KR20200011295A - 아크억제수단이 마련된 증착장비 - Google Patents

아크억제수단이 마련된 증착장비 Download PDF

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김형목
정수성
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Abstract

본 발명은 반도체 또는 디스플레이 제조공정에 이용되는 증착장비에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 챔버벽과 챔버도어를 갖추고 있으며, 기판에 대하여 증착시킬 증착물질을 포함하는 타겟이 수용되는 공간과 상기 기판에 대하여 상기 증착물질로 증착이 이루어지는 증착공간을 제공하는 진공챔버; 상기 진공챔버의 챔버벽에 장착되며, 상기 타겟을 홀딩하는 타겟홀더; 및 상기 진공챔버 내에 배치되며, 상기 타겟홀더가 상기 타겟을 홀딩하는 부분에서 아크(arc)가 발생하는 것을 억제하는 아크억제수단; 을 포함하므로 타겟과 타겟홀더 사이의 부분에서 아크가 발생되는 것을 예방 또는 억제할 수 있으며, 타겟의 교체 또는 증착장비의 유지관리작업시 작업능률을 향상시킬 수 있는 기술이 개시된다.

Description

아크억제수단이 마련된 증착장비{Deposition Equipment Including Means of Restraining Arc}
본 발명은 반도체 또는 디스플레이 제조공정에 이용되는 증착장비에 관한 것으로, 보다 상세하게는 증착장비 내에 마련되는 타겟홀더 측에서 아크(arc)가 발생되는 것을 억제 또는 예방할 수 있는 증착장비에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 디바이스나 디스플레이 제조공정에는 증착공정 등 다양한 공정이 포함되며 이러한 공정 중에는 증착공정도 있다.
증착공정은 기판에 증착시킬 물질을 증착시키기 위하여 증착장비 내에서 이루어진다. 이러한 증착장비로는 CVD장비 또는 스퍼터와 같은 PVD 장비를 통해 이루어진다.
도 1은 종래기술에 따른 스퍼터장비의 일부분을 개략적으로 나타낸 측단면도이다. 도 1에서 참조되는 바와 같은 종래의 스퍼터장비에서는~챔버벽(11)에 의해 형성된 공간 내에 타겟(23)이 위치하고, 이러한 캐소드(cathod) 타겟(23)을 홀딩하는 홀더(22,24)를 회전시켜주는 회전어셈블리(21)가 마련되어 있으며, 스퍼터공정시 캐소드 타겟(23) 근처에서 발생되는 플라즈마 이온에 의해 타겟으로부터 스퍼터링이 이루어졌다.
이러한 스퍼터장비를 이용하여 스퍼터링 중에 의도와 달리 타겟홀더(22,24)와 타겟(23)의 일부분에서 재증착(Re-deposition)이루어지면서 야기되는 전위차로 인하여 아크(7)가 발생하기도 하는 문제가 있었다.
이러한 아크(7)의 발생은 스퍼터링에 의한 증착물질의 증착균일도를 저하시키는 악영향을 미치게 되며, 스퍼터장비에도 예기치 않은 무리가 순간적으로 가해지기도 하므로 장비의 수명에도 좋지 않은 영향을 미치기도 한다.
따라서, 이와 같이 의도치 않은 아크가 발생하는 문제점을 해결해야할 필요가 있었다.
대한민국 공개특허 10-2017-0134726 대한민국 등록특허 10-0683653
본 발명의 목적은 상기한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 스퍼터장비와 같은 증착장비에 마련되는 캐소드의 타겟과 타겟홀더에서 의도치 않게 아크가 발생되는 것을 억제할 수 있는 증착장비를 제공함에 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 아크억제수단이 마련된 증착장비는, 챔버벽과 챔버도어를 갖추고 있으며, 기판에 대하여 증착시킬 증착물질을 포함하는 타겟이 수용되는 공간과 상기 기판에 대하여 상기 증착물질로 증착이 이루어지는 증착공간을 제공하는 진공챔버; 상기 진공챔버의 챔버벽에 장착되며, 상기 타겟을 홀딩하는 타겟홀더; 및 상기 진공챔버 내에 배치되며, 상기 타겟홀더가 상기 타겟을 홀딩하는 부분에서 아크(arc)가 발생하는 것을 억제하는 아크억제수단; 을 포함하는 것을 하나의 특징으로 할 수도 있다.
여기서, 상기 진공챔버에 장착되며, 상기 타겟을 홀딩하는 상기 타겟홀더를 회전시킬 수 있도록 상기 타겟홀더와 동역학적으로 연결된 타겟 로테이션 어셈블리; 를 더 포함하는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
나아가, 상기 타겟은 일방향으로 길게 형성된 원기둥의 형태를 갖추고 있고,상기 타겟홀더는 상기 타겟의 일측단 또는 타측단을 홀딩하며, 상기 아크억제수단은, 상기 타겟과 결합된 타겟홀더에 대하여 소정의 간격만큼 이격되되, 상기 타겟과 상기 타겟홀더가 결합된 부분을 가려주며, 상기 진공챔버 내측의 상기 챔버벽에 장착된 실드인 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
더 나아가, 상기 실드는, 상기 타겟과 상기 타겟홀더가 결합된 부분을 가려주기 위하여 일측단이 상기 챔버벽에 결합되고, 상기 타겟홀더가 내측에 위치할 수 있도록 상기 타겟홀더의 반지름보다 큰 반지름을 갖춘 실린더형태인 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
더 나아가, 실린더 형태를 갖춘 상기 실드의 중심축은 상기 타겟의 중심축과 일치하며, 상기 실드는, 상기 타겟홀더 또는 상기 타겟에 대하여 5mm 이내의 크기로 이격될 수 있는 반지름을 갖춘 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
더 나아가, 상기 타겟홀더는 2개로서, 상기 타겟의 일측단과 타측단을 각기 홀딩하는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
더 나아가, 상기 타겟을 사이에 두고 상기 타겟의 길이방향 일측과 타측 각각에 서로 대향하는 챔버벽이 있고, 서로 대향하는 상기 챔버벽 각각에 마련되는 상기 실드는, 상기 타겟의 일측단 부분을 가려주는 제1 실드와 상기 타겟의 타측단 부분을 가려주는 제2 실드인 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
또한, 상기 타겟홀더 및 상기 타겟의 일부분이 상기 실드의 내측에 위치할 수 있도록 상기 실드의 일측단에서 타측단까지 소정의 길이를 갖춘 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
본 발명에 따른 아크억제수단이 마련된 증착장비는, 타겟과 타겟홀더 사이의 부분에서 아크가 발생되는 것을 예방 또는 억제하므로 타겟의 교체 또는 증착장비의 유지관리작업시 작업능률이 향상되는 효과가 있으며, 나아가 증착균일도를 확보할 수 있는 효과도 있다.
도 1은 종래기술에 따른 증착장비인 스퍼터의 챔버 일부분을 개략적으로 나타낸 측단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 아크억제수단이 마련된 증착장비의 일부분을 개략적으로 나타낸 측단면도이다.
도 3과 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 아크억제수단이 마련된 증착장비의 일부 부분을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
이하에서는 본 발명에 대하여 보다 구체적으로 이해할 수 있도록 첨부된 도면을 참조한 바람직한 실시 예를 들어 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 아크억제수단이 마련된 증착장비의 일부분을 개략적으로 나타낸 측단면도이고, 도 3과 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 아크억제수단이 마련된 증착장비의 일부 부분을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2 내지 도 4에서 참조되는 바와 같이 본 발명의 실시 예에 따른 아크억제수단이 마련된 증착장비는 진공챔버, 타겟홀더 및 아크억제수단을 포함하여 이루어지며, 타겟 로테이션 어셈블리를 더 포함하여 이루어지는 것 또한 바람직하다.
이하 본 발명의 실시 예를 설명하기 위한 구체적인 증착장비로서 플라즈마를 이용하여 스퍼터링하는 스퍼터장비를 예로 들어 설명한다.
본 발명의 실시 예에 따른 아크억제수단이 마련된 증착장비인 스퍼터장비의 진공챔버는 챔버벽(110, 120)과 챔버도어(150)를 갖추고 있으며, 기판(미도시)에 대하여 증착시킬 증착물질로 이루어진 타겟(230)이 수용되는 공간을 제공한다. 아울러, 기판이 배치되고 기판에 대하여 증착물질로 증착이 이루어지는 증착공간 또한 제공한다. 이러한 공간을 제공하기 위하여 진공챔버는 챔버벽(110, 120)과 챔버도어(150)를 이용하여 공간을 형성한다.
여기서 진공챔버의 챔버벽(110, 120)은 도면에 모두 도시되지는 못하였으나 수직으로 세워지는 벽은 물론이고 지붕과 바닥 또한 통칭한 것임을 밝혀둔다.
타겟홀더(220)는 진공챔버의 챔버벽(110)에 장착된다. 그리고 안정적인 스퍼터링이 이루어질 수 있도록 타겟(230)을 홀딩한다. 여기서 타겟(230)은 기판 상에 증착시킬 증착물질을 포함하며, 플라즈마에 의해 타겟에서 기판 측으로 스퍼터링 되어진다.
여기서 타겟(230)은 도면에서 참조되는 바와 같이 일방향으로 길게 형성된 원기둥과 같은 형태를 갖추고 있다. 그리고 타겟홀더(220, 240)는 타겟(230)의 일측단 또는 타측단을 홀딩한다.
그리고 도면에서 참조되는 바와 같이 타겟 로테이션 어셈블리(target rotation assembly)(210)는 진공챔버에 장착된다. 그리고 타겟(230)을 홀딩하는 타겟홀더(220, 240)를 회전시킬 수 있도록 타겟홀더(220, 240)와 동역학적으로 연결된다.
여기서 동역학적으로 연결된다는 것은 회전력이 전달될 수 있도록 기계적으로 연결된다는 것을 말하며 예로서 회전축을 통한 연결 또는 회전축과 하나 이상의 기어의 맞물림에 의한연결 등을 통칭한 것이다.
이와 같이 타겟 로테이션 어셈블리(210)가 타겟홀더(220)와 연결되므로 타겟 로테이션 어셈블리(210)에 의해 타겟홀더(230)가 회전을 하게 되며, 타겟홀더(220, 240)가 회전됨에 따라 타겟홀더(220, 240))에 의해 홀딩된 타겟(230) 또한 함께 회전을 하게 된다.
이처럼 타겟(230)이 회전함에 따라 타겟(230)의 표면 전반에 걸쳐 고르게 플라즈마에 의한 스퍼터링이 이루어지게 되고 기판상에 증착물질이 증착되어진다..
이와 같이 타겟홀더(220, 240)를 통해 타겟(230)을 회전시켜주는 타겟 로테이션 어셈블리(210)는 회전력을 발생시키기 위한 전기모터를 포함하여 이루어진 것이 바람직하다.
아크억제수단은 진공챔버 내에 배치된다. 그리고 타겟홀더(220, 240)가 타겟(230)을 홀딩하는 부분에서 아크(arc)가 발생하는 것을 억제한다.
이러한 아크억제수단의 구체적인 실시 예으로서, 도면에서 참조되는 바와 같이 타겟(230)과 결합된 타겟홀더(220, 240)에 대하여 소정의 간격만큼 이격되되, 타겟(230)과 타겟홀더(220, 240)가 결합된 부분을 가려(cover)주며, 진공챔버의 내측의 챔버벽(110, 120)에 장착된 실드(310, 320)인 것 또한 바람직하다.
이러한 실드(310, 320)는 타겟(230) 근처에서 플라즈마가 발생되어 스퍼터링공정이 이루어지는 동안에 타겟(230)과 타겟홀더(220, 240)가 결합된 부분에 아크가 발생되지 않도록 플라즈마로부터 타겟(230)과 타겟홀더(220, 240)가 결합된 부분을 가려주는 것이 바람직하다.
실드(310, 320)가 타겟(230)과 타겟홀더(220, 240)가 결합된 부분을 플라즈마로부터 가려주기 위하여 실드(310, 320)의 일측단이 챔버벽(110, 120)에 결합된 것 또한 바람직하다. 그리고 타겟홀더(220, 240)가 실드(310, 320)의 내측에 위치할 수 있도록 실드(310, 320)는 타겟홀더(310, 320)의 반지름보다 큰 반지름을 갖춘 실린더형태인 것이 바람직하다.
여기서, 실린더와 같은 형태를 갖춘 실드(310, 320)의 중심축은 타겟(230)의 중심축과 일치하는 것 또한 바람직하다. 그리고 실드(310, 320)가 타겟홀더(220, 240) 또는 타겟(230)에 너무 가까우면 타겟(230)에 대한 스퍼터링이 이루어지는데 장애가 될 수 있으며, 반대로 실드(310, 320)가 타겟홀더(220, 240) 또는 타겟(230)으로부터 너무 멀리 떨어지면 타겟홀더(220, 240) 또는 타겟(230)을 충분히 커버(cover)되지 아니하므로 아크의 발생을 억제하기가 곤란하게 된다.
따라서, 실드(310, 320)는 타겟홀더(220, 240) 또는 타겟(230)에 대하여 5mm 이내의 크기로 이격될 수 있는 반지름을 갖춘 것이 바람직하다.
타겟홀더(220, 240)는 도면에서 참조되는 바와 같이 타겟(230)의 양 끝단에 하나씩 배치된 형태로서 2개가 마련된 것 또한 바람직하다. 2개의 타겟홀더(220, 240)는 각기 타겟(230)의 일측단과 타측단을 홀딩한다.
그리고 도면에서 참조되는 바와 같이 타겟(230)을 사이에 두고 타겟(230)의 길이방향 일측과 이에 반대되는 방향인 타측 각각에 서로를 향해 대향하는 챔버벽(110, 120)이 있고, 이와 같이 서로 대향하는 챔버벽(110, 120) 각각에 마련되는 실드(310, 320)는 타겟(230)의 일측단을 부분을 가려주는 제1 실드(310)와 타겟(230)의 타측단 부분을 가려주는 제2 실드(320)로 편의상 구분할 수도 있다.
아울러 도면에서 참조되는 바와 같이 타겟홀더(220, 240) 및 타겟(230)의 일부분이 실드(310, 320)의 내측에 위치할 수 있도록 실드(310, 320)의 일측단에서 타측단까지 소정의 길이 또는 높이를 갖춘 것이 바람직하다.
즉, 챔버벽(110)의 내면으로부터 타겟홀더(220)와 타겟(230)이 접하는 경계부분까지의 높이에 비하여 챔버벽(110)의 내면에 접하고 있는 실드(310)의 일측단으로부터 실드(310)의 타측단까지의 높이가 더 높은 것이 바람직하다. 여기서 이러한 높이차는 5cm 이내이면 충분하다고 할 수 있다.
이와 같이 아크억제수단인 실드(310, 320)가 스퍼터와 같은 증착장비에 마련됨으로써 타겟(230)과 타겟홀더(220, 240) 사이에서 아크가 발생되는 것을 억제 또는 예방할 수 있게 된다.
이와 같이 본 발명의 실시 예에 따른 아크억제수단이 마련된 증착장비는, 타겟과 타겟홀더 사이의 부분에서 아크가 발생되는 것을 예방 또는 억제하므로 타겟의 교체 또는 증착장비의 유지관리작업시 작업능률이 향상되는 장점이 있으며, 나아가 기판에 대한 증착균일도를 확보하는데 도움이 되는 장점 또한 있다.
이상에서 설명된 바와 같이, 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시 예들에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시 예들은 본 발명의 바람직한 실시 예를 들어 설명하였을 뿐이기 때문에, 본 발명이 상기의 실시 예에만 국한되는 것으로 이해되어져서는 아니되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어져야 할 것이다.
110, 120 : 챔버벽 210 : 타겟 로테이션 어셈블리
220, 240 : 타겟홀더 230 : 타겟
310, 320 : 실드

Claims (8)

  1. 챔버벽과 챔버도어를 갖추고 있으며, 기판에 대하여 증착시킬 증착물질을 포함하는 타겟이 수용되는 공간과 상기 기판에 대하여 상기 증착물질로 증착이 이루어지는 증착공간을 제공하는 진공챔버;
    상기 진공챔버의 챔버벽에 장착되며, 상기 타겟을 홀딩하는 타겟홀더; 및
    상기 진공챔버 내에 배치되며, 상기 타겟홀더가 상기 타겟을 홀딩하는 부분에서 아크(arc)가 발생하는 것을 억제하는 아크억제수단; 을 포함하는 것을 특징으로 하는,
    아크억제수단이 마련된 증착장비.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 진공챔버에 장착되며, 상기 타겟을 홀딩하는 상기 타겟홀더를 회전시킬 수 있도록 상기 타겟홀더와 동역학적으로 연결된 타겟 로테이션 어셈블리; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,
    아크억제수단이 마련된 증착장비.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 타겟은 일방향으로 길게 형성된 원기둥의 형태를 갖추고 있고,
    상기 타겟홀더는 상기 타겟의 일측단 또는 타측단을 홀딩하며,
    상기 아크억제수단은,
    상기 타겟과 결합된 타겟홀더에 대하여 소정의 간격만큼 이격되되,
    상기 타겟과 상기 타겟홀더가 결합된 부분을 가려주며, 상기 진공챔버 내측의 상기 챔버벽에 장착된 실드인 것을 특징으로 하는,
    아크억제수단이 마련된 증착장비.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 실드는,
    상기 타겟과 상기 타겟홀더가 결합된 부분을 가려주기 위하여
    일측단이 상기 챔버벽에 결합되고, 상기 타겟홀더가 내측에 위치할 수 있도록 상기 타겟홀더의 반지름보다 큰 반지름을 갖춘 실린더형태인 것을 특징으로 하는,
    아크억제수단이 마련된 증착장비.
  5. 제 4항에 있어서,
    실린더 형태를 갖춘 상기 실드의 중심축은 상기 타겟의 중심축과 일치하며,
    상기 실드는,
    상기 타겟홀더 또는 상기 타겟에 대하여 5mm 이내의 크기로 이격될 수 있는 반지름을 갖춘 것을 특징으로 하는,
    아크억제수단이 마련된 증착장비.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 타겟홀더는 2개로서,
    상기 타겟의 일측단과 타측단을 각기 홀딩하는 것을 특징으로 하는,
    아크억제수단이 마련된 증착장비.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 타겟을 사이에 두고 상기 타겟의 길이방향 일측과 타측 각각에 서로 대향하는 챔버벽이 있고,
    서로 대향하는 상기 챔버벽 각각에 마련되는 상기 실드는,
    상기 타겟의 일측단 부분을 가려주는 제1 실드와 상기 타겟의 타측단 부분을 가려주는 제2 실드인 것을 특징으로 하는,
    아크억제수단이 마련된 증착장비.
  8. 제 4항에 있어서,
    상기 타겟홀더 및 상기 타겟의 일부분이 상기 실드의 내측에 위치할 수 있도록 상기 실드의 일측단에서 타측단까지 소정의 길이를 갖춘 것을 특징으로 하는,
    아크억제수단이 마련된 증착장비.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100683653B1 (ko) 2000-06-14 2007-02-20 삼성에스디아이 주식회사 스퍼터링 장치용 캐소드
KR20170134726A (ko) 2015-05-08 2017-12-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 무선 주파수(rf) - 스퍼터 증착 소스, 증착 장치, 및 그의 동작 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100683653B1 (ko) 2000-06-14 2007-02-20 삼성에스디아이 주식회사 스퍼터링 장치용 캐소드
KR20170134726A (ko) 2015-05-08 2017-12-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 무선 주파수(rf) - 스퍼터 증착 소스, 증착 장치, 및 그의 동작 방법

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