KR20190142322A - Wafer double side polishing method and double side polishing device - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 양면연마장치에 있어서, 복수의 양면연마용 캐리어를 배설하고, 웨이퍼를 양면연마하는 방법으로서, 상하정반의 사이에 배설하는 복수의 양면연마용 캐리어로 이루어지는 캐리어세트를 준비할 때, 형상 측정기를 이용하여 양면연마용 캐리어의 형상을 측정한 데이터로부터 산출한 굴곡량을, 캐리어세트의 복수의 양면연마용 캐리어 전체에 있어서 취득하고, 캐리어세트 내에 있어서의 복수의 양면연마용 캐리어끼리의 굴곡량의 최대값과 최소값의 차가 일정값 이하인 캐리어세트를 선정하여 준비하고, 양면연마장치에 배설하여 웨이퍼를 양면연마하는 웨이퍼의 양면연마방법을 제공한다. 이에 따라, 복수의 양면연마용 캐리어를 이용하여 양면연마하여 얻어지는 웨이퍼끼리의 플랫니스의 차(불균일)를 억제할 수 있는 웨이퍼의 양면연마방법 및 양면연마장치가 제공된다.The present invention provides a method for disposing a plurality of double-side polishing carriers and double-sided polishing of wafers in a double-side polishing apparatus, when preparing a carrier set comprising a plurality of double-side polishing carriers disposed between upper and lower platens. The amount of bending calculated from data obtained by measuring the shape of the carrier for double-side polishing using a shape measuring device is obtained in the entire carriers for double-sided polishing of the carrier set, and the carriers of the plurality of double-sided polishing carriers in the carrier set Provided is a double-side polishing method for a wafer in which a carrier set whose difference between the maximum value and the minimum value of the bending amount is equal to or less than a predetermined value is selected and prepared, and disposed in a double-side polishing apparatus to polish the wafer on both sides. Thereby, the double-side polishing method and the double-side polishing apparatus of the wafer which can suppress the difference (nonuniformity) of the flatness between the wafers obtained by double-side polishing using a plurality of double-side polishing carriers are provided.
Description
본 발명은, 복수의 양면연마용 캐리어를 이용하여 웨이퍼를 양면연마하는 방법 및 양면연마장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method for double-side polishing a wafer using a plurality of double-side polishing carriers and a double-side polishing apparatus.
실리콘 웨이퍼 등의 웨이퍼를 평탄화하기 위한 양면연마장치에 있어서, 웨이퍼를 유지하기 위한 워크홀이 마련된 원반상의 양면연마용 캐리어가 일반적으로 이용되고 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION In a double-side polishing apparatus for planarizing a wafer such as a silicon wafer, a disk-shaped double-side polishing carrier having a work hole for holding a wafer is generally used.
양면연마장치로는, 통상, 부직포 등으로 이루어지는 연마포(연마패드)가 첩부된 상정반과 하정반을 구비하고, 중심부에는 선기어가, 외주부에는 인터널기어가 각각 배치된 유성기어구조를 갖는 이른바 4way방식의 것이 이용되고 있다. 이러한 양면연마장치에 있어서, 양면연마용 캐리어(이하, 간단히 캐리어라고도 한다)에 단수 또는 복수 형성된 워크홀의 내부에 웨이퍼를 삽입하고, 유지한다.As a double-sided polishing device, a so-called four-way type has a planetary gear structure in which a top plate and a bottom plate are usually attached to a polishing cloth (polishing pad) made of a nonwoven fabric, and a sun gear is arranged in the center and an internal gear is arranged in the outer circumference. The type of method is used. In such a double-sided polishing apparatus, wafers are inserted into and held in single or plural work holes formed in a double-side polishing carrier (hereinafter, simply referred to as a carrier).
그리고, 상정반측으로부터 슬러리를 웨이퍼에 공급하고, 상하정반을 회전시키면서 연마포를 웨이퍼의 표리 양면에 압부(押付)함과 함께, 캐리어를 선기어와 인터널기어의 사이에서 자전공전시킴으로써 각 웨이퍼의 양면이 동시에 연마된다.Then, the slurry is supplied to the wafer from the upper platen side, the polishing cloth is pressed on both sides of the wafer while the upper and lower platens are rotated, and the carrier is rotated between the sun gear and the internal gear to rotate both sides of the wafer. This is polished at the same time.
그런데, 양면연마된 웨이퍼의 플랫니스에는, 이것을 유지하는 캐리어의 두께가 중요하다고 알려졌었다. 이 점으로부터, 캐리어의 두께불균일을 저감시킴으로써, 양면연마된 웨이퍼의 플랫니스불균일을 저감시키는 시도가 이루어져 왔다(특허문헌 1 참조).By the way, it was known that the thickness of the carrier holding this is important for the flatness of the double-side polished wafer. From this point, the attempt to reduce the flatness nonuniformity of the double-sided polished wafer has been made by reducing the thickness nonuniformity of carrier (refer patent document 1).
그러나, 캐리어의 두께가 균일해도, 캐리어 사이에서, 각각이 양면연마시에 유지하여 얻어진 양면연마 웨이퍼끼리의 에지플랫니스에 차가 발생하는 경우가 있었다.However, even if the thickness of a carrier is uniform, a difference may arise in the edge flatness between the double-sided polishing wafers obtained by hold | maintaining at the time of double-side polishing between carriers, respectively.
본 발명은 상기 문제에 감안하여 이루어진 것으로, 복수의 양면연마용 캐리어를 이용하여 양면연마하여 얻어지는 웨이퍼끼리의 플랫니스의 차(불균일)를 억제할 수 있는 웨이퍼의 양면연마방법 및 양면연마장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and provides a double-side polishing method and a double-side polishing apparatus for wafers capable of suppressing the difference (nonuniformity) of flatness between wafers obtained by double-side polishing using a plurality of double-side polishing carriers. It aims to do it.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 양면연마장치에 있어서, 연마포가 첩부된 상하정반의 사이에 복수의 양면연마용 캐리어를 배설(配設)하고, 이 복수의 양면연마용 캐리어 각각에 형성된 워크홀에 웨이퍼를 유지하여, 상기 상하정반의 사이에 끼워 양면연마하는 웨이퍼의 양면연마방법으로서, 상기 상하정반의 사이에 배설하는 복수의 양면연마용 캐리어로 이루어지는 캐리어세트를 준비할 때, 형상 측정기를 이용하여 상기 양면연마용 캐리어의 형상을 측정한 데이터로부터 산출한 굴곡량을, 캐리어세트의 상기 복수의 양면연마용 캐리어 전체에 있어서 취득하고, 캐리어세트 내에 있어서의 상기 복수의 양면연마용 캐리어끼리의 굴곡량의 최대값과 최소값의 차가 일정값 이하인 캐리어세트를 선정하여 준비하고, 이 준비한 캐리어세트의 상기 복수의 양면연마용 캐리어를 상기 양면연마장치에 배설하여 상기 웨이퍼를 양면연마하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 양면연마방법을 제공한다.In order to achieve the said objective, this invention WHEREIN: In a double-side polishing apparatus WHEREIN: A plurality of double-sided polishing carriers are arrange | positioned between the upper and lower surface tables which affixed with the polishing cloth, and each of these multiple double-sided polishing carriers is equipped with As a double-side polishing method of a wafer which holds a wafer in a formed work hole and sandwiches it between the upper and lower surfaces, preparing a carrier set comprising a plurality of double-side polishing carriers disposed between the upper and lower surfaces. The amount of bending calculated from data obtained by measuring the shape of the carrier for double-side polishing using a measuring device is obtained in the entire carriers for double-sided polishing of the carrier set, and the plurality of carriers for double-side polishing in the carrier set are obtained. Select and prepare a carrier set in which the difference between the maximum value and the minimum value of the bending amount between each other is a predetermined value or less, and the above described Provided is a double-side polishing method for a wafer, wherein a plurality of double-side polishing carriers are disposed in the double-side polishing device to double-side the polishing of the wafer.
본 발명자들은, 연구를 통해 양면연마용 캐리어의 굴곡(휨)이 양면연마 웨이퍼의 플랫니스에 영향을 주는 것을 발견하였다. 그리고, 상기와 같은 양면연마방법이면, 캐리어세트 내에 있어서의 복수의 양면연마용 캐리어끼리의 굴곡량의 최대값과 최소값의 차가 일정값 이하인 캐리어세트를 선정하여 이용하므로, 그 양면연마에서 얻어지는 양면연마 웨이퍼끼리의 사이에서의 플랫니스의 차를 억제할 수 있다. 이에 따라, 종래와 같이 양면연마 웨이퍼끼리 플랫니스에 차가 발생하고, 그 때문에 플랫니스가 규정값으로부터 벗어나는 양면연마 웨이퍼의 비율이 증가하는 것을 방지할 수 있고, 수율을 개선할 수 있다.The inventors have found through study that the bending of the carrier for double-sided polishing affects the flatness of the double-sided polishing wafer. In the double-sided polishing method as described above, a carrier set having a difference between a maximum value and a minimum value of a plurality of double-sided polishing carriers in a carrier set is a fixed value or less, and thus double-sided polishing obtained by the double-sided polishing The difference in flatness between wafers can be suppressed. As a result, a difference occurs in flatness between the double-sided polishing wafers as in the prior art, and therefore, it is possible to prevent an increase in the proportion of the double-sided polishing wafers from which the flatness deviates from the prescribed value, thereby improving the yield.
이때, 상기 굴곡량의 산출에 있어서, 상기 형상 측정기로서, 레이저센서를 갖는 3차원 좌표측정기를 이용하고, 상기 양면연마용 캐리어 전체를 측정한 점군데이터로부터 굴곡량을 산출할 수 있다.At this time, in the calculation of the bending amount, the bending amount can be calculated from the point group data obtained by measuring the entire double-side polishing carrier using a three-dimensional coordinate measuring machine having a laser sensor as the shape measuring device.
이렇게 하면, 양면연마용 캐리어의 형상을 보다 고정밀도(精度)로 측정할 수 있고, 보다 정확한 굴곡량을 산출하는 것이 가능하다. 그 결과, 보다 적절하게 캐리어세트를 선정할 수 있고, 얻어지는 양면연마 웨이퍼끼리에 있어서, 플랫니스의 차가 발생하는 것을 방지할 수 있다.In this way, the shape of the double-side polishing carrier can be measured with higher accuracy, and more accurate bending amount can be calculated. As a result, a carrier set can be selected more appropriately, and it can prevent that the difference of flatness arises in the double-sided polishing wafers obtained.
또한, 상기 굴곡량의 산출에 있어서, 상기 측정한 점군데이터 전체에서 수평화를 행하고, 파장 20mm 이하의 노이즈성분을 제거하여 얻어지는 변환점군데이터로부터 상기 양면연마용 캐리어의 굴곡량을 산출할 수 있다.In the calculation of the bending amount, the bending amount of the double-side polishing carrier can be calculated from the conversion point group data obtained by performing leveling on the whole measured point group data and removing noise components having a wavelength of 20 mm or less.
이렇게 함으로써, 보다 적절하게, 양면연마용 캐리어의 굴곡량을 산출할 수 있다.By doing in this way, the bending amount of the carrier for double-side polishing can be calculated more appropriately.
또한, 상기 양면연마하는 웨이퍼를 직경 300mm의 것으로 하고, 상기 굴곡량의 산출에 있어서, 상기 변환점군데이터로부터, 상기 워크홀의 중심으로부터 175mm 이내인 데이터를 추출하고, 이 추출데이터로부터 산출한 산술평균거칠기Sk를 상기 굴곡량으로 하여, 상기 캐리어세트의 선정에 있어서, 상기 복수의 양면연마용 캐리어끼리의 Sk의 최대값과 최소값의 차가 10μm 이하인 캐리어세트를 선정할 수 있다.In addition, the wafer to be polished on both sides is 300 mm in diameter, and in calculating the amount of bending, the arithmetic mean roughness calculated from the conversion point group data is within 175 mm from the center of the work hole, and is calculated from the extracted data. By setting Sk as the bending amount, in selecting the carrier set, a carrier set whose difference between the maximum value and the minimum value of Sk of the plurality of double-side polishing carriers can be selected is 10 µm or less.
이렇게 하면, 양면연마 웨이퍼의 플랫니스에 영향을 주기 쉬운 워크홀 주변의 데이터를 이용하여 굴곡량을 산출할 수 있고, 직경 300mm라고 하는 자주 사용되고 있는 사이즈의 양면연마 웨이퍼를, 서로 플랫니스의 차가 억제된 상태로 얻을 수 있으므로 호적하다.In this way, the amount of bending can be calculated using data around the work hole, which tends to affect the flatness of the double-sided polishing wafer, and the difference in flatness between the two-sided polishing wafers of 300 mm in diameter is suppressed. It is suitable because it can be obtained in the finished state.
또한, 본 발명은, 연마포가 첩부된 상하정반과, 이 상하정반 사이에 슬러리를 공급하는 슬러리공급기구와, 상기 상하정반의 사이에 배설되며, 연마시에 상기 상하정반의 사이에 끼워진 웨이퍼를 유지하기 위한 워크홀이 각각 형성된 복수의 양면연마용 캐리어로 이루어지는 캐리어세트를 구비한 양면연마장치로서, 상기 캐리어세트 내에 있어서의 상기 복수의 양면연마용 캐리어끼리의, 굴곡량인 산술평균거칠기Sk의 최대값과 최소값의 차가 10μm 이하인 것을 특징으로 하는 양면연마장치를 제공한다.In addition, the present invention provides a top and bottom plate attached with polishing cloth, a slurry supply mechanism for supplying a slurry between the top and bottom plates, and a wafer sandwiched between the top and bottom plates when polishing, A double-side polishing device having a carrier set consisting of a plurality of double-side polishing carriers each having a work hole for holding, wherein the arithmetic mean roughness Sk, which is a bending amount, of the plurality of double-side polishing carriers in the carrier set. Provided is a double-side polishing device, characterized in that the difference between the maximum value and the minimum value is 10 μm or less.
이러한 양면연마장치이면, 이 장치를 이용한 양면연마에서 얻어지는 양면연마 웨이퍼끼리의 사이에서의 플랫니스의 차를 억제할 수 있고, 플랫니스불균일을 억제하여, 수율을 개선할 수 있다.With such a double-sided polishing device, the difference in flatness between the double-sided polishing wafers obtained by double-side polishing using this device can be suppressed, the flatness nonuniformity can be suppressed, and the yield can be improved.
이상과 같이, 본 발명의 웨이퍼의 양면연마방법 및 양면연마장치이면, 복수의 양면연마용 캐리어를 이용하여 양면연마하여 얻어지는 웨이퍼끼리의 플랫니스의 차를 억제할 수 있다. 이에 따라, 플랫니스에 기초하는 수율을 개선할 수 있다.As described above, with the double-side polishing method and the double-side polishing apparatus of the wafer of the present invention, it is possible to suppress the difference in flatness between the wafers obtained by double-side polishing using a plurality of double-side polishing carriers. Thereby, the yield based on flatness can be improved.
도 1은 본 발명의 웨이퍼의 양면연마방법에 사용할 수 있는 본 발명의 양면연마장치의 일 예를 나타내는 종단면도이다.
도 2는 평면에서 본 본 발명의 양면연마장치의 일 예를 나타내는 내부구조도이다.
도 3은 본 발명의 웨이퍼의 양면연마방법의 공정의 일 예를 나타내는 공정도이다.
도 4는 캐리어의 형상 측정에 있어서의 측정데이터의 일 예를 나타내는 측정도이다.1 is a longitudinal cross-sectional view showing an example of a double-side polishing apparatus of the present invention that can be used in the double-side polishing method of the wafer of the present invention.
2 is an internal structural view showing an example of a double-side polishing apparatus of the present invention seen in a plan view.
3 is a process chart showing an example of the process of the double-side polishing method of the wafer of the present invention.
4 is a measurement diagram showing an example of measurement data in shape measurement of a carrier.
상기 서술한 과제를 해결하기 위해, 본 발명자들이 예의연구를 행한 바, 양면연마용 캐리어세트 내의 굴곡량의 차가 크면 플랫니스에 영향을 주는 것을 알 수 있었다.In order to solve the above-mentioned problems, the present inventors earnestly studied, and it turned out that a big difference in the amount of curvature in the carrier set for double-side polishing affects flatness.
그리고 본 발명자들은, 복수의 양면연마용 캐리어로 이루어지는 캐리어세트에 있어서, 이 캐리어를 예를 들어 레이저식의 3차원 좌표측정기 등의 형상 측정기로 측정하고, 그 측정데이터로부터 캐리어의 굴곡량을 산출하고, 캐리어세트 내에 있어서의 캐리어끼리의 굴곡량의 최대값과 최소값의 차가 일정값 이하인 캐리어세트를 선정하여 웨이퍼의 양면연마에 이용함으로써, 얻어지는 복수의 양면연마 웨이퍼끼리의 사이에서의 플랫니스의 차를 억제할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다.In the carrier set consisting of a plurality of double-side polishing carriers, the present inventors measure the carrier with a shape measuring instrument such as a laser three-dimensional coordinate measuring machine, and calculate the amount of bending of the carrier from the measured data. The difference in the flatness between the plurality of double-sided polishing wafers obtained by selecting a carrier set having a difference between the maximum value and the minimum value of the bends of the carriers in the carrier set being a fixed value or less and using the double-sided polishing of the wafer is obtained. It discovered that it could suppress and completed this invention.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 대하여 실시의 형태를 설명하나, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, although embodiment is described about this invention with reference to drawings, this invention is not limited to this.
도 1은 본 발명의 웨이퍼의 양면연마방법에 사용할 수 있는 본 발명의 양면연마장치의 일 예의 종단면도이고, 도 2는 평면에서 본 본 발명의 양면연마장치의 내부구조도이다.1 is a longitudinal cross-sectional view of an example of a double-side polishing apparatus of the present invention that can be used in the double-side polishing method of the wafer of the present invention, Figure 2 is an internal structure diagram of the double-side polishing apparatus of the present invention in plan view.
도 1, 2에 나타내는 바와 같이, 복수의 양면연마용 캐리어(1)를 구비한 양면연마장치(2)는, 상하로 상대향하여 마련된 하정반(3)과 상정반(4)을 구비하고 있으며, 각 정반(3, 4)의 대향면측에는, 각각 연마포(5)가 첩부되어 있다. 연마포(5)로는, 예를 들어, 발포폴리우레탄패드를 이용할 수 있다.As shown in FIG. 1, 2, the double-
또한, 상정반(4)의 상부에는, 상정반(4)과 하정반(3)의 사이에 슬러리를 공급하는 슬러리공급기구(6)(노즐(7), 및 상정반(4)의 관통구멍(8))가 마련되어 있다. 슬러리로는, 콜로이달실리카를 함유한 무기알칼리수용액을 이용할 수 있다.Moreover, the upper part of the
한편, 도 1, 2에 나타내는 바와 같이, 상정반(4)과 하정반(3)의 사이의 중심부에는 선기어(9)가, 주연부에는 인터널기어(10)가 마련되어 있으며, 4way식의 양면연마장치이다.On the other hand, as shown in Figs. 1 and 2, the
각각의 캐리어(1)는 금속제의 것으로 할 수 있다. 캐리어(1)에는, 슬러리를 통과시키는 연마액구멍(12) 외에, 반도체실리콘 웨이퍼 등의 웨이퍼(W)를 유지하기 위한 워크홀(11)이 형성되어 있다. 웨이퍼(W)의 주연부를 금속제의 캐리어(1)에 의한 데미지로부터 보호하기 위해, 예를 들어, 수지제의 인서트재가 캐리어(1)의 워크홀(11)의 내주부를 따라 부착되어 있다.Each
각 캐리어(1)에 있어서의 워크홀(11)의 수는 특별히 한정되지 않고, 워크홀(11) 자체의 사이즈(유지하는 웨이퍼(W)의 사이즈) 등에 의해 적당히 결정할 수 있다. 여기서는 캐리어 한 개당 1개의 워크홀이 형성되어 있는 경우를 예로 들고 있다.The number of work holes 11 in each
또한, 상하정반의 사이에 배설하는 캐리어(1)의 수는 복수여도 되며 특별히 한정되지 않는다. 도 2에서는 5매의 예를 나타내고 있다. 이 복수의 캐리어(1)의 조합을 1개의 캐리어세트로 하고 있다.In addition, the number of the
또한, 후술하는 바와 같이, 실제로 상하정반의 사이에 배설하는 복수의 캐리어(1)는, 각각, 미리 형상 측정되며, 그 측정데이터로부터 굴곡량이 산출되고 있다. 그리고, 캐리어(1)끼리의 그 굴곡량의 최대값과 최소값의 차(Range)가 일정값(이하, 관리값이라고도 한다) 이하로 되어 있다.In addition, as described later, the plurality of
이러한 관리값을 마련하여, 캐리어세트 내에 있어서의 캐리어(1)끼리의 굴곡량을 관리함으로써, 얻어지는 복수의 양면연마 웨이퍼끼리의 플랫니스의 차를 억제할 수 있다. 이 관리값의 구체값은 특별히 한정되지 않고, 요구되는 양면연마 웨이퍼의 플랫니스의 규격값 등에 따라 적당히 결정할 수 있는데, 본 발명의 양면연마장치에서는, 이 굴곡량(후술하는 산술평균거칠기Sk)의 관리값을 10μm로 할 수 있다. 즉, Range가 10μm 이하(0μm 이상)인 것이다.By providing such a management value and managing the bending amount of the
그리고, 도 1, 2에 나타내는 바와 같이, 선기어(9) 및 인터널기어(10)의 각 톱니부에는 캐리어(1)의 외주톱니가 교합하고 있으며, 상정반(4) 및 하정반(3)이 도시하지 않은 구동원에 의해 회전되는데 따라, 복수의 캐리어(1)는 자전하면서 선기어(9)의 둘레를 공전한다. 이때 웨이퍼(W)는 캐리어(1)의 워크홀(11)로 유지되어 있으며, 상하의 연마포(5)에 의해 양면이 동시에 연마된다. 한편, 연마시에는, 노즐(7)로부터 관통구멍(8)을 통과하여 슬러리가 공급된다.1 and 2, the outer teeth of the
다음에, 상기와 같은 양면연마장치(1)를 이용한 본 발명의 웨이퍼의 양면연마방법에 대하여 설명한다. 도 3은, 이 양면연마방법의 공정의 일 예를 나타내는 공정도이다.Next, the double-side polishing method of the wafer of the present invention using the double-
도 3에 나타내는 바와 같이, 공정1, 공정2로 이루어지는 캐리어세트의 준비를 행하고, 공정3에 있어서, 준비한 캐리어세트의 복수의 캐리어를 이용하여 웨이퍼의 양면연마를 행한다. 이하, 각 공정에 대하여 상술한다.As shown in FIG. 3, the carrier set which consists of a
(공정1: 양면연마용 캐리어의 형상 측정 및 굴곡량의 산출)(Step 1: shape measurement of double-sided polishing carrier and calculation of bending amount)
양면연마에 이용하는 캐리어세트를 준비하는데 있어서, 우선, 캐리어세트를 구성하는 복수의 캐리어 전체에 대하여 형상을 측정한다. 그리고, 이 측정데이터로부터, 각각의 캐리어에 있어서의 굴곡량을 산출한다.In preparing a carrier set used for double-side polishing, first, the shape of the plurality of carriers constituting the carrier set is measured. From this measurement data, the amount of bending in each carrier is calculated.
한편, 굴곡량을 산출하는 캐리어세트의 수는 특별히 한정되지 않는다. 양면연마 웨이퍼의 제조에 있어서 자주 사용하는 복수의 캐리어세트에 대해, 미리, 산출해 두는 것이 가능하다.On the other hand, the number of carrier sets for calculating the amount of bending is not particularly limited. It is possible to calculate in advance about a plurality of carrier sets frequently used in the production of double-sided polishing wafers.
여기서, 형상 측정에 이용하는 형상 측정기는 특별히 한정되지 않고, 적절하게 캐리어의 굴곡량을 산출가능한 측정데이터를 얻을 수 있는 것이면 된다.Here, the shape measuring device used for shape measurement is not specifically limited, What is necessary is just to be able to obtain the measurement data which can calculate the amount of bending of a carrier suitably.
예를 들어, 주식회사 동경정밀제의, 라인레이저센서가 탑재된 3차원 좌표측정기 XYZAX-SVA를 이용할 수 있다. 이러한 측정기를 이용하는 경우, 측정은, 캐리어 전체에 관한 점군데이터가 200만점 이상이 되도록 센서를 주사시킬 수 있다. 단, 데이터점군수는 이것으로 한정되지 않고, 구하는 형상정밀도 등에 따라 적당히 결정할 수 있다.For example, the three-dimensional coordinate measuring machine XYZAX-SVA by the Tokyo Precision Co., Ltd. with a line laser sensor can be used. In the case of using such a measuring device, the measurement can be made to scan the sensor such that the point group data on the entire carrier becomes 2 million or more. However, the data point group is not limited to this, and can be appropriately determined according to the shape precision to be obtained.
이러한 측정기를 이용하여 측정하면, 캐리어형상을 보다 고정밀도로 측정할 수 있고, 보다 정확한 굴곡량을 산출할 수 있으며, 더 나아가서는 이 정확한 굴곡량에 기초하는 Range로부터, 적절하게 캐리어세트를 선택하여 양면연마를 행할 수 있다. 따라서, 보다 확실하게, 플랫니스의 차가 억제된 복수의 양면연마 웨이퍼를 얻는 것이 가능하다.By measuring using such a measuring instrument, the carrier shape can be measured with higher accuracy, a more accurate bend amount can be calculated, and further, a carrier set can be appropriately selected from a range based on this exact bend amount. Polishing can be performed. Therefore, it is possible to reliably obtain a plurality of double-sided polishing wafers in which the difference in flatness is suppressed.
한편, 상기 예에서는, 워크(캐리어)는 정지한 상태에서 센서가 주사하는 측정기를 이용하였지만, 그 밖에는, 예를 들어 쿠로다정공주식회사제의 나노메트로FR 등을 들 수 있다.In addition, in the said example, although the workpiece | work (carrier) used the measuring device which a sensor scans in the stopped state, the nano-metro FR made from Kuroda Precision Industries, Ltd. etc. are mentioned elsewhere.
다음에, 상기에서 얻어진 캐리어에 관한 점군데이터 전체에서 수평화를 행한 다음에, 파장으로 하여 20mm 이하(0mm 이상)의 노이즈성분을 제거하여 얻어지는 변환점군데이터로부터 캐리어의 굴곡을 구한다.Next, leveling is performed on the entire point group data relating to the carrier obtained above, and then the bending of the carrier is obtained from the conversion point group data obtained by removing noise components of 20 mm or less (0 mm or more) as the wavelength.
이러한 수평화, 노이즈성분의 제거를 함으로써, 보다 적절하게 캐리어의 굴곡량을 산출할 수 있다.By this leveling and removal of noise components, the amount of bending of the carrier can be calculated more appropriately.
또한, 굴곡량에 관해, 예를 들어, 양면연마하는 웨이퍼의 직경이 300mm인 경우이면, 상기의 변환점군데이터의, 워크홀 중심으로부터 175mm 이내인 데이터로부터 구한 산술평균거칠기Sk를 캐리어의 굴곡량으로 할 수 있다.In addition, with respect to the amount of bending, for example, when the diameter of the wafer to be polished on both sides is 300 mm, the arithmetic mean roughness Sk obtained from the data of the conversion point group data within 175 mm from the center of the work hole is used as the amount of bending of the carrier. can do.
양면연마 웨이퍼의 플랫니스에 영향을 주기 쉬운 워크홀 주변의 데이터를 이용하여, 굴곡량을 산출할 수 있다.The amount of curvature can be calculated using the data around the work hole which tends to affect the flatness of the double-side polished wafer.
또한, 여기서는 300mm라고 하는, 자주 사용되고 있는 사이즈의 웨이퍼를 양면연마하는 경우의 예에 대하여 설명하였으나, 웨이퍼사이즈에 따라, 적당히, 데이터의 추출범위를 설정할 수 있다.In addition, although the example in the case of double-side polishing of the frequently used wafer size of 300 mm has been described here, the data extraction range can be appropriately set according to the wafer size.
더 나아가서는, 구체적인 굴곡량으로서 산술평균거칠기Sk로 한정되는 것도 아니며, 예를 들어, 얻어지는 양면연마 웨이퍼의 플랫니스와의 사이에서 좋은 상관관계가 얻어지는 다른 파라미터로 하는 것도 가능하다.Furthermore, it is not limited to the arithmetic mean roughness Sk as a specific curvature amount, For example, it can also be set as another parameter from which the good correlation with the flatness of the double-sided polishing wafer obtained is obtained.
(공정2: 캐리어세트의 선정)(Step 2: Selection of Carrier Set)
다음에, 굴곡량을 산출한 복수의 캐리어세트 중에서 실제로 양면연마에 이용하는 캐리어세트를 선정한다.Next, a carrier set actually used for double-side polishing is selected from the plurality of carrier sets for which the bending amount is calculated.
보다 구체적으로는, 캐리어세트 내에 있어서의 복수의 캐리어끼리의 굴곡량의 최대값과 최소값의 차(Range)가 일정값(관리값) 이하인 것을 선정한다. 이 관리값의 구체값은 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 관리값과 실제로 양면연마된 웨이퍼끼리에 있어서의 플랫니스의 차와의 상관관계, 혹은, 플랫니스에 관한 규격값을 만족하는 양면연마 웨이퍼의 비율 등을 미리 조사해 두고, 그 결과로부터 결정할 수 있다.More specifically, it is selected that the difference (Range) between the maximum value and the minimum value of the bending amount of the plurality of carriers in the carrier set is equal to or less than a constant value (management value). The specific value of this management value is not specifically limited. For example, the correlation between the management value and the difference in flatness between the wafers actually double-sided polished, or the ratio of double-sided polishing wafers satisfying the standard value for flatness, etc. is investigated in advance. You can decide.
일 예로는, 직경 300mm의 웨이퍼에서, 상기 서술한 바와 같은 측정데이터의 추출방법, 산출방법으로 굴곡량(Sk)을 구하는 경우, 관리값을 10μm로 할 수 있다. 즉, 캐리어세트 내의 캐리어끼리의 Sk의 최대값과 최소값의 차가 10μm 이하(0μm 이상)인 캐리어세트를 선정할 수 있다. 이렇게 하면, 얻어지는 복수의 양면연마 웨이퍼끼리의 플랫니스의 차가 작고, 플랫니스불균일이 억제되어, 고수율로 원하는 양면연마 웨이퍼를 얻는 것이 가능하다.As an example, when the bending amount Sk is obtained by the extraction method and the calculation method of the measurement data as described above on a wafer having a diameter of 300 mm, the management value can be 10 μm. That is, the carrier set whose difference between the maximum value and minimum value of Sk of carriers in a carrier set is 10 micrometers or less (0 micrometers or more) can be selected. In this way, the difference in the flatness of the obtained double-sided polishing wafers is small, flatness nonuniformity can be suppressed, and a desired double-sided polishing wafer can be obtained with high yield.
(공정3: 양면연마용 캐리어의 배설 및 웨이퍼의 양면연마)(Step 3: excretion of carrier for double side polishing and double side polishing of wafer)
다음에, 선정한 캐리어세트의 복수의 캐리어를 양면연마장치에 배설하고, 각 캐리어의 워크홀에 유지된 웨이퍼를 양면연마한다.Next, a plurality of carriers of the selected carrier set are disposed in the double-side polishing apparatus, and the wafer held in the work hole of each carrier is double-sided polished.
노즐로부터 슬러리를 공급하면서, 상하정반을 회전시키는데 따라, 복수의 캐리어를 자전 및 공전시키고, 상하의 연마포로 복수의 웨이퍼의 양면을 동시에 연마한다.By rotating the upper and lower plates while supplying the slurry from the nozzle, the plurality of carriers are rotated and revolved, and both surfaces of the plurality of wafers are simultaneously polished with the upper and lower polishing cloths.
이상과 같은 본 발명의 웨이퍼의 양면연마방법이면, 양면연마 웨이퍼끼리의 사이에서의 플랫니스의 차를 억제할 수 있다. 이에 따라, 플랫니스가 규정값으로부터 벗어나는 양면연마 웨이퍼의 비율이 증가하는 것을 방지할 수 있고, 수율을 개선할 수 있다. 이처럼, 종래와 같은 캐리어의 두께의 관리를 행하는 방법만으로는 해결할 수 없었던 문제를 해결하는 것이 가능하다.According to the double-side polishing method of the wafer of the present invention as described above, the difference in flatness between the double-side polishing wafers can be suppressed. As a result, it is possible to prevent an increase in the proportion of the double-side polished wafer in which the flatness deviates from the prescribed value, and the yield can be improved. In this way, it is possible to solve a problem that cannot be solved only by the method of managing the thickness of the carrier as in the prior art.
실시예Example
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어, 본 발명을 구체적으로 설명하나, 본 발명은 이것들로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although an Example and a comparative example are shown and this invention is demonstrated concretely, this invention is not limited to these.
(실시예 1)(Example 1)
종래와 같이 두께가 균일해지도록 하여 제조한 5매의 양면연마용 캐리어로 이루어지는 캐리어세트를 복수 준비하였다. 한편, 직경 300mm의 웨이퍼를 양면연마하기 위한 캐리어이다.As described above, a plurality of carrier sets composed of five carriers for double-side polishing, which were made to have a uniform thickness, were prepared. On the other hand, it is a carrier for polishing both sides of a 300 mm diameter wafer.
그리고, 도 3의 공정1과 같이, 각 캐리어세트 내의 캐리어에 대하여, 형상 측정 및 굴곡량의 산출을 행하였다. 측정·산출조건은 이하와 같다.As in
형상 측정에는, 주식회사동경정밀제의, 라인레이저센서가 탑재된 3차원 좌표측정기 XYZAX-SVA를 이용하였다.For the shape measurement, a three-dimensional coordinate measuring machine XYZAX-SVA manufactured by Tokyo Precision Co., Ltd. equipped with a line laser sensor was used.
라인레이저의 레이저폭을 24mm(Fh모드)로 하고, 캐리어를 포함하는 540mm 사각의 영역을 주사속도 20mm/sec로 전면 측정하였다.The laser width of the line laser was 24 mm (Fh mode), and the 540 mm square area including the carrier was measured at the scanning speed of 20 mm / sec.
상기의 측정데이터로부터 캐리어에 관한 데이터를 331만점 추출하였다.3.33 million points | pieces of data about a carrier were extracted from said measurement data.
상기의 점군 전체에서 수평화를 행한 다음에 파장으로 하여 20mm 이하의 노이즈성분을 제거하고, 다시 워크홀 중심으로부터 175mm 이내인 데이터를 추출한 것으로부터 산술평균거칠기Sk를 구하였다.The arithmetic mean roughness Sk was obtained from the above-mentioned point group by leveling, then removing the noise component having a wavelength of 20 mm or less and extracting data within 175 mm from the center of the work hole.
한편, 이들 일련의 수순에 따른 데이터의 일 예를 도 4에 나타낸다.On the other hand, an example of data according to these series of procedures is shown in FIG.
상기와 같이 하여 각 캐리어세트 내에 있어서의 5매의 캐리어의 굴곡량(Sk)을 구한 후, 도 3의 공정2와 같이, 각 캐리어세트 내에서의 5매의 캐리어끼리의 굴곡량의 최대값과 최소값의 차(Range)를 산출하고, 미리 설정되어 있던 관리값(10μm)과 비교하고, 이 관리값 이하의 캐리어세트를 선정하였다.After determining the bending amount Sk of the five carriers in each carrier set as described above, and as shown in
구체적으로는, Range가 8.5μm인 캐리어세트(Set C)를 선정하였다.Specifically, a carrier set (Set C) having a range of 8.5 µm was selected.
그리고, 도 3의 공정3과 같이, 선정한 이 캐리어세트의 5매의 캐리어를 양면연마장치에 배설하여 웨이퍼의 양면연마를 행하였다. 양면연마의 각종 조건은 이하와 같다.Then, as in Step 3 of FIG. 3, five carriers of the selected carrier set were disposed in the double-side polishing apparatus, and the double-side polishing of the wafer was performed. Various conditions of double-sided polishing are as follows.
웨이퍼는 직경 300mm의 P형 실리콘 단결정웨이퍼를 이용하였다.As the wafer, a P-type silicon single crystal wafer having a diameter of 300 mm was used.
연마장치는, 후지코시기계공업제의 DSP-20B를 이용하였다.As the polishing apparatus, DSP-20B manufactured by Fujikoshi Kogyo Co., Ltd. was used.
연마패드는, 쇼어 A경도 90의 발포폴리우레탄패드를 이용하였다.As the polishing pad, a foamed polyurethane pad having a Shore A hardness of 90 was used.
캐리어는 티탄기판이며, 인서트로서 유리섬유에 에폭시 수지를 함침한 FRP를 이용하였다.The carrier was a titanium substrate, and an FRP in which an epoxy resin was impregnated into the glass fiber was used as an insert.
슬러리는 실리카지립함유, 평균입경 35nm, 지립농도 1.0wt%, pH 10.5, KOH베이스인 것을 이용하였다.The slurry was one containing silica abrasive grains, an average particle diameter of 35 nm, an abrasive grain concentration of 1.0 wt%, a pH of 10.5, and a KOH base.
가공하중은 150gf/cm2로 설정하였다.The processing load was set at 150 gf / cm 2 .
가공시간은 캐리어세트마다 최적갭이 되도록 설정하였다.The processing time was set to be the optimum gap for each carrier set.
한편, 양면연마 웨이퍼의 에지형상은, 웨이퍼의 마무리두께로부터 캐리어두께를 뺀 값(갭)으로 결정된다. 본 발명에 의해, 굴곡이 큰 캐리어는, 갭이 큰 편이 양호한 에지플랫니스를 나타내는 것을 알 수 있었다. 따라서, 실시예 1 및 후술하는 실시예 2나 비교예 1, 2에서의 가공시간은, 캐리어세트마다의 최적갭이 되도록 설정하였다.On the other hand, the edge shape of the double-side polishing wafer is determined by the value (gap) obtained by subtracting the carrier thickness from the finishing thickness of the wafer. According to the present invention, it was found that a carrier with a large bending exhibits better edge flatness with a larger gap. Therefore, the processing time in Example 1 and Example 2 and Comparative Examples 1 and 2 described later was set to be the optimum gap for each carrier set.
각 구동부의 회전속도는, 상정반은 -13.4rpm, 하정반은 35rpm, 선기어는 25rpm, 인터널기어는 7rpm으로 설정하였다.The rotational speed of each drive unit was set to -13.4 rpm for the upper plate, 35 rpm for the lower plate, 25 rpm for the sun gear, and 7 rpm for the internal gear.
연마패드의 드레싱은, 다이아지립이 전착된 드레스플레이트를 소정압으로 순수를 흘리면서 상하 연마패드에 슬라이드접촉시킴으로써 행하였다.Dressing of the polishing pad was performed by sliding the dressing plate on which the diamond grains were electrodeposited with the upper and lower polishing pads while flowing pure water at a predetermined pressure.
SC-1세정을 조건 NH4OH:H2O2:H2O=1:1:15로 행하였다.SC-1 washing was performed under conditions NH 4 OH: H 2 O 2 : H 2 O = 1: 1: 15.
1배치 5매로 5배치, 즉 합계 25매의 웨이퍼를 양면연마가공하고, 세정을 행하였다.Five batches of five batches, that is, a total of 25 wafers were polished on both sides and washed.
이렇게 하여 얻어진 양면연마 웨이퍼를 WaferSight(KLA Tencor사제)로 측정하였다. 측정한 데이터로부터 ESFQRmax를 산출하고, 규정값에 대한 수율을 구하였다. 한편, ESFQRmax 산출시에는, M49 mode에 존(별칭: Polar Sites)을 72Sector의 30mm Length(2mm E.E.)로 설정하였다.The double-sided polishing wafer thus obtained was measured by WaferSight (manufactured by KLA Tencor). ESFQRmax was computed from the measured data, and the yield with respect to a prescribed value was calculated | required. On the other hand, in calculating ESFQRmax, the zone (alias: Polar Sites) was set to 30 mm Length (2 mm E.E.) of 72 Sector in M49 mode.
(실시예 2)(Example 2)
실시예 1에서 최초로 준비한 복수의 캐리어세트로부터 선정을 할 때에, Range가 3.0μm인 캐리어세트(Set D)를 선정한 것이나, 상기 서술한 양면연마에서의 가공시간 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여 웨이퍼의 양면연마를 행하고, 그 후, ESFQRmax를 산출하여, 규정값에 대한 수율을 구하였다.When selecting from the plurality of carrier sets prepared for the first time in Example 1, a carrier set (Set D) having a range of 3.0 µm was selected, except that the above-described processing time in double-sided polishing was the same as in Example 1. Both sides of the wafer were polished, then ESFQRmax was calculated to obtain a yield with respect to the specified value.
(비교예 1, 2)(Comparative Examples 1 and 2)
실시예 1에서 최초로 준비한 복수의 캐리어세트로부터, 무작위로(즉, 실시예 1, 2와는 달리, Range와 관리값(10μm)의 관계는 고려하지 않고), 각각, 캐리어세트(Set A)와 캐리어세트(Set B)를 선정하고, 웨이퍼의 양면연마를 행하였다. 양면연마에서의 가공시간은, 각각, 최적갭이 되도록 설정하였다. 그 밖의 양면연마의 조건은 실시예 1과 동일하다.From the plurality of carrier sets first prepared in Example 1, that is, randomly (that is, not considering the relationship between Range and the management value (10 μm), unlike in
그 후, ESFQRmax를 산출하여, 규정값에 대한 수율을 구하였다.Then, ESFQRmax was calculated and the yield with respect to a prescribed value was calculated | required.
한편, 비교를 위해 캐리어세트(Set A)와 캐리어세트(Set B)의 Range를 산출한 결과, 각각, 19.1μm, 12.3μm로, 실시예 1, 2에 있어서의 관리값(10μm)보다 컸다.On the other hand, as a result of calculating the ranges of the carrier set A and the carrier set B for comparison, they were 19.1 µm and 12.3 µm, respectively, which were larger than the management values (10 µm) in Examples 1 and 2.
실시예 1, 2, 비교예 1, 2에 있어서의 굴곡량, Range, 평균갭, 수율 등을 정리한 것을 표 1에 나타낸다.Table 1 summarizes the amounts of bending, range, average gap, yield and the like in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2.
[표 1]TABLE 1
표 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명을 실시한 실시예 1, 2에서는, 수율이 각각 92%, 96%로, 비교예 1, 2의 72%, 84%를 크게 상회하고 있었다. 이처럼, 굴곡도 관리를 행한 캐리어세트(실시예 1, 2)와, 종래의 두께만의 관리를 행한 캐리어세트(비교예 1, 2)에서 웨이퍼를 가공한 결과, ESFQRmax의 수율이 개선되었다.As shown in Table 1, in Examples 1 and 2 in which the present invention was carried out, the yields were 92% and 96%, respectively, far exceeding 72% and 84% of Comparative Examples 1 and 2. In this way, the wafers were processed in the carrier sets (Examples 1 and 2) which performed the degree of curvature management and the carrier sets (Comparative Examples 1 and 2) which performed the management of the conventional thickness only, and as a result, the yield of ESFQRmax was improved.
실시예 1, 2에서는, 캐리어세트 내의 복수의 캐리어끼리의 굴곡량의 Range를 관리하여 그 값을 억제함으로써, 얻어지는 복수의 양면연마 웨이퍼끼리의 플랫니스의 불균일을 억제할 수 있었다. 그 결과, 플랫니스가 규정값으로부터 벗어나는 비율을 저감하여, 수율을 향상시킬 수 있었다.In Examples 1 and 2, by managing the range of the bending amount of the plurality of carriers in the carrier set and suppressing the value, the variation in the flatness of the plurality of double-sided polishing wafers obtained could be suppressed. As a result, the rate at which the flatness deviated from the prescribed value was reduced, and the yield was improved.
한편, 본 발명은, 상기 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태는, 예시이며, 본 발명의 특허청구의 범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 동일한 작용효과를 나타내는 것은, 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.In addition, this invention is not limited to the said embodiment. The said embodiment is an illustration, Any thing which has a structure substantially the same as the technical idea described in the claim of this invention, and shows the same effect is included in the technical scope of this invention.
Claims (5)
상기 상하정반의 사이에 배설하는 복수의 양면연마용 캐리어로 이루어지는 캐리어세트를 준비할 때,
형상 측정기를 이용하여 상기 양면연마용 캐리어의 형상을 측정한 데이터로부터 산출한 굴곡량을, 캐리어세트의 상기 복수의 양면연마용 캐리어 전체에 있어서 취득하고, 캐리어세트 내에 있어서의 상기 복수의 양면연마용 캐리어끼리의 굴곡량의 최대값과 최소값의 차가 일정값 이하인 캐리어세트를 선정하여 준비하고,
이 준비한 캐리어세트의 상기 복수의 양면연마용 캐리어를 상기 양면연마장치에 배설하여 상기 웨이퍼를 양면연마하는 것을 특징으로 하는,
웨이퍼의 양면연마방법.
In the double-sided polishing apparatus, a plurality of double-sided polishing carriers are disposed between the upper and lower surface plates on which the polishing cloth is attached, the wafer is held in the work holes formed in each of the plurality of double-sided polishing carriers, and between the upper and lower surface plates. As a double-side polishing method of a double-sided polishing wafer,
When preparing a carrier set consisting of a plurality of double-side polishing carriers disposed between the upper and lower plates,
The amount of curvature calculated from the data of measuring the shape of the carrier for double-side polishing using a shape measuring device is obtained in the entire carriers for double-sided polishing of the carrier set, and for the plurality of double-sided polishing in the carrier set. Select and prepare a carrier set in which the difference between the maximum and minimum values of the amount of bending between the carriers is equal to or less than a predetermined value,
The plurality of double-side polishing carriers of the prepared carrier set are disposed in the double-side polishing device to perform double-side polishing of the wafer.
Method of polishing both sides of wafers.
상기 굴곡량의 산출에 있어서,
상기 형상 측정기로서, 레이저센서를 갖는 3차원 좌표측정기를 이용하고, 상기 양면연마용 캐리어의 전체를 측정한 점군데이터로부터 굴곡량을 산출하는 것을 특징으로 하는,
웨이퍼의 양면연마방법.
The method of claim 1,
In the calculation of the bending amount,
Using the three-dimensional coordinate measuring device having a laser sensor as the shape measuring device, the amount of bending is calculated from the point group data measuring the whole of the double-side polishing carrier,
Method of polishing both sides of wafers.
상기 굴곡량의 산출에 있어서,
상기 측정한 점군데이터 전체에서 수평화를 행하고, 파장 20mm 이하의 노이즈성분을 제거하여 얻어지는 변환점군데이터로부터 상기 양면연마용 캐리어의 굴곡량을 산출하는 것을 특징으로 하는,
웨이퍼의 양면연마방법.
The method of claim 2,
In the calculation of the bending amount,
It is characterized in that the level of bending of the carrier for double-side polishing is calculated from the measured point group data obtained by leveling the entire point group data and removing noise components having a wavelength of 20 mm or less.
Method of polishing both sides of wafers.
상기 양면연마하는 웨이퍼를 직경 300mm의 것으로 하고,
상기 굴곡량의 산출에 있어서,
상기 변환점군데이터로부터, 상기 워크홀의 중심으로부터 175mm 이내인 데이터를 추출하고, 이 추출데이터로부터 산출한 산술평균거칠기Sk를 상기 굴곡량으로 하고,
상기 캐리어세트의 선정에 있어서,
상기 복수의 양면연마용 캐리어끼리의 Sk의 최대값과 최소값의 차가 10μm 이하인 캐리어세트를 선정하는 것을 특징으로 하는,
웨이퍼의 양면연마방법.
The method of claim 3,
The wafer to be polished on both sides is 300 mm in diameter,
In the calculation of the bending amount,
From the conversion point group data, data within 175 mm is extracted from the center of the work hole, and the arithmetic mean roughness Sk calculated from the extracted data is defined as the amount of bending,
In selecting the carrier set,
A carrier set is selected in which the difference between the maximum value and the minimum value of Sk of the plurality of double-sided polishing carriers is 10 μm or less,
Method of polishing both sides of wafers.
상기 캐리어세트 내에 있어서의 상기 복수의 양면연마용 캐리어끼리의, 굴곡량인 산술평균거칠기Sk의 최대값과 최소값의 차가 10μm 이하인 것을 특징으로 하는,
양면연마장치.The upper and lower surfaces with the polishing cloth attached, the slurry supply mechanism for supplying the slurry between the upper and lower surfaces, and the work holes for holding the wafer sandwiched between the upper and lower surfaces during polishing, are provided. A double-side polishing device having a carrier set consisting of a plurality of double-side polishing carriers each formed,
The difference between the maximum value and the minimum value of the arithmetic mean roughness Sk as the amount of bending between the plurality of double-side polishing carriers in the carrier set is 10 μm or less,
Double sided polishing device.
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