KR102498109B1 - Micro led transfer system - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전사헤드가 마이크로 LED를 흡착 및 탈착할 때 흡착 및 탈착을 방해하는 방해요인들을 효과적으로 제거하여 마이크로 LED를 보다 효율적으로 전사할 수 있는 마이크로 LED 전사 시스템을 제공한다. The present invention provides a micro LED transfer system capable of more efficiently transferring a micro LED by effectively removing obstacles that hinder the adsorption and desorption of the micro LED when the transfer head adsorbs and detaches the micro LED.

Figure R1020180046032
Figure R1020180046032

Description

마이크로 LED 전사 시스템{MICRO LED TRANSFER SYSTEM}Micro LED transfer system {MICRO LED TRANSFER SYSTEM}

본 발명은 마이크로 LED 전사 시스템에 관한 것이다. The present invention relates to a micro LED transfer system.

현재 디스플레이 시장은 아직은 LCD가 주류를 이루고 있는 가운데 OLED가 LCD를 빠르게 대체하며 주류로 부상하고 있는 상황이다. 디스플레이 업체들의 OLED 시장 참여가 러시를 이루고 있는 상황에서 최근 Micro LED(이하,‘마이크로 LED’라 함) 디스플레이가 또 하나의 차세대 디스플레이로 부상하고 있다. LCD와 OLED의 핵심소재가 각각 액정(Liquid Crystal), 유기재료인데 반해 마이크로 LED 디스플레이는 1~100마이크로미터(㎛) 단위의 LED 칩 자체를 발광재료로 사용하는 디스플레이다. In the current display market, while LCD is still the mainstream, OLED is rapidly replacing LCD and emerging as the mainstream. In a situation where display companies are rushing to participate in the OLED market, Micro LED (hereinafter referred to as ‘Micro LED’) display is emerging as another next-generation display. While the core materials of LCD and OLED are liquid crystal and organic materials, respectively, micro LED display is a display that uses 1-100 micrometer (㎛) LED chips themselves as light emitting materials.

Cree사가 1999년에 "광 적출을 향상시킨 마이크로-발광 다이오드 어레이"에 관한 특허를 출원하면서(등록특허공보 등록번호 제0731673호), 마이크로 LED 라는 용어가 등장한 이래 관련 연구 논문들이 잇달아 발표되면서 연구개발이 이루어지고 있다. 마이크로 LED를 디스플레이에 응용하기 위해 해결해야 할 과제로 마이크로 LED 소자를 Flexible 소재/소자를 기반으로 하는 맞춤형 마이크로 칩 개발이 필요하고, 마이크로 미터 사이즈의 LED 칩의 전사(transfer)와 디스플레이 픽셀 전극에 정확한 실장(Mounting)을 위한 기술이 필요하다. In 1999, when Cree applied for a patent on "a micro-light emitting diode array with improved light extraction" (Registration Patent Publication Registration No. 0731673), the term micro LED appeared, and related research papers were published one after another, research and development this is being done As a task to be solved in order to apply micro LED to a display, it is necessary to develop a customized micro chip based on a flexible material/device for a micro LED device, transfer of a micrometer size LED chip and accurate display pixel electrode. Skills for mounting are required.

특히, 마이크로 LED 소자를 표시 기판에 이송하는 전사(transfer)와 관련하여, LED 크기가 1~100 마이크로미터(㎛) 단위까지 작아짐에 따라 기존의 픽앤플레이스(pick & place) 장비를 사용할 수 없고, 보다 고정밀도로 이송하는 전사 헤드기술이 필요하게 되었다. 이러한 전사 헤드 기술과 관련하여, 이하에서 살펴보는 바와 같은 몇 가지의 구조들이 제안되고 있으나 각 제안 기술은 몇 가지의 단점들을 가지고 있다. In particular, in relation to the transfer of the micro LED device to the display substrate, as the size of the LED decreases to 1 to 100 micrometers (μm), conventional pick and place equipment cannot be used. There is a need for a transfer head technology that transfers with higher precision. Regarding the transfer head technology, several structures have been proposed as described below, but each proposed technology has several disadvantages.

미국의 Luxvue사는 정전헤드(electrostatic head)를 이용하여 마이크로 LED를 전사하는 방법을 제안하였다(공개특허공보 공개번호 제2014-0112486호, 이하 ‘선행발명1’이라 함). 미국의 X-Celeprint사는 전사 헤드를 탄성이 있는 고분자 물질로 적용하여 웨이퍼 상의 마이크로 LED를 원하는 기판에 이송시키는 방법을 제안하였다(공개특허공보 공개번호 제2017-0019415호, 이하 ‘선행발명2’라 함). 한국광기술원은 섬모 접착구조 헤드를 이용하여 마이크로 LED를 전사하는 방법을 제안하였다(등록특허공보 등록번호 제1754528호, 이하 ‘선행발명3’이라 함). 한국기계연구원은 롤러에 접착제를 코팅하여 마이크로 LED를 전사하는 방법을 제안하였다(등록특허공보 등록번호 제1757404호, 이하 ‘선행발명4’라 함). 삼성디스플레이는 어레이 기판이 용액에 담겨 있는 상태에서 어레이 기판의 제1,2전극에 마이너스 전압을 인가하여 정전기 유도 현상에 의해 마이크로 LED를 어레이 기판에 전사하는 방법을 제안하였다(공개특허공보 제10-2017-0026959호, 이하 ‘선행발명5’라 함). 엘지전자는 헤드홀더를 복수의 픽업헤드들과 기판 사이에 배치하고 복수의 픽업 헤드의 움직임에 의해 그 형상이 변형되어 복수의 픽업 헤드들에게 자유도를 제공하는 방법을 제안하였다(공개특허공보 제10-2017-0024906호, 이하 ‘선행발명6’이라 함). Luxvue of the United States proposed a method of transferring micro LEDs using an electrostatic head (Patent Publication No. 2014-0112486, hereinafter referred to as 'Prior Invention 1'). X-Celeprint of the United States proposed a method of transferring micro LEDs on a wafer to a desired substrate by applying a transfer head made of an elastic polymer material (Patent Publication No. 2017-0019415, hereinafter referred to as 'Prior Invention 2'). box). Korea Photonics Technology Institute proposed a method of transferring micro LEDs using a ciliary adhesive structure head (Registration Patent Publication No. 1754528, hereinafter referred to as 'Prior Invention 3'). The Korea Institute of Machinery and Materials proposed a method of transferring micro LEDs by coating an adhesive on a roller (Registered Patent Publication Registration No. 1757404, hereinafter referred to as 'Prior Invention 4'). Samsung Display has proposed a method of transferring micro LEDs to an array substrate by electrostatic induction by applying a negative voltage to the first and second electrodes of the array substrate while the array substrate is immersed in a solution (Public Patent Publication No. 10- 2017-0026959, hereinafter referred to as 'Prior Invention 5'). LG Electronics has proposed a method of disposing a head holder between a plurality of pickup heads and a substrate and providing a degree of freedom to the plurality of pickup heads by deforming the shape by movement of the plurality of pickup heads (Public Patent Publication No. 10). -2017-0024906, hereinafter referred to as 'Prior Invention 6').

위와 같은 선행발명 1 내지 6은, 마이크로 LED를 어떻게 전사할 것인지에만 초점을 두고 있다. 그러나 마이크로 LED를 제1기판에서 제2기판으로 전사함에 있어서 전사헤드가 마이크로 LED를 흡착 및 탈착할 때 흡착 및 탈착을 방해하는 방해요인들을 어떻게 제거할 것인지에 대해서는 제안하지 못하고 있는 실정이다. The above prior inventions 1 to 6 focus only on how to transfer the micro LED. However, in transferring the micro LED from the first substrate to the second substrate, when the transfer head adsorbs and detaches the micro LED, it has not been suggested how to remove the interfering factors that hinder adsorption and desorption.

등록특허공보 등록번호 제0731673호Registered Patent Publication No. 0731673 공개특허공보 공개번호 제2014-0112486호Publication of Patent Publication No. 2014-0112486 공개특허공보 공개번호 제2017-0019415호Publication of Patent Publication No. 2017-0019415 등록특허공보 등록번호 제1754528호Registered Patent Publication No. 1754528 등록특허공보 등록번호 제1757404호Registered Patent Publication No. 1757404 공개특허공보 제10-2017-0026959호Publication No. 10-2017-0026959 공개특허공보 제10-2017-0024906호Publication No. 10-2017-0024906

이에 본 발명은 전사헤드가 마이크로 LED를 흡착 및 탈착할 때 흡착 및 탈착을 방해하는 방해요인들을 효과적으로 제거하여 마이크로 LED를 보다 효율적으로 전사할 수 있는 마이크로 LED 전사 시스템을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a micro LED transfer system capable of more efficiently transferring a micro LED by effectively removing obstacles that hinder the adsorption and desorption of the micro LED when the transfer head adsorbs and detaches the micro LED.

이러한 본 발명의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 마이크로 LED 전사 시스템은, 제1기판에서 제2기판으로 마이크로 LED를 전사하는 전사헤드; 및 상기 전사헤드 하면에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 생성부를 포함하는 것을 특징으로 한다. In order to achieve the object of the present invention, a micro LED transfer system according to the present invention includes a transfer head for transferring a micro LED from a first substrate to a second substrate; and a plasma generating unit generating plasma on a lower surface of the transfer head.

한편, 본 발명에 따른 마이크로 LED 전사 시스템은, 제1기판에서 제2기판으로 마이크로 LED를 전사하는 전사헤드; 및 상기 제1기판의 상면에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 생성부를 포함하는 것을 특징으로 한다.On the other hand, the micro LED transfer system according to the present invention, the transfer head for transferring the micro LED from the first substrate to the second substrate; and a plasma generating unit generating plasma on the upper surface of the first substrate.

한편, 본 발명에 따른 마이크로 LED 전사 시스템은, 제1기판에서 제2기판으로 마이크로 LED를 전사하는 전사헤드; 및 상기 제1기판 및 상기 전사헤드 사이에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 생성부를 포함하는 것을 특징으로 한다.On the other hand, the micro LED transfer system according to the present invention, the transfer head for transferring the micro LED from the first substrate to the second substrate; and a plasma generator generating plasma between the first substrate and the transfer head.

또한, 상기 전사헤드는 기공을 갖는 다공성 부재를 포함한다.In addition, the transfer head includes a porous member having pores.

또한, 상기 다공성 부재는 다공질 세라믹을 포함한다.In addition, the porous member includes a porous ceramic.

또한, 상기 다공성 부재는 양극산화막을 포함한다.In addition, the porous member includes an anodic oxide film.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의한 마이크로 LED 전사 시스템은, 마이크로 LED를 흡착 및 탈착할 때 흡착 및 탈착을 방해하는 방해요인들을 효과적으로 제거하여 마이크로 LED를 보다 효율적으로 전사할 수 있다.As described above, the micro LED transfer system according to the present invention can transfer the micro LED more efficiently by effectively removing the interfering factors hindering the adsorption and desorption of the micro LED.

도 1은 본 발명의 실시예들의 이송대상이 되는 마이크로 LED를 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 실시예들에 의해 표시기판에 이송되어 실장된 마이크로 LED 구조체의 도면.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 LED 전사 시스템을 구성하는 마이크로 LED 전사헤드의 도면.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 LED 전사 시스템의 도면.
도 5a는 본 발명의 제1실시예의 제1변형례에 따른 마이크로 LED 전사 시스템을 구성하는 마이크로 LED 전사헤드의 도면.
도 5b는 본 발명의 제1실시예의 제1변형례에 따른 마이크로 LED 전사 시스템을 구성하는 마이크로 LED 전사헤드의 도면.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 마이크로 LED 전사 시스템을 구성하는 마이크로 LED 전사헤드의 도면.
도 7은 도 6의 'A'부분의 확대도.
도 8a는 본 발명의 제2실시예의 제1변형례에 따른 마이크로 LED 전사 시스템을 구성하는 마이크로 LED 전사헤드의 도면.
도 8b는 본 발명의 제2실시예의 제2변형례에 따른 마이크로 LED 전사 시스템을 구성하는 마이크로 LED 전사헤드의 도면.
도 8c는 본 발명의 제2실시예의 제3변형례에 따른 마이크로 LED 전사 시스템을 구성하는 마이크로 LED 전사헤드의 도면.
도 9a는 본 발명의 제2실시예의 제4변형례에 따른 마이크로 LED 전사 시스템을 구성하는 마이크로 LED 전사헤드의 도면.
도 9b는 본 발명의 제2실시예의 제5변형례에 따른 마이크로 LED 전사 시스템을 구성하는 마이크로 LED 전사헤드의 도면.
도 9c는 본 발명의 제2실시예의 제6변형례에 따른 마이크로 LED 전사 시스템을 구성하는 마이크로 LED 전사헤드의 도면.
도 10은 본 발명의 제3실시예에 따른 마이크로 LED 전사 시스템의 도면.1 is a diagram showing a micro LED as a transfer target of embodiments of the present invention.
2 is a view of a micro LED structure transferred and mounted on a display board according to embodiments of the present invention.
3 is a diagram of a micro LED transfer head constituting a micro LED transfer system according to a first embodiment of the present invention.
4 is a diagram of a micro LED transfer system according to a first embodiment of the present invention.
5A is a diagram of a micro LED transfer head constituting a micro LED transfer system according to a first modified example of the first embodiment of the present invention.
5B is a diagram of a micro LED transfer head constituting a micro LED transfer system according to a first modified example of the first embodiment of the present invention.
6 is a view of a micro LED transfer head constituting a micro LED transfer system according to a second embodiment of the present invention.
7 is an enlarged view of part 'A' of FIG. 6;
8A is a diagram of a micro LED transfer head constituting a micro LED transfer system according to a first modified example of the second embodiment of the present invention.
8B is a diagram of a micro LED transfer head constituting a micro LED transfer system according to a second modified example of the second embodiment of the present invention.
8C is a diagram of a micro LED transfer head constituting a micro LED transfer system according to a third modified example of the second embodiment of the present invention.
9A is a diagram of a micro LED transfer head constituting a micro LED transfer system according to a fourth modified example of the second embodiment of the present invention.
9B is a diagram of a micro LED transfer head constituting a micro LED transfer system according to a fifth modified example of the second embodiment of the present invention.
9C is a diagram of a micro LED transfer head constituting a micro LED transfer system according to a sixth modified example of the second embodiment of the present invention.
10 is a diagram of a micro LED transfer system according to a third embodiment of the present invention.

이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.The following merely illustrates the principle of the invention. Therefore, those skilled in the art can invent various devices that embody the principles of the invention and fall within the concept and scope of the invention, even though not explicitly described or shown herein. In addition, it should be understood that all conditional terms and embodiments listed in this specification are, in principle, expressly intended only for the purpose of making the concept of the invention understood, and are not limited to such specifically listed embodiments and conditions. .

상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.The above objects, features and advantages will become more apparent through the following detailed description in conjunction with the accompanying drawings, and accordingly, those skilled in the art to which the invention belongs will be able to easily implement the technical idea of the invention. .

본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도 및/또는 사시도들을 참고하여 설명될 것이다. 이러한 도면들에 도시된 막 및 영역들의 두께 및 구멍들의 지름 등은 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 또한 도면에 도시된 마이크로 LED의 개수는 예시적으로 일부만을 도면에 도시한 것이다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. Embodiments described in this specification will be described with reference to sectional views and/or perspective views, which are ideal exemplary views of the present invention. Thicknesses of films and regions and diameters of holes shown in these drawings are exaggerated for effective description of the technical content. The shape of the illustrative drawings may be modified due to manufacturing techniques and/or tolerances. In addition, the number of micro LEDs shown in the drawing is shown in the drawing by way of example only. Therefore, embodiments of the present invention are not limited to the specific shapes shown, but also include changes in shapes generated according to manufacturing processes.

다양한 실시예들을 설명함에 있어서, 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 실시예가 다르더라도 편의상 동일한 명칭 및 동일한 참조번호를 부여하기로 한다. 또한, 이미 다른 실시예에서 설명된 구성 및 작동에 대해서는 편의상 생략하기로 한다.In describing various embodiments, the same names and the same reference numbers will be given to components performing the same functions even if the embodiments are different. In addition, configurations and operations already described in other embodiments will be omitted for convenience.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 LED 전사헤드의 흡착 대상이 되는 복수의 마이크로 LED(100)를 도시한 도면이다. 마이크로 LED(100)는 성장 기판(101) 위에서 제작되어 위치한다.FIG. 1 is a diagram showing a plurality of micro LEDs 100 to be adsorbed by a micro LED transfer head according to a preferred embodiment of the present invention. The micro LED 100 is fabricated and positioned on the growth substrate 101 .

성장 기판(101)은 전도성 기판 또는 절연성 기판으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 성장 기판(101)은 사파이어, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, 및 Ga203 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.The growth substrate 101 may be formed of a conductive substrate or an insulating substrate. For example, the growth substrate 101 may be formed of at least one of sapphire, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, and Ga 2 O 3 .

마이크로 LED(100)는 제1 반도체층(102), 제2 반도체층(104), 제1 반도체층(102)과 제2 반도체층(104) 사이에 형성된 활성층(103), 제1 컨택전극(106) 및 제2 컨택전극(107)을 포함할 수 있다.The micro LED 100 includes a first semiconductor layer 102, a second semiconductor layer 104, an active layer 103 formed between the first semiconductor layer 102 and the second semiconductor layer 104, and a first contact electrode ( 106) and a second contact electrode 107.

제1 반도체층(102), 활성층(103), 및 제2 반도체층(104)은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있다.The first semiconductor layer 102, the active layer 103, and the second semiconductor layer 104 may be formed by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), chemical vapor deposition (CVD), or plasma chemical vapor deposition (CVD). It can be formed using methods such as plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), molecular beam epitaxy (MBE), and hydride vapor phase epitaxy (HVPE).

제1 반도체층(102)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. p형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 반도체층(104)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함하여 형성될 수 있다. n형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InNInAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first semiconductor layer 102 may be implemented as, for example, a p-type semiconductor layer. The p-type semiconductor layer is a semiconductor material having a composition formula of InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN , InAlGaN, AlInN, etc., and a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba may be doped. The second semiconductor layer 104 may include, for example, an n-type semiconductor layer. The n-type semiconductor layer is a semiconductor material having a composition formula of InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InNInAlGaN , AlInN, etc., and an n-type dopant such as Si, Ge, or Sn may be doped.

다만, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 제1 반도체층(102)이 n형 반도체층을 포함하고, 제2 반도체층(104)이 p형 반도체층을 포함할 수도 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the first semiconductor layer 102 may include an n-type semiconductor layer, and the second semiconductor layer 104 may include a p-type semiconductor layer.

활성층(103)은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다. 활성층(103)은 예를 들어, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다. 또한, 양자선(Quantum wire)구조 또는 양자점(Quantum dot)구조를 포함할 수도 있다.The active layer 103 is a region where electrons and holes recombine, and as electrons and holes recombine, the active layer 103 transitions to a lower energy level and can generate light having a wavelength corresponding thereto. The active layer 103 may include, for example, a semiconductor material having a composition formula of InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), and may be formed by a single It may be formed in a quantum well structure or a multi quantum well (MQW) structure. In addition, a quantum wire structure or a quantum dot structure may be included.

제1 반도체층(102)에는 제1 컨택전극(106)이 형성되고, 제2 반도체층(104)에는 제2 컨택전극(107)이 형성될 수 있다. 제1 컨택 전극(106) 및/또는 제2 컨택 전극(107)은 하나 이상의 층을 포함할 수 있으며, 금속, 전도성 산화물 및 전도성 중합체들을 포함한 다양한 전도성 재료로 형성될 수 있다.A first contact electrode 106 may be formed on the first semiconductor layer 102 , and a second contact electrode 107 may be formed on the second semiconductor layer 104 . The first contact electrode 106 and/or the second contact electrode 107 may include one or more layers and may be formed of various conductive materials including metals, conductive oxides and conductive polymers.

성장 기판(101) 위에 형성된 복수의 마이크로 LED(100)를 커팅 라인을 따라 레이저 등을 이용하여 커팅하거나 에칭 공정을 통해 낱개로 분리하고, 레이저 리프트 오프 공정으로 복수의 마이크로 LED(100)를 성장 기판(101)으로부터 분리 가능한 상태가 되도록 할 수 있다. A plurality of micro LEDs 100 formed on the growth substrate 101 are cut using a laser or the like along a cutting line or individually separated through an etching process, and a plurality of micro LEDs 100 are separated into a growth substrate by a laser lift-off process It can be made to be separable from (101).

도 1에서 ‘p’는 마이크로 LED(100)간의 피치간격을 의미하고, ‘s’는 마이크로 LED(100)간의 이격 거리를 의미하며, ‘w’는 마이크로 LED(100)의 폭을 의미한다. In FIG. 1, 'p' means the pitch interval between the micro LEDs 100, 's' means the separation distance between the micro LEDs 100, and 'w' means the width of the micro LEDs 100.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 LED 전사헤드에 의해 표시 기판으로 이송되어 실장됨에 따라 형성된 마이크로 LED 구조체를 도시한 도면이다. 2 is a view showing a micro LED structure formed by being transferred and mounted on a display substrate by a micro LED transfer head according to a preferred embodiment of the present invention.

표시 기판(300)은 다양한 소재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 표시 기판(300)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 그러나, 표시 기판(300)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 투명한 플라스틱 재질로 형성되어 가용성을 가질 수 있다. 플라스틱 재질은 절연성 유기물인 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물일 수 있다.The display substrate 300 may include various materials. For example, the display substrate 300 may be made of a transparent glass material containing SiO 2 as a main component. However, the display substrate 300 is not necessarily limited thereto, and may be formed of a transparent plastic material and have solubility. The plastic materials are insulating organic materials such as polyethersulphone (PES), polyacrylate (PAR), polyetherimide (PEI), polyethyelenen napthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET, polyethyleneterepthalate), polyphenylene sulfide (PPS), polyallylate, polyimide, polycarbonate (PC), cellulose triacetate (TAC), cellulose acetate propionate: CAP) may be an organic material selected from the group consisting of.

화상이 표시 기판(300)방향으로 구현되는 배면 발광형인 경우에 표시 기판(300)은 투명한 재질로 형성해야 한다. 그러나 화상이 표시 기판(300)의 반대 방향으로 구현되는 전면 발광형인 경우에 표시 기판(300)은 반드시 투명한 재질로 형성할 필요는 없다. 이 경우 금속으로 표시 기판(300)을 형성할 수 있다.In the case of a bottom emission type displaying an image in the direction of the display substrate 300, the display substrate 300 must be formed of a transparent material. However, in the case of a top emission type in which an image is displayed in a direction opposite to that of the display substrate 300, the display substrate 300 does not necessarily need to be made of a transparent material. In this case, the display substrate 300 may be formed of metal.

금속으로 표시 기판(300)을 형성할 경우 표시 기판(300)은 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴, 스테인레스 스틸(SUS), Invar 합금, Inconel 합금 및 Kovar 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.When the display substrate 300 is formed of metal, the display substrate 300 may include at least one selected from the group consisting of iron, chromium, manganese, nickel, titanium, molybdenum, stainless steel (SUS), an Invar alloy, an Inconel alloy, and a Kovar alloy. It may include, but is not limited thereto.

표시 기판(300)은 버퍼층(311)을 포함할 수 있다. 버퍼층(311)은 평탄면을 제공할 수 있고, 이물 또는 습기가 침투하는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(311)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 함유할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 형성될 수 있다. The display substrate 300 may include a buffer layer 311 . The buffer layer 311 may provide a flat surface and may block penetration of foreign substances or moisture. For example, the buffer layer 311 is made of an inorganic material such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, aluminum oxide, aluminum nitride, titanium oxide, or titanium nitride, or an organic material such as polyimide, polyester, or acryl. It may contain, and may be formed of a plurality of laminates among the materials exemplified.

박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(310), 게이트 전극(320), 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)을 포함할 수 있다.The thin film transistor (TFT) may include an active layer 310, a gate electrode 320, a source electrode 330a, and a drain electrode 330b.

이하에서는 박막 트랜지스터(TFT)가 활성층(310), 게이트 전극(320), 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)이 순차적으로 형성된 탑 게이트 타입(top gate type)인 경우를 설명한다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 바텀 게이트 타입(bottom gate type) 등 다양한 타입의 박막 트랜지스터(TFT)가 채용될 수 있다.Hereinafter, a case in which the thin film transistor (TFT) is a top gate type in which an active layer 310, a gate electrode 320, a source electrode 330a, and a drain electrode 330b are sequentially formed will be described. However, the present embodiment is not limited thereto, and various types of thin film transistors (TFTs) such as a bottom gate type may be employed.

활성층(310)은 반도체 물질, 예컨대 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)을 포함할 수 있다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 활성층(310)은 다양한 물질을 함유할 수 있다. 선택적 실시예로서 활성층(310)은 유기 반도체 물질 등을 함유할 수 있다. The active layer 310 may include a semiconductor material, for example, amorphous silicon or polycrystalline silicon. However, the present embodiment is not limited thereto, and the active layer 310 may contain various materials. As an optional embodiment, the active layer 310 may contain an organic semiconductor material or the like.

또 다른 선택적 실시예로서, 활성층(310)은 산화물 반도체 물질을 함유할 수 있다. 예컨대, 활성층(310)은 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge) 등과 같은 12, 13, 14족 금속 원소 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함할 수 있다.As another optional embodiment, the active layer 310 may contain an oxide semiconductor material. For example, the active layer 310 is made of metal elements of groups 12, 13, and 14, such as zinc (Zn), indium (In), gallium (Ga), tin (Sn), cadmium (Cd), and germanium (Ge), and combinations thereof. It may contain oxides of selected materials.

게이트 절연막(313:gate insulating layer)은 활성층(310) 상에 형성된다. 게이트 절연막(313)은 활성층(310)과 게이트 전극(320)을 절연하는 역할을 한다. 게이트 절연막(313)은 실리콘산화물 및/또는 실리콘질화물 등의 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.A gate insulating layer 313 is formed on the active layer 310 . The gate insulating layer 313 serves to insulate the active layer 310 and the gate electrode 320 . The gate insulating layer 313 may be formed of a multilayer or a single layer of an inorganic material such as silicon oxide and/or silicon nitride.

게이트 전극(320)은 게이트 절연막(313)의 상부에 형성된다. 게이트 전극(320)은 박막 트랜지스터(TFT)에 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결될 수 있다.The gate electrode 320 is formed on the gate insulating layer 313 . The gate electrode 320 may be connected to a gate line (not shown) for applying an on/off signal to the thin film transistor TFT.

게이트 전극(320)은 저저항 금속 물질로 이루어질 수 있다. 게이트 전극(320)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The gate electrode 320 may be made of a low-resistance metal material. The gate electrode 320 is made of, for example, aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), magnesium (Mg) in consideration of adhesion to adjacent layers, surface flatness and processability of the stacked layer, and the like. , Gold (Au), Nickel (Ni), Neodymium (Nd), Iridium (Ir), Chromium (Cr), Lithium (Li), Calcium (Ca), Molybdenum (Mo), Titanium (Ti), Tungsten (W) , Copper (Cu) may be formed as a single layer or multiple layers.

게이트 전극(320)상에는 층간 절연막(315)이 형성된다. 층간 절연막(315)은 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)과 게이트 전극(320)을 절연한다. 층간 절연막(315)은 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 예컨대 무기 물질은 금속 산화물 또는 금속 질화물일 수 있으며, 구체적으로 무기 물질은 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZrO2) 등을 포함할 수 있다.An interlayer insulating film 315 is formed on the gate electrode 320 . The interlayer insulating film 315 insulates the source electrode 330a and the drain electrode 330b from the gate electrode 320 . The interlayer insulating film 315 may be formed of a multi-layer or single-layer film made of an inorganic material. For example, the inorganic material may be a metal oxide or a metal nitride, and specifically, the inorganic material may be silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiON), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), titanium oxide ( TiO 2 ), tantalum oxide (Ta 2 O 5 ), hafnium oxide (HfO 2 ), or zinc oxide (ZrO 2 ).

층간 절연막(315) 상에 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)이 형성된다. 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)은 활성층(310)의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 전기적으로 연결된다.A source electrode 330a and a drain electrode 330b are formed on the interlayer insulating layer 315 . The source electrode 330a and the drain electrode 330b may include aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), magnesium (Mg), gold (Au), nickel (Ni), or neodymium (Nd). ), iridium (Ir), chromium (Cr), lithium (Li), calcium (Ca), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tungsten (W), copper (Cu) in a single layer or multi-layer can be formed The source electrode 330a and the drain electrode 330b are electrically connected to the source and drain regions of the active layer 310 , respectively.

평탄화층(317)은 박막 트랜지스터(TFT) 상에 형성된다. 평탄화층(317)은 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 형성되어, 박막 트랜지스터(TFT)로부터 비롯된 단차를 해소하고 상면을 평탄하게 한다. 평탄화층(317)은 유기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 유기 물질은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 또한, 평탄화층(317)은 무기 절연막과 유기절연막의 복합 적층체로 형성될 수도 있다.The planarization layer 317 is formed on the thin film transistor (TFT). The planarization layer 317 is formed to cover the thin film transistor (TFT), eliminates the step caused by the thin film transistor (TFT), and flattens the upper surface. The planarization layer 317 may be formed of a single layer or multiple layers of a film made of an organic material. Organic materials include general purpose polymers such as Polymethylmethacrylate (PMMA) and Polystylene (PS), polymer derivatives having phenolic groups, acrylic polymers, imide polymers, arylether polymers, amide polymers, fluorine polymers, and p-xylene polymers. It may include polymers, vinyl alcohol-based polymers, and blends thereof. Also, the planarization layer 317 may be formed of a composite laminate of an inorganic insulating film and an organic insulating film.

평탄화층(317)상에는 제1 전극(510)이 위치한다. 제1 전극(510)은 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 제1 전극(510)은 평탄화층(317)에 형성된 컨택홀을 통하여 드레인 전극(330b)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(510)은 다양한 형태를 가질 수 있는데, 예를 들면 아일랜드 형태로 패터닝되어 형성될 수 있다. 평탄화층(317)상에는 픽셀 영역을 정의하는 뱅크층(400)이 배치될 수 있다. 뱅크층(400)은 마이크로 LED(100)가 수용될 오목부를 포함할 수 있다. 뱅크층(400)은 일 예로, 오목부를 형성하는 제1 뱅크층(410)를 포함할 수 있다. 제1 뱅크층(410)의 높이는 마이크로 LED(100)의 높이 및 시야각에 의해 결정될 수 있다. 오목부의 크기(폭)는 표시 장치의 해상도, 픽셀 밀도 등에 의해 결정될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 뱅크층(410)의 높이보다 마이크로 LED(100)의 높이가 더 클 수 있다. 오목부는 사각 단면 형상일 수 있으나, 본 발명의 실시예들은 이에 한정되지 않고, 오목부는 다각형, 직사각형, 원형, 원뿔형, 타원형, 삼각형 등 다양한 단면 형상을 가질 수 있다.A first electrode 510 is positioned on the planarization layer 317 . The first electrode 510 may be electrically connected to the thin film transistor (TFT). Specifically, the first electrode 510 may be electrically connected to the drain electrode 330b through a contact hole formed in the planarization layer 317 . The first electrode 510 may have various shapes, for example, may be patterned and formed in an island shape. A bank layer 400 defining a pixel area may be disposed on the planarization layer 317 . The bank layer 400 may include a concave portion in which the micro LED 100 is accommodated. The bank layer 400 may include, for example, a first bank layer 410 forming a concave portion. The height of the first bank layer 410 may be determined by the height and viewing angle of the micro LED 100 . The size (width) of the concave portion may be determined by the resolution and pixel density of the display device. In one embodiment, the height of the micro LED 100 may be greater than the height of the first bank layer 410 . The concave portion may have a square cross-sectional shape, but embodiments of the present invention are not limited thereto, and the concave portion may have various cross-sectional shapes such as polygonal, rectangular, circular, conical, elliptical, and triangular shapes.

뱅크층(400)은 제1 뱅크층(410) 상부의 제2 뱅크층(420)를 더 포함할 수 있다. 제1 뱅크층(410)와 제2 뱅크층(420)는 단차를 가지며, 제2 뱅크층(420)의 폭이 제1 뱅크층(410)의 폭보다 작을 수 있다. 제2 뱅크층(420)의 상부에는 전도층(550)이 배치될 수 있다. 전도층(550)은 데이터선 또는 스캔선과 평행한 방향으로 배치될 수 있고, 제2 전극(530)과 전기적으로 연결된다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 제2 뱅크층(420)는 생략되고, 제1 뱅크층(410) 상에 전도층(550)이 배치될 수 있다. 또는, 제2 뱅크층(420) 및 전도층(500)을 생략하고, 제2 전극(530)을 픽셀(P)들에 공통인 공통전극으로서 기판(301) 전체에 형성할 수도 있다. 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 광의 적어도 일부를 흡수하는 물질, 또는 광 반사 물질, 또는 광 산란물질을 포함할 수 있다. 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 가시광(예를 들어, 380nm 내지 750nm 파장 범위의 광)에 대해 반투명 또는 불투명한 절연 물질을 포함할 수 있다.The bank layer 400 may further include a second bank layer 420 over the first bank layer 410 . The first bank layer 410 and the second bank layer 420 have a step difference, and the width of the second bank layer 420 may be smaller than that of the first bank layer 410 . A conductive layer 550 may be disposed on the second bank layer 420 . The conductive layer 550 may be disposed in a direction parallel to the data line or the scan line and electrically connected to the second electrode 530 . However, the present invention is not limited thereto, and the second bank layer 420 may be omitted, and the conductive layer 550 may be disposed on the first bank layer 410 . Alternatively, the second bank layer 420 and the conductive layer 500 may be omitted and the second electrode 530 may be formed over the entire substrate 301 as a common electrode common to the pixels P. The first bank layer 410 and the second bank layer 420 may include a material that absorbs at least a portion of light, a light reflection material, or a light scattering material. The first bank layer 410 and the second bank layer 420 may include an insulating material that is translucent or opaque to visible light (eg, light in a wavelength range of 380 nm to 750 nm).

일 예로, 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에테르설폰, 폴리비닐부티랄, 폴리페닐렌에테르, 폴리아미드, 폴리에테르이미드, 노보넨계(norbornene system) 수지, 메타크릴 수지, 환상 폴리올레핀계 등의 열가소성 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 우레탄 수지, 아크릴수지, 비닐 에스테르 수지, 이미드계 수지, 우레탄계 수지, 우레아(urea)수지, 멜라민(melamine) 수지 등의 열경화성 수지, 혹은 폴리스티렌, 폴리아크릴로니트릴, 폴리카보네이트 등의 유기 절연 물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the first bank layer 410 and the second bank layer 420 may be formed of polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), polyethersulfone, polyvinylbutyral, polyphenylene ether, polyamide, or polyether. Etherimide, norbornene system resin, methacrylic resin, thermoplastic resin such as cyclic polyolefin, epoxy resin, phenol resin, urethane resin, acrylic resin, vinyl ester resin, imide resin, urethane resin, urea It may be formed of a thermosetting resin such as resin or melamine resin, or an organic insulating material such as polystyrene, polyacrylonitrile, or polycarbonate, but is not limited thereto.

다른 예로, 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 SiOx, SiNx, SiNxOy, AlOx, TiOx, TaOx, ZnOx 등의 무기산화물, 무기질화물 등의 무기 절연 물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에서, 제1뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 블랙 매트릭스(black matrix) 재료와 같은 불투명 재료로 형성될 수 있다. 절연성 블랙 매트릭스 재료로는 유기 수지, 글래스 페이스트(glass paste) 및 흑색 안료를 포함하는 수지 또는 페이스트, 금속 입자, 예컨대 니켈, 알루미늄, 몰리브덴 및 그의 합금, 금속 산화물 입자(예를 들어, 크롬 산화물), 또는 금속 질화물 입자(예를 들어, 크롬 질화물) 등을 포함할 수 있다. 변형례에서 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 고반사율을 갖는 분산된 브래그 반사체(DBR) 또는 금속으로 형성된 미러 반사체일 수 있다.As another example, the first bank layer 410 and the second bank layer 420 may be formed of an inorganic insulating material such as an inorganic oxide or inorganic nitride such as SiOx, SiNx, SiNxOy, AlOx, TiOx, TaOx, or ZnOx. It is not limited to this. In one embodiment, the first bank layer 410 and the second bank layer 420 may be formed of an opaque material such as a black matrix material. Insulative black matrix materials include organic resins, glass paste and resins or pastes containing black pigments, metal particles such as nickel, aluminum, molybdenum and alloys thereof, metal oxide particles (e.g., chromium oxide), or metal nitride particles (eg, chromium nitride) and the like. In a modified example, the first bank layer 410 and the second bank layer 420 may be a distributed Bragg reflector (DBR) having high reflectivity or a mirror reflector formed of metal.

오목부에는 마이크로 LED(100)가 배치된다. 마이크로 LED(100)는 오목부에서 제1 전극(510)과 전기적으로 연결될 수 있다.A micro LED 100 is disposed in the concave portion. The micro LED 100 may be electrically connected to the first electrode 510 in the concave portion.

마이크로 LED(100)는 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 파장을 가지는 빛을 방출하며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 백색광도 구현이 가능하다. 마이크로 LED(100)는 1 ㎛ 내지 100 ㎛ 의 크기를 갖는다. 마이크로 LED(100)는 개별적으로 또는 복수 개가 본 발명의 실시예에 따른 전사헤드에 의해 성장 기판(101) 상에서 픽업(pick up)되어 표시 기판(300)에 전사됨으로써 표시 기판(300)의 오목부에 수용될 수 있다. The micro LED 100 emits light having wavelengths such as red, green, blue, and white, and white light can be implemented by using a fluorescent material or combining colors. The micro LED 100 has a size of 1 μm to 100 μm. The micro LEDs 100 are picked up on the growth substrate 101 by the transfer head according to the embodiment of the present invention and transferred to the display substrate 300 individually or in plurality, thereby forming a concave portion of the display substrate 300. can be accepted in

마이크로 LED(100)는 p-n 다이오드, p-n 다이오드의 일측에 배치된 제1 컨택 전극(106) 및 제1 컨택 전극(106)과 반대측에 위치한 제2 컨택 전극(107)을 포함한다. 제1 컨택 전극(106)은 제1 전극(510)과 접속하고, 제2 컨택 전극(107)은 제2 전극(530)과 접속할 수 있다.The micro LED 100 includes a p-n diode, a first contact electrode 106 disposed on one side of the p-n diode, and a second contact electrode 107 disposed on the opposite side of the first contact electrode 106. The first contact electrode 106 may be connected to the first electrode 510 , and the second contact electrode 107 may be connected to the second electrode 530 .

제1 전극(510)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO;aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다. The first electrode 510 may include a reflective film formed of Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, or a compound thereof, and a transparent or translucent electrode layer formed on the reflective film. The transparent or translucent electrode layer is indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium oxide (In 2 O 3 ; indium oxide), indium gallium It may include at least one selected from the group including indium gallium oxide (IGO) and aluminum zinc oxide (AZO).

패시베이션층(520)은 오목부 내의 마이크로 LED(100)를 둘러싼다. 패시베이션층(520)은 뱅크층(400)과 마이크로 LED(100) 사이의 공간을 채움으로써, 오목부 및 제1 전극(510)을 커버한다. 패시베이션층(520)은 유기 절연물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 패시베이션층(520)은 아크릴, 폴리(메틸 메타크릴레이트)(PMMA), 벤조사이클로부텐(BCB), 폴리이미드, 아크릴레이트, 에폭시 및 폴리에스테르 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.A passivation layer 520 surrounds the micro LED 100 in the recess. The passivation layer 520 covers the concave portion and the first electrode 510 by filling the space between the bank layer 400 and the micro LED 100 . The passivation layer 520 may be formed of an organic insulating material. For example, the passivation layer 520 may be formed of acrylic, poly(methyl methacrylate) (PMMA), benzocyclobutene (BCB), polyimide, acrylate, epoxy, and polyester, but is limited thereto. It is not.

패시베이션층(520)은 마이크로 LED(100)의 상부, 예컨대 제2 컨택 전극(107)은 커버하지 않는 높이로 형성되어, 제2 컨택 전극(107)은 노출된다. 패시베이션층(520) 상부에는 마이크로 LED(100)의 노출된 제2 컨택 전극(107)과 전기적으로 연결되는 제2 전극(530)이 형성될 수 있다. The passivation layer 520 is formed at a height not covering the top of the micro LED 100, for example, the second contact electrode 107, so that the second contact electrode 107 is exposed. A second electrode 530 electrically connected to the exposed second contact electrode 107 of the micro LED 100 may be formed on the passivation layer 520 .

제2 전극(530)은 마이크로 LED(100)와 패시베이션층(520)상에 배치될 수 있다. 제2 전극(530)은 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명 전도성 물질로 형성될 수 있다.The second electrode 530 may be disposed on the micro LED 100 and the passivation layer 520 . The second electrode 530 may be formed of a transparent conductive material such as ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 .

제1실시예Example 1

도 3은 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 마이크로 LED 전사 시스템을 구성하는 마이크로 LED 전사헤드(1000)를 도시한 도면이다. 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 LED 전사헤드(1000)는, 기공을 갖는 다공성 부재(1100)를 포함하고, 다공성 부재(1100)의 기공에 진공을 가하거나 기공에 가하진 진공을 해제하여 마이크로 LED(100)를 흡착하거나 탈착할 수 있다. 3 is a diagram showing a micro LED transfer head 1000 constituting a micro LED transfer system according to a first preferred embodiment of the present invention. The micro LED transfer head 1000 according to the first embodiment of the present invention includes a porous member 1100 having pores, and applies a vacuum to the pores of the porous member 1100 or releases the vacuum applied to the pores to The micro LED 100 may be adsorbed or desorbed.

다공성 부재(1100)의 상부에는 진공 챔버(1200)가 구비된다. 진공 챔버(1200)는 진공을 공급하거나 진공을 해제하는 진공포트에 연결된다. 진공 챔버(1200)는 진공포트의 작동에 따라 다공성 부재(1100)의 다수의 기공에 진공을 가하거나 기공에 가하진 진공을 해제하는 기능을 한다. 진공 챔버(1200)를 다공성 부재(1100)에 결합하는 구조는 다공성 부재(1100)에 진공을 가하거나 가해진 진공을 해제함에 있어서 다른 부위로의 진공의 누설을 방지하는데 적절한 구조라면 이에 대한 한정은 없다.A vacuum chamber 1200 is provided above the porous member 1100 . The vacuum chamber 1200 is connected to a vacuum port for supplying or releasing a vacuum. The vacuum chamber 1200 functions to apply a vacuum to the pores of the porous member 1100 or release the vacuum applied to the pores according to the operation of the vacuum port. The structure for coupling the vacuum chamber 1200 to the porous member 1100 is not limited as long as it is suitable for preventing leakage of vacuum to other parts when applying a vacuum to the porous member 1100 or releasing the applied vacuum. .

마이크로 LED(100)의 진공 흡착 시, 진공 챔버(1200)에 가해진 진공은 다공성 부재(1100)의 다수의 기공에 전달되어 마이크로 LED(100)에 대한 진공 흡착력이 발생한다. 한편, 마이크로 LED(100)의 탈착 시에는, 진공 챔버(1200)에 가해진 진공이 해제됨에 따라 다공성 부재(1100)의 다수의 기공에도 진공이 해제되어 마이크로 LED(100)에 대한 진공 흡착력이 제거된다. When the micro LED 100 is vacuum adsorbed, the vacuum applied to the vacuum chamber 1200 is transferred to the plurality of pores of the porous member 1100, and a vacuum adsorption force to the micro LED 100 is generated. Meanwhile, when the micro LED 100 is detached, as the vacuum applied to the vacuum chamber 1200 is released, the vacuum is also released in the plurality of pores of the porous member 1100, so that the vacuum adsorption force for the micro LED 100 is removed. .

다공성 부재(1100)는 내부에 기공이 다수 함유되어 있는 물질을 포함하여 구성되며, 일정 배열 또는 무질서한 기공구조로 0.2~0.95 정도의 기공도를 가지는 분말, 박막/후막 및 벌크 형태로 구성될 수 있다. 다공성 부재(1100)의 기공은 그 크기에 따라 직경 2 nm 이하의 마이크로(micro)기공, 2~50 nm 메조(meso)기공, 50 nm 이상의 마크로(macro)기공으로 구분할 수 있는데, 이들의 기공들을 적어도 일부를 포함한다. 다공성 부재(1100)는 그 구성 성분에 따라서 유기, 무기(세라믹), 금속, 하이브리드형 다공성 소재로 구분이 가능하다. 다공성 부재(1100)는 기공이 일정 배열로 형성되는 양극산화막을 포함한다. 다공성 부재(1100)는 형상의 측면에서 분말, 코팅막, 벌크가 가능하고, 분말의 경우 구형, 중공구형, 화이버, 튜브형등 다양한 형상이 가능하며, 분말을 그대로 사용하는 경우도 있지만, 이를 출발물질로 코팅막, 벌크 형상을 제조하여 사용하는 것도 가능하다. The porous member 1100 is composed of a material containing a plurality of pores therein, and may be configured in the form of powder, thin film/thick film, and bulk having a porosity of about 0.2 to 0.95 in a regular arrangement or disordered pore structure. . The pores of the porous member 1100 can be classified according to their size into micro pores with a diameter of 2 nm or less, meso pores with a diameter of 2 to 50 nm, and macro pores with a diameter of 50 nm or more. contains at least some The porous member 1100 can be classified into organic, inorganic (ceramic), metal, and hybrid porous materials according to their components. The porous member 1100 includes an anodic oxide film in which pores are formed in a predetermined arrangement. Porous member 1100 can be powder, coating film, bulk in terms of shape, and in the case of powder, various shapes such as spherical, hollow sphere, fiber, tube, etc. are possible, and there are cases where the powder is used as it is, but it is used as a starting material. It is also possible to manufacture and use a coating film or a bulk form.

다공성 부재(1100)의 기공이 무질서한 기공구조를 갖는 경우에는, 다공성 부재(1100)의 내부는 다수의 기공들이 서로 연결되면서 다공성 부재(1100)의 상, 하를 연결하는 공기 유로를 형성하게 된다. 한편, 다공성 부재(1100)의 기공이 수직 형상의 기공구조를 갖는 경우에는, 다공성 부재(1100)의 내부는 수직 형상의 기공에 의해 다공성 부재(1100)의 상, 하로 관통되면서 공기 유로를 형성할 수 있도록 한다. When the pores of the porous member 1100 have a disordered pore structure, an air flow path connecting the top and bottom of the porous member 1100 is formed while a plurality of pores are connected to each other inside the porous member 1100. On the other hand, when the pores of the porous member 1100 have a vertical pore structure, the inside of the porous member 1100 is penetrated through the upper and lower portions of the porous member 1100 by the vertical pores to form an air flow path. make it possible

다공성 부재(1100)는 마이크로 LED(100)를 흡착하는 흡착영역(1310)과 마이크로 LED(100)를 흡착하지 않는 비흡착영역(1330)을 포함한다. 흡착영역(1310)은 진공 챔버(1200)의 진공이 전달되어 마이크로 LED(100)를 흡착하는 영역이고, 비흡착영역(1330)은 진공 챔버(1200)의 진공이 전달되지 않음에 따라 마이크로 LED(100)를 흡착하지 않는 영역이다. The porous member 1100 includes an adsorption region 1310 that adsorbs the micro LED 100 and a non-adsorption region 1330 that does not adsorb the micro LED 100 . The adsorption area 1310 is an area where the vacuum of the vacuum chamber 1200 is transferred to adsorb the micro LED 100, and the non-adsorption area 1330 is an area where the vacuum of the vacuum chamber 1200 is not transferred. 100) is not adsorbed.

비흡착영역(1330)은 다공성 부재(1100)의 적어도 일부 표면에 차폐부가 형성함으로써 구현될 수 있다. 위와 같은 차폐부는 다공성 부재(1100)의 적어도 일부 표면에 형성된 기공을 막도록 형성된다. 차폐부는 다공성 부재(1100)의 상, 하 표면 중에서 적어도 일부 표면에 형성될 수 있고, 특히 다공성 부재(1100)의 기공 구조가 무질서한 기공 구조인 경우에는 다공성 부재(1100)의 상, 하 표면 모두에 형성될 수 있다. The non-adsorption area 1330 may be implemented by forming a shield on at least a portion of the surface of the porous member 1100 . The shielding portion as described above is formed to block pores formed on at least a portion of the surface of the porous member 1100 . The shielding portion may be formed on at least some of the upper and lower surfaces of the porous member 1100, and in particular, when the porous member 1100 has a disordered pore structure, both the upper and lower surfaces of the porous member 1100. can be formed

차폐부는 다공성 부재(1100)의 표면의 기공을 막는 기능을 수행할 수 있는 것이라면 그 재질, 형상, 두께에는 한정이 없다. 바람직하게는 포토레지스트(PR, Dry Film PR포함) 또는 금속 재질로 추가로 형성될 수 있고, 다공성 부재(1100)를 이루는 자체 구성에 의해서도 형성 가능하다. 여기서 다공성 부재(1100)를 이루는 자체 구성으로는, 예를 들어 후술하는 다공성 부재(1100)가 양극산화막으로 구성될 경우에는, 차폐부는 배리어층 또는 금속 모재일 수 있다. The material, shape, and thickness of the shielding unit are not limited as long as it can perform a function of blocking pores on the surface of the porous member 1100 . Preferably, it may be additionally formed of a photoresist (including PR, dry film PR) or a metal material, and may also be formed by its own configuration constituting the porous member 1100. Here, as a self-configuration of the porous member 1100, for example, when the porous member 1100 to be described later is composed of an anodic oxide film, the shielding portion may be a barrier layer or a metal base material.

각각의 흡착영역(1310)의 수평 면적의 크기는 마이크로 LED(100)의 상부면의 수평 면적의 크기보다 작게 형성될 수 있고, 이를 통해 마이크로 LED(100)를 진공 흡착하면서 진공의 누설을 방지하여 진공 흡착이 보다 용이하게 할 수 있다.The size of the horizontal area of each adsorption area 1310 may be smaller than the size of the horizontal area of the upper surface of the micro LED 100, and through this, the micro LED 100 is vacuum-sucked while preventing leakage of the vacuum. Vacuum adsorption can be made easier.

전사헤드(1000)는 진공 챔버(1200)의 진공도를 모니터링하는 모니터링부가 구비될 수 있다. 모니터링부는 진공 챔버(1200)에 형성되는 진공도를 모니터링하하며, 제어부는 진공 챔버(1200)의 진공도의 정도에 따라 진공 챔버(1200)의 진공도를 제어할 수 있다. 모니터링부에서 진공 챔버(1200)의 진공도가 기 설정된 진공도의 범위보다 낮은 진공도로 형성될 경우에는, 제어부는 다공성 부재(1100)에 진공 흡착되어야 하는 마이크로 LED(100) 중 일부가 진공 흡착되지 않은 경우로 판단하거나 일부에서 진공의 누설이 있는 것으로 판단하여 전사헤드(1000)의 재작동을 명령할 수 있다. 이처럼 진공 챔버(1200) 내부의 진공도의 정도에 따라 전사헤드(1000)가 마이크로 LED(100)를 오류 없이 이송하도록 한다. The transfer head 1000 may include a monitoring unit that monitors the degree of vacuum in the vacuum chamber 1200 . The monitoring unit monitors the degree of vacuum formed in the vacuum chamber 1200, and the controller may control the degree of vacuum of the vacuum chamber 1200 according to the degree of vacuum of the vacuum chamber 1200. When the vacuum degree of the vacuum chamber 1200 in the monitoring unit is formed at a vacuum degree lower than the preset vacuum degree range, the control unit determines that some of the micro LEDs 100 to be vacuum-adsorbed to the porous member 1100 are not vacuum-adsorbed. The transfer head 1000 may be re-operated by determining that the transfer head 1000 is determined to be , or that there is a vacuum leak in some parts. As such, the transfer head 1000 transfers the micro LED 100 without errors according to the degree of vacuum inside the vacuum chamber 1200 .

또한 전사헤드(1000)에는 다공성 부재(1100)와 마이크로 LED(100)간의 접촉을 완충시키기 위하여 완충 부재가 구비될 수 있다. 이러한 완충 부재는 다공성 부재(1100)와 마이크로 LED(100)간의 접촉을 완충하면서 탄성 복원력을 갖는 것이라면 그 재질에는 제한이 없다. 완충 부재는 다공성 부재(1100)와 진공 챔버(1200)의 사이에 형성될 수 있으나, 완충 부재의 설치 위치는 이에 한정되는 것은 아니다. 다공성 부재(1100)와 마이크로 LED(100)간의 접촉을 완충시킬 수 있는 위치라면, 완충 부재는 전사헤드(1000)의 어느 위치에 설치되어도 무관하다. In addition, a buffer member may be provided in the transfer head 1000 to buffer contact between the porous member 1100 and the micro LED 100 . The material of the buffer member is not limited as long as it has elastic restoring force while buffering the contact between the porous member 1100 and the micro LED 100. The buffer member may be formed between the porous member 1100 and the vacuum chamber 1200, but the installation position of the buffer member is not limited thereto. As long as the position can buffer the contact between the porous member 1100 and the micro LED 100, the buffer member may be installed at any position of the transfer head 1000.

본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 LED 전사 시스템은, 제1기판(예컨대, 성장 기판)에서 제2기판(예컨대, 임시기판 또는 표시기판)으로 마이크로 LED를 전사하는 전사헤드 및 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 생성부를 포함한다. A micro LED transfer system according to a first embodiment of the present invention includes a transfer head for transferring micro LEDs from a first substrate (eg, a growth substrate) to a second substrate (eg, a temporary substrate or a display substrate) and generating plasma. It includes a plasma generating unit.

플라즈마 생성부는 전사헤드의 하면에 플라즈마를 발생시키거나, 제1기판의 상면에 플라즈마를 발생시키거나, 제1기판 및 전사헤드 사이에 플라즈마를 발생시킬 수 있는 구성으로 이루어진다. The plasma generating unit is configured to generate plasma on the lower surface of the transfer head, on the upper surface of the first substrate, or between the first substrate and the transfer head.

도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 LED 전사 시스템을 도시한 도면으로서, 플라즈마 생성부는 제1기판 및 전사헤드 사이에서 플라즈마를 발생시키는 것을 도시하고 있다.4 is a diagram showing a micro LED transfer system according to a first embodiment of the present invention, showing that the plasma generating unit generates plasma between the first substrate and the transfer head.

전사헤드(1000)에는 전극(2000)이 구비된다. 전극(2000)을 통해 인가되는 플라즈마 생성부의 전원으로는 직류, 펄스화된 직류, RF 또는 마이크로웨이브뿐 아니라 수 kHz~수십 kHz의 낮은 주파수대의 교류가 사용될 수 있다. 한편, 제1기판(101)은 그라운드 역할을 한다. The electrode 2000 is provided in the transfer head 1000 . Direct current, pulsed direct current, RF, or microwave as well as low-frequency alternating current of several kHz to several tens of kHz may be used as the power source for the plasma generating unit applied through the electrode 2000 . Meanwhile, the first substrate 101 serves as a ground.

전극(2000)은 전사헤드(1000)의 다공성 부재(1100)의 상부에 위치할 수 있다. 이 경우 다공성 부재(1100)는 유전체로서의 특성을 갖는 것이 바람직하다. 전극(2000)을 통해 인가되는 전원에 의해 전사헤드(1000)와 제1기판(101) 사이에는 플라즈마가 생성된다. The electrode 2000 may be positioned above the porous member 1100 of the transfer head 1000 . In this case, the porous member 1100 preferably has properties as a dielectric. Plasma is generated between the transfer head 1000 and the first substrate 101 by power applied through the electrode 2000 .

전사헤드(1000)와 제1기판(101) 사이에 생성된 플라즈마는 마이크로 LED 전사헤드(1000)가 마이크로 LED(100)를 흡착하는데 방해가 되는 방해 요인을 제거한다. Plasma generated between the transfer head 1000 and the first substrate 101 removes an obstacle preventing the micro LED transfer head 1000 from adsorbing the micro LED 100 .

여기서 방해 요인은 정전기일 수 있다. 마이크로 LED(100)를 전사하는 과정에서 마이크로 LED 전사헤드(1000), 마이크로 LED(100) 및 표시 기판(300)간의 사이에서 두 부재간의 접촉, 마찰, 박리 등의 이유 및 마이크로 LED 전사헤드(1000)가 마이크로 LED(100)를 진공 흡입력으로 흡착하는 과정에서 기공 내부에 발생하는 공기의 흐름 등의 이유로 정전기가 발생할 수 있다. 정전기력을 이용하여 마이크로 LED(100)를 흡착하는 경우에 있어서는 정전기가 적극적으로 유도되어야 하지만, 정전기력을 이용하지 않는 경우에는 정전기력은 마이크로 LED(100)를 흡착함에 있어서는 제거되어야할 부정적인 것이다. 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 LED 전사헤드는 기공을 갖는 다공성 부재(1100)를 이용하여 흡입력에 의해 마이크로 LED를 흡착 및 탈착하는 것이므로, 마이크로 LED 전사헤드는 정전기가 제거되어야만 하는 부정적인 요소가 된다.Here, the disturbing factor may be static electricity. In the process of transferring the micro LED 100, reasons such as contact, friction, and separation between the micro LED transfer head 1000, the micro LED 100 and the display substrate 300 between the two members and the micro LED transfer head 1000 ) may generate static electricity for reasons such as air flow generated inside pores in the process of adsorbing the micro LED 100 with vacuum suction force. In the case of adsorbing the micro LED 100 using electrostatic force, static electricity should be actively induced, but in the case of not using electrostatic force, the electrostatic force is a negative thing to be removed in adsorbing the micro LED 100. Since the micro LED transfer head according to the first embodiment of the present invention uses a porous member 1100 having pores to adsorb and desorb the micro LED by a suction force, the micro LED transfer head has a negative factor that must be removed static electricity. do.

전사헤드(1000)와 제1기판(101) 사이에 생성된 플라즈마는 전사헤드(1000)와 제1기판(101) 사이에 생성된 정전기를 제거할 수 있다. 여기서, 정전기는 마이크로 LED 전사헤드(1000)의 흡착면에 형성된 정전기일 수 있고, 마이크로 LED(100)의 상면에 형성된 정전기 일 수 있으며, 전사헤드(1000)와 제1기판(101) 사이 공간에 존재하는 정전기일 수 있다. 전사헤드(1000)와 제1기판(101) 사이에 생성된 플라즈마에 의해 마이크로 LED 전사헤드(1000)가 마이크로 LED(100)를 흡착 및 탈착할 때 방해가 되는 정전기를 제거됨에 따라, 마이크로 LED(100)를 보다 효과적으로 전사할 수 있게 된다. Plasma generated between the transfer head 1000 and the first substrate 101 can remove static electricity generated between the transfer head 1000 and the first substrate 101 . Here, the static electricity may be static electricity formed on the adsorption surface of the micro LED transfer head 1000, or static electricity formed on the upper surface of the micro LED 100, or in the space between the transfer head 1000 and the first substrate 101. Static electricity may be present. As the static electricity that interferes when the micro LED transfer head 1000 adsorbs and detaches the micro LED 100 is removed by the plasma generated between the transfer head 1000 and the first substrate 101, the micro LED ( 100) can be transferred more effectively.

한편, 마이크로 LED 전사헤드(1000)가 마이크로 LED를 흡착하는데 방해가 되는 방해 요인은 이물질일 수 있다. 마이크로 LED 전사헤드(1000)의 다공성 부재(1100)는 미세한 많은 기공을 포함하고 있기 때문에 전사 과정에서 이물질이 다공성 부재(1100)의 표면에 달라 붙어 기공을 막는 문제를 야기할 수 있다. 이물질이 다공성 부재(1100)의 기공을 막게 되면, 마이크로 LED 전사헤드(1000)의 흡착력이 저하된다. 또한 이물질이 다공성 부재(1100)의 일부영역의 기공을 막게 되면 해당 일부 영역에서의 마이크로 LED(100)에 대한 흡착력이 불균일해진다는 문제를 야기할 수 있다. 따라서 이러한 이물질은 다공성 부재(1100)의 표면에서 제거되어야 하는 방해요인이 된다.On the other hand, a foreign substance may be an obstacle preventing the micro LED transfer head 1000 from adsorbing the micro LED. Since the porous member 1100 of the micro LED transfer head 1000 includes many fine pores, foreign substances may stick to the surface of the porous member 1100 during the transfer process and cause a problem of blocking the pores. When foreign substances block the pores of the porous member 1100, the adsorption force of the micro LED transfer head 1000 is reduced. In addition, if the foreign matter blocks the pores in a partial area of the porous member 1100, it may cause a problem that the adsorption force to the micro LED 100 in the corresponding partial area becomes non-uniform. Therefore, these foreign substances become obstacles that must be removed from the surface of the porous member 1100 .

전사헤드(1000)와 제1기판(101) 사이에 생성된 플라즈마는 전사헤드(1000)와 제1기판(101) 사이에 생성된 이물질을 제거할 수 있다. 예컨대, 전사헤드(1000)와 제1기판(101) 사이에 생성된 플라즈마는 이물질은 태워서 제거할 수 있다. 여기서, 이물질은 마이크로 LED 전사헤드(1000)의 흡착면에 형성된 이물질일 수 있고, 마이크로 LED(100)의 상면에 형성된 이물질일 수 있으며, 전사헤드(1000)와 제1기판(101) 사이 공간에 존재하는 이물질일 수 있다. 전사헤드(1000)와 제1기판(101) 사이에 생성된 플라즈마에 의해 마이크로 LED 전사헤드(1000)가 마이크로 LED(100)를 흡착 및 탈착할 때 방해가 되는 이물질이 제거됨에 따라, 마이크로 LED(100)를 보다 효과적으로 전사할 수 있게 된다. Plasma generated between the transfer head 1000 and the first substrate 101 may remove foreign substances generated between the transfer head 1000 and the first substrate 101 . For example, the plasma generated between the transfer head 1000 and the first substrate 101 can burn and remove foreign substances. Here, the foreign material may be a foreign material formed on the adsorption surface of the micro LED transfer head 1000, a foreign material formed on the upper surface of the micro LED 100, or a foreign material formed in the space between the transfer head 1000 and the first substrate 101. Foreign matter may be present. As the foreign matter that interferes when the micro LED transfer head 1000 adsorbs and detaches the micro LED 100 is removed by the plasma generated between the transfer head 1000 and the first substrate 101, the micro LED ( 100) can be transferred more effectively.

도 5a는 본 발명의 제1실시예의 제1변형례에 따른 마이크로 LED 전사 시스템을 구성하는 마이크로 LED 전사헤드의 도면이다. 제1실시예의 제1변형례는, 플라즈마 생성과 관련된 전극(2100, 2300)이 모두 전사헤드(1000)에 구비된다는 점에서 제1실시예의 구성과 차이가 있다. 2개의 전극(2100, 2300) 사이의 다공성 부재(1100)는 유전체로서의 특성을 갖는 재질로 구성된다. 5A is a diagram of a micro LED transfer head constituting a micro LED transfer system according to a first modified example of the first embodiment of the present invention. The first modification of the first embodiment is different from the first embodiment in that the electrodes 2100 and 2300 related to plasma generation are all provided in the transfer head 1000. The porous member 1100 between the two electrodes 2100 and 2300 is made of a material having dielectric properties.

위와 같은 구성을 통해, 마이크로 LED 전사헤드(1000)는 마이크로 LED(100)를 전사하는 기능 뿐만 아니라 마이크로 LED 전사헤드(1000) 자체만으로 플라즈마를 생성하는 기능을 동시에 수행할 수 있게 된다. 제1실시예의 제1변형례의 구성에 따르면, 마이크로 LED 전사헤드(1000)가 제1기판(101) 상에 위치하지 않더라도, 이동 중에도 플라즈마 생성이 가능하다. 마이크로 LED 전사 헤드(1000)가 제1기판(101)에서 제2기판(300)으로 마이크로 LED(100)를 전사한 이후에, 다시 제1기판(101)으로 복귀하는 과정에서 플라즈마를 생성시켜 흡착 및 탈착의 방해요인을 제거할 수 있으므로 단위 시간당 공정속도가 향상되는 효과를 발휘할 수 있게 된다. Through the above configuration, the micro LED transfer head 1000 can simultaneously perform not only a function of transferring the micro LED 100 but also a function of generating plasma only by the micro LED transfer head 1000 itself. According to the configuration of the first modified example of the first embodiment, even if the micro LED transfer head 1000 is not located on the first substrate 101, plasma generation is possible even while moving. After the micro LED transfer head 1000 transfers the micro LED 100 from the first substrate 101 to the second substrate 300, in the process of returning to the first substrate 101, plasma is generated and absorbed. And since it is possible to remove obstacles to desorption, it is possible to exhibit the effect of improving the process speed per unit time.

도 5b는 본 발명의 제1실시예의 제2변형례에 따른 마이크로 LED 전사 시스템을 구성하는 마이크로 LED 전사헤드의 도면이다. 제1실시예의 제2변형례는, 플라즈마 생성과 관련된 전극(2000)이 전사헤드(1000)의 흡착면에 형성되는 구성을 채택하고 있다. 위와 같은 구성을 통해, 마이크로 LED 전사헤드(1000)와 제1기판(101) 사이에서 플라즈마를 보다 쉽게 생성할 수 있게 되므로, 마이크로 LED 전사헤드(1000)와 제1기판(101) 사이에 생성된 흡착 및 탈착의 방해 요인을 보다 쉽게 제거할 수 있게 된다. 5B is a diagram of a micro LED transfer head constituting a micro LED transfer system according to a second modified example of the first embodiment of the present invention. The second modification of the first embodiment adopts a configuration in which the electrode 2000 related to plasma generation is formed on the adsorption surface of the transfer head 1000. Through the above configuration, since plasma can be more easily generated between the micro LED transfer head 1000 and the first substrate 101, the generated plasma between the micro LED transfer head 1000 and the first substrate 101 It is possible to more easily remove obstacles to adsorption and desorption.

제2실시예Example 2

이하, 본 발명의 제2실시예에 대해 살펴본다. 단, 이하 설명되는 실시예는 제1실시예와 비교하여 특징적인 구성요소들을 중심으로 설명하겠으며, 제1실시예와 동일하거나 유사한 구성요소들에 대한 설명들은 생략한다. Hereinafter, look at the second embodiment of the present invention. However, the embodiment described below will be described focusing on characteristic components compared to the first embodiment, and descriptions of components identical or similar to those of the first embodiment will be omitted.

도 6은 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 마이크로 LED 전사시스템을 구성하는 마이크로 LED 전사헤드(1000)를 도시한 도면이고, 도 7은 도 6의 ‘A’부분을 확대한 도면이다.6 is a view showing a micro LED transfer head 1000 constituting a micro LED transfer system according to a second preferred embodiment of the present invention, and FIG. 7 is an enlarged view of 'A' part in FIG.

제2실시예에 따른 마이크로 LED 전사헤드(1000)는, 제1실시예에서 설명한 다공성 부재(1100)가 금속을 양극산화하여 형성된 기공을 갖는 양극산화막(1300)인 것을 특징으로 한다. The micro LED transfer head 1000 according to the second embodiment is characterized in that the porous member 1100 described in the first embodiment is an anodized film 1300 having pores formed by anodizing a metal.

양극산화막(1300)은 모재인 금속을 양극산화하여 형성된 막을 의미하고, 기공(1303)은 금속을 양극산화하여 양극산화막(1300)을 형성하는 과정에서 형성되는 구멍을 의미한다. 예컨대, 모재인 금속이 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금인 경우, 모재를 양극산화하면 모재의 표면에 양극산화알루미늄(Al2O3) 재질의 양극산화막(1300)이 형성된다. 위와 같이, 형성된 양극산화막(1300)은 내부에 기공(1303)이 형성되지 않은 배리어층(1301)과, 내부에 기공(1303)이 형성된 다공층으로 구분된다. 배리어층(1301)은 모재의 상부에 위치하고, 다공층은 배리어층(1301)의 상부에 위치한다. 이처럼, 배리어층(1301)과 다공층을 갖는 양극산화막(1300)이 표면에 형성된 모재에서, 모재를 제거하게 되면, 양극산화알루미늄(Al2O3) 재질의 양극산화막(1300)만이 남게 된다. The anodic oxide film 1300 means a film formed by anodic oxidation of a base metal, and the pores 1303 mean holes formed in the process of forming the anodic oxide film 1300 by anodic oxidation of a metal. For example, when the base metal is aluminum (Al) or an aluminum alloy, when the base metal is anodized, an anodic oxide film 1300 made of anodized aluminum oxide (Al 2 O 3 ) is formed on the surface of the base metal. As described above, the formed anodic oxide film 1300 is divided into a barrier layer 1301 in which pores 1303 are not formed and a porous layer in which pores 1303 are formed. The barrier layer 1301 is located on top of the base material, and the porous layer is located on top of the barrier layer 1301. In this way, when the base material is removed from the base material on which the barrier layer 1301 and the anodic oxide film 1300 having the porous layer are formed, only the anodic oxide film 1300 made of anodized aluminum oxide (Al 2 O 3 ) remains.

양극산화막(1300)은, 지름이 균일하고, 수직한 형태로 형성되면서 규칙적인 배열을 갖는 기공(1303)을 갖게 된다. 따라서, 배리어층(1301)을 제거하면, 기공(1303)은 상, 하로 수직하게 관통된 구조를 갖게 되며, 이를 통해 수직한 방향으로 진공압을 형성하는 것이 용이하게 된다. The anodic oxide film 1300 has pores 1303 having a regular arrangement while being formed in a vertical shape with a uniform diameter. Therefore, when the barrier layer 1301 is removed, the pores 1303 have a structure vertically penetrating upward and downward, and through this, it is easy to form a vacuum pressure in a vertical direction.

양극산화막(1300)의 내부는 수직 형상의 기공(1303)에 의해 수직한 형태로의 공기 유로를 형성할 수 있게 된다. 기공(1303)의 내부 폭은 수 nm 내지 수 백nm의 크기를 갖는다. 예를 들어, 진공 흡착하고자 하는 마이크로 LED의 사이즈가 30㎛ x 30㎛인 경우이고 기공(1303)의 내부 폭이 수 nm인 경우에는 대략 수 천만개의 기공(1303)을 이용하여 마이크로 LED(100)를 진공 흡착할 수 있게 된다. 한편, 진공 흡착하고자 하는 마이크로 LED의 사이즈가 30㎛ x 30㎛인 경우이고 기공(1303)의 내부 폭이 수 백 nm인 경우에는 대략 수 만개의 기공(1303)을 이용하여 마이크로 LED(100)를 진공 흡착할 수 있게 된다. 마이크로 LED(100)의 경우에는 기본적으로 제1 반도체층(102), 제2 반도체층(104), 제1 반도체층(102)과 제2 반도체층(104) 사이에 형성된 활성층(103), 제1 컨택전극(106) 및 제2 컨택전극(107)만으로 구성됨에 따라 상대적으로 가벼운 편이므로 양극산화막(1300)의 수만 내지 수 천만개의 기공(1303)을 이용하여 진공 흡착하는 것이 가능한 것이다. The inside of the anodic oxidation film 1300 can form an air flow path in a vertical form by the vertical pores 1303 . The inner width of the pore 1303 has a size of several nm to several hundreds of nm. For example, when the size of the micro LED to be vacuum adsorbed is 30 μm x 30 μm and the internal width of the pores 1303 is several nm, the micro LED 100 is formed using approximately tens of millions of pores 1303. can be vacuum adsorbed. On the other hand, when the size of the micro LED to be vacuum adsorbed is 30 μm x 30 μm and the internal width of the pores 1303 is several hundred nm, the micro LED 100 is formed using approximately tens of thousands of pores 1303. vacuum adsorption is possible. In the case of the micro LED 100, the first semiconductor layer 102, the second semiconductor layer 104, the active layer 103 formed between the first semiconductor layer 102 and the second semiconductor layer 104, As it is composed of only the first contact electrode 106 and the second contact electrode 107, it is relatively light, so it is possible to vacuum adsorption using tens of thousands to tens of millions of pores 1303 of the anodic oxide film 1300.

양극산화막(1300)의 상부에는 진공 챔버(1200)가 구비된다. 진공 챔버(1200)는 진공을 공급하는 진공포트에 연결된다. 진공 챔버(1200)는 진공포트의 작동에 따라 양극산화막(1300)의 다수의 수직 형상의 기공에 진공을 가하거나 진공을 해제하는 기능을 한다. A vacuum chamber 1200 is provided above the anodic oxide film 1300 . The vacuum chamber 1200 is connected to a vacuum port supplying vacuum. The vacuum chamber 1200 functions to apply vacuum to or release the vacuum from the plurality of vertical pores of the anodic oxide film 1300 according to the operation of the vacuum port.

마이크로 LED(100)의 흡착 시, 진공 챔버(1200)에 가해진 진공은 양극산화막(1300)의 다수의 기공(1303)에 전달되어 마이크로 LED(100)에 대한 진공 흡착력을 제공한다. 한편, 마이크로 LED(100)의 탈착 시에는, 진공 챔버(1200)에 가해진 진공이 해제됨에 따라 양극산화막(1300)의 다수의 기공(1303)에도 진공이 해제되어 마이크로 LED(100)에 대한 진공 흡착력이 제거된다.When the micro LED 100 is adsorbed, the vacuum applied to the vacuum chamber 1200 is transferred to the plurality of pores 1303 of the anodic oxide film 1300 to provide vacuum adsorption force to the micro LED 100 . Meanwhile, when the micro LED 100 is detached, as the vacuum applied to the vacuum chamber 1200 is released, the vacuum is also released in the plurality of pores 1303 of the anodic oxide film 1300, thereby increasing the vacuum adsorption force for the micro LED 100. this is removed

양극산화막(1300)은 마이크로 LED(100)를 진공 흡착하는 흡착영역(1310)과 마이크로 LED(100)를 흡착하지 않는 비흡착영역(1330)을 포함한다. 흡착영역(1310)은 진공 챔버(1200)의 진공이 전달되어 마이크로 LED(100)를 진공 흡착하는 영역이고, 비흡착영역(1330)은 진공 챔버(1200)의 진공이 전달되지 않음에 따라 마이크로 LED(100)를 흡착하지 않는 영역이다. The anodic oxidation film 1300 includes an adsorption area 1310 for vacuum adsorbing the micro LED 100 and a non-adsorption area 1330 for not adsorbing the micro LED 100 . The adsorption area 1310 is an area where the vacuum of the vacuum chamber 1200 is transferred to vacuum-adsorb the micro LED 100, and the non-adsorption area 1330 is a micro LED as the vacuum of the vacuum chamber 1200 is not transferred. This is a region in which (100) is not adsorbed.

바람직하게는, 흡착영역(1310)은 기공(1303)의 상, 하가 관통되는 영역이고, 비흡착영역(1330)은 기공(1303)의 상, 하 중 적어도 어느 한 부분이 폐쇄된 영역일 수 있다.Preferably, the adsorption region 1310 may be a region through which the upper and lower portions of the pores 1303 penetrate, and the non-adsorption region 1330 may be a region in which at least one of the upper and lower portions of the pores 1303 is closed. there is.

비흡착영역(1330)은 양극산화막(1300)의 적어도 일부 표면에 차폐부가 형성함으로써 구현될 수 있다. 위와 같은 차폐부는 양극산화막(1100)의 적어도 일부 표면으로 노출되는 기공(1303)의 입구를 막도록 형성된다. 차폐부는 양극산화막(1300)의 상, 하 표면 중에서 적어도 일부 표면에 형성될 수 있다. 차폐부는 다공성 부재(1100)의 표면으로 노출되는 기공(1303)의 입구를 막는 기능을 수행할 수 있는 것이라면 그 재질, 형상, 두께에는 한정이 없다. 바람직하게 차례부는 포토레지스트(PR, Dry Film PR포함) 또는 금속 재질로 추가로 형성될 수 있고, 배리어층(1301)일 수 있다. The non-adsorption area 1330 may be implemented by forming a shielding part on at least a portion of the surface of the anodic oxide film 1300 . The shielding portion as described above is formed to block the entrance of the pores 1303 exposed to at least a portion of the surface of the anodic oxide film 1100 . The shielding part may be formed on at least a part of the upper and lower surfaces of the anodic oxide layer 1300 . The material, shape, and thickness of the shielding unit are not limited as long as it can perform a function of blocking the entrance of the pores 1303 exposed to the surface of the porous member 1100 . Preferably, the turn portion may be additionally formed of photoresist (including PR, dry film PR) or a metal material, and may be a barrier layer 1301.

비흡착영역(1330)은 양극산화막(1310)의 제조 시 형성된 배리어층(1301)에 의해 수직 형상의 기공(1303)의 상, 하 중 어느 한 부분이 폐쇄되도록 하여 형성될 수 있고, 흡착영역(1310)은 에칭 등의 방법으로 배리어층(1301)이 제거되어 수직 형상의 기공(1303)의 상, 하가 서로 관통되도록 형성될 수 있다. The non-adsorption area 1330 may be formed by closing any one of the upper and lower portions of the vertical pores 1303 by the barrier layer 1301 formed during the manufacture of the anodic oxide film 1310, and the adsorption area ( 1310 may be formed such that the upper and lower portions of the vertical pores 1303 pass through each other by removing the barrier layer 1301 by a method such as etching.

또한 상, 하로 관통하는 기공(1303)은 배리어층(1301)의 일부가 제거됨에 따라 형성되므로, 흡착영역(1310)의 양극산화막(1300)의 두께는 비흡착영역(1330)의 양극산화막(1300)의 두께보다 작다. In addition, since the pores 1303 penetrating up and down are formed as a part of the barrier layer 1301 is removed, the thickness of the anodic oxide film 1300 in the adsorption area 1310 is equal to the thickness of the anodic oxide film 1300 in the non-adsorption area 1330. ) is less than the thickness of

도 6에는, 배리어층(1301)이 양극산화막(1300)의 상부에 위치하고 기공(1303)이 있는 다공층(1305)이 하부에 위치하는 것으로 도시되어 있으나, 배리어층(1301)이 양극산화막(1300)의 하부에 위치하도록 도 6에 도시된 양극산화막(1300)이 상, 하 반전되어 비흡착영역(1330)을 구성할 수 있다. 6 shows that the barrier layer 1301 is located on top of the anodic oxide film 1300 and the porous layer 1305 with pores 1303 is located on the bottom, but the barrier layer 1301 is the anodic oxide film 1300 ), the anodic oxide film 1300 shown in FIG. 6 may be inverted upside down to form a non-adsorption area 1330.

한편, 비흡착영역(1330)이 배리어층(1301)에 의해 기공(1303)의 상, 하 중 어느 한 부분이 폐쇄된 것으로 설명하였으나, 배리어층(1301)에 의해 폐쇄되지 않은 반대면은 별도의 코팅층이 추가되어 상, 하가 모두 폐쇄되도록 구성될 수 있다. 비흡착영역(1330)을 구성함에 있어서 양극산화막(1300)의 상, 하면이 모두 폐쇄되는 구성은, 양극산화막(1300)의 상, 하면 중 적어도 하나가 폐쇄되는 구성에 비해, 비흡착영역(1330)의 기공(1303)에 이물질이 잔존할 우려를 줄일 수 있다는 점에서 유리하다. On the other hand, although the non-adsorption area 1330 has been described as having either the top or bottom of the pores 1303 closed by the barrier layer 1301, the opposite side not closed by the barrier layer 1301 is a separate A coating layer may be added so that both the upper and lower surfaces are closed. In configuring the non-adsorption area 1330, the configuration in which both the upper and lower surfaces of the anodic oxidation film 1300 are closed is higher than the configuration in which at least one of the upper and lower surfaces of the anodic oxidation film 1300 is closed. ) It is advantageous in that it can reduce the possibility of foreign substances remaining in the pores 1303.

도 6에 도시된 전사헤드(1000)는, 비흡착영역(1330)의 상부에 전극(2000)이 형성된다. 여기서 전극(2000)은 비흡착영역(1330)의 상부에 추가로 형성될 수 있다.In the transfer head 1000 shown in FIG. 6 , the electrode 2000 is formed on the non-adsorption area 1330 . Here, the electrode 2000 may be additionally formed above the non-adsorption area 1330 .

한편, 이와는 다르게, 양극산화 시 사용된 금속 재질의 모재가 제거되지 않고 배리어층(1301)의 상부에 구비되면서 금속 재질의 모재가 전극(2000)이 될 수 있다. 도 7을 참조하면, 비흡착영역(1330)에서는 금속 재질의 모재(전극, 2000), 배리어층(1301) 및 기공(1303)이 형성된 다공층(1305)이 모두 구비된 채로 형성되고, 흡착영역(1310)은 금속 재질의 모재(전극, 2000) 및 배리어층(1301)이 제거됨에 따라 기공(1303)의 상, 하가 관통되도록 형성된다. 또한, 금속 재질의 모재(전극, 2000)가 비흡착영역(1330)에 구비되어 양극산화막(1300)의 강성을 확보할 수 있게 된다. 이와 같이 양극산화 시 사용된 금속 재질의 모재를 그대로 전극(2000)으로 이용할 수 있게 되므로, 플라즈마 생성을 위한 전극 형성이 보다 쉽다. 또한, 전극(2000)이 비흡착영역(1330)에 구비됨에 따라 비록 전극(2000)기 구비된다고 하더라도 마이크로 LED(100)의 흡착 및 탈착시 진공 형성에 영향을 미치지 않는다.Meanwhile, differently from this, the base material made of metal may become the electrode 2000 while being provided on top of the barrier layer 1301 without removing the base material made of metal used during anodization. Referring to FIG. 7, in the non-adsorption area 1330, a base material (electrode, 2000) made of metal, a barrier layer 1301, and a porous layer 1305 in which pores 1303 are formed are all provided, and the adsorption area 1310 is formed so that the top and bottom of the pores 1303 pass through as the base material (electrode, 2000) made of metal and the barrier layer 1301 are removed. In addition, a base material (electrode, 2000) made of metal is provided in the non-adsorption area 1330 to secure the rigidity of the anodic oxide film 1300. In this way, since the metal base material used during anodization can be used as the electrode 2000 as it is, it is easier to form an electrode for plasma generation. In addition, since the electrode 2000 is provided in the non-adsorption area 1330, even if the electrode 2000 is provided, vacuum formation is not affected during adsorption and desorption of the micro LED 100.

전극(2000)은 전사헤드(1000)의 양극산화막(1330)의 상부에 위치할 수 있다. 이 경우 양극산화막(1330)는 유전체로서의 특성을 갖는 것이 바람직하다. 전극(2000)을 통해 인가되는 전원에 의해 전사헤드(1000)와 제1기판(101) 사이에는 플라즈마가 생성된다. The electrode 2000 may be positioned above the anodic oxide layer 1330 of the transfer head 1000 . In this case, the anodic oxide film 1330 preferably has characteristics as a dielectric. Plasma is generated between the transfer head 1000 and the first substrate 101 by power applied through the electrode 2000 .

전사헤드(1000)와 제1기판(101) 사이에 생성된 플라즈마는 마이크로 LED 전사헤드(1000)가 마이크로 LED(100)를 흡착하는데 방해가 되는 방해 요인을 제거한다. Plasma generated between the transfer head 1000 and the first substrate 101 removes an obstacle preventing the micro LED transfer head 1000 from adsorbing the micro LED 100 .

여기서 방해 요인은 정전기일 수 있다. 전사헤드(1000)와 제1기판(101) 사이에 생성된 플라즈마는 전사헤드(1000)와 제1기판(101) 사이에 생성된 정전기를 제거할 수 있다. 여기서, 정전기는 마이크로 LED 전사헤드(1000)의 흡착면에 형성된 정전기일 수 있고, 마이크로 LED(100)의 상면에 형성된 정전기 일 수 있으며, 전사헤드(1000)와 제1기판(101) 사이 공간에 존재하는 정전기일 수 있다. 전사헤드(1000)와 제1기판(101) 사이에 생성된 플라즈마에 의해 마이크로 LED 전사헤드(1000)가 마이크로 LED(100)를 흡착 및 탈착할 때 방해가 되는 정전기를 제거됨에 따라, 마이크로 LED(100)를 보다 효과적으로 전사할 수 있게 된다. Here, the disturbing factor may be static electricity. Plasma generated between the transfer head 1000 and the first substrate 101 can remove static electricity generated between the transfer head 1000 and the first substrate 101 . Here, the static electricity may be static electricity formed on the adsorption surface of the micro LED transfer head 1000, or static electricity formed on the upper surface of the micro LED 100, or in the space between the transfer head 1000 and the first substrate 101. Static electricity may be present. As the static electricity that interferes when the micro LED transfer head 1000 adsorbs and detaches the micro LED 100 is removed by the plasma generated between the transfer head 1000 and the first substrate 101, the micro LED ( 100) can be transferred more effectively.

한편, 마이크로 LED 전사헤드(1000)가 마이크로 LED를 흡착하는데 방해가 되는 방해 요인은 이물질일 수 있다. 마이크로 LED 전사헤드(1000)의 양극산화막(1330)는 미세한 많은 기공을 포함하고 있기 때문에 전사 과정에서 이물질이 양극산화막(1330)의 표면에 달라 붙어 기공을 막는 문제를 야기할 수 있다. 이물질이 양극산화막(1330)의 기공을 막게 되면, 마이크로 LED 전사헤드(1000)의 흡착력이 저하된다. 또한 이물질이 양극산화막(1330)의 일부영역의 기공을 막게 되면 해당 일부 영역에서의 마이크로 LED(100)에 대한 흡착력이 불균일해진다는 문제를 야기할 수 있다. 따라서 이러한 이물질은 다공성 부재(1100)의 표면에서 제거되어야 하는 방해요인이 된다. On the other hand, a foreign substance may be an obstacle preventing the micro LED transfer head 1000 from adsorbing the micro LED. Since the anodic oxide film 1330 of the micro LED transfer head 1000 includes many fine pores, foreign substances may stick to the surface of the anodic oxide film 1330 during the transfer process and cause a problem of blocking the pores. When foreign substances block the pores of the anodic oxide film 1330, the adsorption force of the micro LED transfer head 1000 is reduced. In addition, if the foreign material blocks pores in a partial area of the anodic oxide film 1330, it may cause a problem that the adsorption force to the micro LED 100 in the corresponding partial area becomes non-uniform. Therefore, these foreign substances become obstacles that must be removed from the surface of the porous member 1100 .

전사헤드(1000)와 제1기판(101) 사이에 생성된 플라즈마는 전사헤드(1000)와 제1기판(101) 사이에 생성된 이물질을 제거할 수 있다. 예컨대, 전사헤드(1000)와 제1기판(101) 사이에 생성된 플라즈마는 이물질은 태워서 제거할 수 있다. 여기서, 이물질은 마이크로 LED 전사헤드(1000)의 흡착면에 형성된 이물질일 수 있고, 마이크로 LED(100)의 상면에 형성된 이물질일 수 있으며, 전사헤드(1000)와 제1기판(101) 사이 공간에 존재하는 이물질일 수 있다. 전사헤드(1000)와 제1기판(101) 사이에 생성된 플라즈마에 의해 마이크로 LED 전사헤드(1000)가 마이크로 LED(100)를 흡착 및 탈착할 때 방해가 되는 이물질이 제거됨에 따라, 마이크로 LED(100)를 보다 효과적으로 전사할 수 있게 된다. Plasma generated between the transfer head 1000 and the first substrate 101 may remove foreign substances generated between the transfer head 1000 and the first substrate 101 . For example, the plasma generated between the transfer head 1000 and the first substrate 101 can burn and remove foreign substances. Here, the foreign material may be a foreign material formed on the adsorption surface of the micro LED transfer head 1000, a foreign material formed on the upper surface of the micro LED 100, or a foreign material formed in the space between the transfer head 1000 and the first substrate 101. Foreign matter may be present. As the foreign matter that interferes when the micro LED transfer head 1000 adsorbs and detaches the micro LED 100 is removed by the plasma generated between the transfer head 1000 and the first substrate 101, the micro LED ( 100) can be transferred more effectively.

도 8a는 본 발명의 제2실시예의 제1변형례에 따른 마이크로 LED 전사 시스템을 구성하는 마이크로 LED 전사헤드의 도면이다. 제2실시예의 제1변형례는, 제2실시예의 배리어층(1301)이 제거되고 전극(2000)이 양극산화막(1300)의 상부면의 기공을 막으면서 형성되는 구성이라는 점에서 제2실시예의 구성과 차이가 있다. 8A is a diagram of a micro LED transfer head constituting a micro LED transfer system according to a first modified example of the second embodiment of the present invention. The first modification of the second embodiment is similar to that of the second embodiment in that the barrier layer 1301 of the second embodiment is removed and the electrode 2000 is formed while blocking pores on the upper surface of the anodic oxide film 1300. There is a difference in configuration.

전극(2000)은 배리어층이 제거되어 기공의 상,하가 관통되는 구성을 갖는 양극산화막(1300)의 상면에 스퍼터링(sputtering)공정을 통해 형성되며, 증착되는 전극(2000)을 두께를 소정의 두께 이상으로 두껍게 함으로써 전극(2000)의 양극산화막(1300)의 기공을 막으면서 형성된다. The electrode 2000 is formed through a sputtering process on the upper surface of the anodic oxide film 1300 having a configuration in which the top and bottom of the pores pass through the barrier layer is removed, and the deposited electrode 2000 is formed to a predetermined thickness. It is formed while blocking the pores of the anodic oxide film 1300 of the electrode 2000 by making it thicker than the thickness.

제2실시예의 제1변형례는 전극(2000)을 패턴화하여 구성될 수 있다는 점에서 제2실시예의 배리어층(1301)의 상부에 형성되는 전극 구성에 비해 전극(2000) 구성의 설계 제한을 줄일 수 있는 효과가 있다. In the first modification of the second embodiment, in that the electrode 2000 can be formed by patterning, the design of the electrode 2000 is limited compared to the electrode configuration formed on the barrier layer 1301 of the second embodiment. has the effect of reducing it.

도 8b는 본 발명의 제2실시예의 제2변형례에 따른 마이크로 LED 전사 시스템을 구성하는 마이크로 LED 전사헤드의 도면이다. 제2실시예의 제2변형례는, 양극산화막(1300)의 상면에 형성되는 플라즈마 생성 전극(2000)이 양극산화막(1300)의 기공을 막지 않는 구성으로 형성된다는 점에서 제2실시예의 제1변형례의 구성과 차이가 있다. 8B is a diagram of a micro LED transfer head constituting a micro LED transfer system according to a second modified example of the second embodiment of the present invention. The second modification of the second embodiment is the first modification of the second embodiment in that the plasma generating electrode 2000 formed on the upper surface of the anodic oxide film 1300 is formed in such a way that the pores of the anodic oxide film 1300 are not blocked. There is a difference in the composition of the example.

전극(2000)은 배리어층이 제거되어 기공의 상,하가 관통되는 구성을 갖는 양극산화막(1300)의 상면에 스퍼터링(sputtering)공정을 통해 형성되며, 증착되는 전극(2000)을 두께를 소정의 두께 이하로 얇게 함으로써 전극(2000)의 양극산화막(1300)의 기공을 막지 않도록 하면서 기공 주변부 상면에 증착되도록 한다. The electrode 2000 is formed through a sputtering process on the upper surface of the anodic oxide film 1300 having a configuration in which the top and bottom of the pores pass through the barrier layer is removed, and the deposited electrode 2000 is formed to a predetermined thickness. By making the thickness less than or equal to the thickness, the anodic oxide film 1300 of the electrode 2000 is deposited on the upper surface of the pore periphery while not blocking the pores.

위와 같은 구성을 통해, 제2실시예의 제2변형례는 마이크로 LED 전사 헤드(1000)의 전체 면을 통해 마이크로 LED(100)를 흡착할 수 있는 구성이 되면서 플라즈마를 전체적으로 균일하게 생성할 수 있는 구성이 된다. 이를 통해 마이크로 LED(100)의 흡착 및 탈착에 방해가 되는 방해요인을 전체적으로 제거할 수 있는 효과를 발휘하게 된다. Through the above configuration, the second modification of the second embodiment has a configuration capable of adsorbing the micro LED 100 through the entire surface of the micro LED transfer head 1000 and uniformly generating plasma as a whole becomes Through this, an effect of completely removing interfering factors that interfere with adsorption and desorption of the micro LED 100 is exhibited.

도 8c는 본 발명의 제2실시예의 제3변형례에 따른 마이크로 LED 전사 시스템을 구성하는 마이크로 LED 전사헤드의 도면이다. 제2실시예의 제3변형례는, 전극(2000)이 양극산화막(1300)의 하부면에 형성된다는 점에서 제2실시예의 구성과 차이가 있다. 8C is a diagram of a micro LED transfer head constituting a micro LED transfer system according to a third modified example of the second embodiment of the present invention. The third modification of the second embodiment is different from the configuration of the second embodiment in that the electrode 2000 is formed on the lower surface of the anodic oxide film 1300 .

전극(2000)은 양극산화막(1300)의 하면에 스퍼터링(sputtering)공정을 통해 형성되며, 증착되는 전극(2000)을 두께를 소정의 두께 이하로 얇게 함으로써 전극(2000)의 양극산화막(1300)의 기공을 막지 않도록 하면서 기공 주변부 상면에 증착되도록 한다. The electrode 2000 is formed on the lower surface of the anodic oxide film 1300 through a sputtering process. It is allowed to deposit on the upper surface of the periphery of the pores without blocking the pores.

위와 같은 구성을 통해, 제2실시예의 제3변형례는, 마이크로 LED 전사헤드(1000)와 제1기판(101) 사이에서 플라즈마를 보다 쉽게 생성할 수 있게 되므로, 마이크로 LED 전사헤드(1000)와 제1기판(101) 사이에 생성된 흡착 및 탈착의 방해 요인을 보다 쉽게 제거할 수 있게 된다. Through the above configuration, the third modified example of the second embodiment can more easily generate plasma between the micro LED transfer head 1000 and the first substrate 101, so that the micro LED transfer head 1000 and It is possible to more easily remove factors that interfere with adsorption and desorption generated between the first substrates 101 .

도 9a는 본 발명의 제2실시예의 제4변형례에 따른 마이크로 LED 전사 시스템을 구성하는 마이크로 LED 전사헤드의 도면이다. 도 9b는 본 발명의 제2실시예의 제5변형례에 따른 마이크로 LED 전사 시스템을 구성하는 마이크로 LED 전사헤드의 도면이며, 도 9c는 본 발명의 제2실시예의 제6변형례에 따른 마이크로 LED 전사 시스템을 구성하는 마이크로 LED 전사헤드의 도면이다.9A is a diagram of a micro LED transfer head constituting a micro LED transfer system according to a fourth modified example of the second embodiment of the present invention. 9b is a diagram of a micro LED transfer head constituting a micro LED transfer system according to a fifth modification of the second embodiment of the present invention, and FIG. 9c is a micro LED transfer head according to a sixth modification of the second embodiment of the present invention. It is a drawing of the micro LED transfer head constituting the system.

제2실시예의 제4 내지 제6변형례는 양극산화막(1300)의 상, 하면에 플라즈마 생성 전극(2100, 2300)이 형성된다. 다시 말해 제2실시예의 제4 내지 제6변형례는 제1전극(2100)이 양극산화막(1300)의 상면에 형성되고, 제2전극(2300)은 양극산화막(1300)의 하면에 형성된다. 구체적으로는, 제2실시예의 제4변형례는 제2실시예의 구성에 양극산화막(1300)의 하면에 추가로 형성되는 제2전극(2300)을 갖고, 제2실시예의 제5변형례는 제2실시예의 제1변형례의 구성에 양극산화막(1300)의 하면에 추가로 형성되는 제2전극(2300)을 가지며, 제2실시예의 제6변형례는 제2실시예의 제2변형례의 구성에 양극산화막(1300)의 하면에 추가로 형성되는 제2전극(2300)을 갖는다. 여기서, 제2전극(2300)은 양극산화막(1300)의 하면에 스퍼터링(sputtering)공정을 통해 형성되며, 증착되는 제2전극(2300)의 두께를 소정의 두께 이하로 얇게 함으로써 양극산화막(1300)의 기공을 막지 않도록 하면서 기공 주변부 하면에 증착되도록 한다.In the fourth to sixth modifications of the second embodiment, the plasma generating electrodes 2100 and 2300 are formed on the upper and lower surfaces of the anodic oxide film 1300 . In other words, in the fourth to sixth modifications of the second embodiment, the first electrode 2100 is formed on the upper surface of the anodic oxide film 1300, and the second electrode 2300 is formed on the lower surface of the anodic oxide film 1300. Specifically, the fourth modification of the second embodiment has a second electrode 2300 additionally formed on the lower surface of the anodic oxide film 1300 in the configuration of the second embodiment, and the fifth modification of the second embodiment In addition to the configuration of the first modification of the second embodiment, the second electrode 2300 is additionally formed on the lower surface of the anodic oxide film 1300, and the sixth modification of the second embodiment has the configuration of the second modification of the second embodiment. A second electrode 2300 additionally formed on the lower surface of the anodic oxide film 1300 is provided. Here, the second electrode 2300 is formed on the lower surface of the anodic oxide film 1300 through a sputtering process, and by reducing the thickness of the deposited second electrode 2300 to a predetermined thickness or less, the anodic oxide film 1300 It is deposited on the lower surface of the periphery of the pores without blocking the pores.

위와 같은 구성을 통해, 제2실시예의 제4 내지 제6변형례의 마이크로 LED 전사헤드(1000)는 마이크로 LED(100)를 전사하는 기능 뿐만 아니라 마이크로 LED 전사헤드(1000) 자체만으로 플라즈마를 생성하는 기능을 동시에 수행할 수 있게 된다. 제2실시예의 제4변형례의 구성에 따르면, 마이크로 LED 전사헤드(1000)가 제1기판(101) 상에 위치하지 않더라도, 이동 중에도 플라즈마 생성이 가능하다. 마이크로 LED 전사 헤드(1000)가 제1기판(101)에서 제2기판(300)으로 마이크로 LED(100)를 전사한 이후에, 다시 제1기판(101)으로 복귀하는 과정에서 플라즈마를 생성시켜 흡착 및 탈착의 방해요인을 제거할 수 있으므로 단위 시간당 공정속도가 향상되는 효과를 발휘할 수 있게 된다. Through the above configuration, the micro LED transfer head 1000 of the fourth to sixth modifications of the second embodiment not only transfers the micro LED 100 but also generates plasma only by the micro LED transfer head 1000 itself. functions can be performed simultaneously. According to the configuration of the fourth modified example of the second embodiment, even if the micro LED transfer head 1000 is not located on the first substrate 101, plasma generation is possible even while moving. After the micro LED transfer head 1000 transfers the micro LED 100 from the first substrate 101 to the second substrate 300, in the process of returning to the first substrate 101, plasma is generated and absorbed. And since it is possible to remove obstacles to desorption, it is possible to exhibit the effect of improving the process speed per unit time.

제3실시예3rd embodiment

이하, 본 발명의 제3실시예에 대해 살펴본다. Hereinafter, look at the third embodiment of the present invention.

제1,2실시예는 플라즈마를 발생시키기 위한 전극 중 적어도 하나가 마이크로 LED 전사헤드(1000)에 구비되는 구성인 반면에, 제3실시예는 마이크로 LED 전사헤드(1000)에는 플라즈마를 발생시키는 전극이 별도로 형성되지 않고, 플라즈마 생성부(3000)가 마이크로 LED 전사헤드(1000)와는 별도로 구비된다는 점에서 차이가 있다. In the first and second embodiments, at least one of the electrodes for generating plasma is provided in the micro LED transfer head 1000, whereas in the third embodiment, the electrode for generating plasma is included in the micro LED transfer head 1000. There is a difference in that the plasma generating unit 3000 is provided separately from the micro LED transfer head 1000 without being formed separately.

제3실시예에 따른 플라즈마 생성부(3000)는 플라즈마를 생성하기 위한 전극(3100)이 구비되며, 플라즈마 생성부(3000)를 통해 발생한 플라즈마는 마이크로 LED 전사헤드(1000)의 하부 표면에 조사된다. 이를 통해 마이크로 LED 전사헤드(1000)는 마이크로 LED를 전사하는 고유 기능을 수행하고, 별도의 플라즈마 생성부(3000)를 구비하여 마이크로 LED 전사헤드(1000)의 하부 표면에 부착된 흡착 및 탈착의 방해요인을 제거할 수 있게 된다. The plasma generator 3000 according to the third embodiment includes an electrode 3100 for generating plasma, and the plasma generated through the plasma generator 3000 is irradiated to the lower surface of the micro LED transfer head 1000. . Through this, the micro LED transfer head 1000 performs a unique function of transferring the micro LED, and has a separate plasma generating unit 3000 to prevent adsorption and detachment attached to the lower surface of the micro LED transfer head 1000. factors can be eliminated.

이상의 실시예 및 그 변형례들은 마이크로 LED 전사헤드의 구성은 기공을 갖는 다공성 부재인 것을 예시하여 흡입력을 이용하여 마이크로 LED를 전사하는 구성인 것으로 설명하고 있으나, 본 발명의 마이크로 LED 전사헤드는 기공을 갖는 다공성 부재에 한정되는 것은 아니고 마이크로 LED를 흡착하여 전사할 수 있는 구성이라는 모두 포함된다 할 것이다. 예컨대, 마이크로 LED 전사헤드가 마이크로 LED를 흡착하는 흡착력에는 정전기력, 자기력, 흡입력 중 적어도 어느 하나 일 수 있다. The above embodiments and their modifications illustrate that the configuration of the micro LED transfer head is a porous member having pores and is described as a configuration that transfers the micro LED using suction force, but the micro LED transfer head of the present invention is a porous member having pores. It is not limited to the porous member having, but will include all configurations capable of adsorbing and transferring micro LEDs. For example, the micro LED transfer head may have at least one of electrostatic force, magnetic force, and suction force as the adsorption force for adsorbing the micro LED.

전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 참조하여 설명 하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.As described above, although it has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art can variously modify the present invention within the scope not departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. Or it can be carried out by modifying.

100: 마이크로 LED 101: 성장기판
300: 표시기판 1000: 전사헤드100: micro LED 101: growth substrate
300: display board 1000: transfer head

Claims (6)

제1기판에서 제2기판으로 마이크로 LED를 전사하는 전사헤드; 및
상기 전사헤드 하면에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 생성부를 포함하고,
상기 전사헤드는,
기공을 갖는 양극산화막의 다공성 부재; 및
상기 양극산화막의 상부에 위치하는 전극;을 포함하고,
상기 플라즈마 생성부는 상기 전극을 통해 인가되는 전원에 의해 상기 전사헤드와 상기 제1기판 사이에 플라즈마를 생성하여 상기 전사헤드의 흡착면에 형성된 이물질을 제거하는, 마이크로 LED 전사 시스템.
a transfer head transferring the micro LED from the first substrate to the second substrate; and
A plasma generating unit for generating plasma on the lower surface of the transfer head;
The transfer head,
A porous member of an anodic oxide film having pores; and
An electrode positioned on top of the anodic oxide film; includes,
The plasma generating unit generates plasma between the transfer head and the first substrate by power applied through the electrode to remove foreign substances formed on the adsorption surface of the transfer head.
 제1항에 있어서,
상기 양극산화막의 상부에 진공 챔버가 구비되는, 마이크로 LED 전사 시스템.
According to claim 1,
A micro LED transfer system in which a vacuum chamber is provided on top of the anodic oxide film.
 제1항에 있어서,
상기 양극산화막은 마이크로 LED를 진공 흡착하는 흡착영역과 마이크로 LED를 흡착하지 않는 비흡착영역을 포함하고,
상기 비흡착영역의 상부에 상기 전극이 형성되는, 마이크로 LED 전사 시스템.
According to claim 1,
The anodic oxidation film includes an adsorption area for vacuum adsorption of the micro LED and a non-adsorption area for not adsorbing the micro LED;
The electrode is formed on top of the non-adsorption area, micro LED transfer system.
 제1항에 있어서,
상기 전극은 패턴화하여 구성되는, 마이크로 LED 전사 시스템.
According to claim 1,
The electrode is configured by patterning, the micro LED transfer system.
 제1항에 있어서,
상기 양극산화막은, 배리어층을 포함하고,
상기 배리어층의 일부가 제거되어 기공의 상, 하가 서로 관통되도록 형성되는 흡착영역이 형성되는, 마이크로 LED 전사 시스템.
According to claim 1,
The anodic oxide film includes a barrier layer,
A micro LED transfer system in which a portion of the barrier layer is removed to form an adsorption area formed so that the top and bottom of the pores pass through each other.
 제1항에 있어서,
상기 양극산화막의 하면에 형성되는 제2전극을 포함하는, 마이크로 LED 전사 시스템.
According to claim 1,
A micro LED transfer system comprising a second electrode formed on the lower surface of the anodic oxide film.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240073946A (en) * 2021-10-01 2024-05-27 엘지전자 주식회사 display manufacturing device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005311298A (en) * 2004-01-22 2005-11-04 Bondotekku:Kk Joining method, and device and apparatus formed by method

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100304981B1 (en) * 1999-07-15 2001-11-01 김영환 Method for removing residual charge on surface of wafer
US6410942B1 (en) 1999-12-03 2002-06-25 Cree Lighting Company Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays
KR20030012565A (en) * 2001-08-01 2003-02-12 나기창 Apparatus for cleaning semiconductor wafer by means of plasma
KR100845896B1 (en) * 2006-06-29 2008-07-16 주식회사 뉴파워 프라즈마 Plasma processing system and method for preventing arcking in between electrostatic chuck and substrate
KR101801264B1 (en) * 2011-06-13 2017-11-27 삼성전자주식회사 Apparatus of manufacturing semiconductor and Method for packaging semiconductor using the same
EP2780954B1 (en) 2011-11-18 2019-10-16 Apple Inc. Method of forming a micro led structure
US9601356B2 (en) 2014-06-18 2017-03-21 X-Celeprint Limited Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures
KR101757404B1 (en) 2015-07-24 2017-07-12 한국기계연구원 Selective continuous transferring apparatus based on adhesion-controlled film
KR102402189B1 (en) 2015-08-26 2022-05-25 엘지전자 주식회사 Transfer unit for micro device
KR102465382B1 (en) 2015-08-31 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 Diplay apparatus and manufacturing method for the same
KR20170047652A (en) * 2015-10-23 2017-05-08 한화테크윈 주식회사 Component mounting apparatus
KR101754528B1 (en) 2016-03-23 2017-07-06 한국광기술원 Transfer assembly with dry adhesion structure and method for transferring led structure assembly using the same and led structure assembly

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005311298A (en) * 2004-01-22 2005-11-04 Bondotekku:Kk Joining method, and device and apparatus formed by method

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