KR20200005234A - Transfer head for micro led - Google Patents

Transfer head for micro led Download PDF

Info

Publication number
KR20200005234A
KR20200005234A KR1020180078713A KR20180078713A KR20200005234A KR 20200005234 A KR20200005234 A KR 20200005234A KR 1020180078713 A KR1020180078713 A KR 1020180078713A KR 20180078713 A KR20180078713 A KR 20180078713A KR 20200005234 A KR20200005234 A KR 20200005234A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
micro led
air passage
transfer head
dispersion
adsorption
Prior art date
Application number
KR1020180078713A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
안범모
박승호
변성현
Original Assignee
(주)포인트엔지니어링
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)포인트엔지니어링 filed Critical (주)포인트엔지니어링
Priority to KR1020180078713A priority Critical patent/KR20200005234A/en
Publication of KR20200005234A publication Critical patent/KR20200005234A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67721Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames

Abstract

The present invention relates to a micro LED transfer head, which adsorbs a micro LED to transfer the same from a growth substrate to a display substrate, and specifically, to a micro LED transfer head, which generates uniform adsorption force on the entire adsorption surface onto which a micro LED is adsorbed, thereby transferring the micro LED to the entire adsorption surface without omission.

Description

마이크로 LED 전사헤드{TRANSFER HEAD FOR MICRO LED}Micro LED transfer head {TRANSFER HEAD FOR MICRO LED}

본 발명은 마이크로 LED를 흡착하여 성장 기판에서 표시 기판으로 이송하는 마이크로 LED 전사헤드에 관한 것이다.The present invention relates to a micro LED transfer head that absorbs micro LEDs and transfers them from a growth substrate to a display substrate.

현재 디스플레이 시장은 아직은 LCD가 주류를 이루고 있는 가운데 OLED가 LCD를 빠르게 대체하며 주류로 부상하고 있는 상황이다. 디스플레이 업체들의 OLED 시장 참여가 러시를 이루고 있는 상황에서 최근 Micro LED(이하,‘마이크로 LED’라 함) 디스플레이가 또 하나의 차세대 디스플레이로 부상하고 있다. LCD와 OLED의 핵심소재가 각각 액정(Liquid Crystal), 유기재료인데 반해 마이크로 LED 디스플레이는 1~100마이크로미터(㎛) 단위의 LED 칩 자체를 발광재료로 사용하는 디스플레이다. Currently, the display market is still the mainstream, while OLED is rapidly becoming the mainstream by replacing LCD. As display companies are participating in the OLED market rush, Micro LED (hereinafter referred to as “micro LED”) display is emerging as another next generation display. Whereas the core materials of LCD and OLED are liquid crystal and organic materials, micro LED display is a display that uses LED chip of 1 ~ 100 micrometer (μm) unit as light emitting material.

Cree사가 1999년에 "광 적출을 향상시킨 마이크로-발광 다이오드 어레이"에 관한 특허를 출원하면서(등록특허공보 등록번호 제0731673호), 마이크로 LED 라는 용어가 등장한 이래 관련 연구 논문들이 잇달아 발표되면서 연구개발이 이루어지고 있다. 마이크로 LED를 디스플레이에 응용하기 위해 해결해야 할 과제로 마이크로 LED 소자를 Flexible 소재/소자를 기반으로 하는 맞춤형 마이크로 칩 개발이 필요하고, 마이크로 미터 사이즈의 LED 칩의 전사(transfer)와 디스플레이 픽셀 전극에 정확한 실장(Mounting)을 위한 기술이 필요하다. When Cree applied for a patent on "Micro-light Emitting Diode Arrays with Improved Light Extraction" in 1999 (Registration No. 0731673), the research and development has been published since the publication of the term micro LED. This is being done. The challenge to apply micro LEDs to displays requires the development of custom microchips based on flexible materials / devices for micro-LED devices, and the accuracy of transfer and display pixel electrodes of micrometer-sized LED chips. There is a need for technology for mounting.

특히, 마이크로 LED 소자를 표시 기판에 이송하는 전사(transfer)와 관련하여, LED 크기가 1~100 마이크로미터(㎛) 단위까지 작아짐에 따라 기존의 픽앤플레이스(pick & place) 장비를 사용할 수 없고, 보다 고정밀도로 이송하는 전사 헤드기술이 필요하게 되었다. 이러한 전사 헤드 기술과 관련하여, 이하에서 살펴보는 바와 같은 몇 가지의 구조들이 제안되고 있으나 각 제안 기술은 몇 가지의 단점들을 가지고 있다. In particular, in connection with the transfer for transferring the micro LED device to the display substrate, as the LED size is reduced to the unit of 1-100 micrometers (μm), it is not possible to use the existing pick & place equipment, There is a need for a transfer head technology that transfers more precisely. In relation to the transfer head technology, several structures as described below have been proposed, but each proposed technology has some disadvantages.

미국의 Luxvue사는 정전헤드(electrostatic head)를 이용하여 마이크로 LED를 전사하는 방법을 제안하였다(공개특허공보 공개번호 제2014-0112486호, 이하 ‘선행발명1’이라 함). 선행발명1의 전사원리는 실리콘 재질로 만들어진 헤드 부분에 전압을 인가함으로써 대전현상에 의해 마이크로 LED와 밀착력이 발생하게 하는 원리이다. 이 방법은 정전 유도시 헤드에 인가된 전압에 의해 대전 현상에 의한 마이크로 LED 손상에 대한 문제가 발생할 수 있다. Luxvue of the United States has proposed a method for transferring a micro LED using an electrostatic head (Public Patent Publication No. 2014-0112486, hereinafter referred to as "prior invention 1"). The transfer principle of the present invention 1 is a principle of generating adhesion between the micro LED and the charging by applying a voltage to a head part made of silicon. This method may cause a problem of micro LED damage due to a charging phenomenon due to the voltage applied to the head during the electrostatic induction.

미국의 X-Celeprint사는 전사 헤드를 탄성이 있는 고분자 물질로 적용하여 웨이퍼 상의 마이크로 LED를 원하는 기판에 이송시키는 방법을 제안하였다(공개특허공보 공개번호 제2017-0019415호, 이하 ‘선행발명2’라 함). 이 방법은 정전헤드 방식에 비해 LED 손상에 대한 문제점은 없으나, 전사 과정에서 목표기판의 접착력 대비 탄성 전사 헤드의 접착력이 더 커야 안정적으로 마이크로 LED를 이송시킬 수 있으며, 전극 형성을 위한 추가 공정이 필요한 단점이 있다. 또한, 탄성 고분자 물질의 접착력을 지속적으로 유지하는 것도 매우 중요한 요소로 작용하게 된다. X-Celeprint Inc. of the United States proposed a method of transferring a micro LED on a wafer to a desired substrate by applying a transfer head as an elastic polymer material (Publication Publication No. 2017-0019415, hereinafter referred to as `` Prevention 2 ''). box). This method has no problems with LED damage compared to the electrostatic head method, but it can transfer micro LEDs stably when the transfer force of the elastic transfer head is larger than the adhesive force of the target substrate, and requires an additional process for electrode formation. There are disadvantages. In addition, maintaining the adhesive strength of the elastomeric material is also a very important factor.

한국광기술원은 섬모 접착구조 헤드를 이용하여 마이크로 LED를 전사하는 방법을 제안하였다(등록특허공보 등록번호 제1754528호, 이하 ‘선행발명3’이라 함). 그러나 선행발명3은 섬모의 접착구조를 제작하는 것이 어렵다는 단점이 있다. The Korean Institute of Optical Technology proposed a method for transferring micro LEDs using a cilia adhesive structure head (registered patent publication No. 1754528, hereinafter referred to as 'prior invention 3'). However, the preceding invention 3 has a disadvantage in that it is difficult to manufacture the adhesive structure of the cilia.

한국기계연구원은 롤러에 접착제를 코팅하여 마이크로 LED를 전사하는 방법을 제안하였다(등록특허공보 등록번호 제1757404호, 이하 ‘선행발명4’라 함). 그러나 선행발명4는 접착제의 지속적인 사용이 필요하고, 롤러 가압 시 마이크로 LED가 손상될 수도 있는 단점이 있다. The Korea Institute of Machinery and Materials proposed a method of transferring micro LEDs by coating an adhesive on a roller (registered patent publication No. 1757404, hereinafter referred to as 'prior invention 4'). However, the present invention 4 requires the continuous use of the adhesive, and there is a disadvantage that the micro LED may be damaged when the roller is pressed.

삼성디스플레이는 어레이 기판이 용액에 담겨 있는 상태에서 어레이 기판의 제1,2전극에 마이너스 전압을 인가하여 정전기 유도 현상에 의해 마이크로 LED를 어레이 기판에 전사하는 방법을 제안하였다(공개특허공보 제10-2017-0026959호, 이하 ‘선행발명5’라 함). 그러나 선행발명 5는 마이크로 LED를 용액에 담가 어레이 기판에 전사한다는 점에서 별도의 용액이 필요하고 이후 건조공정이 필요하다는 단점이 있다.Samsung Display proposed a method of transferring micro LEDs to an array substrate by electrostatic induction by applying a negative voltage to the first and second electrodes of the array substrate while the array substrate is in solution. 2017-0026959, hereinafter referred to as `` First Invention 5 ''). However, the prior invention 5 has a disadvantage in that a separate solution is required in that the micro LED is transferred to the array substrate by soaking in a solution, and then a drying process is required.

엘지전자는 헤드홀더를 복수의 픽업헤드들과 기판 사이에 배치하고 복수의 픽업 헤드의 움직임에 의해 그 형상이 변형되어 복수의 픽업 헤드들에게 자유도를 제공하는 방법을 제안하였다(공개특허공보 제10-2017-0024906호, 이하 ‘선행발명6’이라 함). 그러나 선행발명 6은 복수의 픽업헤드들의 접착면에 접착력을 가지는 본딩물질을 도포하여 마이크로 LED를 전사하는 방식이라는 점에서, 픽업헤드에 본딩물질을 도포하는 별도의 공정이 필요하다는 단점이 있다. LG Electronics has proposed a method of arranging a head holder between a plurality of pickup heads and a substrate and deforming its shape by the movement of the plurality of pickup heads to provide a degree of freedom to the plurality of pickup heads. -2017-0024906, hereinafter referred to as 'prior invention 6'). However, the present invention 6 is a method of transferring a micro LED by applying a bonding material having an adhesive force to the adhesive surface of the plurality of pickup heads, there is a disadvantage that a separate process for applying a bonding material to the pickup head is required.

위와 같은 선행발명들의 문제점을 해결하기 위해서는 선행발명들이 채택하고 있는 기본 원리를 그대로 채용하면서 전술한 단점들을 개선해야 하는데, 이와 같은 단점들은 선행발명들이 채용하고 있는 기본 원리로부터 파생된 것이어서 기본 원리를 유지하면서 단점들을 개선하는 데에는 한계가 있다. 이에 본 발명의 출원인은 이러한 종래기술의 단점들을 개선하는데 그치지 않고, 선행 발명들에서는 전혀 고려하지 않았던 새로운 방식을 제안하고자 한다. In order to solve the problems of the preceding inventions, the above-mentioned disadvantages should be improved while adopting the basic principles adopted by the preceding inventions. These disadvantages are derived from the basic principles adopted by the preceding inventions. There are limits to improving the shortcomings. Accordingly, the applicant of the present invention is not only to improve the disadvantages of the prior art, but to propose a new method that has not been considered in the prior inventions at all.

등록특허공보 등록번호 제0731673호Registered Patent Publication No. 0731673 (특허문허 2) 공개특허공보 공개번호 제2014-0112486호(Patent Document 2) Publication No. 2014-0112486 공개특허공보 공개번호 제2017-0019415호Korean Laid-Open Patent Publication No. 2017-0019415 등록특허공보 등록번호 제1754528호Registered Patent Publication No. 1754528 등록특허공보 등록번호 제1757404호Registered Patent Publication No. 1757404 공개특허공보 제10-2017-0026959호Patent Publication No. 10-2017-0026959 공개특허공보 제10-2017-0024906호Patent Publication No. 10-2017-0024906

이에 본 발명은 마이크로 LED를 흡착하는데 있어서, 마이크로 LED가 흡착되는 흡착면 전체에 균일한 흡착력이 발생할 수 있도록 하여 마이크로 LED 전사의 효율을 향상 시킬 수 있는 마이크로 LED 전사헤드를 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a micro LED transfer head that can improve the efficiency of micro LED transfer by allowing a uniform adsorption force to occur on the entire adsorption surface on which the micro LED is adsorbed.

본 발명의 일 특징에 따른 마이크로 LED 전사헤드는, 흡인배관과 연통되는 흡입홀과, 상기 흡입홀에 연통되는 상부 챔버와, 상기 상부 챔버 하부에 구비되는 에어 통로부를 구비하는 분산부재; 및Micro LED transfer head according to an aspect of the present invention, a dispersion member having a suction hole in communication with the suction pipe, an upper chamber in communication with the suction hole, and an air passage portion provided in the lower portion of the upper chamber; And

상기 분산부재의 하부에 구비되는 흡착부재;를 포함하는 것을 특징으로 한다.It characterized in that it comprises a; adsorption member provided on the lower portion of the dispersion member.

또한, 상기 에어 통로부는 수직하게 형성된 복수개의 에어 통로로 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the air passage portion is characterized in that composed of a plurality of air passage formed vertically.

또한, 상기 분산부재는 금속 재질인 것을 특징으로 한다.In addition, the dispersion member is characterized in that the metal material.

또한, 상기 분산부재와 상기 흡착부재 사이에 형성되는 하부 챔버를 구비하는 것을 특징으로 한다.In addition, it characterized in that it comprises a lower chamber formed between the dispersion member and the suction member.

또한, 상기 흡착부재는 상기 분산부재의 하면에 밀착되는 것을 특징으로 한다.In addition, the adsorption member is characterized in that it is in close contact with the lower surface of the dispersion member.

또한, 상기 흡착부재는 상기 분산부재의 하면에 이격되는 것을 특징으로 한다.In addition, the suction member is characterized in that spaced apart from the lower surface of the dispersion member.

또한, 상기 흡착부재는 임의적 기공을 갖는 다공성 부재인 것을 특징으로 한다.In addition, the adsorption member is characterized in that the porous member having an optional pore.

또한, 상기 흡착부재는 수직적 기공을 갖는 다공성 부재인 것을 특징으로 한다.In addition, the adsorption member is characterized in that the porous member having vertical pores.

또한, 상기 다공성 부재는 양극산화막인 것을 특징으로 한다.In addition, the porous member is characterized in that the anodized film.

본 발명의 다른 특징에 따른 마이크로 LED 전사헤드는, 흡인배관과 연통되는 흡입홀과, 상기 흡입홀과 방사상으로 공기 연통되는 방사 에어 통로부를 구비하는 분산부재; 및 상기 분산부재의 하부에 구비되는 흡착부재;를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, a micro LED transfer head includes: a dispersion member including a suction hole communicating with a suction pipe and a radiating air passage part radially in air communication with the suction hole; And an adsorption member provided below the dispersion member.

또한, 상기 분산부재는, 상기 방사 에어 통로부와 원주상으로 교차하는 원주 에어 통로부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the dispersion member is characterized in that it comprises a circumferential air passage portion that circumferentially intersects with the radial air passage portion.

또한, 상기 방사 에어 통로부는, 복수개의 돌출부가 비연속적으로 구비되어 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the radiation air passage portion, characterized in that formed with a plurality of protrusions discontinuously provided.

또한, 상기 방사 에어 통로부는, 반경 방향으로 복수개 구비되는 각각의 띠가 원주 방향으로 비연속적으로 구비되어 형성되는 것을 특징으로 한다. In addition, the radial air passage portion is characterized in that each of the plurality of bands provided in the radial direction are provided in a discontinuous direction in the circumferential direction.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의한 마이크로 LED 전사헤드는 마이크로 LED를 흡착하는 흡착부재 전체에 균일한 진공압이 형성될 수 있도록함으로써, 흡착부재의 흡착면에 마이크로 LED가 빠짐없이 흡착되도록 하여 마이크로 LED에 대한 마이크로 LED의 전사효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, the micro LED transfer head according to the present invention allows a uniform vacuum pressure to be formed on the entire adsorption member for adsorbing the micro LED, thereby allowing the micro LED to be adsorbed on the adsorption surface of the adsorption member without leaving the micro There is an effect that can improve the transfer efficiency of the micro LED to the LED.

도 1은 본 발명의 실시예들의 이송대상이 되는 마이크로 LED를 도시한 도.
도 2는 본 발명의 실시예들에 의해 표시기판에 이송되어 실장된 마이크로 LED 구조체의 도.
도 3은 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 마이크로 LED 전사헤드를 도시한도.
도 4는 제1실시 예의 제1변형 예를 도시한 도.
도 5는 제1실시 예의 제2변형 예를 도시한 도.
도 6은 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 마이크로 LED 전사헤드를 도시한 도.
도 7은 제2실시 예의 변형 예를 도시한 도.
1 is a view showing a micro LED to be transferred in the embodiments of the present invention.
2 is a view of a micro LED structure transferred to and mounted on a display substrate according to embodiments of the present invention.
Figure 3 shows a micro LED transfer head according to a first embodiment of the present invention.
4 is a diagram showing a first modified example of the first embodiment.
Fig. 5 is a diagram showing a second modification of the first embodiment.
6 is a view showing a micro LED transfer head according to a second embodiment of the present invention.
7 is a diagram showing a modification of the second embodiment.

이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.The following merely illustrates the principles of the invention. Therefore, those skilled in the art may implement the principles of the invention and invent various devices included in the concept and scope of the invention, although not explicitly described or illustrated herein. In addition, all conditional terms and embodiments listed herein are in principle clearly intended to be understood only for the purpose of understanding the concept of the invention and are not to be limited to the specifically listed embodiments and states. .

상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.The above objects, features, and advantages will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, and thus, it will be possible to easily implement the technical idea of self-invention having ordinary skill in the art. .

본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도 및/또는 사시도들을 참고하여 설명될 것이다. 이러한 도면들에 도시된 막 및 영역들의 두께 및 구멍들의 지름 등은 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 또한 도면에 도시된 마이크로 LED의 개수는 예시적으로 일부만을 도면에 도시한 것이다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. Embodiments described herein will be described with reference to cross-sectional and / or perspective views, which are ideal exemplary views of the invention. The thicknesses of the films and regions and the diameters of the holes shown in these figures are exaggerated for the effective explanation of the technical contents. The shape of the exemplary diagram may be modified by manufacturing techniques and / or tolerances. In addition, the number of micro-LEDs shown in the drawings is only a part of the drawings for illustrative purposes. Accordingly, the embodiments of the present invention are not limited to the specific forms shown, but also include changes in forms generated according to manufacturing processes.

다양한 실시예들을 설명함에 있어서, 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 실시예가 다르더라도 편의상 동일한 명칭 및 동일한 참조번호를 부여하기로 한다. 또한, 이미 다른 실시예에서 설명된 구성 및 작동에 대해서는 편의상 생략하기로 한다.In various embodiments of the present disclosure, components that perform the same function will be given the same names and the same reference numbers for convenience, even though the embodiments are different. In addition, the configuration and operation already described in another embodiment will be omitted for convenience.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체의 흡착 대상이 되는 복수의 마이크로 LED(100)를 도시한 도면이다. 마이크로 LED(100)는 성장 기판(101) 위에서 제작되어 위치한다.1 is a diagram illustrating a plurality of micro LEDs 100 to be adsorbed by a micro LED adsorbent according to a preferred embodiment of the present invention. The micro LED 100 is fabricated and positioned on the growth substrate 101.

성장 기판(101)은 전도성 기판 또는 절연성 기판으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 성장 기판(101)은 사파이어, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, 및 Ga203 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.The growth substrate 101 may be made of a conductive substrate or an insulating substrate. For example, the growth substrate 101 may be formed of at least one of sapphire, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, and Ga 2 O 3 .

마이크로 LED(100)는 제1 반도체층(102), 제2 반도체층(104), 제1 반도체층(102)과 제2 반도체층(104) 사이에 형성된 활성층(103), 제1 컨택전극(106) 및 제2 컨택전극(107)을 포함할 수 있다.The micro LED 100 may include a first semiconductor layer 102, a second semiconductor layer 104, an active layer 103 formed between the first semiconductor layer 102 and the second semiconductor layer 104, and a first contact electrode ( 106 and a second contact electrode 107.

제1 반도체층(102), 활성층(103), 및 제2 반도체층(104)은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있다.The first semiconductor layer 102, the active layer 103, and the second semiconductor layer 104 may be formed of metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), chemical vapor deposition (CVD), or plasma chemical vapor deposition (CVD). Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), Molecular Beam Epitaxy (MBE), Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), or the like.

제1 반도체층(102)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. p형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 반도체층(104)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함하여 형성될 수 있다. n형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InNInAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first semiconductor layer 102 may be implemented with, for example, a p-type semiconductor layer. The p-type semiconductor layer is a semiconductor material having a composition formula of InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1), for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN , InAlGaN, AlInN, and the like, and p-type dopants such as Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba may be doped. The second semiconductor layer 104 may be formed, for example, including an n-type semiconductor layer. The n-type semiconductor layer is a semiconductor material having a composition formula of InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1), for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InNInAlGaN , AlInN, and the like, and n-type dopants such as Si, Ge, Sn, and the like may be doped.

다만, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 제1 반도체층(102)이 n형 반도체층을 포함하고, 제2 반도체층(104)이 p형 반도체층을 포함할 수도 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the first semiconductor layer 102 may include an n-type semiconductor layer, and the second semiconductor layer 104 may include a p-type semiconductor layer.

활성층(103)은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다. 활성층(103)은 예를 들어, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다. 또한, 양자선(Quantum wire)구조 또는 양자점(Quantum dot)구조를 포함할 수도 있다.The active layer 103 is a region where electrons and holes are recombined. The active layer 103 may transition to a low energy level as the electrons and holes recombine, and may generate light having a corresponding wavelength. The active layer 103 may include, for example, a semiconductor material having a compositional formula of InxAlyGa1-x-yN (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1), and It may be formed of a quantum well structure or a multi quantum well structure (MQW). In addition, a quantum wire structure or a quantum dot structure may be included.

제1 반도체층(102)에는 제1 컨택전극(106)이 형성되고, 제2 반도체층(104)에는 제2 컨택전극(107)이 형성될 수 있다. 제1 컨택 전극(106) 및/또는 제2 컨택 전극(107)은 하나 이상의 층을 포함할 수 있으며, 금속, 전도성 산화물 및 전도성 중합체들을 포함한 다양한 전도성 재료로 형성될 수 있다.The first contact electrode 106 may be formed on the first semiconductor layer 102, and the second contact electrode 107 may be formed on the second semiconductor layer 104. The first contact electrode 106 and / or the second contact electrode 107 may comprise one or more layers and may be formed of various conductive materials including metals, conductive oxides and conductive polymers.

성장 기판(101) 위에 형성된 복수의 마이크로 LED(100)를 커팅 라인을 따라 레이저 등을 이용하여 커팅하거나 에칭 공정을 통해 낱개로 분리하고, 레이저 리프트 오프 공정으로 복수의 마이크로 LED(100)를 성장 기판(101)으로부터 분리 가능한 상태가 되도록 할 수 있다. The plurality of micro LEDs 100 formed on the growth substrate 101 are cut along the cutting line using a laser or the like, or separately separated by an etching process, and the plurality of micro LEDs 100 are separated by the laser lift-off process. It can be made to be in a state detachable from 101.

도 1에서 ‘p’는 마이크로 LED(100)간의 피치간격을 의미하고, ‘s’는 마이크로 LED(100)간의 이격 거리를 의미하며, ‘w’는 마이크로 LED(100)의 폭을 의미한다. In Figure 1 'p' means the pitch interval between the micro LED 100, 's' means the separation distance between the micro LED 100, 'w' means the width of the micro LED (100).

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체에 의해 표시 기판으로 이송되어 실장됨에 따라 형성된 마이크로 LED 구조체를 도시한 도면이다. FIG. 2 is a view illustrating a micro LED structure formed by being transferred to a display substrate by a micro LED adsorbent according to a preferred embodiment of the present invention.

표시 기판(300)은 다양한 소재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 표시 기판(300)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 그러나, 표시 기판(300)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 투명한 플라스틱 재질로 형성되어 가용성을 가질 수 있다. 플라스틱 재질은 절연성 유기물인 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물일 수 있다.The display substrate 300 may include various materials. For example, the display substrate 300 may be made of a transparent glass material mainly containing SiO 2 . However, the display substrate 300 is not necessarily limited thereto, and may be formed of a transparent plastic material to have solubility. Plastic materials include insulating polyethersulphone (PES), polyacrylate (PAR, polyacrylate), polyetherimide (PEI), polyethylene naphthalate (PEN, polyethyelenen napthalate), polyethylene terephthalate (PET) polyethyeleneterepthalate, polyphenylene sulfide (PPS), polyallylate, polyimide, polycarbonate (PC), cellulose tri acetate (TAC), cellulose acetate propionate: CAP) may be an organic material selected from the group consisting of.

화상이 표시 기판(300)방향으로 구현되는 배면 발광형인 경우에 표시 기판(300)은 투명한 재질로 형성해야 한다. 그러나 화상이 표시 기판(300)의 반대 방향으로 구현되는 전면 발광형인 경우에 표시 기판(300)은 반드시 투명한 재질로 형성할 필요는 없다. 이 경우 금속으로 표시 기판(300)을 형성할 수 있다.When the image is a bottom emission type implemented in the direction of the display substrate 300, the display substrate 300 should be formed of a transparent material. However, when the image is a top emission type that is implemented in a direction opposite to the display substrate 300, the display substrate 300 may not necessarily be formed of a transparent material. In this case, the display substrate 300 may be formed of metal.

금속으로 표시 기판(300)을 형성할 경우 표시 기판(300)은 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴, 스테인레스 스틸(SUS), Invar 합금, Inconel 합금 및 Kovar 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.When the display substrate 300 is formed of metal, the display substrate 300 may include at least one selected from the group consisting of iron, chromium, manganese, nickel, titanium, molybdenum, stainless steel (SUS), Invar alloy, Inconel alloy, and Kovar alloy. It may include, but is not limited thereto.

표시 기판(300)은 버퍼층(311)을 포함할 수 있다. 버퍼층(311)은 평탄면을 제공할 수 있고, 이물 또는 습기가 침투하는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(311)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 함유할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 형성될 수 있다. The display substrate 300 may include a buffer layer 311. The buffer layer 311 may provide a flat surface and may block foreign matter or moisture from penetrating. For example, the buffer layer 311 may be formed of an inorganic material such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, aluminum oxide, aluminum nitride, titanium oxide or titanium nitride, or an organic material such as polyimide, polyester, or acryl. And may be formed of a plurality of laminates of the illustrated materials.

박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(310), 게이트 전극(320), 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)을 포함할 수 있다.The thin film transistor TFT may include an active layer 310, a gate electrode 320, a source electrode 330a, and a drain electrode 330b.

이하에서는 박막 트랜지스터(TFT)가 활성층(310), 게이트 전극(320), 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)이 순차적으로 형성된 탑 게이트 타입(top gate type)인 경우를 설명한다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 바텀 게이트 타입(bottom gate type) 등 다양한 타입의 박막 트랜지스터(TFT)가 채용될 수 있다.Hereinafter, the thin film transistor TFT will be described as a top gate type in which the active layer 310, the gate electrode 320, the source electrode 330a, and the drain electrode 330b are sequentially formed. However, the present embodiment is not limited thereto, and various types of thin film transistors (TFTs), such as a bottom gate type, may be employed.

활성층(310)은 반도체 물질, 예컨대 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)을 포함할 수 있다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 활성층(310)은 다양한 물질을 함유할 수 있다. 선택적 실시예로서 활성층(310)은 유기 반도체 물질 등을 함유할 수 있다. The active layer 310 may include a semiconductor material, for example, amorphous silicon or poly crystalline silicon. However, the present embodiment is not limited thereto, and the active layer 310 may contain various materials. In some embodiments, the active layer 310 may contain an organic semiconductor material.

또 다른 선택적 실시예로서, 활성층(310)은 산화물 반도체 물질을 함유할 수 있다. 예컨대, 활성층(310)은 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge) 등과 같은 12, 13, 14족 금속 원소 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함할 수 있다.In another alternative embodiment, the active layer 310 may contain an oxide semiconductor material. For example, the active layer 310 may be formed of Group 12, 13, 14 metal elements such as zinc (Zn), indium (In), gallium (Ga), tin (Sn) cadmium (Cd), germanium (Ge), and combinations thereof. Oxides of the selected materials.

게이트 절연막(313:gate insulating layer)은 활성층(310) 상에 형성된다. 게이트 절연막(313)은 활성층(310)과 게이트 전극(320)을 절연하는 역할을 한다. 게이트 절연막(313)은 실리콘산화물 및/또는 실리콘질화물 등의 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.A gate insulating layer 313 is formed on the active layer 310. The gate insulating layer 313 insulates the active layer 310 and the gate electrode 320. The gate insulating layer 313 may be formed of a multilayer or a single layer formed of an inorganic material such as silicon oxide and / or silicon nitride.

게이트 전극(320)은 게이트 절연막(313)의 상부에 형성된다. 게이트 전극(320)은 박막 트랜지스터(TFT)에 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결될 수 있다.The gate electrode 320 is formed on the gate insulating layer 313. The gate electrode 320 may be connected to a gate line (not shown) for applying an on / off signal to the thin film transistor TFT.

게이트 전극(320)은 저저항 금속 물질로 이루어질 수 있다. 게이트 전극(320)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The gate electrode 320 may be made of a low resistance metal material. The gate electrode 320 is made of aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), magnesium (Mg) in consideration of adhesion to adjacent layers, surface flatness of the stacked layers, and workability. , Gold (Au), Nickel (Ni), Neodymium (Nd), Iridium (Ir), Chromium (Cr), Lithium (Li), Calcium (Ca), Molybdenum (Mo), Titanium (Ti), Tungsten (W) It may be formed of a single layer or multiple layers of one or more materials of copper (Cu).

게이트 전극(320)상에는 층간 절연막(315)이 형성된다. 층간 절연막(315)은 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)과 게이트 전극(320)을 절연한다. 층간 절연막(315)은 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 예컨대 무기 물질은 금속 산화물 또는 금속 질화물일 수 있으며, 구체적으로 무기 물질은 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZrO2) 등을 포함할 수 있다.An interlayer insulating layer 315 is formed on the gate electrode 320. The interlayer insulating layer 315 insulates the source electrode 330a, the drain electrode 330b, and the gate electrode 320. The interlayer insulating film 315 may be formed of a multilayer or a single layer of an inorganic material. For example, the inorganic material may be a metal oxide or a metal nitride, and specifically, the inorganic material may be silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiON), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), or titanium oxide ( TiO 2 ), tantalum oxide (Ta 2 O 5 ), hafnium oxide (HfO 2 ), zinc oxide (ZrO 2 ), and the like.

층간 절연막(315) 상에 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)이 형성된다. 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)은 활성층(310)의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 전기적으로 연결된다.The source electrode 330a and the drain electrode 330b are formed on the interlayer insulating film 315. The source electrode 330a and the drain electrode 330b include aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), magnesium (Mg), gold (Au), nickel (Ni), and neodymium (Nd). ), Iridium (Ir), chromium (Cr), lithium (Li), calcium (Ca), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tungsten (W), copper (Cu) of one or more materials Can be formed. The source electrode 330a and the drain electrode 330b are electrically connected to the source region and the drain region of the active layer 310, respectively.

평탄화층(317)은 박막 트랜지스터(TFT) 상에 형성된다. 평탄화층(317)은 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 형성되어, 박막 트랜지스터(TFT)로부터 비롯된 단차를 해소하고 상면을 평탄하게 한다. 평탄화층(317)은 유기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 유기 물질은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 또한, 평탄화층(317)은 무기 절연막과 유기절연막의 복합 적층체로 형성될 수도 있다.The planarization layer 317 is formed on the thin film transistor TFT. The planarization layer 317 is formed to cover the thin film transistor TFT, thereby eliminating a step resulting from the thin film transistor TFT and making the top surface flat. The planarization layer 317 may be formed of a single layer or multiple layers of an organic material. Organic materials include general purpose polymers such as polymethylmethacrylate (PMMA) and polystylene (PS), polymer derivatives having phenolic groups, acrylic polymers, imide polymers, arylether polymers, amide polymers, fluorine polymers, and p-xylene Polymers, vinyl alcohol-based polymers and blends thereof, and the like. In addition, the planarization layer 317 may be formed of a composite laminate of an inorganic insulating film and an organic insulating film.

평탄화층(317)상에는 제1 전극(510)이 위치한다. 제1 전극(510)은 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 제1 전극(510)은 평탄화층(317)에 형성된 컨택홀을 통하여 드레인 전극(330b)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(510)은 다양한 형태를 가질 수 있는데, 예를 들면 아일랜드 형태로 패터닝되어 형성될 수 있다. 평탄화층(317)상에는 픽셀 영역을 정의하는 뱅크층(400)이 배치될 수 있다. 뱅크층(400)은 마이크로 LED(100)가 수용될 오목부를 포함할 수 있다. 뱅크층(400)은 일 예로, 오목부를 형성하는 제1 뱅크층(410)를 포함할 수 있다. 제1 뱅크층(410)의 높이는 마이크로 LED(100)의 높이 및 시야각에 의해 결정될 수 있다. 오목부의 크기(폭)는 표시 장치의 해상도, 픽셀 밀도 등에 의해 결정될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 뱅크층(410)의 높이보다 마이크로 LED(100)의 높이가 더 클 수 있다. 오목부는 사각 단면 형상일 수 있으나, 본 발명의 실시예들은 이에 한정되지 않고, 오목부는 다각형, 직사각형, 원형, 원뿔형, 타원형, 삼각형 등 다양한 단면 형상을 가질 수 있다.The first electrode 510 is positioned on the planarization layer 317. The first electrode 510 may be electrically connected to the thin film transistor TFT. In detail, the first electrode 510 may be electrically connected to the drain electrode 330b through a contact hole formed in the planarization layer 317. The first electrode 510 may have various shapes. For example, the first electrode 510 may be patterned in an island shape. The bank layer 400 defining the pixel region may be disposed on the planarization layer 317. The bank layer 400 may include a recess in which the micro LED 100 is to be accommodated. For example, the bank layer 400 may include a first bank layer 410 forming a recess. The height of the first bank layer 410 may be determined by the height and the viewing angle of the micro LED 100. The size (width) of the recess may be determined by the resolution, the pixel density, and the like of the display device. In one embodiment, the height of the micro LED 100 may be greater than the height of the first bank layer 410. The concave portion may have a rectangular cross-sectional shape, but embodiments of the present invention are not limited thereto, and the concave portion may have various cross-sectional shapes such as polygons, rectangles, circles, cones, ellipses, and triangles.

뱅크층(400)은 제1 뱅크층(410) 상부의 제2 뱅크층(420)를 더 포함할 수 있다. 제1 뱅크층(410)와 제2 뱅크층(420)는 단차를 가지며, 제2 뱅크층(420)의 폭이 제1 뱅크층(410)의 폭보다 작을 수 있다. 제2 뱅크층(420)의 상부에는 전도층(550)이 배치될 수 있다. 전도층(550)은 데이터선 또는 스캔선과 평행한 방향으로 배치될 수 있고, 제2 전극(530)과 전기적으로 연결된다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 제2 뱅크층(420)는 생략되고, 제1 뱅크층(410) 상에 전도층(550)이 배치될 수 있다. 또는, 제2 뱅크층(420) 및 전도층(500)을 생략하고, 제2 전극(530)을 픽셀(P)들에 공통인 공통전극으로서 기판(301) 전체에 형성할 수도 있다. 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 광의 적어도 일부를 흡수하는 물질, 또는 광 반사 물질, 또는 광 산란물질을 포함할 수 있다. 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 가시광(예를 들어, 380nm 내지 750nm 파장 범위의 광)에 대해 반투명 또는 불투명한 절연 물질을 포함할 수 있다.The bank layer 400 may further include a second bank layer 420 on the first bank layer 410. The first bank layer 410 and the second bank layer 420 may have a step difference, and the width of the second bank layer 420 may be smaller than the width of the first bank layer 410. The conductive layer 550 may be disposed on the second bank layer 420. The conductive layer 550 may be disposed in a direction parallel to the data line or the scan line and electrically connected to the second electrode 530. However, the present invention is not limited thereto, and the second bank layer 420 may be omitted, and the conductive layer 550 may be disposed on the first bank layer 410. Alternatively, the second bank layer 420 and the conductive layer 500 may be omitted, and the second electrode 530 may be formed on the entire substrate 301 as a common electrode common to the pixels P. The first bank layer 410 and the second bank layer 420 may include a material that absorbs at least a portion of light, a light reflecting material, or a light scattering material. The first bank layer 410 and the second bank layer 420 may include an insulating material that is translucent or opaque to visible light (eg, light in the wavelength range of 380 nm to 750 nm).

일 예로, 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에테르설폰, 폴리비닐부티랄, 폴리페닐렌에테르, 폴리아미드, 폴리에테르이미드, 노보넨계(norbornene system) 수지, 메타크릴 수지, 환상 폴리올레핀계 등의 열가소성 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 우레탄 수지, 아크릴수지, 비닐 에스테르 수지, 이미드계 수지, 우레탄계 수지, 우레아(urea)수지, 멜라민(melamine) 수지 등의 열경화성 수지, 혹은 폴리스티렌, 폴리아크릴로니트릴, 폴리카보네이트 등의 유기 절연 물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the first bank layer 410 and the second bank layer 420 may include polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), polyethersulfone, polyvinylbutyral, polyphenylene ether, polyamide, poly Thermoplastic resins such as etherimide, norbornene system resins, methacryl resins, cyclic polyolefins, epoxy resins, phenol resins, urethane resins, acrylic resins, vinyl ester resins, imide resins, urethane resins, and urea It may be formed of a thermosetting resin such as resin, melamine resin, or an organic insulating material such as polystyrene, polyacrylonitrile, polycarbonate, but is not limited thereto.

다른 예로, 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 SiOx, SiNx, SiNxOy, AlOx, TiOx, TaOx, ZnOx 등의 무기산화물, 무기질화물 등의 무기 절연 물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에서, 제1뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 블랙 매트릭스(black matrix) 재료와 같은 불투명 재료로 형성될 수 있다. 절연성 블랙 매트릭스 재료로는 유기 수지, 글래스 페이스트(glass paste) 및 흑색 안료를 포함하는 수지 또는 페이스트, 금속 입자, 예컨대 니켈, 알루미늄, 몰리브덴 및 그의 합금, 금속 산화물 입자(예를 들어, 크롬 산화물), 또는 금속 질화물 입자(예를 들어, 크롬 질화물) 등을 포함할 수 있다. 변형례에서 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 고반사율을 갖는 분산된 브래그 반사체(DBR) 또는 금속으로 형성된 미러 반사체일 수 있다.As another example, the first bank layer 410 and the second bank layer 420 may be formed of an inorganic insulating material such as inorganic oxides such as SiOx, SiNx, SiNxOy, AlOx, TiOx, TaOx, ZnOx, and inorganic nitride. It is not limited to this. In one embodiment, the first bank layer 410 and the second bank layer 420 may be formed of an opaque material, such as a black matrix material. Insulating black matrix materials include organic resins, resins or pastes comprising glass paste and black pigments, metal particles such as nickel, aluminum, molybdenum and alloys thereof, metal oxide particles (eg chromium oxide), Or metal nitride particles (eg, chromium nitride) or the like. In a modification, the first bank layer 410 and the second bank layer 420 may be distributed Bragg reflectors (DBRs) having high reflectivity or mirror reflectors formed of metal.

오목부에는 마이크로 LED(100)가 배치된다. 마이크로 LED(100)는 오목부에서 제1 전극(510)과 전기적으로 연결될 수 있다.The micro LED 100 is disposed in the recess. The micro LED 100 may be electrically connected to the first electrode 510 in the recess.

마이크로 LED(100)는 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 파장을 가지는 빛을 방출하며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 백색광도 구현이 가능하다. 마이크로 LED(100)는 1 ㎛ 내지 100 ㎛ 의 크기를 갖는다. 마이크로 LED(100)는 개별적으로 또는 복수 개가 본 발명의 실시예에 따른 흡착체에 의해 성장 기판(101) 상에서 픽업(pick up)되어 표시 기판(300)에 전사됨으로써 표시 기판(300)의 오목부에 수용될 수 있다. The micro LED 100 emits light having a wavelength of red, green, blue, white, and the like, and white light may be realized by using a fluorescent material or combining colors. The micro LED 100 has a size of 1 μm to 100 μm. Each of the micro LEDs 100 is picked up on the growth substrate 101 by an adsorbent according to an exemplary embodiment of the present invention, and transferred to the display substrate 300 by recesses of the display substrate 300. Can be accommodated in

마이크로 LED(100)는 p-n 다이오드, p-n 다이오드의 일측에 배치된 제1 컨택 전극(106) 및 제1 컨택 전극(106)과 반대측에 위치한 제2 컨택 전극(107)을 포함한다. 제1 컨택 전극(106)은 제1 전극(510)과 접속하고, 제2 컨택 전극(107)은 제2 전극(530)과 접속할 수 있다.The micro LED 100 includes a p-n diode, a first contact electrode 106 disposed on one side of the p-n diode, and a second contact electrode 107 positioned opposite to the first contact electrode 106. The first contact electrode 106 may be connected to the first electrode 510, and the second contact electrode 107 may be connected to the second electrode 530.

제1 전극(510)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO;aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다. The first electrode 510 may include a reflective film formed of Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, or a compound thereof, and a transparent or translucent electrode layer formed on the reflective film. The transparent or translucent electrode layer may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium oxide (In 2 O 3, indium oxide), and indium gallium. At least one selected from the group consisting of oxide (IGO; indium gallium oxide) and aluminum zinc oxide (AZO) may be provided.

패시베이션층(520)은 오목부 내의 마이크로 LED(100)를 둘러싼다. 패시베이션층(520)은 뱅크층(400)과 마이크로 LED(100) 사이의 공간을 채움으로써, 오목부 및 제1 전극(510)을 커버한다. 패시베이션층(520)은 유기 절연물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 패시베이션층(520)은 아크릴, 폴리(메틸 메타크릴레이트)(PMMA), 벤조사이클로부텐(BCB), 폴리이미드, 아크릴레이트, 에폭시 및 폴리에스테르 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The passivation layer 520 surrounds the micro LED 100 in the recess. The passivation layer 520 fills the space between the bank layer 400 and the micro LED 100 to cover the recess and the first electrode 510. The passivation layer 520 may be formed of an organic insulating material. For example, the passivation layer 520 may be formed of acrylic, poly (methyl methacrylate) (PMMA), benzocyclobutene (BCB), polyimide, acrylate, epoxy, polyester, and the like, but is not limited thereto. It is not.

패시베이션층(520)은 마이크로 LED(100)의 상부, 예컨대 제2 컨택 전극(107)은 커버하지 않는 높이로 형성되어, 제2 컨택 전극(107)은 노출된다. 패시베이션층(520) 상부에는 마이크로 LED(100)의 노출된 제2 컨택 전극(107)과 전기적으로 연결되는 제2 전극(530)이 형성될 수 있다. The passivation layer 520 is formed above the micro LED 100, for example, at a height not covering the second contact electrode 107, so that the second contact electrode 107 is exposed. A second electrode 530 electrically connected to the exposed second contact electrode 107 of the micro LED 100 may be formed on the passivation layer 520.

제2 전극(530)은 마이크로 LED(100)와 패시베이션층(520)상에 배치될 수 있다. 제2 전극(530)은 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명 전도성 물질로 형성될 수 있다.The second electrode 530 may be disposed on the micro LED 100 and the passivation layer 520. The second electrode 530 may be formed of a transparent conductive material such as ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 .

제1실시 예First embodiment

도 3은 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 마이크로 LED 전사헤드(1000)를 도시한 도면이다. 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 마이크로 LED 전사헤드(1000)는, 분산부재(1100) 및 흡착부재(1400)를 포함하여 구성되어 마이크로 LED(ML)를 제1기판(예를들어, 성장 기판(101)에서 제2기판(예를 들어, 표시 기판(301))으로 이송한다. 도 3에 도시된 기판(P)은 도 1의 제1기판(예를들어, 성장 기판(101)) 또는 캐리어 기판일 수 있다.3 is a diagram illustrating a micro LED transfer head 1000 according to a first embodiment of the present invention. The micro LED transfer head 1000 according to the first exemplary embodiment of the present invention includes a dispersion member 1100 and an adsorption member 1400 to grow a micro LED (ML) on a first substrate (for example, growth). The substrate 101 is transferred from the substrate 101 to the second substrate (for example, the display substrate 301.) The substrate P shown in FIG. 3 is the first substrate (for example, the growth substrate 101) of FIG. Or a carrier substrate.

도 3에 도시된 바와 같이, 분산부재(1100)는 흡인배관(1900)과 연통되는 흡입홀(1100a)과, 흡입홀(1100a)에 연통되는 상부 챔버(1100b)와, 상부 챔버(1100b) 하부에 구비되는 에어 통로부(1200)를 구비한다. 분산부재(1100)는 금속 재질로 구성될 수 있다. 분산부재(1100)는 금속 재질로 구성됨으로써 흡착부재(1400)의 고정 지지를 용이하게 할 수 있다.As shown in FIG. 3, the dispersion member 1100 includes a suction hole 1100a communicating with the suction pipe 1900, an upper chamber 1100b communicating with the suction hole 1100a, and a lower portion of the upper chamber 1100b. It is provided with an air passage portion 1200 provided in. The dispersion member 1100 may be made of a metal material. The dispersion member 1100 may be made of a metal material to facilitate the fixed support of the adsorption member 1400.

분산부재(1100)의 상부에는 흡인배관(1900)과 연통되는 흡입홀(1100a)이 형성된다. 흡입홀(1100a)은 흡인배관(1900)과 연통되어 진공펌프에서 공급된 진공이 분산부재(1100) 내부로 전달되게 할 수 있다. 분산부재(1100) 내부에는 흡입홀(1100a)과 연통되는 상부 챔버(1100b)가 구비된다. 상부 챔버(1100b)는 하부에 구비되는 에어 통로부(1200)로 진공을 전달할 수 있다. 에어 통로부(1200)는 상부 챔버(1100b)의 하부에 상부 챔버(1100b)와 연통되게 구비된다. 에어 통로부(1200)는 수직하게 형성된 복수개의 에어 통로(1300)로 구성된다. 따라서, 상부 챔버(1100b)의 진공은 복수개의 에어 통로(1300)로 전달된다. 에어 통로부(1200)는 전달 받은 진공을 분산부재(1100) 하부에 구비되는 흡착부재(1400)의 상면 전체로 분산시킬 수 있다. 이로 인해 마이크로 LED 전사헤드(1000)는 마이크로 LED(ML)에 대한 흡착면 전체에 균일한 흡착력을 발생시킬 수 있게 된다.A suction hole 1100a is formed at an upper portion of the dispersion member 1100 to communicate with the suction pipe 1900. The suction hole 1100a may be in communication with the suction pipe 1900 to allow the vacuum supplied from the vacuum pump to be transferred into the dispersion member 1100. An upper chamber 1100b communicating with the suction hole 1100a is provided in the dispersion member 1100. The upper chamber 1100b may transfer a vacuum to the air passage part 1200 provided below. The air passage part 1200 is provided in communication with the upper chamber 1100b at the lower portion of the upper chamber 1100b. The air passage part 1200 includes a plurality of air passages 1300 vertically formed. Therefore, the vacuum of the upper chamber 1100b is transferred to the plurality of air passages 1300. The air passage part 1200 may disperse the received vacuum to the entire upper surface of the adsorption member 1400 provided under the dispersion member 1100. This allows the micro LED transfer head 1000 to generate a uniform adsorption force on the entire adsorption surface for the micro LED (ML).

에어 통로부(1200)는 수직하게 형성된 복수개의 에어 통로(1300)로 구성되어 상부 챔버(1100b)의 하부에 상부 챔버(1100b)와 연통되게 구비된다. 도 3에 도시된 바와 같이, 에어 통로(1300)는 수직하게 형성되되, 에어 통로(1300) 내의 진공이 지나는 위치별로 그 폭이 다르게 형성될 수 있다. 상부 챔버(1100b)의 진공이 전달되는 유입부(1300a)의 폭은 임의로 형성될 수 있다. 유입부(1300a) 하부에는 유입부(1300a)의 폭보다 좁은 폭으로 형성된 협소부(1300b)를 가진다. 공기 배출은 협소부(1300b)를 거치면서 유속이 빨라질 수 있다. 협소부(1300b)로 인해 유속이 빨라진 공기 배출은 마이크로 LED(ML)에 대한 진공압이 형성될 때 진공압 형성 시간을 단축할 수 있는 효과가 있다. 협소부(1300b)하부에는 분산부(1300c)를 가진다. 에어 통로부(1200)는 분산부재(1100)에서 가장 하단에 구비되므로, 분산부재(1100)의 하부에 구비되는 흡착부재(1400)의 상부에 위치할 수 있다. 또한, 복수개의 에어 통로(1300)의 분산부(1300c)는 에어 통로(1300)의 가장 하단에 위치하므로, 분산부(1300c)는 흡착부재(1400)의 상부에 위치할 수 있다. 이로 인해 진공은 분산부(1300c)를 거치면서 흡착부재(1400)의 상면으로 고르게 전달될 수 있다. 협소부(1300b)를 통해 공기 배출이 빨라지고 분산부(1300c)를 통해 분산부(1300c)의 폭을 따라 흡착부재(1400)의 상면으로 진공도가 넓게 분산될 수 있다. 이 때, 에어 통로부(1200)는 복수개의 에어 통로(1300)로 구성되고 모든 에어 통로(1300)의 분산부(1300c)의 폭을 따라 흡착부재(1400)의 상면으로 진공도가 넓게 분산되므로 흡착부재(1400)의 상면 전체에 진공이 균일하게 전달될 수 있다. 이로 인해 흡착부재(1400)의 흡착면 전체에 마이크로 LED(ML)에 대한 균일한 흡착력이 발생하게 되고 흡착부재(1400)의 흡착면 일부에 진공압이 형성되지 않아 마이크로 LED(ML)가 흡착되지 않는 문제를 해소할 수 있게 된다.The air passage part 1200 includes a plurality of air passages 1300 vertically formed to communicate with the upper chamber 1100b at the lower portion of the upper chamber 1100b. As shown in FIG. 3, the air passage 1300 may be formed vertically, and the width of the air passage 1300 may be different for each position where a vacuum passes in the air passage 1300. The width of the inlet 1300a through which the vacuum of the upper chamber 1100b is transferred may be arbitrarily formed. A lower portion of the inlet portion 1300a has a narrow portion 1300b formed to have a width narrower than that of the inlet portion 1300a. Air discharge may be faster flow rate through the narrow portion (1300b). The air discharge having a faster flow rate due to the narrow portion 1300b has an effect of shortening the vacuum pressure forming time when the vacuum pressure for the micro LED ML is formed. The narrow part 1300b has a dispersion part 1300c. Since the air passage part 1200 is provided at the bottom of the dispersion member 1100, the air passage part 1200 may be positioned above the adsorption member 1400 provided below the dispersion member 1100. In addition, since the dispersion units 1300c of the plurality of air passages 1300 are positioned at the bottom of the air passage 1300, the dispersion units 1300c may be positioned above the adsorption member 1400. As a result, the vacuum may be evenly transferred to the upper surface of the adsorption member 1400 while passing through the dispersion unit 1300c. The air is discharged through the narrow portion 1300b and the vacuum degree may be widely distributed to the upper surface of the adsorption member 1400 along the width of the dispersion portion 1300c through the dispersion portion 1300c. At this time, the air passage part 1200 is composed of a plurality of air passages 1300 and the vacuum degree is widely distributed to the upper surface of the adsorption member 1400 along the width of the dispersion portion 1300c of all the air passages 1300 The vacuum may be uniformly transmitted to the entire upper surface of the member 1400. As a result, uniform adsorption force is generated on the entire adsorption surface of the adsorption member 1400 to the micro LEDs (ML), and no vacuum pressure is formed on a portion of the adsorption surface of the adsorption member (1400) so that the micro LEDs (ML) are not adsorbed. It can solve the problem.

한편, 에어 통로부의 에어 통로는 동일한 폭을 갖고 수직하게 형성될 수 있다. 에어 통로부의 에어 통로의 폭을 동일하게 하여 수직하게 형성할 경우, 에어 통로의 형성이 쉽게 이루어질 수 있어 에어 통로부의 구비가 용이해질 수 있다는 이점이 있다.On the other hand, the air passage of the air passage portion may be formed vertically with the same width. In the case where the widths of the air passages are vertically formed to be the same, the air passages may be easily formed, and thus the air passages may be easily provided.

분산부재(1100)의 하부에는 마이크로 LED(ML)를 흡착하는 흡착면이 구성되는 흡착부재(1400)가 구비된다. 흡착부재(1400)는 분산부재(1100)의 고정부(1101)에 의해 고정 지지될 수 있다. 흡착부재(1400)는 다공성 부재로 구성될 수 있다.The lower portion of the dispersion member 1100 is provided with an adsorption member 1400 is configured with an adsorption surface for adsorbing the micro LED (ML). The adsorption member 1400 may be fixedly supported by the fixing portion 1101 of the dispersion member 1100. Adsorption member 1400 may be composed of a porous member.

다공성 부재는 내부에 기공이 다수 함유되어 있는 물질을 포함하여 구성되며, 일정 배열 또는 무질서한 기공구조로 0.2~0.95 정도의 기공도를 가지는 분말, 박막/후막 및 벌크 형태로 구성될 수 있다. 다공성 부재의 기공은 그 크기에 따라 직경 2 nm 이하의 마이크로(micro)기공, 2~50 nm 메조(meso)기공, 50 nm 이상의 마크로(macro)기공으로 구분할 수 있는데, 이들의 기공들을 적어도 일부를 포함한다. 다공성 부재는 그 구성 성분에 따라서 유기, 무기(세라믹), 금속, 하이브리드형 다공성 소재로 구분이 가능하다. 또한, 다공성 부재는 유기, 무기(세라믹),금속, 하이브리드형 다공성 소재 중 하나의 소재로 구성될 수 있다.The porous member may include a material containing a large number of pores therein, and may be formed in powder, thin film / thick film, and bulk form having a porosity of about 0.2 to 0.95 in a predetermined or disordered pore structure. The pores of the porous member can be classified into micro pores of 2 nm or less in diameter, meso pores of 2 to 50 nm, and macro pores of 50 nm or more, depending on the size thereof. Include. Porous members can be classified into organic, inorganic (ceramic), metal, and hybrid porous materials according to their constituents. In addition, the porous member may be made of one of an organic, inorganic (ceramic), metal, and a hybrid porous material.

다공성 부재는 형상의 측면에서 분말, 코팅막, 벌크가 가능하고, 분말의 경우 구형, 중공구형, 화이버, 튜브형 등 다양한 형상이 가능하며, 분말을 그대로 사용하는 경우도 있지만, 이를 출발 물질로 코팅막, 벌크 형상을 제조하여 사용하는 것도 가능하다.The porous member may be powder, coating film or bulk in terms of shape, and in the case of powder, various shapes such as spherical, hollow spherical, fiber, and tubular are possible, and in some cases, powder may be used as it is. It is also possible to manufacture and use a shape.

다공성 부재는 임의적 기공을 갖는 다공성 부재로 구성될 수 있다. 다공성 부재는 임의적 기공을 갖는 다공성 부재로 구성될 경우, 레이저 또는 에칭 등을 통하여 임의적인 기공을 형성함으로써 구현될 수 있다. The porous member may be composed of a porous member having arbitrary pores. When the porous member is composed of a porous member having arbitrary pores, it may be realized by forming arbitrary pores through laser or etching.

도 3에 도시된 바와 같이, 흡착부재(1400)는 임의적 기공을 갖는 다공성 부재로 구성될 수 있다. 임의적 기공을 갖는 다공성 부재인 흡착부재(1400)는 분산부재(1100)의 하면에 밀착되게 구비될 수 있다. 임의적 기공을 갖는 다공성 부재는 내부에 일정 배열 또는 무질서한 기공 구조를 가진 다수의 기공들이 서로 연결되면서 공기 흐름이 수평방향으로 존재하므로 분산부재(1100)의 하면에 밀착되는 구조로 구비되더라도 흡착부재(1400) 전체에 균일하게 진공압이 형성되게 할 수 있다. 이와 같이 임의적 기공을 갖는 다공성 부재인 흡착부재(1400)는 분산부재(1100)의 하면에 밀착되는 구조로 구비되어 분산부재(1100)의 에어 통로부(1200)로부터 진공을 전달받아 흡착부재(1400) 내부에서 수평방향으로 분산되어 마이크로 LED(ML) 흡착면에 균일한 흡착력이 발생할 수 있다.As shown in FIG. 3, the adsorption member 1400 may be composed of a porous member having arbitrary pores. The adsorption member 1400, which is a porous member having random pores, may be provided to be in close contact with the bottom surface of the dispersion member 1100. The porous member having random pores has a structure in which air flows in a horizontal direction while a plurality of pores having a predetermined arrangement or disordered pore structure are connected to each other, so that the porous member is in close contact with the bottom surface of the dispersion member 1100. Vacuum pressure can be formed uniformly over the whole. As described above, the adsorption member 1400, which is a porous member having random pores, is provided to be in close contact with the bottom surface of the dispersion member 1100 and receives a vacuum from the air passage part 1200 of the dispersion member 1100. ) Evenly distributed in the horizontal direction can generate a uniform adsorption force on the micro LED (ML) adsorption surface.

도 4는 제1실시 예에 따른 마이크로 LED 전사헤드(1000)의 제1변형 예를 도시한 도이다. 제1변형 예는 흡착부재(1400)가 임의적 기공을 갖는 다공성 부재로 구성되어 분산부재(1100)의 하면에 이격되어 구비되고, 하부 챔버가 구비된다는 점에서 제1실시 예와 차이가 있다. 4 is a diagram illustrating a first modified example of the micro LED transfer head 1000 according to the first embodiment. The first modified example is different from the first embodiment in that the adsorption member 1400 is formed of a porous member having arbitrary pores and is spaced apart from the lower surface of the dispersion member 1100 and provided with a lower chamber.

도 4에 도시된 바와 같이, 제1변형 예의 마이크로 LED 전사헤드(1000)는 흡착부재(1400)가 분산부재(1100)의 하면에 이격되게 구비된다. 분산부재(1100)와 흡착부재(1400) 사이에는 하부 챔버(1500)가 구비된다. 분산부재(1100)의 하단에는 에어 통로부(1200)가 구비된다. 따라서, 하부 챔버(1500)는 분산부재(1100)와 흡착부재(1400) 사이이면서 분산부재(1100)의 에어 통로부(1200) 하단에 구비될 수 있다. 하부 챔버(1500)는 에어 통로부(1200)와 연통되게 구비된다. 이로 인해 진공펌프에서 공급한 진공이 상부 챔버(1100b) 및 에어 통로부(1200)를 거쳐 하부 챔버(1500)로 전달될 수 있다. 에어 통로부(1200)와 연통되는 하부 챔버(1500)는 전달 받은 진공을 흡착부재(1400)로 가할 수 있다. 흡착부재(1400)는 분산부재(1100)와 이격되게 구비됨으로써 흡착부재(1400)가 분산부재(1100)에 밀착되는 구성에 비해 흡착부재(1400) 내부 공기 흐름이 원활할 수 있고, 이로 인해 흡착부재(1400) 전체에 진공 전달이 잘되어 흡착력이 균등하게 발생할 수 있게 된다.As shown in FIG. 4, the micro LED transfer head 1000 of the first modified example is provided with an adsorption member 1400 spaced apart from the bottom surface of the dispersion member 1100. The lower chamber 1500 is provided between the dispersion member 1100 and the suction member 1400. The air passage part 1200 is provided at the lower end of the dispersion member 1100. Accordingly, the lower chamber 1500 may be provided between the dispersion member 1100 and the adsorption member 1400 and at the bottom of the air passage part 1200 of the dispersion member 1100. The lower chamber 1500 is provided in communication with the air passage 1200. As a result, the vacuum supplied from the vacuum pump may be transferred to the lower chamber 1500 via the upper chamber 1100b and the air passage part 1200. The lower chamber 1500 in communication with the air passage part 1200 may apply the received vacuum to the adsorption member 1400. Since the adsorption member 1400 is provided to be spaced apart from the dispersion member 1100, the air flow inside the adsorption member 1400 may be smoother than that of the structure in which the adsorption member 1400 is in close contact with the dispersion member 1100. The vacuum is well transmitted to the entirety of the member 1400, so that the adsorption force can be evenly generated.

도 5는 제1실시 예에 따른 마이크로 LED 전사헤드(1000)의 제2변형 예를 도시한 도이다. 제2변형 예는 임의적 기공을 갖는 다공성 부재가 양극산화막인 흡착부재(1400')가 분산부재(1100)의 하면에 이격되어 구비되고, 하부 챔버(1500)가 구비된다는 점에서 제1실시 예와 차이가 있다.5 is a diagram illustrating a second modified example of the micro LED transfer head 1000 according to the first embodiment. The second modified example is different from the first embodiment in that the porous member having arbitrary pores is provided with an adsorption member 1400 ', which is an anodized film, spaced apart from the lower surface of the dispersion member 1100, and the lower chamber 1500 is provided. There is a difference.

도 5에 도시된 바와 같이, 제2변형 예의 마이크로 LED 전사헤드(1000)는 양극산화막으로 구성된 흡착부재(1400')가 분산부재(1100)의 하면에 이격되게 구비된다.  As shown in FIG. 5, the micro LED transfer head 1000 according to the second modified example is provided with an adsorption member 1400 ′ formed of an anodization film spaced apart from the bottom surface of the dispersion member 1100.

양극산화막의 기공은 일정 배열로 형성된다. 양극 산화막은 모재인 금속을 양극산화하여 형성된 막을 의미하고, 기공은 금속을 양극 산화하여 양극산화막을 형성하는 과정에서 형성되는 구멍을 의미한다. 예컨대, 모재인 금속인 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금인 경우, 모재를 양극 산화하면 모재의 표면에 양극산화알루미늄(Al2O3) 재질의 양극 산화막이 형성된다. 이와 같이 형성되 양극 산화막은 내부에 기공이 형성되지 않은 배리어층과, 내부에 기공이 형성된 다공층으로 구분된다. 배리어층은 모재의 상부에 위치하고, 다공층은 배리어층의 상부에 위치한다. 이처럼 배리어층과 다공층을 갖는 양극산화막이 표면에 형성된 모재에서, 모재를 제거하게 되면, 양극산화알루미늄(Al2O3) 재질의 양극 산화막만이 남게 된다. The pores of the anodic oxide film are formed in a predetermined arrangement. The anodic oxide film refers to a film formed by anodizing a base metal, and the pore refers to a hole formed in the process of forming an anodized film by anodizing a metal. For example, in the case of aluminum (Al) or an aluminum alloy, which is a base metal, anodizing the base material forms an anodized film made of anodized aluminum (Al 2 O 3 ) on the surface of the base material. The anodic oxide film formed as described above is divided into a barrier layer having no pores formed therein and a porous layer having pores formed therein. The barrier layer is located on top of the base material, and the porous layer is located on top of the barrier layer. As such, when the base material is removed from the base material having the barrier layer and the porous layer formed on the surface, only the anodized film made of aluminum anodized (Al 2 O 3 ) material remains.

양극 산화막은, 지름이 균일하고, 수직한 형태로 형성되면서 규칙적인 배열을 갖는 기공을 갖게 된다. 따라서, 배리어층을 제거하면, 기공을 상, 하로 수직하게 관통된 구조를 갖게 되며, 이를 통해 수직한 방향으로 진공압을 형성하는 것이 용이하게 된다.The anodic oxide film has pores having a regular arrangement while having a uniform diameter and a vertical shape. Therefore, when the barrier layer is removed, the pores have a vertically penetrating structure up and down, thereby making it easy to form a vacuum pressure in the vertical direction.

양극 산화막의 내부는 수직 형상의 기공에 의해 수직한 형태로의 공기 유로를 형성할 수 있게 된다. 기공의 내부 폭은 수 nm 내지 수 백 nm의 크기를 갖는다. 예를 들어, 진공 흡착하고자 하는 마이크로 LED의 사이즈가 30μm x 30μm인 경우이고 기공의 내부 폭이 수 nm인 경우에는 대략 수 천만개의 기공을 이용하여 마이크로 LED(ML)를 진공 흡착할 수 있게 된다. 한편, 진공 흡착하고자 하는 마이크로 LED의 사이즈가 30μm x 30μm인 경우이고 기공(1303)의 내부 폭이 수 백 nm인 경우에는 대략 수 만개의 기공을 이용하여 마이크로 LED(ML)를 진공 흡착할 수 있게 된다. 마이크로 LED(ML)의 경우에는 기본적으로 제1 반도체층(102), 제2 반도체층(104), 제1 반도체층(102)과 제2 반도체층(104) 사이에 형성된 활성층(103), 제1 컨택전극(106) 및 제2 컨택전극(107)만으로 구성됨에 따라 상대적으로 가벼운 편이므로 양극산화막의 수만 내지 수 천만개의 기공을 이용하여 진공 흡착하는 것이 가능한 것이다.The inside of the anodic oxide film can form an air flow path in a vertical form by vertical pores. The inner width of the pores has a size of several nm to several hundred nm. For example, when the size of the micro LED to be vacuum adsorbed is 30 μm × 30 μm and the internal width of the pores is several nm, the micro LED (ML) may be vacuum adsorbed using approximately tens of millions of pores. On the other hand, when the size of the micro LED to be vacuum adsorbed is 30μm x 30μm and the inside width of the pores 1303 is several hundred nm, it is possible to vacuum adsorb the micro LED (ML) using approximately tens of thousands of pores. do. In the case of the micro LED (ML), basically, the first semiconductor layer 102, the second semiconductor layer 104, the active layer 103 formed between the first semiconductor layer 102 and the second semiconductor layer 104, Since only the first contact electrode 106 and the second contact electrode 107 are relatively light, vacuum adsorption is possible using tens of thousands to tens of millions of pores of the anodization film.

양극산화막으로 구성된 흡착부재(1400')는 수직한 형태의 공기 유로를 형성함으로 흡착부재(1400') 내부에서 수직방향으로의 공기 흐름만이 존재한다. 다시 말해, 흡착부재(1400') 내부에서 수평방향으로의 공기 흐름이 존재하지 않는다. 흡착부재(1400) 내부에서 수직방향의 공기 흐름만이 존재할 경우, 도 3의 제1실시 예와 같이 흡착부재(1400')가 분산부재(1100) 하면에 밀착되는 구조로 구비되면 에어 통로부(1200)를 거친 진공이 에어 통로부(1200)의 분산부(1300c)와 밀착되어 있는 흡착부재(1400')의 수직한 공기 유로로만 전달된다. 다시 말해, 수직방향의 공기 흐름만이 존재하는 양극산화막으로 구성된 흡착부재(1400')가 분산부재(1100)의 하면에 밀착되는 구조에서는 에어 통로부(1200)의 에어 통로(1300)가 형성되지 않는 위치에 밀착되는 흡착부재(1400')의 수직한 공기 유로가 존재한다. 이와 같은 위치의 흡착부재(1400')의 공기 유로로는 진공이 전달되지 않는다. 여기서, 공기 유로는 양극산화막의 기공일 수 있다. 양극산화막으로 구성된 흡착부재(1400')가 분산부재(1100) 하면에 밀착되는 구조에서는 흡착부재(1400') 내부 전체로 진공이 분산되지 않으므로 흡착부재(1400') 전체에 균일한 진공압 형성이 이루어지지 않을 수 있다. 이는 흡착부재(1400')의 흡착면에 균일한 흡착력이 발생되지 않는 원인이 될 수 있다. 그러므로 제2변형 예는 양극산화막으로 구성된 흡착부재(1400')를 분산부재(1100)의 하면에 이격되게 구비하고, 에어 통로부(1200)와 하부 챔버(1500)를 통해 흡착부재(1400') 내부로 진공이 균일하게 전달되게 할 수 있다. The adsorption member 1400 'composed of the anodic oxide film forms a vertical air flow path so that only the air flows in the vertical direction inside the adsorption member 1400'. In other words, there is no horizontal air flow inside the adsorption member 1400 '. If only the air flow in the vertical direction in the adsorption member 1400, as shown in the first embodiment of Figure 3 when the adsorption member 1400 'is provided in a structure that is in close contact with the lower surface of the dispersion member 1100 (air passage part ( The vacuum passing through 1200 is transmitted only to the vertical air flow path of the suction member 1400 ′ in close contact with the dispersion 1300c of the air passage part 1200. In other words, the air passage 1300 of the air passage portion 1200 is not formed in the structure in which the adsorption member 1400 'composed of the anodized film having only the vertical air flow is in close contact with the bottom surface of the dispersion member 1100. There is a vertical air flow path of the adsorption member 1400 'in close contact with the non-position. The vacuum is not transmitted to the air flow path of the suction member 1400 'at this position. Here, the air flow path may be pores of the anodization film. In the structure in which the adsorption member 1400 'composed of the anodic oxide film is in close contact with the bottom surface of the dispersion member 1100, the vacuum is not dispersed throughout the adsorption member 1400', so that uniform vacuum pressure is formed throughout the adsorption member 1400 '. It may not be done. This may cause the uniform adsorption force not to occur on the adsorption surface of the adsorption member 1400 '. Therefore, the second modified example is provided with an adsorption member 1400 'composed of an anodized film spaced apart from the lower surface of the dispersion member 1100, and the adsorption member 1400' through the air passage portion 1200 and the lower chamber 1500. The vacuum can be uniformly delivered to the inside.

진공펌프에서 공급된 진공은 상부 챔버(1100b)를 거쳐 에어 통로부(1200)를 통해 1차적으로 흡착부재(1400')의 상부에 균일하게 분산될 수 있다. 여기서 흡착부재(1400')의 상부는 흡착부재(1400')가 분산부재(1100)의 하면에 이격되게 구비됨으로써 형성되는 위치이면서, 하부 챔버(1500)가 구비된 위치일 수 있다. 에어 통로부(1200)를 통해 1차적으로 균일하게 분산된 진공은 에어 통로부(1200)의 협소부(1300b)를 통해 유속이 빨라질 수 있다. 빠른 유속으로 하부 챔버(1500)로 전달된 진공은 흡착부재(1400')의 진공압 형성 시간을 단축할 수 있다. 에어 통로부(1200)를 통해 1차적으로 균일하게 분산된 진공은 하부 챔버(1500)를 통해 흡착부재(1400')로 2차적인 균일 분산이 이루어질 수 있다. 흡착부재(1400')는 분산부재(1100) 하면에 이격되게 구비됨으로, 흡착부재(1400')가 분산부재(1100)의 하면에 밀착되는 구성 대비 흡착부재(1400')의 수직한 공기 유로의 상면이 차폐되는 부분이 없으므로 흡착부재(1400')의 모든 공기 유로를 통해 하부 챔버(1500)가 균일하게 진공을 전달할 수 있다. 이로 인해, 흡착부재(1400')의 흡착면 전체에 균일한 진공압 형성이 가능하여 마이크로 LED(ML)가 흡착되지 않는 문제를 해소할 수 있게 되고 마이크로 LED(ML) 전사 효율을 향상시킬 수 있게 된다.The vacuum supplied from the vacuum pump may be uniformly distributed on the upper portion of the suction member 1400 ′ primarily through the air passage 1200 through the upper chamber 1100b. The upper portion of the adsorption member 1400 'is a position formed by being spaced apart from the lower surface of the dispersion member 1100 by the adsorption member 1400', and may be a position where the lower chamber 1500 is provided. The vacuum uniformly uniformly distributed through the air passage part 1200 may increase the flow velocity through the narrow portion 1300b of the air passage part 1200. The vacuum transferred to the lower chamber 1500 at a high flow rate may shorten the vacuum pressure forming time of the suction member 1400 '. The vacuum uniformly uniformly distributed through the air passage part 1200 may be secondary uniformly dispersed to the adsorption member 1400 'through the lower chamber 1500. Since the adsorption member 1400 'is provided to be spaced apart from the bottom surface of the dispersion member 1100, the adsorption member 1400' is in close contact with the bottom surface of the dispersion member 1100. Since the upper surface is not shielded, the lower chamber 1500 may uniformly transmit the vacuum through all the air flow paths of the suction member 1400 ′. As a result, uniform vacuum pressure can be formed on the entire adsorption surface of the adsorption member 1400 ', thereby eliminating the problem of the micro LED (ML) not being adsorbed and improving the micro LED (ML) transfer efficiency. do.

한편, 흡착부재(1400')는 수직적 기공을 갖는 다공성 부재일 수 있다. 수직적 기공을 갖는 다공성 부재는 레이저 또는 에칭 등을 통해 구현될 수 있다. 수직적 기공을 갖는 다공성 부재는 수직 형상의 기공에 의해 다공성 부재의 상, 하로 관통되면서 공기 유로를 형성하게 된다. 따라서, 양극산화막과 같이, 수직적 기공을 갖는 다공성 부재로 구성되는 흡착부재(1400')는 분산부재(1100)의 하면에 이격되게 구비되어 에어 통로부(1200)를 통한 1차적 균일 분산과, 하부 챔버(1500)를 통한 2차적 균일 분산으로 흡착면 전체에 균일한 흡착력을 발생시킬 수 있다.Meanwhile, the adsorption member 1400 ′ may be a porous member having vertical pores. The porous member having vertical pores may be implemented through laser or etching. The porous member having vertical pores penetrates up and down of the porous member by vertical pores to form an air flow path. Therefore, the adsorption member 1400 ', which is composed of a porous member having vertical pores, such as an anodization film, is provided on the lower surface of the dispersion member 1100 to be primarily uniformly distributed through the air passage part 1200 and the lower portion. Secondary uniform dispersion through the chamber 1500 may generate a uniform adsorption force on the entire adsorption surface.

제2실시 예Second embodiment

이하, 도 6을 참조하여 제2실시 예에 따른 마이크로 LED 전사헤드(1000)를 설명한다. 단, 이하 설명되는 제2실시 예는 제1실시 예와 비교하여 특징적인 구성요소들을 중심으로 설명하겠으며, 제1실시 예와 동일하거나 유사한 구성요소들에 대한 설명들은 생략한다.Hereinafter, the micro LED transfer head 1000 according to the second embodiment will be described with reference to FIG. 6. However, the second embodiment to be described below will be described based on the characteristic elements compared to the first embodiment, and descriptions of the same or similar elements as the first embodiment will be omitted.

도 6은 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 마이크로 LED 전사헤드(1000)를 도시한 도이다. 도 6(a)는 제2실시 예의 마이크로 LED 전사헤드(1000)를 구성하는 분산부재(1100)의 하면을 바라보고 도시한 도이다. 도 6(b)는 도 6(a)의 A-A'에 따라 절단된 분산부재(1100')의 하면에 흡착부재(1400)가 구비되어 제2실시 예의 마이크로 LED 전사헤드(1000)를 구성한 형태를 도시한 도이고, 도 6(c)는 도 6(a)의 B-B'에 따라 절단된 분산부재(1100')의 하면에 흡착부재(1400)가 구비되어 제2실시 예의 마이크로 LED 전사헤드(1000)를 구성한 형태를 도시한 도이다.6 illustrates a micro LED transfer head 1000 according to a second embodiment of the present invention. FIG. 6 (a) is a view showing the bottom surface of the dispersion member 1100 constituting the micro LED transfer head 1000 of the second embodiment. FIG. 6 (b) shows an adsorption member 1400 provided on the lower surface of the dispersion member 1100 'cut along the line AA ′ of FIG. 6 (a) to form the micro LED transfer head 1000 of the second embodiment. Figure 6 (c) is a micro LED of the second embodiment is provided with the adsorption member 1400 is provided on the lower surface of the dispersion member 1100 'cut along the line B-B' of Figure 6 (a). Fig. 1 shows the configuration of the transfer head 1000. Figs.

제2실시 예에 따른 마이크로 LED 전사헤드(1000)는 제1실시 예에서 설명한 분산부재(1100)에 복수개의 수직한 에어 통로(1300)로 구성된 에어 통로부(1200)가 구비되는 것이 아닌 방사 에어 통로부(1600) 및 원주 에어 통로부(1700)가 구비되는 것을 특징으로 한다.The micro LED transfer head 1000 according to the second embodiment does not include an air passage portion 1200 including a plurality of vertical air passages 1300 in the dispersion member 1100 described in the first embodiment. Characterized in that the passage portion 1600 and the circumferential air passage portion 1700 is provided.

도 6에 도시된 바와 같이, 제2실시 예에 따른 마이크로 LED 전사헤드(1000)는 흡인배관(1900)과 연통되는 흡입홀(1100a)과, 흡입홀(1100a)과 방사상으로 공기 연통되는 방사 에어 통로부(1600)를 구비하는 분산부재(1100'), 분산부재(1100')의 하부에 구비되는 흡착부재(1400)로 구성된다. As shown in FIG. 6, the micro LED transfer head 1000 according to the second exemplary embodiment includes a suction hole 1100a communicating with the suction pipe 1900 and radial air communicating radially with the suction hole 1100a. A dispersion member 1100 'having a passage portion 1600, and a suction member 1400 provided at a lower portion of the dispersion member 1100'.

도 6(a)에 도시된 바와 같이, 분산부재(1100')에는 흡인배관(1900)과 연통되는 흡입홀(1100a)이 형성된다. 도 6(a)의 도면에서는 분산부재(1100')가 원형 단면을 갖는 것을 기준으로 원형 단면의 중앙에 흡입홀이 형성되는 것으로 도시하였다. 여기서, 원형 단면의 중앙은 원형 단면의 반경만큼 내측방향으로 이동한 위치를 의미할 수 있다. 도 6(a)에서는 분산부재(1100')의 흡입홀(1100a)이 중앙에 형성되는 것으로 도시하였지만, 흡입홀(1100a)이 형성되는 위치의 경우 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 분산부재(1100')가 원형 단면이 아닌 사각 단면 등과 같은 다른 단면 형상을 가질 경우, 흡입홀(1100a)이 형성되는 중앙의 의미는 달라질 수 있다. As shown in FIG. 6 (a), the dispersion member 1100 ′ is provided with a suction hole 1100 a in communication with the suction pipe 1900. In FIG. 6 (a), the suction member is formed at the center of the circular cross section based on the dispersion member 1100 ′ having the circular cross section. Here, the center of the circular cross section may mean a position moved inward by the radius of the circular cross section. In FIG. 6A, although the suction hole 1100a of the dispersion member 1100 'is formed at the center, the suction hole 1100a is not limited thereto. In addition, when the dispersion member 1100 ′ has a different cross-sectional shape such as a square cross section instead of a circular cross section, the meaning of the center where the suction hole 1100 a is formed may vary.

분산부재(1100')의 외곽에는 흡착부재(1400)를 지지 고정하는 고정부(1101)가 구비된다. 도 6(a)를 참조하면, 고정부(1101)는 후술할 분산부재(1100)의 비연속적으로 구비된 복수개의 돌출부(1102)를 둘러싸고 분산부재(1100')의 외곽에 연속적으로 형성된다. 고정부(1101)는 돌출부(1102)보다 두꺼운 두께로 형성되어 흡착부재(1400)를 고정 지지할 수 있다. An outer portion of the dispersion member 1100 ′ is provided with a fixing part 1101 for supporting and fixing the adsorption member 1400. Referring to FIG. 6A, the fixing part 1101 is formed continuously around the dispersion member 1100 ′ surrounding a plurality of discontinuously provided protrusions 1102 of the dispersion member 1100 which will be described later. The fixing part 1101 may be formed to a thickness thicker than the protrusion 1102 to fix and support the adsorption member 1400.

분산부재(1100')에는 중앙에 형성된 흡입홀(1100a)을 기준으로 흡입홀(1100a)과 방사상으로 공기 연통되는 방사 에어 통로부(1600)가 구비된다. 방사 에어 통로부(1600)는 복수개의 돌출부(1102)가 비연속적으로 구비됨으로써 형성될 수 있다. 흡입홀(1100a)과 방사상으로 공기 연통되는 방사 에어 통로부(1600)는 흡입홀(1100a)을 둘러싸고 반경 방향으로 복수개 구비되는 연속적인 돌출부를 수평방향 가로지르는 형태로 형성되어 복수개의 돌출부(1102)가 비연속적으로 형성되게 할 수 있다. 비연속적으로 구비되는 복수개의 돌출부(1102)는 반경 방향으로 복수개 구비되는 각각의 띠가 원주 방향으로 비연속적으로 구비되어 형성되는 형태일 수 있다. 방사 에어 통로부(1600)는, 원주 방향으로 연속적으로 구비되는 돌출부의 동일 원주 상에 에어 통로(1800)가 형성되고, 에어 통로(1800)가 복수개의 돌출부(1102) 각각에 서로 대응되게 형성되어 방사상으로 구비됨으로써 형성될 수 있다. 방사 에어 통로부(1600)는 도 6(a)에 도시된 바와 같이 에어 통로(1800)가 복수개의 돌출부(1102) 각각에 서로 대응되게 형성되어 흡입홀(1100a)과 방사상으로 공기 연통되게 구비될 수 있지만, 에어 통로(1800)가 복수개의 돌출부(1102) 각각에 비대응되게 형성되어 흡입홀(1100a)과 공기 연통되게 구비될 수 있다. 에어 통로(1800)는 복수개의 돌출부(1102) 각각에 비대응되어 형성될 경우, 방사상으로 구비되는 형태가 아니므로 분산부재(1100')에 에어 통로부로서 구비될 수 있다. 여기서, 제2실시 예의 에어 통로(1800)는 제1실시 예의 수직한 에어 통로(1300)와 동일한 명칭을 사용하나 제1실시 예와 달리 분산부재(1100')를 흡입홀(1100a)과 방사상으로 공기 연통되게하는 에어 통로(1800)일 수 있다.The dispersion member 1100 ′ is provided with a radial air passage 1600 that is radially in air communication with the suction hole 1100 a based on the suction hole 1100 a formed at the center thereof. The radiation air passage 1600 may be formed by providing a plurality of protrusions 1102 discontinuously. The radial air passage portion 1600 which is radially in air communication with the suction hole 1100a is formed to cross the suction hole 1100a and has a plurality of continuous protrusions provided in a radial direction in a horizontal direction, thereby providing a plurality of protrusions 1102. Can be formed discontinuously. The plurality of protrusions 1102 that are provided discontinuously may have a shape in which each of the plurality of bands provided in the radial direction is provided discontinuously in the circumferential direction. The radiation air passage 1600 has an air passage 1800 formed on the same circumference of the protrusions continuously provided in the circumferential direction, and the air passage 1800 is formed to correspond to each of the plurality of protrusions 1102. It can be formed by being provided radially. As shown in FIG. 6 (a), the radiation air passage 1600 may be formed to correspond to each other in each of the plurality of protrusions 1102 such that the air passage 1800 may be radially in air communication with the suction hole 1100a. In some embodiments, the air passage 1800 may be formed to correspond to each of the plurality of protrusions 1102 to be in air communication with the suction hole 1100a. When the air passage 1800 is formed to correspond to each of the plurality of protrusions 1102, the air passage 1800 is not radially provided, and thus the air passage 1800 may be provided as the air passage portion in the dispersion member 1100 ′. Here, the air passage 1800 of the second embodiment uses the same name as the vertical air passage 1300 of the first embodiment, but unlike the first embodiment, the dispersion member 1100 ′ radially moves to the suction hole 1100a. It may be an air passage 1800 to allow air communication.

방사 에어 통로부(1600)를 구비하는 분산부재(1100')는 방사 에어 통로부(1600)와 원주상으로 교차하는 원주 에어 통로부(1700)를 구비할 수 있다. 원주 에어 통로부(1700)는 분산부재(1100')에 구비되는 비연속적인 돌출부(1102)가 복수개 구비되면서 돌출부(1102) 간의 반경 방향으로의 이격거리로 인해 형성될 수 있다. 복수개의 돌출부(1102)는 분산부재(1100')에 비연속적으로 구비되면서 방사 에어 통로부(1600)를 형성하므로, 돌출부(1102) 간의 반경 방향으로의 이격거리로 인해 형성되는 원주 에어 통로부(1700)는 방사 에어 통로부(1600)를 원주상으로 교차하면서 형성될 수 있다. The dispersion member 1100 ′ having the radiation air passage portion 1600 may include a circumferential air passage portion 1700 that circumferentially intersects the radiation air passage portion 1600. The circumferential air passage 1700 may be formed due to a radial distance between the protrusions 1102 while being provided with a plurality of discontinuous protrusions 1102 provided in the dispersion member 1100 ′. Since the plurality of protrusions 1102 are discontinuously provided in the dispersion member 1100 ′ and form the radial air passage portions 1600, the circumferential air passage portions formed by the radial distances between the protrusions 1102 ( 1700 may be formed while circumferentially intersecting the radiating air passage 1600.

분산부재(1100')는 방사 에어 통로부(1600)와, 방사 에어 통로부(1600)와 원주상으로 교차하는 원주 에어 통로부(1700)를 구비함으로써, 흡인배관(1900)과 연통되는 흡입홀(1100a)로 공급된 진공이 흡착부재(1400)의 상면 전체에 균일하게 분산되도록 할 수 있다. 도 6(b) 및 도 6(c)에 도시된 바와 같이, 흡착부재(1400)는 분산부재(1100')의 하부에 구비된다. 도 6(c)에 도시된 바와 같이, 흡착부재(1400)는 분산부재(1100')의 하부에 밀착되어 구비된다. 분산부재(1100')는 복수개의 돌출부(1102)가 형성되므로, 분산부재(1100)의 복수개의 돌출부(1102)와 대응되는 흡착부재(1400)의 상면은 분산부재(1100')의 돌출부(1102)의 하면에 밀착되는 형태일 수 있다. 다시 도 6(b)를 참조하면, 분산부재(1100)의 방사 에어 통로부(1600)와 흡착부재(1400) 사이에는 분산부재(1100)의 돌출부(1102)의 두께만큼의 이격거리가 형성될 수 있다. 흡입홀(1100a)을 통해 공급된 진공은 흡입홀(1100a)과 공기 연통되는 방사 에어 통로부(1600)를 통해 방사상으로 분산될 수 있게 된다. 또한, 방사 에어 통로부(1600)와 교차하는 원주 에어 통로부(1700)로 인해 흡착부재(1400)의 상면 전체로 진공이 분산될 수 있다. 이로 인해 흡착부재(1400)는 흡착면 전체에 균일한 진공압이 형성되고 흡착면에 마이크로 LED(ML)가 빠짐없이 흡착되어 마이크로 LED(ML)에 대한 전사 효율이 향상될 수 있다. The dispersion member 1100 ′ includes a radiation air passage portion 1600 and a circumferential air passage portion 1700 circumferentially intersecting with the radiation air passage portion 1600, whereby the suction hole communicates with the suction pipe 1900. Vacuum supplied to the (1100a) can be uniformly dispersed throughout the upper surface of the adsorption member (1400). As shown in FIGS. 6 (b) and 6 (c), the adsorption member 1400 is provided under the dispersion member 1100 ′. As shown in Figure 6 (c), the adsorption member 1400 is provided in close contact with the lower portion of the dispersion member 1100 '. Since the dispersion member 1100 ′ is formed with a plurality of protrusions 1102, the upper surface of the adsorption member 1400 corresponding to the plurality of protrusions 1102 of the dispersion member 1100 is a protrusion 1102 of the dispersion member 1100 ′. ) May be in close contact with the bottom surface. Referring to FIG. 6B again, a distance equal to the thickness of the protrusion 1102 of the dispersion member 1100 may be formed between the radiation air passage 1600 and the suction member 1400 of the dispersion member 1100. Can be. The vacuum supplied through the suction hole 1100a may be radially distributed through the radial air passage 1600 in air communication with the suction hole 1100a. In addition, due to the circumferential air passage 1700 that intersects the radiating air passage 1600, the vacuum may be dispersed throughout the upper surface of the adsorption member 1400. As a result, a uniform vacuum pressure is formed on the entire adsorption surface, and the adsorption member 1400 is adsorbed without the micro LED (ML) being absent on the adsorption surface, thereby improving the transfer efficiency of the micro LED (ML).

도 6(c)에 도시된 바와 같이, 분산부재(1100')의 돌출부(1102)는 흡착부재(1400)의 변형을 방지하도록 지지하는 기능을 할 수 있다. 흡착부재(1400)는 다공성 부재로 구성될 경우, 그 두께를 얇게하면 유동 저항이 낮아져 마이크로 LED(ML)를 흡착할 수 있는 진공압 형성이 용이할 수 있다. 그러나 흡착부재(1400)의 두께가 얇을 경우, 흡착부재(1400)는 진공압에 의해 처짐과 같은 변형이 일어날 수 있다. 따라서, 본 발명은 분산부재(1100)의 돌출부(1102)를 통해 돌출부(1102)의 하면이 흡착부재(1400)의 상면에 맞닿으면서 흡착부재(1400)가 변형되지 않도록 지지하여 흡착부재(1400)의 처짐 변형을 방지할 수 있도록 한다. 이로 인해, 흡착부재(1400)는 얇은 두께로 구비될 수 있고, 유동 저항이 낮아짐으로써 진공압 형성을 용이하게 할 수 있는 효과를 얻을 수 있다. As shown in FIG. 6C, the protrusion 1102 of the dispersion member 1100 ′ may function to prevent deformation of the adsorption member 1400. When the adsorption member 1400 is composed of a porous member, when the thickness thereof is thinned, the flow resistance may be lowered, so that the vacuum pressure may be easily formed to adsorb the micro LED (ML). However, when the thickness of the adsorption member 1400 is thin, the adsorption member 1400 may be deformed such as sag by vacuum pressure. Accordingly, the present invention supports the adsorption member 1400 so that the adsorption member 1400 is not deformed while the lower surface of the protrusion 1102 contacts the upper surface of the adsorption member 1400 through the protrusion 1102 of the dispersion member 1100. To prevent deflection deformation. Thus, the adsorption member 1400 may be provided with a thin thickness, and the flow resistance may be lowered, thereby obtaining an effect of facilitating the vacuum pressure formation.

도 7은 제2실시 예에 따른 마이크로 LED 전사헤드(1000)의 변형 예를 도시한 도이다. 변형 예는 분산부재(1100)에 흡인배관(1900)과 연통되는 복수개의 흡입홀(1100a)이 구비된다는 점에서 제2실시 예와 차이가 있다.7 is a diagram illustrating a modified example of the micro LED transfer head 1000 according to the second embodiment. The modified example is different from the second embodiment in that the dispersion member 1100 includes a plurality of suction holes 1100a communicating with the suction pipe 1900.

도 7에 도시된 바와 같이, 변형 예의 마이크로 LED 전사헤드(1000)는 분산부재(1100')에 흡인배관(1900)과 연통되는 흡입홀(1100a)이 복수개 구비된다. 복수개의 흡입홀(1100a)은 구비되는 위치에 한정은 없으나, 흡착부재(1400)의 상면 전체로 균일한 진공을 공급하기에 적합한 위치에 구비될 수 있다. As shown in FIG. 7, the micro LED transfer head 1000 of the modified example includes a plurality of suction holes 1100a in communication with the suction pipe 1900 in the dispersion member 1100 '. Although the plurality of suction holes 1100a are not limited thereto, the suction holes 1100a may be provided at positions suitable for supplying a uniform vacuum to the entire upper surface of the suction member 1400.

도 7(a)는 변형 예의 마이크로 LED 전사헤드(1000)를 구성하는 분산부재(1100')를 아래에서 바라보고 도시한 도이다. 도 7(b)는 도 7(a)의 A-A'에 따라 절단된 분산부재(1100')의 하부에 흡착부재(1400)가 구비되어 변형 예의 마이크로 LED 전사헤드(1000)를 구성한 형태를 도시한 도이다.FIG. 7A is a view showing the dispersing member 1100 'constituting the micro LED transfer head 1000 according to a modified example from below. FIG. 7B is a view showing an embodiment in which the adsorption member 1400 is provided under the dispersing member 1100 'cut along the line AA ′ of FIG. 7A to form a micro LED transfer head 1000 according to a modification. Figure shown.

도 7(a)에 도시된 바와 같이, 분산부재(1100')에는 복수개의 흡입홀(1100a)이 구비된다. 도 7(a)에 도시된 흡입홀(1100a)의 형성 위치는 흡착부재(1400)의 상면 전체로 균일한 진공을 공급하기 위한 하나의 예시이다. 변형 예의 마이크로 LED 전사헤드(1000)를 구성하는 분산부재(1100')에는 복수개의 흡입홀(1100a)이 중앙 흡입홀(2000) 외곽 흡입홀(2100)로 구성되어 구비되는 것으로 설명한다. As shown in FIG. 7A, the dispersion member 1100 ′ includes a plurality of suction holes 1100a. The position at which the suction hole 1100a is illustrated in FIG. 7A is one example for supplying a uniform vacuum to the entire upper surface of the suction member 1400. It will be described that the plurality of suction holes 1100a are configured as the suction holes 2100 outside the central suction hole 2000 in the dispersion member 1100 'constituting the micro LED transfer head 1000 according to the modification.

도 7(a)에 도시된 바와 같이, 원형 단면을 갖는 분산부재(1100')의 중앙에 원형 단면의 반경만큼 내측방향으로 이동한 위치에 중앙 흡입홀(2000)이 형성된다. 외곽 흡입홀(2100)은 중앙 흡입홀(2000)과 방사상으로 공기 연통되는 방사 에어 통로부(1600)의 일단에 형성된다. 이로 인해 외곽 흡입홀(2100)은 중앙 흡입홀(2000)과 대향되는 형태일 수 있다. As shown in FIG. 7A, a central suction hole 2000 is formed at a position moved inward by a radius of a circular cross section at the center of the dispersion member 1100 ′ having a circular cross section. The outer suction hole 2100 is formed at one end of the radial air passage 1600 in radial air communication with the central suction hole 2000. For this reason, the outer suction hole 2100 may have a shape opposite to the central suction hole 2000.

분산부재(1100)는 중앙 흡입홀(2000)과 외곽 흡입홀(2100)이 구비되고 이와 공기 연통하는 방사 에어 통로부(1600)와, 방사 에어 통로부(1600)와 교차하는 원주 에어 통로부(1700)를 통해, 흡착부재(1400)의 상부 전체에 진공을 전달할 수 있다. 7(b)에 도시된 바와 같이, 방사 에어 통로부(1600)로 인해 흡착부재(1400)는 분산부재(1100')의 돌출부(1102)의 두께 만큼 분산부재(1100')와 이격되게 구비될 수 있고, 중앙 흡입홀(2000)와 외곽 흡입홀(2100)을 통해 공급된 진공은 방사 에어 통로부(1600)와 원주 에어 통로부(1700)를 통해 흡착부재(1400) 상부 전체로 균일하게 전달될 수 있다. 또한, 분산부재(1100')의 돌출부(1102)로 인한 이격거리로 인해 흡착부재(1400)의 상부에 수평방향으로 원활한 공기 흐름이 이루어질 수 있으므로, 흡착부재(1400) 전체에 보다 효율적인 진공 전달이 이루어질 수 있다.Dispersion member 1100 is provided with a central suction hole (2000) and the outer suction hole (2100) and in air communication with the radiating air passage portion 1600, and the circumferential air passage portion crossing the radiating air passage portion 1600 ( Through 1700, the vacuum may be transferred to the entire upper portion of the adsorption member 1400. As shown in 7 (b), due to the radiation air passage 1600, the adsorption member 1400 is provided to be spaced apart from the dispersion member 1100 'by the thickness of the protrusion 1102 of the dispersion member 1100'. The vacuum supplied through the central suction hole 2000 and the outer suction hole 2100 may be uniformly transmitted to the entire upper portion of the suction member 1400 through the radial air passage part 1600 and the circumferential air passage part 1700. Can be. In addition, because of the separation distance due to the protrusion 1102 of the dispersion member 1100 ′, a smooth air flow can be made in the horizontal direction on the upper portion of the adsorption member 1400, so that a more efficient vacuum transfer to the entire adsorption member 1400 is achieved. Can be done.

전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 참조하여 설명 하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다. As described above, although described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art various modifications of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. Or it may be modified.

1000: 마이크로 LED 전사헤드
1100, 1100': 분산부재 1101: 고정부
1102: 돌출부 1100a: 흡입홀
1100b: 상부 챔버 1200: 에어 통로부
1300: 에어 통로 1300a: 유입부
1300b: 협소부 1300c: 분산부
1400, 1400': 흡착부재 1500: 하부 챔버
1600: 방사 에어 통로부 1700: 원주 에어 통로부
1800: 방사 에어 통로부의 에어 통로 1900: 흡입배관
2000: 중앙 흡입홀 2100: 외곽 흡입홀
ML: 마이크로 LED P: 기판
1000: micro LED transfer head
1100, 1100 ': dispersion member 1101: fixing part
1102: protrusion 1100a: suction hole
1100b: upper chamber 1200: air passage portion
1300: air passage 1300a: inlet
1300b: narrow part 1300c: dispersion part
1400, 1400 ': adsorption member 1500: lower chamber
1600: radial air passage portion 1700: circumferential air passage portion
1800: air passage in the radiating air passage 1900: suction pipe
2000: central suction hole 2100: outer suction hole
ML: Micro LED P: Substrate

Claims (13)

흡인배관과 연통되는 흡입홀과, 상기 흡입홀에 연통되는 상부 챔버와, 상기 상부 챔버 하부에 구비되는 에어 통로부를 구비하는 분산부재; 및
상기 분산부재의 하부에 구비되는 흡착부재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 전사헤드.
A dispersion member including a suction hole communicating with a suction pipe, an upper chamber communicating with the suction hole, and an air passage part provided below the upper chamber; And
Micro LED transfer head comprising a; adsorption member provided in the lower portion of the dispersion member.
제1항에 있어서,
상기 에어 통로부는 수직하게 형성된 복수개의 에어 통로로 구성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 전사헤드.
The method of claim 1,
And the air passage portion comprises a plurality of air passages formed vertically.
제1항에 있어서,
상기 분산부재는 금속 재질인 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 전사헤드.
The method of claim 1,
The dispersion member is a micro LED transfer head, characterized in that the metal material.
제1항에 있어서,
상기 분산부재와 상기 흡착부재 사이에 형성되는 하부 챔버를 구비하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 전사헤드.
The method of claim 1,
And a lower chamber formed between the dispersion member and the suction member.
제1항에 있어서,
상기 흡착부재는 상기 분산부재의 하면에 밀착되는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 전사헤드.
The method of claim 1,
The adsorption member is in close contact with the lower surface of the dispersion member micro LED transfer head.
제1항에 있어서,
상기 흡착부재는 상기 분산부재의 하면에 이격되는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 전사헤드.
The method of claim 1,
The suction member is micro LED transfer head, characterized in that spaced apart from the lower surface of the dispersion member.
제1항에 있어서,
상기 흡착부재는 임의적 기공을 갖는 다공성 부재인 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 전사헤드.
The method of claim 1,
The adsorption member is a micro LED transfer head, characterized in that the porous member having an optional pore.
제1항에 있어서,
상기 흡착부재는 수직적 기공을 갖는 다공성 부재인 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 전사헤드.
The method of claim 1,
The adsorption member is a micro LED transfer head, characterized in that the porous member having vertical pores.
제8항에 있어서,
상기 다공성 부재는 양극산화막인 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 전사헤드.
The method of claim 8,
The porous member is a micro LED transfer head, characterized in that the anodization film.
흡인배관과 연통되는 흡입홀과, 상기 흡입홀과 방사상으로 공기 연통되는 방사 에어 통로부를 구비하는 분산부재; 및
상기 분산부재의 하부에 구비되는 흡착부재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 전사헤드.
A dispersion member including a suction hole communicating with a suction pipe, and a radial air passage part radially in air communication with the suction hole; And
Micro LED transfer head comprising a; adsorption member provided in the lower portion of the dispersion member.
제10항에 있어서,
상기 분산부재는,
상기 방사 에어 통로부와 원주상으로 교차하는 원주 에어 통로부를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 전사헤드.
The method of claim 10,
The dispersion member,
And a circumferential air passage portion that circumferentially intersects with the radiating air passage portion.
제10항에 있어서,
상기 방사 에어 통로부는,
복수개의 돌출부가 비연속적으로 구비되어 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 전사헤드.
The method of claim 10,
The radiation air passage portion,
Micro LED transfer head, characterized in that formed with a plurality of protrusions discontinuously.
제10항에 있어서,
상기 방사 에어 통로부는,
반경 방향으로 복수개 구비되는 각각의 띠가 원주 방향으로 비연속적으로 구비되어 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 전사헤드.

The method of claim 10,
The radiation air passage portion,
Micro LED transfer head, characterized in that formed in a plurality of bands provided in the radial direction discontinuously provided in the circumferential direction.

KR1020180078713A 2018-07-06 2018-07-06 Transfer head for micro led KR20200005234A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180078713A KR20200005234A (en) 2018-07-06 2018-07-06 Transfer head for micro led

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180078713A KR20200005234A (en) 2018-07-06 2018-07-06 Transfer head for micro led

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200005234A true KR20200005234A (en) 2020-01-15

Family

ID=69156737

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180078713A KR20200005234A (en) 2018-07-06 2018-07-06 Transfer head for micro led

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20200005234A (en)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100731673B1 (en) 1999-12-03 2007-06-25 크리, 인코포레이티드 Micro-led arrays with enhanced light extraction
KR20140112486A (en) 2011-11-18 2014-09-23 럭스뷰 테크놀로지 코포레이션 Method of forming a micro led structure and array of micro led structures with an electrically insulating layer
KR20170019415A (en) 2014-06-18 2017-02-21 엑스-셀레프린트 리미티드 Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures
KR20170024906A (en) 2015-08-26 2017-03-08 엘지전자 주식회사 Transfer unit for micro device
KR20170026959A (en) 2015-08-31 2017-03-09 삼성디스플레이 주식회사 Diplay apparatus and manufacturing method for the same
KR101754528B1 (en) 2016-03-23 2017-07-06 한국광기술원 Transfer assembly with dry adhesion structure and method for transferring led structure assembly using the same and led structure assembly
KR101757404B1 (en) 2015-07-24 2017-07-12 한국기계연구원 Selective continuous transferring apparatus based on adhesion-controlled film

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100731673B1 (en) 1999-12-03 2007-06-25 크리, 인코포레이티드 Micro-led arrays with enhanced light extraction
KR20140112486A (en) 2011-11-18 2014-09-23 럭스뷰 테크놀로지 코포레이션 Method of forming a micro led structure and array of micro led structures with an electrically insulating layer
KR20170019415A (en) 2014-06-18 2017-02-21 엑스-셀레프린트 리미티드 Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures
KR101757404B1 (en) 2015-07-24 2017-07-12 한국기계연구원 Selective continuous transferring apparatus based on adhesion-controlled film
KR20170024906A (en) 2015-08-26 2017-03-08 엘지전자 주식회사 Transfer unit for micro device
KR20170026959A (en) 2015-08-31 2017-03-09 삼성디스플레이 주식회사 Diplay apparatus and manufacturing method for the same
KR101754528B1 (en) 2016-03-23 2017-07-06 한국광기술원 Transfer assembly with dry adhesion structure and method for transferring led structure assembly using the same and led structure assembly

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102471582B1 (en) Trnasfer head for micro led
KR20190114372A (en) Transfer system for micro led
KR20190114330A (en) Transfer head for micro led
KR102517784B1 (en) Micro led adsorption body
US10840115B2 (en) Micro LED transfer head
KR20200025079A (en) Transfer head
KR20190131305A (en) Micro led transfer system
US11342207B2 (en) Micro LED transfer head
KR102498112B1 (en) Micro led transfer head
KR20200001323A (en) Transfer head for micro led
KR20190131309A (en) Micro led transfer system
KR102643764B1 (en) Transfer head for micro led
KR102527139B1 (en) Transfer head for micro led and transfer stage for micro led
KR102498109B1 (en) Micro led transfer system
KR20200005234A (en) Transfer head for micro led
KR102541195B1 (en) Transfer head for micro led
KR20190114371A (en) Transfer head and adsorbing method for micro led using the same
KR102471583B1 (en) Micro led transfer system including micro led adsorption body
KR102498037B1 (en) Micro led adsorption body
US11049759B2 (en) Micro LED transfer head
KR20190117180A (en) Micro led adsorption body and micro led inspection system using the same
KR102471585B1 (en) Micro led adsorption body and micro led inspection system using the same
KR102540860B1 (en) Transfer head for micro led and micro led transfer system using the same
KR102457193B1 (en) Micro led adsorption body
KR20190136562A (en) Transfer head for micro led

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E601 Decision to refuse application