KR102555191B1 - Color temperature variable chip on board light emitting diode module - Google Patents

Color temperature variable chip on board light emitting diode module Download PDF

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Abstract

기판, 상기 기판 상에 제1 기준 전압 이상의 입력 전압 레벨에서 발광하는 제1 발광다이오드군과 제1 기준 전압보다 높은 제2 기준 전압 이상의 입력 전압 레벨에서 발광하는 제2 발광다이오드군을 포함하며, 제1 발광다이오드군은, 적어도 하나의 발광다이오드가 직렬 연결된 제1 발광다이오드 유닛과, 제1 발광다이오드 유닛에 직렬 연결되며 적어도 하나의 발광다이오드가 직렬 연결된 제2 발광다이오드 유닛을 포함하는, 복수 개의 발광다이오드군, 제1 발광다이오드 유닛 및 제2 발광다이오드 유닛을 구성하는 각각의 발광다이오드 상에 형성되며, 제1 발광다이오드 유닛 및 제2 발광다이오드 유닛에서 방출하는 제1차 광을 제1 색온도의 제2차 광으로 발광하는 제1 파장변환부, 그리고, 제1 발광다이오드군, 제1 파장변환부 및 제2 발광다이오드군 상에 형성되고, 제1 발광다이오드군에서 방출하는 제1차 광 및 제2 발광다이오드군에서 방출하는 제1차 광과, 제1 파장변환부에서 발광하는 제2차 광의 일부 또는 전부를 제2 색온도의 제3차 광으로 발광하는 제2 파장변환부를 포함하고, 입력 전압 레벨에 따라, 제2차 광과 제3차 광이 혼합되어 발광되거나, 제2차 광 및 제3차 광 중 어느 하나만이 발광되는 색온도 가변형 발광 다이오드 모듈이 개시된다.a substrate; a first light emitting diode group emitting light at an input voltage level higher than a first reference voltage and a second light emitting diode group emitting light at an input voltage level higher than a second reference voltage higher than the first reference voltage; One light emitting diode group includes a plurality of light emitting diode units, including a first light emitting diode unit in which at least one light emitting diode is connected in series, and a second light emitting diode unit in which at least one light emitting diode is connected in series with the first light emitting diode unit. It is formed on each of the light emitting diodes constituting the diode group, the first light emitting diode unit, and the second light emitting diode unit, and the first order light emitted from the first light emitting diode unit and the second light emitting diode unit has a first color temperature. A first wavelength conversion unit emitting secondary light, and formed on the first light emitting diode group, the first wavelength conversion unit, and the second light emitting diode group, and the primary light emitted from the first light emitting diode group and the second light emitting diode group. 2 a second wavelength converter for emitting tertiary light of a second color temperature from part or all of the first order light emitted from the group of light emitting diodes and the second order light emitted from the first wavelength converter; Disclosed is a color temperature variable light emitting diode module in which secondary light and tertiary light are mixed and emitted according to levels, or only one of the secondary light and the tertiary light is emitted.

Description

색온도 가변형 발광다이오드 모듈{COLOR TEMPERATURE VARIABLE CHIP ON BOARD LIGHT EMITTING DIODE MODULE}Color Temperature Variable Light Emitting Diode Module {COLOR TEMPERATURE VARIABLE CHIP ON BOARD LIGHT EMITTING DIODE MODULE}

본 발명은 발광다이오드 모듈에 관한 것으로서, 더 상세하게는, 입력 전압의 크기에 따라 출력광의 색온도가 변하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode module, and more particularly, to a color temperature variable light emitting diode module in which the color temperature of output light changes according to the magnitude of an input voltage.

근래 들어, 조명, 디스플레이 등 다양한 용도로 발광다이오드(Light Emitting Diode, LED) 등의 발광소자를 사용하는 경우가 크게 늘어나고 있다. 특히, 발광다이오드(LED)는 종래의 광원에 비하여 소형이고 수명이 길 뿐만 아니라 전기 에너지가 빛 에너지로 직접 변환되기 때문에 전력이 적게 소모되어 에너지 효율이 우수하며 고속응답 특성을 보인다는 장점을 가진다.In recent years, cases in which light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) are used for various purposes such as lighting and displays are greatly increasing. In particular, the light emitting diode (LED) is smaller than conventional light sources, has a long lifespan, and since electric energy is directly converted into light energy, it consumes less power, has excellent energy efficiency, and exhibits high-speed response characteristics.

그런데, 상기 발광다이오드를 사용하여 할로겐 조명 등과 같이 색온도 가변이 가능한 조명 장치 등을 구성하는 경우, 종래에는 도 1에서 볼 수 있는 바와 같이 기판에 복수의 발광다이오드(11)를 실장하고, 일부 영역에는 높은 색온도의 형광체가 포함된 봉지재(12)를 도포하여 건조한 후, 다른 일부 영역에는 낮은 색온도의 형광체가 포함된 봉지재(13)를 도포하여 건조하는 방식으로 발광다이오드 모듈을 구성하였다. By the way, in the case of constructing a lighting device capable of variable color temperature, such as a halogen light, using the light emitting diode, conventionally, as shown in FIG. 1, a plurality of light emitting diodes 11 are mounted on a substrate, and in some areas After applying and drying the encapsulant 12 containing the phosphor of high color temperature, the light emitting diode module was configured in such a way that the encapsulant 13 containing the phosphor of low color temperature was applied to some other areas and dried.

그러나, 이와 같은 경우 낮은 색온도에 해당하는 영역과 높은 색온도에 해당하는 영역을 명확하게 구분하여 서로 다른 봉지재를 도포하여야 하는 어려움이 따르며, 특히 칩온보드(Chip On Board, COB)와 같이 공간이 제한되는 경우 봉지재를 영역별로 구분하여 정확하게 도포하기가 더욱 어려워진다. However, in this case, it is difficult to clearly distinguish the area corresponding to a low color temperature from the area corresponding to a high color temperature and apply different encapsulants. In this case, it becomes more difficult to accurately apply the encapsulant by region.

이에 따라, 2종 이상의 형광체를 포함하는 봉지재를 사용하여 조명 장치를 구성하는 경우 제품별로 색온도가 일정하지 않아 편차가 커질 수 있고, 나아가 각 영역별로 서로 다른 봉지재를 도포하는 공정을 2차례 이상 반복하게 되면서 공정에 소요되는 시간 및 비용이 늘어나는 문제점이 따르게 된다.Accordingly, when a lighting device is configured using an encapsulant containing two or more types of phosphors, the color temperature of each product is not constant, which may increase the deviation, and furthermore, the process of applying different encapsulants for each area is performed two or more times. As it is repeated, a problem of increasing time and cost for the process follows.

미국 특허공보 제2002/0048177호US Patent Publication No. 2002/0048177

본 발명은, 제1 발광다이오드군 내 발광다이오드들 각각에 대응되게 형성된 제1 파장변환부와 제1 발광다이오드군 및 제2 발광다이오드군 내 발광다이오드들을 모두 덮도록 제공된 제2 파장변환부를 포함하고, 입력 전압에 따라, 제1 발광다이오드군과 제2 발광다이오드군이 순차적으로 동작하도록 구성됨으로써, 종래 기술의 여러 문제점들을 해결한, 색온도 가변형 발광다이오드 모듈을 제공하는 것이다.The present invention includes a first wavelength conversion unit formed to correspond to each of the light emitting diodes in the first light emitting diode group and a second wavelength conversion unit provided to cover all of the light emitting diodes in the first and second light emitting diode groups, , According to the input voltage, the first light emitting diode group and the second light emitting diode group are configured to sequentially operate, thereby providing a color temperature variable light emitting diode module that solves various problems of the prior art.

그 외 본 발명의 세부적인 목적은 이하에 기재되는 구체적인 내용을 통하여 이 기술 분야의 전문가나 연구자에게 자명하게 파악되고 이해될 것이다.Other detailed objects of the present invention will be clearly identified and understood by experts or researchers in the art through the specific contents described below.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른, 교류 전원을 인가받아 구동되는 발광다이오드 모듈은, 기판, 상기 기판 상에 제1 기준 전압 이상의 입력 전압 레벨에서 발광하는 제1 발광다이오드군과 상기 제1 기준 전압보다 높은 제2 기준 전압 이상의 입력 전압 레벨에서 발광하는 제2 발광다이오드군을 포함하며, 상기 제1 발광다이오드군은, 적어도 하나의 발광다이오드가 직렬 연결된 제1 발광다이오드 유닛과, 상기 제1 발광다이오드 유닛에 직렬 연결되며 적어도 하나의 발광다이오드가 직렬 연결된 제2 발광다이오드 유닛을 포함하는, 복수 개의 발광다이오드군, 상기 제1 발광다이오드 유닛 및 상기 제2 발광다이오드 유닛을 구성하는 각각의 발광다이오드 상에 형성되며, 상기 제1 발광다이오드 유닛 및 상기 제2 발광다이오드 유닛에서 방출하는 제1차 광을 제1 색온도의 제2차 광으로 발광하는 제1 파장변환부, 그리고, 상기 제1 발광다이오드군, 상기 제1 파장변환부 및 상기 제2 발광다이오드군 상에 형성되고, 상기 제1 발광다이오드군에서 방출하는 제1차 광 및 상기 제2 발광다이오드군에서 방출하는 제1차 광과, 상기 제1 파장변환부에서 발광하는 상기 제2차 광의 일부 또는 전부를 제2 색온도의 제3차 광으로 발광하는 제2 파장변환부를 포함하고, 상기 교류 전원에 의해 입력되는 입력 전압 레벨에 따라, 상기 제2차 광과 상기 제3차 광이 혼합되어 발광되거나, 상기 제2차 광 및 상기 제3차 광 중 어느 하나만이 발광되는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present invention for solving the above problems, a light emitting diode module driven by receiving AC power includes a substrate, a first light emitting diode group emitting light at an input voltage level higher than a first reference voltage on the substrate, and the and a second light emitting diode group emitting light at an input voltage level equal to or higher than a second reference voltage higher than the first reference voltage, wherein the first light emitting diode group includes a first light emitting diode unit having at least one light emitting diode connected in series; A plurality of light emitting diode groups including a second light emitting diode unit connected in series to the first light emitting diode unit and having at least one light emitting diode connected in series, each constituting the first light emitting diode unit and the second light emitting diode unit A first wavelength converter formed on a light emitting diode and configured to emit the first light emitted from the first light emitting diode unit and the second light emitting diode unit as a second light having a first color temperature; It is formed on the light emitting diode group, the first wavelength conversion unit, and the second light emitting diode group, and the first light emitted from the first light emitting diode group and the first light emitted from the second light emitting diode group A second wavelength converter for emitting some or all of the secondary light emitted from the first wavelength converter as tertiary light having a second color temperature, according to an input voltage level input by the AC power supply. , The second-order light and the third-order light are mixed and emitted, or only one of the second-order light and the third-order light is emitted.

일 실시예에 따라, 상기 교류 전원에 의해 입력되는 입력 전압 레벨을 검출하여, 상기 입력 전압 레벨에 따라 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군을 순차적 또는 선택적으로 발광시키는 제어부를 더 포함한다.According to an embodiment, a control unit for detecting an input voltage level input by the AC power supply and sequentially or selectively emitting light of the first light emitting diode group and the second light emitting diode group according to the input voltage level is included. do.

일 실시예에 따라, 상기 제1 발광다이오드군의 후단과 상기 제2 발광다이오드군의 후단에 연결되어, 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군이 발광 시, 전류 경로를 제공하는 드라이버 IC를 더 포함한다.According to an embodiment, a driver connected to a rear end of the first light emitting diode group and a rear end of the second light emitting diode group to provide a current path when the first light emitting diode group and the second light emitting diode group emit light. It further contains IC.

일 실시예에 따라, 상기 제1 발광다이오드군의 후단에 연결되고, 상기 입력 전압 레벨이 상기 제1 기준 전압보다 높고 상기 제2 기준 전압보다 낮은 경우 상기 제1 발광다이오드군이 발광되기 위해 턴온(Turn-On)되고, 상기 입력 전압 레벨이 상기 제2 기준 전압보다 높은 경우 턴오프(Turn-Off)되는, 제1 드라이버 IC, 및 상기 제2 발광다이오드군의 후단에 연결되고, 상기 입력 전압 레벨이 상기 제2 기준 전압보다 높은 경우, 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군이 함께 발광되기 위해 턴온(Turn-On)되는 제2 드라이버 IC를 더 포함한다.According to an embodiment, it is connected to the rear end of the first light emitting diode group, and when the input voltage level is higher than the first reference voltage and lower than the second reference voltage, the first light emitting diode group is turned on to emit light ( connected to a first driver IC, which is turned on and turned off when the input voltage level is higher than the second reference voltage, and a rear end of the second light emitting diode group, and is connected to the input voltage level When the voltage is higher than the second reference voltage, a second driver IC which is turned on so that the first light emitting diode group and the second light emitting diode group emit light together is further included.

일 실시예에 따라, 상기 발광다이오드 모듈은 n(n은 3 이상의 정수)개의 발광다이오드군을 포함하며, 상기 n개의 발광다이오드군은 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군을 포함한다.According to an embodiment, the light emitting diode module includes n (n is an integer of 3 or more) light emitting diode groups, and the n light emitting diode groups include the first light emitting diode group and the second light emitting diode group. .

일 실시예에 따라, 상기 제1 발광다이오드군 및 상기 제2 발광다이오드군에 전압을 인가하는 정류회로부, 상기 제1 발광다이오드군 및 상기 제2 발광다이오드군의 후단에 연결되어 전류 경로를 제어하는 드라이브 IC, 및 상기 정류회로부와 상기 드라이브 IC 사이에 위치하여, 입력 전압 레벨이 변하여도 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군 중 어느 하나의 발광다이오드군이 발광하지 않도록 스위칭하는 스위치부를 더 포함한다.According to an embodiment, a rectifier circuit unit for applying a voltage to the first light emitting diode group and the second light emitting diode group, connected to rear ends of the first light emitting diode group and the second light emitting diode group to control a current path A drive IC and a switch unit positioned between the rectifier circuit unit and the drive IC to switch so that either one of the first light emitting diode group and the second light emitting diode group does not emit light even when the input voltage level changes. contains more

일 실시예에 따라, 상기 스위치부는, 상기 제1 발광다이오드군의 후단과 상기 드라이버IC 사이에 연결되는 제1 NMOS FET과, 상기 제2 발광다이오드군의 후단과 상기 드라이버IC 사이에 연결되는 제2 NMOS FET을 포함하며, According to an exemplary embodiment, the switch unit may include a first NMOS FET connected between a rear end of the first light emitting diode group and the driver IC, and a second NMOS FET connected between a rear end of the second light emitting diode group and the driver IC. Including NMOS FETs,

상기 제1 NMOS FET과 상기 제1 NMOS FET의 게이트 단자들은 상기 정류회로부의 출력단에 연결된다.The first NMOS FET and gate terminals of the first NMOS FET are connected to an output terminal of the rectifying circuit unit.

일 실시예에 따라, 상기 스위치부는, 입력 전압 레벨이 변하더라도 상기 제1 발광다이오드군이 발광하지 않도록 스위칭하기 위해 상기 제1 NMOS FET의 게이트 단자가 접지단과 연결된다.According to an embodiment, in the switch unit, a gate terminal of the first NMOS FET is connected to a ground terminal in order to switch the first light emitting diode group not to emit light even when the input voltage level changes.

일 실시예에 따라, 상기 스위치부는, 입력 전압 레벨이 변하더라도 상기 제2 발광다이오드군이 발광하지 않도록 스위칭하기 위해 상기 제2 NMOS FET의 게이트 단자가 접지단과 연결된다.According to an embodiment, in the switch unit, a gate terminal of the second NMOS FET is connected to a ground terminal in order to switch the second light emitting diode group not to emit light even when the input voltage level changes.

일 실시예에 따라, 상기 제1 파장변환부는, 상기 복수개의 발광다이오드군 중 상기 제1 발광다이오드군에만 형성되어 있다.According to an embodiment, the first wavelength conversion unit is formed only in the first light emitting diode group among the plurality of light emitting diode groups.

본 발명의 다른 측면에 따른, 교류 전원을 인가받아 구동되는 발광다이오드 모듈은, 기판, 상기 기판상에 제1 기준 전압 이상의 입력 전압 레벨에서 발광하는 제1 발광다이오드군과, 상기 제1 기준 전압보다 높은 제2 기준 전압 이상의 입력 전압 레벨에서 발광하는 제2 발광다이오드군을 포함하는 복수개의 발광 다이오드군, 상기 제1 발광다이오드군의 각각의 발광다이오드 상에 형성되며, 상기 제1 발광다이오드군의 각각의 발광다이오드군에서 방출하는 제1차 광을 제1 색온도의 제2 차광으로 발광하는 제1 파장변환부, 그리고, 상기 제1 발광다이오드군, 상기 제1 파장변환부 및 상기 제2 발광 다이오드군 상에 형성되고, 상기 제1 발광다이오드군에서 방출하는 제1차 광 및 상기 제2 발광다이오드군에서 방출하는 제1차 광과, 상기 제1 파장 변환부에서 발광하는 상기 제2 차광의 일부 또는 전부를 제2 색온도의 제3차 광으로 발광하는 제2 파장변환부와 레진이 혼합된 봉지재를 포함하고, 상기 교류 전원에 의해 입력되는 입력 전압 레벨에 따라, 상기 제2차 광과 상기 제3차 광이 혼합되어 발광되거나, 상기 제2차 광 및 상기 제3차 광 중 어느 하나만이 발광된다.According to another aspect of the present invention, a light emitting diode module driven by receiving AC power includes a substrate, a first group of light emitting diodes emitting light at an input voltage level higher than a first reference voltage on the substrate, and a voltage higher than the first reference voltage. It is formed on a plurality of light emitting diode groups including a second light emitting diode group emitting light at an input voltage level equal to or higher than the second reference voltage, and each light emitting diode of the first light emitting diode group, each of the first light emitting diode group A first wavelength conversion unit for emitting a first order light emitted from a group of light emitting diodes as a second block light having a first color temperature, and the first light emitting diode group, the first wavelength conversion unit, and the second light emitting diode group formed on the first light emitting diode group, the first light emitted from the first light emitting diode group and the first light emitted from the second light emitting diode group, and a part of the second light emitting light emitted from the first wavelength converter; or It includes an encapsulant in which a resin is mixed with a second wavelength conversion unit emitting light as tertiary light of a second color temperature, and the secondary light and the first light are generated according to an input voltage level input by the AC power supply. Tertiary lights are mixed and emitted, or only one of the secondary light and the tertiary light is emitted.

일 실시예에 따라, 상기 교류 전원에 의해 입력되는 입력 전압 레벨을 검출하여, 상기 입력 전압 레벨에 따라 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군을 순차적 또는 선택적으로 발광시키는 제어부를 더 포함한다.According to an embodiment, a control unit for detecting an input voltage level input by the AC power supply and sequentially or selectively emitting light of the first light emitting diode group and the second light emitting diode group according to the input voltage level is included. do.

일 실시예에 따라, 상기 제1 발광다이오드군의 후단에 연결되고, 상기 입력 전압 레벨이 상기 제1 기준 전압보다 높고 상기 제2 기준 전압보다 낮은 경우 상기 제1 발광다이오드군이 발광되기 위해 턴온(Turn-On)되고, 상기 입력 전압 레벨이 상기 제2 기준 전압보다 높은 경우 턴오프(Turn-Off)되는, 제1 드라이버 IC, 및 상기 제2 발광다이오드군의 후단에 연결되고, 상기 입력 전압 레벨이 상기 제2 기준 전압보다 높은 경우, 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군이 함께 발광되기 위해 턴온(Turn-On)되는 제2 드라이버 IC를 더 포함한다.According to an embodiment, it is connected to the rear end of the first light emitting diode group, and when the input voltage level is higher than the first reference voltage and lower than the second reference voltage, the first light emitting diode group is turned on to emit light ( connected to a first driver IC, which is turned on and turned off when the input voltage level is higher than the second reference voltage, and a rear end of the second light emitting diode group, and is connected to the input voltage level When the voltage is higher than the second reference voltage, a second driver IC which is turned on so that the first light emitting diode group and the second light emitting diode group emit light together is further included.

일 실시예에 따라, 상기 제1 발광다이오드군 및 상기 제2 발광다이오드군에 전압을 인가하는 정류회로부와, 상기 제1 발광다이오드군 및 상기 제2 발광다이오드군의 후단에 연결되어 전류 경로를 제어하는 드라이브 IC와, 상기 정류회로부와 상기 드라이브 IC 사이에 위치하여, 입력 전압 레벨이 변하여도 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군 중 어느 하나의 발광다이오드군이 발광하지 않도록 스위칭하는 스위치부를 더 포함한다.According to an embodiment, a rectifier circuit unit for applying a voltage to the first light emitting diode group and the second light emitting diode group is connected to rear ends of the first light emitting diode group and the second light emitting diode group to control a current path. a drive IC, and a switch positioned between the rectifier circuit unit and the drive IC to switch so that either one of the first light emitting diode group and the second light emitting diode group does not emit light even when the input voltage level changes. include more wealth

본 발명의 또 다른 측면에 따른 교류 전원을 인가받아 구동되는 발광다이오드 모듈은, 기판, 상기 기판 상에 배치되고, 복수 개의 발광다이오드들과 상기 발광다이오드들 각각에 대응되게 형성되는 제1 파장변환부를 포함하는 제1 발광다이오드군, 상기 기판 상에 배치되고, 복수 개의 발광다이오드들을 포함하는 제2 발광다이오드군, 그리고 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군을 봉지하며, 제2 파장변환부가 형성된 봉지층을 포함하며, 제1 기준 전압 이상의 입력 전압 레벨에서 상기 제1 발광다이오드군이 구동되어, 제1 색온도의 빛을 발광하고, 상기 제1 기준전압보다 높은 제2 기준 전압 레벨에서 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군이 구동되어, 제2 색온도의 빛을 발광한다.A light emitting diode module driven by receiving AC power according to another aspect of the present invention includes a substrate, a plurality of light emitting diodes disposed on the substrate, and a first wavelength conversion unit formed to correspond to each of the light emitting diodes. A first light emitting diode group including a first light emitting diode group, a second light emitting diode group disposed on the substrate and including a plurality of light emitting diodes, and encapsulating the first light emitting diode group and the second light emitting diode group, and a second wavelength conversion and an encapsulation layer having a portion formed thereon, wherein the first group of light emitting diodes are driven at an input voltage level equal to or higher than a first reference voltage to emit light having a first color temperature, and at a level of a second reference voltage higher than the first reference voltage. The first light emitting diode group and the second light emitting diode group are driven to emit light having a second color temperature.

일 실시예에 따라, 상기 제1 파장변환부는 상기 제1 발광다이오드군 내 발광다이오드들에서 나온 빛을 적색 계열로 변화시키는 파장변환재료를 포함하고, 상기 제2 파장변환부는 상기 제2 발광다이오드군과 협력하여 백색 계열 빛을 만드는 파장변환재료를 포함한다.According to an embodiment, the first wavelength conversion unit includes a wavelength conversion material that converts light emitted from the light emitting diodes in the first light emitting diode group into a red color, and the second wavelength conversion unit includes the second light emitting diode group. It includes a wavelength conversion material that makes white-based light in cooperation with.

일 실시예에 따라, 상기 발광다이오드 모듈은 n(n은 3 이상의 정수)개의 발광다이오드군을 포함하며, 상기 n개의 발광다이오드군은 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군을 포함한다.According to an embodiment, the light emitting diode module includes n (n is an integer of 3 or more) light emitting diode groups, and the n light emitting diode groups include the first light emitting diode group and the second light emitting diode group. .

일 실시예에 따라, 상기 제1 파장변환부는 상기 n(n은 3 이상의 정수)개의 발광다이오드군 중 상기 제1 발광다이오드군에 속한 발광다이오드에만 형성된다.According to an embodiment, the first wavelength conversion unit is formed only in light emitting diodes belonging to the first light emitting diode group among the n (n is an integer of 3 or more) light emitting diode groups.

일 실시예에 따라, 상기 n(n은 3 이상의 정수)개의 발광다이오드군 중 제n 발광다이오드군에 속한 발광다이오드의 개수는 제n-1 발광다이오드군에 속한 발광다이오드의 개수보다 많다.According to an embodiment, the number of light emitting diodes belonging to the nth light emitting diode group among the n (n is an integer of 3 or more) light emitting diode groups is greater than the number of light emitting diodes belonging to the n−1 th light emitting diode group.

일 실시예에 따라, 입력 전압 레벨을 검출하기 위한 제어부와, 상기 제어부에서 검출된 입력 전압 레벨에 따라 상기 제어부에 의해 제어되어, 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군을 순차적으로 발광시키기 위해, 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군 각각의 후단에 연결되어, 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군의 발광시 전류 경로를 제공하는 드라이버 IC를 더 포함한다.According to an exemplary embodiment, the first light emitting diode group and the second light emitting diode group sequentially emit light according to a control unit for detecting an input voltage level and controlled by the control unit according to the input voltage level detected by the control unit. To do so, the driver IC is connected to the rear end of each of the first light emitting diode group and the second light emitting diode group to provide a current path when the first light emitting diode group and the second light emitting diode group emit light. .

본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈은, 교류 전원을 인가받아 복수의 발광다이오드가 구동되는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈로서, 형광체 필름일 수 있는 제1 파장변환부가 구비되는 하나 이상의 발광다이오드를 포함하는 제1 발광다이오드군과, 봉지층에 포함된 제2 파장변환부가 덮고 있는 발광다이오드들을 포함하는 제2 발광다이오드군이 순차 구동되면서, 색온도 가변이 가능한 것이다. 이러한 색온도 가변형 발광다이오드 모듈은 종래 기술의 방식, 즉, 복수의 영역으로 나누어 서로 다른 봉지재를 도포하는 방식으로 인한 공정 상의 복잡함과 어려움을 개선할 수 있고, 또한, 색온도가 다른 영역이 복수의 영역으로 구분되는 것에 따른 제품별 색온도 편차의 발생의 문제점을 해결할 수 있다.A color temperature variable light emitting diode module according to an embodiment of the present invention is a color temperature variable light emitting diode module in which a plurality of light emitting diodes are driven by receiving AC power, and includes one or more light emitting diodes having a first wavelength conversion unit that can be a phosphor film. While the first light emitting diode group including and the second light emitting diode group including light emitting diodes covered by the second wavelength conversion unit included in the encapsulation layer are sequentially driven, the color temperature can be varied. This color temperature variable light emitting diode module can improve the complexity and difficulty of the process due to the conventional method, that is, the method of dividing into a plurality of areas and applying different encapsulants, and also, the areas with different color temperatures can be divided into a plurality of areas. It is possible to solve the problem of the occurrence of color temperature deviation for each product according to the classification.

나아가, 본 발명은, 복수의 영역 별로 서로 다른 봉지재의 도포 공정을 복수회 반복함으로 인해, 소요 시간 및 비용이 증가하는 종래기술과 달리, 봉지재 도포 공정이 1회만으로 이루어질 수 있으므로, 위 종래 기술의 문제점을 해결할 수 있다.Furthermore, the present invention, unlike the prior art in which the time and cost increase due to repeating the application process of different encapsulants for each of a plurality of areas a plurality of times, since the encapsulant application process can be performed only once, the above prior art can solve the problem of

본 발명에 관한 이해를 돕기 위해 상세한 설명의 일부로 포함되는, 첨부도면은 본 발명에 대한 실시예를 제공하고, 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 설명한다.
도 1은 종래 기술에 따른 발광다이오드 모듈의 예시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈을 도시한 평면도이다.
도 3은 도 2의 I-I를 따라 취해진 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈을 도시한 평면도이다.
도 5는 도 4의 II-II를 따라 취해진 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따라 제어부를 구비하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈의 동작을 설명하는 도면이다.
도 7 및 도 8은 2개보다 많은 발광다이오드군을 포함하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈의 여러 예들을 설명하기 위한 도면들이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈 제작 방법의 순서도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈을 설명하기 위한 도면이다.The accompanying drawings, which are included as part of the detailed description to aid understanding of the present invention, provide examples of the present invention and explain the technical idea of the present invention together with the detailed description.
1 is an exemplary view of a light emitting diode module according to the prior art.
2 is a plan view illustrating a color temperature variable light emitting diode module according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a cross-sectional view taken along line II of Figure 2;
4 is a plan view illustrating a color temperature variable light emitting diode module according to another embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view taken along line II-II of FIG. 4;
6 is a diagram explaining the operation of a color temperature variable light emitting diode module having a control unit according to another embodiment of the present invention.
7 and 8 are diagrams for explaining various examples of a color temperature variable light emitting diode module including more than two light emitting diode groups.
9 is a flowchart of a method for manufacturing a variable color temperature light emitting diode module according to an embodiment of the present invention.
10 is a diagram for explaining a color temperature variable light emitting diode module according to another embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 첨가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다. 또한, 이하에서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명할 것이나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정하거나 제한되지 않고 당업자에 의해 실시될 수 있음은 물론이다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. First, in adding reference numerals to components of each drawing, it should be noted that the same components have the same numerals as much as possible even if they are displayed on different drawings. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. In addition, although preferred embodiments of the present invention will be described below, the technical spirit of the present invention is not limited or limited thereto and can be practiced by those skilled in the art, of course.

이하에서는, 본 발명에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)의 예시적인 실시형태들을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the color temperature variable light emitting diode module 100 according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도 2에는 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)이 도시되어 있으며, 도 3에는 상기 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)의 단면도가 도시되어 있다.First, FIG. 2 shows a color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 shows a cross-sectional view of the color temperature variable light emitting diode module 100 .

도 2 및 도 3에서 볼 수 있는 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)은, 교류 전원을 인가받아 발광하는 복수의 발광다이오드(121, 131)를 포함하는 발광다이오드 모듈로서, 상기 복수의 발광다이오드(121, 131)가 실장되는 기판(110) 및 상기 기판(110)에 배치되어 입력 전압 레벨에 따라 순차 동작하는 복수의 발광다이오드군(120, 130)을 포함한다.As can be seen in FIGS. 2 and 3 , the color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention is a light emitting diode module including a plurality of light emitting diodes 121 and 131 emitting light when AC power is applied thereto. A diode module, including a substrate 110 on which the plurality of light emitting diodes 121 and 131 are mounted and a plurality of light emitting diode groups 120 and 130 disposed on the substrate 110 and sequentially operating according to an input voltage level do.

상기 복수의 발광다이오드군은 제1 발광다이오드군(120)과 제2 발광다이오드군(130)을 포함한다. 상기 제1 발광다이오드군(120)은 제1 기준 전압 이상의 입력 전압 레벨에서 동작하고, 상기 제2 발광다이오드군(130)은 상기 제1 기준 전압보다 높은 제2 기준 전압 이상의 입력 전압 레벨에서 동작한다.The plurality of light emitting diode groups include a first light emitting diode group 120 and a second light emitting diode group 130 . The first light emitting diode group 120 operates at an input voltage level higher than a first reference voltage, and the second light emitting diode group 130 operates at an input voltage level higher than a second reference voltage higher than the first reference voltage. .

또한, 상기 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)은, 상기 제1 발광다이오드군(120) 내 발광다이오드(121)들 각각에 대응되게 형성되어 상기 제1 발광다이오드군(120)에서 발생한 빛을 제1 색온도의 빛으로 만드는 제1 파장변환부(122)와, 상기 제1 발광다이오드군(120) 내 발광다이오드(121)들과 상기 제2 발광다이오드군(130) 내 발광다이오드(131)들을 모두 덮도록 형성된 제2 파장변환부(141)를 포함한다. 이때, 상기 제2 파장변환부(141)는 상기 제1 파장변환부(122)와 협력하여 상기 제1 발광다이오드군(120) 및 제2 발광다이오드군(130)에서 발생한 빛을 제2 색온도의 빛으로 만든다.In addition, the color temperature variable light emitting diode module 100 is formed to correspond to each of the light emitting diodes 121 in the first light emitting diode group 120, and transmits the light generated from the first light emitting diode group 120 to the first light emitting diode group 120. Covering the first wavelength conversion unit 122 that makes light of the color temperature, the light emitting diodes 121 in the first light emitting diode group 120, and the light emitting diodes 131 in the second light emitting diode group 130 and a second wavelength conversion unit 141 formed to At this time, the second wavelength conversion unit 141 cooperates with the first wavelength conversion unit 122 to convert the light generated from the first light emitting diode group 120 and the second light emitting diode group 130 to a second color temperature. made of light

상기 제1 발광다이오드군(120) 내 발광다이오드(121)들은 청색 또는 자외선 빛을 발생시킨다. 그리고, 상기 제1 파장변환부(122)는, 상기 제1 발광다이오드군(120) 내 발광다이오드(121)들 각각의 상면 및 측면들을 덮는 파장변환막(더 구체적으로는, 형광체막)으로 제공되어, 상기 제1 발광다이오드군(120)에서 발생한 빛을 적색 계열 빛으로 파장 변환시킨다. 파장변환막은 적색 형광체 또는 퀀텀닷 등의 파장변환재료일 수 있다.The light emitting diodes 121 in the first light emitting diode group 120 generate blue or ultraviolet light. In addition, the first wavelength conversion unit 122 is provided as a wavelength conversion film (more specifically, a phosphor film) covering the top and side surfaces of each of the light emitting diodes 121 in the first light emitting diode group 120. As a result, the wavelength of light generated from the first light emitting diode group 120 is converted into red-based light. The wavelength conversion film may be a wavelength conversion material such as red phosphor or quantum dot.

상기 제2 발광다이오드군(130) 내 발광다이오드(131)들은 청색 빛을 발생시킨다. 또한 상기 제2 발광다이오드군(130) 내 발광다이오드(131)들에는 전술한 제1 파장변환부(122)가 형성되지 않으며, 따라서, 상기 제2 발광다이오드군(130) 내 발광다이오드(131)들에서 나와 상기 제2 파장변환부(141)로 전달되는 빛은 상기 제2 발광다이오드군(130) 내 발광다이오드(131)에서 최초에 발생한 빛이다.The light emitting diodes 131 in the second light emitting diode group 130 generate blue light. In addition, the light emitting diodes 131 in the second light emitting diode group 130 do not have the aforementioned first wavelength conversion unit 122 formed, and therefore, the light emitting diodes 131 in the second light emitting diode group 130 The light emitted from the field and transmitted to the second wavelength conversion unit 141 is light initially generated by the light emitting diode 131 in the second light emitting diode group 130 .

상기 복수의 발광다이오드(121, 131)는 기판(110) 상에 형성된 투광성 봉지층(140)에 의해 봉지된다. 상기 봉지층(140)에는 제2 발광다이오드군(130) 내 발광다이오드에서 발생한 빛, 특히, 청색 빛을 예컨대 황색 빛으로 파장 변환하는 황색 형광체 또는 퀀텀닷 등의 파장 변환 재료가 분포되며, 이와 같이 봉지층(140) 내에 분포된 파장 변환 재료가 전술한 제2 파장변환부(141)를 구성한다. 상기 제2 파장변환부(141)는 상기 봉지층(140) 내에서 상기 제1 발광다이오드군(120)과 상기 제2 발광다이오드군(130)을 모두 덮으며, 상기 제1 파장변환부(122)와 협력하여 상기 제1 발광다이오드군(120) 및 제2 발광다이오드군(130)에서 발생한 빛을 제2 색온도의 빛으로 만든다.The plurality of light emitting diodes 121 and 131 are sealed by a light-transmitting encapsulation layer 140 formed on the substrate 110 . In the encapsulation layer 140, a wavelength conversion material such as a yellow phosphor or a quantum dot that converts wavelengths of light generated from the light emitting diodes in the second light emitting diode group 130, in particular, blue light into yellow light, is distributed. The wavelength conversion material distributed in the encapsulation layer 140 constitutes the aforementioned second wavelength conversion unit 141 . The second wavelength conversion part 141 covers both the first light emitting diode group 120 and the second light emitting diode group 130 in the encapsulation layer 140, and the first wavelength conversion part 122 ) to make light generated from the first light emitting diode group 120 and the second light emitting diode group 130 into light of a second color temperature.

덧붙여, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)은 기판(110) 상에서 복수의 발광다이오드군을 수용하는 캐비티가 형성된 리플렉터(150)를 더 포함한다. 상기 리플렉터(150)는 상기 제1 발광다이오드군(120) 및 상기 제2 발광다이오드군(130)에서 발광되는 빛을 적절하게 반사하여 발광 특성을 개선하는 반사면을 제공한다. 상기 봉지층(140)은 상기 캐비티 내에 채워져 용이하게 형성된다.In addition, the color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention further includes a reflector 150 having a cavity accommodating a plurality of light emitting diode groups on the substrate 110 . The reflector 150 provides a reflective surface for improving light emitting characteristics by appropriately reflecting light emitted from the first light emitting diode group 120 and the second light emitting diode group 130 . The encapsulation layer 140 is easily formed by filling the cavity.

도 1에서 볼 수 있는 바와 같이, 종래에는 복수의 발광다이오드(11)를 기판에 실장한 후, 복수의 영역으로 나누어 영역별로 서로 다른 형광체를 포함하는 봉지재(12, 13)를 순차적으로 도포하는 방식으로 색온도 가변형 발광다이오드 모듈을 구성하였으나, 이러한 경우 각 영역별로 나누어 정확하게 봉지재를 도포하기가 어려워지면서 제품별로 색온도가 일정하지 않고 편차가 커질 수 있었으며, 나아가 각 영역별로 봉지재를 도포하고 건조하는 공정을 2차례 이상 반복하게 되면서 공정에 소요되는 시간 및 비용이 늘어나는 문제점이 따랐다.As can be seen in FIG. 1, conventionally, after mounting a plurality of light emitting diodes 11 on a substrate, dividing them into a plurality of areas, sequentially applying encapsulants 12 and 13 containing different phosphors for each area. Although the color temperature variable light emitting diode module was configured in this way, in this case, it was difficult to accurately apply the encapsulant by dividing it into each area, and the color temperature for each product was not constant and the variance could increase. As the process was repeated two or more times, the time and cost required for the process increased.

다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)은, 기판(110) 상에 실장되고 제2 파장변환부(141)가 포함된 봉지층(140)에 의해 봉지된 발광다이오드들 중, 제1 파장변환부(122)가 형성된 발광다이오드(121)들로 구성된 제1 발광다이오드군(120)과, 제1 파장변환부(122)가 형성되지 않은 발광다이오드(131)들로 구성된 제2 발광다이오드군(130)을 포함한다. 또한, 상기 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)은, 상기 제1 발광다이오드군(120)과 상기 제2 발광다이오드군(130)이 입력 전압 레벨에 따라 순차 구동되도록 구성함에 있어서 상술한 바와 같이 구성함으로써, 종래 색온도 가변형 발광다이오드 모듈을 구성할 때와 달리, 복수의 영역으로 나누어 서로 다른 봉지재를 도포하지 않아도 되므로, 그로 인한 공정상의 제품별 색온도 편차의 발생을 억제할 수 있다. 더 나아가, 종래 복수의 영역 별로 서로 다른 봉지재의 도포 및 건조 공정을 복수 회 반복하게 되면서 공정에 소요되는 시간 및 비용을 줄일 수 있게 된다.Referring back to FIGS. 2 and 3 , the color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention is mounted on a substrate 110 and includes an encapsulation layer including a second wavelength conversion unit 141 ( Among the light emitting diodes sealed by 140), a first light emitting diode group 120 composed of light emitting diodes 121 having a first wavelength conversion unit 122 and a first wavelength conversion unit 122 not formed. and a second light emitting diode group 130 composed of light emitting diodes 131 that are not shown. In addition, in configuring the color temperature variable light emitting diode module 100 so that the first light emitting diode group 120 and the second light emitting diode group 130 are sequentially driven according to the input voltage level, by configuring as described above, , Unlike when constructing a conventional color temperature variable light emitting diode module, since it is not necessary to apply different encapsulants by dividing into a plurality of areas, it is possible to suppress the occurrence of color temperature deviation for each product in the process. Furthermore, it is possible to reduce the time and cost required for the process by repeating the coating and drying processes of different encapsulants for each of a plurality of areas conventionally a plurality of times.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)을 각 구성 요소 별로 나누어 보다 자세하게 설명한다.Hereinafter, the color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention will be described in more detail by dividing each component.

먼저, 기판(110)에는 복수의 발광다이오드(121, 131)가 실장된다. 상기 기판(110)은 유전체로 구성되는 일반적인 인쇄회로기판(Printed Circuit Board, PCB)일 수 있으며, 상기 복수의 발광다이오드의 동작을 위한 회로 패턴이 구비될 수 있다.First, a plurality of light emitting diodes 121 and 131 are mounted on the substrate 110 . The substrate 110 may be a general printed circuit board (PCB) made of a dielectric material, and may include a circuit pattern for operating the plurality of light emitting diodes.

이때, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)에서, 상기 복수의 발광다이오드(121, 131)는, 패키지 구조 없이 기판(110) 상에 직접 실장되는 발광다이오드칩이다. 다시 말해, 상기 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)은 기판(110)과 기판(110) 상에 직접 실장된 발광다이오드 칩들을 포함하는 칩온칩온보드(Chip On Board, COB) 형태로 구현된다. 제1 발광다이오드군(120)에 포함된 발광다이오드(121)는 자외선 또는 청색 발광다이오드칩인 것이 바람직하고, 제2 발광다이오드군(130)에 포함된 발광다이오드(131)는 청색 발광다이오드 칩인 것이 바람직하다.At this time, in the color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention, the plurality of light emitting diodes 121 and 131 are light emitting diode chips directly mounted on the substrate 110 without a package structure. In other words, the color temperature variable light emitting diode module 100 is implemented in the form of a chip on chip on board (COB) including a substrate 110 and light emitting diode chips directly mounted on the substrate 110 . The light emitting diodes 121 included in the first light emitting diode group 120 are preferably ultraviolet or blue light emitting diode chips, and the light emitting diodes 131 included in the second light emitting diode group 130 are blue light emitting diode chips. desirable.

제1 발광다이오드군(120)에 포함된 발광다이오드칩(chip)은 플립칩(flip chip) 구조일 수도 있으며, 이에 따라 상기 발광다이오드칩(chip)의 상면에는 형광체 또는 퀀텀닷 등과 같은 파장변환재료가 필름 형태 또는 층 형태로 형성되며, 이것이 제1 파장변환부(122)를 형성한다. 발광다이오드칩의 하면에는 상기 발광다이오드칩(chip)을 구동하기 위한 회로 패턴과 전기적으로 연결되도록 전극패드들을 구비한다. 플립칩 구조의 발광다이오드 칩은 제한된 공간에 많은 수의 발광다이오드칩을 실장할 수 있음과 동시에 발광다이오드칩(chip)의 패키징에 따른 방열 효율 저하를 억제하여 방열 효율도 효과적으로 개선한다. 또한, 본딩와이어의 생략을 가능하게 하고, 본딩와이어의 생략은, 공정 상의 여러가지 이점 그리고 본딩와이어 탈락의 염려가 없을 뿐만 아니라, 제1 파장변환부(122)를 발광다이오드칩 상면에 형성하는 것과 관련한 많은 이점을 제공한다. 상기 제2 발광다이오드군(130)에 포함된 발광다이오드칩 또한 플립칩 구조인 것이 바람직하다.The light emitting diode chips included in the first light emitting diode group 120 may have a flip chip structure, and accordingly, a wavelength conversion material such as a phosphor or a quantum dot is formed on the upper surface of the light emitting diode chip. is formed in a film form or layer form, which forms the first wavelength conversion part 122 . Electrode pads are provided on the lower surface of the light emitting diode chip to be electrically connected to a circuit pattern for driving the light emitting diode chip. A light emitting diode chip having a flip chip structure can mount a large number of light emitting diode chips in a limited space and at the same time effectively improves heat dissipation efficiency by suppressing a decrease in heat dissipation efficiency due to packaging of the light emitting diode chip. In addition, it is possible to omit the bonding wire, and the omission of the bonding wire has various advantages in the process and there is no fear of the bonding wire falling off, and it is related to forming the first wavelength conversion unit 122 on the upper surface of the light emitting diode chip. It offers many advantages. Preferably, the light emitting diode chips included in the second light emitting diode group 130 also have a flip chip structure.

또한, 상기 기판(110)은 금속 PCB(metal PCB)로 구성되어 조명 등의 용도로 사용되는 고출력 발광다이오드에서 발생되는 열을 효과적으로 방출할 수도 있으며, 나아가 상기 발광다이오드칩(chip)이 직접 상기 금속 기판에 실장되는 경우 발광다이오드칩에서 발생하는 열을 더욱 효과적으로 상기 금속 기판으로 방출할 수 있게 된다.In addition, the substrate 110 is composed of a metal PCB and can effectively dissipate heat generated from a high-power light emitting diode used for lighting, etc., and furthermore, the light emitting diode chip directly When mounted on a substrate, heat generated from the light emitting diode chip can be more effectively dissipated to the metal substrate.

상기 제1 파장변환부(122)는 상기 제1 발광다이오드군(120)에 속한 발광다이오드(121)들 각각의 상면에 막 형태로 형성되며, 적색 형광체 또는 퀀텀닷 등과 같은 파장변환재료를 포함한다.The first wavelength conversion unit 122 is formed in the form of a film on the upper surface of each of the light emitting diodes 121 belonging to the first light emitting diode group 120, and includes a wavelength conversion material such as red phosphor or quantum dot. .

상기 제1 발광다이오드군(120)은 도 2에서 볼 수 있는 바와 같이 기판(110)의 특정 영역을 할당하여 배치될 수도 있다. 제1 발광다이오드군(120) 복수 개의 발광다이오드들을 포함하며, 더 나아가, 제1 발광다이오드군(120)은 하나 이상의 발광다이오드들이 직렬 연결된 제1 발광다이오드 유닛(도 6의 120_1 참조)과, 제1 발광다이오드 유닛(120_1)에 직렬 연결되며 하나 이상의 발광다이오드들이 직렬 연결된 제2 발광다이오드 유닛(도 6의 120_2 참조)을 포함하도록 구성될 수 있다. 이들 제1 발광다이오드 유닛 및 제2 발광다이오드 유닛은 이후에 입력 전압 레벨에 따라 순차적으로 동작할 수 있다.As shown in FIG. 2 , the first light emitting diode group 120 may be arranged by allocating a specific area of the substrate 110 . The first light emitting diode group 120 includes a plurality of light emitting diodes, and furthermore, the first light emitting diode group 120 includes a first light emitting diode unit (see 120_1 in FIG. 6 ) in which one or more light emitting diodes are connected in series, It may be configured to include a second light emitting diode unit (see 120_2 in FIG. 6 ) connected in series to one light emitting diode unit 120_1 and having one or more light emitting diodes connected in series. The first light emitting diode unit and the second light emitting diode unit may be sequentially operated according to the input voltage level thereafter.

본 실시예의 색온도 가변형 발광다이오드 모듈은, 상기 제1 발광다이오드군(120)만이 동작할 때에는, 상기 제1 발광다이오드군(120)에 포함되는 발광다이오드(121)에서 발광되는 빛과 상기 제1 파장변환부(122)를 거쳐 나오는 빛에 따라 정해진 제1 색온도의 빛을 발광한다.In the color temperature variable light emitting diode module of this embodiment, when only the first light emitting diode group 120 operates, the light emitted from the light emitting diodes 121 included in the first light emitting diode group 120 and the first wavelength Light having a first color temperature determined according to the light emitted through the conversion unit 122 is emitted.

또한, 본 실시예의 색온도 가변형 발광다이오드 모듈은, 상기 제1 발광다이오드군(120)과 상기 제2 발광다이오드군(130)이 함께 동작할 때에는, 상기 제1 발광다이오드군(120)에 포함되는 발광다이오드(121)에서 발광되는 빛과 상기 제1 파장변환부(122)에서 발광되는 빛과, 상기 제2 발광다이오드군(130)에 포함되는 발광다이오드(131)에서 발광되는 빛과, 봉지층(140) 내에서 상기 제1 발광다이오드군(120)과 상기 제2 발광다이오드 군(130)을 모두 덮는 제2 파장변환부(141)에서 발광되는 빛에 따라 정해진 제2 색온도의 빛을 발광할 수 있다.In addition, in the color temperature variable light emitting diode module of this embodiment, when the first light emitting diode group 120 and the second light emitting diode group 130 operate together, light emitted from the first light emitting diode group 120 is included. The light emitted from the diode 121, the light emitted from the first wavelength conversion unit 122, the light emitted from the light emitting diode 131 included in the second light emitting diode group 130, and the encapsulation layer ( 140) can emit light of a second color temperature determined according to the light emitted from the second wavelength conversion unit 141 covering both the first light emitting diode group 120 and the second light emitting diode group 130 there is.

상기 제2 발광다이오드군(130)도 도 2에서 볼 수 있는 바와 같이 기판(110)의 특정 영역을 할당하여 배치될 수도 있다.As shown in FIG. 2 , the second light emitting diode group 130 may also be disposed by allocating a specific area of the substrate 110 .

상기 제2 발광다이오드군(130)에 포함되는 하나 이상의 발광다이오드(131)는 형광체 또는 퀀텀닷으로 제공되는 제2 파장변환부(141)를 포함하는 봉지층(140)에 의하여 봉지된다. 상기 제2 발광다이오드군(130)에 포함되는 발광다이오드(131)에서 발광되는 빛과 상기 제2 파장변환부(141)에서 발광되는 빛의 혼합에 의해 백색 계열의 빛을 만든다. 이와 같이 만들어진 백색 계열의 빛과 전술한 제1 발광다이오드군과 제1 파장변환부에 의해 만들어진 빛에 의해 제2 색온도의 광이 만들어진다.One or more light emitting diodes 131 included in the second light emitting diode group 130 are sealed by the encapsulation layer 140 including the second wavelength conversion part 141 provided as a phosphor or a quantum dot. A mixture of light emitted from the light emitting diodes 131 included in the second light emitting diode group 130 and light emitted from the second wavelength conversion unit 141 produces white light. Light of a second color temperature is produced by the white-based light thus produced and the light produced by the aforementioned first light emitting diode group and the first wavelength conversion unit.

이에 따라, 종래에는 복수의 영역별로 나누어 서로 다른 형광체를 포함하는 봉지재를 도포함에 따라 제품별로 나타날 수 있는 색온도 편차가 커질 수 있었을 뿐만 아니라, 복수의 영역 별로 서로 다른 봉지재의 도포 및 건조 공정을 복수 회 반복하게 되면서 공정에 소요되는 시간 및 비용이 늘어날 수 있었으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)에서는 제1 파장변환부(122)가 형성되는 하나 이상의 발광다이오드(121)를 포함하여 제1 발광다이오드군(120)을 구성하고, 각각이 제1 파장변환부(122)가 형성된 발광다이오드(121)를 포함하는 제1 발광다이오드군(120)과 이러한 제1 발광다이오드군(120)과 제1 파장변환부(122)가 형성되지 않은 제2 발광다이오군(130)을 모두 봉지하는 봉지층(140)에 제2 파장변환부(141)를 제공함으로써, 복수의 영역을 나누어 복수의 봉지재를 도포하는데 따른 어려움을 개선하고 이에 따른 제품별 색온도 편차의 발생을 억제할 수 있으며, 나아가, 복수의 영역 별로 서로 다른 봉지재의 도포 및 건조 공정을 복수회 반복하게 되면서 공정에 소요되는 시간 및 비용이 늘어나는 문제점도 개선할 수 있게 된다.Accordingly, in the prior art, as encapsulants containing different phosphors are applied in a plurality of areas, not only can the color temperature deviation that can appear for each product increase, but also a plurality of coating and drying processes of different encapsulants in a plurality of areas. As the process is repeated several times, the time and cost required for the process may increase, but in the color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention, one or more light emitting diodes 121 in which the first wavelength conversion unit 122 is formed. ) to form the first light emitting diode group 120, each including the light emitting diode 121 having the first wavelength conversion unit 122 formed thereon, and the first light emitting diode By providing the second wavelength conversion unit 141 in the encapsulation layer 140 encapsulating both the group 120 and the second light emitting diode group 130 on which the first wavelength conversion unit 122 is not formed, a plurality of regions are provided. It is possible to improve the difficulty of applying a plurality of encapsulants by dividing and suppress the occurrence of color temperature deviation for each product, and furthermore, by repeating the application and drying process of different encapsulants for each of a plurality of areas a plurality of times, the process The problem of increased time and cost can also be improved.

이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)에서는, 상기 제1 발광다이오드군(120)과 상기 제2 발광다이오드군(130)이 입력 전압 레벨에 따라 순차 구동되도록 하여, 색온도의 가변이 가능한 발광다이오드 모듈을 구성할 수 있게 된다.Accordingly, in the color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention, the first light emitting diode group 120 and the second light emitting diode group 130 are sequentially driven according to the input voltage level, , it is possible to construct a light emitting diode module capable of variable color temperature.

더 나아가, 상기 제1 발광다이오드군(120)에서 발광되는 빛은 상기 제2 발광다이오드군(130)에서 발광되는 빛보다 낮은 색온도를 가지도록 할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 발광다이오드군(120)의 발광다이오드(121) 각각에 형성된 제1 파장변환부(122)는 적색 계열의 파장변환재료(특히 적색 형광체)를 포함하며, 제2 파장변환부(141)은 상기 제2 발광다이오드군(130)과 협력하여 백색 계열의 빛을 만들 수 있는 파장변환재료를 포함하도록 함으로써, 상기 제1 발광다이오드군(120)만이 동작할 때 제1 발광다이오드군(120) 및 제1 파장변환부(122)가 협력하여 만들어내는 빛이 상기 제1 발광다이오드군(120) 및 상기 제2 발광다이오드군(130)이 함께 동작할 때 상기 제1 발광다이오드 군(120) 및 제1 파장변환부(122)와 상기 제2 발광다이오드군(130) 및 제2 파장변환부(140)이 상호 작용하여 만들어내는 빛보다 낮은 색온도를 가지도록 함으로써, 발광 다이오드 모듈(100)에서 발광되는 빛의 색온도가 가변되도록 제어할 수 있다.Furthermore, light emitted from the first light emitting diode group 120 may have a lower color temperature than light emitted from the second light emitting diode group 130 . For example, the first wavelength conversion unit 122 formed on each of the light emitting diodes 121 of the first light emitting diode group 120 includes a red-based wavelength conversion material (especially red phosphor), and the second wavelength conversion unit 122 Unit 141 includes a wavelength conversion material capable of producing white light in cooperation with the second light emitting diode group 130, so that when only the first light emitting diode group 120 operates, the first light emitting diode When the first light emitting diode group 120 and the second light emitting diode group 130 operate together, the light produced by the group 120 and the first wavelength conversion unit 122 in cooperation is emitted from the first light emitting diode group. 120, the first wavelength conversion unit 122, the second light emitting diode group 130, and the second wavelength conversion unit 140 have a color temperature lower than that of light generated by interaction, the light emitting diode module ( 100) can be controlled so that the color temperature of the emitted light is variable.

보다 구체적인 예를 들어, 적색 형광체가 포함된 필름 형태의 제1 파장변환부(122)가 구비된 자외선 발광다이오드(121)를 사용하여 제1 발광다이오드군(120)을 구성하고, 황색 형광체를 포함하는 제2 파장변환부(141)가 포함된 봉지층(140)으로 상기 자외선 발광다이오드(121)들과 더불어 청색 발광다이오드(131)를 봉지하되, 제1 파장변환부(122)가 형성되지 않은 청색 발광다이오드(131)로 제2 발광다이오드군(130)을 구성한다. 위와 같이 구성한 다음, 입력 전압의 상승에 따라 제1 기준전압을 넘어서면 상기 제1 발광다이오드군(120)이 먼저 온되어 적색 등 낮은 색온도를 가지는 빛이 발광되도록 하고, 제2 기준 전압을 넘어서면, 상기 제2 발광다이오드군(130)이 온되어 상기 제1 색온도보다 높은 제2 색온도를 갖는 빛이 발광되도록 할 수 있다. 반대로 입력 전압이 제2 기준전압을 넘어선 이후 다시 낮아지는 경우, 상기 제2 발광다이오드군(130)이 온 상태에서 오프 상태로 되고, 계속해서 더 낮아지는 경우, 상기 제1 발광다이오드군(120)이 온 상태에서 오프 상태로 된다.For a more specific example, the first light emitting diode group 120 is constituted by using the ultraviolet light emitting diode 121 equipped with the first wavelength conversion unit 122 in the form of a film containing a red phosphor, and includes a yellow phosphor. The UV light emitting diodes 121 and the blue light emitting diode 131 are sealed with the encapsulation layer 140 including the second wavelength conversion unit 141, but the first wavelength conversion unit 122 is not formed. The blue light emitting diodes 131 form the second light emitting diode group 130 . After the configuration as above, when the first reference voltage is exceeded as the input voltage rises, the first light emitting diode group 120 is first turned on to emit light having a low color temperature such as red, and when the second reference voltage is exceeded, , the second light emitting diode group 130 may be turned on to emit light having a second color temperature higher than the first color temperature. Conversely, when the input voltage is lowered again after exceeding the second reference voltage, the second light emitting diode group 130 is turned off from the on state and continues to become lower, the first light emitting diode group 120 In this on state, it becomes an off state.

본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)은 조도를 낮추는 경우 색온도가 일반 할로겐 조명과 유사한 특성을 가지게 된다.The color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention has a color temperature similar to that of general halogen lighting when the illuminance is lowered.

나아가, 상기 실시예에서는 제1 발광다이오드군(120)에 포함되는 발광다이오드(121)와 제2 발광다이오드군(130)에 포함되는 발광다이오드(131)가 서로 다른 종류인 경우를 예시하였으나, 이러한 예로 한정되는 것은 아니며, 청색 발광다이오드나 자외선 발광다이오드가 상기 발광다이오드(121, 131)로 사용되는 등 동일한 종류의 발광다이오드가 사용될 수도 있다.Furthermore, in the above embodiment, the light emitting diodes 121 included in the first light emitting diode group 120 and the light emitting diodes 131 included in the second light emitting diode group 130 are of different types, but this It is not limited to examples, and the same type of light emitting diodes may be used, such as a blue light emitting diode or an ultraviolet light emitting diode being used as the light emitting diodes 121 and 131 .

정류회로부(170)에서 발광다이오드군들(120, 130) 측으로 제공되는 입력 전압(Vrec) 레벨이 제1 기준 전압을 넘어서는 경우 상기 제1 발광다이오드군(120)이 온되고, 계속해서 입력 전압(Vrec) 레벨이 상승하여 제2 기준 전압을 넘어서면, 상기 제1 발광다이오드군(120)이 온된 상태에서 상기 제2 발광다이오드군(130)이 온되지만, 상기 제1 발광다이오드군(120)이 오프된 상태로 상기 제2 발광다이오드군(130)만을 온시키는 것도 고려될 수 있다(도 10에 도시된 예에서와 같이,참조부호 200으로 표시된 스위치부에 의해 어느 하나의 발광다이오드군만이 선택될 수도 있음).When the level of the input voltage Vrec provided from the rectifier circuit unit 170 to the light emitting diode groups 120 and 130 exceeds the first reference voltage, the first light emitting diode group 120 is turned on, and the input voltage ( When the Vrec) level rises and exceeds the second reference voltage, the second light emitting diode group 130 is turned on while the first light emitting diode group 120 is turned on, but the first light emitting diode group 120 It may also be considered to turn on only the second light emitting diode group 130 in an off state (as in the example shown in FIG. 10, only one light emitting diode group is selected by the switch unit indicated by reference numeral 200). may be).

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)에서, 상기 제1 발광다이오드군(120)에 포함되는 발광다이오드(121)와 상기 제2 발광다이오드군(130)에 포함되는 발광다이오드(131)가 서로 구분되는 영역에 나뉘어 실장되어야 하는 것은 아니며, 도 4 및 도 5에서 볼 수 있는 바와 같이, 복수의 발광다이오드(121, 131)가 상기 기판(110)에 규칙 없이 서로 혼재되어 실장될 수도 있다.In addition, in the color temperature variable light emitting diode module 100 according to another embodiment of the present invention, the light emitting diodes 121 included in the first light emitting diode group 120 and the light emitting diodes 121 included in the second light emitting diode group 130 It is not necessary for the light emitting diodes 131 to be divided and mounted in distinct areas, and as can be seen in FIGS. 4 and 5, a plurality of light emitting diodes 121 and 131 are mixed with each other on the substrate 110 without regularity. and may be installed.

종래에는 서로 다른 종류의 형광체를 포함하는 봉지재(12, 13)를 나누어 도포하기 위하여 복수의 발광다이오드(11)를 영역을 구분하여 실장하였으나(도 1 참조), 본 발명에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)에서는 제1 발광다이오드군(120)에 포함된 발광다이오드(121) 각각에 제1 파장변환부(122)가 형성되어 색온도가 조절되는 바, 상기 제1 발광다이오드군(120)에 포함되는 발광다이오드(121)와 상기 제2 발광다이오드군(130)에 포함되는 발광다이오드(131)를 영역 구분 없이 혼재하여 배치할 수 있으며, 이에 따라 제1 발광다이오드군(120)에서 발광되는 빛과 제2 발광다이오드군(130)에서 발광되는 빛이 영역별로 분리되지 않고 전체 영역에서 균일하게 섞여 발광되어 발광되는 빛의 균일성을 효과적으로 개선할 수 있게 된다.In the prior art, a plurality of light emitting diodes 11 were mounted in separate areas in order to separately apply the encapsulants 12 and 13 containing different types of phosphors (see FIG. 1), but the color temperature variable light emitting diode according to the present invention In the module 100, the first wavelength conversion unit 122 is formed in each of the light emitting diodes 121 included in the first light emitting diode group 120 to adjust the color temperature, and the first light emitting diode group 120 The included light emitting diodes 121 and the light emitting diodes 131 included in the second light emitting diode group 130 may be disposed in a mixed manner regardless of area, and accordingly, the light emitted from the first light emitting diode group 120 The light emitted from the light emitting diode group 130 and the second light emitting diode group 130 are not separated by region, but uniformly mixed and emitted in the entire region, so that the uniformity of the emitted light can be effectively improved.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)에는, 입력 전압(Vrec) 레벨에 따라 제1 발광다이오드군(120)과 제2 발광다이오드군(130)을 순차 작동시키는 제어부(도 6의 160)가 더 포함될 수 있다.In addition, in the color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention, a controller for sequentially operating the first light emitting diode group 120 and the second light emitting diode group 130 according to the level of the input voltage Vrec. (160 in FIG. 6) may be further included.

이하에서는 도 6을 참조하여 상기 제어부(160)를 이용하여 복수의 발광다이오드군(120, 130, 180a, 180b)를 순차 발광 동작시키는 구성을 보다 자세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to FIG. 6 , a configuration of sequentially operating the plurality of light emitting diode groups 120 , 130 , 180a , and 180b using the control unit 160 will be described in detail.

먼저, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)에서는 교류(AC) 전원을 인가받아 동작한다. 이에 따라, 상기 교류 전원을 정류(예컨대, 전파 정류)하기 위한 정류 회로부(170)(도시된 예는 전파 정류회로부이나 다른 형태의 회로도 가능할 수 있음)가 구비될 수 있다.First, the color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention operates by receiving alternating current (AC) power. Accordingly, a rectifier circuit unit 170 (the illustrated example is a full-wave rectification circuit unit, but other types of circuits may also be possible) may be provided for rectifying (eg, full-wave rectification) the AC power.

제어부(160)는 정류 회로부(170)를 거쳐 발광다이오드군들(120, 130, 180a, 180b) 측으로 인가되는 입력 전압(Vrec) 레벨을 감지하고, 감지된 입력 전압(Vrec) 레벨에 의존하여 발광다이오드군들(120, 130, 180a, 180b)을 순차적으로 발광시키게 된다.The control unit 160 detects the level of the input voltage Vrec applied to the light emitting diode groups 120, 130, 180a, and 180b via the rectifying circuit unit 170, and emits light depending on the level of the detected input voltage Vrec. The diode groups 120, 130, 180a, and 180b sequentially emit light.

보다 구체적으로는, 입력 전압(Vrec) 레벨이 상승하여 제1 발광다이오드군(120)을 발광 동작시킬 수 있는 제1 기준전압보다 높아지면, 제어부(160)는 이를 감지하여 제1 스위치(SW1)를 턴온시켜 제1 발광다이오드군(120)을 발광 동작시키며, 계속해서 입력 전압(Vrec) 레벨이 상승하여 제2 발광다이오드군(130)을 발광 동작시킬 수 있는 제2 기준전압보다 높아지면, 제어부(160)는 이를 감지하여 제1 스위치(SW1)를 턴오프시키고, 제2 스위치(SW2)를 턴온시켜, 제1 발광다이오드군(120)과 제2 발광다이오드군(130)이 결과적으로 직렬 연결되도록 하여 제1 발광다이오드군(120)과 제2 발광다이오드군(130)이 함께 발광 동작하도록 한다.More specifically, when the level of the input voltage Vrec rises and becomes higher than the first reference voltage capable of causing the first light emitting diode group 120 to emit light, the control unit 160 detects this and switches the first switch SW1. is turned on to cause the first light emitting diode group 120 to emit light, and when the level of the input voltage Vrec continuously rises and becomes higher than the second reference voltage capable of causing the second light emitting diode group 130 to emit light, the controller 160 detects this and turns off the first switch SW1 and turns on the second switch SW2 so that the first light emitting diode group 120 and the second light emitting diode group 130 are serially connected as a result. Thus, the first light emitting diode group 120 and the second light emitting diode group 130 emit light together.

나아가, 입력 전압(Vrec) 레벨이 더 상승하여 제3 발광다이오드군(180a) 및 제4 발광다이오드군(180b)을 발광 동작시킬 수 있는 전압보다 높아지면, 드라이버 IC(190) 내 스위치들(SW1, SW2, ??, SW4) 중 최종단의 스위치(SW4)만이 턴온되고 나머지 스위치들(SW1, SW2, ??)은 턴오프되도록 제어부(160)에서 제어함으로써, 모든 발광다이오드군들이 직렬 연결되어 발광 동작할 수 있게 된다. 드라이버 IC(190) 내의 스위치들(SW1, SW2, ??, SW4) 각각은 전단에 연결된 발광다이오드군들이 발광할 수 있도록, 턴온되어 전류 경로를 제공하게 된다. 드라이버 IC(190)에 의해 제공되는 전류 경로를 따라 흐르는 전류의 크기도 함께 제어하므로, 본 명세서 내 드라이버 IC(190)의 기능 설명에서 전류 경로 제공과 전류 경로 제어가 혼용된다. 또한, 본 명세서 내의 설명에서 드라이버 IC(190) 내의 스위치들 각각이 드라이버 IC를 의미하는 것으로 사용되는 경우도 있으므로, 이에 유의하여야 할 것이다.Furthermore, when the level of the input voltage Vrec is higher than the voltage at which the third light emitting diode group 180a and the fourth light emitting diode group 180b can emit light, the switches SW1 in the driver IC 190 , SW2, ??, SW4), by controlling the controller 160 so that only the last switch (SW4) is turned on and the remaining switches (SW1, SW2, ??) are turned off, all light emitting diode groups are connected in series. The light-emitting operation can be performed. Each of the switches SW1 , SW2 , ??, and SW4 in the driver IC 190 is turned on to provide a current path so that the light emitting diode groups connected to the front end can emit light. Since the magnitude of the current flowing along the current path provided by the driver IC 190 is also controlled, current path provision and current path control are used interchangeably in the functional description of the driver IC 190 in this specification. In addition, since each of the switches in the driver IC 190 is sometimes used to mean a driver IC in the description within this specification, it should be noted.

위의 설명에서 드라이버 IC(190) 내의 스위치들(SW1, SW2, ??, SW4)로 표현된 것들은 각각 NMOS FET(N-Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)일 수 있으나, 이러한 소자로 한정되는 것은 아니다.In the above description, those represented by the switches (SW1, SW2, ??, SW4) in the driver IC 190 may be NMOS FETs (N-Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors), but are not limited to these devices. .

또한, 앞선 실시예에서는 입력 전압(Vrec) 레벨에 따라 제1 발광다이오드군(120)과 제2 발광다이오드군(130) 등의 발광다이오드군들을 제어하여 색온도를 가변하는 구성을 중심으로 설명하였으나, 이러한 예로 한정되는 것은 아니다.In addition, in the previous embodiment, the configuration of varying the color temperature by controlling the light emitting diode groups such as the first light emitting diode group 120 and the second light emitting diode group 130 according to the level of the input voltage Vrec has been described. It is not limited to these examples.

도 2 내지 도 5를 참조한 본 발명의 설명에서는, 2개의 발광다이오드군들(120, 130)만을 포함하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈에 관해 설명하였으나, 이하에서는 4개의 발광다이오드군(120, 130, 180a, 180b)을 포함하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈에 대해 설명한다.In the description of the present invention with reference to FIGS. 2 to 5, the color temperature variable light emitting diode module including only two light emitting diode groups 120 and 130 has been described, but hereinafter, four light emitting diode groups 120, 130 and 180a , 180b), a color temperature variable light emitting diode module including 180b) will be described.

도 6은 등가회로도의 일 예이고, 도 7과 도 8에서는 본 발명의 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100) 및 그에 대한 복수의 발광다이오드군들의 배치 예들을 보여준다.6 is an example of an equivalent circuit diagram, and FIGS. 7 and 8 show arrangement examples of the color temperature variable light emitting diode module 100 and a plurality of light emitting diode groups of the present invention.

먼저, 도 6과 도 7을 함께 참조하면, 도 7의 (a)에서 (A) 영역에는 제1 발광다이오드군(120)과 제2 발광다이오드군(130)을 포함하는 복수의 발광다이오드군이 실장되며, 이외의 영역에는 상기 복수의 발광다이오드군을 순차 구동시키기 위한 제어부(160), 드라이버 IC(190)와 함께 전원 공급 회로등이 실장될 수 있다.First, referring to FIGS. 6 and 7 together, a plurality of light emitting diode groups including a first light emitting diode group 120 and a second light emitting diode group 130 are located in regions (a) to (A) of FIG. 7 . A control unit 160 for sequentially driving the plurality of light emitting diode groups and a power supply circuit together with a driver IC 190 may be mounted in other areas.

앞서 언급한 바와 같이, 제1 발광다이오드군(120)은 제1 발광다이오드 유닛(120_1)과 제2 발광다이오드 유닛(120_2)을 포함하며, 이들은 입력 전압 레벨에 따라 순차적으로 동작할 수 있다. 이를 위해, 제1 발광다이오드 유닛(120_1)의 후단과 제2 발광다이오드 유닛(120_2)의 후단에 전류 경로를 제어하는 드라이버 IC(SW11, SW12)가 구비될 수 있다.As mentioned above, the first light emitting diode group 120 includes the first light emitting diode unit 120_1 and the second light emitting diode unit 120_2, which may operate sequentially according to the input voltage level. To this end, driver ICs (SW11 and SW12) for controlling the current path may be provided at the rear end of the first light emitting diode unit 120_1 and the rear end of the second light emitting diode unit 120_2.

도 7의 (b)에서는 상기 (A) 영역에 실장되는 복수의 발광다이오드군의 배치를 볼 수 있다. 기판(110)의 일부 영역에는 제1 발광다이오드군(120)(도 7(b)의 1ch)이 실장될 수 있고, 나머지 영역을 나누어 제2 발광다이오드군(130)(도 7(b)의 2ch), 제3 발광다이오드군(180a)(도 7(b)의 3ch), 제4 발광다이오드군(180b)(도 7(b)의 4ch)이 배치될 수 있다. 이때, 상기 제1 발광다이오드군(120)에 포함된 발광다이오드 각각에는 제1 파장변환부(122; 도 3 참조)가 형성될 수 있으며, 나머지 발광다이오드군은 제1파장변환부가 형성됨 없이 제2 파장변환부(141; 도 3 참조)를 포함하는 봉지층(140; 도 3 참조)으로 봉지될 수 있다. 이때, 상기 봉지층(140; 도 3 참조)은 상기 제1 발광다이오드군(120)도 함께 봉지한다.In (b) of FIG. 7 , arrangement of a plurality of light emitting diode groups mounted in the region (A) can be seen. The first light emitting diode group 120 (1ch in FIG. 7(b)) may be mounted on a portion of the substrate 110, and the second light emitting diode group 130 (1ch in FIG. 7(b)) may be divided into the remaining area. 2ch), the third light emitting diode group 180a (3ch in FIG. 7(b)), and the fourth light emitting diode group 180b (4ch in FIG. 7(b)) may be disposed. At this time, a first wavelength conversion unit 122 (see FIG. 3) may be formed in each of the light emitting diodes included in the first light emitting diode group 120, and the other light emitting diode groups may have a second wavelength conversion unit without the first wavelength conversion unit formed. It may be sealed with an encapsulation layer 140 (see FIG. 3) including a wavelength conversion unit 141 (see FIG. 3). At this time, the encapsulation layer 140 (see FIG. 3) encapsulates the first light emitting diode group 120 together.

또한, 도 6과 도 8을 함께 참조하면, 도 8의 (a)의 (B) 영역에도 제1 발광다이오드군(120)과 제2 발광다이오드군(130)을 포함하는 복수의 발광다이오드군이 실장되며, 이외의 영역에는 상기 복수의 발광다이오드군을 순차 구동시키기 위한 제어부(160), 드라이버 IC(190)와 함께 전원 공급 회로 등이 실장될 수 있다.In addition, referring to FIGS. 6 and 8 together, a plurality of light emitting diode groups including a first light emitting diode group 120 and a second light emitting diode group 130 are also provided in the region (B) of (a) of FIG. 8 . A control unit 160 for sequentially driving the plurality of light emitting diode groups and a power supply circuit together with a driver IC 190 may be mounted in other areas.

보다 구체적으로, 도 8의 (b)에서는 상기 (B) 영역에 실장되는 복수의 발광다이오드군의 배치를 볼 수 있다. 도 9의 (b)에서 볼 수 있는 바와 같이, 기판(110)의 중심 영역에 제1 발광다이오드군(120)(도 9의 (b)의 1ch)을 실장하고, 상기 (B) 영역의 주변 영역을 나누어 제2 발광다이오드군(130)(도 9의 (b)의 2ch), 제3 발광다이오드군(180a)(도 9의 (b)의 3ch), 제4 발광다이오드군(180b)(도 9의 (b)의 4ch)이 순차 배치할 수 있다. 이때, 상기 제1 발광다이오드군(120)에 포함된 발광다이오드 각각에는 제1 파장변환부(122; 도 3 참조)가 형성될 수 있으며, 나머지 발광다이오드군은 제1파장변환부가 형성됨 없이 제2 파장변환부(141; 도 3 참조)를 포함하는 봉지층(140; 도 3 참조)에 의해 봉지될 수 있다. 이때, 상기 봉지층(140; 도 3 참조)은 상기 제1 발광다이오드군(120)도 함께 봉지한다.More specifically, in (b) of FIG. 8 , arrangement of a plurality of light emitting diode groups mounted in the region (B) can be seen. As can be seen in (b) of FIG. 9, the first light emitting diode group 120 (1ch in (b) of FIG. 9) is mounted in the central region of the substrate 110, and the periphery of the region (B) is mounted. By dividing the area, the second light emitting diode group 130 (2ch in FIG. 9(b)), the third light emitting diode group 180a (3ch in FIG. 9(b)), and the fourth light emitting diode group 180b ( 4ch of FIG. 9(b)) can be sequentially arranged. At this time, a first wavelength conversion unit 122 (see FIG. 3) may be formed in each of the light emitting diodes included in the first light emitting diode group 120, and the other light emitting diode groups may have a second wavelength conversion unit without the first wavelength conversion unit formed. It may be sealed by the encapsulation layer 140 (see FIG. 3) including the wavelength conversion unit 141 (see FIG. 3). At this time, the encapsulation layer 140 (see FIG. 3) encapsulates the first light emitting diode group 120 together.

또한, 도 7의 (b) 및 도 8의 (b)에서 예시된 배치 이외에도, 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)에 요구되는 규격 등을 고려하여 보다 다양한 배치 방식으로 구성하는 것도 가능하다.In addition to the arrangement illustrated in FIG. 7(b) and FIG. 8(b), it is also possible to configure more diverse arrangements in consideration of standards required for the color temperature variable light emitting diode module 100.

나아가, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)에서, 상기 복수의 발광다이오드군은 상기 제1 발광다이오드군(120), 상기 제2 발광다이오드군(130) 및 제n 발광다이오드군의 순서로 직렬 연결된 구조를 이루며(여기서 n은 3보다 큰 양의 정수), 이때, 제n-1 발광다이오드군에 포함되는 발광다이오드의 개수는 제n 발광다이오드군에 포함되는 발광다이오드의 개수 이상일 수 있다.Furthermore, in the color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention, the plurality of light emitting diode groups include the first light emitting diode group 120, the second light emitting diode group 130, and the nth light emitting diode group. A structure connected in series in the order of diode groups is formed (where n is a positive integer greater than 3), and at this time, the number of light emitting diodes included in the n-1th light emitting diode group is the number of light emitting diodes included in the nth light emitting diode group. may be more than a number.

보다 구체적인 예를 들어, 도 8의(b)에서 제1 발광다이오드군(1ch)에 포함되는 발광다이오드의 개수는 12개로서 가장 많은 발광다이오드가 사용되고, 제2 발광다이오드군(2ch)에 포함되는 발광다이오드의 개수는 6개이며, 제3 발광다이오드군(3ch)에 포함되는 발광다이오드의 개수는 6개, 제4 발광다이오드군(4ch)에 포함되는 발광다이오드의 개수는 4개이며, 이와 같이 전단의 발광다이오드군(n-1)에 포함되는 발광다이오드의 개수가 후단의 발광다이오드군(n)에 포함되는 발광다이오드의 개수보다 같거나 많도록 함으로써, 입력 전압 레벨의 상승에 따라 상기 복수의 발광다이오드군을 순차 구동시켜 색온도가 가변되는 발광다이오드 모듈의 효율을 개선할 수 있게 된다.For a more specific example, in FIG. 8(b), the number of light emitting diodes included in the first light emitting diode group 1ch is 12, and the most light emitting diodes are used, and the number of light emitting diodes included in the second light emitting diode group 2ch The number of light emitting diodes is 6, the number of light emitting diodes included in the third light emitting diode group 3ch is 6, and the number of light emitting diodes included in the fourth light emitting diode group 4ch is 4, as described above. By making the number of light emitting diodes included in the previous light emitting diode group (n-1) equal to or greater than the number of light emitting diodes included in the next light emitting diode group (n), as the input voltage level rises, the plurality of light emitting diodes It is possible to improve the efficiency of a light emitting diode module having a variable color temperature by sequentially driving a group of light emitting diodes.

또한, 본 발명의 일 실시예로서, 앞서 설명한 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)을 포함하여 조명 장치를 구성할 수도 있다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 조명 장치는 입력 전압 또는 사용자의 설정치나 동작 환경 등에 따라 발광되는 빛의 색온도를 조절하는 것이 가능하게 된다.In addition, as an embodiment of the present invention, a lighting device may be configured by including the color temperature variable light emitting diode module 100 described above. Accordingly, the lighting device according to an embodiment of the present invention can adjust the color temperature of emitted light according to an input voltage, a user's set value, or an operating environment.

또한, 도 9에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100) 제조 방법의 순서도를 도시하고 있다.In addition, FIG. 9 shows a flow chart of a method of manufacturing the color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention.

도 3, 도 6 및 도 9를 함께 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100) 제조 방법은, 교류 전원을 인가받아 기판(110)에 실장된 복수의 발광다이오드(121, 131)를 구동하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)을 제조하는 방법으로서, 제1 파장변환부(122)가 형성된 하나 이상의 발광다이오드(121)를 기판(110)에 실장하여 제1 발광다이오드군(120)를 구성하는 단계(S110) 및 상기 기판(110)에 실장되어 있고 상기 제1 파장변환부(122)가 없는 발광다이오드(131)을 덮도록 제2 파장변환부(141)를 포함하는 봉지층(140)을 기판(110)에 형성하여, 제2 발광다이오드군(130)을 구성하는 단계(S120)를 포함할 수 있다. 나아가, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100) 제조 방법은, 입력 전압 레벨에 따라 상기 제1 발광다이오드군(120) 및 제2 발광다이오드군(130)을 순차 작동시키는 제어 회로(제어부 및 드라이버 IC)를 구성하는 단계(S130)를 더 포함할 수도 있다.Referring to FIGS. 3, 6, and 9 together, a method of manufacturing a color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention includes a plurality of light emitting diodes mounted on a substrate 110 by receiving AC power ( 121 and 131) as a method of manufacturing a variable temperature light emitting diode module 100, wherein one or more light emitting diodes 121 having a first wavelength conversion unit 122 are mounted on a substrate 110 to form a first light emitting diode Forming a group 120 (S110) and including a second wavelength conversion unit 141 to cover the light emitting diode 131 mounted on the substrate 110 and not having the first wavelength conversion unit 122 Forming an encapsulation layer 140 on the substrate 110 to form the second light emitting diode group 130 (S120) may be included. Furthermore, in the method of manufacturing the color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention, the first light emitting diode group 120 and the second light emitting diode group 130 are sequentially operated according to the input voltage level. A step of configuring circuits (control unit and driver IC) (S130) may be further included.

이하 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)의 제조 방법을 각 단계별로 나누어 살핀다. 다만, 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)과 겹치는 부분은 추가적인 설명을 생략하고, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100) 제조 방법의 특징적인 부분을 중심으로 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention will be divided into stages and examined. However, additional descriptions are omitted for portions overlapping with the color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention described above, and characteristics of the color temperature variable light emitting diode module 100 manufacturing method according to an embodiment of the present invention It is explained by focusing on the critical part.

먼저, 상기 S110 단계에서는 상기 기판(110) 상에 제1 파장변환부(122)가 미리 형성된 하나 이상의 발광다이오드(121)를 실장하여, 제1 발광다이오드군(120)을 구성한다. 이때, 제1 파장변환부(122)가 미리 형성된 발광다이오드(121)를 상기 기판(110)에 적절하게 실장할 수 있는 공정이라면 특별한 제한 없이 사용될 수 있다.First, in the step S110 , one or more light emitting diodes 121 having a first wavelength conversion unit 122 formed in advance are mounted on the substrate 110 to form a first light emitting diode group 120 . In this case, any process capable of properly mounting the light emitting diode 121 in which the first wavelength conversion unit 122 is formed in advance may be used without particular limitation.

이어서, S120 단계에서는 상기 기판(110) 상에 실장된 제1 발광다이오드군(120) 및 제2 발광다이오드군(130)을 제2 파장변환부(141)를 포함하는 봉지층(140)으로 봉지하여, 제2 발광다이오드군(130)을 구성하게 된다. 본 단계에서도 상기 하나 이상의 발광다이오드(131)를 상기 기판(110)에 적절하게 실장하고 상기 제2 파장변환부(141)를 포함하는 봉지층(140)으로 적절하게 봉지할 수 있는 공정이라면 특별한 제한 없이 사용될 수 있다.Subsequently, in step S120, the first light emitting diode group 120 and the second light emitting diode group 130 mounted on the substrate 110 are sealed with the encapsulation layer 140 including the second wavelength conversion unit 141. Thus, the second light emitting diode group 130 is constituted. Even in this step, if it is a process that can properly mount the one or more light emitting diodes 131 on the substrate 110 and properly encapsulate the encapsulation layer 140 including the second wavelength conversion part 141, there are special limitations. can be used without

이때, 상기 제1 파장변환부(122)는 제1 발광다이오드군(120)에서 발광되는 빛이 상기 제2 발광다이오드군(130)에서 발광되는 빛보다 낮은 색온도를 가지도록 하는 파장변환재료를 포함할 수 있다.At this time, the first wavelength conversion unit 122 includes a wavelength conversion material that allows the light emitted from the first light emitting diode group 120 to have a lower color temperature than the light emitted from the second light emitting diode group 130. can do.

예를 들어, 상기 제1 파장변환부(122)는 적색 계열의 형광체를 포함하며, 상기 제2 발광다이오드군(130)은 제2 파장변환부(141)와 협력하여 백색 계열의 빛을 발광하도록 함으로써, 상기 제1 발광다이오드군(120)만이 발광할 때 나오는 빛, 즉, 제1 파장변환부(122)와 제1 발광다이오드군(120)이 협력하여 만들어낸 빛이 상기 제2 발광다이오드군(130)도 함께 발광할 때 나오는 빛, 즉, 제1 발광다이오드군(120) 및 제1 파장변환부(122)와 제2 발광다이오드군(130) 및 제2 파장변환부(141)이 협력하여 만들어낸 빛보다 낮은 색온도를 가지도록 함으로써, 발광디스플레이 모듈(100)에서 발광되는 빛의 색온도가 가변되도록 제어할 수 있다.For example, the first wavelength conversion unit 122 includes a red phosphor, and the second light emitting diode group 130 cooperates with the second wavelength conversion unit 141 to emit white light. By doing so, the light emitted when only the first light emitting diode group 120 emits light, that is, the light produced by the cooperation of the first wavelength conversion unit 122 and the first light emitting diode group 120 is transmitted to the second light emitting diode group. Light emitted when 130 also emits light, that is, the first light emitting diode group 120 and the first wavelength conversion unit 122 and the second light emitting diode group 130 and the second wavelength conversion unit 141 cooperate. The color temperature of the light emitted from the light emitting display module 100 can be controlled to be variable by having a color temperature lower than that of the light produced by the light emitting display module 100 .

보다 구체적인 예를 들어, 적색 형광체가 포함된 제1 파장변환부(122)가 형성된 자외선 발광다이오드(121)를 사용하여 제1 발광다이오드군(120)을 구성하고, 황색 형광체를 포함하는 제2 파장변환부(141)가 포함된 봉지층(140)으로 청색 발광다이오드(131)를 봉지하여 제2 발광다이오드군(130)을 구성한 후, 입력 전압의 상승에 따라 입력 전압 레벨이 제1 기준 전압을 넘어서면 상기 제1 발광다이오드군(120)을 먼저 구동시켜 적색 등 낮은 색온도를 가지는 빛이 발광되도록 하고, 입력 전압 레벨이 제2 기준 전압을 넘어서면 상기 제2 발광다이오드군(130)을 구동시켜 백색이나 청색 등 높은 색온도를 가지는 빛이 발광되도록 할 수 있으며, 반대로 입력 전압이 낮아지면, 상기 제2 발광다이오드군(130)과 상기 제1 발광다이오드군(120)이 순차로 소등되는 방식으로 동작하도록 할 수 있다.For a more specific example, the first light emitting diode group 120 is constituted by using the ultraviolet light emitting diode 121 having the first wavelength conversion unit 122 including the red phosphor, and the second wavelength including the yellow phosphor. After configuring the second light emitting diode group 130 by sealing the blue light emitting diodes 131 with the encapsulation layer 140 including the conversion unit 141, the input voltage level increases to the first reference voltage as the input voltage rises. When the input voltage level exceeds the second reference voltage, the first light emitting diode group 120 is driven first so that light having a low color temperature such as red is emitted, and when the input voltage level exceeds the second reference voltage, the second light emitting diode group 130 is driven. Light having a high color temperature, such as white or blue, can be emitted. Conversely, when the input voltage is lowered, the second light emitting diode group 130 and the first light emitting diode group 120 are sequentially turned off. can make it

이에 따라, 본 발명에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100)은 조도를 낮추는 경우 일반 할로겐 램프의 경우와 유사한 특성을 갖게 된다.Accordingly, the color temperature variable light emitting diode module 100 according to the present invention has characteristics similar to those of a general halogen lamp when the illuminance is lowered.

또한, 상기 S120 단계에서는 제2 발광다이오드군(130)에 포함되는 발광다이오드(131)와 함께 상기 제1 발광다이오드군(120)에 포함되는 발광다이오드(120)도 한꺼번에 봉지할 수도 있다.Further, in the step S120, the light emitting diodes 131 included in the second light emitting diode group 130 and the light emitting diodes 120 included in the first light emitting diode group 120 may be sealed together.

나아가, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100) 제조 방법에서는 복수의 발광다이오드 플립칩을 기판(110)에 직접 실장하여 칩온보드(Chip On Board) 모듈의 형태로 제조할 수도 있다.Furthermore, in the method of manufacturing the color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention, a plurality of light emitting diode flip chips may be directly mounted on the substrate 110 to be manufactured in the form of a chip on board module. there is.

이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100) 제조 방법에서는, 제한된 기판(110)의 공간에 다수의 발광 소자를 실장함과 동시에 발광다이오드칩(chip)의 패키징에 따른 방열 효율 저하를 억제하여 방열 효율도 효과적으로 개선할 수 있게 된다.Accordingly, in the method of manufacturing the color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention, a plurality of light emitting elements are mounted in the limited space of the substrate 110 and at the same time, according to the packaging of the light emitting diode chip It is also possible to effectively improve the heat dissipation efficiency by suppressing the decrease in heat dissipation efficiency.

마지막으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈(100) 제조 방법에는 입력 전압에 따라 상기 제1 발광다이오드군 및 제2 발광다이오드군을 순차 구동시키는 제어 회로(제어부 및 드라이버 IC)를 구성하는 단계(S130)가 더 포함될 수 있다.Finally, in the method of manufacturing the color temperature variable light emitting diode module 100 according to an embodiment of the present invention, a control circuit (control unit and driver IC) for sequentially driving the first light emitting diode group and the second light emitting diode group according to an input voltage A step of configuring (S130) may be further included.

이때, 제어 회로는 상기 기판(110)의 상면 또는 하면에 구성되거나 별도의 모듈로 구성되어 케이블이나 컨텐터 등을 통해 상기 기판(110)에 연결되어 구성될 수도 있다.At this time, the control circuit may be configured on the upper or lower surface of the substrate 110 or configured as a separate module and connected to the substrate 110 through a cable or a container.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈을 설명하기 위한 도면이다. 도 10을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 색온도 가변형 발광다이오드 모듈은, 정류회로부(170), 드라이버 IC(190), 발광다이오드군들(120, 130)을 포함한다. 앞선 실시예들에서 설명된 바와 같이 드라이버 IC(190)는 제어부에 의해 제어되며, 이러한 제어부는 별도로 도시되지 않았다. 그리고, 상기 색온도 가변형 발광다이오드 모듈은, 정류회로부(170)와 드라이버 IC(190) 사이에 위치하여, 입력 전압(Vrec) 레벨이 변하더라도 제1 발광다이오드군(120)과 제2 발광다이오드군(130) 중 어느 하나의 발광다이오드군이 발광하지 않도록 스위칭하는 스위치부(200)를 포함한다. 스위치부(200)는 발광다이오드군들(120, 130)의 전단에 위치할 수도 있겠으나, 드라이버 IC(200)에 의한 발광다이오드군들(120, 130)의 효율적인 구동(구체적으로는 드라이버 IC(200) 내의 트랜지스터들의 싸이즈나 용량등)을 고려할 때, 스위치부(200)는 발광다이오드군들(120, 130)과 드라이버 IC(200) 사이에 위치하는 것이 더 바람직하며, 이러한 예가 도 10에 도시되어 있다.10 is a diagram for explaining a color temperature variable light emitting diode module according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 10 , a color temperature variable light emitting diode module according to another embodiment of the present invention includes a rectifier circuit unit 170, a driver IC 190, and light emitting diode groups 120 and 130. As described in the previous embodiments, the driver IC 190 is controlled by a control unit, and this control unit is not separately shown. In addition, the color temperature variable light emitting diode module is located between the rectifier circuit unit 170 and the driver IC 190, and even if the level of the input voltage Vrec changes, the first light emitting diode group 120 and the second light emitting diode group ( 130) includes a switch unit 200 for switching so that any one light emitting diode group does not emit light. The switch unit 200 may be located at the front end of the light emitting diode groups 120 and 130, but efficient driving of the light emitting diode groups 120 and 130 by the driver IC 200 (specifically, the driver IC ( Considering the size or capacity of the transistors in 200), it is more preferable for the switch unit 200 to be located between the light emitting diode groups 120 and 130 and the driver IC 200, an example of which is shown in FIG. has been

스위치부(200)는, 제1 발광다이오드군(120)의 후단과 드라이버 IC(190) 사이에 연결되는 제1 NMOS FET(Q1)와, 제2 발광다이오드군(130)의 후단과 드라이버 IC(190) 사이에 연결되는 제2 NMOS FET(Q2)를 포함하며, 제1 NMOS FET(Q1)와 제2 NMOS FET(Q2)의 게이트 단자들은 정류회로부(190)의 출력단(Vrec)에 연결될 수 있다. 스위치부(200)의 게이트 단자들이 연결된 정류회로부(190)의 출력단(Vrec)은 발광다이오드군들(120, 130)의 입력노드이다.The switch unit 200 includes a first NMOS FET (Q1) connected between the rear end of the first light emitting diode group 120 and the driver IC 190, and a rear end of the second light emitting diode group 130 and the driver IC ( 190), and gate terminals of the first NMOS FET Q1 and the second NMOS FET Q2 may be connected to the output terminal Vrec of the rectifier circuit unit 190. . An output terminal Vrec of the rectifier circuit unit 190 to which the gate terminals of the switch unit 200 are connected is an input node of the light emitting diode groups 120 and 130 .

스위치부(200)는, 입력 전압(Vrec)의 레벨과 무관하게, 제1 발광다이오드군(120)이 발광 동작하지 않도록 스위칭할 수 있다. 즉, 제1 NMOS FET의 게이트 단자가 접지단과 연결되도록 스위칭하는 경우, 제1 NMOS FET는 오프 상태이므로, 제1 발광다이오드군(120)은 입력 전압(Vrec)의 레벨이 변하더라도 발광 동작하지 않게 된다.The switch unit 200 may switch the first light emitting diode group 120 not to emit light regardless of the level of the input voltage Vrec. That is, when the gate terminal of the first NMOS FET is switched to be connected to the ground terminal, since the first NMOS FET is in an off state, the first light emitting diode group 120 does not emit light even when the level of the input voltage Vrec changes. do.

또한, 스위치부(200)는, 입력 전압(Vrec)의 레벨과 무관하게, 제2 발광다이오드군(130)이 발광 동작하지 않도록 스위칭할 수 있다. 즉, 제2 NMOS FET의 게이트 단자가 접지단과 연결되도록 스위칭하는 경우, 제2 NMOS FET는 오프 상태이므로, 제2 발광다이오드군(130)은 입력 전압(Vrec)의 레벨이 변하더라도 발광 동작하지 않게 된다.Also, the switch unit 200 may switch the second light emitting diode group 130 not to emit light regardless of the level of the input voltage Vrec. That is, when the gate terminal of the second NMOS FET is switched to be connected to the ground terminal, since the second NMOS FET is in an off state, the second light emitting diode group 130 does not emit light even when the level of the input voltage Vrec changes. do.

이와 같이 스위치부(200)를 이용하여 발광다이오드군들(120, 130)을 선택적으로 발광 동작시킬 수 있도록 구성함으로써, 색온도를 가변시킬 수 있게 된다.In this way, by configuring the light emitting diode groups 120 and 130 to be selectively operated by using the switch unit 200, the color temperature can be varied.

예컨대, 1Ch, 즉 제1 발광다이오드군(120)만 발광 동작하도록, 제2 NMOS FET(Q2)의 게이트 단자를 접지시키는 경우, 색온도 3000K가 되도록 구성할 수 있고, 2 Ch, 즉 제2 발광다이오드군(130)만 발광 동작하도록, 제1 NMOS FET(Q1)의 게이트 단자를 접지시키는 경우, 색온도 3500K가 되도록 구성할 수 있으며, 제1 NMOS FET(Q1)의 게이트 단자 및 제2 NMOS FET(Q2)의 게이트 단자를 모두 접지시키지 않는 경우, 모두 온 상태이므로, 입력 전압(Vrec)의 레벨에 따라 발광다이오드군들(120, 130)이 모두 발광 동작하도록 하여, 색온도 4000K가 되도록 구성할 수 있다.For example, when the gate terminal of the second NMOS FET Q2 is grounded so that only 1Ch, that is, the first light emitting diode group 120 emits light, the color temperature can be configured to be 3000K, and 2 Ch, that is, the second light emitting diode When the gate terminal of the first NMOS FET (Q1) is grounded so that only the group 130 emits light, the color temperature can be configured to be 3500K, and the gate terminal of the first NMOS FET (Q1) and the second NMOS FET (Q2) If all gate terminals of ) are not grounded, since they are all on, the light emitting diode groups 120 and 130 can emit light according to the level of the input voltage Vrec, so that the color temperature can be 4000K.

이상에서, 본 발명의 색온도 가변형 발광다이오드 모듈이 도면들을 참조하여 설명되었으나, 도면들 및 설명이 본 발명의 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 해석되어서는 아니될 것이다.In the above, the color temperature variable light emitting diode module of the present invention has been described with reference to the drawings, but the drawings and description should not be construed as limiting the scope of the present invention.

100 : 색온도 가변형 발광다이오드 모듈
110 : 기판
120 : 제1 발광다이오드군
121 : 발광다이오드
120_1 : 제1 발광다이오드 유닛
120_2 : 제2 발광다이오드 유닛
122 : 형광 필름
130 : 제2 발광다이오드군
131 : 발광다이오드
140, 140a, 140b : 봉지층
141 : 형광체
150 : 리플렉터
160 : 제어부
170 : 정류회로부
180a : 제3 발광다이오드군
180b : 제4 발광다이오드군
190 : 드라이버 IC
200 : 스위치부100: color temperature variable light emitting diode module
110: substrate
120: first light emitting diode group
121: light emitting diode
120_1: first light emitting diode unit
120_2: second light emitting diode unit
122: fluorescent film
130: second light emitting diode group
131: light emitting diode
140, 140a, 140b: encapsulation layer
141: phosphor
150: reflector
160: control unit
170: rectifier circuit unit
180a: third light emitting diode group
180b: fourth light emitting diode group
190: Driver IC
200: switch unit

Claims (20)

교류 전원을 인가받아 구동되는 발광다이오드 모듈에 있어서,
기판;
상기 기판 상에 제1 기준 전압 이상의 입력 전압 레벨에서 발광하는 제1 발광다이오드군과 상기 제1 기준 전압보다 높은 제2 기준 전압 이상의 입력 전압 레벨에서 발광하는 제2 발광다이오드군을 포함하며, 상기 제1 발광다이오드군은, 적어도 하나의 발광다이오드가 직렬 연결된 제1 발광다이오드 유닛과, 상기 제1 발광다이오드 유닛에 직렬 연결되며 적어도 하나의 발광다이오드가 직렬 연결된 제2 발광다이오드 유닛을 포함하는, 복수 개의 발광다이오드군;
상기 제1 발광다이오드 유닛 및 상기 제2 발광다이오드 유닛을 구성하는 각각의 발광다이오드 상에 형성되며, 상기 제1 발광다이오드 유닛 및 상기 제2 발광다이오드 유닛에서 방출하는 제1차 광을 제1 색온도의 제2차 광으로 발광하는 제1 파장변환부; 및
상기 제1 발광다이오드군, 상기 제1 파장변환부 및 상기 제2 발광다이오드군 상에 형성되고, 상기 제1 발광다이오드군에서 방출하는 제1차 광 및 상기 제2 발광다이오드군에서 방출하는 제1차 광과, 상기 제1 파장변환부에서 발광하는 상기 제2차 광의 일부 또는 전부를 제2 색온도의 제3차 광으로 발광하는 제2 파장변환부;를 포함하고,
상기 교류 전원에 의해 입력되는 입력 전압 레벨에 따라, 상기 제2차 광과 상기 제3차 광이 혼합되어 발광되거나, 상기 제2차 광 및 상기 제3차 광 중 어느 하나만이 발광되는 것을 특징으로 하며,
상기 제1 발광다이오드군에서 발광되는 빛은
상기 제2 발광다이오드군에서 발광되는 빛보다 낮은 색온도를 가지고,
상기 복수 개의 발광다이오드군은 상기 제1 발광다이오드군, 상기 제2 발광다이오드군 및 제N 발광다이오드군의 순서로 직렬 연결된 구조를 이루며(여기서 N은 3보다 큰 양의 정수),
이 때, 제n-1 발광다이오드군에 포함되는 발광다이오드의 개수는 제n 발광다이오드군에 포함되는 발광다이오드의 개수 초과인 것(여기서 n은 1 < n <=N인 정수)을 특징으로 하는, 색온도 가변형 발광 다이오드 모듈.In the light emitting diode module driven by receiving AC power,
Board;
A first light emitting diode group emitting light at an input voltage level higher than a first reference voltage and a second light emitting diode group emitting light at an input voltage level higher than a second reference voltage higher than the first reference voltage on the substrate; One light emitting diode group includes a plurality of light emitting diode units including a first light emitting diode unit in which at least one light emitting diode is connected in series, and a second light emitting diode unit in which at least one light emitting diode is connected in series with the first light emitting diode unit. light emitting diode group;
It is formed on each of the light emitting diodes constituting the first light emitting diode unit and the second light emitting diode unit, and primary light emitted from the first light emitting diode unit and the second light emitting diode unit has a first color temperature. a first wavelength conversion unit emitting secondary light; and
It is formed on the first light emitting diode group, the first wavelength conversion unit, and the second light emitting diode group, and the first light emitted from the first light emitting diode group and the first light emitted from the second light emitting diode group and a second wavelength conversion unit configured to emit part or all of the secondary light emitted from the first wavelength conversion unit as tertiary light having a second color temperature,
According to the input voltage level input by the AC power supply, the secondary light and the tertiary light are mixed and emitted, or only one of the secondary light and the tertiary light is emitted. and
The light emitted from the first light emitting diode group is
having a lower color temperature than the light emitted from the second light emitting diode group;
The plurality of light emitting diode groups form a structure connected in series in the order of the first light emitting diode group, the second light emitting diode group, and the N th light emitting diode group (where N is a positive integer greater than 3),
At this time, the number of light emitting diodes included in the n-1th light emitting diode group is greater than the number of light emitting diodes included in the nth light emitting diode group (where n is an integer of 1 < n <= N). , color temperature variable light emitting diode module. 청구항 1에 있어서,
상기 교류 전원에 의해 입력되는 입력 전압 레벨을 검출하여, 상기 입력 전압 레벨에 따라 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군을 순차적 또는 선택적으로 발광시키는 제어부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광 다이오드 모듈.The method of claim 1,
And a control unit for detecting the input voltage level input by the AC power supply and sequentially or selectively emitting light of the first light emitting diode group and the second light emitting diode group according to the input voltage level. Color temperature variable light emitting diode module. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 발광다이오드군의 후단과 상기 제2 발광다이오드군의 후단에 연결되어, 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군이 발광 시, 전류 경로를 제공하는 드라이버 IC;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광 다이오드 모듈.The method of claim 1,
A driver IC connected to a rear end of the first light emitting diode group and a rear end of the second light emitting diode group to provide a current path when the first light emitting diode group and the second light emitting diode group emit light. Color temperature variable light emitting diode module, characterized in that. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 발광다이오드군의 후단에 연결되고, 상기 입력 전압 레벨이 상기 제1 기준 전압보다 높고 상기 제2 기준 전압보다 낮은 경우 상기 제1 발광다이오드군이 발광되기 위해 턴온(Turn-On)되고, 상기 입력 전압 레벨이 상기 제2 기준 전압보다 높은 경우 턴오프(Turn-Off)되는, 제1 드라이버 IC; 및
상기 제2 발광다이오드군의 후단에 연결되고, 상기 입력 전압 레벨이 상기 제2 기준 전압보다 높은 경우, 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군이 함께 발광되기 위해 턴온(Turn-On)되는 제2 드라이버 IC;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈.The method of claim 1,
It is connected to the rear end of the first light emitting diode group, and when the input voltage level is higher than the first reference voltage and lower than the second reference voltage, the first light emitting diode group is turned on to emit light, a first driver IC that is turned off when the input voltage level is higher than the second reference voltage; and
Connected to the rear end of the second light emitting diode group, and when the input voltage level is higher than the second reference voltage, the first light emitting diode group and the second light emitting diode group turn on to emit light together A color temperature variable light emitting diode module further comprising a second driver IC. 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 제1 발광다이오드군 및 상기 제2 발광다이오드군에 전압을 인가하는 정류회로부;
상기 제1 발광다이오드군 및 상기 제2 발광다이오드군의 후단에 연결되어 전류 경로를 제어하는 드라이버 IC; 및
상기 정류회로부와 상기 드라이버 IC 사이에 위치하여, 입력 전압 레벨이 변하여도 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군 중 어느 하나의 발광다이오드군이 발광하지 않도록 스위칭하는 스위치부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈.The method of claim 1,
a rectifier circuit unit for applying a voltage to the first light emitting diode group and the second light emitting diode group;
a driver IC connected to rear ends of the first light emitting diode group and the second light emitting diode group to control a current path; and
A switch unit disposed between the rectifier circuit unit and the driver IC and switching so that one of the first light emitting diode group and the second light emitting diode group does not emit light even when the input voltage level changes. Color temperature variable light emitting diode module, characterized in that. 청구항 6에 있어서,
상기 스위치부는, 상기 제1 발광다이오드군의 후단과 상기 드라이버IC 사이에 연결되는 제1 NMOS FET과, 상기 제2 발광다이오드군의 후단과 상기 드라이버IC 사이에 연결되는 제2 NMOS FET을 포함하며,
상기 제1 NMOS FET과 상기 제1 NMOS FET의 게이트 단자들은 상기 정류회로부의 출력단에 연결되는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광 다이오드 모듈.The method of claim 6,
The switch unit includes a first NMOS FET connected between a rear end of the first light emitting diode group and the driver IC, and a second NMOS FET connected between a rear end of the second light emitting diode group and the driver IC,
The color temperature variable light emitting diode module, characterized in that the first NMOS FET and the gate terminals of the first NMOS FET are connected to the output terminal of the rectifying circuit unit. 청구항 7에 있어서, 상기 스위치부는,
입력 전압 레벨이 변하더라도 상기 제1 발광다이오드군이 발광하지 않도록 스위칭하기 위해 상기 제1 NMOS FET의 게이트 단자가 접지단과 연결되는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈.The method according to claim 7, wherein the switch unit,
A color temperature variable light emitting diode module, characterized in that a gate terminal of the first NMOS FET is connected to a ground terminal for switching so that the first light emitting diode group does not emit light even when the input voltage level changes. 청구항 7에 있어서, 상기 스위치부는,
입력 전압 레벨이 변하더라도 상기 제2 발광다이오드군이 발광하지 않도록 스위칭하기 위해 상기 제2 NMOS FET의 게이트 단자가 접지단과 연결되는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈.The method according to claim 7, wherein the switch unit,
A color temperature variable light emitting diode module, characterized in that a gate terminal of the second NMOS FET is connected to a ground terminal in order to switch such that the second light emitting diode group does not emit light even when the input voltage level changes. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 파장변환부는, 상기 복수개의 발광다이오드군 중 상기 제1 발광다이오드군에만 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광 다이오드 모듈.The method of claim 1,
The color temperature variable light emitting diode module, characterized in that the first wavelength conversion unit is formed only in the first light emitting diode group among the plurality of light emitting diode groups. 교류 전원을 인가받아 구동되는 발광다이오드 모듈에 있어서,
기판;
상기 기판상에 제1 기준 전압 이상의 입력 전압 레벨에서 발광하는 제1 발광다이오드군과, 상기 제1 기준 전압보다 높은 제2 기준 전압 이상의 입력 전압 레벨에서 발광하는 제2 발광다이오드군을 포함하는 복수개의 발광 다이오드군;
상기 제1 발광다이오드군의 각각의 발광다이오드 상에 형성되며, 상기 제1 발광다이오드군의 각각의 발광다이오드군에서 방출하는 제1차 광을 제1 색온도의 제2 차광으로 발광하는 제1 파장변환부; 및
상기 제1 발광다이오드군, 상기 제1 파장변환부 및 상기 제2 발광 다이오드군 상에 형성되고, 상기 제1 발광다이오드군에서 방출하는 제1차 광 및 상기 제2 발광다이오드군에서 방출하는 제1차 광과, 상기 제1 파장 변환부에서 발광하는 상기 제2 차광의 일부 또는 전부를 제2 색온도의 제3차 광으로 발광하는 제2 파장변환부와 레진이 혼합된 봉지재;를 포함하고,
상기 교류 전원에 의해 입력되는 입력 전압 레벨에 따라, 상기 제2차 광과 상기 제3차 광이 혼합되어 발광되거나, 상기 제2차 광 및 상기 제3차 광 중 어느 하나만이 발광되는 것을 특징으로 하며,
상기 제1 발광다이오드군에서 발광되는 빛은
상기 제2 발광다이오드군에서 발광되는 빛보다 낮은 색온도를 가지고,
상기 복수 개의 발광다이오드군은 상기 제1 발광다이오드군, 상기 제2 발광다이오드군 및 제N 발광다이오드군의 순서로 직렬 연결된 구조를 이루며(여기서 N은 3보다 큰 양의 정수),
이 때, 제n-1 발광다이오드군에 포함되는 발광다이오드의 개수는 제n 발광다이오드군에 포함되는 발광다이오드의 개수 초과인 것(여기서 n은 1 < n <=N인 정수)을 특징으로 하는, 색온도 가변형 발광 다이오드 모듈.In the light emitting diode module driven by receiving AC power,
Board;
A plurality of light emitting diode groups including a first light emitting diode group on the substrate emitting light at an input voltage level higher than a first reference voltage and a second light emitting diode group emitting light at an input voltage level higher than the second reference voltage higher than the first reference voltage light emitting diode group;
A first wavelength conversion that is formed on each light emitting diode of the first light emitting diode group and emits a first order light emitted from each light emitting diode group as a second order light of a first color temperature. wealth; and
It is formed on the first light emitting diode group, the first wavelength conversion unit, and the second light emitting diode group, and the first light emitted from the first light emitting diode group and the first light emitted from the second light emitting diode group A shielding light, a second wavelength conversion unit that emits part or all of the second shielding light emitted from the first wavelength conversion unit as tertiary light of a second color temperature, and an encapsulant mixed with resin,
According to the input voltage level input by the AC power supply, the secondary light and the tertiary light are mixed and emitted, or only one of the secondary light and the tertiary light is emitted. and
The light emitted from the first light emitting diode group is
having a lower color temperature than the light emitted from the second light emitting diode group;
The plurality of light emitting diode groups form a structure connected in series in the order of the first light emitting diode group, the second light emitting diode group, and the N th light emitting diode group (where N is a positive integer greater than 3),
At this time, the number of light emitting diodes included in the n-1th light emitting diode group is greater than the number of light emitting diodes included in the nth light emitting diode group (where n is an integer of 1 < n <= N). , color temperature variable light emitting diode module. 청구항 11에 있어서,
상기 교류 전원에 의해 입력되는 입력 전압 레벨을 검출하여, 상기 입력 전압 레벨에 따라 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군을 순차적 또는 선택적으로 발광시키는 제어부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광 다이오드 모듈.The method of claim 11,
And a control unit for detecting the input voltage level input by the AC power supply and sequentially or selectively emitting light of the first light emitting diode group and the second light emitting diode group according to the input voltage level. Color temperature variable light emitting diode module. 청구항 11에 있어서,
상기 제1 발광다이오드군의 후단에 연결되고, 상기 입력 전압 레벨이 상기 제1 기준 전압보다 높고 상기 제2 기준 전압보다 낮은 경우 상기 제1 발광다이오드군이 발광되기 위해 턴온(Turn-On)되고, 상기 입력 전압 레벨이 상기 제2 기준 전압보다 높은 경우 턴오프(Turn-Off)되는, 제1 드라이버 IC; 및
상기 제2 발광다이오드군의 후단에 연결되고, 상기 입력 전압 레벨이 상기 제2 기준 전압보다 높은 경우, 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군이 함께 발광되기 위해 턴온(Turn-On)되는 제2 드라이버 IC;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈.The method of claim 11,
It is connected to the rear end of the first light emitting diode group, and when the input voltage level is higher than the first reference voltage and lower than the second reference voltage, the first light emitting diode group is turned on to emit light, a first driver IC that is turned off when the input voltage level is higher than the second reference voltage; and
Connected to the rear end of the second light emitting diode group, and when the input voltage level is higher than the second reference voltage, the first light emitting diode group and the second light emitting diode group turn on to emit light together A color temperature variable light emitting diode module further comprising a second driver IC. 청구항 11에 있어서,
상기 제1 발광다이오드군 및 상기 제2 발광다이오드군에 전압을 인가하는 정류회로부;
상기 제1 발광다이오드군 및 상기 제2 발광다이오드군의 후단에 연결되어 전류 경로를 제어하는 드라이버 IC; 및
상기 정류회로부와 상기 드라이버 IC 사이에 위치하여, 입력 전압 레벨이 변하여도 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군 중 어느 하나의 발광다이오드군이 발광하지 않도록 스위칭하는 스위치부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈.The method of claim 11,
a rectifier circuit unit for applying a voltage to the first light emitting diode group and the second light emitting diode group;
a driver IC connected to rear ends of the first light emitting diode group and the second light emitting diode group to control a current path; and
A switch unit disposed between the rectifier circuit unit and the driver IC and switching so that one of the first light emitting diode group and the second light emitting diode group does not emit light even when the input voltage level changes. Color temperature variable light emitting diode module, characterized in that. 교류 전원을 인가받아 구동되는 발광다이오드 모듈에 있어서,
기판;
상기 기판 상에 배치되고, 복수 개의 발광다이오드들과 상기 발광다이오드들 각각에 대응되게 형성되는 제1 파장변환부를 포함하는 제1 발광다이오드군;
상기 기판 상에 배치되고, 복수 개의 발광다이오드들을 포함하는 제2 발광다이오드군; 및
상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군을 봉지하며, 제2 파장변환부가 형성된 봉지층; 을 포함하며,
제1 기준 전압 이상의 입력 전압 레벨에서 상기 제1 발광다이오드군이 구동되어, 제1 색온도의 빛을 발광하고,
상기 제1 기준전압보다 높은 제2 기준 전압 레벨에서 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군이 구동되어, 제2 색온도의 빛을 발광하는 것을 특징으로 하며,
상기 제1 발광다이오드군에서 발광되는 빛은
상기 제2 발광다이오드군에서 발광되는 빛보다 낮은 색온도를 가지고,
상기 복수 개의 발광다이오드군은 상기 제1 발광다이오드군, 상기 제2 발광다이오드군 및 제N 발광다이오드군의 순서로 직렬 연결된 구조를 이루며(여기서 N은 3보다 큰 양의 정수),
이 때, 제n-1 발광다이오드군에 포함되는 발광다이오드의 개수는 제n 발광다이오드군에 포함되는 발광다이오드의 개수 초과인 것(여기서 n은 1 < n <=N인 정수)을 특징으로 하는, 색온도 가변형 발광다이오드 모듈.In the light emitting diode module driven by receiving AC power,
Board;
a first light emitting diode group disposed on the substrate and including a plurality of light emitting diodes and a first wavelength conversion part formed to correspond to each of the light emitting diodes;
a second light emitting diode group disposed on the substrate and including a plurality of light emitting diodes; and
an encapsulation layer encapsulating the first light emitting diode group and the second light emitting diode group and having a second wavelength conversion part formed thereon; Including,
The first light emitting diode group is driven at an input voltage level equal to or higher than a first reference voltage to emit light having a first color temperature;
Characterized in that the first light emitting diode group and the second light emitting diode group are driven at a second reference voltage level higher than the first reference voltage to emit light of a second color temperature,
The light emitted from the first light emitting diode group is
having a lower color temperature than the light emitted from the second light emitting diode group;
The plurality of light emitting diode groups form a structure connected in series in the order of the first light emitting diode group, the second light emitting diode group, and the N th light emitting diode group (where N is a positive integer greater than 3),
At this time, the number of light emitting diodes included in the n-1th light emitting diode group is greater than the number of light emitting diodes included in the nth light emitting diode group (where n is an integer of 1 < n <= N). , color temperature variable light emitting diode module. 청구항 15에 있어서,
상기 제1 파장변환부는 상기 제1 발광다이오드군 내 발광다이오드들에서 나온 빛을 적색 계열로 변화시키는 파장변환재료를 포함하고,
상기 제2 파장변환부는 상기 제2 발광다이오드군과 협력하여 백색 계열 빛을 만드는 파장변환재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈.The method of claim 15
The first wavelength conversion unit includes a wavelength conversion material that converts light emitted from the light emitting diodes in the first light emitting diode group into a red color,
The color temperature tunable light emitting diode module according to claim 1 , wherein the second wavelength conversion unit includes a wavelength conversion material for generating white light in cooperation with the second light emitting diode group. 삭제delete 청구항 15에 있어서,
상기 제1 파장변환부는 상기 N(N은 3 이상의 정수)개의 발광다이오드군 중 상기 제1 발광다이오드군에 속한 발광다이오드에만 형성된 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈The method of claim 15
The first wavelength conversion unit is a color temperature variable light emitting diode module, characterized in that formed only in the light emitting diodes belonging to the first light emitting diode group among the N (N is an integer of 3 or more) light emitting diodes. 삭제delete 청구항 15에 있어서,
입력 전압 레벨을 검출하기 위한 제어부; 및
상기 제어부에서 검출된 입력 전압 레벨에 따라 상기 제어부에 의해 제어되어, 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군을 순차적으로 발광시키기 위해, 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군 각각의 후단에 연결되어, 상기 제1 발광다이오드군과 상기 제2 발광다이오드군의 발광시 전류 경로를 제공하는 드라이버 IC;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 색온도 가변형 발광다이오드 모듈.The method of claim 15
a control unit for detecting an input voltage level; and
The first light emitting diode group and the second light emitting diode group are controlled by the control unit according to the input voltage level detected by the control unit to sequentially emit light of the first light emitting diode group and the second light emitting diode group. The color temperature variable light emitting diode module further comprising a driver IC connected to each rear end and providing a current path when the first light emitting diode group and the second light emitting diode group emit light.
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