KR20200007784A - Manufacturing method of aluminum plating film and aluminum plating film - Google Patents

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aluminum plating
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켄고 고토
아키히사 호소에
히데아키 사카이다
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스미토모덴키고교가부시키가이샤
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Abstract

알루미늄을 주성분으로 하는 알루미늄 도금막으로서, 상기 알루미늄 도금막은, 두께 방향의 양단의 피막면끼리의 사이에, 이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속을 포함하는 개재층, 또는 이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속과 알루미늄의 합금을 포함하는 개재층을 갖는, 알루미늄 도금막.An aluminum plating film containing aluminum as a main component, wherein the aluminum plating film includes an intervening layer containing a metal having a smaller ionization tendency than aluminum, or a metal having a smaller ionization tendency than aluminum between the coated surfaces at both ends in the thickness direction. An aluminum plating film which has an intervening layer containing the alloy of.

Description

알루미늄 도금막 및 알루미늄 도금막의 제조 방법Manufacturing method of aluminum plating film and aluminum plating film

본 개시는 알루미늄 도금막 및 알루미늄 도금막의 제조 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to an aluminum plated film and a method for manufacturing the aluminum plated film.

본 출원은, 2017년 5월 16일 출원의 일본출원 제2017-097138호에 기초하는 우선권을 주장하고, 상기 일본 출원에 기재된 모든 기재 내용을 원용하는 것이다.This application claims the priority based on Japanese Patent Application No. 2017-097138 of an application on May 16, 2017, and uses all the description content described in the said Japanese application.

특허문헌 1에는, 기재와 양극의 사이에, 절연물로 만들어진 다공판을 배치하는 것이 기재되어 있다. 특허문헌 1에 기재된 다공판의 개구율을 기재의 진행 방향을 따라 조정함으로써, 기재의 진행 방향의 전류 밀도 분포를 균일화하여, 두께에 불균일이 없는 알루미늄 도금막을 형성할 수 있다고 되어 있다.Patent Document 1 describes the arrangement of a porous plate made of an insulator between the substrate and the anode. By adjusting the opening ratio of the porous plate described in Patent Literature 1 along the advancing direction of the substrate, it is said that the current density distribution in the advancing direction of the substrate can be made uniform to form an aluminum plated film having no thickness variation.

특허문헌 2에는, 상부 탱크와 하부 탱크를 2개의 통로에서 접속한 셀 구조의 도금조(plating bath)와, 하부 탱크 내에 배치된 싱크 롤과, 상부 탱크보다 상방의 도금조 외에 배치된 급전 롤을 구비하는 연속 전기 처리 장치를 이용하여, 기재에 알루미늄 도금막을 형성하는 것이 기재되어 있다. 특허문헌 2에 기재된 연속 전기 처리 장치에 의하면, 기재를 급전 롤과 싱크 롤의 사이를 복수회 왕복시킴으로써, 기재의 표면에 복수회에 걸쳐 알루미늄 도금막을 형성할 수 있다고 되어 있다.Patent Literature 2 discloses a plating bath having a cell structure in which an upper tank and a lower tank are connected in two passages, a sink roll disposed in the lower tank, and a feed roll disposed outside the plating tank located above the upper tank. It is described to form an aluminum plating film on a base material using the continuous electrical processing apparatus provided. According to the continuous electroprocessing apparatus of patent document 2, it is supposed that an aluminum plating film can be formed in the surface of a base material several times by reciprocating a base material between a feed roll and a sink roll a plurality of times.

일본공개특허공보 평10-317195호Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-317195 일본공개특허공보 평11-117089호Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-117089

본 개시의 알루미늄 도금막은, 알루미늄을 주성분으로 하는 알루미늄 도금막으로서, 상기 알루미늄 도금막은, 두께 방향의 양단의 피막면(coating surfaces)끼리의 사이에, 이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속을 포함하는 개재층, 또는 이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속과 알루미늄의 합금을 포함하는 개재층을 갖는, 알루미늄 도금막이다.An aluminum plated film of the present disclosure is an aluminum plated film containing aluminum as a main component, and the aluminum plated film includes an intercalation layer containing a metal having a smaller ionization tendency than aluminum between coating surfaces at both ends in the thickness direction. Or an aluminum plated film having an intervening layer containing an alloy of a metal and aluminum having a smaller ionization tendency than aluminum.

본 개시의 알루미늄 도금막의 제조 방법은, 본 개시의 알루미늄 도금막을 제조하는 방법으로서, 적어도 표면이 도전성인 기재를, 제1 전해액 중에서 전해 처리함으로써 상기 기재의 표면에 알루미늄을 전착(electrodeposit)시켜 프리알루미늄 도금막(pre-aluminum plating film)을 형성하는 제1 전해 처리 공정과, 상기 제1 전해 처리 공정 후에, 상기 프리알루미늄 도금막을, 이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속과 상기 제1 전해액을 포함하는 치환액에 침지하여, 상기 프리알루미늄 도금막의 표면을 이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속으로 치환하여, 치환 도금막을 형성하는 치환 공정과, 상기 치환 공정 후에, 상기 치환 도금막을 제2 전해액 중에서 전해 처리함으로써 상기 치환 도금막의 표면에 알루미늄을 전착시켜 알루미늄 도금막을 형성하는 제2 전해 처리 공정을 갖고, 상기 제1 전해액 및 상기 제2 전해액은, 적어도 염화 알루미늄을 포함하는 용융염인, 알루미늄 도금막의 제조 방법이다.The manufacturing method of the aluminum plating film of this indication is a method of manufacturing the aluminum plating film of this indication, Electrodepositing aluminum to the surface of the said base material by electrolytically treating the base material which is electroconductive at least in the 1st electrolyte solution, and free aluminum After the first electrolytic treatment step of forming a pre-aluminum plating film and after the first electrolytic treatment step, the prealuminum plating film contains a metal having a smaller ionization tendency than aluminum and the first electrolyte solution. And replacing the surface of the prealuminum plating film with a metal having a smaller ionization tendency than aluminum to form a substituted plating film, and subjecting the substituted plating film to electrolytic treatment in the second electrolyte after the substitution process. A second electrode which deposits aluminum on the surface of the film to form an aluminum plated film Having a treatment process, wherein the first electrolyte and the second electrolyte solution is a molten salt of aluminum plated film production method comprising at least aluminum chloride.

도 1은 본 개시의 실시 형태에 따른 알루미늄 도금막의 일 예의, 단면의 개략을 나타내는 확대도이다.
도 2는 본 개시의 실시 형태에 따른 알루미늄 도금막의 다른 일 예의, 단면의 개략을 나타내는 확대도이다.
도 3은 본 개시의 실시 형태에 따른 알루미늄 도금막의 또 다른 일 예의, 부분 단면의 개략을 나타내는 확대도이다.
도 4는 도 3의 A-A선 단면의 개략을 나타내는 확대도이다.
도 5는 3차원 그물코 형상 구조의 골격을 갖는 수지 성형체의 일 예의, 발포 우레탄 수지의 사진이다.
도 6은 3차원 그물코 형상 구조의 골격을 갖는 수지 성형체의 골격의 표면에 도전층을 형성한 상태의 일 예의, 부분 단면의 개략을 나타내는 확대도이다.
도 7은 실시예 3에 있어서 제작한 알루미늄 도금막 No.3의 단면을 주사형 전자 현미경에 의해 관찰한 결과를 나타내는 사진이다.
도 8은 실시예 4에 있어서 제작한 알루미늄 도금막 No.4의 단면을 주사형 전자 현미경에 의해 관찰한 결과를 나타내는 사진이다.
도 9는 비교예 2에 있어서 제작한 알루미늄 도금막 No.7의 단면을 주사형 전자 현미경에 의해 관찰한 결과를 나타내는 사진이다.
1 is an enlarged view showing an outline of a cross section of an example of an aluminum plated film according to an embodiment of the present disclosure.
2 is an enlarged view showing an outline of a cross section of another example of the aluminum plating film according to the embodiment of the present disclosure.
3 is an enlarged view showing an outline of a partial cross section of still another example of the aluminum plating film according to the embodiment of the present disclosure.
4 is an enlarged view illustrating an outline of a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 3.
5 is a photograph of a foamed urethane resin as an example of a resin molded article having a skeleton of a three-dimensional network structure.
6 is an enlarged view showing an outline of a partial cross section of an example of a state in which a conductive layer is formed on a surface of a skeleton of a resin molded body having a skeleton having a three-dimensional network structure.
It is a photograph which shows the result of having observed the cross section of the aluminum plating film No. 3 produced in Example 3 with the scanning electron microscope.
FIG. 8 is a photograph showing the result of observing the cross section of the aluminum plating film No. 4 prepared in Example 4 with a scanning electron microscope. FIG.
9 is a photograph showing the result of observing the cross section of aluminum plating film No. 7 prepared in Comparative Example 2 with a scanning electron microscope.

(발명을 실시하기 위한 형태)(Form to carry out invention)

[본 개시가 해결하고자 하는 과제]Problems to be Solved by the Present Disclosure

알루미늄의 전기 도금을 행하기 위해서는 용융염욕이 이용되고 있지만, 용융염은 전기 전도율이 낮기 때문에, 고속으로 알루미늄 도금막을 형성할 수 없다. 특히, 기재가 강대(steel strip)와 같이 장척(elongated) 형상인 경우에는, 반송 속도를 느리게 하지 않으면 도금조 내에서 충분한 두께의 알루미늄 도금막을 형성할 수 없다. 특허문헌 1에 기재된 방법에서는, 알루미늄 도금막의 두께를 균일하게 할 수 있다고 되어 있기는 하지만, 알루미늄 도금막의 두께를 두껍게 하는 경우에는 반송 속도를 떨어뜨릴 수밖에 없어, 생산 효율이 낮아져 버린다.A molten salt bath is used for electroplating aluminum, but since molten salt has low electrical conductivity, an aluminum plating film cannot be formed at high speed. In particular, when the substrate has an elongated shape such as a steel strip, an aluminum plated film having a sufficient thickness cannot be formed in the plating bath without slowing down the conveying speed. Although the method of patent document 1 says that the thickness of an aluminum plating film can be made uniform, when thickening an aluminum plating film, a conveyance speed will inevitably fall and production efficiency will become low.

또한, 기재가 강대와 같은 시트 형상인 경우에는, 특허문헌 2에 기재된 바와 같은 연속 전기 처리 장치를 이용할 수 없다. 특허문헌 2에 기재된 연속 전기 처리 장치는 기재가 선재이기 때문에 급전 롤과 싱크 롤의 사이를 복수회 왕복시킬 수 있는 것이고, 시트 형상의 기재의 경우에는 급전 롤과 싱크 롤의 사이를 복수회 왕복시킬 수 없다. 또한, 도금조 내에서 싱크 롤과 접촉하고 있는 부분의 기재 표면에는 알루미늄이 전착되지 않기 때문에 알루미늄 도금막의 두께에 불균일이 생겨 버린다.In addition, when a base material is a sheet form like a steel strip, the continuous electric processing apparatus as described in patent document 2 cannot be used. Since the base material is a wire rod, the continuous electroprocessing apparatus described in Patent Literature 2 can reciprocate a plurality of times between a feed roll and a sink roll, and in the case of a sheet-shaped substrate, a plurality of reciprocates between a feed roll and a sink roll a plurality of times. Can't. Moreover, since aluminum is not electrodeposited on the base material surface of the part which contacts the sink roll in a plating tank, a nonuniformity will arise in the thickness of an aluminum plating film.

그래서, 본 발명자들은 기재를 수평으로 반송시켜 알루미늄 도금막을 형성하는 도금 장치를 복수 이용하여, 다단계적으로 알루미늄 도금막을 형성함으로써 반송 속도를 올려, 두꺼운 알루미늄 도금막을 고효율로 형성하는 것을 검토했다. 그러나, 알루미늄은 매우 산화되기 쉬운 금속이기 때문에, 기재를 용융염욕으로부터 인상하면 산화막이 형성되어 버려, 다단계적으로 알루미늄 도금을 하면 각 도금 장치에서 형성되는 알루미늄 도금막의 사이에 나이테와 같이 산화막이 삽입되어 버리는 것이 발견되었다. 용융염 알루미늄 도금을 질소 분위기(N2: 99.99% 이상)나 아르곤 분위기(Ar: 99.99% 이상)에서 행했다고 해도, 분위기 중에 포함되는 매우 근소한 산소에 의해 알루미늄 도금막의 표면에 산화막이 형성되어 버리고 있었다.Then, the present inventors examined the formation of a thick aluminum plating film with high efficiency by using a plurality of plating apparatuses which convey a base material horizontally and forming an aluminum plating film, and forming an aluminum plating film in multisteps, and raising a conveyance speed. However, since aluminum is a metal that is very easily oxidized, an oxide film is formed when the substrate is pulled out of the molten salt bath, and when aluminum plating is performed in multiple stages, an oxide film is inserted between the aluminum plating films formed in each plating apparatus. Discarding was found. Even when molten salt aluminum plating was performed in nitrogen atmosphere (N 2 : 99.99% or more) or argon atmosphere (Ar: 99.99% or more), an oxide film was formed on the surface of the aluminum plated film by very little oxygen contained in the atmosphere. .

또한, 알루미늄 도금막의 표면에 형성되는 산화막은 매우 치밀하고 강고하여, 균질하게 통전시킬 수 없기 때문에, 단계적으로 형성된 알루미늄 도금막끼리의 밀착성이 나쁘고, 부풀어오름 등의 불량의 원인이 될 수 있는 것이 발견되었다.In addition, since the oxide film formed on the surface of the aluminum plated film is very dense and strong, and cannot be uniformly energized, the adhesion between the aluminum plated films formed in stages is poor, and it is found that this may cause defects such as swelling. It became.

그래서 본 개시는, 막두께가 두껍고, 또한 저비용으로 단시간에 제조하는 것이 가능한 알루미늄 도금막과 그의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, an object of this disclosure is to provide the aluminum plating film | membrane which can be manufactured in a short time with a thick film thickness at low cost, and its manufacturing method.

[본 개시의 효과][Effect of this disclosure]

본 개시에 의하면, 막두께가 두껍고, 또한 저비용으로 단시간에 제조하는 것이 가능한 알루미늄 도금막과 그의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to the present disclosure, it is possible to provide an aluminum plated film which can be manufactured in a short time with a high film thickness and low cost, and a method for producing the same.

[본 개시의 실시 형태의 설명][Description of Embodiment of the Present Disclosure]

최초로 본 개시의 실시 형태를 열기하여 설명한다.First, an embodiment of the present disclosure will be described in detail.

(1) 본 개시의 실시 형태에 따른 알루미늄 도금막은, 알루미늄을 주성분으로 하는 알루미늄 도금막으로서, 상기 알루미늄 도금막은, 두께 방향의 양단의 피막면끼리의 사이에, 이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속을 포함하는 개재층, 또는 이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속과 알루미늄의 합금을 포함하는 개재층을 갖는, 알루미늄 도금막이다.(1) The aluminum plating film which concerns on embodiment of this indication is an aluminum plating film which has aluminum as a main component, The said aluminum plating film contains the metal whose ionization tendency is smaller than aluminum between the film surfaces of the both ends of a thickness direction. It is an aluminum plating film which has an intervening layer which consists of an intercalation layer or an alloy of an aluminum and a metal whose ionization tendency is smaller than aluminum.

상기 (1)에 기재된 발명의 실시 형태에 의하면, 막두께가 두껍고, 또한 저비용으로 단시간에 제조하는 것이 가능한 알루미늄 도금막을 제공할 수 있다.According to embodiment of the invention as described in said (1), the aluminum plating film which is thick and can be manufactured in a short time at low cost can be provided.

(2) 상기 (1)에 기재된 알루미늄 도금막은, 상기 알루미늄 도금막이 장척의 시트 형상인 것이 바람직하다. 상기 (2)에 기재된 발명의 실시 형태에 의하면, 막두께가 두껍고, 또한 장척이고 시트 형상인 기재의 표면에 저비용으로 단시간에 제조하는 것이 가능한 알루미늄 도금막을 제공할 수 있다.(2) It is preferable that the said aluminum plating film of said (1) is a long sheet shape. According to embodiment of the invention as described in said (2), the aluminum plating film which can be manufactured in a short time at low cost on the surface of a thick, elongate, sheet-like base material can be provided.

(3) 상기 (1)에 기재된 알루미늄 도금막은, 3차원 그물코 형상 구조의 골격을 갖는 금속 다공체의, 상기 골격을 형성하고 있는 것이 바람직하다.(3) It is preferable that the aluminum plating film of said (1) forms the said frame | skeleton of the metal porous body which has a frame | skeleton of a three-dimensional network structure.

상기 (3)에 기재된 발명의 실시 형태에 의하면, 골격의 두께가 두껍고, 또한 저비용으로 단시간에 제조하는 것이 가능한 금속 다공체의 골격을 구성하는 알루미늄 도금막을 제공할 수 있다.According to embodiment of the invention as described in said (3), the thickness of frame | skeleton can provide the aluminum plating film which comprises the frame | skeleton of the porous metal body which can be manufactured in a short time at low cost.

(4) 상기 (3)에 기재된 알루미늄 도금막은, 상기 금속 다공체가, 장척의 시트 형상인 것이 바람직하다.(4) It is preferable that the said metal porous body of the aluminum plating film of said (3) is elongate sheet shape.

상기 (4)에 기재된 발명의 실시 형태에 의하면, 골격의 두께가 두껍고, 저비용으로 단시간에 제조하는 것이 가능하고, 또한 전체적으로 장척이고 시트 형상인 형상을 갖는 금속 다공체의 골격을 구성하는 알루미늄 도금막을 제공할 수 있다.According to embodiment of the invention as described in said (4), the thickness of frame | skeleton is thick, it is possible to manufacture in a short time at low cost, and also provides the aluminum plating film which comprises the frame | skeleton of the metal porous body which has the shape of the elongate and sheet form as a whole. can do.

(5) 상기 (1) 내지 상기 (4) 중 어느 한 항에 기재된 알루미늄 도금막은, 상기 알루미늄 도금막의 두께 방향으로, 복수의 상기 개재층을 갖는 것이 바람직하다.(5) It is preferable that the aluminum plating film in any one of said (1)-(4) has several said intervening layer in the thickness direction of the said aluminum plating film.

상기 (5)에 기재된 발명의 실시 형태에 의하면, 막두께가 보다 두껍고, 또한 저비용으로 보다 단시간에 제조하는 것이 가능한 알루미늄 도금막을 제공할 수 있다.According to embodiment of the invention as described in said (5), the aluminum plating film which can be manufactured more thickly and can be manufactured in a short time at low cost can be provided.

(6) 상기 (1) 내지 상기 (5) 중 어느 한 항에 기재된 알루미늄 도금막은, 이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속이, 철(Fe), 아연(Zn), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종 이상인 것이 바람직하다.(6) In the aluminum plated film according to any one of the above (1) to (5), a metal having a smaller ionization tendency than aluminum includes iron (Fe), zinc (Zn), zirconium (Zr), and manganese (Mn). And at least one selected from the group consisting of nickel (Ni) and copper (Cu).

상기 (6)에 기재된 발명의 실시 형태에 의하면, 도전율이 충분히 높은 알루미늄 도금막을 제공할 수 있다.According to embodiment of the invention as described in said (6), the aluminum plating film with high electrical conductivity can be provided.

(7) 상기 (1) 내지 상기 (6) 중 어느 한 항에 기재된 알루미늄 도금막은, 상기 알루미늄 도금막의 두께가, 10㎛ 이상, 1000㎛ 이하인 것이 바람직하다.(7) It is preferable that the thickness of the said aluminum plating film of the aluminum plating film in any one of said (1)-(6) is 10 micrometers or more and 1000 micrometers or less.

상기 (7)에 기재된 발명의 실시 형태에 의하면, 막두께가 보다 두껍고, 또한 저비용으로 단시간에 제조하는 것이 가능한 알루미늄 도금막을 제공할 수 있다.According to embodiment of the invention as described in said (7), the aluminum plating film which can be manufactured in a short time at a thicker film thickness and low cost can be provided.

(8) 본 개시의 실시 형태에 따른 알루미늄 도금막의 제조 방법은, 상기 (1)에 기재된 알루미늄 도금막을 제조하는 방법으로서, 적어도 표면이 도전성인 기재를, 제1 전해액 중에서 전해 처리함으로써 상기 기재의 표면에 알루미늄을 전착시켜 프리알루미늄 도금막을 형성하는 제1 전해 처리 공정과, 상기 제1 전해 처리 공정 후에, 상기 프리알루미늄 도금막을, 이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속과 상기 제1 전해액을 포함하는 치환액에 침지하여, 상기 프리알루미늄 도금막의 표면을 이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속으로 치환하여, 치환 도금막을 형성하는 치환 공정과, 상기 치환 공정 후에, 상기 치환 도금막을 제2 전해액 중에서 전해 처리함으로써 상기 치환 도금막의 표면에 알루미늄을 전착시켜 알루미늄 도금막을 형성하는 제2 전해 처리 공정을 갖고, 상기 제1 전해액 및 상기 제2 전해액은, 적어도 염화 알루미늄을 포함하는 용융염인, 알루미늄 도금막의 제조 방법이다.(8) The manufacturing method of the aluminum plating film which concerns on embodiment of this indication is a method of manufacturing the aluminum plating film of said (1), The surface of the said base material is electrolytically processed at least the base material which is electroconductive in 1st electrolyte solution. In the first electrolytic treatment step of electrodepositing aluminum to form a prealuminum plating film, and after the first electrolytic treatment step, the prealuminum plating film is subjected to a substitution liquid containing a metal having a smaller ionization tendency than aluminum and the first electrolyte solution. Substitution process of immersing and substituting the surface of the said prealuminum plating film with metal whose ionization tendency is smaller than aluminum, and forming a substituted plating film, and electrolytically treating the said substituted plating film in a 2nd electrolyte solution after the said substitution process of the said substituted plating film Second electrolytic treatment for depositing aluminum on the surface to form an aluminum plated film It has a li process, The said 1st electrolyte solution and the said 2nd electrolyte solution are the manufacturing methods of the aluminum plating film which is a molten salt containing at least aluminum chloride.

상기 (8)에 기재된 발명의 실시 형태에 의하면, 막두께가 두꺼운 알루미늄 도금막을 저비용으로 단시간에 제조하는 것이 가능한 알루미늄 도금막의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to embodiment of the invention as described in said (8), the manufacturing method of the aluminum plating film which can manufacture the aluminum plating film with a thick film thickness in a short time at low cost can be provided.

(9) 상기 (8)에 기재된 알루미늄 도금막의 제조 방법은, 상기 기재가 3차원 그물코 형상 구조의 골격을 갖는 수지 성형체인 것이 바람직하다.(9) It is preferable that the said base material is a resin molded object which has a skeleton of a three-dimensional network structure in the manufacturing method of the aluminum plating film of said (8).

상기 (9)에 기재된 발명의 실시 형태에 의하면, 막두께가 두껍고, 또한 3차원 그물코 형상 구조의 골격을 갖는 기재의 표면에 저비용으로 단시간에 제조하는 것이 가능한 알루미늄 도금막을 제공할 수 있다.According to embodiment of the invention as described in said (9), the aluminum plating film which can be manufactured in a short time at low cost on the surface of the base material which has a thick film | membrane and has a skeleton of a three-dimensional network structure can be provided.

(10) 상기 (8) 또는 상기 (9)에 기재된 알루미늄 도금막의 제조 방법은, 상기 제2 전해 처리 공정 후에, 상기 기재를 제거하는 제거 공정을 갖는 것이 바람직하다.(10) It is preferable that the manufacturing method of the aluminum plating film as described in said (8) or (9) has a removal process which removes the said base material after the said 2nd electrolytic treatment process.

상기 (10)에 기재된 발명의 실시 형태에 의하면, 상기 (3)에 기재된 알루미늄 도금막을 제조하는 것이 가능한 알루미늄 도금막의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to embodiment of the invention as described in said (10), the manufacturing method of the aluminum plating film which can manufacture the aluminum plating film as described in said (3) can be provided.

[본 개시의 실시 형태의 상세][Details of Embodiments of the Present Disclosure]

본 개시의 실시 형태에 따른 알루미늄 도금막 및 그의 제조 방법의 구체예를, 이하에 설명한다. 또한, 본 개시는 이들 예시에 한정되는 것이 아니고, 특허청구의 범위에 의해 나타나고, 특허청구의 범위와 균등의 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다.The specific example of the aluminum plating film which concerns on embodiment of this indication, and its manufacturing method is demonstrated below. In addition, this indication is not limited to these illustrations, It is indicated by the claim, and it is intended that the meaning of a Claim and equality, and all the changes within a range are included.

<알루미늄 도금막><Aluminum plating film>

본 개시의 실시 형태에 따른 알루미늄 도금막은 알루미늄을 주성분으로 하고, 두께 방향의 양단의 피막면끼리의 사이에 개재층을 갖는다. 또한, 알루미늄을 주성분으로 한다는 것은, 알루미늄 도금막에 있어서의 알루미늄의 함유율이 50질량% 이상인 것을 의미한다.The aluminum plating film which concerns on embodiment of this indication has aluminum as a main component, and has an intervening layer between the coating surfaces of both ends of a thickness direction. In addition, having aluminum as a main component means that the content rate of aluminum in an aluminum plating film is 50 mass% or more.

도 1에, 본 개시의 실시 형태에 따른 알루미늄 도금막의 일 예의 단면을 확대시한 확대 개략도를 나타낸다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 알루미늄 도금막(10)은, 두께 방향의 양단의 피막면(11, 11')끼리의 사이에 개재층(12)을 갖는다. 알루미늄 도금막(10)은 도시하지 않는 기재의 표면에 형성되어 있어도 좋다. 알루미늄 도금막(10)이 기재의 표면에 형성되어 있는 경우에는, 피막면(11, 11')의 어느 한쪽의 피막면이 기재의 표면과 밀착되어 있다. 기재가 장척의 시트 형상인 경우에는, 당해 기재의 표면에 형성된 알루미늄 도금막(10)도 장척의 시트 형상으로 되어 있다.In FIG. 1, the enlarged schematic diagram which expanded the cross section of an example of the aluminum plating film which concerns on embodiment of this indication is shown. As shown in FIG. 1, the aluminum plating film 10 has the intervening layer 12 between the coating surfaces 11 and 11 'of the both ends of the thickness direction. The aluminum plating film 10 may be formed on the surface of the base material which is not shown in figure. When the aluminum plating film 10 is formed on the surface of the base material, either of the coating surfaces of the film surfaces 11 and 11 'is in close contact with the surface of the base material. When a base material is a long sheet shape, the aluminum plating film 10 formed in the surface of the said base material also becomes a long sheet shape.

개재층(12)은 이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속을 포함하는 층, 또는 이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속과 알루미늄의 합금을 포함하는 층이다. 개재층(12)은, 알루미늄 도금막의 피막면(11, 11')과 대략 평행한 면 상에 형성되어 있다. 알루미늄 도금막(10)이 평판 형상의 기재의 표면에 형성된 것인 경우에는, 개재층(12)은 알루미늄 도금막(10)의 거의 전체에 걸쳐 피막면(11, 11')과 대략 평행으로 되어 있다. 알루미늄 도금막(10)이 복잡한 입체 형상을 갖는 기재의 표면에 형성된 것인 경우에는, 개재층(12)은 알루미늄 도금막(10)의 피막면(11, 11')과 부분적으로 대략 평행으로 되어 있는 경우가 많다.The intervening layer 12 is a layer containing a metal whose ionization tendency is smaller than aluminum or a layer containing an alloy of a metal and aluminum whose ionization tendency is smaller than aluminum. The intervening layer 12 is formed on a surface substantially parallel to the coating surfaces 11 and 11 'of the aluminum plating film. When the aluminum plating film 10 is formed on the surface of a flat base material, the intervening layer 12 is substantially parallel to the coating surfaces 11 and 11 'over almost the entire aluminum plating film 10. have. In the case where the aluminum plating film 10 is formed on the surface of a substrate having a complex three-dimensional shape, the intervening layer 12 is partially parallel to the coating surfaces 11 and 11 'of the aluminum plating film 10. There are many cases.

개재층(12)의 두께는 가능한 한 얇은 쪽이 바람직하고, 1원자층이라도 좋다. 개재층(12)의 상한은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 500㎚ 이하 정도이면 좋다. 개재층(12)의 두께가 얇을수록 개재층(12)의 양측에 형성되어 있는 알루미늄층끼리의 밀착력이 높아져, 알루미늄 도금막의 도전율이 저하하지 않도록 할 수 있다. 개재층(12)의 두께는, 1㎚ 이상, 400㎚ 이하인 것이 보다 바람직하고, 10㎚ 이상, 200㎚ 이하인 것이 더욱 바람직하다.The thickness of the intervening layer 12 is preferably as thin as possible, and may be a monoatomic layer. Although the upper limit of the intervening layer 12 is not specifically limited, For example, what is necessary is just about 500 nm or less. As the thickness of the intervening layer 12 is thinner, the adhesion between the aluminum layers formed on both sides of the intervening layer 12 is increased, and the electrical conductivity of the aluminum plating film can be prevented from decreasing. As for the thickness of the intervening layer 12, it is more preferable that they are 1 nm or more and 400 nm or less, and it is still more preferable that they are 10 nm or more and 200 nm or less.

본 개시의 실시 형태에 따른 알루미늄 도금막이 갖는 개재층은, 예를 들면, 알루미늄 도금막의 단면을 주사형 전자 현미경(SEM)이나, 투과형 전자 현미경(TEM)에 의해 관찰함으로써 확인할 수 있다. 개재층의 두께가 50㎚ 정도 이상인 경우에는, SEM에 의해 확인할 수 있다. 또한, 개재층의 두께가 50㎚ 정도 미만인 경우에는 TEM에 의한 원소 매핑에 의해 확인할 수 있다.The intervening layer of the aluminum plating film according to the embodiment of the present disclosure can be confirmed by observing, for example, the cross section of the aluminum plating film with a scanning electron microscope (SEM) or a transmission electron microscope (TEM). When the thickness of the intervening layer is about 50 nm or more, it can be confirmed by SEM. In addition, when the thickness of an intervening layer is less than about 50 nm, it can confirm by element mapping by TEM.

도 2에, 본 개시의 실시 형태에 따른 알루미늄 도금막의 다른 일 예의 단면을 확대시한 확대 개략도를 나타낸다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 알루미늄 도금막(20)은, 두께 방향의 양단부의 피막면(21, 21')끼리의 사이에, 복수의 개재층(22)을 갖는 것이 바람직하다. 알루미늄 도금막(20)은 복수의 개재층(22)을 갖는 것임으로써, 저비용으로 보다 단시간에 제조하는 것이 가능하다. 개재층을 복수 구비하는 경우에는, 개재층끼리도 대략 평행으로 되어 있다.2 is an enlarged schematic view showing an enlarged cross section of another example of the aluminum plated film according to the embodiment of the present disclosure. As shown in FIG. 2, it is preferable that the aluminum plating film 20 has a plurality of intervening layers 22 between the coating surfaces 21, 21 ′ of both ends in the thickness direction. Since the aluminum plating film 20 has the some intervening layer 22, it can manufacture more in a short time at low cost. When providing a plurality of intervening layers, the intervening layers are also substantially parallel.

개재층을 구성하는 이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속으로서는, 예를 들면, 철(Fe), 아연(Zn), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종 이상인 것이 바람직하다. 이들 금속은 도전율이 충분히 높기 때문에, 알루미늄 도금막 중의 개재층으로서 존재하고 있어도 알루미늄 도금막의 도전율을 저하시키는 일이 없다.As a metal whose ionization tendency which comprises an intervening layer is smaller than aluminum, a group which consists of iron (Fe), zinc (Zn), zirconium (Zr), manganese (Mn), nickel (Ni), and copper (Cu), for example. It is preferable that it is any 1 or more types chosen from. Since these metals have sufficiently high electrical conductivity, even if they exist as intervening layers in the aluminum plating film, the electrical conductivity of the aluminum plating film is not lowered.

이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속이 Fe나 Zn, Cu, Ni인 경우에는, 비교적 염가로 알루미늄 도금막을 제조할 수 있다.When the metal whose ionization tendency is smaller than aluminum is Fe, Zn, Cu, or Ni, an aluminum plated film can be produced relatively inexpensively.

이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속이 Zr인 경우에는, 개재층의 양측에 형성되어 있는 알루미늄층끼리의 밀착성을 보다 높일 수 있다.When the metal whose ionization tendency is smaller than aluminum is Zr, the adhesiveness of the aluminum layers formed in both sides of an intervening layer can be improved more.

이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속이 Mn인 경우에는, 내식성이 높기 때문에, 알루미늄 도금막을 비수전해질 전지 등의 집전체로서도 적합하게 이용할 수 있다.When the metal whose ionization tendency is smaller than aluminum is Mn, since corrosion resistance is high, an aluminum plating film can be used suitably also as an electrical power collector, such as a nonaqueous electrolyte battery.

또한, 개재층에 있어서 이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속은 알루미늄과 합금을 형성하고 있어도 좋다.In addition, in the interlayer, the metal whose ionization tendency is smaller than aluminum may form an alloy with aluminum.

알루미늄 도금막이 기재의 표면에 형성되어 있는 경우에는, 기재를 보호한다는 관점에서 알루미늄 도금막의 두께는 두꺼울수록 바람직하고, 10㎛ 정도 이상인 것이 바람직하다. 또한, 알루미늄 도금막의 두께가 10㎛ 이상임으로써, 알루미늄 도금막의 파단 강도를 높게 할 수 있다. 알루미늄 도금막의 두께는, 제조 비용이나 경량화의 관점에서는 1000㎛ 정도 이하인 것이 바람직하다. 이들 관점에서, 알루미늄 도금막은, 두께가 15㎛ 이상, 700㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 20㎛ 이상, 500㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다.In the case where the aluminum plated film is formed on the surface of the substrate, the thickness of the aluminum plated film is preferably greater from the viewpoint of protecting the substrate, and is preferably about 10 μm or more. Moreover, when the thickness of an aluminum plating film is 10 micrometers or more, the breaking strength of an aluminum plating film can be made high. It is preferable that the thickness of an aluminum plating film is about 1000 micrometers or less from a viewpoint of manufacturing cost or weight reduction. From these viewpoints, it is more preferable that thickness of an aluminum plating film is 15 micrometers or more and 700 micrometers or less, and it is still more preferable that they are 20 micrometers or more and 500 micrometers or less.

종래는, 두께가 10㎛ 이상인 알루미늄 도금막을 제조하기 위해서는 다대한 시간을 필요로 하고 있고, 또한, 장척이고 시트 형상이며 두께가 10㎛ 이상인 알루미늄 도금막은 형성하는 것이 매우 곤란했다.Conventionally, in order to manufacture the aluminum plating film whose thickness is 10 micrometers or more, it takes a lot of time, and it was very difficult to form the aluminum plating film which is long, sheet-like, and thickness is 10 micrometers or more.

이에 대하여 본 개시의 실시 형태에 따른 알루미늄 도금막은, 두께가 10㎛ 이상이라도 저비용으로 단시간에 제조하는 것이 가능하고, 또한, 장척이고 시트 형상인 것도 용이하게 제조할 수 있다. 또한, 본 개시의 실시 형태에 따른 알루미늄 도금막은 막 내에 극간이 없고 치밀하기 때문에, 두께를 두껍게 해도 도전율이 저하하지 않고, 압연박과 동(同)정도의 도전율을 갖는다.In contrast, the aluminum plated film according to the embodiment of the present disclosure can be manufactured in a short time at a low cost even if the thickness is 10 µm or more, and it is also possible to easily manufacture a long and sheet-shaped material. Moreover, since the aluminum plating film which concerns on embodiment of this indication is dense and there is no gap in a film | membrane, even if it thickens, thickness does not fall and an electrical conductivity is about the same as a rolled foil.

본 개시의 실시 형태에 따른 알루미늄 도금막은, 도 3에 나타내는 바와 같이, 3차원 그물코 형상 구조의 골격(33)을 갖는 금속 다공체의, 상기 골격(33)을 형성하는 것이라도 좋다. 도 3에 나타내는 예에서는, 골격(33)의 내부(34)는 중공으로 되어 있지만, 골격(33)의 내부(34)에는 기재가 존재하고 있어도 좋다. 금속 다공체는 연통 기공을 갖고 있고, 골격(33)에 의해 기공부(35)가 형성되어 있다.The aluminum plating film which concerns on embodiment of this indication may form the said frame | skeleton 33 of the porous metal body which has the frame | skeleton 33 of a three-dimensional network structure, as shown in FIG. In the example shown in FIG. 3, although the inside 34 of the frame | skeleton 33 is hollow, the base material may exist in the inside 34 of the frame | skeleton 33. As shown in FIG. The metal porous body has communication pores, and the pores 35 are formed by the skeleton 33.

도 4에, 도 3의 A-A선 단면의 개략의 확대도를 나타낸다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 금속 다공체의 골격(33)을 구성하고 있는 알루미늄 도금막(30)은, 두께 방향의 양단부의 피막면(31, 31')끼리의 사이에 개재층(32)을 갖고 있다. 개재층(32)은, 도 4에 나타내는 바와 같이, 피막면(31, 31')과 대략 평행으로 되어 있는 것이 이상적이다. 그러나, 3차원 그물코 형상 구조의 골격을 갖는 금속 다공체와 같이 복잡한 형상의 골격을 구성하는 알루미늄 도금막에 있어서는, 개재층(32)은 부분적으로 피막면(31, 31')과 대략 평행한 상태로 되어 있다.In FIG. 4, the schematic enlarged view of the cross section along the A-A line of FIG. 3 is shown. As shown in FIG. 4, the aluminum plating film 30 which comprises the frame | skeleton 33 of a metal porous body has the intervening layer 32 between the coating surfaces 31 and 31 'of both ends of a thickness direction. have. As shown in FIG. 4, the intervening layer 32 is ideally substantially parallel to the coating surfaces 31 and 31 ′. However, in the aluminum plating film constituting a complex skeleton such as a metal porous body having a skeleton having a three-dimensional network structure, the intervening layer 32 is partially parallel to the coating surfaces 31 and 31 '. It is.

상기 금속 다공체는 전체적으로 장척의 시트 형상이라도, 본 개시의 실시 형태에 따른 알루미늄 도금막에 의해 골격이 형성되어 있음으로써, 저비용으로 단시간에 제조할 수 있다.Even if the said metal porous body is a long sheet shape as a whole, since a skeleton is formed by the aluminum plating film which concerns on embodiment of this indication, it can manufacture in a short time at low cost.

금속 다공체의 기공률이나 평균 기공경, 두께는, 금속 다공체의 용도에 따라서 적절히 선택하면 좋다. 예를 들면, 전지의 전극(집전체)으로서 이용하는 경우에는, 평균 기공경이 작고, 얇은 금속 다공체가 바람직하다. 또한, 방열용으로 이용하는 경우에는, 평균 기공경이 크고, 두꺼운 금속 다공체가 바람직하다.What is necessary is just to select the porosity, average pore diameter, and thickness of a metal porous body suitably according to the use of a metal porous body. For example, when using as an electrode (current collector) of a battery, an average pore diameter is small and a thin metal porous body is preferable. In addition, when using for heat radiation, an average pore diameter is large and a thick metal porous body is preferable.

또한, 금속 다공체의 기공률은, 외관의 체적에 대한, 금속 다공체의 내부의 공간(기공부)의 체적의 비율을 말하는 것으로 한다.In addition, the porosity of a metal porous body shall mean the ratio of the volume of the space (pore part) inside of a metal porous body with respect to the volume of an external appearance.

금속 다공체의 평균 기공경이란, 금속 다공체의 골격이 형성하는 셀수(개/인치)의 역수를 말하는 것으로 한다.The average pore diameter of the metal porous body means the inverse of the number of cells (pieces / inch) formed by the skeleton of the metal porous body.

<알루미늄 도금막의 제조 방법><Method of Manufacturing Aluminum Plating Film>

본 개시의 실시 형태에 따른 알루미늄 도금막의 제조 방법은, 상기의 본 개시의 실시 형태에 따른 알루미늄 도금막을 제조하는 방법이고, 제1 전해 처리 공정과, 치환 공정과, 제2 전해 처리 공정을 갖는다. 또한, 막두께가 보다 두꺼운 알루미늄 도금막을 제조하는 경우에는, 제2 전해 처리 공정 후에, 추가로, 치환 공정과 전해 처리 공정을 세트로 하여 반복하여 행해도 좋다. 이에 따라, 알루미늄 도금막 중에 복수의 개재층을 갖는 알루미늄 도금막을 제조할 수 있다. 또한, 본 개시의 실시 형태에 따른 알루미늄 도금막의 제조 방법에 있어서는 필요에 따라서 기재를 제거하는 제거 공정을 행해도 좋다.The manufacturing method of the aluminum plating film which concerns on embodiment of this indication is a method of manufacturing the aluminum plating film which concerns on said embodiment of this indication, and has a 1st electrolytic treatment process, a substitution process, and a 2nd electrolytic treatment process. In addition, when manufacturing an aluminum plating film with a thicker film thickness, after a 2nd electrolytic treatment process, you may perform it repeatedly by setting a substitution process and an electrolytic treatment process as a set. Thereby, the aluminum plating film which has a some intervening layer in an aluminum plating film can be manufactured. In addition, in the manufacturing method of the aluminum plating film which concerns on embodiment of this indication, you may perform the removal process which removes a base material as needed.

이하에 각 공정을 상세히 설명한다.Each process is explained in full detail below.

-제1 전해 처리 공정-First Electrolytic Treatment Process

제1 전해 처리 공정은, 기재를 전해액 중에서 전해 처리함으로써 기재의 표면에 알루미늄을 전착시켜 프리알루미늄 도금막을 형성하는 공정이다.A 1st electrolytic treatment process is a process of electrodepositing aluminum on the surface of a base material by electrolytically treating a base material in electrolyte solution, and forming a pre aluminum plating film.

전해 처리(용융염 전해)는, 전해액 중에, 기재와 알루미늄을 대향시켜 배치하고, 기재를 정류기의 음극측에, 알루미늄을 양극측에 접속하여 양 전극 간에 전압을 인가함으로써 행할 수 있다. 제1 전해 처리 공정은, 아르곤 가스 분위기나 질소 가스 분위기 등의 불활성 분위기하에서 행하면 좋다.The electrolytic treatment (molten salt electrolysis) can be performed by placing the substrate and aluminum in an electrolyte solution so as to face each other, connecting the substrate to the cathode side of the rectifier and connecting the aluminum to the anode side, and applying a voltage between both electrodes. What is necessary is just to perform a 1st electrolytic treatment process in inert atmosphere, such as argon gas atmosphere and nitrogen gas atmosphere.

(기재)(materials)

기재는 특별히 한정되는 것이 아니고, 알루미늄 도금막을 형성하는 용도가 있는 것이면 좋다. 예를 들면, 동판, 강대, 동선, 강선이나 도전화 처리를 실시한 수지 성형체 등을 기재로서 이용할 수 있다. 종래는, 장척의 시트 형상인 기재에 막두께가 두꺼운 알루미늄 도금막을 형성하는 것은 매우 곤란하고, 다대한 시간과 비용을 필요로 하고 있었다. 이에 대하여 본 개시의 실시 형태에 따른 알루미늄 도금막의 제조 방법에 의하면, 기재가 장척의 시트 형상이라도, 막두께가 두꺼운 알루미늄 도금막을 저비용으로 단시간에 제조할 수 있다.The base material is not specifically limited, What is necessary is just to have the use which forms an aluminum plating film. For example, a copper plate, a steel strip, a copper wire, a steel wire, or a resin molded body subjected to a conductive treatment can be used as the substrate. Conventionally, it is very difficult to form an aluminum plated film with a thick film on a long sheet-like substrate, which requires a great deal of time and money. On the other hand, according to the manufacturing method of the aluminum plating film which concerns on embodiment of this indication, even if a base material is a long sheet form, a thick aluminum plating film can be manufactured in a short time at low cost.

도전화 처리를 실시한 수지 성형체로서는, 예를 들면, 폴리우레탄, 멜라민 수지, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등의 표면을 도전화 처리한 것을 이용할 수 있다. 또한, 도전화 처리를 실시한 수지 성형체는 어떠한 형상의 것이라도 상관없지만, 3차원 그물코 형상 구조의 골격을 갖는 수지 성형체를 이용함으로써, 최종적으로, 필터나 촉매 담체, 전지용 전극 등의 용도에 우수한 특성을 발휘하는 금속 다공체를 제작할 수 있다. 3차원 그물코 형상 구조의 골격을 갖는 수지 성형체로서는, 수지 발포체를 이용하는 것이 바람직하다. 수지 발포체는 다공성의 것이면 좋고 공지 또는 시판의 것을 사용할 수 있고, 예를 들면, 발포 우레탄, 발포 스티렌 등을 이용할 수 있다. 이들 중에서도, 특히 다공도가 큰 관점에서, 발포 우레탄이 바람직하다. 도 5에 발포 우레탄 수지의 사진을 나타낸다. 또한, 부직포 형상의 골격을 갖는 수지 성형체를 이용하는 것에 의해서도, 최종적으로, 필터나 촉매 담체, 전지용 전극 등의 용도에 바람직하게 이용하는 것이 가능한, 부직포 형상의 골격을 갖는 금속 다공체를 제작할 수 있다.As the resin molded article subjected to the conductive treatment, for example, a conductive treatment of the surface of polyurethane, melamine resin, polypropylene, polyethylene, or the like can be used. In addition, the resin molded article subjected to the conductive treatment may be of any shape. However, by using the resin molded article having a skeleton having a three-dimensional network structure, the resin molded article finally has excellent characteristics for applications such as a filter, a catalyst carrier, and a battery electrode. The porous metal body can be produced. It is preferable to use a resin foam as the resin molded article having a skeleton having a three-dimensional network structure. The resin foam may be porous and known or commercially available ones may be used. For example, expanded urethane, expanded styrene, or the like may be used. Among these, foamed urethane is preferable especially from a viewpoint of large porosity. The photograph of foamed urethane resin is shown in FIG. Moreover, also by using the resin molded object which has a nonwoven fabric frame | skeleton, the metal porous body which has a nonwoven fabric frame which can be used suitably for the use of a filter, a catalyst carrier, a battery electrode, etc. can be finally produced.

도 6에, 3차원 그물코 형상 구조의 골격을 갖는 수지 성형체를 도전화 처리한 기재의 일예의, 부분 단면의 개략을 확대한 도면을 나타낸다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 3차원 그물코 형상 구조의 골격을 갖는 수지 성형체(66)는 연통 기공을 갖고 있고, 골격에 의해 기공부(65)가 형성되어 있다.The figure which expanded the outline of the partial cross section of an example of the base material which electroconductively processed the resin molding which has frame | skeleton of a three-dimensional network structure in FIG. 6 is shown. As shown in FIG. 6, the resin molded body 66 having a skeleton having a three-dimensional network structure has communication pores, and the pores 65 are formed by the skeleton.

수지 성형체(66)의 골격의 표면에 알루미늄 도금막을 형성함으로써 금속 다공체의 골격이 형성되기 때문에, 금속 다공체의 기공률이나 평균 기공경, 두께는, 수지 성형체(66)의 기공률이나 평균 기공경, 두께와 대략 동일해진다. 이 때문에, 수지 성형체(66)의 기공률이나 평균 기공경, 두께는, 제조 목적인 금속 다공체의 기공률이나 평균 기공경, 두께에 따라서 적절히 선택하면 좋다. 수지 성형체(66)의 기공률 및 평균 기공경은, 금속 다공체의 기공률 및 평균 기공경과 동일하게 정의된다.Since the skeleton of a metal porous body is formed by forming an aluminum plating film on the surface of the skeleton of the resin molded body 66, the porosity, average pore diameter, and thickness of the porous metal body are determined by the porosity, average pore diameter, and thickness of the resin molded body 66. Approximately the same. For this reason, what is necessary is just to select the porosity, average pore diameter, and thickness of the resin molded body 66 suitably according to the porosity, average pore diameter, and thickness of the metal porous body which are manufacturing purposes. The porosity and average pore diameter of the resin molded body 66 are defined similarly to the porosity and average pore diameter of the metal porous body.

수지 성형체(66)의 골격의 표면을 도전화 처리하는 방법은, 수지 성형체(66)의 골격의 표면에 도전층(67)을 형성할 수 있는 방법이면 특별히 한정되지 않는다. 도전층(67)을 구성하는 재료로서는, 예를 들면, 니켈, 티탄, 스테인리스 스틸 등의 금속의 외, 카본 블랙 등의 비정질 탄소, 흑연 등의 카본 분말을 들 수 있다. 이들 중에서도 특히 카본 분말이 바람직하고, 카본 블랙이 보다 바람직하다. 또한, 금속 이외의 비정질 탄소나 카본 분말을 이용하여 도전층(67)을 형성한 경우에는, 필요에 따라서 수지 성형체를 제거할 때에 도전층(67)도 함께 제거된다.The method of conducting a conductive treatment of the surface of the skeleton of the resin molded body 66 is not particularly limited as long as it is a method capable of forming the conductive layer 67 on the surface of the skeleton of the resin molded body 66. As a material which comprises the conductive layer 67, carbon powders, such as amorphous carbon, such as carbon black, graphite, other than metals, such as nickel, titanium, and stainless steel, are mentioned, for example. Among these, carbon powder is especially preferable, and carbon black is more preferable. In addition, when the conductive layer 67 is formed using amorphous carbon or carbon powder other than metal, the conductive layer 67 is also removed when the resin molded body is removed as necessary.

도전화 처리의 구체예로서는, 예를 들면, 니켈을 이용하는 경우는, 무전해 도금 처리, 스퍼터링 처리 등을 바람직하게 들 수 있다. 또한, 티탄이나 스테인리스 스틸 등의 금속, 카본 블랙, 흑연 등의 재료를 이용하는 경우는, 이들 재료의 미분말(fine powder)에 바인더를 더하여 얻어지는 혼합물을, 수지 성형체(66)의 골격의 표면에 도착(apply)하는 처리를 바람직한 방법으로서 들 수 있다.As a specific example of an electroconductive process, when using nickel, an electroless-plating process, sputtering process, etc. are mentioned preferably, for example. In addition, when using materials, such as metal, such as titanium and stainless steel, carbon black, and graphite, the mixture obtained by adding a binder to the fine powder of these materials arrives at the surface of the skeleton of the resin molding 66 ( The process to apply is mentioned as a preferable method.

니켈을 이용한 무전해 도금 처리로서는, 예를 들면, 환원제로서 하이포아인산 나트륨을 함유한 황산 니켈 수용액 등의 공지의 무전해 니켈 도금욕에 수지 성형체(66)를 침지하면 좋다. 필요에 따라서, 도금욕 침지 전에, 수지 성형체(66)를 미량의 팔라듐 이온을 포함하는 활성화액(카니젠사 제조의 세정액) 등에 침지해도 좋다.As an electroless plating process using nickel, the resin molded body 66 may be immersed in well-known electroless nickel plating baths, such as nickel sulfate aqueous solution containing sodium hypophosphite as a reducing agent, for example. If necessary, before the plating bath is immersed, the resin molded body 66 may be immersed in an activating liquid (a cleaning liquid made by Kanizen) containing a small amount of palladium ions.

니켈을 이용한 스퍼터링 처리로서는, 예를 들면, 기판 홀더에 수지 성형체(66)를 부착한 후, 불활성 가스를 도입하면서, 홀더와 타깃(니켈)의 사이에 직류 전압을 인가함으로써, 이온화한 불활성 가스를 니켈에 충돌시켜, 불어 날린(sputtered) 니켈 입자를 수지 성형체(66)의 골격의 표면에 퇴적시키면 좋다.As a sputtering process using nickel, the inert gas ionized by, for example, attaching the resin molded body 66 to the substrate holder and then applying a DC voltage between the holder and the target (nickel) while introducing an inert gas. It is good to make it collide with nickel, and to blow up the sputtered nickel particle on the surface of the skeleton of the resin molding 66.

도전층(67)은 수지 성형체(66)의 골격의 표면을 덮도록, 연속적으로 형성되어 있으면 좋다. 도전층(67)의 단위 면적당의 중량은 한정적이지 않고, 1.0g/㎡ 이상, 30g/㎡ 이하인 것이 바람직하고, 5.0g/㎡ 이상, 20g/㎡ 이하인 것이 보다 바람직하고, 7.0g/㎡ 이상, 15g/㎡ 이하인 것이 더욱 바람직하다.The conductive layer 67 may be formed continuously so as to cover the surface of the skeleton of the resin molded body 66. The weight per unit area of the conductive layer 67 is not limited, preferably 1.0 g / m 2 or more and 30 g / m 2 or less, more preferably 5.0 g / m 2 or more and 20 g / m 2 or less, 7.0 g / m 2 or more, It is more preferable that it is 15 g / m <2> or less.

또한, 도전층의 단위 면적당의 중량이란, 골격의 표면에 도전층이 형성된 수지 성형체의, 겉보기의 단위 면적에 있어서의 도전층의 질량을 말하는 것으로 한다.In addition, the weight per unit area of a conductive layer shall mean the mass of the conductive layer in an apparent unit area of the resin molded object in which the conductive layer was formed in the surface of a skeleton.

(전해액)(Electrolyte amount)

전해액은, 알루미늄을 기재의 표면에 전착시키는 것이 가능한 용융염(이온 액체)을 이용하면 좋다. 구체적으로는, 전해액은, 알루미늄 할로겐화물을 포함하는 용융염이면 좋고, 적절히 첨가제를 포함하고 있어도 좋다.As the electrolyte solution, a molten salt (ion liquid) which can electrodeposit aluminum on the surface of the substrate may be used. Specifically, the electrolyte may be a molten salt containing aluminum halide, and may contain an additive as appropriate.

알루미늄 할로겐화물로서는, 예를 들면, 염화 알루미늄(AlCl3), 브롬화 알루미늄(AlBr3), 요오드화 알루미늄(AlI3) 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 염화 알루미늄이 가장 바람직하다.As the aluminum halide, for instance, there may be mentioned aluminum chloride (AlCl 3), aluminum bromide (AlBr 3), aluminum iodide (AlI 3) or the like. Among these, aluminum chloride is the most preferable.

용융염으로서는, 예를 들면, 염화물계나 불화물계의 용융염 등을 바람직하게 이용할 수 있다. 염화물계의 용융염으로서는, 예를 들면, KCl, NaCl, CaCl2, LiCl, RbCl, CsCl, SrCl2, BaCl2, MgCl2나, 이들의 공정염(eutectic salt) 등을 이용할 수 있다. 또한, 불화물계의 용융염으로서는, 예를 들면, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2나, 이들의 공정염 등을 이용할 수 있다.As the molten salt, for example, a chloride salt or a fluoride molten salt can be preferably used. As the molten salt of the chloride system, for example, KCl, NaCl, CaCl 2 , LiCl, RbCl, CsCl, SrCl 2 , BaCl 2 , MgCl 2 , eutectic salts thereof and the like can be used. In addition, as a fluoride-based molten salt, for example, it may be used LiF, NaF, KF, RbF, CsF, MgF 2, CaF 2, SrF 2, BaF 2, or such as a salt thereof the process.

상기의 용융염 중에서도, 염가이고 입수가 용이하다는 점에서는, KCl, NaCl, CaCl2를 이용하는 것이 바람직하다.Among the molten salts described above, it is preferable to use KCl, NaCl, CaCl 2 from the viewpoint of being inexpensive and easy to obtain.

또한, 융점을 낮게 한다는 관점에서는, 용융염은, 알킬이미다졸륨할로겐화물, 알킬피리디늄할로겐화물 및 우레아 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종 이상의 용융염 형성 화합물을 포함하는 것인 것이 바람직하다. 용융염 형성 화합물로서는, 알루미늄할로겐화물과 혼합한 경우에 110℃ 정도 이하에서 용융염을 형성하는 것을 양호하게 이용할 수 있다.In addition, from the viewpoint of lowering the melting point, the molten salt preferably contains any one or more molten salt-forming compounds selected from the group consisting of alkylimidazolium halides, alkylpyridinium halides and urea compounds. . As a molten salt formation compound, what mixes molten salt at about 110 degrees C or less when mixing with an aluminum halide can be used preferably.

알킬이미다졸륨할로겐화물로서는, 예를 들면, 1, 3위치에 알킬기(탄소 원자수 1 내지 5)를 갖는 이미다졸륨클로라이드, 1, 2, 3위치에 알킬기(탄소 원자수 1 내지 5)를 갖는 이미다졸륨클로라이드, 1, 3위치에 알킬기(탄소 원자수 1 내지 5)를 갖는 이미다졸륨요오다이드 등을 들 수 있다.As the alkyl imidazolium halide, for example, imidazolium chloride having an alkyl group (1 to 5 carbon atoms) at 1, 3 position, and an alkyl group (1 to 5 carbon atoms) at 1, 2, 3 position The imidazolium chloride which has, and the imidazolium iodide which has an alkyl group (C1-C5) in 1 and 3 positions, etc. are mentioned.

보다 구체적으로는, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨클로라이드(EMIC), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨클로라이드(BMIC), 1-메틸-3-프로필이미다졸륨클로라이드(MPIC) 등을 들 수 있지만, 이들 중에서도 1-에틸-3-메틸이미다졸륨클로라이드(EMIC)를 가장 바람직하게 이용할 수 있다.More specifically, 1-ethyl-3-methylimidazolium chloride (EMIC), 1-butyl-3-methylimidazolium chloride (BMIC), 1-methyl-3-propylimidazolium chloride (MPIC), etc. Although, 1-ethyl-3- methyl imidazolium chloride (EMIC) can be used most preferably among these.

알킬피리디늄할로겐화물로서는, 예를 들면, 1-부틸피리디늄클로라이드(BPC), 1-에틸피리디늄클로라이드(EPC), 1-부틸-3-메틸피리디늄클로라이드(BMPC) 등을 들 수 있지만, 이들 중에서도 1-부틸피리디늄클로라이드가 가장 바람직하다.Examples of alkylpyridinium halides include 1-butylpyridinium chloride (BPC), 1-ethylpyridinium chloride (EPC), 1-butyl-3-methylpyridinium chloride (BMPC), and the like. Among these, 1-butylpyridinium chloride is the most preferable.

우레아 화합물은, 우레아 및 그의 유도체를 의미하는 것이고, 예를 들면, 하기식 (1)로 나타나는 화합물을 바람직하게 이용할 수 있다.A urea compound means urea and its derivatives, For example, the compound represented by following formula (1) can be used preferably.

Figure pct00001
Figure pct00001

단, 식 (1)에 있어서 R은, 수소 원자, 탄소 원자수가 1개 내지 6개인 알킬기, 또는 페닐기이고, 서로 동일해도, 상이해도 좋다.However, in Formula (1), R is a hydrogen atom, an alkyl group of 1-6 carbon atoms, or a phenyl group, and may be same or different.

우레아 화합물로서는, 상기 중에서도, 우레아나 디메틸우레아를 특히 바람직하게 이용할 수 있다.As the urea compound, urea or dimethyl urea can be particularly preferably used among the above.

전술의 용융염 형성 화합물을 이용하는 경우에는, 알루미늄할로겐화물과 용융염 형성 화합물의 혼합비가, 몰비로 1:1 내지 3:1의 범위가 되도록 함으로써, 기재의 표면에 알루미늄을 전착시키는 데에 적합한 전해액이 된다.In the case of using the above-described molten salt-forming compound, an electrolyte solution suitable for electrodepositing aluminum on the surface of the substrate by mixing the aluminum halide and the molten salt-forming compound in a molar ratio of 1: 1 to 3: 1. Becomes

첨가제로서는, 예를 들면, 기재의 표면에 전착하는 프리알루미늄 도금막을 평활하게 하는 것이 가능한 평활화제 등을 들 수 있다.As an additive, the smoothing agent etc. which can smooth the free aluminum plating film electrodepositiond to the surface of a base material are mentioned, for example.

평활화제로서는, 예를 들면, 염화 1,10-페난트롤린 1수화물, 1,10-페난트롤린 1수화물 및, 1,10-페난트롤린으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종 이상의 화합물을 바람직하게 이용할 수 있다. 전해액이 이들 평활화제를 포함하는 경우에는, 평활하고 경면 형상(mirror-like)인 프리알루미늄 도금막이 얻어진다.As the leveling agent, for example, any one or more compounds selected from the group consisting of 1,10-phenanthroline monohydrate, 1,10-phenanthroline monohydrate, and 1,10-phenanthroline are preferable. Available. When electrolyte solution contains these smoothing agents, the smooth and mirror-like free aluminum plating film is obtained.

-치환 공정-Substitution process

치환 공정은, 제1 전해 처리 공정에 의해 기재의 표면에 형성된 프리알루미늄 도금막을 치환액에 침지하여, 프리알루미늄 도금막의 표면을 알루미늄 이외의 금속으로 치환하는 공정이다. 치환액은, 이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속을 포함하는 액이기 때문에, 프리알루미늄 도금막을 기재째 치환액에 침지함으로써, 프리알루미늄 도금막의 표면을 이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속으로 치환할 수 있다.The substitution step is a step of immersing the prealuminum plating film formed on the surface of the substrate by the first electrolytic treatment step in a substitution liquid to replace the surface of the prealuminum plating film with a metal other than aluminum. Since the substitution liquid is a liquid containing a metal whose ionization tendency is smaller than that of aluminum, the surface of the prealuminum plating membrane can be replaced with a metal whose ionization tendency is smaller than aluminum by immersing the prealuminum plating film in the substrate substitution liquid.

전술의 제1 전해 처리 공정 후에 프리알루미늄 도금막을 제1 전해액으로부터 취출하면, 분위기 중에 매우 근소하게 존재하는 산소에 의해 프리알루미늄 도금막의 표면에 산화막이 형성되어 버린다. 치환 공정에서는, 프리알루미늄 도금막의 표면의 알루미늄이 산화막째 치환액 중에 용출하고, 그 대신에 치환액에 포함되는 금속이 프리알루미늄 도금막의 표면에 석출하여 치환 도금막이 형성된다. 즉, 프리알루미늄 도금막의 표면의 알루미늄(산화막을 포함함)과 치환액에 포함되는 금속이 치환됨으로써, 치환액에 포함되는 금속에 의한 층이 프리알루미늄 도금막의 표면에 형성된다. 치환액에 포함되는 금속에 의한 층은, 본 개시의 실시 형태에 따른 알루미늄 도금막에 있어서의 개재층이 된다.When the prealuminum plating film is taken out from the first electrolytic solution after the first electrolytic treatment step described above, an oxide film is formed on the surface of the prealuminum plating film by oxygen which is very little in the atmosphere. In the substitution process, aluminum on the surface of the prealuminum plating film is eluted in the oxide replacement film, and instead, metal contained in the substitution solution is deposited on the surface of the prealuminum plating film to form a substitution plating film. That is, the aluminum (including an oxide film) on the surface of the prealuminum plating film and the metal contained in the substitution solution are replaced, whereby a layer made of the metal contained in the substitution solution is formed on the surface of the prealuminum plating film. The layer by metal contained in a substitution liquid becomes an intervening layer in the aluminum plating film which concerns on embodiment of this indication.

치환액에 포함되는 금속은, 알루미늄에 비해 치밀한 산화막을 형성하지 않기 때문에, 치환 공정에 계속해서 행하는 제2 전해 처리 공정에 있어서 전착하는 알루미늄은, 제2 전해액 중에 포함되는 금속에 의한 층과의 밀착성이 높아진다.Since the metal contained in the substitution solution does not form a dense oxide film as compared with aluminum, the aluminum electrodeposited in the second electrolytic treatment step carried out after the substitution step has adhesion with the layer by the metal contained in the second electrolyte solution. Is higher.

치환 공정을 행하는 시간은 특별히 한정되는 것이 아니고, 프리알루미늄 도금막의 표면의 산화막이 충분히 제거되도록 행하면 좋다. 개재층의 두께를 가능한 한 얇게 한다는 관점에서는, 치환 공정은 필요 이상으로 장시간 행하지 않는 쪽이 좋다. 치환액에 포함되는 금속에 따라서, 1초 이상, 1시간 이하 정도의 범위에서 치환 공정을 행하면 좋다. 치환액에 포함되는 금속과 알루미늄의 치환에 시간이 걸리는 경우에는, 통전시킴으로써 시간을 단축시킬 수도 있다. 치환 공정을 행할 때의 치환액의 온도는 20℃ 이상, 200℃ 이하 정도로 하면 좋다.The time for performing a substitution process is not specifically limited, What is necessary is just to perform so that the oxide film on the surface of a free aluminum plating film may fully be removed. From the viewpoint of making the thickness of the intervening layer as thin as possible, it is better not to perform the substitution step for longer than necessary. What is necessary is just to perform a substitution process in the range of about 1 second or more and about 1 hour or less depending on the metal contained in a substitution liquid. When it takes time to replace the metal and aluminum contained in the substituent, the time can be shortened by energizing. What is necessary is just to make the temperature of the substitution liquid at the time of performing a substitution process about 20 degreeC or more and 200 degrees C or less.

또한, 치환 공정에서는, 프리알루미늄 도금막의 표면이, 치환액에 포함되는 금속과 균일하게 치환된다. 이 때문에, 제1 전해 처리 공정에 있어서 기재의 표면에 프리알루미늄 도금막이 균일하게 형성되어 있으면, 치환액에 포함되는 금속에 의한 층은, 기재의 표면(프리알루미늄 도금막의 피막면)과 대략 평행으로 형성된다.In the substitution step, the surface of the prealuminum plating film is uniformly substituted with the metal contained in the substitution liquid. For this reason, if a prealuminum plating film is formed uniformly in the surface of a base material in a 1st electrolytic treatment process, the layer by the metal contained in a substitution liquid will be substantially parallel to the surface (coating surface of a prealuminum plating film) of a base material. Is formed.

(치환액)(Replacement amount)

치환액은, 제1 전해 처리 공정에 있어서 이용되는 제1 전해액에, 이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속이 첨가된 것이면 좋다. 이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속으로서는, 철(Fe), 아연(Zn), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종 이상의 금속을 바람직하게 이용할 수 있다.The substitution liquid may be one in which a metal having a smaller ionization tendency than aluminum is added to the first electrolyte solution used in the first electrolytic treatment step. As the metal having a smaller ionization tendency than aluminum, any one or more metals selected from the group consisting of iron (Fe), zinc (Zn), zirconium (Zr), manganese (Mn), nickel (Ni), and copper (Cu) may be used. It can use preferably.

치환액은, 제1 전해 처리 공정에 있어서 이용되는 제1 전해액에, 이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속의 염화물을 용해시킴으로써 용이하게 얻을 수 있다. 이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속의 염화물로서는, 예를 들면, FeCl4, ZnCl2, ZrCl4, MnCl2, NiCl2, CuCl2 등을 이용할 수 있다. 이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속의 염화물의 치환액에 있어서의 농도는, 10mmol/L 이상, 1mol/L 이하 정도로 하면 좋다.A substitution liquid can be easily obtained by dissolving the chloride of the metal whose ionization tendency is smaller than aluminum in the 1st electrolyte solution used in a 1st electrolytic treatment process. As the chloride of the metal whose ionization tendency is smaller than that of aluminum, for example, FeCl 4 , ZnCl 2 , ZrCl 4 , MnCl 2 , NiCl 2 , CuCl 2, or the like can be used. What is necessary is just to set the density | concentration in the substitution liquid of the chloride of the metal whose ionization tendency is smaller than aluminum to about 10 mmol / L or more and 1 mol / L or less.

-제2 전해 처리 공정-Second Electrolytic Treatment Process

제2 전해 처리 공정은, 치환 공정 후의 치환 도금막을 제2 전해액 중에서 전해 처리함으로써, 치환 도금막의 표면에 알루미늄을 전착시켜 알루미늄 도금막을 형성하는 공정이다.A 2nd electrolytic treatment process is a process of electrodepositing aluminum on the surface of a substituted plating film, and forming an aluminum plating film by electrolytically treating the substituted plating film after a substitution process in a 2nd electrolyte solution.

종래는, 알루미늄 도금막을 다단적으로 형성하고자 하면, 전해액으로부터 인상했을 때에 알루미늄 도금막의 표면에 형성되는 산화막의 영향으로, 각 단계에 있어서 형성되는 알루미늄 도금막끼리의 밀착성을 올릴 수 없었다. 이에 대하여, 본 개시의 실시 형태에 따른 알루미늄 도금막의 제조 방법에서는, 제2 전해 처리 공정에 있어서 이용하는 치환 도금막의 표면에는 알루미늄의 치밀한 산화막이 형성되어 있지 않기 때문에, 각 단계에 있어서 형성되는 알루미늄 도금막끼리의 밀착성을 올릴 수 있다.Conventionally, when it is going to form an aluminum plating film in multiple stages, the adhesiveness of the aluminum plating film formed in each step could not be improved by the influence of the oxide film formed in the surface of an aluminum plating film when it pulls out from electrolyte solution. On the other hand, in the manufacturing method of the aluminum plating film which concerns on embodiment of this indication, since the dense oxide film of aluminum is not formed in the surface of the substituted plating film used in a 2nd electrolytic treatment process, the aluminum plating film formed in each step is carried out. The adhesiveness of each other can be raised.

제2 전해 처리 공정은, 제1 전해 처리 공정과 동일한 조건에 의해 행할 수 있다. 즉, 제1 전해 처리 공정에 있어서, 기재를 이용하는 대신에 치환 공정 후의 치환 도금막을 이용하는 것 이외는 제1 전해 처리 공정과 동일하게 하여 제2 전해 처리 공정을 행할 수 있다. 또한, 제2 전해 처리 공정에 있어서 이용하는 제2 전해액은, 제1 전해 처리 공정에 있어서 이용하는 제1 전해액과 동일한 조성인 것은 필수는 아니지만, 다른 성분의 반입을 방지하는 관점에서는, 제1 전해 처리 공정과 제2 전해 처리 공정에서 동일한 조성의 전해액을 이용하는 것이 바람직하다.The second electrolytic treatment step can be carried out under the same conditions as the first electrolytic treatment step. That is, in a 1st electrolytic treatment process, a 2nd electrolytic treatment process can be performed similarly to a 1st electrolytic treatment process except using the substituted plating film after a substitution process instead of using a base material. The second electrolytic solution used in the second electrolytic treatment step is not necessarily the same composition as the first electrolytic solution used in the first electrolytic treatment step, but from the viewpoint of preventing the introduction of other components, the first electrolytic treatment step It is preferable to use electrolyte solutions of the same composition in the second electrolytic treatment step.

또한, 제1 전해액과 제2 전해액이 동일한 조성일 때는, 각각의 도금조를 따로따로 하는 것이 바람직하지만, 공간 절약화의 관점에서는, 제1 전해 처리 공정에서 사용한 도금조를 제2 전해 처리 공정에서 재차 사용하는 것도 가능하다. 또한, 제2 전해 처리 공정에 있어서, 치환 도금막의 표면에 알루미늄을 균일하게 전착시키면, 치환액에 포함되는 금속에 의한 층과 알루미늄 도금막의 표면(피막면)은 대략 평행이 된다.In addition, when the 1st electrolyte solution and the 2nd electrolyte solution are the same composition, it is preferable to separate each plating tank separately, but from a viewpoint of space saving, the plating bath used at the 1st electrolytic treatment process is again performed by a 2nd electrolytic treatment process. It is also possible to use. In the second electrolytic treatment step, when aluminum is uniformly electrodeposited on the surface of the substitution plating film, the layer of the metal contained in the substitution liquid and the surface (film surface) of the aluminum plating film are substantially parallel to each other.

-제거 공정-Removal process

제1 전해 처리 공정과, 치환 공정과, 제2 전해 처리 공정에 의해, 기재의 표면에, 본 개시의 실시 형태에 따른 알루미늄 도금막을 형성할 수 있지만, 기재가 불필요한 경우에는, 기재를 제거하는 제거 공정을 행해도 좋다.Although the aluminum plating film which concerns on embodiment of this indication can be formed in the surface of a base material by a 1st electrolytic treatment process, a substitution process, and a 2nd electrolytic treatment process, when a base material is unnecessary, the removal which removes a base material You may perform a process.

기재를 제거하는 방법은 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 기재가 평판 형상인 것인 경우에는, 알루미늄 도금막을 기재로부터 박리함으로써 기재를 제거할 수 있다. 또한, 기재가 수지 성형체인 경우에는, 예를 들면, 열처리에 의해 기재를 제거할 수 있다. 수지 성형체를 열처리에 의해 제거하는 경우에는, 예를 들면, 대기 분위기 중에서 400℃ 이상, 680℃ 이하 정도로 가열하면 좋다. 또한, 열처리를 행하는 경우에는, 개재층에 있어서의 금속이 알루미늄과 합금화한 알루미늄 도금막이 얻어진다.The method of removing a base material is not specifically limited. For example, when a base material is flat form, a base material can be removed by peeling an aluminum plating film from a base material. In addition, when a base material is a resin molded object, a base material can be removed by heat processing, for example. When removing a resin molding by heat processing, what is necessary is just to heat about 400 degreeC or more and 680 degrees C or less, for example in air | atmosphere atmosphere. In addition, when heat-processing, the aluminum plating film by which the metal in the intervening layer alloyed with aluminum is obtained.

실시예Example

이하, 실시예에 기초하여 본 개시를 보다 상세하게 설명하지만, 이들 실시예는 예시이고, 본 개시의 알루미늄 도금막 및 그의 제조 방법은 이들에 한정되는 것은 아니다. 본 개시의 범위는 특허청구의 범위에 의해 나타나고, 특허청구의 범위와 균등의 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함된다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, although this indication is demonstrated in detail based on an Example, these Examples are an illustration and the aluminum plating film of this indication and its manufacturing method are not limited to these. The scope of the present disclosure is indicated by the scope of the claims, and includes all changes within the meaning and range of equivalency of the claims.

[실시예 1]Example 1

<제1 전해 처리 공정><1st electrolytic treatment process>

(기재)(materials)

기재로서, 평판 형상의 동판(50㎜×80㎜×1㎜)을 준비했다.As a base material, the flat copper plate (50 mm x 80 mm x 1 mm) was prepared.

(전해액)(Electrolyte amount)

전해액으로서, 염화 알루미늄(AlCl3)과 1-에틸-3-메틸이미다졸륨클로라이드(EMIC)의 혼합비가 몰비로 2:1이 되도록 하여 얻은 용융염에, 평활화제로서 염화 1,10-페난트롤린 1수화물을 0.5g/L의 농도가 되도록 첨가한 전해액을 준비했다.As an electrolyte, 1,10-phenanrol chloride as a smoothing agent in a molten salt obtained by mixing a ratio of aluminum chloride (AlCl 3 ) and 1-ethyl-3-methylimidazolium chloride (EMIC) to be 2: 1 in molar ratio. The electrolyte solution which added lean monohydrate so that it may become a concentration of 0.5 g / L was prepared.

(용융염 전해)(Molten salt electrolysis)

상기에서 얻은 전해액 중에서, 동판이 음극, 순도가 99.99%인 알루미늄판이 양극이 되도록 하여 용융염 전해를 행했다. 이에 따라, 동판의 표면에 알루미늄이 전착하여, 프리알루미늄 도금막이 얻어졌다. 전해액의 온도는 45℃로 하고, 또한, 전류 밀도는 3.0A/dm2가 되도록 했다.In the above-mentioned electrolyte solution, molten salt electrolysis was performed so that a copper plate might be a cathode and the aluminum plate of 99.99% purity became an anode. Thereby, aluminum was electrodeposited on the surface of the copper plate, and the free aluminum plating film was obtained. The temperature of the electrolyte solution was 45 degreeC, and the current density was set to 3.0 A / dm <2> .

<치환 공정><Substitution process>

(치환액)(Replacement amount)

제1 전해 처리 공정에서 전해액에, FeCl4를 20mmol/L가 되도록 첨가하여 치환액을 준비했다.In the first electrolytic treatment step, FeCl 4 was added to the electrolyte solution so as to be 20 mmol / L to prepare a substitution solution.

(치환 조건)(Substitution condition)

상기에서 얻은 치환액에, 프리알루미늄 도금막이 형성된 동판을 침지했다. 침지하는 시간은, 10초로 하고, 치환액의 온도는 40℃로 했다. 이에 따라, 프리알루미늄 도금막의 표면이 Fe에 의해 치환된 치환 도금막이 얻어졌다.The copper plate in which the free aluminum plating film was formed was immersed in the substitution liquid obtained above. The time to immerse was 10 second, and the temperature of the substitution liquid was 40 degreeC. Thereby, the substituted plating film in which the surface of the pre aluminum plating film was substituted by Fe was obtained.

<제2 전해 처리 공정><2nd electrolytic treatment process>

제1 전해 처리 공정에 있어서 동판 대신에, 치환 도금막이 형성된 동판을 이용한 것 이외는 제1 전해 처리 공정과 동일하게 하여 제2 전해 처리 공정을 행했다.In the first electrolytic treatment step, a second electrolytic treatment step was performed in the same manner as the first electrolytic treatment step except that a copper plate with a substitution plating film was used instead of the copper plate.

이에 따라, 두께 방향의 양단의 피막면끼리의 사이에, Fe에 의한 개재층을 갖는 알루미늄 도금막 No.1이 얻어졌다. 알루미늄 도금막 No.1의 막두께는 약 15㎛였다.Thereby, aluminum plating film No. 1 which has an intervening layer by Fe was obtained between the film surfaces of the both ends of the thickness direction. The film thickness of aluminum plating film No. 1 was about 15 micrometers.

[실시예 2]Example 2

실시예 1에 있어서, 제2 전해 처리 공정 후에, 얻어진 알루미늄 도금막 No.2를 질산에 침지하고, 기재인 동판을 제거하는 공정을 더하는 것 이외, 실시예 1과 동일하게 하여 알루미늄 도금막 No.2를 얻었다. 얻어진 알루미늄 도금막 No.2의 막두께는 약 17㎛였다.In Example 1, it carried out similarly to Example 1 except having added the process of removing the copper plate which is a base material, after immersing the obtained aluminum plating film No. 2 in nitric acid after a 2nd electrolytic treatment process. 2 was obtained. The film thickness of obtained aluminum plating film No. 2 was about 17 micrometers.

[실시예 3]Example 3

<제1 전해 처리 공정><1st electrolytic treatment process>

(기재)(materials)

기재로서, 도전화 처리를 실시한 수지 성형체를 준비했다.As a base material, the resin molded object which carried out the electroconductive process was prepared.

수지 성형체로서는, 1.0㎜ 두께로, 3차원 그물코 형상 구조의 골격을 갖는 폴리우레탄 시트(50㎜×80㎜)를 이용했다. 수지 성형체의 기공률은 96%이고, 평균 기공경은 450㎛였다.As the resin molded body, a polyurethane sheet (50 mm x 80 mm) having a skeleton having a three-dimensional network structure was used at a thickness of 1.0 mm. The porosity of the resin molded body was 96%, and the average pore diameter was 450 micrometers.

도전화 처리는 상기 폴리우레탄 시트를 카본 현탁액에 침지하여 건조시키고, 폴리우레탄 시트의 골격의 표면에 도전층을 형성함으로써 행했다. 카본 현탁액의 성분은, 흑연과 카본 블랙을 25% 포함하고, 수지 바인더, 침투제(penetrant) 및 소포제(antifoaming agent)를 포함하는 것으로 했다. 카본 블랙의 입경은 0.5㎛로 했다.The conducting treatment was performed by immersing the polyurethane sheet in a carbon suspension to dry it, and forming a conductive layer on the surface of the skeleton of the polyurethane sheet. The components of the carbon suspension contained 25% of graphite and carbon black, and included a resin binder, a penetrant and an antifoaming agent. The particle diameter of carbon black was 0.5 micrometer.

(전해액)(Electrolyte amount)

전해액으로서, 실시예 1의 제1 전해 처리 공정에 있어서 이용한 전해액과 동일한 것을 준비했다.As electrolyte solution, the thing similar to the electrolyte solution used in the 1st electrolytic treatment process of Example 1 was prepared.

(용융염 전해)(Molten salt electrolysis)

상기에서 얻은 전해액 중에서, 도전화 처리한 폴리우레탄 시트가 음극, 순도가 99.99%인 알루미늄판이 양극이 되도록 하여 용융염 전해를 행했다. 이에 따라, 도전화 처리한 폴리우레탄 시트의 표면에 알루미늄이 전착하여, 프리알루미늄 도금막이 얻어졌다. 전해액의 온도는 45℃로 하고, 또한, 전류 밀도는 6.0A/dm2가 되도록 했다.In the electrolytic solution obtained above, molten salt electrolysis was carried out so that the polyurethane sheet subjected to the conducting treatment was a cathode and an aluminum plate having a purity of 99.99% became an anode. Thereby, aluminum was electrodeposited on the surface of the electrically conductive polyurethane sheet, and the free aluminum plating film was obtained. The temperature of the electrolyte solution was 45 degreeC, and the current density was set to 6.0 A / dm <2> .

<치환 공정><Substitution process>

치환 공정은, 실시예 1과 동일한 조건에 의해 행했다. 이에 따라 폴리우레탄 시트의 골격의 표면에 치환 도금막이 형성되었다.The substitution process was performed under the same conditions as in Example 1. As a result, a substituted plating film was formed on the surface of the skeleton of the polyurethane sheet.

<제2 전해 처리 공정><2nd electrolytic treatment process>

제1 전해 처리 공정에 있어서 도전화 처리한 폴리우레탄 시트 대신에, 치환 도금막이 형성된 폴리우레탄 시트를 이용한 것 이외는 제1 전해 처리 공정과 동일하게 하여 제2 전해 처리 공정을 행했다.In the first electrolytic treatment step, a second electrolytic treatment step was performed in the same manner as in the first electrolytic treatment step except that a polyurethane sheet having a substituted plating film was used instead of the polyurethane sheet subjected to the conductive treatment.

이에 따라, 두께 방향의 양단의 피막면끼리의 사이에, Fe에 의한 개재층을 갖는 알루미늄 도금막이 얻어졌다.Thereby, the aluminum plating film which has an intervening layer by Fe was obtained between the film surfaces of both ends of the thickness direction.

<제거 공정><Removal process>

상기에서 얻은 알루미늄 도금막을 대기 분위기하에서 600℃로 가열함으로써, 폴리우레탄 시트를 연소시켜 제거했다.The polyurethane sheet was burned and removed by heating the aluminum plating film obtained above to 600 degreeC in air | atmosphere.

이에 따라, 3차원 그물코 형상 구조의 골격을 갖는 금속 다공체의 골격을 형성하고 있는 알루미늄 도금막 No.3이 얻어졌다. 알루미늄 도금막 No.3의 막두께는 약 15㎛였다.This obtained aluminum plating film No. 3 which forms the frame | skeleton of the porous metal body which has a frame | skeleton of a three-dimensional network structure. The film thickness of aluminum plating film No. 3 was about 15 micrometers.

[실시예 4]Example 4

실시예 3에 있어서, 하기의 치환액을 이용한 것 이외는, 실시예 3과 동일하게 하여, 알루미늄 도금막 No.4를 얻었다. 알루미늄 도금막 No.4의 막두께는 약 18㎛였다.In Example 3, aluminum plating film No. 4 was obtained like Example 3 except having used the following substitution liquid. The film thickness of aluminum plating film No. 4 was about 18 micrometers.

(치환액)(Replacement amount)

실시예 1의 제1 전해 처리 공정에 있어서 이용한 전해액에, ZnCl2를 40mmol/L가 되도록 첨가하여 치환액을 준비했다.To the electrolyte solution used in the first electrolytic treatment step of Example 1, ZnCl 2 was added so as to be 40 mmol / L to prepare a replacement solution.

[실시예 5]Example 5

실시예 3에 있어서, 하기의 치환액을 이용한 것 이외는, 실시예 3과 동일하게 하여, 알루미늄 도금막 No.5를 얻었다. 알루미늄 도금막 No.5의 막두께는 약 16㎛였다.In Example 3, aluminum plating film No. 5 was obtained like Example 3 except having used the following substitution liquid. The film thickness of aluminum plating film No. 5 was about 16 micrometers.

(치환액)(Replacement amount)

실시예 1의 제1 전해 처리 공정에 있어서 이용한 전해액에, ZrCl4를 100mmol/L가 되도록 첨가하여 치환액을 준비했다.ZrCl 4 was added to 100 mmol / L in the electrolyte solution used in the first electrolytic treatment step of Example 1 to prepare a replacement solution.

[비교예 1]Comparative Example 1

실시예 2에 있어서, 치환 공정을 행하지 않고 제2 전해 처리 공정을 행한 것 이외는 실시예 2와 동일하게 하여 알루미늄 도금막 No.6을 얻었다. 알루미늄 도금막 No.6의 막두께는 약 16㎛였다.In Example 2, aluminum plating film No. 6 was obtained like Example 2 except having performed the 2nd electrolytic treatment process without performing a substitution process. The film thickness of aluminum plating film No. 6 was about 16 micrometers.

[비교예 2]Comparative Example 2

실시예 3에 있어서, 치환 공정을 행하지 않고 제2 전해 처리 공정을 행한 것 이외는 실시예 3과 동일하게 하여 알루미늄 도금막 No.7을 얻었다. 알루미늄 도금막 No.7의 막두께는 약 18㎛였다.In Example 3, aluminum plating film No. 7 was obtained like Example 3 except having performed the 2nd electrolytic treatment process without performing a substitution process. The film thickness of aluminum plating film No. 7 was about 18 micrometers.

-평가--evaluation-

상기에서 얻은 알루미늄 도금막 No.1 내지 No.7에 대해서, 이하의 평가를 행했다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.The following evaluation was performed about the aluminum plating film Nos. 1-7 which were obtained above. The evaluation results are shown in Table 1.

<도전율의 측정><Measurement of conductivity>

알루미늄 도금막 No.2 내지 No.7의 저항률을, 저항률계를 이용하여 측정 단자 간이 60㎜가 되도록 하여 측정했다.The resistivity of aluminum plating film No.2-No.7 was measured so that it might be 60 mm between measurement terminals using a resistivity meter.

그 결과를 표 1에 나타낸다.The results are shown in Table 1.

Figure pct00002
Figure pct00002

표 1에 나타내는 바와 같이, 동판의 표면에 형성하는 방법에 의해 얻은 실시예 2의 알루미늄 도금막 No.2와 비교예 1의 알루미늄 도금막 No.6을 비교하면, 알루미늄 도금막 No.2의 쪽이 저저항률이 되어 있었다. 또한, 압연에 의해 제작한 두께가 18㎛인 알루미늄막의 저항률은 0.031μΩ·m이고, 실시예 2의 알루미늄막No.2는 압연막과 동정도로 저저항률인 것을 확인할 수 있었다.As shown in Table 1, when the aluminum plating film No. 2 of Example 2 obtained by the method of forming on the surface of a copper plate is compared with the aluminum plating film No. 6 of the comparative example 1, it is the side of aluminum plating film No. 2 This low resistivity was obtained. In addition, the resistivity of the aluminum film having a thickness of 18 μm produced by rolling was 0.031 μΩ · m, and it was confirmed that the aluminum film No. 2 of Example 2 had the same low resistivity as the rolled film.

폴리우레탄 시트의 골격의 표면에 형성하는 방법에 의해 얻은 실시예 3 내지 실시예 5의 알루미늄 도금막 No.3 내지 No.5와, 비교예 2의 알루미늄 도금막 No.7을 비교하면, 알루미늄 도금막 No.3 내지 No.5가 저저항률이 되어 있었다.When the aluminum plating films No. 3 to No. 5 of Examples 3 to 5 obtained by the method of forming on the surface of the skeleton of the polyurethane sheet are compared with the aluminum plating film No. 7 of Comparative Example 2, aluminum plating The films No. 3 to No. 5 had a low resistivity.

<알루미늄 도금막의 단면 관찰><Surface Crossing of Aluminum Plating Film>

알루미늄 도금막 No.3, No.4, No.7의 단면을 주사형 전자 현미경(SEM)에 의해 관찰했다. 그 결과를, 도 7 내지 도 9에 나타낸다.The cross sections of aluminum plating films No. 3, No. 4, and No. 7 were observed with a scanning electron microscope (SEM). The results are shown in FIGS. 7 to 9.

도 7 및 도 8에 나타내는 바와 같이, 본 개시의 실시 형태에 따른 알루미늄 도금막 No.3, No.4는, 두께 방향의 양단의 피막면끼리의 사이에 개재층(72, 82)을 갖고 있었다. 그리고, 개재층의 양측의 알루미늄층끼리는 극간 없이 밀착되어 있었다.As shown to FIG. 7 and FIG. 8, the aluminum plating film No. 3, No. 4 which concerns on embodiment of this indication had intervening layers 72 and 82 between film surfaces of the both ends of a thickness direction. . The aluminum layers on both sides of the intervening layer were in close contact with each other without gaps.

이에 대하여, 치환 공정을 행하지 않았던 비교예 2의 알루미늄 도금막 No.7은, 도 9에 나타내는 바와 같이, 제1 전해 처리 공정에 의해 형성된 알루미늄 도금막과 제2 전해 처리 공정에 의해 형성된 알루미늄 도금막의 사이에 극간이 형성되어 있고, 밀착성이 나빴다. 또한, 제2 전해 처리 공정에 의해 형성된 알루미늄 도금막의 일부는 박리되어 있었다.On the other hand, aluminum plating film No. 7 of the comparative example 2 which did not perform the substitution process of the aluminum plating film formed by the 1st electrolytic treatment process and the aluminum plating film formed by the 2nd electrolytic treatment process as shown in FIG. The gap was formed in between, and adhesiveness was bad. In addition, a part of the aluminum plating film formed by the 2nd electrolytic treatment process was peeled off.

10 : 알루미늄 도금막
11 : 피막면
11' : 피막면
12 : 개재층
20 : 알루미늄 도금막
21 : 피막면
21' : 피막면
22 : 개재층
30 : 알루미늄 도금막
31 : 피막면
31' : 피막면
32 : 개재층
33 : 골격
34 : 골격의 내부
35 : 기공부
65 : 기공부
66 : 수지 성형체
67 : 도전층
71 : 피막면
71' : 피막면
72 : 개재층
81 : 피막면
81' : 피막면
82 : 개재층
10: aluminum plating film
11: film surface
11 ': film surface
12: intervening layer
20: aluminum plating film
21: film surface
21 ': film surface
22: intervening layer
30: aluminum plating film
31: film surface
31 ': film surface
32: intervening layer
33: skeleton
34: inside of the skeleton
35: pore
65: pore
66: resin molded body
67: conductive layer
71: film surface
71 ': film surface
72: intervening layer
81: film surface
81 ': encapsulation
82: intervening layer

Claims (10)

알루미늄을 주성분으로 하는 알루미늄 도금막으로서,
상기 알루미늄 도금막은, 두께 방향의 양단의 피막면(coating surfaces)끼리의 사이에, 이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속을 포함하는 개재층, 또는 이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속과 알루미늄의 합금을 포함하는 개재층을 갖는,
알루미늄 도금막.
As an aluminum plating film containing aluminum as a main component,
The said aluminum plating film contains the intervening layer containing the metal whose ionization tendency is smaller than aluminum, or the alloy of aluminum and the metal whose ionization tendency is smaller than aluminum between the coating surfaces of the both ends of the thickness direction. Having a layer,
Aluminum plating film.
제1항에 있어서,
상기 알루미늄 도금막은, 장척의 시트 형상인, 알루미늄 도금막.
The method of claim 1,
The aluminum plating film is an elongated sheet shape.
제1항에 있어서,
3차원 그물코 형상 구조의 골격을 갖는 금속 다공체의, 상기 골격을 형성하고 있는, 알루미늄 도금막.
The method of claim 1,
The aluminum plating film | membrane which forms the said frame | skeleton of the metal porous body which has a frame | skeleton of a three-dimensional network structure.
제3항에 있어서,
상기 금속 다공체는, 장척의 시트 형상인, 알루미늄 도금막.
The method of claim 3,
The metal porous body is an aluminum plated film having a long sheet shape.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 알루미늄 도금막의 두께 방향으로, 복수의 상기 개재층을 갖는, 알루미늄 도금막.
The method according to any one of claims 1 to 4,
The aluminum plating film which has a some said intervening layer in the thickness direction of the said aluminum plating film.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속은, 철, 아연, 지르코늄, 망간, 니켈 및 구리로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종 이상인, 알루미늄 도금막.
The method according to any one of claims 1 to 5,
The aluminum plating film whose said ionization tendency is smaller than aluminum is any 1 or more types chosen from the group which consists of iron, zinc, zirconium, manganese, nickel, and copper.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 알루미늄 도금막의 두께는, 10㎛ 이상, 1000㎛ 이하인, 알루미늄 도금막.
The method according to any one of claims 1 to 6,
The aluminum plating film is 10 micrometers or more and 1000 micrometers or less in thickness of the said aluminum plating film.
제1항에 기재된 알루미늄 도금막을 제조하는 방법으로서,
적어도 표면이 도전성인 기재를, 제1 전해액 중에서 전해 처리함으로써 상기 기재의 표면에 알루미늄을 전착(electrodeposit)시켜 프리알루미늄 도금막(pre-aluminum plating film)을 형성하는 제1 전해 처리 공정과,
상기 제1 전해 처리 공정 후에, 상기 프리알루미늄 도금막을, 이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속과 상기 제1 전해액을 포함하는 치환액에 침지하여, 상기 프리알루미늄 도금막의 표면을 이온화 경향이 알루미늄보다도 작은 금속으로 치환하여, 치환 도금막을 형성하는 치환 공정과,
상기 치환 공정 후에, 상기 치환 도금막을 제2 전해액 중에서 전해 처리함으로써 상기 치환 도금막의 표면에 알루미늄을 전착시켜 알루미늄 도금막을 형성하는 제2 전해 처리 공정
을 갖고,
상기 제1 전해액 및 상기 제2 전해액은, 적어도 염화 알루미늄을 포함하는 용융염인,
알루미늄 도금막의 제조 방법.
As a method of manufacturing the aluminum plating film according to claim 1,
A first electrolytic treatment step of electrodepositing aluminum on the surface of the substrate by electrolytically treating a substrate having at least a conductive surface in a first electrolyte solution, and forming a pre-aluminum plating film;
After the first electrolytic treatment step, the prealuminum plating film is immersed in a substitution liquid containing a metal having an ionization tendency smaller than aluminum and the first electrolyte solution, and the surface of the prealuminum plating film is made of a metal having an ionization tendency smaller than aluminum. A substitution step of substitution to form a substitution plating film,
After the substitution step, a second electrolytic treatment step of forming an aluminum plating film by electrodepositing aluminum on the surface of the substitution plating film by electrolytically treating the substitution plating film in a second electrolyte solution.
With
The first electrolyte solution and the second electrolyte solution is a molten salt containing at least aluminum chloride,
Manufacturing method of aluminum plating film.
제8항에 있어서,
상기 기재는 3차원 그물코 형상 구조의 골격을 갖는 수지 성형체인, 알루미늄 도금막의 제조 방법.
The method of claim 8,
The said base material is a manufacturing method of the aluminum plating film which is a resin molding which has frame | skeleton of a three-dimensional network structure.
제8항 또는 제9항에 있어서,
상기 제2 전해 처리 공정 후에, 상기 기재를 제거하는 제거 공정을 갖는, 알루미늄 도금막의 제조 방법.
The method according to claim 8 or 9,
The manufacturing method of the aluminum plating film which has a removal process which removes the said base material after a said 2nd electrolytic treatment process.
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