KR20190142218A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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데츠야 사다
히로시 나가타
유타카 아소우
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

The present invention relates to a technique for improving the uniformity of development. A substrate processing apparatus comprises: a conveying mechanism; a developing solution tank; and a supply nozzle, wherein the conveying mechanism carries out the flat flow conveyance of a substrate with which an exposed photoresist film formed on a surface, and in the developing solution tank, the substrate conveyed by the conveying mechanism is immersed in the developing solution. In addition, the supply nozzle applies the developing solution to the substrate conveyed out from the developing solution in the developing solution tank.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}Substrate processing apparatus and substrate processing method {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

본 개시는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

특허문헌 1에는 노광된 포토 레지스트막을 표면에 갖는 기판을 롤러 반송 기구에 의해 평류 반송하면서, 기판의 표면에 현상액을 공급하는 것이 개시되어 있다.Patent Literature 1 discloses supplying a developing solution to the surface of a substrate while carrying out a flat flow conveyance of a substrate having an exposed photoresist film on its surface by a roller conveyance mechanism.

특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2012-124309호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-124309

본 개시는 현상의 균일성을 향상시키는 기술을 제공한다.The present disclosure provides techniques for improving the uniformity of development.

본 개시의 일양태에 따른 기판 처리 장치는, 반송 기구와, 현상액조와, 공급 노즐을 구비한다. 반송 기구는, 노광된 포토 레지스트막이 표면에 형성된 기판을 평류 반송한다. 현상액조는, 반송 기구에 의해 반송되는 기판이 현상액에 침지된다. 공급 노즐은, 현상액조 내의 현상액으로부터 밖으로 반송된 기판에 현상액을 적용한다.The substrate processing apparatus which concerns on one aspect of this indication is equipped with a conveyance mechanism, a developing solution tank, and a supply nozzle. The conveyance mechanism carries out flat flow conveyance of the board | substrate with which the exposed photoresist film was formed on the surface. As for a developing tank, the board | substrate conveyed by a conveyance mechanism is immersed in the developing solution. A supply nozzle applies a developing solution to the board | substrate conveyed out from the developing solution in a developing tank.

본 개시에 따르면, 현상의 균일성을 향상시킬 수 있다.According to the present disclosure, the uniformity of development can be improved.

도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 2는 실시형태에 따른 롤러 반송 기구에 의한 기판 반송을 나타내는 모식도이다.
도 3은 실시형태에 따른 현상 유닛의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 4는 실시형태에 따른 현상 처리부의 일부의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 5는 실시형태에 따른 린스액 공급 노즐의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 6은 실시형태에 따른 현상 처리의 순서를 설명하는 흐름도이다.
도 7은 실시형태에 따른 린스 처리를 설명하는 모식도이다.
도 8은 실시형태의 변형예에 따른 액 고임 형성부의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic diagram which shows schematic structure of the substrate processing apparatus which concerns on embodiment.
It is a schematic diagram which shows the board | substrate conveyance by the roller conveyance mechanism which concerns on embodiment.
It is a schematic diagram which shows schematic structure of the developing unit which concerns on embodiment.
It is a schematic diagram which shows schematic structure of a part of image development processing part which concerns on embodiment.
It is a schematic diagram which shows schematic structure of the rinse liquid supply nozzle which concerns on embodiment.
6 is a flowchart illustrating a procedure of developing processing according to the embodiment.
It is a schematic diagram explaining the rinse process which concerns on embodiment.
It is a schematic diagram which shows schematic structure of the liquid pool formation part which concerns on the modification of embodiment.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 실시형태를 상세하게 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 개시되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 한정되는 것이 아니다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, with reference to an accompanying drawing, embodiment of the substrate processing apparatus and substrate processing method which this application discloses is described in detail. In addition, the substrate processing apparatus and substrate processing method disclosed by embodiment shown below are not limited.

<전체 구성><Overall configuration>

실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 대해서 도 1을 참조하여 설명한다. 도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.The substrate processing apparatus 1 which concerns on embodiment is demonstrated with reference to FIG. 1: is a schematic diagram which shows schematic structure of the substrate processing apparatus 1 which concerns on embodiment.

기판 처리 장치(1)는, 카세트 스테이션(2)과, 제1 처리 스테이션(3)과, 인터페이스 스테이션(4)과, 제2 처리 스테이션(5)과, 제어 장치(6)를 구비한다.The substrate processing apparatus 1 includes a cassette station 2, a first processing station 3, an interface station 4, a second processing station 5, and a control device 6.

카세트 스테이션(2)에는, 복수의 유리 기판(S)(이하, 「기판(S)」이라고 칭함)을 수용하는 카세트(C)가 배치된다. 카세트 스테이션(2)은, 복수의 카세트(C)를 배치 가능한 배치대(10)와, 카세트(C)와 제1 처리 스테이션(3) 사이 및 제2 처리 스테이션(5)과 카세트(C) 사이에서 기판(S)의 반송을 행하는 반송 장치(11)를 구비한다.In the cassette station 2, the cassette C which accommodates some glass substrate S (henceforth "substrate S") is arrange | positioned. The cassette station 2 includes a mounting table 10 in which a plurality of cassettes C can be disposed, between the cassette C and the first processing station 3, and between the second processing station 5 and the cassette C. The conveying apparatus 11 which conveys the board | substrate S is provided.

반송 장치(11)는, 반송 아암(11a)을 구비한다. 반송 아암(11a)은, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다.The conveying apparatus 11 is equipped with the conveying arm 11a. The conveyance arm 11a is capable of turning in the horizontal direction and the vertical direction and centering on the vertical axis.

제1 처리 스테이션(3)은, 기판(S)에 포토 레지스트의 도포를 포함하는 처리를 행한다. 제1 처리 스테이션(3)은, 엑시머 UV 조사 유닛(e-UV)(20)과, 스크럽 세정 유닛(SCR)(21)과, 프리히트 유닛(PH)(22)과, 애드히젼 유닛(AD)(23)과, 제1 냉각 유닛(COL)(24)을 구비한다. 이들 유닛(20∼24)은, 카세트 스테이션(2)으로부터 인터페이스 스테이션(4)을 향하는 방향에, 배치된다. 구체적으로는, 엑시머 UV 조사 유닛(20), 스크럽 세정 유닛(21), 프리히트 유닛(22), 애드히젼 유닛(23) 및 제1 냉각 유닛(24)의 순서로 배치된다.The 1st processing station 3 performs the process containing application | coating of a photoresist to the board | substrate S. FIG. The first processing station 3 includes an excimer UV irradiation unit (e-UV) 20, a scrub cleaning unit (SCR) 21, a preheat unit (PH) 22, and an adhesion unit (AD). ) 23 and a first cooling unit (COL) 24. These units 20-24 are arrange | positioned in the direction toward the interface station 4 from the cassette station 2. Specifically, it is arrange | positioned in order of the excimer UV irradiation unit 20, the scrub cleaning unit 21, the preheat unit 22, the adhesion unit 23, and the 1st cooling unit 24.

또한, 제1 처리 스테이션(3)은, 포토 레지스트 도포 유닛(CT)(25)과, 감압 건조 유닛(DP)(26)과, 제1 가열 유닛(HT)(27)과, 제2 냉각 유닛(COL)(28)을 구비한다. 이들 유닛(25∼28)은, 제1 냉각 유닛(24)으로부터 인터페이스 스테이션(4)을 향하는 방향에, 포토 레지스트 도포 유닛(25), 감압 건조 유닛(26), 제1 가열 유닛(27), 제2 냉각 유닛(28)의 순서로 배치된다. 또한, 제1 처리 스테이션(3)은, 롤러 반송 기구(도 2 참조)(29)와, 반송 장치(30)를 구비한다.In addition, the first processing station 3 includes a photoresist coating unit (CT) 25, a reduced pressure drying unit (DP) 26, a first heating unit (HT) 27, and a second cooling unit. (COL) 28 is provided. These units 25-28 are the photoresist application | coating unit 25, the pressure reduction drying unit 26, the 1st heating unit 27, in the direction toward the interface station 4 from the 1st cooling unit 24, It is arranged in the order of the second cooling unit 28. In addition, the 1st processing station 3 is equipped with the roller conveyance mechanism (refer FIG. 2) 29, and the conveying apparatus 30. As shown in FIG.

엑시머 UV 조사 유닛(20)은, 자외역광을 발하는 자외역광 램프로부터 기판(S)에 대하여 자외역광을 조사하여, 기판(S) 상에 부착된 유기물을 제거한다.The excimer UV irradiation unit 20 irradiates the ultraviolet light to the substrate S from the ultraviolet backlight lamp which emits ultraviolet light, and removes the organic substance adhered on the substrate S. FIG.

스크럽 세정 유닛(21)은, 유기물이 제거된 기판(S)에, 세정액[예컨대, 탈이온수(DIW)]을 공급하면서, 브러시 등의 세정 부재에 의해 기판(S)의 표면을 세정한다. 또한 스크럽 세정 유닛(21)은, 블로워 등에 의해 세정한 기판(S)을 건조시킨다.The scrub cleaning unit 21 cleans the surface of the substrate S with a cleaning member such as a brush while supplying a cleaning liquid (for example, deionized water DIW) to the substrate S from which the organic substance has been removed. In addition, the scrub cleaning unit 21 dries the substrate S cleaned by a blower or the like.

프리히트 유닛(22)은, 스크럽 세정 유닛(21)에 의해 건조된 기판(S)을 더욱 가열하여, 기판(S)을 더욱 건조시킨다.The preheat unit 22 further heats the substrate S dried by the scrub cleaning unit 21, thereby further drying the substrate S.

애드히젼 유닛(23)은, 건조된 기판(S)에 헥사메틸디실란(HMDS)을 분무하여, 기판(S)에 소수화 처리를 행한다.The addiction unit 23 sprays hexamethyldisilane (HMDS) onto the dried substrate S, and performs hydrophobization treatment on the substrate S. FIG.

제1 냉각 유닛(24)은, 소수화 처리가 행해진 기판(S)에 냉풍을 분무하여 기판(S)을 냉각한다.The 1st cooling unit 24 cools the board | substrate S by spraying cold air on the board | substrate S on which the hydrophobization process was performed.

포토 레지스트 도포 유닛(25)은, 냉각된 기판(S) 상에 포토 레지스트액을 공급하여, 기판(S) 상에 포토 레지스트막을 형성한다.The photoresist coating unit 25 supplies a photoresist liquid onto the cooled substrate S to form a photoresist film on the substrate S. FIG.

감압 건조 유닛(26)은, 기판(S) 상에 형성된 포토 레지스트막을 감압 분위기 하에서 건조시킨다.The pressure reduction drying unit 26 dries the photoresist film formed on the substrate S under a reduced pressure atmosphere.

제1 가열 유닛(27)은, 포토 레지스트막이 건조된 기판(S)을 가열하여, 포토 레지스트막에 포함되는 용제 등을 제거한다.The 1st heating unit 27 heats the board | substrate S with which the photoresist film was dried, and removes the solvent etc. which are contained in a photoresist film.

제2 냉각 유닛(28)은, 용제 등을 제거한 기판(S)에 냉풍을 분무하여 기판(S)을 냉각한다.The 2nd cooling unit 28 sprays cold air on the board | substrate S which removed the solvent etc., and cools the board | substrate S. FIG.

여기서, 롤러 반송 기구(29)에 대해서, 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 실시형태에 따른 롤러 반송 기구(29)에 의한 기판 반송을 나타내는 모식도이다.Here, the roller conveyance mechanism 29 is demonstrated with reference to FIG. FIG. 2: is a schematic diagram which shows the board | substrate conveyance by the roller conveyance mechanism 29 which concerns on embodiment.

롤러 반송 기구(29)는, 복수의 롤러(29a)와, 복수의 구동 장치(29b)를 구비한다. 롤러 반송 기구(29)는, 구동 장치(29b)에 의해 롤러(29a)를 회전시키고, 롤러(29a)의 회전에 따라 기판(S)을 반송한다. 즉, 롤러 반송 기구(29)는, 기판(S)을 평류 반송한다. 구동 장치(29b)는, 예컨대, 전동 모터이다.The roller conveyance mechanism 29 is equipped with the some roller 29a and the some driving apparatus 29b. The roller conveyance mechanism 29 rotates the roller 29a by the drive apparatus 29b, and conveys the board | substrate S according to the rotation of the roller 29a. That is, the roller conveyance mechanism 29 carries out flat flow conveyance of the board | substrate S. FIG. The drive device 29b is an electric motor, for example.

롤러 반송 기구(29)는, 도 1에 있어서 화살표(L)로 나타내는 바와 같이, 기판(S)을 엑시머 UV 조사 유닛(20)으로부터 제1 냉각 유닛(24)까지 반송한다. 또한, 롤러 반송 기구(29)는, 도 1에 있어서 화살표(M)로 나타내는 바와 같이, 기판(S)을 제1 가열 유닛(27)으로부터 제2 냉각 유닛(28)까지 반송한다.The roller conveyance mechanism 29 conveys the board | substrate S from the excimer UV irradiation unit 20 to the 1st cooling unit 24, as shown by the arrow L in FIG. In addition, the roller conveyance mechanism 29 conveys the board | substrate S from the 1st heating unit 27 to the 2nd cooling unit 28, as shown by the arrow M in FIG.

도 1로 되돌아가서, 반송 장치(30)는, 반송 아암(30a)을 구비한다. 반송 아암(30a)은, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다.Returning to FIG. 1, the conveying apparatus 30 is equipped with the conveying arm 30a. The conveyance arm 30a is capable of moving in the horizontal direction and the vertical direction and pivoting about the vertical axis.

반송 장치(30)는, 제1 냉각 유닛(24)으로부터 포토 레지스트 도포 유닛(25)에 기판(S)을 반송한다. 반송 장치(30)는, 포토 레지스트 도포 유닛(25)으로부터 감압 건조 유닛(26)에 기판(S)을 반송한다. 또한, 반송 장치(30)는, 감압 건조 유닛(26)으로부터 제1 가열 유닛(27)에 기판(S)의 반송을 행한다. 반송 장치(30)는, 복수의 반송 아암을 구비하여도 좋고, 각 유닛 사이에서의 기판(S)의 반송을 상이한 반송 아암으로 행하여도 좋다.The conveying apparatus 30 conveys the board | substrate S from the 1st cooling unit 24 to the photoresist application unit 25. The conveying apparatus 30 conveys the board | substrate S from the photoresist application unit 25 to the pressure reduction drying unit 26. In addition, the conveying apparatus 30 conveys the board | substrate S from the pressure reduction drying unit 26 to the 1st heating unit 27. As shown in FIG. The conveying apparatus 30 may be equipped with the some conveyance arm, and may convey the board | substrate S between each unit with a different conveyance arm.

인터페이스 스테이션(4)에서는, 제1 처리 스테이션(3)에 의해 포토 레지스트막이 형성된 기판(S)이 외부 노광 장치(8) 및 제2 처리 스테이션(5)에 반송된다. 인터페이스 스테이션(4)은, 반송 장치(31)와, 로터리 스테이지(RS)(32)를 구비한다.In the interface station 4, the substrate S on which the photoresist film is formed by the first processing station 3 is conveyed to the external exposure apparatus 8 and the second processing station 5. The interface station 4 includes a conveying apparatus 31 and a rotary stage (RS) 32.

외부 노광 장치(8)는, 외부 장치 블록(8A)과, 노광 장치(8B)를 구비한다. 외부 장치 블록(8A)은, 기판(S)의 외주부의 포토 레지스트막을 주변 노광 장치(EE)에 의해 제거한다. 또한, 외부 장치 블록(8A)은, 노광 장치(8B)로 회로 패턴으로 노광된 기판(S)에 타이틀러(TITLER)에 의해 정해진 정보를 기록한다.The external exposure apparatus 8 is equipped with the external device block 8A and the exposure apparatus 8B. The external device block 8A removes the photoresist film of the outer peripheral portion of the substrate S by the peripheral exposure apparatus EE. The external device block 8A also records information determined by the titler TITLER on the substrate S exposed in the circuit pattern by the exposure apparatus 8B.

노광 장치(8B)는, 회로 패턴에 대응한 패턴을 갖는 포토 마스크를 이용하여 포토 레지스트막을 노광한다.The exposure apparatus 8B exposes the photoresist film using a photo mask having a pattern corresponding to the circuit pattern.

반송 장치(31)는, 반송 아암(31a)을 구비한다. 반송 아암(31a)은, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다.The conveying apparatus 31 is equipped with the conveying arm 31a. The conveyance arm 31a is capable of turning in the horizontal direction and the vertical direction and centering around the vertical axis.

반송 장치(31)는, 제2 냉각 유닛(28)으로부터 로터리 스테이지(32)에 기판(S)을 반송한다. 또한, 반송 장치(31)는, 로터리 스테이지(32)로부터 외부 장치 블록(8A)의 주변 노광 장치에 기판(S)을 반송하고, 외주부의 포토 레지스트막이 제거된 기판(S)을 노광 장치(8B)에 반송한다.The conveying apparatus 31 conveys the board | substrate S from the 2nd cooling unit 28 to the rotary stage 32. As shown in FIG. Moreover, the conveying apparatus 31 conveys the board | substrate S from the rotary stage 32 to the peripheral exposure apparatus of 8 A of external device blocks, and exposes the board | substrate S from which the photoresist film of the outer peripheral part was removed. Return to).

또한, 반송 장치(31)는, 회로 패턴으로 노광된 기판(S)을 노광 장치(8B)로부터 외부 장치 블록(8A)의 타이틀러에 기판(S)을 반송한다. 그리고, 반송 장치(31)는, 정해진 정보가 기록된 기판(S)을 타이틀러로부터 제2 처리 스테이션(5)의 현상 유닛(DEV)(40)에 반송한다.In addition, the conveying apparatus 31 conveys the board | substrate S exposed by the circuit pattern from the exposure apparatus 8B to the titler of 8 A of external device blocks. And the conveying apparatus 31 conveys the board | substrate S on which the predetermined information was recorded to the developing unit (DEV) 40 of the 2nd processing station 5 from a titler.

제2 처리 스테이션(5)은, 현상을 포함하는 처리를 행한다. 제2 처리 스테이션(5)은, 현상 유닛(40)과, 제2 가열 유닛(HT)(41)과, 제3 냉각 유닛(COL)(42)과, 검사 유닛(IP)(43)과, 롤러 반송 기구(44)(도 2 참조)를 구비한다. 이들 유닛(40∼43)은, 인터페이스 스테이션(4)으로부터 카세트 스테이션(2)을 향하는 방향에, 현상 유닛(40), 제2 가열 유닛(41), 제3 냉각 유닛(42) 및 검사 유닛(43)의 순서로 배치된다.The second processing station 5 performs a process including development. The second processing station 5 includes a developing unit 40, a second heating unit (HT) 41, a third cooling unit (COL) 42, an inspection unit (IP) 43, The roller conveyance mechanism 44 (refer FIG. 2) is provided. These units 40-43 are the developing unit 40, the 2nd heating unit 41, the 3rd cooling unit 42, and the test | inspection unit in the direction toward the cassette station 2 from the interface station 4 ( 43).

현상 유닛(40)은, 노광된 포토 레지스트막을 현상액에 의해 현상한다. 또한, 현상 유닛(40)은, 포토 레지스트막을 현상한 기판(S) 상의 현상액을 린스액에 의해 씻어내고, 린스액을 건조시킨다. 또한, 현상 유닛(40)의 구성에 대해서, 후술한다.The developing unit 40 develops the exposed photoresist film with a developing solution. Moreover, the developing unit 40 wash | cleans the developing solution on the board | substrate S which developed the photoresist film with the rinse liquid, and dries the rinse liquid. In addition, the structure of the developing unit 40 is mentioned later.

제2 가열 유닛(41)은, 린스액이 건조된 기판(S)을 가열하여, 포토 레지스트막에 남는 용제 및 린스액을 제거한다.The 2nd heating unit 41 heats the board | substrate S with which the rinse liquid was dried, and removes the solvent and rinse liquid which remain in a photoresist film.

제3 냉각 유닛(42)은, 용제 및 린스액이 제거된 기판(S)에 냉풍을 분무하여 기판(S)을 냉각한다.The 3rd cooling unit 42 sprays cold air on the board | substrate S from which the solvent and the rinse liquid were removed, and cools the board | substrate S. FIG.

검사 유닛(43)은, 냉각된 기판(S)에 대하여, 포토 레지스트 패턴(라인)의 한계 치수(CD)의 측정 등의 검사를 행한다.The inspection unit 43 inspects the cooled substrate S such as the measurement of the critical dimension CD of the photoresist pattern (line).

검사 유닛(43)에 의해 검사가 행해진 기판(S)은, 반송 장치(11)의 반송 아암(11a)에 의해 제2 처리 스테이션(5)으로부터 카세트 스테이션(2)의 카세트(C)에 반송된다.The board | substrate S examined by the test | inspection unit 43 is conveyed from the 2nd processing station 5 to the cassette C of the cassette station 2 by the conveyance arm 11a of the conveying apparatus 11. .

롤러 반송 기구(44)의 구성은, 제1 처리 스테이션(3)에 있어서의 롤러 반송 기구(29)와 동일한 구성이며, 여기서의 설명은 생략한다. 롤러 반송 기구(44)는, 화살표(N)로 나타내는 바와 같이, 현상 유닛(40)으로부터 검사 유닛(43)까지 기판(S)을 반송한다. 즉, 롤러 반송 기구(44)는, 노광된 포토 레지스트막이 표면에 형성된 기판(S)을 평류 반송한다.The structure of the roller conveyance mechanism 44 is the same structure as the roller conveyance mechanism 29 in the 1st processing station 3, and abbreviate | omits description here. The roller conveyance mechanism 44 conveys the board | substrate S from the developing unit 40 to the test | inspection unit 43, as shown by the arrow N. FIG. That is, the roller conveyance mechanism 44 carries out flat flow conveyance of the board | substrate S in which the exposed photoresist film was formed on the surface.

제어 장치(6)는, 예컨대, 컴퓨터이며, 제어부(6A)와 기억부(6B)를 구비한다. 기억부(6B)는, 예컨대, RAM(Random Access Memory), 플래시 메모리(Flash Memory) 등의 반도체 메모리 소자, 또는, 하드 디스크, 광 디스크 등의 기억 장치에 의해 실현된다.The control apparatus 6 is a computer, for example, and is provided with the control part 6A and the memory | storage part 6B. The storage unit 6B is realized by, for example, a semiconductor memory element such as RAM (Random Access Memory), a flash memory, or a storage device such as a hard disk or an optical disk.

제어부(6A)는, CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory), RAM, 입출력 포트 등을 포함하는 마이크로 컴퓨터나 각종 회로를 포함한다. 마이크로 컴퓨터의 CPU는, ROM에 기억되어 있는 프로그램을 읽어내어 실행함으로써, 각 스테이션(2∼5)의 제어를 실현한다.The control unit 6A includes a microcomputer and various circuits including a central processing unit (CPU), a read only memory (ROM), a RAM, an input / output port, and the like. The microcomputer's CPU realizes the control of each station 2 to 5 by reading and executing a program stored in the ROM.

또한, 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있고, 기억 매체로부터 제어 장치(6)의 기억부(6B)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.The program may be recorded in a storage medium that can be read by a computer and installed in the storage unit 6B of the control device 6 from the storage medium. Examples of storage media that can be read by a computer include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), and a memory card.

<현상 유닛><Developing unit>

다음에, 현상 유닛(40)에 대해서, 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은 실시형태에 따른 현상 유닛(40)의 개략 구성을 나타내는 모식도이다. 도 3에서는, 롤러 반송 기구(44) 등의 일부 구성은 생략한다. 이하에서는, 기판(S)의 반송 방향에 대하여 직교하는 기판(S)의 면 방향을, 폭 방향으로 하여 설명한다. 또한, 폭 방향은, 롤러 반송 기구(44)의 롤러(44a)의 회전축에 대하여 평행하다.Next, the developing unit 40 will be described with reference to FIG. 3. 3 is a schematic diagram illustrating a schematic configuration of a developing unit 40 according to the embodiment. In FIG. 3, some structures, such as the roller conveyance mechanism 44, are abbreviate | omitted. Below, the surface direction of the board | substrate S orthogonal to the conveyance direction of the board | substrate S is demonstrated as a width direction. In addition, the width direction is parallel to the rotating shaft of the roller 44a of the roller conveyance mechanism 44. As shown in FIG.

현상 유닛(40)은, 현상 처리부(50)와, 린스 처리부(51)와, 건조 처리부(52)를 구비한다. 현상 처리부(50), 린스 처리부(51) 및 건조 처리부(52)는, 기판(S)의 반송 방향을 따라 현상 처리부(50), 린스 처리부(51) 및 건조 처리부(52)의 순서로 배치된다. 또한, 자세한 설명은 생략하지만, 현상 유닛(40)은, 예컨대, 현상액의 비산을 억제하기 위해, FFU(Fan Filter Unit)나, 배기 기구 등을 구비한다.The developing unit 40 includes a developing processing unit 50, a rinse processing unit 51, and a drying processing unit 52. The developing processing unit 50, the rinsing processing unit 51, and the drying processing unit 52 are arranged in the order of the developing processing unit 50, the rinsing processing unit 51, and the drying processing unit 52 along the conveying direction of the substrate S. FIG. . In addition, although the detailed description is abbreviate | omitted, the developing unit 40 is equipped with FFU (Fan Filter Unit), an exhaust mechanism, etc., for example in order to suppress scattering of a developing solution.

현상 처리부(50)는, 챔버(50a) 내를 반송되는 기판(S)에 대하여 현상 처리를 행한다. 현상 처리부(50)는, 현상액조(60)와, 제1 공급 노즐(61)과, 제2 공급 노즐(62)과, 제3 공급 노즐(63)과, 에어 나이프(64)를 구비한다.The developing unit 50 performs the developing process on the substrate S conveyed in the chamber 50a. The developing processing unit 50 includes a developing tank 60, a first supply nozzle 61, a second supply nozzle 62, a third supply nozzle 63, and an air knife 64.

현상액조(60)는, 기판(S)의 반송 방향에 있어서의 상류측, 즉, 인터페이스 스테이션(4)(도 1 참조)측에 마련된다. 현상액조(60)에는, 미리 설정된 정해진 양의 현상액이 고여 있다. 현상액조(60)에는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 롤러 반송 기구(44)의 롤러(44a)가 마련된다. 도 4는 실시형태에 따른 현상 처리부(50)의 일부의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.The developing solution tank 60 is provided on the upstream side in the conveyance direction of the board | substrate S, ie, the interface station 4 (refer FIG. 1) side. In the developer tank 60, a predetermined amount of developer is accumulated. In the developing solution tank 60, as shown in FIG. 4, the roller 44a of the roller conveyance mechanism 44 is provided. 4 is a schematic diagram illustrating a schematic configuration of a part of the developing processing unit 50 according to the embodiment.

현상액조(60)에서는, 롤러(44a)의 일부는, 상단이 현상액의 액면보다 낮아지도록 마련된다. 그 때문에, 기판(S)은, 롤러 반송 기구(44)에 의해 현상액조(60) 내의 현상액에 침지되면서 반송된다. 즉, 현상액조(60)에서는, 롤러 반송 기구(44)(반송 기구의 일례)에 의해 반송되는 기판(S)이 현상액에 침지되어, 딥 처리가 행해진다. 이에 의해, 기판(S)에서는, 현상이 개시된다.In the developing solution tank 60, a part of the roller 44a is provided so that an upper end may become lower than the liquid level of the developing solution. Therefore, the board | substrate S is conveyed, being immersed in the developing solution in the developing tank 60 by the roller conveyance mechanism 44. As shown in FIG. That is, in the developing solution tank 60, the board | substrate S conveyed by the roller conveyance mechanism 44 (an example of a conveyance mechanism) is immersed in the developing solution, and dip processing is performed. Thereby, development starts in the board | substrate S. FIG.

롤러 반송 기구(44)는, 기판(S)의 반송 방향을 따라 반송되는 기판(S)이, 현상액조(60) 내의 현상액에 침지된 후에 현상액조(60) 내의 현상액으로부터 밖으로 반송되도록 마련된다. 구체적으로는, 롤러 반송 기구(44)는, 기판(S)을 제1 정해진 각도의 전방 하향 상태로 현상액조(60) 내의 현상액에 침지시키고, 그 후 기판(S)을 수평으로 유지하여 반송한다. 그리고, 롤러 반송 기구(44)는, 기판(S)을 제2 정해진 각도의 전방 상향 상태로 현상액조(60) 내의 현상액으로부터 밖으로 반송한다.The roller conveyance mechanism 44 is provided so that the board | substrate S conveyed along the conveyance direction of the board | substrate S may be conveyed out from the developing solution in the developing tank 60 after being immersed in the developing solution in the developing tank 60. Specifically, the roller conveyance mechanism 44 immerses the board | substrate S in the developing solution in the developing tank 60 in the front downward state of a 1st predetermined angle, and holds and conveys the board | substrate S horizontally after that. . And the roller conveyance mechanism 44 conveys the board | substrate S out from the developing solution in the developing tank 60 in the front upward state of a 2nd predetermined angle.

전방 하향 상태란, 기판(S)의 반송 방향에 있어서 기판(S)의 전방의 높이가 후방의 높이보다 낮은 상태이다. 또한, 기판(S)이 전방 하향 상태란, 기판(S)의 일부가 전방 하향 상태로 되어 있는 것을 포함한다. 또한, 전방 상향 상태란, 기판(S)의 반송 방향에 있어서 기판(S)의 전방의 높이가 후방의 높이보다 높은 상태이다. 또한, 기판(S)가 전방 상향 상태란, 기판(S)의 일부가 전방 상향 상태로 되어 있는 것을 포함한다.The front downward state is a state in which the height of the front of the substrate S is lower than the height of the rear side in the conveying direction of the substrate S. FIG. In addition, the state in which the board | substrate S is in the front downward state includes the part in which the board | substrate S is in the front downward state. In addition, a front upward state is a state in which the height of the front of the board | substrate S is higher than the height of the back in the conveyance direction of the board | substrate S. In addition, the state in which the board | substrate S is front upward includes the one in which one part of the board | substrate S is a front upward state.

제1 정해진 각도 및 제2 정해진 각도는, 각각 미리 설정된 각도이며, 기판(S)에 현상 얼룩이 발생하는 것을 억제하는 각도이다. 또한, 제2 정해진 각도는, 기판(S)을 현상액조(60) 내의 현상액으로부터 밖으로 반송할 때에, 기판(S)에 부착된 현상액의 일부를 자기 중량에 의해 현상액조(60) 내로 되돌리는 것이 가능한 각도이다.Each of the first predetermined angle and the second predetermined angle is an angle set in advance, and is an angle for suppressing occurrence of developing unevenness in the substrate S. FIG. The second predetermined angle is to return a part of the developer attached to the substrate S into the developer tank 60 by its own weight when the substrate S is transported out from the developer in the developer tank 60. Possible angle.

그 때문에, 기판(S)의 반송 방향에 있어서 제2 공급 노즐(62)의 직전에 마련된 롤러(44a)(이하, 설명을 위해 「롤러(44b)」와 구별함)는, 현상액조(60) 내의 현상액의 액면보다 높은 위치에 마련된다. 구체적으로는, 롤러(44b)는, 제2 공급 노즐(62)에 의해 현상액이 적용된 기판(S)을 수평으로 하여 반송하는 롤러(44a), 예컨대, 도 4에 있어서 제2 공급 노즐(62)보다 기판(S)의 반송 방향에 있어서 하류측의 롤러(44a)보다 높은 위치에 마련된다.Therefore, the roller 44a (hereinafter, distinguished from "roller 44b" for description) provided immediately before the 2nd supply nozzle 62 in the conveyance direction of the board | substrate S is the developing solution tank 60 It is provided in the position higher than the liquid level of the developing solution inside. Specifically, the roller 44b horizontally conveys the board | substrate S to which the developing solution was applied by the 2nd supply nozzle 62, for example, the 2nd supply nozzle 62 in FIG. It is provided in the position higher than the roller 44a of a downstream side in the conveyance direction of the board | substrate S further.

현상액조(60)에는, 현상액에 침지된 기판(S)이 부상하는 것을 억제하는 제1 누름 롤러(65)가 마련된다. 또한, 제1 누름 롤러(65)는, 기판(S)이 현상액에 침지된 직후에 마련되어도 좋다.The developing tank 60 is provided with a first pressing roller 65 which suppresses the rise of the substrate S immersed in the developing solution. In addition, the 1st pressing roller 65 may be provided immediately after the board | substrate S is immersed in the developing solution.

또한, 현상액조(60)에는, 롤러(44b)의 상방에 제2 누름 롤러(66)가 마련된다. 제2 누름 롤러(66)는, 기판(S)의 부상을 억제하고, 기판(S)이 제2 공급 노즐(62)에 접촉하는 것을 억제한다.Moreover, the 2nd press roller 66 is provided in the developing tank 60 above the roller 44b. The 2nd press roller 66 suppresses the floating of the board | substrate S, and suppresses the board | substrate S contacting the 2nd supply nozzle 62. FIG.

현상액조(60)에는, 현상액 배출 라인(68a)이 접속된다. 현상액 배출 라인(68a)에는, 유량 제어 밸브(68b)나, 개폐 밸브(68c) 등이 마련된다. 유량 제어 밸브(68b)는, 현상액조(60) 내의 현상액의 양이 정해진 양이 되도록, 즉, 현상액의 액면의 높이가 미리 설정된 정해진 높이가 되도록 제어된다. 구체적으로는, 유량 제어 밸브(68b)는, 제1 공급 노즐(61)로부터 토출되는 현상액의 유량이나, 제2 공급 노즐(62)에 의한 적용으로 기판(S)으로부터 새는 현상액의 유량에 따라 개방도가 제어된다. 또한, 유량 제어 밸브(68b)는, 현상액조(60)에 있어서의 현상액의 액면의 높이를 검출하는 센서로부터의 신호에 기초하여 제어되어도 좋다.The developer discharge line 68a is connected to the developer tank 60. The developing solution discharge line 68a is provided with a flow control valve 68b, an open / close valve 68c, and the like. The flow rate control valve 68b is controlled so that the amount of the developing solution in the developing tank 60 becomes a predetermined amount, that is, the height of the liquid level of the developing solution becomes a predetermined predetermined height. Specifically, the flow control valve 68b is opened in accordance with the flow rate of the developer discharged from the first supply nozzle 61 or the flow rate of the developer leaked from the substrate S by the application by the second supply nozzle 62. The degree is controlled. In addition, the flow control valve 68b may be controlled based on the signal from the sensor which detects the height of the liquid level of the developing solution in the developing solution tank 60.

현상액조(60)로부터 배출된 현상액은, 탈포 처리 등이 행해져 회수되어, 현상액 공급원(70)(도 3 참조)에 고인다. 또한, 현상 처리부(50)에는, 현상액조(60)에 한정되지 않고, 기판(S)으로부터 챔버(50a)에 샌 현상액 등을 회수하는 회수팬 등을 갖는 회수 라인(도시하지 않음)이 마련되어 있고, 회수 라인에 의해 회수된 현상액도 마찬가지로, 탈포 처리 등이 행해져, 현상액 공급원(70)에 고인다.The developing solution discharged from the developing solution tank 60 is collected by degassing treatment or the like, and accumulated in the developing solution supply source 70 (see FIG. 3). In addition, the developing processing unit 50 is provided with a recovery line (not shown) having a recovery fan or the like for recovering the developer or the like leaked from the substrate S to the chamber 50a without being limited to the developer tank 60. Similarly, the developer recovered by the recovery line is subjected to degassing treatment and the like, and accumulated in the developer supply source 70.

현상액 배출 라인(68a)이나, 회수 라인은, 현상액이 비산하지 않도록 배관 등이 접속되어 형성된다. 또한, 현상액 배출 라인(68a)이나, 회수 라인에는, 현상액이 비산하지 않도록 커버(도시하지 않음) 등이 마련된다.The developing solution discharge line 68a and the recovery line are formed by connecting a pipe or the like so that the developing solution does not scatter. In addition, a cover (not shown) or the like is provided in the developer discharge line 68a and the recovery line so that the developer does not scatter.

제1 공급 노즐(61)은, 폭 방향을 따라 연장 설치된다. 제1 공급 노즐(61)에는, 폭 방향을 따라 슬릿형의 토출구(도시하지 않음)가 형성된다. 제1 공급 노즐(61)은, 현상액조(60)의 상방에 마련된다. 구체적으로는, 제1 공급 노즐(61)은, 기판(S)이 현상액의 액면에 진입하는 부분의 상방에 마련된다.The first supply nozzle 61 extends along the width direction. A slit discharge port (not shown) is formed in the first supply nozzle 61 along the width direction. The first supply nozzle 61 is provided above the developer tank 60. Specifically, the first supply nozzle 61 is provided above the portion where the substrate S enters the liquid level of the developing solution.

제1 공급 노즐(61)(조정 노즐의 일례)은, 현상액조(60) 내의 현상액에 기판(S)이 침지되는 경우에 형성된다, 현상액의 액면과 기판(S)의 경계를 향하여 현상액을 토출한다. 제1 공급 노즐(61)은, 현상액의 액면과 기판(S)의 경계를 정돈하도록 현상액을 토출한다.The first supply nozzle 61 (an example of the adjustment nozzle) is formed when the substrate S is immersed in the developing solution in the developing tank 60, and the developer is discharged toward the boundary between the liquid level of the developing solution and the substrate S. FIG. do. The first supply nozzle 61 discharges the developer so that the boundary between the liquid level of the developer and the substrate S is aligned.

제1 공급 노즐(61)은, 폭 방향을 따라 형성된 토출구로부터 현상액을 토출함으로써, 폭 방향에 있어서 현상액의 액면과 기판(S)의 경계를 정돈한다. 즉, 제1 공급 노즐(61)은, 폭 방향에 있어서 현상액의 액면과 기판(S)의 경계를 안정시킨다.The first supply nozzle 61 discharges the developer from the discharge port formed along the width direction, thereby trimming the boundary between the liquid level of the developer and the substrate S in the width direction. That is, the first supply nozzle 61 stabilizes the boundary between the liquid level of the developing solution and the substrate S in the width direction.

제2 공급 노즐(62)은, 폭 방향을 따라 연장 설치된다. 제2 공급 노즐(62)에는, 폭 방향을 따라 슬릿형의 토출구(도시하지 않음)가 형성된다. 제2 공급 노즐(62)은, 현상액조(60)의 상방에 마련된다. 제2 공급 노즐(62)은, 기판(S)의 반송 방향에 있어서 제1 공급 노즐(61)보다 하류측에 마련된다. 구체적으로는, 제2 공급 노즐(62)은, 기판(S)의 반송 방향에 있어서, 제1 공급 노즐(61)에 대하여 기판(S) 1장분 이하, 하류측으로 떨어진 위치에 마련된다. 이에 의해, 기판(S)의 반송 방향에 있어서의 현상액조(60)의 길이를 짧게 할 수 있어, 소형의 현상액조(60)를 이용할 수 있다.The second supply nozzle 62 extends along the width direction. A slit discharge port (not shown) is formed in the second supply nozzle 62 along the width direction. The second supply nozzle 62 is provided above the developing tank 60. The 2nd supply nozzle 62 is provided downstream from the 1st supply nozzle 61 in the conveyance direction of the board | substrate S. FIG. Specifically, the second supply nozzle 62 is provided at a position separated from the downstream of the substrate S by one piece or less with respect to the first supply nozzle 61 in the transport direction of the substrate S. Thereby, the length of the developing solution tank 60 in the conveyance direction of the board | substrate S can be shortened, and the small developing solution tank 60 can be used.

제2 공급 노즐(62)은, 기판(S)에 현상액을 적용하여, 액 적용 처리를 행한다. 즉, 제2 공급 노즐(62)(공급 노즐의 일례)은, 현상액조(60) 내의 현상액으로부터 밖으로 반송된 기판(S)에 현상액을 적용한다.The 2nd supply nozzle 62 applies a developing solution to the board | substrate S, and performs a liquid application process. That is, the 2nd supply nozzle 62 (an example of a supply nozzle) applies a developing solution to the board | substrate S conveyed out from the developing solution in the developing tank 60.

도 3으로 되돌아가서, 제3 공급 노즐(63)은, 폭 방향을 따라 연장 설치된다. 제3 공급 노즐(63)은, 폭 방향을 따라 슬릿형의 토출구(도시하지 않음)가 형성된다. 제3 공급 노즐(63)은, 기판(S)의 반송 방향에 있어서 제2 공급 노즐(62)보다 하류측에 마련된다. 구체적으로는, 제3 공급 노즐(63)은, 기판(S)의 반송 방향에 있어서, 제2 공급 노즐(62)에 대하여 예컨대 기판(S) 1장분, 하류측으로 떨어진 위치에 마련된다. 제3 공급 노즐(63)은, 제2 공급 노즐(62)에 의해 적용된 기판(S)을 향하여 현상액을 토출하여, 현상액의 치환을 행한다. 즉, 제3 공급 노즐(63)은, 치환 처리를 행한다.Returning to FIG. 3, the 3rd supply nozzle 63 is extended along the width direction. The third supply nozzle 63 is formed with a slit discharge port (not shown) along the width direction. The 3rd supply nozzle 63 is provided downstream from the 2nd supply nozzle 62 in the conveyance direction of the board | substrate S. FIG. Specifically, the third supply nozzle 63 is provided at a position away from the downstream side of the substrate S, for example, for one sheet of the substrate S in the conveying direction of the substrate S. As shown in FIG. The third supply nozzle 63 discharges the developing solution toward the substrate S applied by the second supply nozzle 62 and replaces the developing solution. That is, the 3rd supply nozzle 63 performs a substitution process.

제1 공급 노즐(61), 제2 공급 노즐(62) 및 제3 공급 노즐(63)에는, 현상액 공급 라인(69a)을 통해 현상액 공급원(70)으로부터 현상액이 공급된다. 현상액 공급 라인(69a)에는, 유량 제어 밸브(69b∼69d)나, 개폐 밸브(69e) 등이 마련되어, 각 공급 노즐(61∼63)로부터 토출되는 현상액의 유량이 제어된다.The developing solution is supplied to the first supply nozzle 61, the second supply nozzle 62, and the third supply nozzle 63 from the developer supply source 70 through the developer supply line 69a. The developing solution supply line 69a is provided with flow control valves 69b to 69d, opening / closing valves 69e and the like, and the flow rate of the developing solution discharged from the supply nozzles 61 to 63 is controlled.

에어 나이프(64)는, 폭 방향을 따라 연장 설치된다. 에어 나이프(64)에는, 폭 방향을 따라 슬릿형의 토출구(도시하지 않음)가 형성된다. 에어 나이프(64)는, 기판(S)의 반송 방향에 있어서 제3 공급 노즐(63)보다 하류측에 마련된다. 구체적으로는, 에어 나이프(64)는, 기판(S)의 반송 방향에 있어서 현상 처리부(50)의 하류단에 마련된다.The air knife 64 is extended along the width direction. The air knife 64 is provided with a slit discharge port (not shown) along the width direction. The air knife 64 is provided downstream from the 3rd supply nozzle 63 in the conveyance direction of the board | substrate S. FIG. Specifically, the air knife 64 is provided in the downstream end of the developing processing part 50 in the conveyance direction of the board | substrate S. As shown in FIG.

에어 나이프(64)(공기 토출부의 일례)는, 기판(S)에 적용된 현상액을 향하여 공기를 토출하여, 기판에 적용된 현상액을 제거한다. 즉, 에어 나이프(64)는, 토출구로부터 공기를 분출하여, 에어 커튼을 생성하고, 생성한 에어 커튼에 의해 기판(S)에 적용된 현상액을 제거한다.The air knife 64 (an example of the air discharge portion) discharges air toward the developer applied to the substrate S, and removes the developer applied to the substrate. That is, the air knife 64 ejects air from a discharge port, produces | generates an air curtain, and removes the developing solution applied to the board | substrate S by the produced | generated air curtain.

에어 나이프(64)에는, 에어 공급 라인(71a)을 통해 에어 공급원(72)으로부터 압축 공기가 공급된다. 에어 공급 라인(71a)에는, 유량 제어 밸브(71b)나, 개폐 밸브(71c) 등이 마련된다.Compressed air is supplied to the air knife 64 from the air supply source 72 via the air supply line 71a. The air supply line 71a is provided with a flow control valve 71b, an open / close valve 71c, and the like.

또한, 기판(S)의 반송 방향에 있어서 현상 처리부(50)의 하류측에 마련된 롤러(44a)는, 에어 나이프(64)측이 됨에 따라 높이가 높아진다. 이에 의해, 현상 처리부(50)의 하류측에서는, 기판(S)은 전방 상향의 상태가 된다. 그 때문에, 에어 커튼에 의해 액 제거할 때에, 기판(S)에 적용된 현상액을 적게 할 수 있어, 에어 커튼에 의한 현상액의 제거를 용이하게 행할 수 있다. 또한, 제거된 현상액은, 회수 라인에 의해 회수된다.Moreover, the height of the roller 44a provided in the downstream of the image development processing part 50 in the conveyance direction of the board | substrate S becomes high as it becomes the air knife 64 side. Thereby, the board | substrate S will be in the state upward of the downstream in the image development processing part 50. As shown in FIG. Therefore, when the liquid is removed by the air curtain, the developer applied to the substrate S can be reduced, and the developer by the air curtain can be easily removed. In addition, the removed developer is recovered by a recovery line.

린스 처리부(51)는, 현상 처리부(50)에 의해 현상된 기판(S)을 린스액에 의해 세정하는 린스 처리를 행한다. 린스 처리부(51)는, 린스액 공급 노즐(75)과, 액 고임 형성부(76)를 구비한다.The rinse processing unit 51 performs a rinse processing for cleaning the substrate S developed by the developing processing unit 50 with a rinse liquid. The rinse processing unit 51 includes a rinse liquid supply nozzle 75 and a liquid pool forming unit 76.

린스액 공급 노즐(75)은, 폭 방향을 따라 연장 설치된다. 린스액 공급 노즐(75)은, 기판(S)의 반송 방향에 있어서 린스 처리부(51)의 상류단에 마련된다. 린스액 공급 노즐(75)은, 에어 나이프(64)에 인접하여 마련된다. 즉, 린스액 공급 노즐(75)은, 기판(S)의 반송 방향에 있어서 에어 나이프(64)의 바로 뒤에 마련된다.The rinse liquid supply nozzle 75 extends along the width direction. The rinse liquid supply nozzle 75 is provided at an upstream end of the rinse processing unit 51 in the conveying direction of the substrate S. The rinse liquid supply nozzle 75 is provided adjacent to the air knife 64. That is, the rinse liquid supply nozzle 75 is provided immediately after the air knife 64 in the conveyance direction of the board | substrate S. As shown in FIG.

린스액 공급 노즐(75)에는, 린스액 공급 라인(78a)을 통해 린스액 공급원(77)으로부터 린스액이 공급된다. 린스액 공급 라인(78a)에는, 유량 제어 밸브(78b)나, 개폐 밸브(78c) 등이 마련된다.The rinse liquid supply nozzle 75 is supplied with a rinse liquid from the rinse liquid supply source 77 via the rinse liquid supply line 78a. The rinse liquid supply line 78a is provided with a flow control valve 78b, an open / close valve 78c, and the like.

린스액 공급 노즐(75)은, 도 5에 나타내는 바와 같이, 린스액 받이부(75a)를 구비하고, 린스액 받이부(75a)를 향하여 린스액을 토출한다. 린스액 받이부(75a)는, 판형이며, 폭 방향을 따라 연장 설치된다. 린스액 받이부(75a)는, 린스액 공급 노즐(75)에 의해 토출된 린스액의 기세를 저감하여, 린스액을 하방을 향하여 흐르게 한다. 도 5는 실시형태에 따른 린스액 공급 노즐(75)의 개략 구성을 나타내는 모식도이다. 또한, 린스액 받이부(75a)는, 린스액이 현상 처리부(50)에 유입, 또는 비산하는 것을 억제한다.As shown in FIG. 5, the rinse liquid supply nozzle 75 is equipped with the rinse liquid receiving part 75a, and discharges a rinse liquid toward the rinse liquid receiving part 75a. The rinse liquid receiving portion 75a has a plate shape and extends along the width direction. The rinse liquid receiving unit 75a reduces the force of the rinse liquid discharged by the rinse liquid supply nozzle 75 and causes the rinse liquid to flow downward. FIG. 5: is a schematic diagram which shows schematic structure of the rinse liquid supply nozzle 75 which concerns on embodiment. In addition, the rinse liquid receiver 75a suppresses the rinse liquid from flowing into or scattering in the developing processing unit 50.

액 고임 형성부(76)는, 롤러(44a) 사이에 마련되고, 폭 방향을 따라 연장 설치된다. 액 고임 형성부(76)는, 린스액 공급 노즐(75)과 마찬가지로, 기판(S)의 반송 방향에 있어서 린스 처리부(51)의 상류단에 마련된다. 액 고임 형성부(76)의 일부는, 현상 처리부(50) 내로 돌출한다. 액 고임 형성부(76)는, 린스액 받이부(75a)의 하방에 마련된다.The liquid pool formation part 76 is provided between the rollers 44a, and is extended along the width direction. The liquid pool formation part 76 is provided in the upstream end of the rinse processing part 51 in the conveyance direction of the board | substrate S similarly to the rinse liquid supply nozzle 75. A part of the liquid pool forming section 76 protrudes into the developing processing section 50. The liquid pool formation part 76 is provided below the rinse liquid receiving part 75a.

액 고임 형성부(76)의 상면(76a)은, 기판(S)의 반송 방향의 하류측이 높아지도록 경사하고 있다. 액 고임 형성부(76)의 상면(76a)에는, 린스액 받이부(75a)에 닿아 기세가 저감된 린스액에 의해 액 고임이 형성된다.The upper surface 76a of the liquid pool formation part 76 is inclined so that the downstream side of the conveyance direction of the board | substrate S may become high. The liquid pool is formed on the upper surface 76a of the liquid pool forming unit 76 by the rinse liquid in contact with the rinse liquid receiving unit 75a and reduced in force.

액 고임 형성부(76)는, 기판(S)의 반송 방향에 있어서 에어 나이프(64)보다 하류측에 린스액의 액 고임을 형성한다. 액 고임은, 폭 방향을 따라 형성된다. 액 고임의 폭 방향의 길이는, 기판(S)의 폭 방향의 길이보다 길다. 액 고임에는, 롤러 반송 기구(44)에 의해 반송되는 기판(S)이 진입한다. 액 고임 형성부(76)는, 액 제거 직후에 기판(S)이 진입하도록 액 고임을 형성한다.The liquid pool formation part 76 forms the liquid pool of the rinse liquid downstream of the air knife 64 in the conveyance direction of the board | substrate S. FIG. The liquid pool is formed along the width direction. The length in the width direction of the liquid pool is longer than the length in the width direction of the substrate S. The substrate S conveyed by the roller conveyance mechanism 44 enters the liquid pool. The liquid pool forming unit 76 forms a liquid pool so that the substrate S enters immediately after the liquid is removed.

도 3으로 되돌아가서, 건조 처리부(52)는, 린스 처리부(51)에 의해 세정된 기판(S)에 대하여 건조 처리를 행한다.Returning to FIG. 3, the drying treatment unit 52 performs a drying process on the substrate S cleaned by the rinse processing unit 51.

<현상 처리><Processing>

실시형태에 따른 현상액조(60)에 의한 딥 처리를 행하지 않고 현상을 행하는 비교예에 따른 기판 처리 장치는, 노광된 포토 레지스트막이 표면에 형성된 기판에 공급 노즐로부터 현상액을 토출하여, 기판에 현상액을 적용하여, 현상 처리를 개시한다. 기판에 대한 현상은, 기판에 현상액이 부착된 직후에 크게 진행하는 것이 알려져 있다.A substrate processing apparatus according to a comparative example in which development is performed without performing a dip processing by the developing solution tank 60 according to the embodiment discharges the developing solution from a supply nozzle to a substrate on which an exposed photoresist film is formed on a surface thereof, thereby applying a developing solution to the substrate. It applies and starts developing process. It is known that the development on the substrate proceeds largely immediately after the developer is adhered to the substrate.

비교예에 따른 기판 처리 장치는, 적용의 개시 시에 공급 노즐로부터 토출된 현상액의 흐름이 기판의 전단에서 소용돌이쳐서 대류하는 와류가 발생한다. 기판의 전단에서 와류가 긴 시간 발생하면, 기판의 전단의 현상이 다른 부분보다 진행한다. 그 때문에, 비교예에 따른 기판 처리 장치는, 기판에 현상 얼룩이 발생하여, 현상의 균일성이 저하한다. 또한, 기판의 전단과 공급 노즐의 거리가 길어지면, 와류의 영향은 저감한다.In the substrate processing apparatus according to the comparative example, vortices are generated in which the flow of the developer discharged from the supply nozzles swirls at the front end of the substrate to convection. When the vortex occurs for a long time at the front end of the substrate, the phenomenon of the front end of the substrate proceeds more than other parts. Therefore, in the substrate processing apparatus which concerns on a comparative example, image development unevenness generate | occur | produces in a board | substrate and the uniformity of image development falls. In addition, when the distance between the front end of the substrate and the supply nozzle becomes long, the influence of the vortex is reduced.

그 때문에, 비교예에 따른 기반 처리 장치에 있어서, 기판의 반송 속도를 크게 한 고속 반송을 행하면서, 현상액의 적용을 행함으로써, 짧은 시간에 기판의 전단과 공급 노즐의 거리를 길게 할 수 있어, 와류의 영향을 저감할 수 있다.Therefore, in the base processing apparatus according to the comparative example, by applying the developer while performing a high speed conveyance in which the conveyance speed of the substrate is increased, the distance between the front end of the substrate and the supply nozzle can be increased in a short time, The influence of the vortex can be reduced.

그러나, 고속 반송을 행하면, 기판을 현상하기 위한 반송 경로가 길어져, 기판 처리 장치가 대형이 된다. 또한, 비교예에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 기판에 현상액을 적용하는 경우에만 고속 반송을 행하고, 그 후, 반송 속도를 작게 하는 것도 생각된다. 그러나, 이 경우, 기판 1장분의 변속 영역이 필요해져, 기판 처리 장치가 대형이 된다.However, when high-speed conveyance is carried out, the conveyance path | route for developing a board | substrate becomes long, and a substrate processing apparatus becomes large. Moreover, in the substrate processing apparatus which concerns on a comparative example, it is also conceivable to perform high speed conveyance only when apply | coating a developing solution to a board | substrate, and to make conveyance speed small after that. However, in this case, the speed change area | region for one board | substrate is needed, and a substrate processing apparatus becomes large.

이러한 점을 감안하여, 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 롤러 반송 기구(44)에 의해 기판(S)을 반송하면서, 도 6에 나타내는 바와 같이, 딥 처리, 액 적용 처리, 치환 처리, 액 제거 처리, 린스 처리 및 건조 처리를 행한다. 도 6은 실시형태에 따른 현상 처리의 순서를 설명하는 흐름도이다.In view of such a point, as shown in FIG. 6, the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment conveys the substrate S by the roller conveyance mechanism 44, as shown in FIG. 6. , Liquid removal treatment, rinse treatment and drying treatment are performed. 6 is a flowchart illustrating a procedure of developing processing according to the embodiment.

기판 처리 장치(1)는, 현상 처리를 행하는 경우에는, 롤러 반송 기구(44)에 의해 기판(S)을 정해진 반송 속도로 반송한다. 정해진 반송 속도는, 미리 설정된 속도이며, 일정한 속도이다. 정해진 반송 속도는, 와류의 영향을 저감 가능한 고속 반송을 행하는 경우의 반송 속도보다 작은 속도이다.When the substrate processing apparatus 1 performs a developing process, the board | substrate S conveys the board | substrate S by the roller conveyance mechanism 44 at a predetermined conveyance speed. The predetermined conveyance speed is a preset speed and is a constant speed. The determined conveyance speed is a speed smaller than the conveyance speed at the time of performing a high-speed conveyance which can reduce the influence of a vortex.

기판 처리 장치(1)는, 제2 공급 노즐(62)에 의해 현상액이 기판(S)에 적용되는 경우의 반송 속도와, 적용된 후의 반송 속도를 동일한 반송 속도인 정해진 반송 속도로 한다. 이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)의 반송 경로를 짧게 하고, 또한 변속 영역을 마련하지 않고 현상 처리를 행할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)를 소형화할 수 있다.The substrate processing apparatus 1 makes the conveyance speed at the time of applying a developing solution to the board | substrate S with the 2nd supply nozzle 62, and the conveyance speed after application being the predetermined conveyance speed which is the same conveyance speed. Thereby, the substrate processing apparatus 1 can shorten the conveyance path | route of the board | substrate S, and can perform image development process without providing a speed change area | region. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can be miniaturized.

기판 처리 장치(1)는, 포토 레지스트막이 노광된 기판(S)에 대하여 딥 처리를 행한다(S10). 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)을 현상액조(60) 내의 현상액에 침지하여, 현상을 개시한다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)에서는, 비교예에 따른 기판 처리 장치와 같이, 현상의 개시 시에 기판의 전단에서 와류는 발생하지 않는다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는, 현상의 균일성을 향상시킬 수 있다.The substrate processing apparatus 1 performs a dip process with respect to the board | substrate S on which the photoresist film was exposed (S10). Specifically, the substrate processing apparatus 1 immerses the substrate S in the developing solution in the developing tank 60, and starts developing. Therefore, in the substrate processing apparatus 1, like the substrate processing apparatus according to the comparative example, no vortex occurs at the front end of the substrate at the start of development. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can improve the uniformity of image development.

또한, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)을 전방 하향의 상태로 현상액에 침지시킨다. 이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)을 현상액에 침지시키는 경우에, 현상액이 비산하는 것을 억제하고, 비산한 현상액에 의해 현상이 개시되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치(1)는, 현상의 균일성을 향상시킬 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus 1 immerses the substrate S in the developer in a state of forward downward. Thereby, when the board | substrate processing apparatus 1 is immersed in the developing solution, the board | substrate processing apparatus 1 can suppress that a developing solution scatters, and can suppress that image development starts with scattered developing solution. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can improve the uniformity of image development.

또한, 기판 처리 장치(1)는, 현상액조(60) 내의 현상액의 액면과 기판(S)의 경계를 향하여 제1 공급 노즐(61)로부터 현상액을 토출한다. 이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 현상액의 액면과 기판(S)의 경계를 폭 방향에 있어서 안정시킬 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는, 폭 방향에 있어서 현상 얼룩이 발생하는 것을 억제할 수 있어, 현상의 균일성을 향상시킬 수 있다.Moreover, the substrate processing apparatus 1 discharges the developing solution from the 1st supply nozzle 61 toward the boundary of the liquid level of the developing solution in the developing solution tank, and the board | substrate S. FIG. Thereby, the substrate processing apparatus 1 can stabilize the boundary of the liquid level of the developing solution and the board | substrate S in the width direction. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can suppress that a development unevenness arises in the width direction, and can improve the uniformity of image development.

기판 처리 장치(1)는, 현상액조(60) 내의 현상액으로부터 기판(S)이 부상하지 않도록, 제1 누름 롤러(65)에 의해 기판(S)을 누르면서 기판(S)을 반송한다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는, 현상액조(60) 내에서 기판(S)의 반송성을 안정시킬 수 있다.The substrate processing apparatus 1 conveys the board | substrate S, pressing the board | substrate S with the 1st pressing roller 65 so that the board | substrate S may not float from the developing solution in the developing solution tank 60. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can stabilize the conveyance of the board | substrate S in the developing solution tank 60. FIG.

그 후, 기판 처리 장치(1)는, 현상액조(60) 내의 현상액으로부터 밖으로 기판(S)을 반송한다. 그때, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)을 전방 상향의 상태로 현상액조(60) 내의 현상액으로부터 밖으로 반송한다. 이에 의해, 기판(S)에 부착된 현상액의 일부는, 자기 중량에 의해 현상액조(60)로 되돌아가고, 기판(S)에는, 얇은 현상액의 액막이 형성된다. 따라서, 기판 처리 장치(1)는, 현상액조(60) 내로부터 반출하는 현상액의 양을 적게 할 수 있다.Then, the substrate processing apparatus 1 conveys the board | substrate S out from the developing solution in the developing tank 60. At that time, the substrate processing apparatus 1 conveys the board | substrate S out from the developing solution in the developing tank 60 in the state of front upward. As a result, part of the developer attached to the substrate S is returned to the developer tank 60 by its own weight, and a thin film of the developer is formed on the substrate S. As shown in FIG. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can reduce the quantity of the developer carried out from the inside of the developing tank 60.

이와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 노광된 포토 레지스트막이 표면에 형성되어, 평류 반송되는 기판(S)을 현상액조(60) 내의 현상액에 침지시키는 공정을 행한다.Thus, the substrate processing apparatus 1 performs the process of which the exposed photoresist film is formed in the surface and immersed the board | substrate S conveyed to the stream flow in the developing solution in the developing tank 60. As shown in FIG.

기판 처리 장치(1)는, 현상액조(60) 내의 현상액으로부터 밖으로 반송된 기판(S)에 액 적용 처리를 행한다(S11). 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는, 현상액조(60) 내의 현상액의 밖으로 반송된 기판(S)에, 제2 공급 노즐(62)에 의해 현상액을 공급하여, 기판(S)에 현상액을 적용한다. 이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)에 부착된 현상액의 일부를 새로운 현상액으로 치환하여, 현상의 균일성을 향상시킬 수 있다.The substrate processing apparatus 1 performs liquid application processing to the board | substrate S conveyed out from the developing solution in the developing tank 60 (S11). Specifically, the substrate processing apparatus 1 supplies the developing solution to the board | substrate S conveyed out of the developing solution in the developing tank 60 by the 2nd supply nozzle 62, and supplies a developing solution to the board | substrate S. Apply. Thereby, the substrate processing apparatus 1 can replace the one part of the developing solution adhering to the board | substrate S with a new developing solution, and can improve the uniformity of image development.

또한, 기판 처리 장치(1)는, 딥 처리를 행함으로써 현상을 개시하고 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)에의 현상액의 적용 개시 시에 기판(S)의 전단에 있어서 와류가 발생한 경우라도, 기판(S)의 전단에 있어서의 와류의 영향을 저감하여, 현상 얼룩의 발생을 억제할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus 1 starts developing by performing a dip process. Therefore, the substrate processing apparatus 1 reduces the influence of the vortices in the front end of the board | substrate S, even if the vortices generate | occur | produce in the front end of the board | substrate S at the start of application of the developing solution to the board | substrate S. Thus, the occurrence of development unevenness can be suppressed.

이와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 현상액조(60) 내의 현상액으로부터 밖으로 반송된 기판(S)에 현상액을 적용하는 공정을 행한다.Thus, the substrate processing apparatus 1 performs the process of applying a developing solution to the board | substrate S conveyed out from the developing solution in the developing tank 60.

기판 처리 장치(1)는, 적용된 상태로 반송되는 기판(S)에 치환 처리를 행한다(S12). 구체적으로는, 현상 유닛(40)은, 적용된 기판(S)에 대하여 제3 공급 노즐(63)에 의해 현상액을 공급하고, 적용된 현상액의 일부를 새로운 현상액으로 치환한다. 이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 현상을 촉진시키며, 현상의 균일성을 향상시킬 수 있다.The substrate processing apparatus 1 performs substitution processing on the board | substrate S conveyed in the applied state (S12). Specifically, the developing unit 40 supplies the developing solution to the applied board | substrate S with the 3rd supply nozzle 63, and replaces one part of the applied developing solution with a new developing solution. Thereby, the substrate processing apparatus 1 can accelerate image development and can improve the uniformity of image development.

기판 처리 장치(1)는, 반송되는 기판(S)에 액 제거 처리를 행한다(S13). 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)의 반송 방향에 있어서의 현상 처리부(50)의 하류단에서 기판(S)을 전방 상향의 상태로 반송하면서, 에어 나이프(64)에 의해 생성된 에어 커튼으로 기판(S)에 적용된 현상액의 제거를 행한다. 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)을 전방 상향의 상태로 반송하면서, 에어 커튼으로 액 제거를 행함으로써, 적은 풍량의 에어 커튼으로 현상액을 제거할 수 있다.The substrate processing apparatus 1 performs a liquid removal process to the board | substrate S conveyed (S13). Specifically, the substrate processing apparatus 1 conveys the board | substrate S to the air knife 64 at the downstream end of the image development process part 50 in the conveyance direction of the board | substrate S in the state of forward upward. The developer applied to the substrate S is removed by the air curtain produced by the method. The substrate processing apparatus 1 can remove a developing solution with the air curtain of a small amount of wind by carrying out liquid removal with an air curtain, conveying the board | substrate S in the state of the front upward.

기판 처리 장치(1)는, 액 제거된 기판(S)에 린스 처리를 행한다(S14). 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는, 도 7에 나타내는 바와 같이, 린스액 공급 노즐(75)로부터 린스액을 토출하고, 린스액 받이부(75a)에 의해 기세를 저감시켜, 린스액을 하방으로 흐르게 한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 액 고임 형성부(76)에 린스액의 액 고임을 형성한다. 도 7은 실시형태에 따른 린스 처리를 설명하는 모식도이다. 또한, 도 7에서는, 설명을 위해, 기판(S)의 표면에 적용된 현상액에 부호 「D」를 붙이고 있다.The substrate processing apparatus 1 performs a rinse process on the board | substrate S with which the liquid was removed (S14). Specifically, as shown in FIG. 7, the substrate processing apparatus 1 discharges the rinse liquid from the rinse liquid supply nozzle 75, reduces the force by the rinse liquid receiver 75a, and Let it flow downward. And the substrate processing apparatus 1 forms the liquid pool of a rinse liquid in the liquid pool formation part 76. It is a schematic diagram explaining the rinse process which concerns on embodiment. In addition, in FIG. 7, the code | symbol "D" is attached | subjected to the developing solution applied to the surface of the board | substrate S for description.

그리고, 기판 처리 장치(1)는, 에어 나이프(64)에 의해 액 제거된 직후의 기판(S)을, 액 고임 형성부(76)에 형성된 린스액의 액 고임에 진입시킨다. 이에 의해, 현상 유닛(40)은, 기판(S)을 린스액에 의해 씻어내고, 현상을 종료시킨다.And the substrate processing apparatus 1 makes the board | substrate S immediately after liquid removal with the air knife 64 enters the liquid pool of the rinse liquid formed in the liquid pool formation part 76. Thereby, the developing unit 40 wash | cleans the board | substrate S with a rinse liquid, and completes image development.

기판 처리 장치(1)는, 에어 나이프(64)에 의해 액 제거한 직후의 기판(S)을 액 고임에 진입시킴으로써, 액 제거된 기판(S)을 린스액에 의해 신속하게 씻어내어, 액 제거 얼룩이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(1)는, 린스액의 액 고임에 기판(S)을 진입시킴으로써, 기판(S)의 전단에 있어서, 린스액에 의한 세정이 정상 상태가 되기까지의 시간을 짧게 할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)의 전단에서 액 제거 얼룩이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치(1)는, 현상의 균일성을 향상시킬 수 있다.The substrate processing apparatus 1 enters into the liquid pool the substrate S immediately after the liquid removal by the air knife 64, thereby quickly washing off the removed substrate S with the rinse liquid to remove the liquid removal stain. It can suppress generation. In addition, the substrate processing apparatus 1 enters the substrate S into the liquid pool of the rinse liquid, thereby shortening the time until the cleaning with the rinse liquid is in a steady state at the front end of the substrate S. FIG. have. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can suppress generation | occurrence | production of liquid removal unevenness in the front end of the board | substrate S. FIG. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can improve the uniformity of image development.

도 6으로 되돌아가서, 기판 처리 장치(1)는, 린스 처리가 행해진 기판(S)에 건조 처리를 행한다(S15).Returning to FIG. 6, the substrate processing apparatus 1 performs a drying process to the board | substrate S to which the rinse process was performed (S15).

<변형예><Variation example>

다음에, 본 실시형태의 변형예에 대해서 설명한다.Next, the modification of this embodiment is demonstrated.

변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)의 전단의 정해진 범위에 린스 처리를 행하는 경우에, 반송 속도를 정해진 반송 속도보다 크게 한다. 정해진 범위는, 미리 설정된 범위이며, 예컨대, 기판(S)의 전단으로부터, 50 ㎜∼300 ㎜의 범위이다. 이에 의해, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 액 제거 얼룩이 발생하기 쉬운 기판(S)의 전단에 있어서의 액 제거 얼룩의 발생을 억제할 수 있다.The substrate processing apparatus 1 which concerns on a modification makes a conveyance speed larger than a predetermined conveyance speed, when performing the rinse process in the predetermined range of the front end of the board | substrate S. FIG. The predetermined range is a preset range and is, for example, a range of 50 mm to 300 mm from the front end of the substrate S. FIG. Thereby, the substrate processing apparatus 1 which concerns on a modification can suppress generation | occurrence | production of the liquid removal spot in the front end of the board | substrate S in which liquid removal spot is easy to generate | occur | produce.

변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 도 8에 나타내는 바와 같이, 액 고임 형성부(80)로서 원통형, 또는 원기둥형의 롤러를 구비한다. 도 8은 실시형태의 변형예에 따른 액 고임 형성부(80)의 개략 구성을 나타내는 모식도이다. 액 고임 형성부(80)는, 폭 방향을 따른 회전축을 중심으로 회전 가능하다. 액 고임 형성부(80)는, 상기한 액 고임 형성부(76)와 마찬가지로 린스액의 액 고임을 형성시킨다. 이에 의해, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)의 반송 경로, 예컨대, 반송 경로의 경사 각도에 대한 액 고임의 위치를 용이하게 조정할 수 있다.As shown in FIG. 8, the substrate processing apparatus 1 according to the modification includes a cylindrical or cylindrical roller as the liquid pool forming unit 80. FIG. 8: is a schematic diagram which shows schematic structure of the liquid pool formation part 80 which concerns on the modification of embodiment. The liquid pool forming part 80 is rotatable about a rotation axis along the width direction. The liquid pool forming unit 80 forms the liquid pool of the rinse liquid similarly to the liquid pool forming unit 76 described above. Thereby, the substrate processing apparatus 1 which concerns on a modification can easily adjust the position of the liquid pool with respect to the inclination angle of the conveyance path | route of the board | substrate S, for example, a conveyance path | route.

<효과><Effect>

기판 처리 장치(1)는, 노광된 포토 레지스트막이 표면에 형성된 기판(S)을 평류 반송하는 롤러 반송 기구(44)(반송 기구의 일례)와, 롤러 반송 기구(44)에 의해 반송되는 기판(S)이 현상액에 침지되는 현상액조(60)와, 현상액조(60) 내의 현상액으로부터 밖으로 반송된 기판(S)에 현상액을 적용하는 제2 공급 노즐(62)(공급 노즐의 일례)을 구비한다.The substrate processing apparatus 1 has the roller conveyance mechanism 44 (an example of a conveyance mechanism) which carries out the horizontal flow conveyance of the board | substrate S in which the exposed photoresist film was formed on the surface, and the board | substrate conveyed by the roller conveyance mechanism 44 ( The developer tank 60 in which S) is immersed in the developer, and the second supply nozzle 62 (an example of the supply nozzle) for applying the developer to the substrate S conveyed out from the developer in the developer tank 60 are provided. .

바꾸어 말하면, 기판 처리 방법은, 노광된 포토 레지스트막이 표면에 형성되고, 평류 반송되는 기판(S)을 현상액조(60) 내의 현상액에 침지시키는 공정과, 현상액조(60) 내의 현상액으로부터 밖으로 반송된 기판(S)에 현상액을 적용하는 공정을 갖는다.In other words, the substrate processing method includes a step of immersing the exposed photoresist film on the surface, and immersing the substrate S to be conveyed in the developing solution in the developing tank 60 and out of the developing solution in the developing tank 60. The process of applying a developing solution to the board | substrate S is provided.

이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 현상을 개시하는 경우에, 기판(S)의 전단에서 현상액의 와류가 발생하는 것을 방지하여, 현상 얼룩의 발생을 억제할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는, 현상의 균일성을 향상시킬 수 있다.Thereby, the substrate processing apparatus 1 can prevent generation | occurrence | production of the developing unevenness by preventing eddy current of the developing solution from the front end of the board | substrate S, when starting image development. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can improve the uniformity of image development.

또한, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)을 고속 반송 속도로 반송하지 않고, 현상 얼룩의 발생을 억제할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)의 반송 경로를 짧게 할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(1)는, 반송 속도를 변경할 때에 필요로 되는 변속 영역을 마련하지 않고, 현상 얼룩의 발생을 억제할 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치(1)를 소형화할 수 있다.Moreover, the substrate processing apparatus 1 can suppress generation | occurrence | production of a developing unevenness, without conveying the board | substrate S at a high conveyance speed. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can shorten the conveyance path | route of the board | substrate S. FIG. Moreover, the substrate processing apparatus 1 can suppress generation | occurrence | production of a developing unevenness, without providing the speed change area | region required when changing a conveyance speed. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can be miniaturized.

기판 처리 장치(1)는, 현상액조(60) 내의 현상액에 기판(S)이 침지되는 경우 형성되는, 현상액의 액면과 기판의 경계를 향하여 현상액을 토출하는 제1 공급 노즐(61)(조정 노즐의 일례)을 구비한다.The substrate processing apparatus 1 is a first supply nozzle 61 (adjusting nozzle) for discharging the developer toward the boundary between the liquid level of the developer and the substrate, which is formed when the substrate S is immersed in the developer in the developer tank 60. An example) is provided.

이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 현상액조(60) 내의 현상액의 액면과 기판(S)의 경계를 정돈할 수 있어, 현상 얼룩을 억제할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는, 현상의 균일성을 향상시킬 수 있다.Thereby, the substrate processing apparatus 1 can trim the boundary between the liquid level of the developing solution in the developing solution tank 60, and the board | substrate S, and can suppress a developing unevenness. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can improve the uniformity of image development.

제2 공급 노즐(62)은, 현상액조(60)의 상방에 마련된다. 이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 제2 공급 노즐(62)로부터 토출되어, 기판(S)으로부터 적용된 현상액을 현상액조(60)에서 회수할 수 있다.The second supply nozzle 62 is provided above the developing tank 60. Thereby, the substrate processing apparatus 1 can discharge from the 2nd supply nozzle 62, and can collect the developing solution applied from the board | substrate S in the developing tank 60. FIG.

롤러 반송 기구(44)는, 기판(S)을 전방 하향의 상태로 현상액조(60) 내의 현상액에 침지시킨다. 이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)을 현상액조(60) 내의 현상액에 침지시키는 경우에, 현상액이 비산하는 것을 억제하여, 비산한 현상액이 기판(S)에 부착되는 것을 억제할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는, 비산한 현상액에 의해 기판(S)의 현상이 개시되는 것을 억제하여, 현상 얼룩의 발생을 억제할 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치(1)는, 현상의 균일성을 향상시킬 수 있다.The roller conveyance mechanism 44 immerses the board | substrate S in the developing solution in the developing tank 60 in the state of the front downward. Thereby, when the substrate processing apparatus 1 is immersed in the developing solution in the developing tank 60, the board | substrate processing apparatus 1 suppresses scattering of the developing solution, and suppresses adhering of the scattered developing solution to the board | substrate S. can do. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can suppress that image development of the board | substrate S is started by the scattering developing solution, and can suppress generation | occurrence | production of a developing unevenness. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can improve the uniformity of image development.

롤러 반송 기구(44)는, 기판(S)을 전방 상향의 상태로 현상액조(60) 내의 현상액으로부터 밖으로 반송한다. 이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)에 부착된 현상액의 일부를 자기 중량에 의해 현상액조(60) 내로 되돌릴 수 있다.The roller conveyance mechanism 44 conveys the board | substrate S out from the developing solution in the developing tank 60 in the state of front upward. Thereby, the substrate processing apparatus 1 can return a part of the developing solution attached to the board | substrate S to the developing solution tank 60 by magnetic weight.

롤러 반송 기구(44)는, 제2 공급 노즐(62)에 의해 현상액이 기판(S)에 적용되는 경우의 반송 속도와, 적용된 후의 반송 속도를 동일한 반송 속도로 한다.The roller conveyance mechanism 44 makes the conveyance speed at the time of applying a developing solution to the board | substrate S with the 2nd supply nozzle 62, and the conveyance speed after application being the same conveyance speed.

이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 변속 영역을 마련하지 않고, 현상의 균일성을 향상시킬 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)를 소형화할 수 있다.Thereby, the substrate processing apparatus 1 can improve the uniformity of image development, without providing a speed change area. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can be miniaturized.

기판 처리 장치(1)는, 기판(S)에 적용된 현상액을 향하여 공기를 분출하여, 기판에 적용된 현상액을 제거하는 에어 나이프(64)(공기토 출부의 일례)와, 기판(S)의 반송 방향에 있어서 에어 나이프(64)보다 하류측에 린스액의 액 고임을 형성하는 액 고임 형성부(76)를 구비한다.The substrate processing apparatus 1 blows air toward the developing solution applied to the board | substrate S, and removes the developing solution applied to the board | substrate 64 (an example of air discharge part), and the conveyance direction of the board | substrate S The liquid pool forming part 76 which forms the liquid pool of the rinse liquid in the downstream side rather than the air knife 64 is provided.

이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)의 전단에 있어서, 린스액에 의한 세정이 정상 상태가 될 때까지의 시간을 짧게 할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)의 전단에서 액 제거 얼룩이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치(1)는, 현상의 균일성을 향상시킬 수 있다.Thereby, the substrate processing apparatus 1 can shorten the time until the washing | cleaning by a rinse liquid turns into a steady state in the front end of the board | substrate S. FIG. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can suppress generation | occurrence | production of liquid removal unevenness in the front end of the board | substrate S. FIG. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can improve the uniformity of image development.

액 고임 형성부(76)는, 액 제거 직후에 기판(S)이 진입하도록 액 고임을 형성한다. 이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 액 제거된 기판(S)을 린스액에 의해 신속하게 씻어내어, 액 제거 얼룩이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는, 현상의 균일성을 향상시킬 수 있다.The liquid pool forming unit 76 forms a liquid pool so that the substrate S enters immediately after the liquid is removed. Thereby, the substrate processing apparatus 1 can quickly wash | clean the board | substrate S with which the liquid was removed with the rinse liquid, and can suppress generation | occurrence | production of liquid removal unevenness. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can improve the uniformity of image development.

또한, 이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시로서 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 실제로, 상기한 실시형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기 실시형태는, 첨부된 청구범위 및 그 취지를 일탈하는 일없이, 여러 가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.In addition, it should be thought that embodiment disclosed this time is an illustration and restrictive at no points. Indeed, the above-described embodiments may be implemented in various forms. In addition, the said embodiment may be omitted, substituted, and changed in various forms, without deviating from the attached Claim and its meaning.

Claims (9)

노광된 포토 레지스트막이 표면에 형성된 기판을 평류(平流) 반송하는 반송 기구와,
상기 반송 기구에 의해 반송되는 상기 기판이 현상액에 침지되는 현상액조와,
상기 현상액조 내의 상기 현상액으로부터 밖으로 반송된 상기 기판에 현상액을 적용하는 공급 노즐을 구비하는 기판 처리 장치.A conveyance mechanism for conveying the substrate formed on the surface of the exposed photoresist film;
A developing tank in which the substrate conveyed by the conveying mechanism is immersed in a developing solution;
And a supply nozzle for applying a developer to the substrate conveyed out from the developer in the developer tank. 제1항에 있어서, 상기 현상액조 내의 상기 현상액에 상기 기판이 침지되는 경우에 형성되는, 상기 현상액의 액면과 상기 기판의 경계를 향하여 현상액을 토출하는 조정 노즐을 구비하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus of Claim 1 provided with the adjustment nozzle which discharges a developing solution toward the boundary of the liquid level of the said developing solution and the said board | substrate formed when the said board | substrate is immersed in the said developing solution in the said developing solution tank. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 공급 노즐은 상기 현상액조의 상방에 마련되는 것인 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the supply nozzle is provided above the developer tank. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반송 기구는, 상기 기판을 전방 하향의 상태로 상기 현상액조 내의 상기 현상액에 침지시키는 것인 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the transfer mechanism immerses the substrate in the developer in the developer tank in a state of downwardly forward. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반송 기구는, 상기 기판을 전방 상향의 상태로 상기 현상액조 내의 상기 현상액으로부터 밖으로 반송하는 것인 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the transfer mechanism transfers the substrate out from the developer in the developer tank in a state of upwardly upward. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반송 기구는, 상기 공급 노즐에 의해 상기 현상액이 상기 기판에 적용되는 경우의 반송 속도와, 상기 적용된 후의 반송 속도를 동일한 반송 속도로 하는 것인 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the transfer mechanism sets the transfer speed when the developer is applied to the substrate by the supply nozzle and the transfer speed after the application at the same transfer speed. . 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 기판에 적용된 상기 현상액을 향하여 공기를 분출하여, 상기 기판에 적용된 상기 현상액을 제거하는 공기 토출부와,
상기 기판의 반송 방향에 있어서 상기 공기 토출부보다 하류측에 린스액의 액 고임을 형성하는 액 고임 형성부를 구비하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 2,
An air discharge part which blows air toward the developer applied to the substrate to remove the developer applied to the substrate;
And a liquid pool forming unit for forming a liquid pool of the rinse liquid on a downstream side of the air discharge unit in the conveying direction of the substrate. 제7항에 있어서, 상기 액 고임 형성부는, 액 제거 직후에 상기 기판이 진입하도록 상기 액 고임을 형성하는 것인 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus of claim 7, wherein the liquid pool forming unit forms the liquid pool so that the substrate enters immediately after the liquid is removed. 노광된 포토 레지스트막이 표면에 형성되어, 평류 반송되는 기판을 현상액조 내의 현상액에 침지시키는 공정과,
상기 현상액조 내의 상기 현상액으로부터 밖으로 반송된 상기 기판에 현상액을 적용하는 공정을 포함하는 기판 처리 방법.An exposed photoresist film is formed on the surface to immerse the substrate to be conveyed in a developing solution in a developing tank;
And applying a developing solution to the substrate conveyed out from the developing solution in the developing tank.
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