KR20200022260A - Apparatus for forming coating layer with guide nozzle - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a coating layer forming apparatus with a guide nozzle, which can form a coating layer of a uniform thickness. For example, the coating layer forming apparatus comprises: a high-speed transport pipe to transport powder by transport gas; a nozzle which is connected to the high-speed transport pipe and injects the powder to a base material; and a concentration gas supply unit connected to the nozzle to supply concentration gas. The nozzle includes: a main nozzle to inject the powder and the transport gas; and a guide nozzle formed on the outside of the main nozzle to inject the concentration gas.

Description

가이드 노즐을 갖는 피막 형성 장치{Apparatus for forming coating layer with guide nozzle}Apparatus for forming coating layer with guide nozzle}

본 발명은 가이드 노즐을 갖는 피막 형성 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a film forming apparatus having a guide nozzle.

에어로졸 증착 공정은 일반적으로 상온의 분위기에서 분말의 이상적인 에어로졸 형성을 통해 분말을 진공 챔버와 분말 탱크의 진공 압력 차를 이용하여 분말을 공급한다. 이때 분말이 가지는 운동에너지는 분말이 코팅 원자재에 도달하는 순간 충돌에너지로 전환되며, 이 전환된 충돌에너지를 이용하여 원자재에 코팅이 행하여지는 매우 우수한 코팅 공법이다. 상기의 에어로졸 증착 공정은 수 마이크로 이내의 분말을 이용하여 에어로졸을 형상한다. 이때 사용되는 상용의 원재료는 매우 넓은 분포의 입자 분포도를 가지며, 높은 응집성으로 인해 코팅 공정이 연속적으로 이루어질 경우 분말의 정량 공급이 원활하지 못하며, 분말의 이동속도의 최적화를 위해 분말 탱크, 분말 공급 라인, 노즐의 설계를 일직선화 하고 있다.The aerosol deposition process generally supplies the powder using the vacuum pressure difference between the vacuum chamber and the powder tank through the ideal aerosol formation of the powder in a room temperature atmosphere. In this case, the kinetic energy of the powder is converted into the collision energy at the moment when the powder reaches the coating raw material, and the coating energy is coated on the raw material by using the converted collision energy. The above aerosol deposition process uses a powder within a few microns to shape the aerosol. At this time, the commercial raw materials used have a very wide particle distribution, and due to the high cohesiveness, when the coating process is performed continuously, the quantitative supply of powder is not smooth. The design of the nozzle is straightforward.

이러한 발명의 배경이 되는 기술에 개시된 상술한 정보는 본 발명의 배경에 대한 이해도를 향상시키기 위한 것뿐이며, 따라서 종래 기술을 구성하지 않는 정보를 포함할 수도 있다.The above-described information disclosed in the background technology of the present invention is only for improving the understanding of the background of the present invention, and thus may include information that does not constitute the prior art.

본 발명은 균일한 두께의 피막을 형성할 수 있도록 가이드 노즐을 갖는 피막 형성 장치를 제공한다.The present invention provides a film forming apparatus having a guide nozzle so as to form a film having a uniform thickness.

본 발명에 의한 피막 형성 장치는 이송 가스를 통해 분말이 이송하는 고속 이송관; 상기 고속 이송관에 연결되며, 상기 분말을 기재에 분사하는 노즐; 및 상기 노즐에 연결되어 집중 가스를 공급하는 집중 가스 공급부를 포함하고, 상기 노즐은 상기 분말과 이송 가스를 분사하는 메인 노즐과, 상기 메인 노즐의 외측에 형성되어 상기 집중 가스를 분사하는 가이드 노즐을 포함한다.The film forming apparatus according to the present invention comprises a high speed conveying tube for conveying powder through a conveying gas; A nozzle connected to the high speed feed pipe and spraying the powder on a substrate; And a concentrated gas supply unit connected to the nozzle to supply a concentrated gas, wherein the nozzle includes a main nozzle for injecting the powder and the transfer gas, and a guide nozzle formed outside the main nozzle to inject the concentrated gas. Include.

상기 메인 노즐과 상기 가이드 노즐 사이에는 상기 집중 가스가 이동하는 가스 통로가 형성될 수 있다.A gas passage through which the concentrated gas moves may be formed between the main nozzle and the guide nozzle.

상기 메인 노즐과 상기 가이드 노즐의 단면은 대략 직사각형 형태로 형성될 수 있다.Cross sections of the main nozzle and the guide nozzle may have a substantially rectangular shape.

상기 가스 통로는 상기 메인 노즐을 둘러싸도록 형성될 수 있다.The gas passage may be formed to surround the main nozzle.

상기 메인 노즐의 일부는 상기 가이드 노즐에 접착될 수 있다.A portion of the main nozzle may be attached to the guide nozzle.

상기 가스 통로는 상기 메인 노즐의 양측에 위치할 수 있다.The gas passage may be located at both sides of the main nozzle.

상기 메인 노즐과 상기 가이드 노즐의 단면은 원형으로 형성될 수 있다.Cross sections of the main nozzle and the guide nozzle may be formed in a circular shape.

상기 가이드 노즐의 내벽에는 다수의 가이드 홈이 형성될 수 있다.A plurality of guide grooves may be formed on the inner wall of the guide nozzle.

상기 가이드 홈은 상기 가이드 노즐의 내벽을 따라서 직선 형태로 형성될 수 있다.The guide groove may be formed in a straight shape along the inner wall of the guide nozzle.

상기 가이드 홈은 상기 가이드 노즐의 내벽을 따라서 나선 형태로 형성될 수 있다.The guide groove may be formed in a spiral shape along an inner wall of the guide nozzle.

상기 가이드 노즐은 상기 메인 노즐의 길이 보다 길게 연장된 연장부를 더 포함할 수 있다.The guide nozzle may further include an extension extending longer than the length of the main nozzle.

