KR20190135786A - Display device - Google Patents

Display device Download PDF

Info

Publication number
KR20190135786A
KR20190135786A KR1020180061220A KR20180061220A KR20190135786A KR 20190135786 A KR20190135786 A KR 20190135786A KR 1020180061220 A KR1020180061220 A KR 1020180061220A KR 20180061220 A KR20180061220 A KR 20180061220A KR 20190135786 A KR20190135786 A KR 20190135786A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
line
data
electrode
transistor
potential voltage
Prior art date
Application number
KR1020180061220A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102485956B1 (en
Inventor
권기태
김동규
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020180061220A priority Critical patent/KR102485956B1/en
Publication of KR20190135786A publication Critical patent/KR20190135786A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102485956B1 publication Critical patent/KR102485956B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2230/00Details of flat display driving waveforms
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/043Compensation electrodes or other additional electrodes in matrix displays related to distortions or compensation signals, e.g. for modifying TFT threshold voltage in column driver
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0828Several active elements per pixel in active matrix panels forming a digital to analog [D/A] conversion circuit
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00Control of display operating conditions
    • G09G2320/02Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0209Crosstalk reduction, i.e. to reduce direct or indirect influences of signals directed to a certain pixel of the displayed image on other pixels of said image, inclusive of influences affecting pixels in different frames or fields or sub-images which constitute a same image, e.g. left and right images of a stereoscopic display
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00Control of display operating conditions
    • G09G2320/02Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0252Improving the response speed

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Abstract

According to the present invention, a display device comprises: a capacitor having a first electrode connected to a first power line; a light emitting diode having a cathode connected to a second power line; a driving transistor having a gate electrode connected to a second electrode of a capacitor and a first electrode connected to a data line; a first transistor having the first and second electrodes respectively connected to the gate electrode of the driving transistor and the second electrode, and the gate electrode connected to a scan line; and a second transistor having the first and second electrodes respectively connected to the second electrode of the driving transistor and an anode of the light emitting diode, and the gate electrode connected to an emission line. A high potential voltage may be applied to the first power line, the high potential voltage and a low potential voltage may be alternately applied to the second power line, and the high potential voltage, the low potential voltage and a data voltage may be alternately applied to the data line. Therefore, a pixel circuit of an internal compensation scheme is implemented by using a small number of transistors, thereby securing a pixel design margin, developing a higher resolution model, and reducing a bezel size by removing a light emitting block through simultaneous light emission.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}Display device {DISPLAY DEVICE}

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 패널의 발광 소자를 동시에 발광시키기 위한 픽셀 구조에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more particularly, to a pixel structure for simultaneously emitting light emitting elements of a panel.

액티브 매트릭스 타입의 유기 발광 표시 장치는 스스로 발광하는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode: OLED)를 포함하며, 응답 속도가 빠르고 발광 효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.The active matrix type organic light emitting diode display includes an organic light emitting diode (OLED) that emits light by itself, and has advantages of fast response speed and high luminous efficiency, luminance, and viewing angle.

유기 발광 표시 장치는 OLED를 포함한 픽셀들을 매트릭스 형태로 배열하고 영상 데이터의 계조에 따라 OLED의 발광량을 제어하여 휘도를 조절한다. 각 픽셀 회로는, 발광 소자인 OLED, 계조에 해당하는 데이터 전압의 인가를 제어하기 위한 스위치 트랜지스터 또는 TFT(Thin Film Transistor), 게이트 전극과 소스 전극 사이에 걸리는 전압에 따라 OLED에 흐르는 픽셀 전류를 제어하는 구동 TFT, 및 데이터 전압을 저장하기 위한 커패시터를 포함한다.The organic light emitting diode display arranges pixels including the OLED in a matrix form and adjusts luminance by controlling the amount of light emitted from the OLED according to the gray level of the image data. Each pixel circuit controls the pixel current flowing through the OLED according to the voltage applied between the OLED, which is a light emitting element, a switch transistor or TFT (Thin Film Transistor) for controlling the application of a data voltage corresponding to the gray level, and a gate electrode and a source electrode. A driving TFT, and a capacitor for storing the data voltage.

OLED와 구동 TFT의 전기적 특성은 시간이 진행함에 따라 열화되어 픽셀마다 차이가 생길 수 있고, 이러한 픽셀들 사이 전기적 특성 편차는 화상 품질을 떨어뜨리는 주요 요인이 된다. 픽셀들 사이 전기적 특성 편차를 보상하기 위해 픽셀들의 전기적 특성(구동 TFT의 문턱 전압과 구동 TFT의 전자 이동도)을 보상해야 한다.The electrical characteristics of the OLED and the driving TFT deteriorate with time, and may cause a difference for each pixel, and variations in electrical characteristics between these pixels become a major factor in degrading image quality. In order to compensate for the deviation of the electrical characteristics between the pixels, the electrical characteristics of the pixels (threshold voltage of the driving TFT and electron mobility of the driving TFT) must be compensated for.

픽셀들의 전기적 특성이 바뀌는 문제를 해결하기 위한 방법으로 외부 보상 방식과 내부 보상 방식이 제안된다. 외부 보상 방식은 각 화소의 구동 TFT의 특성 파라미터를 센싱 하고 센싱 값에 따라 입력 데이터를 보정하여 정밀하게 보상할 수 있지만 센싱에 많은 시간이 소요되고 소스 드라이버 IC가 커지는 단점이 있다. 반면 내부 보상 방식은 실시간으로 보상할 수 있지만 화소 구조가 복잡하고 개구율이 떨어지는 단점이 있다.An external compensation method and an internal compensation method are proposed to solve the problem of changing the electrical characteristics of pixels. The external compensation method accurately compensates by sensing the characteristic parameter of the driving TFT of each pixel and correcting the input data according to the sensing value, but it takes a long time for sensing and a large source driver IC. On the other hand, the internal compensation scheme can compensate in real time, but there are disadvantages in that the pixel structure is complicated and the aperture ratio is decreased.

종래 내부 보상 방식의 픽셀 회로는 초기화 전압 라인, 2개의 스캔 신호 라인, 발광 신호 라인 등 많은 배선에 연결되어야 하므로, 픽셀 설계 관점에서 마진을 확보하기 어려워 해상도를 더 높이는데 한계가 있다.Since the pixel circuit of the conventional internal compensation method needs to be connected to many wirings such as an initialization voltage line, two scan signal lines, and a light emitting signal line, it is difficult to secure a margin from a pixel design point of view and thus there is a limit in increasing the resolution.

본 발명은 이러한 상황을 감안한 것으로, 본 발명의 목적은 픽셀 설계의 한계를 극복하는 내부 보상 회로 구조를 제공하는 데 있다.The present invention contemplates such a situation, and an object of the present invention is to provide an internal compensation circuit structure that overcomes the limitations of pixel design.

본 발명의 다른 목적은, 베젤 크기를 줄이고 응답 속도를 향상시키는 픽셀 회로 구조를 제공하는 데 있다.It is another object of the present invention to provide a pixel circuit structure that reduces bezel size and improves response speed.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 제1 전극이 제1 전원 라인에 연결되는 커패시터; 캐소드 전극이 제2 전원 라인에 연결되는 발광 다이오드; 게이트 전극이 커패시터의 제2 전극에 연결되고 제1 전극이 데이터 라인에 연결되는 구동 트랜지스터; 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 제2 전극에 각각 제1 전극과 제2 전극이 연결되고, 게이트 전극이 스캔 라인에 연결되는 제1 트랜지스터; 및 구동 트랜지스터의 제2 전극과 발광 다이오드의 애노드 전극에 각각 제1 전극과 제2 전극이 연결되고, 게이트 전극이 에미션 라인에 연결되는 제2 트랜지스터를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an exemplary embodiment, a display device includes: a capacitor having a first electrode connected to a first power line; A light emitting diode having a cathode electrode connected to the second power line; A driving transistor having a gate electrode connected to the second electrode of the capacitor and a first electrode connected to the data line; A first transistor connected to a gate electrode and a second electrode of the driving transistor, respectively, and having a gate electrode connected to a scan line; And a second transistor having a first electrode and a second electrode connected to the second electrode of the driving transistor and an anode electrode of the light emitting diode, respectively, and a gate electrode connected to an emission line.

일 실시예에서, 제1 전원 라인에는 고전위 전압이 인가되고, 제2 전원 라인에는 고전위 전압과 저전위 전압이 교대로 인가되고, 데이터 라인에는 고전위 전압, 저전위 전압 및 데이터 전압이 교대로 인가될 수 있다.In one embodiment, a high potential voltage is applied to the first power line, a high potential voltage and a low potential voltage are alternately applied to the second power line, and a high potential voltage, a low potential voltage and a data voltage are alternately applied to the data line. Can be applied as

일 실시예에서, 표시 장치는 이웃하는 데이터 라인을 서로 연결하기 위한 스위치를 더 포함하여 구성될 수 있다.In one embodiment, the display device may further include a switch for connecting neighboring data lines to each other.

일 실시예에서, 스위치는 발광 다이오드가 발광하는 구간에 연결될 수 있다.In one embodiment, the switch may be connected to a section in which the light emitting diode emits light.

본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 구동하는 방법은, 제1 전극이 제1 전원 라인에 연결되는 커패시터; 캐소드 전극이 제2 전원에 연결되는 발광 다이오드; 게이트 전극이 커패시터의 제2 전극에 연결되고 제1 전극이 데이터 라인에 연결되는 구동 트랜지스터; 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 제2 전극에 각각 제1 전극과 제2 전극이 연결되고, 게이트 전극이 스캔 라인에 연결되는 제1 트랜지스터; 및 구동 트랜지스터의 제2 전극과 발광 다이오드의 애노드 전극에 각각 제1 전극과 제2 전극이 연결되고, 게이트 전극이 에미션 라인에 연결되는 제2 트랜지스터를 포함하는 픽셀들이 구비된 패널을 포함하는 표시 장치에서 실행되고, 애노드 전극을 고전위 전압으로 설정한 후 저전위 전압으로 설정하는 단계; 데이터 기입 기간에 스캔 신호를 스캔 라인에 순차적으로 공급하고 데이터 라인에 데이터 전압을 인가하여 패널에 구비된 픽셀들에 포함된 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 감지하고 픽셀들에 화상 데이터를 기입하는 단계; 및 에미션 기간에 에미션 신호를 에미션 라인에 동시에 인가하여 화상 데이터가 기입된 픽셀들의 발광 다이오드를 동시에 발광시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In another embodiment, a method of driving a display device includes a capacitor having a first electrode connected to a first power line; A light emitting diode having a cathode electrode connected to the second power source; A driving transistor having a gate electrode connected to the second electrode of the capacitor and a first electrode connected to the data line; A first transistor connected to a gate electrode and a second electrode of the driving transistor, respectively, and having a gate electrode connected to a scan line; And a panel including pixels including first and second electrodes connected to the second electrode of the driving transistor and the anode electrode of the light emitting diode, respectively, and a second transistor having a gate electrode connected to an emission line. Running in the apparatus, setting the anode electrode to a high potential voltage and then to a low potential voltage; Sequentially supplying a scan signal to a scan line and applying a data voltage to the data line in a data writing period to detect a threshold voltage of a driving transistor included in pixels provided in the panel and write image data into the pixels; And simultaneously emitting the light emitting diodes of the pixels to which the image data is written by simultaneously applying the emission signal to the emission line in the emission period.

일 실시예에서, 제1 전원 라인에는 고전위 전압이 인가되고, 제2 전원 라인에는 고전위 전압과 저전위 전압이 교대로 인가되고, 데이터 라인에는 고전위 전압, 저전위 전압 및 데이터 전압이 교대로 인가될 수 있다.In one embodiment, a high potential voltage is applied to the first power line, a high potential voltage and a low potential voltage are alternately applied to the second power line, and a high potential voltage, a low potential voltage and a data voltage are alternately applied to the data line. Can be applied as

일 실시예에서, 애노드 전극을 고전위 전압으로 설정할 때, 데이터 라인과 제2 전원 라인에 고전위 전압을 인가하고, 제1 트랜지스터를 턴-오프 시키는 스캔 신호를 스캔 라인에 인가하고, 제2 트랜지스터를 턴-온 시키는 에미션 신호를 에미션 라인에 인가하고, 애노드 전극을 저전위 전압으로 설정할 때, 데이터 라인과 제2 전원 라인에 저전위 전압을 인가하고, 제1 트랜지스터를 턴-오프 시키는 스캔 신호를 스캔 라인에 인가하고, 제2 트랜지스터를 턴-온 시키는 에미션 신호를 에미션 라인에 인가할 수 있다.In one embodiment, when setting the anode electrode to a high potential voltage, applying a high potential voltage to the data line and the second power supply line, applying a scan signal for turning off the first transistor to the scan line, and the second transistor Scan to turn on the first transistor and apply a low potential voltage to the data line and the second power supply line when applying the emission signal to turn on the emission line and setting the anode electrode to the low potential voltage. The signal may be applied to the scan line, and an emission signal for turning on the second transistor may be applied to the emission line.

일 실시예에서, 애노드 전극을 설정한 뒤에 구동 트랜지스터의 게이트 전극을 초기화할 수 있다.In one embodiment, the gate electrode of the driving transistor may be initialized after the anode electrode is set.

일 실시예에서, 구동 트랜지스터의 게이트 전극을 초기화할 때, 데이터 라인과 제2 전원 라인에 저전위 전압을 인가하고, 제1 트랜지스터를 턴-온 시키는 스캔 신호를 스캔 라인에 인가하고, 제2 트랜지스터를 턴-온 시키는 에미션 신호를 에미션 라인에 인가할 수 있다.In one embodiment, when initializing the gate electrode of the driving transistor, a low potential voltage is applied to the data line and the second power supply line, a scan signal for turning on the first transistor is applied to the scan line, and the second transistor is applied. An emission signal for turning on may be applied to the emission line.

일 실시예에서, 발광 다이오드를 발광시키기 전에 애노드 전극을 고전위 전압으로 초기화할 수 있다.In one embodiment, the anode electrode may be initialized to a high potential voltage before emitting the light emitting diode.

일 실시예에서, 애노드 전극을 고전위 전압으로 초기화할 때, 데이터 라인과 제2 전원 라인에 고전위 전압을 인가하고, 제1 트랜지스터를 턴-오프 시키는 스캔 신호를 스캔 라인에 인가하고, 제2 트랜지스터를 턴-온 시키는 에미션 신호를 에미션 라인에 인가할 수 있다.In one embodiment, when initializing the anode electrode to a high potential voltage, applying a high potential voltage to the data line and the second power supply line, applying a scan signal to the scan line to turn off the first transistor, and a second An emission signal for turning on the transistor may be applied to the emission line.

일 실시예에서, 애노드 전극을 설정하는 전에 데이터 라인에 저전위 전압을 인가하여 발광 다이오드의 발광을 끌 수 있다.In one embodiment, a low potential voltage may be applied to the data line prior to setting the anode to turn off the light emitting diode.

일 실시예에서, 발광 다이오드의 발광을 끌 때, 데이터 라인과 제2 전원 라인에 저전위 전압을 인가하고, 제1 트랜지스터를 턴-오프 시키는 스캔 신호를 스캔 라인에 인가하고, 제2 트랜지스터를 턴-온 시키는 에미션 신호를 에미션 라인에 인가할 수 있다.In one embodiment, when the light emitting diode is turned off, a low potential voltage is applied to the data line and the second power supply line, a scan signal for turning off the first transistor is applied to the scan line, and the second transistor is turned on. The emission signal to turn on can be applied to the emission line.

일 실시예에서, 표시 장치는 이웃하는 데이터 라인을 서로 연결하기 위한 스위치를 더 포함하고, 스위치는 에미션 기간에 연결될 수 있다.In one embodiment, the display device further comprises a switch for connecting the neighboring data lines to each other, the switch may be connected in the emission period.

종래 수평 라인 단위로 순차적으로 발광시키는 내부 보상 방식의 픽셀 구조 대비 트랜지스터 개수를 줄이고 구동 신호 라인의 개수를 줄임으로써, 픽셀의 개구율을 높여 픽셀 설계 마진을 확보하고, 이에 다라 더 높은 해상도 모델을 개발할 수 있게 된다.By reducing the number of transistors and reducing the number of driving signal lines compared to the pixel structure of the internal compensation method which sequentially emits light in units of conventional horizontal lines, a pixel design margin can be secured by increasing the aperture ratio of pixels, and thus a higher resolution model can be developed. Will be.

또한, 초기화 구간과 센싱 구간 동안 임펄스 구동에 따라 반응 속도가 향상되는 효과가 발생한다.In addition, the reaction speed is improved according to the impulse driving during the initialization section and the sensing section.

또한, 동시에 발광시키는 구조를 채택하여 발광 신호를 순차적으로 출력하기 위한 발광 블록을 게이트 구동 회로에서 제거하여, 베젤 크기를 줄이는 효과가 발생한다.In addition, by adopting a structure that emits light at the same time, the light emitting block for sequentially outputting the light emission signal is removed from the gate driving circuit, thereby reducing the bezel size.

또한, 인접한 데이터 배선 사이에 전하를 공유함으로써, IR 드롭 편차를 줄이고 수직 크로스토크 현상을 줄이는 효과가 발생한다.In addition, by sharing charges between adjacent data lines, an effect of reducing IR drop variation and vertical crosstalk phenomenon occurs.

도 1은 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치를 블록으로 도시한 것이고,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀의 등가 회로를 도시한 것이고,
도 3은 도 2의 픽셀 회로를 구동하는 구동 신호의 파형도를 도시한 것이고,
도 4a 내지 도 4g는 도 3 파형도의 각 구간마다 픽셀 회로의 연결과 동작을 도시한 것이고,
도 5a와 도 5b는 데이터 라인에 고전위 전원, 저전위 전원 및 데이터 전압을 인가하기 위한 구성과 스위칭 신호의 파형도를 도시한 것이고,
도 6a와 도 6b는 캐소드 라인에 고전위 전원과 저전위 전원을 인가하기 위한 구성과 스위칭 신호의 파형도를 도시한 것이고,
도 7a 내지 도 7d는 픽셀 회로에 인가되는 저전위 전압을 바꿀 때 주요 노드의 전압을 도시한 것이고,
도 8a 내지 도 8d는 스토리지 커패시터와 OLED의 커패시터 값들의 조합에 따른 주요 노드의 전압을 도시한 것이고,
도 9는 도 2의 픽셀 회로를 구동하는 구동 신호의 파형도의 변형 실시예를 도시한 것이고,
도 10은 본 발명에 따른 픽셀의 평면과 종래 픽셀의 평면을 비교한 것이고,
도 11은 본 발명에 따른 GIP 구성과 종래 GIP 구성을 비교한 것이고,
도 12a와 도 12b는 본 발명의 일 실시예에 따라 발광 구간과 데이터 기입 구간을 구분하여 데이터 라인을 분리하거나 서로 연결하기 위한 구성과 스위칭 신호의 파형도를 도시한 것이고,
도 13은 본 발명이 종래 구조에 비해 수직 크로스토크가 완화되는 것을 비교한 것이다.
1 is a block diagram of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 illustrates an equivalent circuit of a pixel according to an embodiment of the present invention,
3 illustrates a waveform diagram of a driving signal for driving the pixel circuit of FIG. 2;
4A to 4G illustrate the connection and operation of the pixel circuit in each section of the waveform diagram of FIG. 3.
5A and 5B illustrate waveforms of configurations and switching signals for applying a high potential power source, a low potential power source, and a data voltage to a data line;
6A and 6B illustrate waveforms of configurations and switching signals for applying high potential power and low potential power to the cathode line,
7A to 7D show the voltages of the main nodes when changing the low potential voltage applied to the pixel circuit,
8A-8D show the voltage of the main node according to the combination of the capacitor values of the storage capacitor and the OLED,
FIG. 9 illustrates a modified embodiment of a waveform diagram of a driving signal for driving the pixel circuit of FIG. 2.
10 is a comparison of the plane of the pixel and the plane of the conventional pixel according to the present invention,
11 is a comparison between the GIP configuration and the conventional GIP configuration according to the present invention,
12A and 12B illustrate waveforms of a configuration signal and a switching signal for separating or connecting data lines by dividing a light emission section and a data write section according to an embodiment of the present invention.
FIG. 13 compares the present invention in which vertical crosstalk is relaxed compared to the conventional structure.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like numbers refer to like elements throughout. In the following description, when it is determined that a detailed description of known functions or configurations related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

픽셀 설계 관점에서, 내부 보상 방식 중에서 패널 내의 픽셀을 동시에 발광시키는 것이 아니라 수평 라인 단위로 순차적으로 발광시키는 방식을 채용하는 픽셀에는 초기화 전압 라인, 이전 픽셀 라인을 위한 스캔 라인, 현재 픽셀 라인을 위한 스캔 라인, 현재 픽셀 라인을 위한 발광 라인이 지나가 픽셀이 차지하는 많은 영역을 가리므로, 해상도를 올리기 위해 픽셀 크기를 줄일 때 개구율 확보가 어렵게 된다.From the point of view of pixel design, the pixel that adopts internal compensation method to emit light sequentially in horizontal line unit instead of simultaneously emitting pixels in the panel, includes initialization voltage line, scan line for previous pixel line, scan for current pixel line. Since the light emitting line for the line, the current pixel line, passes and covers a large area occupied by the pixel, it is difficult to secure the aperture ratio when the pixel size is reduced to increase the resolution.

또한, 내부 보상 방식 중에서 픽셀 라인을 순차적으로 발광시키는 픽셀 회로는, 롤링 셔터(Rolling Shutter) 형태로 동작하여, 데이터 기입과 초기화를 위한 2개의 스캔 신호 외에 순차적으로 인가할 발광 신호를 필요로 한다. 따라서, 게이트 구동 회로를 GIP(Gate Drive IC In Panel) 형태로 패널에 형성할 때, 스캔 신호를 생성하는 스캔 블록 외에 발광 신호를 생성하는 발광 블록을 수평 라인 개수만큼 필요로 하고, 이에 따라 게이트 구동 회로가 커지고 베젤(Bezel)의 크기도 커지는 문제가 있다.In addition, the pixel circuit which sequentially emits the pixel lines in the internal compensation scheme operates in the form of a rolling shutter, and requires a light emission signal to be sequentially applied in addition to two scan signals for data writing and initialization. Therefore, when the gate driving circuit is formed on the panel in the form of a gate drive IC in panel (GIP), in addition to the scan block for generating the scan signal, the number of light emitting blocks for generating the emission signal is required as many as the number of horizontal lines. There is a problem that the circuit becomes larger and the size of the bezel becomes larger.

본 발명에서는, 내부 보상을 위한 픽셀 회로를 3개의 트랜지스터와 하나의 커패시터로 구성함으로써, 회로 구성 요소의 개수와 제어 신호의 개수를 줄여 픽셀 설계에서 개구율을 확보하고, 동시 발광 방식으로 발광 블록을 없애 베젤 크기를 줄이고, 임펄스 구동으로 반응 속도를 올리도록 한다.In the present invention, the pixel circuit for internal compensation is composed of three transistors and one capacitor, thereby reducing the number of circuit components and the number of control signals to ensure the aperture ratio in the pixel design, and eliminate the light emitting block by the simultaneous light emission method. Reduce the bezel size and use impulse driving to speed up the reaction.

도 1은 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치를 블록으로 도시한 것이다. 본 발명에 따른 표시 장치는 표시 패널(10), 타이밍 컨트롤러(11), 데이터 구동 회로(12), 게이트 구동 회로(13) 및 전원 생성부(16)를 구비할 수 있다.1 is a block diagram of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention. The display device according to the present invention may include a display panel 10, a timing controller 11, a data driver circuit 12, a gate driver circuit 13, and a power generator 16.

표시 패널(10)에는 열(Column) 방향으로 배열되는 다수의 데이터 라인들(14)과 행(Row) 방향으로 배열되는 다수의 스캔 라인들(15)이 교차하고, 교차 영역마다 픽셀들(PXL)이 매트릭스 형태로 배치되어 픽셀 어레이를 형성한다. 스캔 라인들(15)은 데이터 전압 인가를 위한 스캔 신호가 공급되는 다수의 스캔 라인(Scan Line: SL)과 발광 소자의 발광을 제어하기 위한 발광 신호가 공급되는 다수의 발광 라인 또는 에미션 라인(Emission Line: EL)을 포함할 수 있다.In the display panel 10, a plurality of data lines 14 arranged in a column direction and a plurality of scan lines 15 arranged in a row direction intersect each other, and pixels PXL are formed at each crossing area. ) Are arranged in a matrix to form a pixel array. The scan lines 15 may include a plurality of scan lines SL for supplying a scan signal for applying a data voltage and a plurality of light emission lines or emission lines for supplying a light emission signal for controlling light emission of the light emitting device. Emission Line (EL).

픽셀 어레이에서, 픽셀(PXL)은 데이터 라인들(14) 중 어느 하나, 스캔 라인들(SL) 중 어느 하나, 에미션 라인들(EL) 중 어느 하나에 접속되어 픽셀 라인을 형성한다. 픽셀은, 스캔 라인(SL)을 통해 입력되는 스캔 펄스에 응답하여 데이터 라인(14)과 전기적으로 연결되어 데이터 전압을 입력 받고, 에미션 라인(EL)을 통해 입력되는 에미션 펄스에 응답하여 발광 소자의 발광을 제어할 수 있다. 동일 픽셀 라인에 배치된 픽셀들은 같은 스캔 라인(SL)으로부터 인가되는 스캔 펄스에 따라 동시에 동작한다.In the pixel array, the pixel PXL is connected to one of the data lines 14, one of the scan lines SL, and one of the emission lines EL to form a pixel line. The pixel is electrically connected to the data line 14 in response to a scan pulse input through the scan line SL to receive a data voltage, and emits light in response to an emission pulse input through the emission line EL. The light emission of the device can be controlled. Pixels arranged on the same pixel line operate simultaneously according to scan pulses applied from the same scan line SL.

픽셀은, 전원 생성부(16)로부터 고전위 구동 전압(VDD)과 저전위 구동 전압(VSS)을 공급 받고, 발광 소자, 구동 트랜지스터, 스토리지 커패시터, 2개의 스위치 트랜지스터를 구비할 수 있다. 발광 소자는 무기 전계 발광 소자나 유기 발광 다이오드 소자(OLED)가 될 수 있다. 이하에서는 편의상 OLED를 예로 들어 설명한다.The pixel may receive the high potential driving voltage V DD and the low potential driving voltage V SS from the power generator 16, and may include a light emitting device, a driving transistor, a storage capacitor, and two switch transistors. The light emitting device may be an inorganic electroluminescent device or an organic light emitting diode device (OLED). Hereinafter, for convenience, the OLED is described as an example.

픽셀을 구성하는 트랜지스터(또는 TFT)들은 P 타입 또는 N 타입의 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 구조로 구현되거나, 또는 P 타입과 N 타입이 혼용된 하이브리드 타입으로 구현될 수 있다. 이하의 실시예에서 P 타입 트랜지스터를 예시하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.The transistors (or TFTs) constituting the pixel may be implemented in a P type or N type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) structure, or a hybrid type in which a P type and an N type are mixed. Although a P type transistor is illustrated in the following embodiments, the present invention is not limited thereto.

트랜지스터는 게이트(gate), 소스(source) 및 드레인(drain)을 포함한 3 전극 소자이다. 소스는 캐리어(carrier)를 트랜지스터에 공급하는 전극이다. 트랜지스터 내에서 캐리어는 소스로부터 흐르기 시작한다. 드레인은 트랜지스터에서 캐리어가 외부로 나가는 전극이다. 즉, MOSFET에서의 캐리어의 흐름은 소스로부터 드레인으로 흐른다.Transistors are three-electrode elements that include a gate, a source, and a drain. The source is an electrode that supplies a carrier to the transistor. Within the transistor, carriers begin to flow from the source. The drain is the electrode out of the transistor in the transistor. That is, the carrier flow in the MOSFET flows from the source to the drain.

N 타입 MOSFET(NMOS)의 경우, 캐리어가 전자(electron)이기 때문에 소스에서 드레인으로 전자가 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 낮은 전압을 가진다. N 타입 MOSFET에서 전자가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류의 방향은 드레인으로부터 소스 쪽으로 흐른다. P 타입 MOSFET(PMOS)의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 높다. P 타입 MOSFET에서 정공이 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐른다.In the case of an N-type MOSFET (NMOS), since the carrier is an electron, the source voltage has a voltage lower than the drain voltage so that electrons can flow from the source to the drain. Since electrons flow from source to drain in an N-type MOSFET, the direction of current flows from drain to source. In the case of a P-type MOSFET (PMOS), since the carrier is a hole, the source voltage is higher than the drain voltage so that holes can flow from the source to the drain. In a P-type MOSFET, current flows from source to drain because holes flow from source to drain.

MOSFET의 소스와 드레인은 고정된 것이 아니라는 것에 주의하여야 한다. 예를 들어, MOSFET의 소스와 드레인은 인가 전압에 따라 변경될 수 있다. 이하의 실시예에서 트랜지스터의 소스와 드레인으로 인하여 발명이 제한되어서는 안 되고, 소스와 드레인 전극을 구분 없이 제1 및 제2 전극으로 칭하기도 한다.Note that the source and drain of the MOSFET are not fixed. For example, the source and drain of the MOSFET can be changed depending on the applied voltage. In the following embodiments, the invention should not be limited due to the source and drain of the transistor, and the source and drain electrodes may be referred to as first and second electrodes without distinction.

각 픽셀(PXL)은 픽셀 데이터에 비례하는 전류로 OLED를 구동하고 구동 트랜지스터의 문턱 전압 변화를 보상하기 위한 트랜지스터들과 커패시터를 포함하는데, 본 발명의 실시예에 의한 구체적인 픽셀 회로 구조는 후술하기로 한다.Each pixel PXL includes transistors and capacitors for driving the OLED with a current proportional to the pixel data and compensating for the threshold voltage change of the driving transistor. A detailed pixel circuit structure according to an embodiment of the present invention will be described later. do.

타이밍 컨트롤러(11)는 외부 호스트 시스템(미도시)으로부터 전달되는 영상 데이터(RGB)를 데이터 구동 회로(12)에 공급한다. 타이밍 컨트롤러(11)는 호스트 시스템으로부터 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 도트 클럭(CLK) 등의 타이밍 신호를 입력 받아 데이터 구동 회로(12)와 게이트 구동 회로(13)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 제어 신호들을 생성한다. 제어 신호들은 게이트 구동 회로(13)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어 신호(GCS)와 데이터 구동 회로(12)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어 신호(DCS)를 포함한다.The timing controller 11 supplies the image data RGB transmitted from an external host system (not shown) to the data driving circuit 12. The timing controller 11 receives timing signals such as a vertical sync signal Vsync, a horizontal sync signal Hsync, a data enable signal Data Enable, and a dot clock CLK from a host system. 12 and control signals for controlling the operation timing of the gate driving circuit 13. The control signals include a gate timing control signal GCS for controlling the operation timing of the gate driving circuit 13 and a data timing control signal DCS for controlling the operation timing of the data driving circuit 12.

타이밍 컨트롤러(11)는, 표시 패널(10)을 구성하는 픽셀들에 하나의 화면을 구성하는 영상 데이터가 인가되는 한 프레임 동안, 전체 픽셀들을 초기화하는 기간, 전체 픽셀들에 데이터를 순차적으로 인가하는 구간 및 전체 픽셀들을 동시에 발광하는 구간으로 구분하여 구동할 수 있다.The timing controller 11 sequentially applies data to all pixels during a period of initializing all pixels during one frame in which image data constituting one screen is applied to pixels constituting the display panel 10. It can be driven by dividing the section and the entire pixel into sections emitting light at the same time.

데이터 구동 회로(12)는 타이밍 컨트롤러(11)의 제어에 따라 타이밍 컨트롤러(11)로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 아날로그 데이터 전압으로 변환하여 데이터 라인들(14)로 출력한다. 이때, 데이터 전압은 유기 발광 소자가 나타낼 이미지 신호에 대응되는 값일 수 있다.The data driving circuit 12 converts the digital video data RGB input from the timing controller 11 into an analog data voltage under the control of the timing controller 11 and outputs the analog video voltage to the data lines 14. In this case, the data voltage may be a value corresponding to the image signal to be displayed by the organic light emitting diode.

게이트 구동 회로(13)는, 타이밍 컨트롤러(11)의 제어에 따라 게이트 제어 신호(GDC)를 기반으로 스캔 신호와 에미션 신호를 생성하되, 스캔 신호를 행 순차 방식으로 생성하여 픽셀 라인마다 연결된 적어도 하나 이상의 스캔 라인(SL)에 순차적으로 제공하고, 에미션 신호를 픽셀 라인마다 연결된 에미션 라인(EL)에 동시에 제공할 수 있다.The gate driving circuit 13 generates a scan signal and an emission signal based on the gate control signal GDC under the control of the timing controller 11, but generates the scan signals in a row sequential manner to connect at least each pixel line. The emission signals may be sequentially provided to one or more scan lines SL, and the emission signals may be simultaneously provided to emission lines EL connected to each pixel line.

게이트 구동 회로(13)는, 쉬프트 레지스터, 쉬프트 레지스터의 출력 신호를 픽셀의 TFT 구동에 적합한 스윙 폭으로 변환하기 위한 레벨 쉬프터 및 출력 버퍼 등을 각각 포함하는 다수의 게이트 드라이브 집적 회로들로 구성될 수 있다. 또는, 게이트 구동 회로(13)는 GIP(Gate Drive IC in Panel) 방식으로 표시 패널(10)의 하부 기판에 직접 형성될 수도 있다. GIP 방식의 경우, 레벨 쉬프터는 PCB(Printed Circuit Board) 위에 실장되고, 쉬프트 레지스터는 표시 패널(10)의 하부 기판에 형성될 수 있다.The gate driving circuit 13 may be composed of a plurality of gate drive integrated circuits each including a shift register, a level shifter and an output buffer for converting an output signal of the shift register into a swing width suitable for driving a TFT of a pixel. have. Alternatively, the gate driving circuit 13 may be directly formed on the lower substrate of the display panel 10 by a gate drive IC in panel (GIP) method. In the GIP method, the level shifter may be mounted on a printed circuit board (PCB), and the shift register may be formed on the lower substrate of the display panel 10.

전원 생성부(16)는, 외부 전원을 이용하여, 데이터 구동 회로(12)와 게이트 구동 회로(13)의 동작에 필요한 전압을 생성하여 공급하고, 고전위 구동 전압(VDD)과 저전위 구동 전압(VSS)을 고정된 값으로 생성하여 표시 패널(10)에 인가할 수 있다.The power generation unit 16 generates and supplies a voltage necessary for the operation of the data driving circuit 12 and the gate driving circuit 13 by using an external power source, and drives the high potential driving voltage V DD and the low potential driving. The voltage V SS may be generated as a fixed value and applied to the display panel 10.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀의 등가 회로를 도시한 것이고, 도 3은 도 2의 픽셀 회로를 구동하는 구동 신호의 파형도를 도시한 것으로, 도 2의 픽셀 회로는 3개의 트랜지스터와 하나의 커패시터로 구성된다.2 illustrates an equivalent circuit of a pixel according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 3 illustrates a waveform diagram of a driving signal for driving the pixel circuit of FIG. 2, wherein the pixel circuit of FIG. 2 includes three transistors. And one capacitor.

유기 발광 소자(OLED)는 구동 트랜지스터(DT)로부터 공급되는 구동 전류에 의해 발광하고, 구동 트랜지스터(DT)는 자신의 소스-게이트 간 전압(VSG)에 따라 OLED에 인가되는 구동 전류를 제어한다.The organic light emitting diode OLED emits light by the driving current supplied from the driving transistor DT, and the driving transistor DT controls the driving current applied to the OLED according to its source-gate voltage V SG . .

구동 트랜지스터(DT)는, 데이터 라인(DATA)(14)(제1 노드(N1))에 연결되는 제1 전극, 제2 노드(N2)에 연결되는 게이트 전극, 및 제3 노드(N3)에 연결되는 제2 전극을 포함하는데, 구동 트랜지스터(DT)가 P 타입이므로 제1 노드가 소스 전극이고 제2 노드가 드레인 전극일 수 있다.The driving transistor DT is connected to the first electrode connected to the data line DATA 14 (the first node N1), the gate electrode connected to the second node N2, and the third node N3. A second electrode may be connected, and since the driving transistor DT is a P type, the first node may be a source electrode and the second node may be a drain electrode.

스토리지 커패시터(CST)는 한쪽 전극은 제1 전원인 고전위 전원(VDD)에 연결되고 다른 쪽 전극은 제2 노드(N2), 즉 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 연결된다.One electrode of the storage capacitor CST is connected to the high potential power VDD, which is the first power supply, and the other electrode is connected to the second node N2, that is, the gate electrode of the driving transistor DT.

제1 트랜지스터(T1)는, 제1 전극과 제2 전극은 각각 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 제2 전극인 제2 노드(N2)와 제3 노드(N3)에 연결되고, 게이트 전극은 스캔 라인(SCAN(n))에 연결되어, 데이터 전압의 기입과 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압(VTH) 센싱에 관여한다.In the first transistor T1, the first electrode and the second electrode are respectively connected to the second node N2 and the third node N3, which are the gate electrode and the second electrode of the driving transistor DT, and the gate electrode is It is connected to the scan line SCAN (n) and is involved in writing a data voltage and sensing a threshold voltage V TH of the driving transistor DT.

제2 트랜지스터(T2)는, 제1 전극과 제2 전극은 각각 구동 트랜지스터(DT)의 제2 전극인 제3 노드(N3)와 OLED의 애노드 전극인 제4 노드(N4)에 연결되고, 게이트 전극은 에미션 라인(EM)에 연결되어, OLED의 발광을 제어한다.In the second transistor T2, the first electrode and the second electrode are respectively connected to the third node N3, which is the second electrode of the driving transistor DT, and the fourth node N4, which is the anode electrode of the OLED. The electrode is connected to the emission line EM to control the light emission of the OLED.

OLED는, 애노드 전극은 제4 노드(N4)에 연결되고 캐소드 전극(제5 노드(N5))은 제2 전원을 공급하는 캐소드 라인(CAT)에 연결되는데, 도 6에서 OLED에 병렬로 연결되는 OLED 커패시터(COLED)는 별도의 소자로 연결하는 것이 아니라 OLED에 기생하는 커패시터이다.In the OLED, the anode electrode is connected to the fourth node N4 and the cathode electrode (the fifth node N5) is connected to the cathode line CAT which supplies the second power, which is connected in parallel to the OLED in FIG. 6. OLED capacitors (C OLEDs ) are parasitic capacitors for OLEDs, rather than being connected as separate devices.

도 2의 픽셀 회로는 n번째 픽셀 라인에 포함되는 픽셀에 대한 것으로, 도 2의 픽셀 회로에는 n번째 스캔 신호(SCAN(n))와 모든 픽셀 라인에 공통인 에미션 신호(EM)가 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)의 동작을 제어하기 위해 공급된다.The pixel circuit of FIG. 2 is for pixels included in the n-th pixel line, and the pixel circuit of FIG. 2 includes the n-th scan signal SCAN (n) and an emission signal EM common to all pixel lines. And to control the operation of the second transistors T1 and T2.

본 발명의 실시예에서는 각 트랜지스터들이 P 타입으로 구현되는 것을 개시하고 있으나, 각 트랜지스터들의 반도체 타입은 이에 한정되지 않는다. 만약 구동 트랜지스터(DT), 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)가 N 타입으로 구현되는 경우에는 도 3에 도시되는 스캔 신호(SCAN)와 에미션 신호(EM)는 반전되어야 한다.In an exemplary embodiment of the present invention, the transistors are implemented as a P type, but the semiconductor types of the transistors are not limited thereto. If the driving transistor DT, the first transistor T1, and the second transistor T2 are implemented in the N type, the scan signal SCAN and the emission signal EM shown in FIG. 3 should be inverted.

도 3의 파형도는 하나의 프레임을 제1 내지 제7 구간(t1 ~ t7)으로 나누는데, 제1 내지 제4 구간(t1 ~ t4)은 전체 픽셀을 초기화하는 구간에 해당하고, 제5 구간(t5)은 첫 번째 픽셀 라인에서 마지막 픽셀 라인까지 순차적으로 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압(VTH)을 센싱하고 데이터를 기입하는 구간에 해당하고, 제6 및 제7 구간(t6, t7)은 전체 픽셀의 OLED를 동시에 발광시키는 구간에 해당한다.The waveform diagram of FIG. 3 divides one frame into first to seventh periods t1 to t7. The first to fourth periods t1 to t4 correspond to a period for initializing all pixels, and the fifth period ( t5) corresponds to a section in which the threshold voltage V TH of the driving transistor DT is sequentially sensed and data is written from the first pixel line to the last pixel line, and the sixth and seventh sections t6 and t7 are It corresponds to a section for emitting OLEDs of all pixels at the same time.

도 4a 내지 도 4g는 도 3 파형도의 각 구간마다 픽셀 회로의 연결과 동작을 도시한 것이다.4A to 4G illustrate the connection and operation of the pixel circuit in each section of the waveform diagram of FIG. 3.

현재 프레임(k번째 프레임)의 제1 구간(t1) 이전에, 제2 노드(N2)의 전위는 이전 프레임((k-1)번째 프레임)의 데이터 전압(DATA(k-1))에서 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압(VTH)을 뺀 (DATA(k-1))-VTH)이고, 제3 및 제4 노드(N3, N4)의 전위는 OLED의 동작 전압(VOLED), 즉 OLED의 애노드 전극의 전압이다.Before the first period t1 of the current frame (kth frame), the potential of the second node N2 is driven at the data voltage DATA (k-1) of the previous frame ((k-1) th frame). (DATA (k-1))-V TH minus the threshold voltage V TH of the transistor DT, and the potentials of the third and fourth nodes N3 and N4 are the operating voltage V OLED of the OLED , That is, the voltage of the anode electrode of the OLED.

도 4a를 참조하면, 제1 구간(t1)에, 이전 프레임의 발광 기간에 고전위 전압(VDD)이 인가되고 있던 데이터 라인(DATA)에 저전위 전압(VSS)이 인가되어 제1 노드가 저전위 전압(VSS)이 된다.Referring to FIG. 4A, in the first period t1, the low potential voltage V SS is applied to the data line DATA to which the high potential voltage V DD was applied in the light emission period of the previous frame, thereby providing the first node. Becomes the low potential voltage (V SS ).

제1 구간(t1)에, 모든 픽셀 라인의 스캔 신호(SCAN(1) ~ SCAN(N))는 이전 프레임의 마지막 구간과 같이 하이 로직 레벨을 유지하여 제1 트랜지스터(T1)는 턴-오프 상태이고, 에미션 신호(EM)도 이전 프레임의 마지막 구간과 같이 로우 로직 레벨을 유지하여 제2 트랜지스터(T2)는 턴-온 상태이고, 캐소드 라인(CAT)은 저전위 전압(VSS)을 그대로 유지한다.In the first period t1, the scan signals SCAN (1) to SCAN (N) of all the pixel lines maintain the high logic level as in the last period of the previous frame so that the first transistor T1 is turned off. The emission signal EM maintains the low logic level as in the last section of the previous frame, so that the second transistor T2 is turned on and the cathode line CAT maintains the low potential voltage V SS as it is. Keep it.

제1 구간(t1)에, 구동 트랜지스터(DT)의 제1 전극(N1)의 전위가 저전위 전압(VSS)이 되어 구동 트랜지스터(DT)가 역방향으로 턴-온 되고 제2 전극(N3)에서 제1 전극(N1)으로 전류가 흐르게 되고, 게이트 전극(N2)의 전위는 (DATA(k-1))-VTH)에서 약간 떨어진 값을 유지하고, 구동 트랜지스터(DT)의 제2 전극(N3)의 전위는 제1 전극(N1)의 영향으로 OLED의 동작 전압(VOLED)에서 서서히 낮아진다. 구동 트랜지스터(DT)가 역방향으로 턴-온 되어 OLED도 발광을 멈추게 되므로, 제1 구간(t1)은 OLED를 끄는 오프 구간이라 할 수 있다.In the first period t1, the potential of the first electrode N1 of the driving transistor DT becomes the low potential voltage V SS so that the driving transistor DT is turned on in the reverse direction and the second electrode N3 is turned on. Current flows to the first electrode N1 at, the potential of the gate electrode N2 is kept slightly away from (DATA (k-1))-V TH , and the second electrode of the driving transistor DT is maintained. The potential of N3 is gradually lowered at the operating voltage V OLED of the OLED under the influence of the first electrode N1. Since the driving transistor DT is turned on in the reverse direction, the OLED also stops emitting light, and thus, the first period t1 may be referred to as an off period for turning off the OLED.

도 4b를 참조하면, 제2 구간(t2)에, 데이터 라인(DATA)과 캐소드 라인(CAT)은 저전위 전압(VSS)에서 고전위 전압(VDD)으로 바뀌고, 스캔 신호(SCAN)와 에미션 신호(EM)는 제1 구간(t1)의 로직 레벨을 그대로 유지한다.Referring to FIG. 4B, in the second period t2, the data line DATA and the cathode line CAT are changed from the low potential voltage V SS to the high potential voltage V DD , and the scan signal SCAN The emission signal EM maintains the logic level of the first period t1.

OLED의 캐소드 전극(N5)이 저전위 전압(VSS)에서 고전위 전압(VDD)으로 바뀜에 따라 OLED 커패시터(COLED)로 연결되는 OLED의 애노드 전극(N4)의 전위는 고전위 전압(VDD) 이상으로 커진 후 고전위 전압(VDD)으로 정착한다. 턴-온 상태에 있는 제2 트랜지스터(T2)에 의해 구동 트랜지스터(DT)의 제2 전극(N3)의 전위도 OLED의 애노드 전극(N4)의 전위와 같이 고전위 전압(VDD) 이상으로 커진 후 고전위 전압(VDD)으로 정착한다.As the cathode electrode N5 of the OLED is changed from the low potential voltage V SS to the high potential voltage V DD , the potential of the anode electrode N4 of the OLED connected to the OLED capacitor C OLED is represented by the high potential voltage ( after the larger V DD) than settle to the high-potential voltage (V DD). The potential of the second electrode N3 of the driving transistor DT is also increased by the second transistor T2 in the turn-on state above the high potential voltage V DD , similar to the potential of the anode electrode N4 of the OLED. After that, it is settled to a high potential voltage (V DD ).

데이터 라인(DATA)의 전압 변화에 따라 구동 트랜지스터(DT)의 제1 전극(N1)의 전위가 고전위 전압(VDD)이 되고, 구동 트랜지스터(DT)의 제2 전극(N3)의 전위가 제1 전극(N1)의 전위보다 큰 상태를 유지하기 때문에, 구동 트랜지스터(DT)가 역방향으로 턴-온 되는 상태를 유지한다. 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(N2)의 전위는 제1 전극(N1)과 제2 전극(N3)의 변화에 따라 (DATA(k-1))-VTH) 부근에서 약간 상승한 값을 유지한다.As the voltage of the data line DATA changes, the potential of the first electrode N1 of the driving transistor DT becomes the high potential voltage V DD , and the potential of the second electrode N3 of the driving transistor DT becomes the potential. Since the state larger than the potential of the first electrode N1 is maintained, the driving transistor DT is turned on in the reverse direction. The potential of the gate electrode N2 of the driving transistor DT maintains a slightly increased value near (DATA (k-1))-V TH as the first electrode N1 and the second electrode N3 change. do.

즉, 제2 구간(t2)에 OLED의 애노드 전극이 고전위 전압(VDD)으로 초기화 또는 설정된다.That is, the anode electrode of the OLED is initialized or set to the high potential voltage V DD in the second period t2.

도 4c를 참조하면, 제3 구간(t3)에, 데이터 라인(DATA)과 캐소드 라인(CAT)은 고전위 전압(VDD)에서 저전위 전압(VSS)으로 바뀌고, 스캔 신호(SCAN)와 에미션 신호(EM)는 로직 레벨을 이전 구간과 같은 상태로 유지한다.Referring to FIG. 4C, in the third period t3, the data line DATA and the cathode line CAT are changed from the high potential voltage V DD to the low potential voltage V SS , and the scan signal SCAN The emission signal EM maintains the logic level in the same state as the previous section.

구동 트랜지스터(DT)의 제1 전극(N1)의 전위가 저전위 전압(VSS)이 되고, 캐소드 전극(CAT)이 저전위 전압(VSS)으로 바뀌어 OLED의 애노드 전극(N4)도 저전위 전압(VSS)으로 바뀌고 턴-온 상태의 제2 트랜지스터(T2)에 의해 구동 트랜지스터(DT)의 제2 전극(N3)도 저전위 전압(VSS)이 된다. 구동 트랜지스터(DT)의 제1 전극(N1)의 전위가 게이트 전극(N2)의 전위보다 낮아져 구동 트랜지스터(DT)가 턴-오프 된다,The potential of the first electrode N1 of the driving transistor DT becomes the low potential voltage V SS , and the cathode electrode CAT is changed into the low potential voltage V SS so that the anode electrode N4 of the OLED is also low potential. voltage (V SS) by changing the turn-second electrode (N3) of the driving transistor (DT) by turning on the second transistor (T2) in the state is also a low voltage potential (V SS). Since the potential of the first electrode N1 of the driving transistor DT is lower than that of the gate electrode N2, the driving transistor DT is turned off.

즉, 제3 구간(t3)에 OLED의 애노드 전극이 저전위 전압(VSS)으로 초기화된다.That is, in the third section t3, the anode electrode of the OLED is initialized to the low potential voltage V SS .

도 4d를 참조하면, 제4 구간(t4)에, 데이터 라인(DATA)과 캐소드 라인(CAT)은 저전위 전압(VSS)을 그대로 유지하고, 에미션 신호(EM)도 이전 구간과 같은 로직 레벨을 유지하고, 모든 픽셀 라인의 스캔 신호(SCAN(1) ~ SCAN(N))는 하이 로직 레벨에서 로우 로직 레벨로 바뀐다.Referring to FIG. 4D, in the fourth period t4, the data line DATA and the cathode line CAT maintain the low potential voltage V SS , and the emission signal EM also has the same logic as the previous period. Maintaining the level, the scan signals SCAN (1) to SCAN (N) of all pixel lines are changed from the high logic level to the low logic level.

구동 트랜지스터(DT)와 제2 트랜지스터(T2)는 각각 턴-오프 상태와 턴-온 상태를 그대로 유지하고, 제1 트랜지스터(T1)는 로우 로직 레벨의 스캔 신호(SCAN)에 의해 턴-온 된다.The driving transistor DT and the second transistor T2 maintain the turn-off state and the turn-on state, respectively, and the first transistor T1 is turned on by the scan signal SCAN having a low logic level. .

제1 트랜지스터(T1)가 턴-온 되어 전위가 (DATA(k-1))-VTH)인 제2 노드(N2)와 전위가 저전위 전압(VSS)인 제3 노드(N3)가 서로 연결되어, 제2 노드(N2)와 제3 노드(N3)의 전위는 그 중간 값인 ((DATA(k-1))-VTH+VSS)/2가 되고, 턴-온 상태의 제2 트랜지스터(T2)에 의해 제4 노드(N4)의 전위도 ((DATA(k-1))-VTH+VSS)/2가 된다.When the first transistor T1 is turned on, the second node N2 having a potential of (DATA (k-1) -V TH ) and the third node N3 having a low potential of voltage V SS are present. Connected with each other, the potentials of the second node N2 and the third node N3 become their intermediate values ((DATA (k-1))-V TH + V SS ) / 2, and the turn-on state The potential of the fourth node N4 also becomes ((DATA (k-1))-V TH + V SS ) / 2 by the two transistors T2.

즉, 제4 구간(t4)에 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(N2)이 ((DATA(k-1))-VTH+VSS)/2 전위로 초기화되는데, 이는 현재 프레임의 이후 구간에 영상 데이터(DATA(k))를 인가할 때 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(N2)의 전위를 제1 전극(N1)의 전위보다 낮은 값으로 초기화하여 구동 트랜지스터(DT)를 턴-온 시키기 위한 것이다.That is, in the fourth period t4, the gate electrode N2 of the driving transistor DT is initialized to a potential of ((DATA (k-1))-V TH + V SS ) / 2, which is a period after the current frame. When the image data DATA (k) is applied to the image data DATA (k), the potential of the gate electrode N2 of the driving transistor DT is initialized to a value lower than the potential of the first electrode N1 to turn on the driving transistor DT. It is to let.

제4 구간(t4)의 동작으로 초기화가 충분하지 않을 경우, 제2 구간(t2) 내지 제4 구간(t4)의 동작을 반복하면 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(N2)의 전위가 저전위 전압(VSS)으로 수렴할 수 있다.If the initialization is not sufficient due to the operation of the fourth period t4, when the operations of the second period t2 to the fourth period t4 are repeated, the potential of the gate electrode N2 of the driving transistor DT becomes low potential. It can converge to the voltage V SS .

제4 구간(t4)에 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(N2)의 전위를 제1 전극(N1)의 전위보다 낮은 값으로 초기화하기 위해서는, 제3 구간(t3)에 OLED의 애노드 전극(N4)을 저전위 전압(VSS)으로 설정할 필요가 있고, 이전 프레임에 발광하고 있는 상태에서 OLED를 끄면서 OLED의 애노드 전극(N4)을 바로 저전위 전압(VSS)으로 설정할 수 없기 때문에, OLED의 애노드 전극(N4)을 저전위 전압(VSS)으로 설정하기에 앞서 제2 구간(t2)에 고전위 전압(VDD)으로 설정해야 한다.In order to initialize the potential of the gate electrode N2 of the driving transistor DT to a value lower than the potential of the first electrode N1 in the fourth period t4, the anode electrode N4 of the OLED in the third period t3. It is necessary to set) to the low potential voltage (V SS ), and since the OLED electrode N4 of the OLED cannot be directly set to the low potential voltage (V SS ) while the OLED is turned off while emitting light in the previous frame, Before setting the anode electrode N4 to the low potential voltage V SS, it is necessary to set the high potential voltage V DD in the second period t2.

도 4e를 참조하면, 제5 구간(t5)에, 캐소드 라인(CAT)은 저전위 전압(VSS)을 그대로 유지하고, 에미션 신호(EM)는 로우 로직 레벨에서 하이 로직 레벨로 바뀌고, 데이터 라인(DATA)에 제1 픽셀 라인에서 제N 픽셀 라인까지 N개의 픽셀의 데이터가 순차적으로 인가되고, 데이터 라인(DATA)의 데이터에 동기하여 제1 스캔 신호(SCAN(1))부터 제N 스캔 신호(SCAN(N))가 순차적으로 대응하는 픽셀 라인에 인가된다.Referring to FIG. 4E, in the fifth period t5, the cathode line CAT maintains the low potential voltage V SS , the emission signal EM changes from a low logic level to a high logic level, and the data Data of N pixels from the first pixel line to the N-th pixel line are sequentially applied to the line DATA, and the N-th scan is performed from the first scan signal SCAN (1) in synchronization with the data of the data line DATA. The signal SCAN (N) is sequentially applied to the corresponding pixel lines.

제4 구간(t4)에 로우 로직 레벨이었던 스캔 신호는, 제5 구간(t5) 초반에 하이 로직 레벨로 바뀐 후, 해당 픽셀 라인에 스캔 신호를 인가할 때 로우 로직 레벨로 바뀌고 다음 픽셀 라인에 스캔 신호가 인가될 때 다시 하이 로직 레벨로 바뀐다. 즉, 제5 구간(t5) 초반에 모든 픽셀 라인에 하이 로직 레벨의 스캔 신호가 인가된 후, 제1 스캔 신호(SCAN(1))가 로우 로직 레벨이 되고 소정 시간 경과 후 다시 하이 로직 레벨로 바뀌고, 제1 스캔 신호(SCAN(1))가 하이 로직 레벨로 바뀔 때 제2 스캔 신호(SCAN(2))가 로우 로직 레벨이 되고 소정 시간 경과 후 하이 로직 레벨로 바뀌는 식으로, 제1 스캔 신호(SCAN(1))부터 제N 스캔 신호까지 순차적으로 로우 로직 레벨의 스캔 펄스가 각 픽셀 라인에 인가된다.The scan signal, which was at the low logic level in the fourth section t4, is changed to the high logic level in the beginning of the fifth section t5, and then changes to the low logic level when the scan signal is applied to the corresponding pixel line, and then scans to the next pixel line. When the signal is applied it goes back to the high logic level. That is, after a high logic level scan signal is applied to all pixel lines at the beginning of the fifth period t5, the first scan signal SCAN (1) becomes a low logic level and then returns to the high logic level after a predetermined time elapses. The second scan signal SCAN (2) becomes the low logic level when the first scan signal SCAN (1) changes to the high logic level, and then changes to the high logic level after a predetermined time elapses. Scan pulses having a low logic level are sequentially applied to each pixel line from the signal SCAN (1) to the Nth scan signal.

제5 구간(t5)의 초반에 모든 픽셀 라인의 스캔 신호(SCAN(1) ~ SCAN(N))가 하이 로직 레벨이 되고 제5 구간(t5)의 후반에도 모든 픽셀 라인의 스캔 신호(SCAN(1) ~ SCAN(N))가 하이 로직 레벨이 된다.The scan signals SCAN (1) to SCAN (N) of all the pixel lines become the high logic level at the beginning of the fifth period t5, and the scan signals SCAN (of all the pixel lines even in the second half of the fifth period t5. 1) to SCAN (N) become the high logic level.

제5 구간(t5)에, 현재 프레임인 k번째 프레임의 n번째 픽셀 라인에, 로우 로직 레벨의 스캔 신호(SCAN(n))가 인가되고, 해당 픽셀 라인의 데이터 전압(DATA(k))이 데이터 라인(DATA)에 인가되면, 제1 노드(N1), 즉 구동 트랜지스터(DT)의 제1 전극(N1)의 전위가 DATA(k)가 되어 ((DATA(k-1))-VTH+VSS)/2로 초기화된 게이트 전극(N2)과 제2 전극(N3)의 전위보다 높아져 구동 트랜지스터(DT)가 순방향으로 턴-온 되고, 턴-온 되는 제1 트랜지스터(T1)에 의해 제2 노드(N2)와 제3 노드(N3)가 연결되어, 구동 트랜지스터(DT)가 다이오드 연결되어 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(N2)과 제2 전극(N3)의 전위가 제1 전극(N1)의 전위인 DATA(k)에서 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압(VTH)을 뺀 값인 (DATA(k)-VTH)가 된다. 스토리지 커패시터(CST)에는 데이터 전압과 문턱 전압의 차(DATA(k)-VTH)에 상응하는 전압이 저장된다.In the fifth period t5, a scan signal SCAN (n) having a low logic level is applied to the nth pixel line of the kth frame that is the current frame, and the data voltage DATA (k) of the pixel line is applied. When applied to the data line DATA, the potential of the first node N1, that is, the first electrode N1 of the driving transistor DT becomes DATA (k) and becomes ((DATA (k-1))-V TH. The driving transistor DT is turned on in the forward direction and turned on by the first transistor T1 that is higher than the potential of the gate electrode N2 and the second electrode N3 initialized to + V SS ) / 2. The second node N2 and the third node N3 are connected to each other, and the driving transistor DT is diode-connected so that the potential of the gate electrode N2 and the second electrode N3 of the driving transistor DT is the first electrode. DATA (k), which is the potential of (N1), becomes (DATA (k) −V TH ), which is a value obtained by subtracting the threshold voltage V TH of the driving transistor DT. The storage capacitor CST stores a voltage corresponding to the difference between the data voltage and the threshold voltage DATA (k) −V TH .

에미션 신호(EM)가 하이 로직 레벨로 바뀌어 제2 트랜지스터(T2)가 턴-오프 되어 구동 트랜지스터(DT)와 OLED를 분리하여, OLED의 애노드 전극은 제4 구간(t4) 때의 전위인 ((DATA(k-1))-VTH+VSS)/2 값을 그대로 유지한다.The emission signal EM changes to a high logic level so that the second transistor T2 is turned off to separate the driving transistor DT from the OLED, so that the anode electrode of the OLED is a potential at the fourth period t4 ( Keep the value of (DATA (k-1))-V TH + V SS ) / 2.

제5 구간(t5)에 제1 픽셀 라인부터 제N 픽셀 라인까지 순차적으로 패널(10)에 포함된 모든 픽셀에 데이터가 기입되고 문턱 전압이 센싱 되므로, 제5 구간(t5)은 데이터 기입과 문턱 전압 센싱 구간이라 할 수 있다.Since data is written to all pixels included in the panel 10 sequentially from the first pixel line to the Nth pixel line in the fifth section t5, and a threshold voltage is sensed, the fifth section t5 includes a data write and threshold It may be referred to as a voltage sensing section.

도 4f를 참조하면, 제6 구간(t6)에, 스캔 신호(SCAN)는 하이 로직 레벨을 유지하고, 데이터 라인(DATA)에는 고전위 전압(VDD)이 인가되고, 에미션 신호(EM)는 하이 로직 레벨에서 로우 로직 레벨로 바뀌고, 캐소드 라인(CAT)의 전위는 저전위 전압(VSS)에서 고전위 전압(VDD)으로 바뀐다.Referring to FIG. 4F, in the sixth period t6, the scan signal SCAN maintains a high logic level, the high potential voltage V DD is applied to the data line DATA, and the emission signal EM is applied. Is changed from the high logic level to the low logic level, and the potential of the cathode line CAT is changed from the low potential voltage V SS to the high potential voltage V DD .

하이 로직 레벨의 스캔 신호(SCAN)에 의해 제1 트랜지스터(T1)가 턴-오프 되어, 제2 노드(N2)는 (DATA(k)-VTH) 전위를 유지한다.The first transistor T1 is turned off by the scan signal SCAN of the high logic level, and the second node N2 maintains the (DATA (k) −V TH ) potential.

구동 트랜지스터(DT)의 제1 전극(N1)의 전위가 고전위 전압(VDD)이 되고, 구동 트랜지스터(DT)는 턴-온 상태를 유지한다.The potential of the first electrode N1 of the driving transistor DT becomes the high potential voltage V DD , and the driving transistor DT maintains a turn-on state.

캐소드 라인(CAT)의 전위 변동에 따라, OLED의 애노드 전극(N4)이 캐소드 전극(N5)보다 전위가 낮아져 OLED에 역방향 전압이 인가되어 OLED에 전류가 순방향으로 흐르지 않게 되어 발광하지 않고, OLED 커패시터(COLED)에 의해 OLED의 애노드 전극(N4)은 캐소드 라인(CAT)의 전위에 따라 고전위 전압(VDD)으로 전위가 바뀐다. 로우 로직 레벨의 에미션 신호(EM)에 따라 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되고 이에 제3 노드(N3)와 제4 노드(N4)가 연결되어 구동 트랜지스터(DT)의 제2 전극(N3)의 전위도 고전위 전압(VDD)이 된다.According to the potential variation of the cathode line CAT, the anode electrode N4 of the OLED has a lower potential than the cathode electrode N5 so that a reverse voltage is applied to the OLED so that current does not flow in the OLED in the forward direction, and thus the OLED capacitor does not emit light. The potential of the anode electrode N4 of the OLED is changed to the high potential voltage V DD according to the potential of the cathode line CAT by (C OLED ). According to the emission signal EM of the low logic level, the second transistor T2 is turned on and the third node N3 and the fourth node N4 are connected to each other so that the second electrode of the driving transistor DT ( The potential of N3) also becomes a high potential voltage V DD .

즉, 제6 구간(t6)은 OLED의 애노드 전극(N4)을 고전위 전압(VDD)으로 초기화하는 구간이다.That is, the sixth section t6 is a section for initializing the anode electrode N4 of the OLED to the high potential voltage V DD .

도 4g를 참조하면, 제7 구간(t7)에, 스캔 신호(SCAN)는 하이 로직 레벨을 유지하고, 데이터 라인(DATA)은 고전위 전압(VDD)을 유지하고, 에미션 신호(EM)도 로우 로직 레벨을 유지하고, 캐소드 라인(CAT)은 고전위 전압(VDD)에서 저전위 전압(VSS)으로 바뀐다.Referring to FIG. 4G, in the seventh period t7, the scan signal SCAN maintains a high logic level, the data line DATA maintains a high potential voltage V DD , and the emission signal EM Maintaining the low logic level, the cathode line CAT changes from the high potential voltage V DD to the low potential voltage V SS .

OLED의 캐소드 전극(N5)이 애노드 전극(N4)보다 낮아져 전류가 순방향으로 흐르게 되고, 턴-온 상태의 구동 트랜지스터(DT)가 턴-온 상태의 제2 트랜지스터(T2)를 거쳐 OLED에 전류를 흘리게 되는데, 구동 트랜지스터(DT)는 스토리지 커패시터(CST)에 저장된 게이트 전극(N2)의 전위인 (DATA(k)-VTH)에서 문턱 전압(VTH)만큼 상쇄된 DATA(k)에 상응하는 전류를 OLED에 흘리게 한다.The cathode electrode N5 of the OLED is lower than the anode electrode N4 so that current flows in the forward direction, and the driving transistor DT in the turn-on state passes the current through the second transistor T2 in the turn-on state to the OLED. The driving transistor DT corresponds to DATA (k) canceled by the threshold voltage V TH at (DATA (k) −V TH ), the potential of the gate electrode N2 stored in the storage capacitor CST. Current is passed through the OLED.

구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극, 즉 제1 전극(N1)의 전위는 고전압 전압(VDD)이고, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(N2)의 전위는 (DATA(k)-VTH)이므로, OLED에 흐르는 구동 전류(IOLED)에 대한 관계식은 아래 수학식 1과 같이 된다.The source electrode of the driving transistor DT, that is, the potential of the first electrode N1 is a high voltage voltage V DD , and the potential of the gate electrode N2 of the driving transistor DT is (DATA (k) -V TH ). Therefore, the relation for the driving current (I OLED ) flowing through the OLED is expressed by Equation 1 below.

Figure pat00001
Figure pat00001

수학식 1에서, m/2는 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도, 기생 커패시턴스, 채널 용량 등에 의해 결정되는 비례 상수를 나타낸다.In Equation 1, m / 2 represents a proportionality constant determined by electron mobility, parasitic capacitance, channel capacitance, and the like of the driving transistor DT.

수학식 1에서 보는 것과 같이, 구동 전류(IOLED)의 관계식에는 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압(VTH) 성분이 소거되므로, 구동 트랜지스터의 문턱 전압이 변한다고 할지라도 문턱 전압을 보상하면서 데이터 라인(DATA)을 통해 입력되는 데이터 전압에 상응하는 전류로 OLED를 발광시킬 수 있다.As shown in Equation 1, since the threshold voltage V TH component of the driving transistor DT is erased in the relation of the driving current I OLED , even if the threshold voltage of the driving transistor is changed, the data is compensated for while the threshold voltage is changed. The OLED may emit light with a current corresponding to the data voltage input through the line DATA.

즉, 제7 구간(t7)은 OLED를 발광시키는 구간에 해당한다.That is, the seventh section t7 corresponds to the section for emitting the OLED.

한편, 제6 구간(t6) 없이 제7 구간(t7)을 곧바로 적용하여 OLED를 발광시키면, 복원 잔상이 생길 수 있다. 즉, 제7 구간(t7)의 초기에, 제5 구간(t5) 때의 OLED의 애노드 전극(N4)의 전위와 OLED의 캐소드 전극(N5)의 전위에 의해 OLED에 전류가 흘러 OLED를 발광시켜, 이에 따라 OLED에 흐르는 전류 또는 구동 트랜지스터(DT)에 흐르는 전류가 스토리지 커패시터(CST)에 저장된 값으로만 결정되지 않게 될 수 있다.Meanwhile, when the OLED is emitted by directly applying the seventh section t7 without the sixth section t6, a restored afterimage may occur. That is, at the beginning of the seventh section t7, a current flows through the OLED by the potential of the anode electrode N4 of the OLED in the fifth section t5 and the potential of the cathode electrode N5 of the OLED, thereby emitting the OLED. As a result, the current flowing through the OLED or the current flowing through the driving transistor DT may not be determined only by a value stored in the storage capacitor CST.

도 5a와 도 5b는 데이터 라인에 고전위 전원, 저전위 전원 및 데이터 전압을 인가하기 위한 구성과 스위칭 신호의 파형도를 도시한 것이다.5A and 5B show waveform diagrams of configurations and switching signals for applying a high potential power source, a low potential power source, and a data voltage to a data line.

데이터 구동 회로(12)는 타이밍 컨트롤러(11)로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 DAC(Digital-Analog Converter)를 이용하여 아날로그 데이터 전압(VDATA)으로 변환하여 데이터 라인(DATA)(14)으로 출력한다.The data driving circuit 12 converts the digital video data RGB input from the timing controller 11 into an analog data voltage V DATA using a digital-analog converter (DAC), thereby converting the data line DATA 14. Will print

본 발명의 도 2의 픽셀 회로에서 데이터 라인(DATA)에는 데이터 전압(VDATA)뿐만 아니라 고전위 전압(VDD)과 저전위 전압(VSS)이 인가되어야 하므로, 데이터 라인(DATA)은 디지털 비디오 데이터(RGB)를 아날로그 데이터 전압(VDATA)으로 변환하는 DAC뿐만 아니라 고전위 전원(VDD)과 저전위 전원(VSS)에 연결되어야 한다.In the pixel circuit of FIG. 2 of the present invention, since the high potential voltage V DD and the low potential voltage V SS as well as the data voltage V DATA must be applied to the data line DATA, the data line DATA is digital. It should be connected to a high potential power supply (VDD) and a low potential power supply (VSS) as well as a DAC that converts video data RGB into an analog data voltage V DATA .

도 5a에서 데이터 라인(DATA)는, DAC의 출력 단에 연결되고, 스위치 S1과 S2를 통해 고전위 전원(VDD)과 저전위 전원(VSS)에 연결된다. 스위치 S1은 데이터 라인(DATA)에 고전위 전압(VDD)이 인가되는 제2, 제6 및 제7 구간(t2, t6, t7)에 데이터 라인(DATA)과 고전위 전원(VDD)을 연결(On)하고, 스위치 S2는 데이터 라인(DATA)에 저전위 전압(VSS)이 인가되는 제1, 제3 및 제4 구간(t1, t3, t4)에 데이터 라인(DATA)과 저전위 전원(VSS)을 연결(On)한다.In FIG. 5A, the data line DATA is connected to the output terminal of the DAC, and is connected to the high potential power VDD and the low potential power VSS through the switches S1 and S2. The switch S1 connects the data line DATA and the high potential power supply VDD to the second, sixth and seventh periods t2, t6, and t7 where the high potential voltage V DD is applied to the data line DATA. (On) and the switch S2 supplies the data line DATA and the low potential power in the first, third, and fourth sections t1, t3, and t4 to which the low potential voltage V SS is applied to the data line DATA. Connect (VSS).

도 6a와 도 6b는 캐소드 라인에 고전위 전원과 저전위 전원을 인가하기 위한 구성과 스위칭 신호의 파형도를 도시한 것이다.6A and 6B show waveform diagrams of configurations and switching signals for applying high potential power and low potential power to the cathode line.

캐소드 라인(CAT)에는 고전위 전압(VDD)과 저전위 전압(VSS)이 인가되어야 하므로, 캐소드 라인(CAT)은 스위치 S3과 S4를 통해 고전위 전원(VDD)과 저전위 전원(VSS)에 연결될 수 있다.Since the high potential voltage V DD and the low potential voltage V SS are applied to the cathode line CAT, the cathode line CAT is connected to the high potential power VDD and the low potential power VSS through the switches S3 and S4. ) Can be connected.

스위치 S3은 캐소드 라인(CAT)에 고전위 전압(VDD)이 인가되는 제2 및 제6 구간(t2, t6)에 캐소드 라인(CAT)을 고전위 전원(VDD)에 연결(On)하고, 스위치 S2는 캐소드 라인(CAT)에 저전위 전압(VSS)이 인가되는 제1, 제3 내지 제5 구간 및 제7 구간(t1, t3 ~ t5, t7)에 연결(On)한다.The switch S3 connects the cathode line CAT to the high potential power supply VDD in the second and sixth periods t2 and t6 to which the high potential voltage V DD is applied to the cathode line CAT. The switch S2 is connected to the first, third to fifth and seventh sections t1, t3 to t5, and t7 to which the low potential voltage V SS is applied to the cathode line CAT.

도 7a 내지 도 7d는, 픽셀 회로에 인가되는 저전위 전압을 바꿀 때 주요 노드의 전압을 도시한 것으로, 첫 번째 프레임에 4V의 데이터 전압을 인가하고 두 번째 프레임에 3V의 데이터 전압을 인가할 때, 두 번째 프레임의 제1 구간 내지 제5 구간에 주요 노드의 전압을 도시하고 있다.7A to 7D show the voltages of the main node when changing the low potential voltage applied to the pixel circuit, and when applying the data voltage of 4V in the first frame and the data voltage of 3V in the second frame. The voltages of the main nodes are shown in the first to fifth sections of the second frame.

스토리지 커패시터(CST)는 50f이고, OLED 커패시터(COLED)는 20f이고, 고전위 전압(VDD)은 4.6V이고, 스캔 신호(SCAN)와 에미션 신호(EM)는 -8V에서 8V로 스윙 하는 조건이고, 데이터 라인(DATA)에 인가되는 저전위 전압(VSS)은 -3V로 고정하고, 캐소드 라인(CAT)에 인가되는 저전위 전압(VSS)을 각각 -3V(도 11a), -5V(도 11b), -7V(도 11c), -8V(도 11d)로 바꾸면서 주요 노드의 전압을 측정한 것이다. 캐소드 라인(CAT)에 인가되는 저전위 전압(VSS)이 낮아질수록 제3 노드(N3)의 전위의 변동이 커지는 것을 확인할 수 있다.Storage capacitor (CST) is 50f, OLED capacitor (COLED) is 20f, high potential voltage (VDD) is 4.6V, scan signal (SCAN) and emission signal (EM) swing from -8V to 8V The low potential voltage V SS applied to the data line DATA is fixed at −3 V, and the low potential voltage V SS applied to the cathode line CAT is −3 V (FIG. 11A) and −5 V, respectively. 11B, -7V (FIG. 11C), and -8V (FIG. 11D), the voltages of the main nodes were measured. As the low potential voltage V SS applied to the cathode line CAT decreases, the variation of the potential of the third node N3 increases.

도 8a 내지 도 8d는 스토리지 커패시터와 OLED 커패시터 값들의 조합에 따른 주요 노드의 전압을 도시한 것이다.8A-8D show the voltage of the main node according to a combination of storage capacitor and OLED capacitor values.

데이터 전압은 4V이고, 고전위 전압(VDD)은 4.6V이고, 저전위 전압(VSS)은 -3V이고, 스캔 신호(SCAN)와 에미션 신호(EM)는 -8V에서 8V로 스윙 하고, 스토리지 커패시터(CST)와 OLED 커패시터(COLED)는 각각 도 12a에서 30f와 20f, 도 12b에서 30f와 30f, 도 12c에서 50f와 20f, 도 12d에서 50f와 30f의 조건이다.The data voltage is 4V, the high potential voltage (VDD) is 4.6V, the low potential voltage (V SS ) is -3V, the scan signal (SCAN) and the emission signal (EM) swing from -8V to 8V, The storage capacitor CST and the OLED capacitor COLED are conditions of 30f and 20f in FIG. 12A, 30f and 30f in FIG. 12B, 50f and 20f in FIG. 12C, and 50f and 30f in FIG. 12D, respectively.

OLED 커패시터(COLED) 값이 클수록 제3 노드(N3)의 전위의 변동이 커지고, 스토리지 커패시터(CST) 값이 클수록 제3 노드(N3)의 전위의 변동이 작은 것을 확인할 수 있다.As the value of the OLED capacitor COLED increases, the change in the potential of the third node N3 increases, and as the value of the storage capacitor CST increases, the change in the potential of the third node N3 decreases.

도 9는 도 2의 픽셀 회로를 구동하는 구동 신호의 파형도의 변형 실시예를 도시한 것으로, 도 9의 신호 파형도는 도 3의 것에 비해, 제1 구간(t1)과 제6 구간(t6)이 빠져있다.FIG. 9 illustrates a modified embodiment of a waveform diagram of a driving signal for driving the pixel circuit of FIG. 2. The signal waveform diagram of FIG. 9 is a first section t1 and a sixth section t6, compared to those of FIG. 3. ) Is missing.

도 3에서 제2 구간(t2)의 길이가 충분한 경우 제1 구간(t1)을 생략할 수 있는데, 캐소드 라인(CAT)에 고전위 전압(VDD)을 인가함으로써 OLED 발광을 중지시키고 OLED의 애노드 전극(N4)을 바로 고전위 전압(VDD)으로 초기화할 수 있다.In FIG. 3, when the length of the second section t2 is sufficient, the first section t1 may be omitted. The OLED emission is stopped by applying the high potential voltage V DD to the cathode line CAT, and the anode of the OLED is shown. The electrode N4 may be initialized directly to the high potential voltage V DD .

또한, 제6 구간(t6)은 OLED를 발광하는 초반에 OLED의 애노드 전극이나 구동 트랜지스터(DT)의 제2 전극(N3)의 전위에 의해 복원 잔상이 반영할 여지가 있지만, 제6 구간(t6)을 생략하더라도 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압을 보상하면서 OLED를 발광하는 데에는 이상이 없다.In the sixth section t6, the residual afterimage may be reflected by the potential of the anode electrode of the OLED or the second electrode N3 of the driving transistor DT in the early stage of emitting the OLED. ), There is no problem in emitting the OLED while compensating for the threshold voltage of the driving transistor DT.

도 10은 본 발명에 따른 픽셀의 평면과 종래 픽셀의 평면을 비교한 것이다.10 compares the plane of a pixel according to the invention with the plane of a conventional pixel.

본 발명의 픽셀 회로는, 종래 수평 라인 단위로 순차적으로 발광시키는 내부 보상 방식의 픽셀 회로에 비해, 4개의 트랜지스터를 줄이고, 이전 픽셀 라인의 스캔 신호 라인(SCAN(n-1))과 초기화 전압 라인(VINI)을 제거함으로써, 더 높은 해상도 모델 개발을 위한 픽셀 디자인에 마진을 확보하고 개구율을 높일 수 있게 된다.The pixel circuit of the present invention reduces four transistors, and reduces the scan signal line (SCAN (n-1)) and the initialization voltage line of the previous pixel line, compared to a pixel circuit of an internal compensation method which sequentially emits light in units of horizontal lines. By eliminating (V INI ), margins and pixel apertures can be increased in pixel designs for higher resolution model development.

도 11은 본 발명에 따른 GIP 구성과 종래 GIP 구성을 비교한 것이다.11 is a comparison between the GIP configuration and the conventional GIP configuration according to the present invention.

종래 수평 라인 단위로 순차적으로 발광시키는 내부 보상 방식의 픽셀 회로를 구동하기 위해서는, 각 픽셀 라인에 스캔 신호(SCAN)뿐만 아니라 에미션 신호(EM)가 순차적으로 인가되어야 하고, 이를 위해 GIP에 스캔 신호를 생성하는 스캔 블록(Scan Block)과 에미션 블록(Emission Block)이 마련되어야 한다.In order to drive a pixel circuit of an internal compensation method that sequentially emits light in units of horizontal lines, an emission signal EM as well as a scan signal SCAN must be sequentially applied to each pixel line, and a scan signal is applied to the GIP. A scan block and an emission block for generating the N must be provided.

하지만, 본 발명에서는 모든 픽셀에 순차적으로 데이터를 기입한 후에 동시에 발광시키기 때문에, 각 픽셀 라인에 스캔 신호(SCAN)를 순차적으로 공급하기 위한 스캔 블록(Scan Block)이 GIP에 마련되어야 하지만, 모든 픽셀 라인에 에미션 신호(EM)를 동시에 인가하므로 에미션 블록이 필요하지 않게 되고, 이에 따라 GIP를 가리는 베젤을 줄일 수 있다.However, in the present invention, since data is sequentially written to all the pixels, and then emits light at the same time, a scan block for sequentially supplying the scan signal SCAN to each pixel line should be provided in the GIP. Since the emission signal EM is applied to the line at the same time, the emission block is not required, thereby reducing the bezel covering the GIP.

또한, 각 프레임은 각 노드를 초기화시키고 문턱 전압을 센싱하고 데이터를 기입하는 제1 기간과 모든 픽셀을 동시에 발광시키는 제2 구간으로 나뉘고, 제1 구간에 OLED를 오프 하고 제2 구간에 OLED를 켜지게 하는 임펄스 구동 효과에 의해 응답 시간과 관련된 MPRT(Moving Picture Response Time)를 향상시킬 수 있다.In addition, each frame is divided into a first period in which each node initializes, senses a threshold voltage, and writes data, and a second period in which all pixels emit light, and turns off the OLED in the first period and turns on the OLED in the second period. The impulse driving effect can improve the moving picture response time (MPRT) associated with the response time.

한편, 도 12a와 도 12b는 본 발명의 일 실시예에 따라 발광 구간과 데이터 기입 구간을 구분하여 데이터 라인을 분리하거나 서로 연결하기 위한 구성과 스위칭 신호의 파형도를 도시한 것이고, 도 13은 본 발명이 종래 구조에 비해 수직 크로스토크가 완화되는 것을 비교한 것이다.12A and 12B illustrate waveforms of configurations and switching signals for separating or connecting data lines by dividing a light emission section and a data write section according to an embodiment of the present invention, and FIG. Compared to the invention, the vertical crosstalk is relaxed compared to the conventional structure.

발광 구간에 각 데이터 라인(DATA)(14)에 전압 값이 다르게 인가되면, 저항에 의한 전압 강하 편차로 인해 도 13의 왼쪽 그림과 같이 수직 방향으로 크로스토크(Crosstalk)가 발생하게 된다.When voltage values are differently applied to the data lines DATA 14 in the emission period, crosstalk occurs in the vertical direction as shown in the left figure of FIG. 13 due to the voltage drop deviation caused by the resistance.

이러한 문제를 해결하기 위해, 본원 발명에서는, 데이터 라인을 데이터 기입 때에는 서로 분리하고, 발광할 때에는 메쉬(Mesh) 형태로 데이터 라인을 서로 연결하여 인접한 데이터 라인 사이에 전하를 공유(Charge Share)할 수 있다. 이를 위해, 데이터 라인 사이에 스위치 S5를 마련하고, 픽셀의 OLED를 발광시키는 제7 구간(t7)에 스위치 S5를 연결시키고, 나머지 구간에는 스위치 S5의 연결을 끊을 수 있다.In order to solve this problem, in the present invention, the data lines are separated from each other when writing data, and when the light is emitted, the data lines can be connected to each other in a mesh form to share charges between adjacent data lines. have. To this end, a switch S5 may be provided between the data lines, the switch S5 may be connected to a seventh section t7 for emitting the OLED of the pixel, and the switch S5 may be disconnected in the remaining sections.

스위치 S5를 데이터 라인(DATA)에서 데이터 구동 회로(12)에 인접한 곳, 즉 첫 번째 픽셀 라인 부근에 마련할 뿐만 아니라, 데이터 구동 회로(12)에서 멀리 떨어진 마지막 픽셀 라인에도 추가로 마련하여, 데이터 라인 사이에 전위 차이가 발생하지 않도록 할 수 있다.In addition to providing the switch S5 near the data driving circuit 12 in the data line DATA, that is, in the vicinity of the first pixel line, the switch S5 is further provided in the last pixel line far from the data driving circuit 12 to provide data. The potential difference between the lines can be prevented from occurring.

발광 구간에 데이터 라인들이 서로 연결되어 전하를 공유하게 되어, 데이터 라인 사이 전위 차를 줄이고, 도 13의 오른쪽 그림과 같이 수직 크로스토크 현상을 완화할 수 있다.Since the data lines are connected to each other in the emission period to share charges, the potential difference between the data lines may be reduced, and vertical crosstalk may be alleviated as illustrated in the right figure of FIG. 13.

도 12b는 제7 구간(t7)에만 스위치 S5를 연결하는 것으로 도시하지만, 픽셀 회로의 주요 노드들을 초기화하는 제1 구간 내지 제4 구간(t1 ~ t4)에도 스위치 S5를 연결할 수 있다.Although FIG. 12B illustrates that the switch S5 is connected only to the seventh period t7, the switch S5 may also be connected to the first to fourth sections t1 to t4 for initializing the main nodes of the pixel circuit.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

10: 표시 패널 11: 타이밍 컨트롤러
12: 데이터 구동 회로 13: 게이트 구동 회로
14: 데이터 라인 15: 스캔 라인
16: 전원 생성부
10: display panel 11: timing controller
12: data driving circuit 13: gate driving circuit
14: data line 15: scan line
16: power generator

Claims (14)

제1 전극이 제1 전원 라인에 연결되는 커패시터;
캐소드 전극이 제2 전원 라인에 연결되는 발광 다이오드;
게이트 전극이 상기 커패시터의 제2 전극에 연결되고 제1 전극이 데이터 라인에 연결되는 구동 트랜지스터;
상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 제2 전극에 각각 제1 전극과 제2 전극이 연결되고, 게이트 전극이 스캔 라인에 연결되는 제1 트랜지스터; 및
상기 구동 트랜지스터의 제2 전극과 상기 발광 다이오드의 애노드 전극에 각각 제1 전극과 제2 전극이 연결되고, 게이트 전극이 에미션 라인에 연결되는 제2 트랜지스터를 포함하여 구성되는 표시 장치.
A capacitor having a first electrode connected to the first power line;
A light emitting diode having a cathode electrode connected to the second power line;
A driving transistor having a gate electrode connected to a second electrode of the capacitor and a first electrode connected to a data line;
A first transistor connected to a gate electrode and a second electrode of the driving transistor, respectively, and a first electrode connected to a scan line; And
And a second transistor having a first electrode and a second electrode connected to the second electrode of the driving transistor and an anode electrode of the light emitting diode, respectively, and a gate electrode connected to an emission line.
제1 항에 있어서,
상기 제1 전원 라인에는 고전위 전압이 인가되고, 상기 제2 전원 라인에는 상기 고전위 전압과 저전위 전압이 교대로 인가되고, 상기 데이터 라인에는 상기 고전위 전압, 상기 저전위 전압 및 데이터 전압이 교대로 인가되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
According to claim 1,
A high potential voltage is applied to the first power line, the high potential voltage and a low potential voltage are alternately applied to the second power line, and the high potential voltage, the low potential voltage and the data voltage are alternately applied to the data line. And alternately applied.
제1 항에 있어서,
이웃하는 데이터 라인을 서로 연결하기 위한 스위치를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
According to claim 1,
And a switch for connecting neighboring data lines to each other.
제3 항에 있어서,
상기 스위치는 상기 발광 다이오드가 발광하는 구간에 연결되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
The method of claim 3, wherein
And the switch is connected to a section in which the light emitting diode emits light.
제1 전극이 제1 전원 라인에 연결되는 커패시터; 캐소드 전극이 제2 전원에 연결되는 발광 다이오드; 게이트 전극이 상기 커패시터의 제2 전극에 연결되고 제1 전극이 데이터 라인에 연결되는 구동 트랜지스터; 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 제2 전극에 각각 제1 전극과 제2 전극이 연결되고, 게이트 전극이 스캔 라인에 연결되는 제1 트랜지스터; 및 상기 구동 트랜지스터의 제2 전극과 상기 발광 다이오드의 애노드 전극에 각각 제1 전극과 제2 전극이 연결되고, 게이트 전극이 에미션 라인에 연결되는 제2 트랜지스터를 포함하는 픽셀들이 구비된 패널을 포함하는 표시 장치를 구동하는 방법에서,
상기 애노드 전극을 고전위 전압으로 설정한 후 저전위 전압으로 설정하는 단계;
데이터 기입 기간에 스캔 신호를 상기 스캔 라인에 순차적으로 공급하고 상기 데이터 라인에 데이터 전압을 인가하여 상기 패널에 구비된 픽셀들에 포함된 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 감지하고 상기 픽셀들에 화상 데이터를 기입하는 단계; 및
에미션 기간에 에미션 신호를 상기 에미션 라인에 동시에 인가하여 상기 화상 데이터가 기입된 픽셀들의 발광 다이오드를 동시에 발광시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 표시 장치를 구동하는 방법.
A capacitor having a first electrode connected to the first power line; A light emitting diode having a cathode electrode connected to the second power source; A driving transistor having a gate electrode connected to a second electrode of the capacitor and a first electrode connected to a data line; A first transistor connected to a gate electrode and a second electrode of the driving transistor, respectively, and a first electrode connected to a scan line; And a panel including pixels including first and second electrodes connected to a second electrode of the driving transistor and an anode electrode of the light emitting diode, respectively, and a second transistor having a gate electrode connected to an emission line. In the method of driving the display device,
Setting the anode electrode to a high potential voltage and then to a low potential voltage;
In the data writing period, a scan signal is sequentially supplied to the scan line and a data voltage is applied to the data line to sense threshold voltages of driving transistors included in pixels provided in the panel, and to write image data to the pixels. Making; And
And simultaneously emitting an emission signal to the emission line during an emission period, thereby simultaneously emitting light-emitting diodes of pixels to which the image data is written.
제5 항에 있어서,
상기 제1 전원 라인에는 상기 고전위 전압이 인가되고, 상기 제2 전원 라인에는 상기 고전위 전압과 상기 저전위 전압이 교대로 인가되고, 상기 데이터 라인에는 상기 고전위 전압, 상기 저전위 전압 및 데이터 전압이 교대로 인가되는 것을 특징으로 하는 표시 장치를 구동하는 방법.
The method of claim 5,
The high potential voltage is applied to the first power line, the high potential voltage and the low potential voltage are alternately applied to the second power line, and the high potential voltage, the low potential voltage and data are alternately applied to the data line. And a voltage is applied alternately.
제6 항에 있어서,
상기 애노드 전극을 상기 고전위 전압으로 설정할 때, 상기 데이터 라인과 상기 제2 전원 라인에 상기 고전위 전압을 인가하고, 상기 제1 트랜지스터를 턴-오프 시키는 스캔 신호를 상기 스캔 라인에 인가하고, 상기 제2 트랜지스터를 턴-온 시키는 에미션 신호를 상기 에미션 라인에 인가하고,
상기 애노드 전극을 상기 저전위 전압으로 설정할 때, 상기 데이터 라인과 상기 제2 전원 라인에 상기 저전위 전압을 인가하고, 상기 제1 트랜지스터를 턴-오프 시키는 스캔 신호를 상기 스캔 라인에 인가하고, 상기 제2 트랜지스터를 턴-온 시키는 에미션 신호를 상기 에미션 라인에 인가하는 것을 특징으로 하는 표시 장치를 구동하는 방법.
The method of claim 6,
When setting the anode electrode to the high potential voltage, the high potential voltage is applied to the data line and the second power supply line, a scan signal for turning off the first transistor is applied to the scan line, and the Applying an emission signal to the emission line for turning on a second transistor;
When setting the anode electrode to the low potential voltage, the low potential voltage is applied to the data line and the second power supply line, a scan signal for turning off the first transistor is applied to the scan line, and And applying an emission signal for turning on a second transistor to the emission line.
제6 항에 있어서,
상기 애노드 전극을 설정하는 단계에 이어, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극을 초기화하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 표시 장치를 구동하는 방법.
The method of claim 6,
And after the setting of the anode electrode, initializing the gate electrode of the driving transistor.
제8 항에 있어서,
상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극을 초기화할 때, 상기 데이터 라인과 상기 제2 전원 라인에 상기 저전위 전압을 인가하고, 상기 제1 트랜지스터를 턴-온 시키는 스캔 신호를 상기 스캔 라인에 인가하고, 상기 제2 트랜지스터를 턴-온 시키는 에미션 신호를 상기 에미션 라인에 인가하는 것을 특징으로 하는 표시 장치를 구동하는 방법.
The method of claim 8,
When initializing a gate electrode of the driving transistor, the low potential voltage is applied to the data line and the second power supply line, and a scan signal for turning on the first transistor is applied to the scan line, 2. A method of driving a display device, comprising applying an emission signal for turning on a transistor to the emission line.
제6 항에 있어서,
상기 발광 다이오드를 발광시키는 단계에 앞서, 상기 애노드 전극을 상기 고전위 전압으로 초기화하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 표시 장치를 구동하는 방법.
The method of claim 6,
And prior to making the light emitting diode emit light, initializing the anode electrode to the high potential voltage.
제10 항에 있어서,
상기 애노드 전극을 상기 고전위 전압으로 초기화할 때, 상기 데이터 라인과 상기 제2 전원 라인에 상기 고전위 전압을 인가하고, 상기 제1 트랜지스터를 턴-오프 시키는 스캔 신호를 상기 스캔 라인에 인가하고, 상기 제2 트랜지스터를 턴-온 시키는 에미션 신호를 상기 에미션 라인에 인가하는 것을 특징으로 하는 표시 장치를 구동하는 방법.
The method of claim 10,
When the anode is initialized to the high potential voltage, the high potential voltage is applied to the data line and the second power supply line, and a scan signal for turning off the first transistor is applied to the scan line. And applying an emission signal to the emission line to turn on the second transistor.
제6 항에 있어서,
상기 애노드 전극을 설정하는 단계에 앞서, 상기 데이터 라인에 상기 저전위 전압을 인가하여 상기 발광 다이오드의 발광을 끄는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 표시 장치를 구동하는 방법.
The method of claim 6,
Prior to setting the anode electrode, applying the low potential voltage to the data line to turn off the light emitting diode.
제12 항에 있어서,
상기 발광 다이오드의 발광을 끌 때, 상기 데이터 라인과 상기 제2 전원 라인에 상기 저전위 전압을 인가하고, 상기 제1 트랜지스터를 턴-오프 시키는 스캔 신호를 상기 스캔 라인에 인가하고, 상기 제2 트랜지스터를 턴-온 시키는 에미션 신호를 상기 에미션 라인에 인가하는 것을 특징으로 하는 표시 장치를 구동하는 방법.
The method of claim 12,
When the light emission of the light emitting diode is turned off, the low potential voltage is applied to the data line and the second power supply line, a scan signal for turning off the first transistor is applied to the scan line, and the second transistor is applied. And applying an emission signal to turn on the emission line to the emission line.
제5 항에 있어서,
상기 표시 장치는 이웃하는 데이터 라인을 서로 연결하기 위한 스위치를 더 포함하고, 상기 스위치는 상기 에미션 기간에 연결되는 것을 특징으로 하는 표시 장치를 구동하는 방법.
The method of claim 5,
And the display device further comprises a switch for connecting neighboring data lines to each other, the switch being connected to the emission period.
KR1020180061220A 2018-05-29 2018-05-29 Display device KR102485956B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180061220A KR102485956B1 (en) 2018-05-29 2018-05-29 Display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180061220A KR102485956B1 (en) 2018-05-29 2018-05-29 Display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190135786A true KR20190135786A (en) 2019-12-09
KR102485956B1 KR102485956B1 (en) 2023-01-05

Family

ID=68837793

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180061220A KR102485956B1 (en) 2018-05-29 2018-05-29 Display device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102485956B1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120085076A (en) * 2011-01-21 2012-07-31 삼성전자주식회사 Data processing method, data driving circuit and display device including the same
KR20130123218A (en) * 2012-05-02 2013-11-12 엘지디스플레이 주식회사 Organic light-emitting diode display, circuit and method for driving thereof
KR101360768B1 (en) * 2012-11-27 2014-02-10 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display device and method for driving the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120085076A (en) * 2011-01-21 2012-07-31 삼성전자주식회사 Data processing method, data driving circuit and display device including the same
KR20130123218A (en) * 2012-05-02 2013-11-12 엘지디스플레이 주식회사 Organic light-emitting diode display, circuit and method for driving thereof
KR101360768B1 (en) * 2012-11-27 2014-02-10 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display device and method for driving the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR102485956B1 (en) 2023-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108257549B (en) Electroluminescent display device
KR102663039B1 (en) Electroluminescent Display Device
US8054298B2 (en) Image displaying apparatus and image displaying method
KR102650560B1 (en) Electroluminescent Display Device
CN113053281B (en) Pixel driving circuit and electroluminescent display device including the same
CN112992049B (en) Electroluminescent display device with pixel driving circuit
WO2012032567A1 (en) Display device and method of controlling same
KR20210083644A (en) OLED display device and driving method therefor
KR102626519B1 (en) Organic light emitting diode display device
US9401111B2 (en) Display device and drive method thereof
US9466239B2 (en) Current drive type display device and drive method thereof
KR20180057073A (en) Display Device
KR102653575B1 (en) Display device
JP5284492B2 (en) Display device and control method thereof
JP5414808B2 (en) Display device and driving method thereof
KR20090069939A (en) Display device and driving method thereof
US8810488B2 (en) Display device and method for driving the same
KR102588103B1 (en) Display device
CN113129838A (en) Gate driving circuit and display device using the same
KR20200036415A (en) Display device
KR102604731B1 (en) Display device
KR102498990B1 (en) Display device
KR20200055580A (en) Pixel circuit and display device using the same
KR102485956B1 (en) Display device
KR20220094952A (en) Pixel circuit and display device including the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant