KR20200017165A - Apparatus for Treating Mask and the Method Thereof - Google Patents

Apparatus for Treating Mask and the Method Thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20200017165A
KR20200017165A KR1020180092440A KR20180092440A KR20200017165A KR 20200017165 A KR20200017165 A KR 20200017165A KR 1020180092440 A KR1020180092440 A KR 1020180092440A KR 20180092440 A KR20180092440 A KR 20180092440A KR 20200017165 A KR20200017165 A KR 20200017165A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mask
baths
bath
magnet frame
mask processing
Prior art date
Application number
KR1020180092440A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102535783B1 (en
Inventor
정동진
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020180092440A priority Critical patent/KR102535783B1/en
Publication of KR20200017165A publication Critical patent/KR20200017165A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102535783B1 publication Critical patent/KR102535783B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices

Abstract

The present invention relates to a mask processing apparatus and a mask processing method, which can easily remove foreign substances remaining in a plurality of baths. To this end, the mask processing apparatus of the present invention includes: a plurality of baths in which mask processing is performed; a magnetic body for removing foreign substances remaining in the bath; and a transfer means for transferring the magnetic body to the plurality of baths. The mask processing method of the present invention includes: an (a) step in which a mask is sequentially transferred to the plurality of baths so that the mask processing is implemented; and a (b) step in which the magnetic body is sequentially transferred to the plurality of baths to remove the foreign substances in the baths.

Description

마스크 처리 장치 및 마스크 처리 방법{Apparatus for Treating Mask and the Method Thereof}Apparatus for Treating Mask and the Method Thereof}

본 발명은 복수의 배스를 구비한 마스크 처리 장치 및 이를 이용하는 마스크 처리 방법에 관한 것으로서, 복수의 배스 내부에 잔류하는 이물을 용이하게 제거할 수 있는 마스크 처리 장치 및 마스크 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a mask processing apparatus having a plurality of baths and a mask processing method using the same, and more particularly, to a mask processing apparatus and a mask processing method capable of easily removing foreign matter remaining in a plurality of baths.

최근 정보 통신 분야의 급속한 발달과, 컴퓨터와 같은 정보 매체의 대중화에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 또한, 그 기능적인 면에 있어서 반도체 장치의 소자 고집적화 경향에 따라 기판에 형성되는 개별 소자의 크기를 줄이면서 한편으로 소자 성능을 극대화시키기 위해 여러 가지 방법이 연구 개발되고 있다. Recently, with the rapid development of the information and communication field and the popularization of information media such as computers, semiconductor devices are also rapidly developing. In addition, various methods have been researched and developed in order to reduce the size of individual devices formed on a substrate and maximize device performance in accordance with the trend of high integration of semiconductor devices.

일반적으로 반도체 소자는 리소그래피(lithography), 증착(Deposition) 및 식각(etching), 감광제(Photoresist)의 도포(Coating), 현상(Develop), 세정 및 건조공정 등의 복수의 기판 처리를 반복적으로 진행하여 제조된다.In general, a semiconductor device repeatedly processes a plurality of substrates such as lithography, deposition and etching, coating of photoresist, development, cleaning, and drying. Are manufactured.

리소그래피는 미세하고 복잡한 전자회로를 반도체 기판에 그려 집적회로를 형성하는 단계로, 사진 기술을 응용했다 하여 포토리소그래피(photo lithography)라고도 한다. 쿼츠(quartz)라 불리는 석영 유리기판 위에 실제 크기의 수배로 확대된 크롬 회로 패턴이 형성되는 마스크가 필름 역할을 하며, 포토 레지스트(photo resist)와 같은 감광물질이 코팅된 반도체 기판에 마스크를 통해 빛을 조사하여 마스크에 새겨진 회로 패턴이 반도체 기판상에 구현된다.Lithography is a step of forming integrated circuits by drawing fine and complex electronic circuits on a semiconductor substrate, and is also called photolithography by applying photo technology. A mask is formed on a quartz glass substrate called quartz, a chromium circuit pattern enlarged to several times its actual size, and acts as a film. Light is applied through a mask to a semiconductor substrate coated with a photosensitive material such as a photoresist. The circuit pattern engraved in the mask is irradiated on the semiconductor substrate.

이러한 리소그래피 공정에 있어서, 마스크에 불량이 있는 경우 반도체 기판의 회로 형성에 직접적인 영향을 미치게 된다. 마스크의 불량에는 여러 원인이 있을 수 있으며, 특히 마스크에 부착된 금속 불순물, 유기물 등의 오염물질로 인해 불량이 발생하는 경우가 많다.In such a lithography process, a defect in the mask directly affects the circuit formation of the semiconductor substrate. The defect of the mask may have various causes, and in particular, the defect is often caused by contaminants such as metal impurities and organic substances attached to the mask.

따라서 마스크에 부착된 오염물질을 제거하기 위한 세정공정이 중요하게 다뤄지고 있다. Therefore, the cleaning process for removing the contaminants attached to the mask is being treated important.

마스크의 세정은 다양한 오염물질에 맞는 공정유체를 수용하는 적어도 하나의 배스에 연속적으로 마스크를 침지시켜 오염물질을 제거하는 방식으로 이루어지는 것이 일반적이다.Cleaning of the mask is typically done by removing the contaminants by immersing the mask in at least one bath containing process fluids suitable for various contaminants.

도 1을 참조하여 종래 기술에 의한 마스크 처리 장치에 대해 서술한다.With reference to FIG. 1, the mask processing apparatus by a prior art is described.

종래 기술에 의한 마스크 처리 장치는, 마스크(미도시)를 수용하여 처리하는 배스(1)와, 상기 배스(1) 내부에 공정유체를 공급하는 공급포트(10)를 포함한다.The mask processing apparatus according to the prior art includes a bath 1 for accommodating and processing a mask (not shown), and a supply port 10 for supplying a process fluid into the bath 1.

상기 배스(1)는 밑면과 측면이 막히고 상단이 개방된 형태로 이루어진다.The bath 1 is formed in a form that the bottom and side are blocked and the top is open.

상기 공급포트(10)는 상기 배스(1)의 하부에 구비되며, 공급라인(31)을 통해 공정유체 공급부(50)에 연결되어, 상기 공정유체 공급부(50)로부터 공급되는 상기 공정유체를 상기 배스(1) 내부에서 상향분사하도록 이루어진다.The supply port 10 is provided in the lower portion of the bath (1), is connected to the process fluid supply unit 50 through the supply line 31, the process fluid supplied from the process fluid supply unit 50 to the Upward spraying is performed in the bath 1.

상기 공정유체는 상기 배스(1)의 하부로부터 상부로 유동하여 상기 마스크로부터 오염물질을 분리시키며, 상기 오염물질을 포함한 공정유체가 상기 배스(1)의 상단을 넘어 오버플로우되어 상기 배스(1)의 둘레에 구비되는 오버플로우부(20)에 수용된다.The process fluid flows from the bottom of the bath (1) to the top to separate contaminants from the mask, and the process fluid containing the contaminant overflows over the top of the bath (1) so that the bath (1) It is accommodated in the overflow part 20 provided in the circumference | surroundings.

상기 오버플로우부(20)는 순환라인(41)을 통해 상기 공정유체 공급부(50)에 연결되며, 상기 오버플로우부(20) 또는 상기 순환라인(41)에는 상기 공정유체로부터 상기 오염물질을 걸러내는 여과부(미도시)가 구비된다.The overflow unit 20 is connected to the process fluid supply unit 50 through a circulation line 41, and the overflow unit 20 or the circulation line 41 filters the contaminants from the process fluid. Inside is provided with a filtration unit (not shown).

즉, 상기 여과부를 통해 상기 오염물질이 제거된 상기 공정유체가 상기 순환라인(41)을 통해 상기 공정유체 공급부(50)로 회수된 후 다시 상기 공급라인(31)을 통해 상기 배스(1)에 공급되는 시스템을 이룬다.That is, the process fluid from which the contaminants have been removed through the filtration unit is recovered to the process fluid supply unit 50 through the circulation line 41, and then back to the bath 1 through the supply line 31. A system is supplied.

그러나 상기와 같은 종래 기술에 의한 마스크 처리 장치에 있어 상기 마스크로부터 분리되는 오염물질 중 비중이 큰 금속물질은 오버플로우되지 못하고 상기 배스(1) 내부에 남게 되어, 상기 금속물질을 처리하기 위한 방안을 연구할 필요성이 있었다.However, in the mask processing apparatus according to the prior art as described above, a metal material having a large specific gravity among contaminants separated from the mask does not overflow and remains inside the bath 1, thereby providing a method for treating the metal material. There was a need for research.

상기한 바와 같은 마스크 처리 장치에 대한 선행기술의 일례로 대한민국 공개특허 10-2011-0082730호가 있다.An example of the prior art for the mask processing apparatus as described above is the Republic of Korea Patent Publication No. 10-2011-0082730.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 복수의 배스 내부에 잔류하는 이물을 용이하게 제거할 수 있는 마스크 처리 장치 및 마스크 처리 방법을 제공하고자 한다.The present invention has been made to solve the above problems, to provide a mask processing apparatus and a mask processing method that can easily remove the foreign matter remaining in the plurality of baths.

상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 마스크 처리 장치는, 마스크 처리가 수행되는 복수의 배스와, 상기 배스 내에 잔류하는 이물을 제거하기 위한 자성체와, 상기 자성체를 상기 복수의 배스에 순차로 이동시키기 위한 이송수단을 포함하여 이루어질 수 있다.A mask processing apparatus of the present invention for realizing the above object includes a plurality of baths in which mask processing is performed, a magnetic material for removing foreign matter remaining in the bath, and the magnetic material in the plurality of baths sequentially. It may be made including a conveying means for moving.

상기 자성체는 상기 배스 내에서 처리되는 마스크의 형상을 갖는 마그넷 프레임으로 구성되며, 상기 이송수단은 지그에 상기 마스크를 결합하여 이송하는 이송로봇이고, 상기 마그넷 프레임은 상기 지그에 결합되어 이송되도록 할 수 있다. The magnetic body is composed of a magnet frame having a shape of a mask to be processed in the bath, the transfer means is a transfer robot for coupling the mask to the jig to transfer, the magnet frame can be coupled to the jig to be transferred. have.

상기 마그넷 프레임은 적어도 하나의 자석이 내장되어 이루어질 수 있다.The magnet frame may be made of at least one magnet.

상기 마그넷 프레임은 상기 마스크의 처리 공정이 완료된 후 상기 복수의 배스를 순차로 이동하여 상기 금속성 부유물을 제거하도록 이루어질 수 있다.The magnet frame may be configured to remove the metallic float by sequentially moving the plurality of baths after the mask process is completed.

상기 마그넷 프레임은 상기 마스크와 교대로 상기 복수의 배스를 이동하도록 이루어져 상기 배스에서 상기 마스크의 처리와 상기 이물의 제거가 번갈아 이루어지도록 할 수 있다.The magnet frame may be configured to move the plurality of baths alternately with the mask so that the treatment of the mask and removal of the foreign material may be alternately performed in the bath.

상기 마스크 처리 장치를 이용하는 마스크 처리 방법은, a) 복수의 배스에 마스크가 순차로 이송되어 마스크 처리가 이루어지는 단계와, b) 복수의 배스에 자성체가 순차로 이송되어 배스 내부의 이물을 제거하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.In the mask processing method using the mask processing apparatus, a) a mask is sequentially transferred to a plurality of baths to perform a mask treatment; and b) a magnetic material is sequentially transferred to the plurality of baths to remove foreign substances in the bath. It may be made, including.

상기 단계 a)와 상기 단계 b)는 교대로 반복하여 이루어질 수 있으며, 상기 단계 a)와 상기 단계 b)는 동일한 운송수단에 의해 동일한 방법으로 이루어질 수 있다.Step a) and step b) may be alternately repeated, and step a) and step b) may be performed in the same manner by the same vehicle.

본 발명에 따른 마스크 처리 장치 및 마스크 처리 방법에 의하면, 복수의 배스 내부에 잔류하는 이물을 용이하게 제거할 수 있다.According to the mask processing apparatus and the mask processing method of the present invention, foreign matter remaining in the plurality of baths can be easily removed.

또한, 마스크를 이송하는 이송로봇을 이용하여 금속성 부유물을 제거하도록 함으로써 마스크 처리 장치의 효율성을 높일 수 있다.In addition, it is possible to increase the efficiency of the mask processing apparatus by removing the metallic float by using a transfer robot for transporting the mask.

또한, 마스크를 이송하는 이송로봇을 이용하여 이물을 제거하도록 함으로써 배스 내부에서 마스크의 처리와 이물의 제거가 번갈아 이루어지도록 하여 배스 내부의 적절한 공정 환경이 유지되도록 할 수 있다. In addition, by removing the foreign material by using a transfer robot for transporting the mask it is possible to alternate the treatment of the mask and the removal of the foreign material in the bath to maintain the proper process environment inside the bath.

또한, 상기 자성체는 회수하여 상기 금속성 부유물을 제거한 후 다시 사용할 수 있어 경제적인 효과를 얻을 수 있다. In addition, the magnetic material can be recovered and used again after removing the metallic suspended solids to obtain an economic effect.

도 1은 종래 기술에 의한 마스크 처리 장치의 구성을 개략적으로 보여주는 도면.
도 2는 마그넷 프레임이 이송로봇에 의해 운반되는 것을 개략적으로 보여주는 도면.
도 3은 제1마스크가 제1배스에 이송되어 마스크의 처리가 이루어지는 것을 보여주는 도면.
도 4는 제1마스크가 제1배스에서 배출되고 제2배스에 이송되어 마스크의 처리가 이루어지고, 상기 마그넷 프레임은 제1배스에 이송되어 이물을 제거하는 것을 보여주는 도면.
도 5는 제1마스크가 제2배스에서 배출되고, 상기 마그넷 프레임은 상기 제1배스로부터 상기 제2배스에 이송되어 이물을 제거하고, 제2마스크가 제1배스에 이송되어 마스크의 처리가 이루어지는 것을 보여주는 도면
도 6은 마그넷 프레임에 적어도 하나의 자석이 내장되어 이루어지는 것을 보여주는 도면.
도 7은 본 발명에 의한 마스크 처리 방법을 보여주는 순서도. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The figure which shows schematically the structure of the mask processing apparatus by a prior art.
Figure 2 schematically shows that the magnet frame is carried by the transfer robot.
3 is a view showing that a first mask is transferred to a first bath to process a mask;
4 is a view showing that the first mask is discharged from the first bath and transferred to the second bath to process the mask, and the magnet frame is transferred to the first bath to remove foreign substances.
5 illustrates that a first mask is discharged from a second bath, the magnet frame is transferred from the first bath to the second bath to remove foreign substances, and a second mask is transferred to the first bath to process the mask. Drawing showing
6 is a view showing that at least one magnet is built in the magnet frame.
7 is a flowchart showing a mask processing method according to the present invention.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the configuration and operation of the preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 의한 마스크 처리 장치는, 도 2에 나타난 바와 같이, 마스크(M)의 처리가 수행되는 복수의 배스(110,120)와, 상기 배스(110,120) 내에 잔류하는 이물을 제거하기 위한 자성체와, 상기 자성체를 상기 복수의 배스(110,120)에 이동시키기 위한 이송수단을 포함하여 이루어진다.As shown in FIG. 2, the apparatus for treating a mask according to the present invention includes a plurality of baths 110 and 120 to which the mask M is processed, a magnetic material for removing foreign substances remaining in the baths 110 and 120, and It comprises a transfer means for moving a magnetic material to the plurality of bath (110,120).

상기 이물은 상기 배스(110,120) 내에 잔류하는 금속성 부유물(P)일 수 있다.The foreign material may be a metallic float (P) remaining in the bath (110, 120).

상기 마스크(M)는 기판 위에 회로 패턴이 형성된 회로 원판으로, 쿼츠(quartz)라 불리는 석영 유리기판 위에 크롬 회로 패턴이 형성되어 이루어질 수 있다. 상기 마스크(M)는 반도체 기판의 수배 크기로 형성될 수 있으며, 상기 반도체 기판의 형상과 크기에 따라 원형 및 사각 형 등 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다. 상기 마스크(M)는 리소그래피(lithography) 공정의 익스포저(Exposure) 단계에서 빛이 조사되면 상기 반도체 기판에 상을 형성하는 필름 역할을 한다. 상기 반도체 기판에는 포토 레지스트(photo resist) 등의 감광물질이 코팅되며, 상기 마스크(M)를 통해 상기 반도체 기판에 조사되는 빛이 상기 포토 레지스트와 반응하여 화학변화를 일으켜 상기 반도체 기판상에 회로 패턴을 형성한다.The mask M is a circuit original plate having a circuit pattern formed on a substrate, and may be formed by forming a chromium circuit pattern on a quartz glass substrate called quartz. The mask M may be formed to be several times the size of the semiconductor substrate, and may have various shapes and sizes, such as circular and square, depending on the shape and size of the semiconductor substrate. The mask M serves as a film for forming an image on the semiconductor substrate when light is irradiated in an exposure step of a lithography process. A photoresist such as a photoresist is coated on the semiconductor substrate, and light irradiated to the semiconductor substrate through the mask M reacts with the photoresist to cause a chemical change, thereby forming a circuit pattern on the semiconductor substrate. To form.

상기 배스(100)는 상기 마스크(M)를 수용하여 기판 처리 환경을 제공한다. 상기 배스(100)는 처리 환경을 견딜 수 있도록 소정의 두께를 갖는 재질로 구성되며, 온도의 변화를 견디기 위한 높은 내열성을 가지고 유체에 반응하여 변질되거나 부식이 일어나 기판 처리 공정에 영향을 끼치지 않도록 내화학성 및 내식성을 가지는 재질로 구성된다.The bath 100 accommodates the mask M to provide a substrate processing environment. The bath 100 is made of a material having a predetermined thickness to withstand the processing environment, and has a high heat resistance to withstand changes in temperature so as not to deteriorate or corrode in response to the fluid to affect the substrate processing process It is composed of a material having chemical resistance and corrosion resistance.

상기 조건들을 만족하는 재질로는 스테인리스강(SUS)이 있다. 스테인리스강은 강성이 높고 내열성, 내식성, 내화학성이 우수하며 접근성이 좋고 경제적인 장점이 있어 상기 배스(100)를 구성하는 데 가장 많이 이용되고 있는 재질 중 하나이다.The material satisfying the above conditions is stainless steel (SUS). Stainless steel is one of the most used materials for constructing the bath 100 due to its high rigidity, excellent heat resistance, corrosion resistance, chemical resistance, accessibility and economic advantages.

상기 마스크(M)에는 세정 대상물을 제거하기 위한 액체 또는 기체 상태의 세정제가 공급된다. 세정제는 처리 대상이 되는 종류에 따라 복수의 세정제가 사용될 수 있다. 예를 들면, 레지스트를 제거하기 위해서는 유기용제, N2 가스가 사용될 수 있다. 또한, SiO를 제거하기 위해서는 물, 불화수소 HF, IPA 및 N2 가스 등이 사용될 수 있다. 또한, 금속을 제거하기 위해서는 염산 HCl, 오존 O3, N2 가스가 사용될 수 있다. 또한, 레지스트 이외의 유기물을 제거하기 위해서는 O3, N2 가스를 사용할 수 있다. 이외에도, 그 밖의 파티클을 제거하기 위해서는 암모니아 가수(加水) APM, N2 가스, 또는 N2 가스 혹은 아르곤 Ar을 사용할 수 있다. 또한, 불소 F, 염소 Cl, 암모니아 NH4의 이온을 제거하기 위해서는 물, IPA 및 N2 가스를 사용할 수 있다. 이러한 세정제 등을 통틀어 공정유체라 한다.The mask M is supplied with a liquid or gaseous cleaner for removing a cleaning object. The cleaning agent may be a plurality of cleaning agents depending on the kind to be treated. For example, an organic solvent or N 2 gas may be used to remove the resist. In addition, water, hydrogen fluoride HF, IPA, and N2 gas may be used to remove SiO. In addition, HCl, ozone O3, N2 gas may be used to remove the metal. In addition, in order to remove organic substance other than a resist, O3 and N2 gas can be used. In addition, to remove other particles, ammonia hydrolyzed APM, N2 gas, or N2 gas or argon Ar may be used. In addition, water, IPA, and N2 gas may be used to remove ions of fluorine F, chlorine Cl, and ammonia NH4. These cleaning agents and the like are referred to as process fluids.

상기 복수의 배스(110,120)는 서로 다른 공정유체인 제1공정유체와 제2공정유체를 각각 수용하여 서로 다른 마스크 처리를 수행하는 제1배스(110)와 제2배스(120)를 포함한다.The plurality of baths 110 and 120 may include a first bath 110 and a second bath 120 which receive different first process fluids and second process fluids, respectively, and perform different mask processes.

상기 마스크(M)는 상기 제1배스(110)와 상기 제2배스(120)에 순차로 침지되어 상기 제1공정유체와 상기 제2공정유체에 의해 순차로 처리된다.The mask M is sequentially immersed in the first bath 110 and the second bath 120 and sequentially processed by the first process fluid and the second process fluid.

상기 복수의 배스(110,120)간의 상기 마스크(M)의 이송은 이송로봇에 의해 순차로 이루어지며, 상기 이송로봇은 구동부가 구비되는 로봇 본체(미도시)와, 상기 마스크(M)와 결합하여 상기 마스크(M)를 이송하는 지그(210)와, 상기 로봇 본체와 상기 지그(210)를 연결하는 로봇 암(200)을 포함하여 이루어질 수 있다.The transfer of the mask (M) between the plurality of bath (110,120) is made in sequence by a transfer robot, the transfer robot is coupled to the robot body (not shown) and the mask (M) provided with a drive unit It may include a jig 210 for transferring the mask (M), and a robot arm (200) connecting the robot body and the jig (210).

상기 복수의 배스(110,120)는 일정 간격으로 배열되며, 일렬로 배열될 수 있고, 원형으로 배열될 수도 있다.The plurality of baths 110 and 120 may be arranged at regular intervals, may be arranged in a line, or may be arranged in a circle.

상기 로봇 암(200)은, 상기 복수의 배스(110,120)가 일렬로 배열되는 경우 수직방향 및 수평방향 이동이 가능하도록 이루어질 수 있으며, 상기 복수의 배스(110,120)가 원형으로 배열되는 경우 수직방향 및 회전 이동이 가능하도록 이루어질 수 있다.The robot arm 200 may be configured to move in a vertical direction and a horizontal direction when the plurality of baths 110 and 120 are arranged in a line, and in the vertical direction and when the plurality of baths 110 and 120 are arranged in a circle. It may be made to enable rotational movement.

상기 제1배스(110)에서 수행되는 마스크 처리가 완료되면, 상기 로봇 암(200)은, 상기 제1배스(110)에 침지된 마스크(M)를 지지하여 상기 마스크(M)가 상기 제1공정유체로부터 완전히 벗어나도록 상승시키는 제1운송단계(S1)와, 상기 제 2배스(120)의 상측으로 수평이동하는 제2운송단계(S2)와, 하강하여 상기 마스크(M)를 상기 제2배스(120)의 상기 제2공정유체에 침지시키는 제3운송단계(S3)를 순차로 수행하여 상기 마스크(M)를 이송한다.When the mask processing performed in the first bath 110 is completed, the robot arm 200 supports the mask M immersed in the first bath 110 so that the mask M is provided in the first bath 110. The first transport step (S1) for raising up completely from the process fluid, the second transport step (S2) to move horizontally to the upper side of the second bath 120, and to lower the mask (M) to the second The mask M is transferred by sequentially performing a third transportation step S3 of immersing in the second process fluid of the bath 120.

상기 자성체는, 상기 마스크(M)의 형상을 갖는 마그넷 프레임(300)으로 이루어질 수 있으며, 상기 이송수단은 상기 이송로봇일 수 있다. The magnetic body may include a magnet frame 300 having a shape of the mask M, and the transfer means may be the transfer robot.

즉, 상기 마그넷 프레임(300)은 상기 지그(210)에 결합되어 상기 로봇 암(200)에 의해 운반되며, 상기 제1운송단계(S1)와 상기 제2운송단계(S2)와 상기 제3운송단계(S3)를 거쳐 상기 복수의 배스(110,120)에 순차로 침지되어 상기 금속성 부유물(P)을 제거하도록 이루어질 수 있다. That is, the magnet frame 300 is coupled to the jig 210 is carried by the robot arm 200, the first transportation step (S1) and the second transportation step (S2) and the third transportation Through the step (S3) it can be made to be sequentially immersed in the plurality of bath (110,120) to remove the metallic float (P).

상기 마그넷 프레임(300)은 상기 복수의 배스(110,120)에서 상기 마스크(M)의 처리 공정이 완료된 후 상기 복수의 배스(110,120)를 순차로 이동하며 상기 금속성 부유물(P)을 수거하도록 이루어질 수 있다.The magnet frame 300 may be configured to collect the metallic float P while sequentially moving the plurality of baths 110 and 120 after the processing of the mask M is completed in the plurality of baths 110 and 120. .

또한, 도 3 내지 도 5를 참조하면, 상기 마스크(M) 복수 개가 열을 지어 상기 이송로봇에 의해 상기 복수의 배스(110,120)에 순차로 운송되어 침지되는 마스크 처리 장치에서, 상기 복수의 마스크(M)가 이루는 열의 중간에 상기 마그넷 프레임(300)이 구비되도록 할 수 있다. 3 to 5, in the mask processing apparatus in which a plurality of the masks M are sequentially transported and immersed in the plurality of baths 110 and 120 by the transfer robot, the plurality of masks M The magnet frame 300 may be provided in the middle of the row formed by M).

설명을 위해 상기 열에서 상기 마그넷 프레임(300)의 바로 앞에 구비되는 상기 마스크(M)를 제1마스크(M1)라 하고, 상기 마그넷 프레임(300)의 바로 뒤에 구비되는 상기 마스크(M)를 제2마스크(M2)라 하자. For the purpose of explanation, the mask M provided in front of the magnet frame 300 in the row is referred to as a first mask M1, and the mask M provided immediately after the magnet frame 300 is referred to as a first mask M1. Let's call it 2 masks (M2).

우선, 도 3에 나타난 바와 같이, 상기 이송로봇은 상기 제1마스크(M1)를 상기 제1배스(110)로 이송하여 상기 제1공정유체에 의해 상기 제1마스크(M1)의 처리가 이루어지도록 한다.First, as shown in FIG. 3, the transfer robot transfers the first mask M1 to the first bath 110 so that the first mask M1 is processed by the first process fluid. do.

이후, 도 4에 나타난 바와 같이, 상기 이송로봇은 상기 제1마스크(M1)를 상기 제2배스(120)로 이송하며 상기 마그넷 프레임(300)을 상기 제1배스(110)로 이송하여, 상기 제2공정유체에 의한 상기 제1마스크(M1)의 처리와 상기 마그넷 프레임(300)에 의한 상기 제1배스(110) 내부의 금속성 부유물(P)을 제거를 동시에 진행한다.Thereafter, as shown in FIG. 4, the transfer robot transfers the first mask M1 to the second bath 120 and transfers the magnet frame 300 to the first bath 110. Treatment of the first mask M1 by a second process fluid and removal of metallic suspended matter P inside the first bath 110 by the magnet frame 300 are performed simultaneously.

이후, 도 5에 나타난 바와 같이, 상기 이송로봇은 상기 제1마스크(M1)를 상기 제2배스(120)로부터 배출하며 상기 마그넷 프레임(300)을 상기 제2배스(120)로 이송하고 상기 제2마스크(M2)를 상기 제1배스(110)로 이송하여, 상기 마그넷 프레임(300)에 의한 상기 제2배스(120) 내부의 금속성 부유물(P)을 제거와 상기 제1공정유체에 의한 상기 제2마스크(M2)의 처리를 동시에 진행한다.Subsequently, as shown in FIG. 5, the transfer robot discharges the first mask M1 from the second bath 120 and transfers the magnet frame 300 to the second bath 120. 2 masks M2 are transferred to the first bath 110 to remove metallic suspended matter P inside the second bath 120 by the magnet frame 300 and the first process fluid. The processing of the second mask M2 is performed at the same time.

즉, 상기 마스크와 상기 마그넷 프레임이 교대로 상기 복수의 배스에 침지되어, 상기 복수의 배스에서 상기 마스크의 처리와 상기 금속성 부유물(P)의 수거가 교대로 이루어지도록 할 수 있다.That is, the mask and the magnet frame may be alternately immersed in the plurality of baths, so that the treatment of the mask and the collection of the metallic float P may be alternately performed in the plurality of baths.

또한, 도 6를 참조하면, 상기 마그넷 프레임은 적어도 하나의 자석(310)이 내장되어 이루어질 수 있다.In addition, referring to FIG. 6, the magnet frame may include at least one magnet 310 embedded therein.

도 7을 참조하여 본 발명에 의한 마스크 처리 장치에 의한 마스크 처리 방법에 대해 서술한다. The mask processing method by the mask processing apparatus by this invention is demonstrated with reference to FIG.

단계 S10은, 복수의 배스(110,120)에 마스크(M)가 순차로 이송되어 마스크 처리가 이루어지는 단계이다. Step S10 is a step in which the mask M is sequentially transferred to the plurality of baths 110 and 120 to perform mask processing.

상기 마스크(M)는 구동부가 구비되는 로봇 본체(미도시)와, 상기 마스크(M)를 지지하여 운반하는 지그(210)와, 상기 로봇 본체와 상기 지그(210)를 연결하는 로봇 암(200)을 포함하는 이송로봇에 의해 이송된다. The mask M includes a robot body (not shown) including a driving unit, a jig 210 for supporting and transporting the mask M, and a robot arm 200 connecting the robot body and the jig 210. It is conveyed by a transport robot including a).

본 단계는, 상기 마스크(M)가 상승하여 상기 제1배스(110)에 수용된 상기 제1공정유체로부터 분리되는 제1운송단계(S1)와, 상기 마스크(M)가 수평방향으로 이동하여 상기 제2배스(120)의 상측으로 이동하는 제2운송단계(S2)와, 상기 마스크(M)가 하강하여 상기 제2배스(120)에 수용된 상기 제2공정유체에 침지되는 제3운송단계(S3)를 포함하여 이루어질 수 있다.In this step, the mask (M) is raised to be separated from the first process fluid contained in the first bath 110, the first transport step (S1) and the mask (M) is moved in the horizontal direction to the The second transportation step (S2) to move to the upper side of the second bath 120, and the third transportation step (D) to be immersed in the second process fluid accommodated in the second bath (120) is lowered ( S3) can be made.

단계 S20은, 상기 복수의 배스(110,120)에 자성체가 순차로 이송되어 배스 내부의 이물을 제거하는 단계이다.In step S20, magnetic materials are sequentially transferred to the plurality of baths 110 and 120 to remove foreign substances in the bath.

상기 이물은 상기 배스 내에 잔류하는 금속성 부유물(P)일 수 있다.The foreign material may be a metallic float (P) remaining in the bath.

상기 자성체는 상기 마스크(M)의 형상을 갖는 마그넷 프레임(300)으로 이루어져, 상기 마스크(M)와 같이 상기 이송로봇에 의해 이송될 수 있다. The magnetic body is composed of a magnet frame 300 having a shape of the mask (M), it can be transferred by the transfer robot like the mask (M).

즉, 상기 마그넷 프레임은 상기 지그(210)에 결합되어 상기 로봇 암(200)에 의해 이송되며, 상기 제1운송단계(S1)와 상기 제2운송단계(S2)와 상기 제3운송단계(S3)를 통해 상기 복수의 배스(110,120)에 운반된다. That is, the magnet frame is coupled to the jig 210 and is transported by the robot arm 200, and the first transport step S1, the second transport step S2, and the third transport step S3. It is conveyed to the plurality of baths (110, 120) through.

상기 단계 S10과 S20은 교대로 반복하여 이루어지도록 하여, 상기 복수의 배스(110,120) 내부에서 상기 마스크(M)의 처리와 상기 금속성 부유물(P)의 제거가 반복해서 이루어지도록 할 수 있다. The steps S10 and S20 may be repeated alternately, so that the treatment of the mask M and the removal of the metallic float P may be repeatedly performed in the plurality of baths 110 and 120.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 마스크 처리 장치 및 마스크 처리 방법에 의하면, 복수의 배스(110,120) 내부에 잔류하는 금속성 부유물을 용이하게 제거할 수 있다.As described above, according to the mask processing apparatus and the mask processing method of the present invention, the metallic suspended matter remaining in the plurality of baths 110 and 120 can be easily removed.

또한, 마스크(M)를 이송하는 이송로봇을 이용하여 상기 복수의 배스(110,120) 내부의 금속성 부유물(P)을 제거하도록 함으로써 마스크 처리 장치의 효율성을 높일 수 있다.In addition, by using a transfer robot for transferring the mask (M) to remove the metallic suspended matter (P) inside the plurality of bath (110,120) it is possible to increase the efficiency of the mask processing apparatus.

또한, 상기 마스크(M)를 이송하는 이송로봇을 이용하여 상기 금속성 부유물(P)을 제거하도록 함으로써 배스 내부에서 상기 마스크(M)의 처리와 금속성 부유물(P)의 제거가 번갈아 이루어지도록 하여 배스 내부의 적절한 공정 환경이 유지되도록 할 수 있다. In addition, by removing the metallic float (P) by using a transfer robot for transporting the mask (M), the treatment of the mask (M) and the removal of the metallic float (P) in the bath alternately inside the bath. The proper process environment can be maintained.

또한, 상기 자성체는 회수하여 상기 금속성 부유물(P)을 제거한 후 다시 사용할 수 있어 경제적인 효과를 얻을 수 있다.In addition, the magnetic material can be recovered and used again after removing the metallic suspended solids (P) to obtain an economic effect.

본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구되는 본 발명의 기술적 사상에 벗어남 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 자명한 변형실시가 가능하고, 이러한 변형실시는 본 발명의 범위에 속한다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, and obvious modifications can be made by those skilled in the art to which the present invention pertains without departing from the technical spirit of the present invention as claimed in the claims, and such modifications are possible. Implementation is within the scope of the present invention.

M : 마스크 110 : 제1배스
120 : 제2배스 200 : 로봇 암
210 : 지그 300 : 마그넷 프레임
310 : 자석 S1 : 제1운송단계
S2 : 제2운송단계 S3 : 제3운송단계M: mask 110: first bath
120: second bath 200: robot arm
210: jig 300: magnet frame
310: magnet S1: first transport step
S2: second transportation step S3: third transportation step

Claims (10)

마스크 처리가 수행되는 복수의 배스;
상기 배스 내에 잔류하는 이물을 제거하기 위한 자성체;
상기 자성체를 상기 복수의 배스에 이동시키기 위한 이송수단;
을 포함하는 마스크 처리 장치.A plurality of baths on which mask processing is performed;
Magnetic material for removing foreign matter remaining in the bath;
Transfer means for moving the magnetic material to the plurality of baths;
Mask processing apparatus comprising a. 제1항에 있어서,
상기 자성체는 상기 배스 내에서 처리되는 마스크의 형상을 갖는 마그넷 프레임으로 구성되는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.The method of claim 1,
And the magnetic body is composed of a magnet frame having a shape of a mask to be processed in the bath. 제2항에 있어서,
상기 이송수단은 상기 복수의 배스에 상기 마스크를 순차로 이동시키는 이송로봇인 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.The method of claim 2,
And said transfer means is a transfer robot for sequentially moving said mask to said plurality of baths. 제3항에 있어서,
상기 이송로봇은, 구동부가 구비되는 로봇 본체와, 마스크를 지지하여 운반하는 지그와, 상기 로봇 본체와 상기 지그를 연결하는 로봇 암을 포함하여 이루어지고;
상기 마스크 프레임은 상기 지그에 결합되어 이송되는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.The method of claim 3,
The transfer robot includes a robot main body including a driving unit, a jig for supporting and transporting a mask, and a robot arm connecting the robot main body and the jig;
And the mask frame is coupled to and transferred to the jig. 제2항에 있어서,
상기 마그넷 프레임은 적어도 하나의 자석이 내장되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.The method of claim 2,
The magnet frame is a mask processing apparatus, characterized in that at least one magnet is built. 제2항에 있어서,
상기 마그넷 프레임은 상기 마스크의 처리 공정이 완료된 후 상기 복수의 배스를 순차로 이동하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.The method of claim 2,
And the magnet frame is configured to sequentially move the plurality of baths after the mask processing step is completed. 제3항에 있어서,
상기 이송로봇은 복수의 상기 마스크가 열을 지어 상기 복수의 배스에 순차로 운송되도록 하고;
상기 열의 중간에 상기 마그넷 프레임이 구비되어;
상기 마스크와 상기 마그넷 프레임이 교대로 상기 복수의 배스에 침지되어, 상기 복수의 배스에서 상기 마스크의 처리와 상기 이물의 수거가 교대로 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.The method of claim 3,
The transfer robot causes a plurality of the masks to be transported sequentially in the plurality of baths in a row;
The magnet frame is provided in the middle of the row;
And the mask and the magnet frame are alternately immersed in the plurality of baths so that the processing of the mask and the collection of the foreign material are alternately performed in the plurality of baths. a) 복수의 배스에 마스크가 순차로 이송되어 마스크 처리가 이루어지는 단계;
b) 복수의 배스에 자성체가 순차로 이송되어 배스 내부의 이물을 제거하는 단계;
를 포함하여 이루어지는 마스크 처리 방법.a) a mask is sequentially transferred to a plurality of baths to perform mask processing;
b) magnetic material is sequentially transferred to the plurality of baths to remove foreign matter inside the bath;
Mask processing method comprising a. 제8항에 있어서,
상기 단계 a)와 상기 단계 b)가 교대로 반복하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 방법.The method of claim 8,
And a step b) is repeated alternately. 제8항에 있어서,
상기 자성체는 상기 마스크의 형상을 갖는 마그넷 프레임이고;
상기 단계 a)와 상기 단계 b)는 동일한 운송수단에 의해 동일한 방법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 방법.
The method of claim 8,
The magnetic material is a magnet frame having a shape of the mask;
And said step a) and said step b) are made in the same manner by the same means of transportation.
KR1020180092440A 2018-08-08 2018-08-08 Apparatus for Treating Mask and the Method Thereof KR102535783B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180092440A KR102535783B1 (en) 2018-08-08 2018-08-08 Apparatus for Treating Mask and the Method Thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180092440A KR102535783B1 (en) 2018-08-08 2018-08-08 Apparatus for Treating Mask and the Method Thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200017165A true KR20200017165A (en) 2020-02-18
KR102535783B1 KR102535783B1 (en) 2023-05-25

Family

ID=69638671

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180092440A KR102535783B1 (en) 2018-08-08 2018-08-08 Apparatus for Treating Mask and the Method Thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102535783B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102453396B1 (en) 2021-12-23 2022-10-12 에이피알지 주식회사 Multifunctional cosmetic composition comprising rice oil as an active ingredient

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0184915B1 (en) * 1995-10-06 1999-03-20 엄길용 Apparatus for removing dust from shadow mask of a braun tube
KR20080000808A (en) * 2006-06-28 2008-01-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Mask washing apparatus and method of washing mask using the same
KR20180077396A (en) * 2016-12-28 2018-07-09 (주) 디바이스이엔지 Apparatus for separating foreign substance in cleaning bath

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0184915B1 (en) * 1995-10-06 1999-03-20 엄길용 Apparatus for removing dust from shadow mask of a braun tube
KR20080000808A (en) * 2006-06-28 2008-01-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Mask washing apparatus and method of washing mask using the same
KR20180077396A (en) * 2016-12-28 2018-07-09 (주) 디바이스이엔지 Apparatus for separating foreign substance in cleaning bath

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102453396B1 (en) 2021-12-23 2022-10-12 에이피알지 주식회사 Multifunctional cosmetic composition comprising rice oil as an active ingredient

Also Published As

Publication number Publication date
KR102535783B1 (en) 2023-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5778156B2 (en) Shower head cleaning method and apparatus
KR101184880B1 (en) Method and system for removing metal contaminants adhered to quartz member of vertical heat processing apparatus
KR102103629B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102535783B1 (en) Apparatus for Treating Mask and the Method Thereof
CN110571165B (en) Cleaning device, cleaning method, semiconductor processing machine table and wafer processing method
KR102485519B1 (en) Apparatus for Treating Mask and the Method Thereof
KR102343636B1 (en) Apparatus for treating substrate
TWM512208U (en) Processing equipment integrating moisture removal and drying
JP2001271188A (en) Substrate treatment apparatus
JP3243708B2 (en) Processing method and processing apparatus
JP2008004890A (en) Ultrasonic cleaning device
KR20020063201A (en) Method of cleaning electronic device
KR20190101097A (en) Apparatus for Treating Mask and the Method Thereof
JP2005175036A (en) Substrate treatment apparatus
KR102503205B1 (en) Apparatus for Treating Mask
JP2005051099A (en) Method of cleaning substrate
TWI620237B (en) Wafer processing apparatus with functions of removing water and drying and semiconductor wafer processing method
JP2005051101A (en) Method of cleaning substrate
JP2011206720A (en) Mask cleaner device for dry complete type organic el and mask cleaning method for the same
JP3000997B1 (en) Semiconductor cleaning apparatus and semiconductor device cleaning method
JP2005095788A (en) Substrate washing device and washing method
KR20190122502A (en) Apparatus for Treating Mask and the Method Thereof
JPH08316183A (en) Washing method and apparatus
JPH10163158A (en) Cleaning apparatus for sheetlike body
JP3600746B2 (en) Substrate processing equipment

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right