KR20190141481A - 신호 패드와 나란히 위치하는 더미 패드를 포함하는 디스플레이 장치 - Google Patents
신호 패드와 나란히 위치하는 더미 패드를 포함하는 디스플레이 장치 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 신호 패드와 나란히 위치하는 더미 패드를 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것이다. 상기 신호 패드는 신호 공급 배선에 의해 구동 IC와 연결될 수 있다. 상기 더미 패드는 상기 신호 공급 배선과 절연될 수 있다. 상기 더미 패드는 더미 연결 배선에 의해 공통전압 공급배선과 연결될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치에서는 정전기에 의한 오동작이 최소화될 수 있다. 따라서, 본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치에서는 신뢰성이 향상될 수 있다.
Description
본 발명은 어레이 기판의 비표시 영역 상에 신호 패드와 더미 패드가 나란히 위치하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
일반적으로 모니터, TV, 노트북, 디지털 카메라 등과 같은 전자 기기는 이미지를 구현하기 위한 디스플레이 장치를 포함한다. 예를 들어, 상기 디스플레이 장치는 액정 표시 장치 및/또는 유기 발광 표시 장치를 포함할 수 있다.
상기 디스플레이 장치는 표시 영역 및 비표시 영역을 포함할 수 있다. 상기 표시 영역은 사용자의 요청에 따라 특정한 이미지를 구현할 수 있다. 상기 비표시 영역은 상기 표시 영역의 외측에 위치할 수 있다. 상기 비표시 영역은 이미지의 구현을 위한 신호들을 생성/제공할 수 있다. 예를 들어, 상기 비표시 영역 내에는 구동 IC가 위치할 수 있다.
상기 비표시 영역 내에는 외부로부터 신호를 공급받기 위한 패드 영역이 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 구동 IC는 상기 표시 영역과 상기 패드 영역 사이에 위치할 수 있다. 상기 패드 영역 내에는 신호 공급 배선에 의해 상기 구동 IC와 연결되는 적어도 하나의 신호 패드가 위치할 수 있다. 상기 패드 영역은 상기 신호 패드와 나란히 위치하는 더미 패드를 포함할 수 있다. 상기 더미 패드는 제조 공정 중 밀집도 차이에 의한 일부 신호 패드의 손상을 방지할 수 있다.
상기 더미 패드는 상기 신호 공급 배선과 절연될 수 있다. 예를 들어, 상기 더미 패드는 플로팅(floating) 상태일 수 있다. 그러나, 상기 플로팅 상태의 더미 패드 내에는 정전기에 의해 대전된 전하가 축적될 수 있다. 이에 따라, 상기 디스플레이 장치에서는 상기 더미 패드 내에 축적된 전하가 인접한 신호 패드 및/또는 신호 공급 배선을 통해 구동 IC로 전달될 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 정전기에 의한 오동작을 최소화할 수 있는 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 정전기에 의해 대전된 전하가 더미 패드 내에 축적되는 것을 방지할 수 있는 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 앞서 언급한 과제들로 한정되지 않는다. 여기서 언급되지 않은 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 것이다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치는 어레이 기판을 포함한다. 어레이 기판은 표시 영역 및 비표시 영역을 포함한다. 비표시 영역은 표시 영역의 외측에 위치한다. 어레이 기판의 비표시 영역 상에는 구동 IC, 신호 패드 및 더미 패드가 위치한다. 구동 IC는 표시 영역과 전기적으로 연결된다. 신호 패드는 신호 공급 배선에 의해 구동 IC와 연결된다. 더미 패드는 신호 공급 배선과 절연된다. 더미 패드는 더미 연결 배선에 의해 공통전압 공급배선과 연결된다.
신호 패드 및 더미 패드는 구동 IC와 공통전압 공급배선 사이에 위치할 수 있다.
신호 패드와 공통전압 공급배선 사이에는 테스트 박막 트랜지스터가 위치할 수 있다.
어레이 기판의 표시 영역 상에는 구동 박막 트랜지스터가 위치할 수 있다. 테스트 박막 트랜지스터는 구동 박막 트랜지스터와 동일한 구조를 가질 수 있다.
테스트 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 게이트 절연막, 반도체 패턴, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함할 수 있다. 더미 연결 배선은 테스트 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
어레이 기판과 더미 패드 사이에는 더미 패턴이 위치할 수 있다. 더미 패턴은 테스트 박막 트랜지스터의 반도체 패턴과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
테스트 박막 트랜지스터의 게이트 전극은 어레이 기판과 더미 패드 사이로 연장할 수 있다.
공통전압 공급배선은 테스트 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 평행하게 연장할 수 있다.
어레이 기판의 비표시 영역 상에는 터치 패드가 위치할 수 있다. 터치 패드는 터치 공급 배선에 의해 상기 구동 IC와 연결될 수 있다. 더미 패드는 신호 패드와 터치 패드 사이에 위치할 수 있다. 터치 공급 배선은 더미 패드와 절연될 수 있다.
터치 공급 배선은 신호 공급 배선과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
어레이 기판의 표시 영역 상에는 평탄화막이 위치할 수 있다. 평탄화막 상에는 하부 보호막이 위치할 수 있다. 하부 보호막 상에는 상부 보호막이 위치할 수 있다. 평탄화막과 하부 보호막 사이에는 화소 전극이 위치할 수 있다. 상부 보호막 상에는 공통 전극이 위치할 수 있다. 공통 전극은 화소 전극과 중첩하는 적어도 하나의 슬릿을 포함할 수 있다. 하부 보호막과 상부 보호막 사이에는 터치 전극이 위치할 수 있다. 터치 전극은 화소 전극의 외측에 위치할 수 있다. 신호 공급 배선은 터치 전극과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
평탄화막은 트렌치를 포함할 수 있다. 평탄화막의 트렌치는 어레이 기판의 비표시 영역 상에 위치할 수 있다. 신호 패드, 더미 패드 및 터치 패드는 평탄화막의 트렌치 내에 위치할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치는 어레이 기판의 비표시 영역 상에 신호 패드와 나란히 위치하는 더미 패드가 상기 신호 패드를 구동 IC와 연결하는 신호 공급 배선과 절연되며, 더미 연결 배선에 의해 공통전극 공급배선과 연결될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치에서는 정전기에 의해 대전된 전하가 더미 패드 내에 축적되지 않을 수 있다. 따라서, 본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치에서는 정전기에 의한 오동작이 최소화되어, 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2a는 도 1의 P 영역을 확대한 도면이다.
도 2b는 도 1의 R 영역을 확대한 도면이다.
도 3a는 도 2a의 I-I'선을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.
도 3b는 도 2b의 II-II'선을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.
도 3c는 도 2b의 III-III'선을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5a 내지 11a, 5b 내지 11b 및 5c 내지 11c는 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제조 공정을 순서대로 나타낸 도면들이다.
도 2a는 도 1의 P 영역을 확대한 도면이다.
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도 3a는 도 2a의 I-I'선을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.
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도 3c는 도 2b의 III-III'선을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5a 내지 11a, 5b 내지 11b 및 5c 내지 11c는 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제조 공정을 순서대로 나타낸 도면들이다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 이에 따른 작용 효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 더욱 명확하게 이해될 것이다. 여기서, 본 발명의 실시 예들은 당업자에게 본 발명의 기술적 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위하여 제공되는 것이므로, 본 발명은 이하 설명되는 실시 예들에 한정되지 않도록 다른 형태로 구체화될 수 있다.
또한, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호로 표시된 부분들은 동일한 구성 요소들을 의미하며, 도면들에 있어서 층 또는 영역의 길이와 두께는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 덧붙여, 제 1 구성 요소가 제 2 구성 요소 "상"에 있다고 기재되는 경우, 상기 제 1 구성 요소가 상기 제 2 구성 요소와 직접 접촉하는 상측에 위치하는 것뿐만 아니라, 상기 제 1 구성 요소와 상기 제 2 구성 요소 사이에 제 3 구성 요소가 위치하는 경우도 포함한다.
여기서, 상기 제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성 요소를 설명하기 위한 것으로, 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 다만, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서는 제 1 구성 요소와 제 2 구성 요소는 당업자의 편의에 따라 임의로 명명될 수 있다.
본 발명의 명세서에서 사용하는 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용되는 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 예를 들어, 단수로 표현된 구성 요소는 문맥상 명백하게 단수만을 의미하지 않는다면 복수의 구성 요소를 포함한다. 또한, 본 발명의 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다"등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
덧붙여, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미가 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미가 있는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명의 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
(실시 예)
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 2a는 도 1의 P 영역을 확대한 도면이다. 도 2b는 도 1의 R 영역을 확대한 도면이다. 도 3a는 도 2a의 I-I'선을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다. 도 3b는 도 2b의 II-II'선을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다. 도 3c는 도 2b의 III-III'선을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.
도 1, 2a, 2b 및 3a 내지 3c를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 어레이 기판(110)을 포함할 수 있다. 상기 어레이 기판(110)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 어레이 기판(110)은 투명한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 어레이 기판(110)은 플라스틱 또는 유리를 포함할 수 있다.
상기 어레이 기판(110)은 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)을 포함할 수 있다. 상기 표시 영역(AA)은 사용자의 요청에 따른 이미지를 구현할 수 있다. 예를 들어, 상기 표시 영역(AA) 내에는 다수의 화소 영역을 포함할 수 있다. 각 화소 영역은 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)에 의해 정의될 수 있다. 예를 들어, 상기 데이터 라인(DL)은 상기 게이트 라인(GL)과 교차할 수 있다.
각 화소 영역 내에는 구동 박막 트랜지스터(200)가 위치할 수 있다. 상기 구동 박막 트랜지스터(200)는 상기 게이트 라인(GL)을 통해 인가되는 게이트 신호 및 상기 데이터 라인(DL)을 통해 인가되는 데이터 신호에 의해 구동될 수 있다. 예를 들어, 상기 구동 박막 트랜지스터(200)는 구동 게이트 전극(210), 구동 게이트 절연막(220), 구동 반도체 패턴(230), 구동 소스 전극(240) 및 구동 드레인 전극(250)을 포함할 수 있다.
상기 구동 게이트 전극(210)은 상기 어레이 기판(110)에 가까이 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 구동 게이트 전극(210)은 상기 어레이 기판(110)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 구동 게이트 전극(210)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 구동 게이트 전극(210)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo) 및 텅스텐(W)과 같은 금속을 포함할 수 있다.
상기 구동 게이트 전극(210)은 상기 게이트 라인(GL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 게이트 라인(GL)은 상기 구동 게이트 전극(210)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 구동 게이트 전극(210)은 제 1 방향으로 연장하는 상기 게이트 라인(GL)으로부터 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향으로 돌출된 형상일 수 있다.
상기 구동 게이트 절연막(220)은 상기 구동 게이트 전극(210) 상에 위치할 수 있다. 상기 구동 게이트 절연막(220)은 상기 구동 게이트 전극(210)의 외측 방향으로 연장할 수 있다. 예를 들어, 상기 구동 게이트 전극(210)의 측면은 상기 구동 게이트 절연막(220)에 의해 덮일 수 있다.
상기 구동 게이트 절연막(220)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 구동 게이트 절연막(220)은 실리콘 산화물 및/또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다. 상기 구동 게이트 절연막(220)은 High-K 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 구동 게이트 절연막(220)은 하프늄 산화물(HfO) 또는 티타늄 산화물(TiO)을 포함할 수 있다.
상기 구동 반도체 패턴(230)는 상기 구동 게이트 절연막(220) 상에 위치할 수 있다. 상기 구동 반도체 패턴(230)은 상기 구동 게이트 전극(210)과 중첩하는 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 구동 반도체 패턴(230)은 상기 구동 게이트 절연막(220)에 의해 상기 구동 게이트 전극(210)과 절연될 수 있다.
