 24시간 교반환류시킨다. 반응이 종료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한다. 이후, 농축물을 실리카겔칼럼 및 재결정에 의해 불순물을 제거하여 Sub 1-A를 얻었다.
1) Sub 1-43
합성예
(1) Sub 1-43-A 합성
(2,4-dichlorofuro[3,2-d]pyrimidin-7-yl)boronic acid (15 g, 64.43 mmol)에 1-bromo-2-nitrobenzene (15.62 g, 77.32 mmol), K2CO3 (26.71 g, 193.29 mmol), Pd(PPh3)4 (3.72 g, 3.22 mmol), THF(300 ml) 및 물(150 ml)을 첨가한 후, Sub 1-A-3의 합성법과 같은 방법으로 진행하여 Sub 1-43-A (14.78 g, 74%)를 얻었다.
(2) Sub 1-43-B 합성
Sub 1-43-A (14 g, 45.15 mmol)에 triphenylphosphine (29.6 g, 112.87 mmol)와 o-dichlorobenzene (280 ml)을 첨가한 후, Sub 1-A-4의 합성법과 같은 방법으로 진행하여 Sub 1-43-B (5.65 g, 45%)를 얻었다.
(3) Sub 1-43-C 합성
Sub 1-43-B (5 g, 17.98 mmol)에 bromobenzene (3.25 g, 20.68 mmol), Pd2(dba)3 (0.82 g, 0.9 mmol), P(t-Bu)3 (0.4 g, 1.8 mmol), NaOt-Bu (5.18 g, 53.94 mmol), toluene (200 ml)을 첨가한 후, Sub 1-A의 합성법과 같은 방법으로 진행하여 Sub 1-43-C (4.2 g, 66%)를 얻었다.
(4) Sub 1-43 합성
Sub 1-43-C (4 g, 11.29 mmol)에 phenylboronic acid (1.65 g, 13.55 mmol), K2CO3 (4.68 g, 33.88 mmol), Pd(PPh3)4 (0.65 g, 0.56 mmol), THF(80 ml) 및 물(40 ml)을 첨가한 후, Sub 1-A-3의 합성법과 같은 방법으로 진행하여 Sub 1-43 (3.17 g, 71%)을 얻었다.
2. Sub 1-B의 합성
<반응식 3>
Sub 1-B-3의 합성
Sub 1-B-1, Sub 1-B-2, Pd(PPh3)4 (0.03당량) 및 K2CO3 (1.5당량)를 무수 THF와 EtOH에 녹이고, H2O를 넣고 90℃에서 12시간 환류시킨다. 반응이 종료되면 반응물의 온도를 상온으로 식히고, MC로 추출하고 물로 닦아주었다. 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 실리카겔칼럼으로 분리하여 원하는 Sub 1-B-3를 얻었다.
Sub 1-B의 합성
Sub 1-B-3과 Pd(OAc)2 (0.05당량)에 3-nitropyridine (0.05당량), BzOOtBu (tert-butyl peroxybenzoate) (2당량), C6F6 (hexafluorobenzene), DMI (N,N'-dimethylimidazolidinone)을 첨가하고 90℃에서 3시간 환류시킨다. 반응이 종결되면 감압 증류를 이용하여 용매를 제거한 후, 농축된 생성물을 실리카겔칼럼 및 재결정에 의해 불순물을 제거하여 Sub 1-B를 얻었다.
2) Sub 1-23 합성예
(1) Sub 1-23-A 합성
6-bromo-2,4-dichloro-7-phenyl-7H-pyrrolo[2,3-d]pyrimidine (20 g, 58.31 mmol)에 (2-hydroxyphenyl)boronic acid (9.65 g, 69.97 mmol), K2CO3 (12.09 g, 87.46 mmol), THF (400 ml), EtOH (100 ml), H2O (100 ml)를 첨가한 후, Sub 1-B-3의 합성법과 같은 방법으로 진행하여 Sub 1-23-A (8.1 g, 39%)를 얻었다.
(2) Sub 1-23-B 합성
Sub 1-23-A (8 g, 22.46 mmol)에 Pd(OAc)2 (0.25 g, 1.12 mmol), 3-nitropyridine (0.14 g, 1.12 mmol), BzOOtBu (tert-butyl peroxybenzoate) (8.72 g, 44.92 mmol), C6F6 (hexafluorobenzene) (200 ml), DMI (N,N'-dimethylimidazolidinone) (130 ml)을 첨가한 후, Sub 1-B의 합성법과 같은 방법으로 진행하여 Sub 1-23-B (3.05g, 44%)를 얻었다.
(3) Sub 1-23 합성
Sub 1-23-B (3 g, 8.47 mmol)에 phenylboronic acid(1.24 g, 10.16 mmol), K2CO3 (3.51 g, 25.41 mmol), Pd(PPh3)4 (0.49 g, 0.42 mmol), THF(60 ml) 및 물(30 ml)을 첨가한 후, Sub 1-A-3의 합성법과 같은 방법으로 진행하여 Sub 1-43 (2.55 g, 76%)을 얻었다.
3) Sub 1-C의 합성
<반응식 4>
Sub 1-C-3의 합성
Sub 1-C-1에 Sub 1-C-2, Pd2(dba)3 (0.05당량), DPEPhos (Oxydi-2,1-phenylene)bis(diphenylphosphine) (0.15당량), t-BuONa (1.1당량), toluene을 넣고 60℃에서 2시간 환류시킨다. 반응이 종료되면 반응물의 온도를 상온으로 식히고 MC로 추출하고 물로 닦아주었다. 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 실리카겔필터로 분리하여 Sub 1-C-3을 얻었다.
Sub 1-C의 합성
Sub 1-C-3에 Pd(OAc)2 (0.05당량), P(t-Bu)3 (0.1당량), K2CO3 (3당량), DMA을 넣고 교반환류시킨 뒤, 반응이 종료되면 반응물의 온도를 상온으로 식히고, MC로 추출하고 물로 닦아준다. 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 실리카겔칼럼 및 재결정에 의해 불순물을 제거하여 Sub 1-C를 얻었다.
3. Sub 1-17 합성예
(1) Sub 1-17-A 합성
6,7-dibromo-2,3-dichlorofuro[2,3-b]pyrazine (30 g, 86.51 mmol)에 benzenethiol (11.4 g, 103.81 mmol), Pd2(dba)3 (4 g, 4.33 mmol), DPEPhos (Oxydi-2,1-phenylene)bis(diphenylphosphine) (7 g, 12.98 mmol), t-BuONa (9.1 g, 95.16 mmol), toluene을 첨가한 후, Sub 1-C-3의 합성법과 같은 방법으로 진행하여 Sub 1-17-A (20.1 g, 62 %)를 얻었다.
(2) Sub 1-17-B 합성
Sub 1-17-A (19 g, 50.53 mmol)에 Pd(OAc)2 (0.6 g, 2.53 mmol), P(t-Bu)3 (1 g, 5.1 mmol), K2CO3 (21 g, 151.59 mmol), DMA를 첨가한 후, Sub 1-C의 합성법과 같은 방법으로 진행하여 Sub 1-17-B (5.4 g, 0.36%)를 얻었다.
(3) Sub 1-17 합성
Sub 1-17-B (4 g, 13.55 mmol)에 phenylboronic acid(1.98 g, 16.26 mmol), K2CO3 (5.62 g, 40.66 mmol), Pd(PPh3)4 (0.78 g, 0.68 mmol), THF(80 ml) 및 물(40 ml)을 첨가한 후, Sub 1-A-3의 합성법과 같은 방법으로 진행하여 Sub 1-17 (3.24 g, 71%)을 얻었다.
Sub 1에 속하는 화합물은 하기와 같으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 이들 화합물의 FD-MS 값은 표 1과 같다.
[표 1]
Ⅱ. Sub 2의
합성예
반응식 1의 Sub 2는 하기 반응식 5의 반응경로에 의해 합성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
<반응식 5>
1. Sub 2-15 합성예
(1) Sub 2-15a 합성
2-bromo-9-phenyl-9H-carbazole (50 g, 155.18 mmol), bis(pinacolato)diboron (51.23 g, 201.73 mmol), KOAc (45.69 g, 465.54 mmol), PdCl2(dppf) (5.68 g, 7.76 mmol)를 DMF (1L) 용매에 녹인 후, 120℃에서 12시간 동안 환류시켰다. 반응이 종료되면 반응물의 온도를 상온으로 식히고, CH2Cl2로 추출하고 1N HCl로 닦아주었다. 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 CH2Cl2와 methanol 용매를 이용하여 재결정하여 생성물 (36.09 g, 81%)를 얻었다.
(2) Sub 2-15b 합성
Sub 1-15a (30 g, 104.48 mmol), 1-bromo-2-nitrobenzene (27.44 g, 135.83 mmol), K2CO3 (43.32 g, 313.45 mmol), Pd(PPh3)4 (6.04 g, 5.22 mmol)를 둥근바닥플라스크에 넣은 후 THF (600 mL)와 물 (300 mL)을 넣어 용해시킨 후, 80℃에서 12시간 동안 환류시켰다. 반응이 종료되면 반응물의 온도를 상온으로 식히고, CH2Cl2로 추출하고 물로 닦아주었다. 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 실리카겔칼럼으로 분리하여 생성물 (26.27 g, 69%)를 얻었다.
(3) Sub 2-15 합성
Sub 1-15b (10 g, 27.44 mmol)과 triphenylphosphine (17.99 g, 68.61 mmol)을 o-dichlorobenzene (200 mL)에 녹이고, 180℃에서 24시간 동안 환류시켰다. 반응이 종결되면 감압 증류를 이용하여 용매를 제거한 후, 농축된 생성물을 실리카겔칼럼 및 재결정에 의해 불순물을 분리하여 원하는 생성물 (6.39 g, 70%)를 얻었다.
2. Sub 2-30 합성예
(1) Sub 2-30a 합성
5-bromobenzo[b]naphtha[1,2-d]thiophene (50 g, 159.64 mmol)에 bis(pinacolato)diboron (52.7 g, 207.53 mmol), KOAc (47 g, 478.91 mmol), PdCl2(dppf) (5.84 g, 7.98 mmol)를 첨가한 후 상기 Sub 2-15a의 합성법과 동일하게 진행하여 생성물을 (35.52 g, 80%)를 얻었다.
(2) Sub 2-30b 합성
Sub 2-30a (30 g, 104.48 mmol)에 1-bromo-2-nitrobenzene (27.44 g, 135.83 mmol), K2CO3 (43.32 g, 313.45 mmol), Pd(PPh3)4 (6.04 g, 5.22 mmol), THF (600mL), 물 (300mL)을 첨가한 후 Sub 2-15b의 합성법과 동일하게 진행하여 생성물 (27.11 g, 73%)를 얻었다.
(3) Sub 2-30 합성
Sub 2-30b (10 g, 28.14 mmol)에 triphenylphosphine (18.45 g, 70.34 mmol), o-dichlorobenzene (200 mL)를 첨가한 후, 상기 Sub 2-15의 합성법과 동일하게 진행하여 생성물 (6.27 g, 67%)를 얻었다.
Sub 2에 속하는 화합물은 하기 화합물과 같으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 표 2는 이들 화합물의 FD-MS 값을 나타낸 것이다.
[표 2]
III. Sub 3의
합성예
반응식 1의 Sub 3은 하기 반응식 6의 반응경로에 의해 합성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
<반응식 6>
1. Sub 3-50 합성예
(1) Sub 3-50a 합성
2-bromodibenzo[b,d]thiophen-3-ol (25 g, 89.56 mmol), (2-chloro-6-fluorophenyl)boronic acid (20.3 g, 116.42 mmol), K2CO3 (37.13 g, 268.67 mmol), Pd(PPh3)4 (5.17 g, 4.48 mmol)를 둥근바닥플라스크에 넣고 THF (500 mL)와 물 (250 mL)로 녹인 후 80℃에서 12시간 동안 환류시켰다. 반응이 종료되면 반응물의 온도를 상온으로 식히고, CH2Cl2로 추출하고 물로 닦아주었다. 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 실리카겔칼럼으로 분리하여 생성물 (16.2 g, 55%)를 얻었다.
(2) Sub 3-50b 합성
Sub 3-50a (20 g, 60.83 mmol)와 K2CO3 (21.02 g, 152.07 mmol)를 둥근바닥플라스크에 넣은 후 NMP를 첨가하고 110℃에서 환류시켰다. 반응이 종료되면 반응물의 온도를 상온으로 식히고, CH2Cl2로 추출하고 물로 닦아주었다. 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 실리카겔칼럼으로 분리하여 생성물 (11.46 g, 61%)를 얻었다.
(3) Sub 3-50 합성
Sub 3-50b (10 g, 32.39 mmol), bis(pinacolato)diboron (10.69 g, 42.1 mmol), KOAc (9.54 g, 97.16 mmol), PdCl2(dppf) (1.18 g, 1.62 mmol)를 DMF (250 mL) 용매에 녹인 후, 120℃에서 12시간 동안 환류시켰다. 반응이 종료되면 반응물의 온도를 상온으로 식히고, CH2Cl2로 추출하고 1N HCl로 닦아주었다. 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 CH2Cl2와 methanol 용매를 이용하여 재결정하여 생성물 (7.93 g, 77%)를 얻었다.
(1) Sub 3-53a 합성
(9-chlorodibenzo[b,d]thiophen-2-yl)boronic acid (30 g, 114.28 mmol), 1-bromo-2-nitrobenzene (30 g, 148.57 mmol), K2CO3 (47.38 g, 342.84 mmol), Pd(PPh3)4 (6.6 g, 5.71 mmol)를 둥근바닥플라스크에 넣고 THF (600 mL)와 물 (300 mL)로 녹인 후 80℃에서 12시간 동안 환류시켰다. 반응이 종료되면 반응물의 온도를 상온으로 식히고, CH2Cl2로 추출하고 물로 닦아주었다. 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 실리카겔칼럼으로 분리하여 생성물 (27.57 g, 71%)를 얻었다.
(2) Sub 3-53b 합성
Sub 3-53a (20 g, 58.86 mmol)과 triphenylphosphine (38.60 g, 147.15 mmol)을 o-dichlorobenzene (400 mL)에 녹이고, 200℃에서 24시간 동안 환류시켰다. 반응이 종결되면 감압 증류를 이용하여 용매를 제거한 후, 농축된 생성물을 실리카겔칼럼 및 재결정에 의해 불순물을 분리하여 생성물 (11.23 g, 62%)를 얻었다.
(3) Sub 3-53c 합성
Sub 3-53b(10 g, 32.49 mmol)를 톨루엔에 녹인 후에, bromobenzene(5.87 g, 37.36 mmol), Pd2(dba)3 (1.49 g, 1.62 mmol), P(t-Bu)3 (0.66 g, 3.25 mmol), NaOt-Bu (9.37 g, 97.47 mmol), toluene을 첨가하고, 100℃ 에서 24시간 교반 환류시킨다. 반응이 종료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축시킨 후, 실리카겔칼럼과 재결정으로 불순물을 분리하여 생성물 (9.73 g, 78%)을 얻었다.
(4) Sub 3-53 합성
Sub 3-53c (9 g, 23.44 mmol), bis(pinacolato)diboron (7.74 g, 30.48 mmol), KOAc (6.9 g, 70.33 mmol), PdCl2(dppf) (0.86 g, 1.17 mmol)를 DMF (180 mL) 용매에 녹인 후, 상기 Sub 3-50의 합성법과 동일하게 진행하여 생성물 (7.84 g, 85%)를 얻었다.
Sub 3에 속하는 화합물은 하기 화합물과 같으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 이들 화합물의 FD-MS 값은 하기 표 3과 같다.
[표 3]
Ⅲ. 최종 화합물의
합성예
1-23의 합성
Sub 1-35 (5 g, 14.85 mmol)에 Sub 2-30 (5.52 g, 17.07 mmol), NaOt-Bu (4.28 g, 44.54 mmol), Pd2(dba)3 (0.68 g, 0.74 mmol), P(t-Bu)3 (0.3 g, 1.48 mmol), toluene (200 mL)을 첨가한 뒤, 100℃에서 24시간 교반 환류시킨다. 반응이 종료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한다. 이후, 농축물을 실리카겔칼럼과 재결정에 의해 불순물을 분리한 후 생성물 6.57 g (수율: 71%)을 얻었다.
1-76의 합성
Sub 1-12 ( 4 g, 9.71 mmol)에 Sub 2-32 (3.43 g, 11.17 mmol), NaOt-Bu (2.8 g, 29.13 mmol), Pd2(dba)3 (0.44 g, 0.49 mmol), P(t-Bu)3 (0.2 g, 0.97 mmol), toluene (160 mL)을 첨가한 뒤, 상기 1-23의 합성법과 동일하게 진행하여 생성물 5.11 g (수율: 77%)을 얻었다.
1-87의 합성
Sub 1-34 (3 g, 9.35 mmol)에 Sub 2-13 (2.88 g, 10.76 mmol), NaOt-Bu (2.7 g, 28.06 mmol), Pd2(dba)3 (0.43 g, 0.47 mmol), P(t-Bu)3 (0.2 g, 0.94 mmol), toluene (120 mL)을 첨가한 뒤, 상기 1-23의 실험방법과 동일하게 진행하여 최종화합물을 3.51 g (수율: 68%)을 얻었다.
1-107의 합성
Sub 1-26 (5 g, 14.85 mmol)에 Sub 3-51 (6.72 g, 17.82 mmol), Pd(PPh3)4 (0.86 g, 0.74 mmol), K2CO3 (6.16 g, 44.54 mmol), THF (100 ml), EtOH (30 ml), H2O (30 ml)을 넣고 90℃에서 12시간 환류시킨다. 반응이 종료되면 반응물의 온도를 상온으로 식히고, MC로 추출하고 물로 닦아주었다. 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 실리카겔칼럼으로 불순물을 제거한 후 생성물 6.96 g (74%)을 얻었다.
상기와 같은 합성예에 따라 제조된 본 발명의 화합물 1-1 내지 1-134의 FD-MS 값은 하기 표 4와 같다.
[표 4]
유기전기소자의 제조평가
[
실시예
1]
레드유기전기발광소자
(호스트)
유리 기판에 형성된 ITO층(양극) 상에 N1-(naphthalen-2-yl)-N4,N4-bis(4-(naphthalen-2-yl(phenyl)amino)phenyl)-N1-phenylbenzene-1,4-diamine를 60 nm 두께로 진공증착하여 정공주입층을 형성한 후, 상기 정공주입층 상에 4,4-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]바이페닐을 60 nm 두께로 진공증착하여 정공수송층을 형성하였다.
이후, 상기 정공수송층 상에 본 발명 화합물 1-1을 호스트 물질로, bis-(1-phenylisoquinolyl)iridium(Ⅲ)acetylacetonate를 도펀트 물질로 사용하되 이들 중량비가 95:5가 되도록 도펀트를 도핑하여 30nm 두께의 발광층을 증착하였다.
다음으로, 상기 발광층 상에 (1,1'-biphenyl-4-olato)bis(2-methyl-8-quinolinolato)aluminum을 10 nm 두께로 진공증착하여 정공저지층을 형성하고, 상기 정공저지층 상에 트리스(8-퀴놀리놀)알루미륨을 40 nm 두께로 성막하여 전자수송층을 형성하였다.
이후, 전자수송층 상에 LiF를 0.2 nm 두께로 증착하고, 이어서 Al을 150 nm의 두께로 증착하여 음극을 형성하였다.
[
실시예
2] 내지 [
실시예
26]
발광층의 호스트 물질로 화합물 1-1 대신 하기 표 5에 기재된 본 발명의 화합물을 사용한 점을 제외하고는 상시 실시예 1과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제조하였다.
[
비교예
1] 내지 [
비교예
4]
발광층의 호스트 물질로 본 발명의 화합물 1-1 대신 하기 비교화합물 A 내지 비교화합물 D 중 하나를 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제작하였다.
<비교화합물 A> <비교화합물 B> <비교화합물 C> <비교화합물 D>
이와 같이 제조된 실시예 1 내지 26, 비교예 1 내지 4의 유기전기발광소자에 순바이어스 직류전압을 가하여 포토리서치(photoresearch)사의 PR-650으로 전기발광(EL) 특성을 측정하고, 2500cd/m2 기준 휘도에서 맥사이언스사에서 제조된 수명 측정 장비를 통해 T95 수명을 측정하였다. 측정 결과는 하기 표 5와 같다.
[표 5]
상기 표 5의 결과로부터 알 수 있듯이, 본 발명의 유기전기발광소자용 재료를 발광층의 인광호스트로 사용한 유기전기발광소자는 비교화합물 A 내지 D보다 효율과 수명이 현저히 개선되고, 구동전압이 낮아졌다.
호스트 물질로 일반적으로 사용되는 비교화합물 A(CBP)보다 벤조퓨란에 피롤로피리미딘이 축합된 비교화합물 B, 인돌에 피롤로피리딘이 축합된 비교화합물 C 또는 벤조싸이오펜에 피롤로피리딘이 축합된 비교화합물 D의 소자 결과가 우수하였고, 비교화합물 B 내지 D보다는 본 발명의 화합물을 사용할 경우 소자 결과가 더 우수하였다. 따라서, 아민의 개수(외곽 6각 링에 포함된 질소의 갯수), N 포함 외곽링에 결합된 치환기의 종류, N 포함 외곽링에 결합된 치환기의 개수 및 결합 위치 등에 따라 소자의 구동전압, 효율 및 수명 등이 달라진다는 것을 알 수 있다.
비교화합물 C 또는 D를 호스트로 사용한 경우가 비교화합물 B를 사용한 경우에 비해 구동전압이 더 낮고 효율은 향상되었다.
그리고 본 발명의 화합물과 비교화합물 C 및 D를 비교하였을 때, 4환 코어 중 N을 포함하는 6각 링에서 N의 개수, 이에 치환된 치환기의 결합 위치 및 치환기 개수 등에 따라 화합물의 에너지 레벨(enegy level)이 달라지게 되고, 이로 인해 본 발명의 화합물의 band gap이 비교화합물보다 정공과 전자 이동에 용이하게 되어 발광 효율이 증가한 것으로 판단된다.
즉, 화학식 1에서 Y1~Y4 중 2개가 N이고, 나머지 2개가 C-L1-Ar1인 본 발명의 화합물을 호스트로 사용한 경우 비교 화합물을 사용한 경우에 비해 소자 특성이 향상되었는데, 특히 Ar1이 화학식 A인 경우, 정공 이동에 용이한 에너지 레벨(Energy level)을 가져 구동 전압을 낮추는 효과를 나타내었고, 화학식 B인 경우에는 적절한 T1값과 동시에 깊은 HOMO값을 가져 발광층 내 전하 균형이 증가되어 발광 효율을 극대화시킨 것으로 보인다.
하기 각 유형의 화합물을 Gaussian 프로그램의 DFT method(B3LYP/6-31g(D))를 이용하여 측정한 데이터는 하기 표 6과 같다.
<B Type> <C Type> <D Type>
B 타입은 N 포함 육각링(피리딘 고리)의 탄소에 결합된 H가 다른 치환기로 치환되지 않은 경우이고, C 타입은 피리미딘 고리의 탄소에 1개의 헤테로고리(카바졸)이 결합되어 있는 경우이고, D 타입은 피리미딘 고리의 각 탄소에 아릴 종류(페닐)와 헤테로고리(카바졸)가 결합된 본 발명의 화합물이다. 즉, 상기 B 타입과 C 타입은 본발명의 화합물인 D 타입과 비교하여 피리미딘 부분에 치환된 치환기의 개수 및 종류가 상이하다. 이러한 치환기 결합 유무 및 개수의 차이로 인해 하기 표 6에서와 같이 각 화합물의 물성이 달라지게 된다.
[표 6]
상기 표 6을 참조해보면, D type의 LUMO 값이 가장 작으므로(deep) 전자 수송에 가장 유리할 것으로 보이며, 또한 B, C Type에 비해 본 발명의 D Type이 좁은 밴드갭(Band gap)과 작은(deep) T1 값을 가지는데 이는 높은 효율과 수명을 구현하는데 유리하다. 이는 상기 표 5의 소자 데이터 결과를 통해 확인할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시 예들은 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니라 설명 하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 사상과 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술은 본 발명의 권리범위에 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 유기전기소자
110: 기판
120: 제 1전극 130: 정공주입층
140: 정공수송층 141: 버퍼층
150: 발광층 151: 발광보조층
160: 전자수송층 170: 전자주입층
180: 제 2전극
120: 제 1전극 130: 정공주입층
140: 정공수송층 141: 버퍼층
150: 발광층 151: 발광보조층
160: 전자수송층 170: 전자주입층
180: 제 2전극
Claims (12)
- 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
<화학식 1>
상기 화학식 1에서,
Y1 내지 Y4는 서로 독립적으로 N 또는 C-(L1-Ar1)이고, Y1 내지 Y4 중에서 적어도 두개는 N이며, 복수의 L1은 각각 같거나 상이하고, 복수의 Ar1은 각각 같거나 상이하며,
X1은 N-(L2-Ar2), O 또는 S이며,
X2 및 X3은 서로 독립적으로 단일결합, N-(L3-Ar3), O 또는 S이고, X2와 X3가 모두 단일결합인 경우는 제외하며, 복수의 L3은 각각 같거나 상이하고, 복수의 Ar3은 각각 같거나 상이하며,
n 및 m은 각각 0 또는 1의 정수이고, n과 m 중에서 적어도 하나는 1이며,
R1은 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 니트로기; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕시기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -L'-N(Ra)(Rb)로 이루어진 군에서 선택되며,
a는 0~4의 정수이며, a가 2 이상의 정수인 경우, 복수의 R1은 서로 동일하거나 상이하며,
L1 내지 L3은 서로 독립적으로 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C3~C60의 지방족고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기;로 이루어진 군에서 선택되며,
Ar1 내지 Ar3은 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; 및 -L'-N(Ra)(Rb)로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 L'은 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C3~C60의 지방족고리기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 Ra 및 Rb는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; C3~C60의 지방족고리기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 L1 내지 L3, Ar1 내지 Ar3, R1, L', Ra 및 Rb는 각각 중수소; 할로겐; C1-C20의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 실록산기; 시아노기; 니트로기; C1-C20의 알킬싸이오기; C1-C20의 알콕시기; C6-C20의 아릴알콕시기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C6-C20의 아릴기; 중수소로 치환된 C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기; C3-C20의 지방족고리기; C7-C20의 아릴알킬기; 및 C8-C20의 아릴알켄일기;로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더 치환될 수 있다. - 제 1항에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식 I-1 내지 화학식 I-6 중에서 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물:
<화학식 I-1> <화학식 I-2> <화학식 I-3>
<화학식 I-4> <화학식 I-5> <화학식 I-6>
상기 화학식 I-1 내지 I-6에서, X1~X3, R1, a, Ar1, L1은 제1항에서 정의된 것과 같다. - 제 1항에 있어서,
상기 Ar1은 하기 화학식 A 또는 화학식 B로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물:
<화학식 A> <화학식 B>
상기 화학식 A 및 B에서,
X4는 N-L5-Ar5, O, S 또는 C(R2)(R3)이며,
A환 및 B환은 서로 독립적으로 C6~C30의 방향족탄화수소; 또는 O, N, S, Si, P중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C30의 헤테로고리기이며, A환과 B환은 각각 서로 같거나 상이한 하나 이상의 Ra로 더 치환될 수 있고,
상기 L5는 단일결합; C6~C20의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C3~C20의 지방족고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기;로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 Ar5는 C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 지방족고리기; 및 -L'-N(Ra)(Rb)로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 R2, R3 및 Ra는 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C1-C20의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 시아노기; 니트로기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기; 및 C3-C20의 지방족고리기;로 이루어진 군에서 선택되고, R2와 R3은 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고,
상기 L', Ra 및 Rb는 제1항에서 정의된 것과 같다. - 제 3항에 있어서,
상기 A환 및 B환은 하기 화학식 B-1 내지 화학식 B-16으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물:
(B-1) (B-2) (B-3) (B-4) (B-5) (B-6)
(B-7) (B-8) (B-9) (B-10) (B-11)
(B-12) (B-13) (B-14) (B-15) (B-16)
상기 화학식 B-1 내지 화학식 B-16에서, *는 축합위치를 나타내며,
V는 서로 독립적으로 C(Ra) 또는 N이며,
X5는 N-L6-Ar6, O, S 또는 C(R4)(R5)이며,
상기 Ra, R4 및 R5는 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C1-C20의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 시아노기; 니트로기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기; 및 C3-C20의 지방족고리기;로 이루어진 군에서 선택되고, R4와 R5는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며,
상기 L6은 단일결합; C6~C20의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C3~C20의 지방족고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기;로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 Ar6은 C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 지방족고리기; 및 -L'-N(Ra)(Rb)로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 L', Ra 및 Rb는 제1항에서 정의된 것과 같다. - 제 1항에 있어서,
상기 Ar1은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-9로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물:
<화학식 1-1> <화학식 1-2> <화학식 1-3>
<화학식 1-4> <화학식 1-5> <화학식 1-6>
<화학식 1-7> <화학식 1-8> <화학식 1-9>
상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-9에서, *는 L1과 결합하는 위치를 나타내며,
X6은 N, N-(L7-Ar7), O 또는 S이며, 단 화학식 1-7 및 화학식 1-8에서 X6은 N-(L7-Ar7), O 또는 S이고,
X7 및 X8은 서로 독립적으로 단일결합, N, N-(L8-Ar8), O 또는 S이고, 단 화학식 1-6 및 화학식 1-9에서 X7 및 X8은 서로 독립적으로 단일결합, N-(L8-Ar8), O 또는 S이며, 복수의 L8은 각각 같거나 상이하고, 복수의 Ar8은 각각 같거나 상이하며, X7 및 X8이 모두 단일결합인 경우는 제외하며, o 및 p는 0 또는 1의 정수이고, o와 p 중에서 적어도 하나는 1의 정수이며,
R6 내지 R8은 수소; 중수소; 할로겐; C1-C20의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 실록산기; 시아노기; 니트로기; C1-C20의 알킬싸이오기; C1-C20의 알콕시기; C6-C20의 아릴알콕시기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기; 및 C3-C20의 지방족고리기;로 이루어진 군에서 선택되며,
b, c 및 f는 각각 0~4의 정수, d 및 e는 각각 0~6의 정수이며, 이들 각각이 2 이상의 정수인 경우 R6 각각, R7 각각, R8 각각은 서로 같거나 상이하며,
상기 L7 및 L8은 서로 독립적으로 단일결합; C6~C20의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C3~C20의 지방족고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기;로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 Ar7 및 Ar8은 서로 독립적으로 C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 지방족고리기; C3~C20의 지방족고리와 C6~C20의 방향족고리의 융합고리기; 및 -L'-N(Ra)(Rb)로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 L', Ra 및 Rb는 제1항에서 정의된 것과 같다. - 제 1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 하나인 것을 특징으로 하는 화합물:
.
- 제 1전극, 제 2 전극, 및 상기 제 1전극과 상기 제 2전극 사이에 형성된 유기물층을 포함하는 유기전기소자에 있어서,
상기 유기물층은 제1항의 화학식 1로 표시되는 1종 단독 화합물 또는 2종 이상의 화합물을 포함하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자. - 제 7항에 있어서,
상기 유기물층은 정공주입층, 정공 수송층, 발광보조층, 발광층, 전자수송보조층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나의 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자. - 제 8항에 있어서,
상기 화합물은 상기 발광층에 포함된 것을 특징으로 하는 유기전기소자. - 제 7항에 있어서,
상기 유기물층은 스핀코팅 공정, 노즐 프린팅 공정, 잉크젯 프린팅 공정, 슬롯코팅 공정, 딥코팅 공정 또는 롤투롤 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전기소자. - 제 7항의 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치; 및
상기 디스플레이장치를 구동하는 제어부;를 포함하는 전자장치. - 제 11항에 있어서,
상기 유기전기소자는 유기전기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체, 유기트랜지스터, 단색 조명용 소자 및 퀀텀닷 디스플레이용 소자로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자장치.
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN115073480A (zh) * | 2021-03-10 | 2022-09-20 | 上海和辉光电股份有限公司 | 一种发光材料及有机电致发光器件 |
| CN115838374A (zh) * | 2021-09-08 | 2023-03-24 | 上海和辉光电股份有限公司 | 一种发光材料及有机电致发光器件 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013058560A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置、並びに化合物 |
| JP2013093431A (ja) * | 2011-10-25 | 2013-05-16 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、並びに照明装置 |
| US20130175507A1 (en) * | 2012-01-10 | 2013-07-11 | Universal Display Corporation | Novel Heterocyclic Host Materials |
| KR20140122929A (ko) * | 2013-04-11 | 2014-10-21 | (주)피엔에이치테크 | 새로운 유기전계발광소자용 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자 |
| KR20150015252A (ko) * | 2013-07-31 | 2015-02-10 | 제일모직주식회사 | 화합물, 이를 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시장치 |
| KR20150058082A (ko) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 주식회사 동진쎄미켐 | 신규한 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
-
2019
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013058560A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置、並びに化合物 |
| JP2013093431A (ja) * | 2011-10-25 | 2013-05-16 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、並びに照明装置 |
| US20130175507A1 (en) * | 2012-01-10 | 2013-07-11 | Universal Display Corporation | Novel Heterocyclic Host Materials |
| KR20140122929A (ko) * | 2013-04-11 | 2014-10-21 | (주)피엔에이치테크 | 새로운 유기전계발광소자용 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자 |
| KR20150015252A (ko) * | 2013-07-31 | 2015-02-10 | 제일모직주식회사 | 화합물, 이를 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시장치 |
| KR20150058082A (ko) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 주식회사 동진쎄미켐 | 신규한 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115073480A (zh) * | 2021-03-10 | 2022-09-20 | 上海和辉光电股份有限公司 | 一种发光材料及有机电致发光器件 |
| CN115838374A (zh) * | 2021-09-08 | 2023-03-24 | 上海和辉光电股份有限公司 | 一种发光材料及有机电致发光器件 |
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| KR102344798B1 (ko) | 2021-12-29 |
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