상기 연장부는 끝단으로 갈수록 직경이 작아질 수 있다.The extension portion may be smaller in diameter toward the end.

본 발명의 일 실시예에 따른 피막 형성 장치는 분말이 분사되는 메인 노즐의 외측에 집중 가스를 분사하는 가이드 노즐을 형성함으로써, 기재에 균일한 두께의 피막을 형성할 수 있다.The film forming apparatus according to the embodiment of the present invention can form a film having a uniform thickness on the substrate by forming a guide nozzle for injecting a concentrated gas to the outside of the main nozzle to which the powder is injected.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가이드 노즐을 갖는 피막 형성 장치를 도시한 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 가이드 노즐을 갖는 피막 형성 장치를 사용하여 피막을 형성하는 방법을 도시한 순서도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 피막 형성 장치의 노즐을 도시한 세로 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 노즐을 도시한 가로 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 노즐을 도시한 가로 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 노즐을 도시한 가로 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 피막 형성 장치의 노즐을 도시한 세로 단면도이다.1 is a schematic view showing a film forming apparatus having a guide nozzle according to an embodiment of the present invention.
2 is a flowchart illustrating a method of forming a film by using a film forming apparatus having a guide nozzle according to an embodiment of the present invention.
3 is a vertical cross-sectional view showing a nozzle of the film forming apparatus according to the embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating the nozzle shown in FIG. 3.
5 is a horizontal cross-sectional view showing a nozzle according to another embodiment of the present invention.
6 is a horizontal cross-sectional view showing a nozzle according to another embodiment of the present invention.
7 is a vertical cross-sectional view showing a nozzle of the film forming apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.The embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following examples can be modified in many different forms, and the scope of the present invention is as follows. It is not limited to an Example. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the inventive concept to those skilled in the art.

또한, 본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상, 단계, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 단계, 숫자, 동작, 부재, 요소 및 /또는 이들 그룹의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다. 또한, 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.Also, the terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. As used herein, the singular forms "a", "an" and "the" may include the plural forms as well, unless the context clearly indicates otherwise. Also, as used herein, "comprise" and / or "comprising" refers to the stated shape, steps, numbers, operations, members, elements and / or presence of these groups. It is not intended to exclude the presence or addition of one or more other shapes, steps, numbers, operations, members, elements and / or groups thereof. In addition, as used herein, the term "and / or" includes any and all combinations of one or more of the listed items.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가이드 노즐을 갖는 피막 형성 장치를 도시한 개략도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 가이드 노즐을 갖는 피막 형성 장치를 사용하여 피막을 형성하는 방법을 도시한 순서도이다.1 is a schematic view showing a film forming apparatus having a guide nozzle according to an embodiment of the present invention. 2 is a flowchart illustrating a method of forming a film by using a film forming apparatus having a guide nozzle according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 피막 형성 장치(100)는 이송 가스 공급부(110), 분말(powder)을 보관 및 공급하는 분말 공급부(120), 분말 공급부(120)로부터 분말을 이송 가스를 이용하여 고속으로 이송하는 고속 이송관(130), 고속 이송관(130)으로부터의 분말을 기재(10)에 코팅/적층 또는 스프레잉하는 노즐(140), 노즐(140)로부터의 분말이 기재(10)의 표면에 충돌, 파쇄 및/또는 분쇄되도록 함으로써, 일정 두께의 피막(coating layer)이 형성되도록 하는 공정 챔버(150)를 포함한다. 여기서, 기재(110)는 글래스, 금속, 플라스틱, 고분자 수지, 세라믹 및 그 등가물 중에서 선택된 어느 하나일 수 있으나, 본 발명에서 이를 한정하지 않는다.Referring to Figure 1, the film forming apparatus 100 according to an embodiment of the present invention is a powder from the supply gas supply unit 110, the powder supply unit 120 for storing and supplying powder (powder), powder supply unit 120 From the high speed transfer tube 130 for transferring the gas at high speed using the transfer gas, the nozzle 140 for coating / laminating or spraying the powder from the high speed transfer tube 130 on the substrate 10, and the nozzle 140. And a process chamber 150 that allows the powder to impinge, crush, and / or pulverize on the surface of the substrate 10 to form a coating layer of a certain thickness. Here, the substrate 110 may be any one selected from glass, metal, plastic, polymer resin, ceramic, and equivalents thereof, but is not limited thereto.

도 1 및 도 2를 함께 참조하여, 본 발명에 따른 피막 형성 방법을 설명한다.1 and 2 together, a film forming method according to the present invention will be described.

이송 가스 공급부(110)에 저장된 이송 가스는 산소, 헬륨, 질소, 아르곤, 이산화탄소, 수소 및 그 등가물로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 또는 2종의 혼합물일 수 있지만, 본 발명에서 이송 가스의 종류가 한정되지 않는다. 이송 가스는 이송 가스 공급부(110)로부터 파이프(111)를 통해 분말 공급부(120)로 직접 공급되며, 유량 조절기(112)에 의해 그 유량 및 압력이 조절될 수 있다.The transport gas stored in the transport gas supply unit 110 may be one or two or more mixtures selected from the group consisting of oxygen, helium, nitrogen, argon, carbon dioxide, hydrogen, and equivalents thereof. It is not limited. The transfer gas is directly supplied from the transfer gas supply unit 110 to the powder supply unit 120 through the pipe 111, and the flow rate and pressure may be adjusted by the flow regulator 112.

분말 공급부(120)는 다량의 분말을 보관 및 공급하는데, 이러한 분말은 입경 범위가 대략 0.1 ㎛ 내지 50 ㎛일 수 있다. 여기서, 분말의 입경 범위가 대략 0.1 ㎛보다 작을 경우, 분말의 보관 및 공급이 어려울 뿐만 아니라, 분말의 보관 및 공급 중 응집 현상으로 인해, 분말의 분사, 충돌, 파쇄 및/또는 분쇄 시 0.1 ㎛ 보다 작은 입자 들이 뭉쳐져 있는 형태인 압분체(壓粉體)가 형성되기 쉬울 뿐만 아니라 대면적의 피막 형성도 어려운 단점이 있다. 또한, 분말의 입경 범위가 대략 50 ㎛보다 클 경우, 분말의 분사, 충돌 파쇄 및/또는 분쇄 시 기판을 깎아 내는 샌드블라스팅(sand blasting) 현상이 발생하기 쉬울 뿐만 아니라, 일부 형성된 피막도 피막 내의 입자 입경이 상대적으로 크게 형성되어, 피막 구조가 불안정해지고 또한 피막 내부 또는 표면의 기공률이 커져서 소재 본연의 특성을 발휘하지 못할 수 있다.The powder supply unit 120 stores and supplies a large amount of powder, which may have a particle size ranging from about 0.1 μm to 50 μm. Here, when the particle size range of the powder is smaller than about 0.1 μm, not only the storage and supply of the powder is difficult, but also due to the flocculation phenomenon during the storage and supply of the powder, In addition to forming a green compact, which is a form in which small particles are aggregated, there is a disadvantage in that formation of a large-area film is difficult. In addition, when the particle size range of the powder is larger than about 50 μm, sand blasting which easily scrapes off the substrate during the spraying, impingement crushing and / or pulverization of the powder is not only prone to occur, but also a part of the formed film also forms particles in the coating. Since the particle diameter is relatively large, the film structure may become unstable, and the porosity of the inside or the surface of the film may increase, thereby preventing the material from exhibiting its original characteristics.

분말의 입경 범위가 대략 0.1 ㎛ 내지 50 ㎛ 일 경우, 기공률(공극률)이 상대적으로 작고, 표면 마이크로 크랙 현상이 없으며, 분말 제어가 용이한 피막을 얻을 수 있다. 또한, 분말의 입경 범위가 대략 0.1 ㎛ 내지 50 ㎛ 일 경우, 피막의 적층 속도가 상대적으로 높고, 반투명하며, 소재 특성 구현이 용이한 피막을 얻을 수 있다. 이러한 분말은 취성 재료 또는/및 연성 재료일 수 있다. 취성 재료는 잘 깨지며 늘어나지 않는 재료로서, 세라믹 및 글래스 등을 포함한다. 또한, 연성 재료는 취성 재료와 반대로 잘 늘어나는 재료로서 구리 및 납 등을 의미한다.When the particle size range of the powder is approximately 0.1 µm to 50 µm, a film having a relatively small porosity (porosity), no surface microcracks, and easy powder control can be obtained. In addition, when the particle size range of the powder is approximately 0.1 ㎛ to 50 ㎛, it is possible to obtain a coating film having a relatively high lamination rate, translucent, and easy to implement the material properties. Such powder may be a brittle material and / or a soft material. The brittle material is a material that is not easily broken and elongated, and includes ceramics, glass, and the like. In addition, the soft material refers to copper, lead, etc. as a material that stretches well as opposed to the brittle material.

구체적으로, 취성 재료 분말은 이트리아(Y2O3), YAG(Y3Al5O12), 희토류 계열(Y 및 Sc을 포함하여 원자번호 57부터 71까지의 원소 계열) 산화물, 알루미나(Al2O3), 바이오 글래스, 규소(SiO2), 수산화인회석(hydroxyapatite), 이산화티탄(TiO2) 및 그 등가물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 또는 2종의 혼합물일 수 있으나, 이러한 재질로 본 발명이 한정되지 않는다.Specifically, the brittle material powder is yttria (Y 2 O 3 ), YAG (Y 3 Al 5 O 12 ), rare earth series (element-based element number from 57 to 71 including Y and Sc) oxide, alumina (Al 2 O 3 ), bioglass, silicon (SiO 2 ), hydroxyapatite, titanium dioxide (TiO 2 ) and one or a mixture thereof may be selected from the group consisting of equivalents thereof, but the present invention is such a material This is not limited.

공정 챔버(150)는 피막 형성 중에 진공 상태를 유지하며, 이를 위해 진공 유닛(151)이 연결될 수 있다. 좀더 구체적으로, 공정 챔버(150)의 압력은 대략 1 파스칼 내지 800 파스칼이고, 고속 이송관(130)에 의해 이송되는 분말의 압력은 대략 500 파스칼 내지 2000 파스칼일 수 있다. 다만, 어떠한 경우에도, 공정 챔버(150)의 압력에 비해 고속 이송관(130)의 압력이 높아야 한다.The process chamber 150 maintains a vacuum state during film formation, for which a vacuum unit 151 may be connected. More specifically, the pressure in the process chamber 150 is approximately 1 Pascal to 800 Pascals, and the pressure of the powder conveyed by the high speed feed tube 130 may be approximately 500 Pascals to 2000 Pascals. However, in any case, the pressure of the high speed transfer pipe 130 should be higher than that of the process chamber 150.

더불어, 공정 챔버(150)의 내부 온도 범위는 대략 0 ℃ 내지 30 ℃이며, 따라서 별도로 공정 챔버(150)의 내부 온도를 증가시키거나 감소시키기 위한 부재가 없어도 좋다. 즉, 이송 가스 또는/및 기재가 별도로 가열되지 않고, 0 ℃ 내지 30 ℃의 온도로 유지될 수 있다.In addition, the internal temperature range of the process chamber 150 is approximately 0 ° C. to 30 ° C., so there may be no member for increasing or decreasing the internal temperature of the process chamber 150 separately. That is, the carrier gas and / or the substrate may be maintained at a temperature of 0 ° C to 30 ° C without being heated separately.

그러나, 경우에 따라 피막의 증착 효율 및 치밀도 향상을 위해, 이송 가스 또는/및 기재가 대략 300 ℃ 내지 1000 ℃의 온도로 가열될 수 있다. 즉, 별도의 도시되지 않은 히터에 의해 이송 가스 공급부(110) 내의 이송 가스가 가열되거나, 또는 별도의 도시되지 않은 히터에 의해 공정 챔버(150) 내의 기재(10)가 가열될 수 있다. 이러한 이송 가스 또는/및 기재의 가열에 의해 피막 형성 시 분말에 가해지는 스트레스가 감소함으로써, 기공률이 작고 치밀한 피막이 얻어진다. 여기서, 이송 가스 또는/및 기재가 대략 1000 ℃의 온도보다 높을 경우, 분말이 용융되면서 급격한 상전이를 일으키고, 이에 따라 피막의 기공률이 높아지고 피막 내부 구조가 불안정해질 수 있다. 또한, 이송 가스 또는/및 기재가 대략 300 ℃의 온도보다 작을 경우, 분말에 가해지는 스트레스가 감소하지 않을 수 있다.However, in some cases, the transfer gas or / and the substrate may be heated to a temperature of approximately 300 ° C. to 1000 ° C. in order to improve the deposition efficiency and the density of the coating. That is, the transfer gas in the transfer gas supply unit 110 may be heated by a separate not shown heater, or the substrate 10 in the process chamber 150 may be heated by a separate not shown heater. The stress applied to the powder at the time of film formation by the heating of such a transport gas or / and a base material is reduced, whereby a dense film having a small porosity is obtained. Here, when the carrier gas and / or the substrate is higher than the temperature of about 1000 ° C., the powder melts, causing a sharp phase transition, thereby increasing the porosity of the coating and unstable coating internal structure. In addition, when the conveying gas or / and the substrate is lower than the temperature of approximately 300 ° C., the stress applied to the powder may not be reduced.

그러나, 본 발명에서 이러한 온도 범위를 한정하는 것은 아니며, 피막이 형성될 기재의 특성에 따라 이송 가스, 기재 및/또는 공정 챔버의 내부 온도 범위는 0 ℃ 내지 1000 ℃ 사이에서 조정될 수 있다.However, the present invention does not limit this temperature range, and depending on the characteristics of the substrate on which the film is to be formed, the internal temperature range of the transport gas, substrate and / or process chamber may be adjusted between 0 ° C and 1000 ° C.

한편, 상술한 바와 같이, 공정 챔버(150)와 고속 이송관(130)(또는 이송 가스 공급부(110) 또는 분말 공급부(120)) 사이의 압력 차이는 대략 1.5배 내지 2000배 일 수 있다. 압력 차이가 대략 1.5배보다 작을 경우 분말의 고속 이송이 어려울 수 있고, 압력 차이가 대략 2000배보다 클 경우 분말에 의해 오히려 기재의 표면이 과도하게 식각될 수 있다. On the other hand, as described above, the pressure difference between the process chamber 150 and the high-speed transfer pipe 130 (or transfer gas supply unit 110 or powder supply unit 120) may be approximately 1.5 times to 2000 times. If the pressure difference is less than approximately 1.5 times, high-speed conveyance of the powder may be difficult, and if the pressure difference is greater than approximately 2000 times, the surface of the substrate may be excessively etched by the powder.

이러한 공정 챔버(150)와 고속 이송관(130)의 압력 차이에 따라, 분말 공급부(120)로부터의 분말은 고속 이송관(130)을 통해 분사하는 동시에, 고속으로 공정 챔버(150)에 전달된다.According to the pressure difference between the process chamber 150 and the high speed transfer tube 130, the powder from the powder supply unit 120 is sprayed through the high speed transfer tube 130, and is transferred to the process chamber 150 at a high speed. .

또한, 공정 챔버(150) 내에는 고속 이송관(130)에 연결된 노즐(140)이 구비되어, 대략 100 내지 500m/s의 속도로 분말을 기재(10)에 충돌시킨다. 즉, 노즐(140)을 통한 분말은 이송 중 얻은 운동 에너지와 고속 충돌 시 발생하는 충돌 에너지에 의해 파쇄 및/또는 분쇄되면서 기재(10)의 표면에 일정 두께의 피막을 형성하게 된다.In addition, the process chamber 150 is provided with a nozzle 140 connected to the high-speed transfer pipe 130 to impinge the powder on the substrate 10 at a speed of approximately 100 to 500 m / s. That is, the powder through the nozzle 140 is crushed and / or pulverized by the kinetic energy obtained during the transfer and the collision energy generated during the high-speed collision, thereby forming a film having a predetermined thickness on the surface of the substrate 10.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 피막 형성 장치의 노즐을 도시한 세로 단면도이다. 도 4는 도 3에 도시된 노즐을 도시한 가로 단면도이다.3 is a vertical cross-sectional view showing a nozzle of the film forming apparatus according to the embodiment of the present invention. 4 is a cross-sectional view illustrating the nozzle shown in FIG. 3.

도 3을 참조하면, 노즐(140)은 메인 노즐(141)과 가이드 노즐(142)을 포함한다. 메인 노즐(141)은 고속 이송관(130)으로부터 이송된 분말을 분사한다. 메인 노즐(141)로부터 분사된 분말은 이송 중 얻은 운동 에너지와 고속 충돌 시 발생하는 충돌 에너지에 의해 파쇄 및/또는 분쇄되면서 기재(10)의 표면에 일정 두께의 피막을 형성하게 된다. Referring to FIG. 3, the nozzle 140 includes a main nozzle 141 and a guide nozzle 142. The main nozzle 141 sprays the powder conveyed from the high speed feed pipe 130. The powder injected from the main nozzle 141 is crushed and / or pulverized by the kinetic energy obtained during the transfer and the collision energy generated during the high-speed collision, thereby forming a film having a predetermined thickness on the surface of the substrate 10.

가이드 노즐(142)은 메인 노즐(141)의 외측에 형성된다. 또한, 가이드 노즐(142)과 메인 노즐(141) 사이에는 일정 공간, 즉 가스 통로(S)가 형성된다. 가이드 노즐(142)의 일측에는 별도의 집중 가스 공급부(140a)가 연결되고(도 1 참조), 집중 가스 공급부(140a)에서 공급되는 집중 가스는 가이드 노즐(142)을 통해 분사될 수 있다. 더불어, 가이드 노즐(142)은 메인 노즐(141)보다 길게 형성된다. 이러한 가이드 노즐(142)은 메인 노즐(141)로부터 분사되는 분말이 기재(10)의 표면에 균일하게 형성되도록 집중시켜주는 역할을 한다. The guide nozzle 142 is formed outside the main nozzle 141. In addition, a predetermined space, that is, a gas passage S is formed between the guide nozzle 142 and the main nozzle 141. One side of the guide nozzle 142 is connected to a separate concentrated gas supply unit 140a (see FIG. 1), and the concentrated gas supplied from the concentrated gas supply unit 140a may be injected through the guide nozzle 142. In addition, the guide nozzle 142 is formed longer than the main nozzle 141. The guide nozzle 142 serves to concentrate the powder sprayed from the main nozzle 141 to be uniformly formed on the surface of the substrate 10.

일반적으로, 고속 이송관을 통해 고속으로 분사되는 분말은 기재의 표면에 불균일하게 분사된다. 다시 말해, 노즐의 중심부에 대응되는 기재의 표면에는 상대적으로 많은 분말이 분사되고, 노즐의 중심부로부터 멀어지는 기재의 표면에는 상대적으로 적은 분말이 분사된다. 또한, 분말은 고속 이송관을 통해 고속으로 분사되므로, 기재에 분사되는 분말의 면적은 노즐의 단면적보다 더 넓게 형성된다. 따라서, 노즐이 이동하면서 기재에 균일하게 피막을 형성하기가 어렵다. Generally, the powder sprayed at high speed through the high speed feed pipe is unevenly sprayed onto the surface of the substrate. In other words, a relatively large amount of powder is sprayed on the surface of the substrate corresponding to the center of the nozzle, and a relatively small amount of powder is sprayed on the surface of the substrate away from the center of the nozzle. In addition, since the powder is injected at a high speed through the high-speed transfer pipe, the area of the powder injected to the substrate is formed to be wider than the cross-sectional area of the nozzle. Therefore, it is difficult to form a film uniformly on the substrate while the nozzle moves.

그러나, 본 발명에서는 분말이 분사되는 메인 노즐(141)의 외측에 집중 가스를 분사하는 가이드 노즐(142)을 형성함으로써, 기재(10)에 균일한 두께의 피막을 형성할 수 있다. 구체적으로, 메인 노즐(141)을 통해 분말을 분사할 때 가이드 노즐(142)에서 동시에 집중 가스를 분사하면, 가이드 노즐(142)에서 분사되는 집중 가스에 의해 메인 노즐(141)에서 분사되는 분말이 기재(10)의 일정 부분(즉, 메인 노즐(141)의 단면적과 대응되는 부분)에 집중되어 균일하게 분사될 수 있다. 가이드 노즐(142)에서 분사되는 집중 가스는 메인 노즐(141)에서 분사되는 분말이 넓게 퍼지지 않고 원하는 부분에 중점적으로 분사될 수 있도록 가이드 해주는 역할을 한다. However, in the present invention, by forming the guide nozzle 142 for injecting the concentrated gas on the outside of the main nozzle 141 to which the powder is injected, a film having a uniform thickness can be formed on the substrate 10. In detail, when the powder is injected through the main nozzle 141 and the concentrated gas is injected simultaneously from the guide nozzle 142, the powder injected from the main nozzle 141 by the concentrated gas injected from the guide nozzle 142 is discharged. The concentration may be uniformly sprayed on a portion of the substrate 10 (ie, a portion corresponding to the cross-sectional area of the main nozzle 141). The concentrated gas injected from the guide nozzle 142 serves to guide the powder sprayed from the main nozzle 141 to be focused on a desired portion without wide spreading.

가이드 노즐(142)을 통해 분사되는 집중 가스는 이송 가스와 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 가이드 노즐(142)을 통해 분사되는 집중 가스는 산소, 헬륨, 질소, 아르곤, 이산화탄소, 수소 및 그 등가물로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 또는 2종의 혼합물일 수 있다. The concentrated gas injected through the guide nozzle 142 may be made of the same material as the conveying gas. For example, the concentrated gas injected through the guide nozzle 142 may be one or two kinds of mixtures selected from the group consisting of oxygen, helium, nitrogen, argon, carbon dioxide, hydrogen, and equivalents thereof.

또한, 가이드 노즐(142)을 통해 분사되는 집중 가스는 이송 가스와 다른 물질로 이루어질 수도 있다. 일례로, 이송 가스가 산소이고 가이드 노즐을 통해 분사되는 가스가 헬륨인 경우, 메인 노즐(141)을 통해 분사되는 분말의 이동 속도를 더욱 높일 수 있다. In addition, the concentrated gas injected through the guide nozzle 142 may be made of a material different from that of the transfer gas. For example, when the conveying gas is oxygen and the gas injected through the guide nozzle is helium, the moving speed of the powder injected through the main nozzle 141 may be further increased.

또한, 가이드 노즐(142)을 통해 분사되는 집중 가스는 대략 100 ℃ 내지 900 ℃의 온도로 가열될 수 있다. 즉, 별도의 도시되지 않은 히터에 의해 가이드 노즐(142) 내의 집중 가스가 가열될 수 있다. 이에 따라, 기재(10)에 형성되는 피막의 증착 효율 및 치밀도가 향상될 수 있다.In addition, the concentrated gas injected through the guide nozzle 142 may be heated to a temperature of approximately 100 ℃ to 900 ℃. That is, the concentrated gas in the guide nozzle 142 may be heated by a heater that is not shown. Accordingly, the deposition efficiency and the density of the film formed on the substrate 10 can be improved.

도 4에 도시된 바와 같이, 메인 노즐(141) 및 가이드 노즐(142)의 단면은 대략 직사각형 형태로 형성될 수 있다. 또한, 가이드 노즐(142)은 메인 노즐(141)과 이격되게 형성되어, 가이드 노즐(142)을 통해 분사되는 집중 가스가 지나갈 수 있는 가스 통로(S)가 메인 노즐(141)을 둘러싸도록 형성된다. 따라서, 가이드 노즐(142)은 메인 노즐(141)에서 분사되는 분말이 사방으로 퍼지는 것을 방지하고, 기재(10)에서 원하는 부분에 피막을 균일하게 형성할 수 있다. As shown in FIG. 4, cross sections of the main nozzle 141 and the guide nozzle 142 may be formed in a substantially rectangular shape. In addition, the guide nozzle 142 is formed to be spaced apart from the main nozzle 141, so that the gas passage S through which the concentrated gas injected through the guide nozzle 142 can pass is formed to surround the main nozzle 141. . Therefore, the guide nozzle 142 may prevent the powder sprayed from the main nozzle 141 from spreading in all directions, and may uniformly form a film on a desired portion of the substrate 10.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 노즐을 도시한 가로 단면도이다.5 is a horizontal cross-sectional view showing a nozzle according to another embodiment of the present invention.

도 5에 도시된 바와 같이, 노즐(240)은 메인 노즐(241)과 가이드 노즐(242)을 포함한다. 메인 노즐(241) 및 가이드 노즐(242)의 단면은 대략 직사각형 형태로 형성될 수 있다. 따라서, 메인 노즐(241)은 한 쌍의 장변(241a)과 상기 한 쌍의 장변(241a)을 연결하는 한 쌍의 단변(241b)을 포함하고, 가이드 노즐(242)도 한 쌍의 장변(242a)과 상기 한 쌍의 장변(242a)을 연결하는 한 쌍의 단변(242b)을 포함한다. 여기서, 각각의 장변(241a, 242a)은 각각의 단변(241b, 242b)에 비해 상대적으로 길이가 긴 변을 말한다. 또한, 가이드 노즐(242)은 메인 노즐(241)의 외측에 위치하되, 메인 노즐(241)의 일부는 가이드 노즐(242)에 접착될 수 있다. 즉, 직사각형의 메인 노즐(241)에서 상대적으로 길이가 짧은 한 쌍의 단변(241b)이 가이드 노즐(242)의 한 쌍의 단변(242b)에 접착될 수 있다. 따라서, 메인 노즐(241)과 가이드 노즐(242) 사이에는 분리된 2개의 가스 통로(S)가 형성될 수 있으며, 이러한 가스 통로(S)는 메인 노즐(241)의 한 쌍의 장변(241a)과 가이드 노즐(242)의 한 쌍의 장변(242a) 사이에 위치한다. 더불어, 가스 통로(S)는 메인 노즐(241)과 가이드 노즐(242)에서 상대적으로 길이가 긴 장변들(241a, 242a) 사이에 위치하므로, 메인 노즐(241)을 통해 분사되는 분말이 퍼지는 것을 방지하고, 기재(10)에서 원하는 부분에 피막을 균일하게 형성할 수 있다. 더불어, 가이드 노즐(242)의 내벽에는 다수의 가이드 홈(243)이 형성될 수 있다. 이러한 가이드 홈(243)은 가이드 노즐(242)을 통해 분사되는 가스에 방향성과 가속도를 부여하여, 메인 노즐(241)에서 분사되는 분말을 정해진 부분에 균일하게 분사할 수 있다. 예를 들어, 상기 가이드 홈(243)은 가이드 노즐(242)의 내벽을 따라 직선 형태로 형성되어, 가이드 노즐(242)을 통해 분사되는 집중 가스에 직진성을 부여하고 분말의 속도를 가속화시킴으로, 분말이 기재(10)에 균일하게 분사되도록 할 수 있다. 또한, 상기 가이드 홈(243)은 가이드 노즐(242)의 내벽을 따라 나선 형태로 형성되어, 가이드 노즐(242)을 통해 분사되는 집중 가스에 회전성을 부여하여 분말이 더욱 메인 노즐(241)의 중심부로 집중되도록 함으로써, 기재(10)에 균일하게 분사되도록 할 수 있다.As shown in FIG. 5, the nozzle 240 includes a main nozzle 241 and a guide nozzle 242. Cross sections of the main nozzle 241 and the guide nozzle 242 may have a substantially rectangular shape. Accordingly, the main nozzle 241 includes a pair of long sides 241a and a pair of short sides 241b connecting the pair of long sides 241a, and the guide nozzle 242 also has a pair of long sides 242a. ) And a pair of short sides 242b connecting the pair of long sides 242a. Here, each of the long sides 241a and 242a refers to a side having a relatively long length compared to the respective short sides 241b and 242b. In addition, the guide nozzle 242 may be located outside the main nozzle 241, and a part of the main nozzle 241 may be attached to the guide nozzle 242. That is, a pair of short sides 241b having a relatively short length in the rectangular main nozzle 241 may be bonded to the pair of short sides 242b of the guide nozzle 242. Therefore, two separate gas passages S may be formed between the main nozzle 241 and the guide nozzle 242, and the gas passage S may have a pair of long sides 241a of the main nozzle 241. And a pair of long sides 242a of the guide nozzle 242. In addition, since the gas passage S is located between the long sides 241a and 242a which are relatively long in the main nozzle 241 and the guide nozzle 242, the powder sprayed through the main nozzle 241 is spread. It can prevent, and can form a film uniformly in the desired part in the base material 10. In addition, a plurality of guide grooves 243 may be formed on the inner wall of the guide nozzle 242. The guide groove 243 may impart directionality and acceleration to the gas injected through the guide nozzle 242 to uniformly spray the powder injected from the main nozzle 241 to a predetermined portion. For example, the guide groove 243 is formed along the inner wall of the guide nozzle 242 in a straight line shape, by providing a straightness to the concentrated gas injected through the guide nozzle 242 and accelerates the speed of the powder, It can be made to spray uniformly on this base material 10. In addition, the guide groove 243 is formed in the form of a spiral along the inner wall of the guide nozzle 242, to impart rotational to the concentrated gas injected through the guide nozzle 242, the powder of the main nozzle 241 By concentrating on the center part, it can be made to spray uniformly on the base material 10.

도 6은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 노즐을 도시한 가로 단면도이다.6 is a horizontal cross-sectional view showing a nozzle according to another embodiment of the present invention.

도 6에 도시된 바와 같이, 노즐(340)은 메인 노즐(341)과 가이드 노즐(342)을 포함한다. 메인 노즐(341) 및 가이드 노즐(342)의 단면은 대략 원형으로 형성될 수 있다. 가이드 노즐(342)은 메인 노즐(341)의 외측에 형성되며, 가이드 노즐(342)의 직경은 메인 노즐(341)의 직경보다 크게 형성된다. 또한, 가이드 노즐(342)은 메인 노즐(341)과 이격되게 형성되어, 가이드 노즐(342)을 통해 분사되는 집중 가스가 지나갈 수 있는 가스 통로(S)가 메인 노즐(341)을 둘러싸도록 형성된다. 따라서, 가이드 노즐(342)은 메인 노즐(341)에서 분사되는 분말이 사방으로 퍼지는 것을 방지하고, 기재(10)에서 원하는 부분에 피막을 균일하게 형성할 수 있다. 더불어, 가이드 노즐(342)의 내벽에는 다수의 가이드 홈(343)이 형성될 수 있다. 이러한 가이드 홈(343)은 가이드 노즐(342)을 통해 분사되는 가스에 방향성과 가속도를 부여하여, 메인 노즐(341)에서 분사되는 분말을 정해진 부분에 균일하게 분사할 수 있다. 상기 가이드 홈(343)은 가이드 노즐(342)의 내벽을 따라 직선 형태로 형성되거나, 나선 형태로 형성될 수 있다. 가이드 홈(343)의 형태는 도 5에 도시된 가이드 홈(243)과 동일하므로 자세한 설명은 생략하기로 한다. As shown in FIG. 6, the nozzle 340 includes a main nozzle 341 and a guide nozzle 342. Cross sections of the main nozzle 341 and the guide nozzle 342 may be formed in a substantially circular shape. The guide nozzle 342 is formed outside the main nozzle 341, and the diameter of the guide nozzle 342 is larger than the diameter of the main nozzle 341. In addition, the guide nozzle 342 is formed to be spaced apart from the main nozzle 341 so that the gas passage S through which the concentrated gas injected through the guide nozzle 342 can pass is formed to surround the main nozzle 341. . Therefore, the guide nozzle 342 can prevent the powder sprayed from the main nozzle 341 from spreading in all directions, and can form a film uniformly on a desired portion of the substrate 10. In addition, a plurality of guide grooves 343 may be formed on the inner wall of the guide nozzle 342. The guide groove 343 may impart directionality and acceleration to the gas injected through the guide nozzle 342 to uniformly spray the powder injected from the main nozzle 341 to a predetermined portion. The guide groove 343 may be formed in a straight line shape along the inner wall of the guide nozzle 342 or in a spiral form. Since the shape of the guide groove 343 is the same as the guide groove 243 illustrated in FIG. 5, a detailed description thereof will be omitted.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 피막 형성 장치의 노즐을 도시한 세로 단면도이다.7 is a vertical cross-sectional view showing a nozzle of the film forming apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 노즐(440)은 메인 노즐(441)과 메인 노즐(441)의 외측에 형성된 가이드 노즐(442)을 포함한다. 또한, 가이드 노즐(442)과 메인 노즐(441) 사이에는 일정 공간, 즉 가스 통로(S)가 형성된다. 메인 노즐(441)은 고속 이송관(130)으로부터 이송된 분말을 분사하고, 가이드 노즐(442)은 집중 가스 공급부(140a)로부터 공급된 집중 가스를 분사한다. 더불어, 가이드 노즐(442)은 메인 노즐(441)보다 길게 형성된 연장부(443)를 포함한다. 상기 연장부(443)는 끝단으로 갈수록 직경이 작아지는 형태로 형성된다. 즉, 가이드 노즐(442)은 끝단으로 갈수록 직경이 작아지므로, 가이드 노즐(442)을 통해 분사되는 집중 가스의 이동 속도가 증가하게 된다. 따라서, 상기 집중 가스는 메인 노즐(441)을 통해 분사되는 분말의 이동 속도를 증가시킬 수 있고, 기재(10)에 균일하게 피막을 형성할 수 있다. Referring to FIG. 7, the nozzle 440 includes a main nozzle 441 and a guide nozzle 442 formed outside the main nozzle 441. In addition, a predetermined space, that is, a gas passage S is formed between the guide nozzle 442 and the main nozzle 441. The main nozzle 441 injects the powder conveyed from the high speed feed pipe 130, and the guide nozzle 442 injects the concentrated gas supplied from the concentrated gas supply unit 140a. In addition, the guide nozzle 442 includes an extension 443 formed longer than the main nozzle 441. The extension portion 443 is formed in a shape of decreasing diameter toward the end. That is, since the diameter of the guide nozzle 442 becomes smaller toward the end, the moving speed of the concentrated gas injected through the guide nozzle 442 increases. Therefore, the concentrated gas may increase the moving speed of the powder sprayed through the main nozzle 441, and may form a film uniformly on the substrate 10.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 의한 가이드 노즐을 갖는 피막 형성 장치를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is just one embodiment for carrying out the film forming apparatus having the guide nozzle according to the present invention, and the present invention is not limited to the above-described embodiment, as claimed in the following claims. Without departing from the gist of the invention, those skilled in the art to which the present invention pertains to the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.

100: 피막 형성 장치 110: 이송 가스 공급부
120: 분말 공급부 130: 고속 이송관
140: 노즐 140a: 집중 가스 공급부
141,241,341,441: 메인 노즐 142,242,342,442: 가이드 노즐
243,343: 가이드 홈 443; 연장부
150: 공정 챔버100: film forming apparatus 110: transfer gas supply unit
120: powder supply unit 130: high speed feed pipe
140: nozzle 140a: concentrated gas supply
141,241,341,441: main nozzle 142,242,342,442: guide nozzle
243,343: guide groove 443; Extension
150: process chamber

Claims (12)

이송 가스를 통해 분말이 이송하는 고속 이송관;
상기 고속 이송관에 연결되며, 상기 분말을 기재에 분사하는 노즐; 및
상기 노즐에 연결되어 집중 가스를 공급하는 집중 가스 공급부를 포함하고,
상기 노즐은 상기 분말과 이송 가스를 분사하는 메인 노즐과, 상기 메인 노즐의 외측에 형성되어 상기 집중 가스를 분사하는 가이드 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 피막 형성 장치.A high speed transfer pipe for transferring the powder through the transfer gas;
A nozzle connected to the high speed feed pipe and spraying the powder on a substrate; And
A concentrated gas supply unit connected to the nozzle to supply a concentrated gas;
And the nozzle comprises a main nozzle for injecting the powder and the transfer gas, and a guide nozzle formed outside the main nozzle to inject the concentrated gas. 제 1 항에 있어서,
상기 메인 노즐과 상기 가이드 노즐 사이에는 상기 집중 가스가 이동하는 가스 통로가 형성된 것을 특징으로 하는 피막 형성 장치.The method of claim 1,
And a gas passage through which the concentrated gas moves between the main nozzle and the guide nozzle. 제 2 항에 있어서,
상기 메인 노즐과 상기 가이드 노즐의 단면은 대략 직사각형 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 피막 형성 장치.The method of claim 2,
And a cross section of the main nozzle and the guide nozzle is formed in a substantially rectangular shape. 제 3 항에 있어서,
상기 가스 통로는 상기 메인 노즐을 둘러싸도록 형성된 것을 특징으로 하는 피막 형성 장치.The method of claim 3, wherein
And the gas passage is formed to surround the main nozzle. 제 2 항에 있어서,
상기 메인 노즐의 일부는 상기 가이드 노즐에 접착된 것을 특징으로 하는 피막 형성 장치.The method of claim 2,
And a part of the main nozzle is adhered to the guide nozzle. 제 5 항에 있어서,
상기 가스 통로는 상기 메인 노즐의 양측에 위치하는 것을 특징으로 하는 피막 형성 장치.The method of claim 5, wherein
And the gas passages are located at both sides of the main nozzle. 제 2 항에 있어서,
상기 메인 노즐과 상기 가이드 노즐의 단면은 원형으로 형성된 것을 특징으로 하는 피막 형성 장치.The method of claim 2,
A film forming apparatus, wherein the main nozzle and the guide nozzle have a cross section in a circular shape. 제 1 항에 있어서,
상기 가이드 노즐의 내벽에는 다수의 가이드 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 피막 형성 장치.The method of claim 1,
A film forming apparatus, characterized in that a plurality of guide grooves are formed on the inner wall of the guide nozzle. 제 8 항에 있어서,
상기 가이드 홈은 상기 가이드 노즐의 내벽을 따라서 직선 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 피막 형성 장치.The method of claim 8,
The guide groove may be formed in a straight line along the inner wall of the guide nozzle. 제 8 항에 있어서,
상기 가이드 홈은 상기 가이드 노즐의 내벽을 따라서 나선 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 피막 형성 장치.The method of claim 8,
The guide groove may be formed in a spiral form along the inner wall of the guide nozzle. 제 1 항에 있어서,
상기 가이드 노즐은 상기 메인 노즐의 길이 보다 길게 연장된 연장부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 피막 형성 장치.The method of claim 1,
And the guide nozzle further includes an extension extending longer than the length of the main nozzle. 제 11 항에 있어서,
상기 연장부는 끝단으로 갈수록 직경이 작아지는 것을 특징으로 하는 피막 형성 장치.The method of claim 11,
The extending portion is a film forming apparatus, characterized in that the diameter becomes smaller toward the end.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100107352A (en) * 2009-03-25 2010-10-05 엘아이지에이디피 주식회사 Chemical vapor deposition appratus
KR101476605B1 (en) * 2014-01-17 2014-12-24 아이원스 주식회사 Forming method of insulation coating layer having multi coating layer grain size and insulation coating layer thereof
KR20150107486A (en) * 2014-03-14 2015-09-23 한국기계연구원 Feeding apparatus for micropowder
JP2015168861A (en) * 2014-03-07 2015-09-28 日本発條株式会社 film forming apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100107352A (en) * 2009-03-25 2010-10-05 엘아이지에이디피 주식회사 Chemical vapor deposition appratus
KR101476605B1 (en) * 2014-01-17 2014-12-24 아이원스 주식회사 Forming method of insulation coating layer having multi coating layer grain size and insulation coating layer thereof
JP2015168861A (en) * 2014-03-07 2015-09-28 日本発條株式会社 film forming apparatus
KR20150107486A (en) * 2014-03-14 2015-09-23 한국기계연구원 Feeding apparatus for micropowder

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