상기 구동 반도체 패턴(230)은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 구동 반도체 패턴(230)은 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 상기 구동 반도체 패턴(230)은 산화물 반도체일 수 있다. 예를 들어, 상기 구동 반도체 패턴(230)은 IGZO를 포함할 수 있다.
상기 구동 반도체 패턴(230)은 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함할 수 있다. 상기 채널 영역은 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 위치할 수 있다. 상기 구동 게이트 전극(210)은 상기 구동 반도체 패턴(230)의 상기 채널 영역과 중첩할 수 있다. 상기 채널 영역은 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역보다 낮은 전도율(conductivity)을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 도전성 불순물을 포함할 수 있다.
상기 구동 소스 전극(240)은 상기 반도체 패턴(230)의 상기 소스 영역과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 구동 소스 전극(240)은 상기 반도체 패턴(230)의 상기 소스 영역과 직접 접촉할 수 있다.
상기 구동 소스 전극(240)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 구동 소스 전극(240)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 텅스텐(W)과 같은 금속을 포함할 수 있다. 상기 구동 소스 전극(240)은 상기 구동 게이트 전극(210)과 다른 물질을 포함할 수 있다.
상기 구동 소스 전극(240)은 상기 데이터 라인(DL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 데이터 라인(DL)은 상기 구동 소스 전극(240)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 구동 소스 전극(240)은 상기 제 2 방향으로 연장하는 상기 데이터 라인(DL)으로부터 상기 제 1 방향으로 돌출된 형상일 수 있다.
상기 구동 드레인 전극(250)은 상기 반도체 패턴(230)의 상기 드레인 영역과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 구동 드레인 전극(250)은 상기 반도체 패턴(230)의 상기 드레인 영역과 직접 접촉할 수 있다. 상기 구동 드레인 전극(250)은 상기 구동 소스 전극(240)과 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 구동 소스 전극(240) 및 상기 구동 드레인 전극(250)은 상기 구동 반도체 패턴(230)의 상기 채널 영역을 노출할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 상기 구동 소스 전극(240) 및 상기 구동 드레인 전극(250)에 의해 상기 구동 반도체 패턴(230)의 일부 영역이 노출되는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 구동 반도체 패턴(230) 상에 위치하는 에치 스토퍼(etch stopper)를 포함할 수 있다. 상기 에치 스토퍼는 제조 공정에 의한 상기 구동 반도체 패턴(230)의 손상을 방지할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 구동 소스 전극(240) 및 구동 드레인 전극(250)에 의해 상기 에치 스토퍼의 일부 영역이 노출될 수 있다.
상기 구동 드레인 전극(250)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 구동 드레인 전극(250)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 텅스텐(W)과 같은 금속을 포함할 수 있다. 상기 구동 드레인 전극(250)은 상기 구동 게이트 전극(210)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 구동 드레인 전극(250)은 상기 구동 소스 전극(240)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 구동 박막 트랜지스터(200) 상에는 평탄화막(120)이 위치할 수 있다. 상기 평탄화막(120)은 상기 구동 박막 트랜지스터(200)에 의한 단차를 제거할 수 있다. 예를 들어, 상기 어레이 기판(110)에 대향하는 상기 평탄화막(120)의 상부면은 평평한 평면일 수 있다.
상기 평탄화막(120)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 평탄화막(120)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 평탄화막(120) 상에는 화소 전극(300)이 위치할 수 있다. 상기 화소 전극(300)은 상기 구동 박막 트랜지스터(200)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 평탄화막(120)은 상기 구동 박막 트랜지스터(200)의 상기 구동 드레인 전극(250)을 부분적으로 노출하는 화소 컨택홀을 포함할 수 있다. 상기 화소 전극(300)은 상기 화소 컨택홀 내에서 상기 구동 드레인 전극(250)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 화소 전극(300)은 상기 구동 박막 트랜지스터(200)와 중첩하지 않는 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 화소 전극(300)은 상기 구동 박막 트랜지스터(200)의 외측 방향으로 연장될 수 있다.
상기 화소 전극(300)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 화소 전극(300)은 투명한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 화소 전극(300)은 ITO 또는 IZO를 포함할 수 있다.
상기 화소 전극(300) 상에는 공통 전극(400)이 위치할 수 있다. 상기 공통 전극(400)은 상기 화소 전극(300)과 수평 전계를 형성할 수 있다. 상기 공통 전극(400)은 상기 화소 전극(300)과 중첩하는 적어도 하나의 슬릿(SP)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 상기 구동 박막 트랜지스터(200), 상기 화소 전극(300) 및 상기 공통 전극(400)이 형성된 상기 어레이 기판(110)이 백라이트 유닛 및 액정층 사이에 배치되는 IPS 타입의 액정 표시 장치일 수 있다.
상기 공통 전극(400)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 공통 전극(400)은 투명한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 공통 전극(400)은 ITO 또는 IZO를 포함할 수 있다.
상기 화소 전극(300)과 상기 공통 전극(400) 사이에는 하부 보호막(130)이 위치할 수 있다. 상기 공통 전극(400)은 상기 하부 보호막(130)에 의해 상기 화소 전극(300)과 절연될 수 있다. 상기 하부 보호막(130)은 상기 화소 전극(300)의 외측 방향으로 연장할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 보호막(130)은 상기 화소 전극(300)의 외측에서 상기 평탄화막(120)과 접촉할 수 있다.
상기 하부 보호막(130)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 하부 보호막(130)은 상기 평탄화막(120)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 보호막(130)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다.
상기 하부 보호막(130)과 상기 공통 전극(400) 사이에는 터치 전극(500) 및 상부 보호막(140)이 위치할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 어드밴스드 인셀 터치(Advanced In-cell Touch; AIT) 디스플레이 장치일 수 있다.
상기 터치 전극(500)은 상기 하부 보호막(130)과 상기 상부 보호막(140) 사이에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 터치 전극(500)은 상기 하부 보호막(130)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 터치 전극(500)은 상기 하부 보호막(130)에 의해 상기 화소 전극(300)과 절연될 수 있다. 상기 터치 전극(500)은 상기 화소 전극(300)과 중첩되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 터치 전극(500)은 상기 데이터 라인(DL)과 중첩할 수 있다. 상기 터치 전극(500)은 상기 데이터 라인(DL)을 따라 상기 제 2 방향으로 연장할 수 있다.
상기 터치 전극(500)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 터치 전극(500)은 투명한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 터치 전극(500)은 ITO 또는 IZO를 포함할 수 있다.
상기 상부 보호막(140)은 상기 터치 전극(500)을 덮을 수 있다. 상기 공통 전극(400)은 상기 상부 보호막(140)에 의해 상기 터치 전극(500)과 절연될 수 있다. 상기 상부 보호막(140)은 상기 하부 보호막(130)과 상기 공통 전극(400) 사이로 연장할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 터치 전극(500)을 통해 전달되는 감지 신호가 상기 화소 전극(300)과 상기 공통 전극(400) 사이에 형성된 전계에 영향을 미치지 않을 수 있다.
상기 상부 보호막(140)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 보호막(140)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다. 상기 상부 보호막(140)은 상기 하부 보호막(130)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 어레이 기판(110)의 상기 비표시 영역(NA)은 상기 어레이 기판(110)의 상기 표시 영역(AA)의 외측에 위치할 수 있다. 상기 어레이 기판(110)의 상기 비표시 영역(NA)은 이미지의 구현을 위한 신호들을 생성/공급할 수 있다. 예를 들어, 상기 어레이 기판(110)의 상기 비표시 영역(NA) 상에는 구동 IC(DIC)가 위치할 수 있다. 상기 구동 IC(DIC)는 상기 표시 영역(AA)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 구동 IC(DIC)는 상기 게이트 신호 또는 상기 데이터 신호를 위한 신호들을 전달하는 신호 전달 라인들(SL) 및 상기 터치 전극(500)과 전기적으로 연결되는 터치 전달 라인들(TL)을 포함할 수 있다.
상기 어레이 기판(110)의 상기 비표시 영역(NA) 상에는 패드 영역(PA)이 위치할 수 있다. 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 상기 패드 영역(PA)을 통해 외부로부터 신호를 공급받을 수 있다. 상기 패드 영역(PA)은 상기 구동 IC(DIC)와 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 구동 IC(DIC)는 상기 표시 영역(AA)과 상기 패드 영역(PA) 사이에 위치할 수 있다.
상기 패드 영역(PA)은 신호 패드 영역(PA1), 터치 패드 영역(PA2) 및 더미 패드 영역(PA3)을 포함할 수 있다.
상기 신호 패드 영역(PA1) 상에는 적어도 하나의 신호 패드(610)가 위치할 수 있다. 상기 신호 패드(610)는 신호 공급 배선(710)을 통해 상기 구동 IC(DIC)와 연결될 수 있다. 상기 구동 IC(DIC)는 상기 신호 패드(610)를 통해 외부로부터 상기 게이트 신호 및 상기 데이터 신호의 생성을 위한 신호들을 공급될 수 있다.
상기 터치 패드 영역(PA2) 상에는 적어도 하나의 터치 패드(620)가 위치할 수 있다. 상기 터치 패드(620)는 터치 공급 배선(720)을 통해 상기 구동 IC(DIC)와 연결될 수 있다. 상기 터치 전극(500)에 의해 감지된 터치 신호는 상기 터치 패드(620)를 통해 외부로 전달될 수 있다.
상기 더미 패드 영역(PA3)은 상기 신호 패드 영역(PA1)과 상기 터치 패드 영역(PA2) 사이에 위치할 수 있다. 상기 더미 패드 영역(PA3) 상에는 적어도 하나의 더미 패드(630)가 위치할 수 있다. 상기 더미 패드(630)는 제조 공정 중 밀집도의 차이에 의한 상기 신호 패드(610) 및 상기 터치 패드(620)의 손상을 방지할 수 있다. 예를 들어, 상기 더미 패드(630)는 상기 신호 패드(610) 및 상기 터치 패드(620)와 나란히 위치할 수 있다.
상기 더미 패드(630)는 상기 신호 공급 배선(710) 및 상기 터치 공급 배선(720)과 절연될 수 있다. 상기 더미 패드(630)는 상기 구동 IC(DIC)와 전기적으로 연결되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 더미 패드(630)와 상기 구동 IC(DIC) 사이에는 도전성 물질을 포함하는 배선이 위치하지 않을 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 신호 공급 배선(710) 및 상기 터치 공급 배선(720)을 통해 전달되는 신호들의 왜곡이 최소화될 수 있다.
상기 패드 영역(PA)은 테스트 박막 트랜지스터들(801, 802)을 포함할 수 있다. 상기 테스트 박막 트랜지스터들(801, 802)은 상기 표시 영역(AA)의 동작을 검사하기 위하여 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 테스트 박막 트랜지스터들(801, 802)은 상기 신호 패드(610)와 공통전압 공급배선(Vcom) 사이에 위치하는 신호 테스트 박막 트랜지스터(801) 및 상기 터치 패드(620)와 상기 공통전압 공급배선(Vcom) 사이에 위치하는 터치 테스트 박막 트랜지스터(802)를 포함할 수 있다.
상기 터치 테스트 박막 트랜지스터(802)는 상기 신호 테스트 박막 트랜지스터(801)와 동일한 구조를 가질 수 있다. 상기 신호 테스트 박막 트랜지스터(801)는 상기 구동 박막 트랜지스터(200)와 동일한 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 신호 테스트 박막 트랜지스터(801)는 테스트 게이트 전극(810), 테스트 게이트 절연막(820), 테스트 반도체 패턴(830), 테스트 소스 전극(840) 및 테스트 드레인 전극(850)을 포함할 수 있다.
상기 테스트 게이트 전극(810)은 상기 어레이 기판(110)에 가까이 위치할 수 있다. 상기 테스트 게이트 전극(810)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 테스트 게이트 전극(810)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo) 및 텅스텐(W)과 같은 금속을 포함할 수 있다. 상기 테스트 게이트 전극(810)은 상기 구동 게이트 전극(210)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 테스트 게이트 절연막(820)은 상기 테스트 게이트 전극(810) 상에 위치할 수 있다. 상기 테스트 게이트 절연막(820)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 테스트 게이트 절연막(820)은 상기 구동 게이트 절연막(220)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 테스트 게이트 절연막(820)은 상기 구동 게이트 절연막(220)과 연결될 수 있다.
상기 테스트 반도체 패턴(830)은 상기 테스트 게이트 절연막(820) 상에 위치할 수 있다. 상기 테스트 반도체 패턴(830)의 채널 영역은 상기 테스트 게이트 전극(810)과 중첩할 수 있다. 상기 테스트 반도체 패턴(830)은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 테스트 반도체 패턴(830)은 상기 구동 반도체 패턴(230)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 테스트 소스 전극(840)은 상기 테스트 반도체 패턴(830)의 소스 영역과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 테스트 소스 전극(840)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 테스트 소스 전극(840)은 상기 구동 소스 전극(240)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 테스트 소스 전극(840)은 상기 공통전압 공급배선(Vcom)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 공통전압 공급배선(Vcom)은 상기 테스트 소스 전극(840)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 테스트 소스 전극(840)은 상기 공통전압 공급배선(Vcom)으로부터 돌출된 형상일 수 있다.
상기 테스트 드레인 전극(850)은 상기 테스트 반도체 패턴(830)의 드레인 영역과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 테스트 드레인 전극(850)은 상기 테스트 소스 전극(840)과 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 테스트 소스 전극(840) 및 상기 테스트 드레인 전극(850)은 상기 테스트 반도체 패턴(830)의 상기 채널 영역을 노출할 수 있다. 상기 테스트 드레인 전극(850)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 테스트 드레인 전극(850)은 상기 구동 드레인 전극(250)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 상기 테스트 소스 전극(840) 및 상기 테스트 드레인 전극(850)에 의해 상기 테스트 반도체 패턴(830)의 일부 영역이 노출되는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 상기 테스트 반도체 패턴(830) 상에 위치하는 에치 스토퍼를 더 포함할 수 있다. 상기 에치 스토퍼는 제조 공정에 의한 상기 테스트 반도체 패턴(830)의 손상을 방지할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 테스트 소스 전극(840) 및 테스트 드레인 전극(850)에 의해 상기 에치 스토퍼의 일부 영역이 노출될 수 있다.
상기 테스트 박막 트랜지스터들(801, 802)는 테스트 패드(AP)를 통해 인가된 신호에 의해 제어될 수 있다. 예를 들어, 각 테스트 박막 트랜지스터(801, 802)의 상기 테스트 게이트 전극(810)은 상기 테스트 패드(AP)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 테스트 패드(AP)는 상기 어레이 기판(110)의 상기 비표시 영역(NA) 상에 위치할 수 있다. 각 테스트 박막 트랜지스터(801, 802)의 상기 테스트 게이트 전극(810)은 인접한 테스트 박막 트랜지스터(801, 802)의 상기 테스트 게이트 전극(810)과 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 테스트 박막 트랜지스터들(801, 802)은 상기 신호 패드 영역(PA1), 상기 터치 패드 영역(PA2) 및 상기 더미 패드 영역(PA3)을 가로지르는 테스트 게이트 전극(810)을 포함할 수 있다.
상기 공통전압 공급배선(Vcom)은 상기 어레이 기판(110)의 상기 표시 영역(AA)으로 공통 전압을 공급하기 위한 배선일 수 있다. 예를 들어, 상기 공통 전극(400)은 상기 공통전압 공급배선(Vcom)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 공통전압 공급배선(Vcom)은 상기 패드 영역(PA)을 가로지를 수 있다. 예를 들어, 상기 공통전압 공급배선(Vcom)은 상기 테스트 게이트 전극(810)과 평행하게 연장할 수 있다.
상기 평탄화막(120)은 상기 어레이 기판(110)의 상기 비표시 영역(NA) 상으로 연장할 수 있다. 예를 들어, 상기 테스트 박막 트랜지스터들(801, 802)에 의한 단차는 상기 평탄화막(120)에 의해 제거될 수 있다. 상기 평탄화막(120)은 상기 패드 영역(PA)과 중첩하는 트렌치(120t)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 신호 패드(610), 상기 터치 패드(620) 및 상기 더미 패드(630)는 상기 평탄화막(120)의 상기 트렌치(120t) 내에 위치할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 구동 IC(DIC)에 외부 신호를 공급하기 위한 연성 인쇄 회로 기판(Flexible Printed Circuit Board; FPCB)이 상기 패드 영역(PA)의 각 패드(610, 620, 630)와 효과적으로 연결될 수 있다.
상기 하부 보호막(130) 및 상기 상부 보호막(140)은 상기 어레이 기판(110)의 상기 비표시 영역(NA) 상으로 연장할 수 있다. 상기 신호 패드(610), 상기 터치 패드(620) 및 상기 더미 패드(630)는 상기 상부 보호막(140) 상에 위치할 수 있다. 상기 신호 패드(610), 상기 터치 패드(620) 및 상기 더미 패드(630)는 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 신호 패드(610), 상기 터치 패드(620) 및 상기 더미 패드(630)는 상대적으로 내식성(corrosion resistance)이 높은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 신호 패드(610), 상기 터치 패드(620) 및 상기 더미 패드(630)는 ITO 또는 IZO를 포함할 수 있다. 상기 신호 패드(610), 상기 터치 패드(620) 및 상기 더미 패드(630)는 상기 공통 전극(400)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 신호 공급 배선(710)은 상기 신호 패드(610), 상기 터치 패드(620) 및 상기 더미 패드(630)와 다른 층 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 신호 공급 배선(710)은 상기 하부 보호막(130)과 상기 상부 보호막(140) 사이에 위치할 수 있다. 상기 신호 공급 배선(710)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 신호 공급 배선(710)은 상기 터치 전극(500)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 터치 공급 배선(720)은 상기 신호 공급 배선(710)과 동일한 층 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 터치 공급 배선(720)은 상기 하부 보호막(130)과 상기 상부 보호막(140) 사이에 위치할 수 있다. 상기 터치 공급 배선(720)은 상기 신호 공급 배선(710)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 더미 패드(630)는 더미 연결 배선(900)에 의해 상기 공통전압 공급배선(Vcom)과 연결될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 정전기에 의해 대전된 전하가 상기 더미 패드(630) 내에 축적되지 않을 수 있다. 즉, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 더미 패드(630)로 유입된 전하가 상기 더미 연결 배선(900)을 통해 상기 공통전압 공급배선(Vcom)으로 배출될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 정전기에 의한 오동작이 최소화될 수 있다.
상기 더미 연결 배선(900)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 더미 연결 배선(900)은 상기 더미 패드(630)보다 낮은 저항을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 더미 연결 배선(900)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo) 및 텅스텐(W)과 같은 금속을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 더미 패드(630)로 유입된 전하가 효과적으로 배출될 수 있다.
상기 더미 연결 배선(900)은 상기 더미 패드(630)와 다른 층 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 더미 연결 배선(900)은 상기 어레이 기판(110)과 상기 더미 패드(630) 사이에 위치할 수 있다. 상기 더미 연결 배선(900)은 상기 어레이 기판(110)과 상기 평탄화막(120) 사이로 연장할 수 있다. 예를 들어, 상기 더미 연결 배선(900)은 상기 테스트 게이트 절연막(820)과 상기 평탄화막(120) 사이로 연장할 수 있다. 상기 더미 연결 배선(900)은 상기 공통전압 공급배선(Vcom)과 직접 접촉할 수 있다. 예를 들어, 상기 더미 연결 배선(900)은 상기 테스트 드레인 전극(850)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 더미 연결 배선(900)은 상기 공통전압 공급배선(Vcom)으로부터 상기 테스트 드레인 전극(850)과 평행하게 돌출된 형상일 수 있다. 상기 더미 연결 배선(900)은 상기 신호 패드 영역(PA1), 상기 터치 패드 영역(PA2) 및 상기 더미 패드 영역(PA3)을 가로지르는 테스트 게이트 전극(810)과 교차할 수 있다. 예를 들어, 상기 테스트 게이트 전극(810)은 상기 어레이 기판(110)과 상기 더미 연결 배선(900) 사이로 연장할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 더미 연결 배선(900)의 단차가 완화될 수 있다.
결과적으로, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 제조 공정 중 밀집도의 차이에 의한 신호 패드(610) 및 터치 패드(620)의 손상을 방지하기 위한 더미 패드(630)를 공통전압 공급배선(Vcom)과 연결함으로써, 정전기에 의해 대전된 전하가 상기 더미 패드(630) 내로 유입되면, 더미 연결 배선(900)을 통해 상기 공통전압 공급배선(Vcom)으로 배출할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 정전기에 의한 오동작이 방지될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 신뢰성이 향상될 수 있다.
상기 어레이 기판(110)과 상기 신호 패드(610) 사이, 상기 어레이 기판(110)과 상기 터치 패드(620) 사이 및 상기 어레이 기판(110)과 상기 더미 패드(630) 사이에는 더미 게이트(811, 813)가 위치할 수 있다. 상기 더미 게이트(811, 813)는 상기 테스트 게이트 전극(810)과 동일한 층 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 더미 게이트(811, 813)은 해당 패드(610, 620, 630)와 중첩하도록 상기 어레이 기판(110)과 상기 테스트 게이트 절연막(820) 사이에 위치할 수 있다. 상기 테스트 드레인 전극(850)의 일측 단부는 상기 더미 게이트(811)와 상기 신호 패드(610) 사이로 연장할 수 있다. 상기 더미 연결 배선(900)은 상기 더미 게이트(813) 및 상기 더미 패드(630)와 중첩하는 단부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 더미 게이트(811, 813)는 상기 테스트 게이트 전극(810)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 패드 영역(PA) 내에 위치하는 패드들(610, 620, 630)의 단차가 완화될 수 있다.
상기 테스트 게이트 전극(810)과 상기 더미 연결 배선(900) 사이에는 더미 반도체 패턴(831)이 위치할 수 있다. 상기 더미 반도체 패턴(831)은 상기 테스트 반도체 패턴(830)과 동일한 층 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 더미 반도체 패턴(831)은 상기 테스트 게이트 전극(810)과 중첩하도록 상기 테스트 게이트 절연막(820)과 상기 더미 연결 배선(900) 사이에 위치할 수 있다. 상기 더미 반도체 패턴(831)은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 더미 반도체 패턴(831)은 상기 테스트 반도체 패턴(830)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 더미 연결 배선(900)의 단차가 완화될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 더미 패드 영역(PA3)이 신호 패드 영역(PA1)과 터치 패드 영역(PA2) 사이에 위치하는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 패드 영역(PA)이 터치 패드 영역(PA2)을 포함하지 않을 수 있다. 예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 어레이 기판의 비표시 영역(NA) 상에 다수의 패드 영역(PA)이 위치하되, 각 패드 영역(PA)이 두 개의 더미 패드 영역(PA3) 사이에 위치하는 신호 패드 영역(PA1)을 포함할 수 있다.
도 5a 내지 11a, 5b 내지 11b 및 5c 내지 11c는 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제조 공정을 순서대로 나타낸 도면들이다.
도 3a 내지 3c, 5a 내지 11a, 5b 내지 11b 및 5c 내지 11c를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법을 설명한다. 먼저, 도 5a 내지 5c에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은 어레이 기판(110) 상에 구동 게이트 전극(210), 테스트 게이트 전극(810) 및 더미 게이트(811, 813)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 구동 게이트 전극(210), 상기 테스트 게이트 전극(810) 및 상기 더미 게이트(811, 813)를 형성하는 단계는 상기 어레이 기판(110) 상에 게이트 물질층을 형성하는 단계 및 상기 게이트 물질층을 패터닝하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 게이트 물질층은 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 물질층은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo) 및 텅스텐(W)과 같은 금속으로 형성될 수 있다.
도 6a 내지 6c에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은 상기 어레이 기판(110) 상에 상기 구동 게이트 전극(210), 상기 테스트 게이트 전극(810) 및 상기 더미 게이트(811, 813)를 덮는 게이트 절연막(220, 820)을 형성하는 단계 및 상기 게이트 절연막(220, 820) 상에 구동 반도체 패턴(230), 테스트 반도체 패턴(830) 및 더미 반도체 패턴(831)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 게이트 절연막(220, 820)을 형성하는 단계는 상기 구동 게이트 전극(210), 상기 테스트 게이트 전극(810) 및 상기 더미 게이트(811)가 형성된 상기 어레이 기판(110) 상에 게이트 절연 물질을 증착하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 게이트 절연막(220, 820)은 상기 구동 게이트 전극(210)을 덮는 구동 게이트 절연막(220) 및 상기 테스트 게이트 전극(810)을 덮는 테스트 게이트 절연막(820)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법에서는 상기 테스트 게이트 절연막(820)이 상기 구동 게이트 절연막(220)과 동시에 형성될 수 있다.
상기 구동 반도체 패턴(230), 상기 테스트 반도체 패턴(830) 및 상기 더미 반도체 패턴(831)을 형성하는 단계는 상기 게이트 절연막(220, 820) 상에 반도체 물질층을 형성하는 단계 및 상기 반도체 물질층을 패터닝하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 반도체 물질층은 반도체 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 물질층은 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘으로 형성될 수 있다.
도 7a 내지 7c에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은 상기 어레이 기판(110) 상에 구동 박막 트랜지스터(200) 및 테스트 박막 트랜지스터(801)를 형성하는 단계 및 상기 어레이 기판(110) 상에 더미 연결 배선(900)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 구동 박막 트랜지스터(200) 및 상기 테스트 박막 트랜지스터(801)를 형성하는 단계는 상기 구동 반도체 패턴(230) 및 상기 테스트 반도체 패턴(830)이 형성된 상기 어레이 기판(110) 상에 구동 소스 전극(240), 구동 드레인 전극(250), 테스트 소스 전극(840) 및 테스트 드레인 전극(850)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 구동 소스 전극(240), 상기 구동 드레인 전극(250), 상기 테스트 소스 전극(840) 및 상기 테스트 드레인 전극(850)을 형성하는 단계는 상기 구동 반도체 패턴(230) 및 상기 테스트 반도체 패턴(830)이 형성된 상기 어레이 기판(110) 상에 도전성 물질층을 형성하는 단계 및 상기 도전성 물질층을 패터닝하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 도전성 물질층은 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 도전성 물질층은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo) 및 텅스텐(W)과 같은 금속으로 형성될 수 있다.
상기 더미 연결 배선(900)을 형성하는 단계는 상기 구동 박막 트랜지스터(200) 및 상기 테스트 박막 트랜지스터(801)를 형성하는 단계와 동시에 수행될 수 있다. 예를 들어, 상기 더미 연결 배선(900)은 상기 구동 소스 전극(240), 상기 구동 드레인 전극(250), 상기 테스트 소스 전극(840) 및 상기 테스트 드레인 전극(850)과 동시에 형성될 수 있다. 상기 더미 연결 배선(900)은 상기 구동 소스 전극(240), 상기 구동 드레인 전극(250), 상기 테스트 소스 전극(840) 및 상기 테스트 드레인 전극(850)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 더미 연결 배선(900)은 상기 도전성 물질층의 패터닝 공정에 의해 형성될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 더미 연결 배선(900)의 형성을 위한 추가 공정이 수행되지 않을 수 있다.
도 8a 내지 8c에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은 상기 구동 박막 트랜지스터(200), 상기 테스트 박막 트랜지스터(801) 및 상기 더미 연결 배선(900)이 형성된 상기 어레이 기판(110) 상에 평탄화막(120)을 형성하는 단계 및 상기 평탄화막(120)에 트렌치(120t)와 화소 컨택홀을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 평탄화막(120)의 상기 트렌치(120t)는 상기 어레이 기판(110)의 비표시 영역 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 더미 게이트(811)는 상기 평탄화막(120)의 상기 트렌치(120t)와 중첩할 수 있다. 상기 구동 박막 트랜지스터(200) 및 상기 테스트 박막 트랜지스터(800)는 상기 평탄화막(120)에 의해 덮일 수 있다.
도 9a 내지 9c에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은 상기 평탄화막(120) 상에 상기 화소 컨택홀을 통해 상기 구동 드레인 전극(250)과 연결되는 화소 전극(300)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 화소 전극(300)을 형성하는 단계는 상기 평탄화막(120) 상에 투명 도전성 물질층을 형성하는 단계 및 상기 투명 도전성 물질층을 패터닝하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 투명 도전성 물질은 ITO 또는 IZO로 형성될 수 있다.
도 10a 내지 10c에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은 상기 화소 전극(300)이 형성된 상기 어레이 기판(110) 상에 하부 보호막(130)을 형성하는 단계 및 상기 하부 보호막(130) 상에 터치 전극(500), 신호 공급 배선(710) 및 터치 공급 배선(720)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
도 11a 내지 11c에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은 상기 터치 전극(500), 상기 신호 공급 배선(710) 및 상기 터치 공급 배선(720)을 덮는 상부 보호막(140)을 형성하는 단계 및 상기 신호 공급 배선(710)의 일부 영역을 노출하는 패드 컨택홀들을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
도 3a 내지 3c에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은 상부 보호막(140) 상에 공통 전극(400), 신호 패드(610), 터치 패드(620) 및 더미 패드(630)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
결과적으로, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은 구동 박막 트랜지스터(200) 및 테스트 박막 트랜지스터(800)를 형성하는 공정을 이용하여 더미 연결 배선(900)을 형성함으로써, 상기 더미 연결 배선(900)의 형성을 위한 추가 공정이 필요하지 않을 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은 공정의 추가 없이, 정전기에 의한 오동작이 최소화될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은 공정 효율의 저하 없이, 신뢰성이 향상될 수 있다.
110: 어레이 기판 120: 평탄화막
130: 하부 보호막 140: 상부 보호막
200: 구동 박막 트랜지스터 300: 화소 전극
400: 공통 전극 500: 터치 전극
610: 신호 패드 620: 터치 패드
630: 더미 패드 710: 신호 공급 배선
720: 터치 공급 배선 801: 신호 테스트 박막 트랜지스터
802: 터치 테스트 박막 트랜지스터 900: 더미 연결 배선
130: 하부 보호막 140: 상부 보호막
200: 구동 박막 트랜지스터 300: 화소 전극
400: 공통 전극 500: 터치 전극
610: 신호 패드 620: 터치 패드
630: 더미 패드 710: 신호 공급 배선
720: 터치 공급 배선 801: 신호 테스트 박막 트랜지스터
802: 터치 테스트 박막 트랜지스터 900: 더미 연결 배선
Claims (12)
- 표시 영역 및 상기 표시 영역의 외측에 위치하는 비표시 영역을 포함하는 어레이 기판;
상기 어레이 기판의 상기 비표시 영역 상에 위치하고, 상기 표시 영역과 전기적으로 연결되는 구동 IC;
상기 어레이 기판의 상기 비표시 영역 상에 위치하고, 신호 공급 배선에 의해 상기 구동 IC와 연결되는 신호 패드; 및
상기 어레이 기판 상에 상기 신호 패드와 나란히 위치하고, 상기 신호 공급 배선과 절연되는 더미 패드를 포함하되,
상기 더미 패드는 더미 연결 배선에 의해 공통전압 공급배선과 연결되는 디스플레이 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 신호 패드 및 상기 더미 패드는 상기 구동 IC와 상기 공통전압 공급배선 사이에 위치하는 디스플레이 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 신호 패드와 상기 공통전압 공급배선 사이에 위치하는 테스트 박막 트랜지스터를 더 포함하는 디스플레이 장치. - 제 3 항에 있어서,
상기 어레이 기판의 상기 표시 영역 상에 위치하는 구동 박막 트랜지스터를 더 포함하되,
상기 테스트 박막 트랜지스터는 상기 구동 박막 트랜지스터와 동일한 구조를 갖는 디스플레이 장치. - 제 3 항에 있어서,
상기 테스트 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 게이트 절연막, 반도체 패턴, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하되,
상기 더미 연결 배선은 상기 테스트 박막 트랜지스터의 상기 드레인 전극과 동일한 물질을 포함하는 디스플레이 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 어레이 기판과 상기 더미 연결 배선 사이에 위치하는 더미 반도체 패턴을 더 포함하되,
상기 더미 반도체 패턴은 상기 테스트 박막 트랜지스터의 상기 반도체 패턴과 동일한 물질을 포함하는 디스플레이 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 테스트 박막 트랜지스터의 상기 게이트 전극은 상기 어레이 기판과 상기 더미 연결 배선 사이로 연장하는 디스플레이 장치. - 제 7 항에 있어서,
상기 공통전압 공급배선은 상기 테스트 박막 트랜지스터의 상기 게이트 전극과 평행하게 연장하는 디스플레이 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 어레이 기판의 상기 비표시 영역 상에 위치하고, 터치 공급 배선에 의해 상기 구동 IC와 연결되는 터치 패드를 더 포함하되,
상기 더미 패드는 상기 신호 패드와 상기 터치 패드 사이에 위치하고,
상기 터치 공급 배선은 상기 더미 패드와 절연되는 디스플레이 장치. - 제 9 항에 있어서,
상기 터치 공급 배선은 상기 신호 공급 배선과 동일한 물질을 포함하는 디스플레이 장치. - 제 9 항에 있어서,
상기 어레이 기판의 상기 표시 영역 상에 위치하는 평탄화막;
상기 평탄화막 상에 위치하는 하부 보호막;
상기 하부 보호막 상에 위치하는 상부 보호막;
상기 평탄화막과 상기 하부 보호막 사이에 위치하는 화소 전극;
상기 상부 보호막 상에 위치하고, 상기 화소 전극과 중첩하는 적어도 하나의 슬릿을 포함하는 공통 전극; 및
상기 하부 보호막과 상기 상부 보호막 사이에 위치하고, 상기 화소 전극과 이격되는 터치 전극을 포함하되,
상기 신호 공급 배선은 상기 터치 전극과 동일한 물질을 포함하는 디스플레이 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 평탄화막은 상기 어레이 기판의 상기 비표시 영역 상에 위치하는 트렌치를 포함하되,
상기 신호 패드, 상기 더미 패드 및 상기 터치 패드는 상기 평탄화막의 상기 트렌치 내에 위치하는 디스플레이 장치.
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| KR1020180068308A KR102610925B1 (ko) | 2018-06-14 | 2018-06-14 | 신호 패드와 나란히 위치하는 더미 패드를 포함하는 디스플레이 장치 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102610925B1 (ko) | 2023-12-06 |
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| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |