KR20200011098A - Transfer printing method of adjusting spacing of micro device and electronic device manufactured using the same - Google Patents

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KR20200011098A
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Abstract

An embodiment of the present invention provides a transfer method for adjusting a spacing between micro-devices, capable of adjusting the micro-devices to be arranged at a desired spacing and transferring the adjusted micro-devices, and an electronic device manufactured by using the same. Here, the transfer method for adjusting a spacing between micro-devices comprises a preparation step, a front-surface cutting step, a rear-surface cutting step, a tensioning step, and a transfer step. In the preparation step, a micro-device array attached to an upper portion of a transfer film is prepared. In the front-surface cutting step, the micro-device array is cut along a first direction while generating a first-direction front-surface cutting line, and the transfer film is cut from the upper portion thereof to a predetermined front cutting depth such that the transfer film is not completely cut by the first-direction front-surface cutting line. In the rear-surface cutting step, a lower portion of the transfer film is cut while generating a first-direction rear-surface cutting line, wherein the first-direction rear-surface cutting line is formed between the first-direction front-surface cutting lines, and the transfer film is cut to a predetermined back cutting depth such that the transfer film is not completely cut by the first-direction rear-surface cutting line. In the tensioning step, the transfer film is stretched in a second direction to separate the micro-devices at a target spacing, and in the transfer step, the micro-devices are transferred to a target substrate at a target spacing. Therefore, the micro-devices can be stably fixed, and a spacing between the micro-devices can be precisely adjusted.

Description

마이크로 소자의 간격 조절 전사방법 및 이를 이용하여 제조되는 전자기기{TRANSFER PRINTING METHOD OF ADJUSTING SPACING OF MICRO DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURED USING THE SAME}TRANSFER PRINTING METHOD OF ADJUSTING SPACING OF MICRO DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURED USING THE SAME

본 발명은 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법 및 이를 이용하여 제조되는 전자기기에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 마이크로 소자를 원하는 간격으로 배열되도록 조절하고 이렇게 조절된 상태로 전사되도록 하는 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법 및 이를 이용하여 제조되는 전자기기에 관한 것이다.The present invention relates to a spacing control transfer method of a micro device and an electronic device manufactured using the same, and more particularly, to control the spacing of the micro device to be arranged at a desired spacing and to be transferred in such a controlled state. A method and an electronic device manufactured using the same.

마이크로 LED 디스플레이, 태양전지 등 마이크로 소자를 사용하는 제품을 양산하려면 에피 성장된 박막 소자를 잘라 마이크로 소자를 만들고 이를 원하는 기판위에 전사해야 한다. 마이크로 소자를 전사하는 방법은 진공척(vacuum chuck)이나 정전척(electrostatic chuck)을 이용하는 방법, 점착력을 이용하는 방법 등 다양하다.In order to mass-produce products using micro devices, such as micro LED displays and solar cells, epitaxially grown thin film devices need to be cut to make micro devices and transferred onto a desired substrate. There are various methods of transferring the micro device, such as a method using a vacuum chuck, an electrostatic chuck, or a method using adhesive force.

진공척을 이용하는 방법은 진공척에서 발생하는 압력으로 마이크로 소자를 전사한다. 마이크로/나노 크기를 갖는 작고 얇은 소자는 이 압력에 의해 파손될 수 있어 수십 ㎛ 이하의 얇고 작은 마이크로 소자에는 진공척을 사용하기 어렵다.The method using the vacuum chuck transfers the micro device to the pressure generated in the vacuum chuck. Small and thin devices with micro / nano size can be broken by this pressure, making it difficult to use vacuum chucks for thin and small micro devices of several tens of micrometers or less.

정전척을 이용하는 방법도 역시 두께가 얇은 소자에 적용할 경우 정전기에 의한 소자 파손이 발생될 수 있으며, 소자의 표면 오염물에 영향을 받아 전사 능력이 저하되는 단점이 있다.The method using the electrostatic chuck also has the disadvantage that when applied to a device with a thin thickness may cause element breakage due to static electricity, and the transfer ability is reduced by the surface contamination of the device.

점착력을 이용하여 전사하는 방법은 두께가 매우 얇고 작은 소자에도 파손 없이 적용할 수 있으며, 많은 수의 소자를 한꺼번에 전사하거나 롤을 이용한 연속 공정이 가능한 등의 장점이 있다. 이러한 이유로 점착력을 이용한 마이크로 소자 전사 기술은 널리 사용되고 있으나, 이 방법은 잘라낸 마이크로 소자를 기판 위에 전사하기 전에 원하는 위치에 다시 정돈하여 배열하는 재배열 공정이 필요하다.The method of transferring by using the adhesive force is very thin and can be applied to small devices without damage, and there are advantages such as transferring a large number of devices at once or performing a continuous process using a roll. For this reason, microdevice transfer technology using adhesive force is widely used, but this method requires a rearrangement process in which the cut microdevices are arranged and arranged again at a desired position before being transferred onto a substrate.

재배열 기술은 점착력을 이용한 전사공정의 양산 적용을 가로막는 가장 큰 장벽이 되고 있어, 마이크로 소자를 원하는 간격으로 배열하는 기술은 매우 중요하다.Rearrangement technology is the biggest barrier to mass production application of the transfer process using the adhesive force, the technology of arranging the micro-element at the desired interval is very important.

대한민국 등록특허공보 제1714737호(2017.03.23. 공고)Republic of Korea Patent Publication No. 1714737 (announced on March 23, 2017)

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 마이크로 소자를 원하는 간격으로 배열되도록 조절하고 이렇게 조절된 상태로 전사되도록 하는 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법 및 이를 이용하여 제조되는 전자기기를 제공하는 것이다.In order to solve the above problems, the technical problem to be achieved by the present invention is to adjust the micro-elements to be arranged at a desired interval and the transfer method of the micro-element spacing controlled to be transferred in such a controlled state and an electronic device manufactured using the same To provide.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is not limited to the technical problem mentioned above, and other technical problems not mentioned above may be clearly understood by those skilled in the art from the following description. There will be.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는 전사필름과, 상기 전사필름의 상부에 점착되는 마이크로 소자 어레이를 준비하는 준비단계; 상기 마이크로 소자 어레이가 각각의 마이크로 소자로 분리되도록 상기 마이크로 소자 어레이를 제1방향을 따라 제1방향 전면절단선을 생성하면서 자르되, 상기 제1방향 전면절단선이 상기 전사필름을 완전히 절단하지 않도록 상기 전사필름의 상부로부터 미리 정해진 전면절단깊이로 자르는 전면절단단계; 상기 전사필름의 하부를 제1방향 배면절단선을 생성하면서 자르되, 상기 제1방향 배면절단선은 상기 제1방향 전면절단선의 사이에서 상기 제1방향으로 형성되도록 하고, 상기 제1방향 배면절단선에 의해 상기 전사필름이 완전히 절단되지 않도록 미리 정해진 배면절단깊이로 자르는 배면절단단계; 상기 전사필름을 상기 제1방향에 교차하는 제2방향으로 인장시켜 상기 마이크로 소자를 목표간격만큼 이격시키는 인장단계; 그리고 상기 마이크로 소자를 타깃기판에 상기 목표간격으로 전사시키는 전사단계를 포함하는 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법을 제공한다.In order to achieve the above technical problem, an embodiment of the present invention comprises a preparation step of preparing a transfer film and the micro-element array adhered to the upper portion of the transfer film; The micro device array is cut while generating a first cut front cut line along a first direction so that the micro device array is separated into respective micro devices, so that the first cut front cut line does not completely cut the transfer film. A front cutting step of cutting a predetermined front cutting depth from an upper portion of the transfer film; The lower portion of the transfer film is cut while generating a first direction back cutting line, wherein the first direction back cutting line is formed in the first direction between the first direction front cutting line, and the first direction back cutting line A back cutting step of cutting the transfer film to a predetermined back cutting depth so that the transfer film is not completely cut by a line; A tensioning step of tensioning the transfer film in a second direction crossing the first direction to space the micro device by a target interval; And it provides a transfer control method of the micro-element spacing including a transfer step of transferring the micro device to the target substrate at the target interval.

한편, 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는 전사필름과, 상기 전사필름의 상부에 점착되는 마이크로 소자 어레이를 준비하는 준비단계; 상기 마이크로 소자 어레이가 각각의 마이크로 소자로 분리되도록 상기 마이크로 소자 어레이를 제1방향을 따라 제1방향 전면절단선을 생성하면서 자르고, 상기 제1방향에 교차하는 제2방향을 따라 제2방향 전면절단선을 생성하면서 자르되, 상기 제1방향 전면절단선 및 상기 제2방향 전면절단선이 상기 전사필름을 완전히 절단하지 않도록 상기 전사필름의 상부로부터 미리 정해진 전면절단깊이로 자르는 전면절단단계; 상기 전사필름의 하부를 제1방향 배면절단선 및 제2방향 배면절단선을 생성하면서 자르되, 상기 제1방향 배면절단선은 상기 제1방향 전면절단선의 사이에 상기 제1방향으로 형성되도록 하고, 상기 제2방향 배면절단선은 상기 제2방향 전면절단선의 사이에 상기 제2방향으로 형성되도록 하며, 상기 제1방향 배면절단선 및 상기 제2방향 배면절단선에 의해 상기 전사필름이 완전히 절단되지 않도록 미리 정해진 배면절단깊이로 자르는 배면절단단계; 상기 전사필름을 상기 제1방향 및 상기 제2방향 중 어느 하나 이상의 방향으로 인장시켜 상기 마이크로 소자를 목표간격만큼 이격시키는 인장단계; 그리고 상기 마이크로 소자를 타깃기판에 상기 목표간격으로 전사시키는 전사단계를 포함하는 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법을 제공한다.On the other hand, in order to achieve the above technical problem, an embodiment of the present invention comprises the steps of preparing a transfer film and the micro-element array that is adhered to the upper portion of the transfer film; The micro device array is cut while generating a first front cut line along a first direction to separate the micro device array into respective micro devices, and a second front cut along the second direction crossing the first direction. A front cutting step of cutting a line to a predetermined front cutting depth from an upper portion of the transfer film so that the first cutting front cutting line and the second cutting front cutting line do not completely cut the transfer film; The lower portion of the transfer film is cut while generating a first direction back cutting line and a second direction back cutting line, wherein the first direction back cutting line is formed in the first direction between the first direction front cutting line and And the second direction back cutting line is formed in the second direction between the second direction front cutting line, and the transfer film is completely cut by the first direction back cutting line and the second direction back cutting line. A back cutting step of cutting to a predetermined back cutting depth so as not to be; A tensioning step of tensioning the transfer film in at least one of the first direction and the second direction to space the micro device by a target distance; And it provides a transfer control method of the micro-element spacing including a transfer step of transferring the micro device to the target substrate at the target interval.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 인장단계에서 상기 전사필름을 상기 제2방향으로 인장시켰을 때, 각각의 상기 마이크로 소자 사이의 상기 목표간격이 동일해지도록, 상기 제1방향 배면절단선은 해당 마이크로 소자의 경계를 형성하는 한 쌍의 상기 제1방향 전면절단선 사이의 정가운데에 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, when the transfer film is stretched in the second direction in the tensioning step, the first direction back cutting line may correspond to the corresponding micro device so that the target spacing between the micro devices becomes the same. It may be formed at the center of the pair of the first direction front cut line forming the boundary of the device.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제1방향 배면절단선은 각각의 상기 마이크로 소자의 경계를 형성하는 한 쌍의 상기 제1방향 전면절단선의 사이에 서로 이격되어 나란하게 한 쌍으로 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the first direction back cutting lines may be formed in a pair side by side spaced apart from each other between the pair of first direction front cutting lines forming a boundary of each of the micro device. .

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제1방향 전면절단선과 상기 제1방향 전면절단선의 일측에 인접하는 제1방향 배면절단선 사이의 폭 및 상기 제1방향 전면절단선과 상기 제1방향 전면절단선의 타측에 인접하는 제1방향 배면절단선 사이의 폭으로 정의되는 절단폭은 서로 동일하게 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the width between the first direction front cut line and the first direction back cut line adjacent to one side of the first direction cut line and the first direction cut line and the first direction cut line The cutting widths defined as the widths between the first direction back cutting lines adjacent to the other side may be the same.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 인장단계에서 상기 전사필름을 인장시켰을 때 각각의 상기 마이크로 소자 사이의 상기 목표간격이 동일해지도록, 상기 절단폭은 상기 전사필름의 전체에 걸쳐 모두 동일하게 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the cutting widths are formed to be the same throughout the transfer film so that the target spacing between each of the micro devices is the same when the transfer film is stretched in the stretching step. Can be.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 인장단계에서 상기 전사필름을 인장시켰을 때 이웃하는 한 쌍의 마이크로 소자 사이의 제1목표간격과, 이웃하는 다른 한 쌍의 마이크로 소자 사이의 제2목표간격이 서로 달라지도록, 상기 절단폭은 상기 전사필름의 영역별로 다르게 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, when the transfer film is stretched in the stretching step, a first target interval between a pair of neighboring microelements and a second target interval between another pair of neighboring microelements are mutually different. To be different, the cutting width may be formed differently for each region of the transfer film.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제1방향 전면절단선에 의해 상기 전사필름이 갈라지는 부분 및 상기 제1방향 배면절단선에 의해 상기 전사필름이 갈라지는 부분에서 크랙이 전파되지 않도록, 상기 전사필름에는 상기 제1방향 전면절단선에 의해 갈라지는 부분 및 상기 제1방향 배면절단선에 의해 갈라지는 부분이 포함되도록 제1크랙전파방지홀이 더 형성될 수 있다.In an exemplary embodiment of the present invention, the transfer film may be formed so that cracks do not propagate in a portion where the transfer film splits by the first front cutting line and a portion where the transfer film splits by the first direction back cutting line. The first crack propagation prevention hole may be further formed to include a portion which is divided by the first front cutting line and a portion which is divided by the first direction back cutting line.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 인장단계에서 상기 전사필름을 상기 제1방향으로 인장시켰을 때, 각각의 상기 마이크로 소자 사이의 상기 목표간격이 동일해지도록, 상기 제2방향 배면절단선은 해당 마이크로 소자의 경계를 형성하는 한 쌍의 상기 제2방향 전면절단선 사이의 정가운데에 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, when the transfer film is stretched in the first direction in the tensioning step, the second direction back cut line may correspond to the corresponding micro-interface such that the target spacing between the micro devices becomes the same. It may be formed at the center between a pair of the front direction cut line of the second direction forming a boundary of the device.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제2방향 배면절단선은 각각의 상기 마이크로 소자의 경계를 형성하는 한 쌍의 상기 제2방향 전면절단선의 사이에 서로 이격되어 나란하게 한 쌍으로 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the second direction back cutting lines may be formed in a pair side by side spaced apart from each other between a pair of the second direction front cutting lines forming a boundary of each micro device. .

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제2방향 전면절단선과 상기 제2방향 전면절단선의 일측에 인접하는 제2방향 배면절단선 사이의 폭 및 상기 제2방향 전면절단선과 상기 제2방향 전면절단선의 타측에 인접하는 제2방향 배면절단선 사이의 폭으로 정의되는 절단폭은 서로 동일하게 형성될 수 있다.In an exemplary embodiment of the present invention, the width between the second direction front cut line and the second direction back cut line adjacent to one side of the second direction front cut line and the second direction front cut line and the second direction front cut line The cutting widths defined by the widths between the second direction back cutting lines adjacent to the other side may be the same.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 인장단계에서 상기 전사필름을 상기 제1방향으로 인장시켰을 때 각각의 상기 마이크로 소자 사이의 상기 목표간격이 동일해지도록, 상기 절단폭은 상기 전사필름의 상기 제1방향 전체에 걸쳐 모두 동일하게 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the cutting width is the first width of the transfer film so that the target spacing between each of the micro devices becomes the same when the transfer film is stretched in the first direction in the stretching step. The same can be formed all over the direction.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 인장단계에서 상기 전사필름을 상기 제1방향으로 인장시켰을 때 이웃하는 한 쌍의 마이크로 소자 사이의 제3목표간격과, 이웃하는 다른 한 쌍의 마이크로 소자 사이의 제4목표간격이 서로 달라지도록, 상기 절단폭은 상기 전사필름의 영역별로 다르게 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, when the transfer film is stretched in the first direction in the stretching step, a third target spacing between a pair of neighboring microelements, and a second target between the pair of neighboring microelements. The cutting width may be differently formed for each region of the transfer film so that the four target intervals are different from each other.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제2방향 전면절단선에 의해 상기 전사필름이 갈라지는 부분 및 상기 제2방향 배면절단선에 의해 상기 전사필름이 갈라지는 부분에서 크랙이 전파되지 않도록, 상기 전사필름에는 상기 제2방향 전면절단선에 의해 갈라지는 부분 및 상기 제2방향 배면절단선에 의해 갈라지는 부분이 포함되도록 제2크랙전파방지홀이 더 형성될 수 있다.In the exemplary embodiment of the present invention, the transfer film may be formed so that cracks do not propagate in a portion where the transfer film is split by the second direction front cut line and a portion where the transfer film is split by the second direction back cut line. A second crack propagation prevention hole may be further formed to include a portion that is divided by the second direction front cut line and a portion that is separated by the second direction back cut line.

한편, 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법을 이용하여 제조되는 전자기기를 제공한다.On the other hand, in order to achieve the above technical problem, an embodiment of the present invention provides an electronic device manufactured using the method of controlling the spacing of the micro device.

본 발명의 실시예에 따르면, 전사필름이 인장되는 방향에 수직하게 전면절단선 및 배면절단선이 형성되어 전사필름을 인장시켜도 푸아송비에 따르는 변형이 발생하지 않아 마이크로 소자가 안정적으로 고정될 수 있고, 각각의 마이크로 소자 사이의 간격을 정밀하게 조절할 수 있다. 특히, 해당 마이크로 소자의 경계를 형성하는 한 쌍의 전면절단선과 그 사이에 형성되는 배면절단선 사이의 폭을 동일하게 함으로써 각각의 마이크로 소자 사이의 간격을 동일하게 할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the front cutting line and the back cutting line are formed perpendicular to the direction in which the transfer film is tensioned, and thus the strain according to the Poisson's ratio does not occur even when the transfer film is tensioned, thereby stably fixing the micro device. The spacing between each microelement can be precisely adjusted. In particular, the same spacing between the pair of front cut lines forming the boundary of the micro device and the back cut line formed therebetween can make the spacing between the respective micro devices the same.

또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 각각의 영역의 경계에서 서로 이웃하는 배면절단선의 폭을 서로 다르게 형성함으로써, 동일한 인장력으로 전사필름을 인장시키더라도, 각각의 영역 별로 마이크로 소자 사이의 간격이 서로 달라지도록 할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, by forming the width of the back cutting line adjacent to each other at the boundary of each region, even if the transfer film is tensioned with the same tensile force, the spacing between the micro-elements for each region is different from each other You can make it different.

본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.It is to be understood that the effects of the present invention are not limited to the above effects, and include all effects deduced from the configuration of the invention described in the detailed description or claims of the present invention.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법을 나타낸 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법에서 준비단계, 전면절단단계 및 배면절단단계를 설명하기 위한 예시도이다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법에서 인장단계를 설명하기 위한 예시도이다.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법 중 배면절단단계의 다른 예를 설명하기 위한 예시도이다.
도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법 중 배면절단단계의 또 다른 예를 설명하기 위한 예시도이다.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법에서 준비단계, 전면절단단계 및 배면절단단계를 설명하기 위한 예시도이다.
도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법에서 인장단계를 설명하기 위한 예시도이다.
도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법 중 배면절단단계의 다른 예를 설명하기 위한 예시도이다.
도 9는 본 발명의 제2실시예에 따른 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법 중 배면절단단계의 또 다른 예를 설명하기 위한 예시도이다.1 is a flow chart showing a method for transferring the spacing of the micro device according to the first embodiment of the present invention.
2 is an exemplary view for explaining a preparation step, a front cutting step and a back cutting step in the method for controlling the spacing of the micro device according to the first embodiment of the present invention.
Figure 3 is an exemplary view for explaining the tension step in the method for controlling the spacing of the micro device according to the first embodiment of the present invention.
Figure 4 is an exemplary view for explaining another example of the back cutting step of the spacing control transfer method of the micro device according to the first embodiment of the present invention.
5 is an exemplary view for explaining another example of a back cutting step of the gap-controlled transfer method of the micro device according to the first embodiment of the present invention.
6 is an exemplary view for explaining a preparation step, a front cutting step and a back cutting step in the method of controlling the spacing of the micro device according to the second embodiment of the present invention.
7 is an exemplary view for explaining a tensioning step in the method for controlling the spacing of the micro device according to the second embodiment of the present invention.
8 is an exemplary view for explaining another example of the back cutting step of the spacing control transfer method of the micro device according to the second embodiment of the present invention.
9 is an exemplary view for explaining another example of the back cutting step of the method for controlling the spacing of the micro device according to the second embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 “연결(접속, 접촉, 결합)”되어 있다고 할 때, 이는 “직접적으로 연결”되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 “간접적으로 연결”되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 “포함”한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is said to be "connected" (connected, contacted, coupled) with another part, it is not only "directly connected" but also "indirectly connected" with another member in between. Also includes the case where In addition, when a part is said to "include" a certain component, this means that unless otherwise stated, it may further include other components rather than excluding the other components.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, “포함하다” 또는 “가지다” 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this specification, the terms “comprise” or “have” are intended to indicate that there is a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, components, or a combination thereof.

이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법을 나타낸 흐름도이고, 도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법에서 준비단계, 전면절단단계 및 배면절단단계를 설명하기 위한 예시도이다.1 is a flowchart illustrating a method for transferring a gap control of a micro device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a preparation step and a front cutting step in a method for transferring a gap control of a micro device according to a first embodiment of the present invention. And it is an illustration for explaining the back cutting step.

도 1 및 도 2에서 보는 바와 같이, 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법은 준비단계(S110), 전면절단단계(S120), 배면절단단계(S130), 인장단계(S140) 그리고 전사단계(S150)를 포함할 수 있다.As shown in Figure 1 and Figure 2, the method for controlling the spacing of the micro device is a preparatory step (S110), the front cutting step (S120), the back cutting step (S130), the tension step (S140) and the transfer step (S150). It may include.

준비단계(S110)는 전사필름(300)과, 전사필름(300)의 상부에 점착되는 마이크로 소자 어레이(200)를 준비하는 단계일 수 있다.The preparation step S110 may be a step of preparing the transfer film 300 and the micro device array 200 adhered to the upper portion of the transfer film 300.

마이크로 소자 어레이(200)는 에피 성장된 마이크로 소자(210)를 포함하며, 에피 성장된 마이크로 소자(210)가 소스기판으로부터 떼어지되(Lift-off), 아직 마이크로 소자(210)가 낱개로 절단되지는 않은 상태를 의미한다. The micro device array 200 includes epitaxially grown microdevices 210, wherein the epitaxially grown microdevices 210 are lifted off from the source substrate, but the microdevices 210 are not cut individually. Means not.

따라서, 준비단계(S110)에서 전사필름(300)의 상부에 점착되는 마이크로 소자 어레이(200)는 아직 각각의 마이크로 소자(210)로 커팅되지 않은 상태일 수 있다.Therefore, the micro device array 200 adhered to the upper portion of the transfer film 300 in the preparation step (S110) may not be cut into the respective micro devices 210.

전면절단단계(S120)는 마이크로 소자 어레이(200)가 마이크로 소자(210)로 분리되도록 마이크로 소자 어레이(200)를 제1방향(A1)을 따라 제1방향 전면절단선(410)을 생성하면서 자르되, 제1방향 전면절단선(410)이 전사필름(300)을 완전히 절단하지 않도록 전사필름(300)의 상부로부터 미리 정해진 전면절단깊이(L1)로 자르는 단계일 수 있다.The front cutting step S120 cuts the micro device array 200 while generating the first direction front cutting line 410 along the first direction A1 so that the micro device array 200 is separated into the micro devices 210. For example, the first cutting line 410 may be a step of cutting the transfer film 300 to a predetermined front cutting depth L1 from the top of the transfer film 300 so as not to completely cut the transfer film 300.

전면절단단계(S120)에서 마이크로 소자 어레이(200)에 적용되는 절단은 각각의 마이크로 소자(210)의 테두리를 따르도록 미리 설정된 선을 따라 이루어질 수 있다. 그리고, 마이크로 소자 어레이(200)를 자르는 과정에서 마이크로 소자 어레이(200)를 자름과 동시에 전사필름(300)의 일부분까지 자를 수 있다. 따라서, 각각의 제1방향 전면절단선(410)은 마이크로 소자 어레이(200) 및 전사필름(300)에 한번에 연속되도록 생성될 수 있다. Cutting applied to the micro device array 200 in the front cutting step (S120) may be made along a line set in advance to follow the edge of each micro device (210). In the process of cutting the micro device array 200, the micro device array 200 may be cut and cut to a part of the transfer film 300. Accordingly, each of the first direction cut lines 410 may be generated to be continuous to the micro device array 200 and the transfer film 300 at one time.

전면절단단계(S120)에서 이루어지는 커팅은 레이저를 이용하거나, 에칭을 이용하거나, 절단톱을 이용하는 등의 다양한 방법으로 이루어질 수 있다.Cutting made in the front cutting step (S120) may be made by a variety of methods, such as using a laser, using an etching, using a cutting saw.

본 발명에 따르면, 에피 성장된 복수의 마이크로 소자는 전면절단단계(S120)를 거침으로써 각각 분리될 수 있다. According to the present invention, a plurality of epitaxially grown micro devices may be separated by going through the front cutting step (S120).

배면절단단계(S130)는 전사필름(300)의 하부를 제1방향 배면절단선(420)을 생성하면서 자르되, 제1방향 배면절단선(420)은 제1방향 전면절단선(410)의 사이에서 제1방향(A1)으로 형성되도록 하고, 제1방향 배면절단선(420)에 의해 전사필름(300)이 완전히 절단되지 않도록 미리 정해진 배면절단깊이(L2)로 자르는 단계일 수 있다.Back cutting step (S130) is to cut the lower portion of the transfer film 300 while generating a first direction back cutting line 420, the first direction back cutting line 420 of the first direction front cutting line 410 It may be a step to be formed in the first direction (A1) between the cutting in the predetermined back cutting depth (L2) so that the transfer film 300 is not completely cut by the first cutting back cutting line (420).

배면절단단계(S130)에서 제1방향 배면절단선(420)은 해당 마이크로 소자(210)의 경계를 형성하는 한 쌍의 제1방향 전면절단선(410) 사이의 정가운데에 형성될 수 있다. 이에 따라, 해당 마이크로 소자(210)의 경계를 형성하는 한 쌍의 제1방향 전면절단선(410)과 그 사이에 형성되는 제1방향 배면절단선(420) 사이의 폭(W)은 동일할 수 있다.In the back cutting step S130, the first direction back cutting line 420 may be formed at the center between a pair of first direction front cutting lines 410 forming a boundary of the micro device 210. Accordingly, the width W between the pair of first direction front cut lines 410 forming the boundary of the micro device 210 and the first direction back cut lines 420 formed therebetween may be the same. Can be.

한편, 마이크로 소자(210) 사이의 간격을 의도적으로 달리하기 위해서, 제1방향 배면절단선(420)은 정가운데에서 벗어나게 해서 형성될 수도 있다.On the other hand, in order to intentionally vary the spacing between the micro-elements 210, the first direction back cut line 420 may be formed to be out of the center.

인장단계(S140)는 전사필름(300)을 제1방향(A1)에 교차하는 제2방향(A2)으로 인장시켜 마이크로 소자(210)를 목표간격만큼 이격시키는 단계일 수 있다.In the stretching step S140, the transfer film 300 may be stretched in a second direction A2 crossing the first direction A1 to space the micro device 210 by a target interval.

도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법에서 인장단계를 설명하기 위한 예시도인데, 이하에서는 도 3을 더 포함하여 설명한다.FIG. 3 is an exemplary diagram for explaining a tensioning step in the method for controlling the spacing of the micro device according to the first embodiment of the present invention, which will be further described with reference to FIG. 3.

도 3을 더 포함하여 보는 바와 같이, 제1방향 전면절단선(410) 및 제1방향 배면절단선(420)이 형성된 후, 전사필름(300)에 제2방향(A2)으로 인장력(F)을 가해 인장시키면, 제1방향 전면절단선(410)에 의해 절단된 부분과 제1방향 배면절단선(420)에 의해 절단된 부분이 벌어지게 되고, 각각의 마이크로 소자(210)는 이격되게 된다.As further shown in FIG. 3, after the first direction front cut line 410 and the first direction back cut line 420 are formed, the tensile force F in the second direction A2 in the transfer film 300. When the tensile force is applied, the portion cut by the first direction cut line 410 and the portion cut by the first direction cut line 420 are opened, and each micro device 210 is spaced apart. .

이때, 전술한 바와 같이, 해당 마이크로 소자(210)의 경계를 형성하는 한 쌍의 제1방향 전면절단선(410)과 그 사이에 형성되는 제1방향 배면절단선(420) 사이의 폭(W)은 동일하기 때문에, 각각의 마이크로 소자(210) 사이의 간격(D)은 동일해질 수 있다.In this case, as described above, the width W between the pair of first direction cut lines 410 forming the boundary of the micro device 210 and the first direction back cut lines 420 formed therebetween. Are the same, the spacing D between each microelement 210 may be the same.

그리고, 본 발명에 따르면 이와 같이 전사필름(300)이 인장되더라도, 전사필름(300)과 마이크로 소자(210)는 점착된 상태가 안정적으로 유지될 수 있다. In addition, according to the present invention, even if the transfer film 300 is stretched as described above, the adhered state of the transfer film 300 and the micro device 210 may be stably maintained.

한편, 종래와 같이 전사필름에 각각의 마이크로 소자가 점착된 상태에서 전사필름을 인장시켜 점착된 마이크로 소자 간의 간격을 조절하는 경우에는 간격을 조절하기도 어려울 뿐만 아니라, 마이크로 소자가 전사필름에 안정적으로 점착된 상태를 유지하기가 어렵다. 즉, 전사필름의 한쪽 방향으로 변형이 일어나면, 이에 수직인 방향으로 푸아송비(Poisson’s ratio)만큼 줄어들기 때문에 마이크로 소자 간의 간격을 조절하기가 어려운 문제점이 있다. 또한, 전사필름이 신장되는 방향에 수직한 방향으로 전사필름이 수축하기 때문에 전사필름에 마이크로 소자가 안정적으로 고정되기가 어려운 문제점이 있다. On the other hand, when the microfilm is stretched in the state in which each microelement is adhered to the transfer film as in the prior art, it is difficult to control the spacing, and the microelement is stably adhered to the transfer film. Difficult to maintain That is, when deformation occurs in one direction of the transfer film, since the Poisson's ratio decreases in the direction perpendicular thereto, it is difficult to control the spacing between the micro devices. In addition, since the transfer film shrinks in a direction perpendicular to the direction in which the transfer film is stretched, it is difficult to stably fix the micro device to the transfer film.

그러나, 본 발명에 따르면, 전사필름(300)이 인장되는 방향에 수직하게 제1방향 전면절단선(410) 및 제1방향 배면절단선(420)이 형성되어 전사필름(300)을 인장시켜도 푸아송비에 따르는 변형의 영향을 줄일 수 있게 된다. 다시 말하면, 제2방향(A2)으로 전사필름(300)이 인장력이 작용 시에 제1방향(A1)으로는 수축이 거의 발생하지 않게 된다. 따라서, 마이크로 소자(210)가 안정적으로 고정될 수 있고, 각각의 마이크로 소자(210) 사이의 간격을 정밀하게 조절할 수 있다. However, according to the present invention, a first front cut line 410 and a first cut back line 420 are formed perpendicularly to the direction in which the transfer film 300 is stretched to pull the transfer film 300 even when the transfer film 300 is stretched. It is possible to reduce the influence of deformation due to the feed ratio. In other words, almost no shrinkage occurs in the first direction A1 when the transfer force of the transfer film 300 is applied in the second direction A2. Therefore, the micro device 210 can be stably fixed, and the spacing between each micro device 210 can be precisely adjusted.

특히, 해당 마이크로 소자(210)의 경계를 형성하는 한 쌍의 제1방향 전면절단선(410)과 그 사이에 형성되는 제1방향 배면절단선(420) 사이의 폭(W)을 동일하게 함으로써 각각의 마이크로 소자(210) 사이의 간격을 동일하게 할 수 있다.In particular, by equalizing the width W between the pair of first direction front cut lines 410 forming the boundary of the micro device 210 and the first direction back cut lines 420 formed therebetween. The spacing between each microelement 210 can be equal.

마이크로 소자(210) 사이의 간격(D)은 제1방향 전면절단선(410)과 제1방향 배면절단선(420) 사이의 두께(H)와 제1방향 전면절단선(410)의 일단부 및 제1방향 배면절단선(420)의 일단부 사이의 길이(L)를 통해 제어될 수 있다. The gap D between the micro devices 210 may have a thickness H between the first direction front cut line 410 and the first direction back cut line 420 and one end of the first direction front cut line 410. And a length L between one end of the first direction back cutting line 420.

예를 들면, 길이(L)가 두께(H)에 비해 충분히 길어 충분조건이 만족되면, 보 이론이 적용되어 간격(D)이 산출될 수 있다. 여기서, 충분조건은 (길이(L)/두께(H))>5일 수 있다. 즉, 길이(L)/두께(H)가 5를 초과하면 충분조건이 만족될 수 있다. 그러면, 간격(D)은 (길이(L)/두께(H))의 3승에 비례할 수 있다. 따라서, 길이(L) 및 두께(H)를 조절함으로써 원하는 마이크로 소자(210) 사이의 간격(D)을 적절하게 조절할 수 있다.For example, if the length L is sufficiently long compared to the thickness H and sufficient conditions are satisfied, the beam theory may be applied to calculate the distance D. Here, the sufficient condition may be (length (L) / thickness (H))> 5. That is, if the length L / thickness H exceeds 5, sufficient conditions can be satisfied. Then, the distance D may be proportional to the third power of (length L / thickness H). Therefore, by adjusting the length (L) and the thickness (H) it is possible to appropriately adjust the spacing (D) between the desired micro device (210).

그리고, 전사필름(300)에는 제1방향 전면절단선(410)에 의해 갈라지는 부분이 포함되도록 제1크랙전파방지홀(430)이 더 형성될 수 있다. 또한, 제1크랙전파방지홀(430)은 전사필름(300)에서 제1방향 배면절단선(420)에 의해 갈라지는 부분도 포함되도록 더 형성될 수 있다. In addition, the first crack propagation prevention hole 430 may be further formed in the transfer film 300 to include a portion that is separated by the first front cutting line 410. In addition, the first crack propagation prevention hole 430 may be further formed to include a portion that is separated by the first direction back cutting line 420 in the transfer film 300.

이에 따라, 후술할 인장단계(S140)에서 전사필름(300)이 인장될 때, 제1방향 전면절단선(410)에 의해 전사필름(300)이 갈라지는 부분 및 제1방향 배면절단선(420)에 의해 전사필름(300)이 갈라지는 부분에서 크랙이 전파되지 않을 수 있고, 마이크로 소자(210) 사이의 목표간격이 정밀하게 조절될 수 있다.Accordingly, when the transfer film 300 is tensioned in the tensioning step (S140) to be described later, a portion where the transfer film 300 is split by the first direction front cutting line 410 and the first direction back cutting line 420. Cracks may not be propagated at portions where the transfer film 300 is split, and the target spacing between the micro elements 210 may be precisely adjusted.

도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법 중 배면절단단계의 다른 예를 설명하기 위한 예시도이다.Figure 4 is an exemplary view for explaining another example of the back cutting step of the spacing control transfer method of the micro device according to the first embodiment of the present invention.

도 4에서 보는 바와 같이, 제1방향 배면절단선(420)은 두 개가 형성될 수 있다.As shown in FIG. 4, two first direction back cutting lines 420 may be formed.

구제척으로, 제1방향 배면절단선(420)은 각각의 마이크로 소자의 경계를 형성하는 한 쌍의 제1방향 전면절단선의 사이에 형성되는 제1방향제1배면절단선(421) 및 제1방향제2배면절단선(422)을 가질 수 있다. 제1방향제1배면절단선(421) 및 제1방향제2배면절단선(422)은 서로 이격되어 나란하게 한 쌍으로 형성될 수 있다.By way of relief, the first direction back cutting line 420 is a first direction first back cutting line 421 and a first fragrance formed between a pair of first direction front cutting lines forming a boundary of each micro device. It may have a double back cut line 422. The first directional first back cut line 421 and the first directional second back cut line 422 may be formed in a pair to be spaced apart from each other.

좌측의 마이크로 소자(210a)를 예로 들면, 좌측의 마이크로 소자(210a)의 경계를 형성하는 한 쌍의 제1방향 전면절단선(410a,410b)의 사이에 형성되는 제1방향 배면절단선(420)은 좌측으로부터 우측으로 제1방향제1배면절단선(421) 및 제1방향제2배면절단선(422)을 가질 수 있다. 그리고, 중앙의 마이크로 소자(210b)를 예로 들면, 중앙의 마이크로 소자(210b)의 경계를 형성하는 한 쌍의 제1방향 전면절단선(410b,410c)의 사이에 형성되는 제1방향 배면절단선(420)도 좌측으로부터 우측으로 제1방향제1배면절단선(421) 및 제1방향제2배면절단선(422)을 가질 수 있다.Taking the left micro device 210a as an example, the first direction back cut line 420 formed between the pair of first direction front cut lines 410a and 410b forming the boundary of the left micro device 210a. ) May have a first direction first back cut line 421 and a first direction second back cut line 422 from left to right. For example, in the example of the central micro device 210b, the first direction back cut line formed between the pair of first direction front cut lines 410b and 410c forming the boundary of the central micro device 210b. Reference numeral 420 also may have a first direction first back cut line 421 and a first direction second back cut line 422 from the left side to the right side.

그리고, 제1방향 전면절단선과 상기 제1방향 전면절단선의 일측에 인접하는 제1방향 배면절단선 사이의 폭 및 상기 제1방향 전면절단선과 상기 제1방향 전면절단선의 타측에 인접하는 제1방향 배면절단선 사이의 폭으로 정의되는 절단폭은 서로 동일하게 형성될 수 있다.And a width between the first direction front cutting line and the first direction back cutting line adjacent to one side of the first direction front cutting line, and a first direction adjacent to the other side of the first direction front cutting line and the first direction front cutting line. The cutting widths defined by the widths between the back cutting lines may be the same.

다시 말해서, 도 4를 참조하면, 제1방향 전면절단선(410b) 및 제1방향제1배면절단선(421) 사이의 폭과, 제1방향 전면절단선(410b) 및 제1방향제2배면절단선(422) 사이의 폭으로 정의되는 절단폭은 동일한 제1폭(W1)으로 형성될 수 있다.In other words, referring to FIG. 4, the width between the first direction front cut line 410b and the first direction first back cut line 421, and the first direction front cut line 410b and the first direction second back cut The cutting width defined as the width between the lines 422 may be formed with the same first width W1.

이와 같은 형태는 마이크로 소자의 제2방향(A2) 폭이 넓은 경우에 적용될 수 있다. This form can be applied to the case where the width of the second direction A2 of the micro device is wide.

그리고, 인장단계(S140)에서 전사필름을 인장시켰을 때 각각의 마이크로 소자 사이의 목표간격이 동일해지도록, 절단폭은 전사필름의 전체에 걸쳐 모두 동일하게 형성될 수 있다.Then, when the transfer film is stretched in the stretching step (S140), the cutting widths may be the same throughout the entire transfer film so that the target spacing between each micro device is the same.

다시 말해서, 도 4를 참조하면, 제1방향 전면절단선을 기준으로, 해당되는 제1방향 전면절단선에 서로 이웃하는 각각의 제1방향제1배면절단선(421) 및 제1방향제2배면절단선(422) 사이의 폭은 모두 제1폭(W1)으로 형성될 수 있다. 즉, 전사필름(310) 전체에 걸쳐 해당되는 제1방향 전면절단선에 서로 이웃하는 각각의 제1방향제1배면절단선(421) 및 제1방향제2배면절단선(422) 사이의 절단폭은 모두 제1폭(W1)으로 형성될 수 있다. In other words, referring to FIG. 4, each of the first direction first back cut lines 421 and the first direction second back cuts adjacent to each other in the corresponding first direction front cut lines based on the first direction cut lines in the first direction. All the widths between the lines 422 may be formed as the first width W1. That is, the cutting width between the first direction first back cutting line 421 and the first direction second back cutting line 422 adjacent to each other in the first direction front cutting line corresponding to the entire transfer film 310 is equal to the cutting width of the first direction cutting line 310. All may be formed to the first width (W1).

이를 통해, 인장단계(S140)에서 전사필름(310)을 인장시켰을 때 각각의 마이크로 소자 사이의 목표간격(D)이 모두 동일해질 수 있다.Through this, when the transfer film 310 is tensioned in the tensioning step (S140), the target spacing (D) between each micro device can be the same.

한편, 인장단계(S140)에서 전사필름을 인장시켰을 때 이웃하는 한 쌍의 마이크로 소자 사이의 제1목표간격과, 이웃하는 다른 한 쌍의 마이크로 소자 사이의 제2목표간격이 서로 달라지도록, 절단폭은 전사필름의 영역별로 다르게 형성될 수도 있다. On the other hand, when the transfer film is stretched in the tensioning step (S140), the cutting width so that the first target interval between the pair of neighboring micro-elements, and the second target interval between the pair of neighboring micro-elements are different from each other, May be formed differently for each region of the transfer film.

도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법 중 배면절단단계의 또 다른 예를 설명하기 위한 예시도인데, 절단폭이 전사필름의 영역별로 다르게 형성되는 예는 도 5를 참조하여 설명한다.5 is an exemplary view for explaining another example of the back cutting step of the method for controlling the spacing of the micro device according to the first embodiment of the present invention, an example in which the cutting width is different for each region of the transfer film is shown in FIG. It demonstrates with reference to.

도 5에서 보는 바와 같이, 제1영역(B1)에서의 절단폭을 제2폭(W2)으로 하고, 제2영역(B2)에서의 절단폭을 제3폭(W3)으로 서로 다르게 할 수 있다.As shown in FIG. 5, the cutting width in the first region B1 may be the second width W2, and the cutting width in the second region B2 may be different from the third width W3. .

이를 위해, 제1영역(B1)에서의 제1방향 전면절단선(410e)을 기준으로 양측에 인접하는 제1방향제1배면절단선(421a) 및 제1방향제2배면절단선(422a)의 제2폭(W2)은 제2영역(B2)에서의 제1방향 전면절단선(410f)을 기준으로 양측에 인접하는 제1방향제1배면절단선(421b) 및 제1방향제2배면절단선(422b)의 제3폭(W3)과 서로 다르게 형성될 수 있다.To this end, the first direction of the first rear cutting line 421a and the first direction of the second rear cutting line 422a adjacent to both sides of the first direction cutting line 410e in the first region B1. The second width W2 includes a first direction first back cut line 421b and a first direction second back cut line 422b adjacent to both sides with respect to the first direction front cut line 410f in the second area B2. It may be formed differently from the third width (W3) of).

이를 통해, 인장단계(S140)에서 동일한 인장력(F)으로 전사필름(320)을 인장시키더라도, 마이크로 소자 중에 제1마이크로 소자(210c)를 포함하는 제1영역(B1)에서의 제1목표간격(D1)과, 제2마이크로 소자(210d)를 포함하는 제2영역(B2)에서의 제2목표간격(D2)은 서로 달라질 수 있다.As a result, even when the transfer film 320 is stretched with the same tensile force F in the stretching step S140, the first target interval in the first region B1 including the first micro device 210c in the micro device. D1 and the second target interval D2 in the second region B2 including the second micro device 210d may be different from each other.

이러한 방법을 적용하면, 동일한 인장력을 가하면서 영역별로 마이크로 소자의 간격을 다르게 조절할 수 있다. 즉, 영역별로 마이크로 소자의 간격을 다르게 하고자 하는 경우, 각각 다른 크기의 인장력을 가하는 공정을 반복하는 번거로움이 없이, 동일한 인장력을 가하는 하나의 공정으로도 영역별로 마이크로 소자의 간격을 다르게 할 수 있으며, 이를 통해, 공정소요시간도 줄어들 수 있다.By applying this method, it is possible to adjust the spacing of the micro devices differently for each region while applying the same tensile force. In other words, if the spacing of the microdevices is to be different for each region, the spacing of the microelements may be different for each region in a single process applying the same tensile force, without the hassle of repeating the process of applying different tensile force. By doing so, process time can be reduced.

다시, 도 1 내지 도 3을 참조하면, 전사단계(S150)는 마이크로 소자(210)를 타깃기판(미도시)에 목표간격으로 전사시키는 단계일 수 있다. 전사는 전사필름(300)이 인장되어 마이크로 소자(210)가 목표간격으로 이격된 상태에서 이루어질 수 있다. 상기 타깃기판은 기판일 수도 있고, 다른 전사필름일 수도 있다.Referring again to FIGS. 1 to 3, the transferring step S150 may be a step of transferring the micro device 210 to a target substrate (not shown) at a target interval. Transfer may be performed in a state in which the transfer film 300 is tensioned so that the micro device 210 is spaced at a target interval. The target substrate may be a substrate or may be another transfer film.

도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법에서 준비단계, 전면절단단계 및 배면절단단계를 설명하기 위한 예시도이고, 도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법에서 인장단계를 설명하기 위한 예시도이다. 본 실시예에서는 제2방향을 따라서도 전면절단선 및 배면절단선이 더 생성되도록 할 수 있으며, 다른 구성은 전술한 제1실시예와 동일하므로 반복되는 내용은 가급적 생략한다. 이하에서는 도 1과 함께, 도 6 및 도 7을 포함하여 설명한다.6 is an exemplary view for explaining a preparation step, a front cutting step and a back cutting step in the method for controlling spacing of the micro device according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a view illustrating a second embodiment of the present invention. It is an exemplary view for explaining the tension step in the method of controlling the spacing of the micro device. In the present exemplary embodiment, the front cutting line and the rear cutting line may be further generated along the second direction, and other configurations are the same as those of the first embodiment, and thus the repeated content is omitted as much as possible. Hereinafter, a description will be given including FIG. 1 and FIG. 6 and FIG. 7.

도 1, 도 6 및 도 7에서 보는 바와 같이, 전면절단단계(S120)는 마이크로 소자 어레이(1200)가 마이크로 소자(1210)로 분리되도록 마이크로 소자 어레이(1200)를 제1방향(A1)을 따라 제1방향 전면절단선(1410)을 생성하면서 자르고, 제1방향(A1)에 교차하는 제2방향(A2)을 따라 제2방향 전면절단선(1415)을 생성하면서 자르되, 제1방향 전면절단선(1410) 및 제2방향 전면절단선(1415)이 전사필름(1300)을 완전히 절단하지 않도록 전사필름(1300)의 상부로부터 미리 정해진 전면절단깊이(L1)로 자르는 단계일 수 있다.As shown in FIGS. 1, 6, and 7, the front cutting operation S120 may be performed along the first direction A1 so that the micro device array 1200 may be separated into the micro device 1210. Cut while generating the first direction front cut line 1410, and cut while generating the second direction front cut line 1415 along the second direction A2 intersecting the first direction A1, The cutting line 1410 and the second direction front cutting line 1415 may be cut to a predetermined front cutting depth L1 from an upper portion of the transfer film 1300 so as not to completely cut the transfer film 1300.

전면절단단계(S120)에서 마이크로 소자 어레이(1200)에 적용되는 절단은 각각의 마이크로 소자(1210)의 테두리를 따르도록 미리 설정된 선을 따라 이루어질 수 있다. 전면절단단계(S120)에서는 전면절단선이 제1방향(A1) 및 제2방향(A2)으로 형성될 수 있다. 즉, 본 실시예에서 마이크로 소자(1210)는 전술한 제1실시예의 마이크로 소자보다 작은 크기로 형성되는 경우일 수 있다.Cutting applied to the micro device array 1200 in the front cutting step S120 may be performed along a line preset to follow the edge of each micro device 1210. In the front cutting step S120, the front cutting line may be formed in the first direction A1 and the second direction A2. That is, in the present embodiment, the micro device 1210 may be formed to have a smaller size than the micro device of the first embodiment described above.

그리고, 제1방향 전면절단선(1410) 및 제2방향 전면절단선(1415)은 순차적으로 생성될 수 있다. 다시 말하면, 제1방향(A1)으로의 제1방향 전면절단과 제2방향(A2)으로의 제2방향 전면절단은 순차적으로 이루어질 수 있다.The first direction front cut line 1410 and the second direction front cut line 1415 may be sequentially generated. In other words, the front cut in the first direction in the first direction A1 and the front cut in the second direction in the second direction A2 may be sequentially performed.

그리고, 배면절단단계(S130)는 전사필름(1300)의 하부를 제1방향 배면절단선(1420) 및 제2방향 배면절단선(1425)을 생성하면서 자르되, 제1방향 배면절단선(1420)은 제1방향 전면절단선(1410)의 사이에 제1방향(A1)으로 형성되도록 하고, 제2방향 배면절단선(1425)은 제2방향 전면절단선(1415)의 사이에 제2방향(A2)으로 형성되도록 하며, 제1방향 배면절단선(1420) 및 제2방향 배면절단선(1425)에 의해 전사필름(1300)이 완전히 절단되지 않도록 미리 정해진 배면절단깊이(L2)로 자르는 단계일 수 있다.In addition, the back cutting step (S130) may be performed while cutting the lower portion of the transfer film 1300 while generating the first direction back cutting line 1420 and the second direction back cutting line 1425, and the first direction back cutting line 1420. ) Is formed in the first direction A1 between the first direction front cut lines 1410, and the second direction back cut lines 1425 are formed in the second direction between the second direction front cut lines 1415. (A2) and cutting the transfer film 1300 to a predetermined back cutting depth L2 such that the transfer film 1300 is not completely cut by the first direction back cutting line 1420 and the second direction back cutting line 1425. Can be.

배면절단단계(S130)에서 제2방향 배면절단선(1425)은 해당 마이크로 소자(1210)의 경계를 형성하는 한 쌍의 제2방향 전면절단선(1415) 사이의 정가운데에 형성될 수 있다. 이에 따라, 해당 마이크로 소자(1210)의 경계를 형성하는 한 쌍의 제2방향 전면절단선(1415)과 그 사이에 형성되는 제2방향 배면절단선(1425) 사이의 폭(W)은 동일할 수 있다. 그리고, 인장단계(S140)에서 제1방향(A1)으로 전사필름(1300)을 인장시켰을 때, 각각의 마이크로 소자 사이의 간격(D)은 동일해질 수 있다.In the back cutting step S130, the second direction back cutting line 1425 may be formed at the center between a pair of second direction front cutting lines 1415 forming a boundary of the micro device 1210. Accordingly, the width W between the pair of second direction front cut lines 1415 forming the boundary of the micro device 1210 and the second direction back cut lines 1425 formed therebetween may be the same. Can be. In addition, when the transfer film 1300 is stretched in the first direction A1 in the stretching step S140, the spacing D between the micro devices may be the same.

인장단계(S140)는 전사필름(1300)을 제1방향(A1) 및 제2방향(A2) 중 어느 하나 이상의 방향으로 인장시켜 마이크로 소자(1210)를 목표간격만큼 이격시키는 단계일 수 있다.In the stretching step S140, the transfer film 1300 may be stretched in one or more directions of the first direction A1 and the second direction A2 to space the micro device 1210 by a target interval.

제2방향 전면절단선(1415) 및 제2방향 배면절단선(1425)이 형성된 후, 전사필름(1300)에 제1방향(A1)으로 인장력을 가해 인장시키면, 제2방향 전면절단선(1415)에 의해 절단된 부분과 제2방향 배면절단선(1425)에 의해 절단된 부분이 벌어지게 되고, 각각의 마이크로 소자(1210)는 이격되게 된다.After the second direction front cut line 1415 and the second direction back cut line 1425 are formed, a tensile force is applied to the transfer film 1300 in the first direction A1 to tension the second direction front cut line 1415. And a portion cut by the second direction back cut line 1425 are separated, and each micro device 1210 is spaced apart from each other.

여기서, 해당 마이크로 소자(1210)의 경계를 형성하는 한 쌍의 제2방향 전면절단선(1415)과 그 사이에 형성되는 제2방향 배면절단선(1425) 사이의 폭은 동일하기 때문에, 각각의 마이크로 소자(1210) 사이의 간격(D)은 동일해질 수 있다.Here, the widths between the pair of second direction front cut lines 1415 forming the boundary of the micro device 1210 and the second direction back cut lines 1425 formed therebetween are the same. The spacing D between the micro devices 1210 may be equal.

본 실시예에 따르면, 전사필름(1300)을 제1방향(A1) 및 제2방향(A2) 중 어느 하나 이상의 방향으로 인장시켜도 푸아송비에 따르는 변형이 발생하지 않게 된다. 따라서, 전사필름(1300)을 제1방향(A1) 및 제2방향(A2) 중 어느 하나 이상의 방향으로 인장시킴으로써, 원하는 방향으로 마이크로 소자(1210)의 간격을 조절할 수 있다. According to this embodiment, even if the transfer film 1300 is stretched in any one or more of the first direction A1 and the second direction A2, deformation due to the Poisson's ratio does not occur. Thus, by stretching the transfer film 1300 in any one or more of the first direction A1 and the second direction A2, the spacing of the micro device 1210 may be adjusted in a desired direction.

그리고, 제2방향 전면절단선(1415)에 의해 전사필름(1300)이 갈라지는 부분 및 제2방향 배면절단선(1425)에 의해 전사필름(1300)이 갈라지는 부분에서 크랙이 전파되지 않도록, 전사필름(1300)에는 제2방향 전면절단선(1415)에 의해 갈라지는 부분 및 제2방향 배면절단선(1425)에 의해 갈라지는 부분이 포함되도록 제2크랙전파방지홀(1430)이 더 형성될 수 있다.Then, the transfer film does not propagate at the portion where the transfer film 1300 is split by the second direction front cut line 1415 and the portion where the transfer film 1300 is split by the second direction back cut line 1425. The second crack propagation prevention hole 1430 may be further formed at the first portion 1300 to include a portion separated by the second direction front cut line 1415 and a portion separated by the second direction back cut line 1425.

도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법 중 배면절단단계의 다른 예를 설명하기 위한 예시도이다.8 is an exemplary view for explaining another example of the back cutting step of the spacing control transfer method of the micro device according to the second embodiment of the present invention.

도 8에서 보는 바와 같이, 제2방향 배면절단선(1425)은 각각의 마이크로 소자의 경계를 형성하는 한 쌍의 제2방향 전면절단선의 사이에 서로 이격되어 나란하게 한 쌍으로 형성될 수 있다. 즉, 제2방향 배면절단선(1425)은 제2방향제1배면절단선(1426) 및 제2방향제2배면절단선(1427)을 가질 수 있다.As shown in FIG. 8, the second direction back cutting lines 1425 may be formed in a pair side by side and spaced apart from each other between the pair of second direction front cut lines forming the boundary of each micro device. That is, the second direction back cutting line 1425 may have a second direction first back cutting line 1426 and a second direction second back cutting line 1423.

그리고, 제2방향 전면절단선과 상기 제2방향 전면절단선의 일측에 인접하는 제2방향 배면절단선 사이의 폭 및 상기 제2방향 전면절단선과 상기 제2방향 전면절단선의 타측에 인접하는 제2방향 배면절단선 사이의 폭으로 정의되는 절단폭은 서로 동일하게 형성될 수 있다.And a width between the second direction front cut line and the second direction back cut line adjacent to one side of the second direction front cut line, and a second direction adjacent to the other side of the second direction front cut line and the second direction front cut line. The cutting widths defined by the widths between the back cutting lines may be the same.

좌측의 마이크로 소자(1210a)를 예로 들면, 좌측의 마이크로 소자(1210a)의 경계를 형성하는 한 쌍의 제2방향 전면절단선(1415a,1415b)의 사이에 형성되는 제2방향 배면절단선(1425)은 좌측으로부터 우측으로 제2방향제1배면절단선(1426) 및 제2방향제2배면절단선(1427)을 가질 수 있다. 마찬가지로, 중앙의 마이크로 소자(1210b)를 예로 들면, 중앙의 마이크로 소자(1210b)의 경계를 형성하는 한 쌍의 제2방향 전면절단선(1415b,1415c)의 사이에 형성되는 제2방향 배면절단선(1425)도 좌측으로부터 우측으로 제2방향제1배면절단선(1426) 및 제2방향제2배면절단선(1427)을 가질 수 있다.Taking the left micro device 1210a as an example, a second direction back cut line 1425 formed between a pair of second direction front cut lines 1415a and 1415b forming a boundary of the left micro device 1210a. ) May have a second direction first back cut line 1426 and a second direction second back cut line 1423 from left to right. Similarly, taking the center micro element 1210b as an example, the second direction back cut line formed between the pair of second direction front cut lines 1415b and 1415c forming the boundary of the center micro element 1210b. 1425 may also have a second direction first back cut line 1426 and a second direction second back cut line 1423 from the left side to the right side.

또한, 제2방향 전면절단선(1415b) 및 제2방향제1배면절단선(1426) 사이의 폭과, 제2방향 전면절단선(1415b) 및 제2방향제2배면절단선(1427) 사이의 폭은 동일한 제4폭(W4)으로 형성될 수 있다.In addition, the width between the second direction front cut line 1415b and the second direction first back cut line 1426 and the width between the second direction front cut line 1415b and the second direction second cut back line 1427. May be formed to have the same fourth width W4.

이와 같은 형태는 마이크로 소자의 제1방향(A1) 폭이 넓은 경우에 적용될 수 있다. Such a shape may be applied when the first direction A1 of the micro device is wide.

그리고, 인장단계에서 전사필름을 제1방향(Y축 방향)으로 인장시켰을 때 각각의 마이크로 소자 사이의 목표간격이 동일해지도록, 절단폭은 전사필름의 제1방향(A1) 전체에 걸쳐 모두 동일하게 형성될 수 있다.In addition, when the transfer film is stretched in the first direction (Y-axis direction) in the tensioning step, the cutting widths are the same throughout the first direction A1 of the transfer film so that the target spacing between the micro devices is the same. Can be formed.

다시 말하면, 제2방향 전면절단선을 기준으로, 해당되는 제2방향 전면절단선에 서로 이웃하는 각각의 제2방향제1배면절단선(1426) 및 제2방향제2배면절단선(1427) 사이의 폭은 모두 제4폭(W4)으로 형성될 수 있다. 즉, 전사필름(1310) 전체에 걸쳐 해당되는 제2방향 전면절단선에 서로 이웃하는 각각의 제2방향제1배면절단선(1426) 및 제2방향제2배면절단선(1427) 사이의 폭은 모두 제4폭(W4)으로 형성될 수 있다.In other words, between the second direction first back cut lines 1426 and the second direction second back cut lines 1427 adjacent to each other in the corresponding second direction front cut lines based on the second direction front cut lines. The widths may be all formed as the fourth width W4. That is, the width between each of the second direction first back cut lines 1426 and the second direction second back cut lines 1427 adjacent to each other in the second direction front cut line corresponding to the entire transfer film 1310 is all. The fourth width W4 may be formed.

이를 통해, 인장단계(S140)에서 전사필름(1310)을 제1방향(A1)으로 인장시켰을 때 각각의 마이크로 소자 사이의 목표간격(D)이 모두 동일해질 수 있다.As a result, when the transfer film 1310 is stretched in the first direction A1 in the stretching step S140, the target intervals D between the respective micro devices may be the same.

도 9는 본 발명의 제2실시예에 따른 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법 중 배면절단단계의 또 다른 예를 설명하기 위한 예시도이다.9 is an exemplary view for explaining another example of the back cutting step of the method for controlling the spacing of the micro device according to the second embodiment of the present invention.

도 9에서 보는 바와 같이, 제3영역(B3)에서의 절단폭을 제5폭(W5)으로 하고, 제4영역(B4)에서의 절단폭을 제6폭(W6)으로 서로 다르게 할 수 있다.As shown in FIG. 9, the cutting width in the third area B3 may be the fifth width W5, and the cutting width in the fourth area B4 may be different from the sixth width W6. .

이를 위해, 제3영역(B3)에서의 제2방향 전면절단선(1415e)을 기준으로 양측에 인접하는 제2방향제1배면절단선(1426a) 및 제2방향제2배면절단선(1427a)의 제5폭(W5)은 제4영역(B4)에서의 제2방향 전면절단선(1415f)을 기준으로 양측에 인접하는 제2방향제1배면절단선(1426b) 및 제2방향제2배면절단선(1427b)의 제6폭(W6)과 서로 다르게 형성될 수 있다.To this end, the second directional first back cut line 1426a and the second directional second back cut line 1427a adjacent to both sides with respect to the second direction front cut line 1415e in the third region B3. The fifth width W5 has a second direction first back cut line 1426b and a second direction second back cut line 1423b adjacent to both sides with respect to the second direction front cut line 1415f in the fourth region B4. It may be formed differently from the sixth width (W6) of.

이를 통해, 인장단계(S140)에서 동일한 인장력(F)으로 전사필름(1320)을 인장시키더라도, 마이크로 소자 중에 제3마이크로 소자(1210c)를 포함하는 제3영역(B3)에서의 제3목표간격(D3)과, 제4마이크로 소자(1210d)를 포함하는 제4영역(B4)에서의 제4목표간격(D4)은 서로 달라질 수 있다.As a result, even when the transfer film 1320 is stretched with the same tensile force F in the stretching step S140, the third target interval in the third region B3 including the third micro device 1210c in the micro device. D4 and the fourth target interval D4 in the fourth region B4 including the fourth micro device 1210d may be different from each other.

이러한 방법을 적용하면, 동일한 인장력을 가하면서 영역별로 마이크로 소자의 간격을 다르게 조절할 수 있다. 즉, 영역별로 마이크로 소자의 간격을 다르게 하고자 하는 경우, 각각 다른 크기의 인장력을 가하는 공정을 반복하지 않고, 동일한 인장력을 가하는 하나의 공정으로도 영역별로 마이크로 소자의 간격을 다르게 할 수 있으며, 이를 통해, 공정소요시간도 줄어들 수 있다.By applying this method, it is possible to control the spacing of the micro devices differently for each region while applying the same tensile force. In other words, if the spacing of micro devices is to be different for each area, the spacing of the micro devices may be different for each area even in one process of applying the same tensile force without repeating the process of applying different tensile strengths. In addition, process time can also be reduced.

한편, 본 발명의 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법에 의해 전자기기가 제조될 수 있다. 이러한 전자기기는 본 발명의 전사방법으로 전사되는 마이크로 소자를 사용하는 모든 기기를 포함할 수 있는데, 예를 들면, 마이크로 소자는 마이크로 LED일 수 있으며, 이러한 마이크로 LED로 제조되는 전자기기는 디스플레이 패널 등을 포함할 수 있다.On the other hand, the electronic device can be manufactured by the spacing control transfer method of the micro device of the present invention. Such electronic devices may include any device using a micro device to be transferred by the transfer method of the present invention. For example, the micro device may be a micro LED. It may include.

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The foregoing description of the present invention is intended for illustration, and it will be understood by those skilled in the art that the present invention may be easily modified in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. will be. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and similarly, components described as distributed may be implemented in a combined form.

본 발명의 범위는 후술하는 청구범위에 의하여 나타내어지며, 청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the invention is indicated by the following claims, and it should be construed that all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are included in the scope of the invention.

200,1200: 마이크로 소자 어레이 210,1210: 마이크로 소자
300,1300: 전사필름 410,1410: 제1방향 전면절단선
420,1420: 제1방향 배면절단선 421: 제1방향제1배면절단선
422: 제1방향제2배면절단선 430: 제1크랙전파방지홀
1415: 제2방향 전면절단선 1425: 제2방향 배면절단선
1426: 제2방향제1배면절단선 1427: 제2방향제2배면절단선
1430: 제2크랙전파방지홀200, 1200: micro device array 210, 1210: micro device
300, 1300: Transfer film 410, 1410: Front cut line in the first direction
420,1420: First cut back line 421: First cut back line
422: second direction back cut line 430: first crack propagation prevention hole
1415: front cut line in the second direction 1425: back cut line in the second direction
1426: second direction first back cut line 1427: second direction second back cut line
1430: second crack propagation hole

Claims (15)

전사필름과, 상기 전사필름의 상부에 점착되는 마이크로 소자 어레이를 준비하는 준비단계;
상기 마이크로 소자 어레이가 각각의 마이크로 소자로 분리되도록 상기 마이크로 소자 어레이를 제1방향을 따라 제1방향 전면절단선을 생성하면서 자르되, 상기 제1방향 전면절단선이 상기 전사필름을 완전히 절단하지 않도록 상기 전사필름의 상부로부터 미리 정해진 전면절단깊이로 자르는 전면절단단계;
상기 전사필름의 하부를 제1방향 배면절단선을 생성하면서 자르되, 상기 제1방향 배면절단선은 상기 제1방향 전면절단선의 사이에서 상기 제1방향으로 형성되도록 하고, 상기 제1방향 배면절단선에 의해 상기 전사필름이 완전히 절단되지 않도록 미리 정해진 배면절단깊이로 자르는 배면절단단계;
상기 전사필름을 상기 제1방향에 교차하는 제2방향으로 인장시켜 상기 마이크로 소자를 목표간격만큼 이격시키는 인장단계; 그리고
상기 마이크로 소자를 타깃기판에 상기 목표간격으로 전사시키는 전사단계를 포함하는 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법.Preparing a transfer film and a micro device array adhered to an upper portion of the transfer film;
The micro device array is cut while generating a first cut front cut line along a first direction so that the micro device array is separated into respective micro devices, so that the first cut front cut line does not completely cut the transfer film. A front cutting step of cutting a predetermined front cutting depth from an upper portion of the transfer film;
The lower portion of the transfer film is cut while generating a first direction back cutting line, wherein the first direction back cutting line is formed in the first direction between the first direction front cutting line, and the first direction back cutting line A back cutting step of cutting the transfer film to a predetermined back cutting depth so that the transfer film is not completely cut by a line;
A tensioning step of tensioning the transfer film in a second direction crossing the first direction to space the micro device by a target interval; And
And a transfer step of transferring the micro device to a target substrate at the target interval. 전사필름과, 상기 전사필름의 상부에 점착되는 마이크로 소자 어레이를 준비하는 준비단계;
상기 마이크로 소자 어레이가 각각의 마이크로 소자로 분리되도록 상기 마이크로 소자 어레이를 제1방향을 따라 제1방향 전면절단선을 생성하면서 자르고, 상기 제1방향에 교차하는 제2방향을 따라 제2방향 전면절단선을 생성하면서 자르되, 상기 제1방향 전면절단선 및 상기 제2방향 전면절단선이 상기 전사필름을 완전히 절단하지 않도록 상기 전사필름의 상부로부터 미리 정해진 전면절단깊이로 자르는 전면절단단계;
상기 전사필름의 하부를 제1방향 배면절단선 및 제2방향 배면절단선을 생성하면서 자르되, 상기 제1방향 배면절단선은 상기 제1방향 전면절단선의 사이에 상기 제1방향으로 형성되도록 하고, 상기 제2방향 배면절단선은 상기 제2방향 전면절단선의 사이에 상기 제2방향으로 형성되도록 하며, 상기 제1방향 배면절단선 및 상기 제2방향 배면절단선에 의해 상기 전사필름이 완전히 절단되지 않도록 미리 정해진 배면절단깊이로 자르는 배면절단단계;
상기 전사필름을 상기 제1방향 및 상기 제2방향 중 어느 하나 이상의 방향으로 인장시켜 상기 마이크로 소자를 목표간격만큼 이격시키는 인장단계; 그리고
상기 마이크로 소자를 타깃기판에 상기 목표간격으로 전사시키는 전사단계를 포함하는 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법.Preparing a transfer film and a micro device array adhered to an upper portion of the transfer film;
The micro device array is cut while generating a first front cut line along a first direction to separate the micro device array into respective micro devices, and a second front cut along the second direction crossing the first direction. A front cutting step of cutting a line to a predetermined front cutting depth from an upper portion of the transfer film so that the first cutting front cutting line and the second cutting front cutting line do not completely cut the transfer film;
The lower portion of the transfer film is cut while generating a first direction back cutting line and a second direction back cutting line, wherein the first direction back cutting line is formed in the first direction between the first direction front cutting line and And the second direction back cutting line is formed in the second direction between the second direction front cutting line, and the transfer film is completely cut by the first direction back cutting line and the second direction back cutting line. A back cutting step of cutting to a predetermined back cutting depth so as not to be;
A tensioning step of tensioning the transfer film in at least one of the first direction and the second direction to space the micro device by a target distance; And
And a transfer step of transferring the micro device to a target substrate at the target interval. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 인장단계에서 상기 전사필름을 상기 제2방향으로 인장시켰을 때, 각각의 상기 마이크로 소자 사이의 상기 목표간격이 동일해지도록, 상기 제1방향 배면절단선은 해당 마이크로 소자의 경계를 형성하는 한 쌍의 상기 제1방향 전면절단선 사이의 정가운데에 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법.The method according to claim 1 or 2,
When the transfer film is stretched in the second direction in the stretching step, the first direction back cutting line forms a boundary of the micro device so that the target spacing between the micro devices is the same. The method of controlling the spacing of the micro device, characterized in that formed in the center between the first direction front cutting line. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1방향 배면절단선은 각각의 상기 마이크로 소자의 경계를 형성하는 한 쌍의 상기 제1방향 전면절단선의 사이에 서로 이격되어 나란하게 한 쌍으로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법.The method according to claim 1 or 2,
The first direction back cut line is formed in a pair of side by side spaced apart from each other between a pair of the first direction front cut line forming a boundary of each micro device, Way. 제4항에 있어서,
상기 제1방향 전면절단선과 상기 제1방향 전면절단선의 일측에 인접하는 제1방향 배면절단선 사이의 폭 및 상기 제1방향 전면절단선과 상기 제1방향 전면절단선의 타측에 인접하는 제1방향 배면절단선 사이의 폭으로 정의되는 절단폭은 서로 동일하게 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법.The method of claim 4, wherein
A width between the first direction front cut line and a first direction back cut line adjacent to one side of the first direction front cut line, and a first direction back cut line adjacent to the other side of the first direction front cut line The cutting width defined by the width between the cutting lines are formed equal to each other, the spacing control transfer method of the micro-element. 제5항에 있어서,
상기 인장단계에서 상기 전사필름을 인장시켰을 때 각각의 상기 마이크로 소자 사이의 상기 목표간격이 동일해지도록, 상기 절단폭은 상기 전사필름의 전체에 걸쳐 모두 동일하게 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법.The method of claim 5,
When the transfer film is stretched in the tensioning step, the cutting widths are equally formed throughout the transfer film so that the target spacing between each of the micro devices is the same. Controlled transfer method. 제5항에 있어서,
상기 인장단계에서 상기 전사필름을 인장시켰을 때 이웃하는 한 쌍의 마이크로 소자 사이의 제1목표간격과, 이웃하는 다른 한 쌍의 마이크로 소자 사이의 제2목표간격이 서로 달라지도록, 상기 절단폭은 상기 전사필름의 영역별로 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법.The method of claim 5,
When the transfer film is stretched in the tensioning step, the cutting width is such that the first target spacing between a pair of neighboring microelements and the second target spacing between another pair of neighboring microelements are different from each other. The method of controlling spacing of the micro device, which is formed differently according to regions of the transfer film. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1방향 전면절단선에 의해 상기 전사필름이 갈라지는 부분 및 상기 제1방향 배면절단선에 의해 상기 전사필름이 갈라지는 부분에서 크랙이 전파되지 않도록, 상기 전사필름에는 상기 제1방향 전면절단선에 의해 갈라지는 부분 및 상기 제1방향 배면절단선에 의해 갈라지는 부분이 포함되도록 제1크랙전파방지홀이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법.The method according to claim 1 or 2,
In the transfer film, the cracks do not propagate in a portion where the transfer film splits by the first direction front cut line and a portion where the transfer film splits by the first direction back cut line. And a first crack propagation preventing hole is further formed so as to include a portion which is divided by a portion separated by the first direction back cutting line. 제2항에 있어서,
상기 인장단계에서 상기 전사필름을 상기 제1방향으로 인장시켰을 때, 각각의 상기 마이크로 소자 사이의 상기 목표간격이 동일해지도록, 상기 제2방향 배면절단선은 해당 마이크로 소자의 경계를 형성하는 한 쌍의 상기 제2방향 전면절단선 사이의 정가운데에 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법.The method of claim 2,
When the transfer film is stretched in the first direction in the tensioning step, the second direction back cut line forms a boundary of the micro device so that the target spacing between the micro devices is the same. The method of controlling the spacing of the micro device, characterized in that formed in the center between the second direction front cutting line. 제2항에 있어서,
상기 제2방향 배면절단선은 각각의 상기 마이크로 소자의 경계를 형성하는 한 쌍의 상기 제2방향 전면절단선의 사이에 서로 이격되어 나란하게 한 쌍으로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법.The method of claim 2,
The second direction back cutting line is formed in a pair of side by side spaced apart from each other between the pair of the second direction front cut line forming a boundary of each micro device, Way. 제10항에 있어서,
상기 제2방향 전면절단선과 상기 제2방향 전면절단선의 일측에 인접하는 제2방향 배면절단선 사이의 폭 및 상기 제2방향 전면절단선과 상기 제2방향 전면절단선의 타측에 인접하는 제2방향 배면절단선 사이의 폭으로 정의되는 절단폭은 서로 동일하게 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법.The method of claim 10,
A width between the second direction front cut line and the second direction back cut line adjacent to one side of the second direction front cut line, and a second direction back cut line adjacent to the other side of the second direction front cut line The cutting width defined by the width between the cutting lines are formed equal to each other, the spacing control transfer method of the micro-element. 제11항에 있어서,
상기 인장단계에서 상기 전사필름을 상기 제1방향으로 인장시켰을 때 각각의 상기 마이크로 소자 사이의 상기 목표간격이 동일해지도록, 상기 절단폭은 상기 전사필름의 상기 제1방향 전체에 걸쳐 모두 동일하게 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법.The method of claim 11,
The cutting widths are all the same throughout the first direction of the transfer film so that the target spacing between each of the micro devices is the same when the transfer film is stretched in the first direction in the stretching step. The method of controlling the spacing of the micro device, characterized in that the. 제11항에 있어서,
상기 인장단계에서 상기 전사필름을 상기 제1방향으로 인장시켰을 때 이웃하는 한 쌍의 마이크로 소자 사이의 제3목표간격과, 이웃하는 다른 한 쌍의 마이크로 소자 사이의 제4목표간격이 서로 달라지도록, 상기 절단폭은 상기 전사필름의 영역별로 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법.The method of claim 11,
When the transfer film is stretched in the first direction in the stretching step, a third target interval between a pair of neighboring micro devices and a fourth target interval between another pair of neighboring micro devices are different from each other. The cutting width is a spacing control transfer method of the micro device, characterized in that formed differently for each region of the transfer film. 제2항에 있어서,
상기 제2방향 전면절단선에 의해 상기 전사필름이 갈라지는 부분 및 상기 제2방향 배면절단선에 의해 상기 전사필름이 갈라지는 부분에서 크랙이 전파되지 않도록, 상기 전사필름에는 상기 제2방향 전면절단선에 의해 갈라지는 부분 및 상기 제2방향 배면절단선에 의해 갈라지는 부분이 포함되도록 제2크랙전파방지홀이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법.The method of claim 2,
In the transfer film, the cracks do not propagate in a portion where the transfer film splits by the second direction front cut line and a portion where the transfer film splits by the second direction back cut line. And a second crack propagation preventing hole is further formed so as to include a portion which is divided by the portion and a portion which is separated by the second direction back cutting line. 제1항 내지 제14항 중 어느 하나의 항에 기재된 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법을 이용하여 제조되는 전자기기.An electronic device manufactured using the method for controlling spacing of the micro device according to any one of claims 1 to 14.
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06302629A (en) * 1993-04-19 1994-10-28 Toshiba Chem Corp Mounting method of semiconductor device
JP2003007986A (en) * 2001-06-27 2003-01-10 Sony Corp Transfer method for element and arrangement method for element by using the same as well as method of manufacturing image display device
US6638865B2 (en) * 2000-10-10 2003-10-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Manufacturing method of semiconductor chip with adhesive agent
US20040266138A1 (en) * 2003-06-24 2004-12-30 Keiichi Kajiyama Process for manufacturing a semiconductor chip
US20060211220A1 (en) * 2003-05-12 2006-09-21 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Method and device or dividing plate-like member
JP2007294651A (en) * 2006-04-25 2007-11-08 Disco Abrasive Syst Ltd Method of fracturing adhesion film mounted on wafer
KR101559043B1 (en) * 2014-04-15 2015-10-08 팸텍주식회사 Wafer die expanding device
KR101714737B1 (en) 2015-12-01 2017-03-23 한국기계연구원 Selective transferring method and apparatus using bump type stamp
WO2018003312A1 (en) * 2016-06-30 2018-01-04 リンテック株式会社 Semiconductor processing sheet

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06302629A (en) * 1993-04-19 1994-10-28 Toshiba Chem Corp Mounting method of semiconductor device
US6638865B2 (en) * 2000-10-10 2003-10-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Manufacturing method of semiconductor chip with adhesive agent
JP2003007986A (en) * 2001-06-27 2003-01-10 Sony Corp Transfer method for element and arrangement method for element by using the same as well as method of manufacturing image display device
US20060211220A1 (en) * 2003-05-12 2006-09-21 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Method and device or dividing plate-like member
US20040266138A1 (en) * 2003-06-24 2004-12-30 Keiichi Kajiyama Process for manufacturing a semiconductor chip
JP2007294651A (en) * 2006-04-25 2007-11-08 Disco Abrasive Syst Ltd Method of fracturing adhesion film mounted on wafer
KR101559043B1 (en) * 2014-04-15 2015-10-08 팸텍주식회사 Wafer die expanding device
KR101714737B1 (en) 2015-12-01 2017-03-23 한국기계연구원 Selective transferring method and apparatus using bump type stamp
WO2018003312A1 (en) * 2016-06-30 2018-01-04 リンテック株式会社 Semiconductor processing sheet

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