KR20190130970A - Method for processing workpiece - Google Patents

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Abstract

Provided is a method for processing a workpiece, which can suppress the occurrence of a processing defect when a plate type workpiece is processed by irradiating a laser beam. The method for processing the workpiece, processing the plate type workpiece including N (N is a natural number of 3 or more) estimated division lines which are equidistantly established, comprises: a first processing step of irradiating a laser beam onto a first estimated division line located at a first position where the distance from the estimated division line positioned at the outermost side of the workpiece is represented by 2^n×D (D is the distance between two adjacent first estimated division lines, and n is the greatest natural number satisfying 2^n<N) to form processing marks on the workpiece; and a (k+1)^th processing step of irradiating the laser beam onto the estimated division line selected from the first estimated division line located at a (k+1)^th position where the distance from a k^th position (k is a natural number of n or less) is represented by 2^(n-k)×D×m (m is a natural number) to form processing marks on the workpiece.

Description

피가공물의 가공 방법{METHOD FOR PROCESSING WORKPIECE}Processing method of workpiece {METHOD FOR PROCESSING WORKPIECE}

본 발명은, 판형의 피가공물을 분할 예정 라인을 따라 가공하는 피가공물의 가공 방법에 관한 것이다.This invention relates to the processing method of the to-be-processed object which processes a plate-shaped workpiece along a division plan line.

각종 전자기기에 내장되는 디바이스 칩은, 기재인 웨이퍼의 표면을 스트리트라고 불리는 분할 예정 라인에 의해 복수의 영역으로 구획하고, 각 영역에 집적 회로 등의 디바이스를 형성한 후에, 이 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라 분할함으로써 얻어진다. 웨이퍼의 분할에는, 예컨대, 환형의 절삭 블레이드를 회전시켜 대상에 절입시키는 절삭 장치가 이용된다.A device chip embedded in various electronic devices divides the surface of a wafer, which is a substrate, into a plurality of regions by a division scheduled line called a street, and forms a device such as an integrated circuit in each region. It is obtained by dividing along. For dividing the wafer, for example, a cutting device that rotates an annular cutting blade and cuts it into an object is used.

이 절삭 장치를 이용하는 웨이퍼의 절삭 가공에서는, 회전하는 절삭 블레이드에 의해 웨이퍼가 기계적으로 절취된다. 그 때문에, 예컨대, 절삭 블레이드의 한쪽 측의 측면(표면)과 다른 쪽 측의 측면(이면)의 각각으로부터 웨이퍼에 작용하는 부하에 치우침이 있으면, 칩이나 균열 등의 가공 불량이 웨이퍼에 발생하기 쉽다. 또한, 이러한 부하의 치우침이 커지면, 절삭 블레이드가 파손되는 경우도 있다.In cutting of the wafer using this cutting device, the wafer is mechanically cut by the rotating cutting blade. Therefore, if the load acting on a wafer from each of the side surface (surface) of one side of a cutting blade, and the side surface (rear surface) of the other side, for example, processing defects, such as a chip and a crack, are easy to generate | occur | produce in a wafer. . Moreover, when the bias of such a load becomes large, a cutting blade may break.

그래서, 웨이퍼에 절삭 블레이드를 절입시키는 순서를 연구하여, 절삭 블레이드와 웨이퍼 사이에 작용하는 부하의 치우침을 작게 하는 방법이 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 이 방법에서는, 분할에 의해 생기는 2개의 소편(小片)의 면적이 대략 같아지는 순서로 웨이퍼의 분할 예정 라인에 절삭 블레이드를 절입시킴으로써, 절삭 블레이드와 웨이퍼 사이에 작용하는 부하의 치우침을 작게 하고 있다.Therefore, a method of reducing the bias of the load acting between the cutting blade and the wafer by studying the order of cutting the cutting blade into the wafer has been proposed (see Patent Document 1, for example). In this method, the bias of the load acting between the cutting blade and the wafer is reduced by cutting the cutting blades into the dividing scheduled line of the wafer in the order in which the two small pieces generated by the split are approximately equal in area.

전술한 절삭 장치 대신에, 웨이퍼에 대하여 흡수성을 나타내는 파장의 레이저빔을 조사할 수 있는 레이저 가공 장치를 이용하여 웨이퍼를 분할하는 방법도 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 2 참조). 이 레이저 가공 장치를 이용하는 방법에서는, 펄스 발진시킨 레이저빔을 웨이퍼의 분할 예정 라인을 따라 조사함으로써, 웨이퍼를 분할하는 가공흔(加工痕)(홈)을 형성하고 있다.Instead of the above-mentioned cutting apparatus, the method of dividing a wafer using the laser processing apparatus which can irradiate the laser beam of the wavelength which shows absorptivity with respect to a wafer is also known (for example, refer patent document 2). In the method using this laser processing apparatus, a processing mark (groove) for dividing a wafer is formed by irradiating a pulsed laser beam along a wafer dividing line.

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 평성 제4-245663호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-245663 [특허문헌 2] 일본 특허 공개 평성 제10-305420호 공보[Patent Document 2] Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-305420

그러나, 레이저 가공 장치를 이용하는 전술한 방법으로 웨이퍼를 가공하는 경우에도, 웨이퍼에 칩이나 균열 등의 가공 불량이 발생해 버리는 경우가 있었다.However, even when processing a wafer by the above-mentioned method using a laser processing apparatus, processing defects, such as a chip and a crack, may arise in the wafer.

본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 레이저빔을 조사하여 판형의 피가공물을 가공할 때에 가공 불량의 발생을 억제할 수 있는 피가공물의 가공 방법을 제공하는 것이다.This invention is made | formed in view of such a problem, Comprising: It aims at providing the processing method of the to-be-processed object which can suppress generation | occurrence | production of a machining defect, when irradiating a laser beam and processing a workpiece of plate shape.

본 발명의 일 양태에 따르면, 등간격으로 설정되는 N개(N은 3 이상의 자연수)의 분할 예정 라인에 의해 복수의 영역으로 구획된 판형의 피가공물을, 상기 분할 예정 라인을 따라 레이저빔을 조사함으로써 가공하는 피가공물의 가공 방법으로서, 상기 피가공물의 가장 외측에 위치하는 상기 분할 예정 라인으로부터의 거리가 2n×D(D는 인접한 2개의 상기 분할 예정 라인의 거리, n은 2n<N을 만족하는 최대의 자연수)로 표시되는 제1 위치에 존재하는 상기 분할 예정 라인에 상기 레이저빔을 조사하여 상기 피가공물에 가공흔을 형성하는 제1 가공 단계와, 상기 제1 가공 단계 후, 제k 위치(k는 n 이하의 자연수)로부터의 거리가 2n-k×D×m(m은 자연수)으로 표시되는 제k+1 위치에 존재하는 상기 분할 예정 라인으로부터 선택되는 상기 분할 예정 라인에 상기 레이저빔을 조사하여 상기 피가공물에 가공흔을 형성하는 제k+1 가공 단계를 포함하고, 1에서 n까지의 k에 대해서 차례로 상기 제k+1 가공 단계를 행하며, 상기 제k+1 가공 단계에서는, i가 k 이하의 자연수인 모든 상기 제i 가공 단계에 있어서 상기 레이저빔이 조사되고 있지 않은 상기 분할 예정 라인이 선택되는 피가공물의 가공 방법이 제공된다.According to one aspect of the present invention, a laser beam is irradiated along the division scheduled line with a plate-shaped workpiece divided into a plurality of areas by N division scheduled lines set at equal intervals (N is a natural number of 3 or more). A method for processing a workpiece to be processed by, wherein a distance from the scheduled splitting line located at the outermost side of the workpiece is 2 n x D (D is a distance between two adjacent split scheduled lines, and n is 2 n <N And a first processing step of forming a processing mark on the workpiece by irradiating the laser beam to the split line to be present at the first position represented by the maximum natural number satisfying. k where the distance is 2 nk × D from (k is a natural number less than n) × m (m is a natural number) the k + the division planned the laser in a line selected from the dividing lines to be present in the first position shown by Irradiating and forming a processing mark on the workpiece, and performing the k + 1 processing steps in sequence for k from 1 to n, and in the k + 1 processing step, A processing method of a workpiece is provided in which all the division scheduled lines, in which the laser beam is not irradiated, are selected in all the i th processing steps where i is a natural number of k or less.

본 발명의 일 양태에 있어서, 상기 피가공물은, GaAs 웨이퍼라도 좋다.In one aspect of the present invention, the workpiece may be a GaAs wafer.

본 발명의 일 양태에 따른 피가공물의 가공 방법에서는, 피가공물에 가공흔이 형성되어 있을 정도의 크기의 영역으로 나눈 후에, 이미 형성되어 있는 2개의 가공흔의 중간에 위치하는 제1 분할 예정 라인에 레이저빔을 조사하여 새로운 가공흔을 형성하기 때문에, 이미 형성되어 있는 2개의 가공흔 사이에 끼워진 영역은, 새롭게 형성되는 가공흔에 의해 같은 정도의 체적을 갖는 2개의 소영역으로 나누어지게 된다.In the processing method of the to-be-processed object which concerns on one aspect of this invention, after dividing into the area | region of the magnitude | size about which the process trace is formed in a to-be-processed object, the 1st dividing predetermined line located in the middle of the two process marks already formed. Since a new processing mark is formed by irradiating a laser beam on the surface, the region sandwiched between two already formed processing marks is divided into two small regions having the same volume by the newly formed processing marks.

그 때문에, 이미 존재하는 가공흔에 의해, 레이저빔의 조사시에 발생하는 열의 전도가 방해되었다고 해도, 2개의 소영역에서 열을 동일하게 전도시킬 수 있다. 즉, 2개의 소영역의 한쪽과 다른 쪽에서 가공시의 열에 의한 온도차가 생기기 어려워지기 때문에, 치우친 열의 전도에 기인하는 가공 불량의 발생을 억제할 수 있다. 이와 같이, 본 발명의 일 양태에 따르면, 레이저빔을 조사하여 판형의 피가공물을 가공할 때에 가공 불량의 발생을 억제할 수 있는 피가공물의 가공 방법이 제공된다.Therefore, even if heat conduction generated at the time of irradiation of the laser beam is hindered by the processing marks already present, heat can be conducted equally in the two small regions. That is, since the temperature difference by heat at the time of a process becomes difficult to produce in one and the other of two small areas, the generation of the machining defect resulting from the conduction of the biased heat can be suppressed. As described above, according to one aspect of the present invention, there is provided a processing method of a workpiece, which can suppress the occurrence of machining defects when irradiating a laser beam with a plate-shaped workpiece.

도 1은 피가공물 등의 구성예를 도시한 사시도이다.
도 2는 피가공물이 가공되는 모습을 도시한 사시도이다.
도 3은 제1 위치에 존재하는 분할 예정 라인을 따라 가공된 피가공물을 도시한 평면도이다.
도 4는 제2 위치에 존재하는 분할 예정 라인을 따라 가공된 피가공물을 도시한 평면도이다.
도 5는 제3 위치에 존재하는 분할 예정 라인을 따라 가공된 피가공물을 도시한 평면도이다.
도 6은 제4 위치에 존재하는 분할 예정 라인을 따라 가공된 피가공물을 도시한 평면도이다.1 is a perspective view illustrating a configuration example of a workpiece and the like.
2 is a perspective view showing a state in which a workpiece is processed.
3 is a plan view showing a workpiece processed along a division scheduled line existing in a first position.
FIG. 4 is a plan view showing a workpiece processed along a division scheduled line existing in a second position.
FIG. 5 is a plan view showing a workpiece processed along a division scheduled line existing in a third position.
FIG. 6 is a plan view showing a workpiece processed along a division scheduled line existing in a fourth position.

레이저빔을 조사하여 판형의 피가공물에 홈 등의 가공흔을 형성하는 경우, 예컨대, 이 피가공물을 끝에서부터 차례로 가공하면, 피가공물에 칩이나 균열 등의 가공 불량이 발생하기 쉬워진다. 이 현상은, 레이저빔의 조사에 의해 형성되는 가공흔을 경계로 나누어지는 2개의 영역 중 한쪽이 충분히 작은 경우에, 이 2개의 영역 사이에서, 레이저빔의 조사시에 발생하는 열에 의한 큰 온도차가 생기는 것에 기인한다고 추찰된다.In the case of forming a processing mark such as a groove in a plate-shaped workpiece by irradiating a laser beam, for example, if the workpiece is processed sequentially from the end, machining defects such as chips or cracks are likely to occur in the workpiece. This phenomenon has a large temperature difference due to heat generated when the laser beam is irradiated between the two regions when one of the two regions divided by the boundary of the processing trace formed by the irradiation of the laser beam is sufficiently small. It is inferred to be due to the occurrence.

즉, 가공흔을 경계로 나누어지는 2개의 영역에서 레이저빔의 조사시에 발생하는 열을 동일하게 전도시킬 수 있으면, 이 문제를 해결할 수 있다고 생각된다. 그래서, 본 발명에서는, 피가공물에 복수의 가공흔이 형성되어 있을 정도의 크기의 영역으로 나눈 후에, 이미 형성되어 있는 2개의 가공흔의 중간에 위치하는 분할 예정 라인에 레이저빔을 조사하여 새로운 가공흔을 형성한다.That is, it is considered that this problem can be solved if the heat generated during the irradiation of the laser beam can be equally conducted in the two regions divided by the processing marks. Therefore, in the present invention, after dividing the work piece into a region of a size such that a plurality of processing marks are formed, the laser beam is irradiated to a division scheduled line located in the middle of the two processing marks already formed and newly processed. Forms scars;

이것에 의해, 이미 존재하는 2개의 가공흔 사이에 끼워진 영역은, 새롭게 형성되는 가공흔에 의해 같은 정도의 체적을 갖는 2개의 소영역으로 나누어지게 되기 때문에, 이미 존재하는 2개의 가공흔에 의해 레이저빔의 조사시에 발생하는 열의 전도가 방해되었다고 해도, 2개의 소영역에서 열을 동일하게 전도시킬 수 있다.As a result, the region sandwiched between the two already existing processing marks is divided into two small regions having the same volume by the newly formed processing marks. Even if conduction of heat generated at the time of beam irradiation is disturbed, heat can be conducted equally in the two small regions.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 일 양태에 따른 실시형태에 대해서 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 따른 피가공물의 가공 방법으로 가공되는 판형의 피가공물(11) 등의 구성예를 도시한 사시도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 피가공물(11)은, 예컨대, GaAs(갈륨비소)로 이루어진 원반형의 GaAs 웨이퍼이다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment which concerns on one aspect of this invention is described with reference to an accompanying drawing. 1 is a perspective view showing a configuration example of a plate-shaped workpiece 11 or the like processed by the processing method of the workpiece according to the present embodiment. As shown in FIG. 1, the workpiece 11 is a disk-shaped GaAs wafer made of, for example, GaAs (gallium arsenide).

이 피가공물(11)의 표면(11a) 측은, 제1 방향(A 방향)에 평행한 직선형의 복수의 제1 분할 예정 라인(13a)과, 제1 방향과 교차하는 제2 방향(B 방향)에 평행한 직선형의 복수의 제2 분할 예정 라인(13b)에 의해 복수의 소영역으로 구획되어 있다. 즉, 제1 분할 예정 라인(13a)과 제2 분할 예정 라인(13b)은 서로 교차하고 있다.The surface 11a side of this workpiece 11 has a plurality of linear first divided scheduled lines 13a parallel to the first direction (A direction) and a second direction (B direction) that intersects the first direction. Is divided into a plurality of small regions by a plurality of linear second dividing scheduled lines 13b parallel to each other. That is, the first division scheduled line 13a and the second division scheduled line 13b cross each other.

각 소영역에는, IC(Integrated Circuit) 등의 디바이스(15)가 설치되어 있다. 또한, 도 1에서는, 제1 방향과 제2 방향이 대략 수직인 피가공물(11)을 도시하고 있지만, 제1 방향과 제2 방향은, 적어도 교차되어 있으면 된다. 즉, 제1 방향과 제2 방향은 평행하지 않으면 된다.In each small region, devices 15 such as ICs (Integrated Circuits) are provided. In addition, although the to-be-processed object 11 which the 1st direction and the 2nd direction are substantially perpendicular is shown in FIG. 1, the 1st direction and the 2nd direction should just intersect at least. That is, the first direction and the second direction do not have to be parallel.

또한, 피가공물(11)의 재질, 형상, 구조, 크기 등에 제한은 없다. 예컨대, 다른 반도체, 세라믹스, 수지, 금속 등의 재료로 이루어진 기판 등을 피가공물(11)로 할 수도 있다. 마찬가지로, 디바이스(15)의 종류, 수량, 형상, 구조, 크기, 배치 등에도 제한은 없다. 피가공물(11)에는, 디바이스(15)가 형성되어 있지 않아도 좋다.In addition, there is no limitation on the material, shape, structure, size, and the like of the workpiece 11. For example, the workpiece 11 may be a substrate made of a material such as another semiconductor, ceramics, resin, or metal. Similarly, the type, quantity, shape, structure, size, arrangement, and the like of the device 15 are not limited. The device 15 may not be formed in the workpiece 11.

이 피가공물(11)의 이면(11b) 측에는, 피가공물(11)보다도 직경이 큰 다이싱용 테이프(17)가 접착된다. 테이프(17)의 외주 부분은, 대략 원형의 개구(19a)를 갖는 환형의 프레임(19)에 접착된다. 즉, 피가공물(11)은, 테이프(17)를 통해 프레임(19)에 지지된다.The tape 17 for dicing larger in diameter than the to-be-processed object 11 is adhere | attached on the back surface 11b side of this to-be-processed object 11. The outer circumferential portion of the tape 17 is adhered to the annular frame 19 having an approximately circular opening 19a. That is, the workpiece 11 is supported by the frame 19 via the tape 17.

또한, 본 실시형태에서는, 피가공물(11)을 표면(11a) 측에서 가공하기 때문에, 이면(11b) 측에 테이프(17)를 접착하고 있지만, 피가공물(11)을 이면(11b) 측에서 가공하는 경우에는, 표면(11a) 측에 테이프(17)를 접착하면 된다. 또한, 피가공물(11)을 직접 유지하는 지그 테이블을 이용하는 경우 등에는, 피가공물(11)에 테이프(17)을 접착하지 않아도 좋다.In addition, in this embodiment, since the to-be-processed object 11 is processed on the surface 11a side, the tape 17 is adhere | attached on the back surface 11b side, but the to-be-processed object 11 is provided on the back surface 11b side. In the case of processing, what is necessary is just to adhere the tape 17 to the surface 11a side. In addition, when using the jig table which hold | maintains the to-be-processed object 11, you do not need to adhere the tape 17 to the to-be-processed object 11, for example.

도 2는 피가공물(11)이 가공되는 모습을 도시한 사시도이다. 본 실시형태에 따른 피가공물의 가공 방법에서는, 예컨대, 도 2에 도시된 레이저 가공 장치(2)를 이용하여 피가공물(11)이 가공된다. 이 레이저 가공 장치(2)는, 피가공물(11)을 유지하기 위한 척 테이블(4)을 구비하고 있다.2 is a perspective view showing a state in which the workpiece 11 is processed. In the processing method of the workpiece according to the present embodiment, the workpiece 11 is processed using, for example, the laser processing apparatus 2 shown in FIG. 2. This laser processing apparatus 2 is provided with the chuck table 4 for holding the to-be-processed object 11.

척 테이블(4)의 상면의 일부에는, 예컨대, 다공질재로 이루어진 유지판(도시하지 않음)이 노출되어 있다. 유지판의 상면은, X축 방향 및 Y축 방향에 대하여 대략 평행하게 형성되고, 척 테이블(4)의 내부에 설치된 흡인로(도시하지 않음) 등을 통해 흡인원(도시하지 않음)에 접속되어 있다.On a part of the upper surface of the chuck table 4, for example, a holding plate (not shown) made of a porous material is exposed. The upper surface of the holding plate is formed substantially parallel to the X-axis direction and the Y-axis direction, and is connected to a suction source (not shown) through a suction path (not shown) or the like provided inside the chuck table 4. have.

척 테이블(4)의 주위에는, 환형의 프레임(19)을 고정하기 위한 복수의 클램프(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 또한, 척 테이블(4)의 하부에는, 이동 기구(도시하지 않음) 및 회전 기구(도시하지 않음)가 연결되어 있다. 척 테이블(4)은, 이 이동 기구에 의해 X축 방향(가공 이송 방향) 및 Y축 방향(인덱싱 이송 방향)으로 이동하고, 회전 기구에 의해 Z축 방향(수직 방향)에 대략 평행한 회전축 주위로 회전한다.A plurality of clamps (not shown) for fixing the annular frame 19 are provided around the chuck table 4. In addition, a moving mechanism (not shown) and a rotating mechanism (not shown) are connected to the lower portion of the chuck table 4. The chuck table 4 moves in the X-axis direction (machining feed direction) and Y-axis direction (indexing feed direction) by this moving mechanism, and the rotational circumference is substantially parallel to the Z-axis direction (vertical direction) by the rotating mechanism. Rotate to

척 테이블(4)의 위쪽에는, 레이저 가공 유닛(6)이 배치되어 있다. 레이저 가공 유닛(6)은, 레이저 발진기(도시하지 않음)로 펄스 발진된 레이저 빔(21)을 소정의 위치에 조사, 집광한다. 본 실시형태에서 사용되는 레이저 발진기는, 피가공물(11)에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저빔(21)을 펄스 발진할 수 있도록 구성되며, 피가공물(11)의 어블레이션 가공에 적합하다.The laser processing unit 6 is arrange | positioned above the chuck table 4. The laser processing unit 6 irradiates and condenses the laser beam 21 pulse oscillated with a laser oscillator (not shown) at a predetermined position. The laser oscillator used in this embodiment is comprised so that the laser beam 21 of the wavelength which has the absorptivity with respect to the to-be-processed object 11 can be oscillated, and is suitable for the ablation process of the to-be-processed object 11.

레이저 가공 유닛(6)의 옆쪽에는, 피가공물(11) 등을 촬상하기 위한 카메라(촬상 유닛)(8)가 배치되어 있다. 이 카메라(8)에 의해 취득되는 화상에 기초하여, 예컨대, 피가공물(11)의 제1 분할 예정 라인(13a)(또는 제2 분할 예정 라인(13b))과, X축 방향이 이루는 각도가 조정된다.The camera (imaging unit) 8 for image | photographing the to-be-processed object 11 etc. is arrange | positioned at the side of the laser processing unit 6. Based on the image acquired by this camera 8, for example, the angle which the 1st division planned line 13a (or 2nd division planned line 13b) of the to-be-processed object 11 and X-axis direction make will Adjusted.

본 실시형태에 따른 피가공물의 가공 방법에서는, 우선, 이 레이저 가공 장치(2)의 척 테이블(4)에 피가공물(11)을 유지시킨다(유지 단계). 구체적으로는, 피가공물(11)의 이면(11b) 측에 접착되어 있는 테이프(17)를 척 테이블(4)(유지판)의 상면에 접촉시킨 후에, 흡인원의 부압을 작용시킨다. 아울러, 클램프로 프레임(19)을 고정한다. 이것에 의해, 피가공물(11)은, 표면(11a) 측이 위쪽으로 노출된 상태로 유지된다.In the processing method of the workpiece according to the present embodiment, first, the workpiece 11 is held on the chuck table 4 of the laser processing apparatus 2 (holding step). Specifically, after contacting the tape 17 adhered to the back surface 11b side of the workpiece 11 with the upper surface of the chuck table 4 (holding plate), the negative pressure of the suction source is applied. In addition, the frame 19 is fixed with a clamp. Thereby, the to-be-processed object 11 is hold | maintained in the state which the surface 11a side was exposed upward.

척 테이블(4)에 피가공물(11)을 유지시킨 후에는, 레이저빔(21)을 조사하여 이 피가공물(11)을 가공한다(가공 단계). 또한, 본 실시형태에서는, 제1 분할 예정 라인(13a)을 따라서만 피가공물(11)을 가공하는 절차에 대해서 설명하였으나, 동일한 절차에 의해 제2 분할 예정 라인(13b)을 따라 피가공물(11)을 더 가공하여도 좋다. 물론, 제2 분할 예정 라인(13b)을 따라서만 피가공물(11)을 가공할 수도 있다.After the workpiece 11 is held on the chuck table 4, the workpiece 11 is processed by irradiating a laser beam 21 (processing step). In addition, in this embodiment, although the process which processes the to-be-processed object 11 along the 1st dividing scheduled line 13a was demonstrated, the to-be-processed object 11 along the 2nd dividing scheduled line 13b by the same procedure. ) May be further processed. Of course, the to-be-processed object 11 can also be processed only along the 2nd dividing plan line 13b.

구체적으로는, 우선, N을 피가공물(11)에 설정되어 있는 제1 분할 예정 라인(13a)의 총 개수, D를 인접한 2개의 제1 분할 예정 라인(13a)의 거리, n을 2n<N을 만족하는 최대의 자연수로 하여, 피가공물(11)의 가장 외측에 위치하는 제1 분할 예정 라인(13a)으로부터의 거리가 2n×D로 표시되는 제1 위치에 존재하는 제1 분할 예정 라인(13a)에 레이저빔(21)을 조사하여 피가공물(11)을 가공한다(제1 가공 단계).Specifically, first, N is the total number of the first divided scheduled lines 13a set in the work piece 11, D is the distance between two adjacent first divided scheduled lines 13a, and n is 2 n < First dividing schedule present at the first position represented by 2 n × D, the distance from the first dividing scheduled line 13a located at the outermost side of the workpiece 11 as the maximum natural number satisfying N. The workpiece 11 is processed by irradiating the line 13a with the laser beam 21 (first processing step).

또한, 2n<N을 만족하는 n이 자연수이기 때문에, 가공의 대상이 되는 제1 분할 예정 라인(13a)의 총 개수는 3개 이상이 아니면 안 된다. 또한, 복수의 제1 분할 예정 라인(13a)은, 대략 등간격으로 설정될 필요가 있다. 즉, 피가공물(11)에는, 대략 등간격으로 N개(N은 3 이상의 자연수)의 제1 분할 예정 라인(13a)이 설정된다.In addition, since n satisfying 2 n <N is a natural number, the total number of first division scheduled lines 13a to be processed must be three or more. In addition, it is necessary to set the some 1st dividing predetermined line 13a at substantially equal intervals. That is, N pieces (N is a natural number of 3 or more) first division scheduled lines 13a are set in the workpiece 11 at substantially equal intervals.

한편, 제2 분할 예정 라인(13b)의 개수나 배치 등에 제한은 없다. 물론, 본 실시형태와 동일한 절차에 의해 피가공물(11)을 제2 분할 예정 라인(13b)을 따라 가공하는 경우에는, 제1 분할 예정 라인(13a)과 동등한 조건이 되도록 제2 분할 예정 라인(13b)의 조건이 설정된다.In addition, there is no restriction | limiting in the number, arrangement | positioning, etc. of the 2nd division plan line 13b. Of course, when the workpiece 11 is to be processed along the second division scheduled line 13b by the same procedure as in the present embodiment, the second division scheduled line ( The condition of 13b) is set.

도 3은 제1 위치(L1)에 존재하는 분할 예정 라인(13a)을 따라 가공된 피가공물(11)을 도시한 평면도이다. 이하에서는, 피가공물(11)에 설정되어 있는 제1 분할 예정 라인(13a)의 총 개수를 11개(즉, N=11)로서 설명한다. 이 경우, 2n<N을 만족하는 최대의 자연수 n은 3이다. 따라서, 피가공물(11)의 가장 외측에 위치하는 제1 분할 예정 라인(13a)(기준 위치(L0))으로부터 제1 위치(L1)까지의 거리는, 도 3에 도시된 바와 같이, 8×D가 된다.3 is a plan view showing the workpiece 11 processed along the division scheduled line 13a present at the first position L1. Below, the total number of the 1st dividing plan lines 13a set in the to-be-processed object 11 is demonstrated as 11 (namely, N = 11). In this case, the largest natural number n that satisfies 2 n <N is 3. Therefore, the distance from the 1st dividing plan line 13a (reference position L0) located in the outermost part of the to-be-processed object 11 to 1st position L1 is 8xD, as shown in FIG. Becomes

제1 위치(L1)에 존재하는 제1 분할 예정 라인(13a)을 따라 레이저빔(21)을 조사할 때에는, 우선, 척 테이블(4)을 이동시켜, 제1 위치(L1)에 존재하는 제1 분할 예정 라인(13a)의 연장선의 위쪽에 레이저 가공 유닛(6)을 위치시킨다. 또한, 레이저 가공 장치(2)의 X축 방향과 피가공물(11)의 제1 분할 예정 라인(13a)이 평행하게 되어 있지 않은 경우에는, 척 테이블(4)을 회전시켜, 제1 분할 예정 라인(13a)의 방향을 조정해 둔다.When irradiating the laser beam 21 along the 1st dividing predetermined line 13a which exists in 1st position L1, first, the chuck table 4 is moved, and the agent which exists in 1st position L1 is moved. The laser processing unit 6 is located above the extension line of one division plan line 13a. In addition, when the X-axis direction of the laser processing apparatus 2 and the 1st division plan line 13a of the to-be-processed object 11 are not parallel, the chuck table 4 is rotated and a 1st division plan line Adjust the direction of (13a).

그 후, 피가공물(11)에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저빔(21)을 레이저 가공 유닛(6)으로부터 조사하면서, 척 테이블(4)을 X축 방향으로 이동시킨다. 이것에 의해, 제1 위치(L1)에 존재하는 제1 분할 예정 라인(13a)에 레이저빔(21)을 조사하여 제1 가공흔(홈)(11c)을 형성할 수 있다. 또한, 제1 가공흔(11c)의 깊이에 제한은 없다. 예컨대, 피가공물(11)을 분단(절단)하는 깊이의 제1 가공흔(11c)을 형성할 수도 있다.Thereafter, the chuck table 4 is moved in the X-axis direction while irradiating the laser beam 21 having a wavelength having absorption to the workpiece 11 from the laser processing unit 6. Thereby, the 1st process mark (groove) 11c can be formed by irradiating the laser beam 21 to the 1st dividing predetermined line 13a which exists in the 1st position L1. In addition, there is no restriction | limiting in the depth of the 1st process trace 11c. For example, the 1st process mark 11c of the depth which divides (cuts) the to-be-processed object 11 may be formed.

제1 가공흔(11c)을 형성한 후에는, 제1 위치(L1)로부터의 거리가 2n-1×D×m(m은 자연수)으로 표시되는 제2 위치(L2)에 존재하는 제1 분할 예정 라인(13a)에 레이저빔을 조사하여 피가공물(11)을 가공한다(제2 가공 단계).After the 1st processing mark 11c is formed, the 1st position which exists in the 2nd position L2 whose distance from the 1st position L1 is represented by 2n- 1xDxm (m is a natural number) is shown. The workpiece 11 is processed by irradiating a laser beam onto the division scheduled line 13a (second processing step).

도 4는 제2 위치(L2)에 존재하는 분할 예정 라인(13a)을 따라 가공된 피가공물(11)을 도시한 평면도이다. 전술한 바와 같이, 2n<N을 만족하는 최대의 자연수 n은 3이다. 따라서, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 위치(L1)로부터 제2 위치(L2)까지의 거리는, 4×D×m이 된다. 또한, 도 4에서는, 대표적인 제2 위치(L2)만이 도시되어 있다.FIG. 4 is a plan view showing the workpiece 11 processed along the division scheduled line 13a existing at the second position L2. As described above, the maximum natural number n that satisfies 2 n <N is 3. Therefore, as shown in FIG. 4, the distance from the first position L1 to the second position L2 is 4 × D × m. 4, only the representative second position L2 is shown.

제2 위치(L2)에 존재하는 제1 분할 예정 라인(13a)을 따라 레이저빔(21)을 조사할 때에는, 우선, 척 테이블(4)을 이동시켜, 대상이 되는 어느 하나의 제1 분할 예정 라인(13a)의 연장선의 위쪽에 레이저 가공 유닛(6)을 위치시킨다. 그리고, 피가공물(11)에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저빔(21)을 레이저 가공 유닛(6)으로부터 조사하면서, 척 테이블(4)을 X축 방향으로 이동시킨다.When irradiating the laser beam 21 along the 1st dividing schedule line 13a which exists in 2nd position L2, first, the chuck table 4 is moved, and any 1st dividing schedule which becomes an object will be carried out. The laser processing unit 6 is positioned above the extension line of the line 13a. And the chuck table 4 is moved to an X-axis direction, irradiating the laser beam 21 of the wavelength which has absorptivity with respect to the to-be-processed object 11 from the laser processing unit 6.

이것에 의해, 대상이 되는 어느 하나의 제1 분할 예정 라인(13a)에 레이저빔(21)을 조사하여 제2 가공흔(홈)(11d)을 형성할 수 있다. 또한, 이 제2 가공흔(11d)의 깊이에도 제한은 없다. 그 후, 같은 절차를 반복하고, 대상이 되는 모든 제1 분할 예정 라인(13a)에 레이저빔(21)을 조사하여 제2 가공흔(11d)을 형성한다.Thereby, the laser beam 21 can be irradiated to any one of the 1st scheduled dividing lines 13a as an object, and 11 d of 2nd process traces (grooves) can be formed. Moreover, there is no restriction | limiting also in the depth of this 2nd process trace 11d. Thereafter, the same procedure is repeated, and the second processing marks 11d are formed by irradiating the laser beam 21 to all the first division scheduled lines 13a as targets.

또한, 도 4에서는, 피가공물(11)의 외부의 제2 위치(L2)도 도시되어 있지만, 당연히, 이 제2 위치(L2)에는, 레이저빔(21)을 조사하지 않아도 좋다. 한편, 제1 위치(L1)로부터의 거리가 4×D×2로 표시되고, 기준 위치(L0)와 중복되는 제2 위치(L2)에 존재하는 제1 분할 예정 라인(13a)에는, 레이저빔(21)을 조사한다.In addition, although the 2nd position L2 of the outside of the to-be-processed object 11 is also shown in FIG. 4, of course, you do not need to irradiate the laser beam 21 to this 2nd position L2. On the other hand, the distance from the 1st position L1 is represented by 4 * Dx2, and the laser beam is in the 1st division line 13a which exists in the 2nd position L2 which overlaps with the reference position L0. Investigate (21).

제2 가공흔(11d)을 형성한 후에는, 제2 위치(L2)로부터의 거리가 2n-2×D×m(m은 자연수)으로 표시되는 제3 위치(L3)에 존재하는 제1 분할 예정 라인(13a) 중에서 제1 가공흔(11c), 제2 가공흔(11d) 모두 형성되어 있지 않은 제1 분할 예정 라인(13a)(즉, 제1 가공 단계 및 제2 가공 단계에 있어서 레이저빔이 조사되어 있지 않은 제1 분할 예정 라인(13a))에 레이저빔을 조사하여 피가공물(11)을 가공한다(제3 가공 단계).After the second processing mark 11d is formed, the first position at the third position L3 at which the distance from the second position L2 is represented by 2 n −2 × D × m (m is a natural number) The laser beam in the first division scheduled line 13a (that is, the first processing step and the second processing step) in which neither the first processing mark 11c nor the second processing mark 11d is formed in the division scheduled line 13a. The workpiece 11 is processed by irradiating a laser beam to the first division scheduled line 13a that is not irradiated with the beam (third processing step).

도 5는 제3 위치(L3)에 존재하는 분할 예정 라인(13a)을 따라 가공된 피가공물(11)을 도시한 평면도이다. 전술한 바와 같이, 2n<N을 만족하는 최대의 자연수 n은 3이다. 따라서, 도 5에 도시된 바와 같이, 제2 위치(L2)로부터 제3 위치(L3)까지의 거리는, 2×D×m이 된다. 또한, 도 5에서는, 대표적인 제3 위치(L3)만이 도시되어 있다.FIG. 5: is a top view which shows the to-be-processed object 11 processed along the division plan line 13a which exists in 3rd position L3. As described above, the maximum natural number n that satisfies 2 n <N is 3. Therefore, as shown in FIG. 5, the distance from the second position L2 to the third position L3 is 2 × D × m. 5, only the representative third position L3 is shown.

제3 위치(L3)에 존재하는 제1 분할 예정 라인(13a) 중에서 제1 가공흔(11c), 제2 가공흔(11d) 모두 형성되어 있지 않은 제1 분할 예정 라인(13a)을 따라 레이저빔(21)을 조사할 때에는, 우선, 척 테이블(4)을 이동시켜, 대상이 되는 어느 하나의 제1 분할 예정 라인(13a)의 연장선의 위쪽에 레이저 가공 유닛(6)을 위치시킨다. 그리고, 피가공물(11)에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저빔(21)을 레이저 가공 유닛(6)으로부터 조사하면서, 척 테이블(4)을 X축 방향으로 이동시킨다.Laser beam along the 1st division line 13a in which neither the 1st process mark 11c nor the 2nd process mark 11d is formed among the 1st division plan line 13a which exists in 3rd position L3. When irradiating (21), first, the chuck table 4 is moved, and the laser processing unit 6 is positioned above the extension line of any one of the first division scheduled lines 13a. And the chuck table 4 is moved to an X-axis direction, irradiating the laser beam 21 of the wavelength which has absorptivity with respect to the to-be-processed object 11 from the laser processing unit 6.

이것에 의해, 대상이 되는 어느 하나의 제1 분할 예정 라인(13a)에 레이저빔(21)을 조사하여 제3 가공흔(홈)(11e)을 형성할 수 있다. 또한, 이 제3 가공흔(11e)의 깊이에도 제한은 없다. 그 후, 같은 순서를 반복하고, 대상이 되는 모든 제1 분할 예정 라인(13a)에 레이저빔(21)을 조사하여 제3 가공흔(11e)을 형성한다.Thereby, the 3rd process mark (groove) 11e can be formed by irradiating the laser beam 21 to any 1st division planned line 13a as an object. Moreover, there is no restriction | limiting also in the depth of this 3rd process trace 11e. Subsequently, the same procedure is repeated, and the 3rd processing mark 11e is formed by irradiating the laser beam 21 to all the 1st dividing | segment plan line 13a which becomes an object.

제3 가공흔(11e)을 형성한 후에는, 제3 위치(L3)로부터의 거리가 2n-3×D×m(m은 자연수)으로 표시되는 제4 위치(L4)에 존재하는 제1 분할 예정 라인(13a) 중에서 제1 가공흔(11c), 제2 가공흔(11d), 제3 가공흔(11e) 모두 형성되어 있지 않은 제1 분할 예정 라인(13a)(즉, 제1 가공 단계, 제2 가공 단계, 및 제3 가공 단계에 있어서 레이저빔이 조사되어 있지 않은 제1 분할 예정 라인(13a))에 레이저빔을 조사하여 피가공물(11)을 가공한다(제4 가공 단계).After the 3rd processing mark 11e is formed, the 1st position which exists in 4th position L4 in which the distance from 3rd position L3 is represented by 2n-3 * Dxm (m is a natural number) is shown. The first division scheduled line 13a (that is, the first processing step) in which neither the first processing mark 11c, the second processing mark 11d nor the third processing mark 11e is formed in the division scheduled line 13a. , The second processing step and the third processing step, and the workpiece 11 is processed by irradiating the laser beam to the first divided scheduled line 13a that is not irradiated with the laser beam (fourth processing step).

도 6은 제4 위치(L4)에 존재하는 분할 예정 라인(13a)을 따라 가공된 피가공물(11)을 도시한 평면도이다. 전술한 바와 같이, 2n<N을 만족하는 최대의 자연수 n은 3이다. 따라서, 도 6에 도시된 바와 같이, 제3 위치(L3)로부터 제4 위치(L4)까지의 거리는, 1×D×m이 된다. 또한, 도 6에서는, 대표적인 제4 위치(L4)만이 도시되어 있다.FIG. 6: is a top view which shows the to-be-processed object 11 processed along the dividing line 13a which exists in 4th position L4. As described above, the maximum natural number n that satisfies 2 n <N is 3. Therefore, as shown in FIG. 6, the distance from the third position L3 to the fourth position L4 is 1 × D × m. 6, only the representative fourth position L4 is shown.

제4 위치(L4)에 존재하는 제1 분할 예정 라인(13a) 중에서 제1 가공흔(11c), 제2 가공흔(11d), 제3 가공흔(11e) 모두 형성되어 있지 않은 제1 분할 예정 라인(13a)을 따라 레이저빔(21)을 조사할 때에는, 우선, 척 테이블(4)을 이동시켜, 대상이 되는 어느 하나의 제1 분할 예정 라인(13a)의 연장선의 위쪽에 레이저 가공 유닛(6)을 위치시킨다. 그리고, 피가공물(11)에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저빔(21)을 레이저 가공 유닛(6)으로부터 조사하면서, 척 테이블(4)을 X축 방향으로 이동시킨다.The first division schedule, in which neither the first processing mark 11c, the second processing mark 11d nor the third processing mark 11e is formed in the first division scheduled line 13a existing in the fourth position L4. When irradiating the laser beam 21 along the line 13a, first, the chuck table 4 is moved, and the laser processing unit (above the extension line of any one first division scheduled line 13a as a target) 6). And the chuck table 4 is moved to an X-axis direction, irradiating the laser beam 21 of the wavelength which has absorptivity with respect to the to-be-processed object 11 from the laser processing unit 6.

이것에 의해, 대상이 되는 어느 하나의 제1 분할 예정 라인(13a)에 레이저빔(21)을 조사하여 제4 가공흔(홈)(11f)을 형성할 수 있다. 또한, 이 제4 가공흔(11f)의 깊이에도 제한은 없다. 그 후, 동일한 절차를 반복하고, 대상이 되는 모든 제1 분할 예정 라인(13a)에 레이저빔(21)을 조사하여 제4 가공흔(11f)을 형성한다. 이것에 의해, 모든 제1 분할 예정 라인(13a)을 따라 피가공물(11)이 가공되게 된다.Thereby, the 4th processing mark (groove) 11f can be formed by irradiating the laser beam 21 to any 1st division planned line 13a as an object. Moreover, there is no restriction | limiting also in the depth of this 4th process trace 11f. Thereafter, the same procedure is repeated, and the fourth processing marks 11f are formed by irradiating the laser beam 21 to all the first division scheduled lines 13a as targets. Thereby, the to-be-processed object 11 is processed along all the 1st dividing predetermined line 13a.

이상과 같이, 본 실시형태에 따른 피가공물의 가공 방법에서는, 피가공물(11)에 가공흔(제1 가공흔(11c), 제2 가공흔(11d))이 형성되어 있을 정도의 크기의 영역으로 나눈 후에, 이미 형성되어 있는 2개의 가공흔의 중간에 위치하는 제1분할 예정 라인(13a)에 레이저빔(21)을 조사하여 새로운 가공흔(제3 가공흔(11e), 제4 가공흔(11f))을 형성하기 때문에, 이미 형성되어 있는 2개의 가공흔 사이에 끼워진 영역은, 새롭게 형성되는 홈에 의해 같은 정도의 체적을 갖는 2개의 소영역으로 나누어지게 된다.As mentioned above, in the processing method of the to-be-processed object which concerns on this embodiment, the area | region of the magnitude | size so that the process mark (1st process mark 11c, the 2nd process mark 11d) is formed in the to-be-processed object 11. After dividing by, the laser beam 21 is irradiated to the first split schedule line 13a positioned in the middle of the two already formed processing marks, and the new processing marks (the third processing mark 11e and the fourth processing mark) (11f)), the region sandwiched between the two already formed processing marks is divided into two small regions having the same volume by the newly formed grooves.

그 때문에, 이미 존재하는 가공흔에 의해, 레이저빔(21)의 조사시에 발생하는 열의 전도가 방해되었다고 해도, 2개의 소영역에서 열을 동일하게 전도시킬 수 있다. 즉, 2개의 소영역의 한쪽과 다른 쪽에서 가공시의 열에 의한 온도차가 생기기 어렵게 되기 때문에, 치우친 열의 전도에 기인하는 가공 불량의 발생을 억제할 수 있다.Therefore, even if heat conduction generated at the time of irradiation of the laser beam 21 is prevented by the processing marks already present, heat can be conducted equally in the two small regions. That is, since the temperature difference by the heat at the time of a process becomes difficult to produce in one side and the other of two small areas, the generation of the machining defect resulting from biased heat conduction can be suppressed.

또한, 본 발명은, 상기 실시형태의 기재에 제한되지 않고 여러 가지 변경하여 실시 가능하다. 예컨대, 상기 실시형태에서는, 주로, 제1 분할 예정 라인의 총 개수가 11개인 경우에 대해서 설명하고 있지만, 제1 분할 예정 라인의 총 개수가 임의의 N개(N은 3 이상의 자연수)인 경우에는, 다음과 같은 절차에 의해 피가공물(11)을 가공할 수 있다.In addition, this invention is not limited to description of the said embodiment, It can variously change and can implement. For example, in the above embodiment, the case where the total number of first division scheduled lines is 11 is mainly described. However, when the total number of first division scheduled lines is any N (N is a natural number of 3 or more), The workpiece 11 can be processed by the following procedure.

우선, 피가공물의 가장 외측에 위치하는 제1 분할 예정 라인으로부터의 거리가 2n×D(D는 인접한 2개의 상기 제1 분할 예정 라인의 거리, n은 2n<N을 만족하는 최대의 자연수)로 표시되는 제1 위치에 존재하는 제1 분할 예정 라인에 레이저빔을 조사하여 피가공물에 가공흔(홈)을 형성한다(제1 가공 단계). 또한, 이 제1 가공 단계는, 상기 실시형태와 동일하다.First, the distance from the first split scheduled line located at the outermost part of the workpiece is 2 n × D (D is the distance between two adjacent first split scheduled lines, and n is the maximum natural number that satisfies 2 n <N. The laser beam is irradiated to the first division scheduled line existing at the first position indicated by) to form a processing mark (groove) on the workpiece (first processing step). In addition, this 1st processing step is the same as that of the said embodiment.

제1 가공 단계 후에는, 제k 위치(k는 n 이하의 자연수)로부터의 거리가 2n-k×D×m(m은 자연수)으로 표시되는 제k+1 위치에 존재하는 제1 분할 예정 라인으로부터 선택되는 제1 분할 예정 라인에 레이저빔을 조사하여 피가공물에 가공흔을 형성한다(제k+1 가공 단계).After the first machining step, from the first scheduled line to be divided at the k + 1 position where the distance from the kth position (k is a natural number less than or equal to n) is represented by 2 nk × D × m (m is a natural number) The laser beam is irradiated to the selected first divided line to be processed to form a working mark on the workpiece (k + 1 processing step).

이 제k+1 가공 단계는, 1에서 n까지의 k에 대해서 차례로 행해진다. 또한, 제k+1 가공 단계에서는, i가 k 이하의 자연수인 모든 제i 가공 단계에 있어서 레이저빔이 조사되어 있지 않은 분할 예정 라인이 선택된다. 구체적으로는, 예컨대, 제5 가공 단계에서는, 제1 가공 단계, 제2 가공 단계, 제3 가공 단계, 및 제4 가공 단계에 있어서 레이저빔이 조사되어 있지 않은 분할 예정 라인(13a)이 선택되게 된다.This k + 1th processing step is performed in sequence for k from 1 to n. Further, in the k + 1th processing step, the division scheduled line to which the laser beam is not irradiated is selected in all the i'th processing steps where i is a natural number of k or less. Specifically, for example, in the fifth machining step, in the first machining step, the second machining step, the third machining step, and the fourth machining step, the division scheduled line 13a to which the laser beam is not irradiated is selected. do.

또한, 상기 실시형태에서는, 피가공물(11)에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저빔(21)을 조사함으로써 피가공물(11)을 어블레이션 가공하고 있지만, 이 어블레이션 가공에 사용되는 레이저빔의 파장 등에 특별한 제한은 없다. 예컨대, 피가공물(11)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저빔을 이용하는 경우에도, 이 레이저빔을 충분히 집광시켜 다광자 흡수를 일으킴으로써, 피가공물(11)을 어블레이션 가공할 수 있다.Moreover, in the said embodiment, although the to-be-processed object 11 is ablated by irradiating the laser beam 21 of the wavelength which has an absorptivity with respect to the to-be-processed object 11, the wavelength of the laser beam used for this ablation process There is no special limitation on the back. For example, even when using a laser beam having a wavelength that transmits to the workpiece 11, the workpiece 11 can be ablated by sufficiently concentrating the laser beam to cause multiphoton absorption.

또한, 상기 실시형태에서는, 제1 분할 예정 라인(13a)을 따라서만 피가공물(11)을 가공하는 절차에 대해서 설명하였으나, 제1 분할 예정 라인(13a)과 제2 분할 예정 라인(13b)을 교대로 가공하여도 좋다. 이 경우에는, 예컨대, 제1 분할 예정 라인(13a)을 가공하기 위한 제1 가공 단계 후에, 제2 분할 예정 라인(13b)을 가공하기 위한 제1 가공 단계를 행하고, 그 후, 제1 분할 예정 라인(13a)을 가공하기 위한 제2 가공 단계를 행한다고 하는 절차에 의해 피가공물(11)을 가공할 수 있다.In addition, in the said embodiment, although the process which processes the to-be-processed object 11 along the 1st dividing scheduled line 13a was demonstrated, the 1st dividing scheduled line 13a and the 2nd dividing scheduled line 13b will be described. You may process it alternately. In this case, for example, after the first processing step for processing the first division scheduled line 13a, a first processing step for processing the second division scheduled line 13b is performed, and thereafter, the first division schedule is performed. The workpiece 11 can be machined by a procedure of performing a second machining step for machining the line 13a.

그 밖에, 상기 실시형태에 따른 구조, 방법 등은, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한 적절하게 변경하여 실시할 수 있다.In addition, the structure, method, etc. which concern on the said embodiment can be suitably changed and implemented, unless the deviation of the objective of this invention is deviated.

11 : 피가공물 11a : 표면
11b : 이면 11c : 제1 가공흔(홈)
11d : 제2 가공흔(홈) 11e : 제3 가공흔(홈)
11f : 제4 가공흔(홈) 13a : 제1 분할 예정 라인
13b : 제2 분할 예정 라인 15 : 디바이스
17 : 테이프 19 : 프레임
21 : 레이저빔 L1 : 제1 위치
L2 : 제2 위치 L3 : 제3 위치
L4 : 제4 위치 2 : 레이저 가공 장치
4 : 척 테이블 6 : 레이저 가공 유닛
8 : 카메라(촬상 유닛)11: Workpiece 11a: Surface
11b: Back side 11c: First machining mark (groove)
11d: 2nd processing mark (groove) 11e: 3rd processing mark (groove)
11f: 4th processing scar (groove) 13a: first division scheduled line
13b: second division scheduled line 15: device
17: tape 19: frame
21: laser beam L1: first position
L2: second position L3: third position
L4: 4th position 2: laser processing apparatus
4: Chuck Table 6: Laser Processing Unit
8: camera (imaging unit)

Claims (2)

등간격으로 설정되는 N개(N은 3 이상의 자연수)의 분할 예정 라인에 의해 복수의 영역으로 구획된 판형의 피가공물을, 상기 분할 예정 라인을 따라 레이저빔을 조사함으로써 가공하는 피가공물의 가공 방법으로서,
상기 피가공물의 가장 외측에 위치하는 상기 분할 예정 라인으로부터의 거리가 2n×D(D는 인접한 2개의 상기 분할 예정 라인의 거리, n은 2n<N을 만족하는 최대의 자연수)로 표시되는 제1 위치에 존재하는 상기 분할 예정 라인에 상기 레이저빔을 조사하여 상기 피가공물에 가공흔을 형성하는 제1 가공 단계, 및
상기 제1 가공 단계 후, 제k 위치(k는 n 이하의 자연수)로부터의 거리가 2n-k×D×m(m은 자연수)으로 표시되는 제k+1 위치에 존재하는 상기 분할 예정 라인으로부터 선택되는 상기 분할 예정 라인에 상기 레이저빔을 조사하여 상기 피가공물에 가공흔을 형성하는 제k+1 가공 단계를 포함하고,
1에서 n까지의 k에 대해서 차례로 상기 제k+1 가공 단계를 행하며,
상기 제k+1 가공 단계에서는, i가 k 이하의 자연수인 모든 그 제i 가공 단계에 있어서 상기 레이저빔이 조사되어 있지 않은 상기 분할 예정 라인이 선택되는 것을 특징으로 하는 피가공물의 가공 방법.A processing method of a workpiece to be processed by irradiating a laser beam along the division scheduled line with a plate-shaped workpiece divided into a plurality of areas by N division scheduled lines set at equal intervals (N is a natural number of 3 or more). As
The distance from the scheduled to be divided line which is located on the outermost side of the workpiece is represented by 2 n × D (D is the distance of two adjacent to be divided lines, where n is the maximum natural number that satisfies 2 n <N). A first machining step of irradiating the laser beam to the division scheduled line existing at a first position to form a machining mark on the workpiece; and
After the first machining step, select from the division scheduled line existing at the k + 1th position where the distance from the kth position (k is a natural number less than or equal to n) is represented by 2 nk × D × m (m is a natural number). And a k + 1th processing step of forming a processing mark on the workpiece by irradiating the laser beam to the predetermined line to be divided,
The k + 1th machining steps are performed in sequence for k from 1 to n,
And wherein in the k + 1th processing step, the division scheduled line not irradiated with the laser beam is selected in all of the i'th processing steps where i is a natural number of k or less. 제1항에 있어서, 상기 피가공물은, GaAs 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 피가공물의 가공 방법.The method according to claim 1, wherein the workpiece is a GaAs wafer.
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