KR20200001332A - High efficiency PERC solar cell - Google Patents
High efficiency PERC solar cell Download PDFInfo
- Publication number
- KR20200001332A KR20200001332A KR1020180074159A KR20180074159A KR20200001332A KR 20200001332 A KR20200001332 A KR 20200001332A KR 1020180074159 A KR1020180074159 A KR 1020180074159A KR 20180074159 A KR20180074159 A KR 20180074159A KR 20200001332 A KR20200001332 A KR 20200001332A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- solar cell
- layer
- perc solar
- contact resistance
- semiconductor substrate
- Prior art date
Links
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 title claims abstract 17
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 title claims abstract 17
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 title claims abstract 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 115
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 41
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 33
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 13
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 12
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims description 7
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910018287 SbF 5 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 6
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VRAIHTAYLFXSJJ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical compound [AlH3].[AlH3] VRAIHTAYLFXSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007499 fusion processing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000003100 immobilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
- H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
- H01L31/022475—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of indium tin oxide [ITO]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
- H01L31/022483—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of zinc oxide [ZnO]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0328—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L31/0272 - H01L31/032
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1868—Passivation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
Description
본 발명은 태양전지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 PERC형 태양전지에 관한 것이다.The present invention relates to a solar cell, and more particularly to a PERC solar cell.
결정계 태양전지 셀의 변환 효율(발전 효율) 및 신뢰성 등을 향상시키는 것을 목적으로 여러가지 연구 개발이 실시되고있으며, 그 하나로 PERC(Passivated emitter and rear cell)형 고변환 효율 셀이 알려져 있다. PERC형 태양전지는 PESC 태양전지에서 후면전극 구조를 개선하여 전압 특성을 향상시키고자 고안된 태양전지이다. PESC 전지에서 후면전극 문제를 해결하기 위해서 알루미늄 대신에 보론을 후면에 확산시켜 보았지만 보론 확산은 실리콘 표면에 손상을 주고 실리콘 내부의 life time을 줄여서 오히려 개방전압과 단락 전류밀도를 낮추는 요인이 되었다. PESC의 후면 금속 전극에서 생기는 문제점을 개선하기 위해서는 전지의 에미터 뿐만 아니라 후면도 passivation이 필요하게 되었다. 후면의 알루미늄을 실리콘 산화막으로 대치하고 극히 일부분의 산화막을 제거하여 금속 전극을 직접 실리콘에 형성하는 구조가 개발되었다. 이러한 PERC형 고변환 효율 셀에서는 질화규소, 산화규소, 산화알루미늄 등으로 형성되는 반사 방지막이 태양전지 셀의 수광면과 반대측의 면에 형성된다. 이 반사 방지막에 레이저로 구멍을 형성하고, 이 구멍을 통해 실리콘 기판과 전기적으로 접촉하도록 알루미늄 전극층이 형성된다. 이러한 PERC 구조에서는 상기 알루미늄 전극층에서 알루미늄 원자의 확산에 의해 형성된 p+층이 존재한다. 이 p+층의 존재로 생성 캐리어의 수집 효율을 향상시키는 BSF(Back Surface Field) 효과를 얻을 수 있다. 또한, 상기 반사 방지막은 이른바 패시베이션 막으로 작용하기 때문에, 실리콘 기판 표면에서의 전자의 재결합이 억제됨으로써, 발생한 캐리어의 재결합을 줄일 수 있게 된다. 그 결과, 높은 전압을 얻을 수 있어 태양전지 셀의 변환 효율을 높일 수 있다. 그러나 PERC형 태양전지는 생산 단가가 높아 양산화가 어렵다는 단점이 있다. 이를 해결하기 위한 방법의 일환으로 전면 은(Ag)전극을 알루미늄(Al)전극으로 대체하는 방법이 고안되었으나, 알루미늄은 은에 비해 접촉저항이 높아 알루미늄 전면전극과 고저항 에미터 사이의 접촉저항 증가로 인해 PERC형 태양전지의 효율이 감소하는 문제점이 발생하게 되었다. 따라서, 알루미늄 전극과 고저항 에미터 사이의 접촉저항을 감소시키기 위한 기술개발이 요구되고 있다.Various research and developments have been carried out for the purpose of improving the conversion efficiency (generation efficiency) and reliability of crystalline solar cells, and one of them is known as a PERC (Passivated Emitter and Rear Cell) type high conversion efficiency cell. PERC solar cell is a solar cell designed to improve the voltage characteristics by improving the back electrode structure in PESC solar cell. In order to solve the back electrode problem in PESC cells, boron was diffused on the back instead of aluminum, but the boron diffusion caused the damage to the silicon surface and shortened the life time inside the silicon, thereby reducing the open voltage and short-circuit current density. In order to improve the problem of PESC's back metal electrodes, passivation is required on the back of the cell as well as the emitter. A structure was developed in which aluminum on the back was replaced with a silicon oxide film and a portion of the oxide film was removed to form a metal electrode directly on silicon. In such a PERC type high conversion efficiency cell, an antireflection film formed of silicon nitride, silicon oxide, aluminum oxide, or the like is formed on the surface opposite to the light receiving surface of the solar cell. A hole is formed in the antireflection film with a laser, and an aluminum electrode layer is formed so as to be in electrical contact with the silicon substrate through the hole. In such a PERC structure, there is a p + layer formed by diffusion of aluminum atoms in the aluminum electrode layer. The presence of this p + layer can achieve a BSF (Back Surface Field) effect that improves the collection efficiency of the production carriers. In addition, since the antireflection film acts as a so-called passivation film, recombination of electrons on the surface of the silicon substrate is suppressed, so that recombination of carriers generated can be reduced. As a result, a high voltage can be obtained and the conversion efficiency of a solar cell can be improved. However, the PERC solar cell is difficult to mass-produce due to high production cost. As a method to solve this problem, a method of replacing the front silver (Ag) electrode with an aluminum (Al) electrode has been devised. However, aluminum has a higher contact resistance than silver, thereby increasing the contact resistance between the aluminum front electrode and the high-resistance emitter. Due to this problem, the efficiency of the PERC solar cell is reduced. Therefore, there is a need for technology development for reducing contact resistance between aluminum electrodes and high resistance emitters.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 고효율 PERC형 태양전지를 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a high efficiency PERC solar cell.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 알루미늄 전면전극과 에미터 사이의 접촉저항을 감소시킨 PERC형 태양전지를 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a PERC solar cell having a reduced contact resistance between the aluminum front electrode and the emitter.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is not limited to the technical problem mentioned above, and other technical problems not mentioned above may be clearly understood by those skilled in the art from the following description. There will be.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는 PERC 태양전지를 제공한다.In order to achieve the above technical problem, an embodiment of the present invention provides a PERC solar cell.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 PERC 태양전지는 반도체기판, 상기 반도체기판 상부에 형성되며, 상기 반도체기판과 서로 다른 도전형을 가지는 에미터층, 상기 에미터층 상에 위치하는 접촉저항감소층, 상기 접촉저항감소층 상에 위치하는 전면 패시베이션 층, 상기 접촉저항감소층과 접촉하여 상기 에미터 층에 전기적으로 연결되는 알루미늄 전면전극, 상기 반도체기판 하부에 위치하는 후면 패시베이션 층 및 상기 후면 패시베이션 층 하에 위치하고, 개구부를 통해 상기 반도체기판에 전기적으로 연결되는 후면전극을 포함한다.In an embodiment of the present invention, the PERC solar cell is formed on a semiconductor substrate, the semiconductor substrate, the emitter layer having a different conductivity type from the semiconductor substrate, a contact resistance reduction layer located on the emitter layer, A front passivation layer on the contact resistance reduction layer, an aluminum front electrode electrically connected to the emitter layer in contact with the contact resistance reduction layer, a rear passivation layer located below the semiconductor substrate, and under the rear passivation layer And a back electrode electrically connected to the semiconductor substrate through an opening.
이때, 상기 접촉저항감소층은 상기 알루미늄 전면전극과 상기 에미터층 사이의 접촉저항을 감소시키는 것을 특징으로 한다.In this case, the contact resistance reducing layer is characterized in that for reducing the contact resistance between the aluminum front electrode and the emitter layer.
이때, 상기 후면전극과 접촉된 상기 반도체기판의 일영역에 후면 전계 영역이 형성되는 것을 특징으로 한다.In this case, a back surface electric field is formed in one region of the semiconductor substrate in contact with the back electrode.
이때, 상기 반도체기판은 단결정 실리콘 또는 다결정 실리콘을 포함할 수 있다.In this case, the semiconductor substrate may include single crystal silicon or polycrystalline silicon.
이때, 상기 반도체기판은 p형 불순물을 포함하는 것을 특징으로 한다.At this time, the semiconductor substrate is characterized in that it comprises a p-type impurity.
이때, 상기 p형 불순물은 보론(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 또는 인듐(In)을 포함할 수 있다.In this case, the p-type impurity may include boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga) or indium (In).
이때, 상기 접촉저항감소층은 LiFx를 포함하고, 상기 x는 0.8 < x < 1.0인 것을 특징으로 한다.In this case, the contact resistance reduction layer includes LiF x , wherein x is 0.8 <x <1.0.
이때, 상기 접촉저항감소층의 두께는 8nm 내지 10nm인 것을 특징으로 한다.At this time, the thickness of the contact resistance reducing layer is characterized in that 8nm to 10nm.
이때, 상기 전면 패시베이션층은 Si, W, V, Ni, Mo, Sb, Cu 또는 Sr의 산화물; 질화 실리콘; 및 MgO, ZnO, CeO2, TiO2, Ba, Ca, Mg, CaF2, BaF2, ZnF2, MgF, NaF, LiF, SrF2, TiF4, TaF6, BiF3, SbF5, KF, PbF2 및 ZrF4;로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.At this time, the front passivation layer is an oxide of Si, W, V, Ni, Mo, Sb, Cu or Sr; Silicon nitride; And MgO, ZnO, CeO2, TiO 2 , Ba, Ca, Mg,
이때, 상기 후면 패시베이션층은 Si, W, V, Ni, Mo, Sb, Cu 또는 Sr의 산화물; 질화 실리콘; 및 MgO, ZnO, CeO2, TiO2, Ba, Ca, Mg, CaF2, BaF2, ZnF2, MgF, NaF, LiF, SrF2, TiF4, TaF6, BiF3, SbF5, KF, PbF2 및 ZrF4;로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.At this time, the back passivation layer is an oxide of Si, W, V, Ni, Mo, Sb, Cu or Sr; Silicon nitride; And MgO, ZnO, CeO2, TiO 2 , Ba, Ca, Mg,
이때, 상기 후면전극은 Ag, Au, Pd, Pt, Cu, Cr, Co, Al, Sn, Pb, Zn, Fe, Ir, Os, Rh, W, Mo, Ni, Mg, Mn, Ba ITO(인듐주석산화물) 또는 ZnO(산화아연)을 포함할 수 있다.At this time, the back electrode is Ag, Au, Pd, Pt, Cu, Cr, Co, Al, Sn, Pb, Zn, Fe, Ir, Os, Rh, W, Mo, Ni, Mg, Mn, Ba ITO (Indium Tin oxide) or ZnO (zinc oxide).
이때, 상기 전면 패시베이션층 상에 위치하는 반사방지코팅층을 더 포함할 수 있다.At this time, it may further include an anti-reflection coating layer located on the front passivation layer.
이때, 상기 반사방지코팅층은 질화 실리콘(SiNx), 실리콘(SiO2), 산화 티타늄(TiO2), 불화칼슘(CaF2) 또는 산화세륨(CeO2)을 포함할 수 있다.In this case, the anti-reflective coating layer may include silicon nitride (SiN x ), silicon (SiO 2 ), titanium oxide (TiO 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ) or cerium oxide (CeO 2 ).
본 발명의 실시예에 따르면, 고효율 PERC형 태양전지를 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to provide a high efficiency PERC solar cell.
본 발명의 실시예에 따르면, 알루미늄 전면전극과 에미터 사이의 접촉저항을 감소시킨 PERC형 태양전지를 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to provide a PERC solar cell having reduced contact resistance between an aluminum front electrode and an emitter.
본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, but should be understood to include all the effects deduced from the configuration of the invention described in the detailed description or claims of the present invention.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 PERC 태양전지를 나타낸 모식도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 PERC 태양전지를 나타낸 모식도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 PERC 태양전지를 나타낸 모식도이다.
도 4는 비교예에 의해 제조된 종래 PERC 태양전지용 전극의 모식도 및 접촉저항 측정위치를 나타낸 사진이다.
도 5는 비교예에 의해 제조된 종래 PERC 태양전지용 전극의 접촉저항을 나타낸 그래프이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 접촉저항감소층을 구비한 PERC 태양전지용 전극의 접촉저항을 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 접촉저항감소층을 구비한 PERC 태양전지용 전극의 접촉저항률을 나타낸 그래프이다.1 is a schematic diagram showing a PERC solar cell according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a schematic diagram showing a PERC solar cell according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a schematic diagram showing a PERC solar cell according to an embodiment of the present invention.
4 is a photograph showing a schematic diagram and a contact resistance measurement position of a conventional PERC solar cell electrode manufactured by a comparative example.
5 is a graph showing the contact resistance of the electrode for a conventional PERC solar cell manufactured by a comparative example.
6 is a graph showing the contact resistance of the electrode for PERC solar cell provided with a contact resistance reducing layer according to an embodiment of the present invention.
7 is a graph showing the contact resistivity of the electrode for PERC solar cells provided with a contact resistance reducing layer according to an embodiment of the present invention.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결(접촉, 접촉, 결합)"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is "connected (contacted, contacted, coupled)" with another part, it is not only "directly connected" but also "indirectly connected" with another member in between. "Includes the case. In addition, when a part is said to "include" a certain component, this means that it may further include other components, without excluding the other components unless otherwise stated.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. As used herein, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described on the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, components, or a combination thereof.
이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 일실시예에 따른 PERC 태양전지를 설명한다.It describes a PERC solar cell according to an embodiment of the present invention.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 PERC 태양전지를 나타낸 모식도이다.1 is a schematic diagram showing a PERC solar cell according to an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 PERC 태양전지를 나타낸 모식도이다.Figure 2 is a schematic diagram showing a PERC solar cell according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 PERC 태양전지를 나타낸 모식도이다.Figure 3 is a schematic diagram showing a PERC solar cell according to an embodiment of the present invention.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 상기 PERC 태양전지(100)는 반도체기판(110), 상기 반도체기판(110) 상부에 형성되며, 상기 반도체기판(100)과 서로 다른 도전형을 가지는 에미터층(20), 상기 에미터층(20) 상에 위치하는 접촉저항감소층(200), 상기 접촉저항감소층(200) 상에 위치하는 전면 패시베이션(320) 층, 상기 접촉저항감소층(200)과 접촉하여 상기 에미터층(20)에 전기적으로 연결되는 알루미늄 전면전극(420), 상기 반도체기판(110) 하부에 위치하는 후면 패시베이션(330) 층 및 상기 후면 패시베이션층(330) 하에 위치하고, 개구부를 통해 상기 반도체 기판(110)에 전기적으로 연결되는 후면전극(430)을 포함할 수 있다. 1 to 3, the PERC
이때, 상기 후면전극(430)과 접촉된 상기 반도체기판(110)의 일영역에 후면 전계 영역(30)이 형성되는 것을 특징으로 한다.In this case, the back
이때, 상기 반도체기판은 단결정 실리콘 또는 다결정 실리콘을 포함할 수 있다.In this case, the semiconductor substrate may include single crystal silicon or polycrystalline silicon.
이때, 상기 반도체기판은 p형 불순물을 포함하는 것을 특징으로 한다.At this time, the semiconductor substrate is characterized in that it comprises a p-type impurity.
이때, 상기 p형 불순물은 보론(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 또는 인듐(In)을 포함할 수 있다.In this case, the p-type impurity may include boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga) or indium (In).
이때, 상기 에미터층은 n형 불순물을 포함하는 것을 특징으로 한다.In this case, the emitter layer is characterized in that it contains n-type impurities.
이때, 상기 n형 불순물은 인(P), 비소(As), 비스무스(Bi) 또는 안티몬(Sb)을 포함할 수 있다.In this case, the n-type impurity may include phosphorus (P), arsenic (As), bismuth (Bi), or antimony (Sb).
더욱 상세하게는, 상기 반도체 기판(110)은 도전형 영역인 에미터층(20) 및 후면 전계 영역(30)이 형성되는 영역과 상기 도전형 영역(20, 30)이 형성되지 않는 부분인 베이스 영역(10)을 포함한다. 예를 들어, 상기 베이스 영역(10)은 도전형 불순물을 포함하는 실리콘을 포함할 수 있다. 예를 들어, 실리콘으로는 단결정 실리콘 또는 다결정 실리콘이 사용될 수 있으며, 상기 도전형 불순물은 p형일 수 있다. 예를 들어, 상기 베이스 영역(10)은 3족 원소를 포함하는 p형 불순물이 낮은 농도로 도핑된 단결정 또는 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있다.More specifically, the
예를 들어, 상기 베이스 영역(10)이 p형인 경우, 상기 에미터층(20)이 n형이고 상기 후면 전계 영역(30)은 p형일 수 있다.For example, when the
바람직하게는, 상기 반도체 기판(110)의 전면은 텍스쳐링(texturing)되어 피라미드 등의 형태의 요철을 가질 수 있다. 이와 같은 텍스쳐링에 의해 상기 반도체 기판(110)의 전면 등에 요철이 형성되어 표면 거칠기가 증가되면, 반도체 기판(110)의 전면을 통하여 입사되는 광의 반사율을 낮출 수 있다. 이를 통해 상기 반도체 기판(110)과 상기 에미터층(20)의 계면에 형성된 pn 접합까지 도달하는 광량을 증가시켜, 광 손실을 최소화할 수 있다. Preferably, the front surface of the
이때, 상기 반도체 기판(110)의 후면은 전면보다 낮은 표면 거칠기를 가지는 상대적으로 매끈하고 평탄한 면으로 이루어지는 것이 바람직하다. 상기 반도체 기판(110)의 후면이 전면보다 평탄할 경우, 상기 반도체 기판(110)을 통과하여 후면으로 향하는 광을 후면에서 반사하여 다시 반도체 기판(110)으로 향하도록 할 수 있다. 따라서 pn 접합에 도달하는 광량을 증가시켜 태양 전지(100)의 효율을 향상할 수 있다.At this time, the back surface of the
이때, 상기 알루미늄 전면전극(420)은 상기 전면 패시베이션층(320)에 형성된 개구부(contact hole)을 통해 상기 전면 패시베이션층(320)을 관통하여 상기 에미터층(20)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 상기 알루미늄 전면전극(420)과 상기 에미터층(20)은 상기 접촉저항감소층(200)을 사이에 두고 전기적 연결을 형성하는 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 알루미늄 전면전극(420)과 상기 에미터층(20) 사이에 접촉저항감소층(200)을 제공하여 상기 알루미늄 전면전극(420)과 에미터층(20) 사이의 접촉저항을 감소시킬 수 있다. 이때, 상기 알루미늄 전면전극(420)은 다양한 패턴을 형성할 수 있다.In this case, the
이때, 상기 접촉저항감소층(200)은 상기 알루미늄 전면전극(420)과 상기 에미터층(20) 사이의 접촉저항을 감소시키는 것을 특징으로 한다.In this case, the contact
이때, 상기 접촉저항감소층(200)은 LiFx를 포함하고, 상기 x는 0.8 < x < 1.0 인 것을 특징으로 한다.In this case, the contact
예를 들어, 상기 접촉저항감소층(200)은 i-a-Si:H (Hydrogenated intrinsic amorphous silicon) 또는 Si계 박막을 포함할 수 있다.For example, the contact
이때, 상기 접촉저항감소층(200)의 두께는 8nm 내지 10nm인 것을 특징으로 한다.At this time, the thickness of the contact
이때, 상기 접촉저항감소층(200)의 두께가 8nm 미만일 경우, 물리적 증착(Thermal Evaporation등)에 의해 불균일한 성막 (incomplete island growth)이 형성되어 접촉저항 감소에 효과가 없을수 있다. 그러나 이는 적절한 후열처리로서 극복할 수는 있지만 성막성분의 휘발성 때문에 제어가 어려울수 있다.In this case, when the thickness of the contact
이때, 상기 접촉저항감소층(200)의 두께가 10nm 초과일 경우, 두꺼운 두께에 의해 전극과 에미터층사이에 절연체의 역할을 수행하여 캐리어 수집 등 문제가 발생할 수 있다.In this case, when the thickness of the contact
종래 PERC (Passivated emitter and rear cell) 태양전지는 전면 전극으로 은(Ag)전극을 이용해왔으나, 이로부터 생산단가가 높아진다는 문제점이 있었다. 이를 해결하기 위해 은(Ag)전극을 다른 물질로 대체하려는 시도가 있어왔다. 예를 들어, 은(Ag)전극을 알루미늄(Al)전극으로 대체할 경우, 은(Ag)전극의 경우에 비해 알루미늄(Al)전극과 에미터 사이의 접촉저항이 높아져 PERC 태양전지의 발전효율이 감소하는 문제가 발생한다.The conventional PERC (Passivated emitter and rear cell) solar cells have used silver (Ag) electrodes as the front electrodes, but there has been a problem in that the production cost increases. In order to solve this problem, attempts have been made to replace the silver (Ag) electrode with another material. For example, when the silver (Ag) electrode is replaced with the aluminum (Al) electrode, the contact resistance between the aluminum (Al) electrode and the emitter is higher than that of the silver (Ag) electrode, resulting in higher power generation efficiency of the PERC solar cell. There is a decreasing problem.
이를 해결하기 위해 본 발명에서는 알루미늄 전면전극(420)과 에미터층(20) 사이에 접촉저항감소층(200)을 제공하여 상기 알루미늄 전면전극(420)과 에미터층(20) 사이의 접촉저항을 감소시켰다. 이를 통해 본 발명의 실시예에 따른 PERC 태양전지는 종래 알루미늄 알루미늄 전면전극을 이용한 PERC 태양전지보다 높은 발전효율을 가질 수 있다.In order to solve this problem, the present invention provides a contact
또한, 본 발명의 실시예에 따른 PERC 태양전지는 알루미늄 전면전극(420)과 에미터층(20) 사이에 접촉저항감소층(200)을 제공함으로써, 종래 고효율 PERC 태양전지 제조시 수행해야했던 선택적 에미터 구조 형성공정을 배제할 수 있다. 종래 선택적 에미터 구조 형성공정은 마스크 패턴 형성을 위해 별도의 마스크층 증착 공정이 요구됨과 함께 패터닝을 위한 포토리소그래피 공정 또는 레이저 융발 공정이 필요하여 공정이 복잡하고 지속적 소모품이 발생하여 생산단가가 높아진다는 문제점이 있었다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 PERC 태양전지는 알루미늄 전면전극(420)과 에미터층(20) 사이에 접촉저항감소층(200)을 제공함으로써 선택적 에미터 구조형성 없이도 상기 알루미늄 전면전극(420)과 상기 에미터층(20)사이의 접촉저항 감소를 통해 고효율 PERC 태양전지를 제공할 수 있으며, 제작이 용이하다.In addition, PERC solar cell according to an embodiment of the present invention by providing a contact
이때, 상기 전면 패시베이션층(320)은 Si, W, V, Ni, Mo, Sb, Cu 또는 Sr의 산화물; 질화 실리콘; 및 MgO, ZnO, CeO2, TiO2, Ba, Ca, Mg, CaF2, BaF2, ZnF2, MgF, NaF, LiF, SrF2, TiF4, TaF6, BiF3, SbF5, KF, PbF2 및 ZrF4;로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.At this time, the
이때, 상기 전면 패시베이션층(320)은 에미터층(20)의 표면 또는 벌크 내에 존재하는 결함을 부동화하여 소수 캐리어의 재결합 사이트를 제거하여 본 발명의 실시예에 따른 PERC 태양 전지(100)의 개방 전압(Voc)을 증가시켜 상기 PERC 태양전지(100)의 발전효율을 향상시킬 수 있다.In this case, the
이때, 상기 후면 패시베이션층(330)은 Si, W, V, Ni, Mo, Sb, Cu 또는 Sr의 산화물; 질화 실리콘; 및 MgO, ZnO, CeO2, TiO2, Ba, Ca, Mg, CaF2, BaF2, ZnF2, MgF, NaF, LiF, SrF2, TiF4, TaF6, BiF3, SbF5, KF, PbF2 및 ZrF4;로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.At this time, the
이때, 상기 후면 패시베이션층(330)은 상기 반도체 기판(110)의 후면에 존재하는 결함을 부동화하여 소수캐리어의 재결합 사이트를 제거할 수 있으며, 이를 통해 본 발명의 실시예에 따른 PERC 태양 전지(100)의 개방 전압을 증가시킬 수 있다. 바람직하게는, 상기 후면 패시베이션층(330)은 반사가 잘 일어나도록 하여 상기 반도체 기판(110)을 통과한 광이 상기 후면 패시베이션층(330)에서 쉽게 반사되어 pn 접합부에서 재이용될 수 있다.In this case, the
이때, 상기 후면 패시베이션층(330)은 복수개 층의 적층구조로 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 후면 패시베이션층(330)은 제1층(331) 및 제2층(332)으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1층(331)은 실리콘 질화물을 포함하고, 상기 제2층(332)는 금속 산화물 또는 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.In this case, the
이때, 상기 후면전극(430)은 Ag, Au, Pd, Pt, Cu, Cr, Co, Al, Sn, Pb, Zn, Fe, Ir, Os, Rh, W, Mo, Ni, Mg, Mn, Ba ITO(인듐주석산화물) 또는 ZnO(산화아연)을 포함할 수 있다.At this time, the
이때, 상기 후면전극(430)은 개구부(contact hole)을 통해 상기 후면 패시베이션층(330)을 관통하여 상기 반도체기판(110)에 전기적으로 연결된다. 이때, 상기 후면전극(430)이 형성되면서 상기 후면전극(430)과 접촉된 상기 반도체기판(110)의 일영역에 후면 전계 영역(30)을 형성할 수 있다. 이때, 상기 후면전극(430)은 다양한 패턴을 형성할 수 있다.In this case, the
예를 들어, 상기 후면전극(430)은 상기 후면 패시베이션층(330)을 관통하여 상기 반도체기판(110)에 연결되는 컨택부(341)와, 컨택부(341)와 연결되면서 제2 패시베이션 막(32) 하에 전체적으로 형성된 베이스전극부(342)를 포함할 수 있다. 이때, 상기 컨택부(341)는 상기 반도체기판(110)과 점 컨택(point contact)을 형성할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 컨택 방법, 구조, 형상 등에 의하여 컨택부(341)와 상기 반도체기판(110)이 연결될 수 있다.For example, the
이때, 본 발명의 실시예에 따른 PERC 태양전지는 상기 전면 패시베이션층(320) 상에 위치하는 반사방지코팅층(500)(ARC, Anti-Reflective Coating)을 더 포함할 수 있다.In this case, the PERC solar cell according to the embodiment of the present invention may further include an anti-reflective coating layer 500 (ARC, Anti-Reflective Coating) located on the
이때, 상기 반사방지코팅층(500)은 태양광의 표면반사를 작게 해서 투과되는 빛의 세기를 증가시키고 반사로 인한 산란광을 제거하기 위해 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 반사방지코팅층(500)은 질화 실리콘(SiNx), 실리콘(SiO2), 산화 티타늄(TiO2), 불화칼슘(CaF2) 또는 산화세륨(CeO2)을 포함할 수 있다.In this case, the
비교예Comparative example
LiFx 층에 의한 접촉저항 감소 효과를 알아보기 위해 p타입 웨이퍼 상에 위치하는 n타입 에미터 상에 열증착을 통해 은(Ag) 전극을 형성하였다.In order to investigate the effect of reducing the contact resistance caused by the LiFx layer, a silver (Ag) electrode was formed by thermal deposition on an n-type emitter located on a p-type wafer.
실시예Example
LiFx 층에 의한 접촉저항 감소 효과를 알아보기 위해 본 발명의 실시예에 따른 전면전극을 제조하였다.In order to investigate the effect of reducing the contact resistance by the LiFx layer was prepared a front electrode according to an embodiment of the present invention.
먼저, p타입 웨이퍼 상에 위치하는 n타입 에미터 상에 열증착을 통해 LiFx층을 형성하였다.First, a LiF x layer was formed through thermal evaporation on an n-type emitter located on a p-type wafer.
다음, 상기 LiFx층 상에 열증착을 통해 알루미늄(Al) 전극을 형성하였다.Next, an aluminum (Al) electrode was formed by thermal evaporation on the LiF x layer.
실험예Experimental Example
상기 비교예 또는 실시예에 의해 제조된 전극과 에미터 사이의 접촉저항을 측정하였다. 이에 대한 결과는 도 4 내지 도 7, 표 1 및 표 2에 나타내었다.The contact resistance between the electrode and the emitter prepared by the comparative example or the example was measured. The results are shown in FIGS. 4 to 7, Table 1 and Table 2.
도 4는 비교예에 의해 제조된 종래 PERC 태양전지용 전극의 모식도 및 접촉저항 측정위치를 나타낸 사진이다.4 is a photograph showing a schematic diagram and a contact resistance measurement position of a conventional PERC solar cell electrode manufactured by a comparative example.
도 4의 (a)는 비교예에 의해 제조된 종래 PERC 태양전지용 전극의 모식도이고, (b)는 비교예에 의해 제조된 종래 PERC 태양전지용 전극의 접촉저항 측정 위치를 나타낸 사진이다. 각 가로줄을 라인1, 라인2, 라인3으로 지정하였으며 왼쪽 첫 전극을 기준 거리 1로 하여 접촉저항을 측정하였다.Figure 4 (a) is a schematic diagram of a conventional PERC solar cell electrode manufactured by a comparative example, (b) is a photograph showing the contact resistance measurement position of the conventional PERC solar cell electrode manufactured by a comparative example. Each horizontal line was designated as line 1,
도 5는 비교예에 의해 제조된 종래 PERC 태양전지용 전극의 접촉저항을 나타낸 그래프이다.5 is a graph showing the contact resistance of the electrode for a conventional PERC solar cell manufactured by a comparative example.
표 1은 비교예에 의해 제조된 종래 PERC 태양전지용 전극의 접촉저항을 나타낸다.Table 1 shows the contact resistance of the electrode for a conventional PERC solar cell manufactured by a comparative example.
(Ω)Contact resistance
(Ω)
도 4 내지 도 5 및 표 1을 참조하면, 종래 PERC 태양전지용 전극으로 은(Ag)을 활용했을때의 접촉저항은 약 24.474Ω으로 측정되었음을 알 수 있다.4 to 5 and Table 1, it can be seen that the contact resistance when using silver (Ag) as a conventional electrode for PERC solar cells was measured to be about 24.474Ω.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 접촉저항감소층을 구비한 PERC 태양전지용 전극의 접촉저항을 나타낸 그래프이다.6 is a graph showing the contact resistance of the electrode for PERC solar cells provided with a contact resistance reducing layer according to an embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 접촉저항감소층을 구비한 PERC 태양전지용 전극의 접촉저항률을 나타낸 그래프이다.7 is a graph showing the contact resistivity of the electrode for PERC solar cells provided with a contact resistance reducing layer according to an embodiment of the present invention.
표 2는 본 발명의 실시예에 따른 접촉저항감소층을 구비한 PERC 태양전지용 전극의 접촉저항 및 접촉저항률을 나타낸다.Table 2 shows the contact resistance and the contact resistivity of the electrode for PERC solar cell having a contact resistance reducing layer according to an embodiment of the present invention.
도 6 내지 도 7 및 표 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 LiFx 접촉저항감소층을 구비한 PERC 태양전지용 알루미늄(Al)전극과 에미터 사이의 접촉저항 (Rc, contact resistance, Ω)은 23.5~21.3 Ω로 종래 은전극 적용시보다 낮은 접촉저항값을 가짐을 알 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시예에 따른 접촉저항감소층 적용시 접촉저항률 (ρc, contact resistivity, Ωcm2) 또한 감소함을 알 수 있다. 6 to 7 and Table 2, the contact resistance (R c , contact resistance, Rc) between the aluminum (Al) electrode and the emitter for a PERC solar cell having a LiF x contact resistance reduction layer according to an embodiment Ω) is 23.5 ~ 21.3 Ω, it can be seen that has a lower contact resistance than the conventional silver electrode application. Accordingly, it can be seen that the contact resistivity (ρ c, contact resistivity, Ωcm 2 ) is also reduced when applying the contact resistance reducing layer according to the embodiment of the present invention.
따라서, 도 4 내지 도 7, 표 1 및 표 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 접촉저항감소층을 구비한 PERC 태양전지는, 전면전극을 알루미늄으로 대체하더라도 종래 은전극에 비해 낮은 접촉저항을 가질 수 있으며, 이를 통해 저가의 고효율 PERC 태양전지 제공이 가능함을 알 수 있다.Therefore, referring to FIGS. 4 to 7, Table 1 and Table 2, a PERC solar cell having a contact resistance reduction layer according to an embodiment of the present invention, even if the front electrode is replaced with aluminum, lower contact than the conventional silver electrode It can be seen that it can provide a low-cost, high-efficiency PERC solar cell.
본 발명의 실시예에 따르면, 알루미늄 전면전극과 에미터 사이의 접촉저항을 감소시킨 PERC형 태양전지를 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to provide a PERC solar cell having reduced contact resistance between an aluminum front electrode and an emitter.
본 발명의 실시예에 따르면, 알루미늄 전면전극과 에미터 사이의 접촉저항 감소를 통한 고효율 PERC형 태양전지를 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to provide a high efficiency PERC solar cell by reducing the contact resistance between the aluminum front electrode and the emitter.
본 발명의 실시예에 따르면, 선택적 에미터 형성공정이 필요없는 구조를 제공하여 제조가 용이한 고효율 PERC형 태양전지를 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to provide a highly efficient PERC solar cell that is easy to manufacture by providing a structure that does not require a selective emitter forming process.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The foregoing description of the present invention is intended for illustration, and it will be understood by those skilled in the art that the present invention may be easily modified in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. will be. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and similarly, components described as distributed may be implemented in a combined form.
본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is represented by the following claims, and it should be construed that all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are included in the scope of the present invention.
10 : 베이스 영역
20 : 에미터층
30 : 후면 전계 영역
100 : PERC 태양전지
110 : 반도체기판
200 : 접촉저항감소층
320 : 전면 패시베이션층
330 : 후면 패시베이션층
331 : 제1층
332 : 제2층
420 : 알루미늄 전면전극
430 : 후면전극
431 : 컨택부
432 : 베이스전극부
500 : 반사방지코팅층10: base area
20 emitter layer
30: rear field area
100: PERC solar cell
110: semiconductor substrate
200: contact resistance reducing layer
320: front passivation layer
330: Passive passivation layer
331: first floor
332: second layer
420: aluminum front electrode
430: rear electrode
431 contact portion
432: base electrode portion
500: antireflection coating layer
Claims (13)
상기 반도체기판 상부에 형성되며, 상기 반도체기판과 서로 다른 도전형을 가지는 에미터층;
상기 에미터층 상에 위치하는 접촉저항감소층;
상기 접촉저항감소층 상에 위치하는 전면 패시베이션 층;
상기 접촉저항감소층과 접촉하여 상기 에미터 층에 전기적으로 연결되는 알루미늄 전면전극;
상기 반도체기판 하부에 위치하는 후면 패시베이션 층; 및
상기 후면 패시베이션 층 하에 위치하고, 개구부를 통해 상기 반도체기판에 전기적으로 연결되는 후면전극을 포함하고,
상기 접촉저항감소층은 상기 알루미늄 전면전극과 상기 에미터층 사이의 접촉저항을 감소시키는 것을 특징으로 하는 PERC 태양전지.Semiconductor substrates;
An emitter layer formed on the semiconductor substrate and having a different conductivity type from that of the semiconductor substrate;
A contact resistance reduction layer positioned on the emitter layer;
A front passivation layer on the contact resistance reduction layer;
An aluminum front electrode in contact with the contact resistance reducing layer and electrically connected to the emitter layer;
A rear passivation layer under the semiconductor substrate; And
A rear electrode positioned under the rear passivation layer and electrically connected to the semiconductor substrate through an opening;
The contact resistance reducing layer is a PERC solar cell, characterized in that for reducing the contact resistance between the aluminum front electrode and the emitter layer.
상기 후면전극과 접촉된 상기 반도체기판의 일영역에 후면 전계 영역이 형성되는 것을 특징으로 하는 PERC 태양전지.The method of claim 1,
PERC solar cell, characterized in that the rear field region is formed in one region of the semiconductor substrate in contact with the back electrode.
상기 반도체기판은 단결정 실리콘 또는 다결정 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 PERC 태양전지.The method of claim 1,
The semiconductor substrate is a PERC solar cell, characterized in that it comprises monocrystalline silicon or polycrystalline silicon.
상기 반도체기판은 p형 불순물을 포함하는 것을 특징으로 하는 PERC 태양전지.The method of claim 1,
PERC solar cell, characterized in that the semiconductor substrate comprises a p-type impurity.
상기 n형 불순물은 인(P), 비소(As), 비스무스(Bi) 또는 안티몬(Sb)을 포함하는 것을 특징으로 하는 PERC 태양전지.The method of claim 1,
The n-type impurity is a PERC solar cell, characterized in that containing phosphorus (P), arsenic (As), bismuth (Bi) or antimony (Sb).
상기 p형 불순물은 보론(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 또는 인듐(In)을 포함하는 것을 특징으로 하는 PERC 태양전지.The method of claim 1,
The p-type impurity is a PERC solar cell, characterized in that it comprises boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga) or indium (In).
상기 접촉저항감소층은 LiFx를 포함하고, 상기 x는 0.8 < x < 1.0인 것을 특징으로 하는 PERC 태양전지.The method of claim 1,
The contact resistance reducing layer includes LiF x , wherein x is 0.8 <x <1.0, PERC solar cell.
상기 접촉저항감소층의 두께가 8nm 내지 10nm인 것을 특징으로 하는 PERC 태양전지.The method of claim 1,
PERC solar cell, characterized in that the thickness of the contact resistance reduction layer is 8nm to 10nm.
상기 전면 패시베이션층은 Si, W, V, Ni, Mo, Sb, Cu 또는 Sr의 산화물; 질화 실리콘; 및 MgO, ZnO, CeO2, TiO2, Ba, Ca, Mg, CaF2, BaF2, ZnF2, MgF, NaF, LiF, SrF2, TiF4, TaF6, BiF3, SbF5, KF, PbF2 및 ZrF4;로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 PERC 태양전지.The method of claim 1,
The front passivation layer is an oxide of Si, W, V, Ni, Mo, Sb, Cu or Sr; Silicon nitride; And MgO, ZnO, CeO2, TiO 2 , Ba, Ca, Mg, CaF 2, BaF 2, ZnF 2, MgF, NaF, LiF, SrF 2, TiF 4, TaF 6, BiF 3, SbF 5, KF, PbF 2 And ZrF 4 ; PERC solar cell comprising one or more selected from the group consisting of.
상기 후면 패시베이션층은 Si, W, V, Ni, Mo, Sb, Cu 또는 Sr의 산화물; 질화 실리콘; 및 MgO, ZnO, CeO2, TiO2, Ba, Ca, Mg, CaF2, BaF2, ZnF2, MgF, NaF, LiF, SrF2, TiF4, TaF6, BiF3, SbF5, KF, PbF2 및 ZrF4;로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 PERC 태양전지.The method of claim 1,
The back passivation layer may comprise an oxide of Si, W, V, Ni, Mo, Sb, Cu or Sr; Silicon nitride; And MgO, ZnO, CeO2, TiO 2 , Ba, Ca, Mg, CaF 2, BaF 2, ZnF 2, MgF, NaF, LiF, SrF 2, TiF 4, TaF 6, BiF 3, SbF 5, KF, PbF 2 And ZrF 4 ; PERC solar cell comprising one or more selected from the group consisting of.
상기 후면전극은 Ag, Au, Pd, Pt, Cu, Cr, Co, Al, Sn, Pb, Zn, Fe, Ir, Os, Rh, W, Mo, Ni, Mg, Mn, Ba ITO(인듐주석산화물) 또는 ZnO(산화아연)을 포함하는 것을 특징으로 하는 PERC 태양전지.The method of claim 1,
The back electrode is Ag, Au, Pd, Pt, Cu, Cr, Co, Al, Sn, Pb, Zn, Fe, Ir, Os, Rh, W, Mo, Ni, Mg, Mn, Ba ITO (Indium Tin Oxide) Or ZnO (zinc oxide).
상기 전면 패시베이션층 상에 위치하는 반사방지코팅층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 PERC 태양전지.The method of claim 1,
PERC solar cell further comprises an anti-reflective coating layer located on the front passivation layer.
상기 반사방지코팅층은 질화 실리콘(SiNx), 실리콘(SiO2), 산화 티타늄(TiO2), 불화칼슘(CaF2) 또는 산화세륨(CeO2)을 포함하는 것을 특징으로 하는 PERC 태양전지.
The method of claim 12,
The anti-reflective coating layer is a PERC solar cell comprising silicon nitride (SiN x ), silicon (SiO 2 ), titanium oxide (TiO 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ) or cerium oxide (CeO 2 ).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180074159A KR102075937B1 (en) | 2018-06-27 | 2018-06-27 | High efficiency PERC solar cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180074159A KR102075937B1 (en) | 2018-06-27 | 2018-06-27 | High efficiency PERC solar cell |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200001332A true KR20200001332A (en) | 2020-01-06 |
| KR102075937B1 KR102075937B1 (en) | 2020-02-12 |
Family
ID=69159328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180074159A KR102075937B1 (en) | 2018-06-27 | 2018-06-27 | High efficiency PERC solar cell |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102075937B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102471726B1 (en) * | 2022-07-27 | 2022-11-28 | 주식회사 유니테스트 | Highly efficient solar modules with contact hole and manufacturing method thereof |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20130129656A (en) * | 2012-05-21 | 2013-11-29 | 엘지전자 주식회사 | Solar cell and method for manufacuring the same |
| JP2016515302A (en) * | 2013-05-06 | 2016-05-26 | ハンワ ケミカル コーポレイション | Method for manufacturing electrode of solar cell and solar cell using the same |
| KR101848182B1 (en) | 2016-12-27 | 2018-04-11 | 울산과학기술원 | Method for manufacturing back contact solar cells |
-
2018
- 2018-06-27 KR KR1020180074159A patent/KR102075937B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20130129656A (en) * | 2012-05-21 | 2013-11-29 | 엘지전자 주식회사 | Solar cell and method for manufacuring the same |
| JP2016515302A (en) * | 2013-05-06 | 2016-05-26 | ハンワ ケミカル コーポレイション | Method for manufacturing electrode of solar cell and solar cell using the same |
| KR101848182B1 (en) | 2016-12-27 | 2018-04-11 | 울산과학기술원 | Method for manufacturing back contact solar cells |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102471726B1 (en) * | 2022-07-27 | 2022-11-28 | 주식회사 유니테스트 | Highly efficient solar modules with contact hole and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102075937B1 (en) | 2020-02-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9711667B2 (en) | Solar cell and method of manufacturing the same | |
| JP6046661B2 (en) | SOLAR CELL, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND METHOD FOR FORMING IMPURITY PARTS | |
| JP5848421B2 (en) | Solar cell and manufacturing method thereof | |
| KR101613843B1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
| JP2011061197A (en) | Solar cell, and method of manufacturing the same | |
| KR20150090708A (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
| JP5567706B2 (en) | Solar cell | |
| KR20130058497A (en) | Solar cell and method for fabricating the same | |
| US20120118372A1 (en) | Solar cell | |
| KR101878397B1 (en) | Solar cell and method for fabricating the same | |
| US20160197204A1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
| KR100997111B1 (en) | Solar cell | |
| TWI424582B (en) | Method of fabricating solar cell | |
| KR100990864B1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
| US20190393365A1 (en) | Transparent Conductive Oxide in Silicon Heterojunction Solar Cells | |
| KR20120087513A (en) | Solar cell and manufacturing method thereof | |
| KR102075937B1 (en) | High efficiency PERC solar cell | |
| KR20120088029A (en) | Solar cell and manufacturing method | |
| KR102336219B1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
| KR20210085057A (en) | Method For Manufacturing Electrode Of Solar Cell Using Conductive Paste For Low Temperature Firing | |
| US20110094586A1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
| KR20200061479A (en) | Silicon solar cell including a carrier seletive thin layer and method of manufacturing the same | |
| KR20150029203A (en) | Solar cell | |
| KR102218629B1 (en) | Silicon solar cell including a carrier seletive thin layer | |
| KR101579321B1 (en) | Method for manufacturing solar cell |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |