KR20190140413A - 비-전도성 영역에 형성된 홀의 높이 프로파일의 측정 - Google Patents

비-전도성 영역에 형성된 홀의 높이 프로파일의 측정 Download PDF

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KR20190140413A
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콘스탄틴 치르코
오리트 하바 아르몬 헤르쉬코비치
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어플라이드 머티리얼즈 이스라엘 리미티드
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Abstract

본 발명은 홀을 측정하기 위한 시스템, 컴퓨터 프로그램 제품 및 방법에 관한 것이다. 방법은, 나노미터 폭을 갖는 홀의 부근을 대전시키는 단계; 홀의 다수의 전자 이미지들을 획득하는 단계 ― 각각의 전자 이미지는 전자 이미지와 연관된 전자 에너지 임계값을 초과하는 전자 에너지의 전자들을 감지함으로써 형성되고; 다수의 전자 이미지들의 상이한 전자 이미지들과 연관된 전자 에너지 임계값들은 서로 상이함 ―; 높이 값들과 전자 에너지 임계값들 간의 맵핑을 수신하거나 생성하는 단계; 홀 측정들을 제공하기 위해 다수의 전자 이미지들을 처리하는 단계; 및 맵핑 및 홀 측정들에 기초하여 홀의 3차원 측정들을 생성하는 단계를 포함할 수 있다.

Description

비-전도성 영역에 형성된 홀의 높이 프로파일의 측정{MEASURING A HEIGHT PROFILE OF A HOLE FORMED IN NON-CONDUCTIVE REGION}
본 출원은 2018년 6월 11일자로 출원된 미국 출원 번호 16/005,278의 이익을 주장하고, 이로써 상기 미국 출원의 내용들은 인용에 의해 그 전체가 본원에 포함된다.
집적 회로들은 매우 복잡한 제조 프로세스에 의해 제조된다.
집적 회로들은 제조 프로세스 동안 그리고 심지어 제조 프로세스의 완료 이후에 평가될 수 있다.
집적 회로의 평가는, 집적 회로를 검사하는 것, 집적 회로를 검토하는 것, 및 추가적으로 또는 대안적으로, 집적 회로의 구조적 요소들을 측정하는 것을 포함할 수 있다.
고종횡비 홀은 홀의 깊이의 일부(예를 들어, 25% 미만, 20% 미만, 15% 미만, 10% 미만 등)인 폭을 가질 수 있다.
고종횡비 홀들의 최상부 이미지들이 홀에 대한 제한된 정보만을 제공하기 때문에, 단일 높이에서의 홀의 단면의 부정확한 표시와 같이, 고종횡비 홀들을 이미지화하기 어렵다.
고종횡비 홀을 검사하기 위한 효율적인 방법을 제공할 필요성이 증대되고 있다.
홀을 측정하기 위한 방법이 제공될 수 있고, 방법은 다음의 단계들을 포함할 수 있다: (a) 홀의 부근을 대전시키는 단계; 홀은 나노미터 폭을 갖는다. (b) 대전된 입자 이미저(charged particle imager)에 의해, 홀의 다수의 전자 이미지들을 획득하는 단계. 다수의 전자 이미지들의 각각의 전자 이미지는, 전자 이미지와 연관된 전자 에너지 임계값을 초과하는 전자 에너지의 전자들을 감지함으로써 형성될 수 있다. (다수의 전자 이미지들의) 상이한 전자 이미지들과 연관된 전자 에너지 임계값들은 서로 상이하다. (c) 높이 값들과 전자 에너지 임계값들 간의 맵핑을 수신하거나 생성하는 단계. (d) 홀 측정들을 제공하기 위해 다수의 전자 이미지들을 처리하는 단계. (e) 맵핑 및 홀 측정들에 기초하여 홀의 3차원 측정들을 생성하는 단계.
컴퓨터화된 시스템에 의해 일단 실행되면 컴퓨터화된 시스템으로 하여금 다음의 단계들을 수행하게 하는 명령어들을 저장하는 컴퓨터 프로그램 제품이 제공될 수 있다. (a) 홀의 부근을 대전시키는 단계; 홀은 나노미터 폭을 갖는다. (b) 대전된 입자 이미저에 의해, 홀의 다수의 전자 이미지들을 획득하는 단계. 다수의 전자 이미지들의 각각의 전자 이미지는, 전자 이미지와 연관된 전자 에너지 임계값을 초과하는 전자 에너지의 전자들을 감지함으로써 형성될 수 있다. (다수의 전자 이미지들의) 상이한 전자 이미지들과 연관된 전자 에너지 임계값들은 서로 상이하다. (c) 높이 값들과 전자 에너지 임계값들 간의 맵핑을 수신하거나 생성하는 단계. (d) 홀 측정들을 제공하기 위해 다수의 전자 이미지들을 처리하는 단계. (e) 맵핑 및 홀 측정들에 기초하여 홀의 3차원 측정들을 생성하는 단계.
홀을 측정하기 위한 시스템이 제공될 수 있고, 시스템은, 홀 ― 홀은 나노미터 폭을 가짐 ― 의 부근을 대전시키고 홀의 다수의 전자 이미지들을 획득하도록 구성된 대전된 입자 이미저들 ― 다수의 전자 이미지들의 각각의 전자 이미지는 전자 이미지와 연관된 전자 에너지 임계값을 초과하는 전자 에너지의 전자들을 감지함으로써 형성되고; 다수의 전자 이미지들의 상이한 전자 이미지들과 연관된 전자 에너지 임계값들은 서로 상이함 ―; 높이 값들과 전자 에너지 임계값들 간의 맵핑을 수신하거나 생성하고; 홀 측정들을 제공하기 위해 다수의 전자 이미지들을 처리하고; 맵핑 및 홀 측정들에 기초하여 홀의 3차원 측정들을 생성하도록 구성된 프로세서를 포함할 수 있다.
본 발명으로서 간주되는 청구 대상은 상세히 기술되고 본 명세서의 결론 부분에서 명확히 청구된다. 그러나, 본 발명은, 기질들, 특징들, 및 그들의 장점들과 함께, 단계의 방법 및 구성 양쪽 모두에 관하여, 첨부 도면들과 함께 읽을 때 이하의 상세한 설명을 참조하여 가장 잘 이해될 수 있으며, 첨부 도면들에서:
도 1은 물체 및 대전된 입자 이미저의 예이고;
도 2는 물체 및 대전된 입자 이미저의 예이고;
도 3은 영역 및 다양한 이미지들의 예이고;
도 4는 영역 및 다양한 이미지들의 예이고;
도 5는 방법의 예이다.
이하의 상세한 설명에서, 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해 다수의 특정한 세부 사항들이 열거된다. 그러나, 본 발명이 이러한 구체적인 세부 사항들 없이 실시될 수 있다는 점을 관련 기술분야의 통상의 기술자는 이해할 것이다. 다른 경우들에서, 잘 알려진 방법들, 절차들 및 구성요소들은 본 발명을 모호하게 하지 않기 위해 상세히 설명되지 않았다.
방법에 대한 본 명세서에서의 임의의 참조는, 방법을 실행할 수 있는 시스템에 그리고 방법을 실행하기 위한 명령어들을 저장하는 컴퓨터 프로그램 제품에, 필요한 변경을 가하여 적용되어야 한다.
시스템에 대한 본 명세서에서의 임의의 참조는, 시스템에 의해 실행될 수 있는 방법에 그리고 방법을 실행하기 위한 명령어들을 저장하는 컴퓨터 프로그램 제품에, 필요한 변경을 가하여 적용되어야 한다.
컴퓨터 프로그램 제품에 대한 본 명세서에서의 임의의 참조는, 컴퓨터 프로그램 제품에 저장된 명령어들을 실행할 때 수행되는 방법에 그리고 컴퓨터 프로그램 제품에 저장된 명령어들을 실행하도록 배열되고 구성되는 시스템에, 필요한 변경을 가하여 적용되어야 한다.
컴퓨터 프로그램 제품은 비일시적이고, 명령어들을 저장하기 위한 비일시적 매체를 포함할 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품의 비제한적인 예들은, 메모리 칩, 집적 회로, 디스크, 자기 메모리 유닛, 및 멤리스터 메모리 유닛이다.
다양한 구성요소들에 대한 동일한 참조 번호들의 할당은 이러한 구성요소들이 서로 유사하다는 것을 나타낼 수 있다.
여기서, 홀을 측정하기 위한 방법이 제공될 수 있다. 방법은 다음을 포함할 수 있다:
a. 측정될 홀 치수를 따라 지향된 전기장을 생성하기 위해 (적어도) 홀의 부근을 대전시키는 단계. 홀은 나노미터 폭을 갖는다.
b. 대전된 입자 이미저에 의해, 홀의 다수의 전자 이미지들을 획득하는 단계. 다수의 전자 이미지들의 각각의 전자 이미지는, 전자 이미지와 연관된 전자 에너지 임계값을 초과하는 전자 에너지의 전자들을 감지함으로써 형성된다. 다수의 전자 이미지들의 상이한 전자 이미지들과 연관된 전자 에너지 임계값들은 서로 상이하다.
c. 높이 값들과 전자 에너지 임계값들 간의 맵핑을 수신하거나 생성하는 단계.
d. 홀 측정들을 제공하기 위해 다수의 전자 이미지들을 처리하는 단계.
e. 맵핑 및 홀 측정들에 기초하여 홀의 3차원 측정들을 생성하는 단계.
다수의 이미지들의 각각의 전자 이미지의 획득은, 전자 에너지와 연관된 전자 에너지 임계값 미만의 전자 에너지를 갖는 전자들을 거부하기 위해 센서에 선행하는 에너지 필터를 설정하는 것을 포함할 수 있다. 에너지 필터는 상이한 전자 에너지 임계값들과 매우 신속히 연관되도록 재구성될 수 있고, 따라서 시스템의 처리량을 증가시킨다.
상이한 전자 에너지 임계값들의 전자 이미지들을 생성하기 위해 에너지 필터를 재설정하는 것은, 물체에 충돌하는 전자들의 에너지를 변화시키는 것보다 훨씬 더 빠르고, 더 정확하며, 덜 복잡하다.
이하의 예들은 물체를 참조한다. 물체는 반도체 웨이퍼, 또는 나노미터 폭의 고종횡비 홀들을 갖는 임의의 다른 물체일 수 있다.
도 1은 물체(100) 및 대전된 입자 이미저(10)를 예시한다. 대전된 입자 이미저(10)는 스테이지(30), 프로세서(50), 메모리 유닛(60), 제어기(70) 및 전자 광학계를 포함한다. 전자 광학계는 빔 공급원(12), 집속 렌즈(14), 제1 편향기(16), 제2 편향기(20), 2차 전자 검출기(22), 대물 렌즈(24), 에너지 필터(21) 및 에너지 필터 공급 유닛(23)을 포함한다.
스테이지(30)는 물체(100)를 지지하고 물체를 이동시키도록 배열된다.
제어기(70)는 대전된 입자 이미저(10)의 작동을 제어할 수 있다.
프로세서(50)는 2차 전자 검출기(22)로부터 전송된 검출 신호들로부터 이미지들을 생성할 수 있다. 프로세서(50)는 본 명세서에 예시된 임의의 방법의 임의의 단계를 실행하도록 (예를 들어, 프로그래밍됨으로써) 배열되고 구성될 수 있다.
"하도록 구성"이라는 문구와 "배열되고 구성"이라는 문구는 상호교환가능한 방식으로 사용된다.
프로세서(50)는, 대전된 입자 이미저(10)와 상이한, 원격 컴퓨터 또는 임의의 다른 컴퓨터화된 시스템에 위치될 수 있다는 점을 주목해야 한다.
빔 공급원(12)은 1차 전자 빔(40)을 생성한다. 도 1은, 1차 전자 빔(40)이 제1 편향기(16) 및 제2 편향기(20)에 의해 2회 편향되고, 대물 렌즈(24)를 통과하고, 물체(100)에 충돌하는 것으로서 예시한다.
1차 전자 빔(40)은 임의의 다른 경로를 통과할 수 있다. 예를 들어, 1차 전자 빔(40)은 1회 또는 2회를 초과하여 편향될 수 있다.
에너지 필터(21)는 2차 전자 검출기(22)에 선행하고, 에너지 필터 공급 유닛(23)에 의해 공급된다. 에너지 필터(21)에 공급되는 바이어스 전압은, 2차 전자 검출기(22)에 의해 취득된 이미지의 전자 에너지 임계값을 결정한다.
다수의 전자 에너지 임계값들을 결정하기 위해, 에너지 필터(21)에 상이한 바이어스 전압들이 공급되고, 이에 의해, 2차 전자 검출기(22)에 의해서 다수의 전자 이미지들을 취득하면서, 홀의 다수의 이미지들이 취득될 수 있다. 각각의 전자 이미지는 고유한 전자 에너지 임계값과 연관되고, 고유한 전자 에너지 임계값보다 낮지 않은 전자 에너지들을 갖는 전자들을 포함한다. 상이한 전자 이미지들은 상이한 높이들로부터 취해질 수 있다.
2차 전자 빔(31)은 제2 편향기(20)에 의해 2차 전자 검출기(22)를 향해 편향된다.
2차 전자 빔(31)의 2차 전자들은, (a) 2차 전자들의 에너지와, (b) 에너지 필터(21)에 의해 설정된 전자 에너지 임계값 사이의 관계에 따라, 에너지 필터(21)를 통과할 수 있거나, 또는 에너지 필터(21)에 의해 차단될 수 있다.
도 1은 2차 전자 검출기(22)를 렌즈 내 검출기로서 예시한다. 렌즈 내 검출기는 대전된 입자 이미저의 컬럼 내부에 위치되는 검출기이다. 이는 단지 예일 뿐이다. 2차 전자 검출기(22)는 대전된 입자 이미저의 컬럼 외부에 위치하는 렌즈 밖 검출기일 수 있다.
대전된 입자 이미저(10)의 전자 광학계는 도 1의 전자 광학계와 상이할 수 있다는 것을 주목해야 한다. 예를 들어, 2차 전자 검출기는 임의의 렌즈 밖 2차 전자 검출기일 수 있고, 2차 전자 검출기는 임의의 렌즈 내 2차 전자 검출기일 수 있고, 임의의 개수의 편향기들이 존재할 수 있고, 1차 전자 빔은 (물체에 충돌할 때) 물체에 수직이거나 물체에 수직이 아닐 수 있는 등이다. 2차 전자 검출기는, 2차 전자들이 아닌 전자들 ― 예를 들어, 후방산란된 전자들 ― 을 검출하는 검출기로 대체될 수 있다.
도 2는 원뿔형 홀을 예시하고, 다음을 포함한다:
f. 홀 부근의 상면도 및 홀(110)의 부근(101)의 단면도. 부근은 상부 표면(111) 및 홀(110)을 포함하고, 홀(110)은 바닥(114), 경사진 측벽들(113), 및 상부 표면(112)을 포함한다. 도 2는 또한, 에너지 필터 공급 유닛(23)이 에너지 필터(21)에 다수의 바이어스 전압들(한 번에 하나의 바이어스 전압)(V(1)-V(n) 121(1)-121(n))을 공급할 때 조명되는 다수의 (n)개의 높이들(H(1)-H(n) 120(1)-120(n))을 예시한다.
g. 홀의 제1 에지(125(1))를 포함하는, 홀의 부근의 전자 이미지(124(1)). 홀의 직경(126(1))이 측정된다. 전자 이미지(124(1))는 바이어스 전압(V(1) 121(1))이 에너지 필터(121)에 공급될 때 측정된다.
h. 홀의 제1 에지(125(n))를 포함하는, 홀의 부근의 전자 이미지(124(n)). 홀의 직경(126(n))이 측정된다. 전자 이미지(124(n))는 바이어스 전압(V(n) 121(n))이 에너지 필터(121)에 공급될 때 측정된다.
도 3은 타원형 홀 및 트렌치의 일부의 전자 이미지들을 예시한다.
도 3은 다음을 포함한다:
i. 홀의 제1 에지(125'(1))를 포함하는, 홀의 부근의 전자 이미지(124'(1)). 홀은 타원형이다. 타원의 2개의 축들(126'(1) 및 127'(1))이 측정된다. 전자 이미지(124'(1))는 바이어스 전압(V(1) 121(1))이 에너지 필터(21)에 공급될 때 측정된다.
j. 홀의 제1 에지(125'(n))를 포함하는, 홀의 부근의 전자 이미지(124'(n)). 홀은 타원형이다. 타원의 2개의 축들(126'(1) 및 127'(1))이 측정된다. 전자 이미지(124'(n))는 바이어스 전압(V(n) 121(n))이 에너지 필터(21)에 공급될 때 측정된다.
k. 홀의 제1 에지(125"(1))를 포함하는, 홀의 부근의 전자 이미지(124"(1)). 홀은 트렌치이다. 트렌치의 폭(126"(1))이 측정된다. 전자 이미지(124"(1))는 바이어스 전압(V(1) 121(1))이 에너지 필터(21)에 공급될 때 측정된다.
l. 홀의 제1 에지(125"(n))를 포함하는, 홀의 부근의 전자 이미지(124"(n)). 홀은 트렌치이다. 트렌치의 폭(126"(1))이 측정된다. 전자 이미지(124"(n))는 바이어스 전압(V(n) 121(n))이 에너지 필터(21)에 공급될 때 측정된다.
도 4는 다음의 예들을 예시한다:
m. 특정 홀의 임계 치수들(CD(1)-CD(n))과 바이어스 전압들(V(1)-V(n)) 사이의 관계(131).
n. 높이들(H(1)-H(n))과 바이어스 전압들(V(1)-V(n)) 사이의 관계(132). 이러한 관계는 높이 값들과 전자 에너지 임계값들 간의 맵핑의 예이다.
o. 특정 홀의 임계 치수들(CD(1)-CD(n))과 높이들(H(1)-H(n)) 사이의 관계(133).
임의의 다른 관계들이 획득되고 계산될 수 있다.
도 5는 방법(300)의 예를 예시한다.
방법(300)은 일련의 단계들(310, 320, 330 및 340)을 포함할 수 있다.
단계(310)는 홀의 부근을 대전시키는 것을 포함할 수 있다. 홀은 나노미터 폭을 갖는다. 홀은 임의의 종횡비를 가질 수 있다. 예를 들어, 홀은 10을 초과할 수 있는 고종횡비를 가질 수 있다.
홀의 부근은, 홀의 최상부와 동일한 크기일 수 있는 영역에 걸쳐 있거나, 더 큰 영역에 걸쳐 있을 수 있다.
대전은, 홀 및 그 부근을, 초점이탈된 대전된 입자 빔을 이용하여 ― 또는 방법(300)의 추가 단계들 동안 홀을 조명하는 데에 사용되는 빔보다 더 큰 빔을 사용하여 조명하는 것을 포함할 수 있다. 임의의 다른 대전 방법이 적용될 수 있다.
단계(310)는, 1보다 큰 SE 수율을 제공하는 에너지(약 1keV)를 갖는 전자 빔이 있는 강한 추출 필드(약 5 kV/mm)에 침지된 비교적 큰(약 100 미크론) 시야(FOV)의 주사에 의한 물체의 표면의 양의 대전을 포함할 수 있다. 이러한 조사 하에서, 양의 전위는, FOV 폭과 추출 필드 강도의 곱에 비례하는 정상 상태 값이 도달될 때까지 상승한다. 양의 정전기 전위가 홀 피쳐의 최상부에 생성되고 그 바닥이, 상이한 전위를 갖는다면(예를 들어, 접지된다면), 균일하거나 준-균일한 정전기장이 z 축을 따라 생성될 수 있다. 그러한 장의 존재는, SE 방출 표면을 따라 높이에 대한 정전기 전위(V)의 분포를 생성할 수 있고, 그 값은 z 좌표에 비례한다. 높이(V(z))에 대한 전위의 이러한 함수적 의존성으로 인해, 검출기에 도달하는 SE의 에너지는 그들의 원점에 대해 유사한 의존성을 갖는다.
단계(320)는, 대전된 입자 이미저에 의해, 홀의 다수의 전자 이미지들을 획득하는 것을 포함할 수 있다.
다수의 전자 이미지들의 각각의 전자 이미지는, 전자 이미지와 연관된 전자 에너지 임계값을 초과하는 전자 에너지의 전자들을 감지함으로써 형성된다.
다수의 전자 이미지들의 상이한 전자 이미지들과 연관된 전자 에너지 임계값들은 서로 상이하다.
더 낮은 전자 에너지 임계값들은, 더 낮은 에너지의 2차 전자들이 방출되는 더 높은 높이들의 이미지들과 연관될 수 있다.
단계(320)는, 각각의 전자 이미지에 대해, 전자 에너지와 연관된 전자 에너지 임계값 미만의 전자 에너지를 갖는 전자들을 거부하기 위해 센서에 선행하는 에너지 필터를 설정하는 것을 포함할 수 있다.
단계(330)는 홀 측정들을 제공하기 위해 다수의 전자 이미지들을 처리하는 것을 포함할 수 있다.
처리는, 각각의 전자 이미지에서 홀의 하나 이상의 에지를 찾고 하나 이상의 에지의 하나 이상의 치수를 측정하는 것을 포함할 수 있다.
홀이 원뿔 형상(또는 홀의 최상부를 향하지 않는 음의 경사진 부분들이 없는 다른 형상)을 갖는 경우, 더 낮은 에너지의 전자들이 이미지의 에지를 나타낸다.
원형 홀의 임계 치수는 원형 홀의 반경 또는 직경일 수 있다. 타원형 홀의 임계 치수들은 타원형 홀의 축들일 수 있다.
홀이 트렌치일 때, 임계 치수는 트렌치의 폭, 에지 변동들 등일 수 있다. 홀의 에지는 강성일 수 있고, 단계(330)는 에지를 더 평활한 형상으로 근사화한 다음 더 평활한 형상을 측정하는 것을 포함할 수 있다.
단계(330)는 홀의 하나 이상의 치수를 평가하기 위해 임의의 알려진 계측 프로세스를 수행하는 것을 포함할 수 있다.
방법(300)은 또한, 높이 값들과 전자 에너지 임계값들 간의 맵핑을 수신하거나 생성하는 단계(340)를 포함할 수 있다. 맵핑은 전자 에너지 임계값들을 높이들에 맵핑한다. 맵핑은, 알려진 형상들의 기준 홀들이 측정되는 교정 프로세스에 기초하여, 추정들, 모의들에 기초하여 결정될 수 있다.
교정 프로세스는, 상이한 전자 에너지 임계값들을 사용하여 기준 홀들의 전자 이미지들을 취득하는 것 및 이미지들을 알려진 형상들과 비교하는 것을 포함할 수 있다. 홀의 형상은 교정 프로세스에 미리 알려질 수 있거나, 예를 들어, 홀을 단면화하고 그 단면들을 상이한 높이들에서 측정하고 측정들을 이미지들에 매칭함으로써, 교정 프로세스 후에 평가될 수 있다.
단계들(330 및 340) 다음에, 맵핑 및 홀 측정들에 기초하여 홀의 3차원 측정들을 생성하는 단계(350)가 후속할 수 있다.
3차원 측정들은 상이한 높이들에서의 홀의 단면의 치수들을 포함할 수 있다.
단계(350)는, 전자 에너지 임계값들과 단계(330)의 측정들 간의 연관을 높이들과 단계(330)의 측정들 간의 연관으로 변환하기 위해 맵핑을 사용하는 것을 포함할 수 있다.
3차원 측정들은 홀의 3차원 프로파일 또는 홀의 적어도 부분적인 3차원 프로파일을 제공할 수 있다.
방법(300)은 다수의 홀들에 대해 적용될 수 있고, 단계(310)는 다수의 홀들을 포함하는 영역을 대전시키는 것을 포함할 수 있고, 단계들(320, 330 및 350)은 다수의 홀들에 대해(동시에, 연속 방식으로 등으로) 실행될 수 있다는 점을 주목해야 한다.
전술한 명세서에서, 본 발명은 본 발명의 실시예들 중 특정한 예들을 참조하여 설명되었다. 그러나, 첨부된 청구항들에 열거된 바와 같이 본 발명의 더 넓은 사상 및 범위로부터 벗어나지 않고 다양한 수정들 및 변화들이 그 안에서 이루어질 수 있다는 것이 명백할 것이다.
게다가, 설명 및 청구항들에서의 "앞", "뒤", "최상부", "바닥", "위", "아래" 등의 용어들은, 존재할 경우, 설명 목적들로 사용되며 반드시 영구적인 상대 위치들을 설명하기 위한 것은 아니다. 그렇게 사용되는 용어들은, 본원에 설명되는 본 발명의 실시예들이, 예를 들어, 본원에 예시되거나 다른 방식으로 설명된 것들과 다른 배향들로 진행할 수 있도록 적절한 상황들 하에서 상호교환가능하다는 것이 이해된다.
본원에서 논의된 바와 같은 연결들은 각각의 노드들, 유닛들 또는 디바이스들로부터 또는 그것들에게, 예를 들어, 중간 디바이스들을 통해 신호들을 전달하기에 적합한 임의의 유형의 연결일 수 있다. 이에 따라, 다르게 암시되거나 언급되지 않는 한, 연결들은, 예를 들어, 직접 연결들 또는 간접 연결들일 수 있다. 연결들은 단일 연결, 복수의 연결들, 단방향성 연결들 또는 양방향성 연결들인 것과 관련하여 예시되거나 설명될 수 있다. 그러나, 상이한 실시예들은 연결들의 구현을 변경할 수 있다. 예를 들어, 양방향성 연결들 대신에 개별 단방향성 연결들이 사용될 수 있고, 그 반대일 수도 있다. 또한, 복수의 연결들은, 다수의 신호들을 연속적으로 또는 시간 다중화된 방식으로 전달하는 단일 연결로 대체될 수 있다. 유사하게, 복수의 신호들을 반송하는 단일 연결들은 이러한 신호들의 하위세트들을 반송하는 다양한 상이한 연결들로 분리될 수 있다. 그러므로, 신호들을 전달하기 위한 많은 선택사항들이 존재한다.
특정 전도성 유형들 또는 전위들의 극성이 예들에서 설명되었지만, 전도성 유형들 및 전위들의 극성들은 반전될 수 있다는 것이 이해될 것이다.
관련 기술분야의 통상의 기술자들은, 논리 블록들 사이의 경계들은 단지 예시적일 뿐이고 대안적인 실시예들이 논리 블록들 또는 회로 요소들을 병합하거나 다양한 논리 블록들 또는 회로 요소들에 대해 기능성의 대안적인 해체를 가할 수 있다는 것을 인식할 것이다. 따라서, 본원에 도시된 아키텍쳐들은 단지 예시적일 뿐이며, 사실상, 동일한 기능성을 달성하는 많은 다른 아키텍쳐들이 구현될 수 있다는 것을 이해해야 한다.
동일한 기능성을 달성하기 위한 구성요소들의 임의의 배열은, 원하는 기능성이 달성되도록 효과적으로 "연관된다". 그러므로, 특정 기능성을 달성하도록 조합된 본원의 임의의 2개의 구성요소들은, 아키텍쳐들 또는 중간 구성요소들에 관계없이, 원하는 기능성이 달성되도록 서로 "연관된" 것으로 보여질 수 있다. 유사하게, 그렇게 연관된 임의의 2개의 구성요소들은 또한, 원하는 기능성을 달성하기 위해 서로 "작동가능하게 연결"되거나 "작동가능하게 결합"된 것으로 보여질 수 있다.
게다가, 관련 기술분야의 통상의 기술자들은, 위에 설명된 단계들 사이의 경계들은 단지 예시적일 뿐이라는 것을 인식할 것이다. 다수는 단일 단계로 조합될 수 있고, 단일 단계는 추가적인 단계들로 분산될 수 있으며 단계들은 적어도 부분적으로 시간상 중첩되어 실행될 수 있다. 게다가, 대안적인 실시예들은 특정 단계의 다수의 예들을 포함할 수 있고, 다양한 다른 실시예들에서, 단계들의 순서는 변경될 수 있다.
또한, 예를 들어, 일 실시예에서, 예시된 예들은 동일한 디바이스 내에 또는 단일 집적 회로 상에 위치된 회로로서 구현될 수 있다. 대안적으로, 예들은 임의의 개수의 별개의 집적 회로들, 또는 적합한 방식으로 서로 상호연결된 개별 디바이스들로서 구현될 수 있다.
그러나, 다른 수정들, 변동들 및 대안들이 또한 가능하다. 이에 따라, 본 명세서 및 도면들은 제한적인 의미보다는 예시적인 의미로 간주되어야 한다.
청구항들에서, 괄호들 사이에 위치된 임의의 참조 부호들은 청구항을 제한하는 것으로 해석되지 않아야 한다. '포함'이라는 단어는 청구항에 열거되는 것들과 다른 요소들 또는 단계들의 존재를 배제하지 않는다. 게다가, 본원에서 사용되는 바와 같은 "하나" 또는 "일"이라는 용어들은 하나 또는 하나 초과로서 정의된다. 또한, 청구항들에서 "적어도 하나" 및 "하나 이상"과 같은 도입 문구들의 사용은, 심지어, 동일한 청구항이 "하나 이상" 또는 "적어도 하나"라는 도입 문구들 및 단수형 용어들을 포함하는 경우에도, 단수형 용어들에 의한 다른 청구항 요소의 도입이, 그러한 도입된 청구항 요소를 포함하는 임의의 특정 청구항을 오직 하나의 그러한 요소를 포함하는 발명들로 제한하는 것을 암시하는 것으로 해석되지 않아야 한다. "상기"의 사용에 대해서도 마찬가지이다. 다르게 언급되지 않는 한, "제1" 및 "제2"와 같은 용어들은 그러한 용어들이 설명하는 요소들 사이에서 임의적으로 구분하기 위해 사용된다. 따라서, 이러한 용어들은 반드시 그러한 요소들의 시간적 또는 다른 우선순위를 나타내도록 의도되지는 않는다. 단지, 특정 측정들이 상호 상이한 청구항들에 기재된다는 사실만으로는, 이점을 얻기 위해 이러한 측정들의 조합이 사용될 수 없다는 것을 나타내지 않는다.
본 발명의 특정 특징들이 본원에 예시되고 설명되었지만, 많은 수정들, 대체들, 변화들, 및 등가물들이 이제 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 떠오를 것이다. 그러므로, 첨부된 청구항들이 모든 그러한 수정들 및 변화들이 본 발명의 진정한 사상 내에 속하는 것으로 망라하도록 의도된 것을 이해해야 한다.

Claims (14)

  1. 나노미터 폭을 갖는 홀을 측정하기 위한 방법으로서,
    상기 홀의 부근을 대전시키는 단계;
    대전된 입자 이미저에 의해, 상기 홀의 다수의 전자 이미지들을 획득하는 단계 ― 상기 다수의 전자 이미지들의 각각의 전자 이미지는, 상기 전자 이미지와 연관된 전자 에너지 임계값을 초과하는 전자 에너지의 전자들을 감지함으로써 형성되고, 상기 다수의 전자 이미지들의 상이한 전자 이미지들과 연관된 전자 에너지 임계값들은 서로 상이함 ―;
    높이 값들과 상기 전자 에너지 임계값들 간의 맵핑을 수신하거나 생성하는 단계;
    홀 측정들을 제공하기 위해 상기 다수의 전자 이미지들을 처리하는 단계; 및
    상기 맵핑 및 상기 홀 측정들에 기초하여 상기 홀의 3차원 측정들을 생성하는 단계를 포함하는, 나노미터 폭을 갖는 홀을 측정하기 위한 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 전자 이미지들을 획득하는 단계는, 상기 다수의 이미지들의 각각의 전자 이미지에 대해, 상기 전자 이미지와 연관된 전자 에너지 임계값 미만의 전자 에너지를 갖는 전자들을 거부하기 위해 센서에 선행하는 에너지 필터를 설정하는 것을 포함하는, 나노미터 폭을 갖는 홀을 측정하기 위한 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 전자 이미지들을 획득하는 단계는, 상기 다수의 전자 이미지들의 각각의 전자 이미지에 대해, 상기 홀을 조명하는 빔의 전자들의 최소 전자 에너지를 설정하는 것을 포함하는, 나노미터 폭을 갖는 홀을 측정하기 위한 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 전자 이미지들은 다수의 2차 전자 이미지들인, 나노미터 폭을 갖는 홀을 측정하기 위한 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 맵핑을 수신하거나 생성하는 단계는, 상기 맵핑을 수신하지 않고 상기 맵핑을 계산하는 것을 포함하는, 나노미터 폭을 갖는 홀을 측정하기 위한 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 맵핑을 수신하거나 생성하는 단계는, 상기 맵핑을 계산하지 않고 상기 맵핑을 수신하는 것을 포함하는, 나노미터 폭을 갖는 홀을 측정하기 위한 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 3차원 측정들은 상이한 높이들에서의 상기 홀의 임계 치수들에 관한 정보를 포함하는, 나노미터 폭을 갖는 홀을 측정하기 위한 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 홀의 부근을 대전시키는 단계는, 상기 홀 내의 높이들과 정전기 전위들 사이에 선형 관계를 부과하는, 나노미터 폭을 갖는 홀을 측정하기 위한 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 홀의 상기 다수의 전자 이미지들은 동일한 조명 각도로 취득되는, 나노미터 폭을 갖는 홀을 측정하기 위한 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    추가적인 홀들의 부근들을 대전시키는 단계 ― 각각의 추가적인 홀은 나노미터 폭을 가짐 ―;
    각각의 추가적인 홀에 대한 상기 대전된 입자 이미저에 의해, 상기 추가적인 홀의 다수의 전자 이미지들을 획득하는 단계 ― 상기 추가적인 홀의 상기 다수의 전자 이미지들의 각각의 전자 이미지는, 상기 추가적인 홀의 상기 전자 이미지와 연관된 전자 에너지 임계값을 초과하는 전자 에너지의 전자들을 감지함으로써 형성되고, 상기 추가적인 홀들의 상기 다수의 전자 이미지들의 상이한 전자 이미지들과 연관된 전자 에너지 임계값들은 서로 상이함 ―;
    높이 값들과 상기 전자 에너지 임계값들 간의 상기 맵핑을 수신하거나 생성하는 단계;
    추가적인 홀 측정들을 제공하기 위해, 각각의 추가적인 홀에 대해, 상기 추가적인 홀의 상기 다수의 전자 이미지들을 처리하는 단계; 및
    각각의 추가적인 홀에 대해, 상기 맵핑 및 상기 추가적인 홀 측정들에 기초하여 상기 추가적인 홀의 3차원 측정들을 생성하는 단계를 포함하는, 나노미터 폭을 갖는 홀을 측정하기 위한 방법.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 홀은 세장형 트렌치인, 나노미터 폭을 갖는 홀을 측정하기 위한 방법.
  12. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 홀은 원뿔 형상을 갖는, 나노미터 폭을 갖는 홀을 측정하기 위한 방법.
  13. 컴퓨터 프로그램 제품으로서,
    컴퓨터화된 시스템에 의해 일단 실행되면 상기 컴퓨터화된 시스템으로 하여금 다음의 단계들:
    상기 홀의 부근을 대전시키는 단계;
    대전된 입자 이미저에 의해, 상기 홀의 다수의 전자 이미지들을 획득하는 단계 ― 상기 다수의 전자 이미지들의 각각의 전자 이미지는, 상기 전자 이미지와 연관된 전자 에너지 임계값을 초과하는 전자 에너지의 전자들을 감지함으로써 형성되고, 상기 다수의 전자 이미지들의 상이한 전자 이미지들과 연관된 전자 에너지 임계값들은 서로 상이함 ―;
    높이 값들과 상기 전자 에너지 임계값들 간의 맵핑을 수신하거나 생성하는 단계;
    홀 측정들을 제공하기 위해 상기 다수의 전자 이미지들을 처리하는 단계; 및
    상기 맵핑 및 상기 홀 측정들에 기초하여 상기 홀의 3차원 측정들을 생성하는 단계를 수행하게 하는 명령어들을 저장하는, 컴퓨터 프로그램 제품.
  14. 나노미터 폭을 갖는 홀을 측정하기 위한 시스템으로서,
    상기 홀의 부근을 대전시키고 상기 홀의 다수의 전자 이미지들을 획득하도록 구성된 대전된 입자 이미저 ― 상기 다수의 전자 이미지들의 각각의 전자 이미지는, 상기 전자 이미지와 연관된 전자 에너지 임계값을 초과하는 전자 에너지의 전자들을 감지함으로써 형성되고, 상기 다수의 전자 이미지들의 상이한 전자 이미지들과 연관된 전자 에너지 임계값들은 서로 상이함 ―; 및
    높이 값들과 상기 전자 에너지 임계값들 간의 맵핑을 수신하거나 생성하도록; 홀 측정들을 제공하기 위해 상기 다수의 전자 이미지들을 처리하도록; 그리고 상기 맵핑 및 상기 홀 측정들에 기초하여 상기 홀의 3차원 측정들을 생성하도록 구성된 프로세서를 포함하는, 나노미터 폭을 갖는 홀을 측정하기 위한 시스템.
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