KR20200009433A - Color temperature variable chip on board light emitting diode module - Google Patents
Color temperature variable chip on board light emitting diode module Download PDFInfo
- Publication number
- KR20200009433A KR20200009433A KR1020180083801A KR20180083801A KR20200009433A KR 20200009433 A KR20200009433 A KR 20200009433A KR 1020180083801 A KR1020180083801 A KR 1020180083801A KR 20180083801 A KR20180083801 A KR 20180083801A KR 20200009433 A KR20200009433 A KR 20200009433A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- group
- light
- color temperature
- Prior art date
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 5
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/20—Controlling the colour of the light
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/40—Details of LED load circuits
- H05B45/44—Details of LED load circuits with an active control inside an LED matrix
- H05B45/48—Details of LED load circuits with an active control inside an LED matrix having LEDs organised in strings and incorporating parallel shunting devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 발광다이오드 모듈에 관한 것으로서, 더 상세하게는, 입력 전압의 크기에 따라 출력광의 색온도가 변하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode module, and more particularly, to a color temperature variable type light emitting diode module in which the color temperature of the output light changes according to the magnitude of the input voltage.
근래 들어, 조명, 디스플레이 등 다양한 용도로 발광다이오드(Light Emitting Diode, LED) 등의 발광소자를 사용하는 경우가 크게 늘어나고 있다. 특히, 발광다이오드(LED)는 종래의 광원에 비하여 소형이고 수명이 길 뿐만 아니라 전기 에너지가 빛 에너지로 직접 변환되기 때문에 전력이 적게 소모되어 에너지 효율이 우수하며 고속응답 특성을 보인다는 장점을 가진다.In recent years, the use of light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) for a variety of purposes, such as lighting, display, etc. is increasing. In particular, light emitting diodes (LEDs) have advantages in that they are smaller and have a longer lifespan than conventional light sources, and consume less power because electrical energy is directly converted into light energy.
그런데, 상기 발광다이오드를 사용하여 할로겐 조명 등과 같이 색온도 가변이 가능한 조명 장치 등을 구성하는 경우, 종래에는 도 1에서 볼 수 있는 바와 같이 기판에 복수의 발광다이오드(11)를 실장하고, 일부 영역에는 높은 색온도의 형광체가 포함된 봉지재(12)를 도포하여 건조한 후, 다른 일부 영역에는 낮은 색온도의 형광체가 포함된 봉지재(13)를 도포하여 건조하는 방식으로 발광다이오드 모듈을 구성하였다. However, in the case of configuring a lighting device having a variable color temperature such as halogen lighting using the light emitting diode, a plurality of
그러나, 이와 같은 경우 낮은 색온도에 해당하는 영역과 높은 색온도에 해당하는 영역을 명확하게 구분하여 서로 다른 봉지재를 도포하여야 하는 어려움이 따르며, 특히 칩온보드(Chip On Board, COB)와 같이 공간이 제한되는 경우 봉지재를 영역별로 구분하여 정확하게 도포하기가 더욱 어려워진다. However, in this case, it is difficult to apply different encapsulant materials by clearly distinguishing the region corresponding to the low color temperature and the region corresponding to the high color temperature, and in particular, the space is limited such as a chip on board (COB). If it is, it becomes more difficult to apply the encapsulant by region.
이에 따라, 2종 이상의 형광체를 포함하는 봉지재를 사용하여 조명 장치를 구성하는 경우 제품별로 색온도가 일정하지 않아 편차가 커질 수 있고, 나아가 각 영역별로 서로 다른 봉지재를 도포하는 공정을 2차례 이상 반복하게 되면서 공정에 소요되는 시간 및 비용이 늘어나는 문제점이 따르게 된다.Accordingly, when the lighting device is configured using an encapsulant including two or more phosphors, the color temperature is not constant for each product, and thus the deviation may increase. Furthermore, the process of applying different encapsulants for each region is performed two or more times. The repetition is accompanied by the problem of increasing the time and cost of the process.
본 발명은, 제1 발광다이오드군 내 발광다이오드들 각각에 대응되게 형성된 제1 파장변환부와 제1 발광다이오드군 및 제2 발광다이오드군 내 발광다이오드들을 모두 덮도록 제공된 제2 파장변환부를 포함하고, 입력 전압에 따라, 제1 발광다이오드군과 제2 발광다이오드군이 순차적으로 동작하도록 구성됨으로써, 종래 기술의 여러 문제점들을 해결한, 색온도 가변형 발광다이오드 모듈을 제공하는 것이다.The present invention includes a first wavelength converting portion formed to correspond to each of the light emitting diodes in the first light emitting diode group and a second wavelength converting portion provided to cover all the light emitting diodes in the first and second light emitting diode groups. According to the input voltage, the first LED group and the second LED group are configured to operate sequentially, thereby solving the problems of the prior art, to provide a color temperature variable LED module.
그 외 본 발명의 세부적인 목적은 이하에 기재되는 구체적인 내용을 통하여 이 기술 분야의 전문가나 연구자에게 자명하게 파악되고 이해될 것이다.Other detailed objects of the present invention will be apparently understood and understood by those skilled in the art through the detailed description described below.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른, 교류 전원을 인가받아 구동되는 발광다이오드 모듈은, 기판, 상기 기판 상에 제1 기준 전압 이상의 입력 전압 레벨에서 발광하는 제1 발광다이오드군과 상기 제1 기준 전압보다 높은 제2 기준 전압 이상의 입력 전압 레벨에서 발광하는 제2 발광다이오드군을 포함하며, 상기 제1 발광다이오드군은, 적어도 하나의 발광다이오드가 직렬 연결된 제1 발광다이오드 유닛과, 상기 제1 발광다이오드 유닛에 직렬 연결되며 적어도 하나의 발광다이오드가 직렬 연결된 제2 발광다이오드 유닛을 포함하는, 복수 개의 발광다이오드군, 상기 제1 발광다이오드 유닛 및 상기 제2 발광다이오드 유닛을 구성하는 각각의 발광다이오드 상에 형성되며, 상기 제1 발광다이오드 유닛 및 상기 제2 발광다이오드 유닛에서 방출하는 제1차 광을 제1 색온도의 제2차 광으로 발광하는 제1 파장변환부, 그리고, 상기 제1 발광다이오드군, 상기 제1 파장변환부 및 상기 제2 발광다이오드군 상에 형성되고, 상기 제1 발광다이오드군에서 방출하는 제1차 광 및 상기 제2 발광다이오드군에서 방출하는 제1차 광과, 상기 제1 파장변환부에서 발광하는 상기 제2차 광의 일부 또는 전부를 제2 색온도의 제3차 광으로 발광하는 제2 파장변환부를 포함하고, 상기 교류 전원에 의해 입력되는 입력 전압 레벨에 따라, 상기 제2차 광과 상기 제3차 광이 혼합되어 발광되거나, 상기 제2차 광 및 상기 제3차 광 중 어느 하나만이 발광되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention for solving the above problems, a light emitting diode module driven by an AC power source includes a substrate, a group of first light emitting diodes emitting light at an input voltage level equal to or greater than a first reference voltage on the substrate, and A second light emitting diode group emitting light at an input voltage level equal to or greater than a second reference voltage higher than a first reference voltage, wherein the first light emitting diode group comprises: a first light emitting diode unit having at least one light emitting diode connected in series; A plurality of light emitting diode groups, each of the first light emitting diode unit and the second light emitting diode unit comprising a second light emitting diode unit connected in series to a first light emitting diode unit and at least one light emitting diode connected in series. A light emitting diode formed on the light emitting diode, and the first light emitting diode unit and the second light emitting diode unit A first wavelength converting portion emitting light of the first primary light to a secondary light having a first color temperature, and the first light emitting diode group, the first wavelength converting portion, and the second light emitting diode group, A first color light emitted from the first light emitting diode group, a first light emitted from the second light emitting diode group, and a part or all of the second light emitted from the first wavelength conversion part at a second color temperature; And a second wavelength conversion unit emitting light by the third light of the light source, wherein the second light and the third light are mixed or emitted according to an input voltage level input by the AC power. Only one of the light and the third light is characterized in that the light is emitted.
일 실시예에 따라, 상기 교류 전원에 의해 입력되는 입력 전압 레벨을 검출하여, 상기 입력 전압 레벨에 따라 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군을 순차적 또는 선택적으로 발광시키는 제어부를 더 포함한다.According to an embodiment of the present disclosure, the electronic device may further include a controller configured to detect an input voltage level input by the AC power source and sequentially or selectively emit the first and second LED groups according to the input voltage level. do.
일 실시예에 따라, 상기 제1 발광다이오드군의 후단과 상기 제2 발광다이오드군의 후단에 연결되어, 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군이 발광 시, 전류 경로를 제공하는 드라이버 IC를 더 포함한다.The driver may be connected to a rear end of the first LED group and a rear end of the second LED group to provide a current path when the first LED group and the second LED group emit light. It further includes an IC.
일 실시예에 따라, 상기 제1 발광다이오드군의 후단에 연결되고, 상기 입력 전압 레벨이 상기 제1 기준 전압보다 높고 상기 제2 기준 전압보다 낮은 경우 상기 제1 발광다이오드군이 발광되기 위해 턴온(Turn-On)되고, 상기 입력 전압 레벨이 상기 제2 기준 전압보다 높은 경우 턴오프(Turn-Off)되는, 제1 드라이버 IC, 및 상기 제2 발광다이오드군의 후단에 연결되고, 상기 입력 전압 레벨이 상기 제2 기준 전압보다 높은 경우, 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군이 함께 발광되기 위해 턴온(Turn-On)되는 제2 드라이버 IC를 더 포함한다.The first LED group is connected to a rear end of the first LED group and is turned on to emit light when the input voltage level is higher than the first reference voltage and lower than the second reference voltage. A first driver IC, which is turned off when the input voltage level is higher than the second reference voltage, and is connected to a rear end of the second LED group, wherein the input voltage level is turned on. When the second reference voltage is higher than the second reference voltage, the first LED group and the second LED group further include a second driver IC that is turned on to emit light.
일 실시예에 따라, 상기 발광다이오드 모듈은 n(n은 3 이상의 정수)개의 발광다이오드군을 포함하며, 상기 n개의 발광다이오드군은 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군을 포함한다.According to an embodiment, the light emitting diode module includes n (n is an integer of 3 or more) light emitting diode groups, and the n light emitting diode groups include the first light emitting diode group and the second light emitting diode group. .
일 실시예에 따라, 상기 제1 발광다이오드군 및 상기 제2 발광다이오드군에 전압을 인가하는 정류회로부, 상기 제1 발광다이오드군 및 상기 제2 발광다이오드군의 후단에 연결되어 전류 경로를 제어하는 드라이브 IC, 및 상기 정류회로부와 상기 드라이브 IC 사이에 위치하여, 입력 전압 레벨이 변하여도 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군 중 어느 하나의 발광다이오드군이 발광하지 않도록 스위칭하는 스위치부를 더 포함한다.According to one embodiment, the rectifying circuit unit for applying a voltage to the first light emitting diode group and the second light emitting diode group, connected to the rear end of the first light emitting diode group and the second light emitting diode group to control the current path A switch unit disposed between the drive IC and the rectifier circuit unit and the drive IC to switch the light emitting diode group of one of the first and second light emitting diode groups not to emit light even if an input voltage level is changed. It includes more.
일 실시예에 따라, 상기 스위치부는, 상기 제1 발광다이오드군의 후단과 상기 드라이버IC 사이에 연결되는 제1 NMOS FET과, 상기 제2 발광다이오드군의 후단과 상기 드라이버IC 사이에 연결되는 제2 NMOS FET을 포함하며, In example embodiments, the switch unit may include a first NMOS FET connected between a rear end of the first LED group and the driver IC, and a second connected between the rear end of the second LED group and the driver IC. Includes an NMOS FET,
상기 제1 NMOS FET과 상기 제1 NMOS FET의 게이트 단자들은 상기 정류회로부의 출력단에 연결된다.Gate terminals of the first NMOS FET and the first NMOS FET are connected to an output terminal of the rectifier circuit part.
일 실시예에 따라, 상기 스위치부는, 입력 전압 레벨이 변하더라도 상기 제1 발광다이오드군이 발광하지 않도록 스위칭하기 위해 상기 제1 NMOS FET의 게이트 단자가 접지단과 연결된다.According to one embodiment, the switch unit, the gate terminal of the first NMOS FET is connected to the ground terminal in order to switch so that the first LED group does not emit light even if the input voltage level changes.
일 실시예에 따라, 상기 스위치부는, 입력 전압 레벨이 변하더라도 상기 제2 발광다이오드군이 발광하지 않도록 스위칭하기 위해 상기 제2 NMOS FET의 게이트 단자가 접지단과 연결된다.According to one embodiment, the switch unit, the gate terminal of the second NMOS FET is connected to the ground terminal to switch so that the second LED group does not emit light even if the input voltage level changes.
일 실시예에 따라, 상기 제1 파장변환부는, 상기 복수개의 발광다이오드군 중 상기 제1 발광다이오드군에만 형성되어 있다.In example embodiments, the first wavelength conversion part is formed only in the first LED group among the plurality of LED groups.
본 발명의 다른 측면에 따른, 교류 전원을 인가받아 구동되는 발광다이오드 모듈은, 기판, 상기 기판상에 제1 기준 전압 이상의 입력 전압 레벨에서 발광하는 제1 발광다이오드군과, 상기 제1 기준 전압보다 높은 제2 기준 전압 이상의 입력 전압 레벨에서 발광하는 제2 발광다이오드군을 포함하는 복수개의 발광 다이오드군, 상기 제1 발광다이오드군의 각각의 발광다이오드 상에 형성되며, 상기 제1 발광다이오드군의 각각의 발광다이오드군에서 방출하는 제1차 광을 제1 색온도의 제2 차광으로 발광하는 제1 파장변환부, 그리고, 상기 제1 발광다이오드군, 상기 제1 파장변환부 및 상기 제2 발광 다이오드군 상에 형성되고, 상기 제1 발광다이오드군에서 방출하는 제1차 광 및 상기 제2 발광다이오드군에서 방출하는 제1차 광과, 상기 제1 파장 변환부에서 발광하는 상기 제2 차광의 일부 또는 전부를 제2 색온도의 제3차 광으로 발광하는 제2 파장변환부와 레진이 혼합된 봉지재를 포함하고, 상기 교류 전원에 의해 입력되는 입력 전압 레벨에 따라, 상기 제2차 광과 상기 제3차 광이 혼합되어 발광되거나, 상기 제2차 광 및 상기 제3차 광 중 어느 하나만이 발광된다.According to another aspect of the present invention, a light emitting diode module which is driven by an AC power source may include a substrate, a first group of light emitting diodes emitting light at an input voltage level equal to or greater than a first reference voltage on the substrate, and the first reference voltage. A plurality of light emitting diode groups including a second light emitting diode group that emits light at an input voltage level equal to or greater than a high second reference voltage, each light emitting diode of the first light emitting diode group, wherein each of the first light emitting diode groups A first wavelength conversion unit for emitting the first light emitted from the light emitting diode group at a second light shielding at a first color temperature, and the first light emitting diode group, the first wavelength conversion unit, and the second light emitting diode group A first light emitted from the first light emitting diode group and a first light emitted from the second light emitting diode group, and emitted from the first wavelength converter. An encapsulant in which a second wavelength conversion unit and a resin are mixed to emit part or all of the second light shielding with the third order light having a second color temperature, and according to an input voltage level input by the AC power source, The secondary light and the tertiary light are mixed to emit light, or only one of the secondary light and the tertiary light is emitted.
일 실시예에 따라, 상기 교류 전원에 의해 입력되는 입력 전압 레벨을 검출하여, 상기 입력 전압 레벨에 따라 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군을 순차적 또는 선택적으로 발광시키는 제어부를 더 포함한다.According to an embodiment of the present disclosure, the electronic device may further include a controller configured to detect an input voltage level input by the AC power source and sequentially or selectively emit the first and second LED groups according to the input voltage level. do.
일 실시예에 따라, 상기 제1 발광다이오드군의 후단에 연결되고, 상기 입력 전압 레벨이 상기 제1 기준 전압보다 높고 상기 제2 기준 전압보다 낮은 경우 상기 제1 발광다이오드군이 발광되기 위해 턴온(Turn-On)되고, 상기 입력 전압 레벨이 상기 제2 기준 전압보다 높은 경우 턴오프(Turn-Off)되는, 제1 드라이버 IC, 및 상기 제2 발광다이오드군의 후단에 연결되고, 상기 입력 전압 레벨이 상기 제2 기준 전압보다 높은 경우, 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군이 함께 발광되기 위해 턴온(Turn-On)되는 제2 드라이버 IC를 더 포함한다.The first LED group is connected to a rear end of the first LED group and is turned on to emit light when the input voltage level is higher than the first reference voltage and lower than the second reference voltage. A first driver IC, which is turned off when the input voltage level is higher than the second reference voltage, and is connected to a rear end of the second LED group, wherein the input voltage level is turned on. When the second reference voltage is higher than the second reference voltage, the first LED group and the second LED group further include a second driver IC that is turned on to emit light.
일 실시예에 따라, 상기 제1 발광다이오드군 및 상기 제2 발광다이오드군에 전압을 인가하는 정류회로부와, 상기 제1 발광다이오드군 및 상기 제2 발광다이오드군의 후단에 연결되어 전류 경로를 제어하는 드라이브 IC와, 상기 정류회로부와 상기 드라이브 IC 사이에 위치하여, 입력 전압 레벨이 변하여도 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군 중 어느 하나의 발광다이오드군이 발광하지 않도록 스위칭하는 스위치부를 더 포함한다.According to one embodiment, the rectifying circuit unit for applying a voltage to the first LED group and the second LED group, and connected to the rear end of the first LED group and the second LED group to control the current path Located between the drive IC and the rectifier circuit portion and the drive IC, the switch for switching the light emitting diode group of any one of the first light emitting diode group and the second light emitting diode group does not emit light even if the input voltage level is changed. Includes more wealth.
본 발명의 또 다른 측면에 따른 교류 전원을 인가받아 구동되는 발광다이오드 모듈은, 기판, 상기 기판 상에 배치되고, 복수 개의 발광다이오드들과 상기 발광다이오드들 각각에 대응되게 형성되는 제1 파장변환부를 포함하는 제1 발광다이오드군, 상기 기판 상에 배치되고, 복수 개의 발광다이오드들을 포함하는 제2 발광다이오드군, 그리고 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군을 봉지하며, 제2 파장변환부가 형성된 봉지층을 포함하며, 제1 기준 전압 이상의 입력 전압 레벨에서 상기 제1 발광다이오드군이 구동되어, 제1 색온도의 빛을 발광하고, 상기 제1 기준전압보다 높은 제2 기준 전압 레벨에서 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군이 구동되어, 제2 색온도의 빛을 발광한다.According to another aspect of the present invention, a light emitting diode module driven by an AC power source may include a substrate, a first wavelength conversion unit disposed on the substrate and formed to correspond to each of the plurality of light emitting diodes and the light emitting diodes. A first light emitting diode group including a second light emitting diode group disposed on the substrate, the second light emitting diode group including a plurality of light emitting diodes, and encapsulating the first light emitting diode group and the second light emitting diode group; And an additionally formed encapsulation layer, wherein the first group of LEDs is driven at an input voltage level equal to or greater than a first reference voltage to emit light of a first color temperature, and at a second reference voltage level higher than the first reference voltage. The first LED group and the second LED group are driven to emit light of a second color temperature.
일 실시예에 따라, 상기 제1 파장변환부는 상기 제1 발광다이오드군 내 발광다이오드들에서 나온 빛을 적색 계열로 변화시키는 파장변환재료를 포함하고, 상기 제2 파장변환부는 상기 제2 발광다이오드군과 협력하여 백색 계열 빛을 만드는 파장변환재료를 포함한다.According to one embodiment, the first wavelength conversion portion includes a wavelength conversion material for changing the light emitted from the light emitting diodes in the first light emitting diode group to a red-based, the second wavelength conversion portion of the second light emitting diode group And wavelength conversion materials that work in conjunction with white light.
일 실시예에 따라, 상기 발광다이오드 모듈은 n(n은 3 이상의 정수)개의 발광다이오드군을 포함하며, 상기 n개의 발광다이오드군은 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군을 포함한다.According to an embodiment, the light emitting diode module includes n (n is an integer of 3 or more) light emitting diode groups, and the n light emitting diode groups include the first light emitting diode group and the second light emitting diode group. .
일 실시예에 따라, 상기 제1 파장변환부는 상기 n(n은 3 이상의 정수)개의 발광다이오드군 중 상기 제1 발광다이오드군에 속한 발광다이오드에만 형성된다.According to one embodiment, the first wavelength conversion unit is formed only in the light emitting diodes belonging to the first light emitting diode group of the n (n is an integer of 3 or more).
일 실시예에 따라, 상기 n(n은 3 이상의 정수)개의 발광다이오드군 중 제n 발광다이오드군에 속한 발광다이오드의 개수는 제n-1 발광다이오드군에 속한 발광다이오드의 개수보다 많다.According to an exemplary embodiment, the number of light emitting diodes belonging to the nth light emitting diode group is greater than the number of light emitting diodes belonging to the n-th light emitting diode group among the n (n is an integer of 3 or more) LED groups.
일 실시예에 따라, 입력 전압 레벨을 검출하기 위한 제어부와, 상기 제어부에서 검출된 입력 전압 레벨에 따라 상기 제어부에 의해 제어되어, 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군을 순차적으로 발광시키기 위해, 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군 각각의 후단에 연결되어, 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군의 발광시 전류 경로를 제공하는 드라이버 IC를 더 포함한다.According to one embodiment, the control unit for detecting the input voltage level, and is controlled by the control unit in accordance with the input voltage level detected by the control unit, to sequentially emit the first light emitting diode group and the second light emitting diode group The display device may further include a driver IC connected to a rear end of each of the first LED group and the second LED group to provide a current path during light emission of the first LED group and the second LED group. .
본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈은, 교류 전원을 인가받아 복수의 발광다이오드가 구동되는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈로서, 형광체 필름일 수 있는 제1 파장변환부가 구비되는 하나 이상의 발광다이오드를 포함하는 제1 발광다이오드군과, 봉지층에 포함된 제2 파장변환부가 덮고 있는 발광다이오드들을 포함하는 제2 발광다이오드군이 순차 구동되면서, 색온도 가변이 가능한 것이다. 이러한 색온도 가변형 발광다이오드 모듈은 종래 기술의 방식, 즉, 복수의 영역으로 나누어 서로 다른 봉지재를 도포하는 방식으로 인한 공정 상의 복잡함과 어려움을 개선할 수 있고, 또한, 색온도가 다른 영역이 복수의 영역으로 구분되는 것에 따른 제품별 색온도 편차의 발생의 문제점을 해결할 수 있다.The color temperature variable light emitting diode module according to an embodiment of the present invention is a color temperature variable light emitting diode module in which a plurality of light emitting diodes are driven by receiving AC power, and includes one or more light emitting diodes including a first wavelength conversion unit which may be a phosphor film. The second LED group including the first LED group including a light emitting diode and the light emitting diodes covered by the second wavelength conversion unit included in the encapsulation layer is sequentially driven, the color temperature is variable. Such a color temperature variable light emitting diode module can improve the complexity and difficulty in the process due to the prior art method, that is, by dividing into a plurality of areas and applying different encapsulants, and also, a plurality of areas having different color temperatures. It is possible to solve the problem of the occurrence of color temperature deviation by product according to the classification.
나아가, 본 발명은, 복수의 영역 별로 서로 다른 봉지재의 도포 공정을 복수회 반복함으로 인해, 소요 시간 및 비용이 증가하는 종래기술과 달리, 봉지재 도포 공정이 1회만으로 이루어질 수 있으므로, 위 종래 기술의 문제점을 해결할 수 있다.Furthermore, the present invention, unlike the prior art that the required time and cost increases by repeating the application process of the different encapsulant for a plurality of areas a plurality of times, the encapsulant application process can be made only once, the prior art Can solve the problem.
본 발명에 관한 이해를 돕기 위해 상세한 설명의 일부로 포함되는, 첨부도면은 본 발명에 대한 실시예를 제공하고, 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 설명한다.
도 1은 종래 기술에 따른 발광다이오드 모듈의 예시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈을 도시한 평면도이다.
도 3은 도 2의 I-I를 따라 취해진 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈을 도시한 평면도이다.
도 5는 도 4의 II-II를 따라 취해진 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따라 제어부를 구비하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈의 동작을 설명하는 도면이다.
도 7 및 도 8은 2개보다 많은 발광다이오드군을 포함하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈의 여러 예들을 설명하기 위한 도면들이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈 제작 방법의 순서도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈을 설명하기 위한 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings, included as part of the detailed description in order to provide a thorough understanding of the present invention, provide examples of the present invention and together with the description, describe the technical idea of the present invention.
1 is an exemplary view of a light emitting diode module according to the prior art.
2 is a plan view illustrating a color temperature variable light emitting diode module according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view taken along II of FIG. 2.
4 is a plan view showing a color temperature variable light emitting diode module according to another embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view taken along II-II of FIG. 4.
FIG. 6 is a view illustrating an operation of a color temperature variable light emitting diode module having a control unit according to another embodiment of the present invention.
7 and 8 are diagrams for describing various examples of the color temperature variable light emitting diode module including more than two light emitting diode groups.
9 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a color temperature variable light emitting diode module according to an embodiment of the present invention.
10 is a view for explaining a color temperature variable light emitting diode module according to another embodiment of the present invention.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 첨가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다. 또한, 이하에서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명할 것이나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정하거나 제한되지 않고 당업자에 의해 실시될 수 있음은 물론이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. First of all, in adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same reference numerals have the same reference numerals as much as possible even if displayed on different drawings. In addition, in describing the present invention, when it is determined that the detailed description of the related well-known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, preferred embodiments of the present invention will be described below, but the technical idea of the present invention is not limited thereto, but may be implemented by those skilled in the art.
이하에서는, 본 발명에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)의 예시적인 실시형태들을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the color temperature variable light emitting diode module 100 according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
먼저, 도 2에는 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)이 도시되어 있으며, 도 3에는 상기 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)의 단면도가 도시되어 있다.First, FIG. 2 illustrates a color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the color temperature variable light emitting diode module 100.
도 2 및 도 3에서 볼 수 있는 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)은, 교류 전원을 인가받아 발광하는 복수의 발광다이오드(121, 131)를 포함하는 발광다이오드 모듈로서, 상기 복수의 발광다이오드(121, 131)가 실장되는 기판(110) 및 상기 기판(110)에 배치되어 입력 전압 레벨에 따라 순차 동작하는 복수의 발광다이오드군(120, 130)을 포함한다.As can be seen in Figures 2 and 3, the color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention, the light emission including a plurality of light emitting diodes (121, 131) for emitting light by applying AC power A diode module, comprising: a
상기 복수의 발광다이오드군은 제1 발광다이오드군(120)과 제2 발광다이오드군(130)을 포함한다. 상기 제1 발광다이오드군(120)은 제1 기준 전압 이상의 입력 전압 레벨에서 동작하고, 상기 제2 발광다이오드군(130)은 상기 제1 기준 전압보다 높은 제2 기준 전압 이상의 입력 전압 레벨에서 동작한다.The plurality of light emitting diode groups includes a first light emitting
또한, 상기 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)은, 상기 제1 발광다이오드군(120) 내 발광다이오드(121)들 각각에 대응되게 형성되어 상기 제1 발광다이오드군(120)에서 발생한 빛을 제1 색온도의 빛으로 만드는 제1 파장변환부(122)와, 상기 제1 발광다이오드군(120) 내 발광다이오드(121)들과 상기 제2 발광다이오드군(130) 내 발광다이오드(131)들을 모두 덮도록 형성된 제2 파장변환부(141)를 포함한다. 이때, 상기 제2 파장변환부(141)는 상기 제1 파장변환부(122)와 협력하여 상기 제1 발광다이오드군(120) 및 제2 발광다이오드군(130)에서 발생한 빛을 제2 색온도의 빛으로 만든다.In addition, the color temperature variable light emitting diode module 100 is formed to correspond to each of the
상기 제1 발광다이오드군(120) 내 발광다이오드(121)들은 청색 또는 자외선 빛을 발생시킨다. 그리고, 상기 제1 파장변환부(122)는, 상기 제1 발광다이오드군(120) 내 발광다이오드(121)들 각각의 상면 및 측면들을 덮는 파장변환막(더 구체적으로는, 형광체막)으로 제공되어, 상기 제1 발광다이오드군(120)에서 발생한 빛을 적색 계열 빛으로 파장 변환시킨다. 파장변환막은 적색 형광체 또는 퀀텀닷 등의 파장변환재료일 수 있다.The
상기 제2 발광다이오드군(130) 내 발광다이오드(131)들은 청색 빛을 발생시킨다. 또한 상기 제2 발광다이오드군(130) 내 발광다이오드(131)들에는 전술한 제1 파장변환부(122)가 형성되지 않으며, 따라서, 상기 제2 발광다이오드군(130) 내 발광다이오드(131)들에서 나와 상기 제2 파장변환부(141)로 전달되는 빛은 상기 제2 발광다이오드군(130) 내 발광다이오드(131)에서 최초에 발생한 빛이다.The
상기 복수의 발광다이오드(121, 131)는 기판(110) 상에 형성된 투광성 봉지층(140)에 의해 봉지된다. 상기 봉지층(140)에는 제2 발광다이오드군(130) 내 발광다이오드에서 발생한 빛, 특히, 청색 빛을 예컨대 황색 빛으로 파장 변환하는 황색 형광체 또는 퀀텀닷 등의 파장 변환 재료가 분포되며, 이와 같이 봉지층(140) 내에 분포된 파장 변환 재료가 전술한 제2 파장변환부(141)를 구성한다. 상기 제2 파장변환부(141)는 상기 봉지층(140) 내에서 상기 제1 발광다이오드군(120)과 상기 제2 발광다이오드군(130)을 모두 덮으며, 상기 제1 파장변환부(122)와 협력하여 상기 제1 발광다이오드군(120) 및 제2 발광다이오드군(130)에서 발생한 빛을 제2 색온도의 빛으로 만든다.The plurality of
덧붙여, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)은 기판(110) 상에서 복수의 발광다이오드군을 수용하는 캐비티가 형성된 리플렉터(150)를 더 포함한다. 상기 리플렉터(150)는 상기 제1 발광다이오드군(120) 및 상기 제2 발광다이오드군(130)에서 발광되는 빛을 적절하게 반사하여 발광 특성을 개선하는 반사면을 제공한다. 상기 봉지층(140)은 상기 캐비티 내에 채워져 용이하게 형성된다.In addition, the color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention further includes a
도 1에서 볼 수 있는 바와 같이, 종래에는 복수의 발광다이오드(11)를 기판에 실장한 후, 복수의 영역으로 나누어 영역별로 서로 다른 형광체를 포함하는 봉지재(12, 13)를 순차적으로 도포하는 방식으로 색온도 가변형 발광다이오드 모듈을 구성하였으나, 이러한 경우 각 영역별로 나누어 정확하게 봉지재를 도포하기가 어려워지면서 제품별로 색온도가 일정하지 않고 편차가 커질 수 있었으며, 나아가 각 영역별로 봉지재를 도포하고 건조하는 공정을 2차례 이상 반복하게 되면서 공정에 소요되는 시간 및 비용이 늘어나는 문제점이 따랐다.As can be seen in Figure 1, conventionally, after mounting a plurality of light emitting diodes (11) on a substrate, divided into a plurality of areas to sequentially apply the sealing material (12, 13) containing different phosphors for each area In this case, the color temperature variable light emitting diode module was configured, but in this case, it was difficult to apply the encapsulation material accurately in each area, and thus the color temperature was not constant for each product and the deviation could be increased. Furthermore, the encapsulation material was applied and dried for each area. Repeating the process two or more times was accompanied by the problem that the time and cost required for the process increased.
다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)은, 기판(110) 상에 실장되고 제2 파장변환부(141)가 포함된 봉지층(140)에 의해 봉지된 발광다이오드들 중, 제1 파장변환부(122)가 형성된 발광다이오드(121)들로 구성된 제1 발광다이오드군(120)과, 제1 파장변환부(122)가 형성되지 않은 발광다이오드(131)들로 구성된 제2 발광다이오드군(130)을 포함한다. 또한, 상기 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)은, 상기 제1 발광다이오드군(120)과 상기 제2 발광다이오드군(130)이 입력 전압 레벨에 따라 순차 구동되도록 구성함에 있어서 상술한 바와 같이 구성함으로써, 종래 색온도 가변형 발광다이오드 모듈을 구성할 때와 달리, 복수의 영역으로 나누어 서로 다른 봉지재를 도포하지 않아도 되므로, 그로 인한 공정상의 제품별 색온도 편차의 발생을 억제할 수 있다. 더 나아가, 종래 복수의 영역 별로 서로 다른 봉지재의 도포 및 건조 공정을 복수 회 반복하게 되면서 공정에 소요되는 시간 및 비용을 줄일 수 있게 된다.Referring to FIGS. 2 and 3 again, the color temperature variable light emitting diode module 100 according to an exemplary embodiment of the present invention may include an encapsulation layer mounted on the
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)을 각 구성 요소 별로 나누어 보다 자세하게 설명한다.Hereinafter, the color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention will be described in more detail by dividing each component.
먼저, 기판(110)에는 복수의 발광다이오드(121, 131)가 실장된다. 상기 기판(110)은 유전체로 구성되는 일반적인 인쇄회로기판(Printed Circuit Board, PCB)일 수 있으며, 상기 복수의 발광다이오드의 동작을 위한 회로 패턴이 구비될 수 있다.First, a plurality of
이때, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)에서, 상기 복수의 발광다이오드(121, 131)는, 패키지 구조 없이 기판(110) 상에 직접 실장되는 발광다이오드칩이다. 다시 말해, 상기 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)은 기판(110)과 기판(110) 상에 직접 실장된 발광다이오드 칩들을 포함하는 칩온칩온보드(Chip On Board, COB) 형태로 구현된다. 제1 발광다이오드군(120)에 포함된 발광다이오드(121)는 자외선 또는 청색 발광다이오드칩인 것이 바람직하고, 제2 발광다이오드군(130)에 포함된 발광다이오드(131)는 청색 발광다이오드 칩인 것이 바람직하다.In this case, in the color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention, the plurality of
제1 발광다이오드군(120)에 포함된 발광다이오드칩(chip)은 플립칩(flip chip) 구조일 수도 있으며, 이에 따라 상기 발광다이오드칩(chip)의 상면에는 형광체 또는 퀀텀닷 등과 같은 파장변환재료가 필름 형태 또는 층 형태로 형성되며, 이것이 제1 파장변환부(122)를 형성한다. 발광다이오드칩의 하면에는 상기 발광다이오드칩(chip)을 구동하기 위한 회로 패턴과 전기적으로 연결되도록 전극패드들을 구비한다. 플립칩 구조의 발광다이오드 칩은 제한된 공간에 많은 수의 발광다이오드칩을 실장할 수 있음과 동시에 발광다이오드칩(chip)의 패키징에 따른 방열 효율 저하를 억제하여 방열 효율도 효과적으로 개선한다. 또한, 본딩와이어의 생략을 가능하게 하고, 본딩와이어의 생략은, 공정 상의 여러가지 이점 그리고 본딩와이어 탈락의 염려가 없을 뿐만 아니라, 제1 파장변환부(122)를 발광다이오드칩 상면에 형성하는 것과 관련한 많은 이점을 제공한다. 상기 제2 발광다이오드군(130)에 포함된 발광다이오드칩 또한 플립칩 구조인 것이 바람직하다.The light emitting diode chip included in the first light emitting
또한, 상기 기판(110)은 금속 PCB(metal PCB)로 구성되어 조명 등의 용도로 사용되는 고출력 발광다이오드에서 발생되는 열을 효과적으로 방출할 수도 있으며, 나아가 상기 발광다이오드칩(chip)이 직접 상기 금속 기판에 실장되는 경우 발광다이오드칩에서 발생하는 열을 더욱 효과적으로 상기 금속 기판으로 방출할 수 있게 된다.In addition, the
상기 제1 파장변환부(122)는 상기 제1 발광다이오드군(120)에 속한 발광다이오드(121)들 각각의 상면에 막 형태로 형성되며, 적색 형광체 또는 퀀텀닷 등과 같은 파장변환재료를 포함한다.The
상기 제1 발광다이오드군(120)은 도 2에서 볼 수 있는 바와 같이 기판(110)의 특정 영역을 할당하여 배치될 수도 있다. 제1 발광다이오드군(120) 복수 개의 발광다이오드들을 포함하며, 더 나아가, 제1 발광다이오드군(120)은 하나 이상의 발광다이오드들이 직렬 연결된 제1 발광다이오드 유닛(도 6의 120_1 참조)과, 제1 발광다이오드 유닛(120_1)에 직렬 연결되며 하나 이상의 발광다이오드들이 직렬 연결된 제2 발광다이오드 유닛(도 6의 120_2 참조)을 포함하도록 구성될 수 있다. 이들 제1 발광다이오드 유닛 및 제2 발광다이오드 유닛은 이후에 입력 전압 레벨에 따라 순차적으로 동작할 수 있다.As shown in FIG. 2, the
본 실시예의 색온도 가변형 발광다이오드 모듈은, 상기 제1 발광다이오드군(120)만이 동작할 때에는, 상기 제1 발광다이오드군(120)에 포함되는 발광다이오드(121)에서 발광되는 빛과 상기 제1 파장변환부(122)를 거쳐 나오는 빛에 따라 정해진 제1 색온도의 빛을 발광한다.In the present embodiment, the color temperature variable light emitting diode module may emit light emitted from the
또한, 본 실시예의 색온도 가변형 발광다이오드 모듈은, 상기 제1 발광다이오드군(120)과 상기 제2 발광다이오드군(130)이 함께 동작할 때에는, 상기 제1 발광다이오드군(120)에 포함되는 발광다이오드(121)에서 발광되는 빛과 상기 제1 파장변환부(122)에서 발광되는 빛과, 상기 제2 발광다이오드군(130)에 포함되는 발광다이오드(131)에서 발광되는 빛과, 봉지층(140) 내에서 상기 제1 발광다이오드군(120)과 상기 제2 발광다이오드 군(130)을 모두 덮는 제2 파장변환부(141)에서 발광되는 빛에 따라 정해진 제2 색온도의 빛을 발광할 수 있다.In addition, the color temperature variable light emitting diode module of the present exemplary embodiment may emit light included in the first light emitting
상기 제2 발광다이오드군(130)도 도 2에서 볼 수 있는 바와 같이 기판(110)의 특정 영역을 할당하여 배치될 수도 있다.As shown in FIG. 2, the
상기 제2 발광다이오드군(130)에 포함되는 하나 이상의 발광다이오드(131)는 형광체 또는 퀀텀닷으로 제공되는 제2 파장변환부(141)를 포함하는 봉지층(140)에 의하여 봉지된다. 상기 제2 발광다이오드군(130)에 포함되는 발광다이오드(131)에서 발광되는 빛과 상기 제2 파장변환부(141)에서 발광되는 빛의 혼합에 의해 백색 계열의 빛을 만든다. 이와 같이 만들어진 백색 계열의 빛과 전술한 제1 발광다이오드군과 제1 파장변환부에 의해 만들어진 빛에 의해 제2 색온도의 광이 만들어진다.One or more
이에 따라, 종래에는 복수의 영역별로 나누어 서로 다른 형광체를 포함하는 봉지재를 도포함에 따라 제품별로 나타날 수 있는 색온도 편차가 커질 수 있었을 뿐만 아니라, 복수의 영역 별로 서로 다른 봉지재의 도포 및 건조 공정을 복수 회 반복하게 되면서 공정에 소요되는 시간 및 비용이 늘어날 수 있었으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)에서는 제1 파장변환부(122)가 형성되는 하나 이상의 발광다이오드(121)를 포함하여 제1 발광다이오드군(120)을 구성하고, 각각이 제1 파장변환부(122)가 형성된 발광다이오드(121)를 포함하는 제1 발광다이오드군(120)과 이러한 제1 발광다이오드군(120)과 제1 파장변환부(122)가 형성되지 않은 제2 발광다이오군(130)을 모두 봉지하는 봉지층(140)에 제2 파장변환부(141)를 제공함으로써, 복수의 영역을 나누어 복수의 봉지재를 도포하는데 따른 어려움을 개선하고 이에 따른 제품별 색온도 편차의 발생을 억제할 수 있으며, 나아가, 복수의 영역 별로 서로 다른 봉지재의 도포 및 건조 공정을 복수회 반복하게 되면서 공정에 소요되는 시간 및 비용이 늘어나는 문제점도 개선할 수 있게 된다.Accordingly, in the related art, as the encapsulant containing different phosphors is divided into a plurality of regions, color temperature deviations that may appear in each product may be increased, and a plurality of processes of applying and drying different encapsulants in a plurality of regions may be used. Repeated times may increase the time and cost required for the process, but in the color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention, at least one
이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)에서는, 상기 제1 발광다이오드군(120)과 상기 제2 발광다이오드군(130)이 입력 전압 레벨에 따라 순차 구동되도록 하여, 색온도의 가변이 가능한 발광다이오드 모듈을 구성할 수 있게 된다.Accordingly, in the color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention, the
더 나아가, 상기 제1 발광다이오드군(120)에서 발광되는 빛은 상기 제2 발광다이오드군(130)에서 발광되는 빛보다 낮은 색온도를 가지도록 할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 발광다이오드군(120)의 발광다이오드(121) 각각에 형성된 제1 파장변환부(122)는 적색 계열의 파장변환재료(특히 적색 형광체)를 포함하며, 제2 파장변환부(141)은 상기 제2 발광다이오드군(130)과 협력하여 백색 계열의 빛을 만들 수 있는 파장변환재료를 포함하도록 함으로써, 상기 제1 발광다이오드군(120)만이 동작할 때 제1 발광다이오드군(120) 및 제1 파장변환부(122)가 협력하여 만들어내는 빛이 상기 제1 발광다이오드군(120) 및 상기 제2 발광다이오드군(130)이 함께 동작할 때 상기 제1 발광다이오드 군(120) 및 제1 파장변환부(122)와 상기 제2 발광다이오드군(130) 및 제2 파장변환부(140)이 상호 작용하여 만들어내는 빛보다 낮은 색온도를 가지도록 함으로써, 발광 다이오드 모듈(100)에서 발광되는 빛의 색온도가 가변되도록 제어할 수 있다.Further, the light emitted from the
보다 구체적인 예를 들어, 적색 형광체가 포함된 필름 형태의 제1 파장변환부(122)가 구비된 자외선 발광다이오드(121)를 사용하여 제1 발광다이오드군(120)을 구성하고, 황색 형광체를 포함하는 제2 파장변환부(141)가 포함된 봉지층(140)으로 상기 자외선 발광다이오드(121)들과 더불어 청색 발광다이오드(131)를 봉지하되, 제1 파장변환부(122)가 형성되지 않은 청색 발광다이오드(131)로 제2 발광다이오드군(130)을 구성한다. 위와 같이 구성한 다음, 입력 전압의 상승에 따라 제1 기준전압을 넘어서면 상기 제1 발광다이오드군(120)이 먼저 온되어 적색 등 낮은 색온도를 가지는 빛이 발광되도록 하고, 제2 기준 전압을 넘어서면, 상기 제2 발광다이오드군(130)이 온되어 상기 제1 색온도보다 높은 제2 색온도를 갖는 빛이 발광되도록 할 수 있다. 반대로 입력 전압이 제2 기준전압을 넘어선 이후 다시 낮아지는 경우, 상기 제2 발광다이오드군(130)이 온 상태에서 오프 상태로 되고, 계속해서 더 낮아지는 경우, 상기 제1 발광다이오드군(120)이 온 상태에서 오프 상태로 된다.More specifically, for example, the first light emitting
본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)은 조도를 낮추는 경우 색온도가 일반 할로겐 조명과 유사한 특성을 가지게 된다.The color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention has a color temperature similar to that of general halogen lighting when the illuminance is lowered.
나아가, 상기 실시예에서는 제1 발광다이오드군(120)에 포함되는 발광다이오드(121)와 제2 발광다이오드군(130)에 포함되는 발광다이오드(131)가 서로 다른 종류인 경우를 예시하였으나, 이러한 예로 한정되는 것은 아니며, 청색 발광다이오드나 자외선 발광다이오드가 상기 발광다이오드(121, 131)로 사용되는 등 동일한 종류의 발광다이오드가 사용될 수도 있다.Further, in the above embodiment, the
정류회로부(170)에서 발광다이오드군들(120, 130) 측으로 제공되는 입력 전압(Vrec) 레벨이 제1 기준 전압을 넘어서는 경우 상기 제1 발광다이오드군(120)이 온되고, 계속해서 입력 전압(Vrec) 레벨이 상승하여 제2 기준 전압을 넘어서면, 상기 제1 발광다이오드군(120)이 온된 상태에서 상기 제2 발광다이오드군(130)이 온되지만, 상기 제1 발광다이오드군(120)이 오프된 상태로 상기 제2 발광다이오드군(130)만을 온시키는 것도 고려될 수 있다(도 10에 도시된 예에서와 같이,참조부호 200으로 표시된 스위치부에 의해 어느 하나의 발광다이오드군만이 선택될 수도 있음).When the level of the input voltage Vrec provided from the rectifying
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)에서, 상기 제1 발광다이오드군(120)에 포함되는 발광다이오드(121)와 상기 제2 발광다이오드군(130)에 포함되는 발광다이오드(131)가 서로 구분되는 영역에 나뉘어 실장되어야 하는 것은 아니며, 도 4 및 도 5에서 볼 수 있는 바와 같이, 복수의 발광다이오드(121, 131)가 상기 기판(110)에 규칙 없이 서로 혼재되어 실장될 수도 있다.In addition, in the color temperature variable light emitting diode module 100 according to another embodiment of the present invention, the
종래에는 서로 다른 종류의 형광체를 포함하는 봉지재(12, 13)를 나누어 도포하기 위하여 복수의 발광다이오드(11)를 영역을 구분하여 실장하였으나(도 1 참조), 본 발명에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)에서는 제1 발광다이오드군(120)에 포함된 발광다이오드(121) 각각에 제1 파장변환부(122)가 형성되어 색온도가 조절되는 바, 상기 제1 발광다이오드군(120)에 포함되는 발광다이오드(121)와 상기 제2 발광다이오드군(130)에 포함되는 발광다이오드(131)를 영역 구분 없이 혼재하여 배치할 수 있으며, 이에 따라 제1 발광다이오드군(120)에서 발광되는 빛과 제2 발광다이오드군(130)에서 발광되는 빛이 영역별로 분리되지 않고 전체 영역에서 균일하게 섞여 발광되어 발광되는 빛의 균일성을 효과적으로 개선할 수 있게 된다.Conventionally, a plurality of
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)에는, 입력 전압(Vrec) 레벨에 따라 제1 발광다이오드군(120)과 제2 발광다이오드군(130)을 순차 작동시키는 제어부(도 6의 160)가 더 포함될 수 있다.In addition, the color temperature variable type light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention, the control unit for sequentially operating the
이하에서는 도 6을 참조하여 상기 제어부(160)를 이용하여 복수의 발광다이오드군(120, 130, 180a, 180b)를 순차 발광 동작시키는 구성을 보다 자세하게 설명한다.Hereinafter, a configuration in which the plurality of light emitting
먼저, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)에서는 교류(AC) 전원을 인가받아 동작한다. 이에 따라, 상기 교류 전원을 정류(예컨대, 전파 정류)하기 위한 정류 회로부(170)(도시된 예는 전파 정류회로부이나 다른 형태의 회로도 가능할 수 있음)가 구비될 수 있다.First, the color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention operates under the application of AC power. Accordingly, the rectifying circuit unit 170 (for example, the full-wave rectifying circuit unit or other types of circuits) may be provided to rectify the AC power (for example, full-wave rectification).
제어부(160)는 정류 회로부(170)를 거쳐 발광다이오드군들(120, 130, 180a, 180b) 측으로 인가되는 입력 전압(Vrec) 레벨을 감지하고, 감지된 입력 전압(Vrec) 레벨에 의존하여 발광다이오드군들(120, 130, 180a, 180b)을 순차적으로 발광시키게 된다.The
보다 구체적으로는, 입력 전압(Vrec) 레벨이 상승하여 제1 발광다이오드군(120)을 발광 동작시킬 수 있는 제1 기준전압보다 높아지면, 제어부(160)는 이를 감지하여 제1 스위치(SW1)를 턴온시켜 제1 발광다이오드군(120)을 발광 동작시키며, 계속해서 입력 전압(Vrec) 레벨이 상승하여 제2 발광다이오드군(130)을 발광 동작시킬 수 있는 제2 기준전압보다 높아지면, 제어부(160)는 이를 감지하여 제1 스위치(SW1)를 턴오프시키고, 제2 스위치(SW2)를 턴온시켜, 제1 발광다이오드군(120)과 제2 발광다이오드군(130)이 결과적으로 직렬 연결되도록 하여 제1 발광다이오드군(120)과 제2 발광다이오드군(130)이 함께 발광 동작하도록 한다.More specifically, when the input voltage Vrec level rises to be higher than the first reference voltage capable of emitting light to the
나아가, 입력 전압(Vrec) 레벨이 더 상승하여 제3 발광다이오드군(180a) 및 제4 발광다이오드군(180b)을 발광 동작시킬 수 있는 전압보다 높아지면, 드라이버 IC(190) 내 스위치들(SW1, SW2, ?, SW4) 중 최종단의 스위치(SW4)만이 턴온되고 나머지 스위치들(SW1, SW2, ?)은 턴오프되도록 제어부(160)에서 제어함으로써, 모든 발광다이오드군들이 직렬 연결되어 발광 동작할 수 있게 된다. 드라이버 IC(190) 내의 스위치들(SW1, SW2, ?, SW4) 각각은 전단에 연결된 발광다이오드군들이 발광할 수 있도록, 턴온되어 전류 경로를 제공하게 된다. 드라이버 IC(190)에 의해 제공되는 전류 경로를 따라 흐르는 전류의 크기도 함께 제어하므로, 본 명세서 내 드라이버 IC(190)의 기능 설명에서 전류 경로 제공과 전류 경로 제어가 혼용된다. 또한, 본 명세서 내의 설명에서 드라이버 IC(190) 내의 스위치들 각각이 드라이버 IC를 의미하는 것으로 사용되는 경우도 있으므로, 이에 유의하여야 할 것이다.Furthermore, when the level of the input voltage Vrec is further increased to be higher than the voltage at which the
위의 설명에서 드라이버 IC(190) 내의 스위치들(SW1, SW2, ?, SW4)로 표현된 것들은 각각 NMOS FET(N-Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)일 수 있으나, 이러한 소자로 한정되는 것은 아니다.In the above description, those represented by the switches SW1, SW2,?, And SW4 in the
또한, 앞선 실시예에서는 입력 전압(Vrec) 레벨에 따라 제1 발광다이오드군(120)과 제2 발광다이오드군(130) 등의 발광다이오드군들을 제어하여 색온도를 가변하는 구성을 중심으로 설명하였으나, 이러한 예로 한정되는 것은 아니다.In addition, in the above embodiment, the light emitting diode groups such as the first light emitting
도 2 내지 도 5를 참조한 본 발명의 설명에서는, 2개의 발광다이오드군들(120, 130)만을 포함하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈에 관해 설명하였으나, 이하에서는 4개의 발광다이오드군(120, 130, 180a, 180b)을 포함하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈에 대해 설명한다.In the description of the present invention with reference to FIGS. 2 to 5, a color temperature variable light emitting diode module including only two light emitting
도 6은 등가회로도의 일 예이고, 도 7과 도 8에서는 본 발명의 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100) 및 그에 대한 복수의 발광다이오드군들의 배치 예들을 보여준다.6 is an example of an equivalent circuit diagram, and FIGS. 7 and 8 show examples of arrangement of the color temperature variable light emitting diode module 100 and a plurality of light emitting diode groups thereof according to the present invention.
먼저, 도 6과 도 7을 함께 참조하면, 도 7의 (a)에서 (A) 영역에는 제1 발광다이오드군(120)과 제2 발광다이오드군(130)을 포함하는 복수의 발광다이오드군이 실장되며, 이외의 영역에는 상기 복수의 발광다이오드군을 순차 구동시키기 위한 제어부(160), 드라이버 IC(190)와 함께 전원 공급 회로등이 실장될 수 있다.
First, referring to FIGS. 6 and 7, a plurality of light emitting diode groups including a first light emitting
앞서 언급한 바와 같이, 제1 발광다이오드군(120)은 제1 발광다이오드 유닛(120_1)과 제2 발광다이오드 유닛(120_2)을 포함하며, 이들은 입력 전압 레벨에 따라 순차적으로 동작할 수 있다. 이를 위해, 제1 발광다이오드 유닛(120_1)의 후단과 제2 발광다이오드 유닛(120_2)의 후단에 전류 경로를 제어하는 드라이버 IC(SW11, SW12)가 구비될 수 있다.As mentioned above, the first light emitting
도 7의 (b)에서는 상기 (A) 영역에 실장되는 복수의 발광다이오드군의 배치를 볼 수 있다. 기판(110)의 일부 영역에는 제1 발광다이오드군(120)(도 7(b)의 1ch)이 실장될 수 있고, 나머지 영역을 나누어 제2 발광다이오드군(130)(도 7(b)의 2ch), 제3 발광다이오드군(180a)(도 7(b)의 3ch), 제4 발광다이오드군(180b)(도 7(b)의 4ch)이 배치될 수 있다. 이때, 상기 제1 발광다이오드군(120)에 포함된 발광다이오드 각각에는 제1 파장변환부(122; 도 3 참조)가 형성될 수 있으며, 나머지 발광다이오드군은 제1파장변환부가 형성됨 없이 제2 파장변환부(141; 도 3 참조)를 포함하는 봉지층(140; 도 3 참조)으로 봉지될 수 있다. 이때, 상기 봉지층(140; 도 3 참조)은 상기 제1 발광다이오드군(120)도 함께 봉지한다.In FIG. 7B, the arrangement of the plurality of LED groups mounted in the area (A) can be seen. The first light emitting diode group 120 (1ch of FIG. 7B) may be mounted in a portion of the
또한, 도 6과 도 8을 함께 참조하면, 도 8의 (a)의 (B) 영역에도 제1 발광다이오드군(120)과 제2 발광다이오드군(130)을 포함하는 복수의 발광다이오드군이 실장되며, 이외의 영역에는 상기 복수의 발광다이오드군을 순차 구동시키기 위한 제어부(160), 드라이버 IC(190)와 함께 전원 공급 회로 등이 실장될 수 있다.6 and 8, a plurality of light emitting diode groups including a first light emitting
보다 구체적으로, 도 8의 (b)에서는 상기 (B) 영역에 실장되는 복수의 발광다이오드군의 배치를 볼 수 있다. 도 9의 (b)에서 볼 수 있는 바와 같이, 기판(110)의 중심 영역에 제1 발광다이오드군(120)(도 9의 (b)의 1ch)을 실장하고, 상기 (B) 영역의 주변 영역을 나누어 제2 발광다이오드군(130)(도 9의 (b)의 2ch), 제3 발광다이오드군(180a)(도 9의 (b)의 3ch), 제4 발광다이오드군(180b)(도 9의 (b)의 4ch)이 순차 배치할 수 있다. 이때, 상기 제1 발광다이오드군(120)에 포함된 발광다이오드 각각에는 제1 파장변환부(122; 도 3 참조)가 형성될 수 있으며, 나머지 발광다이오드군은 제1파장변환부가 형성됨 없이 제2 파장변환부(141; 도 3 참조)를 포함하는 봉지층(140; 도 3 참조)에 의해 봉지될 수 있다. 이때, 상기 봉지층(140; 도 3 참조)은 상기 제1 발광다이오드군(120)도 함께 봉지한다.More specifically, in FIG. 8B, the arrangement of the plurality of light emitting diode groups mounted in the region (B) can be seen. As shown in FIG. 9B, the first LED group 120 (1ch in FIG. 9B) is mounted in the center region of the
또한, 도 7의 (b) 및 도 8의 (b)에서 예시된 배치 이외에도, 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)에 요구되는 규격 등을 고려하여 보다 다양한 배치 방식으로 구성하는 것도 가능하다.In addition to the arrangements illustrated in FIGS. 7B and 8B, the present invention may be configured in a variety of arrangements in consideration of the specifications required for the color temperature variable light emitting diode module 100.
나아가, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)에서, 상기 복수의 발광다이오드군은 상기 제1 발광다이오드군(120), 상기 제2 발광다이오드군(130) 및 제n 발광다이오드군의 순서로 직렬 연결된 구조를 이루며(여기서 n은 3보다 큰 양의 정수), 이때, 제n-1 발광다이오드군에 포함되는 발광다이오드의 개수는 제n 발광다이오드군에 포함되는 발광다이오드의 개수 이상일 수 있다.Furthermore, in the color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention, the plurality of light emitting diode groups may include the first light emitting
보다 구체적인 예를 들어, 도 8의(b)에서 제1 발광다이오드군(1ch)에 포함되는 발광다이오드의 개수는 12개로서 가장 많은 발광다이오드가 사용되고, 제2 발광다이오드군(2ch)에 포함되는 발광다이오드의 개수는 6개이며, 제3 발광다이오드군(3ch)에 포함되는 발광다이오드의 개수는 6개, 제4 발광다이오드군(4ch)에 포함되는 발광다이오드의 개수는 4개이며, 이와 같이 전단의 발광다이오드군(n-1)에 포함되는 발광다이오드의 개수가 후단의 발광다이오드군(n)에 포함되는 발광다이오드의 개수보다 같거나 많도록 함으로써, 입력 전압 레벨의 상승에 따라 상기 복수의 발광다이오드군을 순차 구동시켜 색온도가 가변되는 발광다이오드 모듈의 효율을 개선할 수 있게 된다.For example, in FIG. 8B, the number of light emitting diodes included in the first light emitting diode group 1ch is 12, the most light emitting diodes are used, and the second light emitting diode group 2ch is included. The number of light emitting diodes is six, the number of light emitting diodes included in the third light emitting diode group 3ch is six, and the number of light emitting diodes included in the fourth light emitting diode group 4ch is four. The number of light emitting diodes included in the light emitting diode group n-1 at the front end is equal to or greater than the number of light emitting diodes included in the light emitting diode group n at the rear end, whereby the plurality of light emitting diodes By sequentially driving the LED group, the efficiency of the LED module having a variable color temperature can be improved.
또한, 본 발명의 일 실시예로서, 앞서 설명한 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)을 포함하여 조명 장치를 구성할 수도 있다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 조명 장치는 입력 전압 또는 사용자의 설정치나 동작 환경 등에 따라 발광되는 빛의 색온도를 조절하는 것이 가능하게 된다.In addition, as an embodiment of the present invention, the lighting device may be configured to include the color temperature variable light emitting diode module 100 described above. Accordingly, the lighting apparatus according to an embodiment of the present invention can adjust the color temperature of the light emitted according to the input voltage or the user's set value or operating environment.
또한, 도 9에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100) 제조 방법의 순서도를 도시하고 있다.9 illustrates a flowchart of a method of manufacturing a color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention.
도 3, 도 6 및 도 9를 함께 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100) 제조 방법은, 교류 전원을 인가받아 기판(110)에 실장된 복수의 발광다이오드(121, 131)를 구동하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)을 제조하는 방법으로서, 제1 파장변환부(122)가 형성된 하나 이상의 발광다이오드(121)를 기판(110)에 실장하여 제1 발광다이오드군(120)를 구성하는 단계(S110) 및 상기 기판(110)에 실장되어 있고 상기 제1 파장변환부(122)가 없는 발광다이오드(131)을 덮도록 제2 파장변환부(141)를 포함하는 봉지층(140)을 기판(110)에 형성하여, 제2 발광다이오드군(130)을 구성하는 단계(S120)를 포함할 수 있다. 나아가, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100) 제조 방법은, 입력 전압 레벨에 따라 상기 제1 발광다이오드군(120) 및 제2 발광다이오드군(130)을 순차 작동시키는 제어 회로(제어부 및 드라이버 IC)를 구성하는 단계(S130)를 더 포함할 수도 있다.3, 6 and 9 together, the method of manufacturing a color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention, a plurality of light emitting diodes (200) mounted on the
이하 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)의 제조 방법을 각 단계별로 나누어 살핀다. 다만, 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)과 겹치는 부분은 추가적인 설명을 생략하고, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100) 제조 방법의 특징적인 부분을 중심으로 설명한다.Hereinafter, the manufacturing method of the color temperature variable type light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention will be divided into stages. However, a portion overlapping with the color temperature variable light emitting diode module 100 according to the embodiment of the present invention described above will not be described further, and features of the method for manufacturing the color temperature variable light emitting diode module 100 according to the embodiment of the present invention. The explanation focuses on the general part.
먼저, 상기 S110 단계에서는 상기 기판(110) 상에 제1 파장변환부(122)가 미리 형성된 하나 이상의 발광다이오드(121)를 실장하여, 제1 발광다이오드군(120)을 구성한다. 이때, 제1 파장변환부(122)가 미리 형성된 발광다이오드(121)를 상기 기판(110)에 적절하게 실장할 수 있는 공정이라면 특별한 제한 없이 사용될 수 있다.First, in step S110, the first light emitting
이어서, S120 단계에서는 상기 기판(110) 상에 실장된 제1 발광다이오드군(120) 및 제2 발광다이오드군(130)을 제2 파장변환부(141)를 포함하는 봉지층(140)으로 봉지하여, 제2 발광다이오드군(130)을 구성하게 된다. 본 단계에서도 상기 하나 이상의 발광다이오드(131)를 상기 기판(110)에 적절하게 실장하고 상기 제2 파장변환부(141)를 포함하는 봉지층(140)으로 적절하게 봉지할 수 있는 공정이라면 특별한 제한 없이 사용될 수 있다.Subsequently, in step S120, the
이때, 상기 제1 파장변환부(122)는 제1 발광다이오드군(120)에서 발광되는 빛이 상기 제2 발광다이오드군(130)에서 발광되는 빛보다 낮은 색온도를 가지도록 하는 파장변환재료를 포함할 수 있다.In this case, the first
예를 들어, 상기 제1 파장변환부(122)는 적색 계열의 형광체를 포함하며, 상기 제2 발광다이오드군(130)은 제2 파장변환부(141)와 협력하여 백색 계열의 빛을 발광하도록 함으로써, 상기 제1 발광다이오드군(120)만이 발광할 때 나오는 빛, 즉, 제1 파장변환부(122)와 제1 발광다이오드군(120)이 협력하여 만들어낸 빛이 상기 제2 발광다이오드군(130)도 함께 발광할 때 나오는 빛, 즉, 제1 발광다이오드군(120) 및 제1 파장변환부(122)와 제2 발광다이오드군(130) 및 제2 파장변환부(141)이 협력하여 만들어낸 빛보다 낮은 색온도를 가지도록 함으로써, 발광디스플레이 모듈(100)에서 발광되는 빛의 색온도가 가변되도록 제어할 수 있다.For example, the
보다 구체적인 예를 들어, 적색 형광체가 포함된 제1 파장변환부(122)가 형성된 자외선 발광다이오드(121)를 사용하여 제1 발광다이오드군(120)을 구성하고, 황색 형광체를 포함하는 제2 파장변환부(141)가 포함된 봉지층(140)으로 청색 발광다이오드(131)를 봉지하여 제2 발광다이오드군(130)을 구성한 후, 입력 전압의 상승에 따라 입력 전압 레벨이 제1 기준 전압을 넘어서면 상기 제1 발광다이오드군(120)을 먼저 구동시켜 적색 등 낮은 색온도를 가지는 빛이 발광되도록 하고, 입력 전압 레벨이 제2 기준 전압을 넘어서면 상기 제2 발광다이오드군(130)을 구동시켜 백색이나 청색 등 높은 색온도를 가지는 빛이 발광되도록 할 수 있으며, 반대로 입력 전압이 낮아지면, 상기 제2 발광다이오드군(130)과 상기 제1 발광다이오드군(120)이 순차로 소등되는 방식으로 동작하도록 할 수 있다.More specifically, for example, the first light emitting
이에 따라, 본 발명에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)은 조도를 낮추는 경우 일반 할로겐 램프의 경우와 유사한 특성을 갖게 된다.Accordingly, the color temperature variable light emitting diode module 100 according to the present invention has characteristics similar to those of a general halogen lamp when the illuminance is lowered.
또한, 상기 S120 단계에서는 제2 발광다이오드군(130)에 포함되는 발광다이오드(131)와 함께 상기 제1 발광다이오드군(120)에 포함되는 발광다이오드(120)도 한꺼번에 봉지할 수도 있다.In operation S120, the
나아가, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100) 제조 방법에서는 복수의 발광다이오드 플립칩을 기판(110)에 직접 실장하여 칩온보드(Chip On Board) 모듈의 형태로 제조할 수도 있다.Furthermore, in the method of manufacturing a color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention, a plurality of light emitting diode flip chips may be directly mounted on a
이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100) 제조 방법에서는, 제한된 기판(110)의 공간에 다수의 발광 소자를 실장함과 동시에 발광다이오드칩(chip)의 패키징에 따른 방열 효율 저하를 억제하여 방열 효율도 효과적으로 개선할 수 있게 된다.Accordingly, in the method of manufacturing a color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention, a plurality of light emitting devices are mounted in a limited space of the
마지막으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100) 제조 방법에는 입력 전압에 따라 상기 제1 발광다이오드군 및 제2 발광다이오드군을 순차 구동시키는 제어 회로(제어부 및 드라이버 IC)를 구성하는 단계(S130)가 더 포함될 수 있다.Finally, a method of manufacturing a color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention includes a control circuit (control unit and driver IC) for sequentially driving the first light emitting diode group and the second light emitting diode group according to an input voltage. Comprising (S130) may be further included.
이때, 제어 회로는 상기 기판(110)의 상면 또는 하면에 구성되거나 별도의 모듈로 구성되어 케이블이나 컨텐터 등을 통해 상기 기판(110)에 연결되어 구성될 수도 있다.In this case, the control circuit may be configured on the upper surface or the lower surface of the
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈을 설명하기 위한 도면이다. 도 10을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈은, 정류회로부(170), 드라이버 IC(190), 발광다이오드군들(120, 130)을 포함한다. 앞선 실시예들에서 설명된 바와 같이 드라이버 IC(190)는 제어부에 의해 제어되며, 이러한 제어부는 별도로 도시되지 않았다. 그리고, 상기 색온도 가변형 발광다이오드 모듈은, 정류회로부(170)와 드라이버 IC(190) 사이에 위치하여, 입력 전압(Vrec) 레벨이 변하더라도 제1 발광다이오드군(120)과 제2 발광다이오드군(130) 중 어느 하나의 발광다이오드군이 발광하지 않도록 스위칭하는 스위치부(200)를 포함한다. 스위치부(200)는 발광다이오드군들(120, 130)의 전단에 위치할 수도 있겠으나, 드라이버 IC(200)에 의한 발광다이오드군들(120, 130)의 효율적인 구동(구체적으로는 드라이버 IC(200) 내의 트랜지스터들의 싸이즈나 용량등)을 고려할 때, 스위치부(200)는 발광다이오드군들(120, 130)과 드라이버 IC(200) 사이에 위치하는 것이 더 바람직하며, 이러한 예가 도 10에 도시되어 있다.10 is a view for explaining a color temperature variable light emitting diode module according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 10, the color temperature variable light emitting diode module according to another embodiment of the present invention includes a
스위치부(200)는, 제1 발광다이오드군(120)의 후단과 드라이버 IC(190) 사이에 연결되는 제1 NMOS FET(Q1)와, 제2 발광다이오드군(130)의 후단과 드라이버 IC(190) 사이에 연결되는 제2 NMOS FET(Q2)를 포함하며, 제1 NMOS FET(Q1)와 제2 NMOS FET(Q2)의 게이트 단자들은 정류회로부(190)의 출력단(Vrec)에 연결될 수 있다. 스위치부(200)의 게이트 단자들이 연결된 정류회로부(190)의 출력단(Vrec)은 발광다이오드군들(120, 130)의 입력노드이다.The
스위치부(200)는, 입력 전압(Vrec)의 레벨과 무관하게, 제1 발광다이오드군(120)이 발광 동작하지 않도록 스위칭할 수 있다. 즉, 제1 NMOS FET의 게이트 단자가 접지단과 연결되도록 스위칭하는 경우, 제1 NMOS FET는 오프 상태이므로, 제1 발광다이오드군(120)은 입력 전압(Vrec)의 레벨이 변하더라도 발광 동작하지 않게 된다.The
또한, 스위치부(200)는, 입력 전압(Vrec)의 레벨과 무관하게, 제2 발광다이오드군(130)이 발광 동작하지 않도록 스위칭할 수 있다. 즉, 제2 NMOS FET의 게이트 단자가 접지단과 연결되도록 스위칭하는 경우, 제2 NMOS FET는 오프 상태이므로, 제2 발광다이오드군(130)은 입력 전압(Vrec)의 레벨이 변하더라도 발광 동작하지 않게 된다.In addition, the
이와 같이 스위치부(200)를 이용하여 발광다이오드군들(120, 130)을 선택적으로 발광 동작시킬 수 있도록 구성함으로써, 색온도를 가변시킬 수 있게 된다.As described above, the light emitting
예컨대, 1Ch, 즉 제1 발광다이오드군(120)만 발광 동작하도록, 제2 NMOS FET(Q2)의 게이트 단자를 접지시키는 경우, 색온도 3000K가 되도록 구성할 수 있고, 2 Ch, 즉 제2 발광다이오드군(130)만 발광 동작하도록, 제1 NMOS FET(Q1)의 게이트 단자를 접지시키는 경우, 색온도 3500K가 되도록 구성할 수 있으며, 제1 NMOS FET(Q1)의 게이트 단자 및 제2 NMOS FET(Q2)의 게이트 단자를 모두 접지시키지 않는 경우, 모두 온 상태이므로, 입력 전압(Vrec)의 레벨에 따라 발광다이오드군들(120, 130)이 모두 발광 동작하도록 하여, 색온도 4000K가 되도록 구성할 수 있다.For example, when the gate terminal of the second NMOS FET Q2 is grounded so that only 1Ch, that is, the first light emitting
이상에서, 본 발명의 색온도 가변형 발광다이오드 모듈이 도면들을 참조하여 설명되었으나, 도면들 및 설명이 본 발명의 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 해석되어서는 아니될 것이다.In the above, although the color temperature variable light emitting diode module of the present invention has been described with reference to the drawings, the drawings and description should not be construed as limiting the scope of the present invention.
100 : 색온도 가변형 발광다이오드
모듈
110 : 기판
120 : 제1 발광다이오드군
121 : 발광다이오드
120_1 : 제1 발광다이오드 유닛
120_2 : 제2 발광다이오드 유닛
122 : 형광 필름
130 : 제2 발광다이오드군
131 : 발광다이오드
140, 140a, 140b : 봉지층
141 : 형광체
150 : 리플렉터
160 : 제어부
170 : 정류회로부
180a : 제3 발광다이오드군
180b : 제4 발광다이오드군
190 : 드라이버 IC
200 : 스위치부100: color temperature variable light emitting diode module
110: substrate
120: first light emitting diode group
121: light emitting diode
120_1: First light emitting diode unit
120_2: second light emitting diode unit
122: fluorescent film
130: second light emitting diode group
131: light emitting diode
140, 140a, 140b: encapsulation layer
141: phosphor
150: reflector
160: control unit
170: rectifier circuit
180a: third LED group
180b: fourth LED group
190: Driver IC
200: switch unit
Claims (20)
기판;
상기 기판 상에 제1 기준 전압 이상의 입력 전압 레벨에서 발광하는 제1 발광다이오드군과 상기 제1 기준 전압보다 높은 제2 기준 전압 이상의 입력 전압 레벨에서 발광하는 제2 발광다이오드군을 포함하며, 상기 제1 발광다이오드군은, 적어도 하나의 발광다이오드가 직렬 연결된 제1 발광다이오드 유닛과, 상기 제1 발광다이오드 유닛에 직렬 연결되며 적어도 하나의 발광다이오드가 직렬 연결된 제2 발광다이오드 유닛을 포함하는, 복수 개의 발광다이오드군;
상기 제1 발광다이오드 유닛 및 상기 제2 발광다이오드 유닛을 구성하는 각각의 발광다이오드 상에 형성되며, 상기 제1 발광다이오드 유닛 및 상기 제2 발광다이오드 유닛에서 방출하는 제1차 광을 제1 색온도의 제2차 광으로 발광하는 제1 파장변환부; 및
상기 제1 발광다이오드군, 상기 제1 파장변환부 및 상기 제2 발광다이오드군 상에 형성되고, 상기 제1 발광다이오드군에서 방출하는 제1차 광 및 상기 제2 발광다이오드군에서 방출하는 제1차 광과, 상기 제1 파장변환부에서 발광하는 상기 제2차 광의 일부 또는 전부를 제2 색온도의 제3차 광으로 발광하는 제2 파장변환부;를 포함하고,
상기 교류 전원에 의해 입력되는 입력 전압 레벨에 따라, 상기 제2차 광과 상기 제3차 광이 혼합되어 발광되거나, 상기 제2차 광 및 상기 제3차 광 중 어느 하나만이 발광되는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광 다이오드 모듈.In the light emitting diode module which is driven by receiving AC power,
Board;
A first light emitting diode group emitting light at an input voltage level higher than or equal to a first reference voltage on the substrate and a second light emitting diode group emitting light at an input voltage level higher than a second reference voltage higher than the first reference voltage; The plurality of light emitting diode groups may include a first light emitting diode unit having at least one light emitting diode connected in series, and a second light emitting diode unit having at least one light emitting diode connected in series with the first light emitting diode unit. Light emitting diode group;
The first light emitting diode unit is formed on each of the light emitting diodes constituting the first light emitting diode unit and the second light emitting diode unit, and the first light emitted from the first light emitting diode unit and the second light emitting diode unit has a first color temperature. A first wavelength conversion unit emitting light with secondary light; And
A first light formed on the first light emitting diode group, the first wavelength conversion unit, and the second light emitting diode group, and emitted from the first light emitting diode group and the first light emitting diode group; And a second wavelength conversion unit emitting part or all of the secondary light and the second secondary light emitted from the first wavelength conversion unit as the third primary light having a second color temperature.
According to an input voltage level input by the AC power source, the secondary light and the tertiary light are mixed to emit light, or only one of the second and third light is emitted. Color temperature variable light emitting diode module.
상기 교류 전원에 의해 입력되는 입력 전압 레벨을 검출하여, 상기 입력 전압 레벨에 따라 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군을 순차적 또는 선택적으로 발광시키는 제어부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광 다이오드 모듈.The method according to claim 1,
And a controller configured to detect an input voltage level input by the AC power source and sequentially or selectively emit the first and second LED groups according to the input voltage level. Color temperature variable light emitting diode module.
상기 제1 발광다이오드군의 후단과 상기 제2 발광다이오드군의 후단에 연결되어, 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군이 발광 시, 전류 경로를 제공하는 드라이버 IC;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광 다이오드 모듈.The method according to claim 1,
A driver IC connected to a rear end of the first LED group and a rear end of the second LED group to provide a current path when the first LED group and the second LED group emit light; Color temperature variable light emitting diode module, characterized in that.
상기 제1 발광다이오드군의 후단에 연결되고, 상기 입력 전압 레벨이 상기 제1 기준 전압보다 높고 상기 제2 기준 전압보다 낮은 경우 상기 제1 발광다이오드군이 발광되기 위해 턴온(Turn-On)되고, 상기 입력 전압 레벨이 상기 제2 기준 전압보다 높은 경우 턴오프(Turn-Off)되는, 제1 드라이버 IC; 및
상기 제2 발광다이오드군의 후단에 연결되고, 상기 입력 전압 레벨이 상기 제2 기준 전압보다 높은 경우, 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군이 함께 발광되기 위해 턴온(Turn-On)되는 제2 드라이버 IC;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈.The method according to claim 1,
Connected to a rear end of the first LED group, and when the input voltage level is higher than the first reference voltage and lower than the second reference voltage, the first LED group is turned on to emit light, A first driver IC that is turned off when the input voltage level is higher than the second reference voltage; And
When the input voltage level is higher than the second reference voltage and connected to a rear end of the second LED group, the first LED group and the second LED group turn on to emit light together (Turn-On). And a second driver IC which is a color temperature variable type light emitting diode module.
상기 발광다이오드 모듈은 n(n은 3 이상의 정수)개의 발광다이오드군을 포함하며, 상기 n개의 발광다이오드군은 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군을 포함하는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈.The method according to claim 1,
The light emitting diode module includes n (n is an integer of 3 or more) light emitting diode groups, and the n light emitting diode groups include the first light emitting diode group and the second light emitting diode group. Light emitting diode module.
상기 제1 발광다이오드군 및 상기 제2 발광다이오드군에 전압을 인가하는 정류회로부;
상기 제1 발광다이오드군 및 상기 제2 발광다이오드군의 후단에 연결되어 전류 경로를 제어하는 드라이브 IC; 및
상기 정류회로부와 상기 드라이브 IC 사이에 위치하여, 입력 전압 레벨이 변하여도 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군 중 어느 하나의 발광다이오드군이 발광하지 않도록 스위칭하는 스위치부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈.The method according to claim 1,
A rectifier circuit unit applying a voltage to the first light emitting diode group and the second light emitting diode group;
A drive IC connected to a rear end of the first LED group and the second LED group to control a current path; And
A switch unit disposed between the rectifier circuit unit and the drive IC to switch the light emitting diode group of the first light emitting diode group and the second light emitting diode group not to emit light even when an input voltage level is changed; Color temperature variable type light emitting diode module, characterized in that.
상기 스위치부는, 상기 제1 발광다이오드군의 후단과 상기 드라이버IC 사이에 연결되는 제1 NMOS FET과, 상기 제2 발광다이오드군의 후단과 상기 드라이버IC 사이에 연결되는 제2 NMOS FET을 포함하며,
상기 제1 NMOS FET과 상기 제1 NMOS FET의 게이트 단자들은 상기 정류회로부의 출력단에 연결되는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광 다이오드 모듈.The method according to claim 6,
The switch unit includes a first NMOS FET connected between the rear end of the first LED group and the driver IC, and a second NMOS FET connected between the rear end of the second LED group and the driver IC.
And the gate terminals of the first NMOS FET and the first NMOS FET are connected to an output terminal of the rectifying circuit unit.
입력 전압 레벨이 변하더라도 상기 제1 발광다이오드군이 발광하지 않도록 스위칭하기 위해 상기 제1 NMOS FET의 게이트 단자가 접지단과 연결되는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈.The method according to claim 7, wherein the switch unit,
And a gate terminal of the first NMOS FET is connected to a ground terminal so that the first LED group does not emit light even when an input voltage level is changed.
입력 전압 레벨이 변하더라도 상기 제2 발광다이오드군이 발광하지 않도록 스위칭하기 위해 상기 제2 NMOS FET의 게이트 단자가 접지단과 연결되는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈.The method according to claim 7, wherein the switch unit,
And a gate terminal of the second NMOS FET is connected to a ground terminal so that the second LED group does not emit light even if an input voltage level changes.
상기 제1 파장변환부는, 상기 복수개의 발광다이오드군 중 상기 제1 발광다이오드군에만 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광 다이오드 모듈.The method according to claim 1,
The first wavelength conversion unit is a color temperature variable light emitting diode module, characterized in that formed in only the first light emitting diode group of the plurality of light emitting diode groups.
기판;
상기 기판상에 제1 기준 전압 이상의 입력 전압 레벨에서 발광하는 제1 발광다이오드군과, 상기 제1 기준 전압보다 높은 제2 기준 전압 이상의 입력 전압 레벨에서 발광하는 제2 발광다이오드군을 포함하는 복수개의 발광 다이오드군;
상기 제1 발광다이오드군의 각각의 발광다이오드 상에 형성되며, 상기 제1 발광다이오드군의 각각의 발광다이오드군에서 방출하는 제1차 광을 제1 색온도의 제2 차광으로 발광하는 제1 파장변환부; 및
상기 제1 발광다이오드군, 상기 제1 파장변환부 및 상기 제2 발광 다이오드군 상에 형성되고, 상기 제1 발광다이오드군에서 방출하는 제1차 광 및 상기 제2 발광다이오드군에서 방출하는 제1차 광과, 상기 제1 파장 변환부에서 발광하는 상기 제2 차광의 일부 또는 전부를 제2 색온도의 제3차 광으로 발광하는 제2 파장변환부와 레진이 혼합된 봉지재;를 포함하고,
상기 교류 전원에 의해 입력되는 입력 전압 레벨에 따라, 상기 제2차 광과 상기 제3차 광이 혼합되어 발광되거나, 상기 제2차 광 및 상기 제3차 광 중 어느 하나만이 발광되는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광 다이오드 모듈.In the light emitting diode module which is driven by receiving AC power,
Board;
A plurality of first light emitting diode groups emitting light at an input voltage level higher than or equal to a first reference voltage on the substrate and a second light emitting diode group emitting light at an input voltage level higher than a second reference voltage higher than the first reference voltage; LED group;
A first wavelength conversion formed on each of the light emitting diodes of the first group of light emitting diodes and emitting first primary light emitted from each of the light emitting diode groups of the first group of light emitting diodes to a second light shielding of a first color temperature; part; And
A first light emitted from the first LED group, the first wavelength conversion unit, and the second LED group, and emitted from the first LED group and the second LED group An encapsulant comprising a light shield and a second wavelength converting portion and a resin mixed with a part or all of the second light shielding emitted from the first wavelength converting portion as a third order light having a second color temperature;
According to an input voltage level input by the AC power source, the secondary light and the tertiary light are mixed to emit light, or only one of the second and third light is emitted. Color temperature variable light emitting diode module.
상기 교류 전원에 의해 입력되는 입력 전압 레벨을 검출하여, 상기 입력 전압 레벨에 따라 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군을 순차적 또는 선택적으로 발광시키는 제어부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광 다이오드 모듈.The method according to claim 11,
And a controller configured to detect an input voltage level input by the AC power source and sequentially or selectively emit the first and second LED groups according to the input voltage level. Color temperature variable light emitting diode module.
상기 제1 발광다이오드군의 후단에 연결되고, 상기 입력 전압 레벨이 상기 제1 기준 전압보다 높고 상기 제2 기준 전압보다 낮은 경우 상기 제1 발광다이오드군이 발광되기 위해 턴온(Turn-On)되고, 상기 입력 전압 레벨이 상기 제2 기준 전압보다 높은 경우 턴오프(Turn-Off)되는, 제1 드라이버 IC; 및
상기 제2 발광다이오드군의 후단에 연결되고, 상기 입력 전압 레벨이 상기 제2 기준 전압보다 높은 경우, 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군이 함께 발광되기 위해 턴온(Turn-On)되는 제2 드라이버 IC;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈.The method according to claim 11,
Connected to a rear end of the first LED group, and when the input voltage level is higher than the first reference voltage and lower than the second reference voltage, the first LED group is turned on to emit light, A first driver IC that is turned off when the input voltage level is higher than the second reference voltage; And
When the input voltage level is higher than the second reference voltage and connected to a rear end of the second LED group, the first LED group and the second LED group turn on to emit light together (Turn-On). And a second driver IC which is a color temperature variable type light emitting diode module.
상기 제1 발광다이오드군 및 상기 제2 발광다이오드군에 전압을 인가하는 정류회로부;
상기 제1 발광다이오드군 및 상기 제2 발광다이오드군의 후단에 연결되어 전류 경로를 제어하는 드라이브 IC; 및
상기 정류회로부와 상기 드라이브 IC 사이에 위치하여, 입력 전압 레벨이 변하여도 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군 중 어느 하나의 발광다이오드군이 발광하지 않도록 스위칭하는 스위치부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈.The method according to claim 11,
A rectifier circuit unit applying a voltage to the first light emitting diode group and the second light emitting diode group;
A drive IC connected to a rear end of the first LED group and the second LED group to control a current path; And
A switch unit disposed between the rectifier circuit unit and the drive IC to switch the light emitting diode group of the first light emitting diode group and the second light emitting diode group not to emit light even when an input voltage level is changed; Color temperature variable type light emitting diode module, characterized in that.
기판;
상기 기판 상에 배치되고, 복수 개의 발광다이오드들과 상기 발광다이오드들 각각에 대응되게 형성되는 제1 파장변환부를 포함하는 제1 발광다이오드군;
상기 기판 상에 배치되고, 복수 개의 발광다이오드들을 포함하는 제2 발광다이오드군; 및
상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군을 봉지하며, 제2 파장변환부가 형성된 봉지층; 을 포함하며,
제1 기준 전압 이상의 입력 전압 레벨에서 상기 제1 발광다이오드군이 구동되어, 제1 색온도의 빛을 발광하고,
상기 제1 기준전압보다 높은 제2 기준 전압 레벨에서 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군이 구동되어, 제2 색온도의 빛을 발광하는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈.In the light emitting diode module which is driven by receiving AC power,
Board;
A first light emitting diode group disposed on the substrate, the first light emitting diode group including a plurality of light emitting diodes and a first wavelength converting portion formed to correspond to each of the light emitting diodes;
A second light emitting diode group disposed on the substrate and including a plurality of light emitting diodes; And
An encapsulation layer encapsulating the first light emitting diode group and the second light emitting diode group and having a second wavelength conversion portion; Including;
The first LED group is driven at an input voltage level equal to or greater than a first reference voltage to emit light having a first color temperature.
And the first LED group and the second LED group are driven at a second reference voltage level higher than the first reference voltage to emit light at a second color temperature.
상기 제1 파장변환부는 상기 제1 발광다이오드군 내 발광다이오드들에서 나온 빛을 적색 계열로 변화시키는 파장변환재료를 포함하고,
상기 제2 파장변환부는 상기 제2 발광다이오드군과 협력하여 백색 계열 빛을 만드는 파장변환재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈.The method according to claim 15,
The first wavelength conversion unit includes a wavelength conversion material that changes the light emitted from the light emitting diodes in the first light emitting diode group into a red series.
The second wavelength conversion unit includes a wavelength conversion material for producing a white light in cooperation with the second light emitting diode group, the color temperature variable light emitting diode module.
상기 제1 파장변환부는 상기 n(n은 3 이상의 정수)개의 발광다이오드군 중 상기 제1 발광다이오드군에 속한 발광다이오드에만 형성된 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈.The method according to claim 17,
The first wavelength conversion unit is a color temperature variable light emitting diode module, characterized in that formed only in the light emitting diodes belonging to the first light emitting diode group of the n (n is an integer of 3 or more).
상기 n(n은 3 이상의 정수)개의 발광다이오드군 중 제n 발광다이오드군에 속한 발광다이오드의 개수는 제n-1 발광다이오드군에 속한 발광다이오드의 개수보다 많은 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈.The method according to claim 17,
The number of light emitting diodes belonging to the nth light emitting diode group among the n (n is an integer greater than or equal to 3) light emitting diode groups, the color temperature variable type light emitting diode module, characterized in that more than the number of light emitting diodes belonging to the n-1 light emitting diode group. .
입력 전압 레벨을 검출하기 위한 제어부; 및
상기 제어부에서 검출된 입력 전압 레벨에 따라 상기 제어부에 의해 제어되어, 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군을 순차적으로 발광시키기 위해, 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군 각각의 후단에 연결되어, 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군의 발광시 전류 경로를 제공하는 드라이버 IC;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈.The method according to claim 15,
A controller for detecting an input voltage level; And
The first light emitting diode group and the second light emitting diode group are controlled by the control unit according to the input voltage level detected by the control unit to sequentially light the first light emitting diode group and the second light emitting diode group. And a driver IC connected to each rear end, the driver IC providing a current path when the first LED group and the second LED group emit light.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180083801A KR102555191B1 (en) | 2018-07-19 | 2018-07-19 | Color temperature variable chip on board light emitting diode module |
| US16/258,504 US10874001B2 (en) | 2018-01-26 | 2019-01-25 | Color temperature variable light emitting diode module, lighting device using the light emitting diode module and method for fabricating the light emitting diode module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180083801A KR102555191B1 (en) | 2018-07-19 | 2018-07-19 | Color temperature variable chip on board light emitting diode module |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200009433A true KR20200009433A (en) | 2020-01-30 |
| KR102555191B1 KR102555191B1 (en) | 2023-07-14 |
Family
ID=69321710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180083801A KR102555191B1 (en) | 2018-01-26 | 2018-07-19 | Color temperature variable chip on board light emitting diode module |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102555191B1 (en) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020048177A (en) | 2000-12-16 | 2002-06-22 | 이계철 | A Method of the Consulting Service for College Entrance with Wireless Handphone |
| KR20150070792A (en) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | 삼성전기주식회사 | Light emitting diode driving apparatus and light emitting diode lighting apparatus |
| US20160284950A1 (en) * | 2015-03-26 | 2016-09-29 | Edison Opto Corporation | Light-emitting diode packaging element |
-
2018
- 2018-07-19 KR KR1020180083801A patent/KR102555191B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020048177A (en) | 2000-12-16 | 2002-06-22 | 이계철 | A Method of the Consulting Service for College Entrance with Wireless Handphone |
| KR20150070792A (en) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | 삼성전기주식회사 | Light emitting diode driving apparatus and light emitting diode lighting apparatus |
| US20160284950A1 (en) * | 2015-03-26 | 2016-09-29 | Edison Opto Corporation | Light-emitting diode packaging element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102555191B1 (en) | 2023-07-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10874001B2 (en) | Color temperature variable light emitting diode module, lighting device using the light emitting diode module and method for fabricating the light emitting diode module | |
| KR100728134B1 (en) | Light emitting apparatus | |
| US20110037081A1 (en) | White light-emitting diode packages with tunable color temperature | |
| EP2527728B1 (en) | Variable color light emitting device and illumination apparatus using the same | |
| US20180286841A1 (en) | Variable Resistance LED Device and Method | |
| KR20090001104A (en) | Light emitting apparatus having various color temperature | |
| KR101508006B1 (en) | Light emitting diode type hybrid power package module | |
| US20200146119A1 (en) | Wirelessly Controllable Lighting Modules | |
| JP2013191685A (en) | Light-emitting device and luminaire using the same | |
| KR101071020B1 (en) | Led module for illumination and illumination apparatus including the same | |
| US8476653B2 (en) | Light-emitting diode package | |
| US20130049632A1 (en) | Light emitting device package, lighting device and lighting system comprisng the same | |
| US9807844B2 (en) | LED module | |
| KR102555191B1 (en) | Color temperature variable chip on board light emitting diode module | |
| JP5946311B2 (en) | LED module | |
| US20160320042A1 (en) | Modularized light-emitting device | |
| US20130094180A1 (en) | Coated diffuser cap for led illumination device | |
| KR102508840B1 (en) | Color temperature variable chip on board module, lighting apparatus and manufacturing method thereof | |
| KR102068377B1 (en) | Lighting device, lighting arrangement comprising lighting device and method for operating a lighting device | |
| US20150380612A1 (en) | Color-Tunable Light Emitting Device | |
| US20200053852A1 (en) | Light emitting device | |
| KR20100038252A (en) | White light emitting diode package | |
| KR20180054327A (en) | Light emitting device | |
| JP2017139404A (en) | LED module | |
| KR100707870B1 (en) | Led package having a plurality of led chip |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |